KR102546838B1 - Substrate treating appratus - Google Patents
Substrate treating appratus Download PDFInfo
- Publication number
- KR102546838B1 KR102546838B1 KR1020180034256A KR20180034256A KR102546838B1 KR 102546838 B1 KR102546838 B1 KR 102546838B1 KR 1020180034256 A KR1020180034256 A KR 1020180034256A KR 20180034256 A KR20180034256 A KR 20180034256A KR 102546838 B1 KR102546838 B1 KR 102546838B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- head
- conditioner
- polishing pad
- output
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 연마 헤드와 컨디셔너의 위치와 가압력에 따라 정반모터의 부하 변동량을 보상하여 정반 모터를 회전 제어하는 것에 의하여, 기판과 연마 패드 사이의 마찰 특성을 요동없이 일정하게 유지하고 연마 정반의 회전 속도를 일정하게 유지하여 기판의 연마 처리에 따른 품질을 향상시키는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, in which the frictional characteristics between a substrate and a polishing pad are uniformly maintained without fluctuation by controlling the rotation of the surface plate motor by compensating for load variation of the surface plate motor according to the position and pressing force of a polishing head and a conditioner. Provided is a substrate processing apparatus that improves the quality of substrate polishing by maintaining the rotational speed of the polishing platen at a constant level.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 상세하게는 기판의 연마 공정 중에 연마 정반의 회전 속도의 편차에 따른 연마 품질 저하 문제를 해결한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that solves the problem of deterioration in polishing quality due to variation in rotational speed of a polishing table during a substrate polishing process.
화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 기판 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 기판 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 기판의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) device is used for wide-area planarization and circuit formation to eliminate the height difference between the cell area and the surrounding circuit area due to irregularities on the substrate surface generated while repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process. It is a device used for precision polishing of the surface of a substrate in order to promote separation of contact/wiring films and improvement of surface roughness of the substrate according to the development of highly integrated devices.
이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 기판의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 기판를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 기판를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다. In such a CMP apparatus, the carrier head presses the substrate before and after the polishing process with the polishing surface of the substrate facing the polishing pad to perform the polishing process, and at the same time, when the polishing process is finished, the substrate is directly and indirectly vacuum adsorbed. and move to the next process in a state of holding.
도1 및 도2는 기판 처리 장치(1)를 도시한 도면이다. 도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 연마 패드(11)가 입혀진 상태로 정반 모터(Mp)에 의하여 연마 정반(10)이 회전(10r) 구동되는 상태에서, 헤드 모터(Mh)에 의해 자전(20r)하는 연마 헤드(20)에 의하여 연마 패드(11)에 기판(W)이 가압되면서 연마 공정이 행해진다. 이와 함께, 연마 공정의 경과에 따라 표면 상태가 악화되는 연마 패드(11)에 대하여, 아암의 끝단에 위치하여 구동 모터(M)에 의해 자전(40r)하는 컨디셔너(40)로 연마 패드(11)를 가압하면서, 컨디셔닝 모터(Mc)에 의해 아암을 소정의 각도로 스윕 운동(40d)을 하는 것에 의해, 자전(10r)하는 연마 패드(11)의 대부분 표면의 상태를 개질한다. 1 and 2 are diagrams showing the
이와 함께, 연마 패드(11)에 형성된 홈(미도시)에 의하여, 연마 공정 중인 기판(W)의 연마량 편차가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 연마 헤드(20)는 소정의 길이만큼 오실레이션 이동(20d)을 연마 공정 중에 행한다.In addition, in order to prevent a deviation in the polishing amount of the substrate W during the polishing process from occurring due to a groove (not shown) formed in the
그러나, 상기와 같이 기판의 연마 공정이 행해지는 동안에, 연마 정반(10)을 회전시키는 정반 모터(Mp)의 부하를 측정하면, 도3에 도시된 바와 같이, 66a로 표시된 상측 피크점과 66b로 표시된 하측 피크점을 반복하는 요동이 지속되고, 동시에 큰 물결 형태로도 변동하는 것이 관찰되었다. 이로 인하여, 연마 정반(10)의 회전 속도와 마찰력이 균일하지 않게 되어, 기판의 연마 품질에 악영향을 미치는 문제점이 있다.However, when the load of the surface plate motor Mp for rotating the
본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 본 발명은, 기판의 연마 품질을 향상시키는 것을 목적으로 한다.The present invention was conceived under the above-described technical background, and an object of the present invention is to improve the polishing quality of a substrate.
즉, 본 발명은, 기판의 연마 공정이 행해지는 동안에, 연마 정반의 부하 변화량을 보상하여 기판 연마면과 연마 패드의 마찰력 변동으로 인한 연마 품질이 저하되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.That is, an object of the present invention is to prevent deterioration in polishing quality due to fluctuations in frictional force between a polishing surface of a substrate and a polishing pad by compensating for a change in load of a polishing platen during a polishing process of a substrate.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 연마 패드가 입혀진 상태로 회전 구동되는 연마 정반과; 연마 패드에 대해 기판를 가압하고 상기 연마 패드 상에서 오실레이션 이동하는 연마 헤드와; 상기 연마 패드 상의 상기 연마 헤드의 위치를 감지하는 연마헤드 위치감지부와; 상기 연마 패드 상의 상기 연마 헤드의 헤드 가압력을 감지하는 연마헤드 가압력감지부와; 상기 연마 패드 상의 상기 연마 헤드의 위치와 가압력 중 어느 하나 이상에 따라 상기 연마 정반을 회전시키는 정반 모터의 출력을 조절하는 정반모터 제어부를; 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a polishing platen driven to rotate in a state in which a polishing pad is applied; a polishing head that presses the substrate against the polishing pad and moves oscillating on the polishing pad; a polishing head position detecting unit for detecting a position of the polishing head on the polishing pad; a polishing head pressing force sensing unit for sensing head pressing force of the polishing head on the polishing pad; a table motor control unit for controlling an output of a table motor for rotating the polishing table according to at least one of a position of the polishing head on the polishing pad and a pressing force; It provides a substrate processing apparatus comprising a.
본 발명에 따르면, 기판의 연마 처리 공정 중에 연마 헤드의 위치와 가압력 중 어느 하나 이상이 변동되더라도, 이에 따른 연마 정반의 회전 부하를 보상하는 출력으로 정반 모터를 제어하여, 연마 패드와 기판의 마찰 특성을 일정하게 유지하여 기판의 연마 품질을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, even if one or more of the position of the polishing head and the pressing force change during the polishing process of the substrate, the frictional characteristics between the polishing pad and the substrate are controlled by controlling the wheel motor with an output that compensates for the rotational load of the polishing wheel. It is possible to obtain an effect of improving the polishing quality of the substrate by maintaining a constant.
