KR102524125B1 - Electronic component package with improved heat dissipation property - Google Patents

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KR102524125B1 KR1020220134979A KR20220134979A KR102524125B1 KR 102524125 B1 KR102524125 B1 KR 102524125B1 KR 1020220134979 A KR1020220134979 A KR 1020220134979A KR 20220134979 A KR20220134979 A KR 20220134979A KR 102524125 B1 KR102524125 B1 KR 102524125B1
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Abstract

The present invention relates to an electronic component package with improved heat dissipation characteristics. More specifically, the electronic component package with improved heat dissipation of the present invention can quickly release heat generated during operation of electronic components to the outside to maximize heat dissipation characteristics, by filling a heat-conducting liquid metal material with high thermal conductivity into a through-hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member which electrically connects a substrate and a heat sink.

Description

방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지{Electronic component package with improved heat dissipation property}Electronic component package with improved heat dissipation property}

본 발명은 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재의 중앙 부분을 관통하는 관통홀 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질이 충진되는 것에 의해, 전자 부품의 작동시 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시켜 방열 특성을 극대화시킬 수 있는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic component package with improved heat dissipation characteristics, and more particularly, a thermally conductive liquid metal material having high thermal conductivity is filled in a through hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member electrically connecting a substrate and a heat sink. Accordingly, the present invention relates to an electronic component package having improved heat dissipation characteristics capable of maximizing heat dissipation characteristics by quickly dissipating heat generated during operation of electronic components to the outside.

전자 부품은 목적하는 전압 및 전류, 즉 신호 전력을 발진하는 이외에 불요 전자파(노이즈)를 발생시켜 오동작이나 혼신을 일으키기도 하며, 작동시간이 길어질수록 구동부, 예를 들어 전자회로로부터 열이 발생하고, 이 열은 다시 전자 부품으로 전달된다. 과도한 열의 발생은 전자 부품의 기능을 저하시키거나 내구성을 약화시키고, 추가로 소음과 지속적인 진동을 유발하여 장치를 마비시키거나 파괴시키는 요인으로 작용한다.In addition to oscillating desired voltage and current, that is, signal power, electronic components generate unwanted electromagnetic waves (noise) to cause malfunction or interference. This heat is transferred back to the electronic components. Excessive heat generation degrades the function or durability of electronic components, and causes additional noise and continuous vibration to paralyze or destroy the device.

이러한 발열 문제를 해결하기 위해서, 방열 수단으로서 구동부에 히트 싱크(heat sink)를 설치하고 있다. 일반적으로, 컴퓨터에서 CPU 등의 전자 부품의 방열을 위해서 메인 보드의 집적 회로 상단에 히트 싱크가 설치된다.In order to solve this heat generation problem, a heat sink is installed in the drive unit as a heat dissipation means. In general, a heat sink is installed on top of an integrated circuit of a main board to dissipate heat from an electronic component such as a CPU in a computer.

그러나, 대부분은 구동부에서 발생되는 열량이 히트 싱크가 흡수할 수 있는 열량보다 많기 때문에 히트 싱크만으로는 발열 문제를 해결하는데 어려움이 있었다.However, in most cases, since the amount of heat generated by the driving unit is greater than the amount of heat that can be absorbed by the heat sink, it is difficult to solve the heat generation problem using only the heat sink.

아울러, 히트 싱크에 방열 팬을 설치하여 열공학적으로 외부로 열을 강제 방출하고 있기는 하지만, 방열 효율을 최적화시키는데 한계가 있다. 또한, 히트 싱크나 방열 팬은 소형의 휴대용 전자 부품에는 적용시키기 어렵다.In addition, although a heat dissipation fan is installed in the heat sink to forcibly dissipate heat to the outside in a thermal engineering manner, there is a limit to optimizing heat dissipation efficiency. In addition, it is difficult to apply a heat sink or a heat dissipation fan to small portable electronic parts.

일반적으로, 전자 부품의 구동부는 집적형 전자 회로, 구동칩 등과 같은 잡음성 소자 부품으로 이루어져 있는데, 이러한 잡음성 소자 부품에서 방사되는 전자파는 노이즈로서 심각한 전자파 장해를 유발하기도 한다.In general, driving units of electronic components are composed of noise-emitting components such as integrated electronic circuits and driving chips. Electromagnetic waves emitted from these noisy components may cause serious electromagnetic interference as noise.

이러한 전자파 차폐를 위한 기술이 개발되고 있으나, 전자 부품에 방열 수단과 전자파 차폐 수단을 모두 구비하면서 소형화, 경량화 및 슬림화를 도모하는데 어려움이 있었다.Although technologies for shielding such electromagnetic waves have been developed, it has been difficult to achieve miniaturization, weight reduction, and slimming while providing both a heat dissipation means and an electromagnetic wave shielding means in electronic parts.

대한민국 공개특허 제10-2018-0060572호(2018.06.07. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2018-0060572 (2018.06.07. Publication)

본 발명의 목적은 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재의 중앙 부분을 관통하는 관통홀 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질이 충진되는 것에 의해, 전자 부품의 작동시 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시켜 방열 특성을 극대화시킬 수 있는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to rapidly remove heat generated during the operation of electronic components by filling a thermally conductive liquid metal material of high thermal conductivity in a through hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member electrically connecting a substrate and a heat sink. It is to provide an electronic component package with improved heat dissipation characteristics capable of maximizing heat dissipation characteristics by radiating it to the outside.

본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 기판; 상기 기판 상에 실장된 전자 부품; 상기 전자 부품 상에 부착된 열전도층; 상기 열전도층 상에 장착된 히트 싱크; 상기 전자 부품을 커버하도록 상기 기판 상에 장착되어, 상기 히트 싱크를 지지하는 쉴드캔; 및 상기 기판 상의 전자 부품과 이격되도록 배치되며, 상기 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An electronic component package having improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention includes a substrate; an electronic component mounted on the substrate; a heat conduction layer attached on the electronic component; a heat sink mounted on the thermal conductive layer; a shield can mounted on the substrate to cover the electronic component and supporting the heat sink; and a surface-mounted heat dissipation member disposed to be spaced apart from the electronic component on the substrate and electrically connecting the substrate and the heat sink.

