KR102531257B1 - Compound and organic electronic device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 단위를 포함하는 화합물 및 상기 화합물을 유기활성층에 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound including a unit represented by Formula 1 and an organic electronic device including the compound in an organic active layer.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자{COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound and organic electronic device containing the same {COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic electronic device including the same.

소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 전자 소자이다.As a device, it requires the exchange of holes and/or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. Organic electronic devices can be largely divided into two types as follows according to the operation principle. First, excitons are formed in the organic material layer by photons introduced into the device from an external light source, and these excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes and used as a current source (voltage source) It is an electronic device in the form of The second type is an electronic device in which a voltage or current is applied to two or more electrodes to inject holes and/or electrons into an organic semiconductor material layer forming an interface with the electrodes, and operate by the injected electrons and holes.

유기 전자 소자의 예로는 유기 광 다이오드, 유기 태양 전지, 유기 발광 소자, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 태양 전지에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질이 모두 유사한 원리로 작용한다.Examples of organic electronic devices include organic photodiodes, organic solar cells, organic light emitting devices, organic photoconductors (OPCs) and organic transistors, all of which are electron/hole injection materials, electron/hole extraction materials, and electrons for driving devices. /requires a hole transport material or a light emitting material. Hereinafter, an organic solar cell will be described in detail, but in the organic electronic devices, electron/hole injection materials, electron/hole extraction materials, electron/hole transport materials, or light emitting materials all work on a similar principle.

유기 태양 전지는 광기전력효과(photovoltaic effect)를 응용함으로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자이다. 태양 전지는 박막을 구성하는 물질에 따라 무기 태양 전지와 유기 태양 전지로 나뉠 수 있다. 전형적인 태양 전지는 무기 반도체인 결정성 실리콘(Si)을 도핑(doping)하여 p-n 접합으로 만든 것이다. 빛을 흡수하여 생기는 전자와 정공은 p-n 접합점까지 확산되고 그 전계에 의하여 가속되어 전극으로 이동한다. 이 과정의 전력변환 효율은 외부 회로에 주어지는 전력과 태양 전지에 들어간 태양전력의 비로 정의되며, 현재 표준화된 가상 태양 조사 조건으로 측정 시 24%정도까지 달성되었다. 그러나 종래 무기 태양 전지는 이미 경제성과 재료상의 수급에서 한계를 보이고 있기 때문에, 가공이 쉬우며 저렴하고 다양한 기능성을 가지는 유기물 반도체 태양 전지가 장기적인 대체 에너지원으로 각광받고 있다.An organic solar cell is a device capable of directly converting solar energy into electrical energy by applying a photovoltaic effect. Solar cells can be divided into inorganic solar cells and organic solar cells according to the materials constituting the thin film. A typical solar cell is made of a p-n junction by doping crystalline silicon (Si), an inorganic semiconductor. Electrons and holes generated by absorbing light diffuse to the p-n junction and are accelerated by the electric field to move to the electrode. The power conversion efficiency of this process is defined as the ratio of the power given to the external circuit and the solar power entered into the solar cell, and has been achieved up to 24% when measured under the currently standardized virtual solar irradiation conditions. However, since conventional inorganic solar cells already show limitations in economic feasibility and supply and demand in terms of materials, organic semiconductor solar cells that are easy to process, inexpensive, and have various functionalities are in the limelight as a long-term alternative energy source.

태양 전지는 태양 에너지로부터 가능한 많은 전기 에너지를 출력할 수 있도록 효율을 높이는 것이 중요한데, 기존의 전자 받개(acceptor) 물질인 저분자 물질들(예컨대, ITIC)은 장파장 영역에서 낮은 흡수율을 가지며 열적 안정성이 낮다는 등의 문제점이 있다. It is important for a solar cell to increase its efficiency so that it can output as much electrical energy as possible from solar energy. Low-molecular-weight materials (eg, ITIC), which are existing electron acceptor materials, have a low absorption rate in the long wavelength region and low thermal stability. and so on.

이에 따라, 최근 고분자 물질을 전자 받개 물질로 사용한 유기 태양 전지의 예가 많이 발표되고 있으며, 특히 다양한 분자 설계 및 합성이 가능한 화합물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.Accordingly, many examples of organic solar cells using polymeric materials as electron acceptor materials have recently been published, and in particular, research on compounds capable of designing and synthesizing various molecules is being actively conducted.

Polymer photovoltiac cells: Enhanced Efficiencies via Network of Internal Donor-Acceptor Heterojunctions(G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, A. J. Heeger, Science, 270, 1789. (1995))Polymer photovoltiac cells: Enhanced Efficiencies via Network of Internal Donor-Acceptor Heterojunctions (G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, A. J. Heeger, Science, 270, 1789. (1995))

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.The present specification provides a compound and an organic electronic device including the same.

본 명세서는 하기 화학식 1의 단위를 포함하는 화합물을 제공한다. The present specification provides a compound comprising a unit of Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018075169876-pat00001
Figure 112018075169876-pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

n은 1 내지 10,000의 정수이고,n is an integer from 1 to 10,000;

[D1]은 전자 주개로 작용하는 기이며,[D1] is a group acting as an electron donor,

R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Q1은 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 고리; 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로 고리; 또는 하기 화학식 2로 표시되고,Q1 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aromatic ring; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heterocyclic ring; Or represented by the following formula (2),

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018075169876-pat00002
Figure 112018075169876-pat00002

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

R10 및 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R10 and R11 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; halogen group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Figure 112018075169876-pat00003
은 화학식 1에 결합되는 부위이다.
Figure 112018075169876-pat00003
Is a site bound to Formula 1.

본 명세서의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; Another exemplary embodiment of the present specification is a first electrode;

상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 a second electrode provided to face the first electrode; and

상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, It is provided between the first electrode and the second electrode and includes one or more organic material layers including an organic active layer,

상기 유기활성층은 상기 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.The organic active layer provides an organic electronic device including the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 HOMO/LUMO 에너지 준위를 자유롭게 조절 가능하다.A compound according to an exemplary embodiment of the present specification can freely control HOMO/LUMO energy levels.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 전자 소자에 적용시 전하 균형(charge balance)을 조절할 수 있어, 우수한 성능을 나타낼 수 있다. In addition, when the compound according to an exemplary embodiment of the present specification is applied to an organic electronic device, charge balance can be controlled, and thus excellent performance can be exhibited.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 용액공정 또는 증착공정이 가능하여, 소자 적용에 유리하다.In addition, the compound according to an exemplary embodiment of the present specification can be subjected to a solution process or a deposition process, which is advantageous for device application.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 전자 소자를 나타낸 도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이다.
도 3 내지 6는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 트랜지스터를 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 1의 필름상태에서의 UV-Vis 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화합물 E의 필름상태에서의 UV-Vis 스펙트럼을 나타낸 도이다.
1 is a diagram illustrating an organic electronic device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 is a diagram illustrating an organic solar cell according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 to 6 are diagrams illustrating an organic transistor according to an exemplary embodiment of the present specification.
7 is a diagram showing a UV-Vis spectrum of Compound 1 in a film state.
8 is a diagram showing a UV-Vis spectrum of Compound E in a film state.

이하, 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, this specification will be described in detail.

명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 단위를 포함하는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the specification provides a compound including a unit of Formula 1 above.

종래의 유기 태양 전지는 전자 받개 소재로서 PCBM 외에는 단분자 소재를 사용해왔다. 그러나, 본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 단위를 포함하는 화합물(고분자 소재, 중합체)를 사용함으로써, 화합물 내 컨주게이션 길이(conjugation length)가 길어 장파장 영역까지 흡수 영역을 확대할 수 있다.Conventional organic solar cells have used monomolecular materials other than PCBM as electron acceptor materials. However, in one embodiment of the present specification, by using a compound (polymer material, polymer) including a unit of Chemical Formula 1, the conjugation length in the compound is long, so that the absorption region can be extended to a long wavelength region.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 단위는 티오펜이 결합(fuse)된 단분자에 전자 주개 성질을 나타내는 D1을 결합함으로써 소자에 적용시 우수한 성능을 나타낼 수 있다.In addition, the unit represented by Chemical Formula 1 may exhibit excellent performance when applied to a device by binding D1, which exhibits an electron donor property, to a single molecule to which thiophene is fused.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 고분자 전자 주개(donor)/고분자 전자 받개(acceptor)를 포함함으로써, 고분자 전자 주개/저분자 전자 받개(예컨대, ITIC)를 적용한 경우보다 태양 전지의 기계적 특성이 우수하다.The organic solar cell according to an exemplary embodiment of the present specification includes a polymer electron donor/polymer electron acceptor, so that the mechanical properties of the solar cell are higher than those in the case where a polymer electron donor/low molecular electron acceptor (eg, ITIC) is applied. this is excellent

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에 있어서 “단위”란 화합물의 단량체에 포함되는 반복되는 구조로서, 단량체가 중합에 의하여 중합체 내에 결합된 구조를 의미한다.In the present specification, a “unit” is a repeating structure included in a monomer of a compound, and means a structure in which a monomer is bonded to a polymer by polymerization.

