KR102586199B1 - Test method of power semiconductor device, and test system for the same - Google Patents
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Abstract
전력 반도체 소자의 검사 방법이 제공된다. 상기 전력 반도체 소자의 검사 방법은, 상기 전력 반도체 소자에 제1 및 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 및 제2 참조 값을 획득하는 단계, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 테스트 빔을 조사하는 단계, 상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 및 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 및 제2 측정 값을 획득하는 단계, 및 상기 제1 참조 값 및 상기 제1 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 결함 발생 여부를 확인하고, 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계를 포함할 수 있다. A method for inspecting a power semiconductor device is provided. The method of inspecting the power semiconductor device includes obtaining first and second reference values that are output by applying first and second test signals to the power semiconductor device, and applying a test beam to the power semiconductor device of the test board. irradiating, after the test beam is irradiated, applying the first and second test signals to the power semiconductor device of the test board to obtain first and second measured values output, and the first Compare the reference value and the first measurement value to determine whether a defect occurs between the drain and the source of the power semiconductor device, and compare the second reference value and the second measurement value to determine whether the power semiconductor device is It may include checking whether the gate insulating film is damaged.
Description
본 출원은 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 전력 반도체 소자로 조사되는 테스트 빔에 의한 전력 반도체 소자의 드레인 및 소스 사이의 결함 발생 여부 및 전력 반도체 소자의 게이트 절연막의 손상을 확인할 수 있는 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템에 관련된 것이다. This application relates to an inspection method for a power semiconductor device and an inspection system for the same, and more specifically, to determine whether a defect occurs between the drain and source of the power semiconductor device by a test beam irradiated to the power semiconductor device, and to the power semiconductor device. It relates to an inspection method for power semiconductor devices that can check damage to the gate insulating film and an inspection system for the same.
반도체 검사장비는 주검사 장비(Main Tester), Probe Station, 핸들러 (Handler), 번인(Burn-In)장비로 크게 구분할 수 있으며, 웨이퍼 상태에서 칩의 정상여부를 검사하는 Probe Station 등의 웨이퍼 검사장비, 반도체 전후 공정을 마친 후 최종단계에서 패키지의 정상적인 작동유무를 평가하는 핸들 러와 같은 콤포넌트 검사장비, 그리고 PCB에 반도체 소자가 여러 개 장착되어 있는 모듈 상태에서 제대로 작동하는지를 검사하는 모듈 검사장비로 분류할 수 있다.Semiconductor inspection equipment can be broadly divided into main tester, probe station, handler, and burn-in equipment, and wafer inspection equipment such as the probe station that inspects whether the chip is normal in the wafer state. , It is classified into component inspection equipment such as a handler that evaluates the normal operation of the package at the final stage after completing the pre- and post-semiconductor processes, and module inspection equipment that inspects whether the module is operating properly with multiple semiconductor elements mounted on the PCB. can do.
반도체 소자가 미세화됨에 따라서, 다양한 반도체 검사 장치가 개발되고 있다.As semiconductor devices become miniaturized, various semiconductor inspection devices are being developed.
예를 들어, 대한민국 등록 특허 공보 10-1679527에는 피검사 디바이스인 반도체 디바이스에 조사되는 광을 발생시키는 광 발생부와, 상기 반도체 디바이스를 구동시키는 테스트 신호를 상기 반도체 디바이스에 인가하는 테스트 신호 인가부와, 상기 광이 상기 반도체 디바이스에 조사되었을 때 상기 반도체 디바이스에서 반사된 반사광을 검출하여, 검출신호를 출력하는 광검출부와, 상기 검출 신호가 입력되고, 상기 검출 신호의 위상 정보인 제1 위상 정보를 계측하는 제1 스펙트럼 애널라이저와, 소정의 주파수의 레퍼런스 신호를 생성하는 레퍼런스 신호 생성부와, 상기 레퍼런스 신호가 입력되고, 상기 레퍼런스 신호의 위상 정보인 제2 위상 정보를 계측하는 제2 스펙트럼 애널라이저와, 상기 제1 위상 정보 및 상기 제2위상 정보에 기초하여, 상기 소정의 주파수에 있어서의 상기 검출 신호의 위상정보를 도출하는 해석부를 구비하고, 상기 제1 스펙트럼 애널라이저는 상기 제1 스펙트럼 애널라이저를 동작시키는 기준 신호의 주파수에 대한 상기 제1 위상 정보를 계측하고, 상기 제2 스펙트럼 애널라이저는 상기 제2 스펙트럼 애널라이저를 동작시키는 기준 신호의 주파수에 대한 상기 제2 위상 정보를 계측하고, 상기 제1 스펙트럼 애널라이저의 기준 신호의 주파수와 위상과, 상기 제2 스펙트럼 애널라이저의 기준 신호의 주파수와 위상이 동기하고 있는 반도체 디바이스 검사 장치가 개시되어 있다. For example, in Republic of Korea Patent Publication No. 10-1679527, there is provided a light generator that generates light irradiated to a semiconductor device that is a device to be inspected, a test signal applicator that applies a test signal that drives the semiconductor device to the semiconductor device, and , a light detection unit that detects reflected light reflected from the semiconductor device when the light is irradiated to the semiconductor device and outputs a detection signal, the detection signal is input, and first phase information that is phase information of the detection signal is provided. A first spectrum analyzer that measures, a reference signal generator that generates a reference signal of a predetermined frequency, a second spectrum analyzer that receives the reference signal and measures second phase information that is phase information of the reference signal, an analysis unit that derives phase information of the detection signal at the predetermined frequency based on the first phase information and the second phase information, and the first spectrum analyzer operates the first spectrum analyzer. Measure the first phase information with respect to the frequency of the reference signal, and the second spectrum analyzer measures the second phase information with respect to the frequency of the reference signal that operates the second spectrum analyzer. A semiconductor device inspection apparatus is disclosed in which the frequency and phase of a reference signal and the frequency and phase of the reference signal of the second spectrum analyzer are synchronized.
본 출원이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다. The technical problem that this application seeks to solve is to provide an inspection method for power semiconductor devices and an inspection system for the same.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 고신뢰성의 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다. Another technical problem that this application seeks to solve is to provide a high-reliability inspection method for power semiconductor devices and an inspection system for the same.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 불량 유형을 실시간 확인할 수 있는 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다. Another technical problem that this application seeks to solve is to provide an inspection method for power semiconductor devices that can check the type of defect in real time and an inspection system for the same.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 불량 유형을 실시간 확인할 수 있는 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다.Another technical problem that this application seeks to solve is to provide an inspection method for power semiconductor devices that can check the type of defect in real time and an inspection system for the same.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, DC 및 AC 동작에 따른 불량을 확인할 수 있는 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다.Another technical problem that this application seeks to solve is to provide an inspection method and inspection system for power semiconductor devices that can check defects due to DC and AC operation.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 빔(beam)에 의한 손상을 확인할 수 있는 전력 반도체 소자의 검사 방법 및 이를 위한 검사 시스템을 제공하는 데 있다.Another technical problem that this application seeks to solve is to provide an inspection method for a power semiconductor device that can check damage caused by a beam and an inspection system for the same.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problems to be solved by the present invention are not limited to those described above.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 전력 반도체 소자의 검사 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, this application provides a method for inspecting power semiconductor devices.
