KR102480129B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 표시패널과 게이트구동부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. 이러한 유기발광표시장치에서 표시패널에는 복수의 화소가 배치되는데, 각각의 화소는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 구동트랜지스터, 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치하는 스위칭트랜지스터, 및 구동트랜지스터의 소스노드 혹은 드레인노드와 센싱라인 사이에 위치하는 센싱트랜지스터를 포함한다. 그리고, 이러한 유기발광표시장치에서 게이트구동부는, 디스플레이구동구간에서 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압을 공급하고 디스플레이센싱구간에서 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압과 상이한 제2전압을 공급한다.The present invention provides an organic light emitting display device including a display panel and a gate driver. In such an organic light emitting display device, a plurality of pixels are disposed on a display panel, and each pixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor located between the gate node of the driving transistor and the data line, and a driving transistor. and a sensing transistor positioned between the source node or drain node of the transistor and the sensing line. Further, in the organic light emitting display device, the gate driver supplies a first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in the display driving section and supplies a voltage different from the first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in the display sensing section. 2 supply voltage.

Figure R1020150189750
Figure R1020150189750

Description

유기발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms, and recently, liquid crystal display devices, plasma display devices, organic light emitting display devices ( Various display devices such as Organic Light Emitting Display Device) have been utilized.

이중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점을 갖고 있다.Among them, the organic light emitting display device uses an organic light emitting diode that emits light by itself, and thus has advantages such as fast response speed, high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

한편, 유기발광표시장치는 구동 시간이 길어짐에 따라, 각 화소에 포함되어 있는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode) 및 트랜지스터 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. 그리고, 이러한 열화에 따라 유기발광다이오드(OLED) 및 트랜지스터 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다.Meanwhile, as the driving time of the organic light emitting display device increases, degradation of organic light emitting diodes (OLEDs) included in each pixel and circuit elements such as transistors may progress. In addition, according to such deterioration, characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.) of organic light emitting diodes (OLEDs) and circuit elements such as transistors may change.

이러한 회로 소자의 특성치 변화는 화소의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 또한, 이러한 회로 소자의 특성치 변화는 화소 간의 특성치 차이를 만들어 화질이 불균일해 지는 문제를 야기할 수 있다.Changes in characteristic values of these circuit elements may cause changes in luminance of pixels. In addition, such a change in characteristic values of circuit elements may cause differences in characteristic values between pixels, resulting in non-uniform image quality.

유기발광표시장치는 이러한 문제를 개선하기 위해, 각 화소의 특성치 혹은 특성변화량을 센싱하고 보상하는 회로를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 화소에는 센싱라인이 연결되고 유기발광표시장치는 이러한 센싱라인을 통해 각 화소의 특성치를 센싱한 후 변화된 특성치를 보상할 수 있다.In order to solve this problem, the organic light emitting display device may further include a circuit for sensing and compensating for a characteristic value or characteristic change amount of each pixel. For example, a sensing line is connected to each pixel, and the organic light emitting display device may sense a characteristic value of each pixel through the sensing line and compensate for the changed characteristic value.

그런데, 화소의 특성치를 센싱하는 과정에서 노이즈가 발생하여 특성치가 잘못 센싱될 수 있다. 그리고, 이러한 잘못된 센싱은 오보상을 야기할 수 있다. 예를 들어, 유기발광표시장치는 정상적인 화소를 보상하여 계조를 더 밝게 하거나 계조를 더 어둡게 할 수 있다. 또는, 유기발광표시장치는 특정 화소나 특정 라인의 화소만 오보상함으로써 가로선 불량과 같은 화질 불량을 야기시킬 수 있다.However, in the process of sensing the characteristic value of a pixel, noise may be generated and the characteristic value may be erroneously sensed. Also, such erroneous sensing may cause erroneous compensation. For example, the organic light emitting display device may compensate for normal pixels to make the gray level brighter or darker. Alternatively, the organic light emitting display device may cause image quality defects such as a defect in a horizontal line by miscompensating only a specific pixel or a pixel in a specific line.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 노이즈에 강건한 유기발광표시장치 기술을 제공하는 것이다. 좀더 상세하게는, 유기발광표시장치가 화소의 특성치를 센싱할 때, 노이즈의 영향을 덜 받도록 하는 기술을 제공하는 것이다.Against this background, an object of the present invention is to provide a noise-robust organic light emitting display device technology. More specifically, it is to provide a technology that allows an organic light emitting display device to be less affected by noise when sensing characteristic values of pixels.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 표시패널과 게이트구동부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. 이러한 유기발광표시장치에서 표시패널에는 복수의 화소가 배치되는데, 각각의 화소는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 구동트랜지스터, 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치하는 스위칭트랜지스터 및 구동트랜지스터의 소스노드 혹은 드레인노드와 센싱라인 사이에 위치하는 센싱트랜지스터를 포함한다. 그리고, 이러한 유기발광표시장치에서 게이트구동부는, 디스플레이구동구간에서 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압을 공급하고 디스플레이센싱구간에서 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압과 상이한 제2전압을 공급한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides an organic light emitting display device including a display panel and a gate driver. In such an organic light emitting display device, a plurality of pixels are disposed on a display panel. Each pixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor driving the organic light emitting diode, a switching transistor positioned between the gate node of the driving transistor and the data line, and a driving transistor. It includes a sensing transistor positioned between the source node or drain node of and the sensing line. Further, in the organic light emitting display device, the gate driver supplies a first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in the display driving section and supplies a voltage different from the first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in the display sensing section. 2 supply voltage.

다른 측면에서, 본 발명은, 표시패널과 게이트구동부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. 이러한 유기발광표시장치에서 표시패널에는 복수의 화소가 배치되는데, 각각의 화소는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 구동트랜지스터, 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치하는 스위칭트랜지스터 및 구동트랜지스터의 소스노드 혹은 드레인노드와 센싱라인 사이에 위치하는 센싱트랜지스터를 포함한다. 그리고, 이러한 유기발광표시장치에서 게이트구동부는, 스위칭트랜지스터의 게이트노드로 제1전압을 공급하고 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압과 상이한 제2전압을 공급한다.In another aspect, the present invention provides an organic light emitting display device including a display panel and a gate driver. In such an organic light emitting display device, a plurality of pixels are disposed on a display panel. Each pixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor driving the organic light emitting diode, a switching transistor positioned between the gate node of the driving transistor and the data line, and a driving transistor. It includes a sensing transistor positioned between the source node or drain node of and the sensing line. Further, in the organic light emitting display device, the gate driver supplies a first voltage to the gate node of the switching transistor and supplies a second voltage different from the first voltage to the gate node of the sensing transistor.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 유기발광표시장치가 화소의 특성치를 센싱함에 있어서 노이즈의 영향을 감소시킬 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the influence of noise can be reduced when the organic light emitting display device senses characteristic values of pixels.

