KR102499098B1 - Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium - Google Patents

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Abstract

미끄럼 이동 부재가 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 행하는 처리에 대해서, 면 내에서 균일성 높게 처리를 행함과 함께 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용을 기판에 확실하게 부여한다.
기판(W)의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재(63, 64)와, 자전 중의 당해 미끄럼 이동 부재(63, 64)를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구(66)를 구비하도록 장치를 구성한다. 기판(W)의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부(35)에 기판(W)이 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재(63, 64)가 상기 기판(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동한다. 상기 기판(W)의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하고, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부(12)에 기판(W)이 보유 지지되어 있을 때, 미끄럼 이동 부재(63, 64)가 회전하는 기판(W)의 이면의 주연부를 미끄럼 이동한다.Regarding the processing performed by sliding the sliding member on the back surface of the substrate, the processing is performed with high uniformity within the surface, and the action by sliding of the sliding member is reliably imparted to the substrate.
In order to perform processing by sliding the back surface of the substrate W, the sliding members 63 and 64 rotate around the vertical axis, and the sliding members 63 and 64 during rotation rotate around the vertical revolving axis. The apparatus is constituted so as to include an orbiting mechanism 66 that makes it orbit so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the moving member. When the board|substrate W is held by the 1st holding|maintenance part 35 which horizontally holds the area|region which does not overlap with the center part of the back surface of the board|substrate W, the said sliding members 63, 64 The central part of the back surface of the board|substrate W slides. When the board|substrate W is held by the 2nd holding part 12 which horizontally holds the central part on the back surface of the said board|substrate W, and rotates it about a vertical axis, the sliding members 63 and 64 The periphery of the back surface of the rotating substrate W is slid.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

본 발명은, 기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique in which a sliding member slides on the back surface of a substrate to perform processing.

반도체 장치는 다층 배선 구조를 갖고 있다. 그 다층 배선 구조를 형성하기 위해서, 반도체 장치의 제조 과정에서는, 배선을 형성하기 위한 마스크 패턴인 레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 대하여 복수회 행하여진다. 각 포토리소그래피 공정에서는, 웨이퍼의 동일한 영역에 샷이 행해지도록 노광 처리가 이루어진다. 상기 반도체 장치의 배선 패턴의 미세화가 진행되고 있음으로써, 앞서 포토리소그래피 공정에서 샷이 행하여지는 영역과, 후의 포토리소그래피 공정에서 샷이 행하여지는 영역과의 위치 정렬의 정밀도, 즉 오버레이(중첩)의 정밀도를 높게 할 것이 요구되고 있다.A semiconductor device has a multilayer wiring structure. In order to form the multilayer wiring structure, in the manufacturing process of a semiconductor device, a photolithography step of forming a resist pattern, which is a mask pattern for forming wiring, is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) a plurality of times. It is done. In each photolithography process, exposure processing is performed so that shots are made in the same area of the wafer. As the wiring patterns of the semiconductor device are miniaturized, the accuracy of positional alignment between the area where the shot is performed in the photolithography process earlier and the area where the shot is performed in the photolithography process that follows, that is, the accuracy of overlay (overlapping), is progressing. is being requested to be higher.

그런데, 웨이퍼는 노광 처리 시에 있어서는, 노광기에 설치되는 스테이지에 적재되어 노광 샷이 행하여진다. 이 스테이지 상에서는, 웨이퍼는 당해 스테이지의 표면을 향해서 흡인되어, 그 위치가 고정된다. 그러나, 노광기에 반송되는 웨이퍼는 평탄하지 않고, 왜곡이 발생하는 경우가 있다. 그러한 웨이퍼가 스테이지에 적재되면, 왜곡된 상태인 채로 당해 스테이지에 흡착되어 노광 샷이 행하여지는 경우가 있다. 그 경우, 본래의 샷이 행하여지는 영역으로부터 어긋난 영역에 샷이 행해지게 된다. 따라서, 상기 오버레이의 정밀도를 높게 하는 것에 대해서 한계가 있었다.Incidentally, during the exposure process, the wafer is placed on a stage installed in an exposure machine, and an exposure shot is performed. On this stage, the wafer is attracted toward the surface of the stage, and its position is fixed. However, the wafer conveyed to the exposure machine is not flat, and distortion may occur. When such a wafer is placed on a stage, there are cases in which an exposure shot is performed while adsorbed to the stage in a distorted state. In that case, the shot is made in an area deviated from the area where the original shot was made. Therefore, there is a limit to increasing the precision of the overlay.

특허문헌 1에는, 웨이퍼의 왜곡에 의한 적재 상태의 문제를 해소하기 위해서 웨이퍼의 이면을 연마하는 조면화 처리를 행하여, 노광기의 스테이지에 대한 웨이퍼의 이면의 미끄럼성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 이 조면화 처리를 행하는 연마 장치로서는, 웨이퍼의 이면의 중앙부를 처리할 때는 웨이퍼의 주연부를 보유 지지부에 의해 보유 지지함과 함께 자전하는 연마 부재를 수평 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼의 이면의 주연부를 처리할 때는 웨이퍼의 중심부를 스핀 척에 의해 보유 지지함과 함께 웨이퍼를 회전시키면서, 자전하는 연마 부재를 가로 방향으로 이동시킨다. 또한, 특허문헌 2에는, 연마 부재를 자전하면서 또한 웨이퍼의 반경 크기 정도의 비교적 긴 공전 반경을 갖도록 공전시키는 연마 장치에 대해서 기재되어 있다. 이 연마 장치에 있어서, 웨이퍼의 이면의 중앙부를 처리할 때는 연마 부재의 자전 및 공전을 행하면서, 웨이퍼의 주연부를 보유 지지부에 의해 보유 지지하고, 웨이퍼를 수평 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼의 이면의 주연부를 처리할 때는 연마 부재의 자전 및 공전을 행하면서, 웨이퍼의 중심부를 보유 지지하는 스핀 척에 의해 웨이퍼를 회전시킨다.Patent Literature 1 describes that a surface roughening treatment for polishing the back surface of the wafer is performed to improve the sliding property of the back surface of the wafer with respect to the stage of an exposure machine in order to solve the problem of the loading state due to wafer distortion. In the polishing apparatus for performing this roughening process, when processing the central portion of the back surface of the wafer, the periphery of the wafer is held by the holding portion, and the rotating polishing member is horizontally moved. Then, when the periphery of the back side of the wafer is processed, the center portion of the wafer is held by the spin chuck and the rotating polishing member is moved laterally while the wafer is rotated. Further, Patent Literature 2 describes a polishing device that rotates a polishing member so as to have a relatively long revolution radius equal to the radius of a wafer while rotating the polishing member. In this polishing apparatus, when processing the central portion of the back surface of a wafer, the wafer is horizontally moved while the polishing member rotates and revolves while holding the periphery of the wafer by the holding portion. Then, when processing the periphery of the back surface of the wafer, the wafer is rotated by a spin chuck holding the central portion of the wafer while the polishing member rotates and revolves.

일본 특허 공개 제2015-181145호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-181145 일본 특허 제5904169호Japanese Patent No. 5904169

노광기의 스테이지에 웨이퍼를 평탄하게 적재하기 위해서는, 웨이퍼의 이면에 미세한 돌기가 면 내의 각 부에 마찬가지로 형성되도록 연마를 행하여, 당해 스테이지에 대한 웨이퍼의 각 부의 미끄럼성을 높게 하는 것이 바람직하다. 특허문헌 1, 2의 장치에 대해서는, 웨이퍼에 대한 연마 부재의 이동 패턴이, 연마 부재가 웨이퍼의 중앙부에 위치할 때와, 웨이퍼의 주연부에 위치할 때에 상이하므로, 면 내의 각 부에서 홈의 형상이 상이하다. 또한, 웨이퍼의 중앙부에 대해서, 특허문헌 1의 장치에 대해서는 연마 부재의 자전에 의해서만 연마되고, 특허문헌 2의 장치에 대해서는 연마 부재의 공전 반경이 비교적 크므로, 충분히 미세한 돌기를 형성하는 것이 어렵다. 따라서, 웨이퍼의 이면에 있어서 보다 균일성 높고, 보다 미세한 돌기가 형성되도록 연마를 행할 수 있는 장치에 대해서 요구되고 있다.In order to flatly mount the wafer on the stage of the exposure machine, it is preferable to polish the back surface of the wafer so that fine protrusions are similarly formed on each part of the surface to increase the sliding properties of each part of the wafer with respect to the stage. Regarding the devices of Patent Literatures 1 and 2, since the moving pattern of the polishing member relative to the wafer is different when the polishing member is located in the central portion of the wafer and when located in the periphery of the wafer, the shape of the groove at each part in the surface is different. this is different In addition, with respect to the central portion of the wafer, polishing is performed only by the rotation of the polishing member in the device of Patent Document 1, and since the orbital radius of the polishing member is relatively large in the device of Patent Document 2, it is difficult to form sufficiently fine protrusions. Therefore, there is a demand for an apparatus capable of performing polishing so that more uniform and finer protrusions are formed on the back surface of the wafer.

본 발명은 이러한 사정에 기초해서 이루어진 것이며, 그 목적은, 미끄럼 이동 부재가 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 행하는 처리에 대해서, 면 내에서 균일성 높게 처리를 행함과 함께 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용을 기판에 확실하게 부여할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.The present invention has been made based on such a situation, and its object is to perform processing with high uniformity within the surface for the processing performed by sliding members sliding on the back surface of the substrate, and by sliding the sliding member It is to provide a technology that can reliably impart an action to a substrate.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,A substrate processing apparatus of the present invention includes: a first holding portion for horizontally holding a region on the back surface of a substrate that does not overlap with the central portion;

상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,a second holding portion that horizontally holds a central portion on the back surface of the substrate and rotates it about a vertical axis;

상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,a sliding member that rotates around a vertical axis to perform processing by sliding on the back surface of the substrate;

자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,an orbital mechanism for causing the sliding member during rotation to orbit around a vertical revolution axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;

상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,When the substrate is held by the first holding portion, the sliding member slides on the central portion of the back surface of the substrate, and when the substrate is held by the second holding portion, the sliding member rotates. a relative movement mechanism for moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in the horizontal direction so as to slide the periphery of the back surface of the substrate;

를 포함한다.includes

본 발명의 기판 처리 방법은, 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,A substrate processing method of the present invention includes a step of horizontally holding a region on the back surface of a substrate that does not overlap with a central portion by means of a first holding portion;

제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,a step of horizontally holding the central portion on the back surface of the substrate by a second holding portion and rotating it about a vertical axis;

상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,a step of rotating a sliding member for processing by sliding the back surface of the substrate around a vertical axis;

공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,A step of making the sliding member during rotation orbit around a vertical revolution axis by an orbiting mechanism so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;

상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,A step of moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in a horizontal direction by a relative movement mechanism;

상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,a step of causing the sliding member, which rotates on its own, to revolve so as to slide the central portion of the back surface of the substrate when the substrate is held by the first holding portion;

상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,a step of causing the sliding member to revolve so as to slide the periphery of the back surface of the substrate when the substrate is held by the second holding portion;

을 포함한다.includes

기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 사용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,A storage medium storing a program used in a substrate processing apparatus in which a sliding member slides on the back surface of a substrate to perform processing,

상기 프로그램은, 본 발명의 기판 처리 방법을 실행하기 위해서 스텝이 짜여진 프로그램이다.The above program is a program composed of steps for executing the substrate processing method of the present invention.

본 발명에 따르면, 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구가 설치되어, 기판의 이면의 중앙부의 외측이 보유 지지되어 있을 때는, 상기 기판의 이면의 중앙부가 미끄럼 이동 부재에 의해 미끄럼 이동되어 처리되고, 기판의 이면의 중앙부가 보유 지지되어 있을 때는, 회전하는 기판의 이면의 주연부가 미끄럼 이동 부재에 의해 미끄럼 이동되어 처리된다. 그에 의해, 기판의 이면의 중앙부 및 주연부에 대해서 균일성 높게 처리를 행할 수 있다. 또한, 기판의 면 내의 각 부를 반복해서 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동함에 있어서, 서로 상이한 방향을 향해서 미끄럼 이동 부재를 미끄럼 이동시킬 수 있으므로, 미끄럼 이동 부재의 미끄럼 이동에 의한 작용이 기판에 확실하게 부여된다.According to the present invention, an orbiting mechanism is provided to cause a sliding member rotating around a vertical axis to orbit around a vertical orbital axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member, so that the outside of the central portion of the back surface of the substrate is held. When the center portion of the back surface of the substrate is slid and processed by the sliding member, and when the center portion of the back surface of the substrate is held, the periphery of the back surface of the rotating substrate is slid by the sliding member. processed As a result, processing can be performed with high uniformity on the central portion and the peripheral portion of the back surface of the substrate. In addition, when the sliding member repeatedly slides on each part in the surface of the substrate, the sliding member can be slid in different directions, so that the action of the sliding member is surely imparted to the substrate. .

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 연마 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 연마 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 연마 장치에 설치되는 연마 기구의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 연마 기구의 평면도이다.
도 5는 사이클론 패드의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 연마 장치에 설치되는 지석 세정부의 종단 측면도이다.
도 7은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 8은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 9는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 10은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 11은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 12는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 13은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 상기 연마 장치의 평면도이다.
도 14는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 15는 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 16은 웨이퍼의 처리 공정을 나타내기 위한 당해 웨이퍼의 측면도이다.
도 17은 웨이퍼의 이면을 도시하는 개략 평면도이다.
도 18은 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 19는 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 20은 상기 연마 장치에 의해 조면화 처리된 웨이퍼를 도시하는 측면도이다.
도 21은 상기 연마 장치를 구비한 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 22는 상기 도포, 현상 장치의 개략적인 종단 측면도이다.
도 23은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 모듈의 개략 구성도이다.
도 24는 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 모듈의 개략 구성도이다.
도 25는 상기 연마 기구의 다른 구성을 나타내는 종단 측면도이다.
도 26은 상기 연마 기구의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 연마 장치의 평면도이다.
도 28은 상기 연마 장치의 종단 측면도이다.
도 29는 상기 연마 장치에 설치되는 압박 부재의 하면측 사시도이다.
도 30은 상기 압박 부재의 종단 측면도이다.
도 31은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 32는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 33은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 평면도이다.
도 34는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 35는 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 36은 상기 연마 장치의 동작을 도시하는 측면도이다.
도 37은 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 38은 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.
도 39는 상기 압박 부재의 다른 구성을 도시하는 평면도이다.1 is a plan view of a polishing device according to an embodiment of the present invention.
2 is a longitudinal side view of the polishing device.
Fig. 3 is a longitudinal side view of a polishing mechanism installed in the polishing device.
4 is a plan view of the polishing mechanism.
5 is a longitudinal side view of a cyclone pad.
6 is a longitudinal side view of a grindstone cleaning unit installed in the polishing device.
Fig. 7 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 8 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 9 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 10 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 11 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 12 is a plan view of the polishing device for showing a wafer processing step.
Fig. 13 is a plan view of the polishing apparatus for showing a wafer processing step.
Fig. 14 is a side view of the wafer for showing a processing step of the wafer.
Fig. 15 is a side view of the wafer for showing a processing step of the wafer.
Fig. 16 is a side view of the wafer for showing a processing step of the wafer.
17 is a schematic plan view showing the back side of the wafer.
Fig. 18 is a side view showing a wafer roughened by the polishing device.
Fig. 19 is a side view showing a wafer roughened by the polishing device.
Fig. 20 is a side view showing a wafer roughened by the polishing device.
Fig. 21 is a plan view of a coating and developing device provided with the polishing device.
Fig. 22 is a schematic longitudinal side view of the coating and developing device.
23 is a schematic configuration diagram of a module installed in the coating and developing device.
24 is a schematic configuration diagram of a module installed in the coating and developing device.
Fig. 25 is a longitudinal side view showing another configuration of the polishing mechanism.
Fig. 26 is a plan view showing another configuration of the polishing mechanism.
27 is a plan view of a polishing device according to another embodiment of the present invention.
28 is a longitudinal side view of the abrasive device.
Fig. 29 is a perspective view of the bottom side of the pressing member installed in the polishing device.
30 is a longitudinal side view of the pressing member.
31 is a plan view showing the operation of the polishing device.
32 is a plan view showing the operation of the polishing device.
33 is a plan view showing the operation of the polishing device.
34 is a side view showing the operation of the polishing device.
35 is a side view showing the operation of the polishing device.
36 is a side view showing the operation of the polishing device.
Fig. 37 is a plan view showing another configuration of the pressing member.
Fig. 38 is a plan view showing another configuration of the pressing member.
Fig. 39 is a plan view showing another configuration of the pressing member.

본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태인 연마 장치(1)에 대해서, 도 1, 도 2의 평면도 및 종단 측면도를 참조하면서 설명한다. 이 연마 장치(1)는, 원형의 기판인 웨이퍼(W)의 이면을 지석에 의해 연마하여 조면화한다. 상세하게는 후술하는데, 이 연마 처리는, 이 연마 장치(1)에 의한 처리 후에 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트막을 노광하는 노광기에 설치되는 스테이지에 웨이퍼(W)를 적재함에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면이 스테이지에 접촉하는 면적을 줄이기 위해서 행한다. 또한, 연마 장치(1)는, 상기 연마가 행하여진 영역에 대하여 세정액을 공급함과 함께 브러시에 의해 문질러서, 연마 처리에 의해 발생한 이물을 제거하는 세정 처리를 행한다.The polishing apparatus 1 as one embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to the plan view and longitudinal side view of FIGS. 1 and 2 . This polishing apparatus 1 polishes and roughens the back surface of a wafer W, which is a circular substrate, with a grindstone. Although described later in detail, in this polishing process, in placing the wafer W on a stage installed in an exposure machine that exposes the resist film on the surface of the wafer W after the process by the polishing apparatus 1, the wafer W ) in order to reduce the area where the back surface contacts the stage. Further, the polishing device 1 performs a cleaning process of removing foreign matter generated by the polishing process by scrubbing with a brush while supplying a cleaning liquid to the polished area.

연마 장치(1)는, 베이스체(11)와, 스핀 척(12)과, 컵(3)과, 연마·세정 처리부(5)와, 사이클론 패드(7)와, 지석 세정부(81)와, 브러시 세정부(82)와, 세정액으로서 순수를 공급하는 각종 노즐을 구비하고 있다. 베이스체(11)는, 평면에서 보아 직사각 형상으로 형성되어 있고, 연마 장치(1)의 외부에 설치되는 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 베이스체(11)의 길이 방향의 일단측으로부터 웨이퍼(W)가 연마 장치(1)에 반송된다. 이 일단측을 전방측으로 해서 설명한다. 베이스체(11)는, 전후 방향을 길이 방향으로 하는 각형의 오목부(13)를 구비하고 있고, 이 오목부(13) 내는 웨이퍼(W)의 처리 영역으로서 구성되어 있다. 이 처리 영역의 전방측에 스핀 척(12)이 설치되어 있다.The polishing device 1 includes a base body 11, a spin chuck 12, a cup 3, a polishing/cleaning unit 5, a cyclone pad 7, a grindstone cleaning unit 81, , a brush cleaning unit 82, and various nozzles for supplying pure water as a cleaning liquid. The base body 11 is formed in a rectangular shape in plan view, and is provided on the outside of the polishing device 1 by a conveyance mechanism (not shown) from one end side in the longitudinal direction of the base body 11 to the wafer W. ) is conveyed to the polishing device 1. The one end side is described as the front side. The base body 11 has a rectangular concave portion 13 with the longitudinal direction in the front-rear direction, and the inside of the concave portion 13 is configured as a processing area for the wafer W. A spin chuck 12 is installed on the front side of this processing area.

스핀 척(12)은, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 흡착하여 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 스핀 척(12)의 하방측은 샤프트(14)를 통해서 회전 기구(15)에 접속되어 있고, 회전 기구(15)는 스핀 척(12)에 보유 지지된 웨이퍼(W)가 연직축 주위로 회전하도록 당해 스핀 척(12)을 회전시킨다. 또한, 후술하는 웨이퍼(W)의 처리 예에서는, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)는 평면에서 보아 시계 방향으로 회전하지만, 역방향으로 회전해도 된다. 스핀 척(12)의 측방에는, 당해 스핀 척(12)의 회전 방향을 따라서 간격을 두고, 수직인 3개의 지지 핀(16)이 배치되어 있다. 또한, 도 2에서는 2개만 지지 핀(16)을 표시하고 있다. 승강 기구(17)에 의해 지지 핀(16)은 승강 가능하게 구성되어 있고, 상기 반송 기구와, 제2 보유 지지부인 스핀 척(12) 및 후술하는 제1 보유 지지부인 고정 척(35)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있다.The spin chuck 12 holds the wafer W horizontally by adsorbing the central portion of the back surface of the wafer W. The lower side of the spin chuck 12 is connected to a rotation mechanism 15 via a shaft 14, and the rotation mechanism 15 rotates the wafer W held by the spin chuck 12 around a vertical axis. Spin chuck 12 is rotated. In an example of processing the wafer W to be described later, the wafer W is rotated clockwise by the spin chuck 12 when viewed from the top, but may be rotated in the reverse direction. On the side of the spin chuck 12, three vertical support pins 16 are disposed at intervals along the rotational direction of the spin chuck 12. In addition, in FIG. 2, only two support pins 16 are shown. The support pin 16 is configured to be able to be moved up and down by the lifting mechanism 17, and the transfer mechanism, the spin chuck 12 as the second holding part, and the fixed chuck 35 as the first holding part described later A wafer W may be exchanged between them.

상기 스핀 척(12), 회전 기구(15), 지지 핀(16) 및 승강 기구(17)를 둘러싸도록, 베이스체(11)의 저부로부터 상방을 향해서 신장되는 원통부가 설치되고, 에어 나이프(18)로서 구성되어 있다. 에어 나이프(18)의 상단면은, 내측을 향해서 경사지는 경사면을 이룬다. 당해 경사면에는 상방을 향해서 예를 들어 에어를 토출하는 토출구(21)가, 주위 방향으로 간격을 두고 설치되어 있다. 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)의 이면이 흡착 보유 지지될 때, 에어 나이프(18)의 상단은 웨이퍼(W)의 이면에 근접하고, 토출구(21)로부터 에어가 토출됨으로써 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 세정액이 부착되는 것을 방지한다. 또한, 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)를 보유 지지하기 전에, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 건조시키기 위해서 당해 에어의 토출이 행하여진다.A cylindrical portion extending upward from the bottom of the base body 11 is provided so as to surround the spin chuck 12, the rotation mechanism 15, the support pin 16, and the elevating mechanism 17, and the air knife 18 ) is composed of The upper end surface of the air knife 18 forms an inclined surface inclined toward the inside. On the inclined surface, discharge ports 21 for discharging, for example, air upward are provided at intervals in the circumferential direction. When the back side of the wafer W is adsorbed and held by the spin chuck 12, the upper end of the air knife 18 approaches the back side of the wafer W, and air is discharged from the discharge port 21, thereby removing the wafer W. It prevents the cleaning liquid from adhering to the central part of the back side of the In addition, before holding the wafer W in the spin chuck 12, the air is discharged to dry the central portion of the back surface of the wafer W.