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자의 검사 방법은, 게이트, 게이트 절연막, 드레인, 및 소스를 갖는 전력 반도체 소자를 테스트 보드에 배치하는 단계, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 참조 값을 획득하는 단계, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제2 테스트 신호를 인가하여 출력된 제2 참조 값을 획득하는 단계, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 테스트 빔을 조사하는 단계, 상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 측정 값을 획득하는 단계, 상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제2 측정 값을 획득하는 단계, 및 상기 제1 참조 값 및 상기 제1 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 결함 발생 여부를 확인하고, 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method of inspecting the power semiconductor device includes placing a power semiconductor device having a gate, a gate insulating film, a drain, and a source on a test board, and applying a first test signal to the power semiconductor device on the test board. Obtaining a first reference value output by applying, obtaining a second reference value output by applying a second test signal to the power semiconductor element of the test board, Irradiating a test beam, after the test beam is irradiated, applying the first test signal to the power semiconductor element of the test board to obtain a first measurement value output, after the test beam is irradiated , obtaining a second measurement value output by applying the second test signal to the power semiconductor device of the test board, and comparing the first reference value and the first measurement value to the power semiconductor device. It may include checking whether a defect occurs between the drain and the source, and comparing the second reference value and the second measured value to check whether the gate insulating film of the power semiconductor device is damaged.
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of applying the first test signal to the power semiconductor device shorts the drain and the source of the power semiconductor device, and performs a first test on the drain and the source of the power semiconductor device. It may include applying voltage.
일 실시 예에 따르면, 상기 테스트 빔이 조사된 후 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 펄스 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, applying the first test signal to the power semiconductor device after the test beam is irradiated may include applying a pulse voltage to the gate of the power semiconductor device.
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제2 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 제2 테스트 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of applying the second test signal to the power semiconductor device shorts the drain and the source of the power semiconductor device, and applies a second test voltage to the gate of the power semiconductor device. It may include:
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자의 검사 방법은, 상기 전력 반도체 소자에 상기 테스트 빔을 조사하기 전, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제3 테스트 신호를 인가하여 출력된 제3 참조 값을 획득하는 단계, 상기 전력 반도체 소자에 상기 테스트 빔을 조사한 후, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제3 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제3 측정 값을 획득하는 단계, 및 상기 제3 참조 값 및 상기 제3 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method for inspecting the power semiconductor device is, before irradiating the test beam to the power semiconductor device, a third reference value is output by applying a third test signal to the power semiconductor device of the test board. Obtaining, after irradiating the test beam to the power semiconductor device, obtaining a third measurement value output by applying the third test signal to the power semiconductor device, and the third reference value and the third 3. It may further include comparing the measured values to check whether the gate insulating film of the power semiconductor device is damaged.
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제3 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단선시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 제3 테스트 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of applying the third test signal to the power semiconductor device disconnects the drain and the source of the power semiconductor device, and applies a third test voltage to the gate of the power semiconductor device. It may include:
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 전력 반도체 소자의 검사 시스템을 제공한다. In order to solve the above technical problems, this application provides an inspection system for power semiconductor devices.
일 실시 예에 따르면, 게이트, 드레인, 및 소스를 포함하는 전력 반도체 소자가 배치된 테스트 보드 및 테스트 빔을 조사하는 빔 소스를 포함하는 상기 전력 반도체 소자의 검사 시스템에 있어서, 상기 테스트 보드는, 상기 전력 반도체 소자가 배치되는 피시험 반도체 소자 배치 영역, 상기 전력 반도체 소자의 상기 소스 및 상기 드레인을 단락시키고 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하는 제1 신호 제어부, 및 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 제2 테스트 전압을 인가하는 제2 신호 제어부를 포함하고, 상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사되기 전, 그리고 상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사된 후, 각각 상기 제1 신호 제어부 및 상기 제2 신호 제어부가 동작하여, 상기 전력 반도체 소자를 검사하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, in the inspection system for the power semiconductor device including a test board on which a power semiconductor device including a gate, drain, and source is disposed, and a beam source for irradiating a test beam, the test board is, A semiconductor device under test arrangement area where a power semiconductor device is disposed, a first signal control unit that shorts the source and the drain of the power semiconductor device and applies a first test voltage to the drain and the source of the power semiconductor device, and Short-circuiting the drain and the source of the power semiconductor device, and comprising a second signal control unit for applying a second test voltage to the gate of the power semiconductor device, before the test beam is irradiated to the power semiconductor device, and After the test beam is irradiated to the power semiconductor device, the first signal control unit and the second signal control unit operate, respectively, and may include inspecting the power semiconductor device.
일 실시 예에 따르면, 상기 전력 반도체 소자는 복수로 제공되고, 복수의 상기 전력 반도체 소자가, 상기 피시험 반도체 소자 배치 영역 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the power semiconductor device may be provided in plurality, and the plurality of power semiconductor devices may be disposed on the semiconductor device under test arrangement area.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 신호 제어부 및 상기 제2 신호 제어부는 교대로 동작하는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first signal control unit and the second signal control unit may operate alternately.
본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에 따르면, 전력 반도체 소자에 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 참조 값을 획득하고, 상기 전력 반도체 소자에 제2 테스트 신호를 인가하여 출력된 제2 참조 값을 획득하고, 상기 전력 반도체 소자에 테스트 빔을 조사하여, 상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 측정 값이 획득되고, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제2 측정 값이 획득될 수 있다. According to the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application, a first reference value output is obtained by applying a first test signal to the power semiconductor device, and a second test signal is applied to the power semiconductor device to output A first measurement is output by obtaining a second reference value, irradiating a test beam to the power semiconductor device, and applying the first test signal to the power semiconductor device of the test board after the test beam is irradiated. A value may be obtained, and a second measurement value output by applying the second test signal to the power semiconductor device may be obtained.
상기 제1 참조 값 및 상기 제1 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 결함 발생 여부를 확인하고, 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부가 확인될 수 있다. Compare the first reference value and the first measurement value to determine whether a defect occurs between the drain and the source of the power semiconductor device, and compare the second reference value and the second measurement value to determine whether the power semiconductor device It can be confirmed whether the gate insulating film of the device is damaged.
즉, 상기 테스트 빔에 의한 상기 전력 반도체 소자의 불량 유형이 용이하게 확인될 수 있음은 물론, 실시간으로 확인될 수 있다. That is, the type of defect of the power semiconductor device by the test beam can be easily confirmed, as well as confirmed in real time.
도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사되기 전 제1 참조 값 및 제2 참조 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사된 후 제1 측정 값 및 제2 측정 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 출원의 실시 예의 변형 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사되기 전 제1 참조 값 내지 제3 참조 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사된 후 제1 측정 값 내지 제3 측정 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 시스템을 보다 상세하게 설명하기 위한 블록도이다.
도 8은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사에 활용되는 테스트 보드의 설계를 예시적으로 도시한 것이다.1 is a flowchart for explaining a method for inspecting a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 2 is a diagram for explaining the step of obtaining a first reference value and a second reference value before a test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 3 is a diagram for explaining the step of obtaining a first measurement value and a second measurement value after a test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 4 is a diagram for explaining the step of obtaining first to third reference values before the test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to a modified example of the embodiment of the present application.
FIG. 5 is a diagram illustrating the steps of obtaining first to third measurement values after a test beam is irradiated in the method for inspecting a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 6 is a block diagram for explaining an inspection system for a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 7 is a block diagram for explaining in more detail an inspection system for a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
Figure 8 exemplarily shows the design of a test board used for inspection of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete and so that the spirit of the invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be formed directly on the other element or that a third element may be interposed between them. Additionally, in the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective explanation of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Additionally, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. Additionally, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the components listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.In the specification, singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, terms such as "include" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, components, or a combination thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be understood as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof. Additionally, in this specification, “connection” is used to mean both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.Additionally, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
본 출원 명세서에서 “빔”은 방사선을 포함하는 것으로, 알파입자, 중성자, 양성자 등의 방사선 입자를 포함하는 것으로 해석될 수 있으며, 본 출원 명세서에서 피시험 반도체 소자에 발생하는 에러는 주로 single event upset(SEU), multi bit upset(MBU), multi cell upset(MCU) 등 Soft Error를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.In this application specification, “beam” includes radiation, and can be interpreted as including radiation particles such as alpha particles, neutrons, and protons, and in this application specification, errors occurring in the semiconductor device under test are mainly single event upsets. It can be interpreted as including soft errors such as (SEU), multi bit upset (MBU), and multi cell upset (MCU).
