KR102575687B1 - Novel compound and organic electroluminescent divice including the same - Google Patents

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Abstract

본원은 신규한 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 신규한 화합물은 유기 발광 소자에 적용되어 유기발광소자의 고효율, 장수명, 낮은 구동전압 및 구동 안정성을 확보할 수 있다.The present application relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same, and the novel compound according to one embodiment of the present invention is applied to an organic light emitting device to achieve high efficiency, long lifespan, low driving voltage and driving stability of the organic light emitting device. can be secured

Description

신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{NOVEL COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIVICE INCLUDING THE SAME}Novel compound and organic light emitting device containing the same {NOVEL COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIVICE INCLUDING THE SAME}

본원은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present application relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.

유기발광다이오드에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자와 저분자로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트와 호스트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다. Materials used as organic layers in organic light emitting diodes can be largely classified into light emitting materials, hole injection materials, hole transport materials, electron transport materials, electron injection materials, and the like according to their functions. And the light emitting materials can be classified into high molecular weight and low molecular weight according to molecular weight, and can be classified into fluorescent materials derived from singlet excited states of electrons and phosphorescent materials derived from triplet excited states of electrons according to light emitting mechanisms, Light emitting materials can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural colors according to the light emitting color. In addition, in order to increase color purity and increase light emitting efficiency through energy transfer, a host/dopant system may be used as a light emitting material. The principle is that when a small amount of a dopant having a smaller energy band gap and higher luminous efficiency than the host constituting the light emitting layer is mixed in the light emitting layer in a small amount, excitons generated in the host are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host moves to the wavelength range of the dopant, light having a desired wavelength can be obtained according to the type of dopant and host used.

현재까지 이러한 유기발광소자에 사용되는 물질로서 다양한 화합물들이 알려져 있으나, 이제까지 알려진 물질을 이용한 유기발광소자의 경우 높은 구동전압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 따라서, 우수한 특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기발광소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다. Until now, various compounds have been known as materials used in organic light emitting devices, but in the case of organic light emitting devices using known materials, development of new materials is continuously required due to high driving voltage, low efficiency, and short lifespan. Therefore, efforts have been made to develop an organic light emitting device having low voltage driving, high luminance, and long lifespan using a material having excellent characteristics.

한국 공개특허 10-2015-0086721Korean Patent Publication 10-2015-0086721

본원은 신규한 유기 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present application provides a novel organic compound, a method for preparing the same, and an organic light emitting device including the same.

그러나 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않으며, 기술되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present application is not limited to the problem described above, and other problems not described will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본원의 제1 측면은 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 제공한다:A first aspect of the present application provides a compound represented by Formula 1 below:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017063254934-pat00001
Figure 112017063254934-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴기이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroaryl group;

L1 및 L2은 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환의 C6 ~ C18 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴렌기이며,L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 18 arylene group, or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroarylene group,

R1 내지 R7, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환의 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 C1 ~ C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴기이고, 상기 R 및 R'은 연결되어 고리를 형성할 수 있으며,R 1 to R 7 , R and R' are each independently hydrogen, heavy hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ A C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroaryl group, wherein R and R' may be linked to form a ring,

l, m, 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, o는 0 내지 2의 정수이며, p 및 q는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이다.l, m, and n are each independently an integer of 0 to 4, o is an integer of 0 to 2, and p and q are each independently an integer of 0 to 3.

본원의 제2 측면은 제1 전극 및 제2 전극 사이에 본원에 따른 화합물을 함유하는 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.A second aspect of the present application provides an organic light emitting device including an organic material layer containing a compound according to the present application between a first electrode and a second electrode.

본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 스파이로비플루오렌과 아릴아민의 사이에 플루오렌 연결기를 도입하여 정공수송에 용이한 HOMO 레벨을 형성하고, 동시에 스파이로비플루오렌의 1번, 3번, 또는 4번을 연결위치로 하여 높은 LUMO 레벨을 유지하여 전자차단이 용이하다. 이에 따라 발광층내 엑시톤이 효율적으로 형성되어 저전압 및 고효율의 유기발광소자를 구현할 수 있다.The compound according to one embodiment of the present invention introduces a fluorene linking group between spirobifluorene and arylamine to form a HOMO level that is easy for hole transport, and at the same time, spirobifluorene number 1, 3, or It is easy to block the electrons by maintaining a high LUMO level with No. 4 as the connection position. Accordingly, excitons in the light emitting layer are efficiently formed, so that a low voltage and high efficiency organic light emitting device can be implemented.

또한 스파이로비플루오렌이 플루오렌 연결기를 통해 아릴아민과 연결되어 파이컨주게이션이 증가하게 되므로 빠른 홀 모빌리티(hole mobility)를 가질 수 있으며, 말단의 스파이로비플루오렌으로 인하여 분자간 파이겹침을 유도하여 분자의 박막배열을 우수하게 하고, 박막에서의 모빌리티를 개선할 수 있고, 롤오프현상을 억제할 수 있어 장수명 소자를 구현할 수 있다. In addition, since spirobifluorene is linked to arylamine through a fluorene linking group to increase pi conjugation, it can have fast hole mobility. It is possible to improve thin film arrangement, improve mobility in a thin film, and suppress a roll-off phenomenon, so that a long lifespan device can be implemented.

또한, 높은 Tg 및 Td를 가져 열 안정성이 우수하고 구동시 박막의 재결정화를 방지하여 소자의 구동 안정성을 확보할 수 있다.In addition, since it has high Tg and Td, it has excellent thermal stability and prevents recrystallization of the thin film during driving, thereby securing driving stability of the device.

도 1은 본원의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략도를 나타낸 것이다.1 shows a schematic diagram of an organic light emitting device according to an embodiment of the present application.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments and embodiments of the present application will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.However, the present disclosure may be embodied in many different forms and is not limited to the implementations and examples described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated. As used throughout this specification, the terms "about," "substantially," and the like are used at or approximating that value when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are given, and do not convey the understanding of this application. Accurate or absolute figures are used to help prevent exploitation by unscrupulous infringers of the disclosed disclosure. The term "step of (doing)" or "step of" as used throughout the present specification does not mean "step for".

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout the present specification, the term "combination thereof" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, and the components It means including one or more selected from the group consisting of.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다. Throughout this specification, reference to "A and/or B" means "A or B, or A and B".

