KR102435791B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 유기발광다이오드표시장치를 제공하기 위하여, 기판 상의 표시영역에 배치되는 제1게이트배선과, 제1게이트배선 하부에 제1게이트배선과 중첩되는 제2게이트배선과, 제1 및 제2게이트배선과 교차하는 데이터배선과, 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 데이터배선과 연결되는 소스전극과, 드레인전극을 포함하는 스위칭트랜지스터와, 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 구동트랜지스터와, 구동트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광다이오드표시장치를 제공한다.In order to provide an organic light emitting diode display device capable of preventing deterioration of a switching transistor and a sensing transistor, the present invention provides a first gate wiring disposed in a display area on a substrate, and the first gate wiring overlapping a lower portion of the first gate wiring a data line intersecting the first and second gate lines; first and second gate electrodes respectively connected to the first and second gate lines; and a source electrode connected to the data line; Provided is an organic light emitting diode display including a switching transistor including a drain electrode, a driving transistor connected to a drain electrode of the switching transistor, and an organic light emitting diode connected to the driving transistor.

Description

유기발광다이오드표시장치{Organic light emitting diode display device}Organic light emitting diode display device

본 발명은 유기발광다이오드표시장치에 관한 것으로, 특히 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 유기발광다이오드표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to an organic light emitting diode display capable of preventing deterioration of a switching transistor and a sensing transistor.

현재, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기발광다이오드표시장치(Organic light emitting diode display device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있다.Currently, flat panel display devices such as plasma display panel (PDP), liquid crystal display device (LCD), and organic light emitting diode display device (OLED) are widely studied and used. have.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드표시장치는 자발광소자로서, 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.Among the flat panel display devices as described above, the organic light emitting diode display device is a self-luminous device, and since it does not require a backlight used in the liquid crystal display device, it is possible to be lightweight and thin.

또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.In addition, the viewing angle and contrast ratio are superior to those of the liquid crystal display device, and it is advantageous in terms of power consumption. Direct low voltage driving is possible, the response speed is fast, and the internal components are solid, so it is strong against external shocks, and the temperature range is wide. It has advantages.

특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.In particular, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that the production cost can be greatly reduced compared to the conventional liquid crystal display device.

도 1은 종래의 유기발광다이오드표시장치의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a conventional organic light emitting diode display device.

도면에 도시한 바와 같이, 종래의 유기발광다이오드표시장치는 스위칭트랜지스터(Tsw)와, 구동트랜지스터(Tdr)와, 센싱트랜지스터(Tsen)와, 캐패시터(Cst)와, 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.As shown in the drawing, the conventional organic light emitting diode display includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a sensing transistor Tsen, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode (OLED). do.

구체적으로, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 게이트전극이 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)과 각각 연결되고, 소스전극이 데이터배선(DL)과 연결되고, 드레인전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극과 연결된다.Specifically, the switching transistor Tsw has a gate electrode connected to the first and second gate lines GL1 and GL2, respectively, a source electrode connected to the data line DL, and a drain electrode connected to the driving transistor Tdr. connected to the gate electrode.

이 때, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 게이트배선(GL)에서 공급되는 스캔신호(Scan)에 따라 스위칭되어, 데이터배선(DL)에서 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(Tdr)에 공급한다.At this time, the switching transistor Tsw is switched according to the scan signal Scan supplied from the gate line GL, and supplies the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the driving transistor Tdr.

또한, 구동트랜지스터(Tdr)는 게이트전극이 스위칭트랜지스터(Tsw)의 드레인전극과 연결되고, 드레인전극이 구동전압배선(VL)과 연결되고, 소스전극이 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 연결된다.In addition, in the driving transistor Tdr, the gate electrode is connected to the drain electrode of the switching transistor Tsw, the drain electrode is connected to the driving voltage line VL, and the source electrode is connected to the first electrode of the organic light emitting diode (OLED). Connected.

이 때, 구동트랜지스터(Tdr)는 스위칭트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터전압(Vdata)에 따라 스위칭되어, 구동전압배선(VL)으로부터 고전위전압(VDD)을 공급받아 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 제어한다.At this time, the driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, and the high potential voltage VDD is supplied from the driving voltage line VL to the organic light emitting diode OLED. control the flow of current.

또한, 캐패시터(Cst)는 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극과 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 연결되어, 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극에 공급되는 데이터전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동트랜지스터(Tdr)를 턴-온(turn-on)시킨다.In addition, the capacitor Cst is connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr and the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and is a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. is stored, and the driving transistor Tdr is turned on with the stored voltage.

또한, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 소스전극과 연결되고, 제2전극이 저전위전압(VSS) 단과 연결되어, 구동트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 전류에 의해 발광한다.In addition, in the organic light emitting diode (OLED), the first electrode is connected to the source electrode of the driving transistor Tdr, and the second electrode is connected to the low potential voltage (VSS) terminal by the current supplied from the driving transistor Tdr. glow

이때, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 구동트랜지스터(Tr)의 게이트 및 소스전극 사이의 전압, 구동트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 및 데이터전압(Vdata)에 따라 결정된다.At this time, the current flowing through the organic light emitting diode OLED is determined according to the voltage between the gate and the source electrode of the driving transistor Tr, the threshold voltage of the driving transistor Tdr, and the data voltage Vdata.

상기한 바와 같은 종래의 유기발광다이오드표시장치는 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극에 공급되는 데이터전압(Vdata)에 따라, 고전위전압(VDD)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류의 크기를 제어하여, 유기발광다이오드(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시한다.As described above, in the conventional organic light emitting diode display device, the magnitude of the current flowing from the high potential voltage VDD to the organic light emitting diode OLED depends on the data voltage Vdata supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. A predetermined image is displayed by controlling the organic light emitting diode (OLED) to emit light.

또한, 센싱트랜지스터(Tsen)는 게이트전극이 센싱배선(SL)과 연결되고, 드레인전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 소스전극과 연결되고, 소스전극이 기준전압배선(RL)과 연결된다.Also, in the sensing transistor Tsen, a gate electrode is connected to the sensing line SL, a drain electrode is connected to a source electrode of the driving transistor Tdr, and a source electrode is connected to the reference voltage line RL.

이 때, 센싱트랜지스터(Tsen)는 센싱배선(SL)에서 공급되는 센싱신호(Sense)에 따라 스위칭되어, 기준전압배선(RL)에서 공급되는 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크한다.At this time, the sensing transistor Tsen is switched according to the sensing signal Sense supplied from the sensing line SL, and is converted to the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RL. Sink the flowing current.

이와 같이, 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크함으로써, 열화되는 구동트랜지스터(Tdr)를 보상한다.As described above, by sinking the current flowing to the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref, the deteriorated driving transistor Tdr is compensated.

