KR102447053B1 - A method for purifying a liquid, and a method for manufacturing a porous membrane - Google Patents

A method for purifying a liquid, and a method for manufacturing a porous membrane Download PDF

Info

Publication number
KR102447053B1
KR102447053B1 KR1020197004287A KR20197004287A KR102447053B1 KR 102447053 B1 KR102447053 B1 KR 102447053B1 KR 1020197004287 A KR1020197004287 A KR 1020197004287A KR 20197004287 A KR20197004287 A KR 20197004287A KR 102447053 B1 KR102447053 B1 KR 102447053B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
less
porous membrane
spherical
liquid
filter
Prior art date
Application number
KR1020197004287A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190031506A (en
Inventor
츠카사 스가와라
아키히코 나카타
히사미츠 하시모토
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority to KR1020227032524A priority Critical patent/KR102508570B1/en
Publication of KR20190031506A publication Critical patent/KR20190031506A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102447053B1 publication Critical patent/KR102447053B1/en

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D69/12Composite membranes; Ultra-thin membranes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D19/00Degasification of liquids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D19/00Degasification of liquids
    • B01D19/0031Degasification of liquids by filtration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D61/00Processes of separation using semi-permeable membranes, e.g. dialysis, osmosis or ultrafiltration; Apparatus, accessories or auxiliary operations specially adapted therefor
    • B01D61/14Ultrafiltration; Microfiltration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D67/00Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D67/00Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0079Manufacture of membranes comprising organic and inorganic components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D67/00Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
    • B01D67/0079Manufacture of membranes comprising organic and inorganic components
    • B01D67/00793Dispersing a component, e.g. as particles or powder, in another component
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D69/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/02Inorganic material
    • B01D71/024Oxides
    • B01D71/027Silicium oxide
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/06Organic material
    • B01D71/56Polyamides, e.g. polyester-amides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D71/00Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
    • B01D71/06Organic material
    • B01D71/58Other polymers having nitrogen in the main chain, with or without oxygen or carbon only
    • B01D71/62Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain
    • B01D71/64Polyimides; Polyamide-imides; Polyester-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2323/00Details relating to membrane preparation
    • B01D2323/06Specific viscosities of materials involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2323/00Details relating to membrane preparation
    • B01D2323/219Specific solvent system
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2325/00Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/02Details relating to pores or porosity of the membranes
    • B01D2325/0283Pore size
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2325/00Details relating to properties of membranes
    • B01D2325/20Specific permeability or cut-off range

Abstract

점성 액체 중의 기포의 수를 양호하게 저감시킬 수 있는 점성 액체의 정제 방법과, 당해 정제 방법에 있어서 필터로서 바람직하게 사용되는 다공질막의 제조법을 제공하는 것.
수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과, 복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막, 또는, 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 포함하는 필터를 사용하여, 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과한다.
To provide a method for purifying a viscous liquid capable of favorably reducing the number of bubbles in the viscous liquid, and a method for producing a porous membrane preferably used as a filter in the purification method.
A varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) is applied on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B), and particles in the composite film Using a filter comprising a porous membrane obtained by a manufacturing method comprising removing (B), or a porous membrane having communication holes including a structure in which spherical or substantially spherical pores communicated with each other, the viscosity is 0.1 Pa ㆍFiltrate viscous liquids above s.

Description

액체의 정제 방법, 및 다공질막의 제조 방법A method for purifying a liquid, and a method for manufacturing a porous membrane

본 발명은 점성 액체를 정제하는 액체의 정제 방법과, 그 정제 방법에 바람직하게 사용할 수 있는 다공질막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid purification method for purifying a viscous liquid, and a method for producing a porous membrane that can be suitably used in the purification method.

종래부터, 어느 정도의 점성을 갖는 여러 가지 점성 액체가, 여러 가지 용도에서 사용되고 있다. 이러한 점성 액체는, 교반되거나 배관 내를 이동하거나 함으로써 기체와 접촉할 때에, 내부에 기체를 끌어들이기 쉽다.Conventionally, various viscous liquids having a certain degree of viscosity have been used for various applications. When such a viscous liquid comes into contact with gas by stirring or moving inside a pipe, it is easy to draw in gas to the inside.

점성 액체가 기체를 끌어들여 버리면, 점성 액체 중에서는 그 점성에서 기인하여 자연스럽게 탈기되기 어려워, 기포가 안정적으로 존재해 버린다.When the viscous liquid draws in the gas, it is difficult to naturally degas due to the viscosity in the viscous liquid, and bubbles are stably present.

예를 들어, 점성 액체가 포토레지스트 조성물인 경우, 포토레지스트 조성물 중에 포함되는 기포는, 도포 불균일의 원인이 되거나, 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 패턴화된 막에 있어서의 결함이 되거나 한다.For example, when the viscous liquid is a photoresist composition, air bubbles contained in the photoresist composition cause coating unevenness or become defects in a patterned film formed using the photoresist composition.

이와 같은 이유에서, 포토레지스트 조성물 등의 점성 액체 중의 기포를 양호하게 제거하는 방법이 요구되고 있다.For this reason, a method for satisfactorily removing air bubbles in a viscous liquid such as a photoresist composition is desired.

포토레지스트 조성물 등의 점성 액체로부터 기포를 제거하는 방법으로서, 점성 액체를 이물질이나 기포를 제거하기 위한 필터를 통과시킨 후에, 기판에 대해 공급하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1).As a method of removing bubbles from a viscous liquid such as a photoresist composition, a method of supplying the viscous liquid to a substrate after passing the viscous liquid through a filter for removing foreign substances and bubbles has been proposed (Patent Document 1).

일본 공개특허공보 2010-135535호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-135535

그러나, 특허문헌 1 에는 필터에 대해서, 재질, 형상, 개구 직경 등에 대하여 전혀 구체적으로 기재되어 있지 않다. 예를 들어, PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌) 섬유로 이루어지는 부직포와 같은 주지된 필터를 기포의 제거에 적용하는 경우, 액체의 점도나, 필터로의 통액 방법에 의해서는, 오히려 피처리 액체 중의 기포가 증가해 버리는 경우가 있다.However, Patent Document 1 does not specifically describe a filter, such as a material, a shape, an opening diameter, or the like. For example, when a well-known filter such as a nonwoven fabric made of PTFE (polytetrafluoroethylene) fibers is applied to the removal of air bubbles, depending on the viscosity of the liquid and the method of passing the liquid through the filter, rather the air bubbles in the liquid to be treated may increase.

본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 점성 액체 중의 기포의 수를 양호하게 저감시킬 수 있는 점성 액체의 정제 방법과, 당해 정제 방법에 있어서 필터로서 바람직하게 사용되는 다공질막의 제조법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and provides a method for purifying a viscous liquid capable of reducing the number of bubbles in the viscous liquid favorably, and a method for producing a porous membrane preferably used as a filter in the purification method aim to

본 발명자들은, 수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과, 복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막, 또는, 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 포함하는 필터를 사용하여, 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과함으로써, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors apply a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B); Using a filter comprising a porous membrane obtained by a manufacturing method comprising removing the particles (B) in the composite membrane, or a porous membrane having a communicating hole including a structure in which spherical or substantially spherical pores communicate with each other, By filtering the viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more, it was found that the above problems could be solved, and the present invention was completed. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제 1 양태는, 필터에 의해, 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는, 액체의 정제 방법으로서, A first aspect of the present invention is a method for purifying a liquid, comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more by means of a filter,

필터가,filter,

수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과, Applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B);

복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막을 함유하는, 방법이다.It is a method containing the porous membrane obtained by the manufacturing method which includes removing the particle|grains (B) in a composite membrane.

본 발명의 제 2 양태는, 필터에 의해, 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는 액체의 정제 방법으로서, A second aspect of the present invention is a method for purifying a liquid comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more by means of a filter,

필터가,filter,

구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 함유하는 방법이다.It is a method containing a porous membrane having a communicating hole including a structure in which spherical pores or substantially spherical pores communicate with each other.

본 발명의 제 3 양태는,A third aspect of the present invention is

수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과, Applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B);

복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 다공질막의 제조 방법으로서, A method for producing a porous membrane comprising removing particles (B) in the composite membrane, the method comprising:

바니시의 점도가, 2.0 ㎩ㆍs 이상인 방법이다.The viscosity of the varnish is a method of 2.0 Pa·s or more.

본 발명에 의하면, 점성 액체 중의 기포의 수를 양호하게 저감시킬 수 있는 점성 액체의 정제 방법과, 당해 정제 방법에 있어서 필터로서 바람직하게 사용되는 다공질막의 제조법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the purification method of a viscous liquid which can reduce favorably the number of bubbles in a viscous liquid, and the manufacturing method of the porous membrane preferably used as a filter in the said purification method can be provided.

≪제 1 정제 방법≫«First purification method»

본원 명세서에 있어서, 이하에 기재하는 액체의 정제 방법을 「제 1 정제 방법」이라고 기재한다.In the present specification, the liquid purification method described below is referred to as a “first purification method”.

구체적으로는, 필터에 의해, 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는 액체의 정제 방법으로서, Specifically, a method for purifying a liquid comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more with a filter, comprising:

필터가,filter,

수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과, Applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B);

복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막을 함유하는 방법이다.It is a method containing the porous membrane obtained by the manufacturing method including removing the particle|grains (B) in a composite membrane.

또한, 점성 액체의 점도는, E 형 점도계를 사용하여 25 ℃ 에서 측정되는 값이다.In addition, the viscosity of a viscous liquid is a value measured at 25 degreeC using an E-type viscometer.

제 1 정제 방법에서는, 상기 소정의 공정을 거쳐 얻어지는 다공질막을 포함하는 필터를 사용함으로써, 소정의 점도를 갖는 점성 액체를, 당해 점성 액체에 포함되는 기포수를 저감시키면서, 여과, 정제할 수 있다.In the first purification method, by using a filter including a porous membrane obtained through the predetermined step, a viscous liquid having a predetermined viscosity can be filtered and purified while reducing the number of bubbles contained in the viscous liquid.

제 1 정제 방법에서 사용하는 다공질막은, 입자 (B) 의 형상에 상당하는 공공 (空孔) 을 구비한다. 그리고 다공질막 중에서는, 다공질막의 제조 방법에서 기인하여, 다수의 공공이 서로 연통되어 있는 연통 구멍이 형성되어 있다.The porous membrane used by the 1st purification method is equipped with the void|hole corresponding to the shape of particle|grains (B). And in a porous membrane, it originates in the manufacturing method of a porous membrane, and the communication hole by which many cavities communicate with each other is formed.

이러한 연통 구멍을 구비하는 다공질막에서는, 그 다공질막의 표면 (제 1 주면 (主面)) 의 개구와, 그 다공질막의 이면 (제 1 주면과 반대의 주면인 제 2 주면) 의 개구가, 연통 구멍에 의해 연통된다.In a porous membrane having such a communication hole, the opening on the front surface (first main surface) of the porous film and the opening on the back surface (the second main surface opposite to the first main surface) of the porous film are the communication holes. communicated by

이러한 연통 구멍은, 다공질막을 필터로서 사용하는 경우에, 유체를 다공질막의 제 1 주면으로부터 제 2 주면으로 유통시키는 유로로서 기능한다.This communication hole functions as a flow path through which the fluid flows from the first main surface to the second main surface of the porous film when the porous film is used as a filter.

이유는 확실하지는 않지만, 다공질막 중에 특징적인 형상의 연통 구멍을 포함함으로써, 기포가 다공질막을 통과하는 것이 방해됨과 함께, 다공질막을 점성 액체가 통과할 때의 기포의 발생이나, 점성 액체 중에 용존하는 기체의 기포로의 성장이 방해되고, 그 결과, 다공질막을 필터로서 사용하는 점성 액체의 여과에 의해, 점성 액체에 포함되는 기포의 수가 저감되는 것으로 생각된다.Although the reason is not clear, the inclusion of communication holes of a characteristic shape in the porous membrane prevents the passage of bubbles from passing through the porous membrane, the generation of bubbles when the viscous liquid passes through the porous membrane, and gas dissolved in the viscous liquid. It is considered that the number of bubbles contained in the viscous liquid is reduced by filtration of the viscous liquid using the porous membrane as a filter, as a result of which the growth of the viscous liquid is inhibited.

또한, 다공질막은, 당연히 고체상의 미소한 이물질을 제거하는 기능도 구비한다. 이 때문에, 제 1 정제 방법에 의하면, 점성 액체 중의 기포의 수뿐만 아니라, 고체상의 이물질의 수도 저감된다.Moreover, of course, a porous membrane is also equipped with the function which removes a solid fine foreign material. For this reason, according to the 1st purification method, not only the number of bubbles in a viscous liquid but also the number of solid foreign substances is reduced.

필터로서 사용되는 다공질막은, 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the porous membrane used as a filter has a communicating hole containing the structure in which the spherical hole or substantially spherical hole communicated with each other.

요컨대, 본 발명에 있어서의 다공질막에 있어서의 구멍은, 적어도 그 내면의 실질적으로 거의 전부가 곡면인 것이 바람직하다. 본원 명세서에서는, 이와 같은 구멍으로서 실질적으로 진구에 가까운 형상의 공공을 「구상 구멍」이라고 기재하는 경우가 있고, 대체로 진구에 가까운 형상의 공공을 「대략 구상 구멍」이라고 기재하는 경우가 있다.That is, it is preferable that substantially all substantially all of the hole in the porous membrane in this invention have a curved surface at least on the inner surface. In the present specification, as such a hole, a hole having a shape substantially close to a true sphere may be described as a "spherical hole", and a hole having a shape substantially close to a true sphere may be described as a "substantially spherical hole".

본 명세서에 있어서, 대략 구상이다라고 하는 것은, 구형의 입자 또는 공공의 장경을 단경으로 나눈 값으로 나타내는 진구도에 의해 정의된다.In the present specification, the term "approximately spherical" is defined by the sphericity degree represented by the value obtained by dividing the major axis of spherical particles or pores by the minor axis.

진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 형상을 대략 구상으로 한다. 제 1 정제 방법에서 사용되는 다공질막에 포함되는 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍의 진구도는, 0.90 이상 1.10 이하가 바람직하고, 0.95 이상 1.05 이하가 보다 바람직하다.The sphericity is within 1 ± 0.3, and the shape that is not a true sphere is roughly spherical. 0.90 or more and 1.10 or less are preferable and, as for the sphericity of the spherical hole or substantially spherical hole contained in the porous membrane used by the 1st purification method, 0.95 or more and 1.05 or less are more preferable.

단시간에 여과를 실시하기 쉬운 점에서, 다공질막의 걸리 투기도는, 예를 들어 1000 초 이내가 바람직하고, 100 초 이내가 보다 바람직하고, 50 초 이내가 더욱 바람직하고, 20 초 이내가 가장 바람직하다. 낮을수록 바람직하기 때문에 하한은 특별히 설정되지 않지만, 다공질막을 통과하는 점성 액체의 유속을 어느 정도 높게 유지하면서 기포수를 저감시키기 쉬운 점에서, 예를 들어, 1 초 이상이 바람직하다.From the viewpoint of easy filtration in a short time, the Gurley air permeability of the porous membrane is, for example, preferably within 1000 seconds, more preferably within 100 seconds, still more preferably within 50 seconds, and most preferably within 20 seconds. . Although the lower limit is not particularly set because it is preferable to be lower, the number of bubbles is easily reduced while maintaining the flow rate of the viscous liquid passing through the porous membrane to a certain extent, for example, 1 second or longer is preferred.

<다공질막의 제조 방법><The manufacturing method of a porous membrane>

제 1 정제 방법에 있어서 필터로서 사용되는 다공질막은, The porous membrane used as a filter in the first purification method,

수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과,Applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and particles (B);

복합막 중의 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막을 함유하는 방법에 의해 제조된다.It is manufactured by the method containing the porous membrane obtained by the manufacturing method including removing the particle|grains (B) in a composite membrane.

이하, 복합막을 형성하는 공정에 대하여 「복합막 형성 공정」이라고도 기재하고, 복합막으로부터 입자 (B) 를 제거하는 공정에 대하여 「제거 공정」이라고도 기재한다.Hereinafter, the process of forming a composite film is also described as a "composite film forming process", and the process of removing the particles (B) from the composite film is also described as a "removal process".

〔복합막 형성 공정〕[Composite film formation process]

복합막 형성 공정에서는, 수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 당해 도포막으로부터 용매 (S) 를 제거하여 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성한다.In the composite film formation step, a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) is applied on a substrate to form a coating film, and then the solvent (S) is removed from the coating film A composite film composed of the resin component (A) and the particles (B) is formed.

이하, 바니시에 포함되는 성분과, 바니시의 제조 방법과, 도포 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, the component contained in a varnish, the manufacturing method of a varnish, and an application|coating method are demonstrated.

[수지 성분 (A)][Resin Component (A)]

수지 성분 (A) 는, 필터로서 사용하기에 충분한 기계적 강도나 내약품성을 갖는 수지이면 특별히 한정되지 않는다.The resin component (A) is not particularly limited as long as it is a resin having sufficient mechanical strength and chemical resistance to be used as a filter.

수지 성분 (A) 로서 바람직하게 사용되는 수지로는, 폴리불화비닐리덴, 폴리에테르술폰, 폴리아미드산, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 전구체, 및 폴리아미드이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지를 포함한다.As the resin preferably used as the resin component (A), at least one resin selected from the group consisting of polyvinylidene fluoride, polyethersulfone, polyamic acid, polyimide, polyamideimide precursor, and polyamideimide. includes

또한, 수지 성분 (A) 가 폴리아미드산, 또는 폴리아미드이미드 전구체를 포함하는 경우, 복합막에 대해, 또는 입자 (B) 를 제거한 후의 다공질막에 대해 이미드화의 처리를 실시하여, 폴리아미드산, 또는 폴리아미드이미드 전구체를, 각각 폴리이미드, 또는 폴리아미드이미드로 변환하는 것이 바람직하다.In addition, when the resin component (A) contains polyamic acid or a polyamideimide precursor, imidization is performed on the composite film or on the porous film after removing the particles (B), and polyamic acid , or the polyamideimide precursor is preferably converted into polyimide or polyamideimide, respectively.

이하, 이들 수지에 대해서 설명한다.Hereinafter, these resins are demonstrated.