도 1은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 내부 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 스위칭트랜지스터와 센싱트랜지스터가 턴온된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 구간에 따른 턴온전압과 턴온저항을 나타내는 도면이다.
도 5는 전력관리부의 회로 구성에 대한 제1예시를 나타내는 도면이다.
도 6은 전력관리부의 회로 구성에 대한 제2예시를 나타내는 도면이다.
도 7은 전력관리부의 회로 구성에 대한 제3예시를 나타내는 도면이다.
도 8은 서로 다른 신호에 의해 스위칭트랜지스터와 센싱트랜지스터가 턴온되는 화소 구조를 나타내는 도면이다.
도 9는 전력관리부의 회로 구성에 대한 제4예시를 나타내는 도면이다.
1 is a configuration diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a diagram illustrating an internal structure of a pixel shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which the switching transistor and the sensing transistor of FIG. 2 are turned on.
4 is a diagram showing turn-on voltage and turn-on resistance according to sections.
5 is a diagram showing a first example of a circuit configuration of a power management unit.
6 is a diagram showing a second example of a circuit configuration of a power management unit.
7 is a diagram showing a third example of a circuit configuration of a power management unit.
8 is a diagram illustrating a pixel structure in which a switching transistor and a sensing transistor are turned on by different signals.
9 is a diagram showing a fourth example of a circuit configuration of a power management unit.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, it should be noted that the same components have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the present invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, order, or order of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is directly connected or connectable to the other element, but there is another element between the elements. It will be understood that elements may be “connected”, “coupled” or “connected”.

도 1은 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는 패널(110), 게이트구동부(120), 데이터구동부(130), 타이밍컨트롤러(140) 및 전력관리부(150) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device 100 may include a panel 110 , a gate driver 120 , a data driver 130 , a timing controller 140 , a power manager 150 , and the like.

패널(110)에는 다수의 데이터라인(DL), 다수의 게이트라인(GL) 및 다수의 센싱라인(SL)이 배치되고, 데이터라인(DL), 게이트라인(GL) 및 센싱라인(SL)과 연결되는 다수의 화소(SP)가 배치될 수 있다.A plurality of data lines DL, a plurality of gate lines GL, and a plurality of sensing lines SL are disposed on the panel 110, and the data lines DL, the gate lines GL, and the sensing lines SL and A plurality of connected pixels SP may be disposed.

게이트구동부(120)는 타이밍컨트롤러(140)의 제어에 따라, 턴온전압 혹은 턴오프전압의 스캔신호를 게이트라인(GL)으로 공급할 수 있다. 이러한 턴온전압의 스캔신호가 화소(SP)로 공급되면 해당 화소(SP)는 데이터라인(DL)과 연결되고 턴오프전압의 스캔신호가 화소(SP)로 공급되면 해당 화소(SP)와 데이터라인(DL)의 연결은 해제된다.The gate driver 120 may supply a scan signal of a turn-on voltage or a turn-off voltage to the gate line GL under the control of the timing controller 140 . When the scan signal of the turn-on voltage is supplied to the pixel SP, the corresponding pixel SP is connected to the data line DL, and when the scan signal of the turn-off voltage is supplied to the pixel SP, the corresponding pixel SP and the data line (DL) is disconnected.

데이터구동부(130)는 데이터라인(DL)으로 데이터전압을 공급한다. 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터전압은 스캔신호에 따라 데이터라인(DL)과 연결된 화소(SP)로 공급되게 된다.The data driver 130 supplies data voltage to the data line DL. The data voltage supplied to the data line DL is supplied to the pixel SP connected to the data line DL according to the scan signal.

데이터구동부(130)는 타이밍컨트롤러(140)로부터 영상데이터를 수신하는데, 이러한 영상데이터를 변환하여 데이터전압을 생성한다.The data driver 130 receives image data from the timing controller 140 and converts the image data to generate data voltages.

타이밍컨트롤러(140)는 게이트구동부(120), 데이터구동부(130) 및 전력관리부(150)로 각종 제어신호를 공급할 수 있다.The timing controller 140 may supply various control signals to the gate driving unit 120 , the data driving unit 130 , and the power management unit 150 .

타이밍컨틀롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 영상데이터를 데이터구동부(130)에서 사용하는 데이터신호 형식에 맞게 전환한다. 그리고, 타이밍컨트롤러(140)는 전환된 영상데이터를 데이터구동부(130)로 출력하고 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터구동부(130)를 통제할 수 있다.The timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts externally input image data according to the data signal format used by the data driver 130 . The timing controller 140 may output the converted image data to the data driver 130 and control the data driver 130 at an appropriate time according to the scan.

전력관리부(150)는 패널(110), 게이트구동부(120), 데이터구동부(130) 및 타이밍컨틀로러(140)에서 필요한 전압을 생성하고 관리할 수 있다. 예를 들어, 게이트구동부(120)가 게이트라인(GL)으로 공급하는 턴온전압 혹은 턴오프전압은 전력관리부(150)에 의해 생성되고 관리될 수 있다.The power management unit 150 may generate and manage voltages required by the panel 110 , the gate driver 120 , the data driver 130 , and the timing controller 140 . For example, the turn-on voltage or turn-off voltage supplied to the gate line GL by the gate driver 120 may be generated and managed by the power management unit 150 .

게이트구동부(120), 데이터구동부(130), 타이밍컨트롤러(140) 및 전력관리부(150)는 각각 하나 이상의 집적회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 데이터구동부(130)는 적어도 하나의 소스드라이버집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.Each of the gate driving unit 120, the data driving unit 130, the timing controller 140, and the power management unit 150 may include one or more integrated circuits. For example, the data driver 130 may include at least one Source Driver Integrated Circuit (SDIC).