한편, 구동트랜지스터(Tdr)의 열화 정도 보다는 작지만 스위칭트랜지스터(Tsw)와 센싱트랜지스터(Tsen)도 장시간 구동시 열화될 수 있다.On the other hand, although it is smaller than the degree of deterioration of the driving transistor Tdr, the switching transistor Tsw and the sensing transistor Tsen may also be deteriorated when driven for a long time.

그러나, 전술한 바와 같이 종래의 유기발광다이오드표시장치는 구동트랜지스터(Tdr)의 열화에 대한 대처방안만 있을 뿐, 스위칭트랜지스터(Tsw)와 센싱트랜지스터(Tsen)의 열화에 대해서는 대처방안이 없는 실정이다.However, as described above, the conventional organic light emitting diode display has only a countermeasure against the deterioration of the driving transistor Tdr, and there is no countermeasure against the deterioration of the switching transistor Tsw and the sensing transistor Tsen. .

본 발명은, 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 유기발광다이오드표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of preventing deterioration of a switching transistor and a sensing transistor.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판 상의 표시영역에 배치되는 제1게이트배선과, 제1게이트배선 하부에 제1게이트배선과 중첩되는 제2게이트배선과, 제1 및 제2게이트배선과 교차하는 데이터배선과, 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 데이터배선과 연결되는 소스전극과, 드레인전극을 포함하는 스위칭트랜지스터와, 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 구동트랜지스터와, 구동트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광다이오드표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a first gate line disposed in a display area on a substrate, a second gate line overlapping the first gate line under the first gate line, and first and second A switching transistor including a data line crossing the gate line, first and second gate electrodes respectively connected to the first and second gate lines, a source electrode and a drain electrode connected to the data line, and the switching transistor Provided is an organic light emitting diode display including a driving transistor connected to a drain electrode and an organic light emitting diode connected to the driving transistor.

또한, 기판 상의 표시영역에 각각 배치되는 제1센싱배선 및 기준전압배선과, 제1센싱배선 하부에 제1센싱배선과 중첩되는 제2센싱배선과, 제1 및 제2센싱배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 기준전압배선과 연결되는 소스전극과, 구동트랜지스터와 연결되는 드레인전극을 포함하는 센싱트랜지스터를 더 포함한다.In addition, the first sensing wiring and the reference voltage wiring respectively disposed in the display area on the substrate, the second sensing wiring overlapping the first sensing wiring under the first sensing wiring, and the first and second sensing wirings respectively connected It further includes a sensing transistor including first and second gate electrodes, a source electrode connected to the reference voltage line, and a drain electrode connected to the driving transistor.

또한, 스위칭트랜지스터의 제1 및 제2게이트전극 사이와, 센싱트랜지스터의 제1 및 제2게이트전극 사이에 각각 배치되는 반도체층을 더 포함한다.The semiconductor layer further includes a semiconductor layer disposed between the first and second gate electrodes of the switching transistor and between the first and second gate electrodes of the sensing transistor, respectively.

또한, 구동트랜지스터 하부에 배치되는 차광막을 더 포함하고, 제2게이트배선 및 제2센싱배선은 차광막과 동일층에 배치된다.In addition, it further includes a light blocking layer disposed under the driving transistor, and the second gate wiring and the second sensing wiring are disposed on the same layer as the light blocking layer.

또한, 기판 상의 비표시영역에 배치되며, 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트패드부를 더 포함하고, 기판 상의 비표시영역에 배치되며, 제1 및 제2센싱배선과 연결되는 제1 및 제2센싱패드부를 더 포함한다.In addition, it is disposed in the non-display area on the substrate and further includes first and second gate pad portions respectively connected to the first and second gate lines, and is disposed in the non-display area on the substrate, and the first and second sensing lines are disposed in the non-display area. It further includes first and second sensing pad parts connected to.

본 발명은 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터에 두개의 스캔신호를 교대로 인가함으로써, 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터의 열화를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by alternately applying two scan signals to the switching transistor and the sensing transistor, the time for applying the stress to the switching transistor and the sensing transistor is divided to prevent deterioration of the switching transistor and the sensing transistor.

또한, 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터에 저전위전압을 지속적으로 인가함으로써, 열화되는 스위칭트랜지스터 및 센싱트랜지스터를 보상할 수 있는 효과가 있다.In addition, by continuously applying a low potential voltage to the switching transistor and the sensing transistor, there is an effect of compensating for the deterioration of the switching transistor and the sensing transistor.

도 1은 종래의 유기발광다이오드표시장치의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 센싱트랜지스터의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 구동트랜지스터의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 구동 타이밍도의 일 예이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 구동 타이밍도의 다른 예이다.1 is a circuit diagram of a conventional organic light emitting diode display device.
2 is a circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a sensing transistor according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a driving transistor according to an embodiment of the present invention.
7 is an example of a driving timing diagram of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.
8 is another example of a driving timing diagram of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 회로도이다.2 is a circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 스위칭트랜지스터(Tsw)와, 구동트랜지스터(Tdr)와, 센싱트랜지스터(Tsen)와, 캐패시터(Cst)와, 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다.As shown in the drawing, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, a sensing transistor Tsen, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode. (OLED) included.

구체적으로, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 게이트전극이 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)과 각각 연결되고, 소스전극이 데이터배선(DL)과 연결되고, 드레인전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극과 연결된다.Specifically, the switching transistor Tsw has a gate electrode connected to the first and second gate lines GL1 and GL2, respectively, a source electrode connected to the data line DL, and a drain electrode connected to the driving transistor Tdr. connected to the gate electrode.

이 때, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)에서 교대로 공급되는 제1 및 제2스캔신호(Scan1, Scan2)에 따라 각각 스위칭되어, 데이터배선(DL)에서 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(Tdr)에 공급한다.At this time, the switching transistor Tsw is switched according to the first and second scan signals Scan1 and Scan2 alternately supplied from the first and second gate lines GL1 and GL2, respectively, so that the data line DL The supplied data voltage Vdata is supplied to the driving transistor Tdr.

이와 같이, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 두개의 게이트배선(GL1, GL2)을 통해 교대로 스캔신호(Scan1, Scan2)를 공급함으로써, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 하나의 게이트배선을 통해 하나의 스캔신호를 공급하는 것 대비, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 스위칭트랜지스터(Tsw)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, by alternately supplying the scan signals Scan1 and Scan2 through the two gate wirings GL1 and GL2 to the switching transistor Tsw, one scan signal is applied to the switching transistor Tsw through one gate wiring. It is possible to prevent deterioration of the switching transistor Tsw by dividing the time for applying the stress to the switching transistor Tsw compared to the supply.

