KR102465792B1 - Sound Producing Device - Google Patents

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Abstract

사운드 생성 디바이스는 제1 구동 신호에 의해 구동되고 제1 오디오 대역 상에서 제1 음향 사운드를 생성하도록 구성된 제1 사운드 생성 셀, 및 제2 구동 신호에 의해 구동되고 상기 제1 오디오 대역과 상이한 제2 오디오 대역 상에서 제2 음향 사운드를 생성하도록 구성된 제2 사운드 생성 셀을 포함한다. 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인과 제2 사운드 생성 셀의 제2 멤브레인은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 제조 멤브레인이다. 제1 오디오 대역은 제1 최대 주파수에 의해 상한이 제한되며, 제2 오디오 대역은 제2 최대 주파수에 의해 상한이 제한된다. 제1 멤브레인의 제1 공진 주파수는 제1 구동 신호의 제1 최대 주파수보다 높다. 제2 멤브레인의 제2 공진 주파수는 제2 구동 신호의 제2 최대 주파수보다 높다.The sound generating device includes a first sound generating cell driven by a first drive signal and configured to generate a first acoustic sound on a first audio band, and a second audio driven by a second driving signal and different from the first audio band. and a second sound generating cell configured to generate a second acoustic sound on the band. The first membrane of the first sound generating cell and the second membrane of the second sound generating cell are MEMS (Micro Electro Mechanical System) manufacturing membranes. The first audio band is upper bound by the first maximum frequency, and the second audio band is upper bound by the second maximum frequency. The first resonant frequency of the first membrane is higher than the first maximum frequency of the first drive signal. A second resonant frequency of the second membrane is higher than a second maximum frequency of the second drive signal.

Description

사운드 생성 디바이스{Sound Producing Device}Sound Producing Device

본 출원은, 2020년 2월 7일에 출원된 미국 가출원 번호 제62/971,364호, 2020년 10월 24일에 출원된 미국 가출원 번호 제63/105,286호, 그리고 2020년 11월 12일에 출원된 미국 가출원 번호 제63/112,860호에 대한 우선권을 주장하는 바이며, 상기 문헌의 내용은 그 전체로서 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.This application is, filed on February 7, 2020, U.S. Provisional Application No. 62/971,364, U.S. Provisional Application No. 63/105,286, filed on October 24, 2020, and filed on November 12, 2020 Priority is claimed to U.S. Provisional Application No. 63/112,860, the contents of which are incorporated herein by reference in their entirety.

본 출원은 사운드 생성(Sound Producing) 디바이스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 설계 유연성(design flexibility) 및/또는 음질(sound quality)을 향상시킬 수 있는 사운드 생성 디바이스에 관한 것이다.The present application relates to a sound producing device, and more particularly, to a sound producing device capable of improving design flexibility and/or sound quality.

마이크로 일렉트로 기계식 시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS) 스피커는 일반적으로 전체 가청/청각(audible/hearing) 범위를 커버하는 한 종류의 멤브레인(membrane)만을 사용하며, 따라서 입력 신호의 최대 입력 주파수는 일반적으로 성인에 대해 약 15~17KHz(KHz)인 인간의 최대 가청 주파수와 같다(equal). 이는 MEMS 스피커의 설계 유연성 및/또는 음질을 제한할 수 있다.Micro Electro Mechanical System (MEMS) speakers typically use only one type of membrane that covers the entire audible/hearing range, so the maximum input frequency of the input signal is usually It equals the human maximum audible frequency, which is about 15-17 KHz (KHz) for an adult. This may limit the design flexibility and/or sound quality of MEMS speakers.

따라서, 본 출원의 주요 목적은 설계 유연성 및/또는 음질을 향상시킬 수 있는 사운드 생성 디바이스를 제공하는 것이다.Accordingly, a main object of the present application is to provide a sound generating device capable of improving design flexibility and/or sound quality.

본 출원의 일 실시 예는 사운드 생성 디바이스(sound producing device, SPD)를 개시한다. 상기 SPD는, 제1 멤브레인(membrane)을 포함하고, 제1 구동 신호에 의해 구동되며, 제1 오디오 대역 상에서 제1 음향 사운드(acoustic sound)를 생성하도록(produce) 구성된 제1 사운드 생성 셀(cell); 및 제2 멤브레인을 포함하고, 제2 구동 신호에 의해 구동되며, 상기 제1 오디오 대역과 상이한 제2 오디오 대역상에서 제2 음향 사운드를 생성하도록 구성된 제2 사운드 생성 셀을 포함하고, 상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 제조된 멤브레인이며, 상기 제1 구동 신호에 대응하는 상기 제1 오디오 대역은 제1 최대 주파수에 의해 상한이 제한되고(bounded), 상기 제2 구동 신호에 대응하는 상기 제2 오디오 대역은 제2 최대 주파수에 의해 상한이 제한되며, 상기 제1 멤브레인의 제1 공진 주파수는 상기 제1 구동 신호의 제1 최대 주파수보다 높고, 상기 제2 멤브레인의 제2 공진 주파수는 상기 제2 구동 신호의 제2 최대 주파수보다 높다. An embodiment of the present application discloses a sound producing device (SPD). The SPD is a first sound producing cell comprising a first membrane, driven by a first drive signal, and configured to produce a first acoustic sound on a first audio band. ); and a second sound generating cell comprising a second membrane, the second sound generating cell being driven by a second drive signal and configured to generate a second acoustic sound on a second audio band different from the first audio band; and the second membrane is a membrane manufactured by a micro electro mechanical system (MEMS), the upper limit of the first audio band corresponding to the first driving signal is bounded by a first maximum frequency, and the second driving signal The second audio band corresponding to the signal has an upper limit limited by a second maximum frequency, a first resonant frequency of the first membrane is higher than a first maximum frequency of the first driving signal, and a second maximum frequency of the second membrane The second resonance frequency is higher than a second maximum frequency of the second driving signal.

본 출원의 다른 실시 예는 사운드 생성 디바이스(sound producing device, SPD) 내에 배치되는 크로스오버 회로를 개시하며, 상기 SPD는 제1 구동 신호에 의해 구동되는 제1 사운드 생성 셀 및 제2 구동 신호에 의해 구동되는 제2 사운드 생성 셀을 포함하며, 상기 크로스오버 회로는, 입력 단자에서 입력 신호를 수신하는 제1 필터; 및 제1 감산 회로를 포함하고, 상기 제1 감산 회로의 제1 입력 단자는 상기 제1 필터의 입력 단자에 결합되며(coupled), 상기 제1 감산 회로의 제2 입력 단자는 상기 제1 필터의 출력 단자에 결합되고, 상기 크로스오버 회로는 상기 제1 감산 회로의 제1 출력 신호에 따라 상기 제1 구동 신호를 생성하며, 상기 크로스오버 회로는 상기 제1 필터의 제2 출력 신호에 따라 상기 제2 구동 신호를 생성한다. Another embodiment of the present application discloses a crossover circuit disposed in a sound producing device (SPD), wherein the SPD includes a first sound generating cell driven by a first driving signal and a second driving signal. a second sound generating cell driven, wherein the crossover circuit comprises: a first filter for receiving an input signal at an input terminal; and a first subtraction circuit, wherein a first input terminal of the first subtraction circuit is coupled to an input terminal of the first filter, and a second input terminal of the first subtraction circuit comprises a second input terminal of the first filter. coupled to an output terminal, wherein the crossover circuit generates the first drive signal in accordance with a first output signal of the first subtraction circuit, and wherein the crossover circuit generates the first drive signal according to a second output signal of the first filter. 2 Generate a drive signal.

본 출원의 다른 실시 예는 사운드 생성 셀을 개시하며, 상기 사운드 생성 셀은 제1 멤브레인 서브파트 및 제2 멤브레인 서브파트를 포함하는 멤브레인을 포함하고, 상기 제1 멤브레인 서브파트 및 상기 제2 멤브레인 서브파트 각각의 하나의 에지만이 고정되고(anchored), 상기 제1 멤브레인 서브파트 및 상기 제2 멤브레인 서브파트 각각의 다른 에지가 해제된다(released). Another embodiment of the present application discloses a sound generating cell, wherein the sound generating cell includes a membrane including a first membrane subpart and a second membrane subpart, wherein the first membrane subpart and the second membrane subpart Only one edge of each part is anchored and the other edge of each of the first membrane subpart and the second membrane subpart is released.

본 발명의 이러한 목적 및 다른 목적은 다양한 그림 및 도면에 예시된 바람직한 실시 예의 다음의 상세한 설명을 읽은 후에 당업자에게 의심의 여지가 없을 것이다.These and other objects of the present invention will disappear to those skilled in the art after reading the following detailed description of the preferred embodiments illustrated in the various figures and drawings.

도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 SPD의 개략도이다.
도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 크로스오버 회로의 개략도이다.
도 3은 본 출원의 실시 예에 따른 크로스오버 회로에 대응하는 주파수 응답의 개략도이다.
도 4는 본 출원의 실시 예에 따른 셀 어레이의 개략도이다.
도 5 및 도 6은 각각 본 출원의 실시 예에 따른 멤브레인 패턴의 개략도이다.
도 7은 본 출원의 실시 예에 따른 셀 어레이의 평면도(top view)를 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 출원의 실시 예에 따른 크로스오버 회로의 개략도이다.
도 9는 본 출원의 실시 예에 따른 SPD의 개략도이다.
도 10은 본 출원의 실시 예에 따른 셀 어레이의 평면도를 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 출원의 실시 예에 따른 크로스오버 회로의 개략도이다.
1 is a schematic diagram of an SPD according to an embodiment of the present application.
2 is a schematic diagram of a crossover circuit according to an embodiment of the present application.
3 is a schematic diagram of a frequency response corresponding to a crossover circuit according to an embodiment of the present application.
4 is a schematic diagram of a cell array according to an embodiment of the present application.
5 and 6 are schematic views of a membrane pattern according to an embodiment of the present application, respectively.
7 is a schematic diagram illustrating a top view of a cell array according to an embodiment of the present application.
8 is a schematic diagram of a crossover circuit according to an embodiment of the present application.
9 is a schematic diagram of an SPD according to an embodiment of the present application.
10 is a schematic diagram illustrating a plan view of a cell array according to an embodiment of the present application.
11 is a schematic diagram of a crossover circuit according to an embodiment of the present application.

도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 사운드 생성 디바이스(sound producing device, SPD)(10)의 개략도이다. SPD(10)는 MEMS 마이크로 스피커 또는 MEMS 스피커, MEMS 제조 기술 또는 MEMS 제조 프로세스를 통해 제조된 스피커일 수 있다. SPD(10)은 웨어러블(wearable) 디바이스, 헤드폰, (인 이어(in-ear) 또는 온 이어(on-ear)) 헤드셋 또는 이어피스(earpiece), 보청기(hearing aid) 등과 같은 애플리케이션에 적용될 수 있다.1 is a schematic diagram of a sound producing device (SPD) 10 according to an embodiment of the present application. The SPD 10 may be a MEMS micro speaker or a MEMS speaker, a MEMS manufacturing technology, or a speaker manufactured through a MEMS manufacturing process. The SPD 10 may be applied to applications such as wearable devices, headphones, (in-ear or on-ear) headsets or earpieces, hearing aids, and the like. .

SPD(10)는 사운드 발생/생성(generating/producing) 셀 어레이(cell array)(100)를 포함할 수 있다. 셀 어레이(100)는 복수의 사운드 생성 셀을 포함하며, 이는 서로 다른 카테고리, 예를 들어, 고음역(higher register)의 사운드(P110)를 발생시키는 데 전문화된(specialized) 사운드 생성 셀(들)(110)과 낮은 음역(lower register)의 사운드(P130)를 발생시키는 데 전문화된 사운드 생성 셀(들)(130)로 나뉠 수 있으며, 사운드 생성 셀(110)의 공진 주파수(resonance frequency)가 셀(130)의 공진 주파수보다 높을 수 있다.The SPD 10 may include a cell array 100 for generating/producing a sound. The cell array 100 includes a plurality of sound generating cells, which are specialized for generating sound P110 of different categories, for example higher register, sound generating cell(s) ( 110) and a sound generating cell (s) 130 specialized in generating a sound P130 of a lower register, the resonance frequency of the sound generating cell 110 is 130) may be higher than the resonant frequency.

SPD(10)는 또한 크로스오버(crossover) 회로(190)를 포함할 수 있다. 입력 신호(Sn)를 수신하는 크로스오버 회로(190)는 입력 신호(Sn)에 대응하는 전체 오디오 대역을 구동 신호(driving signal)(S110)에 대응하는 제1 오디오 대역과, 구동 신호(S130)에 대응하는 제2 오디오 대역으로 파티셔닝하고(partition), 구동 신호(S110, S130)를 사운드 생성 셀(110, 130)에 각각 출력한다. 일 실시 예에서, 구동 신호(S130)의 주파수/오디오 대역/서브대역은 구동 신호(S110)의 주파수/오디오 대역/서브대역과 상이하거나 상보적(complementary)일 수 있다.SPD 10 may also include a crossover circuit 190 . The crossover circuit 190 receiving the input signal Sn uses the entire audio band corresponding to the input signal Sn, the first audio band corresponding to the driving signal S110, and the driving signal S130. Partition into a second audio band corresponding to , and output the driving signals S110 and S130 to the sound generating cells 110 and 130, respectively. In an embodiment, the frequency/audio band/subband of the driving signal S130 may be different from or complementary to the frequency/audio band/subband of the driving signal S110 .

구체적으로, 도 2는 크로스오버 회로(190)의 실시 예에 따른 2-웨이(2-way) 크로스오버 회로(290)의 개략도이다. 크로스오버 회로(290)는 입력 신호(Sn)에 병렬로 연결된 고역 통과 필터(high-pass filter, HPF)(501) 및 저역 통과 필터(low-pass filter, LPF)(503)를 포함하고, 입력 신호(Sn)를 HPF(501)를 사용하는 고주파 사운드 생성 셀(110)(트위터(tweeter))을 위한 구동 신호(S110)와 LPF(503)를 사용하는 저주파 사운드 생성 셀(130)(우퍼(woofer))을 위한 구동 신호(S130)로 분할(split)한다.Specifically, FIG. 2 is a schematic diagram of a 2-way crossover circuit 290 according to an embodiment of the crossover circuit 190 . The crossover circuit 290 includes a high-pass filter (HPF) 501 and a low-pass filter (LPF) 503 connected in parallel to the input signal Sn, Signal Sn is a low frequency sound generating cell 130 (woofer) using a drive signal S110 for a high frequency sound generating cell 110 (twitter) using the HPF 501 and an LPF 503 using the HPF 501. woofer)) for the driving signal S130.

도 3은 크로스오버 회로(290)에 대응하는 진폭(amplitude) 주파수 응답의 개략도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, HPF(501)의 주파수 응답(MR1)과 LPF(503)의 주파수 응답(MR3)은 각각의 -6dB 지점의 크로스오버 주파수(fcx)에서 교차한다. 크로스오버 주파수(fcx)는 셀(110)과 셀(130) 사이에서 균등하게 사운드 생성의 워크로드(workload)를 나누기 위해, 인간의 청각(hearing)이 가장 민감한 주파수의 범위인 대략 800Hz 내지 4KHz 사이 또는 바람직하게 이에 속할(fall) 수 있다. 일 실시 예에서, HPF(501) 및 LPF(503)는 모두 크로스오버 주파수(fcx)에서 -6데시벨(dB) 롤오프(roll-off)를 갖는다. 결과적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 크로스오버 회로(290)로부터 조합된 출력의 주파수 응답(MR5)은 전체 주파수 범위에 걸쳐 평탄해질(flat) 것이다.3 is a schematic diagram of an amplitude frequency response corresponding to a crossover circuit 290 . As shown in FIG. 3 , the frequency response MR1 of the HPF 501 and the frequency response MR3 of the LPF 503 intersect at a crossover frequency fcx of each -6dB point. The crossover frequency fcx is between approximately 800 Hz and 4 KHz, the range of frequencies to which human hearing is most sensitive, in order to evenly divide the workload of sound generation between cells 110 and 130 . or preferably fall. In one embodiment, both HPF 501 and LPF 503 have a -6 decibel (dB) roll-off at the crossover frequency fcx. As a result, as shown in FIG. 3 , the frequency response MR5 of the combined output from the crossover circuit 290 will be flat over the entire frequency range.

도 2에서, 크로스오버 회로(290)는 사운드 생성 셀(110, 130) 사이의 감도 차이를 보상하도록 구성된 이득(gain) 회로(또는 감도 보상(sensitivity compensation) 블록)(502)를 더 포함할 수 있다.In FIG. 2 , the crossover circuit 290 may further include a gain circuit (or a sensitivity compensation block) 502 configured to compensate for a difference in sensitivity between the sound generating cells 110 , 130 . have.

도 4는 본 출원의 실시 예에 따른 사운드 발생/생성 셀 어레이(400)의 개략도이다. 도 4의 (a)는 셀 어레이(400)의 평면도를 도시한다. 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에 도시된 A-A' 단면 선(cross-sectional line)을 따라 취한 단면도이다. 도 1의 셀 어레이(100)는 도 4의 셀 어레이(400)로 구현될 수 있다. 셀 어레이(400)는 각각 하나의(MEMS) 멤브레인(110M 또는 130M)에 의해 정의되는 2개의 사운드 생성 셀(110) 및 하나의 사운드 생성 셀(130)을 포함한다.4 is a schematic diagram of a sound generating/generating cell array 400 according to an embodiment of the present application. 4A shows a plan view of the cell array 400 . FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the cross-sectional line A-A' shown in FIG. 4A . The cell array 100 of FIG. 1 may be implemented as the cell array 400 of FIG. 4 . The cell array 400 includes two sound generating cells 110 and one sound generating cell 130 each defined by one (MEMS) membrane 110M or 130M.

도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 멤브레인(130M)의 면적(area)이 각 멤브레인(110M)의 면적보다 더 커서, 멤브레인(130M)의 공진 주파수가 멤브레인(110M)의 공진 주파수보다 낮다.As shown in (a) of FIG. 4 , the area of each membrane 130M is larger than the area of each membrane 110M, so that the resonance frequency of the membrane 130M is higher than the resonance frequency of the membrane 110M. low.

도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 사운드 생성 셀(110)은 멤브레인(110M)에 부착/배치된 적어도 하나의 액츄에이터(actuator)(110T)를 더 포함할 수 있다. 액츄에이터(110T)는 전극(111, 113)과 전극(111, 113) 사이에 끼워진 물질(marerial)(112)(예를 들어, 압전 물질)을 포함하는 압전 액츄에이터와 같은 박막(thin film) 액츄에이터일 수 있다. 일 실시 예에서, 물질(112)은 PZT(lead zirconate titanate)와 같은 박막 압전 물질(들)로 제조될 수 있다. 구동 신호(S110)는 전극(111, 113)을 가로질러 인가되어 물질(112)의 변형을 야기하므로, 멤브레인(110M)이 변형되어 Z 방향으로 이동하고 (음향(acoustic)) 사운드/압력(P110)을 발생시킨다.As shown in (b) of FIG. 4 , the sound generating cell 110 may further include at least one actuator 110T attached/disposed to the membrane 110M. Actuator 110T is a thin film actuator, such as a piezoelectric actuator, including electrodes 111 and 113 and a material 112 (eg, a piezoelectric material) sandwiched between the electrodes 111 and 113 . can In one embodiment, material 112 may be made of thin film piezoelectric material(s), such as lead zirconate titanate (PZT). Since the driving signal S110 is applied across the electrodes 111 and 113 to cause deformation of the material 112, the membrane 110M is deformed and moves in the Z direction (acoustic) and sound/pressure P110 ) occurs.

일 실시 예에서, 사운드 생성 셀(110)은 크로스오버 주파수(fcx) 이상의 주파수 대역을 커버하기 위해 트위터로서 기능할 수 있고, 크로스오버 주파수(fcx)(예: 1.44KHz) 보다 상당히 낮은 주파수에 대해 높은 출력을 생성할 필요가 없을 것이다. 또한, fr,110으로 표시되는 사운드 생성 셀(110)(또는 그 내부의 멤브레인(110M))의 공진 주파수는, fmax,S110으로 표시되는 구동 신호(S110)의 최대 주파수 또는 최대 입력 오디오 주파수, 예를 들어 15KHz 또는 20KHz보다 상당히 높을 수 있으며, 여기서 제1 오디오 대역은 fmax,S110에 의해 상한이 제한될(bounded) 수 있다. 사운드 생성 셀(110)의 공진 주파수(fr,110)는 예를 들어 약 18KHz 또는 23KHz일 수 있다. 일 실시 예에서, fr,130으로 표시되는 사운드 생성 셀(130)(또는 그 내부의 멤브레인(130M))의 공진 주파수는, fmax,S130으로 표시되는 구동 신호(S130)의 최대 주파수보다 상당히 높을 수 있으며, 여기서 제2 오디오 대역은 fmax,S130에 의해 상한이 제한될 수 있다. 미국 가출원 번호 제62/897,365호 및/또는 미국 특허 번호 제10,805,751호에 개시된 바와 같이, 공진 주파수가 구동 신호의 최대 주파수보다 상당히 높다는 것은, 공진 주파수가 구동 신호의 최대 주파수에 공진 대역폭의 절반, 즉, Δf/2를 더한 것, 일명 HWHM(half width at half maximum)보다 적어도 높다는 것을 나타내며, 이는 여기에 참조로 포함된다.In one embodiment, the sound generating cell 110 may function as a tweeter to cover a frequency band above the crossover frequency fcx, and for frequencies significantly lower than the crossover frequency fcx (eg 1.44 KHz). There will be no need to generate high output. In addition, the resonance frequency of the sound generating cell 110 (or the membrane 110M therein) represented by f r,110 is the maximum frequency or the maximum input audio frequency of the driving signal S110 represented by f max,S110 . , for example significantly higher than 15KHz or 20KHz, where the first audio band may be upper bounded by f max,S110 . The resonant frequency f r,110 of the sound generating cell 110 may be, for example, about 18 KHz or 23 KHz. In one embodiment, the resonant frequency of the sound generating cell 130 (or the membrane 130M therein), denoted by f r,130 , is significantly greater than the maximum frequency of the drive signal S130 denoted by f max,S130 . It may be high, where the second audio band may have an upper limit limited by f max,S130 . As disclosed in U.S. Provisional Application No. 62/897,365 and/or U.S. Patent No. 10,805,751, that the resonant frequency is significantly higher than the maximum frequency of the drive signal means that the resonant frequency is at the maximum frequency of the drive signal at half the resonant bandwidth, i.e. , Δf/2 plus , aka half width at half maximum (HWHM), which is incorporated herein by reference.

본 발명의 일 측면에서, SPD(10)는 SPD(10)에 의해 생성될 전체 주파수 스펙트럼을 커버하기 위해 다중 멤브레인 설계가 사용될 수 있는 (2-웨이) 셀 어레이(100)를 포함한다. 사운드 생성 셀(110 및 130)은 입력 신호(Sn)의 주파수 스펙트럼을 2개의(또는 그 이상의) 상보적인 오디오 대역으로 파티셔닝하는 크로스오버 회로(190)의 출력에 의해 구동될 수 있다.In one aspect of the present invention, the SPD 10 includes a (2-way) cell array 100 in which a multi-membrane design can be used to cover the entire frequency spectrum to be generated by the SPD 10 . The sound generating cells 110 and 130 may be driven by the output of a crossover circuit 190 that partitions the frequency spectrum of the input signal Sn into two (or more) complementary audio bands.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 사운드 생성 셀(130)은 또한 적어도 하나의 액츄에이터(130T)를 포함할 수 있다. 구동 신호(S130)는 액츄에이터(130T)의 전극(131, 133)을 가로질러 인가되어 액츄에이터(130T)의 물질(132)의 변형을 유발하므로, 멤브레인(130M)의 Z 방향 이동에 의해 사운드/압력(P130)이 발생된다. 일 실시 예에서, 사운드 생성 셀(130)은 크로스오버 주파수(fcx) 아래의 주파수를 커버하기 위한 우퍼로서 기능할 수 있다.Further, as shown in FIG. 4 , the sound generating cell 130 may also include at least one actuator 130T. Since the driving signal S130 is applied across the electrodes 131 and 133 of the actuator 130T to cause deformation of the material 132 of the actuator 130T, the Z-direction movement of the membrane 130M causes sound/pressure (P130) is generated. In one embodiment, the sound generating cell 130 may function as a woofer to cover a frequency below the crossover frequency fcx.

일 실시 예에서, 사운드 생성 셀(130)의 공진 주파수는 크로스오버 회로(190)의 크로스오버 주파수(fcx)보다 높을 수 있고, 따라서 미국 가출원 번호 제62/897,365호 및/또는 미국 특허 번호 제10,805,751호에 개시된 조건을 준수한다. 4차 크로스오버(4th order crossover)의 경우에, 구동 신호(S130)가 40dB만큼 감쇠되는 주파수는 대략 1001/4·fcx 로 계산될 수 있다. 따라서, 일 예로서, 크로스오버 주파수(fcx) = 1.44KHz의 경우, 사운드 생성 셀(130)의 공진 주파수 fr,130은 1001/4·fcx

Figure 112021056053703-pat00001
4.55KHz(fr,130 = 4.55KHz로 표현될 수 있음)일 수 있다. 본 발명의 특정 실시 예에서, 사운드 생성 셀(110 및 130)의 공진 주파수가 각각 23KHz 및 4.55KHz라고 가정하면, 셀(110)과 셀(130) 사이의 공진 주파수 비율은 23KHz/4.55KHz = 5배이다. 본 출원의 SPD 내에서 크로스오버 주파수(fcx)와 공진 주파수(fr,110 및 fr,130)는 fcx < fr,130 < fr,110(수식 1)의 관계를 가짐을 유의한다. 또한, fmax,S110는 구동 신호(S110)의 최대 주파수(예: 15KHz 또는 20KHz)를 표시한다고 가정하며, 수식 1에서의 관계는 추가로 fcx < fr,130 < fmax,S110 < fr,110(수식 2)로 확장될 수 있다.In one embodiment, the resonant frequency of the sound generating cell 130 may be higher than the crossover frequency fcx of the crossover circuit 190, thus U.S. Provisional Application No. 62/897,365 and/or U.S. Patent No. 10,805,751. Comply with the conditions set out in the subparagraph. In the case of the 4th order crossover, the frequency at which the driving signal S130 is attenuated by 40 dB may be calculated as approximately 100 1/4 ·fcx. Therefore, as an example, when the crossover frequency (fcx) = 1.44 KHz, the resonance frequency f r,130 of the sound generating cell 130 is 100 1/4 fcx
Figure 112021056053703-pat00001
It may be 4.55 KHz (which can be expressed as f r,130 = 4.55 KHz). In a specific embodiment of the present invention, assuming that the resonant frequencies of the sound generating cells 110 and 130 are 23KHz and 4.55KHz, respectively, the resonant frequency ratio between the cells 110 and 130 is 23KHz/4.55KHz = 5 it's a boat Note that the crossover frequency fcx and the resonant frequencies f r,110 and f r,130 in the SPD of the present application have a relationship of fcx < f r,130 < f r,110 (Equation 1). In addition, it is assumed that f max,S110 represents the maximum frequency (eg, 15KHz or 20KHz) of the driving signal S110, and the relation in Equation 1 is additionally fcx < f r,130 < f max, S110 < f r ,110 (Equation 2).

