KR102478820B1 - Thermoelectric device moudule - Google Patents

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KR102478820B1
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박진경
이승용
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엘지이노텍 주식회사
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    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions

Abstract

실시예는 제 1 기판, 상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그, 상기 제 1 기판의 상부에서 상기 복수의 열전 레그 상에 배치되는 제 2 기판, 상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극과 상기 제 2 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 전극 및 상기 열전 레그, 상기 전극의 외면에 배치된 실링부를 포함하고, 상기 실링부는 복수의 중공 필러를 포함하는 열전 모듈을 개시한다.An embodiment includes a first substrate, a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate, a second substrate disposed on the plurality of thermoelectric legs on top of the first substrate, and the first substrate and the plurality of thermoelectric legs. an electrode including a plurality of first electrodes disposed between legs and a plurality of second electrodes disposed between the second substrate and the plurality of thermoelectric legs, and sealing portions disposed on outer surfaces of the thermoelectric legs and the electrodes; , The sealing part discloses a thermoelectric module including a plurality of hollow fillers.

Description

열전 모듈 {THERMOELECTRIC DEVICE MOUDULE}Thermoelectric module {THERMOELECTRIC DEVICE MOUDULE}

본 발명은 열전 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전 모듈 내에서 열 유동 성능이 개선된 열전 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric module, and more particularly, to a thermoelectric module having improved heat flow performance within the thermoelectric module.

열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.The thermoelectric phenomenon is a phenomenon caused by the movement of electrons and holes inside a material, and means a direct energy conversion between heat and electricity.

열전 모듈은 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다. A thermoelectric module is a generic term for devices using a thermoelectric phenomenon, and has a structure in which a P-type thermoelectric material and an N-type thermoelectric material are bonded between metal electrodes to form a PN junction pair.

열전 모듈은 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다.The thermoelectric module may be classified into an element using a temperature change of electrical resistance, an element using the Seebeck effect, a phenomenon in which electromotive force is generated by a temperature difference, and an element using the Peltier effect, a phenomenon in which heat absorption or heat generation occurs due to current. .

열전 모듈은 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전 모듈은 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전 모듈의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.Thermoelectric modules are widely applied to home appliances, electronic components, and communication components. For example, the thermoelectric module may be applied to a device for cooling, a device for heating, a device for power generation, and the like. Accordingly, the demand for thermoelectric performance of the thermoelectric module is gradually increasing.

이러한 열전 모듈은 냉각용으로 사용시 냉장고 또는 정수기에 적용 가능하며, 저온 구현에 따른 결로와 습기에 의해 열전소자가 부식되는 문제가 있다. 이런 문제를 해결하기 위해 종래의 경우 열전소자의 측면에 직접 실링재를 배치하여 수분의 침투를 방지하였으나, 열전소자에 실링재가 직접 부착되어 열전 모듈 내에서 열 유동 성능이 저하되는 문제가 있다.Such a thermoelectric module can be applied to a refrigerator or a water purifier when used for cooling, and there is a problem in that the thermoelectric element is corroded by condensation and moisture due to low temperature implementation. In order to solve this problem, in the prior art, a sealing material is directly placed on the side surface of the thermoelectric element to prevent penetration of moisture. However, since the sealing material is directly attached to the thermoelectric element, there is a problem in that heat flow performance in the thermoelectric module is deteriorated.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전소자 측면에 열유동 공간을 확보하여 열전 모듈 내에서 열 유동 성능이 개선된 열전 모듈을 제공하는 것이다.A technical problem to be achieved by the present invention is to provide a thermoelectric module with improved heat flow performance within the thermoelectric module by securing a heat flow space on the side of the thermoelectric element.

실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the solution to the problem described below or the purpose or effect that can be grasped from the embodiment is also included.

본 발명의 한 실시예에 따른 열전 모듈은 제 1 기판, 상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그, 상기 제 1 기판의 상부에서 상기 복수의 열전 레그 상에 배치되는 제 2 기판, 상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극과 상기 제 2 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 전극 및 상기 열전 레그, 상기 전극의 외면에 배치된 실링부를 포함하고, 상기 실링부는 복수의 중공 필러를 포함한다.A thermoelectric module according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate, a second substrate disposed on the plurality of thermoelectric legs above the first substrate, the An electrode including a plurality of first electrodes disposed between a first substrate and the plurality of thermoelectric legs and a plurality of second electrodes disposed between the second substrate and the plurality of thermoelectric legs, and the thermoelectric leg, the electrode It includes a sealing part disposed on an outer surface, and the sealing part includes a plurality of hollow pillars.

상기 복수의 중공 필러는 피막 및 상기 피막으로 둘러싸인 내부 공간을 포함할 수 있다.The plurality of hollow fillers may include a film and an inner space surrounded by the film.

상기 중공 필러의 내부 공간은 진공일 수 있다.An inner space of the hollow filler may be vacuum.

상기 중공 필러의 내부 공간은 제 1 기체로 채워져 있고, 상기 제 1 기체는 열전도도가 공기 보다 낮을 수 있다.The inner space of the hollow filler is filled with a first gas, and the first gas may have lower thermal conductivity than air.

상기 중공 필러는 무기 산화물을 포함할 수 있다.The hollow filler may include an inorganic oxide.

상기 무기 산화물은 Al2SiO5, Al2O3, SiO2, TiO2 중 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.The inorganic oxide may include at least one selected from the group consisting of Al 2 SiO 5 , Al 2 O 3 , SiO 2 , and TiO 2 .

상기 실링부는 복수의 중공 필러를 둘러싸는 레진층을 포함하고, 상기 레진층은 소수성(hydrophobic)일 수 있다.The sealing part may include a resin layer surrounding the plurality of hollow fillers, and the resin layer may be hydrophobic.

상기 실링부의 부피는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간에서 상기 복수의 열전 레그 및 상기 전극을 제외한 부피 대비 90%~100% 일 수 있다.A volume of the sealing unit may be 90% to 100% of a volume of the space between the first substrate and the second substrate excluding the plurality of thermoelectric legs and the electrode.

상기 실링부의 부피는 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간에서 상기 복수의 열전 레그 및 상기 전극을 제외한 부피 대비 20%~40%일 수 있다.A volume of the sealing unit may be 20% to 40% of a volume of the space between the first substrate and the second substrate excluding the plurality of thermoelectric legs and the electrode.

상기 실링부 총 100 중량%에 대하여, 상기 복수의 중공 필러는 30 중량% 내지 60 중량%로 포함될 수 있다.The plurality of hollow fillers may be included in an amount of 30 wt% to 60 wt% based on 100 wt% of the total sealing part.

상기 복수의 중공 필러의 평균 크기는 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.An average size of the plurality of hollow fillers may be 1 μm to 5 μm.

본 발명의 실시예에 따르면, 방수 및 방진 성능이 우수한 열전 모듈을 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따르면, 열 유동 성능이 개선된 열전 모듈을 얻을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a thermoelectric module having excellent waterproof and dustproof performance can be obtained. In particular, according to an embodiment of the present invention, a thermoelectric module with improved heat flow performance can be obtained.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.

