KR102589759B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는, 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들; 제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들; 제 1 신호선들 및 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들; 제 2 신호선들 및 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및 제 2 구동 스테이지들과 연결된 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 포함하며, 제 2 구동 스테이지들은 제 3 구동 스테이지들로부터 이격되며, 제 2 신호선들은 제 1 구동 스테이지들이 위치한 영역을 가로질러 연장된다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예는 표시장치에 관한 것으로, 특히 데드 스페이스를 최소화할 수 있도록 한 표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광 표시장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 유기전계발광 표시장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수개의 화소를 구비하며, 각 화소에는 배선들과 상기 배선들에 연결되며, 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수 개의 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
또한, 유기전계발광 표시장치는 화소를 구동하기 위한 주사 구동부, 발광 구동부 및 데이터 구동부를 구비한다. 여기서, 구동부들이 패널에 실장되는 경우 패널의 데드 스페이스(Dead space)가 증가된다.
따라서, 본 발명은 데드 스페이스를 최소화할 수 있도록 한 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 제 1신호선들, 제 2신호선들 및 데이터선들과 전기적으로 접속되며, 제 1화소영역에 배치되는 제 1화소들과; 제 3신호선들, 제 4신호선들 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 접속되며, 제 2화소영역에 배치되는 제 2화소들과; 상기 제 1신호선들 및 제 3신호선들로 제 1신호를 공급하기 위한 제 1스테이지들과; 상기 제 2신호선들 및 적어도 하나의 제 4신호선들로 제 2신호를 공급하기 위한 제 2스테이지들과; 상기 제 2스테이지들과 접속된 상기 적어도 하나의 제 4신호선들을 제외한 나머지 제 4신호선들로 상기 제 2신호를 공급하기 위한 제 3스테이지들을 구비하며; 상기 제 2스테이지들 및 제 3스테이지들은 서로 이격되게 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1신호선들 및 제 3신호선들은 주사선들이며, 상기 제 1신호는 주사신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2신호선들 및 제 4신호선들은 발광 제어선들이며, 상기 제 2신호는 발광 제어신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 1신호선들 및 제 3신호선들은 발광 제어선들이며, 상기 제 1신호는 발광 제어신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2신호선들 및 제 4신호선들은 주사선들이며, 상기 제 2신호는 주사신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2화소 영역은 상기 제 1화소 영역과 인접되도록 상기 제 1화소 영역의 일측에 위치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1화소 영역은 상기 제 2화소 영역보다 큰 면적으로 설정된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1화소 영역에서 수평라인 각각에는 동일한 수의 상기 제 1화소들이 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 2화소 영역의 상측에 위치되는 제 1수평라인에는 제 1개수의 제 2화소들이 배치되고, 상기 제 2화소 영역의 하측에 위치되는 제 2수평라인에는 상기 제 1개수와 상이한 제 2개수의 제 2화소들이 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1수평라인에는 상기 제 2수평라인보다 더 많은 제 2화소들이 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 2화소 영역의 상측은 상기 제 1화소 영역과 인접된 영역이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2스테이지들은 상기 제 1스테이지들 중 일부의 측면에 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 3스테이지들은 상기 제 1스테이지들의 하측에 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1스테이지들의 측면에 배치되며, 상기 제 1스테이지들로 전원들 및 구동신호들을 공급하기 위한 제 1신호배선을 더 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 제 2스테이지들 및 제 3스테이지들의 측면에 배치되며, 상기 제 2스테이지들 및 제 3스테이지들로 전원들 및 구동신호들을 공급하기 위한 제 2신호배선을 더 구비한다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 제 1화소영역 및 제 2화소영역에 위치된 제 1신호선들로 제 1신호를 공급하기 위한 제 1스테이지들과; 상기 제 1화소영역에 위치된 제 2신호선들 및 상기 제 2화소영역에 위치된 적어도 하나의 제 3신호선들로 제 2신호를 공급하기 위한 제 2스테이지들과; 상기 제 2스테이지들과 이격되게 위치되며, 상기 제 2화소영역에 위치된 상기 적어도 하나의 제 3신호선들을 제외한 나머지 제 3신호선들로 상기 제 2신호를 공급하기 위한 제 3스테이지들 구비하며; 상기 제 3스테이지들 중 첫 번째 제 3스테이지는 상기 제 2스테이지들 중 마지막 제 2스테이지로부터의 제 2신호에 대응하여 구동된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1신호선들은 주사선들이며, 상기 제 1신호는 주사신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2신호선들 및 제 3신호선들은 발광 제어선들이며, 상기 제 2신호는 발광 제어신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 1신호선들은 발광 제어선들이며, 상기 제 1신호는 발광 제어신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2신호선들 및 제 3신호선들은 주사선들이며, 상기 제 2신호는 주사신호이다.
실시 예에 의한, 상기 제 1화소 영역은 상기 제 2화소 영역보다 큰 면적으로 설정된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1화소 영역에서 수평라인 각각에는 동일한 수의 제 1화소들이 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 2화소 영역의 상측에 위치된 제 1수평라인에는 제 1개수의 제 2화소들이 배치되고, 상기 제 2화소 영역의 하측에 위치된 제 2수평라인에는 제 1개수보다 적은 제 2개수의 제 2화소들이 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 2화소 영역의 상측은 상기 제 1화소 영역과 인접된 영역이다.
실시 예에 의한, 상기 제 2스테이지들은 상기 제 1스테이지들 중 일부의 측면에 배치된다.
실시 예에 의한, 상기 제 3스테이지들은 상기 제 1스테이지들의 하측에 배치된다.
본 발명의 다른 실시 예에 의한 표시 장치는, 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들; 제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들; 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들; 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및 상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 포함하며, 상기 제 2 구동 스테이지들은 상기 제 3 구동 스테이지들로부터 이격되며, 상기 제 2 신호선들은 상기 제 1 구동 스테이지들이 위치한 영역을 가로질러 연장된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 구동 스테이지들은 제 1 방향으로 상기 제 2 구동 스테이지들과 상기 제 1 화소들 사이에 위치할 수 있고, 상기 제 3 구동 스테이지들 중 적어도 하나는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 제 1 구동 스테이지들 중 적어도 하나와 인접할 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선은 상기 제 1 구동 스테이지들이 위치한 영역을 가로질러 연장될 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 1 신호는 주사 신호일 수 있으며, 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 2 신호는 발광 제어신호일 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 1 신호는 발광 제어 신호일 수 있으며, 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 2 신호는 주사 신호일 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 2 화소 영역은 상기 제 1 화소 영역에 인접할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 의한 표시 장치는, 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들; 제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들; 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들; 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및 상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 포함하며, 상기 제 2 구동 스테이지들은 상기 제 3 구동 스테이지들로부터 이격되며, 상기 제 3 구동 스테이지들과 연결된 상기 나머지 제 4 신호선들은 상기 제 2 화소들과 연결된 상기 제 3 신호선들 중 적어도 하나와 중첩하는 적어도 하나의 중첩 부분을 포함한다.
실시 예에 의한, 상기 제 3 신호선들은 제 1 금속으로 형성되고, 상기 제 4 신호선들은 제 2 금속으로 형성될 수 있고, 상기 제 3 신호선들은 상기 제 4 신호선들과 다른 층에 배치될 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 1 신호는 주사 신호일 수 있으며, 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 2 신호는 발광 제어신호일 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 1 신호는 발광 제어 신호일 수 있으며, 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 2 신호는 주사 신호일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 표시 장치는, 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들; 및 제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들을 포함하며, 상기 제 4 신호선들은, 상기 제 3 신호선들 중 적어도 하나와 컨택되지 않고 교차하는 제 1 도전선; 및 상기 제 3 신호선들과 교차하지 않는 제 2 도전선을 포함한다.
실시 예에 의한, 상기 제 4 신호선들은 상기 제 3 신호선들과 다른 층에 배치될 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 신호선들 각각은 상기 제 2 신호선들과 교차하지 않을 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 표시 장치는 상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들; 상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및 상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 의한, 상기 제 1 구동 스테이지들은 제 1 방향으로 상기 제 2 구동 스테이지들과 상기 제 1 화소들 사이에 위치할 수 있고, 상기 제 3 구동 스테이지들 중 적어도 하나는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 제 1 구동 스테이지들 중 적어도 하나와 인접할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치에 의하면, 패널의 곡선 부분에 위치된 발광 스테이지들의 일부가 주사 스테이지들의 하측에 배치된다. 이 경우, 패널의 곡선 부분의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판을 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 보다 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 제 1화소의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 주사 구동부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 주사 스테이지의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 주사 스테이지의 구동방법의 실시예를 나타내는 파형도이다.
도 8은 발광 구동부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 발광 스테이지의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 9에 도시된 발광 스테이지의 구동방법의 실시예를 나타내는 파형도이다.
도 11은 도 2a에 도시된 표시장치의 "A" 영역을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 12는 도 2b에 도시된 표시장치의 "A'" 영역을 확대하여 나타내는 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예 및 그 밖에 당업자가 본 발명의 내용을 쉽게 이해하기 위하여 필요한 사항에 대하여 상세히 기재한다. 다만, 본 발명은 청구범위에 기재된 범위 안에서 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로 하기에 설명하는 실시예는 표현 여부에 불구하고 예시적인 것에 불과하다.
즉, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판을 나타낸 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판(100)은 화소 영역(AA1, AA2)과 주변 영역(NA1, NA2)을 포함할 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2)에는 다수의 화소들(PXL1, PXL2)이 위치하며, 이에 따라 화소 영역(AA1, AA2)에서는 소정의 영상을 표시할 수 있다. 즉, 화소 영역(AA1, AA2)은 유효 표시부로 설정된다.