멤브레인 공진 주파수를 낮추는 것에 의해, 멤브레인의 멤브레인의 강성(stiffness)이 낮추어져, 실리콘 단위 면적당 멤브레인 변위(membrane-displacement-per-unit-area-of-silicon)를 향상시킬 수 있다(즉, △UZ_AVE/mm2이며, △UZ_AVE는 평균 멤브레인 변위를 나타냄). 실제로,

Figure 112021056053703-pat00002
의 경험적 수식(empirical equation)이 일반적으로 관찰되며, 여기서 A는 각 셀의 멤브레인 면적을 나타내고, f r 은 멤브레인의 공진 주파수를 나타낸다. 다시 말해서, 유사한 멤브레인 설계 패턴(예를 들어, 추후 설명할 도 5의 멤브레인 패턴(310 ~ 330) 중 하나)의 경우, 공진 주파수가 4.55KHz인 셀의 △UZ_AVE/mm2가 공진 주파수가 23KHz인 셀의 것보다 5배 더 높다.By lowering the membrane resonance frequency, the stiffness of the membrane of the membrane can be lowered, thereby improving the membrane-displacement-per-unit-area-of-silicon (i.e., ΔU). Z_AVE /mm 2 , ΔU Z_AVE represents the average membrane displacement). in reality,
Figure 112021056053703-pat00002
An empirical equation is generally observed, where A represents the membrane area of each cell and f r represents the resonant frequency of the membrane. In other words, in the case of a similar membrane design pattern (for example, one of the membrane patterns 310 to 330 of FIG. 5 to be described later), ΔU Z_AVE /mm 2 of a cell with a resonant frequency of 4.55 KHz is equal to 23 KHz 5 times higher than that of in-cell.

도 4의 (a)에서, 멤브레인(110M 또는 130M)에 슬릿(slit)이 없을 수 있다. 다른 실시 예에서, 멤브레인(110M 또는 130M)은 멤브레인(110M 또는 130M) 상에 슬릿 패턴을 형성하기 위해 슬릿(들)을 가질 수 있고, 멤브레인(110M)의 슬릿 패턴은 멤브레인(130M)의 슬릿 패턴과 상이할 수 있다. 용어 "슬릿"은 멤브레인의 두께를 관통하는 가는 선을 의미한다. 슬릿의 너비(width)는 일반적으로 0.8 ~ 3 마이크로미터(μm)로 매우 좁지만, 이에 제한되지 않는다. 슬릿의 패턴은 전체 멤브레인의 강성에 영향을 미치며, 따라서 멤브레인의 공진 주파수에 영향을 미친다. 일반적으로, 주어진 멤브레인 표면적(surface area)에 대해 슬릿의 총(total) 길이가 길수록 멤브레인이 부드러워지고 공진 주파수가 낮아진다. 다시 말해서, 슬릿 패턴이 유사한 멤브레인 중에서, L(슬릿의 총 길이), A(멤브레인의 면적), f r(공진 주파수) 사이에 상관 관계가 있으며, 이는

Figure 112021056053703-pat00003
로 표현될 수 있다. 슬릿의 길이 이외에도, 슬릿의 위치와 방위(orientation), 즉 슬릿의 패턴도 멤브레인의 강성을 결정하는 데 중요한 역할을 하므로 결과적으로 공진 주파수에 영향을 준다.In (a) of FIG. 4 , there may be no slit in the membrane 110M or 130M. In other embodiments, the membrane 110M or 130M may have slit(s) to form a slit pattern on the membrane 110M or 130M, wherein the slit pattern of the membrane 110M is the slit pattern of the membrane 130M. may be different from The term “slit” refers to a thin line passing through the thickness of the membrane. The width of the slit is generally very narrow, 0.8 to 3 micrometers (μm), but is not limited thereto. The pattern of slits affects the stiffness of the overall membrane and thus the resonant frequency of the membrane. In general, the longer the total length of the slit for a given membrane surface area, the softer the membrane and the lower the resonant frequency. In other words, among membranes with similar slit patterns, there is a correlation between L (total length of slit), A (area of membrane), and f r (resonant frequency), which
Figure 112021056053703-pat00003
can be expressed as In addition to the length of the slit, the position and orientation of the slit, ie, the pattern of the slit, also plays an important role in determining the stiffness of the membrane and consequently affects the resonance frequency.

일 실시 예에서, 슬릿(들)의 총 길이 대 멤브레인(110M)의 면적의 비율은 멤브레인(130M)의 것과 상이하다. 일 실시 예에서, 멤브레인(110M) 상의 슬릿(들)의 패턴은 멤브레인(130M) 상의 패턴과 상이하다.In one embodiment, the ratio of the total length of the slit(s) to the area of the membrane 110M is different from that of the membrane 130M. In one embodiment, the pattern of slit(s) on membrane 110M is different from the pattern on membrane 130M.

예를 들어, 도 5는 본 출원의 상이한 실시 예에서 이용될 수 있는 각각 상이한 이동 자유도(Z 방향으로)를 갖는 3개의 멤브레인 패턴(310-330)의 개략도이다. 도 5의 (a)는 멤브레인 패턴(310)의 평면도를 도시한다. 도 5의 (b)는 멤브레인 패턴(320)의 평면도를 도시한다. 도 5의 (c)는 멤브레인 패턴(330)의 평면도를 도시한다. 멤브레인(예: 멤브레인(110M 또는 130M))은 적합한 MEMS 제조 공정에 의해 에칭(etch)되어 슬릿(들)을 형성하고(각각 내부에서 외부로 배열된 슬릿 개구(opening)/세그먼트(segment)(313, 311 또는 312)를 포함함), 회전 대칭(rotational symmetry)의 멤브레인 패턴(310-330)을 만들(create) 수 있다. 용어 "멤브레인 패턴"은 멤브레인의 두께를 통해 절단된 슬릿(들) 패턴을 갖는 멤브레인을 지칭한다.For example, FIG. 5 is a schematic diagram of three membrane patterns 310 - 330 each having a different degree of freedom of movement (in the Z direction) that may be used in different embodiments of the present application. FIG. 5A shows a plan view of the membrane pattern 310 . FIG. 5B shows a plan view of the membrane pattern 320 . FIG. 5C illustrates a plan view of the membrane pattern 330 . The membrane (eg membrane 110M or 130M) is etched by a suitable MEMS fabrication process to form slit(s) (slit openings/segments 313 arranged from inside to outside, respectively) , 311 or 312 ), and the membrane patterns 310 - 330 of rotational symmetry can be created. The term “membrane pattern” refers to a membrane having a pattern of slit(s) cut through the thickness of the membrane.

멤브레인 패턴(330)은 도 5의 3개의 멤브레인 패턴 중 가장 낮은 자유도를 갖는다. 멤브레인 패턴(330)과 비교하여, 멤브레인 패턴(320)에서, 4개의 슬릿 세그먼트(312)는 멤브레인의 4개의 코너(corner)에서 시작하는 멤브레인의 4개의 경계 에지(boundary edge)와 일치하도록 배치되어, 결과적으로 경계 에지를 부분적으로 해방시킨다(free). (셀) 경계 에지를 따라 (멤브레인) 이동의 자유도를 증가시키는 것에 의해, 멤브레인 패턴(320)(및 310)의 이러한 4개의 슬릿 세그먼트(312)는 멤브레인(320)(및 310) 상의 액츄에이터(들)의 효능(efficacy)을 증가시킨다. 멤브레인의 자유도 이외에, 슬릿 세그먼트(312)는 또한 멤브레인의 강성을 감소시키고 따라서 △UZ_AVE/mm2의 양을 더 증가시킨다. 요약하면, 경계 에지 상의 슬릿 개구/세그먼트가 없는 멤브레인 패턴(예: 멤브레인 패턴(330))에 비해, (멤브레인) 경계 에지를 따라 슬릿 개구/세그먼트가 있는 멤브레인 패턴(예: 멤브레인 패턴(310 및 320))은 증가된 이동의 자유도를 가질 것이며, 더 높은 △UZ_AVE/mm2를 생성한다.The membrane pattern 330 has the lowest degree of freedom among the three membrane patterns of FIG. 5 . Compared to the membrane pattern 330 , in the membrane pattern 320 , the four slit segments 312 are arranged to coincide with the four boundary edges of the membrane starting at the four corners of the membrane. , which partially frees the boundary edge as a result. By increasing the degree of freedom of (membrane) movement along the (cell) boundary edge, these four slit segments 312 of the membrane pattern 320 (and 310 ) are connected to the actuator(s) on the membrane 320 (and 310 ). ) to increase the efficacy. In addition to the degree of freedom of the membrane, the slit segment 312 also reduces the stiffness of the membrane and thus further increases the amount of ΔU Z_AVE /mm 2 . In summary, membrane patterns with slit openings/segments along (membrane) boundary edges (eg membrane patterns 310 and 320 ) compared to membrane patterns without slit openings/segments on boundary edges (eg membrane patterns 330 ). )) will have increased degrees of freedom of movement, resulting in a higher ΔU Z_AVE /mm 2 .

도 5의 멤브레인 패턴 중 멤브레인 패턴(310)은, 멤브레인(예: 멤브레인(110M))을 구성하는 4개의 멤브레인 서브파트(subpart)(310A-310D)가 멤브레인 패턴의 중심에서 서로 제한되지 않고 슬릿 개구/세그먼트(311 및 312)를 따라 자유롭게 이동할 수 있기 때문에, 가장 높은 자유도를 갖는다.In the membrane pattern 310 of the membrane pattern of FIG. 5 , the four membrane subparts 310A-310D constituting the membrane (eg, the membrane 110M) are not limited to each other at the center of the membrane pattern, and the slit opening is not limited thereto. It has the highest degree of freedom because it can move freely along the /segments 311 and 312 .

그러나 공기가 멤브레인의 중심 근처에서 최대 멤브레인 변위가 있는 위치 주변의 슬릿(들)을 통해 흐를 수 있다. 예를 들어, 멤브레인 패턴(310)의 멤브레인 변위의 정점에서, 멤브레인 서브파트(310A-310D) 사이의 중심에서 이탈하는(disjoint) 전위(dislocation)가 발생하고 공기가 전위를 통과하여 음압 레벨(sound pressure level, SPL)이 저하될 수 있다. 뉴턴의 법칙에 따르면, 기류량은 수식 D=(a·t 2)/2에 따라 t 2에 비례하며, 여기서 D, a, 및 t는 각각 멤브레인 변위, 가속도 및 시간을 나타낸다. 결과적으로, 하나의 멤브레인의 동작 주파수(operating frequency)가 높을수록 멤브레인의 전위로 인한 기류의 영향이 적다. 다시 말해서, 잠재적 전위(potential dislocation)가 있는 멤브레인 패턴(310)은 고주파의 사운드를 생성하는 데 사용될 수 있으며, 저주파의 사운드를 생성할 때는 피해야 한다.However, air may flow through the slit(s) around the location with maximum membrane displacement near the center of the membrane. For example, at the apex of the membrane displacement of the membrane pattern 310 , a disjoint dislocation occurs between the membrane sub-parts 310A-310D and air passes through the dislocation, resulting in a sound pressure level (sound). pressure level (SPL) may be lowered. According to Newton's law, airflow is proportional to t 2 according to the equation D =( a t 2 )/2, where D , a , and t represent the membrane displacement, acceleration and time, respectively. Consequently, the higher the operating frequency of one membrane, the less the influence of the airflow due to the potential of the membrane. In other words, the membrane pattern 310 with potential dislocation may be used to generate a high-frequency sound, and should be avoided when generating a low-frequency sound.

△UZ_AVE/mm2를 개선하는 데는 두 가지 팩터(factor)가 있으며, 이는 공진 주파수 감소 및/또는 멤브레인 이동의 자유도 증가를 포함한다. 셀(110)의 포커스(focus)는 공진 주파수 대신에 증가된 자유도로 멤브레인 이동을 개선하는 데 있다. 셀(130)의 포커스는 낮은 공진 주파수로 멤브레인 이동을 개선하는 데 있다.There are two factors for improving ΔU Z_AVE /mm 2 , which include reducing the resonant frequency and/or increasing the degree of freedom of membrane movement. The focus of the cell 110 is to improve membrane movement with increased degrees of freedom instead of the resonant frequency. The focus of cell 130 is to improve membrane movement at low resonant frequencies.

짧은 기간(time period)(따라서 t)으로 인해, 크로스오버 주파수(fcx)보다 높은 주파수에서 슬릿을 통한 누출이 낮고 효과가 거의 무시될 수 있으며, (트위터) 셀(110)의 멤브레인(110M)에 채택된 멤브레인 패턴은 더 높은 자유도를 허용할 수 있다. 일 실시 예에서, 310 또는 320과 같이 더 높은 자유도를 갖는 멤브레인 패턴은 △UZ_AVE/mm2 를 1.5 ~ 2배 향상시킬 수 있는 셀(110)에 적용될 수 있다.Due to the short time period (hence t ), the leakage through the slit is low and the effect is almost negligible at frequencies higher than the crossover frequency fcx, and the (Twitter) membrane 110M of the cell 110 is The adopted membrane pattern may allow for a higher degree of freedom. In an embodiment, a membrane pattern having a higher degree of freedom, such as 310 or 320, may be applied to the cell 110 that can improve ΔU Z_AVE /mm 2 by 1.5 to 2 times.

다른 한편으로, 셀(130)은 20Hz까지 내려가는 사운드 생성을 커버할 필요가 있으므로, 슬릿(들)을 통한 기류(airflow)로 인한 누출은 더 이상 얼버무리지(glossed over) 않을 수 있다. 셀(130)은 낮은 공기 누출 멤브레인 패턴을 채택할 수 있는 며, 여기서 멤브레인 서브파트(예: 멤브레인 서브파트(320A-320D) 또는 (330A-330D)) 사이의 갭이 더 낮은 자유도와 더 낮은 △UZ_AVE/mm2를 희생시키면서 멤브레인 변위의 전이(transition) 동안 유지된다. 다시 말해서, 멤브레인의 사운드 생성 주파수 범위가 낮을수록 멤브레인의 슬릿을 통한 허용된 공기 누출이 낮아져 일반적으로 자유도가 낮아진다. 슬릿 패턴(310)과 비교하여, 도 5의 슬릿 패턴(320, 330)은 멤브레인의 서브파트가 멤브레인 중심에서 함께 조인되어(joint) 멤브레인(130M)에 적합하기 때문에 멤브레인 서브파트 사이에서 더 낮은 이탈을 갖는다.On the other hand, the cell 130 needs to cover sound generation down to 20 Hz, so leakage due to airflow through the slit(s) may no longer be glossed over. Cell 130 may adopt a low air leakage membrane pattern, wherein the gap between membrane subparts (eg, membrane subparts 320A-320D or 330A-330D) has a lower degree of freedom and lower Δ maintained during the transition of membrane displacement at the expense of U Z_AVE /mm 2 . In other words, the lower the sound producing frequency range of the membrane, the lower the allowed air leakage through the slits in the membrane, and thus generally the lower the degree of freedom. Compared to the slit pattern 310 , the slit patterns 320 , 330 of FIG. 5 have lower separation between the membrane subparts because the subparts of the membrane are joined together at the center of the membrane to fit the membrane 130M. has

본 발명의 일 측면에서, 입력 신호(Sn)의 주파수/오디오 대역을 다중 오디오 대역으로 분할하는 것에 의해, 각 셀(110 또는 130)은 (수신된) 신호(S110 또는 S130)의 오디오 대역에 따라 최적화되어, 공진 주파수, 컴플라이언스(compliance)(예: 강성), 자유도 및/또는 공기 누출과 같은 팩터의 균형을 맞출 수 있다.In one aspect of the present invention, by dividing the frequency/audio band of the input signal Sn into multiple audio bands, each cell 110 or 130 is configured according to the audio band of the (received) signal S110 or S130. It can be optimized to balance factors such as resonant frequency, compliance (eg stiffness), degrees of freedom and/or air leakage.

입력 신호(Sn)를 구동 신호(S110 및 S130)로 나누는 것에 의해, 사람의 청각이 가장 민감한 주파수 대역(대략 900Hz ~ 4KHz 사이) 주변에서 IEM(in-ear-monitor, IEM) 스피커와 자유 필드 스피커(free-field speaker) 사이의 불일치(discrepancy)가 경감될(mitigated) 수 있으므로, SPL 요건이 낮아지거나 완화될(relaxed) 수 있다. 구체적으로, 멤브레인 변위 사운드 D와 사운드의 주파수 f가 D∝1/f2의 관계를 갖는 자유 필드 스피커와 달리, IEM 스피커에서 공기 누출이 적다고 가정하면, 동일한 SPL에 대응하는 멤브레인 변위 D가, 밀폐된 챔버 압축 동작 모드로 인해, 약 900Hz 미만의 주파수에 대해 주파수와 크게 독립적이다. 다시 말해서, IEM 스피커가 100Hz에서 3KHz까지 10톤(10-tone) 신호를 생성할 때, 각 톤은 동일한 멤브레인 변위 D를 유발할 수 있으며; 다른 한편으로, 자유 필드 스피커는 더 높은 음역의 음(note)에 대해 훨씬 적은 멤브레인 변위를 일으킬 수 있다. 따라서, 실제 음악을 재생할 때 100Hz에서 최대 SPL 출력이 100dB/1m인 자유 필드 스피커가, 100Hz에서 최대 SPL 출력이 100dB인 IEM 스피커보다 훨씬 더 크게 들릴 수 있다. 이러한 불일치를 보상하기 위해, 일 실시 예에서 IEM 드라이버(driver)의 최대 SPL 요건에 대해 약 12-15dB가 추가되며; 다시 말해서, IEM 드라이버는 100dB 대신 100Hz에서 112-115dB의 최대 SPL 요건을 가질 수 있다. 다른 실시 예에서, 입력 신호(Sn)는 크로스오버 회로(190)에 의해 구동 신호(S130 및 S110)로 파티셔닝되며; 따라서 멤브레인 변위 요건을 2개의 상이한 그룹의 사운드 생성 셀(110 및 130)로 분리하는 것으로 인해 SPL 요건으로부터 4-6dB가 공제될(deduction) 수 있으므로, IEM 스피커 역할을 하는 셀(110 또는 130) 그룹의 최대 SPL 요건이 115dB에서 110-112dB로 감소될 수 있다.By dividing the input signal Sn into drive signals S110 and S130, in-ear-monitor (IEM) speakers and free-field speakers around the frequency band where human hearing is most sensitive (between approximately 900 Hz and 4 KHz) As discrepancy between (free-field speakers) may be mitigated, the SPL requirement may be lowered or relaxed. Specifically, assuming that the membrane displacement sound D and the frequency f of the sound have a relationship of D∝1/f 2 , unlike a free-field speaker, assuming that air leakage is small in an IEM speaker, the membrane displacement D corresponding to the same SPL is, Due to the closed chamber compression mode of operation, it is highly frequency independent for frequencies below about 900 Hz. In other words, when an IEM speaker generates a 10-tone signal from 100Hz to 3KHz, each tone can cause the same membrane displacement D; On the other hand, a free-field speaker can cause much less membrane displacement for higher-pitched notes. Thus, when playing real music, a free-field speaker with a maximum SPL output of 100 dB/1m at 100 Hz can sound much louder than an IEM speaker with a maximum SPL output of 100 dB at 100 Hz. To compensate for this discrepancy, in one embodiment about 12-15 dB is added to the maximum SPL requirement of the IEM driver; In other words, the IEM driver can have a maximum SPL requirement of 112-115dB at 100Hz instead of 100dB. In another embodiment, the input signal Sn is partitioned into the driving signals S130 and S110 by the crossover circuit 190; A group of cells 110 or 130 acting as an IEM speaker can therefore deduct 4-6 dB from the SPL requirement due to the separation of the membrane displacement requirement into two different groups of sound producing cells 110 and 130 . can be reduced from 115dB to 110-112dB.

입력 신호(Sn)의 주파수/오디오 대역을 다중 오디오 대역으로 나누는 것에 의해, 사운드/압력(P110 또는 P130)을 생성하기 위한 전력 소모도 감소될 수 있다. 특히, 압전 물질 구동 MEMS 마이크로 스피커의 경우, 전력 소비는 생성된 사운드 주파수에 110T 및 130T와 같은 액츄에이터의 면적을 곱한 값에 선형적으로 비례한다. 입력 신호(Sn)가 서로 다른/상보적인 오디오 대역의 구동 신호(S110, S130)로 분할된 후, 구동 신호(S110, S130)는 각각의 셀(110, 130)로 채널링되어(channeled) 대응하는 멤브레인 액츄에이터만을 구동하여 전력 소비를 감소시킨다.By dividing the frequency/audio band of the input signal Sn into multiple audio bands, power consumption for generating the sound/pressure P110 or P130 can also be reduced. In particular, in the case of a piezoelectric material driven MEMS microspeaker, power consumption is linearly proportional to the generated sound frequency multiplied by the area of the actuator, such as 110T and 130T. After the input signal Sn is divided into driving signals S110 and S130 of different/complementary audio bands, the driving signals S110 and S130 are channeled into the respective cells 110 and 130 to correspond It reduces power consumption by driving only the membrane actuator.

도 6은 본 출원의 실시 예에 따른 멤브레인 패턴(사운드 생성 셀을 나타냄)(610P1)의 평면도의 개략도이다. 멤브레인 패턴(610P1)은 또한 본 출원의 사운드 생성 셀의 실시 예를 나타낸다.6 is a schematic diagram of a plan view of a membrane pattern (representing a sound generating cell) 610P1 according to an embodiment of the present application. Membrane pattern 610P1 also represents an embodiment of the sound generating cell of the present application.

사운드 생성 셀(610P1) 내의 멤브레인(예: 멤브레인(110M))은 두개의 멤브레인 서브파트(411, 412)로 분할되어, 반사 대칭을 갖는 멤브레인 패턴(610P1)을 형성할 수 있다. 멤브레인 서브파트(411, 412)는 멤브레인 상의 액츄에이터(들)(예: 액츄에이터(110T))에 인가되는 구동 신호(예: 구동 신호(S110))에 따라 도개교(a bascule bridge)의 플랩(flap)/리브(leave)로서 상하로(upwards/downwards) 스윙할(swing) 수 있다. 일 실시 예에서, 멤브레인 서브파트(411, 412)는 멤브레인 서브파트(411, 412) 사이의 큰 갭(들)이 형성되는 것을 방지하기 위해 Z 방향으로 동기식으로 위아래로 이동할 수 있다. 일 실시 예에서, 멤브레인 서브파트(411, 412)는 동일한 방향을 향해 이동하도록 작동될(actuated) 수 있다.A membrane (eg, membrane 110M) in the sound generating cell 610P1 may be divided into two membrane subparts 411 and 412 to form a membrane pattern 610P1 having reflection symmetry. Membrane subparts 411 and 412 are flaps of a bascule bridge according to a driving signal (eg, driving signal S110) applied to actuator(s) on the membrane (eg, actuator 110T). Can swing upwards/downwards as a /leave. In one embodiment, the membrane subparts 411 , 412 can move up and down synchronously in the Z direction to prevent large gap(s) between the membrane subparts 411 , 412 from being formed. In one embodiment, the membrane subparts 411 , 412 may be actuated to move toward the same direction.

멤브레인(예: 멤브레인(110M))의 멤브레인 서브파트(411, 412) 각각이 하나의(고정된(anchored)) 에지(414) 상에만 부착/고정되고 멤브레인 서브파트(411 또는 412)의 다른 모든(3개) 에지가 제한되지 않기(unbounded) 때문에, 멤브레인 패턴(610P1)은 멤브레인 패턴(310-330) 중 어느 하나보다 가장 높은 자유도를 가질 수 있으며, 이에 따라 Z 방향 멤브레인 이동에 대한 제약이 가장 적다. 멤브레인 서브파트(411, 412)는 슬릿 개구/세그먼트(413, 415)를 따라 자유롭게 이동할 수 있기 때문에, 멤브레인 패턴(610P1)은 멤브레인 이동에서 높은 자유도를 갖는다.Each of the membrane subparts 411 , 412 of a membrane (eg membrane 110M) is attached/anchored on only one (anchored) edge 414 and all other of the membrane subpart 411 or 412 (3) Since the edges are unbounded, the membrane pattern 610P1 may have the highest degree of freedom than any one of the membrane patterns 310 - 330 , and thus the restriction on the Z-direction membrane movement is the most little. Since the membrane subparts 411 and 412 can freely move along the slit openings/segments 413 and 415 , the membrane pattern 610P1 has a high degree of freedom in membrane movement.

일 실시 예에서, 서로 평행하지 않을 수 있는 슬릿 개구/세그먼트(413, 415)(또는 도 5에 도시된 슬릿 세그먼트(313, 311, 312))의 너비는, 가능한 한 작게 유지될 수 있으며, 일반적으로 공기 누출을 최소화하기 위해 약 1 마이크로미터(μm)이거나 또는 더 좁다.In one embodiment, the width of the slit openings/segments 413 , 415 (or the slit segments 313 , 311 , 312 shown in FIG. 5 ), which may not be parallel to each other, may be kept as small as possible, and generally to about 1 micrometer (μm) or narrower to minimize air leakage.

도 6으로부터, 하나의 에지 즉, 멤브레인 서브파트(411/412)의 에지(414)만이 고정되고, 멤브레인 서브파트(411/412) 각각의 다른 에지가 해제된다. 슬릿 세그먼트(415)는 멤브레인 서브파트(411)와 SR 제2 멤브레인 서브파트(412) 사이에 형성되며, 멤브레인 서브파트(411/412)의 긴 에지에 평행하다. 슬릿 세그먼트(413)는 멤브레인 서브파트(411/412)의 짧은 에지를 따라 멤브레인 경계와 일치한다.From FIG. 6 , only one edge, ie the edge 414 of the membrane subparts 411/412 is fixed, and the other edge of each of the membrane subparts 411/412 is released. The slit segment 415 is formed between the membrane subpart 411 and the SR second membrane subpart 412 and is parallel to the long edge of the membrane subpart 411 / 412 . The slit segment 413 coincides with the membrane boundary along the short edge of the membrane subpart 411 / 412 .

일 실시 예에서, 고정된 에지(414)의 길이 및 슬릿 세그먼트(415)의 길이는 동일하거나 실질적으로 동일하다. 일 실시 예에서, 멤브레인 서브파트(411)의 슬릿 세그먼트(413)의 길이는 멤브레인 서브파트(412)의 길이와 실질적으로 같다.In one embodiment, the length of the fixed edge 414 and the length of the slit segment 415 are the same or substantially the same. In one embodiment, the length of the slit segment 413 of the membrane subpart 411 is substantially equal to the length of the membrane subpart 412 .

셀의 수 또는 배열은 상이한 설계 요건에 따라 조정될 수 있다. 예를 들어, 도 7은 본 출원의 실시 예에 따른 사운드 발생/생성 셀 어레이(700)의 평면도를 도시한 개략도이다. 셀 어레이(700)는 구동 신호(S110)를 수신하는 하나의 사운드 생성 (트위터) 셀(410)과 트위터 셀(410)을 둘러싸는 4개의 (우퍼) 셀(130)을 포함할 수 있다. 셀(410)은 도 6에 도시된 멤브레인 패턴(610P1)을 채택할 수 있으며, 한편, 우퍼 셀(130)은 도 5에 도시된 330 또는 320과 같은 멤브레인 패턴 또는 저주파 사운드를 생성하기에 적합한 다른 멤브레인 패턴을 채택할 수 있다.The number or arrangement of cells can be adjusted according to different design requirements. For example, FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a plan view of a sound generating/generating cell array 700 according to an embodiment of the present application. The cell array 700 may include one sound generating (twitter) cell 410 that receives the driving signal S110 and four (woofer) cells 130 surrounding the tweeter cell 410 . The cell 410 may adopt the membrane pattern 610P1 shown in FIG. 6 , while the woofer cell 130 may adopt a membrane pattern such as 330 or 320 shown in FIG. 5 or other suitable for producing low-frequency sound. A membrane pattern can be adopted.

사운드 생성 (트위터) 셀(410)의 단변(short side)은 더 높은 공진 주파수를 얻는 데 유익할 수 있으며, 사운드 생성 (트위터) 셀(410)의 장변(long side)은 SPL을 확대하는 데 유용할 수 있다. 다시 말해서, 단변의 길이에 대한 장변의 길이의 비율인 종횡비(aspect ratio)가 큰 셀(410)은, 더 작은 종횡비를 갖는 셀에 비해 더 높은 공진 주파수와 더 큰 SPL을 모두 달성할 수 있다. 또한, 높은 종횡비를 갖는 트위터 셀(410)은 셀 어레이(700)의 면적을 줄이는 데 도움이 될 수 있다. 트위터 셀의 종횡비는 실제 요건에 따라 달라질 수 있다. 종횡비가 2보다 크면 본 출원의 요건이 만족되며, 이는 본 출원의 범위 내에 있다.The short side of the sound generating (Twitter) cell 410 may be beneficial for obtaining a higher resonant frequency, and the long side of the sound generating (Twitter) cell 410 is useful for magnifying the SPL. can do. In other words, the cell 410 having a large aspect ratio, which is the ratio of the length of the long side to the length of the short side, may achieve both a higher resonant frequency and a larger SPL than a cell having a smaller aspect ratio. Also, a tweeter cell 410 having a high aspect ratio may help to reduce the area of the cell array 700 . The aspect ratio of the tweeter cell may vary according to actual requirements. If the aspect ratio is greater than 2, the requirements of the present application are satisfied, and this is within the scope of the present application.

또한, 크로스오버 회로의 구조는 상이한 설계 요건에 따라 조정될 수 있다. 일 실시 예에서, 도 1 또는 도 2에 도시된 크로스오버 회로(190 또는 290)는 BiQuad 무한 임펄스 응답(infinite impulse response, IIR) 필터로서 DSP 기능을 수행할 수 있다. 일 실시 예에서, 크로스오버 회로(190 또는 290)는 LPF 및 HPF 기능을 수행하기 위해 단순화된 BiQuad 필터를 캐스케이딩하는(cascading) 것에 의해 구현될 수 있는 4차(또는 6차) Linkwitz-Riley(LR-4 또는 LR-6)일 수 있다. 일 실시 예에서, BiQuad 필터는 5개의 곱셈 연산, 4개의 덧셈 연산 및 스테이지(stage) 당 2개의 레지스터를 포함하는 BiQuad 필터의 직접 포맷(Direct form) 2일 수 있다. 일 실시 예에서, 저역 통과 BiQuad IIR 필터는, 어떠한 곱셈도 없이 6개의 덧셈 연산 및 스테이지 당 2개의 레지스터를 가지고, 여기에 참조로 포함되는 미국 가출원 번호 제63/079,680호에 도입된 것과 같은 적절한 대안에 의해 구현될 수 있으며, 여기서 레지스터(들)는 저장 유닛(들)/회로(들)로서 역할(serve)/기능하고(function), 하나의 레지스터는 하나의 저장 유닛/회로를 나타낼 수 있다. 다시 말해서, 48Kpps(kilo sample per second)에서 1,439.24Hz 또는 96Kpps에서 2,878.5Hz의 크로스오버 주파수(fcx)를 가지는 LR-4 크로스오버 회로(190 또는 290)의 LPF 부분을 구현하기 위해 총 12개의 덧셈 연산이 필요하며, 크로스오버 회로(또는 그 안의 필터(들))의 LPF 부분은 곱셈 회로를 포함하지 않을 수 있다.In addition, the structure of the crossover circuit can be adjusted according to different design requirements. In one embodiment, the crossover circuit 190 or 290 shown in FIG. 1 or 2 may perform a DSP function as a BiQuad infinite impulse response (IIR) filter. In one embodiment, the crossover circuit 190 or 290 may be implemented by cascading a simplified BiQuad filter to perform the LPF and HPF functions, a 4th (or 6th order) Linkwitz-Riley (LR-4 or LR-6). In one embodiment, the BiQuad filter may be a direct form 2 of the BiQuad filter including 5 multiplication operations, 4 addition operations, and 2 registers per stage. In one embodiment, the low pass BiQuad IIR filter has 6 addition operations without any multiplication and 2 registers per stage, suitable alternatives such as those introduced in US Provisional Application Serial No. 63/079,680, which is incorporated herein by reference. where register(s) serve/function as storage unit(s)/circuit(s), and one register may represent one storage unit/circuit. In other words, a total of 12 addition operations to implement the LPF portion of the LR-4 crossover circuit (190 or 290) with a crossover frequency (fcx) of 1,439.24 Hz at 48 Kpps (kilo sample per second) or 2,878.5 Hz at 96 Kpps (kilo sample per second) is required, and the LPF portion of the crossover circuit (or filter(s) therein) may not include a multiplication circuit.

크로스오버 회로(290)의 구조를 추가로 조정하기 위해, LR-4 크로스오버 네트워크의 경우 S110과 S130 사이의 360 °위상 편이를 제외하고, HPF(501)의 출력(신호(S110))과 LPF(503)의 출력(신호(S130))의 합은, 입력 신호(Sn)와 같으며, 단위 합(unit sum)을 달성한다. 본 출원에서, 단위 합의 목적을 달성하기 위한 두 가지 대안이 크로스오버 회로(890A 및 890B)의 개략도에 의해, 도 8에 도시되어 있다.In order to further adjust the structure of the crossover circuit 290, the output (signal S110) and the LPF of the HPF 501 except for the 360° phase shift between S110 and S130 in the case of the LR-4 crossover network. The sum of the output of 503 (signal S130) is equal to the input signal Sn, achieving a unit sum. In the present application, two alternatives for achieving the purpose of unit agreement are shown in FIG. 8 by schematic diagrams of crossover circuits 890A and 890B.

도 8의 (a)에 도시된 크로스오버 회로(890A)는 크로스오버 회로(890A)의 감산 회로(506)(또는 감산기(subtracter/subtractor))에 의해 도 2의 HPF(501)를 대체하면서, (우퍼) 셀(130)에 대한 구동 신호(S130)를 출력하도록 구성된 LPF(503)를 포함할 수 있다. 감산 회로(506)는 입력 신호(Sn)에서 구동 신호(S130)를 감산하여 셀(110)에 대한 구동 신호(S110)에 대응하는 신호를 획득하도록 구성된다. 다시 말해서, 수식 VHPF=Vin-VLPF(또는 동등하게 VHPF+VLPF=Vin)가 만족되며, 여기서 VHPF, VLPF, Vin은 각각 구동 신호(S110)의 전압, 신호(S130)의 전압 및 입력 신호(Sn)의 전압을 나타낸다. 구동 신호(S130)를 LPF(503)를 통해 전달하고 감산 회로(506)로부터 구동 신호(S110)에 대응하는 더 높은 오디오 대역을 출력하는 것에 의해, 크로스오버 회로(890A)는 또한 도 2에 도시된 크로스오버 회로(290)와 같은 단위 합을 특징으로 한다.The crossover circuit 890A shown in FIG. 8(a) replaces the HPF 501 of FIG. 2 by the subtraction circuit 506 (or a subtracter/subtractor) of the crossover circuit 890A, while replacing the HPF 501, It may include an LPF 503 configured to output a driving signal S130 for the (woofer) cell 130 . The subtraction circuit 506 is configured to subtract the driving signal S130 from the input signal Sn to obtain a signal corresponding to the driving signal S110 for the cell 110 . In other words, the formula V HPF =Vin-V LPF (or equivalently V HPF +V LPF =Vin) is satisfied, where V HPF , V LPF , and Vin are the voltage of the driving signal S110 and the voltage of the signal S130 , respectively. voltage and the voltage of the input signal Sn. By passing the drive signal S130 through the LPF 503 and outputting a higher audio band corresponding to the drive signal S110 from the subtraction circuit 506, the crossover circuit 890A is also shown in FIG. It features the same unit sum as the crossover circuit 290 .

위에서 볼 수 있듯이, 크로스오버 회로(890A)는 LR-4 크로스오버 네트워크의 LPF 기능을 수행하기 위해 12개의(즉, LPF(503)의 경우, 6×2=12) 덧셈 연산과, HPF 기능을 수행(구동 신호(S110)를 출력)하기 위해 하나의 (506의) 감산 연산만을 필요로 하여, 계산을 크게 단순화한다.As can be seen above, the crossover circuit 890A performs 12 (ie, 6×2=12, in the case of the LPF 503) addition operation and the HPF function to perform the LPF function of the LR-4 crossover network. Only one (of 506) subtraction operation is required to perform (output the drive signal S110), greatly simplifying the calculation.

또한, 감산기(506)의 지연을 제외하고 신호(S130)와 신호(S110)의 합이 입력 신호(Sn)와 같고(즉, VHPF+VLPF=Vin), 크로스오버 회로(890A)의 출력의 합(즉, 구동 신호(S130)와 구동 신호(S110)의 합)과 입력 신호(Sn), 즉, S110 + S130 = Sn 사이에는 위상차(phase difference)가 없다. 이 제로 위상 편이(Zero-phase-shift) 특징은, 지연이 발생하면 위상 오정렬(phase misalignment)이 발생하고 ANC(active-noise cancelling) 회로의 효능이 저하될 수 있으므로, ANC에 매우 유용하다. 특히, ANC 분야에서 위상 응답은 진폭 응답만큼 중요하며, 평탄한 진폭 응답만으로는 높은 수준의 노이즈 제거를 달성하기에 충분하지 않다. ANC는 크로스오버 회로(890A)의 사용을 통해 완벽하게 달성될 수 있으며, 이는 전체 주파수 범위에서 평탄한 진폭 응답을 나타낼 뿐만 아니라 제로 위상 편이를 보장하거나 또는 입력 신호(Sn)에 대한 합산 신호(S110+S130)의 위상 편이가 예를 들어, 10°보다 작고, 25°미만의 입력 신호(Sn)에 대해 통합된 사운드(P110+P130)의 위상 지연을 달성하는 것을 보장한다.In addition, except for the delay of the subtractor 506, the sum of the signal S130 and the signal S110 is equal to the input signal Sn (ie, V HPF + V LPF = Vin), and the output of the crossover circuit 890A There is no phase difference between the sum (that is, the sum of the driving signal S130 and the driving signal S110) and the input signal Sn, that is, S110 + S130 = Sn. This zero-phase-shift characteristic is very useful for ANC, since if a delay occurs, phase misalignment may occur and the effectiveness of an active-noise canceling (ANC) circuit may be deteriorated. In particular, in ANC applications, the phase response is as important as the amplitude response, and a flat amplitude response alone is not sufficient to achieve a high level of noise rejection. ANC can be perfectly achieved through the use of crossover circuit 890A, which not only exhibits a flat amplitude response over the entire frequency range, but also ensures zero phase shift or summing signal S110+ to the input signal Sn. Ensure that the phase shift of S130 is less than 10°, for example, and achieves a phase delay of the integrated sound P110+P130 for the input signal Sn less than 25°.

수식 VHPF+VLPF=Vin의 일반성 때문에, 크로스오버 회로(890A)의 LPF(503)는 LR4로 제한되지 않는다. 임의의 저역 통과 필터를 사용하여 상이한 시스템 설계에 대한 특정 목적을 충족할 수 있다. 예를 들어, 6차 또는 8차 LPF가 채택되어 셀(130)에 대해 더 빠른 컷오프율(sharper cutoff rate)(즉, 더 가파른 주파수 응답 기울기)을 생성할 수 있다. VHPF+VLPF=Vin의 일반성으로 인해, LPF(503)에 대응하는 더 빠른 주파수 응답 컷오프율이 셀(110)에 대한 구동 신호(S110)에 각인되는(imprint) 반면, 셀(110 및 130)에 대한 크로스오버 회로(890A)의 조합된 출력은 항상 입력 신호(Sn)에 대해 같고, 항상 입력 신호(Sn)에 대해 제로 위상 편이를 갖는다.Because of the generality of the equation V HPF +V LPF = Vin, the LPF 503 of the crossover circuit 890A is not limited to LR4. Any low-pass filter can be used to meet specific objectives for different system designs. For example, a 6th or 8th order LPF may be employed to produce a sharper cutoff rate (ie, a steeper frequency response slope) for cell 130 . Due to the generality of V HPF + V LPF =Vin, a faster frequency response cutoff rate corresponding to LPF 503 is imprinted in drive signal S110 for cell 110, whereas cells 110 and 130 ), the combined output of the crossover circuit 890A is always the same with respect to the input signal Sn, and always has a zero phase shift with respect to the input signal Sn.

회로(890A)의 실시 예는 아날로그 또는 디지털일 수 있다. 아날로그 실시 예에서, LPF(503)는 다단 연산 증폭기(multi-stage operational amplifier)에 의해 구현될 수 있고, 506의 감산 기능은 차동 증폭기로서 또는 증폭기(502)의 입력단 회로 토폴로지의 일부로서 구현될 수 있다. 디지털 실시 예에서, LPF(503)는 미국 가출원 번호 제63/079,680호에서 논의된 것과 같은 BiQuad 필터로 구현될 수 있고, 감산기(506)는 지연을 최소화하기 위해 조합 논리 게이트로 구현될 수 있다. 이러한 회로의 세부 사항은 연산 증폭기 설계 및/또는 디지털 회로 설계 분야에서 잘 문서화되어 있으며, 간결성을 위해 여기에서는 생략한다.Embodiments of circuit 890A may be analog or digital. In an analog embodiment, LPF 503 may be implemented by a multi-stage operational amplifier, and the subtraction function of 506 may be implemented as a differential amplifier or as part of an input stage circuit topology of amplifier 502 . have. In a digital embodiment, LPF 503 may be implemented as a BiQuad filter as discussed in US Provisional Application No. 63/079,680, and subtractor 506 may be implemented as a combinational logic gate to minimize delay. The details of these circuits are well documented in the fields of op amp design and/or digital circuit design, and are omitted here for the sake of brevity.

890A에 대한 대안으로서, 도 8의 (b)에 도시된 크로스오버 회로(890B)는 셀(110)에 대한 구동 신호(S110)를 출력하도록 구성된 HPF(501)를 포함할 수 있지만, 도 2에 도시된 LPF(503)는 크로스오버 회로(890B)의 감산 회로(506)로 대체된다.As an alternative to the 890A, the crossover circuit 890B shown in FIG. 8(b) may include an HPF 501 configured to output a drive signal S110 for the cell 110, while The illustrated LPF 503 is replaced by the subtraction circuit 506 of the crossover circuit 890B.

위에서 도시된 바와 같이 MEMS 사운드 생성 셀의 0에 가까운 위상 래그(near-zero-phase lag)뿐만 아니라 도 8에 도시된 크로스오버 회로 중 하나에 의해 기여된 제로 위상 편이가 주어지면, 본 출원에서의 SPD는 ANC 능력을 갖춘 웨어러블 청각 디바이스(hearing device)에 적용될 수 있다.Given the near-zero-phase lag of the MEMS sound producing cell as shown above as well as the zero phase shift contributed by one of the crossover circuits shown in FIG. SPD may be applied to a wearable hearing device with ANC capability.

셀 어레이의 셀들은 두 가지 이상의 유형으로 나뉠 수 있다. 예를 들어, 도 9는 본 출원의 실시 예에 따른 3-웨이 SPD(90)의 개략도이다. 도 9의 (a)는 SPD(90)의 구조를 나타낸다. 도 9의 (b)는 SPD(90)의 크로스오버 회로(990)에 대응하는 주파수 응답을 예시한다.The cells of the cell array may be divided into two or more types. For example, FIG. 9 is a schematic diagram of a 3-way SPD 90 according to an embodiment of the present application. 9A shows the structure of the SPD 90 . 9B illustrates a frequency response corresponding to the crossover circuit 990 of the SPD 90 .

SPD(90)의 사운드 발생/생성 셀 어레이(900A)는 서로 다른 유형의 셀(110, 130, 120)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 10은 본 출원의 실시 예에 따른 사운드 발생/생성 셀 어레이(900B)의 평면도를 예시하는 개략도이다. 도 9에 도시된 셀 어레이(900A)는 셀 어레이(900B)로 구현될 수 있다. 셀 어레이(900B)는 MR1에 대응하는 주파수 대역을 커버하고 사운드/압력(P110)을 생성하는 2개의 트위터 셀(110), MR3에 대응하는 주파수 대역을 커버하고 사운드/압력(P130)을 생성하는 1개의 우퍼 셀(130), 및 MR2에 대응하는 주파수 대역을 커버하고 사운드/압력(P120)을 생성하는 하나의 중간 범위(mid-range) 셀(120)을 포함한다.The sound generating/generating cell array 900A of the SPD 90 may include different types of cells 110 , 130 , 120 . For example, FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a plan view of a sound generating/generating cell array 900B according to an embodiment of the present application. The cell array 900A illustrated in FIG. 9 may be implemented as a cell array 900B. The cell array 900B covers the frequency band corresponding to MR1 and generates the sound/pressure P110 with two tweeter cells 110, covering the frequency band corresponding to MR3 and generating the sound/pressure P130. one woofer cell 130 , and one mid-range cell 120 covering the frequency band corresponding to MR2 and generating sound/pressure P120 .

유사하게, 중간 범위 사운드 생성 셀(120)은 제1 오디오 대역 및 제2 오디오 대역과는 상이한, 제3 오디오 대역 상에서 음향 사운드(P120)를 생성하도록 구성된다. 구동 신호(S120)에 대응하는 제3 오디오 대역은 최대 주파수(fmax,S120)에 의해 상한이 제한된다. 중간 범위 셀(120) 내의 멤브레인(120M)의 공진 주파수(fr,120)는 최대 주파수(fmax,S120) 보다 높다.Similarly, the mid-range sound generating cell 120 is configured to generate the acoustic sound P120 on a third audio band, different from the first and second audio bands. The third audio band corresponding to the driving signal S120 has an upper limit limited by the maximum frequency f max, S120 . The resonant frequency f r,120 of the membrane 120M in the mid-range cell 120 is higher than the maximum frequency f max,S120 .

일 실시 예에서, 셀(120)은 중간 범위 주파수를 커버하기 위한 중간 범위 드라이버로서 기능할 수 있다. 멤브레인(120M)(중간 범위 셀(120) 내부)의 면적은 멤브레인(110M)(트위터 셀(110) 내부)의 면적보다 크고, 멤브레인(130M)(우퍼 셀(110) 내부)보다 작지만, (중간 범위) 멤브레인(120M)의 공진 주파수는 (트위터) 멤브레인(110M)의 공진 주파수보다 낮고 (우퍼) 멤브레인(130M)의 공진 주파수보다 높을 수 있다. 일 실시 예에서, (중간 범위) 셀(120)의 공진 주파수는 구동 신호(S120)와 구동 신호(S110) 사이의 크로스오버 주파수(fcx2)보다 상당히 높을 수 있다(나중에 자세히 설명됨). 실제로, MR3과 MR2에 대응하는 오디오 대역 간 크로스오버 주파수(fcx1)은 300Hz ~ 1KHz 범위에 있을 수 있고, MR1과 MR2에 대응하는 오디오 대역 간 크로스오버 주파수(fcx2)는 2KHz 내지 6KHz 범위에 있을 수 있다.In one embodiment, cell 120 may function as a mid-range driver to cover mid-range frequencies. The area of membrane 120M (inside mid-range cell 120) is larger than the area of membrane 110M (inside tweeter cell 110) and smaller than membrane 130M (inside woofer cell 110), but Range) The resonant frequency of the membrane 120M may be lower than the resonant frequency of the (Twitter) membrane 110M and higher than the resonant frequency of the (woofer) membrane 130M. In one embodiment, the (mid-range) resonant frequency of the cell 120 may be significantly higher than the crossover frequency fcx2 between the drive signal S120 and the drive signal S110 (described in detail later). In practice, the crossover frequency (fcx1) between audio bands corresponding to MR3 and MR2 may be in the range of 300 Hz to 1 KHz, and the crossover frequency (fcx2) between audio bands corresponding to MR1 and MR2 may be in the range of 2 KHz to 6 KHz. have.

일 실시 예에서, 셀(110, 120, 130)은 SOI(Silicon-On-Insulator) 또는 POI(Poly-On-Insulator) 웨이퍼로 만들어 질 수 있으며; Si 층 또는 Poly 층은 멤브레인(110M, 120M, 130M)을 형성하며; SOI 또는 POI 웨이퍼의 Si 기판은 셀 간 격벽(cell-to-cell partition wall)(102) 및 전체 칩 경계벽(overall chip border wall)(106)을 형성한다. 일 실시 예에서, 셀(110, 120, 130)은 모놀리식(monolithic) 실리콘 기판으로 제조될 수 있고 일체로 형성될 수 있으므로, 셀(110, 120, 130)은 동일한 물질로 형성되고 이들의 연결에는 기계적 조인트(mechanical joint)가 없다.In one embodiment, cells 110 , 120 , 130 may be made of silicon-on-insulator (SOI) or poly-on-insulator (POI) wafers; Si layer or Poly layer forms membranes 110M, 120M, 130M; The Si substrate of the SOI or POI wafer forms a cell-to-cell partition wall 102 and an overall chip border wall 106 . In one embodiment, cells 110 , 120 , 130 may be fabricated from a monolithic silicon substrate and may be integrally formed, such that cells 110 , 120 , 130 are formed of the same material and their The connection has no mechanical joints.

도 9에 도시된 크로스오버 회로(990)는 입력 신호(Sn)를 3개의 구동 신호(S110, S120, S130)로 파티셔닝하여 각각 셀(110, 120, 130)로 전달되도록 구성된다. 크로스오버 회로(990)는 입력 신호(Sn)에 따라 구동 신호(S130, S120, S110)를 생성하기 위해 저역 통과 필터링 동작, 대역 통과 필터링 동작 및 고역 통과 필터링 동작을 수행해야 할 수 있다. 일 실시 예에서, 크로스오버 회로(990)는 HPF(501)(고역 통과 필터링 동작을 수행하기 위해), LPF(503)(저역 통과 필터링 동작을 수행하기 위해) 및 셀(120)을 위한 대역 통과 필터를 포함할 수 있다.The crossover circuit 990 shown in FIG. 9 is configured to partition the input signal Sn into three driving signals S110, S120, and S130 to be transmitted to the cells 110, 120, and 130, respectively. The crossover circuit 990 may have to perform a low-pass filtering operation, a band-pass filtering operation, and a high-pass filtering operation to generate the driving signals S130 , S120 , and S110 according to the input signal Sn. In one embodiment, crossover circuit 990 is a bandpass for HPF 501 (to perform a high-pass filtering operation), LPF 503 (to perform a low-pass filtering operation) and cell 120 . Filters may be included.

다른 실시 예에서, 위상 래그(lag)/편이를 감소시키거나 제로 위상 편이를 달성하기 위해, 감산기가 필터링 동작(들)을 수행하도록 포함될 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 크로스오버 회로(990')가 도시되어 있다. 크로스오버 회로(990')는 LPF(503, 593) 및 감산기(506, 596)를 포함한다. LPF(503)는 fcx1에서 컷오프 주파수를 가질 수 있고, LPF(593)는 fcx2에서 컷오프 주파수를 가질 수 있다. 현재 실시 예에서, fcx2 > fcx1이다. 감산기(596)의 "+"로 표시된 양의 입력 단자는 LPF(503)의 입력 단자에 연결되고; 감산기(506)의 "+"로 표시된 양의 입력 단자는 LPF(593)의 입력 단자에 연결되며; 감산기(596)의 "-"로 표시된 음의 입력 단자는 LPF(503)의 출력 단자에 연결되고; 감산기(506)의 "-"로 표시된 음의 입력 단자는 LPF(593)의 출력 단자에 연결된다. LPF(503)의 입력 단자는 입력 신호(Sn)을 수신한다.In other embodiments, a subtractor may be included to perform the filtering operation(s) to reduce phase lag/shift or achieve zero phase shift. 11, a crossover circuit 990' is shown. Crossover circuit 990' includes LPFs 503, 593 and subtractors 506, 596. The LPF 503 may have a cutoff frequency at fcx1 , and the LPF 593 may have a cutoff frequency at fcx2 . In the current embodiment, fcx2 > fcx1. The positive input terminal indicated by "+" of the subtractor 596 is connected to the input terminal of the LPF 503; The positive input terminal marked "+" of the subtractor 506 is connected to the input terminal of the LPF 593; The negative input terminal indicated by "-" of the subtractor 596 is connected to the output terminal of the LPF 503; The negative input terminal of the subtractor 506 marked with “-” is connected to the output terminal of the LPF 593 . The input terminal of the LPF 503 receives the input signal Sn.

대역 통과 필터링 동작의 기능은 LPF(503)에서 출력 신호를 가져 와서 이를 감산기(596)의 음의 입력 단자에 연결하여 LPF(503)의 입력 신호 즉, Sn에서 감산하고, 그리고 LPF(503)에 의한 결과 신호(감산기(596)에 의해 생성됨)에 대해 저역 통과 필터링 동작을 수행하는 것에 의해 수행된다. HPF(501)(또는 고역 통과 필터링 동작)의 기능은 LPF(593)에서 출력 신호를 가져 와서 이를 감산기(506)의 음의 입력 단자에 연결하여 LPF(593)의 입력 신호에서 감산하는 것에 의해 수행된다.The function of the bandpass filtering operation is to take the output signal from the LPF 503 and connect it to the negative input terminal of the subtractor 596 to subtract it from the input signal of the LPF 503 i.e. Sn, and to the LPF 503 performing a low-pass filtering operation on the resulting signal (generated by subtractor 596) by The function of HPF 501 (or high-pass filtering operation) is performed by taking the output signal from LPF 593 and subtracting it from the input signal of LPF 593 by connecting it to the negative input terminal of subtractor 506 . do.

감도 보상(sensitivity compensation) 블록(502, 592)에 대해 G1 = G2 = 1인 경우, S110 S120 S130으로 표현되는 크로스오버 회로(990)의 출력 신호의 합은 자동으로 단위 합, 주파수 범위에 대한 평탄도 및 그리고 제로 위상 편이 특성을 갖는다. 즉, S110 + S120 + S130 = Sn(G1 = G2 = 1일 때)이다. 또한, (fx1에서) MR3과 MR2 사이의 크로스오버는 MR3과 MR2가 자동으로 6dB 감소한 주파수 상에 떨어지며(fall), (fx2에서) MR1과 MR2 사이의 크로스오버는 MR1과 MR2가 자동으로 6dB 감소한 주파수 상에 떨어진다. 주파수(fcx1, fcx2)는 크로스오버 회로(990')의 크로스오버 주파수로 간주될 수 있다. 일 실시 예에서, fcx1 < fr,130 < fcx2 < fr,120 < fmax,S110 < fr,110이며, fr,120은 멤브레인(120M)의 공진 주파수를 나타낸다.When G1 = G2 = 1 for the sensitivity compensation blocks 502 and 592, the sum of the output signals of the crossover circuit 990 represented by S110 S120 S130 is automatically the unit sum, flat over the frequency range degrees and and zero phase shift characteristics. That is, S110 + S120 + S130 = Sn (when G1 = G2 = 1). Also, (at fx1) the crossover between MR3 and MR2 will fall on the frequency where MR3 and MR2 are automatically reduced by 6dB, and (at fx2) the crossover between MR1 and MR2 will be automatically reduced by 6dB at MR1 and MR2. falls on the frequency. The frequencies fcx1 and fcx2 may be regarded as the crossover frequencies of the crossover circuit 990'. In an embodiment, fcx1 < f r,130 < fcx2 < f r,120 < f max, S110 < f r,110 , and f r,120 represents the resonance frequency of the membrane 120M.

일 실시 예에서, 입력 신호(Sn)는 48Ksps(kilo samples per second) 또는 96Ksps 샘플 레이트에서 펄스 코드 변조(pulse-code modulation, PCM) 포맷일 수 있다.In an embodiment, the input signal Sn may be in a pulse-code modulation (PCM) format at a sample rate of 48 Ksps (kilo samples per second) or 96 Ksps.

본 발명의 일 측면에서, 입력 신호(Sn)를 다중 주파수 대역으로 파티셔닝하는 것에 의해, 미국 가출원 번호 제62/897,365호 및/또는 미국 특허 번호 제10,805,751호에 개시된 바와 같이 최대 입력 주파수(즉, 구동 신호(S120 또는 S130)의 최대 주파수)를 멤브레인의 공진 주파수보다 상당히 낮게 하면서, 멤브레인(예: 멤브레인(120M 또는 130M))의 공진 주파수를 낮출 수 있다. 따라서, 본 발명은 미국 가출원 번호 제62/897,365호 및/또는 미국 특허 번호 제10,805,751호에 개시된 설계 원칙에 따른 사운드 품질 및 생성의 일관성을 희생하지 않고, 낮은 멤브레인 강성, 증가된 멤브레인 컴플라이언스, 더 효과적인 멤브레인 설계, 셀(예: 셀(120 및 130))의 개선된 단위 실리콘 면적 사운드 생성 효능(unit silicon area sound generating efficacy)을 가질 수 있다.In one aspect of the present invention, by partitioning the input signal Sn into multiple frequency bands, the maximum input frequency (i.e., driving The resonant frequency of the membrane (eg, the membrane 120M or 130M) can be lowered while making the signal (the maximum frequency of S120 or S130) significantly lower than the resonant frequency of the membrane. Accordingly, the present invention is directed to lower membrane stiffness, increased membrane compliance, and more effective Membrane design may have improved unit silicon area sound generating efficacy of cells (eg, cells 120 and 130 ).

본 발명의 또 다른 측면에서, 입력 신호(Sn)를 다중 주파수 대역으로 파티셔닝하는 것에 의해, 멤브레인 패턴(예: 멤브레인 패턴(310))을 구성하는 슬릿(들)을 통한 멤브레인 누출이, 낮은 음역의 사운드를 생성할 책임이 없는 셀(예: 셀(110))에 대해 경감될 수 있다. 따라서, 보다 효율적인 멤브레인 설계가 적용될 수 있으며, 그 결과 셀(예를 들어, 셀(120, 130))의 단위 실리콘 면적 사운드 생성 효율이 향상될 수 있다.In another aspect of the present invention, by partitioning the input signal Sn into multiple frequency bands, membrane leakage through the slit(s) constituting the membrane pattern (eg, the membrane pattern 310) is reduced It may be relieved for cells that are not responsible for generating the sound (eg, cell 110 ). Accordingly, a more efficient membrane design may be applied, and as a result, the unit silicon area sound generation efficiency of the cell (eg, the cells 120 and 130 ) may be improved.

당업자는 본 발명의 교시를 유지하면서 디바이스 및 방법의 수많은 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다. 따라서, 상기 개시는 첨부된 청구 범위의 경계(mete)와 범위(bound)에 의해서만 제한되는 것으로 해석되어야 한다. Those skilled in the art will readily appreciate that numerous modifications and variations of the devices and methods may be made while retaining the teachings of the present invention. Accordingly, the above disclosure should be construed as limited only by the mete and bounds of the appended claims.

Claims (30)

사운드 생성 디바이스(sound producing device, SPD)로서,
제1 멤브레인(membrane)을 포함하고, 제1 구동 신호에 의해 구동되며, 제1 오디오 대역 상에서 제1 음향 사운드(acoustic sound)를 생성하도록(produce) 구성된 제1 사운드 생성 셀(cell); 및
제2 멤브레인을 포함하고, 제2 구동 신호에 의해 구동되며, 상기 제1 오디오 대역과 상이한 제2 오디오 대역상에서 제2 음향 사운드를 생성하도록 구성된 제2 사운드 생성 셀
을 포함하고,
상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인은 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 제조된 멤브레인이며,
상기 제1 구동 신호에 대응하는 상기 제1 오디오 대역은 제1 최대 주파수에 의해 상한이 제한되고(bounded), 상기 제2 구동 신호에 대응하는 상기 제2 오디오 대역은 제2 최대 주파수에 의해 상한이 제한되며,
상기 제1 멤브레인의 제1 공진 주파수는 상기 제1 구동 신호의 제1 최대 주파수보다 높고,
상기 제2 멤브레인의 제2 공진 주파수는 상기 제2 구동 신호의 제2 최대 주파수보다 높고, 상기 제1 공진 주파수는 상기 제2 공진 주파수보다 높은, SPD.
A sound producing device (SPD) comprising:
a first sound producing cell comprising a first membrane, driven by a first drive signal, and configured to produce a first acoustic sound on a first audio band; and
a second sound generating cell comprising a second membrane, driven by a second drive signal, and configured to generate a second acoustic sound on a second audio band different from the first audio band
including,
The first membrane and the second membrane are MEMS (Micro Electro Mechanical System) manufactured membranes,
The first audio band corresponding to the first driving signal has an upper limit bounded by a first maximum frequency, and the second audio band corresponding to the second driving signal has an upper limit by a second maximum frequency. limited,
a first resonant frequency of the first membrane is higher than a first maximum frequency of the first driving signal;
a second resonant frequency of the second membrane is higher than a second maximum frequency of the second drive signal, and the first resonant frequency is higher than the second resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인에 결합되고, 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호를 발생시키도록(generate) 구성된 크로스오버(crossover) 회로 - 상기 크로스오버 회로는 크로스오버 주파수를 가짐 -
를 더 포함하며,
상기 제2 공진 주파수는 상기 크로스오버 주파수보다 높은, SPD.
According to claim 1,
a crossover circuit coupled to the first membrane and the second membrane and configured to generate the first drive signal and the second drive signal, the crossover circuit having a crossover frequency;
further comprising,
the second resonant frequency is higher than the crossover frequency, SPD.
제1항에 있어서,
상기 제1 최대 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 높은, SPD.
According to claim 1,
wherein the first maximum frequency is higher than the second resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 공진 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 높도록, 상기 제1 멤브레인의 제1 면적(area)이 상기 제2 멤브레인의 제2 면적과 상이한, SPD.
According to claim 1,
a first area of the first membrane is different from a second area of the second membrane such that the first resonant frequency is higher than the second resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 공진 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 높도록, 상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인 패턴이 상기 제2 사운드 생성 셀의 제2 멤브레인 패턴과 상이한, SPD.
According to claim 1,
the first membrane pattern of the first sound generating cell is different from the second membrane pattern of the second sound generating cell, such that the first resonant frequency is higher than the second resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 공진 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 높도록, 상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인 패턴이, 상기 제2 사운드 생성 셀의 제2 멤브레인 패턴과 상이한 자유도(degrees of freedom)를 가지는, SPD.
According to claim 1,
the first membrane pattern of the first sound generating cell has different degrees of freedom from the second membrane pattern of the second sound generating cell, such that the first resonant frequency is higher than the second resonant frequency , SPD.
제1항에 있어서,
상기 제1 공진 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 높도록, 상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인 강성(membrane stiffness)이 상기 제2 사운드 생성 셀의 제2 멤브레인 강성과 상이한, SPD.
According to claim 1,
a first membrane stiffness of the first sound generating cell is different from a second membrane stiffness of the second sound generating cell, such that the first resonant frequency is higher than the second resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인 패턴이, 상기 제1 사운드 생성 셀의 적어도 하나의 최외곽 에지(outermost edge)를 따라 배치된 적어도 하나의 슬릿 세그먼트(slit segment)를 포함하는, SPD.
According to claim 1,
The SPD, wherein the first membrane pattern of the first sound generating cell comprises at least one slit segment disposed along at least one outermost edge of the first sound generating cell.
제1항에 있어서,
상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 멤브레인 패턴이 서로 분리된 복수의 멤브레인 서브파트(subpart)를 포함하는, SPD.
According to claim 1,
wherein the first membrane pattern of the first sound generating cell comprises a plurality of membrane subparts separated from each other.
제1항에 있어서,
상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인에 결합되고, 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호를 발생시키도록 구성된 크로스오버 회로
를 포함하고,
상기 크로스오버 회로는 제1 필터를 포함하며,
상기 크로스오버 회로는 상기 제1 필터의 제1 출력 신호에 따라 상기 제1 구동 신호와 상기 제2 구동 신호 중 하나의 구동 신호를 발생시키는, SPD.
According to claim 1,
a crossover circuit coupled to the first membrane and the second membrane and configured to generate the first drive signal and the second drive signal
including,
The crossover circuit includes a first filter,
and the crossover circuit generates one of the first driving signal and the second driving signal according to a first output signal of the first filter.
제10항에 있어서,
상기 크로스오버 회로는,
제2 필터를 포함하고,
상기 크로스오버 회로는 상기 제2 필터의 제2 출력 신호에 따라, 상기 제1 출력 신호에 따라 발생된 상기 하나의 구동 신호 이외에, 상기 제1 구동 신호와 상기 제2 구동 신호 중 다른 구동 신호를 발생시키는, SPD.
11. The method of claim 10,
The crossover circuit is
a second filter;
The crossover circuit generates, according to a second output signal of the second filter, another driving signal among the first driving signal and the second driving signal in addition to the one driving signal generated according to the first output signal. Letting go, SPD.
제10항에 있어서,
상기 크로스오버 회로는 이득(gain) 회로를 포함하고,
상기 이득 회로는 상기 제1 사운드 생성 셀에 결합되고, 상기 제1 사운드 생성 셀과 상기 제2 사운드 생성 셀 사이의 감도 차이(sensitivity difference)를 보상하도록 구성되는, SPD.
11. The method of claim 10,
The crossover circuit includes a gain circuit,
and the gain circuit is coupled to the first sound generating cell and configured to compensate for a sensitivity difference between the first sound generating cell and the second sound generating cell.
제10항에 있어서,
상기 제1 필터는 필터 계수 곱셈을 수행하기 위한 저장 유닛(storage unit) 및 가산기(adder)를 포함하고, 상기 제1 필터는 곱셈 회로를 포함하지 않는, SPD.
11. The method of claim 10,
wherein the first filter comprises a storage unit and an adder for performing filter coefficient multiplication, and wherein the first filter does not comprise a multiplication circuit.
제10항에 있어서,
상기 크로스오버 회로는,
감산 회로
를 포함하고,
상기 제1 필터의 입력 단자가 상기 감산 회로의 제1 입력 단자에 결합되고, 상기 제1 필터의 출력 단자는 상기 감산 회로의 제2 입력 단자에 결합되며;
상기 크로스오버 회로는 상기 감산 회로의 제2 출력 신호에 따라, 상기 제1 출력 신호에 따라 발생된 상기 하나의 구동 신호 이외에, 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호 중 다른 구동 신호를 발생시키는, SPD.
11. The method of claim 10,
The crossover circuit is
subtraction circuit
including,
an input terminal of the first filter is coupled to a first input terminal of the subtraction circuit, and an output terminal of the first filter is coupled to a second input terminal of the subtraction circuit;
The crossover circuit generates, according to a second output signal of the subtraction circuit, another one of the first driving signal and the second driving signal in addition to the one driving signal generated according to the first output signal. , SPD.
제1항에 있어서,
제3 멤브레인을 포함하고, 크로스오버 회로에 결합되고 상기 크로스오버 회로에 의해 발생된 제3 구동 신호에 의해 구동되며, 상기 제1 오디오 대역 및 상기 제2 오디오 대역과 상이한 제3 오디오 대역 상에서 제3 음향 사운드를 생성하도록 구성된 제3 사운드 생성 셀
을 더 포함하고,
상기 제3 구동 신호에 대응하는 제3 오디오 대역은 제3 최대 주파수에 의해 상한이 제한되며,
상기 제3 멤브레인의 제3 공진 주파수는 상기 제3 최대 주파수보다 높은, SPD.
According to claim 1,
a third membrane comprising a third membrane, coupled to the crossover circuit and driven by a third drive signal generated by the crossover circuit, a third on a third audio band different from the first audio band and the second audio band a third sound generating cell configured to produce an acoustic sound
further comprising,
An upper limit of the third audio band corresponding to the third driving signal is limited by a third maximum frequency,
and a third resonant frequency of the third membrane is higher than the third maximum frequency.
제15항에 있어서,
상기 제3 공진 주파수는 제2 공진 주파수보다 높고 제1 공진 주파수보다 낮은, SPD.
16. The method of claim 15,
wherein the third resonant frequency is higher than the second resonant frequency and lower than the first resonant frequency.
제1항에 있어서,
상기 제1 사운드 생성 셀에 대한 상기 제1 구동 신호 및 상기 제1 사운드 생성 셀에 대한 상기 제2 구동 신호를 발생시키도록 구성된 크로스오버 회로
를 포함하고,
상기 크로스오버 회로는 Linkwitz-Riley 크로스오버 필터를 포함하는, SPD.
According to claim 1,
a crossover circuit configured to generate the first drive signal for the first sound producing cell and the second drive signal for the first sound producing cell
including,
wherein the crossover circuit comprises a Linkwitz-Riley crossover filter.
제1항에 있어서,
상기 SPD가 인 이어 모니터 스피커(in-ear monitor speaker)로서 기능할 때, 상기 제1 사운드 생성 셀의 제1 최대 SPL 요건(requirement)이 상기 제2 사운드 생성 셀의 제2 최대 SPL 요건보다 낮은, SPD.
According to claim 1,
when the SPD functions as an in-ear monitor speaker, a first maximum SPL requirement of the first sound producing cell is lower than a second maximum SPL requirement of the second sound producing cell; SPD.
제1항에 있어서,
상기 SPD에 의해 생성된 통합된 사운드(aggregated sound)는 상기 제1 음향 사운드 및 상기 제2 음향 사운드를 포함하고,
상기 SPD는 입력 신호에 따라 상기 통합된 사운드를 생성하며,
상기 입력 신호에 대한 상기 통합된 사운드의 위상 편이(phase shift)가 25°보다 작은, SPD.
According to claim 1,
the aggregated sound generated by the SPD includes the first acoustic sound and the second acoustic sound,
the SPD generates the integrated sound according to the input signal,
A phase shift of the integrated sound with respect to the input signal is less than 25°.
제1항에 있어서,
상기 제1 구동 신호와 상기 제2 구동 신호의 합에 의해 합산 신호(summation signal)가 형성되고,
상기 SPD는 입력 신호에 따라 상기 제1 구동 신호 및 상기 제2 구동 신호를 발생시키며,
상기 입력 신호에 대한 합산 신호의 위상 편이가 20°보다 작은, SPD.
According to claim 1,
A summation signal is formed by the sum of the first driving signal and the second driving signal,
The SPD generates the first driving signal and the second driving signal according to an input signal,
wherein the phase shift of the summed signal with respect to the input signal is less than 20°.
제1항에 있어서,
상기 SPD는 웨어러블 청각 디바이스(wearable hearing device) 내에 배치되는, SPD.
According to claim 1,
The SPD is disposed within a wearable hearing device.
제21항에 있어서,
상기 웨어러블 청각 디바이스는 능동 소음 제거 능력(active noise cancellation capability)을 포함하는, SPD.
22. The method of claim 21,
The wearable hearing device comprises an active noise cancellation capability.
사운드 생성 디바이스(sound producing device, SPD) 내에 배치되는 크로스오버 회로로서,
상기 SPD는 제1 구동 신호에 의해 구동되는 제1 사운드 생성 셀 및 제2 구동 신호에 의해 구동되는 제2 사운드 생성 셀을 포함하며,
상기 크로스오버 회로는,
입력 단자에서 입력 신호를 수신하는 제1 필터; 및
제1 감산 회로
를 포함하고,
상기 제1 감산 회로의 제1 입력 단자는 상기 제1 필터의 입력 단자에 결합되며, 상기 제1 감산 회로의 제2 입력 단자는 상기 제1 필터의 출력 단자에 결합되고,
상기 크로스오버 회로는 상기 제1 감산 회로의 제1 출력 신호에 따라 상기 제1 구동 신호를 생성하며,
상기 크로스오버 회로는 상기 제1 필터의 제2 출력 신호에 따라 상기 제2 구동 신호를 생성하는, 크로스오버 회로.
A crossover circuit disposed within a sound producing device (SPD), comprising:
The SPD includes a first sound generating cell driven by a first driving signal and a second sound generating cell driven by a second driving signal,
The crossover circuit is
a first filter for receiving an input signal at the input terminal; and
first subtraction circuit
including,
a first input terminal of the first subtraction circuit is coupled to an input terminal of the first filter, a second input terminal of the first subtraction circuit is coupled to an output terminal of the first filter;
the crossover circuit generates the first driving signal according to a first output signal of the first subtraction circuit;
and the crossover circuit generates the second drive signal according to a second output signal of the first filter.
제23항에 있어서,
상기 제1 구동 신호와 상기 제2 구동 신호의 합에 의해 합산 신호가 형성되고,
상기 입력 신호에 대한 합산 신호의 위상 편이가 20°보다 작으며,
상기 제1 사운드 생성 셀은 제1 음향 사운드를 생성하고,
상기 제2 사운드 생성 셀은 제2 음향 사운드를 생성하며,
상기 SPD에 의해 생성된 통합된 사운드는 상기 제1 음향 사운드 및 상기 제2 음향 사운드를 포함하고,
상기 입력 신호에 대한 상기 통합된 사운드의 위상 편이가 25°보다 작은, 크로스오버 회로.
24. The method of claim 23,
A sum signal is formed by the sum of the first driving signal and the second driving signal;
a phase shift of the summed signal with respect to the input signal is less than 20°,
the first sound generating cell generates a first acoustic sound;
the second sound generating cell generates a second acoustic sound;
The integrated sound generated by the SPD includes the first acoustic sound and the second acoustic sound,
and a phase shift of the integrated sound with respect to the input signal is less than 25°.
제23항에 있어서,
상기 SPD는,
제3 구동 신호에 의해 구동되는 제3 사운드 생성 셀을 포함하고,
상기 크로스오버 회로는,
상기 제1 감산 회로의 제1 출력 신호를 수신하는 제2 필터; 및
제2 감산 회로
를 포함하며,
상기 제2 감산 회로의 제1 입력 단자는 상기 제2 필터의 입력 단자에 결합되고, 상기 제2 감산 회로의 제2 입력 단자는 상기 제2 필터의 출력 단자에 결합되며,
상기 크로스오버 회로는 상기 제2 필터의 제3 출력 신호에 따라 상기 제1 구동 신호를 생성하고;
상기 크로스오버 회로는 상기 제2 감산 회로의 제4 출력 신호에 따라 상기 제3 구동 신호를 생성하는, 크로스오버 회로.
24. The method of claim 23,
The SPD is
a third sound generating cell driven by a third driving signal;
The crossover circuit is
a second filter for receiving a first output signal of the first subtraction circuit; and
second subtraction circuit
includes,
a first input terminal of the second subtraction circuit is coupled to an input terminal of the second filter, a second input terminal of the second subtraction circuit is coupled to an output terminal of the second filter;
the crossover circuit generates the first driving signal according to a third output signal of the second filter;
and the crossover circuit generates the third drive signal according to a fourth output signal of the second subtraction circuit.
사운드 생성 셀로서,
제1 멤브레인 서브파트 및 제2 멤브레인 서브파트를 포함하는 멤브레인
을 포함하고,
상기 제1 멤브레인 서브파트 및 상기 제2 멤브레인 서브파트 각각의 하나의 에지만이 고정되고(anchored), 상기 제1 멤브레인 서브파트 및 상기 제2 멤브레인 서브파트 각각의 다른 에지가 해제되며(released),
상기 사운드 생성 셀의 종횡비가 2보다 크고, 상기 사운드 생성 셀의 종횡비는 상기 사운드 생성 셀의 단변(short side)의 짧은 길이에 대한 상기 사운드 생성 셀의 장변(long side)의 제1 길이의 비율인, 사운드 생성 셀.
As a sound generating cell,
A membrane comprising a first membrane subpart and a second membrane subpart
including,
only one edge of each of the first and second membrane subparts is anchored, and the other edge of each of the first and second membrane subparts is released;
wherein the aspect ratio of the sound generating cell is greater than 2, and the aspect ratio of the sound generating cell is the ratio of the first length of the long side of the sound generating cell to the short length of the short side of the sound generating cell , a sound-generating cell.
제26항에 있어서,
제1 슬릿 세그먼트가 상기 제1 멤브레인 서브파트의 긴 해제된 에지와 상기 제2 멤브레인 서브파트의 긴 해제된 에지 사이에 형성되고, 제2 슬릿 세그먼트가 상기 제1 멤브레인 서브파트의 짧은 해제된 에지와 상기 제2 멤브레인 서브파트의 짧은 해제된 에지에 의해 형성되는, 사운드 생성 셀.
27. The method of claim 26,
a first slit segment is formed between the long released edge of the first membrane subpart and the long released edge of the second membrane subpart, and a second slit segment is formed between the short released edge of the first membrane subpart and a sound producing cell formed by a short released edge of the second membrane subpart.
제27항에 있어서,
상기 고정된 에지의 길이와 상기 제1 슬릿 세그먼트의 길이가 실질적으로 동일한, 사운드 생성 셀.
28. The method of claim 27,
wherein the length of the fixed edge is substantially equal to the length of the first slit segment.
제26항에 있어서,
상기 제1 멤브레인 서브파트와 상기 제2 멤브레인 서브파트가 동일한 방향을 향해 이동하도록 작동되는, 사운드 생성 셀.
27. The method of claim 26,
and the first membrane subpart and the second membrane subpart are operative to move in the same direction.
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