KR102433317B1 - Apparatus for wet etchng - Google Patents

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Abstract

습식 식각 장치는 수평면과 교차하는 제1 방향으로 기판을 경사시키는 지지부, 그리고 상기 제1 방향으로 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 설정된 범위로 회전하여 상기 기판으로 식각액을 분사하는 복수의 노즐들을 포함하며, 동일한 시간에 상기 복수의 노즐들의 분사 방향들은 서로 다르다.The wet etching apparatus includes a support part for inclining a substrate in a first direction intersecting a horizontal plane, and a plurality of nozzles disposed in the first direction and rotating in a range set along the first direction to spray an etchant to the substrate and the injection directions of the plurality of nozzles are different from each other at the same time.

Figure R1020170131530
Figure R1020170131530

Description

습식 식각 장치{APPARATUS FOR WET ETCHNG}Wet etching apparatus {APPARATUS FOR WET ETCHNG}

본 기재는 습식 식각 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a wet etching apparatus.

일반적으로, 표시 장치의 일례로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display), 액정 표시 장치(liquid crystal display) 및 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel) 등이 있다.In general, examples of the display device include an organic light emitting display, a liquid crystal display, and a plasma display panel.

이러한 표시 장치를 구성하는 구성들은 식각 공정을 포함하는 포토리소그래피(photolithography) 공정 등의 멤스(MEMS) 기술을 이용해 형성된다.Components constituting the display device are formed using MEMS technology such as a photolithography process including an etching process.

식각 공정은 습식 식각 장치를 이용한 습식 식각 공정을 포함한다.The etching process includes a wet etching process using a wet etching apparatus.

습식 식각 장치는 포토레지스트 패턴 등의 마스크가 위치된 기판에 식각액을 분사하여 습식 식각 공정을 수행할 수 있다.The wet etching apparatus may perform a wet etching process by spraying an etchant on a substrate on which a mask such as a photoresist pattern is positioned.

기판에 분사된 식각액이 기판의 표면에 액막을 형성하는데, 이 액막의 두께가 기판 전체에 걸쳐서 고르게 형성되지 않고, 기판의 일 부분에 두껍게 형성될 경우, 기판의 일 부분에 형성되는 구성에 오버 에치(over etch)가 발생될 수 있다.The etchant sprayed on the substrate forms a liquid film on the surface of the substrate. When the liquid film is not formed evenly over the entire substrate and is thickly formed on a portion of the substrate, over-etching is formed on a portion of the substrate (over etch) may occur.

일 실시예는, 기판의 일 부분에 형성되는 구성들에 오버 에치가 발생되는 것이 억제된 습식 식각 장치를 제공하고자 한다.One embodiment is to provide a wet etching apparatus in which over-etching is suppressed in components formed on a portion of a substrate.

일 측면은 수평면과 교차하는 제1 방향으로 기판을 경사시키는 지지부, 그리고 상기 제1 방향으로 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 설정된 범위로 회전하여 상기 기판으로 식각액을 분사하는 복수의 노즐들을 포함하며, 동일한 시간에 상기 복수의 노즐들의 분사 방향들은 서로 다른 습식 식각 장치를 제공한다.One side includes a support for tilting the substrate in a first direction intersecting a horizontal plane, and a plurality of nozzles disposed in the first direction and rotating in a range set along the first direction to spray the etchant to the substrate, , the injection directions of the plurality of nozzles at the same time provide different wet etching apparatuses.

상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들은 상기 제1 방향을 따라 서로 다르게 설정된 회전 각도 범위들을 가질 수 있다.The injection directions of the plurality of nozzles may have rotation angle ranges set differently from each other along the first direction.

상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들의 절대값들은 동일할 수 있다.Absolute values of the rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles may be the same.

상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 기준으로 서로 다른 최소 각도들을 가질 수 있다.The rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles may have different minimum angles with respect to a second direction perpendicular to the first direction.

상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들은 상기 제2 방향을 기준으로 서로 다른 최대 각도들을 가질 수 있다.The rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles may have different maximum angles with respect to the second direction.

상기 복수의 노즐들 중 경사진 상기 기판의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐의 제1 최소 각도는 상기 기판의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐의 제2 최소 각도 대비 더 작을 수 있다.A first minimum angle of a first nozzle corresponding to the inclined lower end of the substrate among the plurality of nozzles may be smaller than a second minimum angle of a second nozzle corresponding to the upper end of the substrate.

상기 복수의 노즐들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 최소 각도가 상기 제1 최소 각도로부터 상기 제2 최소 각도까지 순차적으로 커질 수 있다.In the plurality of nozzles, a minimum angle from the first nozzle to the second nozzle may be sequentially increased from the first minimum angle to the second minimum angle.

상기 제1 노즐의 제1 최대 각도는 상기 제2 노즐의 제2 최대 각도 대비 더 작을 수 있다.The first maximum angle of the first nozzle may be smaller than the second maximum angle of the second nozzle.

상기 복수의 노즐들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 최대 각도가 상기 제1 최대 각도로부터 상기 제2 최대 각도까지 순차적으로 커질 수 있다.A maximum angle of the plurality of nozzles from the first nozzle to the second nozzle may be sequentially increased from the first maximum angle to the second maximum angle.

상기 지지부는 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 상기 기판을 이송할 수 있다.The support part may transfer the substrate in a third direction perpendicular to the first direction.

또한, 일 측면은 수평면과 교차하는 제1 방향으로 기판을 경사시키는 지지부, 그리고 상기 제1 방향으로 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 설정된 범위로 회전하여 상기 기판으로 식각액을 분사하는 복수의 노즐들을 포함하며, 상기 복수의 노즐들의 단부들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 상기 기판으로부터 서로 다른 거리로 이격된 습식 식각 장치를 제공한다.In addition, one side includes a support for tilting the substrate in a first direction intersecting a horizontal plane, and a plurality of nozzles disposed in the first direction and rotating in a range set along the first direction to spray the etchant to the substrate. and wherein ends of the plurality of nozzles are spaced apart from each other by different distances from the substrate in a second direction perpendicular to the first direction.