주변 영역(NA1, NA2)에는 화소들(PXL1, PXL2)을 구동하기 위한 구성 요소들(예를 들어, 구동부 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA1, NA2)에는 화소들(PXL1, PXL2)이 존재하지 않으므로, 주변 영역으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 주변 영역(NA1, NA2)은 화소 영역(AA1, AA2)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소 영역(AA1, AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
화소 영역(AA1, AA2)은 제 1화소 영역(AA1), 제 1화소 영역(AA1)의 일측에 위치되는 제 2화소 영역(AA2)을 포함할 수 있다. 제 1화소 영역(AA1)은 제 2화소 영역(AA2)에 비해 큰 면적을 가질 수 있다.
주변 영역(NA1, NA2)은 제 1주변 영역(NA1) 및 제 2주변 영역(NA2)을 포함할 수 있다.
제 1주변 영역(NA1)은 제 1화소 영역(AA1)의 주변에 존재하며, 제 1화소 영역(AA1)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
제 2주변 영역(NA2)은 제 2화소 영역(AA2)의 주변에 존재하며, 제 2화소 영역(AA2)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2)은 제 1화소들(PXL1) 및 제 2화소들(PXL2)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1화소들(PXL1)은 제 1화소 영역(AA1)에 위치하고, 제 2화소들(PXL2)은 제 2화소 영역(AA2)에 위치할 수 있다.
화소들(PXL1, PXL2)은 주변 영역(NA1, NA2)에 위치한 구동부들의 제어에 따라 소정의 휘도로 발광할 수 있으며, 이를 위해 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
기판(100)은 상술한 화소 영역(AA1, AA2)과 주변 영역(NA1, NA2)이 설정될 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 판상의 베이스 기판(101)을 포함할 수 있다. 제 2화소 영역(AA2) 및 제 2주변 영역(NA2)에 대응되는 베이스 기판(101)의 하단 코너부는 도 1a에 도시된 바와 같이, 소정의 곡률을 갖는 곡선 형상을 가질 수 있으나, 각진 형상 등과 같은 다른 형상으로도 변화될 수 있다. 일례로, 베이스 기판(101)의 하단 코너부는 도 1b에 도시된 바와 같이, 소정의 사선 형태를 가질 수 있다.
한편, 제 2화소 영역(AA2) 및 제 2주변 영역(NA2)의 코너부가 곡선 또는 사선 형태를 가지는 경우, 제 2화소 영역(AA2)에 위치하는 제 2화소들(PXL2)은 제 1화소 영역(AA1)에 위치하는 제 1화소들(PXL1)과 다르게 배치될 수 있다. 제 2화소들(PXL2)의 배치 구성에 관하여는 추후 설명하기로 한다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다만, 기판(100)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 기판(100), 제 1화소들(PXL1), 제 2화소들(PXL2), 주사 구동부(210), 발광 구동부(310) 및 데이터 구동부(400)를 포함할 수 있다.
제 1화소들(PXL1)은 제 1화소 영역(AA1)에 위치하며, 각각 제 1주사선(S1), 제 1발광 제어선(E1) 및 데이터선(D)과 연결될 수 있다.
제 2화소들(PXL2)은 제 2화소 영역(AA2)에 위치하며, 각각 제 2주사선(S2), 제 2발광 제어선(E2) 및 데이터선(D)과 연결될 수 있다.
주사 구동부(210)는 제 1주사선들(S1) 및 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 공급할 수 있다. 즉, 주사 구동부(210)는 제 1화소들(PXL1) 및 제 2화소들(PXL2)을 구동한다. 이를 위하여, 주사 구동부(210)는 제 1주변 영역(NA1) 및 제 2주변 영역(NA2)에 위치될 수 있다.
여기서, 주사 구동부(210)는 제 2주변 영역(NA2)의 코너부에 대응되도록 제 2주변 영역(NA2)에서 곡선 형상을 가질 수 있다. 마찬가지로, 발광 구동부(310)는 제 2주변 영역(NA2)의 코너부에 대응되도록 제 2주변 영역(NA2)에서 곡선 형상을 가질 수 있다.
발광 구동부(310)는 제 1발광 제어선(E1) 및 제 2발광 제어선(E2)로 발광 제어신호를 공급할 수 있다. 즉, 발광 구동부(310)는 제 1화소들(PXL1) 및 제 2화소들(PXL2)을 구동한다. 이를 위하여, 발광 구동부(310)는 제 1주변 영역(NA1) 및 제 2주변 영역(NA2)에 위치될 수 있다. 한편, 발광 구동부(310)를 이루는 발광 스테이지들(미도시) 중 제 2주변 영역(NA2)에 위치된 일부 발광 스테이들은 주사 구동부(210)의 하측에 배치될 수 있다. 이와 관련하여 상세한 설명은 "A"를 확대하여 표시하는 도 11과 함께 추후 기재하기로 한다.
추가적으로, 도 2a에서는 발광 구동부(310)가 주사 구동부(210)의 외측에 위치되는 것으로 도시되었지만, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 도 2b에 도시된 바와 같이 발광 구동부(310)가 주사 구동부(210)의 내측에 위치될 수도 있다.
도 2b와 같이 발광 구동부(310) 및 주사 구동부(210)의 위치가 변경되는 경우, 주사 구동부(210)를 이루는 주사 스테이지들(미도시) 중 제 2주변 영역(NA2)에 위치된 일부 주사 스테이들은 발광 구동부(310)의 하측에 배치될 수 있다. 이와 관련하여 상세한 설명은 "A'"를 확대하여 표시하는 도 12와 함께 추후 기재하기로 한다.
데이터 구동부(400)는 데이터선들(D)을 통하여 화소들(PXL1, PXL2)로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
한편, 도 2a 및 도 2b에는 도시되지 않았으나 주사 구동부(210), 발광 구동부(310) 및 데이터 구동부(400)로 소정의 제어 신호를 제공하는 타이밍 제어부가 더 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 보다 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치는 주사 구동부(210), 발광 구동부(310), 데이터 구동부(400), 타이밍 제어부(180), 제 1화소들(PXL1) 및 제 2화소들(PXL2)을 구비한다.
제 1화소들(PXL1)은 제 1주사선들(S11, S12,...), 제 1발광 제어선들(E11, E21,...) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)에 의하여 구획된 제 1화소 영역(AA1)에 위치된다. 이와 같은 제 1화소들(PXL1)은 제 1주사선들(S11, S12,...)로부터 주사신호가 공급될 때 데이터선들(D1 내지 Dm)로부터 데이터신호를 공급받는다. 데이터신호를 공급받은 제 1화소들(PXL1)은 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(미도시)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다.
제 2화소들(PXL2) 중 적어도 일부는 제 2주사선들(S21,...), 제 2발광 제어선들(E21,...) 및 데이터선들(D2 내지 Dm-1)에 의하여 구획된 제 2화소 영역(AA2)에 위치된다. 이와 같은 제 2화소들(PXL2)은 제 2주사선들(S21,...)로부터 주사신호가 공급될 때 데이터선들(D2 내지 Dm-1)로부터 데이터신호를 공급받는다. 데이터신호를 공급받은 제 2화소들(PXL2)은 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다.
한편, 도 3에서는 설명의 편의를 위하여 제 2화소들(PXL2)이 하나의 수평라인에 배열되는 것으로 도시하였으나 본원 발명이 이에 한정되지 않는다. 일례로, 제 2화소들(PXL2)은 복수의 수평라인에 배치될 수 있으며, 이에 따라 복수개의 제 2주사선들(S2) 및 제 2발광 제어선들(E2)이 형성될 수 있다.
그리고, 제 2화소 영역(AA2) 각각의 수평라인에서 제 2화소들(PXL2)과 접속되는 데이터선들(D)의 수는 상이하게 설정될 수 있다. 일례로, 제 2화소 영역(AA2)의 두 번째 수평라인에 위치된 제 2화소들(PXL2)은 데이터선들(D3 내지 Dm-2)과 접속되고, 세 번째 수평라인에 위치된 제 2화소들(PXL2)은 데이터선들(D4 내지 Dm-3)과 접속될 수 있다. 즉, 제 2화소영역(AA2)의 곡선 또는 사선 형상에 대응하여 수평라인마다 배치되는 제 2화소들(PXL2)의 수가 변화되고, 이에 대응하여 접속되는 데이터선들(D)의 수도 변화된다.
주사 구동부(210)는 타이밍 제어부(180)로부터의 제 1게이트 제어신호(GCS1)에 대응하여 제 1주사선들(S11, S21,...) 및 제 2주사선들(S21,...)로 주사신호를 공급한다. 일례로, 주사 구동부(210)는 제 1주사선들(S11, S21,...) 및 제 2주사선들(S21,...)로 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 제 1주사선들(S11, S21,...) 및 제 2주사선들(S21,...)로 주사신호가 순차적으로 공급되면 제 1화소들(PXL1) 및 제2 화소들(PXL2)이 수평라인 단위로 순차적으로 선택된다. 이와 같은 주사 구동부(210)는 박막 공정을 통해서 기판에 실장될 수 있다. 또한, 주사 구동부(210)는 제 1화소 영역(AA1) 및 제 2화소 영역(AA2)을 사이에 두고 기판의 양측에 실장될 수도 있다.
발광 구동부(310)는 타이밍 제어부(180)로부터의 제 2게이트 제어신호(GCS2)에 대응하여 제 1발광 제어선들(E11, E12,...) 및 제 2발광 제어선들(E21,...)로 발광 제어신호를 공급한다. 일례로, 발광 구동부(310)는 제 1발광 제어선들(E11, E12,...) 및 제 2발광 제어선들(E21,...)로 발광 제어신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 이와 같은 발광 제어신호는 화소들(PXL1, PXL2)의 발광 시간을 제어하기 위하여 사용된다. 이를 위하여, 발광 제어신호는 주사신호보다 넓은 폭으로 설정될 수 있다.
