KR102474542B1 - 무선중계기를 위한 sspa 전력증폭장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일반적으로 무선중계기(CPE)를 위한 SSPA 전력증폭장치를 구현하는 기술에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 RF 드라이버부와 RF 메인부의 증폭회로가 pHEMT 트랜지스터와 GaN MMIC 소자로 구성되고 증폭회로를 구성하는 DIE 소자의 그라운드 영역이 유테틱 본딩에 의해 하우징에 맞닿는 형태로 장착되어 증폭회로의 발열이 하우징을 통해 효과적으로 방출되며 SSPA 제어부를 통해 게이트 전압 조정에 의한 증폭비 제어와 각종 상태 모니터링을 구현한 SSPA 전력증폭장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 5G 실내 무선중계기를 위한 고품질의 SSPA 전력증폭장치를 구현할 수 있는 장점이 있다.
Description
본 발명은 일반적으로 무선중계기(CPE)를 위한 SSPA 전력증폭장치를 구현하는 기술에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 RF 드라이버부와 RF 메인부의 증폭회로가 pHEMT 트랜지스터와 GaN MMIC 소자로 구성되고 증폭회로를 구성하는 DIE 소자의 그라운드 영역이 유테틱 본딩에 의해 하우징에 맞닿는 형태로 장착되어 증폭회로의 발열이 하우징을 통해 효과적으로 방출되며 SSPA 제어부를 통해 게이트 전압 조정에 의한 증폭비 제어와 각종 상태 모니터링을 구현한 SSPA 전력증폭장치에 관한 것이다.
CPE(Customer Premise Equipment)는 무선통신 서비스를 제공하기 위해 고객 댁내에 배치되는 장치로서 가정용 무선모뎀 또는 무선중계기라고 부른다. 무선중계기(CPE)는 무선 통신기기 간에 데이터 송수신을 수행하는 장치로서, [도 1]은 5G용 실내 무선중계기(5G indoor CPE)의 내부 구성을 나타내는 블록도이다. [도 1]을 참조하면, 무선중계기(CPE)는 각종 필터(11, 14, 16, 19, 21, 25), 증폭기(12, 17, 20), AGC 장치(Auto Gain Control)(13), PLL 장치(Phase Locked Loop)(15, 18, 24, 26), 디모듈레이터(22), 모듈레이터(23), SSPA 전력증폭장치(Solid State Power Amplifier)(27)를 포함하여 구성된다.
이중에서 SSPA 전력증폭장치(22)는 신호를 증폭하여 외부로 송출하는 부품으로서 무선중계기(CPE)의 성능을 좌우하는 중요한 구성요소이다. 고품질의 SSPA 전력증폭장치(22)를 위해서는 트랜지스터 회로설계 기술, 고발열 트랜지스터의 방열 기술, 증폭제어 기술, SSPA 성능 최적화(튜닝) 기술이 필요하다.
현재 사용하는 5G 주파수 대역은 3.5 GHz로서 5G라는 점을 감안하면 통신속도가 느린 편이고 4G LTE와 동시 사용하는 NSA(Non-StandAlone) 모드로 인하여 통신속도에 대한 사용자 불만이 제기되고 있다. 동영상 스트리밍 서비스 수요가 빠른 속도로 증가하고 있고 특히 고화질 동영상, 360도 비디오, 사물인터넷 등으로 인하여 모바일 데이터 트래픽은 연평균 47% 증가하고 있어 통신환경 개선이 시급하다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로 통신사에서는 mmWave(즉, n257 대역)의 무선중계기지국 설비를 보강하고 있다. 그런데 mmWave 대역의 무선신호는 통신속도가 빠른 반면 파장이 짧아 도달거리가 짧고 회절각도가 작아 빌딩 등을 투과하지 못하여 실내 이용에 제약이 있다. 따라서 mmWave 대역을 위해 더 많은 기지국을 세워야 하고 CPE도 많이 설치해야 한다.
이러한 상황을 고려할 때, mmWave 실내 무선중계기를 위한 고품질의 SSPA 전력증폭장치가 요망된다.
본 발명의 목적은 일반적으로 무선중계기(CPE)를 위한 SSPA 전력증폭장치를 구현하는 기술을 제공하는 것이다.
특히, 본 발명의 목적은 RF 드라이버부와 RF 메인부의 증폭회로가 pHEMT 트랜지스터와 GaN MMIC 소자로 구성되고 증폭회로를 구성하는 DIE 소자의 그라운드 영역이 유테틱 본딩에 의해 하우징에 맞닿는 형태로 장착되어 증폭회로의 발열이 하우징을 통해 효과적으로 방출되며 SSPA 제어부를 통해 게이트 전압 조정에 의한 증폭비 제어와 각종 상태 모니터링을 구현한 SSPA 전력증폭장치를 제공하는 것이다.
