KR102550859B1 - Light emitting device, display panel and display device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들은, 발광소자, 표시패널 및 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 발광소자를 서로 다른 라인에서 어긋나게 배열하고, 인접한 발광소자의 일부 서브픽셀로 픽셀을 구현한 발광소자, 표시패널 및 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 활성층이 여러 개의 서브픽셀을 구현하여, 고정세 및 고해상도의 디스플레이를 가능하게 하는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present invention relate to a light emitting element, a display panel, and a display device, and more particularly, a light emitting element in which light emitting elements are arranged staggered in different lines and pixels are implemented with some subpixels of adjacent light emitting elements; It relates to display panels and display devices. According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a light emitting element, a display panel, and a display device capable of high-definition and high-resolution displays by implementing several subpixels in a plurality of active layers separated from one light emitting element. can

Description

발광소자, 표시패널 및 표시장치{LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE}Light emitting device, display panel and display device {LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE}

본 발명의 실시예들은 발광소자, 표시패널 및 표시장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a light emitting element, a display panel, and a display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 표시장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 다양한 유형의 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices that display images is increasing, and various types of display devices such as liquid crystal display devices and organic light emitting display devices are being utilized. It is becoming.

이러한 표시장치는, 다수의 서브픽셀이 배열된 표시패널과, 이를 구동하기 위한 게이트 구동 회로, 데이터 구동 회로 등과 같은 각종 구동 회로를 포함할 수 있다.Such a display device may include a display panel in which a plurality of subpixels are arranged, and various driving circuits such as a gate driving circuit and a data driving circuit for driving the display panel.

종래 표시장치에서, 표시패널은 기판 상에 트랜지스터, 각종 전극 및 각종 신호 배선 등이 형성되어 구성되고, 집적 회로로 구현될 수 있는 구동 회로는 인쇄 회로에 실장되어 표시패널과 전기적으로 연결된다.In a conventional display device, a display panel is formed by forming transistors, various electrodes, and various signal wires on a substrate, and a driving circuit that can be implemented as an integrated circuit is mounted on a printed circuit and electrically connected to the display panel.

이러한 표시패널은 기술의 발전에 따라 그 두께가 점점 얇아지고 있어 경량화된 표시장치를 구현할 수 있도록 한다.As technology advances, the thickness of such a display panel is getting thinner, so that a lightweight display device can be realized.

또한, 최근에는 소형 표시장치에 적합한 구조를 갖는 마이크로 발광 다이오드(μLED)를 이용한 표시장치(이하, "마이크로 표시장치"라고도 함)가 등장하고 있으며, 마이크로 발광 다이오드(μLED)는 수십 ㎛ 이하의 크기를 갖는 초소형 발광 다이오드를 의미한다.In addition, recently, a display device using a micro light emitting diode (μLED) having a structure suitable for a small display device (hereinafter, also referred to as a “micro display device”) has appeared, and a micro light emitting diode (μLED) has a size of several tens of μm or less. It means a subminiature light emitting diode having

이러한 마이크로 표시장치는 마이크로 발광 다이오드(μLED) 자체를 픽셀로 이용하며, 소형화, 경량화가 가능하여 스마트 워치, 모바일 기기, 가상 현실 장치, 증강 현실 장치 및 플렉시블 표시장치 등에 다양하게 활용될 수 있는 이점을 제공한다.These micro-display devices use micro-light emitting diodes (μLEDs) themselves as pixels, and can be miniaturized and lightweight, so they can be used in various ways such as smart watches, mobile devices, virtual reality devices, augmented reality devices, and flexible displays. to provide.

이러한 마이크로 발광 다이오드(μLED)는, 하나의 다이오드가 서브픽셀(Subpixel)을 구현하게 되므로, 고해상도의 표시장치를 구현하기 위해 표시패널에 다수의 다이오드가 포함되어야 한다.In such a micro light emitting diode (μLED), since one diode implements a subpixel, a plurality of diodes must be included in a display panel to implement a high-resolution display device.

그러나, 고정세(Fine pitch)의 마이크로 표시장치를 구현하기 위해서는, 마이크로 발광 다이오드(μLED) 자체의 크기를 줄일 필요가 있으나, 다이오드의 크기를 줄이는 것은 제조 상의 어려움 등으로 인한 한계가 존재한다.However, in order to implement a fine pitch micro display device, it is necessary to reduce the size of the micro light emitting diode (μLED) itself, but reducing the size of the diode has limitations due to difficulties in manufacturing.

따라서, 다이오드의 크기 자체를 줄이지 않고도 마이크로 표시장치의 고정세를 구현하여, 고해상도의 영상을 표시하는 마이크로 표시장치를 제공할 필요성이 있어왔다.Accordingly, there has been a need to provide a micro display device capable of displaying a high-resolution image by realizing high definition of the micro display device without reducing the size of the diode itself.

본 발명의 실시예들의 목적은, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 활성층을 포함한 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공하는 데 있다.An object of embodiments of the present invention is to provide a light emitting device, a display panel, and a display device including a plurality of active layers in which one light emitting device is separated from each other.

본 발명의 실시예들의 목적은, 발광소자를 서로 다른 라인에서 어긋나게 배열하고, 인접한 발광소자의 일부 서브픽셀로 픽셀을 구현한 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the embodiments of the present invention is to provide a light emitting element, a display panel, and a display device in which light emitting elements are arranged staggered in different lines and pixels are realized with some sub-pixels of adjacent light emitting elements.

또한, 본 발명의 실시예들의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition, the objects of the embodiments of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 발광소자의 활성층이 서로 분리되어, 하나의 소자에 여러 개의 서브픽셀이 구현된 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공한다.In one aspect, embodiments of the present invention provide a light emitting device, a display panel, and a display device in which active layers of the light emitting device are separated from each other and a plurality of subpixels are implemented in one device.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 서로 다른 색상의 광을 방출하는 발광소자를 인접하게 위치시키고, 발광소자의 일부 서브픽셀이 픽셀을 구현하는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공한다.On the other hand, embodiments of the present invention provide a light emitting device, a display panel, and a display device in which light emitting devices emitting light of different colors are adjacently positioned, and some sub-pixels of the light emitting device implement pixels.

또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 발광소자를 서로 다른 라인에서 어긋나게 배열하고, 인접한 발광소자의 서브픽셀이 픽셀을 구현하는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공한다.In another aspect, embodiments of the present invention provide a light emitting device, a display panel, and a display device in which light emitting devices are arranged staggered in different lines and subpixels of adjacent light emitting devices implement pixels.

본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 활성층이 여러 개의 서브픽셀을 구현하여, 고정세 및 고해상도의 디스플레이를 가능하게 하는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a light emitting element, a display panel, and a display device capable of high-definition and high-resolution displays by implementing several subpixels in a plurality of active layers separated from one light emitting element. can

본 발명의 실시예들에 의하면, 발광소자를 서로 다른 라인에서 어긋나게 배열하고, 인접한 발광소자의 서브픽셀로 픽셀을 구현하여 발광소자의 리던던시(Redundancy) 구현이 가능한 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a light emitting element, a display panel, and a display device capable of realizing redundancy of light emitting elements by arranging light emitting elements staggered in different lines and realizing pixels with subpixels of adjacent light emitting elements can provide

또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 서브픽셀을 포함하므로, 발광소자를 별도의 반도체 기판에서 성장시킨 후, 표시장치의 기판에 이식시키는 전사(Transfer) 공정을 줄일 수 있는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiments of the present invention, since one light emitting device includes several subpixels separated from each other, a light emitting device is grown on a separate semiconductor substrate and then transferred to a substrate of a display device. It is possible to provide a light emitting device, a display panel, and a display device capable of reducing processes.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2a는 서브픽셀의 회로 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2b는 서브픽셀의 회로 구조를 설명하기 위한 다른 도면이다.
도 3a는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 표시패널에 배열된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 상면을 나타낸 도면이다.
도 3d는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 3e는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 도면이다.
도 3f는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 픽셀 회로 구조를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3g는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 배열을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 효과를 개략적으로 나타내기 위한 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a display device according to embodiments of the present invention.
2A is a diagram for explaining a circuit structure of a subpixel.
2B is another diagram for explaining a circuit structure of a subpixel.
3A is a diagram illustrating an example of a circuit structure of subpixels arranged on a display panel of a display device according to embodiments of the present invention.
3B is a view showing a light emitting device according to embodiments of the present invention.
3C is a view showing an upper surface of a light emitting device according to embodiments of the present invention.
3D is a cross-sectional view of a light emitting device according to embodiments of the present invention.
3E is a cross-sectional view of a light emitting device according to embodiments of the present invention.
3F is a schematic diagram for explaining a pixel circuit structure of a display device according to example embodiments.
3g is a diagram illustrating a light emitting device according to embodiments of the present invention.
4 is a diagram for explaining an arrangement of light emitting elements according to embodiments of the present invention.
5 is a diagram for explaining a display device in which light emitting elements are arranged according to embodiments of the present invention.
6 is a diagram for explaining a display device in which light emitting elements are arranged according to embodiments of the present invention.
7 is a view for explaining a display panel in which light emitting elements are arranged according to embodiments of the present invention.
8 is a diagram schematically illustrating effects of a display device according to example embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이고, 도 2a는 서브픽셀의 회로 구조를 설명하기 위한 도면이며, 도 2b는 서브픽셀의 회로 구조를 설명하기 위한 다른 도면이고, 도 3a는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 표시패널에 배열된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이며, 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 나타낸 도면이고, 도 3c는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 상면을 나타낸 도면이며, 도 3d는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 도면이고, 도 3e는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 단면을 나타낸 도면이며, 도 3f는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 픽셀 회로 구조를 설명하기 위한 개략적인 도면이고, 도 3g는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자를 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자의 배열을 설명하기 위한가 배열된 표시장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시장치를 설명하기 위한 도면이며, 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 7는 본 발명의 실시예들에 따른 발광소자가 배열된 표시패널을 설명하기 위한 도면이며, 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 효과를 개략적으로 나타내기 위한 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a display device according to embodiments of the present invention, FIG. 2A is a diagram for explaining a circuit structure of a subpixel, and FIG. 2B is a diagram for explaining a circuit structure of a subpixel. FIG. 3A is a diagram showing an example of a circuit structure of subpixels arranged on a display panel of a display device according to embodiments of the present invention, and FIG. 3B is a diagram showing a light emitting device according to embodiments of the present invention. 3c is a view showing an upper surface of a light emitting device according to embodiments of the present invention, FIG. 3d is a view showing a cross section of a light emitting device according to embodiments of the present invention, and FIG. 3e is an embodiment of the present invention. FIG. 3F is a schematic diagram for explaining a pixel circuit structure of a display device according to embodiments of the present invention, and FIG. 3G is a light emitting device according to embodiments of the present invention. 4 is a view for explaining an arrangement of light emitting elements according to embodiments of the present invention, and FIG. 5 is a view for explaining an array of light emitting elements according to embodiments of the present invention. 6 is a view for explaining a display device in which light emitting elements are arranged according to embodiments of the present invention, and FIG. 7 is a view for explaining a light emitting element according to embodiments of the present invention. 8 is a diagram for explaining an array of display panels, and FIG. 8 is a diagram for schematically illustrating effects of a display device according to example embodiments.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.1 shows a schematic configuration of a display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는, 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된 표시패널(110)과, 표시패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , a display device 100 according to embodiments of the present invention includes a display panel 110 on which a plurality of subpixels SP are arranged, and a gate driving circuit for driving the display panel 110. 120, a data driving circuit 130, a controller 140, and the like.

표시패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 서브픽셀(SP)이 배치된다. 이러한 서브픽셀(SP)은 픽셀(PXL)을 구성할 수 있고, 둘 이상의 서브픽셀(SP)이 하나의 픽셀(PXL)을 구성할 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이 4개의 서브픽셀(SP)이 하나의 픽셀(PXL)을 구성할 수 있으며, 이는 후술하여 부가적으로 설명하도록 한다.In the display panel 110, a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL are disposed, and a subpixel SP is disposed in an area where the gate lines GL and data lines DL intersect. . These subpixels SP may constitute a pixel PXL, and two or more subpixels SP may constitute one pixel PXL. For example, as shown in FIG. 1 , four sub-pixels SP may constitute one pixel PXL, which will be additionally described later.

게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 표시패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.The gate driving circuit 120 is controlled by the controller 140 and sequentially outputs scan signals to the plurality of gate lines GL disposed on the display panel 110 to drive timing of the plurality of subpixels SP. to control

게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC, Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다. 또는, 게이트 구동 회로(120)는, 표시패널(110)의 배면에 위치할 수도 있다.The gate driving circuit 120 may include one or more gate driver integrated circuits (GDICs), and may be located on only one side of the display panel 110 or on both sides depending on the driving method. may be Alternatively, the gate driving circuit 120 may be located on the rear surface of the display panel 110 .

