KR102470438B1 - Method for manufacturing a modified integral backing plate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기존에 타겟을 장착하기 위해 사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 일체형 백킹 플레이트를 제조함으로써, 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있고, 일체형 백킹 플레이트의 측부에 저단부가 형성되도록 가공함으로써, 두께가 서로 다른 타겟을 장착하더라도 평면형 타겟을 구성할 수 있고, 이로 인하여 스퍼터링 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명인 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법을 이루는 구성수단은, 적어도 두개의 기사용된 분할 백킹 플레이트를 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트를 제조하는 방법에 있어서, 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트를 클리닝하는 클리닝 단계, 상기 클리닝한 기사용된 분할 백킹 플레이트를 맞접하여 전자빔 용접을 통해 일체로 결합하는 용접 단계, 상기 일체로 결합한 일체형 백킹 플레이트에 단차가 형성되도록 측부의 높이를 낮게하는 단차 가공 단계, 상기 단차 가공된 일체형 백킹 플레이트의 평탄도를 교정하는 평탄도 교정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention relates to a method for manufacturing a modified integral backing plate, and in particular, by manufacturing an integral backing plate by reusing a divided backing plate previously used to mount a target, time, effort and cost for manufacturing the backing plate can be saved. And, by processing such that the lower end is formed on the side of the integral backing plate, even if targets having different thicknesses are mounted, a planar target can be configured, thereby improving the sputtering efficiency. it's about
The constituent means constituting the modified integral backing plate manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing a modified integral backing plate by combining at least two used divided backing plates, comprising: cleaning the used divided backing plate to be joined; A cleaning step, a welding step of abutting the cleaned and used divided backing plates and integrally combining them through electron beam welding, a step processing step of lowering the height of the side so that a step is formed in the integrally coupled integral backing plate, the step difference It is characterized in that it comprises a flatness correction step of correcting the flatness of the processed integral backing plate.

Description

개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법{Method for manufacturing a modified integral backing plate}Method for manufacturing a modified integral backing plate {Method for manufacturing a modified integral backing plate}

본 발명은 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기존에 타겟을 장착하기 위해 사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 일체형 백킹 플레이트를 제조함으로써, 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있고, 일체형 백킹 플레이트의 측부에 저단부가 형성되도록 가공함으로써, 두께가 서로 다른 타겟을 장착하더라도 평면형 타겟을 구성할 수 있고, 이로 인하여 스퍼터링 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a modified integral backing plate, and in particular, by manufacturing an integral backing plate by reusing a divided backing plate previously used to mount a target, time, effort and cost for manufacturing the backing plate can be saved. And, by processing such that the lower end is formed on the side of the integral backing plate, even if targets having different thicknesses are mounted, a planar target can be configured, thereby improving the sputtering efficiency. it's about

일반적으로 스퍼터링 공정은 텔레비전 세트, 노트북 컴퓨터, 및 기타 모니터에 사용하기 위한 액정 패널, 유기전기발광(EL) 패널을 구성하는 박막, 광기록 및 반도체 분야에 사용하기 위한 배선막 등의 형성에 채용된다.In general, the sputtering process is employed to form liquid crystal panels for use in television sets, notebook computers, and other monitors, thin films constituting organic electroluminescent (EL) panels, wiring films for use in optical recording and semiconductor fields, and the like. .

스퍼터링 공정에서, 기판과 피막 재료인 타겟 사이에서 플라즈마 방전을 일으켜 이온화된 기체를 타겟에 충돌시킴으로써 타겟으로부터 떨어진 원자가 기판 표면에 퇴적됨으로써 박막이 제조된다. 이 방법은 진공 증착 및 아크 이온 플레이팅(AIP)과는 달리 타겟과 동일한 조성의 박막을 형성할 수 있다는 이점이 있다.In the sputtering process, a plasma discharge is generated between a substrate and a target, which is a coating material, so that ionized gas collides with the target so that atoms separated from the target are deposited on the surface of the substrate, thereby producing a thin film. Unlike vacuum deposition and arc ion plating (AIP), this method has an advantage in that a thin film having the same composition as the target can be formed.

한편, 타겟의 저면에는 이 타겟을 지지하고 타겟에서 발생한 열을 방출하는 백킹 플레이트가 접합되는데, 일반적으로는 타겟과 백킹 플레이트가 마주하는 부분에 금속성의 접착재를 적층하여 구현한다.On the other hand, a backing plate supporting the target and dissipating heat generated from the target is bonded to the bottom of the target, which is generally implemented by laminating a metallic adhesive at a portion where the target and the backing plate face each other.

상기 백킹 플레이트는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(3) 내의 측벽 측에 수직 방향으로 장착 배치되어 수직 방향으로 세워진 기판(1)에 대해 스퍼터링을 수행하여 박막이 증착될 수 있도록 할 수 있다. 이 경우, 상기 백킹 플레이트는 원바디로 제작하여 사용하는 것이 아니라 상대적으로 작은 사이즈인 분할 백킹 플레이트를 수직 방향으로 결합하여 원바디 백킹 플레이트의 사이즈를 형성하여 사용한다.As shown in FIG. 1 , the backing plate is vertically mounted on the sidewall side of the vacuum chamber 3 so that a thin film can be deposited by performing sputtering on the substrate 1 standing vertically. . In this case, the backing plate is not manufactured and used as a single body, but is used by combining relatively small divided backing plates in the vertical direction to form the size of the one-body backing plate.

