KR102484974B1 - Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method - Google Patents

Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method Download PDF

Info

Publication number
KR102484974B1
KR102484974B1 KR1020197013706A KR20197013706A KR102484974B1 KR 102484974 B1 KR102484974 B1 KR 102484974B1 KR 1020197013706 A KR1020197013706 A KR 1020197013706A KR 20197013706 A KR20197013706 A KR 20197013706A KR 102484974 B1 KR102484974 B1 KR 102484974B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
pixel
pattern
point
spatial light
Prior art date
Application number
KR1020197013706A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190072573A (en
Inventor
쇼지 스즈키
Original Assignee
가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 filed Critical 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구
Publication of KR20190072573A publication Critical patent/KR20190072573A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102484974B1 publication Critical patent/KR102484974B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system

Abstract

[과제] 조사되는 광의 패턴이 설계 노광 패턴에 가능한 한 가까워지도록, 종래의 해상도의 한계를 넘어 해상도를 실효적으로 높게 할 수 있도록 한다.
[해결 수단] DMD인 공간광변조기(4)를 구비한 노광 유닛(1)에 의해 노광 에어리어(E)에 노광 패턴의 광이 조사되고, 노광 에어리어(E)를 통하여 대상물(W)을 이동 기구(2)에 의해 이동시키면서, 대상물(W)의 표면의 감광층에 임계 노광량 이상의 광을 조사하여 노광한다. 대상물(W)의 노광필요점은, 공간광변조기(4)의 온 상태인 화소 미러(42)에 대응한 대응 좌표(G)에 복수 회 위치하여 다중 노광이 된다. 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광점에 있어서의 다중 노광의 회수는, 경계까지의 거리에 따라 설정된 최대 회수보다 적은 회수이다.[Problem] It is possible to effectively increase the resolution beyond the limit of the conventional resolution so that the pattern of irradiated light is as close as possible to the designed exposure pattern.
[Solution Means] Light of an exposure pattern is irradiated to an exposure area E by an exposure unit 1 equipped with a spatial light modulator 4 which is a DMD, and a mechanism for moving an object W through the exposure area E While moving by (2), the photosensitive layer on the surface of the object W is irradiated with light equal to or greater than a critical exposure amount, and exposed. The required exposure points of the object W are located at the corresponding coordinates G corresponding to the pixel mirror 42 in the ON state of the spatial light modulator 4 a plurality of times, resulting in multiple exposures. The number of multiple exposures at an exposure point where the distance to the boundary of the design exposure pattern is less than the exposure point pitch is less than the maximum number set according to the distance to the boundary.

Description

다이렉트 이미징 노광 장치 및 다이렉트 이미징 노광 방법Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method

이 출원의 발명은, 다이렉트 이미징 노광의 기술에 관한 것이다.The invention of this application relates to a technique of direct imaging exposure.

표면에 감광층이 형성되어 있는 대상물을 노광하여 감광층을 감광시키는 노광 기술은, 포토리소그래피의 주요 기술로서 각종 미세 회로나 미세 구조의 형성 등에 활발히 이용되고 있다. 대표적인 노광 기술에서는, 노광 패턴과 동일한 패턴이 형성된 마스크에 광을 조사하여, 마스크의 상을 대상물의 표면에 투영함으로써 노광 패턴의 광이 대상물에 조사되도록 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] An exposure technique for exposing an object having a photosensitive layer formed thereon to light the photosensitive layer is a major technique of photolithography and is actively used for forming various microcircuits or microstructures. In a typical exposure technique, a mask having the same pattern as the exposure pattern is irradiated with light, and an image of the mask is projected onto the surface of an object so that the light of the exposure pattern is irradiated to the object.

이러한 마스크를 사용한 노광 기술과는 별개로, 공간광변조기를 사용하여 대상물의 표면에 직접적으로 상을 형성하여 노광하는 기술이 알려져 있다. 이하, 이 기술을, 본 명세서에 있어서, 다이렉트 이미징 노광이라 부르고, DI 노광이라고 약칭한다.Apart from the exposure technique using such a mask, a technique of directly forming and exposing an image on the surface of an object using a spatial light modulator is known. Hereinafter, this technique is called direct imaging exposure in this specification, and is abbreviated as DI exposure.

DI 노광에 있어서, 전형적인 공간광변조기는 DMD(Digital Mirror Device)이다. DMD는, 미소한 사각형의 미러가 직각격자형으로 배치된 구조를 갖는다. 각 미러는, 광축에 대한 각도가 독립적으로 제어되도록 되어 있고, 광원으로부터의 광을 반사하여 대상물에 도달시키는 자세와, 광원으로부터의 광을 대상물에 도달시키지 않는 자세를 취할 수 있도록 되어 있다. DMD는, 각 미러를 제어하는 컨트롤러를 구비하고 있으며, 컨트롤러는, 노광 패턴에 따라서 각 미러를 제어하고, 대상물의 표면에 노광 패턴의 광이 조사되도록 한다.For DI exposure, a typical spatial light modulator is a DMD (Digital Mirror Device). The DMD has a structure in which microscopic quadrangular mirrors are arranged in a rectangular lattice. The angles of each mirror with respect to the optical axis are independently controlled, and can take a posture in which light from a light source is reflected and reaches an object, and a posture in which light from a light source does not reach an object is taken. The DMD has a controller that controls each mirror, and the controller controls each mirror according to an exposure pattern so that the surface of the object is irradiated with light of the exposure pattern.

DI 노광의 경우, 마스크를 사용하지 않기 때문에, 다품종 소량생산에 있어서 우위성이 발휘된다. 마스크를 사용한 노광의 경우, 품종마다 마스크를 준비할 필요가 있고, 마스크의 보관 등의 비용도 포함하여 큰 비용이 든다. 또한, 이품종의 생산을 위해서 마스크를 교환할 때에는, 장치의 가동을 정지할 필요가 있고, 재개까지 수고와 시간을 필요로 한다. 이 때문에, 생산성이 저하하는 요인이 된다. 한편, DI 노광의 경우, 품종마다 각 미러의 제어 데이터를 준비해 두는 것만으로도 좋고, 이품종의 제조 시에는 제어 데이터의 변경만으로 대응할 수 있으므로, 비용 상, 생산성 상의 우위성은 현저하다. 또한, 필요에 따라서 워크(노광 대상물)마다 노광 패턴을 미세 조정하는 것도 가능하며, 프로세스의 유연성에 있어서도 우수하다.In the case of DI exposure, since a mask is not used, superiority is exhibited in small quantity production of various types. In the case of exposure using a mask, it is necessary to prepare a mask for each type, and large costs are incurred including costs for storage of the mask. In addition, when exchanging masks for the production of different types, it is necessary to stop the operation of the device, which takes time and effort until restarting. For this reason, it becomes a factor which reduces productivity. On the other hand, in the case of DI exposure, it is only necessary to prepare control data for each mirror for each type, and when manufacturing different types, it is possible to respond only by changing the control data, so the superiority in cost and productivity is remarkable. In addition, it is also possible to finely adjust the exposure pattern for each workpiece (exposure object) as needed, and it is excellent in flexibility of the process.

공간광변조기로서는, 반사형인 상기 DMD 이외에, 투과형의 것도 검토되고 있다. 투과형의 공간광변조기의 전형적인 것은, 투과형의 액정 표시 소자를 응용한 것으로, 각 셀의 액정의 배열에 의해 광의 투과 및 차단을 제어하여 대상물에 노광 패턴의 광이 조사되도록 하는 것이다.As a spatial light modulator, in addition to the reflective DMD described above, a transmissive type has also been studied. A typical transmissive type spatial light modulator is one in which a transmissive liquid crystal display device is applied, and transmits and blocks light by controlling the arrangement of liquid crystals in each cell so that an object is irradiated with light in an exposure pattern.

또한, 이하의 설명에 있어서, 공간광변조기 중, 광을 반사 또는 투과시켜 대상물에 도달시키는 각 부분을 화소라고 부른다. 화소는, 반사형의 공간광변조기의 경우에는 각 미러인 셈이 되고, 투과형의 공간광변조기의 경우, 각 셀인 셈이 된다. 또한, 각 화소에 대해서, 광을 반사 또는 투과시켜 대상물에 도달시키는 상태를 온 상태라고 하고, 광을 대상물에 도달시키지 않는 상태를 오프 상태라고 한다.Incidentally, in the following description, each part of the spatial light modulator that reflects or transmits light to reach an object is called a pixel. Each pixel is equivalent to each mirror in the case of a reflective spatial light modulator, and each cell in the case of a transmissive spatial light modulator. In addition, for each pixel, a state in which light is reflected or transmitted to reach an object is referred to as an on state, and a state in which light does not reach an object is referred to as an off state.

일본국 특허공개 2004-355006호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-355006

DI 노광은, 상기와 같은 우위성을 갖지만, 디지털 기술 특유의 결점도 안고 있다. 그 중 하나가, 노광 해상도의 한계이다. DI 노광에서는, 공간광변조기의 각 화소의 픽셀 사이즈의 투영 배율보다 미세한 노광을 행할 수 없다. 이 점은, 설계 정보로서의 노광 패턴(제품의 설계 상 대상물에 노광하고 싶은 패턴, 이하, 설계 노광 패턴이라고 한다.)대로 충실히 노광을 할 수 없다는 것도 있을 수 있다. 설계 노광 패턴은, 예를 들면 제조하는 제품이 프린트 기판인 경우, 기판 상에 형성하는 회로의 설계 상의 패턴이다.Although DI exposure has the above advantages, it also has drawbacks unique to digital technology. One of them is the limitation of exposure resolution. In DI exposure, exposure finer than the projection magnification of the pixel size of each pixel of the spatial light modulator cannot be performed. This point may also be due to the fact that exposure cannot be faithfully performed according to the exposure pattern as design information (a pattern to be exposed to an object in the design of a product, hereinafter referred to as a design exposure pattern). A design exposure pattern is a pattern on the design of the circuit formed on a board|substrate, when the product to manufacture is a printed circuit board, for example.

보다 구체적으로 설명하면, DI 노광에서는, 설계 노광 패턴에 따라서 래스터 이미지(비트 맵 이미지)가 작성된다. 설계 노광 패턴은 벡터 이미지의 경우가 많은데, 벡터 이미지 데이터로는 공간광변조기의 각 화소의 온 오프 제어를 할 수 없기 때문이다. 이 경우, 래스터 이미지의 데이터 해상도는, 공간광변조기의 화소 사이즈×투영 배율까지 밖에 미세하게 할 수 없다. 그 이상 데이터 해상도를 높게 해도, 공간광변조기에서는 표현할 수 없고, 의미가 없기 때문이다.More specifically, in DI exposure, a raster image (bit map image) is created according to a designed exposure pattern. The design exposure pattern is often a vector image, because vector image data cannot control on/off of each pixel of the spatial light modulator. In this case, the data resolution of the raster image can only be reduced to the pixel size of the spatial light modulator x the projection magnification. This is because even if the data resolution is higher than that, it cannot be expressed in the spatial light modulator and is meaningless.

그 반면, 설계 노광 패턴의 데이터는, 래스터 이미지의 해상도보다 높은 해상도의 데이터인 경우가 많다. 이 경우, 설계 노광 패턴에 따라서 래스터 이미지를 생성할 때, 불가피적으로 이미지는“거칠어지게”되게 된다. 이것에 수반하여, 몇 개의 문제가 파생한다.On the other hand, the data of the design exposure pattern is often higher resolution data than the resolution of the raster image. In this case, when generating a raster image according to a designed exposure pattern, the image inevitably becomes "rough". Accompanying this, several problems arise.

이 점에 대해서, 도 10 및 도 11을 사용하여 설명한다. 도 10 및 도 11은, 공간광변조기의 제어용의 이미지 데이터가 설계 노광 패턴보다 거칠어지는 것에 의한 문제에 대해 나타낸 도면이다.This point is demonstrated using FIGS. 10 and 11. FIG. 10 and 11 are diagrams showing problems caused by the image data for controlling the spatial light modulator being rougher than the design exposure pattern.

이 중, 도 10에는, 계단 현상 발생의 문제가 나타내져 있다. 도 10 (1)은 설계 노광 패턴의 일례를 나타내고, 도 10 (2)는 (1)의 설계 노광 패턴으로부터 생성한 래스터 이미지를 나타낸다. 도 10 (1)에 나타내는 바와 같이 설계 노광 패턴이 경사의 경계를 갖는다고 하자. 「경사」란, 공간광변조기의 화소의 배열 방향에 대해서 경사라는 것이다. 이 경우, 설계 노광 패턴을 2치화하여 래스터 이미지로 할 때, 도 10 (2)에 나타내는 바와 같이, 경사의 경계에 있어서 계단 현상이 발생한다.Among these, FIG. 10 shows the problem of step phenomenon. Fig. 10 (1) shows an example of the designed exposure pattern, and Fig. 10 (2) shows a raster image generated from the designed exposure pattern in (1). As shown in Fig. 10(1), it is assumed that the designed exposure pattern has an inclined boundary. "Inclination" means an inclination with respect to the arrangement direction of the pixels of the spatial light modulator. In this case, when the designed exposure pattern is binarized into a raster image, as shown in Fig. 10 (2), a step phenomenon occurs at the boundary of the inclination.

계단 현상이 발생하면, 예를 들면, 노광이 미세 회로의 형성을 위해서 행해지는 경우, 형성된 미세 회로에 있어서 불요복사(노이즈)가 발생하기 쉬워지는 문제가 있다. 또한, 일반적으로, 노광에 의해 형성된 패턴에 계단 현상이 있으면, 보기에 좋지 않다. 따라서, 가능한 한 계단 현상이 없는 매끄러운 윤곽 형상의 패턴을 형성하는 것이, DI 노광에 있어서 요구된다.When a step phenomenon occurs, for example, when exposure is performed for formation of a fine circuit, there is a problem that unnecessary radiation (noise) tends to occur in the formed fine circuit. Also, in general, if the pattern formed by exposure has a step phenomenon, the appearance is not good. Accordingly, it is required in DI exposure to form a pattern having a smooth contour shape without step phenomenon as much as possible.

또한, 래스터 이미지로의 변환에 관련하여, 노광 패턴의 변경의 자유도가 낮다고 하는 과제도 존재하고 있다. 이것을 모식적으로 나타낸 것이 도 11이다.In addition, there is also a problem that the degree of freedom in changing the exposure pattern is low in relation to conversion to a raster image. Fig. 11 schematically shows this.