(폴리불화비닐리덴)(polyvinylidene fluoride)

폴리불화비닐리덴으로는, 바니시 형성에 사용되는 용제에 가용이면 특별히 한정되지 않는다. 폴리불화비닐리덴으로는, 호모폴리머여도 되고, 코폴리머 (공중합체) 여도 된다. 공중합하는 구성 단위로는, 에틸렌, 삼불화염화에틸렌, 사불화에틸렌 또는 육불화프로필렌 등을 들 수 있고, 질량 평균 분자량은, 예를 들어 1 만 이상 500 만 이하 정도이다.As polyvinylidene fluoride, if it is soluble in the solvent used for varnish formation, it will not specifically limit. As polyvinylidene fluoride, a homopolymer may be sufficient and a copolymer (copolymer) may be sufficient as it. As a structural unit to copolymerize, ethylene, trifluoroethylene chloride, tetrafluoroethylene, or hexafluoropropylene etc. are mentioned, The mass average molecular weight is about 10,000 or more and 5 million or less, for example.

(폴리에테르술폰)(polyethersulfone)

폴리에테르술폰으로는, 바니시 형성에 사용되는 용제에 가용이면 특별히 한정되지 않는다. 폴리에테르술폰으로는, 제조하는 다공질막의 용도에 따라 적절히 선택할 수 있고, 친수성이어도 되고 소수성이어도 된다. 또 지방족 폴리에테르술폰이어도 되고 방향족 폴리에테르술폰이어도 된다. 질량 평균 분자량은, 예를 들어, 5,000 이상 1,000,000 이하이고, 바람직하게는 10,000 이상 300,000 이하이다.It will not specifically limit, if it is soluble in the solvent used for varnish formation as polyether sulfone. The polyether sulfone may be appropriately selected according to the use of the porous membrane to be manufactured, and may be hydrophilic or hydrophobic. Moreover, an aliphatic polyether sulfone may be sufficient and an aromatic polyether sulfone may be sufficient. The mass average molecular weights are, for example, 5,000 or more and 1,000,000 or less, and preferably 10,000 or more and 300,000 or less.

(폴리아미드산)(polyamic acid)

폴리아미드산으로는, 임의의 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민을 중합하여 얻어지는 생성물을, 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있다. 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 테트라카르복실산 2 무수물 1 몰에 대해, 디아민을 0.50 몰 이상 1.50 몰 이하 사용하는 것이 바람직하고, 0.60 몰 이상 1.30 몰 이하 사용하는 것이 보다 바람직하고, 0.70 몰 이상 1.20 몰 이하 사용하는 것이 특히 바람직하다.As a polyamic acid, the product obtained by superposing|polymerizing arbitrary tetracarboxylic dianhydride and diamine can be used, without being specifically limited. Although the usage-amount of tetracarboxylic dianhydride and diamine is not specifically limited, It is preferable to use 0.50 mol or more and 1.50 mol or less of diamine with respect to 1 mol of tetracarboxylic dianhydride, Using 0.60 mol or more and 1.30 mol or less It is more preferable, and it is especially preferable to use 0.70 mol or more and 1.20 mol or less.

테트라카르복실산 2 무수물은, 종래부터 폴리아미드산의 합성 원료로서 사용되고 있는 테트라카르복실산 2 무수물로부터 적절히 선택할 수 있다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 되고, 지방족 테트라카르복실산 2 무수물이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 테트라카르복실산 2 무수물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Tetracarboxylic dianhydride can be suitably selected from the tetracarboxylic dianhydride conventionally used as a synthetic|combination raw material of a polyamic acid. Although aromatic tetracarboxylic dianhydride may be sufficient as tetracarboxylic dianhydride, or aliphatic tetracarboxylic dianhydride may be sufficient as it, It is preferable to use aromatic tetracarboxylic dianhydride from the heat resistant point of the polyimide resin obtained. do. Tetracarboxylic dianhydride may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

방향족 테트라카르복실산 2 무수물의 바람직한 구체예로는, 피로멜리트산 2 무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2,6,6-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2 무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2 무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 4,4-(p-페닐렌디옥시)디프탈산 2 무수물, 4,4-(m-페닐렌디옥시)디프탈산 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2 무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2 무수물, 9,9-비스무수프탈산플루오렌, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다. 지방족 테트라카르복실산 2 무수물로는, 예를 들어, 에틸렌테트라카르복실산 2 무수물, 부탄테트라카르복실산 2 무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 2 무수물, 시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복실산 2 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 및 피로멜리트산 2 무수물이 바람직하다. 또, 이들 테트라카르복실산 2 무수물은 1 종류를 단독으로 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.Preferred specific examples of aromatic tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, and bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane 2 Anhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxyl Acid dianhydride, 2,2,6,6-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-di Carboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis(2,3 -dicarboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis(3,4- Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4-(p-phenylenedi) Oxy)diphthalic dianhydride, 4,4-(m-phenylenedioxy)diphthalic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxyl Acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrene tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis-phthalic anhydride fluorene, 3,3 ',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride etc. are mentioned. As aliphatic tetracarboxylic dianhydride, For example, ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane tetracarboxylic dianhydride, 1, 2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, etc. are mentioned. In these, 3,3',4,4'- biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride are preferable from a price, availability, etc. Moreover, these tetracarboxylic dianhydride can also be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

디아민은, 종래부터 폴리아미드산의 합성 원료로서 사용되고 있는 디아민으로부터 적절히 선택할 수 있다. 디아민은, 방향족 디아민이어도 되고, 지방족 디아민이어도 되지만, 얻어지는 폴리이미드 수지의 내열성의 점에서, 방향족 디아민이 바람직하다. 이들 디아민은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The diamine can be appropriately selected from diamines conventionally used as a raw material for synthesis of polyamic acid. Although aromatic diamine or aliphatic diamine may be sufficient as diamine, the point of the heat resistance of the polyimide resin obtained to aromatic diamine is preferable. These diamines may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

방향족 디아민으로는, 페닐기가 1 개 혹은 2 개 이상 10 개 이하 정도가 결합된 디아미노 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 페닐렌디아민 및 그 유도체, 디아미노비페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노디페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노트리페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노나프탈렌 및 그 유도체, 아미노페닐아미노인단 및 그 유도체, 디아미노테트라페닐 화합물 및 그 유도체, 디아미노헥사페닐 화합물 및 그 유도체, 카르도형 플루오렌디아민 유도체이다.Examples of the aromatic diamine include diamino compounds in which 1 or 2 or more and 10 or less phenyl groups are bonded. Specifically, phenylenediamine and its derivatives, diaminobiphenyl compound and its derivative, diaminodiphenyl compound and its derivative, diaminotriphenyl compound and its derivative, diaminonaphthalene and its derivative, aminophenylaminoindane and derivatives thereof, diaminotetraphenyl compounds and derivatives thereof, diaminohexaphenyl compounds and derivatives thereof, and cardo-type fluorenediamine derivatives.

페닐렌디아민은 m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민 등이고, 페닐렌디아민 유도체로는, 메틸기, 에틸기 등의 알킬기가 결합된 디아민, 예를 들어, 2,4-디아미노톨루엔, 2,4-트리페닐렌디아민 등이다.The phenylenediamine is m-phenylenediamine and p-phenylenediamine, and the phenylenediamine derivative includes a diamine to which an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group is bonded, for example, 2,4-diaminotoluene, 2,4 -triphenylenediamine, etc.

디아미노비페닐 화합물에서는, 2 개의 아미노페닐기끼리가 결합되어 있다. 예를 들어, 4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐 등이다.In the diaminobiphenyl compound, two aminophenyl groups are couple|bonded with each other. For example, 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl, etc. are mentioned.

디아미노디페닐 화합물은, 2 개의 아미노페닐기가 다른 기를 개재하여 페닐기끼리로 결합된 화합물이다. 결합은 에테르 결합, 술포닐 결합, 티오에테르 결합, 알킬렌 또는 그 유도체기에 의한 결합, 이미노 결합, 아조 결합, 포스핀옥사이드 결합, 아미드 결합, 우레일렌 결합 등이다. 알킬렌 결합의 탄소 원자수는 1 이상 6 이하 정도이다. 알킬렌기의 유도체기는, 1 이상의 할로겐 원자 등으로 치환된 알킬렌기이다.The diaminodiphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups are bonded to phenyl groups via other groups. The bond is an ether bond, a sulfonyl bond, a thioether bond, an alkylene or derivative group bond, an imino bond, an azo bond, a phosphine oxide bond, an amide bond, a ureylene bond, and the like. The number of carbon atoms in the alkylene bond is about 1 or more and 6 or less. The derivative group of the alkylene group is an alkylene group substituted with one or more halogen atoms or the like.

디아미노디페닐 화합물의 예로는, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐케톤, 3,4'-디아미노디페닐케톤, 2,2-비스(p-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(p-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-1-펜텐, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)-2-펜텐, 이미노디아닐린, 4-메틸-2,4-비스(p-아미노페닐)펜탄, 비스(p-아미노페닐)포스핀옥사이드, 4,4'-디아미노아조벤젠, 4,4'-디아미노디페닐우레아, 4,4'-디아미노디페닐아미드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.Examples of the diaminodiphenyl compound include 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodi Phenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4 '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylketone, 3,4'-diaminodiphenylketone, 2,2-bis(p- Aminophenyl)propane, 2,2'-bis(p-aminophenyl)hexafluoropropane, 4-methyl-2,4-bis(p-aminophenyl)-1-pentene, 4-methyl-2,4- Bis(p-aminophenyl)-2-pentene, iminodianiline, 4-methyl-2,4-bis(p-aminophenyl)pentane, bis(p-aminophenyl)phosphine oxide, 4,4'-dia Minoazobenzene, 4,4'-diaminodiphenylurea, 4,4'-diaminodiphenylamide, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy) ) Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [ 4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexa Fluoropropane etc. are mentioned.

이들 중에서는, 가격, 입수 용이성 등으로부터, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디아미톨루엔, 및 4,4'-디아미노디페닐에테르가 바람직하다.Among these, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diamittoluene, and 4,4'-diaminodiphenyl ether are preferable from the viewpoint of price and availability.

디아미노트리페닐 화합물은, 2 개의 아미노페닐기와 1 개의 페닐렌기가 모두 다른 기를 개재하여 결합된 화합물이다. 다른 기는, 디아미노디페닐 화합물과 동일한 기가 선택된다. 디아미노트리페닐 화합물의 예로는, 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(p-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(p-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있다.The diaminotriphenyl compound is a compound in which two aminophenyl groups and one phenylene group are both bonded via another group. As for the other group, the same group as the diaminodiphenyl compound is selected. Examples of the diaminotriphenyl compound include 1,3-bis(m-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(p-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(p-aminophenoxy)benzene and the like.

디아미노나프탈렌의 예로는, 1,5-디아미노나프탈렌 및 2,6-디아미노나프탈렌을 들 수 있다.Examples of diaminonaphthalene include 1,5-diaminonaphthalene and 2,6-diaminonaphthalene.

아미노페닐아미노인단의 예로는, 5 또는 6-아미노-1-(p-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단을 들 수 있다.Examples of aminophenylaminoindane include 5 or 6-amino-1-(p-aminophenyl)-1,3,3-trimethylindane.

디아미노테트라페닐 화합물의 예로는, 4,4'-비스(p-아미노페녹시)비페닐, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(p'-아미노페녹시)비페닐]프로판, 2,2'-비스[p-(m-아미노페녹시)페닐]벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the diaminotetraphenyl compound include 4,4'-bis(p-aminophenoxy)biphenyl, 2,2'-bis[p-(p'-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2' -bis[p-(p'-aminophenoxy)biphenyl]propane, 2,2'-bis[p-(m-aminophenoxy)phenyl]benzophenone, etc. are mentioned.

카르도형 플루오렌디아민 유도체는, 9,9-비스아닐린플루오렌 등을 들 수 있다.Examples of the cardo-type fluorenediamine derivative include 9,9-bisanilinefluorene.

지방족 디아민의 탄소 원자수는, 예를 들어, 2 이상 15 이하 정도가 좋다. 지방족 디아민의 구체예로는, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the aliphatic diamine is, for example, about 2 or more and 15 or less. Specific examples of the aliphatic diamine include pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, and heptamethylenediamine.

또한, 이들 디아민의 수소 원자가 할로겐 원자, 메틸기, 메톡시기, 시아노기, 페닐기 등의 군에서 선택되는 적어도 1 종의 치환기에 의해 치환된 화합물이어도 된다.Moreover, the compound by which the hydrogen atom of these diamine was substituted by the at least 1 sort(s) of substituent chosen from the group, such as a halogen atom, a methyl group, a methoxy group, a cyano group, and a phenyl group may be sufficient.

폴리아미드산을 제조하는 수단에 특별히 제한은 없어, 예를 들어, 용제 중에서 산, 디아민 성분을 반응시키는 방법 등의 공지된 수법을 사용할 수 있다.There is no restriction|limiting in particular in the means for manufacturing a polyamic acid, For example, well-known methods, such as the method of making an acid and a diamine component react in a solvent, can be used.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응은, 통상적으로, 용제 중에서 실시된다. 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용되는 용제는, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민을 용해시킬 수 있고, 테트라카르복실산 2 무수물 및 디아민과 반응하지 않는 용제이면 특별히 한정되지 않는다. 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is normally performed in a solvent. The solvent used for reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine can melt|dissolve tetracarboxylic dianhydride and diamine, and if it is a solvent which does not react with tetracarboxylic dianhydride and diamine, it will not specifically limit. A solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용하는 용제의 예로는, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤 등의 락톤계 극성 용제 ; 디메틸술폭시드 ; 아세토니트릴 ; 락트산에틸, 락트산부틸 등의 지방산 에스테르류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에테르류 ; 크레졸류, 자일렌계 혼합 용매 등의 페놀계 용제를 들 수 있다.Examples of the solvent used for the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, and N,N-dimethyl nitrogen-containing polar solvents such as formamide, N,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, N,N,N',N'-tetramethylurea; lactone-based polar solvents such as β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and ε-caprolactone; dimethyl sulfoxide; acetonitrile; fatty acid esters such as ethyl lactate and butyl lactate; ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, methyl cellosolve acetate, and ethyl cellosolve acetate; Phenolic solvents, such as cresols and a xylene-type mixed solvent, are mentioned.

이들 용제는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 용제의 사용량에 특별히 제한은 없지만, 생성되는 폴리아미드산의 함유량을 5 질량% 이상 50 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.These solvents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Although there is no restriction|limiting in particular in the usage-amount of a solvent, It is preferable to make content of the polyamic acid produced|generated into 5 mass % or more and 50 mass % or less.

이들 용제 중에서는, 생성되는 폴리아미드산의 용해성으로부터, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아 등의 함질소 극성 용제가 바람직하다.Among these solvents, from the solubility of the produced polyamic acid, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N A nitrogen-containing polar solvent such as ,N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, or N,N,N',N'-tetramethylurea is preferable.

중합 온도는 일반적으로는 -10 ℃ 이상 120 ℃ 이하, 바람직하게는 5 ℃ 이상 30 ℃ 이하이다. 중합 시간은 사용하는 원료 조성에 따라 상이하다. 중합 시간은, 통상은 3 Hr (시간) 이상 24 Hr 이하이다.The polymerization temperature is generally -10°C or more and 120°C or less, and preferably 5°C or more and 30°C or less. The polymerization time differs depending on the raw material composition used. The polymerization time is usually 3 Hr (hours) or more and 24 Hr or less.

폴리아미드산은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.A polyamic acid may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

[폴리이미드 수지][Polyimide resin]

폴리이미드 수지는, 그 구조나 분자량이 한정되는 경우는 없으며, 공지된 폴리이미드 수지를 사용할 수 있다. 폴리이미드에 대하여, 측사슬에 카르복시기 등의 축합 가능한 관능기 또는 소성시에 가교 반응 등을 촉진시키는 관능기를 가지고 있어도 된다. 또, 바니시가 용제를 함유하는 경우, 사용하는 용제에 용해 가능한 가용성 폴리이미드 수지가 바람직하다.As for polyimide resin, the structure or molecular weight is not limited, A well-known polyimide resin can be used. With respect to a polyimide, you may have a functional group which accelerates|stimulates a crosslinking reaction etc. at the time of a functional group condensable, such as a carboxy group, or baking in a side chain. Moreover, when a varnish contains a solvent, the soluble polyimide resin which can melt|dissolve in the solvent to be used is preferable.

용제에 가용인 폴리이미드 수지로 하기 위해, 주사슬에 유연한 굴곡 구조를 도입하기 위한 모노머의 사용, 예를 들어, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 1,4-디아미노시클로헥산, 1,3-디아미노시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄 등의 지방족 디아민 ; 2-메틸-1,4-페닐렌디아민, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3'-디메톡시벤지딘, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드 등의 방향족 디아민 ; 폴리옥시에틸렌디아민, 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시부틸렌디아민 등의 폴리옥시알킬렌디아민 ; 폴리실록산디아민 ; 2,3,3',4'-옥시디프탈산 무수물, 3,4,3',4'-옥시디프탈산 무수물, 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판디벤조에이토-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2 무수물 등의 사용이 유효하다. 또, 용제에 대한 용해성을 향상시키는 관능기를 갖는 모노머의 사용, 예를 들어, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 2-트리플루오로메틸-1,4-페닐렌디아민 등의 불소화 디아민을 사용하는 것도 유효하다. 또한, 상기 폴리이미드 수지의 용해성을 향상시키기 위한 모노머에 더하여, 용해성을 저해하지 않는 범위에서, 상기 폴리아미드산의 란에 기재한 모노머와 동일한 모노머를 병용할 수도 있다.In order to make a polyimide resin soluble in a solvent, use of a monomer for introducing a flexible bending structure into the main chain, for example, ethylenediamine, hexamethylenediamine, 1,4-diaminocyclohexane, 1,3-dia aliphatic diamines such as minocyclohexane and 4,4'-diaminodicyclohexylmethane; aromatic diamines such as 2-methyl-1,4-phenylenediamine, o-tolidine, m-tolidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, and 4,4'-diaminobenzanilide; polyoxyalkylenediamines such as polyoxyethylenediamine, polyoxypropylenediamine, and polyoxybutylenediamine; polysiloxane diamine; 2,3,3',4'-oxydiphthalic anhydride, 3,4,3',4'-oxydiphthalic anhydride, 2,2-bis(4-hydroxyphenyl)propanedibenzoate-3, Use of 3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride etc. is effective. In addition, use of a monomer having a functional group that improves solubility in a solvent, for example, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 2-trifluoromethyl- It is also effective to use a fluorinated diamine such as 1,4-phenylenediamine. Moreover, in addition to the monomer for improving the solubility of the said polyimide resin, you may use together the monomer same as the monomer described in the column of the said polyamic acid in the range which does not impair solubility.

