KR102446108B1 - High-frequency modules and communication devices - Google Patents

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쇼 마츠모토
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band

Abstract

고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 주면(30a 및 30b)을 갖는 실장 기판(30)과, 주면(30a)에 실장되고, 고주파 부품이며 이미터 단자를 갖는 PA(11)와, PA(11)의 이미터 단자와 접속되고, 실장 기판(30)의 주면(30a)과 주면(30b)을 관통하는 관통 전극(51)과, 관통 전극(51)과 접속되는 그라운드 단자(411 및 412)를 구비한다.The high-frequency module 1 includes a mounting board 30 having main surfaces 30a and 30b opposite to each other, a PA 11 mounted on the main surface 30a, which is a high-frequency component, and has an emitter terminal, and a PA 11 . a through electrode 51 connected to the emitter terminal of do.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치High-frequency modules and communication devices

본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high-frequency module and a communication device.

휴대전화 등의 이동체 통신 장치에서는, 특히 멀티밴드화의 진전에 따라 고주파 프런트엔드 회로를 구성하는 회로 소자수가 증가한다.In mobile communication devices such as cellular phones, the number of circuit elements constituting a high-frequency front-end circuit increases with the progress of multi-band in particular.

특허문헌 1에는 고주파 프런트엔드 회로를 구성하는 회로 소자가 실장 기판의 양면에 실장된 전자 부품(회로 모듈)이 개시되어 있다. 양면 실장형의 코어 기판의 서로 대향하는 2개의 실장면 중 외부 단자 전극이 배치되어 있는 측의 제 2 실장면에는 수동 칩 부품이 실장되고, 상기 제 2 실장면과 반대측의 제 1 실장면에는 능동 칩 부품이 실장되어 있다. 상기 구성에 의하면, 편면 실장형의 기판에 회로 소자가 형성된 회로 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화된 회로 모듈을 제공할 수 있다.Patent Document 1 discloses an electronic component (circuit module) in which circuit elements constituting a high-frequency front-end circuit are mounted on both sides of a mounting board. Among the two mounting surfaces of the double-sided mounting type core board, a passive chip component is mounted on the second mounting surface on the side where the external terminal electrode is disposed, and the active chip component is mounted on the first mounting surface opposite to the second mounting surface. Chip components are mounted. According to the above configuration, it is possible to provide a circuit module that is higher in density and smaller in size compared with a circuit module in which circuit elements are formed on a single-sided mounting type substrate.

국제 공개 제2005/078796호International Publication No. 2005/078796

특허문헌 1에 개시된 회로 모듈을 고주파 프런트엔드 회로에 적용한 경우, 능동 칩 부품으로서 하이 파워의 고주파 신호를 출력하는 송신 전력 증폭기가 적용된다. 이 경우, 예를 들면 송신 전력 증폭기의 이미터부에 대전류가 흐르기 때문에 회로 모듈로부터 외부 기판으로의 방열 수단을 확보할 필요가 있다.When the circuit module disclosed in Patent Document 1 is applied to a high-frequency front-end circuit, a transmission power amplifier that outputs a high-power high-frequency signal as an active chip component is applied. In this case, for example, since a large current flows in the emitter portion of the transmission power amplifier, it is necessary to secure means for dissipating heat from the circuit module to the external substrate.

그러나, 특허문헌 1에 개시된 회로 모듈에서는 외부 기판이 실장되는 제 2 실장면과 반대측의 제 1 실장면에 능동 칩 부품이 실장되어 있어, 상기 능동 칩 부품으로부터 외부 기판으로의 방열 경로가 확보되어 있지 않기 때문에 방열성이 악화된다고 하는 문제가 있다.However, in the circuit module disclosed in Patent Document 1, the active chip component is mounted on the first mounting surface opposite to the second mounting surface on which the external substrate is mounted, and the heat dissipation path from the active chip component to the external substrate is not secured. Therefore, there is a problem that heat dissipation property deteriorates.

또한, 능동 칩 부품이 제 2 실장면에 실장된 경우에는 능동 칩 부품으로부터 외부 기판으로의 방열 경로로서, 능동 칩 부품, 제 2 실장면, 코어 기판의 실장면에 평행한 평면 배선 패턴, 및 외부 단자 전극을 경유한 방열 배선이 필요해진다. 그러나, 이 경우, 상기 방열 배선에는 실장면에 수직한 방향을 따른 저저항의 비아 배선과 함께, 상기 평면 배선 패턴만을 경유하는 고저항의 배선 경로가 포함되어, 상기 배선 경로에 있어서 열 저항이 증대되기 때문에 방열성이 악화된다고 하는 문제가 있다.In addition, when the active chip component is mounted on the second mounting surface, as a heat dissipation path from the active chip component to the external board, the active chip component, the second mounting surface, a planar wiring pattern parallel to the mounting surface of the core board, and external The heat dissipation wiring via the terminal electrode is required. However, in this case, the heat dissipation wiring includes a low resistance via wiring along a direction perpendicular to the mounting surface and a high resistance wiring path passing only through the planar wiring pattern, so that the thermal resistance is increased in the wiring path. Therefore, there is a problem that heat dissipation property deteriorates.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 송신 전력 증폭기로부터의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a compact high-frequency module and a communication device having improved heat dissipation from a transmission power amplifier.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 고주파 모듈은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 고주파 부품을 실장 가능한 실장 기판과, 상기 제 1 주면에 실장되고, 고주파 부품이며 이미터 단자를 갖는 송신 전력 증폭기와, 상기 송신 전력 증폭기의 이미터 단자와 접속되고, 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이를 관통하는 관통 전극과, 상기 관통 전극과 접속되는 그라운드 단자를 구비한다.In order to achieve the above object, a high-frequency module according to one embodiment of the present invention includes a mounting board having first and second main surfaces opposite to each other and capable of mounting high-frequency components on the first and second main surfaces; A transmission power amplifier mounted on a first main surface and being a high frequency component and having an emitter terminal, and connected to an emitter terminal of the transmission power amplifier, a penetration penetrating between the first main surface and the second main surface of the mounting board An electrode and a ground terminal connected to the through electrode are provided.

상기 구성에 의하면, 실장 기판의 양 실장면에 회로 부품이 실장되어 있으므로, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화할 수 있다. 또한, 발열량이 큰 송신 전력 증폭기가 제 1 주면에 실장되고, 실장 기판에 형성된 관통 전극이 이미터 단자 및 그라운드 단자를 접속하므로, 실장 기판 내의 배선 중 열 저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈을 제공하는 것이 가능해진다.According to the above configuration, since circuit components are mounted on both mounting surfaces of the mounting board, it is possible to increase the density and reduce the size as compared with a high-frequency module using a single-sided mounting board. In addition, since a transmission power amplifier having a large amount of heat is mounted on the first main surface, and a through electrode formed on the mounting board connects the emitter terminal and the ground terminal, a heat dissipation path through only a flat wiring pattern with high thermal resistance among wirings in the mounting board. can be excluded. Accordingly, it becomes possible to provide a compact high-frequency module with improved heat dissipation from the transmit power amplifier to the external substrate.

또한, 상기 고주파 모듈은 외부 기판에 접속되고, 상기 그라운드 단자는 상기 외부 기판에 접속되어도 좋다.Further, the high-frequency module may be connected to an external substrate, and the ground terminal may be connected to the external substrate.

또한, 상기 고주파 모듈은 상기 제 1 주면 상에 형성되고, 상기 송신 전력 증폭기의 적어도 일부를 덮는 제 1 수지를 더 구비해도 좋다.The high-frequency module may further include a first resin formed on the first main surface and covering at least a part of the transmission power amplifier.

상기 구성에 의하면, 열 발생량이 많은 송신 전력 증폭기가 제 1 수지에 의해 일부 덮이므로, 송신 전력 증폭기의 실장 신뢰성을 높이면서, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된다.According to the above configuration, since the transmission power amplifier having a large amount of heat is partially covered by the first resin, the mounting reliability of the transmission power amplifier is improved, and heat dissipation from the transmission power amplifier to the external substrate is improved.

또한, 상기 고주파 모듈은 상기 제 2 주면에 실장된 회로 부품과, 상기 제 2 주면 상에 형성되어 상기 회로 부품의 적어도 일부를 덮는 제 2 수지를 더 구비하고, 상기 그라운드 단자는 상기 제 2 수지 상에 배치되어 있어도 좋다.In addition, the high frequency module further includes a circuit component mounted on the second main surface, and a second resin formed on the second main surface to cover at least a portion of the circuit component, and the ground terminal is on the second resin may be placed in

상기 구성에 의하면, 회로 부품의 실장 신뢰성을 높이면서, 제 2 수지 내에 있어서도 상기 관통 전극이 형성되므로, 실장 기판 및 제 2 수지에 형성되는 배선 중 열 저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다.According to the above configuration, since the through electrode is also formed in the second resin while improving the mounting reliability of the circuit components, the heat dissipation path through only the flat wiring pattern having high thermal resistance among the wiring formed on the mounting board and the second resin is reduced. can be excluded.

또한, 상기 실장 기판의 평면 배선 패턴에 의해 형성된 그라운드 전극층과, 상기 제 1 수지의 천면 및 측면을 덮도록 형성되고, 상기 실장 기판의 측면에 있어서 상기 그라운드 전극층과 접속된 제 1 실드 전극층을 더 구비해도 좋다.In addition, a ground electrode layer formed by the planar wiring pattern of the mounting substrate, and a first shielding electrode layer formed to cover the top and side surfaces of the first resin and connected to the ground electrode layer on the side surface of the mounting substrate are further provided. good to do

상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기의 송신 신호가 고주파 모듈로부터 직접 외부로 방사되는 것을 억제할 수 있고, 또한 외래 노이즈가 제 1 전자 부품에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제 1 실드 전극층을 통해서 송신 전력 증폭기의 발열을 방열할 수 있으므로, 방열성이 향상된다.According to the above configuration, it is possible to suppress that the transmission signal of the transmission power amplifier is directly radiated from the high-frequency module to the outside, and it is possible to suppress the intrusion of extraneous noise into the first electronic component. Further, heat dissipation of the transmission power amplifier can be dissipated through the first shield electrode layer, so that the heat dissipation property is improved.

또한, 상기 제 2 수지의 측면에 형성되고, 상기 실장 기판의 측면에 있어서 상기 그라운드 전극층과 접속된 제 2 실드 전극층을 더 구비해도 좋다.Further, a second shielding electrode layer formed on the side surface of the second resin and connected to the ground electrode layer on the side surface of the mounting substrate may be further provided.

상기 구성에 의하면, 제 1 실드 전극층과 함께 제 2 실드 전극층이 형성되므로, 고주파 모듈 전체가 실드된다. 따라서, 송신 전력 증폭기의 송신 신호가 고주파 모듈로부터 직접 외부로 방사되는 것을 더욱 억제할 수 있고, 또한 외래 노이즈가 제 1 전자 부품 및 제 2 전자 부품에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제 2 실드 전극층을 통해서 송신 전력 증폭기의 발열을 방열할 수 있으므로, 방열성이 더욱 향상된다.According to the above configuration, since the second shield electrode layer is formed together with the first shield electrode layer, the entire high-frequency module is shielded. Accordingly, it is possible to further suppress that the transmission signal of the transmission power amplifier is directly radiated from the high-frequency module to the outside, and it is also possible to suppress the intrusion of extraneous noise into the first electronic component and the second electronic component. In addition, heat dissipation of the transmission power amplifier can be dissipated through the second shield electrode layer, so that the heat dissipation property is further improved.

또한, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 관통 전극과 상기 그라운드 단자는 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.In addition, when the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, at least a part of the through electrode and the ground terminal may overlap.

상기 구성에 의하면, 이미터 단자와 그라운드 단자를 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해지고, 송신 전력 증폭기로부터의 그라운드 단자로의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 수지 내에 있어서의 관통 전극의 형성 영역을 송신 전력 증폭기의 직하 부근의 영역에 한정할 수 있기 때문에, 제 2 주면에 실장되는 회로 부품의 형성 영역을 넓게 할 수 있어 회로 부품의 배치의 자유도가 향상된다. 또한, 상기 회로 부품은 저잡음 수신 증폭기여도 좋다.According to the above configuration, it is possible to connect the emitter terminal and the ground terminal by the shortest distance, and since the thermal resistance in the heat dissipation path from the transmission power amplifier to the ground terminal can be reduced, the external device from the transmission power amplifier can be reduced. The heat dissipation property to a board|substrate can be improved more. In addition, since the formation area of the through electrode in the second resin can be limited to the area immediately under the transmission power amplifier, the formation area of the circuit component mounted on the second main surface can be widened, and the arrangement of the circuit component can be increased. freedom is improved. Further, the circuit component may be a low-noise receiving amplifier.

상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기와 저잡음 수신 증폭기가 실장 기판을 사이에 두고 배치되므로, 양자 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.According to the above configuration, since the transmission power amplifier and the low-noise reception amplifier are disposed with the mounting substrate interposed therebetween, isolation between them can be ensured and interference between the transmission signal and the reception signal can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 송신 전력 증폭기와 상기 저잡음 수신 증폭기는 겹쳐 있지 않아도 좋다.In addition, when the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the transmit power amplifier and the low noise receive amplifier may not overlap.

상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기와 저잡음 수신 증폭기의 거리를 더욱 크게 할 수 있으므로, 양자 사이의 아이솔레이션을 보다 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 또한, 송신 전력 증폭기와 그라운드 단자를 접속하는 관통 전극이 저잡음 수신 증폭기의 배치에 의해 제약을 받지 않으므로, 송신 전력 증폭기와 그라운드 단자를 최단 거리로 접속할 수 있다.According to the above configuration, since the distance between the transmission power amplifier and the low-noise reception amplifier can be further increased, the isolation between them can be further ensured, and the interference between the transmission signal and the reception signal can be suppressed. In addition, since the through electrode connecting the transmit power amplifier and the ground terminal is not restricted by the arrangement of the low-noise receiving amplifier, the transmit power amplifier and the ground terminal can be connected with the shortest distance.

또한, 상기 제 1 주면 상에 실장된 송신용 필터와, 상기 제 1 주면 상에 실장된 수신용 필터를 더 구비하고, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 저잡음 수신 증폭기와 상기 수신용 필터는 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.In addition, a transmission filter mounted on the first main surface and a receiving filter mounted on the first main surface are further provided, wherein the high-frequency module is flattened from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface. In this case, at least a part of the low-noise receiving amplifier and the receiving filter may overlap.

상기 구성에 의하면, 저잡음 수신 증폭기 및 수신용 필터를 포함하는 수신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있으므로, 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 상기 선로 길이가 짧아짐으로써 수신 경로 상의 기생 용량을 억제할 수 있으므로, 잡음 지수의 저하를 억제할 수 있다.According to the above configuration, since the line length of the reception path including the low-noise reception amplifier and the reception filter can be shortened, the transmission loss of the reception signal can be reduced. In addition, since the parasitic capacitance on the reception path can be suppressed by shortening the line length, it is possible to suppress a decrease in the noise figure.

또한, 상기 제 1 주면 상에 실장된 송신용 필터와, 상기 제 1 주면 상에 실장된 수신용 필터를 더 구비하고, 상기 제 1 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 송신용 필터는 상기 송신 전력 증폭기와 상기 수신용 필터 사이에 배치되어 있어도 좋다.In addition, a transmission filter mounted on the first main surface and a receiving filter mounted on the first main surface are further provided, and when the high-frequency module is viewed in a plane from a direction perpendicular to the first main surface, the The transmission filter may be disposed between the transmission power amplifier and the reception filter.

상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기 및 송신용 필터를 포함하는 송신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있으므로, 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 송신용 필터의 개재에 의해, 대전력의 송신 신호를 출력하는 송신 전력 증폭기와 수신용 필터의 거리를 확보할 수 있으므로, 송신 신호의 간섭에 의한 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.According to the above configuration, since the line length of the transmission path including the transmission power amplifier and the transmission filter can be shortened, the transmission loss of the transmission signal can be reduced. In addition, by interposing the transmission filter, the distance between the transmission power amplifier for outputting a high-power transmission signal and the reception filter can be secured, so that it is possible to suppress a decrease in reception sensitivity due to interference of the transmission signal.

또한, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 제 2 주면에 실장된 저잡음 수신 증폭기와 상기 수신용 필터는 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.When the high-frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the low-noise receiving amplifier and the receiving filter mounted on the second main surface may overlap at least in part.

상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기 및 송신용 필터를 포함하는 송신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있음과 아울러, 저잡음 수신 증폭기 및 수신용 필터를 포함하는 수신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있으므로, 수신 신호 및 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 수신 감도의 저하 및 잡음 지수의 저하의 쌍방을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 고주파 모듈은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 고주파 부품을 실장 가능한 실장 기판과, 상기 제 1 주면에 배치된 송신 전력 증폭기와, 상기 송신 전력 증폭기와 접속되고, 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이를 관통하는 관통 전극과, 상기 제 2 주면에 배치되고, 상기 관통 전극과 접속되는 외부 접속 단자를 구비한다.
상기 구성에 의하면, 실장 기판의 양 실장면에 회로 부품이 실장되어 있으므로, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화할 수 있다. 또한, 발열량이 큰 송신 전력 증폭기가 제 1 주면에 실장되고, 실장 기판에 형성된 관통 전극이 송신 전력 증폭기 및 외부 접속 단자를 접속하므로, 실장 기판 내의 배선 중 열 저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 고주파 모듈은 외부 기판에 접속되고, 상기 외부 접속 단자는 상기 외부 기판에 접속되어도 좋다.
또한, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 관통 전극과 상기 외부 접속 단자는 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.
상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기와 외부 접속 단자를 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해지고, 송신 전력 증폭기로부터의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 주면측에 있어서의 외부 접속 단자의 형성 영역을 송신 전력 증폭기의 직하 부근의 영역에 한정할 수 있기 때문에, 제 2 주면에 실장되는 회로 부품의 형성 영역을 넓게 할 수 있어 회로 부품의 배치의 자유도가 향상된다.According to the above configuration, the line length of the transmission path including the transmission power amplifier and the transmission filter can be shortened, and the line length of the reception path including the low-noise reception amplifier and the reception filter can be shortened. It is possible to reduce the transmission loss of the signal and the transmission signal. In addition, it is possible to suppress both a decrease in the reception sensitivity and a decrease in the noise figure.
In addition, the high-frequency module according to one embodiment of the present invention includes a mounting board having a first main surface and a second main surface which are opposed to each other and capable of mounting a high-frequency component on the first main surface and the second main surface, and is disposed on the first main surface a transmit power amplifier, a through electrode connected to the transmit power amplifier and penetrating between the first main surface and the second main surface of the mounting substrate; A connection terminal is provided.
According to the above configuration, since circuit components are mounted on both mounting surfaces of the mounting board, it is possible to increase the density and reduce the size as compared with a high-frequency module using a single-sided mounting board. In addition, since the transmit power amplifier having a large amount of heat is mounted on the first main surface, and the through electrode formed on the mounting board connects the transmit power amplifier and the external connection terminal, heat dissipation through only the flat wiring pattern with high thermal resistance among the wiring in the mounting board path can be excluded. Accordingly, it becomes possible to provide a compact high-frequency module with improved heat dissipation from the transmit power amplifier to the external substrate.
Further, the high-frequency module may be connected to an external substrate, and the external connection terminal may be connected to the external substrate.
In addition, when the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, at least a part of the through electrode and the external connection terminal may overlap.
According to the above configuration, it is possible to connect the transmission power amplifier and the external connection terminal with a substantially shortest distance, and since the thermal resistance in the heat dissipation path from the transmission power amplifier can be reduced, the transmission power amplifier to the external board The heat dissipation property can be improved more. In addition, since the formation area of the external connection terminal on the second main surface side can be limited to the region directly under the transmission power amplifier, the formation area of the circuit component mounted on the second main surface can be widened, and the The degree of freedom of arrangement is improved.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 통신 장치는 상기 외부 기판과, 상기 어느 하나에 기재된 고주파 모듈을 구비하고, 상기 외부 기판은 상기 그라운드 단자와 전기적으로 접속된 외부 그라운드 전극을 갖는다.Further, a communication device according to one embodiment of the present invention includes the external substrate and the high-frequency module according to any one of the above, wherein the external substrate has an external ground electrode electrically connected to the ground terminal.

상기 구성에 의하면, 발열량이 큰 송신 전력 증폭기가 제 1 주면에 실장되고, 저잡음 수신 증폭기가 제 2 주면에 실장되어, 실장 기판에 형성된 관통 전극이 송신 전력 증폭기 및 그라운드 단자를 접속하므로, 송신 전력 증폭기로부터 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.According to the above configuration, the transmit power amplifier having a large amount of heat is mounted on the first main surface, the low noise receiving amplifier is mounted on the second main surface, and the through electrode formed on the mounting board connects the transmit power amplifier and the ground terminal. It becomes possible to provide a small-sized communication device with improved heat dissipation from the to the external substrate.

또한, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 통신 장치를 평면으로 본 경우, 상기 외부 그라운드 전극과 상기 관통 전극은 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.When the communication device is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, at least a part of the external ground electrode and the through electrode may overlap.

상기 구성에 의하면, 이미터 단자와 외부 그라운드 전극을 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해져서, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 그라운드 전극으로의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기로부터의 외부 기판으로의 방열성이 더욱 향상된 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.According to the above configuration, it is possible to connect the emitter terminal and the external ground electrode with a substantially shortest distance, so that the thermal resistance in the heat dissipation path from the transmission power amplifier to the external ground electrode can be reduced. Accordingly, it becomes possible to provide a communication device with further improved heat dissipation from the transmit power amplifier to the external substrate.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 송신 전력 증폭기로부터의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the compact high frequency module and communication apparatus with improved heat dissipation from a transmission power amplifier.

도 1a는 실시형태에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.
도 1b는 실시형태에 따른 고주파 모듈의 제 2 단면 구성도이다.
도 1c는 실시형태에 따른 고주파 모듈의 제 3 단면 구성도이다.
도 2a는 실시예에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 블록 구성도이다.
도 2b는 실시예에 따른 고주파 모듈이 갖는 증폭 소자의 회로 구성도이다.
도 3a는 실시예에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.
도 3b는 실시예에 따른 고주파 모듈의 제 2 단면 구성도이다.
도 3c는 실시예에 따른 고주파 모듈의 제 3 단면 구성도이다.
도 4a는 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.
도 4b는 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 제 2 단면 구성도이다.
도 4c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 제 3 단면 구성도이다.
도 5a는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.
도 5b는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 제 2 단면 구성도이다.
도 5c는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 제 3 단면 구성도이다.
도 6은 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.
도 7은 변형예 4에 따른 고주파 모듈의 제 1 단면 구성도이다.1A is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to an embodiment.
1B is a second cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to an embodiment.
1C is a third cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to an embodiment.
2A is a block diagram of a high-frequency module and a communication device according to an embodiment.
2B is a circuit configuration diagram of an amplifying device included in a high-frequency module according to an embodiment.
3A is a first cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to an embodiment.
3B is a second cross-sectional configuration view of the high-frequency module according to the embodiment.
3C is a third cross-sectional configuration view of the high-frequency module according to the embodiment.
4A is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to Modification Example 1;
4B is a second cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to Modification Example 1. FIG.
4C is a third cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to Modification Example 1. FIG.
5A is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to a second modification.
5B is a second cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to a second modification.
5C is a third cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to a second modification.
6 is a first cross-sectional configuration view of a high-frequency module according to a third modification.
7 is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to a fourth modification.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 실시형태 및 그 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시형태에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않는 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀한 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail using embodiment and its drawing. In addition, all of the embodiments described below represent generic or specific examples. Numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement of constituent elements, connection forms, etc. shown in the following embodiments are examples and are not intended to limit the present invention. Among the components in the following embodiments, components not described in the independent claims are described as arbitrary components. In addition, the sizes or ratios of the sizes of the components shown in the drawings are not necessarily strict.

또한, 본 명세서에 있어서, 기판 상에 실장된 A, B 및 C에 있어서 「상기 기판(또는 상기 기판의 주면)을 평면으로 본 경우에, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란, 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 A의 영역 내의 임의의 점과, 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 B의 영역 내의 임의의 점을 연결하는 선에, 상기 기판을 평면으로 본 경우에 투영되는 C의 영역의 적어도 일부가 겹쳐 있는 것을 가리키는 것으로 정의된다.In addition, in this specification, in A, B, and C mounted on the board|substrate, "C is arranged between A and B when the board|substrate (or the main surface of the said board|substrate) is planarly viewed" means, Projection on a line connecting an arbitrary point in the area of A projected when the substrate is viewed in a planar view and an arbitrary point in the area of B projected when the substrate is viewed in a planar view It is defined as indicating that at least a part of the region of C is overlapping.

(실시형태)(Embodiment)

[1. 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 구성][One. Configuration of the high-frequency module 1 according to the embodiment]

도 1a는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 제 1 단면 구성도이다. 또한, 도 1b는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 제 2 단면 구성도이다. 또한, 도 1c는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 제 3 단면 구성도이다. 보다 구체적으로는, 도 1a는 도 1b 및 도 1c의 IA-IA 절단면을 Y축 정방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 1b는 도 1a의 IB-IB 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 1c는 도 1a의 IC-IC 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다.1A is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module 1 according to an embodiment. 1B is a second cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 1 according to the embodiment. 1C is a third cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 1 according to the embodiment. More specifically, FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the IA-IA section of FIGS. 1B and 1C in the positive Y-axis direction. Also, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the IB-IB section of FIG. 1A in the negative Z-axis direction. Also, FIG. 1C is a cross-sectional view of the IC-IC cross-section of FIG. 1A as viewed in the negative Z-axis direction.

도 1a에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 실장 기판(30)과, PA(Power Amplifier)(11)와, LNA(Low Noise Amplifier)(21)와, 송신용 필터(12)와, 수신용 필터(22)와, 수지 부재(40A 및 40B)와, 관통 전극(51, 52, 53 및 54)과, 그라운드 단자(411, 412 및 422)를 구비한다.As shown in FIG. 1A , the high frequency module 1 includes a mounting board 30 , a power amplifier (PA) 11 , a low noise amplifier (LNA) 21 , a transmission filter 12 , and a number It includes a credit filter 22 , resin members 40A and 40B, through electrodes 51 , 52 , 53 and 54 , and ground terminals 411 , 412 and 422 .

고주파 모듈(1)은 외부 기판(90)에 전기적으로 접속 가능하다. 외부 기판(90)은 Z축 정방향의 표면에 그라운드 전극(911, 912 및 922)을 갖고, 예를 들면 휴대전화 및 통신 기기 등의 마더 기판에 상당한다.The high-frequency module 1 is electrically connectable to the external substrate 90 . The external substrate 90 has ground electrodes 911, 912, and 922 on its surface in the positive Z-axis direction, and corresponds to, for example, a mother substrate such as a mobile phone and a communication device.

또한, 고주파 모듈(1)이 외부 기판(90)에 전기적으로 접속 가능하다는 것은 고주파 모듈(1)이 외부 기판(90) 상에 직접적으로 실장되는 경우뿐만 아니라, 고주파 모듈(1)이 외부 기판(90) 상에 간접적으로 실장되는 경우도 포함한다. 또한, 고주파 모듈(1)이 외부 기판(90) 상에 간접적으로 실장되는 경우란 고주파 모듈(1)이 외부 기판(90) 상에 실장된 다른 고주파 모듈 상에 실장되는 경우 등이다.In addition, the fact that the high-frequency module 1 is electrically connectable to the external substrate 90 is not only when the high-frequency module 1 is directly mounted on the external substrate 90, but also when the high-frequency module 1 is connected to the external substrate ( 90) and indirectly mounted on top. In addition, the case in which the high frequency module 1 is indirectly mounted on the external substrate 90 is a case in which the high frequency module 1 is mounted on another high frequency module mounted on the external substrate 90 .

이하, 고주파 모듈(1)의 구체적 구성예인 고주파 모듈(1A)의 회로 구성예를 나타낸다.Hereinafter, a circuit configuration example of the high frequency module 1A, which is a specific configuration example of the high frequency module 1, is shown.

도 2a는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A) 및 통신 장치(8)의 블록 구성도이다. 동 도면에는 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과, 공통 입출력 단자(100)와, 송신 입력 단자(110)와, 수신 출력 단자(120)와, 안테나 소자(5)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(6)와, 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)(7)가 나타내어져 있다. 동 도면에 나타내어진 고주파 모듈(1A)은 도 1a~도 1c에 나타내어진 고주파 모듈(1)의 구체적인 회로 구성예이다. 또한, 고주파 모듈(1A), 안테나 소자(5), RFIC(6), 및 BBIC(7)는 통신 장치(8)를 구성하고 있다. 또한, 통신 장치(8)는 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)(또는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1A))과, 도 1a에 나타내어진 외부 기판(90)을 구비한다.2A is a block diagram of the high-frequency module 1A and the communication device 8 according to the embodiment. In the figure, the high-frequency module 1A according to the present embodiment, the common input/output terminal 100, the transmission input terminal 110, the reception output terminal 120, the antenna element 5, and the RF signal processing circuit (RFIC) 6 and a baseband signal processing circuit (BBIC) 7 are shown. The high-frequency module 1A shown in the same figure is a specific circuit configuration example of the high-frequency module 1 shown in Figs. 1A to 1C. Further, the high frequency module 1A, the antenna element 5 , the RFIC 6 , and the BBIC 7 constitute the communication device 8 . Further, the communication device 8 includes the high frequency module 1 according to the present embodiment (or the high frequency module 1A according to the embodiment) and the external substrate 90 shown in Fig. 1A.

고주파 모듈(1A)은 PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12A 및 12B)와, 수신용 필터(22A 및 22B)와, 송수신용 필터(32C)와, 스위치(61, 62, 63 및 64)를 구비한다.The high-frequency module 1A includes a PA 11, an LNA 21, transmission filters 12A and 12B, reception filters 22A and 22B, a transmission/reception filter 32C, a switch 61, 62, 63 and 64).

송신용 필터(12A)는, 예를 들면 밴드(주파수 대역) A의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다. 송신용 필터(12B)는, 예를 들면 밴드(주파수 대역) B의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다. 수신용 필터(22A)는, 예를 들면 밴드(주파수 대역) A의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다. 수신용 필터(22B)는, 예를 들면 밴드(주파수 대역) B의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다. 또한, 송신용 필터(12A)와 수신용 필터(22A)는 밴드 A용의 듀플렉서를 구성하고 있어도 좋다. 또한, 송신용 필터(12B)와 수신용 필터(22B)는 밴드 B 용의 듀플렉서를 구성하고 있어도 좋다. 송수신용 필터(32C)는, 예를 들면 밴드(주파수 대역) C의 송수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다.The transmission filter 12A is, for example, a filter element in which the transmission band of the band (frequency band) A is used as a pass band. The transmission filter 12B is, for example, a filter element in which the transmission band of the band (frequency band) B is used as a pass band. The reception filter 22A is, for example, a filter element in which the reception band of the band (frequency band) A is used as a passband. The reception filter 22B is, for example, a filter element in which the reception band of the band (frequency band) B is used as a pass band. In addition, the filter 12A for transmission and the filter 22A for reception may comprise the duplexer for band A. In addition, the filter 12B for transmission and the filter 22B for reception may comprise the duplexer for band B. The transmission/reception filter 32C is, for example, a filter element in which the transmission/reception band of band (frequency band) C is used as a pass band.

스위치(61)는 공통 단자 및 3개의 선택 단자를 갖고, 공통 단자가 공통 입출력 단자(100)에 접속되고, 3개의 선택 단자가 각각 송신용 필터(12A)와 수신용 필터(22A)의 접속 단자, 송신용 필터(12B)와 수신용 필터(22B)의 접속 단자, 및 송수신용 필터(32C)에 접속된 SP3T(Single Pole 3 Throw)형의 스위치 회로이다. 스위치(61)는 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 신호 경로를 스위칭하는 기능을 갖는다. 또한, 스위치(61)는 공통 단자와 3개의 선택 단자 중 적어도 1개를 도통시키는 스위치 회로이면 좋다.
스위치(61)의 배치에 의해, 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 신호를 고아이솔레이션으로 전송할 수 있다. 또한, 스위치(61)가 멀티 접속형의 스위치 회로인 경우에는 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C 중 적어도 2개의 신호를 동시에 전송하는 것이 가능해진다.The switch 61 has a common terminal and three selection terminals, the common terminal is connected to the common input/output terminal 100, and the three selection terminals are connection terminals of the transmission filter 12A and the reception filter 22A, respectively. , a connection terminal of the transmission filter 12B and the reception filter 22B, and an SP3T (Single Pole 3 Throw) type switch circuit connected to the transmission/reception filter 32C. The switch 61 has a function of switching the signal paths of band A, band B, and band C. The switch 61 may be a switch circuit that conducts at least one of the common terminal and the three selection terminals.
By arrangement of the switch 61, the signals of band A, band B, and band C can be transmitted with high isolation. In addition, when the switch 61 is a multi-connection type switch circuit, it becomes possible to transmit at least two signals of the band A, the band B, and the band C simultaneously.

스위치(62)는 공통 단자 및 3개의 선택 단자를 갖고, 공통 단자가 PA(11)에 접속되고, 3개의 선택 단자가 각각 송신용 필터(12A)의 입력 단자, 송신용 필터(12B)의 입력 단자, 및 스위치(64)의 일방의 선택 단자에 접속된 SP3T형의 스위치 회로이다. 스위치(62)는 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 송신 신호 경로를 스위칭하는 기능을 갖는다. 또한, 스위치(62)는 공통 단자와 3개의 선택 단자 중 적어도 1개를 도통시키는 스위치 회로이면 좋다.
스위치(62)의 배치에 의해, 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 송신 신호를 1개의 PA(11)에서 증폭할 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.The switch 62 has a common terminal and three selection terminals, the common terminal is connected to the PA 11, and the three selection terminals are the input terminal of the transmission filter 12A and the input of the transmission filter 12B, respectively. It is an SP3T type|mold switch circuit connected to the terminal and one selection terminal of the switch 64. As shown in FIG. The switch 62 has a function of switching the transmission signal paths of band A, band B, and band C. The switch 62 may be a switch circuit that conducts at least one of the common terminal and the three selection terminals.
By arrangement of the switch 62, the transmission signals of band A, band B, and band C can be amplified by one PA11. Therefore, the high frequency module 1A can be downsized.

스위치(63)는 공통 단자 및 3개의 선택 단자를 갖고, 공통 단자가 LNA(21)에 접속되고, 3개의 선택 단자가 각각 수신용 필터(22A)의 출력 단자, 수신용 필터(22B)의 출력 단자, 및 스위치(64)의 타방의 선택 단자에 접속된 SP3T형의 스위치 회로이다. 스위치(63)는 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 수신 신호 경로를 스위칭하는 기능을 갖는다. 또한, 스위치(63)는 공통 단자와 3개의 선택 단자 중 적어도 1개를 도통시키는 스위치 회로이면 좋다.
스위치(63)의 배치에 의해, 밴드 A, 밴드 B 및 밴드 C의 수신 신호를 1개의 LNA(21)에서 증폭할 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.The switch 63 has a common terminal and three select terminals, the common terminal is connected to the LNA 21, and the three select terminals are the output terminals of the receiving filter 22A and the output of the receiving filter 22B, respectively. It is a switch circuit of the SP3T type connected to the terminal and the other selection terminal of the switch 64 . The switch 63 has a function of switching the reception signal paths of the band A, the band B, and the band C. The switch 63 may be a switch circuit that conducts at least one of the common terminal and the three selection terminals.
By arrangement of the switch 63, the reception signals of band A, band B, and band C can be amplified by one LNA 21 . Therefore, the high frequency module 1A can be downsized.

스위치(64)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖고, 공통 단자가 송수신용 필터(32C)에 접속된 SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치 회로이다. 스위치(64)는 송수신용 필터(32C)를 포함하는 신호 경로를 송신 신호 경로 또는 수신 신호 경로로 스위칭하는 기능을 갖는다.
스위치(64)의 배치에 의해, 밴드 C의 송신 신호 및 수신 신호를 1개의 송수신용 필터(32C)로 대응시킬 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.The switch 64 has a common terminal and two selection terminals, and is an SPDT (Single Pole Double Throw) type switch circuit in which the common terminal is connected to the transmission/reception filter 32C. The switch 64 has a function of switching the signal path including the transmission/reception filter 32C into a transmission signal path or a reception signal path.
By arrangement of the switch 64, the transmission signal and reception signal of band C can be made to correspond with one transmission/reception filter 32C. Therefore, the high frequency module 1A can be downsized.

LNA(21)는 정합 회로(23)와 증폭 트랜지스터 소자(24)를 갖는 저잡음 수신 증폭기이며, 스위치(63)로부터 입력된 고주파 수신 신호를 증폭해서 수신 출력 단자(120)로 출력한다. 또한, LNA(21)는 정합 회로(23)를 갖지 않아도 좋다.The LNA 21 is a low-noise reception amplifier having a matching circuit 23 and an amplifying transistor element 24 , and amplifies the high-frequency reception signal input from the switch 63 and outputs it to the reception output terminal 120 . In addition, the LNA 21 may not have the matching circuit 23 .

증폭 트랜지스터 소자(24)는, 예를 들면 바이폴라 트랜지스터를 갖는 증폭 소자이다.The amplifying transistor element 24 is, for example, an amplifying element having a bipolar transistor.

정합 회로(23)는 수신용 필터(22A, 22B) 및 송수신용 필터(32C)의 출력 임피던스와, 증폭 트랜지스터 소자(24)의 입력 임피던스를 조정시키기 위한 회로이며, 예를 들면 인덕터 및 커패시터 등의 수동 소자로 구성되어 있다.
정합 회로(23)의 배치에 의해, 수신 신호의 전송 손실 및 잡음 지수를 저감할 수 있다.The matching circuit 23 is a circuit for adjusting the output impedance of the reception filters 22A and 22B and the transmission/reception filter 32C, and the input impedance of the amplifying transistor element 24, for example, inductors and capacitors. It consists of passive elements.
By disposing the matching circuit 23, the transmission loss and noise figure of the received signal can be reduced.

PA(11)는 정합 회로(13)와, 증폭 트랜지스터 소자(14)를 갖는 송신 전력 증폭기이며, 송신 입력 단자(110)로부터 입력된 고주파 송신 신호를 증폭한다. 또한, PA(11)는 정합 회로(13)를 갖지 않아도 좋다.The PA 11 is a transmission power amplifier having a matching circuit 13 and an amplifying transistor element 14 , and amplifies a high-frequency transmission signal input from the transmission input terminal 110 . In addition, the PA 11 may not have the matching circuit 13 .

정합 회로(13)는 증폭 트랜지스터 소자(14)의 출력 임피던스와, 송신용 필터(12A, 12B) 및 송수신용 필터(32C)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로이며, 예를 들면 인덕터 및 커패시터 등의 수동 소자로 구성되어 있다.
정합 회로(13)의 배치에 의해, 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.The matching circuit 13 is a circuit for matching the output impedance of the amplifying transistor element 14 with the input impedance of the transmission filters 12A, 12B and the transmission/reception filter 32C, for example, inductors and capacitors. It consists of passive elements.
The arrangement of the matching circuit 13 can reduce transmission loss of the transmission signal.

여기서, PA(11)의 회로 구성을 예시하여 PA(11)의 구성을 상세하게 설명한다.Here, the configuration of the PA 11 will be described in detail by exemplifying the circuit configuration of the PA 11 .

도 2b는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)이 갖는 증폭 트랜지스터 소자(14)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 증폭 트랜지스터 소자(14)는 트랜지스터(140)와, 커패시터(141 및 142)와, 바이어스 회로(143)와, 콜렉터 단자(144)와, 이미터 단자(111)와, 입력 단자(145)와, 출력 단자(146)를 구비한다.2B is a circuit configuration diagram of the amplifying transistor element 14 included in the high-frequency module 1A according to the embodiment. As shown in the figure, the amplifying transistor element 14 includes a transistor 140 , capacitors 141 and 142 , a bias circuit 143 , a collector terminal 144 , an emitter terminal 111 , An input terminal 145 and an output terminal 146 are provided.

트랜지스터(140)는, 예를 들면 콜렉터, 이미터 및 베이스를 갖고, 이미터 접지형의 바이폴라 트랜지스터이며, 베이스에 입력된 고주파 전류를 증폭해서 콜렉터로부터 출력한다. 또한, 트랜지스터(140)는 드레인, 소스 및 게이트를 갖는 전계 효과형의 트랜지스터여도 좋다. 이 경우에는, 트랜지스터(140)는, 예를 들면 게이트에 입력된 고주파 전류를 증폭해서 드레인으로부터 출력하는 소스 접지형의 전계 효과형 트랜지스터로 된다.The transistor 140 has, for example, a collector, an emitter, and a base, is an emitter-grounded bipolar transistor, amplifies a high-frequency current input to the base, and outputs it from the collector. In addition, the transistor 140 may be a field-effect transistor having a drain, a source, and a gate. In this case, the transistor 140 is, for example, a source-grounded field effect transistor that amplifies the high-frequency current input to the gate and outputs it from the drain.

커패시터(141)는 DC 컷용의 용량 소자이며, 바이어스 회로(143)로부터 베이스로 인가되는 직류 바이어스 전압에 의해, 입력 단자(145)에 직류 전류가 누설되는 것을 방지하는 기능을 갖는다.The capacitor 141 is a capacitor for DC cut, and has a function of preventing leakage of a DC current to the input terminal 145 by the DC bias voltage applied to the base from the bias circuit 143 .

커패시터(142)는 DC 컷용의 용량 소자이며, 직류 바이어스 전압이 중첩된 고주파 증폭 신호의 직류 성분을 제거하는 기능을 갖고, 상기 직류 성분이 제거된 고주파 증폭 신호가 출력 단자(146)로부터 출력된다.The capacitor 142 is a capacitor for DC cut, has a function of removing the DC component of the high frequency amplified signal with the DC bias voltage superimposed thereon, and the high frequency amplified signal from which the DC component is removed is output from the output terminal 146 .

바이어스 회로(143)는 트랜지스터(140)의 베이스에 접속되고, 상기 베이스에 바이어스 전압을 인가함으로써 트랜지스터(140)의 동작점을 최적화하는 기능을 갖는다.The bias circuit 143 is connected to the base of the transistor 140 and has a function of optimizing the operating point of the transistor 140 by applying a bias voltage to the base.

증폭 트랜지스터 소자(14)의 상기 회로 구성에 의하면, 입력 단자(145)로부터 입력된 고주파 신호(RFin)는 트랜지스터(140)의 베이스로부터 이미터로 흐르는베이스 전류(Ib)가 된다. 트랜지스터(140)에 의해 베이스 전류(Ib)가 증폭되어서 콜렉터 전류(Ic)가 되고, 상기 콜렉터 전류(Ic)에 대응한 고주파 신호(RFout)가 출력 단자(146)로부터 출력된다. 이 때, 이미터 단자(111)로부터 그라운드에는 베이스 전류(Ib) 및 콜렉터 전류(Ic)가 합산된 대전류가 흐른다.According to the circuit configuration of the amplifying transistor element 14 , the high frequency signal RFin input from the input terminal 145 becomes the base current Ib flowing from the base of the transistor 140 to the emitter. The base current Ib is amplified by the transistor 140 to become a collector current Ic, and a high frequency signal RFout corresponding to the collector current Ic is output from the output terminal 146 . At this time, a large current including the sum of the base current Ib and the collector current Ic flows from the emitter terminal 111 to the ground.

또한, 이미터 단자(111)는 증폭 트랜지스터 소자(14)의 외부이며, 또한 PA(11) 내에 배치되어 있어도 좋다. 즉, 이미터 단자(111)는 증폭 트랜지스터 소자(14)가 갖지 않고, PA(11)가 갖고 있어도 좋다.In addition, the emitter terminal 111 may be outside the amplifying transistor element 14 and may be disposed in the PA 11 . That is, the emitter terminal 111 may not be included in the amplifying transistor element 14 but may be included in the PA 11 .

다시, 도 2a로 돌아가서 통신 장치(8)의 구성에 대해서 설명한다.Again, returning to Fig. 2A, the configuration of the communication device 8 will be described.

RFIC(6)는 안테나 소자(5)로부터 고주파 모듈(1A)을 통해서 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 BBIC(7)로 출력한다.The RFIC 6 processes the high frequency reception signal input from the antenna element 5 through the high frequency module 1A by down-converting or the like, and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 7 .

BBIC(7)는 프런트엔드부에 있어서의 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 이용하여 신호 처리하는 회로이다. BBIC(7)로 처리된 신호는, 예를 들면 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되거나, 또는 스피커를 통한 통화를 위해서 음성 신호로서 사용된다.The BBIC 7 is a circuit that performs signal processing using an intermediate frequency band of a lower frequency than a high-frequency signal in the front-end unit. The signal processed by the BBIC 7 is used, for example, as an image signal for image display, or as an audio signal for a call through a speaker.

상기 구성에 의해, 고주파 모듈(1A)은 밴드 A의 고주파 신호, 밴드 B의 고주파 신호, 및 밴드 C의 고주파 신호의 각각을 스위치(61~64)의 스위칭 동작에 의해 선택해서 전송하는 것이 가능해진다. 또한, 고주파 모듈(1A)은 상기 3개의 주파수 대역의 송수신 신호의 각각을 단독으로 전송하는(비CA) 모드에 적용되는 것이지만, 상기 3개의 주파수 대역의 송수신 신호 중 2개 이상의 송수신 신호를 동시에 전송하는(CA) 모드에 적용하는 것도 가능하다.With the above configuration, the high-frequency module 1A can select and transmit each of the high-frequency signal of the band A, the high-frequency signal of the band B, and the high-frequency signal of the band C by the switching operation of the switches 61 to 64. . In addition, the high-frequency module 1A is applied to a (non-CA) mode that transmits each of the transmit/receive signals of the three frequency bands alone, but transmits two or more transmit/receive signals of the transmit/receive signals of the three frequency bands at the same time It is also possible to apply to (CA) mode.

또한, 본 실시형태에서는 고주파 모듈로서 송수신 분파/합파 회로인 고주파 모듈(1A)을 예시했지만, 본 발명의 고주파 모듈은 송신 합파 회로여도 좋고, 주파수 대역(신호 경로)의 수는 한정되지 않는다.In addition, although the high frequency module 1A which is a transmission/reception demultiplexing/multiplexing circuit is illustrated as a high frequency module in this embodiment, the high frequency module of this invention may be a transmission multiplexing circuit, and the number of frequency bands (signal paths) is not limited.

또한, 도 2a에 나타내어진 회로 구성에 추가하여, 각 회로 소자를 접속하는 노드에 커패시터, 인덕터 및 저항 소자 등의 전자 부품이 배치되어 있어도 좋다.Moreover, in addition to the circuit structure shown in FIG. 2A, electronic components, such as a capacitor, an inductor, and a resistance element, may be arrange|positioned at the node which connects each circuit element.

여기서, 도 1a로 돌아가서 고주파 모듈(1)의 구성에 대해서 설명한다.Here, returning to FIG. 1A, the structure of the high frequency module 1 is demonstrated.

실장 기판(30)은 서로 대향하는 주면(30a) 및 주면(30b)을 갖고, 주면(30a 및 30b)의 각각에 회로 부품이 실장된 양면 실장 기판이다. 주면(30a)은 실장 기판(30)의 Z축 정방향측의 제 1 주면이며, 주면(30b)은 실장 기판(30)의 Z축 부방향측의 제 2 주면이다. 실장 기판(30)은 복수의 층이 적층된 다층 기판이며, 예를 들면 세라믹스 다층 기판 및 PCB 기판 등이 예시된다. 또한, 실장 기판(30)은 그라운드 전위로 설정된 평면 배선 패턴을 갖고 있다.The mounting board 30 is a double-sided mounting board having a main surface 30a and a main surface 30b facing each other, and circuit components are mounted on each of the main surfaces 30a and 30b. The main surface 30a is a first main surface on the positive Z-axis direction side of the mounting substrate 30 , and the main surface 30b is a second main surface on the negative Z-axis direction side of the mounting substrate 30 . The mounting substrate 30 is a multilayer substrate in which a plurality of layers are stacked, and for example, a ceramics multilayer substrate and a PCB substrate are exemplified. In addition, the mounting board 30 has a planar wiring pattern set to the ground potential.

PA(11)는 이미터 단자(111 및 112)를 갖고, 주면(30a)에 실장되어 있고, 고주파 송신 신호를 증폭하는 송신 전력 증폭기이다. PA(11)는 베이스 단자(도 1a에 도시하지 않음), 콜렉터 단자(144)(도 1a에 도시하지 않음) 및 이미터 단자(111 및 112)와, 증폭 트랜지스터 소자(14)(도 1a에 도시하지 않음)를 구비한다. 또한, 증폭 트랜지스터 소자(14)는 복수의 트랜지스터(140)가 종속 접속된 구성을 갖고 있어도 좋고, 이 경우에는 베이스 단자, 콜렉터 단자 및 이미터 단자를 각각 복수 갖고 있어도 좋다. 이 관점에서, 도 1a에서는 복수의 이미터 단자(111 및 112)가 나타내어져 있다.The PA 11 has emitter terminals 111 and 112, is mounted on the main surface 30a, and is a transmission power amplifier for amplifying a high-frequency transmission signal. The PA 11 has a base terminal (not shown in Fig. 1A), a collector terminal 144 (not shown in Fig. 1A) and emitter terminals 111 and 112, and an amplifying transistor element 14 (not shown in Fig. 1A). not shown) is provided. Further, the amplifying transistor element 14 may have a configuration in which a plurality of transistors 140 are cascaded, and in this case, may have a plurality of base terminals, collector terminals, and emitter terminals, respectively. In this regard, a plurality of emitter terminals 111 and 112 are shown in FIG. 1A .

베이스 단자(도 1a에 도시하지 않음, 도 2b의 입력 단자(145)에 상당), 콜렉터 단자(144)(도 1a에 도시하지 않음, 도 2b에 도시) 및 이미터 단자(111 및 112)(도 1a에 도시)는 주면(30a)에 배치되어 있고, 금속 전극층 또는 금속 범프 부재 등으로 구성된다.A base terminal (not shown in Fig. 1A, equivalent to the input terminal 145 in Fig. 2B), a collector terminal 144 (not shown in Fig. 1A, shown in Fig. 2B) and emitter terminals 111 and 112 ( 1A) is disposed on the main surface 30a and is composed of a metal electrode layer or a metal bump member.

증폭 트랜지스터 소자(14)는 도 2b에서 설명한 바와 같이, 트랜지스터(140)의 베이스가 상기 베이스 단자에 접속되고, 트랜지스터(140)의 콜렉터가 콜렉터 단자(144)에 접속되고, 트랜지스터(140)의 이미터가 이미터 단자(111 또는 112)에 접속되어, 콜렉터 단자(144)로부터 이미터 단자(111 또는 112)를 향해서 콜렉터 전류(Ic)를 흘린다. 증폭 트랜지스터 소자(14)가 전계 효과형 트랜지스터인 경우에는, 트랜지스터(140)의 게이트가 입력 단자(145)에 접속되고, 트랜지스터(140)의 드레인이 드레인 단자(콜렉터 단자(144)에 상당)에 접속되고, 트랜지스터(140)의 소스가 소스 단자(이미터 단자(111 또는 112)에 상당)에 접속되어, 드레인 단자로부터 소스 단자를 향해서 드레인 전류를 흘린다.As described in FIG. 2B , the amplifying transistor element 14 has the base of the transistor 140 connected to the base terminal, the collector of the transistor 140 is connected to the collector terminal 144 , and the The emitter is connected to the emitter terminal 111 or 112, and a collector current Ic flows from the collector terminal 144 toward the emitter terminal 111 or 112. When the amplifying transistor element 14 is a field effect transistor, the gate of the transistor 140 is connected to the input terminal 145 , and the drain of the transistor 140 is connected to the drain terminal (corresponding to the collector terminal 144 ). connected, the source of the transistor 140 is connected to the source terminal (corresponding to the emitter terminal 111 or 112), and a drain current flows from the drain terminal toward the source terminal.

LNA(21)는 실장 기판(30)과 접속되는 접속 단자(211 및 212)를 갖고, 주면(30b)에 실장된 회로 부품이며, 예를 들면 고주파 수신 신호를 증폭하는 저잡음 수신 증폭기이다. 또한, 본 실시형태에서는 회로 부품으로서 LNA(21)를 예시했지만, 회로 부품은 저잡음 수신 증폭기 이외의 능동 소자 또는 수동 소자여도 좋다.The LNA 21 is a circuit component having connection terminals 211 and 212 connected to the mounting board 30 and mounted on the main surface 30b, and is, for example, a low-noise reception amplifier for amplifying a high-frequency reception signal. In addition, although the LNA 21 is illustrated as a circuit component in this embodiment, an active element or passive element other than a low-noise receiving amplifier may be sufficient as a circuit component.

송신용 필터(12)는 실장 기판(30)과 접속되는 접속 단자(121 및 122)를 갖고, 소정의 주파수 대역의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다.The transmission filter 12 is a filter element having connection terminals 121 and 122 connected to the mounting board 30 , and having a transmission band of a predetermined frequency band as a pass band.

수신용 필터(22)는 실장 기판(30)과 접속되는 접속 단자(221 및 222)를 갖고, 소정의 주파수 대역의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터 소자이다. LNA(21)의 접속 단자(211)와, 수신용 필터(22)의 접속 단자(221)는 관통 전극(53)에 의해 접속되어 있다.
이것에 의해, 수신용 필터(22)와 LNA(21)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.The reception filter 22 is a filter element having connection terminals 221 and 222 connected to the mounting board 30 , and having a reception band of a predetermined frequency band as a pass band. The connection terminal 211 of the LNA 21 and the connection terminal 221 of the reception filter 22 are connected by a through electrode 53 .
Thereby, the connection wiring between the reception filter 22 and the LNA 21 can be shortened, so that the transmission loss of the reception signal can be reduced.

그라운드 단자(411, 412 및 422)는 실장 기판(30)에 대하여, 주면(30b)측에 배치되어 있다. 그라운드 단자(411)는 관통 전극(51)을 통해서 PA(11)의 이미터 단자(111)와 전기적으로 접속되고, 또한 외부 기판(90)의 그라운드 전극(911)과 직접 접속되어 있다. 또한, 그라운드 단자(412)는 관통 전극(52)을 통해서 PA(11)의 이미터 단자(112)와 전기적으로 접속되고, 또한 외부 기판(90)의 그라운드 전극(912)과 직접 접속되어 있다. 그라운드 단자(422)는 관통 전극(54)을 통해서 수신용 필터(22)의 접속 단자(222)와 전기적으로 접속되고, 또한 외부 기판(90)의 그라운드 전극(922)과 직접 접속되어 있다. 그라운드 단자(411, 412 및 422)와, 그라운드 전극(911, 912 및 922)은, 예를 들면 땜납 부재를 개재해서 접합된다. 또한, 그라운드 단자(411, 412 및 422)의 각각은 관통 전극(51, 52 및 54)의 Z축 부방향의 선 단면에 접합된 범프 부재(땜납 볼을 포함함)여도 좋다. 또한, 그라운드 단자(411, 412 및 422)의 각각은 관통 전극(51, 52 및 54)의 Z축 부방향의 선단면에 형성된 도금층 등이어도 좋다. 또한, 고주파 모듈(1)로서, 관통 전극(51, 52 및 54)의 Z축 부방향의 선단면에 전극층 및 전극 단자가 형성되어 있지 않는 경우에는, 그라운드 단자(411, 412 및 422)의 각각은 관통 전극(51, 52 및 54)의 Z축 부방향의 선단면 자체로 정의된다. 즉, 관통 전극(51, 52 및 54)의 Z축 부방향의 선단면이 각각 그라운드 전극(911, 912 및 922)에 땜납 부재 등을 통해서 접합된다.The ground terminals 411 , 412 , and 422 are disposed on the main surface 30b side with respect to the mounting board 30 . The ground terminal 411 is electrically connected to the emitter terminal 111 of the PA 11 through the through electrode 51 , and is also directly connected to the ground electrode 911 of the external substrate 90 . Further, the ground terminal 412 is electrically connected to the emitter terminal 112 of the PA 11 through the through electrode 52 , and is also directly connected to the ground electrode 912 of the external substrate 90 . The ground terminal 422 is electrically connected to the connection terminal 222 of the reception filter 22 through the through electrode 54 , and is also directly connected to the ground electrode 922 of the external substrate 90 . The ground terminals 411 , 412 , and 422 and the ground electrodes 911 , 912 and 922 are joined via, for example, a solder member. Further, each of the ground terminals 411 , 412 , and 422 may be a bump member (including a solder ball) joined to a line end face of the through electrodes 51 , 52 and 54 in the negative Z-axis direction. Further, each of the ground terminals 411 , 412 , and 422 may be a plating layer or the like formed on the tip surface of the through electrodes 51 , 52 and 54 in the negative Z-axis direction. Further, in the case where the high frequency module 1 has no electrode layers and no electrode terminals formed on the tip surfaces of the through electrodes 51, 52 and 54 in the negative Z-axis direction, each of the ground terminals 411, 412 and 422 is is defined as the tip surface itself of the through electrodes 51, 52, and 54 in the negative Z-axis direction. That is, the tip surfaces of the through electrodes 51, 52 and 54 in the negative Z-axis direction are respectively joined to the ground electrodes 911, 912 and 922 via a solder member or the like.

관통 전극(51)은 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다. 관통 전극(52)은 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다.The through electrode 51 is an electrode that electrically connects the emitter terminal 111 and the ground terminal 411 and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b. The through electrode 52 is an electrode that electrically connects the emitter terminal 112 and the ground terminal 412 and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b.

관통 전극(53)은 수신용 필터(22)의 접속 단자(221)와 LNA(21)의 접속 단자 (211)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다. 관통 전극(54)은 수신용 필터(22)의 접속 단자(222)와 그라운드 단자(422)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다.The through electrode 53 electrically connects the connection terminal 221 of the reception filter 22 and the connection terminal 211 of the LNA 21, and faces the main surface 30b from the main surface 30a to the mounting board 30 ) through the electrode. The through electrode 54 electrically connects the connection terminal 222 and the ground terminal 422 of the reception filter 22, and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b. to be.

또한, 본 실시형태에서는 관통 전극(51, 52 및 54)은 실장 기판(30)뿐만 아니라 수지 부재(40B)도 관통하고 있다.In this embodiment, the through electrodes 51, 52 and 54 penetrate not only the mounting substrate 30 but also the resin member 40B.

수지 부재(40A)는 주면(30a) 상에 형성되고, PA(11), 송신용 필터(12) 및 수신용 필터(22)의 측면 및 천면을 덮는 제 1 수지이다. 또한, 수지 부재(40A)는 PA(11)의 적어도 측면을 덮고 있으면 좋다.The resin member 40A is a first resin formed on the main surface 30a and covering the side and top surfaces of the PA 11 , the transmission filter 12 , and the reception filter 22 . The resin member 40A may cover at least the side surface of the PA 11 .

수지 부재(40B)는 주면(30b) 상에 형성되고, LNA(21)의 측면 및 천면을 덮는 제 2 수지이다. 또한, 수지 부재(40B)는 회로 부품의 적어도 측면을 덮고 있으면 좋다.The resin member 40B is a second resin formed on the main surface 30b and covering the side surface and the top surface of the LNA 21 . In addition, the resin member 40B should just cover at least the side surface of a circuit component.

또한, 관통 전극(53 및 54), 및 수지 부재(40A 및 40B)는 본 발명에 따른 고주파 모듈(1)에 필수의 구성 요소는 아니다.Further, the through electrodes 53 and 54 and the resin members 40A and 40B are not essential components of the high frequency module 1 according to the present invention.

종래의 고주파 모듈의 일례로서, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈이 예시된다. 이 편면 실장 방식에서는 동일 평면 상에 회로 부품을 배치하기 위해, 고객으로부터의 소형화 및 집적화의 요구에 대하여는 회로 부품 사이의 간격을 작게하거나 회로 부품 자체를 소형화함으로써 대응해 왔다. 그러나, 통신 기술의 발전에 의해, 현재 주류의 LTE(Long Term Evolution) 통신뿐만 아니라, 5G(5th Generation) 이동 통신 시스템도 검토되고 있다. 그 때문에, 휴대단말 상에서 고주파 부품을 탑재할 수 있는 영역은 더욱 좁아지고 있어, 평판품에서의 소형화에는 한계가 있다. 또한, 편면 실장 방식에서는 동일 평면 상에 PA와 LNA가 배치되는 것으로 되기 때문에, PA와 LNA가 직접 결합해 버려, 송수신 간의 아이솔레이션의 확보가 곤란해진다.As an example of the conventional high-frequency module, a high-frequency module using a single-sided mounting board is exemplified. In this single-sided mounting method, in order to arrange circuit components on the same plane, customer requests for miniaturization and integration have been responded to by reducing the spacing between circuit components or reducing the size of the circuit components themselves. However, due to the development of communication technology, not only the current mainstream LTE (Long Term Evolution) communication but also 5G (5th Generation) mobile communication system is being considered. Therefore, the area in which a high-frequency component can be mounted on a portable terminal is further narrowed, and there is a limit to downsizing in a flat product. In addition, in the single-sided mounting method, since the PA and the LNA are arranged on the same plane, the PA and the LNA are directly coupled, making it difficult to ensure isolation between transmission and reception.

이것에 대해, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 상기 구성에 의하면, 실장 기판(30)의 주면(30a 및 30b)의 쌍방에 고주파 회로 부품이 실장되어 있으므로, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화할 수 있다.On the other hand, according to the above configuration of the high-frequency module 1 according to the present embodiment, since the high-frequency circuit components are mounted on both the main surfaces 30a and 30b of the mounting board 30, the high-frequency module using a single-sided mounting board. Compared to that, it is possible to increase the density and reduce the size.

또한, 발열량이 큰 PA(11)가 주면(30a)에 실장되고, 실장 기판(30)에 형성된 관통 전극(51)이 이미터 단자(111) 및 그라운드 단자(411)에 접속되고, 실장 기판(30)에 형성된 관통 전극(52)이 이미터 단자(112) 및 그라운드 단자(412)에 접속 된다. 이것에 의해, 실장 기판(30) 내의 배선 중 열 저항이 큰 XY 평면 방향을 따르는 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1)을 제공하는 것이 가능해진다.In addition, the PA 11 having a large amount of heat is mounted on the main surface 30a, the through electrode 51 formed on the mounting board 30 is connected to the emitter terminal 111 and the ground terminal 411, and the mounting board ( The through electrode 52 formed on the 30 ) is connected to the emitter terminal 112 and the ground terminal 412 . Thereby, the heat dissipation path via only the planar wiring pattern along the XY plane direction with large thermal resistance among wiring in the mounting board 30 can be excluded. Accordingly, it becomes possible to provide a compact high-frequency module 1 with improved heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 .

즉, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 실장 기판(30)을 기준으로 해서, 그라운드 단자(411 및 412)가 형성된 측과 반대측에 PA(11)가 배치된다. 또한, 그라운드 단자(411 및 412)는 실장 기판(30)에 대하여 주면(30a 및 30b) 중 주면(30b)측에 배치되어 있다. PA(11)의 방열 경로는 이미터 단자(111)-관통 전극(51)-그라운드 단자(411), 및 이미터 단자(112)-관통 전극(52)-그라운드 단자(412)이다. 가령, PA(11)가 실장 기판(30)에 대하여 그라운드 단자(411 및 412)가 형성된 측에 배치된 경우, PA(11)의 이미터 단자(111 및 112)는 주면(30b)에 접속되고, 실장 기판(30)의 XY 평면 방향으로 연장되는 평면 배선 패턴을 통해서 수지 부재(40B) 내의 관통 전극에 의해 그라운드 단자(411 및 412)와 접속되는 것으로 된다. 이것에 대하여, 본 실시형태와 같이 PA(11)가 주면(30a)에 배치되면, 상기 방열 경로는 관통 전극(51 및 52)을 경유하는 경로로 구성되고, 실장 기판(30)의 평면 배선 패턴만을 경유하는 경로를 포함하지 않는다. 즉, 관통 전극(51 및 52)에 의해, 직접 그라운드 단자(411 및 412)와 접속되기 때문에, 열 저항이 작은 방열 경로를 실현할 수 있어 고주파 모듈(1)의 방열성이 향상된다.That is, in the high frequency module 1 according to the present embodiment, the PA 11 is disposed on the side opposite to the side on which the ground terminals 411 and 412 are formed, with respect to the mounting board 30 . In addition, the ground terminals 411 and 412 are disposed on the main surface 30b side of the main surfaces 30a and 30b with respect to the mounting board 30 . The heat dissipation path of the PA 11 is the emitter terminal 111 - the through electrode 51 - the ground terminal 411 , and the emitter terminal 112 - the through electrode 52 - the ground terminal 412 . For example, when the PA 11 is disposed on the side where the ground terminals 411 and 412 are formed with respect to the mounting board 30 , the emitter terminals 111 and 112 of the PA 11 are connected to the main surface 30b and , connected to the ground terminals 411 and 412 by a through electrode in the resin member 40B via a planar wiring pattern extending in the XY plane direction of the mounting board 30 . On the other hand, when the PA 11 is disposed on the main surface 30a as in the present embodiment, the heat dissipation path is constituted by a path passing through the through electrodes 51 and 52, and the flat wiring pattern of the mounting board 30 is formed. It does not include routes through the bay. That is, since the through electrodes 51 and 52 are directly connected to the ground terminals 411 and 412, a heat dissipation path with low thermal resistance can be realized, and the heat dissipation property of the high frequency module 1 is improved.

또한, 수지 부재(40A)가 배치됨으로써 열 발생량이 많은 PA(11)가 수지 부재(40A)에 덮여지므로, PA(11)의 실장 신뢰성을 높이면서 PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성이 향상된다.In addition, since the PA 11 with a large amount of heat is covered by the resin member 40A by disposing the resin member 40A, the PA 11 is transferred from the PA 11 to the external substrate 90 while increasing the mounting reliability of the PA 11 . heat dissipation is improved.

또한, 본 실시형태에서는 그라운드 단자(411, 412 및 422)는 수지 부재(40A 및 40B) 중 수지 부재(40B) 상에 배치되어 있다. 특히, 본 실시형태에서는 그라운드 단자(411, 412 및 422)는 수지 부재(40B)의(Z축 부방향의) 표면(서로 대향하는 2개의 주면 중 주면(30b)과 접하고 있지 않는 주면)에 배치되어 있다.In addition, in this embodiment, the ground terminals 411, 412, and 422 are arrange|positioned on the resin member 40B among the resin members 40A and 40B. In particular, in the present embodiment, the ground terminals 411 , 412 , and 422 are disposed on the surface (in the negative Z-axis direction) of the resin member 40B (the main surface which is not in contact with the main surface 30b among the two main surfaces facing each other) has been

이것에 의하면, 수지 부재(40A 및 40B)가 배치되어 있음으로써 PA(11) 및 LNA(21)의 실장 신뢰성을 높이면서, 수지 부재(40B) 내에 있어서도 관통 전극(51, 52 및 54)이 형성되므로, 실장 기판(30) 및 수지 부재(40B)에 걸쳐서 실장 기판(30) 및 수지 부재(40B)에 형성되는 배선 중 열 저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다.According to this arrangement, the mounting reliability of the PA 11 and the LNA 21 is improved by arranging the resin members 40A and 40B, and the through electrodes 51, 52 and 54 are also formed in the resin member 40B. Therefore, a heat dissipation path through only a planar wiring pattern having a high thermal resistance among wirings formed on the mounting substrate 30 and the resin member 40B across the mounting substrate 30 and the resin member 40B can be excluded.

또한, 도 1c에 나타내는 바와 같이 주면(30a 및 30b)에 수직한 방향(Z축 방향)으로부터 고주파 모듈(1)을 평면으로 본 경우, 관통 전극(51)과 그라운드 단자 (411)가 겹쳐 있고, 관통 전극(52)과 그라운드 단자(412)는 겹쳐 있는 것이 바람직하다.In addition, when the high frequency module 1 is viewed in a plan view from the direction (Z-axis direction) perpendicular to the main surfaces 30a and 30b as shown in FIG. 1C, the through electrode 51 and the ground terminal 411 overlap, It is preferable that the through electrode 52 and the ground terminal 412 overlap.

이것에 의하면, 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411)를 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해지고, 또한 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412)를 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, PA(11)로부터 그라운드 단자(411 및 412)로의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 수지 부재(40B) 내에 있어서의 관통 전극(51 및 52)의 형성 영역을 PA(11)의 직하 부근의 영역으로 한정시킬 수 있기 때문에, 주면(30b)에 실장되는 회로 부품의 형성 영역을 넓게 할 수 있다. 따라서, 회로 부품의 배치의 자유도가 향상된다.According to this, it becomes possible to connect the emitter terminal 111 and the ground terminal 411 by the shortest distance, and it becomes possible to connect the emitter terminal 112 and the ground terminal 412 by the shortest distance. . Thereby, the thermal resistance in the heat dissipation path from the PA 11 to the ground terminals 411 and 412 can be reduced, so that the heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 can be further improved. . In addition, since the formation region of the through electrodes 51 and 52 in the resin member 40B can be limited to the region directly under the PA 11, the formation region of the circuit component mounted on the main surface 30b is reduced. can be wide Accordingly, the degree of freedom in arrangement of circuit components is improved.

또한, 도 1c와 같이 관통 전극(51)이 그라운드 단자(411)와 완전히 겹쳐 있지 않아도 좋고, 관통 전극(51)의 적어도 일부가 그라운드 단자(411)와 겹쳐 있으면 좋다. 또한, 관통 전극(52)의 적어도 일부가 그라운드 단자(412)와 겹쳐 있으면 좋다.Also, as shown in FIG. 1C , the through electrode 51 may not completely overlap the ground terminal 411 , and at least a part of the through electrode 51 may overlap the ground terminal 411 . In addition, at least a part of the through electrode 52 may overlap the ground terminal 412 .

또한, 상기 평면으로 볼 때에 있어서, 관통 전극(51)과 그라운드 전극(911)이 겹쳐 있고, 관통 전극(52)과 그라운드 전극(912)은 겹쳐 있는 것이 바람직하다.In the plan view, it is preferable that the through electrode 51 and the ground electrode 911 overlap, and the through electrode 52 and the ground electrode 912 overlap.

이것에 의하면, 이미터 단자(111)와 그라운드 전극(911)을 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해지고, 또한 이미터 단자(112)와 그라운드 전극(912)을 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, PA(11)로부터 외부 기판(90)으로의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성이 향상된 통신 장치(8)를 제공할 수 있다. 또한, 관통 전극(51)이 그라운드 전극(911)과 완전히 겹쳐 있지 않아도 좋고, 관통 전극(51)의 적어도 일부가 그라운드 전극(911)과 겹쳐 있으면 좋다. 또한, 관통 전극(52)의 적어도 일부가 그라운드 전극(912)과 겹쳐 있으면 좋다.According to this, it becomes possible to connect the emitter terminal 111 and the ground electrode 911 with an approximately shortest distance, and it becomes possible to connect the emitter terminal 112 and the ground electrode 912 with an approximately shortest distance. . As a result, the thermal resistance in the heat dissipation path from the PA 11 to the external substrate 90 can be reduced, so that the communication device 8 has improved heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 . can provide In addition, the through electrode 51 may not completely overlap the ground electrode 911 , and at least a part of the through electrode 51 may overlap the ground electrode 911 . In addition, at least a part of the through electrode 52 may overlap the ground electrode 912 .

또한, 본 실시형태에서는 PA(11)와 LNA(21)가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 양자 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the present embodiment, since the PA 11 and the LNA 21 are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, isolation between them can be ensured and interference between the transmission signal and the reception signal can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 본 실시예에 있어서, PA(11)의 정합 회로(13)가 칩 형상의 제 1 인덕터를 갖고, LNA(21)의 정합 회로(23)가 칩 형상의 제 2 인덕터를 갖는 경우에는 제 1 인덕터는 주면(30a)에 실장되고, 제 2 인덕터는 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 송신계 회로 상에 배치된 제 1 인덕터와 수신계 회로 상에 배치된 제 2 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 1 인덕터와 제 2 인덕터의 자계 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있으며 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the present embodiment, when the matching circuit 13 of the PA 11 has a chip-shaped first inductor and the matching circuit 23 of the LNA 21 has a chip-shaped second inductor, the second inductor Preferably, the first inductor is mounted on the main surface 30a, and the second inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the first inductor disposed on the transmitting circuit and the second inductor disposed on the receiving circuit are disposed with the mounting board 30 interposed therebetween, magnetic field coupling of the first and second inductors is prevented. can be suppressed Accordingly, isolation between the transmitting circuit and the receiving circuit can be secured, and interference between the transmit signal and the receive signal can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 도 2a에 나타내어지는 고주파 모듈(1A)에 있어서, 스위치(61)와 송신용 필터(12A) 및 수신용 필터(22A) 사이에 임피던스 정합용의 칩 형상의 제 3 인덕터가 배치되어도 좋고, 또한 스위치(61)와 송신용 필터(12B) 및 수신용 필터(22B)사이에 임피던스 정합용의 칩 형상의 제 4 인덕터가 배치되어도 좋다. 또한, 공통 입출력 단자(100)와 스위치(61) 사이에 임피던스 정합용의 칩 형상의 제 5 인덕터가 배치되어도 좋다.In addition, in the high-frequency module 1A shown in Fig. 2A, a chip-shaped third inductor for impedance matching may be disposed between the switch 61, the transmission filter 12A, and the reception filter 22A, Further, a chip-shaped fourth inductor for impedance matching may be disposed between the switch 61 and the transmission filter 12B and reception filter 22B. A chip-shaped fifth inductor for impedance matching may be disposed between the common input/output terminal 100 and the switch 61 .

상기 구성에 있어서, 제 1 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 3 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 1 인덕터와 제 3 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 1 인덕터와 제 3 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 송신용 필터(12A)를 경유하지 않고 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.In the above configuration, it is preferable that the first inductor is mounted on the main surface 30a and the third inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the first inductor and the third inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the first inductor and the third inductor can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the transmission filter 12A, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured and interference between the transmission signal and the reception signal can be prevented. can be suppressed In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 구성에 있어서, 제 1 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 4 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 1 인덕터와 제 4 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 1 인덕터와 제 4 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 송신용 필터(12B)를 경유하지 않고 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the above configuration, it is preferable that the first inductor is mounted on the main surface 30a and the fourth inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the first inductor and the fourth inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the first inductor and the fourth inductor can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the transmission filter 12B, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured, and interference between the transmission signal and the reception signal can be prevented. can be suppressed In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 구성에 있어서, 제 1 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 5 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 1 인덕터와 제 5 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 1 인덕터와 제 5 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 송신용 필터(12A 및 12B)를 경유하지 않고, 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the above configuration, it is preferable that the first inductor is mounted on the main surface 30a and the fifth inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the first inductor and the fifth inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the first inductor and the fifth inductor can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the transmission filters 12A and 12B, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured, and the transmission signal and the reception signal interference can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 구성에 있어서, 제 3 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 2 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 3 인덕터와 제 2 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 3 인덕터와 제 2 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 수신용 필터(22A)를 경유하지 않고, 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송 신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the above configuration, it is preferable that the third inductor is mounted on the main surface 30a and the second inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the third inductor and the second inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the third inductor and the second inductor can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the reception filter 22A, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured, and interference between the transmission signal and the reception signal can be ensured. can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 구성에 있어서, 제 4 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 2 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 4 인덕터와 제 2 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 4 인덕터와 제 2 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 수신용 필터(22B)를 경유하지 않고, 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the above configuration, it is preferable that the fourth inductor is mounted on the main surface 30a and the second inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the fourth inductor and the second inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the fourth inductor and the second inductor can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the reception filter 22B, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured, and interference between the transmission signal and the reception signal can be ensured. can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

또한, 상기 구성에 있어서, 제 5 인덕터가 주면(30a)에 실장되고, 제 2 인덕터가 주면(30b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 제 5 인덕터와 제 2 인덕터가 실장 기판(30)을 사이에 두고 배치되므로, 제 5 인덕터와 제 2 인덕터가 자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 신호가 수신용 필터(22A 및 22B)를 경유하지 않고, 수신계 회로에 침입하는 것을 억제할 수 있으므로, 송신계 회로와 수신계 회로 사이의 아이솔레이션을 확보할 수 있어 송신 신호 및 수신 신호의 간섭을 억제할 수 있다. 특히, 대전력인 송신 신호가 수신 경로로 침입해서 수신 감도가 저하되어 버리는 것을 억제할 수 있다.Further, in the above configuration, it is preferable that the fifth inductor is mounted on the main surface 30a and the second inductor is mounted on the main surface 30b. According to this configuration, since the fifth inductor and the second inductor are disposed with the mounting substrate 30 interposed therebetween, magnetic field coupling between the fifth inductor and the second inductor can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress the transmission signal from entering the reception circuit without passing through the reception filters 22A and 22B, so that isolation between the transmission circuit and the reception circuit can be ensured, and the transmission signal and the reception signal interference can be suppressed. In particular, it is possible to suppress that a high-power transmission signal penetrates into the reception path and the reception sensitivity is lowered.

[2. 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 구조][2. Structure of the high-frequency module 1A according to the embodiment]

도 3a는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 제 1 단면 구성도이다. 또한, 도 3b는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 제 2 단면 구성도이다.또한, 도 3c는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 제 3 단면 구성도이다. 보다 구체적으로는, 도 3a는 도 3b 및 도 3c의 IIIA-IIIA 절단면을 Y축 정방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 3b는 도 3a의 IIIB-IIIB 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 3c는 도 3a의 IIIC-IIIC 절단면(주면(40b))을 Z축 부방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 3b 및 도 3c에는 각 절단면에 배치된 회로 소자 및 단자(실선)뿐만 아니라, Z축 방향으로 투시한 경우에 존재하는 회로 소자(파선)도 나타내고 있다.3A is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module 1A according to an embodiment. 3B is a second cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 1A according to the embodiment. Fig. 3C is a third cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 1A according to the embodiment. More specifically, FIG. 3A is a cross-sectional view taken along the line IIIA-IIIA of FIGS. 3B and 3C in the positive Y-axis direction. In addition, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the Z-axis negative direction along the line IIIB-IIIB of FIG. 3A. 3C is a cross-sectional view of the IIIC-IIIC cross-section (main surface 40b) of FIG. 3A viewed in the negative Z-axis direction. 3B and 3C show not only the circuit elements and terminals (solid lines) arranged on each cut surface, but also circuit elements present when viewed through the Z-axis direction (dashed lines).

도 3a~도 3c에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1A)은 PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12A 및 12B)와, 수신용 필터(22A 및 22B)와, 송수신용 필터(32C)와, 스위치(61~64)를 구비한다. 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 구체적 구성예이다. 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 비교해서 필터 및 스위치의 구성이 보다 상세하게 부가되어 있는 점이 다르다. 이하, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에 대해서, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 다른 점을 중심으로 설명한다.3A to 3C, the high-frequency module 1A includes a PA 11, an LNA 21, transmission filters 12A and 12B, reception filters 22A and 22B, and transmission and reception. A filter 32C and switches 61 to 64 are provided. The high-frequency module 1A according to the present embodiment is a specific structural example of the high-frequency module 1 according to the embodiment. The high-frequency module 1A according to the present embodiment is different from the high-frequency module 1 according to the embodiment in that the configuration of filters and switches is added in more detail. Hereinafter, the high-frequency module 1A according to the present embodiment will be mainly described, focusing on differences from the high-frequency module 1 according to the embodiment.

PA(11), LNA(21), 송신용 필터(12A 및 12B), 수신용 필터(22A 및 22B), 송수신용 필터(32C), 및 스위치(61~64)는 도 2a에 나타내어진 회로 구성과 같이 접속되어 있다.The PA 11, LNA 21, transmission filters 12A and 12B, reception filters 22A and 22B, transmission/reception filter 32C, and switches 61 to 64 have a circuit configuration shown in Fig. 2A. is connected as

실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 구성에 의하면, 도 3a에 나타내는 바와 같이 실장 기판(30)의 주면(30a 및 30b)의 쌍방에 회로 부품이 실장되어 있으므로, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화할 수 있다. 또한, 발열량이 큰 PA(11)가 주면(30a)에 실장되고, 실장 기판(30)에 형성된 관통 전극(51)이 이미터 단자(111) 및 그라운드 단자(411)에 접속되고, 관통 전극(52)이 이미터 단자(112) 및 그라운드 단자(412)에 접속되어 있다. 이것에 의해, 실장 기판(30) 내의 배선 중 열 저항이 큰 XY 평면 방향을 따르는 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1A)을 제공하는 것이 가능해진다.According to the configuration of the high frequency module 1A according to the first embodiment, since circuit components are mounted on both main surfaces 30a and 30b of the mounting board 30 as shown in Fig. 3A, the high frequency module using the single side mounting board. Compared to that, it is possible to increase the density and reduce the size. In addition, the PA 11 having a large amount of heat is mounted on the main surface 30a, the through electrode 51 formed on the mounting board 30 is connected to the emitter terminal 111 and the ground terminal 411, and the through electrode ( 52 is connected to the emitter terminal 112 and the ground terminal 412 . Thereby, the heat dissipation path via only the planar wiring pattern along the XY plane direction with large thermal resistance among wiring in the mounting board 30 can be excluded. Accordingly, it becomes possible to provide a compact high-frequency module 1A with improved heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 .

또한, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 주면(30a 및 30b)에 수직한 방향(Z축 방향)으로부터 고주파 모듈(1A)을 평면으로 본 경우, 관통 전극(51)과 그라운드 단자(411)가 겹쳐 있고, 관통 전극(52)과 그라운드 단자(412)가 겹쳐 있다. 이것에 의해, PA(11)로부터 그라운드 단자(411 및 412)로의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 수지 부재(40B) 내에 있어서의 관통 전극(51 및 52)의 형성 영역을 PA(11)의 직하 부근의 영역에 한정할 수 있기 때문에, 주면(30b)에 실장되는 회로 부품의 형성 영역을 넓게 할 수 있다. 따라서, 회로 부품의 배치의 자유도가 향상된다.In addition, as shown in FIG. 3C, when the high frequency module 1A is viewed in a plan view from the direction (Z-axis direction) perpendicular to the main surfaces 30a and 30b, the through electrode 51 and the ground terminal 411 overlap, , the through electrode 52 and the ground terminal 412 overlap each other. Thereby, the thermal resistance in the heat dissipation path from the PA 11 to the ground terminals 411 and 412 can be reduced, so that the heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 can be further improved. . In addition, since the formation region of the through electrodes 51 and 52 in the resin member 40B can be limited to the region directly under the PA 11, the formation region of the circuit component mounted on the main surface 30b is reduced. can be wide Accordingly, the degree of freedom in arrangement of circuit components is improved.

또한, 도 3a~도 3c에 나타내는 바와 같이 주면(30a 및 30b)에 수직한 방향으로부터 고주파 모듈(1A)을 평면으로 본 경우, PA(11)와 LNA(21)는 겹쳐 있지 않는 것이 바람직하다.3A to 3C, when the high frequency module 1A is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the main surfaces 30a and 30b, it is preferable that the PA 11 and the LNA 21 do not overlap.

이것에 의해, PA(11)와 LNA(21)를 주면(30a 및 30b)에 배치해 나누고 있는 것에 추가하여, PA(11)와 LNA(21)의 거리를 더욱 크게 할 수 있고, 또한 PA(11)와 LNA(21)의 전자계 결합을 억제할 수 있으므로, 양자 사이의 아이솔레이션을 보다 확보할 수 있다. 또한, PA(11)와 그라운드 단자(411 및 412)를 접속하는 관통 전극(51 및 52)이 LNA(21)의 배치에 의해 제약을 받지 않으므로, PA(11)와 그라운드 단자(411 및 412)를 최단 거리로 접속할 수 있다.Thereby, in addition to arranging and dividing the PA 11 and the LNA 21 on the main surfaces 30a and 30b, the distance between the PA 11 and the LNA 21 can be further increased, and the PA ( 11) and the electromagnetic field coupling between the LNA 21 can be suppressed, so that the isolation between the two can be further ensured. Further, since the through electrodes 51 and 52 connecting the PA 11 and the ground terminals 411 and 412 are not restricted by the arrangement of the LNA 21, the PA 11 and the ground terminals 411 and 412 are can be connected with the shortest distance.

또한, 상기 평면으로 볼 때에 있어서, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이 LNA(21)와 수신용 필터(22A 및 22B)는 적어도 일부가 겹쳐 있는 것이 바람직하다.In the plan view, it is preferable that at least a part of the LNA 21 and the reception filters 22A and 22B overlap as shown in Figs. 3A and 3B.

이것에 의해, LNA(21) 및 수신용 필터(22A 또는 22B)를 포함하는 수신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있으므로, 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 상기 선로 길이가 짧아짐으로써 수신 경로 상의 기생 용량을 억제할 수 있으므로, LNA(21)의 잡음 지수의 저하를 억제할 수 있다.Thereby, the line length of the reception path including the LNA 21 and the reception filter 22A or 22B can be shortened, so that the transmission loss of the reception signal can be reduced. In addition, since the parasitic capacitance on the reception path can be suppressed by shortening the line length, it is possible to suppress a decrease in the noise figure of the LNA 21 .

또한, 상기 평면으로 볼 때에 있어서, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이 송신용 필터(12A 및 12B)는 PA(11)와 수신용 필터(22A 및 22B) 사이에 배치되어 있는 것이 바람직하다.In the plan view, the transmission filters 12A and 12B are preferably arranged between the PA 11 and the reception filters 22A and 22B as shown in Figs. 3A and 3B.

이것에 의해, PA(11), 송신용 필터(12A 및 12B)를 포함하는 송신 경로의 선로 길이를 짧게 할 수 있으므로, 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 또한, 송신용 필터(12A 및 12B)의 개재에 의해 대전력의 송신 신호를 출력하는 PA(11)와 수신용 필터(22A 및 22B)의 거리를 확보할 수 있으므로, 송신 신호의 간섭에 의한 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.Thereby, the line length of the transmission path including the PA 11 and the transmission filters 12A and 12B can be shortened, so that the transmission loss of the transmission signal can be reduced. In addition, by interposing the transmission filters 12A and 12B, the distance between the PA 11 that outputs a high-power transmission signal and the reception filters 22A and 22B can be secured, so that reception due to interference of the transmission signal A decrease in sensitivity can be suppressed.

[3. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)의 구조][3. Structure of the high-frequency module 2 according to Modification Example 1]

도 4a는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)의 제 1 단면 구성도이다. 또한, 도 4b는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)의 제 2 단면 구성도이다. 또한, 도 4c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)의 제 3 단면 구성도이다. 보다 구체적으로는, 도 4a는 도 4b 및 도 4c의 IVA-IVA 절단면을 Y축 정방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 4b는 도 4a의 IVB-IVB 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 4c는 도 4a의 IVC-IVC 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다.4A is a first cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 2 according to the first modification. 4B is a second cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 2 according to the first modification. 4C is a third cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 2 according to the first modification. More specifically, FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the IVA-IVA section of FIGS. 4B and 4C in the positive Y-axis direction. Also, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the IVB-IVB section of FIG. 4A in the negative Z-axis direction. 4C is a cross-sectional view of the IVC-IVC section of FIG. 4A viewed in the negative Z-axis direction.

도 4a에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(2)은 실장 기판(30)과, PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12)와, 수신용 필터(22)와, 수지 부재(40A 및 40B)와, 관통 전극(51, 52, 53 및 54)과, 그라운드 단자(411, 412 및 422)와, 그라운드 전극층(30G)과, 실드 전극층(40G)을 구비한다. 본 변형예에 따른 고주파 모듈(2)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 비교해서 그라운드 전극층(30G) 및 실드 전극층(40G)이 배치되어 있는 점이 구성으로서 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(2)에 대해서 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 점에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.As shown in FIG. 4A , the high frequency module 2 includes a mounting substrate 30 , a PA 11 , an LNA 21 , a transmission filter 12 , a reception filter 22 , and a resin member. 40A and 40B, through electrodes 51, 52, 53 and 54, ground terminals 411, 412 and 422, a ground electrode layer 30G, and a shield electrode layer 40G. The high-frequency module 2 according to the present modification differs from the high-frequency module 1 according to the embodiment in that the ground electrode layer 30G and the shield electrode layer 40G are disposed as compared to the high-frequency module 1 according to the embodiment. Hereinafter, with respect to the high frequency module 2 which concerns on this modification, description is abbreviate|omitted about the same point as the high frequency module 1 which concerns on embodiment, and it demonstrates centering around the difference.

그라운드 전극층(30G)은 실장 기판(30) 내의 평면 배선 패턴에 의해 형성되고, 그라운드 전위로 설정된 전극층이다.The ground electrode layer 30G is an electrode layer formed by a planar wiring pattern in the mounting substrate 30 and set to a ground potential.

실드 전극층(40G)은 수지 부재(40A)의 천면 및 측면을 덮도록 형성되고, 그라운드 전극층(30G)과 실장 기판(30)의 측면에서 접속된 제 1 실드 전극층이다.The shield electrode layer 40G is a first shield electrode layer formed to cover the top surface and the side surface of the resin member 40A, and connected to the ground electrode layer 30G and the side surface of the mounting substrate 30 .

이것에 의해, PA(11)의 송신 신호가 고주파 모듈(2)로부터 직접 외부에 방사되는 것을 억제할 수 있고, 또한 외래 노이즈가 주면(30a) 상의 회로 부품에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 실드 전극층(40G)을 통해서 PA(11)의 발열을 방열할 수 있으므로, 방열성이 향상된다.Thereby, it is possible to suppress that the transmission signal of the PA 11 is directly radiated to the outside from the high-frequency module 2, and it is possible to suppress the intrusion of extraneous noise into the circuit components on the main surface 30a. In addition, the heat dissipation of the PA 11 can be dissipated through the shield electrode layer 40G, so that the heat dissipation property is improved.

[4. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(3)의 구조][4. Structure of the high-frequency module 3 according to Modification Example 2]

도 5a는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(3)의 제 1 단면 구성도이다. 또한, 도 5b는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(3)의 제 2 단면 구성도이다. 또한, 도 5c는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(3)의 제 3 단면 구성도이다. 보다 구체적으로는, 도 5a는 도 5b 및 도 5c의 VA-VA 절단면을 Y축 정방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 5b는 도 5a의 VB-VB 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다. 또한, 도 5c는 도 5a의 VC-VC 절단면을 Z축 부방향으로 본 단면도이다.5A is a first cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 3 according to the second modification. 5B is a second cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 3 according to the second modification. 5C is a third cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 3 according to the second modification. More specifically, FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the VA-VA section of FIGS. 5B and 5C in the positive Y-axis direction. 5B is a cross-sectional view taken along the Z-axis negative direction along the VB-VB section of FIG. 5A. 5C is a cross-sectional view of the VC-VC cross-section of FIG. 5A viewed in the negative Z-axis direction.

도 5a에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(3)은 실장 기판(30)과, PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12)와, 수신용 필터(22)와, 수지 부재(40A 및 40B)와, 관통 전극(51, 52, 53 및 54)과, 그라운드 단자(411, 412 및 422)와, 그라운드 전극층(30G)과, 실드 전극층(40G)과, 실드 기둥 형상 전극(41G)을 구비한다. 본 변형예에 따른 고주파 모듈(3)은 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)과 비교해서 실드 기둥 형상 전극(41G)이 배치되어 있는 점이 구성으로서 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(3)에 대해서 변형예 1에 따른 고주파 모듈(2)과 같은 점에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.As shown in FIG. 5A , the high frequency module 3 includes a mounting substrate 30 , a PA 11 , an LNA 21 , a transmission filter 12 , a reception filter 22 , and a resin member. 40A and 40B, through electrodes 51, 52, 53 and 54, ground terminals 411, 412 and 422, ground electrode layer 30G, shield electrode layer 40G, shield columnar electrode ( 41G). The high-frequency module 3 according to the present modification differs from the high-frequency module 2 according to the first modification in the configuration in which the shield columnar electrode 41G is disposed. Hereinafter, with respect to the high-frequency module 3 according to the present modification, the same points as the high-frequency module 2 according to the first modification will be omitted, and description will be focused on different points.

실드 기둥 형상 전극(41G)은 수지 부재(40B)의 측면에 형성되고, 그라운드 전극층(30G)과 실장 기판(30)의 측면에서 접속된 제 2 실드 전극층이다. 도 5c에 나타내는 바와 같이, 실드 기둥 형상 전극(41G)은 실장 기판(30) 및 수지 부재(40B)를 Z축 방향으로 관통하는 원기둥 형상의 비아 전극을 Z축 방향으로 절단한 반원 기둥 형상의 기둥 형상 전극이며, 수지 부재(40B)의 측면에 복수개 배치되어 있다.The shield columnar electrode 41G is a second shield electrode layer formed on the side surface of the resin member 40B and connected to the ground electrode layer 30G from the side surface of the mounting substrate 30 . As shown in FIG. 5C , the shield columnar electrode 41G is a semi-cylindrical column obtained by cutting in the Z-axis direction a cylindrical via electrode penetrating the mounting substrate 30 and the resin member 40B in the Z-axis direction. It is a shape electrode, and it is arrange|positioned in plurality on the side surface of the resin member 40B.

이것에 의하면, 실드 전극층(40G)과 함께 실드 기둥 형상 전극(41G)이 형성되므로, 고주파 모듈(3) 전체가 실드된다. 따라서, PA(11)의 송신 신호가 고주파 모듈(3)로부터 직접 외부로 방사되는 것을 더욱 억제할 수 있고, 또한 외래 노이즈가 주면(30a 및 30b) 상의 회로 부품에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 실드 기둥 형상 전극(41G)을 통해서 PA(11)의 발열을 방열할 수 있으므로, 방열성이 더욱 향상된다.According to this, since the shield columnar electrode 41G is formed together with the shield electrode layer 40G, the high frequency module 3 whole is shielded. Therefore, it is possible to further suppress that the transmission signal of the PA 11 is directly radiated to the outside from the high-frequency module 3, and it is also possible to suppress the intrusion of extraneous noise into the circuit components on the main surfaces 30a and 30b. In addition, heat dissipation of the PA 11 can be dissipated through the shield columnar electrode 41G, so that the heat dissipation property is further improved.

또한, 실드 기둥 형상 전극(41G)은 실드 전극층(40G)과 같이 수지 부재(40B)의 측면을 덮도록 형성된 층 형상의 전극이어도 좋다.In addition, the shield columnar electrode 41G may be a layered electrode formed so that the side surface of the resin member 40B may be covered like the shield electrode layer 40G.

[5. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(4A)의 구조][5. Structure of the high-frequency module 4A according to Modification Example 3]

도 6은 변형예 3에 따른 고주파 모듈(4A)의 제 1 단면 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(4A)은 실장 기판(30)과, PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12)와, 수신용 필터(22)와, 수지 부재(40A 및 40B)와, 관통 전극( 51A, 52A, 53 및 54)과, 그라운드 단자(411A, 412A 및 422)를 구비한다. 본 변형예에 따른 고주파 모듈(4A)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 비교해서 관통 전극 (51A 및 52A)의 형상이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(4A)에 대해서, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 점에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.6 is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module 4A according to a third modification. As shown in the figure, the high frequency module 4A includes a mounting substrate 30 , a PA 11 , an LNA 21 , a transmission filter 12 , a reception filter 22 , and a resin member. 40A and 40B, through electrodes 51A, 52A, 53 and 54, and ground terminals 411A, 412A, and 422 are provided. The high-frequency module 4A according to the present modification is different from the high-frequency module 1 according to the embodiment in the shape of the through electrodes 51A and 52A. Hereinafter, about the high frequency module 4A which concerns on this modified example, description is abbreviate|omitted about the point similar to the high frequency module 1 which concerns on embodiment, and it demonstrates centering around a different point.

관통 전극(51A)은 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411A)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다. 관통 전극(52A)은 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412A)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다.The through electrode 51A is an electrode that electrically connects the emitter terminal 111 and the ground terminal 411A, and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b. The through electrode 52A is an electrode that electrically connects the emitter terminal 112 and the ground terminal 412A, and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b.

여기서, 관통 전극(51A)은 실장 기판(30) 내에 있어서, 주면(30a)으로부터 주면(30b)에 이르는 1개의 원통 형상 비아 전극으로 구성되어 있지 않고, 복수의 원통 형상 비아 전극이 직렬로 접속된 구조를 갖고 있다. 또한, 직렬로 접속된 복수의 원통 형상 비아 전극 사이에는 각 층을 따른 평면 배선 패턴이 형성되어 있지만, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 평면으로 본 경우, Z축 방향에 이웃하는 원통 형상 비아 전극끼리는 적어도 일부가 겹쳐 있다. 즉, 관통 전극(51A)에는 평면 배선 패턴만을 경유하는 XY 평면 방향의 경로는 없고, 반드시 Z축 방향의 경로가 존재한다. 또한, 관통 전극(52A)도 관통 전극(51A)과 마찬가지의 구조를 갖고 있다.Here, the through electrode 51A does not consist of a single cylindrical via electrode extending from the main surface 30a to the main surface 30b in the mounting substrate 30, and a plurality of cylindrical via electrodes are connected in series. has a structure. In addition, a planar wiring pattern along each layer is formed between a plurality of cylindrical via electrodes connected in series. However, when the main surface 30b is viewed in a plan view from the main surface 30a, the cylindrical vias adjacent in the Z-axis direction. At least part of the electrodes overlap each other. That is, there is no path in the XY plane direction through only the planar wiring pattern in the through electrode 51A, but a path in the Z axis direction always exists. The through electrode 52A also has the same structure as the through electrode 51A.

이 구성에 의하면, 관통 전극(51A)에 의해 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411A)를 상기 평면으로 볼 때에 있어서 겹치게 하는 것에 한정되지 않고, 그라운드 단자(411A)의 배치의 자유도를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 관통 전극(52A)에 의해 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412A)를 상기 평면으로 볼 때에 있어서 겹치게 하는 것에 한정되지 않고, 그라운드 단자(412A)의 배치의 자유도를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 상기 복수의 원통 형상 비아 전극의 크기(직경)를 변경하고, 또한 동일 층 내에서 원통 형상 비아 전극을 복수 형성하는 등을 하는 것이 가능해지고, 방열 경로의 열 저항을 더욱 낮추는 것이 가능해진다.According to this configuration, it is not limited to overlapping the emitter terminal 111 and the ground terminal 411A in the plan view by the through electrode 51A, but it is also possible to increase the degree of freedom in the arrangement of the ground terminal 411A. becomes possible In addition, the through electrode 52A makes it possible to increase the degree of freedom in the arrangement of the ground terminal 412A without being limited to overlapping the emitter terminal 112 and the ground terminal 412A in the plan view. In addition, it becomes possible to change the size (diameter) of the plurality of cylindrical via electrodes, and to form a plurality of cylindrical via electrodes within the same layer, and it becomes possible to further lower the thermal resistance of the heat dissipation path.

[6. 변형예 4에 따른 고주파 모듈(4B)의 구조][6. Structure of the high-frequency module 4B according to Modification Example 4]

도 7은 변형예 4에 따른 고주파 모듈(4B)의 제 1 단면 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(4B)은 실장 기판(30)과, PA(11)와, LNA(21)와, 송신용 필터(12)와, 수신용 필터(22)와, 수지 부재(40A 및 40B)와, 관통 전극(51B, 52B, 53 및 54)과, 그라운드 단자(411B, 412B 및 422)를 구비한다. 본 변형예에 따른 고주파 모듈(4B)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 비교해서 관통 전극(51B 및 52B)의 형상이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(4B)에 대해서, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 같은 점에 대해서는 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.7 is a first cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module 4B according to a fourth modification. As shown in the figure, the high frequency module 4B includes a mounting substrate 30 , a PA 11 , an LNA 21 , a transmission filter 12 , a reception filter 22 , and a resin member. 40A and 40B, through electrodes 51B, 52B, 53 and 54, and ground terminals 411B, 412B, and 422 are provided. The high-frequency module 4B according to the present modified example differs from the high-frequency module 1 according to the embodiment in the shapes of the through electrodes 51B and 52B. Hereinafter, about the high frequency module 4B which concerns on this modified example, description is abbreviate|omitted about the point similar to the high frequency module 1 which concerns on embodiment, and it demonstrates centering around the difference.

관통 전극(51B)은 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411B)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다. 관통 전극(52B)은 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412B)를 전기적으로 접속하고, 주면(30a)으로부터 주면(30b)을 향해서 실장 기판(30)을 관통하는 전극이다.The through electrode 51B is an electrode that electrically connects the emitter terminal 111 and the ground terminal 411B, and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b. The through electrode 52B is an electrode that electrically connects the emitter terminal 112 and the ground terminal 412B, and penetrates the mounting board 30 from the main surface 30a toward the main surface 30b.

여기서, 관통 전극(51B)은 실장 기판(30) 내에 있어서, 주면(30a)으로부터 주면(30b)에 이르는 1개의 원통 형상 비아 전극으로 구성되어 있지 않고, 복수의 원통 형상 비아 전극이 직렬로 접속된 구조를 갖고 있다. 또한, 관통 전극(51B)은 수지 부재(40B) 내에 있어서 복수의 원통 형상 비아 전극이 직렬로 접속된 구조를 갖고 있다. 또한, 실장 기판(30) 내의 복수의 원통 형상 비아 전극 사이에는 각 층을 따른 평면 배선 패턴이 형성되어 있다.Here, the through electrode 51B does not consist of a single cylindrical via electrode extending from the main surface 30a to the main surface 30b in the mounting substrate 30, and a plurality of cylindrical via electrodes are connected in series. has a structure. Further, the through electrode 51B has a structure in which a plurality of cylindrical via electrodes are connected in series in the resin member 40B. In addition, a planar wiring pattern along each layer is formed between the plurality of cylindrical via electrodes in the mounting substrate 30 .

주면(30a)으로부터 주면(30b)을 평면으로 본 경우, 실장 기판(30) 내 및 수지 부재(40B) 내의 쌍방에 있어서, Z축 방향으로 이웃하는 원통 형상 비아 전극끼리는 적어도 일부가 겹쳐 있다. 즉, 관통 전극(51B)에는 평면 배선 패턴만을 경유하는 XY 평면 방향의 경로는 없고, 반드시 Z축 방향의 경로가 존재한다. 또한, 관통 전극(52B)에 대해서도, 관통 전극(51B)과 마찬가지의 구조를 갖고 있다.When the main surface 30b is viewed in a plan view from the main surface 30a, in both the mounting substrate 30 and the resin member 40B, adjacent cylindrical via electrodes in the Z-axis direction overlap at least in part. That is, there is no path in the XY plane direction through only the planar wiring pattern in the through electrode 51B, but a path in the Z axis direction always exists. Also, the through electrode 52B has the same structure as the through electrode 51B.