데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 한다.The data driving circuit 130 receives video data from the controller 140 and converts the video data into analog data voltages. Data voltages are output to each data line DL at the timing when the scan signal is applied through the gate line GL so that each subpixel SP expresses brightness according to the image data.

데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC, Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The data driving circuit 130 may include one or more Source Driver Integrated Circuits (SDICs).

컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다.The controller 140 supplies various control signals to the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130 and controls operations of the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130 .

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.The controller 140 causes the gate driving circuit 120 to output a scan signal according to the timing implemented in each frame, and converts image data received from the outside to suit the data signal format used by the data driving circuit 130. and outputs the converted image data to the data driving circuit 130 .

컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE, Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예, 호스트 시스템)로부터 수신한다.The controller 140 transmits various timing signals including a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable signal (DE, Data Enable), and a clock signal (CLK) together with the video data to the outside. (e.g. host system).

컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.The controller 140 may generate various control signals using various timing signals received from the outside and output them to the gate driving circuit 120 and the data driving circuit 130 .

일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP, Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC, Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE, Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호를 출력한다.For example, in order to control the gate driving circuit 120, the controller 140 includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE). It outputs various gate control signals including Gate Output Enable).

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driving circuit 120 . The gate shift clock (GSC) is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal. The gate output enable signal (GOE) specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP, Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC, Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE, Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호를 출력한다.In addition, the controller 140, in order to control the data driving circuit 130, a source start pulse (SSP, source start pulse), a source sampling clock (SSC, source sampling clock), a source output enable signal (SOE, source It outputs various data control signals including Output Enable).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적 회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse SSP controls data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driving circuit 130 . The source sampling clock (SSC) is a clock signal that controls sampling timing of data in each source driver integrated circuit. The source output enable signal SOE controls output timing of the data driving circuit 130 .

이러한 표시장치(100)는, 표시패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 집적 회로를 더 포함할 수 있다.The display device 100 includes a power management integrated circuit that supplies various voltages or currents to a display panel 110, a gate driving circuit 120, a data driving circuit 130, or controls various voltages or currents to be supplied. can include more.

표시패널(110)에는, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 이외에 각종 신호나 전압이 공급되는 전압 라인이 배치될 수 있으며, 각각의 서브픽셀(SP)에는 발광소자(300)와 이를 구동하기 위한 트랜지스터 등이 배치될 수 있다.In addition to the gate line GL and the data line DL, voltage lines supplying various signals or voltages may be disposed in the display panel 110 , and each sub-pixel SP has a light emitting element 300 and drives the same. A transistor or the like for doing so may be disposed.

도 2a와 도 2b는 서브픽셀(SP)의 회로 구조를 설명하기 위한 도면이다. 이러한 회로 구조는 개념적인 것으로, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 표시패널(110)은 이러한 회로 구조를 기초로 일부 변형된 픽셀 회로 구조를 가질 수 있다. 이는 후술하여 상세히 설명한다.2A and 2B are diagrams for explaining the circuit structure of the subpixel SP. Such a circuit structure is conceptual, and the display panel 110 of the display device 100 according to embodiments of the present invention may have a partially modified pixel circuit structure based on this circuit structure. This will be explained in detail later.

도 2a를 참조하면, 서브픽셀(SP)에는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하며 배치된다. 그리고, 구동 전압(Vdd)이 공급되는 구동 전압 라인(DVL)과 공통 전압(Vcom)이 공급되는 공통 전압 라인(CVL)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2A , the gate line GL and the data line DL are intersected in the subpixel SP. Also, the driving voltage line DVL supplied with the driving voltage Vdd and the common voltage line CVL supplied with the common voltage Vcom may be disposed.

각각의 서브픽셀(SP)에는 마이크로 발광 다이오드(μLED)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 동작 타이밍을 제어하는 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 스토리지 캐패시터(Cst) 등이 배치될 수 있다.Each sub-pixel (SP) includes a micro light emitting diode (μLED), a driving transistor (DRT) for driving it, a switching transistor (SWT) for controlling the operation timing of the driving transistor (DRT), and a storage capacitor (Cst). etc. can be placed.

스위칭 트랜지스터(SWT)는, 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되며, 게이트 라인(GL)으로 인가되는 스캔 신호에 의해 턴-온 되고 데이터 전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 공급되도록 한다.The switching transistor SWT is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT, and is turned on by a scan signal applied to the gate line GL and receives a data voltage. (Vdata) is supplied to the first node N1 of the driving transistor DRT.

구동 트랜지스터(DRT)는, 제1 노드(N1)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 구동 전압(Vdd)이 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 애노드 전극으로 인가되도록 한다.The driving transistor DRT allows the driving voltage Vdd to be applied to the anode electrode of the micro light emitting diode μLED according to the data voltage Vdata applied to the first node N1.

스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결되며, 제1 노드(N1)에 인가된 데이터 전압(Vdata)을 한 프레임 동안 유지시켜줄 수 있다.The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the third node N3 of the driving transistor DRT, and applies the data voltage Vdata applied to the first node N1 to one frame. can be maintained for a while.

마이크로 발광 다이오드(μLED)는, 애노드 전극으로 데이터 전압(Vdata)에 따라 공급되는 구동 전압(Vdd)을 인가받고, 캐소드 전극으로 공통 전압(Vcom)을 인가받는다. 그리고, 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압 차에 따라 밝기를 나타낼 수 있다.A micro light emitting diode (μLED) receives a driving voltage (Vdd) supplied according to a data voltage (Vdata) through an anode electrode, and receives a common voltage (Vcom) through a cathode electrode. In addition, brightness may be displayed according to a voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode.

이러한 마이크로 발광 다이오드(μLED)는, 애노드 전극이 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)와 연결될 수도 있으나, 구동 전압 라인(DVL)과 연결되는 구조일 수도 있다.Such a micro light emitting diode (μLED) may have an anode electrode connected to the third node N3 of the driving transistor DRT or connected to the driving voltage line DVL.

도 2b를 참조하면, 각각의 서브픽셀(SP)에는 마이크로 발광 다이오드(μLED)와, 스위칭 트랜지스터(SWT), 구동 트랜지스터(DRT) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 등이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2B , a micro light emitting diode (μLED), a switching transistor (SWT), a driving transistor (DRT), a storage capacitor (Cst), and the like may be disposed in each subpixel (SP).

여기서, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 애노드 전극은 구동 전압(Vdd)이 인가되는 구동 전압 라인(DVL)과 연결된다. 그리고, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 캐소드 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the anode electrode of the micro light emitting diode (μLED) is connected to the driving voltage line DVL to which the driving voltage Vdd is applied. Also, the cathode electrode of the micro light emitting diode (μLED) may be electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT.

이와 같이, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(DRT)와 연결되도록 함으로써, 마이크로 발광 다이오드(μLED)에 흐르는 전류 제어가 용이하도록 할 수 있다.In this way, by connecting the cathode electrode of the micro light emitting diode (μLED) to the driving transistor DRT, it is possible to easily control the current flowing through the micro light emitting diode (μLED).

구체적으로, 도 2a에 도시된 회로 구조와 같이, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 애노드 전극이 구동 트랜지스터(DRT)와 연결된 경우, 마이크로 발광 다이오드(μLED)에 흐르는 전류는 아래 수학식 1과 같이 산출될 수 있다.Specifically, as in the circuit structure shown in FIG. 2A, when the anode electrode of the micro light emitting diode (μLED) is connected to the driving transistor (DRT), the current flowing through the micro light emitting diode (μLED) is calculated as in Equation 1 below. can

Figure 112022097016461-pat00001
Figure 112022097016461-pat00001

여기서, μ, Cp는 각각 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도와 기생 정전 용량을 의미하고, W, L은 각각 구동 트랜지스터(DRT)의 채널의 폭과 길이를 의미한다. 그리고, Vgs는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전압 차를 의미하고, Vth는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압을 의미하며, Vled는 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 전압 차를 의미한다.Here, μ and Cp mean the mobility and parasitic capacitance of the driving transistor DRT, respectively, and W and L respectively mean the width and length of the channel of the driving transistor DRT. Further, Vgs means a voltage difference between the first node N1 and the third node N3, Vth means the threshold voltage of the driving transistor DRT, and Vled means the anode electrode of the micro light emitting diode (μLED). It means the voltage difference between the and the cathode electrode.

반면, 도 2b에 도시된 회로 구조와 같이, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(DRT)와 연결된 경우, 마이크로 발광 다이오드(μLED)에 흐르는 전류는 아래 수학식 2와 같이 산출될 수 있다.On the other hand, as in the circuit structure shown in FIG. 2B, when the cathode electrode of the micro light emitting diode (μLED) is connected to the driving transistor (DRT), the current flowing through the micro light emitting diode (μLED) can be calculated as in Equation 2 below. there is.

Figure 112022097016461-pat00002
Figure 112022097016461-pat00002

즉, 마이크로 발광 다이오드(μLED)의 애노드 전극이 구동 전압 라인(DVL)과 연결되고 캐소드 전극이 구동 트랜지스터(DRT)와 연결된 구조에서는, 마이크로 발광 다이오드(μLED)에 걸리는 전압 Vled를 고려하지 않고 공통 전압(Vcom)만 고려하여 데이터 전압(Vdata)을 인가하면 된다. 따라서, 마이크로 발광 다이오드(μLED)에 흐르는 전류를 용이하게 제어하도록 할 수 있다.That is, in a structure in which the anode electrode of the micro light emitting diode (μLED) is connected to the driving voltage line (DVL) and the cathode electrode is connected to the driving transistor (DRT), the voltage Vled applied to the micro light emitting diode (μLED) is not considered and the common voltage It is only necessary to apply the data voltage (Vdata) considering only (Vcom). Therefore, it is possible to easily control the current flowing through the micro light emitting diode (μLED).

한편, 이러한 마이크로 발광 다이오드(μLED)가 각각 하나의 서브픽셀(SP)을 구현하는 경우, 서로 다른 3색을 발광하는 3개의 다이오드를 이용해 픽셀을 구현하여야 하므로, 동일한 기판 상에 배치될 수 있는 다이오드 개수의 한계로 인해 고해상도의 표시장치(100)를 구현하기 어려운 문제점이 존재한다.On the other hand, when each micro light emitting diode (μLED) implements one sub-pixel (SP), since the pixel must be implemented using three diodes emitting light of three different colors, the diodes that can be disposed on the same substrate Due to the limited number, it is difficult to implement a high-resolution display device 100 .

이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 표시패널(110)과 발광소자(300)를 상세히 살펴본다.Hereinafter, referring to FIG. 3 , the display panel 110 and the light emitting element 300 of the display device 100 according to embodiments of the present invention will be described in detail.

먼저, 도 3a를 참조하면, 표시패널(110)에는, 다수의 데이터 라인(DL)과 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되며, 이러한 다수의 데이터 라인(DL)과 다수의 게이트 라인(GL)으로 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열된다.First, referring to FIG. 3A , a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL are disposed in the display panel 110, and the plurality of data lines DL and the plurality of gate lines GL A number of sub-pixels defined by are arranged.

이때, 다수의 서브픽셀은, 동일한 색상의 광을 방출하며 인접하게 위치한 C(C는 3 이상의 자연수)개의 서브픽셀을 포함할 수 있다.In this case, the plurality of subpixels may include C (C is a natural number equal to or greater than 3) subpixels that emit light of the same color and are positioned adjacent to each other.

이와 같은 C개의 서브픽셀을 도 3a를 참조하여 살펴보면, 도 3a에는 인접하게 위치한 4개의 서브픽셀을 포함한 표시패널(110)의 회로 구조의 일부가 도시되어 있다. 이하에서 별도로 언급하지 않는 한 C는 4를 의미하는 것으로 하여 설명하도록 한다.Looking at these C subpixels with reference to FIG. 3A , a part of the circuit structure of the display panel 110 including four subpixels positioned adjacent to each other is shown in FIG. 3A. Unless otherwise noted below, C will be described as meaning 4.

C개의 서브픽셀 각각은, 후술할 발광소자(300)의 C개의 셀 중 대응되는 셀을 구동하며, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)를 갖는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 발광소자(300)의 C개의 제1 전극(311)과 연결될 수 있다.Each of the C subpixels drives a corresponding cell among the C cells of the light emitting device 300, which will be described later, and a driving transistor having a first node N1, a second node N2, and a third node N3. DRT, the switching transistor SWT electrically connected between the first node of the driving transistor DRT and the data line DL, and the first node N1 and the third node N3 of the driving transistor DRT. ), and the second node N2 of the driving transistor DRT may be connected to the C first electrodes 311 of the light emitting device 300 .