상기 복수의 노즐들 중 경사진 상기 기판의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐의 제1 단부는 상기 기판의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐의 제2 단부 대비 상기 기판으로부터 더 작은 거리로 이격될 수 있다.Among the plurality of nozzles, the first end of the first nozzle corresponding to the lower end of the inclined substrate may be spaced apart from the substrate by a smaller distance than the second end of the second nozzle corresponding to the upper end of the substrate. have.

상기 제1 노즐은 상기 제2 노즐 대비 더 길 수 있다.The first nozzle may be longer than the second nozzle.

상기 복수의 노즐들의 단부들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 상기 기판으로부터 순차적으로 멀어지는 거리로 이격될 수 있다.Ends of the plurality of nozzles may be sequentially spaced apart from the substrate from the first nozzle to the second nozzle.

또한, 일 측면은 수평면과 교차하는 제1 방향으로 기판을 경사시키는 지지부, 그리고 상기 제1 방향으로 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 설정된 범위로 회전하여 상기 기판으로 식각액을 분사하는 복수의 노즐들을 포함하며, 상기 복수의 노즐들의 분사량들은 서로 다를 수 있다.In addition, one side includes a support for tilting the substrate in a first direction intersecting a horizontal plane, and a plurality of nozzles disposed in the first direction and rotating in a range set along the first direction to spray the etchant to the substrate. Including, injection amounts of the plurality of nozzles may be different from each other.

상기 복수의 노즐들 중 경사진 상기 기판의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐의 제1 분사량은 상기 기판의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐의 제2 분사량 대비 더 많을 수 있다.A first injection amount of a first nozzle corresponding to a lower end of the inclined substrate among the plurality of nozzles may be greater than a second injection amount of a second nozzle corresponding to an upper end of the substrate.

상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐에 연결된 펌프, 상기 제1 노즐의 상기 제1 분사량을 조절하는 제1 밸브, 및 상기 제2 노즐의 상기 제2 분사량을 조절하는 제2 밸브를 더 포함할 수 있다.It may further include a pump connected to the first nozzle and the second nozzle, a first valve for controlling the first injection amount of the first nozzle, and a second valve for adjusting the second injection amount of the second nozzle have.

상기 복수의 노즐들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 분사량이 상기 제1 분사량으로부터 상기 제2 분사량까지 순차적으로 적어질 수 있다.In the plurality of nozzles, an injection amount from the first nozzle to the second nozzle may be sequentially decreased from the first injection amount to the second injection amount.

일 실시예에 따르면, 기판의 일 부분에 형성되는 구성들에 오버 에치가 발생되는 것이 억제된 습식 식각 장치가 제공된다.According to one embodiment, there is provided a wet etching apparatus in which over-etching is suppressed in components formed on a portion of a substrate.

도 1은 일 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 B 부분을 나타낸 도면이다.
도 4는 비교예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 실험예와 비교예에 따른 액막 두께를 나타낸 표이다.
도 6은 실험예와 비교예를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판에 형성된 배선의 폭을 나타낸 그래프이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a view showing part A of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing part B of FIG. 1 .
4 is a view showing a wet etching apparatus according to a comparative example.
5 is a table showing liquid film thicknesses according to Experimental Examples and Comparative Examples.
6 is a graph showing the width of a wiring formed on a substrate by a wet etching process using Experimental Examples and Comparative Examples.
7 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment.
8 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, various embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art can easily carry out the present invention. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar. In order to clearly express various layers and regions in the drawings, the thicknesses are enlarged. And in the drawings, for convenience of explanation, the thickness of some layers and regions is exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” or “on” another part, it includes not only cases where it is “directly on” another part, but also cases where there is another part in between. . Conversely, when we say that a part is "just above" another part, we mean that there is no other part in the middle. In addition, to be "on" or "on" the reference portion is located above or below the reference portion, and does not necessarily mean to be located "on" or "on" the opposite direction of gravity. .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 일 실시예에 따른 습식 식각 장치를 설명한다.Hereinafter, a wet etching apparatus according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3 .

도 1은 일 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 습식 식각 장치(1000)는 피식각층 및 그 상부에 포토레지스트 패턴 등의 마스크가 형성된 기판(30)을 습식 식각하는 장치일 수 있다.Referring to FIG. 1 , a wet etching apparatus 1000 according to an embodiment may be an apparatus for wet etching a layer to be etched and a substrate 30 having a mask such as a photoresist pattern formed thereon.

습식 식각 장치(1000)는 지지부(100) 및 복수의 노즐들(200)을 포함한다. 지지부(100) 및 복수의 노즐들(200)은 챔버 내부에 위치할 수 있다.The wet etching apparatus 1000 includes a support part 100 and a plurality of nozzles 200 . The support part 100 and the plurality of nozzles 200 may be located inside the chamber.

지지부(100)는 수평면(HP)과 교차하는 제1 방향(X)으로 기판(30)을 경사시킨다. 지지부(100)는 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y) 각각과 수직한 제3 방향(Z)으로 기판(30)을 이송할 수 있다. 지지부(100)는 기판(30)을 경사시켜 이송할 수 있다면, 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다. 일례로, 지지부(100)는 롤러, 슬라이더, 또는 벨트 컨베이어 등의 다양한 구조를 가질 수 있다.The support part 100 inclines the substrate 30 in the first direction X intersecting the horizontal plane HP. The support part 100 may transfer the substrate 30 in a third direction Z perpendicular to each of the first direction X and the second direction Y. The support part 100 may have various well-known structures as long as it can be transferred by tilting the substrate 30 . For example, the support unit 100 may have various structures such as rollers, sliders, or belt conveyors.