본 명세서에 있어서 “단위를 포함”의 의미는 화합물 내의 주쇄에 포함된다는 의미이다.In the present specification, the meaning of "including a unit" means included in the main chain in the compound.

본 명세서에 있어서, “에너지 준위”는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈까지의 거리를 의미한다. In this specification, "energy level" means the magnitude of energy. Therefore, even when an energy level is displayed in a negative (-) direction from a vacuum level, the energy level is interpreted as meaning an absolute value of the corresponding energy value. For example, the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level means the distance from the vacuum level to the highest occupied molecular orbital. In addition, the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level means the distance from the vacuum level to the lowest unoccupied molecular orbital.

본 명세서에 있어서,

Figure 112018075169876-pat00004
는 상기 다른 단위 또는 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.In this specification,
Figure 112018075169876-pat00004
means a site connected to the other unit or substituent.

상기 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the substituent are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴기; 헤테로고리기; 이미드기; 아미드기; 카르보닐기; 에스테르기; 알케닐기; 실릴기; 및 아민기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. In this specification, the term "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkoxy group; aryl group; heterocyclic group; imide group; amide group; carbonyl group; ester group; alkenyl group; silyl group; And it means that it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an amine group or does not have any substituents.

본 명세서에 있어서, 할로겐기는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.In the present specification, the halogen group may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 30 carbon atoms, specifically cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl , 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, etc., but are limited thereto it is not going to be

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be straight chain, branched chain or cyclic chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. It may be, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 단환 또는 다환일 수 있다.In the present specification, the aryl group may be monocyclic or polycyclic.

상기 아릴기가 단환 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, and the like, but is not limited thereto.

상기 아릴기가 다환 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferable that it is 10-30 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로고리기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group includes at least one atom or heteroatom other than carbon, and specifically, the heteroatom may include at least one atom selected from the group consisting of O, N, Se, and S. The number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 30 carbon atoms, and the heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furanyl group, a pyrrole group, an imidazolyl group, a thiazolyl group, an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, tria Zolyl group, acridyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group , Isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, Examples include a phenanthroline group, a thiazolyl group, an isoxazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112018075169876-pat00005
Figure 112018075169876-pat00005

본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, in the amide group, nitrogen of the amide group may be substituted with hydrogen, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112018075169876-pat00006
Figure 112018075169876-pat00006

본 명세서에서 카르보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112018075169876-pat00007
Figure 112018075169876-pat00007

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group may be substituted with an alkyl group having 1 to 25 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112018075169876-pat00008
Figure 112018075169876-pat00008

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 30. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is specifically a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; monoalkylamine group; Dialkylamine group; N-alkyl arylamine group; monoarylamine group; Diaryl amine group; N-arylheteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group, a monoheteroarylamine group, and a diheteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, and a 9-methyl-anthracenylamine group. , Diphenylamine group, ditolylamine group, N-phenyltolylamine group, triphenylamine group, N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenyl naphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenyl terphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 방향족 고리는 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, the aromatic ring may be selected from examples of the aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 방향족 고리; 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로 고리; 또는 하기 화학식 2로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Q1 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aromatic ring; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heterocyclic ring; Or represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018075169876-pat00009
Figure 112018075169876-pat00009

상기 화학식 2에 있어서,In Formula 2,

R10 및 R11은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R10 and R11 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; halogen group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Figure 112018075169876-pat00010
은 화학식 1에 결합되는 부위이다.
Figure 112018075169876-pat00010
Is a site bound to Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환 또는 다환의 헤테로고리기; 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이다.In one embodiment of the present specification, Q1 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heterocyclic group; or a compound represented by Formula 2 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 티오펜기; 치환 또는 비치환된 티에노[3,2-b]티오펜(thieno[3,2-b]thiophene)기, 치환 또는 비치환된 디티에노[3,2-b:2',3'-d]티오펜(dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene)기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이다.In one embodiment of the present specification, Q1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted thiophene group; A substituted or unsubstituted thieno[3,2-b]thiophene group, a substituted or unsubstituted dithieno[3,2-b:2',3'- d] thiophene (dithieno [3,2-b: 2', 3'-d] thiophene) group, or a compound represented by Formula 2 above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q1은 하기 구조 중 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the Q1 is any one of the following structures.

Figure 112018075169876-pat00011
Figure 112018075169876-pat00011

상기 구조에 있어서,In the above structure,

R10 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R10 to R13 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; halogen group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

Figure 112018075169876-pat00012
은 화학식 1에 결합되는 부위이다.
Figure 112018075169876-pat00012
Is a site bound to Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-6 중 어느 하나로 표시된다.In one embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by any one of Formulas 1-1 to 1-6 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112018075169876-pat00013
Figure 112018075169876-pat00013

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112018075169876-pat00014
Figure 112018075169876-pat00014

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure 112018075169876-pat00015
Figure 112018075169876-pat00015

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure 112018075169876-pat00016
Figure 112018075169876-pat00016

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure 112018075169876-pat00017
Figure 112018075169876-pat00017

[화학식 1-6][Formula 1-6]

Figure 112018075169876-pat00018
Figure 112018075169876-pat00018

상기 화학식 1-1 내지 1-6에 있어서,In Formulas 1-1 to 1-6,

n은 1 내지 10,000의 정수이고,n is an integer from 1 to 10,000;

[D1]은 전자 주개로 작용하는 기이며,[D1] is a group acting as an electron donor,

R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

R10 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.R10 to R13 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; halogen group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 [D1]은 하기 구조 중 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the [D1] is any one of the following structures.

Figure 112018075169876-pat00019
Figure 112018075169876-pat00019

상기 구조에 있어서,In the above structure,

R20 내지 R29는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.R20 to R29 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; halogen group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently represents a phenyl group substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently represents a phenyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 수소; 또는 할로겐기이다.In one embodiment of the present specification, R10 to R13 are the same as or different from each other, and are hydrogen; or a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 및 R11은 수소이다.In one embodiment of the present specification, R10 and R11 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 및 R11은 서로 같거나 상이하고, 할로겐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R10 and R11 are the same as or different from each other and are a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R10 및 R11은 불소이다.In one embodiment of the present specification, R10 and R11 are fluorine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R12 및 R13은 수소이다.In one embodiment of the present specification, R12 and R13 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R12 및 R13은 서로 같거나 상이하고, 할로겐기이다.In one embodiment of the present specification, R12 and R13 are the same as or different from each other and are halogen groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R12 및 R13은 불소이다.In one embodiment of the present specification, R12 and R13 are fluorine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20 내지 R29는 서로 같거나 상이하고, 수소; 또는 할로겐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R20 to R29 are the same as or different from each other, and hydrogen; or a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20 및 R21은 수소이다.In one embodiment of the present specification, R20 and R21 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20 및 R21은 서로 같거나 상이하고, 할로겐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R20 and R21 are the same as or different from each other and are a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R20 및 R21은 불소이다.In one embodiment of the present specification, R20 and R21 are fluorine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R22 내지 R25는 수소이다.In one embodiment of the present specification, R22 to R25 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R26 내지 R29는 서로 같거나 상이하고, 수소; 또는 할로겐기이다.In one embodiment of the present specification, R26 to R29 are the same as or different from each other, and hydrogen; or a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R26 및 R29는 수소이다.In one embodiment of the present specification, R26 and R29 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R27 및 R28은 수소이다.In one embodiment of the present specification, R27 and R28 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R27 및 R28은 서로 같거나 상이하고, 할로겐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R27 and R28 are the same as or different from each other and are a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R27 및 R28은 불소이다.In one embodiment of the present specification, R27 and R28 are fluorine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 구조 중 어느 하나를 포함한다.In one embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 includes any one of the following structures.

