KR102571868B1 - A light module and an apparatus for detecting wafer edge - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 엣지 검사 장치는 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 1 광원과, 상기 제 1 광원의 전면부에 배치되고, 상기 제 1 광원에서 발산되는 광을 웨이퍼의 엣지면으로 집광시키는 필터와, 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 2 광원과, 상기 제 2 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부 및 제 2 반사부로 각각 입사시키는 제 1 광 경로 변경부와, 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시키는 제 1 반사부와, 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시키는 제 2 반사부 및 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 반사광을 검출하는 검출부를 포함할 수 있다.A wafer edge inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first light source for generating and emitting light to the outside, disposed on a front surface of the first light source, and transmitting light emitted from the first light source to an edge surface of a wafer. A filter for condensing light, a second light source for generating and emitting light to the outside, and a first light path changer for changing the path of light incident from the second light source and making it incident to the first reflector and the second reflector, respectively; , a first reflector for incident light from the first light path changer to the upper bevel of the wafer edge, and a second reflector for incident light from the first light path changer to the lower bevel of the wafer edge and a detection unit for detecting reflected light incident from the first light path changing unit.

Description

웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈 및 웨이퍼 엣지 검사 장치{A LIGHT MODULE AND AN APPARATUS FOR DETECTING WAFER EDGE} Light source module and wafer edge inspection device for wafer edge inspection {A LIGHT MODULE AND AN APPARATUS FOR DETECTING WAFER EDGE}

본 발명은 웨이퍼의 엣지를 정확하게 검사하기 위한 검사용 조명 모듈 및, 검사용 조명 모듈을 이용한 웨이퍼 엣지 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a lighting module for inspection for accurately inspecting the edge of a wafer, and a wafer edge inspection apparatus using the lighting module for inspection.

반도체를 제조하기 위해 많은 기업들이 반도체를 제조하는 공정 장비와, 반도체 생산 검수를 위한 검사 및 계측 장비를 보유하고 있다. 기존에는 동일 면적에서의 생산량을 늘리기 위해 생산 검수를 위한 검사 및 계측 장비가 차지하는 면적 비중을 줄이고, 제조에 직접적으로 영향을 미치는 공정 장비들이 차지하는 면적 비중을 늘려왔다. In order to manufacture semiconductors, many companies have process equipment for manufacturing semiconductors and inspection and measurement equipment for inspecting semiconductor production. In the past, in order to increase production in the same area, the area ratio occupied by inspection and measurement equipment for production inspection has been reduced, and the area ratio occupied by process equipment that directly affects manufacturing has been increased.

하지만, 기술에 발전에 따라 반도체 미세 공정의 난이도가 상승하였고, 그로 인해 생산 검수를 위한 검사 및 계측의 중요도 또한 상승하였다. 기존에는 이를 해결하기 위해 생산되는 반도체의 일부분만 검사 및 계측을 진행하였으나, 일부 반도체의 검수로 전체 제품의 품질을 대변하기에는 어려움이 생긴다. 이를 해결하기 위해서는 생산되는 반도체의 생산 전체를 검사 또는 계측을 진행하여야 하나, 생산량의 문제로 검사 및 계측 장비가 차지하는 공간의 비중을 늘리기는 어렵다. 이러한 문제는 반도체 생산 수율 하락을 야기한다.However, with the development of technology, the difficulty of semiconductor microprocessing has increased, and as a result, the importance of inspection and measurement for production inspection has also increased. In the past, only a part of the semiconductor produced was inspected and measured to solve this problem, but inspection of some semiconductors makes it difficult to represent the quality of the entire product. In order to solve this problem, it is necessary to inspect or measure the entire production of semiconductors, but it is difficult to increase the proportion of space occupied by inspection and measurement equipment due to the problem of production volume. These problems cause a decrease in semiconductor production yield.

한편, 반도체 생산 공장을 따로 가지지 않고 설계를 하여 생산 외주를 주는 “팹리스(Fab-less)” 회사들이 점점 많아졌다. 이로 인해 생산만 하는 “파운더리(Foundary)” 회사들의 생산 능력이 중요해지고, 원가 절감 및 생산 수율 증가에 관심이 크게 증가하였다. 동일 시간에 많은 생산을 하기 위해 공간을 효율적으로 써야하는 제조 특성 상 공정 장비는 늘리고 싶으나, 다양한 팹리스 회사에서 다양한 형태의 반도체 생산 수율을 증가시키기 위해서 수율 검수를 하는 검사 및 계측 장비 또한 늘려야하는 상황이다. 이에 파운더리 회사는 생산량 증가를 위한 공정 장비는 늘려야 하나, 많아진 생산량을 검수하기 위한 검사 및 계측 장비 또한 늘려야 하는 딜레마에 빠지게 된다.On the other hand, there are more and more “Fab-less” companies that design and outsource production without having a separate semiconductor production plant. As a result, the production capacity of “foundary” companies that only produce has become important, and interest in reducing costs and increasing production yield has greatly increased. Due to the nature of manufacturing, which requires efficient use of space to produce many products at the same time, we want to increase the number of process equipment. . As a result, the foundry company falls into a dilemma of having to increase process equipment to increase production, but also increase inspection and measurement equipment to inspect the increased production.