본원 명세서 전체에서, 용어 "아릴"은 C5-30의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미하며, "헤테로아릴"은 적어도 1 개의 헤테로 원소를 포함하는 C3-30의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 디벤조티오페닐, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 푸란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 디벤조푸란 고리로부터 형성되는 헤테로고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.Throughout this specification, the term "aryl" refers to a C 5-30 aromatic hydrocarbon ring group, for example, phenyl, benzyl, naphthyl, biphenyl, terphenyl, fluorene, phenanthrenyl, triphenylenyl, peryle It means containing an aromatic ring such as yl, chrysenyl, fluoranthenyl, benzofluorenyl, benzotriphenylenyl, benzochrysenyl, anthracenyl, stilbenyl, pyrenyl, etc., and "heteroaryl" means at least one As a C 3-30 aromatic ring containing a hetero atom, for example, pyrrolyl, pyrazinyl, pyridinyl, indolyl, isoindolyl, furyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl, Benzothiophenyl, dibenzothiophenyl, quinolyl group, isoquinolyl, quinoxalinyl, carbazolyl, phenanthridinyl, acridinyl, phenanthrolinyl, thienyl, and pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring , pyridazine ring, triazine ring, indole ring, quinoline ring, acridine ring, pyrrolidine ring, dioxane ring, piperidine ring, morpholine ring, piperazine ring, carbazole ring, furan ring, thio Ofene ring, oxazole ring, oxadiazole ring, benzooxazole ring, thiazole ring, thiadiazole ring, benzothiazole ring, triazole ring, imidazole ring, benzoimidazole ring, pyran ring, dibenzofuran It may mean including a heterocyclic group formed from a ring.

본원 명세서 전체에서 용어 "치환될 수 있는"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기 또는 C1~C20의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C20의 시클로 알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C30의 아릴기 및 C3~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있는 것을 의미할 수 있다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.Throughout the specification, the term "which may be substituted" refers to deuterium, halogen, amino group, nitrile group, nitro group, or C 1 ~ C 20 alkyl group, C 2 ~ C 20 alkenyl group, C 1 ~ C 20 alkoxy group, C 3 ~ C 20 cycloalkyl group, C 3 ~ C 20 heterocycloalkyl group, C 6 ~ C 30 aryl group and C 3 ~ C 30 means that can be substituted with one or more groups selected from the group consisting of a heteroaryl group can do. In addition, the same symbol throughout the present specification may have the same meaning unless otherwise specified.

본원의 제1 측면은 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 제공한다:A first aspect of the present application provides a compound represented by Formula 1 below:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017063254934-pat00002
Figure 112017063254934-pat00002

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴기이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 aryl group or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroaryl group;

L1 및 L2은 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환의 C6 ~ C18 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴렌기이며,L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 18 arylene group, or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroarylene group,

R1 내지 R7, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환의 C1 ~ C30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 C1 ~ C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 C2 ~ C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 C3 ~ C30의 헤테로아릴기이고, 상기 R 및 R'은 연결되어 고리를 형성할 수 있으며,R 1 to R 7 , R and R' are each independently hydrogen, heavy hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 2 ~ A C 30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C 6 ~ C 30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 3 ~ C 30 heteroaryl group, wherein R and R' may be linked to form a ring,

l, m, 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, o는 0 내지 2의 정수이며, p 및 q는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이다.l, m, and n are each independently an integer of 0 to 4, o is an integer of 0 to 2, and p and q are each independently an integer of 0 to 3.

상기 화학식 1의 화합물은 스파이로비플루오렌과 아릴아민의 사이에 플루오렌 연결기를 도입하여 정공수송에 용이한 HOMO 레벨을 형성하고, 동시에 스파이로비플루오렌의 1번, 3번, 또는 4번을 연결위치로 하여 높은 LUMO 레벨을 유지하여 전자차단이 용이하다. 이에 따라 발광층내 엑시톤이 효율적으로 형성되어 저전압 및 고효율의 유기발광소자를 구현할 수 있다.The compound of Formula 1 introduces a fluorene linking group between spirobifluorene and arylamine to form a HOMO level that is easy for hole transport, and at the same time connects 1, 3, or 4 of spirobifluorene It is easy to block electrons by maintaining a high LUMO level by positioning it. Accordingly, excitons in the light emitting layer are efficiently formed, so that a low voltage and high efficiency organic light emitting device can be implemented.

또한 스파이로비플루오렌이 플루오렌 연결기를 통해 아릴아민과 연결되어 파이컨주게이션이 증가하게 되므로 빠른 홀 모빌리티(hole mobility)를 가질 수 있으며, 말단의 스파이로비플루오렌으로 인하여 분자간 파이겹침을 유도하여 분자의 박막배열을 우수하게 하고, 박막에서의 모빌리티를 개선할 수 있고, 롤오프현상을 억제할 수 있어 장수명 소자를 구현할 수 있다. In addition, since spirobifluorene is linked to arylamine through a fluorene linking group to increase pi conjugation, it can have fast hole mobility. It is possible to improve thin film arrangement, improve mobility in a thin film, and suppress a roll-off phenomenon, so that a long lifespan device can be implemented.

또한, 높은 Tg 및 Td를 가져 열 안정성이 우수하고 구동시 박막의 재결정화를 방지하여 소자의 구동 안정성을 확보할 수 있다.In addition, since it has high Tg and Td, it has excellent thermal stability and prevents recrystallization of the thin film during driving, thereby securing driving stability of the device.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1에서 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 플루오렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 화학식 1에서 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 경우 높은 T1을 가져 엑시톤 차단 효과를 극대화할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in Formula 1, Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, fluorene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, dibenzofuran, di It may be selected from the group consisting of benzothiophene and combinations thereof. More specifically, in Formula 1, Ar 1 and Ar 2 may each independently be selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene, and combinations thereof. In this case, the exciton blocking effect can be maximized by having a high T1.

