KR102501475B1 - 광변조 소자 및 이를 포함하는 장치 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 40
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 213
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- -1 transition metal nitride Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 101100096719 Arabidopsis thaliana SSL2 gene Proteins 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100366560 Panax ginseng SS10 gene Proteins 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/60—Reflective elements
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
광변조 소자 및 이를 포함하는 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 광변조 소자는 양자점을 함유하는 복수의 양자점 함유층 및 복수의 굴절률 변화층을 포함할 수 있다. 상기 복수의 양자점 함유층은 상기 복수의 굴절률 변화층 사이에 배치될 수 있다. 상기 광변조 소자는 상기 복수의 양자점 함유층의 발광 특성을 변조하도록 구성될 수 있다. 상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 가질 수 있다. 상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하거나, 서로 다른 캐리어 밀도를 가질 수 있다.
Description
개시된 실시예들은 광변조 소자 및 이를 포함하는 장치에 관한 것이다.
광의 투과/반사 특성, 위상, 진폭, 편광, 세기, 경로 등을 변화시키는 광학 소자는 다양한 광학 장치에 활용된다. 광학 시스템 내에서 원하는 방식으로 상기한 광의 성질들을 제어하기 위해, 다양한 구조의 광 변조기들이 제시되었다. 예컨대, 광학적 이방성을 가지는 액정(liquid crystal)이나, 광차단/반사 요소의 미소 기계적 움직임을 이용하는 MEMS(microelectromechanical system) 구조 등이 일반적인 광 변조기에 사용되고 있다. 이러한 광 변조기들은 구동 방식의 특성상 동작 응답시간이 수 ㎲ 이상으로 느린 단점이 있다.
양자점(quantum dots)을 광변조 요소로 이용하는 것으로, 고속으로 광학적 특성을 조절(변조)할 수 있는 광변조 소자를 제공한다.
멀티 파장영역의 광을 방출할 수 있고 이를 용이하게 제어(변조)할 수 있는 광변조 소자를 제공한다. 복수 파장영역의 광을 멀티플렉싱(multiplexing) 할 수 있는 광변조 소자를 제공한다.
상기 광변조 소자를 포함하는 장치를 제공한다.
일 측면(aspect)에 따르면, 상호 이격하여 배치된 복수의 굴절률 변화층; 및 상기 복수의 굴절률 변화층 사이에 배치된 것으로, 양자점(quantum dots)을 포함하는 복수의 양자점 함유층;을 구비하고, 상기 복수의 양자점 함유층의 발광 특성을 변조하도록 구성된 광변조 소자가 제공된다.
상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 가질 수 있다.
상기 복수의 양자점 함유층은 제1 양자점 함유층 및 제2 양자점 함유층을 포함할 수 있고, 상기 제1 양자점 함유층은 제1 양자점을 포함할 수 있고, 상기 제2 양자점 함유층은 제2 양자점을 포함할 수 있으며, 상기 제1 양자점과 제2 양자점은 서로 다른 물질을 포함하거나, 및/또는, 서로 다른 사이즈를 가질 수 있다.
상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
상기 복수의 양자점 함유층 각각은 절연층 내에 임베드(embedded)된 복수의 양자점을 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 캐리어 밀도를 가질 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 및 전이금속 질화물(transition metal nitride) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층에 전기적 신호를 인가하기 위한 신호 인가수단을 더 포함할 수 있고, 상기 신호 인가수단을 이용해서 복수의 굴절률 변화층의 굴절률을 변화시키도록 구성될 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성할 수 있고, 상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 반사체(reflector); 및 상기 적층구조체의 타면 측에 구비된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함할 수 있다.
상기 적층구조체와 상기 반사체 사이에, 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기(excitation) 시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로(optical waveguide)를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성할 수 있고, 상기 적층구조체의 일면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성할 수 있고, 상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 나노안테나(nano-antenna) 구조체를 더 포함할 수 있다.
상기 나노안테나 구조체는 금속성 안테나(metallic antenna), 유전체 안테나(dielectric antenna) 및 슬릿(slit)-함유 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 나노안테나 구조체는 멀티-패치(multi-patch) 안테나 구조 및 피시본(fishbone) 안테나 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 나노안테나 구조체는 출력 커플러(output coupler)를 포함할 수 있고, 선택적으로(optionally), 입력 커플러(input coupler)를 더 포함할 수 있다.
상기 적층구조체의 타면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로가 더 구비될 수 있고, 상기 광원요소 또는 상기 광도파로와 상기 나노안테나 구조체 사이에 상기 적층구조체가 배치될 수 있다.
상기 광원요소 또는 상기 광도파로의 일측에 구비된 반사체(reflector); 및 상기 적층구조체와 상기 나노안테나 구조체 사이에 배치된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 전술한 광변조 소자를 포함하는 광학 장치가 제공된다.
다른 측면에 따르면, 상호 이격하여 배치된 복수의 굴절률 변화층; 및 상기 복수의 굴절률 변화층 사이에 배치된 것으로, 양자점(quantum dots)을 포함하는 복수의 양자점 함유층;을 구비하고, 상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 갖고, 상기 복수의 굴절률 변화층의 굴절률 변화를 이용해서 상기 복수의 양자점 함유층의 발광 특성을 변조하도록 구성되며, 다중 파장영역의 광을 방출하는 특성을 갖는 광변조 소자가 제공된다.
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하거나 서로 다른 캐리어 밀도를 가질 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성할 수 있고, 상기 적층구조체의 일면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성할 수 있고, 상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 반사체(reflector); 및 상기 적층구조체의 타면 측에 구비된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 전술한 광변조 소자를 포함하는 광학 장치가 제공된다.
양자점을 광변조 요소로 이용하는 것으로, 고속으로 광학적 특성을 조절(변조)할 수 있는 광변조 소자를 구현할 수 있다. 멀티 파장영역의 광을 방출할 수 있고 이를 용이하게 제어(변조)할 수 있는 광변조 소자를 구현할 수 있다. 복수 파장영역의 광을 멀티플렉싱(multiplexing) 할 수 있는 광변조 소자를 구현할 수 있다.
상기한 광변조 소자를 적용하여 우수한 성능을 갖는 다양한 광학 장치를 구현할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 광변조 원리를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 발광 PL(photoluminescence)의 세기 변화를 보여주는 그래프이다.
도 13은 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 굴절률 변화층의 물성 변화를 보여주는 그래프이다.
도 14는 전압(VG) 변화에 따라 양자점 위치에서의 LDOS 강화(local density of state enhancement) 스펙트럼이 어떻게 변화되는지를 보여주는 그래프이다.