한편, 게이트구동부(120), 데이터구동부(130), 타이밍컨트롤러(140) 및 전력관리부(150) 중 적어도 두 개의 구성은 하나의 집적회로로 구현될 수도 있다. 예를 들어, 데이터구동부(130) 및 타이밍컨트롤러(140)는 하나의 집적회로로 구현될 수도 있다.Meanwhile, at least two of the gate driver 120, the data driver 130, the timing controller 140, and the power management unit 150 may be implemented as one integrated circuit. For example, the data driver 130 and the timing controller 140 may be implemented as one integrated circuit.

게이트구동부(120), 데이터구동부(130), 타이밍컨트롤러(140) 및 전력관리부(150)는 다른 형태로 구현될 수도 있는데, 예를 들어, 데이터구동부(130)의 일부 기능과 타이밍컨트롤러(140)가 하나의 집적회로로 구현되고 데이터구동부(130)의 나머지 기능은 별도의 집적회로로 구현될 수도 있다.The gate driver 120, the data driver 130, the timing controller 140, and the power management unit 150 may be implemented in other forms. For example, some functions of the data driver 130 and the timing controller 140 is implemented as one integrated circuit, and the remaining functions of the data driver 130 may be implemented as separate integrated circuits.

한편, 데이터구동부(130)는 센싱라인(SL)을 통해 각 화소(SP)의 특성센싱신호를 수신할 수 있다.Meanwhile, the data driver 130 may receive a characteristic sensing signal of each pixel SP through the sensing line SL.

센싱라인(SL)을 통해 각 화소(SP)의 특성센싱신호를 수신하는 구성은 데이터구동부(130)와 별도로 구비될 수도 있으나, 아래에서는 이러한 구성이 데이터구동부(130)에 통합되어 있는 실시예에 대해 설명한다. 유기발광표시장치(100)는 필요에 따라 특성센싱부(미도시)를 더 구비하고 이러한 특성센싱부(미도시)를 통해 각 화소의 특성센싱신호를 수신할 수 있다.The component for receiving the characteristic sensing signal of each pixel (SP) through the sensing line (SL) may be provided separately from the data driver 130, but below will be described in an embodiment in which this component is integrated into the data driver 130. explain about The organic light emitting display device 100 may further include a characteristic sensing unit (not shown) as needed and receive a characteristic sensing signal of each pixel through the characteristic sensing unit (not shown).

도 2는 도 1에 도시된 화소의 내부 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an internal structure of a pixel shown in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 화소(SP)는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드에 해당하는 제2노드(N2)로 데이터전압을 전달해 주기 위한 스위칭트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 데이터전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the pixel SP includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT) that drives the organic light emitting diode (OLED), and a gate of the driving transistor (DRT). It may include a switching transistor (SWT) to transfer the data voltage to the second node (N2) corresponding to the node and a storage capacitor (Cstg) to maintain the data voltage for one frame time. there is.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may include a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).

구동트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류를 공급해 줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동한다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED).

구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 구동트랜지스터(DRT)의 게이트노드일 수 있다. 구동트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node or a drain node of the switching transistor SWT and may be a gate node of the driving transistor DRT. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) supplying the driving voltage EVDD, and may be a drain node or a source node.

구동트랜지스터(DRT)와 스위칭트랜지스터(SWT)는, 도 2의 예시와 같이 N타입으로 구현될 수도 있고, P타입으로도 구현될 수도 있다. The drive transistor DRT and the switching transistor SWT may be implemented as N-type or P-type as shown in the example of FIG. 2 .

스위칭트랜지스터(SWT)는 데이터라인(DL)과 구동트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트라인(GL)을 통해 공급되는 스캔신호에 따라 제어될 수 있다. 특히, 스위칭트랜지스터(SWT)는 게이트라인(GL)을 통해 공급되는 턴온전압(Vgh)에 의해 턴온될 수 있다.The switching transistor SWT is electrically connected between the data line DL and the second node N2 of the driving transistor DRT, and may be controlled according to a scan signal supplied through the gate line GL. In particular, the switching transistor SWT may be turned on by the turn-on voltage Vgh supplied through the gate line GL.

스위칭트랜지스터(SWT)가 턴온되면 데이터라인(DL)과 구동트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 연결되고 제2노드(N2)로 데이터전압(Vdata)이 공급되게 된다.When the switching transistor SWT is turned on, the data line DL is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT, and the data voltage Vdata is supplied to the second node N2.

스토리지캐패시터(Cstg)는 구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cstg may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 스토리지캐패시터(Cstg)는, 구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)일 수 있고, 구동트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor Cstg may be a parasitic capacitor (eg, Cgs or Cgd) that is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. , may be an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor (DRT).

한편, 유기발광표시장치(100)에서, 각 화소(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. Meanwhile, in the organic light emitting display device 100, as the driving time of each pixel SP increases, circuit elements such as the organic light emitting diode (OLED) and the driving transistor (DRT) may be degraded. .

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. 이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 화소(SP)의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 또한, 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.) of circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors (DRTs) may change. A change in the characteristic value of the circuit element may cause a change in luminance of the corresponding pixel SP. In addition, the degree of change in characteristic values between circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.

여기서, 회로 소자의 특성치(이하, “화소 특성치”라고도 함)는, 일 예로, 구동트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있고, 경우에 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다. Here, the characteristic value of the circuit element (hereinafter also referred to as “pixel characteristic value”) may include, for example, the threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT, and the like, and in some cases, the organic light emitting diode (OLED) It may also include a threshold voltage.

유기발광표시장치(100)는 화소(SP)의 특성치 혹은 특성변화량을 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 화소(SP)의 휘도 변화와 화소(SP) 간 휘도 편차를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The organic light emitting display device 100 has a sensing function that senses the characteristic value or characteristic change amount of the pixel SP and a compensation function that compensates for the luminance change of the pixel SP and the luminance deviation between the pixels SP using the sensing result. can provide

유기발광표시장치(100)는, 화소(SP)의 특성치 혹은 특성변화량을 센싱 및 보상하기 위하여, 그에 맞는 화소(SP) 구조와, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 포함한다. The organic light emitting display device 100 includes a pixel SP structure suitable for sensing and compensating for a characteristic value or characteristic change amount of the pixel SP, and a compensation circuit including a sensing and compensating structure.