복수의 노즐들(200)은 제1 방향(X)으로 서로 이격되어 배치된다. 복수의 노즐들(200)은 제1 방향(X)을 따라 설정된 범위로 회전하여 기판(30)에 식각액(ET)을 분사한다.The plurality of nozzles 200 are disposed to be spaced apart from each other in the first direction (X). The plurality of nozzles 200 rotate in a range set along the first direction X to spray the etchant ET on the substrate 30 .

복수의 노즐들(200)은 복수의 노즐들(200)을 회전시키는 구동부와 연결될 수 있으며, 이 구동부는 구동부를 제어하는 제어부와 연결될 수 있다. 구동부 및 제어부는 복수의 노즐들(200)을 회전시킬 수 있다면 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다. 일례로, 구동부는 축과 기어 등으로 구성된 다양한 구조를 가질 수 있다.The plurality of nozzles 200 may be connected to a driving unit that rotates the plurality of nozzles 200 , and the driving unit may be connected to a control unit that controls the driving unit. The driving unit and the control unit may have various well-known structures as long as they can rotate the plurality of nozzles 200 . For example, the driving unit may have various structures including a shaft and a gear.

복수의 노즐들(200)은 식각액(ET)을 공급하는 탱크와 배관을 통해 연결될 수 있으며, 탱크 및 배관은 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다.The plurality of nozzles 200 may be connected to a tank for supplying the etchant ET through a pipe, and the tank and the pipe may have various well-known structures.

복수의 노즐들(200)의 분사 방향들은 기판(30)에 대한 습식 식각 공정 중 동일한 시간에 서로 다를 수 있다. 여기서, 분사 방향은 복수의 노즐들(200)로부터 분사되는 식각액(ET)이 형성하는 영역의 중앙 방향을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The injection directions of the plurality of nozzles 200 may be different from each other at the same time during the wet etching process for the substrate 30 . Here, the injection direction may mean a central direction of a region formed by the etchant ET injected from the plurality of nozzles 200 , but is not limited thereto.

복수의 노즐들(200)의 분사 방향들은 제1 방향(X)을 따라 서로 다르게 설정된 회전 각도 범위들을 가질 수 있다. 여기서, 회전 각도 범위는 제1 방향(X)과 수직한 제2 방향(Y)을 기준으로 설정된 범위로 회전하는 복수의 노즐들(200)의 분사 방향의 최대 각도와 최소 각도 사이를 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The injection directions of the plurality of nozzles 200 may have rotation angle ranges set differently from each other along the first direction X. Here, the rotation angle range may mean between the maximum angle and the minimum angle in the injection direction of the plurality of nozzles 200 rotating in a range set based on the second direction (Y) perpendicular to the first direction (X). However, the present invention is not limited thereto.

복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들은 제2 방향(Y)을 기준으로 서로 다른 최소 각도들을 가지며, 서로 다른 최대 각도들을 가질 수 있다.The rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 may have different minimum angles and different maximum angles with respect to the second direction Y. Referring to FIG.

복수의 노즐들(200)의 분사 방향들의 회전 각도 범위들의 절대값은 동일할 수 있다. 즉, 복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들은 서로 다르나, 복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들의 양은 서로 동일할 수 있다.Absolute values of the rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles 200 may be the same. That is, although the rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 are different from each other, the amounts of the rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 may be the same.

복수의 노즐들(200) 중 경사진 기판(30)의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐(201)의 분사 방향은 제1 회전 각도 범위(RAR1)를 가진다.The injection direction of the first nozzle 201 corresponding to the lower end of the inclined substrate 30 among the plurality of nozzles 200 has a first rotation angle range RAR1 .

복수의 노즐들(200) 중 경사진 기판(30)의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐(202)의 분사 방향은 제2 회전 각도 범위(RAR2)를 가진다.The injection direction of the second nozzle 202 corresponding to the upper end of the inclined substrate 30 among the plurality of nozzles 200 has a second rotation angle range RAR2 .

도 2는 도 1의 A 부분을 나타낸 도면이다. 도 3은 도 1의 B 부분을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view showing part A of FIG. 1 . FIG. 3 is a view showing part B of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 노즐(201)의 제1 회전 각도 범위(RAR1)는 제2 방향(Y)을 기준으로 제1 최소 각도(MIA1)를 가지며, 제2 방향(Y)을 기준으로 제1 최대 각도(MAA1)를 가질 수 있다.1 to 3 , the first rotation angle range RAR1 of the first nozzle 201 has a first minimum angle MIA1 with respect to the second direction Y, and the second direction Y It may have a first maximum angle MAA1 based on .

여기서, 제1 최소 각도(MIA1)는 -35도 내지 -15도일 수 있으며, 제1 최대 각도(MAA1)는 -10도 내지 10도일 수 있다. 일례로, 제1 최소 각도(MIA1)는 -25도일 수 있으며, 제1 최대 각도(MAA1)는 0도일 수 있으며, 제1 회전 각도 범위(RAR1)는 -25도 내지 0도일 수 있으며, 제1 회전 각도 범위(RAR1)의 절대값은 25도일 수 있다.Here, the first minimum angle MIA1 may be -35 degrees to -15 degrees, and the first maximum angle MAA1 may be -10 degrees to 10 degrees. For example, the first minimum angle MIA1 may be -25 degrees, the first maximum angle MAA1 may be 0 degrees, and the first rotation angle range RAR1 may be -25 degrees to 0 degrees, and the first The absolute value of the rotation angle range RAR1 may be 25 degrees.