도 15는 전압(VG) 변화에 따른 양자점의 PL 세기 변화량을 측정한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 16은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장 및 광원요소의 발광 파장을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 밴드-스탑 미러(band-stop mirror)의 반사 특성을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 18은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 것으로, 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 20은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 21은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 22는 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 출력 커플러의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 23은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 24는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 복수의 출력 커플러(나노안테나)의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 25는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 26은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 27은 도 26의 사시도이다.
도 28은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 29는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 30은 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
도 31은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
도 2는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 광변조 원리를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 발광 PL(photoluminescence)의 세기 변화를 보여주는 그래프이다.
도 13은 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 굴절률 변화층의 물성 변화를 보여주는 그래프이다.
도 14는 전압(VG) 변화에 따라 양자점 위치에서의 LDOS 강화(local density of state enhancement) 스펙트럼이 어떻게 변화되는지를 보여주는 그래프이다.
도 15는 전압(VG) 변화에 따른 양자점의 PL 세기 변화량을 측정한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 16은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장 및 광원요소의 발광 파장을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 밴드-스탑 미러(band-stop mirror)의 반사 특성을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 18은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 것으로, 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 20은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 21은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 22는 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 출력 커플러의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 23은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 24는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 복수의 출력 커플러(나노안테나)의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 25는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 26은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 27은 도 26의 사시도이다.
도 28은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 29는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 30은 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
도 31은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
이하, 실시예들에 따른 광변조 소자 및 이를 포함하는 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에 도시된 층이나 영역들의 폭 및 두께는 명세서의 명확성 및 설명의 편의성을 위해 다소 과장되어 있을 수 있다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 일 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 양자점(quantum dots)을 포함하는 복수의 양자점 함유층(QD-containing layer)(A10, A20, A30)이 상호 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3 양자점 함유층(A10, A20, A30)이 구비될 수 있다. 그러나, 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 개수는 예시적인 것이고 변화될 수 있다. 각각의 양자점 함유층(A10, A20, A30)은 절연층(N10, N20, N30) 및 절연층(N10, N20, N30) 내에 임베드(embedded)된 복수의 양자점(QD1, QD2, QD3)을 포함할 수 있다. 제1 양자점 함유층(A10)에 포함된 양자점(QD1)은 제1 양자점, 제2 양자점 함유층(A20)에 포함된 양자점(QD2)은 제2 양자점, 제3 양자점 함유층(A30)에 포함된 양자점(QD3)은 제3 양자점이라 할 수 있다. 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30) 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 가질 수 있다. 이와 관련해서, 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3) 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하거나, 및/또는, 서로 다른 사이즈를 가질 수 있다. 양자점의 물질이나 사이즈에 따라, 그의 중심 발광 파장이 달라질 수 있다. 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3)이 모두 서로 다른 중심 발광 파장을 가질 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는, 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3) 중 적어도 두 개는 동일한 중심 발광 파장을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3) 중 적어도 두 개는 실질적으로 서로 동일할 수 있다.
상호 이격된 복수의 굴절률 변화층(refractive index change layer)(R10, R20, R30, R40)이 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)이 구비될 수 있고, 이들 사이에 제1 내지 제3 양자점 함유층(A10, A20, A30)이 배치될 수 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 그에 인가되는 전기적 신호나 그 밖에 다른 조건 변화에 따라 굴절률이 변화되는 층일 수 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 전기적 조건에 따라서 유전율(permittivity)이 변화되는 층일 수 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)에 인가되는 전기장에 따라 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40) 내 영역(들)의 전하농도(전하밀도)가 변화될 수 있고, 그로 인해, 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 유전율이 변화될 수 있다. 예를 들어, 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), AZO(aluminium zinc oxide), GZO(gallium zinc oxide), AGZO(aluminium gallium zinc oxide), GIZO(gallium indium zinc oxide)와 같은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)(TCO)을 포함할 수 있다. 또는, TiN, ZrN, HfN, TaN과 같은 전이금속 질화물(transition metal nitride)를 포함할 수 있다. 이외에도, 전기적 신호가 가해지면 유효 유전율이 변하는 전기광학(electro-optic)(EO) 물질을 포함할 수 있다. 상기 전기광학 물질은, 예컨대, LiNbO3, LiTaO3, KTN(potassium tantalate niobate), PZT(lead zirconate titanate) 등의 결정성 물질을 포함하거나, 전기광학 특성을 갖는 다양한 폴리머(polymer)를 포함할 수도 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 반도체 또는 도전체이거나, 유전체일 수도 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 투명하거나 실질적으로 투명할 수 있다.
복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)은 동일한 물질로 형성될 수 있고, 동일한 캐리어 밀도를 가질 수 있다. 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)에 인가되는 전기적 신호나 그 밖에 다른 조건을 달리함으로써, 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 특성을 독립적으로 제어할 수 있다. 다른 실시예의 경우, 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40) 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하거나, 및/또는, 서로 다른 캐리어 밀도를 가질 수 있다. 이 경우, 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)을 이용해서 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 특성을 서로 다르게 제어하기가 보다 용이할 수 있다.
본 실시예의 광변조 소자는 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 굴절률 변화를 이용해서 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 발광(light-emission) 특성을 변조하도록 구성될 수 있다. 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)이 서로 다른 중심 발광 파장을 갖는 경우, 광변조 소자는 다중 파장영역의 광을 방출하는 특성을 가질 수 있다. 이때, 다중 파장영역의 광들은 독립적으로 제어될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 멀티 파장영역의 광을 방출할 수 있고 이를 용이하게 제어(변조)할 수 있는 광변조 소자를 구현할 수 있다. 복수 파장영역의 광을 멀티플렉싱(multiplexing) 할 수 있는 광변조 소자를 구현할 수 있다. 파장영역 별로 광을 능동적으로 튜닝할 수 있는(actively tunable) 멀티플렉싱(multiplexing) 광변조 소자를 구현할 수 있다.
복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)과 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)이 하나의 '적층구조체(스택 구조)'를 구성한다고 하면, 광변조 소자는 상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 반사체(reflector)(RT10) 및 상기 적층구조체의 타면 측에 구비된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror)(MR10)를 더 포함할 수 있다. 또한, 광변조 소자는 상기 적층구조체와 반사체(RT10) 사이에, 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 양자점들(QD1, QD2, QD3)을 광학적으로 여기(excitation) 시키기 위한 광원요소(LS10)를 더 포함할 수 있다.