도 2를 참조하면, 패널(110)에 배치된 각 화소(SP)는, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DRT), 스위칭트랜지스터(SWT) 및 스토리지캐패시터(Cstg) 이외에, 센싱트랜지스터(SENT: Sensing Transistor)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , each pixel SP disposed on the panel 110, for example, in addition to an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT), a switching transistor (SWT) and a storage capacitor (Cstg), senses A transistor (SENT: Sensing Transistor) may be further included.

도 2를 참조하면, 센싱트랜지스터(SENT)는 구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 센싱라인(SL) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트노드로 스캔신호의 일종인 센싱신호를 인가받아 제어될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the sensing transistor SENT is electrically connected between the first node N1 of the driving transistor DRT and the sensing line SL that supplies a reference voltage (Vref), and is a gate node. It can be controlled by receiving a sensing signal, which is a kind of raw scan signal.

스위칭트랜지스터(SWT)로 공급되는 스캔신호와 센싱트랜지스터(SENT)로 공급되는 센싱신호는 서로 다른 신호일 수 있으나 같은 신호일 수도 있다.The scan signal supplied to the switching transistor SWT and the sensing signal supplied to the sensing transistor SENT may be different signals or may be the same signal.

도 2를 참조하면, 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드는 동일한 게이트라인(GL)에 연결되어 있는데, 이러한 구조에서 스캔신호와 센싱신호는 같은 신호일 수 있다.Referring to FIG. 2 , gate nodes of the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are connected to the same gate line GL. In this structure, the scan signal and the sensing signal may be the same signal.

도 2와 같은 구조에서, 센싱트랜지스터(SENT)는 게이트라인(GL)을 통해 공급되는 턴온전압(Vgh)에 의해 턴온될 수 있다.In the structure shown in FIG. 2 , the sensing transistor SENT may be turned on by the turn-on voltage Vgh supplied through the gate line GL.

센싱트랜지스터(SENT)가 턴온되면 센싱라인(SL)과 구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 연결되고 제1노드(N1)로 기준전압(Vref)이 공급될 수 있다.When the sensing transistor SENT is turned on, the sensing line SL and the first node N1 of the driving transistor DRT are connected, and the reference voltage Vref may be supplied to the first node N1.

또한, 기준전압(Vref) 공급이후에 형성되는 제1노드(N1) 전압이 센싱라인(SL)을 통해 데이터구동부(130)로 전달될 수 있다. 구체적으로, 데이터구동부(130)는 구동트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)-소스노드-에 형성되는 전압 혹은 전류를 특성센싱신호로 수신하고 이를 이용하여 화소(SP)의 특성치를 센싱할 수 있다.Also, the voltage of the first node N1 formed after supplying the reference voltage Vref may be transferred to the data driver 130 through the sensing line SL. Specifically, the data driver 130 receives the voltage or current formed at the first node N1 - the source node of the driving transistor DRT as a characteristic sensing signal and senses the characteristic value of the pixel SP by using the voltage or current. can

한편, 센싱라인(SL)에는 기생캐패시턴스가 생성되거나 설계에 의한 외부 캐패시터가 추가될 수 있다. 그리고, 센싱트랜지스터(SENT)에는 턴온저항(rds-on)이 형성되고 이러한 턴온저항과 센싱라인(SL)의 캐패시턴스가 필터와 같이 기능할 수 있다.Meanwhile, parasitic capacitance may be generated in the sensing line SL or an external capacitor may be added by design. In addition, a turn-on resistance rds-on is formed in the sensing transistor SENT, and the turn-on resistance and the capacitance of the sensing line SL may function like a filter.

도 3은 도 2의 스위칭트랜지스터와 센싱트랜지스터가 턴온된 상태를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which the switching transistor and the sensing transistor of FIG. 2 are turned on.

스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)가 턴온전압(Vgl)에 의해 턴온될 때, 각각의 트랜지스터(SWT, SENT)에는 턴온저항이 형성될 수 있다.When the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are turned on by the turn-on voltage Vgl, a turn-on resistance may be formed in each of the transistors SWT and SENT.

센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항은 센싱라인(SL)에 형성되는 캐패시터(Cs)와 함께 로우패스필터를 형성할 수 있다. 그리고, 화소(SP)에서 전달되는 특성센싱신호(Sds)는 이러한 로우패스필터를 거치면서 노이즈를 필터링할 수 있다.The turn-on resistance of the sensing transistor SENT may form a low pass filter together with the capacitor Cs formed on the sensing line SL. In addition, the characteristic sensing signal Sds transmitted from the pixel SP may filter out noise while passing through such a low pass filter.

여기서, 이러한 로우패스필터에서 보다 많은 노이즈를 제거하기 위해서는 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항이 커지거나 센싱라인(SL)의 캐패시터(Cs)가 커질 필요가 있다. 센싱라인(Cs)에 형성되는 캐패시터(Cs)는 제어에 의해 값이 변경되지 않기 때문에 노이즈 제거 능력을 향상시키기 위해서는 실질적으로 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항이 커질 필요가 있다.Here, in order to remove more noise from the low pass filter, the turn-on resistance of the sensing transistor SENT or the capacitor Cs of the sensing line SL needs to be increased. Since the value of the capacitor Cs formed on the sensing line Cs is not changed by control, the turn-on resistance of the sensing transistor SENT needs to be substantially increased in order to improve noise removal capability.

센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항이 커지기 위해서는 센싱트랜지스터(SENT)가 완전히(fully) 턴온되지 않는 상태가 되어야 한다. 그런데, 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)가 동일한 턴온전압(Vgh)에 의해 턴온되기 때문에 종래 유기발광표시장치는 센싱트랜지스터(SENT)가 완전히 턴온되는 방향으로 턴온전압(Vgh)을 제어하였다.In order to increase the turn-on resistance of the sensing transistor SENT, the sensing transistor SENT must be in a state where it is not fully turned on. However, since the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) are turned on by the same turn-on voltage (Vgh), the conventional organic light emitting display controls the turn-on voltage (Vgh) in a direction in which the sensing transistor (SENT) is completely turned on. .

