KR102454914B1 - Structure and deposition chamber manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자가 배치되는 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구획된 TFT 기판의 유기 발광 소자를 전부 덮도록, TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층이 구현된다. 이 때, 패시베이션층의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판 상에 패시베이션층은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층 부분을 둘러싸는 구조를 취하도록, 증착된다. 이로써 표시 영역의 유기 발광 소자를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자를 구조물의 측면에서 진행되는 투습을 최소화 할 수 있다. In the structure according to the embodiment of the present invention, a heterogeneous structure is formed on the TFT substrate so as to completely cover the organic light emitting element of the TFT substrate divided into a display area on which an organic light emitting element is disposed and a non-display area surrounding the display area. A passivation layer having two density regions of In this case, the types of elements constituting the two density regions of the passivation layer are the same, and the moisture permeability of the two density regions of the passivation layer are different from each other. A passivation layer is deposited on the TFT substrate so that a portion of the passivation layer in a density region having a relatively lower water vapor permeability assumes a structure surrounding the portion of the passivation layer in a density region having a relatively higher water vapor transmission rate. Accordingly, it is possible to minimize moisture permeation from the side of the structure of the organic light emitting device without damaging the organic light emitting device in the display area.

Description

구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버{STRUCTURE AND DEPOSITION CHAMBER MANUFACTURING THEREOF}Structure and deposition chamber for manufacturing the same

본 발명은 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버에 관한 것으로서, 가장자리 부분과 중앙 부분의 투습도가 차이가 있는 패시베이션층을 포함하는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다. The present invention relates to a structure and a deposition chamber for manufacturing the same, and to provide a structure including a passivation layer having a different moisture permeability between an edge portion and a central portion, and a deposition chamber for manufacturing the structure.

새로운 표시 장치 중 하나인 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting display Device, OLED)는 자발광(self-luminance) 특성을 가지므로 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 달리 별도의 광원이 필요하지 않아, 경량 박형으로 제조가 가능한 장점이 있다. 또한, 액정 표시 장치 대비 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio)가 우수하고, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 특성을 가지므로, 차세대 표시 장치로서 주목을 받고 있다.An organic light emitting display device (OLED), which is one of the new display devices, has self-luminance characteristics, so it does not require a separate light source unlike a liquid crystal display (LCD). , it has the advantage that it can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, since it has excellent viewing angle and contrast ratio compared to the liquid crystal display, low power consumption, high luminance, and fast response speed, it is attracting attention as a next-generation display device.

유기 발광 표시 장치는 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 두 개의 전극으로부터 유기 발광층 내로 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 빛을 발생한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에서 발생하는 빛을 조절하여 영상을 표시한다.The organic light emitting diode display includes an organic light emitting device including an anode, a cathode, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The organic light emitting device generates light when excitons generated by combining electrons and holes injected into the organic light emitting layer from two electrodes fall from an excited state to a ground state. An organic light emitting diode display displays an image by controlling light emitted from an organic light emitting diode.

그리고, 유기 발광 표시 장치는 발생(emit)한 빛이 출사(radiate)되는 방향에 따라 전면 발광(top emission) 방식, 배면 발광(bottom emission) 방식 또는 양면 발광(dual emission) 방식으로 나눌 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 능동 매트릭스형(active matrix type) 또는 수동 매트릭스형(passive matrix type) 등으로 나눌 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display may be divided into a top emission method, a bottom emission method, or a dual emission method according to a direction in which emitted light is radiated. In addition, the organic light emitting diode display may be divided into an active matrix type or a passive matrix type according to a driving method.

액정 표시 장치와 달리, 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능한 유기 발광 표시 장치는 유력한 차세대 플렉서블 디스플레이로 개발이 진행되고 있다. 그런데 유기 발광 표시 장치는 광원인 유기 발광 소자를 구성하는 유기발광층이 열, 수분 또는 산소 등에 매우 취약하다는 문제점이 있다. 이는 유기 발광 표시 장치의 수명과 직결하는 문제로서, 유기 발광 표시 장치를 제품화하는데 있어 대단히 큰 난점이다. 따라서 열, 수분 또는 산소 등에 의하여 유기발광층이 열화하는 것을 저지하기 위해서, 유기 발광 표시 장치 내부로 수분 또는 산소가 침투하지 못하도록 하는 봉지(encapsulation) 기술이 연구되고 있다.Unlike a liquid crystal display, an organic light emitting diode display that does not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form is being developed as a powerful next-generation flexible display. However, the organic light emitting diode display has a problem in that the organic light emitting layer constituting the organic light emitting device, which is a light source, is very vulnerable to heat, moisture, or oxygen. This is a problem directly related to the lifespan of the organic light emitting diode display, and it is a very difficult problem in commercializing the organic light emitting display device. Therefore, in order to prevent the organic light emitting layer from being deteriorated by heat, moisture, or oxygen, an encapsulation technique for preventing moisture or oxygen from penetrating into the organic light emitting display device is being studied.

예를 들어, 배면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판 방향으로 빛이 출사되는 구조이므로, 봉지를 위한 상부 기판으로서 금속 박막을 적용하는 것이 가능하다. 금속 박막을 이용하여 봉지하는 유기 발광 표시 장치는, 유기 발광 소자가 형성된 하부 기판과, 금속으로 구현된 상부 기판을 접착층으로 접착하는 방식으로 제조된다. 금속 박막은 수분이나 산소의 침투를 방지하는 동시에 자유로이 성형이 가능하고 깨지지 않으며 유연하기 때문에 플렉서블 디스플레이의 상부 기판으로 적합하다. For example, since the bottom emission type organic light emitting display device has a structure in which light is emitted in the direction of the lower substrate on which the organic light emitting element is disposed, it is possible to apply a metal thin film as the upper substrate for encapsulation. An organic light emitting display device encapsulated using a metal thin film is manufactured by bonding a lower substrate on which an organic light emitting device is formed and an upper substrate made of metal with an adhesive layer. The metal thin film is suitable as the upper substrate of a flexible display because it prevents the penetration of moisture or oxygen, and at the same time can be freely molded, is not broken, and is flexible.

예를 들어, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자가 배치된 하부 기판의 반대 방향으로 빛이 출사되는 구조이므로, 배면 발광 방식에서와 같이 금속 박막을 봉지를 위한 상부 기판으로 적용하는 것은 불가능하다. 빛이 상부 기판으로서의 금속 박막을 통과하여 출사하지 못하게 되기 때문이다. 때문에, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치는 하부 기판에 투습을 방지하기 위한 박형의 무기물층과 이물을 커버하기 위한 박형의 유기물층을 교번 적층하는 방식으로 제조된다. For example, since the top emission type organic light emitting display device has a structure in which light is emitted in the opposite direction to the lower substrate on which the organic light emitting element is disposed, it is difficult to apply the metal thin film as the upper substrate for encapsulation as in the bottom emission type. impossible. This is because light cannot be emitted through the metal thin film as the upper substrate. Therefore, the top emission type organic light emitting display device is manufactured by alternately stacking a thin inorganic material layer for preventing moisture permeation and a thin organic material layer for covering foreign matter on a lower substrate.

배면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치의 경우, 전면은 상부 기판인 금속 박막에 의하여 투습이 상당 수준 방지되나, 측면은 여전히 투습에 취약한 상태이다. 또한, 전면 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 역시, 전면이 유리 재질의 커버 윈도우가 부착되면서, 또는 컬러필터를 포함한 투명한 상부 기판이 부착되면서 투습이 방지된다. 그러나 측면은 여전히 투습에 취약한 상태이다. 그런데 유기 발광 표시 장치의 측면에 추가의 구성 요소들을 물리적으로 부착하는 방식으로 측면으로의 투습을 방지하는 것은, 네로우 베젤(narrow bezel)을 요구하는 시장의 추세와 상반된다는 문제가 있다.In the case of a bottom emission type organic light emitting display device, the front surface is prevented from permeation by a metal thin film as an upper substrate, but the side surface is still vulnerable to moisture permeation. In addition, in the organic light emitting display device of the top emission type, moisture permeation is prevented when a cover window made of glass is attached to the front surface or a transparent upper substrate including a color filter is attached. However, the side is still vulnerable to penetration. However, there is a problem that preventing moisture permeation to the side by physically attaching additional components to the side of the organic light emitting diode display is contrary to the market trend requiring a narrow bezel.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 발명자는 측면으로의 투습을 방지함으로써, 수분에 의하여 유기 발광 소자가 열화되는 현상을 최소화 한, 새로운 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 발명하였다.The present invention is to solve the above problem, and the inventor of the present invention invents a new structure and a deposition chamber for manufacturing the same, which minimizes the deterioration of the organic light emitting device by moisture by preventing the permeation to the side did.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, TFT 기판의 유기 발광 소자를 덮는 패시베이션층의 가장자리의 밀도를 증가시킴으로써, 패시베이션층의 가장자리의 투습도를 낮춘 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.An object to be solved according to an embodiment of the present invention, by increasing the density of the edge of the passivation layer covering the organic light emitting device of the TFT substrate, to provide a structure in which the moisture permeability of the edge of the passivation layer is lowered and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층의 가장자리의 투습도를 낮춤으로써, 구조물의 측면으로부터 침투하여 들어올 수 있는 수분의 침투 속도를 저하시켜, 구조물 내부의 유기 발광 소자가 보호되는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.A problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to lower the moisture permeability of the edge of the passivation layer, thereby lowering the penetration rate of moisture that can penetrate from the side of the structure, thereby protecting the organic light emitting device inside the structure and the structure It is to provide a deposition chamber for manufacturing.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층을 성막하는 하나의 공정에서 밀도가 높은 영역과 상대적으로 밀도가 낮은 영역을 동시에 형성함으로써, 별도로 공정을 추가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다. The problem to be solved according to an embodiment of the present invention is that, by simultaneously forming a high-density area and a relatively low-density area in one process of forming a passivation layer, side reinforcement in consideration of side moisture permeation is possible without adding a separate process To provide a structure and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 종래와 대비하여 베젤 폭을 증가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.An object to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide a structure capable of side reinforcement in consideration of side vapor permeation without increasing the bezel width as compared to the prior art, and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는, 패시베이션층의 증착 시에, 증착 플레이트를 향하여 국지적으로만 고에너지를 가해 줌으로써, 표시 영역의 유기 발광 소자에 손상을 주지 않으면서도 측면 투습을 억제할 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공하는 것이다.A problem to be solved according to an embodiment of the present invention is that, when the passivation layer is deposited, high energy is applied only locally toward the deposition plate, thereby suppressing lateral moisture permeation without damaging the organic light emitting device of the display area. To provide a structure and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 업계의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiment of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자가 배치되는 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역으로 구획된 TFT 기판의 유기 발광 소자를 전부 덮도록, TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층이 구현된다. 이 때, 패시베이션층의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판 상에 패시베이션층은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층 부분을 둘러싸는 구조를 취하도록, 증착된다. 이로써 표시 영역의 유기 발광 소자를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자를 구조물의 측면에서 진행되는 투습을 최소화 할 수 있게 된다. In the structure according to the embodiment of the present invention, a heterogeneous structure is formed on the TFT substrate so as to completely cover the organic light emitting element of the TFT substrate divided into a display area on which an organic light emitting element is disposed and a non-display area surrounding the display area. A passivation layer having two density regions of In this case, the types of elements constituting the two density regions of the passivation layer are the same, and the moisture permeability of the two density regions of the passivation layer are different from each other. A passivation layer is deposited on the TFT substrate so that a portion of the passivation layer in a density region having a relatively lower water vapor permeability assumes a structure surrounding the portion of the passivation layer in a density region having a relatively higher water vapor transmission rate. Accordingly, it is possible to minimize moisture permeation from the side of the structure of the organic light emitting device without damaging the organic light emitting device in the display area.

TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버는, 고온 영역과 고온 영역에 의하여 둘러싸이는 저온 영역으로 구획되는 핫플레이트를 포함한다. 핫플레이트의 고온 영역은, 핫플레이트의 일 면에 배치되는 TFT 기판의 비표시 영역과 대응하고, 핫플레이트의 저온 영역은, 핫플레이트의 일 면에 배치되는 TFT 기판의 표시 영역과 대응한다. 핫플레이트의 고온 영역이 TFT 기판의 표시 영역과 중첩하지 않도록 핫플레이트와 TFT 기판이 얼라인(align)된 상태에서 증착 챔버에서 TFT 기판에 패시베이션층을 증착한다. 핫플레이트의 고온 영역의 열을 전달받은 TFT 기판의 비표시 영역에서 높은 증착 속도로 패시베이션층이 증착됨에 따라, TFT 기판의 표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분보다, 비표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분이 더 높은 밀도로 증착이 되고, 더 낮은 투습도를 가지게 된다.In order to implement a passivation layer having two different density regions on a TFT substrate, the deposition chamber according to an embodiment of the present invention includes a hot plate divided into a high temperature region and a low temperature region surrounded by the high temperature region. do. The high temperature region of the hot plate corresponds to a non-display region of the TFT substrate disposed on one surface of the hot plate, and the low temperature region of the hot plate corresponds to a display region of the TFT substrate disposed on one surface of the hot plate. A passivation layer is deposited on the TFT substrate in a deposition chamber while the hot plate and the TFT substrate are aligned so that the high temperature region of the hot plate does not overlap the display region of the TFT substrate. As the passivation layer is deposited at a high deposition rate in the non-display area of the TFT substrate that has received heat from the high-temperature area of the hot plate, the portion of the passivation layer deposited in the non-display area is higher than the portion of the passivation layer deposited in the display area of the TFT substrate. This higher density is deposited and has a lower water vapor permeability.

TFT 기판 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버는, TFT 기판의 비표시 영역에만 레이저를 조사하도록 구현된 레이저 램프 헤드를 포함한다. 레이저 램프 헤드는 폐쇄성 루프 형상의 레이저 조사면을 형성할 있도록 구현된다. 레이저 조사면이 TFT 기판의 비표시 영역만을 비추는 상태로 증착 챔버에서 패시베이션층이 증착됨에 따라, TFT 기판의 표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분보다, 비표시 영역에 증착된 패시베이션층 부분이 더 높은 밀도로 증착이 되고, 더 낮은 투습도를 가지게 된다.In order to implement a passivation layer having two different density regions on a TFT substrate, the deposition chamber according to an embodiment of the present invention includes a laser lamp head implemented to irradiate a laser only to a non-display region of the TFT substrate do. The laser lamp head is implemented to form a closed loop-shaped laser irradiation surface. As the passivation layer is deposited in the deposition chamber with the laser irradiation surface illuminating only the non-display area of the TFT substrate, the portion of the passivation layer deposited on the non-display area has a higher density than the portion of the passivation layer deposited on the display area of the TFT substrate. is deposited, and has a lower water vapor permeability.

본 발명의 실시예에 의해, TFT 기판의 유기 발광 소자를 덮는 패시베이션층의 가장자리의 밀도를 증가시킴으로써, 패시베이션층의 가장자리의 투습도가 낮아진 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by increasing the density of the edge of the passivation layer covering the organic light emitting device of the TFT substrate, it is possible to provide a structure in which the moisture permeability of the edge of the passivation layer is lowered and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 의해, 구조물의 측면으로부터 침투하여 들어올 수 있는 수분의 침투 속도를 저하시켜, 구조물 내부의 유기 발광 소자가 수분에 의해 열화되는 현상이 최소화된 구조물을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a structure in which the deterioration of the organic light emitting device inside the structure by moisture is minimized by reducing the penetration rate of moisture that can penetrate from the side of the structure.

본 발명의 실시예에 의해, 패시베이션층을 성막하는 하나의 공정에서 밀도가 높은 영역과 상대적으로 밀도가 낮은 영역을 동시에 형성함으로써, 별도 공정을 추가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, by simultaneously forming a high-density region and a relatively low-density region in one process of forming a passivation layer, a structure capable of lateral reinforcement in consideration of lateral moisture permeation without adding a separate process, and this A deposition chamber for manufacturing may be provided.

본 발명의 실시예에 의해, 종래와 대비하여 베젤 폭을 증가하지 않고도 측면 투습을 고려한 측면 보강이 가능한 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a structure capable of side reinforcement in consideration of side vapor permeation and a deposition chamber for manufacturing the same without increasing the bezel width compared to the prior art.

본 발명의 실시예에 의해, 표시 영역의 유기 발광 소자에 손상을 주지 않고도 측면 투습을 억제할 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a structure capable of suppressing lateral moisture permeation without damaging an organic light emitting diode of a display area and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 의해, 패시베이션층의 증착 시에, 증착 플레이트를 향하여 국지적으로만 고에너지를 가해 줌으로써, 유기 발광 표시 장치의 측면으로부터의 투습이 억제되어, 수분에 의한 유기 발광 소자가 열화되는 현상이 최소화됨으로써 유기 발광 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있는 구조물 및 이를 제작하기 위한 증착 챔버를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the passivation layer is deposited, by applying high energy only locally toward the deposition plate, moisture permeation from the side surface of the organic light emitting diode display is suppressed, and the organic light emitting diode is deteriorated due to moisture. It is possible to provide a structure capable of improving the lifespan of the organic light emitting diode display by minimizing the phenomenon and a deposition chamber for manufacturing the same.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 업계의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다. Since the content of the invention described in the problems to be solved above, the means for solving the problems, and the effects do not specify the essential characteristics of the claims, the scope of the claims is not limited by the matters described in the content of the invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 서브 픽셀의, 개략적인 회로 구성 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예의 구조물에서 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판에 증착된 패시베이션층을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 패널에 포함되는 TFT 기판의 일 측면을 X 부터 X’까지 절단한 절단부를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트의 일측을 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트를 포함하는 증착 챔버에서 TFT 기판에 패시베이션층이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 핫플레이트 및 패시베이션층이 증착된 TFT 기판의 일측을 동시에 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 램프 헤드를 포함하는 증착 챔버에 대한 개략적인 사시도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버에 포함되는 레이저 램프 헤드에 대한 개략적인 사시도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic circuit configuration diagram of one sub-pixel according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a passivation layer deposited on a TFT substrate included in an organic light emitting display panel in a structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cut-out portion of a TFT substrate included in the organic light emitting display panel of FIG. 3 taken from X to X'.
5 is a schematic perspective view of a deposition chamber including a hotplate according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are cross-sectional views illustrating cut surfaces of one side of a hot plate included in a deposition chamber according to an embodiment of the present invention.
9 is a perspective view schematically illustrating a process of depositing a passivation layer on a TFT substrate in a deposition chamber including a hot plate according to an embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view of one side of a TFT substrate on which a hot plate and a passivation layer are deposited included in a deposition chamber according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic perspective view of a deposition chamber including a laser lamp head, according to an embodiment of the present invention.
12 and 13 are schematic perspective views of a laser lamp head included in a deposition chamber according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only this embodiment allows the disclosure of the present invention to be complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', ‘~에 이어서’, ‘~다음에’, ‘~전에’ 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, ‘바로’ 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, when the temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless ' is used, cases that are not continuous may be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component.

본 발명의 여러 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. .

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구조물 및 이를 제조하기 위한 증착 챔버에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a structure according to an embodiment of the present invention and a deposition chamber for manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a structure according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에는 타이밍 제어부(140), 데이터 구동부(150), 게이트 구동부(160) 및 유기 발광 표시 패널(170)이 포함된다.As shown in FIG. 1 , the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment includes a timing controller 140 , a data driver 150 , a gate driver 160 , and an organic light emitting display panel 170 .

시스템 보드부(130)는 외부로부터 비디오 데이터신호(RGB)를 공급받아 디지털 데이터신호로 변환함과 더불어 데이터 인에이블 신호, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등과 같은 구동신호를 출력한다. 시스템 보드부(130)는 비디오 데이터신호를 디지털 데이터신호로 변환한다. 타이밍 제어부(140)가 비디오 데이터신호를 디지털 데이터신호로 변환할 수도 있다.The system board unit 130 receives the video data signal RGB from the outside, converts it into a digital data signal, and outputs driving signals such as a data enable signal, a vertical sync signal, a horizontal sync signal, and a clock signal. The system board unit 130 converts a video data signal into a digital data signal. The timing controller 140 may convert the video data signal into a digital data signal.

타이밍 제어부(140)는 시스템 보드부(130)로부터 데이터 인에이블 신호, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등과 같은 구동신호와 더불어 컬러데이터신호(DDATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(140)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(160)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(150)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(140)는 구동신호를 기준으로 생성된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 대응하여 컬러데이터신호(DDATA)를 출력한다.The timing controller 140 receives the color data signal DDATA along with driving signals such as a data enable signal, a vertical sync signal, a horizontal sync signal, and a clock signal from the system board unit 130 . The timing controller 140 includes a gate timing control signal GDC for controlling an operation timing of the scan driver 160 and a data timing control signal DDC for controlling an operation timing of the data driver 150 based on the driving signal. to output The timing controller 140 outputs the color data signal DDATA in response to the gate timing control signal GDC and the data timing control signal DDC generated based on the driving signal.

데이터 구동부(150)는 타이밍 제어부(140)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 컬러데이터신호(DDATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압에 대응하여 아날로그데이터신호로 변환한다. 데이터 구동부(150)는 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 신호를 출력한다. 데이터 구동부(150)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.The data driver 150 samples and latches the color data signal DDATA in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 140 , and converts it into an analog data signal corresponding to the gamma reference voltage. The data driver 150 outputs a data signal through the data lines DL1 to DLn. The data driver 150 is formed in the form of an integrated circuit (IC).

스캔 구동부(160)는 타이밍 제어부(140)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(160)는 스캔라인들(SL1 ~ SLm)을 통해 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(160)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 유기 발광 표시 패널(170) 자체에 게이트 인 패널(Gate In Panel) 방식으로 실장된다.The scan driver 160 outputs a scan signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 140 . The scan driver 160 outputs a scan signal through the scan lines SL1 to SLm. The scan driver 160 is formed in the form of an integrated circuit (IC) or is mounted on the organic light emitting display panel 170 itself in the form of a gate in panel.

유기 발광 표시 패널(170)은 적색 서브 픽셀(SPr), 녹색 서브 픽셀(SPg), 청색 서브 픽셀(SPb)(이하 RGB 서브 픽셀이라 한다.)을 포함하는 서브 픽셀 구조로 구현된다. 또한 유기 발광 표시 패널(170)은 광효율을 증가시키면서 순색의 휘도 저하 및 색감 저하를 방지하기 위해 적색 서브 픽셀(SPr), 녹색 서브 픽셀(SPg), 청색 서브 픽셀(SPb) 및 백색 서브 픽셀(SPw)(이하 RGBW 서브 픽셀이라 한다.)을 포함하는 서브 픽셀 구조로 구현된다. 즉, 1개의 픽셀(P)은 RGB 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb) 또는 RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)로 이루어진다. 그리고 이러한 픽셀(P)은 유기 발광 표시 패널(170)의 해상도에 대응하여 다수로 형성되어 픽셀 어레이를 구성한다.The organic light emitting display panel 170 is implemented with a sub-pixel structure including a red sub-pixel SPr, a green sub-pixel SPg, and a blue sub-pixel SPb (hereinafter referred to as an RGB sub-pixel). In addition, the organic light emitting display panel 170 has a red sub-pixel (SPr), a green sub-pixel (SPg), a blue sub-pixel (SPb), and a white sub-pixel (SPw) in order to prevent a decrease in luminance and color of a pure color while increasing light efficiency. ) (hereinafter referred to as RGBW sub-pixels) is implemented as a sub-pixel structure including. That is, one pixel P consists of RGB sub-pixels SPr, SPg, and SPb or RGBW sub-pixels SPr, SPg, SPb, and SPw. In addition, a plurality of such pixels P are formed to correspond to the resolution of the organic light emitting display panel 170 to constitute a pixel array.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 서브 픽셀의, 개략적인 회로 구성 예시도이다. 2 is a schematic circuit configuration diagram of one sub-pixel according to an embodiment of the present invention.

하나의 서브 픽셀(SP)에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg), 보상회로(CC) 및 유기 발광 소자(OLED)가 포함된다. 유기 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 인가되는 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다. 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 스캔 라인(SL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 컬러데이터신호가 커패시터(Cstg)에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cstg)에 저장된 데이터전압에 따라 제1전원배선(VDD)과 그라운드배선(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다.One sub-pixel SP includes a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cstg, a compensation circuit CC, and an organic light emitting diode OLED. The organic light emitting diode OLED operates to emit light according to a driving current applied by the driving transistor DR. The switching transistor SW performs a switching operation so that the color data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor Cstg in response to the scan signal supplied through the first scan line SL1 . . The driving transistor DR operates so that a driving current flows between the first power line VDD and the ground line GND according to the data voltage stored in the capacitor Cstg.

보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 추가되는 회로이다. 따라서, 보상회로(CC)는 서브 픽셀의 구성에 따라 생략될 수 있지만, 통상 하나 이상의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 매우 다양하게 구성할 수 있으므로, 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다.The compensation circuit CC is a circuit added to compensate the threshold voltage of the driving transistor DR. Accordingly, the compensation circuit CC may be omitted depending on the configuration of the sub-pixel, but is usually composed of one or more transistors and capacitors. Since the configuration of the compensation circuit CC may be very diverse, specific examples and descriptions thereof will be omitted.

하나의 서브 픽셀(SP)은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg) 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성된다. 그러나 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C 등의 구조로 구성될 수도 있다.One sub-pixel SP is configured in a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cstg, and an organic light emitting diode OLED. However, when the compensation circuit CC is added, it may have a structure such as 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, or the like.

위와 같은 구성을 갖는 서브 픽셀(SP)의 각종의 구성요소 중에 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cstg), 보상회로(CC)가 지지 기판에 형성됨으로써, 구조물의 하부 기판에 해당하는, TFT 기판(210)이 형성된다. 이렇게 형성된 TFT 기판(210) 상에, 애노드, 유기 발광층(220) 및 캐소드가 적층됨으로써 유기 발광 소자(OLED)가 배치된다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치된 TFT 기판(210) 상에, 경우에 따라서는 봉지를 위한 금속 박막이 상부 기판으로서 부착될 수 있고, 또는, 컬러필터 기판이 상부 기판으로서 부착될 수 있고, 별도의 상부 기판이 없이 복수의 무기물층과 유기물층이 교번으로 적층될 수도 있다. 앞서 살펴보았듯이, 어떠한 경우에서든 구조물의 측면에서부터의 수분 침투가 TFT 기판(210) 상의 유기 발광 소자(OLED)를 열화시킴으로써, 구조물의 가장자리에서부터 중앙 쪽으로 열화되어 켜지지 않는 픽셀(P)의 범위가 점점 확장되어 나가는 현상이 발생한다. Among the various components of the sub-pixel SP having the above configuration, the switching transistor SW, the driving transistor DR, the capacitor Cstg, and the compensation circuit CC are formed on the supporting substrate, so that the lower substrate of the structure is formed. A corresponding TFT substrate 210 is formed. On the TFT substrate 210 thus formed, an anode, an organic light emitting layer 220 , and a cathode are stacked so that an organic light emitting diode (OLED) is disposed. On the TFT substrate 210 on which the organic light emitting diode (OLED) is disposed, in some cases, a metal thin film for encapsulation may be attached as an upper substrate, or a color filter substrate may be attached as an upper substrate, and separately A plurality of inorganic material layers and organic material layers may be alternately stacked without an upper substrate of the . As described above, in any case, as moisture penetration from the side of the structure deteriorates the organic light emitting diode (OLED) on the TFT substrate 210, the range of the pixel P that is not lit due to deterioration from the edge of the structure toward the center gradually increases. Expansion occurs.

본 발명의 발명자들은, 구조물의 측면에서부터의 수분 침투를 최소화 하기 위하여, TFT 기판(210) 상에 배치되는 패시베이션층(230)에 주목하였다. 패시베이션층(230)은 유기 발광 소자(OLED)를 물리적으로 보호하면서 외부로부터의 전기적 간섭을 방지하기 위하여 유기 발광 소자(OLED)를 덮도록 TFT 기판(210) 상에 구현되는 무기 절연층이다. The inventors of the present invention paid attention to the passivation layer 230 disposed on the TFT substrate 210 in order to minimize moisture penetration from the side of the structure. The passivation layer 230 is an inorganic insulating layer implemented on the TFT substrate 210 to cover the organic light emitting diode OLED to physically protect the organic light emitting diode OLED and to prevent electrical interference from the outside.

도 3은 본 발명의 실시예의 구조물에서 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)에 증착된 패시베이션층(230)을 도시한 평면도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 유기 발광 표시 패널(170)은 유기 발광 소자(OLED)를 구동할 수 있는 픽셀 구동 회로가 배치된 TFT 기판(210)을 포함한다. TFT 기판(210)은, 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 픽셀 어레이에 의해 정의되는, 실제 화상이 표시되는 영역인 표시 영역(A/A)과, 표시 영역(A/A) 이외의 영역으로서 주위에서 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)으로 구획된다. TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에는 유기 발광 소자(OLED)가 배치된다. 각 서브 픽셀(SP)의 유기 발광 소자(OLED)는 수분 및 산소에 의해 열화가 진행되기 때문에, 수분 및 산소가 유기 발광 소자(OLED)와 접촉하는 것을 방지할 필요가 있다. 유기 발광 표시 소자를 덮도록 TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)이 증착된다. 이 때, 패시베이션층(230)은, 유기 발광 소자(OLED)가 노출되는 부분이 없도록, 즉, 유기 발광 소자(OLED)를 전부 덮도록 증착된다. 따라서, 패시베이션층(230)의 면적은 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 픽셀 어레이에 의해서 정의되는, 실제 화상이 시청자에게 보여지는 영역인 표시 영역(A/A)의 면적보다 크다. 즉, 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)에 걸쳐서 연속적으로 하나의 층으로 형성될 수 있다. 이 때, TFT 기판(210)으로 전원과 데이터 신호가 인가되기 위한 패드부는 노출되어야 하므로, 패시베이션층(230)의 면적은 TFT 기판(210)의 면적보다는 작을 수 있다. 3 is a plan view illustrating the passivation layer 230 deposited on the TFT substrate 210 included in the organic light emitting display panel 170 in the structure according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3 , the organic light emitting display panel 170 of the structure according to the embodiment of the present invention includes a TFT substrate 210 on which a pixel driving circuit capable of driving an organic light emitting diode (OLED) is disposed. The TFT substrate 210 includes a display area A/A defined by a pixel array including an organic light emitting element (OLED), which is an area in which an actual image is displayed, and an area other than the display area A/A. It is divided into a non-display area N/A surrounding the display area A/A. An organic light emitting diode OLED is disposed in the display area A/A of the TFT substrate 210 . Since the organic light emitting diode OLED of each sub-pixel SP is deteriorated by moisture and oxygen, it is necessary to prevent the moisture and oxygen from contacting the organic light emitting diode OLED. A passivation layer 230 is deposited on the TFT substrate 210 to cover the organic light emitting diode display. In this case, the passivation layer 230 is deposited so that there is no exposed portion of the organic light emitting device OLED, that is, the passivation layer 230 is deposited to completely cover the organic light emitting device OLED. Accordingly, the area of the passivation layer 230 is larger than the area of the display area A/A defined by the pixel array including the organic light emitting diode OLED, which is an area in which an actual image is viewed by a viewer. That is, the passivation layer 230 may be continuously formed as one layer over the display area A/A of the TFT substrate 210 and the non-display area N/A surrounding the display area A/A. can At this time, since the pad portion to which power and data signals are applied to the TFT substrate 210 must be exposed, the area of the passivation layer 230 may be smaller than the area of the TFT substrate 210 .

도 4는 도 3의 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)의 일 측면을 X 부터 X’까지 절단한 절단부를 도시한 단면도이다. 도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 배치된, 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 발광층(220)을 전부 덮도록, TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)이 일체형으로, 즉, 연속적인 층으로 배치된다. 연속적인, 일체형의 패시베이션층(230)은 전체적으로 동일한 원소 조성을 가지도록 구성된다. 즉, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) (즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분)을 구성하는 원소의 종류는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) (즉, 패시베이션층(230)의 주변 부분)을 구성하는 원소의 종류가 동일하다. 그런데, 패시베이션층(230)은, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 밀도가 패시베이션층(230)의 중앙 부분의 밀도보다 높다. 즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분과 가장자리 부분은 구성 원소의 종류는 동일하나 해당 원소의 조성비가 서로 다르다. 이로써, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 투습도는 패시베이션층(230)의 중앙 부분의 투습도보다 높게 된다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cut portion taken from X to X′ of one side of the TFT substrate 210 included in the organic light emitting display panel 170 of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the light emitting layer 220 including the organic light emitting device OLED is disposed in the display area A/A of the TFT substrate 210 included in the organic light emitting display panel 170 to completely cover the entirety. , the passivation layer 230 is integrally disposed on the TFT substrate 210, that is, as a continuous layer. The continuous, integral passivation layer 230 is configured to have the same elemental composition as a whole. That is, the type of element constituting the passivation layer 230_a of the display area A/A (that is, the central portion of the passivation layer 230) is the passivation layer 230_b of the non-display area N/A ( That is, the types of elements constituting the peripheral portion of the passivation layer 230) are the same. However, in the passivation layer 230 , the density of the edge portion of the passivation layer 230 is higher than the density of the central portion of the passivation layer 230 . That is, the central portion and the edge portion of the passivation layer 230 have the same type of constituent elements, but have different composition ratios of the elements. Accordingly, the water vapor transmission rate of the edge portion of the passivation layer 230 is higher than the water vapor transmission rate of the central portion of the passivation layer 230 .

예를 들어, 패시베이션층(230)은 질화규소(SiNx)로 구성될 수 있는데, 이 때, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) (즉, 패시베이션층(230)의 중앙 부분)을 구성하는 원소에 규소와 질소 및 수소가 포함되고, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) (즉, 패시베이션층(230)의 주변 부분)을 구성하는 원소에도 역시 규소와 질소 및 수소가 포함된다. 그런데, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분에서의 밀도가, 패시베이션층(230)의 중앙 부분에서의 밀도보다 높도록 패시베이션층(230)을 형성할 경우, 패시베이션층(230)의 가장자리 부분에서의 규소/질소 원자비가 패시베이션층(230)의 중앙 부분에서의 규소/질소 원자비보다 클 수 있다. For example, the passivation layer 230 may be made of silicon nitride (SiNx), and in this case, the passivation layer 230_a (ie, the central portion of the passivation layer 230) of the display area A/A silicon, nitrogen, and hydrogen are included in the elements to be used, and silicon, nitrogen, and hydrogen are also Included. By the way, when the passivation layer 230 is formed so that the density at the edge of the passivation layer 230 is higher than the density at the center of the passivation layer 230 , silicon at the edge of the passivation layer 230 . The /nitrogen atomic ratio may be greater than the silicon/nitrogen atomic ratio in the central portion of the passivation layer 230 .

패시베이션층(230)의 가장자리 부분은, 비표시 영역(N/A)에 대응되므로, 증착 온도에 상관없이 형성될 수 있으며, 패시베이션층(230)의 중앙 부분은 표시 영역(A/A)에 대응되므로, 표시 영역(A/A)의 유기 발광 소자(OLED)가 손상을 입지 않는 온도에서 형성될 수 있다. 패시베이션층(230)이 증착되는 온도가 높을수록, 진공 챔버 내부에서의 화학 반응에 기여하는 에너지가 더 많이 공급되게 됨에 따라, 증착 속도(즉, 단위시간 당 증착되는 두께)가 증가하고, 증착된 영역의 밀도가 증가한다. 증착된 패시베이션층(230)의 두께가 두꺼워지고, 밀도가 높아질수록, 패시베이션층(230)의 투습도는 낮아지기 때문에, 유기 발광 소자(OLED)로의 수분 침투를 방지하기 위해서는 패시베이션층(230)을 더 두껍고, 더 밀도가 높게 구현하는 것이 필요하다. 그러나, 패시베이션층(230)의 표시 영역(A/A)에 배치되는 유기 발광 소자(OLED)는 약 110℃ 이상의 온도에서는 물리적 특성이 변하는 유기 물질들로 구성되므로, 패시베이션층(230)이 증착되는 온도를 약 110℃ 이상으로 높일 경우, 유기 발광 소자(OLED)를 구성하는 유기 물질들의 물리적 특성이 변하므로, 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 문제가 생긴다. Since the edge portion of the passivation layer 230 corresponds to the non-display area N/A, it may be formed regardless of the deposition temperature, and the central portion of the passivation layer 230 corresponds to the display area A/A. Therefore, the organic light emitting diode OLED of the display area A/A may be formed at a temperature that is not damaged. The higher the temperature at which the passivation layer 230 is deposited, the more energy that contributes to the chemical reaction inside the vacuum chamber is supplied, so the deposition rate (ie, the thickness deposited per unit time) increases, and the deposited The density of the area increases. As the thickness of the deposited passivation layer 230 increases and the density increases, the water vapor transmission rate of the passivation layer 230 decreases. , it is necessary to implement more densely. However, since the organic light emitting device OLED disposed in the display area A/A of the passivation layer 230 is made of organic materials whose physical properties change at a temperature of about 110° C. or higher, the passivation layer 230 is deposited. When the temperature is increased to about 110° C. or higher, physical properties of organic materials constituting the organic light emitting diode (OLED) are changed, so that the organic light emitting diode (OLED) is damaged.

