KR102561937B1 - Mutilayered electronic component - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 바디의 외표면 중 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 외부전극의 도금층과 추가도금층 사이로 연장되는 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층을 포함함으로써 휨강도를 향상시킬 수 있으며, 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있다. A multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention includes a body cover part disposed in an area of an outer surface of a body where external electrodes are not disposed, and an extension part extending from the body cover part between a plating layer of an external electrode and an additional plating layer. By including the Si organic compound layer, flexural strength can be improved and moisture resistance reliability can be improved.
Description
본 발명은 적층형 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to multilayer electronic components.
적층형 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.Multi-Layered Ceramic Capacitors (MLCCs), one of multilayer electronic components, are used in video devices such as Liquid Crystal Displays (LCDs) and Plasma Display Panels (PDPs), computers, and smartphones. and a chip-type capacitor that is mounted on printed circuit boards of various electronic products such as mobile phones and serves to charge or discharge electricity.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다. 컴퓨터, 모바일 기기 등 각종 전자 기기가 소형화, 고출력화되면서 적층 세라믹 커패시터에 대한 소형화 및 고용량화의 요구가 증대되고 있다. Such a multilayer ceramic capacitor may be used as a component of various electronic devices due to its small size, high capacitance, and ease of mounting. As various electronic devices such as computers and mobile devices are miniaturized and high-output, demands for miniaturization and high capacity multilayer ceramic capacitors are increasing.
또한, 최근 자동차용 전장 부품에 대한 업계의 관심이 높아지면서 적층 세라믹 커패시터 역시 자동차 혹은 인포테인먼트 시스템에 사용되기 위하여 고신뢰성 및 고강도 특성이 요구되고 있다.In addition, as the industry's interest in electric components for automobiles has recently increased, multilayer ceramic capacitors are also required to have high reliability and high strength characteristics in order to be used in automobiles or infotainment systems.
고신뢰성 및 고강도 특성을 확보하기 위하여, 종래의 전극층으로 구성되는 외부전극을 전극층 및 도전성 수지층의 이층 구조로 변경하는 방안이 제안되었다. In order to secure high reliability and high strength characteristics, a method of changing a conventional external electrode composed of an electrode layer into a two-layer structure of an electrode layer and a conductive resin layer has been proposed.
전극층 및 도전성 수지층의 이층 구조는 전극층 상에 도전성 물질을 함유하는 수지 조성물을 도포하여 외부 충격을 흡수하고 도금액 침투를 막아 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The two-layer structure of the electrode layer and the conductive resin layer can improve reliability by applying a resin composition containing a conductive material on the electrode layer to absorb external shock and prevent penetration of the plating solution.
그러나, 자동차 업계에서 전기 자동차, 자율주행 자동차 등의 개발이 진행됨에 따라 보다 많은 수의 적층 세라믹 커패시터가 필요하게 되고, 자동차 등에 사용되는 적층 세라믹 커패시터는 더욱 더 가혹한 내습 신뢰성 조건 및 휨강도 특성을 보장할 것이 요구되고 있다. However, as the development of electric vehicles and self-driving cars progresses in the automobile industry, a larger number of multilayer ceramic capacitors are required, and multilayer ceramic capacitors used in automobiles can guarantee more severe moisture resistance conditions and bending strength characteristics. something is being demanded
본 발명의 여러 목적 중 하나는 휨강도 특성이 향상된 적층형 전자부품을 제공하기 위함이다. One of the various objects of the present invention is to provide a multilayer electronic component having improved bending strength characteristics.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 내습 신뢰성이 우수한 적층형 전자 부품을 제공하기 위함이다. One of the various objects of the present invention is to provide a multilayer electronic component having excellent moisture resistance reliability.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 ESR(등가직렬저항, Equivalent series resistance)이 낮은 적층형 전자 부품을 제공하기 위함이다. One of the various objects of the present invention is to provide a multilayer electronic component having low equivalent series resistance (ESR).
다만, 본 발명의 목적은 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은, 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 적층되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하고, 상기 적층 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 순차적으로 배치된 제1 전극층, 제1 도전성 수지층, 제1 도금층 및 제1 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 순차적으로 배치된 제2 전극층, 제2 도전성 수지층, 제2 도금층 및 제2 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 및 상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 밴드부의 제1 도금층과 제1 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부, 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 밴드부의 제2 도금층과 제2 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층;을 포함한다. A multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention includes a dielectric layer and first and second internal electrodes alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, and first and second surfaces facing each other in the stacking direction; a body including third and fourth surfaces connected to the first and second surfaces and facing each other, and fifth and sixth surfaces connected to the first and fourth surfaces and facing each other; A first connection portion including a first electrode layer, a first conductive resin layer, a first plating layer, and a first additional plating layer arranged sequentially and disposed on the third surface of the body; a first external electrode including a first band portion extending to portions on the second, fifth, and sixth surfaces; A second connection portion including a second electrode layer, a second conductive resin layer, a second plating layer, and a second additional plating layer arranged sequentially and disposed on the fourth surface of the body; a second external electrode including a second band portion extending to portions on the second, fifth, and sixth surfaces; and a body cover part disposed in an area of the outer surface of the body where the first and second external electrodes are not disposed, and extending between the first plating layer and the first additional plating layer of the first band part from the body cover part. A Si organic compound layer including a first extension part and a second extension part extending between the second plating layer and the second additional plating layer of the second band part from the body cover part.
본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은, 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 적층되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하고, 상기 적층 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 순차적으로 배치된 제1 전극층, 제1 도전성 수지층, 제1 도금층 및 제1 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 순차적으로 배치된 제2 전극층, 제2 도전성 수지층, 제2 도금층 및 제2 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 및 상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 도금층과 제1 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부, 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 도금층과 제2 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 연장부에 각각 배치되는 제1 및 제2 개구부를 포함한다. A multilayer electronic component according to another embodiment of the present invention includes a dielectric layer and first and second internal electrodes alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, and first and second surfaces facing each other in the stacking direction; a body including third and fourth surfaces connected to the first and second surfaces and facing each other, and fifth and sixth surfaces connected to the first and fourth surfaces and facing each other; A first connection portion including a first electrode layer, a first conductive resin layer, a first plating layer, and a first additional plating layer arranged sequentially and disposed on the third surface of the body; a first external electrode including a first band portion extending to portions on the second, fifth, and sixth surfaces; A second connection portion including a second electrode layer, a second conductive resin layer, a second plating layer, and a second additional plating layer arranged sequentially and disposed on the fourth surface of the body; a second external electrode including a second band portion extending to portions on the second, fifth, and sixth surfaces; and a body cover part disposed on an outer surface of the body where the first and second external electrodes are not disposed, and a first extension part disposed extending from the body cover part between the first plating layer and the first additional plating layer. and a Si organic compound layer including a second extension portion extending from the body cover portion between the second plating layer and the second additional plating layer, and the first and second extension portions respectively disposed on the first and second extension portions. It includes a second opening.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 바디의 외표면 중 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 외부전극의 도금층과 추가도금층 사이로 연장되는 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층을 포함함으로써 휨강도를 향상시킨 것이다. One of the various effects of the present invention is a Si organic compound layer including a body cover part disposed in an area of the outer surface of the body where no external electrode is disposed, and an extension part extending from the body cover part between the plating layer of the external electrode and the additional plating layer. By including it, the flexural strength is improved.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 상기 Si 유기화합물층을 포함함으로써 내습 신뢰성을 향상시킨 것이다. One of the various effects of the present invention is to improve moisture resistance reliability by including the Si organic compound layer.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.However, the various advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체층 및 내부 전극이 적층된 바디를 분해하여 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 도 5의 II-II`에 따른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 변형 예의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 도 7의 III-III`에 따른 단면도이다. 1 schematically illustrates a perspective view of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1;
3 is an exploded perspective view schematically illustrating an exploded view of a body in which dielectric layers and internal electrodes are stacked according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged view of region P of FIG. 2 .
5 schematically illustrates a perspective view of a multilayer electronic component according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line II-II′ of FIG. 5 .
7 schematically illustrates a perspective view of a modified example of a multilayer electronic component according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line III-III′ of FIG. 7 .
