KR102575297B1 - Method for manufacturing connection pins for semiconductor devices - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체기기용 접속핀 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기기용 접속핀을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있도록 함을 목적으로 한 것이다.
즉, 본 발명은 반도체기기용 접속핀 제조방법에 있어서, 가공판재를 연속하여 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급되는 가공판재에 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖는 핀베이스선재부가 등 간격으로 형성되게 타발가공하는 단계로 이루어진 판재타공과정, 상기 판재타공과정을 통하여 형성된 핀베이스선재부을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정, 상기 정사각단조과정을 통하여 베이스핀의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정 및 상기 모서리라운딩단조과정을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서, 본 발명은 반도체기기용 접속핀을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있는 효과를 갖는 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, and an object of the present invention is to enable manufacturing connection pins for semiconductor devices to be highly durable and reduce production costs through a forging process.
That is, the present invention relates to a method for manufacturing contact pins for semiconductor devices, in which a plate material supply process consisting of continuously supplying a processed plate material and a rectangular cross section having a long side in a vertical direction to the processed plate material supplied through the plate material supply process are performed. A plate material perforation process consisting of a step of punching so that the pin base wire parts having the same intervals are formed, and a square forging process consisting of a step of processing and forming a base pin with a square cross section by hitting the pin base wire part formed through the plate material perforation process in an upward and downward direction. , The corner rounding forging process consisting of forming a curved surface by hitting the slope edge of the base pin through the square forging process and limiting the outer surface protrusion of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process and increasing the density of the surface part It is characterized in that it consists of a burr absorption groove forging process consisting of a step of striking so that a burr absorption groove is formed on each side so that it can be formed.
Therefore, the present invention has an effect that can be manufactured so that the connection pin for semiconductor devices has strong durability and reduced production cost through a forging process.
Description
본 발명은 반도체기기용 접속핀 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체기기용 접속핀 제조방법에 있어서, 판재타공과정을 통하여 형성된 핀베이스선재부을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정과 상기 정사각단조과정을 통하여 베이스핀의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정 및 상기 모서리라운딩단조과정을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정으로 이루어져 반도체기기용 접속핀을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있도록 함을 목적으로 한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, and more particularly, in a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, by vertically striking a pin base wire formed through a plate material perforation process to form a base pin having a square cross section. A square forging process consisting of the step of performing a square forging process, a corner rounding forging process consisting of a step of forming a curved surface by striking the slope edge of the base pin through the square forging process, and limiting the protrusion of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process. It is composed of a burr absorption groove forging process consisting of a step of striking a burr absorption groove on each side to increase the density of the surface portion, and through the forging process, the connection pin for semiconductor devices can be manufactured so that durability is strong and production cost is reduced. It is intended to be.
일반적으로, 반도체기기용 접속핀은 반도체의 제작과정에 있어서 전기적 접속 또는 접속해제등의 목적으로 사용되는 것이다.In general, connection pins for semiconductor devices are used for purposes such as electrical connection or disconnection in the manufacturing process of semiconductors.
이상과 같은 반도체기기용 접속핀은 봉재를 절삭과정을 통하여 가공생산하는 것이다.The connection pin for semiconductor devices as described above is to process and produce a bar through a cutting process.
이와 같이 절삭가공을 통하여 생산된 반도체기기용 접속핀은 반도체기기에 장착되어서 반도체부품과 전기적 접속 또는 접속 해제의 기능을 실행하는 것이다.Thus, the connection pin for semiconductor devices produced through cutting is to be mounted on the semiconductor device to perform a function of electrical connection or disconnection with the semiconductor component.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 반도체기기용 접속핀 가공방법은 봉선제의 절삭가공으로 이루어져 그 가공이 매우 어렵고 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하되며 절삭가공으로 이루어져 내구성이 생산원가에 비하여 낮은 문제점이 있었다.However, the conventional method for processing connection pins for semiconductor devices as described above consists of cutting of barbed wire, and the processing is very difficult and takes a lot of time, resulting in a decrease in productivity and a problem in that durability is low compared to the production cost due to cutting. there was.
이에, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 반도체기기용 접속핀 가공방법이 봉선제의 절삭가공으로 이루어져 그 가공이 매우 어렵고 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하되며 절삭가공으로 이루어져 내구성이 생산원가에 비하여 낮은 문제점을 해결하고자 하는 것이다.Therefore, in the present invention, the conventional method for processing connection pins for semiconductor devices as described above is made of cutting rods, and the processing is very difficult and takes a lot of time, resulting in a decrease in productivity and durability compared to the production cost. It is to solve the low problem.