구체적으로, 스토리지캐패시터(Cstg)의 크기가 크기 때문에 구동트랜지스터(DRT)를 빠른 시간에 구동하기 위해서는 스위칭트랜지스터(SWT)의 턴온저항이 작아야한다. 그리고, 스위칭트랜지스터(SWT)의 턴온저항을 작게 하기 위해서는 스위칭트랜지스터(SWT)의 턴온전압(Vgh)이 커야한다. 이러한 이유에 따라, 종래 유기발광표시장치는 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)로 공급되는 턴온전압(Vgh)을 (N타입에서) 높게 함으로써, 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)를 완전히(fully) 턴온시켰다.In detail, since the size of the storage capacitor Cstg is large, the turn-on resistance of the switching transistor SWT must be small in order to drive the driving transistor DRT quickly. Further, in order to reduce the turn-on resistance of the switching transistor SWT, the turn-on voltage Vgh of the switching transistor SWT must be high. For this reason, the conventional organic light emitting display device increases the turn-on voltage (Vgh) supplied to the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) (in the N type), so that the switching transistor (SWT) and the sensing transistor (SENT) was fully turned on.

일 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 구간을 구분하여 턴온전압(Vgh)을 다르게 제어할 수 있다. 구체적으로, 유기발광표시장치(100)는 스위칭트랜지스터(SWT)가 완전히 턴온될 필요가 있는 구간에서는 턴온전압(Vgh)에 대한 제어를 통해 스위칭트랜지스터(SWT)를 완전히 턴온시킨다. 그리고, 유기발광표시장치(100)는 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항을 높여야 하는 구간에서는 턴온전압(Vgh)에 대한 제어를 통해 센싱트랜지스터(SENT)를 완전히 턴온시키지 않는다.In the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment, the turn-on voltage Vgh may be differently controlled by dividing the sections. Specifically, the organic light emitting display device 100 completely turns on the switching transistor SWT by controlling the turn-on voltage Vgh in a section where the switching transistor SWT needs to be completely turned on. Further, the organic light emitting display device 100 does not completely turn on the sensing transistor SENT through control of the turn-on voltage Vgh in a section where the turn-on resistance of the sensing transistor SENT is to be increased.

도 4는 구간에 따른 턴온전압과 턴온저항을 나타내는 도면이다.4 is a diagram showing turn-on voltage and turn-on resistance according to sections.

도 4를 참조하면, 유기발광표시장치(100)는 디스플레이구동(Display Driving)구간과 디스플레이센싱(Display Sensing)구간을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the organic light emitting display device 100 may include a display driving section and a display sensing section.

디스플레이구동구간에서 유기발광표시장치(100)는 각 화소(SP)로 데이터전압을 공급함으로써 패널(110) 상에 이미지를 표시한다. 그리고, 디스플레이센싱구간에서 유기발광표시장치(100)는 각 화소(SP)로부터 특성센싱신호를 수신하고 특성센싱신호를 이용하여 각 화소의 특성치를 센싱한다.In the display driving period, the organic light emitting display device 100 displays an image on the panel 110 by supplying a data voltage to each pixel SP. In the display sensing period, the organic light emitting display device 100 receives a characteristic sensing signal from each pixel SP and senses a characteristic value of each pixel using the characteristic sensing signal.

유기발광표시장치(100)의 게이트구동부(120)는 디스플레이구동구간에서 스위칭트랜지스터(SWT) 및 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드로 제1전압(Vgh1)을 공급할 수 있다. 그리고, 게이트구동부(120)는 디스플레이센싱구간에서 스위칭트랜지스터(SWT) 및 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드로 제1전압(Vgh1)과 상이한 제2전압(Vgh2)을 공급할 수 있다.The gate driver 120 of the organic light emitting display device 100 may supply the first voltage Vgh1 to gate nodes of the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT in the display driving period. Also, the gate driver 120 may supply a second voltage Vgh2 different from the first voltage Vgh1 to gate nodes of the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT in the display sensing period.

도 2에서는 제2전압(Vgh2)이 제1전압(Vgh1)보다 낮은 것으로 도시되었는데, 스위칭트랜지스터(SWT) 및 센싱트랜지스터(SENT)가 N타입 트랜지스터인 경우, 제2전압(Vgh2)이 제1전압(Vgh1)보다 낮을 수 있다. 반대로, 스위칭트랜지스터(SWT) 및 센싱트랜지스터(SENT)가 P타입 트랜지스터인 경우, 제2전압(Vgh2)이 제1전압(Vgh1)보다 높을 수 있다. 아래에서는 제2전압(Vgh2)이 제1전압(Vgh1)보다 낮은 실시예에 대해 설명한다.2 shows that the second voltage Vgh2 is lower than the first voltage Vgh1. When the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are N-type transistors, the second voltage Vgh2 is the first voltage. (Vgh1) may be lower. Conversely, when the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are P-type transistors, the second voltage Vgh2 may be higher than the first voltage Vgh1. An embodiment in which the second voltage Vgh2 is lower than the first voltage Vgh1 will be described below.

센싱트랜지스터(SENT)는 제1전압(Vgh1)에 비하여 제2전압(Vgh2)이 공급될 때, 턴온저항이 더 증가할 수 있다.When the second voltage Vgh2 is supplied compared to the first voltage Vgh1, the turn-on resistance of the sensing transistor SENT may further increase.

특성센싱신호가 수신되는 디스플레이센싱구간에서 턴온저항이 더 증가함으로써 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항과 센싱트랜지스터(SENT)의 캐패시터가 형성하는 로우패스필터의 노이즈 제거 능력이 더 향상될 수 있다.As the turn-on resistance further increases in the display sensing period in which the characteristic sensing signal is received, noise removal capability of the low-pass filter formed by the turn-on resistance of the sensing transistor SENT and the capacitor of the sensing transistor SENT may be further improved.

한편, 트랜지스터는 선형(linear)영역보다 포화(saturation)영역에서 턴온될 때, 턴온저항이 커질 수 있다. 이에 따라, 게이트구동부(120)는 디스플레이구동구간에서 스위칭트랜지스터(SWT)를 선형영역에서 턴온시키고, 디스플레이센싱구간에서 센싱트랜지스터(SENT)를 포화영역에서 턴온시킬 수 있다.Meanwhile, when the transistor is turned on in a saturation region rather than a linear region, turn-on resistance may increase. Accordingly, the gate driver 120 may turn on the switching transistor SWT in the linear region in the display driving section and turn on the sensing transistor SENT in the saturation region in the display sensing section.

