KR102499455B1 - 리소그래피 및 기타 응용에서 극자외 방사선과 함께 사용하기 위한 재료, 부품 및 방법 - Google Patents

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Abstract

자외(UV) 파장, 극자외(EUV) 파장 및/또는 연 X-선 파장에서 작동되는 디바이스 및 시스템에서 사용되는 재료의 새로운 부류 및 연관된 부품이 설명된다. 본 발명은 EUV 반사성 및 투과성 재료의 대역폭 및 종합 성능을 증가시키는 것에 관한 것이다. 이러한 재료 구조체 및 조합은 응용, 예컨대, 리소그래피, 웨이퍼 패터닝, 천문학 응용 및 우주 응용, 생의학 응용 또는 기타 응용에서 사용되는, 부품, 예컨대, 거울, 렌즈 또는 다른 광학기기, 패널, 광원, 포토마스크, 포토레지스트 또는 다른 부품을 제조하도록 사용될 수도 있다.

Description

리소그래피 및 기타 응용에서 극자외 방사선과 함께 사용하기 위한 재료, 부품 및 방법
관련 출원
본 출원은 미국 가출원 제62/542,734호(출원일: 2017년 8월 8일, 발명의 명칭: "Materials, Components, and Methods for use With Extreme Ultraviolet Radiation in Lithography and other Components")에 대한 우선권을 주장하고, 상기 기초출원은 전문이 본 명세서에 원용된다. 본 출원은 미국 특허 출원 제13/745,618호(출원일: 2013년 1월 18일) 및 미국 특허 출원 제15/198,291호(출원일: 2016년 6월 30일)와 관련되고, 상기 기초출원들은 전문이 제시된 것처럼 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.
본 발명의 분야
본 발명의 분야는 광학 재료, EUV 재료 그리고 더 구체적으로 많은 종래의 광학 재료가 강하게 흡수하는 파장 범위에 대한 반사성 재료의 설계 및 제조이다.
광학 리소그래피 시스템은 제조, 예를 들어, 디바이스를 위해 흔히 사용된다. 이러한 시스템의 해상력은 노출 파장과 비례한다. 따라서, 더 짧은 파장은 제조 시 해상도를 개선할 수 있다. 극자외 리소그래피(extreme ultraviolet lithography: EUVL)는 극자외(extreme ultraviolet: EUV) 파장(대략 120㎚ 내지 0.1㎚)에서 전자기 방사선을 사용한다. 따라서, 이 파장에서의 광자는 대략 10eV(전자 볼트) 내지 12.4keV)(124㎚ 내지 0.1㎚에 각각 대응함)의 범위 내 에너지를 갖는다. 극자외 파장은 디바이스, 예컨대, 플라즈마 및 싱크로트론 광원에 의해 인위적으로 생성될 수도 있다. 리소그래피를 위해 EUV 파장을 사용하는 것은 디바이스, 예컨대, 반도체 칩에서 뿐만 아니라 기타 응용, 예컨대, 폴리머 전자기기, 태양 전지, 생명공학, 의학 기술에서 특징부의 크기를 감소시킨다는 잠재적인 이점을 갖는다.
수동 광학 소자, 예컨대, 거울, 렌즈, 필터, 반사기, 검출기 또는 집광기는 종종 더 큰 광 시스템에서 사용된다. 예를 들어, 포토리소그래피 시스템은 광을 사용하여 박막 또는 실리콘 웨이퍼의 부분을 패터닝하는 미세제조 과정이다. 포토리소그래피 시스템은 광을 사용하여 기하학적 패턴을 포토마스크로부터 웨이퍼 상의, 감광성 화학적 포토레지스트 또는 단순히 레지스트로 전사한다. 이 시스템은 타깃 파장에서 광을 생성하는 광원을 갖고, 그리고 광은 웨이퍼의 평면으로 전달되기 전에 많은 광학 소자를 가진 광로를 통해 전송된다. 실제로, 광로가 광원과 실리콘 웨이퍼 사이에 12개 초과의 거울을 갖는 것은 흔하다. 현재, 많은 포토리소그래피 시스템이 193㎚의 타깃 파장에서 작동되지만, 더 우수한 해상도 및 더 작은 제조를 지원하기 위해서, 훨씬 더 짧은 파장이 사용될 것이다. EUV 자외 리소그래피는 13.5㎚에서 광을 사용한다. 그러나, 대부분의 천연 재료는 이 단파장에서 매우 흡수성이 있어서, 광이 웨이퍼에 전달하기 전에 매우 불충분하고 손실성이 있는 광로를 발생시킨다. 따라서 13.5㎚에서 매우 반응성이 있고 공진하며, 진폭이 높고 그리고 스펙트럼 주파수가 넓은 반사율 스펙트럼 프로파일을 가진, 새로운 재료 또는 개발된 재료를 갖는 것이 바람직하다.
리소그래피에서 거울, 렌즈, 필터, 막 및 검출기의 시스템이 계량, 투과, 반사 및 다른 부품을 위해 사용된다. 단일의 시스템에서 부품은 미리 결정된 스펙트럼 및 각 대역폭을 갖고, 그리고 하나의 부품으로부터 다음의 부품으로의 미스매치가 시스템을 통한 투과를 최대화하도록 최소화 또는 방지되어야 한다. 시스템을 통해 전송되거나 또는 부품으로부터 부품으로 반사된 방사선은 대역 내 방사선으로 불린다. 리소그래피 시스템이 특정한 타깃 주파수에서 생성되는 것으로 의도되는 광원을 갖기 때문에, 광로 내 모든 광학 소자가 또한 이 파장을 위해 조정 및 최적화되는 것이 중요하다. 그렇지 않다면, 전체 시스템은 매우 낮은 효율을 겪을 것이고, 전력을 낭비하고, 대역 외 방사선을 통해 광학기기를 손상시키고 그리고 열을 생성하고, 그리고 큰 광원을 필요로 한다. 많은 광학 소자 간에서 최적화를 획득하는 것은 각각의 소자가 매우 좁은 주파수 대역에서만 피크 반사율을 가지므로 매우 어렵다. 이 방식으로, 모든 광학 소자가 좁은 피크 대역에서 완벽하게 반사하도록 모든 광학 소자가 구축될 수 있는 것은 매우 가능성이 없다. 수개의 광학 소자 간의 피크 대역의 이 미스매치는 광로의 비효율 및 전체 낭비의 주요 원인이다.