한편, 발광 제어신호는 화소들(PXL1, PXL2)에 포함되는 트랜지스터가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들면, 하이전압)으로 설정되고, 주사신호는 화소들(PXL1, PXL2)에 포함되는 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압(예를 들면, 로우전압)으로 설정될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 데이터 제어신호(DCS)에 대응하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 데이터신호를 공급한다. 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급된 데이터신호는 주사신호에 의하여 선택된 화소들(PXL1, PXL2)로 공급된다. 여기서, 데이터 구동부(400)은 제 1화소 영역(AA1)을 기준으로 하측에 위치된 것으로 도시되었지만, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 데이터 구동부(400)는 제 1화소 영역(AA1)을 기준으로 상측에 위치될 수도 있다.
타이밍 제어부(180)는 외부로부터 공급되는 타이밍 신호들에 기초하여 생성된 게이트 제어신호들(GCS1, GCS2)을 주사 구동부(210) 및 발광 구동부(310)로 공급하고, 데이터 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(400)로 공급한다.
게이트 제어신호들(GCS1, GCS2) 각각에는 스타트 펄스 및 클럭신호들이 포함된다. 스타트 펄스는 첫 번째 주사신호 또는 첫 번째 발광 제어신호의 타이밍을 제어한다. 클럭신호들은 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용된다.
데이터 제어신호(DCS)에는 소스 스타트 펄스 및 클럭신호들이 포함된다. 소스 스타트 펄스는 데이터의 샘플링 시작 시점을 제어한다. 클럭신호들은 샘플링 동작을 제어하기 위하여 사용된다.
도 4는 도 3에 도시된 제 1화소의 실시예를 나타내는 도면이다. 도 4에서는 설명의 편의성을 위하여 제 m데이터선(Dm) 및 i번째 제 1주사선(S1i)에 접속된 화소를 도시하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제 1화소(PXL1)는 유기 발광 다이오드(OLED), 제1 트랜지스터(T1) 내지 제7 트랜지스터(T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제 6트랜지스터(T6)를 경유하여 제 1트랜지스터(T1) 에 접속되고, 캐소드는 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
유기 발광 다이오드(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제 1전원(ELVDD)은 제 2전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
제 7트랜지스터(T7)는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 사이에 접속된다. 그리고, 제 7트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 i+1번째 제 1주사선(S1i+1)에 접속된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(T7)는 i+1번째 제 1주사선(S1i+1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드로 공급한다. 여기서, 초기화 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
제 6트랜지스터(T6)는 제 1트랜지스터(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속된다. 그리고, 제 6트랜지스터(T6) 게이트 전극은 i번째 제 1발광 제어선(E1i)에 접속된다. 이와 같은 제 6트랜지스터(T6)는 i번째 제 1발광 제어선(E1i)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온된다.
제 5트랜지스터(T5)는 제 1전원(ELVDD)과 제 1트랜지스터(T1) 사이에 접속된다. 그리고, 제 5트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 i번째 제 1발광 제어선(E1i)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(T5)는 i번째 제 1발광 제어선(E1i)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온된다.
제 1트랜지스터(T1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제 5트랜지스터(T5)를 경유하여 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 10노드(N10)에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(T1)는 제 10노드(N10)의 전압에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다.
제 3트랜지스터(T3)는 제 1트랜지스터(T1)의 제 2전극과 제 10노드(N10) 사이에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 i번째 제 1주사선(S1i)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(T3)는 i번째 제 1주사선(S1i)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제 2전극과 제 10노드(N10)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제 3트랜지스터(T3)가 턴-온 될 때 제 1트랜지스터(T1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제 4트랜지스터(T4)는 제 10노드(N10)와 초기화 전원(Vint) 사이에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 i-1번째 제 1주사선(S1i-1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(T4)는 i-1번째 제 1주사선(S1i-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 10노드(N10)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급한다.
제 2트랜지스터(T2)는 제 m데이터선(Dm)과 제 1트랜지스터(T1)의 제 1전극 사이에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 i번째 제 1주사선(S1i)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(T2)는 i번째 제 1주사선(S1i)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 m데이터선(Dm)과 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킨다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1전원(ELVDD)과 제 10노드(N10) 사이에 접속된다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터신호 및 제 1트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장한다.
한편, 제 2화소(PXL2) 는 제 1화소(PXL1)와 동일한 회로로 구현될 수 있다. 따라서, 제 2화소(PXL2)에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5는 주사 구동부의 실시예를 나타내는 도면이다. 도 5에서는 설명의 편의성을 위하여 4개의 주사 스테이지를 도시하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 주사 구동부(210)는 복수의 주사 스테이지(SST1 내지 SST4)를 구비한다. 주사 스테이지(SST1 내지 SST4) 각각은 제 1주사선들(S11 내지 S14) 중 어느 하나와 접속되며 클럭신호(CLK1, CLK2)에 대응하여 구동된다. 이와 같은 주사 스테이지(SST1 내지 SST4)들은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
주사 스테이지(SST1 내지 SST4) 각각은 제 1입력단자(1001) 내지 제 3입력단자(1003), 출력단자(1004)를 구비한다.
주사 스테이지(SST1 내지 SST4) 각각의 제 1입력단자(1001)는 이전단 주사 스테이지의 출력신호(즉, 주사신호) 또는 제 1스타트 펄스(SSP1)를 공급받는다. 일례로, 첫 번째 주사 스테이지(SST1)의 제 1입력단자(1001)는 제 1스타트 펄스(SSP1)를 공급받고, 나머지 주사 스테이지들(SST2 내지 SST4)의 제 1입력단자(1001)는 이전단 스테이지의 출력신호를 공급받을 수 있다.
j(j는 홀수 또는 짝수)번째 주사 스테이지(SSTj)의 제 2입력단자(1002)는 제 1클럭신호(CLK1), 제 3입력단자(1003)는 제 2클럭신호(CLK2)를 공급받는다. j+1번째 주사 스테이지(SSTj+1)의 제 2입력단자(1002)는 제 2클럭신호(CLK2), 제 3입력단자(1003)는 제 1클럭신호(CLK1)를 공급받는다.
제 1클럭신호(CLK1) 및 제 2클럭신호(CLK2)는 동일한 주기를 가지며 위상이 서로 중첩되지 않는다. 일례로, 하나의 제 1주사선(S1)으로 주사신호가 공급되는 기간을 1수평기간(1H) 이라고 할 때, 클럭신호(CLK1, CLK2) 각각은 2H의 주기를 가지며 서로 다른 수평기간에 공급된다.
또한, 주사 스테이지(SST1 내지 SST4) 각각은 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 공급받는다. 여기서, 제 1전원(VDD)은 게이트 오프 전압, 예를 들면 하이전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제 2전원(VSS)은 게이트 온 전압, 예를 들면 로우전압으로 설정될 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 주사 스테이지의 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 6에서는 설명의 편의성을 위하여 제 1주사 스테이지(SST1) 및 제 2주사 스테이지(SST2)를 도시하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제 1주사 스테이지(SST1)는 제 1구동부(1210), 제 2구동부(1220), 출력부(1230)(또는 버퍼) 및 제 1트랜지스터(M1)를 구비한다.
출력부(1230)는 제 1노드(N1) 및 제 2노드(N2) 전압에 대응하여 출력단자(1004)로 공급되는 전압을 제어한다. 이를 위하여, 출력부(1230)는 제 5트랜지스터(M5) 및 제 6트랜지스터(M6)를 구비한다.
제 5트랜지스터(M5)는 제 1전원(VDD)과 출력단자(1004) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 1노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(M5)는 제 1노드(N1)에 인가되는 전압에 대응하여 제 1전원(VDD)과 출력단자(1004)의 접속을 제어한다.
제 6트랜지스터(M6)는 출력단자(1004)와 제 3입력단자(1003) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2노드(N2)에 접속된다. 이와 같은 제 6트랜지스터(M6)는 제 2노드(N2)에 인가되는 전압에 대응하여 출력단자(1004)와 제 3입력단자(1003)의 접속을 제어한다. 이와 같은 출력부(1230)는 버퍼로 구동된다. 추가적으로, 제 5트랜지스터(M5) 및/또는 제 6트랜지스터(M6)는 복수의 트랜지스터가 병렬로 접속되어 구성될 수 있다.
제 1구동부(1210)는 제 1입력단자(1001) 내지 제 3입력단자(1003)로 공급되는 신호들에 대응하여 제 3노드(N3)의 전압을 제어한다. 이를 위하여, 제 1구동부(1210)는 제 2트랜지스터(M2) 내지 제 4트랜지스터(M4)를 구비한다.
제 2트랜지스터(M2)는 제 1입력단자(1001)와 제 3노드(N3) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2입력단자(1002)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 2입력단자(1002)로 공급되는 신호에 대응하여 제 1입력단자(1001)와 제 3노드(N3)의 접속을 제어한다.
제 3트랜지스터(M3) 및 제 4트랜지스터(M4)는 제 3노드(N3)와 제 1전원(VDD) 사이에 직렬로 접속된다. 실제로, 제 3트랜지스터(M3)는 제 4트랜지스터(M4)와 제 3노드(N3) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 3입력단자(1003)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 제 3입력단자(1003)로 공급되는 신호에 대응하여 제 4트랜지스터(M4)와 제 3노드(N3)의 접속을 제어한다.
제 4트랜지스터(M4)는 제 3트랜지스터(M3)와 제 1전원(VDD) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 1노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 제 1노드(N1)의 전압에 대응하여 제 3트랜지스터(M3)와 제 1전원(VDD)의 접속을 제어한다.
제 2구동부(1220)는 제 2입력단자(1002) 및 제 3노드(N3)의 전압에 대응하여 제 1노드(N1)의 전압을 제어한다. 이를 위하여, 제 2구동부(1220)는 제 7트랜지스터(M7), 제 8트랜지스터(M8), 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)를 구비한다.
