KR102425863B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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유이치 다카야마
도시히토 모리오카
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다쿠야 사토
다이키 히노데
노리유키 기쿠모토
겐스케 사카타
다카시 오타
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Abstract

[과제] 기판을 적절히 처리할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결 수단] 본원은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치(1)에 관한 것이다. 기판 처리 방법은, 고정 핀(103)에 의해 제1 플레이트(101)의 상면(102)보다 상방의 위치에서 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급하는 단계 S39를 구비한다. 　처리액을 기판(W)에 공급하는 단계 S39는, 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 제2 취출구(106)로부터 상방으로 기체를 취출한다. 　제1 취출구(105)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 중앙부에 형성된다. 　제2 취출구(106)는 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 형성된다. 　제2 취출구(106)는 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다.[Problem] An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of appropriately processing a substrate.
[Solution Means] This application relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus 1 . The substrate processing method includes a step S39 of supplying a processing liquid to the substrate W supported at a position higher than the upper surface 102 of the first plate 101 by the fixing pins 103 . In step S39 of supplying the processing liquid to the substrate W, gas is blown upward from the first blow-out port 105 and gas is blown upward from the second blow-out port 106 . The first air outlet 105 is formed in the central portion of the upper surface 102 of the first plate 101 . The second air outlet 106 is formed at the periphery of the upper surface 102 of the first plate 101 . The second air outlet 106 blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet 105 .

Figure 112020098910698-pat00018
Figure 112020098910698-pat00018

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 　기판은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 또는, 태양 전지용 기판이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrate is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an organic EL (Electroluminescence), a substrate for a flat panel display (FPD), a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical disk, a magneto-optical disk It is a board|substrate for use, the board|substrate for photomasks, or the board|substrate for solar cells.

일본국 특허공개 2015-65226호 공보는, 기판 처리 장치를 개시한다.　 이하에서는, 일본국 특허공개 2015-65226호 공보에 기재되는 부호를, 괄호로 표기한다. 기판 처리 장치는, 기판(100)을 재치(載置)하는 회전 스테이지(10)를 구비한다. 회전 스테이지(10)는, 상면부(13)와 척부(14)를 구비한다.　상면부(13)와 척부(14)는, 기판(100)의 하면의 전체와 대향한다.　구체적으로는, 상면부(13)는, 기판(100)의 하면의 외주부와 마주본다. 　척부(14)는, 기판(100)의 하면의 중앙부와 마주본다.Japanese Patent Laid-Open No. 2015-65226 discloses a substrate processing apparatus. Hereinafter, reference numerals described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-65226 are indicated by parentheses. The substrate processing apparatus includes a rotation stage 10 on which the substrate 100 is mounted. The rotation stage 10 includes an upper surface portion 13 and a chuck portion 14 . The upper surface portion 13 and the chuck portion 14 face the entire lower surface of the substrate 100 . Specifically, the upper surface portion 13 faces the outer peripheral portion of the lower surface of the substrate 100 . The chuck portion 14 faces the central portion of the lower surface of the substrate 100 .

회전 스테이지(10)는, 복수의 지지 핀(25)을 구비한다. 　각 지지 핀(25)은, 상면부(13)에 설치된다. 　각 지지 핀(25)은, 기판의 외주부를 지지한다.The rotation stage 10 includes a plurality of support pins 25 . Each support pin 25 is provided on the upper surface part 13 . Each support pin 25 supports the outer periphery of the substrate.

회전 스테이지(10)는, 기체 분출구(15)와 기체 분출구(16)를 구비한다. 　기체 분출구(15)는, 척부(14)에 형성된다. 　기체 분출구(15)는, 기판(100)의 하면의 중앙부에 기체를 분출한다. 　기체 분출구(16)는, 상면부(13)에 형성된다. 　기체 분출구(16)는, 기판(100)의 하면의 외주부에 기체를 분출한다.The rotation stage 10 includes a gas outlet 15 and a gas outlet 16 . The gas outlet 15 is formed in the chuck portion 14 . The gas ejection port 15 ejects gas to the central portion of the lower surface of the substrate 100 . The gas outlet 16 is formed in the upper surface part 13 . The gas ejection port 16 ejects gas to the outer peripheral portion of the lower surface of the substrate 100 .

기판 처리 장치는, 추가로, 중공 모터(40)와 노즐(98)을 구비한다. 　중공 모터(40)는, 회전 스테이지(10)를 회전시킨다. 　노즐(98)은, 회전 스테이지(10)에 재치된 기판(100)에 처리액을 공급한다.The substrate processing apparatus further includes a hollow motor 40 and a nozzle 98 . The hollow motor 40 rotates the rotation stage 10 . The nozzle 98 supplies the processing liquid to the substrate 100 mounted on the rotation stage 10 .

노즐(98)이 회전 스테이지(10)에 재치된 기판(100)에 처리액을 공급하고 있지 않을 때, 회전 스테이지(10)는 회전하지 않고, 기체 분출구(15)는 기체를 분출하고, 기체 분출구(16)는 기체를 분출하지 않는다.When the nozzle 98 is not supplying the processing liquid to the substrate 100 placed on the rotation stage 10 , the rotation stage 10 does not rotate, the gas outlet 15 ejects gas, and the gas outlet (16) does not eject gas.

노즐(98)이 회전 스테이지(10)에 재치된 기판(100)에 처리액을 공급할 때, 회전 스테이지(10)는 회전하고, 기체 분출구(15) 및 기체 분출구(16)는 각각, 기체를 분출한다.When the nozzle 98 supplies the processing liquid to the substrate 100 mounted on the rotation stage 10 , the rotation stage 10 rotates, and the gas ejection port 15 and the gas ejection port 16 respectively eject gas. do.

최근, 기판은, 박형화 및 대구경화되어 있다. 　기판의 두께가 얇고, 또한, 기판의 직경이 커지면, 기판의 휨량이 현저하게 커진다. 　이 때문에, 종래의 기판 처리 장치의 처리부는, 기판을 적절히 처리하기 어려운 경우가 있다.In recent years, the board|substrate is thinned and large diameter is made. When the thickness of the substrate is thin and the diameter of the substrate is increased, the amount of warpage of the substrate is remarkably increased. For this reason, it may be difficult for the processing part of the conventional substrate processing apparatus to process a board|substrate appropriately.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판을 적절히 처리할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of appropriately processing a substrate.

본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명은, 기판 처리 방법으로서,In order to achieve this object, the present invention has the following configuration. That is, the present invention provides a substrate processing method,

지지부에 의해 제1 플레이트의 상면보다 상방의 위치에서 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 단계를 구비하고,and supplying a processing liquid to the substrate supported at a position above the upper surface of the first plate by the support unit,

처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되는 제1 취출구(吹出口)로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되는 제2 취출구로부터 상방으로, 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하는 기판 처리 방법이다.In the step of supplying the processing liquid to the substrate, the gas is blown upward from a first air outlet formed in the central portion of the upper surface of the first plate, and further, at the periphery of the upper surface of the first plate. It is a substrate processing method which blows out gas at the flow rate larger than the said 1st air outlet upward from the 2nd air outlet formed.

처리액을 기판에 공급하는 단계는, 제1 취출구 및 제2 취출구로부터 기체를 취출한다. 　제1 취출구 및 제2 취출구로부터 취출된 기체는, 제1 플레이트의 상면과 지지부에 지지되는 기판의 하면 사이에 공급된다. 　기체는, 기판의 하면을 따라 흐른다. 　이에 의해, 지지부에 지지되는 기판에 대해 하향의 힘(흡인력)을 작용시켜, 기판을 적합하게 유지할 수 있다.In the step of supplying the processing liquid to the substrate, gas is taken out from the first air outlet and the second air outlet. The gas blown out from the first air outlet and the second air outlet is supplied between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support portion. The gas flows along the lower surface of the substrate. Thereby, a downward force (attraction force) is applied to the substrate supported by the support portion, and the substrate can be properly held.

특히, 제1 취출구로부터 취출된 기체는, 기판의 중앙부에 있어서의 하면에 닿는다. 　이 때문에, 기판의 중앙부에 있어서의 하면이 하방으로 만곡하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　따라서, 처리액을 기판에 공급할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.In particular, the gas blown out from the first blowing port hits the lower surface in the central portion of the substrate. For this reason, it can prevent suitably that the lower surface in the center part of a board|substrate curves downward. Therefore, when supplying the processing liquid to the substrate, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate.

처리액을 기판에 공급하는 단계에서는, 제2 취출구는, 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 　기체는, 기판의 주연부에 있어서의 하면을 따라 비교적 빠르게 흐른다. 　이에 의해, 기판의 주연부에 대해 비교적 강한 흡인력을 작용시킨다. 　따라서, 처리액을 기판에 공급할 때, 기판을 한층 적합하게 유지할 수 있다.In the step of supplying the processing liquid to the substrate, the second air outlet blows out the gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. The gas flows relatively quickly along the lower surface in the periphery of the substrate. Thereby, a relatively strong attraction force is applied to the periphery of the substrate. Therefore, when supplying a processing liquid to a board|substrate, the board|substrate can be hold|maintained more suitably.

이상과 같이, 처리액을 기판에 공급할 때, 기판을 제1 플레이트와 접촉시키지 않고 기판을 유지할 수 있다. 　따라서, 기판을 적절히 처리할 수 있다. 　따라서, 본 기판 처리 방법은, 기판을 적절히 처리할 수 있다.As described above, when supplying the processing liquid to the substrate, it is possible to hold the substrate without bringing the substrate into contact with the first plate. Accordingly, the substrate can be appropriately treated. Therefore, this substrate processing method can process a board|substrate suitably.

상술한 기판 처리 방법에 있어서,In the above-described substrate processing method,

상기 지지부에 기판을 건네는 단계를 구비하고,passing the substrate to the support,

상기 지지부에 기판을 건네는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.In the step of passing the substrate to the support part, it is preferable that the gas is blown upward from the first blowout port, and the gas is not blown out from the second blowout port.

지지부에 기판을 건네는 단계는 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는다. 이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 기판을 지지부에 적절히 건넬 수 있다. 　예를 들면, 기판을 지지부 상에 천천히 둘 수 있다.In the step of passing the substrate to the support part, the gas is not taken out from the second outlet. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively weak. Therefore, the board|substrate can be passed suitably to a support part. For example, the substrate can be placed slowly on the support.

상술한 기판 처리 방법에 있어서,In the above-described substrate processing method,

위치 조정부가 상기 지지부에 지지되는 기판과 접촉함으로써, 수평 방향에 있어서의 기판의 위치를 조정하는 단계를 구비하고,adjusting the position of the substrate in the horizontal direction by the positioning unit being in contact with the substrate supported by the supporting unit;

기판의 위치를 조정하는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.In the step of adjusting the position of the substrate, it is preferable that the gas is blown upward from the first blowout port, and the gas is not blown out from the second blowout port.

기판의 위치를 조정하는 단계는, 제1 취출구로부터 기체를 취출한다. 　따라서, 위치 조정부가 기판의 위치를 조정할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　기판의 위치를 조정하는 단계는, 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 위치 조정부는 기판의 위치를 용이하게 조정할 수 있다.In the step of adjusting the position of the substrate, the gas is taken out from the first air outlet. Therefore, when the positioning unit adjusts the position of the substrate, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate. In the step of adjusting the position of the substrate, the gas is not taken out from the second air outlet. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively weak. Accordingly, the position adjusting unit can easily adjust the position of the substrate.

상술한 기판 처리 방법에 있어서,In the above-described substrate processing method,

상기 위치 조정부를 상기 지지부에 지지되는 기판으로부터 떨어트리는 단계를 구비하고,and dropping the position adjusting unit from the substrate supported by the supporting unit,

상기 위치 조정부를 기판으로부터 떨어트리는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 상방으로 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하는 것이 바람직하다.In the step of detaching the positioning unit from the substrate, it is preferable that the gas is blown upward from the first blowing port, and the gas is blown upward from the second blowing port at a flow rate greater than that of the first blowing port.

위치 조정부를 기판으로부터 떨어트리는 단계는, 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 제2 취출구로부터 상방으로 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 　이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 강하다. 　따라서, 위치 조정부가 기판으로부터 떨어지기 전에, 지지부 상의 기판을 적합하게 유지할 수 있다. 　위치 조정부가 기판으로부터 떨어진 후에, 기판이 지지부에 대해 움직이는 것을 적합하게 방지할 수 있다.In the step of detaching the positioning unit from the substrate, the gas is blown upward from the first blowing port, and the gas is blown upward from the second blowing port at a larger flow rate than the first blowing port. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively strong. Accordingly, it is possible to properly hold the substrate on the support portion before the positioning portion detaches from the substrate. It can suitably prevent the substrate from moving with respect to the support after the positioning part is separated from the substrate.

상술한 기판 처리 방법에 있어서,In the above-described substrate processing method,

처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 기판이 상기 위치 조정부와 접촉하고 있지 않은 상태에서 실행되는 것이 바람직하다.The step of supplying the processing liquid to the substrate is preferably performed while the substrate is not in contact with the positioning unit.

기판에 대한 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.It is possible to suitably improve the quality of the treatment for the substrate.