또한, 본 출원의 명세서에 기재된 반도체 소자의 검사 시스템을 제조 및 판매를 실시하는 주체와 본 출원 명세서에 기재된 반도체 소자 검사 방법을 수행하는 주체가 다를 수 있음은 자명하다.In addition, it is obvious that the entity that manufactures and sells the semiconductor device inspection system described in the specification of this application and the entity that performs the semiconductor device inspection method described in the specification of this application may be different.
또한, 시계열적으로 기재된 방법 청구항에서, 각 단계가 수행되는 순서는 단순히 기재된 순서에 한정되지 않고, 내포된 기술적 의미에 따라서 순서가 한정되는 것으로 해석되며, 내포된 기술적 의미에 따라서 순서가 한정되지 않는 단계들은 각 단계들의 수행 순서에 제한이 없는 것으로 해석된다.In addition, in method claims described in time series, the order in which each step is performed is not limited to the simply described order, but is interpreted as being limited according to the implied technical meaning, and the order is not limited according to the implied technical meaning. The steps are interpreted as having no restrictions on the order in which each step is performed.
도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사되기 전 제1 참조 값 및 제2 참조 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사된 후 제1 측정 값 및 제2 측정 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다. Figure 1 is a flow chart for explaining the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application, and Figure 2 is a first reference value before the test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application. And it is a diagram for explaining the step of acquiring the second reference value, and Figure 3 is a diagram for obtaining the first measurement value and the second measurement value after the test beam is irradiated in the inspection method of the power semiconductor device according to the embodiment of the present application. This is a drawing to explain the steps.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 게이트, 게이트 절연막, 드레인, 및 소스를 갖는 전력 반도체 소자(200)가 테스트 보드(100)에 배치될 수 있다(S110). 1 to 3, a power semiconductor device 200 having a gate, a gate insulating film, a drain, and a source may be placed on the test board 100 (S110).
상기 전력 반도체 소자(200)는, 피시험 반도체 소자로, MOSFET, IGBT 등 게이트 구조를 포함하는 반도체 소자일 수 있다. The power semiconductor device 200 is a semiconductor device under test and may be a semiconductor device including a gate structure such as a MOSFET or IGBT.
도 2에서는 상기 테스트 보드(100)에 하나의 상기 전력 반도체 소자(200)가 배치되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 상기 테스트 보드(100)에 복수의 상기 전력 반도체 소자(200)가 배치될 수 있다. In Figure 2, one of the power semiconductor devices 200 is shown to be disposed on the test board 100, but is not limited to this, and a plurality of the power semiconductor devices 200 are disposed on the test board 100. You can.
또는, 일 변형 예에 따르면, 상기 테스트 보드(100)에는 적어도 하나의 상기 전력 반도체 소자(200)와 적어도 하나의 다른 종류의 피시험 반도체 소자가 배치될 수 있다. Alternatively, according to one modified example, at least one of the power semiconductor devices 200 and at least one other type of semiconductor device under test may be disposed on the test board 100.
상기 전력 반도체 소자(200)은 전력 반도체 단일 칩(chip)일 수도 있고, 전력 반도체 칩을 포함하는 복합 회로를 갖는 패키징 칩일 수도 있다.The power semiconductor device 200 may be a single power semiconductor chip or a packaging chip having a complex circuit including a power semiconductor chip.
상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 제1 테스트 신호가 인가되고, 상기 전력 반도체 소자(200)로부터 출력되는 제1 참조 값이 획득될 수 있다(S120). A first test signal is applied to the power semiconductor device 200 of the test board 100, and a first reference value output from the power semiconductor device 200 can be obtained (S120).
상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에는 전압이 인가되지 않는 것을 포함할 수 있다. The step of applying the first test signal to the power semiconductor device 200 is to short-circuit the drain and the source of the power semiconductor device 200, and to the drain and the source of the power semiconductor device 200. It may include applying a first test voltage and not applying a voltage to the gate of the power semiconductor device 200.
이에 따라, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트의 출력 값은 0이고, 상기 드레인 및 상기 소스의 출력 값은 각각 상기 제1 테스트 전압과 동일한 값일 수 있다. 상기 제1 참조 값은, 상기 제1 테스트 신호가 인가된 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스에서 출력되는 값, 또는 상기 드레인 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값으로 정의될 수 있다. Accordingly, the output value of the gate of the power semiconductor device 200 may be 0, and the output values of the drain and the source may each be the same as the first test voltage. The first reference value is a value output from the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device 200 in a state in which the first test signal is applied, or a value measured between the drain and the source. It can be defined as a resistance value.
상기 제1 참조 값을 획득한 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 제2 테스트 신호가 인가되고, 상기 전력 반도체 소자(200)로부터 출력되는 제2 참조 값이 획득될 수 있다(S130).After obtaining the first reference value, a second test signal is applied to the power semiconductor device 200 of the test board 100, and a second reference value output from the power semiconductor device 200 is obtained. (S130).
상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제2 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 드레인 및 상기 소스에 전압을 인가하지 않고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 제2 테스트 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. The step of applying the second test signal to the power semiconductor device 200 shorts the drain and the source of the power semiconductor device 200, does not apply a voltage to the drain and the source, and This may include applying a second test voltage to the gate of the semiconductor device 200.
이에 따라, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트의 출력 값은 상기 제2 테스트 전압과 동일한 값이고, 상기 드레인 및 상기 소스의 출력 값은 각각 0일 수 있다. 상기 제2 참조 값은, 상기 제2 테스트 신호가 인가된 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스에서 출력되는 값 또는 상기 게이트 및 상기 드레인 사이 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값으로 정의될 수 있다.Accordingly, the output value of the gate of the power semiconductor device 200 may be the same as the second test voltage, and the output values of the drain and the source may each be 0. The second reference value is a value output from the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device 200, or between the gate and the drain and the gate and It can be defined as the resistance value measured between the sources.
상술된 실시 예에서, 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 제1 참조 값을 획득한 이후, 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 제2 참조 값을 획득하는 것으로 설명되었으나, 이에 한정되지 않고, 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 제2 참조 값을 획득한 후 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 제1 참조 값을 획득할 수 있음은 당업자에게 자명하다. In the above-described embodiment, it has been described that after obtaining the first reference value by applying the first test signal, the second reference value is obtained by applying the second test signal, but the present invention is not limited to this. It is obvious to those skilled in the art that the second reference value can be obtained by applying a second test signal and then the first reference value can be obtained by applying the first test signal.
상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 테스트 빔(300)이 조사될 수 있다(S140). The test beam 300 may be irradiated to the power semiconductor device 200 of the test board 100 (S140).
상기 테스트 빔(300)은 본 출원 명세서의 상용구 및 전제부(boilerplate)에서 기재된 것과 같이, 방사선을 포함하는 것으로, 알파입자, 중성자, 양성자 등의 방사선 입자를 포함하는 것으로 해석될 수 있다. The test beam 300 includes radiation, as described in the boilerplate and boilerplate of this application specification, and can be interpreted as including radiation particles such as alpha particles, neutrons, and protons.