제2 노즐(202)의 제2 회전 각도 범위(RAR2)는 제2 방향(Y)을 기준으로 제2 최소 각도(MIA2)를 가지며, 제2 방향(Y)을 기준으로 제2 최대 각도(MAA2)를 가질 수 있다.The second rotation angle range RAR2 of the second nozzle 202 has a second minimum angle MIA2 with respect to the second direction Y, and a second maximum angle MAA2 with respect to the second direction Y. ) can have

여기서, 제2 최소 각도(MIA2)는 -10도 내지 -11도일 수 있으며, 제2 최대 각도(MAA2)는 15도 내지 35도일 수 있다. 일례로, 제2 최소 각도(MIA2)는 1도일 수 있으며, 제2 최대 각도(MAA2)는 26도일 수 있으며, 제2 회전 각도 범위(RAR2)는 1도 내지 26도일 수 있으며, 제2 회전 각도 범위(RAR2)의 절대값은 25도일 수 있다.Here, the second minimum angle MIA2 may be -10 degrees to -11 degrees, and the second maximum angle MAA2 may be 15 degrees to 35 degrees. For example, the second minimum angle MIA2 may be 1 degree, the second maximum angle MAA2 may be 26 degrees, the second rotation angle range RAR2 may be 1 degree to 26 degrees, and the second rotation angle The absolute value of range RAR2 may be 25 degrees.

이와 같이, 제1 노즐(201)의 제1 최소 각도(MIA1)는 제2 노즐(202)의 제2 최소 각도(MIA2) 대비 더 작으며, 제1 노즐(201)의 제1 최대 각도(MAA1)는 제2 노즐(202)의 제2 최대 각도(MAA2) 대비 더 작다.As such, the first minimum angle MIA1 of the first nozzle 201 is smaller than the second minimum angle MIA2 of the second nozzle 202 , and the first maximum angle MAA1 of the first nozzle 201 . ) is smaller than the second maximum angle MAA2 of the second nozzle 202 .

복수의 노즐들(200)은 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 최소 각도가 제1 최소 각도(MIA1)로부터 제2 최소 각도(MIA2)까지 순차적으로 커질 수 있으며, 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 최대 각도가 제1 최대 각도(MAA1)로부터 제2 최대 각도(MAA2)까지 순차적으로 커질 수 있다.In the plurality of nozzles 200 , the minimum angle from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 may increase sequentially from the first minimum angle MIA1 to the second minimum angle MIA2, and the first nozzle The maximum angle from 201 to the second nozzle 202 may increase sequentially from the first maximum angle MAA1 to the second maximum angle MAA2 .

일례로, 복수의 노즐들(200)은 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 최소 각도가 제2 방향(Y)을 기준으로 -25도로부터 1도까지 순차적으로 커질 수 있으며, 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 최대 각도가 제2 방향(Y)을 기준으로 1도로부터 26도까지 순차적으로 커질 수 있다.As an example, in the plurality of nozzles 200, the minimum angle from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 may be sequentially increased from -25 degrees to 1 degree with respect to the second direction Y, The maximum angle from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 may be sequentially increased from 1 degree to 26 degrees with respect to the second direction Y.

복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들은 서로 다르며, 기판(30)의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐(201)로부터 기판(30)의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐(202)까지 최소 각도 및 최대 각도가 순차적으로 커질 수 있다.The rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 are different from each other, and from the first nozzle 201 corresponding to the lower end of the substrate 30 to the second nozzle 202 corresponding to the upper end of the substrate 30 is at least The angle and the maximum angle may increase sequentially.

일례로, 복수의 노즐들(200) 중 제1 노즐(201)의 회전 각도 범위는 제2 방향(Y)을 기준으로 -25도 내지 0도일 수 있으며, 제1 노즐(201)과 이웃하는 일 노즐의 회전 각도 범위는 -23도 내지 2도일 수 있으며, 일 노즐과 이웃하는 타 노즐의 회전 각도 범위는 -21도 내지 4도일 수 있으며, 제2 노즐(202)의 회전 각도 범위는 1도 내지 26도일 수 있다. 복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들의 절대값들은 모두 25도일 수 있다.For example, the rotation angle range of the first nozzle 201 among the plurality of nozzles 200 may be -25 degrees to 0 degrees with respect to the second direction Y, and the first nozzle 201 and the adjacent one. The range of the rotation angle of the nozzle may be -23 degrees to 2 degrees, the rotation angle range of one nozzle and the other nozzle adjacent to it may be -21 degrees to 4 degrees, and the rotation angle range of the second nozzle 202 is 1 degree to It can be 26 degrees. Absolute values of the rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 may all be 25 degrees.

이와 같이, 복수의 노즐들(200)의 회전 각도 범위들이 서로 다르며, 이 서로 다른 회전 각도 범위들의 절대값들이 모두 동일함으로써, 복수의 노즐들(200)의 분사 방향들은 기판(30)에 대한 습식 식각 공정 중 동일한 시간에 서로 다르며, 동일한 시간에 복수의 노즐들(200)의 분사 방향은 제2 방향(Y)을 기준으로 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 순차적으로 커지는 회전 각도를 가진다.As such, the rotation angle ranges of the plurality of nozzles 200 are different from each other, and absolute values of the different rotation angle ranges are all the same, so that the injection directions of the plurality of nozzles 200 are wet to the substrate 30 . Different from each other at the same time during the etching process, the injection direction of the plurality of nozzles 200 at the same time rotates sequentially increasing from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 based on the second direction Y have an angle

이로 인해, 기판(30)에 분사된 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 표면에 형성되는 액막이 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성됨으로써, 습식 식각 장치(1000)를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것이 억제된다.For this reason, the liquid film formed on the surface of the substrate 30 by the etchant ET sprayed onto the substrate 30 is evenly formed over the entire substrate 30 , so that by the wet etching process using the wet etching apparatus 1000 , It is suppressed that over etch is generated in the structure of the wiring etc. which are formed in the board|substrate 30. As shown in FIG.