폴리이미드 수지 및 그 모노머의 각각은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Each of polyimide resin and its monomer may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

폴리이미드 수지를 제조하는 수단에 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 폴리아미드산을 화학 이미드화 또는 가열 이미드화시키는 방법 등의 공지된 수법을 사용할 수 있다. 그와 같은 폴리이미드 수지로는, 지방족 폴리이미드 수지 (전지방족 폴리이미드 수지), 방향족 폴리이미드 수지 등을 들 수 있으며, 방향족 폴리이미드 수지가 바람직하다. 방향족 폴리이미드 수지로는, 식 (1) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리아미드산을 열 또는 화학적 수단으로 폐환 반응시킴으로써 취득한 폴리이미드 수지, 혹은 식 (2) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 식 중, Ar 은 아릴기를 나타낸다. 바니시가 용제를 함유하는 경우, 이들 폴리이미드 수지는, 이어서, 사용하는 용제에 용해시키면 된다.There is no restriction|limiting in particular in the means for manufacturing a polyimide resin. For example, a known method such as a method of chemical imidization or heat imidization of polyamic acid can be used. As such a polyimide resin, an aliphatic polyimide resin (all aliphatic polyimide resin), an aromatic polyimide resin, etc. are mentioned, An aromatic polyimide resin is preferable. As the aromatic polyimide resin, a polyimide resin obtained by subjecting a polyamic acid having a repeating unit represented by formula (1) to a ring closure reaction by heat or chemical means, or a polyimide resin having a repeating unit represented by formula (2), etc. can be heard In the formula, Ar represents an aryl group. When a varnish contains a solvent, what is necessary is just to melt|dissolve these polyimide resin in the solvent used next.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019015195016-pct00001
Figure 112019015195016-pct00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019015195016-pct00002
Figure 112019015195016-pct00002

(폴리아미드이미드 수지 및 폴리아미드이미드 전구체)(Polyamideimide resin and polyamideimide precursor)

폴리아미드이미드 수지는, 그 구조나 분자량에 한정되지 않고, 공지된 폴리아미드이미드 수지를 사용할 수 있다. 폴리아미드이미드 수지에 대하여, 측사슬에 카르복시기 등의 축합 가능한 관능기 또는 소성시에 가교 반응 등을 촉진시키는 관능기를 가지고 있어도 된다. 또, 바니시가 용제를 함유하는 경우, 사용하는 용제에 용해 가능한 가용성 폴리아미드이미드 수지가 바람직하다.The polyamide-imide resin is not limited to the structure or molecular weight, and a known polyamide-imide resin can be used. With respect to polyamideimide resin, you may have in a side chain a functional group which can be condensed, such as a carboxy group, or a functional group which accelerates|stimulates a crosslinking reaction etc. at the time of baking. Moreover, when a varnish contains a solvent, the soluble polyamideimide resin which can melt|dissolve in the solvent to be used is preferable.

폴리아미드이미드 수지는, 통상적으로, (ⅰ) 무수 트리멜리트산 등의 1 분자 중에 카르복시기와 산무수물기를 갖는 산과 디이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 수지, (ⅱ) 무수 트리멜리트산클로라이드 등의 상기 산의 반응성 유도체와 디아민의 반응에 의해 얻어지는 전구체 폴리머 (폴리아미드이미드 수지 전구체) 를 이미드화하여 얻어지는 수지 등을 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있다.The polyamideimide resin is usually (i) a resin obtained by reacting a diisocyanate with an acid having a carboxyl group and an acid anhydride group in one molecule, such as trimellitic anhydride, and (ii) the reactivity of the acid such as trimellitic anhydride chloride Resin obtained by imidating the precursor polymer (polyamideimide resin precursor) obtained by reaction of a derivative and diamine, etc. can be used without limitation in particular.

상기 산 또는 그 반응성 유도체로는, 예를 들어, 무수 트리멜리트산, 무수 트리멜리트산클로라이드 등의 무수 트리멜리트산할로겐화물, 무수 트리멜리트산에스테르 등을 들 수 있다.As said acid or its reactive derivative, trimellitic anhydride halides, such as trimellitic anhydride and trimellitic anhydride chloride, trimellitic anhydride ester, etc. are mentioned, for example.

상기 임의의 디아민으로는, 전술한 폴리아미드산의 설명에서 예시한 디아민을 들 수 있다. 또, 디아미노피리딘계 화합물도 사용할 수 있다.As said arbitrary diamine, the diamine illustrated by description of the above-mentioned polyamic acid is mentioned. Moreover, a diaminopyridine type compound can also be used.

상기 임의의 디이소시아네이트로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 임의의 디아민에 대응하는 디이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 메타페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, o-톨리딘디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-옥시비스(페닐이소시아네이트), 4,4'-디이소시아네이트디페닐메탄, 비스[4-(4-이소시아네이트페녹시)페닐]술폰, 2,2'-비스[4-(4-이소시아네이트페녹시)페닐]프로판, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 3,3'-디메틸디페닐-4,4'-디이소시아네이트, 3,3'-디에틸디페닐-4,4'-디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, m-자일렌디이소시아네이트, p-자일렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as said arbitrary diisocyanate, For example, the diisocyanate compound corresponding to the said arbitrary diamine, etc. are mentioned, Specifically, metaphenylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, o- Tolidine diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, m-phenylenediisocyanate, 4,4'-oxybis(phenylisocyanate), 4,4'-diisocyanatediphenylmethane, bis[4-(4-isocyanatephenoxy) Phenyl]sulfone, 2,2'-bis[4-(4-isocyanatephenoxy)phenyl]propane, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate , 3,3'-dimethyldiphenyl-4,4'-diisocyanate, 3,3'-diethyldiphenyl-4,4'-diisocyanate, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 4,4' -dicyclohexylmethane diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p-xylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate, etc. are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 원료 모노머로는, 상기 이외에도, 일본 공개특허공보 소63-283705호, 일본 공개특허공보 평2-198619호에 일반식으로서 기재되어 있는 화합물을 사용할 수도 있다. 또, 상기 (ⅱ) 의 방법에 있어서의 이미드화는 열 이미드화 및 화학 이미드화 중 어느 것이어도 된다. 화학 이미드화로는, 폴리아미드이미드 전구체 등을 포함하는 바니시를 사용하여 형성한 미소성 복합막을, 무수 아세트산, 혹은 무수 아세트산과 이소퀴놀린의 혼합 용매에 침지시키는 등의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 폴리아미드이미드 전구체는, 이미드화 전의 전구체라는 관점에서는, 폴리이미드 전구체라고도 할 수 있다.As a raw material monomer for polyamideimide resin, in addition to the above, the compound described as a general formula in Unexamined-Japanese-Patent No. 63-283705 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2-198619 can also be used. Moreover, any of thermal imidation and chemical imidation may be sufficient as the imidation in the method of said (ii). For chemical imidization, a method such as immersing an unbaked composite film formed using a varnish containing a polyamideimide precursor or the like in acetic anhydride or a mixed solvent of acetic anhydride and isoquinoline can be used. In addition, a polyamideimide precursor can also be called a polyimide precursor from a viewpoint of being a precursor before imidation.

바니시에 함유시키는 폴리아미드이미드 수지로는, 상기 서술한 (1) 무수 트리멜리트산 등의 산과 디이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 폴리머, (2) 무수 트리멜리트산클로라이드 등의 상기 산의 반응성 유도체와 디아민의 반응에 의해 얻어지는 전구체 폴리머를 이미드화하여 얻어지는 폴리머 등이어도 된다. 본 명세서 및 본 특허청구범위에 있어서, 「폴리아미드이미드 전구체」는, 이미드화 전의 폴리머 (전구체 폴리머) 를 의미한다.Examples of the polyamideimide resin to be contained in the varnish include (1) a polymer obtained by reacting an acid such as trimellitic anhydride with diisocyanate as described above, and (2) a reactive derivative of the acid such as trimellitic anhydride chloride and diamine. The polymer obtained by imidating the precursor polymer obtained by reaction, etc. may be sufficient. In this specification and this claim, "polyamideimide precursor" means the polymer (precursor polymer) before imidation.

폴리아미드이미드 수지 및 폴리아미드이미드 전구체의 각각은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또, 폴리아미드이미드 수지에 대하여, 상기 폴리머, 원료 모노머, 및 올리고머의 각각은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Each of polyamideimide resin and polyamideimide precursor may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Moreover, with respect to polyamideimide resin, each of the said polymer, a raw material monomer, and an oligomer may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

[입자 (B)][Particle (B)]

입자 (B) 의 재질은, 바니시에 포함되는 용제에 불용이고, 이후에 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막으로부터 제거 가능하면, 특별히 한정되지 않고 공지된 재질을 채용할 수 있다. 예를 들어, 무기 재료로는, 실리카 (이산화규소), 산화티탄, 알루미나 (Al2O3) 등의 금속 산화물, 유기 재료로는, 고분자량 올레핀 (폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등), 폴리스티렌, 아크릴계 수지 (메타크릴산메틸, 메타크릴산이소부틸, 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA) 등), 에폭시 수지, 셀룰로오스, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리에스테르, 폴리에테르 등의 유기 고분자 미립자를 들 수 있다.The material of the particle (B) is not particularly limited, as long as it is insoluble in the solvent contained in the varnish and can be subsequently removed from the composite film composed of the resin component (A) and the particle (B), and a known material can be employed. . For example, as an inorganic material, metal oxides, such as silica (silicon dioxide), titanium oxide, alumina (Al2O3), As an organic material, high molecular weight olefin (polypropylene, polyethylene, etc.), polystyrene, an acrylic resin organic polymer fine particles such as (methyl methacrylate, isobutyl methacrylate, polymethyl methacrylate (PMMA), etc.), epoxy resin, cellulose, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyester, and polyether. have.

입자 (B) 의 재질 중, 무기 재료로는 콜로이달 실리카 등의 실리카가 바람직하고, 유기 재료로는 아크릴계 수지, 특히 PMMA 가 바람직하다. 이와 같은 재질로 이루어지는 구상 입자를 입자 (B) 로서 사용하는 것이, 다공질막 내에, 내면에 곡면을 갖는 미소한 구멍을 형성하기 쉬워 바람직하다.Among the materials of the particles (B), silica such as colloidal silica is preferable as an inorganic material, and an acrylic resin, particularly PMMA, is preferable as an organic material. It is preferable to use the spherical particle|grains which consist of such a material as particle|grains (B) because it is easy to form minute holes which have a curved surface in a porous membrane in an inner surface.

또, 입자 (B) 의 재질로서 사용되는 수지는, 예를 들어, 통상의 선상 폴리머나 공지된 해중합성 폴리머로부터, 목적에 따라 적절히 선택되어도 된다.Moreover, resin used as a material of particle|grains (B) may be suitably selected according to the objective from a normal linear polymer and a well-known depolymerizable polymer, for example.

통상의 선상 폴리머는, 열 분해시에 폴리머의 분자 사슬이 랜덤하게 절단되는 폴리머이고, 해중합성 폴리머는, 열 분해시에 폴리머가 단량체로 분해되는 폴리머이다.A typical linear polymer is a polymer in which molecular chains of the polymer are randomly cut during thermal decomposition, and a depolymerizable polymer is a polymer in which the polymer is decomposed into monomers during thermal decomposition.

모두 가열시에, 단량체, 저분자량체, 혹은 CO2 까지 분해함으로써, 복합막으로부터 제거 가능하다.All of them can be removed from the composite film by decomposing them into monomers, low molecular weight substances, or even CO 2 during heating.

입자 (B) 의 재질로서 사용되는 수지의 분해 온도는, 200 ℃ 이상 320 ℃ 이하가 바람직하고, 230 ℃ 이상 260 ℃ 이하가 보다 바람직하다.200 degreeC or more and 320 degrees C or less are preferable, and, as for the decomposition temperature of resin used as a material of particle|grains (B), 230 degreeC or more and 260 degrees C or less are more preferable.

분해 온도가 200 ℃ 이상이면, 바니시에 고비점 용제를 사용한 경우도 제막을 실시할 수 있어, 소성에 의해 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지를 생성시킬 때의 소성 조건의 선택의 폭이 넓다.When the decomposition temperature is 200° C. or higher, film formation can be performed even when a high boiling point solvent is used for the varnish, and the selection of firing conditions for producing a polyimide resin or polyamideimide resin by firing is wide.

또, 분해 온도가 320 ℃ 이하이면, 복합막 중의 수지 성분 (A) 의 열에 의한 데미지를 억제하면서, 복합막으로부터 입자 (B) 를 소실시킬 수 있다.Moreover, if the decomposition temperature is 320 degrees C or less, the particle|grains (B) can be lose|disappeared from a composite film, suppressing the damage by the heat|fever of the resin component (A) in a composite film.

해중합성 폴리머 중, 열 분해 온도가 낮고, 구멍 형성시의 취급이 용이한 점에서, 메타크릴산메틸 혹은 메타크릴산이소부틸의 단독 중합체 (폴리메틸메타크릴레이트 혹은 폴리이소부틸메타크릴레이트), 또는 메타크릴산메틸 혹은 메타크릴산이소부틸에서 유래하는 단위로 주로 이루어지는 공중합체가 바람직하다.Among depolymerizable polymers, from the viewpoint of low thermal decomposition temperature and easy handling at the time of hole formation, homopolymers of methyl methacrylate or isobutyl methacrylate (polymethyl methacrylate or polyisobutyl methacrylate); Alternatively, a copolymer mainly composed of units derived from methyl methacrylate or isobutyl methacrylate is preferable.

형성되는 다공질막 내에, 내면에 곡면을 갖는 바람직한 형상의 구멍을 형성하기 쉬운 점에서, 진구율이 높은 입자 (B) 를 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the particle|grains (B) with a high sphericity ratio from the point which is easy to form the hole of the preferable shape which has a curved surface in the inner surface in the porous film to be formed.

입자 (B) 의 입경 (평균 직경) 으로는, 예를 들어, 800 ㎚ 이상 3500 ㎚ 이하가 바람직하고, 900 ㎚ 이상 3000 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 2000 ㎚ 초과 2500 ㎚ 이하가 특히 바람직하다.The particle size (average diameter) of the particles (B) is, for example, preferably 800 nm or more and 3500 nm or less, more preferably 900 nm or more and 3000 nm or less, and particularly preferably more than 2000 nm and 2500 nm or less.

이러한 입경의 입자 (B) 를 사용함으로써, 대응하는 직경의 구멍이 서로 연통되는 연통 구멍이 다공질막 내에 형성된다. 이러한 연통 구멍을 구비하는 다공질막을 사용하는 경우, 다공질막이 파단되지 않을 정도의 압력으로 점성 액체를 여과할 수 있고, 또한 다공질막을 사용하는 여과에 의해 점성 액체 중의 기포를 특히 저감시키기 쉽다.By using the particles (B) of such a particle size, communication holes through which holes of corresponding diameters communicate with each other are formed in the porous membrane. When a porous membrane having such a communication hole is used, the viscous liquid can be filtered at a pressure that does not break the porous membrane, and bubbles in the viscous liquid can be particularly easily reduced by filtration using the porous membrane.

또, 입자 (B) 의 입경 분포 지수 (d25/75) 는, 1 이상 6 이하이면 되고, 1.1 이상 5 이하가 바람직하고, 1.2 이상 4 이하가 보다 바람직하다. 하한값을 1.1 이상으로 함으로써, 복합막 내부에 입자 (B) 를 효율적으로 충전시킬 수 있고, 이 때문에 점성 액체의 유로인 연통 구멍이 양호하게 형성된다. 또, 1.6 이상인 경우, 다공질막 내에 사이즈가 상이한 구멍이 형성되기 때문에, 여과시의 점성 유체의 각 구멍부에서의 대류 상황이 여러 가지로 변화한다. 이러한 대류 상황의 변화에 의해, 구멍 내벽면에 의한 흡착에 기초하는 점성 액체의 정제 효과가 높아지는 것으로 생각된다.Moreover, the particle size distribution index (d25/75) of the particle|grains (B) should just be 1 or more and 6 or less, 1.1 or more and 5 or less are preferable, and 1.2 or more and 4 or less are more preferable. By setting the lower limit to 1.1 or more, it is possible to efficiently fill the particles (B) inside the composite membrane, and for this reason, communication holes serving as flow paths for the viscous liquid are favorably formed. Moreover, in the case of 1.6 or more, since pores of different sizes are formed in the porous membrane, the convection situation in each hole portion of the viscous fluid at the time of filtration changes in various ways. It is thought that the purification effect of a viscous liquid based on adsorption|suction by the inner wall surface of a hole increases by such a change of a convection situation.

또한 d25, d75 는, 입도 분포의 누적도수가 각각 25 %, 75 % 인 입자경의 값이고, 본원 명세서에 있어서는 d25 가 입경이 큰 편이다.In addition, d25 and d75 are the particle diameter values whose cumulative frequency of particle size distribution is 25% and 75%, respectively, and in this specification, d25 is the larger particle diameter side.

후술하는 제조 방법에 있어서, 복합막을 2 층상의 적층막으로서 형성하는 경우, 제 1 바니시에 사용하는 입자 (B1) 과, 제 2 바니시에 사용하는 입자 (B2) 는, 동일해도 되고, 상이해도 된다.In the manufacturing method mentioned later, when forming a composite film as a two-layer laminated film, the particle|grains (B1) used for a 1st varnish and particle|grains (B2) used for a 2nd varnish may be same or different. .

기재에 접하는 측의 구멍을 보다 치밀하게 하기 위해서는, 입자 (B1) 의 입경 분포 지수는, 입자 (B2) 의 입경 분포 지수 이하인 것이 바람직하다.In order to make the pores on the side in contact with the substrate more dense, it is preferable that the particle size distribution index of the particle (B1) is equal to or less than the particle size distribution index of the particle (B2).

혹은, 입자 (B1) 의 진구율은, 입자 (B2) 의 진구율 이하인 것이 바람직하다.Alternatively, the spherical ratio of the particles (B1) is preferably equal to or less than that of the particles (B2).

또, 입자 (B1) 의 입경 (평균 직경) 은, 입자 (B2) 의 입경보다 작은 것이 바람직하고, 이 경우, 다공질막 표면의 개구 비율을 높고 균일하게 하면서, 다공질막의 강도를 높이기 쉽다.Moreover, it is preferable that the particle diameter (average diameter) of particle|grains (B1) is smaller than the particle diameter of particle|grains (B2), and in this case, it is easy to raise the intensity|strength of a porous membrane while making the opening ratio of the porous membrane surface high and uniform.

[분산제][Dispersant]

바니시는, 입자 (B) 의 균일한 분산을 목적으로, 입자 (B) 와 함께, 추가로 분산제를 포함하고 있어도 된다. 바니시가 분산제를 포함함으로써, 수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 를 한층 더 균일하게 혼합할 수 있고, 나아가서는, 바니시를 사용하여 형성되는 도포막 중에서, 입자 (B) 를 균일하게 분포시킬 수 있다.The varnish may further contain a dispersing agent with the particle|grains (B) for the purpose of uniform dispersion|distribution of the particle|grains (B). When the varnish contains the dispersing agent, the resin component (A) and the particles (B) can be mixed more uniformly, and further, the particles (B) can be uniformly distributed in the coating film formed using the varnish. can

그 결과, 최종적으로 얻어지는 다공질막의 표면에 치밀한 개구를 형성하고, 또한, 다공질막의 투기도가 향상되도록, 다공질막의 표리면을 효율적으로 연통시키는 연통 구멍을 형성할 수 있다.As a result, it is possible to form a communication hole for efficiently communicating the front and back surfaces of the porous membrane so that a dense opening is formed on the surface of the porous membrane finally obtained and the air permeability of the porous membrane is improved.

분산제는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 분산제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 바람직한 분산제의 구체예로는, 야자 지방산염, 피마자 황산화유염, 라우릴술페이트염, 폴리옥시알킬렌알릴페닐에테르술페이트염, 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠술폰산염, 알킬디페닐에테르디술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, 디알킬술포숙시네이트염, 이소프로필포스페이트, 폴리옥시에틸렌알킬에테르포스페이트염, 폴리옥시에틸렌알릴페닐에테르포스페이트염 등의 아니온 계면 활성제 ; 올레일아민아세트산염, 라우릴피리디늄클로라이드, 세틸피리디늄클로라이드, 라우릴트리메틸암모늄클로라이드, 스테아릴트리메틸암모늄클로라이드, 베헤닐트리메틸암모늄클로라이드, 디데실디메틸암모늄클로라이드 등의 카티온 계면 활성제 ; 야자 알킬디메틸아민옥사이드, 지방산 아미도프로필디메틸아민옥사이드, 알킬폴리아미노에틸글리신염산염, 아미도베타인형 활성제, 알라닌형 활성제, 라우릴이미노디프로피온산 등의 양쪽성 계면 활성제 ; 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌폴리스티릴페닐에테르, 폴리옥시알킬렌폴리스티릴페닐에테르 등, 폴리옥시알킬렌 1 급 알킬에테르 또는 폴리옥시알킬렌 2 급 알킬에테르의 논이온 계면 활성제, 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌라우레이트, 폴리옥시에틸렌화 피마자유, 폴리옥시에틸렌화 경화 피마자유, 소르비탄라우르산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄라우르산에스테르, 지방산 디에탄올아미드 등의 그 밖의 폴리옥시알킬렌계의 논이온 계면 활성제 ; 옥틸스테아레이트, 트리메틸올프로판트리데카노에이트 등의 지방산 알킬에스테르 ; 폴리옥시알킬렌부틸에테르, 폴리옥시알킬렌올레일에테르, 트리메틸올프로판트리스(폴리옥시알킬렌)에테르 등의 폴리에테르 폴리올을 들 수 있다. 분산제는, 이들에 한정되지 않는다. 또, 상기 분산제는, 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.A dispersing agent is not specifically limited, It can select suitably from well-known dispersing agents. Specific examples of the preferred dispersant include palm fatty acid salt, castor sulfated oil salt, lauryl sulfate salt, polyoxyalkylene allylphenyl ether sulfate salt, alkylbenzenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonate, alkyldiphenyletherdisulfonate. anionic surfactants such as alkylnaphthalenesulfonate, dialkylsulfosuccinate salt, isopropyl phosphate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate salt, and polyoxyethylene allylphenyl ether phosphate salt; cationic surfactants such as oleylamine acetate, laurylpyridinium chloride, cetylpyridinium chloride, lauryltrimethylammonium chloride, stearyltrimethylammonium chloride, behenyltrimethylammonium chloride, and didecyldimethylammonium chloride; amphoteric surfactants such as palm alkyldimethylamine oxide, fatty acid amidopropyldimethylamine oxide, alkyl polyaminoethyl glycine hydrochloride, amidobetaine type active agent, alanine type active agent, and lauryl iminodipropionic acid; Polyoxyethylene octyl ether, polyoxyethylene decyl ether, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene lauryl amine, polyoxyethylene oleylamine, polyoxyethylene polystyryl phenyl ether, polyoxyalkylene polystyryl phenyl ether, etc. , Nonionic surfactant of polyoxyalkylene primary alkyl ether or polyoxyalkylene secondary alkyl ether, polyoxyethylene dilaurate, polyoxyethylene laurate, polyoxyethylenated castor oil, polyoxyethylenated hydrogenated castor Other polyoxyalkylene-type nonionic surfactants, such as free, sorbitan lauric acid ester, polyoxyethylene sorbitan lauric acid ester, and fatty acid diethanolamide; fatty acid alkyl esters such as octyl stearate and trimethylolpropane tridecanoate; Polyether polyols, such as polyoxyalkylene butyl ether, polyoxyalkylene oleyl ether, and trimethylol propane tris (polyoxyalkylene) ether, are mentioned. A dispersing agent is not limited to these. Moreover, the said dispersing agent can also mix and use 2 or more types.

[용매 (S)][Solvent (S)]

용매 (S) 의 종류는, 수지 성분 (A) 를 용해할 수 있고, 입자 (B) 를 용해하지 않으면, 특별히 한정되지 않는다. 용매 (S) 의 예로는, 테트라카르복실산 2 무수물과 디아민의 반응에 사용하는 용제로서 예시한 용제를 들 수 있다. 용매 (S) 는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The kind of solvent (S) is not specifically limited, unless a resin component (A) can be melt|dissolved and particle|grains (B) are not melt|dissolved. As an example of a solvent (S), the solvent illustrated as a solvent used for reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamine is mentioned. A solvent (S) may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

수지 성분 (A) 가 폴리불화비닐리덴인 경우, 용제로는, 상기 함질소 극성 용제 외에, 메틸에틸케톤, 아세톤, 테트라하이드로푸란 등의 저급 알킬케톤이나, 인산트리메틸 등을 들 수 있다.When the resin component (A) is polyvinylidene fluoride, examples of the solvent include lower alkyl ketones such as methyl ethyl ketone, acetone and tetrahydrofuran, trimethyl phosphate, and the like, in addition to the nitrogen-containing polar solvent.

수지 성분 (A) 가 폴리에테르술폰인 경우, 용제로는, 상기 함질소 극성 용제 외에, 디페닐술폰, 디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 벤조페논, 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 극성 용매를 들 수 있다.When the resin component (A) is polyethersulfone, examples of the solvent include diphenylsulfone, dimethylsulfone, dimethylsulfoxide, benzophenone, tetrahydrothiophene-1,1-dioxide, 1, and polar solvents such as 3-dimethyl-2-imidazolidinone.

[그 밖의 성분][Other Ingredients]

바니시는, 상기의 성분 외에, 대전 방지, 난연성 부여, 저온 소성화, 이형성 부여, 도포성 향상 등의 목적으로, 대전 방지제, 난연제, 화학 이미드화제, 축합제, 이형제, 표면 조정제 등의 공지된 성분을, 적절히, 필요에 따라 포함하고 있어도 된다.Varnish, in addition to the above components, for the purpose of antistatic, flame retardant, low-temperature plasticization, imparting releasability, improving coatability, etc. You may include a component as needed suitably.

[바니시의 제조 방법][Method for producing varnish]

전술한 바와 같이, 바니시는 수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 함유한다.As described above, the varnish contains the resin component (A), the particles (B), and the solvent (S).

바니시의 제조 방법은, 수지 성분 (A) 가 용매 (S) 에 용해되어 있고, 입자 (B) 가 용매 (S) 중에 분산되어 있는 바니시를 제조할 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다.The manufacturing method of the varnish will not be specifically limited if the resin component (A) is melt|dissolving in the solvent (S) and it is a method which can manufacture the varnish in which the particle|grains (B) are disperse|distributed in the solvent (S).

예를 들어, 용매 (S) 중에서 단량체를 중합시켜 수지 성분 (A) 를 생성시켜도 되고, 수지 성분 (A) 를 용매 (S) 중에 용해시켜도 된다.For example, a resin component (A) may be produced|generated by polymerizing a monomer in a solvent (S), and a resin component (A) may be dissolved in a solvent (S).

용매 (S) 중에서 수지 성분 (A) 를 생성시키는 경우, 중합 반응은, 입자 (B) 의 존재하에 실시되어도 되고, 입자 (B) 의 부존재하에 실시되어도 된다.When producing the resin component (A) in the solvent (S), the polymerization reaction may be carried out in the presence of the particles (B) or in the absence of the particles (B).

바니시의 점도는, 2.0 ㎩ㆍs 이상이 바람직하다. 이러한 점도는, E 형 점도계를 사용하여 25 ℃ 에서 측정된 값이다. 점도가 2.0 ㎩ㆍs 이상인 바니시를 사용하여 다공질막을 형성하는 경우, 특히, 점성 액체 중의 기포를 제거하기 쉬운 다공질막을 형성하기 쉽다.As for the viscosity of a varnish, 2.0 Pa.s or more are preferable. Such a viscosity is the value measured at 25 degreeC using the E-type viscometer. When the porous membrane is formed using a varnish having a viscosity of 2.0 Pa·s or more, it is particularly easy to form a porous membrane that easily removes bubbles in the viscous liquid.

바니시의 점도가, 바니시를 사용하여 형성되는 도포막 중에서의 입자 (B) 의 분산 상태에 어떠한 영향을 주고 있어, 기포를 제거하기 쉬운 형상의 연통 구멍을 갖는 다공질막이 형성되는 것으로 추측된다.The viscosity of the varnish has some influence on the dispersed state of the particles (B) in the coating film formed using the varnish, and it is estimated that a porous membrane having a communication hole in a shape that is easy to remove bubbles is formed.

바니시의 점도는, 2.0 ㎩ㆍs 이상이 보다 바람직하고, 2.3 ㎩ㆍs 이상 4.9 ㎩ㆍs 이하가 특히 바람직하다. 또, 바니시의 점도는, 도포성이나, 형성되는 다공질막의 막두께의 균일성의 관점 등에서, 2.0 ㎩ㆍs 이상이 바람직하고, 2.3 ㎩ㆍs 이상이 보다 바람직하고, 2.5 ㎩ㆍs 이상이 특히 바람직하다.As for the viscosity of a varnish, 2.0 Pa.s or more are more preferable, and 2.3 Pa.s or more and 4.9 Pa.s or less are especially preferable. Further, the viscosity of the varnish is preferably 2.0 Pa·s or more, more preferably 2.3 Pa·s or more, particularly preferably 2.5 Pa·s or more, from the viewpoint of applicability and uniformity of the film thickness of the porous membrane to be formed. do.

바니시의 점도의 조정 방법은 특별히 한정되지 않지만, 수지 성분 (A) 의 함유량, 수지 성분 (A) 의 종류, 입자 (B) 의 함유량, 입자 (B) 의 입자경, 용제 (S) 의 함유량, 및 용제 (S) 의 종류의 적어도 한 가지를 변경하여 조정하는 것이 바람직하다.The method for adjusting the viscosity of the varnish is not particularly limited, but the content of the resin component (A), the type of the resin component (A), the content of the particles (B), the particle size of the particles (B), the content of the solvent (S), and It is preferable to adjust by changing at least one kind of solvent (S).

바니시의 고형분 농도는 25 질량% 이상인 것이 바람직하다. 또, 바니시의 고형분 농도는 40 질량% 이하가 특히 바람직하다.It is preferable that the solid content concentration of a varnish is 25 mass % or more. Moreover, as for the solid content concentration of a varnish, 40 mass % or less is especially preferable.

고형분 농도가 25 질량% 이상인 바니시를 사용함으로써, 특히, 점성 액체 중의 기포를 제거하기 쉬운 다공질막을 형성하기 쉽다. 또, 바니시의 고형분 농도가 40 질량% 이하임으로써, 바니시의 기판에 대한 도포가 용이하고, 막두께의 균일한 다공질막을 형성하기 쉽다.By using the varnish with a solid content concentration of 25 mass % or more, it is easy to form the porous film which is especially easy to remove the bubble in a viscous liquid. Moreover, when the solid content concentration of a varnish is 40 mass % or less, application|coating to the board|substrate of a varnish is easy and it is easy to form a uniform porous film of a film thickness.

또, 바니시에 있어서의, 수지 성분 (A) 의 체적 VA 와, 입자 (B) 의 체적 VB 의 비율 VA : VB 는, 15 : 85 ∼ 40 : 60 이 바람직하다. 이러한 범위 내의 비율로, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 를 바니시 중에 배합하는 경우, 입자 (B) 의 응집을 방지하면서, 바니시 중에 균일하게 입자 (B) 를 분산시키기 쉬워, 표면에 균일한 개구를 갖는 다공질막을 형성하기 쉽다.Moreover, as for ratio VA :VB of volume V A of the resin component (A) and volume V B of particle|grains ( B ) in a varnish, 15:85-40:60 are preferable. When the resin component (A) and the particles (B) are blended in the varnish in a ratio within this range, it is easy to disperse the particles (B) uniformly in the varnish while preventing agglomeration of the particles (B), so that the surface is uniform. It is easy to form a porous film which has an opening.

[복합막 형성 방법][Composite film formation method]

이상 설명한 방법에 의해 제조되는 바니시를 기판 상에 도포하여, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 와 용제 (S) 를 포함하는 도포막이 형성된다. 이러한 도포막을 가열하여 용제 (S) 를 제거함으로써, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 로 이루어지는 복합막이 형성된다.The varnish manufactured by the method demonstrated above is apply|coated on a board|substrate, and the coating film containing a resin component (A), particle|grains (B), and a solvent (S) is formed. By heating such a coating film and removing the solvent (S), the composite film which consists of a resin component (A) and particle|grains (B) is formed.

용제 (S) 를 제거할 때의 도포막의 가열은, 상압 또는 진공하에서 0 ℃ 이상 120 ℃ 이하 (바람직하게는 0 ℃ 이상 100 ℃ 이하), 보다 바람직하게는 상압하 60 ℃ 이상 95 ℃ 이하 (더욱 바람직하게는 65 ℃ 이상 90 ℃ 이하) 에서 실시된다.The heating of the coating film at the time of removing the solvent (S) is 0°C or more and 120°C or less (preferably 0°C or more and 100°C or less) under normal pressure or vacuum, more preferably 60°C or more and 95°C or less under normal pressure (furthermore) Preferably at 65°C or higher and 90°C or lower).

도포 막두께는, 예를 들어, 1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하이고, 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 기판 상에는 필요에 따라 이형층을 형성해도 된다.The coating film thickness is, for example, 1 µm or more and 500 µm or less, preferably 5 µm or more and 100 µm or less, and preferably 10 µm or more and 50 µm or less. Moreover, you may form a mold release layer on a board|substrate as needed.

또, 복합막의 제조에 있어서, 후술하는 소성 공정 전에, 물을 포함하는 용제에 대한 침지 공정, 프레스 공정, 당해 침지 공정 후의 건조 공정을 각각 임의의 공정으로서 형성해도 된다.Moreover, in manufacture of a composite film, you may form as arbitrary processes the immersion process with respect to the solvent containing water, the pressing process, and the drying process after the said immersion process, respectively before the calcination process mentioned later as arbitrary processes.

상기 이형층은, 기판 상에 이형제를 도포한 후에, 건조 혹은 베이킹을 실시하여 제작할 수 있다. 이형제로는, 알킬인산암모늄염계, 불소계 또는 실리콘 등의 공지된 이형제를 특별히 제한 없이 사용 가능하다.After apply|coating a mold release agent on a board|substrate, the said release layer can dry or bake and produce it. As the releasing agent, a known releasing agent such as ammonium alkyl phosphate salt, fluorine-based or silicone can be used without particular limitation.

용제 (S) 를 제거한 후의, 수지 성분 (A) 와 입자 (B) 를 함유하는 복합막을 기판으로부터 박리할 때, 복합막의 박리면에 약간이지만 이형제가 잔존한다.When the composite film containing the resin component (A) and the particles (B) is peeled from the substrate after the solvent (S) has been removed, the mold release agent remains on the peeling surface of the composite film, although slightly.

이 잔존한 이형제는, 다공질막 표면의 젖음성이나 불순물 혼입에 영향을 줄 수 있기 때문에, 이것을 제거해 두는 것이 바람직하다.Since this residual mold release agent may affect the wettability of the porous membrane surface and mixing of impurities, it is preferable to remove it.

이형층을 형성하는 경우, 기판으로부터 박리된 복합막은, 유기 용제 등을 사용하여 세정되는 것이 바람직하다. 세정 방법으로는, 복합막을 세정액에 침지시킨 후에 꺼내는 방법, 복합막에 세정액을 분무하여 샤워 세정하는 방법 등의 공지된 방법에서 선택할 수 있다.In the case of forming the release layer, the composite film peeled off from the substrate is preferably washed using an organic solvent or the like. As the cleaning method, it can be selected from known methods such as a method of taking out the composite membrane after immersing it in a cleaning solution, and a method of shower cleaning by spraying the cleaning solution on the composite membrane.

또한, 세정 후의 복합막이 건조된다. 건조 방법으로는, 세정 후의 복합막을 실온에서 풍건시키는, 항온조 중에서 적절한 설정 온도로 복합막을 가온하는 등, 공지된 방법을 제한받지 않고 적용할 수 있다. 건조시에는, 예를 들어, 복합막의 단부 (端部) 를 SUS 제 형틀 등에 고정시켜 변형을 방지하는 방법을 취할 수도 있다.In addition, the composite film after washing is dried. As the drying method, a known method can be applied without limitation, such as air drying the composite membrane after washing at room temperature, heating the composite membrane to an appropriate set temperature in a thermostat, and the like. At the time of drying, for example, a method of preventing deformation by fixing the end of the composite film to a mold made of SUS or the like may be adopted.

한편, 복합막의 성막에, 이형층을 형성하지 않고 기판을 그대로 사용하는 경우에는, 상기 이형층 형성의 공정이나 미소성 복합막의 세정 공정을 생략할 수 있다.On the other hand, when the substrate is used as it is without forming a release layer for forming the composite film, the process of forming the release layer and the cleaning process of the unbaked composite film can be omitted.

또, 복합막을 2 층상의 적층막으로서 형성하는 경우, 먼저, 유리 기판 등의 기판 상에 그대로 제 1 바니시를 도포하고, 상압 또는 진공하에서 0 ℃ 이상 120 ℃ 이하 (바람직하게는 0 ℃ 이상 90 ℃ 이하), 보다 바람직하게는 상압 10 ℃ 이상 100 ℃ 이하 (더욱 바람직하게는 10 ℃ 이상 90 ℃ 이하) 에서 건조시켜, 제 1 복합막의 형성을 실시한다. 제 1 복합막의 막두께는, 1 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하가 바람직하다.In addition, when forming the composite film as a two-layer laminated film, first, the first varnish is applied as it is on a substrate such as a glass substrate, and 0°C or more and 120°C or less (preferably 0°C or more and 90°C or less under normal pressure or vacuum) or less), more preferably at a normal pressure of 10°C or higher and 100°C or lower (more preferably 10°C or higher and 90°C or lower) to form a first composite film. As for the film thickness of a 1st composite film, 1 micrometer or more and 5 micrometers or less are preferable.

계속해서, 제 1 복합막 상에, 제 2 바니시를 도포하고, 동일하게 하여, 0 ℃ 이상 80 ℃ 이하 (바람직하게는 0 ℃ 이상 50 ℃ 이하), 보다 바람직하게는 상압 10 ℃ 이상 80 ℃ 이하 (더욱 바람직하게는 10 ℃ 이상 30 ℃ 이하) 에서 건조를 실시해서, 제 2 복합막을 형성하여, 2 층상의 적층막인 복합막을 얻는다. 제 2 복합막의 막두께는, 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하가 바람직하다.Then, on the first composite film, a second varnish is applied, and in the same manner, 0°C or more and 80°C or less (preferably 0°C or more and 50°C or less), more preferably 10°C or more and 80°C or less at normal pressure (More preferably, it dries at 10 degreeC or more and 30 degreeC or less), a 2nd composite film is formed, and the composite film which is a two-layer laminated film is obtained. As for the film thickness of a 2nd composite film, 5 micrometers or more and 50 micrometers or less are preferable.

수지 성분 (A) 가, 그대로 다공질막을 구성하는 경우, 상기의 방법에 따라 얻어지는 복합막은, 이어서, 후술하는 제거 공정에 제공된다.When the resin component (A) constitutes the porous membrane as it is, the composite membrane obtained by the above method is then subjected to a removal step described later.

또, 수지 성분 (A) 가, 폴리아믹산이나, 폴리아미드이미드 전구체 등을 포함하는 경우, 필요에 따라, 미립자 (B) 를 제거하기 전에 복합막을 소성하여, 수지 성분 (A) 에 포함되는, 폴리아믹산, 또는 폴리아미드이미드 전구체를, 각각 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지로 변환해도 된다.In addition, when the resin component (A) contains a polyamic acid, a polyamideimide precursor, etc., if necessary, the composite film is fired before removing the fine particles (B), and the polyamide contained in the resin component (A) You may convert a mixed acid or a polyamide-imide precursor into a polyimide resin or polyamide-imide resin, respectively.

소성 온도는, 복합막에 함유되는 폴리아미드산 또는 폴리아미드이미드 전구체의 구조나 축합제의 유무에 따라서도 상이하다. 소성 온도는, 통상적으로, 120 ℃ 이상 400 ℃ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 150 ℃ 이상 375 ℃ 이하이다.The firing temperature also varies depending on the structure of the polyamic acid or polyamideimide precursor contained in the composite film and the presence or absence of a condensing agent. As for a calcination temperature, 120 degreeC or more and 400 degrees C or less are preferable normally, More preferably, they are 150 degreeC or more and 375 degrees C or less.

소성은, 반드시 건조 공정과 명확하게 나누어질 필요는 없다. 예를 들어, 375 ℃ 에서 소성을 실시하는 경우, 실온에서부터 375 ℃ 까지를 3 시간에 승온시킨 후, 375 ℃ 에서 20 분간 유지시키는 방법이나 실온에서부터 50 ℃ 간격으로 단계적으로 375 ℃ 까지 승온 (각 스텝 20 분 유지) 시키고, 최종적으로 375 ℃ 에서 20 분 유지시키는 등의 단계적인 건조-열 이미드화법을 사용할 수도 있다. 그 때, 미소성 복합막의 단부를 SUS 제 형틀 등에 고정시켜 변형을 방지하는 방법을 취해도 된다.Firing is not necessarily clearly separated from the drying process. For example, when calcining is performed at 375°C, the temperature is raised from room temperature to 375°C in 3 hours and then maintained at 375°C for 20 minutes, or the temperature is raised from room temperature to 375°C stepwise at 50°C intervals (each step A stepwise drying-heat imidization method such as holding for 20 minutes) and finally maintaining at 375° C. for 20 minutes may be used. In that case, a method of preventing deformation by fixing the end of the unbaked composite film to a mold made of SUS or the like may be adopted.

복합막의 두께는, 마이크로미터 등으로 복수 지점의 두께를 측정하고 평균함으로써 구할 수 있다. 평균 두께는 얇은 편이 바람직하고, 예를 들어 1 ㎛ 이상이면 되고, 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하고, 8 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the composite film can be obtained by measuring and averaging the thicknesses at multiple points with a micrometer or the like. A thinner one is preferable, for example, 1 micrometer or more should just be sufficient as average thickness, 5 micrometers or more and 500 micrometers or less are preferable, and 8 micrometers or more and 100 micrometers or less are more preferable.

〔제거 공정〕[removal process]

복합막으로부터 입자 (B) 를 적절한 방법을 선택하여 제거함으로써, 미세 구멍을 갖는 다공질막을 양호한 재현성으로 제조할 수 있다.By removing the particles (B) from the composite membrane by selecting an appropriate method, a porous membrane having fine pores can be produced with good reproducibility.

예를 들어, 미립자로서 실리카를 채용한 경우, 복합막을 저농도의 불화수소수 (HF) 등에 의해 처리하여, 복합막으로부터 실리카를 용해 제거함으로써 다공질막이 얻어진다.For example, when silica is employed as the fine particles, the composite membrane is treated with low-concentration hydrogen fluoride (HF) or the like to dissolve and remove silica from the composite membrane to obtain a porous membrane.

또, 입자 (B) 가 수지 미립자인 경우에는, 복합막을, 수지 미립자의 열 분해 온도 이상의 온도로서, 수지 성분 (A) 의 열 분해 온도 미만의 온도로 가열함으로써, 수지 미립자를 분해시켜 이것을 복합막으로부터 제거할 수 있다.In addition, when the particle (B) is a resin fine particle, the composite film is heated to a temperature equal to or higher than the thermal decomposition temperature of the resin fine particle and lower than the thermal decomposition temperature of the resin component (A), thereby decomposing the resin fine particle and making it a composite film can be removed from

제거 공정 후에 얻어지는 다공질막이, 수지 성분 (A) 로서 폴리아미드산 또는 폴리아미드이미드 전구체를 포함하는 경우, 다공질막에 대해, 폴리아미드산 또는 폴리아미드이미드 전구체를 폐환시켜 이미드 고리를 생성시키기 위한 처리를 실시해도 된다.When the porous film obtained after the removal step contains polyamic acid or polyamideimide precursor as the resin component (A), treatment for ring closure of the polyamic acid or polyamideimide precursor to form an imide ring with respect to the porous film may be carried out.

이러한 처리로는, 전술한 소성 처리를 들 수 있다.As such a process, the above-mentioned baking process is mentioned.

〔케미컬 에칭 공정〕[Chemical Etching Process]

상기와 같이 하여 형성되는, 복합막, 또는 다공질막에 대해, 추가로 케미컬 에칭이 실시되어도 된다. 케미컬 에칭을 실시함으로써, 다공질막 표면의 개구율을 높일 수 있다. 특히, 다공질막에 대해 케미컬 에칭을 실시하는 경우, 입자 (B) 에서 유래하는 복수의 구멍이 양호하게 연통되어, 바람직한 형상의 연통 구멍을 형성하기 쉽다.Chemical etching may be further performed with respect to the composite film|membrane or porous film formed as mentioned above. By performing chemical etching, the aperture ratio of the porous film surface can be raised. In particular, when chemical etching is performed with respect to a porous film, the some hole originating in particle|grains (B) communicates favorably, and it is easy to form a communication hole of a preferable shape.

케미컬 에칭법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as a chemical etching method, For example, a conventionally well-known method can be used.

케미컬 에칭법으로는, 무기 알칼리 용액 또는 유기 알칼리 용액 등의 케미컬 에칭액에 의한 처리를 들 수 있다. 무기 알칼리 용액이 바람직하다. 무기 알칼리 용액으로서 예를 들어, 히드라진하이드레이트와 에틸렌디아민을 포함하는 히드라진 용액, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 알칼리 금속 수산화물의 용액, 암모니아 용액, 수산화알칼리와 히드라진과 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논을 주성분으로 하는 에칭액 등을 들 수 있다. 유기 알칼리 용액으로는, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제 1 급 아민류 ; 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제 2 급 아민류 ; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제 3 급 아민류 ; 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류 ; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 제 4 급 암모늄염 ; 피롤, 피페리딘 등의 고리형 아민류 등의 알칼리성 용액을 들 수 있다.As a chemical etching method, the process by chemical etching liquids, such as an inorganic alkali solution or an organic alkali solution, is mentioned. An inorganic alkali solution is preferred. As an inorganic alkali solution, for example, a hydrazine solution containing hydrazine hydrate and ethylenediamine, a solution of alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, and sodium metasilicate, ammonia solution, alkali hydroxide and hydrazine and 1 Etching liquid etc. which have 3-dimethyl- 2-imidazolidinone as a main component are mentioned. As an organic alkali solution, Primary amines, such as ethylamine and n-propylamine; secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide; and alkaline solutions such as cyclic amines such as pyrrole and piperidine.

상기 각 용액의 용매에 대해서는, 순수, 알코올류를 적절히 선택할 수 있다. 또 계면 활성제를 적당량 첨가한 용매를 사용할 수도 있다. 알칼리 농도는, 예를 들어 0.01 질량% 이상 20 질량% 이하이다.About the solvent of each said solution, pure water and alcohol can be selected suitably. In addition, a solvent to which an appropriate amount of a surfactant is added can also be used. Alkali concentration is 0.01 mass % or more and 20 mass % or less, for example.

케미컬 에칭을 실시하는 경우에는, 잉여의 에칭액 성분을 제거하기 위해, 다공질막을 세정하는 것이 바람직하다.When performing chemical etching, in order to remove an excess etching liquid component, it is preferable to wash|clean a porous film.

케미컬 에칭 후의 세정으로는, 수세 단독이어도 되지만, 산 세정 및/또는 수세를 조합하는 것이 바람직하다.Although water washing alone may be sufficient as washing|cleaning after chemical etching, it is preferable to combine acid washing and/or water washing.

〔물리적 제거 공정〕[Physical removal process]

상기와 같이 하여 형성되는, 복합막, 또는 다공질막에 대해, 케미컬 에칭과는 별도로 또는 케미컬 에칭과 함께 물리적 제거를 실시해도 된다.The composite film or the porous film formed as described above may be physically removed separately from or together with the chemical etching.

물리적 제거의 방법으로는, 플라즈마 (산소, 아르곤 등), 코로나 방전 등에 의한 드라이 에칭을 들 수 있다.As a method of physical removal, dry etching by plasma (oxygen, argon, etc.), corona discharge, etc. is mentioned.

이러한 방법에 의해, 다공질막 중의 수지 성분 (A) 가 부분적으로 제거되어, 상기의 케미컬 에칭과 동일한 경화가 얻어진다.By this method, the resin component (A) in a porous film is partially removed, and hardening similar to said chemical etching is obtained.

〔재소성 공정〕[Recalcination Process]

폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드산, 및 폴리아미드이미드 전구체에서 선택되는 1 이상을 포함하는 수지 성분 (A) 를 함유하는 바니시를 사용하여 다공질막을 제조하는 경우, 다공질막의 표면의 유기 용매에 대한 젖음성 향상 및 잔존 유기물 제거를 위해, 일단 다공질막을 얻은 후, 다시 다공질막을 소성해도 된다.When a porous membrane is produced using a varnish containing a resin component (A) comprising at least one selected from polyimide resin, polyamideimide resin, polyamic acid, and polyamideimide precursor, the organic solvent on the surface of the porous membrane In order to improve the wettability and remove residual organic matter, once the porous membrane is obtained, the porous membrane may be fired again.

재소성 공정에 있어서의 소성 조건은, 폴리아미드산 또는 폴리아미드이미드 전구체를 폐환시켜 이미드 고리를 생성시키기 위한 조건과 동일하다.The calcination conditions in the recalcination step are the same as those for ring closure of the polyamic acid or polyamideimide precursor to form an imide ring.

이상 설명한 방법에 의해, 제 1 정제 방법에 있어서 필터로서 사용되는 다공질막이 제조된다.By the method described above, the porous membrane used as a filter in the 1st purification method is manufactured.

얻어진 다공질막은, 평균 직경이 800 ㎚ 이상 3500 ㎚ 이하 (바람직하게는 900 ㎚ 이상 3000 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 2000 ㎚ 초과 2500 ㎚ 이하) 의 구 형상의 공공을 갖는다. 구 형상의 공공이 연결되어 있는 부분 (연통 구멍) 의 공경으로서, 50 ㎚ 이상 2000 ㎚ 이하의 연통 구멍을 포함하고 있는 것이 바람직하고, 500 ㎚ 이상 1800 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 1000 ㎚ 초과 1300 ㎚ 이하의 연통 구멍을 포함하고 있는 것이 특히 바람직하다. 포로시미터에 의해 측정되는 연통 구멍의 평균 공경은 500 ㎚ 이상 2000 ㎚ 이하가 바람직하고, 900 ㎚ 이상 1800 ㎚ 이하가 보다 바람직하고, 1000 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 또 얻어진 다공질막의, 공극률은 예를 들어, 50 % 이상 90 % 이하이고, 60 % 이상 85 % 이하가 바람직하다.The obtained porous membrane has spherical pores with an average diameter of 800 nm or more and 3500 nm or less (preferably 900 nm or more and 3000 nm or less, more preferably more than 2000 nm and 2500 nm or less). As the pore diameter of the portion (communication hole) to which the spherical pores are connected, it is preferable that 50 nm or more and 2000 nm or less of communication holes are included, more preferably 500 nm or more and 1800 nm or less, and more than 1000 nm 1300 nm It is especially preferable that the following communication holes are included. 500 nm or more and 2000 nm or less are preferable, as for the average pore diameter of the communication hole measured with a porosimeter, 900 nm or more and 1800 nm or less are more preferable, 1000 nm or more and 1500 nm or less are still more preferable. Moreover, the porosity of the obtained porous membrane is 50 % or more and 90 % or less, for example, and 60 % or more and 85 % or less are preferable.

<점성 액체><viscous liquid>

점성 액체는, E 형 점도계를 사용하여 25 ℃ 에서 측정되는 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상으로서, 수 분 ∼ 1 시간 정도의 접촉으로는 필터를 용해시키거나 열화시키거나 하지 않는 액체이면 특별히 한정되지 않는다.The viscous liquid is not particularly limited as long as it has a viscosity of 0.1 Pa·s or more, measured at 25°C using an E-type viscometer, and does not dissolve or deteriorate the filter upon contact for several minutes to 1 hour. .

상기의 점성 액체에서는, 그 점성에서 기인하여 액체 중으로부터 자연스럽게 기체가 방출되기 어려워, 기포가 안정적으로 존재한다.In the above-mentioned viscous liquid, it is difficult to naturally release gas from the liquid due to its viscosity, and bubbles are stably present.

또, 여과 조작에 있어서, 배관 내나 필터 디바이스 내를 점성 액체가 이동할 때에, 기체를 휘말리게 하는 유동이 생겨 버리면, 점성 액체 중에 기포가 발생해 버리는 경우가 있다.Moreover, in a filtration operation, when a viscous liquid moves in piping or a filter device, when the flow which entrains gas arises, bubbles may generate|occur|produce in a viscous liquid.

그러나, 상기 설명한 방법에 의해 형성되는 다공질막을 사용하여, 상기의 점성 액체를 여과하는 경우, 점성 액체 중의 기포의 수를 효과적으로 감소시킬 수 있다.However, when the porous membrane formed by the above-described method is used to filter the viscous liquid, the number of bubbles in the viscous liquid can be effectively reduced.

일반적으로 액체의 점도가 높을수록 기포의 제거가 곤란하다. 그러나, 제 1 정제 방법은, 25 ℃ 에서 E 형 점도계에 의해 측정되는 점도가 0.15 ㎩ㆍs 이상, 바람직하게는 0.7 ㎩ㆍs 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎩ㆍs 이상, 더욱 바람직하게는 1.5 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체 중의 기포수의 저감에 특히 효과적이다.In general, the higher the viscosity of the liquid, the more difficult it is to remove the bubbles. However, in the first purification method, the viscosity measured by an E-type viscometer at 25°C is 0.15 Pa·s or more, preferably 0.7 Pa·s or more, more preferably 1 Pa·s or more, still more preferably 1.5 It is particularly effective in reducing the number of bubbles in a viscous liquid of Pa·s or more.

점성 액체의 점도의 상한은, 필터에 의해 여과 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 8.0 ㎩ㆍs 이하가 바람직하고, 7.0 ㎩ㆍs 이하가 보다 바람직하다.Although it will not specifically limit if the upper limit of the viscosity of a viscous liquid can be filtered with a filter, 8.0 Pa.s or less are preferable, and 7.0 Pa.s or less are more preferable.

과도하게 점도가 높으면, 원래 필터에 의한 여과가 곤란한 경우가 있다.When the viscosity is excessively high, filtration by the original filter may be difficult.

제 1 정제 방법은, 예를 들어, 절연막, 반사 방지막, 접착층, 하드 코트의 형성에 사용되는 액상의 경화성 재료의 정제에 바람직하게 사용된다. 이러한 액상의 경화성 재료에 기포가 포함되는 경우, 형성되는 절연막, 반사 방지막, 접착층, 하드 코트 등에 외관상의 결함이 생긴다.The first refining method is preferably used, for example, for refining a liquid curable material used for forming an insulating film, an antireflection film, an adhesive layer, and a hard coat. When air bubbles are contained in such a liquid curable material, defects in appearance occur in the formed insulating film, antireflection film, adhesive layer, hard coat, and the like.

특히, 절연층, 반사 방지막, 접착층, 하드 코트 등이 투명한 층인 경우, 이들 층을 포함하는 표시 장치나 광학 장치에 있어서, 기포가 원하지 않는 광의 산란이나 굴절을 일으켜, 장치의 성능을 악화시킬 우려가 있다.In particular, when an insulating layer, an antireflection film, an adhesive layer, a hard coat, etc. are transparent layers, in a display device or an optical device including these layers, the bubbles cause unwanted scattering or refraction of light, thereby deteriorating the performance of the device. have.

또, 제 1 정제 방법에 의한 정제 대상으로는, 포토레지스트 조성물도 바람직하다. 포토레지스트 조성물 중의 기포는, 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 패터닝된 막에 있어서의 결함이 된다. 또, 포토레지스트 조성물에 기포가 존재하면, 포토레지스트 조성물을 기판에 도포했을 때에, 기포 부분이 도포막 중에 잔존해 버려, 그 부분의 막두께가 얇아지는 등의 도포 불균일이 발생하기 쉽다.Moreover, as a purification object by the 1st purification method, a photoresist composition is also preferable. Air bubbles in the photoresist composition become defects in patterned films formed using the photoresist composition. Moreover, when a bubble exists in a photoresist composition, when a photoresist composition is apply|coated to a board|substrate, a bubble part will remain|survive in a coating film, and coating nonuniformity, such as a film thickness of that part becoming thin, tends to generate|occur|produce.

포토레지스트 조성물의 조성은 특별히 한정되지 않아, 네거티브형이어도 되고, 포지티브형이어도 된다.The composition of the photoresist composition is not particularly limited, and may be of a negative type or a positive type.

또, 제 1 정제 방법에 의한 정제 대상으로는, 상기 경화성 재료나 포토레지스트 조성물 등에 사용되는 수지액 등의 원료 약액도 바람직하다. 일반적으로 고농도이고 점성이 높은 원료 약액을 정제하여 액체 중의 기포의 수를 효과적으로 감소시킬 수 있다.Moreover, as the object of purification by the first refining method, a raw material chemical solution such as a resin solution used for the above-mentioned curable material, photoresist composition, or the like is also preferable. In general, it is possible to effectively reduce the number of bubbles in the liquid by purifying the high-concentration and high-viscosity raw material chemical.

<액체의 구체적인 정제 방법><Specific purification method of liquid>

제 1 정제 방법에서는, 전술한 점성 액체를, 전술한 방법으로 제조되는 다공질막을 포함하는 필터를 사용하여 여과한다. 제 1 제조 방법에서는, 점성 액체를 필터의 일방의 측에서 타방의 측으로 투과시킨다. 이러한 투과는, 전형적으로는, 필터의 일방의 측과 타방의 측에 차압을 발생시킴으로써 실시된다.In the first purification method, the above-mentioned viscous liquid is filtered using a filter including the porous membrane produced by the above-mentioned method. In a 1st manufacturing method, a viscous liquid is made to permeate|transmit from one side of a filter to the other side. Such permeation is typically performed by generating a differential pressure on one side and the other side of the filter.

다공질막을, 제 1 정제 방법에 있어서 필터로서 사용하는 방법으로는, 평면상의 다공질막을 사용하는 방법이나, 파이프상으로 가공된 다공질막을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of using a porous membrane as a filter in a 1st purification method, the method of using a planar porous membrane, the method of using the porous membrane processed into the shape of a pipe, etc. are mentioned.

파이프상의 다공질막이 또한 주름상이면, 점성 액체와 필터의 접촉 면적이 늘어나기 때문에 바람직하다. 다공질막에 대하여, 후술하는 바와 같이, 공급액과 여과액이 혼재하지 않도록 적절히 밀봉 처리가 실시된다.If the pipe-shaped porous membrane is also pleated, it is preferable because the contact area between the viscous liquid and the filter is increased. As will be described later, the porous membrane is appropriately sealed so that the supply liquid and the filtrate do not mix.

점성 액체의 정제는, 상기 서술한 다공질막을 사용하여, 차압 없이, 즉, 중력에 의한 자연 여과에 의해서도 실시할 수 있지만, 차압에 의해 실시하는 것이 바람직하다.Purification of the viscous liquid can be carried out without differential pressure, ie, natural filtration by gravity, using the above-mentioned porous membrane, but it is preferably carried out by differential pressure.

차압을 발생시키는 방법으로는, 다공질막의 일방의 측과 타방의 측 사이에 압력차를 두는 방법이면 특별히 한정되지 않는다. 차압을 발생시키는 방법으로는, 통상적으로, 다공질막의 한쪽의 측 (공급액측) 에 압력을 가하는 가압 (양압), 다공질막의 한쪽의 측 (여과액측) 을 부압으로 하는 감압 (음압) 등을 들 수 있으며, 가압이 바람직하다.It will not specifically limit, if it is a method of providing a pressure difference between one side and the other side of a porous membrane as a method of generating a differential pressure. As a method of generating the differential pressure, there are usually mentioned pressurization (positive pressure) in which pressure is applied to one side of the porous membrane (supply side), and reduced pressure (negative pressure) in which one side of the porous membrane (filtrate side) becomes negative pressure. and pressurization is preferred.

가압은, 다공질막을 투과시키기 전의 액체 (본 명세서에 있어서 「공급액」이라고 하는 경우가 있다) 가 존재하는, 폴리이미드계 수지 다공질막의 측 (공급액측) 으로의 압력의 인가이다. 예를 들어, 공급액의 순환 혹은 송액으로 발생하는 유액압 (流液壓) 의 이용 또는 가스의 양압을 이용함으로써 압력을 가하는 것이 바람직하다.The pressurization is the application of pressure to the side (supply liquid side) of the polyimide-based resin porous membrane where the liquid before permeating the porous membrane (which may be referred to as "supply liquid" in this specification) exists. For example, it is preferable to apply the pressure by using the hydraulic pressure generated by circulating or feeding the supply liquid or by using the positive pressure of the gas.

유액압은, 예를 들어, 펌프 (송액 펌프, 순환 펌프 등) 등의 적극적인 유액압 부가 방법에 의해 발생시킬 수 있다. 펌프의 구체적인 예로는, 로터리 펌프, 다이어프램 펌프, 정량 펌프, 케미컬 펌프, 플런저 펌프, 벨로우즈 펌프, 기어 펌프, 진공 펌프, 에어 펌프, 및 액체 펌프 등을 들 수 있다.The hydraulic pressure can be generated, for example, by an active hydraulic pressure adding method such as a pump (liquid feeding pump, circulation pump, etc.). Specific examples of the pump include a rotary pump, a diaphragm pump, a metering pump, a chemical pump, a plunger pump, a bellows pump, a gear pump, a vacuum pump, an air pump, and a liquid pump.

유액압으로는, 예를 들어, 중력에 따라서만 다공질막에 액체를 투과시킬 때에 그 액체에 의해 다공질막에 가해지는 압력이어도 된다. 상기의 적극적인 유액압 부가 방법에 의해 압력이 가해지는 것이 바람직하다.The hydraulic pressure may be, for example, a pressure applied to the porous membrane by the liquid when the liquid permeates through the porous membrane only by gravity. It is preferred that the pressure is applied by the positive hydraulic pressure application method described above.

가압에 사용하는 가스로는, 공급액에 대해 불활성 또는 비반응성의 가스가 바람직하고, 구체적으로는, 질소, 또는 헬륨, 아르곤 등의 희가스 등을 들 수 있다.The gas used for pressurization is preferably a gas that is inert or non-reactive with respect to the supply liquid, and specific examples thereof include nitrogen or rare gases such as helium and argon.

점성 액체가 전자 재료, 특히, 반도체 등의 제조 분야에 있어서 사용되는 액체인 경우, 가압이 바람직하다. 그 경우, 다공질막을 투과한 액체를 모으는 측은 감압하지 않는 대기압이면 된다. 가압으로는, 가스에 의한 양압이 바람직하다.When the viscous liquid is a liquid used in the field of manufacture of electronic materials, particularly semiconductors and the like, pressurization is preferable. In that case, the side which collects the liquid which permeate|transmitted the porous membrane should just be atmospheric pressure which does not depressurize. As pressurization, the positive pressure by gas is preferable.

또한, 상기 가압은, 가압 밸브 또는 가압 변(弁) 혹은 3 방 변 등의 변(弁)을 통해도 된다.In addition, the said pressurization may pass through valves, such as a pressurization valve or a pressurization valve, or a three-way side.

감압은, 폴리이미드계 수지 다공질막을 투과한 액체를 모으는 측 (여과액측) 의 감압이다. 감압은, 예를 들어, 펌프에 의한 감압이어도 된다. 진공으로까지 감압하는 것이 바람직하다.The pressure reduction is a pressure reduction on the side (the filtrate side) that collects the liquid that has permeated the polyimide-based resin porous membrane. The reduced pressure may be, for example, reduced pressure by means of a pump. It is preferable to reduce the pressure to vacuum.

펌프에 의한 공급액의 순환 혹은 송액을 실시하는 경우, 통상적으로, 펌프는, 공급액조 (또는 순환조) 와 다공질막 사이에 배치된다.In the case of circulating or feeding the supply liquid by means of a pump, the pump is usually disposed between the supply liquid tank (or circulation tank) and the porous membrane.

가압은, 유액압과 가스의 양압의 양방을 이용해도 된다. 또, 차압은, 가압과 감압을 조합해도 된다. 가압은, 예를 들어, 유액압과 감압의 양방을 이용해도 되고, 가스의 양압과 감압의 양방을 이용해도 되며, 유액압 및 가스의 양압과 감압을 이용해도 된다.The pressurization may use both the hydraulic pressure and the positive pressure of gas. Moreover, the differential pressure may combine pressurization and reduced pressure. For the pressurization, for example, both hydraulic pressure and reduced pressure may be used, both positive pressure and reduced pressure of gas may be used, and hydraulic pressure and positive pressure and reduced pressure of gas may be used.

차압을 형성하는 방법을 조합하는 경우, 제조의 간편화 등의 점에서, 유액압과 가스의 양압의 조합, 유액압과 감압의 조합이 바람직하다.When combining the method for forming a differential pressure, a combination of a hydraulic pressure and a positive pressure of a gas or a combination of a hydraulic pressure and a reduced pressure is preferable from the viewpoint of simplification of production and the like.

차압을 형성함으로써 다공질막의 전후에 부여되는 압력차는, 사용하는 다공질막의 막두께, 공극률 혹은 평균 공경, 또는 원하는 정제도, 유량, 유속, 또는 공급액의 농도 혹은 점도 등에 따라 적절히 설정하면 된다. The pressure difference applied before and after the porous membrane by forming the differential pressure may be appropriately set according to the film thickness, porosity or average pore size of the porous membrane to be used, or desired degree of purification, flow rate, flow rate, concentration or viscosity of the feed solution, and the like.

이른바 크로스 플로 방식 (다공질막에 대해 평행하게 공급액을 흘린다) 의 경우에는, 차압은, 예를 들어 3 ㎫ 이하가 바람직하다.In the case of what is called a cross-flow system (a supply liquid flows in parallel with respect to a porous membrane), 3 Mpa or less of the differential pressure|voltage is preferable, for example.

이른바 데드 엔드 방식 (다공질막에 대해 교차하도록 공급액을 흘린다) 의 경우, 차압은, 예를 들어, 1 ㎫ 이하가 바람직하다.In the case of a so-called dead-end system (a supply liquid is flowed so that it may cross|intersect with respect to a porous membrane), 1 Mpa or less of differential pressure|voltage is preferable, for example.

차압이 과도하게 높으면, 여과시에 점성 액체 중에 기포가 발생하는 경우가 있다. 차압이 상기의 범위 내인 경우, 기포를 발생시키지 않고 점성 액체를 여과하기 쉽다.When the differential pressure is excessively high, bubbles may be generated in the viscous liquid during filtration. When the differential pressure is within the above range, it is easy to filter the viscous liquid without generating bubbles.

이들 방식에 있어서, 차압의 하한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 10 ㎩ 이다.In these systems, the lower limit of the differential pressure is not particularly limited, and is, for example, 10 Pa.

여과 중의 온도는, 적절히 설정하면 되고, 예를 들어 0 ℃ 이상 30 ℃ 이하의 범위이고, 바람직하게는 25 ℃ 이다. 여과 온도에 대하여, 여과의 시간차로 온도 구배를 형성해도 되고, 공급액측과 여과액측에서 온도차를 두어도 된다.What is necessary is just to set the temperature during filtration suitably, for example, it is the range of 0 degreeC or more and 30 degrees C or less, Preferably it is 25 degreeC. With respect to the filtration temperature, a temperature gradient may be formed by the time difference of filtration, or a temperature difference may be provided on the side of the feed solution and the side of the filtrate.

제 1 정제 방법에 있어서, 점성 액체를 다공질막에 공급하기 전에, 다공질막을 점성 액체와는 상이한 액체로 프리웨트시키는 것이 바람직하다. 프리웨트에 의해, 점성 액체와 다공질막의 젖음성이 향상되어, 점성 액체의 여과 속도의 향상을 기대할 수 있음과 함께, 기포의 저감 효과가 높아진다.In the first purification method, before supplying the viscous liquid to the porous membrane, it is preferable to prewet the porous membrane with a liquid different from the viscous liquid. By pre-wetting, the wettability of a viscous liquid and a porous membrane improves, while the improvement of the filtration rate of a viscous liquid can be anticipated, the bubble reduction effect becomes high.

프리웨트에 사용하는 액체로는, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 또는 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤, 및 물 등을 들 수 있다. 점성 액체가 유기 용제를 포함하는 경우에는, 프리웨트에 사용하는 액체는 그 밖의 유기 용제여도 되며, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류 ; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라하이드로푸란 등의 다른 에테르류 ; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류 ; 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸 등의 락트산알킬에스테르류 ; 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산n-펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류 ; N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등의 유기 용제를 들 수 있다. 프리웨트에 사용하는 액체는, 단독 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As a liquid used for a pre-wet, alcohol, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, ketones, such as acetone and methyl ethyl ketone, water, etc. are mentioned. When the viscous liquid contains an organic solvent, other organic solvents may be used as the liquid used for pre-wet, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol-n-propyl ether, ethylene Glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether Ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, (poly)alkylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, and tripropylene glycol monoethyl ether; (poly)alkylenes such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate glycol monoalkyl ether acetates; other ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and tetrahydrofuran; Ketones, such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, and 3-heptanone; lactic acid alkyl esters such as methyl 2-hydroxypropionate and ethyl 2-hydroxypropionate; 2-hydroxy-2-methyl ethyl propionate, 3-methoxy methyl propionate, 3-methoxy ethyl propionate, 3-ethoxy methyl propionate, 3-ethoxy ethyl propionate, ethoxy ethyl acetate, ethyl hydroxyacetate, 2 -Hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-acetic acid Butyl, isobutyl acetate, n-pentyl formate, isopentyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, acetoacetic acid other esters such as methyl, ethyl acetoacetate, and ethyl 2-oxobutanoate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and organic solvents such as amides such as N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide. The liquid used for pre-wet can be used individually or in combination of 2 or more types.

프리웨트에 사용하는 액체는, 점성 액체에 포함되는 용제 중 1 종 이상을 포함하는 용제인 것이 바람직하고, 점성 액체에 포함되는 용제와 동일한 용제인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the liquid used for pre-wet is a solvent containing 1 or more types of solvents contained in a viscous liquid, and it is more preferable that it is the same solvent as the solvent contained in a viscous liquid.

공급액을 투과시키기 전의, 프리웨트용 액체와 다공질막의 접촉 방법으로는, 프리웨트용 액체와 다공질막을 접촉시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다.A method of contacting the liquid for pre-wet and the porous membrane before permeating the supply liquid is not particularly limited as long as it is a method capable of bringing the liquid for pre-wet into contact with the porous membrane.

바람직한 방법으로는, 프리웨트용 액체에 다공질막을 침지시킴으로써, 다공질막의 내부에 프리웨트용 액체를 함침시키는 방법을 들 수 있다.As a preferable method, the method of making the liquid for pre-wet impregnate the inside of a porous film by making a porous film immersed in the liquid for pre-wet is mentioned.

점성 액체를 투과시키기 전의, 프리웨트용 액체와 다공질막의 접촉은, 상기 서술한 차압에 의해 실시해도 된다. 차압의 범위는, 예를 들어 1 K㎩ 이상 0.25 ㎫ 이하 정도이다. 특히, 다공질막의 내부의 구멍에도 프리웨트용 액체를 침투시키는 경우, 프리웨트를 가압하에 의해 실시해도 된다. 가압하는 경우 0.01 ㎫ 이상 0.25 ㎫ 이하의 범위에서 실시하는 것이 바람직하다.The contact between the liquid for pre-wet and the porous membrane before permeating the viscous liquid may be performed by the above-described differential pressure. The range of the differential pressure is, for example, about 1 KPa or more and 0.25 MPa or less. In particular, in the case where the liquid for pre-wetting is also permeated into the pores inside the porous membrane, the pre-wetting may be performed under pressure. When pressurizing, it is preferable to carry out in the range of 0.01 Mpa or more and 0.25 Mpa or less.

이상 설명한 방법에 따라, 다공질막을 필터로서 사용하여 점성 액체를 여과함으로써, 여과시의 기포의 발생을 방지하면서, 점성 액체 중의 기포를 제거할 수 있다.By filtering the viscous liquid using the porous membrane as a filter according to the method described above, bubbles in the viscous liquid can be removed while preventing the generation of bubbles during filtration.

제 1 정제 방법에 있어서, 다공질막은, 예를 들어, 필터 미디어 그 밖의 여과재로서 사용할 수 있고, 구체적으로는, 단독으로 사용해도 되고, 여과재로서 사용하여 다른 기능층 (멤브레인) 을 부여해도 된다.In the first purification method, the porous membrane can be used, for example, as a filter medium or other filter medium, and specifically, it may be used alone or may be used as a filter medium to provide another functional layer (membrane).

다공질막은, 다른 여과재에 조합하는 멤브레인으로서 사용해도 되고, 예를 들어, 필터 디바이스 등에 사용되는 멤브레인으로서 사용할 수도 있다.A porous membrane may be used as a membrane combined with another filter medium, and can also be used as a membrane used for a filter device etc., for example.

다공질막과 조합하여 사용할 수 있는 기능층으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 나일론막, 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 막, 테트라플루오로에틸렌ㆍ퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 (PFA) 막 또는 이것들을 수식한 막 등의 화학적 또는 물리 화학적인 기능을 구비하는 막 등을 들 수 있다.The functional layer that can be used in combination with the porous membrane is not particularly limited, and includes, for example, a nylon membrane, a polytetrafluoroethylene (PTFE) membrane, and a tetrafluoroethylene/perfluoroalkylvinyl ether copolymer (PFA). and a film having a chemical or physicochemical function, such as a film or a film obtained by modifying them.

≪제 2 정제 방법≫«Second purification method»

제 2 정제 방법은, 필터에 의해 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는, 액체의 정제 방법으로서, The second purification method is a liquid purification method comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more with a filter,

필터가, 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 함유하는 방법이다.This is a method in which the filter contains a porous membrane having communicating pores including a structure in which spherical pores or substantially spherical pores communicate with each other.

제 2 정제 방법에 있어서 필터로서 사용하는 다공질막의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는, 제 1 제조 방법에 대해서 설명한 방법에 의해, 상기 소정의 구조를 포함하는 다공질막이 제조된다.The manufacturing method of the porous membrane used as a filter in a 2nd purification method is not specifically limited. Typically, the porous membrane containing the said predetermined structure is manufactured by the method demonstrated about the 1st manufacturing method.

제 2 정제 방법에서는, 구상 구멍 또는 대략 구상 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 필터로서 사용하여 점성 액체를 여과함으로써, 여과시의 기포의 발생을 방지하면서, 점성 액체 중의 기포의 수를 저감시킬 수 있다.In the second purification method, the viscous liquid is filtered using, as a filter, a porous membrane having communication pores including spherical pores or a structure in which substantially spherical pores are communicated with each other, thereby preventing the generation of bubbles during filtration and bubbles in the viscous liquid. can reduce the number of

제 2 정제 방법에 의한 정제 대상인 점성 액체는, 제 1 정제 방법에 대해서 설명한 방법과 동일하다.The viscous liquid to be purified by the second purification method is the same as the method described for the first purification method.

또, 제 2 정제 방법에 있어서의 점성 액체의 여과 방법도, 제 1 정제 방법에 대해서 설명한 방법과 동일하다.In addition, the filtration method of the viscous liquid in the 2nd purification method is the same as the method demonstrated about the 1st purification method.

실시예Example

이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated more concretely, the scope of the present invention is not limited to the Example shown below.

실시예에서는, 이하에 나타내는 폴리아미드산 용액, 유기 용제, 분산제 및 미립자를 사용하였다. 또한, 각 실리카의 입경 분포 지수 (d25/75) 에 대하여, 실리카 (1) 은 약 1.5 이고, 실리카 (2) 는 1.6 이상이다.In the Examples, the polyamic acid solution, organic solvent, dispersant, and microparticles shown below were used. Moreover, with respect to the particle size distribution index (d25/75) of each silica, silica (1) is about 1.5, and silica (2) is 1.6 or more.

ㆍ폴리아미드산 용액 : 피로멜리트산 2 무수물과 4,4'-디아미노디페닐에테르의 반응물 (유기 용제 : N,N-디메틸아세트아미드)ㆍPolyamic acid solution: reaction product of pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether (organic solvent: N,N-dimethylacetamide)

ㆍ유기 용제 (1) : N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc)ㆍOrganic solvent (1): N,N-dimethylacetamide (DMAc)

ㆍ유기 용제 (2) : 감마 부티로락톤ㆍOrganic solvent (2): gamma butyrolactone

ㆍ분산제 : 폴리옥시에틸렌 2 급 알킬에테르계 분산제ㆍDispersant: Polyoxyethylene secondary alkyl ether-based dispersant

ㆍ미립자 : 실리카 (1) : 평균 입경 2500 ㎚ 의 실리카 ㆍfine particles: silica (1): silica with an average particle diameter of 2500 nm

실리카 (2) : 평균 입경 3500 ㎚ 의 실리카 Silica (2): silica having an average particle diameter of 3500 nm

ㆍ에칭액 : 이소프로필알코올 : 물 (질량비 6 : 4) 의 혼합액의 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH) 5 질량% 용액- Etching liquid: isopropyl alcohol: water (mass ratio 6:4) 5 mass % solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH)

〔실시예 1〕[Example 1]

폴리아미드산 용액에, 실리카 (1) 의 분산액 (분산매는 DMAc) 을 첨가하고, 추가로 유기 용제 (1) 및 (2) 를 바니시 전체에 있어서의 용제 조성이 유기 용제 (1) : 유기 용제 (2) = 90 : 10 이 되도록 각각 추가하고, 교반하여 바니시를 조제하였다. 또한, 얻어진 바니시에 있어서의 폴리아미드산과 실리카의 체적비는 40 : 60 (질량비는 30 : 70) 이고, 고형분 농도 (폴리아미드산과 실리카의 농도) 는 33 질량% 이다. 점도는 4.0 ㎩ㆍs 였다.To the polyamic acid solution, a dispersion of silica (1) (dispersion medium is DMAc) is added, and organic solvents (1) and (2) are further mixed with organic solvents (1) and (2) so that the solvent composition in the entire varnish is organic solvent (1): organic solvent ( 2) = 90:10, respectively, were added and stirred, and the varnish was prepared. In addition, the volume ratio of the polyamic acid and silica in the obtained varnish is 40:60 (mass ratio 30:70), and solid content concentration (concentration of a polyamic acid and a silica) is 33 mass %. The viscosity was 4.0 Pa·s.

상기의 바니시를, 기재에 도포하고, 70 ℃ 에서 5 분간 프리베이크한 후, 기재로부터 미소성 복합막을 박리하여 미소성 복합막을 얻고, 400 ℃ 에서 각 15 분간 가열 처리 (소성) 를 실시함으로써, 이미드화시켜, 폴리이미드-미립자 복합막을 얻었다. 얻어진 폴리이미드-미립자 복합막을, 20 % HF 용액 중에 침지시킴으로써, 막 중에 포함되는 미립자를 제거한 후 수세 및 건조를 실시하여, 폴리이미드 다공질막을 얻었다.After applying the above varnish to the substrate, prebaking at 70°C for 5 minutes, peeling the unbaked composite film from the substrate to obtain an unbaked composite film, and heat treatment (baking) at 400°C for 15 minutes each, and a polyimide-fine particle composite film was obtained. The obtained polyimide-fine particle composite film was immersed in a 20% HF solution to remove the fine particles contained in the film, then washed with water and dried to obtain a porous polyimide film.

또한 에칭액을 사용하여, 폴리이미드 다공질막의 표면의 개구 직경 및 연통 구멍을 확장시켜, 수세ㆍ건조 후, 다시 350 ℃ 에서 15 분간의 가열 처리를 실시하였다. 재가열 후에, 막두께 약 40 ㎛, 투기도 20 초 이하, 공극률 약 70 %, 평균 공경 2500 ㎚ 의 폴리이미드 다공질막 1 을 얻었다. 포로시미터에 의해 확인된 연통 구멍의 평균 직경은 1000 ㎚ 였다.Moreover, the opening diameter and communication hole of the surface of a polyimide porous membrane were expanded using etching liquid, and after water washing and drying, the heat process for 15 minutes was performed again at 350 degreeC. After reheating, the polyimide porous membrane 1 having a film thickness of about 40 µm, an air permeability of 20 seconds or less, a porosity of about 70% and an average pore diameter of 2500 nm was obtained. The average diameter of the communication holes confirmed by the porosimeter was 1000 nm.

〔실시예 2〕[Example 2]

실리카 (1) 대신에 실리카 (2) 를 사용한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 폴리이미드 다공질막 2 를 얻었다. 최종적인 바니시의 점도는 4.1 ㎩ㆍs 였다. 폴리이미드 다공질막 2 는, 막두께 약 40 ㎛, 투기도 20 초 이하, 공극률 약 70 %, 평균 공경 3500 ㎚ 였다. 폴리이미드 다공질막 2 는, 1000 ㎚ 를 초과하는 연통 구멍을 가지고 있었다.Except having used the silica (2) instead of the silica (1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the polyimide porous membrane 2. The viscosity of the final varnish was 4.1 Pa·s. The polyimide porous membrane 2 had a film thickness of about 40 µm, an air permeability of 20 seconds or less, a porosity of about 70%, and an average pore diameter of 3500 nm. The polyimide porous membrane 2 had a communication hole exceeding 1000 nm.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

최종적인 바니시의 점도가 1.5 ㎩ㆍs 정도가 되도록 조정한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 바니시를 조제하였다. 비교예 1 의 바니시를 사용하여, 미소성 복합막을 형성했을 때, 프리베이크 후에 해도 (海島) 가 발생했기 때문에, 폴리이미드 다공질막을 형성할 수 없었다.Except having adjusted so that the viscosity of the final varnish might be about 1.5 Pa.s, it carried out similarly to Example 1, and prepared the varnish. When an unbaked composite film was formed using the varnish of Comparative Example 1, the polyimide porous film could not be formed because sea islands were generated after prebaking.

〔실시예 3〕[Example 3]

실시예 1 에서 얻어진 폴리이미드 다공질막 1 을 필터로서 구비하는 필터 디바이스를 사용하여, 실온에서, 표 1 에 기재된 조건으로, 도금 프로세스용 레지스트 조성물 (점도 (25 ℃, E 형 점도계) : 3.9 ㎩ㆍs, 토쿄 오카 공업사 제조, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 함유) 을 여과하였다.Using the filter device provided with the polyimide porous membrane 1 obtained in Example 1 as a filter, at room temperature, under the conditions shown in Table 1, resist composition for plating process (viscosity (25 degreeC, E-type viscometer): 3.9 Pa. s, the Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. make, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) containing) was filtered.

시험 장치로는, 이하의 1) ∼ 6) 의 구성으로 이루어지는 장치를 사용하였다.As a test apparatus, the apparatus which consists of the structures of the following 1) - 6) was used.

1) 레지스트액 탱크.1) Resist liquid tank.

2) 레지스트액 탱크와, 필터 디바이스의 급액구를 접속하는 급액 배관.2) A liquid supply pipe connecting the resist liquid tank and the liquid supply port of the filter device.

3) 급액 배관 도중에 형성된, 차압 (여과압) 을 발생시키면서 필터에 급액하기 위한 급액 펌프.3) A liquid supply pump for supplying liquid to the filter while generating a differential pressure (filtration pressure) formed in the middle of the liquid supply piping.

4) 필터를 구비하는 필터 디바이스.4) A filter device with a filter.

5) 필터 디바이스의 토출구와, 레지스트액 탱크를 접속하는 토출액 배관.5) A discharge liquid pipe connecting the discharge port of the filter device and the resist liquid tank.

6) 토출액 배관 도중에 형성된 샘플링용 3 방 변.6) Three-way side for sampling formed during discharge piping.

여과 조건은, 표 1 에 기재된 바와 같다. 또한, 여과를 개시하기 전에, 0.02 ㎫ 의 가압 조건하에서 필터에 약 4 ℓ 의 PGMEA 에 통액시켜, 필터의 프리웨트를 실시하였다.Filtration conditions are as having described in Table 1. In addition, before starting filtration, the filter was made to flow through about 4 L of PGMEA under the pressurization condition of 0.02 MPa, and the filter was pre-wetted.

먼저, 여과 개시시에, 상기 레지스트 조성물 0.5 ℓ 를 필터 디바이스 중의 필터에 통액시켜, 필터를 통과한 레지스트 조성물을 폐기하였다.First, at the start of filtration, 0.5 L of the resist composition was passed through the filter in the filter device, and the resist composition that had passed through the filter was discarded.

이어서, 레지스트액 탱크로부터, 필터를 향하여 레지스트 조성물 2 ℓ 를 급액하였다. 2 ℓ 급액에 의해 생긴 여과액을, 레지스트액 탱크에 회수하였다.Next, 2 L of the resist composition was supplied from the resist liquid tank toward the filter. The filtrate generated by the 2 L supply was collected in a resist liquid tank.

2 ℓ 공급 시점에서의 여과액의 샘플 100 ㎖ 를 3 방 변으로부터 회수하였다. 이 샘플을 샘플 1 로 하였다.100 ml of a sample of the filtrate at the time of supply of 2 L was recovered from 3 stools. This sample was designated as Sample 1.

그 후, 일부의 레지스트 조성물을, 레지스트액 탱크, 급액 배관, 필터 디바이스, 및 토출액 배관으로 이루어지는 순환계를 순환시키면서, 레지스트 조성물 13 ℓ 를 필터 디바이스에 급액하였다. 13 ℓ (합계 15 ℓ) 공급 시점에서의 여과액의 샘플 100 ㎖ 를 3 방 변으로부터 회수하였다. 이 샘플을 샘플 2 로 하였다.Thereafter, 13 L of the resist composition was supplied to the filter device while a part of the resist composition was circulated through a circulating system comprising a resist liquid tank, a liquid supply pipe, a filter device, and a discharge liquid pipe. At the time of supply of 13 L (15 L in total), 100 ml of a sample of the filtrate was recovered from three stools. This sample was designated as Sample 2.

샘플 1 과 샘플 2 에 대하여, 이하의 방법에 따라, 이물질수의 저감과 기포수의 저감을 평가하였다.For Sample 1 and Sample 2, reduction in the number of foreign substances and reduction in the number of bubbles were evaluated according to the following method.

먼저, 레지스트 조성물의 샘플을 웨이퍼 상에 도포한 후, 도포막을 140 ℃, 300 초간의 조건에서 프리베이크하여 형성된 막두께 약 38 ㎛ 의 막을 NSX-220 (루돌프사 제조) 에 의해 관찰하고, 단위 면적당 이물질수와 기포수를 카운트하였다.First, a sample of a resist composition is applied on a wafer, and then a film having a thickness of about 38 µm formed by pre-baking the coating film at 140° C. for 300 seconds is observed with an NSX-220 (manufactured by Rudolph), and per unit area The number of foreign substances and the number of bubbles were counted.

여과 전의 레지스트 조성물에 대해서도, 동일한 평가를 실시하였다.The same evaluation was performed also about the resist composition before filtration.

이상의 평가의 결과, 샘플 1 및 2 에 있어서 이물질수의 저감이 인정되었다.As a result of the above evaluation, reduction in the number of foreign substances was recognized in Samples 1 and 2.

또, 샘플 1 에서는, 기포수가 여과 전의 레지스트 조성물의 기포수의 5 % 까지 저감되어 있고, 샘플 2 의 기포수는 샘플 1 과 동등하였다.Moreover, in Sample 1, the number of bubbles was reduced to 5% of the number of bubbles in the resist composition before filtration, and the number of bubbles in Sample 2 was equal to that of Sample 1.

〔비교예 2〕[Comparative Example 2]

필터를 평균 공경 1 ㎛ (1000 ㎚) 의 PTFE 섬유로 이루어지는 필터로 변경하는 것과, 여과 조건을 표 1 에 기재된 조건으로 변경하는 것을 제외하고, 실시예 3 과 동일하게 하여 레지스트 조성물의 여과 처리를 실시하였다. The resist composition was filtered in the same manner as in Example 3, except that the filter was changed to a filter made of PTFE fibers with an average pore diameter of 1 µm (1000 nm) and the filtration conditions were changed to those shown in Table 1. did.

여과 후에 얻어진 레지스트 조성물 중의 기포수를, 실시예 3 과 동일한 방법으로 확인한 결과, 샘플 1 및 샘플 2 에 대해서 이물질수의 저감이 확인되었다.As a result of confirming the number of bubbles in the resist composition obtained after filtration in the same manner as in Example 3, reduction in the number of foreign substances was confirmed for Samples 1 and 2.

그러나, 샘플 1 에서는, 여과 전의 레지스트 조성물로부터의 기포수의 저감을 확인할 수 없고, 샘플 2 에서는, 기포수가 여과 전의 기포수의 약 100 배로 증가해 있었다.However, in Sample 1, the reduction in the number of bubbles from the resist composition before filtration was not confirmed, and in Sample 2, the number of bubbles increased to about 100 times the number of bubbles before filtration.

또한, 차압 (여과압) 을 0.5 ㎫ 로 높여, 비교예 2 와 동일한 시험을 실시하였다. 당해 시험에서는, 비교예 2 보다 적은 통액량으로도, 비교예 2 와 동일한 기포수의 증가가 확인되었다.Moreover, the test similar to the comparative example 2 was implemented by raising the differential pressure (filtration pressure) to 0.5 Mpa. In this test, the same increase in the number of bubbles as in Comparative Example 2 was confirmed even with a liquid passing amount smaller than Comparative Example 2.