사이즈가 큰 원바디 백킹 플레이트를 제작하는 것이 상대적으로 시간, 노력 및 비용이 더 많이 소요되기 때문에, 이와 같이 분할 백킹 플레이트를 제작하여 사용하는 것이 일반적이다. 이 경우, 상기 분할 백킹 플레이트에 해당 타겟이 부착되어 사용된다.Since it takes relatively more time, effort, and cost to manufacture a one-body backing plate having a large size, it is common to manufacture and use a divided backing plate in this way. In this case, the target is attached to the divided backing plate and used.

도 2는 백킹 플레이트가 진공 챔버(3)의 상부에 배치되어 하부에 배치되는 기판(1)에 대해 스퍼터링을 수행하는 스퍼터 장비를 보여주고 있다. 이 경우에는 분할 백킹 플레이트가 적용된 것이 아니라 원바디 백킹 플레이트에 해당하는 일체형 백킹 플레이트(7)가 적용되고 있다.FIG. 2 shows sputtering equipment in which a backing plate is disposed above a vacuum chamber 3 to perform sputtering on a substrate 1 disposed therebelow. In this case, the integral backing plate 7 corresponding to the one-body backing plate is applied instead of the divided backing plate.

이 경우, 백킹 플레이트가 상부에 배치되고 이 백킹 플레이트에 타겟이 부착되기 때문에, 스퍼터링 과정에서 이물질이 기판 상으로 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다. 특히 상기 백킹 플레이트를 분할 백킹 플레이트(5)로 구성하고 이들을 볼트 조립 등을 통해 결합하여 사용하는 경우, 조립 경계 부위에서 발생하는 이물질에 의해 문제가 발생할 수 있다.In this case, since the backing plate is disposed on the top and the target is attached to the backing plate, foreign substances may fall onto the substrate during the sputtering process. In particular, when the backing plate is composed of the divided backing plates 5 and they are used by combining them through bolt assembly, etc., problems may occur due to foreign substances generated at the assembly boundary.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 진공 챔버(3) 상부에 타겟을 배치하는 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이 일체형 백킹 플레이트(7)를 제작하여 적용하는 것이 일반적이다. In order to solve this problem, when placing a target on the upper part of the vacuum chamber 3, it is common to manufacture and apply an integral backing plate 7 as shown in FIG.

그러나, 원바디 일체형 백킹 플레이트를 제작하는 것은 시간, 노력 및 비용이 필요 이상 소요되는 문제점을 발생시킨다. 즉, 분할 백킹 플레이트를 결합하여 일체형 백킹 플레이트를 구성하여 사용하는 것에 비해 상대적으로 시간, 노력 및 비용이 증가하는 문제점이 발생한다.However, manufacturing a one-body integral backing plate causes a problem in that time, effort, and cost are consumed more than necessary. That is, a problem in that time, effort, and cost are relatively increased compared to using the integrated backing plate by combining the divided backing plates.

따라서, 기존에 사용한 분할 백킹 플레이트를 재사용하되, 이물질이 발생하는 것을 방지하여 일체형 백킹 플레이트를 개조하여 사용한다면 버려지는 기사용된 분할 백킹 플레이트를 재활용할 수 있고, 이로 인하여 일체형 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 절약할 수 있다.Therefore, if the previously used divided backing plate is reused, but the integral backing plate is remodeled and used by preventing the occurrence of foreign substances, the discarded divided backing plate can be recycled, thereby reducing the time required for manufacturing the integral backing plate. , effort and cost can be saved.

그러나, 지금까지 기사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하되, 결합 부위에서 이물질이 발생되지 않은 일체형 백킹 플레이트를 제작하기 위한 기술 구성이 현재 제안되지 못하고 있고, 더 나아가 기사용된 분할 백킹 플레이트를 이용하여 제조된 일체형 백킹 플레이트에 서로 다른 두께를 가지는 타겟을 장착한 경우 평면형 타겟을 형성하기 위한 일체형 백킹 플레이트 구조에 대해 지금까지 전혀 제안되지 못하고 있다. However, a technical configuration for manufacturing an integral backing plate that reuses the previously used divided backing plate but does not generate foreign matter at the bonding site has not been currently proposed, and furthermore, manufactured using the previously used divided backing plate. When targets having different thicknesses are mounted on the integral backing plate, an integral backing plate structure for forming a planar target has not been proposed at all.

따라서, 기사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 개조된 일체형 백킹 플레이트를 제조하기 위한 새로운 방법에 제안될 필요성이 절실한 상황이나, 대한민국 등록특허 제10-1350345호(이하, "선행기술문헌"이라 함)는 단지 백킹 플레이트와 타겟의 접착 효율을 증가시키기 위한 구조적 특징만을 제안하고 있을 뿐, 기사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 개조된 일체형 백킹 플레이트를 제조하기 위한 방법에 대해서는 전혀 시사하지 못하고 있다.Therefore, there is an urgent need to propose a new method for manufacturing a modified integral backing plate by reusing a previously used divided backing plate, but Korean Patent Registration No. 10-1350345 (hereinafter referred to as "prior art document") only proposes structural features for increasing the adhesion efficiency between the backing plate and the target, but does not suggest a method for manufacturing a modified integral backing plate by reusing a previously used divided backing plate.

