KR102520936B1 - Display device using semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR102520936B1
KR102520936B1 KR1020160022074A KR20160022074A KR102520936B1 KR 102520936 B1 KR102520936 B1 KR 102520936B1 KR 1020160022074 A KR1020160022074 A KR 1020160022074A KR 20160022074 A KR20160022074 A KR 20160022074A KR 102520936 B1 KR102520936 B1 KR 102520936B1
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Abstract

본 발명은 디스플레이 패널의 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 디스플레이 장치 및 그 제어 방법을 제공하기 위한 것으로서, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 스캔 전극으로 이루어진 스캔 라인과 전기적으로 연결되도록 배열된 복수의 반도체 발광소자들을 포함하는 디스플레이부; 상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하고, 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱하는 제어부를 포함할 수 있다.The present invention is to provide a display device that senses a touch using electrodes of a display panel and a method for controlling the same. The display device according to the present invention includes a plurality of scan electrodes arranged to be electrically connected to a scan line. a display unit including semiconductor light emitting elements of; During the display driving time for driving the display unit, a drive signal is sequentially applied to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes, and while a drive signal is sequentially applied to the first group of scan electrodes, the first A control unit sensing a touch input using a scan electrode group and a scan electrode spaced apart from a second group may be included.

Description

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Display device using a semiconductor light emitting device {DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a semiconductor light emitting device.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박막형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다. 그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.Recently, display devices having excellent characteristics such as thin film and flexible are being developed in the field of display technology. In contrast, currently commercialized major displays are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes). However, in the case of LCD, there are problems in that the response time is not fast and implementation of flexibility is difficult, and in the case of AMOLED, short lifespan, mass production yield is not good, and the degree of flexibility is weak.

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. On the other hand, Light Emitting Diode (LED) is a well-known semiconductor light emitting device that converts current into light. Starting with the commercialization of red LEDs using GaAsP compound semiconductors in 1962, information has been growing along with GaP:N series green LEDs. It has been used as a light source for display images in electronic devices including communication devices. Accordingly, a method for solving the above problem by implementing a flexible display using the semiconductor light emitting device may be proposed.

또한, 이러한 디스플레이 장치에는, 슬림화(slim化)가 가속되면서 박막 디스플레이 기술 개발이 중요한 부분이 되었다. 더불어 디스플레이 화면에서 손가락 또는 펜 등을 이용해 제어가 가능한 터치스크린 개발 또한 현대 산업에 중요한 부분이다. 한편, 보편적인 터치 스크린 구동은, 디스플레이 구동시간과 터치 구동시간을 나누어 구동하는데, 디스플레이 구동시간 중에는 디스플레이 패널 노이즈가 터치센서로 유기되어 터치 인식 시 실패할 확률이 높기 때문에 터치회로는 구동하지 않는다. 그리고 터치구동 시간에는 터치인식을 하기 위해 디스플레이 구동을 하지 않는다. 그러나 이러한 시분할의 경우 터치구동시간에 디스플레이가 발광하지 못하기 때문에 단위 프레임내 발광시간이 감소하게 되며 디스플레이 최대 휘도가 감소한다.In addition, in these display devices, thin film display technology development has become an important part as slimming has been accelerated. In addition, the development of a touch screen that can be controlled using a finger or pen on the display screen is also an important part of the modern industry. On the other hand, general touch screen driving is driven by dividing the display driving time and the touch driving time. During the display driving time, the touch circuit is not driven because the display panel noise is induced to the touch sensor and there is a high probability of failure in recognizing the touch. Also, during the touch driving time, display driving is not performed to recognize the touch. However, in this case of time division, since the display does not emit light during the touch driving time, the light emission time within a unit frame decreases and the maximum luminance of the display decreases.

본 발명의 일 목적은, 디스플레이 패널의 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.One object of the present invention is to provide a display device that senses a touch using an electrode of a display panel.

또한, 본 발명의 다른 일 목적은, 터치 센싱을 위한 전극에 유기되는 노이즈를 최소화할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a display device capable of minimizing noise induced by electrodes for touch sensing.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 스캔 전극으로 이루어진 스캔 라인과 전기적으로 연결되도록 배열된 복수의 반도체 발광소자들을 포함하는 디스플레이부; 상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하고, 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱하는 제어부를 포함할 수 있다.A display device according to the present invention includes a display unit including a plurality of semiconductor light emitting elements arranged to be electrically connected to a scan line composed of a plurality of scan electrodes; During the display driving time for driving the display unit, a drive signal is sequentially applied to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes, and while a drive signal is sequentially applied to the first group of scan electrodes, the first A control unit sensing a touch input using a scan electrode group and a scan electrode spaced apart from a second group may be included.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제2 그룹의 스캔 전극의 정전용량 변화를 근거로 상기 터치 입력을 센싱할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the control unit may sense the touch input based on a change in capacitance of the scan electrodes of the second group while sequentially applying a driving signal to the scan electrodes of the first group. there is.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에, 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 미리설정된 거리만큼 이격된 위치에 존재하는 상기 제2 그룹의 스캔 전극을 포함하는 영역을 터치 센싱 영역으로 설정할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, while sequentially applying a driving signal to the first group of scan electrodes, the control unit is located at a position spaced apart from the first group of scan electrodes by a predetermined distance. An area including two groups of scan electrodes may be set as a touch sensing area.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 미리설정된 거리는 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가함으로써 발생하는 노이즈가 최소화되는 이격거리일 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the preset distance may be a separation distance that minimizes noise generated by sequentially applying a driving signal to the scan electrodes of the first group.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 디스플레이부 상에 배치되고, 복수의 터치 센싱 영역을 포함하는 터치 센서부를 더 포함할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, a touch sensor unit disposed on the display unit and including a plurality of touch sensing areas may be further included.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 터치 센서부는, 상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간 동안에, 상기 복수의 터치 센싱 영역 중에서 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 대향하는 제1 터치 센싱 영역에서 상기 터치 입력을 센싱할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the touch sensor unit touches a first touch sensing area facing the scan electrode of the first group among the plurality of touch sensing areas during a display driving time for driving the display unit. input can be sensed.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 제2 그룹의 스캔 전극을 통해 상기 터치 입력이 센싱되고, 동시에 상기 제1 터치 센싱 영역에서 상기 터치 입력이 센싱될 때만 상기 터치 입력을 유효한 터치 입력으로 결정할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the control unit determines that the touch input is effective only when the touch input is sensed through the second group of scan electrodes and at the same time the touch input is sensed in the first touch sensing area. input can be determined.

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 사용자 요청에 따라 상기 터치 센서부를 이용하여 터치를 센싱하는 제1 터치 모드 및 상기 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 제2 터치 모드를 표시부에 표시할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the control unit sets a first touch mode for sensing a touch using the touch sensor unit and a second touch mode for sensing a touch using a scan electrode of the display unit according to a user request to the display unit. can be displayed on

본 발명에 따른 실시 예에 있어서, 상기 제어부는, 상기 터치 센서부의 고정 여부를 주기적으로 검출하고, 상기 터치 센서부가 고장일 때 자동적으로 상기 제2 터치 모드를 선택할 수 있다.In an embodiment according to the present invention, the controller may periodically detect whether the touch sensor unit is fixed, and automatically select the second touch mode when the touch sensor unit is out of order.

본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제어 방법은, 디스플레이 장치를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하고, 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱할 수 있다.A method for controlling a display device according to the present invention includes sequentially applying a drive signal to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes at a display driving time for driving the display device, and applying a driving signal to the first group of scan electrodes. While sequentially applying a driving signal, a touch input may be sensed using a scan electrode of the first group and a scan electrode of a second group spaced apart from each other.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 터치 센서부없이, 디스플레이부의 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 터치 센싱을 위한 전극에 유기되는 노이즈를 최소화할 수 있다.In the display device according to the present invention, noise induced by electrodes for touch sensing can be minimized by sensing a touch input using electrodes of the display unit without a touch sensor unit.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 터치 센서부없이, 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 디스플레이 장치의 두께를 줄일 수도 있다.In the display device according to the present invention, the thickness of the display device may be reduced by sensing a touch input using the scan electrode of the display unit without a touch sensor unit.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 디스플레이부의 스캔 전극뿐만 아니라 터치 센서부의 터치 센싱 영역(터치 센서 전극 어레이)도 함께 이용함으로써 터치 정확도를 향상시킬 수도 있다.In the display device according to the present invention, touch accuracy may be improved by using not only the scan electrodes of the display unit but also the touch sensing region (touch sensor electrode array) of the touch sensor unit.

본 발명의 실시예에서는 사용자가 요청에 따라 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하거나 터치 센서부를 이용하여 터치를 센싱할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a user may sense a touch using the scan electrode of the display unit or the touch sensor unit according to a user's request.

본 발명의 실시예에서는 터치센서부가 고장일 때 자동으로 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱할 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the touch sensor unit fails, a touch may be automatically sensed using the scan electrode of the display unit.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10 및 도 11은 터치센서가 더 구비된 디스플레이 장치의 일 예를 나타내는 개념도들이다.
도 12는 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서 복수의 터치 센서 영역을 설명하기 위한 개념도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 디스플레 장치에서 터치센서 구동방식을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 15 내지 도 18은 본 발명에 따른 디스플레이부의 스캔 전극을 나타낸 도들이다.
도 19는 본 발명에 따른 디스플레이부의 스캔 전극과 터치 센서부를 나타낸 도이다.
1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device according to the present invention.
FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1 , and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines BB and CC of FIG. 2 .
FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3A.
5A to 5C are conceptual diagrams illustrating various forms of implementing color in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
6 is cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 7 .
FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating the vertical type semiconductor light emitting device of FIG. 8 .
10 and 11 are conceptual diagrams illustrating an example of a display device further provided with a touch sensor.
12 is a conceptual diagram for explaining a plurality of touch sensor areas in a display device according to the present invention.
13 and 14 are conceptual diagrams for explaining a touch sensor driving method in a display device according to the present invention.
15 to 18 are diagrams illustrating scan electrodes of a display unit according to the present invention.
19 is a diagram illustrating a scan electrode and a touch sensor unit of a display unit according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar elements are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used together in consideration of ease of writing the specification, and do not have meanings or roles that are distinct from each other by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the embodiment disclosed in this specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, it should be noted that the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in this specification by the accompanying drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another element, it may be directly on the other element or intervening elements may exist therebetween. There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display devices described in this specification include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation devices, and slate PCs. , Tablet PC, Ultra Book, digital TV, desktop computer, etc. However, those skilled in the art will readily recognize that the configuration according to the embodiment described in this specification may be applied to a device capable of displaying even a new product type to be developed in the future.

도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device according to the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. According to the illustration, information processed by the controller of the display device 100 may be displayed using a flexible display.

플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.The flexible display includes a display that can be bent, bent, twisted, folded, or rolled by an external force. For example, a flexible display may be a display manufactured on a thin and flexible substrate that can be bent, bent, folded, or rolled like paper while maintaining display characteristics of a conventional flat panel display.

상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 R(Red), G(Green), B(Blue)의 조합에 의해 형성되는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.In a state in which the flexible display is not bent (eg, a state in which the radius of curvature is infinite, hereinafter referred to as a first state), the display area of the flexible display is flat. In a state bent by an external force in the first state (eg, a state having a finite radius of curvature, hereinafter referred to as a second state), the display area may be a curved surface. As shown, information displayed in the second state may be visual information output on a curved surface. This visual information is implemented by independently controlling light emission of sub-pixels arranged in a matrix form. The unit pixel means a minimum unit for realizing one color formed by a combination of R (Red), G (Green), and B (Blue).

상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.A unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as a type of semiconductor light emitting device that converts current into light. The light emitting diode is formed in a small size, and through this, it can serve as a unit pixel even in the second state.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode will be described in more detail with reference to drawings.

도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 내지 도 3b는 도 2의 라인 B-B를 따라 취한 단면도이며, 도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1 , FIGS. 3A to 3B are cross-sectional views taken along line B-B of FIG. 2 , FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3 , and FIG. 5A 5C are conceptual diagrams illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.

도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.Referring to FIGS. 2, 3A and 3B , the display device 100 using a semiconductor light emitting device of a passive matrix (PM) type is exemplified as the display device 100 using a semiconductor light emitting device. However, the example described below is also applicable to an active matrix (AM) type semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.The display device 100 includes a substrate 110, a first electrode 120, a conductive adhesive layer 130, a second electrode 140, and a plurality of semiconductor light emitting devices 150.

기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.The substrate 110 may be a flexible substrate. For example, in order to implement a flexible display device, the substrate 110 may include glass or polyimide (PI). In addition, as long as it is an insulating and flexible material, for example, PEN (Polyethylene Naphthalate), PET (Polyethylene Terephthalate), etc. may be used. In addition, the substrate 110 may be any transparent material or opaque material.

상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.The substrate 110 may be a wiring board on which the first electrode 120 is disposed, and thus the first electrode 120 may be positioned on the substrate 110 .

도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.According to the illustration, the insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is located, and the auxiliary electrode 170 may be located on the insulating layer 160 . In this case, a state in which the insulating layer 160 is stacked on the substrate 110 may become one wiring substrate. More specifically, the insulating layer 160 is made of an insulating and flexible material such as polyimide (PI, Polyimide), PET, PEN, etc., and may be integrally formed with the substrate 110 to form a single substrate.

보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.The auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150, and is located on the insulating layer 160 and is disposed corresponding to the position of the first electrode 120. For example, the auxiliary electrode 170 has a dot shape and may be electrically connected to the first electrode 120 through an electrode hole 171 penetrating the insulating layer 160 . The electrode hole 171 may be formed by filling the via hole with a conductive material.

본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.Referring to the drawings, a conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160, but the present invention is not necessarily limited thereto. For example, a layer performing a specific function is formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130, or the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160. It is also possible. In a structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110, the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.

상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.The conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity, and for this purpose, a material having conductivity and a material having adhesiveness may be mixed in the conductive adhesive layer 130 . In addition, the conductive adhesive layer 130 has ductility, and through this, a flexible function is possible in the display device.

이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).As an example, the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like. The conductive adhesive layer 130 may be configured as a layer that allows electrical interconnection in the Z direction penetrating the thickness but has electrical insulation properties in the horizontal X-Y direction. Accordingly, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (however, it will be referred to as a 'conductive adhesive layer' hereinafter).

상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.The anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion becomes conductive by the anisotropic conductive medium. Hereinafter, it will be described that heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, but other methods are also possible for the anisotropic conductive film to partially have conductivity. This method may be, for example, applying only one of the heat and pressure or UV curing.

또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.Also, the anisotropic conductive medium may be, for example, conductive balls or conductive particles. According to the illustration, in this example, the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion has conductivity by the conductive balls. The anisotropic conductive film may be in a state in which a core of a conductive material contains a plurality of particles covered by an insulating film made of polymer, and in this case, the portion to which heat and pressure are applied becomes conductive by the core as the insulating film is destroyed. . At this time, the shape of the core is deformed to form layers that contact each other in the thickness direction of the film. As a more specific example, heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and electrical connection in the Z-axis direction is partially formed due to a difference in height between the counterparts adhered by the anisotropic conductive film.

다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.As another example, the anisotropic conductive film may be in a state in which a plurality of particles coated with a conductive material are contained in an insulating core. In this case, the portion to which heat and pressure are applied deforms (presses) the conductive material and becomes conductive in the thickness direction of the film. As another example, a form in which the conductive material passes through the insulating base member in the Z-axis direction to have conductivity in the thickness direction of the film is also possible. In this case, the conductive material may have sharp ends.

도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.According to the drawing, the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film configured in a form in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member (fixed array ACF). More specifically, the insulating base member is formed of a material having adhesive properties, and the conductive balls are intensively disposed on the bottom portion of the insulating base member, and when heat and pressure are applied from the base member, the conductive balls are deformed together. conduction in the vertical direction.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and the anisotropic conductive film has a form in which conductive balls are randomly mixed in an insulating base member, or a form in which conductive balls are disposed on any one layer composed of a plurality of layers (double- ACF), etc. are all possible.

이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 파티클(particle) 혹은 나노(nano) 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.The anisotropic conductive paste is a combination of paste and conductive balls, and may be a paste in which conductive balls are mixed with an insulating and adhesive base material. In addition, the solution containing conductive particles may be a solution containing conductive particles or nano particles.

다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.Referring back to the drawing, the second electrode 140 is spaced apart from the auxiliary electrode 170 and positioned on the insulating layer 160 . That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are located.

절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다. After forming the conductive adhesive layer 130 with the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 positioned on the insulating layer 160, the semiconductor light emitting device 150 is connected in a flip chip form by applying heat and pressure. , the semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140 .

도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.

예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156, a p-type semiconductor layer 155 on which the p-type electrode 156 is formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, and an active layer ( 154), an n-type semiconductor layer 153 formed on the n-type semiconductor layer 153, and an n-type electrode 152 spaced apart from the p-type electrode 156 in a horizontal direction. In this case, the p-type electrode 156 may be electrically connected to the auxiliary electrode 170 through the conductive adhesive layer 130, and the n-type electrode 152 may be electrically connected to the second electrode 140.

다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring back to FIGS. 2 , 3A and 3B , the auxiliary electrode 170 may be formed long in one direction, so that one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150 . For example, p-type electrodes of left and right semiconductor light emitting elements centered on the auxiliary electrode may be electrically connected to one auxiliary electrode.

보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.More specifically, the semiconductor light emitting device 150 is press-fitted into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, and through this, a gap between the p-type electrode 156 and the auxiliary electrode 170 of the semiconductor light emitting device 150 is formed. Only the portion and the portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 have conductivity, and the other portion does not have conductivity because the semiconductor light emitting device is not press-fitted. In this way, the conductive adhesive layer 130 not only mutually couples the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and between the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140, but also forms an electrical connection.

또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다. In addition, the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitutes a light emitting device array, and a phosphor layer 180 is formed in the light emitting device array.

발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 조합(또는 그룹화)되어 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device array may include a plurality of semiconductor light emitting devices having different luminance values. Each semiconductor light emitting device 150 is combined (or grouped) to form a unit pixel, and is electrically connected to the first electrode 120 . For example, the number of first electrodes 120 may be plural, the semiconductor light emitting elements may be arranged in several rows, and the semiconductor light emitting elements of each row may be electrically connected to one of the plurality of first electrodes.

또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.In addition, since the semiconductor light emitting elements are connected in a flip chip form, semiconductor light emitting elements grown on a transparent dielectric substrate can be used. Also, the semiconductor light emitting devices may be, for example, nitride semiconductor light emitting devices. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 반도체 발광 소자들을 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the drawing, barrier ribs 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 . In this case, the barrier rib 190 may serve to separate the semiconductor light emitting elements from each other and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130 . For example, by inserting the semiconductor light emitting device 150 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the barrier rib.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.In addition, if the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier rib 190 may have reflective properties and increase contrast even without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.As another example, a reflective barrier rib may be separately provided as the barrier rib 190 . In this case, the barrier rib 190 may include a black or white insulator according to the purpose of the display device. When the barrier rib of the white insulator is used, reflectivity may be increased, and when the barrier rib of the black insulator is used, the contrast ratio may be increased while having a reflective characteristic.

형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발생하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다. The phosphor layer 180 may be positioned on an outer surface of the semiconductor light emitting device 150 . For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that generates blue (B) light, and the phosphor layer 180 performs a function of converting the blue (B) light into a color of a unit pixel. The phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.That is, a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting element 151 at a position forming a red unit pixel, and a position forming a green unit pixel. In , a green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 151 . In addition, only the blue semiconductor light emitting element 151 may be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, red (R), green (G), and blue (B) unit pixels may form one pixel. More specifically, phosphors of one color may be stacked along each line of the first electrode 120 . Accordingly, one line in the first electrode 120 may be an electrode for controlling one color. That is, red (R), green (G), and blue (B) colors may be sequentially disposed along the second electrode 140, and through this, a unit pixel may be implemented.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and a unit pixel emitting red (R), green (G), and blue (B) light by combining the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot (QD) instead of a phosphor can be implemented

또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. In addition, a black matrix 191 may be disposed between each phosphor layer to improve contrast. That is, the black matrix 191 can improve the contrast between light and dark.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and other structures for realizing blue, red, and green may be applied.

도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 5A , each semiconductor light emitting device 150 is mainly made of gallium nitride (GaN), and indium (In) and/or aluminum (Al) are added together to emit high-output light emitting various lights including blue. It can be implemented as an element.

이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device 150 may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a sub-pixel, respectively. For example, red, green, and blue semiconductor light emitting devices R, G, and B are alternately disposed, and red, green, and blue unit pixels are provided by the red, green, and blue semiconductor light emitting devices. These form one pixel, and through this, a full color display can be implemented.

도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 5B , the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W including a yellow phosphor layer for each device. In this case, in order to form a unit pixel, a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting device W. In addition, a unit pixel may be formed by using a color filter in which red, green, and blue colors are repeated on the white light emitting element W.

도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.Referring to FIG. 5C , a structure in which a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 are provided on the ultraviolet light emitting device UV is also possible. In this way, the semiconductor light emitting device can be used in the entire range of visible light as well as ultraviolet (UV), and can be expanded to a semiconductor light emitting device in which ultraviolet (UV) can be used as an excitation source of an upper phosphor. .

본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Looking again at this example, the semiconductor light emitting device 150 is positioned on the conductive adhesive layer 130 to constitute a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. Each semiconductor light emitting device 150 may have a side length of 80 μm or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, it may be 20 X 80 μm or less in size.

또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.In addition, even when a square semiconductor light emitting device 150 having a side length of 10 μm is used as a unit pixel, sufficient brightness is obtained to form a display device. Therefore, in the case where the size of a unit pixel is a rectangular pixel having one side of 600 μm and the other side of 300 μm, for example, the distance between the semiconductor light emitting devices is relatively large. Accordingly, in this case, it is possible to implement a flexible display device having HD quality.

상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.The display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a new type of manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6 .

도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.

본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. Referring to this figure, first, a conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 where the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned. The insulating layer 160 is stacked on the first substrate 110 to form one substrate (or wiring board), and the first electrode 120, the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are formed on the wiring board. this is placed In this case, the first electrode 120 and the second electrode 140 may be disposed in directions orthogonal to each other. In addition, in order to implement a flexible display device, each of the first substrate 110 and the insulating layer 160 may include glass or polyimide (PI).

상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.The conductive adhesive layer 130 may be implemented by, for example, an anisotropic conductive film, and for this purpose, the anisotropic conductive film may be applied to the substrate on which the insulating layer 160 is positioned.

다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.Next, the second substrate 112 on which the plurality of semiconductor light emitting devices 150 corresponding to the positions of the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 and constituting individual pixels is located is disposed on the semiconductor light emitting device 150. ) is disposed to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140.

이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.In this case, the second substrate 112 is a growth substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is grown, and may be a sapphire substrate or a silicon substrate.

상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.When the semiconductor light emitting device is formed in a wafer unit, it can be effectively used in a display device by having a gap and a size that can achieve a display device.

그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.Then, the wiring substrate and the second substrate 112 are thermally compressed. For example, the wiring board and the second board 112 may be thermally compressed by applying an ACF press head. The wiring substrate and the second substrate 112 are bonded by the thermal compression bonding. Due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermal compression, only the portion between the semiconductor light emitting device 150, the auxiliary electrode 170, and the second electrode 140 has conductivity, and through this, the electrodes and semiconductor light emitting Element 150 may be electrically connected. At this time, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, through which a barrier rib may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 .

그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.Then, the second substrate 112 is removed. For example, the second substrate 112 may be removed using a laser lift-off (LLO) or chemical lift-off (CLO) method.

마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(도시하지 않음)을 형성할 수 있다. Finally, the second substrate 112 is removed to expose the semiconductor light emitting devices 150 to the outside. If necessary, a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating silicon oxide (SiOx) or the like on the wiring substrate to which the semiconductor light emitting device 150 is bonded.

또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발생하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.In addition, a step of forming a phosphor layer on one surface of the semiconductor light emitting device 150 may be further included. For example, the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that generates blue (B) light, and a red or green phosphor for converting the blue (B) light into a color of a unit pixel is the blue semiconductor light emitting device. A layer may be formed on one side of the device.

이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.The manufacturing method or structure of the display device using the semiconductor light emitting device described above may be modified in various forms. As an example, a vertical type semiconductor light emitting device may also be applied to the display device described above. Hereinafter, a vertical structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6 .

또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. In addition, in the modified examples or embodiments described below, the same or similar reference numerals are assigned to components identical or similar to those in the previous example, and the description is replaced with the first description.

도 7은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line C-C of FIG. 7, and FIG. 9 shows the vertical semiconductor light emitting device of FIG. it is a concept

본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.Referring to the drawings, a display device may be a display device using a passive matrix (PM) type vertical semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.The display device includes a substrate 210, a first electrode 220, a conductive adhesive layer 230, a second electrode 240, and a plurality of semiconductor light emitting devices 250.

기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.The substrate 210 is a wiring board on which the first electrode 220 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device. In addition, any insulating and flexible material may be used.

제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.The first electrode 220 is positioned on the substrate 210 and may be formed as a bar-shaped electrode that is long in one direction. The first electrode 220 may serve as a data electrode.

전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.The conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 where the first electrode 220 is located. Like a display device to which a flip chip type light emitting element is applied, the conductive adhesive layer 230 includes an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, and a solution containing conductive particles. ) and so on. However, in this embodiment, a case in which the conductive adhesive layer 230 is implemented by an anisotropic conductive film is exemplified.

기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치될 수 있다.After the anisotropic conductive film is placed on the substrate 210 in a state where the first electrode 220 is located, when the semiconductor light emitting device 250 is connected by applying heat and pressure, the semiconductor light emitting device 250 first It is electrically connected to the electrode 220. In this case, the semiconductor light emitting device 250 may be disposed on the first electrode 220 .

상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.As described above, the electrical connection is generated because the anisotropic conductive film partially has conductivity in the thickness direction when heat and pressure are applied. Accordingly, the anisotropic conductive film is divided into a conductive portion 231 and a non-conductive portion 232 in the thickness direction.

또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.In addition, since the anisotropic conductive film contains an adhesive component, the conductive adhesive layer 230 implements mechanical coupling as well as electrical connection between the semiconductor light emitting device 250 and the first electrode 220 .

이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.As such, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230, and constitutes an individual pixel in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. Each semiconductor light emitting device 250 may have a side length of 80 μm or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, it may be 20 X 80 μm or less in size.

상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.The semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.

수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.Between the vertical semiconductor light emitting devices, a plurality of second electrodes 240 disposed in a direction crossing the longitudinal direction of the first electrode 220 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250 are positioned.

도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Referring to FIG. 9 , the vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256, a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256, and an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255. ), an n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254, and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253. In this case, the p-type electrode 256 located at the bottom may be electrically connected to the first electrode 220 by the conductive adhesive layer 230, and the n-type electrode 252 located at the top may be electrically connected to the second electrode 240, which will be described later. ) and electrically connected. The vertical type semiconductor light emitting device 250 has a great advantage in that the chip size can be reduced because the electrodes can be arranged vertically.

다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발생하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.Referring back to FIG. 8 , a phosphor layer 280 may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device 250 . For example, the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that generates blue (B) light, and includes a phosphor layer 280 for converting the blue (B) light into a color of a unit pixel. It can be. In this case, the phosphor layer 280 may include a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting element 251 at a position forming a red unit pixel, and a position forming a green unit pixel. In , a green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device 251 . In addition, only the blue semiconductor light emitting element 251 may be used alone in a portion constituting a blue unit pixel. In this case, red (R), green (G), and blue (B) unit pixels may form one pixel.

다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and as described above in a display device to which a flip chip type light emitting element is applied, other structures for realizing blue, red, and green may be applied.

다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다. Referring again to this embodiment, the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250 and electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250 . For example, the semiconductor light emitting devices 250 may be arranged in a plurality of columns, and the second electrode 240 may be positioned between the columns of the semiconductor light emitting devices 250 .

개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다. Since the distance between the semiconductor light emitting devices 250 forming individual pixels is sufficiently large, the second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 .

제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.The second electrode 240 may be formed as an electrode in the form of a bar long in one direction, and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.

또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2 전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2 전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected by a connection electrode protruding from the second electrode 240 . More specifically, the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 . For example, the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a portion of the ohmic electrode by printing or deposition. Through this, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected.

도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.According to the drawing, the second electrode 240 may be positioned on the conductive adhesive layer 230 . In some cases, a transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed. When the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer. Also, the second electrode 240 may be formed to be spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.

만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.If a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is used to position the second electrode 240 on the semiconductor light emitting device 250, the ITO material has a problem of poor adhesion to the n-type semiconductor layer. there is. Accordingly, the present invention has the advantage of not having to use a transparent electrode such as ITO by placing the second electrode 240 between the semiconductor light emitting devices 250 . Accordingly, the light extraction efficiency can be improved by using a conductive material having good adhesion to the n-type semiconductor layer as a horizontal electrode without being restricted in selecting a transparent material.

도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다. According to the drawing, barrier ribs 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250 . That is, barrier ribs 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 constituting individual pixels. In this case, the barrier rib 290 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 230 . For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the barrier rib.

또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.In addition, when the base member of the anisotropic conductive film is black, the barrier rib 290 may have reflective characteristics and increase contrast even without a separate black insulator.

다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.As another example, a reflective barrier rib may be separately provided as the barrier rib 190 . The barrier rib 290 may include a black or white insulator according to the purpose of the display device.

만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.If the second electrode 240 is directly positioned on the conductive adhesive layer 230 between the semiconductor light emitting devices 250, the barrier rib 290 is formed between the vertical semiconductor light emitting device 250 and the second electrode 240. can be placed in between. Therefore, by using the semiconductor light emitting device 250, individual unit pixels can be formed even with a small size, and the distance between the semiconductor light emitting devices 250 is relatively large enough to allow the second electrode 240 to be connected to the semiconductor light emitting device 250. ), and there is an effect of realizing a flexible display device having HD quality.

또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. Also, according to the drawing, a black matrix 291 may be disposed between each phosphor to improve contrast. That is, the black matrix 291 can improve contrast between light and dark.

상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 반도체 발광소자들이 단위 화소(또는 픽셀)를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.As described above, the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230 and constitutes an individual pixel in the display device through this. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. Accordingly, a full color display in which red (R), green (G), and blue (B) semiconductor light emitting devices constitute unit pixels (or pixels) can be realized by the semiconductor light emitting device.

한편, 상기에서 살펴본, 디스플레이 장치는 디스플레이 장치에 가해지는 터치 동작을 감지하기 위한 터치센서가 더 구비될 수 있다. Meanwhile, as described above, the display device may further include a touch sensor for detecting a touch operation applied to the display device.

터치센서가 구비된 디스플레이 장치는, 디스플레이부(또는 디스플레이 모듈) 및 터치센서부의 구성을 포함하며, 출력 장치 이외에 입력장치로도 사용될 수 있다.A display device with a touch sensor includes a display unit (or display module) and a touch sensor unit, and may be used as an input device in addition to an output device.

터치센서는, 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식, 자기장 방식 등 여러가지 터치방식 중 적어도 하나를 이용하여 디스플레이 장치에 대한 터치를 감지하는 것이 가능하다. The touch sensor can sense a touch on the display device using at least one of various touch methods such as a resistive method, a capacitive method, an infrared method, an ultrasonic method, and a magnetic field method.

이하에서는, 특히, 정전용량 방식으로 터치를 감지하는 터치센서가 구비된 디스플레이 장치의 구조에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명의 터치센서 구조는 정전용량 방식에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 터치 센서가 하나의 자기장 코일을 구비하는 자기장 방식 등이 적용될 수 있다. Hereinafter, the structure of a display device equipped with a touch sensor for sensing a touch in a capacitive manner will be described in more detail. However, the touch sensor structure of the present invention is not limited to the capacitive type. For example, a magnetic field method in which a touch sensor includes one magnetic field coil may be applied.

정전용량 방식으로 터치를 감지하는 터치센서는 특정 부위에 가해진 압력 또는 디스플레이 모듈의 특정 부위에 발생하는 정전 용량 등의 변화를 전기적인 입력신호로 변환하도록 구성될 수 있다. 이러한, 터치센서에 대한 터치 입력이 있는 경우, 그에 대응하는 신호(들)은, 디스플레이 장치의 제어부에 의해 처리될 수 있고, 처리된 신호들은 그에 상응하는 데이터로 변환될 수 있다. 이하에서는, 이러한 정전용량 방식이 구비된 디스플레이 장치에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 설명한다. 도 10 및 도 11은 터치센서가 더 구비된 디스플레이 장치의 일 예를 나타내는 개념도들이다.A touch sensor that detects a touch in a capacitive manner may be configured to convert a change in pressure applied to a specific part or capacitance generated in a specific part of a display module into an electrical input signal. When there is a touch input to the touch sensor, the corresponding signal(s) may be processed by the control unit of the display device, and the processed signals may be converted into data corresponding thereto. Hereinafter, a display device equipped with such a capacitive type will be described in more detail along with accompanying drawings. 10 and 11 are conceptual diagrams illustrating an example of a display device further provided with a touch sensor.

먼저, 도 10의 도시에 의하면, 디스플레이 장치(1000)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다. 플렉서블 디스플레이에 대한 설명은, 도 1의 설명으로 갈음한다.First, according to the illustration of FIG. 10 , information processed by the controller of the display apparatus 1000 may be displayed using a flexible display. A description of the flexible display will be replaced with the description of FIG. 1 .

도시된 것과 같이, 플렉서블 디스플레이로 이루어진 디스플레이 장치(1000)에는 터치센서가 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 10의 (a)에 도시된 것과 같이, 디스플레이장치(1000)에 대하여 터치입력이 가해지면, 제어부(미도시됨)는 이러한 터치입력을 처리하여, 처리된 터치입력에 상응하는 제어를 수행할 수 있다. 예를 들어, 도 10의 (a)에서, 임의의 아이콘(1001)에 대해서 터치입력이 가해지면, 제어부는 도 10의 (b)에 도시된 것과 같이, 상기 터치입력을 처리하여, 그에 상응하는 정보를 디스플레이 장치(1000)에 출력할 수 있다. 이 경우에, 상기 플렉서블 디스플레이가 휘어진 상태에서 터치입력이 가해질 수 있으며, 터치센서는 이 상태에서 가해지는 터치입력을 감지하도록 이루어진다.As shown, the display device 1000 made of a flexible display may include a touch sensor. For example, as shown in (a) of FIG. 10 , when a touch input is applied to the display apparatus 1000, the controller (not shown) processes the touch input and produces a corresponding touch input. control can be performed. For example, in FIG. 10(a), when a touch input is applied to an arbitrary icon 1001, the controller processes the touch input as shown in FIG. Information may be output to the display device 1000 . In this case, a touch input may be applied while the flexible display is bent, and the touch sensor detects the touch input applied in this state.

한편, 플렉서블 디스플레이로 이루어진 디스플레이 장치(1000)의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.Meanwhile, a unit pixel of the display device 1000 made of a flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as a type of semiconductor light emitting device that converts current into light. The light emitting diode is formed in a small size, and through this, it can serve as a unit pixel even in the second state.

이상에서 살펴본, 전면 및 후면 터치가 가능한 디스플레이 장치의 구조를, 도 11과 함께 개략적으로 살펴보면, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(1000)는, 기판(1120), 터치 센서부(1110), 투명접합부(1130) 및 디스플레이부(1150)를 포함하도록 이루어질 수 있다.Looking schematically together with FIG. 11 to the structure of the display device capable of front and rear touch as described above, the display device 1000 according to the present invention includes a substrate 1120, a touch sensor unit 1110, a transparent junction ( 1130) and a display unit 1150.

상기 디스플레이부(1150)에는, 앞서 도 2를 참조하여 살펴본 것과 같이, 단위 화소를 구현하는, 복수의 반도체 발광소자들이 배치될 수 있다. 터치 센서부(1110)는 디스플레이부(1150)와 중첩되도록 이루어진다. 터치 센서부(1110)와 디스플레이부(1150)는 투명 접합부(1130)를 사이에 두고 중첩될 수 있다. 상기 터치 센서부(1110)는, 상기 복수의 반도체 발광소자들을 기준으로, 일측 및 타측 중 어느 한쪽에 배치되어, 디스플레이부(1500)에 대한 터치를 센싱하도록 이루어진다. 즉, 터치 센서부(1110)는, 디스플레이부(1500)의 일면 및 타면 중 어느 하나의 면 상에 배치될 수 있다. As described above with reference to FIG. 2 , a plurality of semiconductor light emitting devices implementing unit pixels may be disposed on the display unit 1150 . The touch sensor unit 1110 overlaps the display unit 1150 . The touch sensor unit 1110 and the display unit 1150 may overlap each other with the transparent joint 1130 interposed therebetween. The touch sensor unit 1110 is disposed on one side of one side and the other side of the plurality of semiconductor light emitting devices to sense a touch on the display unit 1500 . That is, the touch sensor unit 1110 may be disposed on any one of one surface and the other surface of the display unit 1500 .

또한, 상기 터치 센서부(1110) 상에는, 강화유리 또는 폴리이미드(Polyimide) 재질의 기판, 1120)이 적층될 수 있다. In addition, a substrate 1120 made of tempered glass or polyimide may be stacked on the touch sensor unit 1110 .

본 발명에서, 디스플레이부(1150)는 반도체 발광소자들로 이루어짐으로써, 매우 얇은 두께를 갖는 박막 디스플레이를 구현가능하다. 이에, 터치 센서부(1110)는, 디스플레이의 두께를 고려하여, 얇은 구조 및 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 센서부(1110)는, 정전용량방식(Capacitive Touch)을 갖으며, 강화유리 또는 폴리이미드(Polyimide) 재질의 기판에 형성되는 터치 전극으로 이루어질 수 있다. In the present invention, since the display unit 1150 is made of semiconductor light emitting devices, it is possible to implement a thin film display having a very thin thickness. Accordingly, the touch sensor unit 1110 may be made of a thin structure and material in consideration of the thickness of the display. For example, the touch sensor unit 1110 has a capacitive touch and may be formed of a touch electrode formed on a substrate made of tempered glass or polyimide.

한편, 플렉서블 디스플레이부에 적합하게 가장 얇은 터치스크린을 구현하기 위하여, 상기 터치 전극은, 단일 층(또는 단일 레이어)로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 터치 센서부(1110)는, 투명 접합부(1130)를 통해, 상기 디스플레이부(1500)에 접합될 수 있으며, 이를 통해, 본 발명에 의하면, 플렉서블 터치 스크린이 구현될 수 있다.Meanwhile, in order to implement the thinnest touch screen suitable for a flexible display unit, the touch electrode may be formed of a single layer (or single layer). Meanwhile, the touch sensor unit 1110 may be bonded to the display unit 1500 through a transparent bonding unit 1130, and through this, according to the present invention, a flexible touch screen may be implemented.

이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현되고, 터치센서를 구비한 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. 도 12는 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서 복수의 터치 센서 영역을 설명하기 위한 개념도들이다.Hereinafter, a flexible display implemented using the light emitting diode and having a touch sensor will be described in more detail with reference to drawings. 12 are conceptual diagrams for explaining a plurality of touch sensor areas in a display device according to the present invention.

한편, 도 12를 설명하는데 있어서, 앞서 살펴본 디스플레이 장치(1000) 구조를 참조하여 설명하기로 한다.Meanwhile, in describing FIG. 12 , the structure of the display device 1000 discussed above will be described.

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서 반도체 발광 소자는 제1전극(120, 220) 및 제2전극(140, 240, 도 2, 도 3a, 도 7 및 도 8 참조)과 전기적으로 연결된다. 이 경우에, 제1전극(120, 220)은 데이터 구동신호를 전달하는 데이터 라인이고, 상기 제2전극(140, 240)은 스캔 구동신호를 전달하는 스캔 라인이 될 수 있다. 전술한 바와 같이, 데이터 라인들에서 하나의 라인은 단일 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 하나의 스캔 라인을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 발광되도록 반도체 발광소자 또는 형광체가 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 복수의 스캔 라인 및 복수의 데이터 라인이 구비되며, 각각의 스캔 라인을 따라 복수의 반도체 발광소자들이 배치된다.In the display device according to the present invention, the semiconductor light emitting device is electrically connected to the first electrodes 120 and 220 and the second electrodes 140 and 240 (see FIGS. 2, 3A, 7, and 8). In this case, the first electrodes 120 and 220 may be data lines for transmitting data driving signals, and the second electrodes 140 and 240 may be scan lines for transmitting scan driving signals. As described above, one of the data lines may be an electrode for controlling a single color. That is, semiconductor light emitting devices or phosphors may be disposed so that red (R), green (G), and blue (B) are sequentially emitted along one scan line, and through this, a unit pixel may be implemented. Meanwhile, in the display device according to the present invention, a plurality of scan lines and a plurality of data lines are provided, and a plurality of semiconductor light emitting elements are disposed along each scan line.

한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 프레임(frame) 단위로, 디스플레이 장치를 구동할 수 있다. 즉, 제어부는, 프레임 단위로, 디스플레이부(1150) 및 터치 센서부(1110)를 구동할 수 있다. 예를 들면, 제어부는, 매 프레임 마다 디스플레이 장치에 구비된 스캔 라인에 순차적으로 전류를 공급할 수 있다. 따라서, 각각 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광소자들은, 각 스캔 라인에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라, 각 스캔라인을 따라 순차적으로 발광할 수 있다. 한편, 각 스캔라인을 따라 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않음은 당업자에게 자명하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.Meanwhile, in the display device according to the present invention, the display device may be driven in units of frames. That is, the controller may drive the display unit 1150 and the touch sensor unit 1110 in units of frames. For example, the controller may sequentially supply current to the scan lines provided in the display device every frame. Accordingly, the semiconductor light emitting devices disposed to correspond to each scan line may sequentially emit light along each scan line as current is sequentially supplied to each scan line. Meanwhile, even if current is sequentially supplied along each scan line, if current is not supplied to the data line under the control of the control unit, it is obvious to those skilled in the art that the semiconductor light emitting device corresponding to the data line to which no current is supplied does not emit light. Therefore, a detailed description thereof is omitted.

한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 디스플레이 장치에 가해지는 터치를 센싱하기 위하여, 스캔 라인에 순차적으로 전류가 공급되는 상기 프레임 단위로 터치 센서부(1100)를 구동할 수 있다.Meanwhile, in the display device according to the present invention, in order to sense a touch applied to the display device, the touch sensor unit 1100 may be driven in units of frames in which current is sequentially supplied to scan lines.

즉, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 프레임 단위로, 디스플레이부(1150) 및 터치 센서부(1110)가 구동될 수 있다. 이하에서는, 디스플레이부(1150) 및 터치 센서부(1110)의 구동방식을 설명하는데 있어서, 설명의 편의를 위하여, 도 12에 도시된 것과 같이, 8개의 스캔 라인과(scan1 ~ scan8)과 8개의 데이터 라인(data1 ~ data8)을 구비한 디스플레이 장치를 가정하여 설명한다.That is, in the display device according to the present invention, the display unit 1150 and the touch sensor unit 1110 may be driven in frame units. Hereinafter, in explaining the driving method of the display unit 1150 and the touch sensor unit 1110, for convenience of description, as shown in FIG. 12, eight scan lines (scan1 to scan8) and eight It will be described assuming a display device having data lines (data1 to data8).

도시와 같이, 디스플레이부(1150)는 복수의 스캔 라인에 전기적으로 연결되도록 배열된 복수의 반도체 발광소자들을 포함한다. 복수의 반도체 발광소자들은, 각각의 스캔 라인을 따라, 복수의 반도체 발광소자 어레이를 형성할 수 있다.As shown, the display unit 1150 includes a plurality of semiconductor light emitting devices arranged to be electrically connected to a plurality of scan lines. A plurality of semiconductor light emitting devices may form a plurality of semiconductor light emitting device arrays along each scan line.

예를 들어, 도시와 같이, 복수의 스캔 라인(scan1 ~ scan8)을 따라, 복수의 반도체 발광소자 어레이(1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, 1150h)가 형성될 수 있다. 이러한, 반도체 발광소자 어레이들(1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, 1150h)은, 복수의 스캔 라인(scan1 ~ scan8)에 순차적으로 전류가 공급되는 것에 대응되어, 어레이 단위로 순차적으로 발광할 수 있다.For example, as illustrated, a plurality of semiconductor light emitting device arrays 1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, and 1150h may be formed along a plurality of scan lines scan1 to scan8. The semiconductor light emitting device arrays 1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, and 1150h correspond to sequentially supplying current to the plurality of scan lines scan1 to scan8, sequentially in array units. can emit light.

한편, 도시와 같이, 터치 센서부(1110)는, 디스플레이부(1150)에 구비된 반도체 발광소자들과 중첩되도록 배치된다.Meanwhile, as illustrated, the touch sensor unit 1110 is disposed to overlap the semiconductor light emitting elements provided in the display unit 1150 .

터치 센서부(1110)는, 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d)의 경계는, 스캔 라인과 나란한 방향으로 형성된다.The touch sensor unit 1110 may include a plurality of sensing regions 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d. A boundary between the plurality of sensing regions 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d is formed in a direction parallel to the scan line.

복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d) 각각은, 복수의 스캔라인(scan 1 ~ scan 8)과 대응되도록 배치된 반도체 발광소자 어레이들(1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, 1150h) 중 적어도 일부와 중첩될 수 있다.Each of the plurality of sensing regions 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d includes semiconductor light emitting device arrays 1150a, 1150b, 1150c, 1150d, 1150e, 1150f, 1150g, 1150h) may overlap with at least some of them.

예를 들어, 도 12에 제1 센싱 영역(1110a)은, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2)에 대응되도록 배치된 제1 및 제2 반도체 발광소자 어레이(1150a, 1150b)와 중첩될 수 있다. 그리고, 제2 센싱 영역(1110b)은, 제3 및 제4 스캔 라인(scan 3, scan 4)에 대응되도록 배치된 제3 및 제4 반도체 발광소자 어레이(1150c, 1150d)와 중첩될 수 있다. 나아가, 제3 센싱 영역(1110c)은, 제5 및 제6 스캔 라인(scan 5, scan 6)에 대응되도록 배치된 제5 및 제6 반도체 발광소자 어레이(1150e, 1150f)와 중첩될 수 있다. 마지막으로, 제4 센싱 영역(1110d)은, 제7 및 제8 스캔 라인(scan 7, scan 8)에 대응되도록 배치된 제7 및 제8 반도체 발광소자 어레이(1150g, 1150h)와 중첩될 수 있다.For example, in FIG. 12 , the first sensing region 1110a includes the first and second semiconductor light emitting device arrays 1150a and 1150b disposed to correspond to the first and second scan lines scan 1 and scan 2 . may overlap. Also, the second sensing region 1110b may overlap the third and fourth semiconductor light emitting device arrays 1150c and 1150d disposed to correspond to the third and fourth scan lines scan 3 and scan 4 . Furthermore, the third sensing region 1110c may overlap the fifth and sixth semiconductor light emitting device arrays 1150e and 1150f disposed to correspond to the fifth and sixth scan lines scan 5 and scan 6 . Finally, the fourth sensing region 1110d may overlap the seventh and eighth semiconductor light emitting device arrays 1150g and 1150h disposed to correspond to the seventh and eighth scan lines scan 7 and scan 8 . .

본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 디스플레이부(1150)의 구동과, 터치 센서부(1110)의 구동을 동시에 수행할 수 있다. 즉, 제어부는, 디스플레이부(1150)를 점등하기 위하여 복수의 스캔라인(scan 1 ~ scan 8)에 순차적으로 전류를 공급하는 것과 동시에, 터치 센서부(1110)에 포함된 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d) 중 적어도 하나에 대한 터치를 처리할 수 있다.In the display device according to the present invention, driving of the display unit 1150 and driving of the touch sensor unit 1110 may be simultaneously performed. That is, the controller sequentially supplies current to the plurality of scan lines (scan 1 to scan 8) in order to turn on the display unit 1150, and at the same time, the plurality of sensing regions 1110a included in the touch sensor unit 1110. , 1110b, 1110c, and 1110d) may process a touch.

이와 같이, 복수의 센싱 영역은, 각각 복수의 스캔 라인을 덮도록 이루어지며, 각각의 센싱 영역은, 적어도 두개의 스캔 라인을 덮도록 이루어질 수 있다.In this way, each of the plurality of sensing areas may cover a plurality of scan lines, and each sensing area may cover at least two scan lines.

한편, 각각의 센싱 영역이 덮는 스캔 라인의 수는, 디스플레이 해상도에 따라 달라질 수 있다. 해상도에 따라, 각각의 센싱 영역이 덮고 있는 스캔 라인의 수는 수~ 수백개, 수천개 일 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 디스플레이 해상도에 따라 터치 센서부의 분할 개수를 결정하는 것이 가능하나, 터치 센서부가 많은 수의 센싱 영역으로 나뉘어지는 경우, 터치 구동 시간이 지연될 수 있으므로, 터치 구동 시간을 고려하여, 적절한 수의 센싱 영역으로 분할할 수 있다.Meanwhile, the number of scan lines covered by each sensing region may vary depending on the display resolution. Depending on the resolution, the number of scan lines covered by each sensing area may be several to hundreds or thousands. On the other hand, in the display device according to the present invention, it is possible to determine the number of divisions of the touch sensor unit according to the display resolution, but when the touch sensor unit is divided into a large number of sensing areas, touch driving time may be delayed, and thus touch driving Considering time, it can be divided into an appropriate number of sensing regions.

이하에서는, 위에서 살펴본 구조를 참조하여, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 디스플레이부 및 터치 센서부 구동방식에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다. 도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 디스플레 장치에서 터치센서 구동방식을 설명하기 위한 개념도들이다.Hereinafter, with reference to the above structure, a method of driving the display unit and the touch sensor unit of the display device according to the present invention will be described in more detail along with the accompanying drawings. 13 and 14 are conceptual diagrams for explaining a touch sensor driving method in a display device according to the present invention.

본 발명에 따른, 디스플레이 장치에서 제어부는, 매 프레임 마다, 복수의 스캔 라인에 순차적으로 전류를 공급하여, 각 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광 소자 어레이에 포함된 반도체 발광소자들을 발광시킬 수 있다.In the display device according to the present invention, the control unit may sequentially supply current to a plurality of scan lines every frame to emit light from semiconductor light emitting devices included in an array of semiconductor light emitting devices arranged to correspond to each scan line. .

이때, 제어부는, 터치 센서부(1110)에 포함된 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d) 중 현재 전류가 공급된 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역에 대한 터치를 처리할 수 있다. At this time, the controller selects a sensing area overlapping with a semiconductor light emitting device array disposed to correspond to a scan line to which current is supplied among the plurality of sensing areas 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d included in the touch sensor unit 1110. It may process a touch on at least one sensing area except for the touch.

보다 구체적으로, 상기 터치입력의 센싱은 상기 복수의 센싱 영역 중 상기 온 상태로 구동된 복수의 반도체 발광소자들과 대응하는 위치의 센싱 영역에서 미수행되며, 오프 상태로 구동된 반도체 발광소자들과 대응하는 위치의 센싱 영역에서 수행된다.More specifically, the sensing of the touch input is not performed in a sensing region corresponding to the plurality of semiconductor light emitting devices driven in an on state among the plurality of sensing regions, and the semiconductor light emitting devices driven in an off state and It is performed in the sensing area of the corresponding position.

즉, 전류가 공급된 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역에 대한 터치는, 반도체 발광 소자의 점등으로 인한 노이즈로 인하여, 정확하게 센싱되지 않으므로, 본 발명에서는, 현재 점등된 반도체 발광 소자가 포함된 반도체 발광소자 어레이와 중첩되지 않은 센싱 영역에 대한 터치를 센싱한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 반도체 발광 소자의 발광(점등)으로 인한 노이즈로 인하여, 터치 센싱의 오동작을 방지할 수 있다.That is, since a touch on a sensing region overlapping with an array of semiconductor light emitting elements disposed to correspond to a scan line to which current is supplied is not accurately sensed due to noise caused by lighting of the semiconductor light emitting elements, in the present invention, A touch on a sensing region that does not overlap with a semiconductor light emitting device array including a semiconductor light emitting device is sensed. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent malfunction of touch sensing due to noise caused by light emission (turning on) of the semiconductor light emitting device.

한편, 본 발명에 따른 터치 센서부(1110)는 적어도 4개의 센싱 영역을 갖도록 이루어질 수 있다. 즉, 상기 터치 센서부(1110)는 최소 4등분 될 수 있다. 이와 같이, 센싱 영역이 최소 4등분 되는 경우, 터치입력의 센싱은, 현재 점등된 반도체 발광 소자가 포함된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에서 이루어질 수 있다. Meanwhile, the touch sensor unit 1110 according to the present invention may have at least four sensing areas. That is, the touch sensor unit 1110 may be divided into at least four parts. In this way, when the sensing area is divided into at least four equal parts, sensing of the touch input may be performed in a sensing area that overlaps with the semiconductor light emitting device array including the currently lit semiconductor light emitting device and a sensing area that is not adjacent to the sensing area.

따라서, 이 경우, 상기 터치 입력의 센싱은, 현재 점등된 반도체 발광 소자가 포함된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역과 이격된 센싱 영역에서 이루어지므로, 반도체 발광 소자 점등으로 인한 노이즈가 보다 더 최소화될 수 있다.Therefore, in this case, since the sensing of the touch input is performed in a sensing area overlapping the semiconductor light emitting device array including the currently lit semiconductor light emitting device and a sensing area spaced apart from each other, noise due to the lighting of the semiconductor light emitting device is further minimized. It can be.

따라서, 터치입력의 센싱은, 오프 상태로 구동된 반도체 발광소자들과 대응되는 위치의 센싱 영역 중 온 상태로 구동된 복수의 반도체 발광 소자들과 대응되는 위치의 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에서 이루어질 수 있다.Therefore, sensing of a touch input is performed in a sensing area not adjacent to a sensing area corresponding to a plurality of semiconductor light emitting devices driven in an on state among sensing areas corresponding to semiconductor light emitting devices driven in an off state. It can be done.

이에 나아가, 본 발명에 따른 디스플레이부(1150) 또한, 상기 터치 센서부(1110)가 복수의 영역으로 구분되는 것에 대응하여, 복수의 영역으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서부(1110)가 4개의 영역으로 구분되는 경우, 디스플레이부(1150)는 이에 대응하여, 4개의 영역으로 구분될 수 있다. Furthermore, the display unit 1150 according to the present invention may also be divided into a plurality of regions corresponding to the fact that the touch sensor unit 1110 is divided into a plurality of regions. For example, if the touch sensor unit 1110 is divided into four areas, the display unit 1150 may be divided into four areas correspondingly.

한편, 디스플레이부(1150)에 포함된 영역들의 경계는, 터치 센서부(1110)의 영역들의 경계와 대응될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서부(1110)의 제1 영역은, 디스플레이부(1150)의 제1 영역과 중첩되도록 이루어질 수 있다.Meanwhile, boundaries of regions included in the display unit 1150 may correspond to boundaries of regions of the touch sensor unit 1110 . For example, the first area of the touch sensor unit 1110 may overlap the first area of the display unit 1150 .

나아가, 디스플레이부(1150)가 복수의 영역으로 구분되는 것에 대응하여, 디스플레이부(1150)에 포함된 스캔 라인도 복수의 그룹으로 구분될 수 있다.Furthermore, corresponding to the division of the display unit 1150 into a plurality of regions, scan lines included in the display unit 1150 may also be divided into a plurality of groups.

예를 들어, 디스플레이부(1150)의 제1 영역에 대응되도록 배치된 스캔 라인들은, 제1 그룹을 이루고, 상기 디스플레이부(1150)의 제2 영역에 대응되도록 배치된 스캔 라인들은, 제2 그룹을 이룰 수 있다. 따라서, 스캔 라인의 제1 그룹은 센싱 영역의 제1 영역과 대응되도록 배치되고, 스캔 라인의 제2 그룹은 센싱 영역의 제2 그룹과 대응되도록 배치될 수 있다. 즉, 스캔 라인의 각 그룹은, 디스플레이부(1150)와 중첩하는 센싱 영역의 각 영역들 중, 스캔 라인의 각 그룹에 대응되도록 배치된 영역들과 각각 중첩할 수 있다.For example, scan lines arranged to correspond to the first area of the display unit 1150 form a first group, and scan lines arranged to correspond to the second area of the display unit 1150 form a second group. can achieve Accordingly, the first group of scan lines may be arranged to correspond to the first area of the sensing area, and the second group of scan lines may be arranged to correspond to the second group of the sensing area. That is, each group of scan lines may overlap each of the areas disposed to correspond to each group of scan lines among the areas of the sensing area overlapping the display unit 1150 .

이 경우, 제1 그룹에 해당하는 스캔 라인이 점등되는 동안에는, 상기 복수의 터치 센싱 영역 중, 상기 제1 그룹과 대응되는 위치의 센싱 영역(예를 들어, 제1 센싱 영역)에 대한 터치는 처리되지 않을 수 있다.In this case, while a scan line corresponding to the first group is turned on, a touch to a sensing area (eg, a first sensing area) corresponding to the first group among the plurality of touch sensing areas is processed. It may not be.

따라서, 본 발명에는, 제1 그룹에 해당하는 스캔 라인이 점등되는 동안에는, 상기 제1 그룹과 대응되도록 위치한 제1 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에 대한 터치가 처리될 수 있다.Accordingly, in the present invention, while a scan line corresponding to the first group is turned on, a touch to a sensing area not adjacent to the first sensing area positioned to correspond to the first group may be processed.

한편, 본 명세서에서, '터치를 처리'한다고 함은, 해당 센싱 영역에 대한 터치 대상체(1101, 도 11 참조)의 접촉을 터치 입력으로 처리하는 것을 의미한다. 이와 반대로, '터치가 처리되지 않는다'는 것은, 해당 센싱 영역이 오프 상태로 구동되어, 터치 대상체(1101)의 접촉이 있더라도, 이에 대한 정전 용량의 변화가 일어나지 않는 경우를 의미할 수 있다. 또한, 다른 의미로, '터치가 처리되지 않는다'는 것은, 해당 센싱 영역이 온 상태로 구동되더라도, 터치 대상체(1101)의 접촉에 의한 정전 용량의 변화를 제어부의 제어 하에, 터치 입력으로 처리하지 않는 것을 의미할 수 있다.Meanwhile, in this specification, 'processing a touch' means processing a contact of a touch object 1101 (see FIG. 11 ) with respect to a corresponding sensing region as a touch input. Conversely, 'touch is not processed' may mean a case in which the corresponding sensing region is driven in an off state and capacitance does not change even when the touch object 1101 is contacted. Also, in another meaning, 'touch is not processed' means that even if the corresponding sensing region is driven in an on state, the capacitance change due to the contact of the touch target object 1101 is not processed as a touch input under the control of the controller. can mean no

예를 들면, 본 발명에 따른 제어부는, 전류가 공급된 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들을 온 상태로 구동(발광시킴)하고, 상기 복수의 센싱 영역 중 온 상태로 구동된 복수의 반도체 발광소자들과 인접한 영역을 제외한 영역에서 터치를 센싱한다. 즉, 제어부는, 복수의 센싱 영역 중 상기 전류가 공급된 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들과 오버랩된 센싱 영역을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역에 대한 터치입력을 센싱할 수 있다.For example, the controller according to the present invention drives (emits) semiconductor light emitting elements electrically connected to a scan line to which current is supplied in an on state, and a plurality of semiconductor light emitting devices driven in an on state among the plurality of sensing regions. A touch is sensed in an area other than an area adjacent to the elements. That is, the controller may sense a touch input applied to at least one of the plurality of sensing areas except for a sensing area overlapping with semiconductor light emitting devices electrically connected to the scan line to which the current is supplied.

즉, 상기 터치입력의 센싱은 상기 복수의 센싱 영역 중 상기 온 상태로 구동된 복수의 반도체 발광소자들과 대응하는 위치의 센싱 영역에서 미수행되며, 오프 상태로 구동된 반도체 발광소자들과 대응하는 위치의 센싱 영역에서 수행될 수 있다.That is, the sensing of the touch input is not performed in a sensing region corresponding to the plurality of semiconductor light emitting devices driven in the on state among the plurality of sensing regions, and the sensing region corresponding to the semiconductor light emitting devices driven in the off state. It can be performed in the sensing area of the location.

일 예로서, 제어부는, 상기 전류가 공급된 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들이 온 상태로 구동되는 동안에는, 상기 전류가 공급된 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들과 오버랩된 센싱 영역에 포함된 터치 센서를 오프 상태로 구동할 수 있다.As an example, the control unit may, while the semiconductor light emitting devices electrically connected to the scan line to which the current is supplied are driven in an on state, in a sensing region overlapping the semiconductor light emitting devices electrically connected to the scan line to which the current is supplied. The included touch sensor can be driven in an off state.

예를 들어, 도 12 및 도 13에 도시된 것과 같이, 제1 및 제2 스캔 라인에 전류가 공급되는, 상기 제1 및 제2 스캔 라인(또는 상기 제1 및 제2 스캔라인에 대응되는 제1 및 제2 반도체 어레이(1150a, 1150b)에 중첩한 제1 센싱 영역(1110a)을 오프 상태로 구동할 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 영역(1110a)에 대하여 터치가 가해지더라도, 제어부는, 이를 터치입력으로 인식할 수 없다.For example, as shown in FIGS. 12 and 13 , the first and second scan lines (or a second scan line corresponding to the first and second scan lines) are supplied with current to the first and second scan lines. The first sensing region 1110a overlapping the first and second semiconductor arrays 1150a and 1150b may be driven in an off state In this case, even if a touch is applied to the first sensing region 1110a, the controller: This cannot be recognized as a touch input.

나아가, 제어부는, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2)에 전류가 공급되는 동안, 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d) 중 상기 제1 센싱 영역(1110a)을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역을 온 상태로 구동할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2)에 전류에 전류가 공급되어, 제1 및 제2 반도체 발광소자 어레이(1150a, 1150b)에 해당하는 반도체 발광소자들이 온 상태로 구동되는 것으로 인하여, 제1 센싱 영역(1110a)에 발생하는 노이즈로부터 터치 센싱 오동작을 방지할 수 있다.Furthermore, while current is supplied to the first and second scan lines scan 1 and scan 2, the control unit excluding the first sensing area 1110a among the plurality of sensing areas 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d. At least one sensing region may be driven in an on state. Therefore, according to the present invention, current is supplied to the first and second scan lines scan 1 and scan 2, so that the semiconductor light emitting devices corresponding to the first and second semiconductor light emitting device arrays 1150a and 1150b Due to being driven in the on state, an erroneous touch sensing operation may be prevented from noise generated in the first sensing region 1110a.

한편, 본 발명에 따른 터치 센서부(1110)는 적어도 4개의 센싱 영역을 갖도록 이루어질 수 있다. 이와 같이, 센싱 영역이 최소 4등분 되는 경우, 터치입력의 센싱은, 현재 점등된 반도체 발광 소자가 포함된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에서 이루어질 수 있다. 따라서, 이 경우, 상기 터치 입력의 센싱은, 현재 점등된 반도체 발광 소자가 포함된 반도체 발광소자 어레이와 중첩된 센싱 영역과 이격된 센싱 영역에서 이루어지므로, 반도체 발광 소자 점등으로 인한 노이즈가 보다 더 최소화될 수 있다.Meanwhile, the touch sensor unit 1110 according to the present invention may have at least four sensing areas. In this way, when the sensing area is divided into at least four equal parts, sensing of the touch input may be performed in a sensing area that overlaps with the semiconductor light emitting device array including the currently lit semiconductor light emitting device and a sensing area that is not adjacent to the sensing area. Therefore, in this case, since the sensing of the touch input is performed in a sensing area overlapping the semiconductor light emitting device array including the currently lit semiconductor light emitting device and a sensing area spaced apart from each other, noise due to the lighting of the semiconductor light emitting device is further minimized. It can be.

나아가, 앞서 살펴본 것과 같이, 디스플레이부(1150)에 포함된 영역들의 경계는, 터치 센서부(1110)의 영역들의 경계와 대응될 수 있다. 예를 들어, 터치 센서부(1110)의 제1 영역은, 디스플레이부(1150)의 제1 영역과 중첩되도록 이루어질 수 있다. 나아가, 디스플레이부(1150)가 복수의 영역으로 구분되는 것에 대응하여, 디스플레이부(1150)에 포함된 스캔 라인 또한, 복수의 그룹으로 구분될 수 있다.Furthermore, as described above, boundaries of regions included in the display unit 1150 may correspond to boundaries of regions of the touch sensor unit 1110 . For example, the first area of the touch sensor unit 1110 may overlap the first area of the display unit 1150 . Furthermore, corresponding to the display unit 1150 being divided into a plurality of areas, scan lines included in the display unit 1150 may also be divided into a plurality of groups.

예를 들어, 디스플레이부(1150)의 제1 영역에 대응되도록 배치된 스캔 라인들은, 제1 그룹을 이루고, 상기 디스플레이부(1150)의 제2 영역에 대응되도록 배치된 스캔 라인들은, 제2 그룹을 이룰 수 있다. 따라서, 스캔 라인의 제1 그룹은, 센싱 영역의 제1 영역과 대응되도록 배치되고, 스캔 라인의 제2 그룹은, 센싱 영역의 제2 그룹과 대응되도록 배치될 수 있다. 즉, 스캔 라인의 각 그룹은, 디스플레이부(1150)와 중첩하는 센싱 영역의 각 영역들 중, 스캔 라인의 각 그룹에 대응되도록 배치된 영역들과 각각 중첩할 수 있다.For example, scan lines arranged to correspond to the first area of the display unit 1150 form a first group, and scan lines arranged to correspond to the second area of the display unit 1150 form a second group. can achieve Accordingly, the first group of scan lines may be arranged to correspond to the first area of the sensing area, and the second group of scan lines may be arranged to correspond to the second group of the sensing area. That is, each group of scan lines may overlap each of the areas disposed to correspond to each group of scan lines among the areas of the sensing area overlapping the display unit 1150 .

이 경우, 제1 그룹에 해당하는 스캔 라인이 점등되는 동안에는, 상기 복수의 터치 센싱 영역 중, 상기 제1 그룹과 대응되는 위치의 센싱 영역(예를 들어, 제1 센싱 영역)에 대한 터치는 처리되지 않을 수 있다.In this case, while a scan line corresponding to the first group is turned on, a touch to a sensing area (eg, a first sensing area) corresponding to the first group among the plurality of touch sensing areas is processed. It may not be.

따라서, 본 발명에는, 제1 그룹에 해당하는 스캔 라인이 점등되는 동안에는, 상기 제1 그룹과 대응되도록 위치한 제1 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에 대한 터치가 처리될 수 있다.Accordingly, in the present invention, while a scan line corresponding to the first group is turned on, a touch to a sensing area not adjacent to the first sensing area positioned to correspond to the first group may be processed.

예를 들어, 제어부는, 도 13에 도시된 것과 같이, 제1 및 제2 스캔 라인(제1 그룹)이 온 상태로 구동되는 동안에는, 제1 및 제2 스캔 라인(또는 제1 및 제2 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광 소자 어레이)에 중첩한 상기 제1 센싱 영역(1110a)을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역, 예를 들어, 제3 센싱 영역(1110c, 도 13의 터치라인 구동 타임라인 'c' 참조)을 온 상태로 구동하여, 디스플레이부(1150)에 대한 터치를 센싱할 수 있다.For example, as shown in FIG. 13 , the control unit may first and second scan lines (or first and second scan lines) while the first and second scan lines (first group) are driven in an on state. At least one sensing area other than the first sensing area 1110a overlapping the semiconductor light emitting device array arranged to correspond to the line, for example, the third sensing area 1110c, the touch line driving timeline of FIG. 13 ' c') may be driven in an on state to sense a touch to the display unit 1150 .

한편, 제1 및 제2 스캔 라인에 중첩된 제1 센싱 영역(1110a)은, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2, 제1 그룹)과 다른 스캔 라인(scan 3~ scan 8)에 전류가 공급되는 동안에 온 상태로 구동될 수 있다.Meanwhile, the first sensing region 1110a overlapped with the first and second scan lines includes scan lines (scan 3 to scan 8) different from the first and second scan lines (scan 1, scan 2, first group). It can be driven in the on state while current is supplied to it.

이때, 제1 센싱 영역(1110a)은, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2, 제1 그룹)과 다른 스캔 라인(scan 3~ scan 8)에 전류가 공급되는 동안 계속하여 온 상태로 구동되거나, 어느 시점에 온 상태로 구동될 수 있다.At this time, the first sensing region 1110a is continuously turned on while current is supplied to the first and second scan lines (scan 1, scan 2, first group) and other scan lines (scan 3 to scan 8). It can be driven as , or it can be driven in the on state at any point in time.

즉, 제어부는, 전류가 공급되는 스캔라인과 오버랩된 센싱 영역에 포함된 터치 센서를, 상기 오버랩된 센싱 영역에 대응되도록 배치된 스캔라인에 전류가 공급되지 않는 구간에서 온 상태로 구동시킬 수 있다.That is, the controller may drive a touch sensor included in a sensing area overlapped with a scan line to which current is supplied, in an on state in a section in which current is not supplied to a scan line arranged to correspond to the overlapped sensing area. .

또한, 도시된 것과 같이, 제어부는, 제3 및 제4 스캔 라인(제2 그룹)이 온 상태로 구동되는 동안에는, 제3 및 제4 스캔 라인(또는 제3 및 제4 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광 소자 어레이)에 중첩한 상기 제2 센싱 영역(1110b)을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역, 예를 들어, 제4 센싱 영역(1110d, 도 13의 터치라인 구동 타임라인 'd' 참조)을 온 상태로 구동하여, 디스플레이부(1150)에 대한 터치를 센싱할 수 있다.Also, as shown, the control unit is arranged to correspond to the third and fourth scan lines (or the third and fourth scan lines) while the third and fourth scan lines (second group) are driven in an on state. at least one sensing area other than the second sensing area 1110b overlapping the semiconductor light emitting device array), for example, the fourth sensing area 1110d (refer to the touch line driving timeline 'd' in FIG. 13) By driving in the on state, a touch to the display unit 1150 may be sensed.

그리고, 도시된 것과 같이, 제어부는, 제5및 제6 스캔 라인(제3 그룹)이 온 상태로 구동되는 동안에는, 제5 및 제6 스캔 라인(또는 제5 및 제6 스캔 라인에 대응되도록 배치된 반도체 발광 소자 어레이)에 중첩한 상기 제3 센싱 영역(1110c)을 제외한 적어도 하나의 센싱 영역, 예를 들어, 제1 센싱 영역(1110a, 도 13의 터치라인 구동 타임라인 'a' 참조)을 온 상태로 구동하여, 디스플레이부(1150)에 대한 터치를 센싱할 수 있다.And, as shown, the control unit is arranged to correspond to the fifth and sixth scan lines (or the fifth and sixth scan lines) while the fifth and sixth scan lines (third group) are driven in an on state. At least one sensing region other than the third sensing region 1110c overlapped with the semiconductor light emitting device array), for example, the first sensing region 1110a (refer to the touch line driving timeline 'a' in FIG. 13) By driving in the on state, a touch to the display unit 1150 may be sensed.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 제어부는, 현재 온 상태로 구동되고 있는 스캔 라인과 중첩한 센싱 영역과 이격한 센싱 영역을 온상태로 구동하여, 현재 온 상상태로 구동되고 있는 스캔 라인과 중첩한 센싱 영역을 제외한 영역에서 터치가 센싱되도록 디스플레이 장치를 제어할 수 있다.As described above, according to the present invention, the controller drives the sensing area that overlaps with the scan line currently being driven in the on state and the sensing area that is spaced apart from the scan line that is currently being driven in the on state, so that it overlaps with the scan line that is currently being driven in the on state. The display device may be controlled so that a touch is sensed in an area other than the sensing area.

한편, 위에서 살펴본 것과 같이, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 현재 온 상태로 구동되는 스캔 라인 그룹과 중첩한 센싱 영역과 이웃하지 않은 센싱 영역에서 터치가 센싱되도록 제어한다. 나아가, 터치 센서부(1110)가 4등분 되는 경우, 터치 입력이 센싱되는 영역의 위치는, 현재 온 상태로 구동되는 스캔 라인 그룹이 어느 위치에 있던지, 동일한 이격 거리를 가질 수 있다. 따라서, 현재 온 상태로 구동되는 스캔 라인 그룹과 중첩하지 않은 영역에서 터치 센싱을 하는 경우, 동일 또는 대응되는 만큼의 노이즈 감소 효과를 얻을 수 있다.Meanwhile, as described above, in the display device according to the present invention, a touch is sensed in a sensing area that overlaps with a scan line group currently driven in an on state and a sensing area that is not adjacent to a sensing area. Furthermore, when the touch sensor unit 1110 is divided into quarters, the location of the area where the touch input is sensed may have the same distance regardless of the location of the scan line group currently driven in the on state. Accordingly, when touch sensing is performed in an area that does not overlap with a scan line group currently driven in an on state, the same or corresponding noise reduction effect can be obtained.

위에서 살펴본 것과 같이, 제어부는, 프레임 단위로 상기 복수의 스캔 라인에 순차적으로 전류를 공급하여, 전류가 공급된 제1 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들을 온 상태로 구동하고, 상기 복수의 센싱 영역(1110a, 1110b, 1110c, 1110d) 중 상기 온 상태로 구동되고 있는 반도체 발광소자들과 오버랩된 제1 센싱 영역에 포함된 터치 센서를, 상기 제1 스캔 라인에 전류가 공급되지 않는 구간에서 온 상태로 구동할 수 있다. 그리고, 제어부는, 상기 프레임 내에서 상기 제1 스캔 라인에 대한 전류 공급이 중단되고, 상기 제1 스캔 라인과 다른 스캔 라인에 전류가 공급되어, 상기 다른 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들이 온 상태로 구동 중인 경우, 상기 전류의 공급이 중단된 제1 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들과 오버랩된 상기 센싱 영역의 터치 센서를 온 상태로 구동할 수 있다. 한편, 이때, 상기 다른 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들과 오버랩된 센싱 영역에 포함된 터치 센서는, 상기 다른 스캔 라인과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들이 온 상태로 구동 중인 동안 오프 상태로 구동될 수 있다.As described above, the control unit sequentially supplies current to the plurality of scan lines on a frame basis to drive semiconductor light emitting elements electrically connected to the first scan line to which current is supplied in an on state, and to detect the plurality of sensing lines. A touch sensor included in the first sensing region overlapping the semiconductor light emitting devices driven in the on state among the regions 1110a, 1110b, 1110c, and 1110d is turned on in a section where current is not supplied to the first scan line. state can be driven. Further, the control unit stops supplying current to the first scan line within the frame, supplies current to a scan line different from the first scan line, and turns on semiconductor light emitting elements electrically connected to the other scan line. state, the touch sensor of the sensing region overlapping semiconductor light emitting devices electrically connected to the first scan line to which the supply of current is stopped may be driven in an on state. Meanwhile, at this time, the touch sensor included in the sensing area overlapped with the semiconductor light emitting elements electrically connected to the other scan line is driven in an off state while the semiconductor light emitting elements electrically connected to the other scan line are driven in an on state. It can be.

한편, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 현재 전류가 공급 중인 스캔 라인과 중첩된 센싱 영역을 오프 상태로 구동하는 방법 외에, 현재 전류가 공급 중인 스캔 라인과 중첩된 센싱 영역에 대한 터치를, 터치 입력으로 처리하지 않을 수 있다. 따라서, 이 경우, 현재 전류가 공급 중인 스캔 라인과 중첩된 센싱 영역이 온 상태로 구동되더라도, 해당 센싱 영역에 대응되는 스캔 라인에 전류가 공급되는 동안에는, 해당 센싱 영역에 대한 접촉은, 터치입력으로 처리되지 않을 수 있다. Meanwhile, in the display device according to the present invention, in addition to the method of driving the sensing area overlapping with the scan line currently being supplied in an off state, a touch on the sensing area overlapping with the scan line currently being supplied is performed as a touch input. may not be processed. Therefore, in this case, even if a sensing region overlapping with a scan line currently being supplied is driven in an on state, while current is being supplied to a scan line corresponding to the sensing region, contact with the corresponding sensing region is a touch input. may not be processed.

이와 같이, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서, 복수의 센싱 영역에 포함된 터치 센서는, 각 센싱 영역 단위로 순차적으로 온 상태로 구동되며, 상기 온 상태로 구동되는 센싱 영역은, 상기 전류가 공급된 스캔 라인과 오버랩된 센싱 영역과 이격된 영역에 해당한다.As described above, in the display device according to the present invention, the touch sensors included in the plurality of sensing regions are sequentially driven in an on state in units of each sensing region, and the sensing regions driven in an on state are driven in an on state when the current is supplied. This corresponds to an area separated from the sensing area overlapped with the scan line.

따라서, 도 14의 (a) 및 (b)에 도시된 것과 같이, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scan 2)에 전류가 공급되는 동안에는, 제1 및 제2 스캔 라인(scan 1, scna 2)에 중첩된 제1 센싱 영역(1110a)과 이격된 제3 센싱 영역(1110c)에서 터치가 센싱될 수 있다. 그리고, 도 14의 (c) 및 (d)에 도시된 것과 같이, 제3 및 제4 스캔 라인(scan 3, scan 4)에 전류가 공급되는 동안에는, 제3 및 제4 스캔 라인(scan 3, scna 4)에 중첩된 제2 센싱 영역(1110b)과 이격된 제4 센싱 영역(1110d)에서 터치가 센싱될 수 있다. 나아가, 도 14의 (e) 및 (f)에 도시된 것과 같이, 제5 및 제6 스캔 라인(scan 5, scan 6)에 전류가 공급되는 동안에는, 제5 및 제6 스캔 라인(scan 5, scna 6)에 중첩된 제3 센싱 영역(1110c)과 이격된 제1 센싱 영역(1110a)에서 터치가 센싱될 수 있다. 그리고, 도 14의 (g) 및 (h)에 도시된 것과 같이, 제7 및 제8 스캔 라인(scan 7, scan 8)에 전류가 공급되는 동안에는, 제7 및 제8 스캔 라인(scan 7, scna 8)에 중첩된 제4 센싱 영역(1110d)과 이격된 제2 센싱 영역(1110b)에서 터치가 센싱될 수 있다.Accordingly, as shown in (a) and (b) of FIG. 14 , while current is supplied to the first and second scan lines scan 1 and scan 2 , the first and second scan lines scan 1 and scan 2 A touch may be sensed in the third sensing region 1110c spaced apart from the first sensing region 1110a overlapping scna 2 . And, as shown in (c) and (d) of FIG. 14, while the current is supplied to the third and fourth scan lines scan 3 and scan 4, the third and fourth scan lines scan 3 and scan 4, respectively. A touch may be sensed in the fourth sensing region 1110d spaced apart from the second sensing region 1110b overlapping scna 4 . Furthermore, as illustrated in (e) and (f) of FIG. 14 , while current is supplied to the fifth and sixth scan lines scan 5 and scan 6 , the fifth and sixth scan lines scan 5 and scan 6 A touch may be sensed in the first sensing region 1110a spaced apart from the third sensing region 1110c overlapping scna 6 . And, as shown in (g) and (h) of FIG. 14, while current is supplied to the seventh and eighth scan lines scan 7 and scan 8, the seventh and eighth scan lines scan 7 and 8 scan lines scan 7 and scan 8 respectively. A touch may be sensed in the second sensing region 1110b spaced apart from the fourth sensing region 1110d overlapping scna 8 .

한편, 웨어러블 디바이스 등에서 요구하는 박막 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 디스플레이부(1150)와 터치 센서부(1110)가 최소의 구조로 결합되거나 또는 일체화되어야만 그 디스플레이 장치가 박막 형태로 구현될 수 있다.Meanwhile, in order to implement a thin film display device required by wearable devices, etc., the display unit 1150 and the touch sensor unit 1110 must be combined or integrated in a minimum structure so that the display device can be implemented in a thin film form.

본 발명에서는 상기에서 설명된 터치 센서부(1110)없이, 본 발명의 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 방법을 설명한다. 즉, 상기에서 설명된 터치 센서부(1110)없이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 터치 전극으로서 사용하면서도 터치 센싱을 위한 전극에 유기되는 노이즈를 최소화할 수 있는 방법을 도 15 내지 도 18을 참조하여 설명한다. In the present invention, a method of sensing a touch using the scan electrode of the display unit 1150 without the above-described touch sensor unit 1110 will be described. That is, a method for minimizing noise induced by touch sensing electrodes while using scan electrodes of the display unit 1150 as touch electrodes without the touch sensor unit 1110 described above is shown in FIGS. 15 to 18. refer to and explain.

도 15 내지 도 18은 본 발명에 따른 디스플레이부의 스캔 전극을 나타낸 도들이다. 이하에서는, 디스플레이부(1150)의 구동방식을 설명하는데 있어서, 설명의 편의를 위하여, 도 15 내지 도 18에 도시된 것과 같이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극이 16개의 스캔 전극(예를 들면, 전극1(E1)부터 전극16(E16))으로 이루어졌다고 가정하여 설명한다.15 to 18 are diagrams illustrating scan electrodes of a display unit according to the present invention. Hereinafter, in describing the driving method of the display unit 1150, for convenience of description, as shown in FIGS. 15 to 18, the scan electrodes of the display unit 1150 are 16 scan electrodes , electrode 1 (E1) to electrode 16 (E16)).

먼저, 디스플레이 장치(1000)의 제어부는 상기 디스플레이 장치를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류(구동 신호)를 공급한다. 예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류(구동 신호)를 공급한다. 따라서, 제1 그룹의 스캔 전극에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류(구동 신호)가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.First, the control unit of the display apparatus 1000 sequentially supplies current (driving signal) to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes at a display driving time for driving the display apparatus. For example, the controller sequentially supplies a current (driving signal) to a first group of scan electrodes among a plurality of scan electrodes provided in the display unit 1150 every frame. Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to the scan electrodes of the first group sequentially emit light as current (driving signal) is sequentially supplied to the scan electrodes of the first group. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to the scan electrodes of the first group, if current is not supplied to the data line under the control of the control unit, the semiconductor light emitting device corresponding to the data line to which no current is supplied does not emit light.

도 15에 도시한 바와 같이, 디스플레이부의 스캔 전극이 16개의 스캔 전극(예를 들면, 전극1부터 전극16)으로 이루어졌다고 가정할 때, 제어부는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식에 따라 제1 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1부터 전극4)에 순차적으로 전류를 공급한다. 예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극16) 중에서 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극4에 순차적으로 전류를 공급한다. 따라서, 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극4에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극4에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극4에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.As shown in FIG. 15, assuming that the scan electrodes of the display unit are composed of 16 scan electrodes (eg, electrode 1 to electrode 16), the control unit performs the first step according to a passive matrix (PM) method. Current is sequentially supplied to the scan electrodes of the group (e.g., electrode 1 to electrode 4). For example, the control unit sequentially selects electrodes 1 to 4 as scan electrodes of the first group among a plurality of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 16) provided in the display unit 1150 every frame. supplies current to Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to electrodes 1 to 4, which are scan electrodes of the first group, sequentially emit light as current is sequentially supplied to electrodes 1 to 4, which are scan electrodes of the first group. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to electrodes 1 to 4, which are scan electrodes of the first group, if current is not supplied to the data line under the control of the control unit, the semiconductor light emitting element corresponds to the data line to which no current is supplied. does not emit light.

상기 제1 그룹의 스캔 전극은 전극1 내지 전극4로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제1 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the first group are not necessarily limited to electrodes 1 to 4, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the first group.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극4)에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9 내지 전극12)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다.While the control unit sequentially supplies current to the first group of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 4), the second group of scan electrodes spaced apart from the first group of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 4) Touch inputs applied to the electrodes 9 to 12) are sensed.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극들과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극에 터치(예를들면, 손가락(Finger) 터치에)가 가해졌을 때 그 터치에 따른 제2 그룹의 스캔 전극의 정전용량(capacitance) 변화를 근거로 그 터치를 센싱할 수 있다. 또한, 제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 제2 그룹의 스캔 전극의 신호 변화(정전용량 변화)를 터치로서 센싱할 때 그 제2 그룹의 스캔 전극에 의해 센싱되는 복수의 신호들(정전용량)을 합하고, 그 합해진 신호들을 근거로 터치 여부를 결정할 수도 있다. 즉, 제어부는 제2 그룹의 스캔 전극에 의해 센싱되는 복수의 신호들(정전용량)을 합하여 그 정전용량을 증가시켜 터치를 센싱할 수도 있다.When a touch (eg, a finger touch) is applied to the scan electrodes of the second group spaced apart from the scan electrodes of the first group, the control unit performs electrostatic discharge of the scan electrodes of the second group according to the touch. The touch may be sensed based on a change in capacitance. In addition, when the controller senses a signal change (capacitance change) of the second group of scan electrodes as a touch while sequentially supplying current to the first group of scan electrodes, the controller senses the second group of scan electrodes. A plurality of signals (capacitance) may be summed, and whether to touch may be determined based on the summed signals. That is, the control unit may sense a touch by summing a plurality of signals (capacitance) sensed by the scan electrodes of the second group and increasing the capacitance.

상기 제2 그룹의 스캔 전극은 전극9 내지 전극12로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제2 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the second group are not necessarily limited to the electrodes 9 to 12, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the second group.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극들과 미리설정된 거리만큼(예를 들면, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극의 길이 만큼) 이격된 위치에 존재하는 제2 그룹의 스캔 전극을 터치 센싱 영역(1501)으로 설정할 수도 있다. 예를 들면, 제어부는 전극1부터 전극4까지 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 전극9부터 전극12까지 영역에서는 터치 센싱을 수행한다. 이때, 전극1부터 전극4까지의 영역과 터치 센싱 영역(1501)은 전극5부터 전극7에 해당하는 영역만큼 이격되어 있기 때문에 전극1부터 전극4에 공급되는 전류에 의해 발생하는 노이즈가 터치 센싱 영역(전극9부터 전극12)(1501)으로 유기되지 않는다.The control unit uses the second group of scan electrodes, which are spaced apart from the first group of scan electrodes by a predetermined distance (for example, by the length of several to hundreds of scan electrodes), as the touch sensing area 1501. can also be set. For example, the controller performs touch sensing in an area from electrode 9 to electrode 12 while sequentially supplying current from electrode 1 to electrode 4. At this time, since the area from electrode 1 to electrode 4 and the touch sensing area 1501 are spaced apart by the area corresponding to electrode 5 to electrode 7, noise generated by the current supplied to electrode 1 to electrode 4 is removed from the touch sensing area. (electrode 9 to electrode 12) (1501) is not induced.

도 16에 도시한 바와 같이, 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극4)에 순차적으로 전류가 공급(인가)되면, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식에 따라 제3 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극5부터 전극8)에 순차적으로 전류를 공급한다. 예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극16) 중에서 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극4에 순차적으로 전류를 공급한 후 제3 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극5부터 전극8)에 순차적으로 전류를 공급한다. 이에 따라, 제3 그룹의 스캔 전극인 전극5 내지 전극8에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제3 그룹의 스캔 전극인 전극5 내지 전극8에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제3 그룹의 스캔 전극인 전극5 내지 전극8에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.As shown in FIG. 16, when current is sequentially supplied (applied) to the first group of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 4), the controller operates in a passive matrix (PM) method. Accordingly, current is sequentially supplied to the third group of scan electrodes (e.g., electrode 5 to electrode 8). For example, the control unit sequentially selects electrodes 1 to 4 as scan electrodes of the first group among a plurality of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 16) provided in the display unit 1150 every frame. After supplying current, current is sequentially supplied to the scan electrodes of the third group (for example, electrode 5 to electrode 8). Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to electrodes 5 to 8, which are scan electrodes of the third group, sequentially emit light as current is sequentially supplied to electrodes 5 to 8, which are scan electrodes of the third group. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to electrodes 5 to 8, which are scan electrodes of the third group, if current is not supplied to the data line under the control of the control unit, the semiconductor light emitting element corresponds to the data line to which no current is supplied. does not emit light.

상기 제3 그룹의 스캔 전극은 전극5 내지 전극8로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제3 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the third group are not necessarily limited to the electrodes 5 to 8, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the third group.

제어부는 상기 제3 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극5 내지 전극8)에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 상기 제3 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제4 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극13 내지 전극16)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다. 즉, 제어부는 상기 제3 그룹의 스캔 전극들과 서로 이격된 제4 그룹의 스캔 전극에 터치(예를들면, 손가락(Finger) 터치에)가 가해졌을 때 그 터치에 따른 제4 그룹의 스캔 전극의 정전용량(capacitance) 변화를 근거로 그 터치를 센싱할 수 있다. 또한, 제어부는 상기 제3 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 제4 그룹의 스캔 전극의 신호 변화(정전용량 변화)를 터치로서 센싱할 때 그 제4 그룹의 스캔 전극에 의해 센싱되는 복수의 신호들(정전용량)을 합하고, 그 합해진 신호들을 근거로 터치 여부를 결정할 수도 있다. While the control unit sequentially supplies current to the third group of scan electrodes (e.g., electrodes 5 to 8), the fourth group of scan electrodes spaced apart from each other (e.g., electrodes 5 to 8) A touch input applied to electrodes 13 to 16 is sensed. That is, when a touch (eg, a finger touch) is applied to the scan electrodes of the fourth group spaced apart from the scan electrodes of the third group, the control unit controls the scan electrodes of the fourth group according to the touch. The touch may be sensed based on a change in capacitance of . In addition, when the control unit senses a signal change (capacitance change) of the fourth group of scan electrodes as a touch while sequentially supplying current to the third group of scan electrodes, the controller senses the fourth group of scan electrodes. A plurality of signals (capacitance) may be summed, and whether to touch may be determined based on the summed signals.

상기 제4 그룹의 스캔 전극은 전극13 내지 전극16으로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제4 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The fourth group of scan electrodes is not necessarily limited to the electrodes 13 to 16, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the fourth group of scan electrodes.

제어부는 상기 제3 그룹의 스캔 전극들과 미리설정된 거리만큼(예를 들면, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극의 길이 만큼) 이격된 위치에 존재하는 제4 그룹의 스캔 전극을 터치 센싱 영역(1601)으로 설정할 수도 있다. 예를 들면, 제어부는, 전극5부터 전극8까지 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 전극13부터 전극16까지의 영역에서는 터치 센싱을 수행한다. 이때, 전극5부터 전극8까지의 영역과 터치 센싱 영역(1601)은 전극9부터 전극12에 해당하는 영역만큼 이격되어 있기 때문에 전극5부터 전극8에 공급되는 전류에 의해 발생하는 노이즈가 터치 센싱 영역(전극13부터 전극16)(1601)으로 유기되지 않는다.The control unit uses a fourth group of scan electrodes, which are spaced apart from the third group of scan electrodes by a preset distance (for example, by the length of several to hundreds of scan electrodes), as the touch sensing area 1601. can also be set. For example, the controller performs touch sensing in the region from the electrode 13 to the electrode 16 while sequentially supplying current to the electrode 5 to the electrode 8. At this time, since the area from electrode 5 to electrode 8 and the touch sensing area 1601 are spaced apart by the area corresponding to electrode 9 to electrode 12, noise generated by the current supplied to electrode 5 to electrode 8 is removed from the touch sensing area. (electrode 13 to electrode 16) 1601 is not induced.

도 17에 도시한 바와 같이, 제어부는, 상기 제3 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극5 내지 전극8)에 순차적으로 전류가 공급(인가)되면, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식에 따라 제5 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9부터 전극12)에 순차적으로 전류를 공급한다. 예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극16) 중에서 제3 그룹의 스캔 전극인 전극5 내지 전극8에 순차적으로 전류를 공급한 후 제5 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9부터 전극12)에 순차적으로 전류를 공급한다. 이에 따라, 제5 그룹의 스캔 전극인 전극9 내지 전극12에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제5 그룹의 스캔 전극인 전극9 내지 전극12에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제5 그룹의 스캔 전극인 전극9 내지 전극12에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.As shown in FIG. 17, when current is sequentially supplied (applied) to the third group of scan electrodes (eg, electrodes 5 to 8), the control unit operates in a passive matrix (PM) method. Accordingly, current is sequentially supplied to the scan electrodes of the fifth group (for example, electrode 9 to electrode 12). For example, the control unit sequentially selects electrodes 5 to 8 as scan electrodes of the third group among a plurality of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 16) provided in the display unit 1150 every frame. After supplying current, current is sequentially supplied to the scan electrodes of the fifth group (for example, electrode 9 to electrode 12). Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to the fifth group of scan electrodes, electrodes 9 to 12, sequentially emit light as current is sequentially supplied to the fifth group of scan electrodes, electrodes 9 to 12. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to electrodes 9 to 12, which are scan electrodes of the fifth group, if current is not supplied to the data line under the control of the controller, the semiconductor light emitting device corresponds to the data line to which no current is supplied. does not emit light.

상기 제5 그룹의 스캔 전극은 전극9 내지 전극12로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제5 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the fifth group are not necessarily limited to the electrodes 9 to 12, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the fifth group.

제어부는 상기 제5 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9 내지 전극12)에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 상기 제5 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제6 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극4)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다. 즉, 제어부는 상기 제5 그룹의 스캔 전극들과 서로 이격된 제6 그룹의 스캔 전극에 터치(예를들면, 손가락(Finger) 터치에)가 가해졌을 때 그 터치에 따른 제6 그룹의 스캔 전극의 정전용량(capacitance) 변화를 근거로 그 터치를 센싱할 수 있다. 또한, 제어부는 상기 제5 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 제6 그룹의 스캔 전극의 신호 변화(정전용량 변화)를 터치로서 센싱할 때 그 제6 그룹의 스캔 전극에 의해 센싱되는 복수의 신호들(정전용량)을 합하고, 그 합해진 신호들을 근거로 터치 여부를 결정할 수도 있다. While the control unit sequentially supplies current to the fifth group of scan electrodes (for example, electrodes 9 to 12), the sixth group of scan electrodes spaced apart from each other (for example, electrodes 9 to 12) Touch input applied to electrodes 1 to 4) is sensed. That is, when a touch (eg, a finger touch) is applied to the scan electrodes of the sixth group spaced apart from the scan electrodes of the fifth group, the controller controls the scan electrodes of the sixth group according to the touch. The touch may be sensed based on a change in capacitance of . In addition, when the control unit senses a signal change (capacitance change) of the sixth group of scan electrodes as a touch while sequentially supplying current to the fifth group of scan electrodes, the controller senses the sixth group of scan electrodes. A plurality of signals (capacitance) may be summed, and whether to touch may be determined based on the summed signals.

상기 제6 그룹의 스캔 전극은 전극1 내지 전극4로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제6 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the sixth group are not necessarily limited to electrodes 1 to 4, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the sixth group.

제어부는 상기 제5 그룹의 스캔 전극들과 미리설정된 거리만큼(예를 들면, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극의 길이 만큼) 이격된 위치에 존재하는 제6 그룹의 스캔 전극을 터치 센싱 영역(1701)으로 설정할 수도 있다. 예를 들면, 제어부는, 전극9부터 전극12까지 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 전극1부터 전극4까지의 영역에서는 터치 센싱을 수행한다. 이때, 전극9부터 전극12까지의 영역과 터치 센싱 영역(1701)은 전극5부터 전극8에 해당하는 영역만큼 이격되어 있기 때문에 전극9부터 전극12에 공급되는 전류에 의해 발생하는 노이즈가 터치 센싱 영역(전극1부터 전극4)(1701)으로 유기되지 않는다.The controller uses the sixth group of scan electrodes, which are spaced apart from the fifth group of scan electrodes by a preset distance (eg, the length of several to hundreds of scan electrodes), as the touch sensing area 1701. can also be set. For example, the controller performs touch sensing in an area from electrode 1 to electrode 4 while sequentially supplying current from electrode 9 to electrode 12 . At this time, since the area from electrode 9 to electrode 12 and the touch sensing area 1701 are separated by the area corresponding to electrode 5 to electrode 8, noise generated by the current supplied to electrode 9 to electrode 12 is removed from the touch sensing area. (electrode 1 to electrode 4) 1701 is not induced.

도 18에 도시한 바와 같이, 제어부는, 상기 제5 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9 내지 전극12)에 순차적으로 전류가 공급(인가)되면, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식에 따라 제7 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극13부터 전극16)에 순차적으로 전류를 공급한다. 예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극16) 중에서 제5 그룹의 스캔 전극인 전극9 내지 전극12에 순차적으로 전류를 공급한 후 제7 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극13부터 전극16)에 순차적으로 전류를 공급한다. 이에 따라, 제7 그룹의 스캔 전극인 전극13 내지 전극16에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제7 그룹의 스캔 전극인 전극13 내지 전극16에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제7 그룹의 스캔 전극인 전극13 내지 전극16에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.As shown in FIG. 18, when current is sequentially supplied (applied) to the fifth group of scan electrodes (e.g., electrodes 9 to 12), the controller operates in a passive matrix (PM) method. Accordingly, current is sequentially supplied to the scan electrodes of the seventh group (e.g., electrodes 13 to 16). For example, the control unit sequentially selects electrodes 9 to 12 as scan electrodes of the fifth group among a plurality of scan electrodes (e.g., electrodes 1 to 16) provided in the display unit 1150 every frame. After supplying current, current is sequentially supplied to the scan electrodes of the seventh group (for example, electrodes 13 to 16). Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to electrodes 13 to 16, which are the scan electrodes of the seventh group, sequentially emit light as current is sequentially supplied to the electrodes 13 to 16, which are the scan electrodes of the seventh group. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to electrodes 13 to 16, which are scan electrodes of the seventh group, if current is not supplied to the data line under the control of the control unit, the semiconductor light emitting device corresponds to the data line to which no current is supplied. does not emit light.

상기 제7 그룹의 스캔 전극은 전극13 내지 전극16으로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제7 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the seventh group are not necessarily limited to the electrodes 13 to 16, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the seventh group.

제어부는 상기 제7 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극13 내지 전극16)에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 상기 제7 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제8 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극5 내지 전극8)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다. 즉, 제어부는 상기 제7 그룹의 스캔 전극들과 서로 이격된 제8 그룹의 스캔 전극에 터치(예를들면, 손가락(Finger) 터치에)가 가해졌을 때 그 터치에 따른 제8 그룹의 스캔 전극의 정전용량(capacitance) 변화를 근거로 그 터치를 센싱할 수 있다. 또한, 제어부는 상기 제7 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 제8 그룹의 스캔 전극의 신호 변화(정전용량 변화)를 터치로서 센싱할 때 그 제8 그룹의 스캔 전극에 의해 센싱되는 복수의 신호들(정전용량)을 합하고, 그 합해진 신호들을 근거로 터치 여부를 결정할 수도 있다. While sequentially supplying current to the seventh group of scan electrodes (for example, electrodes 13 to 16), the control unit is spaced apart from the eighth group of scan electrodes (for example, electrodes 13 to 16). Touch inputs applied to the electrodes 5 to 8) are sensed. That is, when a touch (eg, a finger touch) is applied to the scan electrodes of the eighth group spaced apart from the scan electrodes of the seventh group, the control unit controls the scan electrodes of the eighth group according to the touch. The touch may be sensed based on a change in capacitance of . In addition, when the control unit senses a signal change (capacitance change) of the eighth group of scan electrodes as a touch while sequentially supplying current to the seventh group of scan electrodes, the control unit is sensed by the eighth group of scan electrodes. A plurality of signals (capacitance) may be summed, and whether to touch may be determined based on the summed signals.

상기 제8 그룹의 스캔 전극은 전극5 내지 전극8로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제8 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The eighth group of scan electrodes is not necessarily limited to electrodes 5 to 8, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the eighth group of scan electrodes.

제어부는 상기 제7 그룹의 스캔 전극들과 미리설정된 거리만큼(예를 들면, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극의 길이 만큼) 이격된 위치에 존재하는 제8 그룹의 스캔 전극을 터치 센싱 영역(1801)으로 설정할 수도 있다. 예를 들면, 제어부는, 전극13부터 전극16까지 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 전극5부터 전극8까지의 영역에서는 터치 센싱을 수행한다. 이때, 전극13부터 전극16까지의 영역과 터치 센싱 영역(1801)은 전극9부터 전극12에 해당하는 간격만큼 이격되어 있기 때문에 전극13부터 전극16에 공급되는 전류에 의해 발생하는 노이즈가 터치 센싱 영역(전극5부터 전극8)(1801)으로 유기되지 않는다.The control unit uses the scan electrodes of the eighth group, which are spaced apart from the scan electrodes of the seventh group by a predetermined distance (for example, by the length of several to hundreds of scan electrodes), as the touch sensing area 1801. can also be set. For example, the controller performs touch sensing in an area from the electrode 5 to the electrode 8 while sequentially supplying current to the electrode 13 to the electrode 16. At this time, since the area from electrode 13 to electrode 16 and the touch sensing area 1801 are spaced apart by the distance corresponding to the electrode 9 to electrode 12, the noise generated by the current supplied to the electrode 13 to electrode 16 is removed from the touch sensing area. (electrode 5 to electrode 8) 1801 is not induced.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는, 터치 센서부(1110)없이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 터치 센싱을 위한 전극에 유기되는 노이즈를 최소화할 수 있다.As described above, the display device using the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention senses a touch input using the scan electrode of the display unit 1150 without the touch sensor unit 1110, thereby providing a Noise induced by electrodes can be minimized.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는, 터치 센서부(1110)없이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 디스플레이 장치의 두께를 줄일 수도 있다.A display device using a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention may reduce the thickness of the display device by sensing a touch input using the scan electrode of the display unit 1150 without the touch sensor unit 1110 .

이하에서는, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극뿐만 아니라 터치 센서부(1110)의 터치 센싱 영역(터치 센서 전극 어레이)도 함께 이용하여 터치 정확도를 향상시키는 방법을 도 19를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of improving touch accuracy by using not only the scan electrode of the display unit 1150 but also the touch sensing region (touch sensor electrode array) of the touch sensor unit 1110 will be described with reference to FIG. 19 .

도 19는 본 발명에 따른 디스플레이부의 스캔 전극과 터치 센서부(1110)를 나타낸 도이다.19 is a diagram illustrating a scan electrode and a touch sensor unit 1110 of a display unit according to the present invention.

도 19에 도시한 바와 같이, 터치 센서부(1110)는, 상기 디스플레이부(1150)에 배치되고, 복수의 터치 센싱 영역(1901a~1901d)을 포함한다. 터치 센서부(1110)는 상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간 동안에, 상기 복수의 터치 센싱 영역(1901a~1901d) 중에서 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)과 대향하는 제1 터치 센싱 영역(1901c)에서 상기 터치 입력을 센싱한다. As shown in FIG. 19 , the touch sensor unit 1110 is disposed on the display unit 1150 and includes a plurality of touch sensing areas 1901a to 1901d. The touch sensor unit 1110 has a first touch sensing area 1902 facing the touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes among the plurality of touch sensing areas 1901a to 1901d during display driving time for driving the display unit. The touch input is sensed in the touch sensing area 1901c.

상기 복수의 터치 센싱 영역(1901a~1901d)에 대응하는 복수의 전극(예를 들면, 터치 전극)과 대향하는 스캔 전극은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.A plurality of electrodes (eg, touch electrodes) corresponding to the plurality of touch sensing regions 1901a to 1901d and an opposing scan electrode may be electrically connected to each other.

상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)을 통해 터치 입력이 센싱되고, 동시에 상기 제1 터치 센싱 영역(1901)에서 상기 터치 입력이 센싱될 때만 상기 터치 입력을 유효한 터치 입력으로 결정할 수도 있다. 반면, 상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)을 통해 터치 입력이 센싱되고, 상기 제1 터치 센싱 영역(1901)에서 상기 터치 입력이 센싱되지 않으면 상기 터치 입력이 유효한 터치 입력이 아닌 것으로 결정할 수도 있다. 상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)을 통해 터치 입력이 센싱되지 않고, 상기 제1 터치 센싱 영역(1901)에서 상기 터치 입력이 센싱되면 상기 터치 입력이 유효한 터치 입력이 아닌 것으로 결정할 수도 있다.The control unit makes the touch input effective only when a touch input is sensed through the touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes and at the same time the touch input is sensed in the first touch sensing area 1901. It can also be determined by touch input. On the other hand, if a touch input is sensed through the touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes and the touch input is not sensed in the first touch sensing area 1901, the controller detects the touch input. It may be determined that the touch input is not valid. If the touch input is not sensed through the touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes and the touch input is sensed in the first touch sensing area 1901, the control unit determines that the touch input is valid. It can also be determined that it is not an input.

예를 들면, 제어부는 매 프레임(frame) 마다 디스플레이부(1150)에 구비된 복수의 스캔 전극(예를 들면, 전극1(E1) 내지 전극16(E16)) 중에서 제1 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1(E1) 내지 전극2(E2))에 순차적으로 전류를 공급한다. 따라서, 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극2에 전기적으로 연결된 반도체 발광소자들은 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극2에 순차적으로 전류가 공급됨에 따라 순차적으로 발광한다. 한편, 제1 그룹의 스캔 전극인 전극1 내지 전극2에 순차적으로 전류가 공급되더라도, 제어부의 제어 하에 데이터 라인에 전류가 공급되지 않는 경우라면, 전류가 공급되지 않은 데이터 라인에 해당하는 반도체 발광 소자는 발광하지 않는다.For example, the control unit may select a first group of scan electrodes (e.g., electrodes 1 (E1) to 16 (E16)) among a plurality of scan electrodes (e.g., electrodes 1 (E1) to 16 (E16)) provided in the display unit 1150 every frame. For example, current is sequentially supplied to electrode 1 (E1) to electrode 2 (E2). Accordingly, the semiconductor light emitting devices electrically connected to electrodes 1 to 2, which are scan electrodes of the first group, sequentially emit light as current is sequentially supplied to electrodes 1 to 2, which are scan electrodes of the first group. Meanwhile, even if current is sequentially supplied to electrodes 1 to 2, which are scan electrodes of the first group, if current is not supplied to the data line under the control of the controller, the semiconductor light emitting element corresponds to the data line to which no current is supplied. does not emit light.

상기 제1 그룹의 스캔 전극은 전극1 내지 전극2로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제1 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the first group are not necessarily limited to electrodes 1 to 2, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the first group.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극1 내지 전극2)에 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극(예를 들면, 전극9 내지 전극12)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다.While the control unit sequentially supplies current to the first group of scan electrodes (eg, electrodes 1 to 2), the second group of scan electrodes spaced apart from each other (eg, electrodes 1 to 2). Touch inputs applied to the electrodes 9 to 12) are sensed.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극들과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극에 터치(예를들면, 손가락(Finger) 터치에)가 가해졌을 때 그 터치에 따른 제2 그룹의 스캔 전극의 정전용량(capacitance) 변화를 근거로 그 터치를 센싱할 수 있다. When a touch (eg, a finger touch) is applied to the scan electrodes of the second group spaced apart from the scan electrodes of the first group, the control unit performs electrostatic discharge of the scan electrodes of the second group according to the touch. The touch may be sensed based on a change in capacitance.

상기 제2 그룹의 스캔 전극은 전극9 내지 전극12로 반드시 한정되는 것은 아니며, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극이 제2 그룹의 스캔 전극으로서 사용될 수 있다.The scan electrodes of the second group are not necessarily limited to the electrodes 9 to 12, and several to hundreds of scan electrodes may be used as the scan electrodes of the second group.

제어부는 상기 제1 그룹의 스캔 전극들과 미리설정된 거리만큼(예를 들면, 수개 내지 수백 개의 스캔 전극의 길이 만큼) 이격된 위치에 존재하는 제2 그룹의 스캔 전극을 터치 센싱 영역(1902)으로 설정할 수도 있다. 예를 들면, 제어부는 전극1부터 전극2까지 순차적으로 전류를 공급하는 동안에 전극9부터 전극12까지 영역(1902)에서는 터치 센싱을 수행한다. 이때, 터치 센서부(1110)는, 전극1부터 전극2까지 순차적으로 전류가 공급되는 동안에, 상기 복수의 터치 센싱 영역(1901a~1901d) 중에서 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)과 대향하는 제1 터치 센싱 영역(1901c)에서 상기 터치 입력을 센싱한다. 즉, 터치 센서부(1110)는, 전극1부터 전극2까지 순차적으로 전류가 공급되는 동안에, 상기 복수의 터치 센싱 영역(1901a~1901d) 중에서 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)과 중첩된 제1 터치 센싱 영역(1901c)에서 상기 터치 입력을 센싱한다.The control unit uses the second group of scan electrodes, which are spaced apart from the first group of scan electrodes by a preset distance (for example, by the length of several to hundreds of scan electrodes), as the touch sensing area 1902. can also be set. For example, the controller performs touch sensing in the region 1902 from the electrode 9 to the electrode 12 while sequentially supplying current from the electrode 1 to the electrode 2. At this time, the touch sensor unit 1110 is a touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes among the plurality of touch sensing areas 1901a to 1901d while current is sequentially supplied from electrode 1 to electrode 2. The touch input is sensed in the first touch sensing region 1901c opposite to ). That is, in the touch sensor unit 1110, while current is sequentially supplied from electrode 1 to electrode 2, the touch sensing area 1902 composed of the first group of scan electrodes among the plurality of touch sensing areas 1901a to 1901d The touch input is sensed in the first touch sensing region 1901c overlapped with ).

상기 제어부는 상기 제1 터치 센싱 영역(1901c)에서 상기 터치 입력을 센싱할 때, 나머지 터치 센싱 영역(1901a, 190b, 1901d)을 비활성화(턴-오프 상태)시킬 수도 있다.When sensing the touch input in the first touch sensing region 1901c, the controller may deactivate (turn off state) the remaining touch sensing regions 1901a, 190b, and 1901d.

상기 제어부는, 상기 제1 그룹의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)을 통해 터치 입력이 센싱되고, 동시에 상기 제1 터치 센싱 영역(1901c)에서 상기 터치 입력이 센싱될 때만 상기 터치 입력을 유효한 터치 입력으로 결정할 수도 있다.The control unit makes the touch input effective only when a touch input is sensed through the touch sensing region 1902 composed of the first group of scan electrodes and at the same time the touch input is sensed in the first touch sensing region 1901c. It can also be determined by touch input.

이하에서는, 사용자가 요청에 따라 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하거나 터치 센서부(1110)를 이용하여 터치를 센싱하는 방법과, 터치센서부가 고장일 때 자동으로 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 방법을 도 19를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of sensing a touch using the scan electrode of the display unit 1150 or sensing a touch using the touch sensor unit 1110 according to a user's request, and automatically displaying the display unit ( A method of sensing a touch using the scan electrode in step 1150 will be described with reference to FIG. 19 .

먼저, 제어부는 사용자 요청에 따라 제1 터치 모드 및 제2 터치 모드를 표시부(도시하지 않음)에 표시한다. 예를 들면, 제어부는 사용자 요청에 따라 터치 센서부(1110)를 이용하여 터치를 센싱하는 제1 터치 모드 및 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 제2 터치 모드를 표시부에 표시한다.First, the controller displays the first touch mode and the second touch mode on a display unit (not shown) according to a user's request. For example, the control unit provides a first touch mode for sensing a touch using the touch sensor unit 1110 and a second touch mode for sensing a touch using a scan electrode of the display unit 1150 to the display unit according to a user request. display

제어부는 제1 터치 모드가 사용자에 의해 선택되면 터치 센서부(1110)를 동작시킴으로써 터치를 센싱하고, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하지 않는다. 예를 들면, 제어부는, 제1 터치 모드가 사용자에 의해 선택되면, 터치 센서부(1110)만을 이용하여 터치를 센싱하고, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)에 가해지는 터치 입력을 센싱하지 않는다.When the first touch mode is selected by the user, the controller senses the touch by operating the touch sensor unit 1110 and does not sense the touch by using the scan electrode of the display unit 1150 . For example, when the first touch mode is selected by the user, the controller senses a touch using only the touch sensor unit 1110 and applies it to the touch sensing area 1902 composed of scan electrodes of the display unit 1150. G does not sense touch input.

제어부는 제2 터치 모드가 사용자에 의해 선택되면 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하고, 터치 센서부(1110)를 이용하여 터치를 센싱하지 않는다. 예를 들면, 제어부는, 제2 터치 모드가 사용자에 의해 선택되면, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)에 가해지는 터치 입력을 센싱하고, 터치 센서부(1110)에 가해지는 터치 입력을 센싱하지 않는다.When the second touch mode is selected by the user, the controller senses the touch using the scan electrode of the display unit 1150 and does not sense the touch using the touch sensor unit 1110 . For example, when the second touch mode is selected by the user, the controller senses a touch input applied to the touch sensing region 1902 composed of the scan electrodes of the display unit 1150, and the touch sensor unit 1110 detects a touch input. Applied touch input is not sensed.

제어부는 터치 센서부(1110)의 고장 여부를 주기적으로 검출하고, 터치 센서부(1110)가 고장일 때 자동적으로 제2 터치 모드를 선택할 수 있다. 예를 들면, 제어부는, 터치 센서부(1110)가 고장일 때 제2 터치 모드를 자동으로 선택하고, 제2 터치 모드에 따라 터치 센서부(1110)를 비활성화시키고, 동시에 디스플레이부(1150)의 스캔 전극으로 구성된 터치 센싱 영역(1902)에 가해지는 터치 입력을 센싱한다.The controller may periodically detect whether the touch sensor unit 1110 is out of order, and automatically select the second touch mode when the touch sensor unit 1110 is out of order. For example, when the touch sensor unit 1110 is out of order, the controller automatically selects the second touch mode, deactivates the touch sensor unit 1110 according to the second touch mode, and simultaneously controls the display unit 1150. A touch input applied to the touch sensing region 1902 composed of scan electrodes is sensed.

이상에서 살펴본 것과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는, 터치 센서부(1110)없이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 터치 센싱을 위한 전극에 유기되는 노이즈를 최소화할 수 있다.As described above, the display device using the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention senses a touch input using the scan electrode of the display unit 1150 without the touch sensor unit 1110, thereby providing a Noise induced by electrodes can be minimized.

본 발명의 실시예에서는 터치 센서부(1110)없이, 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱함으로써 디스플레이 장치의 두께를 줄일 수도 있다.In an embodiment of the present invention, the thickness of the display device may be reduced by sensing a touch input using the scan electrode of the display unit 1150 without the touch sensor unit 1110 .

본 발명의 실시예에서는 디스플레이부(1150)의 스캔 전극뿐만 아니라 터치 센서부(1110)의 터치 센싱 영역(터치 센서 전극 어레이)도 함께 이용함으로써 터치 정확도를 향상시킬 수도 있다.In an embodiment of the present invention, touch accuracy may be improved by using not only the scan electrode of the display unit 1150 but also the touch sensing region (touch sensor electrode array) of the touch sensor unit 1110 .

본 발명의 실시예에서는 사용자가 요청에 따라 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하거나 터치 센서부(1110)를 이용하여 터치를 센싱할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a touch may be sensed using the scan electrode of the display unit 1150 or a touch may be sensed using the touch sensor unit 1110 according to a user's request.

본 발명의 실시예에서는 터치센서부가 고장일 때 자동으로 디스플레이부(1150)의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱할 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the touch sensor unit fails, a touch may be automatically sensed using the scan electrode of the display unit 1150 .

이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The display device using the semiconductor light emitting device described above is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the above embodiments may be configured by selectively combining all or part of each embodiment so that various modifications can be made. may be

Claims (10)

복수의 스캔 전극으로 이루어진 스캔 라인과 전기적으로 연결되도록 배열된 복수의 반도체 발광소자들을 포함하는 디스플레이부;
상기 디스플레이부 상에 배치되고, 복수의 터치 센싱 영역을 포함하는 터치 센서부; 및
상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하고,
상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는,
사용자 요청에 따라 상기 터치 센서부를 이용하여 터치를 센싱하는 제1 터치 모드 및 상기 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 제2 터치 모드를 표시부에 표시하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
a display unit including a plurality of semiconductor light emitting devices arranged to be electrically connected to a scan line composed of a plurality of scan electrodes;
a touch sensor unit disposed on the display unit and including a plurality of touch sensing areas; and
sequentially applying a driving signal to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes at a display driving time for driving the display unit;
A control unit sensing a touch input using a second group of scan electrodes spaced apart from the first group of scan electrodes while sequentially applying a driving signal to the first group of scan electrodes;
The control unit,
A display device according to a user's request, displaying a first touch mode for sensing a touch using the touch sensor unit and a second touch mode for sensing a touch using a scan electrode of the display unit on a display unit.
제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제2 그룹의 스캔 전극의 정전용량 변화를 근거로 상기 터치 입력을 센싱하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 1, wherein the control unit,
The display device according to claim 1 , wherein the touch input is sensed based on a capacitance change of the scan electrodes of the second group while sequentially applying a driving signal to the scan electrodes of the first group.
제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에, 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 미리 설정된 거리만큼 이격된 위치에 존재하는 상기 제2 그룹의 스캔 전극을 포함하는 영역을 터치 센싱 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 1, wherein the control unit,
While a driving signal is sequentially applied to the first group of scan electrodes, an area including the second group of scan electrodes that are spaced apart from the first group of scan electrodes by a preset distance is a touch sensing area. A display device, characterized in that set to.
제3항에 있어서, 상기 미리 설정된 거리는,
상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가함으로써 발생하는 노이즈가 최소화되는 이격거리인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 3, wherein the preset distance,
The display device, characterized in that the separation distance is a separation distance that minimizes noise generated by sequentially applying a driving signal to the scan electrodes of the first group.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 터치 센서부는,
상기 디스플레이부를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간 동안에, 상기 복수의 터치 센싱 영역 중에서 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 대향하는 제1 터치 센싱 영역에서 상기 터치 입력을 센싱하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 1, wherein the touch sensor unit,
The display apparatus according to claim 1 , wherein a first touch sensing region, among the plurality of touch sensing regions, facing the scan electrodes of the first group senses the touch input during a display driving time for driving the display unit.
제6항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 제2 그룹의 스캔 전극을 통해 상기 터치 입력이 센싱되고, 동시에 상기 제1 터치 센싱 영역에서 상기 터치 입력이 센싱될 때만 상기 터치 입력을 유효한 터치 입력으로 결정하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 6, wherein the control unit,
The display apparatus of claim 1 , wherein the touch input is determined as a valid touch input only when the touch input is sensed through the scan electrodes of the second group and the touch input is simultaneously sensed in the first touch sensing area.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
상기 터치 센서부의 고장 여부를 주기적으로 검출하고, 상기 터치 센서부가 고장일 때 자동적으로 상기 제2 터치 모드를 선택하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
The method of claim 1, wherein the control unit,
The display apparatus characterized in that it periodically detects whether the touch sensor unit is out of order, and automatically selects the second touch mode when the touch sensor unit is out of order.
복수의 스캔 전극으로 이루어진 스캔 라인과 전기적으로 연결되도록 배열된 복수의 반도체 발광소자들을 포함하는 디스플레이 장치의 제어 방법에 있어서,
상기 디스플레이 장치를 구동하기 위한 디스플레이 구동 시간에 상기 복수의 스캔 전극 중에서 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 단계와;
상기 제1 그룹의 스캔 전극에 순차적으로 구동 신호를 인가하는 동안에 상기 제1 그룹의 스캔 전극과 서로 이격된 제2 그룹의 스캔 전극을 이용하여 터치 입력을 센싱하는 단계를 포함하고,
상기 터치 입력을 센싱하는 단계는,
사용자 요청에 따라 상기 디스플레이 장치의 디스플레이부 상에 배치되는 터치 센서부를 이용하여 터치를 센싱하는 제1 터치 모드 및 상기 디스플레이부의 스캔 전극을 이용하여 터치를 센싱하는 제2 터치 모드를 표시부에 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제어 방법.
A control method of a display device including a plurality of semiconductor light emitting elements arranged to be electrically connected to a scan line composed of a plurality of scan electrodes,
sequentially applying a driving signal to a first group of scan electrodes among the plurality of scan electrodes at a display driving time for driving the display device;
Sensing a touch input using a second group of scan electrodes spaced apart from the first group of scan electrodes while sequentially applying a drive signal to the first group of scan electrodes;
In the step of sensing the touch input,
Displaying a first touch mode for sensing a touch using a touch sensor unit disposed on a display unit of the display device and a second touch mode for sensing a touch using a scan electrode of the display unit on a display unit according to a user's request. A control method of a display device comprising a.
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