Figure 112018075169876-pat00020
Figure 112018075169876-pat00020

Figure 112018075169876-pat00021
Figure 112018075169876-pat00021

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물의 말단기는 치환 또는 비치환된 할로겐기이다.In one embodiment of the present specification, the terminal group of the compound is a substituted or unsubstituted halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물의 말단기는 치환 또는 비치환된 티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, the terminal group of the compound is a substituted or unsubstituted thiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물의 말단기는 티오펜기이다. In one embodiment of the present specification, the terminal group of the compound is a thiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 태양 전지에 적용시 녹색, 적색, 청색 영역 중 두개 이상의 영역에서 광 흡수가 가능하므로, 소자의 효율이 향상되는 효과가 있다.In one embodiment of the present specification, when the compound is applied to a solar cell, since light absorption is possible in two or more regions among green, red, and blue regions, the efficiency of the device is improved.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 녹색 영역은 최대 발광 파장이 500nm 내지 570nm 사이에 있는 것을, 적색 영역은 최대 발광 파장이 630nm 내지 780nm 사이에 있는 것을, 청색 영역은 최대 발광 파장이 400nm 내지 480nm 사이에 있는 것을 의미할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the green region has a maximum emission wavelength between 500 nm and 570 nm, the red region has a maximum emission wavelength between 630 nm and 780 nm, and the blue region has a maximum emission wavelength between 400 nm and 480 nm. It can mean anything in between.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 가시광선 전파장 영역의 광 흡수가 가능하며, 적외선 영역의 광도 흡수할 수 있다. 예컨대, 380nm 내지 780nm 정도의 파장 범위뿐만 아니라, 780nm 이상의 영역의 광도 흡수 가능하다. 이에 따라, 유기 전자 소자에 적용시, 소자의 흡수 파장 범위가 넓은 효과를 나타낼 수 있다. In one embodiment of the present specification, the compound is capable of absorbing light in the visible light wavelength region and can also absorb light in the infrared region. For example, not only the wavelength range of about 380 nm to 780 nm, but also light in the region of 780 nm or more can be absorbed. Accordingly, when applied to an organic electronic device, the effect of a wide absorption wavelength range of the device can be exhibited.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 300nm 내지 1,000nm에서, 바람직하게는 700nm 내지 950nm에서 최대 흡수 파장을 가진다. In one embodiment of the present specification, the compound has a maximum absorption wavelength at 300 nm to 1,000 nm, preferably at 700 nm to 950 nm.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 제1 전극;In one embodiment of the present specification, the organic electronic device may include a first electrode;

상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 a second electrode provided to face the first electrode; and

상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기활성층은 상기 화합물을 포함한다.It is provided between the first electrode and the second electrode, and includes one or more organic material layers including an organic active layer, and the organic active layer includes the compound.

본 명세서의 유기 전자 소자는 상기 화학식 1로 표시되는 단위를 포함하는 화합물이 유기활성층에 포함되는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present specification may be manufactured by conventional organic electronic device manufacturing methods and materials, except that the compound containing the unit represented by Chemical Formula 1 is included in the organic active layer.

도 2은 제1 전극(10), 유기활성층(30) 및 제2 전극(20)을 포함하는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 전자 소자(100)를 나타낸 도이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an organic electronic device 100 including a first electrode 10, an organic active layer 30, and a second electrode 20 according to an exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 광 다이오드, 유기 트랜지스터, 유기 태양 전지, 및 유기 발광 소자로 이루어진 군으로부터 선택된다.In one embodiment of the present specification, the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic photodiode, an organic transistor, an organic solar cell, and an organic light emitting device.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기활성층은 광활성층 또는 발광층을 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic active layer includes a photoactive layer or a light emitting layer.

이하에서는, 유기 태양 전지에 대하여 예시한다. 상기 유기 태양 전지에서 유기활성층은 광활성층이며, 상기 유기 전자 소자는 후술하는 유기 태양 전지에 대한 설명을 인용할 수 있다.Below, an organic solar cell is illustrated. In the organic solar cell, the organic active layer is a photoactive layer, and as for the organic electronic device, a description of the organic solar cell to be described later can be cited.

본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기활성층은 상기 화합물을 포함하는 유기 태양 전지를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode and including an organic active layer, wherein the organic active layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기활성층은 광활성층을 포함하고, In one embodiment of the present specification, the organic active layer includes a photoactive layer,

상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하며, The photoactive layer includes an electron donor material and an electron acceptor material,

상기 전자 받개 물질은 상기 화합물을 포함한다.The electron acceptor material includes the compound.

즉, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하고, 상기 전자 받개 물질은 상기 화합물을 포함하는 유기 태양 전지를 제공한다.That is, an exemplary embodiment of the present specification includes a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode and including a photoactive layer, wherein the photoactive layer includes an electron donor material and an electron acceptor material, and the electron acceptor material contains the compound It provides an organic solar cell comprising

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물에 대한 설명은 전술한 내용과 동일하다.In one embodiment of the present specification, the description of the compound is the same as that described above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개 물질은 당 기술 분야에서 적용되는 물질을 사용할 수 있다. 예컨대, 예컨대, 폴리 3-헥실 티오펜(P3HT: poly 3-hexyl thiophene), PCDTBT(poly[N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4'-7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PCPDTBT(poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-(9,9-dioctylfluorene)-alt-5,5-(4,7-bis(thiophene-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole)]), PTB7(Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PSiF-DBT(Poly[2,7-(9,9-dioctyl-dibenzosilole)-alt-4,7-bis(thiophen-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole]), PTB7-Th(Poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2-ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-)-2-carboxylate-2-6-diyl)]), PBDB-T(poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7'-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))]) 및 PBDBT(poly(benzodithiophene-benzotriazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, materials applied in the art may be used as the electron donor material. For example, poly 3-hexyl thiophene (P3HT: poly 3-hexyl thiophene), PCDTBT (poly[N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4'-7'- di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b ;3,4-b']dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PFO-DBT (poly[2,7-(9,9-dioctylfluorene)-alt-5 ,5-(4,7-bis(thiophene-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole)]), PTB7(Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1 ,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PSiF- DBT (Poly[2,7-(9,9-dioctyl-dibenzosilole)-alt-4,7-bis(thiophen-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole]), PTB7-Th (Poly[ 4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2- ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-)-2-carboxylate-2-6-diyl)]), PBDB-T(poly[(2,6-(4,8-bis(5- (2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl) -5',7'-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))]) and PBDBT (poly(benzodithiophene- benzotriazole) may include one or more substances selected from the group consisting of.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질은 1:10 내지 10:1의 질량비로 혼합될 수 있다. 구체적으로, 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질은 1:2 내지 5:1의 질량비로 혼합될 수 있으며, 더 구체적으로, 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질은 1:2 내지 2:1의 질량비로 혼합될 수 있다. 필요에 따라, 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질은 1:1의 질량비로 혼합될 수 있다. In one embodiment of the present specification, the electron donor material and the electron acceptor material may be mixed in a mass ratio of 1:10 to 10:1. Specifically, the electron donor material and the electron acceptor material may be mixed in a mass ratio of 1:2 to 5:1, and more specifically, the electron donor material and the electron acceptor material may be mixed in a mass ratio of 1:2 to 2:1. can If necessary, the electron donor material and the electron acceptor material may be mixed in a mass ratio of 1:1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개 및 전자 받개는 벌크 헤테로 정션(BHJ)을 구성할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the electron donor and electron acceptor may constitute a bulk heterojunction (BHJ).

벌크 헤테로 정션이란 광활성층에서 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 서로 섞여 있는 것을 의미한다.A bulk heterojunction means that an electron donor material and an electron acceptor material are mixed with each other in the photoactive layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광활성층은 용액 공정을 통해 형성된다.In one embodiment of the present specification, the photoactive layer is formed through a solution process.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서. 상기 광활성층은 전자 주개 및/또는 전자 받개와 같은 광활성 물질을 유기용매에 용해시킨 후 용액을 스핀 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드 및 브러쉬 페인팅 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present specification. The photoactive layer may be formed by dissolving a photoactive material such as an electron donor and/or an electron acceptor in an organic solvent and then using a method such as spin coating, dip coating, screen printing, spray coating, doctor blade or brush painting, It is not limited only to these methods.

본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 태양 전지는 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극을 포함한다. An organic solar cell according to an embodiment of the present specification includes a first electrode, a photoactive layer, and a second electrode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 기판, 정공수송층 및/또는 전자수송층이 더 포함될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic solar cell may further include a substrate, a hole transport layer, and/or an electron transport layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic solar cell may further include an additional organic material layer. The organic solar cell may reduce the number of organic material layers by using organic materials having multiple functions at the same time.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다. In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode. In another embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 노멀(Normal)구조이다. 상기 노멀구조에서는 기판, 제1 전극, 정공수송층, 광활성층을 포함하는 유기물층, 전자수송층 및 제2 전극의 순서로 적층될 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic solar cell has a normal structure. In the normal structure, a substrate, a first electrode, a hole transport layer, an organic material layer including a photoactive layer, an electron transport layer, and a second electrode may be sequentially stacked.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 인버티드(Inverted) 구조이다. 상기 인버티드 구조에서는 기판, 제1 전극, 전자수송층, 광활성층을 포함하는 유기물층, 정공수송층 및 제2 전극의 순서로 적층될 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic solar cell has an inverted structure. In the inverted structure, a substrate, a first electrode, an electron transport layer, an organic material layer including a photoactive layer, a hole transport layer, and a second electrode may be sequentially stacked.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극 상에 패시베이션층을 추가로 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, a passivation layer may be further included on the second electrode.