제 1커패시터(C1)는 제 2노드(N2)와 출력단자(1004) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1)는 제 6트랜지스터(M6)의 턴-온 및 턴-오프에 대응하는 전압을 충전한다.
제 2커패시터(C2)는 제 1노드(N1)와 제 1전원(VDD) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 2커패시터(C2)는 제 1노드(N1)에 인가되는 전압을 충전한다.
제 7트랜지스터(M7)는 제 1노드(N1)와 제 2입력단자(1002) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 3노드(N3)에 접속된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(M7)는 제 3노드(N3)의 전압에 대응하여 제 1노드(N1)와 제 2입력단자(1002)의 접속을 제어한다.
제 8트랜지스터(M8)는 제 1노드(N1)와 제 2전원(VSS) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2입력단자(1002)에 접속된다. 이와 같은 제 8트랜지스터(M8)는 제 2입력단자(1002)의 신호에 대응하여 제 1노드(N1)와 제 2전원(VSS)의 접속을 제어한다.
제 1트랜지스터(M1)는 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2전원(VSS)에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 턴-온 상태를 유지하면서 제 3노드(N3) 및 제 2노드(N2)의 전기적 접속을 유지한다. 추가적으로 제 1트랜지스터(M1)는 제 2노드(N2)의 전압에 대응하여 제 3노드(N3)의 전압 하강폭을 제한한다. 다시 말하여, 제 2노드(N2)의 전압이 제 2전원(VSS)보다 낮은 전압으로 하강하더라도 제 3노드(N3)의 전압은 제 2전원(VSS)에서 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압을 감한 전압보다 낮아지지 않는다. 이와 관련하여 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 7은 도 6에 도시된 주사 스테이지의 구동방법의 실시예를 나타내는 파형도이다. 도 7에서는 설명의 편의성을 위하여 제 1주사 스테이지(SST1)를 이용하여 동작과정을 설명하기로 한다.
도 7을 참조하면, 제 1클럭신호(CLK1) 및 제 2클럭신호(CLK2)는 2수평기간(2H)의 주기를 가지며, 서로 다른 수평기간에 공급된다. 다시 말하여, 제 2클럭신호(CLK2)는 제 1클럭신호(CLK1)에서 반주기(즉, 1수평기간)만큼 쉬프트된 신호로 설정된다. 그리고, 제 1입력단자(1001)로 공급되는 제 1스타트 펄스(SSP1)는 제 2입력단자(1002)로 공급되는 클럭신호, 즉 제 1클럭신호(CLK1)와 동기되도록 공급된다.
추가적으로, 제 1스타트 펄스(SSP1)가 공급될 때 제 1입력단자(1001)는 제 2전원(VSS)의 전압으로 설정되고, 제 1스타트 펄스(SSP1)가 공급되지 않을 때 제 1입력단자(1001)는 제 1전원(VDD)의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제 2입력단자(1002) 및 제 3입력단자(1003)로 클럭신호(CLK)가 공급될 때 제 2입력단자(1002) 및 제 3입력단자(1003)는 제 2전원(VSS)의 전압으로 설정되고, 클럭신호(CLK)가 공급되지 않을 때 제 2입력단자(1002) 및 제 3입력단자(1003)는 제 1전원(VDD)의 전압으로 설정될 수 있다.
동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 제 1클럭신호(CLK1)와 동기되도록 제 1스타트 펄스(SSP1)가 공급된다.
제 1클럭신호(CLK1)가 공급되면 제 2트랜지스터(M2) 및 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 제 1입력단자(1001)와 제 3노드(N3)가 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1)는 항상 턴-온 상태로 설정되기 때문에 제 2노드(N2)는 제 3노드(N3)와 전기적 접속을 유지한다.
제 1입력단자(1001)와 제 3노드(N3)가 전기적으로 접속되면 제 1입력단자(1001)로 공급되는 제 1스타트 펄스(SSP)에 의하여 제 3노드(N3) 및 제 2노드(N2)가 로우전압으로 설정된다. 제 3노드(N3) 및 제 2노드(N2)가 로우전압으로 설정되면 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온된다.
제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 제 3입력단자(1003)와 출력단자(1004)가 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 3입력단자(1003)는 하이전압으로 설정(즉, 제 2클럭신호(CLK2)가 공급되지 않음)되고, 이에 따라 출력단자(1004)로도 하이전압이 출력된다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되면 제 2입력단자(1002)와 제 1노드(N1)가 전기적으로 접속된다. 그러면, 제 2입력단자(1002)로 공급되는 제 1클럭신호(CLK1)의 전압, 즉 로우전압이 제 1노드(N1)로 공급된다.
추가적으로, 제 1클럭신호(CLK1)가 공급되면 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 제 1노드(N1)로 제 2전원(VSS)의 전압이 공급된다. 여기서, 제 2전원(VSS)의 전압은 제 1클럭신호(CLK1)와 동일(또는 유사)한 전압으로 설정되고, 이에 따라 제 1노드(N1)는 안정적으로 로우전압을 유지한다.
제 1노드(N1)가 로우전압으로 설정되면 제 4트랜지스터(M4) 및 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되면 제 1전원(VDD)과 제 3트랜지스터(M3)가 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 3트랜지스터(M3)가 턴-오프 상태로 설정되기 때문에 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되더라도 제 3노드(N3)는 안정적으로 로우전압을 유지한다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 출력단자(1004)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급된다. 여기서, 제 1전원(VDD)의 전압은 제 3입력단자(1003)로 공급되는 하이전압과 동일한 전압으로 설정되고, 이에 따라 출력단자(1004)는 안정적으로 하이전압을 유지한다.
이후, 스타트 펄스(SSP1) 및 제 1클럭신호(CLK1)의 공급이 중단된다. 제 1클럭신호(CLK1)의 공급이 중단되면 제 2트랜지스터(M2) 및 제 8트랜지스터(M8)가 턴-오프된다. 이때, 제 1커패시터(C1)에 저장된 전압에 대응하여 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)는 턴-온 상태를 유지한다. 즉, 제 1커패시터(C1)에 저장된 전압에 의하여 제 2노드(N2) 및 제 3노드(N3)는 로우전압을 유지한다.
제 6트랜지스터(M6)가 턴-온 상태를 유지하는 경우 출력단자(1004)와 제 3입력단자(1003)는 전기적 접속을 유지한다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온 상태를 유지하는 경우 제 1노드(N1)는 제 2입력단자(1002)와 전기적 접속을 유지한다. 여기서, 제 2입력단자(1002)의 전압은 제 1클럭신호(CLK1)의 공급중단에 대응하여 하이전압으로 설정되고, 이에 따라 제 1노드(N1)도 하이전압으로 설정된다. 제 1노드(N1)로 하이전압이 공급되면 제 4트랜지스터(M4) 및 제 5트랜지스터(M5)가 턴-오프된다.
이후, 제 3입력단자(1003)로 제 2클럭신호(CLK2)가 공급된다. 이때, 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온 상태로 설정되기 때문에 제 3입력단자(1003)로 공급된 제 2클럭신호(CLK2)는 출력단자(1004)로 공급된다. 이 경우, 출력단자(1004)는 제 2클럭신호(CLK2)를 주사신호로서 첫 번째 제 1주사선(S11)으로 출력한다.
한편, 제 2클럭신호(CLK2)가 출력단자(1004)로 공급되는 경우 제 1커패시터(C1)의 커플링에 의하여 제 2노드(N2)의 전압이 제 2전원(VSS)보다 낮은 전압으로 하강되고, 이에 따라 제 6트랜지스터(M6)는 안정적으로 턴-온 상태를 유지한다.
한편, 제 2노드(N2)의 전압이 하강되더라도 제 1트랜지스터(M1)에 의하여 제 3노드(N3)는 대략 제 2전원(VSS)(실제로, 제 2전원(VSS)에서 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압을 감한 전압)의 전압을 유지한다.
첫 번째 제 1주사선(S11)으로 주사신호가 출력된 후 제 2클럭신호(CLK2)의 공급이 중단된다. 제 2클럭신호(CLK2)의 공급이 중단되면 출력단자(1004)는 하이전압을 출력한다. 그리고, 제 2노드(N2)의 전압은 출력단자(1004)의 하이전압에 대응하여 대략 제 2전원(VSS)의 전압으로 상승한다.
이후, 제 1클럭신호(CLK1)가 공급된다. 제 1클럭신호(CLK1)가 공급되면 제 2트랜지스터(M2) 및 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. 제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 제 1입력단자(1001)와 제 3노드(N3)가 전기적으로 접속된다. 이때, 제 1입력단자(1001)로는 제 1스타트 펄스(SSP1)가 공급되지 않고, 이에 따라 하이전압으로 설정된다. 따라서, 제 1트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제 3노드(N3) 및 제 2노드(N2)로 하이전압이 공급되고, 이에 따라 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)가 턴-오프된다.
제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 제 2전원(VSS)이 제 1노드(N1)로 공급되고, 이에 따라 제 4트랜지스터(M4) 및 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온된다. 제 5트랜지스터(M5)가 턴-온되면 출력단자(1004)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급된다. 이후, 제 4트랜지스터(M4) 및 제 5트랜지스터(M5)는 제 2커패시터(C2)에 충전된 전압에 대응하여 턴-온 상태를 유지하고, 이에 따라 출력단자(1004)는 제 1전원(VDD)의 전압을 안정적으로 공급받는다.
추가적으로 제 2클럭신호(CLK2)가 공급될 때 제 3트랜지스터(M3)가 턴-온된다. 이때, 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온 상태로 설정되기 때문에 제 3노드(N3) 및 제 2노드(N2)로 제 1전원(VDD)의 전압이 공급된다. 이 경우, 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)는 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다.
