KR102543479B1

KR102543479B1 - 터치 스크린

Info

Publication number: KR102543479B1
Application number: KR1020160066663A
Authority: KR
Inventors: 신현억; 양찬우; 이동민; 이주현
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-05-30
Filing date: 2016-05-30
Publication date: 2023-06-16
Also published as: KR20170136073A

Abstract

터치 스크린은 기판; 및 일방향으로 연장된 복수의 제1 도전성 라인들, 및 상기 제1 도전성 라인들과 교차하는 방향으로 연장된 제2 도전성 라인들을 포함하며, 상기 기판 상에 배치되는 터치 센싱 전극들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전성 라인들 및 상기 제2 도전성 라인들은 베이스 금속층; 상기 금속층 상에 배치되고, 도전성 유기물을 포함하는 위상 정합층; 및 상기 위상 정합층 상에 배치되는 박형 금속층을 포함할 수 있다.

Description

터치 스크린{TOUCH SCREEN}

본 발명은 터치 스크린에 관한 것이다.

터치 스크린은 정보 입력 장치의 하나로, 표시 패널의 일면에 부착되거나, 표시 패널과 일체로 형성되어 사용된다. 사용자는 상기 표시 패널에서 구현되는 이미지를 시청하면서 상기 터치 스크린 내의 터치 센서를 누르거나 터치하여 정보를 입력할 수 있다.

상기 터치 스크린은 복수의 센싱 전극들, 및 상기 센싱 전극들을 연결하는 센싱 라인들을 포함할 수 있다. 상기 센싱 전극들 및 상기 센싱 라인들이 금속 물질로 이루어지는 경우, 상기 금속 물질에 의해 광이 반사될 수 있다. 따라서, 사용자가 상기 센싱 전극들 및 상기 센싱 라인들을 시인할 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 터치 전극에 의한 반사를 줄일 수 있는 터치 스크린을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 터치 스크린은 기판; 및 일방향으로 연장된 복수의 제1 도전성 라인들, 및 상기 제1 도전성 라인들과 교차하는 방향으로 연장된 제2 도전성 라인들을 포함하며, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 터치 센싱 전극들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전성 라인들 및 상기 제2 도전성 라인들은 베이스 금속층; 상기 금속층 상에 배치되고, 도전성 유기물을 포함하는 위상 정합층; 및 상기 위상 정합층 상에 배치되는 박형 금속층을 포함할 수 있다.

상기 도전성 유기물은 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 폴리아닐린(polyaniline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 위상 정합층은 500Å 내지 750Å의 두께를 가질 수 있다.

상기 베이스 금속층에서 반사된 반사 광은 상기 박형 금속층에서 반사된 반사 광과 상쇄 간섭될 수 있다.

상기 베이스 금속층은 알루미늄 및 알루미늄 합금 중 하나를 포함하고, 상기 베이스 금속층은 300Å 내지 4000Å의 두께를 가질 수 있다.

상기 박형 금속층은 티타늄 및 몰리브덴 중 하나를 포함하고, 상기 박형 금속층은 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다.

상기 터치 센싱 전극 상에 배치되는 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 절연층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하고, 1000Å 내지 4000Å의 두께를 가질 수 있다. 또는 상기 절연층은 아크릴계 폴리머를 포함하며, 1㎛ 내지 3㎛의 두께를 가질 수 있다.

상기 절연층 상에 배치되는 반사 감소층을 더 포함할 수 있다. 상기 반사 감소층은 실리콘 산질화물을 포함하고, 상기 반사 감소층은 500Å 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 터치 전극을 형성하는 금속층에 의한 광 반사를 방지하거나 최소화함으로써 터치 전극이 시인되거나 터치 전극으로 인한 화질 저하를 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 터치 스크린을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 5는 도 3의 EA1 영역의 확대도이다.
도 6은 도 5의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 7은 도 6의 EA2 영역의 확대도이다.
도 8은 도 1 내지 도 7에 도시된 도전성 세선들의 적층 구조에 따른 반사율을 측정한 시뮬레이션 결과를 도시한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서에 인가되는 신호를 예시한 파형도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 및 터치 신호 처리부의 회로도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치의 배치도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치의 적층 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 사시도이며, 도 2는 도 1의 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이며, 도 3 및 도 4는 도 1의 터치 스크린을 설명하기 위한 평면도들이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100), 및 상기 표시 패널(100) 상에 배치되는 터치 스크린(200)을 포함할 수 있다.

상기 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 화소 영역을 포함할 수 있다. 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)에 인접하여 배치될 수 있다.

또한, 상기 표시 패널(100)은 박막 트랜지스터를 구비하는 박막 트랜지스터 기판(미도시), 및 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 배치되고 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 표시 소자를 구비할 수 있다.