즉, 본 발명은 반도체기기용 접속핀 제조방법에 있어서, 가공판재를 연속하여 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급되는 가공판재에 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖는 핀베이스선재부가 등 간격으로 형성되게 타발가공하는 단계로 이루어진 판재타공과정, 상기 판재타공과정을 통하여 형성된 핀베이스선재부을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정, 상기 정사각단조과정을 통하여 베이스핀의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정 및 상기 모서리라운딩단조과정을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.That is, the present invention relates to a method for manufacturing contact pins for semiconductor devices, in which a plate material supply process consisting of continuously supplying a processed plate material and a rectangular cross section having a long side in a vertical direction to the processed plate material supplied through the plate material supply process are performed. A plate material perforation process consisting of a step of punching so that the pin base wire parts having the same intervals are formed, and a square forging process consisting of a step of processing and forming a base pin with a square cross section by hitting the pin base wire part formed through the plate material perforation process in an upward and downward direction. , The corner rounding forging process consisting of forming a curved surface by hitting the slope edge of the base pin through the square forging process and limiting the outer surface protrusion of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process and increasing the density of the surface part It is characterized in that it consists of a burr absorption groove forging process consisting of a step of striking so that a burr absorption groove is formed on each side so that it can be formed.
본 발명은 핀베이스선재부를 수직면 폭 길이는 수평면 폭 길이의 10~30% 이상 더 크게형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.The present invention is characterized in that the length of the vertical plane of the fin base wire is made larger by 10 to 30% or more of the width of the horizontal plane.
본 발명은 모서리라운딩단조과정을 모서리의 반지름이 면폭 길이의 10~20%로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.The present invention is characterized in that the corner rounding forging process is made up of 10 to 20% of the face width and the radius of the corner.
본 발명은 버흡수홈의 깊이는 베이스핀 폭 길이의 1~10%의 길이로 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.The present invention is characterized in that the depth of the burr absorption groove is formed to a length of 1 to 10% of the length of the base pin width.
본 발명은 버흡수홈단조과정 후 케리어에 결속된 각각의 반도체기기용 접속핀을 분리하는 접속핀분리과정과 상기 접속핀분리과정을 통하여 분리된 반도체기기용 접속핀의 분리부를 절삭하는 분리부절삭과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.In the present invention, a connection pin separation process for separating each connection pin for semiconductor devices bound to a carrier after a burr absorption groove forging process and a separation unit cutting for cutting a separation portion of a connection pin for semiconductor devices separated through the connection pin separation process Method for manufacturing a connection pin for a semiconductor device, characterized in that consisting of a process.
본 발명은 반도체기기용 접속핀의 내구성을 향상시킬 수 있게 표면의 경도를 강화하는 표면처리과정이 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.The present invention is a method for manufacturing contact pins for semiconductor devices, characterized in that a surface treatment process is performed to enhance the hardness of the surface so as to improve the durability of the contact pins for semiconductor devices.
본 발명은 반도체기기용 접속핀의 접속과 해제가 용이하도록 접속단부가공과정이 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.The present invention is a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, characterized in that a connection end processing process is performed to facilitate connection and release of the connection pins for semiconductor devices.
따라서, 본 발명은 판재타공과정을 통하여 형성된 핀베이스선재부을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정과 상기 정사각단조과정을 통하여 베이스핀의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정 및 상기 모서리라운딩단조과정을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정으로 이루어짐으로써 반도체기기용 접속핀을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있는 효과를 갖는 것이다.Therefore, the present invention is a square forging process consisting of processing and forming a base pin with a square cross section by hitting the pin base wire formed through the plate perforation process vertically and hitting the slope edge of the base pin through the square forging process to form a curved surface A corner rounding forging process consisting of a molding step and a step of striking so that a burr absorption groove is formed on each surface to limit the protrusion of the outer surface of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process and to increase the density of the surface portion. As it is made of the absorption groove forging process, it has an effect that the connection pin for semiconductor devices can be manufactured so that durability is strong and the production cost is reduced through the forging process.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 제조공정도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다른 제조공정도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 제조공정도.