따라서, 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230)의 중앙 부분은 약 110℃ 미만의 온도 조건에서 증착되도록 하고, 비표시 영역(N/A)에 대응하는 가장자리 부분은 약 110℃ 이상의 온도 조건에서 증착되도록 함으로써, 유기 발광 소자(OLED)를 손상시키지 않고도 유기 발광 표시 패널(170)의 측면에 해당하는 패시베이션층(230)의 가장자리 부분의 투습도를 낮출 수 있다. 가장자리 부분과 중앙 부분의 밀도가 다른, 일체형의 패시베이션층(230)을 TFT 기판(210)에 증착하기 위하여, 유기 발광 소자(OLED)가 손상을 입을 수 있는 임계 온도를 기준으로 이종(異種)의 증착 온도가, 하나의 증착 챔버 안에서 구현되도록 하는 증착 챔버를 이용할 수 있다. Accordingly, the central portion of the passivation layer 230 corresponding to the display area A/A is deposited under a temperature condition of less than about 110° C., and the edge portion corresponding to the non-display area N/A is about 110° C. By depositing under the above temperature condition, the moisture permeability of the edge portion of the passivation layer 230 corresponding to the side surface of the organic light emitting display panel 170 may be reduced without damaging the organic light emitting diode (OLED). In order to deposit the integral passivation layer 230, which has different densities of the edge portion and the center portion, on the TFT substrate 210, based on the critical temperature at which the organic light emitting diode (OLED) may be damaged. A deposition chamber may be used such that the deposition temperature is implemented within one deposition chamber.

다시 말하여, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 을 구성하는 원소의 종류는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션(230_b) 을 구성하는 원소의 종류와 동일하면서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 투습도는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 투습도보다 높게 구성할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 밀도는 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 밀도보다 높다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 구조물의 유기 발광 표시 패널(170)에 포함되는 패시베이션층(230)은 규소와 질소를 포함할 수 있는데, 이 때, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 규소/질소 비는, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 규소/질소 비보다 높다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 구조물에서 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 의 두께는, 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 두께와 같거나 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 두께보다 얇다. In other words, in the structure according to the embodiment of the present invention, the type of element constituting the passivation layer 230_a of the display area A/A is determined according to the type of the element constituting the passivation 230_b of the non-display area N/A. While being the same as the type of element, the water vapor transmission rate of the passivation layer 230_a of the display area A/A may be higher than that of the passivation layer 230_b of the non-display area N/A. In addition, in the structure according to the embodiment of the present invention, the density of the passivation layer 230_b of the non-display area N/A is higher than that of the passivation layer 230_a of the display area A/A. For example, the passivation layer 230 included in the organic light emitting display panel 170 of the structure according to the embodiment of the present invention may include silicon and nitrogen. In this case, the non-display area N/A The silicon/nitrogen ratio of the passivation layer 230_b is higher than the silicon/nitrogen ratio of the passivation layer 230_a of the display area A/A. In addition, in the structure according to the embodiment of the present invention, the thickness of the passivation layer 230_a of the display area A/A is the same as the thickness of the passivation layer 230_b of the non-display area N/A or the non-display area It is thinner than the thickness of the passivation layer 230_b of (N/A).

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 대하여 도 5 내지 도 10을 참조하여 자세히 설명한다.Hereinafter, a deposition chamber 500 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 10 .

도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 핫플레이트(510)를 포함하는 증착 챔버(500)에 대한 개략적인 사시도다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는 중앙부(L/A) 및 중앙부(L/A)를 둘러싸는 주변부(H/A)로 구획되고, 내부에 전열선(511_a, 511_b)이 있는 핫플레이트(510)를 포함한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는 핫플레이트(510)와 대향하여, 증착 물질을 분사하는 소스 방출부(520)를 적어도 하나 포함한다. 5 is a schematic perspective view of a deposition chamber 500 including a hot plate 510 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the deposition chamber 500 according to the embodiment of the present invention is divided into a central part L/A and a peripheral part H/A surrounding the central part L/A, and a heating wire 511_a therein. , 511_b) with a hot plate 510 . In addition, the deposition chamber 500 according to the embodiment of the present invention faces the hot plate 510 and includes at least one source discharge unit 520 for dispensing a deposition material.

핫플레이트(510)의 일 면에 증착이 수행되어야 할 기판(예를 들어, TFT 기판(210))이 배치된다. 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 제1 발열 온도를 가질 수 있도록 구현되고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 제1 발열 온도보가 더 높은 제2 발열 온도를 가질 수 있도록 구현된다. 이 때, 제1 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 발생하지 않는 온도이고, 제2 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 발생하는 온도이다. 즉, 제1 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도보다 반드시 낮은 온도이고, 제2 발열 온도는 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도보다 반드시 높은 온도이다. 예를 들어, 유기 발광 소자(OLED)의 물성 변형이 시작되는 임계 온도는 약 110℃ 일 수 있다. A substrate (eg, a TFT substrate 210 ) on which deposition is to be performed is disposed on one surface of the hot plate 510 . The central portion L / A of the hot plate 510 is implemented to have a first heating temperature, and the peripheral portion H / A of the hot plate 510 has a second heating temperature higher than the first heating temperature. implemented so that In this case, the first heating temperature is a temperature at which physical property deformation of the organic light emitting device (OLED) does not occur, and the second heating temperature is a temperature at which physical property deformation of the organic light emitting device (OLED) occurs. That is, the first heating temperature is necessarily lower than the critical temperature at which the physical property transformation of the organic light emitting diode (OLED) starts, and the second heating temperature is necessarily higher than the critical temperature at which the physical property transformation of the organic light emitting diode (OLED) starts. to be. For example, the critical temperature at which the physical property transformation of the organic light emitting diode (OLED) starts may be about 110°C.

핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 동시에 구동될 때, 중앙부(L/A)의 온도는 주변부(H/A)의 온도 이하이다. 핫플레이트(510)와 증착이 수행되어야 할 기판이 정렬될 수 있도록, 증착이 수행되어야 할 기판에서 증착 영역을 노출하고 이외의 영역을 덮는 트레이(tray)가 증착이 수행되어야 할 기판 상에 배치될 수 있다. 즉, 핫플레이트(510)와 트레이 사이에, 증착이 수행되어야 할 기판이 배치될 수 있다. 트레이는 증착이 수행되어야 할 기판이 핫플레이트(510)에 배치된 상태가 유지될 수 있도록, 증착이 수행되어야 할 기판의 위치를 고정하는 역할을 한다. 예를 들어, 핫플레이트(510)가 위에 배치되고 소스 방출부(520)가 아래에 배치되어, 증착이 수행되어야 할 기판이 핫플레이트(510)와 소스 방출부(520) 사이에서, 핫플레이트(510)에 배치되어 있도록 하기 위해서는, 트레이에 증착이 수행되어야 할 기판을 얹어서 증착이 수행되어야 할 기판이 아래로 떨어지지 않도록 한다. 또한, 트레이를 이동시킴으로써, 트레이에 얹어진, 증착이 수행되어야 할 기판을 용이하게 이동시킨다. 또한, 트레이는 증착이 수행되지 않아야 되는 가장자리 영역을 가리는, 일종의 마스크 역할을 할 수도 있다. When the central portion L/A and the peripheral portion H/A of the hot plate 510 are simultaneously driven, the temperature of the central portion L/A is equal to or less than that of the peripheral portion H/A. In order to align the hot plate 510 with the substrate on which deposition is to be performed, a tray exposing the deposition area on the substrate on which deposition is to be performed and covering the other areas is disposed on the substrate on which deposition is to be performed. can That is, a substrate on which deposition is to be performed may be disposed between the hot plate 510 and the tray. The tray serves to fix the position of the substrate on which deposition is to be performed so that the substrate on which deposition is to be performed can be maintained in a state disposed on the hot plate 510 . For example, the hot plate 510 is disposed above and the source discharge unit 520 is disposed below, so that the substrate on which deposition is to be performed is disposed between the hot plate 510 and the source discharge unit 520 , the hot plate ( 510), the substrate on which deposition is to be performed is placed on the tray so that the substrate on which deposition is to be performed does not fall down. Further, by moving the tray, the substrate on which the deposition is to be performed, which is placed on the tray, is easily moved. In addition, the tray may serve as a kind of mask, covering the edge area where deposition should not be performed.

핫플레이트(510)를 향하여 증착 물질이 분사되는 적어도 하나의 소스(source) 방출부(520)는 핫플레이트(510)와 대향하여 배치된다. 소스 방출부(520)는 증착 물질을 증발시키거나 승화시키기 위하여, 증착 물질을 담고 가열하는 용기인 도가니(crucible)를 포함하는데 도가니에 포함된 노즐로부터 증발되거나 승화된 증착 물질이 분사되어 나온다. 노즐의 형태는 구조물의 크기, 증착 두께, 증착 물질의 종류 등에 따라 점(point) 형태일 수도 있고, 선(line) 형태일 수도 있다. 소스 방출부(520) 주변에, 분사된 증착 물질이 챔버 내에서 고루 분포할 수 있도록 회전 장치(revolver)가 배치될 수 있다. At least one source emission part 520 from which the deposition material is sprayed toward the hot plate 510 is disposed to face the hot plate 510 . In order to evaporate or sublimate the deposition material, the source emission unit 520 includes a crucible, which is a container for containing and heating the deposition material, and the vaporized or sublimated deposition material is sprayed from the nozzle included in the crucible. The shape of the nozzle may be a point shape or a line shape depending on the size of the structure, the deposition thickness, the type of deposition material, and the like. A revolver may be disposed around the source emission unit 520 so that the ejected deposition material can be evenly distributed in the chamber.

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 대하여 이하에서 자세히 살펴본다. Hereinafter, the central portion L/A and the peripheral portion H/A of the hot plate 510 included in the deposition chamber 500 according to the embodiment of the present invention will be described in detail below.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 일측을 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 6 내지 도 8은 도 5에서 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 걸쳐, 도 5의 Y 지점부터 Y’지점까지를 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다. 6 to 8 are cross-sectional views illustrating cut surfaces of one side of the hot plate 510 included in the deposition chamber 500 according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views taken from the point Y to the point Y' in FIG. It is a cross-sectional view showing.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)의 선밀도가 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)의 선밀도보다 높을 수 있다. 다시 말하여, 핫플레이트(510)는 내부에 있는 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도가 균일하지 않을 수 있고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에서의 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도가, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에서의 전열선(511_a, 511_b)의 분포 밀도보다 높다. 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에만 전열선(511_a, 511_b)을 더 촘촘하게 배치함으로써, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 동시에 구동이 되더라도, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 상대적으로 온도가 더 높아질 수 있다. 6 to 8, so that the peripheral portion (H / A) of the hot plate 510 can have a higher temperature than the central portion (L / A) of the hot plate 510, the peripheral portion of the hot plate 510 ( The linear density of the internal heating wires 511_a and 511_b corresponding to H/A may be higher than that of the internal heating wires 511_a and 511_b corresponding to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 . In other words, in the hot plate 510 , the distribution density of the heating wires 511_a and 511_b therein may not be uniform, and The distribution density is higher than the distribution density of the heating wires 511_a and 511_b in the central portion L/A of the hot plate 510 . By arranging the heating wires 511_a and 511_b more densely only on the periphery (H / A) of the hot plate 510, the central part (L / A) and the peripheral part (H / A) of the hot plate 510 are simultaneously driven, The peripheral portion H/A of the hot plate 510 may have a relatively higher temperature.

도 6에서는 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_a)이 직선 형태인 경우를 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않고 도 7에서와 같이, 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_b)은 코일 형태일 수 있다. 도 7에서와 같이, 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_b)이 코일 형태일 경우, 코일 형태의 전열선(511_b) 자체의 분포 밀도가 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)에 대하여 서로 차이가 나도록 전열선(511_b)을 배치할 수 있다. 또는, 코일 형태의 전열선(511_b)의 주변부(H/A)에서의 분포 밀도와, 주변부(H/A)에서의 분포 밀도가 서로 동일하도록 전열선(511_b)을 배치하면서, 다만 주변부(H/A)에 배치된 전열선(511_b)의 코일 밀도가 중앙부(L/A)에 배치된 전열선(511_b)의 코일 밀도보다 높을 수도 있다. 이 때, 코일 형태의 전열선(511_b)의 코일 밀도란, 감겨 있는 코일의 촘촘한 정도를 의미한다. 즉, 전열선(511_b)의 코일 밀도가 높다는 것은 코일이 촘촘하게 감겨 있다는 것을 의미한다. 6 illustrates a case in which the heating wire 511_a inside the hot plate 510 has a straight shape, but is not limited thereto and as in FIG. 7 , the heating wire 511_b inside the hot plate 510 may be in the form of a coil. have. As in FIG. 7 , when the heating wire 511_b inside the hot plate 510 is in the form of a coil, the distribution density of the heating wire 511_b in the coil form itself is the peripheral portion (H / A) and the central portion (L / A) with respect to The heating wires 511_b may be disposed to be different from each other. Alternatively, while disposing the heating wire 511_b so that the distribution density in the periphery H / A of the coil-shaped heating wire 511_b and the distribution density in the periphery H / A are equal to each other, only the peripheral portion H / A ), the coil density of the heating wire 511_b disposed in the central portion (L/A) may be higher than the coil density of the heating wire 511_b disposed in the central portion (L/A). At this time, the coil density of the coil-shaped heating wire 511_b means the degree of denseness of the wound coil. That is, the high coil density of the heating wire 511_b means that the coil is tightly wound.

핫플레이트(510)가 구동할 때, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)는 내부의 전열선(511_a, 511_b)을 열전도율이 다른 적어도 두 종류 이상의 물질로 구성할 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)는 제1 물질로 이루어진 제1 전열선(511_a, 511_b)을 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하여 배치하고, 제1 물질보다 열전도율이 높은 제2 물질로 이루어진 제2 전열선(511_a, 511_b)을 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하여 배치할 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)의 열전도율이, 중앙부(L/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)의 열전도율보다 높을 수 있다.When the hot plate 510 is driven, the periphery (H / A) of the hot plate 510 can have a higher temperature than the central portion (L / A) of the hot plate 510, the hot plate 510 is internal of the heating wires 511_a and 511_b may be formed of at least two or more types of materials having different thermal conductivity. For example, in the hot plate 510 , the first heating wires 511_a and 511_b made of a first material are disposed to correspond to the central portion L/A of the hot plate 510 , and a first material having higher thermal conductivity than the first material The second heating wires 511_a and 511_b made of two materials may be disposed to correspond to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 . Accordingly, the thermal conductivity of the heating wires 511_a and 511_b corresponding to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 may be higher than that of the heating wires 511_a and 511_b corresponding to the central portion L/A.

핫플레이트(510)가 구동할 때, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 전열선(511_a, 511_b)을 가지고 있는 핫플레이트(510)의 몸체(512)(body)는 열전도율이 다른 적어도 두 종류 이상의 물질로 구성할 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 몸체(512)는 제3 물질로 이루어지고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 몸체(512)는 제3 물질보다 열 전도율이 높은 제4 물질로 이루어질 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 몸체(512)를 구성하는 물질의 열전도율이, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 몸체(512)를 구성하는 물질의 열전도율보다 더 높을 수 있다.When the hot plate 510 is driven, the heating wires 511_a and 511_b are connected so that the peripheral portion H / A of the hot plate 510 has a higher temperature than the central portion L / A of the hot plate 510 . The body 512 (body) of the hot plate 510 has may be made of at least two or more types of materials having different thermal conductivity. For example, the body 512 corresponding to the central portion L / A of the hot plate 510 is made of a third material, and the body 512 corresponding to the peripheral portion H / A of the hot plate 510 . may be made of a fourth material having higher thermal conductivity than the third material. Accordingly, the thermal conductivity of the material constituting the body 512 corresponding to the peripheral portion (H/A) of the hot plate 510 constitutes the body 512 corresponding to the central portion (L/A) of the hot plate 510 . It may be higher than the thermal conductivity of the material.

핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)보다 높은 온도를 가질 수 있도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)과 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은, 전원 전압을 각각 별개로 인가받을 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은 제1 전원 라인에 연결이 되고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에 대응하는 내부 전열선(511_a, 511_b)은 제2 전원 라인에 연결되어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)가 별개로 온/오프가 될 수 있다. 또한, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)가 별개의 전원 전압이 각각 인가될 수 있다. 예를 들어, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)에는 제1 전원 전압이 인가되고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)에는 제1 전원 전압보다 낮은 제2 전원 전압이 인가될 수 있다. The internal heating wire corresponding to the peripheral portion (H/A) of the hot plate 510 so that the peripheral portion (H / A) of the hot plate 510 can have a higher temperature than the central portion (L / A) of the hot plate 510 . The internal heating wires 511_a and 511_b corresponding to the 511_a and 511_b and the central portion L/A of the hot plate 510 may receive a power supply voltage separately. For example, the internal heating wires 511_a and 511_b corresponding to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 are connected to the first power line and correspond to the central portion L/A of the hot plate 510 . The internal heating wires 511_a and 511_b are connected to the second power line, so that the peripheral portion (H / A) of the hot plate 510 and the central portion (L / A) of the hot plate 510 are separately turned on / off. can In addition, separate power voltages may be applied to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 and the central portion L/A of the hot plate 510 , respectively. For example, a first power voltage is applied to the peripheral portion H/A of the hot plate 510 , and a second power voltage lower than the first power voltage is applied to the central portion L/A of the hot plate 510 . can be

핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에서, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 온도와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도가 큰 차이를 유지할 수 있도록, 주변부(H/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)과 중앙부(L/A)에 대응하는 전열선(511_a, 511_b)은 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)에 걸쳐 이어지지 않고 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에는 핫플레이트(510) 내부의 전열선(511_a, 511_b) 이 배치되지 않을 수 있다. 이로써, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되기 전에 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)를 거치면서 대부분의 열을 빼앗기게 되므로, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되어 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도가 상승하는 현상을 방지할 수 있다. At the boundary H between the central portion L/A and the peripheral portion H/A of the hot plate 510 , the temperature of the peripheral portion H/A of the hot plate 510 and the central portion L of the hot plate 510 In order to maintain a large difference in the temperature of /A), the heating wires 511_a and 511_b corresponding to the peripheral portion H/A and the heating wires 511_a and 511_b corresponding to the central portion L/A are connected to the peripheral portion H/A ) and the central portion L/A, and may be disposed spaced apart from each other by a predetermined distance. That is, the heating wires 511_a and 511_b inside the hot plate 510 may not be disposed at the boundary H between the peripheral portion H/A and the central portion L/A of the hot plate 510 . Thus, before the heat of the peripheral portion H/A of the hot plate 510 is conducted to the central portion L/A of the hot plate 510, the boundary H between the peripheral portion H/A and the central portion L/A ), so that most of the heat is taken away, the heat of the peripheral portion (H / A) of the hot plate 510 is conducted to the central portion (L / A) of the hot plate 510 and the central portion of the hot plate 510 ( A phenomenon in which the temperature of L/A) rises can be prevented.

도 8을 참조하면, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에, 중앙부(L/A)를 둘러싸도록 열전도 방지 해자(513)(垓子, ditch)가 배치된다. 열전도 방지 해자(513)는, 고온의 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)와 상대적으로 저온의 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A) 사이에 있는, 소정의 폭(w)을 가지도록 이격된 공간이다. 열전도 방지 해자(513)에 의하여 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 열이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)로 전도되는 현상이 방지될 수 있다. 이로써, 열전도 방지 해자(513) 부근에서의 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)의 온도와 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 온도는 큰 차이를 유지할 수 있다. 열전도 방지 해자(513)의 폭(w)이 1 mm 보다 작을 경우, 열전도 방지의 효과가 실질적으로 미미하여 중앙부(L/A)의 가장자리의 온도가 주변부(H/A)의 가장자리의 온도의 영향을 받게 되어 상승하게 될 수 있다. 다시 말하여, 열전도 방지 해자(513)의 폭(w)이 1 mm 이상일 때, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)가 온도 차이에 따른 열적 평형 상태를 이루려는 경향성이 저지되는 효과가 있다. 열전도 방지 해자(513)의 내부 공간은 비워진 상태로서, 진공 챔버 내부의 환경에 그대로 노출되는 공간일 수 있다. Referring to FIG. 8 , at the boundary H between the peripheral portion H/A and the central portion L/A of the hot plate 510 , a heat conduction prevention moat 513 to surround the central portion L/A. , ditch) is placed. The heat conduction prevention moat 513 has a predetermined width w between the peripheral portion H/A of the hot plate 510 and the central portion L/A of the relatively low temperature hot plate 510 . It is a space spaced apart to have. The heat conduction of the heat of the peripheral portion H/A of the hot plate 510 to the central portion L/A of the hot plate 510 may be prevented by the heat conduction prevention moat 513 . Accordingly, the temperature of the peripheral portion H/A of the hot plate 510 in the vicinity of the heat conduction prevention moat 513 and the temperature of the central portion L/A of the hot plate 510 may maintain a large difference. When the width w of the heat conduction prevention moat 513 is smaller than 1 mm, the effect of preventing heat conduction is substantially insignificant, so that the temperature of the edge of the central part L/A is affected by the temperature of the edge of the peripheral part H/A. received and may rise. In other words, when the width w of the heat conduction prevention moat 513 is 1 mm or more, the central part (L/A) and the peripheral part (H/A) of the hot plate 510 are trying to achieve a thermal equilibrium state according to the temperature difference. has the effect of suppressing the tendency. The internal space of the heat conduction prevention moat 513 is empty and may be a space exposed to the environment inside the vacuum chamber.

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트(510)를 이용하여 TFT 기판(210)에 이종(異種)의, 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 증착하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of depositing a heterogeneous, two-density passivation layer 230 on the TFT substrate 210 using the hot plate 510 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 핫플레이트(510)를 포함하는 증착 챔버(500)에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도이다. 보다 구체적으로, 핫플레이트(510)의 일 면에 TFT 기판(210)이 배치되는데, 이 때, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하고, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적 이상이며, 바람직하게는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적과 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적은 실질적으로 동일하다. 어떠한 경우에 있어서든, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)가 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하지 않도록 하기 위하여, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)의 면적은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)의 면적보다 작지 않다. 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 중첩하되 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과는 중첩하지 않고, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A) 면적은 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)의 면적 이상이다. 9 is a perspective view schematically illustrating a process of depositing a passivation layer 230 on a TFT substrate 210 in a deposition chamber 500 including a hot plate 510 according to an embodiment of the present invention. More specifically, the TFT substrate 210 is disposed on one surface of the hot plate 510 . At this time, the central portion L/A of the hot plate 510 is the display area A/A of the TFT substrate 210 . ), and the area of the central portion L/A of the hot plate 510 is greater than or equal to the area of the display area A/A of the TFT substrate 210 , preferably the central portion L of the hot plate 510 . The area of /A) and the area of the display area A/A of the TFT substrate 210 are substantially the same. In any case, in order not to overlap the peripheral portion H/A of the hot plate 510 with the display area A/A of the TFT substrate 210, the central portion L/A of the hot plate 510 ) is not smaller than the area of the display area A/A of the TFT substrate 210 . The peripheral portion H/A of the hot plate 510 overlaps the non-display area N/A of the TFT substrate 210 but does not overlap the display area A/A of the TFT substrate 210, and The area of the peripheral portion H/A of the plate 510 is greater than or equal to the area of the non-display area N/A of the TFT substrate 210 .

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A) 및 주변부(H/A)와, TFT 기판(210)의 표시영역 및 비표시 영역(N/A)과의 관계를 자세히 살펴본다.Hereinafter, the central portion (L/A) and the peripheral portion (H/A) of the hot plate 510 included in the deposition chamber 500 according to the embodiment of the present invention, and the display area and non-display area of the TFT substrate 210 . Let's take a closer look at the relationship with (N/A).

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)에 포함되는 핫플레이트(510) 및 패시베이션층(230)이 증착된 TFT 기판(210)의 일측을 동시에 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 10은 도 9에서 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)에 걸쳐, Y 지점부터 Y’ 지점까지를 절단한 절단면을 도시하는 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view of one side of the TFT substrate 210 on which the hot plate 510 and the passivation layer 230 are deposited, which are included in the deposition chamber 500 according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view taken from a point Y to a point Y′ over the central portion L/A and the peripheral portion H/A of the hot plate 510 in FIG. 9 .

도 10을 참조하면, 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하도록, 핫플레이트(510)의 주변부(H/A)는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하도록 구현된다. 이로써, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)은 상대적으로 낮은 제1 발열 온도 조건에서 패시베이션층(230)이 증착되고, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)은 상대적으로 높은 제2 발열 온도 조건에서 패시베이션층(230)이 증착된다. 하나의 증착 챔버(500) 안에서 TFT 기판(210)에 증착되는 패시베이션층(230)은, 부분적으로 다른 증착 온도를 제공받는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 비표시 영역(N/A)에서, 각기 다른 속도로 증착이 진행된다. 이에 따라, 상대적으로 고온 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230)은 상대적으로 고밀도로 증착이 되고 상대적으로 저온 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230)은 상대적으로 저밀도로 증착이 된다. 상대적으로 고밀도로 증착이 된 패시베이션층(230)은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하는 패시베이션층(230_b)이 된다. 그리고 상대적으로 저밀도로 증착이 된 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230_a)이 된다. 즉, 상대적으로 저밀도인, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a)을 구현하기 위하여, 표시 영역(A/A)에 상대적으로 고온의 증착 온도가 들어오는 주변부(H/A)가 대응되지 않도록 핫플레이트(510)를 구성하여야 한다. Referring to FIG. 10 , the central portion L/A of the hot plate 510 corresponds to the display area A/A of the TFT substrate 210 , and the peripheral portion H/A of the hot plate 510 is the TFT. It is implemented to correspond to the non-display area N/A of the substrate 210 . Accordingly, the passivation layer 230 is deposited on the display area A/A of the TFT substrate 210 under a relatively low first heating temperature condition, and the non-display area N/A of the TFT substrate 210 is relatively The passivation layer 230 is deposited under the high second exothermic temperature condition. The passivation layer 230 deposited on the TFT substrate 210 in one deposition chamber 500 includes a display area A/A and a non-display area N of the TFT substrate 210 that are partially provided with different deposition temperatures. In /A), deposition proceeds at different rates. Accordingly, the passivation layer 230 deposited in a relatively high temperature environment is deposited at a relatively high density, and the passivation layer 230 deposited in a relatively low temperature environment is deposited at a relatively low density. The passivation layer 230 deposited at a relatively high density becomes the passivation layer 230_b corresponding to the non-display area N/A of the TFT substrate 210 . In addition, the passivation layer 230 deposited at a relatively low density becomes the passivation layer 230_a corresponding to the display area A/A of the TFT substrate 210 . That is, in order to implement the relatively low-density passivation layer 230_a of the display area A/A, the peripheral portion H/A, where a relatively high deposition temperature enters the display area A/A, does not correspond. The hot plate 510 should be configured to prevent it.

중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에서 큰 온도 차이를 가지도록 구현된 핫플레이트(510)에서 증착된 패시베이션층(230)이라 하더라도, 패시베이션층(230)이 핫플레이트(510)의 중앙부(L/A)와 주변부(H/A)의 경계(H)에 대응하여 단절되는 양상을 보이지는 않는다. 이 때, 단절되는 양상이란 예를 들어 서로 다른 구성요소 사이에 존재하는 계면일 수 있다. 왜냐하면, 패시베이션층(230)은 동일한 증착 물질을 이용하여 TFT 기판(210)의 전체 영역에 동시에 증착되기 때문이다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 으로 갈수록, 패시베이션층(230)의 밀도는 그래디언트(gradient)하게 증가하는 양상을 가지게 된다. 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 그래디언트하게 증가하는 , 밀도가 변화하는 구간의 폭은, 표시 영역(A/A) 쪽으로 치우치기 보다는 오히려 비표시 영역(N/A) 쪽으로 치우치는 것이 바람직하다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치되지 않는 비표시 영역(N/A)은, 상대적으로 고온 환경에서 증착이 진행되어도 무관한 영역이기 때문이다. 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 넓어질수록, 베젤에 해당하는 비표시 영역(N/A)의 폭이 넓어지는 것을 의미한다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭은 좁을수록 베젤의 폭이 좁아진다. 이를 위하여, 핫플레이트(510)에 열전도 방지 해자(513)를 주변부(H/A)와 중앙부(L/A)의 경계(H)에 대응하도록 구현함으로써 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층 (230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 좁아지는 효과가 있다.Even with the passivation layer 230 deposited on the hot plate 510 implemented to have a large temperature difference at the boundary H between the central portion L / A and the peripheral portion H / A, the passivation layer 230 is hot. The plate 510 does not appear to be disconnected corresponding to the boundary H between the central portion L/A and the peripheral portion H/A. In this case, the disconnected aspect may be, for example, an interface existing between different components. This is because the passivation layer 230 is simultaneously deposited over the entire area of the TFT substrate 210 using the same deposition material. Accordingly, at the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the passivation layer 230_a of the display area A/A is non-displayed. As it goes toward the passivation layer 230_b of the region N/A, the density of the passivation layer 230 has a gradient increase. At the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the density of the passivation layer 230 is gradually increased, Preferably, the width is biased toward the non-display area N/A rather than toward the display area A/A. This is because the non-display area N/A in which the organic light emitting diode (OLED) is not disposed is an area irrelevant to deposition in a relatively high temperature environment. As the width of the section in which the density of the passivation layer 230 changes is increased, the width of the non-display area N/A corresponding to the bezel increases. Therefore, at the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the narrower the width of the section in which the density of the passivation layer 230 changes is narrower. The bezel is narrower. To this end, by implementing the heat conduction prevention moat 513 on the hot plate 510 to correspond to the boundary H between the peripheral portion H / A and the central portion L / A, the passivation layer of the display area A / A ( At the boundary between 230_a) and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the width of the section in which the density of the passivation layer 230 changes is narrowed.

이하에서 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 대하여 도 11 내지 도 13을 참조하여 자세히 설명한다.Hereinafter, the deposition chamber 1000 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 13 .

도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 램프 헤드(1030)를 포함하는 증착 챔버(1000)에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)이 증착되는 과정을 개략적으로 나타내는 사시도다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)는 증착 플레이트(1010), 증착 플레이트(1010)를 향하여 증착 물질을 방출하는 소스 방출부(520) 및 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사하는 적어도 하나의 레이저 램프 헤드(1030)를 포함한다. 11 is a perspective view schematically illustrating a process of depositing a passivation layer 230 on a TFT substrate 210 in a deposition chamber 1000 including a laser lamp head 1030 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 11 , a deposition chamber 1000 according to an embodiment of the present invention includes a deposition plate 1010 , a source emitter 520 for emitting a deposition material toward the deposition plate 1010 , and the deposition plate 1010 . It includes at least one laser lamp head 1030 for irradiating the laser (L) toward the.

레이저 램프 헤드(1030)는, 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사함으로써, 증착 플레이트(1010)에 루프(loop) 형상의 레이저 조사면을 형성할 수 있도록 구현된, 레이저 램프 헤드(1030)이다. 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의하여 증착 플레이트(1010)에 형성되는 루프 형상 또는 링 형상의 레이저 조사면은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 중첩한다. 즉, 레이저 램프 헤드(1030)는, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역에 고에너지를 전달하기 위하여 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역에만 레이저(L)를 조사하도록 구현된다. 이 때, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A) 이외의 영역은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)을 포함한다. 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의한, 레이저 조사면의 형상이 폐쇄형 루프 형상일 때, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 균일하게 고에너지가 전달될 수 있다. 레이저 램프 헤드(1030)가 증착 플레이트(1010)를 향하여 레이저(L)를 조사함으로써 형성되는 레이저 조사면의 형상이 폐쇄형 루프 형상일 때, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 균일하게 고밀도의 패시베이션층(230)이 형성될 수 있다. The laser lamp head 1030 is a laser lamp head ( 1030). A loop-shaped or ring-shaped laser irradiation surface formed on the deposition plate 1010 by laser L irradiation of the laser lamp head 1030 overlaps the non-display area N/A of the TFT substrate 210 . . That is, the laser lamp head 1030 is applied only to a region other than the display region A/A of the TFT substrate 210 in order to transmit high energy to the region other than the display region A/A of the TFT substrate 210 . It is implemented to irradiate the laser (L). At this time, the region other than the display region A/A of the TFT substrate 210 includes the non-display region N/A of the TFT substrate 210 . When the shape of the laser irradiation surface is a closed loop shape by the laser L irradiation of the laser lamp head 1030 , high energy is uniformly transmitted to the non-display area N/A of the TFT substrate 210 . can When the laser lamp head 1030 irradiates the laser L toward the deposition plate 1010 to form a closed loop shape, the non-display area N/A of the TFT substrate 210 is formed. A high-density passivation layer 230 may be uniformly formed thereon.

비표시 영역(N/A)에만 국지적으로 레이저(L)에 의한 고에너지를 전달받은 TFT 기판(210)에는 이종(異種)의, 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)이 증착된다. 보다 구체적으로, TFT 기판(210) 상에 증착되는 패시베이션층(230)은, 레이저에 의한 고에너지를 전달받은 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 과 레이저에 의한 고에너지를 전달받지 않은 표시 영역(A/A)의 패시베이션층 (230_a)으로 구성될 수 있다. 이 때, 레이저(L)에 의한 고에너지를 전달받은 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b)은, 진공 챔버 내부에서의 화학 반응에 일조하는 에너지가 더 많이 공급되게 됨에 따라, 증착 속도(즉, 단위시간 당 증착되는 두께)가 증가하고, 증착된 영역의 밀도가 증가한다. 레이저(L)가 유기 발광 소자(OLED)에 조사될 경우, 유기 발광 소자(OLED)가 타 버리는 등 유기 발광 소자(OLED)에 직접적인 손상이 발생한다. 따라서, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 제외하고, 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)에만 레이저(L)를 조사하면서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)을 증착한다. 이를 위하여, 레이저 램프 헤드(1030)는, 레이저 램프 헤드(1030)로부터 비표시 영역(N/A)에 조사되는 레이저(L)가 표시 영역(A/A)을 침범하지 않도록 구현되어야 한다. A passivation layer 230 having two density regions is deposited on the TFT substrate 210 to which high energy is locally transmitted by the laser L only to the non-display region N/A. More specifically, the passivation layer 230 deposited on the TFT substrate 210 transfers the high energy by the laser to the passivation layer 230_b of the non-display area N/A that receives the high energy by the laser. The passivation layer 230_a of the non-received display area A/A may be formed. At this time, the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, which has received high energy by the laser L, is deposited as more energy contributing to the chemical reaction inside the vacuum chamber is supplied. As the rate (ie, the thickness deposited per unit time) increases, the density of the deposited area increases. When the laser L is irradiated to the organic light emitting diode OLED, the organic light emitting element OLED is directly damaged, such as burning the organic light emitting element OLED. Accordingly, the TFT substrate 210 is irradiated with the laser L only to the non-display area N/A surrounding the display area A/A, except for the display area A/A of the TFT substrate 210 . A passivation layer 230 is deposited thereon. To this end, the laser lamp head 1030 should be implemented so that the laser L irradiated from the laser lamp head 1030 to the non-display area N/A does not invade the display area A/A.

하나의 증착 챔버(1000) 안에서 TFT 기판(210)에 증착되는 패시베이션층(230)은, 레이저 램프 헤드(1030)의 레이저(L) 조사에 의해서, TFT 기판(210)에서 표시 영역(A/A)과 레이저 조사면에 해당하는 비표시 영역(N/A)에서 각기 다른 속도로 증착이 진행된다. 이에 따라, 상대적으로 고에너지 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230) 부분은 상대적으로 고밀도로 증착되고 상대적으로 저에너지 환경에서 증착이 진행된 패시베이션층(230) 부분은 상대적으로 저밀도로 증착된다. 상대적으로 고밀도로 증착된 패시베이션층(230)은, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에 대응하는 패시베이션층(230)이 된다. 그리고 상대적으로 저밀도로 증착된 패시베이션층(230)은 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 대응하는 패시베이션층(230)이 된다. The passivation layer 230 deposited on the TFT substrate 210 in one deposition chamber 1000 is irradiated with laser L from the laser lamp head 1030 to form the display area A/A on the TFT substrate 210 . ) and the non-display area (N/A) corresponding to the laser irradiation surface, deposition proceeds at different rates. Accordingly, the portion of the passivation layer 230 deposited in a relatively high energy environment is deposited at a relatively high density, and the portion of the passivation layer 230 deposited in a relatively low energy environment is deposited at a relatively low density. The passivation layer 230 deposited at a relatively high density becomes the passivation layer 230 corresponding to the non-display area N/A of the TFT substrate 210 . In addition, the passivation layer 230 deposited at a relatively low density becomes the passivation layer 230 corresponding to the display area A/A of the TFT substrate 210 .

레이저(L) 조사 과정에서 증착됨에 따라 패시베이션층(230)이 이종의 두 밀도 영역을 가지게 되더라도, 패시베이션층(230)이 레이저 조사면과 그 이외의 영역의 경계에 대응하여 단절되는 양상을 보이지는 않는다. 이 때, 단절되는 양상이란 예를 들어 서로 다른 구성요소 사이에 존재하는 계면일 수 있다. 왜냐하면, 패시베이션층(230)은 동일한 증착 물질을 이용하여 TFT 기판(210)의 전체 영역에 동시에 증착되기 때문이다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 에서 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 으로 갈수록, 패시베이션층(230)의 밀도는 그래디언트(gradient)하게 증가하는 양상을 가지게 된다. 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서 패시베이션층(230)의 밀도가 그래디언트하게 증가하는 , 밀도가 변화하는 구간의 폭은, 표시 영역(A/A) 쪽으로 치우치기 보다는 오히려 비표시 영역(N/A) 쪽으로 치우치는 것이 바람직하다. 유기 발광 소자(OLED)가 배치되지 않는 비표시 영역(N/A)은, 상대적으로 고에너지 환경에서 증착이 진행되어도 무관한 영역이기 때문이다. 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭이 넓어질수록, 베젤에 해당하는 비표시 영역(N/A)의 폭이 넓어지는 것을 의미한다. 따라서, 표시 영역(A/A)의 패시베이션층(230_a) 과 비표시 영역(N/A)의 패시베이션층(230_b) 의 경계에서, 패시베이션층(230)의 밀도가 변화하는 구간의 폭은 좁을수록 베젤의 폭이 좁아진다. Even if the passivation layer 230 has two different density regions as it is deposited in the laser (L) irradiation process, the passivation layer 230 is cut off corresponding to the boundary between the laser irradiation surface and other regions. does not In this case, the disconnected aspect may be, for example, an interface existing between different components. This is because the passivation layer 230 is simultaneously deposited over the entire area of the TFT substrate 210 using the same deposition material. Accordingly, at the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the passivation layer 230_a of the display area A/A is non-displayed. As it goes toward the passivation layer 230_b of the region N/A, the density of the passivation layer 230 has a gradient increase. At the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the density of the passivation layer 230 is gradually increased, Preferably, the width is biased toward the non-display area N/A rather than toward the display area A/A. This is because the non-display area N/A in which the organic light emitting diode (OLED) is not disposed is an area unrelated to deposition in a relatively high energy environment. As the width of the section in which the density of the passivation layer 230 changes is increased, the width of the non-display area N/A corresponding to the bezel increases. Therefore, at the boundary between the passivation layer 230_a of the display area A/A and the passivation layer 230_b of the non-display area N/A, the narrower the width of the section in which the density of the passivation layer 230 changes is narrower. The bezel is narrower.

이로써, 표시 영역(A/A)에는 상대적으로 저밀도의 패시베이션층(230)이 증착되게 함으로써 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것은 방지하면서도, 동시에 비표시 영역(N/A)에는 고밀도의 패시베이션층(230)이 증착되게 함으로써 표시 영역(A/A)을 감싸는 배리어 역할을 하도록 하여 측면 투습을 차단할 수 있다. 특히, 레이저 조사면이 폐쇄형 루프 형상을 가짐에 따라, 링 형상의 고밀도의 패시베이션층(230)이 투습에 취약한 영역인 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 전부 폐쇄적으로 둘러싸게 됨으로써 측면 투습을 완벽하게 차단할 수 있다. Accordingly, a relatively low density passivation layer 230 is deposited on the display area A/A to prevent damage to the organic light emitting diode OLED, and at the same time, a high density passivation layer for the non-display area N/A. By allowing the 230 to be deposited, it may serve as a barrier surrounding the display area A/A, thereby blocking lateral moisture permeation. In particular, as the laser irradiation surface has a closed loop shape, the ring-shaped high-density passivation layer 230 closes all the display areas A/A of the TFT substrate 210, which is an area vulnerable to moisture permeation. By doing so, it is possible to completely block the side permeation.

이하에서, 도 12 및 도 13을 참조하여, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)을 둘러싸는, 루프 형상의 레이저 조사면을 구현할 수 있는 레이저 램프 헤드(1030)에 대하여 자세히 살펴본다.Hereinafter, with reference to FIGS. 12 and 13 , the laser lamp head 1030 that surrounds the display area A/A of the TFT substrate 210 and can implement a loop-shaped laser irradiation surface will be described in detail. .

도 12 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)에 대한 개략적인 사시도다.12 and 13 are schematic perspective views of a laser lamp head 1030 included in the deposition chamber 1000 according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)는 일체형일 수 있으나, 다양한 크기의 TFT 기판(210)에 유동적으로 적용될 수 있도록, 적어도 4개의 레이저 램프 헤드(1030)의 조합으로 이루어질 수도 있다. 도 12를 참조하면, 레이저 램프 헤드(1030)는 직선 형상의, 제1 레이저 램프 헤드(1031), 제2 레이저 램프 헤드(1032), 제3 레이저 램프 헤드(1033) 및 제4 레이저 램프 헤드(1034)를 포함한다. 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 격자 형태를 구현하도록, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제2 레이저 램프 헤드(1032)는 서로 평행하고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 평행하고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 평행하지 않고 소정의 각도를 이룬다. 도 12 내지 도 13 에 도시된 레이저 램프 헤드의 갯수는 예시적인 것이며, 본 발명의 내용을 제한하는 것은 아니다. The laser lamp head 1030 included in the deposition chamber 1000 according to the embodiment of the present invention may be integrated, but at least four laser lamp heads 1030 may be flexibly applied to the TFT substrate 210 of various sizes. ) may be combined. 12, the laser lamp head 1030 has a linear shape, a first laser lamp head 1031, a second laser lamp head 1032, a third laser lamp head 1033, and a fourth laser lamp head ( 1034). The first to fourth laser lamp heads 1031, 1032, 1033, and 1034 are parallel to each other so that the first laser lamp head 1031 and the second laser lamp head 1032 are parallel to each other, and the third laser lamp The head 1033 and the fourth laser lamp head 1034 are parallel to each other, and the first laser lamp head 1031 and the third laser lamp head 1033 are not parallel to each other and form a predetermined angle. The number of laser lamp heads shown in FIGS. 12 to 13 is illustrative, and does not limit the content of the present invention.

제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 Z 축, X 축 및 Y 축 방향에 국한되지 않고, 진공 챔버 내부에서 자유로이 이동이 가능하도록 구현된다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이 배치된 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)와 비교하여, 도 13에 도시된 바와 같이 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제2 레이저 램프 헤드(1032)가 서로 더 멀리 이격되어 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)가 서로 더 멀리 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)의 배치는 도 13에 도시된 바와 같은 배치를 가질 수도 있다. 이로써 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)에 포함되는 레이저 램프 헤드(1030)는, 다양한 크기의 TFT 기판(210)에 유동적으로 적용될 수 있다.The first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , and 1034 are not limited to the Z-axis, X-axis, and Y-axis directions, and are implemented to be freely movable inside the vacuum chamber. For example, compared with the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , and 1034 arranged as shown in FIG. 12 , as shown in FIG. 13 , the first laser lamp head 1031 and The second laser lamp head 1032 may be disposed farther apart from each other, and the third laser lamp head 1033 and the fourth laser lamp head 1034 may be disposed farther apart from each other. That is, the arrangement of the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , and 1034 may have the arrangement as shown in FIG. 13 . Accordingly, the laser lamp head 1030 included in the deposition chamber 1000 according to the embodiment of the present invention can be flexibly applied to the TFT substrate 210 of various sizes.

제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)의 램프가 각 레이저 램프 헤드(1030)의 가장자리 부분에까지 배치되지 않음에 따라, 각 레이저 램프 헤드(1030)를 단순히 동일 평면 상에서 연결되는 형상으로 배치할 경우, 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에는 실질적으로 램프가 배치되지 않게 된다. 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에 실질적으로 램프가 배치되지 않게 됨에 따라, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면을 구현하지 못하거나, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면이 구현이 된다 하더라도, 레이저(L) 조사량이 영역 별로 불균일할 수 있다. As the lamps of the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 and 1034 are not arranged to the edge portion of each laser lamp head 1030 , each laser lamp head 1030 is simply connected on the same plane When arranged in a shape such that the lamps are substantially not arranged in the vicinity of the boundary between the respective laser lamp heads 1030 . As the lamp is not substantially disposed near the boundary between each laser lamp head 1030, a closed loop-shaped laser irradiation surface cannot be implemented, or a closed loop-shaped laser irradiation surface is implemented. Even so, the amount of laser L irradiation may be non-uniform for each area.

도 13을 참조하면, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)로부터 구현되는 레이저 조사면의 형상이 루프 형상을 가지도록, 특히, 폐쇄형의 링 형상을 가지도록, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)는 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 또한, 제1 레이저 램프 헤드(1031)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 마찬가지로, 제2 레이저 램프 헤드(1032)와 제3 레이저 램프 헤드(1033)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있고, 제2 레이저 램프 헤드(1032)와 제4 레이저 램프 헤드(1034)는 서로 교차하여 Z 축으로 중첩하는 영역이 발생할 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 서로 교차 영역에서 중첩함에 따라, 제4 레이저 램프 헤드(1034)의 일측 끝은 제2 레이저 램프 헤드(1032) 위에 배치되고, 제2 레이저 램프 헤드(1032)의 일측 끝은 제3 레이저 램프 헤드(1033) 위에 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)의 일측 끝은 제1 레이저 램프 헤드(1031) 위에 배치되고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)의 일측 끝은 제4 레이저 램프 헤드 위에 배치될 수 있다. 또는, 예를 들어, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드(1031, 1032, 1033, 1034)가 서로 교차 영역에서 중첩함에 따라, 제4 레이저 램프 헤드(1034)보다 제1 레이저 램프 헤드(1031)가 더 위에 배치되고, 제1 레이저 램프 헤드(1031)보다 제3 레이저 램프 헤드(1033)가 더 위에 배치되고, 제3 레이저 램프 헤드(1033)보다 제2 레이저 램프 헤드(1032)가 더 위에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 13 , the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , and 1034 may be disposed to cross each other. More specifically, so that the shape of the laser irradiation surface implemented from the first to fourth laser lamp heads 1031, 1032, 1033, 1034 has a loop shape, in particular, to have a closed ring shape, the first to The fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , and 1034 may be disposed to cross each other. That is, a region in which the first laser lamp head 1031 and the third laser lamp head 1033 intersect each other and overlap along the Z axis may occur. Also, a region in which the first laser lamp head 1031 and the fourth laser lamp head 1034 intersect each other and overlap along the Z axis may occur. Similarly, the second laser lamp head 1032 and the third laser lamp head 1033 may cross each other to generate an overlapping region along the Z axis, and the second laser lamp head 1032 and the fourth laser lamp head 1034 may be generated. ) may intersect each other and cause overlapping regions along the Z axis. As shown in FIG. 13 , for example, as the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 and 1034 overlap each other in an intersecting area, one end of the fourth laser lamp head 1034 is disposed on the second laser lamp head 1032 , one end of the second laser lamp head 1032 is disposed on the third laser lamp head 1033 , and one end of the third laser lamp head 1033 is disposed on the first It may be disposed on the laser lamp head 1031 , and one end of the first laser lamp head 1031 may be disposed on the fourth laser lamp head. Or, for example, as the first to fourth laser lamp heads 1031 , 1032 , 1033 , 1034 overlap each other in an intersecting region, the first laser lamp head 1031 rather than the fourth laser lamp head 1034 is disposed above, the third laser lamp head 1033 is disposed higher than the first laser lamp head 1031 , and the second laser lamp head 1032 is disposed higher than the third laser lamp head 1033 . can

다시 말해, 램프가 배치되지 않은, 레이저 램프 헤드(1030)의 가장자리를 다른 레이저 램프 헤드(1030)와 중첩되게 배치함으로써, 각 레이저 램프 헤드(1030) 사이의 경계 부근에 실질적으로 램프가 배치되지 않는 문제를 해결할 수 있다. 이로써 전(全) 영역에 레이저(L)를 균일하게 조사되는, 폐쇄형의 루프 형상의 레이저 조사면이 구현될 수 있으며, 레이저 조사면에 대응하여 증착되는 패시베이션층(230) 부분은 전(全) 영역에서 고른 밀도를 가질 수 있다.In other words, by arranging the edge of the laser lamp head 1030 on which no lamps are disposed to overlap with the other laser lamp heads 1030, substantially no lamps are disposed near the boundary between each laser lamp head 1030. can solve the problem Accordingly, a closed loop-shaped laser irradiation surface in which the laser L is uniformly irradiated to the entire area can be realized, and the passivation layer 230 deposited corresponding to the laser irradiation surface is formed over the entire area. ) can have an even density in the region.

본 발명의 실시예에 따른 구조물에서, 유기 발광 소자(OLED)가 배치되는 표시 영역(A/A)과, 표시 영역(A/A)을 둘러싸는 비표시 영역(N/A)으로 구획된 TFT 기판(210)의 유기 발광 소자(OLED)를 전부 덮도록, TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)이 구현된다. 이 때, 패시베이션층(230)의 두 밀도 영역을 구성하는 원소의 종류는 서로 동일하고, 패시베이션층(230)의 두 밀도 영역의 투습도는 서로 다르다. TFT 기판(210) 상에 패시베이션층(230)은, 투습도가 상대적으로 더 낮은 밀도 영역의 패시베이션층(230) 부분이, 투습도가 상대적으로 더 높은 밀도 영역의 패시베이션층(230) 부분을 둘러싸는 구조를 가지도록 증착된다. 이로써 표시 영역(A/A)의 유기 발광 소자(OLED)를 손상시키지 않으면서도, 유기 발광 소자(OLED)를 구조물의 측면에서의의 투습을 최소화할 수 있게 된다. In the structure according to the embodiment of the present invention, a TFT partitioned into a display area A/A in which an organic light emitting diode (OLED) is disposed and a non-display area N/A surrounding the display area A/A. A passivation layer 230 having two different density regions is implemented on the TFT substrate 210 to completely cover the organic light emitting diode (OLED) of the substrate 210 . In this case, the types of elements constituting the two density regions of the passivation layer 230 are the same, and the moisture permeability of the two density regions of the passivation layer 230 is different from each other. The passivation layer 230 on the TFT substrate 210 has a structure in which a portion of the passivation layer 230 in a density region having a relatively low water vapor transmission rate surrounds a portion of the passivation layer 230 in a density region having a relatively higher water vapor transmission rate. is deposited to have Accordingly, it is possible to minimize moisture permeation of the organic light emitting diode OLED from the side of the structure without damaging the organic light emitting diode OLED in the display area A/A.

TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(500)는, 고온 영역과 고온 영역에 의하여 둘러싸이는 저온 영역으로 구획되는 핫플레이트(510)를 포함한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역은, 핫플레이트(510)의 일 면에 배치되는 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)과 대응하고, 핫플레이트(510)의 저온 영역은, 핫플레이트(510)의 일 면에 배치되는 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 대응한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역이 TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)과 중첩하지 않도록 핫플레이트(510)와 TFT 기판(210)이 얼라인(align)된 상태에서 증착 챔버에서 TFT 기판(210)에 패시베이션층(230)을 증착한다. 핫플레이트(510)의 고온 영역의 열을 전달받은 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에서 높은 증착 속도로 패시베이션층(230)이 증착됨에 따라, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 증착된 패시베이션층(230_a) 보다, 비표시 영역(N/A)에 증착된 패시베이션층(230_b)이 더 높은 밀도로 증착될 수 있으며, 더 낮은 투습도를 가질 수 있다.In order to implement the passivation layer 230 having two different density regions on the TFT substrate 210, the deposition chamber 500 according to the embodiment of the present invention is surrounded by a high temperature region and a high temperature region. It includes a hot plate 510 partitioned into a low temperature region. The high temperature region of the hot plate 510 corresponds to the non-display region N/A of the TFT substrate 210 disposed on one surface of the hot plate 510 , and the low temperature region of the hot plate 510 is hot It corresponds to the display area A/A of the TFT substrate 210 disposed on one surface of the plate 510 . TFT in the deposition chamber in a state in which the hot plate 510 and the TFT substrate 210 are aligned so that the high temperature region of the hot plate 510 does not overlap the display region A/A of the TFT substrate 210 . A passivation layer 230 is deposited on the substrate 210 . As the passivation layer 230 is deposited at a high deposition rate in the non-display region N/A of the TFT substrate 210 that has received heat from the high-temperature region of the hot plate 510 , the display region of the TFT substrate 210 is deposited. The passivation layer 230_b deposited in the non-display area N/A may be deposited at a higher density than the passivation layer 230_a deposited in (A/A) and may have a lower moisture permeability.

TFT 기판(210) 상에 이종(異種)의 두 밀도 영역을 가지는 패시베이션층(230)을 구현하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 챔버(1000)는, TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)에만 레이저(L)를 조사하도록 구현된 레이저 램프 헤드(1030)를 포함한다. 레이저 램프 헤드(1030)는 폐쇄성 루프 형상의 레이저 조사면을 형성할 수 있도록 구현된다. 레이저 조사면이 TFT 기판(210)의 비표시 영역(N/A)만을 비추는 상태로 증착 챔버에서 패시베이션층(230)이 증착됨에 따라, TFT 기판(210)의 표시 영역(A/A)에 증착된 패시베이션층(230_a)보다, 비표시 영역(N/A)에 증착된 패시베이션층(230_b)이 더 높은 밀도로 증착될 수 있으며, 더 낮은 투습도를 가질 수 있다. In order to implement the passivation layer 230 having two different density regions on the TFT substrate 210 , the deposition chamber 1000 according to the embodiment of the present invention includes a non-display region of the TFT substrate 210 . Includes a laser lamp head 1030 implemented to irradiate the laser (L) only to (N / A). The laser lamp head 1030 is implemented to form a closed loop-shaped laser irradiation surface. As the passivation layer 230 is deposited in the deposition chamber with the laser irradiation surface illuminating only the non-display area N/A of the TFT substrate 210 , it is deposited on the display area A/A of the TFT substrate 210 . The passivation layer 230_b deposited in the non-display area N/A may be deposited at a higher density than the passivation layer 230_a, and may have a lower moisture permeability.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기 발광 표시 장치 130: 시스템 보드부
140: 타이밍 제어부 150: 데이터 구동부
160: 게이트 구동부 170: 유기 발광 표시 패널
210: TFT 기판 220: 발광층
230: 패시베이션층
230_a: 표시 영역의 패시베이션층
230_b: 비표시 영역의 패시베이션층 500, 1000: 증착 챔버
510: 핫플레이트 520: 소스 방출부
511_a, 511_b: 전열선 512: 몸체
513: 열전도 방지 해자 1010: 증착 플레이트
1030: 레이저 램프 헤드 L: 레이저
1031, 1032, 1033, 1034: 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드
L/A: 핫플레이트의 중앙부 H/A: 핫플레이트의 주변부
H: 핫플레이트의 중앙부와 주변부의 경계 W: 열전도 방지 해자의 폭
A/A: 표시 영역 N/A: 비표시 영역100: organic light emitting display device 130: system board unit
140: timing controller 150: data driver
160: gate driver 170: organic light emitting display panel
210: TFT substrate 220: light emitting layer
230: passivation layer
230_a: passivation layer of display area
230_b: passivation layers 500 and 1000 in non-display area: deposition chamber
510: hot plate 520: source discharge unit
511_a, 511_b: heating wire 512: body
513: heat conduction prevention moat 1010: deposition plate
1030: laser lamp head L: laser
1031, 1032, 1033, 1034: first to fourth laser lamp heads
L/A: Central part of hot plate H/A: Peripheral part of hot plate
H: Boundary of the center and periphery of the hot plate W: Width of the heat conduction prevention moat
A/A: Display area N/A: Non-display area

Claims (17)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 발열 온도를 가지도록 구현된 중앙부와, 상기 제1 발열 온도보다 더 높은 제2 발열 온도를 가지도록 구현된, 상기 중앙부를 둘러싸는 주변부로 구획되고, 내부에 전열선이 있는 핫플레이트; 및
상기 핫플레이트와 대향하고, 증착 물질을 분사하는 적어도 하나의 소스 방출부를 포함하고,
상기 주변부와 상기 중앙부의 경계에, 상기 중앙부를 둘러싸는 열전도 방지 해자가 있는 증착 챔버.a hotplate partitioned into a central portion embodied to have a first heating temperature and a peripheral portion surrounding the central portion embodied to have a second heating temperature higher than the first heating temperature, and having a heating wire therein; and
and at least one source emission unit facing the hot plate and dispensing a deposition material,
A deposition chamber having a heat conduction prevention moat surrounding the central portion at a boundary between the peripheral portion and the central portion. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 열전도 방지 해자의 폭은 1mm 이상인 증착 챔버.7. The method of claim 6,
A deposition chamber in which the width of the heat conduction prevention moat is 1 mm or more. 제6항에 있어서,
상기 전열선은 상기 주변부와 상기 중앙부에 걸쳐 연결되지 않고, 상기 주변부에 대응하는 전열선과 상기 중앙부에 대응하는 전열선은 서로 일정 간격을 두고 이격되어 배치되는 증착 챔버.7. The method of claim 6,
The heating wire is not connected across the peripheral portion and the central portion, and the heating wire corresponding to the peripheral portion and the heating wire corresponding to the central portion are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined interval. 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 전열선의 열전도율이, 상기 중앙부에 대응하는 전열선의 열전도율보다 높은 증착 챔버.7. The method of claim 6,
A deposition chamber in which the thermal conductivity of the heating wire corresponding to the peripheral portion is higher than that of the heating wire corresponding to the central portion. 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 상기 전열선의 선밀도가, 상기 중앙부에 대응하는 상기 전열선의 선밀도보다 높은 증착 챔버.7. The method of claim 6,
A deposition chamber in which a linear density of the heating wire corresponding to the peripheral portion is higher than a linear density of the heating wire corresponding to the central portion. 제6항에 있어서,
상기 중앙부에 대응하는 전열선과 상기 주변부에 대응하는 전열선은 각각 별개로 전원에 연결되어 있는 증착 챔버.7. The method of claim 6,
The heating wire corresponding to the central portion and the heating wire corresponding to the peripheral portion are each separately connected to a power source. 제6항에 있어서,
상기 주변부에 대응하는 상기 핫플레이트의 몸체를 구성하는 물질의 열전도율이, 상기 중앙부에 대응하는 상기 핫플레이트 부분을 구성하는 물질의 열전도율보다 더 높은 증착 챔버.7. The method of claim 6,
A deposition chamber in which a thermal conductivity of a material constituting the body of the hot plate corresponding to the peripheral portion is higher than that of a material constituting the hot plate portion corresponding to the central portion. 증착 플레이트;
상기 증착 플레이트를 향하여 증착 물질을 방출하는 소스 방출부; 및
상기 증착 플레이트와 대향하는 상부측에 위치하고, 상기 증착 플레이트에 루프 형상의, 레이저 조사면이 상기 증착 플레이트에 조성되도록 상기 증착 플레이트를 향하는 아래 방향으로 레이저를 조사하는 적어도 하나의 레이저 램프 헤드를 포함하고,
상기 적어도 하나의 레이저 램프 헤드는 직선 형상의, 제1 레이저 램프 헤드, 제2 레이저 램프 헤드, 제3 레이저 램프 헤드 및 제4 레이저 램프 헤드를 포함하고,
상기 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드가 격자 형태를 구현하도록, 상기 제1 레이저 램프 헤드와 상기 제2 레이저 램프 헤드는 서로 평행하고, 상기 제3 레이저 램프 헤드와 상기 제4 레이저 램프 헤드는 서로 평행하고, 상기 제1 레이저 램프 헤드와 상기 제3 레이저 램프 헤드는 서로 평행하지 않고 소정의 각도를 이루는, 증착 챔버. deposition plate;
a source emission unit emitting a deposition material toward the deposition plate; and
At least one laser lamp head positioned on the upper side opposite to the deposition plate and irradiating a laser in a downward direction toward the deposition plate so that a loop-shaped, laser irradiation surface is formed on the deposition plate on the deposition plate, and ,
wherein the at least one laser lamp head comprises a first laser lamp head, a second laser lamp head, a third laser lamp head and a fourth laser lamp head of a straight shape,
The first laser lamp head and the second laser lamp head are parallel to each other, and the third laser lamp head and the fourth laser lamp head are parallel to each other so that the first to fourth laser lamp heads implement a grid shape. and, the first laser lamp head and the third laser lamp head are not parallel to each other and form a predetermined angle. 삭제delete 제14항에 있어서,
상기 루프 형상의 레이저 조사면이 폐쇄형의 링 형상이 되도록, 제1 내지 제4 레이저 램프 헤드는 서로 교차하는 지점에서 중첩되는 증착 챔버.15. The method of claim 14,
The deposition chamber in which the first to fourth laser lamp heads overlap each other at intersections so that the loop-shaped laser irradiation surface has a closed ring shape. 제14항에 있어서,
상기 루프 형상의 레이저 조사면은 폐쇄형의 링 형상인 증착 챔버.15. The method of claim 14,
The loop-shaped laser irradiation surface is a closed ring-shaped deposition chamber.
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