밴드-스탑 미러(MR10)는 특정 파장영역(밴드)의 광에 대해서 반사 특성을 갖고 나머지 파장영역에 대해서는 투과 특성을 가질 수 있다. 밴드-스탑 미러(MR10)는, 예컨대, DBR(distributed Bragg reflector) 구조를 가질 수 있다. 굴절률이 다른 두 개의 유전층을 λ/4 두께 조건(여기서, λ는 빛의 파장)으로 반복 적층할 수 있고, 원하는 파장 대역의 반사율 또는 투과율을 높일 수 있다. 그러나, 밴드-스탑 미러(MR10)는 DBR 구조가 아닌 다른 구조를 가질 수도 있다. 반사체(RT10)는 금속과 같은 도전체로 형성되거나, DBR 구조를 가질 수도 있다. 반사체(RT10)는 하부 반사판 전극(back reflector electrode)일 수 있다. 광원요소(LS10)는 무기물 기반의 LED(light emitting device)(즉, iLED) 또는 유기물 기반의 OLED(organic light emitting device)를 포함하거나, LD(laser diode)를 포함할 수도 있다. 광원요소(LS10)로부터 양자점들(QD1, QD2, QD3)을 여기시키기 위한 광(즉, 여기 광)이 양자점 함유층(A10, A20, A30)으로 조사될 수 있다. 반사체(RT10)와 밴드-스탑 미러(MR10)는 상기한 여기 광이 광변조 소자 내에서 내부 반사되도록 캐비티(cavity) 구조를 구성할 수 있다. 따라서, 광원요소(LS10)와 반사체(RT10) 및 밴드-스탑 미러(MR10)는 광변조 소자의 발광 효율 및 변조 효율을 높이는 역할을 할 수 있다. 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)에서 발광 및 변조되는 광은 밴드-스탑 미러(MR10)를 통과하여 그 위쪽으로 출력(출사)될 수 있다.
본 실시예에 적용되는 양자점(즉, QD1, QD2, QD3)은 나노미터(nm) 크기의 작은 구 혹은 그와 유사한 형태의 반도체 입자를 의미하며, 대략 수 nm 내지 수십 nm 정도의 사이즈(지름)를 가질 수 있다. 양자점은 단일체 구조를 갖거나, 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있고, 코어-쉘 구조의 경우, 단일 쉘 또는 멀티 쉘 구조를 가질 수 있다. 일례로, 소정의 제1 반도체로 이루어진 코어부(중심체)와 제2 반도체로 이루어진 껍질부(쉘부)로 구성될 수 있다. 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족 계열 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 계열 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 계열 반도체 및 Ⅳ족 계열 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 양자점은 그 크기가 매우 작기 때문에 양자 구속 효과(quantum confinement effect)를 나타낼 수 있다. 입자가 매우 작은 경우에 입자 내의 전자가 입자의 외벽에 의해 불연속적인 에너지 상태를 형성하게 되는데, 입자 내의 공간의 크기가 작을수록 전자의 에너지 상태가 상대적으로 높아지고 에너지 밴드 간격이 넓어지는 효과를 양자 구속 효과라 한다. 이와 같은 양자 구속 효과에 따라, 자외선이나 가시광선 등의 광이 양자점에 입사되면, 다양한 범위의 파장의 광이 발생될 수 있다. 양자점에서 발생되는 광의 파장은 입자(양자점)의 크기나 물질, 구조 등에 의해 결정될 수 있다. 구체적으로, 양자점에 에너지 밴드 간격보다 큰 에너지를 갖는 파장의 광이 입사되면, 양자점은 광의 에너지를 흡수하여 여기되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 기저 상태가 될 수 있다. 이 경우, 양자점(혹은, 양자점의 코어부)의 크기가 작을수록 상대적으로 짧은 파장의 광, 일례로, 청색 계열의 광 또는 녹색 계열의 광을 발생시킬 수 있고, 양자점(혹은, 양자점의 코어부)의 크기가 클수록 상대적으로 긴 파장의 광, 일례로 적색 계열의 광을 발생시킬 수 있다. 따라서, 양자점(혹은, 양자점의 코어부)의 크기 등에 따라 다양한 색상의 광을 구현할 수 있다. 양자점의 크기(지름)뿐 아니라 구성 물질 및 구조에 의해서도 발광 파장이 조절될 수 있다. 양자점(QD1, QD2, QD3)이 임베드(embedded) 되는 절연층(N10, N20, N30)은, 예컨대, 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물 등과 같은 유전층일 수 있다. 양자점 함유층(A10, A20, A30) 각각은, 예컨대, 수십 nm 이하의 두께를 가질 수 있다. 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40) 각각은, 예컨대, 수십 nm 이하의 두께의 가질 수 있다. 그러나, 양자점 함유층(A10, A20, A30) 및 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 두께는 전술한 바에 한정되지 않고 변화될 수 있다.
실시예에 따르면, 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 특성 변화를 이용해서 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 광방출 특성을 고속으로 용이하게 변조할 수 있다. 특히, 전기적 신호를 이용해서 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 특성을 용이하게 변화시킬 수 있고, 결과적으로, 고속 광변조가 가능할 수 있다. 또한, 서로 다른 중심 발광 파장을 갖는 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)을 이용함으로써, 복수 파장영역(즉, 멀티-컬러)의 광을 멀티플렉싱(multiplexing) 할 수 있고, 고속으로 변조할 수 있다. 서로 다른 파장 대역의 광들을 독립적으로 제어(변조)할 수 있다. 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)이 모두 동일한 양자점을 포함하는 경우에도, 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)을 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40) 사이에 삽입하여 소자를 구성함으로써, 발광 및 변조 효율을 증가시킬 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 1에서 반사체(RT10)와 밴드-스탑 미러(MR10)를 사용하지 않을 수 있다. 그 예가 도 2에 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 광원요소(LS10) 상에 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30) 및 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)이 구비될 수 있다. 반사체(RT10)와 밴드-스탑 미러(MR10)가 배제된 것을 제외하면, 도 2의 구성은 도 1의 구성과 동일할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 1 및 도 2에서 광원요소(LS10) 위치에 광도파로(optical waveguide)를 적용할 수 있다. 그 예가 도 3 및 도 4에 도시되어 있다.
도 3 및 도 4는 각각 도 1 및 도 2의 광원요소(LS10) 위치에 광도파로(WG10)를 적용한 경우를 보여준다. 광도파로(WG10)는 양자점들(QD1, QD2, QD3)을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 역할을 할 수 있다. 이 경우, 광도파로(WG10)와 광학적으로 연결된 별도의 광원요소(미도시)가 더 구비될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 1 또는 도 3에서 밴드-스탑 미러(MR10)를 사용하지 않을 수 있다. 그 일례가 도 5에 도시되어 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 5에서 광원요소(LS10)를 사용하지 않을 수 있다. 그 일례가 도 6에 도시되어 있다. 이 경우, 양자점들(QD1, QD2, QD3)을 여기시키기 위한 광은 외부의 광원(미도시)으로부터 양자점 함유층(A10, A20, A30)으로 조사될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 6에서 반사체(RT10)를 사용하지 않을 수도 있다. 그 일례가 도 7에 도시되어 있다. 이 경우에도, 여기 광은 외부로부터 양자점 함유층(A10, A20, A30)으로 조사될 수 있다.