상기 열전도층은 열전도 계면 물질(TIM)로 형성된다.The thermal conductive layer is formed of a thermal conductive interface material (TIM).

상기 히트 싱크는 방열 파이프, 방열 플레이트 및 방열 브라켓 중 선택된 하나 이상을 포함한다.The heat sink includes at least one selected from a heat dissipation pipe, a heat dissipation plate, and a heat dissipation bracket.

상기 전자 부품 패키지는 상기 열전도층과 히트 싱크 사이에 장착된 전자파 차폐층;을 더 포함한다.The electronic component package may further include an electromagnetic wave shielding layer mounted between the heat conducting layer and the heat sink.

상기 표면실장 방열 부재는 상기 기판 상에 배치되어, 상기 기판의 그라운드 배선에 접속되는 솔더링용 금속층; 상기 솔더링용 금속층 상에 적층된 실리콘층; 및 상기 실리콘층을 관통하는 관통홀 내에 충진되어, 상기 히트 싱크에 접속되는 열전도 액상 금속물질;을 포함한다.The surface-mounted heat dissipation member may include a soldering metal layer disposed on the substrate and connected to a ground wire of the substrate; a silicon layer stacked on the metal layer for soldering; and a thermally conductive liquid metal material filled in the through hole penetrating the silicon layer and connected to the heat sink.

상기 표면실장 방열 부재는 상기 기판 상에 배치되어, 상기 기판의 그라운드 배선에 접속되는 솔더링용 금속층; 상기 솔더링용 금속층 상에 적층된 실리콘층; 및 상기 솔더링용 금속층 및 실리콘층을 각각 관통하는 관통홀 내에 충진되어, 상기 히트 싱크에 접속되는 열전도 액상 금속물질;을 포함한다.The surface-mounted heat dissipation member may include a soldering metal layer disposed on the substrate and connected to a ground wire of the substrate; a silicon layer stacked on the metal layer for soldering; and a thermally conductive liquid metal material filled in through-holes penetrating the soldering metal layer and the silicon layer, respectively, and connected to the heat sink.

상기 열전도 액상 금속물질은 액상형 열전도 계면 물질(Liquid TIM)인 것이 바람직하다.Preferably, the thermally conductive liquid metal material is a liquid thermally conductive interface material (Liquid TIM).

상기 표면실장 방열 부재는 상기 관통홀의 내벽에 배치된 표면처리 패턴을 더 포함한다.The surface-mounted heat dissipation member further includes a surface treatment pattern disposed on an inner wall of the through hole.

본 발명에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 전자 부품 상에 부착된 열전도층에 의한 열방출 경로와 더불어, 기판 상의 전자 부품과 이격되도록 배치되며, 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재를 통한 열방출 경로를 추가 설계하여 이원화시켰다.An electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to the present invention has a heat dissipation path by a heat conductive layer attached to the electronic component, is disposed to be spaced apart from the electronic component on the board, and is a surface mount that electrically connects the board and the heat sink. The heat dissipation path through the heat dissipation member was additionally designed and dualized.

아울러, 본 발명에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재의 중앙 부분을 관통하는 관통홀 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질이 충진되는 것에 의해, 전자 부품에서 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시킬 수 있게 된다.In addition, the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to the present invention is filled with a thermally conductive liquid metal material of high thermal conductivity in a through hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member electrically connecting a substrate and a heat sink, Heat generated from electronic components can be quickly dissipated to the outside.

또한, 본 발명에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 전자 부품 상에 열전도층 및 전자파 차폐층이 직접 적층되고, 전자 부품과 이격된 일측에 전자 부품과 대응되는 높이로 표면실장 방열 부재가 배치되므로, 방열 수단과 전자파 차폐 수단을 모두 구비하면서도 소형화, 경량화 및 슬림화를 도모하는 것이 가능해질 수 있다.In addition, in the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to the present invention, a heat conductive layer and an electromagnetic wave shielding layer are directly laminated on the electronic component, and a surface-mounted heat dissipation member is disposed at a height corresponding to the electronic component on one side spaced apart from the electronic component. Therefore, while providing both the heat dissipation means and the electromagnetic wave shielding means, it may be possible to achieve miniaturization, weight reduction, and slimming.

도 1은 일반적인 전자 부품 패키지를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지를 나타낸 단면도.
도 3은 도 2의 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 평면도.
도 6은 도 4의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 다른 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명의 다른 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 평면도.
1 is a cross-sectional view showing a typical electronic component package.
Figure 2 is a cross-sectional view showing an electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged cross-sectional view of the surface-mounted heat dissipation member of FIG. 2;
4 is an enlarged cross-sectional view of a surface-mounted heat dissipation member according to a modified example of the present invention.
5 is an enlarged plan view illustrating a surface-mounted heat dissipation member according to a modified example of the present invention.
6 is an enlarged cross-sectional view of part A of FIG. 4;
7 is an enlarged cross-sectional view of a surface-mounted heat dissipation member according to another modified example of the present invention.
8 is an enlarged plan view of a surface-mounted heat dissipation member according to another modified example of the present invention;

이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail, but it is intended to be described in detail to the extent that a person skilled in the art can easily practice the invention. It does not mean that the technical idea and scope are limited.

도 1은 일반적인 전자 부품 패키지를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general electronic component package.

