KR102486399B1 - Pixel circuit and organic light emitting display device having the same - Google Patents

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Abstract

화소 회로는 캐소드가 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드, 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치, 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 제1 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치, 제2 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치, 및 제1 노드 및 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함한다. 화소 회로는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 구동된다.The pixel circuit includes an organic light emitting diode having a cathode connected to a second power supply, a scan switch having a gate electrode to which a scan signal is applied, a first electrode to which a data voltage is applied, and a second electrode connected to a first node, and a first node. A driving transistor including a gate electrode connected to, a first electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode, a gate electrode to which a first sensing control signal is applied, A first sensing switch having a first electrode connected to a first node and a second electrode connected to a second node, a gate electrode to which a second sensing control signal is applied, a first electrode connected to a third node, and a second electrode connected to a second node. A second sensing switch having a second electrode connected to a power source, a gate electrode to which a light emission control signal is applied, a light emission control switch having a first electrode connected to a first power source and a second electrode connected to a second node, and a storage capacitor connected between the first node and the third node. The pixel circuit is driven in an image display mode and a sensing mode.

Description

화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치{PIXEL CIRCUIT AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}Pixel circuit and organic light emitting display device including the same

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 열화 검출이 가능한 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display device, and more particularly, to a pixel circuit capable of detecting deterioration and an organic light emitting display device including the same.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 장치이다. 상기 유기 발광 표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 화소마다 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도(mobility) 등과 같은 특성 차이가 발생하고, 상기 유기 발광 다이오드의 열화에 따라 화소 간에 휘도 편차 및 잔상이 발생하게 된다.An organic light emitting display device is a device that displays images using organic light emitting diodes. In the organic light emitting diode display, differences in characteristics such as threshold voltage and mobility of driving transistors occur for each pixel due to process variation, etc., and luminance variation and afterimages occur between pixels due to deterioration of the organic light emitting diode. .

종래의 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소 회로들 단위로 배치되는 센싱 라인(또는 레퍼런스 라인)을 통해 상기 화소 회로들에 기준 전압을 인가하고, 화소 행들에 상응하여 인가되는 개별적인 게이트 신호들에 기초하여 센싱 전류를 측정한다. 따라서, 상기 센싱 라인과 데이터 드라이버 내부에 상기 센싱 라인을 위한 버퍼 구동부 등이 필요하고, 상기 게이트 신호들을 생성하기 위한 구동부 회로가 필요하기 때문에 시스템과 구동부의 면적 및 복잡도가 크게 증가하는 단점이 있다. 또한 화소 회로들 각각 또는 상기 유기 발광 다이오드 각각의 전압 및 전류를 측정할 수는 없어 상기 유기 발광 다이오드의 열화 검출이 불가능하다.In a conventional organic light emitting display device, a reference voltage is applied to a plurality of pixel circuits through sensing lines (or reference lines) arranged in units of pixel circuits, and based on individual gate signals applied corresponding to pixel rows, Measure the sensing current. Accordingly, since a buffer driver for the sensing line and a driver circuit for generating the gate signals are required inside the sensing line and the data driver, the area and complexity of the system and the driver greatly increase. Also, it is impossible to measure the voltage and current of each of the pixel circuits or each of the organic light emitting diodes, making it impossible to detect deterioration of the organic light emitting diodes.

본 발명의 일 목적은 글로벌 게이트 신호를 이용하여 센싱 모드에서 구동 트랜지스터 및/또는 유기 발광 다이오드의 열화 검출을 위한 센싱 전류가 출력되는 화소 회로를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a pixel circuit outputting a sensing current for detecting deterioration of a driving transistor and/or an organic light emitting diode in a sensing mode using a global gate signal.

본 발명의 다른 목적은 상기 화소 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including the pixel circuit.

다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned objects, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 화소 회로는 캐소드가 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드, 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치, 상기 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 제1 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치, 제2 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치 및 상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함하고, 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 구동될 수 있다. In order to achieve one object of the present invention, a pixel circuit according to embodiments of the present invention includes an organic light emitting diode having a cathode connected to a second power supply, a gate electrode to which a scan signal is applied, a first electrode to which a data voltage is applied, and a second power source. A scan switch having a second electrode connected to a first node, a gate electrode connected to the first node, a first electrode connected to the second node, and a third node connected to the third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode. A first sensing switch having a driving transistor including two electrodes, a gate electrode to which a first sensing control signal is applied, a first electrode connected to the first node, and a second electrode connected to the second node; A second sensing switch having a gate electrode to which a sensing control signal is applied, a first electrode connected to the third node, and a second electrode connected to the second power source, a gate electrode to which an emission control signal is applied, and a first power source A light emitting control switch having a first electrode connected to and a second electrode connected to the second node, and a storage capacitor connected between the first node and the third node, in an image display mode and a sensing mode. can be driven

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. According to an embodiment, each of the first sensing control signal and the emission control signal may correspond to a global gate signal.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 센싱 제어 신호는 상기 스캔 신호에 상응하고, 상기 스캔 스위치와 상기 제2 센싱 스위치가 동시에 제어될 수 있다. 상기 제2 센싱 제어 신호가 상기 스캔 신호에 상응하는 경우, 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드 또는 순차 발광 모드로 동작할 수 있다. According to an embodiment, the second sensing control signal corresponds to the scan signal, and the scan switch and the second sensing switch may be simultaneously controlled. When the second sensing control signal corresponds to the scan signal, the image display mode may operate in a simultaneous light emitting mode or a sequential light emitting mode.

일 실시예에 의하면, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. According to an embodiment, in the sensing mode, the first sensing switch may maintain a turned-on state, and the emission control switch may maintain a turned-off state.

일 실시예에 의하면, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 제어 신호는 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 가질 수 있다. According to an embodiment, in the sensing mode, the first sensing control signal may have a logic high level and the emission control signal may have a logic low level.

일 실시예에 의하면, 상기 센싱 모드에서, 상기 스캔 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치가 턴 온되면 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 기초하여 데이터 라인에 흐르는 센싱 전류가 검출될 수 있다.According to an embodiment, in the sensing mode, when the scan switch and the second sensing switch are turned on, a sensing current flowing through a data line may be detected based on a gate-source voltage of the driving transistor.

일 실시예에 의하면, 상기 순차 발광 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 오프 상태를 유지하며, 상기 발광 제어 스위치는 턴 온 상태를 유지할 수 있다. According to an embodiment, in the sequential light emission mode, the first sensing switch may maintain a turned-off state, and the light emission control switch may maintain a turned-on state.

일 실시예에 의하면, 상기 동시 발광 모드는 기입 구간 및 동시 발광 구간을 포함할 수 있다. 상기 발광 제어 스위치는 상기 기입 구간에서 턴 오프되고, 상기 동시 발광 구간에서 턴 온되며, 상기 제1 센싱 스위치는 상기 동시 발광 모드에서 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. According to an exemplary embodiment, the simultaneous emission mode may include a writing period and a simultaneous emission period. The light emitting control switch may be turned off in the writing period and turned on in the simultaneous light emitting period, and the first sensing switch may maintain a turned off state in the simultaneous light emitting mode.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호 각각은 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. 상기 센싱 모드는 상기 구동 트랜지스터의 열화 특성을 검출하는 제1 센싱 모드 및 상기 유기 발광 다이오드의 열화 특성을 검출하는 제2 센싱 모드로 구분되며, 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드에 상응할 수 있다. According to an embodiment, each of the first sensing control signal, the second sensing control signal, and the emission control signal may correspond to a global gate signal. The sensing mode is divided into a first sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the driving transistor and a second sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the organic light emitting diode, and the image display mode may correspond to a simultaneous emission mode.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. According to an embodiment, in the first sensing mode, the first sensing switch and the second sensing switch may maintain a turned-on state, and the emission control switch may maintain a turned-off state.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 모드에서, 상기 제1 및 제2 센싱 제어 신호들은 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 가질 수 있다. According to an embodiment, in the first sensing mode, the first and second sensing control signals may have a logic high level and the emission control signal may have a logic low level.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 제2 센싱 스위치 및 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. According to an embodiment, in the second sensing mode, the first sensing switch may maintain a turned-on state, and the second sensing switch and the emission control switch may maintain a turned-off state.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 제어 신호는 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 가질 수 있다. According to an embodiment, in the second sensing mode, the first sensing control signal may have a logic high level, and the second sensing control signal and the emission control signal may have a logic low level. .

일 실시예에 의하면, 상기 제2 센싱 모드에서, 상기 스캔 스위치가 턴 온되면 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 센싱 전류가 데이터 라인을 통해 검출될 수 있다. According to an embodiment, in the second sensing mode, when the scan switch is turned on, a sensing current flowing through the organic light emitting diode may be detected through a data line.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 영상 표시 모드 또는 센싱 모드로 구동되고, 스캔 라인, 데이터 라인, 제1 센싱 제어 라인, 제2 센싱 제어 라인 및 발광 제어 라인에 각각 연결되는 복수의 화소 회로들을 구비하는 표시 패널, 상기 스캔 라인에 스캔 신호를 제공하는 스캔 구동부, 상기 제1 센싱 제어 라인에 제1 센싱 제어 신호를 제공하고, 상기 발광 제어 라인에 발광 제어 신호를 제공하는 글로벌 게이트 구동부, 영상 데이터에 기초하여 상기 데이터 라인에 데이터 전압을 제공하는 데이터 구동부, 상기 데이터 라인을 통해 상기 화소 회로들 각각에 흐르는 센싱 전류를 분석하여 상기 데이터 전압 또는 상기 영상 데이터를 보상하는 제어부 및 제1 전원 및 상기 제1 전원보다 작은 전압 레벨을 갖는 제2 전원을 상기 표시 패널에 제공하는 전원부를 포함할 수 있다. 상기 복수의 화소 회로들 각각은, 캐소드가 상기 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드, 상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치, 상기 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 상기 제1 센싱 제어 라인에 연결되어 상기 제1 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 전극, 상기 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치, 상기 제2 센싱 제어 라인에 연결되어 상기 제2 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 전극, 상기 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치, 상기 발광 제어 라인에 연결되어 상기 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치 및 상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함할 수 있다. In order to achieve one object of the present invention, an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention is driven in an image display mode or a sensing mode, and includes a scan line, a data line, a first sensing control line, a second sensing control line, and A display panel including a plurality of pixel circuits each connected to a light emitting control line, a scan driver providing a scan signal to the scan line, providing a first sensing control signal to the first sensing control line, and providing a scan signal to the light emitting control line. A global gate driver providing a light emission control signal, a data driver providing a data voltage to the data line based on image data, and analyzing a sensing current flowing through the data line to each of the pixel circuits to obtain the data voltage or the image voltage. It may include a controller that compensates for data and a power source that provides first power and second power having a voltage level lower than that of the first power to the display panel. Each of the plurality of pixel circuits includes an organic light emitting diode having a cathode connected to the second power supply, a gate electrode to which the scan signal is applied, a first electrode to which the data voltage is applied, and a second electrode connected to a first node. A driving transistor including a scan switch including a scan switch, a gate electrode connected to the first node, a first electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode; A first sensing switch having a gate electrode connected to the first sensing control line to receive the first sensing control signal, a first electrode connected to the first node, and a second electrode connected to the second node; A second sensing switch having a gate electrode connected to the second sensing control line to receive the second sensing control signal, a first electrode connected to the third node, and a second electrode connected to the second power source; A light emitting control switch including a gate electrode connected to the light emitting control line to which the light emitting control signal is applied, a first electrode connected to a first power source, and a second electrode connected to the second node, and the first node and the light emitting control switch. A storage capacitor connected between the third nodes may be included.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응하고, 상기 제2 센싱 제어 신호는 상기 스캔 신호에 상응할 수 있다. 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드 또는 순차 발광 모드로 동작할 수 있다. According to an embodiment, the first sensing control signal and the emission control signal may each correspond to a global gate signal, and the second sensing control signal may correspond to the scan signal. The image display mode may operate in a simultaneous light emission mode or a sequential light emission mode.