도 4는 도 1의 제조공정에 따른 실시예시도.
도 5 내지 도 8은 도 4의 실시예에 따른 각각의 공정 예시도.
도 9는 도 2의 제조공정에 따른 실시예시도.
도 10은 본 발명의 핀베이스선재부의 가공 예시도.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 접속단부가공과정에 따른 접속핀 예시도.1 is a manufacturing process diagram according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is another manufacturing process diagram according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is another manufacturing process diagram according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is an embodiment according to the manufacturing process of Figure 1;
5 to 8 are respective process examples according to the embodiment of FIG. 4 .
Figure 9 is an embodiment according to the manufacturing process of Figure 2;
10 is an exemplary view of processing the pin base wire part of the present invention.
11 is an exemplary view of connection pins according to a connection end processing process according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, it will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 반도체기기용 접속핀(30)을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있도록 한 것으로서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. The present invention enables the connection pin 30 for semiconductor devices to be manufactured to have high durability and reduce production cost through a forging process, and terms or words used in this specification and claims are limited to conventional or dictionary meanings. It should not be interpreted as such, and should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical spirit of the present invention based on the principle that the inventor can properly define the concept of terms in order to explain his/her invention in the best way. do.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only one of the most preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical ideas of the present invention, so that they can be substituted at the time of this application. It should be understood that there may be many equivalents and variations.
즉, 본 발명은 반도체기기용 접속핀(30) 제조방법에 있어서, 판재공급과정(110)과 판재타공과정(120), 정사각단조과정(130), 모서리라운딩단조과정(140) 및 버흡수홈단조과정(150)으로 이루어진 것이다.That is, the present invention is a method of manufacturing a connection pin 30 for a semiconductor device, a plate material supply process 110, a plate material perforation process 120, a square forging process 130, a corner rounding process 140, and a burr absorbing groove It is made of a forging process (150).
여기서, 상기 판재공급과정(110)은 가공판재(11)를 연속하여 공급하는 단계로 이루어진 것이다.Here, the plate material supply process 110 consists of continuously supplying the processed plate material 11 .
그리고, 상기 판재타공과정(120)은 판재공급과정(110)을 통하여 공급되는 가공판재(11)에 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖는 핀베이스선재부(12)가 등 간격으로 형성되게 타발가공하는 단계로 이루어진 것이다.In addition, in the plate material perforation process 120, the fin base wire parts 12 having a rectangular cross section having a long side in a direction perpendicular to the processed plate 11 supplied through the plate material supply process 110 are formed at equal intervals. It is made up of punching steps.
상기 핀베이스선재부(12)는 수직면 폭 길이는 수평면 폭 길이의 10~30% 이상 더 크게형성하여 실시할 수 있는 것이다.The pin base wire part 12 can be implemented by forming the vertical plane width length greater than 10 to 30% of the horizontal plane width length.
상기 수직면 폭과 수평면 폭의 비는 가공소재의 물성 특징에 따라 변경될 수 있는 것이다.The ratio of the width of the vertical plane to the width of the horizontal plane can be changed according to the physical properties of the workpiece.
또한, 상기 정사각단조과정(130)은 판재타공과정(120)을 통하여 형성된 핀베이스선재부(12)을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀(13)을 가공형성하는 단계로 이루어진 것이다.In addition, the square forging process 130 consists of a step of forming a base pin 13 with a square cross section by vertically striking the pin base wire 12 formed through the plate material perforation process 120.
또한, 상기 모서리라운딩단조과정(140)은 정사각단조과정(130)을 통하여 베이스핀(13)의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 것이다.In addition, the corner rounding forging process 140 is composed of a step of forming a curved surface by striking the slope edge of the base pin 13 through the square forging process 130.
상기 모서리라운딩단조과정(140)은 모서리의 반지름이 면폭 길이의 10~20%로 실시함이 바람직한 것이다.In the corner rounding forging process 140, it is preferable that the radius of the corner is 10 to 20% of the face width length.
또한, 상기 버흡수홈단조과정(150)은 모서리라운딩단조과정(140)을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈(20)이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 것이다.In addition, the burr absorbing groove forging process 150 limits the outer surface protrusion of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process 140 and forms burr absorbing grooves 20 on each surface to increase the density of the surface portion. It consists of a striking step.