웨이퍼에 대한 검사 중 엣지 부분에 대한 치핑 또는 크랙 등을 검사하는 과정이 있다. 엣지 부분은 상측 베벨(Top bevel), 아펙스(apex), 하측 베벨(Bottom bevel)로 구성되어 있으며, 기존에는 이러한 엣지 부분을 검사하기 위해 3개의 광학계를 사용하거나 면을 따라가는 광학계를 이용하여 측정한다. 그러나, 이러한 기존 방식은 많은 공간을 필요로 하며 각 모듈(module)의 상태에 따라 그 품질을 유지하기 힘든 점을 가지고 있으며, 웨이퍼와 검사 모듈이 부딪혀 2차 충격을 가할 수 있는 문제점을 가지고 있다.Among wafer inspections, there is a process of inspecting chipping or cracks on the edge portion. The edge part consists of a top bevel, an apex, and a bottom bevel, and in the past, three optical systems are used to inspect these edge parts, or optical systems that follow the surface are used to measure. . However, this conventional method requires a lot of space, has a problem in that it is difficult to maintain the quality according to the state of each module, and has a problem that the wafer and the inspection module collide and apply a secondary impact.

본 발명의 목적은 웨이퍼 엣지 부분의 각 면에 균일하게 광이 조사될 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼와의 접촉 가능성을 없앨 수 있는 엣지 검사용 광원 모듈 및 검사 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light source module for edge inspection and an inspection device capable of uniformly radiating light to each surface of a wafer edge portion and eliminating the possibility of contact with a wafer.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 엣지 검사 장치는 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 1 광원과, 상기 제 1 광원의 전면부에 배치되고, 상기 제 1 광원에서 발산되는 광을 웨이퍼의 엣지면으로 집광시키는 필터와, 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 2 광원과, 상기 제 2 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부 및 제 2 반사부로 각각 입사시키는 제 1 광 경로 변경부와, 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시키는 제 1 반사부와, 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시키는 제 2 반사부 및 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 반사광을 검출하는 검출부를 포함할 수 있다.A wafer edge inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first light source for generating and emitting light to the outside, disposed on a front surface of the first light source, and transmitting light emitted from the first light source to an edge surface of a wafer. A filter for condensing light, a second light source for generating and emitting light to the outside, and a first light path changer for changing the path of light incident from the second light source and making it incident to the first reflector and the second reflector, respectively; , a first reflector for incident light from the first light path changer to the upper bevel of the wafer edge, and a second reflector for incident light from the first light path changer to the lower bevel of the wafer edge and a detection unit for detecting reflected light incident from the first light path changing unit.

제 1 반사부는 상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고, 제 2 반사부는 상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고, 상기 제 1 광 경로 변경부는 상기 제 1 반사부로부터 입사된 반사된 광 및 상기 제 2 반사부로부터 입사된 광의 경로를 변경하여 검출부로 입사시킬 수 있다.The first reflector reflects the incident light reflected from the wafer edge to the first light path changer, and the second reflector reflects the incident light reflected from the wafer edge to the first light path changer. 1 the light path changing unit may change the paths of the reflected light incident from the first reflector and the light incident from the second reflector to be incident to the detector.

웨이퍼 엣지 검사 장치는 상기 제 2 광원 및 상기 제 1 광 경로 변경부 사이에 배치되고, 상기 1 광 경로 변경부로부터 입사된 반사된 광의 경로를 변경하여 상기 검출부로 입사시키는 제 2 광 경로 변경부를 더 포함하고, 검출부는 상기 제 2 광 경로 변경부의 수직 방향에 배치될 수 있다.The wafer edge inspection device further includes a second light path changing unit disposed between the second light source and the first light path changing unit, changing a path of reflected light incident from the first light path changing unit and making it incident to the detection unit. The detection unit may be disposed in a vertical direction of the second light path changing unit.

웨이퍼 엣지 검사 장치는 상기 제 1 반사부 및 상기 제 2 반사부는 상기 제 1 광 경로변경부를 기준으로 수직한 방향으로 대향하게 배치될 수 있다.In the wafer edge inspection apparatus, the first reflector and the second reflector may be disposed to face each other in a direction perpendicular to the first light path changer.

제 1 광원은 다수의 라인 광원이 구비되는 광원판을 포함하고, 상기 필터는 상기 광원판의 전면에 배치되고, 상기 광원에서 생성된 광을 확산시키는 확산판; 및 상기 확산판의 전면부에 배치되어 상기 확산판에서 확산된 광을 웨이퍼 엣지에 집광시키는 집광판을 포함할 수 있다.The first light source includes a light source plate having a plurality of line light sources, and the filter is disposed in front of the light source plate and includes a diffusion plate for diffusing light generated by the light source; and a light collecting plate disposed on the front surface of the diffusion plate and condensing the light diffused by the diffusion plate to the edge of the wafer.

확산판은 상기 라인 광원마다 개별적으로 전면에 배치되고, 상기 라인 광원으로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 3 반사부; 상기 제 3 반사부로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 4 반사부; 및 돌출된 형태의 기둥이 일정한 간격으로 반복적으로 배치되어, 상기 제 4 반사부로부터 반사된 광을 확산시키는 그레이팅을 포함할 수 있다.The diffusion plate may include a third reflector that is individually disposed on the front surface of each line light source and reflects light incident from the line light source; a fourth reflector that reflects light incident from the third reflector; and a grating in which protruding pillars are repeatedly disposed at regular intervals to diffuse light reflected from the fourth reflector.

집광판은 1개의 단면이 반원형이고 횡방향으로 연장된 형태인 볼록부를 포함하고, 다수의 볼록부가 종방향으로 연속적으로 적층되어 배열된 형태일 수 있다.The light collecting plate may have a shape in which one convex portion has a semicircular cross section and extends in a transverse direction, and a plurality of convex portions are continuously stacked and arranged in a longitudinal direction.