일 실시예에 의하면, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하고, 상기 제어부는 상기 센싱 전류에 기초하여 상기 구동 트랜지스터의 열화를 분석할 수 있다. According to an embodiment, in the sensing mode, the first sensing switch maintains a turn-on state, the emission control switch maintains a turn-off state, and the control unit degrades the driving transistor based on the sensing current. can be analyzed.

일 실시예에 의하면, 상기 글로벌 게이트 구동부가 상기 제2 센싱 신호를 상기 제2 센싱 제어 라인에 제공할 수 있다. 상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. 상기 센싱 모드는 상기 구동 트랜지스터의 열화 특성을 검출하는 제1 센싱 모드 및 상기 유기 발광 다이오드의 열화 특성을 검출하는 제2 센싱 모드를 포함하고, 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드로 동작할 수 있다. According to an embodiment, the global gate driver may provide the second sensing signal to the second sensing control line. Each of the first sensing control signal, the second sensing control signal, and the emission control signal may correspond to a global gate signal. The sensing mode may include a first sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the driving transistor and a second sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the organic light emitting diode, and the image display mode may operate as a simultaneous emission mode.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. According to an embodiment, in the first sensing mode, the first sensing switch and the second sensing switch may maintain a turned-on state, and the emission control switch may maintain a turned-off state.

일 실시예에 의하면, 상기 제2 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 제2 센싱 스위치 및 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 상기 스캔 스위치가 턴 온되면 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 상기 센싱 전류가 검출될 수 있다. According to an embodiment, in the second sensing mode, the first sensing switch may maintain a turned-on state, and the second sensing switch and the emission control switch may maintain a turned-off state. When the scan switch is turned on, the sensing current flowing through the organic light emitting diode may be detected.

본 발명의 실시예들에 따른 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 회로의 열화 검출(또는 외부 열화 보상)을 위한 별도의 센싱 라인 및 게이트 구동부 등의 구성이 제거될 수 있다. 또한, 영상 표시 및 센싱 동작을 제어하는 신호들은 모두 간단한 회로 구성으로부터 출력될 수 있는 글로벌 게이트 신호들(예를 들어, 제1 센싱 제어 신호, 제2 센싱 제어 신호, 발광 제어 신호 중 적어도 하나)에 상응하므로, 스캔 구동부 및 글로벌 게이트 구동부의 면적 및 회로 복잡도가 줄어들 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 표시 장치의 수율 및 신뢰도가 증가될 수 있다. In the pixel circuit and the organic light emitting diode display including the pixel circuit according to embodiments of the present invention, components such as a separate sensing line and a gate driver for detecting deterioration of the pixel circuit (or compensating for external deterioration) may be removed. In addition, signals controlling image display and sensing operations are all global gate signals (eg, at least one of a first sensing control signal, a second sensing control signal, and an emission control signal) that can be output from a simple circuit configuration. Correspondingly, the area and circuit complexity of the scan driver and the global gate driver may be reduced. Thus, yield and reliability of the organic light emitting display device may be increased.

나아가, 상기 글로벌 게이트 신호들의 제어를 통해 동시 발광, 순차 발광, 구동 트랜지스터 센싱 및 유기 발광 다이오드 센싱이 용이하게 수행될 수 있다. Furthermore, simultaneous light emission, sequential light emission, driving transistor sensing, and organic light emitting diode sensing can be easily performed through the control of the global gate signals.

다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and may be variously extended within a range that does not deviate from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 동작의 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 다른 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 10a는 도 9의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10b는 도 9의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to example embodiments.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .
FIG. 3 is a timing diagram illustrating an example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 1 .
FIG. 4 is a block diagram illustrating an example of the organic light emitting display device of FIG. 1 .
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
6 is a timing diagram for explaining an example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
FIG. 7 is a timing diagram for explaining another example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
FIG. 8 is a diagram for explaining an example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .
9 is a block diagram illustrating an electronic device according to embodiments of the present invention.
10A is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 9 is implemented as a television.
10B is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 9 is implemented as a smart phone.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and redundant descriptions of the same components are omitted.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to example embodiments.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 스캔 구동부(120), 글로벌 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(140), 제어부(150) 및 전원부(160)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the organic light emitting diode display 100 includes a display panel 110, a scan driver 120, a global gate driver 130, a data driver 140, a controller 150, and a power supply 160. can do.

유기 발광 표시 장치(100)는 영상을 표시하는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 영상 표시 모드는 순차 발광 모드 또는 동시 발광 모드로 동작할 수 있다. The organic light emitting display device 100 may operate in an image display mode for displaying an image and a sensing mode. In one embodiment, the image display mode may operate in a sequential light emission mode or a simultaneous light emission mode.

표시 패널(110)은 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLn), 복수의 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n), 복수의 발광 제어 라인들(GL21 내지 GL2n), 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm) 및 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLn), 복수의 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n), 복수의 발광 제어 라인들(GL21 내지 GL2n) 및 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)에 각각 연결되는 복수의 화소 회로(10)들을 포함할 수 있다(단, n과 m은 2 이상의 정수). The display panel 110 includes a plurality of scan lines SL1 to SLn, a plurality of first sensing control lines GL11 to GL1n, a plurality of emission control lines GL21 to GL2n, and a plurality of data lines DL1. to DLm) and a plurality of scan lines SL1 to SLn, a plurality of first sensing control lines GL11 to GL1n, a plurality of emission control lines GL21 to GL2n, and a plurality of data lines DL1 to DLm. ) may include a plurality of pixel circuits 10 each connected to (provided that n and m are integers greater than or equal to 2).

화소 회로(10)들 각각은 캐소드가 상기 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드, 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치, 상기 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터, 제1 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치, 제2 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치, 및 상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함할 수 있다. Each of the pixel circuits 10 includes an organic light emitting diode having a cathode connected to the second power supply, a gate electrode to which a scan signal is applied, a first electrode to which the data voltage is applied, and a second electrode connected to a first node. A driving transistor including a scan switch, a gate electrode connected to the first node, a first electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode, a first A first sensing switch having a gate electrode to which a sensing control signal is applied, a first electrode connected to the first node, and a second electrode connected to the second node, a gate electrode to which a second sensing control signal is applied, the A second sensing switch having a first electrode connected to a third node and a second electrode connected to the second power source, a gate electrode to which a light emission control signal is applied, a first electrode connected to the first power source, and the second sensing switch. A light emitting control switch having a second electrode connected to a node, and a storage capacitor connected between the first node and the third node.

스캔 구동부(120)는 스캔 제어 신호(CON1)에 기초하여 스캔 라인들(SL1 내지SLn)에 상기 스캔 신호를 순차적으로 제공할 수 있다. 이에 따라, 스캔 라인들(SL1 내지 SLn)에 대응하는 화소 행들에 순차적으로 데이터 전압이 기입되거나, 순차적으로 화소 열화 센싱이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 스캔 신호는 상기 제2 센싱 제어 신호에 상응할 수 있다. 즉, 상기 스캔 신호는 상기 스캔 트랜지스터의 상기 게이트 전극 및 상기 제2 센싱 스위치의 상기 게이트 전극에 동시에 제공될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 다른 실시예에서, 상기 제2 센싱 제어 신호는 글로벌 게이트 구동부(130)로부터 출력되는 소정의 글로벌 게이트 신호에 상응할 수도 있다. The scan driver 120 may sequentially provide the scan signal to the scan lines SL1 to SLn based on the scan control signal CON1. Accordingly, data voltages may be sequentially written to pixel rows corresponding to the scan lines SL1 to SLn, or pixel deterioration sensing may be sequentially performed. In one embodiment, the scan signal may correspond to the second sensing control signal. That is, the scan signal may be simultaneously provided to the gate electrode of the scan transistor and the gate electrode of the second sensing switch. However, this is just an example, and in another embodiment, the second sensing control signal may correspond to a predetermined global gate signal output from the global gate driver 130 .

글로벌 게이트 구동부(130)는 게이트 제어 신호(CON2)에 기초하여 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n)에 상기 제1 센싱 제어 신호를 제공하고, 발광 제어 라인들(FL21 내지 GL2n)에 상기 발광 제어 신호를 제공할 수 있다. 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. 즉, 상기 제1 센싱 제어 신호는 표시 패널(110)에 포함되는 모든 화소 회로(10)들에 공통으로 제공될 수 있고, 상기 발광 제어 신호 또한 표시 패널(110)에 포함되는 모든 화소 회로(10)들에 공통으로 제공될 수 있다. 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호의 논리 레벨에 따라 상기 화소 회로(10)들은 순차 발광 또는 동시 발광할 수 있다. 일 실시예에서, 글로벌 게이트 구동부(130)는 물리적으로 스캔 구동부(120) 내에 포함될 수 있다. The global gate driver 130 provides the first sensing control signal to the first sensing control lines GL11 to GL1n based on the gate control signal CON2 and emits the light emission to the light emission control lines FL21 to GL2n. A control signal may be provided. Each of the first sensing control signal and the emission control signal may correspond to a global gate signal. That is, the first sensing control signal may be commonly provided to all pixel circuits 10 included in the display panel 110, and the emission control signal may also be provided to all pixel circuits 10 included in the display panel 110. ) can be provided in common. According to logic levels of the first sensing control signal and the light emission control signal, the pixel circuits 10 may sequentially or simultaneously emit light. In one embodiment, the global gate driver 130 may be physically included in the scan driver 120 .

