KR102429828B1 - Ultra-small Wavelength-variable Liquid Crystal Etherone Filter Resistant to External Environmental Changes, Light Source and Optical Transceiver Including the Same - Google Patents

Ultra-small Wavelength-variable Liquid Crystal Etherone Filter Resistant to External Environmental Changes, Light Source and Optical Transceiver Including the Same Download PDF

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Abstract

Disclosed are an ultrasmall wavelength-variable liquid crystal etalon filter resistant to external environmental changes, and a light source and an optical transceiver including the same. According to one aspect of the present invention, the wavelength-variable etalon filter allows only a preset wavelength band in incident light to pass therethrough and comprises: an internal seal line including a pair of substrates, an injection space formed between liquid crystal injected between both substrates and each substrate to maintain the distance between the substrates or a high reflection layer and having a main inlet through which the liquid crystal can enter, and a main accommodation space having an auxiliary inlet through which the liquid crystal can be discharged and realized to have a preset shape around an area (L) through which light enters or passes; an external seal line formed between the substrates, having a preset shape, and positioned on the edge of the internal seal line to form an auxiliary accommodation space on the edge of the internal seal line; and an encapsulant encapsulated to prevent the liquid crystal from being discharged.

Description

외부 환경변화에 강인한 초소형 파장가변형 액정 에탈론 필터, 그를 포함하는 광원 및 광 트랜시버{Ultra-small Wavelength-variable Liquid Crystal Etherone Filter Resistant to External Environmental Changes, Light Source and Optical Transceiver Including the Same}Ultra-small Wavelength-variable Liquid Crystal Etherone Filter Resistant to External Environmental Changes, Light Source and Optical Transceiver Including the Same

본 실시예는 외부 환경변화에 강인한 파장가변형 액정 에탈론 필터, 그를 포함하는 광원 및 광 트랜시버에 관한 것이다.The present embodiment relates to a wavelength tunable liquid crystal etalon filter strong against external environmental changes, a light source including the same, and an optical transceiver.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information for the present embodiment and does not constitute the prior art.

에탈론(Etalon)은 간섭현상에 의해 특정 파장에서의 빛만을 투과시키는 광학소자이다. 에탈론은 근접하여 평행하도록 설치된, 반사판을 포함하는 두 기판을 구비하여, 두 평행 거울면에서 빛이 다중반사(multi-reflection)에 의한 간섭현상에 의해 특정 파장에서의 빛만이 투과되도록 한다. 에탈론 필터는 광통신에 많이 사용되는 광학소자로 높은 효율과 높은 파장선택성의 장점을 갖는다. 특히, 외부 캐비티(Cavity)를 포함하는 파장 가변 반도체 레이저 소자에도 사용될 수 있다.An etalon is an optical device that transmits only light at a specific wavelength by interference. The etalon is provided with two substrates including a reflector, which are installed adjacent to each other in parallel, so that only light at a specific wavelength is transmitted through the interference phenomenon caused by multi-reflection of light from the two parallel mirror surfaces. The etalon filter is an optical device widely used in optical communication and has advantages of high efficiency and high wavelength selectivity. In particular, it may be used in a wavelength tunable semiconductor laser device including an external cavity.

이때, 에탈론은 캐비티 내부에 액정층을 포함할 수 있다. 인가하는 전압이 변할 경우, 액정층의 굴절률은 인가되는 전압의 변화에 따라 함께 가변하는 특성을 갖기에, 에탈론은 전기적으로 투과하는 광의 파장대역을 변조할 수 있다. 이를 액정 에탈론 필터라 한다.In this case, the etalon may include a liquid crystal layer inside the cavity. When the applied voltage is changed, the refractive index of the liquid crystal layer has a characteristic that also varies according to the change of the applied voltage, so that the etalon can modulate the wavelength band of the electrically transmitted light. This is called a liquid crystal etalon filter.

그러나 종래의 파장 조절형 에탈론 필터는 내부에 채워져 있는 액정이 외부에서 가해지는 압력 변화, 외부의 온도 변화 등 외부 환경이 변화함에 따라, 그의 특성이나 크기가 변화하게 된다. 액정의 특성이나 크기의 변화는, 곧, 에탈론 필터의 투과 파장에 영향을 미치기 때문에, 에탈론 필터의 성능 저하를 유발한다. 특히, 에탈론의 삽입손실은 두 기판의 평행도에 많은 영향을 받는다. 액정의 부피가 변화하게 되면, 두 기판의 평행도가 저하되어 삽입 손실이 증가하는 문제가 발생한다.However, in the conventional wavelength control type etalon filter, as the external environment changes, such as a change in pressure applied from the outside to the liquid crystal filled therein, and a change in external temperature, its characteristics or size change. A change in the characteristics or size of the liquid crystal directly affects the transmission wavelength of the etalon filter, and thus causes deterioration in the performance of the etalon filter. In particular, the insertion loss of the etalon is greatly affected by the parallelism of the two substrates. When the volume of the liquid crystal is changed, the parallelism between the two substrates is lowered, so that an insertion loss is increased.

액정을 이용하는 LCD도 사용온도에 따른 액정의 부피변화가 발생할 수 있으나, 액정의 부피변화가 제품의 특성에 미치는 영향은 에탈론 필터와는 상이하다. LCD는 액정을 이용하여 출력광의 파장이 아닌 출력광의 세기를 조절한다. 이 때문에 액정층의 두께가 미세하게 변하게 되면, 출력광의 세기가 미세하게 변할 뿐 화질상에 큰 변화가 나타나지는 않는다. LCD 내 두 기판의 평행도가 미세하게 달라지더라도 화질상의 변화는 거의 발생하지 않는다. 또한, LCD는 액정을 포함하는 면적으로 최소 수 cm2 에서 수만 cm2를 갖기 때문에, 액정 부피 변화로 인한 영향이 상대적으로 현저히 둔감할 수 있다. LCD using liquid crystal may also change the volume of the liquid crystal depending on the temperature of use, but the effect of the volume change of the liquid crystal on the characteristics of the product is different from that of the etalon filter. LCD uses liquid crystal to control the intensity of the output light, not the wavelength of the output light. For this reason, when the thickness of the liquid crystal layer is slightly changed, the intensity of the output light is slightly changed, but there is no significant change in image quality. Even if the parallelism of the two substrates in the LCD is slightly different, there is little change in image quality. In addition, since the LCD has a minimum of several cm 2 to tens of thousands of cm 2 as an area including liquid crystal, an effect due to a change in the liquid crystal volume may be relatively insensitive.

또한, LCD는 액정이 채워질 공간을 스페이서로 고정하고 있으며 이를 이용하여 공간의 간격을 조정할 수 있어, 액정의 부피 증가나 특성 변화에 둔감할 수 있다. 반면, 에탈론 필터는 LCD와 달리 액정을 포함하는 면적이 0.1 cm2 이하로 현저히 작아 액정의 부피 증가에 영향을 받게 되며, 크기로 인해 스페이서와 같은 구성인 포함될 수 없어 액정의 성질이나 크기 변화에 지대한 영향을 받게 된다.In addition, the LCD fixes the space to be filled with the liquid crystal with a spacer, and the space between the spaces can be adjusted by using the spacer, so that it can be insensitive to an increase in the volume of the liquid crystal or a change in characteristics. On the other hand, the etalon filter, unlike LCD, has an area containing liquid crystals of 0.1 cm 2 or less and is affected by an increase in the volume of liquid crystals. will be greatly affected.

이에 따라, 액정을 포함하되, 외부 환경 변화에 강인한 특성을 갖는 에탈론 필터에 대한 수요가 존재한다.Accordingly, there is a demand for an etalon filter that includes a liquid crystal, but has characteristics that are strong against changes in the external environment.

본 발명의 일 실시예는, 외부 환경변화에 강인한 파장가변형 액정 에탈론 필터, 그를 포함하는 광원 및 광 트랜시버를 제공하는 데 일 목적이 있다.An embodiment of the present invention has an object to provide a wavelength tunable liquid crystal etalon filter that is strong against external environmental changes, a light source and an optical transceiver including the same.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서, 한 쌍의 기판과 양 기판 사이에 주입되는 액정과 각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 상기 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인과 각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인 및 봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터를 제공한다.According to one aspect of the present embodiment, in the wavelength tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light, it is formed between a pair of substrates and a liquid crystal injected between both substrates and each substrate, the substrate or the It maintains the interval between the highly reflective layers, has an injection space having a main injection hole through which the liquid crystal can be introduced, and a secondary injection hole through which liquid crystal can flow out, and has a predetermined shape with the center of the region L through which light is incident or passed. is formed between an inner seal line including a main accommodation space implemented to have It provides a tunable etalon filter comprising a seal line and an encapsulant for preventing the liquid crystal from being discharged.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 파장 가변형 에탈론 필터는 각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 자신을 향해 입사하는 광을 반사시키는 한 쌍의 고반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the wavelength tunable etalon filter is characterized in that each substrate is positioned in a direction facing each other, and further includes a pair of highly reflective layers for reflecting light incident toward the substrate.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 고반사층은 입사되는 광을 자신의 사이에서 다중반사시키며 간섭을 유도하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the highly reflective layer is characterized in that it induces interference by multiple reflection of the incident light therebetween.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 봉지재는 상기 주 주입구로 주입되어 경화됨으로서, 상기 주 주입구를 봉지시키는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the encapsulant is injected into the main injection port and hardened, thereby sealing the main injection port.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 부 주입구는 상기 주 주입구로부터 가장 먼 위치에 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the secondary injection hole is characterized in that it is formed at the farthest position from the main injection hole.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 부 주입구는 복수 개로 구현될 수 있는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of this embodiment, the auxiliary injection hole is characterized in that it may be implemented in plurality.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 부 주입구는 상기 주 주입구로부터 가장 먼 위치를 기준으로 기 설정된 거리 내에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the secondary injection port is characterized in that each is formed within a predetermined distance based on the position furthest from the main injection port.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 외부 씰라인은 일 부분이 개방된 기 설정된 형상을 가지며, 개방된 부분이 상기 주입 공간의 일 위치에 각각 접촉하여 폐쇄된 공간을 형성하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the external seal line has a predetermined shape in which one part is opened, and the open part is in contact with one position of the injection space to form a closed space.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 파장 가변형 에탈론 필터는 각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 외부로부터 전원을 인가받아 전기장을 형성하는 한 쌍의 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the wavelength tunable etalon filter is characterized in that it further includes a pair of transparent electrodes positioned in a direction in which each substrate faces each other and receiving power from the outside to form an electric field.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 파장 가변형 에탈론 필터는 각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 상기 액정을 배향시키는 한 쌍의 배향막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of this embodiment, the wavelength tunable etalon filter is positioned in a direction in which each substrate faces each other, characterized in that it further comprises a pair of alignment layers for aligning the liquid crystal.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 기 설정된 파장대역의 광을 조사하는 광원에 있어서, 외부로부터 전원을 공급받아 광을 출력하며, 자신을 거치는 광을 증폭시키는 이득매질과 상기 이득매질로부터 광이 출력되는 방향으로 상기 이득매질의 전방에 위치하여 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역의 광만을 투과시키는, 상기 파장 가변형 에탈론 필터 및 상기 이득매질과 상기 파장 가변형 에탈론 필터를 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어, 상기 이득매질에서 조사된 광을 반사시키는 한 쌍의 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원을 제공한다.According to one aspect of the present embodiment, in the light source irradiating light of a preset wavelength band, the light source is supplied with power from the outside to output light, and a gain medium for amplifying light passing through the light source and light from the gain medium are output. The wavelength tunable etalon filter and the gain medium and the wavelength tunable etalon filter that are positioned in front of the gain medium and transmit only light of a preset wavelength band among the incident lights are disposed to face each other , It provides a light source comprising a pair of mirrors for reflecting the light irradiated from the gain medium.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 한 쌍의 미러 중 어느 하나는 상대적으로 반사도가 낮은 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, any one of the pair of mirrors is characterized in that the reflectivity is relatively low.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 파장 가변형 에탈론 필터는 외부로부터 전원을 인가받아 굴절률을 조정함으로서, 투과시킬 광의 파장대역을 조정하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the wavelength tunable etalon filter receives power from the outside and adjusts the refractive index, thereby adjusting the wavelength band of the light to be transmitted.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 광원은 광 경로 상에서 상기 이득매질 및 상기 파장 가변형 에탈론 필터 사이에 배치되는 고정형 에탈론 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of this embodiment, the light source further comprises a fixed etalon filter disposed between the gain medium and the wavelength tunable etalon filter on the optical path.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 고정형 에탈론 필터는 FSR(Free Spectral Range) 간격마다 이산적(Discrete)으로 광을 투과시키는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the fixed etalon filter is characterized in that the light is transmitted discretely at each FSR (Free Spectral Range) interval.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 광원 및 상기 광원의 동작을 제어하는 드라이버를 포함하는 송신부 및 외부에서 출력된 광 중 기 설정된 파장대역의 광만을 수신하는 수신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 트랜시버를 제공한다.According to one aspect of this embodiment, an optical transceiver comprising a transmitter including the light source and a driver for controlling the operation of the light source, and a receiver for receiving only light of a preset wavelength band among lights output from the outside to provide.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서, 한 쌍의 기판과 양 기판 사이에 주입되는 액정과 각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 상기 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인과 각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인 및 봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재를 포함하며, 상기 부 수용공간은 기 설정된 위치에 자신에 인접한 영역보다 상대적으로 넓은 폭을 갖는 무액정실을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터를 제공한다.According to one aspect of the present embodiment, in the wavelength tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light, it is formed between a pair of substrates and a liquid crystal injected between both substrates and each substrate, the substrate or the It maintains the interval between the highly reflective layers, has an injection space having a main injection hole through which the liquid crystal can be introduced, and a secondary injection hole through which liquid crystal can flow out, and has a predetermined shape with the center of the region L through which light is incident or passed. is formed between an inner seal line including a main accommodation space implemented to have It includes a seal line and an encapsulant to prevent the liquid crystal from being discharged, and the sub-accommodating space includes a liquid crystal-free chamber having a relatively wider width than an area adjacent to itself at a preset position. A talon filter is provided.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 무액정실은 상기 기판, 상기 고반사층 및 상기 투명전극 중 일부 또는 전부가 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present embodiment, the liquid crystal-free chamber is formed by etching some or all of the substrate, the highly reflective layer, and the transparent electrode.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 무액정실은 각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 고반사층이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the liquid crystal-free chamber is characterized in that the high reflective layer is etched to a predetermined depth on an axis formed in a direction in which the respective substrates face each other.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 무액정실은 각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 기판이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the liquid crystal-free chamber is characterized in that the substrate is formed by etching the substrate to a predetermined depth on an axis formed in a direction facing each other.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 무액정실은 각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 투명전극이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the liquid crystal-free chamber is characterized in that the transparent electrode is etched by a preset depth on an axis formed in a direction in which the respective substrates face each other.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서, 한 쌍의 기판과 양 기판 사이에 주입되는 액정과 각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 상기 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인과 각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인과 상기 외부 씰라인의, 상기 주 주입구를 기준으로 기 설정된 반경 내 일 지점으로부터 상기 외부 씰라인의 외부로 돌출된 추가 씰라인 및 봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터를 제공한다.According to one aspect of the present embodiment, in the wavelength tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light, it is formed between a pair of substrates and a liquid crystal injected between both substrates and each substrate, the substrate or the It maintains the interval between the highly reflective layers, has an injection space having a main injection hole through which the liquid crystal can be introduced, and a secondary injection hole through which liquid crystal can flow out, and has a predetermined shape with the center of the region L through which light is incident or passed. is formed between an inner seal line including a main accommodation space implemented to have An additional seal line protruding from a point within a preset radius of the seal line and the external seal line to the outside of the external seal line with respect to the main injection port, and an encapsulant for sealing and preventing the liquid crystal from being discharged It provides a wavelength tunable etalon filter characterized in that.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 추가 씰라인은 주입되는 봉지재의 확산을 방지하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the additional seal line is characterized in that it prevents diffusion of the injected encapsulant.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 봉지재는 봉지를 위해 주입되는 경우, 상기 주 주입구 및 상기 추가 씰라인이 형성하는 공간 내에서 위치하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, when the encapsulant is injected for encapsulation, it is characterized in that it is positioned in a space formed by the main injection hole and the additional seal line.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서, 한 쌍의 기판과 일 기판 상으로 적하(Drop)되며 양 기판 사이에 배치되는 액정과 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인 및 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터를 제공한다.According to one aspect of this embodiment, in the wavelength tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light, the liquid crystal and the liquid crystal are dropped onto a pair of substrates and one substrate and disposed between the two substrates. It has a sub-inlet through which it can flow and has an internal seal line and a preset shape including a main accommodating space implemented to have a preset shape based on an area L through which light is incident or passed, and the internal seal It provides a wavelength tunable etalon filter, which is located outside the line and includes an external seal line forming a sub-accommodating space on the outside of the inner seal line.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 내부 씰라인은 하나 이상의 부 주입구를 갖는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of this embodiment, the inner seal line is characterized in that it has one or more secondary injection holes.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 외부 씰라인은 사각형상을 갖는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of this embodiment, the outer seal line is characterized in that it has a rectangular shape.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 외부 씰라인은 닫힌 경로를 형성하여 적하된 액정이 외부로 유출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the external seal line is characterized in that it forms a closed path to prevent the dropped liquid crystal from leaking to the outside.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 파장 가변형 에탈론 필터는 상기 내부 씰라인의 부 주입구로부터 가장 먼 위치에서 상기 외부 씰라인까지 돌출된 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the wavelength tunable etalon filter further includes a partition wall protruding from a position furthest from the secondary injection port of the inner seal line to the outer seal line.