상술한 기판 처리 방법에 있어서,In the above-described substrate processing method,

상기 지지부로부터 기판을 취하는 단계를 구비하고,taking the substrate from the support;

상기 지지부로부터 기판을 취하는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.In the step of taking out the substrate from the support part, it is preferable that gas is blown upward from the first blow-out port, and the gas is not blown out from the second blow-out port.

지지부로부터 기판을 취하는 단계는 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출한다. 　이 때문에, 지지부로부터 기판을 취할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　지지부로부터 기판을 취하는 단계는 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 지지부로부터 기판을 용이하게 취할 수 있다.In the step of taking out the substrate from the support portion, the gas is blown upward from the first blowing port. For this reason, when taking a board|substrate from a support part, it can prevent suitably that a board|substrate comes into contact with the upper surface of a 1st plate. The step of taking out the substrate from the support does not take out the gas from the second air outlet. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively weak. Accordingly, the substrate can be easily taken from the support portion.

본 발명은,The present invention is

기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus comprising:

기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,a first processing unit for processing the substrate;

상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,a control unit for controlling the first processing unit;

상기 제1 처리 유닛은,The first processing unit,

제1 플레이트와,a first plate;

상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and

상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와, a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;

상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;

상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;

상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와, a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;

상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고, and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;

상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하는 기판 처리 장치이다.When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. It is a substrate processing apparatus which takes out gas.

처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 제1 취출구 및 제2 취출구는 각각, 기체를 취출한다. 　제1 취출구 및 제2 취출구로부터 취출된 기체는, 제1 플레이트의 상면과 지지부에 지지되는 기판의 하면 사이에 공급된다. 기체는, 기판의 하면을 따라 흐른다. 　이에 의해, 지지부에 지지되는 기판에 대해 하향의 힘(흡인력)을 작용시킨다. 　이 때문에, 기판을 적합하게 유지할 수 있다.When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support part, the first air outlet and the second air outlet each take out gas. The gas blown out from the first air outlet and the second air outlet is supplied between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support portion. The gas flows along the lower surface of the substrate. Thereby, a downward force (suction force) is applied to the substrate supported by the support portion. For this reason, the board|substrate can be hold|maintained suitably.

특히, 제1 취출구로부터 취출된 기체는, 기판의 중앙부에 있어서의 하면에 닿는다. 　이 때문에, 기판의 중앙부에 있어서의 하면이 하방으로 만곡하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　따라서, 처리액 공급부가 처리액을 기판에 공급할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.In particular, the gas blown out from the first blowing port hits the lower surface in the central portion of the substrate. For this reason, it can prevent suitably that the lower surface in the center part of a board|substrate curves downward. Accordingly, when the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate, it is possible to properly prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate.

처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 제2 취출구는, 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 　기체는, 기판의 주연부에 있어서의 하면을 따라 비교적 빠르게 흐른다. 　이에 의해, 기판의 주연부에 대해 비교적 강한 흡인력을 작용시킨다. 　따라서, 처리액 공급부가 처리액을 기판에 공급할 때, 기판을 한층 적합하게 유지할 수 있다.When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support unit, the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. The gas flows relatively quickly along the lower surface in the periphery of the substrate. Thereby, a relatively strong attraction force is applied to the periphery of the substrate. Accordingly, when the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate, the substrate can be more suitably maintained.

이상과 같이, 처리액을 기판에 공급할 때, 기판을 제1 플레이트와 접촉시키지 않고 기판을 유지할 수 있다. 　따라서, 기판을 적절히 처리할 수 있다. 　따라서, 본 기판 처리 장치는, 기판을 적절히 처리할 수 있다.As described above, when supplying the processing liquid to the substrate, it is possible to hold the substrate without bringing the substrate into contact with the first plate. Accordingly, the substrate can be appropriately treated. Therefore, this substrate processing apparatus can process a board|substrate appropriately.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 지지부가 기판을 받을 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.When the support part receives the substrate, it is preferable that the first blow-out port blows out gas, and the second blow-out port does not blow out gas.

지지부가 기판을 받을 때, 제1 취출구는 기체를 취출한다. 　따라서, 지지부가 기판을 받을 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　지지부가 기판을 받을 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 지지부가 기판을 받을 때, 지지부는 기판을 천천히 받을 수 있다. 　즉, 지지부가 기판을 받을 때, 기판이 손상될 우려가 없다.When the support part receives the substrate, the first blow-out port blows out the gas. Therefore, when the support portion receives the substrate, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate. When the support portion receives the substrate, the second air outlet does not take out gas. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively weak. Therefore, when the support part receives the substrate, the support part can receive the substrate slowly. That is, when the support part receives the substrate, there is no fear that the substrate is damaged.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 지지부가 기판을 받기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 개시하고, Before the support part receives the substrate, the first outlet starts blowing out the gas,

상기 지지부가 기판을 받은 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 개시하는 것이 바람직하다. 　Preferably, after the support part receives the substrate and before the process liquid supply part supplies the process liquid to the substrate supported by the support part, the second outlet starts blowing out the gas.

지지부가 기판을 받기 전에, 제1 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 지지부는 기판을 받을 수 있다. 지지부가 기판을 받은 후에, 제2 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 지지부는 기판을 받을 수 있다. 　따라서, 지지부는 기판을 적절히 받을 수 있다. 　처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 제2 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부는 기판에 처리액을 공급할 수 있다.Before the support part receives the substrate, the first blowing port starts blowing out the gas. Therefore, in the state in which the 1st blow-out port is blowing out gas, the support part can receive a board|substrate. After the support part receives the substrate, the second blow-out port starts blowing out the gas. Therefore, in the state in which the 2nd blow-out port is not blowing out gas, the support part can receive a board|substrate. Accordingly, the support can properly receive the substrate. Before the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support, the second air outlet starts blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit may supply the processing liquid to the substrate in a state in which the second air outlet is blowing out the gas.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제1 처리 유닛은,The first processing unit,

상기 제1 플레이트에 대해 수평 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되고, 상기 지지부에 지지되는 기판과 접촉하여, 수평 방향에 있어서의 기판의 위치를 조정하는 위치 조정부를 구비하고,a position adjusting unit supported by the first plate so as to be movable in the horizontal direction with respect to the first plate and in contact with the substrate supported by the supporting unit to adjust the position of the substrate in the horizontal direction;

상기 위치 조정부가 상기 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다. 　When the position adjusting unit adjusts the position of the substrate supported by the support unit, it is preferable that the first air outlet blows out gas, and the second air outlet does not take out gas.

위치 조정부가 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정할 때, 제1 취출구는 기체를 취출한다. 　따라서, 위치 조정부가 기판의 위치를 조정할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　위치 조정부가 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정할 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 위치 조정부는 기판의 위치를 용이하게 조정할 수 있다.When the positioning section adjusts the position of the substrate supported by the support section, the first blower blows out the gas. Therefore, when the positioning unit adjusts the position of the substrate, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate. When the positioning unit adjusts the position of the substrate supported by the support unit, the second air outlet does not blow out the gas. For this reason, the attraction|suction force which acts on a board|substrate is comparatively weak. Accordingly, the position adjusting unit can easily adjust the position of the substrate.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 위치 조정부가 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정한 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 개시하는 것이 바람직하다.Preferably, the second outlet starts blowing out the gas after the positioning unit adjusts the position of the substrate supported by the support and before the processing liquid supplying unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support.

위치 조정부가 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정한 후에, 제2 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 위치 조정부는 기판의 위치를 조정할 수 있다. 　처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 제2 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부는 기판에 처리액을 공급할 수 있다.After the positioning portion adjusts the position of the substrate supported by the support portion, the second air outlet starts taking out the gas. Therefore, the position adjustment part can adjust the position of a board|substrate in the state in which the 2nd blow-out port is not blowing out gas. Before the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support, the second air outlet starts blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit may supply the processing liquid to the substrate in a state in which the second air outlet is blowing out the gas.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제2 취출구가 기체를 취출한 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 위치 조정부는 기판으로부터 떨어지는 것이 바람직하다.Preferably, the position adjusting unit is separated from the substrate after the second outlet blows out the gas and before the treatment liquid supply unit supplies the treatment liquid to the substrate supported by the support.

제2 취출구가 기체를 취출한 후에, 위치 조정부는 기판으로부터 떨어진다. 따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 위치 조정부는 기판으로부터 떨어진다. 　즉, 기판을 적합하게 유지한 상태에서, 위치 조정부는 기판으로부터 떨어진다. 　이 때문에, 위치 조정부가 기판으로부터 떨어질 때, 및, 위치 조정부가 기판으로부터 떨어진 후에, 기판이 지지부에 대해 움직이는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 위치 조정부는 기판으로부터 떨어진다. 　따라서, 위치 조정부가 기판으로부터 떨어진 상태에서, 처리액 공급부는 기판에 처리액을 공급할 수 있다. 　이 때문에, 기판에 대한 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.After the second blow-out port blows out the gas, the positioning unit is separated from the substrate. Therefore, in the state in which the 2nd blow-out port is blowing out gas, the position adjustment part is separated from the board|substrate. That is, in a state where the substrate is properly held, the positioning portion is separated from the substrate. For this reason, it is possible to suitably prevent the substrate from moving relative to the support when the positioning portion is separated from the substrate and after the positioning portion is separated from the substrate. Before the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support, the positioning unit is separated from the substrate. Accordingly, in a state in which the positioning unit is separated from the substrate, the processing liquid supply unit may supply the processing liquid to the substrate. For this reason, the quality of the process with respect to a board|substrate can be improved suitably.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 지지부로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.When the substrate is taken out from the support portion, it is preferable that the first blow-out port takes out gas, and the second blow-out port does not take out gas.

지지부로부터 기판을 취할 때, 제1 취출구는 기체를 취출한다. 　따라서, 지지부로부터 기판을 취할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　지지부로부터 기판을 취할 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 지지부로부터 기판을 취할 때, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　이 때문에, 지지부로부터 기판을 용이하게 취할 수 있다.When taking the substrate from the support portion, the first blowing port takes out the gas. Therefore, when taking the substrate from the support, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate. When taking the substrate from the support portion, the second air outlet does not take out the gas. Therefore, when taking the substrate from the support, the attraction force acting on the substrate is relatively weak. For this reason, a board|substrate can be easily taken from a support part.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후이며 상기 지지부로부터 기판을 취하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 정지하고, After the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the supporting unit and before taking the substrate from the supporting unit, the second outlet stops blowing out the gas;

상기 지지부로부터 기판을 취한 후에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 정지하는 것이 바람직하다.After taking out the substrate from the support part, it is preferable that the first blow-out port stops blowing out the gas.

처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후에, 제2 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부는 기판에 처리액을 공급할 수 있다. 　지지부로부터 기판을 취하기 전에, 제2 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 지지부로부터 기판을 취할 수 있다. 　따라서, 지지부로부터 기판을 용이하게 취할 수 있다. 　지지부로부터 기판을 취한 후에, 제1 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 지지부로부터 기판을 취할 수 있다. 　따라서, 지지부로부터 기판을 취할 때, 기판이 제1 플레이트에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.After the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support part, the second air outlet stops blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit may supply the processing liquid to the substrate in a state in which the second air outlet is blowing out the gas. Before taking out the board|substrate from the support part, the 2nd blow-out port stops blowing out of gas. Therefore, the board|substrate can be taken out from the support part in the state which the 2nd blow-out port is not taking out gas. Accordingly, the substrate can be easily taken from the support portion. After taking out the substrate from the support portion, the first blowing port stops blowing out the gas. Therefore, the board|substrate can be taken out from the support part in the state in which the 1st blow-out port is taking out the gas. Accordingly, when taking the substrate from the support, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the first plate.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제1 처리 유닛은,The first processing unit,

상기 제1 플레이트에 대해 상하 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되며, 기판을 하강시킴으로써 상기 지지부에 기판을 건네는 승강부를 구비하고,and a lifting unit supported by the first plate so as to be movable in the vertical direction with respect to the first plate, and passing the substrate to the supporting unit by lowering the substrate;

상기 지지부가 상기 승강부로부터 기판을 받을 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다. 　When the support part receives the substrate from the elevating part, it is preferable that the first air outlet blows out gas, and the second air outlet does not take out gas.

승강부는 기판을 지지한다. 　승강부는, 기판을 하강시킨다. 　구체적으로는, 승강부는, 지지부보다 높은 위치로부터, 기판을 하강시킨다. 　이에 의해, 승강부는 지지부에 기판을 건넨다. 　여기서, 지지부가 승강부로부터 기판을 받을 때, 제1 취출구는 기체를 취출한다. 　따라서, 지지부가 승강부로부터 기판을 받을 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 　지지부가 승강부로부터 기판을 받을 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 지지부는 승강부로부터 기판을 적절히 받을 수 있다.The lifting unit supports the substrate. The lifting unit lowers the substrate. Specifically, the lifting unit lowers the substrate from a position higher than the support unit. Thereby, the lifting unit hands the substrate to the support unit. Here, when the support part receives the board|substrate from the raising/lowering part, the 1st blow-out port takes out gas. Accordingly, it is possible to reliably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate when the supporting portion receives the substrate from the lifting unit. When the support part receives the board|substrate from the raising/lowering part, the 2nd blow-out port does not take out gas. Accordingly, the support portion can properly receive the substrate from the elevating portion.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

기판 처리 장치는,Substrate processing apparatus,

상기 승강부에 기판을 건네는 제1 반송 기구를 구비하고,and a first transfer mechanism for passing the substrate to the lifting unit;

상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,The control unit further controls the first conveying mechanism,

상기 승강부는, 상기 제1 반송 기구로부터 기판을 받고,The lifting unit receives the substrate from the first transfer mechanism,

상기 승강부가 상기 제1 반송 기구로부터 기판을 받은 후이며 상기 승강부가 상기 지지부에 기판을 건네기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 개시하는 것이 바람직하다.Preferably, the first air outlet starts taking out the gas after the elevating unit receives the substrate from the first conveying mechanism and before the elevating unit hands the substrate to the support unit.