이 뿐만 아니라, 본 발명에 따르면, 기판의 연마 처리 공정 중에 컨디셔너의 위치와 가압력 중 어느 하나 이상이 변동되더라도, 이에 따른 연마 정반의 회전 부하를 보상하는 출력으로 정반 모터를 제어하여, 연마 패드와 기판의 마찰 특성을 일정하게 유지하여 기판의 연마 품질을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, even if one or more of the position of the conditioner and the pressing force change during the polishing process of the substrate, the polishing plate and the substrate are controlled by controlling the polishing platen motor with an output that compensates for the rotational load of the polishing platen according to the change. It is possible to obtain the effect of improving the polishing quality of the substrate by maintaining the friction characteristics of the constant.
그리고, 본 발명은, 연마 헤드의 위치 및 가압력과 컨디셔너의 위치 및 가압력에 따른 정반 모터의 상관 관계를 미리 측정하여, 이에 따른 출력을 보상하는 제어 데이터를 미리 메모리에 저장하고, 연마 공정 중에 측정된 위치 및 가압력 정보에 기초하여 메모리로부터 호출하여 정반 모터를 제어하는 것에 의하여, 실시간으로 연마 정반의 회전 속도에 요동이 생기는 문제를 해결하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention measures the correlation between the position and pressing force of the polishing head and the position and pressing force of the conditioner in advance, and stores control data for compensating the corresponding output in a memory in advance, and measures the measured during the polishing process. By calling from the memory based on the position and pressing force information to control the table motor, it is possible to obtain an effect of solving the problem of fluctuations in the rotational speed of the polishing table in real time.
도1은 일반적인 연마 공정을 행하는 기판 처리 장치의 구성을 도시한 정면도,
도2는 도1의 평면 개략도,
도3은 도1의 연마 정반에 대한 연마 공정 중의 부하 측정 데이터를 도시한 그래프,
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도5는 도4의 기판 처리 장치의 작동 순서에 따른 작용을 순차적으로 도시한 순서도,
도6은 도4의 평면 개략도,
도7은 연마 헤드의 반단면도,
도8은 도4의 기판 처리 장치에 의한 정반 모터의 부하 측정값을 도시한 그래프이다.
1 is a front view showing the configuration of a substrate processing apparatus for performing a general polishing process;
Figure 2 is a plan schematic view of Figure 1;
3 is a graph showing load measurement data during a polishing process for the polishing platen of FIG. 1;
4 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
5 is a flow chart sequentially showing actions according to the operation sequence of the substrate processing apparatus of FIG. 4;
Figure 6 is a plan schematic view of Figure 4;
7 is a half-sectional view of the polishing head;
FIG. 8 is a graph showing a load measurement value of a surface plate motor by the substrate processing apparatus of FIG. 4 .
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, detailed descriptions of well-known functions or configurations will be omitted to clarify the gist of the present invention.
도4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 연마 패드(11)가 입혀진 상태로 정반 모터(Mp)에 의해 회전 구동되는 연마 정반(10)과, 기판(W)을 하측에 위치시킨 상태에서 가압하면서 구동 모터(Mh)로 회전시키는 연마 헤드(20)와, 연마 패드(11)의 표면을 개질하는 컨디셔너(40)와, 연마 공정이 행해지는 동안에 오실레이션 모터(Mo)에 의해 오실레이션 이동하는 연마 헤드(20)의 위치를 감지하는 연마헤드 위치감지부(110)와, 연마 헤드(20)에 의해 기판(W)을 연마 패드(11)를 향하여 가압하는 헤드 가압력(20F)을 감지하는 연마헤드 가압력감지부(115)와, 연마 공정이 행해지는 동안에 스윕 운동하는 컨디셔너(40)의 위치를 감지하는 컨디셔너 위치감지부(120)와, 컨디셔너(40)에 의해 연마 패드(11)를 가압하는 컨디셔닝 가압력(40F)을 감지하는 컨디셔너 가압력감지부(125)와, 이들 감지부(110, 115, 120, 125)로부터 감지된 위치 정보와 가압력 정보를 수신하여 연마 정반(10)의 정반 모터(Mp)를 제어하는 정반모터 제어부(130)와, 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 위치 및 가압력에 따른 제어 데이터를 저장하고 있는 메모리(140)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 4, the
상기 연마 정반(10)은, 상면에 연마 패드(11)가 입혀진 상태로 정반 모터(Mp)에 의해 회전(10r) 구동되며, 정반 모터(Mp)의 출력토크는 정반모터 제어부(130)에 의해 조절된다. 경우에 따라서는, 연마 공정 중에 연마 패드(11)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부가 구비되어, 기판과 연마 패드 사이의 기계적 연마 이외에 슬러리에 의한 화학적 연마가 함께 이루어질 수도 있다. The
상기 연마 정반(10)은 연마 공정 중에 정해진 위치에서 자전(10r)만 하도록 구성될 수도 있으며, 연마 공정 중에 정해진 경로를 왕복 이동하는 오실레이션 이동(10d)을 할 수도 있다. 이에 의하여, 연마 헤드(20)의 하측에 위치한 기판(W)은 연마 정반(10, 동시에 연마 패드(11))의 회전 중심(O)으로부터 서로 다른 위치에 위치하도록 반복 이동하여, 연마 패드에 형성된 홈(미도시)과 접촉하는 기판의 영역이 달라지면서 전체적으로 균일한 연마면으로 가공할 수 있게 된다. The
여기서, 오실레이션 이동(10d)은 하나의 직선 경로를 왕복 이동(10d)하는 형태로 이루어질 수 있고, 싸인파나 원호 또는 완만한 호 형태의 하나의 곡선의 경로를 왕복 이동하는 형태로 이루어질 수도 있으며, 다양한 방향으로 뻗은 직선이나 곡선 경로를 왕복 이동하는 형태로 이루어질 수도 있고, 원형이나 타원형 등의 경로를 따라 이동하는 형태로 이루어질 수도 있다. Here, the oscillation movement (10d) may be made in the form of reciprocating (10d) one linear path, or may be made in the form of reciprocating one curved path in the form of a sine wave, circular arc, or gentle arc, It may be made in the form of reciprocating a straight or curved path extending in various directions, or may be made in the form of moving along a path such as a circle or an ellipse.
