KR102451755B1 - Brine supply temperature control system for semiconductor process equipment - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정설비에서 요구하는 브라인의 온도에 따라 저온용 열교환기와 고온용 열교환기로 적절한 양의 브라인이 공급되어 열교환이 이루어진 뒤, 이를 혼합하여 공정설비로 공급하도록 구성되는 반도체 공정 설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, and more particularly, after heat exchange is performed by supplying an appropriate amount of brine to a low-temperature heat exchanger and a high-temperature heat exchanger according to the brine temperature required by the process equipment, It relates to a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment configured to mix and supply to process equipment.

Description

반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템{Brine supply temperature control system for semiconductor process equipment}Brine supply temperature control system for semiconductor process equipment

본 발명은 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정설비에서 요구하는 브라인의 온도에 따라 저온용 열교환기와 고온용 열교환기로 적절한 양의 브라인이 공급되어 열교환이 이루어진 뒤, 이를 혼합하여 공정설비로 공급하도록 구성되는 반도체 공정 설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, and more particularly, after heat exchange is performed by supplying an appropriate amount of brine to a low-temperature heat exchanger and a high-temperature heat exchanger according to the brine temperature required by the process equipment, It relates to a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment configured to mix and supply to process equipment.

일반적으로 반도체 소자는 산화공정, 확산공정, 화학기상증착공정, 사진공정, 식각공정, 금속공정 등과 같은 다양한 단위공정들을 거쳐 제조된다. In general, a semiconductor device is manufactured through various unit processes such as an oxidation process, a diffusion process, a chemical vapor deposition process, a photo process, an etching process, a metal process, and the like.

이러한 공정들 중에서 반도체 웨이퍼에 산화막을 형성하기 위한 산화공정이나 원하는 패턴을 형성하기 위한 식각공정 과정에서는 웨이퍼의 온도를 일정하게 유지해주는 것이 양질의 웨이퍼를 생산하는데 있어서 매우 중요한 역할을 한다.Among these processes, in an oxidation process for forming an oxide film on a semiconductor wafer or an etching process for forming a desired pattern, maintaining a constant temperature of the wafer plays a very important role in producing a high-quality wafer.

따라서 반도체 웨이퍼의 가공 공정이 진행되는 공정설비에는 소정의 가열수단 및 냉각수단을 갖게 되며, 냉각시 사용되는 냉매는 외부에 설치된 칠러장치에 의해 냉각되어 순환 공급되도록 함에 따라 일정한 온도가 유지되도록 하고 있다.Therefore, the process equipment in which the semiconductor wafer processing process is carried out has a predetermined heating means and a cooling means, and the refrigerant used for cooling is cooled by a chiller device installed outside and circulated, so that a constant temperature is maintained. .

일반적으로 공정설비의 냉각온도를 일정하게 유지하기 위해서 칠러장치에서 배출되는 냉매의 온도를 측정하고, 측정된 온도값에 따라 냉매의 온도를 조절하여 공정설비로 공급하도록 이루어지고 있다. In general, in order to keep the cooling temperature of the process equipment constant, the temperature of the refrigerant discharged from the chiller is measured, and the temperature of the refrigerant is adjusted according to the measured temperature value to be supplied to the process equipment.

이러한 냉매의 온도를 제어하는 방법에 대한 종래의 기술 중 하나로 등록특허공보 제10-0986253호(이하, '종래기술'이라 함)가 개시되어 있다.As one of the prior art methods for controlling the temperature of such a refrigerant, Korean Patent No. 10-0986253 (hereinafter referred to as 'prior art') is disclosed.

상기 종래기술은 냉매 경로에 설치된 증발기에서 반도체 공정설비에 제공되는 브라인과 열 교환이 이루어지는 칠러 장치에 적용되며, 브라인 히터의 최소출력량을 설정하는 단계; 상기 히터 최소 출력량에 기초하여 냉각제어 설정값을 산출하는 단계; 상기 산출된 냉각제어 설정값에 기초하여 상기 증발기 전단에 설치된 팽창밸브의 개도를 조절하여 상기 브라인의 냉각제어를 수행하는 단계; 및 상기 설정된 히터 최소출력량으로 상기 냉각제어된 브라인의 가열 보상제어를 수행하여 최종 제어를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The prior art is applied to a chiller device in which heat is exchanged with brine provided to a semiconductor process facility in an evaporator installed in a refrigerant path, the method comprising: setting a minimum output amount of a brine heater; calculating a cooling control set value based on the minimum output amount of the heater; performing cooling control of the brine by adjusting an opening degree of an expansion valve installed at the front end of the evaporator based on the calculated cooling control set value; and performing a final control by performing heating compensation control of the cooling-controlled brine with the set minimum heater output amount.

KR 10-0986253 B1 2010.10.01.KR 10-0986253 B1 2010.10.01.

본 발명은 상기 종래 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 공정설비에서 요구하는 브라인의 온도에 따라 저온용 교환기와 고온용 교환기로 적절한 양의 브라인이 공급되어 열교환이 이루어진 뒤, 이를 혼합하여 공정설비로 공급하도록 구성되는 반도체 공정 설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템을 제공하는 것이다. The present invention was created to solve the problems of the prior art, and the problem to be solved in the present invention is that an appropriate amount of brine is supplied to a low-temperature exchanger and a high-temperature exchanger according to the temperature of the brine required in the process facility. It is to provide a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment configured to be mixed and supplied to the process equipment after the heat exchange is made.

본 발명은 공정설비(100)와 칠러장치(200)의 사이에 구성되어 공급되는 브라인의 온도를 제어하는 시스템에 있어서, 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인을 전달받아 수용하는 브라인 탱크(300); 상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최저온도로 냉각된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 저온용 열교환기(410) 및 상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최고온도로 가열된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 고온용 열교환기(420)를 포함하며, 상기 브라인 탱크(300)로부터 전달받은 브라인이 열교환되도록 한 뒤, 열교환된 브라인을 상기 공정설비(100)로 공급하는 열교환부(400); 및 상기 브라인 탱크(300)와 열교환부(400)의 사이에 구비되어 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)로 공급되는 브라인의 유량이 제어되게 하는 유량제어밸브(500);를 포함하도록 한다. In the present invention, in the system for controlling the temperature of the brine to be supplied and configured between the process equipment 100 and the chiller apparatus 200, the brine tank 300 for receiving and accommodating the brine discharged from the process equipment 100 ); The cooling water cooled to the lowest temperature of the process required by the process equipment 100 is transferred from the chiller device 200 to the low-temperature heat exchanger 410 and the process equipment 100 heated to the maximum temperature of the process required by the process equipment 100 . The cooling water includes a high-temperature heat exchanger 420 delivered from the chiller device 200 , and after allowing the brine delivered from the brine tank 300 to exchange heat, the heat-exchanged brine is supplied to the process facility 100 . heat exchange unit 400; and a flow control valve 500 provided between the brine tank 300 and the heat exchanger 400 to control the flow rate of the brine supplied to the low-temperature heat exchanger 410 and the high-temperature heat exchanger 420 . to include ;.

이때, 상기 칠러장치(200)는, 상기 공정설비(100)에서 요구하는 최저온도로 냉각된 브라인을 상기 저온용 열교환기(410)로 공급하는 저온용 냉각수 공급유로(210); 및 상기 공정설비(100)에서 요구하는 최고온도로 가열된 브라인을 상기 고온용 열교환기(420)로 공급하는 고온용 냉각수 공급유로(220);를 포함하도록 한다. At this time, the chiller device 200 includes: a low-temperature cooling water supply passage 210 for supplying the brine cooled to the lowest temperature required by the process facility 100 to the low-temperature heat exchanger 410; and a high-temperature cooling water supply passage 220 for supplying the brine heated to the maximum temperature required by the process facility 100 to the high-temperature heat exchanger 420 .

한편, 상기 저온용 열교환기(410)는, 일단이 상기 브라인 탱크(30))의 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 저온용 열교환기(410)와 연통되는 저온용 순환배관(411)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 저온용 냉각수 공급유로(210)에 의해 최저온도로 냉각된 냉각수를 전달받도록 하며, 상기 고온용 열교환기(420)는, 일단이 상기 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 고온용 열교환기(420)와 연통되는 고온용 순환배관(421)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 고온용 냉각수 공급유로(220)에 의해 최고온도로 가열된 냉각수를 전달받도록 한다. On the other hand, the low temperature heat exchanger 410, one end communicates with the tank circulation pipe 320 of the brine tank 30), and the other end communicates with the low temperature heat exchanger 410 for low temperature circulation pipe 411 ) to receive the brine, and to receive the cooling water cooled to the lowest temperature by the low-temperature cooling water supply passage 210 of the chiller device 200, and the high-temperature heat exchanger 420 has one end of the tank The brine is communicated with the circulation pipe 320 and the other end is communicated with the high-temperature heat exchanger 420, and the brine is delivered by the high-temperature circulation pipe 421, and the high-temperature cooling water supply passage 220 of the chiller device 200. to receive the cooling water heated to the highest temperature by

한편, 상기 유량제어밸브(500)는, 3way 밸브로 이루어져, 유입구가 상기 브라인 탱크(300)의 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 제 1배출구가 저온용 순환배관(411)과 연통되며, 제 2배출구가 고온용 순환배관(421)과 연통되도록 한다. On the other hand, the flow control valve 500 is composed of a three-way valve, the inlet communicates with the tank circulation pipe 320 of the brine tank 300, and the first outlet communicates with the low-temperature circulation pipe 411, The second outlet is made to communicate with the high-temperature circulation pipe (421).

이때, 상기 공정설비(100)는, 일측으로 브라인 공급배관(120)에 의해 열교환부(400)와 연통되어 브라인을 공급받고, 타측으로 브라인 배출배관(310)에 의해 브라인 탱크(300)로 브라인이 배출되게 하며, 상기 브라인 공급배관(120)에는, 상기 공정설비(100)로 공급되는 브라인의 온도를 측정하는 제 1온도센서(121)가 구비되고, 상기 브라인 배출배관(310)에는, 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인의 온도를 측정하는 제 2온도센서(311)가 구비되도록 하며, 상기 제 1온도센서(121) 및 제 2온도센서(311)에 의해 측정된 온도를 이용하여 브라인의 냉각 또는 가열에 필요한 열량을 도출하고, 도출된 열량에 따라 각 열교환기(410, 420)로 유입되는 브라인의 유량을 제어되도록 한다. At this time, the process equipment 100 communicates with the heat exchange unit 400 through the brine supply pipe 120 on one side to receive brine, and on the other side, the brine tank 300 through the brine discharge pipe 310 to brine. A first temperature sensor 121 for measuring the temperature of the brine supplied to the process facility 100 is provided in the brine supply pipe 120 , and the brine discharge pipe 310 has the A second temperature sensor 311 for measuring the temperature of the brine discharged from the process facility 100 is provided, and using the temperature measured by the first temperature sensor 121 and the second temperature sensor 311 The amount of heat required for cooling or heating of the brine is derived, and the flow rate of the brine flowing into each heat exchanger 410 and 420 is controlled according to the derived amount of heat.

상술하면, 특정 시점에서 도출된 브라인의 열량과 일정 시간 이후 측정된 브라인의 열량의 편차 △Q = (F2-F1)*C*S*(△t2-△t1)를 따르고, 단위 유량(Fx = 1)당 소모되는 열량을 Q(0) = Q(x)/Fx라 할 때, 상기에 의해 도출된 열량편차만큼의 열량을 보정하기 위해 필요한 브라인의 유량 △F = △Q/Q(0)에 의해 도출되도록 한다. In detail, the deviation between the calorific value of brine derived at a specific time point and the calorific value of brine measured after a certain time follows ΔQ = (F2-F1)*C*S*(Δt2-Δt1), and the unit flow rate (Fx = When the amount of heat consumed per 1) is Q(0) = Q(x)/Fx, the flow rate of brine required to correct the amount of heat as much as the calorific deviation derived by the above △F = △Q/Q(0) to be derived by

또한, 상기 브라인 공급배관(120)에는, 제 1유량센서(122)가 구비되고, 상기 저온용 순환배관(411) 또는 고온용 순환배관(421)에는 제 2유량센서(430)가 구비되도록 하며, 상기 제 1유량센서(122) 및 제 2유량센서(430)에서 측정된 유량값과 설정된 유량값(Fx)을 비교하여 이를 보상하도록 이루어진다.In addition, the brine supply pipe 120 is provided with a first flow sensor 122, and the low-temperature circulation pipe 411 or the high-temperature circulation pipe 421 is provided with a second flow rate sensor 430. , by comparing the flow rate value measured by the first flow rate sensor 122 and the second flow rate sensor 430 with the set flow rate value Fx to compensate for this.

한편, 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)는, 내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어지는 열교환몸체(10a); 상기 열교환몸체(10a)의 일측에 형성되어 브라인을 공급받는 브라인 유입구(20a); 상기 열교환몸체(10a)의 타측에 형성되어 브라인을 배출하는 브라인 배출구(30a); 및 지그재그로 적층된 형태로 이루어지거나 나선형으로 적층된 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10a)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받고, 타단으로 냉각수가 배출되게 하는 냉각수 유로(40a);를 포함하도록 한다. On the other hand, the low-temperature heat exchanger 410 and the high-temperature heat exchanger 420 may include a heat exchange body 10a having an empty interior to accommodate brine therein; a brine inlet (20a) formed on one side of the heat exchange body (10a) to receive brine; a brine outlet (30a) formed on the other side of the heat exchange body (10a) for discharging brine; and a cooling water flow path (40a) that is formed in a zigzag or spirally stacked form, is provided inside the heat exchange body (10a), receives cooling water at one end, and discharges the cooling water at the other end; to include

또는, 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)는, 내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어지는 열교환몸체(10b); 중심부가 원뿔 형태로 상방으로 돌출되도록 이루어져 상기 열교환몸체(10b)의 바닥면을 구성하는 돌출바닥부(50b); 상기 브라인 몸체의 측면 일측에 형성되어 브라인을 상기 열교환몸체(10b)의 내부로 공급하는 브라인 유입구(20b); 일단이 상기 돌출바닥부(50b)의 중심부를 관통하여 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 돌출된 상태로 구비되어 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 수용된 브라인이 배출되게 하는 브라인 방출배관(70b); 및 상기 돌출바닥부(50b)를 따라 나선형으로 적층된 코일의 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받아 타단으로 냉각수가 배출되게 하는 냉각수 유로(40b);를 포함하도록 한다. Alternatively, the low-temperature heat exchanger 410 and the high-temperature heat exchanger 420 may include a heat exchange body 10b having an empty interior to accommodate brine therein; a protruding bottom portion (50b) having a central portion protruding upward in a conical shape and constituting a bottom surface of the heat exchange body (10b); a brine inlet (20b) formed on one side of the side of the brine body to supply brine to the inside of the heat exchange body (10b); A brine discharge pipe (70b) with one end penetrating the central portion of the protruding bottom portion (50b) and provided in a protruding state inside the heat exchange body (10b) to discharge the brine accommodated in the heat exchange body (10b). ; and a cooling water passage 40b in the form of a coil stacked spirally along the protruding bottom portion 50b, provided inside the heat exchange body 10b, receiving cooling water at one end and discharging the cooling water through the other end. to include ;.

이때, 상기 돌출바닥부(50b)에는, 상부면을 따라 상하방향으로 연장되어 상기 냉각수 유로(40b)가 고정되게 하는 유로 고정부재(51b)가 구비되도록 한다. At this time, the protruding bottom portion 50b is provided with a flow passage fixing member 51b extending in the vertical direction along the upper surface to fix the coolant flow passage 40b.

본 발명에 의하면 공정설비에서 요구하는 브라인의 온도에 따라 저온용 교환기와 고온용 교환기로 적절한 양의 브라인이 공급되어 열교환이 이루어진 뒤, 이를 혼합하여 공정설비로 공급하도록 구성됨에 따라 요구온도의 변화에 더욱 빠르게 대응할 수 있는 바, 온도 안정화에 소요되는 시간이 줄어들어 반도체 웨이퍼의 수유율을 향상할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, an appropriate amount of brine is supplied to a low-temperature exchanger and a high-temperature exchanger according to the temperature of the brine required by the process facility, and heat exchange is performed, and then mixed and supplied to the process facility. Since it can respond more quickly, the time required for temperature stabilization is reduced, which has the effect of improving the feed rate of the semiconductor wafer.