집광판은 상기 볼록부의 횡방향과 웨이퍼의 평면이 서로 평행하거나 예각으로 배치될 수 있다.In the light collecting plate, the lateral direction of the convex portion and the plane of the wafer may be parallel to each other or disposed at an acute angle.

광원판 및 필터는 제 1 반사부가 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 제 1 홀 및 제 2 반사부가 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 제 2 홀을 구비할 수 있다.The light source plate and the filter have a first hole through which the light reflected by the first reflector from the first light path changer to the upper bevel of the wafer edge passes, and the light incident from the first light path changer through the second reflector. A second hole through which light reflected from the lower bevel of the wafer edge may be provided.

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈은 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 1 광원와, 상기 제 1 광원의 전면부에 배치되고, 상기 제 1 광원에서 발산되는 광을 웨이퍼의 엣지면으로 집광시키는 필터와, 광을 생성하여 외부로 방출하는 제 2 광원과, 상기 제 2 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부 및 제 2 반사부로 각각 입사시키는 제 1 광 경로 변경부와, 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시키는 제 1 반사부와 상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시키는 제 2 반사부;를 포함할 수 있다.A light source module for wafer edge inspection according to another embodiment of the present invention includes a first light source for generating and emitting light to the outside, disposed on a front surface of the first light source, and transmitting light emitted from the first light source to the wafer A filter for condensing light to an edge surface of a second light source for generating and emitting light to the outside, and a first light path for changing the path of light incident from the second light source and making it incident to the first reflector and the second reflector, respectively A changer; a first reflector for making light incident from the first light path changer incident on the upper bevel of the wafer edge; and a first reflector for making light incident from the first light path changer incident on the lower bevel of the wafer edge. 2 reflectors; may be included.

제 1 반사부는 상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고, 상기 제 2 반사부는 상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고, 제 1 광 경로 변경부는 상기 제 1 반사부로부터 입사된 반사된 광 및 상기 제 2 반사부로부터 입사된 광의 경로를 변경하여 검출부로 입사시킬 수 있다.The first reflector reflects the incident light reflected from the wafer edge to the first light path changer, and the second reflector reflects the incident light reflected from the wafer edge to the first light path changer. 1 the light path changing unit may change the paths of the reflected light incident from the first reflector and the light incident from the second reflector to be incident to the detector.

웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈은 상기 제 2 광원 및 상기 제 1 광 경로 변경부 사이에 배치되고, 상기 1 광 경로 변경부로부터 입사된 반사된 광의 경로를 변경하여 상기 검출부로 입사시키는 제 2 광 경로 변경부를 더 포함할 수 있다.The light source module for wafer edge inspection is disposed between the second light source and the first light path changing unit, and changes the path of reflected light incident from the first light path changing unit to enter the second light path changing unit into the detection unit. Wealth may be further included.

본 발명은 웨이퍼에 대해 수직한 광원 및 베벨측에 광을 조사할 수 있는 추가 광원을 이용하여 웨이퍼 엣지 부분의 각 면에 균일하게 광을 조사할 수 있는 효과가 있다.The present invention has an effect of uniformly irradiating light to each surface of the edge portion of the wafer by using a light source perpendicular to the wafer and an additional light source capable of irradiating light to the bevel side.

또한, 본 발명은 웨이퍼의 상하측에 광원 및 검출부가 배치되지 않아 혹시라도 발생할 수 있는 웨이퍼와의 접촉 가능성을 없앨 수 있다.In addition, the present invention can eliminate the possibility of contact with the wafer that may occur because the light source and the detection unit are not disposed on the upper and lower sides of the wafer.

또한, 본 발명은 검출부를 1개만 사용하므로 전체적인 크기를 소형화 할 수 있다.In addition, since the present invention uses only one detection unit, the overall size can be miniaturized.

도 1 및 도 2는 본 실시예에 따른 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈 및 웨이퍼 엣지 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2의 웨이퍼 엣지 검사 장치를 A - A'를 기준으로 짜른 단면도로, 광이 웨이퍼의 입사되는 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2의 웨이퍼 엣지 검사 장치를 A - A'를 기준으로 짜른 단면도로, 광이 웨이퍼의 반사되는 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 광원(110) 및 필터(120)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
1 and 2 are diagrams for explaining a light source module for inspecting a wafer edge and an apparatus for inspecting a wafer edge according to an exemplary embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 2 taken along the line A-A', and is a view for explaining a path through which light is incident on a wafer.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 2 taken along the line A-A', and is a view for explaining a path through which light is reflected from a wafer.
5, 6, 7 and 8 are diagrams for explaining structures of the first light source 110 and the filter 120 according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, specific contents for carrying out the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 실시예에 따른 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈 및 웨이퍼 엣지 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 and 2 are diagrams for explaining a light source module for inspecting a wafer edge and an apparatus for inspecting a wafer edge according to an exemplary embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 엣지 검사 장치는 하우징(105)의 일측면에에 필터(120)가 구비되고, 필터(120)의 배면에는 제 1 광원이 구비될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the wafer edge inspection apparatus may include a filter 120 on one side of a housing 105 and a first light source on a rear surface of the filter 120 .

또한, 일측면에는 제 1 홀(160) 및 제 2 홀(161)을 포함할 수 있다.In addition, one side may include a first hole 160 and a second hole 161 .

제 1 홀(160)은 제 1 반사부(150)가 제 1 광 경로 변경부(140)로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 홀이다. The first hole 160 is a hole through which light incident from the first light path changer 140 is reflected by the first reflector 150 to the upper bevel of the wafer edge.