상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 테스트 빔(300)이 조사된 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 측정 값이 획득될 수 있다(S150).After the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200 of the test board 100, the first test signal is applied to the power semiconductor device 200 of the test board 100 and output. The first measurement value may be obtained (S150).
상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사된 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사되기 전 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계와 실질적으로 동일할 수 있다. After the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200, the step of applying the first test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 is, the test beam 300 ) may be substantially the same as the step of applying the first test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 before being irradiated to the power semiconductor device 200.
즉, 상술된 바와 같이, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압이 인가되고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 전압이 인가되지 않은 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값, 또는 상기 드레인 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값 이 상기 제1 측정 값으로 정의될 수 있다.That is, as described above, the drain and the source of the power semiconductor device 200 are shorted, a first test voltage is applied to the drain and the source of the power semiconductor device 200, and the power semiconductor device In a state where no voltage is applied to the gate of the power semiconductor device 200, the output values of the gate, the drain, and the source, or the resistance value measured between the drain and the source are It may be defined as the first measurement value.
상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 테스트 빔(300)이 조사된 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제2 측정 값이 획득될 수 있다(S160).After the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200 of the test board 100, the second test signal is applied to the power semiconductor device 200 of the test board 100 and output. A second measurement value may be obtained (S160).
상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사된 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제2 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사되기 전 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제2 테스트 신호를 인가하는 단계와 실질적으로 동일할 수 있다. After the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200, the step of applying the second test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 is, the test beam 300 ) may be substantially the same as the step of applying the second test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 before being irradiated to the power semiconductor device 200.
즉, 상술된 바와 같이, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 드레인 및 상기 소스에 전압을 인가하지 않고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 상기 제2 테스트 전압을 인가한 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값 또는 상기 게이트 및 상기 드레인 사이 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값이 상기 제2 측정 값으로 정의될 수 있다.That is, as described above, the drain and the source of the power semiconductor device 200 are short-circuited, and without applying a voltage to the drain and the source, the second voltage is applied to the gate of the power semiconductor device 200. In a state in which a test voltage is applied, the output value of the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device 200 or the resistance value measured between the gate and the drain and between the gate and the source is the first 2 Can be defined as a measurement value.
상기 제1 참조 값 및 상기 제1 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 제1 타입 결함 여부가 확인되고, 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자(200)의 제2 타입 결함 여부가 확인될 수 있다(S170). By comparing the first reference value and the first measurement value, it is confirmed whether the power semiconductor device 200 has a first type defect, and by comparing the second reference value and the second measurement value, the power semiconductor device It can be confirmed whether 200 is a second type defect (S170).
상기 제1 타입 결함은, 상기 전력 반도체 소자(200)로 조사된 상기 테스트 빔(300)에 의해, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스 사이에서 발생된 결함일 수 있다. The first type defect may be a defect generated between the drain and the source of the power semiconductor device 200 by the test beam 300 irradiated to the power semiconductor device 200.
상기 제2 타입 결함은, 상기 전력 반도체 소자(200)로 조사된 상기 테스트 빔(300)에 의해, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트 절연막에서 발생된 손상일 수 있다. The second type defect may be damage generated in the gate insulating film of the power semiconductor device 200 by the test beam 300 irradiated to the power semiconductor device 200.
상기 제1 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 인가되는 경우, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에는 전압이 인가되지 않고, 상기 드레인 및 상기 소스에 고전압인 상기 제1 테스트 전압이 인가된다. 만약, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 드레인 및 상기 소스 사이에서 결함이 발생되지 않았다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제1 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제1 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)은 실질적으로(substantially) 서로 동일하다. 반면, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 드레인 및 상기 소스 사이에서 결함이 발생하였다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제1 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제1 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)은 실질적으로 서로 상이하다. 예를 들어, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에는 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 큰 값을 갖지만, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 결함이 발생한 경우, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 작은 값을 가질 수 있다.When the first test signal is applied to the power semiconductor device 200, no voltage is applied to the gate of the power semiconductor device 200, and the first test voltage, which is a high voltage, is applied to the drain and the source. do. If a defect does not occur between the drain and the source due to irradiation of the test beam 300, the first reference value (the gate, the drain, and the The output value of the source) and the first measurement value (output values of the gate, drain, and source) measured after irradiation with the test beam 300 are substantially the same. On the other hand, if a defect occurs between the drain and the source due to irradiation of the test beam 300, the first reference value (the gate, the drain, and the source) measured before irradiation of the test beam 300 The output value of) and the first measurement value (output values of the gate, the drain, and the source) measured after irradiation of the test beam 300 are substantially different from each other. For example, before irradiation of the test beam 300, the resistance between the drain and the source of the power semiconductor device has a relatively large value, but when a defect occurs due to irradiation of the test beam 300, the A resistance between the drain and the source of the power semiconductor device may have a relatively small value.
결론적으로, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에 측정된 상기 제1 참조 값 및 상기 테스트 빔(300)의 조사 후에 측정된 상기 제1 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 결함 발생 여부가 용이하게 확인될 수 있다. In conclusion, by comparing the first reference value measured before irradiation of the test beam 300 and the first measurement value measured after irradiation of the test beam 300, the drain of the power semiconductor device 200 And whether a defect occurs between the sources can be easily confirmed.
상기 제2 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 인가되는 경우, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에는 상기 제2 테스트 전압이 인가되고, 상기 드레인 및 상기 소스는 단락되고 상기 드레인 및 상기 소스에 전압이 인가되지 않는다. 만약, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 게이트 절연막에 손상이 발생하지 않았다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제2 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제2 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)은 실질적으로 서로 동일하다. 반면, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 게이트 절연막에 손상이 발생하였다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제2 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제2 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)은 실질적으로 서로 상이하다. 예를 들어, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에는 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 및 상기 드레인 사이, 그리고 상기 게이트 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 큰 값을 갖지만, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 결함이 발생한 경우, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 및 상기 상기 드레인 사이, 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 작은 값을 가질 수 있다.When the second test signal is applied to the power semiconductor device 200, the second test voltage is applied to the gate of the power semiconductor device 200, the drain and the source are shorted, and the drain and the No voltage is applied to the source. If no damage occurs to the gate insulating film due to irradiation of the test beam 300, the second reference value (the output of the gate, the drain, and the source) measured before irradiation of the test beam 300 value) and the second measurement value (output values of the gate, drain, and source) measured after irradiation with the test beam 300 are substantially the same. On the other hand, if damage occurs to the gate insulating film due to irradiation of the test beam 300, the second reference value (output values of the gate, the drain, and the source) measured before irradiation of the test beam 300 ) and the second measurement value (output values of the gate, the drain, and the source) measured after irradiation of the test beam 300 are substantially different from each other. For example, before irradiation of the test beam 300, the resistance between the gate and the drain of the power semiconductor device and between the gate and the source has a relatively large value, but upon irradiation of the test beam 300 When a defect occurs, resistance between the gate and the drain and between the gate and the source of the power semiconductor device may have a relatively small value.
결론적으로, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에 측정된 상기 제2 참조 값 및 상기 테스트 빔(300)의 조사 후에 측정된 상기 제2 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트 절연막의 손상 여부가 용이하게 확인될 수 있다. In conclusion, by comparing the second reference value measured before irradiation of the test beam 300 and the second measurement value measured after irradiation of the test beam 300, the gate of the power semiconductor device 200 Damage to the insulating film can be easily confirmed.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 및 제2 참조 값을 획득하는 단계, 제1 및 제2 측정 값을 획득하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 참조 값과 상기 제1 및 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 결함 여부를 확인하는 단계는 하나의 유닛 사이클(unit cycle)로 정의될 수 있고, 상기 유닛 사이클은 복수회 반복 수행될 수 있다. According to one embodiment, obtaining the first and second reference values, obtaining first and second measurement values, and combining the first and second reference values and the first and second measurement values. The step of checking whether the power semiconductor device is defective by comparison may be defined as one unit cycle, and the unit cycle may be repeated multiple times.