설계 노광 패턴은, 미세 회로의 형성과 같이 자주 선형의 부분을 포함하고 있다. 이 경우, 선폭은, 래스터 이미지에 있어서의 픽셀 사이즈의 단위로 반올림된다. 예를 들면, 설계 노광 패턴의 선폭이 8.4픽셀이었을 경우, 8.4픽셀로는 할 수 없기 때문에, 도 11 (1)에 나타내는 바와 같이, 8픽셀의 선폭이 된다. 이 경우, 예를 들면 선폭을 설계 노광 패턴에 있어서 7.4픽셀로 변경하고 싶은 경우, 래스터 이미지에서는 반올림되어서 7픽셀이 된다. 그리고, 이 경우, 선로의 중심 위치(폭방향의 중앙 위치)는 변경하지 않아도 되는 경우가 많기 때문에, 그렇게 하면, 도 11 (2)에 나타내는 바와 같이 6픽셀의 선폭이 되어 버린다. 즉, 설계 노광 패턴보다 1.4픽셀분 가는 선이 되어 버린다.A design exposure pattern often includes a linear part, such as formation of a fine circuit. In this case, the line width is rounded up in units of the pixel size in the raster image. For example, when the line width of the designed exposure pattern is 8.4 pixels, since it cannot be 8.4 pixels, it becomes a line width of 8 pixels as shown in FIG. 11(1). In this case, for example, when it is desired to change the line width to 7.4 pixels in the design exposure pattern, it is rounded to 7 pixels in the raster image. In this case, since the center position of the line (center position in the width direction) does not need to be changed in many cases, doing so results in a line width of 6 pixels as shown in FIG. 11(2). That is, it becomes a thin line by 1.4 pixels from the designed exposure pattern.

이와 같이, DI 노광으로는, 설계 노광 패턴으로부터 래스터 이미지 데이터를 생성할 때에 어떻게 해도 데이터가 거칠어지기 때문에, 설계 노광 패턴 또는 그것에 가까운 해상도로 노광하지 못하고, 이것에 기인한 문제가 발생한다. 상기 이외에도, 상세한 것은 생략하지만, 도 10 (2)에 나타내는 경사 45도로 연장되는 선로의 패턴의 노광에 있어서 선폭을 보정하려고 하면, 보정 단위가 √(2)배 되기 때문에, 과잉 보정이 발생한다고 하는 문제도 있다.In this way, in DI exposure, when raster image data is generated from the design exposure pattern, the data becomes coarse no matter what, so exposure at the design exposure pattern or a resolution close to it cannot be achieved, resulting in a problem. Details other than the above are omitted, but when trying to correct the line width in the exposure of the pattern of lines extending at an angle of 45 degrees shown in FIG. There is also a problem.

본원의 발명은, 이러한 DI 노광의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 설계 노광 패턴에 따라서 공간광변조기를 제어하여 노광을 행할 때, 조사되는 광의 패턴이 설계 노광 패턴에 가능한 한 가까워지도록, 종래의 해상도의 한계를 넘어 해상도를 실효적으로 높게 할 수 있는 뛰어난 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.The invention of the present application was made to solve the problem of DI exposure, and when exposure is performed by controlling the spatial light modulator according to the designed exposure pattern, the conventional resolution is achieved so that the pattern of irradiated light is as close as possible to the designed exposure pattern. It aims to provide excellent technology that can effectively increase the resolution beyond the limits of .

상기 과제를 해결하기 위해, 이 출원의 청구항 1에 기재된 발명은, 노광 에어리어에 설계 노광 패턴에 따른 패턴의 광을 조사하는 노광 유닛과,In order to solve the above problem, the invention described in claim 1 of this application is an exposure unit for irradiating light of a pattern according to a design exposure pattern to an exposure area;

임계 노광량 이상의 노광이 됨으로써 감광하는 감광층이 표면에 형성되어 있는 대상물을 노광 에어리어를 통하여 상대적으로 이동시키는 이동 기구를 구비하고 있으며,A moving mechanism for relatively moving an object having a photosensitive layer formed on the surface thereof to be exposed by exposure of a critical exposure amount or more through an exposure area,

노광 유닛은,exposure unit,

광원과, 광원으로부터의 광이 조사되는 위치에 배치되고, 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키는 상태인 온 상태와 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키지 않는 상태인 오프 상태 중 어느 하나가 되는 다수의 화소를 갖고 노광 에어리어에 조사되는 광이 설계 노광 패턴에 따른 패턴이 되도록 광원으로부터의 광을 공간적으로 변조시키는 공간광변조기와, 공간광변조기에 의해 공간적으로 변조된 광을 노광 에어리어에 투영하는 광학계를 구비하고 있는 다이렉트 이미징 노광 장치로서,A light source and a plurality of pixels disposed at a position to which light from the light source is irradiated and being in either an on state in which light is directed toward the exposure area and an off state in which light is not directed toward the exposure area A spatial light modulator for spatially modulating the light from the light source so that the light irradiated to the exposure area becomes a pattern according to the designed exposure pattern, and an optical system for projecting the light spatially modulated by the spatial light modulator onto the exposure area. A direct imaging exposure apparatus with

공간광변조기의 각 화소를 제어하는 변조기 컨트롤러와,a modulator controller for controlling each pixel of the spatial light modulator;

변조기 컨트롤러에 의한 각 화소의 온 오프 제어를 위한 데이터인 노광 제어 데이터를 기억한 기억부가 설치되어 있고,A storage unit is provided for storing exposure control data, which is data for on-off control of each pixel by a modulator controller;

노광 에어리어에는, 공간광변조기의 각 화소에 대응한 대응 좌표가 설정되어 있으며,Corresponding coordinates corresponding to each pixel of the spatial light modulator are set in the exposure area;

대상물의 표면에는, 노광되어야 할 개소를 나타내는 것으로서 노광필요점이 설정되어 있고, 각 노광필요점은 노광점 피치의 거리로 서로 떨어져 있는 점이며,Required exposure points are set on the surface of the object as indicating locations to be exposed, and each required exposure point is a point spaced apart from each other by a distance of an exposure point pitch,

광학계는, 공간광변조기의 온 상태인 각 화소에 대응한 각 대응 좌표 상에 당해 화소에 의한 화소 패턴을 투영하는 것이며,The optical system projects a pixel pattern by the pixel on each corresponding coordinate corresponding to each pixel in the ON state of the spatial light modulator,

이동 기구는, 대상물의 하나의 노광필요점의 개소가 이동 방향을 따른 스캔 라인 상의 화소 패턴에 의해서 노광됨과 더불어 이웃한 스캔 라인 상의 화소 패턴의 주변부에 의해서도 중첩적으로 노광되도록 대상물을 이동시키는 기구이고, 각 화소 패턴에 있어서의 조도 분포는, 중앙부에 있어서 높고 주변부에 있어서 낮아지는 분포이며,The moving mechanism is a mechanism that moves the object so that a location of one need-for-exposure point of the object is exposed by the pixel pattern on the scan line along the movement direction, and also exposed by the peripheral portion of the pixel pattern on the adjacent scan line in an overlapping manner. , the illuminance distribution in each pixel pattern is a distribution that is high in the central portion and low in the peripheral portion,

노광 제어 데이터는, 이동 기구에 의한 대상물의 이동에 수반하여, 화소 패턴이 투영되어 있는 대응 좌표에 대상물의 표면의 동일한 노광필요점이 1회 및 2회 이상을 포함하는 소정 회수 위치하여 노광이 되도록 하는 것이며,The exposure control data is such that the same exposure required point on the surface of the object is positioned a predetermined number of times, including once and twice or more, at the corresponding coordinates on which the pixel pattern is projected along with the movement of the object by the moving mechanism. will,

상기 노광 제어 데이터에 있어서의 소정 회수는, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상인 노광필요점에 있어서는 최대 회수이고, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광점에 있어서는 경계까지의 거리에 따라 설정된 최대 회수보다 적은 회수인 구성을 갖는다.The predetermined number of times in the above exposure control data is the maximum number of exposure points at which the distance to the boundary of the design exposure pattern is equal to or greater than the exposure point pitch, and at exposure points where the distance to the boundary of the design exposure pattern is less than the exposure point pitch. It has a configuration that is less than the maximum number of times set according to the distance to the boundary.

또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 2에 기재된 발명은, 상기 청구항 1의 구성에 있어서, 상기 공간광변조기는, 디지털 미러 디바이스인 구성을 갖는다.Further, in order to solve the above problem, the invention described in claim 2 has a configuration according to claim 1 wherein the spatial light modulator is a digital mirror device.

또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 3에 기재된 발명은, 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키는 상태인 온 상태와 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키지 않는 상태인 오프 상태 중 어느 하나가 되는 다수의 화소를 갖는 공간광변조기에 광원으로부터의 광을 조사하는 변조기 조사 단계와,Furthermore, in order to solve the above problem, the invention described in claim 3 provides a plurality of pixels that are in either an ON state in which light is directed toward the exposure area and an OFF state in which light is not directed toward the exposure area. A modulator irradiation step of irradiating light from a light source to a spatial light modulator having

공간광변조기를 제어하여, 노광 에어리어에 조사되는 광이 설계 노광 패턴에 따른 패턴이 되도록 공간광변조기를 제어하는 변조기 제어 단계와,A modulator control step of controlling the spatial light modulator so that the light irradiated to the exposure area becomes a pattern according to the designed exposure pattern by controlling the spatial light modulator;

공간광변조기로부터의 광을 광학계에 의해 투영하는 투영 단계와,a projection step of projecting the light from the spatial light modulator by an optical system;

임계 노광량 이상의 노광이 됨으로써 감광하는 감광층이 표면에 형성되어 있는 대상물을 노광 에어리어를 통하여 상대적으로 이동시키는 이동 단계를 구비한 다이렉트 이미징 노광 방법으로서,A direct imaging exposure method having a moving step of relatively moving an object having a photosensitive layer formed on its surface through exposure of a critical exposure amount or more through an exposure area, the method comprising the steps of:

노광 에어리어에는, 공간광변조기의 각 화소에 대응한 대응 좌표가 설정되어 있으며,Corresponding coordinates corresponding to each pixel of the spatial light modulator are set in the exposure area;

대상물의 표면에는, 노광되어야 할 개소를 나타내는 것으로서 노광필요점이 설정되어 있고, 각 노광필요점은 노광점 피치의 거리로 서로 떨어져 있는 점이며,Required exposure points are set on the surface of the object as indicating locations to be exposed, and each required exposure point is a point spaced apart from each other by a distance of an exposure point pitch,

투영 단계는, 공간광변조기의 온 상태인 각 화소에 대응한 각 대응 좌표 상에 당해 화소에 의한 화소 패턴을 투영하는 단계이며,The projection step is a step of projecting a pixel pattern by the corresponding pixel on each corresponding coordinate corresponding to each pixel in the ON state of the spatial light modulator,

투영 단계 및 이동 단계는, 대상물의 하나의 노광필요점의 개소가 이동 방향을 따른 스캔 라인 상의 화소 패턴에 의해서 노광됨과 더불어 이웃한 스캔 라인 상의 화소 패턴의 주변부에 의해서도 중첩적으로 노광되도록 대상물을 이동시키는 단계이고, 각 화소 패턴에 있어서의 조도 분포는, 중앙부에 있어서 높고 주변부에 있어서 낮아지는 분포이며,In the projecting step and the moving step, the object is moved so that one required exposure point of the object is exposed by the pixel pattern on the scan line along the moving direction, and also exposed by the peripheral portion of the pixel pattern on the adjacent scan line in an overlapping manner. step, and the illuminance distribution in each pixel pattern is a distribution that is high in the center and low in the periphery,

변조기 제어 단계 및 이동 단계는, 이동 기구에 의한 대상물의 이동에 수반하여, 화소 패턴이 투영되어 있는 대응 좌표에 대상물의 표면의 동일한 노광필요점이 1회 및 2회 이상을 포함하는 소정 회수 위치하여 노광이 되도록 하는 단계이며,In the modulator control step and the moving step, the same exposure required point on the surface of the object is positioned a predetermined number of times, including once and twice or more, at the corresponding coordinates where the pixel pattern is projected along with the movement of the object by the moving mechanism, and exposure is performed. This is a step to make

상기 노광 제어 데이터에 있어서의 소정 회수는, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상인 노광필요점에 있어서는 최대 회수이고, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광필요점에 있어서는 경계까지의 거리에 따라 설정된 최대 회수보다 적은 회수인 구성을 갖는다.The predetermined number of times in the above-mentioned exposure control data is the maximum number of required exposure points where the distance to the boundary of the design exposure pattern is equal to or greater than the exposure point pitch, and the required exposure point where the distance to the boundary of the designed exposure pattern is less than the exposure point pitch. has a configuration in which the number of times is less than the maximum number set according to the distance to the boundary.

또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 4에 기재된 발명은, 상기 청구항 3의 구성에 있어서, 상기 공간광변조기는, 디지털 미러 디바이스인 구성을 갖는다.In order to solve the above problem, the invention described in claim 4 has a configuration in the configuration in claim 3 wherein the spatial light modulator is a digital mirror device.

이하에 설명하는 바와 같이, 이 출원의 발명에 의하면, 같은 노광필요점을 복수 회 노광하는 다중 노광을 채용하여, 각 노광필요점의 노광 회수가, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리에 따라 설정되므로, 실효적인 피노광 영역의 크기를 보다 미세하게 조정할 수 있다. 이 때문에, 실효적인 노광의 해상도가 향상한다.As will be explained below, according to the invention of this application, multiple exposure is employed in which the same required exposure point is exposed multiple times, and the number of exposures for each required exposure point is set according to the distance to the boundary of the design exposure pattern. , the size of the effective to-be-exposed area can be more finely adjusted. For this reason, the resolution of effective exposure improves.