반사성 재료 또는 리소그래피의 소자에서 사용되는 코팅의 선택은 종종 엄격히 제한된다. 종래의 재료 조합은 이론상 67% 반사율까지 생성하는 몰리브덴-규소 (Mo-Si) 다층으로 이루어진다. 각각의 코팅은 반사성 스펙트럼 곡선, 및 반사성 각 곡선을 갖는다. 반사성 스펙트럼 곡선은 방사선의 파장의 함수로서 반사율을 명시한다. 반사성 각 곡선은 방사선의 입사각(0 내지 90도, 전자는 전형적인 그레이징 입사(grazing incidence)이고 그리고 후자는 수직 입사임)의 함수로서 반사율을 명시한다. 스펙트럼 폭은 종종 반치전폭(full width at half maximum: "FWHM") 대역폭으로서 종종 불린다. FWHM 대역폭은 반사율이 이 값의 50%일 때의 스펙트럼 범위이다. Mo-Si 층은 EUV 리소그래피 시스템 내 거울, 집광기 및 포토마스크에서 사용된다. 다른 종래의 다층 조합은 집합적으로 최선의 것으로서 지칭되는, 텅스텐 및 붕소 탄화물, 텅스텐 및 탄소를 포함한다. 피크 반사율을 최대화하는 것이 주요 관심사이기 때문에, 재료는 종종 가장 높은 절대적 스펙트럼 반사율을 생성하도록 조합되어 선택된다. 그러나, 피크 반사율을 최대화하는 것이 좁은 스펙트럼 대역폭과 조합된다면, 부품의 연이은 시퀀스에서 대역 내 방사선으로서 알려진 전송된 방사선이 부품으로부터 부품으로의 피크 스펙트럼 파장과 반사된 코팅의 대역폭을 매칭함으로써 제한된다. 반사율 반응 또는 곡선에서, 문제가 되는 것은 단지 피크 반사율이 아니라, 스펙트럼 대역폭, 평균 스펙트럼 반사율 및 총 대역 내 방사선, 또는 반사율 곡선과 x축 사이의 통합 영역이다.
리소그래피 시스템에서 웨이퍼로 전송된 에너지는 또한 반사성 코팅의 대역폭, 이의 총 반사성 스펙트럼 범위 및 각각의 부품에 의해 전송된 에너지에 의해 제한된다. 대역 외 방사선이 부품에 의해 흡수되고 그리고 부품의 유해한 가열을 발생시킨다.
따라서, UV 파장, DUV 파장 또는 EUV 파장 내 더 짧은 파장에서 반사성 코팅의 대역폭을 개선시키는 것이 필요하다.
본 개시내용은 일반적으로 예컨대, 리소그래피(EUVL) 또는 기타 응용에서, 자외(UV), 심자외(DUV), 극자외(EUV) 및 연 X-선 방사선에서 사용되는 재료, 디바이스, 장치, 및 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로 하지만 비배타적으로, 본 개시내용은 UV, EUV 및 연 X-선 응용에서 사용되는 재료 및 부품, 뿐만 아니라 EUV 방사선을 사용하는 장치, 디바이스 및 시스템에서 이러한 재료 및 부품의 제조 및 사용의 방법에 관한 것이다.
특정한 실시형태에서, 본 개시내용은 광 노출 시스템에서 사용될 수 있는 소자에 관한 것이고, 시스템 또는 서브시스템은 파장을 가진 광을 전송하기 위한 광원을 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 본 개시내용은 포토마스크, 거울 또는 렌즈, 기판 소자를 포함하는 광 노출 시스템에서 사용될 수 있는 소자에 관한 것이다. 시스템 또는 서브시스템은 파장을 가진 광을 전송하기 위한 광원을 포함할 수 있다. 소자는 복수의 구조적 특징을 가진 재료 또는 하나 이상의 재료 조합을 포함할 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 본 개시내용은 광학 소자 및 리소그래피 관련 장치 및 부품에서 사용되는 코팅에 관한 것이다.
본 발명은 광학 소자에서 사용되는 새로운 재료를 개시하고, 광학 소자는 UV, DUV 또는 EUV 대역폭(0.1㎚ 내지 250㎚) 내 타깃 파장에서 작동되도록 구축된다. 새로운 재료의 사용은 광학 소자의 스펙트럼 또는 각 대역폭을 타깃 대역폭에서 알려진 반사기의 스펙트럼 또는 각 대역폭을 넘어 증가시킨다.
대역폭 미스매치는 피크 파장을 정확하게 매칭하고/하거나 스펙트럼 대역폭을 증가시킴으로써 방지될 수 있다. 스펙트럼 대역폭을 증가시키는 것은 수개의 이점을 갖는다. 이것은 더 많은 에너지가 전체 리소그래피 시스템을 통해 전달되고 그리고 웨이퍼로 전달되게 한다. 이것은 각각의 스펙트럼 곡선으로부터 평균 스펙트럼 반사율을 증가시키고, 따라서 하나의 부품으로부터 다음의 부품으로의 대역폭 미스매치의 가능성을 감소시킨다. 대역폭을 증가시키는 것은 대역 내 스펙트럼 방사선이 증가되고, 그리고 더 적은 코팅이 대역 외 방사선으로부터, 광학 부품에서 필요하다는 것을 의미한다.
각 대역폭을 증가시키는 것은 더 큰 입사각으로 부품에 입사되는 광이 시스템을 통해 전송되게 한다. 더 큰 입사각은 더 큰 수치의 개구를 가진 시스템이 설계되게 한다.
본 발명은 스펙트럼 및 각 대역폭, 및 최신의 반사기에 의해 관찰되는 것을 초과하여 반사율 또는 투과율 곡선의 피크 성능을 증가시키는 재료 조성 및 조합에 관한 것이다. 참조를 위해 최신의 반사기는 용융된 실리카 또는 실리콘 기판 상의 몰리브덴 규소(Mo-Si) 코팅이다. 시뮬레이션 및 실험에 대해 대역폭은 반치전폭(full width half max: FWHM)이다. Mo-Si에 대해 스펙트럼 FWHM은 0.63㎚이고, 그리고 각 대역폭은 (수직 입사, 90도로부터) +/-10.8도이다. 피크 반사율은 73%이고 그리고 피크 반사율이 70% 초과로 유지되는 유용한 각 범위는 수직 입사로부터 +/- 6도이거나 또는 대상측 상의 주광선 각(Chief Ray Angle on the Object side: CRAO)으로서 알려져 있다. 부품으로부터 부품으로 전송된 에너지, 또는 대역 내 방사선은 반사율(투과율) 반응 곡선의 정규화된 적분에 비례한 것으로 계산될 수 있고, 이후에 통합 에너지로서 지칭된다. 평균 반사율은 파장의 미리 결정된 세트에 걸친 평균 스펙트럼 또는 각 반사율이다. 각 대역폭은 그레이징 각 근처에서 또는 직각 근처에서 증가될 수도 있다.
도 1은 Mo-Si의 다층 스택에 대한 (a) 파장(90도에서) 및 각(13.5㎚에서)의 함수로서 반사율 반응(100)을 도시한다. FWHM 스펙트럼 대역폭은 0.63㎚이다. 각 대역폭은 +/-10.8도이다. CRAO는 +/-6도이다. 전송된 대역 내 에너지는 12.70(임의 단위)에 비례한다. 평균 스펙트럼 반사율은 25%이다. 피크 스펙트럼 반사율은 73%이다.