도 8은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 복수의 양자점 함유층(A11, A21, A31) 중 적어도 두 개는 서로 다른 사이즈를 갖는 양자점을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 양자점 함유층(A11)의 제1 양자점(QD11), 제2 양자점 함유층(A21)의 제2 양자점(QD21) 및 제3 양자점 함유층(A31)의 제3 양자점(QD31)은 서로 다른 사이즈를 가질 수 있다.
도 9는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 복수의 양자점 함유층(A12, A22, A32) 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 양자점 함유층(A12)의 제1 절연층(N12), 제2 양자점 함유층(A22)의 제2 절연층(N22) 및 제3 양자점 함유층(A32)의 제3 절연층(N32)은 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 각각의 양자점 함유층(A12, A22, A32)에 포함된 양자점(QD1, QD2, QD3)의 양이 서로 다를 수 있다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 복수의 굴절률 변화층(R11, R21, R31, R41) 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4 굴절률 변화층(R11, R21, R31, R41)의 두께가 서로 다를 수 있다. 그러나 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한 양자점의 사이즈 변화 및 층들의 두께 변화는 예시적인 것에 불과하고, 필요에 따라, 다양하게 변형될 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 광변조 원리를 설명하기 위한 사시도이다. 여기서는, 하나의 양자점 함유층을 포함하는 광변조 소자에 대해서 예시적으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 도전층(10)과 굴절률 변화층(30) 사이에 양자점 함유층(20)이 배치될 수 있다. 양자점 함유층(20)은 절연층(20a) 내에 구비된 복수의 양자점(20b)을 포함한다. 예컨대, 도전층(10)은 Ag를 포함할 수 있고, 굴절률 변화층(30)은 TiN을 포함할 수 있다. 절연층(20a)은 SiO2를 포함할 수 있고, 양자점(20b)은 InP를 포함할 수 있다. 도전층(10)과 굴절률 변화층(30) 사이에 전기적 신호를 인가하기 위한 신호 인가수단(VG)이 연결될 수 있고, 신호 인가수단(VG)에 의해 도전층(10)과 굴절률 변화층(30) 사이에 인가되는 전기적 신호(전압)에 따라 굴절률 변화층(30)의 일부 영역의 캐리어 밀도가 변화될 수 있다. 이 영역을 캐리어 밀도 변화영역(30a)이라 할 수 있다. 캐리어 밀도 변화영역(30a)은 굴절률 변화층(30)과 양자점 함유층(20) 사이의 계면에 위치할 수 있다. 이러한 캐리어 밀도 변화에 의해 굴절률 변화층(30)의 LDOS(local density of states)가 변화될 수 있다. 외부 광(ωext)에 의해 여기된 양자점(20b)에서 PL(photoluminescence) 효과에 의한 광(ωPL)이 발생하는데, 양자점 발광 특성은 LDOS modulation에 의해 조절(튜닝)될 수 있다.
도 12는 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 발광 PL(photoluminescence)의 세기 변화를 보여주는 그래프이다. 이로부터, 전압(VG)의 변화에 따라, PL 세기가 변화되는 것을 확인할 수 있다.
도 13은 도 11의 광변조 소자에 인가되는 전압(VG)의 변화에 따른 굴절률 변화층(30)의 물성 변화를 보여주는 그래프이다.
도 13을 참조하면, 전압(VG)의 변화에 따라 굴절률 변화층(30)의 캐리어 농도(N) 및 유전율(Re)이 어떻게 변화되는지를 확인할 수 있다. 특히, 양자점 함유층(20)에 인접한 굴절률 변화층(30) 부분의 물성이 크게 변화될 수 있다. 여기서, ENZ는 epsilon near zero 지점을 의미한다.
도 14는 전압(VG) 변화에 따라 양자점 위치에서의 LDOS 강화(enhancement) 스펙트럼이 어떻게 변화되는지를 보여주는 그래프이다. 여기서, 점선 커브는 VG가 0V 보다 작은 경우로, 굴절률 변화층(TiN)이 ENZ 영역에 있는 경우이다. 실선 커브는 VG가 0V 보다 큰 경우로, 굴절률 변화층(TiN)이 optically plasmonic TiN 영역을 포함하는 경우이다. 이로부터, VG 변화에 따라 LDOS 강화(enhancement) 효과가 나타나는 것을 알 수 있다.
도 15는 전압(VG) 변화에 따른 양자점의 PL 세기 변화량을 측정한 결과를 보여주는 그래프이다. 본 결과는 도 11의 소자에 대한 것이다. 여기서, I0 PL은 0V에서의 PL 세기를 의미하고, ΔIPL은 0V가 아닌 소정의 전압에서의 PL 세기와 0V에서의 PL 세기의 차이를 의미한다. 도 16의 결과로부터, 전압(VG) 변화에 따라 PL 세기 변화량(즉, ΔIPL/I0 PL)(%)이 변화되는 것을 알 수 있다.
도 16은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장 및 광원요소의 발광 파장을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 16을 참조하면, 제1 양자점은 제1 중심 발광 파장(λ1)을 가질 수 있고, 제2 양자점은 제2 중심 발광 파장(λ2)을 가질 수 있고, 제3 양자점은 제3 중심 발광 파장(λ3)을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 중심 발광 파장(λ1, λ2, λ3)은 서로 다를 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 양자점은, 예컨대, 도 1의 제1 내지 제3 양자점(QD1, QD2, QD3)에 각각 대응될 수 있다. 한편, 광원요소의 발광 파장(λ0)은 제1 내지 제3 중심 발광 파장(λ1, λ2, λ3)보다 작을 수 있다. 광원요소의 발광 에너지는 상대적으로 높은 고에너지일 수 있다.
도 17은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 밴드-스탑 미러(band-stop mirror)의 반사 특성을 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 17을 참조하면, 밴드-스탑 미러(band-stop mirror)는 광원요소의 발광 파장(λ0) 및 그 이하의 파장에 대해 높은 반사율을 가질 수 있고, 양자점들의 발광 파장(λ1, λ2, λ3)에 대해서는 낮은 반사율(즉, 높은 투과율)을 가질 수 있다. 이러한 밴드-스탑 미러는, 예컨대, 도 1의 밴드-스탑 미러(MR10)에 대응될 수 있다.
도 18은 일 실시예에 따른 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다. 본 실시예는 도 1의 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 보여준다.