도 3a에 도시된 마이크로 발광 다이오드(μLED)는, 셀이 C개로 분리된 발광소자(300)를 개념적으로 도시한 것으로, 도 3a의 각각의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)의 마이크로 발광 다이오드(μLED) 전체가 하나의 발광소자(300)에 대응된다.The micro light emitting diode (μLED) shown in FIG. 3A conceptually shows the light emitting device 300 having C cells separated, and the micro light emission of each of the subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 of FIG. 3A The entire diode (μLED) corresponds to one light emitting device 300 .

다만, 도 3a와 달리 C개의 서브픽셀 각각은, 도 2a와 같은 회로 구조를 가질 수도 있다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 구동 전압 라인(DVL)에 연결되고, 제3 노드(N3)가 발광소자(300)의 제2 전극(313)과 연결될 수도 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 아래에서는 C개의 서브픽셀 각각이 도 2b와 같은 구조로 연결되는 것으로 설명하도록 한다.However, unlike FIG. 3A, each of the C subpixels may have a circuit structure as shown in FIG. 2A. That is, the second node N2 of the driving transistor DRT may be connected to the driving voltage line DVL, and the third node N3 may be connected to the second electrode 313 of the light emitting element 300 . However, for convenience of explanation, it will be described below that each of the C subpixels is connected in the structure shown in FIG. 2B.

도 3a를 참조하면, 좌측 상단의 서브픽셀(SP1)을 기준으로 시계 방향으로 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함되어 있고, 각각의 서브픽셀은 구동 트랜지스터(DRT)와, 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함하고 있다.Referring to FIG. 3A , four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 are included in a clockwise direction based on the subpixel SP1 at the upper left, and each subpixel includes a driving transistor DRT, It includes a switching transistor SWT and a storage capacitor Cst.

한편, 이러한 C개의 서브픽셀마다 1개의 발광소자(300)가 배치될 수 있다. 즉, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)마다 1개의 발광소자(300)가 4개의 서브픽셀에 대응되게 배치될 수 있다.Meanwhile, one light emitting device 300 may be disposed for each of these C subpixels. That is, one light emitting device 300 may be disposed corresponding to each of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 .

이를, 도 3b 및 도 3c를 참조하여 살펴보면, 발광소자(300)는, 하나의 발광소자(300)에 여러 개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 대응될 수 있다. 즉, 하나의 발광소자(300)는 C개의 셀(Cell)을 가질 수 있다. 여기서, 용어의 혼동을 방지하고자, 셀(Cell)은 광을 방출하는 발광소자(300)의 구조적인 영역을 의미하고, 이러한 셀을 통해 광이 방출되면서 인식된 공간을 서브픽셀(SP)로 구분하도록 한다.Looking at this with reference to FIGS. 3B and 3C , in the light emitting device 300 , several subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 may correspond to one light emitting device 300 . That is, one light emitting device 300 may have C cells. Here, to prevent confusion of terms, a cell refers to a structural area of the light emitting device 300 that emits light, and a space recognized as light is emitted through such a cell is divided into subpixels (SP). let it do

보다 구체적으로, 발광소자(300)는 하나의 발광소자(300)에 분리된 여러 개의 셀이 구비될 수 있으며, 셀은 4개로 분리되어 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 3b를 참조하면, 하나의 발광소자(300)에 서로 분리된 4개의 셀이 구비될 수 있고, 이러한 발광소자(300)의 셀은 각각의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 대응될 수 있다.More specifically, the light emitting device 300 may be provided with several cells separated from one light emitting device 300, and the cell may be provided with four cells separated. For example, referring to FIG. 3B , four cells separated from each other may be provided in one light emitting device 300, and the cells of the light emitting device 300 may be provided with respective subpixels SP1, SP2, SP3, SP4) may correspond.

그리고, 발광소자(300)는 전극(310)을 가지고 있으며, 전극(310)은 각각의 셀마다 분리된 전극과, 각각의 셀에 공통으로 형성된 전극으로 구현될 수도 있다.In addition, the light emitting device 300 has an electrode 310, and the electrode 310 may be implemented as a separate electrode for each cell and an electrode commonly formed in each cell.

이러한 구조의 발광소자(300)는, 하나의 소자에 서로 다른 여러 개의 셀이 구비되고, 이러한 셀을 통해 광을 방출할 수 있으므로, 하나의 소자만으로 여러 개의 구분된 서브픽셀을 구현할 수 있다.Since the light emitting device 300 having such a structure includes several different cells in one device and can emit light through these cells, several differentiated subpixels can be implemented with only one device.

그리고, 각각의 셀이 독립적으로 구동되는 전극 구조를 가질 수 있어, 하나의 발광소자(300)에 구비된 여러 개의 셀을 독립적으로 동작하여, 발광소자(300)의 발광패턴을 다르게 구현할 수도 있다.In addition, since each cell may have an independently driven electrode structure, a plurality of cells provided in one light emitting device 300 may be operated independently to implement different light emitting patterns of the light emitting device 300 .

이러한 발광소자(300)를 도 3d 및 도 3e를 참조해 상세히 살펴본다. 도 3d 및 도 3e는 도 3c에 도시된 라인을 따른 단면을 나타낸다.This light emitting device 300 will be described in detail with reference to FIGS. 3D and 3E. Figures 3d and 3e show cross-sections along the line shown in Figure 3c.

도 3d를 참조하면, 발광소자(300)는 제1 반도체층(301), 활성층(303), 제2 반도체층(305), 제1 전극(311) 및 제2 전극(313)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 3D , the light emitting device 300 includes a first semiconductor layer 301, an active layer 303, a second semiconductor layer 305, a first electrode 311 and a second electrode 313. .

제1 반도체층(301)은 사파이어(Sapphire) 또는 실리콘(Si)과 같은 반도체 웨이퍼(wafer) 기판(미도시) 상에 적층되면서 결정화된다. 이러한 제1 반도체층(301)은 GaN, AlGaN, InGaN, 또는 AlInGaN 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있다.The first semiconductor layer 301 is crystallized while stacked on a semiconductor wafer substrate (not shown) such as sapphire or silicon. The first semiconductor layer 301 may be made of a semiconductor material such as GaN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN.

활성층(303)은 제1 반도체층(301) 상에 위치한다. 이러한 활성층(303)은 우물층과 우물층보다 밴드 갭이 높은 장벽층을 갖는 다중 양자 우물(MQW; Multi Quantum Well) 구조를 갖는다. 활성층(303)은 일 예로 InGaN/GaN 등의 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다.The active layer 303 is located on the first semiconductor layer 301 . The active layer 303 has a multi-quantum well (MQW) structure including a well layer and a barrier layer having a higher band gap than the well layer. The active layer 303 may have a multi-quantum well structure such as InGaN/GaN, for example.

활성층(303)은 서로 전기적으로 분리된 C개인 것일 수 있다. 즉, 활성층(303)은 제1 반도체층(301) 상에서 전기적으로 분리된 4개인 것일 수 있다.The active layer 303 may be C individuals electrically separated from each other. That is, the active layer 303 may be four electrically separated on the first semiconductor layer 301 .

그리고, 분리된 C개의 활성층(303)은 동일한 색상의 광을 방출하도록 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이때 동일한 색상은 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 중 어느 하나인 것일 수 있다.Also, the separated C active layers 303 may include the same material to emit light of the same color. In this case, the same color may be any one of red, green, and blue.

예를 들어, 활성층(303)이 적색을 발광하는 경우, 활성층(303)은 InGaAlP 물질을 포함할 수 있고, 활성층(303)이 녹색이나 청색을 발광하는 경우, InGaN 물질을 포함하고, In 함량에 따라 녹색 또는 청색을 발광하도록 할 수 있다.For example, when the active layer 303 emits red light, the active layer 303 may include an InGaAlP material, and when the active layer 303 emits green or blue light, the active layer 303 includes an InGaN material, depending on the In content. Depending on the color, green or blue light can be emitted.

제2 반도체층(305)은 C개의 활성층(303) 상에 대응하여 위치한다. 제2 반도체층(305)은 GaN, AlGaN, InGaN, 또는 AlInGaN 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있다.The second semiconductor layer 305 is correspondingly positioned on the C number of active layers 303 . The second semiconductor layer 305 may be made of a semiconductor material such as GaN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN.

그리고, 제2 반도체층(305)은 C개의 활성층(303) 상에 위치하면서, C개의 활성층(303)과 마찬가지로 서로 전기적으로 분리된 C개로 존재할 수 있다. 즉, C개의 활성층(303)에 대응하여 제2 반도체층(305)도 C개로 분리될 수 있다.Also, while the second semiconductor layer 305 is positioned on the C number of active layers 303 , like the C number of active layers 303 , C pieces electrically separated from each other may exist. That is, corresponding to the C number of active layers 303, the second semiconductor layer 305 may also be separated into C number.

이러한 제1 반도체층(301)과 제2 반도체층(305)은, 제1 반도체층(301)이 n형 반도체층이고, 제2 반도체층(303)이 p형 반도체층인 것일 수 있다.As for the first semiconductor layer 301 and the second semiconductor layer 305, the first semiconductor layer 301 may be an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 303 may be a p-type semiconductor layer.

이 경우, 제1 반도체층(301)은 n형 반도체층으로, n-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체 물질에 불순물로 Si, Ge, Se, Te, 또는 C 등이 사용될 수 있다.In this case, the first semiconductor layer 301 is an n-type semiconductor layer and may be made of an n-GaN-based semiconductor material, and Si, Ge, Se, Te, or C may be used as an impurity in the semiconductor material.

그리고, 제2 반도체층(305)은 p형 반도체층으로, P-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체 물질에 불순물로는 Mg, Zn, 또는 Be 등이 사용될 수 있다.The second semiconductor layer 305 is a p-type semiconductor layer and may be made of a P-GaN-based semiconductor material, and Mg, Zn, or Be may be used as an impurity in the semiconductor material.

그리고, 제1 반도체층(301)이 n형 반도체층인 경우, 제1 반도체층(301)은 활성층(303)에 전자를 제공하고, 제2 반도체층(305)이 p형 반도체층인 경우, 제2 반도체층(305)은 활성층(303)에 정공을 제공할 수 있다.And, when the first semiconductor layer 301 is an n-type semiconductor layer, the first semiconductor layer 301 provides electrons to the active layer 303, and when the second semiconductor layer 305 is a p-type semiconductor layer, The second semiconductor layer 305 may provide holes to the active layer 303 .

한편, 발광소자(300)에 구비된 전극(310)은, 제1 전극(311)과 제2 전극(313)인 것일 수 있다.Meanwhile, the electrode 310 provided in the light emitting device 300 may be a first electrode 311 and a second electrode 313 .

제1 전극(311)은 C개의 제2 반도체층(305) 상에 위치하며, C개의 제2 반도체층(305)과 절연되며, 제1 반도체층(301)과 전기적으로 연결된다.The first electrode 311 is positioned on the C number of second semiconductor layers 305 , insulated from the C number of second semiconductor layers 305 , and electrically connected to the first semiconductor layer 301 .

제1 전극(311)은 Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, 또는 Cr 등의 금속 물질 및 그 합금 중 하나 이상을 포함한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 활성층(303)으로부터 방출되는 광의 손실을 최소화 하기 위해, 제1 전극(311)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재질로 이루어질 수도 있다.The first electrode 311 may be made of a conductive material including at least one of metal materials such as Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, or Cr, and alloys thereof. However, in order to minimize loss of light emitted from the active layer 303, the first electrode 311 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이러한 제1 전극(311)은, C개의 제2 반도체층(305) 상에서 C개의 제2 반도체층(305)과 대응되는 C개의 전극으로 구비될 수 있다. 즉, 도 3d와 같이 C개의 제2 반도체층(305) 상에 대응되어 제1 전극(311)이 C개로 구비될 수 있다.The first electrodes 311 may be provided as C electrodes corresponding to the C second semiconductor layers 305 on the C second semiconductor layers 305 . That is, as shown in FIG. 3D , C number of first electrodes 311 may be provided to correspond to C number of second semiconductor layers 305 .

이 경우, C개의 제1 전극(311) 각각은 C개의 제2 반도체층(305) 중 대응되는 제2 반도체층(305)과 C개의 활성층(303) 중 대응되는 활성층(303)을 관통하는 비아홀(320)을 통해 제1 반도체층(301)과 전기적으로 연결될 수 있다.In this case, each of the C number of first electrodes 311 is a via hole passing through the corresponding second semiconductor layer 305 of the C number of second semiconductor layers 305 and the corresponding active layer 303 of the C number of active layers 303 It may be electrically connected to the first semiconductor layer 301 through 320 .

