KR102507647B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents
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Abstract
외부하우징과 내부하우징의 틈새를 밀폐하는 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 내부하우징, 외부하우징, 외부하우징의 내측에 구비되어서 내부하우징과 외부하우징을 결합하는 결합부재, 내부하우징 및 외부하우징이 결합하는 연결부에 부착되어 틈새를 차단하는 커버 및 커버와 연결부 사이에 삽입되어 기밀을 유지하는 제1 밀폐부재를 포함한다. 화학가스의 공정챔버로 유입되는 것을 차단하여 내부의 기계장치들에 손상을 방지하고, 화학가스의 외부 누출을 방지하여 작업자의 안전을 보장하고 공정상의 안전을 보장한다.A substrate processing apparatus for sealing a gap between an outer housing and an inner housing is provided. The substrate processing apparatus includes an inner housing, an outer housing, a coupling member provided inside the outer housing to couple the inner housing and the outer housing, a cover attached to a connection portion to which the inner housing and the outer housing are coupled to block a gap, and a gap between the cover and the connection portion. It is inserted into and includes a first sealing member to maintain airtightness. It blocks the inflow of chemical gas into the process chamber to prevent damage to internal machinery, and prevents external leakage of chemical gas to ensure the safety of workers and process safety.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 공정챔버의 을 결합간 발생하는 틈새를 밀폐하여 반도체 공정간 공급되는 화학가스의 유출을 방지하고 내부를 진공으로 유지하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that seals gaps between couplings of process chambers to prevent leakage of chemical gas supplied between semiconductor processes and to maintain a vacuum inside the process chamber. .
일반적으로 반도체 제조공정에서는 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher)나 파티클 등의 불순물 제거 등이 수회 반복되어 미세한 패터닝(Patterning)의 배열을 만들어 나가게 된다.In general, in the semiconductor manufacturing process, deposition of insulating films and metal materials, etching, coating of photoresist, development, and removal of impurities such as asher or particles are repeated several times. This creates an array of fine patterning.
이중 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD)공정이나 식각(etching)공정을 수행할 때는 공정챔버(Processing chamber) 내부를 진공상태로 유지시킨다. 또 이러한 공정들을 수행할 때는 공정챔버 내부에 반응성 공정가스를 주입하고 이 공정가스를 플라즈마 상태로 만들어 줌으로써 반도체기판의 표면에 박막이 형성되거나, 기판 표면의 막이 패턴에 따라 식각될 수 있도록 한다. 따라서 이러한 공정들을 수행하기 위한 공정챔버는 내부가 진공으로 유지되거나 공정가스의 누설이 방지될 수 있도록 공정챔버의 결합부분이나 개폐부분의 기밀이 유지되어야 한다.When a chemical vapor deposition (CVD) process or an etching process is performed, a vacuum is maintained inside the processing chamber. In addition, when performing these processes, a reactive process gas is injected into the process chamber and the process gas is turned into a plasma state so that a thin film is formed on the surface of the semiconductor substrate or the film on the surface of the substrate is etched according to a pattern. Therefore, in a process chamber for performing these processes, an airtightness of a coupling part or an opening/closing part of the process chamber must be maintained so that the inside of the process chamber can be maintained in a vacuum or leakage of process gas can be prevented.
공정챔버의 하우징은 외기의 노출을 차단하는 외부하우징과 공정 및 적재 등을 수행하는 공간을 내부하우징을 결합한 형태로 구성되고, 상부커버로 공정챔버의 상부영역을 밀폐하여 독립된 공정조건을 가지는 공정챔버를 제공한다.The housing of the process chamber is composed of a combination of an outer housing that blocks exposure to outside air and an inner housing that provides space for processing and loading. provides
하지만 종래의 공정챔버의 경우, 종래의 기술의 외부하우징과 내부하우징의 결합부의 틈새를 밀폐하는 구성이 미비할 수 있어, 공정챔버 내부영역으로 주입되거나 공정과정에서 발생한 화학가스가 공정챔버의 틈새로 유입되어 기판 처리 장치 내부의 기계장치들에 손상을 초래할 수 있다. However, in the case of the conventional process chamber, the configuration for sealing the gap between the outer housing and the inner housing of the prior art may be insufficient, so that the chemical gas injected into the inner area of the process chamber or generated during the process passes through the gap of the process chamber. It may enter and cause damage to machinery inside the substrate processing apparatus.