구체적으로, 지지부(100)가 기판(30)을 수평면(HP)과 교차하는 제1 방향(X)으로 경사시킴으로써, 복수의 노즐들(200)로부터 기판(30)으로 분사된 식각액(ET)이 중력에 따라 기판(30)의 상측 단부로부터 기판(30)의 하측 단부로 흘러 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워질 수 있다. Specifically, the support 100 tilts the substrate 30 in the first direction X intersecting the horizontal plane HP, so that the etchant ET sprayed from the plurality of nozzles 200 to the substrate 30 is The thickness of the liquid film formed on the lower end of the substrate 30 flowing from the upper end of the substrate 30 to the lower end of the substrate 30 according to gravity is excessive compared to the thickness of the liquid film formed on other parts of the substrate 30 . can be thickened.

그러나, 일 실시예에 따른 습식 식각 장치(1000)는, 지지부(100)에 의해 기판(30)이 수평면(HP)에 대해 경사지더라도, 복수의 노즐들(200)의 분사 방향들이 기판(30)에 대한 습식 식각 공정 중 동일한 시간에 서로 다르며, 동일한 시간에 복수의 노즐들(200)의 분사 방향이 제2 방향(Y)을 기준으로 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 순차적으로 커지는 회전 각도를 가짐으로써, 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워지는 것이 억제된다.However, in the wet etching apparatus 1000 according to an embodiment, even if the substrate 30 is inclined with respect to the horizontal plane HP by the support part 100 , the jetting directions of the plurality of nozzles 200 are the substrate 30 . is different from each other at the same time during the wet etching process for By having a rotation angle that increases as , the thickness of the liquid film formed on the lower end of the substrate 30 by the etchant ET is excessively thick compared to the thickness of the liquid film formed on other parts of the substrate 30 is suppressed.

즉, 일 실시예에 따른 습식 식각 장치(1000)는 기판(30)에 식각액(ET)을 분사하여 기판(30)의 표면에 형성되는 액막을 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성함으로써, 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것을 억제한다.That is, in the wet etching apparatus 1000 according to an embodiment, the liquid film formed on the surface of the substrate 30 is evenly formed over the entire substrate 30 by spraying the etchant ET on the substrate 30 , so that the wet etching is performed. It suppresses generation of an over etch in the configuration of the wiring formed on the substrate 30 by the process.

이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 상술한 일 실시예에 따른 습식 식각 장치의 효과를 확인한 실험예를 설명한다.Hereinafter, an experimental example confirming the effect of the wet etching apparatus according to the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 6 .

도 4는 비교예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a wet etching apparatus according to a comparative example.

도 4를 참조하면, 비교예에 따른 습식 식각 장치(10)는 기판(30)을 경사시켜 이송하는 지지부(11) 및 복수의 노즐들(12)을 포함한다.Referring to FIG. 4 , the wet etching apparatus 10 according to the comparative example includes a support 11 and a plurality of nozzles 12 for transferring the substrate 30 by tilting it.

복수의 노즐들(12)은 식각액(ET)의 분사 방향들이 제1 방향(X)을 따라 서로 동일한 회전 각도 범위들을 가진다. 여기서, 복수의 노즐들(12)의 회전 각도 범위들은 제2 방향(Y)을 기준으로 0도 내지 25도일 수 있다.The plurality of nozzles 12 have the same rotation angle ranges in which the injection directions of the etchant ET are the same in the first direction X. Here, the rotation angle ranges of the plurality of nozzles 12 may be 0 degrees to 25 degrees with respect to the second direction Y.

이러한 비교예에 따른 습식 식각 장치(10)와 대비하여 실험예에 따른 습식 식각 장치는 복수의 노즐들 중 기판(30)의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐의 회전 각도 범위는 제2 방향(Y)을 기준으로 -25도 내지 0도일 수 있으며, 제1 노즐과 이웃하는 일 노즐의 회전 각도 범위는 -23도 내지 2도일 수 있으며, 일 노즐과 이웃하는 타 노즐의 회전 각도 범위는 -21도 내지 4도일 수 있으며, 기판(30)의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐의 회전 각도 범위는 1도 내지 26도일 수 있다. 복수의 노즐들의 회전 각도 범위들은 제1 노즐로부터 제2 노즐까지 최소 각도가 제2 방향(Y)을 기준으로 -25도로부터 1도까지 순차적으로 커지며, 제1 노즐로부터 제2 노즐까지 최대 각도가 제2 방향(Y)을 기준으로 1도로부터 26도까지 순차적으로 커진다.In contrast to the wet etching apparatus 10 according to the comparative example, in the wet etching apparatus according to the experimental example, the rotation angle range of the first nozzle corresponding to the lower end of the substrate 30 among the plurality of nozzles is in the second direction (Y ) based on -25 degrees to 0 degrees, the rotation angle range of the first nozzle and one neighboring nozzle may be -23 degrees to 2 degrees, and the rotation angle range of one nozzle and the other neighboring nozzle is -21 degrees The range of the rotation angle of the second nozzle corresponding to the upper end of the substrate 30 may be 1 degree to 26 degrees. In the rotation angle ranges of the plurality of nozzles, the minimum angle from the first nozzle to the second nozzle sequentially increases from -25 degrees to 1 degree with respect to the second direction (Y), and the maximum angle from the first nozzle to the second nozzle is It increases sequentially from 1 degree to 26 degrees with respect to the second direction Y.

