KR102450623B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징; 하우징에 배치되는 발광 다이오드 칩; 발광 다이오드 칩 상에 배치되는 몰딩부; 몰딩부 내에 분포되고, 시안(Cyan)광을 방출하는 제1 형광체; 몰딩부 내에 분포되고, 적색광을 방출하는 제2 형광체를 포함하고, 발광 다이오드 칩의 피크 파장은 415 내지 430nm 파장 범위 내에 위치하며, 상기 발광 다이오드칩, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체 각각이 방출하는 광의 합성으로 백색광이 형성되고, 상기 백색광의 광 스펙트럼은 500 내지 600nm 파장 범위 내에서 40% 이상이 분포한다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 대한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 패키지는 반도체의 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 광을 발산하는 소자를 지칭한다. 발광 다이오드 패키지는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 소형화가 가능하다.
발광 다이오드 패키지는 파장 변환 수단인 형광체를 사용하여 백색광을 구현할 수 있다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 칩 상에 배치하여, 발광 다이오드 칩의 1차 광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 광의 혼색을 통하여 백색광을 구현할 수 있다. 이런 구조의 백색 발광 다이오드 패키지는 가격이 싸고, 원리적 및 구조적으로 간단하기 때문에 널리 이용되고 있다.
구체적으로, 청색 발광 다이오드 칩 상에 청색광의 일부를 여기광으로 흡수하여 황록색 또는 황색을 발광하는 형광체를 도포하여 백색광을 얻을 수 있다. 대한민국 공개특허 10-2004-0032456호를 참조하면, 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 내지 황색 발광하는 형광체를 부착하여 발광 다이오드의 청색 발광과 형광체의 황록색 내지 황색 발광에 따라 백색 발광하는 발광 다이오드를 개시하고 있다.
그러나, 이러한 방식을 사용하는 백색 발광 다이오드 패키지는 황색 형광체의 발광을 활용하므로, 방출되는 광의 녹색 및 적색 영역의 스펙트럼 결핍으로 인해 연색성이 낮다. 특히, 백라이트 유닛(backlight unit)으로 사용 시, 색 필터를 투과한 이후의 낮은 색순도로 인하여 자연색에 가까운 색 구현이 어렵다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 청색 발광 다이오드 칩과 청색광을 여기광으로 하여 녹색 및 적색을 발광하는 형광체들을 사용하여 발광 다이오드를 제조한다. 즉, 청색광과 청색광에 의해 여기되어 나오는 녹색광 및 적색광의 혼색을 통하여, 높은 연색성을 가지는 백색광을 구현할 수 있다. 이러한, 백색 발광 다이오드를 백라이트 유닛으로 사용할 경우, 색 필터와의 일치도가 매우 높기 때문에 자연색에 보다 가까운 영상을 구현할 수 있다. 그러나, 청색 발광 다이오드 칩을 사용하는 발광 다이오드는 청색광의 강도가 상대적으로 강하기 때문에, 이를 조명으로 사용하는 경우 인체에 여러가지 부작용, 예를 들어 수면 장애 등이 발생할 우려가 높다.
한편, 백색광을 구현하기 위해서, 청색 발광 다이오드 칩을 대신하여, 자외선 발광 다이오드 칩을 사용할 수 있다. 자외선 발광 다이오드 칩을 사용하는 발광 다이오드 패키지는 높은 연색성을 구현 할 수 있으며, 형광체의 조합에 따른 색온도의 변환이 용이할 뿐 아니라, 우수한 수율을 가질 수 있다. 그러나, 자외선 발광 다이오드 칩은 상대적으로 높은 에너지를 가지는 파장의 광을 방출하므로, 봉지재의 열화(decomposition) 현상 또는 크랙(crack) 현상 등이 발생할 수 있으며, 더 나아가, 도금된 리드 프레임의 변색 등의 문제점이 발생할 수 있다. 따라서, 자외선 발광 다이오드 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 문제된다.