도 1은 일반적인 열전 모듈의 단면도이고,
도 2는 실링재가 배치된 일반적인 열전 모듈의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이고,
도 4는 도 3의 열전 소자를 나타내는 사시도이고,
도 5는 도 3의 5를 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이고,
도 7은 본 발명에 따른 열전 모듈이 정수기에 적용된 예시도이고,
도 8은 본 발명에 따른 열전 모듈이 냉장고에 적용된 예시도이다.
1 is a cross-sectional view of a general thermoelectric module;
2 is a cross-sectional view of a general thermoelectric module in which a sealing material is disposed;
3 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention;
4 is a perspective view illustrating the thermoelectric element of FIG. 3;
FIG. 5 is an enlarged view of 5 in FIG. 3 .
6 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to another embodiment of the present invention;
7 is an exemplary diagram in which a thermoelectric module according to the present invention is applied to a water purifier;
8 is an exemplary diagram in which the thermoelectric module according to the present invention is applied to a refrigerator.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments are illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including ordinal numbers such as second, first, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a second element may be termed a first element, and similarly, a first element may be termed a second element, without departing from the scope of the present invention. The terms and/or include any combination of a plurality of related recited items or any of a plurality of related recited items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계 없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components regardless of reference numerals will be assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.

도 1은 일반적인 열전 모듈의 단면도이고, 도 2는 실링재가 배치된 일반적인 열전 모듈의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a typical thermoelectric module, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a typical thermoelectric module in which a sealant is disposed.

우선, 도 1을 참조하면, 일반적인 열전 모듈은 제 1 열전도 플레이트(1), 제 2 열전도 플레이트(2) 및 열전 소자(10)를 포함한다.First, referring to FIG. 1 , a general thermoelectric module includes a first heat conducting plate 1 , a second heat conducting plate 2 and a thermoelectric element 10 .

여기서, 열전 소자(10)는 P형 열전 레그(12), N형 열전 레그(13), 하부 기판(14), 상부 기판(15), 하부 전극(16), 상부 전극(17) 및 리드선(18)을 포함한다.Here, the thermoelectric element 10 includes a P-type thermoelectric leg 12, an N-type thermoelectric leg 13, a lower substrate 14, an upper substrate 15, a lower electrode 16, an upper electrode 17, and a lead wire ( 18).

또한, 도 2를 참조하면, 실링재가 배치된 일반적인 열전 모듈 제 1 열전도 플레이트(1), 제 2 열전도 플레이트(2), 열전 소자(10) 및 실링재(3)를 포함한다.Also, referring to FIG. 2 , a general thermoelectric module having a sealant disposed thereon includes a first heat conduction plate 1 , a second heat conduction plate 2 , a thermoelectric element 10 and a sealant 3 .

도 2에 따른 열전 모듈은 실링재를 배치하지 않은 열전 모듈에 비해, 방수 및 방진 성능이 개선되지만, 다음의 [표 1]과 같이 제 1 열전도 플레이트(1)와 제 2 열전도 플레이트(2) 사이의 온도차(dT)가 감소하며, 냉각측에서의 흡열량(Qc)이 감소하는 문제가 발생한다.The thermoelectric module according to FIG. 2 has improved waterproof and dustproof performance compared to the thermoelectric module in which the sealing material is not disposed, but as shown in [Table 1], between the first heat conduction plate 1 and the second heat conduction plate 2 The temperature difference (dT) decreases, and the heat absorption amount (Qc) at the cooling side decreases.

도 1에 따른 열전 모듈Thermoelectric module according to FIG. 1 도 2에 따른 열전 모듈Thermoelectric module according to FIG. 2 흡열량(Qc)Endothermic value (Qc) 42.522W42.522W 41.959W41.959W 온도차(dT)Temperature difference (dT) 54.36℃54.36℃ 52.47℃52.47℃

이는 실링재(3)를 통해 제 1 열전도 플레이트(1)와 제 2 열전도 플레이트(2) 사이에서 열교환이 이루어지기 때문이다. 즉, 제 1 열전도 플레이트(1)와 제 2 열전도 플레이트(2) 사이의 온도차의 감소에 따라 열전 효율이 감소하는 문제가 발생할 수 있다.This is because heat is exchanged between the first heat conducting plate 1 and the second heat conducting plate 2 through the sealing material 3 . That is, as the temperature difference between the first heat conduction plate 1 and the second heat conduction plate 2 decreases, the thermoelectric efficiency may decrease.

이하는 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈(1000)을 설명한다.Hereinafter, a thermoelectric module 1000 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이고, 도 4는 도 3의 열전 소자를 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 3의 5를 확대한 확대도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to an exemplary embodiment, FIG. 4 is a perspective view illustrating the thermoelectric element of FIG. 3 , and FIG. 5 is an enlarged view of 5 in FIG. 3 .

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈(1000)은 제 1 열전도 플레이트(1), 제 2 열전도 플레이트(2) 및 열전 소자(100)를 포함한다.Referring to FIGS. 3 to 5 , a thermoelectric module 1000 according to an embodiment of the present invention includes a first heat conduction plate 1 , a second heat conduction plate 2 and a thermoelectric element 100 .

제 1 열전도 플레이트(1)와 제 2 열전도 플레이트(2)는 열전 소자(100)를 사이에 배치하고 서로 대향한다. 제 1 열전도 플레이트(1)와 제 2 열전도 플레이트(2)는 열전도성이 우수한 금속 재질로 구성될 수 있다.The first heat conduction plate 1 and the second heat conduction plate 2 face each other with the thermoelectric element 100 therebetween. The first heat conduction plate 1 and the second heat conduction plate 2 may be made of a metal material having excellent heat conductivity.

여기서, 제 1 열전도 플레이트(1)는 열전 소자(100)의 흡열 면과 냉각 측(미도시)의 표면 사이에 설치되어 열전 소자(100)의 흡열 면을 통한 흡열 시 열전달 면적을 향상시킨다. 이때, 제 1 열전도 플레이트(1)는 알루미늄 등이 사용되고 있으나, 구리 및 스테인리스 강, 또는 황동 등의 사용이 가능함은 물론이다.Here, the first heat conduction plate 1 is installed between the heat absorbing surface of the thermoelectric element 100 and the surface of the cooling side (not shown) to improve the heat transfer area when heat is absorbed through the heat absorbing surface of the thermoelectric element 100. At this time, although aluminum or the like is used for the first heat conduction plate 1, copper, stainless steel, or brass can be used as a matter of course.

제 1 열전도 플레이트(1)는 사용시 열전달 면적을 넓힐 수 있으므로 온도 구배를 줄일 수 있으며, 무엇 보다 열전 소자(100)의 방열면 방향에 부착된 제 2 열전도 플레이트(2)와 냉각 측(미도시)과의 간격을 인위적으로 유격시킴으로써 상대적으로 뜨거운 제 2 열전도 플레이트(2)에서 차가운 냉각 측(미도시) 쪽으로 열이 전달되는 것을 차단할 수 있다.Since the first heat conduction plate 1 can increase the heat transfer area during use, the temperature gradient can be reduced, and above all, the second heat conduction plate 2 attached to the heat dissipation surface of the thermoelectric element 100 and the cooling side (not shown) It is possible to block the transfer of heat from the relatively hot second heat conduction plate 2 to the cold cooling side (not shown) by artificially gapping the gap between the second heat conduction plate 2 and the second heat conduction plate 2 .

제 2 열전도 플레이트(2)는 열전 소자(100)의 발열 면에 밀착되어 열전 소자(100)의 열을 방열시키며, 통상적으로 압출형 방열판이 많이 사용되나, 경우에 따라서 스카이빙 방식 방열판, 히트 파이프 임베디드 타입 방열판, 핀 본디드 타입 방열판 등의 사용이 가능하다.The second heat conduction plate 2 is in close contact with the heating surface of the thermoelectric element 100 to dissipate heat from the thermoelectric element 100, and an extruded heat sink is commonly used, but in some cases a skiving type heat sink or heat pipe is used. Embedded type heat sink and pin bonded type heat sink can be used.