데이터 구동부(140)는 영상 데이터를 포함하는 데이터 구동 제어 신호(CON3)에 기초하여 데이터 전압을 생성할 수 있다. 상기 데이터 전압은 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)에 제공될 수 있다. 상기 영상 표시 모드에서 상기 데이터 전압은 표시 영상에 대응할 수 있다. 상기 센싱 모드에서 상기 데이터 전압은 기 설정된 전압 레벨에 상응할 수 있다. 일 실시예에서, 데이터 구동부(140)는 상기 센싱 모드에서 데이터 라인을 통해 흐르는 센싱 전류를 검출 또는 리드아웃(readout)하는 센싱 블록을 포함할 수 있다. The data driver 140 may generate data voltages based on the data driving control signal CON3 including image data. The data voltage may be provided to data lines DL1 to DLm. In the image display mode, the data voltage may correspond to a displayed image. In the sensing mode, the data voltage may correspond to a preset voltage level. In one embodiment, the data driver 140 may include a sensing block that detects or reads out a sensing current flowing through a data line in the sensing mode.

제어부(150)는 각각의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 통해 화소 회로들(10) 각각에 흐르는 상기 센싱 전류를 분석하여 상기 데이터 전압 또는 상기 영상 데이터를 보상할 수 있다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터의 열화 및/또는 상기 유기 발광 다이오드의 열화가 보상될 수 있다. 상기 보상된 영상 데이터 또는 보상된 데이터 전압은 데이터 구동부(140)에 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 제어부(150)는 물리적으로 데이터 구동부(140)에 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 제어부(150)는 스캔 구동부(120), 글로벌 게이트 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)의 동작을 제어할 수 있다. The controller 150 may compensate for the data voltage or the image data by analyzing the sensing current flowing in each of the pixel circuits 10 through each of the data lines DL1 to DLm. Accordingly, deterioration of the driving transistor and/or deterioration of the organic light emitting diode may be compensated for. The compensated image data or the compensated data voltage may be provided to the data driver 140 . In one embodiment, the controller 150 may be physically included in the data driver 140 . In one embodiment, the controller 150 may control operations of the scan driver 120 , the global gate driver 130 , and the data driver 140 .

전원부(160)는 제1 전원(ELVDD) 및 제1 전원(ELVDD)보다 작은 전압 레벨을 갖는 제2 전원(ELVSS)을 표시 패널(110)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전원(ELVSS)은 접지 전압에 상응할 수 있다. The power supply unit 160 may provide the first power source ELVDD and the second power source ELVSS having a lower voltage level than the first power source ELVDD to the display panel 110 . In one embodiment, the second power source ELVSS may correspond to the ground voltage.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 회로(10)의 열화 검출(또는 외부 열화 보상)을 위한 별도의 센싱 라인 및 게이트 구동부 등의 구성이 제거될 수 있다. As described above, in the organic light emitting display device 100 according to the exemplary embodiments of the present invention, components such as a separate sensing line and a gate driver for detecting deterioration of the pixel circuit 10 (or compensating for external deterioration) may be removed. can

또한, 영상 표시 및 센싱 동작을 제어하는 신호들은 모두 간단한 회로 구성으로부터 출력될 수 있는 글로벌 게이트 신호에 상응하므로, 스캔 구동부(120) 및 글로벌 게이트 구동부(130)의 면적 및 회로 복잡도가 줄어들 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 수율 및 신뢰도가 증가될 수 있다. In addition, since signals controlling image display and sensing operations all correspond to global gate signals that can be output from a simple circuit configuration, the area and circuit complexity of the scan driver 120 and the global gate driver 130 can be reduced. Thus, yield and reliability of the organic light emitting display device 100 may be increased.

도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 화소 회로(10)는 유기 발광 다이오드(EL), 스캔 스위치(SW1), 구동 트랜지스터(TD), 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3), 발광 제어 스위치(SW4) 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the pixel circuit 10 includes an organic light emitting diode (EL), a scan switch (SW1), a driving transistor (TD), a first sensing switch (SW2), a second sensing switch (SW3), and an emission control switch. (SW4) and a storage capacitor (CST).

일 실시예에서, 스캔 스위치(SW1), 구동 트랜지스터(TD), 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)는 엔모스(N-channel Metal Oxide semiconductor; NMOS) 트랜지스터로 구현될 수 있다. 상기 엔모스 트랜지스터들은 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT), 비정질 실리콘(Amorphos-silicon; a-Si TFT) 트랜지스터 또는 다결정 실리콘(Poly-silicon; Poly-Si TFT) 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 스캔 스위치(SW1), 구동 트랜지스터(TD), 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)가 피모스(P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터로 구현될 수도 있다. In one embodiment, the scan switch SW1 , the driving transistor TD, the first sensing switch SW2 , the second sensing switch SW3 , and the light emitting control switch SW4 are N-channel metal oxide semiconductor (NMOS); NMOS) transistors. The NMOS transistors may be formed of an oxide TFT, an amorphos-silicon (a-Si TFT) transistor, or a poly-silicon (Poly-Si TFT) transistor. However, this is exemplary, and the scan switch SW1 , the driving transistor TD, the first sensing switch SW2 , the second sensing switch SW3 , and the light emitting control switch SW4 are PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor (PMOS) transistors may also be implemented.

일 실시예에서, 화소 회로(10)는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 구동될 수 있다. 상기 영상 표시 모드에서는 데이터 라인(DLj)을 통해 영상 계조(또는 휘도)에 상응하는 데이터 전압(VDATA[j])이 화소 회로(10)에 전달될 수 있다. 상기 영상 표시 모드는 스캔 라인에 따라 순차적으로 발광하는 순차 발광 모드 및 전체 화소 회로들이 동시에 발광하는 동시 발광 모드 중 하나로 구동될 수 있다. 상기 센싱 모드에서는 데이터 라인(DLj)을 통해 기 설정된 기준 전압에 대응하는 데이터 전압(VDATA[j])이 화소 회로(10)에 전달될 수 있다. 상기 센싱 모드에서는 구동 트랜지스터(TD)에 흐르는 전류 또는 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 전류가 검출될 수 있다. In one embodiment, the pixel circuit 10 may be driven in an image display mode and a sensing mode. In the image display mode, the data voltage VDATA[j] corresponding to the image gray level (or luminance) may be transmitted to the pixel circuit 10 through the data line DLj. The image display mode may be driven in one of a sequential emission mode in which light is emitted sequentially along scan lines and a simultaneous emission mode in which all pixel circuits simultaneously emit light. In the sensing mode, the data voltage VDATA[j] corresponding to the preset reference voltage may be transmitted to the pixel circuit 10 through the data line DLj. In the sensing mode, a current flowing through the driving transistor TD or a current flowing through the organic light emitting diode EL may be detected.

유기 발광 다이오드(EL)는 제2 전원(ELVSS)에 연결되는 캐소드(cathode) 및 구동 트랜지스터(TD)의 제2 전극(즉, 소스 전극)에 연결되는 애노드(anode)를 포함할 수 있다. The organic light emitting diode EL may include a cathode connected to the second power source ELVSS and an anode connected to the second electrode (ie, the source electrode) of the driving transistor TD.

스캔 스위치(SW1)는 스캔 신호(SCAN[k])가 인가되는 게이트 전극, 제1 노드(N1)에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드(N2)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 스캔 스위치(SW1)는 스캔 신호(SCAN[k])에 응답하여 데이터 전압(VDATA[j])을 제1 노드(N1)에 전달할 수 있다. The scan switch SW1 may include a gate electrode to which the scan signal SCAN[k] is applied, a first electrode connected to the first node N1, and a second electrode connected to the second node N2. . The scan switch SW1 may transmit the data voltage VDATA[j] to the first node N1 in response to the scan signal SCAN[k].

구동 트랜지스터(TD)는 제1 노드(N1)에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드(N2)에 연결되는 제1 전극 및 유기 발광 다이오드(EL)의 상기 애노드에 대응하는 제3 노드(N30에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)의 상기 제1 전극은 드레인 전극이고, 상기 제2 전극은 소스 전극일 수 있다. 일 실시예에서, 구동 트랜지스터(TD)는 저장 커패시터(CST)에 충전된 전압에 대응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. The driving transistor TD is connected to a gate electrode connected to the first node N1, a first electrode connected to the second node N2, and a third node N30 corresponding to the anode of the organic light emitting diode EL. The first electrode of the driving transistor TD may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode. In one embodiment, the driving transistor TD may include a storage capacitor ( A driving current corresponding to the voltage charged in CST) may be generated.

제1 센싱 스위치(SW2)는 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)가 인가되는 게이트 전극, 제1 노드(N1)에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드(N2)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)는 표시 패널 전체에 공통적으로 인가되는 글로벌 게이트 신호일 수 있다. 상기 영상 표시 모드에서, 제1 센싱 스위치(SW2)는 논리 로우 레벨을 갖는 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)에 기초하여 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 또한, 상기 센싱 모드에서, 제1 센싱 스위치(SW2) 논리 하이 레벨을 갖는 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)에 기초하여 턴 온 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 상기 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(TD) 다이오드 연결된 형태를 가질 수 있다. The first sensing switch SW2 may include a gate electrode to which the first sensing control signal G_SEN is applied, a first electrode connected to the first node N1, and a second electrode connected to the second node N2. can In one embodiment, the first sensing control signal G_SEN may be a global gate signal commonly applied to the entire display panel. In the image display mode, the first sensing switch SW2 may maintain a turned off state based on the first sensing control signal G_SEN having a logic low level. Also, in the sensing mode, the first sensing switch SW2 may be turned on based on the first sensing control signal G_SEN having a logic high level. Accordingly, in the sensing mode, the driving transistor TD may have a diode-connected form.

제2 센싱 스위치(SW3)는 제2 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제3 노드(N3)에 연결되는 제1 전극 및 제2 전원(ELVSS)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 제2 센싱 제어 신호는 스캔 신호(SCAN[k])에 상응할 수 있다. 따라서, 스캔 스위치(SW1)와 제2 센싱 스위치(SW3)는 스캔 신호(SCAN[k])에 의해 동시에 제어될 수 있다. 일 실시예에서, 유기 발광 다이오드(EL)가 발광하는 경우, 제2 센싱 스위치(SW3)는 턴 오프될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(TD)의 열화를 센싱하는 상기 센싱 모드에서 제2 센싱 스위치(SW3)가 턴 온됨으로써, 구동 트랜지스터(TD)의 상기 제2 전극이 제2 전원(ELVSS)(예를 들어, 접지 전압)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(TD)의 열화 정도(예를 들어, 문턱 전압 변화, 이동도 변화 등)가 검출될 수 있다. The second sensing switch SW3 may include a gate electrode to which the second sensing control signal is applied, a first electrode connected to the third node N3, and a second electrode connected to the second power source ELVSS. In this embodiment, the second sensing control signal may correspond to the scan signal SCAN[k]. Accordingly, the scan switch SW1 and the second sensing switch SW3 may be simultaneously controlled by the scan signal SCAN[k]. In one embodiment, when the organic light emitting diode EL emits light, the second sensing switch SW3 may be turned off. In addition, when the second sensing switch SW3 is turned on in the sensing mode for sensing deterioration of the driving transistor TD, the second electrode of the driving transistor TD is connected to the second power source ELVSS (eg, ground voltage). Accordingly, the degree of deterioration (eg, change in threshold voltage, change in mobility, etc.) of the driving transistor TD may be detected in the sensing mode.