상기 패시베이션층은 유기 태양 전지의 노출면 상에 형성될 수 있으며, 유기 태양 전지의 보호뿐만 아니라, 기판 제거 시 발생하는 충격 및 스트레스 등을 흡수할 수 있다. The passivation layer may be formed on an exposed surface of the organic solar cell, and may absorb shock and stress generated during removal of the substrate as well as protect the organic solar cell.

도 2는 기판(101), 제1 전극(10), 정공수송층(102), 광활성층(103) 및 제2 전극(20)을 포함하는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이다.2 is a diagram showing an organic solar cell according to an exemplary embodiment of the present specification including a substrate 101, a first electrode 10, a hole transport layer 102, a photoactive layer 103, and a second electrode 20. am.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는, 광활성층으로 상기 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 당 기술분야의 재료 및/또는 방법을 한정하지 않고 사용할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic solar cell may be used without limitation of materials and/or methods in the art except for using the compound as a photoactive layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 태양 전지에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), TAC(triacetyl cellulose) 등이 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다. In one embodiment of the present specification, the substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto, and is limited as long as it is a substrate commonly used in organic solar cells. It doesn't work. Specifically, there are glass, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), and triacetyl cellulose (TAC). It is not limited to this.

상기 제1 전극의 재료는 투명하고 전도성이 우수한 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 및 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The material of the first electrode may be a material that is transparent and has excellent conductivity, but is not limited thereto. For example, metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO2:Sb; and conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto. .

상기 제1 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 스퍼터링, E-빔, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용할 수 있다.The method of forming the first electrode is not particularly limited, but, for example, sputtering, E-beam, thermal evaporation, spin coating, screen printing, inkjet printing, doctor blade or gravure printing may be used.

상기 제1 전극을 기판 상에 형성하는 경우, 이는 세정, 수분제거 및 친수성 개질 과정을 거칠 수 있다.When the first electrode is formed on the substrate, it may undergo cleaning, moisture removal, and hydrophilic modification.

예컨대, 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로필 알코올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음, 수분 제거를 위해 가열판에서 100℃ 내지 150℃에서 1분 내지 30분간, 바람직하게는 120℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질한다.For example, the patterned ITO substrate is sequentially cleaned with detergent, acetone, and isopropyl alcohol (IPA), and then heated on a heating plate at 100° C. to 150° C. for 1 minute to 30 minutes, preferably at 120° C. for 10 minutes to remove moisture. After drying and when the substrate is completely cleaned, the surface of the substrate is modified to be hydrophilic.

상기와 같은 표면 개질을 통해 접합 표면 전위를 광활성층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 개질 시 제1 전극 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수도 있다. Through the surface modification as described above, the junction surface potential can be maintained at a level suitable for the surface potential of the photoactive layer. In addition, when reforming, it is easy to form a polymer thin film on the first electrode, and the quality of the thin film may be improved.

제1 전극의 전 처리 기술로는 a) 평행 평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등이 있다.Pretreatment technologies for the first electrode include a) surface oxidation using parallel plate discharge, b) surface oxidation using ozone generated using UV rays in a vacuum state, and c) oxygen generated by plasma. There are methods of oxidation using radicals.

제1 전극 또는 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택할 수 있다. 다만, 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 제1 전극 또는 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 것이 바람직하다. 이 때, 전 처리의 실질적인 효과를 극대화할 수 있다. One of the above methods may be selected according to the state of the first electrode or substrate. However, regardless of which method is used, it is desirable to prevent oxygen escape from the surface of the first electrode or the substrate and to suppress the remaining moisture and organic matter as much as possible. At this time, the practical effect of the pretreatment can be maximized.

구체적인 예로서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 초음파 세정 후 패터닝된 ITO 기판을 가열판(hot plate)에서 베이킹(baking)하여 잘 건조시킨 다음, 챔버에 투입하고, UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV 광과 반응하여 발생하는 오존에 의하여 패터닝된 ITO 기판을 세정할 수 있다. As a specific example, a method of oxidizing the surface through ozone generated using UV may be used. At this time, after ultrasonic cleaning, the patterned ITO substrate is baked on a hot plate, dried well, put into a chamber, and a UV lamp is operated to generate oxygen gas by reacting with UV light to generate ozone. The patterned ITO substrate can be cleaned.

그러나, 본 명세서에 있어서의 패터닝된 ITO 기판의 표면 개질 방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.However, the surface modification method of the patterned ITO substrate in the present specification does not need to be particularly limited, and any method may be used as long as the method oxidizes the substrate.

상기 제2 전극은 일함수가 작은 금속이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 또는 LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The second electrode may be a metal having a low work function, but is not limited thereto. Specifically, metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; Alternatively, it may be a material having a multilayer structure such as LiF/Al, LiO 2 /Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF 2 , and Al:BaF 2 :Ba, but is not limited thereto.

상기 제2 전극은 5x10- 7torr 이하의 진공도를 보이는 열증착기 내부에서 증착되어 형성될 수 있으나, 이 방법에만 한정되는 것은 아니다.The second electrode may be deposited and formed inside a thermal evaporator exhibiting a vacuum degree of 5x10 - 7 torr or less, but is not limited to this method.

상기 패시베이션층은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 무기계 물질, 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 포토아크릴(photo acryl) 등과 같은 유기계 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The passivation layer may be made of inorganic materials such as silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx), or organic materials such as benzocyclobutene (BCB) and photoacryl, but is not limited thereto.

상기 패시베이션층은 유기 태양 전지의 노출면 상에 플라즈마 강화 화학 기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)을 이용하여 형성할 수 있다. The passivation layer may be formed on the exposed surface of the organic solar cell using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 광활성층에서 분리된 전자와 정공을 전극으로 효율적으로 전달시키는 역할을 담당하며, 물질을 특별히 제한하지는 않는다. The material of the hole transport layer and/or the electron transport layer serves to efficiently transfer electrons and holes separated from the photoactive layer to the electrode, and the material is not particularly limited.

상기 정공수송층에 적용되는 물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. Materials applied to the hole transport layer include PEDOT:PSS (Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), molybdenum oxide (MoOx); vanadium oxide (V 2 O 5 ); nickel oxide (NiO); and tungsten oxide (WO x ), but are not limited thereto.

상기 전자수송층에 적용되는 물질은 BCP(bathocuproine) 또는 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 BCP(bathocuproine), 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; Alq3를 포함한 착물; Liq를 포함한 금속착물; LiF; Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 및 세슘 카보네이트(Cs2CO3) 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The material applied to the electron transport layer may be bathocuproine (BCP) or electron-extracting metal oxides, and specifically, a metal complex of bathocuproine (BCP) and 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; metal complexes including Liq; LiF; Ca; titanium oxide (TiOx); zinc oxide (ZnO); and cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), but are not limited thereto.

이하에서는, 유기 트랜지스터에 대하여 예시한다. Below, organic transistors are exemplified.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 트랜지스터일 수 있다. 구체적으로, 상기 유기 전자 소자는, 게이트 전극; 소스 전극; 드레인 전극; 및 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 유기활성층이 상기 화합물을 포함하는 유기 트랜지스터다.In one embodiment of the present specification, the organic electronic device may be an organic transistor. Specifically, the organic electronic device may include a gate electrode; source electrode; drain electrode; and one or more organic material layers including an organic active layer, wherein the organic active layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 트랜지스터는 상부 게이트(top gate) 구조일 수 있다. 구체적으로, 기판(40) 상에 소스 전극(70) 및 드레인 전극(80)이 먼저 형성되고 그 후에 유기물층(90), 절연층(60) 및 게이트 전극(50)이 순차적으로 형성될 수 있다. 도 2에는 이에 따른 유기 트랜지스터 구조를 나타내었다.In one embodiment of the present specification, the organic transistor may have a top gate structure. Specifically, the source electrode 70 and the drain electrode 80 are first formed on the substrate 40, and then the organic layer 90, the insulating layer 60, and the gate electrode 50 may be sequentially formed. 2 shows an organic transistor structure accordingly.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 트랜지스터는 하부 게이트(bottom gate) 구조 중 하부 접촉(bottom contact) 구조일 수 있다. 구체적으로, 기판(40) 상에 게이트 전극(50) 및 절연층(60)이 순차적으로 형성되고 그 후에 절연층(60) 상에 소스 전극(70) 및 드레인 전극(80)이 형성되며 마지막으로 소스 전극(70) 및 드레인 전극(80) 상에 유기물층(90)이 형성될 수 있다. 도 4 및 도 5에는 이에 따른 유기 트랜지스터 구조를 나타내었다.In one embodiment of the present specification, the organic transistor may be a bottom contact structure among bottom gate structures. Specifically, the gate electrode 50 and the insulating layer 60 are sequentially formed on the substrate 40, then the source electrode 70 and the drain electrode 80 are formed on the insulating layer 60, and finally An organic material layer 90 may be formed on the source electrode 70 and the drain electrode 80 . 4 and 5 show organic transistor structures accordingly.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 트랜지스터는 하부 게이트(bottom gate) 구조 중 상부 접촉(top contact) 구조일 수 있다. 구체적으로, 기판(40) 상에 게이트 전극(50) 및 절연층(60)이 순차적으로 형성되고 그 후에 절연층(60) 상에 유기물층(90)이 형성되며, 마지막으로 유기물층(90) 상에 소스 전극(70) 및 드레인 전극(80)이 형성될 수 있다. 도 6에는 이에 따른 유기 트랜지스터 구조를 나타내었다. In one embodiment of the present specification, the organic transistor may be a top contact structure among bottom gate structures. Specifically, the gate electrode 50 and the insulating layer 60 are sequentially formed on the substrate 40, then the organic material layer 90 is formed on the insulating layer 60, and finally, the organic material layer 90 is formed. A source electrode 70 and a drain electrode 80 may be formed. 6 shows an organic transistor structure accordingly.

본 명세서에 있어서, 상기 게이트 전극은 패턴형태일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 게이트 전극은 금(Au), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo-alloy) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성할 수 있다. In the present specification, the gate electrode may have a pattern shape, but is not limited thereto. The gate electrode is selected from gold (Au), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), aluminum alloy (Al-alloy), molybdenum (Mo), and molybdenum alloy (Mo-alloy) can be formed into any one.

본 명세서에 있어서, 상기 게이트 전극은 포토리소그래피법, 오프셋 인쇄법, 실크스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 열증착법 및 쉐도우 마스크(Shadow Mask)를 이용한 방법 중에서 선택되는 방법을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the gate electrode may be formed using a method selected from photolithography, offset printing, silk screen printing, inkjet printing, thermal evaporation, and a method using a shadow mask. It is not limited to this.

상기 게이트 전극의 두께는 10nm 내지 300nm일 수 있으며, 바람직하게는 10nm 내지 50nm이다.The thickness of the gate electrode may be 10 nm to 300 nm, preferably 10 nm to 50 nm.

본 명세서에 있어서, 상기 절연층은 유기절연막 또는 무기절연막의 단일막 또는 다층막으로 구성되거나 유-무기 하이브리드막으로 구성된다. 상기 무기절연막으로는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용할 수 있다. 상기 유기절연막으로는 CYTOPTM, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개를 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the insulating layer is composed of a single film or a multi-layered organic insulating film or an inorganic insulating film, or an organic-inorganic hybrid film. As the inorganic insulating layer, one or more selected from silicon oxide, silicon nitride, Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , BST, and PZT may be used. Examples of the organic insulating film include CYTOP TM , polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS, polystyrene), phenol-based polymers, acrylic polymers, imide-based polymers such as polyimide, arylether-based polymers, amide-based polymers, Any one or more selected from fluorine-based polymers, p-xyrene-based polymers, vinyl alcohol-based polymers, and parylene may be used, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 절연층은 용액공정을 통해서 형성할 수 있으며, 스핀코팅, 바코팅, 슬릿다이 코팅, 닥터 블레이드 등을 통해서 대면적으로 도포될 수 있다. 바람직하게는 스핀코팅을 통하여 절연층을 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 절연층 형성시 100℃ 내지 150℃ 에서 30분 이상 열처리를 하여서 사용한 용매가 완전히 증발되도록 할 수 있다.In the present specification, the insulating layer may be formed through a solution process, and may be applied over a large area through spin coating, bar coating, slit die coating, doctor blade, and the like. Preferably, the insulating layer may be formed through spin coating, but is not limited thereto. When the insulating layer is formed, heat treatment is performed at 100° C. to 150° C. for 30 minutes or more so that the solvent used can be completely evaporated.

본 명세서에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 탄소, 알루미늄, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 은, 금, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 주석, 납, 네오디뮴(neodymium), 백금, 니켈, 금속 유사물(similar metals) 및 이들의 합금; p- 또는 n- 도프된(doped) 실리콘; 산화아연, 산화인듐, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물, 주석 유사 산화물(similar tin oxide) 및 주석 산화물 인듐계 복합 화합물(tin oxide indium-based complex compounds); ZnO:Al, SnO2:Sb와 같은 산화물과 금속의 혼합물; 및 폴리(3-메틸티오펜)(poly(3-methylthiophene)), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜] (poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy) thiophene]), 폴리피롤(polypyrrole) 및 폴리아닐린(polyaniline)과 같은 도전성 고분자 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the source electrode and the drain electrode may be made of a conductive material, for example, carbon, aluminum, vanadium, chromium, copper, zinc, silver, gold, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium , lithium, gadolinium, tin, lead, neodymium, platinum, nickel, similar metals and alloys thereof; p- or n-doped silicon; zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide, similar tin oxide and tin oxide indium-based complex compounds; mixtures of oxides and metals such as ZnO:Al, SnO 2 :Sb; and poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-deoxy)thiophene] (poly[3,4-(ethylene-1,2 -dioxy) thiophene]), polypyrrole, and conductive polymers such as polyaniline, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 유기활성층은 용액공정을 통하여 형성될 수 있다. 이때 유기활성층은 통상적으로 스핀코팅, 바코팅, 슬릿다이 코팅, 닥터 블레이드, 잉크젯 코팅 등을 통해서 대면적으로 도포할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the organic active layer may be formed through a solution process. At this time, the organic active layer may be applied to a large area through spin coating, bar coating, slit die coating, doctor blade coating, inkjet coating, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 경우, 소스 전극 및 드레인 전극은 열증착 방법을 이용해서 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니며, 당업계에서 공지된 다른 방법에 의하여 형성 할 수 있다. 이때 소스 전극과 드레인 전극간의 간격은 통상적으로 2㎛ 내지 수백㎛의 채널 길이를 지니고 있고 채널 넓이는 채널 길이의 10배 내지 1000배 정도로 구성될 수 있다. 소스 전극과 드레인 전극은 통상적으로 금 및 니켈로 제작되어 있으나 은, 구리, 몰리브덴 등 다른 전극을 사용하기도 한다. In the present specification, when forming the source electrode and the drain electrode on the substrate, the source electrode and the drain electrode may be formed using a thermal evaporation method, but is not limited thereto, and other methods known in the art can be formed by At this time, the distance between the source electrode and the drain electrode typically has a channel length of 2 μm to hundreds of μm, and the channel width may be configured to be about 10 to 1000 times the channel length. The source and drain electrodes are usually made of gold and nickel, but other electrodes such as silver, copper, and molybdenum may also be used.

본 명세서에 있어서, 상기 유기활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 경우, 소스 전극 및 드레인 전극은 광식각 공정이나 쉐도우 마스크 공정을 이용해서 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니며, 당업계에서 공지된 다른 방법에 의하여 형성 할 수 있다. In the present specification, when forming the source electrode and the drain electrode on the organic active layer, the source electrode and the drain electrode may be formed using a photolithography process or a shadow mask process, but is not limited thereto, and the related art It can be formed by other methods known in

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 유기 전자 소자를 포함하는 유기 이미지 센서를 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides an organic image sensor including the organic electronic element.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 이미지 센서는 전자 장치에 적용될 수 있으며, 예컨대 모바일 폰, 디지털 카메라 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.An organic image sensor according to an exemplary embodiment of the present specification may be applied to an electronic device, for example, a mobile phone, a digital camera, etc., but is not limited thereto.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail in order to specifically describe the present specification. However, the embodiments according to the present specification may be modified in many different forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments herein are provided to more completely explain the present specification to those skilled in the art.

제조예manufacturing example 1. 화합물 1의 제조 1. Preparation of Compound 1

(1) 화합물 A의 제조(1) Preparation of Compound A

Figure 112018075169876-pat00022
Figure 112018075169876-pat00022

콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에 2,5-비스(트리메틸스테닐)티에노[3,2-b]티오펜(2,5-bis(trimethylstannyl)thieno[3,2-b]thiophene) 5g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)(tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0), Pd2(dba3)) 0.43g 및 트리(o-톨릴)포스핀(tri(o-tolyl)phosphine) 0.57g을 함께 톨루엔 150mL에 녹인 후 환류시켰다. 온도가 100℃가 되었을 때 에틸 2-브로모티오펜-3-카복실레이트(ethyl 2-bromothiophene-3-carboxylate) 5.15g(2.5eq)을 톨루엔 5mL에 녹여 천천히 주입한 후 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료된 후, 컬럼크로마토크래피를 통해 화합물 A(diethyl 2,2'-(4,8-bis((triisopropylsilyl)ethynyl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl)bis(thiophene-3-carboxylate))를 수득하였다.In a round flask equipped with a condenser, 5 g of 2,5-bis(trimethylstenyl)thieno[3,2-b]thiophene, Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0), Pd 2 (dba 3 )) 0.43 g and tri (o-tolyl) phosphine (tri (o-tolyl) phosphine) 0.57 g were dissolved together in 150 mL of toluene and refluxed. When the temperature reached 100 ° C., 5.15 g (2.5 eq) of ethyl 2-bromothiophene-3-carboxylate was dissolved in 5 mL of toluene, slowly injected, and refluxed for 12 hours. After the reaction was completed, compound A (diethyl 2,2'-(4,8-bis((triisopropylsilyl)ethynyl)benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene- 2,6-diyl)bis(thiophene-3-carboxylate)) was obtained.

(2) 화합물 B의 제조(2) Preparation of compound B

Figure 112018075169876-pat00023
Figure 112018075169876-pat00023

둥근 플라스크에서 1-브로모-4-헥실벤젠(1-bromo-4-hexylbenzene) 8.16g (5.3eq)을 THF 200mL에 녹인 후 -78℃에서 n-부틸리튬(n-BuLi) 13.5mL를 천천히 주입한 후 1시간 동안 같은 온도에서 교반시켰다. (1)에서 제조한 화합물 A 5g를 THF 50mL에 녹인 후 교반 중인 둥근 플라스크에 천천히 주입한 후 상온에서 12시간 동안 교반시켰다. 클로로포름을 통해 유기층을 추출한 후 용매를 제거하고, 옥탄 100mL, 아세트산(acetic acid) 10mL 및 황산 1mL에 녹인 후 65℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 증류수를 통해 반응을 종료하고 컬럼크로마토크래피를 통해 화합물 B를 수득하였다. After dissolving 8.16g (5.3eq) of 1-bromo-4-hexylbenzene in 200mL of THF in a round flask, slowly add 13.5mL of n-butyllithium (n-BuLi) at -78℃. After injection, the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. After dissolving 5 g of Compound A prepared in (1) in 50 mL of THF, it was slowly injected into a round flask under stirring, followed by stirring at room temperature for 12 hours. After extracting the organic layer with chloroform, the solvent was removed, and the mixture was dissolved in 100 mL of octane, 10 mL of acetic acid, and 1 mL of sulfuric acid, and then refluxed at 65° C. for 4 hours. The reaction was terminated with distilled water, and compound B was obtained through column chromatography.

(3) 화합물 C의 제조(3) Preparation of compound C

Figure 112018075169876-pat00024
Figure 112018075169876-pat00024

둥근플라스크에서 상기 (2)에서 제조한 화합물 B 1g을 THF 100mL에 녹인 다음 -78℃에서 n-BuLi 0.76mL을 천천히 주입하였다. 1시간 동안 같은 온도에서 교반한 후 DMF 0.5mL을 천천히 주입하고 12시간 동안 교반하였다. 증류수를 통해 반응을 종료한 후 유기층을 추출한 뒤 컬럼크로마토크래피를 통해 화합물 C를 수득하였다.In a round flask, 1 g of Compound B prepared in (2) above was dissolved in 100 mL of THF, and then 0.76 mL of n-BuLi was slowly injected at -78 °C. After stirring at the same temperature for 1 hour, 0.5 mL of DMF was slowly injected and stirred for 12 hours. After completion of the reaction with distilled water, the organic layer was extracted and compound C was obtained through column chromatography.

(4) 화합물 D의 제조(4) Preparation of compound D

Figure 112018075169876-pat00025
Figure 112018075169876-pat00025

콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에서 상기 (3)에서 제조한 화합물 C 1g 및 2-(6-브로모-3-옥소-2,3-디하이드로-1H-인덴-1-일리덴)말로노나이트릴(2-(6-bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile) 0.7g을 클로로포름 10mL에 녹이고 피리딘 1mL를 주입한 후 60℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 메탄올을 통해 여과 후 컬럼크로마토크래피를 통해 화합물 D를 수득하였다. In a round flask equipped with a condenser, 1 g of compound C prepared in (3) above and 2-(6-bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile After dissolving 0.7 g of (2-(6-bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene) malononitrile) in 10 mL of chloroform and injecting 1 mL of pyridine, the mixture was refluxed at 60 °C for 12 hours. After filtration through methanol, compound D was obtained through column chromatography.

단, 여기서 사용된 2-(6-bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile은 브롬의 위치가 5번과 6번이 각각 3:7의 질량비로 혼합된 화합물이다. However, 2-(6-bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile used here has bromine positions 5 and 6 mixed in a mass ratio of 3:7, respectively. is a compound

(5) 화합물 1의 제조 (5) Preparation of Compound 1

Figure 112018075169876-pat00026
Figure 112018075169876-pat00026

컨덴서가 장착된 둥근 플라스크에 상기 4)에서 제조한 화합물 D 300mg, 2,5-비스(트리메틸스테닐)티오펜(2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene) 80mg(1.0eq) 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4) 0.01g(0.03eq)을 주입한 후 톨루엔 10mL를 주입하였다. 이 후 100℃에서 17시간 동안 환류시키고, 메탄올을 통해 반응을 종료한 후, 메탄올, 핵산 및 아세톤을 통해 합성된 화합물 1을 정제하여, 화합물 1을 얻었다. 이때, 수 평균 분자량(Mn)을 측정하여, 화합물 1이 제조되었음을 확인하였다. <Mn: 19,000g/mol, PDI: 1.25> In a round flask equipped with a condenser, 300 mg of compound D prepared in 4) above, 80 mg (1.0eq) of 2,5-bis (trimethylstenyl) thiophene and tetrakis (trimethylstenyl) thiophene Phenylphosphine)palladium (Pd(PPh 3 ) 4 ) 0.01 g (0.03 eq) was injected, and then 10 mL of toluene was injected. Thereafter, the mixture was refluxed at 100° C. for 17 hours, the reaction was terminated with methanol, and the synthesized compound 1 was purified using methanol, nucleic acid and acetone to obtain compound 1. At this time, by measuring the number average molecular weight (Mn), it was confirmed that Compound 1 was prepared. <Mn: 19,000 g/mol, PDI: 1.25>

제조된 화합물 1의 필름상태의 UV-Vis 스펙트럼을 도 7에 나타내었다.The UV-Vis spectrum of the prepared compound 1 in a film state is shown in FIG. 7 .

상기 필름상태는 화합물 1을 클로로포름 용액에 용해시킨 용액을 스핀 코팅한 후 건조하여 필름상태로 만든 것을 의미한다. The film state means that a solution in which Compound 1 was dissolved in a chloroform solution was spin-coated and then dried to form a film state .

제조예manufacturing example 2. 화합물 2의 제조 2. Preparation of Compound 2

Figure 112018075169876-pat00027
Figure 112018075169876-pat00027

상기 화합물 1의 제조에서 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene 대신 (3,4-디플루오로티오펜-2,5-디일)비스(트리메틸스타난((3,4-difluorothiophene-2,5-diyl)bis(trimethylstannane))를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1의 제조 방법과 동일한 과정을 진행하여 화합물 2를 제조하였다. 이때, 수 평균 분자량(Mn)을 측정하여, 화합물 2가 제조되었음을 확인하였다. <Mn: 17,000g/mol, PDI: 1.30>In the preparation of Compound 1, (3,4-difluorothiophene-2,5-diyl)bis(trimethylstannane ((3,4-difluorothiophene-2,5-diyl) instead of 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene Except for using bis(trimethylstannane)), compound 2 was prepared in the same manner as in the preparation method of compound 1. At this time, it was confirmed that compound 2 was prepared by measuring the number average molecular weight (Mn). <Mn: 17,000 g/mol, PDI: 1.30>

제조예manufacturing example 3. 화합물 3의 제조 3. Preparation of compound 3

Figure 112018075169876-pat00028
Figure 112018075169876-pat00028

상기 화합물 1의 제조에서 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene 대신 5,5'-비스(트리메틸스타닐)-2,2'-비티오펜(5,5'-bis(trimethylstannyl)-2,2'-bithiophene)를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1의 제조 방법과 동일한 과정을 진행하여 화합물 3을 제조하였다. 이때, 수 평균 분자량(Mn)을 측정하여, 화합물 3이 제조되었음을 확인하였다. <Mn: 18,500g/mol, PDI: 1.40>In the preparation of Compound 1, 5,5'-bis(trimethylstannyl)-2,2'-bithiophene (5,5'-bis(trimethylstannyl)-2,2' instead of 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene -bithiophene) was used, and compound 3 was prepared in the same manner as in the preparation method of compound 1. At this time, by measuring the number average molecular weight (Mn), it was confirmed that Compound 3 was prepared. <Mn: 18,500 g/mol, PDI: 1.40>

제조예manufacturing example 4. 화합물 4의 제조 4. Preparation of compound 4

Figure 112018075169876-pat00029
Figure 112018075169876-pat00029

상기 화합물 1의 제조에서 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene 대신 (3,3'-디플로오로-[2,2'-비티오펜]-5,5'-디일)비스(트리메틸스타난)((3,3'-difluoro-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane))를 사용한 것을 제외하고는 상기 화합물 1의 제조 방법과 동일한 과정을 진행하여 화합물 4를 제조하였다. 이때, 수 평균 분자량(Mn)을 측정하여, 화합물 4가 제조되었음을 확인하였다. <Mn: 17,000g/mol, PDI: 1.60>In the preparation of Compound 1, (3,3'-difluoro-[2,2'-bithiophene] -5,5'-diyl)bis(trimethylstannane) instead of 2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene ( Compound 4 was prepared in the same manner as in Compound 1, except that (3,3'-difluoro-[2,2'-bithiophene]-5,5'-diyl)bis(trimethylstannane)) was used. manufactured. At this time, by measuring the number average molecular weight (Mn), it was confirmed that Compound 4 was prepared. <Mn: 17,000 g/mol, PDI: 1.60>

제조예manufacturing example 5. 화합물 E(비교 화합물 1)의 제조 5. Preparation of Compound E (Comparative Compound 1)

Figure 112018075169876-pat00030
Figure 112018075169876-pat00030

콘덴서가 장착된 둥근 플라스크에서 상기 제조예 1의 (3)에서 제조한 화합물 C 1g 및 2-(3-옥소-2,3-디하이드로-1H-인덴-1-일리덴)말로노니트릴(2-(3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile) 0.7g을 클로로포름 10mL에 녹이고 피리딘 1mL를 주입한 후 60℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 메탄올을 통해 여과 후 컬럼크로마토크래피를 통해 화합물 E를 수득하였다. In a round flask equipped with a condenser, 1 g of Compound C prepared in (3) of Preparation Example 1 and 2- (3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene) malononitrile (2 After dissolving 0.7 g of -(3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile) in 10 mL of chloroform and injecting 1 mL of pyridine, the mixture was refluxed at 60 °C for 12 hours. After filtration through methanol, compound E was obtained through column chromatography.

제조된 화합물 E의 필름상태의 UV-Vis 스펙트럼을 도 8에 나타내었다.The UV-Vis spectrum of the prepared compound E in a film state is shown in FIG. 8 .

상기 필름상태는 화합물 E를 클로로포름 용액에 용해시킨 용액을 스핀 코팅한 후 건조하여 필름상태로 만든 것을 의미한다. The film state means that a solution in which compound E was dissolved in a chloroform solution was spin-coated and then dried to form a film state .

<실시예: 유기 태양 전지의 제조><Example: Preparation of Organic Solar Cell>

실시예Example 1. One.

(1) 복합 용액의 제조(1) Preparation of composite solution

하기 화합물 폴리[(2,6-(4,8-비스(5-(2-에틸헥실)티오펜-2-일)-벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜))-알트-(5,5-(1',3'-디-2-티에닐-5',7'-비스(2-에틸헥실)벤조[1',2'-c:4',5'-c']디티오펜-4,8-다이온))](poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)- benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7'- bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))], PBDB-T)(Mn: 25,000g/mol, Solarmer 社)를 전자 주개 물질로, 상기 제조예에서 합성된 화합물 1을 전자 받개 물질로 하여 1:1의 질량비로 클로로벤젠(Chlorobenzene, CB)에 녹여 2wt% 농도의 복합 용액(composite solution)을 제조하였다. The compound poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene) )-Alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7'-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5 '-c']dithiophene-4,8-dione))](poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)- benzo[1, 2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7'- bis(2-ethylhexyl)benzo[1 ',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))], PBDB-T) (Mn: 25,000 g/mol, Solarmer Co.) as an electron donor material, prepared above Compound 1 synthesized in Example was used as an electron acceptor material and dissolved in chlorobenzene (CB) at a mass ratio of 1:1 to prepare a composite solution having a concentration of 2 wt%.

Figure 112018075169876-pat00031
Figure 112018075169876-pat00031

(2) 유기 태양 전지의 제조 (2) Manufacture of organic solar cells

ITO가 1.5×1.5cm2의 바타입(bar type)으로 코팅된 유리 기판(11.5Ω/□)을 증류수, 아세톤 및 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10분 동안 오존 처리하여 제1 전극을 형성하였다. A glass substrate (11.5Ω/□) coated with a 1.5×1.5cm 2 bar type of ITO was ultrasonically cleaned using distilled water, acetone, and 2-propanol, and the ITO surface was treated with ozone for 10 minutes to remove it. 1 electrode was formed.

상기 제1 전극 상에 ZnO 나노입자 용액(N-10, Nanograde Ltd, 2.5wt% in 1-butanol, 0.45㎛ PTFE에 필터링)을 4,000rpm으로 40초 동안 스핀-코팅(spin-coating)한 후, 80℃에서 10분간 열처리하여 남아있는 용매를 제거함으로써 전자수송층을 형성하였다.After spin-coating a ZnO nanoparticle solution (N-10, Nanograde Ltd, 2.5 wt% in 1-butanol, filtered through 0.45 μm PTFE) at 4,000 rpm for 40 seconds on the first electrode, An electron transport layer was formed by removing the remaining solvent by heat treatment at 80° C. for 10 minutes.

이후, 상기 (1)에서 제조한 복합 용액을 상기 전자수송층 상에 70℃에서 700rpm으로 25초간 스핀-코팅하여 광활성층을 형성하고, 상기 광활성층 상에 MoO3를 0.2Å/s의 속도 및 10- 7torr 진공 하에서 10nm의 두께로 열 증착하여 정공수송층을 형성하였다.Thereafter, the composite solution prepared in (1) was spin-coated for 25 seconds at 700 rpm at 70° C. on the electron transport layer to form a photoactive layer, and MoO 3 was applied on the photoactive layer at a rate of 0.2 Å/s and 10 - A hole transport layer was formed by thermal evaporation to a thickness of 10 nm under a vacuum of 7 torr.

이후 열 증착기 내부에서 Ag를 1Å/s의 속도에서 100nm 두께로 증착하여 제2 전극을 형성함으로써, 인버티드(inverted) 구조의 유기 태양 전지를 제조하였다.Thereafter, Ag was deposited to a thickness of 100 nm at a rate of 1 Å/s inside a thermal evaporator to form a second electrode, thereby manufacturing an organic solar cell having an inverted structure.

실시예Example 2. 2.

상기 실시예 1에서 광활성층 형성시 (1)에서 제조한 복합 용액을 900rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the composite solution prepared in (1) was spin-coated at 900 rpm when the photoactive layer was formed in Example 1.

실시예Example 3. 3.

상기 실시예 1에서 광활성층 형성시 (1)에서 제조한 복합 용액을 1,100rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the composite solution prepared in (1) was spin-coated at 1,100 rpm when the photoactive layer was formed in Example 1.

실시예Example 4. 4.

상기 실시예 1에서 광활성층 형성시 (1)에서 제조한 복합 용액을 1,300rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the composite solution prepared in (1) was spin-coated at 1,300 rpm when the photoactive layer was formed in Example 1.

비교예comparative example 1. One.

상기 실시예 1에서 복합 용액 제조시, 화합물 1 대신 하기 비교 화합물 1을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was prepared in the same manner as in Example 1, except that Comparative Compound 1 was used instead of Compound 1 when preparing the composite solution in Example 1.

[비교 화합물 1] [Comparative Compound 1]

Figure 112018075169876-pat00032
Figure 112018075169876-pat00032

비교예comparative example 2. 2.

상기 비교예 1에서 광활성층 형성시 복합 용액을 900rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the composite solution was spin-coated at 900 rpm when forming the photoactive layer in Comparative Example 1.

비교예comparative example 3. 3.

상기 비교예 1에서 광활성층 형성시 복합 용액을 1,100rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the composite solution was spin-coated at 1,100 rpm when forming the photoactive layer in Comparative Example 1.

비교예comparative example 4. 4.

상기 비교예 1에서 광활성층 형성시 복합 용액을 1,300rpm으로 스핀-코팅한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 과정으로 유기 태양 전지를 제조하였다.An organic solar cell was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the composite solution was spin-coated at 1,300 rpm when forming the photoactive layer in Comparative Example 1.