도 1은, 실시 형태의 다이렉트 이미징 노광 장치의 개략도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 장치가 구비하는 노광 유닛의 개략도이다.
도 3은, 각 노광 유닛에 의한 노광 에어리어에 대해 나타낸 사시개략도이다.
도 4는, 각 화소 패턴 및 각 화소 패턴의 조도 분포를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 5는, 다중 노광에 대해 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 6은, 다중 노광에 대해 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 7은, 감광층의 감광 특성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은, 실시 형태의 DI 노광 장치에 있어서의 노광 제어 데이터에 대해 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 9는, 실시 형태의 DI 노광 장치에 있어서의 노광 제어 데이터의 일례를 나타낸 개략도이다.
도 10은, DI 노광 기술의 과제에 대해 나타낸 도면이다.
도 11은, DI 노광 기술의 과제에 대해 나타낸 도면이다.1 is a schematic diagram of a direct imaging exposure apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a schematic diagram of an exposure unit included in the apparatus shown in FIG. 1 .
Fig. 3 is a schematic perspective view showing an exposure area of each exposure unit.
4 is a perspective view schematically illustrating each pixel pattern and the illuminance distribution of each pixel pattern.
5 is a diagram conceptually showing multiple exposures.
6 is a diagram conceptually showing multiple exposures.
7 is a diagram showing an example of photosensitive characteristics of the photosensitive layer.
8 is a diagram schematically showing exposure control data in the DI exposure apparatus of the embodiment.
9 is a schematic diagram showing an example of exposure control data in the DI exposure apparatus of the embodiment.
Fig. 10 is a diagram showing problems of DI exposure technology.
Fig. 11 is a diagram showing problems of DI exposure technology.

다음으로, 이 출원 발명을 실시하기 위한 형태(이하, 실시 형태)에 대해 설명한다.Next, the mode for implementing the invention of this application (hereinafter, the embodiment) will be described.

우선, DI 노광 장치의 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 실시 형태의 DI 노광 장치의 개략도이다.First, an embodiment of the invention of the DI exposure apparatus will be described. 1 is a schematic diagram of a DI exposure apparatus according to an embodiment.

도 1에 나타내는 DI 노광 장치는, 노광 에어리어에 설계 노광 패턴에 따른 패턴의 광을 조사하는 노광 유닛(1)과, 노광 에어리어를 통하여 대상물(W)을 상대적으로 이동시키는 이동 기구(2)를 구비하고 있다.The DI exposure apparatus shown in FIG. 1 includes an exposure unit 1 that irradiates an exposure area with patterned light according to a designed exposure pattern, and a moving mechanism 2 that relatively moves an object W through the exposure area. are doing

이 실시 형태의 DI 노광 장치는, 프린트 기판 제조용의 장치로 되어 있다. 따라서, 대상물(W)은, 기판 상에 배선용의 도전막이 형성되고, 그 위에 감광층이 형성된 것으로 되어 있다. 감광층은, 도포된 레지스트 필름이다.The DI exposure apparatus of this embodiment is an apparatus for manufacturing a printed circuit board. Therefore, in the object W, a conductive film for wiring is formed on a substrate, and a photosensitive layer is formed thereon. The photosensitive layer is a coated resist film.

도 2는, 도 1에 나타내는 장치가 구비하는 노광 유닛(1)에 대해 설명한다. 도 2는, 도 1에 나타내는 장치가 구비하는 노광 유닛(1)의 개략도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 노광 유닛(1)은, 광원(3)과, 광원(3)으로부터의 광을 공간적으로 변조하는 공간광변조기(4)와, 공간광변조기(4)에 의해 변조된 광에 의한 상을 투영하는 광학계(이하, 투영 광학계)(5) 등을 구비하고 있다.FIG. 2 explains the exposure unit 1 included in the apparatus shown in FIG. 1 . FIG. 2 is a schematic diagram of the exposure unit 1 included in the apparatus shown in FIG. 1 . As shown in FIG. 2 , the exposure unit 1 includes a light source 3, a spatial light modulator 4 that spatially modulates the light from the light source 3, and the spatial light modulator 4 modulates light. An optical system (hereinafter referred to as a projection optical system) 5 or the like for projecting an image by light is provided.

광원(3)은, 대상물(W)에 있어서의 감광층의 감광 파장에 따라 최적인 파장의 광을 출력하는 것이 사용된다. 레지스트 필름의 감광 파장은 가시 단파장역으로부터 자외역인 경우가 많고, 광원(3)으로서는, 405nm나 365nm와 같은 가시 단파장역으로부터 자외역의 광을 출력하는 것이 사용된다. 또한, 공간광변조기(4)의 성능을 살리려면, 코히어런트인 광을 출력하는 것인 것이 바람직하고, 이를 위해 레이저 광원이 적합하게 사용된다. 예를 들면, 질화갈륨(GaN)계의 반도체 레이저가 사용된다.The light source 3 outputs light of an optimal wavelength according to the photosensitive wavelength of the photosensitive layer in the object W is used. The photosensitive wavelength of the resist film is in the visible short wavelength range to the ultraviolet range in many cases, and as the light source 3, one that outputs light in the visible short wavelength range such as 405 nm or 365 nm to the ultraviolet range is used. In addition, in order to utilize the performance of the spatial light modulator 4, it is preferable to output coherent light, and a laser light source is suitably used for this purpose. For example, a gallium nitride (GaN) based semiconductor laser is used.

공간광변조기(4)로서는, 이 실시 형태에서는 DMD가 사용되고 있다. 전술한 바와 같이, DMD에서는, 각 화소는 미소한 미러(도 2 중 도시하지 않음)이다. 미러(이하, 화소 미러라고 한다.)는, 예를 들면 13.68μm각 정도의 정사각형의 미러이고, 다수의 화소 미러가 직각격자형으로 배열된 구조로 된다. 배열수는, 예를 들면 1024×768개이다.As the spatial light modulator 4, DMD is used in this embodiment. As described above, in the DMD, each pixel is a minute mirror (not shown in FIG. 2). The mirror (hereinafter referred to as a pixel mirror) is a square mirror with an angle of about 13.68 μm, for example, and has a structure in which a large number of pixel mirrors are arranged in a rectangular lattice. The number of arrays is, for example, 1024×768.

공간광변조기(4)는, 각 화소 미러를 제어하는 변조기 컨트롤러(41)를 구비하고 있다. 실시 형태의 DI 노광 장치는, 전체를 제어하는 주제어부(7)를 구비하고 있다. 변조기 컨트롤러(41)는, 주제어부(7)로부터의 신호에 따라서 각 화소 미러를 제어한다. 또한, 각 화소 미러는, 각 화소 미러가 배열된 평면을 기준면으로 하여, 이 기준면에 따른 제1의 자세와, 이 기준면에 대해서 예를 들면 11~13°정도로 기울어진 제2의 자세를 취할 수 있도록 되어 있다. 이 실시 형태에서는, 제1의 자세가 오프 상태이고, 제2의 자세가 온 상태이다.The spatial light modulator 4 includes a modulator controller 41 that controls each pixel mirror. The DI exposure apparatus of the embodiment includes a main control unit 7 that controls the whole. The modulator controller 41 controls each pixel mirror according to a signal from the main control unit 7 . In addition, each pixel mirror can take the plane on which each pixel mirror is arranged as a reference plane, and take a first attitude along the reference plane and a second attitude tilted by, for example, 11 to 13 degrees with respect to the reference plane. it is supposed to be In this embodiment, the first posture is an off state, and the second posture is an on state.

공간광변조기(4)는, 각 화소 미러를 구동하는 구동 기구를 포함하고 있으며, 변조기 컨트롤러(41)는, 각 화소 미러에 대해서, 제1의 자세를 취하는지, 제2의 자세를 취하는지를 독립하여 제어할 수 있도록 되어 있다. 이러한 공간광변조기(4)는, 텍사스 인스트루먼트 사로부터 입수할 수 있다.The spatial light modulator 4 includes a driving mechanism for driving each pixel mirror, and the modulator controller 41 independently determines whether each pixel mirror takes a first posture or a second posture. so that it can be controlled. Such a spatial light modulator 4 can be obtained from Texas Instruments.

도 2에 나타내는 바와 같이, 노광 유닛(1)은, 이러한 공간광변조기(4)에 광원(3)으로부터의 광을 조사하는 조사 광학계(6)를 구비하고 있다. 이 실시 형태에서는, 조사 광학계(6)는 광파이버(61)를 포함하고 있다. 보다 높은 조도로 상형성(像形成)을 행하기 위해, 하나의 노광 유닛(1)은 복수의 광원(3)을 구비하고 있으며, 각 광원(3)에 대해 광파이버(61)가 설치되어 있다. 광파이버(61)로서는, 예를 들면 석영계의 멀티모드 파이버가 사용된다.As shown in FIG. 2 , the exposure unit 1 includes an irradiation optical system 6 for irradiating the spatial light modulator 4 with light from the light source 3 . In this embodiment, the irradiation optical system 6 includes an optical fiber 61. In order to perform image formation with higher illuminance, one exposure unit 1 is provided with a plurality of light sources 3, and an optical fiber 61 is provided for each light source 3. As the optical fiber 61, a quartz multimode fiber is used, for example.

DMD인 공간광변조기(4)를 사용하여 정밀도가 좋은 상형성을 행하기 위해서는, 평행광을 입사시켜 각 화소 미러(42)에 반사시키는 것이 바람직하고, 또한 각 화소 미러(42)에 대해서 비스듬하게 광을 입사시키는 것이 바람직하다. 이 때문에, 조사 광학계(6)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각 광파이버(61)로부터 출사하여 확산되는 광을 평행광으로 하는 콜리메이터 렌즈(62)와, 공간광변조기(4)에 광을 비스듬하게 입사시키기 위한 반사 미러(63)를 구비하고 있다. 「비스듬하게」란, 공간광변조기(4)의 기준면에 대해서 비스듬하게라는 것이다. 기준면에 대한 입사각(θ)으로 말하면, 예를 들면 22~26°정도의 각도로 된다.In order to perform high-accuracy image formation using the spatial light modulator 4, which is a DMD, it is preferable to make parallel light incident and reflected to each pixel mirror 42, and also at an angle to each pixel mirror 42. It is preferable to make light incident. For this reason, as shown in FIG. 2, the irradiation optical system 6 obliquely directs the light to the collimator lens 62 and the spatial light modulator 4 for making the light emitted from each optical fiber 61 and diffused into parallel light. It is provided with a reflection mirror 63 for incident light. "Obliquely" means obliquely with respect to the reference plane of the spatial light modulator 4. As for the angle of incidence θ with respect to the reference plane, it is, for example, an angle of about 22 to 26 degrees.

투영 광학계(5)는, 두 개의 투영 렌즈군(51, 52)과, 투영 렌즈군(51, 52)의 사이에 배치된 마이크로렌즈어레이(이하, MLA로 약칭한다.)(53) 등으로 구성되어 있다. MLA(53)는, 보다 형상 정밀도가 높은 노광을 행하기 위해, 보조적으로 배치되어 있다. MLA(53)는, 미소한 렌즈를 직각격자형으로 다수 배열한 광학 부품이다. 각 렌즈 소자는, 공간광변조기(4)의 각 화소 미러에 1대 1로 대응하고 있다.The projection optical system 5 is composed of two projection lens groups 51 and 52 and a microlens array (hereinafter abbreviated as MLA) 53 and the like disposed between the projection lens groups 51 and 52. has been The MLA 53 is disposed auxiliary to perform exposure with higher shape accuracy. The MLA 53 is an optical component in which a large number of minute lenses are arranged in a rectangular grid. Each lens element corresponds to each pixel mirror of the spatial light modulator 4 on a one-to-one basis.

상술한 노광 유닛(1)에 있어서, 광원(3)으로부터의 광은, 광파이버(61)로 인도된 후, 조사 광학계(6)에 의해 공간광변조기(4)에 입사한다. 이 때, 공간광변조기(4)의 각 화소 미러는, 변조기 컨트롤러(41)에 의해 제어되고, 설계 노광 패턴에 따라 선택적으로 경사진 자세로 된다. 즉, 설계 노광 패턴에 따라, 광을 노광 에어리어에 도달시켜야 할 위치에 위치하고 있는 화소 미러는 제2의 자세(온 상태)로 되고, 그 이외의 화소 미러는, 제1의 자세(오프 상태)로 된다. 오프 상태의 화소 미러에 반사한 광은 노광 에어리어에는 도달하지 않고, 온 상태의 화소 미러에 반사한 광만이 도달한다. 이 때문에, 설계 노광 패턴에 따른 패턴의 광이 노광 에어리어에 조사된다.In the exposure unit 1 described above, the light from the light source 3 is guided through the optical fiber 61 and then enters the spatial light modulator 4 through the irradiation optical system 6 . At this time, each pixel mirror of the spatial light modulator 4 is controlled by the modulator controller 41, and is selectively inclined in accordance with the designed exposure pattern. That is, according to the designed exposure pattern, the pixel mirrors positioned at positions where light should reach the exposure area are in the second posture (on state), and the other pixel mirrors are in the first posture (off state). do. Light reflected by the off-state pixel mirror does not reach the exposure area, and only light reflected by the on-state pixel mirror reaches the exposure area. For this reason, the light of the pattern according to the design exposure pattern is irradiated to the exposure area.

한편, 도 1에 나타내는 바와 같이, 실시 형태의 DI 노광 장치는, 대상물(W)이 재치되는 스테이지(21)를 구비하고 있다. 이동 기구(2)는, 대상물(W)이 재치된 스테이지(21)를 직선 이동시키는 기구로 되어 있다.On the other hand, as shown in FIG. 1 , the DI exposure apparatus of the embodiment includes a stage 21 on which an object W is placed. The moving mechanism 2 is a mechanism for linearly moving the stage 21 on which the object W is placed.

이동 기구(2)로서는, 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이, 볼 나사(22)와, 한 쌍의 리니어 가이드(23)와, 볼 나사(22)를 회전시키는 서보모터(24) 등으로 이루어지는 직선 이동 기구가 채용된다. 이 외에, 리니어 모터 스테이지와 같이 자기의 작용을 이용하여 스테이지(21)를 직선 이동시키는 것이 사용되는 경우도 있다. 또한, 스테이지(21)는, 진공 흡착 등의 방법으로 대상물(W)이 움직이지 않도록 지지하는 것이다. 워크(W)와의 접촉 면적을 적게 하기 위해, 표면에 다수의 돌기를 설치한 구조의 것이 사용되기도 한다.As the movement mechanism 2, as shown in FIG. 1, for example, it consists of a ball screw 22, a pair of linear guides 23, and a servomotor 24 which rotates the ball screw 22, etc. A linear movement mechanism is employed. In addition to this, there are also cases in which a linear movement of the stage 21 using a magnetic action, such as a linear motor stage, is used. In addition, the stage 21 supports the object W so that it does not move by a method such as vacuum adsorption. In order to reduce the contact area with the workpiece W, a structure in which a large number of projections are provided on the surface is sometimes used.