도 1에 나타낸 바와 같이, 일반적인 전자 부품 패키지(100)는 기판(110) 상에 전자 부품(120)이 실장되고, 전자 부품(120) 상에 열전도층(130)이 부착된다. 이때, 기판(110)은 일면(110a) 및 일면(110a)에 반대되는 타면(110b)을 가지며, 기판(110)에는 그라운드 배선(115)이 배치되어 있을 수 있다.As shown in FIG. 1 , in a general electronic component package 100 , an electronic component 120 is mounted on a substrate 110 , and a thermal conductive layer 130 is attached to the electronic component 120 . In this case, the substrate 110 may have one surface 110a and the other surface 110b opposite to the one surface 110a, and a ground wire 115 may be disposed on the substrate 110.

또한, 일반적인 전자 부품 패키지(100)는 열전도층(130) 상에 히트 싱크(150)가 장착되고, 쉴드캔(160)이 전자 부품(120)을 커버하도록 기판(110) 상에 장착되며, 열전도층(130)과 히트 싱크(150) 사이에 전자파 차폐층(140)이 장착된다.In addition, in a typical electronic component package 100, a heat sink 150 is mounted on a thermal conductive layer 130, a shield can 160 is mounted on a substrate 110 to cover the electronic component 120, and conducts heat. An electromagnetic wave shielding layer 140 is mounted between the layer 130 and the heat sink 150 .

이때, 일반적인 전자 부품 패키지(100)는 기판(110) 상에 실장된 전자 부품(120)의 작동으로 열이 발생할 시, 전자 부품(120) 상에 직접 부착된 열전도층(130)에 의한 열방출 경로를 통하여 히트 싱크(150)로 방출시키게 된다.At this time, in the general electronic component package 100, when heat is generated by the operation of the electronic component 120 mounted on the board 110, heat is emitted by the heat conductive layer 130 directly attached to the electronic component 120. It is emitted to the heat sink 150 through the path.

그러나, 일반적인 전자 부품 패키지(100)는 전자 부품(120) 상에 부착된 열전도층(130)에 의한 열방출 경로를 통해서만 히트 싱크(150)로 열을 방출시켜 방열시키는 구조이므로, 방열 성능에 한계가 있었다.However, since the general electronic component package 100 has a structure in which heat is radiated to the heat sink 150 only through a heat dissipation path by the thermal conductive layer 130 attached to the electronic component 120, the heat dissipation performance is limited. there was

이를 해결하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 전자 부품 상에 부착된 열전도층에 의한 열방출 경로와 더불어, 기판 상의 전자 부품과 이격되도록 배치되며, 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재를 통한 열방출 경로를 추가 설계하여 이원화시켰다.In order to solve this problem, an electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention is disposed to be spaced apart from the electronic component on the board, together with the heat dissipation path by the heat conductive layer attached on the electronic component, and the substrate and heat The heat dissipation path through the surface-mounted heat dissipation member that electrically connects the sink was additionally designed and dualized.

아울러, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재의 중앙 부분을 관통하는 관통홀 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질이 충진되는 것에 의해, 전자 부품에서 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시킬 수 있게 된다.In addition, in the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention, a thermally conductive liquid metal material having high thermal conductivity is filled in a through hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member electrically connecting a substrate and a heat sink. As a result, it is possible to quickly dissipate heat generated from the electronic component to the outside.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2의 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the surface-mounted heat dissipation member of FIG. 2 .

도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지(200)는 기판(210), 전자 부품(220), 열전도층(230), 히트 싱크(250), 쉴드캔(260) 및 표면실장 방열 부재(270)를 포함한다.As shown in FIGS. 2 and 3 , the electronic component package 200 having improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention includes a substrate 210, an electronic component 220, a heat conductive layer 230, and a heat sink 250 ), a shield can 260 and a surface-mounted heat dissipation member 270.

기판(210)은 일면(210a) 및 일면(210a)에 반대되는 타면(210b)을 갖는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 이러한 기판(210)은 절연층과 회로층을 포함할 수 있다. 여기서, 절연층은 프리프레그(prepreg) 등의 절연재일 수 있으며, 필요에 따라 강성 향상을 위하여 내부에 유리섬유가 삽입되어 있을 수 있다. 회로층은 절연층의 일면 또는 양면에 형성되는 배선이며, 구리(Cu) 등의 금속으로 형성될 수 있다. 이러한 회로층은 회로배선 및 그라운드 배선(215) 등을 포함할 수 있다.The substrate 210 may have a plate shape having one surface 210a and the other surface 210b opposite to the one surface 210a. The substrate 210 may include an insulating layer and a circuit layer. Here, the insulating layer may be an insulating material such as prepreg, and if necessary, glass fibers may be inserted therein to improve rigidity. The circuit layer is a wiring formed on one side or both sides of the insulating layer, and may be formed of a metal such as copper (Cu). This circuit layer may include circuit wiring and ground wiring 215 and the like.

전자 부품(220)은 기판(210)의 일면(210a) 상에 적어도 하나가 실장된다. 이러한 전자 부품(220)은 수백 내지 수백만 개 이상의 소자가 하나의 칩 안에 집적화된 집적회로(Intergrated Circuit: IC) 칩일 수 있다. 집적회로는, 예를 들면, 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전자 부품(220)은 다양한 능동 부품(예컨대, 다이오드, 진공관, 트랜지스터 등을 포함하는 능동 부품 또는 인덕터,콘덴서, 저항기 등을 포함하는 수동 부품일 수 있다. 이러한 전자 부품은 작동 시 열이 발생한다.At least one electronic component 220 is mounted on one surface 210a of the board 210 . The electronic component 220 may be an integrated circuit (IC) chip in which hundreds to millions of devices are integrated into one chip. The integrated circuit may be, for example, an application processor chip such as a central processor (eg, CPU), a graphic processor (eg, GPU), a digital signal processor, a cryptographic processor, a microprocessor, or a microcontroller, but is not limited thereto. . In addition, the electronic component 220 may be various active components (eg, active components including diodes, vacuum tubes, transistors, etc., or passive components including inductors, capacitors, resistors, etc. These electronic components generate heat during operation. do.