상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 유기 태양 전지의 광전변환특성을 100mW/cm2 (AM 1.5) 조건에서 측정하고, 하기 표 1에 그 결과를 나타내었다.The photoelectric conversion characteristics of the organic solar cells prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were measured under the condition of 100 mW/cm 2 (AM 1.5), and the results are shown in Table 1 below.

Spin-speed (rpm)Spin-speed (rpm) Voc
(V)
V oc
(V)
Jsc
(mA/cm2)
Jsc
(mA/cm 2 )
FFFF η
(%)
η
(%)
평균 η
(%)
mean η
(%)
PBDB-T
+ 화합물 1
PBDB-T
+ compound 1
실시예
1
Example
One
700700 0.9190.919 17.03217.032 0.5800.580 9.079.07 8.858.85
0.9160.916 16.62816.628 0.5660.566 8.638.63 실시예
2
Example
2
900900 0.9250.925 17.16817.168 0.6290.629 9.989.98 10.0710.07
0.9240.924 17.20217.202 0.6390.639 10.1610.16 실시예
3
Example
3
1,1001,100 0.9260.926 16.50216.502 0.6500.650 9.949.94 9.909.90
0.9240.924 16.37216.372 0.6520.652 9.869.86 실시예
4
Example
4
1,3001,300 0.9100.910 16.05316.053 0.6440.644 9.409.40 9.099.09
0.9010.901 15.76615.766 0.6180.618 8.788.78 PBDB-T
+ 비교화합물 1
PBDB-T
+ comparative compound 1
비교예
1
comparative example
One
700700 0.7390.739 17.86917.869 0.5230.523 6.916.91 6.916.91
0.7360.736 17.93217.932 0.5220.522 6.906.90 비교예
2
comparative example
2
900900 0.7330.733 18.34018.340 0.5680.568 7.637.63 7.637.63
0.7290.729 18.55218.552 0.5640.564 7.627.62 비교예
3
comparative example
3
1,1001,100 0.7500.750 17.32317.323 0.6050.605 7.867.86 7.877.87
0.7460.746 17.62717.627 0.5980.598 7.877.87 비교예
4
comparative example
4
1,3001,300 0.7440.744 16.56316.563 0.6160.616 7.597.59 7.727.72
0.7480.748 16.59616.596 0.6320.632 7.847.84

상기 표 1에서, 상기 Spin-speed는 전자수송층 상에 복합 용액을 스핀-코팅하여 광활성층을 형성할 때 장비의 회전 속도를, VOC는 개방전압을, JSC는 단락전류를, FF는 충전율(Fill factor)을, η는 에너지 변환 효율을 의미한다. 개방전압과 단락전류는 각각 전압-전류 밀도 곡선의 4사분면에서 X축과 Y축 절편이며, 이 두 값이 높을수록 태양 전지의 효율은 바람직하게 높아진다. 또한 충전율(Fill factor)은 곡선 내부에 그릴 수 있는 직사각형의 넓이를 단락전류와 개방전압의 곱으로 나눈 값이다. 에너지 변환 효율(η)은 상기 개방전압(Voc), 단락전류(Jsc) 및 충전율(FF)의 곱을 입사된 빛의 세기(Pin)로 나누면 구할 수 있으며, 이 값이 높을수록 바람직하다.In Table 1, the Spin-speed is the rotational speed of the equipment when forming the photoactive layer by spin-coating the composite solution on the electron transport layer, V OC is the open circuit voltage, J SC is the short circuit current, and FF is the charging rate (Fill factor), η means energy conversion efficiency. The open-circuit voltage and the short-circuit current are the X-axis and Y-axis intercepts in the fourth quadrant of the voltage-current density curve, respectively, and the higher these two values are, the higher the efficiency of the solar cell is. In addition, the fill factor is a value obtained by dividing the area of a rectangle that can be drawn inside the curve by the product of the short circuit current and the open circuit voltage. The energy conversion efficiency (η) can be obtained by dividing the product of the open-circuit voltage (Voc), the short-circuit current (Jsc), and the charge factor (FF) by the intensity of incident light (Pin), and a higher value is preferable.

Figure 112018075169876-pat00033
Figure 112018075169876-pat00033

상기 표 1의 결과를 살펴보면, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 1을 전자 받개로 사용한 실시예 1 내지 4의 유기 태양 전지는 비교 화합물을 사용한 비교예 1 내지 4의 유기 태양 전지에 비해 개방 전압이 높고, 충전율 등의 소자 효율이 우수하며, 에너지 변환 효율이 우수한 것을 알 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 사용한 유기 태양 전지의 경우, 에너지 변환 효율이 8% 이상, 바람직하게는 9% 이상으로 측정되었다.Looking at the results of Table 1, the organic solar cells of Examples 1 to 4 using Compound 1 according to an exemplary embodiment of the present specification as an electron acceptor have an open circuit voltage compared to the organic solar cells of Comparative Examples 1 to 4 using a comparative compound. It can be seen that this is high, the device efficiency such as filling factor is excellent, and the energy conversion efficiency is excellent. Specifically, in the case of an organic solar cell using a compound according to an exemplary embodiment of the present specification, the energy conversion efficiency was measured to be 8% or more, preferably 9% or more.

또한, 도 7 및 8로부터, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 1이 비교 화합물 1에 비해 적색편이(red-shift)된 경향을 나타냄을 확인할 수 있다. 이러한 경향은 화합물 1의 경우 고분자화 되어 컨주게이션 길이(conjugation length)가 증가 함에 따라 나타난 결과로 나타나는 것으로 볼 수 있으며, 결과적으로 높은 FF에 기여하여 우수한 에너지 변환 효율로 이어질 수 있다.In addition, it can be seen from FIGS. 7 and 8 that Compound 1 according to an exemplary embodiment of the present specification exhibits a red-shifted tendency compared to Comparative Compound 1. This tendency can be seen as a result of the polymerization of Compound 1 as the conjugation length increases, and as a result, it can contribute to high FF and lead to excellent energy conversion efficiency.

10: 제1 전극
20: 제2 전극
30: 유기활성층
40: 기판
50: 게이트 전극
60: 절연층
70: 소스 전극
80: 드레인 전극
90: 유기활성층
100: 유기 전자 소자
101: 기판
102: 정공수송층
103: 광활성층
10: first electrode
20: second electrode
30: organic active layer
40: substrate
50: gate electrode
60: insulating layer
70: source electrode
80: drain electrode
90: organic active layer
100: organic electronic element
101: substrate
102: hole transport layer
103: photoactive layer

Claims (7)

하기 화학식 1-2로 표시되는 단위를 포함하는 화합물:
[화학식 1-2]
Figure 112022141382265-pat00054

상기 화학식 1-2에 있어서,
n은 1 내지 10,000의 정수이고,
R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이며,
D1은 하기 구조 중 어느 하나이고,
Figure 112022141382265-pat00055

상기 구조에 있어서,
R20 내지 R29는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 할로겐기이다.
A compound containing a unit represented by Formula 1-2:
[Formula 1-2]
Figure 112022141382265-pat00054

In Formula 1-2,
n is an integer from 1 to 10,000;
R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently represents an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms,
D1 is any one of the following structures,
Figure 112022141382265-pat00055

In the above structure,
R20 to R29 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or a halogen group.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1-2는 하기 구조 중 어느 하나를 포함하는 것인 화합물:
Figure 112022141382265-pat00044

Figure 112022141382265-pat00045
The method of claim 1,
Formula 1-2 is a compound comprising any one of the following structures:
Figure 112022141382265-pat00044

Figure 112022141382265-pat00045
제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 유기활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
상기 유기활성층은 청구항 1 또는 4에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
a first electrode;
a second electrode provided to face the first electrode; and
It is provided between the first electrode and the second electrode and includes one or more organic material layers including an organic active layer,
The organic active layer is an organic electronic device comprising the compound according to claim 1 or 4.
청구항 5에 있어서,
상기 유기 전자 소자는 유기 광 다이오드, 유기 트랜지스터, 유기 태양 전지, 및 유기 발광 소자로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 유기 전자 소자.
The method of claim 5,
The organic electronic device is selected from the group consisting of an organic photodiode, an organic transistor, an organic solar cell, and an organic light emitting device.
청구항 5에 있어서,
상기 유기활성층은 광활성층을 포함하고,
상기 광활성층은 전자 주개 물질 및 전자 받개 물질을 포함하며,
상기 전자 받개 물질은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
The method of claim 5,
The organic active layer includes a photoactive layer,
The photoactive layer includes an electron donor material and an electron acceptor material,
The electron acceptor material is an organic electronic device comprising the compound.
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