또한, 위와 달리 스위칭트랜지스터(Tsw)는 제1게이트배선(GL1)에서 공급되는 제1스캔신호(Scan1)에 따라 스위칭되어 데이터배선(DL)에서 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 이 때, 스위칭트랜지스터(Tsw)에는 제2게이트배선(GL2)으로부터 저전위전압(VSS)이 지속적으로 공급된다.In addition, unlike the above, the switching transistor Tsw is switched according to the first scan signal Scan1 supplied from the first gate line GL1 to convert the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the driving transistor Tdr. supply to At this time, the low potential voltage VSS is continuously supplied from the second gate line GL2 to the switching transistor Tsw.

이와 같이, 두개의 게이트배선(GL1, GL2) 중 하나의 게이트배선(GL2)을 통해 저전위전압(VSS)을 스위칭트랜지스터(Tsw)에 지속적으로 공급함으로써, 나머지 게이트배선(GL1)을 통해 공급되는 스캔신호(Scan1)에 의해 열화되는 스위칭트랜지스터(Tsw)를 보상할 수 있다.As described above, by continuously supplying the low potential voltage VSS to the switching transistor Tsw through one of the two gate wirings GL1 and GL2, the The switching transistor Tsw deteriorated by the scan signal Scan1 may be compensated.

또한, 구동트랜지스터(Tdr)는 게이트전극이 스위칭트랜지스터(Tsw)의 드레인전극과 연결되고, 드레인전극이 구동전압배선(VL)과 연결되고, 소스전극이 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 연결된다.In addition, in the driving transistor Tdr, the gate electrode is connected to the drain electrode of the switching transistor Tsw, the drain electrode is connected to the driving voltage line VL, and the source electrode is connected to the first electrode of the organic light emitting diode (OLED). Connected.

이 때, 구동트랜지스터(Tdr)는 스위칭트랜지스터(Tsw)로부터 공급되는 데이터전압(Vdata)에 따라 스위칭되어, 구동전압배선(VL)으로부터 고전위전압(VDD)을 공급받아 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 제어한다.At this time, the driving transistor Tdr is switched according to the data voltage Vdata supplied from the switching transistor Tsw, and the high potential voltage VDD is supplied from the driving voltage line VL to the organic light emitting diode OLED. control the flow of current.

또한, 캐패시터(Cst)는 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극과 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 연결되어, 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극에 공급되는 데이터전압(Vdata)에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동트랜지스터(Tdr)를 턴-온(turn-on)시킨다.In addition, the capacitor Cst is connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr and the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and is a voltage corresponding to the data voltage Vdata supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. is stored, and the driving transistor Tdr is turned on with the stored voltage.

또한, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 소스전극과 연결되고, 제2전극이 저전위전압(VSS) 단과 연결되어, 구동트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 전류에 의해 발광한다.In addition, in the organic light emitting diode (OLED), the first electrode is connected to the source electrode of the driving transistor Tdr, and the second electrode is connected to the low potential voltage (VSS) terminal by the current supplied from the driving transistor Tdr. glow

이때, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 구동트랜지스터(Tr)의 게이트 및 소스전극 사이의 전압, 구동트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 및 데이터전압(Vdata)에 따라 결정된다.At this time, the current flowing through the organic light emitting diode OLED is determined according to the voltage between the gate and the source electrode of the driving transistor Tr, the threshold voltage of the driving transistor Tdr, and the data voltage Vdata.

상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극에 공급되는 데이터전압(Vdata)에 따라, 고전위전압(VDD)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류의 크기를 제어하여, 유기발광다이오드(OLED)를 발광시킴으로써 소정의 영상을 표시한다.As described above, in the organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention, the high potential voltage VDD is converted to the organic light emitting diode OLED according to the data voltage Vdata supplied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. A predetermined image is displayed by controlling the amount of flowing current to emit light from an organic light emitting diode (OLED).

또한, 센싱트랜지스터(Tsen)는 게이트전극이 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2)과 연결되고, 드레인전극이 구동트랜지스터(Tdr)의 소스전극과 연결되고, 소스전극이 기준전압배선(RL)과 연결된다.In addition, the sensing transistor Tsen has a gate electrode connected to the first and second sensing lines SL1 and SL2, a drain electrode connected to a source electrode of the driving transistor Tdr, and a source electrode connected to the reference voltage line RL ) is associated with

이 때, 센싱트랜지스터(Tsen)는 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2)에서 교대로 공급되는 제1 및 제2센싱신호(Sense1, Sense2)에 따라 각각 스위칭되어, 기준전압배선(RL)에서 공급되는 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크한다.At this time, the sensing transistor Tsen is switched according to the first and second sensing signals Sense1 and Sense2 alternately supplied from the first and second sensing lines SL1 and SL2, respectively, and the reference voltage line RL The current flowing to the organic light emitting diode (OLED) is sinked according to the reference voltage (Vref) supplied from the .

이와 같이, 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크함으로써, 열화되는 구동트랜지스터(Tdr)를 보상할 뿐만 아니라, 센싱트랜지스터(Tsen)에 두개의 센싱배선(SL1, SL2)을 통해 교대로 센싱신호(Sense1, Sense2)를 공급함으로써, 센싱트랜지스터(Tsen)에 하나의 센싱배선을 통해 하나의 센싱신호를 공급하는 것 대비, 센싱트랜지스터(Tsen)에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 센싱트랜지스터(Tsen)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, by sinking the current flowing into the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref, the deteriorated driving transistor Tdr is compensated, and the two sensing wires SL1 and SL2 are connected to the sensing transistor Tsen. By alternately supplying sensing signals (Sense1, Sense2) through Accordingly, deterioration of the sensing transistor Tsen can be prevented.

또한, 위와 달리 센싱트랜지스터(Tsen)는 제1센싱배선(SL1)에서 공급되는 제1센싱신호(Sense1)에 따라 스위칭되어 기준전압배선(RL)에서 공급되는 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크한다. 이 때, 센싱트랜지스터(Tsen)에는 제2센싱배선(SL2)으로부터 저전위전압(VSS)이 지속적으로 공급된다.In addition, unlike the above, the sensing transistor Tsen is switched according to the first sensing signal Sense1 supplied from the first sensing line SL1, and the organic light emitting diode is switched according to the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RL. (OLED) sinks the current. At this time, the low potential voltage VSS is continuously supplied from the second sensing line SL2 to the sensing transistor Tsen.