승강부는, 제1 반송 기구로부터 기판을 받는다. 　구체적으로는, 승강부는, 지지부보다 높은 위치(예를 들면, 상측 위치)에서, 제1 반송 기구로부터 기판을 받는다. 　여기서, 승강부가 제1 반송 기구로부터 기판을 받은 후에, 제1 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 승강부는 제1 반송 기구로부터 기판을 받을 수 있다. 　따라서, 승강부는 제1 반송 기구로부터 기판을 적절히 받을 수 있다. 　승강부가 지지부에 기판을 건네기 전에, 제1 취출구는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 지지부는 승강부로부터 기판을 받을 수 있다.The lifting unit receives the substrate from the first transport mechanism. Specifically, the lifting unit receives the substrate from the first conveyance mechanism at a position higher than the support unit (eg, an upper position). Here, after the elevating unit receives the substrate from the first conveying mechanism, the first blowing port starts taking out the gas. Therefore, in the state in which the 1st blow-out port is not taking out the gas, the raising/lowering part can receive a board|substrate from the 1st conveyance mechanism. Accordingly, the lifting unit can properly receive the substrate from the first conveying mechanism. Before the lifting unit passes the substrate to the support unit, the first air outlet starts taking out the gas. Therefore, in the state in which the 1st blow-out port is taking out the gas, the support part can receive the board|substrate from the raising/lowering part.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제1 플레이트에 대해 상하 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되며, 상기 지지부로부터 기판을 취하여, 기판을 상승시키는 승강부를 구비하고,It is supported by the first plate so as to be movable in the vertical direction with respect to the first plate, and includes an elevating unit for taking the substrate from the supporting unit to raise the substrate,

상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.When the elevating section takes the substrate from the support section, it is preferable that the first blow-out port takes out the gas, and the second blow-out port does not take out the gas.

승강부는 지지부로부터 기판을 취한다. 　승강부는 기판을 지지한다. 　승강부는, 기판을 상승시킨다. 　구체적으로는, 승강부는, 지지부보다 높은 위치로, 기판을 상승시킨다. 　여기서, 승강부가 지지부로부터 기판을 취할 때, 제1 취출구는 기체를 취출한다. 　따라서, 승강부가 지지부로부터 기판을 취할 때, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　승강부가 지지부로부터 기판을 취할 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 승강부는 지지부로부터 기판을 용이하게 취할 수 있다.The lifting section takes the substrate from the support section. The lifting unit supports the substrate. The lifting unit raises the substrate. Specifically, the lifting unit raises the substrate to a position higher than the support unit. Here, when the lifting section takes the substrate from the support section, the first air outlet takes out the gas. Accordingly, it is possible to suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate when the lifting unit takes the substrate from the supporting portion. When the elevating section takes the substrate from the support section, the second blow-out port does not take out the gas. Accordingly, the lifting portion can easily take the substrate from the support portion.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후이며 상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 정지하는 것이 바람직하다.Preferably, after the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support part and before the lifting unit takes the substrate from the support part, the second air outlet stops blowing out the gas.

처리액 공급부가 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후에, 제2 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부는 기판에 처리액을 공급할 수 있다. 　승강부가 지지부로부터 기판을 취하기 전에, 제2 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 승강부는 지지부로부터 기판을 취할 수 있다.After the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support part, the second air outlet stops blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit may supply the processing liquid to the substrate in a state in which the second air outlet is blowing out the gas. Before the lifting section takes the substrate from the support section, the second air outlet stops taking out the gas. Therefore, in the state in which the 2nd blow-out port is not taking out gas, the raising/lowering part can take out a board|substrate from a support part.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

기판 처리 장치는,Substrate processing apparatus,

상기 승강부로부터 기판을 취하는 제1 반송 기구를 구비하고,a first transport mechanism for taking the substrate from the lifting unit;

상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,The control unit further controls the first conveying mechanism,

상기 승강부는, 상기 제1 반송 기구에 기판을 건네고,The lifting unit passes the substrate to the first transfer mechanism,

상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취한 후이며 상기 승강부가 상기 제1 반송 기구에 기판을 건네기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 정지하는 것이 바람직하다.Preferably, the first air outlet stops taking out the gas after the elevating unit takes the substrate from the supporting unit and before the elevating unit hands the substrate to the first conveying mechanism.

승강부는, 제1 반송 기구에 기판을 건넨다. 　구체적으로는, 승강부가 지지부로부터 기판을 취한 후, 승강부는 제1 반송 기구에 기판을 건넨다. 　승강부는, 지지부보다 높은 위치(예를 들면, 상측 위치)에서, 제1 반송 기구에 기판을 건넨다. 　여기서, 승강부가 지지부로부터 기판을 취한 후에, 제1 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 승강부는 지지부로부터 기판을 취할 수 있다. 　승강부가 제1 반송 기구에 기판을 건네기 전에, 제1 취출구는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 승강부는 제1 반송 기구에 기판을 건넬 수 있다. 　따라서, 승강부는 제1 반송 기구에 기판을 적합하게 건넬 수 있다.The lifting unit hands the substrate to the first conveyance mechanism. Specifically, after the elevating unit takes the substrate from the support unit, the elevating unit delivers the substrate to the first conveying mechanism. The lifting unit delivers the substrate to the first conveying mechanism at a position higher than the support unit (for example, an upper position). Here, after the elevating part takes the board|substrate from the support part, the 1st blow-out port stops taking-out of the gas. Therefore, in the state in which the 1st blow-out port is taking out gas, the raising/lowering part can take out a board|substrate from a support part. Before the lifting/lowering unit hands the substrate to the first conveying mechanism, the first blowing port stops taking out the gas. Therefore, in the state in which the 1st blow-out port is not taking out the gas, the raising/lowering part can pass a board|substrate to a 1st conveyance mechanism. Accordingly, the elevating unit can suitably pass the substrate to the first conveying mechanism.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

기판 처리 장치는,Substrate processing apparatus,

상기 제1 처리 유닛에 기판을 반송하는 제1 반송 기구를 구비하고,a first transport mechanism for transporting a substrate to the first processing unit;

상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,The control unit further controls the first conveying mechanism,

상기 제1 반송 기구는,The first conveying mechanism,

기판의 상면 및 하면 중 어느 한쪽을 따라 기체를 흐르게 하여, 기판과 접촉하는 일 없이 기판을 흡인하는 흡인부와,a suction unit for flowing gas along either one of the upper and lower surfaces of the substrate to suck the substrate without contacting the substrate;

상기 흡인부에 공급하는 기체의 유량을 조정하는 흡인 조정부를 구비하고,and a suction adjusting unit for adjusting the flow rate of the gas supplied to the suction unit,

상기 제1 반송 기구가 기판을 반송할 때, 상기 흡인 조정부는 상기 흡인부에 기체를 공급하고, when the first conveying mechanism conveys the substrate, the suction adjustment unit supplies gas to the suction unit;

상기 제1 반송 기구가 상기 제1 처리 유닛에 기판을 건넬 때, 상기 흡인 조정부는 상기 흡인부에 기체를 공급하지 않고, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.Preferably, when the first conveying mechanism passes the substrate to the first processing unit, the suction adjustment unit does not supply gas to the suction unit, and the second air outlet does not blow gas.

제1 반송 기구는, 흡인부를 구비한다. 　따라서, 제1 반송 기구는, 기판을 적합하게 지지할 수 있다. 　제1 반송 기구는, 흡인 조정부를 구비한다. 　흡인 조정부는, 흡인부에 공급하는 기체의 유량을 조정한다. 　따라서, 흡인 조정부는, 흡인부의 흡인력을 조정할 수 있다. 　제1 반송 기구가 기판을 반송할 때, 흡인 조정부는 흡인부에 기체를 공급한다. 　따라서, 제1 반송 기구가 기판을 반송할 때, 흡인부는 기판을 적합하게 흡인할 수 있다. 　따라서, 제1 반송 기구는 적합하게 반송할 수 있다. 　제1 반송 기구가 제1 처리 유닛에 기판을 건넬 때, 흡인 조정부는 흡인부에 기체를 공급하지 않는다. 　이 때문에, 제1 반송 기구가 제1 처리 유닛에 기판을 건넬 때, 흡인부는 기판을 흡인하지 않는다. 　따라서, 제1 반송 기구는, 제1 처리 유닛에 기판을 적합하게 건넬 수 있다. 　제1 반송 기구가 제1 처리 유닛에 기판을 건넬 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 제1 반송 기구는, 제1 처리 유닛에 기판을 한층 적합하게 건넬 수 있다.The 1st conveyance mechanism is provided with a suction part. Therefore, the 1st conveyance mechanism can support a board|substrate suitably. The 1st conveyance mechanism is provided with a suction adjustment part. The suction adjustment unit adjusts the flow rate of the gas supplied to the suction unit. Accordingly, the suction adjustment unit can adjust the suction force of the suction unit. When the first conveying mechanism conveys the substrate, the suction adjustment unit supplies gas to the suction unit. Therefore, when the first conveying mechanism conveys the substrate, the suction unit can suitably suction the substrate. Therefore, the 1st conveyance mechanism can convey suitably. When the first conveying mechanism hands the substrate to the first processing unit, the suction adjusting unit does not supply gas to the suction unit. For this reason, when the first conveying mechanism hands the substrate to the first processing unit, the suction unit does not attract the substrate. Accordingly, the first transport mechanism can suitably hand the substrate to the first processing unit. When the first conveying mechanism passes the substrate to the first processing unit, the second air outlet does not take out the gas. Accordingly, the first conveying mechanism can more suitably hand the substrate to the first processing unit.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

기판 처리 장치는,Substrate processing apparatus,

상기 제1 처리 유닛에 기판을 반송하는 제1 반송 기구를 구비하고,a first transport mechanism for transporting a substrate to the first processing unit;

상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,The control unit further controls the first conveying mechanism,

상기 제1 반송 기구는,The first conveying mechanism,

기판의 상면 및 하면 중 어느 한쪽을 따라 기체를 흐르게 하여, 기판과 접촉하는 일 없이 기판을 흡인하는 흡인부와, a suction unit for flowing gas along either one of the upper and lower surfaces of the substrate to suck the substrate without contacting the substrate;

상기 흡인부에 공급하는 기체의 유량을 조정하는 흡인 조정부를 구비하고,and a suction adjusting unit for adjusting the flow rate of the gas supplied to the suction unit,

상기 제1 반송 기구가 상기 제1 처리 유닛으로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 상기 흡인부에 공급되는 기체의 유량보다 작고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는 것이 바람직하다.When the first conveying mechanism takes the substrate from the first processing unit, the flow rate of the gas blown out by the first air outlet is smaller than the flow rate of the gas supplied to the suction unit, and the second air outlet blows out the gas. It is preferable not to

제1 반송 기구가 제1 처리 유닛으로부터 기판을 취할 때, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 흡인부에 공급되는 기체의 유량보다 작다. 　따라서, 제1 반송 기구가 제1 처리 유닛으로부터 기판을 취할 때, 흡인부는 제1 처리 유닛의 기판을 적합하게 흡인할 수 있다. 　따라서, 제1 반송 기구는 제1 처리 유닛으로부터 기판을 용이하게 취할 수 있다. 　제1 반송 기구가 제1 처리 유닛으로부터 기판을 취할 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 제1 반송 기구는 제1 처리 유닛으로부터 기판을 한층 용이하게 취할 수 있다.When the first conveying mechanism takes the substrate from the first processing unit, the flow rate of the gas blown out by the first blowing port is smaller than the flow rate of the gas supplied to the suction unit. Therefore, when the first conveying mechanism takes the substrate from the first processing unit, the suction unit can suitably attract the substrate of the first processing unit. Accordingly, the first conveying mechanism can easily take the substrate from the first processing unit. When the first conveying mechanism takes the substrate from the first processing unit, the second air outlet does not take out the gas. Accordingly, the first conveying mechanism can take the substrate from the first processing unit much more easily.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제1 취출구는, 또한, 순수를 기판에 토출 가능한 것이 바람직하다.It is preferable that the said 1st blow-out port can also discharge pure water to a board|substrate.