구체적으로, 상기 유닛 사이클이 복수회 반복 수행되는 경우, 상기 전력 반도체 소자에 인가되는 상기 제1 및 제2 테스트 전압은, 상기 유닛 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라서, 점차적으로 높은 레벨 값을 가질 수 있다. 즉, 더 고전압이 상기 전력 반도체 소자에 인가될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 전력 반도체 소자의 항복 전압의 기준 %에 해당되는 전압부터 인가되어, 상기 유닛 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라서, 상기 제1 및 제2 테스트 전압이 점차적으로 높은 레벨 값을 가질 수 있다.Specifically, when the unit cycle is repeated multiple times, the first and second test voltages applied to the power semiconductor device may have a gradually higher level value as the number of repetitions of the unit cycle increases. there is. That is, a higher voltage can be applied to the power semiconductor device. More specifically, the voltage corresponding to the standard % of the breakdown voltage of the power semiconductor device is applied, and as the number of repetitions of the unit cycle increases, the first and second test voltages may have gradually higher level values. there is.
일 변형 예에 따르면, 상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사된 후, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사되기 전 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계와 다를 수 있다. According to one modified example, after the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200, the step of applying the first test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 , It may be different from the step of applying the first test signal to the power semiconductor device 200 of the test board 100 before the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200.
구체적으로, 상기 테스트 빔(300)이 상기 전력 반도체 소자(200)에 조사된 후 상기 전력 반도체 소자(200)에 제1 테스트 신호를 인가하는 단계에서, 상기 드레인 및 상기 소스가 단락되고 상기 드레인 및 상기 소스에 상기 제1 테스트 전압이 인가된 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 펄스 전압이 인가될 수 있다. 이에 따라, 상기 전력 반도체 소자(200)에 대한 교류 테스트가 수행될 수 있다. 상기 펄스 전압은 도 8을 참조하여 후술되는 게이트 드라이버에 의해 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 인가될 수 있다.Specifically, in the step of applying a first test signal to the power semiconductor device 200 after the test beam 300 is irradiated to the power semiconductor device 200, the drain and the source are shorted, and the drain and While the first test voltage is applied to the source, a pulse voltage may be applied to the gate of the power semiconductor device 200. Accordingly, an alternating current test on the power semiconductor device 200 may be performed. The pulse voltage may be applied to the gate of the power semiconductor device 200 by a gate driver, which will be described later with reference to FIG. 8.
즉, 전력 반도체 소자의 주된 어플리케이션은 전기차, ESS 등의 인버터로 주로 활용되는 것으로, 인버터의 역할은 DC의 전력을 AC로 변환해 주는 역할을 수행한다. DC를 AC로 변환 변환하기 위해 전력 반도체 소자의 게이트에 펄스 전압이 인가될 수 있으며, 이러한 과정이 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 모사될 수 있다. In other words, the main application of power semiconductor devices is mainly used as inverters for electric vehicles, ESS, etc. The role of the inverter is to convert DC power into AC. A pulse voltage may be applied to the gate of the power semiconductor device to convert DC to AC, and this process can be simulated in the inspection method of the power semiconductor device according to the embodiment of the present application.
도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 실시 예와 달리, 본 출원의 실시 예의 변형 예에 따르면, 제3 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 더 인가되어 제3 참조 값 및 제3 측정 값이 더 획득될 수 있다. 이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 출원의 실시 예의 변형 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법이 설명된다. Unlike the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3, according to a modified example of the embodiment of the present application, a third test signal is further applied to the power semiconductor device 200 to obtain a third reference value and a third measured value. More can be achieved. Hereinafter, a method for inspecting a power semiconductor device according to a modified example of an embodiment of the present application will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4는 본 출원의 실시 예의 변형 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사되기 전 제1 참조 값 내지 제3 참조 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 방법에서 테스트 빔이 조사된 후 제1 측정 값 내지 제3 측정 값을 획득하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.Figure 4 is a diagram for explaining the step of obtaining first to third reference values before the test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to a modified example of the embodiment of the present application, and Figure 5 is a diagram of the present application This is a diagram for explaining the step of obtaining first to third measurement values after a test beam is irradiated in the inspection method of a power semiconductor device according to an embodiment of .
도 4 및 도 5를 참조하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 것과 동일한 방법으로, 상기 테스트 빔(300)이 조사되기 전 상기 제1 및 제2 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 인가되어 상기 제1 및 제2 참조 값이 획득될 수 있고, 상기 테스트 빔(300)이 조사된 후 상기 제1 및 제2 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 인가되어 상기 제1 및 제2 측정 값이 획득될 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 5, in the same manner as described with reference to FIGS. 1 to 3, the first and second test signals are applied to the power semiconductor device 200 before the test beam 300 is irradiated. The first and second reference values can be obtained by being applied to the test beam 300, and then the first and second test signals are applied to the power semiconductor device 200 to obtain the first and second reference values. A second measurement value may be obtained.
본 출원의 실시 예의 변형 예에 따른 전력 반도체 소자(200)의 검사 방법은, 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 테스트 빔(300)을 조사하기 전, 상기 테스트 보드(100)의 상기 전력 반도체 소자(200)에 제3 테스트 신호를 인가하여 출력된 제3 참조 값을 획득하는 단계, 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 테스트 빔(300)을 조사한 후, 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제3 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제3 측정 값을 획득하는 단계, 및 상기 제3 참조 값 및 상기 제3 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계(상기 제2 타입 결합 여부)를 더 포함할 수 있다. The inspection method of the power semiconductor device 200 according to a modified example of the embodiment of the present application is, before irradiating the test beam 300 to the power semiconductor device 200, the power semiconductor device of the test board 100 Obtaining a third reference value output by applying a third test signal to (200), after irradiating the test beam 300 to the power semiconductor device 200, the third reference value is applied to the power semiconductor device 200. 3 Obtaining a third measurement value output by applying a test signal, and comparing the third reference value and the third measurement value to check whether the gate insulating film of the power semiconductor device 200 is damaged. A step (whether the second type is combined) may be further included.
상기 테스트 빔(300)을 조사하기 전, 및 상기 테스트 빔(300)을 조사한 후, 상기 전력 반도체 소자(200)에 상기 제3 테스트 신호를 인가하는 단계는, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 드레인 및 상기 소스가 단선된 상태에서 전압을 인가하지 않고, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에 제3 테스트 전압을 인가하는 것을 포함할 수 있다. The step of applying the third test signal to the power semiconductor device 200 before irradiating the test beam 300 and after irradiating the test beam 300, the step of applying the third test signal to the power semiconductor device 200 It may include applying a third test voltage to the gate of the power semiconductor device 200 without applying a voltage while the drain and the source are disconnected.
이에 따라, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트의 출력 값은 상기 제3 테스트 전압과 동일한 값이고, 상기 드레인 및 상기 소스의 출력 값은 각각 0일 수 있다. 상기 제3 참조 값은, 상기 테스트 빔(300)이 조사되기 전 상기 제3 테스트 신호가 인가된 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스에서 출력되는 값으로 정의될 수 있다. 또한, 상기 제3 측정 값은, 상기 테스트 빔(300)이 조사된 후 상기 제3 테스트 신호가 인가된 상태에서, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스에서 출력되는 값으로 정의될 수 있다. Accordingly, the output value of the gate of the power semiconductor device 200 may be the same as the third test voltage, and the output values of the drain and the source may each be 0. The third reference value is a value output from the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device 200 in a state in which the third test signal is applied before the test beam 300 is irradiated. can be defined. In addition, the third measurement value is output from the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device 200 in a state in which the third test signal is applied after the test beam 300 is irradiated. It can be defined as a value.