열전도층(230)은 전자 부품(220) 상에 부착된다. 이러한 열전도층(230)은 전자 부품(220)에서 발생하는 전자파와 열을 흡수하여 히트 싱크(250)로 방출시키는 역할을 한다. 이러한 열전도층(230)은 세라믹이나 세라믹과 유사한 절연성 및 열전도도를 갖는 코팅 재료로 형성될 수 있으나, 방열 특성을 향상시키기 위해서는 열전도도가 우수한 물질을 이용한 것이 바람직하다. 이를 위해, 열전도층(230)은 열전도 계면 물질(TIM: thermal interface material)로 형성되는 것이 바람직하다.The thermal conductive layer 230 is attached on the electronic component 220 . The heat conductive layer 230 serves to absorb electromagnetic waves and heat generated from the electronic component 220 and release them to the heat sink 250 . The thermal conductive layer 230 may be formed of a ceramic or a coating material having insulation and thermal conductivity similar to that of ceramic, but it is preferable to use a material having excellent thermal conductivity in order to improve heat dissipation characteristics. To this end, the thermal conductive layer 230 is preferably formed of a thermal interface material (TIM).

히트 싱크(250)는 열전도층(230) 상에 장착된다. 이러한 히트 싱크(250)는 전자 부품(220)에 부착된 열전도층(230)을 통하여 전자 부품(220)의 작동시 발생하는 열을 외부로 방열시키게 된다. 히트 싱크(250)는 방열 파이프, 방열 플레이트 및 방열 브라켓 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.The heat sink 250 is mounted on the thermal conductive layer 230 . The heat sink 250 dissipates heat generated during operation of the electronic component 220 to the outside through the thermal conductive layer 230 attached to the electronic component 220 . The heat sink 250 may include at least one selected from a heat dissipation pipe, a heat dissipation plate, and a heat dissipation bracket.

쉴드캔(260)은 전자 부품(220)을 커버하도록 기판(210)의 일면(210a) 상에 장착되어, 히트 싱크(250)를 지지한다. 이러한 쉴드캔(260)은 전자 부품(220)을 커버하면서 전자파를 차폐하는 역할을 수행한다. 이때, 쉴드캔(260)은 평면상으로 볼 때 직육면체 형상을 가질 수 있으며, 그 내부에는 수용공간이 마련될 수 있다.The shield can 260 is mounted on one surface 210a of the substrate 210 to cover the electronic component 220 and supports the heat sink 250 . The shield can 260 serves to shield electromagnetic waves while covering the electronic component 220 . At this time, the shield can 260 may have a rectangular parallelepiped shape when viewed in plan view, and an accommodation space may be provided therein.

쉴드캔(260)의 수용공간에는 전자 부품(220)이 수용된다. 이러한 쉴드캔(260)은 기판(210)의 일면(210a) 상에 장착되어, 기판(210)의 회로층에 접속되어 있을 수 있다. 이를 위해, 쉴드캔(260)은 금속 등의 전도성 물질로 형성될 수 있다. 전도성 물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 등에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electronic component 220 is accommodated in the receiving space of the shield can 260 . The shield can 260 may be mounted on one surface 210a of the substrate 210 and connected to a circuit layer of the substrate 210 . To this end, the shield can 260 may be formed of a conductive material such as metal. The conductive material may be selected from copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and alloys thereof, but is not limited thereto.

표면실장 방열 부재(270)는 기판(210) 상의 전자 부품(220)과 이격되도록 배치되며, 기판(210)과 히트 싱크(250)를 전기적으로 접속시킨다.The surface-mounted heat dissipation member 270 is disposed to be spaced apart from the electronic component 220 on the board 210 and electrically connects the board 210 and the heat sink 250 .

이러한 표면실장 방열 부재(270)는 일단이 기판(210)의 그라운드 배선(115)에 전기적으로 연결되고, 타단이 히트 싱크(250)에 전기적으로 접속된다.One end of the surface-mounted heat dissipation member 270 is electrically connected to the ground wire 115 of the board 210 and the other end is electrically connected to the heat sink 250 .

이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지(200)는 전자 부품(220) 상에 직접 부착된 열전도층(230)에 의한 1차 열방출 경로를 통하여 전자 부품(220)에서 발생하는 열을 히트 싱크(250)로 방출할 수 있음과 더불어, 기판(210)을 매개로 전자 부품(220)과 전기적으로 접속되는 표면실장 방열 부재(270)에 의한 2차 열방출 경로를 통하여 전자 부품(220)에서 발생하는 열을 히트 싱크(250)로 방출시킬 수 있게 된다.Accordingly, in the electronic component package 200 having improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention, the electronic component 220 passes through the primary heat dissipation path by the thermal conductive layer 230 directly attached to the electronic component 220. In addition to dissipating heat generated in the heat sink 250, the secondary heat dissipation path by the surface-mounted heat dissipation member 270 electrically connected to the electronic component 220 via the substrate 210 Through this, heat generated from the electronic component 220 can be released to the heat sink 250 .

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지(200)는 기판(210) 상의 전자 부품(220)과 이격되도록 배치되며, 기판(210)과 히트 싱크(250)를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재(270)를 통하여 열방출 경로를 이원화시킬 수 있으므로, 방열 특성을 향상시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.Therefore, the electronic component package 200 having improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention is disposed to be spaced apart from the electronic component 220 on the substrate 210, and electrically connects the substrate 210 and the heat sink 250. Since the heat dissipation path can be dualized through the surface-mounted heat dissipation member 270 to be connected, it has a structural advantage of improving heat dissipation characteristics.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지(200)는 전자파 차폐층(240)을 더 포함할 수 있다.In addition, the electronic component package 200 having improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention may further include an electromagnetic wave shielding layer 240 .