본 발명은 반사율(투과율) 반응 곡선의 스펙트럼 및 각 대역폭을 조정 또는 증가시키도록 특정한 금속, 합금, 화합물, 혼합물, 유기 재료 및 이들의 조합의 사용을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 증착될 수도 있는 단일의 막 또는 코팅, 다층 막 조합(1차원 코팅), 또는 심지어 2차원 코팅 및 3차원 코팅, 예를 들어, 2차원 또는 3차원으로 주기성 또는 특징을 갖는 코팅에 관한 것이다. 코팅은 다공성 코팅, 또는 나노크기의 특징을 가진 막 중, 높은 내부 표면적, 독립형 막을 가진 코팅일 수도 있다. 기판은 Si 또는 Si02, 또는 사파이어, 또는 유리를 포함한다.
구체적으로, 본 발명은 금속(M), 탄소(C) 및 H기 원소(H)의 조합과 관련되고, H는 주기율표에서, 임의의 경원소, 예를 들어, 헬륨, 수소, 네온 또는 다른 기체, 또는 원소 기체일 수도 있고, 그리고 MxCyHz의 재료를 제조하도록 사용될 수도 있고, x, y, z는 질량, 용적, 비 또는 화학량론 비와 관련되고, 그리고 x>0, y≥0, z>0이고, x 및 y 및 z는 임의의 수일 수 있다. H기 원소는 M의 원자 번호보다 더 작은 원자 번호를 가진 임의의 원소일 수도 있다. 예를 들어, 실리콘 기판 상의 MxCyHz 및 Si의 다층 코팅(교번하는 층)은 매우 반사성인, 더 넓은 대역폭의 거울을 형성하도록 사용될 수 있다. x, y 또는 z는 임의의 수, 정수 또는 비정수일 수 있고 그리고 비화학량론 조합을 포함할 수 있다.
이러한 재료를 사용하는 전형적인 광학 소자 및 부품은 거울, 필터, 렌즈, 검출기, 반사기, 펠리클(pellicle), 기판, 파셋(facet), 덮개층, 캡핑층, 보호층, 상호 확산층, 배리어층, 막, 집광기를 포함한다. 이 부품은 리소그래피 시스템, 인쇄, 스캐닝, 망원경, 점검 수단, 광원, 레이저, 영상 수단에서 사용될 수도 있다.
금속(M)의 예는 몰리브덴, 니오븀, 루테늄, 지르코늄, 테크네튬, 백금, 팔라듐, 금, 니켈 및 주기율표의 행 4, 5 및 6의 모든 금속을 포함한다.
H기 원소의 예는 헬륨, 수소, 네온 또는 다른 원소 기체를 포함한다. 이것은 M의 증착 동안 M 및 C와 결합될 수 있고, 그리고 코팅 내에 트랩핑될 수 있다. 헬륨은 비활성 비반응성 성질, 및 경량 및 투명성에 기인하여 선택된 기체이다.
하나의 실시형태에서 He 환경에서 금속의 공-증착은 이 환경에서 He의 편입을 초래할 수 있다. 유사하게, 금속(M) 및 탄소 공급원의 공-증발은 또한 혼합되거나 또는 섞인 재료를 형성할 수 있다.
일부 경우에서 M의 존재는 필수적이지 않고, 그리고 순수한 탄소 또는 탄화수소가 대신에 사용될 수도 있다. 이것은 특히, 2차원 또는 3차원 재료, 즉, 2차원 또는 3차원 아키텍처인 복수의 특징부를 가진 재료의 경우이다. 이 경우에 x=0이다. 이것은 또한 금속이 없는 결합 재료, 또는 층을 이룬 재료 중 하나의 재료를 위한 유전체 결합 재료, 예를 들어, Si-MxHyCz(x=0, 및 y≠0, z≠0)를 사용하는 1D 다층의 경우이다.
다른 경우에서 H 또는 C의 존재는 필요하지 않을 수도 있고, 이 경우에 y 또는 z는 0일 수도 있지만 동시에 x는 0이 아닐 것이다. 예를 들어, MoC의 경우에 x=1, y=0, z=1이고, 그리고 Mo2C의 경우에 x=2, y=0, z=1이다.
하나의 실시형태에서 x,y,z>1 또는 y>z>x이다. 또 다른 실시형태에서, y 및 z>x이다. x=0, y=0, z=0인 경우는 본 명세서에서 고려되지 않는다. 적어도 하나가 0이 아닌 양이 존재해야 한다. 유사하게 많은 순수한 금속/유전체 다층이 이미 존재하기 때문에, x=1, y=0, z=0인 경우는 또한 본 발명의 일부로서 고려되지 않는다. 본 발명은 특히, 규정된 바와 같은 H 및 C가 재료 조합의 일부 또는 전부에 사용되는 경우와 관련된다.
탄소(C) 및 (H)(H는 수소임)로 규정된 원소의 예는 탄화수소, 탄화물, 수소화물, 카르벤, 및 수소와 탄소의 임의의 유기금속 복합체, 또는 리간드를 통해 탄소(C) 또는 (H)에 대한 금속(M) 원자의 임의의 연결을 포함한다. 유사하게, 수소 저장을 위해 사용되는 임의의 재료, 또는 수소 저장을 위한 촉매는 또한 적합한 후보이다. 결합 재료는 M, C 및 H의 금속 유기 프레임워크 막일 수도 있다. 산소가 복합체에 존재하지 않는 것이 중요하다.
C의 존재는 재료를 고온에 대해 더 강성이게 하고, 그리고 산소에 의해 오염에 대해 영향을 덜 받게 하고, 그리고 보호층 또는 캡핑층 또는 다층의 일부일 수 있다.
발명자는 도핑된 재료, 탄화수소 오염물질 및 수소 거품 간의 중요한 구별을 한다. 이 발명은 상기 경우 중 임의의 경우와 관련되지 않는다. 도핑은 보통 순수한 재료보다 더 작은 자릿수의 수량으로, 또 다른 재료 내로의 불순물의 주입과 관련된다. 도핑은 반사율 대역폭 또는 반응 진폭에 최소 영향을 준다. 탄화수소 오염은 탄화수소가 거울 코팅 상에 무작위 또는 원하지 않은 장소(이상)에 증착될 때와 관련된다. 이것은 원하지 않은 흡수, 또는 산란 따라서 반사율의 감소를 유발한다. 오염 시, 탄화수소는 정확한 비로 또는 위치에서 금속과 적절하게 결합되지 않는다. 이것은 비의도적이고 무작위이며, 그리고 정확한 위치에 존재하게 하는 계획적인 의도보다는 사고에 의해 존재한다. 이것은 제어된 증착의 일부가 아니다. 수소 거품은 수소 기체가 축적되는 원하지 않은 포켓과 관련된다. 이것은 또한 수소가 금속과 적절히 결합되지 않기 때문에 반사율을 저하시키고, 그리고 이상 반사율 또는 산란을 유발한다. 유사하게, 주위 기체가 유리 기판을 준비하도록 사용되는 경우는, 이것이 코팅의 반사/투과 성능 또는 대역폭에 영향을 주지 않으므로, 또한 고려되지 않는다.