또한, 본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있다.In addition, in one embodiment of the present invention, the compound may be represented by Formula 2 or Formula 3 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017063254934-pat00003
Figure 112017063254934-pat00003

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017063254934-pat00004
Figure 112017063254934-pat00004

상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물은 연결기 L1 및 L2를 모두 가지는 경우와 비교하여 상대적으로 분자량이 낮아 증착온도가 낮아질 수 있다. 이에 따라 유기발광소자의 제작시 열적 안정성을 가질 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3 may have a relatively low molecular weight compared to the case of having both the linking groups L 1 and L 2 , so that the deposition temperature may be lowered. Accordingly, thermal stability may be obtained during manufacturing of the organic light emitting device.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1 내지 화학식 3에서 L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 또는 페닐렌일 수 있다.In one embodiment of the present invention, L 1 and L 2 in Chemical Formulas 1 to 3 may each independently represent a direct bond or phenylene.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound may be represented by Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017063254934-pat00005
Figure 112017063254934-pat00005

상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 플루오렌이 아릴아민 및 스파이로비플루오렌과 직접 결합되어 높은 LUMO를 유지할 수 있어 전자차단이 보다 용이할 수 있다.In the compound represented by Chemical Formula 4, since fluorene is directly bonded to arylamine and spirobifluorene, high LUMO may be maintained, and thus electron blocking may be more easily performed.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 5 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound may be represented by any one of Formulas 5 to 7 below.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017063254934-pat00006
Figure 112017063254934-pat00006

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017063254934-pat00007
Figure 112017063254934-pat00007

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017063254934-pat00008
Figure 112017063254934-pat00008

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017063254934-pat00009
Figure 112017063254934-pat00009

상기 화학식 8로 표시되는 화합물은 아릴아민 및 스파이로비플루오렌이 중간 연결기인 플루오렌의 2번 및 7번에 결합되어 전체적으로 선형이 유지되어 분자배열을 우수하게 할 수 있고, 이에 따라 빠른 홀 모빌리티(hole mobility)를 가질 수 있다.In the compound represented by Chemical Formula 8, arylamine and spirobifluorene are bonded to positions 2 and 7 of fluorene, which is an intermediate linking group, so that the overall linearity is maintained, resulting in excellent molecular arrangement, thereby exhibiting fast hole mobility ( hole mobility).

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2 내지 화학식 11에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 플루오렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 화학식 2 내지 화학식 11에서 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 경우 높은 T1을 가져 엑시톤 차단 효과를 극대화할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in Formulas 2 to 11, Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, fluorene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, and dibenzo. It may be selected from the group consisting of furan, dibenzothiophene, and combinations thereof. More specifically, in Formulas 2 to 11, Ar 1 and Ar 2 may each independently be selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene, and combinations thereof. In this case, the exciton blocking effect can be maximized by having a high T1.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 8로 표시되는 화합물은 하기의 화합물 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다:According to one embodiment of the present invention, the compound represented by Chemical Formulas 1 to 8 may be any one of the following compounds, but may not be limited thereto:

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 보다 구체적으로, 상기 화합물 중 화합물 번호1~19, 21~26, 101~104, 130~140, 141~146, 161~166, 191~194, 201, 206~208, 231~234, 241, 246~248, 351~369, 371~376, 451~454, 480~491, 519~526, 551~554, 561, 591~594, 601, 602~608, 711~729, 731~736, 811~814, 840~851, 869~876, 901~904, 911, 916~918, 941~944, 951, 956~958 중 어느 하나일 수 있다. 이들 화합물은 과도한 컨주게이션을 줄이고 분자량을 최소화할 수 있어 적절한 HOMO를 유지함과 동시에 더 높은 LUMO와 T1을 가질 수 있고, 증착공정시 화합물의 열분해 현상을 억제할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is more specifically, compound numbers 1 to 19, 21 to 26, 101 to 104, 130 to 140, 141 to 146, 161 to 166, 191 ~194, 201, 206~208, 231~234, 241, 246~248, 351~369, 371~376, 451~454, 480~491, 519~526, 551~554, 561, 591~594, 601 , 602 to 608, 711 to 729, 731 to 736, 811 to 814, 840 to 851, 869 to 876, 901 to 904, 911, 916 to 918, 941 to 944, 951, may be any one of 956 to 958 . These compounds can reduce excessive conjugation and minimize molecular weight, thereby maintaining appropriate HOMO and at the same time having higher LUMO and T1, and suppressing thermal decomposition of the compound during the deposition process.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같은 반응식을 통하여 합성될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 may be synthesized through the following reaction scheme, but may not be limited thereto.

Figure 112017063254934-pat00042
Figure 112017063254934-pat00042

상기 반응식에서, h는 할로겐이고, 다른 기호는 상기 화학식 1과 동일하다.In the above reaction scheme, h is a halogen, and other symbols are the same as in Formula 1 above.

본원의 제2 측면은 상기 화학식 1 내지 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극 사이에 본원에 따른 화합물을 함유하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.A second aspect of the present application provides an organic light emitting device including a compound represented by any one of Chemical Formulas 1 to 8. The organic light emitting device may include one or more organic material layers containing the compound according to the present disclosure between the first electrode and the second electrode.

본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광 보조층 일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한 본 발명의 화합물은 유기층을 형성할 때 단독으로 사용되거나 공지의 화합물과 함께 사용될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic material layer may be a hole injection layer, a hole transport layer and a light emitting auxiliary layer, but may not be limited thereto. In addition, the compound of the present invention may be used alone or in combination with known compounds when forming an organic layer.

본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공수송물질을 함유하는 유기물층 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기물층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물은 화학식 2 내지 8 중 어느 하나로 표시될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device may include an organic material layer containing a hole transport material and an organic material layer containing a compound represented by Formula 1, but may not be limited thereto. According to one embodiment of the present invention, as described above, the compound of Formula 1 may be represented by any one of Formulas 2 to 8.

상기 유기 발광 소자는 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.The organic light emitting device includes an organic material layer such as a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) between an anode and a cathode. May contain more than one floor.

예를 들어, 상기 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다. 유기 발광 소자는 아래로부터 애노드(정공주입전극(1000))/정공주입층(200)/정공수송층(300)/발광층(400)/전자수송층(500)/전자주입층(600)/캐소드(전자주입전극(2000)) 순으로 적층될 수 있다.For example, the organic light emitting device may be manufactured as shown in FIG. 1 . The organic light emitting element is composed of anode (hole injection electrode 1000) / hole injection layer 200 / hole transport layer 300 / light emitting layer 400 / electron transport layer 500 / electron injection layer 600 / cathode (electron injection layer 600) from the bottom The injection electrode 2000) may be stacked in order.