전자파 차폐층(240)은 열전도층(230)과 히트 싱크(250) 사이에 장착된다. 이러한 전자파 차폐층(240)은 전자 부품(220)에서 발생하는 EMI(electro magnetic interference) 노이즈를 차폐하는 역할을 한다. 일 예로, 전자파 차폐층(240)은 탄소나노튜브(carbonnano tube, CNT)와 센더스트(Sendust)를 포함할 수 있다. 또한, 전자파 차폐층(240)은 탄소나노튜브와 센더스트가 분산시키고, 탄소나노튜브와 센더스트를 지지하는 고분자 수지를 더 포함할 수 있다. 여기서, 센더스트는 알루미늄, 실리콘 및 철을 포함하는 투자율(magnetic permeability)이 높은 합금 물질이다.The electromagnetic wave shielding layer 240 is installed between the thermal conductive layer 230 and the heat sink 250 . The electromagnetic wave shielding layer 240 serves to shield electromagnetic interference (EMI) noise generated from the electronic component 220 . For example, the electromagnetic wave shielding layer 240 may include carbon nanotubes (CNT) and sendust. In addition, the electromagnetic wave shielding layer 240 may further include a polymer resin in which the carbon nanotubes and sendust are dispersed and support the carbon nanotubes and sendust. Here, sandus is an alloy material having high magnetic permeability including aluminum, silicon, and iron.

한편, 도 3은 도 2의 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도로, 도 2와 연계하여 보다 상세히 설명하도록 한다.Meanwhile, FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the surface-mounted heat dissipation member of FIG. 2, which will be described in more detail in conjunction with FIG.

도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 표면실장 방열 부재(270)는 솔더링용 금속층(272), 실리콘층(274) 및 열전도 액상 금속물질(276)을 포함한다.As shown in FIGS. 2 and 3 , the surface-mounted heat dissipation member 270 includes a soldering metal layer 272 , a silicon layer 274 and a thermally conductive liquid metal material 276 .

솔더링용 금속층(272)은 기판(210)의 일면(210a) 상에 배치되어, 표면실장 기술을 이용한 솔더링 공정에 의해 기판(210)의 그라운드 배선(215)에 전기적으로 접속되어 있을 수 있다. 이러한 솔더링용 금속층(272)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 등에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The soldering metal layer 272 may be disposed on one surface 210a of the substrate 210 and electrically connected to the ground wire 215 of the substrate 210 by a soldering process using a surface mounting technology. The metal layer 272 for soldering may be selected from copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and alloys thereof, but is limited thereto It is not.

실리콘층(274)은 솔더링용 금속층(272) 상에 적층된다. 일 예로, 실리콘층(274)은 Si로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A silicon layer 274 is stacked on the metal layer 272 for soldering. For example, the silicon layer 274 may be made of Si, but is not limited thereto.

열전도 액상 금속물질(276)은 실리콘층(274)을 관통하는 관통홀(TH) 내에 충진되어, 히트 싱크(250)에 접속된다. 이에 따라, 열전도 액상 금속물질(276)은 일단이 솔더링용 금속층(272)과 전기적으로 연결되고, 타단이 히트 싱크(250)의 하면에 전기적으로 연결된다.The thermally conductive liquid metal material 276 is filled in the through hole TH penetrating the silicon layer 274 and connected to the heat sink 250 . Accordingly, one end of the thermally conductive liquid metal material 276 is electrically connected to the soldering metal layer 272 and the other end is electrically connected to the lower surface of the heat sink 250 .

이와 같이, 열전도 액상 금속물질(276)은 실리콘층(274)의 중앙 부분을 펀칭 공정으로 제거한 관통홀(TH) 내에 충진되는 것에 의해, 표면실장 방열 부재(270)의 열전도도를 향상시키게 된다. 이를 위해, 열전도 액상 금속물질(276)은 고열전도도를 갖는 액상형 열전도 계면 물질(Liquid type thermal interface material)을 이용하는 것이 바람직하다.In this way, the thermal conductivity of the surface-mounted heat dissipation member 270 is improved by filling the through hole TH in which the central portion of the silicon layer 274 is removed by the punching process. To this end, it is preferable to use a liquid type thermal interface material having high thermal conductivity as the thermally conductive liquid metal material 276 .

만일, 표면실장 방열 부재(270)가, 실리콘층을 관통하는 관통홀을 형성하는 것 없이, 솔더링용 금속층(272)과 실리콘층(274)만을 포함하는 구조로 형성될 시에는 대략 5w/m·k의 낮은 열전도도를 갖는다.If the surface-mounted heat dissipation member 270 is formed in a structure including only the soldering metal layer 272 and the silicon layer 274 without forming a through hole penetrating the silicon layer, about 5 w/m. It has a low thermal conductivity of k.

이와 달리, 본 발명에서는 실리콘층(274)의 중앙 부분을 관통하는 관통홀(TH) 내에 고열전도도를 갖는 액상형 열전도 계면 물질로 이루어진 열전도 액상 금속물질(276)이 충진되어 있으므로, 열전달량이 많아져 대략 10배의 50 ~ 70w/m·k의 높은 열전도도를 갖게 된다.Unlike this, in the present invention, since the thermally conductive liquid metal material 276 made of a liquid thermally conductive interface material having high thermal conductivity is filled in the through hole TH penetrating the central portion of the silicon layer 274, the amount of heat transfer is increased and approximately It has a high thermal conductivity of 50 to 70 w/m k 10 times.