한편, 본 발명의 해결 과제는 이들 사항에 제한되지 않으며 본 명세서의 기재로부터 다른 해결 과제가 이해될 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 무선중계기(CPE)를 위한 SSPA 전력증폭장치는, RF 입력단(31)으로 들어오는 소신호 형태의 입력신호를 증폭하여 입력신호를 추종하는 구동 신호를 생성하는 RF 드라이버부(110); RF 드라이버부(110)가 출력하는 구동 신호를 증폭하여 대신호 형태의 출력신호를 생성하여 RF 출력단(32)으로 제공하는 RF 메인부(120); RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)에 전원을 공급하고 게이트 전압 조정을 통하여 RF 드라이버부(110)의 증폭비를 제어하며 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 대응조치를 수행하는 SSPA 제어부(130); RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)와 SSPA 제어부(130)를 수용하기 위한 몸체를 형성하는 하우징(33);을 포함하여 구성된다.
이때, RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)의 증폭 회로부는 유테틱 본딩에 의해 그라운드(GND) 영역이 하우징(33)에 맞닿는 형태로 장착되어 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)의 증폭회로부(111, 112, 121)에서 발생하는 열을 면접촉에 의해 하우징(33)으로 배출되도록 구성되는 것이 바람직하다.
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또한, RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)는 DIE 소자(36)와 인쇄회로기판(35) 사이에 와이어 본딩(41)이 형성되고 인쇄회로기판(35)과 하우징(33) 사이 및 인쇄회로기판(35)과 DIE 소자(36) 사이에 유테틱 본딩(42)이 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 인쇄회로기판(35)은 유테틱 본딩에 의해 하우징(33)에 결합되고 하우징(33)에 체결된 피드스루(43)로 와이어 본딩(41)을 통해 DIE 소자(36)가 외부와 연결되도록 구성되는 것이 바람직하다.
또한, RF 드라이버부(110)는 RF 입력단(31)으로 들어오는 입력신호를 추종할 수 있도록 고속 동작이 가능한 pHEMT 트랜지스터로 구성되고, RF 메인부(120)는 고성능 및 소형화를 위해 GaN MMIC 소자로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 SSPA 제어부(130)는, SSPA 전력증폭장치(100)를 위한 기본 전원을 제공받아 SSPA 제어부(130)를 위한 SSPA 제어전원을 공급하는 입력 전원부(210); 입력 전원부(210)로부터 SSPA 제어전원을 제공받아 제 1 강압전원 및 제 2 강압전원을 생성하는 전압 강압부(220); SSPA 제어전원과 제 1 강압전원을 제공받아 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)로 동작전원을 공급하고 증폭비 제어를 위해 RF 드라이버부(110)에 대한 게이트 전압(Vgs) 제어를 수행하는 RF 전원부(230); 입력 전원부(210)로부터 SSPA 제어전원을 제공받아 반전 기준전원을 생성하는 인버터부(240); 제 2 강압전원과 반전 기준전원을 제공받고 RF 드라이버부(110)의 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호를 생성하여 RF 전원부(230)로 공급하며 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리를 수행하는 RF전원 제어부(250);를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 본 발명에서 RF 전원부(230)는, RF전원 제어부(250)로부터 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호를 제공받아 그에 대응하는 게이트 전압(Vgs) 제어신호를 RF 드라이버부(110)로 제공하는 RF 드라이버 출력제어부(231); 제 1 강압전원을 이용하여 RF 드라이버부(110)로 동작전원을 공급하는 RF 드라이버 전원공급부(232); SSPA 제어전원을 이용하여 RF 메인부(120)로 동작전원을 공급하는 RF 메인 전원공급부(233);를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 본 발명에서 RF전원 제어부(250)는, RF 드라이버부(110)를 위한 증폭비 제어명령을 생성하는 증폭제어부(251); 증폭 제어부(251)로부터 증폭비 제어명령을 제공받아 그에 대응하는 증폭비 제어신호를 생성하는 DA 변환부(252); DA 변환부(252)로부터 증폭비 제어신호를 제공받아 인버터부(240)로부터 제공된 반전 기준전원을 이용하여 증폭비 제어신호에 대응하는 반전증폭 신호를 생성하여 RF 드라이버 출력제어부(231)로 제공하는 반전 증폭부(253); SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 센싱하기 위한 SSPA 센서부(254); 미리 설정된 주기로 SSPA 센서부(254)로부터 상태 정보를 획득하여 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 실시간으로 모니터링하고 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리를 수행하는 이상 처리부(255);를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명에 따르면 5G 실내 무선중계기를 위한 고품질의 SSPA 전력증폭장치를 구현할 수 있는 장점이 있다.
[도 1]은 5G용 실내 무선중계기의 내부 구성을 나타내는 블록도.
[도 2]는 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치의 내부 구성을 나타내는 블록도.
[도 3]은 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치의 실물 예시도.
[도 4]는 본 발명의 RF 드라이버부와 RF 메인부에서 부품 실장의 일 예를 나타내는 도면.
[도 5]는 와이어 본딩과 유테틱 본딩의 실물 예시도.
[도 6]은 본 발명에서 RF 드라이버부와 RF 메인부의 실물 예시도.
[도 7]은 본 발명에서 SSPA 제어부의 내부 구성을 나타내는 블록도.
[도 8]은 본 발명의 SSPA 제어부가 온도 모니터링 처리를 수행하는 일 예를 나타내는 도면.
[도 2]는 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치의 내부 구성을 나타내는 블록도.
[도 3]은 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치의 실물 예시도.
[도 4]는 본 발명의 RF 드라이버부와 RF 메인부에서 부품 실장의 일 예를 나타내는 도면.