상기 박막 트랜지스터 기판은 베이스 기판(미도시), 상기 베이스 기판 상에 배치되는 복수의 게이트 라인들(미도시), 상기 게이트 라인들과 교차하는 복수의 데이터 라인들(미도시), 및 상기 게이트 라인들과 상기 데이터 라인들에 접속하는 복수의 박막 트랜지스터들(미도시)을 포함할 수 있다.

상기 표시 소자는 상기 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 표시 소자는 액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device), 전기 영동 표시 소자(electrophoretic display device, EPD device), 전기 습윤 표시 소자(electrowetting display device, EWD device), 및 유기 발광 표시 소자(organic light emitting display device, OLED device) 중 어느 하나일 수 있다. 한편, 하기에서는 설명의 편의를 위하여 상기 표시 소자로 상기 유기 발광 표시 소자를 예로서 설명한다.

상기 표시 소자는 상기 박막 트랜지스터에 접속하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 상기 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 주입되는 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 광 생성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 투명할 수 있다.

예를 들면, 상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 어느 하나의 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전막일 수 있다. 상기 제2 전극은 광 반사가 가능하며, 상기 제1 전극에 비하여 일함수가 낮은 Mo, MoW, Cr, Al, AlNd 및 Al 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

또한, 상기 광 생성층은 적어도 발광층(emitting layer, EML)을 포함하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 광 생성층은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층, 상기 발광층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다.

상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 어느 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 어느 하나일 수 있다.

상기 표시 소자 상에는 상기 표시 소자를 외부 환경과 격리시키는 봉지 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 부재는 실런트를 통하여 상기 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 투명 절연 기판일 수 있다. 또는, 상기 봉지 부재는 상기 표시 소자를 커버하는 투명 절연막일 수 있다. 상기 투명 절연막은 교번 적층된 유기 절연막 및 무기 절연막을 포함할 수도 있다.

상기 터치 스크린(200)은 센싱 영역(SA) 및 비센싱 영역(NSA)을 포함할 수 있다. 상기 센싱 영역(SA)은 상기 표시 패널(100)의 상기 표시 영역(DA)에 대응할 수 있다. 상기 비센싱 영역(NSA)은 상기 센싱 영역(SA)에 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 비센싱 영역(NSA)은 상기 표시 패널(100)의 상기 비표시 영역(NDA)에 대응할 수 있다.

상기 센싱 영역(SA)에는 복수의 터치 센싱 전극들(TSE)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 센싱 라인들(SL)을 통하여 패드부(PDA)에 연결될 수 있다. 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 상기 터치 스크린(200)의 터치 감지 형태에 따라 다양한 형태로 배치될 수 있다.

예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 터치 스크린(200)의 터치 감지 형태가 상호 정전 용량형 터치 스크린 타입(Mutual Capacitance Touch Screen type)일 수 있다. 여기서, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)의 일부는 일 방향으로 연결되고 서로 평행한 복수의 터치 센싱 전극 행들을 구성할 수 있다. 또한, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)의 나머지는 상기 터치 센싱 전극 행들에 교차하는 방향으로 연결되고 서로 평행한 복수의 터치 센싱 전극 열들을 구성할 수 있다. 상기 터치 센싱 전극 행들 및 상기 터치 센싱 전극 열들은 상기 센싱 라인들(SL)을 통하여 상기 패드부(PDA)의 패드들에 각각 연결될 수 있다.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 터치 스크린(200)의 터치 감지 형태가 자가 정전 용량형 터치 스크린 타입(Self Capacitance Touch Screen type)일 수 있다. 여기서, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있으며, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 상기 센싱 라인들(SL)을 통해 상기 패드부(PDA)의 상기 패드들에 각각 연결될 수 있다.

도 5는 도 3의 EA1 영역의 확대도이며, 도 6은 도 5의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 7은 도 6의 EA2 영역의 확대도이다.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 상기 터치 스크린(200)은 절연 기판(210), 상기 절연 기판(210) 상에 배치되는 터치 센싱 전극들(TSE), 상기 터치 센싱 전극들(TSE)을 커버하는 절연층(220), 및 상기 절연층(220) 상에 배치되는 반사 감소층(230)을 포함할 수 있다.

상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 일 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들(CFL1), 및 상기 제1 도전성 세선들과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들(CFL2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)은 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다. 상기 메쉬 구조는 벤더블(bendable), 폴더블(foldable) 또는 롤러블(rollable)한 플렉서블 터치 스크린(200)을 구현하는데 유리할 수 있다.

또한, 상기 메쉬 구조는 개구부, 즉 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 교차하여 형성하는 영역은 표시 패널(100)의 표시 소자와 중첩하지 않을 수 있다. 즉, 상기 메쉬 구조를 가지는 상기 터치 스크린(200)은 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 표시 패널(100)의 중첩 면적이 메쉬 구조가 아닌 면(plane) 형태의 터치 센싱 전극들 및 상기 표시 패널(100)의 중첩 면적에 비하여 작을 수 있다. 따라서, 상기 메쉬 구조의 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 및 상기 표시 소자의 전극, 예를 유기 발광 소자의 제2 전극 사이에 발생하는 기생 캐패시턴스(parasitic capacitance)가 감소될 수 있다.