도 18을 참조하면, 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)에 전기적 신호를 인가하기 위한 '신호 인가수단'이 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 신호 인가수단은 제1 굴절률 변화층(R10)에 전압을 인가하기 위한 제1 전압 인가수단(V10), 제2 굴절률 변화층(R20)에 전압을 인가하기 위한 제2 전압 인가수단(V20), 제3 굴절률 변화층(R30)에 전압을 인가하기 위한 제3 전압 인가수단(V30) 및 제4 굴절률 변화층(R40)에 전압을 인가하기 위한 제4 전압 인가수단(V40)을 포함할 수 있다. 각각의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)에 독립적으로 전기적 신호(전압)를 인가할 수 있다. 신호 인가수단을 이용해서 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)의 굴절률을 변화시킬 수 있다.
도 19는 다른 실시예에 따른 것으로, 광변조 소자에 신호 인가수단을 연결한 경우를 예시적으로 보여주는 단면도이다.
도 19를 참조하면, 제1 굴절률 변화층(R10)과 제2 굴절률 변화층(R20) 사이에 전압을 인가하기 위한 제1 전압 인가수단(V11)이 구비될 수 있고, 제2 굴절률 변화층(R20)과 제3 굴절률 변화층(R30) 사이에 전압을 인가하기 위한 제2 전압 인가수단(V21)이 구비될 수 있고, 제3 굴절률 변화층(R30)과 제4 굴절률 변화층(R40) 사이에 전압을 인가하기 위한 제3 전압 인가수단(V31)이 구비될 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제4 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40) 중 어느 하나는 접지될 수도 있다. 여기서는, 제2 굴절률 변화층(R20)이 접지된 경우를 도시하였지만, 이는 선택적인 것이고, 경우에 따라, 접지되지 않을 수도 있다.
도 18 및 도 19에서는 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)에 전기적 신호를 인가하기 위한 신호 인가수단이 연결된 경우를 예시적으로 도시하고 설명하였지만, 신호 인가수단의 연결 방식은 다양하게 변화될 수 있다.
실시예들에 따른 광변조 소자는 복수의 굴절률 변화층과 복수의 양자점 함유층의 적층구조체의 일면에 양자점 함유층들에서 방출된 광의 출력 특성을 제어하도록 구성된 나노안테나(nano-antenna) 구조체를 더 포함할 수 있다. 상기 나노안테나 구조체는 출력 커플러(output coupler)를 포함할 수 있고, 필요에 따라, 입력 커플러(input coupler)를 더 포함할 수 있다. 상기 나노안테나 구조체에 대해서는 도 20 내지 도 31을 참조하여 보다 자세히 설명한다.
도 20은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 20을 참조하면, 광원요소(LS10) 상에 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)과 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 적층구조체가 구비될 수 있고, 상기 적층구조체 상에 나노안테나 구조체(NA10)가 구비될 수 있다. 나노안테나 구조체(NA10)는 양자점 함유층(A10, A20, A30)으로부터 광의 출력 특성을 개선하는 역할을 하는 출력 커플러일 수 있다. 나노안테나 구조체(NA10)는 양자점 함유층(A10, A20, A30) 중 적어도 하나의 방출 파장(emission wavelength)과 결부된(coupled) 구성을 가질 수 있다. 예컨대, 나노안테나 구조체(NA10)의 공진 파장 영역(resonance wavelength region)은 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 방출 파장 영역(emission wavelength region)과 적어도 부분적으로 중복될 수 있다. 이러한 나노안테나 구조체(NA10)에 의해 양자점 함유층(A10, A20, A30)에서의 광방출/출력 특성이 개선될 수 있고, 출력광의 지향성 및 방향성이 개선될 수 있다. 따라서, 나노안테나 구조체(NA10)를 이용하면, far-field emission 특성을 구현할 수 있다.
나노안테나 구조체(NA10)는 금속성 안테나(metallic antenna), 유전체 안테나(dielectric antenna), 슬릿(slit)-함유 구조(예컨대, 금속층에 슬릿이 형성된 구조) 등 다양한 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 나노안테나 구조체(NA10)의 사이즈, 형태, 물질 등에 따라서, 광의 출력 특성이 달라질 수 있다. 또한, 나노안테나 구조체(NA10)는 굴절률 변화 물질 또는 상변화 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 나노안테나 구조체(NA10)(즉, 출력 커플러)의 굴절률 변화 또는 상변화를 이용해서 광의 출력 특성을 조절할 수 있다.
도 21은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다. 본 실시예는 도 1의 소자에 나노안테나 구조체(NA10)를 적용한 경우를 보여준다. 나노안테나 구조체(NA10)는 도 1 내지 도 10, 도 18 및 도 19 등을 참조하여 설명한 다양한 광변조 소자에 적용될 수 있다.
도 22는 일 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 출력 커플러의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 22를 참조하면, 출력 커플러의 공진 파장 영역은 복수의 양자점의 중심 발광 파장(λ1, λ2, λ3) 영역을 커버할 수 있다. 따라서, 출력 커플러에 의해 복수의 양자점에서의 광방출 커플링 특성이 개선될 수 있다.
도 23은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 23을 참조하면, 복수의 굴절률 변화층과 복수의 양자점 함유층의 적층구조체(SS10) 상에 복수의 나노안테나(NA11, NA21, NA31)가 구비될 수 있다. 복수의 나노안테나(NA11, NA21, NA31)는, 예컨대, 제1 나노안테나(NA11), 제2 나노안테나(NA21) 및 제3 나노안테나(NA31)를 포함할 수 있다. 복수의 나노안테나(NA11, NA21, NA31) 중 적어도 두 개는 서로 다른 사이즈를 갖거나, 서로 다른 물질을 포함하거나, 서로 다른 형태를 가질 수 있다. 여기서는, 복수의 나노안테나(NA11, NA21, NA31)가 서로 다른 사이즈를 갖는 경우가 도시되어 있다. 제1 나노안테나(NA11)는 제1 양자점의 발광 파장에 대응하는 제1 공진 파장 영역을 가질 수 있고, 제2 나노안테나(NA21)는 제2 양자점의 발광 파장에 대응하는 제2 공진 파장 영역을 가질 수 있고, 제3 나노안테나(NA31)는 제3 양자점의 발광 파장에 대응하는 제3 공진 파장 영역을 가질 수 있다. 이 경우, 복수의 나노안테나(NA11, NA21, NA31)로부터 서로 다른 파장의 광이 출력될 수 있다.
도 24는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 복수의 양자점의 중심 발광 파장과 복수의 출력 커플러(나노안테나)의 공진 파장 영역의 관계를 예시적으로 보여주는 그래프이다.