여기서, 제 1 열전도 플레이트(1)는 흡열면, 제 2 열전도 플레이트(2)는 방열면으로 설정되는 것으로 설명하였으나, 이는 열전소자에 인가되는 전류 방향에 따라 흡열면과 방열면은 서로 바뀔 수도 있다.Here, it has been described that the first heat conduction plate 1 is a heat absorbing surface and the second heat conduction plate 2 is a heat radiating surface, but the heat absorbing surface and the heat radiating surface may be interchanged depending on the direction of current applied to the thermoelectric element. .

또한, 열전 소자(100)는 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 기판(140), 상부 기판(150), 하부 전극(161), 상부 전극(162), 실링부(170), 리드선(180) 및 솔더층(미도시)을 포함한다.In addition, the thermoelectric element 100 includes a P-type thermoelectric leg 120, an N-type thermoelectric leg 130, a lower substrate 140, an upper substrate 150, a lower electrode 161, an upper electrode 162, and a sealing part. 170, a lead wire 180, and a solder layer (not shown).

하부 전극(161)은 하부 기판(140)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)의 하면 사이에 배치되고, 상부 전극(162)은 상부 기판(150)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)의 상면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(120) 및 복수의 N형 열전 레그(130)는 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)에 의하여 전기적으로 연결된다. 하부 전극(161)과 상부 전극(162) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 단위 셀을 형성할 수 있다.The lower electrode 161 is disposed between the lower substrate 140 and the lower surfaces of the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130, and the upper electrode 162 is disposed between the upper substrate 150 and the P-type thermoelectric leg. 120 and the top surface of the N-type thermoelectric leg 130. Accordingly, the plurality of P-type thermoelectric legs 120 and the plurality of N-type thermoelectric legs 130 are electrically connected by the lower electrode 161 and the upper electrode 162 . A pair of P-type thermoelectric legs 120 and N-type thermoelectric legs 130 disposed between the lower electrode 161 and the upper electrode 162 and electrically connected to each other may form a unit cell.

예를 들어, 리드선(181, 182)을 통하여 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)에 전압을 인가하면, 펠티에 효과로 인하여 P형 열전 레그(120)로부터 N형 열전 레그(130)로 전류가 흐르는 기판은 열을 흡수하여 냉각부로 작용하고, N형 열전 레그(130)로부터 P형 열전 레그(120)로 전류가 흐르는 기판은 가열되어 발열부로 작용할 수 있다.For example, when a voltage is applied to the lower electrode 161 and the upper electrode 162 through the lead wires 181 and 182, a current flows from the P-type thermoelectric leg 120 to the N-type thermoelectric leg 130 due to the Peltier effect. The substrate through which A flows absorbs heat and acts as a cooling part, and the substrate through which current flows from the N-type thermoelectric leg 130 to the P-type thermoelectric leg 120 is heated and acts as a heating part.

여기서, P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)을 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. P형 열전 레그(120)는 전체 중량 100wt%에 대하여 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Se-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다. N형 열전 레그(230)는 전체 중량 100wt%에 대하여 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Sb-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다.Here, the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130 may be bismuth steluride (Bi-Te)-based thermoelectric legs containing bismuth (Bi) and tellurium (Te) as main materials. The P-type thermoelectric leg 120 includes antimony (Sb), nickel (Ni), aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), and gallium with respect to 100 wt% of the total weight. (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi) and indium (In) bismuth steluride (Bi-Te)-based main raw material containing at least one of 99 to 99.999 wt% and a mixture containing Bi or Te 0.001 It may be a thermoelectric leg containing 1wt% to 1wt%. For example, the main raw material is Bi-Se-Te, and Bi or Te may be further included in an amount of 0.001 to 1 wt% of the total weight. The N-type thermoelectric leg 230 includes selenium (Se), nickel (Ni), aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), and gallium with respect to 100 wt% of the total weight. (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi) and indium (In) bismuth steluride (Bi-Te)-based main raw material containing at least one of 99 to 99.999 wt% and a mixture containing Bi or Te 0.001 It may be a thermoelectric leg containing 1wt% to 1wt%. For example, the main raw material is Bi-Sb-Te, and Bi or Te may be further included in an amount of 0.001 to 1 wt% of the total weight.

P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 P형 열전 레그(120) 또는 벌크형 N형 열전 레그(130)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 적층형 P형 열전 레그(120) 또는 적층형 N형 열전 레그(230)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.The P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130 may be formed in a bulk or stacked type. In general, the bulk P-type thermoelectric leg 120 or the bulk-type N-type thermoelectric leg 130 heat-treats a thermoelectric material to produce an ingot, pulverizes and sieves the ingot to obtain powder for the thermoelectric leg, and then obtains powder for the thermoelectric leg. It can be obtained through a process of sintering and cutting the sintered body. The stacked P-type thermoelectric leg 120 or the stacked N-type thermoelectric leg 230 is formed by applying a paste containing a thermoelectric material on a sheet-shaped substrate to form unit members, and then stacking and cutting the unit members. can be obtained

이때, 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 동일한 형상으로 동일한 높이를 갖는 것이 바람직하며, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(120)와 N형 열전 레그(130)의 전기 전도 특성이 상이하므로, N형 열전 레그(130)의 단면적을 P형 열전 레그(120)의 단면적과 다르게 형성할 수도 있다.In this case, the pair of P-type thermoelectric legs 120 and N-type thermoelectric legs 130 preferably have the same shape and the same height, and may have different shapes and volumes. For example, since the electrical conduction characteristics of the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130 are different, the cross-sectional area of the N-type thermoelectric leg 130 may be different from that of the P-type thermoelectric leg 120. may be

한편, P형 열전 레그(120)와 N형 열전 레그(130)의 측면에는 높이 방향(Z축 방향)으로 절연체(미도시)가 배치될 수 있다.Meanwhile, insulators (not shown) may be disposed on side surfaces of the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130 in a height direction (Z-axis direction).

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 소자의 성능은 제벡 지수로 나타낼 수 있다. 제백 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다. Meanwhile, the performance of the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention may be expressed as a Seebeck index. The Seebeck index (ZT) can be expressed as in Equation 1.

Figure 112018031984952-pat00001
Figure 112018031984952-pat00001

여기서,

Figure 112018031984952-pat00002
는 제벡계수[V/K]이고,
Figure 112018031984952-pat00003
는 전기 전도도[S/m]이며,
Figure 112018031984952-pat00004
는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고, T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는
Figure 112018031984952-pat00005
로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp 는 비열[J/gK]이며,
Figure 112018031984952-pat00006
는 밀도[g/cm3]이다.here,
Figure 112018031984952-pat00002
is the Seebeck coefficient [V/K],
Figure 112018031984952-pat00003
is the electrical conductivity [S/m],
Figure 112018031984952-pat00004
is the power factor (W/mK 2 ). And, T is the temperature and k is the thermal conductivity [W/mK]. k is
Figure 112018031984952-pat00005
It can be expressed as, a is the thermal diffusivity [cm 2 /S], cp is the specific heat [J / gK],
Figure 112018031984952-pat00006
is the density [g/cm 3 ].