발광 제어 스위치(SW4)는 발광 제어 신호(G_EM)가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원(ELVDD)에 연결되는 제1 전극 및 제2 노드(N2)에 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 발광 제어 신호(G_EM)는 상기 표시 패널 전체에 공통적으로 인가되는 글로벌 게이트 신호일 수 있다. 상기 영상 표시 모드에서, 발광 제어 스위치(SW4)는 상기 논리 하이 레벨을 갖는 발광 제어 신호(G_EM)에 기초하여 턴 온될 수 있다. 또한, 상기 센싱 모드에서, 발광 제어 스위치(SW4) 상기 논리 로우 레벨을 갖는 발광 제어 신호(G_EM)에 기초하여 턴 오프 상태를 유지할 수 있다.The emission control switch SW4 may include a gate electrode to which the emission control signal G_EM is applied, a first electrode connected to the first power source ELVDD, and a second electrode connected to the second node N2. In an exemplary embodiment, the emission control signal G_EM may be a global gate signal commonly applied to the entire display panel. In the image display mode, the light emission control switch SW4 may be turned on based on the light emission control signal G_EM having the logic high level. Also, in the sensing mode, the light emission control switch SW4 may maintain a turned-off state based on the light emission control signal G_EM having the logic low level.

저장 커패시터(CST)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되어 구동 트랜지스터(TD)의 게이트-소스 전압을 저장할 수 있다. The storage capacitor CST may be connected between the first node N1 and the third node N3 to store the gate-source voltage of the driving transistor TD.

이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 화로 회로(10)는 스캔 신호(SCAN[k])와 글로벌 게이트 신호에 해당되는 제1 센싱 제어 신호(G_SEN) 및 발광 제어 신호(G_EM)에 기초하여 상기 영상 표시 및 센싱 동작을 수행하고, 순차 발광 및 동시 발광 동작을 선택적으로 구동할 수 있다. As described above, the furnace circuit 10 according to the embodiments of the present invention is based on the first sensing control signal G_SEN and the emission control signal G_EM corresponding to the scan signal SCAN[k] and the global gate signal. The image display and sensing operations may be performed, and sequential light emission and simultaneous light emission operations may be selectively driven.

도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 동작의 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 3 is a timing diagram illustrating an example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 순차 발광 모드(PE), 동시 발광 모드(CE) 및 센싱 모드(SENSING)로 동작할 수 있다.1 to 3 , the organic light emitting display device 100 may operate in a sequential emission mode (PE), a simultaneous emission mode (CE), and a sensing mode (SENSING).

일 실시예에서, 제2 센싱 스위치(SW3)의 게이트 전극에 제공되는 상기 제2 센싱 제어 신호는 스캔 신호에 상응할 수 있다. 제1 센싱 제어 신호(G_SEN) 및 발광 제어 신호(G_EM)는 각각 표시 패널(110) 전체에 공통적으로 제공되는 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. In one embodiment, the second sensing control signal provided to the gate electrode of the second sensing switch SW3 may correspond to a scan signal. Each of the first sensing control signal G_SEN and the emission control signal G_EM may correspond to a global gate signal commonly provided to the entire display panel 110 .

순차 발광 모드(PE)에서, 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)는 논리 로우 레벨을 갖고 발광 제어 신호(G_EM)는 논리 하이 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 순차 발광 모드(PE)에서 제1 센싱 스위치(SW1)는 턴 오프 상태를 유지하며 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 온 상태를 유지할 수 있다. 상기 논리 하이 레벨을 갖는 스캔 신호들이 순차적으로 인가되고, 화소 회로들 각각은 순차적으로 발광할 수 있다. 상기 논리 하이 레벨의 스캔 신호에 의해 스캔 스위치(SW1)가 턴 온되는 경우, 저장 커패시터(CST)에 데이터 전압(VDATA[j])이 충전(이 경우, 제2 전원(ELVSS)은 접지 전압에 상응함)될 수 있다. 상기 스캔 신호가 상기 논리 로우 레벨로 변하면, 스캔 스위치(SW1)가 턴 오프되고, 데이터 전압(VDATA[j])에 상응하는 구동 트랜지스터(TD)의 게이트-소스 전압에 기초하여 구동 전류가 생성되어 유기 발광 소자(EL)가 발광할 수 있다. In the sequential emission mode PE, the first sensing control signal G_SEN may have a logic low level and the emission control signal G_EM may have a logic high level. Accordingly, in the sequential light emitting mode PE, the first sensing switch SW1 may maintain a turned-off state and the emission control switch SW4 may maintain a turned-on state. The scan signals having the logic high level are sequentially applied, and each of the pixel circuits may sequentially emit light. When the scan switch SW1 is turned on by the logic high level scan signal, the storage capacitor CST is charged with the data voltage VDATA[j] (in this case, the second power source ELVSS is connected to the ground voltage). equivalent) can be. When the scan signal changes to the logic low level, the scan switch SW1 is turned off, and a driving current is generated based on the gate-source voltage of the driving transistor TD corresponding to the data voltage VDATA[j]. The organic light emitting element EL may emit light.

동시 발광 모드(CE)는 기입 구간과 동시 발광 구간을 포함할 수 있다. 상기 기입 구간과 상기 동시 발광 구간에서 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)는 상기 논리 로우 레벨을 가지고, 제1 센싱 스위치(SW1)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 발광 제어 신호(G_EM)는 상기 기입 구간에서 상기 논리 로우 레벨을 가지고, 상기 동시 발광 구간에서 상기 논리 하이 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 발광 제어 스위치(SW4)는 상기 기입 구간에서 턴 오프되고, 상기 동시 발광 구간에서 턴 온될 수 있다. The simultaneous emission mode CE may include a writing period and a simultaneous emission period. In the writing period and the simultaneous light emission period, the first sensing control signal G_SEN has the logic low level, and the first sensing switch SW1 can maintain a turned-off state. The emission control signal G_EM may have the logic low level in the writing period and the logic high level in the simultaneous emission period. Accordingly, the emission control switch SW4 may be turned off in the writing period and turned on in the simultaneous emission period.

상기 기입 구간에서 발광 제어 스위치(SW4)가 턴 오프 상태이므로 전체 화소 회소(10)들 각각은 데이터 전압이 충전된 상태를 유지하고, 상기 동시 발광 구간 동안 발광 제어 스위치(SW4)가 턴 온됨으로써 전체 화소 회로(10)들이 동시에 발광할 수 있다. Since the light emission control switch SW4 is turned off during the writing period, each of all pixel elements 10 maintains a state in which the data voltage is charged, and the light emission control switch SW4 is turned on during the simultaneous light emission period. The pixel circuits 10 may simultaneously emit light.

센싱 모드(SENSING)에서 제1 센싱 제어 신호(G_SEN)는 상기 논리 하이 레벨을 갖고 발광 제어 신호(G_EM)는 논리 로우 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 센싱 스위치(SW1)는 턴 온 상태를 유지하며, 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 다이오드 연결된 형태를 갖는 구동 트랜지스터(TD)의 제2 전극이 직류 바이어스 전원인 제2 전원(ELVSS)에 연결될 수 있다. In the sensing mode SENSING, the first sensing control signal G_SEN may have the logic high level and the emission control signal G_EM may have the logic low level. Accordingly, the first sensing switch SW1 may maintain a turned-on state, and the light emission control switch SW4 may maintain a turned-off state. Accordingly, the second electrode of the diode-connected driving transistor TD may be connected to the second power source ELVSS that is a DC bias power source.

센싱 모드(SENSING)에서 상기 논리 하이 레벨을 갖는 스캔 신호들이 표시 패널(110)에 순차적으로 인가될 수 있다. 이에 따라, 스캔 스위치(SW1)와 제2 센싱 스위치(SW3)가 동시에 제어될 수 있다. 상기 스캔 신호가 제2 센싱 스위치(SW3)에 제공되는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)는 구동 트랜지스터(TD)의 열화를 검출할 수 있다. 상기 논리 하이 레벨을 갖는 스캔 신호가 화소 회로(10)에 인가되는 경우, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트-소스 전압은 데이터 전압(VDATA[j])으로 충전되고, 구동 트랜지스터(TD)의 구동 전류(즉, 센싱 전류)가 데이터 라인(DLj)을 통해 제2 전원(ELVSS)으로 흐르게 된다. 일 실시예에서, 상기 센싱 전류는 도 1의 센싱 블록(또는 제어부(150))에 의해 검출 및 분석될 수 있다. In the sensing mode (SENSING), the scan signals having the logic high level may be sequentially applied to the display panel 110 . Accordingly, the scan switch SW1 and the second sensing switch SW3 may be simultaneously controlled. When the scan signal is provided to the second sensing switch SW3 , the OLED display 100 may detect deterioration of the driving transistor TD. When the scan signal having the logic high level is applied to the pixel circuit 10, the gate-source voltage of the driving transistor TD is charged with the data voltage VDATA[j], and the driving current of the driving transistor TD is charged. (ie, the sensing current) flows to the second power source ELVSS through the data line DLj. In one embodiment, the sensing current may be detected and analyzed by the sensing block (or the controller 150) of FIG. 1 .

상술한 바와 같이, 화소 회로(10) 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 센싱 스위치(SW2) 및 발광 제어 스위치(SW4)를 글로벌 게이트 신호들(즉, 제1 센싱 제어 신호(G_SEN), 발광 제어 신호(G_EM))로 제어함으로써 개별 화소 회로(10)의 구동 트랜지스터(TD)의 열화를 용이하게 검출하고 보상할 수 있다. 또한, 상기 글로벌 게이트 신호들은 간단한 회로 구성으로부터 출력되므로, 스캔 구동부(1201) 및 글로벌 게이트 구동부(130)의 면적 및 회로 복잡도가 줄어들 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 수율 및 신뢰도가 증가될 수 있다.As described above, in the pixel circuit 10 and the organic light emitting display device 100 including the same, the first sensing switch SW2 and the light emitting control switch SW4 are connected to global gate signals (ie, the first sensing control signal ( G_SEN) and emission control signal G_EM), it is possible to easily detect and compensate for deterioration of the driving transistor TD of each pixel circuit 10 . In addition, since the global gate signals are output from a simple circuit configuration, the area and circuit complexity of the scan driver 1201 and the global gate driver 130 may be reduced. Thus, yield and reliability of the organic light emitting display device 100 may be increased.

도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.FIG. 4 is a block diagram illustrating an example of the organic light emitting display device of FIG. 1 .

도 4에서는 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 도 4의 유기 발광 표시 장치는 글로벌 게이트 구동부(131)가 출력하는 신호들 및 화소 회로(11)의 일부 센싱 동작을 제외하면, 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.In FIG. 4 , overlapping descriptions of components described with reference to FIG. 1 will be omitted. In addition, the organic light emitting display device of FIG. 4 is substantially the same as or substantially the same as the organic light emitting display device 100 of FIG. 1 except for signals output by the global gate driver 131 and some sensing operations of the pixel circuit 11 may have a similar configuration.