도 1에서 기판(100)은 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.In FIG. 1 , a substrate used in an organic light emitting device may be used as the substrate 100, and in particular, a transparent glass substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, or a flexible plastic substrate may be used. there is.

정공주입전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 애노드로 사용된다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.The hole injection electrode 1000 is used as an anode for hole injection of an organic light emitting device. A material having a low work function is used to enable injection of holes, and it may be formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or graphene.

상기 애노드 전극 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 정공주입층(200)을 형성할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층을 형성하는 경우 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500 의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. The hole injection layer 200 may be formed by depositing a hole injection layer material on the anode electrode by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, a Langmuir-Blodgett (LB) method, or the like. When the hole injection layer is formed by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer 200, the desired structure and thermal characteristics of the hole injection layer, etc., but generally 50-500 The temperature, the degree of vacuum of 10 -8 to 10 -3 torr, the deposition rate of 0.01 to 100 Å/sec, and the layer thickness range of 10 Å to 5 μm can be appropriately selected.

다음으로 상기 정공주입층(200) 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 정공수송층(300)을 형성할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.Next, the hole transport layer 300 may be formed by depositing a hole transport layer material on the hole injection layer 200 by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, or an LB method. In the case of forming the hole transport layer by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but are generally selected within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer.

상기 정공수송층(300)은 본 발명에 따른 화합물을 사용할 수 있으며, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 단독으로 사용하거나 공지의 화합물을 함께 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 공지의 물질로만 형성된 정공수송층을 함께 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 정공수송층(300) 상에 발광보조층을 형성할 수 있다.The hole transport layer 300 may use the compound according to the present invention, and as described above, the compound according to the present invention may be used alone or a known compound may be used together. In addition, according to one embodiment of the present invention, the hole transport layer 300 may have one or more layers, and may include a hole transport layer formed of only known materials. In addition, according to one embodiment of the present invention, an auxiliary light emitting layer may be formed on the hole transport layer 300 .

상기 정공수송층(300) 또는 발광보조층 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 발광층(400)을 형성할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.The light emitting layer 400 may be formed by depositing a material for the light emitting layer on the hole transport layer 300 or the light emitting auxiliary layer by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, or an LB method. In the case of forming the light emitting layer by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but it is generally preferable to select them within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer. In addition, a known compound may be used as a host or dopant for the light emitting layer material.

또한, 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시킬 수 있다. 이때 사용할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다.In addition, when used with a phosphorescent dopant in the light emitting layer, a hole blocking material (HBL) may be additionally laminated by vacuum deposition or spin coating to prevent diffusion of triplet excitons or holes into the electron transport layer. The hole blocking material that can be used at this time is not particularly limited, but can be selected and used arbitrarily from known ones used as hole blocking materials. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or a hole blocking material described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-329734 (A1) may be mentioned, and typically Balq (bis(8-hydroxy) oxy-2-methylquinolinato)-aluminum biphenoxide), phenanthrolines-based compounds (eg UDC BCP (vasocuproin)), and the like can be used.

상기와 같이 형성된 발광층(400) 상부에는 전자수송층(500)이 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 전자수송층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.An electron transport layer 500 is formed on the light emitting layer 400 formed as described above. At this time, the electron transport layer can be formed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, or the like. In addition, although the deposition conditions of the electron transport layer vary depending on the compound used, it is generally preferable to select them within the same range of conditions as those for forming the hole injection layer.

그 뒤, 상기 전자수송층(500) 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 전자주입층(600)을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할 수 있다. Thereafter, an electron injection layer material may be deposited on the electron transport layer 500 to form an electron injection layer 600. It can be formed by methods such as law.

상기 유기발광 소자의 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500)는 본 발명에 따른 화합물을 사용하거나 아래와 같은 물질을 사용할 수 있으며, 또는 본 발명에 따른 화합물과 공지의 물질을 함께 사용할 수 있다.The hole injection layer 200, the hole transport layer 300, the light emitting layer 400, and the electron transport layer 500 of the organic light emitting device may use the compound according to the present invention or the following materials, or according to the present invention A compound and a known substance can be used together.

Figure 112017063254934-pat00043
Figure 112017063254934-pat00043

전자주입층(600) 위에 전자 주입을 위한 캐소드(2000)을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성한다. 캐소드로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은 등의 물질이 있다.A cathode 2000 for electron injection is formed on the electron injection layer 600 by a method such as vacuum deposition or sputtering. Various metals may be used as the cathode. Specific examples include materials such as aluminum, gold, and silver.

본 발명의 유기발광소자는 애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다.The organic light emitting device of the present invention can have a structure of various organic light emitting devices as well as an organic light emitting device having an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode structure. It is also possible to further form a layer or two intermediate layers.

상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 1 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 5 내지 200 ㎚일 수 있다.As described above, the thickness of each organic material layer formed according to the present invention may be adjusted according to a required degree, specifically, 1 to 1,000 nm, and more specifically, 5 to 200 nm.

또한 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 유기물층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성이 뛰어난 장점이 있다.In the present invention, since the thickness of the organic material layer including the compound represented by Chemical Formula 1 can be controlled in a molecular unit, the surface is uniform and the shape stability is excellent.

본 측면에 따른 유기 발광 화합물에 대하여 본원의 제1 측면에 대하여 기재된 내용이 모두 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.All of the contents described in the first aspect of the present disclosure may be applied to the organic light emitting compound according to the present aspect, but may not be limited thereto.

이하, 본원의 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명하며, 본 실시예에 의하여 본원의 범위가 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, it will be described in more detail through examples of the present application, and the scope of the present application is not limited by the present examples.

[[ 실시예Example ]]

중간체 합성intermediate synthesis

목적화합물 합성을 위하여 중간체 IM을 하기와 같이 합성하였다.For the synthesis of the target compound, the intermediate IM was synthesized as follows.