상기 기생 캐패시턴스가 감소하면, 상기 터치 스크린의 터치 센싱 감도가 증가할 수 있으므로, 구동 마진을 확보할 수 있다. 예를 들면, 구동 신호의 최대 주파수를 높여 높은 리포트 레이트(report rate)를 확보할 수 있다. 상기 메쉬 구조를 형성하는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)의 선폭은 약 1.7㎛ 이하일 수 있다.

상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 상기 절연 기판(210) 상에 적층된 복수의 도전층들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 상기 절연 기판(210) 상에 배치된 베이스 금속층(BML), 상기 베이스 금속층(BML) 상에 배치되는 위상 정합층(PML), 및 상기 위상 정합층(PML) 상에 배치되는 박형 금속층(TML)을 포함할 수 있다.

상기 베이스 금속층(BML)은 상기 터치 센싱 전극들(TSE)이 상호 정전 용량을 형성하기 위한 도전층일 수 있다. 즉, 상기 베이스 금속층(BML)은 상기 터치 센싱 전극들(TSE)이 상호 정전 용량 또는 자가 정전 용량을 형성하기 위한 캐패시터의 전극으로 동작하도록 할 수 있다.

상기 베이스 금속층(BML)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)과 같은 알루미늄계 금속(aluminum base metal)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 알루미늄 합금은 알루미늄(Al) 및 네오디뮴(Nd)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 베이스 금속층(BML)은 상기 박형 금속층(TML)을 투과한 외부 광(L0)을 반사시킬 반사시킬 수 있다.

상기 베이스 금속층(BML)은 선 폭 및 저항을 고려하여 두께가 설정될 수 있으며, 수 백Å 내지 수 천Å의 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 금속층(BML)은 약 300Å 내지 4000Å의 두께를 가질 수 있다.

알루미늄은 영률(Young's modulus)이 약 69 MPa이며, 배선으로 사용 가능한 금속 중에서 가장 낮은 것으로 알려져 있다. 알루미늄계 금속은 영률이 모듈러스가 낮으므로 변형(strain)에 대한 응력(stress)이 작다. 따라서, 알루미늄계 금속은 폴더블, 벤더블 등의 플렉서블 터치 스크린을 구현하는데 다른 금속보다 유리할 수 있다. 알루미늄계 금속으로 형성된 층은 구리 같은 다른 금속으로 형성된 층에 비해, 건식 습각(dry etch) 등을 통해 1.7㎛ 이하의 좁은 선 폭으로 패터닝할 수 있다. 특히, 선폭이 1.7㎛ 이하인 경우, 모아레(Moire) 현상이 방지될 수 있다.

상술한 바와 같이, 상기 베이스 금속층(BML)이 알루미늄계 금속을 포함하면, 미세 선폭의 메쉬 패턴 및 플렉서블 터치 스크린을 형성하는데 유리하다.

상기 위상 정합층(PML)은 광학적으로 투명할 수 있다. 여기서, 광학적으로 투명이란 가시광선을 약 50% 이상, 예를 들면, 약 80% 이상 투과시키는 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 위상 정합층(PML)은 도전성 유기물을 포함할 수 있다. 상기 도전성 유기물은 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 폴리아닐린(polyaniline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 위상 정합층(PML)이 도전성 유기물을 포함하므로, 상기 도전성 세선들(CFL)의 저항은 상기 위상 정합층이 산화물을 포함하는 도전성 세선들의 저항에 비하여 낮을 수 있다.

상기 위상 정합층(PML)은 상기 베이스 금속층(BML)에 의해 반사되는 반사광(L1)과 상기 박형 금속층(TML)에 의해 반사되는 반사광(L2)이 상쇄 간섭을 일으킬 수 있도록 두께가 조절될 수 있으며, 수 십Å 내지 수 백Å 범위의 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 위상 정합층(PML)의 두께는 500Å 내지 750Å일 수 있다.

상기 박형 금속층(TML)은 외부 광(L0) 중 일부는 반사시키며, 나머지는 투과시킬 수 있다. 상기 박형 금속층(TML)은 광 흡수율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 금속층(TML)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 박형 금속층(TML)의 광 흡수율이 높으면, 상기 박형 금속층(TML)에 의한 외부 광의 반사율을 줄일 수 있다. 따라서, 상기 박형 금속층(TML)은 상기 터치 센싱 전극들(TSE)의 반사율 증가를 억제할 수 있다.

