KR102579061B1 - Thin film based chalcogenide for sensor and method for manufacturing the same - Google Patents

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전상현
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Abstract

본 발명은 스트레인 센서 또는 온도 센서로 적용가능한 센서용 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 은 나노결정(AgNCs)를 칼코겐 화합물 용액에 담지함으로써, 은(Ag) 기반의 칼코겐나이드 화합물을 적용한 센서용 박막에 관한 것이다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 금속 나노결정을 반도체로 전환시킴으로써 고감도 스트레인 및 온도 센서로 이용가능한 효과가 있다.The present invention relates to a thin film for a sensor applicable as a strain sensor or temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a thin film for a sensor that can be applied as a strain sensor or a temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a thin film for a sensor that can be applied as a strain sensor or a temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a silver (Ag)-based chalcogenide by supporting silver nanocrystals (AgNCs) in a chalcogen compound solution. This relates to a thin film for sensors using compounds.
According to one form of the present invention, by converting metal nanocrystals into semiconductors, the metal nanocrystals can be used as highly sensitive strain and temperature sensors.

Description

칼코겐나이드 기반 센서용 박막 및 이의 제조방법{THIN FILM BASED CHALCOGENIDE FOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Thin film for chalcogenide-based sensor and manufacturing method thereof {THIN FILM BASED CHALCOGENIDE FOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 스트레인 센서 또는 온도 센서로 적용가능한 센서용 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 은 나노결정(AgNCs)를 칼코겐 화합물 용액에 담지함으로써, 은(Ag) 기반의 칼코겐나이드 화합물을 적용한 센서용 박막에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film for a sensor applicable as a strain sensor or temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a thin film for a sensor that can be applied as a strain sensor or a temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a thin film for a sensor that can be applied as a strain sensor or a temperature sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a silver (Ag)-based chalcogenide by supporting silver nanocrystals (AgNCs) in a chalcogen compound solution. This relates to a thin film for sensors using compounds.

최근 사물인터넷(IoT)의 발달과 개인 건강에 대한 관심이 증대함에 따라 웨어러블(wearable) 센서(sensor) 시장이 급격하게 성장하고 있다. 그 중에서도 인체의 움직임, 맥박 등의 민감한 생체 신호를 전기적으로 전환하여 사용자의 건강상태를 모니터링 할 수 있는 웨어러블 온도 센서에 대한 연구가 활발히 진행중이다. 그러나 현재까지의 센서는 낮은 감지도로 인하여 민감하게 생체신호를 감지하지 못하거나 신뢰도가 낮다는 한계를 가진다. 또한 대부분의 센서의 경우, 복잡한 공정 및 고온, 진공 공정 등 여러 값비싼 공정을 거쳐서 제작되기 때문에 범용적으로 사용되기에 그 한계가 분명하다. 이에 따라 고감도 웨어러블 센서를 경제적으로 양산할 수 있는 제적법이 절실히 요구되고 있다.Recently, with the development of the Internet of Things (IoT) and increasing interest in personal health, the wearable sensor market is growing rapidly. Among them, research is actively underway on wearable temperature sensors that can monitor the user's health status by electrically converting sensitive biological signals such as human body movement and pulse. However, sensors to date have limitations such as not being able to detect biological signals sensitively or having low reliability due to low detection sensitivity. Additionally, in the case of most sensors, they are manufactured through various expensive processes such as complex processes and high temperature and vacuum processes, so their limitations are clear for general use. Accordingly, there is an urgent need for a weaving method that can economically mass-produce high-sensitivity wearable sensors.

대한민국 공개특허공보 제10-2015-0106152호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0106152

본 발명은 민감도를 향상시켜 생체신호를 감지하고, 간단한 공정을 제작이 가능하며 범용적 사용이 가능한 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide a sensor that detects biological signals with improved sensitivity, can be manufactured through a simple process, and can be used for general purposes.

해결하고자 하는 과제의 달성을 위하여, 본 발명의 일 형태에 따른 센서용 박막은 기판 및; 상기 기판에 형성되는 은(Ag) 나노결정 기반 칼코겐나이드(chacogenide) 화합물을 포함한다.In order to achieve the problem to be solved, a thin film for a sensor according to one form of the present invention includes a substrate and; It includes a silver (Ag) nanocrystal-based chalcogenide compound formed on the substrate.

상기 기판은 유연기판일 일 수 있으며, 상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), 또는 PDMS(polydimethyl siloxane) 일 수 있다.The substrate may be a flexible substrate, and the substrate may be PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), or PDMS (polydimethyl siloxane).

상기 은 나노결정의 입경은 3 내지 15nm일 수 있다.The particle size of the silver nanocrystals may be 3 to 15 nm.

상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2E(E = Se 또는 S)일수 있으며, 바람직하게, 상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2Se일 수 있다.The chalcogenide compound may be Ag 2 E (E = Se or S), and preferably, the chalcogenide compound may be Ag 2 Se.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 스트레인 센서는 상기의 센서용 박막을 포함한다.Additionally, the strain sensor according to one embodiment of the present invention includes the above sensor thin film.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 온도 센서는 상기의 센서용 박막을 포함한다.Additionally, a temperature sensor according to one embodiment of the present invention includes the above sensor thin film.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 센서용 박막의 제조방법은 은(Ag) 나노결정 용액을 제조하는 단계; 상기 은(Ag) 나노결정 용액을 기판 상에 코팅하여 은 나노결정 박막을 제공하는 단계; 및 상기 은 나노결정 박막을 칼코겐 전구체 용액에 담지하는 단계를 포함한다.In addition, a method of manufacturing a thin film for a sensor according to one embodiment of the present invention includes preparing a silver (Ag) nanocrystal solution; Providing a silver nanocrystal thin film by coating the silver (Ag) nanocrystal solution on a substrate; and supporting the silver nanocrystal thin film in a chalcogen precursor solution.