상기 연마 헤드(20)는, 도7에 도시된 바와 같이, 구동 모터(Mh)에 의해 회전 구동력을 전달받아 자전(20r)하는 본체부(21, 21')와, 본체부(21)에 결합되고 가요성 재질로 형성된 멤브레인(22)과, 멤브레인(22)의 바깥을 둘러싸는 리테이너 링(24)을 포함한다. 여기서, 멤브레인(22)은 저면에 기판(W)을 위치시킨 상태로 가압할 수 있도록, 멤브레인 바닥판의 상면에는 링 형태의 플랩(222)이 연장 형성되어, 본체부(21)에 결합 부재(211)에 의해 결합된다. 이에 따라, 본체부(21)와 멤브레인(22)의 사이에는 다수의 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)가 형성되어, 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)로 공급되는 공압에 의하여 압력(P1, P2, P3, P4, P5)이 조절되어 기판(W)을 하방 가압하는 헤드 가압력(20F)이 정해진다.As shown in FIG. 7, the
상기 연마헤드 가압력감지부(115)는, 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 압력(P1, P2, P3, P4, P5)을 연마 공정 중에 실시간으로 측정하는 압력 센서를 포함하여, 연마 공정 중에 연마 헤드(20)의 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)에 도입되는 압력(P1, P2, P3, P4, P5)에 의해 기판(W)을 하방 가압하는 헤드 가압력(20F)을 측정하여, 정반모터 제어부(130)로 전송한다. The polishing head
이 때, 헤드 가압력(20F)은 연마 공정이 진행되는 과정에서, 기판 연마층의 감지 두께에 따라 변동될 수 있다. 따라서, 연마헤드 가압력 감지부(115)는 연마 공정의 시간 경과에 따라 헤드 가압력(20F)의 측정값을 주기적으로 또는 연속적으로 실시간 측정하여, 정반모터 제어부(130)로 전송한다.At this time, the
여기서, 연마헤드 가압력감지부(115)에 의해 감지되는 헤드 가압력(20F)은 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 압력(P1, P2, P3, P4, P5)의 평균값((P1+P2+P3+P4+P5)/5)으로 정해질 수도 있지만, 바람직한 실시 형태에 따르면, 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 가압 면적을 고려하여 각 가압 챔버의 압력과 가압 면적의 곱의 합으로 정해지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 각각의 가압 면적(즉, 각 가압 챔버가 멤브레인 바닥판을 차지하는 면적)이 각각 A1, A2, A3, A4, A5이면, 헤드 가압력(20F)은 (P1*A1 + P2*A2 + P3*A3 + P4*A4 + P5*A5)로 얻어질 수 있다. 이와 같이 헤드 가압력(20F)은 이미 알고있는 각 가압챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 가압면적을 이용하여, 연마 헤드(20)에 의해 연마 공정 중에 실제로 가압하는 헤드 가압력(20F)을 실시간으로 구하여, 정반모터 제어부(130)로 전송한다.Here, the
한편, 연마 헤드(20)는 연마 공정 중에 연마 패드(11) 상의 정해진 위치에 고정되어 있을 수도 있으며, 연마 공정 중에 연마 패드(11) 상에서 정해진 경로를 왕복 이동하는 오실레이션 이동(20d)을 할 수도 있다. 이에 의하여, 연마 헤드(20)의 하측에 위치한 기판(W)은 연마 정반(10)의 회전 중심(O)으로부터 서로 다른 거리로 이동하면서, 연마 패드에 형성된 홈(미도시)과 접촉하는 기판의 영역이 달라지면서 전체적으로 균일한 연마면으로 가공할 수 있게 된다. Meanwhile, the polishing
여기서, 오실레이션 이동(20d)은 도6에 도시된 바와 같이 하나의 직선 경로를 왕복 이동(20d)하는 형태로 이루어질 수 있고, 싸인파나 원호 또는 완만한 호 형태의 하나의 곡선의 경로를 왕복 이동하는 형태로 이루어질 수도 있으며, 다양한 방향으로 뻗은 직선이나 곡선 경로를 왕복 이동하는 형태로 이루어질 수도 있고, 원형이나 타원형 등의 경로를 따라 이동하는 형태로 이루어질 수도 있다. Here, the oscillation movement (20d) may be performed in the form of reciprocating (20d) one linear path as shown in FIG. It may be made in the form of doing, it may be made in the form of reciprocating a straight or curved path extending in various directions, or it may be made in the form of moving along a path such as a circle or an ellipse.
즉, 본 발명은, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20)는 연마 공정 중에 오실레이션 이동(10d, 20d)을 함께 하는 구성일 수 있고, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20) 중에 어느 하나만 연마 공정 중에 오실레이션 이동(10d, 20d)하는 구성을 모두 포함한다. That is, in the present invention, the
연마 정반(10)과 연마 헤드(20)가 모두 오실레이션 이동(10d, 20d)을 하는 실시 형태와, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20) 중 어느 하나만 오실레이션 이동을 하는 실시 형태는, 모두 연마 정반(10)의 회전 부하에 미치는 영향 측면에서, 연마 정반(10)의 회전 중심에 대한 연마 헤드(20)의 위치를 얻는 것으로 충분하다. 즉, 연마 정반이 고정되고 연마 헤드만 오실레이션 이동하는 실시 형태로 본 발명의 다양한 실시 형태의 작용 원리를 이해할 수 있다. An embodiment in which both the
이와 마찬가지로, 스윕 운동(40d)을 하는 컨디셔너(40)에 대해서도, 연마 정반(10)이 오실레이션 이동(10d)을 하는 경우와 하지 아니하는 경우도, 연마 정반(10)의 회전 부하에 미치는 영향 측면에서는, 연마 정반(10)의 회전 중심(O)에 대한 컨디셔너(40)의 위치를 얻는 것으로 충분하므로, 연마 정반(10)의 오실레이션 이동 여부에 관계없이, 연마 정반이 고정되고 컨디셔너가 스윕 운동하는 실시 형태로 본 발명의 다양한 실시 형태의 작용 원리를 이해할 수 있다. Similarly, with respect to the
따라서, 이하에서는, 간단히, '연마 패드(또는 연마 정반)의 회전 중심에 대한 연마 헤드의 위치' 또는 '연마 패드(또는 연마 정반)의 회전 중심에 대한 컨디셔너의 위치' 및 이와 유사한 표현으로, 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 오실레이션 이동 형태에 관한 작용 원리를 설명하기로 한다.Therefore, hereinafter, simply, 'the position of the polishing head relative to the rotation center of the polishing pad (or polishing surface)' or 'the position of the conditioner relative to the rotational center of the polishing pad (or polishing surface)' and similar expressions, The working principle of the oscillation movement form according to various embodiments of the present invention will be described.