이에 따라, 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 발광 다이오드 패키지의 개발이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 향상된 신뢰성 및 연색성을 가지는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 향상된 시감도 및 광량을 가지는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징; 상기 하우징에 배치되는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 상에 배치되는 몰딩부; 상기 몰딩부 내에 분포되고, 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 상기 몰딩부 내에 분포되고, 적색광을 방출하는 제2 형광체를 포함하되, 상기 발광 다이오드 칩의 피크 파장은 415 내지 430nm 파장범위 내에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1 형광체는 LuAG, YAG, 질화물(Nitride) 및 실리케이트(Silicate) 계열의 형광체들 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 형광체는 CASN, CASON 및 SCASN 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 형광체가 방출하는 녹색광의 피크 파장은 500 내지 540nm 파장범위 내에 위치하고, 상기 제2 형광체가 방출하는 적색광의 피크 파장은 600 내지 650nm 파장범위 내에 위치할 수 있다.
상기 몰딩부 내에 분포되고, 청색광을 방출하는 제3 형광체를 더 포함하되, 상기 제3 형광체는 SBCA, BAM, 실리케이트(Silicate) 및 질화물(Nitride) 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제3 형광체가 방출하는 청색광의 피크 파장은 450 내지 480nm 파장범위 내에 위치할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체 각각에서 방출되는 광의 합성에 의해 백색광이 형성되고, 상기 백색광의 연색지수(CRI)는 85이상일 수 있다.
상기 몰딩부는 실리콘, 에폭시, PMMA, PE 및 PS 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 몰딩부와 상기 발광 다이오드 칩 사이에 배치되는 버퍼부를 더 포함하되, 상기 버퍼부는 상기 몰딩부보다 낮은 경도를 가질 수 있다.
상기 몰딩부는 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 제1 몰딩부; 및 상기 제1 몰딩부를 덮는 제2 몰딩부를 포함하되, 상기 제1 몰딩부는 상기 제2 형광체를 함유하고, 상기 제2 몰딩부는 상기 제1 형광체를 함유할 수 있다.
상기 하우징은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사하는 리플렉터를 더 포함할 수 있다.
상기 하우징은 상기 리플렉터를 덮는 베리어 리플렉터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩에 여기되어, 시안(Cyan)광을 방출하는 제1 형광체; 및 상기 발광 다이오드 칩에 여기되어, 적색광을 방출하는 제2 형광체를 포함하되, 상기 발광 다이오드 칩의 피크 파장은 415 내지 430nm 파장범위 내에 위치하고, 상기 발광 다이오드 칩, 상기 제1 형광체 및 상기 제2 형광체 각각이 방출하는 광의 합성으로 백색광이 형성되고, 상기 백색광의 광 스펙트럼은 500 내지 600nm 파장 범위 내에서 40% 이상이 분포할 수 있다.
상기 제1 형광체가 방출하는 시안(Cyan)광의 피크 파장은 500 내지 540nm 파장범위 내에 위치하고, 상기 제2 형광체가 방출하는 적색광의 피크 파장은 600 내지 650nm 파장범위 내에 위치할 수 있다.
상기 백색광의 연색지수(CRI)는 85이상일 수 있다.
상기 제1 형광체는 LuAG, YAG, 질화물(Nitride) 및 실리케이트(Silicate) 계열의 형광체들 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 형광체는 CASN, CASON 및 SCASN 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩에 여기되어 청색광을 방출하는 제3 형광체를 더 포함하되, 상기 제3 형광체는 SBCA, BAM, 실리케이트(Silicate) 및 질화물(Nitride) 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제3 형광체가 방출하는 청색광의 피크 파장은 450 내지 480nm 파장범위 내에 위치할 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 높은 시감도를 가지는 파장 영역 대에 밀집되어 있는 광 스펙트럼을 가지는 광을 방출할 수 있으므로, 시감도 및 광량을 향상시킬 수 있다. 또한, 가시광선 파장 영역 내에서 피크 파장을 가지는 발광 다이오드 칩을 사용함으로써, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 백색광의 연색성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지와 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지에서 방출하는 광의 스펙트럼을 비교하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105) 및 제2 형광체(106)를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 하우징(101) 상에 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105) 및 제2 형광체(106)가 배치될 수 있다. 하우징(101)에는 발광 다이오드 칩(102)에 전력을 입력하기 위한 리드 단자들(미도시)이 설치될 수 있다. 하우징(101)은 상기 리드 단자들은 발광 다이오드 칩(102)의 실장을 위한 실장영역을 포함할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(102)은 페이스트 등을 통하여 상기 실장영역 상에 실장될 수 있다. 제1 및 제2 형광체(105, 106)들은 몰딩부(104) 내에 분포될 수 있으며, 몰딩부(104)는 발광 다이오드 칩(102)의 적어도 일부 영역을 덮을 수 있다.
하우징(101)은 폴리머 등을 포함하는 일반적인 플라스틱, ABS(acrylonitrile butadiene styrene), LCP(liquid crystalline polymer), PA(polyamide), IPS(polyphenylene sulfide) 또는 TPE(thermoplastic elastomer) 등으로 형성되거나, 메탈 또는 세라믹으로 형성될 수도 있다. 다만, 하우징(101)을 형성하는 물질이 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 하우징(101)은 발광 다이오드 칩(102), 제1 및 제2 형광체(105, 106)들에서 방출되는 광의 반사를 위하여 경사진 내벽을 포함할 수 있다.
몰딩부(104)는 실리콘(silicone) 계열, 에폭시(epoxy) 계열, PMMA(polymethyl methacrylate) 계열, PE(polyethylene) 계열 및 PS(polystyrene) 계열 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 몰딩부(104)는 상술한 물질과 제1 및 제2 형광체(105, 106)들의 혼합물을 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 몰딩부(104)를 형성할 수 있다. 몰딩부(104)는 볼록 렌즈 형태, 평판 형태(미도시) 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 볼록 렌즈 형태를 가지는 몰딩부(104)를 개시하였지만, 몰딩부(104)의 형상은 이에 국한되지 않는다.
본 발명에 있어서, 발광 다이오드 칩(102)는 415 내지 430nm의 파장 범위 내에 위치하는 피크 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(102)이 방출하는 광의 피크 파장의 반치폭(full width half maxium: FWHM)은 40nm 이하일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 발광 다이오드 패키지가 한 개의 발광 다이오드 칩(102)을 포함하는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 도시된 발광 다이오드 칩(102)과 동일한 피크 파장 또는 다른 피크 파장의 광을 방출하는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 더 포함할 수 있다.
발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 광을 통하여, 제1 형광체(105) 및 제2 형광체(106)가 여기될 수 있다. 제1 형광체(105)는 여기되어 시안(Cyan)광을 방출할 수 있고, 제2 형광체(106)는 여기되어 적색광을 방출할 수 있다.
제1 형광체(105)가 방출하는 시안(Cyan)광의 피크 파장은 500 내지 540nm의 파장 범위 내에 위치할 수 있다. 제1 형광체(105)는 LuAG 계열, YAG 계열, 베타-사이알론(beta-SiAlON) 계열, 질화물(Nitride) 계열 및 실리케이트(Silicate) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 발광 다이오드 칩(102)을 통해 여기되어, 500 내지 540nm의 파장 범위 내에 위치하는 시안(Cyan)광의 피크파장을 방출할 수 있는 형광체라면, 그 종류의 제한 없이 제1 형광체(105)로의 적용이 가능하다. 한편, 제1 형광체(105)가 LuAG 계열 형광체를 포함하는 경우에, 상기 LuAG 계열 형광체는 LuxAlyOz: Ce 또는 Lux(Al,Ga)yOz: Ce 화학식으로 표현되는 형광체일 수 있다.
제2 형광체(106)가 방출하는 적색광의 피크 파장은 600 내지 650nm의 파장 범위 내에 위치할 수 있다. 제2 형광체(106)는 CASN, CASON 및 SCASN로 표현되는 질화물계 형광체일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
사람의 눈이 빛을 느끼는 전자파는 380 내지 760nm 파장 범위를 가지며, 사람의 눈은 555nm의 파장을 가지는 녹색의 빛을 가장 밝게 느낀다. 따라서, 사람의 눈은 555nm 파장보다 길거나 짧은 파장을 가지는 빛에 대해서는 어두워짐을 느끼게 된다. 이는 파장 λ의 광속 Fλ[단위: lm]를 그에 대한 방사속ρ[단위: W]로 나눈 값, 즉, Fλ/ρ[lm/W]로 표현될 수 있으며, 상기 555nm 파장을 가지는 녹색의 빛에 대한 시감도를 최대 시감도라 한다. 그러므로, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 백색광에 대하여 사람의 눈이 느끼는 광량, 즉 시감도를 높이기 위해서는, 발광 다이오드 패키지는 555nm 파장을 중심으로 밀집된 광 스펙트럼을 가지는 광을 방출해야 한다.
본 발명에 있어서, 발광 다이오드 칩(102)은 415 내지 430nm의 파장 범위를 가지는 광을 방출할 수 있고, 제1 형광체(105)는 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 광을 통해 여기되어, 500 내지 540nm 파장 범위를 가지는 광을 방출하고, 제2 형광체(106) 역시 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 광을 통해 여기되어, 600 내지 650nm의 파장 범위를 가지는 광을 방출한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지가 방출하는 백색광은 상술한 최대 시감도를 가지는 빛, 즉 555nm 파장을 가지는 녹색의 빛을 중심으로 밀집된 광 스펙트럼을 가진다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 따른 발광 다이오드가 방출하는 백색광의 광 스펙트럼은 555nm 파장을 중심으로, 500 내지 600nm 파장 범위 내에서 적어도 40% 이상이 분포할 수 있다.
종래 기술에 따른 청색 발광 다이오드 칩을 이용한 발광 다이오드 패키지는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지와 비교하여, 상대적으로 장 파장을 가지는 적색광을 방출하는 형광체를 이용한다. 따라서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지는 555nm 파장을 가지는 빛을 중심으로 밀집된 광 스펙트럼을 가지는 백색광을 방출하기 어렵다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지와 비교하여, 높은 시감도 및 광량을 가지는 백색광을 방출할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 자외선 발광 다이오드 칩을 포함하지 않으므로, 자외선 발광 다이오드 칩에서 방출되는 자외선으로 인해 패키지의 구성이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지가 방출하는 광은 연색지수(CRI) 85 이상일 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지가 방출하는 광은 연색지수(CRI) 90 이상일 수도 있다.
[실험예 1]
상술한 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 시감도 및 광량 등의 향상을 확인하기 위하여 하기와 같은 실험을 실시하였다. 우선, 비교를 위하여, 두 개의 발광 다이오드 패키지 샘플을 준비한다. 샘플 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지로써, 450nm의 피크 파장을 가지는 광을 방출하는 발광 다이오드 칩, Lu3Al5O12: Ce 화학식으로 표현되는 시안(Cyan) 형광체 및 CaAlSiN3:Eu 화학식으로 표현되는 적색 형광체를 포함한다. 샘플 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지로써, 425nm의 피크 파장을 가지는 광을 방출하는 발광 다이오드 칩, Lu3(Al,Ga)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 시안(Cyan) 형광체(제1 형광체), (Sr, Ca)AlSiN3: Eu 화학식으로 표현되는 적색 형광체(제2 형광체)를 포함한다. 두 개의 발광 다이오드 패키지 샘플에 인가되는 전류는 100mA이며, 상술한 조건을 제외한 모든 조건이 동일한 상태에서 실험을 실시하였다.
샘플 1 및 샘플 2에서 방출되는 백색광을 분석한 결과, 샘플 1은 109.5 lm/W의 시감도를 나타냈고, 샘플 2는 115.1 lm/W의 시감도를 나타냈다. 또한, 색좌표가 동일한 경우에, 샘플 1은 33.35 lm의 광량(flux)을 나타냈고, 샘플 2는 36.08 lm의 광량(flux)을 나타냈다. 한편, 연색 지수 CRI(color rendering index)에 있어서, 샘플 1은 연색 지수 90을 나타냈고, 샘플 2는 연색 지수 92.5를 나타냈다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지와 비교하여, 시감도, 광량 및 연색 지수(CRI)에 있어서 모두 향상됨을 확인할 수 있었다. 특히, 시감도에 있어서는 5.1%, 광량(flux)에 있어서는 8.2% 향상됨을 확인할 수 있었다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106) 및 제3 형광체(107)를 포함한다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 비교하여, 제3 형광체(107)를 포함하는 것을 제외하고 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제3 형광체를 포함한다. 제3 형광체(107)는 청색광을 방출할 수 있다. 구체적으로, 제3 형광체(107)는 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 광을 통해 여기되어, 450 내지 480nm의 파장 범위 내에 위치하는 피크 파장을 가지는 광을 방출할 수 있다. 제3 형광체(107)는 SBCA 계열, BAM(Ba-Al-Mg) 계열, 실리케이트(Silicate) 계열, 및 질화물계(Nitride) 계열 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 415 내지 430nm 파장 범위를 가지는 광을 통해 여기되어, 450 내지 480nm의 파장 범위 내에 위치하는 피크 파장을 가지는 광을 방출할 수 있는 형광체라면, 그 종류의 제한없이 제3 형광체(107)에 적용될 수 있다.
[실험예 2]
제3 형광체(107)을 더 포함하는 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 시감도 및 광량 등이 향상됨을 확인하기 위하여, 하기와 같은 실험을 실시하였다. 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지 샘플로는, 상술한 실험예 1의 샘플 1을 준비하였다. 이어서, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 샘플로 샘플 3을 준비하였고, 상기 샘플 3은 425nm의 피크 파장을 가지는 광을 방출하는 발광 다이오드 칩, Lu3(Al,Ga)5O12: Ce 화학식으로 표현되는 시안(Cyan) 형광체(제1 형광체), (Sr, Ca)AlSiN3: Eu 화학식으로 표현되는 적색 형광체(제2 형광체) 및 (Sr, Ba)10(PO4)6Cl2: Eu 화학식으로 표현되는 청색 형광체(제3 형광체)를 포함하는 발광 다이오드 패키지이다. 두 개의 발광 다이오드 패키지 샘플에 인가되는 전류는 100mA이며, 상술한 조건을 제외한 모든 조건이 동일한 상태에서 실험을 실시하였다.
샘플 1 및 샘플 3에서 방출되는 백색광을 분석한 결과, 샘플 1의 백색광은 109.5 lm/W의 시감도를 나타냈고, 샘플 3의 백색광은 116.5 lm/W의 시감도를 나타냈다. 색좌표가 동일한 상태에서, 샘플 1의 백색광의 광량(Flux)은 33.35 lm을 나타냈고, 샘플 3의 백색광의 광량(Flux)은 36.57 lm을 나타냈다. 한편, 샘플 1의 백색광의 연색 지수(CRI)는 90을 나타냈고, 샘플 3의 백색광의 연색 지수(CRI)는 92를 나타냈다. 즉, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지와 비교하여, 시감도 및 광량의 향상은 물론 연색 지수도 향상됨을 확인할 수 있었다. 구체적으로, 시감도는 6.4% 정도, 광량(Flux)는 9.7% 정도 향상됨을 확인할 수 있었다. 도 7은 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 광 스펙트럼을 비교하기 위한 그래프이다. 도 7을 참조하면, 선 a는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지 샘플인 샘플 1의 광 스펙트럼을, 선 b는 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 샘플인 샘플 3의 광 스펙트럼을 나타낸다. 그래프로 나타난 바와 같이, 샘플 3의 광 스펙트럼은 최대 시감도를 가지는 파장인 555nm 파장을 중심으로 종래 기술과 비교하여, 보다 밀집되어 있음을 알 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106) 및 버퍼부(109)를 포함한다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 버퍼부(109)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
버퍼부(109)는 발광 다이오드 칩(102)과 몰딩부(104) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼부는 silicone, epoxy, PMMA(polymethyl methacrylate), PE(polyethylene) 및 PS(polystyrene) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 버퍼부(109)의 경도는 몰딩부(104)보다 작을 수 있다. 버퍼부(109)을 이용하여, 발광 다이오드 칩(102)에서 발생하는 열로 인한 몰딩부(104)의 열적 스트레스를 방지할 수 있다. 본 실시예에 따른 버퍼부(109)는 발광 다이오드 칩(102) 주변 영역에 배치된 경우를 개시하였지만, 하우징(101)의 좌측벽과 우측벽 모두와 접하도록 넓은 영역에 배치될 수 도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 리플렉터(111) 및 베리어 리플렉터(112)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리플렉터(111) 및 베리어 리플렉터(112)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
리플렉터(111)는 발광 다이오드 칩(102)과 이격되어 측면에 배치될 수 있다. 리플렉터(111)는 발광 다이오드 칩(102), 제1 및 2 형광체(105, 106)에서 방출되는 광의 반사를 극대화하여 발광 효율을 증대시킬 수 있다. 리플렉터(111)는 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 리플렉터(111)는 내열성 및 내광성이 우수한 무기 재료, 유기 재료, 금속 재료 및 금속 산화물 재료 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 리플렉터(111)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다. 리플렉터(111)는 하우징(101) 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착 또는 코팅하여 형성할 수 있으며, 금속 잉크를 인쇄하여 형성할 수도 있다. 또한, 리플렉터(111)는 하우징(101) 상에 반사 필름 또는 반사 시트(sheet)를 접착하여 형성할 수도 있다.
베리어 리플렉터(112)는 리플렉터(111)를 덮을 수 있다. 베리어 리플렉터(112)는 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 열로 인한 리플렉터(111)의 열화 등을 방지할 수 있다. 베리어 리플렉터(112)는 내광성 및 반사율이 높은 무기 재료 또는 금속 재료로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105) 및 제2 형광체(106)를 포함하고, 몰딩부(104)는 제1 몰딩부(104b) 및 제2 몰딩부(104a)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 몰딩부(104b) 및 제2 몰딩부(104a)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
제1 몰딩부(104b)는 제1 및 제2 발광 다이오드 칩(102, 103)을 덮을 수 있다. 제2 몰딩부(104a)는 제1 몰딩부(104b)를 덮을 수 있다. 제1 몰딩부(104b)는 제2 몰딩부(104a)와 동일한 경도를 가지는 물질로 형성되거나, 다른 경도를 가지는 물질로 형성될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 제1 몰딩부(104b)의 경도는 제2 몰딩부(104a)보다 낮을 수 있으며, 이 경우, 상술한 실시예의 버퍼부(109)와 동일하게, 발광 다이오드 칩들(102, 103)에 인한 열 스트레스를 완화할 수 있다.
제1 몰딩부(104b)는 적색광을 방출하는 제2 형광체(106)를 함유할 수 있다. 제2 몰딩부(104a)는 시안(Cyan)광을 방출하는 제1 형광체(105)를 함유할 수 있다. 장파장을 방출하는 형광체들을 하부에 배치하고, 단파장을 방출하는 형광체들을 상부에 배치하여, 제1 형광체(105)에서 발광된 시안(Cyan)광이 제2 형광체(106)에 다시 흡수되어 손실되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106) 및 형광체 플레이트(118)를 포함한다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 형광체 플레이트(118)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
형광체 플레이트(118)는 발광 다이오드 칩(102)과 이격되어 몰딩부(104) 상부에 배치되고, 제1 및 제2 형광체(105, 106)들을 포함할 수 있다. 상기 형광체 플레이트(118)은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰딩부(104)와 동일한 물질 또는 높은 경도를 가지는 물질로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 형광체(105, 106)들이 발광 다이오드 칩(102)과 이격되어 배치되기 때문에, 제1 및 제2 형광체(105, 106)들 및 형광체 플레이트(118)의 열 또는 광에 의한 손상을 줄일 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 형광체(105, 106)들의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 형광체 플레이트(118)와 발광 다이오드 칩(102) 사이에는 몰딩부(104) 대신에 빈공간이 형성될 수도 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
101: 하우징
102: 발광 다이오드 칩
104: 몰딩부
104a: 제1 몰딩부
104b: 제2 몰딩부
105: 제1 형광체
106: 제2 형광체
107: 제3 형광체
109: 버퍼부
111: 리플렉터
112: 베리어 리플렉터
118: 형광체 플레이트

Claims (15)

  1. 하우징;
    상기 하우징에 배치되는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩 상에 배치되는 몰딩부;
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 시안(Cyan)광을 방출하는 제1 형광체;
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 적색광을 방출하는 제2 형광체; 및
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 청색광을 방출하는 제3형광체를 포함하고,
    상기 발광 다이오드칩의 피크 파장은 415 내지 430nm 파장범위 내에 위치하고,
    상기 제3 형광체가 방출하는 청색광의 피크 파장은 450 내지 480nm 파장 범위 내에 위치하고,
    상기 발광 다이오드칩, 상기 제1 형광체, 상기 제2 형광체, 및 상기 제3 형광체 각각이 방출하는 광의 합성으로 백색광이 형성되고,
    상기 백색광의 광 스펙트럼은 500 내지 600nm 파장 범위 내에서 40% 이상이 분포하며,
    상기 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 내지 제3 형광체들에서 방출되는 광 스펙트럼 분포에서 상기 발광 다이오드 칩의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도는 청색 파장 영역에서 가장 높은 강도를 갖는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 형광체는 500 내지 540nm 파장범위 내의 피크 파장을 갖는 시안 광을 방출하고,
    상기 제2 형광체는 600 내지 650nm 파장범위 내의 피크 파장을 갖는 적색광을 방출하는 발광다이오드 패키지
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 형광체는 LuAG, YAG, 질화물(Nitride) 및 실리케이트(Silicate) 계열의 형광체들 중에 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 형광체는 CASN, CASON 및 SCASN 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 내지 제3 형광체들에서 방출되는 광 스펙트럼 분포에서 상기 제2 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도가 상기 제1 및 제3 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도보다 크고, 상기 제1 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도가 상기 제3 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도보다 큰 발광 다이오드 패키지.