이동 기구(2)에 의한 이동 방향은 수평 방향이다. 이동 기구(2)에 의한 스테이지(21)의 이동 라인(스캔 라인) 상에 노광 에어리어가 설정되어 있다.The moving direction by the moving mechanism 2 is a horizontal direction. An exposure area is set on the moving line (scan line) of the stage 21 by the moving mechanism 2 .

또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 노광 유닛(1)은 복수 설치되어 있다. 각 노광 유닛(1)은, 같은 구성이다. 복수의 노광 유닛(1)은, 이동 기구(2)에 의한 이동 방향에 대해서 수직인 방향으로 2열 배열되어 있다. 한쪽의 열은, 다른 쪽의 열에 대해서 배열 방향으로 어긋나게 배치되어 있다. 이것은, 각 노광 유닛(1)에 의한 노광 에어리어가 대상물(W)의 표면을 간극 없이 커버하기 위함이다. 이 점에 대해서, 도 3을 사용하여 설명한다. 도 3은, 각 노광 유닛에 의한 노광 에어리어에 대해 나타낸 사시개략도이다.Moreover, as shown in FIG. 1, the exposure unit 1 is installed in multiple numbers. Each exposure unit 1 has the same structure. The plurality of exposure units 1 are arranged in two rows in a direction perpendicular to the moving direction by the moving mechanism 2 . One column is displaced from the other column in the arrangement direction. This is for the exposure area of each exposure unit 1 to cover the surface of the object W without a gap. This point will be explained using FIG. 3 . Fig. 3 is a schematic perspective view showing an exposure area of each exposure unit.

도 3은, 각 노광 유닛(1)의 하방에 이른 대상물(W)이 노광되는 모습이 개략적으로 나타내져 있다. 도 3에 있어서, 각 노광 유닛(1)에 의한 노광 에어리어(E)가, 대상물(W)의 표면 상에 네모난 틀로 나타내져 있다. 실제로는, 각 노광 에어리어(E) 내에 있어서, 설계 노광 패턴에 따른 패턴의 광이 조사되어 있고, 그 패턴으로 노광이 된다.3 schematically shows how the target object W reaching the lower side of each exposure unit 1 is exposed. In FIG. 3 , an exposure area E by each exposure unit 1 is indicated by a square frame on the surface of the object W. As shown in FIG. Actually, in each exposure area E, light of a pattern according to a designed exposure pattern is irradiated, and exposure is performed in that pattern.

대상물(W)은 도 3 중 화살표로 나타내는 방향(X방향)으로 이동하면서, 각 노광 에어리어(E)에 형성되어 있는 패턴의 광조사를 받는다. 이 때, 2열의 노광 유닛(1)은 서로 어긋나게 배치되어 있으므로, 이동 방향에 수직인 수평 방향에 있어서도, 간극 없이 노광이 행해진다.The target object W receives light irradiation of a pattern formed in each exposure area E while moving in a direction (X direction) indicated by an arrow in FIG. 3 . At this time, since the two rows of exposure units 1 are displaced from each other, exposure is performed without a gap even in the horizontal direction perpendicular to the moving direction.

그런데, 이러한 실시 형태의 DI 노광 장치에 있어서, 종래의 DI 노광에 있어서의 해상도의 한계를 넘어 해상도를 실효적으로 높게 하는 구성이 채용되고 있다. 이 구성은, 주제어부(7)가 변조기 컨트롤러(41)에 보내는 공간광변조기(4)의 제어용의 데이터(이하, 노광 제어 데이터라고 한다.)에 의해서 주로서 실현되고 있다. 이하, 이 점에 대해 설명한다.By the way, in the DI exposure apparatus of this embodiment, a structure that effectively increases the resolution beyond the limit of the resolution in the conventional DI exposure is adopted. This configuration is mainly realized by the control data of the spatial light modulator 4 (hereinafter, referred to as exposure control data) that the main controller 7 sends to the modulator controller 41. Hereinafter, this point is demonstrated.

노광 제어 데이터는, 공간광변조기(4)의 각 화소 미러(42)에 의한 광의 조사 패턴(이하, 화소 패턴이라고 한다.)에 밀접하게 관련하고 있다. 우선, 화소 패턴 및 각 화소 패턴에 있어서의 조도 분포에 대해 설명한다. 도 4는, 각 화소 패턴 및 각 화소 패턴의 조도 분포를 개략적으로 나타낸 사시도이다.The exposure control data is closely related to the irradiation pattern of light by each pixel mirror 42 of the spatial light modulator 4 (hereinafter, referred to as a pixel pattern). First, the pixel pattern and illuminance distribution in each pixel pattern will be described. 4 is a perspective view schematically illustrating each pixel pattern and the illuminance distribution of each pixel pattern.

전술한 바와 같이, 실시 형태의 DI 노광 장치는, 공간광변조기(4)로서 DMD를 사용하고 있으며, 투영 광학계(5)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 온 상태의 각 화소 미러(42)에 의해 화소 패턴(S)을 투영한다. 각 화소 패턴(S)의 투영 위치는, 노광 에어리어에 설정된 각 대응 좌표(G)의 위치이다. 온 상태의 화소 미러(42)에 대응한 대응 좌표(G)에 화소 패턴(S)이 투영된다. 실시 형태에서는, 각 화소 미러(42)는 정사각형이므로, 각 대응 좌표는, 종횡비가 1인 직각격자의 각 교점의 위치에 상당하고 있다.As described above, in the DI exposure apparatus of the embodiment, the DMD is used as the spatial light modulator 4, and the projection optical system 5 includes each pixel mirror 42 in the ON state as shown in FIG. The pixel pattern S is projected. The projection position of each pixel pattern S is the position of each corresponding coordinate G set in the exposure area. A pixel pattern S is projected onto a corresponding coordinate G corresponding to the pixel mirror 42 in an on state. In the embodiment, since each pixel mirror 42 is a square, each corresponding coordinate corresponds to the position of each intersection of a rectangular lattice having an aspect ratio of 1.

종횡에서의 대응 좌표 간의 거리는, 노광 배율에 따른다. 1보다 큰 배율의 경우에는, 좌표 간 거리는 화소 미러(42)의 한 변보다 길고, 1보다 작은 배율의 경우에는 좌표 간 거리는 화소 미러(42)의 한 변보다 짧다. 프린트 기판 제조용의 노광의 경우, 1보다 큰 배율의 경우가 많다. 또한, 실시 형태에 있어서, 각 화소 미러(42)의 형상은 사각형이지만, 투영 광학계(5)에 의한 상(화소 패턴)은, 둥그스름한 느낌을 띤 상(거의 원형의 상)이 된다.The distance between the corresponding coordinates in the vertical and horizontal directions depends on the exposure magnification. In the case of a magnification greater than 1, the distance between coordinates is longer than one side of the pixel mirror 42, and in the case of a magnification smaller than 1, the distance between coordinates is shorter than one side of the pixel mirror 42. In the case of exposure for manufacturing printed circuit boards, there are many cases of a magnification greater than 1. Further, in the embodiment, the shape of each pixel mirror 42 is rectangular, but the image (pixel pattern) by the projection optical system 5 becomes a roundish image (almost circular image).

대상물(W)은, 이동 기구(2)에 의해 수평 방향으로 이동한다. 이 이동 때, 대상물(W)은 각 화소 패턴(S)의 조사 개소를 통과하고, 노광된다. 대상물(W)의 노광필요 개소는, 대상물(W)의 표면 상의 특정의 위치를 기준으로 한 XY좌표로 특정된다. 이 좌표를, 이하, 노광필요점이라 부르고, M으로 나타낸다. 각 노광필요점(M)은, 바둑판의 점형이며, 일정한 간격으로 떨어져 있다. 이하, 이 간격을 노광점 피치라고 부른다. 노광점 피치는, 전술한 래스터 이미지에 있어서의 픽셀 사이즈에 상당하고 있다.The object W is moved in the horizontal direction by the moving mechanism 2 . During this movement, the object W passes through the irradiation location of each pixel pattern S and is exposed. A location of the object W that requires exposure is specified by XY coordinates based on a specific position on the surface of the object W. This coordinate is hereinafter referred to as a required exposure point and is denoted by M. Each of the required exposure points M is in the shape of a checkerboard, and is spaced apart at regular intervals. Hereinafter, this interval is called exposure point pitch. The exposure point pitch corresponds to the pixel size in the raster image described above.

각 노광필요점(M)은, 대상물(W)이 이동 기구(2)에 의해 이동할 때, 각 화소 패턴(S)의 중심을 통과하고, 이 때에 노광이 행해진다. 이하, 각 노광필요점(M)이 이동하는 선을 스캔 라인이라 부르고, 도 4에 일점쇄선(SL)으로 나타낸다. 도 4의 예에서는, 스캔 라인(SL)은 대상물(W)의 X방향으로 되어 있는데, 이것은 필수가 아니며, XY방향에 대해서 경사의 방향의 경우도 있다.Each point M requiring exposure passes through the center of each pixel pattern S when the object W is moved by the moving mechanism 2, and exposure is performed at this time. Hereinafter, the line along which each required exposure point M moves is called a scan line, and is indicated by a dashed-dotted line SL in FIG. 4 . In the example of FIG. 4 , the scan line SL is in the X direction of the object W, but this is not essential and may be inclined with respect to the XY direction.

도 4에 나타내는 바와 같이, 어느 노광필요점(M)이 있는 스캔 라인(SL)을 통과하여 이동하고 화소 패턴(S)을 통과할 때, 당해 노광필요점(M)의 개소는, 이웃한 스캔 라인(SL) 상에 있는 화소 패턴(S')에 의해서도 노광된다. 즉, 약간 타임래그는 있지만, 이웃한 스캔 라인(SL)의 화소 패턴(S')의 주변부를 통과하므로, 당해 주변부에 의해서도 노광된다. 즉, 이동 기구(2)는, 각 노광필요점(M)의 개소가 스캔 라인(SL) 상의 화소 패턴에 의해서 노광됨과 더불어 이웃한 스캔 라인(SL) 상의 화소 패턴의 주변부에 의해서도 중첩적으로 노광되도록 대상물(M)을 이동시키는 기구로 되어 있다. 각 노광필요점(M)의 개소란, 노광필요점(M)으로 특정되는 대상물(W)의 표면의 영역이며, 노광필요점(M)을 중심으로 하는 영역이다. 이 영역은, 노광점 피치를 한 변으로 하는 사각형의 영역이다.As shown in Fig. 4, when moving through a scan line SL having a certain required exposure point M and passing through a pixel pattern S, the location of the required exposure point M is located in the adjacent scan It is also exposed by the pixel pattern S' on the line SL. That is, although there is a slight time lag, since it passes through the periphery of the pixel pattern S' of the adjacent scan line SL, the periphery is also exposed. That is, in the moving mechanism 2, each location of the required exposure point M is exposed by the pixel pattern on the scan line SL, and also exposed by the peripheral portion of the pixel pattern on the adjacent scan line SL in an overlapping manner. It is a mechanism for moving the object M as much as possible. The location of each required exposure point M is an area of the surface of the object W specified by the required exposure point M, and is an area centered on the required exposure point M. This area is a rectangular area with the exposure point pitch as one side.

도 4에는, 화소 패턴(S)에 의한 조도 분포가 I로서 나타내지고, 화소 패턴(S')에 의한 조도 분포가 I'로서 나타내져 있다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 각 화소 패턴(S, S')에 있어서의 조도 분포(I, I')는, 서로 겹쳐지지 않는 부분에서 높고, 서로 겹쳐져 있는 부분에서 낮은 분포로 되어 있다. 보다 구체적으로는, 하나의 화소 패턴의 중앙에서 크고, 주변으로 감에 따라서 서서히 낮아지는 분포로 되어 있다. 조도 분포는, 이른바 가우스 분포의 경우도 있다. 또한, 조도 분포(I)는, 화소 패턴의 중심(대응 좌표(G))에 대해서 대칭이며, 수평 방향의 어느 방향에서도, 도 4에 나타내는 분포로 되어 있다.4, the illuminance distribution by the pixel pattern S is represented by I, and the illuminance distribution by the pixel pattern S' is represented by I'. As shown in Fig. 4, the illuminance distributions (I, I') in each of the pixel patterns S and S' are high in areas where they do not overlap each other and low in areas where they overlap each other. More specifically, it is a distribution that is large at the center of one pixel pattern and gradually decreases as it goes to the periphery. The roughness distribution may be a so-called Gaussian distribution. In addition, the illuminance distribution I is symmetrical with respect to the center of the pixel pattern (corresponding coordinates G), and becomes the distribution shown in FIG. 4 in any direction in the horizontal direction.

각 화소 미러에 의한 광의 조사 패턴 및 그 조도 분포가 상기와 같은 것임을 전제로 하고, 실시 형태의 DI 노광 장치는, 노광 제어 데이터를 최적화하고 있다. 보다 구체적으로는, 대상물(W)의 표면 중 소정량 이상의 노광이 필요한 개소(노광필요 개소)에 대해서, 1회 및 2회 이상을 포함하는 소정 회수의 노광(이하, 다중 노광이라고 한다.)이 행해지도록 함과 더불어, 실효적인 해상도의 향상을 위해서, 그 노광 회수를 최적화하고 있다.On the premise that the irradiation pattern of light by each pixel mirror and its illuminance distribution are as described above, the DI exposure apparatus of the embodiment optimizes the exposure control data. More specifically, a predetermined number of exposures (hereinafter referred to as multiple exposures), including one time and two or more times, is performed on the surface of the object W where exposure of a predetermined amount or more is required (exposure required location). In addition, the number of exposures is optimized for effective resolution improvement.

도 5 및 도 6은, 다중 노광에 대해서 개념적으로 나타낸 도면이다. 도 5 (1)은, 다중 노광이 아닌 종래의 노광을 나타낸다. 또한, 도 5 (2)는 노광 회수가 2회인 2다중 노광을 나타내고, 도 5 (3)은 노광 회수가 3회인 3다중 노광을 나타내며, 도 5 (4)는 노광 회수가 4회인 4다중 노광을 나타낸다.5 and 6 are diagrams conceptually showing multiple exposures. Fig. 5(1) shows a conventional exposure that is not a multiple exposure. In addition, FIG. 5 (2) shows 2 multiple exposures with 2 exposure times, FIG. 5 (3) shows 3 multiple exposures with 3 exposure times, and FIG. 5 (4) shows 4 multiple exposures with 4 exposure times. indicates

도 5 (1)~(4)에 있어서, 좌측의 그래프는, 연속한(서로 겹쳐진) 각 화소 패턴에 의한 각각의 노광량을 나타내고, 우측의 그래프는, 화소 패턴이 연속하고 있는 영역의 전체의 노광량을 나타낸다. 또한, 도 5 (2)~(4)에 있어서, 좌측의 그래프의 파선은, 각 회의 노광에 의해 노광량이 증가해 나가는 상태를 나타낸다.5(1) to (4), the graphs on the left represent the respective exposure amounts of each continuous (overlapping) pixel pattern, and the graphs on the right show the total exposure values of the area where the pixel patterns are continuous. indicates In Fig. 5 (2) to (4), the broken lines in the graphs on the left indicate the state in which the exposure amount increases with each exposure.