게이트구동부(120)에서 공급하는 턴온전압(Vgh)은 전력관리부(150)에서 생성될 수 있다.The turn-on voltage Vgh supplied from the gate driver 120 may be generated by the power management unit 150 .

도 5는 전력관리부의 회로 구성에 대한 제1예시를 나타내는 도면이다.5 is a diagram showing a first example of a circuit configuration of a power management unit.

도 5를 참조하면, 전력관리부(550)는 인덕터(L1), 스위치(S1), 다이오드(D1) 및 출력캐패시터(C1)를 포함하는 부스트회로를 포함하고 있으면서, 이러한 부스트회로를 이용하여 턴온전압(Vgh)을 생성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the power management unit 550 includes a boost circuit including an inductor L1, a switch S1, a diode D1, and an output capacitor C1, and uses the boost circuit to turn-on voltage. (Vgh) can be generated.

이러한 부스트회로에서 출력전압은 스위치(S1)의 PWM(Pulse Width Modulation)듀티에 의해 결정되는데, 전력관리부(550)는 이러한 PWM듀티를 제어하여 턴온전압으로서 제1전압(Vgh1)을 출력하거나 제2전압(Vgh2)을 출력할 수 있다.In this boost circuit, the output voltage is determined by the PWM (Pulse Width Modulation) duty of the switch S1, and the power management unit 550 controls this PWM duty to output the first voltage Vgh1 as the turn-on voltage or to output the second voltage Vgh1 as the turn-on voltage. A voltage (Vgh2) can be output.

전력관리부(550)는 타이밍컨트롤러(140)로부터 제어정보(PCS: Power Control Signal)를 수신할 수 있는데, 전력관리부(550)는 이러한 제어정보(PCS)에 따라 센싱트랜지스터(SENT)로 공급하는 전압을 제1전압(Vgh1)에서 제2전압(Vgh2)으로 변경할 수 있다.The power management unit 550 may receive control information (PCS: Power Control Signal) from the timing controller 140, and the power management unit 550 supplies voltage to the sensing transistor (SENT) according to the control information (PCS). may be changed from the first voltage Vgh1 to the second voltage Vgh2.

도 6은 전력관리부의 회로 구성에 대한 제2예시를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a second example of a circuit configuration of a power management unit.

도 6을 참조하면, 전력관리부(650)는 도 5에 도시된 부스트회로 외에 출력전압을 센싱하는 전압분배회로를 더 포함하고 이러한 전압분배회로를 통해 출력전압을 센싱하여 피드백제어할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the power management unit 650 may further include a voltage divider circuit for sensing an output voltage in addition to the boost circuit shown in FIG. 5 , and may sense the output voltage through the voltage divider circuit to perform feedback control.

전압분배회로는 복수의 저항(R1, R2, R3)과 스위치(Sr)를 포함할 수 있다. 그리고, 전력관리부(650)는 스위치(Sr)를 제어하여 전압분배회로의 임피던스를 변경함으로써 출력되는 전압을 제1전압(Vgh1)에서 제2전압(Vgh2)으로 변경할 수 있다.The voltage divider circuit may include a plurality of resistors R1, R2, and R3 and a switch Sr. Also, the power management unit 650 may change the output voltage from the first voltage Vgh1 to the second voltage Vgh2 by changing the impedance of the voltage divider circuit by controlling the switch Sr.

예를 들어, 전압분배회로는 출력전압과 그라운드 사이에 직렬연결되는 제1저항(R1) 및 제2저항(R2)을 포함하고, 서로 직렬연결되는 제3저항(R3) 및 스위치(S2)가 제2저항(R2)에 병렬연결될 수 있다.For example, the voltage divider circuit includes a first resistor (R1) and a second resistor (R2) connected in series between the output voltage and the ground, and a third resistor (R3) and a switch (S2) connected in series with each other It may be connected in parallel to the second resistor (R2).

전력관리부(650)의 제어기(652)는 제1저항(R1)과 제2저항(R2)의 접점에 형성되는 피드백전압(Vfb)을 이용하여 출력전압을 피드백제어할 수 있다. 이러한 구조에서, 스위치(Sr)로 전달되는 스위치제어신호에 따라 제3저항(R3)이 제2저항(R2)에 병렬 연결되거나 연결되지 않으면서 전력분배회로의 임피던스가 변하게 된다. 그리고, 이러한 전력분배회로의 임피던스 변화에 따라 피드백전압(Vfb)이 변경되고 이에 따라, 전력관리부(650)는 제1전압(Vgh1) 및 제2전압(Vgh2)을 선택적으로 생성할 수 있다.The controller 652 of the power management unit 650 may feedback-control the output voltage using the feedback voltage Vfb formed at the contact point of the first resistor R1 and the second resistor R2. In this structure, the impedance of the power distribution circuit changes while the third resistor R3 is connected in parallel to or not connected to the second resistor R2 according to the switch control signal transmitted to the switch Sr. In addition, the feedback voltage Vfb is changed according to the impedance change of the power distribution circuit, and accordingly, the power management unit 650 can selectively generate the first voltage Vgh1 and the second voltage Vgh2.

도 7은 전력관리부의 회로 구성에 대한 제3예시를 나타내는 도면이다.7 is a diagram showing a third example of a circuit configuration of a power management unit.

도 7을 참조하면, 전력관리부(750)는 제1인덕터(L1), 제1스위치(S1), 제1다이오드(D1) 및 제1출력캐패시터(C1)를 포함하는 제1부스트회로(BC1)를 포함할 수 있다. 그리고, 전력관리부(750)는 제2인덕터(L2), 제2스위치(S2), 제2다이오드(D2) 및 제2출력캐패시터(C2)를 포함하는 제2부스트회로(BC2)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the power management unit 750 includes a first boost circuit (BC1) including a first inductor (L1), a first switch (S1), a first diode (D1) and a first output capacitor (C1). can include Further, the power management unit 750 may further include a second boost circuit BC2 including a second inductor L2, a second switch S2, a second diode D2, and a second output capacitor C2. can

전력관리부(750)는 이러한 제1부스트회로(BC1) 및 제2부스트회로(BC2)를 이용하여 제1전압(Vgh1) 및 제2전압(Vgh2)을 동시에 생성할 수 있다. 구체적으로, 제1부스트회로(BC1)는 제1전압(Vgh1)을 생성하고 제2부스트회로(BC2)는 제1부스트회로(BC1)와 별도로 제2전압(Vgh2)을 생성할 수 있다.The power management unit 750 may simultaneously generate the first voltage Vgh1 and the second voltage Vgh2 using the first boost circuit BC1 and the second boost circuit BC2. Specifically, the first boost circuit BC1 may generate the first voltage Vgh1, and the second boost circuit BC2 may generate the second voltage Vgh2 separately from the first boost circuit BC1.

전력관리부(750)는 선택회로(752)를 더 포함하고 있으면서 이러한 선택회로(752)를 이용하여 제1전압(Vgh1) 및 제2전압(Vgh2) 중 하나의 전압을 게이트구동부(120)로 공급할 수 있다. 그리고, 게이트구동부(120)는 선택된 하나의 전압을 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드로 공급할 수 있다.The power management unit 750 further includes a selection circuit 752 and supplies one of the first voltage Vgh1 and the second voltage Vgh2 to the gate driver 120 using the selection circuit 752. can Also, the gate driver 120 may supply one selected voltage to the gate node of the sensing transistor SENT.

한편, 전술한 실시예에서 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)가 같은 신호에 의해 턴온되는 것으로 설명하였으나 스위칭트랜지스터(SWT)와 센싱트랜지스터(SENT)는 다른 신호에 의해 각각 턴온될 수도 있다.Meanwhile, in the above embodiment, the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT are described as being turned on by the same signal, but the switching transistor SWT and the sensing transistor SENT may be turned on by different signals, respectively.

도 8은 서로 다른 신호에 의해 스위칭트랜지스터와 센싱트랜지스터가 턴온되는 화소 구조를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating a pixel structure in which a switching transistor and a sensing transistor are turned on by different signals.

도 8을 참조하면, 화소(SP)에는 두 개의 게이트라인(GLa, GLb)이 연결될 수 있다. 그리고, 두 개의 게이트라인(GLa, GLb) 중 제1게이트라인(GLa)은 스위칭트랜지스터(SWT)의 게이트노드로 제1전압(Vgh1)을 공급하고 제2게이트라인(GLb)은 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드로 제2전압(Vgh2)을 공급할 수 있다.Referring to FIG. 8 , two gate lines GLa and GLb may be connected to the pixel SP. Among the two gate lines GLa and GLb, the first gate line GLa supplies the first voltage Vgh1 to the gate node of the switching transistor SWT, and the second gate line GLb supplies the sensing transistor SENT ) may supply the second voltage Vgh2 to the gate node.

이러한 구조에서, 게이트구동부(120)는 구간에 구별없이 스위칭트랜지스터(SWT)를 턴온시키기 위해 게이트노드로 제1전압(Vgh1)을 공급할 수 있다. 그리고, 게이트구동부(120)는 구간에 구별없이 센싱트랜지스터(SENT)를 턴온시키기 위해 게이트노드로 제2전압(Vgh2)을 공급할 수 있다.In this structure, the gate driver 120 may supply the first voltage Vgh1 to the gate node to turn on the switching transistor SWT regardless of the interval. Also, the gate driver 120 may supply the second voltage Vgh2 to the gate node to turn on the sensing transistor SENT regardless of the interval.

이러한 구조에서, 센싱트랜지스터(SENT)는 턴온저항을 높이기 위해 포화영역에서 턴온되고 스위칭트랜지스터(SWT)는 턴온저항을 낮추기 위해 선형영역에서 턴온될 수 있다.In this structure, the sensing transistor SENT may be turned on in a saturation region to increase turn-on resistance, and the switching transistor SWT may be turned on in a linear region to decrease turn-on resistance.

이러한 구조에서, 센싱트랜지스터(SENT)의 턴온저항은 스위칭트랜지스터(SWT)의 턴온저항보다 클 수 있다.In this structure, the turn-on resistance of the sensing transistor SENT may be greater than that of the switching transistor SWT.

전력관리부는 제1전압(Vgh1)과 제2전압(Vgh2)을 동시에 별도로 생성하여 게이트구동부(120)로 공급할 수 있다.The power management unit may separately generate the first voltage Vgh1 and the second voltage Vgh2 simultaneously and supply them to the gate driver 120 .

도 9는 전력관리부의 회로 구성에 대한 제4예시를 나타내는 도면이다.9 is a diagram showing a fourth example of a circuit configuration of a power management unit.

도 9를 참조하면, 전력관리부(950)는 제1전압(Vgh1)을 생성하는 제1부스트회로(BC1) 및 제2전압(Vgh2)을 생성하는 제2부스트회로(BC2)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the power management unit 950 may include a first boost circuit BC1 generating the first voltage Vgh1 and a second boost circuit BC2 generating the second voltage Vgh2. .

그리고, 전력관리부(950)는 게이트구동부(120)를 통해 제1전압(Vgh1)을 스위칭트랜지스터(SWT)의 게이트노드로 공급할 수 있다. 그리고, 전력관리부(950)는 게이트구동부(120)를 통해 제2전압(Vgh2)을 센싱트랜지스터(SENT)의 게이트노드로 공급할 수 있다.Also, the power management unit 950 may supply the first voltage Vgh1 to the gate node of the switching transistor SWT through the gate driver 120 . Also, the power management unit 950 may supply the second voltage Vgh2 to the gate node of the sensing transistor SENT through the gate driver 120 .

한편, 전력관리부는 부스트회로가 아닌 다른 회로를 이용하여 턴온전압(Vgh)을 생성할 수도 있다. 예를 들어, 전력관리부는 LDO(Low Dropout)레귤레이터를 이용하여 턴온전압(Vgh)을 생성할 수도 있고, 벅(buck)타입의 회로를 이용하여 턴온전압(Vgh)을 생성할 수도 있다.Meanwhile, the power management unit may generate the turn-on voltage Vgh using a circuit other than the boost circuit. For example, the power management unit may generate the turn-on voltage Vgh using a low dropout (LDO) regulator or may generate the turn-on voltage Vgh using a buck type circuit.