[도 5]는 와이어 본딩과 유테틱 본딩의 실물 예시도.
[도 6]은 본 발명에서 RF 드라이버부와 RF 메인부의 실물 예시도.
[도 7]은 본 발명에서 SSPA 제어부의 내부 구성을 나타내는 블록도.
[도 8]은 본 발명의 SSPA 제어부가 온도 모니터링 처리를 수행하는 일 예를 나타내는 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
[도 2]는 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치(100)의 내부 구성을 나타내는 블록도이다.
본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치(100)는 RF 입력단(RF Input)(31)으로 들어오는 소신호(small signal) 형태의 입력신호를 소망하는 비율로 증폭하여 대신호(large signal) 형태의 출력신호를 생성하여 RF 출력단(RF Output)(32)으로 제공하는 장치로서 RF 드라이버부(110), RF 메인부(120), SSPA 제어부(130)를 포함하여 구성된다.
RF 드라이버부(110)는 입력신호를 추종하는 구동 신호를 생성하며 제 1 구동 증폭기(111)와 제 2 구동 증폭기(112)의 2단으로 구성될 수 있다. RF 메인부(120)는 구동 신호를 증폭하여 대신호 형태의 출력신호를 생성하며 메인 증폭기(121)의 1단으로 구성될 수 있다. 일 실시예로서, 5G용 실내 무선중계기(CPE)에 사용할 SSPA 전력증폭장치(100)의 경우에 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)가 직렬 연결되어 전체적으로 주파수 대역 27~29 GHz에서 50 dB 정도의 증폭비를 제공하도록 구성될 수 있다.
SSPA 제어부(130)는 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)에 전원을 공급하고 증폭비(gain)를 제어한다. 바람직하게는 SSPA 제어부(130)는 RF 드라이버부(110)에서 제 1,2 구동 증폭기(111, 112)를 구성하는 파워 트랜지스터(MMIC, TR)의 게이트 전압(Vgs)을 제어하여 증폭비를 제어할 수 있다. 또한, SSPA 제어부(130)는 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하고 이상상태를 감지하면 대응조치를 수행한다.
하우징(33)은 이들 구성요소를 수용하기 위한 몸체를 형성하는 구성요소이다. 금속성의 하우징(33)에 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)의 증폭회로부가 맞닿는 형태로 장착되어 증폭회로(111, 112, 121)에서 발생하는 열을 하우징(33)을 통해 효과적으로 방열하는 구조가 바람직하다.
[도 3]은 본 발명에 따른 SSPA 전력증폭장치(100)의 실물 예시도이다.
먼저, RF 드라이버부(110)의 바람직한 실시예에 대해 살펴본다.
본 발명에서 RF 드라이버부(110)는 RF 입력단(31)으로 들어오는 소신호 형태의 입력신호를 증폭하여 이 입력신호를 추종하는 구동 신호를 생성하는 구성요소로서, 제 1 구동 증폭기(111)와 제 2 구동 증폭기(112)를 구비하여 이루어진다.
RF 드라이버부(110)는 입력신호를 추종할 수 있도록 고속 동작이 가능한 pHEMT (pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor) 트랜지스터로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, RF 드라이버부(110)에서 증폭회로의 그라운드(GND) 영역이 예컨대 유테틱 본딩에 의해 하우징(33)에 맞닿는 형태로 장착되어 pHEMT 트랜지스터에서 발생되는 열이 면접촉에 의해 금속성의 하우징(33)으로 배출되어 빠르게 식혀지도록 구성되는 것이 바람직하다.
한편, 일 실시예로, RF 드라이버부(110)는 RF 입력단(31)으로 AC 성분과 커플링 되고 50 ohm으로 매칭되도록 구성될 수 있다.
RF 드라이버부(110)는 제 1 구동 증폭기(111)와 제 2 구동 증폭기(112)의 2단(two-stage)으로 구성될 수 있는데, 제 1 구동 증폭기(111)는 주파수 대역 21~32 GHz에서 증폭비 17 dB를 제공하도록 구성되고, 제 2 구동 증폭기(112)는 주파수 대역 24~34 GHz에서 증폭비 22 dB를 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시예로서 제 1 구동 증폭기(111)는 아날로그 디바이스 사(Analog Devices, Inc.)의 HMC499LC4 소자로 구현될 수 있고 제 2 구동 증폭기(112)는 아날로그 디바이스 사의 HMC943APM5E 또는 HMC906 소자로 구현될 수 있다.
다음으로, RF 메인부(120)의 바람직한 실시예에 대해 살펴본다.
본 발명에서 RF 메인부(120)는 RF 드라이버부(110)가 출력하는 구동 신호를 증폭하여 대신호 형태의 출력신호를 생성하여 RF 출력단(32)으로 제공하는 구성요소이다.