우선, 비교를 위해서, 다중 노광이 아닌 통상의 노광에 대해 설명한다. 도 5 (1)은, 도 4와 동일한 도면이며, 연속한 노광필요 개소에 대해서 투영된 각 화소 패턴에 의한 노광량이 나타내져 있다. 1회의 노광이므로, 노광량은 각 화소 패턴의 조도 분포(I)와 동일한 분포이다.First, for comparison, normal exposure, not multiple exposure, will be described. Fig. 5(1) is the same view as Fig. 4, and shows the exposure amount by each pixel pattern projected on a continuous exposure-required location. Since it is a single exposure, the exposure amount has the same distribution as the illuminance distribution (I) of each pixel pattern.

도 5 (1)의 좌측에 나타내진 각 노광량을 적산한 노광량이 실제의 노광량이며, 그것이 우측에 나타내져 있다. 이하, 이 노광량을 에어리어 적산 노광량이라고 한다.The exposure amount obtained by integrating each exposure amount shown on the left side of Fig. 5(1) is the actual exposure amount, and it is shown on the right side. Hereinafter, this exposure amount is referred to as an area cumulative exposure amount.

또한, 이 실시 형태에서는, 노광필요 개소의 몇 개는 1회만의 노광이 된다. 1회만의 노광도 「다중 노광」의 개념에 포함하기 때문에, 이하의 설명에서는, 1회만의 노광을 「1다중」으로 부른다. 그리고, 2회의 노광을 「2다중」, 3회의 노광을 「3다중」, 4회의 노광을 「4다중」이라고 각각 부른다.In addition, in this embodiment, some of the locations requiring exposure are exposed only once. Since exposure of only one time is also included in the concept of "multiple exposure", in the following description, exposure of only one time is referred to as "single exposure". In addition, exposure of 2 times is called "2 multiplex", exposure of 3 times is called "3 multiplex", and exposure of 4 times is called "4 multiplex", respectively.

대상물(W)의 표면에 형성된 감광층은, 어느 임계적인 양의 노광이 됨으로써 감광한다. 도 7은, 감광층의 감광 특성의 일례를 나타낸 도면이다. 도 7에서는, 일례로서 네거티브형 레지스트의 경우가 나타내져 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 감광층은, 어느 임계적인 노광량(EC)에 있어서 현상액에 대한 가용성이 제로(불용)가 된다. 노광량을 그것 이상 많이 해도, 그 특성은 변화하지 않는다. 이하, 이러한 노광량(EC)을 임계 노광량이라고 한다.The photosensitive layer formed on the surface of the object W becomes photosensitive by exposure of a certain critical amount. 7 is a diagram showing an example of photosensitive characteristics of the photosensitive layer. In Fig. 7, the case of a negative resist is shown as an example. As shown in FIG. 7 , the solubility of the photosensitive layer in a developing solution becomes zero (insoluble) at a certain critical exposure amount (E C ). Even if the exposure amount is higher than that, the characteristic does not change. Hereinafter, this exposure amount (E C ) is referred to as a critical exposure amount.

도 5 (1)에 있어서, 에어리어 적산 노광량은, 화소 패턴의 광이 조사되어 있는 대응 좌표에 있어서 임계 노광량(EC) 이상이 되도록 된다. 이것은, 각 화소 패턴에 있어서의 조도(평균 조도 또는 피크 조도)를 적절히 조정함으로써 달성된다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 노광필요 개소 중, 끝에 위치하는 대응 좌표보다 외측의 위치(EB)에 있어서 에어리어 적산 노광량은 임계 노광량을 밑돌므로, 이 위치(EB)가, 실효적인 피노광 영역의 끝(이하, 실효 노광 경계라고 한다.)이 된다.In FIG. 5(1), the area cumulative exposure amount becomes equal to or greater than the threshold exposure amount E C in the corresponding coordinates where light of the pixel pattern is irradiated. This is achieved by appropriately adjusting the illuminance (average illuminance or peak illuminance) in each pixel pattern. As shown in FIG. 6 , the integrated exposure amount of the area is less than the critical exposure amount at the position ( EB ) outside the corresponding coordinates located at the end among the locations requiring exposure, so this position ( EB ) is the effective to-be-exposed area. It becomes the end of (hereinafter, referred to as an effective exposure boundary).

도 5 (1)~(4)의 다중 노광의 경우에 대해서도, 마찬가지로, 각 우측에 에어리어 적산 노광량이 나타내져 있다. 도 6은, 도 5 (1)~(4)의 각 우측에 나타내진 에어리어 적산 노광량을 하나의 그래프에 나타내어 알기 쉽게 한 도면이다.In the case of multiple exposures in Figs. 5 (1) to (4), the area cumulative exposure amount is similarly shown on each right side. FIG. 6 is a diagram for easy understanding by displaying the integrated exposure amounts of the areas shown on the right side of FIGS. 5 (1) to (4) in a single graph.

도 6에서는, 노광필요 개소 중 가장 우측에 위치하는 노광필요 개소의 노광필요점을 G1로 한다. G1에 이를 때까지의 노광필요 개소를 1다중으로 했을 경우, 2다중으로 했을 경우, 3다중으로 했을 경우, 4다중으로 했을 경우가 각각 나타내져 있다. 또한, 노광점 피치를 D로 나타낸다.In FIG. 6 , the required exposure point of the rightmost location requiring exposure among the locations requiring exposure is G 1 . The cases in which exposure is required until G 1 is reached are 1, 2, 3, and 4, respectively. In addition, exposure point pitch is represented by D.

도 6에 나타내는 바와 같이, 1다중→4다중과 같이 다중도를 높게 해 나감에 따라, 실효 노광 경계(EB)의 위치가 외측으로 이동한다. 이 예에서는, 4다중 했을 경우에 한 개의 이웃한 노광필요점(G2)이 임계 노광량(EC)에 이르는 것으로 되어 있다. 즉, 실효 노광 경계(EB)의 수가 4배로 증가한(사이에 세 개의 좌표를 선택할 수 있다) 것이 되고, 외관 상, 4배의 분해능으로 노광이 행해질 수 있는 것을 의미한다.As shown in FIG. 6 , the position of the effective exposure boundary EB moves to the outside as the multiplicity is increased, such as 1 multiplicity → 4 multiplicity. In this example, when multiplied by 4, one neighboring required exposure point ( G 2 ) reaches the critical exposure amount (EC ). That is, the number of effective exposure boundaries EB is increased by 4 times (three coordinates can be selected in between), which apparently means that exposure can be performed with 4 times the resolution.

또한, 이 예에서는, 1다중의 경우, 끝에 위치하는 노광필요점(G1)에 대해서 노광점 피치(D)의 1/4 떨어진 위치(P1)가 임계 노광량(EC)에 이르는 것으로 되어 있다. 따라서, G1을 실효 노광 경계로 하고 싶은 경우, G1에 대해서 한 개 앞의 노광필요점(G0로 나타낸다)에 있어서 4다중으로 하고, 노광필요점(G1)에 대해서는 노광 회수 0으로 하면 된다. 이하, 노광 회수 0을, 편의 상, 「0다중」이라 부른다.In addition, in this example, in the case of 1 multiplex, the position (P 1 ) 1/4 of the exposure point pitch (D) from the required exposure point (G 1 ) located at the end reaches the critical exposure amount (E C ), there is. Therefore, when G 1 is desired to be the effective exposure boundary, the number of exposures is set to 0 for the required exposure point (G 1 ). You can do it. Hereinafter, the number of exposures of 0 is referred to as "0 multiplication" for convenience.

이와 같이, 실시 형태의 DI 노광 장치는, 선택된 노광필요 개소에 대한 노광을 2회 이상으로 하고, 그것에 의해 실효 노광 경계(EB)를 외측으로 이동시킴으로써 실효적인 노광 분해능을 향상시키는 장치로 되어 있다.In this way, the DI exposure apparatus of the embodiment is a device that improves the effective exposure resolution by performing two or more exposures to the selected exposure-required portion and thereby moving the effective exposure boundary E B to the outside. .

상기의 점을, 노광 제어 데이터에 입각하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 8은, 실시 형태의 DI 노광 장치에 있어서의 노광 제어 데이터에 대해 모식적으로 나타낸 도면이다.The above points will be described more concretely based on exposure control data. 8 is a diagram schematically showing exposure control data in the DI exposure apparatus of the embodiment.

노광 제어 데이터는, 대상물(W)의 표면에 있어서의 노광필요 개소의 정보를 포함하고 있다. 이해를 위해서, 투영 광학계(도 8 중 도시하지 않음)의 광축은 연직 방향(Z방향)이라고 한다. 또한, 대상물(W)은 XY방향을 따라서 변이 연장되는 사각형의 판상물(板狀物)이라고 한다. 또한, 이동 기구(2)에 의한 이동 방향은 X방향이라고 한다.The exposure control data includes information on a location requiring exposure on the surface of the object W. For the sake of understanding, the optical axis of the projection optical system (not shown in Fig. 8) is referred to as the vertical direction (Z direction). In addition, the target object W is said to be a rectangular plate-shaped object whose sides extend along the XY direction. In addition, the moving direction by the moving mechanism 2 is called the X direction.

노광필요점은, 대상물(W)의 표면 상의 특정의 위치를 기준으로 한 XY좌표로 특정된다. 지금, 어느 노광필요점(M)의 좌표(Xm, Ym)가 특정된다고 한다. 그리고, 어느 노광필요점(M)은, 4다중(4회 노광)을 해야 할 개소라고 한다.The required exposure point is specified by XY coordinates based on a specific position on the surface of the object W. Now, it is assumed that the coordinates (X m , Y m ) of a certain exposure point M are specified. And, a certain required exposure point M is said to be a location where quadruple (four exposures) should be performed.

이 경우, 이 노광필요점(M)이 진행되는 선(스캔 라인)(SL) 상 중 네 개의 대응 좌표(G1~G4)에 있어서 노광필요점(M)은 노광이 된다. 즉, 도 8 (1)에 나타내는 바와 같이, 스캔 라인(SL) 상에 위치하는 네 개의 대응 좌표(G1~G4)에 있어서 화소 패턴(S)의 광이 조사된다. 이것은, 네 개의 대응 좌표에 대응하는 네 개의 화소 미러(42)가 온 상태인 것을 의미한다. 또한, 도 8 (1)에서는, 같은 시기에 네 개의 화소 미러(42)가 온 상태이도록 그려져 있는데, 이것은 이해를 위한 것이며, 실제로는, 노광필요점(M)이 각 대응 좌표(G1~G4)에 이른 타이밍에서 온 상태로 되어 있으면 충분하다.In this case, the required exposure point M is exposed at four corresponding coordinates G 1 to G 4 on the line (scan line) SL along which the required exposure point M is traveling. That is, as shown in FIG. 8(1), the light of the pixel pattern S is irradiated at four corresponding coordinates G 1 to G 4 located on the scan line SL. This means that the four pixel mirrors 42 corresponding to the four corresponding coordinates are in an on state. In Fig. 8( 1 ), four pixel mirrors 42 are drawn to be on at the same time, but this is for understanding. It is sufficient if it is in the on state at the timing reaching 4 ).

상기의 예로, 예를 들면 노광필요점(M)에 인접한 노광필요점(N)에 대해서는, 3다중 노광(3회 노광)이 필요하다고 하고, 노광필요점(N)은, 노광필요점(M)에 대해서 스캔 라인(SL) 상의 후방에 위치한다고 한다. 이 경우, 도 8 (2)에 나타내는 바와 같이, 노광필요점(N)이 최후의 대응 좌표(G4)에 이른 단계에서는, 이 대응 좌표(G4)에 대응하는 화소 미러(42)는 오프 상태로 변경되어 있으며, 이 때문에, 4번째의 노광이 되지 않는 상태가 된다.In the above example, for example, for a required exposure point N adjacent to a required exposure point M, it is assumed that 3 multiple exposures (three exposures) are required, and the required exposure point N is the required exposure point M. ) is assumed to be located at the rear on the scan line SL. In this case, as shown in FIG. 8(2), at the stage where the required exposure point N reaches the last corresponding coordinate G 4 , the pixel mirror 42 corresponding to this corresponding coordinate G 4 is turned off. It is changed to the state, and for this reason, it becomes a state in which the 4th exposure is not performed.

이와 같이, 노광 제어 데이터는, 각 노광필요점이 각 대응 좌표에 이른 타이밍에서 당해 대응 좌표에 대응한 화소 미러(42)가 온 상태인지 오프 상태인지 라는 데이터로서 설정된다. 「각 대응 좌표에 이른 타이밍」이란, 이동 기구(2)에 의한 이동에 따른 것이다. 이동 기구(2)에 있어서의 이동 속도는 일정한 기지의 값이며, 그것에 따른 각 화소 미러(42)의 온 오프의 시퀀스가 노광 제어 데이터라는 것이 된다.In this way, the exposure control data is set as data indicating whether the pixel mirror 42 corresponding to the corresponding coordinate is on or off at the timing when each required exposure point reaches each corresponding coordinate. "The timing of reaching each corresponding coordinate" is according to the movement by the movement mechanism 2. The moving speed of the moving mechanism 2 is a constant known value, and the sequence of turning on/off of each pixel mirror 42 according to it is exposure control data.

다중 노광을 행하는 노광 제어 데이터에 대해서, 보다 구체적인 예를 설명한다. 도 9는, 실시 형태의 DI 노광 장치에 있어서의 노광 제어 데이터의 일례를 나타낸 개략도이다.A more specific example of exposure control data for performing multiple exposures will be described. 9 is a schematic diagram showing an example of exposure control data in the DI exposure apparatus of the embodiment.