열전 모듈의 제백 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 제벡 지수(ZT)를 계산할 수 있다. In order to obtain the Seebeck exponent of the thermoelectric module, a Z value (V/K) may be measured using a Z meter, and the Seebeck exponent (ZT) may be calculated using the measured Z value.

여기서, 하부 기판(140)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130) 사이에 배치되는 하부 전극(120), 그리고 상부 기판(150)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130) 사이에 배치되는 상부 전극(162)은 구리(Cu), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Here, the lower electrode 120 disposed between the lower substrate 140 and the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130, and the upper substrate 150 and the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 120 The upper electrode 162 disposed between the thermoelectric legs 130 may include at least one of copper (Cu), silver (Ag), and nickel (Ni).

그리고, 상호 대향하는 하부 기판(140)과 상부 기판(150)은 절연 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 절연 기판은 알루미나 기판 또는 유연성을 가지는 고분자 수지 기판일 수 있다. 유연성을 가지는 고분자 수지 기판은 폴리이미드(PI), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 환상 올레핀 코폴리(COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 레진(resin)과 같은 고투과성 플라스틱 등의 다양한 절연성 수지재를 포함할 수 있다. 또는, 절연 기판은 직물일 수도 있다. 금속 기판은 Al, Al 합금, Cu, Cu 합금 또는 Cu-Al 합금을 포함할 수 있다. 또한, 하부 기판(140)과 상부 기판(150)이 금속 기판인 경우, 하부 기판(140)과 하부 전극(161) 사이 및 상부 기판(150)과 상부 전극(162) 사이에는 각각 유전체층이 더 형성될 수 있다. 유전체층은 5~50W/K의 열전도도를 가지는 소재를 포함할 수 있다. Also, the lower substrate 140 and the upper substrate 150 facing each other may be an insulating substrate or a metal substrate. The insulating substrate may be an alumina substrate or a flexible polymer resin substrate. Polymer resin substrates having flexibility have high permeability such as polyimide (PI), polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic olefin copoly (COC), polyethylene terephthalate (PET), and resin. It may include various insulating resin materials such as plastic. Alternatively, the insulating substrate may be fabric. The metal substrate may include Al, an Al alloy, Cu, a Cu alloy, or a Cu-Al alloy. In addition, when the lower substrate 140 and the upper substrate 150 are metal substrates, dielectric layers are further formed between the lower substrate 140 and the lower electrode 161 and between the upper substrate 150 and the upper electrode 162, respectively. It can be. The dielectric layer may include a material having a thermal conductivity of 5 to 50 W/K.

이때, 하부 기판(140)과 상부 기판(150)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전 모듈의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다.At this time, the size of the lower substrate 140 and the upper substrate 150 may be formed differently. For example, the volume, thickness, or area of one of the lower substrate 140 and the upper substrate 150 may be greater than that of the other. Accordingly, heat absorbing performance or heat dissipation performance of the thermoelectric module may be improved.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 기판(140)은 제 1 방향으로 제 1 길이(D1)를 갖도록 형성되며, 상부 기판(150)은 제 1 방향으로 제 2 길이(D2)를 갖도록 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4 , the lower substrate 140 is formed to have a first length D1 in a first direction, and the upper substrate 150 is formed to have a second length D2 in a first direction. It can be.

여기서, 제 1 길이(D1)는 제 2 길이(D2)보다 크게 형성되어, 하부 기판(140) 상에서 제 1 방향의 끝단에 형성된 하부 전극(261)에 리드선(181, 182)을 연결하는 것이 용이하다.Here, the first length D1 is formed to be larger than the second length D2, so that it is easy to connect the lead wires 181 and 182 to the lower electrode 261 formed at the end of the lower substrate 140 in the first direction. Do.

여기서, 하부 전극(261)과 리드선(181, 182)이 전기적으로 연결되는 것은 용접 방식 또는 기구적 체결 방식 등 다양한 방식 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.Here, the electrical connection between the lower electrode 261 and the lead wires 181 and 182 may be implemented by at least one of various methods such as a welding method or a mechanical fastening method.

복수의 하부 전극(161) 및 복수의 상부 전극(162)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극재료를 이용하여 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)를 전기적으로 연결한다. 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)의 두께는 0.01mm~0.3mm의 범위에서 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게는 10㎛~20㎛의 범위로 구현할 수 있다.The plurality of lower electrodes 161 and the plurality of upper electrodes 162 electrically connect the P-type thermoelectric leg 120 and the N-type thermoelectric leg 130 by using an electrode material such as Cu, Ag, or Ni. The thickness of the lower electrode 161 and the upper electrode 162 may be formed in a range of 0.01 mm to 0.3 mm. More preferably, it can be implemented in the range of 10 μm to 20 μm.

또한, 복수의 하부 전극(161) 및 복수의 상부 전극(162)은 각각 m*n(여기서, m, n은 각각 1이상의 정수일 수 있으며, m, n은 서로 동일하거나 상이할 수 있다)의 어레이 형태로 배치될 수 있으나, 이로 제한되는 것은 아니다. 각 하부 전극(161)과 상부 전극(162)은 이웃하는 다른 하부 전극(161)과 상부 전극(162)들과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 각 하부 전극(161)과 상부 전극(162)은 이웃하는 다른 전극(161, 162)들과 대략 0.5 내지 0.8mm 거리로 이격되어 배치될 수 있다.In addition, each of the plurality of lower electrodes 161 and the plurality of upper electrodes 162 is an array of m*n (here, m and n may each be an integer of 1 or more, and m and n may be the same as or different from each other). It may be arranged in a form, but is not limited thereto. Each lower electrode 161 and upper electrode 162 may be spaced apart from neighboring lower electrodes 161 and upper electrodes 162 . For example, each of the lower electrode 161 and the upper electrode 162 may be spaced apart from the neighboring electrodes 161 and 162 by a distance of approximately 0.5 to 0.8 mm.

그리고, 각 하부 전극(161) 상에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)가 배치되며, 각 상부 전극(162) 하에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)가 배치될 수 있다. A pair of P-type thermoelectric legs 120 and N-type thermoelectric legs 130 are disposed on each lower electrode 161, and a pair of P-type thermoelectric legs 120 and 130 are disposed under each upper electrode 162. An N-type thermoelectric leg 130 may be disposed.

즉, P형 열전 레그(120)의 하면은 하부 전극(161)에 배치되고, 상면은 상부 전극(162)에 배치되며, N형 열전 레그(130)의 하면은 하부 전극(161)에 배치되고, 상면은 상부 전극(162)에 배치될 수 있다. 하부 전극(161)에 배치된 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130) 중 P형 열전 레그(120)가 복수의 하부 전극(162) 중 하나에 배치되면, N형 열전 레그(130)는 이와 이웃하는 다른 하부 전극(162)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(120) 및 복수의 N형 열전 레그(130)는 복수의 하부 전극(161) 및 복수의 하부 전극(162)을 통하여 직렬 연결될 수 있다.That is, the lower surface of the P-type thermoelectric leg 120 is disposed on the lower electrode 161, the upper surface is disposed on the upper electrode 162, and the lower surface of the N-type thermoelectric leg 130 is disposed on the lower electrode 161. , the upper surface may be disposed on the upper electrode 162 . When the P-type thermoelectric leg 120 among the pair of P-type thermoelectric legs 120 and N-type thermoelectric legs 130 disposed on the lower electrode 161 is disposed on one of the plurality of lower electrodes 162, the N-type thermoelectric leg 120 is disposed on the lower electrode 161. The thermoelectric leg 130 may be disposed on another lower electrode 162 adjacent thereto. Accordingly, the plurality of P-type thermoelectric legs 120 and the plurality of N-type thermoelectric legs 130 may be connected in series through the plurality of lower electrodes 161 and the plurality of lower electrodes 162 .