RF 메인부(120)의 메인 증폭기(121)는 고성능 및 소형화를 위해 GaN(질화갈륨) 트랜지스터로 구성되는 것이 바람직하다. GaN 트랜지스터는 에너지 밴드 갭이 넓고 열 전도율도 양호하며 고주파수 대역에서의 동작 성능이 실리콘(Si) 트랜지스터 대비 1000배, 탄화규소(SiC) 트랜지스터 대비 3배가량 높기 때문에 RF 메인부(120)에 적합하다. 그런데 GaN 트랜지스터는 소모 에너지의 70% 이상을 열로 방출할만큼 발열이 큰 반면 동작온도가 -40도 ~ 85도로 낮은 편이어서 방열 설계가 중요하다. 따라서, RF 메인부(120)에서도 증폭회로의 그라운드(GND) 영역이 예컨대 유테틱 본딩에 의해 하우징(33)에 맞닿는 형태로 장착되어 GaN 트랜지스터에서 발생되는 열이 면접촉에 의해 금속성의 하우징(33)으로 배출되도록 구성되는 것이 바람직하다.
또한, RF 메인부(120)의 메인 증폭기(121)는 고성능 및 소형화를 위해 MMIC(고주파단일 집적회로)로 구성되는 것이 바람직하다. MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit, 고주파단일 집적회로)는 고주파수(RF) 신호처리를 수행하는 각종 개별 소자를 고집적화한 단일칩 고주파 집적회로이며 고주파 특성이 우수하고 RF 신호처리의 여러 부품을 단일 칩에 집적함으로써 RF 메인부(120)를 소형화할 수 있다.
따라서, 이상을 종합하면 RF 메인부(120)는 고성능 및 소형화를 위해 GaN MMIC(질화갈륨 고주파단일 집적회로) 소자로 구성되는 것이 바람직하다.
RF 메인부(120)는 메인 증폭기(121)의 1 단(single stage)로 구성될 수 있는데, 메인 증폭기(121)는 주파수 대역 27~31 GHz에서 증폭비 18 dB를 제공하도록 구성될 수 있다. 일 실시예로서 RF 메인부(120)의 메인 증폭기(121)는 코보 사(Qorvo, Inc)의 QPA2212D 소자로 구현될 수 있다.
[도 2]와 [도 3]을 참조하면, RF 드라이버부(110)의 출력이 RF 메인부(120)에 입력된다. 이때, RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120) 간의 커플링 유형(coupling type)은 저항-커패시턴스 커플링(Resistance-Capacitance Coupling)이 바람직하다. 저항-커패시턴스 커플링에 의해 RF 드라이버부(110)의 출력 신호에 포함된 DC 바이어스 전압에서 DC 성분은 차단되고 AC 성분이 RF 메인부(120)로 전달된다.
본 발명에서는 유테틱 본딩(Eutectic bonding)과 와이어 본딩(wire bonding)의 조합을 제안한다.
[도 4]는 본 발명의 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)에서 부품을 실장하는 일 예를 나타내는 도면이다.
[도 4]를 참조하면, 일 실시예로서, DIE 소자(36)와 인쇄회로기판(35) 사이에 와이어 본딩(41)이 형성되어 있고, 하우징(33)과 캐리어(34), 그리고 인쇄회로기판(35)과 DIE 소자(36) 사이에 유테틱 본딩(42)이 형성되어 있다. 이때, 캐리어(34)는 인쇄회로기판(35)과 하우징(33) 사이를 매개하는 역할이므로 인쇄회로기판(35)과 하우징(33) 사이에 유테틱 본딩(42)이 형성되어 있는 것으로 볼 수 있다.
또한, 인쇄회로기판(35)의 PCB 패턴을 활용하여 하우징(33)에 체결된 피드스루(FeedThrough)(43)로 와이어 본딩(41)을 통해 DIE 소자(36)가 외부와 연결될 수 있도록 구성되어 있다. 이때, DIE 소자(36)는 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)를 구성하는 HMC499LC4 소자, HMC943APM5E 또는 HMC906 소자, QPA2212D 소자에 대응한다.
[도 5]는 와이어 본딩과 유테틱 본딩을 나타내는 예시도이다.
[도 5] (a)에 도시된 와이어 본딩(wire bonding)은 반도체 전극부와 리드 프렘 또는 스템 위에 설치한 도체층 사이를 가는 금이나 알루미늄의 선으로 접속하는 방식이다. [도 5] (b)에 도시된 유테틱 본딩(Eutectic bonding)은 특정 비율의 합금 금속을 가열하여 슬러쉬 상태를 거치지 않고 최저의 융점에서 바로 액체 상태로 변하는 현상을 이용하여 DIE 소자(36)와 인쇄회로기판(36), 그리고 캐리어(34)와 하우징(33)을 직접 접합시키는 방식이다. 유테틱 본딩을 통해 그라운드(GND) 확보 및 열 방출 경로 확보라는 추가적인 효과도 얻을 수 있다.
또한, 제 1 구동 증폭기(111), 제 2 구동 증폭기(112), 메인 증폭기(121)는 캐리어(34)에 접합하여 구성하는 것이 바람직하다. DIE 소자(36)를 와이어 본딩(41)과 유테틱 본딩(42)에 의해 인쇄회로기판(35)과 하우징(33)에 직접 접합하는 것도 가능하지만, 캐리어(Carrier)(34)를 매개로 구성하는 경우에 제품의 유지보수에 유리하다. 예를 들어 불량에 의한 제품 수리가 필요한 경우, 육각렌치를 사용하여 육각볼트(44)를 풀러 간편하게 분리 및 교체가 가능하다. 캐리어(34)를 사용하는 경우, 이들 증폭기(111, 112, 121)의 DIE 소자(36)에서 발생한 열은 유테틱 본딩(42)에 의한 면접촉에 의해 인쇄회로기판(35)과 캐리어(34)를 통과하여 하우징(330으로 배출된다.