이와 같이, 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크함으로써, 열화되는 구동트랜지스터(Tdr)를 보상할 뿐만 아니라, 두개의 센싱배선(SL1, SL2) 중 하나의 센싱배선(SL2)을 통해 저전위전압(VSS)을 스위칭트랜지스터(Tsw)에 지속적으로 공급함으로써, 나머지 센싱배선(SL1)을 통해 공급되는 센싱신호(Sense1)에 의해 열화되는 센싱트랜지스터(Tsen)를 보상할 수 있다.As described above, by sinking the current flowing to the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref, not only the deteriorated driving transistor Tdr is compensated, but also one sensing wiring of the two sensing wirings SL1 and SL2 is compensated. By continuously supplying the low potential voltage (VSS) to the switching transistor (Tsw) through (SL2), the sensing transistor (Tsen) deteriorated by the sensing signal (Sense1) supplied through the remaining sensing wiring (SL1) can be compensated. can

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 평면도이다.3 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

한편, 도 3은 예시적 도면으로서 이에 한정되는 것은 아니며, 각 구성요소의 배치구성을 달리할 수 있다.Meanwhile, FIG. 3 is an exemplary view and is not limited thereto, and the arrangement of each component may be different.

도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 발광영역(Emission Area, EA) 및 회로영역(Circuit Area, CA)으로 이루어진 화소영역(Pixel Area, PA)을 포함한다.As shown in the drawing, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a pixel area (PA) consisting of an emission area (EA) and a circuit area (CA). .

구체적으로, 회로영역(CA)은 스위칭트랜지스터(Tsw), 구동트랜지스터(Tdr) 및 센싱트랜지스터(Tsen)와, 다수의 컨택홀들(113a 내지 113h)과, 일방향으로 서로 이격하며 배치되는 데이터배선(DL) 및 구동전압배선(VL)과, 데이터배선(DL) 및 구동전압배선(VL)에 교차하는 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2), 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2) 및 기준전압배선(RL)과, 커패시터(Cst)를 포함한다.Specifically, the circuit area CA includes a switching transistor Tsw, a driving transistor Tdr, and a sensing transistor Tsen, a plurality of contact holes 113a to 113h, and data lines spaced apart from each other in one direction. DL) and the driving voltage line VL, the first and second gate lines GL1 and GL2 crossing the data line DL and the driving voltage line VL, and the first and second sensing lines SL1 and SL2 ), a reference voltage line RL, and a capacitor Cst.

이 때, 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)은 상하로 중첩되며 배치되고, 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2)은 상하로 중첩되며 배치된다.In this case, the first and second gate wirings GL1 and GL2 are arranged to overlap vertically, and the first and second sensing wirings SL1 and SL2 are arranged to overlap vertically.

또한, 발광영역(EA)은 데이터배선(DL)과 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)의 교차영역에 형성된다.In addition, the light emitting area EA is formed at an intersection area between the data line DL and the first and second gate lines GL1 and GL2 .

이 때, 발광영역(EA)에는 제1전극(130), 제2전극(미도시) 및 유기발광층(미도시)을 포함하는 유기발광다이오드(도 2의 OLED)가 배치되며, 회로영역(CA)에 배치된 구동트랜지스터(Tdr)로부터 공급되는 전류에 따라 발광한다.In this case, the organic light emitting diode (OLED of FIG. 2 ) including the first electrode 130 , the second electrode (not shown) and the organic light emitting layer (not shown) is disposed in the light emitting area EA, and the circuit area CA ) and emits light according to the current supplied from the driving transistor Tdr.

이하, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 각 구성요소의 전기적 연결관계를 설명하겠다.Hereinafter, an electrical connection relationship between each component of the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention will be described.

먼저, 제1전극(130)은 제3컨택홀(113c)과 제4컨택홀(113d)을 통해 구동트랜지스터(Tdr)의 일단과 연결된다. First, the first electrode 130 is connected to one end of the driving transistor Tdr through the third contact hole 113c and the fourth contact hole 113d.

또한, 구동트랜지스터(Tdr)의 타단은 제8콘택홀(113h)을 통해 구동전압배선(VL)과 연결되고, 캐패시터(Cst)는 제2컨택홀(113b)을 통해 스위칭트랜지스터(Tsw)의 일단과 연결되고, 스위칭트랜지스터(Tsw)의 타단은 제1컨택홀(113a)을 통해 데이터배선(DL)과 연결되고, 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)은 스위칭트랜지스터(Tsw)에 연결된다. In addition, the other end of the driving transistor Tdr is connected to the driving voltage line VL through the eighth contact hole 113h, and the capacitor Cst has one end of the switching transistor Tsw through the second contact hole 113b. and the other end of the switching transistor Tsw is connected to the data line DL through the first contact hole 113a, and the first and second gate lines GL1 and GL2 are connected to the switching transistor Tsw. do.

또한, 센싱트랜지스터(Tsen)의 일단은 제6컨택홀(113f)과 제7컨택홀(113g)을 통하여 기준전압배선(RL)에 연결되고, 타단은 제4컨택홀(113d)을 통하여 구동트랜지스터(Tdr) 및 캐패시터(Cst)와 연결되고, 구동트랜지스터(Tdr)의 게이트전극은 제5컨택홀(113e)을 통해 스위칭트랜지스터(Tsw)에 연결된다.In addition, one end of the sensing transistor Tsen is connected to the reference voltage line RL through the sixth contact hole 113f and the seventh contact hole 113g, and the other end of the sensing transistor Tsen is connected to the driving transistor through the fourth contact hole 113d. It is connected to Tdr and the capacitor Cst, and the gate electrode of the driving transistor Tdr is connected to the switching transistor Tsw through the fifth contact hole 113e.

이하, 전술한 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 각 구성요소의 전기적 기능을 설명하겠다.Hereinafter, the electrical function of each component of the organic light emitting diode display according to the above-described embodiment of the present invention will be described.

먼저, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)에서 교대로 공급되는 제1 및 제2스캔신호(Scan1, Scan2)에 따라 각각 스위칭되어, 데이터배선(DL)에서 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(Tdr)에 공급한다.First, the switching transistor Tsw is switched according to the first and second scan signals Scan1 and Scan2 alternately supplied from the first and second gate lines GL1 and GL2, respectively, and is supplied from the data line DL. The used data voltage Vdata is supplied to the driving transistor Tdr.

이와 같이, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 두개의 게이트배선(GL1, GL2)을 통해 교대로 스캔신호(Scan1, Scan2)를 공급함으로써, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 스위칭트랜지스터(Tsw)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, by alternately supplying the scan signals Scan1 and Scan2 to the switching transistor Tsw through the two gate wirings GL1 and GL2, the time for applying the stress to the switching transistor Tsw is divided and the switching transistor Tsw ) to prevent deterioration.