한편, 전술한 C개의 활성층(303), C개의 제2 반도체층(305) 및 C개의 제1 전극(311)은 서로 대응되어 C개의 셀을 구현할 수 있다.Meanwhile, the aforementioned C number of active layers 303, C number of second semiconductor layers 305, and C number of first electrodes 311 may correspond to each other to implement C cells.

즉, 서로 분리된 1개의 활성층(303), 제2 반도체층(305), 제1 전극(311)은 각각의 셀을 이루면서 C개의 셀을 구현할 수 있다. 전술한 바와 같이 이러한 C개의 셀은 C개의 서브픽셀에 각각 대응될 수 있다.That is, one active layer 303 , the second semiconductor layer 305 , and the first electrode 311 separated from each other can implement C cells while forming each cell. As described above, these C cells may respectively correspond to C subpixels.

한편, 제2 전극(313)은 C개의 제2 반도체층(305) 상에 위치하며, 제1 반도체층(301)과 절연되고, C개의 제2 반도체층(305)과 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the second electrode 313 is positioned on the C number of second semiconductor layers 305 , is insulated from the first semiconductor layer 301 , and is electrically connected to the C number of second semiconductor layers 305 .

제2 전극(313)은 Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, 또는 Cr 등의 금속 물질 및 그 합금 중 하나 이상을 포함한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 활성층(303)으로부터 방출되는 광의 손실을 최소화 하기 위해 제2 전극(313)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명 도전성 재질로 이루어질 수도 있다.The second electrode 313 may be made of a conductive material including at least one of metal materials such as Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, or Cr, and alloys thereof. However, in order to minimize loss of light emitted from the active layer 303, the second electrode 313 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이러한 제2 전극(313)은, C개의 제2 반도체층(305)에 공통으로 연결되는 전극으로 구비될 수 있다. 즉, 도 3d와 같이 C개의 제2 반도체층(305)과 공통으로 연결되어 제2 전극(313)이 1개로 구비될 수 있다.The second electrode 313 may be provided as an electrode commonly connected to the C number of second semiconductor layers 305 . That is, as shown in FIG. 3D , one second electrode 313 may be provided with one second electrode 313 connected in common with C second semiconductor layers 305 .

이 경우, 제2 전극(313)은, C개의 제2 반도체층(305)의 일부와 공통으로 중첩되면서 전기적으로 연결될 수 있다.In this case, the second electrode 313 may be electrically connected while overlapping in common with a part of the C number of second semiconductor layers 305 .

즉, 도 3d와 같이 제2 전극(313)은 C개의 제2 반도체층(305)의 단부 일부분을 덮으면서 제2 반도체층(305)와 접촉하여 제2 반도체층(305)과 연결될 수 있다.That is, as shown in FIG. 3D , the second electrode 313 may be connected to the second semiconductor layer 305 by contacting the second semiconductor layer 305 while covering a portion of the end portion of the C number of second semiconductor layers 305 .

그리고, C개의 제2 반도체층(305) 상에서 C개의 제1 전극(311)과 제2 전극(313) 사이에는 절연층(307)이 위치할 수 있다.In addition, an insulating layer 307 may be positioned between the C first electrodes 311 and the second electrodes 313 on the C second semiconductor layers 305 .

그리고, 절연층(307)은 C개의 활성층(303) 및 C개의 제2 반도체층(305)이 분리된 측면과 C개의 제2 반도체층(305)의 상면을 더 덮도록 마련될 수 있다. In addition, the insulating layer 307 may be provided to further cover the side surface from which the C number of active layers 303 and the C number of second semiconductor layers 305 are separated and the upper surface of the C number of second semiconductor layers 305 .

또는, 절연층(307)이 발광소자(300)를 전체적으로 감싸도록 제1 반도체층(301), 활성층(303) 및 제2 반도체층(305)의 측면과 제1 반도체층(301)의 하면을 덮도록 마련되거나, 비아홀(320)에 마련될 수도 있다. 이러한 절연층(307)은 SiO2와 같은 물질을 포함할 수도 있다.Alternatively, the side surfaces of the first semiconductor layer 301, the active layer 303, and the second semiconductor layer 305 and the bottom surface of the first semiconductor layer 301 are formed so that the insulating layer 307 entirely surrounds the light emitting element 300. It may be provided to cover or may be provided in the via hole 320 . The insulating layer 307 may include a material such as SiO2.

한편, 도 3d와 같은 구조를 갖는 발광소자(300)의 제1 전극(311)과 제2 전극(313)에 전류가 공급되면, 제1 전극(311)에 대응되는 제1 반도체층(301)에서는 전자가, 제2 전극(313)에 대응되는 제2 반도체층(305)에서는 정공이 존재하고, 이러한 전자와 정공이 활성층(303)에서 결합하면서 광을 방출하게 된다.On the other hand, when current is supplied to the first electrode 311 and the second electrode 313 of the light emitting device 300 having the structure shown in FIG. 3D, the first semiconductor layer 301 corresponding to the first electrode 311 In , electrons and holes exist in the second semiconductor layer 305 corresponding to the second electrode 313 , and these electrons and holes are combined in the active layer 303 to emit light.

이때, C개의 제1 전극(311) 중 전류가 공급되는 제1 전극(311) 주위의 제1 반도체층(301)에만 전자가 존재하고, 이러한 전자는 쉽게 전파되지 않게 된다.At this time, electrons exist only in the first semiconductor layer 301 around the first electrode 311 to which current is supplied among the C number of first electrodes 311, and these electrons do not propagate easily.

따라서, C개의 제1 전극(311) 중에서 일부 전극에만 전류를 인가하면, C개의 활성층(303) 중에서 이에 대응된 활성층(303)에서만 전자와 정공이 재결합하여, 이러한 활성층(303)에 대응된 특정 셀에서만 광이 방출될 수 있다.Therefore, when current is applied to only some of the C number of first electrodes 311, electrons and holes recombine only in the corresponding active layer 303 among the C number of active layers 303, and the specific corresponding to these active layers 303 Light can be emitted only from the cells.

즉, C개의 제1 전극(311) 각각이 독립적으로 구동되면서 특정 셀에서만 광을 방출하도록 조절할 수 있다.That is, while each of the C number of first electrodes 311 is driven independently, it can be controlled to emit light only in a specific cell.

전술한 제1 전극(311)과 제2 전극(313)은, 서로 위치적으로 반대로 구현될 수도 있다.The aforementioned first electrode 311 and the second electrode 313 may be embodied in positionally opposite to each other.

도 3e를 참조하면, 도 3d에서 C개의 전극으로 구비된 제1 전극(311)은, 도 3e에서 제1 반도체층(301)에 공통으로 연결되는 1개의 전극이고, 도 3d에서 1개의 전극으로 구비된 제2 전극(313)은, 도 3e에서 C개의 제2 반도체층(305) 각각에 전기적으로 연결되는 C개의 전극일 수 있다.Referring to FIG. 3E, the first electrode 311 provided with C electrodes in FIG. 3D is one electrode commonly connected to the first semiconductor layer 301 in FIG. 3E, and is one electrode in FIG. 3D. The provided second electrodes 313 may be C electrodes electrically connected to each of the C second semiconductor layers 305 in FIG. 3E .

즉, 도 3d는 제2 전극(313)을 공통의 전극으로 구비하나, 도 3e는 제1 전극(311)을 공통의 전극으로 구비할 수 있다.That is, FIG. 3D includes the second electrode 313 as a common electrode, but FIG. 3E may include the first electrode 311 as a common electrode.

이 경우, 제1 전극(311)은 분리된 C개의 활성층(303)과 C개의 제2 반도체층(305) 사이로 제1 반도체층(301)과 전기적으로 연결되는 1개의 전극이고, 제2 전극(313)은 C개의 제2 반도체층(305) 상에 대응되어 위치하면서 C개의 제2 반도체층 일부와 중첩되면서 전기적으로 연결되는 C개의 전극일 수 있다.In this case, the first electrode 311 is one electrode electrically connected to the first semiconductor layer 301 between the separated C active layers 303 and C second semiconductor layers 305, and the second electrode ( 313) may be C number of electrodes electrically connected while overlapping portions of the C number of second semiconductor layers while correspondingly positioned on the C number of second semiconductor layers 305 .

그리고, 제1 전극(311)은, 제1 반도체층(301)이 n형 반도체층인 경우 캐소드인 것일 수 있고, 제2 전극(313)은, 제2 반도체층(305)이 p형 반도체층인 경우 애노드인 것일 수 있다. 다만, 제1 반도체층(301)과 제2 반도체층(305)은 n형과 p형이 서로 반대로 구현될 수도 있다.In addition, the first electrode 311 may be a cathode when the first semiconductor layer 301 is an n-type semiconductor layer, and the second electrode 313 is a p-type semiconductor layer when the second semiconductor layer 305 is a layer. In the case of , it may be an anode. However, the first semiconductor layer 301 and the second semiconductor layer 305 may have n-type and p-type opposite to each other.

한편, 전술한 구조의 발광소자(300)와 표시패널(110)의 픽셀 회로의 연결 예시를 도 3f를 통해 살펴본다.Meanwhile, an example of connection between the light emitting device 300 having the above structure and the pixel circuit of the display panel 110 will be described through FIG. 3F.

도 3f를 참조하면, 표시패널(110)의 상에, 하나의 발광소자(300)와 대응되는 다수의 스위칭 트랜지스터(SWT1, SWT2, SWT3, SWT4), 다수의 구동 트랜지스터(DRT1, DRT2, DRT3, DRT4), 다수의 스토리지 캐패시터(Cst1, Cst2, Cst3, Cst4) 및 다수의 신호 라인(Scan, Data, Vdd, Vcom)이 배치되어 있다. 도 3f에 도시된 픽셀 회로는 발광소자(300)가 4개의 분리된 셀을 가지는 경우를 예시하여 도시한 것이다.Referring to FIG. 3F , on the display panel 110, a plurality of switching transistors SWT1 , SWT2 , SWT3 , and SWT4 corresponding to one light emitting device 300 , a plurality of driving transistors DRT1 , DRT2 , DRT3 , DRT4), a plurality of storage capacitors (Cst1, Cst2, Cst3, Cst4) and a plurality of signal lines (Scan, Data, Vdd, Vcom) are disposed. The pixel circuit shown in FIG. 3F is illustrated in the case where the light emitting device 300 has four separate cells.

그리고, 도 3f에 도시된 다수의 신호 라인(Scan, Data, Vdd, Vcom)은, 2개의 데이터 라인(DL), 2개의 게이트 라인(GL), 2개의 구동 전압 라인(DVL) 및 2개의 공통 전압 라인(CVL)을 갖는 것으로 예시적으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 발광소자(300)의 분리된 셀에 대응된 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 서로 다른 신호를 공급하는 다양한 신호 라인 구조를 더 가질 수도 있다.And, the plurality of signal lines (Scan, Data, Vdd, and Vcom) shown in FIG. 3F include two data lines (DL), two gate lines (GL), two driving voltage lines (DVL), and two common It is illustratively shown as having a voltage line (CVL), but is not limited thereto. That is, the subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 corresponding to the separated cells of the light emitting device 300 may further have various signal line structures for supplying different signals.

또한, 도 3f에 도시된 다수의 신호 라인(Scan, Data, Vdd, Vcom)은, 발광소자(300)가 인버티드(Inverted) 형태로 연결된 경우의 회로 구조의 예시이나, 도 2a와 같은 회로 구조의 경우에도 적용되도록 구조가 달라질 수도 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 인버티드 형태로 연결된 회로 구조로 설명하도록 한다.In addition, the plurality of signal lines (Scan, Data, Vdd, Vcom) shown in FIG. 3F is an example of a circuit structure when the light emitting device 300 is connected in an inverted form, but the circuit structure shown in FIG. 2A The structure may be changed so that it is applied even in the case of . However, for convenience of description, a circuit structure connected in an inverted form will be described.

표시패널(110) 상에, 발광소자(300)의 분리된 C개의 셀, 즉 C개의 활성층(303)과 C개의 제2 반도체층(305) 각각에 대응되는 다수의 스위칭 트랜지스터(SWT1, SWT2, SWT3, SWT4), 다수의 구동 트랜지스터(DRT1, DRT2, DRT3, DRT4), 다수의 스토리지 캐패시터(Cst1, Cst2, Cst3, Cst4)가 위치할 수 있다. 이를 편의상 좌측 상단부터 시계 방향 순서대로 넘버링하여 설명하도록 한다.On the display panel 110, a plurality of switching transistors (SWT1, SWT2, SWT3 and SWT4 ), a plurality of driving transistors DRT1 , DRT2 , DRT3 , and DRT4 , and a plurality of storage capacitors Cst1 , Cst2 , Cst3 , and Cst4 may be positioned. For convenience, it will be described by numbering them in clockwise order from the upper left.