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and the thickness is enlarged in order to clearly express various layers and regions, and components having the same function within the scope of the same idea are shown with the same reference. Explain using symbols. Furthermore, throughout the specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.
도면에서, X 방향은 제2 방향, L 방향 또는 길이 방향, Y 방향은 제3 방향, W 방향 또는 폭 방향, Z 방향은 제1 방향, 적층 방향, T 방향 또는 두께 방향으로 정의될 수 있다. In the drawing, the X direction may be defined as the second direction, the L direction or the length direction, the Y direction as the third direction, the W direction or the width direction, and the Z direction as the first direction, the stacking direction, the T direction or the thickness direction.
적층형 전자 부품Stacked electronic components
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 1 schematically illustrates a perspective view of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유전체층 및 내부 전극이 적층된 바디를 분해하여 개략적으로 도시한 분해 사시도이다. 3 is an exploded perspective view schematically illustrating an exploded view of a body in which dielectric layers and internal electrodes are stacked according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다. FIG. 4 is an enlarged view of region P of FIG. 2 .
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a multilayer electronic component 100 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 .
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(100)은, 유전체층(111) 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 적층되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하고, 상기 적층 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 순차적으로 배치된 제1 전극층(131a), 제1 도전성 수지층(131b), 제1 도금층(131c) 및 제1 추가도금층(131d)을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부(A1)와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(B1)를 포함하는 제1 외부 전극(131); 순차적으로 배치된 제2 전극층(132a), 제2 도전성 수지층(132b), 제2 도금층(132c) 및 제2 추가도금층(132d)을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부(A2)와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(B2)를 포함하는 제2 외부 전극(132); 및 상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부(143), 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 밴드부(B1)의 제1 도금층(131c)과 제1 추가도금층(131d) 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부(141), 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 밴드부(B2)의 제2 도금층(132c)과 제2 추가도금층(132d) 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부(142)를 포함하는 Si 유기화합물층(140);을 포함한다. The multilayer electronic component 100 according to an embodiment of the present invention includes a dielectric layer 111 and first and second internal electrodes 121 and 122 alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, and is stacked in the stacking direction. First and second surfaces (1, 2) facing each other, third and fourth surfaces (3, 4) connected to the first and second surfaces and opposed to each other, connected to the first to fourth surfaces, A body 110 including fifth and sixth surfaces 5 and 6 facing each other; A first connection portion including a sequentially disposed first electrode layer 131a, a first conductive resin layer 131b, a first plating layer 131c, and a first additional plating layer 131d, and disposed on the third surface of the body. a first external electrode 131 including (A1) and a first band portion B1 extending from the first connecting portion to portions of the first, second, fifth, and sixth surfaces; A second connection portion including a second electrode layer 132a, a second conductive resin layer 132b, a second plating layer 132c, and a second additional plating layer 132d arranged sequentially on the fourth surface of the body. a second external electrode 132 including (A2) and a second band portion B2 extending from the second connection portion to portions of the first, second, fifth, and sixth surfaces; and a body cover part 143 disposed on an outer surface of the body where the first and second external electrodes 131 and 132 are not disposed. The first extension part 141 extending between the plating layer 131c and the first additional plating layer 131d, and the second plating layer 132c and the second additional plating layer of the second band part B2 from the body cover part. (132d) Si organic compound layer 140 including a second extension portion 142 extending between and disposed.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층되어 있다.In the body 110, dielectric layers 111 and internal electrodes 121 and 122 are alternately stacked.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.Although the specific shape of the body 110 is not particularly limited, as shown, the body 110 may have a hexahedral shape or a shape similar thereto. Due to shrinkage of the ceramic powder included in the body 110 during firing, the body 110 may have a substantially hexahedral shape, although it does not have a perfectly straight hexahedral shape.
바디(110)는 두께 방향(Z 방향)으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 폭 방향(Y 방향)으로 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되며 길이 방향(X 방향)으로 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 가질 수 있다. Body 110 is connected to the first and second surfaces (1, 2), the first and second surfaces (1, 2) opposed to each other in the thickness direction (Z direction) and mutually in the width direction (Y direction) It is connected to the opposing third and fourth faces 3 and 4, the first and second faces 1 and 2, is connected to the third and fourth faces 3 and 4, and is connected to each other in the longitudinal direction (X direction). It may have opposing fifth and sixth faces 5 and 6 .
바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다. The plurality of dielectric layers 111 forming the body 110 are in a fired state, and the boundary between adjacent dielectric layers 111 can be integrated to the extent that it is difficult to confirm without using a scanning electron microscope (SEM). there is.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있다. 상기 티탄산바륨계 재료는 BaTiO3계 세라믹 분말을 포함할 수 있으며, 상기 세라믹 분말의 예시로, BaTiO3, BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3, Ba(Ti1-yCay)O3, (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 또는 Ba(Ti1-yZry)O3 등을 들 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a raw material forming the dielectric layer 111 is not particularly limited as long as sufficient capacitance can be obtained. For example, a barium titanate-based material, a lead composite perovskite-based material, or a strontium titanate-based material may be used. The barium titanate-based material may include BaTiO 3 -based ceramic powder, and as an example of the ceramic powder, BaTiO 3 , BaTiO 3 in which Ca (calcium), Zr (zirconium), etc. are partially dissolved (Ba 1-x Ca x )TiO 3 , Ba(Ti 1-y Ca y )O 3 , (Ba 1-x Ca x )(Ti 1-y Zr y )O 3 or Ba(Ti 1-y Zr y )O 3 and the like. can
상기 유전체층(111)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다. The material forming the dielectric layer 111 may include various ceramic additives, organic solvents, plasticizers, binders, dispersants, and the like added to powder such as barium titanate (BaTiO 3 ) according to the purpose of the present invention.
바디(110)는, 상기 바디(110)의 내부에 배치되며, 상기 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함하여 용량이 형성되는 용량 형성부, 상기 용량 형성부의 상부에 배치되는 상부 보호층(112) 및 상기 용량 형성부의 하부에 배치되는 하부 보호층(113)을 포함할 수 있다.The body 110 includes a first internal electrode 121 and a second internal electrode 122 disposed inside the body 110 and facing each other with the dielectric layer 111 interposed therebetween. It may include a capacitance forming unit formed thereon, an upper protective layer 112 disposed above the capacitance forming unit, and a lower protective layer 113 disposed below the capacitance forming unit.
상기 용량 형성부는 커패시터의 용량 형성에 기여하는 부분으로서, 유전체층(111)을 사이에 두고 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 반복적으로 적층하여 형성될 수 있다.The capacitance forming portion, which contributes to capacitance formation of the capacitor, may be formed by repeatedly stacking a plurality of first and second internal electrodes 121 and 122 with a dielectric layer 111 interposed therebetween.
상기 상부 보호층(112) 및 하부 보호층(113)은 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부의 상하면에 각각 상하 방향으로 적층하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.The upper passivation layer 112 and the lower passivation layer 113 may be formed by stacking a single dielectric layer or two or more dielectric layers on the upper and lower surfaces of the capacitance forming unit in the vertical direction, respectively. It can play a role in preventing damage.
상기 상부 보호층(112) 및 하부 보호층(113)은 내부 전극을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. The upper protective layer 112 and the lower protective layer 113 do not include internal electrodes and may include the same material as the dielectric layer 111 .
복수의 내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치된다. The plurality of internal electrodes 121 and 122 are disposed to face each other with the dielectric layer 111 interposed therebetween.
내부 전극(121, 122)은 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함할 수 있다. The internal electrodes 121 and 122 may include first and second internal electrodes 121 and 122 alternately disposed to face each other with a dielectric layer interposed therebetween.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)으로 각각 노출될 수 있다. The first and second internal electrodes 121 and 122 may be exposed to the third and fourth surfaces 3 and 4 of the body 110 , respectively.
도 2를 참조하면, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)과 이격되며 제3 면(3)을 통해 노출되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)과 이격되며 제4 면(4)을 통해 노출될 수 있다. 바디의 제3 면(3)에는 제1 외부 전극(131)이 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되고, 바디의 제4 면(4)에는 제2 외부 전극(132)이 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the first internal electrode 121 is spaced apart from the fourth surface 4 and exposed through the third surface 3, and the second internal electrode 122 is spaced apart from the third surface 3. and can be exposed through the fourth surface (4). A first external electrode 131 is disposed on the third surface 3 of the body and connected to the first internal electrode 121, and a second external electrode 132 is disposed on the fourth surface 4 of the body to make the second external electrode 131 connected to the first internal electrode 121. 2 may be connected to the internal electrode 122 .