상기 제3 테스트 신호가 상기 전력 반도체 소자(200)에 인가되는 경우, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트에는 상기 제3 테스트 전압이 인가되고, 상기 드레인 및 상기 소스는 단선되고 상기 드레인 및 상기 소스에 전압이 인가되지 않는다. 만약, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 게이트 절연막에 손상이 발생하지 않았다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제3 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값 또는 상기 게이트 및 상기 드레인 사이 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제3 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값 또는 상기 게이트 및 상기 드레인 사이 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이에서 측정된 저항 값)은 실질적으로 서로 동일하다. 반면, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 상기 게이트 절연막에 손상이 발생하였다면, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전 측정된 상기 제3 참조 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)과 상기 테스트 빔(300)의 조사 후 측정된 상기 제3 측정 값(상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스의 출력 값)은 실질적으로 서로 상이하다. 예를 들어, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에는 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 및 상기 드레인 사이, 그리고 상기 게이트 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 큰 값을 갖지만, 상기 테스트 빔(300)의 조사에 의해 결함이 발생한 경우, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 및 상기 상기 드레인 사이, 그리고 상기 게이트 및 상기 소스 사이의 저항은 상대적으로 작은 것을 가질 수 있다. When the third test signal is applied to the power semiconductor device 200, the third test voltage is applied to the gate of the power semiconductor device 200, the drain and the source are disconnected, and the drain and the No voltage is applied to the source. If no damage occurs to the gate insulating film due to irradiation of the test beam 300, the third reference value (the output of the gate, the drain, and the source) measured before irradiation of the test beam 300 value or a resistance value measured between the gate and the drain and between the gate and the source) and the third measurement value measured after irradiation of the test beam 300 (the output of the gate, the drain, and the source) values or resistance values measured between the gate and the drain and between the gate and the source) are substantially equal to each other. On the other hand, if damage occurs to the gate insulating film due to irradiation of the test beam 300, the third reference value (output values of the gate, the drain, and the source) measured before irradiation of the test beam 300 ) and the third measurement value (output values of the gate, the drain, and the source) measured after irradiation with the test beam 300 are substantially different from each other. For example, before irradiation of the test beam 300, the resistance between the gate and the drain of the power semiconductor device and between the gate and the source has a relatively large value, but upon irradiation of the test beam 300 When a defect occurs, resistance between the gate and the drain of the power semiconductor device and between the gate and the source may be relatively small.
결론적으로, 상기 테스트 빔(300)의 조사 전에 측정된 상기 제3 참조 값 및 상기 테스트 빔(300)의 조사 후에 측정된 상기 제3 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트 절연막의 손상 여부가 용이하게 확인될 수 있다.In conclusion, by comparing the third reference value measured before irradiation of the test beam 300 and the third measurement value measured after irradiation of the test beam 300, the gate of the power semiconductor device 200 Damage to the insulating film can be easily confirmed.
전력 반도체 소자, 특히 IGBT 혹은 MOSFET등 게이트를 포함하며 vertical 구조의 전력 반도체 소자에 있어서, 게이트의 고장은 통상적으로 거리 상 가까운 소스단에서 문제가 발생하여, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 것과 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값의 비교를 통해 확인될 수 있지만, 예상하지 못한 추가적인 에러의 발생 및 검사의 신뢰도 향상을 위해, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 것과 같이 상기 제3 참조 값 및 상기 제3 측정 값을 추가적으로 비교하여, 상기 전력 반도체 소자(200)의 상기 게이트 절연막의 손상 여부가 확인될 수 있다. In power semiconductor devices, especially power semiconductor devices with a vertical structure and including a gate such as IGBT or MOSFET, the problem of gate failure usually occurs at the source terminal that is close in distance, and as described with reference to FIGS. 1 to 3 It can be confirmed through comparison of the second reference value and the second measured value, but in order to prevent unexpected additional errors and improve the reliability of inspection, the third By additionally comparing the reference value and the third measurement value, it can be confirmed whether the gate insulating film of the power semiconductor device 200 is damaged.
이하, 도 6을 참조하여, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 전력 반도체 소자의 검사 방법을 수행하기 위한 전력 반도체 검사 시스템이 설명된다. Hereinafter, with reference to FIG. 6, a power semiconductor inspection system for performing the inspection method of a power semiconductor device described with reference to FIGS. 1 to 5 is described.
도 6은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. Figure 6 is a block diagram for explaining an inspection system for a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
도 6을 참조하면, 게이트, 드레인, 및 소스를 포함하는 전력 반도체 소자가 배치된 테스트 보드(100) 및 테스트 빔을 조사하는 빔 소스(310)를 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 시스템이 제공된다. Referring to FIG. 6, an inspection system for a power semiconductor device is provided, including a test board 100 on which a power semiconductor device including a gate, drain, and source is disposed, and a beam source 310 that irradiates a test beam.
상기 테스트 보드(100)는, 제1 신호 제어부(110), 제2 신호 제어부(120), 및 피시험 반도체 소자 배치 영역(140)을 포함할 수 있다. The test board 100 may include a first signal control unit 110, a second signal control unit 120, and a semiconductor device under test arrangement area 140.
상기 피시험 반도체 소자 배치 영역(140)에는 상기 전력 반도체 소자가 배치될 수 있다. 상기 전력 반도체 소자는 복수로 제공되고, 복수의 상기 전력 반도체 소자가, 상기 피시험 반도체 소자 배치 영역(140) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 피시험 반도체 소자 배치 영역(140)에 복수의 소켓이 제공되고, 복수의 상기 전력 반도체 소자는 복수의 상기 소켓에 각각 장착될 수 있다. The power semiconductor device may be disposed in the semiconductor device under test arrangement area 140. The power semiconductor device may be provided in plurality, and the plurality of power semiconductor devices may be disposed on the semiconductor device under test arrangement area 140. For example, a plurality of sockets may be provided in the semiconductor device under test arrangement area 140, and the plurality of power semiconductor devices may be respectively mounted on the plurality of sockets.
상기 제1 신호 제어부(110)는 상기 전력 반도체 소자의 상기 소스 및 상기 드레인을 단락시키고 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하고 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 전압이 인가되지 않도록, 스위치를 제어 및 구성할 수 있다. 즉, 상기 테스트 보드(100) 상에 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스를 연결하는 복수의 스위치들이 제공될 수 있고, 상기 스위치들의 on/off를 통해 상술된 바와 같이, 상기 전력 반도체 소자의 상기 소스 및 상기 드레인이 단락되고 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압이 인가되고 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 전압이 인가되지 않을 수 있다. The first signal control unit 110 shorts the source and the drain of the power semiconductor device, applies a first test voltage to the drain and the source of the power semiconductor device, and applies a first test voltage to the gate of the power semiconductor device. The switch can be controlled and configured so that it is not authorized. That is, a plurality of switches may be provided on the test board 100 to connect the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device, and as described above through on/off of the switches, the The source and the drain of the power semiconductor device may be shorted, a first test voltage may be applied to the drain and the source of the power semiconductor device, and no voltage may be applied to the gate of the power semiconductor device.
상기 제1 신호 제어부(110)는, 복수의 스위치의 그룹, 및/또는 이들을 제어하는 제어부를 포함하는 것으로 해석될 수 있다. The first signal control unit 110 may be interpreted as including a plurality of switch groups and/or a control unit that controls them.