상기 연마헤드 위치감지부(110)는, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20) 중 어느 하나 이상이 오실레이션 이동(10d, 20d)을 함에 따라 변동하는 연마 패드(11) 상의 연마 헤드(20)의 위치를 실시간으로 감지하여, 연마 패드(11) 상에서의 연마 헤드(20)의 위치 정보를 정반모터 제어부(130)로 실시간으로 전송한다. The polishing head
여기서, 연마 패드(11)의 회전 중심(O)에 대한 연마 헤드(20)의 오실레이션 이동(20d) 경로가 미리 정해진 경로를 왕복 이동하는 경우에는, 연마헤드 위치감지부는 연마 헤드(20)의 오실레이션 이동을 구동하는 오실레이션 모터(Mo)에 연결 설치된 엔코더(미도시)를 구비하여, 엔코더의 측정값으로부터 연마 헤드(11)의 연마 패드 상에서의 위치를 감지할 수 있다. 즉, 연마 헤드(20)의 오실레이션 이동 경로가 미리 정해져 있으므로, 오실레이션 모터(Mo)의 엔코더에 의한 회전각 측정값으로부터 연마 헤드(20)의 연마 패드(11) 상의 위치를 산출할 수 있다. Here, when the path of the
이는, 연마 정반(10)이 홀로 오실레이션 이동(10d)을 하는 경우에도 동일하게 적용되며, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20)가 함께 오실레이션 이동(10d, 20d)을 하는 경우에도 동일하게 적용된다. The same applies even when the polishing
한편, 연마 헤드(20)의 연마 패드(20)에 대한 오실레이션 이동(20d) 경로가 1개의 경로를 왕복 이동하지 않고, 2개 이상의 경로 또는 폐곡선 경로 또는 그 밖의 다양한 경로로 이동하는 경우에는, 연마헤드 위치감지부(110)는 연마 헤드(20)의 위치를 비접촉 형태로 감지하는 감지 센서(112)를 구비하여, 감지 센서(112)에 의해 연마 헤드(20)의 위치를 실시간으로 감지할 수 있다. 예를 들어, 감지 센서(112)는 다수 설치되어 연마 헤드(20)에 장착된 식별 표식(28)을 읽어내는 센서 위치로부터 연마 헤드(20)의 위치를 감지할 수 있으며, 수광부나 발광부로 이루어질 수도 있고, 그 밖의 다양한 형태로 연마 헤드(20)의 위치를 감지할 수 있다.On the other hand, when the oscillation movement (20d) path of the polishing
이와 같이 얻어진 연마 헤드(20)의 연마 패드(11) 상의 위치 정보가 정반모터 제어부(130)로 전송되면, 정반모터 제어부(130)는 연마 패드(11) 상의 연마 헤드(20)의 위치에 따라 정반 모터(Mp)의 구동 출력을 조절하여 부하 변동에 따른 연마 정반(10)의 회전 속도 편차를 최소화한다. When the obtained positional information of the polishing
보다 구체적으로는, 연마 헤드(20)는 기판(W)을 가압하여 기판(W)의 연마 공정을 행하므로, 연마 정반(10)과 중 어느 하나가 홀로 오실레이션 이동(20d)을 하거나, 연마 정반(10)과 연마 헤드(20)가 함께 오실레이션 이동(10d, 20d)을 하는 모든 경우에, 연마 헤드(20)가 연마 패드(11)의 중심으로부터 이격된 거리에 따라 정반 모터(Mp)가 연마 정반(10)을 회전(10r)시키는 부하가 변동하게 된다. 이로 인하여, 연마 헤드(20)의 위치가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)에 근접한 제1위치(S1, 도6의 점선)에 비하여, 연마 헤드(20)의 위치가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)으로부터 제1위치(S1)보다 먼 거리만큼 이격된 제2위치(S2, 도6의 실선)에서 보다 크게 부하로 작용하게 된다. More specifically, since the polishing
이에 따라, 정반 모터(Mp)의 출력을 제어하지 아니하면, 도3에 도시된 바와 같이, 연마 헤드(20)가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)에 근접한 제1위치(S1)에 있는 상태에서는 정반 모터(Mp)에 작용하는 부하가 낮아지고(도면부호 66b), 연마 헤드(20)가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)으로부터 보다 멀리 이격된 제2위치(S2)에 있는 상태에서는 정반 모터(Mp)에 작용하는 부하가 커짐(도면부호 66a)에 따라, 정반 모터(Mp)의 부하가 반복하여 요동하는 형태가 되어, 연마 정반(10)을 균일한 속도로 회전시키지 못하는 문제가 발생되었다.Accordingly, if the output of the table motor Mp is not controlled, as shown in FIG. 3, the polishing
이에 따라, 정반모터 제어부(130)는, 연마헤드 위치감지부(110)로부터 수신된 연마 헤드(20)의 위치 정보에 기초하여, 연마 헤드(20)가 연마 정반(10, 또는 연마 패드(11))의 회전 중심(O)으로부터 제1거리(L1)만큼 이격된 제1위치(S1)에 있는 때에 연마 정반(10)을 회전시키는 제1출력이, 연마 헤드(20)가 연마 정반(10)의 회전 중심(O)으로부터 제1거리(L1)보다 먼 제2거리(L2)만큼 이격된 제2위치(S2)에 있는 때에 연마 정반(10)을 회전시키는 제2출력에 비하여 더 작게 조절한다. Accordingly, the polishing
한편, 연마 공정 중에 연마 헤드(20)에 의해 기판(W)을 연마 패드(11)에 가압하는 헤드 가압력(20F)은 가압 챔버(C1, C2, C3, C4, C5) 별로 변동될 수 있다. 이에 따라, 정반모터 제어부(130)는 연마헤드 가압력감지부(115)로부터 전송된 헤드 가압력(20F)의 정보에 기초하여, 헤드 가압력(20F)의 크기가 증가하면 이에 비례하여 정반 모터(Mp)의 출력을 보다 더 크게 조절하고, 헤드 가압력(20F)의 크기가 감소하면 이에 비례하여 정반 모터(Mp)의 출력을 보다 더 작게 조절한다.Meanwhile, the
이를 통해, 하방 가압하는 연마 헤드(20)의 위치 및 가압력 편차에 따라 정반 모터(Mp)의 부하량 변동값을 보상하도록 정반 모터의 출력을 조절하여, 연마 헤드(20)의 연마 패드(11) 상에서의 위치 변동에 따른 정반 모터(Mp)의 부하 변동으로 인한 연마 정반(10)의 회전속도의 미세한 요동 현상을 없앨 수 있으며, 동시에 기판과 연마 패드 사이의 마찰 특성을 일정하게 유지함으로써, 기판의 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Through this, the output of the polishing
상기 컨디셔너(40)는, 도4에 도시된 바와 같이, 구동 모터(M)에 의해 회전 구동력을 전달받아 자전(40r)하는 컨디셔닝 디스크(41)와, 컨디셔닝 디스크(41)를 일단에 위치시키고 컨디셔닝 모터(Mc)에 의해 정해진 각도만큼 왕복 회전시켜 컨디셔닝 디스크(41)를 스윕 운동(40d)하게 하는 아암(42)과, 아암(42)의 일단 또는 힌지축(45)에 위치(도면에는 힌지축에 위치한 구성이 예시되어 있음)하여 컨디셔닝 디스크(41)를 하방 가압하는 컨디셔닝 가압력(45F)을 작용시키는 하중 작용부(미도시)를 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 4, the
이에 따라, 기판의 연마 공정 중에 힌지축(45)을 중심으로 아암(42)이 정해진 각도만큼 선회 운동을 하는 것에 의해, 컨디셔닝 디스크(41)는 연마 패드(11)에 컨디셔닝 가압력(40F)을 인가하면서 스윕 운동(40d)을 하면서, 연마 공정 중에 연마 패드(11)의 표면 상태를 개질한다. Accordingly, the
