KR102538134B1 - 도파관 급전 배열 혼 안테나 - Google Patents

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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나는, 혼; 상기 혼의 일단에 배치된 도파관 배열 급전부; 및 상기 혼의 모서리 부분에 형성된 천이부를 포함한다.

Description

도파관 급전 배열 혼 안테나{WAVEGUIDE-ARRAY-FED HORN ANTENNA}
본 발명의 실시예들은 도파관 급전 배열 혼 안테나에 관한 것으로, 보다 상세하게는 역 L자형 루프 급전 방식을 채용한 도파관 배열 안테나에 관한 것이다.
고출력 송신 시스템 설계 방법에는, 단일 고출력 증폭기와 단일 고이득 안테나를 사용하는 방법과, 배열 안테나와 다수의 증폭기를 이용하는 방법이 있다. 단일 고출력 증폭기와 단일 안테나를 이용하는 방법은 고출력 증폭기의 전력 합성부를 광대역화하기 어려운 단점이 있다. 반면에 배열 안테나와 다수의 증폭기를 이용한 방법은 배열 안테나 소자에 증폭기를 배열하고 공간에서 전력을 합성함으로 광대역화하기 용이하다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 대한민국 등록특허공보 제 10-1101268호(2011.12.26)에 개시되어 있다. 상기 본 발명의 배경이 되는 기술은, 공간 합성을 이용한 배열 합성 혼 안테나에 대한 기술로, 2 by 2 배열 혼 안테나를 급전 소자로 이용하였고, 2 by 2 배열 혼 안테나 앞에 추가 혼을 부착하여 이득을 증가시켰다. 이때 혼 안테나의 급전 방법은 모노폴 프로브 급전 방법을 적용하였다.
이러한 방법은 -15dB 이하 능동반사계수 대역폭이 협대역 특성을 갖는다. 그리고 모노폴 프로브로 인하여 수직 배열 간격을 가깝게 조절할 수 없어 특정 주파수 대역에서 빔 합성이 되지 않아 이득이 저하되는 문제가 발생한다. 또한 H-plane의 최대 사이드로브 레벨(Peak SLL, Side Lobe Level)이 고주파로 갈수록 증가하는 단점이 있다. 그리고 구조적으로는 급전 소자로 혼 안테나를 적용하여 안테나의 길이가 길어져 소형화 제작이 어려운 문제가 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는, 특정 주파수 대역의 이득 저하 현상과 사이드로브 레벨이 증가하는 현상을 방지할 수 있는 도파관 배열 급전 혼 안테나를 제공하는 것이다.
다만 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나는, 혼; 상기 혼의 일단에 배치된 도파관 배열 급전부; 및 상기 혼의 모서리 부분에 형성된 천이부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 혼은 사각 혼으로 형성되고, 상기 천이부는 상기 사각 혼의 네 모서리부에 각각 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 천이부는 상기 사각 혼의 네 모서리부에 삼각면 형상으로 각각 형성될 수 있디.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 도파관 배열 급전부와 상기 혼을 연결하는 플랜지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 플랜지부는 팔각형으로 형성되고, 상기 도파관 배열 급전부는 상기 플랜지부에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 혼은 사각 혼으로 형성되고, 상기 사각 혼의 네 모서리부에 각각 배치되는 네 천이부를 통해, 상기 혼은 팔각형의 외곽 라인이 형성되고, 상기 팔각형의 외곽 라인은 상기 플랜지부의 팔각 모서리와 대응되며 상기 플랜지부와 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 도파관 배열 급전부는, 제1 도파관; 상기 제1 도파관의 좌측 하단에 배치되는 제2 도파관; 상기 제1 도파관의 우측 하단에 배치되는 제3 도파관; 및 상기 제2 도파관 및 상기 제3 도파관의 하단 가운데 부분에 배치되는 제4 도파관을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 배열 급전 혼 안테나에서, 상기 플랜지부는 팔각형으로 형성되고, 상기 제1,2,3,4 도파관의 일단부 각각은 상기 플랜지부의 일 모서리와 각각 대응될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나는, 특정 대역의 이득 저하 현상과 H-plane 방사 패턴의 사이드로브 레벨 증가 현상은 마름모 격자 구조의 급전 도파관 배열 구조, 혼 안테나 모서리에 삼각형 천이 구조를 적용하여 안정적인 빔 합성 특성을 얻을 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나는, 도파관 배열 급전 구조를 적용하여 안테나의 길이도 줄일 수 있으며, -15dB 이하의 광대역 능동반사계수 특성과 안정적인 방사 패턴 특성을 가짐으로써 고출력 시스템에 적용 가능할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 전면부를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 후면부를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 전면부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 후면부를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지부 및 도파관 배열 급전부의 전면부를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지부 및 도파관 배열 급전부의 후면부를 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관을 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 다른 도파관의 단면 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 포트별 능동반사계수를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 최대이득을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 다른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 반전력빔폭을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 최대 사이드로브 레벨을 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 E-plane 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 H-plane 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 발명의 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시예로 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 다른 실시예에 도시되어 있다 하더라도, 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 식별부호를 사용한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타냈으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 구조에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 전면부를 나타낸 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 후면부를 나타낸 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 전면부를 나타낸 평면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 후면부를 나타낸 평면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지부 및 도파관 배열 급전부의 전면부를 나타낸 사시도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지부 및 도파관 배열 급전부의 후면부를 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나는, 혼(100), 혼(100)의 일단에 배치된 도파관 배열 급전부(300) 및 혼(100)의 모서리 부분에 형성된 천이부(110)를 포함한다.
혼(100)은 사각 혼으로 형성될 수 있다. 이때 천이부(110)는 사각 혼의 네 모서리부에 각각 90도 간격으로 배치될 수 있다. 네 천이부(110)는 삼각형으로 형성될 수 있다. 네 천이부(110)는 모두 동일한 형상 및 크기로 형성될 수 있다. 삼각형의 천이부(110)는 사각 혼의 사각 평면부를 기준으로 45도 기울어진 방향으로 형성될 수 있다.
삼각형의 천이부(110)는, 사각 혼의 네 모서리부에서, 사각 혼의 끝단부에 일 변을 형성하고, 상기 일 변을 기준으로 사각 혼의 모서리부를 따라 나머지 두 변이 형성되어 총 세 변을 가진 삼각형 형상으로 형성될 수 있다.
이때 천이부(110)의 삼각형 형상은 고조파로 인한 이득 저하 및 최대 사이드로브 레벨의 증가를 방지하기 위한 최적의 삼각형 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도파관 배열 급전부(300)와 혼(100)을 연결하는 플랜지부(200)를 더 포함할 수 있다. 도파관 배열 급전부(300)와 혼(100)은 플랜지부(200)에 나사 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 플랜지부(200)는 팔각형으로 형성되고, 도파관 배열 급전부(300)는 플랜지부(200)에 배치될 수 있다. 이때, 사각 혼(100)의 네 모서리부에 각각 배치되는 네 천이부(110)를 통해, 혼(100)은 팔각형의 외곽 라인이 형성되고, 팔각형의 외곽 라인은 플랜지부(200)의 팔각 모서리와 대응되며 플랜지부(200)와 결합될 수 있다. 즉, 플랜지부(200)과 혼(100)의 끝단부 팔각 모서리와 대응되는 팔각형 형상으로 형성됨으로써, 혼(100)과 플랜지부(200)의 장착 위치를 용이하게 파악할 수 있어 플랜지부(200)와 혼(100) 사이의 장착성이 향상될 수 있다.
도파관 배열 급전부(300)는 복수개의 도파관을 포함할 수 있다. 보다 상세하게는, 도파관 배열 급전부(300)는, 제1 도파관(310), 제2 도파관(320), 제3 도파관(330) 및 제4 도파관(340)을 포함할 수 있다. 이때, 제2 도파관(320)은 제1 도파관(310)의 좌측 하단에 배치될 수 있다. 또한 제3 도파관(330)은 제1 도파관(310)의 우측 하단에 배치될 수 있다. 또한 제4 도파관(340)은 제2 도파관(320) 및 제3 도파관(330)의 하단 가운데 부분에 배치될 수 있다.
즉, 제1,2,3,4 도파관(310, 320, 330, 340)는 전체적으로 마름모 형상으로 서로 교차되며 배치될 수 있다. 이와 같은 제1,2,3,4 도파관(310, 320, 330, 340)의 배치는, 필드 합성이 잘 될 수 있고, 최대 사이드로프 레벨 증가를 방지할 수 있도록 직육면체 도파관 간의 수직, 수평 배열 간격을 최대한으로 줄일 수 있는 마름모 적층 교차 격자 구조가 적용된 것이다.
팔각 형상의 플랜지부(200)에는, 제1,2,3,4 도파관(310, 320, 330, 340)이 장착될 수 있다. 이때 제1,2,3,4 도파관(310, 320, 330, 340)은 플랜지부(200)에 각각 나사결합 될 수 있다.
여기서 제1,2,3,4 도파관(310, 320, 330, 340)은 플랜지부(200)의 일 모서리와 각각 대응될 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 도파관(310)은 팔각형 플랜지부(200)의 상단 모서리와 대응될 수 있고, 제2 도파관(320)은 팔각형 플랜지부(200)의 좌측단 모서리와 대응될 수 있고, 제3 도파관(330)은 팔각형 플랜지부(200)의 우측단 모서리와 대응될 수 있고, 제4 도파관(340)은 팔각형 플랜지부(200)의 하단 모서리와 대응될 수 있다. 이를 통해 각 도파관과 플랜지부(200) 간의 장착 위치를 쉽게 파악할 수 있어 도파관들과 플랜지부(200) 간의 장착성이 향상될 수 있다.
상술한 바와 같이, 삼각 천이부(110)가 형성되고, 마름모 형상으로 교차 적층 배치된 네 도파관을 포함하는 도파관 급전 배열 사각 혼 안테나 구조를 통해, 종래의 배열 합성 혼 안테나의 단점이었던 -15dB 이하의 협대역 능동반사계수 특성과 특정 대역의 이득 저하 현상, H-plane 방사 패턴의 최대 사이드로브 레벨 증가 현상을 현저히 개선시킬 수 있다. 또한 -15dB 이하의 능동 반사계수는 후술할 비균일 역L형 급전 선로를 적용하여 광대역 능동반사계수 특성을 얻을 수 있다.
특정 대역의 이득 저하 현상과 H-plane 방사 패턴의 사이드로브 레벨 증가는 삼각형 격자 구조의 급전 도파관 배열 구조, 혼 안테나 모서리에 삼각형 천이 구조를 적용하여 안정적인 빔 합성 특성을 얻을 수 있다. 또한 본 실시예에 따른 도파관 배열 급전 구조를 적용하여 혼 안테나의 길이를 줄일 수 있다. 또한 본 실시예로 -15dB 이하의 광대역 능동반사계수 특성과 안정적인 방사 패턴 특성을 가질 수 있게 됨으로써 고출력 시스템에 적용할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관의 역L형 급전 선로 구조에 대해 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관은 총 네개이나, 네 도파관이 모두 동일한 구조를 가지고 있으므로, 후술하는 도파관 구조에 대한 설명은 제1 도파관(310)에 대한 내용으로 제2,3,4 도파관(320, 330, 340)에 대한 설명을 갈음한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관을 나타낸 사시도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 다른 도파관의 단면 사시도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관(310)은, 도파관 내부에 배치된 급전 프로브(312), 도파관(310)의 일면에 배치되고 급전 프로브(312)의 일단과 연결된 커넥터(311) 및 급전 프로브(312)의 일단과 커넥터(311)의 사이에 배치되고, 중공부를 포함한 원통형으로 형성된 캐비티부(313)를 포함할 수 있다.
이때, 급전 프로브(312)는 역 L자형 루프 구조를 가질 수 있다. 역 L자형 루프 구조를 가진 급전 프로브(312)는, 커넥터(311)와 결합되는 수평 선로(312a), 도파관 면과 연결되는 수직 선로(312b) 및 수평 선로(312a)와 수직 선로(312b)를 연결하는 선로 연결부(312c)를 포함할 수 있다.
수평 선로(312a) 및 수직 선로(312b)는 파이프 형태로 형성될 수 있다. 선로 연결부(230)는 라운드지게 형성될 수 있다. 이를 통해, 직각으로 두 선로가 연결되는 경우에 대비하여 고전력이 입력되었을 시 아킹 현상을 방지할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 수직 선로(312b)의 직경은 수평 선로(312a)의 직경보다 작게 형성될 수 있다. 수직 선로(312b)의 직경을 수평 선로(312a)의 직경보다 작게 제작함으로써, 도파관 어뎁터를 -15dB 이하의 반사계수로 임피던스를 매칭시킬 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 시뮬레이션된 특성에 대해 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 포트별 능동반사계수를 나타낸 그래프이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 최대이득을 나타낸 그래프이다. 여기서, 주파수는 최저 주파수 FL, 중간 주파수 FC, 최고 주파수 FU이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 능동반사계수는 -15dB이하 대역폭이 4개의 도파관 포트 평균 46.1퍼센트로 광대역 특성을 얻을 수 있다.
도 10을 참조하면, 최대 이득은 주파수가 높아지면서 전기적인 안테나의 개구 크기가 증가하므로 최대 이득도 증가하였으며 특정 대역에서의 이득 저하 현상을 발견되지 않음을 확인할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 다른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 반전력빔폭을 나타낸 그래프이다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 최대 사이드로브 레벨을 나타낸 그래프이다.
도 11을 참조하면, 반전력빔폭은 E-plane과 H-plane이 유사한 특성을 보임을 확인할 수 있으며, 주파수가 증가함에 따라서 이득이 증가하므로 빔폭도 작아지는 것을 확인할 수 있다. 여기서 E-plane과 H-plane 평균 반전력빔폭은 각각 19.93도, 19.42도로 시뮬레이션 될 수 있다.
도 12를 참조하면, 최대 사이드로브 레벨은 E-plane의 경우 균일 전계분포를 형성하여 평균 -14.40dB로 시뮬레이션 되었고, H-plane의 전계 분포는 코사인 형태로 E-plane보다 낮으며 평균 -27.26 dB 으로 시뮬레이션 될 수 있다. 이를 통해 종래 배열 합성 혼 안테나에 비해 급격한 사이드로브 레벨 증가는 일어나지 않음을 확인할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 E-plane 방사 패턴을 나타낸 그래프이다. 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 H-plane 방사 패턴을 나타낸 그래프이다. 여기서, 주파수는 최저 주파수 FL, 중간 주파수 FC, 최고 주파수 FU이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도파관 급전 배열 혼 안테나의 E-plane, H-plane 방사 패턴은 안정적인 방사 패턴을 나타내고 있음을 확인할 수 있다.
이와 같이 도면에 도시된 실시예를 참고로 본 발명을 설명하였으나, 이는 예시에 불과하다. 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 충분히 이해할 수 있다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위에 기초하여 정해져야 한다.
실시예에서 설명하는 특정 기술 내용은 일 실시예들로서, 실시예의 기술 범위를 한정하는 것은 아니다. 발명의 설명을 간결하고 명확하게 기재하기 위해, 종래의 일반적인 기술과 구성에 대한 기재는 생략될 수 있다.
또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재는 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로 표현될 수 있다. 또한, "필수적인", "중요하게" 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.
발명의 설명 및 청구범위에 기재된 "상기" 또는 이와 유사한 지시어는 특별히 한정하지 않는 한, 단수 및 복수 모두를 지칭할 수 있다. 또한, 실시 예에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 발명의 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다.
또한, 실시예에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다.
반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 실시예들이 한정되는 것은 아니다. 실시예에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예들 들어, 등등)의 사용은 단순히 실시예를 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구범위에 의해 한정되지 않는 이상, 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 실시예의 범위가 한정되는 것은 아니다.
또한, 통상의 기술자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.
100: 혼
110: 천이부
200: 플랜지부
300: 도파관 배열 급전부
310, 320, 330, 340: 제1,2,3,4 도파관
311, 321, 331, 341: 제1,2,3,4 커넥터
312, 322, 332, 342: 제1,2,3,4 급전 프로브
313, 323, 333, 343: 제1,2,3,4 캐비티부
312a, 322a, 332a, 342a: 제1,2,3,4 수평 선로
312b, 322b, 332b, 342b: 제1,2,3,4 수직 선로
312c, 322c, 332c, 342c: 제1,2,3,4 선로 연결부

Claims (8)

  1. 혼;
    상기 혼의 일단에 배치된 도파관 배열 급전부; 및
    상기 혼의 모서리 부분에 형성된 천이부를 포함하고,
    상기 혼은 사각 혼으로 형성되고,
    상기 도파관 배열 급전부는, 마름모 형상으로 교차 적층 배치된 네 도파관을 포함하고,
    상기 천이부는 상기 사각 혼의 네 모서리부에 삼각면 형상으로 각각 배치되는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 도파관 배열 급전부와 상기 혼을 연결하는 플랜지부를 더 포함하는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 플랜지부는 팔각형으로 형성되고, 상기 도파관 배열 급전부는 상기 플랜지부에 배치되는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 혼은 사각 혼으로 형성되고,
    상기 사각 혼의 네 모서리부에 각각 배치되는 네 천이부를 통해, 상기 혼은 팔각형의 외곽 라인이 형성되고,
    상기 팔각형의 외곽 라인은 상기 플랜지부의 팔각 모서리와 대응되며 상기 플랜지부와 결합되는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 도파관 배열 급전부는,
    제1 도파관;
    상기 제1 도파관의 좌측 하단에 배치되는 제2 도파관;
    상기 제1 도파관의 우측 하단에 배치되는 제3 도파관; 및
    상기 제2 도파관 및 상기 제3 도파관의 하단 가운데 부분에 배치되는 제4 도파관을 포함하는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
  8. 제7 항에 있어서,
    플랜지부는 팔각형으로 형성되고, 상기 제1,2,3,4 도파관의 일단부 각각은 상기 플랜지부의 일 모서리와 각각 대응되는 도파관 급전 배열 혼 안테나.
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