상기 버흡수홈(20)의 깊이는 베이스핀(13) 폭 길이의 1~10%의 길이로 형성하여 실시할 수 있는 것이다.The depth of the burr absorption groove 20 can be formed by forming a length of 1 to 10% of the length of the width of the base pin 13.
한편, 본 발명의 실시에 있어서, 버흡수홈단조과정(150) 후 케리어에 결속된 각각의 반도체기기용 접속핀(30)을 분리하는 접속핀분리과정(210)과 상기 접속핀분리과정(210)을 통하여 분리된 반도체기기용 접속핀(30)의 분리부를 절삭하는 분리부절삭과정(220)이 추가로 이루어질 수 있는 것이다.On the other hand, in the practice of the present invention, after the burr absorption groove forging process 150, the connection pin separation process 210 and the connection pin separation process 210 for separating each connection pin 30 for semiconductor devices bound to the carrier ) through which a separating portion cutting process 220 of cutting the separating portion of the separated connection pin 30 for semiconductor devices can be additionally performed.
또한, 본 발명의 실시에 있어서, 반도체기기용 접속핀(30)의 내구성을 향상시킬 수 있게 표면의 경도를 강화하는 표면처리과정(300)이 추가로 실시될 수 있는 것이다.In addition, in the practice of the present invention, the surface treatment process 300 for enhancing the hardness of the surface can be additionally performed to improve the durability of the connection pin 30 for semiconductor devices.
또한, 본 발명의 실시에 있어서, 반도체기기용 접속핀(30)의 접속 및 접속해제가 용이하게 이루어지게 하는 접속단부가공과정(400)을 더 추가하여 실시될 수 있는 이다.In addition, in the practice of the present invention, it can be carried out by further adding a connection end processing process 400 that facilitates connection and disconnection of the connection pin 30 for semiconductor devices.
상기 접속단부가공과정(400)은 접속핀(30)의 단부를 평판하게 형성한 것과, 모서리를 테이퍼 또는 라운드 형태로 가공한 것과, 단부를 뾰족하게 형태로 가공한 것과, 반구형 형태로 가공한 형태 중 어느 하나로 가공하여 실시하는 것이다.In the connection end processing process 400, the end of the connection pin 30 is formed flat, the edge processed into a tapered or round shape, the end processed into a pointed shape, and the shape processed into a hemispherical shape It is carried out by processing with one of them.
이하, 본 발명의 적용실시에 따른 작용효과에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effect according to the application of the present invention will be described.
상기한 바와 같이 반도체기기용 접속핀(30) 제조방법에 있어서, 가공판재(11)를 연속하여 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정(110)과 상기 판재공급과정(110)을 통하여 공급되는 가공판재(11)에 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖는 핀베이스선재부(12)가 등 간격으로 형성되게 타발가공하는 단계로 이루어진 판재타공과정(120), 상기 판재타공과정(120)을 통하여 형성된 핀베이스선재부(12)을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀(13)을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정(130), 상기 정사각단조과정(130)을 통하여 베이스핀(13)의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정(140) 및 상기 모서리라운딩단조과정(140)을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈(20)이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정(150)으로 이루어진 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 반도체기기용 접속핀(30)을 단조과정을 통하여 내구성이 강하고 생산원가가 절감감되도록 제작할 수 있도록 하는 것이다.As described above, in the manufacturing method of the connecting pin 30 for semiconductor devices, the plate material supply process 110 consisting of continuously supplying the processed plate material 11 and the processed plate material supplied through the plate material supply process 110 Through the plate material perforation process 120 consisting of the step of punching so that the pin base wire parts 12 having a rectangular cross section with a long side in the vertical direction to (11) are formed at equal intervals, the plate material perforation process 120 A square forging process 130 consisting of processing and forming a base pin 13 having a square cross section by hitting the formed pin base wire part 12 up and down, and the base pin 13 through the square forging process 130. Through the corner rounding forging process 140 consisting of a step of forming a curved surface by hitting a slope edge and the edge rounding forging process 140, the outer surface protrusion of the material pushed to the surface is limited and the density of the surface portion can be increased. When the present invention consisting of the burr absorbing groove forging process 150 consisting of the step of striking to form the burr absorbing groove 20 is applied and implemented, the connection pin 30 for semiconductor devices is highly durable and productive through the forging process. This is to enable production to reduce costs.