또한, 본 발명에서는 피드스루(FeedThrough)를 이용하여 인쇄회로기판(35)을 연결하는 것이 바람직하다. 피드스루는 인쇄회로기판(PCB)에 도체를 통과시켜 PCB 양면에 있는 두 회로를 전기적으로 연결하는 기술을 말한다. [도 5]를 참조하면, 인쇄회로기판(35)을 캐리어(34)에 접합한 후에 하우징(33)에 고정하고 피드스루(43)를 사용하여 신호를 전달하도록 전도성 에폭시로 고정하여 구성한다.
[도 6]은 본 발명에서 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)의 실물 예시도이다.
[도 6]을 참조하면 제 1 구동 증폭기(111), 제 2 구동 증폭기(112), 메인 증폭기(121)가 각각의 캐리어(34) 위에 실장되어 있고 와이어 본딩과 유테틱 본딩을 통해 연결되어 있다. 캐리어(34)는 4개의 육각볼트(44)에 의해 하우징(33)에 체결되어 있고, 인쇄회로기판(35) 양면에 있는 회로를 전기적으로 연결하기 위해 피드스루(43)가 형성되어 있다.
다음으로, SSPA 제어부(130)의 바람직한 실시예에 대해 살펴본다.
본 발명에서 SSPA 제어부(130)는 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)에 전원을 공급하고 증폭비를 제어하며 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 대응조치를 수행하는 구성요소이다. 일 실시예로서 SSPA 제어부(130)는 ARM 사의 Cortex M-시리즈 MCU로 구현될 수 있다.
[도 7]은 본 발명에서 SSPA 제어부(130)의 내부 구성을 나타내는 블록도이다.
[도 7]을 참조하면, 본 발명에서 SSPA 제어부(130)는 입력 전원부(210), 전압 강압부(220), RF 전원부(230), 인버터부(240), RF전원 제어부(250)를 포함하여 구성된다.
먼저, 입력 전원부(210)는 SSPA 전력증폭장치(100)를 위한 기본 전원(예: 22 VDC)을 제공받아 SSPA 제어부(130)를 위한 SSPA 제어전원(예: 22 VDC)을 공급하는 구성요소이다. 일반적으로 입력 전원부(210)는 SSPA 제어동작을 위해 기본 전원(예: 22 VDC)을 안정화하여 공급하는데, 단순히 바이패스(bypass)하도록 구성할 수도 있다.
전압 강압부(220)는 입력 전원부(210)로부터 SSPA 제어전원(예: 22 VDC)을 제공받아 RF 전원부(230)를 위한 제 1 강압전원(예: 5 VDC) 및 RF전원 제어부(250)를 위한 제 2 강압전원(예: 3.3 VDC)을 생성하는 구성요소이다. 이들 제 1,2 강압전원이 반드시 상이해야만 하는 것은 아니다.
RF 전원부(230)는 입력 전원부(210)로부터 SSPA 제어전원(예: 22 VDC)을 제공받고 전압 강압부(220)로부터 제 1 강압전원(예: 5 VDC)을 제공받아 RF 드라이버부(110)와 RF 메인부(120)로 동작전원(예: 5 VDC, 22 VDC)을 공급하는 구성요소이다. 또한, RF 전원부(230)는 증폭비 제어를 위해 RF 드라이버부(110)에 대한 게이트 전압(Vgs) 제어(예: -2 ~ -4 VDC)를 수행하는 구성요소이다.
이를 위해, RF 전원부(230)는 RF 드라이버 출력제어부(231), RF 드라이버 전원공급부(232), RF 메인 전원공급부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.
RF 드라이버 출력제어부(231)는 RF전원 제어부(250)로부터 RF 드라이버부(110)의 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호(예: -2 ~ -4 VDC)를 제공받아 그에 대응하는 게이트 전압(Vgs) 제어신호(예: -2 ~ -4 VDC)를 RF 드라이버부(110)로 제공하는 구성요소이다.
RF 드라이버 전원공급부(232)는 전압 강압부(220)가 제공한 제 1 강압전원(예: 5 VDC)을 이용하여 RF 드라이버부(110)로 동작전원(예: 5 VDC)을 공급하는 구성요소이다.
RF 메인 전원공급부(233)는 입력 전원부(210)가 제공한 SSPA 제어전원(예: 22 VDC)을 이용하여 RF 메인부(120)로 동작전원(예: 22 VDC)을 공급하는 구성요소이다.
인버터부(240)는 입력 전원부(210)로부터 SSPA 제어전원(예: 22 VDC)을 제공받아 반전 기준전원(예: -5 VDC)을 생성하는 구성요소이다. 이 반전 기준전원은 RF전원 제어부(250)의 반전 증폭부(253)가 수행하는 반전 증폭에 활용하기 위한 것이다.