제1 취출구로부터 토출된 순수가, 기판의 중앙부에 있어서의 하면에 닿는다. 　이에 의해, 기판의 중앙부에 있어서의 하면이 하방으로 만곡하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다. 　따라서, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다.The pure water discharged from the 1st blowing port hits the lower surface in the center part of a board|substrate. Thereby, it can prevent further suitably that the lower surface in the center part of a board|substrate curves downward. Accordingly, it is possible to more suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 처리액 공급부는, 상기 지지부에 지지된 기판의 상방의 위치인 처리 위치로 이동 가능하고, The processing liquid supply unit is movable to a processing position, which is a position above the substrate supported by the support unit,

상기 처리액 공급부가 상기 처리 위치로부터, 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 순수를 토출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 상기 제1 취출구가 취출하는 기체보다 큰 유량으로 기체를 취출하는 것이 바람직하다. 　When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid from the processing position to the substrate supported by the support unit, the first discharge port discharges pure water, and the second discharge port has a larger size than the gas discharged from the first discharge port. It is preferable to take out the gas at a flow rate.

처리액 공급부가 처리 위치로부터 처리액을 기판에 공급할 때, 제1 취출구는 순수를 토출한다. 　따라서, 기판이 제1 플레이트의 상면에 접촉하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다.When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate from the processing position, the first outlet discharges pure water. Accordingly, it is possible to more suitably prevent the substrate from coming into contact with the upper surface of the first plate.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 처리액 공급부는, 상기 제1 취출구를 통해, 처리액을 기판에 토출 가능한 것이 바람직하다.Preferably, the processing liquid supply unit is capable of discharging the processing liquid to the substrate through the first outlet.

기판의 하면에 처리액을 공급할 수 있다. 　따라서, 기판의 하면을 적합하게 처리할 수 있다.A processing liquid may be supplied to the lower surface of the substrate. Therefore, the lower surface of the board|substrate can be processed suitably.

상술한 기판 처리 장치에 있어서,In the above-described substrate processing apparatus,

상기 제1 처리 유닛은,The first processing unit,

상기 제1 플레이트를 회전시키는 제1 회전 구동부를 구비하고,and a first rotation driving unit for rotating the first plate,

상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 회전 구동부는 상기 제1 플레이트를 회전시키는 것이 바람직하다.When the treatment liquid supply unit supplies the treatment liquid to the substrate supported by the support unit, the first rotation driving unit may rotate the first plate.

제1 처리 유닛은, 기판을 적절히 처리할 수 있다.The first processing unit may appropriately process the substrate.

발명을 설명하기 위해 현재 적합한 것으로 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있는데, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책으로 한정되는 것은 아님을 이해하길 바란다.
도 1은, 실시형태의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는, 기판 처리 장치의 제어 블록도이다.
도 3은, 기판의 평면도이다.
도 4a는, 제1 기판의 단면도이며, 도 4b는, 제2 기판의 단면도이며, 도 4c는, 제3 기판의 단면도이다.
도 5a는, 통상 직경 기판의 평면도이며, 도 5b는, 대경 기판의 평면도이다.
도 6은, 캐리어의 정면도이다.
도 7은, 캐리어의 선반의 평면도이다.
도 8은, 폭 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 중앙부의 구성을 나타내는 좌측면도이다.
도 9는, 핸드의 평면도이다.
도 10은, 핸드의 측면도이다.
도 11은, 기판 처리 장치의 좌부의 구성을 나타내는 좌측면도이다.
도 12는, 재치부의 정면도이다.
도 13은, 재치부의 선반의 평면도이다.
도 14는, 재치부의 선반의 상세도이다.
도 15는, 핸드의 저면도이다.
도 16a, 도 16b는 각각, 핸드의 측면도이다.
도 17은, 흡인부와, 흡인부에 흡인되는 기판과, 받이부의 평면도이다.
도 18은, 받이부의 평면도이다.
도 19는, 제1 처리 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 20은, 제1 플레이트의 평면도이다.
도 21a, 도 21b는 각각, 위치 조정 핀의 평면 상세도이다.
도 22a, 도 22b는 각각, 위치 조정 핀의 측면도이다.
도 23a, 도 23b는 각각, 리프트 핀의 측면도이다.
도 24는, 제2 처리 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 25는, 제2 플레이트의 평면도이다.
도 26a, 도 26b는, 끝가장자리 접촉 핀의 평면 상세도이다.
도 27a, 도 27b는, 끝가장자리 접촉 핀의 측면도이다.
도 28은, 제어부가 기판의 형상을 취득하는 동작의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 29는, 제어부의 제어 및 반송 기구의 동작의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 30a~도 30d는, 반송 기구가 캐리어의 선반으로부터 기판을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 31a, 도 31b는, 선반에 재치되는 기판과 핸드의 삽입 높이의 관계를 나타내는 도면이다.
도 32a~도 32d는, 반송 기구가 재치부의 선반으로부터 기판을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 33은, 제어부의 제어 및 반송 기구의 동작의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 34a~도 34d는, 반송 기구가 재치부의 선반으로부터 기판을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 35a~도 35d는, 반송 기구가 재치부의 선반으로부터 기판을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 36a~도 36f는, 반송 기구가 처리 유닛의 기판 유지부에 기판을 건네는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 37a~도 37f는, 반송 기구가 처리 유닛의 기판 유지부로부터 기판을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 38a~도 38d는, 반송 기구가 재치부의 선반에 기판을 두는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 39a~도 39d는, 반송 기구가 재치부의 선반에 기판을 두는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 40은, 제1 처리 유닛의 동작예의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 41은, 제1 처리 유닛의 동작예를 나타내는 타이밍차트이다.
도 42는, 변형 실시형태에 있어서의 제1 처리 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 43은, 변형 실시형태에 있어서의 제1 처리 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.There are shown several forms which are presently considered suitable for the purpose of illustrating the invention, but it is to be understood that the invention is not limited to the configuration and practice as shown.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view of the substrate processing apparatus of embodiment.
2 is a control block diagram of the substrate processing apparatus.
3 is a plan view of the substrate.
Fig. 4A is a cross-sectional view of the first substrate, Fig. 4B is a cross-sectional view of the second substrate, and Fig. 4C is a cross-sectional view of the third substrate.
Fig. 5A is a plan view of a normal-diameter substrate, and Fig. 5B is a plan view of a large-diameter substrate.
6 is a front view of the carrier.
7 is a plan view of the shelf of the carrier.
8 is a left side view showing the configuration of the central portion of the substrate processing apparatus in the width direction.
Fig. 9 is a plan view of the hand.
Fig. 10 is a side view of the hand.
11 is a left side view showing the configuration of the left part of the substrate processing apparatus.
12 : is a front view of a mounting part.
13 : is a top view of the shelf of a mounting part.
Fig. 14 is a detailed view of the shelf of the mounting unit.
Fig. 15 is a bottom view of the hand.
16A and 16B are side views of the hand, respectively.
17 : is a top view of a suction part, the board|substrate which is attracted|sucked by the suction part, and a receiving part.
18 : is a top view of a receiving part.
19 is a diagram schematically illustrating a configuration of a first processing unit.
20 is a plan view of the first plate.
21A and 21B are plan detail views of positioning pins, respectively.
22A and 22B are side views of the positioning pins, respectively.
23A and 23B are side views of lift pins, respectively.
24 is a diagram schematically illustrating a configuration of a second processing unit.
25 is a plan view of the second plate.
26A, 26B are plan detail views of an edge contact pin.
27A and 27B are side views of an edge contact pin.
Fig. 28 is a flowchart showing the procedure of the operation in which the control unit acquires the shape of the substrate.
Fig. 29 is a flowchart showing the procedure of the control of the control unit and the operation of the conveying mechanism.
30A to 30D are diagrams schematically showing an operation example in which the conveying mechanism takes the substrate from the shelf of the carrier.
31A and 31B are diagrams showing the relationship between the insertion height of the hand and the substrate placed on the shelf.
32A to 32D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting unit.
Fig. 33 is a flowchart showing the procedure of the control of the control unit and the operation of the conveying mechanism.
34A to 34D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting unit.
35A to 35D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism takes the substrate from the shelf of the mounting unit.
36A to 36F are diagrams schematically illustrating an operation example in which the transfer mechanism delivers the substrate to the substrate holding unit of the processing unit.
37A to 37F are diagrams schematically illustrating an operation example in which the transfer mechanism takes the substrate from the substrate holding unit of the processing unit.
38A to 38D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism places the substrate on the shelf of the mounting unit.
39A to 39D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism places the substrate on the shelf of the mounting unit.
40 is a flowchart showing the sequence of an operation example of the first processing unit.
41 is a timing chart showing an operation example of the first processing unit.
42 is a diagram schematically showing the configuration of a first processing unit in a modified embodiment.
43 is a diagram schematically showing the configuration of a first processing unit in a modified embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the substrate processing apparatus of this invention is demonstrated with reference to drawings.

＜기판 처리 장치의 개요＞<Outline of substrate processing apparatus>

도 1은, 실시형태의 기판 처리 장치의 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 처리를 행한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view of the substrate processing apparatus of embodiment. The substrate processing apparatus 1 processes the substrate W.

기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 또는, 태양 전지용 기판이다.The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for liquid crystal display, a substrate for organic EL (Electroluminescence), a substrate for FPD (Flat Panel Display), a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical disk, A substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, or a substrate for a solar cell.

기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(2)를 구비한다. 인덱서부(2)는, 복수(예를 들면, 4개)의 캐리어 재치부(3)를 구비한다. 각 캐리어 재치부(3)는 각각, 1개의 캐리어(C)를 재치한다. 캐리어(C)는, 복수 장의 기판(W)을 수용한다. 캐리어(C)는, 예를 들면, FOUP(front opening unified pod)이다. 인덱서부(2)는, 반송 기구(4)를 구비한다. 반송 기구(4)는, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치되는 캐리어(C)에 액세스 가능하다.The substrate processing apparatus 1 includes an indexer unit 2 . The indexer unit 2 includes a plurality of (eg, four) carrier mounting units 3 . Each carrier mounting unit 3 mounts one carrier C, respectively. The carrier C accommodates the plurality of substrates W. The carrier C is, for example, a FOUP (front opening unified pod). The indexer unit 2 includes a conveying mechanism 4 . The conveyance mechanism 4 is accessible to the carrier C mounted on all the carrier mounting units 3 .

기판 처리 장치(1)는, 처리 블록(5)을 구비한다. 처리 블록(5)은 인덱서부(2)에 접속된다.The substrate processing apparatus 1 includes a processing block 5 . The processing block 5 is connected to the indexer unit 2 .

처리 블록(5)은, 재치부(6)를 구비한다. 재치부(6)는, 복수 장의 기판(W)을 재치한다. 처리 블록(5)은, 복수의 처리 유닛(7)을 구비한다. 각 처리 유닛(7)은 각각, 1장의 기판(W)을 처리한다. 처리 블록(5)은, 반송 기구(8)를 구비한다. 반송 기구(8)는, 재치부(6)와 모든 처리 유닛(7)에 액세스 가능하다. 반송 기구(8)는, 재치부(6)와 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송한다.The processing block 5 includes a mounting unit 6 . The mounting part 6 mounts the board|substrate W of several sheets. The processing block 5 includes a plurality of processing units 7 . Each processing unit 7 processes one board|substrate W, respectively. The processing block 5 includes a conveying mechanism 8 . The conveyance mechanism 8 is accessible to the mounting unit 6 and all the processing units 7 . The transfer mechanism 8 transfers the substrate W to the mounting unit 6 and the processing unit 7 .

재치부(6)는, 반송 기구(4)와 반송 기구(8) 사이에 배치된다. 반송 기구(4)는 재치부(6)에도 액세스 가능하다. 반송 기구(4)는 재치부(6)에 기판(W)을 반송한다. 재치부(6)는, 반송 기구(4)와 반송 기구(8) 사이에서 반송되는 기판(W)을 재치한다.The mounting unit 6 is disposed between the conveying mechanism 4 and the conveying mechanism 8 . The conveyance mechanism 4 is also accessible to the mounting part 6 . The conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W to the mounting part 6 . The mounting part 6 mounts the board|substrate W conveyed between the conveyance mechanism 4 and the conveyance mechanism 8. As shown in FIG.

기판 처리 장치(1)는, 제어부(9)를 구비한다. 제어부(9)는, 반송 기구(4, 8)와 처리 유닛(7)을 제어한다.The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 9 . The control unit 9 controls the conveying mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7 .

도 2는, 기판 처리 장치(1)의 제어 블록도이다. 제어부(9)는, 반송 기구(4, 8)와 처리 유닛(7)과 통신 가능하게 접속된다.2 is a control block diagram of the substrate processing apparatus 1 . The control unit 9 is communicatively connected to the conveying mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7 .

제어부(9)는, 각종 처리를 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU), 연산 처리의 작업 영역이 되는 RAM(Random-Access Memory), 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해 실현되고 있다. 기억 매체는, 각종 정보를 미리 저장하고 있다. 기억 매체는, 예를 들면, 반송 기구(4, 8) 및 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보를 기억한다. 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보는, 예를 들면, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 레시피(처리 프로그램)이다. 기억 매체는, 예를 들면, 각 기판(W)을 식별하기 위한 정보를 기억한다.The control unit 9 is realized by a central arithmetic processing unit (CPU) that executes various processes, a random-access memory (RAM) serving as a work area for arithmetic processing, and a storage medium such as a fixed disk. The storage medium stores various kinds of information in advance. The storage medium stores, for example, information regarding the operating conditions of the conveying mechanisms 4 and 8 and the processing unit 7 . The information regarding the operating conditions of the processing unit 7 is a processing recipe (processing program) for processing the substrate W, for example. The storage medium stores information for identifying each substrate W, for example.