이 결과, 기판(210)과 히트 싱크(250)를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재(270)의 중앙 부분을 관통하는 관통홀(TH) 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질(276)이 충진되는 것에 의해, 전자 부품(220)의 작동시 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시켜 방열 효율을 극대화할 수 있게 된다.As a result, the thermally conductive liquid metal material 276 of high thermal conductivity is filled in the through hole TH penetrating the central portion of the surface-mounted heat dissipating member 270 electrically connecting the substrate 210 and the heat sink 250. As a result, heat generated during operation of the electronic component 220 can be quickly discharged to the outside to maximize heat dissipation efficiency.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 전자 부품 상에 부착된 열전도층에 의한 열방출 경로와 더불어, 기판 상의 전자 부품과 이격되도록 배치되며, 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재를 통한 열방출 경로를 추가 설계하여 이원화시켰다.As described above, the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention is arranged to be spaced apart from the electronic component on the board, together with the heat dissipation path by the thermal conductive layer attached to the electronic component, and the substrate and heat The heat dissipation path through the surface-mounted heat dissipation member that electrically connects the sink was additionally designed and dualized.

아울러, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재의 중앙 부분을 관통하는 관통홀 내에 고열전도도의 열전도 액상 금속물질이 충진되는 것에 의해, 전자 부품에서 발생하는 열을 신속하게 외부로 방출시킬 수 있게 된다.In addition, in the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention, a thermally conductive liquid metal material having high thermal conductivity is filled in a through hole penetrating the central portion of a surface-mounted heat dissipation member electrically connecting a substrate and a heat sink. As a result, it is possible to quickly dissipate heat generated from the electronic component to the outside.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 전자 부품 상에 열전도층 및 전자파 차폐층이 직접 적층되고, 전자 부품과 이격된 일측에 전자 부품과 대응되는 높이로 표면실장 방열 부재가 배치되므로, 방열 수단과 전자파 차폐 수단을 모두 구비하면서도 소형화, 경량화 및 슬림화를 도모하는 것이 가능해질 수 있다.In addition, in an electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to an embodiment of the present invention, a heat conductive layer and an electromagnetic wave shielding layer are directly laminated on an electronic component, and a surface mounted heat dissipation is mounted at a height corresponding to the electronic component on one side spaced apart from the electronic component. Since the member is disposed, it may be possible to achieve miniaturization, weight reduction, and slimness while providing both a heat dissipation means and an electromagnetic wave shielding means.

한편, 도 4는 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 평면도이며, 도 6은 도 4의 A 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.Meanwhile, FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a surface-mounted heat dissipation member according to a modified example of the present invention, FIG. 5 is an enlarged plan view of a surface-mounted heat dissipation member according to a modified example of the present invention, and FIG. It is a cross-sectional view showing an enlarged portion A in Fig. 4.

도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재(270)는 솔더링용 금속층(272), 실리콘층(274) 및 열전도 액상 금속물질(276)을 포함한다.As shown in FIGS. 4 and 5 , the surface-mounted heat dissipation member 270 according to a modified example of the present invention includes a soldering metal layer 272 , a silicon layer 274 and a thermally conductive liquid metal material 276 .

솔더링용 금속층(272)은 기판(210)의 일면(210a) 상에 배치되어, 표면실장 기술을 이용한 솔더링 공정에 의해 기판(210)의 그라운드 배선(215)에 전기적으로 접속되어 있을 수 있다. 이러한 솔더링용 금속층(272)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 등에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The soldering metal layer 272 may be disposed on one surface 210a of the substrate 210 and electrically connected to the ground wire 215 of the substrate 210 by a soldering process using a surface mounting technology. The metal layer 272 for soldering may be selected from copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and alloys thereof, but is limited thereto It is not.

이러한 솔더링용 금속층(272)은, 평면상으로 볼 때, 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.When viewed in plan, the metal layer 272 for soldering may have a rectangular shape, but is not limited thereto.

실리콘층(274)은 솔더링용 금속층(272) 상에 적층된다. 일 예로, 실리콘층(274)은 Si로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A silicon layer 274 is stacked on the metal layer 272 for soldering. For example, the silicon layer 274 may be made of Si, but is not limited thereto.

열전도 액상 금속물질(276)은 솔더링용 금속층(272) 및 실리콘층(274)을 각각 관통하는 관통홀(TH) 내에 충진되어, 히트 싱크(250)에 접속된다. 이에 따라, 열전도 액상 금속물질(276)은 일단이 기판(210)의 그라운드 배선(215)과 전기적으로 연결되고, 타단이 히트 싱크(250)의 하면에 전기적으로 연결된다.The thermally conductive liquid metal material 276 is filled in the through hole TH penetrating the soldering metal layer 272 and the silicon layer 274, respectively, and is connected to the heat sink 250. Accordingly, one end of the thermally conductive liquid metal material 276 is electrically connected to the ground wire 215 of the substrate 210 and the other end is electrically connected to the lower surface of the heat sink 250 .

아울러, 관통홀(TH)은, 평면상으로 볼 때, 솔더링용 금속층(272)과 동일한 직사각형 형상을 가질 수 있다. 이때, 열전도 액상 금속물질(276)은 고열전도도를 갖는 액상형 열전도 계면 물질(Liqud type thermal interface material)을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, the through hole TH may have the same rectangular shape as the metal layer 272 for soldering when viewed in a plan view. At this time, it is preferable to use a liquid type thermal interface material having high thermal conductivity as the thermally conductive liquid metal material 276 .

이와 같이, 본 발명의 일 변형예에서는 열전도 액상 금속물질(276)이 솔더링용 금속층(272) 및 실리콘층(274)의 중앙 부분을 펀칭 공정으로 각각 제거한 관통홀(TH) 내에 충진되는 것에 의해, 고열전도도를 갖는 열전도 액상 금속물질(276)의 충진량을 보다 더 많이 확보할 수 있게 된다.As described above, in one variation of the present invention, the heat-conducting liquid metal material 276 is filled in the through-hole TH in which central portions of the soldering metal layer 272 and the silicon layer 274 are respectively removed by a punching process, It is possible to secure a larger filling amount of the thermally conductive liquid metal material 276 having high thermal conductivity.