여기서, 컨디셔닝 디스크(41)를 통해 연마 패드(11)를 가압하는 컨디셔닝 가압력(40F)은, 연마 패드의 표면 상태와 기판의 영역별 연마량에 따라 연마 공정 중에 변동될 수 있다. Here, the
상기 컨디셔닝 가압력감지부(125)는, 컨디셔닝 디스크(41)를 통해 연마 패드(11)를 가압하는 가압력(40F)을 연마 공정 중에 실시간으로 측정하여, 정반모터 제어부(130)로 전송한다. 예를 들어, 가압력 감지부(125)는 컨디셔닝 디스크(41)의 상측에 배치되어 컨디셔닝 디스크(41)가 연마 패드(11)를 가압하는 반력을 측정하는 로드셀 등에 의해 측정될 수 있다. The conditioning pressing
상기 컨디셔너 위치감지부(120)는, 연마 정반(10)이 오실레이션 이동(10d)을 하는 경우나 하지 않는 경우 모두에 대하여, 연마 패드(11) 상의 컨디셔닝 디스크(41)의 위치(이하, 이를 간단히 '컨디셔너 위치'라고 한다)를 실시간으로 감지하여, 연마 헤드(20)의 위치 정보를 정반모터 제어부(130)로 실시간으로 전송한다. The conditioner
여기서, 컨디셔너(40)의 스윕 운동(40d)의 경로가 아암(42)의 끝단의 궤적을 따라 왕복 이동하므로, 컨디셔너 위치감지부(120)는 컨디셔너(40)의 스윕 운동(40d)을 구동하는 컨디셔닝 모터(Mc)에 연결 설치된 엔코더(미도시)를 구비하여, 엔코더의 측정값으로부터 컨디셔닝 디스크(41)의 위치를 감지할 수 있다. 이 때, 연마 정반(10)이 오실레이션 이동(10d)을 하는 경우에는, 컨디셔너(40)의 힌지축(45)도 함께 오실레이션 이동하는 것이 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상에서의 위치를 감지하기 용이한 측면에서 바람직하다. 즉, 컨디셔닝 디스크(40)의 스윕 이동 경로가 미리 정해져 있으므로, 컨디셔닝 모터(Mc)의 엔코더에 의한 회전각 측정값으로부터 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상의 위치를 산출할 수 있다.Here, since the path of the
이와 같이 얻어진 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상의 위치 정보가 정반모터 제어부(130)로 전송되면, 정반모터 제어부(130)는 컨디셔너(40)의 위치에 따라 정반 모터(Mp)의 구동 출력을 조절하여 부하 변동에 따른 연마 정반(10)의 회전 속도 편차를 최소화한다. When the obtained positional information on the
보다 구체적으로는, 컨디셔너(40)는 연마 패드(11)를 가압하면서 스윕 운동을 통해 연마 패드(11)의 표면 개질 공정을 행하므로, 컨디셔너(40)가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)으로부터 이격된 거리에 따라 정반 모터(Mp)가 연마 정반(10)을 회전(10r)시키는 부하가 변동하게 된다. 이로 인하여, 컨디셔너(40)의 위치가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)에 근접한 제3위치(S3, 도6의 실선)에 비하여, 컨디셔너(40)의 위치가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)으로부터 제3위치(S3)보다 먼 거리만큼 이격된 제4위치(S4, 도6의 점선)에서 보다 크게 부하로 작용하게 된다. More specifically, since the
이에 따라, 정반 모터(Mp)의 출력을 제어하지 아니하면, 도3에 도시된 바와 같이, 컨디셔너(40)가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)에 근접한 제3위치(S3)에 있는 상태에서는 정반 모터(Mp)에 작용하는 부하가 낮아지고(도면부호 66b), 컨디셔너(40)가 연마 패드(11)의 회전 중심(O)으로부터 보다 멀리 이격된 제4위치(S4)에 있는 상태에서는 정반 모터(Mp)에 작용하는 부하가 커짐(도면부호 66a)에 따라, 정반 모터(Mp)의 부하가 반복하여 요동하는 형태가 되어, 연마 정반(10)을 균일한 속도로 회전시키지 못하는 문제가 발생되었다.Accordingly, if the output of the table motor Mp is not controlled, as shown in FIG. 3 , the
이에 따라, 정반모터 제어부(130)는, 컨디셔너 위치감지부(120)로부터 수신된 연마 패드(11) 상에서의 컨디셔너(40)의 위치 정보에 기초하여, 컨디셔너(40)가 연마 정반(10, 또는 연마 패드(11))의 회전 중심(O)으로부터 제3거리(L3)만큼 이격된 제3위치(S3)에 있는 때에 연마 정반(10)을 회전시키는 제3출력이, 연마 헤드(20)가 연마 정반(10)의 회전 중심(O)으로부터 제3거리(L3)보다 먼 제4거리(L4)만큼 이격된 제4위치(S4)에 있는 때에 연마 정반(10)을 회전시키는 제4출력에 비하여 더 작게 조절한다. Accordingly, the surface plate
이와 동시에, 정반모터 제어부(130)는 컨디셔너 가압력감지부(125)로부터 전송된 컨디셔닝 가압력(40F)의 정보에 기초하여, 컨디셔닝 가압력(40F)의 크기가 증가하면 이에 비례하여 정반 모터(Mp)의 출력을 보다 더 크게 조절하고, 컨디셔닝 가압력(40F)의 크기가 감소하면 이에 비례하여 정반 모터(Mp)의 출력을 보다 더 작게 조절한다.At the same time, if the level of the
이를 통해, 하방 가압하는 컨디셔너(40)의 위치 및 컨디셔닝 가압력 편차에 따라 정반 모터(Mp)의 부하량을 가감하여 정반 모터의 출력을 조절하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상에서의 위치 변동에 따른 정반 모터(Mp)의 부하 변동으로 인한 연마 정반(10)의 회전속도가 미세하게 요동하는 현상을 없앨 수 있으며, 무엇보다도, 도8에 도시된 바와 같이, 기판과 연마 패드 사이의 마찰 특성을 일정하게 유지하여 기판의 연마 품질을 신뢰성있게 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다. Through this, the load amount of the table motor Mp is adjusted by adjusting the output of the table motor Mp according to the position of the
한편, 정반모터 제어부(130)는, 연마헤드 위치 및 가압력 감지부(110, 115)와 컨디셔너 위치 및 가압력 감지부(120, 125)로부터 수신된 정보로부터, 연마 헤드(20)와 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상에서의 위치(S1, S2, S3, S4) 및 가압력에 의해 정반 모터(Mp)에 작용하는 증감 부하량을 계산하고, 계산된 증감 부하량을 가감하여 정반 모터(Mp)의 출력 토크값을 실시간으로 계산하고 산출하여 정반 모터(Mp)에 제어하도록 구성될 수도 있다. On the other hand, the surface plate
본 발명의 보다 바람직한 실시 형태에 따르면, 연마 헤드(20)의 위치 및 가압력과 컨디셔너(40)의 위치 및 가압력에 따라 정반 모터(Mp)의 출력 토크값의 조절량에 관한 상관관계를 미리 시험으로 얻은 제어 데이터를 미리 메모리(140)에 저장할 수 있다. According to a more preferred embodiment of the present invention, the correlation with respect to the adjustment amount of the output torque value of the table motor Mp according to the position and pressing force of the polishing