도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(101)는 표시 패널(111), 스캔 구동부(121), 글로벌 게이트 구동부(131), 데이터 구동부(141), 제어부(151) 및 전원부(161)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the organic light emitting diode display 101 includes a display panel 111, a scan driver 121, a global gate driver 131, a data driver 141, a controller 151, and a power supply 161. can do.

유기 발광 표시 장치(100)는 영상을 표시하는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드로 동작할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 센싱 모드는 구동 트랜지스터의 열화를 검출하는 제1 센싱 모드 및 유기 발광 다이오드의 열화를 검출하는 제2 센싱 모드를 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 may operate in an image display mode for displaying an image and a sensing mode. In one embodiment, the image display mode may operate as a simultaneous light emission mode. In one embodiment, the sensing mode may include a first sensing mode for detecting deterioration of the driving transistor and a second sensing mode for detecting deterioration of the organic light emitting diode.

표시 패널(111)은 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLn), 복수의 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n), 복수의 발광 제어 라인들(GL21 내지 GL2n), 복수의 제2 센싱 제어 라인들(GL31 내지 GL3n), 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm) 및 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLn), 복수의 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n), 복수의 발광 제어 라인들(GL21 내지 GL2n), 복수의 제2 센싱 제어 라인들(GL31 내지 GL3n) 및 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)에 각각 연결되는 복수의 화소 회로(11)들을 포함할 수 있다(단, n과 m은 2 이상의 정수).The display panel 111 includes a plurality of scan lines SL1 to SLn, a plurality of first sensing control lines GL11 to GL1n, a plurality of emission control lines GL21 to GL2n, and a plurality of second sensing control lines. GL31 to GL3n, a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of scan lines SL1 to SLn, a plurality of first sensing control lines GL11 to GL1n, and a plurality of emission control lines ( GL21 to GL2n), a plurality of second sensing control lines GL31 to GL3n, and a plurality of pixel circuits 11 respectively connected to a plurality of data lines DL1 to DLm (however, n and m is an integer greater than or equal to 2).

스캔 구동부(121)는 스캔 제어 신호(CON1)에 기초하여 스캔 라인들(SL1 내지 SLn)에 상기 스캔 신호를 순차적으로 제공할 수 있다. 이에 따라, 스캔 라인들(SL1 내지 SLn)에 대응하는 화소 행들에 순차적으로 데이터 전압이 기입되거나, 순차적으로 화소 열화 센싱이 수행될 수 있다.The scan driver 121 may sequentially provide the scan signal to the scan lines SL1 to SLn based on the scan control signal CON1. Accordingly, data voltages may be sequentially written to pixel rows corresponding to the scan lines SL1 to SLn, or pixel deterioration sensing may be sequentially performed.

글로벌 게이트 구동부(131)는 게이트 제어 신호(CON2)에 기초하여 제1 센싱 제어 라인들(GL11 내지 GL1n)에 제1 센싱 제어 신호를 제공하고, 발광 제어 라인들(FL21 내지 GL2n)에 발광 제어 신호를 제공하며, 제2 센싱 제어 라인들(GL31 내지 GL3n)에 제2 센싱 제어 신호를 제공할 수 있다. 상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. 즉, 상기 제1 센싱 제어 신호는 표시 패널(111)에 포함되는 모든 화소 회로(11)들에 공통으로 제공될 수 있고, 상기 제2 센싱 제어 신호는 표시 패널(111)에 포함되는 모든 화소 회로(11)들에 공통으로 제공될 수 있으며, 상기 발광 제어 신호 또한 표시 패널(111)에 포함되는 모든 화소 회로(11)들에 공통으로 제공될 수 있다. 상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호의 논리 레벨에 따라 유기 발광 표시 장치(101)는 상기 구동 트랜지스터 또는 상기 유기 발광 다이오드의 열화를 검출할 수 있다. 일 실시예에서, 글로벌 게이트 구동부(131)는 물리적으로 스캔 구동부(121) 내에 포함될 수 있다. The global gate driver 131 provides a first sensing control signal to the first sensing control lines GL11 to GL1n based on the gate control signal CON2 and generates a light emission control signal to the light emission control lines FL21 to GL2n. , and a second sensing control signal may be provided to the second sensing control lines GL31 to GL3n. Each of the first sensing control signal, the second sensing control signal, and the emission control signal may correspond to a global gate signal. That is, the first sensing control signal may be commonly provided to all pixel circuits 11 included in the display panel 111, and the second sensing control signal may be provided to all pixel circuits included in the display panel 111. (11), and the emission control signal can also be commonly provided to all pixel circuits 11 included in the display panel 111. According to the logic levels of the first sensing control signal and the second sensing control signal, the organic light emitting display device 101 may detect deterioration of the driving transistor or the organic light emitting diode. In one embodiment, the global gate driver 131 may be physically included in the scan driver 121 .

데이터 구동부(141)는 영상 데이터를 포함하는 데이터 구동 제어 신호(CON3)에 기초하여 데이터 전압을 생성할 수 있다. 상기 데이터 전압은 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)에 제공될 수 있다.The data driver 141 may generate data voltages based on the data driving control signal CON3 including image data. The data voltage may be provided to data lines DL1 to DLm.

제어부(151)는 각각의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 통해 화소 회로들(11) 각각에 흐르는 상기 센싱 전류를 분석하여 상기 데이터 전압 또는 상기 영상 데이터를 보상할 수 있다. 이에 따라, 상기 구동 트랜지스터의 열화 및/또는 상기 유기 발광 다이오드의 열화가 보상될 수 있다.The controller 151 may compensate for the data voltage or the image data by analyzing the sensing current flowing in each of the pixel circuits 11 through the respective data lines DL1 to DLm. Accordingly, deterioration of the driving transistor and/or deterioration of the organic light emitting diode may be compensated for.

전원부(160)는 제1 전원(ELVDD) 및 제1 전원(ELVDD)보다 작은 전압 레벨을 갖는 제2 전원(ELVSS)을 표시 패널(110)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전원(ELVSS)은 접지 전압에 상응할 수 있다.The power supply unit 160 may provide the first power source ELVDD and the second power source ELVSS having a lower voltage level than the first power source ELVDD to the display panel 110 . In one embodiment, the second power source ELVSS may correspond to the ground voltage.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 화소 회로(11)의 열화 검출(또는 외부 열화 보상)을 위한 별도의 센싱 라인 및 상기 센싱 라인과 데이터 라인으로 각각 제공되는 신호들을 구분하기 위한 버퍼 구동부가 제거될 수 있다. 또한, 영상 표시 및 센싱 동작을 제어하는 신호들은 모두 글로벌 게이트 신호에 상응하므로, 스캔 구동부(120) 및 글로벌 게이트 구동부(130)의 면적 및 회로 복잡도가 감소될 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 수율 및 신뢰도가 증가될 수 있다. As described above, the organic light emitting diode display 101 according to embodiments of the present invention includes a separate sensing line for detecting deterioration of the pixel circuit 11 (or compensating for external deterioration) and the sensing line and the data line, respectively. A buffer driver for discriminating between provided signals may be removed. In addition, since all signals controlling image display and sensing operations correspond to the global gate signal, the area and circuit complexity of the scan driver 120 and the global gate driver 130 may be reduced. Thus, yield and reliability of the organic light emitting display device 100 may be increased.

도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치에 포함되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 5에서는 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 도 5의 화소 회로는 제2 센싱 스위치(SW3)에 인가되는 제2 센싱 제어 신호를 제외하면, 도 2의 화소 회로(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.In FIG. 5 , overlapping descriptions of components described with reference to FIG. 2 will be omitted. In addition, the pixel circuit of FIG. 5 may have a configuration substantially the same as or similar to the pixel circuit 100 of FIG. 2 except for the second sensing control signal applied to the second sensing switch SW3 .

도 5를 참조하면, 화소 회로(11)는 유기 발광 다이오드(EL), 스캔 스위치(SW1), 구동 트랜지스터(TD), 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3), 발광 제어 스위치(SW4) 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the pixel circuit 11 includes an organic light emitting diode (EL), a scan switch (SW1), a driving transistor (TD), a first sensing switch (SW2), a second sensing switch (SW3), and an emission control switch. (SW4) and a storage capacitor (CST).

화소 회로(11)는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 구동될 수 있다. 상기 영상 표시 모드는 글로벌 게이트 신호들에 포함되는 제1 센싱 제어 신호(G_SEN1), 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2) 및 발광 제어 신호(G_EM)에 의해 동시 발광 모드로 구현될 수 있다. 상기 센싱 모드는 구동 트랜지스터(TD)의 열화 특성을 검출하는 제1 센싱 모드 및 유기 발광 다이오드(EL)의 열화 특성을 검출하는 제2 센싱 모드를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1 센싱 모드에서는 구동 트랜지스터(TD)에 흐르는 전류가 검출되고, 상기 제2 센싱 모드에서는 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 전류가 검출될 수 있다. The pixel circuit 11 may be driven in an image display mode and a sensing mode. The image display mode may be implemented as a simultaneous emission mode by the first sensing control signal G_SEN1, the second sensing control signal G_SEN2, and the emission control signal G_EM included in the global gate signals. The sensing mode may include a first sensing mode for detecting deterioration characteristics of the driving transistor TD and a second sensing mode for detecting deterioration characteristics of the organic light emitting diode EL. That is, the current flowing through the driving transistor TD may be detected in the first sensing mode, and the current flowing through the organic light emitting diode EL may be detected in the second sensing mode.

화소 회로(11)의 구성은 도 2의 화소 회로(10)의 구성과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다. Since the configuration of the pixel circuit 11 is substantially the same as that of the pixel circuit 10 of FIG. 2 , overlapping descriptions will be omitted.

제2 센싱 스위치(SW2)의 게이트 전극에 글로벌 게이트 신호인 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)가 제공될 수 있다. 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)는 The second sensing control signal G_SEN2, which is a global gate signal, may be applied to the gate electrode of the second sensing switch SW2. The second sensing control signal G_SEN2 is

일 실시예에서, 상기 제1 센싱 모드에서 제1 센싱 스위치(SW2) 및 제2 센싱 스위치(SW3)는 모두 턴 온 상태를 유지하고, 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(TD)의 제2 전극(즉, 소스 전극)이 제2 전원(ELVSS)에 연결되고, 구동 트랜지스터(TD)에 흐르는 센싱 전류가 데이터 라인(DLj)을 통해 검출됨으로써, 구동 트랜지스터(TD)의 특성(열화)이 검출될 수 있다. In one embodiment, in the first sensing mode, both the first sensing switch SW2 and the second sensing switch SW3 may maintain a turned-on state, and the light emission control switch SW4 may maintain a turned-off state. Accordingly, the second electrode (ie, the source electrode) of the driving transistor TD is connected to the second power source ELVSS, and the sensing current flowing through the driving transistor TD is detected through the data line DLj, thereby driving A characteristic (deterioration) of the transistor TD can be detected.