제 2주사 스테이지(SST2)는 제 2클럭신호(CLK2)와 동기되도록 제 1주사 스테이지(SST1)의 출력신호(즉, 주사신호)를 공급받는다. 이 경우, 제 2주사 스테이지(SST2)는 제 1클럭신호(CLK1)와 동기되도록 두 번째 제 1주사선(S12)으로 주사신호를 출력한다. 실제로, 본원 발명의 주사 스테이지들(SST)은 상술한 과정을 반복하면서 주사선들로 주사신호를 순차적으로 출력한다.
한편, 본원 발명에서 제 1트랜지스터(M1)는 제 2노드(N2)의 전압과 무관하게 제 3노드(N3)의 전압 최소폭을 제한하고, 이에 따라 제조비용 및 구동의 신뢰성을 확보할 수 있다.
상세히 설명하면, 출력단자(1004)로 주사신호가 공급될 때 제 2노드(N2)의 전압은 대략 VSS - (VDD - VSS)의 전압으로 하강된다. 여기서, 제 1전원(VDD) 7V, 제 2전원(VSS) -8V로 가정하는 경우 트랜지스터들의 문턱전압을 고려하더라도 제 2노드(N2)의 전압은 대략 -20V로 하강된다.
여기서, 제 1트랜지스터(M1)가 삭제되는 경우 제 2트랜지스터(M2)의 Vds 및 제 7트랜지스터(M7)의 Vgs는 대략 -27V로 설정된다. 따라서, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 7트랜지스터(M7)로 내압이 높은 부품을 사용해야 한다. 또한, 제 2트랜지스터(M2) 및 제 7트랜지스터(M7)로 높은 전압이 인가되는 경우 높은 소비전력이 소모됨과 아울러 구동의 신뢰성이 저하된다. 하지만, 본원 발명과 같이 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 제 1트랜지스터(M1)를 추가하는 경우 제 3노드(N3)의 전압은 대략 제 2전원(VSS)의 전압을 유지하고, 이에 따라 제 2트랜지스터(M2)의 Vds 및 제 7트랜지스터(M7)의 Vgs는 대략 -14V로 설정된다.
도 8은 발광 구동부의 실시예를 나타내는 도면이다. 도 8에서는 설명의 편의성을 위하여 4개의 발광 스테이지를 도시하기로 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 발광 구동부(310)는 복수의 발광 스테이지(EST1 내지 EST4)를 구비한다. 발광 스테이지(EST1 내지 EST4) 각각은 제 1발광 제어선들(E11 내지 E14) 중 어느 하나와 접속되며, 클럭신호(CLK3, CLK4)에 대응하여 구동된다. 이와 같은 발광 스테이지들(EST1 내지 EST4)은 동일한 회로로 구현될 수 있다.
발광 스테이지(EST1 내지 EST4) 각각은 제 1입력단자(2001) 내지 제 3입력단자(2003), 출력단자(2004)를 구비한다.
발광 스테이지(EST1 내지 EST4) 각각의 제 1입력단자(2001)는 이전단 발광 스테이지의 출력신호(즉, 발광 제어신호) 또는 제 2스타트 펄스(SSP2)를 공급받는다. 일례로, 첫 번째 발광 스테이지(EST1)의 제 1입력단자(2001)는 제 2스타트 펄스(SSP2)를 공급받고, 나머지 발광 스테이지들(EST2 내지 EST4)의 제 1입력단자(2001)는 이전단 스테이지의 출력신호를 공급받는다.
j번째 발광 스테이지(ESTj)의 제 2입력단자(2002)는 제 3클럭신호(CLK3), 제 3입력단자(2003)는 제 4클럭신호(CLK4)를 공급받는다. j+1번째 발광 스테이지(ESTj+1)의 제 2입력단자(2002)는 제 4클럭신호(CLK4), 제 3입력단자(2003)는 제 3클럭신호(CLK3)를 공급받는다.
제 3클럭신호(CLK3) 및 제 4클럭신호(CLK4)는 동일한 주기를 가지며 위상이 서로 중첩되지 않는다. 일례로, 클럭신호(CLK3, CLK4) 각각은 2H의 주기를 가지며 서로 다른 수평기간에 공급될 수 있다.
또한, 발광 스테이지(EST1 내지 EST4) 각각은 제 3전원(VDD1) 및 제 4전원(VSS1)을 공급받는다. 여기서, 제 3전원(VDD1)은 게이트 오프 전압, 제 4전원(VSS1)은 게이트 온 전압으로 설정될 수 있다. 추가적으로, 제 3전원(VDD1)은 제 1전원(VDD)과 동일 전압으로 설정될 수 있고, 제 4전원(VSS1)은 제 2전원(VSS)과 동일 전압으로 설정될 수 있다.
도 9는 도 8에 도시된 발광 스테이지의 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 9에서는 설명의 편의성을 위하여 제 1발광 스테이지(EST1) 및 제 2발광 스테이지(EST2)를 도시하기로 한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제 1발광 스테이지(EST1)는 제 1신호 처리부(2100), 제 2신호 처리부(2200), 제 3신호 처리부(2300) 및 출력부(2400)(또는 버퍼)를 구비한다.
제 1신호 처리부(2100)는 제 1입력단자(2001) 및 제 2입력단자(2002)로 공급되는 신호들에 대응하여 제 22노드(N22) 및 제 21노드(N21)의 전압을 제어한다. 이를 위하여, 제 1신호 처리부(2100)는 제 11트랜지스터(M11) 내지 제 13트랜지스터(M13)를 구비한다.
제 11트랜지스터(M11)는 제 1입력단자(2001)와 제 21노드(N21) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2입력단자(2002)에 접속된다. 이와 같은 제 11트랜지스터(M11)는 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급될 때 턴-온된다.
제 12트랜지스터(M12)는 제 2입력단자(2002)와 제 22노드(N22) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 21노드(N21)에 접속된다. 이와 같은 제 12트랜지스터(M12)는 제 21노드(N21)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다.
제 13트랜지스터(M13)는 제 4전원(VSS1)과 제 22노드(N22) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 2입력단자(2002)에 접속된다. 이와 같은 제 13트랜지스터(M13)는 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급될 때 턴-온된다.
제 2신호 처리부(2200)는 제 3입력단자(2003)로 공급되는 신호 및 제 22노드(N22)의 전압에 대응하여 제 21노드(N21) 및 제 23노드(N23)의 전압을 제어한다. 이를 위하여, 제 2신호 처리부(2200)는 제 14트랜지스터(M14) 내지 제 17트랜지스터(M17), 제 11커패시터(C11) 및 제 12커패시터(C12)를 구비한다.
제 14트랜지스터(M14)는 제 15트랜지스터(M15)와 제 21노드(N21) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 3입력단자(2003)에 접속된다. 이와 같은 제 14트랜지스터(M14)는 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급될 때 턴-온된다.
제 15트랜지스터(M15)는 제 3전원(VDD1)과 제 14트랜지스터(M14) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 22노드(N22)에 접속된다. 이와 같은 제 15트랜지스터(M15)는 제 22노드(N22)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다.
제 16트랜지스터(M16)는 제 17트랜지스터(M17)의 제 1전극과 제 3입력단자(2003) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 22노드(N22)에 접속된다. 이와 같은 제 16트랜지스터(M16)는 제 22노드(N22)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다.
제 17트랜지스터(M17)는 제 16트랜지스터(M16)의 제 1전극과 제 23노드(N23) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 3입력단자(2003)에 접속된다. 이와 같은 제 17트랜지스터(M17)는 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급될 때 턴-온된다.
제 11커패시터(C11)는 제 21노드(N21)와 제 3입력단자(2003) 사이에 접속된다.
제 12커패시터(C12)는 제 22노드(N22)와 제 17트랜지스터(M17)의 제 1전극 사이에 접속된다.
제 3신호 처리부(2003)는 제 21노드(N21)의 전압에 대응하여 제 23노드(N23)의 전압을 제어한다. 이를 위하여, 제 3신호 처리부(2003)는 제 18트랜지스터(M18) 및 제 13커패시터(C13)를 구비한다.
제 18트랜지스터(M18)는 제 3전원(VDD1)과 제 23노드(N23) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 21노드(N21)에 접속된다. 이와 같은 제 18트랜지스터(M18)는 제 21노드(N21)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다.
제 13커패시터(C13)는 제 1전원(VDD1)과 제 23노드(N23) 사이에 위치된다.
출력부(2400)는 제 21노드(N21) 및 제 23노드(N23)의 전압에 대응하여 출력단자(2004)로 공급되는 전압을 제어한다. 이를 위하여, 출력부(2400)는 제 19트랜지스터(M19) 및 제 20트랜지스터(M20)를 구비한다.
제 19트랜지스터(M19)는 제 3전원(VDD1)과 출력단자(2004) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 23노드(N23)에 접속된다. 이와 같은 제 19트랜지스터(M19)는 제 23노드(N23)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다.
제 20트랜지스터(M20)는 출력단자(2004)와 제 4전원(VSS1) 사이에 위치되며, 게이트전극이 제 21노드(N21)에 접속된다. 이와 같은 제 20트랜지스터(M20)는 제 21노드(N21)의 전압에 대응하여 턴-온 또는 턴-오프된다. 이와 같은 출력부(2400)는 버퍼로 구동된다. 추가적으로, 제 19트랜지스터(M19) 및/또는 제 20트랜지스터(M20)는 복수의 트랜지스터가 병렬로 접속되어 구성될 수 있다.
도 10은 도 9에 도시된 발광 스테이지의 구동방법의 실시예를 나타내는 파형도이다. 도 10에서는 설명의 편의성을 위하여 제 1발광 스테이지(EST1)를 이용하여 동작과정을 설명하기로 한다.