또한 본 발명에 의하면 기존에 설치된 공정설비와 칠러장치의 사이에 간단하게 설치하여 사용할 수 있는 바, 기설치된 설비 및 신설하는 설비에 모두 적용하여 사용할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the present invention, since it can be simply installed and used between the previously installed process equipment and the chiller device, there is an advantage that can be applied to both the previously installed equipment and the newly installed equipment.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템의 계통도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템의 사용 상태를 나타내는 계통도.
도 3은 본 발명에 적용되는 제 1실시예에 따른 저온용 열교환기 또는 고온용 열교환기의 도면.
도 4는 본 발명에 적용되는 제 2실시예에 따른 저온용 열교환기 또는 고온용 열교환기이 도면.
도 5는 본 발명에 적용되는 유로 고정부재의 사용 실시예의 도면.1 is a schematic diagram of a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment according to the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram showing a state of use of the brine supply temperature control system for semiconductor processing equipment according to the present invention.
3 is a view of a low-temperature heat exchanger or a high-temperature heat exchanger according to a first embodiment applied to the present invention.
4 is a view of a low-temperature heat exchanger or a high-temperature heat exchanger according to a second embodiment applied to the present invention.
5 is a view of an embodiment of use of the flow path fixing member applied to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 반도체 공정설비(100)용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정설비(100)에서 요구하는 브라인의 온도에 따라 저온용 열교환기(410)와 고온용 열교환기(420)로 적절한 양의 브라인이 공급되어 열교환이 이루어진 뒤, 이를 혼합하여 공정설비(100)로 공급하도록 구성되는 반도체 공정 설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a brine supply temperature control system for a semiconductor process facility 100, and more particularly, a low-temperature heat exchanger 410 and a high-temperature heat exchanger 420 according to the temperature of the brine required by the process facility 100. ) to a brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, configured to supply an appropriate amount of brine to heat exchange, mix it and supply it to the process equipment 100 .

도 1 및 도 2에 따르면, 본 발명은 공정설비(100)와 칠러장치(200)의 사이에 구성되어 공급되는 브라인의 온도를 제어하는 시스템에 있어서, 브라인 공급라인, 브라인 배출라인, 브라인 탱크(300), 열교환부(400) 및 유량제어밸브(500)를 포함하여 구성된다.1 and 2, the present invention is configured between the process equipment 100 and the chiller device 200 in a system for controlling the temperature of the supplied brine, a brine supply line, a brine discharge line, a brine tank ( 300 ), a heat exchange unit 400 and a flow control valve 500 .

상기 공정설비(100)는 반도체 제조를 위한 다양한 공정이 이루어지는 설비로서, 본 발명에서는 저온 공정과 고온 공정이 동시에 필요한 공정(예를 들면 식각공정)인 것으로 한정하여 설명하도록 한다.The process facility 100 is a facility in which various processes for semiconductor manufacturing are performed, and in the present invention, a low-temperature process and a high-temperature process are required at the same time (eg, an etching process).

이때, 상기 공정설비(100)는 공정 작업이 이루어지도록 구성되어 일측이 브라인 공급배관(120)에 의해 열교환부(400)와 연통되어 브라인을 공급받도록 하고, 타측이 브라인 배출배관(310)에 의해 브라인 탱크(300)로 브라인이 배출되게 하는 작업대를 포함한다.At this time, the process equipment 100 is configured to perform a process operation so that one side communicates with the heat exchange unit 400 through the brine supply pipe 120 to receive the brine, and the other side by the brine discharge pipe 310 It includes a workbench that allows the brine to be discharged to the brine tank 300 .

즉, 상기 열교환부(400)에 의해 소정의 온도로 제어되어 상기 공정설비(100)로 공급된 브라인은 상기 브라인 공급배관(120)을 통해 작업대(110)로 공급이 이루어지고, 공급된 브라인은 상기 작업대(110)를 통과하는 과정에서 열교환이 이루어진 뒤, 상기 브라인 배출배관(310)을 통해 상기 공정설비(100)로부터 배출되도록 한다. That is, the brine controlled to a predetermined temperature by the heat exchange unit 400 and supplied to the process equipment 100 is supplied to the workbench 110 through the brine supply pipe 120 , and the supplied brine is After heat exchange is made in the process of passing through the work table 110 , it is discharged from the process equipment 100 through the brine discharge pipe 310 .

한편, 상기 칠러(chiller)장치는 이후 후술할 열교환기로 냉각수와 열교환이 이루어질 냉각수를 일정한 온도로 공급하기 위한 것으로서, 상기 칠러장치(200)는 상기 공정설비(100)에서 요구하는 최저온도로 냉각된 브라인을 상기 저온용 열교환기(410)로 공급하는 저온용 냉각수 공급유로(210), 상기 공정설비(100)에서 요구하는 최고온도로 가열된 브라인을 상기 고온용 열교환기(420)로 공급하는 고온용 냉각수 공급유로(220)를 포함한다.On the other hand, the chiller device is for supplying cooling water to be exchanged with cooling water at a constant temperature to a heat exchanger to be described later, and the chiller device 200 is cooled to the lowest temperature required by the process facility 100 . A low-temperature cooling water supply passage 210 for supplying brine to the low-temperature heat exchanger 410, and a high-temperature supplying brine heated to the highest temperature required by the process facility 100 to the high-temperature heat exchanger 420 It includes a cooling water supply passage 220 for the.

이때, 상기 칠러장치(200)는 설정된 최저온도 및 최고온도를 일정한 속도로 계속해서 공급하도록 이루어지며, 상기 칠러장치(200)에서 공급되는 냉각수의 설정온도는 공정이 변화하지 않는 한 변경되지 않도록 한다.At this time, the chiller device 200 is configured to continuously supply the set minimum and maximum temperatures at a constant rate, and the set temperature of the cooling water supplied from the chiller device 200 is not changed unless the process is changed. .

한편, 상기와 같이 구성된 칠러장치(200)는 상기 공정설비(100)의 하부측에 구비되도록 함으로써, 상기 공정설비(100)와 칠러장치(200)는 상하방향으로 소정거리 이격 배치된 상태가 되도록 한다. On the other hand, the chiller apparatus 200 configured as described above is provided on the lower side of the process equipment 100 so that the process equipment 100 and the chiller apparatus 200 are arranged to be spaced apart by a predetermined distance in the vertical direction. do.

한편, 상기 브라인 탱크(300)는 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인을 전달받아 수용하도록 한다. On the other hand, the brine tank 300 receives and accommodates the brine discharged from the process equipment 100 .

상술하면, 상기 브라인 배출배관(310)의 일단은 상기 브라인 탱크(300)의 일측과 연통되도록 하여 상기 작업대로부터 브라인이 배출 수용될 수 있게 하며, 상기 브라인 탱크(300)의 타측에는 수용된 브라인이 배출되는 탱크 순환배관(320)이 구비되도록 한다.In detail, one end of the brine discharge pipe 310 communicates with one side of the brine tank 300 so that the brine can be discharged and received from the work table, and the brine accommodated on the other side of the brine tank 300 is discharged. to be provided with a tank circulation pipe 320 .

이때, 상기 탱크 순환배관(320)에는 브라인 펌프가 구비되도록 하여 브라인 탱크(300)에 수용된 브라인이 일정한 유량 및 속도를 유지하는 상태로 상기 열교환부(400)로 전달될 수 있게 한다.At this time, the tank circulation pipe 320 is provided with a brine pump so that the brine accommodated in the brine tank 300 can be transferred to the heat exchange unit 400 while maintaining a constant flow rate and speed.

한편, 상기 열교환부(400)는 배출된 브라인을 냉각하거나 가열하기 위한 것으로서, 기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최저온도로 냉각된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 저온용 열교환기(410) 및 상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최고온도로 가열된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 고온용 열교환기(420)를 포함하며, 상기 브라인 탱크(300)로부터 전달받은 브라인이 열교환되도록 한 뒤, 열교환된 브라인을 상기 공정설비(100)로 공급하도록 이루어진다. On the other hand, the heat exchange unit 400 is for cooling or heating the discharged brine, and is a low-temperature heat exchanger in which the cooling water cooled to the lowest temperature of the process required by the process facility 100 is delivered from the chiller device 200 . 410 and a high-temperature heat exchanger 420 through which the cooling water heated to the maximum temperature of the process required by the process facility 100 is delivered from the chiller device 200, and received from the brine tank 300 After the brine is heat-exchanged, the heat-exchanged brine is supplied to the process equipment 100 .

부연하면, 상기 저온용 열교환기(410)는 일단이 상기 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 저온용 열교환기(410)와 연통되는 저온용 순환배관(411)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 저온용 냉각수 공급유로(210)에 의해 최저온도로 냉각된 냉각수를 전달받도록 이루어진다. In other words, the low-temperature heat exchanger 410 has one end communicating with the tank circulation pipe 320 and receiving brine through the low-temperature circulation pipe 411 having the other end communicating with the low-temperature heat exchanger 410 . , to receive the cooling water cooled to the lowest temperature by the low-temperature cooling water supply passage 210 of the chiller device 200 .

한편, 상기 고온용 열교환기(420)는 일단이 상기 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 고온용 열교환기(420)와 연통되는 고온용 순환배관(421)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 고온용 냉각수 공급유로(220)에 의해 최고온도로 가열된 냉각수를 전달받도록 이루어진다. On the other hand, the high-temperature heat exchanger 420 receives brine by means of a high-temperature circulation pipe 421 having one end communicating with the tank circulation pipe 320 and the other end communicating with the high-temperature heat exchanger 420, The cooling water heated to the maximum temperature is delivered by the cooling water supply passage 220 for high temperature of the chiller device 200 .

상기한 구성에 따라 상기 저온용 순환배관(411)을 따라 유동되는 브라인은 상기 저온용 열교환기(410)를 통과하는 과정에서 상기 저온용 냉각수 공급유로(210)를 따라 유동되는 냉각수와 열교환되면서 냉각이 이루어지고, 상기 고온용 순환배관(421)을 따라 유동되는 브라인은 상기 고온용 열교환기(420)를 통과하는 과정에서 상기 고온용 냉각수 공급유로(220)를 따라 유동되는 냉각수와 열교환되면서 가열이 이루어지게 한다.According to the above configuration, the brine flowing along the low-temperature circulation pipe 411 is cooled while exchanging heat with the cooling water flowing along the low-temperature cooling water supply passage 210 while passing through the low-temperature heat exchanger 410 . This is made, and the brine flowing along the high-temperature circulation pipe 421 is heated while exchanging heat with the cooling water flowing along the high-temperature cooling water supply passage 220 while passing through the high-temperature heat exchanger 420 . make it happen

한편, 상기 저온용 열교환기(410)를 통과하면서 냉각된 브라인은 저온용 배출배관(412)을 따라 상기 브라인 공급배관(120)으로 공급되도록 하고, 상기 고온용 열교환기(420)를 통과하면서 가열된 브라인은 고온용 배출배관(422)을 따라 브라인 공급배관(120)으로 공급되게 한다.On the other hand, the brine cooled while passing through the low-temperature heat exchanger 410 is supplied to the brine supply pipe 120 along the low-temperature discharge pipe 412, and is heated while passing through the high-temperature heat exchanger 420. The brine is supplied to the brine supply pipe 120 along the discharge pipe 422 for high temperature.

이때, 상기 저온용 배출배관(412)과 고온용 배출배관(422)은 상기 브라인 공급배관(120)과 연통되지 전에 서로 연통되어 냉각 및 가열된 브라인이 혼합된 상태로 상기 브라인 공급배관(120)으로 공급될 수 있게 하는 것이 바람직하다.At this time, the low-temperature discharge pipe 412 and the high-temperature discharge pipe 422 communicate with each other before communicating with the brine supply pipe 120 so that the cooled and heated brine is mixed in the brine supply pipe 120 . It is desirable to be able to supply

한편, 상기 유량제어밸브(500)는 브라인 탱크(300)와 열교환부(400)의 사이에 구비되어 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)로 공급되는 브라인의 유량이 제어되게 한다.On the other hand, the flow control valve 500 is provided between the brine tank 300 and the heat exchange unit 400 to control the flow rate of the brine supplied to the low temperature heat exchanger 410 and the high temperature heat exchanger 420 . make it

상술하면, 상기 유량제어밸브(500)는 3way 밸브로 이루어져, 유입구가 상기 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 제 1배출구가 저온용 순환배관(411)과 연통되며, 제 2배출구가 고온용 순환배관(421)과 연통된 상태가 되도록 한다.In detail, the flow control valve 500 is a three-way valve, the inlet is communicated with the tank circulation pipe 320, the first outlet is in communication with the circulation pipe 411 for low temperature, and the second outlet is for high temperature To be in communication with the circulation pipe (421).

이때, 상기 유량제어밸브(500)의 개폐 정도는 상기 공정설비(100)로 공급되는 브라인의 온도와 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인의 온도의 편차에 따라 조절되도록 한다. At this time, the degree of opening and closing of the flow control valve 500 is adjusted according to a difference between the temperature of the brine supplied to the process equipment 100 and the temperature of the brine discharged from the process equipment 100 .

상술하면, 상기 브라인 공급배관(120)에는 상기 공정설비(100)로 공급되는 브라인의 온도를 측정하는 제 1온도센서(121)가 구비되고, 상기 브라인 배출배관(310)에는 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인의 온도를 측정하는 제 2온도센서(311)가 구비되도록 하며, 상기 제 1온도센서(121) 및 제 2온도센서(311)에 의해 측정된 온도를 이용하여 브라인의 냉각 또는 가열에 필요한 열량을 도출하고, 도출된 열량에 따라 각 열교환부(400)로 유입되는 브라인의 유량을 제어할 수 있게 한다.In detail, a first temperature sensor 121 for measuring the temperature of the brine supplied to the process equipment 100 is provided in the brine supply pipe 120 , and the process equipment 100 is provided in the brine discharge pipe 310 . ) to be provided with a second temperature sensor 311 for measuring the temperature of the brine discharged from the brine, using the temperature measured by the first temperature sensor 121 and the second temperature sensor 311 to cool or It is possible to derive the amount of heat required for heating, and to control the flow rate of the brine flowing into each heat exchange unit 400 according to the derived amount of heat.

예를 들어, 공정설비(100)에 요구되는 최저온도를 Tmin, 최고온도를 Tmax라 하고 이들의 값이 일정하게 유지되는 것으로 가정하고, 상기 브라인 공급배관(120)으로 공급되는 브라인의 유량을 Fx, 브라인의 비중을 S, 비열을 C이라 하며, 상기 제 1온도센서(121)에 의해 측정된 온도 값이 T1, 제 2온도센서(311)에 의해 측정된 온도 값이 T2라 할 때, 상기 브라인의 열량 Q(x)는 하기 식을 통해 도출할 수 있다. For example, it is assumed that the minimum temperature required for the process facility 100 is Tmin and the maximum temperature is Tmax, and it is assumed that these values are kept constant, and the flow rate of the brine supplied to the brine supply pipe 120 is Fx. , the specific gravity of the brine is S, and the specific heat is C. When the temperature value measured by the first temperature sensor 121 is T1 and the temperature value measured by the second temperature sensor 311 is T2, the The amount of heat Q(x) of brine can be derived from the following equation.

Q(x)= Fx * C * S * (T2-T1)Q(x)= Fx * C * S * (T2-T1)

한편, 상기 식에 의해 계산된 특정 시점에서의 브라인의 열량을 Q(1)=F1*C*S*△t1이라 하고, 일정 시간 이후 측정된 브라인의 열량 Q(2)=F2*C*S*△t2라 하며, 단위 유량(Fx = 1)당 소모되는 열량을 Q(0)라 할 때, 상기 단위열량 Q(0) = Q(x)/Fx 이라 할 수 있다.On the other hand, let Q(1)=F1*C*S*Δt1 be the calorific value of brine at a specific time calculated by the above formula, and the calorific value of brine measured after a certain time Q(2)=F2*C*S Let *Δt2 be, and when the amount of heat consumed per unit flow rate (Fx = 1) is Q(0), the unit heat amount Q(0) = Q(x)/Fx.

이때, 열량편차 Q(2)-Q(1)의 값 △Q = (F2-F1)*C*S*(△t2-△t1)로 결정될 수 있고, 열량편차는 배출온도 차이에 따른 브라인의 열량 변화로서, 변화된 열량편차 △Q에 해당하는 만큼 브라인의 냉각 또는 가열이 필요한 것으로 판단할 수 있으며, 상기 열량편차만큼의 열량을 보정하기 위해 필요한 유량 △F = △Q/Q(0)로 결정될 수 있다.At this time, the value of calorie deviation Q(2)-Q(1) ΔQ = (F2-F1)*C*S*(Δt2-Δt1) can be determined, and the calorie deviation is As a change in the amount of heat, it can be determined that cooling or heating of the brine is necessary as much as the changed caloric deviation ΔQ, and the flow rate required to correct the caloric amount by the caloric deviation is determined as △F = △Q/Q(0) can

이때 F값이 양수인 경우, 상기 공정설비(100)를 통과하는 과정에서 브라인의 온도가 상승한 것인 바, 이 경우 본 발명에서는 고온용 열교환기(420)보다 저온용 열교환기(410)로 △F만큼의 유량이 더 공급되도록 제어된다. At this time, when the F value is a positive number, the temperature of the brine is increased in the process of passing through the process facility 100. In this case, in the present invention, the low temperature heat exchanger 410 rather than the high temperature heat exchanger 420 is ΔF It is controlled so that the amount of flow is more supplied.

반대로 △F의 값이 음수인 경우, 상기 공정설비(100)를 통과하는 과정에서 브라인의 온도가 감소한 것인 바, 이 경우 본 발명에서는 저온용 열교환기(410)보다 고온용 열교환기(420)로 △F만큼의 유량이 더 공급되도록 제어된다.Conversely, when the value of ΔF is negative, the temperature of the brine is decreased in the process of passing through the process facility 100. In this case, in the present invention, the high temperature heat exchanger 420 than the low temperature heat exchanger 410 It is controlled so that a flow rate equal to ΔF is further supplied.

즉, 상기와 같이 본 발명은 온도편차에 따른 브라인의 필요 열량을 도출하고, 도출된 열량 값에 따라 저온용 열교환기(410)와 고온용 열교환기(420)로 적절하게 브라인이 분산 공급되어 열교환이 이루어지며, 열교환된 브라인은 각각 저온용 배출배관(412)과 고온용 배출배관(422)을 통하여 배출되어 상기 브라인 공급배관(120)으로 유입되기 전에 혼합되어 공정설비(100)에서 요구하는 필요 온도로 공급되게 한다.That is, as described above, in the present invention, the required heat quantity of brine is derived according to the temperature deviation, and the brine is appropriately distributed and supplied to the low temperature heat exchanger 410 and the high temperature heat exchanger 420 according to the derived heat value. This is made, and the heat-exchanged brine is discharged through a low-temperature discharge pipe 412 and a high-temperature discharge pipe 422, respectively, and mixed before being introduced into the brine supply pipe 120. to be supplied with temperature.

이때, 본 발명에서는 더욱 정확한 유량 제어가 이루어지게 하기 위해, 상기 브라인 공급배관(120)에는 제 1유량센서(122)가 구비되고, 상기 저온용 순환배관(411) 또는 고온용 순환배관(421)에는 제 2유량센서(430)가 구비되도록 하며, 상기 제 1유량센서(122) 및 제 2유량센서(430)에서 측정된 유량값과 상기에 의해 계산된 유량값(Fx)을 비교하여 이를 보상할 수 있도록 한다.At this time, in the present invention, in order to achieve more accurate flow rate control, the brine supply pipe 120 is provided with a first flow sensor 122, and the low-temperature circulation pipe 411 or high-temperature circulation pipe 421 is provided. is provided with a second flow rate sensor 430, and the flow rate value measured by the first flow rate sensor 122 and the second flow rate sensor 430 is compared with the calculated flow rate value Fx and compensated for this make it possible

상술하면, 본 발명에서는 Fx유량이 상기 공정설비(100)로 공급되도록 제어되는 상태일 때, 상기 제 1유량센서(122)에서 측정된 유량값과 Fx의 값을 비교하여 측정된 유량값이 Fx의 값보다 작은 경우, 브라인이 더 빠른 속도로 공급되도록 제어하여 유량값을 보정하도록 이루어진다. In detail, in the present invention, when the Fx flow rate is controlled to be supplied to the process facility 100 , the flow rate value measured by comparing the flow rate value measured by the first flow rate sensor 122 with the value of Fx is Fx If it is smaller than the value of , the flow rate value is corrected by controlling the brine to be supplied at a higher speed.

이와 반대로 측정된 유량값이 Fx보다 큰 경우, 본 발명에서는 상기 브라인 공급배관(120)과 브라인 배출배관(310)의 사이에 바이패스 배관을 구비하여 일정 양의 유량을 상기 브라인 배출배관(310)으로 바로 배출함으로써, 유량값을 보정하도록 이루어진다. Conversely, when the measured flow rate value is greater than Fx, in the present invention, a bypass pipe is provided between the brine supply pipe 120 and the brine discharge pipe 310 to provide a certain amount of flow rate to the brine discharge pipe 310. By discharging directly to the , it is made to correct the flow rate value.

한편, 본 발명에서는 제 2유량센서(430)에서 측정된 유량값과 Fx의 값과 비교하여 유량값의 차이만큼 상기 유량조절밸브의 개폐를 조절함으로써, 저온용 순환배관(411)과 고온용 순환배관(421)으로 공급되는 유량이 적절하게 이루어지도록 제어한다.On the other hand, in the present invention, the flow rate value measured by the second flow sensor 430 and the value of Fx are compared with the value of the flow rate by adjusting the opening and closing of the flow control valve by the difference between the flow rate value, the low-temperature circulation pipe 411 and the high-temperature circulation Controlled so that the flow rate supplied to the pipe 421 is made appropriately.

한편, 본 발명에서 상기 저온용 열교환기(410)와 고온용 열교환기(420)는 동일한 형태로 이루어질 수 있으며, 이들은 다양하게 실시 변경이 가능하다.Meanwhile, in the present invention, the low-temperature heat exchanger 410 and the high-temperature heat exchanger 420 may have the same shape, and these may be variously modified.

도 3에 도시된 제 1실시예에 따르면, 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)는 열교환몸체(10a), 브라인 유입구(20a), 브라인 배출구(30a) 및 냉각수 유로(40a)를 포함한다.According to the first embodiment shown in FIG. 3, the low-temperature heat exchanger 410 and the high-temperature heat exchanger 420 have a heat exchange body 10a, a brine inlet 20a, a brine outlet 30a, and a coolant flow path ( 40a).

상기 열교환몸체(10a)는 내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어진다. The heat exchange body (10a) is made in the form of an empty inside so that the brine can be accommodated therein.

상기 브라인 유입구(20a)는 상기 열교환몸체(10a)의 일측에 형성되어 브라인을 공급받도록 하는데, 상술하면, 상기 브라인 유입구(20a)는 상기 열교환 몸체의 상부에 구비된 상태로 상기 저온용 순환배관(411) 또는 고온용 순환배관(421)과 연통되어 브라인을 전달받아 상기 열교환몸체(10a)의 내부로 주입하도록 이루어진다. The brine inlet 20a is formed on one side of the heat exchange body 10a to receive brine. In detail, the brine inlet 20a is provided on the upper portion of the heat exchange body and the low-temperature circulation pipe ( 411) or the high temperature circulation pipe 421 to receive the brine and inject it into the heat exchange body 10a.

이때, 상기 브라인 유입구(20a)의 하부에는 브라인이 상기 열교환몸체(10a)의 내부에 균일하게 분포될 수 있도록 브라인의 유동을 안내하는 복수 개의 유동 안내부(11a)가 구비될 수 있다.At this time, a plurality of flow guides 11a for guiding the flow of the brine so that the brine can be uniformly distributed inside the heat exchange body 10a may be provided at a lower portion of the brine inlet 20a.

상기 브라인 배출구(30a)는 상기 열교환몸체(10a)의 타측에 형성되어 브라인을 배출하도록 하는데, 상술하면, 상기 브라인 배출구(30a)는 상기 열교환 몸체의 하부에 구비된 상태로 상기 저온용 배출배관(412) 또는 고온용 배출배관(422)과 연통되어 상기 열교환몸체(10a)의 내부에 수용된 브라인을 배출하도록 이루어진다. The brine outlet (30a) is formed on the other side of the heat exchange body (10a) to discharge the brine. In detail, the brine outlet (30a) is provided in the lower portion of the heat exchange body and the low-temperature discharge pipe ( 412) or in communication with the high temperature discharge pipe 422 to discharge the brine accommodated in the heat exchange body 10a.

한편, 상기 냉각수 유로(40a)는 지그재그로 적층된 형태로 이루어지거나 나선형으로 적층된 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10a)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받고, 타단으로 냉각수가 배출되게 한다.On the other hand, the cooling water flow path 40a is formed in a zigzag stacked form or is formed in a spirally stacked form, is provided inside the heat exchange body 10a, receives cooling water at one end, and discharges the cooling water at the other end. do.

즉, 상기 냉각수 유로(40a)는 상하방향으로 적층된 형태로 이루어져, 저온용 냉각수 공급유로(210) 또는 고온용 냉각수 공급유로(220)의 유로 상에 형성되어, 상기 칠러장치(200)로부터 냉각수를 공급받아 열교환이 이루어지게 한다. That is, the cooling water flow path 40a is vertically stacked and formed on the flow path of the low-temperature cooling water supply path 210 or the high-temperature cooling water supply path 220 , and the cooling water from the chiller device 200 is is supplied and heat exchange occurs.

또한, 상기 냉각수 유로(220)는 유입구가 상기 열교환몸체(10a)의 내부에서 상부측에 위치하도록 하고, 배출구가 상기 열교환몸체(10a)의 내부에서 하부측에 위치되도록 구성된다.In addition, the cooling water flow path 220 is configured such that the inlet is located at the upper side inside the heat exchange body 10a, and the outlet port is located at the lower side inside the heat exchange body 10a.

상기한 구성에 따라 상기 열교환몸체(10a)로 유입된 브라인은 하방으로 이동하는 과정에서 상기 냉각수 공급유로를 유동하는 냉각수와 열교환이 이루어지게 한다.According to the above configuration, the brine introduced into the heat exchange body 10a exchanges heat with the cooling water flowing through the cooling water supply passage while moving downward.

한편, 도 4 에 도시된 제 2실시예에 따르면 상기 저온용 열교환기(410) 또는 고온용 열교환기(420)는 열교환몸체(10b), 돌출바닥부(50b), 브라인 유입구(20b), 브라인 방출배관(70b) 및 냉각수 유로(40b)를 포함한다.Meanwhile, according to the second embodiment shown in FIG. 4 , the low-temperature heat exchanger 410 or the high-temperature heat exchanger 420 includes a heat exchange body 10b, a protruding bottom 50b, a brine inlet 20b, and a brine. It includes a discharge pipe (70b) and a cooling water flow path (40b).

상기 열교환몸체(10b)는 내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어진다. The heat exchange body (10b) is made in the form of an empty inside so that the brine can be accommodated therein.

상기 돌출바닥부(50b)는 중심부가 원뿔 형태로 상방으로 돌출되도록 이루어져 상기 열교환몸체(10b)의 바닥면을 구성하도록 한다. The protruding bottom portion 50b has a central portion protruding upward in a cone shape to constitute the bottom surface of the heat exchange body 10b.

상술하면, 상기 돌출바닥부(50b)는 상방으로 점차 단면적이 좁아지도록 돌출된 형태로 이루어져, 중심부의 일부가 개구되면서 브라인 배출구(30b)가 형성된 상태로 상기 열교환몸체(10b)의 바닥면을 구비되도록 한다.In detail, the protruding bottom portion 50b has a shape that protrudes upwardly so that the cross-sectional area is gradually narrowed, and the bottom surface of the heat exchange body 10b is provided with the brine outlet 30b being formed while a part of the central portion is opened. make it possible

상기, 브라인 유입구(20b)는 상기 브라인 몸체의 측면 일측에 형성되어 브라인을 상기 열교환몸체(10b)의 내부로 공급하도록 한다.The brine inlet (20b) is formed on one side of the side of the brine body to supply the brine to the inside of the heat exchange body (10b).

상술하면, 상기 브라인 유입구(20b)는 상기 브라인 몸체의 측면에서 하방측에 구비되도록 하여 브라인이 상기 열교환몸체(10b)의 하방으로 공급되도록 하여 시간 경과에 따라 공급된 브라인의 수위가 점차 상승할 수 있게 한다.In detail, the brine inlet (20b) is provided on the lower side from the side of the brine body so that the brine is supplied to the lower side of the heat exchange body (10b), so that the water level of the supplied brine can gradually rise over time. let there be

한편, 상기 브라인 방출배관(70b)은 일단이 상기 돌출바닥부(50b)의 중심부를 관통하여 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 돌출된 상태로 타단이 상기 저온용 배출배관(412) 또는 고온용 배출배관(422)과 연통되도록 한다.On the other hand, the brine discharge pipe (70b) has one end passing through the central portion of the protruding bottom portion (50b) and protruding inside the heat exchange body (10b), and the other end is the discharge pipe for low temperature (412) or for high temperature To communicate with the discharge pipe (422).

한편, 상기 냉각수 유로(40b)는 상기 돌출바닥부(50b)를 따라 나선형으로 적층된 코일의 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받아 타단으로 냉각수가 배출되게 한다.On the other hand, the cooling water flow path 40b is formed in the form of a coil stacked spirally along the protruding bottom part 50b, is provided inside the heat exchange body 10b, and receives cooling water from one end to receive cooling water from the other end. to be expelled

이때, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 돌출바닥부(50b)에는 상부면을 따라 상하방향으로 연장되어 상기 냉각수 유로(40b)가 고정되게 하는 유로 고정부재(51b)가 구비되도록 하며, 상기 유로 고정부재(51b)는 상기 냉각수 유로(40b)와 동일한 재질로 이루어져, 상기 냉각수 유로(40b)로부터 열에너지는 전달받도록 이루어진다. At this time, as shown in FIG. 5 , the protruding bottom part 50b is provided with a flow path fixing member 51b extending in the vertical direction along the upper surface to fix the coolant flow path 40b, and the flow path The fixing member 51b is made of the same material as the cooling water flow path 40b, so that thermal energy is transmitted from the cooling water flow path 40b.

이로 인해 상기 유로 고정부재(51b)는 상기 냉각수 유로(40b)를 안정적으로 고정하는 한편, 열교환이 이루어지는 면적을 더욱 증가시켜 열교환 효율을 향상할 수 있게 한다. For this reason, the flow path fixing member 51b stably fixes the cooling water flow path 40b, and further increases an area for heat exchange to improve heat exchange efficiency.

상기한 구성에 따라 상기 저온용 열교환기(410) 또는 고온용 열교환기(420)는 브라인이 상기 열교환몸체(10b)의 내부로 유입되어 수위가 상승하는 과정에서 상기 냉각수 유로(40b)와 열교환이 이루어질 수 있게 하며, 상기 브라인 방출배관(70b)의 일단까지 수위가 상승하게 되면 브라인이 월류되면서 상기 브라인 방출배관(70b)을 통해 저온용 배출배관(412) 또는 고온용 배출배관(422)을 따라 배출될 수 있게 한다.According to the above configuration, the low-temperature heat exchanger 410 or the high-temperature heat exchanger 420 performs heat exchange with the cooling water passage 40b while the brine flows into the heat exchange body 10b and the water level rises. When the water level rises to one end of the brine discharge pipe (70b), the brine overflows and through the brine discharge pipe (70b) for low temperature discharge pipe 412 or high temperature discharge pipe 422 along allow it to be discharged.

이때, 상기 열교환몸체(10a)의 내부에는 브라인에 포함된 이물질의 여과가 가능하게 구성되어 상기 브라인 방출배관(70b)의 상부에 구비되는 여과부재(60b)가 더 구비되도록 한다. At this time, the inside of the heat exchange body (10a) is configured to enable filtration of foreign substances contained in the brine so that the filtration member (60b) provided on the upper portion of the brine discharge pipe (70b) is further provided.

상술하면, 상기 여과부재(60b)는 일단이 상기 브라인 방출배관(70b)의 상단 둘레와 맞물리고 타단이 상기 열교환몸체(10b)의 상부면과 맞물리게 형성되며 외주면에 복수 개의 통공이 형성되는 필터링몸체(60b) 및 상기 필터링 몸체의 내주면 또는 외주면을 둘러싸도록 구비되어 이물질의 여과가 이루어지게 하는 필터링부(62b)를 포함한다.In detail, the filtering member (60b) has one end engaged with the upper periphery of the brine discharge pipe (70b), the other end is formed to be engaged with the upper surface of the heat exchange body (10b), and a plurality of through holes are formed on the outer circumferential surface of the filtering body (60b) and a filtering unit (62b) provided to surround the inner circumferential or outer circumferential surface of the filtering body to filter foreign substances.

이때, 상기 열교환몸체(10b)의 상부면에는 상기 여과부재(60b)와 대응되는 위치에 선택적으로 개폐가 가능한 도어를 구성하여 상기 여과부재(60b)의 교환이 가능하게 한다.At this time, a selectively openable door is configured on the upper surface of the heat exchange body 10b at a position corresponding to the filter member 60b, so that the filter member 60b can be exchanged.

한편, 상기와 같이 구성된 본 발명의 시스템은 상기 공정설비(100)와 근접하게 구비되도록 하는데, 구체적으로는 상기 공정설비(100)와의 직선거리가 5m 이내가 되도록 설치하여 브라인의 온도 변화가 더욱 빠르게 이루어질 수 있게 한다. On the other hand, the system of the present invention configured as described above is to be provided close to the process equipment 100, specifically, by installing so that the linear distance with the process equipment 100 is within 5 m, the temperature change of the brine is faster make it happen

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 아니하며 본 발명의 실시 예와 실질적으로 균등한 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 미치는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능하다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the scope of the present invention is not limited thereto, and it should be understood that the scope of the present invention extends to those substantially equivalent to the embodiments of the present invention, Various modifications may be made by those of ordinary skill in the art to which the invention pertains without departing from the spirit of the invention.

100 : 공정설비 110 : 작업대
120 : 브라인 공급배관 121 : 제 1온도센서
122 : 제 1유량센서
200 : 칠러장치 210 : 저온용 냉각수 공급유로
220 : 고온용 냉각수 공급유로
300 : 브라인 탱크 310 : 브라인 배출배관
311 : 제 2온도센서 320 : 탱크 순환배관
400 : 열교환부 410 : 저온용 열교환기
411 : 저온용 순환배관 412 : 저온용 배출배관
420 : 고온 열교환기 421 : 고온용 순환배관
422 : 고온용 배출배관 430 : 제 2유량센서
500 : 유량제어밸브
10a, 10b : 열교환몸체 11a : 유동 안내부
20a, 20b : 브라인 유입구
30a, 30b : 브라인 배출구 40a, 40b : 냉각수 유로
50b : 돌출바닥부 51b : 유로 고정부재
60b : 여과부재 61b : 필터링몸체
62b : 필터링부 70b : 브라인 방출배관100: process equipment 110: workbench
120: brine supply pipe 121: first temperature sensor
122: first flow sensor
200: chiller device 210: low-temperature cooling water supply passage
220: high temperature cooling water supply path
300: brine tank 310: brine discharge pipe
311: second temperature sensor 320: tank circulation pipe
400: heat exchanger 410: low-temperature heat exchanger
411: circulation pipe for low temperature 412: discharge pipe for low temperature
420: high-temperature heat exchanger 421: high-temperature circulation pipe
422: high temperature discharge pipe 430: second flow sensor
500: flow control valve
10a, 10b: heat exchange body 11a: flow guide part
20a, 20b: brine inlet
30a, 30b: brine outlet 40a, 40b: coolant flow path
50b: protrusion bottom 51b: flow path fixing member
60b: filtering member 61b: filtering body
62b: filtering unit 70b: brine discharge pipe

Claims (10)

공정설비(100)와 칠러장치(200)의 사이에 구성되어 공급되는 브라인의 온도를 제어하는 시스템에 있어서,
상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인을 전달받아 수용하는 브라인 탱크(300);
상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최저온도로 냉각된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 저온용 열교환기(410) 및 상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최고온도로 가열된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 고온용 열교환기(420)를 포함하며, 상기 브라인 탱크(300)로부터 전달받은 브라인이 열교환되도록 한 뒤, 열교환된 브라인을 상기 공정설비(100)로 공급하는 열교환부(400); 및
상기 브라인 탱크(300)와 열교환부(400)의 사이에 구비되어 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)로 공급되는 브라인의 유량이 제어되게 하는 유량제어밸브(500);
를 포함하며,
상기 저온용 열교환기(410)는,
일단이 상기 브라인 탱크(30))의 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 저온용 열교환기(410)와 연통되는 저온용 순환배관(411)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 저온용 냉각수 공급유로(210)에 의해 최저온도로 냉각된 냉각수를 전달받도록 하며,
상기 고온용 열교환기(420)는,
일단이 상기 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 타단이 고온용 열교환기(420)와 연통되는 고온용 순환배관(421)에 의해 브라인을 전달받되, 상기 칠러장치(200)의 고온용 냉각수 공급유로(220)에 의해 최고온도로 가열된 냉각수를 전달받으며,
상기 유량제어밸브(500)는,
3way 밸브로 이루어져, 유입구가 상기 브라인 탱크(300)의 탱크 순환배관(320)과 연통되고, 제 1배출구가 저온용 순환배관(411)과 연통되며, 제 2배출구가 고온용 순환배관(421)과 연통되며,
상기 공정설비(100)는, 일측으로 브라인 공급배관(120)에 의해 열교환부(400)와 연통되어 브라인을 공급받고, 타측으로 브라인 배출배관(310)에 의해 브라인 탱크(300)로 브라인이 배출되게 하며,
상기 브라인 공급배관(120)에는, 상기 공정설비(100)로 공급되는 브라인의 온도를 측정하는 제 1온도센서(121)가 구비되고,
상기 브라인 배출배관(310)에는, 상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인의 온도를 측정하는 제 2온도센서(311)가 구비되도록 하며,
상기 제 1온도센서(121) 및 제 2온도센서(311)에 의해 측정된 온도를 이용하여 브라인의 냉각 또는 가열에 필요한 열량을 도출하고, 도출된 열량에 따라 각 열교환기(410, 420)로 유입되는 브라인의 유량을 제어되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
In the system for controlling the temperature of the brine that is configured and supplied between the process equipment 100 and the chiller device 200,
a brine tank 300 for receiving and accommodating the brine discharged from the process facility 100;
The cooling water cooled to the lowest temperature of the process required by the process equipment 100 is transferred from the chiller device 200 to the low-temperature heat exchanger 410 and the process equipment 100 heated to the maximum temperature of the process required by the process equipment 100 . The cooling water includes a high-temperature heat exchanger 420 delivered from the chiller device 200 , and after allowing the brine delivered from the brine tank 300 to exchange heat, the heat-exchanged brine is supplied to the process facility 100 . heat exchange unit 400; and
a flow control valve 500 provided between the brine tank 300 and the heat exchange unit 400 to control the flow rate of the brine supplied to the low temperature heat exchanger 410 and the high temperature heat exchanger 420;
includes,
The low-temperature heat exchanger 410,
One end communicates with the tank circulation pipe 320 of the brine tank 30), and the other end receives the brine by the low-temperature circulation pipe 411 communicating with the low-temperature heat exchanger 410, the chiller device ( 200) to receive the cooling water cooled to the lowest temperature by the cooling water supply passage 210 for low temperature,
The high temperature heat exchanger 420,
One end communicates with the tank circulation pipe 320 and the other end communicates with the high-temperature heat exchanger 420 to receive the brine through the high-temperature circulation pipe 421, and the chiller device 200 supplies high-temperature cooling water. Receives the cooling water heated to the highest temperature by the flow path 220,
The flow control valve 500,
Consists of a 3-way valve, the inlet communicates with the tank circulation pipe 320 of the brine tank 300, the first outlet communicates with the low-temperature circulation pipe 411, and the second outlet communicates with the high-temperature circulation pipe 421 communicates with,
The process equipment 100 communicates with the heat exchange unit 400 through the brine supply pipe 120 on one side to receive brine, and on the other side, the brine is discharged to the brine tank 300 through the brine discharge pipe 310 . make it happen,
A first temperature sensor 121 for measuring the temperature of the brine supplied to the process equipment 100 is provided in the brine supply pipe 120 ,
The brine discharge pipe 310 is provided with a second temperature sensor 311 for measuring the temperature of the brine discharged from the process facility 100,
Using the temperature measured by the first temperature sensor 121 and the second temperature sensor 311, the amount of heat required for cooling or heating the brine is derived, and the heat is transferred to each of the heat exchangers 410 and 420 according to the derived heat amount. A brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, characterized in that it controls the flow rate of the brine introduced therein.
 청구항 1에 있어서,
상기 칠러장치(200)는,
상기 공정설비(100)에서 요구하는 최저온도로 냉각된 브라인을 상기 저온용 열교환기(410)로 공급하는 저온용 냉각수 공급유로(210); 및
상기 공정설비(100)에서 요구하는 최고온도로 가열된 브라인을 상기 고온용 열교환기(420)로 공급하는 고온용 냉각수 공급유로(220);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
The method according to claim 1,
The chiller device 200,
a low-temperature cooling water supply passage 210 for supplying the brine cooled to the lowest temperature required by the process facility 100 to the low-temperature heat exchanger 410; and
a high-temperature cooling water supply passage 220 for supplying the brine heated to the highest temperature required by the process facility 100 to the high-temperature heat exchanger 420;
A brine supply temperature control system for semiconductor process equipment comprising a.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
특정 시점에서 도출된 브라인의 열량과 일정 시간 이후 측정된 브라인의 열량의 편차 △Q = (F2-F1)*C*S*(△t2-△t1)를 따르고, 단위 유량(Fx = 1)당 소모되는 열량을 Q(0) = Q(x)/Fx라 할 때, (F:유량, C:비열, S:비중, t:온도)
도출된 열량의 상기 편차 만큼의 열량을 보정하기 위해 필요한 브라인의 유량 △F = △Q/Q(0)에 의해 도출되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
The method according to claim 1,
The deviation between the calorific value of brine derived at a specific point in time and the calorific value of brine measured after a certain period of time follows △Q = (F2-F1)*C*S*(∆t2-∆t1), and per unit flow rate (Fx = 1) When the amount of heat consumed is Q(0) = Q(x)/Fx, (F: flow rate, C: specific heat, S: specific gravity, t: temperature)
The brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, characterized in that it is derived by the flow rate ΔF = ΔQ/Q(0) of the brine required to correct the amount of heat corresponding to the deviation of the derived calorie.
 청구항 6에 있어서,
상기 브라인 공급배관(120)에는, 제 1유량센서(122)가 구비되고,
상기 저온용 순환배관(411) 또는 고온용 순환배관(421)에는 제 2유량센서(430)가 구비되도록 하며,
상기 제 1유량센서(122) 및 제 2유량센서(430)에서 측정된 유량값과 설정된 유량값(Fx)을 비교하여 이를 보상하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
7. The method of claim 6,
The brine supply pipe 120 is provided with a first flow sensor 122,
A second flow sensor 430 is provided in the low-temperature circulation pipe 411 or high-temperature circulation pipe 421,
The brine supply temperature control system for semiconductor process equipment, characterized in that the first flow sensor (122) and the second flow sensor (430) are compared with a set flow rate value (Fx) and compensated for this.
 청구항 1에 있어서,
상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)는,
내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어지는 열교환몸체(10a);
상기 열교환몸체(10a)의 일측에 형성되어 브라인을 공급받는 브라인 유입구(20a);
상기 열교환몸체(10a)의 타측에 형성되어 브라인을 배출하는 브라인 배출구(30a); 및
지그재그로 적층된 형태로 이루어지거나 나선형으로 적층된 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10a)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받고, 타단으로 냉각수가 배출되게 하는 냉각수 유로(40a);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
The method according to claim 1,
The low-temperature heat exchanger 410 and high-temperature heat exchanger 420,
a heat exchange body (10a) having an empty interior to accommodate the brine therein;
a brine inlet (20a) formed on one side of the heat exchange body (10a) to receive brine;
a brine outlet (30a) formed on the other side of the heat exchange body (10a) for discharging brine; and
a cooling water passage 40a which is formed in a zigzag or spirally stacked form, is provided inside the heat exchange body 10a, receives cooling water at one end, and discharges the cooling water at the other end;
A brine supply temperature control system for semiconductor process equipment comprising a.
 공정설비(100)와 칠러장치(200)의 사이에 구성되어 공급되는 브라인의 온도를 제어하는 시스템에 있어서,
상기 공정설비(100)로부터 배출되는 브라인을 전달받아 수용하는 브라인 탱크(300);
상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최저온도로 냉각된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 저온용 열교환기(410) 및 상기 공정설비(100)에서 요구하는 공정의 최고온도로 가열된 냉각수가 칠러장치(200)로부터 전달되는 고온용 열교환기(420)를 포함하며, 상기 브라인 탱크(300)로부터 전달받은 브라인이 열교환되도록 한 뒤, 열교환된 브라인을 상기 공정설비(100)로 공급하는 열교환부(400); 및
상기 브라인 탱크(300)와 열교환부(400)의 사이에 구비되어 상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)로 공급되는 브라인의 유량이 제어되게 하는 유량제어밸브(500);
를 포함하며,
상기 저온용 열교환기(410) 및 고온용 열교환기(420)는,
내부에 브라인의 수용이 가능하도록 내부가 빈 형태로 이루어지는 열교환몸체(10b);
중심부가 원뿔 형태로 상방으로 돌출되도록 이루어져 상기 열교환몸체(10b)의 바닥면을 구성하는 돌출바닥부(50b);
상기 브라인 몸체의 측면 일측에 형성되어 브라인을 상기 열교환몸체(10b)의 내부로 공급하는 브라인 유입구(20b);
일단이 상기 돌출바닥부(50b)의 중심부를 관통하여 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 돌출된 상태로 구비되어 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 수용된 브라인이 배출되게 하는 브라인 방출배관(70b);
상기 돌출바닥부(50b)를 따라 나선형으로 적층된 코일의 형태로 이루어져, 상기 열교환몸체(10b)의 내부에 구비되며, 일단으로 냉각수를 공급받아 타단으로 냉각수가 배출되게 하는 냉각수 유로(40b);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.
In the system for controlling the temperature of the brine that is configured and supplied between the process equipment 100 and the chiller device 200,
a brine tank 300 for receiving and accommodating the brine discharged from the process facility 100;
The cooling water cooled to the lowest temperature of the process required by the process equipment 100 is transferred from the chiller device 200 to the low-temperature heat exchanger 410 and the process equipment 100 heated to the maximum temperature of the process required by the process equipment 100 . The cooling water includes a high-temperature heat exchanger 420 delivered from the chiller device 200 , and after allowing the brine delivered from the brine tank 300 to exchange heat, the heat-exchanged brine is supplied to the process facility 100 . heat exchange unit 400; and
a flow control valve 500 provided between the brine tank 300 and the heat exchange unit 400 to control the flow rate of the brine supplied to the low temperature heat exchanger 410 and the high temperature heat exchanger 420;
includes,
The low-temperature heat exchanger 410 and high-temperature heat exchanger 420,
a heat exchange body (10b) having an empty interior to accommodate the brine therein;
a protruding bottom portion (50b) having a central portion protruding upward in a conical shape and constituting a bottom surface of the heat exchange body (10b);
a brine inlet (20b) formed on one side of the side of the brine body to supply brine to the inside of the heat exchange body (10b);
A brine discharge pipe (70b) with one end penetrating the central portion of the protruding bottom portion (50b) and provided in a protruding state inside the heat exchange body (10b) to discharge the brine accommodated in the heat exchange body (10b). ;
a cooling water passage 40b in the form of a coil stacked spirally along the protruding bottom portion 50b, provided inside the heat exchange body 10b, receiving cooling water at one end and discharging the cooling water through the other end;
A brine supply temperature control system for semiconductor process equipment comprising a.
 청구항 9에 있어서,
상기 돌출바닥부(50b)에는,
상부면을 따라 상하방향으로 연장되어 상기 냉각수 유로(40b)가 고정되게 하는 유로 고정부재(51b)가 구비되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템.10. The method of claim 9,
In the protruding bottom portion (50b),
A brine supply temperature control system for semiconductor processing equipment, characterized in that a flow path fixing member (51b) extending vertically along the upper surface to fix the cooling water flow path (40b) is provided.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102433253B1 (en) * 2021-09-02 2022-08-18 주식회사 에프에스티 Standalone chiller system used in semiconductor processing equipment
KR102527898B1 (en) * 2021-12-02 2023-04-28 김태현 Valve system for controlling temperature
CN114392704A (en) * 2022-01-07 2022-04-26 浙江材华科技有限公司 Reaction kettle and temperature control method thereof
KR102510849B1 (en) * 2022-11-15 2023-03-17 주식회사 에프에스티 An apparatus that controls the temperature of semiconductor manufacturing equipment
KR102664406B1 (en) * 2023-02-21 2024-05-10 (주)제이티에스코리아 Temperature control valve system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101575505B1 (en) * 2014-07-21 2015-12-07 주식회사 스피드터치 Apparatus for controlling process temperature
KR101975007B1 (en) * 2018-09-19 2019-05-07 (주)본씨앤아이 cooling system for semiconductor parts cooling
WO2019197907A2 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Flowserve Management Company Fluid coolers, heat exchangers, seal assemblies and systems including fluid coolers or heat exchangers and related methods

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100986253B1 (en) 2008-07-31 2010-10-07 (주)피티씨 Temperature control method for chiller apparatus
KR102179060B1 (en) * 2019-01-31 2020-11-16 유니셈 주식회사 Apparatus for mixing heating medium and Chiller apparatus using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101575505B1 (en) * 2014-07-21 2015-12-07 주식회사 스피드터치 Apparatus for controlling process temperature
WO2019197907A2 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Flowserve Management Company Fluid coolers, heat exchangers, seal assemblies and systems including fluid coolers or heat exchangers and related methods
KR101975007B1 (en) * 2018-09-19 2019-05-07 (주)본씨앤아이 cooling system for semiconductor parts cooling

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