또한, 위와 달리 스위칭트랜지스터(Tsw)는 제1게이트배선(GL1)에서 공급되는 제1스캔신호(Scan1)에 따라 스위칭되어 데이터배선(DL)에서 공급되는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(Tdr)에 공급한다. 이 때, 스위칭트랜지스터(Tsw)에는 제2게이트배선(GL2)으로부터 저전위전압(VSS)이 지속적으로 공급된다.In addition, unlike the above, the switching transistor Tsw is switched according to the first scan signal Scan1 supplied from the first gate line GL1 to convert the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the driving transistor Tdr. supply to At this time, the low potential voltage VSS is continuously supplied from the second gate line GL2 to the switching transistor Tsw.

이와 같이, 두개의 게이트배선(GL1, GL2) 중 하나의 게이트배선(GL2)을 통해 저전위전압(VSS)을 스위칭트랜지스터(Tsw)에 지속적으로 공급함으로써, 나머지 게이트배선(GL1)을 통해 공급되는 스캔신호(Scan1)에 의해 열화되는 스위칭트랜지스터(Tsw)를 보상할 수 있다.As described above, by continuously supplying the low potential voltage VSS to the switching transistor Tsw through one of the two gate wirings GL1 and GL2, the The switching transistor Tsw deteriorated by the scan signal Scan1 may be compensated.

또한, 캐패시터(Cst)는 스위칭트랜지스터(Tsw)를 통해 공급되는 데이터전압(Vdata)을 저장하여 구동트랜지스터(Tdr)가 일정 시간 이상 턴-온 상태를 유지하도록 한다.In addition, the capacitor Cst stores the data voltage Vdata supplied through the switching transistor Tsw so that the driving transistor Tdr maintains the turned-on state for a predetermined time or longer.

또한, 구동트랜지스터(Tdr)는 캐패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동하고, 구동트랜지스터(Tdr)가 구동되면, 유기발광다이오드(도 2의 OLED)는 구동전압배선(VL)을 통해 공급되는 전류에 의해 발광한다. In addition, the driving transistor Tdr is driven in response to the data voltage stored in the capacitor Cst, and when the driving transistor Tdr is driven, the organic light emitting diode (OLED of FIG. 2 ) is supplied through the driving voltage line VL. It emits light by an electric current.

또한, 센싱트랜지스터(Tsen)는 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2)에서 교대로 공급되는 제1 및 제2센싱신호(Sense1, Sense2)에 따라 각각 스위칭되어, 기준전압배선(RL)에서 공급되는 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크한다.In addition, the sensing transistor Tsen is switched according to the first and second sensing signals Sense1 and Sense2 alternately supplied from the first and second sensing lines SL1 and SL2, respectively, in the reference voltage line RL. The current flowing to the organic light emitting diode (OLED) is sinked according to the supplied reference voltage (Vref).

이와 같이, 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크함으로써, 열화되는 구동트랜지스터(Tdr)를 보상할 뿐만 아니라, 센싱트랜지스터(Tsen)에 두개의 센싱배선(SL1, SL2)을 통해 교대로 센싱신호(Sense1, Sense2)를 공급함으로써, 센싱트랜지스터(Tsen)에 하나의 센싱배선을 통해 하나의 센싱신호를 공급하는 것 대비, 센싱트랜지스터(Tsen)에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 센싱트랜지스터(Tsen)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, by sinking the current flowing into the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref, the deteriorated driving transistor Tdr is compensated, and the two sensing wires SL1 and SL2 are connected to the sensing transistor Tsen. By alternately supplying sensing signals (Sense1, Sense2) through Accordingly, deterioration of the sensing transistor Tsen can be prevented.

또한, 위와 달리 센싱트랜지스터(Tsen)는 제1센싱배선(SL1)에서 공급되는 제1센싱신호(Sense1)에 따라 스위칭되어 기준전압배선(RL)에서 공급되는 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크한다. 이 때, 센싱트랜지스터(Tsen)에는 제2센싱배선(SL2)으로부터 저전위전압(VSS)이 지속적으로 공급된다.In addition, unlike the above, the sensing transistor Tsen is switched according to the first sensing signal Sense1 supplied from the first sensing line SL1, and the organic light emitting diode is switched according to the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RL. (OLED) sinks the current. At this time, the low potential voltage VSS is continuously supplied from the second sensing line SL2 to the sensing transistor Tsen.

이와 같이, 기준전압(Vref)에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 싱크함으로써, 열화되는 구동트랜지스터(Tdr)를 보상할 뿐만 아니라, 두개의 센싱배선(SL1, SL2) 중 하나의 센싱배선(SL2)을 통해 저전위전압(VSS)을 스위칭트랜지스터(Tsw)에 지속적으로 공급함으로써, 나머지 센싱배선(SL1)을 통해 공급되는 센싱신호(Sense1)에 의해 열화되는 센싱트랜지스터(Tsen)를 보상할 수 있다.As described above, by sinking the current flowing to the organic light emitting diode OLED according to the reference voltage Vref, not only the deteriorated driving transistor Tdr is compensated, but also one sensing wiring of the two sensing wirings SL1 and SL2 is compensated. By continuously supplying the low potential voltage (VSS) to the switching transistor (Tsw) through (SL2), the sensing transistor (Tsen) deteriorated by the sensing signal (Sense1) supplied through the remaining sensing wiring (SL1) can be compensated. can

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 기판(101)은 화소영역(PA)을 다수 포함하는 표시영역과, 표시영역 외측의 비표시영역을 포함한다.Meanwhile, although not shown in the drawing, the substrate 101 includes a display area including a plurality of pixel areas PA and a non-display area outside the display area.

이 때, 비표시영역에는 표시영역에 배치된 각 배선들(GL1, GL2, DL, VDD, SL1, SL2, Vref)과 연결된 패드부(미도시)가 배치된다.In this case, a pad portion (not shown) connected to each of the wirings GL1 , GL2 , DL, VDD, SL1, SL2, and Vref disposed in the display area is disposed in the non-display area.

특히, 제1 및 제2게이트배선(GL1, GL2)은 서로 다른 스캔신호(Scan1, Scan2)를 각각 공급하거나, 스캔신호(Scan1) 및 저전위전압(VSS)을 공급하기 때문에, 이들 게이트배선(GL1, GL2)과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트패드부(미도시)가 비표시영역에 별도로 배치된다.In particular, since the first and second gate wirings GL1 and GL2 supply different scan signals Scan1 and Scan2, respectively, or supply the scan signal Scan1 and the low potential voltage VSS, these gate wirings ( First and second gate pad portions (not shown) respectively connected to GL1 and GL2 are separately disposed in the non-display area.

