KR102431078B1 - Solar cell panel and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 복수의 태양 전지; 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 상기 복수의 태양 전지 및 상기 인터커넥터를 밀봉하는 밀봉재; 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재; 및 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재를 포함하고, 상기 밀봉재에 인접한 상기 인터커넥터의 표면 부분에 산 억제 물질이 구비된다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells; an interconnector electrically connecting the plurality of solar cells; a sealing material sealing the plurality of solar cells and the interconnector; a first cover member positioned on one surface of the solar cell on the sealing material; and a second cover member positioned on the other surface of the solar cell on the sealing material, wherein an acid inhibiting material is provided on a surface portion of the interconnector adjacent to the sealing material.

Description

태양 전지 패널 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Solar cell panel and manufacturing method thereof

본 발명은 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 구조 및 공정을 개선한 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell panel and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a solar cell panel with improved structure and process, and a method for manufacturing the same.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. 태양 전지는 다양한 층 및 전극을 설계에 따라 형성하는 것에 의하여 제조될 수 있다. 이러한 다양한 층 및 전극의 설계에 따라 태양 전지 효율이 결정될 수 있다.Recently, as existing energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing. Among them, a solar cell is spotlighted as a next-generation battery that converts solar energy into electrical energy. Solar cells can be manufactured by forming various layers and electrodes according to design. The design of these various layers and electrodes can determine the solar cell efficiency.

태양 전지는 외부 환경에 장기간 노출되어야 하므로, 태양 전지를 보호하기 위한 패키징(packaging) 공정에 의하여 태양 전지 패널의 형태로 제조된다. 태양 전지 패널은 다양한 환경에서 장기간 동안 발전을 하여야 하므로 장기 신뢰성이 크게 요구된다. 고온 다습한 환경에서는 원하지 않게 태양 전지 패널의 특성이 변화되어 출력이 저감될 수 있다. Since the solar cell has to be exposed to the external environment for a long time, it is manufactured in the form of a solar cell panel by a packaging process for protecting the solar cell. Since solar panels have to generate electricity for a long period of time in various environments, long-term reliability is greatly required. In a high-temperature and high-humidity environment, characteristics of a solar cell panel may be undesirably changed, and thus output may be reduced.

본 발명은 장기 신뢰성을 향상할 수 있으며 단순한 제조 공정에 의하여 제조될 수 있는 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a solar cell panel that can improve long-term reliability and can be manufactured by a simple manufacturing process and a manufacturing method thereof.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널은, 복수의 태양 전지; 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 상기 복수의 태양 전지 및 상기 인터커넥터를 밀봉하는 밀봉재; 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재; 및 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재를 포함하고, 상기 밀봉재에 인접한 상기 인터커넥터의 표면 부분에 산 억제 물질이 구비된다. A solar cell panel according to an embodiment of the present invention includes a plurality of solar cells; an interconnector electrically connecting the plurality of solar cells; a sealing material sealing the plurality of solar cells and the interconnector; a first cover member positioned on one surface of the solar cell on the sealing material; and a second cover member positioned on the other surface of the solar cell on the sealing material, wherein an acid inhibiting material is provided on a surface portion of the interconnector adjacent to the sealing material.

본 밤령의 실시예에 따른 태양 전지 패널의 제조 방법은, 광전 변환부 및 전극을 포함하는 복수의 태양 전지를 준비하는 단계; 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 인터커넥터의 표면 위에 산 억제 물질을 위치시키는 단계; 상기 산 억제 물질이 위치한 상기 인터커넥터를 이용하여 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 태양 전지 및 상기 인터커넥터와, 상기 태양 전지 및 상기 인터커넥터를 밀봉하는 밀봉재와, 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재와, 상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재를 적층하여 부착하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a solar cell panel according to an embodiment of the present night may include: preparing a plurality of solar cells including a photoelectric conversion unit and an electrode; disposing an acid inhibiting material over a surface of an interconnector electrically connecting the plurality of solar cells; electrically connecting the plurality of solar cells using the interconnector on which the acid suppression material is located; and a sealing material sealing the solar cell and the interconnector, the solar cell and the interconnector, a first cover member located on one surface of the solar cell on the sealing material, and the other surface of the solar cell on the sealing material. and stacking and attaching a second cover member.

본 실시예에 따르면, 밀봉재에 인접한 인터커넥터의 표면 부분에 산 억제 물질이 위치하여 수분 침투에 따른 전극의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 이와 같이 인터커넥터의 표면 위에 산 억제 물질을 위치시키면, 간단한 공정으로 산 억제 물질을 밀봉재에 인접하는 전극(특히, 버스바 전극)의 주변부에 형성할 수 있다. 이에 의하여 고온 다습한 환경에서 발생할 수 있는 출력 저하 현상을 방지 또는 최소화할 수 있으며, 이에 따라 태양 전지 패널의 장기 신뢰성을 향상할 수 있다. According to the present embodiment, since the acid inhibiting material is positioned on the surface portion of the interconnector adjacent to the sealing material, it is possible to effectively prevent corrosion of the electrode due to penetration of moisture. By placing the acid-suppressing material on the surface of the interconnector in this way, the acid-suppressing material can be formed on the periphery of the electrode (especially the busbar electrode) adjacent to the sealing material in a simple process. As a result, it is possible to prevent or minimize a decrease in output that may occur in a high-temperature and high-humidity environment, thereby improving the long-term reliability of the solar cell panel.

또한, 간단한 공정에 의하여 산성 물질에 의한 전극의 부식 등을 방지하여 출력 저하를 감소 또는 방지할 수 있는 태양 전지 패널을 제조할 수 있다. In addition, it is possible to manufacture a solar cell panel capable of reducing or preventing a decrease in output by preventing corrosion of an electrode by an acidic material by a simple process.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 개략적인 단면도이다.
도 3는 도 1의 III-III 선에 따른 태양 전지 패널의 일부를 확대하여 도시한 개략적인 부분 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널에 포함된 태양 전지의 전면 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다.
도 6는 본 발명의 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시한 태양 전지 패널에 포함된 태양 전지의 전면 평면도이다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 제조 방법에서 산 억제 물질을 인터커넥터 위에 위치시키는 공정을 도시한 단면도이다.
도 12는 실시예 1 및 비교예 1에 따른 태양 전지 패널에서 최초 출력에 대비한 상대적인 출력 저하 값을 나타낸 그래프이다.
1 is a perspective view illustrating a solar cell panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 .
FIG. 3 is a schematic partial cross-sectional view illustrating an enlarged part of a solar cell panel taken along line III-III of FIG. 1 .
4 is a front plan view of a solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 1 .
5 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to a modification of the present invention.
6 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to another modified example of the present invention.
7 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to another modified example of the present invention.
8 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to still another modified example of the present invention.
9 is a front plan view of a solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 8 .
10A to 10D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell panel according to an embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a process of placing an acid inhibiting material on an interconnector in a method of manufacturing a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.
12 is a graph showing a relative output degradation value compared to an initial output in the solar cell panel according to Example 1 and Comparative Example 1. FIG.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments and may be modified in various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, in order to clearly and briefly describe the present invention, the illustration of parts irrelevant to the description is omitted, and the same reference numerals are used for the same or extremely similar parts throughout the specification. In addition, in the drawings, the thickness, width, etc. are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to the bars shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. 그리고 "제1", "제2" 등의 용어는 서로 간의 구별을 위하여 사용할 뿐 본 발명이 "제1", "제2"의 용어에 한정되지 않는다. And, when a certain part "includes" another part throughout the specification, other parts are not excluded unless otherwise stated, and other parts may be further included. In addition, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "directly on" but also the case where another part is located in the middle. When a part, such as a layer, film, region, plate, etc., is "directly above" another part, it means that no other part is located in the middle. In addition, terms such as “first” and “second” are used to distinguish each other, and the present invention is not limited to the terms “first” and “second”.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법을 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell panel and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 개략적인 단면도이다. 간략한 도시를 위하여 도 1에는 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)을 도시하지 않았다. 1 is a perspective view illustrating a solar cell panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 . The acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 is not shown in FIG. 1 for simplicity of illustration.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)은, 복수의 태양 전지(10)와, 복수의 태양 전지(10)를 전기적으로 연결하는 인터커넥터(142), 복수의 태양 전지(10) 및 인터커넥터(142)를 둘러싸서 밀봉하는 밀봉재(130)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(10)의 일면(일 예로, 전면)에 위치하는 제1 커버 부재(또는 전면 부재)(110)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(10)의 타면(일 예로, 후면)에 위치하는 제2 커버 부재(또는 후면 부재)(120)를 포함하고, 밀봉재(130)에 인접한 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 구비된다. 1 and 2 , a solar cell panel 100 according to the present embodiment includes a plurality of solar cells 10 , an interconnector 142 electrically connecting the plurality of solar cells 10 , and a plurality of solar cells 10 . A sealing material 130 surrounding and sealing the solar cell 10 and the interconnector 142 of front member) 110 , and a second cover member (or rear member) 120 positioned on the other surface (eg, a rear surface) of the solar cell 10 on the sealing material 130 , and the sealing material 130 is disposed on the sealing material 130 . An acid inhibiting material 152 is provided on the surface portion of the adjacent interconnector 142 .

이때, 태양 전지(10)는 광의 입사에 의하여 전자 및 정공이 생성되는 광전 변환부와, 광전 변환부에 전기적으로 연결되어 생성된 전자 및 정공을 수집하는 전극(도 3의 참조부호 42, 44, 이하 동일)을 포함할 수 있다. 광전 변환부 및 전극(42, 44)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 패널(100)에 적용될 수 있는 태양 전지(10)의 일 예를 추후에 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명한다. At this time, the solar cell 10 includes a photoelectric conversion unit generating electrons and holes by the incident of light, and electrodes (reference numerals 42, 44, hereinafter the same) may be included. The photoelectric conversion unit and the electrodes 42 and 44 may have various structures. An example of the solar cell 10 applicable to the solar cell panel 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail later with reference to FIGS. 3 and 4 .

제1 커버 부재(110)는 제1 밀봉재(131) 상에 위치하여 태양 전지 패널(100)의 전면을 구성하고, 제2 커버 부재(120)는 제2 밀봉재(132) 상에 위치하여 태양 전지 패널(100)의 후면을 구성한다. 제1 커버 부재(110) 및 제2 커버 부재(120)는 각기 외부의 충격, 습기, 자외선 등으로부터 태양 전지(10)를 보호할 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. The first cover member 110 is positioned on the first encapsulant 131 to configure the front surface of the solar cell panel 100 , and the second cover member 120 is positioned on the second encapsulant 132 to form the solar cell. constituting the rear surface of the panel 100 . Each of the first cover member 110 and the second cover member 120 may be made of an insulating material capable of protecting the solar cell 10 from external impact, moisture, ultraviolet rays, and the like.

예를 들어, 제1 커버 부재(110)는 우수한 내구성, 절연 특성, 방습성, 광 투과성 등을 가지는 유리 기판일 수 있다. 제2 커버 부재(120)는 필름 또는 시트 등의 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 커버 부재(120)가 수지를 포함하는 복수의 층을 구비하여 다양한 특성을 향상할 수 있다. 일 예로, 제2 커버 부재(120)가, 베이스 부재와, 베이스 부재의 적어도 일면에 형성되는 수지층을 포함할 수 있다. 수지층은 밀봉재(130)에 인접하는 제1 수지층을 포함하고, 제1 수지층의 반대면에 위치하는 제2 수지층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재는 폴리아미드계 물질 또는 폴리에스테르계 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 베이스 물질이라 함은 각 층 내에서 가장 많은 중량%로 포함된 물질을 의미한다. 이때, 폴리에스테르계 물질로 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephtalate, PET)를 포함할 수 있다. 제1 수지층은 불소계 고분자(fluoro polymer) 또는 폴리올레핀계 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 제2 수지층은 불소계 고분자, 폴리올레핀계 물질, 폴리아미드계 물질을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 불소계 고분자로는 폴리불화비닐(poly vinly fluoride, PVF), 폴리불화비닐리덴(poly vinylidene fluoride, PVDF), 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ethylene tetrafluoroethylene, ETFE) 등을 포함할 수 있다. 불소계 고분자는 가수 분해의 우려가 있는 결합을 가지고 있지 않기 때문에 내후성, 내약품성 등이 우수하다. 폴리올레핀계 물질로는 에틸렌초산비닐(EVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등을 들 수 있다. 일 예로, 제1 수지층은 비용이 상대적으로 저렴한 폴리올레핀계 물질을 포함하고, 제2 수지층은 내환경성이 우수한 불소계 고분자를 포함할 수 있다. For example, the first cover member 110 may be a glass substrate having excellent durability, insulating properties, moisture resistance, light transmittance, and the like. The second cover member 120 may have a form such as a film or a sheet. For example, the second cover member 120 may include a plurality of layers including a resin to improve various properties. For example, the second cover member 120 may include a base member and a resin layer formed on at least one surface of the base member. The resin layer may include a first resin layer adjacent to the sealing material 130 , and may further include a second resin layer positioned on an opposite surface of the first resin layer. For example, the base member may include a polyamide-based material or a polyester-based material as the base material. In the present specification, the term "base material" refers to a material included in the largest percentage by weight in each layer. In this case, the polyester-based material may include polyethylene terephthalate (PET). The first resin layer may include a fluoropolymer or a polyolefin-based material as a base material. The second resin layer may include a fluorine-based polymer, a polyolefin-based material, or a polyamide-based material as a base material. The fluorine-based polymer may include polyvinyl fluoride (PVF), polyvinylidene fluoride (PVDF), ethylene tetrafluoroethylene (ETFE), and the like. Since the fluorine-based polymer does not have a bond with a risk of hydrolysis, it has excellent weather resistance and chemical resistance. Examples of the polyolefin-based material include ethylene vinyl acetate (EVA), polyethylene (PE), and polypropylene (PP). For example, the first resin layer may include a relatively inexpensive polyolefin-based material, and the second resin layer may include a fluorine-based polymer having excellent environmental resistance.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 커버 부재(110), 또는 제2 커버 부재(120)가 상술한 설명 이외의 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 커버 부재(110) 또는 제2 커버 부재(120)가 다양한 형태(예를 들어, 기판, 필름, 시트 등) 또는 물질을 가지거나, 제2 커버 부재(120)가 비투광성 물질 또는 반사 물질 등으로 구성될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first cover member 110 or the second cover member 120 may include various materials other than those described above and may have various shapes. For example, the first cover member 110 or the second cover member 120 may have various shapes (eg, a substrate, a film, a sheet, etc.) or materials, or the second cover member 120 may be non-transmissive. It may be composed of a material or a reflective material or the like.