상기 박형 금속층(TML)은 광이 투과할 수 있도록 수 십Å 내지 수 백Å의 두께를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 금속층(TML)의 두께는 약 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 상기 박형 금속층(TML)의 두께가 100Å를 초과하면, 상기 박형 금속층(TML)의 반사율이 증가할 수 있다.

상기 베이스 금속층(BML), 상기 위상 정합층(PML) 및 상기 박형 금속층(TML)을 포함하는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 하나의 마스크를 이용하는 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.

이를 보다 상세히 설명하면, 상기 절연 기판(210) 상에 상기 베이스 금속층(BML) 물질을 포함하는 제1 도전층, 상기 위상 정합층(PML) 물질을 포함하는 제2 도전층, 및 상기 박형 금속층(TML)을 포함하는 제3 도전층을 순차적으로 적층한다. 그런 다음, 상기 제3 도전층 상에 포토레지스트 물질을 도포하고 노광 및 현상 공정을 수행하여, 상기 제3 도전층 상에 배치되는 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하는 식각 공정을 수행한다. 여기서, 상기 식각 공정은 건식 식각(dry etching) 공정일 수 있다.

상기 식각 공정에서 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제3 도전층은 일괄 식각되어, 상기 베이스 금속층(BML), 상기 위상 정합층(PML) 및 상기 박형 금속층(TML)을 포함하는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 도전층은 도전성 유기물을 포함하므로, 상기 제1 도전층 및 상기 제3 도전층과 함께 일괄 식각될 수 있다.

만약, 상기 제2 도전층이 금속 산화물을 포함하면, 상기 건식 식각 수행될 수 없다. 예를 들면, 상기 제3 도전층을 식각하기 위한 제1 건식 식각 공정, 상기 제2 도전층을 식각하기 위한 습식 식각 공정, 및 상기 제1 도전층을 식각하기 위한 제2 건식 식각 공정을 통하여, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 도전층이 도전성 유기물을 하는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)을 형성하는 공정이 상기 제2 도전층이 금속 산화물을 포함하는 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)을 형성하는 공정에 비하여 단순하고 공정 비용이 절감될 수 있다.

한편, 알루미늄계 금속은 광 반사도가 우수하다. 따라서, 상기 베이스 금속층(BML)이 알루미늄계 금속을 포함하면, 상기 도전성 세선들(CFL)에서 상기 외부 광(L0)이 반사되어, 상기 터치 센싱 전극들(TSE)이 시인되거나, 표시 패널(100)의 표시 품질이 저하될 수 있다.

상기 위상 정합층(PML) 및 상기 박형 금속층(TML)은 상기 외부 광(L0)이 상기 베이스 금속층(BML)에서 반사되어 상기 터치 센싱 전극들(TSE)이 시인되거나, 상기 표시 패널(100)의 표시 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이를 보다 상세히 설명하면, 상기 박형 금속층(TML)을 투과한 상기 외부 광(L0)은 상기 위상 정합층(PML)을 경유하고 상기 베이스 금속층(BML)에서 반사되어 위상이 변화될 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 금속층(BML)에서 반사된 반사광(L1)은 상기 박형 금속층(TML)에서 반사된 반사광(L2)와 상쇄 간섭 조건을 만족시키는 위상을 가질 수 있다. 즉, 상기 위상 정합층(PML)은 상기 반사광들(L1, L2)이 상쇄 간섭을 일으킬 수 있도록 위상차(phase difference)를 만들어 주기 위한 경로(path)를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 반사광들(L1, L2)은 상쇄 간섭에 의해 약해지거나, 소멸될 수 있다.

그러므로, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 상기 베이스 금속층(BML), 상기 위상 정합층(PML) 및 상기 박형 금속층(TML)을 포함하면, 상기 상쇄 간섭에 의해 상기 외부 광(L0)의 반사를 최소화시킬 수 있다.

상기 절연층(220)은 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 상에 배치되어 상기 터치 센싱 전극들(TSE)을 커버할 수 있다. 상기 절연층(220)은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나의 무기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 절연층(220)은 아크릴계 폴리머와 같은 유기 물질을 포함할 수도 있다.

상기 절연층(220)이 무기 물질을 포함하는 경우, 상기 절연층(220)은 약 1000Å 내지 4000Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 절연층(220)이 유기 물질을 포함하는 경우, 상기 절연층(220)은 약 1㎛ 내지 3㎛의 두께를 가질 수 있다.

상기 반사 감소층(230)은 투명한 저굴절률 물질을 포함하여, 상기 절연층(220)의 표면에서 상기 외부 광(L0)이 반사되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사 감소층(230)은 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 상기 반사 감소층(230)은 약 500Å 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있다.

도 8은 도 1 내지 도 7에 도시된 도전성 세선들의 적층 구조에 따른 반사율을 측정한 시뮬레이션 결과를 도시한 그래프이다.