기판 처리 장치(1)의 동작예를 설명한다. 반송 기구(4)는, 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(8)는, 재치부(6)로부터 1개의 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송한다. 처리 유닛(7)은, 기판(W)을 처리한다. 반송 기구(8)는, 처리 유닛(7)으로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(4)는, 재치부(6)로부터 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)에 기판(W)을 반송한다.An operation example of the substrate processing apparatus 1 will be described. The conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the carrier C on the carrier mounting part 3 to the mounting part 6 . The transfer mechanism 8 transfers the substrate W from the mounting unit 6 to one processing unit 7 . The processing unit 7 processes the substrate W. The transfer mechanism 8 transfers the substrate W from the processing unit 7 to the mounting unit 6 . The conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the mounting part 6 to the carrier C on the carrier mounting part 3 .

반송 기구(4)는, 본 발명에 있어서의 제2 반송 기구의 예이다. 반송 기구(8)는, 본 발명에 있어서의 제1 반송 기구의 예이다. 재치부(6)는, 본 발명에 있어서의 제1 위치 및 제2 위치 중 한쪽의 예이다. 처리 유닛(7)은, 본 발명에 있어서의 제1 위치 및 제2 위치 중 다른 쪽의 예이다.The conveyance mechanism 4 is an example of the 2nd conveyance mechanism in this invention. The conveyance mechanism 8 is an example of the 1st conveyance mechanism in this invention. The mounting unit 6 is an example of one of the first position and the second position in the present invention. The processing unit 7 is an example of the other of the first position and the second position in the present invention.

도 1을 참조한다. 본 명세서에서는, 편의상, 인덱서부(2)와 처리 블록(5)이 늘어서는 방향을 「전후 방향(X)」이라고 부른다. 전후 방향(X)은 수평이다. 전후 방향(X) 중, 처리 블록(5)으로부터 인덱서부(2)로 향하는 방향을 「전방」이라고 부른다. 전방과 반대의 방향을 「후방」이라고 부른다. 전후 방향(X)과 직교하는 수평인 방향을 「폭 방향(Y)」 또는 「측방」이라고 부른다. 「폭 방향(Y)」의 한 방향을 적절히 「우방」이라고 부른다. 우방과는 반대의 방향을 「좌방」이라고 부른다. 수직인 방향을 「상하 방향(Z)」이라고 부른다. 상하 방향(Z)은, 전후 방향(X)과 직교하고, 또한, 폭 방향(Y)과 직교한다. 각 도면에서는, 참고로서, 전, 후, 우, 좌, 상, 하를 적절히 나타낸다.See FIG. 1 . In this specification, for convenience, the direction in which the indexer part 2 and the processing block 5 are lined up is called "front-back direction X". The front-rear direction (X) is horizontal. Among the front-back directions X, the direction from the processing block 5 to the indexer unit 2 is called "front". The direction opposite to the front is called "rear". The horizontal direction orthogonal to the front-back direction X is called "the width direction Y" or "the side". One direction of the "width direction (Y)" is appropriately called "right". The direction opposite to the right is called “left”. The vertical direction is called "up-down direction (Z)". The up-down direction Z is orthogonal to the front-back direction X, and is orthogonal to the width direction Y. In each figure, for reference, the front, back, right, left, top, and bottom are shown suitably.

＜기판(W)의 형상＞<Shape of the substrate (W)>

도 3은, 기판(W)의 평면도이다. 기판(W)의 기본적인 형상을 설명한다. 기판(W)은, 얇은 평판 형상을 갖는다. 기판(W)은, 평면에서 봤을 때 대략 원형상을 갖는다. 기판(W)은, 주연부(12)와 주부(主部)(13)를 갖는다. 주부(13)는, 주연부(12)의 내측에 위치하는 기판(W)의 부분이다. 반도체 디바이스는, 주부(13)에 형성된다. 도 3은, 편의상, 주연부(12)와 주부(13)의 경계를 파선으로 나타낸다.3 : is a top view of the board|substrate W. As shown in FIG. The basic shape of the board|substrate W is demonstrated. The substrate W has a thin flat plate shape. The board|substrate W has a substantially circular shape in planar view. The substrate W has a peripheral portion 12 and a main portion 13 . The main part 13 is a part of the board|substrate W located inside the peripheral part 12. As shown in FIG. The semiconductor device is formed in the main part 13 . 3 shows the boundary between the peripheral portion 12 and the main portion 13 by a broken line for convenience.

본 명세서에서는, 기판(W)의 형상에 따라, 기판(W)을 복수의 종류로 분류한다. 첫째, 기판(W)의 주부(13)의 두께에 따라, 기판(W)을 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3)으로 분류한다.In this specification, according to the shape of the substrate W, the substrate W is classified into a plurality of types. First, according to the thickness of the main portion 13 of the substrate W, the substrate W is classified into a first substrate W1 , a second substrate W2 , and a third substrate W3 .

도 4a는, 제1 기판(W1)의 단면도이다. 도 4b는, 제2 기판(W2)의 단면도이다. 도 4c는, 제3 기판(W3)의 단면도이다. 제1 기판(W1)은, 주부(13)가 주연부(12)보다 패임으로써 형성되는 오목부(14)를 포함하고, 또한, 유리제의 보호 플레이트(15)를 포함하지 않는 기판(W)이다. 오목부(14)는, 예를 들면, 연삭 처리(그라인드 처리)에 의해 형성된다. 제2 기판(W2)은, 오목부(14)를 포함하지 않는 기판(W)이다. 제3 기판(W3)은, 오목부(14)를 포함하고, 또한, 유리제의 보호 플레이트(15)를 포함하는 기판(W)이다. 제1 기판(W1)은, 기판 본체(11)만으로 구성되어도 된다. 혹은, 제1 기판(W1)은, 기판 본체(11)에 더하여, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트 및 수지 필름 중 적어도 어느 한쪽을 포함해도 된다. 제2 기판(W2)은, 기판 본체(11)만으로 구성되어도 된다. 혹은, 제2 기판(W2)은, 기판 본체(11)에 더하여, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트, 수지 필름 및 보호 플레이트(15) 중 적어도 어느 한쪽을 포함해도 된다. 제3 기판(W3)은, 기판 본체(11)와 보호 플레이트(15)를 포함한다. 보호 플레이트(15)는, 예를 들면, 기판 본체(11)에 부착된다. 제3 기판(W3)은, 추가로, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트 및 수지 필름 중 적어도 어느 한쪽을 포함해도 된다.4A is a cross-sectional view of the first substrate W1. 4B is a cross-sectional view of the second substrate W2. 4C is a cross-sectional view of the third substrate W3. The 1st board|substrate W1 is the board|substrate W which contains the recessed part 14 formed when the main part 13 is recessed rather than the peripheral part 12, and does not contain the glass protective plate 15. As shown in FIG. The recessed portion 14 is formed by, for example, a grinding process (grinding process). The second substrate W2 is a substrate W that does not include the concave portion 14 . The 3rd board|substrate W3 is the board|substrate W which contains the recessed part 14, and also contains the glass protective plate 15. As shown in FIG. The first substrate W1 may be constituted by only the substrate main body 11 . Alternatively, the first substrate W1 may include at least one of a resin film, a resin tape, a resin sheet, and a resin film in addition to the substrate main body 11 . The second substrate W2 may be composed of only the substrate main body 11 . Alternatively, the second substrate W2 may include at least one of a resin film, a resin tape, a resin sheet, a resin film, and a protective plate 15 in addition to the substrate main body 11 . The third substrate W3 includes a substrate body 11 and a protection plate 15 . The protective plate 15 is attached to the substrate body 11 , for example. The 3rd board|substrate W3 may also contain at least any one of a resin film, a resin tape, a resin sheet, and a resin film further.

제1 기판(W1)의 주부(13)는, 제2 기판(W2)의 주부(13)보다 얇다. 제1 기판(W1)의 주부(13)는, 제3 기판(W3)의 주부(13)보다 얇다. 제1 기판(W1)은, 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3)보다 강성이 낮다. 제1 기판(W1)은, 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3)보다 휘기 쉽다.The main portion 13 of the first substrate W1 is thinner than the main portion 13 of the second substrate W2 . The main portion 13 of the first substrate W1 is thinner than the main portion 13 of the third substrate W3 . The first substrate W1 has lower rigidity than the second substrate W2 and the third substrate W3 . The first substrate W1 is more flexible than the second substrate W2 and the third substrate W3 .

구체적으로는, 제1 기판(W1)의 주부(13)는, 두께(T1)를 갖는다. 제2 기판(W2)의 주부(13)는, 두께(T2)를 갖는다. 제3 기판(W3)의 주부(13)는, 두께(T3)를 갖는다. 두께(T1)는, 두께(T2)보다 작다. 두께(T1)는, 두께(T3)보다 작다. 두께(T1)는, 예를 들면, 10[μm] 이상 200[μm] 이하이다. 두께(T2)는, 예를 들면, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다. 두께(T3)는, 예를 들면, 800[μm] 이상 1200[μm] 이하이다.Specifically, the main portion 13 of the first substrate W1 has a thickness T1 . The peripheral portion 13 of the second substrate W2 has a thickness T2 . The peripheral portion 13 of the third substrate W3 has a thickness T3 . The thickness T1 is smaller than the thickness T2. The thickness T1 is smaller than the thickness T3. The thickness T1 is, for example, 10 [μm] or more and 200 [μm] or less. The thickness T2 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T3 is, for example, 800 [μm] or more and 1200 [μm] or less.

제1 기판(W1)의 주연부(12)는, 두께(T4)를 갖는다. 제2 기판(W2)의 주연부(12)는, 두께(T5)를 갖는다. 제3 기판(W3)의 주연부(12)는, 두께(T6)를 갖는다. 두께(T4)는, 예를 들면, 두께(T5)와 같다. 두께(T4)는, 두께(T6)보다 작다. 두께(T4)는, 예를 들면, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다. 두께(T5)는, 예를 들면, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다. 두께(T6)는, 예를 들면, 1400[μm] 이상 2200[μm] 이하이다.The periphery 12 of the first substrate W1 has a thickness T4 . The peripheral edge 12 of the second substrate W2 has a thickness T5. The peripheral edge 12 of the third substrate W3 has a thickness T6 . The thickness T4 is equal to the thickness T5, for example. The thickness T4 is smaller than the thickness T6. The thickness T4 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T5 is, for example, 600 [μm] or more and 1000 [μm] or less. The thickness T6 is, for example, 1400 [μm] or more and 2200 [μm] or less.

둘째, 기판(W)의 직경(D)에 따라, 기판(W)을 통상 직경 기판(WN)과 대경 기판(WL)으로 분류한다. Second, according to the diameter D of the substrate W, the substrate W is classified into a normal diameter substrate WN and a large diameter substrate WL.

도 5a는, 통상 직경 기판(WN)의 평면도이다. 도 5b는, 대경 기판(WL)의 평면도이다. 통상 직경 기판(WN)은, 직경(D1)을 갖는다. 대경 기판(WL)은, 직경(D2)을 갖는다. 직경(D2)은, 직경(D1)보다 크다.5A is a plan view of the normal diameter substrate WN. 5B is a plan view of the large-diameter substrate WL. The normal diameter substrate WN has a diameter D1. The large-diameter substrate WL has a diameter D2. The diameter D2 is larger than the diameter D1.

직경(D1)은, 예를 들면, 300[mm]이다. 직경(D2)은, 예를 들면, 301[mm]이다.The diameter D1 is, for example, 300 [mm]. The diameter D2 is, for example, 301 [mm].

예를 들면, 제1 기판(W1) 및 제2 기판(W2)은, 통상 직경 기판(WN)에 속한다. 예를 들면, 제3 기판(W3)은, 대경 기판(WL)에 속한다.For example, the first substrate W1 and the second substrate W2 belong to the normal diameter substrate WN. For example, the third substrate W3 belongs to the large-diameter substrate WL.

기판 처리 장치(1)는, 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3)을 처리한다. 기판 처리 장치(1)는, 통상 직경 기판(WN) 및 대경 기판(WL)을 처리한다.The substrate processing apparatus 1 processes the first substrate W1 , the second substrate W2 , and the third substrate W3 . The substrate processing apparatus 1 processes the normal-diameter substrate WN and the large-diameter substrate WL.

＜캐리어(C)＞<Carrier (C)>

도 6은, 캐리어(C)의 정면도이다. 캐리어(C)는, 용기(21)와 복수의 선반(22)을 구비한다. 선반(22)은, 용기(21)의 내부에 설치된다. 선반(22)은, 상하 방향(Z)으로 늘어서도록 배치된다. 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22)은, 서로 근접해 있다. 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22)의 간격은, 예를 들면, 10[mm]이다.6 : is a front view of the carrier C. As shown in FIG. The carrier C includes a container 21 and a plurality of shelves 22 . The shelf 22 is provided inside the container 21 . The shelves 22 are arranged so as to be aligned in the vertical direction Z. Two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z are adjacent to each other. The interval between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is, for example, 10 [mm].