도 9 (1)은, 대상물(W)의 표면에 있어서 노광하고 싶은 형상의 일부가 나타내져 있다. 이 예는, 비스듬하게 연장되는 일정한 폭의 선(회로선)의 패턴으로 노광하는 예로 되어 있다. 그레이로 전부 칠해진 영역이 노광하고 싶은 형상이며, 이것이 설계 노광 패턴이라는 것이 된다. 도 9 (1)에 있어서, 검은 동그라미로 나타낸 개소는, 노광필요점이다.9(1) shows a part of a shape to be exposed on the surface of the object W. As shown in FIG. This example is an example of exposing in a pattern of obliquely extending lines (circuit lines) of a certain width. The area completely filled with gray is the shape to be exposed, and this becomes the design exposure pattern. In Fig. 9(1), a black circle indicates a point requiring exposure.

도 9 (2)는, (1)과 같은 형상으로 노광을 행하는 경우의 각 스캔 라인(SL)에서 위의 다중도를 막대그래프로 나타낸 것이다.Fig. 9 (2) shows the multiplicity of the above in each scan line SL in the case of exposure in the same shape as in (1) as a bar graph.

실시 형태에 있어서, 각 노광필요점에 있어서의 노광 회수는, 설계 노광 패턴의 경계(그레이의 영역)까지의 거리에 따라 설정된다. 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상인 노광필요점에 대해서는, 모두 최대의 노광 회수(4다중)가 된다. 그리고, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광필요점에 대해서는, 경계까지의 거리에 따라 최대 회수보다 적은 노광 회수가 된다.In the embodiment, the number of exposures at each necessary exposure point is set according to the distance to the boundary (gray region) of the designed exposure pattern. For points requiring exposure whose distance to the boundary is equal to or greater than the exposure point pitch, the maximum number of exposures (four times) is obtained. And, for the necessary exposure points where the distance to the boundary of the designed exposure pattern is less than the exposure point pitch, the number of exposures is smaller than the maximum number depending on the distance to the boundary.

구체적으로 설명하면, 스캔 라인a 상의 각 노광필요점은, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상이기 때문에, 모두 최대 회수(4다중)의 노광이 된다. 스캔 라인e 상의 각 노광점도 동일하다.More specifically, since the distance to the boundary of the design exposure pattern is greater than or equal to the exposure point pitch, each of the required exposure points on the scan line a results in the maximum number of exposures (four times). Each exposure point on the scan line e is also the same.

또한, 스캔 라인b 상의 노광필요점 중, 중앙의 네 개의 노광점은 경계까지 노광점 피치 이상이기 때문에 4다중(4회 노광)이 되고, 좌단의 노광필요점은 1다중(1회 노광)이 된다. 이 때문에, 도 9 (1)에 나타내는 바와 같이 노광점 피치(D)의 1/4만큼 좌측으로 비어져 나와 노광이 된다. 우단의 노광필요점에서는 3다중(3회 노광)이 되고, 이 때문에, 도 9 (1)에 나타내는 바와 같이 노광점 피치(D)의 3/4만큼 우측으로 비어져 나와 실효적으로 노광이 된다.Also, among the points required for exposure on the scan line b, the four exposure points in the center are equal to or greater than the pitch of the exposure points to the boundary, so it is 4 multiplex (4 exposures), and the left end required exposure point is 1 multiplex (one exposure). do. For this reason, as shown in FIG. 9(1), only 1/4 of exposure point pitch D protrudes to the left, and it becomes exposure. At the required exposure point on the right end, 3 multiplex (three exposures) is performed, and for this reason, as shown in FIG. .

또한, 스캔 라인c 상 중, 동일하게 중앙의 네 개의 노광필요점은 경계까지 노광점 피치 이상이기 때문에 4다중(4회 노광)이 되고, 좌우의 끝의 노광필요점에서는 각각 2다중(2회 노광)이 된다. 이 때문에, 좌우 각각, 노광점 피치(D)의 1/2만큼 비어져 나와 실효적으로 노광이 된다.In addition, on the scan line c, the four points required for exposure in the center are equal to or greater than the exposure point pitch to the boundary, so it is 4 multiplex (4 exposures), and at the left and right ends, 2 multiplex (2 times) are required respectively. exposure). For this reason, only 1/2 of the exposure point pitch D protrudes each left and right, and exposure becomes effective.

또한, 스캔 라인d 상에서는, 동일하게 중앙의 네 개의 노광필요점은 경계까지 노광점 피치 이상이기 때문에 4다중(4회 노광)이 되고, 좌단의 노광필요점은 3다중(3회 노광), 우단의 노광필요점은 1다중(1회 노광)이 된다. 이 때문에, 좌단에서 노광점 피치(D)의 3/4만큼 비어져 나오고, 우단에서 노광점 피치(D)의 1/4만큼 비어져 나와 실효적으로 노광된다.Also, on the scan line d, the four points required for exposure in the center are equal to or greater than the exposure point pitch to the boundary, so it becomes 4 multiplex (4 exposures), and the required exposure points on the left end are 3 multiples (3 exposures), the right end The required exposure point is 1 multiplex (one exposure). For this reason, 3/4 of the exposure point pitch D protrudes from the left end, and 1/4 of the exposure point pitch D protrudes from the right end, and the light is effectively exposed.

도 9 (3)은, 도 9 (2)에 나타내는 다중도를 데이터로서 제어 데이터로서 나타낸 도면이다. 도 9 (3)에 나타내는 바와 같이 각 노광필요점으로 다중도가 선택됨으로써, 도 9 (1)에 나타내는 바와 같이 비스듬하게 연장되는 일정한 폭의 회로선의 패턴으로 노광이 된다.Fig. 9(3) is a diagram showing the multiplicity shown in Fig. 9(2) as control data as data. As shown in Fig. 9(3), exposure is performed in a pattern of circuit lines of a certain width extending obliquely as shown in Fig. 9(1) by selecting the degree of multiplicity for each exposure required point.

주제어부(7)의 기억부(71)에는, 노광 제어 데이터가 병합된 시퀀스 프로그램이 실장되어 있다. 시퀀스 프로그램은, 변조기 컨트롤러(41)에 보내지고, 공간광변조기(4)가 다중도 데이터에 의거한 시퀀스로 제어된다. 이 결과, 도 9에 나타내는 다중도로 각 노광필요점이 노광된다. 시퀀스 프로그램에는, 상기 이외에, 스테이지(21) 상의 기준점에 대한 대상물(W)의 재치 위치의 데이터, 스테이지(21) 상의 기준점에 대한 대상물(W)의 표면의 각 노광필요점의 데이터, 스테이지(21)의 이동 속도의 데이터 등이 병합되어 있다.In the storage unit 71 of the main control unit 7, a sequence program in which exposure control data is merged is mounted. The sequence program is sent to the modulator controller 41, and the spatial light modulator 4 is controlled in sequence based on the multiplicity data. As a result, each exposure-required point is exposed at the multiplicity shown in FIG. In the sequence program, in addition to the above, data of the placement position of the object W relative to the reference point on the stage 21, data of each required exposure point on the surface of the object W relative to the reference point on the stage 21, and data on the stage 21 ) of the moving speed data, etc. are merged.

상술한 다중도의 선정에 대해 다소 상세하게 설명하면, 설계 노광 패턴에 있어서의 각 노광필요점에 대해서, 각 노광필요점을 중심으로 하고, 노광점 피치(D)의 2배를 한 변으로 하는 사각형의 영역을 관념한다. 그리고, 이 영역 내에, 설계 노광 패턴의 경계가 있는지 여부를 판단한다. 경계가 있는 경우, 그 경계까지의 당해 노광필요점으로부터의 거리(X방향 또는 Y방향의 거리)를 산출하여, 그것이 노광점 피치(D)의 1/4, 1/2, 3/4 중 어느 값에 가장 가까운지 판단한다. 그리고, 그 가장 가까운 값에 따라 다중도를 선정한다. 즉, 1/4이라면 1다중(1회 노광), 1/2이라면 2다중(2회 노광), 3/4이라면 3다중(3회 노광)으로 한다. 경계까지의 거리가 노광점 피치(D)에 동일한 경우나, 또는 영역 내에 설계 노광 패턴의 경계가 없는 노광필요점은, 모두 4다중으로 한다. 또한, 노광필요점으로부터 경계까지의 거리가 노광점 피치(D)의 1/8보다 작은 경우, 노광필요점은 경계 상이라고 간주하여 0다중(0회 노광)으로 한다. 이와 같이 하여, 각 노광필요점에 대해 다중도를 선정하고, 노광 제어 데이터에 병합한다.[0035] To explain in detail the selection of the above-mentioned multiplicity, for each necessary exposure point in the design exposure pattern, centering on each required exposure point, one side is twice the exposure point pitch (D). Imagine a rectangular area. Then, it is determined whether there is a boundary of the design exposure pattern within this area. When there is a boundary, the distance from the point required for exposure to the boundary (distance in the X direction or Y direction) is calculated, and it is either 1/4, 1/2, or 3/4 of the exposure point pitch (D). Determine which value is closest to Then, the multiplicity is selected according to the nearest value. That is, if it is 1/4, it is 1 multiple (exposure once), if it is 1/2, it is 2 multiple (exposure twice), and if it is 3/4, it is 3 multiple (exposure 3 times). In the case where the distance to the boundary is equal to the exposure point pitch (D) or where there is no boundary of the designed exposure pattern within the region, the required exposure points are all set to 4 multiplex. In addition, when the distance from the required exposure point to the boundary is smaller than 1/8 of the exposure point pitch D, the required exposure point is considered to be on the boundary and is set to 0 multiplex (0 exposure). In this way, the multiplicity is selected for each required exposure point and merged with the exposure control data.

다음으로, 실시 형태의 DI 노광 장치의 전체의 동작에 대해 설명한다. 이하의 설명은, DI 노광 방법의 발명의 실시 형태의 설명이기도 하다. 이하의 설명에서는, 상기와 같이, 대상물(W)은 프린트 기판 제조용의 워크라고 한다.Next, the overall operation of the DI exposure apparatus of the embodiment will be described. The following description is also a description of an embodiment of the invention of the DI exposure method. In the following description, as described above, the object W is referred to as a work for manufacturing a printed circuit board.

도 1에 있어서, 대상물(W)은 로드 위치에 있어서 스테이지(21)에 재치되고, 필요에 따라서 스테이지(21) 상에 진공 흡착된다. 다음으로, 이동 기구(2)가 동작하고, 각 노광 유닛(1)의 하방의 노광 에어리어(E)를 향하여 수평 이동한다. 이 이동 방향은, 대응 좌표의 한쪽의 배열 방향으로 정밀도 좋게 일치하고 있다.In Fig. 1, an object W is placed on a stage 21 at a loading position, and vacuum adsorbed on the stage 21 as needed. Next, the moving mechanism 2 operates and moves horizontally toward the exposure area E below each exposure unit 1 . This movement direction coincides with the arrangement direction of one of the corresponding coordinates with high precision.

이동 기구(2)는, 소정의 속도로 스테이지(21)를 이동시킨다. 그리고, 스테이지(21) 상의 대상물(W)의 표면에 있어서의 노광필요점이 대응 좌표에 도달하는 시점에서는 당해 대응 좌표에 대응한 화소 미러(42)가 온 상태로 되어 있고, 노광필요점이 노광된다.The moving mechanism 2 moves the stage 21 at a predetermined speed. Then, when the required exposure point on the surface of the object W on the stage 21 reaches the corresponding coordinate, the pixel mirror 42 corresponding to the corresponding coordinate is turned on, and the required exposure point is exposed.

이동 기구(2)는, 계속하여 같은 방향으로 스테이지(21)를 이동시킨다. 그리고, 당해 노광필요점이 다음의 대응 좌표에 도달했을 때, 당해 노광필요점이 2다중 이상의 개소이면, 당해 대응 좌표에 대응한 화소 미러(42)가 온 상태로 되고, 2회째의 노광이 행해진다.The moving mechanism 2 continues to move the stage 21 in the same direction. Then, when the required exposure point reaches the next corresponding coordinate, if the corresponding required exposure point is two or more locations, the pixel mirror 42 corresponding to the corresponding coordinate is turned on, and the second exposure is performed.

이와 같이 하여, 각 노광필요점이 대응 좌표에 이르렀을 때에 당해 노광필요 개소의 다중도에 따라 화소 미러(42)가 온 또는 오프로 되고, 각 노광필요점이 정해진 다중도로 노광된다. 대상물(W)이 각 노광 유닛(1)의 하방을 통과하면, 각 노광필요점의 노광이 완료하고, 각 노광점을 포함하는 대상물(W)의 표면은, 도 9 (1)에 나타내는 원하는 노광 패턴으로의 노광이 된 것이 된다.In this way, when each required exposure point reaches the corresponding coordinate, the pixel mirror 42 is turned on or off according to the multiplicity of the required exposure portion, and each required exposure point is exposed at a set multiplicity. When the object W passes below each exposure unit 1, the exposure of each required exposure point is completed, and the surface of the object W including each exposure point is exposed to the desired exposure shown in FIG. 9(1). It becomes what was exposed to the pattern.

그 후, 스테이지(21)가 언로드 위치에 이르면 스테이지(21)의 이동은 정지하고, 노광이 끝난 대상물(W)은, 스테이지(21)로부터 들어 올려진다. 그리고, 대상물(W)은, 다음의 처리(예를 들면 현상 처리)가 행해지는 장소로 반송된다.Thereafter, when the stage 21 reaches the unloading position, the movement of the stage 21 is stopped, and the exposed object W is lifted from the stage 21 . Then, the target object W is conveyed to a place where the next process (eg, development process) is performed.

상술한 DI 노광 장치 및 DI 노광 방법에 의하면, 같은 노광필요점을 복수 회 노광하는 다중 노광을 채용하고, 화소 패턴의 주변부에 의한 복수 회의 노광에 의해 피노광 영역의 크기를 조정하고 있으므로, 노광점 피치(D)보다 미세하게 피노광 영역의 크기를 조정할 수 있다. 즉, 노광의 해상도가 높아진다. 따라서, 설계 노광 패턴에 의해 충실한 고정밀의 패턴으로 노광을 행할 수 있다. 이 때문에, 계단 현상을 가능한 한 억제하여 매끄러운 윤곽 형상의 노광이 가능하게 되거나, 선폭 변경과 같은 노광 패턴의 미세 조정을 보다 미세하게 할 수 있도록 되거나 하는 효과가 얻어진다. 이 때, 공간광변조기(4)의 화소를 미세하게 할 필요는 없기 때문에, 특별히 비용이 상승하지 않으며, 도입은 용이하다.According to the DI exposure apparatus and DI exposure method described above, since multiple exposures are employed in which the same exposure point is exposed multiple times, and the size of the to-be-exposed area is adjusted by multiple exposures by the periphery of the pixel pattern, the exposure point The size of the to-be-exposed area can be adjusted more minutely than the pitch D. That is, the resolution of exposure is increased. Therefore, exposure can be performed with a faithful and highly accurate pattern according to the designed exposure pattern. For this reason, effects such as suppressing the step phenomenon as much as possible and enabling exposure of a smooth outline shape or making fine adjustment of the exposure pattern such as changing the line width more finely can be obtained. At this time, since it is not necessary to make the pixels of the spatial light modulator 4 finer, the cost does not particularly increase and the introduction is easy.