상기 은(Ag) 나노결정 용액은 비극성 용매 상에 은 나노결정이 분산된 것일 수 있다,The silver (Ag) nanocrystal solution may be silver nanocrystals dispersed in a non-polar solvent.

상기 은(Ag) 나노결정의 입경은 3 내지 15 nm일 수 있다.The particle size of the silver (Ag) nanocrystals may be 3 to 15 nm.

상기 은(Ag) 나노결정 용액의 농도는 50 내지 200 mg/mL일 수 있다.The concentration of the silver (Ag) nanocrystal solution may be 50 to 200 mg/mL.

상기 은(Ag) 나노결정 박막은 상기 기판 상에 상기 은 나노결정 용액을 스핀코팅하여 형성하는 것일 수 있다.The silver (Ag) nanocrystal thin film may be formed by spin coating the silver nanocrystal solution on the substrate.

상기 기판은 유연기판일 일 수 있으며, 상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), 또는 PDMS(polydimethyl siloxane) 일 수 있다.The substrate may be a flexible substrate, and the substrate may be PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), or PDMS (polydimethyl siloxane).

상기 칼코겐 전구체의 칼코겐 원소는 셀레늄(Se) 또는 황(S)일 수 있다.The chalcogen element of the chalcogen precursor may be selenium (Se) or sulfur (S).

상기 은 나노결정 박막의 담지시간은 30 초(s) 내지 3 분(min)일 수 있다.The deposition time of the silver nanocrystal thin film may be 30 seconds (s) to 3 minutes (min).

본 발명의 일 형태에 따르면, 금속 나노결정을 반도체로 전환시킴으로써 고감도 스트레인 및 온도 센서로 이용가능한 효과가 있다.According to one form of the present invention, by converting metal nanocrystals into semiconductors, the metal nanocrystals can be used as highly sensitive strain and temperature sensors.

또한, 상온 및 용액 공정으로 제조될 수 있으므로, 제조 비용의 절감 및 대량생산이 가능한 효과가 있다.In addition, since it can be manufactured at room temperature and through a solution process, it has the effect of reducing manufacturing costs and enabling mass production.

또한, 웨어러블 센서 플랫폼 등의 다양한 분야에 적용할 수 있는 효과가 있다.In addition, it has the effect of being applicable to various fields such as wearable sensor platforms.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노결정(AgNCs)로부터 Ag2Se으로의 전화되는 모식도를 도시한 것이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 AgNCs 박막의 칼코겐 전구체 용액 담지시간에 따른 박막 표면의 EDX(Energy Dispersive X-ray spectroscopy) 및 X-선 회절(X-ray diffraction) 분석 결과를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 담지시간 경과에 따른 박막에 대하여 TEM(Transmission electron microscopy) 및 SEM(Scanning electron microscopy) 이미지를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막에 대하여 100 K 부터 300 K까지의 온도 변화에 따른 저항 변화 및 25 ℃(298 K)과 75 ℃(348 K)의 온도 반복 변화에 따른 상대적 저항 변화를 도시한 것이다.Figure 1 shows a schematic diagram of the conversion from silver nanocrystals (AgNCs) to Ag 2 Se according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows the results of EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy) and will be.
Figure 3 shows TEM (Transmission electron microscopy) and SEM (Scanning electron microscopy) images of a thin film over deposition time according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 shows the resistance change according to the temperature change from 100 K to 300 K and the relative resistance change according to the repeated temperature change of 25 ℃ (298 K) and 75 ℃ (348 K) for the thin film according to an embodiment of the present invention. It shows.

이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and the contents described in the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing embodiments and is not intended to limit the invention. As used herein, singular forms also include plural forms, unless specifically stated otherwise in the context. As used herein, “comprises” and/or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. or does not rule out addition.

본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.As used herein, “embodiment,” “example,” “aspect,” “example,” etc. should be construed to mean that any aspect or design described is better or advantageous than other aspects or designs. It's not like that.

아래 설명에서 사용되는 용어는, 연관되는 기술 분야에서 일반적이고 보편적인 것으로 선택되었으나, 기술의 발달 및/또는 변화, 관례, 기술자의 선호 등에 따라 다른 용어가 있을 수 있다. 따라서, 아래 설명에서 사용되는 용어는 기술적 사상을 한정하는 것으로 이해되어서는 안 되며, 실시예들을 설명하기 위한 예시적 용어로 이해되어야 한다.The terms used in the description below have been selected as general and universal in the related technical field, but there may be different terms depending on technological developments and/or changes, customs, technicians' preferences, etc. Accordingly, the terms used in the description below should not be understood as limiting the technical idea, but should be understood as illustrative terms for describing embodiments.