제조예1Preparation Example 1 :: 중간체 (IM1) 합성Intermediate (IM1) synthesis

둥근바닥플라스크에 9,9'-spirobi[fluoren]-3-ylboronic acid 5.12g, 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 10.0g을 1,4-dioxan 220ml에 녹이고 K2CO3(2M) 45ml와 Pd(PPh3)4 1.0g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제하여 중간체 IM1 11.2g (수율 68%)를 얻었다.In a round bottom flask, 5.12 g of 9,9'-spirobi[fluoren]-3-ylboronic acid and 10.0 g of 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene were dissolved in 220 ml of 1,4-dioxan and K2CO3 (2M ) 45 ml and 1.0 g of Pd(PPh3)4 were added, followed by reflux stirring. The reaction was confirmed by TLC, and the reaction was terminated after adding water. The organic layer was extracted with MC, filtered under reduced pressure, and purified by column to obtain 11.2 g of intermediate IM1 (yield: 68%).

상기 IM1과 같은 방법을 사용하되, 하기 표 1과 같이 출발물질을 달리하여 하기 IM2 내지 IM6을 합성하였다.The following IM2 to IM6 were synthesized using the same method as in IM1, but using different starting materials as shown in Table 1 below.

IM2의 출발물질Starting material for IM2 IM3의 출발물질Starting material for IM3 IM4출발물질IM4 starting material , , , , , , 9,9'-spirobi[fluoren]-6-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene9,9'-spirobi[fluoren]-6-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene 9,9'-spirobi[fluoren]-5-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene9,9'-spirobi[fluoren]-5-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 9,9'-spirobi[fluoren]-5-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene9,9'-spirobi[fluoren]-5-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene IM5의 출발물질Starting material for IM5 IM6의 출발물질Starting material for IM6 , , , , 9,9'-spirobi[fluoren]-8-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene9,9'-spirobi[fluoren]-8-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 9,9'-spirobi[fluoren]-8-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene9,9'-spirobi[fluoren]-8-ylboronic acid, 2,7-dibromo-9,9-diphenyl-9H-fluorene

화합물 합성compound synthesis

상기 중간체 IM1 내지 IM6을 사용하여 목적 화합물 1 내지 20를 합성하였다.Target compounds 1 to 20 were synthesized using the intermediates IM1 to IM6.

화합물 1의 합성Synthesis of Compound 1

둥근바닥플라스크에 IM1 3.0g, 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 1.5g, t-BuONa 0.75g, Pd2(dba)3 0.2g, (t-Bu)3P 0.2ml를 톨루엔 90ml에 녹인 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 MC로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제 및 재결정하여 화합물 1 2.9g (수율 72%)를 얻었다. m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)In a round bottom flask, IM1 3.0g, 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 1.5g, t-BuONa 0.75g, Pd 2 (dba) 3 0.2g, (t-Bu) 3 P After dissolving 0.2ml in 90ml of toluene, the mixture was stirred under reflux. The reaction was confirmed by TLC, and the reaction was terminated after adding water. The organic layer was extracted with MC and filtered under reduced pressure, followed by column purification and recrystallization to obtain 2.9 g of Compound 1 (72% yield). m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)

화합물 2의 합성Synthesis of compound 2

9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 2를 합성하였다.(수율70%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)Use N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine instead of 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine (yield 70%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%) )

화합물 3의 합성Synthesis of compound 3

9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 9,9-dimethyl-N-(naphthalen-1-yl)-9H-fluoren-2-amine 을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 3을 합성하였다.(수율63%) m/z: 841.37 (100.0%), 842.37 (70.7%), 843.38 (24.7%), 844.38 (5.7%)Using 9,9-dimethyl-N-(naphthalen-1-yl)-9H-fluoren-2-amine instead of 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine, in the same manner as in Compound 1 Compound 3 was synthesized. (Yield 63%) m/z: 841.37 (100.0%), 842.37 (70.7%), 843.38 (24.7%), 844.38 (5.7%)

화합물 4의 합성Synthesis of compound 4

IM1대신 IM2를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 4를 합성하였다.(수율65%) m/z: 917.40 (100.0%), 918.41 (77.4%), 919.41 (29.5%), 920.41 (7.3%), 921.42 (1.4%)Compound 4 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using IM2 instead of IM1. (Yield 65%) m/z: 917.40 (100.0%), 918.41 (77.4%), 919.41 (29.5%), 920.41 (7.3%) , 921.42 (1.4%)

화합물 5의 합성Synthesis of compound 5

IM1대신 IM3을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 5를 합성하였다.(수율63%) m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)Compound 5 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using IM3 instead of IM1. (Yield 63%) m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)

화합물 6의 합성Synthesis of compound 6

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine대신 IM3및 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 6을 합성하였다.(수율65%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)Instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine, IM3 and N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2 Compound 6 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using -amine. (Yield 65%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)

화합물 7의 합성Synthesis of compound 7

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine대신 IM3및 N-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 7을 합성하였다.(수율58%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)Instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine, IM3 and N-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2 Compound 7 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using -amine. (Yield: 58%) 871.40 (1.1%)

화합물 8의 합성Synthesis of compound 8

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM3 및 N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 8을 합성하였다.(수율63%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)IM3 and N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2 instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine Compound 8 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using -amine. (Yield 63%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)

화합물 9의 합성Synthesis of compound 9

IM1 대신 IM5를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 9를 합성하였다. (수율60%) m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)Compound 9 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using IM5 instead of IM1. (Yield 60%) m/z: 791.36 (100.0%), 792.36 (66.5%), 793.36 (22.0%), 794.37 (4.7%)

화합물 10의 합성Synthesis of compound 10

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM5 및 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 10을 합성하였다.(수율61%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)IM5 and N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2 instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine Compound 10 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using -amine. (Yield 61%) m/z: 867.39 (100.0%), 868.39 (73.0%), 869.39 (26.1%), 870.40 (6.2%), 871.40 (1.1%)

화합물 11의 합성Synthesis of compound 11

9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 11을 합성하였다.(수율65%) m/z: 751.32 (100.0%), 752.33 (63.2%), 753.33 (19.6%), 754.33 (4.0%)Compound 11 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine instead of 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. Yield 65%) m/z: 751.32 (100.0%), 752.33 (63.2%), 753.33 (19.6%), 754.33 (4.0%)

화합물 12의 합성Synthesis of compound 12

9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 및 대신 4-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-N-phenylaniline를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 12를 합성하였다.(수율63%) m/z: 841.33 (100.0%), 842.34 (69.8%), 843.34 (24.2%), 844.34 (5.5%)Compound 12 was prepared in the same manner as in Compound 1 using 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine and 4-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-N-phenylaniline instead. Synthesized (yield 63%) m/z: 841.33 (100.0%), 842.34 (69.8%), 843.34 (24.2%), 844.34 (5.5%)