본 실시예의 일 측면에 의하면, 상기 격벽은 상기 부 수용공간 내에서 액정의 유동을 방지하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present embodiment, the partition wall is characterized in that it prevents the liquid crystal from flowing in the sub-accommodating space.

이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예의 일 측면에 따르면, 파장가변형 액정 에탈론 필터가 외부 환경이 변화하더라도 그로 인한 성능 저하를 최소화할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to one aspect of the present embodiment, the wavelength tunable liquid crystal etalon filter has an advantage in that performance degradation can be minimized even when the external environment changes.

본 실시예의 일 측면에 따르면, 파장가변형 액정 에탈론 필터가 광원 또는 광 트랜시버 등의 장치 내 장착됨에 있어, 경화과정에서 씰라인에 가해질 수 있는 손상을 최소화할 수 있는 장점이 있다.According to one aspect of this embodiment, since the wavelength tunable liquid crystal etalon filter is mounted in a device such as a light source or an optical transceiver, there is an advantage in that damage that may be applied to the seal line during the curing process can be minimized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 트랜시버의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 액정이 주입되는 과정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터와 종래의 에탈론 필터의 열충격에 대한 삽입손실을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 투과 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 씰라인의 변형례를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 변형례를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터에 전원을 인가하였을 때 형성되는 전기장을 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터에 액정을 주입한 후의 상태를 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터가 가공되는 과정을 도시한 도면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터와 종래의 에탈론 필터가 최종적으로 봉지된 모습을 도시한 도면이다.
도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이다.
도 19는 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 액정이 주입되는 과정을 도시한 도면이다.
도 20 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 변형례를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating the configuration of an optical transceiver according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a configuration of a light source according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a first embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a process in which liquid crystal is injected into a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph showing insertion loss with respect to thermal shock of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter and a conventional etalon filter according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph illustrating a transmission spectrum of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention.
8 and 9 are views illustrating a modified example of a seal line in a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention.
10 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.
12 is a view showing a modified example of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.
13 is a diagram illustrating an electric field formed when power is applied to a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.
14 is a view illustrating a state after injecting liquid crystal into a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.
15 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a third embodiment of the present invention.
16 is a diagram illustrating a process of processing a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a third embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating a state in which a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention and a conventional etalon filter are finally sealed.
18 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a fourth embodiment of the present invention.
19 is a diagram illustrating a process in which liquid crystal is injected into a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a fourth embodiment of the present invention.
20 is a view showing a modified example of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each figure, like reference numerals have been used for like elements.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. It should be understood that terms such as “comprise” or “have” in the present application do not preclude the possibility of addition or existence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification in advance. .

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.In addition, each configuration, process, process or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range that does not technically contradict each other.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 트랜시버의 구성을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating the configuration of an optical transceiver according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 트랜시버(100)는 송신부(110), 수신부(120) 및 제어부(미도시)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , an optical transceiver 100 according to an embodiment of the present invention includes a transmitter 110 , a receiver 120 , and a controller (not shown).

광 트랜시버(100)는 광전송 시스템, 대용량 라우터 또는 스위치 등의 광통신 장치에서 전기 신호를 광신호로 바꿔 광섬유 등을 매체로 송신하며, 송신된 광신호를 수신하여 다시 전기신호로 바꿔주는 모듈이다. 광 트랜시버(100)는 자체적으로 광송신과 광수신 기능 모두를 수행할 수 있다.The optical transceiver 100 is a module that converts an electrical signal into an optical signal in an optical communication device such as an optical transmission system, a large-capacity router or switch, transmits an optical signal as a medium, and receives the transmitted optical signal and converts it back into an electrical signal. The optical transceiver 100 may perform both optical transmission and optical reception functions by itself.

광 트랜시버(100)는 5G 등 다양한 광통신 시스템 내 통신장치 내 부품으로 장착되어, 기 설정된 파장대역의 광신호를 출력하거나 기 설정된 파장대역의 광 만을 수신한다. 특히, 광 트랜시버(100)는 WDM(Wavelength Division Multiplex) 등과 같이 세밀한 파장대역의 조정이 필요한 통신장치 내 장착되어, 세밀하게 파장대역을 조정하여 광을 출력하거나 수신할 수 있다.The optical transceiver 100 is mounted as a component in a communication device in various optical communication systems such as 5G, and outputs an optical signal of a preset wavelength band or receives only light of a preset wavelength band. In particular, the optical transceiver 100 is mounted in a communication device requiring fine wavelength band adjustment, such as a Wavelength Division Multiplex (WDM), and can output or receive light by finely adjusting the wavelength band.

송신부(110)는 기 설정된 파장대역의 레이저 광에 정보를 실어 출력한다. The transmitter 110 loads and outputs information on laser light of a preset wavelength band.

송신부(110)는 기 설정된 파장대역의 레이저 광을 출력하는 광원(200, 도 2를 참조하여 후술) 및 광원(200)의 동작(온/오프)을 제어하는 드라이버(미도시)를 포함한다. 광원(200)은 제어부(미도시) 및 드라이버(미도시)의 제어에 따라 기 설정된 파장대역의 광을 출력하고, 드라이버(미도시)는 제어부(미도시)의 제어에 따라 광원(200)의 동작(온/오프)을 제어한다.The transmitter 110 includes a light source 200 (described later with reference to FIG. 2 ) for outputting laser light of a preset wavelength band and a driver (not shown) for controlling the operation (on/off) of the light source 200 . The light source 200 outputs light of a preset wavelength band according to the control of the controller (not shown) and the driver (not shown), and the driver (not shown) controls the light source 200 according to the control of the controller (not shown). Controls operation (on/off).

수신부(120)는 외부에서 출력된 레이저 광을 수신한다. The receiver 120 receives the laser light output from the outside.

수신부(120)는 파장 가변형 에탈론 필터(230, 도 2를 참조하여 후술) 및 수광부(미도시)를 포함한다. 수신부(120)로는 외부의 광 트랜시버에서 출력된, 정보가 실린 광 뿐만 아니라, 다양한 노이즈 광이 수신될 수 있다. 이에 따라, 파장 가변형 에탈론 필터(230)는 수광부(미도시)로 광이 입사되는 방향으로 수광부(미도시)의 전단에 배치되어 기 설정된 파장대역의 레이저 광을 제외한 노이즈광을 필터링한다. 이에 따라, 수광부(미도시)로는 정보가 실린 광만이 오롯이 입사될 수 있다. 수광부(미도시)는 수신되는 광 신호를 전기신호로 변환한다. 제어부(미도시)는 수광부(미도시)로부터 변환된 전기신호를 수신하여, 수신되는 광 신호 내 실린 정보를 파악한다.The receiver 120 includes a wavelength tunable etalon filter 230 (described later with reference to FIG. 2 ) and a light receiver (not shown). The receiver 120 may receive various noise lights as well as information-carrying light output from an external optical transceiver. Accordingly, the wavelength tunable etalon filter 230 is disposed at the front end of the light receiving unit (not shown) in the direction in which the light is incident to the light receiving unit (not shown) to filter noise light except for laser light of a preset wavelength band. Accordingly, only light carrying information may be incident on the light receiving unit (not shown). The light receiving unit (not shown) converts the received optical signal into an electrical signal. The control unit (not shown) receives the electrical signal converted from the light receiving unit (not shown), and recognizes information carried in the received optical signal.

제어부(미도시)는 송신부(110) 및 수신부(120)의 동작을 제어한다.The controller (not shown) controls the operation of the transmitter 110 and the receiver 120 .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 구성을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a light source according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원(200)은 제1 미러(210), 이득매질(220), 파장 가변형 에탈론 필터(230, 이하에서 '에탈론 필터'라 약칭함) 및 제2 미러(240)를 포함한다. 나아가, 광원(200)은 고정형 에탈론 필터(미도시)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , a light source 200 according to an embodiment of the present invention includes a first mirror 210 , a gain medium 220 , and a wavelength tunable etalon filter 230 , hereinafter abbreviated as 'etalon filter'. ) and a second mirror 240 . Furthermore, the light source 200 may further include a fixed etalon filter (not shown).