도 10을 참조하면, 제 3클럭신호(CLK3) 및 제 4클럭신호(CLK4)는 2수평기간(2H)의 주기를 가지며, 서로 다른 수평기간에 공급된다. 다시 말하여, 제 4클럭신호(CLK4)는 제 3클럭신호(CLK3)에서 반주기(즉, 1수평기간(1H))만큼 쉬프트된 신호로 설정된다.
제 2스타트 펄스(SSP2)가 공급될 때 제 1입력단자(2001)는 제 3전원(VDD2)의 전압으로 설정되고, 제 2스타트 펄스(SSP2)가 공급되지 않을 때 제 1입력단자(2001)는 제 4전원(VSS1)의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고, 제 2입력단자(2002) 및 제 3입력단자(2003)로 클럭신호(CLK)가 공급될 때 제 2입력단자(2002) 및 제 3입력단자(2003)는 제 4전원(VSS1)의 전압으로 설정되고, 클럭신호(CLK)가 공급되지 않을 때 제 2입력단자(2002) 및 제 3입력단자(2003)는 제 3전원(VDD1)의 전압으로 설정될 수 있다.
제 2입력단자(1002)로 공급되는 제 2스타트 펄스(SSP2)는 제 2입력단자(2002)로 공급되는 클럭신호, 즉 제 3클럭신호(CLK3)와 동기되도록 공급될 수 있다. 그리고, 제 2스타트 펄스(SSP2)는 제 3클럭신호(CLK3) 보다 넓은 폭을 갖도록 설정된다. 일례로, 제 2스타트 펄스(SSP2)는 4수평기간(4H) 동안 공급될 수 있다.
동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 제 1시간(t1)에는 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급된다. 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급되면 제 11트랜지스터(M11) 및 제 13트랜지스터(M13)가 턴-온된다.
제 11트랜지스터(M11)가 턴-온되면 제 1입력단자(2001)와 제 21노드(N21)가 전기적으로 접속된다. 이때, 제 1입력단자(2001)로 제 2스타트 펄스(SSP2)가 공급되지 않기 때문에 제 21노드(N21)로는 로우전압이 공급된다.
제 21노드(N21)로 로우전압이 공급되면 제 12트랜지스터(M12), 제 18트랜지스터(M18) 및 제 20트랜지스터(M20)가 턴-온된다.
제 18트랜지스터(M18)가 턴-온되면 제 23노드(N23)로 제 3전원(VDD1)이 공급되고, 이에 따라 제 19트랜지스터(M19)가 턴-오프된다. 이때, 제 13커패시터(C13)는 제 3전원(VDD1)에 대응되는 전압을 충전하고, 이에 따라 제 1시간(t1) 이후에도 제 19트랜지스터(M19)는 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다.
제 20트랜지스터(M20)가 턴-온되면 제 4전원(VSS1)의 전압이 출력단자(2004)로 공급된다. 따라서, 제 1시간(t1)에는 첫 번째 제 1발광 제어선(E11)으로 발광 제어신호가 공급되지 않는다.
제 12트랜지스터(M12)가 턴-온되면 제 22노드(N22)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급된다. 그리고, 제 13트랜지스터(M13)가 턴-온되면 제 4전원(VSS1)의 전압이 제 22노드(N22)로 공급된다. 여기서, 제 3클럭신호(CLK3)는 제 4전원(VSS1)의 전압으로 설정되고, 이에 따라 제 22노드(N22)는 안정적으로 제 4전원(VSS1)의 전압으로 설정된다. 한편, 제 22노드(N22)의 전압이 제 4전원(VSS1)으로 설정될 때 제 17트랜지스터(M17)는 턴-오프 상태로 설정된다. 따라서, 제 22노드(N22)의 전압과 무관하게 제 23노드(N23)는 제 3전원(VDD1)의 전압을 유지한다.
제 2시간(t2)에는 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)의 공급이 중단된다. 제 3클럭신호(CLK3)의 공급이 중단되면 제 11트랜지스터(M11) 및 제 13트랜지스터(M13)가 턴-오프된다. 이때, 제 21노드(N21)의 전압은 제 11커패시터(C11)에 의하여 로우전압을 유지하고, 이에 따라 제 12트랜지스터(M12), 제 18트랜지스터(M18)는 및 제 20트랜지스터(M20)는 턴-온 상태를 유지한다.
제 12트랜지스터(M12)가 턴-온되면 제 2입력단자(2002)와 제 22노드(N22)가 전기적으로 접속된다. 이때, 제 22노드(N22)는 하이전압으로 설정된다.
제 18트랜지스터(M18)가 턴-온되면 제 23노드(N23)로 제 3전원(VDD1)의 전압이 공급되고, 이에 따라 제 19트랜지스터(M19)는 턴-오프 상태을 유지한다.
제 20트랜지스터(M20)가 턴-온되면 출력단자(2004)로는 제 4전원(VSS1)의 전압이 공급된다.
제 3시간(t3)에는 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급된다. 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급되면 제 14트랜지스터(M14) 및 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온된다.
제 17트랜지스터(M17)가 턴-온되면 제 12커패시터(C12)와 제 23노드(N23)가 전기적으로 접속된다. 이때, 제 23노드(N23)는 제 3전원(VDD1)의 전압을 유지한다. 그리고, 제 14트랜지스터(M14)가 턴-온될 때 제 15트랜지스터(M15)가 턴-오프 상태로 설정되기 때문에 제 14트랜지스터(M14)가 턴-온되더라도 제 21노드(N21)의 전압이 변화되지 않는다.
제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급되면 제 11커패시터(C11)의 커플링에 의하여 제 21노드(N21)가 제 4전원(VSS1)보다 낮은 전압으로 하강된다. 이와 같은 제 21노드(N21)이 전압이 제 4전원(VSS1)보다 낮은 전압으로 하강되는 경우 제 18트랜지스터(M18) 및 제 20트랜지스터(M20)의 구동 특성이 향상된다.(PMOS 트랜지스터는 더 낮은 전압레벨을 인가받을수록 좋은 구동특성을 갖는다)
제 4시간(t4)에는 제 1입력단자(2001)로 제 2스타트 펄스(SSP2)가 공급되고, 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급된다.
제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급되면 제 11트랜지스터(M11) 및 제 13트랜지스터(M13)가 턴-온된다. 제 11트랜지스터(M11)가 턴-온되면 제 1입력단자(2001)와 제 21노드(N21)가 전기적으로 접속된다. 이때, 제 1입력단자(2001)로 제 2스타트 펄스(SSP2)가 공급되기 때문에 제 21노드(N21)로 하이전압이 공급된다. 제 21노드(N21)로 하이전압이 공급되면 제 12트랜지스터(M12), 제 18트랜지스터(M18) 및 제 20트랜지스터(M20)가 턴-오프된다.
제 13트랜지스터(M13)가 턴-온되면 제 4전원(VSS1)의 전압이 제 22노드(N22)로 공급된다. 이때, 제 14트랜지스터(M14)가 턴-오프 상태로 설정되기 때문에 제 21노드(N21)는 하이전압을 유지한다. 그리고, 제 17트랜지스터(M17)가 턴-오프 상태로 설정되기 때문에 제 23노드(N23)의 전압은 제 13커패시터(C13)에 의하여 하이전압을 유지한다. 따라서, 제 19트랜지스터(M19)는 턴-오프 상태를 유지한다.
제 5시간(t5)에는 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급된다. 제 3입력단자(2003)로 제 4클럭신호(CLK4)가 공급되면 제 14트랜지스터(M14), 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온된다. 또한, 제 22노드(N22)가 제 4전원(VSS1)의 전압으로 설정되기 때문에 제 15트랜지스터(M15) 및 제 16트랜지스터(M16)가 턴-온된다.
제 16트랜지스터(M16) 및 제 17트랜지스터(M17)가 턴-온되면 제 4클럭신호(CLK4)가 제 23노드(N23)로 공급된다. 제 4클럭신호(CLK4)가 제 23노드(N3)로 공급되면 제 19트랜지스터(M19)가 턴-온된다. 제 19트랜지스터(M19)가 턴-온되면 제 3전원(VDD1)의 전압이 출력단자(2004)로 공급된다. 출력단자(2004)로 공급된 제 3전원(VDD1)의 전압은 발광 제어신호로써 첫 번째 제 1발광 제어선(E11)으로 공급된다.
한편, 제 23노드(N23)로 제 4클럭신호(CLK4)의 전압이 공급되면 제 12커패시터(C12)의 커플링에 의하여 제 22노드(N22)의 전압이 제 4전원(VSS1)보다 낮은 전압으로 하강되고, 이에 따라 제 22노드(N22)와 접속된 트랜지스터들의 구동 특성이 향상될 수 있다.
제 14트랜지스터(M14) 및 제 15트랜지스터(M15)가 턴-온되면 제 21노드(N21)로 제 3전원(VDD1)의 전압이 공급된다. 제 21노드(N21)로 제 3전원(VDD1)의 전압이 공급되면 제 20트랜지스터(M20)가 턴-오프 상태를 유지한다. 따라서, 첫 번째 제 1발광 제어선(E11)으로 제 3전원(VDD1)의 전압이 안정적으로 공급될 수 있다.
제 6시간(t6)에는 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급된다. 제 2입력단자(2002)로 제 3클럭신호(CLK3)가 공급되면 제 11트랜지스터(M11) 및 제 13트랜지스터(M13)가 턴-온된다.
제 11트랜지스터(M11)가 턴-온되면 제 21노드(N21)와 제 1입력단자(2001)가 전기적으로 접속되고, 이에 따라 제 21노드(N21)가 로우전압으로 설정된다. 제 21노드(N21)가 로우전압으로 설정되면 제 18트랜지스터(M18) 및 제 20트랜지스터(M20)가 턴-온된다.