화합물 13의 합성Synthesis of compound 13

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM2 및 diphenylamine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 13을 합성하였다.(수율60%) m/z: 799.32 (100.0%), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)Compound 13 was synthesized in the same manner as Compound 1 using IM2 and diphenylamine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. (Yield 60%) m/z: 799.32 (100.0 %), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)

화합물 14의 합성Synthesis of compound 14

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM2 및 N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 14를 합성하였다. (수율65%) m/z: 875.36 (100.0%), 876.36 (74.1%), 877.36 (27.3%), 878.37 (6.5%), 879.37 (1.1%)Compound 14 was prepared in the same manner as in Compound 1 using IM2 and N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. synthesized. (Yield 65%) m/z: 875.36 (100.0%), 876.36 (74.1%), 877.36 (27.3%), 878.37 (6.5%), 879.37 (1.1%)

화합물 15의 합성Synthesis of compound 15

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM3 및 N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 15를 합성하였다.(수율65%) m/z: 751.32 (100.0%), 752.33 (63.2%), 753.33 (19.6%), 754.33 (4.0%)Compound 15 was prepared in the same manner as in Compound 1 using IM3 and N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. Synthesized (yield 65%) m/z: 751.32 (100.0%), 752.33 (63.2%), 753.33 (19.6%), 754.33 (4.0%)

화합물 16의 합성Synthesis of compound 16

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM3 및 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-2-amine를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 16을 합성하였다. (수율62%) m/z: 827.36 (100.0%), 828.36 (69.7%), 829.36 (24.2%), 830.37 (5.4%)IM3 and N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-2- instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine Compound 16 was synthesized in the same manner as in Compound 1 using amine. (Yield 62%) m/z: 827.36 (100.0%), 828.36 (69.7%), 829.36 (24.2%), 830.37 (5.4%)

화합물 17의 합성Synthesis of compound 17

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM4 및 diphenylamine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 17을 합성하였다. (수율67%) m/z: 799.32 (100.0%), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)Compound 17 was synthesized in the same manner as in Compound 1, using IM4 and diphenylamine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. (Yield 67%) m/z: 799.32 (100.0%), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)

화합물 18의 합성Synthesis of compound 18

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM4 및 N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 18을 합성하였다. (수율67%) m/z: 875.36 (100.0%), 876.36 (74.1%), 877.36 (27.3%), 878.37 (6.5%), 879.37 (1.1%)Compound 18 was prepared in the same manner as in Compound 1 using IM4 and N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. synthesized. (Yield 67%) m/z: 875.36 (100.0%), 876.36 (74.1%), 877.36 (27.3%), 878.37 (6.5%), 879.37 (1.1%)

화합물 19의 합성Synthesis of compound 19

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM5 및 di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 19를 합성하였다. (수율63%) m/z: 827.36 (100.0%), 828.36 (69.7%), 829.36 (24.2%), 830.37 (5.4%)Compound 19 was prepared in the same manner as in Compound 1 using IM5 and di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. synthesized. (Yield 63%) m/z: 827.36 (100.0%), 828.36 (69.7%), 829.36 (24.2%), 830.37 (5.4%)

화합물 20의 합성Synthesis of compound 20

IM1 및 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine 대신 IM6 및 diphenylamine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 20을 합성하였다. (수율58%) m/z: 799.32 (100.0%), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)Compound 20 was synthesized in the same manner as in Compound 1, using IM6 and diphenylamine instead of IM1 and 9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine. (Yield 58%) m/z: 799.32 (100.0%), 800.33 (67.5%), 801.33 (22.4%), 802.33 (4.9%)

유기발광소자 제조Manufacture of organic light emitting devices

실시예Example 1(정공 1 (hole 수송층transport layer ))

인듐틴옥사이드(ITO)가 1500Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층 HI01 600Å, HATCN 50 Å?, 정공수송층으로 화합물 1 250 Å을 제막한 후 상기 발광층으로 BH01:BD01 3%로 도핑하여 250 Å 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 ET01:Liq(1:1) 300 Å 제막한 후 LiF 10 Å, 알루미늄(Al) 1000 Å 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기발광소자를 제작하였다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) having a thickness of 1500 Å was washed with distilled water and ultrasonic waves. After cleaning with distilled water, it is ultrasonically cleaned with solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, transferred to a plasma cleaner, and then cleaned by using oxygen plasma for 5 minutes. evaporator) to form a hole injection layer of HI01 of 600 Å and HATCN of 50 Å? and a hole transport layer of 250 Å of Compound 1, and then a 250 Å film of 250 Å was formed by doping with 3% of BH01:BD01 as the light emitting layer. Next, an organic light emitting device was manufactured by forming a 300 Å film of ET01:Liq (1:1) as an electron transport layer, forming a film of 10 Å LiF and 1000 Å of aluminum (Al), and encapsulating the device in a glove box.

실시예Example 2 내지 2 to 실시예Example 10 10

실시예 1과 같은 방법으로 화합물 1 대신 화합물 2 내지 10을 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.In the same manner as in Example 1, a film-formed organic light emitting device was manufactured using Compounds 2 to 10 instead of Compound 1.

비교예comparative example 1-1 내지 1-1 to 비교예comparative example 1-8 1-8

실시예 1과 같은 방법으로 화합물 1 대신 하기 Ref.1 내지 Ref.8을 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.In the same manner as in Example 1, an organic light emitting device formed into a film was manufactured using the following Ref.1 to Ref.8 instead of Compound 1.

