KR102561490B1

KR102561490B1 - Test apparatus for semiconductor process and equipment of semiconductor process

Info

Publication number: KR102561490B1
Application number: KR1020180120929A
Authority: KR
Inventors: 정명호; 유영수; 김성채; 김종수; 서원국; 최창훈; 하정수
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2018-04-20
Filing date: 2018-10-11
Publication date: 2023-08-02
Also published as: KR20190122526A

Abstract

본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 공정의 검사 장치는, 복수의 챔버들 사이에서 공정 대상을 이송하는 이송 장치, 상기 이송 장치의 상부에 위치하며, 상기 이송 장치가 이송하는 상기 공정 대상을 촬영하여 원본 이미지를 생성하는 라인 카메라, 및 상기 원본 이미지를 수신하며, 상기 이송 장치의 속도 변화에 의한 상기 원본 이미지의 왜곡을 보정하여 상기 공정 대상에 대한 검사를 진행하는 제어 장치를 포함한다.An inspection apparatus for a semiconductor process according to an embodiment of the present invention includes a transfer device for transferring a process target between a plurality of chambers, located on top of the transfer device, and photographing the process target being transferred by the transfer device to obtain an original copy. It includes a line camera that generates an image, and a control device that receives the original image and corrects distortion of the original image due to a speed change of the transfer device to perform an inspection of the process object.

Description

Semiconductor process inspection device and semiconductor process equipment

본 발명은 반도체 공정의 검사 장치 및 반도체 공정 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor process inspection device and semiconductor process equipment.

라인 카메라는 반도체 웨이퍼 또는 디스플레이(LCD/OLED)용 모기판(mother substrate) 등의 검사 대상을 촬영하기 위한 장치로서, 통상 공정 챔버와 별도로 마련된 공간에서 등속으로 이동하는 검사 대상을 촬영할 수 있다. 라인 카메라는 검사 대상이 놓이는 스테이지와 동기화되어 동작하며, 왜곡이 없는 정확한 영상을 검사 대상으로부터 촬영하기 위해서는 검사 대상의 등속 구간이 가능한 길게 확보되어야 한다. 따라서, 별도의 검사 공간은 물론, 상대적으로 긴 검사 시간이 요구될 수 있다.A line camera is a device for photographing an inspection target such as a semiconductor wafer or a mother substrate for a display (LCD/OLED), and can photograph an inspection target moving at a constant speed in a space separately provided from a process chamber. The line camera operates in synchronization with the stage on which the inspection target is placed, and in order to capture an accurate image without distortion from the inspection target, a constant velocity section of the inspection target must be secured as long as possible. Therefore, a relatively long inspection time may be required as well as a separate inspection space.

본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 과제 중 하나는, 반도체 공정이 적용되는 공정 대상이 이송 장치에 의해 이송되는 동안 공정 대상을 촬영하여 검사를 진행할 수 있는 반도체 공정의 검사 장치 및 반도체 공정 장비를 제공하고자 하는 데에 있다.One of the problems to be achieved by the technical idea of the present invention is to provide a semiconductor process inspection device and semiconductor process equipment capable of performing inspection by photographing a process subject to which a semiconductor process is applied while being transported by a transfer device. is to do

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정의 검사 장치는, 복수의 챔버들 사이에서 공정 대상을 이송하는 이송 장치, 상기 이송 장치의 상부에 위치하며, 상기 이송 장치가 이송하는 상기 공정 대상을 촬영하여 원본 이미지를 생성하는 라인 카메라, 및 상기 원본 이미지를 수신하며, 상기 이송 장치의 속도 변화에 의한 상기 원본 이미지의 왜곡을 보정하여 상기 공정 대상에 대한 검사를 진행하는 제어 장치를 포함한다.An inspection apparatus for a semiconductor process according to an embodiment of the present invention includes a transfer device for transferring a process target between a plurality of chambers, located on top of the transfer device, and photographing the process target being transferred by the transfer device. It includes a line camera that generates an original image, and a control device that receives the original image, corrects distortion of the original image due to a speed change of the transfer device, and proceeds with an inspection of the process object.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정의 검사 장치는, 소정의 이송 방향으로 공정 대상을 이송하는 이송 장치, 상기 이송 장치의 상부에 배치되며, 상기 공정 대상이 이송되는 동안 상기 공정 대상을 촬영하여 원본 이미지를 생성하는 라인 카메라, 및 상기 원본 이미지에서 상기 공정 대상을 포함하는 제1 영역을 선택하고, 상기 제1 영역에 포함되는 픽셀들의 좌표를 수정하여 결과 이미지를 생성하며, 상기 결과 이미지를 소정의 기준 이미지와 비교하여 상기 공정 대상에 적용된 반도체 공정을 제어하는 제어 장치를 포함한다.An inspection apparatus for a semiconductor process according to an embodiment of the present invention includes a transfer device for transferring a process target in a predetermined transfer direction, disposed above the transfer device, and photographing the process target while the process target is being transferred. A line camera for generating an original image, and a first region including the process target are selected from the original image, coordinates of pixels included in the first region are modified to generate a resultant image, and the resultant image is selected in a predetermined manner. A control device for controlling the semiconductor process applied to the process target by comparison with a reference image of the above.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비는, 반도체 웨이퍼 또는 디스플레이용 모기판에 반도체 공정을 진행하는 복수의 공정 챔버들, 상기 복수의 공정 챔버들에 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 디스플레이용 모기판을 공급하는 로드락 챔버, 상기 복수의 공정 챔버들 중 적어도 하나와 상기 로드락 챔버 사이의 이송 경로 상에 배치되며, 상기 이송 경로에서 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 디스플레이용 모기판을 촬영하여 원본 이미지를 획득하는 라인 카메라, 및 상기 원본 이미지의 왜곡을 보정하여 소정의 기준 이미지와 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 복수의 공정 챔버들 중 적어도 하나에서 진행되는 반도체 공정의 공정 변수를 조절하는 제어 장치를 포함한다.Semiconductor processing equipment according to an embodiment of the present invention includes a plurality of process chambers for performing a semiconductor process on a semiconductor wafer or a mother substrate for a display, and supplying the semiconductor wafer or the mother substrate for a display to the plurality of process chambers. a load-lock chamber, a line disposed on a transfer path between at least one of the plurality of process chambers and the load-lock chamber, and acquiring an original image by photographing the semiconductor wafer or the mother substrate for display on the transfer path and a control device that corrects distortion of the original image, compares it with a predetermined reference image, and adjusts a process variable of a semiconductor process performed in at least one of the plurality of process chambers according to the comparison result.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 챔버들 사이에서 이송 로봇이 공정 대상인 반도체 웨이퍼 또는 디스플레이용 모기판 등을 이송하는 동안 라인 카메라가 이송 로봇을 촬영하여 원본 이미지를 획득하고, 제어 장치는 원본 이미지의 왜곡을 보상하여 소정의 기준 이미지와 비교할 수 있다. 제어 장치는 기준 이미지와의 비교 결과에 기초하여 반도체 공정을 제어할 수 있다. 따라서, 별도의 공간 및 시간 없이 공정 대상에 대한 검사를 진행할 수 있으므로, 검사 공정 및 반도체 공정의 효율을 개선할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, while the transfer robot transfers a semiconductor wafer or a mother substrate for a display between a plurality of chambers, a line camera photographs the transfer robot to obtain an original image, and the control device acquires an original image. Distortion of the image may be compensated for and compared with a predetermined reference image. The control device may control the semiconductor process based on the comparison result with the reference image. Therefore, since the inspection of the process target can be performed without a separate space and time, the efficiency of the inspection process and the semiconductor process can be improved.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치 및 검사 방법을 채용할 수 있는 반도체 공정 장비를 간단하게 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 블록도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치의 라인 카메라가 촬영하는 이미지를 간단하게 나타낸 도면들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 블록도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법이 적용될 수 있는 공정 대상을 간단하게 나타낸 도면들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비를 간단하게 나타낸 도면들이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서, 이미지의 왜곡을 보정하는 방법을 설명하기 위해 제공되는 도면들이다.1 is a diagram schematically illustrating semiconductor processing equipment to which an inspection apparatus and an inspection method according to an embodiment of the present invention may be employed.
2 is a block diagram simply illustrating an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are diagrams simply illustrating images taken by a line camera of an inspection device according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic block diagram of an inspection device according to an embodiment of the present invention.
6 and 7 are views simply showing a process target to which an inspection method according to an embodiment of the present invention can be applied.
8 and 9 are schematic diagrams illustrating semiconductor processing equipment according to an embodiment of the present invention.
10 to 12 are diagrams provided to explain a method of correcting distortion of an image in an inspection method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치 및 검사 방법을 채용할 수 있는 반도체 공정 장비를 간단하게 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating semiconductor processing equipment to which an inspection apparatus and an inspection method according to an embodiment of the present invention may be employed.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비(10)는 복수의 공정 챔버들(11-14)을 포함할 수 있다. 복수의 공정 챔버들(11-14)은 이송 챔버(20) 및 로드락 챔버(30)를 통해 웨이퍼를 전달받아 반도체 공정을 진행할 수 있다. 일레로, 복수의 공정 챔버들(11-14)은 소스 가스의 라디칼과 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하여 식각 공정 또는 증착 공정을 진행하는 플라즈마 공정 챔버, 및/또는 화학/기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 진행하는 연마 공정 챔버 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , semiconductor processing equipment 10 according to an embodiment of the present invention may include a plurality of processing chambers 11 to 14 . The plurality of process chambers 11 to 14 may receive wafers through the transfer chamber 20 and the load lock chamber 30 and perform a semiconductor process. In other words, the plurality of process chambers 11 to 14 are plasma process chambers generating plasma containing radicals and ions of the source gas to perform an etching process or a deposition process, and/or chemical/mechanical polishing ) may include a polishing process chamber in which the process is performed.

일 실시예로 이송 챔버(20)와 로드락 챔버(30) 각각은 이송 장치를 포함할 수 있으며, 이송 챔버(20)와 로드락 챔버(30)의 이송 장치는 공정 대상인 웨이퍼, 또는 디스플레이용 모기판(mother substrate) 등을 이송할 수 있다. 이송 장치는 핸들러일 수 있다. 일례로, 이송 챔버(20)의 이송 장치는 웨이퍼 또는 디스플레이용 모기판 등의 공정 대상을 로드락 챔버(30)에서 꺼내어, 복수의 공정 챔버들(11-14)에 전달하거나, 또는 복수의 공정 챔버들(11-14) 사이에서 공정 대상을 이송할 수 있다.In one embodiment, each of the transfer chamber 20 and the load-lock chamber 30 may include a transfer device, and the transfer device of the transfer chamber 20 and the load-lock chamber 30 is a wafer to be processed or a mosquito for display. The mother substrate and the like can be transferred. The conveying device may be a handler. For example, the transfer device of the transfer chamber 20 takes out a process object such as a wafer or a mother substrate for a display from the load lock chamber 30 and transfers it to the plurality of process chambers 11 to 14, or to a plurality of processes. Process objects may be transferred between the chambers 11-14.

일례로, 공정 장비(10)는 웨이퍼 등의 공정 대상에 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정, 연마 공정 등의 다양한 반도체 공정들을 적용할 수 있으며, 상기 반도체 공정들에 의해 공정 대상에 다양한 구조물이 형성되어 원하는 반도체 소자가 구현될 수 있다. 복수의 공정 챔버들(11-14) 각각에서 반도체 공정이 적절하게 진행되었는지 여부를 판단하기 위해, 공정이 완료된 웨이퍼나 디스플레이용 모기판 등을 대상으로 라인 스캔 검사를 진행할 수 있다. 라인 스캔 검사의 대상은 웨이퍼나 디스플레이용 모기판 외에, 반도체 공정을 적용할 수 있는 모든 개체를 포함하는 개념으로 정의될 수 있다.For example, the process equipment 10 may apply various semiconductor processes such as a deposition process, a photo process, an etching process, and a polishing process to a process target such as a wafer, and various structures are formed on the process target by the semiconductor processes. Thus, a desired semiconductor device may be implemented. In order to determine whether a semiconductor process is properly performed in each of the plurality of process chambers 11 to 14 , a line scan inspection may be performed on a wafer or a mother substrate for a display on which a process has been completed. The subject of the line scan inspection may be defined as a concept including all entities to which a semiconductor process can be applied other than a wafer or a mother substrate for a display.

일반적으로 라인 스캔 검사는, 스테이지 및 라인 카메라 등을 갖는 별도의 공간으로 반도체 공정을 적용한 또는 적용하고자 하는 웨이퍼 등의 공정 대상을 운반한 후, 공정 대상이 스테이지 상에서 일정한 속도로 이동하는 동안 라인 카메라로 공정 대상을 촬영함으로써 실행될 수 있다. 라인 카메라가 공정 대상을 촬영하여 획득한 이미지는, 소정의 기준 이미지와 비교되어 반도체 공정을 제어하는 데에 이용될 수 있다. 라인 카메라가 공정 대상을 촬영하여 획득한 이미지의 왜곡을 방지하기 위하여, 라인 카메라는 공정 대상이 가속 및 감속되는 동안에는 공정 대상을 촬영하지 않으며, 공정 대상이 일정한 속도로 이동하는 등속 구간에서만 공정 대상을 촬영할 수 있다. 따라서, 공정 대상을 촬영하기에 충분한 등속 구간이 확보되어야 하므로, 검사 시간이 길어질 수 밖에 없으며, 라인 스캔 검사를 진행하기 위한 별도의 공간이 요구될 수 있다.In general, in line scan inspection, after transporting a process target such as a wafer to which a semiconductor process is applied or to be applied to a separate space having a stage and a line camera, etc., the process target moves at a constant speed on the stage with a line camera This can be done by photographing the process object. An image obtained by photographing a process target by a line camera may be compared with a predetermined reference image and used to control a semiconductor process. In order to prevent distortion of the image acquired by the line camera photographing the process target, the line camera does not photograph the process target while the process target is accelerating and decelerating, and the process target is captured only in the constant speed section where the process target moves at a constant speed. can be filmed Therefore, since a constant speed section sufficient for photographing a process target must be secured, the inspection time is inevitably lengthened, and a separate space for performing the line scan inspection may be required.

본 발명에서는, 라인 스캔 검사를 효율적으로 진행하기 위해, 반도체 공정을 진행하는 반도체 공정 장비(10) 내에 라인 카메라를 설치할 수 있다. 라인 카메라는 이송 챔버(20) 또는 로드락 챔버(30)의 이송 장치가 웨이퍼 등의 공정 대상을 옮기는 이송 경로의 상부에 설치될 수 있으며, 상기 이송 경로를 따라 이동하는 공정 대상의 영상을 촬영할 수 있다. In the present invention, in order to efficiently perform a line scan inspection, a line camera may be installed in the semiconductor process equipment 10 that performs a semiconductor process. The line camera may be installed above a transfer path in which a transfer device of the transfer chamber 20 or load lock chamber 30 transfers a process object such as a wafer, and may capture an image of a process object moving along the transfer path. there is.

즉, 본 발명의 일 실시예에서 라인 카메라는 공정 대상이 이송 경로를 따라 이동하는 동안 공정 대상을 촬영하여 원본 이미지를 획득할 수 있다. 공정 대상이 이송 경로에 머무르는 시간은, 별도의 검사 공간에 마련된 스테이지 상에서 공정 대상이 이동하는 종래의 방식에 비해 상대적으로 짧을 수 있다. 따라서, 종래의 방식과 같이 공정 대상이 일정한 속도로 이동하는 등속 구간에서만 공정 대상을 촬영해서는 충분한 촬영 시간을 확보할 수 없다. 본 발명의 일 실시예에서는, 이송 장치가 이송 경로를 따라 공정 대상을 옮기는 이송 속도가 변하는 구간, 즉 이송 장치의 가속 및/또는 감속 구간에서도 라인 카메라가 공정 대상을 촬영할 수 있다. That is, in one embodiment of the present invention, the line camera may obtain an original image by photographing the process target while the process target moves along the transfer path. The time for which the process object stays on the transfer path may be relatively short compared to the conventional method in which the process object moves on a stage provided in a separate inspection space. Therefore, it is not possible to secure sufficient shooting time by photographing the process target only in a constant speed section in which the process target moves at a constant speed, as in the conventional method. In one embodiment of the present invention, the line camera can capture the process target even in a section where the conveying speed of the conveying device moves the process object along the conveying path changes, that is, an acceleration and/or deceleration section of the conveying device.

라인 카메라가 이송 장치의 가속 구간 및/또는 감속 구간에서 공정 대상을 촬영할 경우, 라인 카메라가 생성한 원본 이미지에 공정 대상이 왜곡되어 나타날 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 라인 카메라가 생성한 원본 이미지에 포함된 왜곡을 보정하여 공정 대상이 정확히 반영된 결과 이미지를 생성할 수 있다. 따라서, 라인 스캔 검사의 정확도를 유지하면서, 별도의 공간이나 검사 시간 없이 반도체 공정 장비(10)가 반도체 공정을 진행하는 도중에 라인 스캔 검사를 진행할 수 있으므로, 라인 스캔 검사의 효율성을 개선할 수 있다.When a line camera captures a process target in an acceleration section and/or a deceleration section of a transfer device, the process object may appear distorted in an original image generated by the line camera. In one embodiment of the present invention, a distortion included in an original image generated by a line camera may be corrected to generate a result image in which a process target is accurately reflected. Accordingly, line scan inspection can be performed while the semiconductor process equipment 10 is performing a semiconductor process without a separate space or inspection time while maintaining the accuracy of the line scan inspection, thereby improving the efficiency of the line scan inspection.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 블록도들이다.2 is block diagrams simply illustrating an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치(100)는 라인 카메라(101)와 제어 장치(102)를 포함할 수 있다. 라인 카메라(101)는 챔버들 사이에서 이송 장치(120)에 의해 이송되는 공정 대상(110)의 상부에서, 공정 대상(110)을 촬영할 수 있다. 공정 대상(110)은 반도체 공정이 진행될 수 있는 반도체 웨이퍼, 또는 디스플레이용 모기판 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , an inspection device 100 according to an embodiment of the present invention may include a line camera 101 and a control device 102 . The line camera 101 may take a picture of the process target 110 from an upper part of the process target 110 being transferred between the chambers by the transfer device 120 . The process target 110 may include a semiconductor wafer on which a semiconductor process may be performed, or a mother substrate for a display.

이송 장치(120)는 반도체 공정이 진행되는 공정 챔버에 공정 대상(110)을 전달하거나, 또는 반도체 공정이 완료된 후 챔버에서 공정 대상(110)을 꺼내는 이송 동작을 수행할 수 있다. 이송 장치(120)는 소정의 이송 경로를 따라 이송 동작을 수행할 수 있으며, 라인 카메라(101)는 이송 경로의 상부에 설치되어 공정 대상(110)을 촬영할 수 있다.The transfer device 120 may transfer the process target 110 to a process chamber where a semiconductor process is performed, or may perform a transfer operation of taking the process target 110 out of the chamber after the semiconductor process is completed. The transfer device 120 may perform a transfer operation along a predetermined transfer path, and the line camera 101 may be installed above the transfer path to photograph the process target 110 .

이송 장치(120)가 공정 대상(110)을 옮기는 이송 동작에 필요한 시간이 길지 않을 경우, 즉 이송 경로가 길지 않을 경우에는 라인 카메라(101)가 공정 대상(110)을 촬영하는 데에 필요한 시간이 충분히 확보되기 어려울 수 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에서는, 이송 장치(120)가 공정 대상(110)을 옮기는 이송 속도가 증가하는 가속 구간 및 이송 속도가 감소하는 감속 구간에서 라인 카메라(101)가 공정 대상(110)을 촬영하여 획득한 원본 이미지를, 라인 스캔 검사에 이용할 수 있다. 다만, 가속 구간 및 감속 구간에서 촬영된 원본 이미지에서는 공정 대상(110)이 왜곡되어 나타날 수 있으므로, 상기 왜곡을 수정하기 위한 적절한 영상 보정 절차가 실행될 수 있다.If the time required for the transfer operation of the transfer device 120 to move the process target 110 is not long, that is, when the transfer path is not long, the time required for the line camera 101 to photograph the process target 110 is It can be difficult to secure enough. Therefore, in one embodiment of the present invention, the line camera 101 moves the process target 110 in an acceleration section in which the conveying speed in which the conveying device 120 moves the process target 110 increases and in a deceleration section in which the conveying speed decreases. An original image obtained by taking a picture may be used for line scan inspection. However, since the process target 110 may appear distorted in the original image captured in the acceleration section and the deceleration section, an appropriate image correction procedure for correcting the distortion may be executed.

본 발명의 일 실시예에서는, 제어 장치(102)가 이송 장치(120) 및 이송 장치(120)를 포함하는 반도체 공정 장비로부터 별도의 데이터를 수신할 필요 없이, 라인 카메라(101)가 생성한 원본 이미지에서 왜곡되어 나타난 공정 대상(110)을 보정할 수 있다. 제어 장치(102)는 공정 대상(110)의 형상을 미리 알고 있으므로, 라인 카메라(101)가 획득한 영상에 포함된 공정 대상(110)의 왜곡을 보정함에 있어서, 이송 장치(120)의 이송 속도 변화 등의 정보를 별도로 수신하지 않고, 스탠드얼론(stand-alone) 형태로 동작할 수 있다. 따라서, 도 2에 도시한 일 실시예에 따른 검사 장치(100)는, 라인 스캔 검사를 진행하고자 하는 반도체 공정 장비에 간단하게 결합되어 라인 스캔 검사를 실행할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the control device 102 does not need to receive separate data from the transfer device 120 and the semiconductor process equipment including the transfer device 120, and the line camera 101 generates original data. The process object 110 that appears distorted in the image may be corrected. Since the control device 102 knows the shape of the process target 110 in advance, in correcting the distortion of the process target 110 included in the image acquired by the line camera 101, the transfer speed of the transfer device 120 It can operate in a stand-alone form without separately receiving information such as change. Accordingly, the inspection apparatus 100 according to the embodiment shown in FIG. 2 may be simply coupled to semiconductor processing equipment to perform the line scan inspection.

본 발명의 일 실시예에서는 이송 장치(120)가 공정 대상(110)을 옮기는 이송 속도가 일정한 등속 구간에서만 영상 촬영이 실행되지 않으며, 라인 카메라(101)는 공정 대상(110)이 이송 경로에 존재하는지 여부와 관계없이 지속적으로 이송 경로를 촬영할 수 있다. 제어 장치(102)는 감지 모듈(103)을 포함할 수 있으며, 감지 모듈(103)은 라인 카메라(101)가 촬영한 이미지에서 공정 대상(110)을 포함한 프레임들을 선택하여 원본 이미지를 생성할 수 있다. 일례로, 감지 모듈(103)은 소프트웨어 모듈로 구현될 수 있다. 제어 장치(102)는 감지 모듈(103)이 생성한 감지 정보를 참조하여, 라인 카메라(101)가 촬영한 영상을 프레임 단위로 분석하여 공정 대상(110)이 존재하는 프레임들을 추출함으로써, 라인 스캔 검사에 필요한 원본 이미지를 생성할 수 있다. 이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 더욱 자세히 설명하기로 한다.In one embodiment of the present invention, image capture is not performed only in a constant speed section in which the conveying device 120 moves the process target 110 at a constant speed, and the line camera 101 has the process target 110 present on the transfer path. Regardless of whether or not, the transfer path can be continuously photographed. The control device 102 may include a detection module 103, and the detection module 103 may generate an original image by selecting frames including the process target 110 from an image taken by the line camera 101. there is. As an example, the sensing module 103 may be implemented as a software module. The control device 102 refers to the detection information generated by the detection module 103 and analyzes the image captured by the line camera 101 frame by frame to extract frames in which the process target 110 exists, thereby performing a line scan. Original images required for inspection can be created. Hereinafter, it will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4 .

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치의 라인 카메라가 촬영하는 이미지를 간단하게 나타낸 도면들이다.3 and 4 are diagrams simply illustrating images taken by a line camera of an inspection device according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 3을 참조하면, 라인 카메라가 촬영한 영상은 복수의 프레임들(F)을 포함할 수 있다. 라인 카메라는 이송 장치가 이송 경로를 따라 공정 대상(T)을 이송하는지 여부와 관계없이 계속적으로 이송 경로를 촬영할 수 있다. 따라서, 도 3에 도시한 바와 같이, 라인 카메라가 생성하는 영상에는 공정 대상(T)이 포함되지 않은 프레임들(F)도 포함될 수 있다.First, referring to FIG. 3 , an image captured by a line camera may include a plurality of frames F. The line camera may continuously photograph the transfer path regardless of whether or not the transfer device transfers the process object T along the transfer path. Accordingly, as shown in FIG. 3 , the image generated by the line camera may include frames F that do not include the process target T.

라인 카메라가 이송 경로를 촬영하는 동안 이송 장치가 공정 대상(T)을 이송하면, 라인 카메라가 촬영한 영상에 포함된 프레임들(F) 중 적어도 일부에 공정 대상(T)이 포함될 수 있다. 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 제어 장치는 감지 모듈을 포함할 수 있으며, 감지 모듈은 공정 대상(T)을 포함하는 프레임들(F)을 선택하여 라인 스캔 검사를 진행하기 위한 원본 이미지를 생성할 수 있다. If the transfer device transports the process target T while the line camera captures the transfer path, the process target T may be included in at least some of the frames F included in the image captured by the line camera. As described above with reference to FIG. 2 , the control device may include a detection module, and the detection module selects frames F including a process target T to generate original images for line scan inspection. can create

한편 라인 카메라가 이송 경로를 촬영하는 동안, 이송 장치가 공정 대상(T)을 이송하는 속도가 증가 또는 감소할 수 있으며, 따라서 원본 이미지에는 공정 대상(T)이 실제 형상과 달리 왜곡되어 나타날 수 있다. 도 3에 도시한 일 실시예는 이송 방향에서 공정 대상(T)의 이송 속도가 증가하는 경우에 해당할 수 있다. 따라서, 실제로는 원 형상을 갖는 웨이퍼 등의 공정 대상(T)이, 이송 방향에서 장축을 갖는 타원 형상으로 원본 이미지에 나타날 수 있다. 라인 스캔 검사의 정확도를 높이기 위해, 본 발명의 일 실시예에서는 원본 이미지에 포함된 공정 대상(T)에 대해, 픽셀 별로 영상 보정 프로세스를 적용하여 영상 왜곡을 보정할 수 있다.Meanwhile, while the line camera captures the transfer path, the speed at which the transfer device transfers the process target T may increase or decrease, and therefore, the process target T may appear distorted in the original image, unlike the actual shape. . An embodiment shown in FIG. 3 may correspond to a case in which the conveying speed of the process target T increases in the conveying direction. Therefore, a process object T such as a wafer having a circular shape in reality may appear in the original image as an ellipse having a long axis in the transfer direction. In order to increase the accuracy of the line scan inspection, in an embodiment of the present invention, image distortion may be corrected by applying an image correction process for each pixel to the process target T included in the original image.

한편 도 4에 도시한 일 실시예는, 이송 방향에서 공정 대상(T)의 이송 속도가 감소하는 경우에 해당할 수 있다. 따라서, 도 3에 도시한 일 실시예와 달리, 실제로는 원 형상을 갖는 공정 대상(T)이 이송 방향에서 단축을 갖는 타원 형상으로 원본 이미지에 표시될 수 있다. Meanwhile, one embodiment shown in FIG. 4 may correspond to a case in which the conveying speed of the process target T decreases in the conveying direction. Therefore, unlike the exemplary embodiment shown in FIG. 3 , the process target T having a circular shape may be displayed on the original image as an elliptical shape having a minor axis in the transfer direction.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 블록도이다.5 is a schematic block diagram of an inspection device according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치(200)는 라인 카메라(201)와 제어 장치(202) 및 센서(203)를 포함할 수 있다. 도 5에 도시한 일 실시예와 유사하게, 라인 카메라(201)는 이송 장치(220)에 의해 이송되는 공정 대상(210)의 상부에 설치되며, 공정 대상(210)을 촬영할 수 있다. 공정 대상(210)은 반도체 공정이 진행될 수 있는 웨이퍼, 또는 디스플레이용 모기판 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , an inspection device 200 according to an embodiment of the present invention may include a line camera 201 , a control device 202 , and a sensor 203 . Similar to the embodiment shown in FIG. 5 , the line camera 201 is installed above the process target 210 being transported by the transfer device 220 and can photograph the process target 210 . The process target 210 may include a wafer on which a semiconductor process may be performed, or a mother substrate for a display.

앞서 설명한 바와 같이, 도 5에 도시한 일 실시예에서도 이송 장치(220)가 공정 대상(210)을 옮기는 이송 속도가 증가하는 가속 구간 및 이송 속도가 감소하는 감속 구간에서 공정 대상(210)을 촬영하여 라인 스캔 검사에 이용될 수 있다. 다만, 가속 구간 및 감속 구간에서 촬영된 이미지에는 공정 대상(210)이 왜곡되어 나타날 수 있으므로, 상기 왜곡을 수정하기 위한 적절한 영상 보정 절차가 실행될 수 있다.As described above, in the embodiment shown in FIG. 5, the transfer device 220 photographs the process target 210 in an acceleration section in which the conveying speed increases and a deceleration section in which the conveying speed decreases. This can be used for line scan inspection. However, since the process target 210 may appear distorted in images captured in the acceleration section and the deceleration section, an appropriate image correction procedure for correcting the distortion may be performed.

한편 도 5에 도시한 일 실시예에서는, 센서(203)가 공정 대상(210)의 이송 여부를 감지하여 라인 카메라(201)의 촬영 타이밍을 제어할 수 있다. 일례로, 센서(203)는 이송 장치(220)의 이송이 시작되는지 여부를 감지하거나, 또는 이송 경로에 진입하는지 여부 등을 감지할 수 있으며, 제어 장치(202)는 센서(203)의 감지 결과에 응답하여 라인 카메라(201)의 촬영 시점을 결정할 수 있다. 또한, 공정 대상(210)이 이송 경로에서 벗어나는 것을 센서(203)가 검출하면, 제어 장치(202)는 라인 카메라(201)의 촬영 동작을 종료할 수 있다. Meanwhile, in the embodiment shown in FIG. 5 , the sensor 203 may detect whether or not the process target 210 is transported to control the timing of capturing the line camera 201 . For example, the sensor 203 may detect whether or not the transfer of the transfer device 220 starts or whether the transfer path is entered, and the control device 202 may detect the sensor 203's detection result. In response to, it is possible to determine the shooting point of the line camera 201. In addition, when the sensor 203 detects that the process target 210 is out of the transfer path, the control device 202 may end the shooting operation of the line camera 201 .

앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는, 제어 장치(202)가 이송 장치(220) 및 이송 장치(220)를 포함하는 공정 장비와 연동되지 않은 상태에서, 라인 카메라(201)가 촬영한 이미지에서 왜곡되어 나타난 공정 대상(210)을 보정할 수 있다. 즉, 제어 장치(202)는 라인 카메라(201)가 획득한 이미지에 포함된 공정 대상(210)의 왜곡을 보정함에 있어서, 이송 장치(220)의 이송 속도 변화 등의 정보를 별도로 수신하지 않은 채로 영상 보정 프로세스를 진행할 수 있다. 따라서, 도 5에 도시한 일 실시예에 따른 검사 장치(200)는, 라인 스캔 검사를 진행하고자 하는 공정 장비에 결합되어 독립적으로 동작할 수 있으며, 별도의 복잡한 설치 절차없이 공정 장비와 결합되어 라인 스캔 검사를 실행할 수 있다.As described above with reference to FIG. 2, in one embodiment of the present invention, in a state where the control device 202 is not interlocked with the conveying device 220 and the process equipment including the conveying device 220, the line camera ( 201) may correct the process target 210 that appears distorted in the photographed image. That is, in correcting the distortion of the process object 210 included in the image acquired by the line camera 201, the control device 202 does not separately receive information such as a change in the conveying speed of the conveying device 220. An image correction process may be performed. Therefore, the inspection device 200 according to the embodiment shown in FIG. 5 can operate independently while being coupled to the process equipment to perform the line scan inspection, and can be combined with the process equipment without a separate complicated installation procedure to perform the line scan inspection. You can run a scan check.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법이 적용될 수 있는 공정 대상을 간단하게 나타낸 도면들이다.6 and 7 are views simply showing a process target to which an inspection method according to an embodiment of the present invention can be applied.

먼저 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 공정 대상은 반도체 웨이퍼(300)일 수 있다. 반도체 웨이퍼(300)는 복수의 반도체 소자들이 형성되는 복수의 반도체 다이(Die)들(301)과, 복수의 반도체 다이들(301) 사이에 정의되는 분할 영역(302)을 포함할 수 있다. 복수의 반도체 다이들(301) 각각은 적어도 하나의 집적회로 칩을 포함할 수 있다. 즉, 복수의 반도체 다이들(301) 각각에는 저항, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등과 같은 다양한 회로 소자들이 형성될 수 있다. 복수의 반도체 다이들(301)은 복수의 행과 열을 따라 배열될 수 있다.Referring first to FIG. 6 , a process target according to an embodiment of the present invention may be a semiconductor wafer 300 . The semiconductor wafer 300 may include a plurality of semiconductor dies 301 in which a plurality of semiconductor devices are formed, and a partition region 302 defined between the plurality of semiconductor dies 301 . Each of the plurality of semiconductor dies 301 may include at least one integrated circuit chip. That is, various circuit elements such as resistors, capacitors, transistors, and diodes may be formed in each of the plurality of semiconductor dies 301 . A plurality of semiconductor dies 301 may be arranged along a plurality of rows and columns.

분할 영역(302)은 스크라이빙(Scribing) 공정에 의해 복수의 반도체 다이들(301)을 서로 분리하기 위한 영역일 수 있다. 따라서 분할 영역(302)에는 반도체 다이들과 달리 회로 소자가 배치되지 않을 수 있다. 다만, 실시예들에 따라 분할 영역(302)에 일부 테스트 소자들이 형성될 수도 있다. 스크라이빙 공정의 효율성과 신뢰성 등을 고려하여, 분할 영역은 복수의 행과 열을 따라 배열된 복수의 반도체 다이들(301) 사이에 정의되는 복수의 직선들로 정의될 수 있다.The division region 302 may be a region for separating the plurality of semiconductor dies 301 from each other by a scribing process. Therefore, unlike semiconductor dies, circuit elements may not be disposed in the divided region 302 . However, some test elements may be formed in the divided region 302 according to exemplary embodiments. Considering the efficiency and reliability of the scribing process, the division area may be defined as a plurality of straight lines defined between the plurality of semiconductor dies 301 arranged along a plurality of rows and columns.

복수의 반도체 다이들(301)에 집적회로 칩을 형성하기 위해 포토 공정, 증착 공정, 식각 공정, 연마 공정 등과 같은 반도체 공정들이 진행될 수 있다. 반도체 공정들이 적절히 제어되지 않을 경우, 복수의 반도체 다이들(301) 중 적어도 일부에서 다양한 불량이 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 반도체 웨이퍼(300)에 반도체 공정들을 진행하는 반도체 공정 장비 내에서 이송 장치가 반도체 웨이퍼(300)를 이송하는 동안, 라인 카메라로 반도체 웨이퍼(300)를 촬영하고, 촬영한 이미지를 분석함으로써 반도체 공정이 적절히 진행되는지, 또는 반도체 공정을 제어하기 위한 공정 변수 조절이 필요한지 여부 등을 판단할 수 있다.Semiconductor processes such as a photo process, a deposition process, an etching process, and a polishing process may be performed to form an integrated circuit chip on the plurality of semiconductor dies 301 . If semiconductor processes are not properly controlled, various defects may occur in at least some of the plurality of semiconductor dies 301 . In one embodiment of the present invention, while a transfer device transfers the semiconductor wafer 300 in semiconductor processing equipment that performs semiconductor processes on the semiconductor wafer 300, the semiconductor wafer 300 is photographed by a line camera, and the photographing is performed. By analyzing one image, it is possible to determine whether a semiconductor process proceeds properly or whether process parameters need to be adjusted to control the semiconductor process.

일례로, 라인 카메라가 촬영한 영상의 밝기 등을 분석하여 검사 대상에 포함된 패턴 또는 레이어 등의 두께를 판단하고, 그로부터 반도체 공정이 적절하게 제어되는지 여부를 판단할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(300)를 촬영하여 획득한 이미지를, 소정의 기준 이미지와 비교함으로써 불량 발생 여부 등을 판단할 수도 있다. 상기 기준 이미지는, 수율이 우수한 기준 웨이퍼를 라인 카메라로 촬영하여 획득한 이미지일 수 있다.For example, it is possible to determine the thickness of a pattern or layer included in an inspection target by analyzing brightness of an image captured by a line camera, and determine whether a semiconductor process is appropriately controlled therefrom. In addition, it is possible to determine whether or not a defect has occurred by comparing an image acquired by photographing the semiconductor wafer 300 with a predetermined reference image. The reference image may be an image obtained by photographing a reference wafer having an excellent yield with a line camera.

반도체 웨이퍼(300)를 촬영한 이미지를 이용한 불량 판단 과정은, 복수의 반도체 다이들(301)을 서로 비교하거나, 복수의 반도체 다이들(301) 각각에서 정의되는 복수의 단위 영역들을 서로 비교함으로써 수행될 수도 있다. 특히, 반도체 웨이퍼(300)에 적용된 반도체 공정들 중 적어도 일부가 적절히 제어되지 않을 경우, 반도체 웨이퍼(300)에 포함된 복수의 반도체 다이들(301)에서 소정의 경향성을 갖는 불량이 나타날 수 있다. 불량의 경향성을 기존의 사례들과 비교 분석함으로써, 반도체 웨이퍼(300)에 적용된 반도체 공정들 중 어느 공정에서 불량이 발생하였는지는 물론, 불량이 발생한 반도체 공정에서 어떤 공정 변수에 대한 조절이 필요한지 등을 판단할 수 있다.The defect determination process using the image of the semiconductor wafer 300 is performed by comparing a plurality of semiconductor dies 301 with each other or by comparing a plurality of unit regions defined in each of the plurality of semiconductor dies 301 with each other. It could be. In particular, when at least some of the semiconductor processes applied to the semiconductor wafer 300 are not properly controlled, defects having a predetermined tendency may appear in the plurality of semiconductor dies 301 included in the semiconductor wafer 300 . By comparing and analyzing the tendency of defects with existing cases, it is determined which of the semiconductor processes applied to the semiconductor wafer 300 has defects, as well as which process parameters need to be adjusted in the semiconductor process in which defects occur. can do.

앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(300)를 촬영한 이미지를 이용한 불량 판단 과정은 복수의 반도체 다이들(301)을 서로 비교하거나, 복수의 반도체 다이들(301) 각각에 포함되는 단위 영역들을 서로 비교하는 절차를 포함할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(300)를 촬영한 이미지에서 반도체 웨이퍼(300)가 왜곡되어 표시되는 경우, 실제로는 불량이 나타나지 않은 반도체 다이(301)가 불량으로 잘못 판단될 수도 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는, 불량 판단 과정을 진행하기 전에, 반도체 웨이퍼(300)를 촬영한 영상의 왜곡을 보정하는 영상 보정 프로세스를 먼저 진행할 수 있다. As described above, in the defect determination process using the image taken of the semiconductor wafer 300, a plurality of semiconductor dies 301 are compared with each other or unit regions included in each of the plurality of semiconductor dies 301 are compared with each other. procedures may be included. Accordingly, when the semiconductor wafer 300 is distorted in a photographed image of the semiconductor wafer 300, the semiconductor die 301, which does not actually have defects, may be mistakenly determined to be defective. Accordingly, in an embodiment of the present invention, an image correction process of correcting distortion of an image obtained by capturing the semiconductor wafer 300 may be performed first before proceeding with a defect determination process.

다음으로 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 검사 대상은 LCD 또는 OLED 등의 디스플레이 장치를 생산하기 위한 디스플레이용 모기판(310)일 수 있다. 디스플레이용 모기판(310)은 복수의 단위 패널들(311)을 포함할 수 있으며, 복수의 단위 패널들(311)은 개별 디스플레이 패널로 제공될 수 있다. 한편, 도 7에 도시한 일 실시예에서는 하나의 디스플레이용 모기판(310)에 총 6개의 단위 패널들(311)이 포함되는 것으로 도시하였으나, 반드시 이와 같은 형태로 한정되는 것은 아니다.Referring next to FIG. 7 , an inspection target according to an embodiment of the present invention may be a mother substrate 310 for a display for producing display devices such as LCD or OLED. The mother substrate 310 for display may include a plurality of unit panels 311, and the plurality of unit panels 311 may be provided as individual display panels. Meanwhile, in the embodiment shown in FIG. 7, a total of six unit panels 311 are included in one mother substrate 310 for a display, but it is not necessarily limited to this form.

디스플레이용 모기판(310)에는, 복수의 픽셀 회로들을 포함한 다양한 반도체 소자들을 형성하기 위해 포토 공정, 증착 공정, 식각 공정, 연마 공정 등과 같은 반도체 공정들이 진행될 수 있다. 반도체 공정들이 적절히 제어되지 않을 경우, 단위 패널들(311)에 형성되는 반도체 소자들 중 적어도 일부에서 불량이 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 디스플레이용 모기판(310)에 반도체 공정들이 진행되는 공정 장비 내에서, 이송 장치가 디스플레이용 모기판(310)을 이송하는 동안 라인 카메라로 디스플레이용 모기판(310)을 촬영하고, 촬영한 이미지를 분석하여 반도체 공정들이 적절히 제어되는지 여부를 판단할 수 있다. A semiconductor process, such as a photo process, a deposition process, an etching process, a polishing process, and the like, may be performed on the display mother substrate 310 to form various semiconductor devices including a plurality of pixel circuits. If semiconductor processes are not properly controlled, defects may occur in at least some of the semiconductor devices formed on the unit panels 311 . In one embodiment of the present invention, in process equipment in which semiconductor processes are performed on the mother substrate 310 for display, while the transfer device transfers the mother substrate 310 for display, the mother substrate 310 for display is captured by a line camera. It is possible to determine whether semiconductor processes are appropriately controlled by taking a picture and analyzing the pictured image.

디스플레이용 모기판(310)은, 도 6에 도시한 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼(300)와 비교하여 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다. 따라서, 디스플레이용 모기판(310)에 대한 라인 스캔 검사에서는, 이송 경로 상에 복수 개의 라인 카메라를 설치하여 디스플레이용 모기판(310)을 촬영할 수 있다. 복수의 라인 카메라들은 서로 동기화되어 디스플레이용 모기판(310)을 촬영하고 이미지를 획득할 수 있으며, 제어 장치는 복수의 라인 카메라들 각각이 촬영한 이미지를 합쳐서 하나의 이미지를 생성함으로써, 라인 스캔 검사를 진행할 수 있다.The mother substrate 310 for display may have a relatively large area compared to the semiconductor wafer 300 according to the exemplary embodiment shown in FIG. 6 . Therefore, in the line scan test of the mother substrate 310 for display, a plurality of line cameras may be installed on the transfer path to take pictures of the mother substrate 310 for display. The plurality of line cameras may synchronize with each other to photograph the mother substrate 310 for display and obtain an image, and the control device generates one image by combining images taken by each of the plurality of line cameras, thereby performing line scan inspection. can proceed.

도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비를 간단하게 나타낸 도면들이다.8 and 9 are schematic diagrams illustrating semiconductor processing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 장비(400)는, 반도체 공정이 진행되는 공정 챔버(410)와, 공정 챔버(410)에 공정 대상인 반도체 웨이퍼(W)를 이송하는 이송 챔버(420) 등을 포함할 수 있다. 이송 챔버(420)가 반도체 웨이퍼(W)를 공정 챔버(410)에 넣거나 공정 챔버(410)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 빼낼 수 있도록, 공정 챔버(410)와 이송 챔버(420) 사이에는 이송 통로(405)가 마련될 수 있다.8 and 9 , the semiconductor processing equipment 400 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 410 in which a semiconductor process is performed, and a semiconductor wafer W to be processed in the process chamber 410. It may include a transfer chamber 420 for transferring the. A transfer passage is provided between the process chamber 410 and the transfer chamber 420 so that the transfer chamber 420 can insert the semiconductor wafer W into the process chamber 410 or take the semiconductor wafer W out of the process chamber 410 . (405) may be provided.

공정 챔버(410)에는 반도체 웨이퍼(W)가 안착되는 안착부(411)가 마련될 수 있다. 안착부(411)는 정전 척(Electrostatic Chuck)을 포함할 수 있으며, 정전 척의 상부에는 반도체 웨이퍼(W)와 접촉하는 복수의 돌기들이 형성될 수 있다. 한편, 공정 챔버(410)에는 챔버 내부의 압력을 조절하기 위한 제1 펌프(412)와 밸브(413)가 연결될 수 있다. 또한, 공정 챔버(410)에서 진행하는 반도체 공정의 종류에 따라 바이어스 전압을 인가하기 위한 전력 공급부, 및 공정에 필요한 가스를 공급하는 가스 공급부가 공정 챔버(410)에 연결될 수 있다.A seating portion 411 on which the semiconductor wafer W is seated may be provided in the process chamber 410 . The seating portion 411 may include an electrostatic chuck, and a plurality of protrusions contacting the semiconductor wafer W may be formed on an upper portion of the electrostatic chuck. Meanwhile, a first pump 412 and a valve 413 for regulating the pressure inside the chamber may be connected to the process chamber 410 . Also, depending on the type of semiconductor process performed in the process chamber 410 , a power supply unit for applying a bias voltage and a gas supply unit for supplying gas required for the process may be connected to the process chamber 410 .

이송 챔버(420)는 반도체 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 이송 장치(410), 및 이송 챔버(420) 내부의 압력을 조절하기 위한 제2 펌프(422) 및 밸브(423) 등을 포함할 수 있다. 일례로, 이송 장치(421)는 이송 챔버(420)와 연결된 로드락 챔버 등에 보관된 반도체 웨이퍼(W)를 가져와서 공정 챔버(410)에 넣거나, 또는 공정 챔버(410)에서 반도체 공정이 완료된 후에 반도체 웨이퍼(W)를 꺼내서 다른 공정 챔버 또는 로드락 챔버에 넣을 수 있다.The transfer chamber 420 may include a transfer device 410 for transferring the semiconductor wafer W, and a second pump 422 and a valve 423 for adjusting pressure inside the transfer chamber 420 . there is. For example, the transfer device 421 brings the semiconductor wafer W stored in a load lock chamber connected to the transfer chamber 420 and puts it into the process chamber 410, or after the semiconductor process is completed in the process chamber 410. The semiconductor wafer W may be taken out and put into another process chamber or a load lock chamber.

도 9를 참조하면, 이송 장치(421)는 공정 챔버(410)와 이송 챔버(420) 사이에 형성되는 이송 경로(405)를 통해 반도체 웨이퍼(W)를 이송할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 이송 경로(405) 상부에 라인 카메라(430)가 설치되며, 라인 카메라(430)는 이송 경로(405)를 따라 이동하는 반도체 웨이퍼(W)를 촬영할 수 있다. 라인 카메라(430)가 반도체 웨이퍼(W)를 촬영하여 획득한 이미지는 제어 장치(440)로 전송될 수 있다. 제어 장치(440)는 수신한 이미지에서, 반도체 웨이퍼(W)가 표시되는 프레임들을 선택하여 원본 이미지를 생성하고, 원본 이미지의 왜곡을 보정하여 결과 이미지를 생성할 수 있다. 제어 장치(440)는 결과 이미지를 소정의 기준 이미지와 비교함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 라인 스캔 검사를 진행할 수 있다. 다만, 라인 카메라(430)의 설치 위치가 도 8 및 도 9에 도시한 일 실시예로 한정되는 것은 아니며, 라인 카메라(430)는 반도체 웨이퍼(W)가 지나가는 이송 경로 상부에 자유롭게 설치될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the transfer device 421 may transfer the semiconductor wafer W through a transfer path 405 formed between the process chamber 410 and the transfer chamber 420 . In one embodiment of the present invention, the line camera 430 is installed on the transfer path 405, and the line camera 430 can take pictures of the semiconductor wafer (W) moving along the transfer path 405. An image obtained by photographing the semiconductor wafer W by the line camera 430 may be transmitted to the control device 440 . The control device 440 may generate an original image by selecting frames in which the semiconductor wafer W is displayed from the received image, and correct distortion of the original image to generate a resulting image. The control device 440 may perform line scan inspection on the semiconductor wafer W by comparing the resulting image with a predetermined reference image. However, the installation position of the line camera 430 is not limited to the embodiment shown in FIGS. 8 and 9 , and the line camera 430 may be freely installed above the transfer path through which the semiconductor wafer W passes. .

이송 장치(421)가 이송 경로(405)를 통해 반도체 웨이퍼(W)를 옮기는 동안, 이송 속도가 증가하는 가속 구간 및 이송 속도가 감소하는 감속 구간이 반드시 존재할 수 밖에 없다. 이송 경로(405)가 충분히 길지 않을 경우, 라인 카메라(430)는 이송 속도가 변하는 가속 구간 또는 감속 구간에서도 반도체 웨이퍼(W)를 촬영할 수 있으며, 이 경우 원본 이미지에 반도체 웨이퍼(W)가 왜곡되어 나타날 수 있다. 제어 장치(440)는 원본 이미지 전체, 또는 원본 이미지에서 반도체 웨이퍼(W)가 표시되는 제1 영역의 픽셀들 각각의 좌표를 수정하여 원본 이미지에서 반도체 웨이퍼(W)의 왜곡을 보정할 수 있다. While the transfer device 421 transfers the semiconductor wafer W through the transfer path 405, an acceleration period in which the transfer speed increases and a deceleration period in which the transfer speed decreases necessarily exist. If the transport path 405 is not long enough, the line camera 430 can capture the semiconductor wafer W even in an acceleration section or deceleration section in which the conveying speed changes. In this case, the semiconductor wafer W is distorted in the original image. can appear The control device 440 may correct the distortion of the semiconductor wafer W in the original image by correcting the entire original image or the coordinates of each pixel of the first area where the semiconductor wafer W is displayed in the original image.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서, 이미지의 왜곡을 보정하는 방법을 설명하기 위해 제공되는 도면들이다.10 to 12 are diagrams provided to explain a method of correcting distortion of an image in an inspection method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에서는, 이송 장치가 검사 대상을 이송하는 동안 라인 카메라가 검사 대상을 촬영하여 획득한 영상을 이용하여 라인 스캔 검사를 진행할 수 있다. 따라서, 라인 스캔 검사를 진행하기 위한 별도의 공간 및 시간이 필요하지 않으므로, 라인 스캔 검사는 물론 반도체 공정 전반의 효율성을 높일 수 있다. 다만, 이송 장치가 검사 대상을 이송하는 시간 동안 라인 카메라가 검사 대상을 촬영해야 하므로, 이송 장치가 검사 대상을 이송하는 이송 속도가 증가하거나 감소하는 가속 구간 및 감속 구간에서도 검사 대상을 촬영해야 할 수 있다. 이 경우, 라인 카메라가 획득한 영상에 검사 대상이 왜곡되어 나타날 수 있으므로, 본 발명의 일 실시예에서는 이러한 왜곡을 보정하기 위한 적절한 영상 보정 방법이 채택될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the line scan test may be performed using an image obtained by photographing the test target by the line camera while the transport device is transporting the test target. Accordingly, since a separate space and time for performing the line scan test is not required, the efficiency of the line scan test as well as the entire semiconductor process can be increased. However, since the line camera needs to film the inspection subject while the transfer device is transporting the inspection subject, the inspection subject may need to be filmed even in the acceleration section and deceleration section where the transfer speed of the transfer device increases or decreases. there is. In this case, since the inspection target may appear distorted in the image obtained by the line camera, an appropriate image correction method for correcting such distortion may be adopted in an embodiment of the present invention.

이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 보정 방법을 설명한다. 도 10 내지 도 12에 도시한 일 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 공정 대상이 반도체 웨이퍼인 것을 가정하였으나, 공정 대상은 반도체 웨이퍼 외에 반도체 공정이 적용 가능한 모든 개체를 포함하는 개념으로 해석되어야 할 것이다.Hereinafter, an image correction method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 12 . In the embodiments shown in FIGS. 10 to 12 , it is assumed that the process target is a semiconductor wafer for convenience of explanation, but the process target should be interpreted as a concept including all entities applicable to semiconductor processes other than the semiconductor wafer.

먼저 도 10을 참조하면, 라인 카메라가 획득한 이미지는, 공정 대상이 표시되는 제1 영역(400)을 포함할 수 있다. 도 10에 도시한 일 실시예에서 이송 장치가 공정 대상을 옮기는 이송 방향은 수직 방향(y축 방향)일 수 있다. 따라서, 이송 방향인 수직 방향을 따라 공정 대상이 왜곡되어 제1 영역(400)에 표시될 수 있다. 도 10에 도시한 일 실시예는, 이송 속도가 증가하는 가속 구간에서 라인 카메라가 공정 대상을 촬영한 경우에 해당할 수 있으며, 이송 방향에서 공정 대상의 면적이 증가하는 형태로 왜곡되어 제1 영역(400)에 표시될 수 있다.First, referring to FIG. 10 , an image acquired by a line camera may include a first area 400 where a process target is displayed. In the embodiment shown in FIG. 10 , a transfer direction in which the transfer device moves the process object may be a vertical direction (y-axis direction). Accordingly, the process target may be distorted along the vertical direction, which is the transfer direction, and displayed on the first area 400 . An embodiment shown in FIG. 10 may correspond to a case where a line camera captures a process target in an acceleration section in which the conveying speed increases, and is distorted in a form in which the area of the process target increases in the conveying direction, thereby increasing the first region. (400).

본 발명의 일 실시예에서 라인 카메라와 연결된 제어 장치는 공정 대상의 왜곡되지 않은 형상을 미리 알 수 있다. 따라서, 제어 장치는 제1 영역(400)에 왜곡되어 표시된 공정 대상을 보정하는 데에 필요한 제2 영역(401)을 정의할 수 있다. 도 10에 도시한 일 실시예에서는 이송 방향이 수직 방향이고 공정 대상은 반도체 웨이퍼인 것을 가정하므로, 제2 영역(401)은 제1 영역의 단축을 지름으로 갖는 원으로 정의될 수 있다. 제어 장치는, 공정 대상의 제1 영역(400)에 포함되는 픽셀들 각각의 좌표를 소정의 알고리즘에 따라 보정함으로써, 결과 이미지(410)를 생성할 수 있다. 결과 이미지(410)에서 공정 대상은 실제 형상과 일치할 수 있다. 도 10을 참조하면, 결과 이지미(410)에서 공정 대상이 반도체 웨이퍼에 대응하는 원 형상을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the control device connected to the line camera can know the undistorted shape of the process target in advance. Accordingly, the control device may define a second area 401 necessary for correcting a process target distorted in the first area 400 . In the embodiment shown in FIG. 10 , since it is assumed that the transfer direction is a vertical direction and the processing target is a semiconductor wafer, the second region 401 may be defined as a circle having a diameter equal to the minor axis of the first region. The control device may generate the resulting image 410 by correcting coordinates of each of the pixels included in the first region 400 of the process target according to a predetermined algorithm. In the resulting image 410, the process target may match the actual shape. Referring to FIG. 10 , in the resulting image 410, a process target may have a circular shape corresponding to a semiconductor wafer.

다음으로 도 11을 참조하면, 라인 카메라가 획득한 원본 이미지는 공정 대상에 대응하는 제1 영역(500)을 포함할 수 있다. 도 11에 도시한 일 실시예에서 이송 장치가 공정 대상을 옮기는 이송 방향은 수직 방향(y축 방향)일 수 있다. 따라서, 이송 방향인 수직 방향을 따라 공정 대상이 왜곡되어 표현되는 제1 영역(500)이 라인 카메라가 획득한 원본 이미지에 포함될 수 있다. 도 11에 도시한 일 실시예에서는, 이송 장치가 공정 대상을 옮기는 이송 속도가 줄어드는 감속 구간에서 라인 카메라가 공정 대상을 촬영할 수 있으며, 공정 대상은 이송 방향에서 압축된 형태로 왜곡되어 제1 영역(500)에 표시될 수 있다.Next, referring to FIG. 11 , the original image acquired by the line camera may include a first region 500 corresponding to the process target. In the embodiment shown in FIG. 11 , a transfer direction in which the transfer device moves the process object may be a vertical direction (y-axis direction). Accordingly, the original image obtained by the line camera may include the first region 500 in which the process target is distorted along the vertical direction, which is the transport direction. In one embodiment shown in FIG. 11, the line camera may photograph the process target in a deceleration section in which the transfer speed in which the transfer device moves the process target is reduced, and the process target is distorted in a compressed form in the transfer direction in the first area ( 500) can be displayed.

앞서 설명한 바와 같이, 라인 카메라와 연결된 제어 장치는 공정 대상의 형상을 미리 알고 있을 수 있다. 따라서, 제어 장치는 제1 영역(500)에 표시된 공정 대상의 왜곡을 보정하는 데에 필요한 제2 영역(501)을 정의할 수 있다. 도 8에 도시한 일 실시예에서는 이송 방향이 수직 방향이고 공정 대상은 반도체 웨이퍼인 것을 가정하므로, 제2 영역(501)은 제1 영역의 장축을 지름으로 갖는 원으로 정의될 수 있다. 즉, 제2 영역(501)이 제1 영역(500)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 제어 장치는, 검사 대상의 제1 영역(500)에 포함되는 픽셀들 각각의 좌표를 소정의 알고리즘에 따라 보정함으로써, 공정 대상이 제2 영역(501)에 표시되는 결과 이미지(510)를 생성할 수 있다. 결과 이미지(510)에서 공정 대상은, 반도체 웨이퍼의 실제 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다.As described above, the control device connected to the line camera may know the shape of the process target in advance. Accordingly, the control device may define a second area 501 necessary to correct distortion of the process target displayed in the first area 500 . In the embodiment shown in FIG. 8 , since it is assumed that the transfer direction is a vertical direction and the processing target is a semiconductor wafer, the second region 501 may be defined as a circle having a diameter of a major axis of the first region. That is, the second region 501 may have a larger area than the first region 500 . The control device corrects the coordinates of each of the pixels included in the first area 500 of the object to be inspected according to a predetermined algorithm, thereby generating a result image 510 in which the process object is displayed in the second area 501. can In the resulting image 510, the process target may have a shape corresponding to the actual shape of the semiconductor wafer.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 보정 방법을 더욱 자세히 설명하기 위해 제공되는 도면일 수 있다. 도 12를 참조하여 설명하는 영상 보정 방법은 본 발명에 따른 반도체 공정의 검사 장치가 채택할 수 있는 실시예이며, 도 12를 참조하여 설명한 영상 보정 방법 외에 다른 방법을 채택하거나, 또는 도 12를 참조하여 설명한 영상 보정 방법과 함께 다른 방법을 채택하여 영상을 보정할 수도 있다.12 may be a diagram provided to explain an image correction method according to an embodiment of the present invention in more detail. The image correction method described with reference to FIG. 12 is an embodiment that can be adopted by the semiconductor process inspection apparatus according to the present invention, and a method other than the image correction method described with reference to FIG. 12 is adopted, or referring to FIG. 12 Along with the image correction method described above, the image may be corrected by adopting another method.

도 12를 참조하면, 라인 카메라가 획득한 원본 이미지는 제1 영역(A1)을 포함할 수 있다. 제1 영역(A1)은 공정 대상이 표시되는 영역으로서, 도 12에 도시한 일 실시예에서는 이송 장치가 공정 대상을 y축 방향으로 이송하는 동안 라인 카메라가 이송 경로를 촬영하는 것으로 이해될 수 있다. 라인 카메라가 이송 경로를 촬영하는 동안 이송 장치가 공정 대상을 이송하는 속도는 증가할 수 있으며, 따라서 y축 방향에서 공정 대상이 늘어난 형태로 왜곡될 수 있다. 따라서, 공정 대상은 타원 형상을 갖는 제1 영역(A1)에 표시될 수 있다. Referring to FIG. 12 , the original image acquired by the line camera may include the first area A1. The first area A1 is an area where a process target is displayed, and in one embodiment shown in FIG. 12, it can be understood that the line camera photographs the transfer path while the transfer device transfers the process target in the y-axis direction. . While the line camera captures the transfer path, the speed at which the transfer device transfers the process object may increase, and thus the process object may be distorted in an elongated form in the y-axis direction. Accordingly, the process target may be displayed in the first area A1 having an elliptical shape.

본 발명의 일 실시예에서 채택할 수 있는 영상 보정 방법에서는, 라인 카메라가 촬영한 영상의 제1 영역(A1)에 포함된 픽셀들 각각의 좌표를 보정하여 공정 대상의 실제 형상에 대응하는 제2 영역(A2)을 생성할 수 있다. 제1 영역(A1)에 포함된 픽셀들의 좌표를 제1 좌표(x₁, y₁)로 정의하면, 제1 좌표(x₁, y₁)를 보정하여 제2 좌표(x₂, y₂)로 수정함으로써, 제1 영역(A1)을 제2 영역(A2)으로 변환할 수 있다.In the image correction method that can be adopted in one embodiment of the present invention, the coordinates of each of the pixels included in the first area A1 of the image captured by the line camera are corrected to obtain a second corresponding to the actual shape of the process target. Area A2 can be created. If the coordinates of the pixels included in the first area A1 are defined as the first coordinates (x ₁ , y ₁ ), the first coordinates (x ₁ , y ₁ ) are corrected to obtain the second coordinates (x ₂ , y ₂ ) By modifying to , the first area A1 can be converted to the second area A2.

일례로, 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 보정 방법에서는, 제1 좌표(x₁, y₁)를 기준으로 정의되는 제1축(w) 및 제2축(h), 및 제1 영역(A1)의 장축(R_h)과 단축(R_v)을 이용하여 제1 좌표(x₁, y₁)를 보정할 수 있다. 제1 좌표(x₁, y₁)는 제1축(w)과 제2축(h), 제1 영역(A1)의 중심 좌표(x_c, y_c), 및 제1 영역(A1)의 장축(R_h)과 단축(R_v)을 이용한 보정 함수에 의해 제2 좌표(x₂, y₂)로 보정될 수 있다. 일례로, 상기 보정 함수는 수학식 1과 같은 방법을 포함할 수 있다. For example, in the image correction method according to an embodiment of the present invention, the first axis (w) and the second axis (h) defined based on the first coordinates (x ₁ , y ₁ ), and the first region ( The first coordinates (x ₁ , y ₁ ) may be corrected using the major axis (R _h ) and the minor axis (R _v ) of A1). The first coordinates (x ₁ , y ₁ ) are the coordinates (x _c , y _c ) of the first axis (w), the second axis (h), the center of the first area A1, and the first area A1. It may be corrected to the second coordinates (x ₂ , y ₂ ) by a correction function using the major axis (R _h ) and the minor axis (R _v ). For example, the correction function may include a method such as Equation 1.

제1 영역(A1)에 포함되는 모든 픽셀들의 제1 좌표(x₁, y₁)를 상기 보정 함수로 보정함으로써, 제1 영역(A1)의 왜곡을 수정하고 제2 영역(A2)을 생성할 수 있다. 제2 영역(A2)은 공정 대상인 반도체 웨이퍼의 실제 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 제어 장치는 제2 영역(A2)을 소정의 기준 영상과 비교하거나, 제2 영역(A2)에서 정의될 수 있는 복수의 반도체 다이들 각각을 서로 비교하거나, 제2 영역(A2)에서 정의되는 복수의 반도체 다이들 각각 내에서 단위 영역들을 서로 비교하는 등의 방법을 이용하여 라인 스캔 검사를 진행할 수 있다.The distortion of the first area A1 is corrected and the second area A2 is created by correcting the first coordinates (x ₁ , y ₁ ) of all pixels included in the first area A1 with the correction function. can The second region A2 may have a shape corresponding to an actual shape of a semiconductor wafer to be processed. The control device compares the second area A2 with a predetermined reference image, compares each of a plurality of semiconductor dies that may be defined in the second area A2, or compares a plurality of semiconductor dies defined in the second area A2. The line scan inspection may be performed using a method such as comparing unit areas within each of the semiconductor dies of the semiconductor dies.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. Therefore, various forms of substitution, modification, and change will be possible by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention described in the claims, which also falls within the scope of the present invention. something to do.

10, 400: 반도체 공정 장비
11, 12, 13, 14, 410: 공정 챔버
20, 420: 이송 챔버
30: 로드락 챔버
100, 200: 검사 장치
101, 201: 라인 카메라
102, 202: 제어 장치
103: 감지 모듈
203: 센서10, 400: semiconductor process equipment
11, 12, 13, 14, 410: process chamber
20, 420: transfer chamber
30: load lock chamber
100, 200: inspection device
101, 201: line camera
102, 202: control device
103: detection module
203: sensor

Claims

A transfer device for transferring a process target along a transfer path between a plurality of chambers;
a line camera positioned above the transfer device and generating an original image by capturing the process target transferred by the transfer device;
a sensor for detecting whether or not the transfer device transfers the process target from a lower portion of the line camera; and
The original image is received, and the distortion of the original image due to the speed change of the transfer device is corrected to inspect the process target, and the line camera captures the time and the process using the detection result of the sensor. a control device that determines whether an object deviates from the transfer path; Inspection apparatus for a semiconductor process comprising a.

According to claim 1,
The inspection apparatus of a semiconductor process, wherein the process target includes a semiconductor wafer and a mother substrate for a display.

According to claim 1,
The plurality of chambers include a plurality of process chambers for performing at least one semiconductor process, a load lock chamber for receiving the process object, and transfer for transferring the process object between the load lock chamber and the plurality of process chambers. An inspection device for a semiconductor process comprising a chamber.

According to claim 3,
The line camera is a plurality of line cameras, and the plurality of line cameras are located between the plurality of process chambers and the transfer chamber.

According to claim 1,
wherein the transfer device transfers the process target while accelerating or decelerating between the plurality of chambers.

According to claim 5,
The control unit generates a resultant image by correcting distortion in a direction in which the transfer unit accelerates or decelerates in the original image.

According to claim 6,
The control device inspects a semiconductor process to determine a second region in the resulting image by correcting coordinates of pixels included in a first region where the process target is displayed in the original image. Device.

According to claim 7,
Wherein the first region has an elliptical shape.

According to claim 8,
The control device controls each of the pixels included in the first area by using a first value and a second value defined in coordinates of each of the pixels included in the first area, and a long axis and a short axis of the first area. A semiconductor process inspection device that corrects the coordinates of

According to claim 8,
The major axis of the first region corresponds to a direction in which the transfer device transfers the process object.

According to claim 7,
The second region has a shape corresponding to the process target.

According to claim 1,
The control device compares an image resulting from correcting distortion of the original image with a predetermined reference image to perform an inspection of the process target.

According to claim 1,
wherein the control device generates the original image by selecting frames in which the process object is displayed while the line camera photographs the process object.

According to claim 9,
The first value is the length of a first axis crossing pixels included in the first area along the short axis, and the second value is the length of a second axis crossing pixels included in the first area along the long axis. Inspection equipment for phosphorus and semiconductor processes.

a conveying device that accelerates and decelerates and conveys a process target along a conveying path in a predetermined conveying direction;
a line camera disposed above the transfer device and generating an original image by photographing the process target while the process target is being transferred;
a sensor for detecting whether the transfer device transfers the process target from the lower portion of the line camera; and
A first region including the process target is selected from the original image, coordinates of pixels included in the first region are modified to generate a resultant image, and the resultant image is compared with a predetermined reference image to determine the process target a control device for controlling the semiconductor process applied to; including,
Wherein the control device determines when the line camera shoots and whether the process target deviate from the transfer path by using a detection result of the sensor.

According to claim 15,
wherein the control unit determines a second area including the process target in the resulting image by correcting coordinates of pixels included in the first area.

According to claim 16,
When the line camera captures the process object while the transfer device accelerates and transfers the process object, the size of the second area is smaller than the size of the first area.

According to claim 16,
When the line camera captures the process object while the transfer device decelerates and transfers the process object, the size of the second area is greater than the size of the first area.

According to claim 15,
wherein the control device changes a value of at least one of process variables for controlling the semiconductor process.

a plurality of process chambers for performing a semiconductor process on a semiconductor wafer or a mother substrate for a display;
a transfer chamber supplying the semiconductor wafer or the mother substrate for the display to the plurality of process chambers;
a line camera disposed on a transfer path through which the transfer chamber transfers the semiconductor wafer or the mother substrate for a display, and acquiring an original image by photographing the semiconductor wafer or the mother substrate for a display on the transfer path;
a sensor for detecting whether the semiconductor wafer or the mother substrate for a display is transported along the transport path; and
a control device correcting distortion of the original image, comparing the original image with a predetermined reference image, and adjusting a process variable of a semiconductor process performed in at least one of the plurality of process chambers according to the comparison result; including,
The control device controls a photographing time point of the line camera using a detection result of the sensor, and determines whether the semiconductor wafer or the mother substrate for a display deviate from the transfer path.