이러한 실험예와 비교예에 따라 기판(30)의 표면에 형성된 액막 두께를 확인하였다.According to these experimental examples and comparative examples, the thickness of the liquid film formed on the surface of the substrate 30 was confirmed.

도 5는 실험예와 비교예에 따른 액막 두께를 나타낸 표이다.5 is a table showing liquid film thicknesses according to Experimental Examples and Comparative Examples.

도 5를 참조하면, 비교예에서는 기판의 표면에 형성된 최대 액막 두께(Max)가 63.5㎛이고, 최소 액막 두께(Min)가 34.6㎛이며, 평균 액막 두께(Avg)가 51.6㎛인 반면, 실험예에서는 기판의 표면에 형성된 최대 액막 두께(Max)가 41.6㎛이고, 최소 액막 두께(Min)가 23.2㎛이며, 평균 액막 두께(Avg)가 34.4㎛인 것을 확인하였다.Referring to FIG. 5 , in the comparative example, the maximum liquid film thickness (Max) formed on the surface of the substrate was 63.5 µm, the minimum liquid film thickness (Min) was 34.6 µm, and the average liquid film thickness (Avg) was 51.6 µm, whereas the experimental example It was confirmed that the maximum liquid film thickness (Max) formed on the surface of the substrate was 41.6 µm, the minimum liquid film thickness (Min) was 23.2 µm, and the average liquid film thickness (Avg) was 34.4 µm.

즉, 실험예는 비교예와 대비하여 식각액에 의해 기판의 하측 단부에 형성되는 최대 액막 두께가 기판의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워지는 것을 억제하는 것을 확인하였다.That is, it was confirmed that the Experimental Example suppressed excessive thickening of the maximum liquid film thickness formed on the lower end of the substrate by the etchant compared to the thickness of the liquid film formed on other portions of the substrate as compared to the Comparative Example.

또한, 실험예와 비교예를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판에 형성된 배선의 폭을 확인하였다.In addition, the width of the wiring formed on the substrate by the wet etching process using the Experimental Example and the Comparative Example was confirmed.

도 6은 실험예와 비교예를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판에 형성된 배선의 폭을 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing the width of a wiring formed on a substrate by a wet etching process using Experimental Examples and Comparative Examples.

도 6을 참조하면, 실험예를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판에 형성된 배선의 폭을 120번(Count) 확인하였고, 비교예를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판에 형성된 배선을 폭을 120번 확인하였다.Referring to FIG. 6 , the width of the wiring formed on the substrate by the wet etching process using the experimental example was checked 120 times, and the width of the wiring formed on the substrate by the wet etching process using the comparative example was checked 120 times. .

실험예에 의해 기판에 형성된 배선의 평균폭(Avg)은 4.73㎛이고 표준편차(StdDev)는 0.301인 반면, 비교예에 의해 기판에 형성된 배선의 평균폭은 4.59um이고 표준편차는 0.398인 것을 확인하였다.It was confirmed that the average width (Avg) of the wires formed on the board by the experimental example was 4.73 μm and the standard deviation (StdDev) was 0.301, while the average width of the wires formed on the board by the comparative example was 4.59 μm and the standard deviation was 0.398. did.

즉, 실험예는 비교예와 대비하여 기판에 형성된 배선에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것을 억제하는 것을 확인하였다.That is, it was confirmed that the Experimental Example suppressed the occurrence of an over-etch in the wiring formed on the substrate compared to the Comparative Example.

이하, 도 7을 참조하여 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 설명한다.Hereinafter, a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 7 .

이하에서는 상술한 일 실시예에 따른 습식 식각 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, parts different from the wet etching apparatus according to the above-described embodiment will be described.

도 7은 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1002)는 지지부(100) 및 복수의 노즐들(200)을 포함한다.Referring to FIG. 7 , a wet etching apparatus 1002 according to another embodiment includes a support part 100 and a plurality of nozzles 200 .

복수의 노즐들(200)의 단부들은 제2 방향(Y)으로 기판(30)으로부터 서로 다른 거리로 이격된다.Ends of the plurality of nozzles 200 are spaced apart from each other at different distances from the substrate 30 in the second direction Y.

복수의 노즐들(200) 중 경사진 기판(30)의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐(201)의 제1 단부는 경사진 기판(30)의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐(202)의 제2 단부 대비 기판(30)으로부터 더 작은 거리로 이격된다. 복수의 노즐들(200)의 단부들은 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 기판(30)으로부터 순차적으로 멀어지는 거리로 이격된다.Among the plurality of nozzles 200 , the first end of the first nozzle 201 corresponding to the lower end of the inclined substrate 30 is the second nozzle 202 corresponding to the upper end of the inclined substrate 30 . It is spaced apart a smaller distance from the substrate 30 compared to the second end. Ends of the plurality of nozzles 200 are spaced apart from the substrate 30 by a distance sequentially from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 .

제1 노즐(201)은 제2 노즐(202) 대비 더 길다. 복수의 노즐들(200)은 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 순차적으로 짧게 형성된다.The first nozzle 201 is longer than the second nozzle 202 . The plurality of nozzles 200 are sequentially short from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 .

이와 같이, 복수의 노즐들(200)의 단부들이 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 기판(30)으로부터 순차적으로 멀어지는 거리로 이격됨으로써, 기판(30)에 분사된 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 표면에 형성되는 액막이 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성되기 때문에, 습식 식각 장치(1002)를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것이 억제된다.In this way, the ends of the plurality of nozzles 200 are spaced apart from the substrate 30 by a distance sequentially from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 , so that the etchant ET sprayed onto the substrate 30 . ), since the liquid film formed on the surface of the substrate 30 is evenly formed over the entire substrate 30, the wiring formed on the substrate 30 by the wet etching process using the wet etching apparatus 1002, etc. An over etch is suppressed from occurring.