또한, 공정과정에서 사용하는 인체에 유해한 화학가스가 외부로 누출되어 작업자의 안전을 위협할 수 있고 공정상에 안전문제를 초래할 수 있다. In addition, chemical gases harmful to the human body used in the process may leak to the outside, threatening the safety of workers and causing safety problems in the process.
본 발명의 목적은 기판처리장치에서 외부하우징과 내부하우징의 틈새를 밀폐할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.An object of the present invention relates to a substrate processing apparatus capable of sealing a gap between an outer housing and an inner housing in a substrate processing apparatus.
또한, 공정챔버 내부영역으로 주입되거나 공정과정에서 발생한 화학가스가 공정챔버의 틈새로 유입되는 것을 차단하여 내부의 기계장치들에 손상을 방지하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. In addition, the present invention relates to a substrate processing apparatus that prevents damage to internal mechanical devices by preventing chemical gases injected into an inner region of a process chamber or generated during a process from flowing into gaps in the process chamber.
또한, 공정과정에서 사용하는 유해한 화학가스의 외부 누출을 방지하여 작업자의 안전을 보장하고 공정상의 안전을 보장할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. In addition, the present invention relates to a substrate processing apparatus capable of ensuring the safety of workers and process safety by preventing external leakage of harmful chemical gases used in the process.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 기판 처리 장치는 내부하우징, 외부하우징, 상기 외부하우징의 내측에 구비되어서 상기 내부하우징과 상기 외부하우징을 결합하는 결합부재, 상기 내부하우징 및 상기 외부하우징이 결합되는 연결부에 부착되어 상기 연결부의 틈새를 차단하는 커버 및 상기 커버와 상기 연결부 사이에 삽입되어 기밀을 유지하는 제 1밀폐부재를 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate processing apparatus includes an inner housing, an outer housing, a coupling member provided inside the outer housing and coupling the inner housing and the outer housing, and attached to a connection portion to which the inner housing and the outer housing are coupled to fill a gap in the connection portion. It may include a cover that blocks and a first sealing member that is inserted between the cover and the connecting part to maintain airtightness.
일측에 있어서, 상기 내부하우징은, 커버와 결합되는 상면의 둘레를 따라 소정두께 및 높이로 돌출된 플랜지를 포함할 수 있다. On one side, the inner housing may include a flange protruding to a predetermined thickness and height along a circumference of an upper surface coupled to the cover.
일측에 있어서, 상기 결합부재는 상면이 상기 플랜지의 단부와 고저차가 없도록 상기 플랜지의 단부와 동일 평면을 형성할 수 있다. In one side, the coupling member may form the same plane as the end of the flange so that the upper surface and the end of the flange do not have a height difference.
일측에 있어서, 상기 플랜지를 관통하여 상기 결합부재와 결합하는 조절부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.In one side, the substrate processing apparatus further comprises an adjusting member coupled to the coupling member through the flange.
일측에 있어서, 상기 조절부재는, 일측 외주면에 나사산을 가지는 볼트형상일 수 있다. In one side, the adjusting member may be a bolt shape having a screw thread on one side outer circumferential surface.
일측에 있어서, 상기 조절부재는, 체결되는 깊이를 조절하여, 상기 결합부재와 상기 내부하우징의 밀착력을 조절할 수 있다. In one side, the control member, by adjusting the fastening depth, it is possible to adjust the adhesion between the coupling member and the inner housing.
일측에 있어서, 상기 제 1밀폐부재는, 중앙이 개구되어, 상기 커버와 결합되는 상기 플렌지의 결합면의 내측과 일치하게 결합되는 형상일 수 있다. In one side, the first sealing member, the center of the opening, may be coupled to match the inner side of the coupling surface of the flange coupled to the cover.
일측에 있어서, 상기 제 1밀폐부재는, 연질 PVC 재질일 수 있다. In one side, the first sealing member, may be a soft PVC material.
일측에 있어서, 환형의 오링형상인 상기 제 2밀폐부재를 더 포함할 수 있다.On one side, the second sealing member having an annular O-ring shape may be further included.
일측에 있어서, 상기 제 2밀폐부재는, 탄성재질일 수 있다.In one side, the second sealing member, may be an elastic material.
일측에 있어서, 상기 제 2밀폐부재는, 상기 연결부와 상기 제 1밀폐부재의 결합 시 상기 틈새를 양측에서 밀폐할 수 있다. On one side, the second sealing member may seal the gap from both sides when the connecting portion and the first sealing member are coupled.