베이스체(11)의 오목부(13)의 저부에는, 웨이퍼(W)로부터 오목부(13) 내에 낙하한 폐액을 제거하기 위한 액체 배출구(22)가 설치되어 있다. 액체 배출구(22)보다도 에어 나이프(18) 근방의 위치에, 오목부(13) 내를 배기하는 기립한 배기관(23)이 설치되어 있다. 웨이퍼(W)의 처리 중에는 당해 배기관(23)으로부터의 배기가 행해짐으로써, 웨이퍼(W)로부터 비산한 세정액이나 연마에 의해 발생한 웨이퍼(W)의 절삭 칩이, 오목부(13)의 외측으로 비산하는 것이 억제된다. 도 2 중 24는, 에어 나이프(18)로부터 외측으로 넓어지는 플랜지이다. 플랜지(24)의 외측 단부는 배기관(23)의 외측에서 하방으로 굴곡해서 배기관(23)의 상단보다도 하방에 위치하여, 폐액이 배기관(23)에 유입되는 것을 억제한다.A liquid outlet 22 is provided at the bottom of the concave portion 13 of the base body 11 to remove waste liquid that has fallen from the wafer W into the concave portion 13 . An upright exhaust pipe 23 for exhausting the inside of the concave portion 13 is provided at a position closer to the air knife 18 than the liquid discharge port 22 . During processing of the wafer W, exhaust from the exhaust pipe 23 is performed, so that the cleaning liquid scattered from the wafer W and cutting chips of the wafer W generated by polishing are scattered outside the concave portion 13. doing is inhibited 2, 24 is a flange extending outward from the air knife 18. The outer end of the flange 24 bends downward from the outside of the exhaust pipe 23 and is positioned below the upper end of the exhaust pipe 23 to prevent waste liquid from flowing into the exhaust pipe 23 .

컵(3)은, 에어 나이프(18)를 둘러싸도록, 상단부가 내측으로 돌출된 원통 형상으로 형성되고 있다. 이 컵(3)은 처리 중에는 웨이퍼(W)를 둘러싸고, 웨이퍼(W)로부터 폐액이 비산하는 것을 억제한다. 컵(3)의 좌우 외벽에서는 각각 지지부(31)가, 오목부(13)의 외연 상을 향해서 신장되어 있고, 베이스체(11)에 설치되는 수평 이동 기구(32)에 접속되어 있다. 수평 이동 기구(32)에 의해 컵(3)은 오목부(13) 내를 전후 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 수평 이동 기구(32)의 하방에는 승강 기구(33)가 설치되어 있어, 승강 기구(33)에 의해 수평 이동 기구(32)는 승강할 수 있다. 즉, 컵(3)이 승강할 수 있다.The cup 3 is formed in a cylindrical shape with an upper end protruding inward so as to surround the air knife 18 . This cup 3 surrounds the wafer W during processing and suppresses waste liquid from scattering from the wafer W. On the left and right outer walls of the cup 3, each support portion 31 extends toward the outer edge of the concave portion 13, and is connected to a horizontal movement mechanism 32 installed on the base body 11. By the horizontal movement mechanism 32, the cup 3 can move in the inside of the recessed part 13 in the front-rear direction. Further, a lifting mechanism 33 is provided below the horizontal movement mechanism 32, and the horizontal movement mechanism 32 can be moved up and down by the elevation mechanism 33. That is, the cup 3 can move up and down.

컵(3)에는, 스핀 척(12)을 좌우로부터 끼움과 함께 전후 방향으로 연신된 2개의 다리부(34)가 설치되어 있다. 다리부(34)에는 고정 척(35)이 설치되어 있다. 이 고정 척(35)은, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역을 흡착하여, 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지한다. 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 처리할 때는 고정 척(35)에, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역을 처리할 때는 스핀 척(12)에, 각각 웨이퍼(W)가 보유 지지된다.The cup 3 is provided with two legs 34 extending in the front-back direction while holding the spin chuck 12 from the left and right. A fixing chuck 35 is installed on the leg portion 34 . The fixing chuck 35 holds the wafer W horizontally by adsorbing the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W. The wafer W is held by the fixed chuck 35 when processing the central portion of the back surface of the wafer W, and by the spin chuck 12 when processing the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W, respectively. .

도면 중 36은 주위 단부 세정 노즐이며, 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)에 보유 지지되어 있을 때 웨이퍼(W)의 이면의 주위 단부를 향해서, 비스듬히 상방으로 순수를 토출한다. 도면 중 37은 이면 세정 노즐이며, 비스듬히 뒤측 상방을 향해서 순수를 토출한다. 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 처리할 때는, 웨이퍼(W)는 고정 척(35)에 의해 이면 세정 노즐(37)로부터 토출되는 순수가 당해 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 공급되는 위치에 보유 지지된다. 또한, 이 이면 세정 노즐(37)은, 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)에 보유 지지될 때는, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 외측 영역에 순수를 토출하도록 설치되어 있다.Denoted at 36 in the figure is a peripheral edge cleaning nozzle, which discharges pure water obliquely upward toward the peripheral edge of the back surface of the wafer W while the wafer W is held on the spin chuck 12 . Reference numeral 37 in the figure is a back surface cleaning nozzle, which discharges pure water obliquely toward the rear side and upward. When processing the central part of the back surface of the wafer W, the wafer W is held by the fixing chuck 35 at a position where pure water discharged from the back surface cleaning nozzle 37 is supplied to the central part of the back surface of the wafer W. do. In addition, the back surface cleaning nozzle 37 is provided to discharge pure water to the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W when the wafer W is held by the spin chuck 12 .

후방으로부터 전방을 향해서 보아, 베이스체(11)에 있어서 오목부(13)의 좌측에는, 이동 기구(25)에 의해 전후 방향으로 이동하는 승강 기구(26)가 설치되어 있다. 그리고, 승강 기구(26)에 의해 승강 가능한 아암(27)이 당해 승강 기구(26)로부터 우측을 향해서 연장되어 있고, 당해 아암(27)의 선단부에는, 비스듬히 좌측 하방을 향해서 순수를 토출하는 표면 세정 노즐(28)이 설치되어, 스핀 척(12)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 표면의 중심부에 순수를 토출할 수 있다. 오목부(13)의 후방측에는, 표면 세정 노즐(28)의 대기부를 이루는 오목부(29)가 형성되어 있어, 이동 기구(25) 및 승강 기구(26)에 의해 표면 세정 노즐(28)은, 오목부(29) 내와, 상기 웨이퍼(W)에 순수를 토출하는 위치와의 사이에서 이동한다.Seen from the rear to the front, in the base body 11, on the left side of the concave portion 13, a lifting mechanism 26 that moves in the front-rear direction by a moving mechanism 25 is provided. Then, an arm 27 capable of being moved up and down by the lifting mechanism 26 extends rightward from the lifting mechanism 26, and at the front end of the arm 27, a surface cleaning for discharging pure water obliquely downward to the left A nozzle 28 is installed so that pure water can be discharged to the central portion of the surface of the wafer W held by the spin chuck 12 . On the rear side of the concave portion 13, a concave portion 29 constituting the air portion of the surface cleaning nozzle 28 is formed, and the surface cleaning nozzle 28 is moved by the moving mechanism 25 and the lifting mechanism 26, It moves between the inside of the concave portion 29 and a position where pure water is discharged to the wafer W.

계속해서, 연마·세정 처리부(5)에 대해서 설명한다. 연마·세정 처리부(5)는, 수평 이동 기구(51), 회전 기구(52), 승강 기구(53, 54), 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)에 의해 구성되어 있다. 수평 이동 기구(51)는, 오목부(13) 내를 전후 방향으로 신장되도록 설치되고, 회전 기구(52)는, 수평 이동 기구(51)에 의해 오목부(13) 내의 후단부에서부터 에어 나이프(18)의 앞쪽으로 이르기까지, 전후 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 회전 기구(52)의 상부측은, 수평인 원형의 스테이지로서 구성되고, 이 스테이지는 그 수직인 중심축 주위로 회전할 수 있다. 이 회전 기구(52)의 스테이지 상에서, 주위 방향으로 간격을 두고 승강 기구(53, 54)가 설치되어 있다. 승강 기구(53) 상에는 연마 기구(61)가, 당해 승강 기구(53)에 의해 승강 가능하게 설치되고, 승강 기구(54) 상에는 세정 기구(62)가, 당해 승강 기구(54)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 이 승강 기구(53, 54)에 의한 승강, 수평 이동 기구(51)에 의한 수평 이동 및 회전 기구(52)에 의한 회전의 협동에 의해, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)는, 컵(3)의 내측과 컵(3)의 외측과의 사이를 이동할 수 있다. 이 수평 이동 기구(51) 및 상기 컵(3)이 접속되는 수평 이동 기구(32)는, 웨이퍼(W)에 대한 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)의 수평 방향에서의 상대 위치를 변화시키는 상대 이동 기구를 구성한다.Next, the polishing/cleaning processing unit 5 will be described. The polishing/cleaning processing unit 5 includes a horizontal movement mechanism 51, a rotation mechanism 52, elevation mechanisms 53 and 54, a polishing mechanism 61, and a cleaning mechanism 62. The horizontal movement mechanism 51 is installed so as to extend in the front and rear directions in the concave portion 13, and the rotation mechanism 52 is an air knife ( 18), it can move forward and backward. Further, the upper side of the rotating mechanism 52 is configured as a horizontal circular stage, and this stage can rotate around its vertical central axis. On the stage of this rotating mechanism 52, elevating mechanisms 53 and 54 are provided at intervals in the circumferential direction. On the elevating mechanism 53, a polishing mechanism 61 is installed so as to be able to move up and down by the elevating mechanism 53, and on the elevating mechanism 54, a cleaning mechanism 62 can move up and down by the elevating mechanism 54. it is installed By cooperation of the elevation by the elevating mechanisms 53 and 54, the horizontal movement by the horizontal movement mechanism 51, and the rotation by the rotation mechanism 52, the polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 are It can move between the inside of (3) and the outside of cup (3). The horizontal movement mechanism 51 and the horizontal movement mechanism 32 to which the cup 3 is connected change the relative positions of the polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 relative to the wafer W in the horizontal direction. It constitutes a relative movement mechanism.

연마 기구(61)와 세정 기구(62)는 서로 대략 마찬가지로 구성되어 있어, 여기서는 대표적으로 연마 기구(61)에 대해서 도 3의 종단 측면도도 참조하여 설명한다. 연마 기구(61)는, 지석(63), 지지판(64), 공전판(65) 및 공전 기구인 구동 유닛(66)을 구비하고 있다. 지지판(64)은 수평인 원판이며, 예를 들어 그 주연부 상에 상기 지석(63)이 당해 지지판(64)의 주위 방향을 따라 6개, 등간격으로 배치되어 있다(도 1 참조). 지석(63)은, 예를 들어 입도가 60000번의 다이아몬드 지석이며, 수평인 원판 형상으로 형성되어, 웨이퍼(W)의 이면을 찰과함으로써 당해 웨이퍼(W)의 이면을 조면화한다. 지지판(64)의 이면의 중심부에는 수직인 제1 자전용 샤프트(601)가 설치되어 있다.The grinding mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 are structured substantially similarly to each other, and here, the grinding mechanism 61 is representatively described with reference also to the longitudinal side view of FIG. 3 . The polishing mechanism 61 includes a grindstone 63, a support plate 64, an orbiting plate 65, and a drive unit 66 serving as an orbiting mechanism. The support plate 64 is a horizontal disc, and on its periphery, for example, six grindstones 63 are arranged at equal intervals along the circumferential direction of the support plate 64 (see Fig. 1). The grindstone 63 is, for example, a diamond grindstone having a grain size of No. 60000, and is formed in a horizontal disc shape, and roughens the backside of the wafer W by abrading the backside of the wafer W. A vertical first rotational shaft 601 is installed at the center of the back surface of the support plate 64 .

지지판(64)의 하방에는 상기 공전판(65)이 수평으로 설치되어 있고, 당해 공전판(65)은 원판 형상으로 구성되어 있다. 상기 제1 자전용 샤프트(601)는, 당해 공전판(65)에 설치되는 지지부(602)에 의해, 당해 공전판(65) 상에서 지지되어 있다. 지지부(602)는, 자전용 샤프트(601)를, 도면 중에 P1로 나타내는 수직인 축 주위로 회전 가능하게 지지하기 위한 베어링(603)을 구비하고 있다. 도면 중 604는, 제1 자전용 샤프트(601)에 설치되어, 축(P1)을 회전축으로 해서 회전하는 기어이다.Below the support plate 64, the orbiting plate 65 is installed horizontally, and the orbiting plate 65 is constituted in a disc shape. The first rotational shaft 601 is supported on the orbiting plate 65 by a support part 602 provided on the orbiting plate 65 . The support part 602 is equipped with the bearing 603 for supporting the rotational shaft 601 so that rotation around the vertical axis|shaft shown by P1 in a drawing is possible. Reference numeral 604 in the figure is a gear that is attached to the first rotational shaft 601 and rotates around the axis P1 as a rotational axis.

공전판(65)의 하방에 구동 유닛(66)을 구성하는 박스(605)가 설치되어 있다. 공전판(65)의 중심부로부터는, 박스(605) 내를 향해서 수직인 공전용 원통(606)이 신장되고, 공전판(65)은 베어링(607)에 의해 박스(605)에 대하여, 도면 중에 P2로 나타내는 수직인 축 주위로 회전 가능하게 지지되어 있다. 공전용 원통(606)의 하단부는 박스(605) 내에 설치되고, 축(P2)을 회전축으로 해서 회전하는 기어(608)로서 구성되어 있다.A box 605 constituting the driving unit 66 is provided below the revolving plate 65 . An orbiting cylinder 606 perpendicular to the inside of the box 605 extends from the center of the revolution plate 65, and the revolution plate 65 is moved relative to the box 605 by a bearing 607 in the drawing. It is rotatably supported around a vertical axis indicated by P2. The lower end of the cylinder 606 for revolution is installed in the box 605 and is configured as a gear 608 that rotates around the axis P2 as a rotational axis.

또한, 상기 공전용 원통(606)을 관통하는 수직인 제2 자전용 샤프트(609)가 설치되어 있다. 제2 자전용 샤프트(609)의 상단부는 기어(610)로서 구성되어, 제1 자전용 샤프트(601)의 기어(604)와 맞물려 있다. 제2 자전용 샤프트(609)의 하단부는 기어(611)로서 구성되어 있다. 이들 제2 자전용 샤프트(609), 기어(610, 611)는 축(P2)을 회전축으로 해서 회전한다. 또한 도면 중 612는, 제2 자전용 샤프트(609)를 공전용 원통(606)에 대하여 회전 가능하게 지지하는 베어링이다.In addition, a vertical second rotational shaft 609 penetrating the rotational cylinder 606 is installed. The upper end of the second rotation shaft 609 is configured as a gear 610 and meshes with the gear 604 of the first rotation shaft 601 . The lower end of the second rotation shaft 609 is configured as a gear 611 . These second rotational shafts 609 and gears 610 and 611 rotate around the axis P2 as a rotational axis. Reference numeral 612 in the drawing is a bearing that rotatably supports the second rotation shaft 609 relative to the rotation cylinder 606 .

박스(605) 내에는 구동 유닛(66)을 구성하는 자전용 모터(67) 및 공전용 모터(68)가 설치되어 있고, 자전용 모터(67)에 설치되는 기어(613)에 자전용 샤프트(609)의 기어(611)가, 공전용 모터(68)에 설치되는 기어(614)에 공전용 원통(606)에 설치되는 기어(608)가 각각 맞물려 있다. 이와 같은 구성에 의해, 자전용 모터(67)에 의해 지지판(64)이, 공전용 모터(68)에 의해 공전판(65)이 서로 독립해서 회전한다. 따라서, 지지판(64)은, 축(P1) 주위로 자전함과 함께 축(P2) 주위로 공전할 수 있으므로, 축(P1)을 자전축, 축(P2)을 공전축으로서 각각 기재하는 경우가 있다. 또한, 후술하는 처리 예에서는 지지판(64)은, 평면에서 보아 반시계 방향으로 자전함과 함께 평면에서 보아 시계 방향으로 공전한다. 단, 자전의 방향 및 공전의 방향으로서는 이 예에 한정되지 않고, 예를 들어 모두 평면에서 보아 시계 방향으로 회전하도록 해도 된다.Inside the box 605, a rotation motor 67 and an idle motor 68 constituting the drive unit 66 are installed, and a rotation shaft ( In the gear 611 of 609, the gear 608 attached to the cylinder 606 for revolution meshes with the gear 614 attached to the motor 68 for revolution, respectively. With such a structure, the support plate 64 rotates independently of each other by the motor 67 for rotation, and the orbiting plate 65 rotates independently of each other by the motor 68 for rotation. Therefore, since the support plate 64 can rotate around the axis P1 and also revolve around the axis P2, the axis P1 is described as an axis of rotation and the axis P2 is described as an axis of revolution, respectively. . In a processing example described later, the support plate 64 rotates in a counterclockwise direction when viewed from a plan view, and rotates in a clockwise direction when viewed from a plan view. However, it is not limited to this example as a rotation direction and an orbital direction, For example, you may make it rotate clockwise in planar view.

도 4는 연마 기구(61)의 상면도이다. 이 도에 도시한 바와 같이, 지지판(64)의 직경(R1)은, 지지판(64)의 공전 반경(R2)보다도 크다. 웨이퍼(W)의 이면의 연마 처리는, 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 접하면서, 지지판(64)이 자전축(P1) 주위로 자전함과 함께 반복해서 공전축(P2) 주위로 공전함으로써, 당해 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 미끄럼 이동해서 행하여진다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 연마 처리에 대해서는, 웨이퍼(W)를 고정 척(35)에 의해 정지한 상태로 보유 지지하고, 그렇게 지지판(64)이 자전 및 공전을 함으로써 행하여진다. 상기와 같이 R1, R2가 설정됨으로써 지지판(64)의 공전 궤도의 외연보다도 내측에서의 모든 영역을 지석(63)이 통과하기 때문에, 그렇게 웨이퍼(W)가 정지하고 있어도 지지판(64)의 공전 궤도를 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치도록 배치함으로써, 당해 이면의 중앙부 전체의 연마 처리를 행할 수 있다.4 is a top view of the polishing mechanism 61 . As shown in this figure, the diameter R1 of the support plate 64 is larger than the revolution radius R2 of the support plate 64 . In the polishing process of the back side of the wafer W, while the grindstone 63 is in contact with the back side of the wafer W, the support plate 64 rotates around the rotation axis P1 and repeatedly rotates around the revolution axis P2. By revolving, the grindstone 63 slides with respect to the back surface of the wafer W. The polishing treatment of the central portion of the rear surface of the wafer W is performed by holding the wafer W in a stationary state by the fixing chuck 35 and rotating and rotating the support plate 64 in this way. By setting R1 and R2 as described above, since the grindstone 63 passes all areas inside the outer edge of the orbital orbit of the support plate 64, even if the wafer W is stationary in this way, the orbital orbit of the support plate 64 By arranging so as to overlap the central portion of the back surface of the wafer W, the entire central portion of the back surface can be polished.

세정 기구(62)에서의 연마 기구(61)와의 차이점으로서는, 지지판(64)에 있어서 지석(63) 대신에 원형의 브러시(69)가 설치되어 있는 것을 들 수 있고, 브러시(69) 및 지지판(64)이 세정 부재로서 구성된다(도 1, 도 2 참조). 브러시(69)는 웨이퍼(W)의 이면을 찰과함으로써, 연마 처리에 의해 발생하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 파티클을 제거한다.As a difference from the grinding mechanism 61 in the cleaning mechanism 62, a circular brush 69 is provided instead of the grindstone 63 in the support plate 64, and the brush 69 and the support plate ( 64) is configured as a cleaning member (see Figs. 1 and 2). The brush 69 rubs the back surface of the wafer W to remove particles generated by the polishing process and attached to the back surface of the wafer W.

계속해서, 웨이퍼(W)의 높이 규제부인 사이클론 패드(7)에 대해서 설명한다. 이 사이클론 패드(7)는 2개 설치되고, 상기 에어 나이프(18)의 후방측에서 평면에서 보아 컵(3)에 둘러싸이는 영역에서, 에어 나이프(18)에 대하여 좌측, 우측에 각각 배치되어 있다. 도 5는 사이클론 패드(7)의 종단 측면도를 나타내고 있다. 사이클론 패드(7)는 편평하고 수평인 대략 원형의 블록 형상으로 구성되어 있고, 스핀 척(12)에 웨이퍼(W)가 보유 지지될 때, 그 상면은 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 근접한다.Subsequently, the cyclone pad 7 serving as a height regulating portion of the wafer W will be described. Two cyclone pads 7 are provided, and are disposed on the left and right sides of the air knife 18, respectively, in a region surrounded by the cup 3 when viewed from the rear side of the air knife 18 in a plan view. . 5 shows a longitudinal side view of the cyclone pad 7 . The cyclone pad 7 is configured in a flat, horizontal, substantially circular block shape, and when the wafer W is held by the spin chuck 12, its upper surface approaches the periphery of the lower surface of the wafer W. .

사이클론 패드(7)의 상면에는, 당해 사이클론 패드(7)의 주위를 따른 원형의 링 형상의 홈(71)이 형성되어 있다. 이 홈(71)을 형성하는 외측의 측면에는, 에어의 토출구(72)가, 당해 홈(71)의 주위 방향을 따라 간격을 두고 복수 개구되어 있다. 토출구(72)는, 사이클론 패드(7)에 설치되는 유로(73)에 접속되고, 유로(73)에는 에어 공급관(74)의 일단이 접속되어 있다. 에어 공급관(74)의 타단은, 유량 조정부(75)를 통해서 에어 공급원(76)에 접속되어 있다. 유량 조정부(75)는, 밸브나 매스 플로우 컨트롤러를 구비하고, 후술하는 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량을 조정한다.On the upper surface of the cyclone pad 7, a circular ring-shaped groove 71 along the periphery of the cyclone pad 7 is formed. A plurality of air discharge ports 72 are opened at intervals along the circumferential direction of the groove 71 on the outer side surface forming the groove 71 . The discharge port 72 is connected to a flow path 73 installed in the cyclone pad 7, and one end of an air supply pipe 74 is connected to the flow path 73. The other end of the air supply pipe 74 is connected to an air supply source 76 via a flow rate adjusting unit 75 . The flow rate adjusting unit 75 includes a valve and a mass flow controller, and adjusts the flow rate of air supplied to the cyclone pad 7 based on a control signal from a control unit 10 described later.