구체적으로, 지지부(100)가 기판(30)을 수평면(HP)과 교차하는 제1 방향(X)으로 경사시킴으로써, 복수의 노즐들(200)로부터 기판(30)으로 분사된 식각액(ET)이 중력에 따라 기판(30)의 상측 단부로부터 기판(30)의 하측 단부로 흘러 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워질 수 있다. Specifically, the support 100 tilts the substrate 30 in the first direction X intersecting the horizontal plane HP, so that the etchant ET sprayed from the plurality of nozzles 200 to the substrate 30 is The thickness of the liquid film formed on the lower end of the substrate 30 flowing from the upper end of the substrate 30 to the lower end of the substrate 30 according to gravity is excessive compared to the thickness of the liquid film formed on other parts of the substrate 30 . can be thickened.

그러나, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1002)는, 지지부(100)에 의해 기판(30)이 수평면(HP)에 대해 경사지더라도, 복수의 노즐들(200)의 단부들이 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 순차적으로 기판(30)으로부터 멀어짐으로써, 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워지는 것이 억제된다.However, in the wet etching apparatus 1002 according to another embodiment, even if the substrate 30 is inclined with respect to the horizontal plane HP by the support part 100 , the ends of the plurality of nozzles 200 are formed by the first nozzle 201 . ) to the second nozzle 202 sequentially away from the substrate 30 , so that the thickness of the liquid film formed on the lower end of the substrate 30 by the etchant ET is the liquid film formed on the other part of the substrate 30 . It is suppressed from becoming excessively thick compared to the thickness of

즉, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1002)는 기판(30)에 식각액(ET)을 분사하여 기판(30)의 표면에 형성되는 액막을 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성함으로써, 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것을 억제한다.That is, in the wet etching apparatus 1002 according to another embodiment, the liquid film formed on the surface of the substrate 30 is uniformly formed over the entire substrate 30 by spraying the etchant ET onto the substrate 30 , It suppresses generation of an over etch in the configuration of the wiring formed on the substrate 30 by the process.

이하, 도 8을 참조하여 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 설명한다.Hereinafter, a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 8 .

이하에서는, 상술한 일 실시예에 따른 습식 식각 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.Hereinafter, parts different from the wet etching apparatus according to the above-described exemplary embodiment will be described.

도 8은 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치를 나타낸 도면이다.8 is a diagram illustrating a wet etching apparatus according to another exemplary embodiment.

도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1003)는 지지부(100), 복수의 노즐들(200), 탱크(300), 펌프(400), 복수의 밸브들(500)을 포함한다.Referring to FIG. 8 , a wet etching apparatus 1003 according to another embodiment includes a support part 100 , a plurality of nozzles 200 , a tank 300 , a pump 400 , and a plurality of valves 500 . do.

탱크(300)는 복수의 노즐들(200)로 식각액(ET)을 공급하며, 펌프(400)는 탱크(300)로부터 복수의 노즐들(200)로 공급되는 식각액(ET)의 유량을 향상시킨다.The tank 300 supplies the etchant ET to the plurality of nozzles 200 , and the pump 400 improves the flow rate of the etchant ET supplied from the tank 300 to the plurality of nozzles 200 . .

복수의 밸브들(500) 각각은 복수의 노즐들(200) 각각의 분사량을 조절한다.Each of the plurality of valves 500 adjusts the injection amount of each of the plurality of nozzles 200 .

복수의 노즐들(200)의 식각액(ET)의 분사량들은 서로 다르다.The injection amounts of the etchant ET of the plurality of nozzles 200 are different from each other.

복수의 노즐들(200) 중 경사진 기판(30)의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐(201)의 제1 분사량은 경사진 기판(30)의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐(202)의 제2 분사량 대비 더 많다. 복수의 노즐들(200)은 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 분사량이 제1 분사량으로부터 제2 분사량까지 순차적으로 적어진다.The first injection amount of the first nozzle 201 corresponding to the lower end of the inclined substrate 30 among the plurality of nozzles 200 is the amount of the second nozzle 202 corresponding to the upper end of the inclined substrate 30 . It is larger than the second injection amount. In the plurality of nozzles 200 , the injection amount from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 is sequentially decreased from the first injection amount to the second injection amount.

펌프(400)는 제1 노즐(201) 및 제2 노즐(202)을 포함하는 복수의 노즐들(200)과 연결되며, 복수의 밸브들(500)은 제1 노즐(201)의 제1 분사량을 조절하는 제1 밸브(501) 및 제2 노즐(202)의 제2 분사량을 조절하는 제2 밸브(502)를 포함한다.The pump 400 is connected to the plurality of nozzles 200 including the first nozzle 201 and the second nozzle 202 , and the plurality of valves 500 determines the first injection amount of the first nozzle 201 . It includes a first valve 501 for controlling the second valve 502 for adjusting the second injection amount of the second nozzle (202).

이와 같이, 복수의 노즐들(200)이 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 분사량이 순차적으로 적어짐으로써, 기판(30)에 분사된 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 표면에 형성되는 액막이 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성되기 때문에, 습식 식각 장치(1003)를 이용한 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것이 억제된다.In this way, as the injection amount of the plurality of nozzles 200 from the first nozzle 201 to the second nozzle 202 is sequentially decreased, Since the liquid film formed on the surface is evenly formed over the entire substrate 30 , an over etch occurs in the configuration of the wiring formed on the substrate 30 by the wet etching process using the wet etching apparatus 1003 . being suppressed

구체적으로, 지지부(100)가 기판(30)을 수평면(HP)과 교차하는 제1 방향(X)으로 경사시킴으로써, 복수의 노즐들(200)로부터 기판(30)으로 분사된 식각액(ET)이 중력에 따라 기판(30)의 상측 단부로부터 기판(30)의 하측 단부로 흘러 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워질 수 있다. Specifically, the support 100 tilts the substrate 30 in the first direction X intersecting the horizontal plane HP, so that the etchant ET sprayed from the plurality of nozzles 200 to the substrate 30 is The thickness of the liquid film formed on the lower end of the substrate 30 flowing from the upper end of the substrate 30 to the lower end of the substrate 30 according to gravity is excessive compared to the thickness of the liquid film formed on other parts of the substrate 30 . can be thickened.