일 실시예에서, 상기 제2 센싱 모드에서 제1 센싱 스위치(SW2)는 턴 온 상태를 유지하고, 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 센싱 전류가 데이터 라인(DLj)을 통해 검출됨으로써, 유기 발광 다이오드(EL)의 특성(열화)이 검출될 수 있다. In one embodiment, in the second sensing mode, the first sensing switch SW2 may remain turned on, and the second sensing switch SW3 and light emission control switch SW4 may remain turned off. Accordingly, since the sensing current flowing through the organic light emitting diode EL is detected through the data line DLj, the characteristic (deterioration) of the organic light emitting diode EL may be detected.

이와 같이, 유기 발광 다이오드(EL)와 병렬로 연결되는 제2 센싱 스위치(SW3)에 글로벌 게이트 신호인 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)가 제공됨으로써, 간단한 구조의 화소 회로(11) 및 간단한 구조의 스캔 구동부(및 글로벌 게이트 구동부)로부터 구동 트랜지스터(TD)뿐만 아니라 유기 발광 다이오드(EL)의 특성 변화(열화 등)이 용이하게 검출될 수 있다. As such, the second sensing control signal G_SEN2, which is a global gate signal, is provided to the second sensing switch SW3 connected in parallel with the organic light emitting diode EL, thereby providing the simple structure of the pixel circuit 11 and the structure of the simple structure. A characteristic change (deterioration, etc.) of not only the driving transistor TD but also the organic light emitting diode EL can be easily detected from the scan driver (and the global gate driver).

도 6은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.6 is a timing diagram for explaining an example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 4 내지 도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(101)는 동시 발광 모드(CE) 및 제1 센싱 모드(SENSING1)로 동작할 수 있다. Referring to FIGS. 4 to 6 , the organic light emitting display device 101 may operate in a simultaneous emission mode (CE) and a first sensing mode (SENSING1).

일 실시예에서, 제2 센싱 스위치(SW3)의 게이트 전극에 제공되는 상기 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)는 글로벌 게이트 신호에 상응할 수 있다. 동시 발광 모드(CE)는 기입 구간과 동시 발광 구간을 포함할 수 있다. 도 6에서의 동시 발광 모드(CE)는 도 3을 참조하며 설명된 동시 발광 모드(CE)와 실질적으로 동일하게 동작될 수 있다. In one embodiment, the second sensing control signal G_SEN2 provided to the gate electrode of the second sensing switch SW3 may correspond to a global gate signal. The simultaneous emission mode CE may include a writing period and a simultaneous emission period. The simultaneous emission mode CE in FIG. 6 may operate substantially the same as the simultaneous emission mode CE described with reference to FIG. 3 .

상기 기입 구간과 상기 동시 발광 구간에서 제1 센싱 제어 신호(G_SEN1)는 상기 논리 로우 레벨을 가지고, 제1 센싱 스위치(SW1)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 발광 제어 신호(G_EM)는 상기 기입 구간에서 상기 논리 로우 레벨을 가지고, 상기 동시 발광 구간에서 상기 논리 하이 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 발광 제어 스위치(SW4)는 상기 기입 구간에서 턴 오프되고 상기 동시 발광 구간에서 턴 온될 수 있다. 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)는 상기 기입 구간에서 상기 논리 하이 레벨을 가지고, 상기 동시 발광 구간에서 상기 논리 로우 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 센싱 스위치(SW3)는 상기 기입 구간에서 턴 온되고 상기 동시 발광 구간에서 턴 오프될 수 있다. 따라서, 상기 발광 구간에서 전체 화소 회로(11)들이 동시에 발광할 수 있다.During the writing period and the simultaneous light emission period, the first sensing control signal G_SEN1 may have the logic low level, and the first sensing switch SW1 may maintain a turned-off state. The emission control signal G_EM may have the logic low level in the writing period and the logic high level in the simultaneous emission period. Accordingly, the emission control switch SW4 may be turned off in the writing period and turned on in the simultaneous emission period. The second sensing control signal G_SEN2 may have the logic high level in the writing period and the logic low level in the simultaneous emission period. Accordingly, the second sensing switch SW3 may be turned on in the writing period and turned off in the simultaneous emission period. Accordingly, all of the pixel circuits 11 may simultaneously emit light in the emission period.

제1 센싱 모드(SENSING1)에서 제1 센싱 제어 신호(G_SEN1) 및 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2)는 상기 논리 하이 레벨을 갖고, 발광 제어 신호(G_EM)는 상기 논리 로우 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 센싱 모드(SENSING1)에서 제1 센싱 스위치(SW1) 및 제2 센싱 스위치(SW2)는 턴 온 상태를 유지하고, 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 상기 논리 하이 레벨을 갖는 스캔 신호가 화소 회로(11)에 인가되는 경우, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트-소스 전압은 데이터 전압(VDATA[j])으로 충전되고, 구동 트랜지스터(TD)의 구동 전류(즉, 센싱 전류)가 데이터 라인(DLj)을 통해 제2 전원(ELVSS)으로 흐르게 된다. 각각의 스캔 라인에 대응하는 화소 행들에 순차적으로 열화 검출 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 센싱 전류는 도 4의 센싱 블록(또는 제어부(151))에 의해 검출 및 분석될 수 있다. In the first sensing mode SENSING1, the first sensing control signal G_SEN1 and the second sensing control signal G_SEN2 may have the logic high level, and the emission control signal G_EM may have the logic low level. Accordingly, in the first sensing mode SENSING1 , the first sensing switch SW1 and the second sensing switch SW2 may maintain a turned-on state, and the light emission control switch SW4 may maintain a turned-off state. When the scan signal having the logic high level is applied to the pixel circuit 11, the gate-source voltage of the driving transistor TD is charged with the data voltage VDATA[j], and the driving current of the driving transistor TD is charged. (ie, the sensing current) flows to the second power source ELVSS through the data line DLj. A deterioration detection operation may be sequentially performed on pixel rows corresponding to each scan line. In one embodiment, the sensing current may be detected and analyzed by the sensing block (or controller 151) of FIG. 4 .

도 7은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 다른 일 예를 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 7 is a timing diagram for explaining another example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 7에서는 도 6을 참조하여 설명한 동작과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In FIG. 7 , a description overlapping with the operation described with reference to FIG. 6 will be omitted.

도 4, 도 5 및 도 7을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(101)는 동시 발광 모드(CE) 및 제2 센싱 모드(SENSING2)로 동작할 수 있다. Referring to FIGS. 4, 5, and 7 , the organic light emitting display device 101 may operate in a simultaneous emission mode (CE) and a second sensing mode (SENSING2).

제2 센싱 모드(SENSING2)에서 제1 센싱 제어 신호(G_SEN1)는 논리 하이 레벨을 갖고, 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2) 및 발광 제어 신호(G_EM)는 논리 로우 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 센싱 모드(SENSING2)에서 제1 센싱 스위치(SW2)는 턴 온 상태를 유지하고, 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)는 턴 오프 상태를 유지할 수 있다. 상기 논리 하이 레벨을 갖는 스캔 신호가 화소 회로(11)에 인가되는 경우, 구동 트랜지스터(TD)의 게이트-소스 전압은 데이터 전압(VDATA[j])으로 충전되고, 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 전류(즉, 센싱 전류)가 데이터 라인(DLj)을 통해 제2 전원(ELVSS)으로 흐르게 된다. 각각의 스캔 라인에 대응하는 화소 행들에 순차적으로 열화 검출 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 센싱 전류는 도 4의 센싱 블록(또는 제어부(151))에 의해 검출 및 분석될 수 있다. In the second sensing mode SENSING2, the first sensing control signal G_SEN1 may have a logic high level, and the second sensing control signal G_SEN2 and the emission control signal G_EM may have a logic low level. Accordingly, in the second sensing mode SENSING2 , the first sensing switch SW2 may remain turned on, and the second sensing switch SW3 and the light emission control switch SW4 may maintain a turned off state. When the scan signal having the logic high level is applied to the pixel circuit 11, the gate-source voltage of the driving transistor TD is charged with the data voltage VDATA[j] and flows through the organic light emitting diode EL. Current (ie, sensing current) flows to the second power source ELVSS through the data line DLj. A deterioration detection operation may be sequentially performed on pixel rows corresponding to each scan line. In one embodiment, the sensing current may be detected and analyzed by the sensing block (or controller 151) of FIG. 4 .

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 화소 회로(11) 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치(101)는 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)를 포함하고, 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)를 글로벌 게이트 신호들(즉, 제1 센싱 제어 신호(G_SEN1), 제2 센싱 제어 신호(G_SEN2), 발광 제어 신호(G_EM))로 제어함으로써 개별 화소 회로(11)의 구동 트랜지스터(TD)의 열화 및 유기 발광 다이오드(EL)의 열화를 용이하게 검출할 수 있다. As described above, the pixel circuit 11 and the organic light emitting display device 101 including the pixel circuit 11 according to embodiments of the present invention include a first sensing switch SW2, a second sensing switch SW3, and a light emitting control switch ( SW4), and the first sensing switch SW2, the second sensing switch SW3, and the light emission control switch SW4 are connected to global gate signals (ie, the first sensing control signal G_SEN1, the second sensing control signal (G_SEN2) and the emission control signal (G_EM)), deterioration of the driving transistor TD and organic light emitting diode EL of each pixel circuit 11 can be easily detected.

또한, 제1 센싱 스위치(SW2), 제2 센싱 스위치(SW3) 및 발광 제어 스위치(SW4)가 간단한 회로 구성으로부터 출력 가능한 상기 글로벌 게이트 신호들로부터 제어되므로, 화소 센싱을 위한 별도의 센싱 라인이 제거되고, 스캔 구동부(121) 및 글로벌 게이트 구동부(131)의 면적 및 회로 복잡도가 줄어들 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(100)의 수율 및 신뢰도가 증가될 수 있다.In addition, since the first sensing switch SW2, the second sensing switch SW3, and the emission control switch SW4 are controlled from the global gate signals that can be output from a simple circuit configuration, a separate sensing line for pixel sensing is eliminated. In addition, the area and circuit complexity of the scan driver 121 and the global gate driver 131 may be reduced. Thus, yield and reliability of the organic light emitting display device 100 may be increased.

도 8은 도 4의 유기 발광 표시 장치의 동작의 또 다른 일 예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram for explaining another example of an operation of the organic light emitting diode display of FIG. 4 .

도 8을 참조하면, 화소 회로(11) 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치(101)는 영상 표시 모드(즉, 동시 발광 모드) 및 센싱 모드로 동작할 수 있다. 상기 영상 표시 모드는 화소 회로(11) 및 유기 발광 표시 장치(101)가 영상을 표시하는 영상 표시 구간(DIS)을 포함한다. 상기 센싱 모드는 화소 회로(11)에 흐르는 센싱 전류를 검출하는 제1 센싱 구간(SEN1) 및 제2 센싱 구간(SEN2)을 포함한다. Referring to FIG. 8 , the pixel circuit 11 and the organic light emitting display device 101 including the pixel circuit 11 may operate in an image display mode (ie, simultaneous emission mode) and a sensing mode. The image display mode includes an image display period DIS in which the pixel circuit 11 and the organic light emitting display device 101 display an image. The sensing mode includes a first sensing period SEN1 and a second sensing period SEN2 for detecting the sensing current flowing in the pixel circuit 11 .