도 8에서, R1의 도전성 세선은 알루미늄(Al)을 포함하는 2500Å 두께의 베이스 금속층, 및 티타늄(Ti)를 포함하는 100Å 두께의 박형 금속층을 포함한다. R2의 도전성 세선은 도전성 세선은 알루미늄(Al)을 포함하는 2500Å 두께의 베이스 금속층, PEDOT:PSS를 포함하는 700Å 두께의 위상 정합층, 및 티타늄(Ti)를 포함하는 100Å 두께의 박형 금속층을 포함한다. R3의 도전성 세선은 알루미늄(Al)을 포함하는 2500Å 두께의 베이스 금속층, 알루미늄 산화물(Al2O3)를 포함하는 640Å 두께의 위상 정합층, 및 티타늄(Ti)를 포함하는 100Å 두께의 박형 금속층을 포함한다. R4의 도전성 세선은 도전성 세선은 알루미늄(Al)을 포함하는 2500Å 두께의 베이스 금속층, 실리콘 산화물(SiO2)를 포함하는 640Å 두께의 위상 정합층, 및 티타늄(Ti)를 포함하는 100Å 두께의 박형 금속층을 포함한다.

도 8을 참조하면, 가시광선의 파장 영역에서, R1의 반사율은 약 25% 내지 45%임을 알 수 있다. 특히, 상기 R1은 파장이 길어질수록 반사율이 증가함을 알 수 있다.

가시광선의 파장 영역에서, R3 및 R4의 반사율은 약 5% 내지 555%임을 알 수 있다. 특히, 상기 R3 및 상기 R4는 적색 광의 반사율이 낮으나, 청색 광의 반사율이 매우 높음을 알 수 있다.

가시광선의 파장 영역에서, R2의 반사율은 약 5% 내지 15%임을 알 수 있다. 특히, 상기 R2는 상기 R1, R3 및 R4에 비하여 대부분의 파장 범위에서 반사율이 낮다. 또한, 상기 R2의 반사율이 상기 R2 및 상기 R3의 반사율보다 높은 파장 영역에서의 반사율 차이는 약 10% 이하이다. 따라서, 상기 R2의 반사율이 상기 R2 및 상기 R3의 반사율보다 높은 파장 영역이 전체 반사율에 미치는 영향은 적을 수 있다.

즉, 가시광선의 파장 영역에서, 알루미늄을 포함하는 베이스 금속층, 도전성 유기물을 포함하는 위상 정합층, 및 티타늄을 포함하는 박형 금속층을 구비하는 도전성 세선들이 타 구조의 도전성 세선들에 비하여 반사 방지 특성이 우수함을 알 수 있다.

하기에서는 도 9 및 도 10을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 터치 센서의 동작에 대해 설명하기로 한다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서에 인가되는 신호를 예시한 파형도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 및 터치 신호 처리부의 회로도이다.

도 3 및 도 9를 참조하면, 상기 터치 센싱 전극들(TSE) 중 일부는 입력 전극(Tx)이고, 나머지는 출력 전극(Rx)일 수 있다.

상기 입력 전극(Tx)에는 구동 신호가 입력된다. 상기 구동 신호는 다양한 파형 및 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 구동 신호는 주기적으로 출력되는 펄스를 포함할 있고, 적어도 두 개의 서로 다른 전압 레벨을 포함할 수도 있다. 상기 출력 전극(Rx)에는 직류 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 상기 입력 전극(Tx)에는 약 0V와 약 3V로 스윙하는(swing) 구형파가 인가될 수 있고, 상기 출력 전극(Rx)에는 약 1.5V의 직류 전압이 인가될 수 있다. 상기 출력 전극(Rx)에 직류 전압이 인가될지라도, 스윙하는 구동 신호와 커플링에 의해 전압이 변동할 수 있다. 상기 입력 전극(Tx)과 상기출력 전극(Rx) 사이에는 전위 차로 인한 전기장과 정전 용량이 형성될 수 있다. 손가락, 터치펜 등의 접촉에 의해 정전 용량이 변하면 상기 출력 전극(Rx)의 전압 변동의 폭이 변할 수 있으며, 상기 전압 변동 폭의 변화에 기초하여 터치가 감지될 수 있다.

터치 스크린의 감도는 기본 정전 용량(base capacitance)에 대해 터치 시 정전 용량의 변화량이 클수록 증가할 수 있다. 상기 입력 전극(Tx) 또는 이의 연결부, 및 상기 출력 전극(Rx) 또는 이의 연결부 간에 발생하는 기생 정전 용량은 기본 정전 용량을 증가시켜 터치 센서의 감도를 저하시킬 수 있다. 따라서, 상기 기생 정전 용량을 줄이는 것이 상기 터치 스크린의 감도 향상에 유리하다. 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 전극은 메시 패턴으로 형성되므로, 상기 기생 정전 용량을 줄일 수 있다.