그러나, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1003)는, 지지부(100)에 의해 기판(30)이 수평면(HP)에 대해 경사지더라도, 복수의 노즐들(200)이 제1 노즐(201)로부터 제2 노즐(202)까지 분사량이 순차적으로 적어짐으로써, 식각액(ET)에 의해 기판(30)의 하측 단부에 형성되는 액막의 두께가 기판(30)의 다른 부분에 형성되는 액막의 두께 대비 과도하게 두꺼워지는 것이 억제된다.However, in the wet etching apparatus 1003 according to another embodiment, even if the substrate 30 is inclined with respect to the horizontal plane HP by the support part 100 , the plurality of nozzles 200 are separated from the first nozzle 201 . Since the injection amount to the second nozzle 202 is sequentially decreased, the thickness of the liquid film formed at the lower end of the substrate 30 by the etchant ET is excessive compared to the thickness of the liquid film formed in other parts of the substrate 30 . Thickening is suppressed.

즉, 다른 실시예에 따른 습식 식각 장치(1003)는 기판(30)에 식각액(ET)을 분사하여 기판(30)의 표면에 형성되는 액막을 기판(30) 전체에 걸쳐서 고르게 형성함으로써, 습식 식각 공정에 의해 기판(30)에 형성되는 배선 등의 구성에 오버 에치(over etch)가 발생되는 것을 억제한다.That is, in the wet etching apparatus 1003 according to another embodiment, the liquid film formed on the surface of the substrate 30 is uniformly formed over the entire substrate 30 by spraying the etchant ET on the substrate 30 , so that wet etching is performed. It suppresses generation of an over etch in the configuration of the wiring formed on the substrate 30 by the process.

본 이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the

수평면(HP), 기판(30), 지지부(100), 식각액(ET), 노즐들(200)Horizontal plane (HP), substrate (30), support (100), etchant (ET), nozzles (200)

Claims (18)

수평면과 교차하는 제1 방향으로 기판을 경사시키는 지지부; 그리고
상기 제1 방향으로 배치되며, 상기 제1 방향을 따라 설정된 범위로 회전하여 상기 기판으로 식각액을 분사하는 복수의 노즐들
을 포함하며,
동일한 시간에 상기 복수의 노즐들의 분사 방향들은 서로 다르며,
상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들은 상기 제1 방향을 따라 서로 다르게 설정된 회전 각도 범위들을 가지는 습식 식각 장치.a support for tilting the substrate in a first direction intersecting the horizontal plane; and
a plurality of nozzles disposed in the first direction and rotating in a range set along the first direction to spray the etchant to the substrate
includes,
The injection directions of the plurality of nozzles at the same time are different from each other,
The spraying directions of the plurality of nozzles have different rotation angle ranges in the first direction. 삭제delete 제1항에서,
상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들의 절대값들은 동일한 습식 식각 장치.In claim 1,
The absolute values of the rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles are the same. 제1항에서,
상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 기준으로 서로 다른 최소 각도들을 가지는 습식 식각 장치.In claim 1,
The rotation angle ranges of the jetting directions of the plurality of nozzles have different minimum angles with respect to a second direction perpendicular to the first direction. 제4항에서,
상기 복수의 노즐들의 상기 분사 방향들의 상기 회전 각도 범위들은 상기 제2 방향을 기준으로 서로 다른 최대 각도들을 가지는 습식 식각 장치.In claim 4,
The rotation angle ranges of the injection directions of the plurality of nozzles have different maximum angles with respect to the second direction. 제5항에서,
상기 복수의 노즐들 중 경사진 상기 기판의 하측 단부와 대응하는 제1 노즐의 제1 최소 각도는 상기 기판의 상측 단부와 대응하는 제2 노즐의 제2 최소 각도 대비 더 작은 습식 식각 장치.In claim 5,
A first minimum angle of a first nozzle corresponding to an inclined lower end of the substrate among the plurality of nozzles is smaller than a second minimum angle of a second nozzle corresponding to an upper end of the substrate. 제6항에서,
상기 복수의 노즐들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 최소 각도가 상기 제1 최소 각도로부터 상기 제2 최소 각도까지 순차적으로 커지는 습식 식각 장치.In claim 6,
In the plurality of nozzles, a minimum angle from the first nozzle to the second nozzle is sequentially increased from the first minimum angle to the second minimum angle. 제6항에서,
상기 제1 노즐의 제1 최대 각도는 상기 제2 노즐의 제2 최대 각도 대비 더 작은 습식 식각 장치.In claim 6,
The first maximum angle of the first nozzle is smaller than the second maximum angle of the second nozzle. 제8항에서,
상기 복수의 노즐들은 상기 제1 노즐로부터 상기 제2 노즐까지 최대 각도가 상기 제1 최대 각도로부터 상기 제2 최대 각도까지 순차적으로 커지는 습식 식각 장치.In claim 8,
In the plurality of nozzles, a maximum angle from the first nozzle to the second nozzle is sequentially increased from the first maximum angle to the second maximum angle. 제1항에서,
상기 지지부는 상기 제1 방향과 수직한 제3 방향으로 상기 기판을 이송하는 습식 식각 장치.In claim 1,
The support part is a wet etching apparatus for transferring the substrate in a third direction perpendicular to the first direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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