RF전원 제어부(250)는 RF 드라이버부(110)의 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호(예: -2 ~ -4 VDC)를 생성하여 RF 전원부(230)로 공급하고 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리를 수행하는 구성요소이다. 이때, RF전원 제어부(250)는 전압 강압부(220)로부터 제 2 강압전원(예: 3.3 VDC)을 제공받고 인버터부(240)로부터 반전 기준전원(예: -5 VDC)을 제공받아 동작한다.
또한, RF전원 제어부(250)는 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태(예: 온도, 소모전류)를 모니터링하고 이상상태를 감지하는 경우에는 이상 처리(예: 셧다운(shutdown), 리셋(reset), 폴트(fault))를 수행한다. 이러한 기능을 구현하기 위하여 RF전원 제어부(250)는 ARM 사의 Cortex M-시리즈 MCU 하드웨어에 RTOS(실시간 운영체제)를 탑재하고 100us 또는 1ms 단위로 실시간 모니터링을 수행할 수 있다. GaN 트랜지스터는 온도 상승에 따른 성능 저하가 크기 때문에 RF전원 제어부(250)는 온도 센서를 통해 SSPA 전력증폭장치(100)의 온도를 측정하고 그 온도 변화에 따른 혼변조 신호 안정화 처리를 수행하는 것이 바람직하다.
이를 위해, RF전원 제어부(250)는 증폭제어부(251), DA 변환부(252), 반전 증폭부(253), SSPA 센서부(254), 이상 처리부(255)를 포함하여 구성될 수 있다.
증폭제어부(251)는 마이크로콘트롤러(MCU)에 프로그램 코드의 형태로 구현될 수 있으며, SSPA 전력증폭장치(100)의 기본 작동을 전체적으로 제어하는 구성요소이다. 증폭제어부(251)는 예컨대 피드백 제어(미도시)를 통해 RF 드라이버부(110)를 위한 증폭비 제어명령을 생성하고, 이 증폭비 제어명령을 예컨대 I2C 통신에 의해 DA 변환부(252)로 전달한다.
DA(디지털-아날로그) 변환부(252)는 증폭 제어부(251)로부터 증폭비 제어명령을 예컨대 I2C 통신에 의해 제공받아 그에 대응하는 증폭비 제어신호(예: 0 ~ 3.3 VDC)를 생성하는 구성요소이다.
반전 증폭부(253)는 DA 변환부(252)로부터 증폭비 제어신호(예: 0 ~ 3.3 VDC)를 제공받아 반전증폭회로(inverting amplifier circuit)에 의해 증폭비 제어신호에 대응하는 반전증폭 신호(예: -2 ~ -4 VDC)를 생성하는 구성요소이다. 이때, 반전증폭회로는 인버터부(240)로부터 제공된 반전 기준전원(예: -5 VDC)을 이용하여 증폭비 제어신호에 대응하는 반전증폭 신호를 생성한다. 반전 증폭부(253)가 생성한 반전증폭 신호는 RF 드라이버 출력제어부(231)로 전달된다.
SSPA 센서부(254)는 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태(예: 온도, 소모전류)를 센싱하기 위한 구성요소로서 각종 센서 부품으로 구성된다. SSPA 센서부(254)는 자신이 센싱한 결과에 대응하여 센서 전압(예: 0 or 3.3 VDC)을 출력하는데, 이 센싱 결과는 이상 처리부(255)로 전달된다.
이상 처리부(255)는 미리 설정된 주기로 SSPA 센서부(254)로부터 상태 정보(예: 온도, 소모전류)를 획득하여 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 실시간으로 모니터링하고, 그 모니터링 결과로 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리(예: 셧다운, 리셋, 폴트)를 수행하는 구성요소이다. 이상 처리부(255)도 마이크로콘트롤러(MCU)에 프로그램 코드의 형태로 구현될 수 있다.
[도 8]은 본 발명의 SSPA 제어부(130)의 이상 처리부(255)가 온도 모니터링 처리를 수행하는 일 예를 나타내는 도면이다.
[도 8]을 참조하면, 기본적으로는 메인 프로그램(main program)(310)이 작동하며, 일정 주기(예: 1ms 주기, 즉 1초에 100회)마다 인터럽트가 발생하면 인터럽트 서비스 루틴(interrupt service routine)(320)을 수행한 후에 메인 프로그램(310)으로 복귀하는 구조이다.
인터럽트 서비스 루틴(320)은 SSPA 센서부(254)의 온도 센서부(254a)로부터 온도 측정값을 제공받아 AD(아날로그-디지털) 변환한 데이터를 환형 큐(circular queue)(330)에 순차적으로 집어넣고 루틴을 종료한다. 환형 큐(330)는 환형으로 동작하는데, 예컨대 데이터가 8번 큐에 저장된 경우에는 인덱스를 1로 초기화하여 다음에는 데이터가 1번 큐에 저장되도록 한다. 따라서, [도 8]에서 환형 큐(330)에는 지난 8번의 인터럽트(즉, 8msec) 동안의 온도 측정 데이터가 순차적으로 저장된다.