제 18트랜지스터(M18)가 턴-온되면 제 23노드(N23)로 제 3전원(VDD1)의 전압이 공급되고, 이에 따라 제 19트랜지스터(M19)가 턴-오프된다. 제 20트랜지스터(M20)가 턴-온되면 출력단자(2004)로 제 4전원(VSS1)의 전압이 공급된다. 출력단자(2004)로 공급된 제 4전원(VSS1)의 전압은 첫 번째 발광 제어선(E11)으로 공급되고, 이에 따라 발광 제어신호의 공급이 중단된다.
실제로, 본 발명의 실시예에 의한 발광 스테이지들(EST)은 상술한 과정을 반복하면서 발광 제어선들로 발광 제어신호를 순차적으로 출력한다.
추가적으로, 본원 발명에서는 설명의 편의성을 위하여 트랜지스터들을 피모스(PMOS)로 도시하였지만, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 다시 말하여, 트랜지스터들은 엔모스(NMOS)로 형성될 수도 있다.
도 11은 도 2a에 도시된 표시장치의 "A" 영역의 제 1실시예를 나타내는 도면이다. 도 11에서는 본원 발명의 핵심적 특징이 명확히 나타날 수 있도록 본원 발명의 핵심적 구성만을 도시하였다. 도 11에 도시된 "A" 영역은 제 1화소 영역(AA1)의 하단의 일부와 곡선(또는 사선) 형태로 형성되는 제 2화소 영역(AA2)의 코너부가 포함된다.
도 11을 참조하면, 제 1화소 영역(AA1)에 배치되는 제 1화소들(PXL1)은 제 1방향(DR1) 및 제 2방향(DR1)에 따라 수평라인마다 복수개씩 배치된다. 여기서, 제 1화소 영역(AA1)은 직사각형 형상일 수 있다. 따라서, 수평라인마다 형성되는 제 1화소들(PXL1)의 수는 동일하게 설정될 수 있다.
제 2화소 영역(AA2)에서는 적어도 하나 이상의 수평라인 단위로 제 2화소들(PXL2)의 수가 상이하게 설정될 수 있다. 일례로, 코너부가 곡선(또는 사선) 형상을 가질 수 있도록 제 2화소 영역(AA2)에 포함되며 제 1화소 영역(AA1)에 근접된 제 1수평라인에는 제 1개수의 제 2화소들이 배치되고, 제 2화소 영역(AA2)의 하단에 위치된 제 2수평라인에는 제 1개수보다 적은 제 2개수의 제 2화소들(PXL2)의 배치될 수 있다.
보다 구체적으로, 제 1화소 영역(AA1)에 구비된 최외각 화소의 위치를 기준으로 할 때, 제 2화소 영역(AA2)에 위치된 수평라인이 제 2방향(DR2)으로 진행할수록 최외각 화소의 위치가 상기 기준으로부터 멀어지고, 이에 따라 수평라인에 배치되는 제 2화소들(PXL2)의 수가 점점 적어질 수 있다. 이와 같은 제 2화소 영역(AA2)에서 적어도 하나 이상의 수평라인 단위로 제 2화소들(PXL1)의 수가 점점 적어지는 경우, 제 2화소 영역(AA2)의 코너부가 곡선 또는 사선 형상을 가질 수 있다.
한편, 도 11에서는 제 2화소들(PXL2)이 6개의 수평라인을 포함하는 것으로 도시하였으나, 본원 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 제 2화소 영역(AA2)에 포함되는 화소들의 수 및 이에 대응하는 수평라인의 수는 기판의 크기 등에 대응하여 다양하게 설정될 수 있다. 또한, 도 11에서는 설명의 편의를 위하여 화소 영역(AA1, AA2)의 좌측만을 도시하였으나, 형상이 좌우 대칭이 되도록 화소 영역(AA1, AA2)의 우측 영역이 형성될 수 있다.
다음으로, 제 1주변 영역(NA1) 및 제 2주변 영역(NA2)에는 주사 스테이지들(SST) 및 발광 스테이지들(EST(1), EST(2))이 구비된다.
주사 구동부(210)에 포함되는 주사 스테이지들(SST)은 제 1화소 영역(AA1) 및 제 2화소 영역(AA2)의 형상에 대응하여 소정의 곡선(또는 사선) 형상으로 배열될 수 있다. 이와 같은 주사 스테이지들(SST)은 제 1주사선들(S1) 및 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
발광 구동부(310)에 포함되는 발광 스테이지들(EST(1), EST(2))은 제 1화소 영역(AA1) 및 제 2화소 영역(AA2)의 형상에 대응하여 배치된다. 여기서, 발광 스테이지들(EST(1), EST(2))은 접속되는 발광 제어선들(E1, E2)에 대응하여 제 1발광 스테이지들(EST(1)) 및 제 2발광 스테이지들(EST(2))로 구분될 수 있다.
제 1발광 스테이지들(EST(1))은 주사 스테이지들(SST) 중 적어도 일부의 측면에 나란하게 배치되며, 제 1화소 영역(AA1)에 위치되는 제 1발광 제어선들(E1) 및 제 2화소 영역(AA2)에 위치되는 하나 이상의 제 2발광 제어선들(E2)로 발광 제어신호를 공급한다. 일례로, 제 1발광 스테이지들(EST(1))은 자신과 접속된 제 1발광 제어선들(E1) 및 제 2발광 제어선들(E2)로 발광 제어신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
제 2발광 스테이지들(EST(2))은 제 1발광 스테이지들(EST(1))과 이격되게 위치된다. 일례로, 제 2발광 스테이지들(EST(2))은 주사 스테이지들(SST)의 하측에 위치될 수 있다.
이와 같은 제 2발광 스테이지들(EST(2))은 제 2화소 영역(AA2)에 위치되며 제 1발광 스테이지들(EST(1))과 접속되지 않은 나머지 제 2발광 제어선들(E2)로 발광 제어신호를 공급한다. 일례로, 제 2발광 스테이지들(EST(2))은 나머지 제 2발광 제어선들(E2)로 발광 제어신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 이때, 제 2발광 스테이지들(EST(2)) 중 첫 번째 제 2발광 스테이지(EST(2)(F))는 제 1발광 스테이지들(EST(1)) 중 마지막 제 1발광 스테이지(EST(1)(L))로부터의 발광 제어신호에 대응하여 구동된다. 즉, 제 1발광 스테이지들(EST(1)) 중 마지막 제 1발광 스테이지(EST(1)(L))로부터의 발광 제어신호는 제 2발광 스테이지들(EST(2)) 중 첫 번째 제 2발광 스테이지(EST(2)(F))에서 스타트 펄스로 이용된다.
한편, 상술한 바와 같이 제 2발광 스테이지들(EST(2))이 제 1발광 스테이지들(EST(1))과 이격되어 주사 스테이지들(SST)의 하측에 위치되는 경우 제 2주변 영역(NA2)의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
상세히 설명하면, 제 2발광 스테이지들(EST(2))이 제 1발광 스테이지들(EST(1))과 인접되게 배치되는 경우, 즉 제 2발광 스테이지들(EST(2))가 제 1발광 스테이지들(EST(1))의 하측에 배치되는 경우 제 1길이(L1)만큼 제 2주변 영역(NA2)의 면적이 증가 되어야 한다.
반면에, 본원 발명과 같이 제 2발광 스테이지들(EST(2))이 제 1발광 스테이지들(EST(1))과 이격되게 배치되는 경우, 즉, 제 2발광 스테이지들(EST(2))가 주사 스테이지들(SST)의 하측에 배치되는 경우, 제 1길이(L1)만큼 제 2주변 영역(NA2)의 면적이 감소되어 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
주사 스테이지들(SST)은 제 1신호배선들(3000)과 접속된다. 여기서, 제 1신호배선들(3000)은 상술한 제 1클럭신호(CLK1), 제 2클럭신호(CLK2), 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 주사 스테이지들(SST1)로 공급한다. 이와 같은 제 1신호배선들(3000)은 주사 스테이지들(SST)이 일측에 배치된다.
제 1발광 스테이지들(EST(1)) 및 제 2발광 스테이지들(EST(2))은 제 2신호배선들(3002)과 접속된다. 여기서, 제 2신호배선들(3002)은 상술한 제 3클럭신호(CLK3), 제 4클럭신호(CLK4), 제 3전원(VDD1) 및 제 4전원(VSS1)을 발광 스테이지들(EST(1), EST(2))로 공급한다. 이와 같은 제 2신호배선들(3002)은 발광 스테이지들(EST(1), EST(2))의 일측에 배치된다. 추가적으로, 제 1신호배선들(3000)은 제 2발광 스테이지들(EST(2))의 타측까지 연장되도록 배치될 수도 있다.
한편, 제 2발광 스테이지들(EST(2))과 접속되는 나머지 제 2발광 제어선들(E2) 중 적어도 하나는 제 2화소들(PXL2)과 접속될 때 제 2주사선들(S2) 중 적어도 하나와 교차될 수 있다. 여기서, 제 2발광 제어선(E2)과 제 2주사선들(S2)과 서로 다른 층의 금속으로 형성되기 때문에 전기적으로 접속되지 않고, 이에 따라 안정적으로 구동될 수 있다.
보다 상세히 설명하면, 전원선(ELVDD 및/또는 ELVSS)은 저항을 최소화하기 위하여 화소들(PXL)을 형성하기 위한 금속들 중 어느 하나인 제 1금속과, 상기 제 1금속과 상이한 층에 위치되는 제 2금속을 이용하여 형성된다. 여기서, 제 2발광 제어선(E2)을 제 2금속으로 형성하는 경우 화소들(PXL)과 동시에 형성되는 제 2주사선(S2)과 교차되더라도 전기적으로 접속되지 않는다.