원소가 플라즈마 공급원으로부터 잔해와 부딪치는 작동 행위는 원소가 리소그래피 수단에서 사용되는 것으로부터 배제된다. 주위 기체에 의한 현장 세척이 아니다. 이것은 제조 과정의 일부가 아니고 그리고 개발에 후속된다.
수개의 방법은 금속과 헬륨, 수소 및/또는 탄소를 결합하도록 사용될 수 있다. 일부 실시예는 수소화된 금속, 금속 수소 복합체, 공-증발, 공-스퍼터링, 공-증착, 기상 증착, 열 어닐링, 및 진공 챔버 내 다른 증착 방법을 포함한다. 탄화수소의 예는 예를 들어, 알칸, 알켄, 및 알킨, 데칸, 펜탄, 펜타센이다. 다른 적합한 분자 조합은 풀러린, 예를 들어, C60을 포함한다. 예를 들어, 금속이 주위 기체, 버퍼 기체, 또는 다른 기체하에서 증착되어, 수소 풍부한, 수소화된, 또는 수소 풍부 금속을 형성할 수도 있다. 혼합 기체 또는 주위 기체의 예는 He/Ar, He/N2, He/H2, Ne/He H2/Ar, 또는 N2/H2, Ne/Ar, Ne/N2, Ne/He, Ne/H2를 포함한다.
금속 유기 복합체는 예를 들어 메탈로센, 또는 벤젠/톨루엔 기반 화합물, 또는 사이클로펜타다이에닐 고리, 또는 다른 복합체를 포함하고, 원자 또는 분자는 리간드에 의해 연결된다. 탄소의 예는 다이아몬드같은 탄소, 그래핀, 그래파이트, 이중 결합 탄소, 단일 결합 탄소를 포함한다.
MoC 및 Mo2C는 특히, 다차원 아키텍처의 온도 안정성을 증가시키고, 그리고 반사율을 저하시키는 산화를 감소시키도록 사용될 수도 있다. 이것은 반사성 또는 투과성 코팅의 구축 시, 그리고 반드시 그런 것은 아니지만 캡핑층 또는 보호층에서 고려될 수도 있다. MoC/Si 또는 Mo2C/Si의 다층의 특별한 경우는 본 발명에서 배제된다.
본 개시내용은 첨부 도면과 함께 취해진 다음의 상세한 설명과 연관되어 더 완전히 이해될 수도 있다:
도 1은 (a) 파장 및 (b) 다층 Mo-Si의 각의 함수로서 반사율 반응을 예시하는 도면. FWHM 스펙트럼 대역폭은 0.63㎚이다.
도 2는 (a) 파장 및 (b) MxHyCz-Si의 다층의 각의 함수로서 반사율 반응을 예시하는 도면. FWHM 스펙트럼 대역폭은 0.76㎚이다
도 3은 Si02 기판 상에 증착된 단층 코팅의 반사율 반응을 예시하는 도면. 반사율 반응은 13.5㎚에서 이루어지고, 그리고 그레이징(0도) 입사로부터 수직(90도) 입사로 각의 함수로서 측정된다. 하나의 실시예에서, 금속 코팅(M)은 25도의 각 대역폭(FWHM)으로 증착된다. 제2 실시예에서, 유사한 두께의 MxHyCz의 코팅은 51.3도의 각 대역폭(FWHM)으로 증착된다.
도 4는 알려진 다층 브래그 반사 코팅(multilayer Bragg reflective coating)의 아키텍처를 도시하는 도면. 아키텍처는 보호층 또는 캡핑층에 더하여, 기판 상의 교번하는 재료, 재료(1)와 재료(2)(다층)의 스택으로 이루어진다.
도 5는 다층 브래그 반사 코팅의 아키텍처를 도시하는 도면. 아키텍처는 보호층 또는 캡핑층에 더하여, 기판 상의 교번하는 재료(다층)의 스택으로 이루어진다. 재료의 스택은 MxHyCz와 규소, 또는 대안적으로 M과 Si-MxHyCz의 이중층 쌍으로 이루어진다.
도 6은 코팅의 직접적인 부분을 형성하는, MxHyCz 재료를 가진 3D 아키텍처를 도시하는 도면.
본 발명에서 사용되는 정의의 목록은 아래에 제공된다.
이중층 2개의 상이한 재료, 예를 들어, Mo 및 Si로부터 층의 쌍
다층 하나 이상의 층의 스택, 2개의 층 내지 200개 초과의 층 범위
교번하는 층 반복되는 이중층의 시퀀스, 다층은 2개 이상의 상이한 재료로 이루어진다.
다층 코팅 다층 스택으로 이루어진 코팅
브래그 반사 코팅 교번하는 재료의, 이중층 쌍을 포함하는, 반사성 다층 스택, 각각의 층은 두께에서 대략 1/4 파장/굴절률을 갖는다.
파장 범위 EUV 파장은 0.1㎚ 내지 100㎚의 범위이고, DUV 파장은 100㎚내지 250㎚의 범위이다. 구체적으로, 10 내지 20㎚, 및 13.5㎚.
이중층 쌍의 수 이중층 쌍의 수는 20 내지 40 내지 80 또는 100 또는 100 초과.
3D 아키텍처 이것은 보통 단일의 증착으로 형성된 코팅이고, 그리고 3차원 아키텍처로 이루어지고, 구조적 특징 또는 2차원 또는 3차원의 주기성을 갖는다. 3D 아키텍처와 달리, 다층 코팅은 1-D 아키텍처의 예이다. 아키텍처는 층, 구, 실린더 및 다른 이러한 재료를 포함하는 복수의 구조적 특징을 포함할 수도 있다.
MxHyCz x 및/또는 y 및/또는 z는 0일 수 있다. x=0에 대해, 금속이 존재하지 않지만, 탄화수소가 존재한다. z=0인 경우에 대해, 탄소는 존재하지 않고, MxHy는 금속 수소화물, 또는 혼합물 또는 화합물일 수도 있다.
y=0, MxCz인 경우에 대해, H가 존재하지 않고 탄화물, 예를 들어, Mo2C가 있을 수도 있다. x=0인 경우에 대해, 예를 들어, 탄화수소(HyCz)가 존재한다. x=y=z=0, 또는 x = 1, y=z=0인 경우는 존재하지 않는다. 디폴트 가정은 아래 첨자가 지정되지 않은 경우인 x=1, y=1, x=1이다.
x,y,z x,y,z는 화학량론 비를 나타내지만, 또한 하나의 원소에 대한 다음의 원소의 혼합비, 또는 하나의 원소의 원자수에 대한 다음의 원소의 원자수의 혼합비를 나타낼 수도 있다. 예를 들어, Ru20He20C20은 Ru의 20개의 원자, He의 20개의 원자, 및 탄소의 20개의 원자의 혼합물, 또는 이 비의 상대적 혼합물을 나타낼 수도 있다.