일측에 있어서, 상기 내부하우징은, 상기 제 2밀폐부재의 수용을 위해 상기 커버와 결합면에 둘레를 따라 형성된 제 1수용홈을 포함할 수 있다. In one side, the inner housing may include a first accommodating groove formed along a circumference of a coupling surface with the cover for accommodating the second sealing member.
일측에 있어서, 상기 결합부재는, 상기 제 2밀폐부재의 수용을 위해 상기 커버와 결합면에 둘레를 따라 형성된 제 2수용홈을 포함할 수 있다. In one side, the coupling member may include a second receiving groove formed along the circumference of the cover and the coupling surface for accommodating the second sealing member.
본 발명에 따르면, 기판 처리 장치에서 외부하우징과 내부하우징의 틈새를 밀폐할 수 있다.According to the present invention, it is possible to seal the gap between the outer housing and the inner housing in the substrate processing apparatus.
또한, 공정챔버 내부영역으로 주입되거나 공정과정에서 발생한 화학가스가 공정챔버의 틈새로 유입되는 것을 차단하여 내부의 기계장치들의 손상을 방지할 수 있다. In addition, chemical gas injected into the inner region of the process chamber or generated during the process may be prevented from entering through gaps in the process chamber, thereby preventing damage to internal mechanical devices.
또한, 공정과정에서 사용하는 유해한 화학가스의 외부 누출을 방지하여 작업자의 안전을 보장하고 공정상의 안전을 보장할 수 있다.In addition, by preventing external leakage of harmful chemical gases used in the process, it is possible to ensure the safety of workers and process safety.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 밀폐의 구성을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 밀폐의 구성을 확대하여 보여주는 확대도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view showing an enlarged configuration of a sealing of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view showing an enlarged configuration of a sealing of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하, 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. Hereinafter, embodiments will be described in detail through exemplary drawings.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의 해야 한다. 또한, 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing an embodiment, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function hinders understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.
또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속" 된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 본 발명의 실시예들에서는, 기판 처리 장치(10) 중 매엽식 기판 세정 장치의 구성으로 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.Also, when a component is described as being “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component may be intervened between the components. It should be understood that components may be “connected,” “coupled,” or “connected.” In the embodiments of the present invention, it is illustrated as a configuration of a single wafer type substrate cleaning device among the
본 발명의 실시예들을 설명하기에 앞서 도 1에 도시된 상태를 기준으로 상하좌우의 방향을 설명하며, 도 1에 도시된 상태를 '정면'이라 한다.Prior to describing the embodiments of the present invention, directions of up, down, left and right are described based on the state shown in FIG. 1, and the state shown in FIG. 1 is referred to as 'front'.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 구성을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는 내부하우징(100), 외부하우징(200), 결합부재(300), 커버(400), 제 1밀폐부재(500), 조절부재(600), 기판 세정 파트(700)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1, the
내부하우징(100)은 상부하우징(110)과 하부하우징(120)을 구비할 수 있다.The
상부하우징(110)은 사각형 단면을 갖는 두꺼운 판 형상일 수 있다. 상부하우징(100)은 상면의 중앙을 관통하여 원형으로 개구될 수 있다. 상부하우징(110)의 상면의 바깥둘레를 따라 소정 높이와 두께를 가지는 플랜지(140)를 포함할 수 있다. 상부하우징(110)은 내화학성을 지니는 PVC(Polyvinyl Chloride) 재질일 수 있다. 상부하우징(110)은 저면에는 하부하우징(120)의 상부가 결합될 수 있다. The
하부하우징(120)은 하부가 밀폐된 원통형상으로, 내부의 공간에 기판(W)을 세정하기 위한 기판 세정 파트(700)가 구비될 수 있다. 하부하우징(120)은 알루미늄 재질일 수 있다. The
본 발명의 실시예들에서는 상부하우징(110)은 PVC 재질을 사용하고, 하부하우징(120)을 알루미늄 재질을 사용한 것을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiments of the present invention, it is shown that the
세정모듈(700)은 회전축(710)과 스핀척(720)을 구비할 수 있다.The
회전축(710)은 스핀척(720)의 하면에 구비되며 원기둥 형상일 수 있다. 회전축(710)은 구동기(미도시)의 회전을 스핀척(720)에 전달할 수 있다. The rotating
스핀척(720)은 원판 형상으로, 스핀척(720)의 저면 중앙에 회전축(710)이 결합될 수 있다. 스핀척(720)은 기판(W)을 고정한 상태에서 회전이 가능하도록 하부하우징(120)의 내부의 공간에 구비될 수 있다.The
기판(W)은 스핀척(720)의 상면에 안착되어 회전되며, 기판(W)의 상부에 분사되는 세정액으로 세정공정이 수행될 수 있다. 이러한, 세정공정간에 산성 및 염기성의 화학가스가 발생할 수 있다. The substrate (W) is seated on the upper surface of the
하부하우징(120)은 기판에서 비산되는 세정액을 회수하기 위해 회수컵(130)이 형성될 수 있다. A
회수컵(130)은 상기 스핀척을 둘러 싸는 보울(bowl) 형태를 갖고 기판(W)의 출입이 가능하도록 상부가 개방된 형상으로 형성될 수 있다. 회수컵(130)은 기판(W)에 제공되는 서로 다른 종류의 세정액을 각각 회수할 수 있도록 복수의 회수컵(130)이 다단으로 형성될 수 있다. The
기판 세정 파트(700)는 회전하는 스핀척(720) 상의 기판(W)에 세정액을 제공함으로써 기판(W)을 세정한다. 또한, 기판 세정 파트(700)에서는 스핀척(720)의 승강 이동에 의한 높이 조절을 통해 기판(W)에서 비산되는 세정액을 각각의 회수컵(130)으로 회수할 수 있다. The
외부하우징(200)은 직육면체 형상으로 내부에 수용공간을 형성하고, 상부가 개구된 형상일 수 있다. 외부하우징(200)의 내부에는 모터, 배수관 등의 기계장치들이 구비될 수 있다. 또한, 외부하우징(200)의 내부에 내부하우징(100)을 결합할 수 있다. 결합 시, 외부하우징(200)과 내부하우징(100) 사이로 틈새(11)가 발생될 수 있다. 이와 같은 틈새(11)를 밀폐시키기 위해서 후술하는 바와 같이 결합부재(300)와 커버(400) 및 제 1밀폐부재(500)가 구비될 수 있다.The
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 밀폐의 구성을 확대하여 보여주는 확대도이다.2 is an enlarged view showing an enlarged configuration of the sealing of the
도 2에 도시된 바와 같이, 조절부재(600)가 결합될 수 있도록, 상부하우징(110)의 플랜지(140)에 길이방향으로 소정간격을 형성하여 원형으로 개구된 복수의 제 1결합홀(150)이 형성될 수 있다. As shown in FIG. 2, a plurality of first coupling holes 150 formed in a circular shape at predetermined intervals in the longitudinal direction of the
제 1결합홀(150)은 조절부재(600)가 끼워지는 인입부와 조절부재(600)가 나오는 입출부가 서로 다른 원지름을 가지고 형성될 수 있다. 제 1결합홀(150)의 외측은 조절부재(600)의 나사부의 원지름에 맞춰 나사산을 가지며 형성될 수 있다. 제 1결합홀(150)의 내측은 조절부재(600)의 머리 둘레보다 큰 크기로 머리가 완전히 삽입될 수 있도록 충분한 깊이를 가질 수 있다. In the
결합부재(300)는 외부하우징(200)의 내측에 구비되어서 내부하우징(100)과 외부하우징(200)을 결합할 수 있다. 결합부재(300)는 내부하우징(100)의 플랜지(140)의 단부와 고저차가 없도록 동일면을 형성하고 결합될 수 있다. 결합부재(300)의 결합 시, 결합부재(300)와 내부하우징(100)의 틈새(11)가 발생될 수 있다.The
결합부재(300)는 직사각형 단면을 가지는 평판 형상일 수 있다. 결합부재(300)의 평면의 중앙부는 내부하우징(100)보다 크게 개구되고, 외부하우징(200)의 내부면들에 일치하여 결합할 수 있도록 소정크기로 형성될 수 있다. 결합부재(300)는 PVC 재질일 수 있다. Coupling
본 발명의 실시예들에서는 결합부재(300)가 내부가 개구된 직사각형 평판형상으로 도시하였다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 직사각형의 단면일 방향으로 길게 연장된 바(Bar)형상으로 외부하우징(100) 내부면마다 각각 밀착되어 결합될 수도 있다.In the embodiments of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시예들에서는 결합부재(300)가 PVC 재질인 것을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the embodiments of the present invention, although it has been shown that the
결합부재(300)의 측면에는 제 1결합홀(150)에 맞추어 복수의 제 2결합홀(310)이 형성될 수 있다. 제 2결합홀은 조절부재(600)의 나사부의 원지름에 맞춰 나사산을 가지며 형성될 수 있다.A plurality of second coupling holes 310 may be formed on the side of the
조절부재(600)는 상부하우징(110)의 플랜지(140)에 형성된 제 1결합홀(150)을 관통하고, 제 2결합홀(310)에 나사 결합될 수 있다. 조절부재(600)는 일측 외주면에 나사산을 가지는 볼트형상일 수 있다. 조절부재(600)는 제 2결합홀(310)에 체결되는 깊이를 조절하여, 결합부재(300)와 내부하우징(100)을 밀착력을 조절할 수 있다. The adjusting
커버(400)는 내부하우징(100)과 결합부재(300)의 연결부 상부에 부착되어 틈새(11)를 차단할 수 있다. 커버(400)는 상부하우징(100)의 플랜지(140)의 상면을 밀폐할 수 있도록, 플랜지(140)의 내측모서리의 둘레와 일치하는 직사각형 형상으로 개구되고, 외부하우징(200)의 내부면에 일치하는 직사각형 평판 형상일 수 있다. 커버(400)는 PVC 재질일 수 있다.The
본 발명의 실시예들에서는 커버(400)가 PVC 재질인 것을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In embodiments of the present invention, the
제 1밀폐부재(500)는 커버(400)와 연결부의 사이에 부착될 수 있다. 제 1밀폐부재(500)는 커버(400)의 저면의 전체를 기밀유지할 수 있도록, 커버(400)와 동일한 형상일 수 있다. 제 1밀폐부재(500)는 내화학성을 가지는 연질 PVC 재질일 수 있다. 제 1밀폐부재(500)는 상부커버(400)와 연결부 전체를 밀폐하여 틈새(11)를 차단하여 기밀을 유지할 수 있다.The
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)에 대하여 도 3 내지 도 4을 참조하여 설명한다. 다만, 본 발명의 다른 실시예는 상술한 실시예와 비교하여 제 2밀폐부재(800)가 환형의 오링 형상으로 더 포함되고, 내부하우징(100)과 결합부재(300)에 제 2밀폐부재(800)를 수용하기 위한 수용홈(160, 320)이 형성된다는 점에 있어서 차이가 있으므로, 차이점을 위주로 설명하며, 동일한 부분에 대하여는 상술한 실시예의 설명과 도면 부호를 원용한다.Hereinafter, a
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 구성을 보여주는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 밀폐의 구성을 확대하여 보여주는 확대도이다.3 is a cross-sectional view showing the configuration of a
도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치는 제 2밀폐부재(800)를 더 포함할 수 있다. As shown in FIGS. 3 and 4 , the substrate processing apparatus may further include a
제 2밀폐부재(800)는 탄성을 갖는 통상의 환형 오링(O-ring) 형상일 수 있다. 제 2밀폐부재(800)는 공정가스에 의한 부식이 생기지 않도록 내화학성이 우수한 엔지니어링 플라스틱(ENPLA) 계열이나 테프론(PTEE) 계열 또는 이에 상당하는 재질일 수 있다. The
제 2밀폐부재(800)가 결합될 수 있도록 제 1수용홈(160)과 제 2수용홈(320)이 형성될 수 있다. The first
제 1수용홈(160)은 내부하우징(100)의 플랜지(140)에 커버(400)가 결합되는 결합면에 형성될 수 있다. 제 1수용홈(160)의 단면은 하부가 넓어지는 형태로 하향경사를 갖는 사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다. 제 1수용홈(160)에 제 2밀폐부재(800)가 수용되면, 제 2밀폐부재(800)의 단면 일부가 돌출되며, 제 2밀폐부재(800) 상에 커버(400)의 결합 시 기밀이 유지될 수 있다. The
제 2수용홈(320)은 결합부재(300)의 둘레를 따라 상면의 중앙에 형성될 수 있다. 제 2수용홈(320)의 단면은 제 1수용홈(160)과 동일하게 하부가 넓어지는 형태로 하향경사를 갖는 사다리꼴 형상으로 형성될 수 있다. 제 2수용홈(160)에 제 2밀폐부재(800)가 수용되면, 제 2밀폐부재(800)의 단면 일부가 돌출되며, 커버(400)와의 결합 시, 제 1밀폐부재(500)의 저면에 제 2밀폐부재(800)가 변형되면서 기밀을 유지될 수 있도록 결합될 수 있다. The second
외부하우징(200)의 내측에 내부하우징(100)이 결합될 수 있다. 결합된 내부하우징(100)과 외부하우징(200) 사이에 틈새(11)가 생성될 수 있다. 내부하우징(100)에 형성된 상부하우징(110)의 플랜지(140)에 제 1결합홀(150)을 형성하여 외부하우징(200)과 밀착되는 결합부재(300)를 결합할 수 있다.The
결합부재(300)는 제 2결합홀(310)이 형성되어, 제 1결합홀(150)과 제 2결합홀(310)을 연결하는 조절부재(600)가 결합될 수 있다. 조절부재(600)는 볼트형상으로 외주면에 나사산이 형성되어 있어, 조절부재(600)를 나사 결합시킴에 따라 결합부재(300)와 내부하우징(100) 사이의 밀착력을 조절할 수 있다. In the
상부하우징(110)의 플랜지(140)와 결합부재(300)는 고저차가 없도록 상면이 평행하게 결합될 수 있으며 플랜지(140)에 제 1수용홈(160)이 형성될 수 있다. 또한, 결합부재(300)에 제 2수용홈(320)이 형성될 수 있다. The upper surfaces of the
제 2밀폐부재(800)는 환형 오링형상으로 이루어져 있으며 이 수용홈들(160, 320)에 제 2밀폐부재(800)의 단면의 일부가 돌출되며 수용될 수 있도록 결합될 수 있다. 내부하우징(100)과 결합부재(300)의 연결부에 커버(400)를 결합하여 밀폐할 수 있다. 커버(400)와 제 2밀폐부재(800)의 사이에는 제 1밀폐부재(500)가 결합될 수 있다. 제 2밀폐부재(800)가 틈새(11)를 기준으로 양측에 형성되어 있어 커버(400)와의 결합 시 틈새(11)의 양측에서 밀폐할 수 있다. 또한 제 1밀폐부재(500)가 커버(400)와의 결합 시, 제 2밀폐부재(800)와 2중으로 밀폐하기 때문에, 긴밀한 기밀유지가 가능할 수 있다. The
이상과 같이, 실시예들에 의한 기판 처리 장치(10)는 내부하우징(100)과 외부하우징(200)의 틈새(11)를 밀폐할 수 있어 공정챔버 내부영역으로 주입되거나 공정과정에서 발생한 화학가스가 공정챔버의 틈새(11)로 유입되는 것을 차단하여 내부의 기계장치들에 손상을 방지할 수 있다.As described above, the
또한, 공정과정에서 사용하는 유해한 화학가스의 외부 누출을 방지하여 작업자의 안전을 보장하고 공정상의 안전을 보장할 수 있다.In addition, by preventing external leakage of harmful chemical gases used in the process, it is possible to ensure the safety of workers and process safety.
이상과 같이 실시예들에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, in the embodiments, specific details such as specific components, etc., and limited embodiments and drawings have been described, but these are provided to help a more general understanding of the present invention. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations can be made from these descriptions by those skilled in the art. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and not only the claims to be described later, but also all modifications equivalent or equivalent to the claims will be said to belong to the scope of the present invention.