도 12는 도 2b에 도시된 표시장치의 "A'" 영역의 제 2실시예를 나타내는 도면이다. 도 12는 주사 구동부(210)가 기판의 외측에, 발광 구동부(310)가 기판의 내측에 위치되는 경우를 나타낸다. 도 12를 설명할 때 도 11과 중첩되는 부분에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 12를 참조하면, 제 1주변 영역(NA1) 및 제 2주변 영역(NA2)에는 제 1주사 스테이지들(SST(1)), 제 2주사 스테이지들(SST(2)) 및 발광 스테이지들(EST)이 구비된다.
발광 구동부(310)에 포함되는 발광 스테이지들(EST)은 제 1화소 영역(AA1) 및 제 2화소 영역(AA2)의 형상에 대응하여 배치된다. 이와 같은 발광 스테이지들(EST)은 제 1발광 제어선들(E1) 및 제 2발광 제어선들(E2)로 발광 제어신호를 순차적으로 공급한다.
주사 구동부(210)에 포함되는 주사 스테이지들(SST(1), SST(2))은 제 1화소 영역(AA1) 및 제 2화소 영역(AA2)의 형상에 대응하여 배치된다. 이와 같은 주사 스테이지들(SST(1), SST(2))은 제 1주사 스테이지들(SST(1)) 및 제 2주사 스테이지들(SST(2))을 포함한다.
제 1주사 스테이지들(SST(1))은 발광 스테이지들(EST) 중 적어도 일부의 측면에 나란하게 배치되며, 제 1화소 영역(AA1)에 위치되는 제 1주사선들(S1) 및 제 2화소 영역(AA2)에 위치되는 하나 이상의 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 공급한다. 일례로, 제 1주사 스테이지들(SST(1))은 자신과 접속된 제 1주사선들(S1) 및 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
제 2주사 스테이지들(SST(2))은 제 1주사 스테이지들(SST(1))과 이격되게 위치된다. 일례로, 제 2주사 스테이지들(SST(2))은 발광 스테이지들(EST)의 하측에 위치될 수 있다.
이와 같은 제 2주사 스테이지들(SST(2))은 제 2화소 영역(AA2)에 위치되며 제 1주사 스테이지들(SST(1))과 접속되지 않은 나머지 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 공급한다. 일례로, 제 2주사 스테이지들(SST(2))은 나머지 제 2주사선들(S2)로 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 이때, 제 2주사 스테이지들(SST(2)) 중 첫 번째 제 2주사 스테이지(SST(2)(F))는 제 1주사 스테이지들(SST(1)) 중 마지막 제 1주사 스테이지(SST(1)(L))로부터의 주사신호에 대응하여 구동된다. 즉, 제 1주사 스테이지들(SST(1)) 중 마지막 제 1주사 스테이지(SST(1)(L))로부터의 주사신호는 제 2주사 스테이지들(SST(2)) 중 첫 번째 제 2주사 스테이지(SST(2)(F))에서 스타트 펄스로 이용된다.
한편, 상술한 바와 같이 제 2주사 스테이지들(SST(2))이 제 1주사 스테이지들(SST(1))과 이격되어 발광 스테이지들(EST)의 하측에 위치되는 경우 제 2주변 영역(NA2)의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
상세히 설명하면, 제 2주사 스테이지들(SST(2))이 제 1주사 스테이지들(SST(1))과 인접되게 배치되는 경우, 즉 제 2주사 스테이지들(SST(2))이 제 1주사 스테이지들(SST(1))의 하측에 배치되는 경우 제 1길이(L1)만큼 제 2주변 영역(NA2)의 면적이 증가 되어야 한다.
반면에, 본원 발명과 같이 제 2주사 스테이지들(SST(2))이 제 1주사 스테이지들(SST(1))과 이격되게 배치되는 경우, 즉, 제 2주사 스테이지들(SST(2))이 발광 스테이지들(EST)의 하측에 배치되는 경우, 제 1길이(L1)만큼 제 2주변 영역(NA2)의 면적이 감소되어 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
발광 스테이지들(EST)은 제 2신호배선들(3002')과 접속된다. 여기서, 제 2신호배선들(3002')은 상술한 제 3클럭신호(CLK3), 제 4클럭신호(CLK4), 제 3전원(VDD1) 및 제 4전원(VSS1)을 포함한다. 이와 같은 제 2신호배선들(3002')은 발광 스테이지들(EST)의 일측에 배치된다. 추가적으로, 제 2신호배선들(3002')은 제 2발광 스테이지들(EST(2))의 타측까지 연장되도록 배치될 수 있다.
주사 스테이지들(SST(1), SST(2))은 제 1신호배선들(3000')과 접속된다. 여기서, 제 1신호배선들(3000')은 제 1클럭신호(CLK1), 제 2클럭신호(CLK2), 제 1전원(VDD) 및 제 2전원(VSS)을 포함한다. 이와 같은 제 1신호배선들(3000')은 주사 스테이지들(SST(1), SST(2))의 일측에 배치된다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 특허청구범위에서 정해지는 것으로써, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등 범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.
AA1,AA2,AA3,AA4 : 화소 영역 NA1,NA2,NA3,NA4 : 주변 영역
PXL1,PXL2,PXL3,PXL4 : 화소 100 : 기판
101 : 베이스기판 102,103 : 보조판
104 : 오복부 180 : 타이밍 제어부
210,220,230 : 주사 구동부 310,320,330 : 발광 구동부
400 : 데이터 구동부

Claims (15)

  1. 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들;
    제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들;
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들;
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및
    상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 포함하며,
    상기 제 2 구동 스테이지들은 상기 제 3 구동 스테이지들로부터 이격되며,
    상기 제 2 신호선들은 상기 제 1 구동 스테이지들이 위치한 영역을 가로질러 연장되고,
    상기 제 2 화소들은 수평 라인들을 따라 배열되는 화소 행들을 포함하고, 상기 화소 행들 각각은 상기 제 3 신호선들 중 하나와 상기 제 4 신호선들 중 하나에 전기적으로 연결되며,
    상기 나머지 제 4 신호선들 중 어느 하나의 제 4 신호선은 상기 제 3 신호선들 중 상기 어느 하나의 제 4 신호선과 상이한 화소 행에 연결된 제 3 신호선과 교차하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 구동 스테이지들은 제 1 방향으로 상기 제 2 구동 스테이지들과 상기 제 1 화소들 사이에 위치하고,
    상기 제 3 구동 스테이지들 중 적어도 하나는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 제 1 구동 스테이지들 중 적어도 하나와 인접하는 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선은 상기 제 1 구동 스테이지들이 위치한 영역을 가로질러 연장되는 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 1 신호는 주사 신호이며,
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 2 신호는 발광 제어신호인 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 1 신호는 발광 제어 신호이며,
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 2 신호는 주사 신호인 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 화소 영역은 상기 제 1 화소 영역에 인접하는 표시 장치.
  7. 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들;
    제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들;
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들;
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및
    상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 포함하며,
    상기 제 2 구동 스테이지들은 상기 제 3 구동 스테이지들로부터 이격되며,
    상기 제 2 화소들은 수평 라인들을 따라 배열되는 화소 행들을 포함하고, 상기 화소 행들 각각은 상기 제 3 신호선들 중 하나와 상기 제 4 신호선들 중 하나에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 3 구동 스테이지들과 연결된 상기 나머지 제 4 신호선들 중 어느 하나의 제 4 신호선은 상기 제 3 신호선들 중 상기 어느 하나의 제 4 신호선과 상이한 화소 행에 연결된 제 3 신호선과 중첩하는 적어도 하나의 중첩 부분을 포함하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 3 신호선들은 제 1 금속으로 형성되고, 상기 제 4 신호선들은 제 2 금속으로 형성되며,
    상기 제 3 신호선들은 상기 제 4 신호선들과 다른 층에 배치되는 표시 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 1 신호는 주사 신호이며,
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 2 신호는 발광 제어신호인 표시 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들은 발광 제어선들이고, 상기 제 1 신호는 발광 제어 신호이며,
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들은 주사선들이고, 상기 제 2 신호는 주사 신호인 표시 장치.
  11. 제 1 신호선들, 제 2 신호선들, 및 데이터선들과 전기적으로 연결되며, 제 1 화소 영역에 배치되는 제 1 화소들; 및
    제 3 신호선들, 제 4 신호선들, 및 데이터선들 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되며, 제 2 화소 영역에 배치되는 제 2 화소들을 포함하며,
    상기 제 2 화소들은 수평 라인들을 따라 배열되는 화소 행들을 포함하고, 상기 화소 행들 각각은 상기 제 3 신호선들 중 하나와 상기 제 4 신호선들 중 하나에 전기적으로 연결되며,
    상기 제 4 신호선들은 제 1 도전선 및 제 2 도전선을 포함하고,
    상기 제 1 도전선은 상기 제 3 신호선들 중 상기 제 1 도전선과 상이한 화소 행에 연결된 제 3 신호선과 컨택되지 않고 교차하고,
    상기 제 2 도전선은 상기 제 3 신호선들과 교차하지 않는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 4 신호선들은 상기 제 3 신호선들과 다른 층에 배치되는 표시 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 각각은 상기 제 2 신호선들과 교차하지 않는 표시 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 신호선들 및 상기 제 3 신호선들로 제 1 신호를 공급하기 위한 제 1 구동 스테이지들;
    상기 제 2 신호선들 및 상기 제 4 신호선들 중 적어도 하나로 제 2 신호를 공급하기 위한 제 2 구동 스테이지들; 및
    상기 제 2 구동 스테이지들과 연결된 상기 적어도 하나의 제 4 신호선을 제외한 나머지 제 4 신호선들로 상기 제 2 신호를 공급하기 위한 제 3 구동 스테이지들을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 구동 스테이지들은 제 1 방향으로 상기 제 2 구동 스테이지들과 상기 제 1 화소들 사이에 위치하고,
    상기 제 3 구동 스테이지들 중 적어도 하나는 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상기 제 1 구동 스테이지들 중 적어도 하나와 인접하는 표시 장치.
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