도 10에서는 회로 관점에서 터치 센서의 동작을 설명한다. 상기 터치 스크린은 복수의 터치 센싱 유닛(TSU)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 터치 센싱 유닛(TSU)은 서로 인접하는 터치 센싱 전극들(TSE)에 의해 형성되는 상호 축전기(Cm)를 포함할 수 있다. 상기 서로 인접하는 터치 센싱 전극들(TSE) 중 하나는 입력선(IL)일 수 있으며, 다른 하나는 출력선(OL)일 수 있다. 상기 상호 축전기(Cm)는 상기 입력선(IL)과 상기 출력선(OL)의 중첩에 의해 이루어지는 중첩 감지 축전기(overlap sensing capacitor), 또는 상기 입력선(IL)과 상기 출력선(OL)이 중첩하지 않으면서 서로 이웃하여 이루어지는 프린지 감지 축전기(fringe sensing capacitor)를 포함할 수 있다.

상기 터치 센싱 유닛(TSU)은 상기 입력선(IL)이 전달하는 구동 신호를 입력받아 외부 물체의 접촉에 의한 상기 상호 축전기(Cm)의 전하량 변화를 출력 신호로서 출력할 수 있다. 이를 보다 상세히 설명하면, 상기 터치 센싱 유닛(TSU)에 상기 구동 신호가 입력되면, 상기 상호 축전기(Cm)는 소정의 전하량으로 충전되고, 외부 물체의 접촉이 있으면 상기 상호 축전기(Cm)에 충전된 전하량이 변할 수 있다. 상기 충전된 전하량이 변한 신호는 상기 출력선(OL)으로 출력될 수 있다. 상기 터치 스크린에 물체가 접촉한 경우와 접촉하지 않은 경우의 출력 신호의 차이는 상호 축전기(Cm)의 전하의 변화량에 비례할 수 있다.

상기 터치 스크린의 신호 처리부(710)는 상기 출력선(OL)로부터 출력 신호를 입력받아 처리하여, 터치 여부 및 터치 위치 등의 터치 정보를 생성할 수 있다. 이를 위해, 상기 신호 처리부(710)는 상기 출력선(OL)과 연결되어 있는 복수의 증폭기(AP)를 포함할 수 있다. 상기 증폭기(AP)는 반전 단자(-)와 출력 단자 사이에 연결되어 있는 축전기(Cv)를 포함할 수 있다. 상기 증폭기(AP)의 비반전 단자(+)는 접지 전압 등의 일정 전압과 연결되어 있고, 상기 증폭기(AP)의 상기 반전 단자(-)는 상기 출력선(OL)에 연결될 수 있다. 상기 증폭기(AP)는 전류 적분기로서 상기 출력선(OL)으로부터의 상기 출력 신호를 소정 시간(예를 들어 한 프레임) 동안 적분하여 감지 신호(Vout)를 생성할 수 있다.

하기에서는 도 11 및 도 12를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치에 대해서 설명한다.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치의 배치도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치의 적층 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 11 및 도 12를 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100), 이에 연결된 게이트 구동부(400)와 데이터 구동부(500), 그리고 게이트 구동부(400)와 데이터 구동부(500)를 제어하는 신호 제어부(600)를 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 터치 스크린(200) 및 상기 터치 스크린(200)을 제어하는 터치 제어부(700)를 포함한다.

상기 표시 패널(100)의 상면에는 편광판(30)이 부착될 있다. 상기 표시 패널(100)이 유기 발광 표시 패널인 경우, 상기 표시 패널(100)의 하면에는 유색의 폴리이미드 필름 같은 보호 필름(40)이 부착될 수 있다. 상기 표시 패널(100)이 액정 표시 패널인 경우, 표시 패널(100)의 하면에 부착되는 필름은 편광판(30)일 수 있다.

상기 편광판(30) 상에는 전술한 터치 센싱 전극들이 형성되어 있는 터치 스크린(200)이 배치될 수 있다. 상기 터치 센싱 전극들이 상기 편광판(30) 위에 위치하므로, 터치 센싱 전극들에 의한 광 반사를 상기 편광판(30)이 방지할 수 없다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 상기 터치 센싱 전극들은 전술한 바와 같이 광 반사를 최소화시킬 수 있는 구조를 가지므로, 상기 터치 전극들이 상기 편광판(30) 위에 위치하더라도 상기 터치 센싱 전극들에 의한 광 반사를 방지할 수 있다. 실시예에 따라서는, 상기 터치 센싱 전극들이 상기 표시 패널(100)의 외면이나 내부에 직접 배치될 수도 있다. 즉, 상기 터치 스크린(200)이 상기 표시 패널(100)과 일체로 형성될 수도 있다. 상기 터치 스크린(200) 상에는 윈도우(50)가 부착될 수 있다.