이득매질(220)은 외부로부터 전원을 공급받아 광을 출력하며, 자신을 거치는 광을 증폭시킨다.The gain medium 220 receives power from the outside, outputs light, and amplifies the light passing through it.

제1 미러(210) 및 제2 미러(240)는 이득매질(220) 및 에탈론 필터(230)를 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어, 이득매질(220)에서 조사된 광을 반사시킨다. 이득매질(220)로부터 출력된 광은 제1 미러(210) 및 제2 미러(240)에서 반사되며 지속적으로 이득매질(220)을 통과하게 되어, 미러(210, 240) 사이에 캐비티(Cavity)가 형성된다. 캐비티의 형성으로 인해 이득매질(220)로부터 출력된 광은 레이저 공진되며, 상대적으로 반사도가 낮은 제2 미러(240) 방향으로 출력된다.The first mirror 210 and the second mirror 240 are disposed to face each other with the gain medium 220 and the etalon filter 230 interposed therebetween, and reflect the light irradiated from the gain medium 220 . The light output from the gain medium 220 is reflected by the first mirror 210 and the second mirror 240 and continuously passes through the gain medium 220, so that a cavity between the mirrors 210 and 240 is formed. is formed Due to the formation of the cavity, the light output from the gain medium 220 resonates with the laser and is output in the direction of the second mirror 240 having a relatively low reflectivity.

에탈론 필터(230)는 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시킨다. 전술한 바와 같이, 에탈론 필터(230)는 입사되는 광을 다중반사시키며 간섭되도록 유도하여, 기 설정된 파장대역의 광만을 투과시킨다. 에탈론 필터(230)는 액정을 포함하며, 외부로부터 전원을 인가받아 굴절률을 조정함으로서, 투과시킬 광의 파장대역을 조정한다. 이에 따라, 광원(200)은 세밀한 파장대역의 조정을 필요로하는 통신장치 등에 포함되어 출력광의 파장대역을 원하는 대로 조정할 수 있다.The etalon filter 230 transmits only a preset wavelength band among the incident light. As described above, the etalon filter 230 multi-reflects incident light and induces interference to transmit only light of a preset wavelength band. The etalon filter 230 includes liquid crystal, and adjusts the wavelength band of the light to be transmitted by receiving power from the outside and adjusting the refractive index. Accordingly, the light source 200 may be included in a communication device requiring fine adjustment of the wavelength band, and thus the wavelength band of the output light may be adjusted as desired.

이때, 에탈론 필터(230)는 구조적으로 액정을 포함하더라도 외부 환경으로 인한 액정의 특성이나 크기 변화를 최소화함으로써, 자신을 투과하는 광의 파장대역을 정밀하게 조정할 수 있다. 에탈론 필터(230)의 구체적인 구조는 도 3 이하를 참조하여 후술한다.In this case, the etalon filter 230 can precisely adjust the wavelength band of the light passing therethrough by minimizing a change in the characteristics or size of the liquid crystal due to the external environment even though it structurally includes the liquid crystal. A specific structure of the etalon filter 230 will be described later with reference to FIG. 3 or less.

광원(200)은 고정형 에탈론 필터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 고정형 에탈론 필터(미도시)는 FSR(Free Spectral Range) 간격마다 이산적(Discrete)으로 광을 투과시킨다. 즉, 고정형 에탈론 필터(미도시)를 거칠 경우, 출력광은 FSR 간격의 파장대역을 이산적으로 가지며, FSR 간격 사이의 파장대역은 필터링된다. 고정형 에탈론 필터(미도시)는 이득매질(220) 및 에탈론 필터(230) 사이에 배치되어, 에탈론 필터(230)에 우선하여 광이 입사되도록 한다. 고정형 에탈론 필터(미도시)에 의해 입사광에서 FSR 간격 사이의 파장대역이 필터링됨에 따라, 에탈론 필터(230)는 보다 정밀하면서도 수월하게 입사광을 원하는 파장대역으로 조정할 수 있다. The light source 200 may further include a fixed etalon filter (not shown). A fixed etalon filter (not shown) transmits light discretely at intervals of Free Spectral Range (FSR). That is, when passing through a fixed etalon filter (not shown), the output light has a wavelength band having an FSR interval discretely, and the wavelength band between the FSR intervals is filtered. A fixed etalon filter (not shown) is disposed between the gain medium 220 and the etalon filter 230 so that light is incident prior to the etalon filter 230 . As the wavelength band between the FSR interval and the incident light is filtered by the fixed etalon filter (not shown), the etalon filter 230 can more precisely and easily adjust the incident light to a desired wavelength band.

한편, 광원(200)은 광 트랜시버(100) 내 광 송신부(110)에 포함되는 것으로, 에탈론 필터(230)는 광원(200) 및 광 수신부(120)에 포함되는 것으로 편의상 설명되고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 광원(200)은 출력될 레이저 광의 파장대역을 정밀하게 조정할 필요가 있는 장치라면 어떠한 것에 포함되어도 무방하며, 에탈론 필터(230) 역시, 입사하는 레이저 광의 파장대역을 정밀하게 조정할 필요가 있는 소자라면 어떠한 것에 포함되어도 무방하다.Meanwhile, the light source 200 is included in the light transmitter 110 in the optical transceiver 100 , and the etalon filter 230 is described as being included in the light source 200 and the light receiver 120 for convenience. The present invention is not limited thereto. The light source 200 may be included in any device that needs to precisely adjust the wavelength band of the laser light to be output. It is free to be included in anything.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 단면도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 액정이 주입되는 과정을 도시한 도면이다.3 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to the first embodiment of the present invention, and FIG. It is a diagram illustrating a process in which liquid crystal is injected in a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment.

도 3 내지 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터(230, 이하에서 '제1 에탈론 필터'라 약칭함)는 기판(310), 투명전극(320), 고반사층(330), 반사방지층(340), 배향막(350), 내부 씰라인(360), 외부 씰라인(365), 액정(370), 전선(380) 및 봉지재(390)를 포함한다. 3 to 5 , the wavelength tunable liquid crystal etalon filter 230 (hereinafter, abbreviated as 'first etalon filter') according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 310 and a transparent electrode 320. , a highly reflective layer 330 , an antireflection layer 340 , an alignment layer 350 , an inner seal line 360 , an outer seal line 365 , a liquid crystal 370 , an electric wire 380 and an encapsulant 390 . .

기판(310)은 제1 에탈론 필터(230) 내 각 구성을 지지한다. 기판(310a, 310b)는 기 설정된 간격만큼 떨어진 채 마주보도록 배치되어, 마주보는 방향의 면 또는 그의 반대면에 적절한 구성들이 배치될 수 있도록 한다. 기판(310)는 입사되는 레이저 광이나 출력될 레이저 광을 투과시키는 성질을 구비하여, 입사광 또는 출력광이 투과될 수 있도록 한다.The substrate 310 supports each component in the first etalon filter 230 . The substrates 310a and 310b are disposed to face each other while being spaced apart from each other by a predetermined distance, so that appropriate components may be disposed on the surface in the opposite direction or on the opposite surface thereof. The substrate 310 has a property of transmitting the incident laser light or the laser light to be output, so that the incident light or the output light can be transmitted.

투명전극(320)는 각 기판(310)이 서로 마주보는 방향으로의 면에 각각 배치되어 전기장을 형성한다. 주로 투명전극(320) 사이에 전기장이 형성되며, 액정(370)이 배향막(350)을 거쳐 형성되는 전기장의 세기에 따라 배향을 달리한다. 액정(370)의 배향의 변화는 곧, 액정(370)의 굴절률 변화를 유도하기에, 투명전극(320)은 투과될 레이저 광의 파장대역 변화를 유도한다.The transparent electrodes 320 are respectively disposed on the surfaces of the respective substrates 310 facing each other to form an electric field. An electric field is mainly formed between the transparent electrodes 320 , and the orientation of the liquid crystal 370 is changed according to the strength of the electric field formed through the alignment layer 350 . Since the change in the orientation of the liquid crystal 370 leads to a change in the refractive index of the liquid crystal 370 , the transparent electrode 320 induces a change in the wavelength band of the laser light to be transmitted.

고반사층(330)은 투명전극(320) 상에 또는 각 기판(310)이 서로 마주보는 방향으로의 면에 배치되어 자신을 향해 입사되는 광을 반사시킨다. 고반사층(330)은 제1 에탈론 필터(230)로 입사되는 광을 사이에서 다중반사시키며 간섭을 유도한다. 이때, 다중반사 간섭현상을 정상적인 품질로 유지하기 위해서는, 두 고반사층(330)이 평행하여야 한다. 즉, 레이저 빔이 지나는 단면 내에서 두 고반사층(330) 간의 거리가 일정하고, 그 편차가 수십 nm 이하를 유지하는 것이 바람직하다. 간섭이 진행되며, 간섭이 진행되는 공간 상의 굴절률 및 해당 공간의 간격(도 4에서는 z축 방향으로 고반사층 간 간격)에 따라 기 설정된 파장대역의 광만이 투과된다. 도 2에는 고반사층(330)이 투명전극(320) 상에 배치되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 고반사층(330) 상에 투명전극(320)이 배치되어도 무방하다.The highly reflective layer 330 is disposed on the transparent electrode 320 or on the surfaces of the substrates 310 facing each other to reflect light incident toward the transparent electrode 320 . The highly reflective layer 330 multi-reflects light incident to the first etalon filter 230 and induces interference therebetween. At this time, in order to maintain the multi-reflection interference phenomenon in a normal quality, the two highly reflective layers 330 should be parallel. That is, it is preferable that the distance between the two highly reflective layers 330 is constant within the cross section through which the laser beam passes, and the deviation thereof is maintained at tens of nm or less. Interference proceeds, and only light of a preset wavelength band is transmitted according to the refractive index of the space in which the interference is performed and the interval of the corresponding space (in FIG. 4 , the interval between the highly reflective layers in the z-axis direction). Although FIG. 2 illustrates that the highly reflective layer 330 is disposed on the transparent electrode 320 , the present invention is not limited thereto, and the transparent electrode 320 may be disposed on the highly reflective layer 330 .

반사방지층(340)은 각 기판(310)이 서로 마주보는 방향으로의 반대측 면에 배치되어, 제1 에탈론 필터(230)로 입사되는 광이나 제1 에탈론 필터(230)에서 출력될 광의 기판으로 인한 반사를 최소화한다. 광이 입사하는 경우, 기판(310)의 표면부(특히, 각 기판(310)이 서로 마주보는 방향으로의 반대측 면)에서 반사가 발생하며 광량이 떨어지는 경우가 발생할 수 있다. 반사방지층(340)은 기판의 해당 면에 배치되어, 기판의 경계면에서의 광의 반사를 최소화한다.The anti-reflection layer 340 is disposed on the opposite side of each substrate 310 in a direction opposite to each other, and is a substrate for light incident to the first etalon filter 230 or light to be output from the first etalon filter 230 . Minimize reflections caused by When light is incident, reflection occurs on the surface portion of the substrate 310 (especially, the surface opposite to the direction in which each substrate 310 faces each other), and the amount of light may decrease. The anti-reflection layer 340 is disposed on the corresponding surface of the substrate to minimize reflection of light at the interface of the substrate.

배향막(350)은 각 기판(310)이 서로 마주보는 방향으로 고반사층(330) 상에 배치되어, 액정(370)을 배향시킨다. 배향막(350)은 전술한 방향으로 고반사층(330) 상에 배치되며, 외부 씰라인(365)을 벗어나지 않을 정도로 형성된다, 배향막(350)은 해당 위치에 배치되어, 투명전극(320)에 의해 전기장이 형성될 경우, 전기장에 의해 액정의 배열방향이 초기배열 방향과 다른 방향으로 변하더라고 배향막에 인접한 액정을 초기의 배열 방향으로 유지시킨다. The alignment layer 350 is disposed on the high reflection layer 330 in a direction in which the respective substrates 310 face each other to align the liquid crystal 370 . The alignment layer 350 is disposed on the high reflective layer 330 in the above-described direction, and is formed so as not to deviate from the external seal line 365 . The alignment layer 350 is disposed at the corresponding position and formed by the transparent electrode 320 . When the electric field is formed, the liquid crystal adjacent to the alignment layer is maintained in the initial arrangement direction even if the arrangement direction of the liquid crystal is changed in a direction different from the initial arrangement direction by the electric field.

내부 씰라인(360) 및 외부 씰라인(365)은 각 기판(310) 사이에 형성되어, 각 기판(310) 또는 고반사층(330) 사이의 간격을 유지하며, 액정의 수용 공간을 형성한다. 각 씰라인(360, 365)는 열경화성 또는 광경화성 특징을 갖는 폴리머 실런트(Sealant)로 구현되어, 각 기판(310) 사이에 형성될 수 있다.The inner seal line 360 and the outer seal line 365 are formed between the respective substrates 310 to maintain a gap between the respective substrates 310 or the highly reflective layer 330 and form a space for receiving liquid crystal. Each of the seal lines 360 and 365 may be implemented with a polymer sealant having thermosetting or photocuring characteristics, and may be formed between the respective substrates 310 .

내부 씰라인(360)은 기 설정된 폭을 가지며, 액정이 유입될 수 있는 주 주입구(510)를 갖는 주입공간 및 주입공간의 (기 설정된) 폭보다 상대적으로 큰 폭을 가지며, 레이저 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간(530)을 포함한다. 주 수용공간의 기 설정된 위치, 예를 들어, 주 주입구로부터 가장 먼 위치에 일 부분이 개방된 부 주입구(520)가 구현된다. The inner seal line 360 has a preset width, has a relatively larger width than the (preset) width of the injection space and the injection space having the main injection hole 510 through which the liquid crystal can be introduced, and the laser light is incident or It includes a main accommodating space 530 implemented to have a predetermined shape based on the area L through which it passes. A sub-inlet 520 in which a part is opened is implemented at a preset position of the main accommodation space, for example, at a position furthest from the main inlet.

한편, 외부 씰라인(365)은 기 설정된 형상을 가지며 내부 씰라인(365)의 외곽에 위치하되, 내부 씰라인(360)의 주입공간 중 일 위치와 접촉하여 폐쇄된 공간을 형성한다. 외부 씰라인(365)에 의해 내부 씰라인(360)의 외곽에 부 수용공간(540)이 형성된다. 외부 씰라인(365)은 일 부분이 개방된 기 설정된 형상, 예를 들어, 네모 형상을 가지며, 개방된 일 부분이 (내부 씰라인(360)의) 주입공간의 일 위치에 각각 접촉한다. 이처럼 배치됨에 따라, 외부 씰라인(365)은 내부 씰라인(365)의 외곽에서 폐쇄된 공간을 형성하며 부 수용공간(540)을 형성한다.On the other hand, the outer seal line 365 has a predetermined shape and is located outside the inner seal line 365 , and forms a closed space in contact with one of the injection spaces of the inner seal line 360 . A sub-accommodating space 540 is formed outside the inner seal line 360 by the outer seal line 365 . The outer seal line 365 has a predetermined shape with an open part, for example, a square shape, and an open part contacts a position of the injection space (of the internal seal line 360 ), respectively. As such, the outer seal line 365 forms a closed space at the outside of the inner seal line 365 and forms a sub-accommodating space 540 .

도 5a를 참조하면, 내부 씰라인(360)의 주 주입구(510)로 액정이 유입된다. 액정이 유입되며 내부 씰라인(360)의 주 수용공간에 액정이 수용되고, 주 수용공간에 충분히 액정이 수용될 경우, 부 주입구(520)를 거치며 부 수용공간(540)으로 액정이 수용되기 시작한다. 액정의 주입은 주 수용공간(530)과 부 수용공간(540)을 가득채울 때까지 진행되는 것이 아니라, 부 수용공간(540) 상에 기체 수용공간(550)이 형성될 때까지만 진행된다. 주 수용공간(530)과 부 수용공간(540)의 모든 부피만큼 액정이 주입되지 않을 경우, 액정의 주입에 의해 잔류 기체가 부 수용공간(540)의 부 주입구로부터 먼 끝단까지 밀려나며, 해당 위치에 위치하게 된다. 이처럼, 내부 씰라인(360)·주 주입구(510)의 구조와 그것들이 형성하는 공간들 및 액정의 주입량이 조정됨에 따라 의도적으로 기체가 내부에 존재하는 기체 수용공간(550)이 형성된다. 기체가 액정(370) 내 존재할 경우, 다음과 같은 효과를 가져올 수 있다. 발명의 배경이 되는 기술 부분에서 전술한 바와 같이, 외부의 압력 또는 온도가 변화할 경우, 액정(370)의 특성이나 크기(부피)가 변화하게 된다. 액정(370)이 주 수용공간(530) 및 부 수용공간(540)에 가득 차 있을 경우, 외부 환경의 변화로 액정(370)의 크기(부피)가 증가함에 따라 기판(310) 간 간격이 변화하게 된다. 기판(310a)과 기판(310b)은 씰라인(360, 365)들에 의해 액정 수용공간을 가질 뿐이며, 간격이 고정되어 있는 것은 아니다. 이에 따라, 액정(370)의 크기가 변할 경우, 액정 수용공간 내부에서 외부를 향하도록 압력(도 4에서 z축 방향)을 가하여 기판(310) 간 간격과 두 기판의 평행도가 변화하게 된다. 이는, 제1 에탈론 필터(230)를 통과하는 광의 파장대역 변화와 삽입손실의 증가를 야기하게 된다. Referring to FIG. 5A , the liquid crystal is introduced into the main injection hole 510 of the inner seal line 360 . When the liquid crystal is introduced and the liquid crystal is accommodated in the main accommodation space of the inner seal line 360 , and the liquid crystal is sufficiently accommodated in the main accommodation space, the liquid crystal starts to be accommodated into the auxiliary accommodation space 540 through the secondary injection hole 520 . do. The liquid crystal injection does not proceed until the main accommodating space 530 and the sub accommodating space 540 are filled, but only until the gas accommodating space 550 is formed on the secondary accommodating space 540 . When the liquid crystal is not injected by all the volumes of the main accommodation space 530 and the sub-accommodating space 540 , the residual gas is pushed out to the far end from the sub-injection port of the sub-accommodating space 540 by the injection of the liquid crystal, and the corresponding position will be located in As such, as the structure of the internal seal line 360 and the main injection hole 510 and the spaces they form and the injection amount of the liquid crystal are adjusted, the gas receiving space 550 in which the gas is intentionally present is formed. When the gas is present in the liquid crystal 370, the following effects may be brought about. As described above in the technical part that is the background of the invention, when the external pressure or temperature is changed, the characteristics or size (volume) of the liquid crystal 370 is changed. When the liquid crystal 370 is filled in the main accommodating space 530 and the sub accommodating space 540, the distance between the substrates 310 changes as the size (volume) of the liquid crystal 370 increases due to a change in the external environment. will do The substrate 310a and the substrate 310b only have a liquid crystal accommodating space by the seal lines 360 and 365, and the spacing is not fixed. Accordingly, when the size of the liquid crystal 370 is changed, pressure (z-axis direction in FIG. 4 ) is applied from the inside of the liquid crystal accommodating space to the outside to change the distance between the substrates 310 and the parallelism between the two substrates. This causes a change in the wavelength band of the light passing through the first etalon filter 230 and an increase in insertion loss.

반면, 기체 수용공간(550)이 형성되어 액정(370) 내 기체가 존재할 경우, 액정(370)의 크기(부피) 증가는 기체 수용공간의 수축을 야기하여 기판(310) 내 압력 변화를 최소화한다. 즉, 액정(370)의 크기(부피) 증가는 기체로 압력을 주로 가하게 되어, 액정 수용공간 내부에서 외부를 향하는 압력의 발생은 최소화할 수 있다. 이에 따라, 외부 환경이 변화하여 액정(370)의 성질이나 크기(부피)가 변화하더라도 기체의 크기(부피)가 주로 변화할 뿐, 기판(310) 간 간격과 두 기판의 평행도를 유지할 수 있다. On the other hand, when the gas accommodating space 550 is formed and gas is present in the liquid crystal 370 , an increase in the size (volume) of the liquid crystal 370 causes a contraction of the gas accommodating space to minimize the pressure change in the substrate 310 . That is, the increase in the size (volume) of the liquid crystal 370 mainly applies pressure to the gas, so that the generation of pressure from the inside of the liquid crystal accommodating space to the outside can be minimized. Accordingly, even if the nature or size (volume) of the liquid crystal 370 changes due to a change in the external environment, the size (volume) of the gas mainly changes, and the distance between the substrates 310 and the parallelism between the two substrates can be maintained.

다만, 반드시 액정(370) 내 기체가 존재하는 것으로 한정되는 것은 아니고, 액정(370) 내 진공이 존재할 수도 있다. 액정이 주 주입구(510)로 주입될 때 진공 상태에서 주입되면서, 주 수용공간(530)과 부 수용공간(540)의 모든 부피만큼 액정이 주입되지 않는다면, 액정(370) 내 기체 대신 진공이 존재할 수 있다. 외부 온도 변화로 액정(370)의 부피가 증가할 경우, 액정(370)은 (기체 수용공간 내) 진공이 형성된 부분으로 유입되며, 기판(310) 간 간격과 두 기판의 평행도 변화를 방지할 수 있다.However, it is not necessarily limited to the presence of gas in the liquid crystal 370 , and a vacuum may exist in the liquid crystal 370 . When the liquid crystal is injected into the main injection hole 510 and is injected in a vacuum state, if the liquid crystal is not injected as much as all the volumes of the main accommodation space 530 and the sub accommodation space 540 , a vacuum exists instead of the gas in the liquid crystal 370 . can When the volume of the liquid crystal 370 increases due to a change in external temperature, the liquid crystal 370 flows into a portion where a vacuum is formed (in the gas accommodating space), and it is possible to prevent a change in the distance between the substrates 310 and the parallelism between the two substrates. have.

내부 씰라인(360)과 외부 씰라인(365)는 서로 다른 두께(도 4에서 x축 방향의 길이)를 가질 수 있다. 외부 씰라인(365)이 이미 존재하여 기판(310) 간격을 지지하며 유지하고 있는 점 및 내부 씰라인(360)은 액정(370)이 주 수용공간(530)을 우선하여, 부 수용공간(540)을 차선으로 채우도록 가이드하기 위한 구성인 점에서 내부 씰라인(360)은 외부 씰라인(365)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 또한, 내부 씰라인(360)의 두께가 증가할수록 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)에 영향을 미칠 수 있는 점에서도, 내부 씰라인(360)이 외부 씰라인(365)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다.The inner seal line 360 and the outer seal line 365 may have different thicknesses (lengths in the x-axis direction in FIG. 4 ). The external seal line 365 already exists to support and maintain the interval between the substrate 310 and the internal seal line 360 where the liquid crystal 370 has priority over the main accommodating space 530 , and the sub accommodating space 540 . ), the inner seal line 360 may have a relatively thinner thickness than the outer seal line 365 in that it is a configuration for guiding to fill the lane. In addition, as the thickness of the inner seal line 360 increases, the inner seal line 360 is relatively thinner than the outer seal line 365 in that it may affect the area L through which light is incident or passed. can have

액정(370)의 주 수용공간(530) 및 부 수용공간(540)으로의 주입은 도 5b와 같이 진행된다. Injection of the liquid crystal 370 into the main accommodating space 530 and the sub accommodating space 540 proceeds as shown in FIG. 5B .

도 5b의 (a)와 같이, 액정(370)을 제1 에탈론 필터(230)에 채우기 위해서, 챔버(570) 내 제1 에탈론 필터(230) 및 액정(370)을 담은 트레이(580)를 배치시킨다. 이후, 출입구(575)로 챔버(570) 내 공기를 배출시키며, 챔버(570)를 진공상태로 만든다. As shown in (a) of FIG. 5B , in order to fill the liquid crystal 370 in the first etalon filter 230 , the tray 580 containing the first etalon filter 230 and the liquid crystal 370 in the chamber 570 . place the Thereafter, the air in the chamber 570 is discharged through the entrance 575 and the chamber 570 is made into a vacuum state.

챔버(570) 내부가 진공상태에 도달할 경우, 도 5b의 (b)와 같이, 제1 에탈론 필터(230), 특히, 주 주입구를 트레이(580) 내 액정(370)과 접촉시킨다. When the inside of the chamber 570 reaches a vacuum state, as shown in (b) of FIG. 5B , the first etalon filter 230 , in particular, the main injection hole is brought into contact with the liquid crystal 370 in the tray 580 .

이후, 도 5b의 (c)와 같이, 출입구(575)를 거치며 챔버(570) 내로 공기를 주입시킨다. 이에 따라, 챔버(570) 내 압력이 증가하게 되며, 액정(370)이 제1 에탈론 필터(230) 내부로 주입된다.Thereafter, as shown in (c) of FIG. 5B , air is injected into the chamber 570 through the entrance 575 . Accordingly, the pressure in the chamber 570 is increased, and the liquid crystal 370 is injected into the first etalon filter 230 .

다시 도 3 내지 5a를 참조하면, 전술한 대로, 내부 씰라인(360)의 주 수용공간(360)의 폭은 주입공간의 폭보다 크도록 구현된다. 이에 따라, 도 5a의 (c)에서와 같이, 부 수용공간(365)의 폭은 균일하지 않게 된다. 외부 씰라인(365)과 주입공간 간 사이 간격(W2)은 상대적으로 넓게 형성되며, 외부 씰라인(365)과 주 주입공간(360) 사이의 간격(W1)은 상대적으로 좁게 형성된다. 이에 따라, 부 수용공간(540)은 기체 수용공간(550)을 기준으로 외부 씰라인(365)과 주 주입공간(360) 사이의 간격(W1)을 바라볼 경우, 병목구조를 갖게 된다. 이는 액정(370)이 주입되며 기체 수용공간(550)으로 수용된 기체가 부 수용공간(540)의 부주입구(520) 방향, 나아가 주 수용공간(530)으로 이동하는 것을 최소화할 수 있다. 주 수용공간(530) 내에는 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)이 위치하여, 주 수용공간(530)으로 기체가 이동할 경우, 입사광 또는 출력광에 악영향을 미치게 된다. 이를 최소화하기 위해, 부 수용공간(540)은 병목구조를 구비함으로써, 기체 수용공간(550)으로 수용된 기체가 기체 수용공간(550)을 벗어나는 것을 최소화할 수 있다.Referring back to FIGS. 3 to 5A , as described above, the width of the main accommodation space 360 of the inner seal line 360 is implemented to be greater than the width of the injection space. Accordingly, as in (c) of Figure 5a, the width of the sub-accommodating space 365 is not uniform. The interval W 2 between the external seal line 365 and the injection space is relatively wide, and the interval W 1 between the external seal line 365 and the main injection space 360 is formed relatively narrow. Accordingly, the sub-accommodating space 540 has a bottleneck structure when looking at the gap W 1 between the external seal line 365 and the main injection space 360 with respect to the gas receiving space 550 . This can minimize the movement of the liquid crystal 370 and the gas accommodated in the gas accommodating space 550 in the direction of the sub-inlet 520 of the sub-accommodating space 540 and further into the main accommodating space 530 . A region L through which light is incident or passed is located in the main accommodation space 530 , and when the gas moves into the main accommodation space 530 , it adversely affects incident light or output light. In order to minimize this, the sub-accommodating space 540 has a bottleneck structure, thereby minimizing the gas accommodated in the gas receiving space 550 from leaving the gas receiving space 550 .

전선(380)은 투명전극(320)의 일 위치에 배치되어, 투명전극(320)으로 전원을 공급한다.The electric wire 380 is disposed at one position of the transparent electrode 320 to supply power to the transparent electrode 320 .

봉지재(390)는 주 수용공간(360)을 봉지시켜 액정(370)의 배출을 방지한다. 봉지재(390)는 주 수용공간(360), 특히, 주 주입구(510)로 일부 주입되어 경화되며, 주 주입구(510)를 봉지시킨다. 봉지재(390)는 주 주입구(510)를 봉지시키며, 액정(370)이 주 수용공간(360) 및 부 수용공간(365)의 외부로 배출되는 것을 방지한다.The encapsulant 390 seals the main accommodation space 360 to prevent the liquid crystal 370 from being discharged. The encapsulant 390 is partially injected into the main receiving space 360 , in particular, the main injection hole 510 to be cured, and seals the main injection hole 510 . The encapsulant 390 seals the main injection hole 510 and prevents the liquid crystal 370 from being discharged to the outside of the main accommodation space 360 and the sub accommodation space 365 .

이중 씰라인을 구비하며 각 씰라인이 전술한 형상을 가짐에 따라, 제1 에탈론 필터(230)는 다음과 같은 효과를 확보할 수 있다.As the double seal line is provided and each seal line has the above-described shape, the first etalon filter 230 may secure the following effects.

이중 씰라인(360, 365)을 구비하기 때문에 기판(310) 간 간격 또는 고반사층(330) 간 간격을 최대한 균일하게 유지할 수 있다. 씰라인(360, 365)이 이중으로 형성되어 있어, 단일 씰라인으로 구현된 경우보다 상대적으로 외력에 강인할 수 있다. 또한, 액정 내부에 기체가 포함되어 있어, 씰라인(360, 365)은 외부환경 변화로 인한 액정(370)의 성질 또는 크기(부피) 변화에도 간격을 유지시킬 수 있다.Since the double seal lines 360 and 365 are provided, the spacing between the substrates 310 or the spacing between the high reflective layers 330 can be maintained as uniformly as possible. Since the seal lines 360 and 365 are formed in a double layer, they can be relatively robust to external force than when implemented as a single seal line. In addition, since gas is included in the liquid crystal, the seal lines 360 and 365 can maintain a gap even when the property or size (volume) of the liquid crystal 370 is changed due to a change in the external environment.

또한, 씰라인(360, 365)은 전술한 형상을 구비함으로서, 액정 내부에 포함된 기체가 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)으로 재유입되는 것을 최대한 방지할 수 있다.In addition, since the seal lines 360 and 365 have the above-described shapes, it is possible to maximally prevent the gas contained in the liquid crystal from re-introducing into the region L through which light is incident or passed.

도 4에는 기판(310) 상에 투명전극(320), 고반사층(330) 및 배향막(350) 순으로 배치되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 기판(310) 상에서 각 층(320, 330 및 350) 간 순서는 달라져도 무방하다.In FIG. 4 , the transparent electrode 320 , the highly reflective layer 330 , and the alignment layer 350 are arranged in this order on the substrate 310 , but the present invention is not limited thereto and each layer 320 is disposed on the substrate 310 . , 330 and 350) may be in different order.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터와 종래의 에탈론 필터의 열충격에 대한 삽입손실을 도시한 그래프이다.6 is a graph showing insertion loss with respect to thermal shock of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter and a conventional etalon filter according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 종래의 1겹 실구조를 갖는 에탈론 필터와 2중 실구조를 갖는 제1 에탈론 필터(230)에 대하여 120℃에서 12시간 열처리를 하여 열 충격을 가한 이후의 삽입손실 측정값이 구체적으로 나타나 있다. 종래의 에탈론 필터는 삽입손실로서 약 5.7 내지 6.5 dB의 손실을 갖는 것을 확인할 수 있으나, 제1 에탈론 필터(230)는 0.75 내지 1.1 dB 정도의 손실만을 가져 삽입 손실이 현저하게 감소된 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the conventional etalon filter having a single-ply seal structure and the first etalon filter 230 having a double seal structure are subjected to heat treatment at 120° C. for 12 hours to receive an insertion loss after thermal shock is applied. Measured values are specifically shown. It can be seen that the conventional etalon filter has a loss of about 5.7 to 6.5 dB as an insertion loss, but the first etalon filter 230 has only a loss of about 0.75 to 1.1 dB, so it can be seen that the insertion loss is significantly reduced. can

또한, 열 충격 등 외부 환경 변화에 따른 액정(370) 수용 형태의 변화 또한 확인할 수 있다. 종래의 에탈론 필터는 액정 수용공간 전체에서의 액정(370) 수용 상태에 영향이 발생하나, 제1 에탈론 필터(230)는 외부 환경 변화에 따라 부 수용공간(540)에 수용되어 있던 액정(370)의 일부가 주 수용공간(530)으로 이동하면서, 주 수용공간(530)의 액정(370) 수용상태의 변화를 최소화하고 있다. In addition, a change in the accommodation form of the liquid crystal 370 according to changes in the external environment such as thermal shock may also be confirmed. The conventional etalon filter affects the reception state of the liquid crystal 370 in the entire liquid crystal accommodating space, but the first etalon filter 230 has the liquid crystal ( As a part of the 370 moves to the main accommodation space 530 , the change in the reception state of the liquid crystal 370 in the main accommodation space 530 is minimized.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 투과 스펙트럼을 도시한 그래프이다.7 is a graph illustrating a transmission spectrum of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 제1 에탈론 필터(230)에 대하여 8 내지 19V 까지 1V 단위로 전압을 조절하였을 때 투과 스펙트럼을 나타내고 있으며, 전압에 따라 원하는 파장의 레이저를 필터링할 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the transmission spectrum is shown when the voltage of the first etalon filter 230 is adjusted in units of 1V from 8 to 19V, and it can be seen that the laser of a desired wavelength can be filtered according to the voltage. .

도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 씰라인의 변형례를 도시한 도면이다.8 and 9 are views illustrating a modified example of a seal line in a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention.

도 8a를 참조하면, 내부 씰라인(360)의 주 수용공간(520) 형상은 반드시 도 3에 도시된 것처럼 원형에 한정되는 것은 아니고, 레이저 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 차폐하지만 않는다면 어떠한 형상으로 구현되어도 무방하다. 도 8a와 같이 사각형상 등 다양한 형상으로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 8A , the shape of the main accommodation space 520 of the inner seal line 360 is not necessarily limited to a circular shape as shown in FIG. 3 , and unless the laser light is incident or passes through the region L, the shape is not blocked. It may be implemented in any shape. It may be implemented in various shapes, such as a rectangular shape, as shown in FIG. 8A.

한편, 내부 씰라인(360)의 주 수용공간(530)의 형상이 사각형상으로 구현될 경우, 외부 씰라인(365)의 개방된 일 부분은 도 8a에 도시된 바와 같이 (내부 씰라인(360)의) 주입공간의 일 위치에 각각 접촉할 수도 있고, 도 8b에 도시된 바와 같이 (내부 씰라인(360)의) 주입공간과 주 수용공간(530)의 경계에 각각 접촉할 수도 있다. 도 8a의 경우, 외부 씰라인(365)과 주입공간 간 사이 간격은 외부 씰라인(365)과 주 주입공간(360) 사이의 간격과 달라지며, 부 수용공간(540)에 병목구조가 형성될 수 있다. 반면, 도 8b의 경우, 외부 씰라인(365)과 주입공간 간 사이 간격은 외부 씰라인(365)과 주 주입공간(360) 사이의 간격과 동일해지며, 부 수용공간(540)에 병목구조가 형성되지 않을 수 있다.On the other hand, when the shape of the main accommodating space 530 of the inner seal line 360 is implemented in a rectangular shape, an open part of the outer seal line 365 is formed as shown in FIG. 8A (internal seal line 360 ). ) may be in contact with one position of the injection space, respectively, or may contact the boundary between the injection space (of the internal seal line 360 ) and the main accommodation space 530 as shown in FIG. 8B . In the case of FIG. 8A , the interval between the external seal line 365 and the injection space is different from the interval between the external seal line 365 and the main injection space 360 , and the bottleneck structure is formed in the secondary accommodation space 540 . can On the other hand, in the case of FIG. 8B , the interval between the external seal line 365 and the injection space becomes the same as the interval between the external seal line 365 and the main injection space 360 , and the bottleneck structure in the sub-accommodating space 540 is may not be formed.

도 8c에 도시된 바와 같이, 내부 씰라인(360) 내 부 주입구(520)는 반드시 하나가 아닌 복수 개가 형성될 수 있다. 부 주입구(520)가 복수 개 형성될 경우, 액정(370)의 주 수용공간(530)으로부터 부 수용공간(540)으로의 수용이 보다 원활히 진행될 수 있다. 주 수용공간(530) 내 기체가 잔류하지 않도록 하기 위해, 부 주입구(520)는 주 주입구(510)로부터 가장 먼 위치를 기준으로 기 설정된 거리 내에 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 8c를 참조하면, 주 주입구(510)로부터 가장 먼 위치를 12시 방향이라 정의하면, 부 주입구(520)는 10시 내지 12시 방향과 12시 내지 2시 방향에 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8C , a plurality of internal injection holes 520 may be formed in the internal seal line 360 . When a plurality of sub injection holes 520 are formed, the reception of the liquid crystal 370 from the main accommodating space 530 to the sub accommodating space 540 may proceed more smoothly. In order to prevent gas from remaining in the main accommodation space 530 , the secondary injection hole 520 is preferably formed within a preset distance based on the position furthest from the main injection hole 510 . For example, referring to FIG. 8C , if the position furthest from the main injection hole 510 is defined as the 12 o'clock direction, the secondary injection hole 520 may be formed in the 10 o'clock to 12 o'clock and 12 o'clock to 2 o'clock directions. have.

한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 각 씰라인은 가이드부(910)를 더 포함할 수 있으며, 에탈론 필터(230)는 내부 씰라인(360) 및 외부 씰라인(365)외에도 보조 씰라인(930)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 9 , each seal line may further include a guide part 910 , and the etalon filter 230 includes an auxiliary seal line in addition to the inner seal line 360 and the outer seal line 365 . (930) may be further included.

도 9(a)에 도시된 바와 같이, 내부 씰라인(360)은 주 수용공간의 외측방향으로 가이드부(910)를 포함할 수 있다. 특히, 가이드부(910)는 주 수용공간의 외측방향을 향하는 일 끝단이 외부 씰라인(365)의 모서리 부분을 향하도록 형성될 수 있다. 액정(370)이 주입되면, 기체는 주 수용공간(520) 및 부 수용공간(530)을 거치며 기체 수용공간(550)을 향하게 된다. 기체는 하나의 큰 덩어리를 형성하며 이동하는 경우도 있으나, 여러 덩어리로 쪼개지며 각각 이동하는 경우도 발생한다. 후자의 경우, 상대적으로 작은 부피를 갖는 기체 덩어리는 상대적으로 빠르게 기체 수용공간(550)을 향해 이동하게 되며, 상대적으로 큰 부피를 갖는 기체 덩어리는 상대적으로 느리게 기체 수용공간(550)을 향해 이동한다. 이때, 상대적으로 작은 부피를 갖는 기체 덩어리가 외부 씰라인(365)의 모서리 부분으로 이동하게 될 경우, 해당 부분에 갖히며 이동하지 않는 경우가 발생할 수 있다. 이러한 상황이 발생하게 되면, 전술한 바와 같이 액정(370)이 부 수용공간(540)에서 주 수용공간(530)으로 이동하는 경우 액정(370)의 이동과 함께 모서리에 갖힌 기체 덩어리가 함께 이동하는 경우가 발생할 수 있다.As shown in Figure 9 (a), the inner seal line 360 may include a guide portion 910 in the outer direction of the main accommodation space. In particular, the guide part 910 may be formed such that one end of the main accommodation space facing outward faces the edge of the outer seal line 365 . When the liquid crystal 370 is injected, the gas passes through the main accommodating space 520 and the sub accommodating space 530 and is directed toward the gas accommodating space 550 . A gas may move while forming a single large mass, but it may also split into several masses and move individually. In the latter case, the gas mass having a relatively small volume moves toward the gas receiving space 550 relatively quickly, and the gas mass having a relatively large volume moves toward the gas receiving space 550 relatively slowly. . At this time, when the gas mass having a relatively small volume moves to the edge portion of the outer seal line 365 , a case may occur that is trapped in the corresponding portion and does not move. When this situation occurs, as described above, when the liquid crystal 370 moves from the sub-accommodating space 540 to the main receiving space 530, the liquid crystal 370 moves and the gas mass trapped in the corner moves together. cases may occur.

가이드부(910)는 이처럼 기체 덩어리, 특히, 부피가 상대적으로 작은 기체 덩어리가 모서리 등에 갖혀 고정되어 있는 것을 방지한다. 부피가 상대적으로 작은 기체 덩어리가 상대적으로 빠르게 이동하며 모서리 등에 갖혀 있을 경우, 가이드부(910)를 거치며 상대적으로 부피가 큰 기체 덩어리가 그 후에 이동하며 모서리(기체 덩어리가 갖혀 있는 공간)를 향해 이동하게 된다. 상대적으로 부피가 큰 기체 덩어리가 가이드부(910)에 의해 모서리를 향해 이동하며, 해당 공간에 갖혀 있는 기체 덩어리와 함께 기체 수용공간(550)으로 이동하게 된다. The guide part 910 prevents a gas mass, particularly, a gas mass having a relatively small volume, from being trapped and fixed in a corner or the like. When a gas mass with a relatively small volume moves relatively quickly and is trapped in an edge, the relatively bulky gas mass passes through the guide part 910 and then moves toward the corner (space in which the gas mass is trapped). will do A relatively bulky gas mass moves toward the edge by the guide part 910 and moves to the gas accommodation space 550 together with the gas mass trapped in the corresponding space.

가이드부(910)는 일 끝단이 이와 같이 기체 덩어리가 구조적으로 갖혀 이동하지 못할만한 위치를 향하도록 형성되어 있어, 기체 덩어리가 구조적으로 갖혀 기체 수용공간(550)으로 이동하지 못하는 것을 방지한다.The guide part 910 is formed such that one end is formed to face a position where the gas mass is structurally trapped and cannot move, so that the gas mass is structurally trapped and prevents it from moving to the gas accommodation space 550 .

도 9(b)와 같이, 가이드부(920)는 일 끝단이 외부 씰라인(365)으로부터 (부 수용공간의) 병목구조 부분을 향하도록 형성될 수 있다. 가이드부(920)는 해당 부분에 형성되어, 기체 수용공간(550)에 배치된 기체가 다시 주 수용공간으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다.As shown in Figure 9 (b), one end of the guide portion 920 may be formed to face the bottleneck structure portion (of the sub-accommodating space) from the external seal line (365). The guide part 920 may be formed in the corresponding part to prevent the gas disposed in the gas accommodating space 550 from being re-introduced into the main accommodating space again.

추가적으로 가이드부(930)는 주 주입구(510) 근방(주입공간 부근) 또는 부 주입구(520) 근방에 형성될 수 있다. 가이드부(930)가 해당 위치에 형성됨에 따라, 기체의 이동은 방해하지 않으면서, 씰라인(360, 365)이 기판(310) 간 간격 또는 고반사층(330)간 간격을 보다 원활히 유지할 수 있도록 보조한다.Additionally, the guide part 930 may be formed in the vicinity of the main injection hole 510 (in the vicinity of the injection space) or in the vicinity of the secondary injection hole 520 . As the guide part 930 is formed at the corresponding position, the seal lines 360 and 365 can more smoothly maintain the gap between the substrates 310 or the high reflective layer 330 without interfering with the movement of the gas. assist

가이드부(930)와 유사한 역할을 수행하기 위해, 부 수용공간(540) 또는 내부 씰라인(360)과 외부 씰라인(365)의 사이에 보조 씰라인(930)이 배치될 수 있다.In order to perform a role similar to that of the guide part 930 , an auxiliary seal line 930 may be disposed between the sub-accommodating space 540 or the inner seal line 360 and the outer seal line 365 .

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이고, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 단면도이며, 도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 변형례를 도시한 도면이다.10 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention, FIG. 11 is a cross-sectional view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention, and FIG. It is a view showing a modified example of the wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to the second embodiment.

도 10 내지 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터(230, 이하에서 '제2 에탈론 필터'라 약칭함)는 제1 에탈론 필터(230)의 구조에 추가적으로 무액정실(1010)을 더 포함한다.10 to 12 , the wavelength tunable liquid crystal etalon filter 230 (hereinafter, abbreviated as 'second etalon filter') according to the second embodiment of the present invention has a structure of the first etalon filter 230 In addition, it further includes a liquid-crystal-free chamber (1010).

무액정실(1010)은 기체 수용공간 부분에 형성되어, 자신으로 이동해 온 기체의 (외부로의) 이동을 최소화한다.The liquid-crystal-free chamber 1010 is formed in a portion of the gas accommodating space to minimize (outward) movement of the gas that has moved therein.

도 11에 도시된 바와 같이, 무액정실(1010)은 주변부에 비하여 상대적으로 넓은 간격을 갖는다. 즉, 무액정실(1010)은 도 12(a)와 같이 무액정실(1010)이 형성될 위치에서 고 반사층(330)이 식각되거나, 도 12(b)와 같이 해당 위치에서 투명전극(320)과 고반사층(330) 모두가 식각되거나, 도 12(c)와 같이 해당 위치에서 기판(310)이 일정 깊이만큼 식각되며 형성된다. 다만 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 12(a) 또는 도 12(b)의 경우와 도 12(c)의 경우가 무액정실(1010)에 함께 반영될 수도 있다. 또한, 양쪽 기판 중 한쪽에만 깊이가 다른 구조를 도입하여 무액정실을 구현하더라도 유의미한 결과를 얻을 수 있다. As shown in FIG. 11 , the liquid crystal-free chamber 1010 has a relatively wide interval compared to the peripheral portion. That is, in the liquid crystal-free chamber 1010, the high reflective layer 330 is etched at the position where the liquid crystal-free chamber 1010 is to be formed, as shown in FIG. All of the highly reflective layer 330 is etched, or the substrate 310 is etched by a predetermined depth at the corresponding position as shown in FIG. 12( c ). However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the case of FIG. 12 ( a ) or 12 ( b ) and the case of FIG. 12 ( c ) may be reflected together in the liquid crystal-free chamber 1010 . In addition, even if a liquid crystal-free chamber is realized by introducing a structure having a different depth to only one of the two substrates, a meaningful result can be obtained.

무액정실(1010)은 주변부에 비해 상대적으로 넓은 간격을 갖기 때문에, 무액정실(1010)과 주변부는 단차를 갖게 된다. 이에, 무액정실(1010)로 유입된 기체는 무액정실(1010) 외부로 다시 유출되는 것에 상당한 어려움을 가질 수 있다. Since the liquid crystal-free chamber 1010 has a relatively wide interval compared to the peripheral portion, the liquid crystal-free chamber 1010 and the peripheral portion have a step difference. Accordingly, the gas introduced into the liquid-crystal chamber 1010 may have considerable difficulty in flowing out again to the outside of the liquid-crystal-free chamber 1010 .

또한, 기체와 액정은 상호 간의 경계면적을 줄이며 표면 에너지를 감소시키려는 특성을 갖는다. 이에 따라, 기체는 액정과의 접촉이 최소화될 수 있는 무액정실(1010)을 이탈하지 않으려 하게된다.In addition, the gas and the liquid crystal have a characteristic of reducing the interface area between each other and reducing the surface energy. Accordingly, the gas does not want to leave the liquid crystal-free chamber 1010 in which contact with the liquid crystal can be minimized.

이에 따라, 어떠한 외력 및 외부 환경의 변화가 발생해도 제2 에탈론 필터(230)는 기체를 무액정실(1010)에 대부분 잔류시킬 수 있다.Accordingly, the second etalon filter 230 may retain most of the gas in the liquid crystal-free chamber 1010 regardless of any external force or change in the external environment.

도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터에 전원을 인가하였을 때 형성되는 전기장을 도시한 도면이다.13 is a diagram illustrating an electric field formed when power is applied to a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.

무액정실(1010), 특히, 도 12(b)와 같이 투명전극(320)까지 식각되어 형성된 무액정실(1010)에는 전기장의 세기가 도 13에서와 같이 주변부보다 현저히 낮아진다. 일반적으로 진공이나 기체는 유전상수가 1인 반면, 액정은 이보다 최소 수배 내지 수십배 큰 값을 갖는다. 따라서, 제2 에탈론 필터(230)에 전원이 인가되어 전기장이 형성되면, 유전 상수값이 큰 액정은 전기장이 큰 영역으로 이동하려는 경향을 나타내며, 진공 또는 기체는 전기장이 약한 무액정실(1010)로 밀려나려는 경향을 나타낸다.In the liquid-crystal-free chamber 1010, in particular, in the liquid-crystal-free chamber 1010 formed by etching up to the transparent electrode 320 as shown in FIG. In general, a vacuum or gas has a dielectric constant of 1, whereas a liquid crystal has a value at least several to several tens of times greater than this. Therefore, when power is applied to the second etalon filter 230 and an electric field is formed, the liquid crystal having a large dielectric constant tends to move to a region with a large electric field, and a vacuum or gas has a weak electric field in the liquid crystal-free chamber 1010 indicates a tendency to retreat.

이에 따라, 투명전극(320)으로 전원이 공급되어 전기장이 형성될 경우라면, 특히 더 무액정실(1010)로 유입된 기체는 무액정실(1010)을 벗어나지 않을 수 있다. 이는 도 14에서 뒷받침된다. Accordingly, when power is supplied to the transparent electrode 320 to form an electric field, in particular, the gas flowing into the liquid-crystal chamber 1010 may not leave the liquid-crystal chamber 1010 . This is supported in FIG. 14 .

도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터에 액정을 주입한 후의 상태를 도시한 도면이다.14 is a view illustrating a state after injecting liquid crystal into a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a second embodiment of the present invention.

도 14는 제2 에탈론 필터(130)를 두 장의 직교 편광판 사이에 배치시키고, 백라이트 위에서 관찰하였을 때의 도면이다. 액정이 존재하는 부분은 액정의 복굴절(Birefringence) 효과에 의해 밝게 관찰된다. 도 14를 참조하면, 제2 에탈론 필터(130)에서 무액정실(1010)은 액정이 존재하지 않아 어둡게 관찰되는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 무액정실(1010)에 기체가 유입되며 벗어나지 않을 수 있다.FIG. 14 is a view when the second etalon filter 130 is disposed between two orthogonal polarizers and observed from a backlight. The portion where the liquid crystal is present is observed brightly due to the birefringence effect of the liquid crystal. Referring to FIG. 14 , it can be seen that the liquid crystal-free chamber 1010 in the second etalon filter 130 is darkly observed because liquid crystal does not exist. Accordingly, the gas flows into the liquid crystal chamber 1010 and may not escape.

도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이고, 도 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터가 가공되는 과정을 도시한 도면이며, 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터와 종래의 에탈론 필터가 최종적으로 봉지된 모습을 도시한 도면이다.15 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a view showing a process of processing the wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to the third embodiment of the present invention; 17 is a diagram illustrating a state in which a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to an embodiment of the present invention and a conventional etalon filter are finally sealed.

도 15 및 16을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터(230, 이하에서 '제3 에탈론 필터'라 약칭함)는 제1 에탈론 필터(230)에 추가 씰라인(1510)을 더 포함한다.15 and 16 , a wavelength tunable liquid crystal etalon filter 230 (hereinafter, abbreviated as 'third etalon filter') according to a third embodiment of the present invention is added to the first etalon filter 230 It further includes a seal line (1510).

에탈론 필터(230)로 액정(370)이 모두 주입된 경우, 액정의 주입 후 에탈론 필터(230)의 내부에서 외부로 배출되지 않도록 주 주입구(510) 부근으로 봉지재(390)가 주입된다. 이후, UV 경화 등의 경화과정을 거치며 주 주입구(510)의 봉지가 완료된다. 다만, 이때, 봉지재(390)가 주 주입구(510)의 입구만을 막을 수 있는 양만큼의 주입은 곤란하고, 더욱이 경화되지 않은 상태의 봉지재(390)를 전술한 양만큼만 주입하여 경화하는 것이 곤란하기 때문에, 통상적으로 전술한 양 이상의 봉지재(390)가 주입된다.When the liquid crystal 370 is all injected into the etalon filter 230 , the encapsulant 390 is injected near the main injection hole 510 so as not to be discharged from the inside of the etalon filter 230 to the outside after the liquid crystal is injected. . After that, the sealing of the main injection hole 510 is completed through a curing process such as UV curing. However, at this time, it is difficult to inject an amount of the encapsulant 390 to block only the inlet of the main injection hole 510 , and furthermore, it is difficult to harden by injecting only the above-described amount of the encapsulant 390 in an uncured state. Since it is difficult, typically more than the amount of encapsulant 390 described above is injected.

한편, 에탈론 필터(230)의 제조공정에서는 에탈론 필터(230) 내 각 층이 정확히 가져야 할 면적을 정확히 갖도록 제조하기는 상당히 어렵다. 이에 따라, 최종적으로 제조되어야 할 에탈론 필터(230)가 도 16(b)의 형태나 면적을 가질 경우, 일반적으로 제조공정에서 막 제조된 에탈론 필터(230)는 도 16(a)의 형태나 면적을 가질 수 있다. 이에, 도 16(a)에 도시된 바와 같이 막 제조된 에탈론 필터(230)는 다이싱 등 별도의 가공 공정을 거치며, 일면으로는 제1 커팅면(1610)에 따라 커팅되고, 다른 면으로는 제2 커팅면(1620)에 따라 커팅된다. 이에 따라, 에탈론 필터(230)는 도 16(b)와 같은 최종 형태를 갖는다. On the other hand, in the manufacturing process of the etalon filter 230 , it is quite difficult to manufacture the etalon filter 230 so that each layer has exactly the area it should have. Accordingly, when the etalon filter 230 to be finally manufactured has the shape or area of FIG. 16(b), in general, the etalon filter 230 just manufactured in the manufacturing process has the shape of FIG. 16(a). I can have an area. Accordingly, as shown in FIG. 16( a ), the freshly manufactured etalon filter 230 undergoes a separate processing process such as dicing, and is cut along the first cutting surface 1610 on one side and on the other side. is cut along the second cutting surface 1620 . Accordingly, the etalon filter 230 has a final shape as shown in FIG. 16(b).

제조공정 상에서 최종 공정으로서, 봉지재(390)를 주입하고 경화함에 있어, 추가 씰라인(1510)이 존재하지 않는 종래의 에탈론 필터는 도 17(a)와 같은 현상이 발생하게 된다. 전술한 대로, 일정량 이상의 봉지재(390)가 주입되어야 하기에, 최종적으로 봉지재(390)는 제1 커팅면(1610) 또는 제2 커팅면(1620)의 영역까지 침범한 채 경화된다. 봉지재(390)가 커팅면(1610, 1620)까지 침범하여 경화될 경우, 에탈론 필터(230)의 가공을 상당히 곤란하게 만들며, 가공장치의 내구도도 현저히 떨어뜨릴 수 있다. As a final process in the manufacturing process, in the case of injecting and curing the encapsulant 390 , the conventional etalon filter in which the additional seal line 1510 does not exist has a phenomenon as shown in FIG. 17( a ). As described above, since a predetermined amount or more of the encapsulant 390 needs to be injected, the encapsulant 390 is finally cured while invading the area of the first cutting surface 1610 or the second cutting surface 1620 . When the encapsulant 390 invades up to the cutting surfaces 1610 and 1620 and hardens, it makes the processing of the etalon filter 230 quite difficult, and the durability of the processing device may also be significantly reduced.

에탈론 필터(230)를 가공하는 과정에서 이러한 문제를 방지하고자, 제3 에탈론 필터(230)는 추가 씰라인(1510)을 포함한다. 추가 씰라인(1510)은 외부 씰라인(365)의, 주 주입구(510)를 기준으로 기 설정된 반경 내 임의의 지점으로부터 외부 씰라인(365)의 외부(부 주입공간의 반대편)로 돌출된 형태를 갖는다. 이때, 추가 씰라인(1510)은 각 커팅면(1610, 1620)을 침범하지 않는 영역 내에서 돌출되어 형성된다. 제3 에탈론 필터(230)가 추가 씰라인(1510)을 포함함에 따라, 주입된 봉지재는 추가 씰라인(1510) 내에서만 잔류하게 되어 확산이 방지된다. 추가 씰라인(1510) 내에서 봉지재(390)가 경화됨에 따라, 각 커팅면(1610, 1620)의 영역을 침범하지 않을 수 있어 종래의 에탈론 필터 제조공정 상에서 발생하는 봉지재(390)와 에탈론 필터의 가공 문제를 방지할 수 있다. In order to prevent such a problem in the process of processing the etalon filter 230 , the third etalon filter 230 includes an additional seal line 1510 . The additional seal line 1510 protrudes to the outside (opposite of the sub injection space) of the external seal line 365 from any point within a preset radius with respect to the main injection hole 510 of the external seal line 365 . has At this time, the additional seal line 1510 is formed to protrude within an area that does not invade each of the cutting surfaces 1610 and 1620 . As the third etalon filter 230 includes the additional seal line 1510 , the injected encapsulant remains only within the additional seal line 1510 to prevent diffusion. As the encapsulant 390 is cured within the additional seal line 1510, the area of each cutting surface 1610 and 1620 may not be invaded, so that the encapsulant 390 generated in the conventional etalon filter manufacturing process and It is possible to avoid processing problems of the etalon filter.

도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 평면도이고, 도 19는 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터 내 액정이 주입되는 과정을 도시한 도면이다.18 is a plan view of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a view showing a process in which liquid crystal is injected into the wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to the fourth embodiment of the present invention to be.

도 18 및 19를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터(230, 이하에서, '제4 에탈론 필터'라 약칭함)는 내부 씰라인(1810) 및 외부 씰라인(1820)을 포함한다.18 and 19 , the wavelength tunable liquid crystal etalon filter 230 (hereinafter, abbreviated as 'fourth etalon filter') according to the fourth embodiment of the present invention includes an inner seal line 1810 and an outer sealer. phosphorus 1820 .

제4 에탈론 필터(230)는 제1 내지 제3 에탈론 필터(230)와는 달리, 액정(370)을 주입하지 않고 적하(Drop)하여 생성될 수 있다. 특정 기판(310a 및 310b 중 어느 하나) 간 간격 내로 각 씰라인(1810, 1820)을 배치한 상태에서 기 설정된 양의 액정(370)을 적하하며, 나머지 기판(310a 및 310b 중 나머지 하나)를 해당 기판에 밀착시켜 양 기판을 고정한다. Unlike the first to third etalon filters 230 , the fourth etalon filter 230 may be generated by dropping the liquid crystal 370 without injecting it. A predetermined amount of liquid crystal 370 is dropped in a state in which each seal line 1810 and 1820 is arranged within a gap between the specific substrates 310a and 310b, and the remaining substrates 310a and 310b are applied to the corresponding one. Both boards are fixed by attaching them to the board.

액정(370)이 적하되는 방식으로 주입되기 때문에, 내부 씰라인(1810)은 내부 씰라인(360)과는 달리 주 주입구는 포함하지 않으며 부 주입구(520)만을 포함한다.Since the liquid crystal 370 is injected in a dripping manner, the inner seal line 1810 does not include a main injection hole, unlike the inner seal line 360 , but includes only the secondary injection hole 520 .

한편, 외부 씰라인(1820)은 외부 씰라인(365)과는 달리 개방된 부분 없이 단힌 경로를 형성하여, 적하된 액정(370)이 외부로 유출되는 것을 방지한다. On the other hand, the external seal line 1820 forms a short path without an open portion unlike the external seal line 365 to prevent the liquid crystal 370 dripped from leaking to the outside.

각 씰라인(1810, 1820)이 전술한 구조를 포함함에 따라, 적하된 액정(370)은 제1 내지 제3 에탈론 필터(230)의 경우와 같이 주 수용공간(530)을 먼저 채운 후, 부 주입구(520)를 거치며 부 수용공간으로 유입된다. As each seal line 1810 and 1820 includes the above-described structure, the dropped liquid crystal 370 first fills the main accommodation space 530 as in the case of the first to third etalon filters 230, and then It is introduced into the sub-accommodating space through the sub-inlet 520 .

마찬가지로, 액정(370)은 내부에 기체가 형성될 만큼의 양만큼이 적하되어, 제4 에탈론 필터(230)도 제1 내지 제3 에탈론 필터(230)와 같이 내부에 기체를 포함한다.Similarly, the liquid crystal 370 is dropped in an amount sufficient to form a gas therein, so that the fourth etalon filter 230 also contains gas inside, like the first to third etalon filters 230 .

한편, 제4 에탈론 필터(230)는 도 20과 같은 변형례를 포함할 수 있다.Meanwhile, the fourth etalon filter 230 may include a modified example as shown in FIG. 20 .

도 20은 본 발명의 제4 실시예에 따른 파장 가변형 액정 에탈론 필터의 변형례를 도시한 도면이다.20 is a diagram illustrating a modified example of a wavelength tunable liquid crystal etalon filter according to a fourth embodiment of the present invention.

도 20(a) 및 (b)와 같이, 내부 씰라인(1810)도 다양한 형상으로 구현될 수 있다. 또한, 내부 씰라인(1810)은 마찬가지로 기체가 기체 수용공간의 위치까지 원활히 이동하도록 가이드부(910)를 포함할 수 있으며, 내부 씰라인(1810)의 부 주입구(420)로부터 가장 먼 위치에서 외부 씰라인(1720)까지 돌출된 격벽(2010)을 더 포함할 수 있다. 격벽(2010)이 형성됨으로서, 격벽(2010)을 경계로 부 수용공간(540) 내에서 액정(370)의 유동이 방지될 수 있다.20 (a) and (b), the inner seal line 1810 may also be implemented in various shapes. In addition, the inner seal line 1810 may also include a guide portion 910 to allow the gas to smoothly move to the position of the gas receiving space, and the inner seal line 1810 may include a guide part 910 at a position farthest from the secondary injection port 420 of the external seal line 1810 . A partition wall 2010 protruding up to the seal line 1720 may be further included. Since the partition wall 2010 is formed, the flow of the liquid crystal 370 in the sub-accommodating space 540 with the partition wall 2010 as a boundary can be prevented.

나아가, 도 20(c) 및 (d)와 같이, 제4 에탈론 필터(230)는 무액정실(1010)을 포함할 수 있다.Furthermore, as shown in FIGS. 20( c ) and 20 ( d ), the fourth etalon filter 230 may include a liquid crystal-free chamber 1010 .

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of this embodiment, and a person skilled in the art to which this embodiment belongs may make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Accordingly, the present embodiments are intended to explain rather than limit the technical spirit of the present embodiment, and the scope of the technical spirit of the present embodiment is not limited by these embodiments. The protection scope of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be interpreted as being included in the scope of the present embodiment.

100: 광 트랜시버
110: 송신부
120: 수신부
130: 서브마운트
140: 접착제
200: 광원
210: 제1 미러
220: 이득매질
230: 파장 가변형 에탈론 필터
240: 제2 미러
310: 기판
320: 투명전극
330: 고반사층
340: 반사방지층
350: 배향막
360, 1810: 내부 씰라인
365, 1820: 외부 씰라인
370: 액정
380: 전선
390: 봉지재
510: 주 주입구
520: 부 주입구
530: 주 수용공간
540: 부 수용공간
550: 기체 수용공간
570: 챔버
575: 출입구
580: 트레이
910: 가이드부
930: 보조 씰라인
1010: 무액정실
1510: 추가 씰라인
1610, 1620: 커팅면
2010: 격벽100: optical transceiver
110: transmitter
120: receiver
130: submount
140: adhesive
200: light source
210: first mirror
220: gain medium
230: tunable etalon filter
240: second mirror
310: substrate
320: transparent electrode
330: highly reflective layer
340: anti-reflection layer
350: alignment layer
360, 1810: inner seal line
365, 1820: external seal line
370: liquid crystal
380: wire
390: encapsulant
510: main inlet
520: secondary inlet
530: main accommodation space
540: secondary accommodation space
550: gas receiving space
570: chamber
575: doorway
580: tray
910: guide unit
930: auxiliary seal line
1010: liquid crystal room
1510: additional seal line
1610, 1620: cutting surface
2010: bulkhead

Claims (30)

입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서,
한 쌍의 기판;
양 기판 사이에 주입되는 액정;
각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인;
각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인; 및
봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재
를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.In the tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light,
a pair of substrates;
liquid crystal injected between both substrates;
A region ( L) an internal seal line including a main accommodating space implemented to have a predetermined shape as a center;
an outer seal line formed between each substrate, having a predetermined shape, located outside the inner seal line to form a sub-accommodating space outside the inner seal line; and
An encapsulant that is encapsulated to prevent discharge of the liquid crystal
A wavelength tunable etalon filter comprising a. 제1항에 있어서,
각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 자신을 향해 입사하는 광을 반사시키는 한 쌍의 고반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The wavelength tunable etalon filter, characterized in that each of the substrates is positioned in a direction facing each other and further comprises a pair of highly reflective layers for reflecting light incident toward the substrate. 제2항에 있어서,
상기 고반사층은,
입사되는 광을 자신의 사이에서 다중반사시키며 간섭을 유도하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.3. The method of claim 2,
The highly reflective layer,
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that it induces interference by multiple reflection of incident light between itself. 제1항에 있어서,
상기 봉지재는,
상기 주 주입구로 주입되어 경화됨으로서, 상기 주 주입구를 봉지시키는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The encapsulant is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that by being injected into the main inlet and cured, sealing the main inlet. 제1항에 있어서,
상기 부 주입구는,
상기 주 주입구로부터 가장 먼 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The secondary inlet,
Wavelength tunable etalon filter, characterized in that formed at the farthest position from the main injection port. 제1항에 있어서,
상기 부 주입구는,
복수 개로 구현될 수 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The secondary inlet,
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that it can be implemented in plurality. 제6항에 있어서,
상기 부 주입구는,
상기 주 주입구로부터 가장 먼 위치를 기준으로 기 설정된 거리 내에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.7. The method of claim 6,
The secondary inlet,
Wavelength tunable etalon filter, characterized in that each formed within a preset distance based on the position furthest from the main injection hole. 제1항에 있어서,
상기 외부 씰라인은,
일 부분이 개방된 기 설정된 형상을 가지며, 개방된 부분이 상기 주입 공간의 일 위치에 각각 접촉하여 폐쇄된 공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The outer seal line is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that one portion has a predetermined open shape, and the open portion is in contact with one position of the injection space to form a closed space. 제1항에 있어서,
각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 외부로부터 전원을 인가받아 전기장을 형성하는 한 쌍의 투명전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
The wavelength tunable etalon filter, characterized in that it further comprises a pair of transparent electrodes positioned in a direction in which each substrate faces each other, receiving power from the outside to form an electric field. 제1항에 있어서,
각 기판이 서로 마주보는 방향으로 위치하여, 상기 액정을 배향시키는 한 쌍의 배향막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.According to claim 1,
A wavelength tunable etalon filter, wherein each substrate is positioned in a direction facing each other and further comprises a pair of alignment layers for aligning the liquid crystal. 기 설정된 파장대역의 광을 조사하는 광원에 있어서,
외부로부터 전원을 공급받아 광을 출력하며, 자신을 거치는 광을 증폭시키는 이득매질;
상기 이득매질로부터 광이 출력되는 방향으로 상기 이득매질의 전방에 위치하여 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역의 광만을 투과시키는, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 파장 가변형 에탈론 필터; 및
상기 이득매질과 상기 파장 가변형 에탈론 필터를 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어, 상기 이득매질에서 조사된 광을 반사시키는 한 쌍의 미러
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.In the light source irradiating light of a preset wavelength band,
a gain medium that receives power from the outside and outputs light, and amplifies the light passing through itself;
The tunable etalon filter of any one of claims 1 to 10, which is positioned in front of the gain medium in a direction in which light is output from the gain medium and transmits only light of a preset wavelength band among the incident light; and
A pair of mirrors disposed to face each other with the gain medium and the wavelength tunable etalon filter interposed therebetween to reflect light irradiated from the gain medium
Light source comprising a. 제11항에 있어서,
상기 한 쌍의 미러 중 어느 하나는 상대적으로 반사도가 낮은 것을 특징으로 하는 광원.12. The method of claim 11,
Any one of the pair of mirrors is a light source, characterized in that the reflectivity is relatively low. 제11항에 있어서,
상기 파장 가변형 에탈론 필터는,
외부로부터 전원을 인가받아 굴절률을 조정함으로서, 투과시킬 광의 파장대역을 조정하는 것을 특징으로 하는 광원.12. The method of claim 11,
The wavelength tunable etalon filter,
A light source, characterized in that by adjusting the refractive index by receiving power from the outside, the wavelength band of the light to be transmitted is adjusted. 제11항에 있어서,
광 경로 상에서 상기 이득매질 및 상기 파장 가변형 에탈론 필터 사이에 배치되는 고정형 에탈론 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원.12. The method of claim 11,
The light source according to claim 1, further comprising a fixed etalon filter disposed between the gain medium and the wavelength tunable etalon filter on an optical path. 제14항에 있어서,
상기 고정형 에탈론 필터는,
FSR(Free Spectral Range) 간격마다 이산적(Discrete)으로 광을 투과시키는 것을 특징으로 하는 광원.15. The method of claim 14,
The fixed type etalon filter,
A light source characterized in that the light is transmitted discretely at each FSR (Free Spectral Range) interval. 제11항의 광원 및 상기 광원의 동작을 제어하는 드라이버를 포함하는 송신부; 및
외부에서 출력된 광 중 기 설정된 파장대역의 광만을 수신하는 수신부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 트랜시버.A transmitter including the light source of claim 11 and a driver controlling an operation of the light source; and
Receiver that receives only the light of the preset wavelength band among the light output from the outside
Optical transceiver comprising a. 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서,
한 쌍의 기판;
양 기판 사이에 주입되는 액정;
각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인;
각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인; 및
봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재를 포함하며,
상기 부 수용공간은 기 설정된 위치에 자신에 인접한 영역보다 상대적으로 넓은 폭을 갖는 무액정실을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.In the tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light,
a pair of substrates;
liquid crystal injected between both substrates;
A region ( L) an internal seal line including a main accommodating space implemented to have a predetermined shape as a center;
an outer seal line formed between each substrate, having a predetermined shape, located outside the inner seal line to form a sub-accommodating space outside the inner seal line; and
It is encapsulated and includes an encapsulant to prevent discharge of the liquid crystal,
The sub-accommodating space is a wavelength tunable etalon filter, characterized in that it includes a liquid crystal-free chamber having a relatively wider width than an area adjacent to the space at a preset position. 제17항에 있어서,
상기 무액정실은,
상기 기판, 상기 고 반사층 및 투명전극 중 일부 또는 전부가 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.18. The method of claim 17,
The liquid crystal chamber is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that formed by etching some or all of the substrate, the highly reflective layer, and the transparent electrode. 제18항에 있어서,
상기 무액정실은,
각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 고 반사층이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.19. The method of claim 18,
The liquid crystal chamber is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that the high reflective layer is etched by a predetermined depth on an axis formed by the respective substrates facing each other. 제18항에 있어서,
상기 무액정실은,
각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 기판이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.19. The method of claim 18,
The liquid crystal chamber is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that the substrates are etched to a predetermined depth on an axis formed in a direction in which the respective substrates face each other. 제18항에 있어서,
상기 무액정실은,
각 기판이 서로 마주보는 방향이 이루는 축 상으로 상기 투명전극이 기 설정된 깊이만큼 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.19. The method of claim 18,
The liquid crystal chamber is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that the transparent electrode is etched to a predetermined depth on an axis formed by the respective substrates facing each other. 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서,
한 쌍의 기판;
양 기판 사이에 주입되는 액정;
각 기판 사이에 형성되어 상기 기판 또는 고 반사층 간 간격을 유지하며, 상기 액정이 유입될 수 있는 주 주입구를 갖는 주입공간 및 액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인;
각 기판 사이에 형성되며, 기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인;
상기 외부 씰라인의, 상기 주 주입구를 기준으로 기 설정된 반경 내 일 지점으로부터 상기 외부 씰라인의 외부로 돌출된 추가 씰라인; 및
봉지되어 상기 액정의 배출을 방지하는 봉지재
를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.In the tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light,
a pair of substrates;
liquid crystal injected between both substrates;
A region ( L) an internal seal line including a main accommodating space implemented to have a predetermined shape as a center;
an outer seal line formed between each substrate, having a predetermined shape, located outside the inner seal line to form a sub-accommodating space outside the inner seal line;
an additional seal line protruding outside the outer seal line from a point within a preset radius based on the main inlet of the outer seal line; and
An encapsulant that is encapsulated to prevent discharge of the liquid crystal
A wavelength tunable etalon filter comprising a. 제22항에 있어서,
상기 추가 씰라인은,
주입되는 봉지재의 확산을 방지하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.23. The method of claim 22,
The additional seal line is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that it prevents diffusion of the injected encapsulant. 제23항에 있어서,
상기 봉지재는 봉지를 위해 주입되는 경우, 상기 주 주입구 및 상기 추가 씰라인이 형성하는 공간 내에서 위치하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.24. The method of claim 23,
When the encapsulant is injected for encapsulation, the wavelength tunable etalon filter, characterized in that it is located in a space formed by the main injection hole and the additional seal line. 입사되는 광 중 기 설정된 파장대역만을 투과시키는 파장 가변형 에탈론 필터에 있어서,
한 쌍의 기판;
일 기판 상으로 적하(Drop)되며 양 기판 사이에 배치되는 액정;
액정이 유출될 수 있는 부 주입구를 가지며, 광이 입사되거나 통과되는 영역(L)을 중심으로 하여 기 설정된 형상을 갖도록 구현된 주 수용공간을 포함하는 내부 씰라인; 및
기 설정된 형상을 가지며, 상기 내부 씰라인의 외곽에 위치하여 상기 내부 실라인의 외곽에 부 수용공간을 형성하는 외부 씰라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.In the tunable etalon filter that transmits only a preset wavelength band among incident light,
a pair of substrates;
a liquid crystal that is dropped onto one substrate and disposed between both substrates;
an inner seal line having a secondary injection hole through which liquid crystal can flow, and including a main accommodation space implemented to have a predetermined shape with respect to an area (L) through which light is incident or passed; and
A wavelength tunable etalon filter having a predetermined shape and comprising an outer seal line positioned outside the inner seal line to form a sub-accommodating space on the outer side of the inner seal line. 제25항에 있어서,
상기 내부 씰라인은,
하나 이상의 부 주입구를 갖는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.26. The method of claim 25,
The inner seal line is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that it has at least one secondary inlet. 제25항에 있어서,
상기 외부 씰라인은,
사각형상을 갖는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.26. The method of claim 25,
The outer seal line is
A wavelength tunable etalon filter having a rectangular shape. 제27항에 있어서,
상기 외부 씰라인은,
닫힌 경로를 형성하여 적하된 액정이 외부로 유출되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.28. The method of claim 27,
The outer seal line is
A wavelength tunable etalon filter, characterized in that it forms a closed path to prevent the dropped liquid crystal from leaking to the outside. 제25항에 있어서,
상기 내부 씰라인의 부 주입구로부터 가장 먼 위치에서 상기 외부 씰라인까지 돌출된 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.26. The method of claim 25,
Wavelength tunable etalon filter, characterized in that it further comprises a barrier rib protruding from the position furthest from the secondary injection port of the inner seal line to the outer seal line. 제29항에 있어서,
상기 격벽은,
상기 부 수용공간 내에서 액정의 유동을 방지하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 에탈론 필터.

30. The method of claim 29,
The partition wall,
Wavelength tunable etalon filter, characterized in that to prevent the flow of liquid crystal in the sub-accommodating space.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116260028A (en) * 2023-05-15 2023-06-13 深圳英谷激光有限公司 Laser refractive index tuning method, system, device and laser

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241730A (en) * 1985-04-19 1986-10-28 Ricoh Co Ltd Liquid crystal display cell and liquid crystal cell used for manufacturing display cell and its manufacture
KR19980036758A (en) * 1996-11-19 1998-08-05 구자홍 Liquid crystal layer formation method of liquid crystal cell
KR20050097727A (en) * 2004-04-02 2005-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device and method of repairing with using the same
KR102113213B1 (en) * 2018-12-10 2020-05-20 성균관대학교산학협력단 Wavelength tunable etalon capable of controlling the cell gap and method of controlling the cell gap of the wavelength tunable etalon

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241730A (en) * 1985-04-19 1986-10-28 Ricoh Co Ltd Liquid crystal display cell and liquid crystal cell used for manufacturing display cell and its manufacture
KR19980036758A (en) * 1996-11-19 1998-08-05 구자홍 Liquid crystal layer formation method of liquid crystal cell
KR20050097727A (en) * 2004-04-02 2005-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device and method of repairing with using the same
KR102113213B1 (en) * 2018-12-10 2020-05-20 성균관대학교산학협력단 Wavelength tunable etalon capable of controlling the cell gap and method of controlling the cell gap of the wavelength tunable etalon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116260028A (en) * 2023-05-15 2023-06-13 深圳英谷激光有限公司 Laser refractive index tuning method, system, device and laser

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