이때, 하부 전극(161) 상에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)를 접합하기 위한 한 쌍의 하부 솔더층(미도시)이 도포될 수 있으며, 한 쌍의 하부 솔더층 상에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)가 각각 배치될 수 있다.At this time, a pair of lower solder layers (not shown) for bonding the pair of P-type thermoelectric legs 120 and the N-type thermoelectric legs 130 may be applied on the lower electrode 161, and the pair of lower solder layers may be applied. A pair of P-type thermoelectric legs 120 and a pair of N-type thermoelectric legs 130 may be respectively disposed on the solder layer.

또한, 상부 전극(162) 하에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)를 접합하기 위한 한 쌍의 상부 솔더층(미도시)이 도포될 수 있으며, 한 쌍의 상부 솔더층(172) 하에는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)가 각각 배치될 수 있다.In addition, a pair of upper solder layers (not shown) for bonding the pair of P-type thermoelectric legs 120 and the N-type thermoelectric legs 130 may be applied under the upper electrode 162 . A pair of P-type thermoelectric legs 120 and a pair of N-type thermoelectric legs 130 may be respectively disposed under the upper solder layer 172 .

실링부(170)는 레진층(171)과 중공 필러(172)를 포함한다.The sealing part 170 includes a resin layer 171 and a hollow filler 172 .

실링부(170)는 복수의 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)의 표면에 배치되며, 외부의 수분이 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)에 접촉되지 않도록 방지막 역할을 수행한다.The sealing part 170 is disposed on the surfaces of the plurality of P-type thermoelectric legs 120, the N-type thermoelectric legs 130, the lower electrode 161, and the upper electrode 162, and external moisture prevents the P-type thermoelectric legs ( 120), the N-type thermoelectric leg 130, the lower electrode 161, and the upper electrode 162 are prevented from coming into contact with each other.

여기서, 레진층(171)은 복수의 중공 필러(172)를 둘러싸며, 복수의 중공 필러(172)를 분산시켜 배치할 수 있다.Here, the resin layer 171 may surround the plurality of hollow fillers 172 and dispersively arrange the plurality of hollow fillers 172 .

레진층(171)은 용매와 경화제, 분산제 및 바인더 등의 고분자를 포함할 수 있다. 이러한 고분자는 경화 후 열전도율 낮고, 밀봉 신뢰성이 우수한 재질로 구성될 수 있으며 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.The resin layer 171 may include a polymer such as a solvent, a curing agent, a dispersing agent, and a binder. Such a polymer may be made of a material having low thermal conductivity after curing and excellent sealing reliability, and the present invention is not limited thereto.

여기서, 실링부(170)는 하부 기판(140) 및 상부 기판(150) 사이에서 잉여 공간 없이 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)의 표면에 배치될 수 있다.Here, the sealing part 170 has the P-type thermoelectric leg 120, the N-type thermoelectric leg 130, the lower electrode 161 and the upper electrode 162 without surplus space between the lower substrate 140 and the upper substrate 150. ) can be placed on the surface of

즉, 실링부(170)는 하부 기판(140) 및 상부 기판(150)의 사이 공간을 모두 채울 수 있다. That is, the sealing part 170 may fill both the space between the lower substrate 140 and the upper substrate 150 .

즉, 실링부(170)의 부피는 하부 기판(140) 및 상부 기판(150) 사이의 공간에서 복수의 열전 레그(120, 130) 및 전극(161, 162)을 제외한 부피 대비 90%~100% 로 충진될 수 있다. 이는 충진율 100%로 정의할 수 있다.That is, the volume of the sealing part 170 is 90% to 100% of the volume excluding the plurality of thermoelectric legs 120 and 130 and the electrodes 161 and 162 in the space between the lower substrate 140 and the upper substrate 150. can be filled with This can be defined as 100% fill rate.

실링부(170)는 코팅 공정으로 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)의 표면에 코팅될 수 있다. 여기서, 코팅 공정은 딥 코팅(dip coating), 용사코팅(spray coating) 등이 적용될 수 있다. The sealing part 170 may be coated on surfaces of the P-type thermoelectric leg 120 , the N-type thermoelectric leg 130 , the lower electrode 161 , and the upper electrode 162 through a coating process. Here, the coating process may include dip coating, spray coating, and the like.

한편, 레진층(171)은 친수성(hydrophilic) 또는 소수성(hydrophobic)일 수 있으며, 다음의 [표 2]와 같이, 소수성인 것이 바람직하다.Meanwhile, the resin layer 171 may be hydrophilic or hydrophobic, and is preferably hydrophobic as shown in [Table 2] below.

비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 레진층 충진율Resin layer filling rate 100%100% 100%100% 흡열량(Qc)Endothermic value (Qc) 42.624W42.624W 43.24W43.24W 온도차(dT)Temperature difference (dT) 53.28℃53.28℃ 55.01℃55.01℃

여기서, 친수성 레진층을 포함하는 열전 모듈(비교예 1) 및 소수성 레진층을 포함하는 열전 모듈(비교예 2)은 도 1 및 도 2에 도시된 열전 모듈에 비해, 흡열량(Qc) 및 온도차(dT)가 우수함을 확인할 수 있다.즉, 본 발명의 일 실시예와 같이 친수성 레진층을 포함하는 열전 모듈 및 소수성 레진층을 포함하는 열전 모듈은 일반적인 열전 모듈에 비해, 열전 효율이 개선됨을 확인할 수 있다.Here, the thermoelectric module including a hydrophilic resin layer (Comparative Example 1) and the thermoelectric module including a hydrophobic resin layer (Comparative Example 2) have a higher heat absorption (Qc) and a temperature difference than the thermoelectric modules shown in FIGS. 1 and 2 . It can be confirmed that (dT) is excellent. That is, it can be confirmed that the thermoelectric module including the hydrophilic resin layer and the thermoelectric module including the hydrophobic resin layer have improved thermoelectric efficiency compared to general thermoelectric modules, as in one embodiment of the present invention. can

한편, 비교예 1 및 비교예 2를 비교하면, 소수성 레진층을 포함하는 열전 모듈이 친수성 레진층을 포함하는 열전 모듈에 비해 흡열량(Qc) 및 온도차(dT)가 우수함을 확인할 수 있다.Meanwhile, when Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are compared, it can be seen that the thermoelectric module including the hydrophobic resin layer has better heat absorption (Qc) and temperature difference (dT) than the thermoelectric module including the hydrophilic resin layer.

즉, 열전 모듈의 열전 효율 측면에서 친수성 레진층을 적용하는 것보다 소수성 레진층을 적용하는 것이 바람직할 수 있다.That is, it may be more preferable to apply a hydrophobic resin layer than to apply a hydrophilic resin layer in terms of thermoelectric efficiency of the thermoelectric module.

여기서, 복수의 중공 필러(172)는 실링부(170) 총 100 중량%에 대하여, 30 중량% 내지 60 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.Here, the plurality of hollow fillers 172 are preferably included in an amount of 30% to 60% by weight with respect to a total of 100% by weight of the sealing part 170 .