제 2 홀(161)은 제 2 반사부(151)가 제 1 광 경로 변경부(140)로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 홀이다. The second hole 161 is a hole through which light incident from the first light path changer 140 is reflected by the second reflector 151 to the lower bevel of the wafer edge.

도 3은 도 2의 웨이퍼 엣지 검사 장치를 A - A'를 기준으로 짜른 단면도로, 광이 웨이퍼의 입사되는 경로를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 2 taken along the line A-A', and is a view for explaining a path through which light is incident on a wafer.

도 3을 참조하면, 웨이퍼 엣지 검사 장치(100)는 제 1 광원(110), 필터(120), 제 2 광원(130), 제 1 광 경로 변경부(140), 제 1 반사부(150), 제 2 반사부(151), 제 2 광 경로 변경부(170) 및 검출부(180)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the wafer edge inspection apparatus 100 includes a first light source 110, a filter 120, a second light source 130, a first light path changer 140, and a first reflector 150. , a second reflector 151, a second light path changer 170, and a detector 180 may be included.

웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈은 제 1 광원(110), 필터(120), 제 2 광원(130), 제 1 광 경로 변경부(140), 제 1 반사부(150), 제 2 반사부(151) 및 제 2 광 경로 변경부(170)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈은 검출부 등을 제외한 구성을 의미할 수 있다. The light source module for wafer edge inspection includes a first light source 110, a filter 120, a second light source 130, a first light path changer 140, a first reflector 150, and a second reflector 151. ) and a second optical path changing unit 170 . A light source module for wafer edge inspection may refer to a configuration excluding a detection unit and the like.

제 1 광원(110)은 광을 생성하여 외부로 방출할 수 있다. 제 1 광원(110)은 하우징(105)의 일측면에 구비될 수 있다.The first light source 110 may generate light and emit it to the outside. The first light source 110 may be provided on one side of the housing 105 .

필터(120)는 제 1 광원(110)의 전면부(광이 방출되는 방면)에 배치되고, 제 1 광원(110)에서 발산되는 광을 웨이퍼(190)의 엣지면으로 집광시킬 수 있다. 필터(120)에 의해 집광되는 웨이퍼 엣지면에 조사되는 광량을 살펴보면, 구조적으로 필터(120)와 평행하게 배치되고 가깝게 위치하며 집광되는 광의 각도 등에 의해 아펙스(Apex)에 조사되는 광량이 상측 베벨(Top bevel) 및 하측 베벨(Bottom bevel)에 조사되는 광량보다 더 많다.The filter 120 may be disposed on the front side (a side from which light is emitted) of the first light source 110 and condense the light emitted from the first light source 110 to the edge surface of the wafer 190 . Looking at the amount of light irradiated to the edge surface of the wafer condensed by the filter 120, the amount of light irradiated to the Apex by the angle of condensed light, etc. It is more than the amount of light irradiated to the top bevel and bottom bevel.

제 2 광원(130)는 광을 생성하여 외부로 방출하여, 제 2 광 경로 변경부(170)를 투과하여 제 1 광 경로 변경부(140)로 입사시킬 수 있다. 제 2 광원(130)은 하우징(105)의 내부에 구비될 수 있다.The second light source 130 may generate and emit light to the outside, pass through the second light path changing unit 170 and enter the first light path changing unit 140 . The second light source 130 may be provided inside the housing 105 .

제 1 광 경로 변경부(140)는 제 2 광원(130)으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부(150) 및 제 2 반사부(151)로 입사시킬 수 있다. 예를 들면, 광 경로 변경부(140)는 프리즘 형상으로 구현될 수 있으며, 제 2 광원(130)으로부터 입사되는 광을 제 1 반사부(150) 및 제 2 반사부(151)로 반사 시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 광 경로 변경부(140)의 예로 프리즘 형상을 기준으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 반사부를 2개를 사용하는 등과 같이 다양하게 구현될 수 있다.The first light path changer 140 may change the path of the light incident from the second light source 130 and make it incident to the first reflector 150 and the second reflector 151 . For example, the light path changer 140 may be implemented in a prism shape, and may reflect light incident from the second light source 130 to the first reflector 150 and the second reflector 151. there is. In this embodiment, the light path changing unit 140 has been described based on a prism shape as an example, but it is not limited thereto and may be implemented in various ways, such as using two reflectors.

제 1 반사부(150)는 제 1 광 경로 변경부(140)로부터 입사되는 광을 제 1 홀(160)을 통해 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시킬 수 있다. 예를 들면, 제 1 반사부(150)는 제 1 광 경로변경부(140)에 수직하는 상측 방향에 배치될 수 있다.The first reflector 150 may cause light incident from the first light path changer 140 to be incident on the upper bevel of the wafer edge through the first hole 160 . For example, the first reflector 150 may be disposed in an upward direction perpendicular to the first light path changer 140 .

제 2 반사부(151)는 제 1 광 경로 변경부(140)로부터 입사되는 광을 제 2 홀(161)을 통해 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시킬 수 있다. 예를 들면, 제 2 반사부(150)는 제 1 광 경로변경부(140)에 수직하는 하측 방향에 배치될 수 있다.The second reflector 151 may cause light incident from the first light path changer 140 to be incident on the lower bevel of the wafer edge through the second hole 161 . For example, the second reflector 150 may be disposed in a downward direction perpendicular to the first light path changer 140 .