도 24를 참조하면, 제1 출력 커플러(NA11)의 공진 파장 영역은 제1 양자점(QD1)의 중심 발광 파장(λ1)에 대응될 수 있고, 제2 출력 커플러(NA21)의 공진 파장 영역은 제2 양자점(QD2)의 중심 발광 파장(λ2)에 대응될 수 있고, 제3 출력 커플러(NA31)의 공진 파장 영역은 제3 양자점(QD3)의 중심 발광 파장(λ3)에 대응될 수 있다. 따라서, 각각의 출력 커플러에 의해 해당 양자점에서의 광방출 커플링 특성이 개선될 수 있다.
도 25는 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 나노안테나 구조체를 설명하기 위한 평면도이다. 본 실시예는 나노안테나 구조체가 슬릿을 포함하는 경우의 일례를 보여준다.
도 25를 참조하면, 소정의 물질층(M10) 내에 슬릿(slit)(S10)이 형성될 수 있다. 복수의 슬릿(S10)이 어레이를 이루도록 배치될 수 있다. 슬릿(S10)의 사이즈, 배열 방식 등에 따라서, 출력되는 광의 특성 및 방향 등이 제어될 수 있다. 그러나, 여기서 개시한 슬릿(S10)의 배열 방식 등은 예시적인 것에 불과하고, 다양하게 변화될 수 있다. 물질층(M10)은 금속층일 수 있다.
다른 실시예에 따른 나노안테나 구조체는 출력 커플러(output coupler) 및 이와 이격된 입력 커플러(input coupler)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 나노안테나 구조체는 멀티-패치(multi-patch) 안테나 구조 또는 피시본(fishbone) 안테나 구조를 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 26 내지 도 31을 참조하여 설명한다.
도 26은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다. 도 27은 도 26의 사시도이다.
도 26 및 도 27을 참조하면, 복수의 굴절률 변화층(R10, R20, R30, R40)과 복수의 양자점 함유층(A10, A20, A30)의 적층구조체 상에 듀얼 패치(dual patch) 구조의 나노안테나 구조체(NA50)가 구비될 수 있다. 나노안테나 구조체(NA50)는 제1 패치에 해당하는 입력 커플러(NA51) 및 제2 패치에 해당하는 출력 커플러(NA52)를 포함할 수 있다. 입력 커플러(NA51)의 공진 파장 영역(resonance wavelength region)은 양자점(QD1, QD2, QD3)의 여기 파장 영역(excitation wavelength region)과 적어도 부분적으로 중복될 수 있다. 광원요소(LS10)를 이용할 경우, 광원요소(LS10)로부터 발생되는 여기 광을 사용할 수 있고, 이와 함께, 외부로부터 들어오는 여기 광을 더 사용할 수 있다. 외부로부터 들어오는 여기 광(입사광)에 대하여 입력 커플러(NA51)가 입력 효율(입력 커플링 효율)을 높이는 역할을 할 수 있다. 출력 커플러(NA52)의 공진 파장 영역(resonance wavelength region)은 양자점(QD1, QD2, QD3)의 방출 파장 영역(emission wavelength region)과 적어도 부분적으로 중복될 수 있다. 따라서, 출력 커플러(NA52)에 의해 양자점 함유층(A10, A20, A30)에서의 광 출력 특성(출력 커플링 특성)이 개선될 수 있다. 출력 커플러(NA52)의 폭은 입력 커플러(NA51)의 폭보다 클 수 있다. 커플러(NA51, NA52)의 폭에 따라 중심 공진 파장이 달라질 수 있다.
도 28은 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다. 본 실시예는 도 1의 소자에 나노안테나 구조체(NA50)를 적용한 경우를 보여준다. 나노안테나 구조체(NA50)는 도 1 내지 도 10, 도 18 및 도 19 등을 참조하여 설명한 다양한 광변조 소자에 적용될 수 있다.
도 26 내지 도 28에서는 듀얼 패치(dual patch) 구조의 나노안테나를 사용하는 경우를 도시하였지만, 3개의 패치 또는 4개 이상의 패치를 갖는 멀티-패치 구조의 나노안테나를 사용할 수 있다. 그 일례가 도 29에 도시되어 있다.
도 29는 다른 실시예에 따른 광변조 소자를 보여주는 단면도이다.
도 29를 참조하면, 복수의 굴절률 변화층(R15, R25, R35, R45)과 복수의 양자점 함유층(A15, A25, A35)의 적층구조체 상에 멀티-패치 구조의 나노안테나 구조체(NA60)가 구비될 수 있다. 예컨대, 나노안테나 구조체(NA60)는 적어도 하나의 입력 커플러(NA61) 및 복수의 출력 커플러(NA62, NA63, NA64)를 포함할 수 있다. 복수의 출력 커플러(NA62, NA63, NA64)는 서로 다른 발광 파장 영역에 대하여 광학적으로 커플링되도록 디자인될 수 있다. 이와 관련해서, 복수의 출력 커플러(NA62, NA63, NA64)는 서로 다른 사이즈를 갖거나, 서로 다른 물질을 포함하거나, 서로 다른 모양을 가질 수 있다. 제1 출력 커플러(NA62)는 제1 양자점(QD15)의 발광 파장 영역에 대응될 수 있고, 제2 출력 커플러(NA63)는 제2 양자점(QD25)의 발광 파장 영역에 대응될 수 있고, 제3 출력 커플러(NA64)는 제3 양자점(QD35)의 발광 파장 영역에 대응될 수 있다. 따라서, 복수의 양자점 함유층(A15, A25, A35)으로부터 방출된 광들이 서로 다른 출력 커플러(NA62, NA63, NA64)를 통해서 출력되도록 디자인될 수 있다. 도 29에 도시된 입력 커플러(NA61) 및 복수의 출력 커플러(NA62, NA63, NA64)의 형태, 사이즈, 배열 순서 등은 예시적인 것이고, 달라질 수 있다.
도 30 및 도 31은 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 예시적으로 설명하기 위한 평면도이다.
도 30은 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
도 30을 참조하면, 나노안테나 구조체(NA70)는 제1 방향으로 연장되는 제1 나노안테나 요소(NA71)와 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장되는 제2 나노안테나 요소(NA72)를 포함할 수 있다. 제2 나노안테나 요소(NA72)에 대하여 이와 교차하도록 복수의 제1 나노안테나 요소(NA71)가 배열될 수 있다. 따라서, 나노안테나 구조체(NA70)는 피시본(fishbone) 구조를 갖는다고 할 수 있다.