도 3f를 참조하면, 제1 스위칭 트랜지스터(SWT1)는, 2개의 게이트 라인(GL) 중 어느 하나의 게이트 라인(GL)으로 인가되는 스캔 신호에 의해 턴-온되어, 데이터 전압(Vdata)이 제1 구동 트랜지스터(DRT1)로 공급되도록 한다.Referring to FIG. 3F , the first switching transistor SWT1 is turned on by a scan signal applied to one of the two gate lines GL, so that the data voltage Vdata is 1 to be supplied to the driving transistor (DRT1).

제1 구동 트랜지스터(DRT1)는, 2개의 데이터 라인(DL) 중 어느 하나의 데이터 라인(DL)을 통해 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 턴-온되어, 데이터 전압(Vdata)이 서로 분리된 다수의 N-pad 중 어느 하나(도 3f 좌측 상단)로 인가되도록 한다.The first driving transistor DRT1 is turned on according to the data voltage Vdata applied through one of the two data lines DL, so that the data voltages Vdata are separated from each other. Let it be applied to one of the plurality of N-pads (upper left in Fig. 3f).

한편, P-pad는 구동 전압(Vdd)이 인가되는 구동 전압 라인(DVL)과 연결되어 있다.Meanwhile, the P-pad is connected to the driving voltage line DVL to which the driving voltage Vdd is applied.

이러한 N-pad와, 발광소자(300)의 C개의 제1 전극(311) 중 어느 한 전극이 연결되고, P-pad에 발광소자(300)의 제2 전극(313)이 연결되면, 발광소자(300)의 제2 전극(313)에 인가되는 구동 전압(Vdd)과 제1 전극(311)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 전압차로 인해 발생된 전류로 인해, 발광소자(300)의 제1 반도체층(301)의 전자와, C개의 제2 반도체층(305) 중 대응된 제2 반도체층(305)의 정공이, C개의 활성층(303) 중에서 대응된 활성층(303)에서 재결합하면서 발광할 수 있다.When this N-pad is connected to any one of the C number of first electrodes 311 of the light emitting element 300 and the second electrode 313 of the light emitting element 300 is connected to the P-pad, the light emitting element Due to the current generated by the voltage difference between the driving voltage Vdd applied to the second electrode 313 of 300 and the data voltage Vdata applied to the first electrode 311, the light emitting element 300 1 The electrons of the semiconductor layer 301 and the corresponding holes of the second semiconductor layer 305 among the C number of second semiconductor layers 305 recombine in the corresponding active layer 303 among the C number of active layers 303 to emit light. can do.

한편, 도 3f를 참조하면, 제2 스위칭 트랜지스터(SWT2)는, 2개의 게이트 라인(GL) 중 제1 스위칭 트랜지스터(SWT1)와 연결되지 않은 다른 게이트 라인(GL)으로 인가되는 스캔 신호에 의해 턴-온되어, 데이터 전압(Vdata)이 제2 구동 트랜지스터(DRT2)의 제1 노드(N1)로 공급되도록 한다.Meanwhile, referring to FIG. 3F , the second switching transistor SWT2 is turned by a scan signal applied to another gate line GL not connected to the first switching transistor SWT1 among the two gate lines GL. - Turned on so that the data voltage Vdata is supplied to the first node N1 of the second driving transistor DRT2.

그리고, 제2 구동 트랜지스터(DRT2)는, 2개의 데이터 라인(DL) 중 제1 구동 트랜지스터(DRT1)에 연결된 데이터 라인(DL)을 통해 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 턴-온되어, 데이터 전압(Vdata)이 서로 분리된 다수의 N-pad 중 어느 하나(도 3f 우측 상단)로 인가되도록 한다.Also, the second driving transistor DRT2 is turned on according to the data voltage Vdata applied through the data line DL connected to the first driving transistor DRT1 among the two data lines DL, The voltage Vdata is applied to one of the plurality of N-pads (upper right of FIG. 3F).

그리고, P-pad는 구동 전압(Vdd)이 인가되는 구동 전압 라인(DVL)과 연결되어 있다.And, the P-pad is connected to the driving voltage line DVL to which the driving voltage Vdd is applied.

이러한 N-pad와 발광소자(300)의 C개의 제1 전극(311) 중 어느 한 전극이 연결되고, P-pad와 발광소자(300)의 제2 전극(313)이 연결되면, 발광소자(300)의 제2 전극(313)에 인가되는 구동 전압(Vdd)과 제1 전극(311)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 전압차로 인해 발생된 전류로 인해, 발광소자(300)의 제1 반도체층(301)의 전자와, C개의 제2 반도체층(305) 중 대응된 제2 반도체층(305)의 정공이 C개의 활성층(303) 중에서 대응된 활성층(303)에서 재결합하면서 발광할 수 있다.When the N-pad and any one of the C number of first electrodes 311 of the light emitting element 300 are connected, and the P-pad and the second electrode 313 of the light emitting element 300 are connected, the light emitting element ( Due to the current generated by the voltage difference between the driving voltage Vdd applied to the second electrode 313 of 300 and the data voltage Vdata applied to the first electrode 311, the first Electrons of the semiconductor layer 301 and holes of the corresponding second semiconductor layer 305 among the C number of second semiconductor layers 305 recombine in the corresponding active layer 303 among the C number of active layers 303 to emit light. there is.

이때, 발광소자(300)의 서로 다른 C개의 제1 전극(311)은, 이와 연결되는 각각의 N-pad가 서로 다른 스위칭 트랜지스터(SWT1, SWT2)와, 서로 다른 구동 트랜지스터(DRT1, DRT2)와 전기적으로 연결되어 있으므로, 비록 동일한 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압(Vdata)이 인가되더라도, 서로 다른 게이트 라인(GL)을 통해 턴-온과 턴-오프가 다르게 제어됨에 따라 독립적 구동이 가능하다.At this time, in the C first electrodes 311 of the light emitting element 300, each of the N-pads connected thereto is different from the switching transistors SWT1 and SWT2 and different driving transistors DRT1 and DRT2. Since they are electrically connected, even if the data voltage Vdata is applied through the same data line DL, independent driving is possible as turn-on and turn-off are controlled differently through different gate lines GL. .

이와 유사한 방식으로, 제3 스위칭 트랜지스터(SWT3)와 제3 구동 트랜지스터(DRT3) 및 제4 스위칭 트랜지스터(SWT4)와 제4 구동 트랜지스터(DRT4)를 각각 독립적으로 구동할 수 있으므로, 발광소자(300)의 C개의 셀이 독립적으로 구동될 수 있다.In a similar way, since the third switching transistor SWT3 and the third driving transistor DRT3 and the fourth switching transistor SWT4 and the fourth driving transistor DRT4 can be independently driven, the light emitting device 300 C cells of can be independently driven.

위와 같은 연결 구조로 표시패널(110)의 픽셀 회로와 연결된 발광소자(300)는, C개의 활성층(303)마다 독립적인 구동이 가능하여, 하나의 발광소자(300)를 통해 C개의 셀의 개별적인 발광이 가능하다. 다만, 전술한 픽셀 회로는 발광소자(300)의 셀의 독립적 구동을 가능하게 하는 일 예를 나타낸 것으로, 이 외에도 독립적 구동을 가능하게 하는 다양한 픽셀 회로의 구현이 가능할 수 있을 것이다.The light emitting device 300 connected to the pixel circuit of the display panel 110 through the above connection structure can be independently driven for each C number of active layers 303, and thus, individual light emitting devices 300 of C cells can be individually driven through one light emitting device 300. luminescence is possible. However, the pixel circuit described above represents an example enabling independent driving of the cells of the light emitting device 300, and various other pixel circuits enabling independent driving may be implemented.

한편, 전술한 표시패널(110)의 픽셀 회로 상으로 발광소자(300)가 위치하게 되며, 표시패널(110)의 픽셀 회로와 발광소자(300)의 연결은, 도 3b 내지 도 3e와 같은 수평(Lateral) 구조를 갖는 발광소자(300)의 제1 전극(311)과 제2 전극(313)을, 와이어(Wire)를 이용해 N-pad와 P-pad에 연결할 수도 있고, 표시패널(110) 상에 픽셀 전극과 공통 전극을 형성하여 연결할 수도 있다. 또는, 발광소자(300)의 제1 전극(311)과 제2 전극(313)이 직접 픽셀 회로의 N-pad와 P-pad와 부착되어 연결되는 플립(Flip) 형태로 연결될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device 300 is positioned on the pixel circuit of the display panel 110 described above, and the pixel circuit of the display panel 110 and the light emitting device 300 are connected horizontally as shown in FIGS. 3B to 3E. The first electrode 311 and the second electrode 313 of the light emitting device 300 having a (Lateral) structure may be connected to the N-pad and the P-pad using a wire, or the display panel 110 A pixel electrode and a common electrode may be formed and connected thereto. Alternatively, the first electrode 311 and the second electrode 313 of the light emitting element 300 may be directly attached and connected to the N-pad and P-pad of the pixel circuit in a flip form.

또한, 발광소자(300)는 도시된 수평(Lateral) 구조 외에도, 제1 전극(311)과 제2 전극(313)이 발광소자(300)의 상면과 하면에 각각 위치하는 수직(Vertical) 구조를 가질 수도 있다.In addition, the light emitting element 300 has a vertical structure in which the first electrode 311 and the second electrode 313 are located on the upper and lower surfaces of the light emitting element 300, respectively, in addition to the illustrated horizontal structure. may have

한편, 발광소자(300)는 도 3g와 같이, 하나의 발광소자(300)가 3개의 분리된 셀을 가져, 3개의 서브픽셀을 구현할 수도 있다. 즉, 전술한 분리된 C개의 셀에서 C가 3인 것일 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3G , the light emitting device 300 may have three separate cells and implement three subpixels. That is, C may be 3 in the above-mentioned separated C cells.

도 3g를 참조하면, 하나의 발광소자(300)에는, 동일한 색상의 광을 방출하며 서로 분리된 3개의 셀이 구비되고, 3개의 셀을 각각 구동하기 위한 전극(310)이 위치할 수 있다.Referring to FIG. 3G , one light emitting device 300 may include three cells that emit light of the same color and are separated from each other, and electrodes 310 for respectively driving the three cells may be positioned.

이러한 전극(310)은, 각각의 셀마다 분리된 제1 전극(311)과, 각각의 셀이 공통으로 공유하는 제2 전극(313)인 것일 수 있다. 다만, 전술한 바와 같이 제1 전극(311)과 제2 전극(313)은 서로 치환될 수도 있다.The electrode 310 may be a first electrode 311 separated for each cell and a second electrode 313 commonly shared by each cell. However, as described above, the first electrode 311 and the second electrode 313 may be replaced with each other.

그리고, 3개의 셀 각각에는, 셀마다 전기적으로 분리된 활성층(303)과 제2 반도체층(305)이 위치하고, 활성층(303) 아래에 하나의 제1 반도체층(301)이 위치할 수 있다. Also, in each of the three cells, an active layer 303 and a second semiconductor layer 305 electrically separated from each other are positioned, and one first semiconductor layer 301 may be positioned under the active layer 303 .

이와 같은 구조를 갖는 발광소자(300)는, 하나의 발광소자(300)가 3개의 서브픽셀을 구현할 수 있고, 이러한 발광소자(300)를 인접하게 위치시켜 픽셀(PXL)을 구현할 수 있으므로, 동일 면적의 표시장치(100)에 보다 많은 픽셀(PXL)이 구현될 수 있다.In the light emitting device 300 having such a structure, one light emitting device 300 can implement three sub-pixels, and since the light emitting device 300 can be placed adjacently to implement a pixel PXL, the same light emitting device 300 can be implemented. More pixels PXL may be implemented in the display device 100 of the area.

도 4를 참조하여, 도 3g에 도시된 발광소자(300)를 표시패널(110)에 배열하여 픽셀을 구현하는 방법을 살펴본다.Referring to FIG. 4 , a method of implementing a pixel by arranging the light emitting device 300 shown in FIG. 3G on the display panel 110 will be described.

그리고, 3개의 서브픽셀을 갖고, 서로 다른 색상의 광을 방출하는 발광소자(300) 3개를 인접하게 위치시켜 픽셀(PXL)을 구현할 수 있다.In addition, the pixel PXL may be implemented by placing three light emitting elements 300 adjacent to each other, each having three subpixels and emitting light of different colors.

도 4에 도시된 3개의 발광소자(300)는 각각 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광소자(300)인 것일 수 있고, 각각의 발광소자(300)는 분리된 3개의 서브픽셀을 가질 수 있다.The three light emitting devices 300 shown in FIG. 4 may be light emitting devices 300 emitting red, green, and blue light, respectively, and each light emitting device 300 may have three separate subpixels. can

이때, 3개의 발광소자(300)를 서로 인접하게 위치시키면, 서로 다른 발광소자(300)의 서브픽셀이 서로 다른 색상의 광을 방출하므로, 각각의 발광소자(300)의 분리된 서브픽셀 3개가 모여 하나의 픽셀(PXL)을 이룰 수 있다.At this time, when the three light emitting elements 300 are placed adjacent to each other, since the subpixels of different light emitting elements 300 emit light of different colors, the three separated subpixels of each light emitting element 300 Together, they can form one pixel (PXL).

도 4에서는, 가장 좌측의 발광소자(300)가 적색광을 방출하고, 중앙의 발광소자(300)가 녹색광을 방출하며, 가장 우측의 발광소자(300)가 청색광을 방출하고 있다.In FIG. 4 , the leftmost light emitting device 300 emits red light, the center light emitting device 300 emits green light, and the rightmost light emitting device 300 emits blue light.

이 경우, 서로 다른 발광소자(300)의 서브픽셀 3개가 각각 적색, 녹색, 청색의 광을 방출할 수 있으므로, 이러한 서브픽셀 3개가 하나의 픽셀(PXL)을 이루고, 각각의 발광소자(300) 마다 3개의 서브픽셀이 구현되므로, 3개의 발광소자(300)를 통해 3개의 픽셀(PXL)을 구현할 수 있다.In this case, since three subpixels of different light emitting devices 300 can emit red, green, and blue light, respectively, these three subpixels form one pixel PXL, and each light emitting device 300 Since three sub-pixels are implemented for each, three pixels (PXL) can be implemented through the three light emitting devices 300 .

전술한 바와 같이, 서로 다른 색상의 광을 방출하는 발광소자(300) 3개를 인접하게 위치시키면, 표시장치(100)의 픽셀(PXL)을 구현할 수 있으며, 이를 반복하여 배치하는 것으로 표시장치(100)의 다수의 픽셀(PXL)을 구현할 수 있다. 그리고, 각각의 발광소자(300)가 3개의 서브픽셀을 가지고 있으므로, 동일한 면적의 표시장치(100) 상에 보다 많은 픽셀(PXL)을 구현할 수 있는 이점이 있다.As described above, if three light emitting elements 300 emitting light of different colors are placed adjacently, the pixel PXL of the display device 100 can be implemented, and by repeatedly arranging them, the display device ( 100) of multiple pixels (PXL) can be implemented. In addition, since each light emitting device 300 has three subpixels, there is an advantage in that more pixels PXL can be implemented on the display device 100 of the same area.

한편, 도 5를 참조하여 표시패널(110)에 발광소자(300)가 배열되는 구현 예를 살펴보도록 한다.Meanwhile, referring to FIG. 5 , an implementation example in which the light emitting devices 300 are arranged on the display panel 110 will be described.

도 5를 참조하면, 표시패널(110)에 전술한 발광소자(300)가 배열된다.Referring to FIG. 5 , the aforementioned light emitting devices 300 are arranged on the display panel 110 .

그리고, 발광소자(300)는 전술한 바와 같이 하나의 발광소자(300)가 C개의 활성층(303)을 가지고 있으며, 도 5에서 표시패널(110)에 배열되는 발광소자(300)는 4개의 분리된 활성층(303)을 가져 4개의 셀을 가지는 것일 수 있다.And, as described above, the light emitting device 300 has C active layers 303, and in FIG. 5, the light emitting device 300 arranged on the display panel 110 has four separate The active layer 303 may have 4 cells.

한편, 하나의 발광소자(300)에 포함된 C개의 활성층(303)은 서로 다른 C개의 셀을 구현하고, C개의 셀은 C개의 서브픽셀에 대응되며, 하나의 발광소자(300)의 C개의 활성층(303)은 동일한 색상의 광을 방출한다.On the other hand, C active layers 303 included in one light emitting device 300 implement different C cells, C cells correspond to C subpixels, and C number of one light emitting device 300 The active layer 303 emits light of the same color.

일 예로, 발광소자(300)는, 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광소자(510)와, 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광소자(520)와, 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자(530)를 포함할 수 있다.For example, the light emitting device 300 includes a first light emitting device 510 emitting light of a first color, a second light emitting device 520 emitting light of a second color, and light of a third color. It may include a third light emitting device 530 that emits light.

그리고, 제1 발광소자(510)의 제1 색상은 적색(Red)이고, 제2 발광소자(520)의 제2 색상은 녹색(Green)이고, 제3 발광소자(530)의 제3 색상은 청색(Blue)인 것일 수 있다.And, the first color of the first light emitting device 510 is red, the second color of the second light emitting device 520 is green, and the third color of the third light emitting device 530 is It may be blue.

한편, 다시 도 4를 참조하면, 표시패널(110) 상에 제1 수평 라인(L1)을 따라 발광소자(300)가 배열되고, 제1 수평 라인(L1) 아래에 위치한 제2 수평 라인(L2)을 따라 발광소자(300)가 배열될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4 again, the light emitting devices 300 are arranged along the first horizontal line L1 on the display panel 110, and the second horizontal line L2 positioned below the first horizontal line L1. ) The light emitting device 300 may be arranged along.

그리고, 제1 수평 라인(L1)과 제2 수평 라인(L2)은 서로 평행하며, 표시패널(110) 상에서 교번하여 배열될 수 있다.Also, the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2 are parallel to each other and may be alternately arranged on the display panel 110 .

이때, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)와 제2 수평 라인(L2)에 배열된 발광소자(300)는 서로 소정 간격만큼 어긋나게 배열될 수 있다.In this case, the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the light emitting devices 300 arranged on the second horizontal line L2 may be arranged offset from each other by a predetermined distance.

제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)와 제2 수평 라인(L2)에 배열된 발광소자(300)가 어긋난 간격은, 일 예로 각각의 발광소자(300)의 분리된 셀의 크기만큼 인 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 간격을 가질 수도 있다.The gap between the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the light emitting devices 300 arranged on the second horizontal line L2 is, for example, the distance between the separated cells of each light emitting device 300. It may be as large as the size, but is not limited thereto, and may have various intervals.

그리고, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)는, 일 예로 제1 발광소자(510)와 제2 발광소자(520)와 제3 발광소자(530)가 순서대로 교번하여 배열될 수 있고, 제2 수평 라인(L2)에는, 일 예로 제3 발광소자(530)와 제1 발광소자(510)와 제2 발광소자(520)가 순서대로 교번하여 배열될 수 있다.In the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1, for example, the first light emitting device 510, the second light emitting device 520, and the third light emitting device 530 are alternately arranged in order. In the second horizontal line L2, for example, the third light emitting device 530, the first light emitting device 510, and the second light emitting device 520 may be alternately arranged in order.

이때, 제1 발광소자(510)가 적색(Red, R)이고, 제2 발광소자(520)가 녹색(Green, G)이며, 제3 발광소자(530)가 청색(Blue, B)을 발광하는 경우, 제1 수평 라인(L1) 상에 배열된 발광소자(300)는 R, G, B 순서로 발광소자(300)가 배열되고, 제2 수평 라인(L2) 상에 배열된 발광소자(300)는 B, R, G 순서로 배열된다. 다만, 제1 수평 라인(L1)과 제2 수평 라인(L2)에 배열된 발광소자(300)의 색상은 다양한 형태로 변경될 수도 있다.At this time, the first light emitting element 510 emits red (Red, R), the second light emitting element 520 emits green (Green, G), and the third light emitting element 530 emits blue (Blue, B). In this case, the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 are arranged in the order of R, G, and B, and the light emitting devices 300 arranged on the second horizontal line L2 ( 300) are arranged in the order of B, R, G. However, the colors of the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2 may be changed in various forms.

한편, 제1 수평 라인(L1)과 제2 수평 라인(L2) 상에 배열된 발광소자(300) 중 서로 인접한 3개의 발광소자(300)의 서브픽셀이 하나의 픽셀(PXL)을 이룰 수 있다. 이러한 발광소자(300)는 각각 방출되는 광의 색상이 서로 다를 수 있고, 각각의 발광소자(300)가 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출할 수 있다.Meanwhile, among the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2, subpixels of three adjacent light emitting devices 300 may form one pixel PXL. . Each of the light emitting devices 300 may emit different colors of light, and each light emitting device 300 may emit red, green, and blue light.

예를 들어, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 R, G 색상의 발광소자(300)와, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)와 인접하여 어긋나게 배열된 제2 수평 라인(L2)에 배열된 B 색상의 발광소자(300)는, 제1 수평 라인(L1)과 제2 수평 라인(L2) 사이에 픽셀을 구현할 수 있다.For example, the R and G color light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the second horizontal light emitting devices 300 arranged adjacent to and disjointly arranged on the first horizontal line L1 The B color light emitting device 300 arranged on the line L2 may implement a pixel between the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2.

보다 구체적으로, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 R, G 색상의 발광소자(300)의 일부 서브픽셀과, 제1 수평 라인(L1)의 발광소자(300)와 어긋나게 배열된 제2 수평 라인(L2)의 B 색상의 발광소자(300)의 일부 서브픽셀이 픽셀을 구현할 수 있다.More specifically, some sub-pixels of the light emitting devices 300 of the R and G colors arranged on the first horizontal line L1 and the second horizontal light emitting devices 300 of the first horizontal line L1 arranged offset from each other. Some subpixels of the B color light emitting device 300 of the line L2 may implement pixels.

즉, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 제1 발광소자(510, R)의 분리된 서브픽셀(510의 우측 하단)과, 제2 발광소자(520, G)의 분리된 서브픽셀(520의 좌측 하단)과, 제2 수평 라인(L2)에 어긋나게 배열된 제3 발광소자(530, B)의 분리된 서브픽셀(530의 좌우측 상단)이 하나의 픽셀(PXL1)을 구현하는 것일 수 있다.That is, the separated sub-pixel (lower right of 510) of the first light emitting element 510 (R) and the separated sub-pixel 520 of the second light emitting element 520 (G) arranged in the first horizontal line L1. The lower left corner of ) and the separated sub-pixels (upper left and right sides of 530) of the third light emitting element 530 (B) arranged to be offset from the second horizontal line L2 may implement one pixel PXL1. .

이때, 각각의 발광소자(300)의 C개의 셀은 독립 구동되므로, 픽셀(PXL1)을 구현하지 않는 발광소자(300)의 나머지 셀은 오프(off)될 수도 있다. 이 경우, 발광소자(300)의 셀 중 온(on)된 셀과 오프(off)된 셀이 표시패널(110)의 표시영역(Active Area, A/A)과 비표시영역(Non-active area, N/A)을 구분하는 것일 수 있다.At this time, since C cells of each light emitting device 300 are independently driven, the remaining cells of the light emitting device 300 that do not implement the pixel PXL1 may be turned off. In this case, among the cells of the light emitting device 300, on cells and off cells are the active area (A/A) and the non-active area (A/A) of the display panel 110. , N/A).

마찬가지로, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 제2 발광소자(520, G)의 분리된 서브픽셀(520 우측 하단)과, 제3 발광소자(530, B)의 분리된 서브픽셀(530 좌측 하단)과, 제2 수평 라인(L2)에 어긋나게 배열된 제1 발광소자(510, R)의 분리된 서브픽셀(510 좌우측 상단)이 또 다른 픽셀(PXL2)을 구현하는 것일 수 있다.Similarly, the divided sub-pixel (lower right corner of 520) of the second light emitting element (520, G) and the divided sub-pixel (530 left side) of the third light emitting element (530, B) arranged in the first horizontal line (L1) lower part) and separated sub-pixels (upper left and right parts of 510) of the first light emitting element 510 (R) arranged to be offset from the second horizontal line L2 may implement another pixel PXL2.

한편, 각각의 픽셀(PXL1, PXL2)에 중복하여 구현된 서브픽셀로 인해 픽셀의 색감이 달라지는 것을 방지하기 위해, 발광소자(300)에서 중복하여 구현된 서브픽셀에 대응된 셀의 발광 세기를, 중복되지 않은 서브픽셀의 셀의 발광 세기의 절반으로 구동하는 것일 수도 있다.On the other hand, in order to prevent the color of the pixel from being changed due to the overlapping subpixels implemented in each of the pixels PXL1 and PXL2, the light emitting intensity of the cells corresponding to the overlapping subpixels in the light emitting device 300, It may be driven with half of the light emission intensity of the cell of the non-overlapping sub-pixel.

예를 들어, 청색 서브픽셀이 중복된 픽셀(PXL1)의 경우, 청색 서브픽셀을 갖는 제3 발광소자(530)의 일부 서브픽셀(좌우측 상단)의 발광 세기를 각각 절반으로 하여, 두 개의 청색 서브픽셀이 하나의 적색 서브픽셀 또는 하나의 녹색 서브픽셀의 밝기와 동일한 밝기로 발광하도록 구동될 수 있다.For example, in the case of the pixel PXL1 having an overlapping blue sub-pixel, the emission intensity of some sub-pixels (upper left and right) of the third light emitting element 530 having the blue sub-pixel is halved, respectively, so that two blue sub-pixels are formed. A pixel can be driven to emit light with a brightness equal to that of one red subpixel or one green subpixel.

이와 같이 제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)의 서브픽셀과, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 발광소자(300)와 서로 어긋나게 배열된 제2 수평 라인(L2)에 배열된 발광소자(300)의 서브픽셀이 연속하여 픽셀을 구현하면서, 표시장치(100)의 표시영역(A/A) 내에서 영상을 디스플레이할 수 있다.In this way, the subpixels of the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2 arranged offset from each other with the light emitting devices 300 arranged on the first horizontal line L1 An image may be displayed within the display area A/A of the display device 100 while sub-pixels of the arrayed light emitting devices 300 continuously realize pixels.

한편, 전술한 픽셀의 다른 구현 예로, 제1 수평 라인(L1)과 제2 수평 라인(L2) 사이에 인접한 3개의 발광소자(300)의 두 개의 서브픽셀을 하나의 픽셀로 구현할 수도 있다.Meanwhile, as another implementation example of the aforementioned pixel, two sub-pixels of three adjacent light emitting devices 300 between the first horizontal line L1 and the second horizontal line L2 may be implemented as one pixel.

도 6을 참조하면, 제1 수평 라인(L1)에 배열된 제1 발광소자(510, R)의 분리된 두 개의 서브픽셀(좌우측 하단)과, 제2 발광소자(520, G)의 분리된 두 개의 서브픽셀(좌우측 하단)과, 제2 수평 라인(L2)에 어긋나게 배열된 제3 발광소자(530, B)의 분리된 두 개의 서브픽셀(좌우측 상단)이 하나의 픽셀(PXL3)을 구현하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 6 , two separated sub-pixels (bottom left and right) of the first light emitting device 510 (R) arranged on the first horizontal line L1 and two separated subpixels (bottom left and right) of the second light emitting device 520 (G) Two sub-pixels (lower left and right) and two separated sub-pixels (upper left and right) of the third light emitting element 530 (B) arranged to be offset from the second horizontal line L2 realize one pixel PXL3. it may be

이 경우, 보다 높은 휘도의 영상을 디스플레이 하기 위해, 픽셀(PXL3)을 구현하는 각각의 발광소자(300)의 서브픽셀 모두를 온 동작하여 사용할 수도 있고, 리던던시(Redundancy) 구현을 위해, 각각의 발광소자(300)의 서브픽셀의 일부(Main)만을 사용하고, 나머지(Spare)를 사용하지 않는 것일 수도 있다.In this case, in order to display an image with higher luminance, all subpixels of each light emitting device 300 implementing the pixel PXL3 may be turned on and used, or each light emitting element may be used to realize redundancy. It may be that only a part (Main) of the sub-pixels of the device 300 is used and the remainder (Spare) is not used.

한편, 전술한 발광소자(300)와는 다른 관점에서, 발광소자(300)의 C개의 셀을 발광소자부로 정의할 수도 있다.Meanwhile, from a different point of view from the light emitting device 300 described above, C cells of the light emitting device 300 may be defined as a light emitting device unit.

즉, 발광소자(300)는, 제1 색상의 광을 방출하며 제1 반도체층(301), 제1 전극(311), 제2 반도체층(305), 제2 전극(313), 활성층(303)을 포함하는 제1 발광소자부와, 제1 색상의 광을 방출하며 제1 반도체층(301), 제1 전극(311), 제2 반도체층(305), 제2 전극(313), 활성층(303)을 포함하는 제2 발광소자부와, 제1 색상의 광을 방출하며 제1 반도체층(301), 제1 전극(311), 제2 반도체층(305), 제2 전극(313), 활성층(303)을 포함하는 제3 발광소자부와, 제1 색상의 광을 방출하며 제1 반도체층(301), 제1 전극(311), 제2 반도체층(305), 제2 전극(313), 활성층(303)을 포함하는 제4 발광소자부를 포함하는 것일 수 있다. 이러한 제1 내지 제4 발광소자부는 전술한 발광소자(300)의 C개의 셀에 각각 대응될 수 있다.That is, the light emitting element 300 emits light of a first color and includes a first semiconductor layer 301, a first electrode 311, a second semiconductor layer 305, a second electrode 313, and an active layer 303. ) and a first light emitting element portion including, emitting light of a first color and comprising a first semiconductor layer 301, a first electrode 311, a second semiconductor layer 305, a second electrode 313, an active layer A second light emitting element unit including 303, a first semiconductor layer 301, a first electrode 311, a second semiconductor layer 305, and a second electrode 313 emitting light of a first color , a third light emitting device portion including an active layer 303, a first semiconductor layer 301 emitting light of a first color, a first electrode 311, a second semiconductor layer 305, and a second electrode ( 313), it may include a fourth light emitting device including the active layer 303. The first to fourth light emitting device units may respectively correspond to the C cells of the light emitting device 300 described above.

이러한 제1 내지 제4 발광소자부를 갖는 발광소자(300)는, 도 3b와 같이 제1 반도체층(301) 및 제2 전극(313)을 공유하고, 제2 반도체층(305), 제1 전극(311) 및 활성층(303)을 개별적으로 포함할 수 있다.The light emitting devices 300 having the first to fourth light emitting device units share the first semiconductor layer 301 and the second electrode 313 as shown in FIG. 3B, and include the second semiconductor layer 305 and the first electrode. 311 and the active layer 303 may be individually included.

그리고, 제1 내지 제4 발광소자부 각각에 개별적으로 포함된 제1 전극(311)은 제1 반도체층(301)과 전기적으로 연결되고, 개별적으로 포함된 제2 반도체층(305)은 제2 전극(313)과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the first electrode 311 individually included in each of the first to fourth light emitting device units is electrically connected to the first semiconductor layer 301, and the second semiconductor layer 305 individually included is the second semiconductor layer 305. It may be electrically connected to the electrode 313 .

또한 다른 관점에서, 전술한 표시패널(110)은 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되며, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)으로 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되고, 이러한 다수의 서브픽셀이 제1 서브픽셀 그룹(710)과, 제2 서브픽셀 그룹(720) 및 제3 서브픽셀 그룹(730)을 포함하는 것일 수 있다.Also, from another point of view, the aforementioned display panel 110 includes a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, and is defined by the plurality of data lines DL and the plurality of gate lines GL. A plurality of subpixels may be arranged, and the plurality of subpixels may include a first subpixel group 710 , a second subpixel group 720 , and a third subpixel group 730 .

도 7을 참조하면, 제1 서브픽셀 그룹(710)은 제1 색상의 광을 방출하며, 인접하게 2행 2열로 배열된 4개의 제1 색상 서브픽셀을 포함한다. 이러한 제1 서브픽셀 그룹(710)은 도 4의 제1 발광소자(510)와 대응되거나 유사한 개념일 수 있고, 제1 색상 서브픽셀은 적색 서브픽셀일 수 있다.Referring to FIG. 7 , a first subpixel group 710 emits light of a first color and includes four first color subpixels arranged adjacently in two rows and two columns. The first subpixel group 710 may correspond to or have a similar concept to the first light emitting device 510 of FIG. 4 , and the first color subpixel may be a red subpixel.

제2 서브픽셀 그룹(720)은 제2 색상의 광을 방출하며, 인접하게 2행 2열로 배열된 4개의 제2 색상 서브픽셀을 포함한다. 이러한 제2 서브픽셀 그룹(720)은 도 4의 제2 발광소자(520)와 대응되거나 유사한 개념일 수 있고, 제2 색상 서브픽셀은 녹색 서브픽셀일 수 있다.The second subpixel group 720 emits light of a second color and includes four second color subpixels arranged adjacently in two rows and two columns. The second subpixel group 720 may correspond to or have a similar concept to the second light emitting device 520 of FIG. 4 , and the second color subpixel may be a green subpixel.

그리고, 제3 서브픽셀 그룹(730)은 제3 색상의 광을 방출하며, 인접하게 2행 2열로 배열된 4개의 제3 색상 서브픽셀을 포함한다. 이러한 제3 서브픽셀 그룹(730)은 도 4의 제3 발광소자(530)와 대응되거나 유사한 개념일 수 있고, 제3 색상 서브픽셀은 청색 서브픽셀일 수 있다.The third subpixel group 730 emits light of a third color and includes four third color subpixels arranged adjacently in two rows and two columns. The third subpixel group 730 may correspond to or have a similar concept to the third light emitting device 530 of FIG. 4 , and the third color subpixel may be a blue subpixel.

전술한 제2 서브픽셀 그룹(720)은 제1 서브픽셀 그룹(710)과 행(Row) 방향으로 인접하게 위치하고, 제3 서브픽셀 그룹(730)은 제1 서브픽셀 그룹(710) 및 제2 서브픽셀 그룹(720)의 열(Column) 방향으로, 제1 서브픽셀 그룹(710) 및 제2 서브픽셀 그룹(720)과 공통으로 인접하게 위치할 수 있다.The aforementioned second subpixel group 720 is adjacent to the first subpixel group 710 in a row direction, and the third subpixel group 730 is adjacent to the first subpixel group 710 and the second subpixel group 730 . In the column direction of the subpixel group 720, the first subpixel group 710 and the second subpixel group 720 may be positioned adjacent to each other in common.

그리고, 제1 내지 제3 서브픽셀 그룹(710, 720, 730)에는 발광칩(700)이 배치될 수 있다.In addition, light emitting chips 700 may be disposed in the first to third subpixel groups 710 , 720 , and 730 .

발광칩은 광을 방출하는 독립 제조된 발광장치로, 일 예로 마이크로 발광 다이오드(μLED)일 수 있으며, 전술한 발광소자(300)이거나, 발광소자(300)의 C개의 셀 하나에 대응되는 크기의 보다 작은 마이크로 발광 다이오드(μLED)일 수도 있다.The light emitting chip is an independently manufactured light emitting device that emits light. For example, it may be a micro light emitting diode (μLED), the light emitting device 300 described above, or a size corresponding to one C cell of the light emitting device 300 It could also be a smaller micro light emitting diode (μLED).

발광칩(700)은 Case 1과 같이 제1 내지 제3 서브픽셀 그룹(710, 720, 730)마다 하나의 발광칩(700)이 배치될 수도 있고, Case 2와 같이 제1 내지 제3 서브픽셀 그룹(710, 720, 730)을 이루는 각각의 서브픽셀마다 하나의 발광칩(700)이 배치될 수도 있다.As for the light emitting chip 700, one light emitting chip 700 may be disposed in each of the first to third subpixel groups 710, 720, and 730 as in Case 1, or the first to third subpixel groups 710, 720 and 730 as in Case 2. One light emitting chip 700 may be disposed for each subpixel constituting the groups 710, 720, and 730.

도 8을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 효과를 개략적으로 살펴보면, 하나의 발광소자가 하나의 색상의 광을 하나의 서브픽셀을 통해 발광하는 종래의 표시장치의 경우, 3개의 발광소자가 하나의 픽셀을 구현하므로, 한정된 면적 내에 픽셀을 구현하는 데 한계가 존재한다.(4 pixel)Referring schematically to the effects of the display device 100 according to embodiments of the present invention with reference to FIG. 8 , in the case of a conventional display device in which one light emitting device emits light of one color through one subpixel, , Since 3 light emitting devices implement one pixel, there is a limit to implementing a pixel within a limited area (4 pixels).