제 1 홀(160)은 제 1 반사부(150)로부터 입사되는 광을 통과 시킬 수 있고, 제 2 홀(161)은 제 2 반사부(151)로부터 십아되는 광을 통과 시킬 수 있다.The first hole 160 may pass light incident from the first reflector 150 , and the second hole 161 may pass light incident from the second reflector 151 .

위와 같은 광 경로로, 제 1 광원(110) 및 제 2 광원(130)에서 생성된 광이 웨이퍼의 엣지면에 집광될 수 있다.Through the light path as above, the light generated by the first light source 110 and the second light source 130 may be focused on the edge surface of the wafer.

도 4는 도 2의 웨이퍼 엣지 검사 장치를 A - A'를 기준으로 짜른 단면도로, 광이 웨이퍼의 반사되는 경로를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 2 taken along the line A-A', and is a view for explaining a path through which light is reflected from a wafer.

도 4를 참조하면, 웨이퍼 엣지 검사 장치(100)는 제 1 광원(110), 필터(120), 제 2 광원(130), 제 1 광 경로 변경부(140), 제 1 반사부(150), 제 2 반사부(151), 제 2 광 경로 변경부(170) 및 검출부(180)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the wafer edge inspection apparatus 100 includes a first light source 110, a filter 120, a second light source 130, a first light path changer 140, and a first reflector 150. , a second reflector 151, a second light path changer 170, and a detector 180 may be included.

제 1 반사부(150)는 웨이퍼 엣지면으로부터 반사되어 제 1 홀(160)을 통과하여 입사되는 반사광을 제 1 광 경로 변경부(140)로 입사시킬 수 있다.The first reflector 150 may cause reflected light reflected from the wafer edge surface and incident through the first hole 160 to be incident to the first light path changer 140 .

제 2 반사부(151)는 웨이퍼 엣지면으로부터 반사되어 제 2 홀(161)을 통과하여 입사되는 반사광을 제 1 광 경로 변경부(140)로 입사시킬 수 있다.The second reflector 151 may cause the reflected light reflected from the wafer edge surface to pass through the second hole 161 and enter the first light path changer 140 .

제 1 광 경로 변경부(140)는 제 1 반사부(150) 및 제 2 반사부(151)로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 2 광 경로 변경부(170)로 입사시킬 수 있다. The first light path changer 140 may change the path of light incident from the first reflector 150 and the second reflector 151 and make it incident to the second light path changer 170 .

제 2 광 경로 변경부(170)는 제 1 광로 변경부(140)로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 검출부(180)로 입사시킬 수 있다. The second light path changing unit 170 may change the path of light incident from the first optical path changing unit 140 and make it incident to the detection unit 180 .

검출부(180)는 제 2 광 경로 변경부(170)로부터 입사된 광을 검출할 수 있다. 검출부(180)는 검출된 광을 이용하여 웨이퍼(190)의 엣지면에 대한 정보를 생성할 수 있다. The detector 180 may detect light incident from the second light path changer 170 . The detector 180 may generate information about the edge surface of the wafer 190 using the detected light.

검출부(180)는 제 2 광 경로 변경부(170)에 수직으로 상측 또는 하측에 배치될 수 있다.The detection unit 180 may be disposed above or below the second optical path changing unit 170 perpendicularly.

판단부(미도시)는 검출부(180)에서 검출된 정보를 이용하여 엣지면의 결함(defect) 여부를 판단할 수 있다. 판단부(미도시)는 웨이퍼 엣지 검사 장치(100)의 내부 또는 외부에 구비될 수 있다.The determination unit (not shown) may determine whether or not the edge surface is defective by using the information detected by the detection unit 180 . The determination unit (not shown) may be provided inside or outside the wafer edge inspection apparatus 100 .

이와 같이, 본 발명은 웨이퍼 엣지에 전체적으로 광을 조사하는 제 1 광원(110) 부분 및 웨이퍼 엣지의 상측 베벨 및 하측 베벨에만 광을 조사하는 제 2 광원(130) 부분으로 구성되어 있어, 제 2 광원(130) 부분이 제 1 광원(110) 부분만으로 부족한 상측 베벨 및 하측 베벨에 조사되는 광을 추가적으로 조사시켜 줌으로써, 웨이퍼 엣지 부분의 각 면에 균일하게 광을 조사할 수 있는 효과가 있다. 이와 같이, 웨이퍼 엣지 부분에 전체적으로 광이 균일하게 조사됨으로써, 반사되는 광을 통해 얻어지는 이미지의 품질이 향상될 수 있다.As described above, the present invention is composed of a first light source 110 that radiates light to the entire wafer edge and a second light source 130 that radiates light only to the upper and lower bevels of the wafer edge, so that the second light source The portion 130 additionally irradiates the light irradiated to the upper and lower bevels, which is insufficient only by the first light source 110, so that light can be uniformly irradiated to each surface of the wafer edge portion. In this way, the quality of an image obtained through the reflected light can be improved by uniformly irradiating the entire edge of the wafer with light.

또한, 본 발명은 웨이퍼의 상하측에 제 1 광원 부분 및 검출부가 배치되지 않고, 웨이퍼 엣지 검사 장치에 구비됨으로써 혹시라도 발생할 수 있는 웨이퍼와의 접촉 가능성을 없앨 수 있다. 다시 말해, 웨이퍼의 상하측에 구조물의 배치가 없기 때문에, 웨이퍼의 엣지의 검사를 위한 웨이퍼의 이동과정에서 의도치 않게 상하 방향으로 웨이퍼가 이동 되더라도 파손되지 않는 효과가 있다. In addition, the present invention can eliminate the possibility of contact with the wafer that may occur by being provided in the wafer edge inspection apparatus without disposing the first light source portion and the detection unit on the upper and lower sides of the wafer. In other words, since there is no arrangement of structures on the upper and lower sides of the wafer, there is an effect that the wafer is not damaged even if it is unintentionally moved in the vertical direction in the process of moving the wafer to inspect the edge of the wafer.