각 선반(22)은 각각, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치한다. 선반(22)은, 기판(W)의 하면(16)과 접한다. 예를 들면, 선반(22)은, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)과 접한다. 선반(22)은, 기판(W)의 상면(17)과 접하지 않는다. 이에 의해, 선반(22)은 기판(W)을 지지한다. 선반(22)이 기판(W)을 지지할 때, 선반(22)은, 기판(W)이 선반(22)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다.Each shelf 22 mounts one board|substrate W in a horizontal attitude|position, respectively. The shelf 22 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. For example, the shelf 22 is in contact with the lower surface 16 of the peripheral edge 12 of the substrate W. As shown in FIG. The shelf 22 is not in contact with the upper surface 17 of the substrate W. Thereby, the shelf 22 supports the board|substrate W. As shown in FIG. When the shelf 22 supports the substrate W, the shelf 22 allows the substrate W to move upward with respect to the shelf 22 .

각 선반(22)은 각각, 제1 선반(23)과 제2 선반(24)을 구비한다. 제1 선반(23)과 제2 선반(24)은, 서로 떨어져 있다. 제1 선반(23)과 제2 선반(24)은, 수평 방향으로 대향한다. 수평 방향으로 늘어서는 제1 선반(23)과 제2 선반(24)의 간격(E1)은, 기판(W)의 직경(D)보다 작다.Each shelf 22 has a first shelf 23 and a second shelf 24, respectively. The first shelf 23 and the second shelf 24 are spaced apart from each other. The first shelf 23 and the second shelf 24 face each other in the horizontal direction. An interval E1 between the first shelf 23 and the second shelf 24 arranged in the horizontal direction is smaller than the diameter D of the substrate W. As shown in FIG.

도 7은, 캐리어(C)의 선반(22)의 평면도이다. 제1 선반(23)은, 기판(W)의 제1 측부(18)를 지지한다. 제2 선반(24)은, 기판(W)의 제2 측부(19)를 지지한다. 제2 측부(19)는, 기판(W)의 중심(J)에 대해 제1 측부(18)와는 반대측에 위치한다. 제1 측부(18) 및 제2 측부(19)는 각각, 기판(W)의 주연부(12)의 일부를 포함한다. 제1 측부(18) 및 제2 측부(19)는 각각, 추가로, 기판(W)의 주부(13)의 일부를 포함해도 된다.7 : is a top view of the shelf 22 of the carrier C. As shown in FIG. The first shelf 23 supports the first side portion 18 of the substrate W. The second shelf 24 supports the second side portion 19 of the substrate W. The second side portion 19 is located on the opposite side to the first side portion 18 with respect to the center J of the substrate W. The first side 18 and the second side 19 each comprise a portion of the periphery 12 of the substrate W . The first side portion 18 and the second side portion 19 may each further include a part of the main portion 13 of the substrate W .

캐리어(C)는, 바코드(도시하지 않음)를 갖는다. 바코드는, 예를 들면, 캐리어(C)를 식별하기 위한 식별자이다. 바코드는, 예를 들면, 캐리어(C) 내의 기판(W)을 식별하기 위한 식별자이다. 바코드는, 예를 들면, 용기(21)에 붙여진다.The carrier C has a barcode (not shown). The barcode is an identifier for identifying the carrier C, for example. The barcode is, for example, an identifier for identifying the substrate W in the carrier C. A barcode is affixed to the container 21, for example.

이하, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 구성을 설명한다.Hereinafter, the structure of each part of the substrate processing apparatus 1 is demonstrated.

＜인덱서부(2)＞<Indexer (2)>

도 1을 참조한다. 캐리어 재치부(3)는, 폭 방향(Y)으로 일렬로 늘어선다. 인덱서부(2)는, 바코드 리더(31)를 구비한다. 바코드 리더(31)는, 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 붙여지는 바코드를 판독한다. 바코드 리더(31)는, 예를 들면, 캐리어 재치부(3)에 장착된다.See FIG. 1 . The carrier mounting units 3 are arranged in a line in the width direction Y. The indexer unit 2 includes a barcode reader 31 . The barcode reader 31 reads a barcode attached to the carrier C mounted on the carrier mounting unit 3 . The barcode reader 31 is attached to the carrier mounting part 3, for example.

인덱서부(2)는, 반송 스페이스(32)를 구비한다. 반송 스페이스(32)는, 캐리어 재치부(3)의 후방에 배치된다. 반송 스페이스(32)는, 폭 방향(Y)으로 연장된다. 반송 기구(4)는, 반송 스페이스(32)에 설치된다. 반송 기구(4)는, 캐리어 재치부(3)의 후방에 배치된다.The indexer unit 2 includes a conveyance space 32 . The conveyance space 32 is arrange|positioned behind the carrier mounting part 3 . The conveyance space 32 is extended in the width direction Y. The conveyance mechanism 4 is provided in the conveyance space 32 . The conveyance mechanism 4 is arrange|positioned behind the carrier mounting part 3 .

반송 기구(4)는 핸드(33)와 핸드 구동부(34)를 구비한다. 핸드(33)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드(33)는, 기판(W)의 하면(16)과 접촉함으로써 기판(W)을 지지한다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)에 연결된다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)를 이동시킨다.The conveying mechanism 4 includes a hand 33 and a hand drive unit 34 . The hand 33 supports one board|substrate W in a horizontal attitude|position. The hand 33 supports the board|substrate W by making contact with the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. The hand drive unit 34 is connected to the hand 33 . The hand drive unit 34 moves the hand 33 .

도 1, 도 8을 참조한다. 도 8은, 폭 방향(Y)에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 중앙부의 구성을 나타내는 좌측면도이다. 핸드 구동부(34)는, 레일(34a)과 수평 이동부(34b)와 수직 이동부(34c)와 회전부(34d)와 진퇴 이동부(34e)를 구비한다. 레일(34a)은, 고정적으로 설치된다. 레일(34a)은, 반송 스페이스(32)의 저부에 배치된다. 레일(34a)은, 폭 방향(Y)으로 연장된다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 지지된다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 대해 폭 방향(Y)으로 이동한다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 지지된다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 대해 상하 방향(Z)으로 이동한다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 지지된다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 대해 회전한다. 회전부(34d)는, 회전축선(A1) 둘레로 회전한다. 회전축선(A1)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 진퇴 이동부(34e)는, 회전부(34d)의 방향에 의해 결정되는 수평인 한 방향으로 왕복 이동한다.Reference is made to FIGS. 1 and 8 . 8 : is a left side view which shows the structure of the center part of the substrate processing apparatus 1 in the width direction Y. As shown in FIG. The hand drive unit 34 includes a rail 34a, a horizontal moving unit 34b, a vertical moving unit 34c, a rotating unit 34d, and a forward/backward moving unit 34e. The rail 34a is fixedly provided. The rail 34a is arranged at the bottom of the conveyance space 32 . The rail 34a extends in the width direction Y. The horizontal moving part 34b is supported by the rail 34a. The horizontal moving part 34b moves in the width direction Y with respect to the rail 34a. The vertical moving part 34c is supported by the horizontal moving part 34b. The vertical moving part 34c moves in the vertical direction Z with respect to the horizontal moving part 34b. The rotating part 34d is supported by the vertical moving part 34c. The rotating part 34d rotates with respect to the vertical moving part 34c. The rotating part 34d rotates around the rotation axis A1. The rotation axis A1 is parallel to the vertical direction Z. The forward/backward movement part 34e reciprocates in one horizontal direction determined by the direction of the rotation part 34d.

핸드(33)는 진퇴 이동부(34e)에 고정된다. 핸드(33)는, 수평 방향 및 상하 방향(Z)으로 평행 이동 가능하다. 핸드(33)는, 회전축선(A1) 둘레로 회전 가능하다.The hand 33 is fixed to the forward/backward moving part 34e. The hand 33 can move in parallel in the horizontal direction and the up-down direction Z. The hand 33 is rotatable about the rotation axis A1.

도 9는, 핸드(33)의 평면도이다. 도 10은, 핸드(33)의 측면도이다. 핸드(33)의 구조를 설명한다. 핸드(33)는, 연결부(35)를 구비한다. 연결부(35)는, 진퇴 이동부(34e)에 접속된다.9 is a plan view of the hand 33 . 10 is a side view of the hand 33 . The structure of the hand 33 will be described. The hand 33 includes a connecting portion 35 . The connection part 35 is connected to the forward/backward movement part 34e.

핸드(33)는, 2개의 로드(36)를 구비한다. 각 로드(36)는, 연결부(35)에 지지된다. 2개의 로드(36)는, 서로 떨어져 있다. 2개의 로드(36)는 각각, 직선적으로 연장된다. 2개의 로드(36)는 각각, 연결부(35)로부터 같은 방향으로 연장된다. 2개의 로드(36)는, 서로 평행이다. 각 로드(36)가 연장되는 방향을 제1 방향(F1)이라고 한다. 제1 방향(F1)은, 수평이다. 제1 방향(F1)은, 진퇴 이동부(34e)가 회전부(34d)에 대해 왕복 이동하는 방향과 같다. 제1 방향(F1)과 직교하는 수평인 방향을 제2 방향(F2)이라고 한다. 2개의 로드(36)는, 제2 방향(F2)으로 늘어선다.The hand 33 has two rods 36 . Each rod 36 is supported by the connection part 35 . The two rods 36 are spaced apart from each other. The two rods 36 extend linearly, respectively. The two rods 36 each extend in the same direction from the connecting portion 35 . The two rods 36 are parallel to each other. A direction in which each rod 36 extends is referred to as a first direction F1. The first direction F1 is horizontal. The first direction F1 is the same as the direction in which the forward/backward movement unit 34e reciprocates with respect to the rotation unit 34d. A horizontal direction perpendicular to the first direction F1 is referred to as a second direction F2 . The two rods 36 are aligned in the second direction F2.

제2 방향(F2)에 있어서의 2개의 로드(36)의 전체의 길이(L1)는, 간격(E1)보다 작다. 이 때문에, 2개의 로드(36)는, 서로 수평 방향으로 마주 보는 제1 선반(23)과 제2 선반(24) 사이를, 상하 방향(Z)으로 통과 가능하다.The total length L1 of the two rods 36 in the second direction F2 is smaller than the interval E1. For this reason, the two rods 36 can pass between the 1st shelf 23 and the 2nd shelf 24 which face each other in a horizontal direction in the up-down direction Z. As shown in FIG.

각 로드(36)는, 기판(W)의 직경(D)과 대략 동등한 길이를 갖는다. 즉, 제1 방향(F1)에 있어서의 로드(36)의 길이(L2)는, 기판(W)의 직경과 대략 동일하다.Each rod 36 has a length approximately equal to the diameter D of the substrate W. As shown in FIG. That is, the length L2 of the rod 36 in the first direction F1 is substantially equal to the diameter of the substrate W. As shown in FIG.

각 로드(36)는 각각, 가늘다. 즉, 제2 방향(F2)에 있어서의 1개의 로드(36)의 길이(L3)는 작다. 길이(L3)는, 예를 들면, 10[mm]이다. 길이(L3)는, 제1 방향(F1)에 걸쳐 대략 일정하다. 즉, 길이(L3)는, 로드(36)의 기단부로부터 로드(36)의 선단부에 걸쳐 대략 일정하다. 각 로드(36)는, 제1 방향(F1)에 걸쳐 대략 일정한 단면형상을 갖는다. 즉, 로드(36)의 단면형상은, 로드(36)의 기단부로부터 로드(36)의 선단부에 걸쳐 대략 일정하다.Each rod 36 is thin, respectively. That is, the length L3 of one rod 36 in the second direction F2 is small. The length L3 is, for example, 10 [mm]. The length L3 is substantially constant over the first direction F1. That is, the length L3 is substantially constant from the proximal end of the rod 36 to the distal end of the rod 36 . Each rod 36 has a substantially constant cross-sectional shape along the first direction F1. That is, the cross-sectional shape of the rod 36 is substantially constant from the base end of the rod 36 to the front end of the rod 36 .

핸드(33)는, 복수(예를 들면 4개)의 접촉부(37)를 구비한다. 접촉부(37)는, 각 로드(36)에 장착된다. 각 접촉부(37)는, 각 로드(36)로부터 상방으로 돌출한다. 각 접촉부(37)는, 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 보다 상세하게는, 각 접촉부(37)는, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)과 접한다. 이에 의해, 핸드(33)는 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 각 접촉부(37)는, 기판(W)의 상면(17)과 접하지 않는다. 핸드(33)는, 기판(W)이 핸드(33)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다. 핸드(33)가 기판(W)을 지지할 때, 접촉부(37)와 로드(36)는, 평면에서 봤을 때 기판(W)과 겹친다.The hand 33 includes a plurality (eg, four) contact portions 37 . The contact portion 37 is attached to each rod 36 . Each contact portion 37 protrudes upward from each rod 36 . Each contact part 37 contacts the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. In more detail, each contact part 37 is in contact with the lower surface 16 in the peripheral part 12 of the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the hand 33 supports the board|substrate W of 1 sheet in a horizontal attitude|position. Each contact part 37 does not contact the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The hand 33 allows the substrate W to move upward with respect to the hand 33 . When the hand 33 supports the substrate W, the contact portion 37 and the rod 36 overlap the substrate W in a plan view.