대한민국 등록특허 제10-1350345호(공고일자 : 2014년 01월 13일, 발명의 명칭 : 스퍼터 타겟 접합용 백킹 플레이트 및 이를 이용한 백킹 플레이트 조립체)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1350345 (Public date: January 13, 2014, title of invention: backing plate for bonding sputter target and backing plate assembly using the same)

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기존에 타겟을 장착하기 위해 사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 일체형 백킹 플레이트를 제조함으로써, 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있고, 일체형 백킹 플레이트의 측부에 저단부가 형성되도록 가공함으로써, 두께가 서로 다른 타겟을 장착하더라도 평면형 타겟을 구성할 수 있고, 이로 인하여 스퍼터링 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was invented to solve the problems of the prior art as described above, by manufacturing an integral backing plate by reusing a divided backing plate used to mount a target in the past, time, effort and cost for manufacturing the backing plate. can be reduced, and by processing such that the lower end is formed on the side of the integral backing plate, even if targets having different thicknesses are mounted, a planar target can be configured, thereby improving the sputtering efficiency. It aims at providing a manufacturing method.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법을 이루는 구성수단은, 적어도 두개의 기사용된 분할 백킹 플레이트를 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트를 제조하는 방법에 있어서, 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트를 클리닝하는 클리닝 단계, 상기 클리닝한 기사용된 분할 백킹 플레이트를 맞접하여 전자빔 용접을 통해 일체로 결합하는 용접 단계, 상기 일체로 결합한 일체형 백킹 플레이트에 단차가 형성되도록 측부의 높이를 낮게하는 단차 가공 단계, 상기 단차 가공된 일체형 백킹 플레이트의 평탄도를 교정하는 평탄도 교정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problem, the present invention, which is a method of manufacturing a modified integral backing plate, is a method of manufacturing a modified integral backing plate by combining at least two previously used divided backing plates. A cleaning step of cleaning the divided backing plate used to be used, a welding step of bringing the cleaned and used divided backing plates into contact and integrally combining them through electron beam welding, and a step difference is formed in the integrally coupled integral backing plate to form a side portion It is characterized in that it comprises a step processing step of lowering the height, and a flatness correction step of correcting the flatness of the step processing integrated backing plate.

여기서, 상기 클리닝 단계의 이전, 상기 용접 단계 이전 및 단차 가공 단계 이전에 해당 백킹 플레이트에 대해 평탄도 교정을 수행하는 것을 특징으로 한다.Here, flatness correction is performed on the corresponding backing plate before the cleaning step, before the welding step, and before the stepped processing step.

여기서, 상기 클리닝 단계는 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트의 타겟 본딩면에 잔존하는 인듐을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.Here, the cleaning step is characterized in that it is a step of removing indium remaining on the target bonding surface of the used divided backing plate.

상기와 같은 과제 및 해결 수단을 가지는 본 발명인 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 의하면, 기존에 타겟을 장착하기 위해 사용된 분할 백킹 플레이트를 재사용하여 일체형 백킹 플레이트를 제조하기 때문에, 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 절감시킬 수 있도록 하는 장점이 발생된다.According to the modified integral backing plate manufacturing method of the present invention having the above problems and solutions, since the integral backing plate is manufactured by reusing the divided backing plate used to mount the target in the past, the time for manufacturing the backing plate However, the advantage of being able to reduce effort and cost is generated.

또한, 본 발명에 의하면, 일체형 백킹 플레이트의 측부에 저단부가 형성되도록 가공하기 때문에, 두께가 서로 다른 타겟을 장착하더라도 평면형 타겟을 구성할 수 있고, 이로 인하여 스퍼터링 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 발생한다.In addition, according to the present invention, since the lower end is formed on the side of the integral backing plate, a planar target can be formed even when targets having different thicknesses are mounted, resulting in an effect of improving sputtering efficiency. do.

도 1은 종래의 제1 배치 구조를 가지는 스퍼터 장비의 개략 구성도이다.
도 2는 종래의 제2 배치 구조를 가지는 스퍼터 장비의 개략 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트가 적용된 스퍼터 장비의 개략적인 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 플로챠트이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법을 구성하는 용접 단계를 수행한 후 일체형 백킹 플레이트의 용접 부의의 변화를 설명하기 위한 개략도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법을 구성하는 단차 가공 단계를 수행한 후 일체형 백킹 플레이트의 개략적인 부분 확대도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트에 타겟이 부착된 상태를 보여주는 단면도이다.
1 is a schematic configuration diagram of a conventional sputtering device having a first arrangement structure.
2 is a schematic configuration diagram of a conventional sputter equipment having a second arrangement structure.
3 is a schematic configuration diagram of a sputter equipment to which a modified integral backing plate manufactured according to an embodiment of the present invention is applied.
4 is a flowchart of a method for manufacturing a modified integral backing plate according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram for explaining a change in a welded portion of an integrated backing plate after performing a welding step constituting a method for manufacturing a modified integral backing plate according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic, partially enlarged view of an integral backing plate after performing a step processing step constituting a modified integral backing plate manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a state in which a target is attached to a modified integrated backing plate manufactured according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 과제, 해결수단 및 효과를 가지는 본 발명인 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the modified integrated backing plate manufacturing method of the present invention having the above problems, solutions and effects will be described in detail.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and methods for achieving them will become clear with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have mean that features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 동작 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 동작이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.When an embodiment is otherwise implementable, a specific sequence of operations may be performed differently from the described sequence. For example, two operations described in succession may be performed substantially simultaneously, or may proceed in an order reverse to the order described.