상술한 바와 같이, 중공 필러(172)가 실링부(170) 총 100 중량%에 대하여, 30 중량% 이하로 포함되면 실링부(170)로 인한 열전도 억제 효과를 야기할 수 있다. As described above, when the hollow filler 172 is included in an amount of 30% by weight or less based on 100% by weight of the total sealing part 170 , a heat conduction suppression effect due to the sealing part 170 may be caused.

반면에, 중공 필러(172)가 실링부(170) 총 100 중량%에 대하여, 60 중량% 이상으로 포함되면, 복수의 중공 필러(172)가 서로 분산되지 못하고 응집될 수 있어 중공 필러(172)의 피막(172a)에 의해 별도의 열전도 경로(path)가 형성될 수 있어 실링부(170)로 인한 열전도 억제 효과를 야기할 수 있다.On the other hand, if the hollow filler 172 is included in an amount of 60% by weight or more with respect to the total 100% by weight of the sealing part 170, the plurality of hollow fillers 172 may be aggregated without being dispersed with each other, so that the hollow filler 172 A separate heat conduction path may be formed by the film 172a of the sealing part 170 to cause a heat conduction suppression effect.

여기서, 비교예 1에 적용된 열전 모듈의 레진층은 폴리 아크릴레이트 계열로 구성되며, 실링부 총 100 중량%에 대하여, 복수의 중공 필러는 50 중량%로 포함된다. 또한, 비교예 2에 적용된 열전 모듈의 레진층은 폴리부타디엔 계열로 구성되며, 실링부 총 100 중량%에 대하여, 복수의 중공 필러는 50 중량%로 포함된다. Here, the resin layer of the thermoelectric module applied in Comparative Example 1 is composed of a polyacrylate-based material, and the plurality of hollow fillers are included at 50% by weight with respect to 100% by weight of the total sealing part. In addition, the resin layer of the thermoelectric module applied in Comparative Example 2 is composed of a polybutadiene-based material, and includes 50% by weight of the plurality of hollow fillers with respect to 100% by weight of the total sealing part.

중공 필러(172)는 레진층(171)에 둘러싸여, 실링부(170)를 구성할 수 있다.The hollow filler 172 may be surrounded by the resin layer 171 to form the sealing portion 170 .

도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 중공 필러(172) 각각은 피막(172a)과 피막(172a)으로 둘러싸인 내부 공간(172b)으로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 5 , each of the plurality of hollow fillers 172 may include a film 172a and an inner space 172b surrounded by the film 172a.

중공 필러(172)의 피막(172a)은 구형, 육면체형 또는 삼각뿔형 등으로 구성될 수 있다. 다만, 이는 제조 공정에 따라 다양한 형상으로 구현될 수 있으므로 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.The film 172a of the hollow filler 172 may have a spherical shape, a hexahedron shape, or a triangular pyramid shape. However, since this may be implemented in various shapes according to the manufacturing process, the present invention is not limited thereto.

중공 필러(172)의 피막(172a)은 세라믹으로 구성될 수 있으며, Al2SiO5, Al2O3, SiO2, TiO2 중 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성될 수 있다.The film 172a of the hollow filler 172 may be made of ceramic and may be made of at least one selected from the group consisting of Al 2 SiO 5 , Al 2 O 3 , SiO 2 and TiO 2 .

중공 필러(172)의 내부 공간(172b)은 진공인 것이 바람직하다.The inner space 172b of the hollow filler 172 is preferably vacuum.

여기서, 진공은 열전도율(0.004 W/m.k)은 공기의 열전도율(0.026 W/m.k)에 비해 매우 낮아, 제 1 열전도 플레이트(1)에서 제 2 열전도 플레이트(2) 측으로 열이 전도되는 것을 억제할 수 있다.Here, the vacuum has a thermal conductivity (0.004 W/m.k) that is very low compared to the thermal conductivity of air (0.026 W/m.k), and can suppress heat conduction from the first heat conductive plate 1 to the second heat conductive plate 2 side. there is.

한편, 중공 필러(172)가 제 1 기체 분위기에서 제조되면, 중공 필러(172)의 내부 공간(172b)을 제 1 기체로 채울 수 있다. 여기서, 제 1 기체는 공기에 비해 열전도율이 낮은 기체가 선택되는 것이 바람직하며, 예컨대, 아르곤, 이산화탄소, 크립톤, 제논 등으로 구성될 수 있다.Meanwhile, when the hollow filler 172 is manufactured in the first gas atmosphere, the inner space 172b of the hollow filler 172 may be filled with the first gas. Here, the first gas is preferably selected from a gas having a lower thermal conductivity than air, and may include, for example, argon, carbon dioxide, krypton, or xenon.

여기서, 중공 필러(172)의 평균 크기는 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.Here, the average size of the hollow filler 172 may be 1 μm to 5 μm.

중공 필러(172)의 평균 크기가 1㎛ 미만일 경우, 상대적으로 높은 표면 에너지로 인하여 중공 필러(172)간 응집으로 인하여 내부 공간(172b)의 기체가 이탈할 수 있으며, 중공 필러(172)의 평균 크기가 5㎛를 초과할 경우, 상대적으로 큰 부피로 인하여 중공 필러(172)의 붕괴를 초래할 수 있다.When the average size of the hollow fillers 172 is less than 1 μm, gas in the inner space 172b may escape due to aggregation between the hollow fillers 172 due to relatively high surface energy, and the average size of the hollow fillers 172 When the size exceeds 5 μm, the hollow filler 172 may collapse due to a relatively large volume.

한편, 복수의 중공 필러(172) 각각은 실링부(170) 내에서 충진률 및 분산율 향상시키기 위해 선택적으로 부피를 상이하게 구성할 수 있다.Meanwhile, each of the plurality of hollow fillers 172 may selectively have different volumes in order to improve the filling rate and dispersion rate within the sealing unit 170 .

이하에서는 도 6을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈을 설명한다. Hereinafter, a thermoelectric module according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6 .

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a thermoelectric module according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 열전 모듈은 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈(1000)에 비해 열전 소자(200)의 실링부(270)의 구성이 상이하므로, 이하에서는 차별되는 열전 소자(200)의 실링부(270)의 구성에 대해서만 상세히 설명하며 동일한 구성에 중복되는 도면부호에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.Since the thermoelectric module shown in FIG. 6 has a different configuration of the sealing part 270 of the thermoelectric element 200 than the thermoelectric module 1000 according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 3 , the thermoelectric module shown in FIG. Only the configuration of the sealing unit 270 of the element 200 will be described in detail, and detailed descriptions of overlapping reference numerals for the same configuration will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈은 열전 소자(200)에서 실링부(270)의 부피가 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 사이의 공간에서 복수의 열전 레그(120, 130) 및 전극(161, 162)을 제외한 부피 대비 20%~40% 일 수 있다.In the thermoelectric module according to another embodiment of the present invention, the volume of the sealing part 270 in the thermoelectric element 200 is the plurality of thermoelectric legs 120 and 130 in the space between the lower substrate 140 and the upper substrate 150 and It may be 20% to 40% compared to the volume excluding the electrodes 161 and 162.

즉, 실링부(270)는 복수의 열전 레그(120, 130) 사이에서 구성된 이격 공간(273)을 포함하며, 복수의 열전 레그(120, 130) 및 전극(161, 162)의 표면에 배치된 실링부(270)의 두께가 얇아질 수 있다.That is, the sealing part 270 includes the separation space 273 formed between the plurality of thermoelectric legs 120 and 130 and disposed on the surfaces of the plurality of thermoelectric legs 120 and 130 and the electrodes 161 and 162. The thickness of the sealing portion 270 may be reduced.