상기 제2 신호 제어부(120)는 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 드레인 및 상기 소스에 전압을 인가하지 않고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 제2 테스트 전압이 인가되도록, 스위치를 제어 및 구성할 수 있다. 즉, 상술된 바와 같이, 상기 테스트 보드(100) 상에 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트, 상기 드레인, 및 상기 소스를 연결하는 복수의 스위치들이 제공될 수 있고, 상기 스위치들의 on/off를 통해 상술된 바와 같이, 상기 전력 반도체 소자의 상기 소스 및 상기 드레인이 단락되고 상기 드레인 및 상기 소스에 전압이 인가되지 않고 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 상기 제2 테스트 전압이 인가될 수 있다. The second signal control unit 120 shorts the drain and the source of the power semiconductor device, does not apply a voltage to the drain and the source, and applies a second test voltage to the gate of the power semiconductor device, You can control and configure switches. That is, as described above, a plurality of switches may be provided on the test board 100 to connect the gate, the drain, and the source of the power semiconductor device, and the switches may be turned on/off as described above. As described above, the source and the drain of the power semiconductor device are shorted and the second test voltage may be applied to the gate of the power semiconductor device without voltage being applied to the drain and the source.
상기 제2 신호 제어부(120)는, 복수의 스위치의 그룹, 및/또는 이들을 제어하는 제어부를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.The second signal control unit 120 may be interpreted as including a plurality of switch groups and/or a control unit that controls them.
상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사되기 전, 그리고 상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사된 후, 각각 상기 제1 신호 제어부(110) 및 상기 제2 신호 제어부(120)가 동작하여, 상기 전력 반도체 소자에 대한 검사가 수행될 수 있다. Before the test beam is irradiated to the power semiconductor device and after the test beam is irradiated to the power semiconductor device, the first signal control unit 110 and the second signal control unit 120 operate, respectively, Inspection of power semiconductor devices may be performed.
구체적으로, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명된 것과 같이, 상기 테스트 빔의 조사 전 제1 참조 값, 제2 참조 값, 및 제3 참조 값이 획득될 수 있고, 상기 테스트 빔의 조사 후 제1 측정 값, 제2 측정 값, 및 제3 측정 값이 획득될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 참조 값과 상기 제1 내지 제3 측정 값은 상기 제어부(150)로 전달되어, 상호 비교될 수 있고, 이로 인해, 상기 전력 반도체 소자에 대한 검사가 수행될 수 있다. Specifically, as described with reference to FIGS. 1 to 5, a first reference value, a second reference value, and a third reference value may be obtained before irradiation of the test beam, and a first reference value may be obtained after irradiation of the test beam. A first measurement value, a second measurement value, and a third measurement value may be obtained. The first to third reference values and the first to third measurement values can be transmitted to the control unit 150 and compared with each other, and thus, an inspection of the power semiconductor device can be performed.
상기 제어부(150)는, 상술된 바와 같이, 상기 전력 반도체 소자의 출력 값들인 제1 내지 제3 참조 값과 상기 제1 내지 제3 측정 값을 비교할 수 있고, 상기 테스트 보드(100)에서 수행되는 상기 전력 반도체 소자의 검사에 대한 전반적인 제어를 수행할 수 있다. As described above, the control unit 150 may compare the first to third reference values, which are output values of the power semiconductor device, and the first to third measurement values, and may be performed on the test board 100. Overall control of the inspection of the power semiconductor device can be performed.
또한, 상기 제어부(150)는 도 6에 도시된 바와 같이 상기 테스트 보드(100)와는 별개의 하드웨어로 구성되어, 상기 테스트 빔이 조사되는 챔버 외부에 배치될 수 있다. Additionally, as shown in FIG. 6, the control unit 150 may be composed of hardware separate from the test board 100 and may be placed outside the chamber where the test beam is irradiated.
도 7은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사 시스템을 보다 상세하게 설명하기 위한 블록도이다. Figure 7 is a block diagram for explaining in more detail an inspection system for a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
도 7을 참조하면, UUT Board, Daughter Board, ADC Board, Core Board, Interface Board가 제공된다. Referring to Figure 7, UUT Board, Daughter Board, ADC Board, Core Board, and Interface Board are provided.
상기 UUT Board는 전력 반도체 소자가 실장되어 테스트 빔에 노출되는 보드로, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 테스트 보드일 수 있다. The UUT Board is a board on which power semiconductor devices are mounted and exposed to a test beam, and may be the test board described with reference to FIGS. 1 to 6.
상기 Daughter Board는 Core Board 측의 릴레이 제어 시그널을 UUT Board에 전달하고, UUT Board에 실장된 전력 반도체 소자의 정보를 신호로 받아 Core Board로 전달할 수 있다. The Daughter Board can transmit the relay control signal from the Core Board to the UUT Board, and receive information from the power semiconductor device mounted on the UUT Board as a signal and transmit it to the Core Board.
상기 ADC Board는 실시간으로 누설 전류를 센싱할 수 있고, 상기 Core Board는 시퀀스 프로그램을 포함하고, 상기 Interface Board는 상기 UUT Board 및 상기 Daughter Board에 필요한 전압을 제공할 수 있다. The ADC Board can sense leakage current in real time, the Core Board includes a sequence program, and the Interface Board can provide the necessary voltage to the UUT Board and the Daughter Board.
도 8은 본 출원의 실시 예에 따른 전력 반도체 소자의 검사에 활용되는 테스트 보드의 설계를 예시적으로 도시한 것이다. Figure 8 exemplarily shows the design of a test board used for inspection of a power semiconductor device according to an embodiment of the present application.
도 8을 참조하면, 테스트 보드는 복수의 전력 반도체 소자가 장착되는 소켓을 복수로 갖는 피시험 반도체 소자 배치 영역을 포함할 수 있다. 복수의 상기 전력 반도체 소자가 배치되는 복수의 상기 소켓은, 테스트 빔이 조사되는 원주를 따라서 배열될 수 있다. Referring to FIG. 8, the test board may include a semiconductor device under test arrangement area having a plurality of sockets on which a plurality of power semiconductor devices are mounted. The plurality of sockets on which the plurality of power semiconductor devices are disposed may be arranged along the circumference to which the test beam is irradiated.
또한, 피시험 반도체 소자인 전력 반도체 소자의 연결 관계를 제어하는 지능형 스위치들이 복수로 제공될 수 있고, 지능형 스위치들의 on/off 조합에 따라서, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명된 전력 반도체 소자의 검사가 수행되어, 제1 내지 제3 참조 값, 및 제1 내지 제3 측정 값이 획득될 수 있다. In addition, a plurality of intelligent switches may be provided to control the connection relationship of the power semiconductor device, which is the semiconductor device under test, and depending on the on/off combination of the intelligent switches, the power semiconductor device described with reference to FIGS. 1 to 6 An inspection may be performed to obtain first to third reference values and first to third measurement values.
또한, 복수의 퓨즈가 제공되어, 전력 반도체 소자의 단선 시, 이를 감지하고 회로가 보호될 수 있다. In addition, a plurality of fuses are provided, so that when the power semiconductor device is disconnected, this can be detected and the circuit can be protected.
또한, 피시험 반도체 소자인 전력 반도체 소자에 적절한 전압을 제공하기 위한 게이트 드라이버가 피시험 반도체 소자 배치 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 이 경우, 인턱턴스 값이 감소하여 고주파 동작이 용이할 수 있지만, 테스트 빔이 게이트 드라이버로 조사되어 게이트 드라이버에 손상 및 fail이 발생할 수 있다. Additionally, a gate driver for providing an appropriate voltage to the power semiconductor device, which is a semiconductor device under test, may be disposed adjacent to the semiconductor device under test arrangement area. In this case, the inductance value is reduced, making high-frequency operation easier, but the test beam may be irradiated to the gate driver, causing damage or failure to the gate driver.
