KR102468475B1 - Hybrid OLED display panel and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 485
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 121
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 26
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
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- H01L27/3225—
-
- H01L27/3244—
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 디스플레이 패널 내에 화소 단위로 태양 전지(solar cell)가 자체적으로 내장되어 있는 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display panel and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a hybrid organic light emitting diode display panel in which a solar cell is embedded in a display panel in a unit of pixel itself and a method for manufacturing the same will be.
유기발광다이오드(OLED; Organic Light-Emitting Diode) 디스플레이는 전류에 반응하여 빛을 발산하는 유기 화합물로 이루어지는 유기발광다이오드를 이용하여 구현되는 디스플레이 장치로, 백라이트 장치가 필요 없고 빛의 표현 범위가 액정디스플레이(LCD; Liquid Crystal Display) 보다 넓고 색 재현성이 우수하며, 얇아서 변형이 자유로운 등의 여러 가지 장점을 가지고 있어 각광 받고 있다. 종래의 OLED 디스플레이는 디스플레이 패널의 구동을 위해 외부에서 별도로 전력을 공급해야 하거나 별도로 내장된 배터리를 이용하여 전력을 공급해야 하며, OLED 디스플레이의 전력 효율 증대에 한계에 도달해 있는 상황이다.Organic Light-Emitting Diode (OLED) display is a display device implemented using organic light-emitting diodes made of organic compounds that emit light in response to current. (LCD; Liquid Crystal Display), it is wider, has excellent color reproducibility, and is thin, so it has many advantages such as freedom of deformation, so it is in the limelight. Conventional OLED displays need to supply power separately from the outside or use a separately built-in battery to drive the display panel, and the power efficiency increase of the OLED display has reached its limit.
본 발명은 디스플레이 패널 내에 화소 단위로 태양 전지(solar cell)가 자체적으로 내장되어 디스플레이 패널 시청과 동시에 태양광 에너지로부터 전력 충전이 가능한 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a hybrid organic light emitting diode display panel in which a solar cell is embedded in a display panel in units of pixels to charge power from solar energy while viewing the display panel, and a method for manufacturing the same.
또한, 본 발명은 화소 레이아웃 내에 화소 투명창을 포함하여 투과율이 높은 창문형 투명 디스플레이 패널을 구현할 수 있는 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a transparent organic light emitting diode display panel and a manufacturing method thereof capable of implementing a window-type transparent display panel having high transmittance by including a pixel transparent window in a pixel layout.
또한, 본 발명은 화소 레이아웃 내에 화소 거울창을 포함하여 미러 디스플레이 패널을 구현할 수 있는 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide an organic light emitting diode display panel capable of implementing a mirror display panel by including a pixel mirror window in a pixel layout and a manufacturing method thereof.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 기판 상에 소정의 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되고, 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되는 유기발광다이오드 패널; 및 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 태양전지를 포함하고, 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되는 태양 전지;를 포함한다.In a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention, a plurality of pixels are arranged in a predetermined first arrangement structure on a substrate, and for each pixel, an organic light emitting diode, a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode, and the above an organic light emitting diode panel provided with a pixel light emitting unit including a switching thin film transistor for switching a driving thin film transistor; and a plurality of pixel solar cells arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, wherein each pixel solar cell corresponds to the pixel light emitting unit in a one-to-one correspondence within a pixel area set in a pixel unit. A solar cell disposed thereon; includes.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 상기 복수개의 화소에 마련되는 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 태양전지가 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열될 수 있다.In the hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention, the plurality of pixel light emitting units provided in the plurality of pixels and the plurality of pixel solar cells may be arranged to have the same arrangement period.
상기 화소 발광부는 상기 화소 영역 내의 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 태양전지는 상기 화소 영역 내의 모서리 영역에 해당하는 제2 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역과 중첩되지 않는 영역일 수 있다.The pixel light emitting unit may be disposed in a first area within the pixel area, and the pixel solar cell may be disposed in a second area corresponding to a corner area within the pixel area. The second area may be an area that does not overlap with the first area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel.
상기 구동 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상에 절연되게 형성되는 제1 게이트층, 및 상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되는 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극을 포함할 수 있다.The driving thin film transistor includes a first channel layer on the substrate, a first gate layer formed to be insulated on the first channel layer, and a first drain electrode and a first source electrode electrically connected to the first channel layer. can include
상기 화소 태양전지는 상기 기판 상의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 적층되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 적층되는 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 적층되는 제2 전극층을 포함할 수 있다.The pixel solar cell includes a first electrode layer on the substrate, a first semiconductor layer stacked on the first electrode layer, a second semiconductor layer stacked on the first semiconductor layer in a heterojunction structure, and a second semiconductor layer stacked on the second semiconductor layer. A stacked second electrode layer may be included.
상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상에 절연되게 형성되는 제2 게이트층, 및 상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되는 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 포함할 수 있다.The switching thin film transistor includes a second channel layer on the substrate, a second gate layer formed to be insulated on the second channel layer, and a second drain electrode and a second source electrode electrically connected to the second channel layer. can include
상기 제1 채널층과 상기 제1 반도체층은 N-형 및 P-형 중 어느 하나의 제1 형에 해당하는 동일한 제1 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제2 채널층과 상기 제2 반도체층은 N-형 및 P-형 중 다른 하나의 제2 형에 해당하는 동일한 제2 반도체 물질로 이루어질 수 있다.The first channel layer and the first semiconductor layer may be formed of the same first semiconductor material corresponding to any one of a first type of an N-type and a P-type. The second channel layer and the second semiconductor layer may be formed of the same second semiconductor material corresponding to a second type of the other of N-type and P-type.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 투명창을 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 투명창이 배치되는 투명창;을 더 포함할 수 있다.A hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixel transparent windows arranged in the first array structure to correspond to the plurality of pixels on the substrate, and the pixel light emitting unit in the pixel area. A transparent window in which each pixel transparent window is arranged to correspond one-to-one with; may further include.
상기 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 투명창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고, 상기 화소 투명창은 상기 화소 영역 내의 제3 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역일 수 있다.The plurality of pixel light emitting units and the plurality of pixel transparent windows may be arranged to have the same arrangement period, and the pixel transparent windows may be disposed in a third area within the pixel area. The third area may be an area that does not overlap the first area and the second area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel.
상기 구동 박막트랜지스터는 상기 제1 채널층 상에 적층되는 제1 절연층, 상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층, 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되는 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 상에 형성되는 제2 층간 절연층을 더 포함할 수 있다.The driving thin film transistor includes a first insulating layer stacked on the first channel layer, a first interlayer insulating layer covering the first gate layer, a second insulating layer stacked on the first interlayer insulating layer, and the first insulating layer. A second interlayer insulating layer formed on the two insulating layers may be further included.
상기 제2 채널층은 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되고, 상기 제2 게이트층은 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제2 게이트층을 덮도록 형성될 수 있다.The second channel layer is stacked on the first interlayer insulating layer, the second gate layer is formed on the second insulating layer, and the second interlayer insulating layer is formed to cover the second gate layer. can
상기 화소 투명창은 상기 기판 상에 적층되는 제1 투명 절연층, 상기 제1 투명 절연층 상에 적층되는 제1 투명 층간 절연층, 상기 제1 투명 층간 절연층 상에 적층되는 제2 투명 절연층, 및 상기 제2 투명 절연층 상에 적층되는 제2 투명 층간 절연층을 포함할 수 있다.The pixel transparent window includes a first transparent insulating layer laminated on the substrate, a first transparent interlayer insulating layer laminated on the first transparent insulating layer, and a second transparent insulating layer laminated on the first transparent interlayer insulating layer. , and a second transparent interlayer insulating layer laminated on the second transparent insulating layer.
상기 제1 절연층과 상기 제1 투명 절연층은 동일한 제1 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연층과 상기 제2 투명 절연층은 동일한 제2 절연 물질로 이루어지고, 상기 제1 층간 절연층과 상기 제1 투명 층간 절연층은 동일한 제3 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 층간 절연층과 상기 제2 투명 층간 절연층은 동일한 제4 절연 물질로 이루어질 수 있다.The first insulating layer and the first transparent insulating layer are made of the same first insulating material, the second insulating layer and the second transparent insulating layer are made of the same second insulating material, and the first interlayer insulating layer is made of the same second insulating material. and the first transparent interlayer insulating layer may be made of the same third insulating material, and the second interlayer insulating layer and the second transparent interlayer insulating layer may be made of the same fourth insulating material.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 반사 물질로 이루어지고 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 거울창을 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 거울창이 배치되는 거울창;을 더 포함할 수 있다.A hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixel mirror windows made of a reflective material and arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and the pixel area It may further include a mirror window in which each pixel mirror window is disposed so as to correspond one-to-one with the pixel light emitting unit.
상기 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 거울창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고, 상기 화소 거울창은 상기 화소 영역 내의 제4 영역에 배치될 수 있다. 상기 제4 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역일 수 있다.The plurality of pixel light emitting units and the plurality of pixel mirror windows may be arranged to have the same arrangement period, and the pixel mirror windows may be disposed in a fourth area within the pixel area. The fourth area may be an area that does not overlap the first area and the second area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법은 기판 상에 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되도록 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 태양전지가 배열되도록 태양 전지를 형성하는 단계;를 포함한다.A hybrid organic light emitting diode display panel manufacturing method according to an embodiment of the present invention includes forming an organic light emitting diode panel such that a plurality of pixels are arranged in a first array structure on a substrate; and forming a solar cell such that a plurality of pixel solar cells are arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels.
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되도록 상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the organic light emitting diode panel may include providing a pixel light emitting unit including an organic light emitting diode for each pixel, a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode, and a switching thin film transistor for switching the driving thin film transistor. It may include forming a panel.
상기 태양 전지를 형성하는 단계는 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되도록 상기 태양 전지를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the solar cell may include forming the solar cell such that each pixel solar cell is disposed in a one-to-one correspondence with the pixel light emitting unit in a pixel area set in a pixel unit.
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Forming the organic light emitting diode panel may include forming the driving thin film transistor on the substrate.
상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 채널층을 적층하는 단계; 상기 제1 채널층 상에 절연되도록 제1 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되도록 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming the driving thin film transistor may include stacking a first channel layer on the substrate; forming a first gate layer to be insulated on the first channel layer; and forming a first drain electrode and a first source electrode to be electrically connected to the first channel layer.
상기 태양 전지를 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 전극층을 적층하는 단계; 상기 제1 전극층 상에 제1 반도체층을 적층하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 제2 반도체층을 적층하는 단계; 및 상기 제2 반도체층 상에 제2 전극층을 적층하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming the solar cell may include stacking a first electrode layer on the substrate; stacking a first semiconductor layer on the first electrode layer; stacking a second semiconductor layer in a heterojunction structure on the first semiconductor layer; and stacking a second electrode layer on the second semiconductor layer.
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제2 채널층을 적층하는 단계; 상기 제2 채널층 상에 절연되게 제2 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되도록 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.The forming of the organic light emitting diode panel may further include forming the switching thin film transistor on the substrate. Forming the switching thin film transistor may include stacking a second channel layer on the substrate; forming a second gate layer to be insulated on the second channel layer; and forming a second drain electrode and a second source electrode to be electrically connected to the second channel layer.
상기 제1 채널층을 적층하는 단계와 상기 제1 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고, 상기 제2 채널층을 적층하는 단계와 상기 제2 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.The stacking of the first channel layer and the stacking of the first semiconductor layer may be performed simultaneously, and the stacking of the second channel layer and the stacking of the second semiconductor layer may be performed simultaneously.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법은 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 투명창을 형성하되, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 투명창을 배치하여 투명창을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In the hybrid organic light emitting diode display panel manufacturing method according to an embodiment of the present invention, a plurality of pixel transparent windows are formed on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and the pixel light emitting unit is formed in the pixel area. Forming a transparent window by arranging each pixel transparent window to correspond one-to-one with the pixel; may further include.
상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 제1 채널층 상에 제1 절연층을 적층하는 단계; 상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층을 적층하는 단계; 상기 제1 층간 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계; 및 상기 제2 절연층 상에 제2 층간 절연층을 적층하는 단계;를 더 포함할 수 있다.Forming the driving thin film transistor may include stacking a first insulating layer on the first channel layer; depositing a first interlayer insulating layer covering the first gate layer; stacking a second insulating layer on the first interlayer insulating layer; and stacking a second interlayer insulating layer on the second insulating layer.
상기 투명창을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1 투명 절연층을 적층하는 단계; 상기 제1 투명 절연층 상에 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계; 상기 제1 투명 층간 절연층 상에 제2 투명 절연층을 적층하는 단계; 및 상기 제2 투명 절연층 상에 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming the transparent window may include stacking a first transparent insulating layer on the substrate; laminating a first transparent interlayer insulating layer on the first transparent insulating layer; laminating a second transparent insulating layer on the first transparent interlayer insulating layer; and stacking a second transparent interlayer insulating layer on the second transparent insulating layer.
상기 제1 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고, 상기 제2 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고, 상기 제1 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고, 상기 제2 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.The step of laminating the first insulating layer and the step of laminating the first transparent insulating layer are performed simultaneously, and the step of laminating the second insulating layer and the step of laminating the second transparent insulating layer are performed simultaneously, The step of laminating the first interlayer insulating layer and the step of laminating the first transparent interlayer insulating layer are performed simultaneously, and the step of laminating the second interlayer insulating layer and the step of laminating the second transparent interlayer insulating layer are can be performed simultaneously.
본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법은 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 거울창을 형성하되, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 거울창이 배치되도록 반사 물질로 이루어지는 거울창을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention, a plurality of pixel mirror windows are formed on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and the pixel light emitting unit is formed in the pixel area. The method may further include forming mirror windows made of a reflective material so that each pixel mirror window is disposed in a one-to-one correspondence with the pixel mirror windows.
본 발명의 실시예에 의하면, 디스플레이 패널 내에 화소 단위로 태양 전지(solar cell)가 자체적으로 내장되어 디스플레이 패널 시청과 동시에 태양광 에너지로부터 전력 충전이 가능하며, 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 에너지 효율을 극대화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a solar cell is built into the display panel in units of pixels, so that power can be charged from sunlight energy while viewing the display panel, maximizing the energy efficiency of the organic light emitting diode display panel. can do.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 화소 레이아웃 내에 화소 투명창을 포함하여 투과율이 높은 창문형 투명 디스플레이 패널을 구현할 수 있는 투명 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법이 제공된다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a transparent organic light emitting diode display panel capable of implementing a window-type transparent display panel having high transmittance by including a pixel transparent window in a pixel layout and a manufacturing method thereof are provided.
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 화소 레이아웃 내에 화소 거울창을 포함하여 미러 디스플레이 패널을 구현할 수 있는 미러형(거울형) 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 그 제조 방법이 제공된다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a mirror type (mirror type) organic light emitting diode display panel capable of implementing a mirror display panel by including a pixel mirror window in a pixel layout and a manufacturing method thereof are provided.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 대략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 화소 발광부의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 화소 발광부의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 14는 도 13의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다.
도 15 내지 도 20은 도 14에 도시된 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다.
도 23 내지 도 28은 도 22에 도시된 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 30은 도 29의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다.1 is a schematic plan view of a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 and 5 are views for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention.
7 and 8 are cross-sectional views of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to various embodiments of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a pixel light emitting unit constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a pixel light emitting unit constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention.
13 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 13 .
15 to 20 are diagrams for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment shown in FIG. 14 .
21 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
22 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 21 .
23 to 28 are diagrams for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment shown in FIG. 22 .
29 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 30 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 29 .
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.
본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안을 명확하게 하기 위한 발명의 구성을 본 발명의 바람직한 실시예에 근거하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 도면의 구성요소들에 참조번호를 부여함에 있어서 동일 구성요소에 대해서는 비록 다른 도면상에 있더라도 동일 참조번호를 부여하였으며 당해 도면에 대한 설명 시 필요한 경우 다른 도면의 구성요소를 인용할 수 있음을 미리 밝혀둔다.The configuration of the present invention for clarifying the solution to the problem to be solved by the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings based on a preferred embodiment of the present invention, but the same reference numerals are assigned to the components of the drawings. For components, even if they are on other drawings, the same reference numerals have been given, and it is made clear in advance that components of other drawings can be cited if necessary in the description of the drawings.
한편, 상측, 하측, 일측, 타측 등과 같은 방향성 용어는 개시된 도면들의 배향과 관련하여 사용된다. 본 발명의 실시예의 구성 요소는 다양한 배향으로 위치 설정될 수 있으므로, 방향성 용어는 예시를 목적으로 사용되는 것이지 이를 제한하는 것은 아니다.Meanwhile, directional terms such as upper side, lower side, one side, and the other side are used in relation to the orientation of the disclosed drawings. Since components of embodiments of the present invention may be positioned in a variety of orientations, directional terms are used for purposes of illustration and not limitation.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Also, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 대략적인 평면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a schematic plan view of a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. 3 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널(10)은 기판(110) 상에 소정의 제1 배열 구조로 복수개의 화소(100)가 배열되는 유기발광다이오드 패널(20)과, 유기발광다이오드 패널(20)의 복수개의 화소(100)에 마련된 구동 박막트랜지스터와 스위칭 박막트랜지스터를 제어하기 위한 제어부(30, 40), 및 기판(110) 상에 각 화소(100)마다 화소 태양전지(300)가 배치되는 태양 전지(solar cell)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , a hybrid organic light emitting
유기발광다이오드 패널은 각 화소(100)마다 화소 발광부(200)가 마련될 수 있다. 실시예에서, 화소 발광부(200)는 적색 발광 화소(202)와, 녹색 발광 화소(204), 및 청색 발광 화소(206)를 포함할 수 있다. 화소 발광부(200)에 관하여 당업계에서 잘 알려진 구성에 대하여는 상세한 설명이 생략될 수 있다.In the organic light emitting diode panel, a pixel
화소 발광부(200)는 유기발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diodes)(230)와, 유기발광다이오드(230)를 구동하는 구동 박막트랜지스터(210), 및 구동 박막트랜지스터(210)를 스위칭하는 스위칭 박막 트랜지스터(220)를 포함할 수 있다.The pixel
복수개의 화소 태양전지(300)는 기판(110) 상에 복수개의 화소(100)와 대응하도록 복수개의 화소 발광부(200)와 동일한 제1 배열 구조로 배열될 수 있다. 제1 배열 구조는 복수개의 행 단위와 복수개의 열 단위로 배열되는 매트릭스 구조일 수 있다.The plurality of pixel
각 화소 태양전지(300)는 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 화소 발광부(200)와 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 복수개의 화소(100)에 마련되는 복수개의 화소 발광부(200)와 복수개의 화소 태양전지(300)는 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열될 수 있다.Each pixel
화소 발광부(200)는 단일 화소에 해당하는 화소 영역 내의 제1 영역에 배치될 수 있다. 화소 태양전지(300)는 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내의 모서리 영역에 해당하는 제2 영역에 배치될 수 있다. 화소 태양전지(300)가 배치되는 제2 영역은 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 화소 발광부(200)가 형성된 제1 영역과 중첩되지 않는 영역으로, 예를 들어, R/G/B 화소의 하단이나 인접한 영역일 수 있다.The pixel
구동 박막트랜지스터(210)는 기판(110)과 기판(110) 상의 버퍼층(120) 상에 형성되는 제1 채널층(211), 제1 절연층(212), 제1 채널층(211) 상에 절연되게 형성되는 제1 게이트층(213), 제1 게이트층(213)을 덮는 제1 층간 절연층(214), 제1 층간 절연층(214) 상에 형성되는 절연층(215), 및 제1 채널층(211)에 전기적으로 연결되는 제1 드레인/소스 전극(216, 217)을 포함할 수 있다.The driving
기판(110)은 예를 들어, 유리(glass) 기판 또는 폴리이미드(Polyimide) 기판이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 버퍼층(120)은 SiNx, SiOx, SiONx 등의 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 버퍼층(120)은 단일 버퍼층이나 이중 버퍼층 또는 삼중 이상의 버퍼층으로 다양하게 구현될 수 있다.The
스위칭 박막트랜지스터(220)는 기판(110)과 기판(110) 상의 버퍼층(120) 상에 형성되는 제2 채널층(221), 제2 채널층(221) 상에 형성되는 절연층(225), 절연층(225) 상에 제2 채널층(221)과 절연되게 형성되는 제2 게이트층(222), 및 제2 채널층(221)에 전기적으로 연결되는 제2 드레인/소스 전극(223, 224)을 포함할 수 있다.The switching
화소 태양전지(300)는 기판(110) 상에 적층되는 제1 전극층(310), 제1 전극층(310) 상에 적층되는 제1 반도체층(320), 제1 반도체층(320) 상에 이종 접합 구조로 적층되는 제2 반도체층(330), 및 제2 반도체층(330) 상에 적층되는 제2 전극층(340)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(310)은 Ti, Mo 등과 같이, ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화 후 약 450℃ 온도의 어닐링에서도 안정한 금속 전극이 사용될 수 있다.The pixel
화소 발광부(200)를 구성하는 구동 박막트랜지스터(210)의 제1 채널층(211)과 화소 태양전지(300)의 제1 반도체층(320)은 N-형 및 P-형 중 어느 하나의 제1 형에 해당하는 동일한 제1 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 도시된 예에서, 제1 채널층(211)과 제1 반도체층(320)은 B, Al, Ga 등이 도핑된 P-형 폴리-실리콘(P-type polycrystalline Silicon) 반도체 물질로 이루어진다.The
화소 발광부(200)를 구성하는 구동 박막트랜지스터(210)의 제2 채널층(221)과 화소 태양전지(300)의 제2 반도체층(330)은 N-형 및 P-형 중 다른 하나의 제2 형에 해당하는 동일한 제2 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 도시된 예에서, 제2 채널층(221)과 제2 반도체층(330)은 N-형 IGZO 산화물 반도체 물질로 이루어진다.The
N-형 반도체층은 예를 들어, In:Ga:Zn = 1:1:1인 a-IGZO 물질을 스퍼터링하여 형성될 수 있다. P-형 반도체층은 예를 들어, 보론(Boron) 도핑된 a-Si 물질로 이루어질 수 있으며, 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 방식으로 성막 후 도핑 물질을 주입(implant)하거나, a-Si 물질을 ELA 처리한 후 보론을 도핑하는 등의 방법으로 형성될 수 있다.The N-type semiconductor layer may be formed, for example, by sputtering an a-IGZO material in which In:Ga:Zn = 1:1:1. The P-type semiconductor layer may be formed of, for example, an a-Si material doped with boron, and a doping material may be implanted after deposition using a chemical vapor deposition (CVD) method, or a- It may be formed by a method such as ELA-treating the Si material and then doping it with boron.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 먼저 도 4를 참조하면, 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 화소 태양전지의 제1 전극층(310)이 적층된 후, 화소 발광부의 제1 채널층(211)을 적층하는 단계와 화소 태양전지의 제1 전극층(310) 상에 제1 반도체층(320)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.4 and 5 are views for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention. First, referring to FIG. 4 , after the
도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 화소 발광부의 제1 채널층(211), 제1 절연층(212), 제1 게이트층(213), 및 제1 층간 절연층(214)이 적층된 후, 화소 발광부의 제2 채널층(221)을 적층하는 단계와 화소 태양전지의 제1 반도체층(320) 상에 제2 반도체층(330)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Referring to FIG. 5 , a
이때, 화소 발광부의 구동 박막트랜지스터(210)와 스위칭 박막트랜지스터(220)의 반도체층인 두 채널층에 사용되는 동일 재료를 화소 태양전지(300)의 N-형 반도체 물질 및 P-형 반도체 물질로 적용하여 하이브리드 P-N 접합(Junction)을 형성할 수 있다. 한편, 화소 태양전지의 상부 전극에 해당하는 제2 전극층(340)은 구동 박막트랜지스터(210)와 스위칭 박막트랜지스터(220)의 드레인/소스 전극을 형성할 때 동시에 패터닝함으로써 공정 단순화가 가능하다.At this time, the same material used for the two channel layers, which are the semiconductor layers of the driving
이와 같이 화소 발광부의 구동 박막트랜지스터(210)와 스위칭 박막트랜지스터의 패터닝 공정에서 동시에 화소 태양전지 구조를 패터닝하여 화소 발광부의 제1 채널층(211)과 화소 태양전지의 제1 반도체층(320)을 동시에 형성하고, 화소 발광부의 제2 채널층(221)과 화소 태양전지의 제2 반도체층(330)을 동시에 형성할 수 있으며, 화소 태양전지를 형성하기 위한 공정을 간소화하고 공정 비용 및 시간을 단축할 수 있다.In this way, in the patterning process of the driving
이상에서는 구동 박막트랜지스터(210)를 형성한 후 스위칭 박막 트랜지스터(220)를 형성하는 실시예에 대해 설명하였으나, 스위칭 박막트랜지스터(220)를 먼저 형성한 후 구동 박막 트랜지스터(210)를 형성하거나, 구동 박막트랜지스터(210)와 스위칭 박막 트랜지스터(220)를 동시에 형성하는 것도 가능하다.In the above, the embodiment in which the switching
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다. 도 6에 도시된 실시예는 화소 태양전지(300)의 제1 반도체층(320)과 제2 반도체층(330) 사이에 순수 폴리-실리콘층(intrinsic poly-Si layer)(350)가 형성되어 N-i-P 이종접합(Hetero junction) 구조를 가지는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다.6 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 6, an intrinsic poly-
도 7 및 도 8은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다. 도 7에 도시된 실시예는 제2 채널층(221)과 제2 반도체층(330)이 모두 N-형 폴리-실리콘(N-type Poly-Si) 반도체 물질로 이루어져 화소 태양전지(300)가 N-i-P 동질접합(Homo junction) 구조를 가지는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 도 8에 도시된 실시예는 제1 채널층(211)과 제1 반도체층(320)이 모두 P-형 산화물 반도체 물질로 이루어져 화소 태양전지(300)가 산화물 P-i-N 동질접합 구조를 가지는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다.7 and 8 are cross-sectional views of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to various embodiments of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 7, both the
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다. 도 9에 도시된 실시예는 화소 태양전지(300)가 제1 화소 태양전지(302), 및 제2 화소 태양전지(304)를 포함하는 복수개의 화소 태양전지로 구성되는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 제1 화소 태양전지(302)와 제2 화소 태양전지(304)는 각각 도 2, 도 6에 도시된 화소 태양전지와 같으므로, 중복되는 설명은 생략한다.9 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention. The embodiment shown in FIG. 9 is the embodiment described above in that the pixel
화소 발광부(200)를 구성하는 유기발광다이오드(230)는 구동 박막트랜지스터(210)와 스위칭 박막트랜지스터(220) 상에 형성되는 평탄화층(231)과, 구동 박막트랜지스터(210)의 제1 드레인 전극 또는 제1 소스 전극에 연결되는 화소 전극(232, 233), 및 평탄화층(231) 상에 형성되는 화소 정의층(PDL; Pixel Define Layer)(234)을 포함할 수 있다.The organic
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단위 화소 단면도이다. 도 10에 도시된 실시예는 버퍼층(120)이 서로 적층되는 제1 버퍼층(122)과 제2 버퍼층(124)을 포함하고, 구동 박막트랜지스터(210)가 제1 버퍼층(122) 상에 제1 블로킹 금속층(126)을 더 포함하고, 스위칭 박막트랜지스터(220)가 제1 버퍼층(122) 상에 제2 블로킹 금속층(128)을 더 포함하는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다.10 is a cross-sectional view of a unit pixel of a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 10 , the
상술한 실시예에서 구동 박막트랜지스터(210)의 채널층과 스위칭 박막트랜지스터(220)의 채널층 중 어느 하나는 P-형 반도체 물질로 이루어지고, 다른 하나는 N-형 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 화소 태양전지(300)는 상하 적층된 복수의 반도체층 중 어느 하나는 P-형 반도체 물질로 이루어지고, 다른 하나는 N-형 반도체 물질로 이루어질 수 있다.In the above-described embodiment, one of the channel layer of the driving
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 화소 발광부의 단면도이다. 도 11에 도시된 실시예는 각 화소 단위로 하부 기판에 해당하는 기판(110)과 상부 기판(250) 사이의 측면부가 봉지재(sealant)로 이루어지는 실링부(240)에 의해 실링되는 봉지(Glass Encapsulation) 구조를 갖는다. 상부 기판(250)은 예를 들어, 유리 또는 폴리이미드 기판이 사용될 수 있다.11 is a cross-sectional view of a pixel light emitting unit constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 11, the side surface between the
평탄화층(231) 상에는 유기발광다이오드 발광층(235)이 형성될 수 있다. 발광층(235) 상에는 전원 또는 접지 인가를 위한 상부 전극, 예를 들어 캐소드(Cathode) 전극 또는 어노드(Anode) 전극이 형성될 수 있다. 평탄화층(231)은 예를 들어, 폴리이미드(PI) 또는 폴리아미드(PA) 등의 OC 유기막 또는 무기막으로 이루어질 수 있다.An organic light emitting diode
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 화소 발광부의 단면도이다. 도 12에 도시된 실시예는 각 화소 단위로 화소 발광부(200)의 측면을 봉지하는 측면 박막 봉지 구조(262)와 화소 발광부(200)의 상면을 봉지하도록 상면 박막 봉지(Thin Film Encapsulation) 구조(264)로 외부 투습을 억제하는 봉지부(260)가 형성되고, 봉지부(260) 상에 보호 윈도우층(270)이 형성되는 구조를 갖는다. 봉지부(260)는 예를 들어, 무기막/모노머(Monomer)/무기막의 박막 봉지 구조로 이루어질 수 있다.12 is a cross-sectional view of a pixel light emitting unit constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention. The embodiment shown in FIG. 12 has a side thin
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 14는 도 13의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다. 도 13 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 복수개의 화소 투명창(400)을 포함하는 투명창을 더 포함하는 점에서, 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 화소 발광부(200)와 화소 태양전지(300)는 앞서 설명한 실시예에서 설명한 바 있으므로, 중복되는 설명을 생략하고, 화소 투명창(400)에 대해 중점적으로 설명한다.13 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG. 14 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 13 . Referring to FIGS. 13 and 14 , the hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention is similar to the previously described embodiment in that it further includes a transparent window including a plurality of pixel
복수개의 화소 투명창(400)은 기판(110) 상에 복수개의 화소(100)와 대응하도록 화소 발광부(200)와 동일한 제1 배열 구조로 배열될 수 있다. 각 화소 투명창(400)은 화소 단위로 정의되는 화소 영역 내에 화소 발광부(200)와 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 복수개의 화소 발광부(200)와 복수개의 화소 투명창(400)은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열될 수 있다.The plurality of pixel
화소 투명창(400)은 화소 단위로 정의되는 화소 영역 내의 제3 영역에 배치될 수 있다. 화소 투명창(400)이 배치되는 제3 영역은 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 화소 발광부(200)가 배치되는 제1 영역 및 화소 태양전지(300)가 배치되는 제2 영역과 중첩되지 않는 영역일 수 있다. 화소 투명창(400)은 무기막만 남기고 나머지 금속막은 모두 에칭(etching)하여 제거함으로써 투과율을 향상시킬 수 있다.The pixel
구동 박막트랜지스터(210)는 제1 게이트층(213)을 덮는 제1 층간 절연층(218), 제1 층간 절연층(218) 상에 적층되는 제2 절연층(214), 및 제2 절연층(214) 상에 형성되는 제2 층간 절연층(219)을 더 포함할 수 있다. 제2 채널층(221)은 제1 층간 절연층(218) 상에 적층되고, 제2 게이트층(222)은 제2 절연층(214) 상에 형성되며, 제2 층간 절연층(219)은 제2 게이트층(222)을 덮도록 형성될 수 있다.The driving
화소 투명창(400)은 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 적층되는 제1 투명 절연층(410), 제1 투명 절연층(410) 상에 적층되는 제1 투명 층간 절연층(420), 제1 투명 층간 절연층(420) 상에 적층되는 제2 투명 절연층(430), 및 제2 투명 절연층(430) 상에 적층되는 제2 투명 층간 절연층(440)을 포함할 수 있다.The pixel
제1 투명 절연층(410), 제1 투명 층간 절연층(420), 제2 투명 절연층(430), 제2 투명 층간 절연층(440)은 각각 독립적으로 SiOx, SiNx 또는 SiONx의 단일막으로 이루어지거나, SiOx, SiNx 및/또는 SiONx을 조합한 2중막(예를 들어, SiOx/SiNx, SiNx/SiOx, SiONx/SiNx 등) 또는 3중막(예를 들어, SiNx/SiOx/SiNx, SiOx/SiNx/SiOx, SiONx/SiOx/SiNx, 기타 조합) 등의 형태로 적층된 막으로 이루어질 수 있다.The first transparent insulating
구동 박막트랜지스터(210)의 제1 절연층(212)과 화소 투명창(400)의 제1 투명 절연층(410)은 동일한 제1 절연 물질로 이루어질 수 있다. 화소 발광부(200)의 제2 절연층(214)과 제2 투명 절연층(430)은 동일한 제2 절연 물질로 이루어질 수 있다.The first insulating
화소 발광부(200)의 제1 층간 절연층(218)과 화소 투명창(400)의 제1 투명 층간 절연층(420)은 동일한 제3 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 화소 발광부(200)의 제2 층간 절연층(219)과 화소 투명창(400)의 제2 투명 층간 절연층(440)은 동일한 제4 절연 물질로 이루어질 수 있다.The first
도 15 내지 도 20은 도 14에 도시된 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 먼저 도 15를 참조하면, 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 화소 태양전지의 제1 전극층(310)이 적층된 후, 화소 발광부의 제1 채널층(211)을 적층하는 단계와 화소 태양전지의 제1 전극층(310) 상에 제1 반도체층(320)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.15 to 20 are diagrams for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment shown in FIG. 14 . First, referring to FIG. 15 , after the
도 16을 참조하면, 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 제1 채널층(211)을 덮는 제1 절연층(212)을 적층하는 단계와, 화소 투명창의 제1 투명 절연층(410)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다. 또한, 도 17을 참조하면, 화소 발광부의 제1 절연층(212) 상에 제1 층간 절연층(218)을 적층하는 단계와, 화소 투명창(400)의 제1 투명 절연층(410) 상에 제1 투명 층간 절연층(420)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Referring to FIG. 16, stacking the first insulating
도 18을 참조하면, 화소 발광부의 제1 층간 절연층(218) 상에 제2 채널층(221)을 적층하는 단계와, 화소 태양전지의 제1 반도체층(320) 상에 제2 반도체층(330)을 적층하는 단계는 동시에 형성될 수 있다. 또한, 도 19를 참조하면, 화소 발광부의 제1 층간 절연층(218) 상에 제2 절연층(214)을 적층하는 단계와, 화소 투명창의 제1 투명 층간 절연층(420) 상에 제2 투명 절연층(430)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Referring to FIG. 18 , stacking the
또한, 도 20을 참조하면, 화소 발광부의 제2 절연층(214) 상에 제2 층간 절연층(219)을 적층하는 단계와, 화소 투명창(400)의 제2 투명 절연층(430) 상에 제2 투명 층간 절연층(440)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다. 이와 같이 화소 발광부와 화소 태양전지 및 화소 투명창이 동시에 형성되어 화소 태양전지 및 화소 투명창을 형성하기 위한 공정을 간소화하고 공정 비용 및 시간을 단축할 수 있다.Further, referring to FIG. 20 , the step of stacking the second
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 22는 도 21의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다. 도 21 및 도 22를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 Ag 등의 반사율이 우수한 반사 물질로 이루어지는 복수개의 화소 거울창(500)을 포함하는 거울창을 더 포함하는 점에서, 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 화소 발광부(200)와 화소 태양전지(300)는 앞서 설명한 실시예에서 설명한 바 있으므로, 중복되는 설명을 생략하고, 화소 거울창(500)에 대해 중점적으로 설명한다.21 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention. 22 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 21 . 21 and 22, the hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention further includes a plurality of
복수개의 화소 거울창(500)은 기판(110) 상에 복수개의 화소(100)와 대응하도록 화소 발광부(200)와 동일한 제1 배열 구조로 배열될 수 있다. 각 화소 거울창(500)은 화소 단위로 정의되는 화소 영역 내에 화소 발광부(200)와 일대일 대응하도록 배치될 수 있다. 복수개의 화소 발광부(200)와 복수개의 화소 거울창(500)은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열될 수 있다.The plurality of
화소 거울창(500)은 화소 단위로 정의되는 화소 영역 내의 제4 영역에 배치될 수 있다. 화소 거울창(500)이 배치되는 제4 영역은 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 화소 발광부(200)가 배치되는 제1 영역 및 화소 태양전지(300)가 배치되는 제2 영역과 중첩되지 않는 영역일 수 있다.The
화소 거울창(500)은 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 적층되는 제1 투명 절연층(하부 투명 절연층)(510), 제1 투명 절연층(510) 상에 적층되는 제1 투명 층간 절연층(하부 투명 층간 절연층)(520), 제1 투명 층간 절연층(520) 상에 적층되는 제2 투명 절연층(상부 투명 절연층)(530), 제2 투명 절연층(530) 상에 적층되는 제2 투명 층간 절연층(상부 투명 층간 절연층)(540), 및 제2 투명 층간 절연층(540) 상에 적층되는 반사 물질로 이루어지는 반사층(550)을 포함할 수 있다.The
구동 박막트랜지스터(210)의 제1 절연층(212)과 화소 거울창(500)의 제1 투명 절연층(510)은 동일한 제1 절연 물질로 이루어질 수 있다. 화소 발광부(200)의 제2 절연층(214)과 화소 거울창(500)의 제2 투명 절연층(530)은 동일한 제2 절연 물질로 이루어질 수 있다.The first insulating
화소 발광부(200)의 제1 층간 절연층(218)과 화소 거울창(500)의 제1 투명 층간 절연층(520)은 동일한 제3 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 화소 발광부(200)의 제2 층간 절연층(219)과 화소 거울창(500)의 제2 투명 층간 절연층(540)은 동일한 제4 절연 물질로 이루어질 수 있다. 반사층(550)은 무기막층의 상부에 최종적으로 고반사율을 나타내는 Ag 계 물질 등으로 적층되어 미러(Mirror) 효과를 구현할 수 있다.The first
도 23 내지 도 28은 도 22에 도시된 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 먼저 도 23을 참조하면, 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 화소 태양전지의 제1 전극층(310)이 적층된 후, 화소 발광부의 제1 채널층(211)을 적층하는 단계와 화소 태양전지의 제1 전극층(310) 상에 제1 반도체층(320)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.23 to 28 are diagrams for explaining a method of manufacturing a hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment shown in FIG. 22 . First, referring to FIG. 23 , after the
도 24를 참조하면, 기판(110)과 버퍼층(120) 상에 제1 채널층(211)을 덮는 제1 절연층(212)을 적층하는 단계와, 화소 거울창의 제1 투명 절연층(510)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다. 또한, 도 25를 참조하면, 화소 발광부의 제1 절연층(212) 상에 제1 층간 절연층(218)을 적층하는 단계와, 화소 거울창(500)의 제1 투명 절연층(510) 상에 제1 투명 층간 절연층(520)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Referring to FIG. 24 , stacking the first insulating
도 26을 참조하면, 화소 발광부의 제1 층간 절연층(218) 상에 제2 채널층(221)을 적층하는 단계와, 화소 태양전지의 제1 반도체층(320) 상에 제2 반도체층(330)을 적층하는 단계는 동시에 형성될 수 있다. 또한, 도 27을 참조하면, 화소 발광부의 제1 층간 절연층(218) 상에 제2 절연층(214)을 적층하는 단계와, 화소 거울창의 제1 투명 층간 절연층(520) 상에 제2 투명 절연층(530)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Referring to FIG. 26 , stacking the
또한, 도 28을 참조하면, 화소 발광부의 제2 절연층(214) 상에 제2 층간 절연층(219)을 적층하는 단계와, 화소 거울창(500)의 제2 투명 절연층(530) 상에 제2 투명 층간 절연층(540)을 적층하는 단계는 동시에 수행될 수 있다. 이와 같이 화소 발광부와 화소 태양전지 및 화소 거울창이 동시에 형성되어 화소 태양전지 및 화소 거울창을 형성하기 위한 공정을 간소화하고 공정 비용 및 시간을 단축할 수 있다.Also, referring to FIG. 28 , the step of stacking the second
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널을 구성하는 단일 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 30은 도 29의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 단일 화소 단면도이다. 도 29 및 도 30을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 각 화소 마다 화소 발광부(200)와 화소 태양전지(300), 화소 투명창(400), 및 화소 거울창(500)을 모두 포함하는 점에서 앞서 설명한 실시예와 차이가 있다. 화소 발광부(200), 화소 태양전지(300), 화소 투명창(400), 및 화소 거울창(500)은 앞서 설명한 실시예들을 통해 설명한바 있으므로, 중복되는 설명을 생략한다.29 is a plan view schematically illustrating a single pixel constituting a hybrid organic light emitting diode display panel according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG. 30 is a cross-sectional view of a single pixel of the hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of FIG. 29 . 29 and 30, the hybrid organic light emitting diode display panel according to another embodiment of the present invention includes a pixel
도 29 및 도 30의 실시예에 의하면, 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 복수개의 화소 발광부(200)에 의해 디스플레이 구현이 가능하고 거울 특성과 투명창 특성을 모두 가지는 디지플레이 패널이 제공됨과 동시에 복수개의 화소 태양전지에 의해 태양광 에너지를 수집하는 것이 가능하다.According to the embodiments of FIGS. 29 and 30 , a display can be implemented by the plurality of pixel
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널은 OLED 디스플레이, 플렉서블(Flexible) OLED 디스플레이, 롤러블(Rollable) OLED 디스플레이, TFT-LCD 등의 다양한 디스플레이 패널에 적용 가능하다.The hybrid organic light emitting diode display panel according to the embodiment of the present invention as described above can be applied to various display panels such as an OLED display, a flexible OLED display, a rollable OLED display, and a TFT-LCD.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art.