핸드(33)는, 기판 검출부(38)를 구비한다. 기판 검출부(38)는, 핸드(33)에 지지되는 기판(W)을 검출한다. 기판 검출부(38)는, 로드(36)에 장착된다.The hand 33 includes a substrate detection unit 38 . The substrate detection unit 38 detects the substrate W supported by the hand 33 . The substrate detection unit 38 is mounted on the rod 36 .

도 2를 참조한다. 바코드 리더(31)는, 제어부(9)와 통신 가능하게 접속된다. 반송 기구(4)의 핸드 구동부(34) 및 기판 검출부(38)는, 제어부(9)와 통신 가능하게 접속된다. 제어부(9)는, 바코드 리더(31) 및 기판 검출부(38)의 검출 결과를 받는다. 제어부(9)는, 핸드 구동부(34)를 제어한다.See FIG. 2 . The barcode reader 31 is communicatively connected to the control unit 9 . The hand drive part 34 and the board|substrate detection part 38 of the conveyance mechanism 4 are connected so that communication with the control part 9 is possible. The control unit 9 receives the detection results of the barcode reader 31 and the substrate detection unit 38 . The control unit 9 controls the hand drive unit 34 .

＜처리 블록(5)＞<Processing block (5)>

도 1을 참조한다. 처리 블록(5)의 각 요소의 배치를 설명한다. 처리 블록(5)은, 반송 스페이스(41)를 구비한다. 반송 스페이스(41)는, 폭 방향(Y)에 있어서의 처리 블록(5)의 중앙에 배치된다. 반송 스페이스(41)는, 전후 방향(X)으로 연장된다. 반송 스페이스(41)는, 인덱서부(2)의 반송 스페이스(32)와 접해 있다.See FIG. 1 . The arrangement of each element of the processing block 5 will be described. The processing block 5 is provided with a conveyance space 41 . The conveyance space 41 is arrange|positioned at the center of the process block 5 in the width direction Y. As shown in FIG. The conveyance space 41 extends in the front-back direction X. The conveyance space 41 is in contact with the conveyance space 32 of the indexer part 2 .

재치부(6)와 반송 기구(8)는, 반송 스페이스(41)에 설치된다. 재치부(6)는, 반송 기구(8)의 전방에 배치된다. 재치부(6)는, 반송 기구(4)의 후방에 배치된다. 재치부(6)는, 반송 기구(4)와 반송 기구(8) 사이에 배치된다.The mounting unit 6 and the conveying mechanism 8 are provided in the conveying space 41 . The mounting unit 6 is disposed in front of the conveying mechanism 8 . The mounting part 6 is arrange|positioned behind the conveyance mechanism 4 . The mounting unit 6 is disposed between the conveying mechanism 4 and the conveying mechanism 8 .

처리 유닛(7)은, 반송 스페이스(41)의 양측에 배치된다. 처리 유닛(7)은, 반송 기구(8)의 측방을 둘러싸도록 배치된다. 구체적으로는, 처리 블록(5)은, 제1 처리 섹션(42)과 제2 처리 섹션(43)을 구비한다. 제1 처리 섹션(42)과 반송 스페이스(41)와 제2 처리 섹션(43)은, 폭 방향(Y)으로 이 순번으로 늘어선다. 제1 처리 섹션(42)은, 반송 스페이스(41)의 우방에 배치된다. 제2 처리 섹션(43)은, 반송 스페이스(41)의 좌방에 배치된다.The processing units 7 are disposed on both sides of the conveyance space 41 . The processing unit 7 is arranged so as to surround the side of the conveying mechanism 8 . Specifically, the processing block 5 includes a first processing section 42 and a second processing section 43 . The first processing section 42 , the conveying space 41 , and the second processing section 43 are arranged in this order in the width direction Y . The first processing section 42 is disposed on the right side of the transport space 41 . The second processing section 43 is disposed on the left side of the conveyance space 41 .

도 11은, 기판 처리 장치(1)의 좌부의 구성을 나타내는 좌측면도이다. 제2 처리 섹션(43)에는, 복수의 처리 유닛(7)이 전후 방향(X) 및 상하 방향(Z)으로 행렬형으로 배치된다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에는, 6개의 처리 유닛(7)이 전후 방향(X)으로 2열, 상하 방향(Z)으로 3단으로 늘어선다.11 is a left side view showing the configuration of the left portion of the substrate processing apparatus 1 . In the second processing section 43 , a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix form in the front-back direction X and the vertical direction Z. For example, in the second processing section 43 , six processing units 7 are arranged in two rows in the front-rear direction (X) and three steps in the vertical direction (Z).

도시를 생략하지만, 제1 처리 섹션(42)에는, 복수의 처리 유닛(7)이 전후 방향(X) 및 상하 방향(Z)으로 행렬형으로 배치된다. 예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에는, 6개의 처리 유닛(7)이 전후 방향(X)으로 2열, 상하 방향(Z)으로 3단으로 늘어선다.Although not shown, in the first processing section 42 , a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix form in the front-rear direction X and the vertical direction Z. For example, in the first processing section 42 , six processing units 7 are arranged in two rows in the front-rear direction (X) and three steps in the vertical direction (Z).

도 12는, 재치부(6)의 정면도이다. 재치부(6)의 구조를 설명한다. 재치부(6)는, 복수 장의 기판(W)을 재치 가능하다. 재치부(6)는, 복수의 선반(45)과 지지벽(48)을 구비한다. 지지벽(48)은 각 선반(45)을 지지한다. 선반(45)은, 상하 방향(Z)으로 늘어서도록 배치된다. 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45)은, 서로 근접해 있다.12 is a front view of the mounting unit 6 . The structure of the mounting part 6 is demonstrated. The mounting part 6 can mount the board|substrate W of several sheets. The mounting unit 6 includes a plurality of shelves 45 and a support wall 48 . A support wall 48 supports each shelf 45 . The shelves 45 are arranged so as to line up in the vertical direction Z. Two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z are adjacent to each other.

각 선반(45)은 각각, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치한다. 선반(45)은, 기판(W)의 하면(16)과 접한다. 예를 들면, 선반(45)은, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)과 접한다. 선반(45)은, 기판(W)의 상면(17)과 접하지 않는다. 이에 의해, 선반(45)은, 기판(W)을 지지한다. 선반(45)이 기판(W)을 지지할 때, 선반(45)은, 기판(W)이 선반(45)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다.Each shelf 45 mounts one board|substrate W in a horizontal attitude|position, respectively. The shelf 45 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. For example, the shelf 45 is in contact with the lower surface 16 of the peripheral edge 12 of the substrate W. As shown in FIG. The shelf 45 is not in contact with the upper surface 17 of the substrate W. Thereby, the shelf 45 supports the board|substrate W. As shown in FIG. When the shelf 45 supports the substrate W, the shelf 45 allows the substrate W to move upward with respect to the shelf 45 .

각 선반(45)은 각각, 제1 선반(46)과 제2 선반(47)을 구비한다. 제1 선반(46)과 제2 선반(47)은, 서로 떨어져 있다. 제1 선반(46)과 제2 선반(47)은, 수평 방향(구체적으로는 폭 방향(Y))으로 대향한다. 수평 방향으로 늘어서는 제1 선반(46)과 제2 선반(47)의 간격(E2)은, 기판(W)의 직경(D)보다 작다. 간격(E2)은, 길이(L1)보다 크다.Each shelf 45 has a first shelf 46 and a second shelf 47, respectively. The first shelf 46 and the second shelf 47 are spaced apart from each other. The first shelf 46 and the second shelf 47 face each other in the horizontal direction (specifically, the width direction Y). An interval E2 between the first shelf 46 and the second shelf 47 arranged in the horizontal direction is smaller than the diameter D of the substrate W. As shown in FIG. The interval E2 is greater than the length L1.

도 13은, 재치부(6)의 선반(45)의 평면도이다. 제1 선반(46)은, 기판(W)의 제1 측부(18)를 지지한다. 제2 선반(47)은, 기판(W)의 제2 측부(19)를 지지한다.13 : is a top view of the shelf 45 of the mounting part 6 . The first shelf 46 supports the first side portion 18 of the substrate W. The second shelf 47 supports the second side portion 19 of the substrate W.

도 14는, 재치부(6)의 선반(45)의 상세도이다. 제1 선반(46)은, 제1 경사면(51)을 갖는다. 제2 선반(47)은, 제2 경사면(55)을 구비한다. 제1 경사면(51)과 제2 경사면(55)은, 서로 떨어져 있다. 제2 경사면(55)은, 제1 경사면(51)과 수평 방향(구체적으로는 폭 방향(Y))으로 대향한다. 제1 경사면(51)과 제2 경사면(55)은, 정면에서 봤을 때, 좌우 대칭이다. 제1 경사면(51)과 제2 경사면(55)은, 전후 방향(X)에서 봤을 때, 좌우 대칭이다. 제1 경사면(51)은, 기판(W)의 제1 측부(18)와 접한다. 제2 경사면(55)은, 기판(W)의 제2 측부(19)와 접한다.14 is a detailed view of the shelf 45 of the mounting unit 6 . The first shelf 46 has a first inclined surface 51 . The second shelf 47 has a second inclined surface 55 . The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are spaced apart from each other. The second inclined surface 55 faces the first inclined surface 51 in the horizontal direction (specifically, the width direction Y). The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are symmetrical when viewed from the front. The first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 are symmetrical when viewed from the front-rear direction X. The first inclined surface 51 is in contact with the first side portion 18 of the substrate W. The second inclined surface 55 is in contact with the second side portion 19 of the substrate W.

간격(E2)은, 수평 방향에 있어서의 제1 경사면(51)과 제2 경사면(55)의 간격에 상당한다. 간격(E2)은, 하방을 향해 감소한다.The interval E2 corresponds to the interval between the first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 in the horizontal direction. The interval E2 decreases downward.

제1 경사면(51)은, 상단(51T)을 갖는다. 제2 경사면(55)은, 상단(55T)을 갖는다. 수평 방향에 있어서의 상단(51T)과 상단(55T)의 간격(ET)은, 기판(W)의 직경(D)보다 크다. 예를 들면, 간격(ET)은, 306[mm]이다. 예를 들면, 간격(ET)과 기판(W)의 직경(D)의 차는, 기판(W)의 직경의 1[%] 이상이다. 예를 들면, 간격(ET)과 기판(W)의 직경(D)의 차는, 2[mm] 이상이다.The first inclined surface 51 has an upper end 51T. The second inclined surface 55 has an upper end 55T. The distance ET between the upper end 51T and the upper end 55T in the horizontal direction is larger than the diameter D of the substrate W. As shown in FIG. For example, the distance ET is 306 [mm]. For example, the difference between the distance ET and the diameter D of the substrate W is 1 [%] or more of the diameter of the substrate W. For example, the difference between the distance ET and the diameter D of the substrate W is 2 [mm] or more.

제1 경사면(51)은, 하단(51B)을 갖는다. 제2 경사면(55)은, 하단(55B)을 갖는다. 수평 방향에 있어서의 하단(51B)과 하단(55B)의 간격(EB)은, 간격(ET)보다 좁다. 간격(EB)은, 기판(W)의 직경(D)보다 작다.The first inclined surface 51 has a lower end 51B. The second inclined surface 55 has a lower end 55B. The interval EB between the lower end 51B and the lower end 55B in the horizontal direction is narrower than the interval ET. The gap EB is smaller than the diameter D of the substrate W.

제1 경사면(51)의 각도는, 제1 경사면(51)의 전체에 걸쳐 일정하지 않다. 제1 경사면(51)은, 상측 경사면(52)과 하측 경사면(53)을 갖는다. 하측 경사면(53)은, 상측 경사면(52)의 하방에 배치된다. 하측 경사면(53)은, 상측 경사면(52)의 하단에 접한다. 상측 경사면(52)은, 수평면에 대해 제1 각도(θ1)로 경사진다. 하측 경사면(53)은, 수평면에 대해 제2 각도(θ2)로 경사진다. 제2 각도(θ2)는, 제1 각도(θ1)보다 작다. 하측 경사면(53)은, 상측 경사면(52)보다 수평에 가깝다.The angle of the first inclined surface 51 is not constant over the entire first inclined surface 51 . The first inclined surface 51 has an upper inclined surface 52 and a lower inclined surface 53 . The lower inclined surface 53 is disposed below the upper inclined surface 52 . The lower inclined surface 53 is in contact with the lower end of the upper inclined surface 52 . The upper inclined surface 52 is inclined at a first angle θ1 with respect to the horizontal plane. The lower inclined surface 53 is inclined at a second angle θ2 with respect to the horizontal plane. The second angle θ2 is smaller than the first angle θ1 . The lower inclined surface 53 is closer to the horizontal than the upper inclined surface 52 .

마찬가지로, 제2 경사면(55)은, 상측 경사면(56)과 하측 경사면(57)을 갖는다. 제2 경사면(55)은, 좌우 대칭인 점을 제외하고, 제1 경사면(51)과 같은 형상을 갖는다. 상측 경사면(56) 및 하측 경사면(57)도 각각 좌우 대칭인 점을 제외하고, 상측 경사면(52) 및 하측 경사면(53)과 같은 형상을 갖는다.Similarly, the second inclined surface 55 has an upper inclined surface 56 and a lower inclined surface 57 . The second inclined surface 55 has the same shape as the first inclined surface 51 , except that it is symmetrical. The upper inclined surface 56 and the lower inclined surface 57 also have the same shape as the upper inclined surface 52 and the lower inclined surface 53 , except that they are also symmetrical.