메인 프로그램(310)은 환형 큐(330)의 데이터 변화를 감시하고, 만일 변경사항이 있다면 해당 데이터를 기존 데이터와 비교하여 게이트 전압(Vgs) 제어가 필요한 상황인지를 판단하고, 만일 게이트 전압(Vgs) 제어가 필요하다고 판단되면 DA 변환부(252)를 통해 전압 가변제어를 수행한다. [도 8]의 실시예에서는, 환형 큐(330)가 8개의 큐를 가지고 있으므로, 8msec 이전의 온도 값과 비교하는 형태로 온도 모니터링이 이루어지는 것이다. 구현 예에 따라서는 다른 방식도 가능한데, 예컨대 8msec 동안의 평균치를 활용하도록 구현될 수도 있다.
한편, 본 발명은 컴퓨터가 읽을 수 있는 비휘발성 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드의 형태로 구현되는 것이 가능하다. 이러한 비휘발성 기록매체로는 다양한 형태의 스토리지 장치가 존재하는데 예컨대 하드디스크, SSD, CD-ROM, NAS, 자기테이프, 웹디스크, 클라우드 디스크 등이 있고 네트워크로 연결된 다수의 스토리지 장치에 코드가 분산 저장되고 실행되는 형태도 구현될 수 있다. 또한, 본 발명은 하드웨어와 결합되어 특정의 절차를 실행시키기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터프로그램의 형태로 구현될 수도 있다.
31 : RF 입력단
32 : RF 출력단
33 : 하우징
100 : SSPA 전력증폭장치
110 : RF 드라이버부
111 : 제 1 구동 증폭기
112 : 제 2 구동 증폭기
120 : RF 메인부
121 : 메인 증폭기
130 : SSPA 제어부
210 : 입력 전원부
220 : 전압 강압부
230 : RF 전원부
231 : RF 드라이버 출력제어부
232 : RF 드라이버 전원공급부
233 : RF 메인 전원공급부
240 : 인버터부
250 : RF전원 제어부
251 : 증폭제어부
252 : DA 변환부
253 : 반전 증폭부
254 : SSPA 센서부
255 : 이상 처리부
32 : RF 출력단
33 : 하우징
100 : SSPA 전력증폭장치
110 : RF 드라이버부
111 : 제 1 구동 증폭기
112 : 제 2 구동 증폭기
120 : RF 메인부
121 : 메인 증폭기
130 : SSPA 제어부
210 : 입력 전원부
220 : 전압 강압부
230 : RF 전원부
231 : RF 드라이버 출력제어부
232 : RF 드라이버 전원공급부
233 : RF 메인 전원공급부
240 : 인버터부
250 : RF전원 제어부
251 : 증폭제어부
252 : DA 변환부
253 : 반전 증폭부
254 : SSPA 센서부
255 : 이상 처리부
Claims (6)
- RF 입력단(31)으로 들어오는 소신호 형태의 입력신호를 증폭하여 상기 입력신호를 추종하는 구동 신호를 생성하는 RF 드라이버부(110);
상기 RF 드라이버부(110)가 출력하는 구동 신호를 증폭하여 대신호 형태의 출력신호를 생성하여 RF 출력단(32)으로 제공하는 RF 메인부(120);
상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)에 전원을 공급하고 게이트 전압 조정을 통하여 상기 RF 드라이버부(110)의 증폭비를 제어하며 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 대응조치를 수행하는 SSPA 제어부(130);
상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)와 상기 SSPA 제어부(130)를 수용하기 위한 몸체를 형성하는 하우징(33);
을 포함하여 구성되는 무선중계기(CPE)를 위한 SSPA 전력증폭장치로서,
상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)의 증폭 회로부는 유테틱 본딩에 의해 그라운드(GND) 영역이 상기 하우징(33)에 맞닿는 형태로 장착되어 상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)의 증폭회로부(111, 112, 121)에서 발생하는 열을 면접촉에 의해 상기 하우징(33)으로 배출되도록 구성되고,
상기 SSPA 제어부(130)는,
SSPA 전력증폭장치(100)를 위한 기본 전원을 제공받아 상기 SSPA 제어부(130)를 위한 SSPA 제어전원을 공급하는 입력 전원부(210);
상기 입력 전원부(210)로부터 상기 SSPA 제어전원을 제공받아 제 1 강압전원 및 제 2 강압전원을 생성하는 전압 강압부(220);
상기 SSPA 제어전원과 상기 제 1 강압전원을 제공받아 상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)로 동작전원을 공급하고 증폭비 제어를 위해 상기 RF 드라이버부(110)에 대한 게이트 전압(Vgs) 제어를 수행하는 RF 전원부(230);
상기 입력 전원부(210)로부터 상기 SSPA 제어전원을 제공받아 반전 기준전원을 생성하는 인버터부(240);
상기 제 2 강압전원과 상기 반전 기준전원을 제공받고 상기 RF 드라이버부(110)의 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호를 생성하여 상기 RF 전원부(230)로 공급하며 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 모니터링하여 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리를 수행하는 RF전원 제어부(250);
를 포함하여 구성되고,
상기 RF 전원부(230)는,
상기 RF전원 제어부(250)로부터 상기 증폭비 제어를 위한 반전증폭 신호를 제공받아 그에 대응하는 게이트 전압(Vgs) 제어신호를 상기 RF 드라이버부(110)로 제공하는 RF 드라이버 출력제어부(231);
상기 제 1 강압전원을 이용하여 상기 RF 드라이버부(110)로 동작전원을 공급하는 RF 드라이버 전원공급부(232);
상기 SSPA 제어전원을 이용하여 상기 RF 메인부(120)로 동작전원을 공급하는 RF 메인 전원공급부(233);
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무선중계기를 위한 SSPA 전력증폭장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 RF 드라이버부(110)와 상기 RF 메인부(120)는 DIE 소자(36)와 인쇄회로기판(35) 사이에 와이어 본딩(41)이 형성되고 인쇄회로기판(35)과 하우징(33) 사이 및 인쇄회로기판(35)과 DIE 소자(36) 사이에 유테틱 본딩(42)이 형성된 것을 특징으로 하는 무선중계기를 위한 SSPA 전력증폭장치.