Figure 112019015195016-pct00003
Figure 112019015195016-pct00003

〔실시예 4〕[Example 4]

실시예 1 에서 얻어진 폴리이미드 다공질막 1 을 필터로서 구비하는 필터 디바이스를 사용하여, 실온에서, 표 2 에 기재된 조건으로, 도금 프로세스용 레지스트 조성물 (점도 (25 ℃, E 형 점도계) : 1.0 ㎩ㆍs, 토쿄 오카 공업사 제조, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 및 3-메톡시부틸아세테이트 (MA) 함유) 를 여과하였다.Using the filter device provided with the polyimide porous membrane 1 obtained in Example 1 as a filter, at room temperature, under the conditions shown in Table 2, resist composition for plating process (viscosity (25 degreeC, E-type viscometer): 1.0 Pa. s, Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd. propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and 3-methoxybutyl acetate (MA) containing) were filtered.

시험 장치로는, 이하의 1) ∼ 6) 의 구성으로 이루어지는 장치를 사용하였다.As a test apparatus, the apparatus which consists of the structures of the following 1) - 6) was used.

1) 레지스트액 탱크.1) Resist liquid tank.

2) 레지스트액 탱크와, 필터 디바이스의 급액구를 접속하는 급액 배관.2) A liquid supply pipe connecting the resist liquid tank and the liquid supply port of the filter device.

3) 급액 배관 도중에 형성된, 차압 (여과압) 을 발생시키면서 필터에 급액하기 위한 급액 펌프.3) A liquid supply pump for supplying liquid to the filter while generating a differential pressure (filtration pressure) formed in the middle of the liquid supply piping.

4) 필터를 구비하는 필터 디바이스.4) A filter device with a filter.

5) 필터 디바이스의 토출구과, 레지스트액 탱크를 접속하는 토출액 배관.5) A discharge liquid pipe connecting the discharge port of the filter device and the resist liquid tank.

6) 토출액 배관 도중에 형성된 샘플링용 3 방 변.6) Three-way side for sampling formed during discharge piping.

여과 조건은, 표 2 에 기재된 바와 같다.Filtration conditions are as having described in Table 2.

먼저, 여과 개시시에, 상기 레지스트 조성물 0.5 ℓ 를 필터 디바이스 중의 필터에 통액시켜, 필터를 통과한 레지스트 조성물을 폐기하였다.First, at the start of filtration, 0.5 L of the resist composition was passed through the filter in the filter device, and the resist composition that had passed through the filter was discarded.

이어서, 일부의 레지스트 조성물을, 레지스트액 탱크, 급액 배관, 필터 디바이스, 및 토출액 배관으로 이루어지는 순환계를 순환시키면서, 레지스트 조성물 12 ℓ 를 필터 디바이스에 급액하였다. 12 ℓ 공급 시점에서의 여과액의 샘플 100 ㎖ 를 3 방 변으로부터 회수하였다. 이 샘플을 샘플 3 으로 하였다.Next, 12 L of the resist composition was supplied to the filter device while a part of the resist composition was circulated through a circulating system comprising a resist liquid tank, a liquid supply pipe, a filter device, and a discharge liquid pipe. A sample of 100 ml of the filtrate at the time of supply of 12 L was recovered from 3 stools. This sample was designated as Sample 3.

샘플 3 에 대하여, 실시예 3 과 동일한 방법으로, 이물질수의 저감과, 기포수의 저감을 평가하였다. 여과 전의 레지스트 조성물에 대해서도, 실시예 3 과 마찬가지로 이물질수와 기포수를 평가하였다.About Sample 3, the reduction of the number of foreign substances and reduction of the number of bubbles were evaluated by the method similar to Example 3. Regarding the resist composition before filtration, the number of foreign substances and the number of bubbles were evaluated in the same manner as in Example 3.

그 결과, 샘플 3 에 있어서 이물질수의 저감이 인정되었다.As a result, in Sample 3, reduction in the number of foreign substances was recognized.

또, 샘플 3 의 기포수가 여과 전의 레지스트 조성물의 기포수의 약 6 % 까지 저감되어 있고, 이물질수는 여과 전의 레지스트 조성물의 기포수의 약 2 % 까지 저감되었다.Moreover, the number of bubbles in Sample 3 was reduced to about 6% of the number of bubbles in the resist composition before filtration, and the number of foreign substances was reduced to about 2% of the number of bubbles in the resist composition before filtration.

〔비교예 3〕[Comparative Example 3]

시험 장치에 있어서의 필터를 PTFE 부직포로 변경한 것 외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여 평가를 실시하였다. 실시예 3 과 달리, 샘플의 기포수는 저감되지 않았고 (여과 전의 레지스트 조성물의 기포수의 약 80 % 가 잔존), 이물질수도 여과 전의 레지스트 조성물의 이물질수의 41 % 정도까지밖에 저감되지 않았다.Except having changed the filter in a test apparatus to a PTFE nonwoven fabric, it carried out similarly to Example 4, and evaluated. Unlike Example 3, the number of bubbles in the sample was not reduced (about 80% of the number of bubbles in the resist composition before filtration remained), and the number of foreign substances was reduced only to about 41% of the number of foreign substances in the resist composition before filtration.

Figure 112019015195016-pct00004
Figure 112019015195016-pct00004

Claims (15)

필터에 의해 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상 8.0 ㎩ㆍs 이하인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는, 액체의 정제 방법으로서,
상기 필터가,
수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 점도 2.0 ㎩ㆍs 이상의 바니시를 기판 상에 도포하여, 상기 수지 성분 (A) 와 상기 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과,
상기 복합막 중의 상기 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 다공질막을 함유하고,
상기 수지 성분 (A) 가, 폴리아미드산 및 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 함유하고,
상기 입자 (B) 가 실리카 입자이고, 상기 입자 (B) 의 입경이 2000 ㎚ 초과 3500 ㎚ 이하이고,
상기 용매 (S) 가, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, 및 ε-카프로락톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 용매인, 정제 방법.
A method for purifying a liquid, comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more and 8.0 Pa·s or less with a filter, comprising:
the filter,
A composite film composed of the resin component (A) and the particles (B) by applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) with a viscosity of 2.0 Pa·s or more on a substrate forming and
It contains a porous membrane obtained by a manufacturing method comprising removing the particle (B) in the composite membrane,
The resin component (A) contains at least one selected from the group consisting of polyamic acid and polyimide,
the particle (B) is a silica particle, the particle size of the particle (B) is more than 2000 nm and 3500 nm or less,
The solvent (S) is N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide , N-methylcaprolactam, N,N,N',N'-tetramethylurea, β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and at least one solvent selected from the group consisting of ε-caprolactone.
필터에 의해 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상 8.0 ㎩ㆍs 이하인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는, 액체의 정제 방법으로서,
상기 필터가,
구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 함유하고,
상기 구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍의 평균 직경이 2000 ㎚ 초과 3500 ㎚ 이하인, 정제 방법.
A method for purifying a liquid, comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more and 8.0 Pa·s or less with a filter, comprising:
the filter,
It contains a spherical hole or a porous membrane having a communicating hole having a spherical degree of less than 1 ± 0.3 and a structure in which non-spherical spherical pores communicate with each other,
The purification method, wherein the spherical pores or sphericity is within 1 ± 0.3, and the average diameter of non-spherical spherical pores is more than 2000 nm and 3500 nm or less.
필터에 의해 점도가 0.1 ㎩ㆍs 이상 8.0 ㎩ㆍs 이하인 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는, 액체의 정제 방법으로서,
상기 필터가,
구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖는 다공질막을 함유하고,
상기 연통 구멍의 평균 공경이 500 ㎚ 이상 2000 ㎚ 이하인, 정제 방법.
A method for purifying a liquid, comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more and 8.0 Pa·s or less with a filter, comprising:
the filter,
It contains a spherical hole or a porous membrane having a communicating hole having a spherical degree of less than 1 ± 0.3 and a structure in which non-spherical spherical pores communicate with each other,
The purification method, wherein the average pore diameter of the communication holes is 500 nm or more and 2000 nm or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다공질막이 연통 구멍을 갖고, 상기 연통 구멍의 평균 공경이 500 ㎚ 이상 2000 ㎚ 이하인, 정제 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The purification method, wherein the porous membrane has communication holes, and the average pore diameter of the communication holes is 500 nm or more and 2000 nm or less.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 (B) 의 제거가 불화수소수에 의해 실시되는, 정제 방법.
The method of claim 1,
A purification method, wherein the particle (B) is removed with hydrogen fluoride water.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점성 액체가 기포를 포함하는, 정제 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
wherein the viscous liquid comprises air bubbles.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다공질막의 걸리 투기도가 1 초 이상 20 초 이하인, 정제 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The purification method, wherein the Gurley air permeability of the porous membrane is 1 second or more and 20 seconds or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점성 액체를 여과하기 전에, 상기 점성 액체와 상이한 액체로 상기 필터를 프리웨트하는 공정을 포함하는, 정제 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
and pre-wetting the filter with a liquid different from the viscous liquid before filtering the viscous liquid.
수지 성분 (A) 와, 입자 (B) 와, 용매 (S) 를 포함하는 바니시를 기판 상에 도포하여, 상기 수지 성분 (A) 와 상기 입자 (B) 로 이루어지는 복합막을 형성하는 것과,
상기 복합막 중의 상기 입자 (B) 를 제거하는 것을 포함하는 다공질막의 제조 방법으로서,
상기 수지 성분 (A) 가, 폴리아미드산 및 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 함유하고,
상기 입자 (B) 가 실리카 입자이고, 상기 입자 (B) 의 입경이 2000 ㎚ 초과 3500 ㎚ 이하이고,
상기 용매 (S) 가, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, N,N,N',N'-테트라메틸우레아, β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, 및 ε-카프로락톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 용매이고,
상기 바니시의 점도가 2.0 ㎩ㆍs 이상인, 제조 방법.
Applying a varnish containing a resin component (A), particles (B), and a solvent (S) on a substrate to form a composite film comprising the resin component (A) and the particles (B);
A method for producing a porous membrane comprising removing the particles (B) in the composite membrane,
The resin component (A) contains at least one selected from the group consisting of polyamic acid and polyimide,
the particle (B) is a silica particle, the particle size of the particle (B) is more than 2000 nm and 3500 nm or less,
The solvent (S) is N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylacetamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide , N-methylcaprolactam, N,N,N',N'-tetramethylurea, β-propiolactone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, and at least one solvent selected from the group consisting of ε-caprolactone,
The manufacturing method of which the viscosity of the said varnish is 2.0 Pa.s or more.
제 9 항에 있어서,
상기 입자 (B) 의 입경이 2500 ㎚ 이상 3500 ㎚ 이하인, 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The manufacturing method of which the particle diameter of the said particle|grain (B) is 2500 nm or more and 3500 nm or less.
제 9 항에 있어서,
상기 다공질막이 구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍을 갖고,
상기 구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍의 평균 직경이 2000 ㎚ 초과 3500 ㎚ 이하인, 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The porous membrane has spherical pores or spherical pores that are not spherical with a sphericity of 1 ± 0.3 or less,
The spherical hole or the spherical degree is within 1 ± 0.3, and the average diameter of the non-spherical spherical pores is more than 2000 nm and 3500 nm or less, the manufacturing method.
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다공질막은, 구상 구멍, 또는, 진구도가 1 ± 0.3 이내로서, 진구가 아닌 구상의 구멍이 서로 연통된 구조를 포함하는 연통 구멍을 갖고, 상기 연통 구멍의 평균 공경이 500 ㎚ 이상 2000 ㎚ 이하인, 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The porous membrane has a spherical hole or a communication hole comprising a structure in which spherical holes, which are not spherical, communicate with each other with a sphericity of 1 ± 0.3 or less, and the average pore diameter of the communication holes is 500 nm or more and 2000 nm or less , manufacturing method.
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다공질막이, 기포를 포함하는 점도 0.1 ㎩ㆍs 이상 8.0 ㎩ㆍs 이하의 점성 액체를 여과하는 것을 포함하는 액체의 정제 방법에 필터로서 제공되는, 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The production method according to claim 1, wherein the porous membrane is provided as a filter to a liquid purification method comprising filtering a viscous liquid having a viscosity of 0.1 Pa·s or more and 8.0 Pa·s or less.
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다공질막의 걸리 투기도가 1 초 이상 20 초 이하인, 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The Gurley air permeability of the said porous membrane is 1 second or more and 20 seconds or less, The manufacturing method.
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바니시의 고형분 농도가, 25 질량% 이상인, 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The manufacturing method whose solid content concentration of the said varnish is 25 mass % or more.
KR1020197004287A 2016-08-03 2017-07-31 A method for purifying a liquid, and a method for manufacturing a porous membrane KR102447053B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227032524A KR102508570B1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 Method for purifying liquid, and method for producing porous membrane

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016153112 2016-08-03
JPJP-P-2016-153112 2016-08-03
PCT/JP2017/027618 WO2018025790A1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 Method for purifying liquid, and method for producing porous membrane

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227032524A Division KR102508570B1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 Method for purifying liquid, and method for producing porous membrane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190031506A KR20190031506A (en) 2019-03-26
KR102447053B1 true KR102447053B1 (en) 2022-09-23

Family

ID=61072678

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227032524A KR102508570B1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 Method for purifying liquid, and method for producing porous membrane
KR1020197004287A KR102447053B1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 A method for purifying a liquid, and a method for manufacturing a porous membrane

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227032524A KR102508570B1 (en) 2016-08-03 2017-07-31 Method for purifying liquid, and method for producing porous membrane

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6835848B2 (en)
KR (2) KR102508570B1 (en)
CN (1) CN109562323B (en)
TW (1) TWI804471B (en)
WO (1) WO2018025790A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117398770A (en) * 2018-03-30 2024-01-16 东营胜蓝石油科技开发有限公司 Gas-liquid separation device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012107144A (en) * 2010-11-18 2012-06-07 Tokyo Metropolitan Univ Method for producing porous polyimide membrane
US20150246323A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Pall Corporation Charged porous polymeric membrane with high void volume

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774132A (en) * 1986-05-01 1988-09-27 Pall Corporation Polyvinylidene difluoride structure
JPH07233273A (en) * 1994-02-24 1995-09-05 Nitto Denko Corp Production of porous fluororesin film
CN1511874A (en) * 2002-12-30 2004-07-14 中国科学院化学研究所 Ordered porous polymer film and its preparing method
JP2006281021A (en) 2005-03-31 2006-10-19 Toray Ind Inc Filtering device, coater and coating method using the device, and method of manufacturing member for display
JP4450219B2 (en) * 2005-07-01 2010-04-14 信越化学工業株式会社 Method for forming resist film and method for preventing generation of microbubbles in resist solution
CA2655907A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Toray Industries, Inc. Polymer separation membrane and process for producing the same
JP5176775B2 (en) * 2008-06-02 2013-04-03 株式会社村田製作所 Ceramic electronic component and method for manufacturing the same
WO2010021474A2 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 주식회사 코오롱 Porous membrane and preparation method thereof
JP4879253B2 (en) 2008-12-04 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply device
CN201392451Y (en) * 2009-04-29 2010-01-27 西安煤航印刷材料有限责任公司 Coating glue-supply and air-exhaust device in production process of PS printing plate
CN101607178B (en) * 2009-06-16 2011-11-09 天津工业大学 Method for preparing hollow fiber porous membrane
US20130112621A1 (en) * 2011-11-03 2013-05-09 Lei Zheng Water filtration article and related methods
CN103945923A (en) * 2011-12-09 2014-07-23 Emd密理博公司 High viscosity tff device design
WO2014175011A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 東京応化工業株式会社 Method for producing porous polyimide film, porous polyimide film and separator using same
CN105324869B (en) * 2013-06-27 2017-10-03 旭化成株式会社 Non-aqueous electrolyte cell separator and battery with nonaqueous electrolyte
CN105392553B (en) * 2013-07-18 2017-06-23 可乐丽股份有限公司 Hydrophiling vinylidene fluoride class porous hollow fiber membrane and its manufacture method
CN105452356B (en) * 2013-08-08 2018-02-09 东京应化工业株式会社 The manufacture method of porous polyimide resin film, porous polyimide resin film and its distance piece is used
US20150246320A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Pall Corporation Porous polymeric membrane with high void volume
CN106661265B (en) * 2014-08-20 2019-12-17 东京应化工业株式会社 Varnish for producing porous polyimide film, and method for producing porous polyimide film using same
WO2016039299A1 (en) 2014-09-10 2016-03-17 東京応化工業株式会社 Method for producing porous polyimide film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012107144A (en) * 2010-11-18 2012-06-07 Tokyo Metropolitan Univ Method for producing porous polyimide membrane
US20150246323A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 Pall Corporation Charged porous polymeric membrane with high void volume

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021073094A (en) 2021-05-13
CN109562323B (en) 2022-01-11
KR20220131363A (en) 2022-09-27
JP6835848B2 (en) 2021-02-24
JP7119147B2 (en) 2022-08-16
TW201808425A (en) 2018-03-16
JPWO2018025790A1 (en) 2019-05-30
TWI804471B (en) 2023-06-11
KR102508570B1 (en) 2023-03-09
KR20190031506A (en) 2019-03-26
CN109562323A (en) 2019-04-02
WO2018025790A1 (en) 2018-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6999764B2 (en) Liquid purification method, chemical or cleaning solution manufacturing method, filter media, and filter device
CN107207760B (en) Polyimide and/or polyamideimide porous body, and method for producing same and use thereof
CN107922663B (en) Method for producing porous film
US11713383B2 (en) Method for producing porous film, method for producing composition for producing porous film, and porous film
JP6883393B2 (en) Polyimide-based resin film cleaning solution, method for cleaning polyimide-based resin film, method for manufacturing polyimide film, method for manufacturing filter, filter media or filter device, and method for manufacturing chemical solution for lithography
US10155185B2 (en) Polyimide-based resin film cleaning liquid, method for cleaning polyimide-based resin film, method for producing polyimide coating, method for producing filter, filter medium, or filter device, and method for producing chemical solution for lithography
JP7119147B2 (en) Method for purifying liquid and method for producing porous membrane
WO2016136673A1 (en) Method for purifying liquid, method for producing chemical solution or cleaning solution, filter medium, and filter device
KR20230174209A (en) Polyimide porous membrane
KR20240048474A (en) Porous membrane

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right