이상에서 본 발명의 일 실시예에 대해 설명하였다. 이러한 일 실시예에 따르면, 유기발광표시장치가 화소의 특성치를 센싱함에 있어서 노이즈의 영향을 감소시킬 수 있게 된다. 구체적으로, 유기발광표시장치는 센싱트랜지스터의 턴온저항을 증가시킴으로써 센싱라인을 통해 전달되는 노이즈를 감소시킬 수 있다.In the above, one embodiment of the present invention has been described. According to this embodiment, the influence of noise can be reduced when the organic light emitting display device senses characteristic values of pixels. Specifically, the organic light emitting display can reduce noise transmitted through the sensing line by increasing the turn-on resistance of the sensing transistor.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as "comprise", "comprise" or "have" described above mean that the corresponding component may be inherent unless otherwise stated, and therefore do not exclude other components. It should be construed that it may further include other components. All terms, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless defined otherwise. Commonly used terms, such as terms defined in a dictionary, should be interpreted as consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present invention, they are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (10)

유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치하는 스위칭트랜지스터 및 상기 구동트랜지스터의 소스노드 혹은 드레인노드와 센싱라인 사이에 위치하는 센싱트랜지스터를 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시패널; 및
디스플레이구동구간에서 상기 스위칭트랜지스터 및 상기 센싱트랜지스터의 게이트노드로 제1전압을 공급하고 디스플레이센싱구간에서 상기 스위칭트랜지스터 및 상기 센싱트랜지스터의 게이트노드로 상기 제1전압과 상이한 제2전압을 공급하는 게이트구동부를 포함하고,
상기 제1전압에 비하여 상기 제2전압이 공급될 때, 상기 센싱트랜지스터의 턴온저항(rds-on)이 더 증가하는 표시장치.
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor positioned between a gate node of the driving transistor and a data line, and a sensing transistor positioned between a source node or drain node of the driving transistor and a sensing line. a display panel on which a plurality of pixels are disposed; and
A gate driver supplying a first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in a display driving section and supplying a second voltage different from the first voltage to the gate node of the switching transistor and the sensing transistor in a display sensing section. including,
A display device wherein a turn-on resistance (rds-on) of the sensing transistor is further increased when the second voltage is supplied compared to the first voltage.
제1항에 있어서,
상기 디스플레이구동구간에서 상기 스위칭트랜지스터는 선형(linear)영역에서 턴온되고,
상기 디스플레이센싱구간에서 상기 센싱트랜지스터는 포화(saturation)영역에서 턴온되는 표시장치.
According to claim 1,
In the display driving period, the switching transistor is turned on in a linear region,
In the display sensing period, the sensing transistor is turned on in a saturation region.
삭제delete 제1항에 있어서,
전력관리부 및 타이밍컨트롤러를 더 포함하고,
상기 전력관리부는 상기 타이밍컨트롤러로부터 수신되는 제어정보에 따라 상기 센싱트랜지스터로 공급하는 전압을 상기 제1전압에서 상기 제2전압으로 변경하는 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a power management unit and a timing controller,
The power management unit changes the voltage supplied to the sensing transistor from the first voltage to the second voltage according to control information received from the timing controller.
제1항에 있어서,
상기 제1전압 및 상기 제2전압을 선택적으로 생성하는 전력관리부를 더 포함하고,
상기 전력관리부는,
출력전압을 센싱하는 전압분배회로를 이용하여 피드백제어하되, 상기 전압분배회로의 임피던스를 변경하여 상기 제1전압을 상기 제2전압으로 변경하는 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a power management unit for selectively generating the first voltage and the second voltage,
The power management unit,
A display device that performs feedback control using a voltage divider circuit that senses an output voltage, and changes the first voltage to the second voltage by changing an impedance of the voltage divider circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1전압 및 상기 제2전압을 동시에 생성하는 전력관리부를 더 포함하고,
상기 전력관리부는,
선택회로를 이용하여 상기 제1전압 및 상기 제2전압 중 하나의 전압을 상기 센싱트랜지스터의 게이트노드로 공급하는 표시장치.
According to claim 1,
Further comprising a power management unit for generating the first voltage and the second voltage at the same time,
The power management unit,
A display device supplying one of the first voltage and the second voltage to a gate node of the sensing transistor using a selection circuit.
유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동트랜지스터, 상기 구동트랜지스터의 게이트노드와 데이터라인 사이에 위치하는 스위칭트랜지스터 및 상기 구동트랜지스터의 소스노드 혹은 드레인노드와 센싱라인 사이에 위치하는 센싱트랜지스터를 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시패널; 및
상기 스위칭트랜지스터의 게이트노드로 제1전압을 공급하고 상기 센싱트랜지스터의 게이트노드로 상기 제1전압과 상이한 제2전압을 공급하는 게이트구동부를 포함하고,
상기 제1전압에 비하여 상기 제2전압이 공급될 때, 상기 센싱트랜지스터의 턴온저항(rds-on)이 더 증가하는 표시장치.
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor positioned between a gate node of the driving transistor and a data line, and a sensing transistor positioned between a source node or drain node of the driving transistor and a sensing line. a display panel on which a plurality of pixels are disposed; and
a gate driver supplying a first voltage to a gate node of the switching transistor and a second voltage different from the first voltage to a gate node of the sensing transistor;
A display device wherein a turn-on resistance (rds-on) of the sensing transistor is further increased when the second voltage is supplied compared to the first voltage.
제7항에 있어서,
상기 센싱트랜지스터는 포화(saturation)영역에서 턴온되고 상기 스위칭트랜지스터는 선형(linear)영역에서 턴온되는 표시장치.
According to claim 7,
The display device of claim 1 , wherein the sensing transistor is turned on in a saturation region and the switching transistor is turned on in a linear region.
제7항에 있어서,
상기 센싱트랜지스터의 턴온저항(rds-on)이 상기 스위칭트랜지스터의 턴온저항보다 큰 표시장치.
According to claim 7,
The turn-on resistance (rds-on) of the sensing transistor is greater than the turn-on resistance of the switching transistor.
제7항에 있어서,
상기 제1전압과 상기 제2전압을 동시에 생성하는 전력관리부를 더 포함하고,
상기 전력관리부는 상기 게이트구동부를 통해 상기 제1전압을 상기 스위칭트랜지스터의 게이트노드로 공급하고 상기 제2전압을 상기 센싱트랜지스터의 게이트노드로 공급하는 표시장치.
According to claim 7,
Further comprising a power management unit for generating the first voltage and the second voltage at the same time,
The power management unit supplies the first voltage to a gate node of the switching transistor and the second voltage to a gate node of the sensing transistor through the gate driver.
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