- 청구항 2에 있어서,
상기 인쇄회로기판(35)은 유테틱 본딩에 의해 상기 하우징(33)에 결합되고 상기 하우징(33)에 체결된 피드스루(43)로 와이어 본딩(41)을 통해 상기 DIE 소자(36)가 외부와 연결되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 무선중계기를 위한 SSPA 전력증폭장치.
- 청구항 2에 있어서,
상기 RF 드라이버부(110)는 RF 입력단(31)으로 들어오는 입력신호를 추종할 수 있도록 고속 동작이 가능한 pHEMT 트랜지스터로 구성되고,
상기 RF 메인부(120)는 고성능 및 소형화를 위해 GaN MMIC 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 무선중계기를 위한 SSPA 전력증폭장치.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 RF전원 제어부(250)는,
상기 RF 드라이버부(110)를 위한 증폭비 제어명령을 생성하는 증폭제어부(251);
상기 증폭 제어부(251)로부터 상기 증폭비 제어명령을 제공받아 그에 대응하는 증폭비 제어신호를 생성하는 DA 변환부(252);
상기 DA 변환부(252)로부터 상기 증폭비 제어신호를 제공받아 상기 인버터부(240)로부터 제공된 반전 기준전원을 이용하여 상기 증폭비 제어신호에 대응하는 반전증폭 신호를 생성하여 상기 RF 드라이버 출력제어부(231)로 제공하는 반전 증폭부(253);
SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 센싱하기 위한 SSPA 센서부(254);
미리 설정된 주기로 상기 SSPA 센서부(254)로부터 상태 정보를 획득하여 상기 SSPA 전력증폭장치(100)의 상태를 실시간으로 모니터링하고 이상상태를 감지하면 미리 설정된 대응처리 프로세스에 따라 이상 처리를 수행하는 이상 처리부(255);
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무선중계기를 위한 SSPA 전력증폭장치.
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|---|---|---|---|
| KR1020220073856A KR102474542B1 (ko) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 무선중계기를 위한 sspa 전력증폭장치 |
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|---|---|---|---|
| KR1020220073856A KR102474542B1 (ko) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 무선중계기를 위한 sspa 전력증폭장치 |
Publications (1)
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| KR1020220073856A KR102474542B1 (ko) | 2022-06-17 | 2022-06-17 | 무선중계기를 위한 sspa 전력증폭장치 |
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|---|---|
| KR (1) | KR102474542B1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980033298A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 가네꼬히사시 | 고주파 증폭기 |
| KR20110087463A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 코스텔 주식회사 | 선형 전력 증폭기 |
| KR20130048215A (ko) | 2010-03-17 | 2013-05-09 | 가부시키가이샤 모레스코 | 실린더 라이너 및 그 제조 방법 |
| KR20150031903A (ko) * | 2013-09-17 | 2015-03-25 | 한국전자통신연구원 | 고출력 증폭기 ｍｍｉｃ를 위한 범용적 측정 장치 |
| KR20150127580A (ko) | 2013-03-15 | 2015-11-17 | 큐어포트, 인크. | 지질 나노입자의 제조 방법 및 장치 |
-
2022
- 2022-06-17 KR KR1020220073856A patent/KR102474542B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980033298A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 가네꼬히사시 | 고주파 증폭기 |
| KR20110087463A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 코스텔 주식회사 | 선형 전력 증폭기 |
| KR20130048215A (ko) | 2010-03-17 | 2013-05-09 | 가부시키가이샤 모레스코 | 실린더 라이너 및 그 제조 방법 |
| KR20150127580A (ko) | 2013-03-15 | 2015-11-17 | 큐어포트, 인크. | 지질 나노입자의 제조 방법 및 장치 |
| KR20150031903A (ko) * | 2013-09-17 | 2015-03-25 | 한국전자통신연구원 | 고출력 증폭기 ｍｍｉｃ를 위한 범용적 측정 장치 |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| 미국 특허등록 US 10,433,284 "High-efficiency solid state power amplifier" |
| 미국 특허등록 US 11,828,563 "High power RF solid state power amplifier system" |
| 미국 특허등록 US 11,853,897 "Solid state power amplifier with multi-planar MMIC modules" |
| 유럽 특허출원 EP 18176632.0 "High power solid state RF amplifier" |
| 유럽 특허출원 EP 91307201.3 "Solid state power amplifier with dynamically adjusted operating point" |
| 일본 특허출원 JP 17-118458 "Switched capacitor amplifier circuit and solid state imaging device" |
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