영상 표시 구간(DIS)은 연속되는 복수의 프레임들(nFRAMES)을 포함할 수 있다. The image display period DIS may include a plurality of consecutive frames nFRAMES.

제1 센싱 구간(SEN1) 및 제2 센싱 구간(SEN2)은 영상 표시 구간들(DIS) 사이에 각각 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 센싱 구간(SEN1)은 기 설정된 프레임 구간으로 설정될 수 있다. 마찬가지로, 제2 센싱 구간(SEN2)은 기 설정된 프레임 구간으로 설정될 수 있다.The first sensing period SEN1 and the second sensing period SEN2 may be respectively disposed between the image display periods DIS. In one embodiment, the first sensing period SEN1 may be set as a preset frame period. Similarly, the second sensing period SEN2 may be set as a preset frame period.

제1 센싱 구간(SEN1)은 구동 트랜지스터(TD)에 흐르는 제1 센싱 전류가 검출되는 구간이다. 따라서, 제1 센싱 구간(SEN1)에서 구동 트랜지스터(TD)의 문턱 전압 특성 및 이동도 특성 등이 검출될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 센싱 구간(SEN1)은 주기적으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 센싱 구간(SEN1)은 2n 프레임 간격으로 배치되고, 상기 제1 센싱 전류는 2n 프레임 간격으로 검출될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 제1 센싱 구간(SEN1)의 주기가 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 센싱 구간(SEN1)은 비주기적으로 설정될 수도 있다.The first sensing period SEN1 is a period in which the first sensing current flowing through the driving transistor TD is detected. Accordingly, threshold voltage characteristics and mobility characteristics of the driving transistor TD may be detected in the first sensing period SEN1 . In one embodiment, the first sensing period SEN1 may be set periodically. For example, as shown in FIG. 8 , the first sensing period SEN1 may be arranged at 2n frame intervals, and the first sensing current may be detected at 2n frame intervals. However, this is an example, and the period of the first sensing period SEN1 is not limited thereto, and the first sensing period SEN1 may be set non-periodically.

제2 센싱 구간(SEN2)은 유기 발광 다이오드(EL)에 흐르는 제2 센싱 전류가 검출되는 구간이다. 따라서, 제2 센싱 구간(SEN2)에서 유기 발광 다이오드(EL)의 열화 등이 검출될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 센싱 구간(SEN2)은 주기적으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 센싱 구간(SEN2)은 2n 프레임 간격으로 배치되고, 상기 제2 센싱 전류는 2n 프레임 간격으로 실시간으로 검출될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 제2 센싱 구간(SEN2)의 주기가 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 센싱 구간(SEN2)은 비주기적으로 설정될 수도 있다. The second sensing period SEN2 is a period in which the second sensing current flowing through the organic light emitting diode EL is detected. Therefore, deterioration of the organic light emitting diode EL may be detected in the second sensing period SEN2 . In one embodiment, the second sensing period SEN2 may be set periodically. For example, as shown in FIG. 8 , the second sensing period SEN2 may be arranged at 2n frame intervals, and the second sensing current may be detected in real time at 2n frame intervals. However, this is an example, and the period of the second sensing period SEN2 is not limited thereto, and the second sensing period SEN2 may be set non-periodically.

또한, 제1 센싱 구간(SEN1)의 주기 및 제2 센싱 구간(SEN2)의 주기가 서로 다를 수 있다. 제1 센싱 구간(SEN1) 및 제2 센싱 구간(SEN2)은 사용자의 명령에 의해 설정될 수도 있다. Also, the period of the first sensing period SEN1 and the period of the second sensing period SEN2 may be different from each other. The first sensing period SEN1 and the second sensing period SEN2 may be set by a user command.

도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 10a는 도 9의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 10b는 도 9의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.9 is a block diagram illustrating an electronic device according to embodiments of the present invention, FIG. 10A is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 9 is implemented as a television, and FIG. 10B is a diagram showing the electronic device of FIG. 9 as a smartphone. It is a drawing showing an example implemented as

도 9 내지 도 10b를 참조하면, 전자 기기(1000)는 프로세서(1010), 메모리 장치(1020), 스토리지 장치(1030), 입출력 장치(1040), 파워 서플라이(1050) 및 유기 발광 표시 장치(1060)를 포함할 수 있다. 이 때, 유기 발광 표시 장치(1060)는 도 1 또는 도 4의 유기 발광 표시 장치(100, 101)에 상응할 수 있다. 전자 기기(1000)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 10a에 도시된 바와 같이, 전자 기기(1000)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 10b에 도시된 바와 같이, 전자 기기(1000)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 전자 기기(1000)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전자 기기(1000)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.9 to 10B , the electronic device 1000 includes a processor 1010, a memory device 1020, a storage device 1030, an input/output device 1040, a power supply 1050, and an organic light emitting display device 1060. ) may be included. In this case, the organic light emitting display device 1060 may correspond to the organic light emitting display devices 100 and 101 of FIG. 1 or FIG. 4 . The electronic device 1000 may further include several ports capable of communicating with a video card, a sound card, a memory card, a USB device, or the like, or with other systems. In one embodiment, as shown in FIG. 10A , the electronic device 1000 may be implemented as a television. In another embodiment, as shown in FIG. 10B , the electronic device 1000 may be implemented as a smart phone. However, this is an example and the electronic device 1000 is not limited thereto. For example, the electronic device 1000 includes a mobile phone, a video phone, a smart pad, a smart watch, a tablet PC, a vehicle navigation system, a computer monitor, a laptop computer, and a head mounted display. ; HMD) and the like.

프로세서(1010)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1010)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛, 어플리케이션 프로세서 등일 수 있다. 프로세서(1010)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1010)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(1020)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1020)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 스토리지 장치(1030)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1040)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1050)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.Processor 1010 may perform certain calculations or tasks. Depending on the embodiment, the processor 1010 may be a microprocessor, a central processing unit, an application processor, or the like. The processor 1010 may be connected to other components through an address bus, a control bus, and a data bus. According to an embodiment, the processor 1010 may also be connected to an expansion bus such as a Peripheral Component Interconnect (PCI) bus. The memory device 1020 may store data necessary for the operation of the electronic device 1000 . For example, the memory device 1020 may include an Erasable Programmable Read-Only Memory (EPROM) device, an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) device, a flash memory device, a PRAM ( Phase Change Random Access Memory (PRAM) device, Resistance Random Access Memory (RRAM) device, Nano Floating Gate Memory (NFGM) device, Polymer Random Access Memory (PoRAM) device, MRAM (Magnetic Random Access Memory; MRAM), non-volatile memory devices such as FRAM (Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) devices and/or DRAM (Dynamic Random Access Memory; DRAM) devices, SRAM (Static Random Access Memory; SRAM) devices, mobile A volatile memory device such as a DRAM device may be included. The storage device 1030 may include a solid state drive (SSD), a hard disk drive (HDD), a CD-ROM, and the like. The input/output device 1040 may include an input means such as a keyboard, a keypad, a touch pad, a touch screen, and a mouse, and an output means such as a speaker and a printer. The power supply 1050 may supply power necessary for the operation of the electronic device 1000 .

유기 발광 표시 장치(1060)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 유기 발광 표시 장치(1060)는 입출력 장치(1040)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(1060)는 영상 표시 모드 및 센싱 모드로 동작할 수 있다. 이를 위해, 유기 발광 표시 장치(1060)는 복수의 화소 회로들을 포함하는 표시 패널, 표시 패널에 데이터 전압을 제공하는 데이터 구동부, 표시 패널에 스캔 신호를 제공하는 스캔 구동부, 표시 패널에 복수의 글로벌 게이트 신호들(예를 들어, 센싱 제어 신호 및 발광 제어 신호)을 제공하는 글로벌 게이트 구동부, 상기 화소 회로들로부터 출력되는 센싱 전류를 분석하여 상기 데이터 전압을 보상하는 제어부 및 표시 패널에 제1 전원 전압 및 제2 전원 전압을 공급하는 전원 공급부를 포함할 수 있다.The OLED display 1060 may be connected to other components through the buses or other communication links. According to exemplary embodiments, the organic light emitting display device 1060 may be included in the input/output device 1040 . As described above, the organic light emitting display device 1060 may operate in an image display mode and a sensing mode. To this end, the organic light emitting display device 1060 includes a display panel including a plurality of pixel circuits, a data driver providing data voltages to the display panel, a scan driver providing scan signals to the display panel, and a plurality of global gates in the display panel. A global gate driver that provides signals (eg, a sensing control signal and a light emitting control signal), a controller that analyzes the sensing current output from the pixel circuits and compensates for the data voltage, and a first power voltage and A power supply unit supplying a second power voltage may be included.

본 발명은 화소 전류 센싱 동작을 수행하는 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 개인용 컴퓨터, 노트북, 태블릿, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), 디지털 카메라, MP3 플레이어, 휴대용 게임 콘솔, 네비게이션 등에 적용될 수 있다.The present invention can be applied to a display device that performs a pixel current sensing operation and an electronic device having the same. For example, the present invention can be applied to televisions, personal computers, notebooks, tablets, mobile phones, smart phones, smart pads, PDAs, PMPs, digital cameras, MP3 players, portable game consoles, navigation, and the like.

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that you can.