이와 마찬가지로, 제1 및 제2센싱배선(SL1, SL2)은 서로 다른 센싱신호(Sense1, Sense2)를 각각 공급하거나, 센싱신호(Sense1) 및 저전위전압(VSS)을 각각 공급하기 때문에, 이들 센싱배선(SL1, SL2)과 각각 연결되는 제1 및 제2센싱패드부(미도시)가 비표시영역에 별도로 배치된다.Likewise, since the first and second sensing wires SL1 and SL2 respectively supply different sensing signals Sense1 and Sense2 or respectively supply the sensing signal Sense1 and the low potential voltage VSS, these sensing First and second sensing pad portions (not shown) respectively connected to the wirings SL1 and SL2 are separately disposed in the non-display area.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 스위칭트랜지스터(Tsw)는 제1 및 제2게이트배선(도 2의 GL1, GL2)과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극(106a, 106b)과, 데이터배선(도 2의 DL)과 연결되는 소스전극(107)과, 구동트랜지스터(도 6의 Tdr)의 게이트전극(도 6의 306)과 연결되는 드레인전극(108)을 포함한다.As shown in the drawing, the switching transistor Tsw includes first and second gate electrodes 106a and 106b respectively connected to the first and second gate lines (GL1 and GL2 in FIG. 2 ), and a data line ( FIG. 2 ). 2) and a drain electrode 108 connected to the gate electrode (306 in FIG. 6) of the driving transistor (Tdr in FIG. 6).

구체적으로, 기판(101) 상에 제2게이트전극(106b)이 배치되고, 제2게이트전극(106b) 상부에 제1절연막(102)이 배치되고, 제1절연막(102) 상부에 제2게이트전극(106b)과 대응하여 반도체층(103)이 배치된다.Specifically, the second gate electrode 106b is disposed on the substrate 101 , the first insulating layer 102 is disposed on the second gate electrode 106b , and the second gate is disposed on the first insulating layer 102 . A semiconductor layer 103 is disposed corresponding to the electrode 106b.

또한, 반도체층(103) 상부에 반도체층(103) 양측을 노출하며 제2절연막(104) 및 제1게이트전극(106a)이 배치된다.In addition, a second insulating layer 104 and a first gate electrode 106a are disposed on the semiconductor layer 103 to expose both sides of the semiconductor layer 103 .

또한, 반도체층(103) 양측을 노출시키는 반도체콘택홀(111)을 각각 구비하며, 반도체층(103) 및 제1게이트전극(106a) 상부에 제3절연막(105)이 배치되고, 소스전극(107) 및 드레인전극(108)은 서로 이격되며 반도체콘택홀(111)을 통해 반도체층(103) 양측과 각각 접촉되고 제3절연막(105) 상부에 배치된다.In addition, each of the semiconductor contact holes 111 exposing both sides of the semiconductor layer 103 is provided, the third insulating film 105 is disposed on the semiconductor layer 103 and the first gate electrode 106a, and the source electrode ( 107 ) and the drain electrode 108 are spaced apart from each other, contact both sides of the semiconductor layer 103 through the semiconductor contact hole 111 , respectively, and are disposed on the third insulating layer 105 .

또한, 소스전극(107) 및 드레인전극(108) 상부에 제4절연막(109)이 배치된다.In addition, a fourth insulating layer 109 is disposed on the source electrode 107 and the drain electrode 108 .

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 센싱트랜지스터의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a sensing transistor according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 센싱트랜지스터(Tsen)는 제1 및 제2센싱배선(도 2의 SL1, SL2)과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극(206a, 206b)과, 기준전압배선(도 2의 RL)과 연결되는 소스전극(207)과, 구동트랜지스터(도 6의 Tdr)의 소스전극(도 6의 307)과 연결되는 드레인전극(208)을 포함한다.As shown in the figure, the sensing transistor Tsen includes first and second gate electrodes 206a and 206b respectively connected to the first and second sensing lines SL1 and SL2 in FIG. 2 , and a reference voltage line ( It includes a source electrode 207 connected to RL in FIG. 2 , and a drain electrode 208 connected to a source electrode 307 in FIG. 6 of the driving transistor (Tdr in FIG. 6 ).

구체적으로, 기판(101) 상에 제2게이트전극(206b)이 배치되고, 제2게이트전극(206b) 상부에 제1절연막(102)이 배치되고, 제1절연막(102) 상부에 제2게이트전극(206b)과 대응하여 반도체층(203)이 배치된다.Specifically, the second gate electrode 206b is disposed on the substrate 101 , the first insulating layer 102 is disposed on the second gate electrode 206b , and the second gate is disposed on the first insulating layer 102 . A semiconductor layer 203 is disposed corresponding to the electrode 206b.

또한, 반도체층(203) 상부에 반도체층(203) 양측을 노출하며 제2절연막(104) 및 제1게이트전극(206a)이 배치된다.In addition, a second insulating layer 104 and a first gate electrode 206a are disposed on the semiconductor layer 203 to expose both sides of the semiconductor layer 203 .

또한, 반도체층(203) 양측을 노출시키는 반도체콘택홀(211)을 각각 구비하며, 반도체층(203) 및 제1게이트전극(206a) 상부에 제3절연막(105)이 배치되고, 소스전극(206) 및 드레인전극(208)은 서로 이격되며 반도체콘택홀(211)을 통해 반도체층(203) 양측과 각각 접촉되고 제3절연막(105) 상부에 배치된다.In addition, each of the semiconductor contact holes 211 exposing both sides of the semiconductor layer 203 is provided, the third insulating film 105 is disposed on the semiconductor layer 203 and the first gate electrode 206a, and the source electrode ( 206 and the drain electrode 208 are spaced apart from each other, contact both sides of the semiconductor layer 203 through the semiconductor contact hole 211 , respectively, and are disposed on the third insulating layer 105 .

또한, 소스전극(207) 및 드레인전극(208) 상부에 제4절연막(109)이 배치된다.In addition, a fourth insulating layer 109 is disposed on the source electrode 207 and the drain electrode 208 .

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 구동트랜지스터의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a driving transistor according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 구동트랜지스터(Tdr)는 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 드레인전극(108)과 연결되는 게이트전극(306)과, 구동전압배선(도 2의 VL)과 연결되는 드레인전극(308)과, 유기발광다이오드(도 2의 OLED)의 제1전극과 연결되는 소스전극(307)을 포함한다.As shown in the drawing, the driving transistor Tdr includes a gate electrode 306 connected to the drain electrode 108 of the switching transistor (Tsw in FIG. 4) and a drain connected to the driving voltage line (VL in FIG. 2). It includes an electrode 308 and a source electrode 307 connected to the first electrode of the organic light emitting diode (OLED of FIG. 2 ).

구체적으로, 기판(101) 상에 차광막(312)이 배치되고, 차광막(312) 상부에 제1절연막(102)이 배치되고, 제1절연막(102) 상부에 차광막(312)과 대응하여 반도체층(303)이 배치된다.Specifically, a light blocking film 312 is disposed on the substrate 101 , the first insulating film 102 is disposed on the light blocking film 312 , and a semiconductor layer corresponding to the light blocking film 312 is disposed on the first insulating layer 102 . (303) is arranged.