  7. 삭제
  8. 하우징;
    상기 하우징에 배치되는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩 상에 배치되는 몰딩부;
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 시안(Cyan)광을 방출하는 제1 형광체;
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 적색광을 방출하는 제2형광체; 및
    상기 몰딩부 내에 분포되고, 청색광을 방출하는 제3 형광체를 포함하고,
    상기 발광 다이오드칩의 피크 파장은 청색 파장범위 내에 위치하고,
    상기 제3 형광체가 방출하는 청색광의 피크 파장은 450 내지 480nm 파장 범위 내에 위치하며,
    상기 발광다이오드칩, 상기 제1형광체 및 상기 제2 형광체 각각이 방출하는 광의 합성으로 백색광이 형성되고,
    상기 백색광의 광 스펙트럼은 500 내지 600nm 파장 범위 내에서 40% 이상이 분포하며, 상기 광 스펙트럼 분포에서 480nm 파장에서의 스펙트럼 강도보다 600nm파장에서의 스펙트럼 강도가 더 큰 발광다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 형광체는 500 내지 540nm 파장범위 내의 피크 파장을 갖는 시안 광을 방출하고,
    상기 제2 형광체는 600 내지 650nm 파장범위 내의 피크 파장을 갖는 적색광을 방출하는 발광다이오드 패키지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 형광체는 LuAG, YAG, 질화물(Nitride) 및 실리케이트(Silicate) 계열의 형광체들 중에 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2 형광체는 CASN, CASON 및 SCASN 계열 형광체들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 삭제
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 내지 제3 형광체들에서 방출되는 광 스펙트럼 분포에서 상기 제2 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도가 상기 제1 및 제3 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도보다 크고, 상기 제1 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도가 상기 제3 형광체의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도보다 큰 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 8에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 내지 제3 형광체들에서 방출되는 광 스펙트럼 분포에서 상기 발광 다이오드 칩의 피크 파장에 상응하는 파장에서의 강도는 청색 파장 영역에서 가장 높은 강도를 갖는 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 8에 있어서,
    480 내지 600nm 파장 범위에 걸쳐 스펙트럼 강도가 증가하는 발광 다이오드 패키지.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100684043B1 (ko) * 2005-09-02 2007-02-16 김진환 백색 발광다이오드 및 그의 제조 방법
JP2010209311A (ja) * 2008-09-05 2010-09-24 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2011514667A (ja) 2008-02-11 2011-05-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色の、改善された彩度を実現するｌｅｄベースの光源
JP2012104814A (ja) 2010-10-15 2012-05-31 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
KR20050089490A (ko) * 2004-03-05 2005-09-08 주식회사 이츠웰 자색 발광 다이오드 광원을 이용한 백색 발광 다이오드
JP2005285800A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp 発光装置
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
JP5345363B2 (ja) * 2008-06-24 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置
JP2012142410A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100684043B1 (ko) * 2005-09-02 2007-02-16 김진환 백색 발광다이오드 및 그의 제조 방법
JP2011514667A (ja) 2008-02-11 2011-05-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色の、改善された彩度を実現するｌｅｄベースの光源
JP2010209311A (ja) * 2008-09-05 2010-09-24 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2012104814A (ja) 2010-10-15 2012-05-31 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置及び照明器具

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