이에 비해, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 경우, 하나의 발광소자(300)가 4개의 서브픽셀을 구현하고 있으며, 인접한 발광소자(300)의 서브픽셀이 모여 하나의 픽셀을 구현하고 있으므로, 동일한 면적 내에 보다 다수의 픽셀을 구현할 수 있다.(9 pixel)In contrast, in the case of the display device 100 according to embodiments of the present invention, one light emitting device 300 implements four subpixels, and subpixels of adjacent light emitting devices 300 are gathered to form one pixel. , it is possible to implement more pixels within the same area (9 pixels).

따라서, 발광소자(300)의 크기를 줄이지 않고도 표시장치(100)의 고정세 및 고해상도를 구현할 수 있게 되고, 표시장치(100)의 발광소자(300)의 리페어(Repair) 및 리던던시(Redundancy) 구현이 용이한 장점이 있다.Therefore, it is possible to implement high definition and high resolution of the display device 100 without reducing the size of the light emitting device 300, and implement repair and redundancy of the light emitting device 300 of the display device 100. There is an advantage to this convenience.

본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 활성층을 포함하여, 고정세 및 고해상도의 디스플레이를 가능하게 하는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to provide a light emitting element, a display panel, and a display device enabling a high-definition and high-resolution display by including a plurality of active layers in which one light emitting element is separated from each other.

본 발명의 실시예들에 의하면, 발광소자를 서로 다른 라인에서 어긋나게 배열하고, 인접한 발광소자의 활성층이 픽셀을 구현하여 발광소자의 리페어(Repair) 및 리던던시(Redundancy) 구현이 가능한 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, a light emitting device and a display panel capable of realizing repair and redundancy of light emitting devices by arranging light emitting devices staggered in different lines and realizing pixels in an active layer of adjacent light emitting devices. and a display device.

또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 발광소자가 서로 분리된 여러 개의 활성층을 포함하므로, 발광소자를 별도의 반도체 기판에서 성장시킨 후, 표시장치의 기판에 이식시키는 전사(Transfer) 공정을 줄일 수 있는 발광소자, 표시패널 및 표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, since one light emitting device includes several active layers separated from each other, a transfer process of growing a light emitting device on a separate semiconductor substrate and transplanting it to a substrate of a display device It is possible to provide a light emitting element, a display panel, and a display device capable of reducing

이상에서, 본 발명의 실시예를 구성하는 모든 구성 요소들이 하나로 결합되거나 결합되어 동작하는 것으로 설명되었다고 해서, 본 발명이 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 목적 범위 안에서라면, 그 모든 구성 요소들이 하나 이상으로 선택적으로 결합하여 동작할 수도 있다.In the above, even though all the components constituting the embodiment of the present invention have been described as being combined or operated as one, the present invention is not necessarily limited to these embodiments. That is, within the scope of the object of the present invention, all of the components may be selectively combined with one or more to operate.

또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, terms such as "include", "comprise" or "have" described above mean that the corresponding component may be inherent unless otherwise stated, excluding other components. It should be construed as being able to further include other components. All terms, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless defined otherwise. Commonly used terms, such as terms defined in a dictionary, should be interpreted as consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present invention, they are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 표시장치 110 : 표시패널
120 : 게이트 구동 회로 130 : 데이터 구동 회로
300 : 발광소자 301 : 제1 반도체층
303 : 활성층 305 : 제2 반도체층
307 : 절연층 310 : 전극
311 : 제1 전극 313 : 제2 전극
320 : 비아홀 510 : 제1 발광소자
520 : 제2 발광소자 530 : 제3 발광소자
700 : 발광칩 710 : 제1 서브픽셀 그룹
720 : 제2 서브픽셀 그룹 730 : 제3 서브픽셀 그룹100: display device 110: display panel
120: gate driving circuit 130: data driving circuit
300: light emitting device 301: first semiconductor layer
303: active layer 305: second semiconductor layer
307: insulating layer 310: electrode
311: first electrode 313: second electrode
320: via hole 510: first light emitting element
520: second light emitting element 530: third light emitting element
700: light emitting chip 710: first subpixel group
720: second subpixel group 730: third subpixel group

Claims (15)

애노드 전극, 제1 반도체층, 활성층, 상기 애노드 전극과 전기적으로 연결된 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 캐소드 전극을 포함하는 발광소자를 포함한 복수의 서브픽셀이 배치된 표시패널을 포함하며,
상기 복수의 서브픽셀은 동일한 색상의 광을 방출하며 인접하게 위치한 두 개 이상의 서브픽셀을 포함하고,
상기 복수의 서브픽셀 각각은,
스캔 신호를 제공하고 수평 라인 방향으로 배치된 게이트 라인;
데이터 전압을 제공하고 상기 게이트 라인과 교차하는 수직 라인 방향으로 배치된 데이터 라인;
제1 노드, 제2 노드 및 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터;
상기 제1 노드와 상기 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터;
상기 제1 노드 및 상기 스위칭 트랜지스터와 연결된 스토리지 캐패시터;
상기 게이트 라인과 평행하게 수평 라인 방향으로 배치되고 상기 애노드 전극과 연결된 구동 전압 라인; 및
상기 구동 전압 라인과 수평 라인 방향으로 평행하게 배치되고, 상기 제3 노드와 전기적으로 연결된 공통 전압 라인;을 포함하고,
상기 제2 노드는 상기 캐소드 전극과 연결된 표시장치.A display panel on which a plurality of subpixels are disposed including a light emitting element including an anode electrode, a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer electrically connected to the anode electrode, and a cathode electrode electrically connected to the first semiconductor layer contains,
The plurality of subpixels emit light of the same color and include two or more subpixels positioned adjacent to each other;
Each of the plurality of subpixels,
a gate line providing a scan signal and arranged in a horizontal line direction;
a data line provided with a data voltage and disposed in a vertical line direction crossing the gate line;
a driving transistor having a first node, a second node, and a third node;
a switching transistor electrically connected between the first node and the data line;
a storage capacitor connected to the first node and the switching transistor;
a driving voltage line disposed in a horizontal line direction parallel to the gate line and connected to the anode electrode; and
A common voltage line disposed in parallel with the driving voltage line in a horizontal line direction and electrically connected to the third node;
The second node is connected to the cathode electrode. 제1항에 있어서
상기 활성층은 상기 제1 반도체층 상에 위치하며, 전기적으로 분리된 C개(C는 3 이상의 자연수)의 활성층을 포함하며,
상기 제2 반도체층은 상기 C개의 활성층 상에 대응되어 위치하며, 전기적으로 분리된 C개의 제2 반도체층;을 포함하고,
상기 캐소드 전극은 상기 C개의 제2 반도체층 상에 대응되어 위치하며, 상기 C개의 제2 반도체층과 절연되고, 상기 제1 반도체층과 전기적으로 연결되며,
상기 애노드 전극은 상기 C개의 제2 반도체층 상에 위치하며, 상기 제1 반도체층과 절연되고, 상기 C개의 제2 반도체층에 공통으로 연결되는 표시장치.According to claim 1
The active layer is located on the first semiconductor layer and includes C (C is a natural number of 3 or more) electrically separated active layers,
The second semiconductor layer includes C second semiconductor layers disposed on the C active layers and electrically separated from each other,
The cathode electrode is positioned to correspond to the C second semiconductor layers, is insulated from the C second semiconductor layers, and is electrically connected to the first semiconductor layer,
The anode electrode is positioned on the C second semiconductor layers, is insulated from the first semiconductor layers, and is commonly connected to the C second semiconductor layers. 제2항에 있어서,
상기 복수의 서브픽셀은 C개의 서브픽셀을 포함하고,
상기 발광소자는,
상기 C개의 활성층, 상기 C개의 제2 반도체층 및 상기 C개의 캐소드 전극이 서로 대응되어 C개의 셀을 구현하고,
상기 C개의 셀은 상기 C개의 서브픽셀에 대응된 표시장치.According to claim 2,
The plurality of subpixels include C subpixels,
The light emitting element,
The C number of active layers, the C number of second semiconductor layers, and the C number of cathode electrodes correspond to each other to implement C cells;
The C cells correspond to the C subpixels. 제1항에 있어서,
상기 발광소자는 마이크로 발광 다이오드인 표시장치.According to claim 1,
The display device wherein the light emitting element is a micro light emitting diode. 제1항에 있어서,
상기 표시패널 상의 제1 수평 라인을 따라 상기 발광소자가 배열되고,
상기 제1 수평 라인 아래에 위치한 제2 수평 라인을 따라 상기 발광소자가 배열되며,
상기 제1 수평 라인과 상기 제2 수평 라인은 상기 표시패널 상에서 교번하여 배열되고,
상기 제1 수평 라인에 배열된 발광소자와 상기 제2 수평 라인에 배열된 발광소자는 서로 소정 간격만큼 어긋나게 배열된 표시장치.According to claim 1,
The light emitting elements are arranged along a first horizontal line on the display panel;
The light emitting elements are arranged along a second horizontal line located below the first horizontal line,
The first horizontal line and the second horizontal line are alternately arranged on the display panel;
The display device of claim 1 , wherein the light emitting elements arranged on the first horizontal line and the light emitting elements arranged on the second horizontal line are offset from each other by a predetermined distance. 제5항에 있어서,
상기 발광소자는,
제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광소자;
제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광소자; 및
제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광소자를 포함하는 표시장치.According to claim 5,
The light emitting element,
a first light emitting element emitting light of a first color;
a second light emitting element emitting light of a second color; and
A display device including a third light emitting element emitting light of a third color. 제6항에 있어서,
상기 제1 수평 라인에는 상기 제1 발광소자, 상기 제2 발광소자 및 상기 제3 발광소자가 교번하여 배열되고,
상기 제2 수평 라인에는 상기 제3 발광소자, 상기 제1 발광소자 및 상기 제2 발광소자가 발광소자가 교번하여 배열된 표시장치.According to claim 6,
The first light emitting element, the second light emitting element, and the third light emitting element are alternately arranged on the first horizontal line,
The third light emitting element, the first light emitting element, and the second light emitting element are alternately arranged on the second horizontal line. 제5항에 있어서,
상기 제1 수평 라인과 상기 제2 수평 라인 상에 배열된 발광소자 중 서로 인접한 3개의 발광소자의 서브픽셀이 하나의 픽셀을 이루며,
상기 3개의 발광소자에서 방출되는 광의 색상이 각각 다른 표시장치.According to claim 5,
Among the light emitting elements arranged on the first horizontal line and the second horizontal line, subpixels of three light emitting elements adjacent to each other form one pixel,
A display device having different colors of light emitted from the three light emitting elements. 제8항에 있어서,
상기 3개의 발광소자는 각각 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출하는 표시장치.According to claim 8,
The three light emitting elements emit red, green and blue light, respectively. 제5항에 있어서,
상기 제1 수평 라인과 상기 제2 수평 라인 상에 배열된 발광소자 중 서로 인접한 3개의 발광소자의 두 개의 서브픽셀이 하나의 픽셀을 이루며,
상기 3개의 발광소자에서 방출되는 광의 색상이 각각 다른 표시장치.According to claim 5,
Two sub-pixels of three light emitting elements adjacent to each other among the light emitting elements arranged on the first horizontal line and the second horizontal line form one pixel;
A display device having different colors of light emitted from the three light emitting elements. 제10항에 있어서,
상기 3개의 발광소자는,
각각의 발광소자의 두 개의 서브픽셀 중 하나는 메인 서브픽셀이고, 다른 하나는 리던던시 서브픽셀인 표시장치.According to claim 10,
The three light emitting elements,
A display device wherein one of the two subpixels of each light emitting element is a main subpixel and the other is a redundancy subpixel. 제1항에 있어서
상기 두 개 이상의 서브픽셀에 포함된 발광소자는 일체형인 표시장치.According to claim 1
The display device of claim 1 , wherein the light emitting elements included in the two or more subpixels are integrated. 제12항에 있어서
상기 복수의 서브픽셀은 4개의 적색, 녹색, 및 청색 서브픽셀을 포함하고, 상기 두 개 이상의 서브픽셀은 상기 적색, 상기 녹색, 및 상기 청색 중 하나의 색상을 방출하는 표시장치.According to claim 12
The plurality of subpixels include four red, green, and blue subpixels, and the two or more subpixels emit one of the red, green, and blue colors. 제1항에 있어서,
상기 두 개의 서브픽셀에 포함된 하나의 발광소자는 메인 발광소자이고 다른 하나는 리던던시 발광소자인 표시장치.According to claim 1,
One light emitting element included in the two sub-pixels is a main light emitting element and the other light emitting element is a redundancy display device. 제1항에 있어서,
상기 제1 반도체층은 n형 반도체층이고,
상기 제2 반도체층은 p형 반도체층인 표시장치.According to claim 1,
The first semiconductor layer is an n-type semiconductor layer,
The second semiconductor layer is a p-type semiconductor layer.
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