또한, 본 발명은 검출부를 1개만 사용하므로 전체적인 크기를 소형화 할 수 있다.In addition, since the present invention uses only one detection unit, the overall size can be miniaturized.

도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 광원(110) 및 필터(120)의 구조를 설명하기 위한 도면이다.5, 6, 7 and 8 are diagrams for explaining structures of the first light source 110 and the filter 120 according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제 1 광원(110)은 다수의 라인 광원(112, 113, 114, 115, 116)으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the first light source 110 may include a plurality of line light sources 112 , 113 , 114 , 115 , and 116 .

필터(120)는 제 1 광원(110)의 전면부(광이 방출되는 방면)에 배치되고, 제 1 광원(110)에서 발산되는 광을 웨이퍼(190)의 엣지면으로 집광시킬 수 있다.The filter 120 may be disposed on the front side (a side from which light is emitted) of the first light source 110 and condense the light emitted from the first light source 110 to the edge surface of the wafer 190 .

제 1 광원(110) 및 필터(120)이 구비되는 면에는 제 1 홀(160) 및 제 2 홀(161)이 구비될 수 있다.A first hole 160 and a second hole 161 may be provided on the surface where the first light source 110 and the filter 120 are provided.

도 6을 참조하면, 도 5의 B - B ' 라인을 기준으로 절단한 단면으로, 광원판(610)에는 다수의 라인 광원(111, 112, 113, 114, 115, 116)이 구비되고, 필터(120)은 다수의 확산판(620) 및 집광판(630)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 6, in a cross section taken along the line B-B 'of FIG. 120 may include a plurality of diffusion plates 620 and light collecting plates 630 .

광원판(610) 및 필터(120)는 제 1 홀(160) 및 제 2 홀(161)이 구비될 수 잇다. The light source plate 610 and the filter 120 may have a first hole 160 and a second hole 161 .

다수의 라인 광원(111, 112, 113, 114, 115, 116)의 각각에 대응되는 다수의 확산판(621, 622, 623, 624, 625, 626)이 구비될 수 있다. 예를 들면, 제 1 라인 광원(111)의 전면부에는 제 1 확산판(621)이 구비되고, 제 2 라인 광원(112)의 전면부에는 제 2 확산판(622)이 구비되고, 제 3 라인 광원(113)의 전면부에는 제 3 확산판(623)이 구비되고, 제 4 라인 광원(114)의 전면부에는 제 4 확산판(624)이 구비되고, 제 5 라인 광원(115)의 전면부에는 제 2 확산판(625)이 구비되고, 제 6 라인 광원(116)의 전면부에는 제 6 확산판(626)이 구비될 수 있다.A plurality of diffusion plates 621 , 622 , 623 , 624 , 625 , and 626 corresponding to each of the plurality of line light sources 111 , 112 , 113 , 114 , 115 , and 116 may be provided. For example, the first diffusion plate 621 is provided on the front of the first line light source 111, the second diffusion plate 622 is provided on the front of the second line light source 112, and the third A third diffuser plate 623 is provided on the front part of the line light source 113, a fourth diffuser plate 624 is provided on the front part of the fourth line light source 114, and A second diffusion plate 625 may be provided on the front portion, and a sixth diffusion plate 626 may be provided on the front portion of the sixth line light source 116 .

다수의 라인 광원(111, 112, 113, 114, 115, 116)에서 발생한 광은 다수의 확산판(621, 622, 623, 624, 625, 626)을 통해 확산되고, 확산된 광은 집광판(630)에 의해서 웨이퍼(190)의 엣지면으로 집광(입사)될 수 있다.Light generated from the plurality of line light sources 111, 112, 113, 114, 115, and 116 is diffused through a plurality of diffusion plates 621, 622, 623, 624, 625, and 626, and the diffused light is diffused through the light collecting plate 630. ), the light may be concentrated (incident) to the edge surface of the wafer 190 .

도 7을 참조하면, 제 1 광원 라인(111) 및 제 1 확산판(621)을 구체적으로 설명하기 위한 도면으로, 제 1 확산판(621)은 제 3 반사부(710), 제 4 반사부(711) 및 그레이팅(712)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a diagram for specifically explaining the first light source line 111 and the first diffusion plate 621, the first diffusion plate 621 includes a third reflector 710 and a fourth reflector. 711 and a grating 712 may be included.

제 1 광원 라인(111)에서 발생한 광은 제 3 반사부(710)에 의해 반사될 수 있다. 반사된 광의 일부는 제 4 반사부(711)로 입사되거나, 그레이팅(712)으로 입사될 수 있다. Light generated from the first light source line 111 may be reflected by the third reflector 710 . A portion of the reflected light may be incident to the fourth reflector 711 or may be incident to the grating 712 .

예를 들면, 제 3 반사판(710)은 제 1 광원 라인(111)에서 생성된 광원의 광축에 대해 예각으로, 광축의 상측에 기울어지게 배치될 수 있다.For example, the third reflector 710 may be disposed at an acute angle with respect to the optical axis of the light source generated by the first light source line 111 and inclined upward on the optical axis.

제 4 반사부(711)는 제 3 반사부(710)로부터 입사되는 광을 그레이팅(712)으로 입사시킬 수 있다.The fourth reflector 711 may cause light incident from the third reflector 710 to the grating 712 .