저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.
10: 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널
100: 화소
110: 기판
120: 버퍼층
126: 제1 블로킹 금속층
128: 제2 블로킹 금속층
200: 화소 발광부
210: 구동 박막트랜지스터
211: 제1 채널층
212: 제1 절연층
213: 제1 게이트층
214: 제1 층간 절연층
215: 절연층
216, 217: 제1 드레인/소스 전극
218: 제1 층간 절연층
219: 제2 층간 절연층
220: 스위칭 박막트랜지스터
221: 제2 채널층
222: 제2 게이트층
223, 224: 제2 드레인/소스 전극
230: 유기발광다이오드
231: 평탄화층
232, 233: 화소 전극
234: 화소 정의층
235: 유기발광다이오드 발광층
240: 실링부
250: 상부 기판
260: 봉지부
262: 측면 박막 봉지 구조
264: 상면 박막 봉지 구조
270: 보호 윈도우층
300: 화소 태양전지
310: 제1 전극층
320: 제1 반도체층
330: 제2 반도체층
340: 제2 전극층
350: 순수 폴리-실리콘층
400: 화소 투명창
410: 제1 투명 절연층
420: 제1 투명 층간 절연층
430: 제2 투명 절연층
440: 제2 투명 층간 절연층
500: 화소 거울창
510: 제1 투명 절연층(하부 투명 절연층)
520: 제1 투명 층간 절연층(하부 투명 층간 절연층)
530: 제2 투명 절연층(상부 투명 절연층)
540: 제2 투명 층간 절연층(상부 투명 층간 절연층)
550: 반사층10: hybrid organic light emitting diode display panel
100: pixels
110: substrate
120: buffer layer
126: first blocking metal layer
128: second blocking metal layer
200: pixel light emitting unit
210: driving thin film transistor
211: first channel layer
212: first insulating layer
213: first gate layer
214: first interlayer insulating layer
215: insulating layer
216, 217: first drain/source electrode
218: first interlayer insulating layer
219: second interlayer insulating layer
220: switching thin film transistor
221: second channel layer
222: second gate layer
223, 224: second drain/source electrode
230: organic light emitting diode
231: planarization layer
232, 233: pixel electrode
234: pixel definition layer
235: organic light emitting diode light emitting layer
240: sealing part
250: upper board
260: encapsulation
262: side thin film encapsulation structure
264: top thin film encapsulation structure
270: protective window layer
300: pixel solar cell
310: first electrode layer
320: first semiconductor layer
330: second semiconductor layer
340: second electrode layer
350: pure poly-silicon layer
400: pixel transparent window
410: first transparent insulating layer
420: first transparent interlayer insulating layer
430: second transparent insulating layer
440: second transparent interlayer insulating layer
500: pixel mirror window
510: first transparent insulating layer (lower transparent insulating layer)
520: first transparent interlayer insulating layer (lower transparent interlayer insulating layer)
530: second transparent insulating layer (upper transparent insulating layer)
540: second transparent interlayer insulating layer (upper transparent interlayer insulating layer)
550: reflective layer
Claims (18)
기판 상에 소정의 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되고, 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되는 유기발광다이오드 패널;
상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 태양전지를 포함하고, 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되는 태양 전지; 및
상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 투명창을 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 투명창이 배치되는 투명창;을 포함하고,
상기 구동 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제1 채널층, 상기 제1 채널층 상에 절연되게 형성되는 제1 게이트층, 상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되는 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극, 상기 제1 채널층 상에 적층되는 제1 절연층, 상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층, 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되는 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 상에 형성되는 제2 층간 절연층을 포함하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 기판 상의 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상에 절연되게 형성되는 제2 게이트층, 및 상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되는 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 포함하고,
상기 화소 투명창은 상기 기판 상에 적층되는 제1 투명 절연층, 상기 제1 투명 절연층 상에 적층되는 제1 투명 층간 절연층, 상기 제1 투명 층간 절연층 상에 적층되는 제2 투명 절연층, 및 상기 제2 투명 절연층 상에 적층되는 제2 투명 층간 절연층을 포함하고,
상기 제2 채널층은 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되고, 상기 제2 게이트층은 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제2 게이트층을 덮도록 형성되고,
상기 제1 절연층과 상기 제1 투명 절연층은 동일한 제1 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연층과 상기 제2 투명 절연층은 동일한 제2 절연 물질로 이루어지고, 상기 제1 층간 절연층과 상기 제1 투명 층간 절연층은 동일한 제3 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 층간 절연층과 상기 제2 투명 층간 절연층은 동일한 제4 절연 물질로 이루어지고,
상기 복수개의 화소에 마련되는 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 태양전지는 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고,
상기 화소 발광부는 상기 화소 영역 내의 제1 영역에 배치되고,
상기 화소 태양전지는 상기 화소 영역 내의 모서리 영역에 해당하는 제2 영역에 배치되고,
상기 제2 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역과 중첩되지 않는 영역이고,
상기 화소 태양전지는 상기 기판 상의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 적층되는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 적층되는 제2 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 적층되는 제2 전극층을 포함하고,
상기 제1 채널층과 상기 제1 반도체층은 N-형 및 P-형 중 어느 하나의 제1 형에 해당하는 동일한 제1 반도체 물질로 이루어지고,
상기 스위칭 박막트랜지스터는 상기 기판 상의 제2 채널층, 상기 제2 채널층 상에 절연되게 형성되는 제2 게이트층, 및 상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되는 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 포함하고,
상기 제2 채널층과 상기 제2 반도체층은 N-형 및 P-형 중 다른 하나의 제2 형에 해당하는 동일한 제2 반도체 물질로 이루어지고,
상기 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 투명창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고,
상기 화소 투명창은 상기 화소 영역 내의 제3 영역에 배치되고,
상기 제3 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역이고,
반사 물질로 이루어지고 상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 배열되는 복수개의 화소 거울창을 포함하고, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 거울창이 배치되는 거울창;을 더 포함하고,
상기 복수개의 화소 발광부와 상기 복수개의 화소 거울창은 서로 동일한 배열 주기를 가지도록 배열되고,
상기 화소 거울창은 상기 화소 영역 내의 제4 영역에 배치되고,
상기 제4 영역은 상기 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널의 평면 상에서 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 중첩되지 않는 영역이고,
상기 화소 거울창은 상기 기판 상에 적층되는 하부 투명 절연층, 상기 하부 투명 절연층 상에 적층되는 하부 투명 층간 절연층, 상기 하부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 상부 투명 절연층, 상기 상부 투명 절연층 상에 적층되는 상부 투명 층간 절연층, 및 상기 상부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 반사 물질로 이루어지는 반사층을 포함하고,
상기 화소 발광부의 상기 제1 채널층과 상기 화소 태양전지의 상기 제1 반도체층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 화소 발광부의 상기 제2 채널층과 상기 화소 태양전지의 상기 제2 반도체층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 화소 발광부의 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터의 반도체층인 두 채널층에 사용되는 동일 재료가 상기 화소 태양전지의 N-형 반도체 물질 및 P-형 반도체 물질로 적용되어 하이브리드 P-N 접합이 형성되고,
상기 제1 절연층 및 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 화소 발광부의 상기 제1 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 하부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 제2 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 제2 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되는, 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널.As a hybrid organic light emitting diode display panel,
A plurality of pixels are arranged on a substrate in a predetermined first arrangement structure, and each pixel includes an organic light emitting diode, a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode, and a switching thin film transistor for switching the driving thin film transistor. An organic light emitting diode panel provided with a part;
A plurality of pixel solar cells arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and each pixel solar cell is disposed to correspond to the pixel light emitting unit in a pixel area set in a pixel unit. solar cells; and
a plurality of pixel transparent windows arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and a transparent window in which each pixel transparent window is disposed in a one-to-one correspondence with the pixel light emitting unit in the pixel area; include,
The driving thin film transistor includes a first channel layer on the substrate, a first gate layer formed to be insulated on the first channel layer, a first drain electrode and a first source electrode electrically connected to the first channel layer, the A first insulating layer stacked on the first channel layer, a first interlayer insulating layer covering the first gate layer, a second insulating layer stacked on the first interlayer insulating layer, and formed on the second insulating layer Including a second interlayer insulating layer,
The switching thin film transistor includes a second channel layer on the substrate, a second gate layer formed to be insulated on the second channel layer, and a second drain electrode and a second source electrode electrically connected to the second channel layer. include,
The pixel transparent window includes a first transparent insulating layer laminated on the substrate, a first transparent interlayer insulating layer laminated on the first transparent insulating layer, and a second transparent insulating layer laminated on the first transparent interlayer insulating layer. , And a second transparent interlayer insulating layer laminated on the second transparent insulating layer,
The second channel layer is stacked on the first interlayer insulating layer, the second gate layer is formed on the second insulating layer, and the second interlayer insulating layer is formed to cover the second gate layer. ,
The first insulating layer and the first transparent insulating layer are made of the same first insulating material, the second insulating layer and the second transparent insulating layer are made of the same second insulating material, and the first interlayer insulating layer is made of the same second insulating material. and the first transparent interlayer insulating layer are made of the same third insulating material, and the second interlayer insulating layer and the second transparent interlayer insulating layer are made of the same fourth insulating material,
The plurality of pixel light emitting units provided in the plurality of pixels and the plurality of pixel solar cells are arranged to have the same arrangement period,
The pixel light emitting unit is disposed in a first region within the pixel region,
The pixel solar cell is disposed in a second area corresponding to a corner area within the pixel area,
The second area is an area that does not overlap with the first area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel;
The pixel solar cell includes a first electrode layer on the substrate, a first semiconductor layer stacked on the first electrode layer, a second semiconductor layer stacked on the first semiconductor layer in a heterojunction structure, and a second semiconductor layer stacked on the second semiconductor layer. Including a second electrode layer to be laminated,
The first channel layer and the first semiconductor layer are made of the same first semiconductor material corresponding to a first type of any one of N-type and P-type,
The switching thin film transistor includes a second channel layer on the substrate, a second gate layer formed to be insulated on the second channel layer, and a second drain electrode and a second source electrode electrically connected to the second channel layer. include,
The second channel layer and the second semiconductor layer are made of the same second semiconductor material corresponding to a second type of the other of N-type and P-type,
The plurality of pixel light emitting units and the plurality of pixel transparent windows are arranged to have the same arrangement period,
The pixel transparent window is disposed in a third area within the pixel area,
The third area is an area that does not overlap the first area and the second area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel;
and a plurality of pixel mirror windows made of a reflective material and arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, wherein each pixel mirror window is disposed in a one-to-one correspondence with the pixel light emitting unit in the pixel area. A mirror window to be further included,
The plurality of pixel light emitting units and the plurality of pixel mirror windows are arranged to have the same arrangement period,
The pixel mirror window is disposed in a fourth area within the pixel area,
The fourth area is an area that does not overlap the first area and the second area on a plane of the hybrid organic light emitting diode display panel;
The pixel mirror window includes a lower transparent insulating layer laminated on the substrate, a lower transparent interlayer insulating layer laminated on the lower transparent insulating layer, an upper transparent insulating layer laminated on the lower transparent interlayer insulating layer, and the upper transparent insulating layer. An upper transparent interlayer insulating layer laminated on the upper transparent interlayer insulating layer, and a reflective layer made of a reflective material laminated on the upper transparent interlayer insulating layer,
The first channel layer of the pixel light emitting part and the first semiconductor layer of the pixel solar cell are formed by being simultaneously stacked;
The second channel layer of the pixel light emitting part and the second semiconductor layer of the pixel solar cell are formed by being simultaneously stacked;
The same material used for the two channel layers, which are the semiconductor layers of the driving thin film transistor and the switching thin film transistor of the pixel light emitting unit, is applied as the N-type semiconductor material and the P-type semiconductor material of the pixel solar cell to form a hybrid PN junction. become,
The first insulating layer and the first transparent insulating layer of the pixel transparent window are simultaneously laminated and produced;
The first interlayer insulating layer of the pixel light emitting part, the first transparent interlayer insulating layer of the pixel transparent window, and the lower transparent interlayer insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced;
The second insulating layer, the second transparent insulating layer of the pixel transparent window, and the upper transparent insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced;
wherein the second interlayer insulating layer, the second transparent interlayer insulating layer of the pixel transparent window, and the upper transparent interlayer insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced.
기판 상에 제1 배열 구조로 복수개의 화소가 배열되도록 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계; 및
상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 태양전지가 배열되도록 태양 전지를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 각 화소마다 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터를 스위칭하는 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 발광부가 마련되도록 상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 태양 전지를 형성하는 단계는 화소 단위로 설정되는 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 대응하도록 각 화소 태양전지가 배치되도록 상기 태양 전지를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 투명창을 형성하되, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 투명창을 배치하여 투명창을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 제1 채널층을 적층하는 단계;
상기 제1 채널층 상에 제1 절연층을 적층하는 단계;
상기 제1 채널층 상에 절연되도록 제1 게이트층을 형성하는 단계;
상기 제1 채널층에 전기적으로 연결되도록 제1 드레인 전극과 제1 소스 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 게이트층을 덮는 제1 층간 절연층을 적층하는 단계;
상기 제1 층간 절연층 상에 제2 절연층을 적층하는 단계; 및
상기 제2 절연층 상에 제2 층간 절연층을 적층하는 단계;를 포함하고,
상기 유기발광다이오드 패널을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 상기 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 제2 채널층을 적층하는 단계;
상기 제2 채널층 상에 절연되게 제2 게이트층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 채널층에 전기적으로 연결되도록 제2 드레인 전극과 제2 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제2 채널층은 상기 제1 층간 절연층 상에 적층되고, 상기 제2 게이트층은 상기 제2 절연층 상에 형성되고, 상기 제2 층간 절연층은 상기 제2 게이트층을 덮도록 형성되고,
상기 투명창을 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 제1 투명 절연층을 적층하는 단계;
상기 제1 투명 절연층 상에 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계;
상기 제1 투명 층간 절연층 상에 제2 투명 절연층을 적층하는 단계; 및
상기 제2 투명 절연층 상에 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 절연층과 상기 제1 투명 절연층은 동일한 제1 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 절연층과 상기 제2 투명 절연층은 동일한 제2 절연 물질로 이루어지고, 상기 제1 층간 절연층과 상기 제1 투명 층간 절연층은 동일한 제3 절연 물질로 이루어지고, 상기 제2 층간 절연층과 상기 제2 투명 층간 절연층은 동일한 제4 절연 물질로 이루어지고,
상기 태양 전지를 형성하는 단계는:
상기 기판 상에 제1 전극층을 적층하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 제1 반도체층을 적층하는 단계;
상기 제1 반도체층 상에 이종 접합 구조로 제2 반도체층을 적층하는 단계; 및
상기 제2 반도체층 상에 제2 전극층을 적층하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 채널층과 상기 제1 반도체층은 N-형 및 P-형 중 어느 하나의 제1 형에 해당하는 동일한 제1 반도체 물질로 이루어지고,
상기 제2 채널층과 상기 제2 반도체층은 N-형 및 P-형 중 다른 하나의 제2 형에 해당하는 동일한 제2 반도체 물질로 이루어지고,
상기 제1 채널층을 적층하는 단계와 상기 제1 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 제2 채널층을 적층하는 단계와 상기 제2 반도체층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 제1 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 제2 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 제1 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제1 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 제2 층간 절연층을 적층하는 단계와 상기 제2 투명 층간 절연층을 적층하는 단계는 동시에 수행되고,
상기 기판 상에 상기 복수개의 화소와 대응하도록 상기 제1 배열 구조로 복수개의 화소 거울창을 형성하되, 상기 화소 영역 내에 상기 화소 발광부와 일대일 대응하도록 각 화소 거울창이 배치되도록 반사 물질로 이루어지는 거울창을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 화소 거울창은 상기 기판 상에 적층되는 하부 투명 절연층, 상기 하부 투명 절연층 상에 적층되는 하부 투명 층간 절연층, 상기 하부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 상부 투명 절연층, 상기 상부 투명 절연층 상에 적층되는 상부 투명 층간 절연층, 및 상기 상부 투명 층간 절연층 상에 적층되는 반사 물질로 이루어지는 반사층을 포함하고,
상기 화소 발광부의 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 스위칭 박막트랜지스터의 반도체층인 두 채널층에 사용되는 동일 재료가 상기 화소 태양전지의 N-형 반도체 물질 및 P-형 반도체 물질로 적용되어 하이브리드 P-N 접합이 형성되고,
상기 화소 발광부의 상기 제1 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제1 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 하부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 제2 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 절연층은 동시에 적층되어 생성되고,
상기 제2 층간 절연층, 상기 화소 투명창의 상기 제2 투명 층간 절연층 및 상기 화소 거울창의 상기 상부 투명 층간 절연층은 동시에 적층되어 생성되는, 하이브리드 유기발광다이오드 디스플레이 패널 제조 방법.A hybrid organic light emitting diode display panel manufacturing method for manufacturing the hybrid organic light emitting diode display panel of claim 1,
forming an organic light emitting diode panel such that a plurality of pixels are arranged in a first array structure on a substrate; and
Forming a solar cell such that a plurality of pixel solar cells are arranged on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels;
The forming of the organic light emitting diode panel may include providing a pixel light emitting unit including an organic light emitting diode for each pixel, a driving thin film transistor for driving the organic light emitting diode, and a switching thin film transistor for switching the driving thin film transistor. comprising forming a panel;
The step of forming the solar cells includes forming the solar cells so that each pixel solar cell is disposed to correspond to the pixel light emitting unit in a pixel area set on a pixel basis;
Forming a plurality of pixel transparent windows in the first array structure on the substrate to correspond to the plurality of pixels, and forming a transparent window by arranging each pixel transparent window in a one-to-one correspondence with the pixel light emitting unit in the pixel area step; further comprising,
The forming of the organic light emitting diode panel includes forming the driving thin film transistor on the substrate,
Forming the driving thin film transistor is:
stacking a first channel layer on the substrate;
stacking a first insulating layer on the first channel layer;
forming a first gate layer to be insulated on the first channel layer;
forming a first drain electrode and a first source electrode to be electrically connected to the first channel layer;
depositing a first interlayer insulating layer covering the first gate layer;
stacking a second insulating layer on the first interlayer insulating layer; and
Laminating a second interlayer insulating layer on the second insulating layer; Including,
The forming of the organic light emitting diode panel further includes forming the switching thin film transistor on the substrate,
Forming the switching thin film transistor is:
stacking a second channel layer on the substrate;
forming a second gate layer to be insulated on the second channel layer; and
Forming a second drain electrode and a second source electrode to be electrically connected to the second channel layer; including,
The second channel layer is stacked on the first interlayer insulating layer, the second gate layer is formed on the second insulating layer, and the second interlayer insulating layer is formed to cover the second gate layer. ,
Forming the transparent window is:
laminating a first transparent insulating layer on the substrate;
laminating a first transparent interlayer insulating layer on the first transparent insulating layer;
laminating a second transparent insulating layer on the first transparent interlayer insulating layer; and
Laminating a second transparent interlayer insulating layer on the second transparent insulating layer; Including,
The first insulating layer and the first transparent insulating layer are made of the same first insulating material, the second insulating layer and the second transparent insulating layer are made of the same second insulating material, and the first interlayer insulating layer is made of the same second insulating material. and the first transparent interlayer insulating layer are made of the same third insulating material, and the second interlayer insulating layer and the second transparent interlayer insulating layer are made of the same fourth insulating material,
Forming the solar cell comprises:
laminating a first electrode layer on the substrate;
stacking a first semiconductor layer on the first electrode layer;
stacking a second semiconductor layer in a heterojunction structure on the first semiconductor layer; and
Including; stacking a second electrode layer on the second semiconductor layer,
The first channel layer and the first semiconductor layer are made of the same first semiconductor material corresponding to a first type of any one of N-type and P-type,
The second channel layer and the second semiconductor layer are made of the same second semiconductor material corresponding to a second type of the other of N-type and P-type,
The step of stacking the first channel layer and the step of stacking the first semiconductor layer are performed simultaneously,
The step of stacking the second channel layer and the step of stacking the second semiconductor layer are performed simultaneously,
The step of laminating the first insulating layer and the step of laminating the first transparent insulating layer are performed simultaneously,
The step of laminating the second insulating layer and the step of laminating the second transparent insulating layer are performed simultaneously,
The step of laminating the first interlayer insulating layer and the step of laminating the first transparent interlayer insulating layer are performed simultaneously,
The step of laminating the second interlayer insulating layer and the step of laminating the second transparent interlayer insulating layer are performed simultaneously,
A plurality of pixel mirror windows are formed on the substrate in the first array structure to correspond to the plurality of pixels, and the mirror windows made of a reflective material are disposed so as to correspond one-to-one with the pixel light emitting part in the pixel area. Forming a; further comprising,
The pixel mirror window includes a lower transparent insulating layer laminated on the substrate, a lower transparent interlayer insulating layer laminated on the lower transparent insulating layer, an upper transparent insulating layer laminated on the lower transparent interlayer insulating layer, and the upper transparent insulating layer. An upper transparent interlayer insulating layer laminated on the upper transparent interlayer insulating layer, and a reflective layer made of a reflective material laminated on the upper transparent interlayer insulating layer,
The same material used for the two channel layers, which are the semiconductor layers of the driving thin film transistor and the switching thin film transistor of the pixel light emitting unit, is applied as the N-type semiconductor material and the P-type semiconductor material of the pixel solar cell to form a hybrid PN junction. become,
The first interlayer insulating layer of the pixel light emitting part, the first transparent interlayer insulating layer of the pixel transparent window, and the lower transparent interlayer insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced;
The second insulating layer, the second transparent insulating layer of the pixel transparent window, and the upper transparent insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced;
wherein the second interlayer insulating layer, the second transparent interlayer insulating layer of the pixel transparent window, and the upper transparent interlayer insulating layer of the pixel mirror window are simultaneously laminated and produced.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210137322A KR102468475B1 (en) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | Hybrid OLED display panel and method of manufacturing the same |
| PCT/KR2022/004573 WO2023063510A1 (en) | 2021-10-15 | 2022-03-31 | Hybrid organic light-emitting diode display panel and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210137322A KR102468475B1 (en) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | Hybrid OLED display panel and method of manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102468475B1 true KR102468475B1 (en) | 2022-11-17 |
Family
ID=84233252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210137322A KR102468475B1 (en) | 2021-10-15 | 2021-10-15 | Hybrid OLED display panel and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102468475B1 (en) |
Citations (4)
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2021
- 2021-10-15 KR KR1020210137322A patent/KR102468475B1/en active IP Right Grant
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