이 결과, 본 발명의 일 변형예에 따른 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지는 표면실장 방열 부재(270)의 중앙 부분을 모두 관통하는 관통홀(TH) 내에 충진되는 열전도 액상 금속물질(276)의 충진량 증가로 열전달량이 보다 더 많아질 수 있으므로 표면실장 방열 부재(270)의 열전도도를 극대화시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.As a result, in the electronic component package with improved heat dissipation characteristics according to one modification of the present invention, the thermally conductive liquid metal material 276 filled in the through hole TH penetrating the entire central portion of the surface-mounted heat dissipation member 270 Since the heat transfer amount can be increased due to the increase in the filling amount, the thermal conductivity of the surface-mounted heat dissipation member 270 can be maximized.

또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 표면실장 방열 부재(270)는 관통홀(TH)의 내벽에 배치된 표면처리 패턴(P)을 더 포함한다.In addition, as shown in FIG. 6 , the surface-mounted heat dissipation member 270 further includes a surface treatment pattern P disposed on an inner wall of the through hole TH.

이러한 표면처리 패턴(P)은 물리적 표면 처리 또는 화학적 표면 처리에 의해 형성될 수 있다. 표면처리 패턴(P)은, 단면상으로 볼 때, 삼각형, 사각형, 반원 등의 형상을 가질 수 있다.The surface treatment pattern P may be formed by physical surface treatment or chemical surface treatment. When viewed in cross section, the surface treatment pattern P may have a shape such as a triangle, a rectangle, or a semicircle.

표면처리 패턴(P)은 관통홀(TH)의 내벽에 형성되어, 실리콘층(274)을 관통하는 관통홀(TH)의 면적을 확장시키게 된다. 따라서, 본 발명의 일 변형예에 따른 표면실장 방열 부재(270)는 관통홀(TH)의 내벽에 배치된 표면처리 패턴(P)에 의해 관통홀(TH)의 면적을 보다 확장시킬 수 있으므로, 관통홀(TH) 내에 충진되는 열전도 액상 금속물질(276)의 충진량을 보다 더 증가시킬 수 있게 된다. 이 결과, 열전달량이 보다 더 많아질 수 있으므로 표면실장 방열 부재(270)의 열전도도를 보다 더 극대화시킬 수 있게 된다.The surface treatment pattern P is formed on the inner wall of the through hole TH to expand the area of the through hole TH penetrating the silicon layer 274 . Therefore, since the surface-mounted heat dissipation member 270 according to one modification of the present invention can further expand the area of the through hole TH by the surface treatment pattern P disposed on the inner wall of the through hole TH, The filling amount of the thermally conductive liquid metal material 276 filled in the through hole TH can be further increased. As a result, since the amount of heat transfer can be increased, the thermal conductivity of the surface-mounted heat dissipation member 270 can be further maximized.

도 7은 본 발명의 다른 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 8은 본 발명의 다른 변형예에 따른 표면실장 방열 부재를 확대하여 나타낸 평면도이다.7 is an enlarged cross-sectional view of a surface-mounted heat dissipation member according to another modified example of the present invention, and FIG. 8 is an enlarged plan view of a surface-mounted heat dissipation member according to another modified example of the present invention.

도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다른 변형예에 따른 표면실장 방열 부재(270)는 솔더링용 금속층(272), 실리콘층(274) 및 열전도 액상 금속물질(276)을 포함한다.As shown in FIGS. 7 and 8 , a surface-mounted heat dissipation member 270 according to another modified example of the present invention includes a soldering metal layer 272, a silicon layer 274, and a thermally conductive liquid metal material 276.

솔더링용 금속층(272)은 기판(210)의 일면(210a) 상에 배치되어, 표면실장 기술을 이용한 솔더링 공정에 의해 기판(210)의 그라운드 배선(215)에 전기적으로 접속되어 있을 수 있다. 이러한 솔더링용 금속층(272)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 등에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The soldering metal layer 272 may be disposed on one surface 210a of the substrate 210 and electrically connected to the ground wire 215 of the substrate 210 by a soldering process using a surface mounting technology. The metal layer 272 for soldering may be selected from copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), nickel (Ni), and alloys thereof, but is limited thereto It is not.

이러한 솔더링용 금속층(272)은, 평면상으로 볼 때, 직사각형 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.When viewed in plan, the metal layer 272 for soldering may have a rectangular shape, but is not limited thereto.

실리콘층(274)은 솔더링용 금속층(272) 상에 적층된다. 일 예로, 실리콘층(274)은 Si로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A silicon layer 274 is stacked on the metal layer 272 for soldering. For example, the silicon layer 274 may be made of Si, but is not limited thereto.

복수의 열전도 액상 금속물질(276)은 상호 이격되도록 배치되며, 솔더링용 금속층(272) 및 실리콘층(274)을 각각 관통하는 복수의 관통홀(TH) 내에 충진되어, 히트 싱크(250)에 접속된다. 이에 따라, 복수의 열전도 액상 금속물질(276)은 일단이 기판(210)의 그라운드 배선(215)과 전기적으로 연결되고, 타단이 히트 싱크(250)의 하면에 전기적으로 연결된다.The plurality of thermally conductive liquid metal materials 276 are disposed to be spaced apart from each other, and are filled in the plurality of through holes TH penetrating the soldering metal layer 272 and the silicon layer 274, respectively, and connected to the heat sink 250. do. Accordingly, one end of the plurality of thermally conductive liquid metal materials 276 is electrically connected to the ground wire 215 of the substrate 210 and the other end is electrically connected to the lower surface of the heat sink 250 .

아울러, 관통홀(TH)은, 평면상으로 볼 때, 원 형상을 가질 수 있다. 이때, 열전도 액상 금속물질(276)은 고열전도도를 갖는 액상형 열전도 계면 물질(Liqud type thermal interface material)을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, the through hole TH may have a circular shape when viewed in plan view. At this time, it is preferable to use a liquid type thermal interface material having high thermal conductivity as the thermally conductive liquid metal material 276 .

본 발명의 다른 변형예에서는 상호 이격되는 복수의 열전도 액상 금속물질(276)이 솔더링용 금속층(272) 및 실리콘층(274)의 중앙 부분을 펀칭 공정으로 각각 제거한 관통홀(TH) 내에 충진된다.In another modified example of the present invention, a plurality of thermally conductive liquid metal materials 276 spaced apart from each other are filled in the through holes TH in which central portions of the soldering metal layer 272 and the silicon layer 274 are respectively removed by a punching process.

이와 같이, 본 발명의 다른 변형예에서는 복수의 열전도 액상 금속물질(276)이 복수의 관통홀(TH) 내에 상호 이격되도록 충진되는 것에 의해, 열 방출 경로가 보다 더 많아져 전자 부품(220)의 작동시 방출되는 열을 보다 안정적으로 히트 싱크(250)로 방열시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.As described above, in another modified example of the present invention, since the plurality of heat-conducting liquid metal materials 276 are filled to be spaced apart from each other in the plurality of through holes TH, the number of heat dissipation paths increases and the electronic component 220 It has a structural advantage of dissipating heat emitted during operation to the heat sink 250 more stably.

200 : 전자 부품 패키지
210 : 기판
215 : 그라운드 배선
220 : 전자 부품
230 : 열전도층
240 : 전자파 차폐층
250 : 히트 싱크
260 : 쉴드캔
270 : 표면실장 방열 부재
200: electronic component package
210: substrate
215: ground wiring
220: electronic components
230: heat conduction layer
240: electromagnetic wave shielding layer
250: heat sink
260: shield can
270: surface mounted heat dissipation member

Claims (8)

기판;
상기 기판 상에 실장된 전자 부품;
상기 전자 부품 상에 부착된 열전도층;
상기 열전도층 상에 장착된 히트 싱크;
상기 전자 부품을 커버하도록 상기 기판 상에 장착되어, 상기 히트 싱크를 지지하는 쉴드캔; 및
상기 기판 상의 전자 부품과 이격되도록 배치되며, 상기 기판과 히트 싱크를 전기적으로 접속시키는 표면실장 방열 부재;를 포함하며,
상기 표면실장 방열 부재는 상기 기판 상에 배치되어, 상기 기판의 그라운드 배선에 접속되는 솔더링용 금속층; 상기 솔더링용 금속층 상에 적층된 실리콘층; 및 상기 솔더링용 금속층 및 실리콘층을 각각 관통하는 관통홀 내에 충진되어, 상기 히트 싱크에 접속되는 열전도 액상 금속물질;을 포함하고,
상기 열전도 액상 금속물질은 액상형 열전도 계면 물질(Liquid TIM)이고,
상기 열전도 액상 금속물질은 상기 솔더링용 금속층 및 실리콘층의 중앙 부분을 펀칭 공정으로 각각 제거하여, 상기 솔더링용 금속층 및 실리콘층을 각각 관통하는 관통홀 내에 충진되어, 상기 히트 싱크에 직접 접속되고,
상기 표면실장 방열 부재는 관통홀의 내측 벽면 전체에 물리적 표면 처리 또는 화학적 표면 처리에 의해 수직 방향을 따라 형성된 표면처리 패턴을 더 포함하며, 상기 표면처리 패턴은, 단면상으로 볼 때, 삼각형, 사각형 및 반원 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지.
Board;
an electronic component mounted on the substrate;
a heat conduction layer attached on the electronic component;
a heat sink mounted on the thermal conductive layer;
a shield can mounted on the substrate to cover the electronic component and supporting the heat sink; and
A surface-mounted heat dissipation member disposed to be spaced apart from the electronic component on the substrate and electrically connecting the substrate and the heat sink;
The surface-mounted heat dissipation member may include a soldering metal layer disposed on the substrate and connected to a ground wire of the substrate; a silicon layer stacked on the metal layer for soldering; and a thermally conductive liquid metal material filled in through-holes penetrating the soldering metal layer and the silicon layer, respectively, and connected to the heat sink,
The thermally conductive liquid metal material is a liquid thermally conductive interface material (Liquid TIM),
The heat-conducting liquid metal material is filled in through-holes penetrating the soldering metal layer and the silicon layer by removing central portions of the soldering metal layer and the silicon layer by a punching process, respectively, and is directly connected to the heat sink,
The surface-mounted heat dissipation member further includes a surface treatment pattern formed in a vertical direction by physical surface treatment or chemical surface treatment on the entire inner wall of the through hole, and the surface treatment patterns are triangular, square, and semicircular when viewed in cross section. An electronic component package having improved heat dissipation characteristics, characterized in that it has any one of the shapes.
제1항에 있어서,
상기 열전도층은
열전도 계면 물질(TIM)로 형성된 것을 특징으로 하는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지.
According to claim 1,
The heat conduction layer is
An electronic component package with improved heat dissipation characteristics, characterized in that it is formed of a thermally conductive interface material (TIM).
제1항에 있어서,
상기 히트 싱크는
방열 파이프, 방열 플레이트 및 방열 브라켓 중 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지.
According to claim 1,
the heat sink
An electronic component package with improved heat dissipation characteristics, comprising at least one selected from a heat dissipation pipe, a heat dissipation plate, and a heat dissipation bracket.
제1항에 있어서,
상기 전자 부품 패키지는
상기 열전도층과 히트 싱크 사이에 장착된 전자파 차폐층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 특성을 향상시킨 전자 부품 패키지.
According to claim 1,
The electronic component package
an electromagnetic wave shielding layer mounted between the heat conducting layer and the heat sink;
Electronic component package with improved heat dissipation characteristics, characterized in that it further comprises.
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