한편, 반도체층(303)은 산화물 반도체층일 수 있는데, 차광막(312)은 산화물 반도체층에 입사되는 광을 차단하여 산화물 반도체층을 보호한다.Meanwhile, the semiconductor layer 303 may be an oxide semiconductor layer, and the light blocking layer 312 protects the oxide semiconductor layer by blocking light incident on the oxide semiconductor layer.

또한, 반도체층(303) 상부에 반도체층(303) 양측을 노출하며 제2절연막(104) 및 게이트전극(306)이 배치된다.In addition, a second insulating layer 104 and a gate electrode 306 are disposed on the semiconductor layer 303 to expose both sides of the semiconductor layer 303 .

또한, 반도체층(303) 양측을 노출시키는 반도체콘택홀(311)을 각각 구비하며, 반도체층(303) 및 게이트전극(306) 상부에 제3절연막(105)이 배치되고, 소스전극(307) 및 드레인전극(308)은 서로 이격되며 반도체콘택홀(311)을 통해 반도체층(303) 양측과 각각 접촉되고 제3절연막(105) 상부에 배치된다.In addition, each of the semiconductor contact holes 311 exposing both sides of the semiconductor layer 303 is provided, a third insulating layer 105 is disposed on the semiconductor layer 303 and the gate electrode 306 , and a source electrode 307 is provided. and the drain electrode 308 are spaced apart from each other, contact both sides of the semiconductor layer 303 through the semiconductor contact hole 311 , respectively, and are disposed on the third insulating layer 105 .

또한, 소스전극(307) 및 드레인전극(308) 상부에 제4절연막(109)이 배치된다.In addition, a fourth insulating layer 109 is disposed on the source electrode 307 and the drain electrode 308 .

한편, 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 제2게이트전극(106b)과 센싱트랜지스터(도 5의 Tsen)의 제2게이트전극(206b)은 구동트랜지스터(도 6의 Tdr)의 차광막(312)과 동일층 및 동일물질로 이루어질 수 있다.On the other hand, the second gate electrode 106b of the switching transistor (Tsw in Fig. 4) and the second gate electrode 206b of the sensing transistor (Tsen in Fig. 5) are connected to the light blocking film 312 of the driving transistor (Tdr in Fig. 6) and It may be made of the same layer and the same material.

또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 제2게이트전극(106b)과 연결되는 제2게이트배선(도 2의 GL2)과 센싱트랜지스터(도 5의 Tsen)의 제2게이트전극(206b)과 연결되는 제2센싱배선(도 2의 SL2)도 구동트랜지스터(도 6의 Tdr)의 차광막(312)과 동일층 및 동일물질로 이루어질 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the second gate wiring (GL2 in FIG. 2 ) connected to the second gate electrode 106b of the switching transistor (Tsw in FIG. 4 ) and the second gate of the sensing transistor (Tsen in FIG. 5 ) The second sensing wiring (SL2 of FIG. 2 ) connected to the electrode 206b may also be formed of the same layer and the same material as the light blocking film 312 of the driving transistor (Tdr of FIG. 6 ).

이에 따라, 구동트랜지스터(도 6의 Tdr)의 차광막 형성시, 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 제2게이트배선(도 2의 GL2) 및 제2게이트전극(106b)과 센싱트랜지스터의 제2센싱배선(도 2의 SL2) 및 제2게이트전극(106b)을 함께 형성할 수 있어, 제조공정을 단순화하고 제조비용을 절감할 수 있다.Accordingly, when the light blocking layer of the driving transistor (Tdr in FIG. 6) is formed, the second gate wiring (GL2 in FIG. 2) and the second gate electrode 106b of the switching transistor (Tsw in FIG. 4) and the second sensing of the sensing transistor The wiring (SL2 in FIG. 2 ) and the second gate electrode 106b may be formed together, thereby simplifying the manufacturing process and reducing manufacturing cost.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 구동 타이밍도의 일 예이다.7 is an example of a driving timing diagram of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 제1 및 제2게이트전극(도 4의 106a, 106b)에 각각 교대로 제1 및 제2스캔신호(Scan1, Scan2)를 인가하고, 소스전극(도 4의 107)에 제1 및 제2스캔신호(Scan1, Scan2)에 대응하여 데이터전압(Vdata)을 인가한다.As shown in the figure, the first and second scan signals Scan1 and Scan2 are alternately applied to the first and second gate electrodes 106a and 106b in FIG. 4 of the switching transistor (Tsw in FIG. 4 ), respectively, , the data voltage Vdata is applied to the source electrode 107 in FIG. 4 in response to the first and second scan signals Scan1 and Scan2.

이와 같이, 스위칭트랜지스터(Tsw) 제1 및 제2게이트전극(도 4의 106a, 106b)에 두개의 스캔신호(Scan1, Scan2)를 교대로 인가함으로써, 스위칭트랜지스터(Tsw)에 스트레스를 가하는 시간을 분할하여 스위칭트랜지스터(Tsw)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, by alternately applying the two scan signals Scan1 and Scan2 to the first and second gate electrodes 106a and 106b of FIG. 4 , the time for applying the stress to the switching transistor Tsw By dividing, it is possible to prevent deterioration of the switching transistor Tsw.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 스위칭트랜지스터의 구동 타이밍도의 다른 예이다.8 is another example of a driving timing diagram of a switching transistor according to an embodiment of the present invention.

도면에 도시한 바와 같이, 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 제1게이트전극(106a)에 제1스캔신호(Scan1)를 인가하고 제2게이트전극(106b)에 저전위전압(VSS)을 인가하고, 소스전극(107)에 제1스캔신호(Scan1)에 대응하여 데이터전압(Vdata)을 인가한다.As shown in the figure, a first scan signal Scan1 is applied to the first gate electrode 106a of the switching transistor (Tsw in FIG. 4 ) and a low potential voltage VSS is applied to the second gate electrode 106b. and the data voltage Vdata is applied to the source electrode 107 in response to the first scan signal Scan1.

이와 같이, 스위칭트랜지스터(Tsw)의 제2게이트전극(106b)에 저전위전압(VSS)을 지속적으로 인가함으로써, 제1게이트전극(106a)에 인가되는 스캔신호(Scan1)에 의해 열화되는 스위칭트랜지스터(Tsw)를 보상할 수 있다.As described above, by continuously applying the low potential voltage VSS to the second gate electrode 106b of the switching transistor Tsw, the switching transistor deteriorated by the scan signal Scan1 applied to the first gate electrode 106a. (Tsw) can be compensated.