일 변형 예에 따르면, 상기 게이트 드라이버는 상기 테스트 보드에 배치되지 않고, 도 7을 참조하여 설명된 Daughter Board에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 드라이버로 테스트 빔이 직접 조사되지 않을 수 있고 이로 인해 게이트 드라이버의 손상이 예방될 수 있다. 다만, 이 경우 인덕턴스 값의 증가를 고려하여 주파수 값을 감소시킬 수 있다. According to one modification, the gate driver may not be placed on the test board, but may be placed on the daughter board described with reference to FIG. 7 . In this case, the test beam may not be directly irradiated to the gate driver, thereby preventing damage to the gate driver. However, in this case, the frequency value can be reduced considering the increase in inductance value.
즉, 상기 전력 반도체 소자로 전압을 공급하는 게이트 드라이버의 배치에 따라서 주파수 값이 컨트롤될 수 있다. That is, the frequency value can be controlled according to the arrangement of the gate driver that supplies voltage to the power semiconductor device.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments and should be interpreted in accordance with the appended claims. Additionally, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
100: 테스트 보드
110: 제1 신호 제어부
120: 제2 신호 제어부
140: 피시험 반도체 소자 배치 영역
150: 제어부
200: 전력 반도체 소자
300: 테스트 빔
310: 빔 소스100: test board
110: first signal control unit
120: second signal control unit
140: Semiconductor device placement area under test
150: control unit
200: Power semiconductor device
300: test beam
310: beam source
Claims (9)
상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 참조 값을 획득하는 단계;
상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제2 테스트 신호를 인가하여 출력된 제2 참조 값을 획득하는 단계;
상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 테스트 빔을 조사하는 단계;
상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제1 측정 값을 획득하는 단계;
상기 테스트 빔이 조사된 후, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 상기 제2 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제2 측정 값을 획득하는 단계; 및
상기 제1 참조 값 및 상기 제1 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스 사이의 결함 발생 여부를 확인하고, 상기 제2 참조 값 및 상기 제2 측정 값을 비교하여 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계를 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
Placing a power semiconductor device having a gate, gate insulating film, drain, and source on a test board;
Obtaining a first reference value output by applying a first test signal to the power semiconductor device of the test board;
Obtaining a second reference value output by applying a second test signal to the power semiconductor device of the test board;
Irradiating a test beam to the power semiconductor device of the test board;
After the test beam is irradiated, obtaining a first measurement value output by applying the first test signal to the power semiconductor device of the test board;
After the test beam is irradiated, obtaining a second measurement value output by applying the second test signal to the power semiconductor device of the test board; and
Compare the first reference value and the first measurement value to determine whether a defect occurs between the drain and the source of the power semiconductor device, and compare the second reference value and the second measurement value to determine whether the power semiconductor device A method of inspecting a power semiconductor device comprising checking whether the gate insulating film of the device is damaged.
상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는,
상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
According to claim 1,
The step of applying the first test signal to the power semiconductor device is,
Short-circuiting the drain and the source of the power semiconductor device, and applying a first test voltage to the drain and the source of the power semiconductor device.
상기 테스트 빔이 조사된 후 상기 전력 반도체 소자에 상기 제1 테스트 신호를 인가하는 단계는,
상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 펄스 전압을 인가하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
According to clause 2,
The step of applying the first test signal to the power semiconductor device after the test beam is irradiated,
A method of inspecting a power semiconductor device comprising applying a pulse voltage to the gate of the power semiconductor device.
상기 전력 반도체 소자에 상기 제2 테스트 신호를 인가하는 단계는,
상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 제2 테스트 전압을 인가하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
According to claim 1,
The step of applying the second test signal to the power semiconductor device is,
Short-circuiting the drain and the source of the power semiconductor device, and applying a second test voltage to the gate of the power semiconductor device.
상기 전력 반도체 소자에 상기 테스트 빔을 조사하기 전, 상기 테스트 보드의 상기 전력 반도체 소자에 제3 테스트 신호를 인가하여 출력된 제3 참조 값을 획득하는 단계;
상기 전력 반도체 소자에 상기 테스트 빔을 조사한 후, 상기 전력 반도체 소자에 상기 제3 테스트 신호를 인가하여 출력되는 제3 측정 값을 획득하는 단계; 및
상기 제3 참조 값 및 상기 제3 측정 값을 비교하여, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 확인하는 단계를 더 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
According to claim 1,
Obtaining a third reference value output by applying a third test signal to the power semiconductor device of the test board before irradiating the test beam to the power semiconductor device;
After irradiating the test beam to the power semiconductor device, obtaining a third measurement value output by applying the third test signal to the power semiconductor device; and
A method of inspecting a power semiconductor device further comprising comparing the third reference value and the third measurement value to determine whether the gate insulating film of the power semiconductor device is damaged.
상기 전력 반도체 소자에 상기 제3 테스트 신호를 인가하는 단계는,
상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단선시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 제3 테스트 전압을 인가하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 방법.
According to clause 5,
The step of applying the third test signal to the power semiconductor device is,
Disconnecting the drain and the source of the power semiconductor device, and applying a third test voltage to the gate of the power semiconductor device.
상기 테스트 보드는,
상기 전력 반도체 소자가 배치되는 피시험 반도체 소자 배치 영역;
상기 전력 반도체 소자의 상기 소스 및 상기 드레인을 단락시키고 상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스에 제1 테스트 전압을 인가하는 제1 신호 제어부; 및
상기 전력 반도체 소자의 상기 드레인 및 상기 소스를 단락시키고, 상기 전력 반도체 소자의 상기 게이트에 제2 테스트 전압을 인가하는 제2 신호 제어부를 포함하고,
상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사되기 전, 그리고 상기 테스트 빔이 상기 전력 반도체 소자에 조사된 후, 각각 상기 제1 신호 제어부 및 상기 제2 신호 제어부가 동작하여, 상기 전력 반도체 소자를 검사하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 시스템.
In the inspection system for power semiconductor devices, including a test board on which power semiconductor devices including a gate, drain, and source are arranged, and a beam source for irradiating a test beam,
The test board is,
a semiconductor device under test arrangement area where the power semiconductor device is disposed;
A first signal control unit that shorts the source and the drain of the power semiconductor device and applies a first test voltage to the drain and the source of the power semiconductor device; and
Short-circuiting the drain and the source of the power semiconductor device, and comprising a second signal control unit for applying a second test voltage to the gate of the power semiconductor device,
Before the test beam is irradiated to the power semiconductor device, and after the test beam is irradiated to the power semiconductor device, the first signal control unit and the second signal control unit operate, respectively, to inspect the power semiconductor device. An inspection system for power semiconductor devices including:
상기 전력 반도체 소자는 복수로 제공되고,
복수의 상기 전력 반도체 소자가, 상기 피시험 반도체 소자 배치 영역 상에 배치되는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 시스템.
According to clause 7,
The power semiconductor device is provided in plural,
An inspection system for a power semiconductor device including a plurality of the power semiconductor devices being disposed on the semiconductor device under test arrangement area.
상기 제1 신호 제어부 및 상기 제2 신호 제어부는 교대로 동작하는 것을 포함하는 전력 반도체 소자의 검사 시스템.
According to clause 7,
An inspection system for a power semiconductor device including the first signal control unit and the second signal control unit operating alternately.
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