이로써, 복수의 열전 레그(120, 130) 및 전극(161, 162)에서 발생하는 열이 실링부(270)을 통해 외부로 배출될 수 있다.Accordingly, heat generated from the plurality of thermoelectric legs 120 and 130 and the electrodes 161 and 162 may be discharged to the outside through the sealing part 270 .

다음의 [표 3]을 참조하면, 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 사이에서 실링부(270)의 충진률이 30%인 경우, 충진률이 100%인 열전 모듈(비교예 2)에 비해, 흡열량(Qc) 및 온도차(dT)가 우수함을 확인할 수 있다.Referring to [Table 3] below, when the filling rate of the sealing portion 270 between the lower substrate 140 and the upper substrate 150 is 30%, the thermoelectric module having a filling rate of 100% (Comparative Example 2) Compared to , it can be confirmed that the heat absorption (Qc) and the temperature difference (dT) are excellent.

비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 레진층 충진율Resin layer filling rate 100%100% 30%30% 흡열량(Qc)Endothermic value (Qc) 43.24W43.24W 43.535W43.535W 온도차(dT)Temperature difference (dT) 55.01℃55.01℃ 58.01℃58.01℃

여기서, 비교예 3의 실링부(270)의 레진층(271)은 비교예 2의 실링부(170)의 레진층(171)과 같이 소수성 레진층으로 구성된다.한편, 비교예 3에 적용된 열전 모듈의 레진층은 폴리부타디엔 계열로 구성되며, 실링부 총 100 중량%에 대하여, 복수의 중공 필러는 50 중량%로 포함될 수 있다. Here, the resin layer 271 of the sealing part 270 of Comparative Example 3 is composed of a hydrophobic resin layer like the resin layer 171 of the sealing part 170 of Comparative Example 2. On the other hand, the thermoelectric applied to Comparative Example 3 The resin layer of the module is composed of a polybutadiene-based material, and the plurality of hollow fillers may be included at 50% by weight with respect to 100% by weight of the total sealing portion.

이하에서는 도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 열전 모듈이 정수기에 적용된 예를 설명한다.Hereinafter, an example in which the thermoelectric module according to the present invention is applied to a water purifier will be described with reference to FIG. 7 .

도 7은 본 발명에 따른 열전 모듈이 정수기에 적용된 예시도이다.7 is an exemplary diagram in which the thermoelectric module according to the present invention is applied to a water purifier.

열전 모듈이 적용된 정수기는 원수 공급관(22a), 정수 탱크 유입관(22b), 정수탱크(22), 필터 어셈블리(23), 냉각 팬(24), 축열조(25), 냉수 공급관(25a), 및 열전 모듈(1000)을 포함한다.The water purifier to which the thermoelectric module is applied includes a raw water supply pipe 22a, a purified water tank inlet pipe 22b, a purified water tank 22, a filter assembly 23, a cooling fan 24, a heat storage tank 25, a cold water supply pipe 25a, and A thermoelectric module 1000 is included.

원수 공급관(22a)은 수원으로부터 정수 대상인 물을 필터 어셈블리(23)로 유입시키는 공급관이고, 정수 탱크 유입관(22b)은 필터 어셈블리(23)에서 정수된 물을 정수 탱크(22)로 유입시키는 유입관이고, 냉수 공급관(25a)은 정수 탱크(22)에서 열전 모듈(1000)에 의해 소정 온도로 냉각된 냉수가 최종적으로 사용자에게 공급되는 공급관이다.The raw water supply pipe 22a is a supply pipe that introduces water to be purified from a water source into the filter assembly 23, and the purified water tank inlet pipe 22b introduces purified water from the filter assembly 23 into the purified water tank 22. The cold water supply pipe 25a is a supply pipe through which cold water cooled to a predetermined temperature by the thermoelectric module 1000 in the purified water tank 22 is finally supplied to the user.

정수 탱크(22)는 필터 어셈블리(23)를 경유하며 정수되고 정수 탱크 유입관(22b)을 통해 유입된 물을 저장 및 외부로 공급하도록 정수된 물을 잠시 수용한다.The purified water tank 22 temporarily receives the purified water so as to store and supply water purified through the filter assembly 23 and introduced through the purified water tank inlet pipe 22b.

필터 어셈블리(23)는 침전 필터(23a)와, 프리 카본 필터(23b)와, 멤브레인 필터(23c)와, 포스트 카본 필터(23d)로 구성된다.The filter assembly 23 is composed of a precipitate filter 23a, a pre-carbon filter 23b, a membrane filter 23c, and a post-carbon filter 23d.

즉, 원수 공급관(22a)으로 유입되는 물은 필터 어셈블리(23)를 경유하며 정수될 수 있다.That is, water flowing into the raw water supply pipe 22a may be purified by passing through the filter assembly 23 .

축열조(25)가 정수 탱크(22)와, 열전 모듈(1000)의 사이에 배치되어, 열전 모듈(1000)에서 형성된 냉기가 저장된다. 축열조(25)에 저장된 냉기는 정수 탱크(22)로 인가되어, 정수 탱크(220)에 수용된 물을 냉각시킨다.The heat storage tank 25 is disposed between the purified water tank 22 and the thermoelectric module 1000 to store cold air generated in the thermoelectric module 1000 . Cold air stored in the heat storage tank 25 is applied to the purified water tank 22 to cool the water accommodated in the purified water tank 220 .

냉기 전달이 원활하게 이루어질 수 있도록, 축열조(25)는 정수 탱크(22)와 면접촉될 수 있다.The heat storage tank 25 may be in surface contact with the purified water tank 22 so that cold air can be smoothly transferred.

열전 모듈(1000)은 상술한 바와 같이, 흡열면과 발열면을 구비하며, P 형 반도체 및 N형 반도체 상의 전자 이동에 의해, 일측은 냉각되고, 타측은 가열된다.As described above, the thermoelectric module 1000 has a heat absorbing surface and a heating surface, and one side is cooled and the other side is heated by electron movement on the P-type semiconductor and the N-type semiconductor.

여기서, 일측은 정수 탱크(22) 측이며, 타측은 정수 탱크(22)의 반대측일 수 있다.Here, one side may be the purified water tank 22 side, and the other side may be the opposite side of the purified water tank 22 .

또한, 상술한 바와 같이 열전 모듈(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 정수기 내에서 정수 탱크(22)를 효율적으로 냉각할 수 있다.In addition, as described above, the thermoelectric module 1000 has excellent waterproof and dustproof performance and improved heat flow performance, so that the purified water tank 22 can be efficiently cooled in the water purifier.

이하에서는 도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 열전 모듈이 냉장고에 적용된 예를 설명한다.Hereinafter, an example in which the thermoelectric module according to the present invention is applied to a refrigerator will be described with reference to FIG. 8 .

도 8은 본 발명에 따른 열전 모듈이 냉장고에 적용된 예시도이다.8 is an exemplary diagram in which the thermoelectric module according to the present invention is applied to a refrigerator.

냉장고는 심온 증발실내에 심온 증발실 커버(33), 증발실 구획벽(34), 메인 증발기(35), 냉각팬(36) 및 열전 모듈(1000)을 포함한다.The refrigerator includes a simon evaporation chamber cover 33, an evaporation chamber partition wall 34, a main evaporator 35, a cooling fan 36, and a thermoelectric module 1000 in a simon evaporation chamber.