또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.In addition, in certain cases, there are terms arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the detailed meaning will be described in the relevant description. Therefore, the terms used in the description below should be understood based on the meaning of the term and the overall content of the specification, not just the name of the term.

한편, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되지 않는다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Meanwhile, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. Terms are used only to distinguish one component from another.

또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우 뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.Additionally, a part of an act, layer, area, component request, etc. is said to be "on" or "on" another part, not only when it is directly on top of the other part, but also when there are other acts, layers, areas, or components in between. Also includes cases where etc. are included.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다．Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

한편, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Meanwhile, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the terminology used in this specification is a term used to appropriately express the embodiments of the present invention, and may vary depending on the intention of the user or operator or the customs of the field to which the present invention belongs. Therefore, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 일 형태에 따른 센서용 박막은 기판 및; 상기 기판에 형성되는 은(Ag) 나노결정(silver nanocrystals; AgNCs) 기반 칼코겐나이드(chacogenide) 화합물을 포함한다.A thin film for a sensor according to one embodiment of the present invention includes a substrate; It includes a chalcogenide compound based on silver nanocrystals (AgNCs) formed on the substrate.

상기 기판은 유연기판일 일 수 있으며, 상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), PDMS(polydimethyl siloxane), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 또는 유리(glass)일 수 있다.The substrate may be a flexible substrate, and the substrate may be polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polydimethyl siloxane (PDMS), a silicon wafer, or glass.

상기 은 나노결정의 입경은 3 내지 15nm일 수 있으며, 바람직하게는 5 nm일 수 있다.The particle size of the silver nanocrystals may be 3 to 15 nm, preferably 5 nm.

상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2E(E = Se 또는 S)일 수 있으며, 바람직하게는, 상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2Se일 수 있다. Ag2E(E= Se 또는 S)의 칼코겐나이드 화합물은 낮은 밴드갭(bandgap)을 가지고 있으며, 열전소자로서의 기능을 수행할 수 있다.The chalcogenide compound may be Ag 2 E (E = Se or S), and preferably, the chalcogenide compound may be Ag 2 Se. The chalcogenide compound of Ag 2 E (E=Se or S) has a low bandgap and can function as a thermoelectric device.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 스트레인 센서는 상기의 센서용 박막을 포함하며, 상기 스트레인 센서는 플렉서블(flexible) 센서일 수 있다.Additionally, the strain sensor according to one embodiment of the present invention includes the above sensor thin film, and the strain sensor may be a flexible sensor.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 온도 센서는 센서용 박막을 포함한다.Additionally, the temperature sensor according to one embodiment of the present invention includes a thin film for the sensor.

본 발명의 일 형태에 다른 센서용 박막의 제조방법은 은(Ag) 나노결정(AgNCs) 용액을 제조하는 단계(S100); 상기 은(Ag) 나노결정 용액을 기판 상에 코팅하여 은 나노결정 박막을 제공하는 단계(S200); 및 상기 은 나노결정 박막을 칼코겐 전구체 용액에 담지하는 단계(S300)를 포함한다.A method of manufacturing a thin film for a sensor according to another aspect of the present invention includes preparing a silver (Ag) nanocrystal (AgNCs) solution (S100); Providing a silver nanocrystal thin film by coating the silver (Ag) nanocrystal solution on a substrate (S200); and supporting the silver nanocrystal thin film in a chalcogen precursor solution (S300).

상기 은(Ag) 나노결정 용액은 비극성 용매 상에 은 나노결정이 분산된 것일 수 있으며, 상기 비극성 용매는 n-옥탄(n-octane) 또는 헥센(hexane)일 수 있다.The silver (Ag) nanocrystal solution may be silver nanocrystals dispersed in a non-polar solvent, and the non-polar solvent may be n-octane or hexane.

상기 은(Ag) 나노결정 용액의 농도는 50 내지 200 mg/mL일 수 있으며, 바람직하게는 200 mg/mL일 수 있다.The concentration of the silver (Ag) nanocrystal solution may be 50 to 200 mg/mL, and preferably 200 mg/mL.

상기 은 나노결정의 입경은 3 내지 15nm일 수 있으며, 바람직하게는 5 nm일 수 있다.The particle size of the silver nanocrystals may be 3 to 15 nm, preferably 5 nm.

상기 은(Ag) 나노결정 박막은 상기 기판 상에 상기 은 나노결정 용액을 스핀코팅(spin-coating)하여 형성하는 것일 수 있다.The silver (Ag) nanocrystal thin film may be formed by spin-coating the silver nanocrystal solution on the substrate.

상기 기판은 유연기판일 일 수 있으며, 상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), PDMS(polydimethyl siloxane), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 또는 유리(glass)일 수 있다.The substrate may be a flexible substrate, and the substrate may be polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), polydimethyl siloxane (PDMS), a silicon wafer, or glass.

상기 기판은 자가조립 단일박막(Self-Assembled Monolayer; SAM)이 도입된 것일 수 있으며, 상기 자가조립 단일박막은 상기 기판을 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane), APTES(3-aminopropyltriethoxysilane) 또는 인산(phophonic acid)에 담지함으로써 도입될 수 있으며, 이때 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane), APTES(3-aminopropyltriethoxysilane) 또는 인산(phophonic acid)의 농도는 3 내지 8 vol%일 수 있다.The substrate may be a self-assembled monolayer (SAM) introduced, and the self-assembled monolayer may be made of MPTS (((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane), APTES (3-aminopropyltriethoxysilane), or phosphoric acid. It can be introduced by supporting it in (phophonic acid), and in this case, the concentration of MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane), APTES (3-aminopropyltriethoxysilane), or phosphoric acid (phophonic acid) may be 3 to 8 vol%.

상기 칼코겐 전구체의 칼코겐 원소는 셀레늄(Se) 또는 황(S)일 수 있으며, 상기 칼코겐 전구체는 Na2E(E= Se 또는 S)일 수 있다.The chalcogen element of the chalcogen precursor may be selenium (Se) or sulfur (S), and the chalcogen precursor may be Na 2 E (E=Se or S).

상기 칼코겐 전구체 용액의 농도는 1 mM 내지 50 mM일 수 있으며, 1 mM 미만인 경우에는 은 나노결정의 칼코겐나이드 화합물의 치환이 용이하기 않으며, 50 mM를 초과하는 경우에는 기판으로부터의 박리(delamination) 현상이 발생될 수 있다. 보다 바람직하게 상기 칼코겐 전구체 용액의 농도는 10 mM일 수 있다.The concentration of the chalcogen precursor solution may be 1 mM to 50 mM. If it is less than 1 mM, it is not easy to replace the silver nanocrystal with the chalcogenide compound, and if it exceeds 50 mM, delamination from the substrate may occur. ) phenomenon may occur. More preferably, the concentration of the chalcogen precursor solution may be 10 mM.

상기 은 나노결정 박막의 담지시간은 30 초(s) 내지 3 분(min)일 수 있으며, 바람직하게는 3 분(min)일 수 있다.The holding time of the silver nanocrystal thin film may be 30 seconds (s) to 3 minutes (min), and preferably 3 minutes (min).

도 1은 본 발명의 센서용 박막 제조방법에서의 AgNCs에서의 Ag2Se으로 전환에 따른 모식도를 도시한 것으로, 도 1을 참조하면, AgNCs는 칼코겐 전구체 용액에 담지되는 동안 Ag2Se로 전환된다. 이를 통하여, Ag2Se의 형성됨에 따라 새로운 결정구조를 형성한다.Figure 1 shows a schematic diagram of the conversion of AgNCs to Ag2Se in the sensor thin film manufacturing method of the present invention. Referring to Figure 1, AgNCs are converted to Ag2Se while supported in a chalcogen precursor solution. Through this, a new crystal structure is formed as Ag 2 Se is formed.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. These examples are for illustrating the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited by these examples.

준비예. 재료(Materials)의 준비Ready yes. Preparation of materials

셀렌화 나트륨(Sodium Selenide; Na2Se, 99.8%), 질산은(Silver Nitrate; AgNO3, 99%) 및 n-옥탄(n-octane, 98+%)은 Alfa Aesar Co,. Inc.로부터 구매하였다. 올레일아민(Oleylamine; OAm, 70%), 올레산(oleic acid; OA, 90%), 헥센(hexane; 99%), 메탄올(methanol; 99.8%) 및 MPTS((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane, 95%)은 Sigma Aldrich Co., Ltd.로부터 구매하였다. 유연 소자로서 이용하기 위하여 250 μm 두께의 PET(Polyethylene terephthalate) 필름(film)은 SK films으로부터 구매하였다.Sodium Selenide (Na 2 Se, 99.8%), Silver Nitrate (AgNO 3 , 99%) and n-octane (n-octane, 98+%) were purchased from Alfa Aesar Co,. Purchased from Inc. Oleylamine (OAm, 70%), oleic acid (OA, 90%), hexane (99%), methanol (99.8%) and MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane, 95% ) was purchased from Sigma Aldrich Co., Ltd. To use as a flexible device, a 250 μm thick PET (polyethylene terephthalate) film was purchased from SK films.

제조예 1. 은 나노결정(AgNCs; silver nanocrystals)의 합성Preparation Example 1. Synthesis of silver nanocrystals (AgNCs)

3.5g의 질산은(AgNO3) 분말, 90 mL의 올레산(OA) 용액, 6 mL의 올레일아민(OAm) 용액을 3 구 환저 플라스크(round bottom three-neck flask)에서 마그네틱 교반을 이용하여 혼합하였다. 혼합용액을 343 K까지 가열하고 90 분(min) 동안 진공 하에서 탈기(degassed)하였다. 탈기 후, 3 분(min) 당 3 K(1K/1 분(min))의 승온속도로 혼합용액 온도를 453K까지 상승시켰다. 이후, 혼합용액은 주변온도(ambient temperature)까지 냉각시킨다. 이후 톨루엔(tolunene)과 에탄올(ethanol)을 첨가한 원심분리(centrifugation) 과정을 거쳐 세정하여 합성된 AgNCs를 수득하여, 세정과정은 5회 반복한다. 최종적으로, 합성된 AgNCs은 5nm의 직경을 가지는 것이며, 합성된 AgNCs를 헥산(hexane)에 50 내지 200 mg/mL의 농도로 분산시킨다.3.5 g of silver nitrate (AgNO 3 ) powder, 90 mL of oleic acid (OA) solution, and 6 mL of oleylamine (OAm) solution were mixed using magnetic stirring in a round bottom three-neck flask. . The mixed solution was heated to 343 K and degassed under vacuum for 90 minutes. After degassing, the temperature of the mixed solution was raised to 453K at a temperature increase rate of 3K per 3 minutes (1K/1min). Afterwards, the mixed solution is cooled to ambient temperature. Afterwards, the synthesized AgNCs were obtained by washing through a centrifugation process with the addition of toluene and ethanol, and the washing process was repeated five times. Finally, the synthesized AgNCs have a diameter of 5 nm, and the synthesized AgNCs are dispersed in hexane at a concentration of 50 to 200 mg/mL.

제조예 2. 기판(substrate)의 준비Manufacturing Example 2. Preparation of substrate

모든 종류의 기판(PET, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 유리(glass))에 대하여 초음파조(sonication bath)에서 아세톤(acetone), 이소프로필 알코올(iso-propyl alcohol), 탈이온수(de-ionized(DI) water)의 순서로 세정한다. 이후, 기판에 대하여 UV-오존으로 처리한다. 최종적으로 모든 기판에 대하여 5 vol%의 MPTS 용액에 담지하여 자가조립 단일박막(SAM; self-assembled monolayer)을 기판 상에 형성하여, AgNCs와 기판과의 접착력을 향상시킨다.All types of substrates (PET, silicon wafer, glass) are de-ionized in a sonication bath with acetone, iso-propyl alcohol, and deionized water. Wash in the following order: DI) water. Afterwards, the substrate is treated with UV-ozone. Finally, all substrates are immersed in 5 vol% MPTS solution to form a self-assembled monolayer (SAM) on the substrate, improving the adhesion between AgNCs and the substrate.

실시예.Example.

상기 제조예 1에서 합성된 AgNCs를 하기 표 1의 농도조건 하에서, 상기 제조예 2에서 준비된 기판에 1000 rpm의 속도로 30 초(s) 동안 스핀코팅을 수행하여, AgNCs 박막(thin film)을 제조한다.The AgNCs synthesized in Preparation Example 1 were spin-coated on the substrate prepared in Preparation Example 2 at a speed of 1000 rpm for 30 seconds (s) under the concentration conditions shown in Table 1 below to prepare an AgNCs thin film. do.

메탄올(methanol) 용매 상에 10 mM의 Na2Se 용액을 준비한다. Na2Se 용액 상에 AgNCs 박막을 하기 표 1에 따른 30 초 내지 5 분(min) 동안 담지한다. 이후, 박막을 메탄올로 수회 세정하여 박막 표면 상에 과량의 Na2Se를 제거한다.Prepare a 10 mM Na 2 Se solution in methanol solvent. The AgNCs thin film was deposited on the Na2Se solution for 30 seconds to 5 minutes (min) according to Table 1 below. Thereafter, the thin film is washed with methanol several times to remove excess Na2Se on the thin film surface.

하기 표 1은 본 실시예에서의 AgNCs의 농도 및 AgNCs 박막의 담지 시간 조건을 정리한 것이다.Table 1 below summarizes the AgNCs concentration and AgNCs thin film loading time conditions in this example.

AgNCs 농도AgNCs concentration AgNCs 박막 담지시간AgNCs thin film deposition time 실시예 1Example 1 200 mg/mL200mg/mL 30 sec30 seconds 실시예 2Example 2 1 min1 min 실시예 3Example 3 3 min3min 실시예 4Example 4 5 min5min 실시예 5Example 5 100 mg/mL100mg/mL 30 sec30 seconds 실시예 6Example 6 1 min1 min 실시예 7Example 7 3 min3min 실시예 8Example 8 5 min5min 실시예 9Example 9 50 mg/mL50 mg/mL 30 sec30 seconds 실시예 10Example 10 1 min1 min 실시예 11Example 11 3 min3min 실시예 12Example 12 5 min5min

비교예. AgNCs 박막의 제조Comparative example. Fabrication of AgNCs thin films

상기 제조예 1에서 합성된 AgNCs를 하기 표 1의 농도조건 하에서, 상기 제조예 2에서 준비된 기판에 1000 rpm의 속도로 30 초(s) 동안 스핀코팅을 수행하여, AgNCs 박막(thin film)을 제조한다.The AgNCs synthesized in Preparation Example 1 were spin-coated on the substrate prepared in Preparation Example 2 at a speed of 1000 rpm for 30 seconds (s) under the concentration conditions shown in Table 1 below to prepare an AgNCs thin film. do.

측정예 1. EDX 및 XRD 분석Measurement Example 1. EDX and XRD analysis

상기 실시예에 따른 AgNCs 박막의 Na2Se 담지시간에 따른 박막 표면의 EDX(Energy Dispersive X-ray spectroscopy)분석을 도 2의 (a)에 도시하였으며, 담지 시간에 따른 X-선 회절(X-ray diffraction) 분석 결과를 도 2의 (b)에 도시하였다.EDX (Energy Dispersive ) The analysis results are shown in Figure 2 (b).