상기 표시 패널(100)에 상기 편광판(30)를 부착하고, 상기 표시 패널(100)에 상기 보호 필름(40)를 부착하고, 상기 편광판(30)에 상기 터치 스크린(200)를 부착하고, 그리고 상기 터치 스크린(200)에 상기 윈도우(50)를 부착하기 위해서, 접착층(61, 62, 63, 64)이 적용될 수 있다. 상기 접착층(61, 62, 63, 64)으로는 규소 압감 접착제(silicon PSA) 같은 PSA가 사용될 수 있으며, 광학 투명 접착체(optical clear adhesive, OCA)가 사용될 수도 있다.

상기 표시 패널(100)은 복수의 게이트선(G1-Gn) 및 복수의 데이터선(D1-Dm), 그리고 이에 연결되어 있으며 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린(200)은 복수의 터치 신호선(T1-Tp) 및 이에 연결되고 행렬 형태로 배열된 복수의 터치 센싱 유닛(TSU)을 포함할 수 있다. 상기 터치 센싱 유닛(TSU)는 상기 터치 센싱 전극들에 의해 형성될 수 있다.

상기 게이트선(G1-Gn)은 일 방향, 예를 들면 가로 방향으로 연장되어 있으며, 각 화소(PX)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터 같은 스위칭 소자를 턴 온 시키는 게이트 온 전압과 턴 오프 시키는 게이트 오프 전압을 포함하는 게이트 신호를 전달할 수 있다. 상기 데이터선(D1-Dm)은 상기 게이트선(G1-Gn)과 교차하는 방향, 예를 들면, 세로 방향으로 연장되어 있으며, 데이터 전압을 전달한다. 상기 게이트 온 전압에 따라 스위칭 소자가 턴 온 되면, 상기 데이터선(D1-Dm)에 인가되는 데이터 전압이 화소에 인가된다.

상기 화소(PX)는 영상을 표시하는 최소 단위로서, 하나의 화소가 적색, 녹색, 청색 등의 기본 색(primary color) 중 하나를 고유하게 표시하거나, 복수 개의 화소들이 시간에 따라 번갈아 기본 색을 표시함으로써, 이들 기본 색의 공간적 또는 시간적 합으로 원하는 색상을 표시할 수 있다. 상기 화소(PX)는 전체적으로 사각형일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 각각의 화소(PX)에는 공통 전압과 데이터 전압이 인가될 수 있다.

상기 터치 신호선(T1-Tp)은 상기 터치 센싱 유닛(TSU)에 연결되어 구동 신호와 출력 신호를 전달할 수 있다. 상기 터치 신호선(T1-Tp)의 일부는 상기 터치 센싱 유닛(TSU)에 구동 신호를 전달하는 입력선이고, 일부는 상기 터치 센싱 유닛(TSU)로부터 출력 신호를 전달하는 출력선일 수 있다.

상기 터치 센싱 유닛(TSU)은 상호 정전 용량 방식으로 터치에 따른 출력 신호를 생성할 수 있다. 상기 터치 센싱 유닛(TSU)은 상기 터치 신호선(T1-Tp)으로부터 구동 신호를 수신하고 손가락, 펜 등의 외부 물체의 터치에 의한 정전 용량 변화에 기초한 출력 신호를 상기 터치 신호선(T1-Tp)를 통해 출력할 수 있다. 상기 터치 센싱 유닛(TSU)은 자기 정전 용량 방식으로 동작할 수도 있다.

상기 신호 제어부(600)는 외부의 그래픽 처리부(도시되지 않음)로부터 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 제어 신호(CONT) 즉, 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync), 클록 신호(CLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 수신할 수 있다. 상기 신호 제어부(600)는 영상 신호(R, G, B)와 제어 신호(CONT)를 기초로 영상 신호(R, G, B)를 상기 표시 패널(100)의 동작 조건에 적합하게 처리한 후, 영상 데이터(DAT), 게이트 제어 신호(CONT1), 데이터 제어 신호(CONT2) 및 클록 신호를 생성하여 출력할 수 있다. 또한, 상기 신호 제어부(600)는 상기 터치 제어부(700)에 동기 신호(Sync)를 출력할 수 있고, 상기 터치 제어부(700)로부터 터치 정보를 수신할 수 있다.

상기 게이트 제어 신호(CONT1)는 게이트 신호의 시작을 지시하는 수직 개시 신호(start pulse vertical signal, STV)와 게이트 온 전압의 생성의 기준이 되는 클록 신호(clock pulse vertical signal, CPV)를 포함할 수 있다. 상기 수직 시작 신호(STV)의 출력 주기는 1 프레임(또는 리프레시 레이트(refresh rate))과 일치할 수 있다. 또한, 상기 게이트 제어 신호(CONT1)는 상기 게이트 온 전압의 지속 시간을 한정하는 출력 인에이블 신호(output enable signal)(OE)를 더 포함할 수 있다.