다시 말하면, 연마 헤드(20)의 위치 및 가압력과 컨디셔너(40)의 위치 및 가압력에 따른 정반 모터의 상관 관계를 미리 측정하여, 이에 따른 출력을 보상하는 제어 데이터를 미리 메모리(140)에 저장하고, 정반모터 제어부(130)는 연마 공정 중에 측정된 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 위치 및 가압력 정보에 따라 메모리(140)로부터 제어 데이터를 호출하여 정반 모터(Mp)를 제어하게 구성될 수 있다.In other words, the position and pressure of the polishing
여기서, 메모리(140)에 저장되는 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 위치 정보는 연마 패드(11)의 1mm ~ 10mm의 조밀한 위치 간격마다 정반 모터(Mp)의 제어 데이터를 얻어 미리 저장하고, 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 가압력 정보는 50gf ~ 2kgf 단위의 조밀한 하중 간격마다 정반 모터(Mp)의 제어 데이터를 얻으며, 위치와 가압력 간의 조합에 따른 경우에 수에 대해서도 미리 저장된 것이 바람직하다.Here, the positional information of the polishing
이를 통해, 정반모터 제어부(130)에 의한 정반 모터(Mp)의 제어 공정이 시간 지연없이 실시간으로 신뢰성있게 행해질 수 있으며, 정반모터 제어부(130)에 과도한 성능 사양이 구비되지 않고 저렴한 구성이더라도, 실시간으로 연마 정반의 회전 속도의 요동이나 연마 패드와 기판 사이의 마찰 특성에 요동이 발생되어 기판 연마 품질이 낮아지는 문제를 보다 정확하고 신뢰성있게 해결하는 효과를 얻을 수 있다. Through this, the control process of the table motor Mp by the
즉, 본 발명은, 연마 헤드(20)와 컨디셔너(40)의 위치 및 가압력에 따라 보정되는 정반 모터(Mp)의 출력 제어 데이터를 미리 메모리(140)에 저장하여 두고(S10), 기판의 연마 공정이 행해지는 동안에(S20), 연마헤드 위치감지부(110)와 연마헤드 가압력감지부(115)와 컨디셔너 위치감지부(120)와 컨디셔닝 가압력감지부(125)에 의해 지속적으로 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 연마 패드(11) 상에서의 위치 및 가압력을 측정 감지하여(S30), 정반모터 제어부(130)에 의해 측정된 위치 정보와 가압력 정보에 따라 메모리(140)에 저장된 제어 데이터를 호출하여 곧바로 정반모터(Mp)에 작용하는 부하 변동량을 상쇄시키는 보정된 출력으로 정반모터(Mp)를 제어한다(S40). That is, in the present invention, the output control data of the table motor Mp, which is corrected according to the position and pressing force of the polishing
이를 통해, 본 발명은, 기판의 연마 공정 중에 연마 헤드(20) 및 컨디셔너(40)의 위치와 가압력 중 어느 하나 이상이 변동되는 경우에, 이들의 변동에 따른 연마 정반(110)의 회전 부하를 보상하는 출력 제어 데이터로 정반 모터(Mp)를 제어함으로써, 연마 패드와 기판의 마찰 특성을 일정하게 유지하여 기판의 연마 품질을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.Through this, the present invention, when any one or more of the position and pressing force of the polishing
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다. Although the present invention has been illustratively described through preferred embodiments above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms are provided within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims. may be modified, changed, or improved.
W: 기판 Mp: 정반모터
Mc: 컨디셔닝 모터 Mh: 오실레이션 모터
S1: 제1위치 S2: 제2위치
S3: 제3위치 S4: 제4위치
C1, C2, C3, C4, C5: 가압챔버 10: 연마 정반
11: 연마 패드 20: 연마 헤드
20F: 헤드 가압력 40: 컨디셔너
41: 컨디셔닝 디스크 40F: 컨디셔닝 가압력
110: 연마헤드 위치감지부 115: 연마헤드 가압력감지부
120: 컨디셔너 위치감지부 125: 컨디셔닝 가압력감지부
130: 정반모터 제어부 140: 메모리W: board Mp: table motor
Mc: conditioning motor Mh: oscillation motor
S1: 1st position S2: 2nd position
S3: 3rd position S4: 4th position
C1, C2, C3, C4, C5: pressure chamber 10: grinding wheel
11: polishing pad 20: polishing head
20F: head pressure 40: conditioner
41:
110: polishing head position detection unit 115: polishing head pressure detection unit
120: conditioner position detection unit 125: conditioning pressure detection unit
130: table motor controller 140: memory
Claims (21)
연마 패드에 대해 기판를 가압하는 연마 헤드와;
상기 연마 정반과 상기 연마 헤드 중 어느 하나 이상이 연마 공정 중에 오실레이션 이동을 하는 과정에서, 상기 연마 패드의 회전 중심에 대한 상기 연마 헤드의 위치를 감지하는 연마헤드 위치감지부와;
상기 연마 패드의 회전 중심으로부터 상기 연마 패드 상의 상기 연마 헤드의 위치까지 이격된 거리에 따라 상기 연마 정반을 회전시키는 정반 모터의 출력을 조절하는 정반모터 제어부를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
a polishing platen driven to rotate to rotate with the polishing pad applied thereon;
a polishing head that presses the substrate against the polishing pad;
a polishing head position detecting unit for detecting a position of the polishing head relative to the rotational center of the polishing pad when at least one of the polishing platen and the polishing head oscillates during a polishing process;
a table motor control unit for controlling an output of a table motor for rotating the polishing table according to a distance from a rotational center of the polishing pad to a position of the polishing head on the polishing pad;
A substrate processing apparatus, characterized in that configured to include.