상기와 같이 사이클론 패드(7)의 상면이 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에 근접한 상태에서, 토출구(72)로부터 에어가 토출된다. 홈(71)에 의해 가이드된 에어는, 도 5 중에 화살표로 나타낸 바와 같이 사이클론 패드(7)와 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에 선회류를 형성하여, 당해 사이클론 패드(7)와 웨이퍼(W)와의 사이에 형성되는 간극으로부터 사이클론 패드(7)의 외측으로 흐른다. 상기 선회류의 중심부에서는 부압이 발생하고, 웨이퍼(W)의 주연부 중 당해 사이클론 패드(7)의 바로 위에 위치하는 영역은, 당해 부압에 의해 사이클론 패드(7)를 향해서, 즉 하방을 향해서 흡인된다. 유량 조정부(75)에 의해 토출구(72)로부터 토출되는 에어의 유량이 클수록, 상기 부압을 크게 할 수 있다. 즉, 사이클론 패드(7)는, 흡인 압력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다.Air is discharged from the discharge port 72 in a state where the upper surface of the cyclone pad 7 is close to the periphery of the back surface of the wafer W as described above. The air guided by the grooves 71 forms a swirling flow between the cyclone pad 7 and the back surface of the wafer W as indicated by the arrow in FIG. 5, and the cyclone pad 7 and the wafer ( W) flows to the outside of the cyclone pad 7 from the gap formed between them. Negative pressure is generated at the center of the swirl flow, and a region located directly above the cyclone pad 7 in the periphery of the wafer W is attracted toward the cyclone pad 7, that is, downward, by the negative pressure. . As the flow rate of the air discharged from the discharge port 72 by the flow rate adjusting unit 75 increases, the negative pressure can be increased. That is, the cyclone pad 7 is configured so that the suction pressure can be adjusted.

이 사이클론 패드(7)는, 지석(63) 또는 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 상방을 향해서 눌려짐과 함께 웨이퍼(W)에 대하여 미끄럼 이동할 때, 웨이퍼(W)의 주연부가 일어나는 것을 방지한다. 즉, 사이클론 패드(7)는, 웨이퍼(W)에 대하여 비접촉으로 당해 웨이퍼(W)의 주연부 높이를 규제하고, 웨이퍼(W)를 지석(63) 및 브러시(69)에 대하여 밀착시켜, 웨이퍼(W)와 지석(63) 및 브러시(69)와의 사이에 충분한 마찰력을 발생시켜, 연마 처리 및 세정 처리가 확실하게 행하여지도록 한다. 2개의 사이클론 패드(7)는, 스핀 척(12)에 적재된 웨이퍼(W)를 후술하는 바와 같이 지석(63), 브러시(69)가 설치된 각 지지판(64)이 공전해서 처리할 때, 웨이퍼(W)의 중심부에서 이 공전 궤도를 보아, 당해 공전 궤도에 대하여 좌측, 우측에 위치하도록 각각 배치되어 있다. 이렇게 공전 궤도를 사이에 두도록 사이클론 패드(7)가 배치됨으로써, 보다 확실하게 웨이퍼(W)의 주연부의 높이가 규제되도록 하고 있다.In this cyclone pad 7, when the grindstone 63 or the brush 69 is pressed upward on the back surface of the wafer W and slides with respect to the wafer W, the periphery of the wafer W rises. prevent that That is, the cyclone pad 7 regulates the height of the periphery of the wafer W in a non-contact manner, brings the wafer W into close contact with the grindstone 63 and the brush 69, and W), a sufficient frictional force is generated between the grindstone 63 and the brush 69, so that the polishing process and the cleaning process can be performed reliably. As will be described later, the two cyclone pads 7 rotate the wafer W loaded on the spin chuck 12 when each support plate 64 on which the grindstone 63 and the brush 69 are installed rotates to process the wafer. Looking at this orbital orbit from the center of (W), they are arranged so as to be located on the left and right sides of the orbital orbit. By arranging the cyclone pad 7 so as to sandwich the revolving orbit in this way, the height of the periphery of the wafer W is more reliably regulated.

또한, 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이, 베이스체(11)의 오목부(13) 내의 후방측에는, 상기 지석 세정부(81) 및 브러시 세정부(82)가 설치되어 있다. 지석 세정부(81)에 대해서 도 6의 종단 측면도도 참조하면서 설명한다. 지석 세정부(81)는 수평이고 편평한 원형부(83)를 구비하고 있고, 이 원형부(83)의 주연부는 하방으로 돌출되는 돌출부(84)를 형성하고 있다. 원형부(83) 및 돌출부(84)에 둘러싸여서 형성되는 공간은, 연마·세정 처리부(5)의 각 부의 동작에 의해 연마 기구(61)의 각 지석(63)을 수납할 수 있는 수납 공간(85)으로서 구성되어 있고, 수납 공간(85)의 직경은, 그렇게 지석(63)을 수납하기 위해서 지지판(64)의 직경보다도 크게 구성되어 있다. 또한, 원형부(83)의 하부에는, 예를 들어 다이아몬드에 의해 구성된 드레서(86)가 설치되어 있다. 돌출부(84)의 내측의 측벽에는, 수납 공간(85)에 순수를 토출하는 토출구(87)가 측방을 향해서 개구되어 있다. 승강 기구(53)에 의해 지석(63)이 드레서(86)에 눌려진 상태에서, 토출구(87)로부터 순수가 토출됨과 함께 지지판(64)이 자전함으로써, 지석(63)의 드레싱이 행하여진다. 즉, 지석(63)에 쌓인 절삭 칩이 제거됨과 함께 지석(63)의 드레싱이 행하여진다.Further, as shown in FIGS. 1 and 2 , on the rear side of the base body 11 in the concave portion 13, the grindstone cleaning unit 81 and the brush cleaning unit 82 are provided. The grindstone cleaning part 81 will be described with reference also to the longitudinal side view of FIG. 6 . The grindstone cleaning section 81 has a horizontal and flat circular portion 83, and the periphery of the circular portion 83 forms a protruding portion 84 projecting downward. The space formed surrounded by the circular portion 83 and the protruding portion 84 is a storage space ( 85), and the diameter of the storage space 85 is larger than the diameter of the support plate 64 in order to accommodate the grindstone 63 therein. Further, a dresser 86 made of, for example, diamonds is provided below the circular portion 83 . A discharge port 87 for discharging pure water into the storage space 85 is opened sideward on a side wall inside the protruding portion 84 . In a state where the grindstone 63 is pressed against the dresser 86 by the lifting mechanism 53, pure water is discharged from the discharge port 87 and the support plate 64 rotates to perform dressing on the grindstone 63. That is, while cutting chips accumulated on the grindstone 63 are removed, dressing of the grindstone 63 is performed.

브러시 세정부(82)는, 수납 공간(85)에 드레서(86)가 설치되어 있지 않은 것을 제외하고 지석 세정부(81)와 마찬가지로 구성되어 있다. 이 브러시 세정부(82)의 수납 공간(85)에, 연마·세정 처리부(5)의 각 부의 동작에 의해 세정 기구(62)의 브러시(69)를 수납하고, 세정 기구(62)의 지지판(64)을 자전시킴과 함께 당해 수납 공간(85)에 순수를 토출함으로써, 브러시(69)의 세정이 행하여진다. 또한, 도 2에서는, 이 브러시 세정부(82)의 표시를 생략하고 있다.The brush cleaning unit 82 is configured similarly to the grindstone cleaning unit 81 except that the dresser 86 is not provided in the storage space 85 . The brush 69 of the cleaning mechanism 62 is accommodated in the accommodating space 85 of the brush cleaning unit 82 by the operation of each part of the polishing/cleaning processing unit 5, and the support plate of the cleaning mechanism 62 ( 64 is rotated and pure water is discharged into the storage space 85, thereby cleaning the brush 69. In addition, in FIG. 2, the display of this brush cleaning part 82 is abbreviate|omitted.

지석(63)의 드레싱 및 브러시(69)의 세정에 대해서는, 미리 행하여지는 타이밍이 설정되어 있어도 된다. 예를 들어 소정의 수의 웨이퍼(W)나, 소정의 수의 웨이퍼(W)의 로트를 처리할 때마다 이러한 드레싱 및 세정이 행하여지도록 해도 된다. 그 밖에, 당해 드레싱 및 세정이 정기적으로 행하여져도 되고, 후술하는 제어부(10)로부터 유저가 지시했을 때 행하여지도록 해도 된다. 또한, 후술하는 이면 촬상 모듈(141)에 의해 취득된 화상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정되면, 지석(63)의 드레싱이 행하여지도록 해도 된다. 즉, 당해 판정에 따라서 당해 드레싱을 행할지 여부가 결정되도록 해도 된다.Regarding the dressing of the grindstone 63 and the cleaning of the brush 69, the timing to be performed in advance may be set. For example, such dressing and cleaning may be performed whenever a predetermined number of wafers W or a predetermined number of wafers W are processed. In addition, the said dressing and washing|cleaning may be performed periodically, or may be performed when a user instructs from the control part 10 mentioned later. In addition, if it is determined from the image data obtained by the backside imaging module 141 described later that the polishing process of the wafer W has not been properly performed, the grinding stone 63 may be dressed. That is, you may make it decide whether to perform the said dressing according to the said judgment.

도 2 중 80은 순수 공급원이며, 주연부 세정 노즐(36), 이면 세정 노즐(37), 표면 세정 노즐(28), 지석 세정부(81), 브러시 세정부(82)에 각각 독립하여 순수를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.2, 80 denotes a pure water supply source, and pure water is independently supplied to the edge cleaning nozzle 36, the back surface cleaning nozzle 37, the surface cleaning nozzle 28, the grindstone cleaning unit 81, and the brush cleaning unit 82. It is structured so that

이 연마 장치(1)에는, 컴퓨터에 의해 구성된 제어부(10)가 설치되어 있고, 제어부(10)는 프로그램을 구비하고 있다. 이 프로그램은, 웨이퍼(W)에 대하여 후술하는 일련의 처리 동작을 행할 수 있도록, 연마 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 당해 각 부의 동작을 제어할 수 있도록 스텝 군이 짜여져 있다. 구체적으로는, 회전 기구(15)에 의한 스핀 척(12)의 회전수, 승강 기구(33) 및 수평 이동 기구(32)에 의한 컵(3)의 이동, 승강 기구(17)에 의한 지지 핀(16)의 승강, 연마·세정 처리부(5)를 구성하는 각 부의 동작, 유량 조정부(75)에 의한 사이클론 패드(7)에의 에어의 공급량, 순수 공급원(80)으로부터의 각 노즐, 지석 세정부(81) 및 브러시 세정부(82)에의 순수의 공급 등이 제어된다. 이 프로그램은 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장된 상태로 제어부(10)에 저장된다.The polishing device 1 is provided with a control unit 10 constituted by a computer, and the control unit 10 has a program. This program outputs a control signal to each part of the polishing apparatus 1 so that a series of processing operations described later can be performed with respect to the wafer W, and a group of steps is organized so that the operation of each part can be controlled. . Specifically, the number of revolutions of the spin chuck 12 by the rotation mechanism 15, the movement of the cup 3 by the elevation mechanism 33 and the horizontal movement mechanism 32, and the support pin by the elevation mechanism 17 (16) elevation, operation of each part constituting the polishing/cleaning processing unit 5, air supply amount to the cyclone pad 7 by the flow rate adjusting unit 75, each nozzle from the pure water supply source 80, and the grindstone cleaning unit 81 and the supply of pure water to the brush cleaning section 82 and the like are controlled. This program is stored in the controller 10 in a state stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk (MO), or a memory card.

계속해서, 연마 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리에 대해서, 당해 연마 장치(1)의 개략 평면도인 도 7 내지 도 13과, 웨이퍼(W)의 측면도인 도 14 내지 도 16을 참조하면서 설명한다. 또한, 도 7 내지 도 13에서는, 연마 기구(61)에 의한 연마가 행하여지고 있을 때는 세정 기구(62)를 쇄선으로, 세정 기구(62)에 의한 세정이 행하여지고 있을 때는 연마 기구(61)를 쇄선으로 표시하고 있다.7 to 13, which are schematic plan views of the polishing apparatus 1, and FIGS. 14 to 16, which are side views of the wafer W, for processing of the wafer W in the polishing apparatus 1. while explaining. 7 to 13 , when polishing by the polishing mechanism 61 is performed, the cleaning mechanism 62 is indicated by a dashed line, and when cleaning by the cleaning mechanism 62 is performed, the polishing mechanism 61 is indicated by a dashed line. It is indicated by a dashed line.

연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가, 예를 들어 베이스체(11)의 오목부(13) 내에서의 후방측의 대기 위치(도 1에 도시하는 위치)에 위치함과 함께, 컵(3)이, 그 중심이 스핀 척(12)의 중심에 겹치는 기준 위치(도 1에 도시하는 위치)에 위치하는 상태에서, 연마 장치(1)의 외부의 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)가 당해 연마 장치(1)에 반송된다. 웨이퍼(W)의 중심부가 스핀 척(12)의 상방에 위치하면, 지지 핀(16)이 상승해서 웨이퍼(W)를 지지한다. 그리고, 스핀 척(12)보다도 높은 위치에 고정 척(35)이 위치하도록 컵(3)이 상승한 후, 지지 핀(16)이 하강하고, 고정 척(35)에 당해 웨이퍼(W)가 전달되어, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에서의 외측 영역이, 당해 고정 척(35)에 흡착 보유 지지된다(도 7). 계속해서, 웨이퍼(W)의 중앙부가 에어 나이프(18)보다도 후방에 위치하도록, 컵(3)이 후방으로 이동한다.While the polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 are located, for example, in the standby position on the rear side within the concave portion 13 of the base body 11 (the position shown in FIG. 1), the cup (3) is positioned at the reference position (position shown in FIG. 1) where the center overlaps the center of the spin chuck 12, the wafer W is moved by the transfer mechanism outside the polishing device 1. It is conveyed to the said polishing apparatus 1. When the central portion of the wafer W is positioned above the spin chuck 12, the support pin 16 rises to support the wafer W. Then, after the cup 3 is raised so that the fixed chuck 35 is located at a position higher than the spin chuck 12, the support pin 16 is lowered, and the wafer W is transferred to the fixed chuck 35. , the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W is adsorbed and held by the fixed chuck 35 (FIG. 7). Subsequently, the cup 3 is moved backward so that the central portion of the wafer W is positioned rearward of the air knife 18 .

연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가 전진하여, 컵(3)의 하방측을 통과해서, 컵(3)의 내측으로 이동한다. 그리고, 연마 기구(61)가 상승하여, 연마 기구(61)의 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심과 겹치는 상태에서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 눌려지면, 당해 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 지석(63)에 의해 웨이퍼(W)의 중앙부가 연마된다(도 8, 도 14). 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부 내에서의 각 부에서는, 서로 상이한 방향으로부터 반복해서 지석(63)에 의한 찰과를 받아 홈이 형성된다.The polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 advance, pass through the lower side of the cup 3, and move inside the cup 3. Then, when the polishing mechanism 61 rises and the grindstone 63 is pressed against the back surface of the wafer W in a state where the revolving axis P2 of the polishing mechanism 61 overlaps the center of the wafer W, the polishing The support plate 64 of the mechanism 61 rotates and revolves, and the central portion of the wafer W is polished by the grindstone 63 (FIGS. 8 and 14). Due to the rotation and revolution of the support plate 64 , grooves are formed by repeatedly receiving scratches by the grindstone 63 from different directions in each portion in the central portion of the back surface of the wafer W.

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격된다. 그 후, 세정 기구(62)의 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심과 겹치는 위치에 당해 세정 기구(62)가 수평 이동한 후에 상승하여, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 계속해서, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 브러시(69)가 찰과함과 함께, 이면 세정 노즐(37)로부터 당해 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 순수가 토출된다(도 9). 이러한 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 공급에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙부의 이면에 부착된 절삭 칩이 제거된다.After that, the rotation and revolution of the support plate 64 of the polishing mechanism 61 are stopped, and the polishing mechanism 61 descends, so that the grindstone 63 is separated from the back surface of the wafer W. After that, the cleaning mechanism 62 moves horizontally to a position where the revolving axis P2 of the cleaning mechanism 62 overlaps the center of the wafer W, and then rises, and the brush 69 moves on the back surface of the wafer W. pressed on Subsequently, the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 rotates and revolves, and the brush 69 rubs the central portion of the back surface of the wafer W, and the wafer W is removed from the back surface cleaning nozzle 37. Pure water is discharged to the center of the back surface of (FIG. 9). Cutting chips adhering to the back surface of the central portion of the wafer W are removed by the abrasion by the brush 69 and the supply of pure water.

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강해서 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격된다. 컵(3)이 기준 위치를 향해서 후퇴함과 함께, 에어 나이프(18)로부터 에어가, 컵(3)과 함께 이동 중인 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 토출되어, 당해 이면의 중앙부가 건조된다. 기준 위치에서 컵(3)이 하강하고, 고정 척(35)이 스핀 척(12)의 하방으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 이면 중심부가 스핀 척(12)에 의해 흡착 보유 지지됨과 함께, 고정 척(35)에 의한 웨이퍼(W)의 보유 지지가 해제된다.After that, the rotation and revolution of the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 are stopped, and the cleaning mechanism 62 descends, so that the brush 69 is separated from the back surface of the wafer W. As the cup 3 retracts toward the reference position, air is discharged from the air knife 18 to the central portion of the back surface of the wafer W, which is moving together with the cup 3, and the central portion of the back surface is dried. . The cup 3 is lowered from the reference position, the fixing chuck 35 moves below the spin chuck 12, and the center of the back surface of the wafer W is adsorbed and held by the spin chuck 12 and fixed. Holding of the wafer W by the chuck 35 is released.

스핀 척(12)의 앞쪽에서, 평면에서 보아 2개의 사이클론 패드(7)에 끼워지는 영역에 연마 기구(61)가 수평으로 이동한다. 계속해서, 사이클론 패드(7)에 에어가 제1 유량으로 공급되어, 당해 웨이퍼(W)의 주연부가 하방으로 흡인됨과 함께, 연마 기구(61)가 상승해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전함과 함께 웨이퍼(W)가 회전한다. 그에 의해, 이미 연마된 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 인접하는 환상 영역(제1 환상 영역으로 함)이 지석(63)에 의해 연마된다(도 10, 도 15). 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부의 연마 시와 마찬가지로, 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해 제1 환상 영역의 각 부는 서로 다른 방향으로부터 반복해서 지석(63)에 의한 찰과를 받아, 홈이 형성된다.In front of the spin chuck 12, the polishing mechanism 61 moves horizontally to a region sandwiched between the two cyclone pads 7 in plan view. Subsequently, air is supplied to the cyclone pad 7 at a first flow rate, and while the periphery of the wafer W is sucked downward, the polishing mechanism 61 rises and the grindstone 63 moves along the surface of the wafer W. pressed on the back Then, the wafer W rotates as the support plate 64 of the polishing mechanism 61 rotates and revolves. As a result, an annular region (referred to as a first annular region) adjacent to the central portion of the back surface of the previously polished wafer W is polished by the grindstone 63 (Figs. 10 and 15). Similar to the polishing of the central portion of the back side of the wafer W, each portion of the first annular region is repeatedly scratched by the grindstone 63 from different directions due to rotation and revolution of the support plate 64, and grooves are formed. is formed

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강한 후, 약간 후퇴한다. 그리고, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 상승해서 제1 유량보다도 큰 제2 유량으로 되어, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 상승함과 함께 연마 기구(61)가 상승해서 지석(63)이 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에서 주위 단부를 포함하는 환상 영역(제2 환상 영역)이 지석(63)에 의해 연마된다(도 11, 도 16). 예를 들어, 이 제2 환상 영역의 내주측은, 이미 연마 완료된 제1 환상 영역과 겹친다. 이렇게 제2 환상 영역이 연마됨으로써, 제1 환상 영역의 외측으로부터 웨이퍼(W)의 주위 끝에 이르는 영역에 대해서도, 제1 환상 영역 및 웨이퍼(W)의 중앙부와 마찬가지로 홈이 형성된다.Thereafter, the rotation and revolution of the support plate 64 of the grinding mechanism 61 are stopped, and after the grinding mechanism 61 descends, it slightly retreats. Then, the flow rate of the air supplied to the cyclone pad 7 rises to a second flow rate greater than the first flow rate, so that the suction pressure for sucking the rotating wafer W rises and the polishing mechanism 61 rises. Thus, the grindstone 63 is pressed against the back surface of the wafer W. And the support plate 64 of the polishing mechanism 61 rotates and revolves. Thereby, the annular area (second annular area) including the peripheral end on the back side of the wafer W is polished by the grindstone 63 (FIGS. 11 and 16). For example, the inner peripheral side of this second annular region overlaps the first annular region that has already been polished. By polishing the second annular region in this way, grooves are formed in the region extending from the outer side of the first annular region to the peripheral edge of the wafer W as well as in the first annular region and the central portion of the wafer W.

그 후, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 연마 기구(61)가 하강해서 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격되면, 스핀 척(12)의 앞쪽에서, 평면에서 보아 2개의 사이클론 패드(7)에 끼워지는 영역에 세정 기구(62)가 수평으로 이동함과 함께, 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 저하되어 제1 유량으로 되고, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 저하된다. 그 후, 세정 기구(62)가 상승해서 브러시(69)가 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려지고, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 브러시(69)에 의해 상기 제1 환상 영역이 찰과된다(도 12).After that, the rotation and revolution of the support plate 64 of the polishing mechanism 61 are stopped, and when the polishing mechanism 61 descends and the grindstone 63 is separated from the back surface of the wafer W, the rotation of the spin chuck 12 From the front side, as the cleaning mechanism 62 moves horizontally in the area between the two cyclone pads 7 as viewed from the top, the flow rate of air supplied to the cyclone pads 7 decreases to the first flow rate. , the suction pressure for sucking the rotating wafer W is reduced. After that, the cleaning mechanism 62 rises, the brush 69 is pressed against the back surface of the wafer W, and the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 rotates and revolves, and the brush 69 moves the The first annular region is abraded (Fig. 12).

이렇게 브러시(69)에 의한 찰과가 행하여지는 한편, 표면 세정 노즐(28)로부터 웨이퍼(W)의 표면에의 순수의 토출과, 주연부 세정 노즐(36)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 주연부에의 순수의 토출과, 이면 세정 노즐(37)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 주연부보다 내측 영역에의 순수의 토출과, 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출이 행하여진다. 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 공급에 의해, 웨이퍼(W)에 부착된 절삭 칩이 제거된다. 또한, 에어 나이프(18)로부터 토출된 에어에 의해, 순수가 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 부착되는 것이 방지된다.Scrubbing by the brush 69 is performed in this way, while pure water is discharged from the surface cleaning nozzle 28 to the surface of the wafer W, and from the edge cleaning nozzle 36 to the periphery of the back surface of the wafer W. Pure water is discharged, pure water is discharged from the back surface cleaning nozzle 37 to a region inside the periphery of the back surface of the wafer W, and air is discharged from the air knife 18 . Cutting chips adhering to the wafer W are removed by abrasion by the brush 69 and supply of pure water. In addition, the pure water is prevented from adhering to the central portion of the rear surface of the wafer W by the air discharged from the air knife 18 .

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강한 후, 약간 후퇴한다. 그리고 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 유량이 상승해서 제2 유량으로 되어, 회전하는 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인 압력이 상승함과 함께 세정 기구(62)가 상승해서 브러시(69)가 당해 웨이퍼(W)의 이면에 눌려진다. 그리고, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면에서 제2 환상 영역이, 브러시(69)에 의해 찰과된다(도 13). 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출과, 각 노즐(28, 36, 37)로부터의 순수의 토출은 계속해서 행하여져, 브러시(69)에 의한 찰과와 순수의 토출에 의해 웨이퍼(W)에 부착된 절삭 칩이 제거된다.Thereafter, the rotation and revolution of the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 are stopped, and the cleaning mechanism 62 descends and then slightly retreats. Then, the flow rate of the air supplied to the cyclone pad 7 rises to the second flow rate, and the suction pressure for sucking the rotating wafer W rises, and the cleaning mechanism 62 rises, causing the brush 69 to move. It is pressed against the back side of the wafer W. Then, the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 rotates and revolves. As a result, the second annular region on the back surface of the wafer W is scratched by the brush 69 (FIG. 13). The discharge of air from the air knife 18 and the discharge of pure water from the respective nozzles 28, 36 and 37 are continuously performed, and the brush 69 scrapes and discharges the pure water to the wafer W. Adhered cutting chips are removed.

그 후, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 정지하고, 세정 기구(62)가 하강해서 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면으로부터 이격되면, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)가 컵(3)의 하방을 통과해서 대기 위치로 후퇴한다. 그리고, 에어 나이프(18)로부터의 에어의 토출과, 각 노즐(28, 36, 37)로부터의 순수의 토출이 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 순수가 원심 탈수되어 당해 웨이퍼(W)가 건조하면, 웨이퍼(W)의 회전이 정지한다. 그 후, 지지 핀(16)이 상승해서 웨이퍼(W)가 스핀 척(12)으로부터 밀어 올려져서 반송 기구에 전달되어, 연마 장치(1)로부터 반출된다.After that, when the rotation and revolution of the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 are stopped, and the cleaning mechanism 62 descends and the brush 69 is separated from the back surface of the wafer W, the polishing mechanism 61 and The cleaning mechanism 62 passes through the lower side of the cup 3 and retreats to the standby position. Then, discharge of air from the air knife 18 and discharge of pure water from the respective nozzles 28, 36, and 37 stop, and the centrifugal force of the rotation of the wafer W causes the pure water to flow from the wafer W by centrifugal force. When the wafer W is dried by dehydration, the rotation of the wafer W is stopped. After that, the support pin 16 rises, and the wafer W is pushed up from the spin chuck 12, transferred to the transport mechanism, and carried out of the polishing device 1.

도 17은, 이 연마 장치(1)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)의 이면을 개략적으로 나타내고 있다. 상기와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부에서는, 자전체인 지지판(64) 및 지석(63)이 웨이퍼(W)의 중심 주위로 공전함으로써, 웨이퍼(W)의 중심 주위에, 웨이퍼(W)의 주위를 따라 미세한 홈이 형성되어 있다. 또한 이 공전 중에 지지판(64) 및 지석(63)이 자전하고 있기 때문에, 홈으로서는 주위 방향 이외의 방향을 향하게도 형성된다. 이렇게 홈이 각 방향으로부터 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 대해서는 무수한 미소한 바늘 형상의 돌기(55)가, 웨이퍼(W)의 면 내에 분포한 상태로 되어 있다. 또한, 도면 중에서는 이 이면 중앙부의 홈에 대해서, 주위 방향으로 형성된 홈만을 56으로서 개략적으로 표시하고 있다. 또한, 점선의 프레임 내에는, 이 이면 중앙부를 확대한 개략 사시도를 나타내고 있다.17 schematically shows the back side of the wafer W processed by the polishing apparatus 1 . As described above, in the central portion of the wafer W, the support plate 64 and the grindstone 63, which are magnetic bodies, revolve around the center of the wafer W, so that the periphery of the wafer W is formed around the center of the wafer W. Fine grooves are formed along it. Moreover, since the support plate 64 and the grindstone 63 rotate on their own during this revolution, grooves are also formed toward directions other than the circumferential direction. Since the grooves are formed in each direction in this way, in the central portion of the back surface of the wafer W, countless fine needle-like protrusions 55 are distributed on the surface of the wafer W. In the drawings, only the grooves formed in the circumferential direction are schematically indicated as 56 for the grooves at the center of the back surface. Further, in the frame of the dotted line, a schematic perspective view in which the central portion of the back surface is enlarged is shown.

그리고, 웨이퍼(W)의 주연부, 즉 상기 제1 환상 영역 및 제2 환상 영역에서는, 상기와 같이 자전체인 지지판(64) 및 지석(63)이 웨이퍼(W)의 중심 주위로 공전함과 함께 웨이퍼(W)가 회전한다. 따라서, 지지판(64) 및 지석(63)의 공전 궤도는, 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 이동하기 때문에, 당해 주연부에서도 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따른 미세한 홈이 형성되어 있다. 이 홈에 대해서도 56으로서 도면 중에 개략적으로 표시하고 있다. 즉, 홈(56)은, 웨이퍼(W)의 이면 전체에 걸쳐서 동심원 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 공전 중에 지지판(64) 및 지석(63)은 자전하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 중앙부와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 주연부의 홈으로서는, 웨이퍼(W)의 주위 방향 이외의 방향을 향하게도 형성되어 있다. 이렇게 홈이 각 방향으로부터 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면 주연부에 대해서도 이면 중앙부와 마찬가지로, 무수한 미소한 바늘 형상의 돌기(55)가, 웨이퍼(W)의 면 내에 분포한 상태로 되어 있다. 또한, 이 이면 주연부에서의 홈에 대해서도, 주위 방향 이외의 방향으로 형성된 것에 관한 표시는 생략하고 있다. 또한, 쇄선의 프레임 내에는, 이 이면 주연부를 확대한 개략 사시도를 나타내고 있다. 이렇게 중앙부 및 주연부에 형성된 각 돌기(55)의 선단에서부터 기단까지의 높이는, 예를 들어 50nm 이하이다.Then, in the periphery of the wafer W, that is, in the first annular region and the second annular region, the supporting plate 64 and the grindstone 63, which are magnetic bodies, revolve around the center of the wafer W as described above. The wafer W rotates. Therefore, since the orbital orbits of the support plate 64 and the grindstone 63 move along the circumferential direction of the wafer W, fine grooves along the circumferential direction of the wafer W are also formed at the periphery. This groove is also schematically indicated as 56 in the drawing. That is, the grooves 56 are formed concentrically over the entire back surface of the wafer W. Further, since the support plate 64 and the grindstone 63 rotate on their own during revolution, as in the central portion of the wafer W, the groove at the periphery of the wafer W may be directed in a direction other than the circumferential direction of the wafer W. is formed Since the grooves are formed in each direction in this way, numerous fine needle-like protrusions 55 are distributed on the surface of the wafer W at the periphery of the back surface of the wafer W, similarly to the central portion of the back surface. Also, for the grooves at the periphery of the back surface, indications of grooves formed in directions other than the circumferential direction are omitted. In addition, in the frame of the dashed line, a schematic perspective view in which the periphery of the back surface is enlarged is shown. The height from the front end to the base end of each projection 55 formed in the central portion and the periphery is, for example, 50 nm or less.

상기와 같이 연마 장치(1)에서 처리되어 돌기(55)가 형성된 웨이퍼(W)는, 노광기에 설치되는 스테이지(91)에 적재되고, 이 연마 장치(1)에 의한 처리 전 또는 처리 후에 당해 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 레지스트막이 소정의 패턴을 따라서 노광된다. 웨이퍼(W)의 스테이지(91)에 반송될 때까지, 웨이퍼(W)의 이면에 대해서는, 조도 완화용 처리는 행하여지지 않는다. 조도 완화용 처리란, 구체적으로는 예를 들어 불산 등의 웨이퍼(W)의 이면을 용해시키는 약액을 공급함으로써 당해 이면을 평탄화하는 처리를 들 수 있다.The wafer W, which has been processed in the polishing apparatus 1 as described above and formed with the protrusions 55, is placed on a stage 91 installed in an exposure machine, and the wafer W is processed before or after processing by the polishing apparatus 1. A resist film formed on the surface of (W) is exposed along a predetermined pattern. Until the wafer W is transported to the stage 91, the back surface of the wafer W is not subjected to roughness relaxation processing. The treatment for lightening the roughness specifically includes, for example, a treatment of flattening the back surface of the wafer W by supplying a chemical solution, such as hydrofluoric acid, which dissolves the back surface of the wafer W.

연마 장치(1)의 효과를 설명하기 위해서, 웨이퍼(W)가 스테이지(91)에 적재되는 모습을 설명한다. 우선, 이 스테이지(91)의 구성에 대해서 도 18의 종단 측면도를 참조하여 설명하면, 이 스테이지(91)는 원형이며, 그 표면에는 당해 스테이지(91)의 표면의 중심을 중심으로 하는 동심원을 따라 다수의 핀(92)이, 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 이 핀(92)에 웨이퍼(W)의 이면이 지지된다. 즉, 웨이퍼(W)의 이면은 스테이지(91)의 표면으로부터 뜨도록 지지된다.In order to explain the effect of the polishing device 1, a state in which the wafer W is loaded on the stage 91 will be described. First, the configuration of the stage 91 will be described with reference to a longitudinal side view in FIG. 18. The stage 91 is circular, and on its surface, concentric circles centered on the center of the surface of the stage 91 are formed. A large number of pins 92 are arranged at intervals from each other. The back surface of the wafer W is supported by these pins 92 . That is, the back surface of the wafer W is supported so as to float from the surface of the stage 91 .

스테이지(91)의 표면에서는, 핀(92)과 겹치지 않는 위치에 다수의 흡인구(93)가 서로 분산해서 개구되어 있다. 또한, 스테이지(91)는, 당해 스테이지(91)에 대하여 승강 가능하게 구성되는 승강 핀(94)을 구비하고 있다. 이 승강 핀(94)은, 웨이퍼(W)의 반송 기구와 스테이지(91)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받기 위해서, 그 선단부가 스테이지(91)의 표면에서 돌출 함몰한다. 승강 핀(94)은 3개 설치되지만, 도 18에서는 2개만 표시하고 있다.On the surface of the stage 91, a large number of suction ports 93 are opened in a dispersive manner at positions that do not overlap with the pins 92. Furthermore, the stage 91 is provided with lifting pins 94 configured to be able to move up and down relative to the stage 91 . The elevating pin 94 protrudes and sinks from the surface of the stage 91 in order to transfer and receive the wafer W between the stage 91 and the transfer mechanism for the wafer W. Three elevating pins 94 are provided, but only two are shown in FIG. 18 .

상기와 같이 연마 장치(1)에서 연마 처리 및 세정 처리가 행하여진 웨이퍼(W)는, 반송 기구에 의해 스테이지(91)에 반송되어, 도 18에 도시하는 바와 같이 승강 핀(94)에 이면이 지지된다. 이 스테이지(91)에 반송될 때까지 형성된 막의 응력에 의해 예를 들어 웨이퍼(W)에는 왜곡이 발생하고 있고, 이 왜곡에는 휨도 포함된다. 계속해서 승강 핀(94)이 하강한다. 이 승강 핀(94)의 하강 시에는, 스테이지(91)의 흡인구(93)로부터 흡인이 행하여지고 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면의 각 부가 핀(92)에 적재되고, 흡인구(93)로부터의 흡인에 의해 웨이퍼(W)의 이면은 스테이지(91)를 향해서 흡인된다(도 19). 도 19의 점선의 프레임 내에는, 이 핀(92)과, 당해 핀(92)에 맞닿은 웨이퍼(W)의 이면의 종단 측면을 확대해서 나타내고 있다.The wafer W, which has been subjected to the polishing process and the cleaning process in the polishing apparatus 1 as described above, is conveyed to the stage 91 by the conveying mechanism, and as shown in FIG. supported Stress in the film formed until it is conveyed to the stage 91 causes strain in, for example, the wafer W, and this strain includes warping. Subsequently, the elevating pin 94 descends. When the elevating pins 94 are lowered, suction is performed from the suction port 93 of the stage 91 . Then, each part of the back surface of the wafer W is placed on the pin 92, and the back surface of the wafer W is sucked toward the stage 91 by suction from the suction port 93 (FIG. 19). In the frame of the dotted line in FIG. 19 , the pin 92 and the longitudinal side surface of the reverse side of the wafer W abutted with the pin 92 are shown in an enlarged manner.

도 17에서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면 전체에 걸치도록, 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 웨이퍼(W)의 이면에는 홈(56)이 형성되어 있다. 즉, 핀(92)의 배치에 대응하도록 홈(56)이 형성되어 있고, 홈(56)과 홈(56)과의 사이의 돌기(55)와 스테이지(91)의 핀(92)이 접촉하게 된다. 또한, 이 돌기(55)는 바늘 형상으로 미세하기 때문에, 돌기(55)와 핀(92)과의 접촉 면적은 매우 작다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면과 핀(92)과의 사이에 작용하는 마찰력이 매우 작기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면은 핀(92)의 상면에 대하여 높은 미끄럼성을 갖는다. 그렇게 미끄럼성을 갖는 것 및 스테이지(91)에 흡인됨으로써, 웨이퍼(W)는 잡아 늘려지듯이 그 형상이 교정되어, 평탄한 상태가 되도록 왜곡이 해소되어서 핀(92) 상에 적재된다(도 20). 이렇게 스테이지(91)에 적재된 웨이퍼(W)에 노광 샷이 행하여진다.As described in FIG. 17 , grooves 56 are formed on the back surface of the wafer W along the circumferential direction of the wafer W so as to span the entire back surface of the wafer W. That is, the grooves 56 are formed to correspond to the arrangement of the pins 92, and the protrusions 55 between the grooves 56 and the grooves 56 contact the pins 92 of the stage 91. do. Further, since the protrusion 55 is needle-like and fine, the contact area between the protrusion 55 and the pin 92 is very small. Therefore, since the frictional force acting between the back surface of the wafer W and the pins 92 is very small, the back surface of the wafer W has high sliding properties with respect to the upper surface of the pins 92 . By having such a sliding property and being attracted to the stage 91, the shape of the wafer W is corrected so as to be stretched, and the distortion is eliminated so that it becomes a flat state, and the wafer W is placed on the pin 92 (FIG. 20). An exposure shot is performed on the wafer W loaded on the stage 91 in this way.

상기 연마 장치(1)에 의하면, 고정 척(35)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치지 않는 영역이 보유 지지되어 있을 때는, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전함으로써, 당해 지지판(64)에 설치되는 지석(63)이, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동해서 연마 처리한다. 그리고, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 보유 지지함과 함께 웨이퍼(W)를 회전시키고 있을 때는, 연마 기구(61)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 지석(63)이 웨이퍼(W)의 이면의 주연부인 제1 환상 영역 및 제2 환상 영역을 미끄럼 이동해서 연마 처리한다. 웨이퍼(W)의 이면에서의 중앙부 내의 각 부 및 주연부 내의 각 부에 대해서, 지석(63)에 의해 서로 다른 방향으로부터 반복해서 찰과됨으로써 미세한 다수의 돌기(55)가 형성된다. 그렇게, 중앙부와 주연부에서 균일성 높게 미세한 돌기(55)가 형성됨으로써, 웨이퍼(W)는 상기 스테이지(91) 상에 평탄성 높게 적재된다. 그리고, 평탄성 높게 적재되는 결과로서, 이와 같이 적재된 웨이퍼(W)를 노광함에 있어서, 노광되는 영역이 소정의 영역으로부터 어긋나는 것이 억제된다. 따라서, 오버레이의 정밀도를 높게 할 수 있다.According to the polishing apparatus 1, when the non-overlapping region is held in the central portion of the back surface of the wafer W by the fixed chuck 35, the support plate 64 of the polishing mechanism 61 rotates and revolves, thereby , the grindstone 63 installed on the support plate 64 slides the central portion of the back surface of the wafer W to perform polishing. Then, when the central portion of the back surface of the wafer W is held and rotated by the spin chuck 12, the support plate 64 of the polishing mechanism 61 rotates and revolves, and the grindstone 63 performs polishing by sliding the first annular region and the second annular region, which are the periphery of the back surface of the wafer W. For each part in the central part and each part in the periphery of the back surface of the wafer W, a plurality of fine protrusions 55 are formed by repeatedly scraping from different directions with the grindstone 63 . In this way, by forming fine protrusions 55 with high uniformity at the central portion and the periphery, the wafer W is loaded on the stage 91 with high flatness. And, as a result of the stacking with high flatness, when exposing the stacked wafer W, deviation of the exposed area from a predetermined area is suppressed. Therefore, the accuracy of overlay can be increased.

또한, 이 연마 장치(1)에서는 웨이퍼(W)의 주위 끝을 보유 지지하는 보유 지지부를 설치할 필요가 없으므로, 지석(63) 및 브러시(69)를 웨이퍼(W)의 이면의 주위 단부에 위치시켜서 처리할 수 있다. 따라서, 이 점에서도 웨이퍼(W)의 이면에 균일한 처리를 행할 수 있고, 스테이지(91)의 핀(92)에 대한 높은 미끄럼성을 갖도록 돌기(55)를 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 처리함에 있어서, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전에 의해 바늘 형상의 돌기(55)를 형성하고 있다. 이러한 돌기(55)를 형성하기 위해서는, 지지판(64)을 웨이퍼(W)의 이면 중앙부에 배치해서 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 고정 척(35)의 회전과 지지판(64)의 자전을 행하는 것도 생각할 수 있지만, 그와 같이 웨이퍼(W)의 주연부를 보유 지지하고 있는 고정 척(35)을 회전시키는 구성으로 하는 것은, 장치가 대규모로 된다. 따라서, 상기 연마 장치(1)의 구성은, 장치의 대형화를 방지할 수 있다는 이점도 갖는다.In addition, in this polishing apparatus 1, since there is no need to provide a holder for holding the peripheral edge of the wafer W, the grindstone 63 and the brush 69 are placed on the peripheral edge of the back surface of the wafer W to can be dealt with Accordingly, even in this respect, the back surface of the wafer W can be treated uniformly, and the protrusions 55 can be formed to have high sliding properties with respect to the pins 92 of the stage 91 . Further, in processing the central portion of the back surface of the wafer W, the needle-like projections 55 are formed by rotation and revolution of the support plate 64 of the polishing mechanism 61 . In order to form such a protrusion 55, it is also possible to arrange the support plate 64 at the center of the back surface of the wafer W and rotate the chuck 35 holding the wafer W and rotate the support plate 64. Although conceivable, such a structure in which the fixed chuck 35 holding the periphery of the wafer W is rotated makes the device large-scale. Therefore, the configuration of the polishing device 1 also has an advantage of being able to prevent an increase in size of the device.

또한, 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부의 흡인을 행함으로써, 지석(63) 및 브러시(69)가 눌려졌을 때, 당해 주연부가 상방을 향해서 웨이퍼(W)가 휘는 것을 방지하고, 당해 주연부를 평탄하게 해서 각 지석(63) 및 각 브러시(69)에 밀착시켜, 연마 및 세정이 확실하게 행하여지도록 하고 있다. 또한, 지석(63) 및 브러시(69)의 압박에 의해 상기 휨이 보다 발생하기 쉬운 제2 환상 영역을 처리할 때는, 제1 환상 영역을 처리할 때에 비해서 사이클론 패드(7)에 의한 흡인 압력을 높게 함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 평탄하게 해서 각 지석(63) 및 각 브러시(69)에 밀착시켜, 연마 및 세정이 확실하게 행하여지도록 하고 있다. 또한, 이와 같이 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 주위 단부에 대해서도 확실하게 연마를 행할 수 있으므로, 이 주위 단부에서도 노광기의 스테이지(91)에 대한 미끄럼성을 높게 할 수 있다. 따라서, 스테이지(91)에 적재된 웨이퍼(W)의 왜곡을 보다 확실하게 해소할 수 있다.In addition, by suctioning the periphery of the wafer W by the cyclone pad 7, when the grindstone 63 and the brush 69 are pressed, the periphery faces upward to prevent the wafer W from bending , The periphery is flattened and brought into close contact with each grindstone 63 and each brush 69 so that polishing and cleaning can be performed reliably. In addition, when processing the second annular area where the warpage is more likely to occur due to the pressure of the grindstone 63 and the brush 69, the suction pressure by the cyclone pad 7 is reduced compared to the case of processing the first annular area. By increasing the height, the periphery of the wafer W is flattened and brought into close contact with each grindstone 63 and each brush 69 so that polishing and cleaning can be reliably performed. In addition, since polishing can be reliably performed also on the circumferential end of the wafer W by the cyclone pad 7 in this way, the sliding property with respect to the stage 91 of the exposure machine can be improved also at this circumferential end. Accordingly, distortion of the wafer W loaded on the stage 91 can be eliminated more reliably.

상기 연마 처리에 있어서 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 연마할 때, 공전축(P2)이 웨이퍼(W)의 중심에 겹치도록 처리를 행하고 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부 내에서, 주위 방향으로 균일성 높게 돌기(55)가 형성된다. 따라서, 보다 확실하게 스테이지(91)의 핀(92)에 대한 웨이퍼(W)의 미끄럼성을 높게 하여, 웨이퍼(W)를 평탄하게 스테이지(91) 상에 적재할 수 있다.When polishing the central portion of the rear surface of the wafer W in the polishing process, the process is performed so that the revolving axis P2 overlaps the center of the wafer W. As a result, protrusions 55 are formed with high uniformity in the circumferential direction in the central portion of the back surface of the wafer W. Therefore, the slipperiness of the wafer W with respect to the pin 92 of the stage 91 can be increased more reliably, and the wafer W can be placed on the stage 91 evenly.

또한, 고정 척(35)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 겹치지 않는 영역이 보유 지지되어 있을 때는, 세정 기구(62)의 자전체인 지지판(64)이 자전 및 공전함으로써, 당해 지지판(64)에 설치되는 브러시(69)가, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동해서 세정한다. 그리고, 스핀 척(12)에 의해 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 보유 지지함과 함께 웨이퍼(W)를 회전시키고 있을 때는, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면의 주연부를 미끄럼 이동해서 세정한다. 즉, 웨이퍼(W)의 이면에서의 중앙부 내의 각 부 및 주연부 내의 각 부에 대해서, 브러시(69)에 의해 서로 다른 방향으로부터 반복해서 찰과됨으로써 세정된다. 그에 의해 웨이퍼(W)의 각 부를 균일성 높게 세정할 수 있고, 또한 확실하게 절삭 칩을 제거할 수 있다.In addition, when the non-overlapping region is held by the fixing chuck 35 at the central portion of the back surface of the wafer W, the support plate 64, which is the self-determined body of the cleaning mechanism 62, rotates and revolves, thereby causing the support plate ( A brush 69 provided on 64 slides and cleans the central portion of the back surface of the wafer W. When the spin chuck 12 holds the central portion of the back surface of the wafer W and rotates the wafer W, the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 rotates and revolves, and the brush 69 slides and cleans the periphery of the back surface of the wafer W. That is, each portion in the central portion and each portion in the periphery of the back surface of the wafer W are repeatedly rubbed from different directions by the brush 69 to be cleaned. As a result, each part of the wafer W can be cleaned with high uniformity, and cutting chips can be reliably removed.

지지판(64)의 자전의 회전수는 예를 들어 600rpm, 공전의 회전수는 예를 들어 15rpm이다. 웨이퍼(W)의 주연부를 연마 또는 세정함에 있어서, 스핀 척(12)에 의한 웨이퍼(W)의 회전수는, 예를 들어 30rpm 내지 45rpm이다. 단, 그와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 지지판(64)의 공전의 회전수보다도 큰 경우, (웨이퍼(W)의 회전수)/(지지판(64)의 공전의 회전수)가 정수이면, 자전체인 지지판(64)이 웨이퍼(W)를 1주회한 후, 다음으로 주회할 때도 앞서 주회 시와 동일한 궤적으로 주회해버린다. 따라서, 주회할 때마다 웨이퍼(W)의 면 내에서 서로 다른 궤적을 그리도록 지지판(64)을 이동시켜 돌기(55)를 미세하게 형성하기 위해서, (웨이퍼(W)의 회전수)/(지지판(64)의 공전의 회전수)는 정수 이외의 수치가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전수가 지지판(64)의 공전의 회전수보다도 작아도 된다. 그 경우, 마찬가지의 이유로 (지지판(64)의 공전의 회전수)/(웨이퍼(W)의 회전수)는, 정수 이외의 값이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.The rotation speed of rotation of the support plate 64 is, for example, 600 rpm, and the rotation speed of revolution is 15 rpm, for example. In polishing or cleaning the periphery of the wafer W, the rotation speed of the wafer W by the spin chuck 12 is, for example, 30 rpm to 45 rpm. However, when the number of rotations of the wafer W is greater than the number of revolutions of the support plate 64, if (the number of revolutions of the wafer W)/(the number of revolutions of the support plate 64) is an integer, After the support plate 64 , which is a magnetic body, has made one round of the wafer W, it also makes another round in the same trajectory as the previous round. Therefore, in order to form the protrusions 55 finely by moving the support plate 64 so as to draw a different trajectory in the plane of the wafer W each time it turns, (number of rotations of the wafer W) / (support plate (64) is preferably set to a value other than an integer. Further, the number of revolutions of the wafer W may be smaller than the number of revolutions of the support plate 64 . In that case, for the same reason, it is preferable to set (rotational speed of support plate 64)/(rotational speed of wafer W) to be a value other than an integer.

그런데, 상기 연마 처리에서는 연마 기구(61)가 제2 환상 영역을 연마함에 있어서, 지지판(64)이 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방에 위치했을 때의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 떨어진 위치의 지석(63) 상에 웨이퍼(W)의 주위 끝이 위치하도록, 연마 기구(61)의 위치가 설정된다(도 16 참조). 이렇게 연마 기구(61)의 위치를 설정하고 있는 것은, 당해 지석(63)이 웨이퍼(W)의 주위 끝보다도 웨이퍼(W)의 중심으로부터 이격되도록 위치하면, 당해 지석(63)이 공전에 의해 웨이퍼(W)의 중심측을 향해서 이동할 때 웨이퍼(W)의 측단과 충돌할 우려가 있기 때문이다. 마찬가지의 이유로, 세정 기구(62)가 제2 환상 영역을 세정함에 있어서, 지지판(64)이 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방에 위치했을 때의 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 떨어진 위치의 브러시(69) 상에 웨이퍼(W)의 주위 끝이 위치하도록, 세정 기구(62)의 위치가 설정된다.By the way, in the above polishing process, when the polishing mechanism 61 polishes the second annular region, the position furthest away from the center of the wafer W when the support plate 64 is located closest to the outer side of the wafer W The position of the polishing tool 61 is set so that the peripheral edge of the wafer W is positioned on the grindstone 63 (see Fig. 16). Setting the position of the polishing mechanism 61 in this way is that when the grindstone 63 is positioned so as to be farther away from the center of the wafer W than the circumferential edge of the wafer W, the grindstone 63 revolves around the wafer. This is because there is a possibility of colliding with the side end of the wafer (W) when moving toward the center side of the wafer (W). For the same reason, when the cleaning mechanism 62 cleans the second annular region, the brush ( 69), the position of the cleaning mechanism 62 is set so that the peripheral end of the wafer W is positioned on it.

상기의 처리 예에서는, 연마 기구(61)의 위치를 변경함으로써, 제1 환상 영역의 처리, 제2 환상 영역의 처리를 각각 행하고 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 주연부의 연마 처리를 2회로 나누어서 행하고 있지만, 연마 기구(61)의 지지판(64)을 비교적 크게 형성하여, 당해 지지판(64)의 공전 궤도가 웨이퍼(W)의 중앙부에 인접하는 위치에서부터 웨이퍼(W)의 주위 단부에 이르도록 구성함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 일괄적으로 연마 처리해도 된다. 마찬가지로, 세정 기구(62)의 지지판(64)을 비교적 크게 형성하여, 당해 지지판(64)의 공전 궤도가 웨이퍼(W)의 중앙부에 인접하는 위치에서부터 웨이퍼(W)의 주위 단부에 이르도록 구성함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 일괄적으로 세정 처리해도 된다.In the processing example described above, the processing of the first annular region and the processing of the second annular region are respectively performed by changing the position of the polishing mechanism 61 . That is, although the polishing process of the periphery of the wafer W is divided into two times, the support plate 64 of the polishing mechanism 61 is formed relatively large, so that the orbital orbit of the support plate 64 is at the center of the wafer W. The periphery of the wafer W may be polished collectively by configuring it from an adjacent position to the peripheral end of the wafer W. Similarly, by forming the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 relatively large, and configuring the orbital orbit of the support plate 64 to reach the periphery end of the wafer W from a position adjacent to the central portion of the wafer W. , the periphery of the wafer W may be collectively cleaned.

계속해서, 상기 연마 장치(1)를 연마 모듈(100)로서 포함하는 도포, 현상 장치(101)에 대해서, 도 21의 평면도, 도 22의 개략적인 종단 측면도를 각각 참조하면서 설명한다. 이 도포, 현상 장치(101)는, 캐리어 블록(D1)과, 연마 처리 블록(D2)과, 액 처리 블록(D3)과, 인터페이스 블록(D4)을 가로 방향으로 직선 형상으로 접속해서 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D4)에는, 노광기(D5)가 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(D1 내지 D4)의 배열 방향을 전후 방향으로 하고, 블록(D1)측을 전방측, 블록(D4)측을 후방측으로 한다. 캐리어 블록(D1)에는, 도포, 현상 장치(101)의 외부로부터 웨이퍼(W)를 저장하는 캐리어(C)가 반송된다. 캐리어 블록(D1)은, 캐리어(C)의 적재대(102)와, 개폐부(103)와, 반송 기구(104)를 구비하고 있다. 반송 기구(104)는, 개폐부(103)를 통해서 적재대(102)에 적재된 캐리어(C)로부터, 웨이퍼(W)를 캐리어 블록(D1) 내에 반송한다.Subsequently, the coating and developing device 101 including the polishing device 1 as the polishing module 100 will be described with reference to a plan view in FIG. 21 and a schematic longitudinal side view in FIG. 22, respectively. This coating and developing device 101 is configured by linearly connecting a carrier block D1, a polishing block D2, a liquid treatment block D3, and an interface block D4 in a horizontal direction. . The exposure machine D5 is connected to the interface block D4. In the following description, the arrangement direction of the blocks D1 to D4 is the front-back direction, the block D1 side is the front side, and the block D4 side is the rear side. In the carrier block D1, the carrier C for storing the wafers W is conveyed from the outside of the coating and developing apparatus 101. The carrier block D1 includes a mounting table 102 for the carrier C, an opening/closing portion 103, and a transport mechanism 104. The transfer mechanism 104 transfers the wafers W into the carrier block D1 from the carrier C loaded on the mounting table 102 via the opening/closing portion 103 .

연마 처리 블록(D2)의 전방측에는, 반송 기구(104)가 액세스할 수 있는 위치에, 웨이퍼(W)가 각각 적재되는 수수 모듈(TRS11, TRS12)이 서로 적층되어 설치되어 있다. 수수 모듈(TRS11, TRS12)의 후방에는 반송 기구(106)가 설치되어 있다. 그리고 후방을 향해서 보아, 반송 기구(106)의 우측에는 상기 연마 모듈(100)이 예를 들어 5개 적층되어 설치되어 있고, 반송 기구(106)의 좌측에는, 휨량 계측 모듈(131) 및 이면 촬상 모듈(141)이 서로 적층되어 설치되어 있다. 이 실시 형태에서는 휨량 계측 모듈(131) 및 이면 촬상 모듈(141)을 사용하지 않는 반송 예에 대해서 설명하고, 이들 모듈의 구성에 대해서는 이들 모듈을 사용하는 반송 예와 함께 후술한다. 반송 기구(106)는, 이렇게 연마 처리 블록(D2)에 설치되는 각 모듈과, 후술하는 타워(T1)에 포함되는 수수 모듈(TRS0, TRS10)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있도록 승강 가능하고, 연직축 주위로 회전 가능하고 또한 진퇴 가능하게 구성되어 있다.On the front side of the polishing processing block D2, delivery modules TRS11 and TRS12 on which the wafers W are loaded are stacked on top of each other and installed at a position accessible to the transfer mechanism 104. A conveyance mechanism 106 is provided behind the delivery modules TRS11 and TRS12. Then, as viewed from the rear, on the right side of the conveying mechanism 106, for example, five polishing modules 100 are stacked and installed, and on the left side of the conveying mechanism 106, the deflection measurement module 131 and the back side image pickup Modules 141 are installed stacked on top of each other. In this embodiment, a conveyance example in which the deflection amount measurement module 131 and the back surface imaging module 141 are not used is described, and the configuration of these modules will be described later together with a conveyance example in which these modules are used. The transfer mechanism 106 is configured to transfer wafers W between modules installed in the polishing block D2 and transfer modules TRS0 and TRS10 included in the tower T1 described later. It is configured to be able to move up and down, to be able to rotate around a vertical axis, and to be able to move forward and backward.

액 처리 블록(D3)은, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(E1 내지 E6)이 아래에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 단위 블록(E1, E2)이 반사 방지막 형성용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 단위 블록(E3, E4)이 레지스트막 형성용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 단위 블록(E5, E6)이 현상 처리용 단위 블록이며, 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 각 단위 블록에 있어서, 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행하여지고, 마찬가지로 구성된 2개의 단위 블록 중 1개에 웨이퍼(W)가 반송되어 액 처리된다.The liquid processing block D3 is configured by sequentially stacking first to sixth unit blocks E1 to E6 that perform liquid processing on the wafer W from the bottom. The unit blocks E1 and E2 are unit blocks for forming an antireflection film and are configured similarly to each other. Unit blocks E3 and E4 are unit blocks for resist film formation, and are configured similarly to each other. Unit blocks E5 and E6 are unit blocks for development processing and are configured similarly to each other. In each unit block, transport and processing of the wafer W are carried out in parallel with each other, and the wafer W is transported to one of the two unit blocks configured similarly and subjected to liquid processing.

여기에서는 단위 블록 중 대표적으로 제3 단위 블록(E3)을, 도 21을 참조하면서 설명한다. 단위 블록(E3)에는 전후 방향으로 신장되는 웨이퍼(W)의 반송 영역(107)이 형성되어 있다. 후방을 향해서 보아, 반송 영역(107)의 우측에는 레지스트막 형성 모듈(108)이 2개 전후 방향으로 나란히 설치되어 있다. 레지스트막 형성 모듈(108)은, 약액으로서 레지스트를 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여, 레지스트막을 형성한다. 후방을 향해서 보아, 반송 영역(107)의 좌측에는 복수 단으로 적층된 가열 모듈(109)이, 전후 방향으로 다수 설치되어 있다. 상기 반송 영역(107)에는, 웨이퍼(W)의 반송 기구(F3)가 설치되어 있다.Here, the third unit block E3 as a representative of the unit blocks will be described with reference to FIG. 21 . In the unit block E3, a transfer area 107 for wafers W extending in the front-rear direction is formed. On the right side of the transfer area 107 as viewed from the rear, two resist film forming modules 108 are provided side by side in the front-back direction. The resist film forming module 108 supplies resist as a chemical solution to the surface of the wafer W to form a resist film. On the left side of the conveyance area 107 as viewed from the rear, a plurality of heating modules 109 stacked in multiple stages are installed in the front-back direction. In the transfer area 107 , a transfer mechanism F3 for the wafer W is installed.

단위 블록(E1, E2, E5, E6)에 대해서, 단위 블록(E3, E4)과의 차이점을 설명하면, 단위 블록(E1, E2)은, 레지스트막 형성 모듈(108) 대신에 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고 있다. 반사 방지막 형성 모듈에서는, 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 웨이퍼(W)에 공급된다. 단위 블록(E5, E6)은, 레지스트막 형성 모듈(108) 대신에 현상 모듈을 구비하고 있다. 현상 모듈은 약액으로서 현상액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하고, 노광기(D5)에서 소정의 패턴을 따라서 노광된 레지스트막을 현상하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 이러한 차이를 제외하고, 단위 블록(E1 내지 E6)은 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 도 22에서는 각 단위 블록(E1 내지 E6)의 반송 기구에 대해서 F1 내지 F6으로서 나타내고 있다.Regarding the unit blocks E1, E2, E5, and E6, the difference from the unit blocks E3 and E4 is explained. The unit blocks E1 and E2 are antireflection film formation modules instead of the resist film formation module 108 is provided. In the antireflection film formation module, a liquid chemical for forming an antireflection film is supplied to the wafer (W). The unit blocks E5 and E6 have a developing module instead of the resist film forming module 108 . The developing module supplies a developing solution as a chemical to the surface of the wafer W, develops the exposed resist film according to a predetermined pattern in the exposure unit D5, and forms a resist pattern. Except for this difference, the unit blocks E1 to E6 are configured similarly to each other. In FIG. 22, conveyance mechanisms of each unit block E1 to E6 are indicated as F1 to F6.

액 처리 블록(D3)에서의 전방측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 설치되는 각 모듈에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(111)가 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 각종 모듈을 구비하고 있지만, 편의상, 수수 모듈(TRS) 이외의 모듈의 설명을 생략한다. 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 높이에 설치되는 수수 모듈(TRS)은, 당해 단위 블록(E1 내지 E6)의 각 반송 기구(F1 내지 F6)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고받을 수 있다.On the front side of the liquid processing block D3, wafers W are transferred to and from a tower T1 extending vertically across each of the unit blocks E1 to E6 and each module installed in the tower T1. An elevating transport mechanism 111 for doing so is provided. Although the tower T1 has various modules stacked on top of each other, description of modules other than the delivery module TRS is omitted for convenience. The transfer module TRS installed at each height of the unit blocks E1 to E6 can transfer and receive wafers W between the transfer mechanisms F1 to F6 of the unit blocks E1 to E6.

인터페이스 블록(D4)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T2, T3, T4)와, 각 타워(T2 내지 T4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(121 내지 123)를 구비하고 있다. 반송 기구(121)는, 타워(T2)와 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위해서 승강 가능하게 구성되어 있다. 반송 기구(122)는, 타워(T2)와 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위해서 승강 가능하게 구성되어 있다. 반송 기구(123)는, 타워(T2)와 노광기(D5)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행한다. 타워(T2)는 각종 모듈이 서로 적층되어 형성되지만, 여기에서는 수수 모듈 이외의 모듈의 설명은 생략한다. 또한, 타워(T3), 타워(T4)에도 모듈이 설치되어 있지만, 이들 모듈의 설명도 생략한다.The interface block D4 includes towers T2, T3, and T4 extending vertically across the unit blocks E1 to E6, and a transport mechanism 121 that transports the wafers W with respect to the towers T2 to T4. to 123). The transfer mechanism 121 is configured to be able to move up and down in order to transfer the wafers W to and from the towers T2 and T3. The transfer mechanism 122 is configured to be able to move up and down in order to transfer the wafers W to and from the towers T2 and T4. The transfer mechanism 123 transfers the wafer W between the tower T2 and the exposure machine D5. The tower T2 is formed by stacking various modules, but description of modules other than the delivery module is omitted here. In addition, although modules are also installed in the tower T3 and tower T4, the description of these modules is also omitted.

이 도포, 현상 장치(101) 및 노광기(D5)로 이루어지는 시스템에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로 및 처리에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)로부터 반송 기구(104)에 의해, 연마 처리 블록(D2)의 수수 모듈(TRS11)에 반송되고, 계속해서 반송 기구(106)에 의해 연마 모듈(100)에 반송되어서, 도 7 내지 도 16에서 설명한 바와 같이 연마 처리 및 세정 처리가 행하여진다. 그 후, 반송 기구(106)에 의해, 웨이퍼(W)는 액 처리 블록(D3)에서의 타워(T1)의 수수 모듈(TRS0)에 반송된다.The transfer path and processing of the wafer W in the system including the coating and developing device 101 and the exposure machine D5 will be described. The wafer W is transported from the carrier C to the delivery module TRS11 of the polishing processing block D2 by the transport mechanism 104, and then to the polishing module 100 by the transport mechanism 106. After being transported, polishing treatment and cleaning treatment are performed as described in FIGS. 7 to 16 . Thereafter, the wafer W is transported to the delivery module TRS0 of the tower T1 in the liquid processing block D3 by the transport mechanism 106 .

이 수수 모듈(TRS0)로부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)에 할당되어서 반송된다. 예를 들어 웨이퍼(W)를 단위 블록(E1)에 주고받을 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E1)에 대응하는 수수 모듈(TRS1)(반송 기구(F1)에 의해 웨이퍼(W)의 수수가 가능한 수수 모듈)에 대하여, 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 또한 웨이퍼(W)를 단위 블록(E2)에 주고받을 경우에는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS) 중, 단위 블록(E2)에 대응하는 수수 모듈(TRS2)에 대하여 상기 TRS0으로부터 웨이퍼(W)가 전달된다. 이들 웨이퍼(W)의 수수는 반송 기구(111)에 의해 행하여진다.From this transfer module TRS0, wafers W are transferred after being assigned to unit blocks E1 and E2. For example, when the wafer W is transferred to and received from the unit block E1, among the transfer modules TRS of the tower T1, the transfer module TRS1 corresponding to the unit block E1 (transfer mechanism F1) The wafer (W) is transferred from the TRS0 to a transfer module capable of transferring the wafer (W). In addition, when the wafer W is transferred to and received from the unit block E2, among the transfer modules TRS of the tower T1, the transfer module TRS2 corresponding to the unit block E2 is transferred from the TRS0 to the transfer module TRS. ) is transmitted. Transfer of these wafers W is performed by the transport mechanism 111 .

이렇게 할당된 웨이퍼(W)는, TRS1(TRS2)→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→TRS1(TRS2)의 순서대로 반송되고, 계속해서 반송 기구(111)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 수수 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 수수 모듈(TRS4)에 할당된다. 이렇게 TRS3, TRS4에 할당된 웨이퍼(W)는, TRS3(TRS4)→레지스트막 형성 모듈(108)→가열 모듈(109)→인터페이스 블록(D4)의 타워(T2)의 수수 모듈(TRS31)(TRS41)의 순서로 반송된다. 그 후, 이 웨이퍼(W)는 반송 기구(121, 123)에 의해 타워(T2, T3) 사이를 반송되어서 노광기(D5)에 반입되고, 당해 노광기(D5)에 설치되는 스테이지(91)에, 도 18 내지 도 20에서 설명한 바와 같이 적재된다. 이 웨이퍼(W)에 노광 샷이 행하여져, 레지스트막이 소정의 패턴을 따라서 노광된다.The wafer W assigned in this way is transported in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film formation module → heating module → TRS1 (TRS2), and then transferred by the conveying mechanism 111 corresponding to the unit block E3. It is allocated to the module TRS3 and the transfer module TRS4 corresponding to the unit block E4. The wafers W allocated to TRS3 and TRS4 in this way are TRS3 (TRS4) → resist film forming module 108 → heating module 109 → transfer module (TRS31) (TRS41) of tower T2 of interface block D4 ) are returned in order. Thereafter, the wafer W is transported between the towers T2 and T3 by the transport mechanisms 121 and 123, and is carried into the exposure machine D5, and onto a stage 91 installed in the exposure machine D5, Loaded as described in Figures 18 to 20. An exposure shot is performed on this wafer W, and the resist film is exposed according to a predetermined pattern.

노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(123, 122)에 의해 타워(T2, T4) 사이를 반송되어서, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(T2)의 수수 모듈(TRS51, TRS61)에 각각 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈→현상 모듈의 순서로 반송되어, 노광기(D5)에서 노광된 패턴을 따라서 레지스트막이 용해하여, 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 타워(T1)의 수수 모듈(TRS5)(TRS6)에 반송되고, 반송 기구(106)에 의해 수수 모듈(TRS12)에 반송된 후, 반송 기구(104)를 통해서 캐리어(C)로 되돌려진다.The exposed wafer W is transported between the towers T2 and T4 by the transport mechanisms 123 and 122 and transferred to the delivery modules TRS51 and TRS61 of the tower T2 corresponding to the unit blocks E5 and E6. are returned to each Thereafter, the wafer W is transported in the order of the heating module to the developing module, the resist film is melted along the pattern exposed in the exposure machine D5, and a resist pattern is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transported to the delivery modules TRS5 (TRS6) of the tower T1, transported to the delivery module TRS12 by the transport mechanism 106, and then passed through the transport mechanism 104. It is returned to the carrier (C).

또한, 연마 장치(1)로서는 상기와 같이 연마 모듈(100)로서 도포, 현상 장치(101)에 내장되는 것에 한정되지는 않으며, 도포, 현상 장치(101)의 외부에 설치되어 있어도 된다. 그 경우, 웨이퍼(W)는 연마 장치(1)에서 처리를 받은 후, 도포, 현상 장치(101)에 반송되어 처리된다. 또한, 도포, 현상 장치(101)에 내장할 경우에도, 연마 모듈(100)로서는 웨이퍼(W)를 노광기(D5)에 반송하기 전에 처리를 행할 수 있으면 되므로, 상기 장소에 설치하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 인터페이스 블록(D4)에 설치해도 된다.The polishing device 1 is not limited to being incorporated in the coating/developing device 101 as the polishing module 100 as described above, but may be installed outside the coating/developing device 101. In this case, the wafer W is processed in the polishing device 1 and then transported to the coating/developing device 101 for processing. In addition, even when incorporated in the coating and developing device 101, the polishing module 100 is not limited to being installed in the above-mentioned place, as long as the polishing module 100 can perform processing before transporting the wafer W to the exposure machine D5. , for example, may be provided in the interface block D4.

계속해서, 상기 연마 처리 블록(D2)에 설치된 휨량 계측 모듈(131)에 대해서 설명한다. 도 23에 도시한 바와 같이, 예를 들어 휨량 계측 모듈(131)은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면의 중심부가 적재되는 스테이지(132)와, 반사형의 레이저 변위 센서(133)를 구비하고 있다. 레이저 변위 센서(133)는, 스테이지(132)에 적재된 웨이퍼(W)의 주위 단부에 도면 중 점선으로 나타내는 바와 같이 레이저광을 조사한다. 그리고, 그 반사광을 수광하여, 이 수광에 따른 검출 신호를 도면 중에 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 제어부(10)에 송신한다. 제어부(10)는, 레이저 변위 센서(133)로부터 웨이퍼(W)의 주위 끝에 이르는 거리(H1)를 취득한다. 이 거리(H1)는, 웨이퍼(W)의 휨에 관한 정보에 상당한다.Subsequently, the deflection amount measurement module 131 installed in the polishing processing block D2 will be described. As shown in FIG. 23, for example, the warpage amount measurement module 131 includes, for example, a stage 132 on which the central portion of the back surface of the wafer W is placed, and a reflective laser displacement sensor 133. are doing The laser displacement sensor 133 irradiates a laser beam to the periphery of the wafer W loaded on the stage 132, as indicated by a dotted line in the drawing. Then, the reflected light is received, and a detection signal corresponding to this light reception is transmitted to the control unit 10 as indicated by a dashed-dotted line in the figure. The control unit 10 obtains a distance H1 from the laser displacement sensor 133 to the peripheral edge of the wafer W. This distance H1 corresponds to information about warpage of the wafer W.

연마 모듈(100)의 제어부(10)에는, 상기 제1 환상 영역을 처리할 때 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 제1 유량과 거리(H1)와의 대응 관계(제1 에어 공급량 대응 관계로 함)와, 상기 제2 환상 영역을 처리할 때 사이클론 패드(7)에 공급되는 에어의 제2 유량과 거리(H1)와의 대응 관계(제2 에어 공급량 대응 관계로 함)가 기억된 메모리가 설치되어 있다.In the controller 10 of the polishing module 100, a correspondence relationship between a first flow rate of air supplied to the cyclone pad 7 and a distance H1 when processing the first annular region (corresponding to a first air supply amount) ), and a memory storing a correspondence between the distance H1 and the second flow rate of air supplied to the cyclone pad 7 when processing the second annular region (referred to as the second air supply amount correspondence relationship) is installed. has been

이 휨량 계측 모듈(131)이 사용되는 경우의 도포, 현상 장치(101)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서, 이미 설명한 반송 경로와의 차이점을 중심으로 설명한다. 캐리어(C)로부터 수수 모듈(TRS11)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 기구(106)에 의해 휨량 계측 모듈(131)에 반송되어, 상기의 거리(H1)가 취득된다. 제어부(10)는, 취득한 거리(H1)와, 제1 에어 공급량 대응 관계와, 제2 에어 공급량 대응 관계에 기초해서 상기 제1 유량 및 제2 유량을 결정한다.The conveying path of the wafer W in the coating and developing apparatus 101 in the case where this warpage amount measuring module 131 is used will be mainly described with a focus on differences from the previously described conveying path. The wafer W transported from the carrier C to the delivery module TRS11 is transported to the warp amount measurement module 131 by the transport mechanism 106, and the distance H1 described above is obtained. The controller 10 determines the first flow rate and the second flow rate based on the acquired distance H1, the first air supply amount correspondence relationship, and the second air supply amount correspondence relationship.

그리고, 웨이퍼(W)는, 휨량 계측 모듈(131)로부터 연마 모듈(100)에 반송되어, 결정된 제1 유량, 제2 유량으로 에어가 사이클론 패드(7)에 공급되어, 당해 웨이퍼(W)의 주연부의 연마 및 세정이 행하여진다. 구체적으로 거리(H1)가 클수록, 제1 유량 및 제2 유량은 큰 값으로 되어, 사이클론 패드(7)에 의한 흡인 압력이 커지도록 처리가 행하여진다. 이렇게 사이클론 패드(7)의 흡인 압력이 제어됨으로써, 웨이퍼(W)의 휨 상태에 의한 영향을 완화하여, 확실하게 웨이퍼(W)의 이면을 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시켜서 처리를 행할 수 있다.Then, the wafer W is transported from the deflection amount measuring module 131 to the polishing module 100, and air is supplied to the cyclone pad 7 at the determined first flow rate and second flow rate, so that the wafer W Polishing and cleaning of the periphery is performed. Specifically, the larger the distance H1, the larger the first flow rate and the second flow rate, and the processing is performed so that the suction pressure by the cyclone pad 7 increases. By controlling the suction pressure of the cyclone pad 7 in this way, the effect of the warped state of the wafer W is mitigated, and the back surface of the wafer W is brought into close contact with the grindstone 63 and the brush 69 to ensure processing. can do

계속해서, 이면 촬상 모듈(141)에 대해서, 개략 구성도인 도 24를 참조하면서 설명한다. 이면 촬상 모듈(141)은, 웨이퍼(W)의 이면 주위 단부를 지지하는 지지부(142)를 구비하고, 지지부(142)는 도시하지 않은 이동 기구에 의해 가로 방향으로 이동한다. 또한, 이면 촬상 모듈(141)에는 카메라(143)가 설치되어 있고, 당해 카메라(143)는, 지지부(142)에 의해 이동하는 웨이퍼(W)의 이면의 일부를 단속적으로 촬상함으로써, 웨이퍼(W)의 이면 전체의 화상 데이터를 취득한다. 이 카메라(143)에 의해 취득된 화상 데이터는, 도면 중 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 제어부(10)에 송신된다. 이 이면 촬상 모듈(141)가 사용될 경우의 반송 경로에 대해서 설명하면, 웨이퍼(W)는 연마 모듈(100)에서 처리된 후, 반송 기구(106)에 의해 이면 촬상 모듈(141)에 반송되어 상기 화상 데이터가 취득된다. 그 후, 액 처리 블록(D3)에 반송된다.Next, the back surface imaging module 141 will be described with reference to Fig. 24, which is a schematic configuration diagram. The back surface imaging module 141 includes a support portion 142 for supporting the peripheral edge of the back surface of the wafer W, and the support portion 142 is moved in the horizontal direction by a moving mechanism (not shown). In addition, a camera 143 is installed in the backside imaging module 141, and the camera 143 intermittently captures a part of the backside of the wafer W moving by the support 142, thereby capturing the wafer W ) Acquire image data of the entire back surface of . The image data obtained by this camera 143 is transmitted to the control unit 10 as indicated by a dashed-dotted line in the figure. Referring to the conveyance route in the case where this backside imaging module 141 is used, the wafer W is processed in the polishing module 100 and then conveyed to the backside imaging module 141 by the conveyance mechanism 106 to Image data is acquired. After that, it is conveyed to the liquid processing block D3.

제어부(10)에서는 취득한 화상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 연마 처리가 적절하게 행하여지고 있는지 여부를 판정하고, 적절하게 행하여지고 있다고 판정했을 경우에는, 후속의 웨이퍼(W)를 선발의 웨이퍼(W)(판정에 사용한 화상 데이터가 취득된 웨이퍼(W))와 마찬가지로 연마 모듈(100)에서 처리한다. 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정했을 경우에는, 제어부(10)를 구성하는 음성 출력부에 의해 소정의 음성 출력을 행하거나, 제어부(10)를 구성하는 모니터에 의해 소정의 화면 표시를 행한다. 즉, 음성이나 화면 표시에 의한 알람을 발하여, 유저에게 이상을 통지한다. 그 밖에, 연마 처리가 적절하게 행하여지지 않았다고 판정했을 경우에는, 예를 들어 사이클론 패드(7)에의 에어의 공급량인 제1 유량, 제2 유량을 각각 소정량 크게 설정하여, 후속의 웨이퍼(W)를 연마 모듈(100)에서 처리하는 경우, 웨이퍼(W)가 지석(63) 및 브러시(69)를 향해서 보다 큰 흡인 압으로 흡인되도록 해도 된다.The control unit 10 determines whether or not the polishing process of the wafer W is appropriately performed from the obtained image data, and when it is determined that the polishing process is appropriately performed, the subsequent wafer W is selected as the wafer W ) (the wafer W from which the image data used for the judgment was acquired) is processed in the polishing module 100. When it is determined that the polishing process has not been properly performed, a predetermined audio output is performed by an audio output unit constituting the control unit 10, or a predetermined screen display is performed by a monitor constituting the control unit 10. That is, an alarm is issued by voice or screen display to notify the user of the abnormality. In addition, when it is determined that the polishing process has not been performed appropriately, for example, the first flow rate and the second flow rate, which are the air supply amounts to the cyclone pad 7, are set to a predetermined amount, respectively, so that the subsequent wafer W In the case of processing in the polishing module 100, the wafer W may be sucked toward the grindstone 63 and the brush 69 with a larger suction pressure.

그런데, 웨이퍼(W)를 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시킴에 있어서, 이미 설명한 각 실시 형태에서는 사이클론 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 하방으로부터 흡인하고 있지만, 그렇게 하방으로부터 흡인하는 것에 한정되지는 않는다. 도 25, 도 26에서는 사이클론 패드(7) 대신에, 유체 토출 패드(151)를 설치한 예를 나타내고 있다. 이 유체 토출 패드(151)는, 스핀 척(12)에 적재되는 웨이퍼(W) 상에 예를 들어 2개 설치되어 있고, 각각 수평인 원형으로 구성되어 있다. 유체 토출 패드(151)에는 순수 공급관(152)의 하류 단이 접속되고, 순수 공급관(152)의 상류 단은 유량 조정부(153)를 통해서 순수 공급원(80)에 접속되어 있다. 유량 조정부(153)는, 제어부(10)로부터의 제어 신호에 기초하여, 순수 공급원(80)으로부터 유체 토출 패드(151)에 공급되는 순수의 유량을 조정한다. 유체 토출 패드(151)의 하부에는 다수의 토출 구멍(154)이 분산해서 배치되어, 공급된 순수를 각 토출 구멍(154)으로부터 연직 하방으로 토출한다.Incidentally, in bringing the wafer W into close contact with the grindstone 63 and the brush 69, in each of the previously described embodiments, the cyclone pad 7 sucks the wafer W from below, but sucks the wafer W from below. not limited to doing 25 and 26 show an example in which a fluid discharge pad 151 is provided instead of the cyclone pad 7 . For example, two fluid discharge pads 151 are installed on the wafer W loaded on the spin chuck 12, and each has a horizontal circular shape. The downstream end of the pure water supply pipe 152 is connected to the fluid discharge pad 151 , and the upstream end of the pure water supply pipe 152 is connected to the pure water supply source 80 through the flow rate controller 153 . The flow rate adjusting unit 153 adjusts the flow rate of pure water supplied from the pure water supply source 80 to the fluid discharge pad 151 based on a control signal from the control unit 10 . A plurality of discharge holes 154 are distributedly disposed under the fluid discharge pad 151, and the supplied pure water is discharged vertically downward from each discharge hole 154.

유체 토출 패드(151)는, 스핀 척(12)에 적재된 웨이퍼(W)를 지석(63), 브러시(69)가 설치된 지지판(64)이 공전해서 처리할 때, 웨이퍼(W)의 중심부에서 이 공전 궤도를 보아, 당해 공전 궤도의 좌측, 우측에 각각 배치되어 있다. 그리고, 평면에서 보아 유체 토출 패드(151)는, 이 공전 궤도의 좌측, 우측의 각 위치에 순수를 토출해서 하방으로 압박한다. 그에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 주연부가 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착해서 연마 및 세정이 행하여진다. 유량 조정부(153)에 의해 유체 토출 패드(151)로부터 토출되는 순수의 유량을 조정하여, 웨이퍼(W)의 하방으로의 압박력을 조정할 수 있다. 따라서, 예를 들어 제1 환상 영역을 처리할 때보다도 제2 환상 영역을 처리할 때의 순수 유량을 크게 해서, 당해 순수에 의한 웨이퍼(W)의 주연부의 압박력을 크게 함으로써, 보다 확실하게 웨이퍼(W)의 주연부를 지석(63) 및 브러시(69)에 밀착시키도록 해도 된다. 또한, 유체 토출 패드(151)로부터 토출하는 유체로서는 순수 등의 액체에 한정되지 않고, 에어 등의 기체이어도 된다.The fluid discharge pad 151 is formed at the center of the wafer W when the support plate 64 on which the grindstone 63 and the brush 69 are installed revolvingly processes the wafer W loaded on the spin chuck 12. Looking at this orbital orbit, they are respectively arranged on the left and right sides of the orbital orbit. Then, in plan view, the fluid discharge pad 151 discharges pure water to each position on the left and right sides of this orbital path and presses it downward. As a result, the periphery of the back surface of the wafer W adheres closely to the grindstone 63 and the brush 69, and polishing and cleaning are performed. By adjusting the flow rate of the pure water discharged from the fluid discharge pad 151 by the flow rate adjusting unit 153, the downward pressing force of the wafer W can be adjusted. Therefore, for example, by increasing the pure water flow rate when processing the second annular region than when processing the first annular region to increase the pressing force of the periphery of the wafer W by the pure water, the wafer ( W) may be brought into close contact with the grindstone 63 and the brush 69. In addition, the fluid discharged from the fluid discharge pad 151 is not limited to liquid such as pure water, and may be gas such as air.

또한, 사이클론 패드(7)에 공급하는 에어의 유량을 휨량 계측 모듈(131)에서 측정된 거리(H1)에 기초하여 결정한 것과 같이, 이 유체 토출 패드(151)에서 공급하는 유체의 유량에 대해서도 거리(H1)에 기초하여 결정하도록 해도 된다. 즉, 거리(H1)와 당해 유체의 유량과의 대응 관계(유체 대응 관계로 함)를, 제어부(10)를 구성하는 메모리에 기억해 두고, 모듈(131)에서 거리(H1)가 취득되면, 당해 거리(H1)와 유체 대응 관계에 기초하여 유체의 유량을 결정한다.In addition, as the flow rate of air supplied to the cyclone pad 7 is determined based on the distance H1 measured by the deflection measurement module 131, the flow rate of the fluid supplied from the fluid discharge pad 151 is also It may be determined based on (H1). That is, when the correspondence relationship between the distance H1 and the flow rate of the fluid (referred to as the fluid correspondence relationship) is stored in the memory constituting the control unit 10 and the distance H1 is obtained in the module 131, the corresponding relationship The flow rate of the fluid is determined based on the correspondence relationship between the distance H1 and the fluid.

또한, 연마 장치(1)에 있어서 세정 기구(62)를 설치하지 않고, 연마 후의 웨이퍼(W)의 세정은, 웨이퍼(W)를 외부의 세정 장치에 반송함으로써 행해도 된다. 단, 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)를 동일한 장치 내에 설치함으로써, 연마 후에 웨이퍼(W)를 세정 장치에 반송할 필요가 없으므로, 연마 개시부터 세정 처리 종료까지의 시간을 줄여서, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 연마 장치(1)에 있어서 연마 기구(61)가 설치되지 않는 장치로서 구성되어도 된다. 즉, 본 발명은 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치로서 구성해도 된다. 이 세정 장치에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 노광기(D5)에 반송하기 전에, 부착되어 있는 이물을 세정해서 제거함으로써, 웨이퍼(W)가 수평으로 스테이지(91)에 적재되게 하도록 사용할 수 있다. 본 발명은 앞서 서술한 각 실시 형태의 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경해도 되며, 각 실시 형태의 구성에 대해서는 서로 조합해도 된다.Further, cleaning of the wafer W after polishing may be performed by conveying the wafer W to an external cleaning device without providing the cleaning mechanism 62 in the polishing device 1 . However, since the polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 are installed in the same device, it is not necessary to transport the wafer W to the cleaning device after polishing, thereby reducing the time from the start of polishing to the end of the cleaning process, thereby increasing the throughput. improvement can be sought. Further, the present invention may be configured as a device in which the polishing mechanism 61 is not provided in the polishing device 1 described above. That is, the present invention may be configured as a cleaning device that cleans the wafer W. This cleaning device can be used so that the wafer W can be placed horizontally on the stage 91 by cleaning and removing adhering foreign matter before conveying the wafer W to the exposure machine D5, for example. . This invention is not limited to the structure of each embodiment mentioned above, You may change suitably, You may combine about the structure of each embodiment mutually.

계속해서 연마 장치의 다른 실시 형태인 연마 장치(201)에 대해서, 연마 장치(1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 27은 연마 장치(201)의 평면도이며, 도 28은 연마 장치(201)의 종단 정면도이다. 이 연마 장치(201)에는 사이클론 패드(7)가 설치되어 있지 않고, 그 대신에 압박 기구(211)가 설치되어 있다. 이 압박 기구(211)는, 웨이퍼(W)에 있어서 지석(63) 및 브러시(69)가 이동하는 영역을, 웨이퍼(W)의 표면측으로부터 이면측을 향해서 압박하여, 지석(63) 및 브러시(69)의 상방을 향한 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형을 억제하여, 이들 지석(63) 및 브러시(69)에 의한 처리가 확실하게 행하여지도록 하기 위한 기구이다.Subsequently, the polishing apparatus 201 as another embodiment of the polishing apparatus will be mainly described with respect to differences from the polishing apparatus 1. 27 is a plan view of the polishing device 201, and FIG. 28 is a longitudinal front view of the polishing device 201. As shown in FIG. The cyclone pad 7 is not installed in this polishing device 201, but a pressing mechanism 211 is installed instead. This pressing mechanism 211 presses the area where the grindstone 63 and the brush 69 move in the wafer W from the front surface side toward the back side of the wafer W, so that the grindstone 63 and the brush It is a mechanism for suppressing the deformation of the wafer W due to the upward pressing of the 69, so that the processing by the grindstone 63 and the brush 69 can be performed reliably.

압박 기구(211)는, 아암(221), 회전 기구(222), 승강 기구(223), 전후 이동 기구(224) 및 압박 부재(225)에 의해 구성되어 있다. 전후 이동 기구(224)는 베이스체(11) 상을 전후로 이동한다. 도면 중 231은, 전후 이동 기구(224)가 이동하기 위한 가이드이다. 이 전후 이동 기구(224)에는 승강 기구(223)가 설치되어 있어, 회전 기구(222)를 승강시킨다. 회전 기구(222)는, 아암(221)의 기단측을 지지함과 함께, 당해 아암(221)을 수직축 주위로 선회시킨다. 압박 부재(225)는 편평한 원기둥형의 부재이며, 아암(221)의 선단 하부에 설치되고, 상기 승강 기구(223)의 동작에 의해 웨이퍼(W)에 맞닿아서 하방, 즉 웨이퍼(W)의 이면 방향으로 압박한다. 또한, 그렇게 웨이퍼(W)의 압박을 행하지 않을 때는, 압박 부재(225)는, 도 27 중에 쇄선으로 나타내는 베이스체(11) 상의 대기 위치에서 대기한다.The pressing mechanism 211 is constituted by an arm 221, a rotating mechanism 222, an elevating mechanism 223, a forward and backward movement mechanism 224, and a pressing member 225. The forward and backward movement mechanism 224 moves forward and backward on the base body 11 . Reference numeral 231 in the drawing is a guide for moving the forward/backward movement mechanism 224 . An elevating mechanism 223 is installed in the forward/backward movement mechanism 224 to elevate the rotation mechanism 222 . The rotating mechanism 222 rotates the arm 221 around a vertical axis while supporting the proximal end of the arm 221 . The pressing member 225 is a flat cylindrical member, is installed below the front end of the arm 221, and comes into contact with the wafer W by the operation of the lifting mechanism 223 to move downward, that is, of the wafer W. press in the opposite direction. In addition, when the wafer W is not pressed in this way, the pressing member 225 stands by at the standby position on the base body 11 indicated by the dotted line in FIG. 27 .

압박 부재(225)에 대해서, 도 29의 사시도 및 도 30의 종단 측면도도 참조하면서 설명한다. 압박 부재(225)는, 당해 압박 부재(225)의 하부측을 이룸과 함께 편평한 원형인 가압부 본체(226)를 구비하고 있다. 가압부 본체(226)의 하면은 웨이퍼(W)에 대향하도록 수평으로 형성되고, 웨이퍼(W)를 압박하기 위한 압박면(230)으로서 구성되어 있다. 가압부 본체(226)는, 후술하는 바와 같이 당해 가압부 본체(226)에 공급되는 세정액에 대하여 흡액성을 갖고, 또한 웨이퍼(W)의 표면에 상처를 입히지 않도록 탄성을 갖는 다공질체에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 가압부 본체(226)는, 예를 들어 PVA(폴리비닐알코올) 등의 수지에 의해 구성된 스펀지에 의해 구성되어 있다. 따라서, 상기 압박면(230)은, 그 전체면에 다수의 구멍부가 분산해서 배치되도록 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경은 예를 들어 300mm이며, 이 예에서는 압박 부재(225)의 직경(L1)(도 27 참조)은 50mm 정도가 되도록 형성되어 있다. 나중에 상세하게 설명하는 바와 같이, 압박 부재(225)의 직경은 이러한 크기로 하는 것에 한정되지는 않는다. 또한, 압박 부재(225)는 상기와 같이 원기둥이기 때문에, 이 압박 부재(225)의 직경(L1)의 크기는, 압박면(230)의 직경의 크기이다.The pressing member 225 will be described with reference also to the perspective view in FIG. 29 and the longitudinal side view in FIG. 30 . The pressing member 225 is equipped with a pressing part main body 226 which forms a lower side of the pressing member 225 and is flat and circular. The lower surface of the pressing unit body 226 is formed horizontally to face the wafer W, and is configured as a pressing surface 230 for pressing the wafer W. As will be described later, the pressurization unit body 226 is constituted by a porous body that has liquid absorption properties for the cleaning liquid supplied to the pressurization unit body 226 and has elasticity so as not to damage the surface of the wafer W. has been More specifically, the pressing part main body 226 is comprised by the sponge comprised by resin, such as PVA (polyvinyl alcohol), for example. Therefore, the pressing surface 230 is configured such that a large number of holes are distributed over the entire surface. In addition, the diameter of the wafer W is, for example, 300 mm, and in this example, the diameter L1 of the pressing member 225 (see Fig. 27) is formed to be about 50 mm. As explained in detail later, the diameter of the pressing member 225 is not limited to this size. In addition, since the pressing member 225 is cylindrical as described above, the size of the diameter L1 of the pressing member 225 is the size of the diameter of the pressing surface 230.

가압부 본체(226)의 상측을 피복하도록 원판 형상의 피복부(227)가 설치되어 있다. 이 피복부(227)는, 예를 들어 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)에 의해 구성되어 있다. 피복부(227)의 중심부는 개구되고, 이 개구에는 PFA(퍼플루오로알콕시 불소 수지)로 이루어지는 순수 공급관(228)의 하단부가 설치되어 있다. 순수 공급관(228)의 상류측은, 순수 공급원(80)에 접속되어 있고, 당해 순수 공급원(80)으로부터 가압부 본체(226)에 순수가 공급된다. 도 30의 실선의 화살표는 가압부 본체(226)에 공급된 순수의 흐름을 나타내고 있으며, 이렇게 공급된 순수는 스펀지의 모세관 현상에 의해 가압부 본체(226) 전체에 침투해서, 피복부(227)가 흡수성을 갖지 않는 것 및 중력의 작용에 의해 하방을 향해서 이동하여, 압박면(230)의 구멍부로부터 웨이퍼(W)에 공급된다. 따라서, 압박면의 구멍부는 순수의 공급구를 이룬다.A disk-shaped covering portion 227 is provided so as to cover the upper side of the pressing portion main body 226 . This covering portion 227 is made of, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene). The central portion of the coating portion 227 is open, and a lower end of a pure water supply pipe 228 made of PFA (perfluoroalkoxy fluororesin) is provided in this opening. The upstream side of the pure water supply pipe 228 is connected to the pure water supply source 80, and pure water is supplied from the pure water supply source 80 to the pressurization unit body 226. 30 shows the flow of the pure water supplied to the pressurizing unit body 226, and the pure water supplied in this way permeates the entire pressurizing unit body 226 by the capillarity of the sponge, and the coating unit 227 is not absorbent and moves downward due to the action of gravity, and is supplied to the wafer W from the hole of the pressing surface 230 . Therefore, the hole portion of the pressing surface serves as a pure water supply port.

도 30의 점선의 화살표 끝에는, 압박 부재(225)에 의해 압박되는 웨이퍼(W)의 표면을 확대해서 나타내고 있다. 이 압박 부재(225)에 의한 웨이퍼(W)의 압박 중에는, 가압부 본체(226)에 순수가 공급됨으로써, 당해 가압부 본체(226)와 웨이퍼(W)의 표면과의 사이에 순수(240)의 액막이 개재한 상태가 된다. 이렇게 액막이 형성되어 압박이 행해짐으로써, 이미 설명한 바와 같이 이면측으로부터의 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형이 억제됨과 함께, 웨이퍼(W)의 표면의 세정이 행하여져, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 연마 칩 등의 이물이 제거된다.At the tip of the arrow of the dotted line in FIG. 30 , the surface of the wafer W pressed by the pressing member 225 is shown in an enlarged manner. During pressing of the wafer W by the pressing member 225, pure water is supplied to the pressing unit main body 226, so that pure water 240 is supplied between the pressing unit main body 226 and the surface of the wafer W. It is in a state where the liquid film of is interposed. By forming the liquid film and applying pressure in this way, as described above, the deformation of the wafer W due to the pressing from the back side is suppressed, and the surface of the wafer W is cleaned and adhered to the surface of the wafer W. Foreign substances such as polished chips are removed.

또한, 아암(221)에는, 압박 부재(225)와는 별개로 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 토출하는 표면 세정 노즐(232)이 설치되어 있고, 당해 표면 세정 노즐(232)은, 배관을 통해서 순수 공급원(80)에 접속되어 있다. 압박 부재(225)에 의한 웨이퍼(W)의 압박 중에, 이 표면 세정 노즐(232)로부터 순수가 토출되고, 이 순수의 작용에 의해서도 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 이물이 제거된다. 그렇게 이물을 제거하는 목적을 위해, 표면 세정 노즐(232)은, 웨이퍼(W)의 외측을 향하도록 순수를 웨이퍼(W) 상에 토출한다. 도 27 중의 점선의 화살표는, 이 순수의 토출 방향을 나타내고 있다. 또한, 도면 중의 점 P3은, 토출된 순수가 웨이퍼(W)에 착액되는 위치의 일례를 나타낸 것이다.In addition, the arm 221 is provided with a surface cleaning nozzle 232 that discharges pure water to the surface of the wafer W separately from the pressing member 225, and the surface cleaning nozzle 232 passes through a pipe. It is connected to a source of pure water (80). While the wafer W is being pressed by the pressing member 225, pure water is discharged from the surface cleaning nozzle 232, and foreign matter adhering to the surface of the wafer W is also removed by the action of the pure water. For the purpose of removing such foreign matter, the surface cleaning nozzle 232 discharges pure water onto the wafer W toward the outside of the wafer W. The arrow of the dotted line in FIG. 27 indicates the discharge direction of this pure water. Point P3 in the figure represents an example of a position where the discharged pure water lands on the wafer W.

연마 장치(201)의 동작 일례에 대해서, 연마 장치(1)의 동작과의 차이점을 중심으로, 도 31 내지 도 33에서의 장치의 상면도와, 도 34 내지 도 36에서의 장치의 측면도를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 8에서 설명한 바와 같이 고정 척(35)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 연마 기구(61)의 지석(63)이 눌려짐과 함께, 압박 부재(225)가, 그 중심이 연마 기구(61)의 공전축(P2)에 겹친 상태로 하강하고, 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여 웨이퍼(W)를 압박한다. 그리고, 가압부 본체(226)에 순수(240)가 공급됨과 함께 표면 세정 노즐(232)로부터 순수(240)가 토출된다. 한편, 도 8에서 설명한 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전이 행하여져, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 연마가 행하여진다(도 31, 도 34). 상기와 같이 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 평면에서 보아 지석(63)이 통과하는 영역을 압박 부재(225)가 압박한다.For an example of the operation of the polishing device 201, while referring to the top view of the device in FIGS. 31 to 33 and the side view of the device in FIGS. 34 to 36, focusing on differences from the operation of the polishing device 1, Explain. First, as described with reference to FIG. 8 , while the grindstone 63 of the grinding mechanism 61 is pressed to the central portion of the back surface of the wafer W held by the fixed chuck 35, the pressing member 225 It descends with its center overlapping the revolving axis P2 of the polishing tool 61, and presses the wafer W against the grindstone 63 with the wafer W interposed therebetween. Then, the pure water 240 is supplied to the pressing unit body 226 and the pure water 240 is discharged from the surface cleaning nozzle 232 . On the other hand, rotation and revolution of the support plate 64 of the polishing mechanism 61 described in FIG. 8 are performed, and polishing of the central portion of the back surface of the wafer W is performed (FIGS. 31 and 34). By disposing the pressing member 225 as described above, the pressing member 225 presses the region through which the grindstone 63 passes in plan view.

계속해서, 도 9에서 설명한 바와 같이 지석(63) 대신에, 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면에 눌려져서, 세정 기구(62)의 지지판(64)이 자전 및 공전하여, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부를 당해 브러시(69)가 찰과해서 세정한다. 웨이퍼(W)의 표면 중앙부에서는 계속해서 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여진다. 그 후, 가압부 본체(226) 및 표면 세정 노즐(232)로부터의 순수(240)의 공급이 일단 정지하고, 웨이퍼(W)는 고정 척(35)으로부터 스핀 척(12)에 전달된다. 이 수수 중에는, 압박 부재(225)는 웨이퍼(W) 표면 상으로부터 퇴피되어 있다.Subsequently, as described in FIG. 9 , instead of the grindstone 63, the brush 69 is pressed against the back surface of the wafer W, so that the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 rotates and revolves, and the wafer W ), the brush 69 scratches and cleans the central portion of the back surface. On the central portion of the surface of the wafer W, pressing by the pressing member 225 continues. After that, the supply of the pure water 240 from the pressing unit body 226 and the surface cleaning nozzle 232 is temporarily stopped, and the wafer W is transferred from the fixed chuck 35 to the spin chuck 12 . During this transfer, the pressing member 225 is retracted from the surface of the wafer W.

그 후, 연마 및 세정이 이미 행하여진 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부에 인접하는 영역에 연마 기구(61)의 지석(63)이 눌려짐과 함께, 그 중심이 예를 들어 연마 기구(61)의 공전축(P2)에 겹치도록 위치한 압박 부재(225)가 하강하고, 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여 웨이퍼(W)를 압박한다. 그리고, 압박 부재(225)에 순수(240)가 공급됨과 함께 표면 세정 노즐(232)로부터 순수(240)가 토출된다. 한편, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 자전 및 공전과, 스핀 척(12)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이 행하여져 연마가 행하여진다(도 32).After that, the grindstone 63 of the polishing mechanism 61 is pressed into the region adjacent to the central portion of the back surface of the wafer W where polishing and cleaning have already been performed, and the center thereof is, for example, the polishing mechanism 61 The pressing member 225 positioned so as to overlap the revolving axis P2 of the wafer descends and presses the wafer W against the grindstone 63 with the wafer W interposed therebetween. Then, while the pure water 240 is supplied to the pressing member 225, the pure water 240 is discharged from the surface cleaning nozzle 232. On the other hand, polishing is performed by rotation and revolution of the support plate 64 of the polishing mechanism 61 and rotation of the wafer W by the spin chuck 12 (FIG. 32).

그 후, 예를 들어 상기 지지판(64)의 공전 중심과 압박 부재(225)가 서로의 위치 관계를 보유 지지한 채, 연마 기구(61) 및 당해 압박 부재(225)가 후방으로 직선 이동해서 웨이퍼(W)의 주연부를 향한다(도 35). 그리고, 공전하는 지석(63)의 가장 웨이퍼(W)의 외측 근방의 끝이 웨이퍼(W)의 주위 끝보다 약간 내측에 위치하면, 연마 기구(61)의 후퇴가 정지한다. 즉, 상방에서 보아, 지석(63)이 웨이퍼(W)로부터 비어져 나오지 않는 위치에서 연마 기구(61)의 후퇴가 정지한다. 압박 부재(225)에 대해서는 계속해서 후퇴하여, 당해 압박 부재(225)의 후방측 단부가 웨이퍼(W)보다도 외측에 위치하면, 당해 압박 부재(225)의 후퇴 이동이 정지한다(도 33, 도 36). 이렇게 압박 부재(225)의 일부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치했을 때도, 평면에서 보아 지석(63)이 통과하는 영역을 압박 부재(225)가 압박한 상태로 되어 있다.After that, for example, the polishing mechanism 61 and the pressing member 225 are linearly moved backward while the rotational center of the support plate 64 and the pressing member 225 hold the positional relationship with each other, and the wafer toward the periphery of (W) (FIG. 35). Then, when the tip of the revolving grindstone 63 closest to the outer side of the wafer W is located slightly inside the circumference of the wafer W, the retraction of the polishing mechanism 61 is stopped. That is, when viewed from above, the retraction of the polishing tool 61 is stopped at a position where the grindstone 63 does not protrude from the wafer W. The pressing member 225 continues to retreat, and when the rear end of the pressing member 225 is located outside the wafer W, the retreating movement of the pressing member 225 stops (FIG. 33, FIG. 36). Even when a part of the pressing member 225 is located outside the wafer W, the pressing member 225 presses the area through which the grindstone 63 passes in plan view.

이미 설명한 바와 같이 압박 부재(225)를 구성하는 압박면(230) 전체에 구멍이 형성되어, 압박면(230) 전체로부터 순수(240)가 공급되고 있기 때문에, 그렇게 단부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치하도록 압박 부재(225)가 이동하는 것은, 순수(240)를 공급하는 구멍의 일부가 웨이퍼(W)의 외측에 위치하는 것이며, 웨이퍼(W)의 외측에 위치한 구멍으로부터 웨이퍼(W)의 측면에 순수(240)가 공급되게 된다. 또한, 압박 부재(225)의 웨이퍼(W)의 외측에 위치한 부위는, 당해 압박 부재(225)가 갖는 복원력에 의해 웨이퍼(W)의 하방을 향해서 돌출되어, 웨이퍼(W)의 측면에 맞닿는다. 이렇게 세정액의 공급과 압박 부재(225)의 맞닿음이 행해짐으로써 웨이퍼(W)의 측면이 세정된다. 여기에서 설명하는 웨이퍼(W)의 측면에는 수직면 이외에, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 외측을 향해서 하강하는 경사면, 소위 베벨도 포함된다. 또한, 이미 설명한 위치에서 연마 기구(61)가 후퇴를 정지함으로써, 이렇게 웨이퍼(W)의 측방에 돌출된 압박 부재(225)를 연마해버리는 것을 방지할 수 있다.As described above, holes are formed in the entire pressing surface 230 constituting the pressing member 225, and pure water 240 is supplied from the entire pressing surface 230, so that the end portion is outside the wafer W. The reason why the pressing member 225 moves so as to be positioned at is that a part of the hole for supplying the pure water 240 is positioned outside the wafer W, and a portion of the hole positioned outside the wafer W is positioned on the outside of the wafer W. Pure water 240 is supplied to the side. In addition, a portion of the pressing member 225 located outside the wafer W protrudes downward from the wafer W due to the restoring force of the pressing member 225 and comes into contact with the side surface of the wafer W. . By supplying the cleaning liquid and contacting the pressing member 225 in this way, the side surface of the wafer W is cleaned. The side surface of the wafer W described herein includes, in addition to a vertical surface, an inclined surface descending from the surface of the wafer W toward the outside, a so-called bevel. Further, by stopping the retraction of the polishing mechanism 61 at the previously described position, it is possible to prevent the pressing member 225 protruding from the side of the wafer W from being polished.

그 후, 지석(63), 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)로부터 이격됨과 함께, 웨이퍼(W)의 표면에의 순수(240)의 공급 및 웨이퍼(W)의 회전이 일단 정지하고, 연마 처리가 종료된다. 그 후, 세정 기구(62)가 연마 기구(61)와 마찬가지의 동작을 행함과 함께 웨이퍼(W)의 회전이 재개되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역에 대해서 세정이 행하여진다. 이렇게 세정이 행하여질 때, 압박 부재(225)는 도 32, 도 33, 도 35, 도 36에서 설명한 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역의 연마가 행하여질 때와 마찬가지의 동작을 행한다. 즉, 연마 시의 지석(63)과 압박 부재(225)와의 위치 관계와 마찬가지의 위치 관계가 되도록, 세정 기구(62)의 브러시(69)와 압박 부재(225)의 동작이 제어되어 처리가 행하여진다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에는 압박 부재(225)와 표면 세정 노즐(232)에 의해 순수가 공급된다. 그리고, 이 웨이퍼(W)의 이면 중앙부의 외측 영역에 대한 세정 처리 종료 후에는, 세정 기구(62)의 브러시(69) 및 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)로부터 이격되고, 압박 부재(225) 및 표면 세정 노즐(232)로부터의 순수의 토출이 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 당해 웨이퍼(W)로부터 순수(240)가 원심 탈수되어, 연마 장치(201)에 의한 처리가 종료된다.After that, the grindstone 63 and the pressing member 225 are separated from the wafer W, supply of pure water 240 to the surface of the wafer W and rotation of the wafer W are temporarily stopped, and polishing is performed. Processing ends. Thereafter, the cleaning mechanism 62 performs the same operation as the polishing mechanism 61, and rotation of the wafer W is resumed, and cleaning is performed on the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W. When cleaning is performed in this way, the pressing member 225 performs the same operation as when polishing the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W described in FIGS. 32, 33, 35, and 36 is performed. That is, the operation of the brush 69 and the pressing member 225 of the cleaning mechanism 62 is controlled so as to have the same positional relationship as the positional relationship between the grindstone 63 and the pressing member 225 at the time of polishing, and processing is performed. lose In addition, pure water is supplied to the surface of the wafer W by the pressing member 225 and the surface cleaning nozzle 232 . Then, after the cleaning process for the outer region of the central portion of the back surface of the wafer W is finished, the brush 69 and the pressing member 225 of the cleaning mechanism 62 are separated from the wafer W, and the pressing member 225 ) and the discharge of pure water from the surface cleaning nozzle 232 stops, the pure water 240 is centrifuged from the wafer W by the rotation of the wafer W, and the processing by the polishing device 201 ends. do.

이 연마 장치(201)에 의하면, 상기와 같이 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마할 때 및 중앙부의 외측 영역을 연마할 때의 양쪽에 있어서, 연마 기구(61)의 지지판(64)의 공전 궤도 상에 압박 부재(225)가 위치한다. 더욱 상세하게 설명하면, 평면에서 보았을 때, 당해 지지판(64)의 공전 및 자전에 의해 지석(63)이 이동하는 영역에 겹치는 영역을 압박 부재(225)가 압박하게 된다. 따라서, 지석(63)의 압박에 의한 웨이퍼(W)의 변형이 억제되어 웨이퍼(W)의 형상이 수평으로 되도록 보유 지지됨으로써, 웨이퍼(W)의 이면이 당해 지석(63)에 확실하게 밀착해서 연마된다. 또한, 세정 처리를 행하는 경우에 대해서도 연마 시와 마찬가지로 압박 부재(225)가 배치됨으로써, 세정 기구(62)의 지지판(64)의 공전 궤도 상에 압박 부재(225)가 배치되어 웨이퍼(W)를 압박하고, 평면에서 보아 브러시(69)가 이동하는 영역에 겹치는 영역을 압박 부재(225)가 압박하기 때문에, 웨이퍼(W)의 이면이 브러시(69)에 확실하게 밀착해서 찰과된다.According to this polishing device 201, since the pressing member 225 is disposed as described above, both when polishing the central portion of the wafer W and when polishing the outer region of the central portion, the polishing mechanism 61 The pressing member 225 is positioned on the orbital orbit of the support plate 64 of the. More specifically, the pressing member 225 presses the area overlapping the area where the grindstone 63 moves due to the rotation and rotation of the supporting plate 64 when viewed in plan. Therefore, the deformation of the wafer W due to the pressing of the grindstone 63 is suppressed and the wafer W is held so that the shape of the wafer W becomes horizontal, so that the back surface of the wafer W firmly adheres to the grindstone 63. polished Also, in the case of performing the cleaning process, the pressing member 225 is disposed similarly to the case of polishing, so that the pressing member 225 is disposed on the orbital orbit of the support plate 64 of the cleaning mechanism 62 to clean the wafer W. Since the pressing member 225 presses the area overlapping the area where the brush 69 moves in plan view, the back surface of the wafer W is firmly adhered to the brush 69 and rubbed.

그런데, 압박 부재(225)의 가압부 본체(226)에는 상기 순수 공급관(228)이 접속되지 않고, 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 압박 중에, 표면 세정 노즐(232)로부터 웨이퍼(W) 표면에 공급된 순수를 가압부 본체(226)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 흡수해서 보유 지지함으로써, 웨이퍼(W)의 세정이 행하여지도록 해도 된다. 그렇게 가압부 본체(226)가 웨이퍼(W) 표면으로부터 흡액할 수 있도록 하기 위해서, 예를 들어 상기의 착액 위치(P3)는, 도 27에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 상류측에서 당해 압박 부재(225)의 부근으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 표면 세정 노즐(232)을 설치하지 않고, 압박 부재(225)에 의해서만 웨이퍼(W)의 표면의 세정을 행해도 된다.However, the pure water supply pipe 228 is not connected to the pressing unit body 226 of the pressing member 225, and while the pressing member 225 is pressing the wafer W, the surface cleaning nozzle 232 releases the wafer W. ), the pressing unit body 226 absorbs pure water supplied to the surface from the surface of the wafer W and holds it, so that the wafer W is cleaned. In order for the pressurizing part main body 226 to absorb liquid from the surface of the wafer W, for example, the above liquid landing position P3 is upstream of the rotational direction of the wafer W, as shown in FIG. 27 . It is preferable to set it as the vicinity of the said pressing member 225 from the side. Alternatively, the surface of the wafer W may be cleaned only by the pressing member 225 without providing the surface cleaning nozzle 232 .

또한 압박 기구(211)에 전후 이동 기구(224)가 설치되지 않아, 압박 부재(225)가 전후 이동하지 않고 처리를 행하도록 해도 된다. 예를 들어 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마 및 세정할 때, 도 27에 실선으로 나타내는 위치에 압박 부재(225)를 배치하고, 당해 압박 부재(225)에 중앙부가 압박되도록 웨이퍼(W)를 고정 척(35)에 의해 보유 지지하도록 한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마 및 세정할 때도, 도 27에 실선으로 나타내는 위치에 압박 부재(225)를 배치하여, 웨이퍼(W)의 주연부가 압박되도록 한다. 즉, 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마 및 세정할 때는, 도 32, 도 35 등에서 설명한 연마 기구(61) 및 세정 기구(62)의 이동에 수반하는 압박 부재(225)의 이동을 행하지 않도록 처리를 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 변형을 적정하게 억제할 수 있도록, 압박 부재(225)의 크기는 적절히 조정한다.Further, the forward/backward movement mechanism 224 may not be provided to the pressing mechanism 211, and the pressing member 225 may perform processing without moving forward/backward. For example, when polishing and cleaning the central portion of the wafer W, a pressing member 225 is placed at a position indicated by a solid line in FIG. 27, and the wafer W is fixed so that the central portion is pressed against the pressing member 225. It is held by the chuck 35. Also, when polishing and cleaning the outer region of the central portion of the wafer W, the pressing member 225 is placed at the position indicated by the solid line in FIG. 27 to press the periphery of the wafer W. That is, when polishing and cleaning the outer region of the central portion of the wafer W, the pressing member 225 does not move along with the movement of the polishing mechanism 61 and the cleaning mechanism 62 described in FIGS. 32 and 35 and the like. processing can be performed. In addition, the size of the pressing member 225 is appropriately adjusted so that deformation of the wafer W can be properly suppressed.

상기 도 31 내지 도 36에서 나타낸 처리 예에서는, 웨이퍼(W)의 중앙부를 압박할 때 가압부(225)를 가로 방향으로 이동시키지 않았지만, 이 중앙부를 압박할 때에 있어서도 압박 부재(225)를 가로 방향으로 이동시켜도 된다. 그런데, 압박 부재(225)의 직경(L1)(도 27 참조)으로서는 상기의 예에 한정되지는 않는다. 도 37에 나타내는 압박 부재(225)의 직경(L1)은 10mm이다. 또한, 예를 들어 압박 기구(211)의 아암(221)에 연마 기구(61)와 마찬가지로 구성된, 압박 부재(225)를 지지하는 지지판(64)을 공전 및 자전시키는 기구를 설치하고, 지지판(64)에 이 도 37에 도시하는 바와 같이 비교적 작은 직경을 갖는 압박 부재(225)를 설치해도 된다. 그리고, 지석(63) 중 1개와 압박 부재(225)가 중첩되어, 서로 동일한 속도로, 동일한 궤적을 그리도록 압박 부재(225)를 이동시키게 해도 된다. 즉, 연마 중에 있어서 지석(63) 중 1개와 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 사이에 두고 항상 대향하도록 처리를 행하게 해도 된다.In the processing examples shown in FIGS. 31 to 36, when the central portion of the wafer W is pressed, the pressing portion 225 is not moved in the horizontal direction, but even when the central portion is pressed, the pressing member 225 is moved in the horizontal direction. may be moved to By the way, the diameter L1 of the pressing member 225 (see Fig. 27) is not limited to the above example. The diameter L1 of the pressing member 225 shown in FIG. 37 is 10 mm. Further, for example, a mechanism for rotating and rotating a support plate 64 configured similarly to the polishing mechanism 61 and supporting the pressing member 225 is installed on the arm 221 of the pressing mechanism 211, and the support plate 64 ), as shown in this FIG. 37, a pressing member 225 having a relatively small diameter may be provided. Then, one of the grindstones 63 and the pressing member 225 may be overlapped, and the pressing member 225 may be moved at the same speed and along the same trajectory. That is, during polishing, the processing may be performed such that one of the grindstones 63 and the pressing member 225 always face each other with the wafer W interposed therebetween.

도 38은, 압박 부재(225)의 직경(L1)이, 도 27에 나타낸 예보다도 약간 큰 80mm인 예를 나타내고 있다. 또한, 도 39는 압박 부재(225)의 직경(L1)을, 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 300mm로 한 예를 나타내고 있다. 즉, 도 39의 압박 부재(225)는 웨이퍼(W)의 표면 전체를 피복한다. 압박 부재(225)가 이 도 39에 도시한 바와 같은 크기를 갖는 경우, 웨이퍼(W)의 중앙부를 연마, 세정할 때 및 웨이퍼(W)의 중앙부의 외측 영역을 연마, 세정할 때 모두, 압박 부재(225)의 중심이 웨이퍼(W)의 중심에 겹치도록 당해 압박 부재(225)기 배치되어서 압박한다. 따라서, 웨이퍼(W)에의 처리 중에 압박 부재(225)는 가로 방향으로 이동하도록 구성되는 것에 한정되지는 않는다.FIG. 38 shows an example in which the diameter L1 of the pressing member 225 is 80 mm, slightly larger than the example shown in FIG. 27 . 39 shows an example in which the diameter L1 of the pressing member 225 is the same as the diameter of the wafer W, 300 mm. That is, the pressing member 225 of FIG. 39 covers the entire surface of the wafer W. When the pressing member 225 has the size shown in FIG. 39, it presses both when polishing and cleaning the central portion of the wafer W and polishing and cleaning the outer region of the central portion of the wafer W. The pressing member 225 is disposed so that the center of the member 225 overlaps the center of the wafer W, and presses it. Therefore, during processing of the wafer W, the pressing member 225 is not limited to being configured to move in the lateral direction.

압박 부재(225)의 직경(L1)이 너무 작으면 충분히 웨이퍼(W)를 압박할 수 없을 우려가 있고, 직경(L1)이 웨이퍼(W)의 직경보다 크면 압박 부재(225)가 불필요한 크기를 갖게 되는 것이기 때문에, 압박 부재(225)의 직경, 즉 당해 압박 부재(225)의 압박면(230)의 직경(L1)은 10mm 내지 300mm로 하는 것이 바람직하다. 또한, 도 31 내지 도 36에서 설명한 바와 같이 압박 부재(225)를 연마 기구(61)의 이동에 따라 가로 방향으로 이동시켜서 처리를 행함으로써, 직경(L1)에 대해서는 비교적 작게, 예를 들어 10mm 내지 100mm로 할 수 있고, 그러한 크기로 한 경우에는, 연마 장치(201)에 있어서 압박 부재(225)를 대기시키는 스페이스를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 그와 같이 압박 부재(225)를 가로 방향으로 이동시킴에 있어서, 이미 설명한 예에서는 전후 이동 기구(224)에 의해 압박 부재(225)를 직선을 따라 이동시키고 있지만, 가로 방향으로의 이동 중에 지지판(64)의 공전 및 자전에 의해 지석(63) 또는 브러시(69)가 이동하는 영역과, 압박 부재(225)에 의해 압박되는 영역이 겹친 상태가 보유 지지되면 되고, 따라서 회전 기구(222)에 의해 곡선을 따라 압박 부재(225)를 이동시켜도 된다.If the diameter L1 of the pressing member 225 is too small, there is a possibility that the wafer W may not be sufficiently pressed. If the diameter L1 is larger than the diameter of the wafer W, the pressing member 225 may have an unnecessary size. Since it is provided, it is preferable that the diameter L1 of the pressing member 225, that is, the pressing surface 230 of the pressing member 225, is 10 mm to 300 mm. Further, as described in FIGS. 31 to 36 , by moving the pressing member 225 in the horizontal direction along with the movement of the polishing tool 61 and performing the treatment, the diameter L1 is relatively small, for example, 10 mm to 10 mm. It can be set to 100 mm, and when set to such a size, it is preferable because the space in which the pressing member 225 waits in the polishing apparatus 201 can be suppressed. In addition, in moving the pressing member 225 in the horizontal direction in this way, in the example already described, the pressing member 225 is moved along a straight line by the back and forth movement mechanism 224, but during movement in the horizontal direction The region where the grindstone 63 or the brush 69 moves due to the revolution and rotation of the support plate 64 and the region pressed by the pressing member 225 need only be held, so that the rotation mechanism 222 You may move the pressing member 225 along a curve by this.

또한 지석(63)이 웨이퍼(W)에 접해서 연마가 행하여지고 있는 기간 내의 모든 시간대에서 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지는 것에 한정되지는 않는다. 즉, 지석(63)이 소정의 위치에 위치할 때만, 압박 부재(225)가 웨이퍼(W)를 사이에 두고 지석(63)에 대향하여, 웨이퍼(W)를 압박하도록 해도 된다. 브러시(69)에 대해서도 소정의 위치에 위치할 때만, 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지도록 해도 된다. 웨이퍼(W)의 주연부는 중심부에 비해서 응력을 받았을 때 변형되기 쉽고, 휨이 발생하기 쉽기 때문에, 지석(63) 및 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 주연부에 위치할 때 적어도 압박 부재(225)에 의한 압박이 행하여지는 것이 바람직하다.In addition, it is not limited to that the pressing by the pressing member 225 is performed at all times within the period during which the grindstone 63 is in contact with the wafer W and polishing is being performed. That is, only when the grindstone 63 is positioned at a predetermined position, the pressing member 225 may oppose the grindstone 63 with the wafer W interposed therebetween to press the wafer W. The pressing by the pressing member 225 may be performed only when the brush 69 is positioned at a predetermined position. Since the periphery of the wafer W is more likely to be deformed and warped when stressed than the central portion, when the grindstone 63 and the brush 69 are positioned at the periphery of the wafer W, at least the pressing member 225 ) is preferably performed.

또한, 압박 부재(225)로서는, 지석(63) 또는 브러시(69)가 웨이퍼(W)의 이면을 상측으로 압박하면서 이동할 때, 당해 지석(63) 또는 브러시(69)에 웨이퍼(W)를 사이에 두고 대향하고 있으면 된다. 즉 평면에서 보아, 지석(63) 및 브러시(69)에 압박 부재(225)가 겹쳐 있으면 된다. 따라서, 압박 부재(225)로서는, 원형인 것에 한정되지는 않으며, 각형이어도 된다. 또한, 압박 부재(225)로서는 그렇게 웨이퍼(W)를 압박할 수 있으면 되기 때문에, 예를 들어 다공질체나 탄성체에 의해 구성되는 것에 한정되지는 않지만, 이미 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 손상을 방지하고, 또한 세정을 행하기 위해서, 다공질체이면서 또한 탄성체에 의해 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 표면 세정 노즐(232) 및 압박 부재(225)로부터 공급하는 세정액으로서는 순수에 한정되지는 않으며, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 막에 영향을 주지 않으면, 예를 들어 유기 용매이어도 된다. 또한, 앞서 서술한 각 실시 형태는 서로 조합하거나 적절히 변형될 수 있다.Further, as the pressing member 225, when the grindstone 63 or the brush 69 moves while pressing the back surface of the wafer W upward, the wafer W is held between the grindstone 63 or the brush 69. You have to put it on and face it. That is, the pressing member 225 should just overlap the grindstone 63 and the brush 69 in planar view. Therefore, the pressing member 225 is not limited to a circular shape, and may be a square shape. In addition, since the pressing member 225 only needs to be able to press the wafer W in this way, it is not limited to being made of, for example, a porous body or an elastic body, but as described above, damage to the wafer W is prevented. In addition, in order to perform cleaning, it is preferable to be composed of a porous body and an elastic body. The cleaning liquid supplied from the surface cleaning nozzle 232 and the pressing member 225 is not limited to pure water, and may be, for example, an organic solvent as long as it does not affect the film formed on the surface of the wafer W. In addition, each embodiment described above can be combined with each other or modified as appropriate.

W : 웨이퍼 1, 201 : 연마 장치
12 : 스핀 척 221 : 압박 기구
225 : 압박 부재 232 : 표면 세정 노즐
3 : 컵 35 : 고정 척
61 : 연마 기구 62 : 세정 기구
63 : 지석 64 : 지지판
69 : 브러시 7 : 사이클론 패드W: wafer 1, 201: polishing device
12: spin chuck 221: compression mechanism
225: pressing member 232: surface cleaning nozzle
3: cup 35: fixed chuck
61: polishing mechanism 62: cleaning mechanism
63: grinding stone 64: support plate
69: brush 7: cyclone pad

Claims (19)

기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
를 포함하고,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
상기 기판의 주연부의 흡인 또는 당해 주연부에의 유체의 공급을 행함으로써, 당해 기판의 주연부의 높이를 규제하는 높이 규제부가 설치되는, 기판 처리 장치.a first holding portion horizontally holding a region not overlapping with a central portion on the back side of the substrate;
a second holding portion that horizontally holds a central portion on the back surface of the substrate and rotates it about a vertical axis;
a sliding member that rotates around a vertical axis in order to perform processing by sliding on the back surface of the substrate;
an orbital mechanism for causing the sliding member during rotation to orbit around a vertical revolution axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
When the substrate is held by the first holding portion, the sliding member slides on the central portion of the back surface of the substrate, and when the substrate is held by the second holding portion, the sliding member rotates. a relative movement mechanism for moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in the horizontal direction so as to slide the periphery of the back surface of the substrate;
including,
When the substrate is held by the second holding part,
A substrate processing apparatus comprising: a height regulating portion for regulating the height of the periphery of the substrate by sucking in the periphery of the substrate or supplying a fluid to the periphery of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 높이 규제부는, 회전하는 상기 기판의 중심에서 상기 미끄럼 이동 부재를 보았을 때, 당해 미끄럼 이동 부재의 좌우 영역에 대하여 각각 흡인을 행하거나, 당해 좌우의 영역에 대하여 각각 유체의 공급을 행하는, 기판 처리 장치.According to claim 1,
When the sliding member is viewed from the center of the rotating substrate, the height control unit performs suction to the left and right regions of the sliding member or supplies fluid to the left and right regions of the sliding member, respectively. Device. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판이 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도는, 상기 기판의 중심부 근방의 제1 위치와, 상기 기판의 주위 단부 근방의 제2 위치에 각각 위치하고,
상기 공전 궤도가, 상기 제1 위치에 위치할 때보다도 상기 제2 위치에 위치할 때의 쪽이, 상기 높이 규제부에서의 흡인 압력 또는 상기 기판에 공급되는 유체의 유량이 더 큰, 기판 처리 장치.According to claim 1 or 2,
When the substrate is held by the second holding part,
The orbital trajectory of the sliding member is located at a first position near the center of the substrate and a second position near the peripheral end of the substrate, respectively;
The substrate processing apparatus in which the suction pressure in the height regulating portion or the flow rate of the fluid supplied to the substrate is greater when the orbital orbit is located at the second position than when it is located at the first position. . 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판의 휨에 관한 정보를 취득하고, 취득한 휨에 관한 정보에 기초하여 상기 높이 규제부에서의 흡인 압력 또는 상기 기판에 공급되는 유체의 유량이 조정되도록 제어 신호를 출력하는 제어부가 설치되는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or 2,
A control unit for acquiring information on warpage of the substrate and outputting a control signal such that the suction pressure in the height regulating unit or the flow rate of the fluid supplied to the substrate is adjusted based on the acquired information on warpage is provided. processing unit. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
를 포함하고,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 공전축은 당해 기판의 중심에 겹치도록 상기 미끄럼 이동 부재의 공전이 행하여지는, 기판 처리 장치.a first holding portion horizontally holding a region not overlapping with a central portion on the back side of the substrate;
a second holding portion that horizontally holds a central portion on the back surface of the substrate and rotates it about a vertical axis;
a sliding member that rotates around a vertical axis in order to perform processing by sliding on the back surface of the substrate;
an orbital mechanism for causing the sliding member during rotation to orbit around a vertical revolution axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
When the substrate is held by the first holding portion, the sliding member slides on the central portion of the back surface of the substrate, and when the substrate is held by the second holding portion, the sliding member rotates. a relative movement mechanism for moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in the horizontal direction so as to slide the periphery of the back surface of the substrate;
including,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein, when the substrate is held by the first holding member, the sliding member is orbited so that the revolution axis overlaps the center of the substrate. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
를 포함하고,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때,
기판의 회전수 및 미끄럼 이동 부재의 공전의 회전수 중, 큰 쪽의 회전수를 작은 쪽의 회전수로 나눈 값은, 정수 이외의 값인, 기판 처리 장치.a first holding portion horizontally holding a region not overlapping with a central portion on the back side of the substrate;
a second holding portion that horizontally holds a central portion on the back surface of the substrate and rotates it about a vertical axis;
a sliding member that rotates around a vertical axis in order to perform processing by sliding on the back surface of the substrate;
an orbital mechanism for causing the sliding member during rotation to orbit around a vertical revolution axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
When the substrate is held by the first holding portion, the sliding member slides on the central portion of the back surface of the substrate, and when the substrate is held by the second holding portion, the sliding member rotates. a relative movement mechanism for moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in the horizontal direction so as to slide the periphery of the back surface of the substrate;
including,
When the substrate is held by the second holding part,
A value obtained by dividing a larger rotational speed by a smaller rotational speed among the rotational speed of the substrate and the rotational speed of the sliding member is a value other than an integer. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 미끄럼 이동 부재는, 상기 기판의 이면을 연마해서 조면화하기 위한 연마 부재에 의해 구성되는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the sliding member is constituted by a polishing member for polishing and roughening the back surface of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 연마 부재에 의해 조면화된 영역을 찰과해서 세정하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 세정 부재와,
자전 중의 상기 세정 부재를 연직인 공전축 주위로 공전시키는 세정부용 공전 기구,
를 포함하고,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 세정 부재가 상기 기판의 중앙부를 찰과하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 세정 부재가 회전하는 상기 기판의 주연부를 찰과하는, 기판 처리 장치.According to claim 7,
a cleaning member that rotates around a vertical axis to scrape and clean the area roughened by the polishing member;
an orbiting mechanism for a cleaning unit that causes the cleaning member during rotation to revolve around a vertical revolving axis;
including,
of the substrate in which the cleaning member scratches the central portion of the substrate when the substrate is held by the first holding portion and the cleaning member rotates when the substrate is held by the second holding portion. A substrate processing apparatus that scratches the periphery. 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 제2 보유 지지부와,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위해서 연직축 주위로 자전하는 미끄럼 이동 부재와,
자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공전 기구와,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하고, 상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때 상기 미끄럼 이동 부재가 회전하는 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록, 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키기 위한 상대 이동 기구,
를 포함하고,
상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판을 미끄럼 이동할 때 상기 기판의 변형을 억제하기 위해서, 상기 기판의 표면측에서 이면측으로 당해 기판을 압박하는 압박 기구가 설치되고,
상기 압박 기구는,
상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재에 대향해서 당해 기판을 압박하기 위한 압박면을 포함하는 압박 부재와,
상기 압박 부재를 승강시키는 승강 기구,
를 포함하는, 기판 처리 장치.a first holding portion horizontally holding an area not overlapping with a central portion on the back side of the substrate;
a second holding portion that horizontally holds a central portion on the back surface of the substrate and rotates it about a vertical axis;
a sliding member that rotates around a vertical axis in order to perform processing by sliding on the back surface of the substrate;
an orbital mechanism for causing the sliding member during rotation to orbit around a vertical revolution axis so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
When the substrate is held by the first holding portion, the sliding member slides on the central portion of the back surface of the substrate, and when the substrate is held by the second holding portion, the sliding member rotates. a relative movement mechanism for moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in the horizontal direction so as to slide the periphery of the back surface of the substrate;
including,
In order to suppress deformation of the substrate when the sliding member slides on the substrate, a pressing mechanism for pressing the substrate from the front surface side to the rear surface side of the substrate is provided,
The compression mechanism,
a pressing member including a pressing surface for pressing the substrate against the sliding member with the substrate interposed therebetween;
an elevating mechanism for elevating the pressing member;
Including, the substrate processing apparatus. 제9항에 있어서,
상기 압박면에는, 상기 기판을 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 설치되고,
상기 압박면은, 상기 세정액이 공급된 상기 기판의 표면을 압박하는, 기판 처리 장치.According to claim 9,
A cleaning liquid supply port for supplying a cleaning liquid for cleaning the substrate is provided on the pressing surface;
The pressing surface presses the surface of the substrate to which the cleaning liquid is supplied. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 압박 기구는,
상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도가 상기 기판의 중심부측과 주연부측과의 사이에서 이동할 때, 상기 압박 부재를 상기 기판의 중심부측과 주연부측과의 사이에서 이동시켜, 상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재와 상기 압박 부재가 대향하는 상태를 유지하기 위한 가로 방향 이동 기구를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 9 or 10,
The compression mechanism,
When the orbital trajectory of the sliding member moves between the center side and the periphery side of the substrate, the urging member is moved between the center side and the periphery side of the substrate so as to slide the substrate between them. A substrate processing apparatus comprising: a lateral movement mechanism for maintaining a state in which a movement member and the pressing member oppose each other. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 압박면은 탄성을 갖는 다공질체에 의해 구성되는, 기판 처리 장치.The method of claim 9 or 10,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the pressing surface is constituted by a porous body having elasticity. 제12항에 있어서,
상기 압박면에는, 상기 기판을 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급구가 설치되고,
상기 세정액 공급구는 상기 다공질체의 구멍부이며,
가로 방향 이동 기구가 설치되고,
상기 기판의 측면을 세정하기 위해서 당해 가로 방향 이동 기구는, 상기 기판을 압박한 상태의 상기 압박 부재를, 상기 압박면의 일부가 당해 기판의 외측에 위치하도록 이동시키는, 기판 처리 장치.According to claim 12,
A cleaning liquid supply port for supplying a cleaning liquid for cleaning the substrate is provided on the pressing surface;
The washing liquid supply port is a hole portion of the porous body,
A transverse movement mechanism is installed,
In order to clean the side surface of the substrate, the horizontal movement mechanism moves the pressing member in a state of pressing the substrate so that a part of the pressing surface is positioned outside the substrate. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 압박면은 원형이며, 당해 압박면의 직경은 10mm 내지 100mm인, 기판 처리 장치.The method of claim 9 or 10,
The pressing surface is circular, and the diameter of the pressing surface is 10 mm to 100 mm. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 높이 규제부에 의해, 상기 기판의 주연부의 흡인 또는 당해 주연부에의 유체의 공급을 행함으로써, 당해 기판의 주연부의 높이를 규제하는 공정,
을 포함하는, 기판 처리 방법.a step of horizontally holding a region on the back surface of the substrate that does not overlap with the center portion by the first holding portion;
a step of horizontally holding the central portion on the back surface of the substrate by a second holding portion and rotating it about a vertical axis;
a step of rotating a sliding member for processing by sliding the back surface of the substrate around a vertical axis;
A step of making the sliding member during rotation orbit around a vertical revolution axis by an orbiting mechanism so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
A step of moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in a horizontal direction by a relative movement mechanism;
a step of causing the sliding member, which rotates on its own, to revolve so as to slide the central portion of the back surface of the substrate when the substrate is held by the first holding portion;
a step of causing the sliding member to revolve so as to slide the periphery of the back surface of the substrate when the substrate is held by the second holding unit;
A step of regulating the height of the periphery of the substrate by suctioning the periphery of the substrate or supplying a fluid to the periphery of the substrate by a height regulating portion while the substrate is being held by the second holding portion;
Including, a substrate processing method. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
을 포함하고,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정은, 상기 공전축이 당해 기판의 중심에 겹치도록, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.a step of horizontally holding a region on the back surface of the substrate that does not overlap with the center portion by the first holding portion;
a step of horizontally holding the central portion on the back surface of the substrate by a second holding portion and rotating it about a vertical axis;
a step of rotating a sliding member for processing by sliding the back surface of the substrate around a vertical axis;
A step of making the sliding member during rotation orbit around a vertical revolution axis by an orbiting mechanism so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
A step of moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in a horizontal direction by a relative movement mechanism;
a step of causing the sliding member, which rotates on its own, to revolve so as to slide the central portion of the back surface of the substrate when the substrate is held by the first holding portion;
a step of causing the sliding member to revolve so as to slide the periphery of the back surface of the substrate when the substrate is held by the second holding portion;
including,
When the substrate is held by the first holding unit, the step of orbiting the sliding member includes a step of orbiting the sliding member so that the orbiting axis overlaps the center of the substrate. , Substrate processing method. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
을 포함하고,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재를 공전시키는 공정에 있어서, 기판의 회전수 및 미끄럼 이동 부재의 공전의 회전수 중, 큰 쪽의 회전수를 작은 쪽의 회전수로 나눈 값은, 정수 이외의 값인, 기판 처리 방법.a step of horizontally holding a region on the back surface of the substrate that does not overlap with the center portion by the first holding portion;
a step of horizontally holding the central portion on the back surface of the substrate by a second holding portion and rotating it about a vertical axis;
a step of rotating a sliding member for processing by sliding the back surface of the substrate around a vertical axis;
A step of making the sliding member during rotation orbit around a vertical revolution axis by an orbiting mechanism so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
A step of moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in a horizontal direction by a relative movement mechanism;
a step of causing the sliding member, which rotates on its own, to revolve so as to slide the central portion of the back surface of the substrate when the substrate is held by the first holding portion;
a step of causing the sliding member to revolve so as to slide the periphery of the back surface of the substrate when the substrate is held by the second holding portion;
including,
In the step of making the sliding member orbit when the substrate is held by the second holding unit, the higher rotational speed of the rotational speed of the substrate and the rotational speed of the sliding member is set to the smaller rotational speed. The value divided by the number of rotations is a value other than an integer. 제1 보유 지지부에 의해, 기판의 이면에서의 중앙부와는 겹치지 않는 영역을 수평으로 보유 지지하는 공정과,
제2 보유 지지부에 의해, 상기 기판의 이면에서의 중앙부를 수평으로 보유 지지하여, 연직축 주위로 회전시키는 공정과,
상기 기판의 이면을 미끄럼 이동해서 처리를 행하기 위한 미끄럼 이동 부재를 연직축 주위로 자전시키는 공정과,
공전 기구에 의해, 자전 중의 상기 미끄럼 이동 부재를 연직인 공전축 주위로, 당해 미끄럼 이동 부재의 직경보다도 작은 공전 반경을 갖도록 공전시키는 공정과,
상대 이동 기구에 의해 상기 기판과 상기 미끄럼 이동 부재의 공전 궤도와의 상대 위치를 수평 방향으로 이동시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제1 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 자전하는 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 중앙부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정과,
상기 기판이 상기 제2 보유 지지부에 보유 지지되어 있을 때, 상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판의 이면의 주연부를 미끄럼 이동하도록 공전시키는 공정,
상기 미끄럼 이동 부재가 상기 기판을 미끄럼 이동할 때 상기 기판의 변형을 억제하기 위해서, 상기 기판을 사이에 두고 상기 미끄럼 이동 부재에 대향해서 당해 기판을 압박하기 위한 압박면을 포함하는 압박 부재와 상기 압박 부재를 승강시키는 승강 기구를 포함하는 압박 기구에 의해, 상기 기판의 표면측에서 이면측으로 당해 기판을 압박하는 공정,
을 포함하는, 기판 처리 방법.a step of horizontally holding a region on the back surface of the substrate that does not overlap with the center portion by the first holding portion;
a step of horizontally holding the central portion on the back surface of the substrate by a second holding portion and rotating it about a vertical axis;
a step of rotating a sliding member for processing by sliding the back surface of the substrate around a vertical axis;
A step of making the sliding member during rotation orbit around a vertical revolution axis by an orbiting mechanism so as to have an orbital radius smaller than the diameter of the sliding member;
A step of moving the relative position of the substrate and the orbital orbit of the sliding member in a horizontal direction by a relative movement mechanism;
a step of causing the sliding member, which rotates on its own, to revolve so as to slide the central portion of the back surface of the substrate when the substrate is held by the first holding portion;
a step of causing the sliding member to revolve so as to slide the periphery of the back surface of the substrate when the substrate is held by the second holding portion;
In order to suppress deformation of the substrate when the sliding member slides on the substrate, a pressing member including a pressing surface for pressing the substrate against the sliding member with the substrate interposed therebetween, and the pressing member a step of pressing the substrate from the front surface side to the back side of the substrate by a pressing mechanism including a lifting mechanism for lifting the substrate;
Including, a substrate processing method. 기판의 이면을 미끄럼 이동 부재가 미끄럼 이동해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 사용되는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
상기 프로그램은 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위해서 스텝이 짜여진 프로그램인 기억 매체.A storage medium storing a program used in a substrate processing apparatus in which a sliding member slides on the back surface of a substrate to perform processing,
A storage medium in which the above program is a program composed of steps for executing the substrate processing method according to any one of claims 15 to 18.
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