상기 데이터 제어 신호(CONT2)는 한 행의 화소에 대한 영상 데이터(DAT)의 전송 시작을 지시하는 수평 시작 신호(start pulse horizontal signal)(STH)와 데이터선(D1-Dm)에 해당 데이터 전압을 인가하라는 로드 신호(TP) 등을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(100)이 액정 표시 패널인 경우 데이터 제어 신호(CONT2)는 공통 전압에 대한 데이터 전압의 극성을 반전시키는 반전 신호(RVS)를 더 포함할 수 있다.

상기 게이트 구동부(400)는 상기 게이트 제어 신호(CONT1)에 따라서 상기 게이트 온 전압과 상기 게이트 오프 전압인 상기 게이트 신호를 상기 게이트선(G1-Gn)에 인가할 수 있다.

상기 데이터 구동부(500)는 상기 신호 제어부(600)로부터 상기 데이터 제어 신호(CONT2) 및 상기 영상 데이터(DAT)를 수신하고, 계조 전압 생성부(도시되지 않음)에서 생성된 계조 전압을 이용하여 상기 영상 데이터(DAT)를 데이터 전압으로 변환하고 이를 상기 데이터선(D1-Dm)에 인가할 수 있다.

상기 터치 제어부(700)는 상기 터치 센싱 유닛(TSU)에 상기 입력 신호를 전송하고 상기 터치 센싱 유닛(TSU)으로부터 상기 출력 신호를 수신하여 터치 정보를 생성할 수 있다. 상기 터치 제어부(700)는 상기 터치 센싱 유닛(TSU)으로부터의 상기 출력 신호를 처리하는 신호 처리부(710)를 포함할 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

100: 표시 패널 200: 터치 스크린
210: 기판 220: 절연층
230: 반사 감소층 CFL: 도전성 세선
DA: 표시 영역 NDA: 주변 영역
SA: 센싱 영역 NSA: 비센싱 영역
TSE: 터치 센싱 전극 SL: 센싱 라인
PDA: 패드부 TSU: 터치 센싱 유닛
IL: 입력선 OL: 출력선

Claims

기판; 및
상기 기판 상에 배치된 복수의 터치 센싱 전극들;을 포함하고,
상기 복수의 터치 센싱 전극들은,
제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 방향인 제2 방향으로 배열된 복수의 터치 센싱 전극 행들 및 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 배열된 복수의 터치 센싱 전극 열들을 구성하는 터치 센싱 전극들을 포함하고,
상기 복수의 터치 센싱 전극 행들 및 상기 복수의 터치 센싱 전극 열들을 구성하는 상기 터치 센싱 전극들 각각은, 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 도전성 라인들, 및 상기 제1 도전성 라인들과 교차하는 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 도전성 라인들과 함께 메쉬(mesh) 구조를 형성하는 복수의 제2 도전성 라인들을 포함하며,
상기 제1 도전성 라인들 및 상기 제2 도전성 라인들 각각은,
베이스 금속층;
상기 베이스 금속층 상에 배치되고, 도전성 유기물을 포함하는 위상 정합층; 및
상기 위상 정합층 상에 배치되는 박형 금속층을 포함하는 터치 스크린.
제1 항에 있어서,
상기 도전성 유기물은 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 폴리아닐린(polyaniline) 중 적어도 하나를 포함하는 터치 스크린.
제2 항에 있어서,
상기 위상 정합층은 500Å 내지 750Å의 두께를 가지는 터치 스크린.
제1 항에 있어서,
상기 베이스 금속층에서 반사된 반사 광은 상기 박형 금속층에서 반사된 반사 광과 상쇄 간섭되는 터치 스크린.
제1 항에 있어서,
상기 베이스 금속층은 알루미늄 및 알루미늄 합금 중 하나를 포함하는 터치 스크린.
제5 항에 있어서,
상기 베이스 금속층은 300Å 내지 4000Å의 두께를 가지는 터치 스크린.
제1 항에 있어서,
상기 박형 금속층은 티타늄 및 몰리브덴 중 하나를 포함하는 터치 스크린.
제7 항에 있어서,
상기 박형 금속층은 100Å 이하의 두께를 가지는 터치 스크린.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 터치 센싱 전극들 상에 배치되는 절연층을 더 포함하는 터치 스크린.
제9 항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 중 적어도 하나를 포함하고, 1000Å 내지 4000Å의 두께를 가지는 터치 스크린.
제9 항에 있어서,
상기 절연층은 아크릴계 폴리머를 포함하며, 1㎛ 내지 3㎛의 두께를 가지는 터치 스크린.
제9 항에 있어서,
상기 절연층 상에 배치되는 반사 감소층을 더 포함하는 터치 스크린.
제12 항에 있어서,
상기 반사 감소층은 실리콘 산질화물을 포함하는 터치 스크린.
제12 항에 있어서,
상기 반사 감소층은 500Å 내지 1000Å의 두께를 가지는 터치 스크린.