상기 정반모터 제어부는,
상기 연마 헤드가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 제1거리만큼 이격된 제1위치에 있는 때에 상기 연마 정반을 회전시키는 제1출력이, 상기 연마 헤드가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 상기 제1거리보다 먼 제2거리만큼 이격된 제2위치에 있는 때에 상기 연마 정반을 회전시키는 제2출력에 비하여 더 작게 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The table motor control unit,
When the polishing head is in a first position spaced apart from the rotation center of the polishing plate by a first distance, a first output for rotating the polishing platen is such that the polishing head is moved by a distance greater than the first distance from the rotation center of the polishing platen. A substrate processing apparatus characterized in that the adjustment is smaller than the second output for rotating the polishing platen when the second position is spaced apart by a far second distance.
상기 연마 헤드는 임의의 경로로 왕복 이동을 하고,
상기 연마 헤드의 외형을 감지하는 것에 의해 상기 연마 헤드의 위치를 감지하는 감지 센서를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The polishing head reciprocates in an arbitrary path,
a detection sensor for detecting a position of the polishing head by detecting an external shape of the polishing head;
A substrate processing apparatus further comprising.
상기 연마 헤드가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 이격된 거리에 따라 상기 정반 모터의 출력량에 관한 제어 데이터를 저장하는 메모리를;
더 포함하고, 상기 정반모터 제어부는 상기 연마 헤드의 위치에 따라 상기 메모리로부터 상기 제어 데이터를 호출하여 상기 정반 모터를 회전 구동시키는 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
a memory for storing control data related to an output amount of the surface plate motor according to a distance at which the polishing head is spaced from a rotation center of the surface plate;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the table motor controller controls an output for rotationally driving the table motor by calling the control data from the memory according to the position of the polishing head.
상기 연마 헤드에 의하여 상기 연마 패드를 가압하는 헤드 가압력을 얻는 연마헤드 가압력감지부를;
더 포함하고, 상기 연마 헤드에 의해 상기 연마 패드를 가압하는 상기 헤드 가압력을 고려하여 상기 정반 모터의 출력이 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
a polishing head pressing force sensing unit that obtains a head pressing force pressing the polishing pad by the polishing head;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein an output of the table motor is adjusted in consideration of a head pressing force pressing the polishing pad by the polishing head.
상기 연마 헤드가 상기 연마 패드를 가압하는 상기 헤드 가압력에 따라 상기 정반 모터의 출력량에 관한 제어 데이터를 저장하는 메모리를;
더 포함하고, 상기 정반모터 제어부는 상기 연마 헤드에 의해 상기 연마 패드에 도입되는 상기 헤드 가압력에 따라 상기 메모리로부터 상기 제어 데이터를 호출하여 상기 정반 모터를 회전 구동시키는 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 8,
a memory for storing control data related to an output amount of the table motor according to the head pressing force with which the polishing head presses the polishing pad;
The platen motor control unit reads the control data from the memory according to the head pressing force applied to the polishing pad by the polishing head and adjusts an output for rotationally driving the platen motor. processing unit.
상기 연마 헤드는 상기 기판을 상기 연마 패드에 대해 가압하는 가압 챔버가 다수 구비되어 상기 가압챔버의 압력에 의해 상기 기판을 가압하는 상기 헤드 가압력이 도입되고;
상기 헤드 가압력은 상기 가압 챔버의 가압 면적과 상기 가압 챔버의 압력을 반영한 값으로 정해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 9,
the polishing head is provided with a plurality of pressing chambers for pressing the substrate against the polishing pad, and the head pressing force for pressing the substrate is introduced by the pressure of the pressing chambers;
The head pressing force is determined by a value reflecting a pressing area of the pressing chamber and a pressure of the pressing chamber.
컨디셔닝 디스크에 의해 상기 연마 패드를 가압하고 스윕 운동을 하면서 상기 연마 패드를 개질시키는 컨디셔너를;
더 포함하고, 상기 연마 패드의 회전 중심에 대한 상기 컨디셔너의 위치를 감지하는 컨디셔너 위치감지부를;
포함하고, 상기 정반모터 제어부는 상기 연마 패드 상의 상기 컨디셔너의 위치에 따라 상기 연마 정반을 회전시키는 정반모터의 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to any one of claims 1 or 2 or 4 or 5 or 8 to 10,
a conditioner that modifies the polishing pad while pressing the polishing pad with a conditioning disk and performing a sweeping motion;
and a conditioner position detecting unit configured to detect a position of the conditioner with respect to a rotational center of the polishing pad;
and wherein the table motor control unit controls an output of a table motor for rotating the polishing table according to a position of the conditioner on the polishing pad.
연마 패드에 대해 기판를 가압하는 연마 헤드와;
상기 연마 패드를 가압하고 스윕 운동을 하면서 상기 연마 패드를 개질시키 컨디셔너와;
상기 연마 패드의 회전 중심에 대한 컨디셔너의 위치를 감지하는 컨디셔너 위치감지부와;
상기 연마 패드의 회전 중심으로부터 상기 연마 패드 상의 상기 컨디셔너의 위치까지 이격된 거리에 따라 상기 연마 정반을 회전시키는 정반 모터의 출력을 조절하는 정반모터 제어부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
a polishing platen driven to rotate to rotate with the polishing pad applied thereon;
a polishing head that presses the substrate against the polishing pad;
a conditioner for reforming the polishing pad while pressing and sweeping the polishing pad;
a conditioner position detecting unit for detecting a position of the conditioner with respect to the center of rotation of the polishing pad;
a table motor control unit for controlling an output of a table motor for rotating the polishing table according to a distance from a rotational center of the polishing pad to a position of the conditioner on the polishing pad;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 정반모터 제어부는,
상기 컨디셔너가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 제3거리만큼 이격된 제3위치에 있는 때에 상기 연마 정반을 회전시키는 제3출력이, 상기 컨디셔너가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 상기 제3거리보다 먼 제4거리만큼 이격된 제4위치에 있는 때에 상기 연마 정반을 회전시키는 제4출력에 비하여 더 작게 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 17,
The table motor control unit,
A third output for rotating the polishing platen when the conditioner is at a third position spaced apart from the rotation center of the polishing plate by a third distance, wherein the conditioner is at a position farther than the third distance from the rotation center of the polishing platen. A substrate processing apparatus characterized in that the adjustment is smaller than the fourth output for rotating the polishing platen when it is in the fourth position spaced apart by 4 distances.