예를 들면, 제 4 반사부(711)는 제 3 반사부(710)에 대해 일정한 각도를 가기제 배치될 수 있다. 본 실시예에서는, 제 4 반사부(711)가 제 1 광원 라인(111)에 수직으로 배치되는 것을 기준으로 도시하였으나, 배치되는 각도는 이에 한정되지 않는다. For example, the fourth reflector 711 may be disposed at a predetermined angle with respect to the third reflector 710 . In this embodiment, the fourth reflector 711 is illustrated based on being disposed perpendicularly to the first light source line 111, but the angle at which the fourth reflector 711 is disposed is not limited thereto.

그레이팅(712)은 돌출된 형태의 기둥이 일정한 간격으로 반복적으로 배치될 수 있다. 그레이팅(712)은 제 3 반사부(710) 및 제 4 반사부(711)로부터 입사된 빛을 확산시켜 집광판(630)으로 입사시킬 수 있다.In the grating 712, protruding pillars may be repeatedly arranged at regular intervals. The grating 712 may diffuse light incident from the third reflector 710 and the fourth reflector 711 and make it incident to the light collecting plate 630 .

도 8을 참조하면, 집광판(630)의 사시도를 설명하기 위한 도면이며, 집광판(630)은 볼록부를 포함할 수 있다. 볼록부 1개의 단면은 반원형이고 횡방향(가로방향)으로 연장된 형태이며, 집광판(630)은 다수의 볼록부가 종방향(세로방향)으로 연속적으로 적층되어 배열된 형태일 수 있다.Referring to FIG. 8 , a perspective view of the light collecting plate 630 is illustrated, and the light collecting plate 630 may include a convex portion. The cross-section of one convex portion is semicircular and extends in a horizontal direction (horizontal direction), and the light collecting plate 630 may have a shape in which a plurality of convex portions are continuously stacked and arranged in a longitudinal direction (vertical direction).

집광판(630) 볼록부의 횡방향(가로방향)과 웨이퍼의 평면은 서로 평행하거나 예각으로 배치될 수 있다. A horizontal direction (horizontal direction) of the convex portion of the light collecting plate 630 and a plane of the wafer may be disposed parallel to each other or at an acute angle.

설명된 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The described embodiments may be configured by selectively combining all or part of each embodiment so that various modifications can be made.

또한, 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Also, it should be noted that the examples are for explanation and not limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention.

100 : 웨이퍼 엣지 검사 장치
110 : 제 1 광원
120 : 필터
130 : 제 2 광원
140 : 제 1 광 경로 변경부
150 : 제 1 반사부
151 : 제 2 반사부
170 : 제 2 광 경로 변경부
180 : 검출부
100: wafer edge inspection device
110: first light source
120: filter
130: second light source
140: first optical path changing unit
150: first reflector
151: second reflector
170: second optical path changing unit
180: detection unit

Claims (12)

다수의 라인 광원이 구비되는 광원판을 포함하는 제 1 광원;
상기 라인 광원마다 개별적으로 전면에 배치되고, 상기 제 1 광원에서 생성된 광을 확산시키며, 상기 라인 광원으로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 3 반사부와, 상기 제 3 반사부로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 4 반사부와, 돌출된 형태의 기둥이 일정한 간격으로 반복적으로 배치되어, 상기 제 4 반사부로부터 반사된 광을 확산시키는 그레이팅을 포함하는 확산판과, 상기 확산판의 전면부에 배치되어 상기 확산판에서 확산된 광을 웨이퍼 엣지에 집광시키는 집광판을 포함하는키는 필터;
광을 생성하여 외부로 방출하는 제 2 광원;
상기 제 2 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부 및 제 2 반사부로 각각 입사시키는 제 1 광 경로 변경부;
상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시키는 제 1 반사부;
상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시키는 제 2 반사부; 및
상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 반사광을 검출하는 검출부를 포함하는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
A first light source including a light source plate equipped with a plurality of line light sources;
a third reflector that is individually disposed on the front surface of each line light source, diffuses the light generated from the first light source, and reflects light incident from the line light source; and reflects light incident from the third reflector A diffusion plate including a fourth reflector and a grating in which protruding pillars are repeatedly arranged at regular intervals to diffuse light reflected from the fourth reflector, and disposed on the front surface of the diffusion plate a key filter comprising a light collecting plate condensing the light diffused by the diffusion plate to the edge of the wafer;
a second light source generating and emitting light to the outside;
a first light path changing unit that changes the path of the incident light from the second light source and makes it incident to the first reflecting unit and the second reflecting unit, respectively;
a first reflector for incident light from the first optical path changer to an upper bevel of a wafer edge;
a second reflector for incident light from the first optical path changer to a lower bevel of the wafer edge; and
and a detection unit configured to detect reflected light incident from the first light path changing unit.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 반사부는,
상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고,
상기 제 2 반사부는,
상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고,
상기 제 1 광 경로 변경부는,
상기 제 1 반사부로부터 입사된 반사된 광 및 상기 제 2 반사부로부터 입사된 광의 경로를 변경하여 검출부로 입사시키는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 1,
The first reflector,
When the light reflected from the wafer edge is incident, it is reflected to the first light path changer;
The second reflector,
When the light reflected from the wafer edge is incident, it is reflected to the first light path changer;
The first light path changing unit,
Wafer edge inspection apparatus for changing the paths of the reflected light incident from the first reflector and the incident light from the second reflector and incident to the detector.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 광원 및 상기 제 1 광 경로 변경부 사이에 배치되고, 상기 1 광 경로 변경부로부터 입사된 반사된 광의 경로를 변경하여 상기 검출부로 입사시키는 제 2 광 경로 변경부를 더 포함하고,
상기 검출부는,
상기 제 2 광 경로 변경부의 수직 방향에 배치되는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 1,
A second light path changer disposed between the second light source and the first light path changer, and changing a path of the reflected light incident from the first light path changer to make it incident to the detector;
The detecting unit,
A wafer edge inspection device disposed in a vertical direction of the second light path changing unit.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 반사부 및 상기 제 2 반사부는 상기 제 1 광 경로변경부를 기준으로 수직한 방향으로 대향하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 1,
The first reflector and the second reflector are disposed to face each other in a direction perpendicular to the first light path changer.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 집광판은,
1개의 단면이 반원형이고 횡방향으로 연장된 형태인 볼록부를 포함하고, 다수의 볼록부가 종방향으로 연속적으로 적층되어 배열된 형태인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 1,
The light collecting plate,
A wafer edge inspection apparatus characterized in that one cross section is semicircular and includes a convex portion extending in a transverse direction, and a plurality of convex portions are continuously stacked and arranged in a longitudinal direction.
제 7 항에 있어서,
상기 집광판은,
상기 볼록부의 횡방향과 웨이퍼의 평면이 서로 평행하거나 예각으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 7,
The light collecting plate,
Wafer edge inspection apparatus, characterized in that the transverse direction of the convex portion and the plane of the wafer are parallel to each other or disposed at an acute angle.
제 1 항에 있어서,
상기 광원판 및 상기 필터는
제 1 반사부가 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 제 1 홀; 및
제 2 반사부가 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 반사시킨 광이 통과하는 제 2 홀을 구비하는, 웨이퍼 엣지 검사 장치.
According to claim 1,
The light source plate and the filter
a first hole through which light incident from the first light path changer by the first reflector is reflected to the upper bevel of the wafer edge; and
The wafer edge inspection apparatus, wherein the second reflector includes a second hole through which light that reflects light incident from the first light path changing unit to a lower bevel of the wafer edge passes.
다수의 라인 광원이 구비되는 광원판을 포함하는 제 1 광원;
상기 라인 광원마다 개별적으로 전면에 배치되고, 상기 제 1 광원에서 생성된 광을 확산시키며, 상기 라인 광원으로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 3 반사부와, 상기 제 3 반사부로부터 입사되는 광을 반사시키는 제 4 반사부와, 돌출된 형태의 기둥이 일정한 간격으로 반복적으로 배치되어, 상기 제 4 반사부로부터 반사된 광을 확산시키는 그레이팅을 포함하는 확산판과, 상기 확산판의 전면부에 배치되어 상기 확산판에서 확산된 광을 웨이퍼 엣지에 집광시키는 집광판을 포함하는키는 필터;
광을 생성하여 외부로 방출하는 제 2 광원;
상기 제 2 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경하여 제 1 반사부 및 제 2 반사부로 각각 입사시키는 제 1 광 경로 변경부;
상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 상측 베벨로 입사시키는 제 1 반사부; 및
상기 제 1 광 경로 변경부로부터 입사되는 광을 웨이퍼 엣지의 하측 베벨로 입사시키는 제 2 반사부;를 포함하는, 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈
A first light source including a light source plate equipped with a plurality of line light sources;
a third reflector that is individually disposed on the front surface of each line light source, diffuses the light generated from the first light source, and reflects light incident from the line light source; and reflects light incident from the third reflector A diffusion plate including a fourth reflector and a grating in which protruding pillars are repeatedly arranged at regular intervals to diffuse light reflected from the fourth reflector, and disposed on the front surface of the diffusion plate a key filter comprising a light collecting plate condensing the light diffused by the diffusion plate to the edge of the wafer;
a second light source generating and emitting light to the outside;
a first light path changing unit that changes the path of the incident light from the second light source and makes it incident to the first reflecting unit and the second reflecting unit, respectively;
a first reflector for incident light from the first optical path changer to an upper bevel of a wafer edge; and
A light source module for wafer edge inspection comprising a; second reflector for injecting the light incident from the first light path changer to the lower bevel of the wafer edge;
제 10 항에 있어서,
상기 제 1 반사부는,
상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고,
상기 제 2 반사부는,
상기 웨이퍼 엣지에서 반사된 광이 입사되면 상기 제 1 광 경로 변경부로 반사시키고,
상기 제 1 광 경로 변경부는,
상기 제 1 반사부로부터 입사된 반사된 광 및 상기 제 2 반사부로부터 입사된 광의 경로를 변경하여 검출부로 입사시키는, 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈.
According to claim 10,
The first reflector,
When the light reflected from the wafer edge is incident, it is reflected to the first light path changer;
The second reflector,
When the light reflected from the wafer edge is incident, it is reflected to the first light path changer;
The first light path changing unit,
A light source module for wafer edge inspection, wherein the path of the reflected light incident from the first reflector and the light incident from the second reflector are changed and incident to the detector.
제 10 항에 있어서,
상기 제 2 광원 및 상기 제 1 광 경로 변경부 사이에 배치되고, 상기 1 광 경로 변경부로부터 입사된 반사된 광의 경로를 변경하여 검출부로 입사시키는 제 2 광 경로 변경부를 더 포함하는, 웨이퍼 엣지 검사용 광원 모듈.




According to claim 10,
and a second light path changing unit disposed between the second light source and the first light path changing unit, and changing a path of the reflected light incident from the first light path changing unit to enter the detection unit. light source module.




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