실시예Example 11(발광 11 (light emission 보조층auxiliary layer ))

인듐틴옥사이드(ITO)가 1500Å 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 ITO 기판 상부에 열 진공 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 정공주입층 HI01 600Å, HATCN 50 Å?, 정공수송층 BPA 250 Å, 발광보조층으로 화합물 11 350 Å을 제막한 후 상기 발광층으로 호스트 PH01:PH02(5:5) 및 도판트 Ir(ppy)3 7%로 도핑하여 350 Å 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 ET01:Liq(1:1) 300 Å 제막한 후 LiF 10 Å, 알루미늄(Al) 1000 Å 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기발광소자를 제작하였다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) having a thickness of 1500 Å was washed with distilled water and ultrasonic waves. After cleaning with distilled water, it is ultrasonically cleaned with solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, transferred to a plasma cleaner, and then cleaned by using oxygen plasma for 5 minutes. evaporator) to form a hole injection layer HI01 600 Å, HATCN 50 Å?, a hole transport layer BPA 250 Å, and a light emitting auxiliary layer of Compound 11 350 Å, and then host PH01:PH02 (5:5) and dopant Ir as the light emitting layer A 350 Å film was formed by doping with 7% of (ppy)3. Next, an organic light emitting device was manufactured by forming a 300 Å film of ET01:Liq (1:1) as an electron transport layer, forming a film of 10 Å LiF and 1000 Å of aluminum (Al), and encapsulating the device in a glove box.

실시예Example 12 내지 12 to 실시예Example 20 20

실시예 11과 같은 방법으로 화합물 11 대신 화합물 12 내지 20을 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.In the same manner as in Example 11, a film-formed organic light emitting device was manufactured using Compounds 12 to 20 instead of Compound 11.

비교예comparative example 2-1 내지 2-1 to 비교예comparative example 2-8 2-8

실시예 11과 같은 방법으로 화합물 11 대신 상기 Ref.1 내지 Ref.8을 사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다.In the same manner as in Example 11, an organic light emitting device formed by using Ref.1 to Ref.8 instead of Compound 11 was manufactured.

[유기 발광 소자의 성능평가][Performance evaluation of organic light emitting device]

키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 및 비교예의 유기발광소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 2(정공수송층 실시예) 및 표 3(발광보조층 실시예)에 나타내었다.Apply voltage to the Keithley 2400 source measurement unit to inject electrons and holes, and measure the luminance when light is emitted using a Konica Minolta spectroradiometer (CS-2000) By doing so, the performance of the organic light emitting devices of Examples and Comparative Examples was evaluated by measuring current density and luminance with respect to applied voltage under atmospheric pressure conditions, and the results are shown in Table 2 (Hole transport layer examples) and Table 3 (light emitting auxiliary layer examples) ).

Op. VOp. V mA/cm2mA/cm2 Cd/ACd/A QE(%)QE (%) CIExCIEx CIEyCIEy LT95LT95 실시예1Example 1 3.853.85 1010 7.197.19 6.126.12 0.1400.140 0.1100.110 117117 실시예2Example 2 3.843.84 1010 7.207.20 6.096.09 0.1400.140 0.1090.109 120120 실시예3Example 3 3.853.85 1010 7.217.21 6.106.10 0.1410.141 0.1090.109 120120 실시예4Example 4 3.863.86 1010 7.207.20 6.106.10 0.1400.140 0.1100.110 113113 실시예5Example 5 3.913.91 1010 7.357.35 6.156.15 0.1410.141 0.1100.110 128128 실시예6Example 6 3.903.90 1010 7.327.32 6.206.20 0.1400.140 0.1100.110 130130 실시예7Example 7 3.943.94 1010 7.287.28 6.196.19 0.1400.140 0.1100.110 125125 실시예8Example 8 3.903.90 1010 7.347.34 6.156.15 0.1400.140 0.1100.110 132132 실시예9Example 9 3.913.91 1010 7.247.24 6.206.20 0.1390.139 0.1100.110 125125 실시예10Example 10 3.903.90 1010 7.257.25 6.206.20 0.1410.141 0.1100.110 122122 비교예1-1Comparative Example 1-1 4.204.20 1010 6.056.05 4.824.82 0.1420.142 0.1140.114 1515 비교예1-2Comparative Example 1-2 4.234.23 1010 6.276.27 5.155.15 0.1430.143 0.1120.112 2222 비교예1-3Comparative Example 1-3 4.154.15 1010 6.356.35 5.205.20 0.1410.141 0.1100.110 5151 비교예1-4Comparative Example 1-4 4.034.03 1010 6.926.92 5.875.87 0.1400.140 0.1110.111 9595 비교예1-5Comparative Example 1-5 4.304.30 1010 6.706.70 5.735.73 0.1410.141 0.1110.111 6565 비교예1-6Comparative Example 1-6 4.254.25 1010 6.656.65 5.505.50 0.1400.140 0.1100.110 7777 비교예1-7Comparative Example 1-7 4.064.06 1010 6.506.50 5.445.44 0.1410.141 0.1100.110 8585 비교예1-8Comparative Example 1-8 4.114.11 1010 6.806.80 5.705.70 0.1400.140 0.1110.111 8080

Op. VOp. V mA/cm2mA/cm2 Cd/ACd/A QE(%)QE (%) CIExCIEx CIEyCIEy LT95LT95 실시예11Example 11 4.714.71 1010 57.5557.55 16.5216.52 0.3010.301 0.6200.620 175175 실시예12Example 12 4.704.70 105105 57.6057.60 16.5016.50 0.3000.300 0.6200.620 170170 실시예13Example 13 4.734.73 1010 57.8057.80 16.6016.60 0.2980.298 0.6190.619 185185 실시예14Example 14 4.764.76 1010 57.3557.35 16.5316.53 0.3000.300 0.6210.621 190190 실시예15Example 15 4.774.77 1010 58.7058.70 16.7716.77 0.3000.300 0.6190.619 182182 실시예16Example 16 4.814.81 1010 58.5158.51 16.7016.70 0.2980.298 0.6190.619 180180 실시예17Example 17 4.804.80 1010 59.6059.60 16.7816.78 0.2990.299 0.6200.620 195195 실시예18Example 18 4.804.80 1010 59.7359.73 16.7016.70 0.3000.300 0.6210.621 200200 실시예19Example 19 4.814.81 1010 57.0057.00 16.5016.50 0.3000.300 0.6210.621 185185 실시예20Example 20 4.804.80 1010 57.2557.25 16.5016.50 0.2980.298 0.6220.622 181181 비교예2-1Comparative Example 2-1 5.205.20 1010 38.2538.25 12.3012.30 0.3010.301 0.6380.638 2222 비교예2-2Comparative Example 2-2 5.155.15 1010 36.9036.90 12.4012.40 0.3000.300 0.6350.635 4646 비교예2-3Comparative Example 2-3 5.225.22 1010 40.0040.00 12.6112.61 0.2990.299 0.6290.629 5353 비교예2-4Comparative Example 2-4 5.105.10 1010 44.6344.63 12.8012.80 0.3000.300 0.6250.625 7272 비교예2-5Comparative Example 2-5 5.135.13 1010 50.1050.10 13.1213.12 0.3000.300 0.6260.626 9898 비교예2-6Comparative Example 2-6 5.135.13 1010 49.9249.92 13.0013.00 0.2980.298 0.6300.630 105105 비교예2-7Comparative Example 2-7 5.155.15 1010 45.8045.80 12.7512.75 0.2980.298 0.6250.625 6868 비교예2-8Comparative Example 2-8 5.105.10 1010 45.0045.00 12.7012.70 0.3020.302 0.6270.627 8080