결합 재료 결정성, 비정질, 금속유기성 성질의 재료를 형성하기 위한, 혼합물, 합금, 화합물 또는 2종 이상의 원소의 임의의 조합
주위 가스 주위 가스는 진공 챔버 내 배경 기체이다. 예를 들어, 아르곤, N2, H2 , He, Ne, Kr. 이들은 원소 기체로서 또한 지칭된다.
혼합 기체 이것은 2종 이상의 주위 기체의 조합이다.
이온 이것은 스퍼터링 또는 이온 빔 증착에서 사용되는 주위 기체, 아르곤, N2, H2, He, Ne, Kr 중 임의의 이온, 또는 임의의 조합일 수도 있다.
제어된 증착 재료의 광학 특성을 조정 또는 제어하도록 특정한 위치 및 수량으로 임의의 미리 결정된 재료의 의도적인 그리고 계획적인 증착.
스퍼터링 보통 진공 챔버에서, 미리 결정된 재료의 플룸을 생성하고, 이어서 이러한 재료의 막을 형성하는 기판 상에 균일하게 증착되는, 미리 결정된 종의 이온 또는 원자의 빔에 의해 미리 결정된 재료의 타깃이 목표가 되는 공정.
반사율 곡선 그래프는 반사율 반응 함수 또는 파장/주파수 또는 각의 함수로서 공진을 도시한다.
투과율 곡선 그래프는 투과율 반응 함수 또는 파장/주파수 또는 각의 함수로서 공진을 도시한다.
대역폭 곡선의 폭에 의해 경계가 생기는, 반사율 또는 투과율 곡선의 스펙트럼 또는 각 범위.
반치전폭(FWHM) 반사율 또는 투과율 곡선의 피크 반사율의 절반에서 전체 대역폭 범위.
통합 에너지 대역 내 방사선의 총 에너지를 나타내는 스펙트럼 곡선하의 통합 영역
광학 소자 광원 시스템 내 소자, 예를 들어, 포토리소그래피 수단 또는 광과 상호작용하는 x선 망원경, 예를 들어, 거울.
대역폭 미스매치
 하나의 광학 소자로부터 또 다른 광학 소자로의 스펙트럼 또는 각 대역폭의 차, 광학 소자를 동일하게 만들지 않는다.
탄화수소
 수소와 탄소의 화합물.
포토리소그래피에서 사용되는 광학 소자는 포토마스크, 거울, 검출기, 반사기, 스펙트럼 순도 필터, 필터, 펠리클, 회절 격자, 편광자, 집광기를 포함한다. 각각의 소자는 보통 기판, 예를 들어, 용융된 실리카, 규소, 유리, 크롬, 후속하여 반사성 또는 투과성 코팅 그리고 임의로 보호층을 포함할 수도 있다. 이 소자의 각각은 이들의 재료, 예를 들어, 몰리브덴, 규소, 니오븀, 루테늄, 테크네튬, 지르코늄, 스트론튬의 기반으로서 순수한 원소의 세트에 기초한 유사한 재료를 사용한다.
"금속"은 금속성이고 그리고 중성일 수 있거나 또는 중성의 금속성 소자에 존재하는 것보다 원자가 껍질에서 더 많은 또는 더 적은 전자를 갖는 것의 결과로서 음으로 또는 양으로 대전될 수 있는, 주기율표의 원소를 나타낸다. 본 발명에서 유용한 금속은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 및 전이-후 금속을 포함한다. 알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr 및 Ba를 포함한다. 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Mg, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Al 및 Ac를 포함한다. 전이-후 금속은 Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi 및 Po를 포함한다. 희토류 금속은 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu를 포함한다. 알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb 및 Cs를 포함한다. 당업자는 위에서 설명된 금속이 수개의 상이한 산화 상태를 각각 채택할 수 있다는 것을 이해할 것이고, 이들 전부는 본 발명에서 유용하다.
A. 다층 코팅 실시형태
반사성 코팅의 전형적인 실시형태가 도 4에 도시된다. 아키텍처는 기판, 국소적으로 용융된 실리카, 유리, 크롬, 규소, 석영, 1D 다층 브래그 반사 코팅, 예를 들어, Mo-Si, Nb-Si, W-Si, Ru-Si, 또는 본 발명에서 설명된 바와 같은 또는 참조에 의해 원용되는 미국 특허 출원 제15/198,291호에서 발견되는 바와 같은 다른 재료를 포함한다. 다층은 교번하는 재료의 많은 층으로 이루어지고, 재료의 각각의 세트는 이중층 쌍을 형성한다. 임의로 층 또는 이중층의 스택의 상단부에 캡핑층이 있거나 또는 보호층은 보통 루테늄 또는 다른 귀금속으로 이루어진 코팅이다.
도 4는 많은 이중층 쌍(409)으로 구축되는 다층 스택(411) 및 기판(402)을 가진 알려진 다층 반사성 광학 소자(400)를 예시한다. 각각의 이중층 쌍은 재료(1)의 제1 층(405) 및 재료(2)의 제2 층(407)을 갖는다. 잘 알려져 있고 흔한 바와 같이, 층 중 하나의 층은 Si일 수도 있고 그리고 다른 층은 Mo일 수도 있다.
또 다른 실시형태에서 다층 코팅은 3D 아키텍처로 대체될 수도 있거나 또는 복수의 구조적 특징부 또는 하나 이상의 재료 조합, 예컨대, 전문이 제시된 것처럼, 참조에 의해 본 명세서에 원용되는, 미국 특허 출원 제13/745,618호에 제시된 것을 갖는다. 이 경우에 3D 아키텍처는 단일의 금속 또는 다른 재료로 이루어질 수도 있다.
또 다른 실시형태에서, 예를 들어, 펠리클에서 사용된 바와 같이, 코팅은 막 상에 있을 수도 있거나 또는 기판 없이 매달릴 수도 있다. 코팅은 단일의 재료 또는 박막 또는 다공성 구조체로 이루어질 수도 있다. 재료는 Mo 또는 Si 또는 금속 규화물일 수도 있다.
본 발명은 다층 반사성 코팅 내 하나 이상의 층, 펠리클에서 사용되는 투과성 재료 또는 3D 아키텍처 내 재료 또는 재료들을 MxHyCz 결합 재료로 대체하는 실시형태를 개시한다.