10, 11: 화소 회로 100, 101: 유기 발광 표시 장치
110, 111: 표시 패널 120, 121: 스캔 구동부
130, 131: 글로벌 게이트 구동부 140, 141: 데이터 구동부
150, 151: 제어부 160, 161: 전원부
10, 11: pixel circuit 100, 101: organic light emitting display device
110, 111: display panel 120, 121: scan driving unit
130, 131: global gate driver 140, 141: data driver
150, 151: control unit 160, 161: power unit

Claims (20)

캐소드가 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드;
스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치;
상기 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;
제1 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치;
제2 센싱 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치;
발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치; 및
상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함하고,
영상 표시 모드 및 센싱 모드로 구동되는 화소 회로.
an organic light emitting diode having a cathode connected to a second power source;
a scan switch having a gate electrode to which a scan signal is applied, a first electrode to which a data voltage is applied, and a second electrode connected to the first node;
a driving transistor including a gate electrode connected to the first node, a first electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode;
a first sensing switch having a gate electrode to which a first sensing control signal is applied, a first electrode connected to the first node, and a second electrode connected to the second node;
a second sensing switch having a gate electrode to which a second sensing control signal is applied, a first electrode connected to the third node, and a second electrode connected to the second power source;
a light emission control switch having a gate electrode to which a light emission control signal is applied, a first electrode connected to a first power source, and a second electrode connected to the second node; and
A storage capacitor connected between the first node and the third node;
A pixel circuit driven in an image display mode and a sensing mode.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.The pixel circuit of claim 1 , wherein each of the first sensing control signal and the emission control signal corresponds to a global gate signal. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 센싱 제어 신호는 상기 스캔 신호에 상응하고, 상기 스캔 스위치와 상기 제2 센싱 스위치가 동시에 제어되며,
상기 제2 센싱 제어 신호가 상기 스캔 신호에 상응하는 경우, 상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드 또는 순차 발광 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
The method of claim 2, wherein the second sensing control signal corresponds to the scan signal, and the scan switch and the second sensing switch are simultaneously controlled,
When the second sensing control signal corresponds to the scan signal, the image display mode operates in a simultaneous light emitting mode or a sequential light emitting mode.
제 3 항에 있어서, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소 회로. 4 . The pixel circuit of claim 3 , wherein in the sensing mode, the first sensing switch maintains a turned-on state and the emission control switch maintains a turned-off state. 제 4 항에 있어서, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 제어 신호는 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 화소 회로.5. The pixel circuit of claim 4, wherein in the sensing mode, the first sensing control signal has a logic high level and the emission control signal has a logic low level. 제 4 항에 있어서, 상기 센싱 모드에서, 상기 스캔 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치가 턴 온되면 상기 구동 트랜지스터의 게이트-소스 전압에 기초하여 데이터 라인에 흐르는 센싱 전류가 검출되는 것을 특징으로 하는 화소 회로.5 . The pixel circuit of claim 4 , wherein in the sensing mode, a sensing current flowing through a data line is detected based on a gate-source voltage of the driving transistor when the scan switch and the second sensing switch are turned on. . 제 3 항에 있어서, 상기 순차 발광 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 오프 상태를 유지하며, 상기 발광 제어 스위치는 턴 온 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.4 . The pixel circuit of claim 3 , wherein in the sequential light emission mode, the first sensing switch maintains a turned-off state and the emission control switch maintains a turned-on state. 제 3 항에 있어서, 상기 동시 발광 모드는 기입 구간 및 동시 발광 구간을 포함하고,
상기 발광 제어 스위치는 상기 기입 구간에서 턴 오프되고, 상기 동시 발광 구간에서 턴 온되며,
상기 제1 센싱 스위치는 상기 동시 발광 모드에서 턴 오프 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
4. The method of claim 3, wherein the simultaneous emission mode includes a writing period and a simultaneous emission period,
the light emission control switch is turned off in the writing period and turned on in the simultaneous light emission period;
The pixel circuit, characterized in that the first sensing switch maintains a turn-off state in the simultaneous light emission mode.
제 1 항에 있어서, 상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호 각각은 글로벌 게이트 신호에 상응하고,
상기 센싱 모드는 상기 구동 트랜지스터의 열화 특성을 검출하는 제1 센싱 모드 및 상기 유기 발광 다이오드의 열화 특성을 검출하는 제2 센싱 모드로 구분되며,
상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드에 상응하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.
The method of claim 1 , wherein each of the first sensing control signal, the second sensing control signal, and the emission control signal corresponds to a global gate signal,
The sensing mode is divided into a first sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the driving transistor and a second sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the organic light emitting diode.
The pixel circuit according to claim 1 , wherein the image display mode corresponds to a simultaneous light emission mode.
제 9 항에 있어서, 상기 제1 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.10 . The pixel circuit of claim 9 , wherein in the first sensing mode, the first sensing switch and the second sensing switch maintain a turned-on state, and the emission control switch maintains a turned-off state. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 센싱 모드에서, 상기 제1 및 제2 센싱 제어 신호들은 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 화소 회로.11. The pixel circuit of claim 10, wherein in the first sensing mode, the first and second sensing control signals have a logic high level and the emission control signal has a logic low level. . 제 9 항에 있어서, 상기 제2 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 제2 센싱 스위치 및 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 화소 회로.10. The pixel circuit of claim 9, wherein in the second sensing mode, the first sensing switch maintains a turned-on state, and the second sensing switch and the emission control switch maintain a turned-off state. 제 12 항에 있어서, 상기 제2 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 제어 신호는 논리 하이(high) 레벨을 갖고 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 논리 로우(low) 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 화소 회로.13. The method of claim 12 , wherein in the second sensing mode, the first sensing control signal has a logic high level, and the second sensing control signal and the emission control signal have a logic low level. A pixel circuit made of . 제 12 항에 있어서, 상기 제2 센싱 모드에서, 상기 스캔 스위치가 턴 온되면 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 센싱 전류가 데이터 라인을 통해 검출되는 것을 특징으로 하는 화소 회로.13 . The pixel circuit of claim 12 , wherein in the second sensing mode, when the scan switch is turned on, a sensing current flowing through the organic light emitting diode is detected through a data line. 영상 표시 모드 또는 센싱 모드로 구동되고, 스캔 라인, 데이터 라인, 제1 센싱 제어 라인, 제2 센싱 제어 라인 및 발광 제어 라인에 각각 연결되는 복수의 화소 회로들을 구비하는 표시 패널;
상기 스캔 라인에 스캔 신호를 제공하는 스캔 구동부;
상기 제1 센싱 제어 라인에 제1 센싱 제어 신호를 제공하고, 상기 발광 제어 라인에 발광 제어 신호를 제공하는 글로벌 게이트 구동부;
영상 데이터에 기초하여 상기 데이터 라인에 데이터 전압을 제공하는 데이터 구동부;
상기 데이터 라인을 통해 상기 화소 회로들 각각에 흐르는 센싱 전류를 분석하여 상기 데이터 전압 또는 상기 영상 데이터를 보상하는 제어부; 및
제1 전원 및 상기 제1 전원보다 작은 전압 레벨을 갖는 제2 전원을 상기 표시 패널에 제공하는 전원부를 포함하고,
상기 복수의 화소 회로들 각각은,
캐소드가 상기 제2 전원에 연결되는 유기 발광 다이오드;
상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 전극, 상기 데이터 전압이 인가되는 제1 전극 및 제1 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 스캔 스위치;
상기 제1 노드에 연결되는 게이트 전극, 제2 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 대응하는 제3 노드에 연결되는 제2 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;
상기 제1 센싱 제어 라인에 연결되어 상기 제1 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 전극, 상기 제1 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제1 센싱 스위치;
상기 제2 센싱 제어 라인에 연결되어 상기 제2 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 전극, 상기 제3 노드에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 전원에 연결되는 제2 전극을 구비하는 제2 센싱 스위치;
상기 발광 제어 라인에 연결되어 상기 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 전극, 제1 전원에 연결되는 제1 전극 및 상기 제2 노드에 연결되는 제2 전극을 구비하는 발광 제어 스위치; 및
상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 저장 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
a display panel including a plurality of pixel circuits driven in an image display mode or sensing mode and connected to a scan line, a data line, a first sensing control line, a second sensing control line, and an emission control line;
a scan driver providing a scan signal to the scan line;
a global gate driver configured to provide a first sensing control signal to the first sensing control line and a light emission control signal to the light emission control line;
a data driver providing a data voltage to the data line based on image data;
a control unit that analyzes a sensing current flowing through each of the pixel circuits through the data line and compensates for the data voltage or the image data; and
a power supply unit configured to provide a first power source and a second power source having a lower voltage level than the first power source to the display panel;
Each of the plurality of pixel circuits,
an organic light emitting diode having a cathode connected to the second power source;
a scan switch having a gate electrode to which the scan signal is applied, a first electrode to which the data voltage is applied, and a second electrode connected to a first node;
a driving transistor including a gate electrode connected to the first node, a first electrode connected to a second node, and a second electrode connected to a third node corresponding to the anode of the organic light emitting diode;
a first sensing switch having a gate electrode connected to the first sensing control line to receive the first sensing control signal, a first electrode connected to the first node, and a second electrode connected to the second node;
a second sensing switch having a gate electrode connected to the second sensing control line to receive the second sensing control signal, a first electrode connected to the third node, and a second electrode connected to the second power source;
a light emitting control switch having a gate electrode connected to the light emitting control line to receive the light emitting control signal, a first electrode connected to a first power supply, and a second electrode connected to the second node; and
and a storage capacitor connected between the first node and the third node.
제 15 항에 있어서, 상기 제1 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응하고, 상기 제2 센싱 제어 신호는 상기 스캔 신호에 상응하며,
상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드 또는 순차 발광 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
16. The method of claim 15, wherein the first sensing control signal and the emission control signal correspond to a global gate signal, respectively, and the second sensing control signal corresponds to the scan signal,
The organic light emitting display device according to claim 1 , wherein the image display mode operates in a simultaneous light emitting mode or a sequential light emitting mode.
제 16 항에 있어서, 상기 센싱 모드에서, 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하며, 상기 제어부는 상기 센싱 전류에 기초하여 상기 구동 트랜지스터의 열화를 분석하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.17. The method of claim 16, wherein in the sensing mode, the first sensing switch maintains a turn-on state, the emission control switch maintains a turn-off state, and the control unit degrades the driving transistor based on the sensing current. An organic light emitting display device characterized in that for analyzing. 제 15 항에 있어서, 상기 글로벌 게이트 구동부가 상기 제2 센싱 제어 신호를 상기 제2 센싱 제어 라인에 제공하고,
상기 제1 센싱 제어 신호, 상기 제2 센싱 제어 신호 및 상기 발광 제어 신호는 각각 글로벌 게이트 신호에 상응하며,
상기 센싱 모드는 상기 구동 트랜지스터의 열화 특성을 검출하는 제1 센싱 모드 및 상기 유기 발광 다이오드의 열화 특성을 검출하는 제2 센싱 모드를 포함하고,
상기 영상 표시 모드는 동시 발광 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
16. The method of claim 15, wherein the global gate driver provides the second sensing control signal to the second sensing control line,
The first sensing control signal, the second sensing control signal, and the emission control signal each correspond to a global gate signal;
The sensing mode includes a first sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the driving transistor and a second sensing mode for detecting a deterioration characteristic of the organic light emitting diode;
The organic light emitting display device according to claim 1 , wherein the image display mode operates in a simultaneous emission mode.
제 18 항에 있어서, 상기 제1 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치 및 상기 제2 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.19. The organic light emitting diode display of claim 18, wherein in the first sensing mode, the first sensing switch and the second sensing switch maintain a turned-on state, and the emission control switch maintains a turned-off state. . 제 18 항에 있어서, 상기 제2 센싱 모드에서 상기 제1 센싱 스위치는 턴 온 상태를 유지하고, 상기 제2 센싱 스위치 및 상기 발광 제어 스위치는 턴 오프 상태를 유지하며, 상기 스캔 스위치가 턴 온되면 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 상기 센싱 전류가 검출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
19. The method of claim 18, wherein in the second sensing mode, the first sensing switch maintains a turn-on state, the second sensing switch and the light emission control switch maintain a turn-off state, and when the scan switch is turned on The organic light emitting display device characterized in that the sensing current flowing through the organic light emitting diode is detected.
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