상기 표 2 및 표3에 나타나는 바와 같이 본 발명의 실시예들은 비교예 1 내지 비교예8과 비교하여 구동전압 개선과 효율 및 수명이 상승하는 결과를 볼 수 있다.As shown in Tables 2 and 3, in the embodiments of the present invention, compared to Comparative Examples 1 to 8, driving voltage improvement, efficiency, and lifespan can be seen.

보다 구체적으로, 스파이로비플루오렌 치환기를 가지지 않는 비교예 1 내지 4과 비교하여, 본 발명의 실시예들은 스파이로비플루오렌 치환을 통하여 정공수송층에 적합한 HOMO를 형성하고, 말단에 위치한 스파이로비플루오렌으로 인하여 분자간 파이겹침을 유도하여 분자배열을 우수하게 할 수 있고, 박막에서의 모빌리티를 개선할 수 있다. 또한, 플루오렌 연결기를 가지지 않는 비교예 5 및 6과 비교하여, 본 발명의 실시예들은 플루오렌 연결기를 가짐으로써 파이컨쥬게이션이 증가하여 빠른 홀 모빌리티를 가질 수 있고, 스파이로비플루오렌의 2번을 연결 위치로 하는 비교예 7 및 8과 비교하여, 본 발명의 실시예들은 스파이로비플루오렌의 1, 3, 또는 4번을 연결 위치로 하여 높은 LUMO 및 T1을 형성하므로, 발광층내 엑시톤 가둠 효과를 극대화할 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 화합물은 유기발광소자의 구동전압을 낮추고, 효율 및 수명을 크게 개선할 수 있음을 확인하였다.More specifically, compared to Comparative Examples 1 to 4 not having a spirobifluorene substituent, the embodiments of the present invention form a HOMO suitable for the hole transport layer through spirobifluorene substitution, and the spirobifluorene located at the terminal Due to this, intermolecular py-overlapping can be induced to improve molecular arrangement and to improve mobility in thin films. In addition, compared to Comparative Examples 5 and 6, which do not have a fluorene linking group, the examples of the present invention have a fluorene linking group, so that pi conjugation can be increased to have fast hole mobility, and spirobifluorene's second Compared to Comparative Examples 7 and 8 in which a linking position is used, the embodiments of the present invention form a high LUMO and T1 by linking 1, 3, or 4 of spirobifluorene as a linking position, so that the exciton confinement effect in the light emitting layer can maximize Accordingly, it was confirmed that the compound according to the present invention can lower the driving voltage of the organic light emitting device and greatly improve the efficiency and lifetime.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application. .

100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 애노드
2000: 캐소드
100: substrate
200: hole injection layer
300: hole transport layer
400: light emitting layer
500: electron transport layer
600: electron injection layer
1000: anode
2000: Cathode

Claims (11)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물;
[화학식 1]
Figure 112022107763158-pat00089

상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 C6~C30의 아릴기 또는 C3~C30 의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 C6~C30의 아릴기 또는 C3~C30 의 헤테로아릴기로 치환되거나 치환되지 않은 C3 ~ C30의 헤테로아릴기이고,
L1 및 L2은 각각 독립적으로 직접 결합이며,
R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소이고,
R 및 R'은 각각 독립적으로 C1 ~ C30의 알킬기, 또는 C6 ~ C30의 아릴기이고, 상기 R 및 R'은 연결되어 고리를 형성할 수 있으며,
l, m, 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, o는 0 내지 2의 정수이며, p 및 q는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이다.
A compound represented by Formula 1 below;
[Formula 1]
Figure 112022107763158-pat00089

In Formula 1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a C 6 ~ C 30 aryl group or a C 3 ~ C 30 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C 6 ~ C 30 aryl group, or a C 6 ~ C 30 aryl group Or a C 3 ~ C 30 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C 3 ~ C 30 heteroaryl group,
L 1 and L 2 are each independently a direct bond;
R 1 to R 7 are each independently hydrogen;
R and R' are each independently a C 1 to C 30 alkyl group or a C 6 to C 30 aryl group, and R and R' may be linked to form a ring;
l, m, and n are each independently an integer of 0 to 4, o is an integer of 0 to 2, and p and q are each independently an integer of 0 to 3.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화학식 5 및 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 화합물.
[화학식 5]
Figure 112023044250105-pat00093


[화학식 6]
Figure 112023044250105-pat00094

According to claim 1,
The compound is a compound represented by any one of Formulas 5 and 6 below.
[Formula 5]
Figure 112023044250105-pat00093


[Formula 6]
Figure 112023044250105-pat00094

제1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물.
[화학식 8]
Figure 112017063254934-pat00096

According to claim 1,
The compound is a compound represented by the following formula (8).
[Formula 8]
Figure 112017063254934-pat00096

제1항에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 플루오렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.
According to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, fluorene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, and combinations thereof.
제1항에 있어서,
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 페닐, 바이페닐, 플루오렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.
According to claim 1,
Wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, fluorene, and combinations thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 화합물:






According to claim 1,
The compound is any one of the following compounds:






제1 전극 및 제2 전극 사이에 제1항, 제4항 내지 제7항, 및 제9항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자.An organic light emitting device comprising an organic material layer containing the compound according to any one of claims 1, 4 to 7, and 9 between the first electrode and the second electrode. 제10항에 있어서,
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광보조층 중 1층 이상인 유기 발광 소자.

According to claim 10,
The organic material layer is an organic light emitting device that is at least one layer of a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting auxiliary layer.

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