본 실시예에서는 복수 개의 태양 전지(10)가 인터커넥터(142) 및/또는 버스 리본(145)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 인커커넥터(142) 및/또는 버스 리본(145)으로는 리본, 와이어 등 태양 전지(10)를 연결할 수 있는 다양한 구조, 형상이 적용될 수 있다. 이때, 인터커넥터(142)는 금속 등으로 구성된 코어층(도 7의 참조부호 142a, 이하 동일)과 솔더 물질로 구성된 솔더층(도 7의 참조부호 142b, 이하 동일)를 구비할 수 잇다. 이때, 코어층(142a)과 솔더층(142b)은 서로 일체화된 상태로 제조된 것일 수도 있고, 제조 공정 중에 코어층(142a) 위에 솔더층(142b)을 형성할 수도 있다. In this embodiment, a plurality of solar cells 10 may be electrically connected in series, parallel, or series-parallel by the interconnector 142 and/or the bus ribbon 145 . As the in-connector 142 and/or the bus ribbon 145 , various structures and shapes capable of connecting the solar cell 10 such as a ribbon and a wire may be applied. In this case, the interconnector 142 may include a core layer (reference numeral 142a of FIG. 7 , the same hereinafter) made of a metal or the like and a solder layer (reference numeral 142b of FIG. 7 , the same hereinafter) made of a solder material. In this case, the core layer 142a and the solder layer 142b may be manufactured in an integrated state, or the solder layer 142b may be formed on the core layer 142a during the manufacturing process.

예를 들어, 인터커넥터(142)는, 하나의 태양 전지(10)의 전면에 위치한 제1 전극(도 3의 참조부호 42)과 이에 이웃한 태양 전지(10)의 후면에 위치한 제2 전극(도 3의 참조부호 44)를 연결하도록 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다른 형태로 이웃한 태양 전지(10)를 연결할 수도 있다. For example, the interconnector 142 includes a first electrode (reference numeral 42 in FIG. 3 ) located on the front surface of one solar cell 10 and a second electrode ( 42 ) located on the rear surface of the adjacent solar cell 10 . It may be formed to connect the reference numeral 44 of FIG. 3 . However, the present invention is not limited thereto, and adjacent solar cells 10 may be connected in other forms.

이때, 인터커넥터(142) 및/또는 버스 리본(145)은 솔더 물질을 이용한 태빙(tabbing) 공정을 이용하여 태양 전지(10) 또는 인터커넥터(142)에 전기적 및 물리적으로 연결될 수도 있다. 이때, 플럭스를 포함하는 플럭스층이 인터커넥터(142) 및/또는 버스 리본(145) 위에 형성되어 인터커넥터(142)와 태양 전지(10) 및/또는 버스 리본(145)과 인터커넥터(142)의 부착 특성을 좀더 향상할 수 있다. In this case, the interconnector 142 and/or the bus ribbon 145 may be electrically and physically connected to the solar cell 10 or the interconnector 142 using a tabbing process using a solder material. At this time, a flux layer including flux is formed on the interconnector 142 and/or the bus ribbon 145 to form the interconnector 142 and the solar cell 10 and/or the bus ribbon 145 and the interconnector 142 . adhesion properties can be further improved.

밀봉재(130)는, 서로 전기적으로 연결된 태양 전지(10)의 전면에 위치하는 제1 밀봉재(131)와, 서로 전기적으로 태양 전지(10)의 후면에 위치하는 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다. The encapsulant 130 may include a first encapsulant 131 positioned at the front of the solar cell 10 electrically connected to each other, and a second encapsulant 132 electrically positioned at the rear face of the solar cell 10 . can

밀봉재(130)는 수분과 산소가 태양 전지(150)에 유입되는 것을 방지하며 태양 전지 모듈(100)의 각 요소들을 화학적으로 결합한다. 밀봉재(130)는 투광성 및 접착성을 가지는 절연 물질을 베이스 물질로 포함한다. 예를 들어, 밀봉재(130)는 에틸렌비닐아세테이트 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 아이오노머(ionomer) 등을 베이스 물질로 포함할 수 있다. 특히, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)가 에틸렌비닐아세테이트로 구성되어, 낮은 재료 비용으로도 우수한 특성을 가지도록 할 수 있다. 또한, 본 실시예에서 밀봉재(130)는 추가 산 억제 물질(134)을 더 포함할 수 있는데, 이에 대해서는 추후에 도 3을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. The sealing material 130 prevents moisture and oxygen from entering the solar cell 150 and chemically bonds each element of the solar cell module 100 . The sealing material 130 includes an insulating material having light-transmitting properties and adhesive properties as a base material. For example, the sealing material 130 may include ethylene vinyl acetate resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester-based resin, olefin-based resin, polyethylene-based resin, ionomer, etc. as a base material. have. In particular, since the first sealing material 131 and the second sealing material 132 are made of ethylene vinyl acetate, it is possible to have excellent properties even at a low material cost. In addition, in the present embodiment, the sealing material 130 may further include an additional acid inhibiting material 134 , which will be described in more detail later with reference to FIG. 3 .

그 외 밀봉재(130)는 과산화물계 개시제 및 가교 반응을 증가시키는 관능기를 가지는 가교제 등을 더 포함하고, 필요에 따라 자외선 차단제(예를 들어, 벤조페논계 자외선 차단제), 자외선 안정제(예를 들어, 아민계 자외선, 산화 방지제(예를 들어, 하이드록시 페닐계 산화 방지제), 커플링제(예를 들어, 실란 커플링제) 등을 더 포함할 수 있다. In addition, the sealing material 130 further includes a peroxide-based initiator and a crosslinking agent having a functional group that increases the crosslinking reaction, and if necessary, a sunscreen agent (for example, a benzophenone-based sunscreen agent), a UV stabilizer (for example, It may further include amine-based ultraviolet rays, antioxidants (eg, hydroxyphenyl-based antioxidants), coupling agents (eg, silane coupling agents), and the like.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 밀봉재(130)가 상술한 설명 이외의 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 형태를 가질 수 있다.However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the sealing material 130 may include various materials other than those described above and may have various shapes.

적층 공정 및 라미네이션 공정에 의하여 제2 커버 부재(120), 제2 밀봉재(132), 복수의 태양 전지(10) 및 인터커넥터(142), 제1 밀봉재(131), 실링 부재(150) 및 제1 커버 부재(110)가 일체화되어 태양 전지 패널(100)을 구성할 수 있다. 이때, 본 실시예에서는 적어도 밀봉재(130)에 인접한 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치한다. 도 3 및 도 4를 참조하여 이를 좀더 상세하게 설명한다. The second cover member 120 , the second sealing material 132 , the plurality of solar cells 10 and the interconnector 142 , the first sealing material 131 , the sealing member 150 and the second cover member 131 by the lamination process and the lamination process 1 The cover member 110 may be integrated to constitute the solar cell panel 100 . At this time, in this embodiment, the acid inhibiting material 152 is positioned at least on the surface portion of the interconnector 142 adjacent to the sealing material 130 . This will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4 .

도 3는 도 1의 III-III 선에 따른 태양 전지 패널(10)의 일부를 확대하여 도시한 개략적인 부분 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시한 태양 전지 패널(100)에 포함된 태양 전지(10)의 전면 평면도이다. FIG. 3 is an enlarged and schematic partial cross-sectional view of a part of the solar cell panel 10 taken along line III-III of FIG. 1 , and FIG. 4 is a solar cell included in the solar cell panel 100 shown in FIG. 1 . (10) is a front plan view.

도 3 및 도 4를 참조하면, 태양 전지(10)는, 베이스 영역(14)을 포함하는 반도체 기판(12)과, 반도체 기판(12)에 또는 반도체 기판(12) 위에 형성되는 도전형 영역(20, 30)과, 도전형 영역(20, 30)에 연결되는 전극(42, 44)을 포함한다. 반도체 기판(10), 도전형 영역(20, 30) 등이 광전 변환에 관여하는 광전 변환부를 구성할 수 있다. 여기서, 도전형 영역(20, 30)은 서로 다른 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)과 제2 도전형 영역(30)을 포함할 수 있고, 전극(42, 44)은 제1 도전형 영역(20)에 연결되는 제1 전극(42)과 제2 도전형 영역(30)에 연결되는 제2 전극(44)을 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. 3 and 4 , the solar cell 10 includes a semiconductor substrate 12 including a base region 14 , and a conductive region ( ) formed in or on the semiconductor substrate 12 . 20 and 30 , and electrodes 42 and 44 connected to the conductive regions 20 and 30 . The semiconductor substrate 10 , the conductive regions 20 and 30 , etc. may constitute a photoelectric conversion unit involved in photoelectric conversion. Here, the conductivity-type regions 20 and 30 may include a first conductivity-type region 20 and a second conductivity-type region 30 having different conductivity types, and the electrodes 42 and 44 have a first conductivity type. It may include a first electrode 42 connected to the mold region 20 and a second electrode 44 connected to the second conductivity-type region 30 . This will be described in more detail.

반도체 기판(12)은 제1 또는 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하여 제1 또는 제2 도전형을 가지는 베이스 영역(14)을 포함할 수 있다. 그리고 반도체 기판(12)의 일면(일 예로, 전면) 쪽에는 제1 도전형을 가지는 제1 도전형 영역(20)이 형성될 수 있다. 그리고 반도체 기판(12)의 후면 쪽에는 제2 도전형을 가지는 제2 도전형 영역(30)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)은 베이스 영역(14)과 다른 도전형을 가지거나, 베이스 영역(14)과 동일한 도전형을 가지면서 베이스 영역(14)보다 높은 도핑 농도를 가진다. The semiconductor substrate 12 may include the base region 14 having the first or second conductivity type by including the dopant of the first or second conductivity type at a relatively low doping concentration. In addition, a first conductivity type region 20 having a first conductivity type may be formed on one surface (eg, a front surface) of the semiconductor substrate 12 . In addition, a second conductivity type region 30 having a second conductivity type may be formed on the rear side of the semiconductor substrate 12 . In this case, the first and second conductivity-type regions 20 and 30 have a different conductivity type from that of the base region 14 , or have the same conductivity type as the base region 14 and have a higher doping concentration than the base region 14 . have

본 실시예에서는 제1 또는 제2 도전형 도펀트로는 n형 또는 p형을 나타낼 수 있는 다양한 물질을 사용할 수 있다. p형 도펀트로는 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등을 사용할 수 있고, n형일 경우에는 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소를 사용할 수 있다. 일 예로, p형 도펀트가 보론(B)이고 n형 도펀트가 인(P)일 수 있다. In this embodiment, various materials capable of representing n-type or p-type may be used as the first or second conductivity-type dopant. As the p-type dopant, boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), etc. may be used, and in the case of the n-type dopant, phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony Group 5 elements, such as (Sb), can be used. For example, the p-type dopant may be boron (B) and the n-type dopant may be phosphorus (P).

제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(14)과 다른 도전형을 가지는 하나의 영역은 에미터 영역의 적어도 일부를 구성한다. 에미터 영역은 베이스 영역(14)과 pn 접합을 형성하여 광전 변환에 의하여 캐리어를 생성한다. 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 베이스 영역(14)과 동일한 도전형을 가지는 다른 하나는 전계(surface field) 영역의 적어도 일부를 구성한다. 전계 영역은 반도체 기판(12)의 표면에서 재결합에 의하여 캐리어가 손실되는 것을 방지하는 전계를 형성한다. 일 예로, 본 실시예에서는 베이스 영역(14)이 제2 도전형을 가져, 제1 도전형 영역(20)이 에미터 영역을 구성하고, 제2 도전형 영역(30)이 후면 전계 영역을 구성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. One of the first and second conductivity type regions 20 and 30 having a conductivity type different from that of the base region 14 constitutes at least a part of the emitter region. The emitter region forms a pn junction with the base region 14 to generate carriers by photoelectric conversion. Another one of the first and second conductivity type regions 20 and 30 having the same conductivity type as the base region 14 constitutes at least a part of a surface field region. The electric field region forms an electric field that prevents loss of carriers by recombination at the surface of the semiconductor substrate 12 . For example, in this embodiment, the base region 14 has a second conductivity type, the first conductivity type region 20 constitutes an emitter region, and the second conductivity type region 30 constitutes a rear electric field region. can do. However, the present invention is not limited thereto.

반도체 기판(12), 또는 이에 형성된 베이스 영역(14), 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)은 도펀트를 포함하는 단일 결정질 반도체(예를 들어, 단일 단결정 또는 다결정 반도체, 일 예로, 단결정 또는 다결정 실리콘, 특히 단결정 실리콘)로 구성될 수 있다. 이와 같이 결정성이 높아 결함이 적은 베이스 영역(14) 또는 반도체 기판(12)을 기반으로 한 태양 전지(10)은 전기적 특성이 우수하다. 그리고 반도체 기판(12)의 전면 및/또는 후면에는 반사를 최소화할 수 있는 반사 방지 구조(일 예로, 피라미드 형상 등을 가지는 텍스쳐링 구조)가 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 12, or the base region 14 formed thereon, and the first and second conductivity-type regions 20 and 30, is a single crystalline semiconductor containing a dopant (e.g., a single monocrystalline or polycrystalline semiconductor, for example, monocrystalline or polycrystalline silicon, in particular monocrystalline silicon). As described above, the solar cell 10 based on the base region 14 or the semiconductor substrate 12 having few defects due to its high crystallinity has excellent electrical characteristics. In addition, an anti-reflection structure (eg, a texturing structure having a pyramid shape) capable of minimizing reflection may be formed on the front surface and/or the rear surface of the semiconductor substrate 12 .

본 실시예에서는 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30)이 반도체 기판(12)의 일부를 구성하는 도핑 영역으로 구성될 수 있다. 다른 예로, 제1 및 제2 도전형 영역(20, 30) 중 적어도 하나가 반도체 기판(12)의 위에서 반도체 기판(12)과 별개로 형성될 수 있다. 이 경우에 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30)이 비정질 반도체층, 미세 결정 반도체층, 또는 다결정 반도체층(일 예로, 비정질 실리콘층, 미세 결정 실리콘층 또는 다결정 실리콘층)으로 구성될 수 있다. 이때, 제1 또는 제2 도전형 영역(20, 30)와 반도체 기판(12) 사이에 별도의 층(터널링층, 패시베이션층 등)이 형성될 수도 있다. In the present embodiment, the first and second conductivity-type regions 20 and 30 may be formed as doped regions constituting a part of the semiconductor substrate 12 . As another example, at least one of the first and second conductivity-type regions 20 and 30 may be formed on the semiconductor substrate 12 separately from the semiconductor substrate 12 . In this case, the first or second conductivity type regions 20 and 30 may be composed of an amorphous semiconductor layer, a microcrystalline semiconductor layer, or a polycrystalline semiconductor layer (for example, an amorphous silicon layer, a microcrystalline silicon layer, or a polycrystalline silicon layer). can In this case, a separate layer (a tunneling layer, a passivation layer, etc.) may be formed between the first or second conductivity-type regions 20 and 30 and the semiconductor substrate 12 .

그리고 적어도 반도체 기판(12)의 전면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 전면에 형성된 제1 도전형 영역(20) 위)에 제1 절연막인 제1 패시베이션막(22) 및/또는 반사 방지막(24)이 위치할 수 있다. 그리고 적어도 반도체 기판(12)의 후면 위(좀더 정확하게는, 반도체 기판(12)의 후면에 형성된 제2 도전형 영역(30) 위)에 제2 절연막인 제2 패시베이션막(32)이 위치할 수 있다. and a first passivation film 22 and/or reflection as a first insulating film on at least the front surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the first conductivity type region 20 formed on the front surface of the semiconductor substrate 12 ) A barrier layer 24 may be positioned. In addition, the second passivation film 32, which is a second insulating film, may be positioned at least on the rear surface of the semiconductor substrate 12 (more precisely, on the second conductivity-type region 30 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 12). have.

제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 및 제2 패시베이션막(32)은 개구부(102, 104)를 제외하고 실질적으로 반도체 기판(12) 위에 전체적으로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 패시베이션막(22), 반사 방지막(24) 또는 제2 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, 실리콘 탄화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 패시베이션막(22) 및/또는 반사 방지막(24), 제2 패시베이션막(32)은 우수한 절연 특성, 패시베이션 특성 등을 가질 수 있도록 도펀트 등을 구비하지 않을 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The first passivation layer 22 , the antireflection layer 24 , and the second passivation layer 32 may be formed substantially entirely on the semiconductor substrate 12 , except for the openings 102 and 104 . For example, the first passivation film 22 , the antireflection film 24 or the second passivation film 32 may be a silicon nitride film, a silicon nitride film containing hydrogen, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, an aluminum oxide film, a silicon carbide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 Any single layer selected from the group consisting of or a combination of two or more layers may have a multilayer structure. For example, the first passivation layer 22 and/or the antireflection layer 24 , and the second passivation layer 32 may not include a dopant or the like to have excellent insulating properties and passivation properties. However, the present invention is not limited thereto.

제1 전극(42)은 제1 개구부(102)의 적어도 일부를 채우면서 형성되어 제1 도전형 영역(20)에 전기적으로 연결(일 예로, 접촉 형성)되고, 제2 전극(44)은 제2 개구부(104)의 적어도 일부를 채우면서 형성되며 제2 도전형 영역(30)에 전기적으로 연결(일 예로, 접촉 형성)된다. 제1 및 제2 전극(42, 44)은 다양한 도전성 물질(일 예로, 금속)으로 구성되며 다양한 형상을 가질 수 있다.The first electrode 42 is formed while filling at least a portion of the first opening 102 to be electrically connected to (eg, contacted) the first conductivity-type region 20 , and the second electrode 44 is formed to 2 It is formed while filling at least a portion of the opening 104 and is electrically connected to the second conductivity-type region 30 (eg, a contact is formed). The first and second electrodes 42 and 44 are made of various conductive materials (eg, metal) and may have various shapes.

예를 들어, 제1 및 제2 전극(42, 44)을 도전성 물질로 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 전극(42, 44)은 전극용 페이스트를 도포하고 소성하여 제조될 수 있는데, 이에 의하면 제1 및 제2 전극(42, 44) 또는 전극용 페이스트가 접착 특성을 향상하기 위한 유리 프릿(glass frit)을 포함할 수 있다. For example, at least one of silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), titanium (Ti), tungsten (W), and copper (Cu) using the first and second electrodes 42 and 44 as a conductive material. may contain one. In this case, the first and second electrodes 42 and 44 may be manufactured by applying and firing an electrode paste. According to this, the first and second electrodes 42 and 44 or the electrode paste improve adhesive properties. It may include a glass frit for.

제1 전극(42)은 일정한 피치를 가지면서 서로 이격되며 일 방향으로 형성되는 복수의 핑거 전극(42a)을 포함할 수 있다. 도면에서는 핑거 전극(42a)이 서로 평행하며 반도체 기판(10)의 가장자리에 평행한 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제1 전극(42)은 핑거 전극들(42a)과 교차(일 예로, 직교)하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(42a)을 연결하는 버스바 전극(42b)을 포함할 수 있다. 이러한 버스바 전극(42b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 핑거 전극(42a)의 피치보다 더 큰 피치를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 이때, 핑거 전극(42a)의 폭보다 버스바 전극(42b)의 폭이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 버스바 전극(42b)의 폭이 핑거 전극(42a)의 폭과 동일하거나 그보다 작은 폭을 가질 수 있다.The first electrode 42 may include a plurality of finger electrodes 42a spaced apart from each other while having a constant pitch and formed in one direction. Although the figure illustrates that the finger electrodes 42a are parallel to each other and parallel to the edge of the semiconductor substrate 10, the present invention is not limited thereto. In addition, the first electrode 42 may include a bus bar electrode 42b formed in a direction crossing (eg, orthogonal) to the finger electrodes 42a and connecting the finger electrodes 42a. Only one bus bar electrode 42b may be provided, or a plurality of bus bar electrodes 42b may be provided with a pitch larger than that of the finger electrodes 42a as shown in FIG. 2 . In this case, the width of the bus bar electrode 42b may be greater than the width of the finger electrode 42a, but the present invention is not limited thereto. Accordingly, the width of the bus bar electrode 42b may be equal to or smaller than the width of the finger electrode 42a.

제2 전극(44)은 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 각기 대응하는 핑거 전극 및 버스바 전극(44b)을 포함할 수 있다. 제2 전극(44)의 핑거 전극 및 버스바 전극(44b)에 대해서는 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a) 및 버스바 전극(42b)에 대한 내용이 그대로 적용될 수 있다. 제1 전극(42)의 핑거 전극(42a)의 폭, 피치 등은 제2 전극(44)의 핑거 전극의 폭, 피치 등과 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수 있다. 제1 전극(42)의 버스바 전극(42b)의 폭은 제2 전극(44)의 버스바 전극(44b)의 폭과 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있으나, 제1 전극(42)의 버스바 전극(42b)과 제2 전극(44)의 버스바 전극(44b)은 동일한 위치에서 동일한 피치를 가지도록 배치될 수 있다. The second electrode 44 may include a finger electrode and a bus bar electrode 44b respectively corresponding to the finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 . As for the finger electrode and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 , the contents of the finger electrode 42a and the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may be applied as they are. The width and pitch of the finger electrodes 42a of the first electrode 42 may be the same as or different from the width and pitch of the finger electrodes of the second electrode 44 . The width of the bus bar electrode 42b of the first electrode 42 may be the same as or different from the width of the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 . The electrode 42b and the bus bar electrode 44b of the second electrode 44 may be disposed to have the same pitch at the same position.

이와 같이 본 실시예에서는 제1 및 제2 전극(42, 44)이 일정한 패턴을 가지면서 부분적으로 형성된다. 이에 따라 제1 및 제2 전극(42, 44)이 형성되지 않은 부분으로 광이 입사될 수 있다. 태양 전지(10)가 반도체 기판(12)의 전면 및 후면으로 광이 입사될 수 있는 양면 수광형(bi-facial) 구조를 가진다. 버스바 전극(42b, 44b)에는 인터커넥터(142)가 부착될 수 있다. 그러나 본 발명이 특정한 제1 및 제2 전극(42, 44)의 형상에 한정되는 것은 아니며 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 도면에서는 양면 수광형 구조를 도시하였으나 제2 전극(44)이 반도체 기판(12)의 후면에 전체적으로 형성되는 등 다양한 변형이 가능하다. As described above, in the present embodiment, the first and second electrodes 42 and 44 are partially formed while having a constant pattern. Accordingly, light may be incident to a portion where the first and second electrodes 42 and 44 are not formed. The solar cell 10 has a bi-facial structure in which light can be incident to the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 12 . An interconnector 142 may be attached to the bus bar electrodes 42b and 44b. However, the present invention is not limited to the specific shapes of the first and second electrodes 42 and 44 and may have various shapes. In addition, although the double-sided light-receiving structure is illustrated in the drawings, various modifications are possible, such as the second electrode 44 being formed entirely on the rear surface of the semiconductor substrate 12 .

본 실시예에서는 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치할 수 있다. 이러한 산 억제 물질(152)은 인터커넥터(142)의 표면 위 또는 인터커넥터(142)의 표면에 위치할 수 있는데, 일 예로, 본 실시예에서는 산 억제 물질(152)이 인터커넥터(142)의 표면 위에 위치한 것을 예시하였다. 이때, 산 억제 물질(152)이 버스바 전극(42b, 44b)에 부착된 인터커넥터(142)의 표면을 둘러싸며 형성되어, 버스바 전극(42b, 44b)에 인접한 부분에 형성될 수 있다. 특히, 산 억제 물질(152)이 인터커넥터(142)가 버스바 전극(42b, 44b)과 사이에도 위치할 수 있다. 반면, 산 억제 물질(152)은 인터커넥터(142)가 부착되지 않는 핑거 전극(42a, 44b)에 인접한 부분에는 위치하지 않을 수 있다.In the present embodiment, an acid inhibiting material 152 may be positioned on a surface portion of the interconnector 142 . The acid inhibiting material 152 may be located on the surface of the interconnector 142 or on the surface of the interconnector 142 . For example, in this embodiment, the acid inhibiting material 152 is the interconnector 142 . It is exemplified that it is located on the surface. In this case, the acid suppressing material 152 may be formed to surround the surface of the interconnector 142 attached to the bus bar electrodes 42b and 44b, and may be formed in a portion adjacent to the bus bar electrodes 42b and 44b. In particular, an acid inhibiting material 152 may also be positioned between the interconnector 142 and the busbar electrodes 42b and 44b. On the other hand, the acid suppressing material 152 may not be located in a portion adjacent to the finger electrodes 42a and 44b to which the interconnector 142 is not attached.

본 실시예에서는 밀봉재(130)에 인접한 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치하여 전극(42, 44)의 부식을 방지하여 태양 전지 패널(10)의 출력 저하 현상을 방지할 수 있다. In this embodiment, the acid inhibiting material 152 is positioned on the surface portion of the interconnector 142 adjacent to the sealing material 130 to prevent corrosion of the electrodes 42 and 44, thereby reducing the output degradation of the solar panel 10. can be prevented

이를 좀더 상세하게 설명하면, 고온 다습한 환경에서 태양 전지 패널(10)을 사용하면 시간의 흐름에 따라 출력이 저하하는 현상이 발생할 수 있다. 이에 대한 명확한 이유는 밝혀지지 않았지만, 고온 다습한 환경에서 산성 물질(acid)이 발생되어 전극(42, 44)의 부식을 가속화하여 전극(42, 44)에 포함된 물질을 용출시켜 전극(42, 44)의 저항이 증가되고 충밀도(fill factor)가 감소하였기 때문으로 예측된다. 이러한 산성 물질은 외부로부터 태양 전지 패널(100)의 내부로 침투된 수분이 밀봉재(130)를 구성하는 물질과 반응하여 형성될 수 있다. 일 예로, 밀봉재(130)가 에틸렌비닐아세테이트로 구성될 경우에는 이에 포함된 아세테이트 이온(CH3COO-)이 수분으로부터 수소 이온(H+)을 제공 받으면 아세트산(CH3COOH)이 형성될 수 있다. 특히 제2 커버 부재(120)가 필름, 시트 등으로 이루어질 경우에 제2 커버 부재(120)를 통하여 수분이 상대적으로 쉽게 침투되어 이러한 문제가 더 심각하게 나타날 수 있다. 그리고 전극(42, 44)이 은(Ag)을 포함하고, 유리 프릿으로 보론(B)(예를 들어, 보론 산화물(B2O3))을 포함하는 경우에 이러한 문제가 더 크게 발생한다. To describe this in more detail, when the solar cell panel 10 is used in a high temperature and high humidity environment, a phenomenon in which the output is lowered may occur over time. Although a clear reason for this is not known, an acid is generated in a high-temperature and high-humidity environment to accelerate the corrosion of the electrodes 42 and 44 to elute the material contained in the electrodes 42 and 44 to the electrodes 42, 44) increased resistance and decreased fill factor. The acidic material may be formed by reacting moisture penetrating into the solar cell panel 100 from the outside with the material constituting the sealing material 130 . For example, when the sealing material 130 is made of ethylene vinyl acetate, acetic acid (CH 3 COOH) may be formed when acetate ions (CH 3 COO ) contained therein receive hydrogen ions (H + ) from moisture. . In particular, when the second cover member 120 is made of a film, a sheet, or the like, moisture is relatively easily penetrated through the second cover member 120 , and this problem may appear more serious. In addition, when the electrodes 42 and 44 include silver (Ag) and boron (B) (eg, boron oxide (B 2 O 3 )) as a glass frit, this problem occurs more significantly.

상술한 양면 수광형 구조를 가지는 태양 전지(100)(특히, 베이스 영역(14)이 n형을 가지는 경우)에는 제1 전극(42) 및 제2 전극(44)이 각기 도전형 물질로 은(Ag)을 포함하는 경우가 많아 이러한 문제가 심각하게 발생할 수 있다. 특히, 인터커넥터(142)가 부착되는 버스바 전극(42b, 44b)은 상대적으로 넓은 면적을 가지는 부분을 포함하여 부식에 의한 문제가 크게 발생할 수 있다. In the solar cell 100 having the above-described double-sided light-receiving structure (in particular, when the base region 14 has an n-type), the first electrode 42 and the second electrode 44 are each made of silver ( Ag) is often included, so this problem can occur seriously. In particular, since the bus bar electrodes 42b and 44b to which the interconnector 142 is attached include a portion having a relatively large area, a problem due to corrosion may occur significantly.

이를 고려하여 본 실시예에서는 적어도 전극(42, 44)(특히, 버스바 전극(42b, 44b) 또는 이의 주변부에 산성 물질이 발생하는 것을 방지할 수 있는 산 억제 물질(152)을 위치시켜 전극(42, 44)의 부식을 방지하여 태양 전지(100)의 충밀도 및 효율을 우수하게 유지하여 태양 전지 패널(100)의 출력 저감을 방지할 수 있다. 이와 같이 인터커넥터(142)의 표면 위에 산 억제 물질(152)을 위치시켜 전극(42, 44)의 부식에 좀더 효과적으로 대응할 수 있다. 반면, 밀봉재(130)의 내부에만 산 억제 물질을 위치시키는 경우(예를 들어, 밀봉재(130)를 구성하는 물질 중에 하나로 산 억제 물질을 섞어서 밀봉재(130)를 형성하는 경우)에는 전극(42, 44)의 주변부에 산 억제 물질(152)이 안정적으로 위치하지 않을 수 있어 전극(42, 44)의 부식을 방지하는 데 충분하지 않을 수 있다. In consideration of this, in this embodiment, at least the electrodes 42 and 44 (especially, the bus bar electrodes 42b and 44b) or the periphery of the electrode ( By preventing the corrosion of 42 and 44, it is possible to prevent the reduction in the output of the solar cell panel 100 by maintaining the high density and efficiency of the solar cell 100. In this way, the acid on the surface of the interconnector 142 is By locating the inhibiting material 152, it is possible to more effectively respond to corrosion of the electrodes 42 and 44. On the other hand, when the acid inhibiting material is placed only inside the sealing material 130 (eg, the sealing material 130 is formed) In the case of forming the sealing material 130 by mixing an acid-suppressing material with one of the materials to be used), the acid-suppressing material 152 may not be stably positioned in the periphery of the electrodes 42 and 44, so that the electrodes 42 and 44 may be corroded. may not be sufficient to prevent

여기서, 산 억제 물질(152)은 수지 또는 유기물, 또는 금속과 비금속의 화합물로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 산 억제 물질(152)이 전극(42, 44)과 태양 전지(10) 사이에 위치하므로 그 형태, 물질 등이 한정되지 않기 때문이다. 예를 들어, 산 억제 물질(152)이 카르보디이미드(carbodiimide), 아지리딘(aziridin), 스테아린산 아연(zinc stearate), 스테아린산 칼슘(calcium stearate), 스테아린산 마그네슘(magnesium stearate), 하이드로탈사이트(hydrotalcite), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 소듐 제올라이트(sodium zeolite), 칼륨 제올라이트(potassium zeolite), 아인산염(phosphate), 아연 산화물(일 예로, ZnO), 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물을 포함할 수 있다. 이러한 물질은 수분으로부터 생성된 수소 이온(H+)을 받아들여 산성 물질의 생성을 방지할 수 있다. Here, the acid suppressing material 152 may be formed of a resin, an organic material, or a compound of a metal and a non-metal. This is because, in the present embodiment, since the acid suppressing material 152 is positioned between the electrodes 42 and 44 and the solar cell 10, the shape and material thereof are not limited. For example, the acid inhibitor 152 is carbodiimide, aziridin, zinc stearate, calcium stearate, magnesium stearate, hydrotalcite. ), magnesium hydroxide (Mg(OH) 2 ), sodium zeolite, potassium zeolite, phosphate, zinc oxide (eg, ZnO), alkali metal oxide or alkaline earth metal oxide. can do. These substances can receive hydrogen ions (H + ) generated from moisture and prevent the formation of acidic substances.

예를 들어, 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물은 수분으로부터 생성된 수소 이온(H+) 및 수산화이온(OH-)과 반응하여(즉, 수소 이온(H+) 및 수산화이온(OH-))을 받아들여 알칼리 금속 수산화물 또는 알칼리 토금속 수산화물로 쉽게 변화할 수 있다. 이에 의하여 밀봉재(130)에 포함된 아세트이온(CH3COO-)과 반응할 수소 이온(H+)을 제거하여 산성 물질(예를 들어, 아세트산)의 생성을 방지할 수 있다. For example, alkali metal oxides or alkaline earth metal oxides react with hydrogen ions (H + ) and hydroxide ions (OH-) generated from moisture (i.e., hydrogen ions (H + ) and hydroxide ions (OH - )) It can be easily converted to alkali metal hydroxides or alkaline earth metal hydroxides. Thereby, acet ions (CH 3 COO ) and hydrogen ions (H + ) to be reacted with in the sealing material 130 are removed to prevent generation of an acidic material (eg, acetic acid).

예를 들어, 산 억제 물질(152)이 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물로 구성되어, 리튬 산화물(일 예로, Li2O), 소듐 산화물(일 예로, Na2O), 칼륨 산화물(일 예로, K2O), 베릴륨 산화물(일 예로, BeO), 마그네슘 산화물(일 예로, MgO), 칼슘 산화물(일 예로, CaO), 스트론튬 산화물(일 예로, SrO), 바륨 산화물(일 예로, BaO), 라듐 산화물(일 예로, RaO) 등으로 구성된 금속 산화물 입자일 수 있다. 이러한 물질은 전극(42, 44) 및 밀봉재(130)의 특성을 변화시키지 않으면서 산을 억제하기 적합한 물질이기 때문이다. 일 예로, 리튬 산화물, 소듐 산화물, 칼륨 산화물, 마그네슘 산화물이 산 억제 물질(152)로 사용되면, 산성 물질의 생성을 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 리튬 산화물, 소듐 산화물, 칼륨 산화물과 같은 알칼리 금속 산화물을 산 억제 물질(152)로 사용하면, 산성 물질의 생성을 좀더 효과적으로 방지할 수 있다. For example, the acid inhibiting material 152 is composed of an alkali metal oxide or alkaline earth metal oxide, lithium oxide (eg, Li 2 O), sodium oxide (eg, Na 2 O), potassium oxide (eg, K 2 O), beryllium oxide (eg, BeO), magnesium oxide (eg, MgO), calcium oxide (eg, CaO), strontium oxide (eg, SrO), barium oxide (eg, BaO), It may be a metal oxide particle composed of radium oxide (eg, RaO) or the like. This is because these materials are suitable for inhibiting acid without changing the properties of the electrodes 42 and 44 and the sealing material 130 . For example, when lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide, or magnesium oxide is used as the acid-suppressing material 152 , generation of the acidic material may be effectively prevented. In particular, when an alkali metal oxide such as lithium oxide, sodium oxide, or potassium oxide is used as the acid suppressing material 152 , generation of the acidic material can be more effectively prevented.

산 억제 물질(152)이 마그네슘 산화물인 경우에 앞서 설명한 바와 같이 산성 물질의 생성을 방지하는 원리를 아래 화학식 1 내지 3을 이용하여 설명하다. As described above, when the acid suppressing material 152 is magnesium oxide, the principle of preventing the formation of the acidic material will be described using Formulas 1 to 3 below.

[화학식 1] [Formula 1]

H2O -> (H+) + (OH-)H 2 O -> (H + ) + (OH - )

[화학식 2] [Formula 2]

(H+) + (CH3COO-) -> CH3COOH (H + ) + (CH 3 COO - ) -> CH 3 COOH

[화학식 3] [Formula 3]

MgO + (H+) + (OH-) -> Mg(OH)2 MgO + (H + ) + (OH - ) -> Mg(OH) 2

태양 전지 패널(100)의 내부로 수분(H2O)이 침투되면 화학식 1과 같이 수소 이온(H+) 및 수산화이온(OH-)로 분해될 수 있다. 이렇게 생성된 수소 이온(H+)이 아세트이온(CH3COO-)과 반응하면, 화학식 2와 같이, 산성 물질인 아세트산(CH3COOH)이 생성된다. 그런데, 마그네슘 산화물(MgO)이 존재하면 수분이 분해되어 생성된 수소 이온(H+) 및 수산화이온(OH-)과 반응하여 화학식 3과 같이 마그네슘 수산화물(Mg(OH)2)을 형성하므로, 아세트이온(CH3COO-)과 반응할 수소 이온(H+)을 제거하여 산성 물질의 생성을 방지하는 역할을 할 수 있다. When moisture (H 2 O) penetrates into the solar cell panel 100 , it may be decomposed into hydrogen ions (H + ) and hydroxide ions (OH−) as shown in Chemical Formula 1 . When the generated hydrogen ions (H + ) react with acet ions (CH 3 COO ), acetic acid (CH 3 COOH), which is an acidic substance, is generated as shown in Chemical Formula 2. However, in the presence of magnesium oxide (MgO), water decomposes and reacts with generated hydrogen ions (H + ) and hydroxide ions (OH-) to form magnesium hydroxide (Mg(OH) 2 ) as shown in Chemical Formula 3, By removing the hydrogen ion (H + ) that will react with the ion (CH 3 COO - ), it can serve to prevent the formation of acidic substances.

이에 따라 태양 전지 패널(100)의 내부, 즉 태양 전지(10)의 표면 부근에는 산 억제 물질(152)과 수소 이온(H+) 및/또는 수산화 이온(OH-)(특히, 수소 이온)과 반응하여 형성된 산 억제 부산물(152a)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 산 억제 물질(152)이 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물인 경우에는 수소 이온(H+) 및 수산화 이온(OH-)과 반응하여 형성된 알칼리 금속 수산화물 또는 알칼리 토금속 수산화물로 구성된 산 억제 부산물(152a)을 더 포함할 수 있다. 즉, 산 억제 물질(152) 중 일부는 반응하지 않고 그대로 잔존하고, 다른 일부는 수소 이온(H+) 및/또는 수산화이온(OH-)과 반응하여 산 억제 부산물(152a)로 변화되어 잔존할 수 있다. 산 억제 부산물(152a)은 존재할 수도 있고 존재하지 않을 수도 있다. Accordingly, in the interior of the solar cell panel 100, that is, near the surface of the solar cell 10, the acid suppressing material 152, hydrogen ions (H + ) and/or hydroxide ions (OH-) (particularly, hydrogen ions) and It may further include an acid inhibition by-product 152a formed by the reaction. For example, when the acid inhibiting material 152 is an alkali metal oxide or alkaline earth metal oxide, an acid inhibiting byproduct consisting of an alkali metal hydroxide or alkaline earth metal hydroxide formed by reacting with hydrogen ions (H + ) and hydroxide ions (OH−) (152a) may be further included. That is, some of the acid suppression material 152 does not react and remains as it is, and the other portion reacts with hydrogen ions (H + ) and/or hydroxide ions (OH-) to change into acid suppression by-products 152a and remain. can Acid suppression by-product 152a may or may not be present.

산 억제 물질(152) 또는 산 억제 부산물(152a)은 마이크로 수준 또는 나노 입자 수준의 크기(또는 직경)(일 예로, 1nm 내지 1mm의 크기)를 가지는 입자로 구성될 수 있다. 예를 들어, 산 억제 물질(152) 또는 산 억제 부산물(152a)의 입경이 0.01um 내지 10um(일 예로, 0.01um 내지 3um)일 수 있다. 상술한 입경이 일정 크기(즉, 1mm, 예를 들어, 10um)를 초과하면, 동일한 양의 산 억제 물질(152)을 포함할 경우에 태양 전지(10)의 표면 부근에서 분산되는 정도가 작아져서 산 억제 물질(152)에 의한 효과가 효과적으로 구현되지 않을 수 있다. 상술한 입경이 일정 크기(즉, 1nm, 예를 들어, 0.01um) 미만이면, 작은 입경에 의하여 산 억제 물질(152)에 의한 효과가 효과적으로 구현되지 않을 수 있다. 도면에서는 산 억제 물질(152)이 구형 입자의 형상을 가지는 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 산 억제 물질(152)은 서로 다른 형상, 또는 서로 다른 입경을 가지는 입자들을 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. The acid-suppressing material 152 or the acid-suppressing by-product 152a may be composed of particles having a size (or diameter) (eg, a size of 1 nm to 1 mm) of a micro-level or a nano-particle level. For example, the particle size of the acid suppression material 152 or the acid suppression by-product 152a may be 0.01 μm to 10 μm (eg, 0.01 μm to 3 μm). When the above-mentioned particle size exceeds a certain size (ie, 1 mm, for example, 10 μm), the degree of dispersion in the vicinity of the surface of the solar cell 10 is reduced when the same amount of the acid suppressing material 152 is included. The effect of the acid suppressing material 152 may not be effectively implemented. If the above-described particle size is less than a certain size (ie, 1 nm, for example, 0.01 μm), the effect of the acid suppressing material 152 may not be effectively implemented due to the small particle size. Although the figure illustrates that the acid suppressing material 152 has a spherical particle shape, the present invention is not limited thereto. In addition, the acid suppressing material 152 may be used by mixing particles having different shapes or different particle sizes. Various other modifications are possible.

이러한 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있는데, 일 예로, 스프레이 코팅, 침지(dipping), 스핀 코팅 등에 의하여 형성될 수 있다. 이에 대해서는 추후에 도 10a 내지 도 10d를 참조하여 상세하게 설명한다. 상술한 산 억제 물질(152)은 스프레이 코팅, 침지, 스핀 코팅 등에 의하여 쉽게 태양 전지(10) 위에 도포될 수 있다. The acid inhibiting material 152 or the acid inhibiting layer 150 may be formed by various methods, for example, by spray coating, dipping, spin coating, or the like. This will be described in detail later with reference to FIGS. 10A to 10D . The above-described acid inhibiting material 152 may be easily applied on the solar cell 10 by spray coating, dipping, spin coating, or the like.

본 실시예에서는 인터커넥터(142)의 표면(좀더 정확하게는, 인터커넥터(142)와 밀봉재(130) 사이 및/또는 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b) 사이) 위에 산 억제 물질(152)이 위치한다. 도 3에서는 산 억제 물질(152)을 구성하는 복수의 입자들이 태양 전지(10)의 표면 부분에서 조밀하게 위치하여 끊어지지 않고 서로 연속적으로 이어지는 하나의 산 억제층(150)을 형성한 것을 예시하였다. 이러한 산 억제층(150)이 태양 전지(10) 위에서 인터커넥터(142)에 대응하여 부분적으로 위치하되, 인터커넥터(142)의 전체 표면(특히, 전체 측면)을 둘러싸면서 인터커넥터(142)와 밀봉재(130) 사이에 위치하여 인터커넥터(142)와 밀봉재(130)에 서로 접촉할 수 있다. 그리고 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b) 사이에 더 위치하여 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b)에 서로 접촉할 수 있다. 그러면 산 억제 물질(152)에 의한 효과가 효과적으로 구현될 수 있으며 인터커넥터(142)에 산 억제 물질(152)을 포함하는 물질층(일 예로, 플럭스층)을 형성하는 단순한 공정에 의하여 산 억제 물질(152)을 원하는 위치에 위치시킬 수 있다. 그리고 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b) 사이에 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 위치하여도 매우 얇은 두께이므로 전기적 연결 특성에는 큰 문제가 없을 수 있다. In this embodiment, an acid inhibiting material on the surface of the interconnector 142 (more precisely, between the interconnector 142 and the sealant 130 and/or between the interconnector 142 and the busbar electrodes 42b, 44b). (152) is located. 3 illustrates that a plurality of particles constituting the acid suppression material 152 are densely located on the surface portion of the solar cell 10 to form one acid suppression layer 150 continuously connected to each other without breaking. . This acid suppression layer 150 is partially positioned on the solar cell 10 to correspond to the interconnector 142 , but surround the entire surface (particularly, the entire side surface) of the interconnector 142 and the interconnector 142 and It may be positioned between the sealant 130 to contact the interconnector 142 and the sealant 130 . In addition, it may be further positioned between the interconnector 142 and the busbar electrodes 42b and 44b to contact the interconnector 142 and the busbar electrodes 42b and 44b. Then, the effect of the acid-suppressing material 152 can be effectively realized, and the acid-suppressing material by a simple process of forming a material layer (eg, a flux layer) including the acid-suppressing material 152 on the interconnector 142 . (152) can be positioned at a desired position. In addition, even if the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 is positioned between the interconnector 142 and the bus bar electrodes 42b and 44b, since the thickness is very thin, there may be no problem in electrical connection characteristics.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 다양한 형태를 가지면서 다양한 위치에 형성될 수 있다. 다양한 변형예를 도 5 내지 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다. However, the present invention is not limited thereto, and the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 may have various shapes and may be formed at various locations. Various modifications will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7 .

도 5는 본 발명의 일 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다. 참조로, 도 5에는 도 3에 대응하는 부분을 도시하였다. 5 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to a modification of the present invention. For reference, FIG. 5 illustrates a portion corresponding to FIG. 3 .

도 5를 참조하면, 본 변형예에서는 입자 형태를 가지는 산 억제 물질(152)이 적어도 일부끼리는 서로 인접하여 접하고 나머지는 이격되거나, 입자 형태를 가지는 산 억제 물질(152)이 각기 이격되어 위치한다. 그리고 라미네이션 공정 등에서 산 억제 물질(152)이 밀봉재(130)의 내부로 일부 밀려들어가서 태양 전지(10)와 밀봉재(130)의 경계 부분에서 밀봉재(130)에 둘러싸여 밀봉재(130) 내부에 위치할 수도 있다. 그러면, 산 억제 물질(152)이 연속적으로 이어지는 층 형상을 가지지 않고 산 억제 물질(152)을 구성하는 입자 형태 또는 이러한 입자들이 응집된 형태로 부분적으로 산 억제층(150)을 형성하면서 태양 전지(10)와 밀봉재(130)의 경계 부분에서 흩어진 형태로 위치할 수도 있다. Referring to FIG. 5 , in this modified example, at least some of the acid suppressing material 152 having a particle shape are adjacent to each other and the rest are spaced apart from each other, or the acid suppressing material 152 having a particle shape is spaced apart from each other. In addition, in the lamination process, etc., the acid suppressing material 152 is partially pushed into the sealing material 130 and is surrounded by the sealing material 130 at the boundary between the solar cell 10 and the sealing material 130 and may be located inside the sealing material 130 . have. Then, the acid suppression material 152 does not have a continuous layer shape, and forms the acid suppression layer 150 in the form of particles constituting the acid suppression material 152 or in the form of an agglomeration of these particles while forming the solar cell ( 10) and the sealing material 130 may be located in a scattered form at the boundary portion.

도 6는 본 발명의 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다. 참조로, 도 6에는 도 3에 대응하는 부분을 도시하였다. 6 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to another modified example of the present invention. For reference, FIG. 6 illustrates a portion corresponding to FIG. 3 .

도 6를 참조하면, 본 변형예에서는 인터커넥터(142)에서 버스바 전극(42b, 44b)에 인접하지 않는 표면에서는 산 억제 물질(152)이 연속적으로 끊어지지 않는 산 억제층(150)의 형상을 가지되, 버스바 전극(42b, 44b)에 인접한 표면 위(즉, 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b) 사이)에서는 형성되지 않거나 일부에만 부분적으로 형성될 수 있다. 인터커넥터(142)를 버스바 전극(42b, 44b)에 부착하는 공정 중에 버스바 전극(42b, 44b)에 인접한 인터커넥터(142)의 표면 위에 위치하던 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)의 일부가 제거되어 이러한 형상을 가질 수 있다. 이에 의하면 인터커넥터(142)와 버스바 전극(42b, 44b)이 서로 접촉하는 부분이 존재하므로 전기적 연결이 좀더 안정적으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 6 , in this modified example, the acid suppression layer 150 does not continuously break the acid suppression material 152 on the surface that is not adjacent to the bus bar electrodes 42b and 44b in the interconnector 142 . However, it may not be formed on the surface adjacent to the bus bar electrodes 42b and 44b (ie, between the interconnector 142 and the bus bar electrodes 42b and 44b) or may be partially formed only in part. During the process of attaching the interconnector 142 to the busbar electrodes 42b and 44b, the acid inhibiting material 152 or the acid inhibiting layer ( 150) may be removed to have this shape. According to this configuration, since there is a portion where the interconnector 142 and the bus bar electrodes 42b and 44b contact each other, the electrical connection can be made more stably.

도 7은 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이다. 참조로, 도 7에는 도 3에 대응하는 부분을 도시하였다. 7 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to another modified example of the present invention. For reference, FIG. 7 shows a portion corresponding to FIG. 3 .

도 7을 참조하면, 본 변형예에서는 산 억제 물질(152)이 인터커넥터(142)에서 코어층(또는 본체)(142a)의 외면에 형성되어 인터커넥터(142)의 외면을 형성하는 솔더층(142b)에 포함될 수 있다. 그러면, 밀봉재(130)와 인접한 인터커넥터(142)의 표면에 산 억제 물질(152)이 위치할 수 있다. 산성 물질에 의하여 전극(42, 44)이 부식되어 문제가 발생할 수 있는바, 전극(42, 44)에 부착되는 인터커넥터(142)이 산 억제 물질(152)을 포함하여 재료 비용, 공정 시간 등을 저감할 수 있다. 이러한 인터커넥터(142)의 제조 방법은 추후에 도 11을 참조하여 상세하게 설명한다. Referring to FIG. 7 , in this modified example, an acid inhibiting material 152 is formed on the outer surface of the core layer (or body) 142a in the interconnector 142 to form a solder layer ( 142b). Then, the acid inhibiting material 152 may be positioned on the surface of the interconnector 142 adjacent to the sealing material 130 . Since the electrodes 42 and 44 are corroded by the acidic material, a problem may occur. The interconnector 142 attached to the electrodes 42 and 44 includes the acid suppressing material 152, material cost, process time, etc. can be reduced. A method of manufacturing such an interconnector 142 will be described in detail later with reference to FIG. 11 .

도 5 내지 도 7에서는 산 억제 부산물(152a)은 별도로 도시하지 않았으나, 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 부산물(152a)이 함께 구비될 수 있다. 5 to 7 , the acid suppression byproduct 152a is not separately illustrated, but the acid suppression byproduct 152a may be provided on the surface of the interconnector 142 together.

다시 도 2를 참조하면, 본 실시예에서 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)은 인터커넥터(142)의 표면 위에 형성되어 태양 전지 패널(100)에 포함된다. 이에 따라 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 버스바 전극(42b, 44b)의 주변부에는 위치하되, 핑거 전극(42a, 44a)의 주변부에는 위치하지 않을 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 추가적으로 핑거 전극(42a, 44a) 위 또는 태양 전지(10)의 표면 위에 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)을 형성할 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. Referring back to FIG. 2 , in this embodiment, the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 is formed on the surface of the interconnector 142 to be included in the solar cell panel 100 . Accordingly, the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 may be positioned on the periphery of the bus bar electrodes 42b and 44b, but not on the periphery of the finger electrodes 42a and 44a. However, the present invention is not limited thereto, and the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 may be additionally formed on the finger electrodes 42a and 44a or on the surface of the solar cell 10 . Various other modifications are possible.

한편, 본 실시예에서는 밀봉재(130)의 내부에 추가 산 억제 물질(134)을 더 포함할 수 있다. 이에 의하면, 밀봉재(130)의 내부에 위치한 추가 산 억제 물질(134)에 의하여 전극(42, 44)의 부식을 좀더 방지할 수 있다. Meanwhile, in the present embodiment, an additional acid suppressing material 134 may be further included in the sealing material 130 . Accordingly, corrosion of the electrodes 42 and 44 can be further prevented by the additional acid suppressing material 134 located inside the sealing material 130 .

이러한 추가 산 억제 물질(134)로는 카르보디이미드, 아지리딘, 스테아린산 아연, 스테아린산 칼슘, 스테아린산 마그네슘, 하이드로탈사이트, 수산화마그네슘, 소듐 제올라이트, 칼륨 제올라이트, 아인산염, 아연 산화물, 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물을 포함할 수 있다. 이때, 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물로 상기 산 억제 물질인 리튬 산화물, 소듐 산화물, 칼륨 산화물, 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 칼슘 산화물, 스트론튬 산화물, 바륨 산화물 및 라듐 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Such additional acid inhibiting substances 134 include carbodiimide, aziridine, zinc stearate, calcium stearate, magnesium stearate, hydrotalcite, magnesium hydroxide, sodium zeolite, potassium zeolite, phosphite, zinc oxide, alkali metal oxide or alkaline earth metal. Oxides may be included. In this case, the alkali metal oxide or alkaline earth metal oxide may include at least one of lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide, beryllium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, and radium oxide, which are the acid inhibiting materials.

그리고 밀봉재(130)의 내부에는 추가 산 억제 물질(134)이 수소 이온(H+) 및/또는 수산화이온(OH-)과 반응하여 형성된 추가 산 억제 부산물(134a)을 더 포함할 수 있다. 즉, 추가 산 억제 물질(134) 중 일부는 반응하지 않고 그대로 잔존하고, 다른 일부는 수소 이온(H+) 및/또는 수산화이온(OH-)과 반응하여 추가 산 억제 부산물(134a)로 변화되어 잔존할 수 있다. 추가 산 억제 부산물(134a)은 존재할 수도 있고 존재하지 않을 수도 있다. And, the interior of the sealing material 130 may further include an additional acid-suppressing by-product 134a formed by the reaction of the additional acid-suppressing material 134 with hydrogen ions (H + ) and/or hydroxide ions (OH-). That is, some of the additional acid-suppressing material 134 does not react and remains as it is, and the other part reacts with hydrogen ions (H + ) and/or hydroxide ions (OH-) to change into additional acid-suppressing by-products 134a. can remain Additional acid suppression by-products 134a may or may not be present.

추가 산 억제 물질(134)은 밀봉재(130)를 제조할 때 첨가하여 밀봉재(130) 내부에 위치할 수 있다. 이에 따라 추가 산 억제 물질(134)은 밀봉재(130)의 전체에 걸쳐 고르게 분산된 형태로 존재할 수 있다. 추가 산 억제 물질(134)은 밀봉재(130)의 형성 시에 함께 첨가하는 것이므로 종류, 형태 등과 관계 없이 포함될 수 있다. 이에 따라 산화물뿐만 아니라 다양한 화합물 또는 수지 등이 추가 산 억제 물질(134)로 사용될 수 있다. 추가 산 억제 물질(134)과 산 억제 물질(152)은 서로 동일한 물질일 수도 있고 서로 다른 물질일 수도 있다. The additional acid inhibiting material 134 may be added when the sealing material 130 is manufactured and positioned inside the sealing material 130 . Accordingly, the additional acid inhibiting material 134 may be present in a uniformly dispersed form throughout the sealing material 130 . Since the additional acid suppressing material 134 is added together when the sealing material 130 is formed, it may be included irrespective of the type, shape, or the like. Accordingly, various compounds or resins as well as oxides may be used as the additional acid inhibiting material 134 . The additional acid suppressing material 134 and the acid suppressing material 152 may be the same material or different materials.

이때, 동일한 단위 영역을 기준으로 보면, 태양 전지(10)의 표면 부분에 위치한 산 억제 물질(152)의 밀도가 밀봉재(130) 내부에 포함된 추가 산 억제 물질(134)의 밀도와 같거나 그보다 더 클 수 있다. 특히, 태양 전지(10)에 인접한 부분에서 산 억제 물질(152)의 밀도가 밀봉재(130) 내부의 추가 산 억제 물질(134)의 밀도보다 더 클 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(10)에 인접한 부분에서 산성 물질에 의하여 발생할 수 있는 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. At this time, based on the same unit area, the density of the acid suppressing material 152 located on the surface portion of the solar cell 10 is equal to or greater than the density of the additional acid suppressing material 134 included in the sealing material 130 . could be bigger In particular, the density of the acid suppressing material 152 in the portion adjacent to the solar cell 10 may be greater than the density of the additional acid suppressing material 134 inside the encapsulant 130 . Accordingly, it is possible to effectively prevent a problem that may be caused by an acidic material in a portion adjacent to the solar cell 10 . However, the present invention is not limited thereto.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 밀봉재(130)에 인접한 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치하여 수분 침투에 따른 전극(42, 44)의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 이와 같이 인터커넥터(142)의 표면 위에 산 억제 물질(152)을 위치시키면, 간단한 공정으로 산 억제 물질(152)을 밀봉재(130)에 인접하는 전극(42, 44)(특히, 버스바 전극(42b, 44b))의 주변부에 형성할 수 있다. 이러한 효과는 전극(42, 44)이 은(Ag)을 포함하거나 유리 프릿으로 보론(B)을 포함하는 경우에 좀더 배가될 수 있다. 이에 의하여 고온 다습한 환경에서 발생할 수 있는 출력 저하 현상을 방지 또는 최소화할 수 있으며, 이에 따라 태양 전지 패널(100)의 장기 신뢰성을 향상할 수 있다. 이와 같이 태양 전지 패널(100)의 장기 신뢰성이 향상되면, 수분 침투를 고려한 다른 구성의 특성을 정밀하게 제어하지 않아도 되므로 재료 비용을 절감할 수 있다. 예를 들어, 종래에는 수분 침투를 방지하기 위하여 매우 엄격한 조건의 제2 커버 부재(120), 전극(42, 44) 등을 사용하였으나, 본 실시예에 따르면 제2 커버 부재(120), 전극(42, 44)의 조건을 다소 완화하여 재료 비용을 절감할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, the acid inhibiting material 152 is positioned on the surface portion of the interconnector 142 adjacent to the sealing material 130 to effectively prevent corrosion of the electrodes 42 and 44 due to moisture penetration. . When the acid-suppressing material 152 is placed on the surface of the interconnector 142 in this way, the acid-suppressing material 152 is applied to the electrodes 42 and 44 (especially, the busbar electrodes) adjacent to the sealing material 130 in a simple process. 42b, 44b))). This effect may be further doubled when the electrodes 42 and 44 include silver (Ag) or boron (B) as a glass frit. As a result, it is possible to prevent or minimize a decrease in output that may occur in a high-temperature and high-humidity environment, thereby improving the long-term reliability of the solar cell panel 100 . As described above, when the long-term reliability of the solar cell panel 100 is improved, it is not necessary to precisely control the characteristics of other components in consideration of moisture penetration, thereby reducing material costs. For example, in the prior art, the second cover member 120, the electrodes 42, 44, etc. under very strict conditions were used to prevent moisture penetration, but according to the present embodiment, the second cover member 120, the electrode ( 42, 44) can be somewhat relaxed to reduce material costs.

도면에서는 제1 및 제2 전극(42, 44)에 각기 부착된 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치하는 것을 예시하였다. 이는 제1 및 제2 전극(42, 44)을 연결하는 인터커넥터(142)에 전체적으로 산 억제 물질(152) 도는 산 억제층(150)을 형성하는 것에 의하여 쉽게 구현될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 베이스 영역(14)이 n형을 가지는 경우에 제1 전극(42)이 은을 포함하고 제2 전극(44)은 은 이외의 다른 물질(예를 들어, 알루미늄)을 포함할 수 있다. 또는, 베이스 영역(14)의 도전형과 관계 없이 전면에 위치한 제1 전극(42)보다 후면에 위치한 제2 전극(44)에 유리 프릿을 더 많이 첨가할 수 있다. 이때, 은을 포함하거나 유리 프릿을 더 적게 포함하는 제1 전극(42)의 부식이 더 문제될 수 있는바, 제1 전극(42)에 부착된 인터커넥터(142)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치하고, 제2 전극(44)에 부착된 인터커넥터(144)의 표면 부분에 산 억제 물질(152)이 위치하지 않을 수 있다. 또는, 제1 전극(42)에 부착된 인터커넥터(142)의 주변에 위치한 산 억제 물질(152)의 양, 밀도 등이 제2 전극(44)에 부착된 인터커넥터(142)의 주변에 위치한 산 억제 물질(152)의 양, 밀도 등보다 클 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 베이스 영역(14)이 p형을 가지거나, 및/또는 제1 및 제2 전극(42, 44) 중 적어도 어느 하나가 은을 포함하지 않거나 유리 프릿을 적은 양으로 포함하는 경우에도, 제1 및 제2 전극(42, 44)에 부착된 인터커넥터(142) 각각에 산 억제 물질(152)이 구비(특히, 동일한 양으로 구비)될 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. The figure illustrates that the acid inhibiting material 152 is positioned on the surface portion of the interconnector 142 attached to the first and second electrodes 42 and 44 , respectively. This can be easily implemented by forming the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 as a whole on the interconnector 142 connecting the first and second electrodes 42 and 44 . However, the present invention is not limited thereto. For example, when the base region 14 has an n-type, the first electrode 42 may include silver and the second electrode 44 may include a material other than silver (eg, aluminum). have. Alternatively, a larger amount of glass frit may be added to the second electrode 44 located at the rear side than the first electrode 42 located at the front side, regardless of the conductivity type of the base region 14 . At this time, since corrosion of the first electrode 42 containing silver or containing less glass frit may be more problematic, an acid inhibiting material is formed on the surface portion of the interconnector 142 attached to the first electrode 42 . 152 , and the acid inhibiting material 152 may not be located on a surface portion of the interconnector 144 attached to the second electrode 44 . Alternatively, the amount, density, etc. of the acid suppressing material 152 located on the periphery of the interconnect 142 attached to the first electrode 42 is located on the periphery of the interconnect 142 attached to the second electrode 44 . It may be greater than the amount, density, etc. of the acid inhibiting material 152 . However, the present invention is not limited thereto. Thus, even if the base region 14 has a p-type, and/or at least one of the first and second electrodes 42, 44 does not contain silver or contains a small amount of glass frit, the second Each of the interconnectors 142 attached to the first and second electrodes 42 and 44 may be provided with (particularly, the same amount) of the acid suppressing material 152 . Various other modifications are possible.

그리고 상술한 실시예에서는 태양 전지(10)의 일면을 기준으로 할 때 버스바 전극(42b, 44b) 및 이에 대응하는 인터커넥터(142)가 각기 5개 이하로 구비되는 것을 예시하였다. 이러한 경우에는 버스바 전극(42b, 44b) 또는 이에 대응하는 인터커넥터(142)가 상대적으로 넓은 폭(1mm 내지 2mm의 폭)을 가질 수 있고, 인터커넥터(142)가 사각형의 단면을 가지는 리본으로 구성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. And, in the above-described embodiment, based on one surface of the solar cell 10, the bus bar electrodes 42b and 44b and corresponding interconnectors 142 are exemplified in 5 or less, respectively. In this case, the bus bar electrodes 42b and 44b or the interconnector 142 corresponding thereto may have a relatively wide width (a width of 1 mm to 2 mm), and the interconnector 142 is a ribbon having a rectangular cross section. can be configured. However, the present invention is not limited thereto.

이의 변형예를 도 8 및 도 9를 참조하여 상세하게 설명한다. 도 8은 본 발명의 또 다른 변형예에 따른 태양 전지 패널의 부분 단면도이고, 도 9는 도 8에 도시한 태양 전지 패널에 포함된 태양 전지의 전면 평면도이다. 참조로, 도 8은 도 9의 VIII-VIII 따른 선에 따른 태양 전지 패널의 일부를 도시한 것이다. Modifications thereof will be described in detail with reference to FIGS. 8 and 9 . 8 is a partial cross-sectional view of a solar cell panel according to another modified example of the present invention, and FIG. 9 is a front plan view of a solar cell included in the solar cell panel shown in FIG. 8 . For reference, FIG. 8 illustrates a part of a solar cell panel taken along a line VIII-VIII of FIG. 9 .

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 변형예에서는 태양 전지(10)의 일면을 기준으로 할 때 버스바 전극(42b, 44b) 및 이에 대응하는 인터커넥터(142)가 각기 6개 이상으로 구비되고, 인터커넥터(142)가 상대적으로 작은 폭(일 예로, 0.5mm 이하의 폭)을 가지며 원형 또는 라운드진 형상으로 구비될 수도 있다. 인터커넥터(142)는, 금속으로 구성된 코어층(142a)과, 코어층(142b)의 외면에 위치하며 솔더 물질을 포함하는 솔더층(142b)을 구비할 수 있다. 이때, 버스바 전극(42b, 44b)은 인터커넥터(142)가 안정적으로 부착되도록 하기 위하여 상대적으로 넓은 폭 또는 면적을 가지는 복수의 패드부(422b)를 구비할 수 있고, 복수의 패드부(422b)를 연결하는 작은 폭의 라인부(421b)를 구비할 수 있다. 8 and 9 , in this modified example, six or more bus bar electrodes 42b and 44b and corresponding interconnectors 142 are provided with respect to one surface of the solar cell 10, respectively. , the interconnector 142 may have a relatively small width (for example, a width of 0.5 mm or less) and may be provided in a circular or rounded shape. The interconnector 142 may include a core layer 142a made of metal, and a solder layer 142b disposed on the outer surface of the core layer 142b and including a solder material. In this case, the bus bar electrodes 42b and 44b may include a plurality of pad parts 422b having a relatively wide width or area in order to stably attach the interconnector 142, and a plurality of pad parts 422b. ) may be provided with a line portion 421b of a small width to connect them.

이러한 인터커넥터(142)의 표면에 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 위치할 수 있다. 도 9에서는 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 버스바 전극(42b, 44b)에 인접하지 않는 표면에만 위치하여 인터커넥터(142)와 밀봉재(130) 사이에만 위치한 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)이 버스바 전극(42b, 44b)에 인접하는 표면에도 위치하여 버스바 전극(42b, 44b)과 인터커넥터(142) 사이에도 위치할 수 있다. 또는, 도 7에 도시한 바와 같이, 산 억제 물질(152)이 솔더층(142b) 내에 포함될 수도 있다. 그 외의 다양한 변형이 가능하다. An acid suppression material 152 or an acid suppression layer 150 may be positioned on the surface of the interconnector 142 . 9 illustrates that the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 is located only on the surface not adjacent to the bus bar electrodes 42b and 44b and is located only between the interconnector 142 and the sealing material 130 . However, the present invention is not limited thereto, and the acid-suppressing material 152 or the acid-suppressing layer 150 is also located on the surface adjacent to the busbar electrodes 42b and 44b so that the busbar electrodes 42b and 44b and the interconnector are formed. It can also be located between (142). Alternatively, as shown in FIG. 7 , the acid suppressing material 152 may be included in the solder layer 142b. Various other modifications are possible.

상술한 태양 전지 패널(100)의 제조 방법을 도 10a 내지 도 10d, 그리고 도 11을 참조하여 상세하게 설명한다. A method of manufacturing the above-described solar cell panel 100 will be described in detail with reference to FIGS. 10A to 10D and FIG. 11 .

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 패널의 제조 방법을 도시한 단면도이다. 참조로, 도 10a 및 도 10c에는 도 3에 대응하는 부분을 도시하였다.10A to 10D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell panel according to an embodiment of the present invention. For reference, a portion corresponding to FIG. 3 is shown in FIGS. 10A and 10C.

도 10a에 도시한 바와 같이, 태양 전지(10)를 제조한다. 태양 전지(10)의 제조에는 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다. As shown in FIG. 10A , a solar cell 10 is manufactured. Various known methods may be used for manufacturing the solar cell 10 .

도 10b에 도시한 바와 같이, 인터커넥터(142)의 표면 위에 산 억제 물질(152)을 위치시킨다. 이때, 인터커넥터(142)의 표면에 산 억제 물질(152)을 도포하거나 분사할 수 있다. As shown in FIG. 10B , an acid inhibiting material 152 is placed over the surface of the interconnect 142 . In this case, the acid inhibiting material 152 may be applied or sprayed on the surface of the interconnector 142 .

산 억제 물질(152)을 위치시키는 방법으로 다양한 방법이 적용될 수 있다. 일 예로, 입자 형태의 산 억제 물질(152)을 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 침지(dippng) 등에 의하여 원하는 위치에 도포한 후에 건조 또는 열처리할 수 있다. Various methods may be applied as a method of locating the acid inhibiting material 152 . For example, the acid suppressing material 152 in the form of particles may be applied to a desired location by spray coating, spin coating, dipping, or the like, and then dried or heat treated.

일 예로, 도 10b에서는, 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)을 스프레이 공정으로 인터커넥터(142)의 표면 위에 위치시키는 것을 예시하였다. 즉, 스프레이 노즐(154)을 이용하여 높은 압력으로 산 억제 물질(152)을 흩뿌려서 도포한 후에 건조하여 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)을 형성할 수 있다. 그러면, 소량의 산 억제 물질(152)을 이용하여 산 억제 물질(152) 또는 산 억제층(150)을 고르게 인터커넥터(142)의 표면 위에 형성할 수 있다. As an example, in FIG. 10B , it is illustrated that the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 is disposed on the surface of the interconnector 142 by a spray process. That is, the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 may be formed by spraying and applying the acid suppression material 152 at a high pressure using the spray nozzle 154 , and then drying it. Then, the acid suppression material 152 or the acid suppression layer 150 may be evenly formed on the surface of the interconnector 142 using a small amount of the acid suppression material 152 .

본 실시예에서는 일 예로, 인터커넥터(142) 위에 플럭스층을 형성할 때 산 억제 물질(152)을 함께 위치시킬 수 있다. 즉, 플럭스와 산 억제 물질(152)을 혼합한 혼합 물질(156)을 형성하여 이를 스프레이 공정으로 분사하는 것에 의하여 인터커넥터(142)의 표면 위에 형성되는 플럭스층의 내부에 산 억제 물질(152)이 위치하도록 할 수 있다. 그러면, 단순한 공정으로 산 억제 물질(152)을 인터커넥터(142)의 표면 위에 형성할 수 있다. 이 경우에 입자 형태의 산 억제 물질(152)의 입경이 0.01um 내지 10um(일 예로, 0.01um 내지 3um)일 수 있다. 플럭스로는 알려진 다양한 물질이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 별도의 용매에 산 억제 물질(152)을 혼합하여 이를 스프레이 할 수도 있다. In this embodiment, for example, when forming the flux layer on the interconnector 142 , the acid inhibiting material 152 may be disposed together. That is, by forming the mixed material 156 in which the flux and the acid suppressing material 152 are mixed, and spraying the mixture through a spray process, the acid suppressing material 152 is formed inside the flux layer formed on the surface of the interconnector 142 . can be placed in this position. Then, the acid inhibiting material 152 can be formed on the surface of the interconnector 142 by a simple process. In this case, the particle size of the acid suppressing material 152 in the form of particles may be 0.01 um to 10 um (eg, 0.01 um to 3 um). A variety of known fluxes may be used. However, the present invention is not limited thereto, and the acid inhibiting material 152 may be mixed in a separate solvent and sprayed thereon.

일 예로, 태양 전지 패널(100)에 포함된 태양 전지(10) 전체 100 중량부에 대하여 산 억제 물질(152)이 0.0001 내지 5 중량부(일 예로, 0.001 내지 5 중량부)로 포함될 수 있다. 이러한 범위 내에서 산 억제 물질(152)에 의한 효과를 충분히 발휘하면서도 산 억제 물질(152)에 의한 원하지 않는 변화 등이 발생하지 않도록 할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 산 억제 물질(152)의 중량부가 이와 다른 값을 가질 수도 있다. 그리고 상술한 설명에서는 스프레이 코팅을 일 예로 하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방법으로 산 억제 물질(152)을 태양 전지(10)의 표면 위에 위치시킬 수 있다. For example, 0.0001 to 5 parts by weight (eg, 0.001 to 5 parts by weight) of the acid inhibitory material 152 may be included with respect to 100 parts by weight of the total solar cell 10 included in the solar panel 100 . Within this range, while sufficiently exhibiting the effect of the acid inhibitory material 152, it is possible to prevent undesired changes due to the acid inhibitory material 152 from occurring. However, the present invention is not limited thereto, and the weight portion of the acid suppressing material 152 may have a different value. In addition, although spray coating is exemplified in the above description, the present invention is not limited thereto, and the acid inhibiting material 152 may be positioned on the surface of the solar cell 10 in various ways.

이어서, 도 10c에 도시한 바와 같이, 산 억제 물질(152)이 위치한 인터커넥터(142)를 전극(42, 44)(특히, 버스바 전극(42b, 44b))에 부착한다. 인터커넥터(142)를 부착하는 태빙 공정으로는 알려진 다양한 공정이 사용될 수 있다. Then, as shown in FIG. 10C , the interconnect 142 on which the acid suppression material 152 is located is attached to the electrodes 42 and 44 (particularly, the busbar electrodes 42b and 44b). Various known processes may be used as a tabbing process for attaching the interconnector 142 .

이어서, 도 10d에 도시한 바와 같이, 태양 전지(10)와, 태양 전지(10)를 밀봉하는 밀봉재(130)와, 밀봉재 위에서 태양 전지(100의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재(110)와, 밀봉재(130) 위에서 태양 전지(10)의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재(120)를 서로 적층하여 부착하는 단계를 수행한다. 이에 의하면 인터커넥터(142)의 표면 위에 위치하던 산 억제 물질(152)이 태양 전지(10)와 밀봉재(130)의 경계 부분에 그대로 위치하게 된다. 이때, 밀봉재(130)는 내부에 분산된 추가 산 억제 물질(134)을 더 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. Subsequently, as shown in FIG. 10D , the solar cell 10 , the sealing material 130 sealing the solar cell 10 , and the first cover member 110 positioned on one surface of the solar cell 100 on the sealing material, and , stacking and attaching the second cover member 120 positioned on the other surface of the solar cell 10 on the sealing material 130. According to this, the acid inhibiting material positioned on the surface of the interconnector 142 ( 152) is positioned as it is at the boundary between the solar cell 10 and the sealing material 130. In this case, the sealing material 130 may further include an additional acid inhibiting material 134 dispersed therein. This is not limited thereto.

도 10c 및 도 10d에서는 산 억제 물질(152)이 도 3에 도시한 바와 같이 인터커넥터(142)의 표면 위에 전체적으로 형성된 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 산 억제 물질(152)이 도 5 또는 도 6에 도시한 바와 같이 위치할 수도 있다. 그리고 도 10b 내지 도 10d에서 인터커넥터(142)가 도 3에 도시한 바와 같은 형상을 가지는 것을 예시하였으나, 도 9에 도시한 바와 같은 형상을 가질 수도 있다. 10C and 10D illustrate that the acid inhibiting material 152 is entirely formed on the surface of the interconnector 142 as shown in FIG. 3 . However, the present invention is not limited thereto, and the acid suppressing material 152 may be positioned as shown in FIG. 5 or FIG. 6 . In addition, although it has been exemplified that the interconnector 142 has a shape as shown in FIG. 3 in FIGS. 10B to 10D , it may have a shape as shown in FIG. 9 .

이와 같이 본 실시예에 의하면 플럭스층을 형성하는 공정에서 산 억제 물질(152)을 포함시켜 공정을 단순화할 수 있다. 이에 의하여 산성 물질에 의한 전극(42, 44) 부식 등을 방지하여 출력 저하를 감소 또는 방지할 수 있는 태양 전지 패널(100)을 간단한 공정으로 제조할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, the process can be simplified by including the acid suppressing material 152 in the process of forming the flux layer. Accordingly, the solar cell panel 100 capable of reducing or preventing output degradation by preventing corrosion of the electrodes 42 and 44 caused by acidic substances can be manufactured through a simple process.

상술한 실시예에서는 스프레이 공정을 이용하여 플럭스층에 산 억제 물질(152)을 위치시킨 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 도 7에 도시한 바와 같이 솔더층(142b)을 스프레이 공정을 이용하여 솔더층(142b)을 형성할 때 솔더층(142b)을 구성하는 솔더 물질과 산 억제 물질(152)을 혼합하여 스프레이하여 솔더층(142b) 내부에 산 억제 물질(152)이 위치할 수도 있다. 그리고 도 10b에 도시한 스프레이 공정 대신 도 11에 도시한 침지 공정을 이용하여 산 억제 물질(152)을 인터커넥터(142)의 표면 부분에 위치시킬 수 있다. In the above-described embodiment, it is exemplified that the acid inhibiting material 152 is placed on the flux layer using a spray process. However, the present invention is not limited thereto. Therefore, as shown in FIG. 7, when the solder layer 142b is formed using a spray process, the solder material constituting the solder layer 142b and the acid suppression material 152 are mixed and sprayed. An acid inhibiting material 152 may be positioned inside the solder layer 142b. In addition, the acid inhibiting material 152 may be positioned on the surface portion of the interconnector 142 by using the immersion process shown in FIG. 11 instead of the spray process shown in FIG. 10B .

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 패널의 제조 방법에서 산 억제 물질을 인터커넥터 위에 위치시키는 공정을 도시한 단면도이다. 11 is a cross-sectional view illustrating a process of placing an acid inhibiting material on an interconnector in a method of manufacturing a solar cell panel according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 침지 공정을 이용하여 산 억제 물질(152)을 인터커넥터(142)의 표면 부분에 위치시킬 수 있다. 특히, 인터커넥터(142)가 도 3에 도시한 바와 같은 리본으로 구성되는 경우에는, 인터커넥터(142)의 표면 부분에 위치한 솔더층(142b)을 형성할 때 산 억제 물질(152)이 함께 포함되도록 할 수 있다. Referring to FIG. 11 , an acid inhibiting material 152 may be positioned on a surface portion of the interconnector 142 using an immersion process. In particular, when the interconnector 142 is formed of a ribbon as shown in FIG. 3 , the acid inhibiting material 152 is included when forming the solder layer 142b located on the surface portion of the interconnector 142 . can make it happen

좀더 구체적으로, 인터커넥터(142)의 코어층(또는 본체)(142a)를 일 방향으로 진행시키면서 솔더층(142b)의 형성을 위한 솔더 물질과 산 억제 물질(152)의 혼합물(1420a)에 침지한다. 솔더 물질과 산 억제 물질(152)의 혼합물(1420a)은 상온보다 높은 온도로 가열된 상태이므로 일정한 유동성을 가지는 상태를 가져 코어층(142a) 위에 자연스럽게 도포된다. 일 예로, 솔더 물질과 산 억제 물질(152)의 혼합물(1420a)은 200℃도 내지 300℃의 온도로 가열된 상태일 수 있다. 이러한 온도에서 솔더 물질이 충분한 유동성을 가져 균일하게 도포될 수 있기 때문이다. 그러나 본 발명이 상술한 온도에 한정되는 것은 아니다. 코어층(142a)에 대한 솔더 물질의 젖음성이 크므로 솔더층(142b)이 안정적으로 인터커넥터(142)의 표면 부분에 고르게 형성될 수 있다. 이어서, 솔더층(142b)이 형성된 코어층(142a)을 일정한 길이로 절단하는 것에 의하여 인터커넥터(142)의 제조를 완료할 수 있다. 이때, 코어층(142a)은 도 3에 도시한 바와 같이 사각 단면 형상을 가질 수도 있고, 도 7에 도시한 바와 같이 원형 또는 라운드진 단면 형상을 가질 수도 있다. More specifically, the core layer (or body) 142a of the interconnector 142 is immersed in the mixture 1420a of the solder material and the acid suppression material 152 for the formation of the solder layer 142b while advancing in one direction. do. Since the mixture 1420a of the solder material and the acid suppressing material 152 is heated to a temperature higher than room temperature, it has a state of constant fluidity and is naturally applied on the core layer 142a. For example, the mixture 1420a of the solder material and the acid inhibiting material 152 may be heated to a temperature of 200°C to 300°C. This is because the solder material has sufficient fluidity at such a temperature so that it can be uniformly applied. However, the present invention is not limited to the above temperature. Since wettability of the solder material with respect to the core layer 142a is high, the solder layer 142b may be stably and evenly formed on the surface portion of the interconnector 142 . Next, the interconnector 142 may be manufactured by cutting the core layer 142a on which the solder layer 142b is formed to a predetermined length. In this case, the core layer 142a may have a rectangular cross-sectional shape as shown in FIG. 3 , or may have a circular or rounded cross-sectional shape as shown in FIG. 7 .

본 변형예에서는 침지 공정을 이용하여 솔더층(142b) 내부에 산 억제 물질(152)이 위치한 것을 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 침지 공정을 사용하더라도 산 억제 물질(152)을 솔더층(142b)에 포함시키지 않고, 솔더층(142b) 위에 위치하는 플럭스층에 위치시키는 등 다양한 변형이 가능하다. In this modified example, an example in which the acid suppressing material 152 is located inside the solder layer 142b using an immersion process has been exemplified, but the present invention is not limited thereto. Even if the immersion process is used, various modifications are possible, such as locating the acid suppressing material 152 in the flux layer positioned on the solder layer 142b rather than including it in the solder layer 142b.

이하, 본 발명의 실시예에 의하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이하의 실험예는 본 발명을 예시하기 위하여 제시한 것에 불과할 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples of the present invention. The following experimental examples are merely presented to illustrate the present invention, and the present invention is not limited thereto.

실시예Example 1 One

복수의 태양 전지를 제조한다. 마그네슘 입자와 플럭스를 혼합한 혼합 물질을 스프레이 공정으로 스프레이하여 인터커넥터의 표면 위에 플럭스층을 형성하였다. 플럭스층이 형성된 인터커넥터를 태양 전지에 부착하였다. 이때, 마그네슘 산화물 입자의 평균 크기가 0.2um였고, 태양 전지 전체 100 중량부에 대한 마그네슘 산화물의 중량부가 0.5 중량부였다. 그 후에 밀봉재, 제1 및 제2 커버 부재과 함께 라미네이션하여 태양 전지 패널을 제조하였다. A plurality of solar cells are manufactured. A flux layer was formed on the surface of the interconnector by spraying a mixture of magnesium particles and flux by a spray process. An interconnector with a flux layer was attached to the solar cell. In this case, the average size of the magnesium oxide particles was 0.2 μm, and the weight part of the magnesium oxide was 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total solar cell. Thereafter, the solar cell panel was manufactured by lamination together with the sealing material and the first and second cover members.

비교예comparative example 1 One

플럭스층을 형성할 때 마그네슘 산화물 입자를 포함하지 않은 플럭스를 사용한다는 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 태양 전지 패널을 제조하였다. A solar cell panel was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a flux containing no magnesium oxide particles was used to form the flux layer.

실시예 1 및 비교예 1에 따른 태양 전지에 초가속 온도 및 습도 스트레스 테스트(higly accelerated temperature and humidity stress test, HAST)를 수행하였다. 초가속 온도 및 습도 스트레스 테스트를 192 시간 동안 진행하였다. 실시예 1 및 비교예 1에 따른 태양 전지 패널에서 최초 출력에 대비한 상대적인 출력 저하 값을 도 12에 나타내었다. The solar cells according to Example 1 and Comparative Example 1 were subjected to a high accelerated temperature and humidity stress test (HAST). Hyperaccelerated temperature and humidity stress tests were performed for 192 hours. In the solar panel according to Example 1 and Comparative Example 1, the relative output reduction value compared to the initial output is shown in FIG. 12 .

도 12를 참조하면, 실시예 1에 따른 태양 전지 모듈의 출력 저하 값이 비교예 1 에 따른 태양 전지 패널의 출력 저하 값의 63%에 불과하여 매우 낮은 것을 알 수 있다. 12 , it can be seen that the output reduction value of the solar cell module according to Example 1 is only 63% of the output reduction value of the solar cell panel according to Comparative Example 1, which is very low.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects, etc. as described above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 태양 전지 패널
110: 제1 커버 부재
120: 제2 커버 부재
130: 밀봉재
134: 추가 산 억제 물질
134a: 추가 산 억제 부산물
152: 산 억제 물질
152a: 산 억제 부산물
150: 산 억제층
10: 태양 전지
42: 제1 전극
44: 제2 전극
100: solar panel
110: first cover member
120: second cover member
130: sealing material
134: additional acid inhibitory substances
134a: Additional Acid Suppression Byproduct
152: acid inhibitor
152a: acid inhibition byproduct
150: acid suppression layer
10: solar cell
42: first electrode
44: second electrode

Claims (20)

복수의 태양 전지;
상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하며, 산 억제 물질이 코팅된 인터커넥터;
상기 복수의 태양 전지 및 상기 인터커넥터를 밀봉하는 밀봉재;
상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 일면 위에 위치하는 제1 커버 부재; 및
상기 밀봉재 위에서 상기 태양 전지의 타면 위에 위치하는 제2 커버 부재
를 포함하고,
적어도 상기 밀봉재에 인접한 상기 인터커넥터의 표면 부분에 상기 산 억제 물질이 구비되고,
상기 인터커넥터와 상기 밀봉재 사이에 위치한 상기 산 억제 물질이 산 억제층을 구성하고,
상기 태양 전지 위에서 상기 산 억제층이 상기 인터커넥터에 대응하여 부분적으로 위치하는 태양 전지 패널.
a plurality of solar cells;
an interconnector electrically connecting the plurality of solar cells and coated with an acid inhibiting material;
a sealing material sealing the plurality of solar cells and the interconnector;
a first cover member positioned on one surface of the solar cell on the sealing material; and
A second cover member positioned on the other surface of the solar cell on the sealing material
including,
at least a portion of the surface of the interconnect adjacent to the sealant is provided with the acid inhibiting material;
wherein the acid suppression material located between the interconnector and the sealant constitutes an acid suppression layer;
and wherein said acid suppression layer is partially positioned over said solar cell corresponding to said interconnector.
제1항에 있어서,
상기 산 억제 물질은 상기 인터커넥터의 표면 위에 위치하거나 상기 인터커넥터의 표면에 위치하는 태양 전지 패널.
The method of claim 1,
wherein the acid inhibiting material is located on or on a surface of the interconnector.
제1항에 있어서,
상기 태양 전지는, 광전 변환부와, 전극을 포함하고,
상기 인터커넥터가 상기 전극에 부착되며,
상기 산 억제 물질은 상기 인터커넥터가 부착된 상기 전극에 인접한 부분에 위치하는 태양 전지 패널.
The method of claim 1,
The solar cell includes a photoelectric conversion unit and an electrode,
the interconnector is attached to the electrode;
wherein the acid inhibiting material is located in a portion adjacent to the electrode to which the interconnector is attached.
제3항에 있어서,
상기 전극은, 복수의 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극과 교차하는 방향으로 연장되어 상기 복수의 핑거 전극에 연결되는 버스바 전극을 포함하고,
상기 인터커넥터가 상기 버스바 전극에 부착되며,
상기 산 억제 물질이 상기 버스바 전극에 인접한 부분에 위치하는 태양 전지 패널.
4. The method of claim 3,
The electrode includes a plurality of finger electrodes and a bus bar electrode extending in a direction crossing the plurality of finger electrodes and connected to the plurality of finger electrodes,
the interconnector is attached to the bus bar electrode;
A solar cell panel in which the acid suppressing material is located in a portion adjacent to the bus bar electrode.
제4항에 있어서,
상기 산 억제 물질이 상기 버스바 전극과 상기 인터커넥터 사이에 더 위치하는 태양 전지 패널.
5. The method of claim 4,
wherein the acid inhibiting material is further positioned between the busbar electrode and the interconnector.
제1항에 있어서,
상기 산 억제 물질이 유기물, 또는 금속과 비금속의 화합물로 구성되는 태양 전지 패널.
According to claim 1,
A solar cell panel in which the acid-suppressing material is composed of an organic material or a compound of a metal and a non-metal.
제6항에 있어서,
상기 산 억제 물질이 카르보디이미드(carbodiimide), 아지리딘(aziridin), 스테아린산 아연(zinc stearate), 스테아린산 칼슘(calcium stearate), 스테아린산 마그네슘(magnesium stearate), 하이드로탈사이트(hydrotalcite), 수산화마그네슘(Mg(OH)2), 소듐 제올라이트(sodium zeolite), 칼륨 제올라이트(potassium zeolite), 아인산염(phosphate), 아연 산화물, 알칼리 금속 산화물 및 알칼리 토금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 패널.
7. The method of claim 6,
The acid inhibitory substance is carbodiimide, aziridin, zinc stearate, calcium stearate, magnesium stearate, hydrotalcite, magnesium hydroxide (Mg). A solar cell panel comprising (OH) 2 ), at least one of sodium zeolite, potassium zeolite, phosphate, zinc oxide, alkali metal oxide and alkaline earth metal oxide.
제7항에 있어서,
상기 산 억제 물질인 리튬 산화물, 소듐 산화물, 칼륨 산화물, 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 칼슘 산화물, 스트론튬 산화물, 바륨 산화물 및 라듐 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 패널.
8. The method of claim 7,
A solar cell panel comprising at least one of lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide, beryllium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide and radium oxide, which are the acid inhibiting materials.
제1항에 있어서,
상기 산 억제 물질이 복수의 입자를 포함하는 태양 전지 패널.
The method of claim 1,
A solar cell panel wherein the acid inhibiting material includes a plurality of particles.
제9항에 있어서
상기 산 억제 물질의 입경이 0.01um 내지 10um인 태양 전지 패널.
10. The method of claim 9
A solar cell panel having a particle diameter of 0.01 um to 10 um of the acid-suppressing material.
제1항에 있어서,
상기 복수의 입자 중에 적어도 일부끼리는 서로 접하고 나머지는 이격되거나, 상기 복수의 입자가 각기 서로 이격되어 위치하는 태양 전지 패널.
The method of claim 1,
A solar cell panel in which at least some of the plurality of particles are in contact with each other and others are spaced apart from each other, or the plurality of particles are positioned to be spaced apart from each other.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 인터커넥터의 표면 부분에 상기 산 억제 물질과 수소 이온이 반응하여 형성된 산 억제 부산물을 더 포함하는 태양 전지 패널.
The method of claim 1,
The solar cell panel further comprising an acid-suppressing by-product formed by the reaction of the acid-suppressing material and hydrogen ions on a surface portion of the interconnector.
제1항에 있어서,
상기 밀봉재 내부에 추가 산 억제 물질이 더 포함되는 태양 전지 패널.
According to claim 1,
A solar cell panel further comprising an additional acid inhibiting material inside the encapsulant.
제14항에 있어서,
상기 인터커넥터의 표면 부분에 위치한 상기 산 억제 물질의 밀도가 상기 밀봉재 내부에 포함된 상기 추가 산 억제 물질의 밀도와 같거나 그보다 큰 태양 전지 패널.
15. The method of claim 14,
A solar cell panel wherein the density of the acid suppressing material located on the surface portion of the interconnector is equal to or greater than the density of the additional acid suppressing material contained within the sealant.
제3항에 있어서,
상기 전극이 보론(B)을 포함하는 태양 전지 패널.

4. The method of claim 3,
A solar cell panel in which the electrode includes boron (B).

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