또한, 대상물(W)의 이동 속도를 늦게 할 필요는 없고, 각 노광필요점이 대응 좌표에 도달했을 때의 각 화소 미러(42)의 제어 데이터(온 오프 데이터)를 바꾸는 것만으로 충분하다. 이 때문에, 생산성도 조금도 저하하지 않는다. 또한, 노광 제어 데이터의 데이터량도 특별히 증가하지 않으며, 데이터 처리가 번잡하게 되지 않는다.Further, it is not necessary to slow down the moving speed of the object W, and it is sufficient to change the control data (on/off data) of each pixel mirror 42 when each required exposure point reaches the corresponding coordinate. For this reason, productivity does not decrease at all. In addition, the amount of exposure control data does not particularly increase, and data processing does not become complicated.

상기 실시 형태에서는, 4다중(4회의 노광)을 행하면 정확히 이웃한 노광필요점이 실효 노광 경계(EB)가 되는 구성이며, 그러한 조도로 각 노광 유닛(1)이 노광을 행하는 것이었다. 그러나, 이것은 일례이며, 다른 구성도 당연히 있을 수 있다. 예를 들면, 화소 패턴의 조도를 낮게 해 두고 더욱 많은 다중을 행하도록 하면, 두 개의 대응 좌표 간에 있어서 취할 수 있는 실효 노광 경계(EB)의 수가 증가하고, 보다 분해능을 높게 할 수 있다. In the above embodiment, when four multiplexes (four exposures) are performed, exactly adjacent required exposure points become the effective exposure boundary EB , and each exposure unit 1 is exposed at such an illumination. However, this is an example, and other configurations may naturally exist. For example, if the illuminance of the pixel pattern is lowered and more multiplexing is performed, the number of effective exposure boundaries EB that can be taken between the two corresponding coordinates increases, and the resolution can be further increased.

또한, 화소 패턴에 있어서의 조도 분포는 가우스 분포임으로서 설명하였는데, 완전한 가우스 분포일 필요는 없으며, 또한 가우스 분포 이외의 분포여도 된다. 필요한 것은, 두 개의 화소 패턴이 서로 겹쳐지는 주변부에 있어서 낮고, 서로 겹쳐지지 않는 중앙부에 있어서 높게(주변부보다 높게) 되어 있는 것이며, 그러한 분포이면 실시 가능하다.Incidentally, the illuminance distribution in the pixel pattern has been explained as being a Gaussian distribution, but it does not have to be a perfect Gaussian distribution, and may also be a distribution other than Gaussian distribution. What is required is that the two pixel patterns are low in the periphery where they overlap each other and high (higher than the periphery) in the center where they do not overlap each other, and such a distribution is feasible.

상기 실시 형태의 DI 노광 장치 및 DI 노광 방법에 있어서, 대상물(W)의 이동은 연속적이며, 특별히 정지하지 않고 각 화소 패턴에 의한 노광이 행해진다. 단, 소정 위치에 대상물(W)을 정지시키면서 간헐적으로 대상물(W)을 이동시켜 노광하는 경우도 있을 수 있다. 예를 들면, 노광필요점이 대응 좌표에 일치한 상태로 대상물(W)을 정지시키고, 이 상태로 노광하는 경우도 있을 수 있다.In the DI exposure apparatus and DI exposure method of the above embodiments, the movement of the object W is continuous, and exposure by each pixel pattern is performed without stopping in particular. However, there may be cases where the object W is intermittently moved and exposed while the object W is stopped at a predetermined position. For example, there may be cases in which the object W is stopped in a state in which the required exposure points coincide with the corresponding coordinates, and exposure is performed in this state.

또한, 스테이지(21)가 각 노광 유닛(1)의 하방을 1회 통과할 때에 노광이 행해지도록 설명하였는데, 스테이지(21)가 노광 유닛(1)의 하방을 왕복 이동하고, 그 쌍방에서 노광이 행해지는 경우도 있을 수 있다.In addition, it has been explained that exposure is performed when the stage 21 passes below each exposure unit 1 once, but the stage 21 reciprocates below the exposure unit 1, and exposure is performed from both sides. There may be occasions when this is done.

또한, 대상물(W)의 이동은, 조사되어 있는 노광 패턴의 광에 대해서 상대적이면 충분하고, 상기와 같이 대상물(W)이 이동하는 경우 이외에, 정지(靜止)한 대상물(W)에 대해서 노광 패턴이 이동해도 된다. 예를 들면, 정지한 대상물(W)에 대해서 노광 유닛(1)이 전체로 이동하는 구성이어도 된다.Further, the movement of the object W is sufficient as long as it is relative to the light of the irradiated exposure pattern, and other than the case where the object W moves as described above, the exposure pattern is relative to the object W at rest. this can move For example, a structure in which the exposure unit 1 moves as a whole may be used with respect to the still object W.

또한, DI 노광 장치의 구성에 있어서, 노광 유닛(1)이 다수 있는 것은 필수가 아니며, 1개만의 노광 유닛(1)이어도 된다. 대상물(W)이 작은 경우나 대형의 공간광변조기(4)를 채용하는 경우 등에 있을 수 있는 구성이다.In addition, in the configuration of the DI exposure apparatus, it is not essential that there are a plurality of exposure units 1, and only one exposure unit 1 may be used. This is a configuration that can exist when the target object W is small or when a large-sized spatial light modulator 4 is employed.

이상의 설명에 있어서, 대상물(W)은 프린트 기판 제조용의 워크라고 하였지만, 본원발명의 DI 노광 장치 및 DI 노광 방법은, 다른 용도의 노광 기술에 있어서도 채용할 수 있다. 예를 들면, 마이크로 머신과 같은 미세 구조물의 제조(이른바 MEMS) 시의 포토리소그래피에 있어서, 본원발명의 DI 노광 기술은 채용될 수 있다.In the above description, the target object W is a workpiece for manufacturing a printed circuit board, but the DI exposure apparatus and DI exposure method of the present invention can also be employed in exposure techniques for other purposes. For example, in photolithography in the manufacture of micro structures such as micro machines (so-called MEMS), the DI exposure technique of the present invention can be employed.

1: 노광 유닛 2: 이동 기구
21: 스테이지 3: 광원
4: 공간광변조기 41: 변조기 컨트롤러
42: 화소 미러 5: 투영 광학계
6: 조사 광학계 7: 주제어부
71: 기억부 W: 대상물
S: 화소 패턴 EB: 실효 노광 경계
D: 노광점 피치1: exposure unit 2: moving mechanism
21: stage 3: light source
4: spatial light modulator 41: modulator controller
42: pixel mirror 5: projection optical system
6: irradiation optical system 7: main controller
71: storage unit W: object
S: pixel pattern E B : effective exposure boundary
D: exposure point pitch

Claims (4)