즉, 제1 내부 전극(121)은 제2 외부 전극(132)과는 연결되지 않고 제1 외부 전극(131)과 연결되며, 제2 내부 전극(122)은 제1 외부 전극(131)과는 연결되지 않고 제2 외부 전극(132)과 연결된다. 따라서, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)에서 일정거리 이격되어 형성되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)에서 일정거리 이격되어 형성된다. That is, the first internal electrode 121 is connected to the first external electrode 131 without being connected to the second external electrode 132, and the second internal electrode 122 is not connected to the first external electrode 131. It is connected to the second external electrode 132 without being connected. Accordingly, the first internal electrode 121 is formed to be spaced apart from the fourth surface 4 by a predetermined distance, and the second internal electrode 122 is formed to be spaced apart from the third surface 3 by a predetermined distance.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다. The first and second internal electrodes 121 and 122 may be electrically separated from each other by the dielectric layer 111 disposed in the middle.
도 3을 참조하면, 바디(110)는 제1 내부 전극(121)이 인쇄된 유전체층(111)과 제2 내부 전극(122)이 인쇄된 유전체층(111)을 두께 방향(Z 방향)으로 번갈아 적층한 후, 소성하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3 , in the body 110, dielectric layers 111 printed with first internal electrodes 121 and dielectric layers 111 printed with second internal electrodes 122 are alternately laminated in the thickness direction (Z direction). After that, it can be fired and formed.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다. Materials forming the first and second internal electrodes 121 and 122 are not particularly limited. For example, the first and second internal electrodes 121 and 122 may include nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), or tin (Sn). ), tungsten (W), titanium (Ti), and alloys thereof.
상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.A screen printing method or a gravure printing method may be used as a printing method of the conductive paste, but the present invention is not limited thereto.
외부 전극(131, 132)은 바디(110)에 배치되며, 순차적으로 배치된 전극층(131a, 132a), 도전성 수지층(131b, 132b), 도금층(131c, 132c) 및 추가도금층(131d, 132d)을 포함할 수 있다. 단, 후술하는 바와 같이 도금층(131c, 132c)과 추가도금층(131d, 132d) 사이에는 Si 유기화합물층(140)의 연장부(141, 142)가 배치될 수 있다. The external electrodes 131 and 132 are disposed on the body 110 and include sequentially disposed electrode layers 131a and 132a, conductive resin layers 131b and 132b, plating layers 131c and 132c, and additional plating layers 131d and 132d. can include However, as will be described later, extensions 141 and 142 of the Si organic compound layer 140 may be disposed between the plating layers 131c and 132c and the additional plating layers 131d and 132d.
외부 전극(131, 132)은 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결되는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)을 포함한다. The external electrodes 131 and 132 include first and second external electrodes 131 and 132 respectively connected to the first and second internal electrodes 121 and 122 .
제1 외부 전극(131)은 제1 전극층(131a), 제1 도전성 수지층(131b), 제1 도금층(131c) 및 제1 추가도금층(131d)을 포함하고, 제2 외부 전극(132)은 제2 전극층(132a), 제2 도전성 수지층(132b), 제2 도금층(132c) 및 제2 추가도금층(132d)을 포함할 수 있다. The first external electrode 131 includes a first electrode layer 131a, a first conductive resin layer 131b, a first plating layer 131c, and a first additional plating layer 131d, and the second external electrode 132 is A second electrode layer 132a, a second conductive resin layer 132b, a second plating layer 132c, and a second additional plating layer 132d may be included.
제1 외부 전극(131)을 배치된 위치에 따라 영역을 구분하면, 제1 외부 전극(131)은 바디의 제3 면(3)에 배치되는 제1 접속부(A1)와, 제1 접속부(A1)에서 제1, 제2, 제5 및 제6 면(1, 2, 5, 6)의 일부까지 연장되는 밴드부(B1)를 포함할 수 있다. If the area is divided according to the position where the first external electrode 131 is disposed, the first external electrode 131 includes the first connection part A1 disposed on the third surface 3 of the body, and the first connection part A1 ) to a portion of the first, second, fifth, and sixth surfaces 1, 2, 5, and 6 may include a band portion B1.
제2 외부 전극(132)을 배치된 위치에 따라 영역을 구분하면, 제2 외부 전극(132)은 바디의 제4 면(4)에 배치되는 제2 접속부(A2)와, 제2 접속부(A2)에서 제1, 제2, 제5 및 제6 면(1, 2, 5, 6)의 일부까지 연장되는 밴드부(B2)를 포함할 수 있다. If the area is divided according to the location where the second external electrode 132 is disposed, the second external electrode 132 includes a second connector A2 disposed on the fourth surface 4 of the body, and a second connector A2 ) to a portion of the first, second, fifth, and sixth surfaces 1, 2, 5, and 6 may include a band portion B2.
한편, 제1 및 제2 전극층(131, 132)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있다. Meanwhile, the first and second electrode layers 131 and 132 may be formed using any material as long as they have electrical conductivity, such as metal, and specific materials may be determined in consideration of electrical characteristics, structural stability, and the like.
예를 들어, 제1 및 제2 전극층(131, 132)은 도전성 금속 및 글라스를 포함할 수 있다. For example, the first and second electrode layers 131 and 132 may include conductive metal and glass.
전극층(131a, 132a)에 포함되는 도전성 금속은 정전 용량 형성을 위해 상기 내부 전극과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 전극층(131a, 132a)에 사용되는 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상일 수 있다. The conductive metal included in the electrode layers 131a and 132a is not particularly limited as long as it is a material that can be electrically connected to the internal electrodes to form capacitance. For example, the conductive metals used in the electrode layers 131a and 132a include nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), and tin (Sn). , tungsten (W), titanium (Ti), and alloys thereof.
상기 전극층(131a, 132a)은 상기 도전성 금속 분말에 글라스 프릿을 첨가하여 마련된 도전성 페이스트를 도포한 후 소성함으로써 형성될 수 있다.The electrode layers 131a and 132a may be formed by applying a conductive paste prepared by adding glass frit to the conductive metal powder and then firing it.
제1 및 제2 전극층(131a, 132a)이 도전성 금속 및 글라스를 포함하는 경우, 접속부(A1, A2)와 밴드부(B1, B2)가 만나는 코너부의 두께가 얇게 형성되거나, 밴드부(B1, B2)의 끝단과 바디(110) 간의 들뜸 현상이 발생할 수 있어 내습 신뢰성이 특히 문제될 수 있기 때문에, 제1 및 제2 전극층(131, 132)이 도전성 금속 및 글라스를 포함하는 경우 본 발명에 따른 내습 신뢰성 향상 효과가 보다 효과적일 수 있다.When the first and second electrode layers 131a and 132a include conductive metal and glass, the thickness of the corner portion where the connection portion A1 and A2 and the band portion B1 and B2 meet is formed thin, or the band portion B1 and B2 Moisture resistance reliability according to the present invention may occur when the first and second electrode layers 131 and 132 include conductive metal and glass, since a lifting phenomenon may occur between the end of and the body 110 and moisture resistance reliability may be particularly problematic. The enhancement effect may be more effective.
또한, 제1 및 제2 전극층(131a, 132a)은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공법, 분자층 증착(Molecular Layer Deposition, MLD) 공법, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 공법, 스퍼터링(Sputtering) 공법 등을 이용하여 형성될 수도 있다. In addition, the first and second electrode layers 131a and 132a are formed by an atomic layer deposition (ALD) method, a molecular layer deposition (MLD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, It may also be formed using a sputtering method or the like.
또한, 제1 및 제2 전극층(131a, 132a)은 바디(110) 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성될 수도 있다. Also, the first and second electrode layers 131a and 132a may be formed by transferring a sheet including a conductive metal onto the body 110 .
도전성 수지층(131b, 132b)은 도전성 금속 및 베이스 수지를 포함할 수 있다. The conductive resin layers 131b and 132b may include a conductive metal and a base resin.
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 도전성 금속은 전극층(131a, 132a)과 전기적으로 연결되도록 하는 역할을 수행한다. The conductive metal included in the conductive resin layers 131b and 132b plays a role of being electrically connected to the electrode layers 131a and 132a.
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 도전성 금속은 전극층(131a, 132a 과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상일 수 있다. The conductive metal included in the conductive resin layers 131b and 132b is not particularly limited as long as it is a material that can be electrically connected to the electrode layers 131a and 132a. For example, the conductive metal included in the conductive resin layers 131b and 132b One of nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), tin (Sn), tungsten (W), titanium (Ti), and alloys thereof may be ideal
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 도전성 금속은 구형 분말 및 플레이크형 분말 중 1 이상을 포함할 수 있다. 즉, 도전성 금속은 플레이크형 분말으로만 이루어지거나, 구형 분말로만 이루어질 수 있고, 플레이크형 분말과 구형 분말이 혼합된 형태일 수도 있다.The conductive metal included in the conductive resin layers 131b and 132b may include at least one of spherical powder and flake powder. That is, the conductive metal may be made of only flake-type powder, only spherical powder, or may be a mixture of flake-type powder and spherical powder.
여기서, 구형 분말은 완전한 구형이 아닌 형태도 포함할 수 있으며, 예를 들어 장축과 단축의 길이 비율(장축/단축)이 1.45 이하인 형태를 포함할 수 있다. Here, the spherical powder may also include a shape that is not perfectly spherical, and may include a shape in which, for example, a length ratio between a major axis and a minor axis (long axis/short axis) is 1.45 or less.
플레이크형 분말은 납작하면서 길쭉한 형태를 가진 분말을 의미하며, 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 장축과 단축의 길이 비율(장축/단축)이 1.95 이상일 수 있다. Flake-type powder means powder having a flat and elongated shape, and is not particularly limited, but, for example, the length ratio of the major axis to the minor axis (long axis/short axis) may be 1.95 or more.
상기 구형 분말 및 플레이크형 분말의 장축과 단축의 길이는 적층형 전자 부품의 폭(Y) 방향의 중앙부에서 절단한 X 및 Z 방향 단면(L-T 단면)을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 스캔하여 얻은 이미지로부터 측정할 수 있다.The lengths of the major and minor axes of the spherical powder and the flake-type powder were scanned in the X and Z directions (L-T cross section) cut at the center in the width (Y) direction of the multilayer electronic component with a Scanning Electron Microscope (SEM). It can be measured from the obtained image.
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 베이스 수지는 접합성 확보 및 충격 흡수 역할을 수행한다. The base resin included in the conductive resin layers 131b and 132b serves to secure bonding and absorb shock.
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 베이스 수지는 접합성 및 충격흡수성을 가지고, 도전성 금속 분말과 혼합하여 페이스트를 만들 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 베이스 수지는 에폭시계 수지일 수 있다. The base resin included in the conductive resin layers 131b and 132b is not particularly limited as long as it has bondability and shock absorption and can be mixed with conductive metal powder to form a paste. For example, the base resin may be an epoxy resin.
제1 및 제2 도금층(131c, 132c)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 하며, 도전성 수지층(131b, 132b)과 추가도금층(131d, 132d)을 전기적으로 연결하는 역할을 수행한다. The first and second plating layers 131c and 132c serve to improve mounting characteristics and serve to electrically connect the conductive resin layers 131b and 132b and the additional plating layers 131d and 132d.
도금층(131c, 132c)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어, 도금층(131c, 132c)은 Ni, Sn, Pd 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도금층일 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. The type of the plating layers 131c and 132c is not particularly limited. For example, the plating layers 131c and 132c may be plating layers containing at least one of Ni, Sn, Pd, and alloys thereof, and are formed of a plurality of layers. It can be.
제1 및 제2 추가도금층(131d, 132d)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 추가도금층(131d, 132d)은 휨 응력이 발생하였을 때, 필-오프(peel-off)되어 휨 크랙을 방지하는 역할을 할 수 있다. The first and second additional plating layers 131d and 132d serve to improve mounting characteristics. In addition, the first and second additional plating layers 131d and 132d may be peeled off when bending stress is generated to prevent bending cracks.
추가도금층(131d, 132d)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어, 도금층(131c, 132c)은 Ni, Sn, Pd 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도금층일 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다.The types of the additional plating layers 131d and 132d are not particularly limited. For example, the plating layers 131c and 132c may be plating layers containing at least one of Ni, Sn, Pd, and alloys thereof, and may be composed of a plurality of layers. can be formed
바람직하게는, 도금층(131c, 132c)은 Ni 도금층이고, 추가도금층(131d, 132d)은 Sn 도금층일 수 있다. Preferably, the plating layers 131c and 132c may be Ni plating layers, and the additional plating layers 131d and 132d may be Sn plating layers.
Si 유기화합물층(140)은 바디의 외표면 중 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부(143), 상기 바디 커버부(143)로부터 상기 제1 밴드부(B1)의 제1 도금층 (131c)과 제1 추가도금층(131d) 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부(141), 및 상기 바디 커버부(143)로부터 상기 제2 밴드부(B2)의 제2 도금층(132c)과 제2 추가도금층(132d) 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부(142)를 포함한다. The Si organic compound layer 140 is formed by the body cover part 143 disposed on the outer surface of the body where the first and second external electrodes 131 and 132 are not disposed. The first extension part 141 extending between the first plating layer 131c and the first additional plating layer 131d of the band part B1, and the second band part B2 from the body cover part 143. The second extension portion 142 is disposed extending between the second plating layer 132c and the second additional plating layer 132d.
Si 유기화합물층(140)은 적층형 전자 부품(100)이 기판에 실장된 상태에서 열적/물리적 충격에 의해 기판이 변형되는 경우 발생되는 응력이 바디(110)로 전파되는 것을 억제하고 균열을 방지하는 역할을 수행한다. The Si organic compound layer 140 serves to suppress propagation of stress generated when the board is deformed by thermal/physical shock while the multilayer electronic component 100 is mounted on the board and to prevent cracking. Do it.
또한, Si 유기화합물층(140)은 수분 침투 경로를 차단하여 내습신뢰성을 향상시키는 역할을 수행한다. In addition, the Si organic compound layer 140 serves to improve moisture resistance reliability by blocking a moisture permeation path.
도전성 수지층(131b, 132b)에 포함된 베이스 수지도 충격 흡수 역할을 일부 수행하나, 제1 도전성 수지층(131b)과 제2 도전성 수지층(132b)이 절연되도록 배치되어야 하므로 그 역할에 한계가 존재한다. The base resin included in the conductive resin layers 131b and 132b also partially serves as a shock absorber, but since the first conductive resin layer 131b and the second conductive resin layer 132b are insulated from each other, the role is limited. exist.
반면에, 바디 커버부(143)는 전도성 금속을 포함하지 않고, 절연성이기 때문에 바디의 외표면 중 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 배치되지 않은 영역에 배치되어 더 넓은 영역에 배치됨에 따라 충격 흡수 및 응력 전파 억제에 보다 효과적이다. On the other hand, since the body cover part 143 does not contain conductive metal and is insulating, it is disposed in an area where the first and second external electrodes 131 and 132 are not disposed on the outer surface of the body and is disposed in a wider area. Therefore, it is more effective in absorbing shock and suppressing stress propagation.
또한, 바디 커버부(143)는 바디(110)의 미세한 기공이나 크랙을 실링함으로써 수분이 바디의 외표면을 통하여 바디 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the body cover part 143 can prevent moisture from penetrating into the body through the outer surface of the body by sealing minute pores or cracks of the body 110 .
제1 연장부(141)는 바디 커버부(143)로부터 상기 제1 밴드부(B1)의 제1 도금층 (131c)과 제1 추가도금층(131d) 사이로 연장되어 배치되어 응력이 바디(110)로 전파되는 것을 억제하고 균열을 방지하는 역할을 수행한다. The first extension part 141 extends from the body cover part 143 between the first plating layer 131c and the first additional plating layer 131d of the first band part B1, and the stress propagates to the body 110. It plays a role in suppressing cracking and preventing cracks.
또한, 제1 연장부(141)는 제1 밴드부(B1)에 배치된 제1 도금층(131c)의 끝단과 바디(110) 간의 들뜸 현상이 발생하는 것을 억제하여 내습 신뢰성을 향상시키는 역할을 수행한다. In addition, the first extension part 141 plays a role of suppressing the occurrence of a lifting phenomenon between the end of the first plating layer 131c disposed on the first band part B1 and the body 110 to improve moisture resistance reliability. .
제2 연장부(142)는 바디 커버부(143)로부터 상기 제2 밴드부(B2)의 제2 도금층(132c)과 제2 추가도금층(132d) 사이로 연장되어 배치되어 응력이 바디(110)로 전파되는 것을 억제하고 균열을 방지하는 역할을 수행한다. The second extension part 142 extends from the body cover part 143 between the second plating layer 132c and the second additional plating layer 132d of the second band part B2, and the stress is propagated to the body 110. It plays a role in suppressing cracking and preventing cracks.
또한, 제2 연장부(142)는 제2 밴드부(B2)에 배치된 제2 도금층(132c)의 끝단과 바디(110) 간의 들뜸 현상이 발생하는 것을 억제하여 내습 신뢰성을 향상시키는 역할을 수행한다. In addition, the second extension part 142 serves to improve moisture resistance reliability by suppressing the lifting phenomenon between the end of the second plating layer 132c disposed on the second band part B2 and the body 110. .
또한, Si 유기화합물층(140)의 연장부(141, 142)는 추가도금층(131d, 132d)과의 결합력이 낮기 때문에, 휨 응력이 발생하였을 때, 추가도금층(131d, 132d)의 필-오프(peel-off)를 유도하여 휨 크랙을 방지하는 역할을 할 수 있다. In addition, since the extensions 141 and 142 of the Si organic compound layer 140 have low bonding strength with the additional plating layers 131d and 132d, when bending stress occurs, the peel-off of the additional plating layers 131d and 132d ( It can play a role in preventing bending cracks by inducing peel-off.
이때, 제1 및 제2 연장부(141, 142)는 제1 및 제2 연장부(141, 142)에 각각 배치되는 제1 및 제2 개구부를 포함할 수 있다. In this case, the first and second extensions 141 and 142 may include first and second openings respectively disposed on the first and second extensions 141 and 142 .
연장부(141, 142)와 추가도금층(131d, 132d) 간의 결합력이 너무 낮은 경우, 약한 휨 응력에도 필-오프(peel-off)가 발생하여 휨 크랙을 효과적으로 방지할 수 없는 경우가 발생할 우려가 있다. If the bonding force between the extensions 141 and 142 and the additional plating layers 131d and 132d is too low, peel-off occurs even under weak bending stress, so that bending cracks cannot be effectively prevented. there is.
따라서, 상기 제1 및 제2 개구부를 포함함으로써, 추가도금층(131d, 132d)이 상기 제1 및 제2 개구부를 통해 도금층(131c, 132c)과 접촉하게 하여 소정의 결합력을 확보할 수 있으며, 이에 따라 보다 효과적으로 휨 크랙을 방지할 수 있다. Accordingly, by including the first and second openings, the additional plating layers 131d and 132d may contact the plating layers 131c and 132c through the first and second openings to secure a predetermined bonding force. Thus, bending cracks can be prevented more effectively.
한편, Si 유기화합물층(140)은 유전체층과 내부 전극을 포함하는 바디(110)에 전극층(131a, 132a), 도전성 수지층(131b, 132b) 및 도금층(131c, 132c)을 형성한 후, 바디(110)의 노출된 외표면, 도금층(131c, 132c) 상에 Si 유기화합물층을 형성하고, 도금층(131c, 132c)의 접속부(A1, A2) 상에 형성된 Si 유기화합물층(140)을 제거함으로써 형성할 수 있다. Meanwhile, the Si organic compound layer 140 is formed by forming the electrode layers 131a and 132a, the conductive resin layers 131b and 132b, and the plating layers 131c and 132c on the body 110 including the dielectric layer and the internal electrode, and then forming the body ( 110) by forming a Si organic compound layer on the exposed outer surface of the plating layers 131c and 132c, and removing the Si organic compound layer 140 formed on the connection portions A1 and A2 of the plating layers 131c and 132c. can
접속부(A1, A2) 상에 형성된 Si 유기화합물층(140)을 제거하는 방법으로는 예를 들어, 레이져(laser) 가공, 기계 연마, 건식 에칭(dry etching), 습식 에칭(wet etching), Tape 보호층을 이용한 Shadowing deposition 방법 등을 이용할 수 있다. 또한, 접속부(A1, A2) 상에 형성된 Si 유기화합물층(140)을 제거하는 과정에서 밴드부(B1, B2) 상에 형성된 Si 유기화합물층(140)의 일부도 제거되도록 하여 연장부(141, 142)에 개구부를 형성할 수 있다. As a method of removing the Si organic compound layer 140 formed on the connection portions A1 and A2, for example, laser processing, mechanical polishing, dry etching, wet etching, and tape protection A shadowing deposition method using a layer may be used. In addition, in the process of removing the Si organic compound layer 140 formed on the connection parts A1 and A2, part of the Si organic compound layer 140 formed on the band parts B1 and B2 is also removed, so that the extension parts 141 and 142 are formed. An opening can be formed in
Si 유기화합물층(140)은 알콕시 실란(Alkoxy Silane)을 포함할 수 있다. The Si organic compound layer 140 may include alkoxy silane.
이에 따라, Si 유기화합물층(140)은 복수의 탄화 규소 결합 구조를 포함하는 폴리머(polymer) 형태를 가지고, 소수성(hydrophobicity)을 가진다. Accordingly, the Si organic compound layer 140 has a polymer form including a plurality of silicon carbide bonding structures and has hydrophobicity.
알콕시 실란(Alkoxy Silane)은 수분 침투 및 오염을 방지하고, 여러 무기물 기질에 침투하고 경화되어 제품을 보호하고 내구성을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 알콕시 실란(Alkoxy Silane)은 히드록시기(OH)와 반응하여 강한 화학적 결합이 형성돼 내구성을 향상시킬 수 있다. Alkoxy Silane prevents moisture penetration and contamination, penetrates into various inorganic substrates and hardens to protect products and increase durability. In addition, alkoxy silane reacts with a hydroxyl group (OH) to form a strong chemical bond, which can improve durability.
또한, 에폭시 수지나 무기화합물과 비교하였을 때, 에폭시 수지는 발수 효과가 없어 수분의 침투를 효과적으로 억제하기 어려우며, 경화시 다량의 CO2 가스가 발생하여 들뜸 문제가 발생할 수 있으며, 무기화합물은 바디 표면에 도포시 히드록시기와 반응 할 수 있는 관능기가 없어, 바디 표면에 점착되기 어렵고 화학적인 결합이 이루어 지지 않아 본 발명에 적용하기 어려울 수 있다. In addition, compared to epoxy resins or inorganic compounds, epoxy resins do not have a water repellent effect, so it is difficult to effectively suppress the penetration of moisture, and a large amount of CO 2 gas may be generated during curing, which may cause lifting problems, and inorganic compounds may cause a problem with body surface Since there is no functional group capable of reacting with hydroxyl groups when applied to the body, it is difficult to adhere to the surface of the body and no chemical bond is formed, making it difficult to apply to the present invention.
따라서, Si 유기화합물층(140)이 알콕시 실란(Alkoxy Silane)을 포함함에 따라, 미세한 기공이나 크랙을 실링하는 효과를 보다 향상시킬 수 있으며, 휨응력 및 내습 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. Therefore, as the Si organic compound layer 140 includes alkoxy silane, the effect of sealing fine pores or cracks can be further improved, and the bending stress and moisture resistance reliability can be further improved.
제1 밴드부(B1)의 제1 전극층(131a) 상에서의 제1 도전성 수지층(131b)의 두께를 Ta, 제1 연장부(141)의 두께를 Tb로 정의할 때, Tb/Ta는 0.5 이상 0.9 이하일 수 있다. When the thickness of the first conductive resin layer 131b on the first electrode layer 131a of the first band portion B1 is defined as Ta and the thickness of the first extension portion 141 is defined as Tb, Tb/Ta is 0.5 or more. may be 0.9 or less.
도 4는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다. 도 4를 참조하여, 제1 밴드부(B1)의 제1 전극층(131a) 상에서의 제1 도전성 수지층(131b) 및 제1 연장부(141)의 두께에 관하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 제2 밴드부(B2)의 제2 전극층(132a) 상에서의 제2 도전성 수지층(132b) 및 제2 연장부(142)의 두께에도 동일하게 적용될 수 있다. FIG. 4 is an enlarged view of region P of FIG. 2 . Referring to FIG. 4 , the thicknesses of the first conductive resin layer 131b and the first extension portion 141 on the first electrode layer 131a of the first band portion B1 will be described in detail. However, the same may be applied to the thickness of the second conductive resin layer 132b and the second extension part 142 on the second electrode layer 132a of the second band part B2.
제1 밴드부(B1)의 제1 전극층(131a) 상에서의 제1 도전성 수지층(131b)의 두께(Ta)에 대한 제1 연장부(141)의 두께(Tb)의 비(Tb/Ta)를 변경해 가며 샘플 칩을 제조한 후, 휨강도 및 ESR(등가직렬저항, Equivalent series resistance)을 평가하여 각각 하기 표 1 및 표 2에 기재하였다. The ratio (Tb/Ta) of the thickness Tb of the first extension part 141 to the thickness Ta of the first conductive resin layer 131b on the first electrode layer 131a of the first band part B1 is After changing and manufacturing sample chips, flexural strength and ESR (Equivalent series resistance) were evaluated and listed in Table 1 and Table 2, respectively.
휨강도는 Piezo 압전효과를 통한 휨강도 측정법을 사용하였으며, 기판에 적층 세라믹 커패시터의 샘플들을 실장한 후 벤딩시 누름을 받는 중심부에서의 거리를 6mm로 설정하여 샘플 칩에 크랙이 발생하는지 여부를 관찰하여, 전체 샘플 칩의 개수 대비 크랙이 발생한 샘플 칩의 개수를 기재한 것이다. The bending strength was measured using the Piezo piezoelectric effect, and after mounting the samples of multilayer ceramic capacitors on the board, the distance from the center to be pressed during bending was set to 6mm to observe whether cracks occurred on the sample chip, The number of cracked sample chips compared to the total number of sample chips is described.
ESR 평가는 샘플 칩을 -55℃에서 30분 유지하고, 125℃까기 승온 후 30분 유지하는 것을 1 사이클로 하여 500 사이클을 적용한 후, ESR이 50mΩ 초과인 샘플 칩을 불량으로 판단하였으며, 전체 샘플 칩의 개수 대비 ESR이 불량인 샘플 칩의 개수를 기재한 것이다. In the ESR evaluation, 500 cycles were applied by maintaining the sample chip at -55 ° C for 30 minutes, raising the temperature to 125 ° C and holding it for 30 minutes as one cycle. The number of sample chips with poor ESR compared to the number of is described.
상기 표 1을 참조하면, Tb/Ta가 0.3인 시험번호 1은 총 300개 중 4개의 샘플 칩에서 크랙이 발생하였다. 반면에, Tb/Ta가 0.5 이상인 시험번호 2 내지 6은 크랙이 발생한 샘플 칩의 개수가 0개로 휨강도가 우수한 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 1, in Test No. 1 having Tb/Ta of 0.3, cracks occurred in 4 sample chips out of a total of 300 chips. On the other hand, in Test Nos. 2 to 6 in which Tb/Ta was 0.5 or more, the number of cracked sample chips was 0, indicating excellent flexural strength.
상기 표 2를 참조하면, Tb/Ta가 1.1인 시험번호 5는 총 1600개 중 6개의 샘플 칩에서 ESR 불량이 발생하였고, Tb/Ta가 1.3인 시험번호 6은 총 1600개 중 5개의 샘플 칩에서 ESR 불량이 발생하였다. 반면에, Tb/Ta가 0.9 이하인 시험번호 1 내지 4는 ESR 불량이 발생한 샘플 칩의 개수가 0개로 ESR 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 2, ESR defects occurred in 6 sample chips out of a total of 1600 in Test No. 5 with Tb/Ta of 1.1, and in Test No. 6 with Tb/Ta of 1.3 in 5 sample chips out of a total of 1600. ESR defect occurred in . On the other hand, in Test Nos. 1 to 4 in which Tb/Ta was 0.9 or less, the number of sample chips with ESR defects was 0, indicating excellent ESR characteristics.
따라서, 휨강도를 향상시키면서, ESR 특성도 우수하게 확보하기 위해서는 제1 밴드부(B1)의 제1 전극층(131a) 상에서의 제1 도전성 수지층(131b)의 두께(Ta)에 대한 제1 연장부(141)의 두께(Tb)의 비(Tb/Ta)가 0.5 이상 0.9 이하를 만족하는 것이 바람직함을 알 수 있다. Therefore, in order to improve the bending strength and ensure excellent ESR characteristics, the first extension part ( It can be seen that it is preferable that the ratio (Tb/Ta) of the thickness (Tb) of 141) satisfies 0.5 or more and 0.9 or less.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 5 schematically illustrates a perspective view of a multilayer electronic component according to another embodiment of the present invention.
도 6은 도 5의 II-II`에 따른 단면도이다. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II′ of FIG. 5 .
도 7은 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 변형 예의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 7 schematically illustrates a perspective view of a modified example of a multilayer electronic component according to another embodiment of the present invention.
도 8은 도 7의 III-III`에 따른 단면도이다. 8 is a cross-sectional view along line III-III′ of FIG. 7 .
이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100`) 및 그 변형예(100``)에 대하여 설명한다. 다만, 중복되는 설명을 피하기 위하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)과 공통되는 설명은 생략한다. Hereinafter, a multilayer electronic component 100′ and a modified example 100″ according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8 . However, in order to avoid overlapping descriptions, descriptions common to the multilayer electronic component 100 according to an embodiment of the present invention will be omitted.
본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100`)은 유전체층(111) 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 적층되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하고, 상기 적층 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 순차적으로 배치된 제1 전극층(131a), 제1 도전성 수지층(131b), 제1 도금층(131c) 및 제1 추가도금층(131d)을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부(A1)와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(B1)를 포함하는 제1 외부 전극(131); 순차적으로 배치된 제2 전극층(132a), 제2 도전성 수지층(132b), 제2 도금층(132c) 및 제2 추가도금층(132d)을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부(A2)와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(B2)를 포함하는 제2 외부 전극(132); 및 상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132) 이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부(143), 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 도금층(131c)과 제1 추가도금층(131d) 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부(141`), 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 도금층(132c)과 제2 추가도금층(132d) 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부(142`)를 포함하는 Si 유기화합물층(140`);을 포함하고, 상기 제1 및 제2 연장부(141`, 142`)에 각각 배치되는 제1 및 제2 개구부(H1, H2)를 포함한다. A multilayer electronic component 100′ according to another embodiment of the present invention includes a dielectric layer 111 and first and second internal electrodes 121 and 122 alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, and the stacking direction is First and second surfaces 1 and 2 facing each other, third and fourth surfaces 3 and 4 connected to the first and second surfaces and facing each other, connected to the first to fourth surfaces a body 110 including fifth and sixth surfaces 5 and 6 facing each other; A first connection portion including a sequentially disposed first electrode layer 131a, a first conductive resin layer 131b, a first plating layer 131c, and a first additional plating layer 131d, and disposed on the third surface of the body. a first external electrode 131 including (A1) and a first band portion B1 extending from the first connecting portion to portions of the first, second, fifth, and sixth surfaces; A second connection portion including a second electrode layer 132a, a second conductive resin layer 132b, a second plating layer 132c, and a second additional plating layer 132d arranged sequentially on the fourth surface of the body. a second external electrode 132 including (A2) and a second band portion B2 extending from the second connection portion to portions of the first, second, fifth, and sixth surfaces; and a body cover part 143 disposed on an outer surface of the body where the first and second external electrodes 131 and 132 are not disposed. A first extension 141′ extending between the additional plating layers 131d and a second extension extending from the body cover between the second plating layer 132c and the second additional plating layer 132d ( 142'), and first and second openings H1 and H2 disposed in the first and second extensions 141' and 142', respectively. do.
제1 추가도금층(131d)은 제1 개구부(H1)를 통해 상기 제1 도금층(131c)과 접촉하고, 제2 추가도금층(132d)은 상기 제2 개구부(H2)를 통해 제2 도금층(132c)과 접촉할 수 있다. 즉, 제1 개구부(H1)에는 제1 추가도금층(131d)이 채워지고, 제2 개구부(H2)는 제2 추가도금층(132d)이 채워진 형태일 수 있다. The first additional plating layer 131d contacts the first plating layer 131c through the first opening H1, and the second additional plating layer 132d contacts the second plating layer 132c through the second opening H2. can come into contact with That is, the first opening H1 may be filled with the first additional plating layer 131d, and the second opening H2 may be filled with the second additional plating layer 132d.
한편, Si 유기화합물층(140`)은 유전체층과 내부 전극을 포함하는 바디(110)에 전극층(131a, 132a), 도전성 수지층(131b, 132b) 및 도금층(131c, 132c)을 형성한 후, 바디(110)의 노출된 외표면, 도금층(131c, 132c) 상에 Si 유기화합물층을 형성하고, 도금층(131c, 132c) 상에 형성된 Si 유기화합물층의 일부를 제거하여 제1 및 제2 개구부(H1, H2)를 형성함으로써 형성할 수 있다. Meanwhile, the Si organic compound layer 140′ is formed by forming electrode layers 131a and 132a, conductive resin layers 131b and 132b, and plating layers 131c and 132c on the body 110 including the dielectric layer and internal electrodes, A Si organic compound layer is formed on the exposed outer surface of 110 and the plating layers 131c and 132c, and a portion of the Si organic compound layer formed on the plating layers 131c and 132c is removed to open the first and second openings H1, H2) can be formed by forming.
개구부(H1, H2)가 형성될 영역을 제거하는 방법으로는 예를 들어, 레이져(laser) 가공, 기계 연마, 건식 에칭(dry etching), 습식 에칭(wet etching), Tape 보호층을 이용한 Shadowing deposition 방법 등을 이용할 수 있다. Methods for removing the area where the openings H1 and H2 are to be formed include, for example, laser processing, mechanical polishing, dry etching, wet etching, and shadowing deposition using a tape protective layer. method, etc. can be used.
이때, 제1 개구부(H1)의 면적은 제1 연장부(141`) 면적의 20~90%이고, 제2 개구부(H2)의 면적은 제2 연장부(142`) 면적의 20~90%일 수 있다. In this case, the area of the first opening H1 is 20 to 90% of the area of the first extension 141', and the area of the second opening H2 is 20 to 90% of the area of the second extension 142'. can be
제1 개구부(H1)의 면적이 제1 연장부(141`) 면적의 20% 미만인 경우에는 제1 도금층(131c)과 제1 추가도금층(131d) 간의 전기적 연결성이 떨어져 ESR이 증가될 우려가 있다. 반면에, 제1 개구부(H1)의 면적이 제1 연장부(141`) 면적의 90% 초과인 경우에는 Si 유기화합물층(140`)의 휨강도 및 내습 신뢰성 향상 효과가 불충분할 수 있다. When the area of the first opening H1 is less than 20% of the area of the first extension part 141′, the electrical connectivity between the first plating layer 131c and the first additional plating layer 131d may deteriorate, resulting in an increase in ESR. . On the other hand, when the area of the first opening H1 exceeds 90% of the area of the first extension part 141', the effect of improving the bending strength and moisture resistance reliability of the Si organic compound layer 140' may be insufficient.
제2 개구부(H2)의 면적이 제2 연장부(142`) 면적의 20% 미만인 경우에는 제2 도금층(132c)과 제2 추가도금층(132d) 간의 전기적 연결성이 떨어져 ESR이 증가될 우려가 있다. 반면에, 제2 개구부(H2)의 면적이 제2 연장부(142`) 면적의 90% 초과인 경우에는 Si 유기화합물층(140`)의 휨강도 및 내습 신뢰성 향상 효과가 불충분할 수 있다. When the area of the second opening H2 is less than 20% of the area of the second extension part 142′, the electrical connectivity between the second plating layer 132c and the second additional plating layer 132d may deteriorate, resulting in an increase in ESR. . On the other hand, when the area of the second opening H2 exceeds 90% of the area of the second extension part 142', the effect of improving the bending strength and moisture resistance reliability of the Si organic compound layer 140' may be insufficient.
한편, 제1 개구부(H1)는 상기 제1 전극층의 제1 밴드부(B1) 및 제1 접속부(A1) 중 어느 하나 이상에 배치되고, 제2 개구부(H2)는 상기 제2 밴드부(B2) 및 제2 접속부(A2) 중 어느 하나 이상에 배치될 수 있다. Meanwhile, the first opening H1 is disposed on at least one of the first band portion B1 and the first connection portion A1 of the first electrode layer, and the second opening H2 is disposed on the second band portion B2 and Any one or more of the second connection parts A2 may be disposed.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 연결부(141`)는 제1 개구부(H1)가 제1 접속부(A1)에만 배치되고, 제2 연결부(142`)는 제2 개구부(H2)가 제2 접속부(A2) 에만 배치된 형태일 수 있다. As shown in FIG. 6, in the first connection part 141', the first opening H1 is disposed only in the first connection part A1, and in the second connection part 142', the second opening H2 is disposed in the second connection part A1. It may be arranged only in the connection part A2.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 연결부(141``)는 제1 개구부(H1)가 제1 접속부(A1) 및 제1 밴드부(B1)에 모두 배치되고, 제2 연결부(142``)는 제2 개구부(H2)가 제2 접속부(A2) 및 제2 밴드부(B2)에 모두 배치된 형태일 수 있다. In addition, as shown in FIG. 8 , in the first connection part 141``, the first opening H1 is disposed in both the first connection part A1 and the first band part B1, and the second connection part 142' `) may be a form in which the second opening H2 is disposed in both the second connection part A2 and the second band part B2.
한편, 개구부(H1, H2)의 형태 및 개수는 특별히 한정하지 않으며, 예를 들어, 원형, 사각형, 타원형, 모서리가 둥근 사각형 등의 형태를 가질 수 있으며, 불규칙한 형태를 가질 수도 있다. Meanwhile, the shape and number of the openings H1 and H2 are not particularly limited, and may have, for example, a circular shape, a rectangular shape, an oval shape, a rectangle with rounded corners, or an irregular shape.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, and is intended to be limited by the appended claims. Therefore, various forms of substitution, modification, and change will be possible by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention described in the claims, which also falls within the scope of the present invention. something to do.
100: 적층형 전자 부품
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 보호층
121, 122: 내부 전극
131, 132: 외부 전극
131a, 132a: 전극층
132b, 132b: 도전성 수지층
131c, 132c: 도금층
131d, 132d: 추가도금층
140: Si 유기화합물층
141, 142: 연장부
143: 바디 커버부
H1, H2: 개구부100: stacked electronic components
110: body
111: dielectric layer
112, 113: protective layer
121, 122: internal electrode
131, 132: external electrode
131a, 132a: electrode layer
132b, 132b: conductive resin layer
131c, 132c: plating layer
131d, 132d: additional plating layer
140: Si organic compound layer
141, 142: extension
143: body cover
H1, H2: Opening
Claims (19)
상기 제1 내부 전극과 연결되는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 배치되는 제1 도전성 수지층, 상기 제1 도전성 수지층 상에 배치되는 제1 도금층 및 상기 제1 도금층 상에 배치된 제1 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제2 내부 전극과 연결되는 제2 전극층, 상기 제2 전극층 상에 배치되는 제2 도전성 수지층, 상기 제2 도전성 수지층 상에 배치되는 제2 도금층 및 상기 제2 도금층 상에 배치된 제2 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 및
상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 밴드부의 제1 도금층과 제1 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부, 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 밴드부의 제2 도금층과 제2 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층;을 포함하는
적층형 전자 부품.
It includes a dielectric layer and first and second internal electrodes alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, first and second surfaces facing each other in the stacking direction, and first and second surfaces connected to and facing each other in the stacking direction. a body including third and fourth surfaces and fifth and sixth surfaces connected to the first to fourth surfaces and facing each other;
A first electrode layer connected to the first internal electrode, a first conductive resin layer disposed on the first electrode layer, a first plating layer disposed on the first conductive resin layer, and a first conductive resin layer disposed on the first plating layer. A first connection portion including an additional plating layer, disposed on a third surface of the body, and a first band portion extending from the first connection portion to portions on the first, second, fifth, and sixth surfaces. 1 external electrode;
A second electrode layer connected to the second internal electrode, a second conductive resin layer disposed on the second electrode layer, a second plating layer disposed on the second conductive resin layer, and a second conductive resin layer disposed on the second plating layer. It includes an additional plating layer, and includes a second connection part disposed on a fourth surface of the body, and a second band part extending from the second connection part to portions on the first, second, fifth, and sixth surfaces. 2 external electrodes; and
A body cover part disposed on an outer surface of the body in an area where the first and second external electrodes are not disposed, and a body cover part extending between the first plating layer and the first additional plating layer of the first band part from the body cover part. A Si organic compound layer including a first extension part and a second extension part extending between the second plating layer and the second additional plating layer of the second band part from the body cover part.
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층은 알콕시 실란(Alkoxy Silane)을 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The Si organic compound layer includes an alkoxy silane
Stacked electronic components.
상기 제1 밴드부의 제1 전극층 상에서의 제1 도전성 수지층의 두께를 Ta, 제1 연장부의 두께를 Tb로 정의할 때,
Tb/Ta는 0.5 이상 0.9 이하인
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
When the thickness of the first conductive resin layer on the first electrode layer of the first band portion is defined as Ta, and the thickness of the first extension portion is defined as Tb,
Tb/Ta is 0.5 or more and 0.9 or less
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 도전성 수지층은 도전성 금속 및 베이스 수지를 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The first and second conductive resin layers include a conductive metal and a base resin.
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 전극층은 도전성 금속 및 글라스를 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The first and second electrode layers include a conductive metal and glass
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 도금층은 Ni 도금층이고, 상기 제1 및 제2 추가도금층은 Sn 도금층인
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The first and second plating layers are Ni plating layers, and the first and second additional plating layers are Sn plating layers.
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 연장부에 각각 배치되는 제1 및 제2 개구부를 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
Including first and second openings respectively disposed in the first and second extensions
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층이 상기 바디의 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상에 배치되는
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The Si organic compound layer is disposed on the first, second, fifth and sixth surfaces of the body.
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층이 상기 바디의 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상에 배치되며,
상기 제1 밴드부의 제1 전극층 상에서의 제1 도전성 수지층의 두께를 Ta, 제1 연장부의 두께를 Tb로 정의할 때, Tb/Ta는 0.5 이상 0.9 이하인
적층형 전자 부품.
According to claim 1,
The Si organic compound layer is disposed on the first, second, fifth and sixth faces of the body,
When the thickness of the first conductive resin layer on the first electrode layer of the first band portion is defined as Ta and the thickness of the first extension portion is defined as Tb, Tb/Ta is 0.5 or more and 0.9 or less
Stacked electronic components.
상기 제1 내부 전극과 연결되는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 배치되는 제1 도전성 수지층, 상기 제1 도전성 수지층 상에 배치되는 제1 도금층 및 상기 제1 도금층 상에 배치된 제1 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부와, 상기 제1 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제2 내부 전극과 연결되는 제2 전극층, 상기 제2 전극층 상에 배치되는 제2 도전성 수지층, 상기 제2 도전성 수지층 상에 배치되는 제2 도금층 및 상기 제2 도금층 상에 배치된 제2 추가도금층을 포함하며, 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부와, 상기 제2 접속부에서 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 및
상기 바디의 외표면 중 상기 제1 및 제2 외부 전극이 배치되지 않은 영역에 배치되는 바디 커버부, 상기 바디 커버부로부터 상기 제1 도금층과 제1 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제1 연장부, 및 상기 바디 커버부로부터 상기 제2 도금층과 제2 추가도금층 사이로 연장되어 배치되는 제2 연장부를 포함하는 Si 유기화합물층;을 포함하고,
상기 제1 및 제2 연장부에 각각 배치되는 제1 및 제2 개구부를 포함하는
적층형 전자 부품.
It includes a dielectric layer and first and second internal electrodes alternately stacked with the dielectric layer interposed therebetween, first and second surfaces facing each other in the stacking direction, and first and second surfaces connected to and facing each other in the stacking direction. a body including third and fourth surfaces and fifth and sixth surfaces connected to the first to fourth surfaces and facing each other;
A first electrode layer connected to the first internal electrode, a first conductive resin layer disposed on the first electrode layer, a first plating layer disposed on the first conductive resin layer, and a first conductive resin layer disposed on the first plating layer. A first connection portion including an additional plating layer, disposed on a third surface of the body, and a first band portion extending from the first connection portion to portions on the first, second, fifth, and sixth surfaces. 1 external electrode;
A second electrode layer connected to the second internal electrode, a second conductive resin layer disposed on the second electrode layer, a second plating layer disposed on the second conductive resin layer, and a second conductive resin layer disposed on the second plating layer. It includes an additional plating layer, and includes a second connection part disposed on a fourth surface of the body, and a second band part extending from the second connection part to portions on the first, second, fifth, and sixth surfaces. 2 external electrodes; and
A body cover part disposed in an area of the outer surface of the body where the first and second external electrodes are not disposed, a first extension part disposed extending from the body cover part between the first plating layer and the first additional plating layer, And a Si organic compound layer including a second extension portion extending from the body cover portion between the second plating layer and the second additional plating layer,
Including first and second openings respectively disposed in the first and second extensions
Stacked electronic components.
상기 제1 개구부의 면적은 상기 제1 연장부 면적의 20~90%이고,
상기 제2 개구부의 면적은 상기 제2 연장부 면적의 20~90%인
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The area of the first opening is 20 to 90% of the area of the first extension,
The area of the second opening is 20 to 90% of the area of the second extension.
Stacked electronic components.
상기 제1 개구부는 상기 제1 밴드부 및 제1 접속부 중 어느 하나 이상에 배치되고, 상기 제2 개구부는 상기 제2 밴드부 및 제2 접속부 중 어느 하나 이상에 배치되는
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The first opening is disposed on at least one of the first band portion and the first connection portion, and the second opening is disposed on at least one of the second band portion and the second connection portion.
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층은 알콕시 실란(Alkoxy Silane)을 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The Si organic compound layer includes an alkoxy silane
Stacked electronic components.
상기 제1 밴드부의 제1 전극층 상에서의 제1 도전성 수지층의 두께를 Ta, 제1 연장부의 두께를 Tb로 정의할 때,
Tb/Ta는 0.5 이상 0.9 이하인
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
When the thickness of the first conductive resin layer on the first electrode layer of the first band portion is defined as Ta, and the thickness of the first extension portion is defined as Tb,
Tb/Ta is 0.5 or more and 0.9 or less
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 도전성 수지층은 도전성 금속 및 베이스 수지를 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The first and second conductive resin layers include a conductive metal and a base resin.
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 전극층은 도전성 금속 및 글라스를 포함하는
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The first and second electrode layers include a conductive metal and glass
Stacked electronic components.
상기 제1 및 제2 도금층은 Ni 도금층이고, 상기 제1 및 제2 추가도금층은 Sn 도금층인
적층형 전자 부품.
According to claim 10,
The first and second plating layers are Ni plating layers, and the first and second additional plating layers are Sn plating layers.
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층이 상기 바디의 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 접속부에 배치되는
적층형 전자 부품.
According to claim 9,
The Si organic compound layer is disposed on the first, second, fifth, and sixth surfaces of the body, and disposed in the first and second connection portions.
Stacked electronic components.
상기 Si 유기화합물층이 상기 바디의 제1, 제2, 제5 및 제6 면 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 접속부에 배치되며,
상기 제1 밴드부의 제1 전극층 상에서의 제1 도전성 수지층의 두께를 Ta, 제1 연장부의 두께를 Tb로 정의할 때, Tb/Ta는 0.5 이상 0.9 이하인
적층형 전자 부품.
According to claim 9,
The Si organic compound layer is disposed on the first, second, fifth, and sixth surfaces of the body, and is disposed in the first and second connection portions;
When the thickness of the first conductive resin layer on the first electrode layer of the first band portion is defined as Ta and the thickness of the first extension portion is defined as Tb, Tb/Ta is 0.5 or more and 0.9 or less
Stacked electronic components.
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