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)가 적용된 스퍼터 장치를 개략적으로 보여주고 있다.3 schematically shows a sputter device to which a modified integral backing plate 30 manufactured according to an embodiment of the present invention is applied.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 진공 챔버(3)의 내부 상측에 배치되어 사용된다. 즉, 본 발명에 적용되는 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 진공 챔버(3)의 내부 측벽에 인접하여 배치되어 사용되는 것이 아니라, 상측에 배치되어 타겟을 장착되도록 한 후, 하측에 배치되는 기판(1)에 대해 스퍼터링이 수행될 수 있도록 한다.As shown in FIG. 3 , the modified integral backing plate 30 manufactured according to the present invention is disposed and used inside the vacuum chamber 3 . That is, the modified integral backing plate 30 applied to the present invention is not disposed adjacent to the inner sidewall of the vacuum chamber 3 and used, but is disposed on the upper side to mount the target and then the substrate disposed on the lower side. Allow sputtering to be performed for (1).

본 발명에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 새롭게 만들어지는 분할 백킹 플레이트가 아니라, 도 1에 도시된 바와 같이, 수직하게 배치되어 사용된 분할 백킹 플레이트, 즉 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 사용한다.The modified integral backing plate 30 manufactured according to the present invention is not a newly made split backing plate, but as shown in FIG. 1, a split backing plate used vertically disposed, that is, a used split backing plate ( 10) are used in combination.

구체적으로, 본 발명에 따라 제조된 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 적어도 두개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 형성된다. 따라서, 본 발명에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법은 적어도 두개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 제조하는 방법에 해당한다.Specifically, the modified integral backing plate 30 manufactured according to the present invention is formed by combining at least two used divided backing plates 10 . Therefore, the method for manufacturing a modified integral backing plate according to the present invention corresponds to a method for manufacturing a modified integral backing plate 30 by combining at least two previously used divided backing plates 10 .

도 3에서 상기 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 제조된 것을 예시하고 있지만, 세 개 이상의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 제조하여 사용할 수도 있다.In FIG. 3, the modified integral backing plate 30 is illustrated as being manufactured by combining two previously used divided backing plates 10, but is modified by combining three or more previously used divided backing plates 10. An integrated backing plate 30 may be manufactured and used.

한편, 도 3에서는 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)가 결합하는 부위, 구체적으로 용접 부위(31)가 명시적으로 표시되고 있지만, 이는 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)가 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)가 형성된다는 것을 설명하기 위한 것이고, 실제로는 도 5에 도시된 바와 같이, 용접에 의해 결합하고 오비탈 처리를 수행하면 용접 부위(31)는 거의 눈에 띄지 않게 된다.On the other hand, in FIG. 3, although the part where the two used divided backing plates 10 are joined, specifically the welding part 31, is explicitly shown, this indicates that the two used divided backing plates 10 are coupled. This is to explain that the modified integral backing plate 30 is formed, and in fact, as shown in FIG. 5, when combined by welding and orbital treatment is performed, the weld area 31 becomes almost invisible. .

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 관한 플로챠트이다. 이하에서는 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.4 is a flowchart of a method for manufacturing a modified integral backing plate according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, with reference to FIG. 4 , a method for manufacturing a modified integral backing plate according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트를 클리닝하는 클리닝 단계를 수행한다(s10). 구체적으로, 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 결합하여 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 제조하고자 하는 경우에는, 각각의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)에 대해 클리닝 단계를 수행하는 것이 바람직하다.First, a cleaning step of cleaning used divided backing plates to be joined is performed (s10). Specifically, when it is desired to manufacture a modified integral backing plate 30 by combining two used divided backing plates 10, performing a cleaning step for each used divided backing plate 10 it is desirable

상기 클리닝 단계는 각각의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)에 묻어 있는 오물 등을 제거하는 세정 공정 등을 포함할 수 있지만, 반드시 상기 각각의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 타겟 본딩면에 잔존하는 인듐을 제거하는 과정을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 클리닝 단계는 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 타겟 본딩면에 잔존하는 인듐을 제거하는 단계인 것이 바람직하다.The cleaning step may include a cleaning process of removing dirt and the like from each used divided backing plate 10, but must be applied to the target bonding surface of each used divided backing plate 10. It is preferable to include a process of removing remaining indium. That is, the cleaning step is preferably a step of removing indium remaining on the target bonding surface of the used divided backing plate 10 .

본 발명은 기존에 사용된 분할 백킹 플레이트를 재활용하는 것을 목적으로 하기 때문에, 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)에는 기존에 사용될 당시에 타겟을 부착하기 위한 접합물질이 남아 있다. 구체적으로, 본 발명에 적용된 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)는 인듐을 이용하여 타겟을 부착한 것에 해당한다. 따라서, 본 발명에 적용되는 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 타겟 본딩면에는 인듐이 남아 있을 것이다. 따라서, 반드시 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트를 클리닝하는 단계, 이중에서도 구체적으로 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트의 타겟 본딩면에 잔존하는 인듐을 제거하는 단계를 수행하는 것이 바람직하다.Since the object of the present invention is to recycle previously used divided backing plates, the previously used divided backing plates 10 have bonding materials for attaching targets at the time of conventional use. Specifically, the previously used divided backing plate 10 applied to the present invention corresponds to a target attached using indium. Therefore, indium will remain on the target bonding surface of the used divided backing plate 10 applied to the present invention. Therefore, it is preferable to perform the step of cleaning the used divided backing plate to be bonded, and specifically removing the indium remaining on the target bonding surface of the used divided backing plate.

상기 클리닝 단계가 완료되면, 상기 클리닝한 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 맞접하여 전자빔 용접을 통해 일체로 결합하는 용접 단계를 수행한다(s30). 본 발명에 따른 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 결합은 전자빔 용접을 이용하는 것이 바람직하다.When the cleaning step is completed, a welding step of bringing the cleaned and used divided backing plates 10 into contact and integrally combining them through electron beam welding is performed (S30). The bonding of the previously used divided backing plate 10 according to the present invention is preferably performed using electron beam welding.

본 발명에 적용되는 전자빔 용접은 고진공(高眞空) 중에서 음극으로부터 방출된 전자를 고전압으로 가속, 상기 용접 부위(31)에 충돌시켜 그 에너지로 용접하는 방법이다. 용접이 어긋나는 등 변형되는 경우가 극히 적으며, 정밀용접이 가능하며, 두꺼운 판의 고속용접도 가능하다. 즉, 본 발명에 따른 전자빔 용접은 다른 용접법에 비하여 전자빔용접의 장점으로는 용접입열이 작기 때문에 용접이 어긋나는 등 변형되는 경우가 극히 적으며, 또 용접부의 폭이 좁기 때문에 정밀용접이 가능한 점, 용해용접을 깊게 할 수 있기 때문에 두꺼운 판의 고속용접도 가능한 점 등이 있다. Electron beam welding applied to the present invention is a method of accelerating electrons emitted from a cathode at a high voltage in a high vacuum and colliding them with the welding portion 31 to weld using the energy. There are very few cases where the welding is deformed, such as misalignment, and precision welding is possible, and high-speed welding of thick plates is also possible. That is, the advantages of electron beam welding according to the present invention compared to other welding methods are that the welding heat input is small, so there is very little deformation such as welding displacement, and precision welding is possible because the width of the welding part is narrow. Since welding can be made deep, high-speed welding of thick plates is also possible.

특히, 본 발명에 적용되는 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)는 티타늄 재질의 분할 백킹 플레이트인 것이 바람직하다. 따라서, 적어도 두 개의 티타늄 재질의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 용접 부위(31)에 대해 정밀 용접이 수행될 수 있도록 전자빔 용접을 채택 적용한다.In particular, it is preferable that the previously used split backing plate 10 applied to the present invention is a split backing plate made of titanium. Therefore, electron beam welding is adopted so that precision welding can be performed with respect to the welded regions 31 of the previously used divided backing plate 10 made of at least two titanium materials.

본 발명에 따라 전자빔 용접을 통해 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 정밀하게 결합하기 위해서는 상기 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 견고하고 안정적으로 고정할 필요가 있다. 이를 위하여, 본 발명에 따라 수행되는 용접 단계는 용접 지그(미도시)에 상기 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 고정하되, 용접 부위(31)에 맞접되도록 고정되도록 한다.In order to precisely couple the used divided backing plates 10 through electron beam welding according to the present invention, it is necessary to firmly and stably fix the used divided backing plates 10 to be joined. To this end, in the welding step performed according to the present invention, the previously used divided backing plate 10 to be coupled is fixed to a welding jig (not shown), so that it is fixed so as to be in contact with the welding portion 31.

이와 같이, 용접 지그에 상기 결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)들을 맞접되도록 고정 결합한 상태로 상기 용접 부위(31)에 대해 전자빔 용접을 수행하여 일체로 결합한 일체형 백킹 플레이트가 형성되도록 한다. 이와 같이 용접 부위(31)에 대해 전자빔 용접을 수행한 후, 상기 용접 부위(31)에 대해 오비탈 처리를 수행하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 전자빔을 통해 용접된 용접 부위(31)가 거의 눈에 띄지 않을 정도로 매끈해진다. In this way, electron beam welding is performed on the welded portion 31 in a state in which the used divided backing plates 10 to be joined are fixedly coupled to the welding jig so as to be abutted, so that an integrally coupled integral backing plate is formed. After electron beam welding is performed on the welded portion 31 in this way, when orbital processing is performed on the welded portion 31, as shown in FIG. 5, the welded portion 31 welded through the electron beam It becomes so smooth that it is almost imperceptible.

결과적으로, 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)의 결합 부위에서 별도의 이물질이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 이로 인하여 진공 챔버(3)의 내부 상측에 배치하더라도 스퍼터링 과정에서 용접 부위(31)에서 별도의 이물질이 발생하여 기판(1)에 떨어지는 것을 방지할 수 있다.As a result, it is possible to prevent a separate foreign substance from being generated at the junction of the two previously used divided backing plates 10, and thus, even if it is disposed on the upper side of the inside of the vacuum chamber 3, the welding portion 31 in the sputtering process ), it is possible to prevent foreign substances from falling on the substrate 1 by being generated.

상기와 같이 용접 단계가 완료되면, 상기 일체로 결합한 일체형 백킹 플레이트에 단차가 형성되도록 측부의 높이를 낮게하는 단차 가공 단계를 수행한다(s50). 구체적으로, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 일체형 백킹 플레이트의 측부의 높이가 낮아지도록, 좀 더 구체적으로 측부의 두께가 얇아지도록 가공하여 단차가 형성되도록 한다.When the welding step is completed as described above, a step processing step of lowering the height of the side portion is performed to form a step difference in the integrally coupled integral backing plate (s50). Specifically, as shown in FIGS. 6 and 7 , the height of the side of the integrated backing plate is lowered, more specifically, the thickness of the side is processed to be thin so that a step is formed.

일반적으로 백킹 플레이트에 타겟을 부착한 다음 스퍼터링을 수행하면, 타겟의 가운데 부분에 비하여 측부의 타겟이 더 빠르게 침식된다. 따라서, 일반적으로 백킹 플레이트 상에 타겟을 장착할 때, 서로 다른 두께를 가지는 타겟을 부착하여 사용한다. 구체적으로, 상기 백킹 플레이트의 가운데 부분에 비하여 측부에 부착되는 타겟의 두께가 더 두껍게 되도록 타겟을 구성하여 부착 사용한다. 결과적으로, 상기 백킹 플레이트에 부착되는 타겟은 평면형 타겟을 형성하지 못하고 단차를 가지는 비평면형 타겟을 형성하게 된다.In general, when a target is attached to a backing plate and then sputtering is performed, the side target is eroded faster than the central target. Therefore, generally, when mounting a target on a backing plate, targets having different thicknesses are attached and used. Specifically, the target attached to the side portion of the backing plate is configured and used so that the thickness of the target is thicker than that of the central portion. As a result, the target attached to the backing plate does not form a planar target but forms a non-planar target having a step difference.

이러한, 비평면형 타겟 구조는 스퍼터링 효율을 감소시키는 문제가 발생한다. 따라서, 본 발명에서는 평면형 타겟 구조가 적용될 수 있도록 단차 가공 단계를 수행하여 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 일체형 백킹 플레이트의 측부의 높이가 더 낮아지도록, 즉 측부의 두께가 상대적으로 더 얇아지도록 가공한다.This non-planar target structure causes a problem of reducing sputtering efficiency. Therefore, in the present invention, the step processing step is performed so that the planar target structure can be applied, so that the height of the side of the integral backing plate is lower, that is, the thickness of the side is relatively thinner, as shown in FIGS. 6 and 7 process

상기 단차 가공 단계를 수행하면, 결국 상기 일체형 백킹 플레이트(30)는 상대적으로 높이가 낮은(두께가 얇은) 저단부(33)와 상대적으로 높이가 높은(두께가 두꺼운) 고단부(35)를 구비한다. 상기 용접 단계를 거친 후 상기 일체형 백킹 플레이트의 측부에 대해 MCT 가공을 통해 삭제 처리하면 상기와 같이 저단부(33)가 측부에 형성된다.When the step processing step is performed, eventually the integrated backing plate 30 is provided with a relatively low height (thin thickness) lower end portion 33 and a relatively high height (thick thickness) upper end portion 35 do. After the welding step, when the side portion of the integral backing plate is removed through MCT processing, the lower end portion 33 is formed on the side portion as described above.

상기 저단부(33)와 상기 고단부(35)의 높이 차이, 즉 단차 높이(a)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 고단부(35)에 부착되는 제1 타겟(51)과 상기 저단부(33)에 부착되는 제2 타겟(53)의 두께 차이와 동일한 것이 바람직하다. 그러면, 상기 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)에 부착되는 타겟(50)은 평면형 구조를 가질 수 있고, 이로 인하여 스퍼터링 효율을 향상시킬 수 있다.As shown in FIG. 7, the height difference between the lower end part 33 and the upper end part 35, that is, the step height (a), is the difference between the first target 51 attached to the high end part 35 and the lower end part 35. It is preferable that the difference in thickness of the second target 53 attached to the portion 33 is the same. Then, the target 50 attached to the modified integral backing plate 30 may have a planar structure, thereby improving sputtering efficiency.

상기 단차 가공 단계는 상기 용접 단계 이후에 MCT 가공을 통해 수행된다. 따라서 상기 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 단차 가공 단계에서 역시 견고하고 안정적으로 고정될 필요가 있다. 이를 위하여, 상기 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)는 상기 용접 지그 상에서 그대로 상기 단차 가공 단계를 수행받는 것이 바람직하다. The step processing step is performed through MCT processing after the welding step. Therefore, the modified integral backing plate 30 needs to be fixed firmly and stably also in the step processing step. To this end, it is preferable that the modified integrated backing plate 30 is subjected to the step processing step as it is on the welding jig.

구체적으로, 상기 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트(10)를 상기 용접 지그에 고정한 상태에서 전자빔 용접을 수행하여 일체형 백킹 플레이트(30)를 형성한 후, 이후 상기 일체형 백킹 플레이트(30)를 용접 지그에서 분리하지 않고 그대로 상기 단차 가공 단계를 수행한다. 결과적으로, 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조를 위한 시간, 노력 및 비용을 감소시킬 수 있다.Specifically, after forming the integral backing plate 30 by performing electron beam welding in a state where the two previously used divided backing plates 10 are fixed to the welding jig, the integral backing plate 30 is then welded to the welding jig. The step processing step is performed as it is without being separated from. As a result, time, effort and cost for manufacturing a modified integral backing plate can be reduced.