노광 에어리어에 설계 노광 패턴에 따른 패턴으로 광을 조사하는 노광 유닛과,
임계 노광량 이상의 노광이 됨으로써 감광하는 감광층이 표면에 형성되어 있는 대상물을 노광 에어리어를 통하여 상대적으로 또한 연속적으로 이동시키는 이동 기구를 구비하고 있으며,
노광 유닛은,
광원과, 광원으로부터의 광이 조사되는 위치에 배치되고, 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키는 상태인 온 상태와 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키지 않는 상태인 오프 상태 중 어느 하나가 되는 다수의 화소를 갖고 노광 에어리어에 조사되는 광이 설계 노광 패턴에 따른 패턴이 되도록 광원으로부터의 광을 공간적으로 변조시키는 공간광변조기와, 공간광변조기에 의해 공간적으로 변조된 광을 노광 에어리어에 투영하는 광학계를 구비하고 있는 다이렉트 이미징 노광 장치로서,
공간광변조기의 각 화소를 제어하는 변조기 컨트롤러와,
변조기 컨트롤러에 의한 각 화소의 온 오프 제어를 위한 데이터인 노광 제어 데이터를 기억한 기억부가 설치되어 있고,
공간광변조기는, 직각격자형으로 배열된 다수의 화소로 이루어지는 것이며,
노광 에어리어에는, 공간광변조기의 각 화소에 대응한 대응 좌표가 설정되어 있고, 각 대응 좌표는, 직각격자의 각 교점의 위치에 상당하며,
대상물의 표면에는, 노광되어야 할 개소를 나타내는 것으로서 노광필요점이 설정되어 있고, 각 노광필요점은 노광점 피치의 거리로 서로 떨어져 있는 점이며,
이동 기구는, 광학계에 있어서의 광축에 수직인 이동 방향으로 대상물을 연속적으로 직선 이동시키는 기구이며, 이동 시에 대상물의 각 노광점이 이동하는 라인으로서 이동 방향을 따른 스캔 라인이 설정되어 있고,
각 노광필요점은, 이동 방향으로 늘어서 있음과 더불어, 광축에 대하여 수직이며 이동 방향에도 수직인 방향으로도 늘어서 있어 스캔 라인은 평행으로 복수 설정되어 있고,
광학계는, 공간광변조기의 온 상태인 각 화소에 대응한 각 대응 좌표 상에 당해 화소에 의한 화소 패턴을 투영하는 것이며,
각 화소 패턴은, 서로 중첩되지 않으며,
노광 제어 데이터는, 각 화소 패턴의 배열에 있어서, 광축에 수직인 한 방향을 X방향, 광축에 수직이며 X방향에도 수직인 방향을 Y방향으로 할 때, X방향으로 늘어선 화소 패턴의 각 열은, 이웃한 X방향의 열의 화소 패턴에 대하여 Y방향에 있어서 동일 직선 상이 아닌 어긋나게 배열되고, X방향의 열에 있어서의 각 화소 패턴은, 이웃한 X방향의 열에 있어서 이웃하는 두 개의 화소 패턴 사이의 X방향의 위치에 위치하도록 각 화소의 온오프를 행하는 데이터이며,
상기 이동 방향은, X방향을 따른 방향이며,
Y방향에 있어서의 각 화소 패턴의 폭은, 각 스캔 라인의 이격 간격의 2배보다 좁고 또한 1배보다 넓어서, 대상물이 이동 기구에 의해 이동했을 때, 노광필요점을 중심으로 하여 노광점 피치를 한 변으로 하는 사각형의 영역이 당해 노광필요점을 통과하는 스캔 라인 상의 화소 패턴에 의해서 노광됨과 더불어 이웃한 스캔 라인 상의 화소 패턴의 주변부에 의해서도 중첩적으로 노광되도록 되어 있고,
각 화소 패턴에 있어서의 조도 분포는, 중앙부에 있어서 높고 주변부에 있어서 낮아지는 분포이며,
노광 제어 데이터에 있어서, 소정 회수로서, 최대 회수와, 최대 회수보다 적고 또한 1회 및 2회를 포함하는 회수가 설정되어 있고, 노광 제어 데이터는, 이동 기구에 의한 대상물의 이동에 수반하여, 화소 패턴이 투영되어 있는 대응 좌표에 대상물의 표면의 동일한 노광필요점이 상기 소정 회수 위치하여 노광되도록 하는 것이며,
상기 소정 회수는, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상인 노광필요점에 있어서는 최대 회수이고, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광필요점에 있어서는 경계까지의 거리(0을 제외함)에 따라 설정된 최대 회수보다 적은 회수(0을 제외함)인 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미징 노광 장치.An exposure unit that irradiates light to an exposure area in a pattern according to a designed exposure pattern;
A moving mechanism for relatively and continuously moving an object having a photosensitive layer formed on the surface of the object that is exposed by exposure equal to or greater than a critical exposure amount through the exposure area,
exposure unit,
A light source and a plurality of pixels disposed at a position to which light from the light source is irradiated and being in either an on state in which light is directed toward the exposure area and an off state in which light is not directed toward the exposure area A spatial light modulator for spatially modulating the light from the light source so that the light irradiated to the exposure area becomes a pattern according to the designed exposure pattern, and an optical system for projecting the light spatially modulated by the spatial light modulator onto the exposure area. A direct imaging exposure apparatus with
a modulator controller for controlling each pixel of the spatial light modulator;
A storage unit is provided for storing exposure control data, which is data for on-off control of each pixel by a modulator controller;
The spatial light modulator is composed of a plurality of pixels arranged in a rectangular grid,
Corresponding coordinates corresponding to each pixel of the spatial light modulator are set in the exposure area, and each corresponding coordinate corresponds to the position of each intersection of the rectangular grid;
Required exposure points are set on the surface of the object as indicating locations to be exposed, and each required exposure point is a point spaced apart from each other by a distance of an exposure point pitch,
The movement mechanism is a mechanism for continuously linearly moving an object in a movement direction perpendicular to the optical axis in the optical system, and a scan line along the movement direction is set as a line along which each exposure point of the object moves during movement,
The points required for exposure are aligned in the moving direction, and are also aligned in a direction perpendicular to the optical axis and perpendicular to the moving direction, and a plurality of scan lines are set in parallel.
The optical system projects a pixel pattern by the pixel on each corresponding coordinate corresponding to each pixel in the ON state of the spatial light modulator,
Each pixel pattern does not overlap with each other,
For the exposure control data, in the arrangement of each pixel pattern, when one direction perpendicular to the optical axis is the X direction and the direction perpendicular to the optical axis and perpendicular to the X direction is the Y direction, each column of the pixel patterns arranged in the X direction , The pixel patterns in the adjacent X-direction columns are arranged not on the same straight line in the Y-direction, but shifted, and each pixel pattern in the X-direction column has an X between two adjacent pixel patterns in the adjacent X-direction columns. Data for turning on/off of each pixel so as to be located at a position in the direction,
The movement direction is a direction along the X direction,
The width of each pixel pattern in the Y direction is narrower than twice and wider than one time of the distance between each scan line. A rectangular area on one side is exposed by a pixel pattern on a scan line passing through the required exposure point, and is also exposed overlappingly by a peripheral portion of a pixel pattern on an adjacent scan line,
The illuminance distribution in each pixel pattern is a distribution that is high in the central portion and low in the peripheral portion,
In the exposure control data, a maximum number of times and a number of times less than the maximum number and including one and two times are set as the predetermined number of times, and the exposure control data is accompanied by the movement of the object by the moving mechanism, The same exposure required point on the surface of the object is positioned at the predetermined number of times to be exposed at the corresponding coordinates where the pattern is projected,
The predetermined number of times is the maximum number of exposure required points at which the distance to the boundary of the design exposure pattern is equal to or greater than the exposure point pitch, and the distance to the boundary at the required exposure point where the distance to the boundary of the designed exposure pattern is less than the exposure point pitch ( A direct imaging exposure apparatus characterized in that the number of times (excluding 0) is less than the maximum number of times set according to (excluding 0). 청구항 1에 있어서,
상기 공간광변조기는, 디지털 미러 디바이스인 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미징 노광 장치.The method of claim 1,
The direct imaging exposure apparatus according to claim 1, wherein the spatial light modulator is a digital mirror device. 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키는 상태인 온 상태와 노광 에어리어를 향하여 광을 지향시키지 않는 상태인 오프 상태 중 어느 하나가 되는 다수의 화소를 갖는 공간광변조기에 광원으로부터의 광을 조사하는 변조기 조사 단계와,
공간광변조기를 제어하여, 노광 에어리어에 조사되는 광이 설계 노광 패턴에 따른 패턴이 되도록 공간광변조기를 제어하는 변조기 제어 단계와,
공간광변조기로부터의 광을 광학계에 의해 노광 에어리어에 투영하는 투영 단계와,
임계 노광량 이상의 노광이 됨으로써 감광하는 감광층이 표면에 형성되어 있는 대상물을 노광 에어리어를 통하여 상대적으로 또한 연속적으로 이동시키는 이동 단계를 구비한 다이렉트 이미징 노광 방법으로서,
공간광변조기는, 직각격자형으로 배열된 다수의 화소로 이루어지는 것이며,
노광 에어리어에는, 공간광변조기의 각 화소에 대응한 대응 좌표가 설정되어 있고, 각 대응 좌표는, 직각격자의 각 교점의 위치에 상당하며,
대상물의 표면에는, 노광되어야 할 개소를 나타내는 것으로서 노광필요점이 설정되어 있고, 각 노광필요점은 노광점 피치의 거리로 서로 떨어져 있는 점이며,
이동 단계는, 광학계에 있어서의 광축에 수직인 이동 방향으로 대상물을 연속적으로 직선 이동시키는 단계이며, 이동 시에 대상물의 각 노광점이 이동하는 라인으로서 이동 방향을 따른 스캔 라인이 설정되어 있고,
각 노광필요점은, 이동 방향으로 늘어서 있음과 더불어, 광축에 대하여 수직이며 이동 방향에도 수직인 방향으로도 늘어서 있어 스캔 라인은 평행으로 복수 설정되어 있고,
투영 단계는, 공간광변조기의 온 상태인 각 화소에 대응한 각 대응 좌표 상에 당해 화소에 의한 화소 패턴을 투영하는 단계이며,
각 화소 패턴은, 서로 중첩되지 않으며,
변조기 제어 단계는, 각 화소 패턴의 배열에 있어서, 광축에 수직인 한 방향을 X방향, 광축에 수직이며 X방향에도 수직인 방향을 Y방향으로 할 때, X방향으로 늘어선 화소 패턴의 각 열은, 이웃한 X방향의 열의 화소 패턴에 대하여 Y방향에 있어서 동일 직선 상이 아닌 어긋나게 배열되고, X방향의 열에 있어서의 각 화소 패턴은, 이웃한 X방향의 열에 있어서 이웃하는 두 개의 화소 패턴 사이의 X방향의 위치에 위치하도록 각 화소의 온오프를 행하는 단계이며,
상기 이동 방향은, X방향을 따른 방향이며,
Y방향에 있어서의 각 화소 패턴의 폭은, 각 스캔 라인의 이격 간격의 2배보다 좁고 또한 1배보다 넓어서, 투영 단계 및 이동 단계는, 노광필요점을 중심으로 하여 노광점 피치를 한 변으로 하는 사각형의 영역이 당해 노광필요점을 통과하는 스캔 라인 상의 화소 패턴에 의해서 노광됨과 더불어 이웃한 스캔 라인 상의 화소 패턴의 주변부에 의해서도 중첩적으로 노광되는 단계이며,
각 화소 패턴에 있어서의 조도 분포는, 중앙부에 있어서 높고 주변부에 있어서 낮아지는 분포이며,
변조기 제어 단계 및 이동 단계에 있어서, 소정 회수로서, 최대 회수와, 최대 회수보다 적고 또한 1회 및 2회를 포함하는 회수가 설정되어 있고, 변조기 제어 단계 및 이동 단계는, 이동 기구에 의한 대상물의 이동에 수반하여, 화소 패턴이 투영되어 있는 대응 좌표에 대상물의 표면의 동일한 노광필요점이 상기 소정 회수 위치하여 노광되도록 하는 단계이며,
상기 소정 회수는, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 이상인 노광필요점에 있어서는 최대 회수이고, 설계 노광 패턴의 경계까지의 거리가 노광점 피치 미만인 노광필요점에 있어서는 경계까지의 거리(0을 제외함)에 따라 설정된 최대 회수보다 적은 회수(0을 제외함)인 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미징 노광 방법.A modulator irradiation step of irradiating light from a light source to a spatial light modulator having a plurality of pixels in either an on state in which light is directed toward the exposure area and an off state in which light is not directed toward the exposure area. Wow,
A modulator control step of controlling the spatial light modulator so that the light irradiated to the exposure area becomes a pattern according to the designed exposure pattern by controlling the spatial light modulator;
a projection step of projecting the light from the spatial light modulator onto an exposure area by means of an optical system;
A direct imaging exposure method comprising a moving step of relatively and continuously moving an object having a photosensitive layer formed on its surface by exposure equal to or greater than a critical exposure amount through an exposure area, comprising the steps of:
The spatial light modulator is composed of a plurality of pixels arranged in a rectangular grid,
Corresponding coordinates corresponding to each pixel of the spatial light modulator are set in the exposure area, and each corresponding coordinate corresponds to the position of each intersection of the rectangular grid;
Required exposure points are set on the surface of the object as indicating locations to be exposed, and each required exposure point is a point spaced apart from each other by a distance of an exposure point pitch,
The movement step is a step of continuously linearly moving the object in a movement direction perpendicular to the optical axis in the optical system, and a scan line along the movement direction is set as a line along which each exposure point of the object moves during movement,
The points required for exposure are aligned in the moving direction, and are also aligned in a direction perpendicular to the optical axis and perpendicular to the moving direction, and a plurality of scan lines are set in parallel.
The projection step is a step of projecting a pixel pattern by the corresponding pixel on each corresponding coordinate corresponding to each pixel in the ON state of the spatial light modulator,
Each pixel pattern does not overlap with each other,
In the modulator control step, in the arrangement of each pixel pattern, when one direction perpendicular to the optical axis is the X direction and the direction perpendicular to the optical axis and perpendicular to the X direction is the Y direction, each column of pixel patterns arranged in the X direction is , The pixel patterns in the adjacent X-direction columns are arranged not on the same straight line in the Y-direction, but shifted, and each pixel pattern in the X-direction column has an X between two adjacent pixel patterns in the adjacent X-direction columns. A step of turning on/off each pixel so that it is located at a position in the direction,
The movement direction is a direction along the X direction,
The width of each pixel pattern in the Y direction is narrower than twice and wider than one time of the spacing between each scan line, so that the projection step and the movement step center the exposure point pitch on one side. A step in which the rectangular area to be exposed is exposed by the pixel pattern on the scan line passing through the required exposure point, and also overlapped by the peripheral portion of the pixel pattern on the adjacent scan line,
The illuminance distribution in each pixel pattern is a distribution that is high in the central portion and low in the peripheral portion,
In the modulator control step and the movement step, a maximum number and a number less than the maximum number and including one and two times are set as the predetermined number of times, and the modulator control step and the movement step are Accompanying the movement, the same exposure required point on the surface of the object is located at the corresponding coordinates where the pixel pattern is projected and exposed a predetermined number of times,
The predetermined number of times is the maximum number of exposure required points at which the distance to the boundary of the design exposure pattern is equal to or greater than the exposure point pitch, and the distance to the boundary at the required exposure point where the distance to the boundary of the designed exposure pattern is less than the exposure point pitch ( A direct imaging exposure method characterized in that the number of times (excluding 0) is less than the maximum number of times set according to (excluding 0). 청구항 3에 있어서,
상기 공간광변조기는, 디지털 미러 디바이스인 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미징 노광 방법.The method of claim 3,
The direct imaging exposure method according to claim 1, wherein the spatial light modulator is a digital mirror device.
KR1020197013706A 2016-11-14 2017-11-13 Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method KR102484974B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016221962A JP7023601B2 (en) 2016-11-14 2016-11-14 Direct imaging exposure equipment and direct imaging exposure method
JPJP-P-2016-221962 2016-11-14
PCT/JP2017/040719 WO2018088550A1 (en) 2016-11-14 2017-11-13 Direct imaging exposure device and direct imaging exposure method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190072573A KR20190072573A (en) 2019-06-25
KR102484974B1 true KR102484974B1 (en) 2023-01-05

Family

ID=62109324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197013706A KR102484974B1 (en) 2016-11-14 2017-11-13 Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7023601B2 (en)
KR (1) KR102484974B1 (en)
CN (1) CN110325918B (en)
WO (1) WO2018088550A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10495979B1 (en) * 2019-02-19 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Half tone scheme for maskless lithography
JP7196011B2 (en) * 2019-04-26 2022-12-26 株式会社アドテックエンジニアリング Direct exposure system
JP7293032B2 (en) * 2019-08-08 2023-06-19 株式会社エスケーエレクトロニクス Exposure method and exposure apparatus
JP7431532B2 (en) 2019-08-21 2024-02-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Drawing method and drawing device
JP7432418B2 (en) * 2020-03-26 2024-02-16 株式会社オーク製作所 Exposure equipment and exposure method
CN113840093B (en) * 2020-06-24 2023-07-25 北京小米移动软件有限公司 Image generation method and device
CN117616338A (en) 2021-07-05 2024-02-27 株式会社尼康 Pattern exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure apparatus
CN113379651B (en) * 2021-08-11 2021-11-19 深圳市先地图像科技有限公司 Image processing method and system in laser imaging process and related equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123234A (en) 2003-10-14 2005-05-12 Tadahiro Omi Method and device for pattern drawing
US20050129397A1 (en) * 2002-06-07 2005-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure device
JP2005203697A (en) * 2004-01-19 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd Multi-beam exposure apparatus
JP2010156901A (en) * 2009-01-05 2010-07-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Exposure device and exposure method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393987A (en) * 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
JP2004212471A (en) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd Plotting head, plotting system, and plotting method
US20040239901A1 (en) 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
KR20060120606A (en) 2003-08-27 2006-11-27 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Control circuit and method for forming optical images
JP2005210112A (en) * 2003-12-26 2005-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd Exposing method and device thereof
US7230677B2 (en) 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
JP2007003861A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp Exposure method and apparatus
JP2007041239A (en) * 2005-08-02 2007-02-15 Fujifilm Corp Method for producing color filter, the color filter and liquid crystal display
JP2008076590A (en) 2006-09-20 2008-04-03 Fujifilm Corp Method and device for measuring drawing position
JP2008256730A (en) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp Device and method for manufacturing tft array substrate for liquid crystal display device
US8390790B2 (en) * 2007-04-05 2013-03-05 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Method and apparatus for reproducing a programmable mask on a substrate
JP2009246069A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Pattern drawing device, and pattern drawing method
JP5697188B2 (en) 2009-09-15 2015-04-08 国立大学法人東北大学 Exposure apparatus and exposure method
US8335999B2 (en) 2010-06-11 2012-12-18 Orbotech Ltd. System and method for optical shearing
JP2012049433A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Orc Mfg Co Ltd Exposure device
CN102998914B (en) * 2012-12-31 2015-01-14 苏州大学 Write-through lithography processing system and lithography method
CN104298080B (en) * 2014-11-06 2016-08-31 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 A kind of without mask laser direct-writing superposition exposure method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050129397A1 (en) * 2002-06-07 2005-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure device
JP2005123234A (en) 2003-10-14 2005-05-12 Tadahiro Omi Method and device for pattern drawing
JP2005203697A (en) * 2004-01-19 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd Multi-beam exposure apparatus
JP2010156901A (en) * 2009-01-05 2010-07-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Exposure device and exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018088550A1 (en) 2018-05-17
CN110325918B (en) 2021-08-31
JP2018081153A (en) 2018-05-24
KR20190072573A (en) 2019-06-25
JP7023601B2 (en) 2022-02-22
CN110325918A (en) 2019-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102484974B1 (en) Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method
US8792081B2 (en) Controller for optical device, exposure method and apparatus, and method for manufacturing device
US5721606A (en) Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask
CN102103332B (en) High-speed digital scanning direct write photoetching device
KR101446485B1 (en) Pattern forming system
US7083405B2 (en) Photo-fabrication apparatus
JPH0653105A (en) Aligner
KR101446484B1 (en) Pattern forming system
CN112567297A (en) Preparation of spatial light modulator segments to account for field inhomogeneity
JP7345769B2 (en) Direct writing exposure system and direct writing exposure method
CN201993577U (en) High-speed digital scanning and direct writing photoetching device
US20070127109A1 (en) Seamless exposure with projection system comprises array of micromirrors with predefined reflectivity variations
US7164961B2 (en) Modified photolithography movement system
KR102523757B1 (en) Movement of patterns to reduce line waviness
WO2019169733A1 (en) Maskless photoetching system and exposure method thereof
JP2003057836A (en) Multiple exposure lithography system and multiple exposure lithography method
KR20110095571A (en) Digital exposure method and digital exposure device for performing the exposure method
JP7196271B2 (en) Direct imaging exposure apparatus and direct imaging exposure method
US20180017781A1 (en) Frustrated cube assembly
JP2009521108A (en) SLM direct drawing device
KR102269979B1 (en) Drawing device and drawing method
JP2004128272A (en) Pattern plotting device and its method
EP4325295A1 (en) Drawing device and drawing method
JP7128760B2 (en) Exposure device, exposure method and program
US20230418162A1 (en) Drawing apparatus, drawing system, and drawing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant