KR102493182B1 - 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims description 25
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 21
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 14
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000000815 Acheson method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 단결정 성장 장치를 위에서 보았을 때 가로막이 부재 및 개폐 부재를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 있어서, 관측창이열린 모습을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 단결정 성장 장치를 위에서 보았을 때 가로막이 부재 및 개폐 부재를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 개폐 부재를 나타내는 사시도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 단결정 성장 방법을 나타내는 도면들이다.
도 10은 도 9의 단결정 성장 장치의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 단결정 성장 장치를 이용한 단결정 성장 방법을 나타내는 도면이다.
310: 날개부
315: 돌기
320: 회전부
350: 관측창
400: 풀링 샤프트
Claims (12)
- 챔버,
상기 챔버 내부에 위치하는 도가니,
상기 도가니의 상부에 배치되고 관측창을 갖는 가로막이 부재,
상기 가로막이 부재를 관통하는 풀링 샤프트, 및
상기 풀링 샤프트를 중심축으로 하여 회전하는 개폐 부재를 포함하고,
상기 개폐 부재의 회전 및/또는 수직 운동에 따라 상기 개폐 부재가 상기 가로막이 부재의 관측창을 덮도록 하여 보온 구조를 형성하며,
상기 관측창은 상기 도가니를 내부에 포함하는 단열부를 덮는 상기 가로막이 부재에 형성되고,
상기 개폐 부재는 상기 풀링 샤프트를 중심축으로 하여 양측에 각각 형성된 회전부 및 상기 회전부에 연결된 날개부를 포함하는 단결정 성장 장치. - 제1항에서,
상기 회전부는 상기 풀링 샤프트의 수직축을 중심으로 회전하고, 상기 날개부는 상기 회전부에 수직한 방향으로 상기 회전부에 연결되는 단결정 성장 장치. - 제2항에서,
상기 회전부의 회전 및/또는 수직 운동에 따라 상기 날개부가 상기 가로막이 부재에 형성된 관측창을 덮는 단결정 성장 장치. - 제3항에서,
상기 회전부의 회전 및/또는 수직 운동에 따라 상기 날개부가 상기 가로막이 부재의 관측창을 개방하도록 하여 결정 성장 양상을 관측하는 단결정 성장 장치. - 제3항에서,
상기 날개부는 상기 가로막이 부재 바로 위 또는 바로 아래 위치하는 단결정 성장 장치. - 제5항에서,
상기 날개부는 상기 관측창을 완전히 덮는 면적을 갖는 단결정 성장 장치. - 제6항에서,
상기 날개부는 상기 가로막이 부재와 밀착되어 있는 단결정 성장 장치. - 제5항에서,
상기 날개부는 상기 가로막이 부재의 관측창을 향해 돌출된 돌기를 포함하는 단결정 성장 장치. - 제1항에서,
상기 개폐 부재는 단열재 또는 내화재로 형성된 단결정 성장 장치. - 풀링 샤프트 하단에 구비된 종결정이 도가니 내부의 용융액 위에 위치하도록 상기 풀링 샤프트를 이동하는 단계,
상기 도가니를 내부에 포함하는 단열부를, 관측창을 갖는 가로막이 부재로 덮는 단계,
상기 풀링 샤프트를 하강시켜 상기 종결정이 상기 도가니 내부의 용융액으로 이동하여 단결정을 성장시키는 단계; 및
상기 풀링 샤프트를 중심축으로 하는 개폐 부재의 회전 및/또는 수직 운동에 따라 상기 개폐 부재가 상기 가로막이 부재의 관측창을 덮도록 하는 단계를 포함하고,
상기 개폐 부재는 상기 풀링 샤프트를 중심축으로 하여 양측에 각각 형성된 회전부 및 상기 회전부에 연결된 날개부를 포함하는 단결정 성장 방법. - 제10항에서,
상기 단결정 성장을 관찰하기 위해 상기 개폐 부재를 회전 및/또는 수직 운동하여 상기 가로막이 부재의 관측창을 개방하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법. - 제10항에서,
상기 회전부는 상기 풀링 샤프트의 수직축을 중심으로 회전하고, 상기 날개부는 상기 회전부에 수직한 방향으로 상기 회전부에 연결되며,
상기 회전부의 회전 및/또는 수직 운동에 따라 상기 날개부가 상기 가로막이 부재에 형성된 관측창을 덮는 단결정 성장 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190028350A KR102493182B1 (ko) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190028350A KR102493182B1 (ko) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200109177A KR20200109177A (ko) | 2020-09-22 |
KR102493182B1 true KR102493182B1 (ko) | 2023-01-27 |
Family
ID=72706788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190028350A KR102493182B1 (ko) | 2019-03-12 | 2019-03-12 | 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102493182B1 (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016117607A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3307438B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2002-07-24 | 日立化成工業株式会社 | セリウム賦活珪酸ガドリニウム単結晶の製造方法 |
KR102022693B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2019-09-18 | 주식회사 엘지화학 | 탄화규소 단결정의 제조 장치 |
-
2019
- 2019-03-12 KR KR1020190028350A patent/KR102493182B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016117607A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200109177A (ko) | 2020-09-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20190312 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210915 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20190312 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20221110 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20230113 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230125 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
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|
PG1601 | Publication of registration |