제1 나노안테나 요소(NA71)는 입력 커플러일 수 있고, 제2 나노안테나 요소(NA72)는 출력 커플러일 수 있다. 이 경우, 제1 나노안테나 요소(NA71)에 의해 입사광이 제1 편광 방향을 가질 수 있고, 제2 나노안테나 요소(NA72)에 의해 출사광이 상기 제1 편광 방향과 수직한 제2 편광 방향을 가질 수 있다. 따라서, 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나 구조체(NA70)를 사용하면, 입사광 및 출사광의 편광 방향을 제어할 수 있다.
도 31은 다른 실시예에 따른 광변조 소자에 적용될 수 있는 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나를 보여준다.
도 31을 참조하면, 복수의 나노안테나 구조체(NA70)가 소정 규칙을 가지고 배열될 수 있다. 여기서는, 두 개의 나노안테나 구조체(NA70)만 예시적으로 도시하였다. 두 개의 나노안테나 구조체(NA70)는 실질적으로 동일할 수 있지만, 경우에 따라서는, 사이즈나 패턴 크기, 패턴 간격 등이 달라질 수 있다. 또한, 여기서는 복수의 나노안테나 구조체(NA70)가 상호 이격하여 배치된 경우를 도시하였지만, 복수의 나노안테나 구조체(NA70)의 제1 나노안테나 요소(NA71)는 상호 연결될 수도 있다. 도 30 및 도 31을 참조하여 설명한 피시본(fishbone) 구조의 나노안테나는 예시적인 것이고, 다양하게 변형될 수 있다.
나노안테나는 특정 파장(혹은 주파수)의 빛(입사광, visible 및 invisible 전자기파 모두 포함)을 국소 표면 플라즈몬 공진(localized surface plasmon resonance)의 형태로 변환하여 그 에너지를 포획하는 것으로, 빛에 대한 나노구조의 안테나라 할 수 있다. 나노안테나는 도전층 패턴(ex, 금속층 패턴)일 수 있고, 상기 도전층 패턴은 비도전층(ex, 유전층)에 접촉되어 있을 수 있다. 상기 도전층 패턴과 상기 비도전층(ex, 유전층)의 계면에서 플라즈몬 공진이 발생할 수 있다. 상기 도전층 패턴과 상기 비도전층(ex, 유전층)의 계면과 같이, 표면 플라즈몬 공진이 일어나는 경계면(interface)을 통칭하여 "메타 표면" 또는 "메타 구조"라고 할 수 있다. 나노안테나는 전도성 물질로 이루어질 수 있고, 서브 파장(sub-wavelength)의 치수를 가질 수 있다. 여기서, 서브 파장(sub-wavelength)이란 나노안테나의 동작 파장보다 작은 치수를 의미한다. 나노안테나의 형상을 이루는 어느 한 치수, 예컨대, 두께, 가로, 세로, 또는 나노안테나 간의 간격 중 적어도 어느 하나가 서브 파장의 치수를 가질 수 있다.
나노안테나는 사각형 패턴, 라인형 패턴, 원형 디스크, 타원형 디스크, 십자형, 별표형(asterisk type) 등 다양한 구조/형상을 가질 수 있다. 십자형은 두 개의 나노로드(nanorod)가 서로 수직한 방향으로 교차하는 형태일 수 있고, 별표형은 세 개의 나노로드(nanorod)가 교차하는 별(*) 형태일 수 있다. 그 밖에도, 나노안테나는 원뿔(cone), 삼각뿔(triangular pyramid), 구(sphere), 반구(hemisphere), 쌀알(rice grain), 막대(rod) 등 다양한 변형 구조를 가질 수 있다. 또한, 나노안테나는 복수의 층이 겹쳐진 다층 구조를 가질 수 있고, 코어부와 적어도 하나의 껍질부를 포함하는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수도 있다. 부가해서, 두 개 이상의 서로 다른 구조/형태를 갖는 나노안테나들이 하나의 단위를 이루어 주기적으로 배열될 수도 있다.
나노안테나의 구조/형태 및 그의 배열 방식에 따라, 공진 파장, 공진 파장 폭, 공진 편광 특성, 공진 각도, 반사/흡수/투과 특성 등이 달라질 수 있다. 따라서, 나노안테나의 구조/형태 및 배열 방식을 제어함으로써, 목적에 맞는 특성을 갖는 광변조 소자를 제조할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 광변조 소자는 씬 디스플레이(thin display), 울트라씬 디스플레이(ultrathin display), 집적형 광학 회로(integrated optical circuit)를 위한 온-칩 에미터(On-chip emitter), 차세대 Wi-Fi(wireless fidelity)에 해당하는 Li-Fi(light fidelity) 분야, 라이다(LiDAR)(Light Detection And Ranging) 장치 등 다양한 광학 장치에 적용될 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광변조 소자는 홀로그래픽(holographic) 디스플레이 장치 및 구조광(structured light) 발생 장치에 적용될 수 있다. 또한, 상기 광변조 소자는 홀로그램(hologram) 생성 장치, 광 결합 장치 등 다양한 광학 성분/장치에 적용될 수 있다. 또한, 상기 광변조 소자는 "메타 표면" 또는 "메타 구조"가 이용되는 다양한 분야에 적용될 수 있다. 그 밖에도 본원의 실시예에 따른 광변조 소자는 및 이를 포함하는 광학 장치는 다양한 광학 및 전자기기 분야에 여러 가지 용도로 적용될 수 있다.