10 : 기판 처리 장치 100 : 내부하우징
110 : 상부하우징 120 : 하부하우징
130 : 회수컵 140 : 플랜지
150 : 제 1결합홈 200 : 외부하우징
300 : 결합부재 400 : 커버
500 : 제 1밀폐부재 800 : 제 2밀폐부재10: substrate processing device 100: inner housing
110: upper housing 120: lower housing
130: recovery cup 140: flange
150: first coupling groove 200: outer housing
300: coupling member 400: cover
500: first sealing member 800: second sealing member
Claims (13)
외부하우징;
상기 외부하우징의 내측에 구비되어서 상기 내부하우징과 상기 외부하우징을 결합하는 결합부재;
상기 내부하우징 및 상기 외부하우징이 결합되는 연결부에 부착되어 상기 연결부의 틈새를 차단하는 커버; 및
상기 커버와 상기 연결부 사이에 삽입되어 기밀을 유지하는 제 1밀폐부재;
를 포함하는 기판 처리 장치.inner housing;
outer housing;
a coupling member provided inside the outer housing to couple the inner housing and the outer housing;
a cover that is attached to a connection portion to which the inner housing and the outer housing are coupled to block a gap in the connection portion; and
a first sealing member inserted between the cover and the connection part to maintain airtightness;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 내부하우징은,
커버와 결합되는 상면의 둘레를 따라 소정두께 및 높이로 돌출된 플랜지;
를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The inner housing,
A flange protruding to a predetermined thickness and height along the circumference of the upper surface coupled to the cover;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 결합부재는,
상면이 상기 플랜지의 단부와 고저차가 없도록 상기 플랜지의 단부와 동일 평면을 형성하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The coupling member is
A substrate processing apparatus in which an upper surface forms the same plane as an end of the flange so that there is no height difference with the end of the flange.
상기 플랜지를 관통하여 상기 결합부재와 결합하는 조절부재;
를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
an adjustment member coupled to the coupling member through the flange;
Substrate processing apparatus further comprising a.
상기 조절부재는,
일측 외주면에 나사산을 가지는 볼트형상인 기판 처리 장치.According to claim 4,
The control member,
A substrate processing device in the form of a bolt having a screw thread on one side of the outer circumferential surface.
상기 조절부재는,
체결되는 깊이를 조절하여, 상기 결합부재와 상기 내부하우징의 밀착력을 조절하는 기판 처리 장치.According to claim 4,
The control member,
A substrate processing apparatus for adjusting the adhesion between the coupling member and the inner housing by adjusting the fastening depth.
상기 제 1밀폐부재는,
중앙이 개구되어, 상기 커버와 결합되는 상기 플랜지의 결합면의 내측과 일치하게 결합되는 형상인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The first sealing member,
A substrate processing apparatus having a shape in which the center is open and coupled to coincide with the inside of the coupling surface of the flange coupled to the cover.
상기 제 1밀폐부재는,
연질 PVC 재질인 기판 처리 장치.According to claim 1,
The first sealing member,
Substrate processing device made of soft PVC material.
상기 연결부와 상기 제 1밀폐부재의 결합 시 상기 틈새를 양측에서 밀폐하는 환형의 오링형상인 제 2밀폐부재;
를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
a second sealing member having an annular O-ring shape that seals the gap from both sides when the connecting portion and the first sealing member are coupled;
Substrate processing apparatus further comprising a.
상기 제 2밀폐부재는,
탄성재질인 기판 처리 장치.According to claim 9,
The second sealing member,
An elastic material substrate processing device.
상기 내부하우징은,
상기 제 2밀폐부재의 수용을 위해 상기 커버와 결합면에 둘레를 따라 형성된 제 1수용홈;
을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 9,
The inner housing,
a first accommodating groove formed along the circumference of the coupling surface with the cover for accommodating the second sealing member;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 결합부재는,
상기 제 2밀폐부재의 수용을 위해 상기 커버와 결합면에 둘레를 따라 형성된 제 2수용홈;
을 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 9,
The coupling member is
a second accommodating groove formed along the circumference of the coupling surface with the cover for accommodating the second sealing member;
A substrate processing apparatus comprising a.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100336524B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-05-11 | 윤종용 | View port of chemical vapor deposition device for manufacturing semiconduct |
KR100837630B1 (en) | 2006-12-28 | 2008-06-12 | 세메스 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus |
KR101218222B1 (en) | 2006-07-14 | 2013-01-18 | 주식회사 원익아이피에스 | Vacuum Processing Apparatus |
KR101327458B1 (en) | 2012-01-10 | 2013-11-08 | 주식회사 유진테크 | Showerhead having cooling system and substrate processing apparatus including the showerhead |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6048154A (en) * | 1996-10-02 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100336524B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-05-11 | 윤종용 | View port of chemical vapor deposition device for manufacturing semiconduct |
KR101218222B1 (en) | 2006-07-14 | 2013-01-18 | 주식회사 원익아이피에스 | Vacuum Processing Apparatus |
KR100837630B1 (en) | 2006-12-28 | 2008-06-12 | 세메스 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus |
KR101327458B1 (en) | 2012-01-10 | 2013-11-08 | 주식회사 유진테크 | Showerhead having cooling system and substrate processing apparatus including the showerhead |
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