상기 단차 가공 단계가 완료되면, 상기 용접 지그에서 상기 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 분리한 후 평탄도 교정 단계(s70)를 수행한다. 즉, 상기 단차 가공 단계(s50)가 완료되면, 상기 용접 지그로부터 이탈시킨 상기 단차 가공된 일체형 백킹 플레이트(30)의 평탄도를 교정하는 평탄도 교정 단계를 수행한다(s70).When the step processing step is completed, the remodeled integral backing plate 30 is separated from the welding jig, and then the flatness correction step (s70) is performed. That is, when the step processing step (s50) is completed, a flatness correction step of correcting the flatness of the step processing integral backing plate 30 separated from the welding jig is performed (s70).

상기 평탄도 교정 단계는 다양한 평탄도 교정기와 관련 측정 장비를 통해 진행될 수 있다. 본 발명에 따른 평탄도 교정 단계(s70)는 평탄도가 0.5mm 이하가 되도록 평탄도를 교정하는 것이 바람직하다.The flatness calibration step may be performed through various flatness calibrators and related measuring equipment. In the flatness correction step (s70) according to the present invention, it is preferable to correct the flatness so that the flatness is 0.5 mm or less.

한편, 본 발명에 따른 평탄도 교정 단계는 상기 단계들, 즉 클리닝 단계(s10), 용접 단계(s30), 단차 가공 단계(s50) 등을 정밀하게 수행하고 지속적으로 평탄도를 유지하기 위하여, 각 단계 전후에 걸쳐 수행하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 클리닝 단계(s10)의 이전, 상기 용접 단계(s30) 이전 및 단차 가공 단계(s50) 이전에 해당 백킹 플레이트에 대해 평탄도 교정을 수행하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the flatness correction step according to the present invention, in order to precisely perform the above steps, that is, the cleaning step (s10), the welding step (s30), and the step processing step (s50), and continuously maintain flatness, each It is preferable to perform before and after steps. Specifically, it is preferable to perform flatness correction on the corresponding backing plate before the cleaning step (s10), before the welding step (s30), and before the stepped processing step (s50).

좀 더 구체적으로, 상기 클리닝 단계(s10) 이전에 평탄도 교정 단계(s5)를 수행할 수 있다. 상기 평탄도 교정 단계(s5)는 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 형성하기 위한 기사용된 분할 백킹 플레이트에 해당하는지 여부를 판단하거나 과도하게 평탄도가 나빠지는 것을 사전에 예방하는 차원에서 수행될 수 있다. 즉, 상기 평탄도 교정 단계(s5)를 거쳐 평탄도가 교정이 잘 안되거나 평탄도가 허용 범위 이하로 교정되지 않으면 개조된 일체형 백킹 플레이트(30)를 형성하기 위한 기사용된 분할 백킹 플레이로 적용할 수 없다. 상기 평탄도 교정 단계(s5)에서 교정하는 평탄도 역시 0.5mm 이하가 되도록 평탄도를 교정하는 것이 바람직하다.More specifically, a flatness correction step (s5) may be performed before the cleaning step (s10). The flatness correction step (s5) will be performed to determine whether it corresponds to the previously used divided backing plate for forming the modified integral backing plate 30 or to prevent excessive flatness from deteriorating in advance. can That is, if the flatness is not corrected well or the flatness is not corrected below the allowable range through the flatness correction step (s5), it is applied as a previously used divided backing play for forming the modified integral backing plate 30. Can not. It is preferable to correct the flatness so that the flatness corrected in the flatness correcting step (s5) is also 0.5 mm or less.

상기 용접 단계(s30) 이전에 수행되는 평탄도 교정 단계(s15)는 용접 대상인 기사용된 분할 백킹 플레이트의 전자빔 용접이 정상적으로 이뤄지고 과도하게 평탄도를 벗어나는 것을 예방하는 차원에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 평탄도 교정 단계(s15)에서 교정하는 평탄도 역시 0.5mm 이하가 되도록 평탄도를 교정하는 것이 바람직하다.The flatness correction step (s15) performed before the welding step (s30) is preferably performed in order to prevent the electron beam welding of the used divided backing plate, which is the welding target, from being excessively out of flatness. It is preferable to correct the flatness so that the flatness corrected in the flatness correcting step (s15) is also 0.5 mm or less.

상기 단차 가공 단계(s50) 이전에 수행되는 평탄도 교정 단계(s35)는 전자빔 용접 과정에서 휨 발생 등 평탄도가 벗어날 가능성이 크기 때문에, 용접 완료된 일체형 백킹 플레이트(30)에 대해 용접 과정을 통해 발생된 휨 등을 교정하고, 과도하게 평탄도를 벗어나는 것을 사전에 예방하는 차원에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 평탄도 교정 단계(s35)에서 교정하는 평탄도 역시 0.5mm 이하가 되도록 평탄도를 교정하는 것이 바람직하다.The flatness correction step (s35) performed before the step processing step (s50) is highly likely to deviate from flatness such as warpage during the electron beam welding process, so that the welded integral backing plate 30 is welded through the welding process. It is preferable to correct the warpage and the like, and to prevent excessive deviation from flatness in advance. It is preferable to correct the flatness so that the flatness corrected in the flatness correction step (s35) is also 0.5 mm or less.

상술한 바와 같이, 최종 평탄도 교정 단계(s70)가 완료되면, 누설 테스크(Leak Test) 등의 필요한 검사 및 테스트를 수행한 후 양호 또는 정상의 개조된 일체형 백킹 플레이트만을 선별하여 포장하는 단계를 진행할 수 있다.As described above, when the final flatness calibration step (s70) is completed, necessary inspections and tests such as a leak test are performed, and only good or normal modified integrated backing plates are selected and packed. can

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Embodiments according to the present invention have been described above, but these are merely examples, and those skilled in the art will understand that various modifications and embodiments of equivalent range are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the following claims.

a : 단차 높이 1 : 기판
3 : 진공 챔버 5 : 분할 백킹 플레이트
7 : 일체형 백킹 플레이트
10 : 기사용된 분할 백킹 플레이트
30 : 개조된 일체형 백킹 플레이트
31 : 용접 부위 33 : 저단부
35 : 고단부
50 : 타겟 51 : 제1 타켓
53 : 제2 타겟
a: step height 1: substrate
3: vacuum chamber 5: divided backing plate
7: integral backing plate
10: Used split backing plate
30: modified integral backing plate
31: welding area 33: lower end
35: high end
50: target 51: first target
53: second target

Claims (3)

적어도 두개의 기사용된 분할 백킹 플레이트를 결합하여 진공 챔버의 내부 상측에 배치되어 사용되는 개조된 일체형 백킹 플레이트를 제조하는 방법에 있어서,
결합할 기사용된 분할 백킹 플레이트를 클리닝하는 클리닝 단계;
상기 클리닝한 기사용된 분할 백킹 플레이트를 맞접하여 전자빔 용접을 수행한 후, 용접 부위에 대해 오비탈 처리를 수행하여 일체로 결합하는 용접 단계;
상기 일체로 결합한 일체형 백킹 플레이트에 단차가 형성되도록 측부의 높이를 낮게하는 단차 가공 단계;
상기 단차 가공된 일체형 백킹 플레이트의 평탄도를 교정하는 평탄도 교정 단계를 포함하되,
상기 클리닝 단계의 이전, 상기 용접 단계 이전 및 단차 가공 단계 이전에 해당 백킹 플레이트에 대해 평탄도 교정을 수행하고,
상기 단차 가공 단계를 수행하면, 상기 일체형 백킹 플레이트는 상대적으로 높이가 낮은 저단부와 상대적으로 높이가 높은 고단부를 구비하고, 상기 저단부와 상기 고단부의 높이 차이인 단차 높이는 상기 고단부에 부착되는 제1 타겟과 상기 저단부에 부착되는 제2 타겟의 두께 차이와 동일하며,
상기 두 개의 기사용된 분할 백킹 플레이트를 용접 지그에 고정한 상태에서 전자빔 용접을 수행하여 일체형 백킹 플레이트를 형성한 후, 상기 일체형 백킹 플레이트를 용접 지그에서 분리하지 않고 그대로 상기 단차 가공 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법.
A method for manufacturing a modified integral backing plate that is used by combining at least two previously used divided backing plates and disposed on the inside of a vacuum chamber,
a cleaning step of cleaning previously used divided backing plates to be joined;
A welding step of bringing the cleaned and used divided backing plates into contact with each other, performing electron beam welding, and then performing an orbital treatment on the welded portion to integrally combine them;
A step processing step of lowering the height of the side portion so that a step difference is formed in the integrally coupled integral backing plate;
Including a flatness correction step of correcting the flatness of the stepped integral backing plate,
performing flatness correction on the corresponding backing plate before the cleaning step, before the welding step, and before the stepped processing step;
When the step processing step is performed, the integrated backing plate has a relatively low-height lower end and a relatively high-high end, and the step height, which is the height difference between the low end and the high end, is attached to the high end. It is equal to the thickness difference between the first target and the second target attached to the lower end,
After forming an integral backing plate by performing electron beam welding while the two previously used split backing plates are fixed to a welding jig, the step processing step is performed as it is without separating the integral backing plate from the welding jig. A method for manufacturing a modified integral backing plate.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 클리닝 단계는 상기 기사용된 분할 백킹 플레이트의 타겟 본딩면에 잔존하는 인듐을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 개조된 일체형 백킹 플레이트 제조 방법.
The method of claim 1,
The cleaning step is a step of removing indium remaining on the target bonding surface of the used divided backing plate.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052082A (en) * 2002-07-23 2004-02-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Sputtering target assembly
KR101932749B1 (en) * 2018-07-19 2018-12-26 김영현 Method for manufacturing base frame of mask assembly for depositing thin film

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794108A (en) * 1993-09-28 1995-04-07 Toshiba Corp Color picture tube
EP1903123B1 (en) * 2004-11-19 2012-02-22 Applied Materials GmbH & Co. KG Mounting plate with a cooled backing plate set on top
KR101350345B1 (en) 2013-07-25 2014-01-13 와이엠씨 주식회사 Backing plate for sputter target junction, and backing plate assembly using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004052082A (en) * 2002-07-23 2004-02-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Sputtering target assembly
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