도 2의 (a)를 참조하면, 담지 시간(0s: 비교예, 30s: 실시예 1, 180s: 실시예 3)이 경과함에 따라 Ag 대비 Se의 함량이 점점 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 2의 (b)를 참조하면, 비교예(w/o Na2Se)는 39.31°의 회절 피크(peak)에서 은(Ag) 결정의 결정면(111)이 관찰되는 것을 확인할 수 있으며, Na2Se로 30분 동안 처리한 실시예 1(w/ Na2Se for 30s)의 경우 Ag2Se의 새로운 회절 피크(비교예(w/o Na2Se), 22.99, 26.84, 31.00, 32.86, 33.58, 34.85, 37.2, 40.21, 42.82, 43.53, 45.19, 48.63°에서 각각 (002), (111), (102), (120), (121), (013), (122), (113), (023), (211) 및 (014)의 결정면을 가지는 것을 확인할 수 있으며, 이를 통하여 실시예 1(w/ Na2Se for 30s) 및 실시예 3(w/ Na2Se for 180s)에서의 시간이 경과함에 따라 Ag의 피크가 점점 감소하며, Ag2Se 피크가 점점 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 담지 시간에 따라 Ag2Se의 생성을 조절할 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to (a) of FIG. 2, it can be seen that the content of Se relative to Ag gradually increases as the loading time (0 s: Comparative Example, 30 s: Example 1, 180 s: Example 3) elapses. In addition, referring to (b) of FIG. 2, it can be seen that the crystal plane 111 of the silver (Ag) crystal is observed at the diffraction peak of 39.31° in the comparative example (w/o Na2Se), and Na2Se For Example 1 (w/ Na 2 Se for 30 s) treated for 30 min, new diffraction peaks of Ag Se (comparative example (w/o Na 2 Se), 22.99, 26.84, 31.00, 32.86, 33.58, 34.85, 37.2, 40.21, (002), (111), (102), (120), (121), (013), (122), (113), (023), (211) at 42.82, 43.53, 45.19, and 48.63°, respectively. It can be confirmed that it has a crystal plane of (014), through which the peak of Ag gradually decreases over time in Example 1 (w/ Na 2 Se for 30s) and Example 3 (w/ Na 2 Se for 180s). It can be seen that the Ag 2 Se peak gradually increases, confirming that the production of Ag 2 Se can be controlled depending on the immersion time.

측정예 2． 모폴로지(morphology) 분석Measurement example 2. Morphology analysis

상기 비교예, 실시예 1 및 3에 따른 담지시간 경과에 따른 박막에 대하여 TEM(Transmission electron microscopy) 및 SEM(Scanning electron microscopy) 이미지를 관찰하였으며, 이를 도 3((a): 비교예(0s), (b): 실시예 1(30s), (c): 실시예 3(180s))에 도시하였으며, 도 3의 (a), (b) 및 (c)에서의 왼쪽(left) 이미지는 TEM이미지이며, 오른쪽(right) 이미지는 SEM이미지이다.TEM (Transmission electron microscopy) and SEM (Scanning electron microscopy) images were observed for the thin films according to the deposition time according to the comparative examples, Examples 1 and 3, and are shown in Figure 3 (a): Comparative example (0s) , (b): Example 1 (30s), (c): Example 3 (180s)), and the left images in (a), (b) and (c) of Figure 3 are TEM This is an image, and the right image is an SEM image.

도 3의 (a)를 참조하면 AgNCs의 평균 입경은 4.7±0.14 nm임을 확인할 수 있다. 도 3의 (b)를 참조하면 부피가 큰 유기 리간드가 AgNCs의 표면에서 나노결정들 사이에 이온 운동(ionic movement)을 용이하게 하며, 동시에 짧은 무기 Se2- 이온은 나노결정에 부착하면서, 상당한 수준의 나노결정의 결합이 발생된다. 도 3의 (c)를 참조하면, 비특이적 방향으로 결합된 셀레늄(Se) 원자를 갖는 나노결정(Ag2Se)로 전환되며, 궁극적으로 나노결정이 불균일한 크기를 가지며 고르지 않은 모양을 갖는다.Referring to Figure 3 (a), it can be seen that the average particle diameter of AgNCs is 4.7 ± 0.14 nm. Referring to Figure 3 (b), the bulky organic ligand facilitates ionic movement between nanocrystals on the surface of AgNCs, and at the same time, the short inorganic Se 2- ion attaches to the nanocrystals, forming a significant A level of nanocrystal bonding occurs. Referring to (c) of FIG. 3, it is converted into a nanocrystal (Ag 2 Se) with selenium (Se) atoms bonded in a non-specific direction, and ultimately the nanocrystals have a non-uniform size and an uneven shape.

도 3 (a) 내지 (c)에서 SEM 이미지을 참조하면, Na2Se로 처지 전에는 AgNCs가 기판 표면에 분산되었있으나(도 3의 (a)), Na2Se로 처리함에 따라, 도 3의 (b) 및 (c)에서와 같이, 담지시간이 경과할 수록, 균일한 나노결정의 조립체로 구성되어 균일하고 연속적인 박막이, 나노결정이 무작위하게 혼재되어 불균일하고 나노다공성(nanoporous) 박막이 형성됨을 확인할 수 있다.Referring to the SEM images in Figures 3 (a) to (c), AgNCs were dispersed on the substrate surface before being treated with Na 2 Se (Figure 3 (a)), but as treated with Na 2 Se, the AgNCs (in Figure 3) were dispersed. As shown in b) and (c), as the loading time elapses, a uniform and continuous thin film composed of an assembly of uniform nanocrystals is formed, and a non-uniform and nanoporous thin film is formed due to nanocrystals being randomly mixed. can confirm.

측정예 3． 박막의 저항 분석Measurement example 3. Resistance analysis of thin films

상기 실시예에 따른 AgNCs의 농도 및 AgNCs 박막의 담지 시간에 따른 Ag2Se 박막의 저항을 측정하여 하기 표 2에 정리하였다.The resistance of the Ag 2 Se thin film was measured according to the concentration of AgNCs and the loading time of the AgNCs thin film according to the above example, and is summarized in Table 2 below.

AgNCs 농도AgNCs concentration AgNCs 박막 담지시간AgNCs thin film deposition time Ag2Se 박막 저항(Ω)Ag2Se thin film resistance (Ω) 실시예 1Example 1 200 mg/mL200mg/mL 30 sec30 seconds 25.00±2.4525.00±2.45 실시예 2Example 2 1 min1 min 22.00±2.1622.00±2.16 실시예 3Example 3 3 min3min 25.33±1.8825.33±1.88 실시예 4Example 4 5 min5min 38.33±3.8538.33±3.85 실시예 5Example 5 100 mg/mL100mg/mL 30 sec30 seconds 111.00±11.14111.00±11.14 실시예 6Example 6 1 min1 min 144.67±2.30144.67±2.30 실시예 7Example 7 3 min3min 185.00±7.07185.00±7.07 실시예 8Example 8 5 min5min 255.33±6.18255.33±6.18 실시예 9Example 9 50 mg/mL50 mg/mL 30 sec30 seconds 466.00±20.99466.00±20.99 실시예 10Example 10 1 min1 min 481.33±17.46481.33±17.46 실시예 11Example 11 3 min3min 786.00±102.77786.00±102.77 실시예 12Example 12 5 min5min 999.66±35.12999.66±35.12 비교예Comparative example 200 mg/mL200mg/mL 0 min0 min 1012
(AgNCs 박막)10 12
(AgNCs thin film)

표 2를 참조하면, 담지 시간이 경과함에 따라 박막은 지속적으로 증가하는 것을 확인할 수 있으며, Ag가 Ag2Se로 전환됨에 따라 전하의 이동도가 낮아짐을 확인할 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that the thin film continues to increase as the deposition time elapses, and the mobility of charge decreases as Ag is converted to Ag 2 Se.

측정예 4． 담지시간에 따른 게이지 계수(Gauge Factor) 분석Measurement example 4. Gauge factor analysis according to soaking time

상기 실시예 1 내지 4에 따른 박막에 대하여 변형율(Strain) 4%에서의 담지 시간에 따른 게이지 계수(Gauge Factor)를 하기 표 3에 정리하였다.For the thin films according to Examples 1 to 4, the gauge factors according to the holding time at a strain of 4% are summarized in Table 3 below.

AgNCs 박막 담지시간AgNCs thin film deposition time Gauge Factor(GF)Gauge Factor(GF) 실시예 1Example 1 30 sec30 seconds 5.50±2.925.50±2.92 실시예 2Example 2 1 min1 min 10.95±7.0710.95±7.07 실시예 3Example 3 3 min3min 161.26±31.31161.26±31.31 실시예 4Example 4 5 min5min 11.50±4.4411.50±4.44

상기 표 3을 참조하면, 3분(실시예 3) 동안 담지하였을 경우, 게이지 계수가 가증 높은 값을 보였으며, 평균 161.26으로 매우 높은 값을 보임을 알 수 있다. 이는 전도성 나노입자(Ag)와 반도체 입자(Se)가 혼합된 박막에서 전하 흐름의 방해를 받아 변형에 따라 전하 이동이 크게 바뀌는 것으로 인한 것이다. 본 발명의 실시예 3에 따른 박막은 기존의 은 나노결정 박막 보다 훨씬 변형 민감도가 뛰어나며, 이에 따라 스트레인 센서로의 적용가능성을 확인할 수 있다. Referring to Table 3, it can be seen that when supported for 3 minutes (Example 3), the gauge coefficient showed an extremely high value, with an average of 161.26, which was a very high value. This is due to the disruption of charge flow in a thin film containing a mixture of conductive nanoparticles (Ag) and semiconductor particles (Se), resulting in significant changes in charge transfer depending on strain. The thin film according to Example 3 of the present invention has much better sensitivity to deformation than the existing silver nanocrystal thin film, and thus its applicability as a strain sensor can be confirmed.

측정예 5．온도 센서로의 적용Measurement example 5. Application to temperature sensor

실시예 3에 따른 박막에 대하여 100 K 부터 300 K까지의 온도 변화에 따른 저항 변화를 도 4의 (a) 도시하였으며, 25 ℃(298 K)과 75 ℃(348 K)의 온도 반복 변화에 따른 상대적 저항 변화를 도시한 것이다.For the thin film according to Example 3, the change in resistance according to the temperature change from 100 K to 300 K is shown in Figure 4 (a), and the change in resistance according to the repeated temperature change of 25 ℃ (298 K) and 75 ℃ (348 K) is shown. It shows the relative resistance change.

도 4의 (a)를 참조하면, 온도가 증가함에 따라 저항은 선형적으로 증가하는 것을 확인할 수 있으며, 도 4의 (b)를 참조하면, 반복적은 온도변화에도 안정적인 상대적 저항 변화값을 보이고 있음을 확인할 수 있다. 이를 통하여 온도 센서로의 적용가능성을 확인할 수 있다.Referring to (a) of Figure 4, it can be seen that the resistance increases linearly as the temperature increases, and referring to (b) of Figure 4, it shows a stable relative resistance change value even with repeated temperature changes. can confirm. Through this, the applicability as a temperature sensor can be confirmed.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.Meanwhile, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely provided as specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that in addition to the embodiments disclosed herein, other modifications based on the technical idea of the present invention can be implemented.

Claims (17)

기판 및;
상기 기판에 형성되는 은(Ag) 나노결정 기반 칼코겐나이드(chacogenide) 화합물을 포함하고,
상기 기판은 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) 또는 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)의 자가조립 단일박막이 도입되며,
상기 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) 또는 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)의 농도는 3 내지 8 vol%인 센서용 박막.
substrate and;
It includes a silver (Ag) nanocrystal-based chalcogenide compound formed on the substrate,
The substrate is a self-assembled single thin film of MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) or APTES (3-aminopropyltriethoxysilane),
A thin film for a sensor wherein the concentration of MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) or APTES (3-aminopropyltriethoxysilane) is 3 to 8 vol%.
 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 유연 기판인 것을 특징으로 하는 센서용 박막.
According to claim 1,
A thin film for a sensor, characterized in that the substrate is a flexible substrate.
 제 2 항에 있어서,
상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), 또는 PDMS(polydimethyl siloxane)인 것을 특징으로 하는 센서용 박막.
According to claim 2,
A thin film for a sensor, wherein the substrate is polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), or polydimethyl siloxane (PDMS).
 제 1 항에 있어서,
상기 은 나노결정의 입경은 3 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는 센서용 박막.
According to claim 1,
A thin film for a sensor, characterized in that the particle size of the silver nanocrystals is 3 to 15 nm.
 제 1 항에 있어서,
상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2E(E = Se 또는 S)인 것을 특징으로 하는 센서용 박막.
According to claim 1,
The chalcogenide compound is a thin film for a sensor, characterized in that Ag 2 E (E = Se or S).
 제 5 항에 있어서,
상기 칼코겐나이드 화합물은 Ag2Se인 것을 특징으로 하는 센서용 박막.
According to claim 5,
A thin film for a sensor, characterized in that the chalcogenide compound is Ag 2 Se.
 제 1 항에 따른 센서용 박막을 포함하는 스트레인 센서.
A strain sensor comprising the sensor thin film according to claim 1.
 제 1 항에 따른 센서용 박막을 포함하는 온도 센서.
A temperature sensor comprising the sensor thin film according to claim 1.
 은(Ag) 나노결정 용액을 제조하는 단계;
상기 은(Ag) 나노결정 용액을 기판 상에 코팅하여 은 나노결정 박막을 제공하는 단계; 및
상기 은 나노결정 박막을 칼코겐 전구체 용액에 담지하는 단계를 포함하고,
상기 기판은 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) 또는 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)의 자가조립 단일박막이 도입되며,
상기 MPTS(((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) 또는 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)의 농도는 3 내지 8 vol%인 센서용 박막의 제조방법.
Preparing a silver (Ag) nanocrystal solution;
Providing a silver nanocrystal thin film by coating the silver (Ag) nanocrystal solution on a substrate; and
Comprising the step of supporting the silver nanocrystal thin film in a chalcogen precursor solution,
The substrate is a self-assembled single thin film of MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) or APTES (3-aminopropyltriethoxysilane),
A method of producing a thin film for a sensor wherein the concentration of MPTS ((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane) or APTES (3-aminopropyltriethoxysilane) is 3 to 8 vol%.
 제 9 항에 있어서,
상기 은(Ag) 나노결정 용액은 비극성 용매 상에 은 나노결정이 분산된 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
The silver (Ag) nanocrystal solution is a method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that silver nanocrystals are dispersed in a non-polar solvent.
 제 9 항에 있어서,
상기 은(Ag) 나노결정의 입경은 3 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that the particle size of the silver (Ag) nanocrystals is 3 to 15 nm.
 제 9 항에 있어서,
상기 은(Ag) 나노결정 용액의 농도는 50 내지 200 mg/mL인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that the concentration of the silver (Ag) nanocrystal solution is 50 to 200 mg/mL.
 제 9 항에 있어서,
상기 은(Ag) 나노결정 박막은 상기 기판 상에 상기 은 나노결정 용액을 스핀코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that the silver (Ag) nanocrystal thin film is formed by spin coating the silver nanocrystal solution on the substrate.
 제 9 항에 있어서,
상기 기판은 유연 기판인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, wherein the substrate is a flexible substrate.
 제 14 항에 있어서,
상기 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), 또는 PDMS(polydimethyl siloxane)인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to claim 14,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, wherein the substrate is PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), or PDMS (polydimethyl siloxane).
 제 9 항에 있어서,
상기 칼코겐 전구체의 칼코겐 원소는 셀레늄(Se) 또는 황(S)인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that the chalcogen element of the chalcogen precursor is selenium (Se) or sulfur (S).
 제 9 항에 있어서,
상기 은 나노결정 박막의 담지시간은 30 초(s) 내지 3 분(min)인 것을 특징으로 하는 센서용 박막의 제조방법.According to clause 9,
A method of manufacturing a thin film for a sensor, characterized in that the holding time of the silver nanocrystal thin film is 30 seconds (s) to 3 minutes (min).
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