상기 컨디셔너의 스윕 운동에 따른 위치가 상기 연마 정반의 회전 중심으로부터 이격된 거리에 따라 상기 정반 모터의 출력량에 관한 제어 데이터를 저장하는 메모리를;
더 포함하고, 상기 정반모터 제어부는 상기 컨디셔너의 위치에 따라 상기 메모리로부터 상기 제어 데이터를 호출하여 상기 정반 모터를 회전 구동시키는 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 17,
a memory for storing control data related to an output amount of the surface plate motor according to a distance from a rotation center of the polishing platen to a position according to the sweeping motion of the conditioner;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the table motor controller controls an output for rotationally driving the table motor by calling the control data from the memory according to the position of the conditioner.
상기 컨디셔너에 의하여 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 가압력을 얻는 컨디셔너 가압력감지부를;
더 포함하고, 상기 컨디셔너에 의해 상기 연마 패드를 가압하는 상기 컨디셔닝 가압력을 고려하여 상기 정반 모터의 출력이 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to any one of claims 17 to 19,
a conditioner pressure sensor that obtains a conditioning pressure applied to the polishing pad by the conditioner;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein an output of the table motor is adjusted in consideration of the conditioning pressure applied to the polishing pad by the conditioner.
상기 컨디셔너가 상기 연마 패드를 가압하는 상기 컨디셔닝 가압력에 따라 상기 정반 모터의 출력량에 관한 제어 데이터를 저장하는 메모리를;
더 포함하고, 상기 정반모터 제어부는 상기 컨디셔너에 의해 상기 연마 패드에 도입되는 상기 컨디셔닝 가압력에 따라 상기 메모리로부터 상기 제어 데이터를 호출하여 상기 정반 모터를 회전 구동시키는 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
21. The method of claim 20,
a memory for storing control data related to an output amount of the table motor according to the conditioning pressure applied by the conditioner to the polishing pad;
and wherein the table motor controller reads the control data from the memory according to the conditioning pressure applied to the polishing pad by the conditioner and adjusts an output for rotationally driving the table motor. Device.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034256A KR102546838B1 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Substrate treating appratus |
CN201910085038.6A CN110355684B (en) | 2018-03-26 | 2019-01-29 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034256A KR102546838B1 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Substrate treating appratus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190112368A KR20190112368A (en) | 2019-10-07 |
KR102546838B1 true KR102546838B1 (en) | 2023-06-23 |
Family
ID=68215500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180034256A KR102546838B1 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Substrate treating appratus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102546838B1 (en) |
CN (1) | CN110355684B (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100235208B1 (en) * | 1995-04-26 | 2000-04-01 | 아끼구사 나오유끼 | End point polishing apparatus and polishing method |
JP2002096260A (en) | 2000-09-14 | 2002-04-02 | Hitachi Zosen Corp | Polishing machine |
KR100826590B1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-04-30 | 주식회사 실트론 | Apparatus for chemical mechanical polishing |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5057606A (en) * | 1973-09-21 | 1975-05-20 | ||
JPH10230451A (en) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Speedfam Co Ltd | Grinding device and work measuring method |
KR20010020818A (en) * | 1999-05-05 | 2001-03-15 | 조셉 제이. 스위니 | Chemical mechanical polishing with friction-based control |
EP1247616B1 (en) * | 2001-04-02 | 2006-07-05 | Infineon Technologies AG | Method for conditioning a polishing pad surface |
JP2004330345A (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Hitachi Zosen Corp | Method and apparatus for grinding flake workpiece |
JP2005131732A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Ebara Corp | Grinding device |
TW200620444A (en) * | 2004-08-30 | 2006-06-16 | In-Kwon Jeong | Apparatus and method for polishing semiconductor wafers using pivotable load/unload cups |
TWI492288B (en) * | 2010-02-11 | 2015-07-11 | 聯華電子股份有限公司 | Method for controling polishing wafer |
JP5927083B2 (en) * | 2012-08-28 | 2016-05-25 | 株式会社荏原製作所 | Dressing process monitoring method and polishing apparatus |
JP6101175B2 (en) * | 2013-08-28 | 2017-03-22 | Sumco Techxiv株式会社 | Semiconductor wafer polishing method |
JP6307428B2 (en) * | 2014-12-26 | 2018-04-04 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and control method thereof |
KR101625459B1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-05-30 | 주식회사 케이씨텍 | Chemical mechanical polishing apparatus and method thereof |
KR102362916B1 (en) * | 2015-06-23 | 2022-02-15 | 주식회사 케이씨텍 | Chemical mechanical polishing apparatus |
-
2018
- 2018-03-26 KR KR1020180034256A patent/KR102546838B1/en active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-29 CN CN201910085038.6A patent/CN110355684B/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100235208B1 (en) * | 1995-04-26 | 2000-04-01 | 아끼구사 나오유끼 | End point polishing apparatus and polishing method |
JP2002096260A (en) | 2000-09-14 | 2002-04-02 | Hitachi Zosen Corp | Polishing machine |
KR100826590B1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-04-30 | 주식회사 실트론 | Apparatus for chemical mechanical polishing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110355684B (en) | 2022-05-13 |
KR20190112368A (en) | 2019-10-07 |
CN110355684A (en) | 2019-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9999956B2 (en) | Polishing device and polishing method | |
CN107199504B (en) | Grinding method and grinding device | |
KR100939096B1 (en) | Polishing apparatus, polishing method and substrate carrier system | |
JP4817687B2 (en) | Polishing equipment | |
JP4658182B2 (en) | Polishing pad profile measurement method | |
US20100311309A1 (en) | Dressing apparatus, dressing method, and polishing apparatus | |
JP5340795B2 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
US9017138B2 (en) | Retaining ring monitoring and control of pressure | |
KR102094274B1 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
KR102312551B1 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
JP5291746B2 (en) | Polishing equipment | |
CN109746823B (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
KR20220116316A (en) | Abrasive carrier head with piezoelectric pressure control | |
JP2018001325A (en) | Head height adjustment device and substrate processing apparatus including head height adjustment device | |
KR102546838B1 (en) | Substrate treating appratus | |
JP2013233651A (en) | Pressing force detection device for grinder | |
US20190126427A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2016165792A (en) | Polishing head and polishing process device | |
KR20220103048A (en) | Polishing apparatus, polishing method and method for outputting visualization information of film thickness distribution on substrate | |
KR101527769B1 (en) | Low pressurised conditioner of chemical mechanical polishing apparatus | |
JP2001129756A (en) | Wafer polishing device and polishing state detection method | |
JP2020040188A (en) | Retainer ring, polishing head having the same, and polishing device | |
JP5344290B2 (en) | Polishing equipment | |
KR101559278B1 (en) | Low pressurised conditioner of chemical mechanical polishing apparatus | |
US20220344221A1 (en) | Film-thickness measuring method, method of detecting notch portion, and polishing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |