KR102438382B1 - Method for fabricating substrate - Google Patents
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Abstract
기판 제조 방법이 제공된다. 기판 제조 방법은, 포토 레지스트 코팅막을 포함하는 기판을 스테이지 상에 정렬시키고, 옵틱 해드(optic head)를 이용하여 상기 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 기판을 스테이지 상에 정렬시키는 것은, 상기 기판의 제1 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제1 간섭계와, 상기 기판의 상기 제1 면과 인접하는 제2 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제2 간섭계와, 상기 옵틱 해드의 변위(displacement)를 측정하는 제3 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것을 포함하고, 상기 제2 간섭계는 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 측정한다.A method of manufacturing a substrate is provided. The method of manufacturing a substrate includes aligning a substrate including a photoresist coating film on a stage and exposing the photoresist coating film to light using an optic head to form a coating film pattern, wherein the substrate is placed on the stage Aligning comprises: a first interferometer on the stage disposed to face a first face of the substrate, a second interferometer on the stage disposed to face a second face adjacent to the first face of the substrate; and aligning the substrate using a third interferometer measuring displacement of the optic head, wherein the second interferometer measures an angle formed by the second surface of the substrate from a reference plane.
Description
본 발명은 기판 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate.
반도체 장치 및 표시 장치를 제조함에 있어서, 노광 공정은 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 공정으로, 반도체 장치 및 표시 장치의 성능과 밀접한 관련이 있는 중요한 공정들 중 하나이다. 노광 공정은 일반적으로 포토 레지스트(photo-resist) 상에 특정 패턴 모양의 마스크를 배치한 후 노광하여 패터닝을 실시한다. 그러나, 최근 마스크를 사용하지 않고, 패턴 정보를 가지는 스팟 빔들을 직접 기판 상에 조사하여 패터닝을 실시하는 마스크리스 리소그래피(Maskless Lithography) 장치가 개발되었다. 이러한 노광 장치는 기판이 대형화되고, 패턴이 정밀화되어 감에 따라, 그 정밀도가 매우 중요시되고 있다. 이 때, 노광 장치의 정밀도를 높이기 위해서는 노광의 정확도도 중요하지만, 기판의 위치를 정확하게 측정하는 것도 중요하다. 기판의 위치는 간섭계(Interferometer)를 이용하여 측정되는데, 챔버의 환경 상태에 따라 그 정밀도가 떨어질 수 있다.In manufacturing a semiconductor device and a display device, an exposure process is a process of forming a fine pattern on a substrate, and is one of important processes closely related to the performance of the semiconductor device and the display device. In the exposure process, patterning is generally performed by placing a mask having a specific pattern shape on a photo-resist and then exposing the mask. However, recently, a maskless lithography apparatus has been developed that performs patterning by directly irradiating spot beams having pattern information on a substrate without using a mask. In such an exposure apparatus, as the substrate becomes larger and the pattern becomes more precise, the precision thereof becomes very important. In this case, in order to increase the accuracy of the exposure apparatus, the accuracy of exposure is important, but it is also important to accurately measure the position of the substrate. The position of the substrate is measured using an interferometer, but the accuracy may be lowered depending on the environmental condition of the chamber.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 복수의 간섭계 사이의 오프셋(offset)과 기판의 기울어진 각도 측정하여 기판을 정렬시키는 방법을 포함하는 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate, including a method of aligning the substrate by measuring an offset between a plurality of interferometers and an inclined angle of the substrate.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 복수의 간섭계를 이용하여 기판의 기울어진 각도와 옵틱 해드의 변위를 측정하여 기판을 정렬시키는 방법을 포함하는 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate, including a method of aligning the substrate by measuring the tilt angle of the substrate and the displacement of the optic head using a plurality of interferometers.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 제조 방법의 일 실시예는, 포토 레지스트 코팅막을 포함하는 기판을 스테이지 상에 정렬시키고, 옵틱 해드(optic head)를 이용하여 상기 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 기판을 스테이지 상에 정렬시키는 것은, 상기 기판의 제1 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제1 간섭계와, 상기 기판의 상기 제1 면과 인접하는 제2 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제2 간섭계와, 상기 옵틱 해드의 변위(displacement)를 측정하는 제3 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것을 포함하고, 상기 제2 간섭계는 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 측정한다.In one embodiment of the method for manufacturing a substrate according to the technical idea of the present invention for solving the above problems, a substrate including a photoresist coating film is aligned on a stage, and the photoresist coating film is formed using an optic head. Comprising exposing to form a coating film pattern, aligning the substrate on the stage, a first interferometer on the stage disposed to face the first surface of the substrate, adjacent to the first surface of the substrate and aligning the substrate using a second interferometer on the stage disposed to face a second surface and a third interferometer for measuring displacement of the optic head, wherein the second interferometer moves from the reference surface to the second interferometer. An angle formed by the second surface of the substrate is measured.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제1 간섭계와, 상기 제1 간섭계와 분리되어 상기 기판의 상기 제1 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제4 간섭계를 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate may include: the first interferometer and a fourth interferometer on the stage separated from the first interferometer and disposed to face the first surface of the substrate may include using
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제1 간섭계를 이용하여 상기 제1 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제1 거리를 측정하고, 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 제4 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제2 거리를 측정하고, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋(offset)과 상기 제1 및 제2 거리의 측정값을 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the first interferometer and the fourth interferometer includes the first interferometer and the first surface of the substrate using the first interferometer. measure a first distance between, measure a second distance between the fourth interferometer and the first surface of the substrate using the fourth interferometer, and measure an offset between the first interferometer and the fourth interferometer ( offset) and using the measured values of the first and second distances.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋과 상기 제1 및 제2 거리의 측정값을 이용하는 것은, 상기 제1 간섭계는 상기 제1 거리의 측정값을 상기 제4 간섭계에 전달하고, 상기 제4 간섭계는 상기 제2 거리의 측정값과 상기 제1 거리의 측정값 사이의 차이값를 제어기에 전달하고, 상기 제어기는, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋 및 상기 차이값을 이용하여 상기 기판의 보정값을 계산하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, using the offset between the first interferometer and the fourth interferometer and the measured values of the first and second distances, the first interferometer measures the first distance transmits a value to the fourth interferometer, the fourth interferometer transmits a difference value between the measured value of the second distance and the measured value of the first distance to a controller, the controller comprising: the first interferometer and the second interferometer and calculating a correction value of the substrate using the offset between the four interferometers and the difference value.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제1 간섭계를 이용하여 상기 제1 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제1 거리를 측정하고, 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 제4 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제2 거리를 측정하고, 상기 제1 거리의 측정값과 상기 제2 거리의 측정값을 비교하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the first interferometer and the fourth interferometer includes the first interferometer and the first surface of the substrate using the first interferometer. measuring a first distance between the first distance and measuring a second distance between the fourth interferometer and the first surface of the substrate using the fourth interferometer, the measured value of the first distance and the second distance It may include comparing the measurements.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제2 간섭계와, 상기 제2 간섭계와 분리되어 상기 기판의 상기 제2 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제5 간섭계를 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate may include the second interferometer and a fifth interferometer on the stage separated from the second interferometer and disposed to face the second surface of the substrate. may include using
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제2 간섭계를 이용하여 상기 제2 간섭계와 상기 기판의 상기 제2 면 사이의 제3 거리를 측정하고, 상기 제5 간섭계를 이용하여 상기 제5 간섭계와 상기 기판의 상기 제2 면 사이의 제4 거리를 측정하고, 상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격과, 상기 제3 거리의 측정값 및 상기 제4 거리의 측정값을 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the second interferometer and the fifth interferometer includes the second interferometer and the second surface of the substrate using the second interferometer. measuring a third distance between, measuring a fourth distance between the fifth interferometer and the second surface of the substrate using the fifth interferometer, and measuring the distance between the second interferometer and the fifth interferometer and , using the measured value of the third distance and the measured value of the fourth distance.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격과, 상기 제3 및 제4 거리의 측정값을 이용하는 것은, 상기 제3 거리의 측정값과 상기 제4 거리의 측정값 사이의 차이값을 제어기에 전달하고, 상기 제어기는, 상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격 및 상기 차이값을 이용하여, 상기 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 계산하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the technical spirit of the present invention, the use of the interval between the second interferometer and the fifth interferometer and the measured values of the third and fourth distances includes the measured value of the third distance and the second interferometer. 4 transmits a difference value between the measured distance values to a controller, and the controller uses the distance between the second interferometer and the fifth interferometer and the difference value to determine whether the second surface of the substrate from the reference plane is It may include calculating the angle formed.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 옵틱 해드의 제3 면과 마주보도록 배치된 상기 제3 간섭계와, 상기 옵틱 해드의 상기 제3 면과 인접한 제4 면과 마주보도록 배치된 제6 간섭계를 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate includes the third interferometer disposed to face a third surface of the optical head, and a fourth surface adjacent to the third surface of the optical head. It may include using a sixth interferometer disposed to face the .
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제3 간섭계와 상기 제6 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제3 간섭계를 이용하여 상기 제3 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제3 면 사이의 제5 거리를 측정하고, 상기 제6 간섭계를 이용하여 상기 제6 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제4 면 사이의 제6 거리를 측정하고, 상기 제5 거리의 측정값과 상기 제6 거리의 측정값을 비교하여, 상기 옵틱 해드의 상기 변위를 측정하고, 상기 옵틱 해드의 상기 변위를 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the third interferometer and the sixth interferometer includes the third interferometer and the third of the optic head using the third interferometer. measuring a fifth distance between the surfaces, measuring a sixth distance between the sixth interferometer and the fourth surface of the optic head using the sixth interferometer, and measuring the fifth distance and the sixth distance comparing the measured values of the distance, measuring the displacement of the optic head, and using the displacement of the optic head.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 제조 방법의 다른 실시예는, 포토 레지스트 코팅막을 포함하는 기판을 스테이지 상에 정렬시키고, 옵틱 해드(optic head)를 이용하여 상기 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 기판을 스테이지 상에 정렬시키는 것은, 상기 기판의 제1 면과 마주보도록 서로 분리되어 배치된 상기 스테이지 상의 제1 및 제2 간섭계와, 상기 기판의 제1 면과 인접하는 제2 면과 마주보도록 서로 분리되어 배치된 상기 스테이지 상의 제3 및 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것을 포함하고, 상기 제3 및 제4 간섭계는 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 측정하고, 상기 제2 간섭계는, 상기 제1 간섭계와 상기 제2 간섭계 사이의 오프셋(offset)과 상기 제3 및 제4 간섭계의 측정 결과를 이용하여 상기 기판의 위치를 측정한다.Another embodiment of the method for manufacturing a substrate according to the technical idea of the present invention for solving the above problems is to align a substrate including a photoresist coating film on a stage, and use an optic head to prepare the photoresist coating film Comprising exposing to form a coating film pattern, aligning the substrate on the stage, first and second interferometers on the stage disposed separately from each other so as to face the first surface of the substrate, and the second of the substrate and aligning the substrate using third and fourth interferometers on the stage disposed separately from each other so as to face a second surface adjacent to the first surface, wherein the third and fourth interferometers are configured to move the substrate from a reference plane. Measuring an angle formed by the second surface, the second interferometer uses the offset between the first interferometer and the second interferometer and the measurement results of the third and fourth interferometers to position the substrate measure
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 옵틱 해드의 제3 면과 마주보도록 배치된 제5 간섭계를 이용하여, 상기 제5 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제3 면 사이의 제1 거리를 측정하고, 상기 옵틱 해드의 상기 제3 면과 인접한 제4 면과 마주보도록 배치된 제6 간섭계를 이용하여, 상기 제6 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제4 면 사이의 제2 거리를 측정하고, 상기 제1 거리의 측정값과 상기 제2 거리의 측정값을 비교하여, 상기 옵틱 해드의 변위를 측정하고, 상기 옵틱 해드의 변위를 이용하는 것을 더 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate includes using a fifth interferometer disposed to face the third surface of the optical head, and the fifth interferometer and the third of the optical head Measuring a first distance between the surfaces, and using a sixth interferometer disposed to face a fourth surface adjacent to the third surface of the optic head, between the sixth interferometer and the fourth surface of the optic head The method may further include measuring a second distance, comparing the measured value of the first distance with the measured value of the second distance, measuring the displacement of the optic head, and using the displacement of the optic head.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제1 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제1 면에 배치된 제1 반사판에 반사시켜, 상기 제1 간섭계와 상기 제1 반사판 사이의 제3 거리를 측정하고, 상기 제2 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 제1 반사판에 반사시켜, 상기 제2 간섭계와 상기 제1 반사판 사이의 제4 거리를 측정하고, 상기 제3 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제2 면에 배치된 제2 반사판에 반사시켜, 상기 제3 간섭계와 상기 제2 반사판 사이의 제5 거리를 측정하고, 상기 제4 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제2 면에 배치된 제3 반사판에 반사시켜, 상기 제4 간섭계와 상기 제3 반사판 사이의 제6 거리를 측정하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the technical spirit of the present invention, aligning the substrate may include reflecting the beam irradiated from the first interferometer to a first reflecting plate disposed on the first surface of the substrate, thereby forming the first interferometer and Measuring a third distance between the first reflecting plates, reflecting the beam irradiated from the second interferometer to the first reflecting plate, measuring a fourth distance between the second interferometer and the first reflecting plate, and 3 The beam irradiated from the interferometer is reflected by a second reflector disposed on the second surface of the substrate to measure a fifth distance between the third interferometer and the second reflector, and the beam irradiated from the fourth interferometer is reflected by a third reflector disposed on the second surface of the substrate to measure a sixth distance between the fourth interferometer and the third reflector.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제1 간섭계와 상기 제2 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제1 간섭계와 상기 제2 간섭계 사이의 오프셋과, 상기 제4 거리의 측정값과 상기 제3 거리의 측정값 사이의 차이값을 합한 값을 이용하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the first interferometer and the second interferometer includes an offset between the first interferometer and the second interferometer, and the fourth distance. The method may include using a value obtained by adding a difference value between the measured value and the measured value of the third distance.
본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에서, 상기 제3 간섭계와 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은, 상기 제5 거리의 측정값과 상기 제6 거리의 측정값 사이의 차이값과, 상기 제3 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 간격을 이용하여 상기 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 계산하는 것을 포함할 수 있다.In some embodiments according to the inventive concept, aligning the substrate using the third interferometer and the fourth interferometer may include a difference value between the measured value of the fifth distance and the measured value of the sixth distance. and calculating an angle formed by the second surface of the substrate from the reference plane using a distance between the third interferometer and the fourth interferometer.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치의 사시도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치에 기판이 로딩되는 동작을 도시한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 5는 도 3의 Y축 방향으로 배치된 복수의 간섭계와 기판을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판의 X축 방향의 보정값을 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 7은 도 3의 X축에 배치된 복수의 간섭계와 기판을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기준면으로부터 기판의 기울어진 각도를 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치의 옵틱 해드를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 옵틱 해드의 변위를 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법을 이용하여 형성된 기판을 포함하는 전자 시스템 블록도이다.1 is a perspective view of an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept;
2 and 3 are diagrams illustrating an operation of loading a substrate into an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept.
4 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the technical idea of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged view illustrating a plurality of interferometers and a substrate arranged in the Y-axis direction of FIG. 3 .
6 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating a correction value in an X-axis direction of a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an enlarged view illustrating a plurality of interferometers and a substrate disposed on the X-axis of FIG. 3 on an enlarged scale.
8 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating an inclination angle of a substrate from a reference plane in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating an optical head of an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments of the inventive concept.
10 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating a displacement of an optical head in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
11 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment of the present invention.
12 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment according to the technical idea of the present invention.
13 is a block diagram of an electronic system including a substrate formed by using a method for manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Sizes and relative sizes of components indicated in the drawings may be exaggerated for clarity of description. Like reference numerals refer to like elements throughout.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as “connected to” or “coupled to” with another element, it means that it is directly connected or coupled to another element, or with the other element intervening. including all cases. On the other hand, when one element is referred to as “directly connected to” or “directly coupled to” with another element, it indicates that another element is not interposed therebetween. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And/or” includes each and every combination of one or more of the recited items.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.Reference to an element or layer “on” or “on” another element or layer includes not only directly on the other element or layer, but also with intervening other layers or other elements. include all On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that no intervening element or layer is interposed.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe a correlation between an element or components and other elements or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, when an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural, unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and/or “comprising” does not exclude the presence or addition of one or more other components in addition to the stated components.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements or elements, these elements or elements are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one element or component from another. Accordingly, it goes without saying that the first element or component mentioned below may be the second element or component within the spirit of the present invention.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly defined in particular.
기판 제조 공정은, 기판 상에 포토 레지스트 코팅막을 형성하고, 기판을 노광 장치의 내부로 로딩시킨 후에, 기판을 노광 장치의 내부에 정렬시키는 공정들을 포함할 수 있다.The substrate manufacturing process may include processes of forming a photoresist coating film on the substrate, loading the substrate into the exposure apparatus, and then aligning the substrate to the interior of the exposure apparatus.
또한, 기판 제조 공정은, 노광 장치의 내부에 정렬된 기판 상에 형성된 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하고, 코팅막 패턴을 이용하여 기판을 에칭하는 공정들을 포함할 수 있다.In addition, the substrate manufacturing process may include processes of exposing a photoresist coating layer formed on a substrate aligned inside an exposure apparatus to form a coating layer pattern, and etching the substrate using the coating layer pattern.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판의 정렬 방법은, 기판 제조 공정 중에서 기판이 노광 장치의 내부로 삽입된 후에 기판을 노광 장치의 내부에 정렬시킬 때 이용될 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.The method for aligning a substrate according to the inventive concept may be used when aligning the substrate inside the exposure apparatus after the substrate is inserted into the exposure apparatus during a substrate manufacturing process. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto.
이하에서, 도 1을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept will be described with reference to FIG. 1 .
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept;
도 1을 참조하면, 노광 장치(10)에 의해 노광되는 기판(120)은 제1 반사판(121), 제2 반사판(122) 및 제3 반사판(123)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the
기판(120)은 스테이지(110) 상에 배치될 수 있다. 기판(120)은 스테이지(110) 상에서 제1 방향(Y)으로 이동하여 옵틱 해드(170)의 하부로 로딩될 수 있다. 기판(120)은 옵틱 해드(170)로부터 조사되는 빔에 의해 노광될 수 있다.The
기판(120)은 반도체 기판일 수 있다. 기판(120)은 예를 들어, 벌크 실리콘일 수 있다. 이와 달리, 기판(120)은 실리콘 기판일 수도 있고, 또는 다른 물질, 예를 들어, 실리콘게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨 비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있다. 또는, 기판(120)은 베이스 기판 상에 에피층이 배치된 것일 수도 있다.The
또한, 기판(120)은 평판 디스플레이(Flat Panel Display, FPD) 제조에 사용될 수 있다. 평판 디스플레이는 예를 들어, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), LED(Light Emitting Diode), OLED(Organic light emitting device), FED(field emission display) 등을 포함할 수 있다.Also, the
제1 반사판(121)은 기판(120)의 제1 면 상에 제1 방향(Y)으로 연장되도록 배치될 수 있다. 제1 반사판(121)은 제1 및 제2 간섭계(interferometer)(141, 142)로부터 조사되는 빔을 반사시킬 수 있다.The
제2 반사판(122)은 기판(120)의 제1 면과 인접하는 제2 면 상에 제2 방향(X)으로 연장되도록 배치될 수 있다. 제2 반사판(122)은 제3 간섭계(151)로부터 조사되는 빔을 반사시킬 수 있다.The
제3 반사판(123)은 기판(120)의 제2 면 상에 제2 방향(X)으로 연장되고, 제2 반사판(123)과 이격되도록 배치될 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서 제2 반사판(122)과 제3 반사판(123)은 연결될 수 있다. 제3 반사판(123)은 제4 간섭계(152)로부터 조사되는 빔을 반사시킬 수 있다.The
노광 장치(10)는 스테이지(110), 제1 간섭계(141), 제2 간섭계(142), 제3 간섭계(151), 제4 간섭계(152), 옵틱 해드(170) 및 연결부(171)를 포함한다.The
스테이지(110)는 스테이지(110)에 배치된 기판(120)을 지지할 수 있다. 또한, 스테이지(110)는 기판(120)을 이동시켜 옵틱 해드(optic head)의 하부에 위치시킬 수 있다.The
제1 간섭계(141)는 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제1 면과 마주보도록 배치될 수 있다. 제1 간섭계(141)는 제1 반사판(121)에 빔을 조사할 수 있다. 제1 간섭계(141)로부터 조사된 빔은 제1 반사판(121)에 반사될 수 있고, 제1 간섭계(141)는 제1 반사판(121)에 반사된 빔을 이용하여 제1 간섭계(141)와 제1 반사판(121) 사이의 거리를 측정할 수 있다.The
제2 간섭계(142)는 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제1 면과 마주보고, 제1 간섭계(141)와 제1 방향(Y)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 제2 간섭계(142)는 제1 반사판(121)에 빔을 조사할 수 있다. 제2 간섭계(142)로부터 조사된 빔은 제1 반사판(121)에 반사될 수 있고, 제2 간섭계(142)는 제1 반사판(121)에 반사된 빔을 이용하여 제2 간섭계(142)와 제1 반사판(121) 사이의 거리를 측정할 수 있다.The
다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 간섭계(141, 142)로부터 조사된 빔은 기판(120)에 반사될 수 있고, 제1 및 제2 간섭계(141, 142)는 기판(120)에 반사된 빔을 이용하여 기판(120)과의 거리를 측정할 수 있다.However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. That is, in some other embodiments, the beams irradiated from the first and
또한, 다른 몇몇 실시예에서, 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제1 면과 마주보도록 3개 이상의 간섭계가 배치될 수 있다.Also, in some other embodiments, three or more interferometers may be disposed on the
제3 간섭계(151)는 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제2 면과 마주보도록 배치될 수 있다. 제3 간섭계(151)는 제2 반사판(122)에 빔을 조사할 수 있다. 제3 간섭계(151)로부터 조사된 빔은 제2 반사판(122)에 반사될 수 있고, 제3 간섭계(151)는 제2 반사판(122)에 반사된 빔을 이용하여 제3 간섭계(151)와 제2 반사판(122) 사이의 거리를 측정할 수 있다.The
제4 간섭계(152)는 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제2 면과 마주보고, 제3 간섭계(151)와 제2 방향(X)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 제4 간섭계(152)는 제3 반사판(123)에 빔을 조사할 수 있다. 제4 간섭계(152)로부터 조사된 빔은 제3 반사판(123)에 반사될 수 있고, 제4 간섭계(152)는 제3 반사판(123)에 반사된 빔을 이용하여 제4 간섭계(152)와 제3 반사판(123) 사이의 거리를 측정할 수 있다.The
다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 제3 및 제4 간섭계(151, 152)로부터 조사된 빔은 기판(120)에 반사될 수 있고, 제3 및 제4 간섭계(151, 152)는 기판(120)에 반사된 빔을 이용하여 기판(120)과의 거리를 측정할 수 있다.However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto. That is, in some other embodiments, the beams irradiated from the third and
또한, 다른 몇몇 실시예에서, 스테이지(110) 상에 기판(120)의 제2 면과 마주보도록 3개 이상의 간섭계가 배치될 수 있다.Also, in some other embodiments, three or more interferometers may be disposed on the
옵틱 해드(170)는 연결부(171)와 연결되어 스테이지(110) 상에 배치될 수 있다. 다만, 옵틱 해드(170)의 위치는 제한되지 않는다.The
옵틱 해드(170)는 옵틱 해드(170)의 하부에 위치하는 기판(120)에 빔을 조사하여 기판(120) 상에 형성된 포토 레지스트 코팅막을 노광시킬 수 있다.The
연결부(171)는 옵틱 해드(170)와 스테이지(110)를 연결할 수 있다. 연결부(171)는 옵틱 해드(170)를 스테이지(110) 상에 고정시킬 수 있다.The
이하에서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치에 기판이 로딩되는 동작을 설명한다.Hereinafter, an operation of loading a substrate into an exposure apparatus used in a method for manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept will be described with reference to FIGS. 2 and 3 .
도 2 및 도 3은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치에 기판이 로딩되는 동작을 도시한 도면들이다.2 and 3 are diagrams illustrating an operation of loading a substrate into an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept.
도 2를 참조하면, 기판(120)이 제1 간섭계(141)와 마주보도록 스테이지(110) 상에 제1 방향(Y)으로 로딩되는 경우, 제1 간섭계(141)는 제1 반사판(121)에 빔을 조사하여 제1 간섭계(141)와 제1 반사판(121) 사이의 거리를 측정할 수 있다.Referring to FIG. 2 , when the
기판(120)이 제1 및 제2 간섭계(141, 142)와 마주보도록 스테이지(110) 상에 제1 방향(Y)으로 더 로딩되는 경우, 기판(120)의 위치는 기판(120)이 스테이지(110) 상에 최초로 로딩된 위치와 비교하여 제2 방향(X)으로 변동될 수 있다.When the
기판(120)이 스테이지(110) 상에서 로딩되는 과정에서, 기판(120)의 위치가 변동되는 것은 기판(120)이 스테이지(110) 상에 로딩되는 속도와 기판(120)이 스테이지(110) 상에 최초로 로딩될 때의 기울기에 영향을 받을 수 있다.In the process in which the
예를 들어, 기판(120)이 스테이지(110) 상에 로딩되는 속도가 증가하는 경우, 기판(120)의 위치 변동이 증가될 수 있다. 또한, 기판(120)이 스테이지(110) 상에 최초로 로딩될 때의 기울기가 증가하는 경우, 기판(120)의 위치 변동이 증가될 수 있다.For example, when the speed at which the
도 3을 참조하면, 기판(120)이 스테이지(110) 상에서 도 2에 도시된 것보다 제1 방향(Y)으로 로딩되는 과정에서, 기판(120)의 위치가 제2 방향(X)으로 변동될 수 있다.Referring to FIG. 3 , while the
이 경우, 제1 간섭계(141)와 제1 반사판(121) 사이의 거리는 제2 간섭계(142)와 제1 반사판(121) 사이의 거리와 다를 수 있다. 또한, 제3 간섭계(151)와 제2 반사판(122) 사이의 거리는 제4 간섭계(152)와 제3 반사판(123) 사이의 거리와 다를 수 있다.In this case, the distance between the
도 3에는, 제1 간섭계(141)와 제1 반사판(121) 사이의 거리가 제2 간섭계(142)와 제1 반사판(121) 사이의 거리보다 작고, 제3 간섭계(151)와 제2 반사판(122) 사이의 거리가 제4 간섭계(152)와 제3 반사판(123) 사이의 거리보다 작은 경우를 도시되어 있다.In FIG. 3 , the distance between the
이하에서, 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the technical concept of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 3 and 4 .
도 4는 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.4 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the technical idea of the present invention.
도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(120)이 스테이지(110) 상에 로딩되는 과정에서 도 3에서 보는 바와 같이, 기판(120)의 위치가 변동되는 경우, 정밀한 노광 공정을 위해 기판(120)을 원하는 위치로 정렬시켜야 한다.1, 3, and 4, when the position of the
본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판(120)을 정렬시키는 방법(100)은, 제1 간섭계(141)와 제1 반사체(121) 사이의 거리와, 제2 간섭계(142)와 제1 반사체(121) 사이의 거리와, 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142) 사이의 오프셋(offset)을 이용하여, 기판(120)의 위치가 제2 방향(X)으로 변동된 보정값을 계산할 수 있다(S110).The
제3 간섭계(151)와 제2 반사체(122) 사이의 거리와, 제4 간섭계(152)와 제3 반사체(123) 사이의 거리와, 제3 간섭계(151)와 제4 간섭계(152) 사이의 간격을 이용하여, 기판(120)이 기준면(P)을 기준으로 기울어진 각도를 계산할 수 있다(S120).The distance between the
제어기(180)는, 옵틱 해드(170)가 물리적으로 뒤틀리거나, 또는 위치 변화로 인해 변위가 발생하는 경우, 옵틱 해드(170)의 변위값을 계산할 수 있다(S130).The
제어기(180)는 기판(120)의 제2 방향(X)으로의 보정값과, 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도와, 옵틱 해드(170)의 변위를 조합하여 기판(120)의 보정값을 계산할 수 있다(S140).The
제어기(180)는 기판(120)의 보정값을 이용하여 기판(120)을 스테이지(110) 상에 원하는 위치로 정렬시킬 수 있다(S150).The
이하에서, 도 3, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판의 X축 방향의 보정값을 계산하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of calculating a correction value in the X-axis direction of a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the technical concept of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 5 and 6 . do.
도 5는 도 3의 Y축 방향으로 배치된 복수의 간섭계와 기판을 확대하여 도시한 확대도이다. 도 6은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판의 X축 방향의 보정값을 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.FIG. 5 is an enlarged view illustrating a plurality of interferometers and a substrate arranged in the Y-axis direction of FIG. 3 . 6 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating a correction value in an X-axis direction of a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3, 도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 간섭계(141)는 제1 반사체(121)에 빔을 조사할 수 있고, 제1 간섭계(141)는 제1 반사체(121)에 반사된 빔을 수신하여 제1 간섭계(141)와 제1 반사체(121) 사이의 제1 거리(L1)를 측정할 수 있다(S210).3, 5 and 6 , the
제2 간섭계(142)는 제1 반사체(121)에 빔을 조사할 수 있고, 제2 간섭계(142)는 제1 반사체(121)에 반사된 빔을 수신하여 제2 간섭계(142)와 제1 반사체(121) 사이의 제2 거리(L2)를 측정할 수 있다(S220).The
제1 간섭계(141)는 제1 거리(L1)의 측정값을 제2 간섭계(142)에 전달할 수 있다(S230). 제2 간섭계(142)는 제1 거리(L1)의 측정값과 제2 거리(L2) 측정값의 차이값(L8)을 계산할 수 있다.The
제2 간섭계(142)는 제1 거리(L1)의 측정값과 제2 거리(L2) 측정값 사이의 차이값(L8)을 제어기(180)에 전달할 수 있다(S240).The
제어기(180)는 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142) 사이의 오프셋(L7)을 측정할 수 있다(S250). 구체적으로, 제어기(180)는 스테이지(110)의 제1 면과 제1 간섭계(141) 사이의 거리와, 스테이지(110)의 제1 면과 제2 간섭계(142) 사이의 거리를 비교하여 오프셋(L7)을 측정할 수 있다.The
제어기(180)는 제1 거리(L1)의 측정값과, 제1 거리(L1)의 측정값과 제2 거리(L2) 측정값 사이의 차이값(L8)과, 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142) 사이의 오프셋(L7)을 이용하여, 기판(120)의 X축 방향의 보정값을 계산할 수 있다(S260).The
구체적으로, 기판(120)의 X축 방향의 보정값(L7 + L8)은, 제1 거리(L1)의 측정값과 제2 거리(L2) 측정값 사이의 차이값(L8)과, 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142) 사이의 오프셋(L7)을 합한 값이다.Specifically, the correction value L7 + L8 in the X-axis direction of the
이하에서, 도 3, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기준면으로부터 기판의 기울어진 각도를 계산하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of calculating an inclination angle of a substrate from a reference plane in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the technical concept of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 7 and 8 . .
도 7은 도 3의 X축에 배치된 복수의 간섭계와 기판을 확대하여 도시한 확대도이다. 도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기준면으로부터 기판의 기울어진 각도를 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.FIG. 7 is an enlarged view illustrating a plurality of interferometers and a substrate disposed on the X-axis of FIG. 3 on an enlarged scale. 8 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating an inclination angle of a substrate from a reference plane in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
도 3, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제3 간섭계(151)는 제2 반사체(122)에 빔을 조사할 수 있고, 제3 간섭계(151)는 제2 반사체(122)에 반사된 빔을 수신하여 제3 간섭계(151)와 제2 반사체(122) 사이의 제3 거리(L3)를 측정할 수 있다(S310).3, 7, and 8 , the
제4 간섭계(152)는 제3 반사체(123)에 빔을 조사할 수 있고, 제4 간섭계(152)는 제3 반사체(123)에 반사된 빔을 수신하여 제4 간섭계(152)와 제3 반사체(123) 사이의 제4 거리(L4)를 측정할 수 있다(S320).The
제어기(180)는 제3 간섭계(151)과 제4 간섭계(152) 사이의 간격(L10)을 측정할 수 있다(S330). 제어기(180)는 제3 거리(L3)의 측정값과 제4 거리(L4)의 측정값의 차이값(L9)을 계산할 수 있다.The
제어기(180)는 제3 간섭계(151)과 제4 간섭계(152) 사이의 간격(L10)과, 제3 거리(L3)의 측정값과 제4 거리(L4)의 측정값의 차이값(L9)을 이용하여, 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 계산할 수 있다(S340).The
구체적으로, 제어기(180)는 다음과 같은 공식을 이용하여 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 계산할 수 있다.Specifically, the
tan θ = L9 / L10tan θ = L9 / L10
이하에서, 도 3, 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 옵틱 해드의 변위를 계산하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of calculating the displacement of an optical head in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment according to the inventive concept will be described with reference to FIGS. 3, 9 and 10 .
도 9는 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 장치의 옵틱 해드를 도시한 도면이다. 도 10은 본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 옵틱 해드의 변위를 계산하는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.9 is a diagram illustrating an optical head of an exposure apparatus used in a method of manufacturing a substrate according to some embodiments of the inventive concept. 10 is a flowchart sequentially illustrating a method of calculating a displacement of an optical head in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
도 3, 도 9 및 도 10을 참조하면, 제5 간섭계(161)는 옵틱 해드(170)의 제1 면에 빔을 조사할 수 있고, 제5 간섭계(161)는 옵틱 해드(170)의 제1 면에 반사된 빔을 수신하여 제5 간섭계(161)와 옵틱 해드(170)의 제1 면 사이의 제5 거리(L5)를 측정할 수 있다(S410).3, 9 and 10 , the
제6 간섭계(162)는 옵틱 해드(170)의 제1 면과 인접한 제2 면에 빔을 조사할 수 있고, 제6 간섭계(162)는 옵틱 해드(170)의 제2 면에 반사된 빔을 수신하여 제6 간섭계(162)와 옵틱 해드(170)의 제2 면 사이의 제6 거리(L6)를 측정할 수 있다(S420).The sixth interferometer 162 may irradiate a beam to a second surface adjacent to the first surface of the
도 9에는 제5 및 제6 간섭계(161, 162)가 각각 2개의 간섭계를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 다른 몇몇 실시예에서, 제5 및 제6 간섭계(161, 162)는 각각 1개의 간섭계를 포함할 수 있다. 또 다른 몇몇 실시예에서, 제5 및 제6 간섭계(161, 162)는 각각 3개 이상의 간섭계를 포함할 수 있다.Although the fifth and
제어기(180)는 제5 거리(L5)의 측정값과 제6 거리(L6) 측정값을 이용하여 옵틱 해드(170)의 변위를 계산할 수 있다(S430). 옵틱 해드(170)의 변위는 옵틱 해드(170)가 물리적으로 뒤틀리거나, 또는 위치 변화로 인해 발생할 수 있다.The
본 발명의 기술적 사상에 따른 일 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 기판의 정렬 방법(100)은, 상술한 기판(120)의 X축 방향의 보정값과, 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)와, 옵틱 해드(170)의 변위를 이용하여 기판(120)을 스테이지(110) 상에 정렬시킬 수 있다.The
기판의 정렬 방법(100)은 제1 방향(Y)으로 이격되어 배치되는 제1 및 제2 간섭계(141, 142)를 이용하여, 기판(120)이 스테이지(110) 상으로 로딩될 때 제2 방향(X)으로 변동되는 보정값을 효율적으로 측정할 수 있다.The
또한, 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142) 사이의 오프셋을 측정함으로써 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142)의 위치상의 오차를 보정할 수 있고, 옵틱 해드(170)의 변위를 측정하여 옵틱 해드(170)에서 발생하는 위치상의 오차를 보정할 수 있는 이점이 있다.In addition, by measuring the offset between the
이하에서, 도 11을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 설명한다. 도 4의 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment according to the technical spirit of the present invention will be described with reference to FIG. 11 . Differences from the embodiment of FIG. 4 will be mainly described.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.11 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment of the present invention.
도 11을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시예에 따른 기판을 정렬시키는 방법(200)은 기판을 정렬시키는 방법(100)과 달리, 제3 간섭계(151)과 제4 간섭계(152)를 이용하여 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 계산하지 않는다.Referring to FIG. 11 , a
구체적으로, 제어기(180)는 제1 간섭계(141)과 제2 간섭계(142)를 이용하여 기판(120)의 위치가 제2 방향(X)으로 변동된 보정값을 계산할 수 있고(S510), 이어서, 제어기(180)는 제1 간섭계(141)의 측정값을 기준으로 기판(120) 제2 방향(X) 보정값만큼 제2 간섭계(142)와 마주보는 기판(120)을 보정함으로써 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 보정할 수 있다.Specifically, the
이어서, 제어기(180)는 옵틱 해드(170)의 변위값을 계산할 수 있고(S520), 제어기(180)는 기판(120)의 제2 방향(X)으로의 보정값과, 옵틱 해드(170)의 변위값을 이용하여 기판(120)의 보정값을 계산할 수 있다(S530).Subsequently, the
제어기(180)는 기판(120)의 보정값을 이용하여 기판(120)을 스테이지(110) 상에 원하는 위치로 정렬시킬 수 있다(S540).The
이하에서, 도 12를 참조하여, 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 설명한다. 도 4의 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment according to the technical concept of the present invention will be described with reference to FIG. 12 . Differences from the embodiment of FIG. 4 will be mainly described.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 따른 또 다른 실시예에 따른 기판 제조 방법에 사용되는 노광 공정에서 기판을 정렬시키는 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.12 is a flowchart sequentially illustrating a method of aligning a substrate in an exposure process used in a method of manufacturing a substrate according to another embodiment according to the technical idea of the present invention.
도 12를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시예에 따른 기판을 정렬시키는 방법(300)은 기판을 정렬시키는 방법(100)과 달리, 제3 간섭계(151)과 제4 간섭계(152)를 이용하여 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 계산하지 않는다.Referring to FIG. 12 , a
구체적으로, 제어기(180)는 제1 간섭계(141)와 제2 간섭계(142)를 이용하여 기판(120)의 위치가 제2 방향(X)으로 변동된 보정값을 계산할 수 있고(S610), 이어서, 제어기(180)는 제3 간섭계(151)와 제4 간섭계(152)를 이용하여 기판(120)의 위치가 제1 방향(Y)으로 변동된 보정값을 계산할 수 있다(S620).Specifically, the
제어기(180)는 기판(120)의 제2 방향(X)으로의 보정값과, 기판(120)의 제1 방향(Y)으로의 보정값을 이용하여 기준면(P)으로부터 기판(120)의 기울어진 각도(θ)를 보정할 수 있다.The
이어서, 제어기(180)는 옵틱 해드(170)의 변위값을 계산할 수 있고(S630), 제어기(180)는 기판(120)의 제2 방향(X)으로의 보정값과, 기판(120)의 제1 방향(Y)으로의 보정값과, 옵틱 해드(170)의 변위값을 이용하여 기판(120)의 보정값을 계산할 수 있다(S640).Subsequently, the
제어기(180)는 기판(120)의 보정값을 이용하여 기판(120)을 스테이지(110) 상에 원하는 위치로 정렬시킬 수 있다(S650).The
이하에서, 도 13을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법을 이용하여 형성된 기판을 포함하는 전자 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, an electronic system including a substrate formed using a substrate manufacturing method according to some embodiments according to the inventive concept will be described with reference to FIG. 13 .
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 따른 몇몇 실시예에 따른 기판 제조 방법을 이용하여 형성된 기판을 포함하는 전자 시스템 블록도이다.13 is a block diagram of an electronic system including a substrate formed by using a method for manufacturing a substrate according to some embodiments according to the inventive concept.
도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O), 기억 장치(1130, memory device), 인터페이스(1140) 및 버스(1150, bus)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13 , an
컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120), 기억 장치(1130) 및/또는 인터페이스(1140)는 버스(1150)를 통하여 서로 결합 될 수 있다. 버스(1150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.The
컨트롤러(1110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
입출력 장치(1120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치등을 포함할 수 있다. 기억 장치(1130)는 데이터 및/또는 명령어 등을 저장할 수 있다. The input/
인터페이스(1140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 인터페이스(1140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예컨대, 인터페이스(1140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버등을 포함할 수 있다. 또한, 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리로서, 고속의 디램 및/또는 에스램 등을 더 포함할 수도 있다. The
본 발명의 실시예들에 따라 제조된 기판은 기억 장치(1130) 내에 제공되거나, 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O) 등의 일부로 제공될 수 있다.The substrate manufactured according to embodiments of the present invention may be provided in the
전자 시스템(1100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 메모리 카드(memory card), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.The
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments according to the technical idea of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in a variety of different forms, and is common in the technical field to which the present invention pertains. Those skilled in the art will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.
스테이지: 110 기판: 120
제1 간섭계: 141 제2 간섭계: 142
제3 간섭계: 151 제4 간섭계: 152
제5 간섭계: 161 제6 간섭계: 162
옵틱 해드: 170 제어기: 180Stage: 110 Board: 120
First interferometer: 141 Second interferometer: 142
Third interferometer: 151 Fourth interferometer: 152
5th interferometer: 161 6th interferometer: 162
Optical Head: 170 Controller: 180
Claims (10)
옵틱 해드(optic head)를 이용하여 상기 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하는 것을 포함하되,
상기 기판을 스테이지 상에 정렬시키는 것은,
상기 기판의 제1 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제1 간섭계와, 상기 기판의 상기 제1 면과 인접하는 제2 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제2 간섭계와, 상기 옵틱 해드의 변위(displacement)를 측정하는 제3 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것을 포함하고,
상기 제2 간섭계는 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 측정하고,
상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 제1 간섭계와, 상기 제1 간섭계와 분리되어 상기 기판의 상기 제1 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제4 간섭계를 이용하는 것을 포함하고,
상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 제1 간섭계를 이용하여 상기 제1 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제1 거리를 측정하고,
상기 제4 간섭계를 이용하여 상기 제4 간섭계와 상기 기판의 상기 제1 면 사이의 제2 거리를 측정하고,
상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋(offset)과 상기 제1 및 제2 거리의 측정값을 이용하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.Aligning the substrate including the photoresist coating film on the stage,
Comprising exposing the photoresist coating film using an optic head to form a coating film pattern,
Aligning the substrate on the stage comprises:
A first interferometer on the stage disposed to face the first surface of the substrate, a second interferometer on the stage disposed to face a second surface adjacent to the first surface of the substrate, and displacement of the optic head aligning the substrate using a third interferometer to measure displacement;
The second interferometer measures the angle formed by the second surface of the substrate from the reference plane,
Aligning the substrate,
using the first interferometer and a fourth interferometer on the stage separated from the first interferometer and disposed to face the first surface of the substrate,
Aligning the substrate using the first interferometer and the fourth interferometer,
measuring a first distance between the first interferometer and the first surface of the substrate using the first interferometer;
measuring a second distance between the fourth interferometer and the first surface of the substrate using the fourth interferometer;
and using measurements of the first and second distances and an offset between the first interferometer and the fourth interferometer.
상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋과 상기 제1 및 제2 거리의 측정값을 이용하는 것은,
상기 제1 간섭계는 상기 제1 거리의 측정값을 상기 제4 간섭계에 전달하고,
상기 제4 간섭계는 상기 제2 거리의 측정값과 상기 제1 거리의 측정값 사이의 차이값을 제어기에 전달하고,
상기 제어기는, 상기 제1 간섭계와 상기 제4 간섭계 사이의 오프셋 및 상기 차이값을 이용하여 상기 기판의 보정값을 계산하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.The method of claim 1,
Using the offset between the first interferometer and the fourth interferometer and the measurements of the first and second distances comprises:
The first interferometer transmits the measured value of the first distance to the fourth interferometer,
the fourth interferometer transmits a difference value between the measured value of the second distance and the measured value of the first distance to the controller;
and wherein the controller calculates a correction value of the substrate using an offset between the first interferometer and the fourth interferometer and the difference value.
상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 제2 간섭계와, 상기 제2 간섭계와 분리되어 상기 기판의 상기 제2 면과 마주보도록 배치된 상기 스테이지 상의 제5 간섭계를 이용하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.The method of claim 1,
Aligning the substrate,
and using the second interferometer and a fifth interferometer on the stage separated from the second interferometer and disposed to face the second surface of the substrate.
상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 제2 간섭계를 이용하여 상기 제2 간섭계와 상기 기판의 상기 제2 면 사이의 제3 거리를 측정하고,
상기 제5 간섭계를 이용하여 상기 제5 간섭계와 상기 기판의 상기 제2 면 사이의 제4 거리를 측정하고,
상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격과, 상기 제3 거리의 측정값 및 상기 제4 거리의 측정값을 이용하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.6. The method of claim 5,
Aligning the substrate using the second interferometer and the fifth interferometer,
measuring a third distance between the second interferometer and the second surface of the substrate using the second interferometer;
measuring a fourth distance between the fifth interferometer and the second surface of the substrate using the fifth interferometer;
and using the distance between the second interferometer and the fifth interferometer, and the measured value of the third distance and the measured value of the fourth distance.
상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격과, 상기 제3 및 제4 거리의 측정값을 이용하는 것은,
상기 제3 거리의 측정값과 상기 제4 거리의 측정값 사이의 차이값을 제어기에 전달하고,
상기 제어기는, 상기 제2 간섭계와 상기 제5 간섭계 사이의 간격 및 상기 차이값을 이용하여, 상기 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 계산하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.7. The method of claim 6,
Using the measurements of the distance between the second interferometer and the fifth interferometer, and the third and fourth distances,
transmitting a difference value between the measured value of the third distance and the measured value of the fourth distance to the controller;
and wherein the controller calculates an angle formed by the second surface of the substrate from the reference plane by using the distance between the second interferometer and the fifth interferometer and the difference value.
옵틱 해드(optic head)를 이용하여 상기 포토 레지스트 코팅막을 노광시켜 코팅막 패턴을 형성하는 것을 포함하되,
상기 기판을 스테이지 상에 정렬시키는 것은,
상기 기판의 제1 면과 마주보도록 서로 분리되어 배치된 상기 스테이지 상의 제1 및 제2 간섭계와, 상기 기판의 제1 면과 인접하는 제2 면과 마주보도록 서로 분리되어 배치된 상기 스테이지 상의 제3 및 제4 간섭계를 이용하여 상기 기판을 정렬시키는 것을 포함하고,
상기 제3 및 제4 간섭계는 기준면으로부터 상기 기판의 상기 제2 면이 이루는 각도를 측정하고,
상기 제2 간섭계는, 상기 제1 간섭계와 상기 제2 간섭계 사이의 오프셋(offset)과 상기 제3 및 제4 간섭계의 측정 결과를 이용하여 상기 기판의 위치를 측정하는 기판 제조 방법.Aligning the substrate including the photoresist coating film on the stage,
Comprising exposing the photoresist coating film using an optic head to form a coating film pattern,
Aligning the substrate on the stage comprises:
The first and second interferometers on the stage are separated from each other to face the first surface of the substrate, and the third interferometer on the stage is separated from each other to face a second surface adjacent to the first surface of the substrate. and aligning the substrate using a fourth interferometer,
The third and fourth interferometers measure the angle formed by the second surface of the substrate from the reference plane,
The second interferometer is a substrate manufacturing method for measuring the position of the substrate using an offset between the first interferometer and the second interferometer and the measurement results of the third and fourth interferometers.
상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 옵틱 해드의 제3 면과 마주보도록 배치된 제5 간섭계를 이용하여, 상기 제5 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제3 면 사이의 제1 거리를 측정하고,
상기 옵틱 해드의 상기 제3 면과 인접한 제4 면과 마주보도록 배치된 제6 간섭계를 이용하여, 상기 제6 간섭계와 상기 옵틱 해드의 상기 제4 면 사이의 제2 거리를 측정하고,
상기 제1 거리의 측정값과 상기 제2 거리의 측정값을 비교하여, 상기 옵틱 해드의 변위를 측정하고,
상기 옵틱 해드의 변위를 이용하는 것을 더 포함하는 기판 제조 방법.9. The method of claim 8,
Aligning the substrate,
measuring a first distance between the fifth interferometer and the third surface of the optic head by using a fifth interferometer disposed to face the third surface of the optic head;
measuring a second distance between the sixth interferometer and the fourth surface of the optic head by using a sixth interferometer disposed to face a fourth surface adjacent to the third surface of the optic head;
measuring the displacement of the optic head by comparing the measured value of the first distance and the measured value of the second distance;
The method of manufacturing a substrate further comprising using displacement of the optic head.
상기 기판을 정렬시키는 것은,
상기 제1 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제1 면에 배치된 제1 반사판에 반사시켜, 상기 제1 간섭계와 상기 제1 반사판 사이의 제3 거리를 측정하고,
상기 제2 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 제1 반사판에 반사시켜, 상기 제2 간섭계와 상기 제1 반사판 사이의 제4 거리를 측정하고,
상기 제3 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제2 면에 배치된 제2 반사판에 반사시켜, 상기 제3 간섭계와 상기 제2 반사판 사이의 제5 거리를 측정하고,
상기 제4 간섭계로부터 조사된 빔을 상기 기판의 상기 제2 면에 배치된 제3 반사판에 반사시켜, 상기 제4 간섭계와 상기 제3 반사판 사이의 제6 거리를 측정하는 것을 포함하는 기판 제조 방법.9. The method of claim 8,
Aligning the substrate,
By reflecting the beam irradiated from the first interferometer to a first reflecting plate disposed on the first surface of the substrate, measuring a third distance between the first interferometer and the first reflecting plate,
By reflecting the beam irradiated from the second interferometer to the first reflecting plate, measuring a fourth distance between the second interferometer and the first reflecting plate,
By reflecting the beam irradiated from the third interferometer to a second reflecting plate disposed on the second surface of the substrate, measuring a fifth distance between the third interferometer and the second reflecting plate,
and reflecting the beam irradiated from the fourth interferometer to a third reflecting plate disposed on the second surface of the substrate, and measuring a sixth distance between the fourth interferometer and the third reflecting plate.
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