냉장고 내는 심온 증발실 커버(33)에 의하여 심온 저장실과 심온 증발실로 구획된다.The refrigerator is partitioned into a simon storage chamber and a simon evaporation chamber by the simon evaporation chamber cover 33.

상세히, 상기 심온 증발실 커버(33)의 전방에 해당하는 내부 공간이 심온 저장실로 정의되고, 심온 증발실 커버(33)의 후방에 해당하는 내부 공간이 심온 증발실로 정의될 수 있다.In detail, the interior space corresponding to the front of the simon evaporation chamber cover 33 is defined as the simon storage chamber, and the interior space corresponding to the rear of the simon evaporation chamber cover 33 may be defined as the simon evaporation chamber.

심온 증발실 커버(33)의 전면에는 토출 그릴(33a)과 흡입 그릴(33b) 이 각각 형성될 수 있다.A discharge grille (33a) and a suction grille (33b) may be respectively formed on the front surface of the simon evaporation chamber cover 33.

증발실 구획벽(34)은 인너 캐비닛의 후벽으로부터 전방으로 이격되는 지점에 설치되어, 심온실 저장 시스템이 놓이는 공간과 메인 증발기(35)가 놓이는 공간을 구획한다.The evaporation chamber partition wall 34 is installed at a point spaced forward from the rear wall of the inner cabinet, and partitions a space where the deep greenhouse storage system is placed and a space where the main evaporator 35 is placed.

메인 증발기(35)에 의하여 냉각되는 냉기는 냉동실로 공급된 뒤 다시 메인 증발기 쪽으로 되돌아간다.The cold air cooled by the main evaporator 35 is supplied to the freezing compartment and then returned to the main evaporator.

열전 모듈(1000)은 심온 증발실에 수용되며, 흡열면이 심온 저장실의 서랍 어셈블리 쪽을 향하고, 발열면이 증발기 쪽을 향하는 구조를 이룬다. 따라서, 열전 모듈(1000)서 발생되는 흡열 현상을 이용하여 서랍 어셈블리에 저장된 음식물을 섭씨 영하 50도 이하의 초저온 상태로 신속하게 냉각시키는데 사용될 수 있다.The thermoelectric module 1000 is accommodated in the simon evaporation chamber, and has a structure in which a heat absorbing surface faces toward the drawer assembly of the simon storage chamber and a heating surface faces towards the evaporator. Therefore, it can be used to rapidly cool food stored in the drawer assembly to an ultra-low temperature of -50 degrees Celsius or less by using the endothermic phenomenon generated by the thermoelectric module 1000 .

또한, 상술한 바와 같이 열전 모듈(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 냉장고 내에서 서랍 어셈블리를 효율적으로 냉각할 수 있다.In addition, as described above, the thermoelectric module 1000 has excellent waterproof and dustproof performance and improved heat flow performance, so that the drawer assembly can be efficiently cooled in a refrigerator.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs will not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

1: 제 1 열전도 플레이트 2: 제 2 열전도 플레이트
100: 열전 소자
120: P형 열전 레그 130: N형 열전 레그
140: 하부 기판 150: 상부 기판
161: 하부 전극 162: 상부 전극
170: 실링부 1000: 열전 모듈
1: first heat conduction plate 2: second heat conduction plate
100: thermoelectric element
120: P-type thermoelectric leg 130: N-type thermoelectric leg
140: lower substrate 150: upper substrate
161: lower electrode 162: upper electrode
170: sealing part 1000: thermoelectric module

Claims (11)

제 1 기판;
상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그;
상기 제 1 기판의 상부에서 상기 복수의 열전 레그 상에 배치되는 제 2 기판;
상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극과 상기 제 2 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 2 전극을 포함하는 전극; 및
상기 열전 레그, 상기 전극의 외면에 배치된 실링부; 를 포함하고,
상기 실링부는 복수의 중공 필러 및 상기 복수의 열전 레그 사이에만 배치된 이격 공간을 포함하고,
상기 중공 필러의 평균 크기는 1㎛ 내지 5㎛이고,
상기 복수의 중공 필러는, 피막 및 상기 피막으로 둘러싸인 내부 공간을 포함하고,
상기 중공 필러의 내부 공간은 진공인 열전 모듈.
a first substrate;
a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate;
a second substrate disposed on the plurality of thermoelectric legs on top of the first substrate;
an electrode including a plurality of first electrodes disposed between the first substrate and the plurality of thermoelectric legs and a plurality of second electrodes disposed between the second substrate and the plurality of thermoelectric legs; and
a sealing part disposed on outer surfaces of the thermoelectric leg and the electrode; including,
The sealing part includes a separation space disposed only between the plurality of hollow fillers and the plurality of thermoelectric legs,
The average size of the hollow filler is 1 μm to 5 μm,
The plurality of hollow fillers include a film and an inner space surrounded by the film,
The thermoelectric module of claim 1 , wherein the inner space of the hollow filler is vacuum.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 중공 필러의 평균 크기는 2㎛ 내지 5㎛인 열전 모듈.
According to claim 1,
An average size of the plurality of hollow fillers is 2 μm to 5 μm.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 중공 필러의 내부 공간은 제 1 기체로 채워져 있고,
상기 제 1 기체는 열전도도가 공기 보다 낮은 열전 모듈.
According to claim 1,
The inner space of the hollow filler is filled with a first gas,
The thermoelectric module of claim 1 , wherein the first gas has a lower thermal conductivity than air.
제 1 항에 있어서,
상기 중공 필러는 무기 산화물을 포함하는 열전 모듈.
According to claim 1,
The hollow filler includes an inorganic oxide.
제 5항에 있어서,
상기 무기 산화물은 Al2SiO5, Al2O3, SiO2, TiO2 중 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 열전 모듈.
According to claim 5,
The inorganic oxide includes at least one selected from the group consisting of Al 2 SiO 5 , Al 2 O 3 , SiO2, and TiO2.
제 1 항에 있어서,
상기 실링부는 복수의 중공 필러를 둘러싸는 레진층을 포함하고,
상기 레진층은 소수성(hydrophobic)인 열전 모듈.
According to claim 1,
The sealing part includes a resin layer surrounding the plurality of hollow pillars,
The thermoelectric module wherein the resin layer is hydrophobic.
제 1 항에 있어서,
상기 실링부의 부피는
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간에서 상기 복수의 열전 레그 및 상기 전극을 제외한 부피 대비 90%~100% 인 열전 모듈.
According to claim 1,
The volume of the sealing part is
90% to 100% of a volume of the thermoelectric module excluding the plurality of thermoelectric legs and the electrode in the space between the first substrate and the second substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 실링부의 부피는
상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간에서 상기 복수의 열전 레그 및 상기 전극을 제외한 부피 대비 20%~40% 인 열전 모듈.
According to claim 1,
The volume of the sealing part is
20% to 40% of a volume of the thermoelectric module excluding the plurality of thermoelectric legs and the electrode in the space between the first substrate and the second substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 실링부 총 100 중량%에 대하여, 상기 복수의 중공 필러는 30 중량% 내지 60 중량%로 포함되는 열전 모듈.
According to claim 1,
The thermoelectric module of claim 1 , wherein the plurality of hollow fillers are included in an amount of 30 wt% to 60 wt% based on 100 wt% of the total sealing portion.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 중공 필러의 평균 크기는 1㎛ 내지 5㎛인 열전 모듈.
According to claim 1,
An average size of the plurality of hollow fillers is 1 μm to 5 μm.
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