부가적으로, 이상에서 설명한 실시예에서는 굴절률 변화층의 굴절률을 변조함에 있어서, 전기적 신호, 즉, 전압을 인가(즉, biasing)하는 것에 대해서 주로 설명하였지만, 굴절률 변화층의 굴절률을 변조하는 방법은 다양하게 변화될 수 있다. 예를 들어, 굴절률 변화층의 굴절률을 변조하는 방법은 전기장 인가, 자기장 인가, 가열 및 냉각, 광학적 펌핑(optical pumping), 마이크로 스케일 또는 나노 스케일의 전기-기계적(electro-mechanical) 변형(deformation) 및 변조(modulation) 등으로 다양할 수 있다. 또한, 굴절률 변화층의 물질 및 구성/구조는 다양하게 변화될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 1 내지 도 10 및 도 18 내지 도 31 등을 참조하여 설명한 광변조 소자의 구성은 다양하게 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 실시예들에 따른 광변조 소자의 적용 분야는 전술한 설명 내용에 한정되지 않고, 다양하게 변화될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 *
A10, A20, A30 : 양자점 함유층 LS10 : 광원요소
MR10 : 밴드-스탑 미러 N10, N20, N30 : 절연층
NA10 : 나노안테나 구조체 NA51 : 입력 커플러
NA52 : 출력 커플러 QD1, QD2, QD3 : 양자점
R10∼R40 : 굴절률 변화층 RT10 : 반사체
S10 : 슬릿 SS10 : 적층구조체
V10∼V40 : 전압 인가수단 WG10 : 광도파로
A10, A20, A30 : 양자점 함유층 LS10 : 광원요소
MR10 : 밴드-스탑 미러 N10, N20, N30 : 절연층
NA10 : 나노안테나 구조체 NA51 : 입력 커플러
NA52 : 출력 커플러 QD1, QD2, QD3 : 양자점
R10∼R40 : 굴절률 변화층 RT10 : 반사체
S10 : 슬릿 SS10 : 적층구조체
V10∼V40 : 전압 인가수단 WG10 : 광도파로
Claims (25)
- 광변조 소자에 있어서,
상호 이격하여 배치된 복수의 굴절률 변화층; 및
상기 복수의 굴절률 변화층 사이에 배치된 것으로, 양자점(quantum dots)을 포함하는 복수의 양자점 함유층;을 구비하고,
상기 복수의 양자점 함유층의 발광 특성을 변조하도록 구성되고,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 상기 광변조 소자의 두께 방향으로 교번적으로 배열되며, 상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 갖는 광변조 소자. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 양자점 함유층은 제1 양자점 함유층 및 제2 양자점 함유층을 포함하고, 상기 제1 양자점 함유층은 제1 양자점을 포함하고, 상기 제2 양자점 함유층은 제2 양자점을 포함하며,
상기 제1 양자점과 제2 양자점은 서로 다른 물질을 포함하거나, 및/또는, 서로 다른 사이즈를 갖는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 갖는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 양자점 함유층 각각은 절연층 내에 임베드(embedded)된 복수의 양자점을 포함하는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 캐리어 밀도를 갖는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 두께를 갖는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide) 및 전이금속 질화물(transition metal nitride) 중 적어도 하나를 포함하는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층에 전기적 신호를 인가하기 위한 신호 인가수단을 더 포함하고, 상기 신호 인가수단을 이용해서 복수의 굴절률 변화층의 굴절률을 변화시키도록 구성된 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성하고,
상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 반사체(reflector); 및
상기 적층구조체의 타면 측에 구비된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함하는 광변조 소자. - 제 11 항에 있어서, 상기 적층구조체와 상기 반사체 사이에,
상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기(excitation) 시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로(optical waveguide)를 더 포함하는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성하고,
상기 적층구조체의 일면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로를 더 포함하는 광변조 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성하고,
상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 나노안테나(nano-antenna) 구조체를 더 포함하는 광변조 소자. - 제 14 항에 있어서,
상기 나노안테나 구조체는 금속성 안테나(metallic antenna), 유전체 안테나(dielectric antenna) 및 슬릿(slit)-함유 구조 중 어느 하나를 포함하는 광변조 소자. - 제 14 항에 있어서,
상기 나노안테나 구조체는 멀티-패치(multi-patch) 안테나 구조 및 피시본(fishbone) 안테나 구조 중 어느 하나를 포함하는 광변조 소자. - 제 14 항에 있어서,
상기 나노안테나 구조체는 출력 커플러(output coupler)를 포함하는 광변조 소자. - 제 14 항에 있어서,
상기 적층구조체의 타면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로가 더 구비되고,
상기 광원요소 또는 상기 광도파로와 상기 나노안테나 구조체 사이에 상기 적층구조체가 배치된 광변조 소자. - 제 18 항에 있어서,
상기 광원요소 또는 상기 광도파로의 일측에 구비된 반사체(reflector); 및
상기 적층구조체와 상기 나노안테나 구조체 사이에 배치된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함하는 광변조 소자. - 청구항 1, 3 내지 19 중 어느 하나의 광변조 소자를 포함하는 광학 장치.
- ◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈광변조 소자에 있어서,
상호 이격하여 배치된 복수의 굴절률 변화층; 및
상기 복수의 굴절률 변화층 사이에 배치된 것으로, 양자점(quantum dots)을 포함하는 복수의 양자점 함유층;을 구비하고,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 상기 광변조 소자의 두께 방향으로 교번적으로 배열되며, 상기 복수의 양자점 함유층 중 적어도 두 개는 서로 다른 중심 발광 파장을 갖고, 상기 복수의 굴절률 변화층의 굴절률 변화를 이용해서 상기 복수의 양자점 함유층의 발광 특성을 변조하도록 구성되며, 다중 파장영역의 광을 방출하는 특성을 갖는 광변조 소자. - ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 21 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층 중 적어도 두 개는 서로 다른 물질을 포함하거나 서로 다른 캐리어 밀도를 갖는 광변조 소자. - ◈청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 21 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성하고,
상기 적층구조체의 일면 측에 상기 복수의 양자점 함유층의 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광원요소 또는 상기 양자점들을 광학적으로 여기시키기 위한 광을 가이드하는 광도파로를 더 포함하는 광변조 소자. - ◈청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 21 항에 있어서,
상기 복수의 굴절률 변화층과 상기 복수의 양자점 함유층은 하나의 적층구조체를 구성하고,
상기 적층구조체의 일면 측에 구비된 반사체(reflector); 및
상기 적층구조체의 타면 측에 구비된 밴드-스탑 미러(band-stop mirror);를 더 포함하는 광변조 소자. - ◈청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈청구항 21 내지 24 중 어느 하나의 광변조 소자를 포함하는 광학 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP18195394.4A EP3477363B1 (en) | 2017-10-31 | 2018-09-19 | Optical modulating device and apparatus including the same |
| US16/170,573 US10921618B2 (en) | 2017-10-31 | 2018-10-25 | Optical modulating device and apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762579220P | 2017-10-31 | 2017-10-31 | |
| US62/579,220 | 2017-10-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190049374A KR20190049374A (ko) | 2019-05-09 |
| KR102501475B1 true KR102501475B1 (ko) | 2023-02-22 |
Family
ID=66545359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180039338A KR102501475B1 (ko) | 2017-10-31 | 2018-04-04 | 광변조 소자 및 이를 포함하는 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102501475B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022039971A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | Applied Materials, Inc. | Oled light field architectures |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040085612A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Livingston Peter M. | Quantum-confined stark effect quantum-dot optical modulator |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040955A (ko) * | 2003-10-29 | 2005-05-04 | 제네시스 포토닉스 인크. | 발광다이오드 및 고체형태 백색광 부품 |
| KR102546314B1 (ko) * | 2015-07-27 | 2023-06-21 | 삼성전자주식회사 | 게이트 구조를 포함하는 광 변조 소자 |
-
2018
- 2018-04-04 KR KR1020180039338A patent/KR102501475B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040085612A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-06 | Livingston Peter M. | Quantum-confined stark effect quantum-dot optical modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190049374A (ko) | 2019-05-09 |
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