상기 판재타공과정(120)을 통하여 핀베이스선재부(12)를 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖게 형성하여 실시하게 되면, 가공형성되는 핀베이스의 수직단면축소 단조과정을 통하여 조직이 조밀하여져 내구성이 향상되는 것이다.When the pin base wire part 12 is formed to have a rectangular cross section with a long side in the vertical direction through the plate material perforation process 120, the structure is dense through the forging process of reducing the vertical cross section of the pin base to be processed and formed. This will improve durability.
특히, 상기 핀베이스선재부(12)는 수직면 폭 길이는 수평면 폭 길이의 10~30% 이상 더 크게형성하여 실시하게 되면, 과도하지 않고 충분한 단면축소에 의한 단조가 이루어지는 것이다.In particular, when the pin base wire portion 12 is formed with a vertical surface width length greater than 10 to 30% of the horizontal surface width length, forging is achieved by sufficient cross-section reduction without excessive.
상기 모서리라운딩단조과정(140)을 통하여 정사각단조과정(130)을 통하여 베이스핀(13)의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하게 되면, 정사각단조과정(130)에 측면으로 밀린 조직을 중앙으로 더욱 조밀하게 타격 조밀하게 시켜 조직이 전체적으로 균일하게 조밀한 조직으로 단조 처리되는 것이다.When the slope edge of the base pin 13 is formed into a curved surface by hitting the slope edge of the base pin 13 through the corner rounding forging process 140 through the square forging process 130, the tissue pushed to the side in the square forging process 130 is further centered. It is forged into a uniformly dense structure as a whole by making it dense and dense.
특히, 상기 모서리라운딩단조과정(140)을 통하여 모서리의 반지름이 면폭 길이의 10~20%로 실시하게 되면 과도하지 않고 충분한 타격단조와 곡면 형성을 통하여 내구성이 향상되는 것이다.In particular, when the corner radius is 10 to 20% of the face width length through the corner rounding forging process 140, durability is improved through not excessive but sufficient blow forging and curved surface formation.
상기 버흡수홈단조과정(150)을 통하여 모서리라운딩단조과정(140)을 각면에 버흡수홈(20)을 형성하여 실시하게 되면, 모서리라운딩단조과정(140)에 면의 중앙으로 밀린 조직으로 면의 중앙으로 흡수 조밀하시켜 조직이 조밀해지고 모서리라운딩단조과정(140)에 면이 들리는 형상이 방지되는 것이다.When the corner rounding forging process 140 is performed by forming the burr absorption groove 20 on each surface through the burr absorption groove forging process 150, the surface is formed as a tissue pushed to the center of the surface in the corner rounding forging process 140. It is absorbed into the center of the dense structure, and the shape of the face lifted in the corner rounding forging process 140 is prevented.
특히, 상기 버흡수홈(20)의 깊이를 베이스핀(13) 폭 길이의 1~10%의 길이로 형성하여 실시하게 되면, 면으로 밀리 조직이 충분히 흡수되고 과도한 단면 수축을 유발하지 않는 것이다.In particular, when the depth of the burr absorption groove 20 is formed to a length of 1 to 10% of the width of the base pin 13, the mill tissue is sufficiently absorbed into the cotton and does not cause excessive cross-sectional shrinkage.
한편, 본 발명의 실시예와 같이 표면처리과정(300)을 실시하게 되면 반도체기기용 접속핀(30)의 내구성이 더욱 향상되는 것이다.On the other hand, when the surface treatment process 300 is performed as in the embodiment of the present invention, the durability of the connection pin 30 for semiconductor devices is further improved.
11 : 가공판재 12 : 핀베이스선재부
13 : 베이스핀
20 : 버흡수홈
30 : 반도체기기용 접속핀
110 : 판재공급과정
120 : 판재타공과정
130 : 정사각단조과정
140 : 모서리라운딩단조과정
150 : 버흡수홈단조과정
210 : 접속핀분리과정
220 : 분리부절삭과정
300 : 표면처리과정
400 : 접속단부가공과정11: processed plate 12: pin base wire
13: base pin
20: burr absorption groove
30: connection pin for semiconductor devices
110: plate supply process
120: plate perforation process
130: square forging process
140: Corner rounding forging process
150: burr absorption groove forging process
210: connection pin separation process
220: separator cutting process
300: surface treatment process
400: connection end processing process
Claims (5)
가공판재를 연속하여 공급하는 단계로 이루어진 판재공급과정과 상기 판재공급과정을 통하여 공급되는 가공판재에 수직 방향으로 장변을 갖는 직사각형의 단면을 갖는 핀베이스선재부가 등 간격으로 형성되게 타발가공하는 단계로 이루어진 판재타공과정, 상기 판재타공과정을 통하여 형성된 핀베이스선재부을 상하로 타격하여 정사각형 단면의 베이스핀을 가공형성하는 단계로 이루어진 정사각단조과정, 상기 정사각단조과정을 통하여 베이스핀의 사면모서리를 타격하여 곡면으로 성형하는 단계로 이루어진 모서리라운딩단조과정 및 상기 모서리라운딩단조과정을 통하여 면으로 밀린 소재의 외면돌출을 제한하고 면부의 조밀도를 높일 수 있게 각면에 버흡수홈이 형성되게 타격하는 단계로 이루어진 버흡수홈단조과정과, 상기 버흡수홈단조과정 후 케리어에 결속된 각각의 반도체기기용 접속핀을 분리하는 접속핀분리과정과 상기 접속핀분리과정을 통하여 분리된 반도체기기용 접속핀의 분리부를 절삭하는 분리부절삭과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
In the method for manufacturing connection pins for semiconductor devices,
A step of punching so that a pin base wire having a rectangular cross section having a long side in a direction perpendicular to the processed plate supplied through the plate supply process consisting of continuously supplying the processed plate material and the plate material supply process is formed at equal intervals. The plate perforation process, the square forging process consisting of the step of processing and forming a base pin with a square cross section by hitting the pin base wire formed through the plate material perforation process up and down, hitting the slope edge of the base pin through the square forging process A corner rounding forging process consisting of forming into a curved surface and a step of striking so that burr absorbing grooves are formed on each surface to limit the protrusion of the outer surface of the material pushed to the surface through the corner rounding forging process and to increase the density of the surface portion. The burr absorption groove forging process, the connection pin separation process of separating each connection pin for semiconductor devices bound to the carrier after the burr absorption groove forging process, and the separation portion of the connection pin for semiconductor devices separated through the connection pin separation process A method for manufacturing a connecting pin for a semiconductor device, characterized in that it consists of a separating part cutting process for cutting.
상기 핀베이스선재부는 수직면 폭 길이는 수평면 폭 길이의 10~30% 이상 더 크게형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
상기 모서리라운딩단조과정은 모서리의 반지름이 면폭 길이의 10~20%로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
상기 버흡수홈의 깊이는 베이스핀 폭 길이의 1~10%의 길이로 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
According to claim 1;
The connection pin manufacturing method for semiconductor devices, characterized in that the pin base wire portion is formed by forming a vertical surface width length greater than 10 to 30% of the horizontal surface width length.
The corner rounding forging process is a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, characterized in that the radius of the corner consists of 10 to 20% of the length of the face width.
The depth of the burr absorption groove is a method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, characterized in that formed by forming a length of 1 to 10% of the length of the base pin width.
분리부절삭과정을 거친 접속핀은 접속단부가공과정을 통해 단부를 평판하게 형성한 것과, 모서리를 테이퍼 또는 라운드 형태로 가공한 것과, 단부를 뾰족하게 형태로 가공한 것과, 반구형 형태로 가공한 형태 중 어느 하나로 가공되어 형성됨을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
According to claim 1;
Connection pins that have undergone the separation part cutting process are those with flat ends through the connection end machining process, those with tapered or rounded edges, those with pointed ends, and those with hemispherical shapes. Method for manufacturing connection pins for semiconductor devices, characterized in that formed by processing any one of the following.
반도체기기용 접속핀의 내구성을 향상시킬 수 있게 표면의 경도를 강화하는 표면처리과정이 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기기용 접속핀 제조방법.
According to claim 1;
A method for manufacturing contact pins for semiconductor devices, characterized in that a surface treatment process is performed to enhance the hardness of the surface so as to improve the durability of the contact pins for semiconductor devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220133074A KR102575297B1 (en) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | Method for manufacturing connection pins for semiconductor devices |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102575297B1 true KR102575297B1 (en) | 2023-09-06 |
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| KR (1) | KR102575297B1 (en) |
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-
2022
- 2022-10-17 KR KR1020220133074A patent/KR102575297B1/en active IP Right Grant
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