상기 구성에 의하면, 관통 전극(51B)에 의해 이미터 단자(111)와 그라운드 단자(411B)를 상기 평면으로 볼 때에 있어서 겹치게 하는 것에 한정되지 않고, 그라운드 단자(411B)의 배치의 자유도를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 관통 전극(52B)에 의해, 이미터 단자(112)와 그라운드 단자(412B)를 상기 평면으로 볼 때에 있어서 겹치게 하는 것에 한정되지 않고, 그라운드 단자(412B)의 배치의 자유도를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 상기 복수의 원통 형상 비아 전극의 크기(직경)를 변경하거나, 또한 동일 층 내에서 원통 형상 비아 전극을 복수 형성하는 등을 하는 것이 가능해지고, 방열 경로의 열 저항을 더욱 낮추는 것이 가능해진다.
또한, 상기 실시형태, 실시예 및 변형예에서는, 관통 전극은 실장 기판(30)뿐만 아니라 수지 부재(40B)도 관통하고 있지만, 관통 전극은 주면(30a)과 주면(30b) 사이에 걸쳐 형성되고, 주면(30b)에서 상기 관통 전극이 외부 접속 단자에 접속되어 있어도 좋다. 예를 들면, 도 3a에 나타내어진 고주파 모듈(1A)의 단면도에 있어서, 관통 전극(51 및 52) 중 실장 기판(30) 내에 형성된 부분이 관통 전극이며, 수지 부재(40B) 내에 형성된 부분이 상기 관통 전극과 다른 부재의 외부 접속 단자여도 좋다.
즉, 본 발명에 따른 고주파 모듈은 주면(30a 및 30b)을 갖고, 주면(30a 및 30b)에 고주파 부품을 실장 가능한 실장 기판(30)과, 주면(30a)에 실장된 PA(11)와, PA(11)와 접속되고, 주면(30a)과 주면(30b) 사이를 관통하는 관통 전극과, 주면(30b)에 배치되고, 상기 관통 전극과 접속되는 외부 접속 단자를 구비하고 있어도 좋다.
이것에 의하면, 실장 기판의 양 실장면에 회로 부품이 실장되어 있으므로, 편면 실장 기판을 사용한 고주파 모듈과 비교해서 고밀도화 및 소형화할 수 있다. 또한, 발열량이 큰 PA(11)가 주면(30a)에 실장되고, 실장 기판(30)에 형성된 관통 전극이 PA(11) 및 외부 접속 단자를 접속하므로, 실장 기판(30) 내의 배선 중 열저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈을 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 외부 접속 단자는, 예를 들면 주면(30b)에 배치되고, 수지 부재(40B) 내부에서 주면(30b)의 법선 방향으로 연장되는 주상 전극이어도 좋다.
또한, 상기 외부 접속 단자는 주면(30b)에 배치된 범프 전극이어도 좋다. 또한, 이 경우에는, 수지 부재(40B)는 배치되지 않는다.
또한, 상기 외부 접속 단자는 외부 기판에 접속되어도 좋다.
또한, 실장 기판(30)을 평면으로 본 경우, 상기 관통 전극과 상기 외부 접속 단자는 적어도 일부가 겹쳐 있어도 좋다.
이것에 의하면, PA(11)와 외부 접속 단자를 대략 최단 거리로 접속하는 것이 가능해지고, PA(11)로부터의 방열 경로에 있어서의 열 저항을 저감할 수 있으므로, PA(11)로부터의 외부 기판(90)으로의 방열성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 주면(30b)측에 있어서의 외부 접속 단자의 형성 영역을 PA(11)의 직하 부근의 영역에 한정할 수 있기 때문에, 주면(30b)에 실장되는 회로 부품의 형성 영역을 넓게 할 수 있어 회로 부품의 배치의 자유도가 향상된다.According to the above configuration, it is not limited to overlapping the emitter terminal 111 and the ground terminal 411B by the through electrode 51B in the plan view, but increasing the degree of freedom in the arrangement of the ground terminal 411B. becomes possible Further, the through electrode 52B makes it possible to increase the degree of freedom in the arrangement of the ground terminal 412B without being limited to overlapping the emitter terminal 112 and the ground terminal 412B in the plan view. . In addition, it becomes possible to change the size (diameter) of the plurality of cylindrical via electrodes, to form a plurality of cylindrical via electrodes within the same layer, and to further lower the thermal resistance of the heat dissipation path.
Further, in the above embodiments, examples and modifications, the through electrode penetrates not only the mounting substrate 30 but also the resin member 40B, but the through electrode is formed between the main surface 30a and the main surface 30b, , the through electrode may be connected to an external connection terminal on the main surface 30b. For example, in the cross-sectional view of the high-frequency module 1A shown in FIG. 3A , among the through electrodes 51 and 52, the portion formed in the mounting substrate 30 is the through electrode, and the portion formed in the resin member 40B is the above-mentioned portion. An external connection terminal of a member different from the through electrode may be used.
That is, the high-frequency module according to the present invention has main surfaces 30a and 30b, a mounting board 30 capable of mounting high-frequency components on the main surfaces 30a and 30b, a PA 11 mounted on the main surface 30a, A through electrode connected to the PA 11 and penetrating between the main surface 30a and the main surface 30b, and an external connection terminal disposed on the main surface 30b and connected to the through electrode may be provided.
According to this configuration, since circuit components are mounted on both mounting surfaces of the mounting board, it is possible to increase the density and reduce the size as compared with a high-frequency module using a single-sided mounting board. In addition, since the PA 11 having a large amount of heat is mounted on the main surface 30a, and the through electrode formed on the mounting board 30 connects the PA 11 and the external connection terminal, thermal resistance among wiring in the mounting board 30 The heat dissipation path via only this large planar wiring pattern can be excluded. Accordingly, it becomes possible to provide a compact high-frequency module with improved heat dissipation from the PA 11 to the external substrate 90 .
The external connection terminal may be, for example, a columnar electrode disposed on the main surface 30b and extending in the direction normal to the main surface 30b inside the resin member 40B.
Further, the external connection terminal may be a bump electrode disposed on the main surface 30b. In addition, in this case, the resin member 40B is not arrange|positioned.
Further, the external connection terminal may be connected to an external board.
In addition, when the mounting board 30 is viewed in a plan view, at least a part of the through electrode and the external connection terminal may overlap.
According to this, it becomes possible to connect the PA 11 and the external connection terminal with a substantially shortest distance, and since the thermal resistance in the heat dissipation path from the PA 11 can be reduced, the external substrate from the PA 11 . The heat dissipation property to (90) can be improved more. In addition, since the formation area of the external connection terminal on the main surface 30b side can be limited to the region directly under the PA 11, the formation area of the circuit components mounted on the main surface 30b can be widened. The degree of freedom of arrangement of circuit components is improved.

(그 밖의 실시형태 등)(Other embodiments, etc.)

이상, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시형태를 들어서 설명했지만, 본 발명에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합 시켜서 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 착안한 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.As mentioned above, although embodiment was given and demonstrated about the high frequency module and communication device which concern on embodiment of this invention, the high frequency module and communication device which concern on this invention are not limited to the said embodiment. Other embodiments realized by combining arbitrary components in the above embodiments, modifications obtained by making various modifications that those skilled in the art have paid attention to without departing from the gist of the present invention with respect to the above embodiments, and the above-mentioned high frequency Various devices incorporating modules and communication devices are also included in the present invention.

예를 들면, 상기 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에, 별도의 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.For example, in the high-frequency module and communication device according to the above embodiment, a separate circuit element, wiring, or the like may be inserted between the paths for connecting the respective circuit elements and signal paths shown in the drawings.

본 발명은 멀티밴드 대응의 프런트엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.The present invention is a high-frequency module disposed in a multi-band-compatible front-end unit, and can be widely used in communication devices such as mobile phones.

1, 1A, 2, 3, 4A, 4B : 고주파 모듈
5 : 안테나 소자
6 : RF 신호 처리 회로(RFIC)
7 : 베이스밴드 신호 처리 회로(BBIC)
8 : 통신 장치
11 : PA(송신 전력 증폭기)
12, 12A, 12B : 송신용 필터
13, 23 : 정합 회로
14, 24 : 증폭 트랜지스터 소자
21 : LNA(저잡음 수신 증폭기)
22, 22A, 22B : 수신용 필터
30 : 실장 기판
30a, 30b, 40b : 주면
30G : 그라운드 전극층
32C : 송수신용 필터
40A, 40B : 수지 부재
40G : 실드 전극층
41G : 실드 기둥 형상 전극
51, 51A, 51B, 52, 52A, 52B, 53, 54 : 관통 전극
61, 62, 63, 64 : 스위치
90 : 외부 기판
100 : 공통 입출력 단자
110 : 송신 입력 단자
111, 112 : 이미터 단자
120 : 수신 출력 단자
121, 122, 211, 212, 221, 222 : 접속 단자
140 : 트랜지스터
141, 142 : 커패시터
143 : 바이어스 회로
144 : 콜렉터 단자
145 : 입력 단자
146 : 출력 단자
411, 411A, 411B, 412, 412A, 412B, 422 : 그라운드 단자
911, 912, 922 : 그라운드 전극1, 1A, 2, 3, 4A, 4B: high-frequency module
5: antenna element
6: RF signal processing circuit (RFIC)
7: Baseband signal processing circuit (BBIC)
8: communication device
11: PA (transmission power amplifier)
12, 12A, 12B: transmission filter
13, 23: matching circuit
14, 24: amplification transistor element
21: LNA (Low Noise Receiving Amplifier)
22, 22A, 22B: filter for reception
30: mounting board
30a, 30b, 40b: main
30G: ground electrode layer
32C: filter for sending and receiving
40A, 40B: no resin
40G: shield electrode layer
41G: Shielded pillar-shaped electrode
51, 51A, 51B, 52, 52A, 52B, 53, 54: through electrode
61, 62, 63, 64: switch
90: external substrate
100: common input/output terminal
110: transmit input terminal
111, 112: emitter terminal
120: receive output terminal
121, 122, 211, 212, 221, 222: connection terminal
140: transistor
141, 142: capacitors
143: bias circuit
144: collector terminal
145: input terminal
146: output terminal
411, 411A, 411B, 412, 412A, 412B, 422: Ground terminal
911, 912, 922: ground electrode

Claims (17)

서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 고주파 부품을 실장 가능한 실장 기판과,
상기 제 1 주면에 실장되고, 고주파 부품이며 이미터 단자를 갖는 송신 전력 증폭기와,
상기 송신 전력 증폭기의 이미터 단자와 접속되고, 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이를 관통하는 관통 전극과,
상기 관통 전극과 접속되는 그라운드 단자와,
상기 제 2 주면에 배치된 저잡음 수신 증폭기, 상기 제 1 주면에 배치된 송신용 필터, 상기 제 1 주면에 배치된 수신용 필터를 구비하고,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 송신용 필터는 상기 송신 전력 증폭기 및 상기 수신용 필터 사이에 배치되는 고주파 모듈.a mounting board having a first main surface and a second main surface opposite to each other and capable of mounting a high-frequency component on the first main surface and the second main surface;
a transmission power amplifier mounted on the first main surface, which is a high-frequency component, and has an emitter terminal;
a through electrode connected to the emitter terminal of the transmission power amplifier and penetrating between the first main surface and the second main surface of the mounting board;
a ground terminal connected to the through electrode;
a low-noise receiving amplifier disposed on the second main surface, a transmission filter disposed on the first main surface, and a reception filter disposed on the first main surface;
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the transmission filter is disposed between the transmission power amplifier and the reception filter. 제 1 항에 있어서,
상기 고주파 모듈은 외부 기판에 접속되고,
상기 그라운드 단자는 상기 외부 기판에 접속되는 고주파 모듈.The method of claim 1,
The high-frequency module is connected to an external substrate,
and the ground terminal is connected to the external board. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 고주파 모듈은, 상기 제 1 주면 상에 형성되고, 상기 송신 전력 증폭기의 적어도 일부를 덮는 제 1 수지를 더 구비하는 고주파 모듈.3. The method according to claim 1 or 2,
The high frequency module further includes a first resin formed on the first main surface and covering at least a part of the transmission power amplifier. 제 3 항에 있어서,
상기 고주파 모듈은,
상기 제 2 주면에 실장된 회로 부품과,
상기 제 2 주면 상에 형성되고, 상기 회로 부품의 적어도 일부를 덮는 제 2 수지를 더 구비하고,
상기 그라운드 단자는 상기 제 2 수지 상에 배치되어 있는 고주파 모듈.4. The method of claim 3,
The high-frequency module is
a circuit component mounted on the second main surface;
a second resin formed on the second main surface and covering at least a portion of the circuit component;
and the ground terminal is disposed on the second resin. 제 4 항에 있어서,
상기 실장 기판의 평면 배선 패턴에 의해 형성된 그라운드 전극층과,
상기 제 1 수지의 천면 및 측면을 덮도록 형성되고, 상기 실장 기판의 측면에 있어서 상기 그라운드 전극층과 접속된 제 1 실드 전극층을 더 구비하는 고주파 모듈.5. The method of claim 4,
a ground electrode layer formed by a planar wiring pattern of the mounting substrate;
and a first shielding electrode layer formed to cover the top and side surfaces of the first resin and connected to the ground electrode layer on a side surface of the mounting substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 수지의 측면에 형성되고, 상기 실장 기판의 측면에 있어서 상기 그라운드 전극층과 접속된 제 2 실드 전극층을 더 구비하는 고주파 모듈.6. The method of claim 5,
and a second shielding electrode layer formed on a side surface of the second resin and connected to the ground electrode layer on a side surface of the mounting substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 관통 전극과 상기 그라운드 단자는 적어도 일부가 겹쳐 있는 고주파 모듈.3. The method according to claim 1 or 2,
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the through electrode and the ground terminal at least partially overlap. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 송신 전력 증폭기와 상기 저잡음 수신 증폭기는 겹쳐 있지 않는 고주파 모듈.The method of claim 1,
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the transmission power amplifier and the low noise reception amplifier do not overlap each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 저잡음 수신 증폭기와 상기 수신용 필터는 적어도 일부가 겹쳐 있는 고주파 모듈.The method of claim 1,
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the low noise receiving amplifier and the receiving filter are at least partially overlapped with each other. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 제 2 주면에 실장된 저잡음 수신 증폭기와 상기 수신용 필터는 적어도 일부가 겹쳐 있는 고주파 모듈.The method of claim 1,
When the high-frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the low-noise receiving amplifier and the receiving filter mounted on the second main surface are at least partially overlapped with each other. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 고주파 부품을 실장 가능한 실장 기판과,
상기 제 1 주면에 배치된 송신 전력 증폭기와,
상기 송신 전력 증폭기와 접속되고, 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면과 상기 제 2 주면 사이를 관통하는 관통 전극과,
상기 제 2 주면에 배치되고, 상기 관통 전극과 접속되는 외부 접속 단자와,
상기 제 2 주면에 배치된 저잡음 수신 증폭기와,
상기 제 1 주면에 배치된 송신용 필터 및
상기 제 1 주면에 배치된 수신용 필터를 구비하고,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 송신용 필터는 상기 송신 전력 증폭기 및 상기 수신용 필터 사이에 배치되는 고주파 모듈.a mounting board having a first main surface and a second main surface opposite to each other and capable of mounting a high-frequency component on the first main surface and the second main surface;
a transmit power amplifier disposed on the first main surface;
a through electrode connected to the transmission power amplifier and penetrating between the first main surface and the second main surface of the mounting substrate;
an external connection terminal disposed on the second main surface and connected to the through electrode;
a low-noise receiving amplifier disposed on the second main surface;
a transmission filter disposed on the first main surface; and
and a receiving filter disposed on the first main surface,
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the transmission filter is disposed between the transmission power amplifier and the reception filter. 제 13 항에 있어서,
상기 고주파 모듈은 외부 기판에 접속되고,
상기 외부 접속 단자는 상기 외부 기판에 접속되는 고주파 모듈.14. The method of claim 13,
The high-frequency module is connected to an external substrate,
and the external connection terminal is connected to the external board. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 고주파 모듈을 평면으로 본 경우, 상기 관통 전극과 상기 외부 접속 단자는 적어도 일부가 겹쳐 있는 고주파 모듈.14. The method of claim 13,
When the high frequency module is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the through electrode and the external connection terminal at least partially overlap. 외부 기판과,
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하고,
상기 외부 기판은 상기 그라운드 단자와 전기적으로 접속된 외부 그라운드 전극을 갖는 통신 장치.an external substrate;
A high-frequency module according to claim 1 or 2,
wherein the external substrate has an external ground electrode electrically connected to the ground terminal. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 주면 및 상기 제 2 주면에 수직한 방향으로부터 상기 통신 장치를 평면으로 본 경우, 상기 외부 그라운드 전극과 상기 관통 전극은 적어도 일부가 겹쳐 있는 통신 장치.17. The method of claim 16,
When the communication device is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the first main surface and the second main surface, the external ground electrode and the through electrode at least partially overlap.
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