MxHyCz 결합 재료는 이것이 제어된 위치 및 비율로 코팅에 고의로 그리고 의도적으로 분포되어 이 위치에서 재료의 광학 특성에 균일하게 영향을 주는 제어된 증착 기법을 사용하는 코팅의 제조 동안 이루어진다. 이것은 코팅, 예를 들어, 플라즈마 공급원의 앞에 배치된 거울의 운용 용도와 구별되고 그리고 공급원에서 또는 진공 챔버에서 잔해로부터 탄화수소를 수신하고 그리고 이러한 탄화수소 또는 입자 결함 또는 이온은 소자의 운용 용도로부터의 부작용으로서 코팅에 무작위로 배치된다.
특히, 다층 아키텍처를 포함하는 실시형태에서 MxHyCz 결합 재료는 예를 들어, 이중층 쌍의 층 중 하나 이상의 층 또는 교번하는 층 중 하나 이상의 층, 또는 아키텍처의 하나 이상의 층을 대체할 수도 있다. 순 효과는 도 2에 도시된 바와 같은 개선된 반사율 스펙트럼 및/또는 각 곡선(200)이다. (a) 파장 및 (b) MxCyHz-Si의 다층 스택에 대한 각의 함수로서 반사율 반응. FWHM 스펙트럼 대역폭은 0.76㎚이다. 각 대역폭은 +/- 10.8도이다. CRAO는 +/- 8도이다. 전송된 대역 내 에너지는 16.14(임의 단위)에 비례한다. 평균 스펙트럼 반사율은 31%이다. 피크 스펙트럼 반사율은 76%이다. 개선된 반사율 곡선은 최신의 Mo-Si와 비교할 때, 증가된 FWHM, 전송된 대역 방사선에 통합된 증가된 스펙트럼 또는 각 대역폭, 더 적은 대역폭 미스매치 또는 곡선의 개선된 피크 진폭을 포함한다. 예를 들어, 전형적인 다층 반사성 코팅, 예를 들어, Mo-Si에서, MxHyCz 결합 재료는 Mo 또는 Si 또는 둘 다, 예를 들어, MoHyCz-Si를 대체할 수도 있다. 도 5는 본 발명을 다층(501, 502) 아키텍처(500)로 예시한다.
도 3은 Si02 기판 상에 증착된 단층 코팅의 반사율 반응(300)을 예시한다. 반사율 반응은 13.5㎚에서 이루어지고, 그리고 그레이징(0도) 입사로부터 수직(90도) 입사로 각의 함수로서 측정된다. 하나의 실시예에서, 금속 코팅(M)은 25도의 각 대역폭(FWFDVI)으로 증착된다. 제2 실시예에서, 유사한 두께의 MxHyCz의 코팅은 51.3도의 각 대역폭(FWUM)으로 증착된다. 이 다층 코팅을 위한 증착 기법은 스퍼터링, 이온 빔 증착, PECVD, 원자층 증착, 이온 보조 증착, 전자빔 증착, 화학적 기상 증착, 열 증발, 이온 주입, 분자선 에피택시이다. 스퍼터링 또는 이온 빔 증착 또는 전자빔 증착의 경우에 대전된 입자는 타깃에 충격을 가하고 따라서 부드럽게 그리고 때때로 균일하게 MxHyCz 양, 위치 및 분포에 대한 절대적인 제어에 의해 이 층을 증착하도록 사용될 수도 있다. MxHyCz 결합 재료를 증착하는 과정의 하나의 실시형태에서, 아르곤, 질소, 헬륨, 수소, 크립톤 또는 네온 이온이 사용될 수도 있다. 유사하게는 기체 형태의 이 원소 중 2종 이상의 조합을 함유한 혼합 기체가 또한 사용될 수도 있다.
과정은 챔버 내에서 교번하는 재료의 2개의 타깃을 로딩하는 것, 위에서 설명된 이온의 2종 이상의 조합으로 타깃의 각각에 충격을 가하는 것, 그리고 기판 상에 2가지 재료의 각각의 박층을 교번하여 증착하는 것으로 이루어진다.
유사한 과정은 제2 빔 또는 1종 이상의 이온의 혼합 이온, 이온 보조 증착 빔이 기판 근방을 향하여 막이 형성될 때 기판에서 타깃 재료의 플룸(plume)의 상호작용을 증가시킬 수도 있는, 이온 빔 증착을 위해 사용된다.
과정의 또 다른 실시형태는 증착 챔버에서 하이브리드 재료를 공-스퍼터링하거나 또는 공-증발하는 것으로 이루어진다. 예를 들어, 전이 금속은 주위 또는 혼합 기체의 존재 시, 동일한 진공 증착 시스템 내에서 탄화수소를 스퍼터링 또는 증발하는 것과 동시에 스퍼터링될 수도 있다.
펠리클을 위한 증착 기법은 부가적으로 원자층 증착, 또는 기상 증착 또는 전착 또는 이온 주입을 포함할 수도 있다. 이 경우에 금속은 컨포멀하게(conformally) 증착될 수도 있고, 그리고 이어서 탄화수소 증기, 기체, 주위 또는 혼합 기체에 의해 후처리될 수도 있다.
도 6은 3D 아키텍처(605) 내에 증착물을 가진 광학 소자(600)를 예시한다. 이 경우에 금속은 컨포멀하게 증착될 수도 있고, 그리고 이어서 탄화수소 증기, 기체, 주위 또는 혼합 기체에 의해 후처리될 수도 있다. 광학 소자(600)는 임의의 캡핑층(603)을 가질 수도 있고, 그리고 일부 경우에서 기판(607)을 가질 수도 있다. 다른 경우에서, 기판은 예를 들어, 광학 소자가 막 구조체의 일부로서 구축된다면 필요하지 않을 수도 있다. 대안적으로 도 6은 본 명세서에서 설명된 유기금속 복합체에 의해 형성될 수도 있다.
B. 3D 아키텍처 실시형태
다음의 아키텍처는 투과성 코팅, 막에서, 또는 펠리클의 일부로서 광학 소자 상에서 사용될 수도 있다. 이것은 또한 거울 또는 마스크 상의 반사성 코팅에서 사용될 수도 있다.
2D 또는 3D 아키텍처는 자기 조립된 유기 합성 템플릿, 폴리머, 유기 무기 하이브리드 또는 금속 유기 복합체로부터 형성된다. 이러한 복합체는 금속(M), 탄소 원자 및 수소 원자 예를 들어, 메탈로센, 또는 벤젠/톨루엔 기반 화합물, 또는 사이클로펜타다이에닐 고리, 또는 다른 복합체를 포함하고, 원자 또는 분자는 리간드에 의해 연결된다. 탄소의 예는 다이아몬드같은 탄소, 그래핀, 그래파이트, 이중 결합 탄소, 단일 결합 탄소를 포함한다.
본 발명에 대한 유용한 3차원 반사성 광자 결정이 미국 특허 제9,322,964호에 설명된다. 재료는 하나 이상의 전자기 파장 범위에서 작동을 필요로 하는 응용에서 사용될 수 있는 특징을 포함할 수 있다. 하나의 실시형태에서, 구조적 특징부의 치수는 극자외 응용에서 사용되는 파장의 순서와 대략 동일하다. 예를 들어, 구조적 특징부는 대략 13.5㎚의 치수를 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 특징부는 약 10 내지 20㎚의 치수를 가진 구조적 특징부일 수 있다. 일부 실시형태에서, 재료는 0.001㎚ 내지 10㎚의 범위 내 구조적 특징부를 가질 수 있다. 일부 실시형태에서, 재료는 10㎚ 내지 250㎚의 범위 내 구조적 특징부를 가질 수 있다. 이 특징부는 나노크기의 특징부로서 지칭될 수 있다. 나노크기의 특징부는 1차원, 2차원 또는 3차원일 수 있다. 구조적 특징부는 재료의 대량 전자기 흡수를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 일부 응용에서, 나노크기의 특징부는 응용에서 사용되는 방사선의 파장과 대략 연관성이 있을 수 있다. 재료는 서브-파장 특징부를 포함할 수도 있다.
나노크기의 특징부는 예를 들어, 주기적 또는 반-주기적, 준-주기적 또는 비주기적 구조체 또는 반복되는 또는 반복된 소자를 포함할 수 있다. 주기적 구조체는 1차원, 2차원 또는 3차원 구조체일 수 있다. 구조체는 층을 이룬 구조체의 일부일 수 있거나 또는 기판 상에 있을 수 있다. 기판은 평면일 수 있다. 주기적 구조체의 예는 나노입자의 2D 또는 3D 어레이, 나선형 구조체, 구, 원통, 세그먼트, 스위스-롤(swiss-roll) 구조체를 포함한다. 나노크기의 특징부는 임의의 치수의 임의의 형상일 수 있고, 예를 들어, 층, 막, 구, 블록, 피라미드, 고리, 다공성 구조체, 원통, 연결된 형상, 껍질, 자유형 형상, 카이랄(chiral) 구조체, 반구, 세그먼트 또는 이들의 임의의 조합으로 제한되지 않는다.
재료는 예를 들어, 차등 구조체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 재료 내 일부 층이 이전의 층으로부터 증가 또는 감소되는, 길이, 깊이, 두께, 주기 또는 반복 단위를 갖는 임의의 치수의 층을 이룬 구조체. 하나의 실시형태에서, 층이 차등 굴절률을 생성하는 방식으로 배열된다면, 맞춤화된 광학 반응이 더 넓은 범위의 파장 또는 각에 대해 생성된다. 구조체는 층을 이룬 구조체의 일부일 수 있거나 또는 기판 상에 있을 수 있다.
재료는 또한 폴리머를 포함할 수 있다. 재료는 폴리머의 마이크로 또는 나노 구조적 특징을 더 포함할 수도 있다. 폴리머는 희생적 재료, 또는 부드러운 템플릿 또는 비계 구조일 수도 있다. 폴리머는 2차원 또는 3차원으로 자기 조립될 수도 있다.
폴리머 구조체는 MxHyCz 결합 재료를 사용하여 유기금속 복합체와 함께 복합체를 형성할 수도 있고 그리고 이어서 2D 또는 3D 아키텍처를 형성하도록 조립될 수도 있다.
C. 실시예
도 5는 본 발명에 따른 브래그 반사기(500)를 예시한다. 도 5는 2개의 예시적인 실시형태를 도시한다. 하나의 실시형태(501)에서, 다층 스택(511)이 기판(502) 상에 증착된다. 실시예(501)에서, 이중층 쌍(509)의 각각은 Si의 층 및 MxHyCz 재료의 층을 갖는다. 캡핑층(515)은 상단부의 이중층 쌍을 보호하도록 형성될 수도 있다. 실시예 2(502)에서, 각각의 이중층 쌍(509)은 Mo의 층 및 MxHyCz 재료의 층을 갖는다. 캡핑층(515)은 상단부의 이중층 쌍을 보호하도록 형성될 수도 있다. 추가의 또 다른 실시예(미도시)에서 이중층 쌍은 MxHyCz 재료의 제1 층을 가질 수 있고, 그리고 제2 층은 층(1)에 대해 사용된 비와 상이한 비를 가진 MxHyCz 재료일 수 있다.
도 6은 MxCyHz 재료로 형성된 단일의 코팅을 구비한 미리 결정된 3D 구조체로 자기 조립된, 3D 아키텍처 코팅을 예시한다.
D. 코팅의 용도
본 발명은 리소그래피와 관련된 장치, 영상 및 인쇄 시스템 및 장비, 및 이들의 부품 및 부품 내부의 소자 내 코팅의 용도를 포함한다. 이것은 광원, 스캐너 수단, 점검 수단, 계량 수단 및 제조 수단을 포함한다.
위의 상세한 설명이 다양한 실시형태에 적용되는 바와 같이 새로운 특징을 도시, 설명 및 주목하지만, 예시된 디바이스 또는 알고리즘의 형태 및 상세사항의 다양한 생략, 치환 및 변경이 본 개시내용의 정신으로부터 벗어나는 일 없이 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 전술한 설명 중 어느 것도 임의의 특정한 특징, 특성, 단계, 모듈 또는 블록이 필요하거나 또는 필수적인 것을 암시하도록 의도되지 않는다. 이해될 바와 같이, 본 명세서에 설명된 과정은 일부 특징이 사용될 수 있거나 또는 다른 것과 별도로 실행될 수 있으므로, 본 명세서에 제시된 특징 및 이점의 전부를 제공하지 않는 형태 내에서 구현될 수 있다. 보호 범위는 전술한 설명에 의해서가 아닌 첨부된 청구범위에 의해 규정된다.

Claims (32)

  1. 광학 소자를 위한 다층 브래그 반사 코팅(multilayer Bragg reflective coating)에 있어서,
    상기 광학 소자는 UV, DUV 또는 EUV 대역폭에서 타깃 파장을 작동시키는 광학 시스템에서 사용되고, 상기 코팅은,
    기판;
    다층 스택을 형성하는 이중층 쌍의 반복되는 세트로서, 각각의 이중층 쌍은,
    제1 층; 및
    MxCyHz의 비로 탄소, H-기 원소, 및 금속으로 형성된 제2 층
    을 더 포함하는 것인, 상기 이중층 쌍의 반복되는 세트; 및
    선택적으로, 보호 캡핑 층
    을 포함하고,
    상기 제2 층에 대하여, x >= 0, y >= 0, 및 z >= 0이며; x=y=z=0, 및 x=1, y=z=0을 배제하고, 상기 제2 층이 Mo2C이고 상기 제1 층이 Be인 특정 다층 조합 Mo2C/Be을 배제하는 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 층은 MxCyHz의 비로 탄소, H-기 원소, 및 금속으로 형성되고, y >= 0, 및 z >= 0인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  3. 제1항에 있어서, 상기 H-기 원소는 헬륨, 수소, 네온 또는 원소 기체인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  4. 제1항에 있어서, 상기 H-기 원소는 MxCyHz 층에 포획되는 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속(M)은, 원소의 주기율표의 4행, 5행 또는 6행에서 선택된 금속이거나, 또는 몰리브덴, 니오븀, 루테늄, 지르코늄, 테크네튬, 백금, 팔라듐, 금 또는 니켈 중 임의의 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  6. 제1항에 있어서, 상기 탄소(C) 및 상기 H-기 원소(H)는 탄화수소, 탄화물, 수소화물, 카르벤, 또는 수소와 탄소의 유기금속 복합체인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  7. 광학 소자를 위한 반사 코팅에 있어서,
    상기 광학 소자는 UV, DUV 또는 EUV 대역폭에서 타깃 파장을 작동시키는 광학 시스템에서 사용되고, 상기 코팅은,
    구성된 코팅에 사용되는 금속 원자(M), 탄소(C) 및 수소(H)의 조합 재료 MxCyHz을 포함하고, 상기 재료에 대하여, x >= 0, y >= 0, 및 z >= 0이고; x=y=z=0를 배제하며; 제2 층이 Mo2C이고 제1 층이 Be인 다층 조합 Mo2C/Be을 갖는 특정 반사 코팅을 배제하고,
    상기 코팅은 하나 이상의 치수 특징(dimensional feature)을 더 포함하는 것인, 반사 코팅.
  8. 제7항에 있어서, 상기 코팅은 기판 또는 멤브레인에 도포되는 것인, 반사 코팅.
  9. 제7항에 있어서, 상기 코팅은 캡핑 층을 더 포함하는 것인, 반사 코팅.
  10. 제7항에 있어서, 상기 탄소(C) 및 상기 수소(H)는 탄화수소, 탄화물, 수소화물, 카르벤, 또는 수소와 탄소의 유기금속 복합체인 것인, 반사 코팅.
  11. 제7항에 있어서, 상기 금속 원자(M)는 리간드를 통하여 상기 탄소(C) 또는 상기 수소(H)에 결합되는 것인, 반사 코팅.
  12. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 상기 타깃 파장에서 Mo-Si 다층 코팅의 스펙트럼 대역폭보다 더 큰 스펙트럼 대역폭을 상기 광학 소자에 제공하는 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  13. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 상기 타깃 파장에서 Mo-Si 다층 코팅의 각 대역폭보다 더 큰 각 대역폭을 상기 광학 소자에 제공하는 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  14. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 포토마스크, 거울, 렌즈, 필터, 덮개층, 캡핑층, 기판, 막, 펠리클(pellicle), 반사기, 검출기, 및 집광기 중 적어도 하나의 층인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  15. 제1항에 있어서, 상기 기판은 국소적으로 용융된 실리카, 유리, 크롬, 규소, 석영, 또는 다층 브래그 반사 코팅인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  16. 제1항에 있어서, 상기 보호 캡핑 층은 불활성 금속(noble metal)인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  17. 제1항에 있어서, 상기 제1 층은 Si인 것인, 다층 브래그 반사 코팅.
  18. 0.1 ㎚ 내지 250 ㎚의 범위 내의 타깃 파장에서 작동되는 광학 소자에서 사용되는, 제1항 또는 제7항의 코팅을 제조하기 위한 방법에 있어서,
    조합 재료를 형성하도록 금속(M), 탄소(C) 및 H 기체(H)를 MxCyHz의 비로 조합하는 단계;
    2종 이상의 유형의 이온의 조합으로 상기 MxCyHz 조합 재료에 충격을 가하는 단계; 및
    제어된 성막 기법을 사용하여 상기 MxCyHz 조합 재료를 층으로 균일하게 성막하는 단계
    를 포함하는, 코팅 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    제2 층 재료를 제공하는 단계;
    2종 이상의 유형의 이온의 조합으로 상기 제2 층 재료에 충격을 가하는 단계; 및
    상기 제어된 성막 기법을 사용하여 다층 코팅을 위해 상기 제2 층 재료를 층 쌍으로 균일하게 성막하는 단계
    를 더 포함하는, 코팅 제조 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 이온은 아르곤 이온, 질소 이온, 헬륨 이온, 수소 이온, 크립톤 이온 및 네온 이온으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인, 코팅 제조 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 H 기체는 헬륨, 수소, 네온 또는 원소 기체인 것인, 코팅 제조 방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 제어된 성막 기법은, 스퍼터링, 이온 빔 성막, PECVD, 원자층 성막, 이온 보조 성막, 전자빔 성막, 화학적 기상 성막, 열 증발, 이온 주입 또는 분자선 에피택시인 것인, 코팅 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 H 기체(H)는 MxCyHz 층에 포획되는 것인, 코팅 제조 방법.
  24. 제7항에 있어서, 상기 M, C 및 H는 하나 이상의 리간드를 사용하여 조합되는 것인, 반사 코팅.
  25. 제18항에 있어서, 상기 조합하는 단계는, M을, 탄화수소의 형태인 상기 C 및 상기 H와 조합하는 것을 포함하는 것인, 코팅 제조 방법.
  26. 제7항에 있어서, 상기 M, C 및 H는 금속 유기 골격 또는 유기금속 복합체를 형성하도록 조합되는 것인, 반사 코팅.
  27. 제18항에 있어서, 상기 금속(M)은 원소의 주기율표의 4행, 5행 또는 6행으로부터 선택된 금속인 것인, 코팅 제조 방법.
  28. 제18항에 있어서, 상기 성막된 재료는 상기 타깃 파장에서 Mo-Si 다층 코팅의 스펙트럼 대역폭보다 더 큰 스펙트럼 대역폭을 상기 광학 소자에 제공하는 것인, 코팅 제조 방법.
  29. 제18항에 있어서, 상기 성막된 재료는 상기 타깃 파장에서 Mo-Si 다층 코팅의 각 대역폭보다 더 큰 각 대역폭을 상기 광학 소자에 제공하는 것인, 코팅 제조 방법.
  30. 제18항에 있어서, 상기 광학 소자는 포토마스크, 거울, 렌즈, 필터, 덮개층, 캡핑층, 기판, 막, 펠리클, 반사기, 검출기, 또는 집광기이거나, 또는 광원에서 사용되는 것인, 코팅 제조 방법.
  31. 0.1 ㎚ 내지 250 ㎚의 범위 내의 타깃 파장에서 작동되는 광학 소자에서 사용되는, 제1항 또는 제7항의 코팅을 제조하기 위한 방법에 있어서,
    제어된 성막 기법을 사용하여 전이 금속을 층으로서 광학 소자에 성막하는 단계; 및
    제어된 성막 기법을 사용하여 탄화수소를 상기 광학 소자의 상기 층에 성막하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제어된 성막은 동시에 그리고 주위 기체의 존재 시 행해지는 것인, 코팅 제조 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 주위 기체는 헬륨, 수소, 네온, 아르곤 또는 원소 기체인 것인, 코팅 제조 방법.
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