한편, 센싱트랜지스터(도 5의 Tsen)도 마찬가지로 전술한 스위칭트랜지스터(도 4의 Tsw)의 구동 타이밍과 동일하게 적용할 수 있다.Meanwhile, the sensing transistor (Tsen of FIG. 5 ) may also be applied in the same manner as the driving timing of the above-described switching transistor (Tsw of FIG. 4 ).

본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.

101 : 기판
106a, 106b : 제1 및 제2게이트전극
107, 108 : 소스전극 및 드레인전극
103 : 반도체층101: substrate
106a, 106b: first and second gate electrodes
107, 108: source electrode and drain electrode
103: semiconductor layer

Claims (13)

표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시영역에 배치되는 제1게이트배선;
상기 제1게이트배선 하부에 상기 제1게이트배선과 중첩되는 제2게이트배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 교차하는 데이터배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 상기 데이터배선과 연결되는 소스전극과, 드레인전극을 포함하는 스위칭트랜지스터;
상기 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 구동트랜지스터;
상기 구동트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드;
상기 기판 상의 상기 표시영역에 각각 배치되는 제1센싱배선과, 기준전압배선;
상기 제1센싱배선 하부에 상기 제1센싱배선과 중첩되는 제2센싱배선; 및
상기 제1 및 제2센싱배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 상기 기준전압배선과 연결되는 소스전극과, 상기 구동트랜지스터와 연결되는 드레인전극을 포함하는 센싱트랜지스터
를 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
a substrate including a display area and a non-display area outside the display area;
a first gate line disposed in the display area on the substrate;
a second gate line overlapping the first gate line under the first gate line;
a data line crossing the first and second gate lines;
a switching transistor including first and second gate electrodes respectively connected to the first and second gate lines, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode;
a driving transistor connected to the drain electrode of the switching transistor;
an organic light emitting diode connected to the driving transistor;
a first sensing line and a reference voltage line respectively disposed in the display area on the substrate;
a second sensing wiring overlapping the first sensing wiring under the first sensing wiring; and
A sensing transistor including first and second gate electrodes respectively connected to the first and second sensing lines, a source electrode connected to the reference voltage line, and a drain electrode connected to the driving transistor;
An organic light emitting diode display comprising a.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 스위칭트랜지스터의 제1 및 제2게이트전극 사이와, 상기 센싱트랜지스터의 제1 및 제2게이트전극 사이에 각각 배치되는 반도체층
을 더 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
A semiconductor layer disposed between the first and second gate electrodes of the switching transistor and between the first and second gate electrodes of the sensing transistor, respectively
An organic light emitting diode display further comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 구동트랜지스터 하부에 배치되는 차광막을 더 포함하고,
상기 제2게이트배선 및 제2센싱배선은 상기 차광막과 동일층에 배치되는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
Further comprising a light blocking film disposed under the driving transistor,
The second gate wiring and the second sensing wiring are disposed on the same layer as the light blocking layer.
 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상의 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트패드부
를 더 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
first and second gate pad portions disposed in the non-display area on the substrate and respectively connected to the first and second gate lines
An organic light emitting diode display further comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상의 상기 비표시영역에 배치되며, 상기 제1 및 제2센싱배선과 연결되는 제1 및 제2센싱패드부
를 더 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
First and second sensing pad units disposed in the non-display area on the substrate and connected to the first and second sensing wirings
An organic light emitting diode display further comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 구동트랜지스터와 연결되는 구동전압배선; 및
상기 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 상기 센싱트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 커패시터
를 더 포함하는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
a driving voltage line connected to the driving transistor; and
A capacitor connected to the drain electrode of the switching transistor and the drain electrode of the sensing transistor
An organic light emitting diode display further comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2게이트배선에는 교대로 제1 및 제2스캔신호가 인가되는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
An organic light emitting diode display device to which first and second scan signals are alternately applied to the first and second gate wirings.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2센싱배선에는 교대로 제1 및 제2센싱신호가 인가되는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
An organic light emitting diode display device to which first and second sensing signals are alternately applied to the first and second sensing wirings.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1게이트배선에는 스캔신호가 인가되고, 상기 제2게이트배선에는 저전위전압이 지속적으로 인가되는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
A scan signal is applied to the first gate line and a low potential voltage is continuously applied to the second gate line.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1센싱배선에는 센싱신호가 인가되고, 상기 제2센싱배선에는 저전위전압이 지속적으로 인가되는 유기발광다이오드표시장치.
The method of claim 1,
A sensing signal is applied to the first sensing wiring and a low potential voltage is continuously applied to the second sensing wiring.
 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시영역에 배치되는 제1게이트배선;
상기 제1게이트배선 하부에 상기 제1게이트배선과 중첩되는 제2게이트배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 교차하는 데이터배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 상기 데이터배선과 연결되는 소스전극과, 드레인전극을 포함하는 스위칭트랜지스터;
상기 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 구동트랜지스터;
상기 구동트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드
를 포함하고,
상기 제1 및 제2게이트배선에는 교대로 제1 및 제2스캔신호가 인가되는 유기발광다이오드표시장치.
a substrate including a display area and a non-display area outside the display area;
a first gate line disposed in the display area on the substrate;
a second gate line overlapping the first gate line under the first gate line;
a data line crossing the first and second gate lines;
a switching transistor including first and second gate electrodes respectively connected to the first and second gate lines, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode;
a driving transistor connected to the drain electrode of the switching transistor;
An organic light emitting diode connected to the driving transistor
including,
An organic light emitting diode display device to which first and second scan signals are alternately applied to the first and second gate wirings.
 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시영역에 배치되는 제1게이트배선;
상기 제1게이트배선 하부에 상기 제1게이트배선과 중첩되는 제2게이트배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 교차하는 데이터배선;
상기 제1 및 제2게이트배선과 각각 연결되는 제1 및 제2게이트전극과, 상기 데이터배선과 연결되는 소스전극과, 드레인전극을 포함하는 스위칭트랜지스터;
상기 스위칭트랜지스터의 드레인전극과 연결되는 구동트랜지스터;
상기 구동트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드
를 포함하고,
상기 제1게이트배선에는 스캔신호가 인가되고, 상기 제2게이트배선에는 저전위전압이 지속적으로 인가되는 유기발광다이오드표시장치.a substrate including a display area and a non-display area outside the display area;
a first gate line disposed in the display area on the substrate;
a second gate line overlapping the first gate line under the first gate line;
a data line crossing the first and second gate lines;
a switching transistor including first and second gate electrodes respectively connected to the first and second gate lines, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode;
a driving transistor connected to the drain electrode of the switching transistor;
An organic light emitting diode connected to the driving transistor
including,
A scan signal is applied to the first gate line and a low potential voltage is continuously applied to the second gate line.
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