제1 경사면(51)은, 중간점(51M)을 갖는다. 중간점(51M)은, 상측 경사면(52)과 하측 경사면(53)의 접속 위치이다. 제2 경사면(55)은, 중간점(55M)을 갖는다. 중간점(55M)은, 상측 경사면(56)과 하측 경사면(57)의 접속 위치이다. 수평 방향에 있어서의 중간점(51M)과 중간점(55M)의 간격(EM)은, 기판(W)의 직경(D)과 대략 동일하다.The first inclined surface 51 has an intermediate point 51M. The intermediate point 51M is a connection position between the upper inclined surface 52 and the lower inclined surface 53 . The second inclined surface 55 has an intermediate point 55M. The intermediate point 55M is a connection position between the upper inclined surface 56 and the lower inclined surface 57 . An interval EM between the midpoint 51M and the midpoint 55M in the horizontal direction is substantially equal to the diameter D of the substrate W. As shown in FIG.

도 1, 도 7을 참조한다. 반송 기구(8)의 구조를 설명한다.Reference is made to FIGS. 1 and 7 . The structure of the conveyance mechanism 8 is demonstrated.

반송 기구(8)는 핸드(61)와 핸드 구동부(62)를 구비한다. 핸드(61)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)에 연결된다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)를 이동시킨다.The conveying mechanism 8 includes a hand 61 and a hand drive unit 62 . The hand 61 supports one board|substrate W in a horizontal attitude|position. The hand drive unit 62 is connected to the hand 61 . The hand drive unit 62 moves the hand 61 .

핸드 구동부(62)는, 지주(62a)와 수직 이동부(62b)와 회전부(62c)와 진퇴 이동부(62d)를 구비한다. 지주(62a)는, 고정적으로 설치된다. 지주(62a)는, 상하 방향(Z)으로 연장된다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 지지된다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 대해 상하 방향(Z)으로 이동한다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 지지된다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 대해 회전한다. 회전부(62c)는, 회전축선(A2) 둘레로 회전한다. 회전축선(A2)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 진퇴 이동부(62d)는, 회전부(62c)의 방향에 의해 정해지는 수평인 한 방향으로 왕복 이동한다.The hand drive unit 62 includes a post 62a, a vertical moving unit 62b, a rotating unit 62c, and a forward/backward moving unit 62d. The post 62a is fixedly installed. The post 62a extends in the vertical direction Z. The vertical moving part 62b is supported by the support|pillar 62a. The vertical moving part 62b moves in the vertical direction Z with respect to the support|pillar 62a. The rotating part 62c is supported by the vertical moving part 62b. The rotating part 62c rotates with respect to the vertical moving part 62b. The rotating part 62c rotates around the rotation axis A2. The rotation axis A2 is parallel to the vertical direction Z. The forward/backward movement unit 62d reciprocates in one horizontal direction determined by the direction of the rotation unit 62c.

핸드(61)는, 진퇴 이동부(62d)에 고정된다. 핸드(61)는, 수평 방향 및 상하 방향(Z)으로 평행 이동 가능하다. 핸드(61)는, 회전축선(A2) 둘레로 회전 가능하다.The hand 61 is fixed to the forward/backward movement part 62d. The hand 61 can move in parallel in the horizontal direction and the vertical direction Z. The hand 61 is rotatable about the rotation axis A2.

도 15는, 핸드(61)의 저면도이다. 도 16a, 도 16b는, 핸드(61)의 측면도이다. 핸드(61)의 구조를 설명한다. 핸드(61)는, 연결부(64)를 구비한다. 연결부(64)는, 진퇴 이동부(62d)에 접속된다.15 is a bottom view of the hand 61 . 16A and 16B are side views of the hand 61 . The structure of the hand 61 will be described. The hand 61 has a connecting portion 64 . The connection part 64 is connected to the forward/backward movement part 62d.

핸드(61)는, 베이스부(65)를 구비한다. 베이스부(65)는, 연결부(64)에 지지된다. 베이스부(65)는, 연결부(64)로부터 수평 방향으로 연장된다.The hand 61 includes a base portion 65 . The base part 65 is supported by the connection part 64 . The base portion 65 extends from the connecting portion 64 in the horizontal direction.

베이스부(65)는, 2개의 가지부(66)를 포함한다. 각 가지부(66)는, 서로 떨어져 있다. 각 가지부(66)는, 연결부(64)로부터 같은 방향으로 연장된다. 각 가지부(66)가 연장되는 방향을 제3 방향(F3)이라고 한다. 제3 방향(F3)은, 수평이다. 제3 방향(F3)은, 진퇴 이동부(62d)가 회전부(62c)에 대해 왕복 이동하는 방향과 같다. 제3 방향(F3)과 직교하는 수평인 방향을 제4 방향(F4)이라고 한다. 2개의 가지부(66)는, 제4 방향(F4)으로 늘어선다. 2개의 가지부(66)는, 평면에서 봤을 때, 2개의 가지부(66) 사이를 통과해, 제3 방향(F3)과 평행한 가상선에 대해 선대칭이다. 각 가지부(66)는, 만곡하고 있다. 각 가지부(66)는, 서로 이반되도록 만곡하는 부분을 갖는다. 바꾸어 말하면, 각 가지부(66)는, 제4 방향(F4)의 외방으로 부풀어 오르도록 만곡한 부분을 갖는다.The base portion 65 includes two branch portions 66 . Each branch portion 66 is spaced apart from each other. Each branch portion 66 extends in the same direction from the connecting portion 64 . A direction in which each branch portion 66 extends is referred to as a third direction F3 . The third direction F3 is horizontal. The third direction F3 is the same as the direction in which the forward/backward movement unit 62d reciprocates with respect to the rotation unit 62c. A horizontal direction perpendicular to the third direction F3 is referred to as a fourth direction F4 . The two branch portions 66 are aligned in the fourth direction F4. The two branch portions 66 are line-symmetrical with respect to an imaginary line passing between the two branch portions 66 and parallel to the third direction F3 in a plan view. Each branch portion 66 is curved. Each branch portion 66 has a curved portion so as to be separated from each other. In other words, each branch portion 66 has a curved portion so as to swell outward in the fourth direction F4.

핸드(61)는, 흡인부(68)를 구비한다. 흡인부(68)는, 베이스부(65)에 장착된다. 흡인부(68)는, 기체를 취출한다. 흡인부(68)는, 기체를 하방으로 취출한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상방의 위치로부터, 기체를 기판(W)으로 취출한다. 여기서, 「기판(W)의 상방의 위치」란, 기판(W)보다 높은 위치이며, 평면에서 봤을 때 기판(W)과 겹치는 위치이다. 도 15는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)을 파선으로 나타낸다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)으로 기체를 취출한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 한다. 이에 의해, 흡인부(68)는, 기판(W)과 접촉하는 일 없이, 기판(W)을 흡인한다. 구체적으로는, 기체가 기판(W)의 상면(17)을 따라 흐름으로써 부압이 형성된다. 즉, 기판(W)의 상면(17)이 받는 기압은, 기판(W)의 하면(16)이 받는 기압보다 작다. 베르누이의 원리에 의해, 기판(W)에 상향의 힘이 작용한다. 즉, 기판(W)이 상방으로 흡인된다. 기판(W)은 흡인부(68)를 향해 흡인된다. 단, 흡인부(68)는, 흡인부(68)가 흡인하는 기판(W)과 접촉하지 않는다. 베이스부(65)도, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 접촉하지 않는다.The hand 61 has a suction part 68 . The suction part 68 is attached to the base part 65 . The suction part 68 takes out gas. The suction part 68 takes out gas downward. The suction part 68 takes out gas to the board|substrate W from the position above the board|substrate W. Here, the "position above the board|substrate W" is a position higher than the board|substrate W, and is a position which overlaps with the board|substrate W in planar view. In FIG. 15, the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 is shown with a broken line. The suction part 68 takes out gas to the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The suction part 68 causes gas to flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the suction part 68 attracts|sucks the board|substrate W, without contacting with the board|substrate W. Specifically, a negative pressure is formed as the gas flows along the upper surface 17 of the substrate W. As shown in FIG. That is, the atmospheric pressure received by the upper surface 17 of the substrate W is smaller than the atmospheric pressure received by the lower surface 16 of the substrate W. As shown in FIG. According to Bernoulli's principle, an upward force acts on the substrate W. That is, the substrate W is sucked upward. The substrate W is sucked toward the suction portion 68 . However, the suction part 68 does not contact the board|substrate W which the suction part 68 attracts. The base portion 65 also does not come into contact with the substrate W attracted by the suction portion 68 .

흡인부(68)는, 복수(6개)의 흡인 패드(69)를 포함한다. 각 흡인 패드(69)는, 베이스부(65)의 하면에 설치된다. 흡인 패드(69)는, 베이스부(65)에 매설된다. 각 흡인 패드(69)는, 서로 떨어져 있다. 각 흡인 패드(69)는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 중심(J) 둘레의 원주 상에 배열된다.The suction part 68 includes a plurality (six pieces) of suction pads 69 . Each suction pad 69 is provided on the lower surface of the base portion 65 . The suction pad 69 is embedded in the base portion 65 . Each suction pad 69 is spaced apart from each other. Each suction pad 69 is arranged on a circumference around the center J of the substrate W sucked by the suction portion 68 in plan view.

각 흡인 패드(69)는, 평면에서 봤을 때, 원형이다. 각 흡인 패드(69)는, 상하 방향(Z)과 평행한 중심축심을 갖는 원통형상을 갖는다. 각 흡인 패드(69)는, 하방으로 개방된 하부를 갖는다. 흡인 패드(69)는, 흡인 패드(69)의 하부로부터 기체를 취출한다. 흡인 패드(69)는, 선회류를 형성해도 된다. 선회류는, 흡인 패드(69)의 내부에 있어서 흡인 패드(69)의 중심축선 둘레로 선회하는 기류이다. 예를 들면, 흡인 패드(69)가 기체를 취출하기 전에, 흡인 패드(69)는, 선회류를 형성해도 된다. 예를 들면, 흡인 패드(69)는 선회류를 형성하고, 그 후, 흡인 패드(69)는 선회류를 흡인 패드(69)의 외부로 방출해도 된다.Each suction pad 69 is circular in plan view. Each suction pad 69 has a cylindrical shape having a central axis parallel to the vertical direction Z. Each suction pad 69 has a lower part opened downward. The suction pad 69 takes out gas from the lower part of the suction pad 69 . The suction pad 69 may form a swirling flow. The swirling flow is an airflow swirling around the central axis of the suction pad 69 in the inside of the suction pad 69 . For example, before the suction pad 69 blows out gas, the suction pad 69 may form a swirling flow. For example, the suction pad 69 may form a swirl flow, and then, the suction pad 69 may discharge the swirl flow to the outside of the suction pad 69 .

반송 기구(8)는, 기체 공급로(71)를 구비한다. 기체 공급로(71)는, 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 기체 공급로(71)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 기체 공급로(71)의 제1 단은, 기체 공급원(72)에 접속된다. 기체 공급로(71)의 제2 단은, 흡인부(68)에 접속된다. 기체 공급로(71)의 제2 단은, 각 흡인 패드(69)에 접속된다. 흡인부(68)에 공급되는 기체는, 예를 들면, 질소 가스나 공기이다. 흡인부(68)에 공급되는 기체는, 예를 들면, 고압 가스 또는 압축 가스이다.The transport mechanism 8 includes a gas supply path 71 . The gas supply path 71 supplies gas to the suction part 68 . The gas supply path 71 has a first stage and a second stage. A first end of the gas supply path 71 is connected to a gas supply source 72 . The second end of the gas supply path 71 is connected to the suction part 68 . The second end of the gas supply path 71 is connected to each suction pad 69 . The gas supplied to the suction unit 68 is, for example, nitrogen gas or air. The gas supplied to the suction unit 68 is, for example, a high-pressure gas or a compressed gas.

반송 기구(8)는, 흡인 조정부(73)를 구비한다. 흡인 조정부(73)는, 기체 공급로(71)에 설치된다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 공급하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량을 무단계로 조정해도 된다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량을 단계적으로 조정해도 된다. 흡인부(68)에 공급하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다. 흡인 조정부(73)는, 예를 들면, 유량 조정 밸브를 포함한다. 흡인 조정부(73)는, 추가로, 개폐 밸브를 포함해도 된다.The conveyance mechanism 8 is provided with the suction adjustment part 73. As shown in FIG. The suction adjustment unit 73 is provided in the gas supply path 71 . The suction adjustment unit 73 adjusts the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 . That is, the suction adjustment unit 73 adjusts the flow rate of the gas blown out by the suction unit 68 . The suction adjustment unit 73 may adjust the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 steplessly. The suction adjustment unit 73 may adjust the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 in stages. As the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 increases, the suction force acting on the substrate W increases. The suction adjusting unit 73 includes, for example, a flow rate adjusting valve. The suction adjusting unit 73 may further include an on/off valve.

핸드(61)는, 접촉부(74)를 구비한다. 접촉부(74)는, 베이스부(65)의 하면에 장착된다. 접촉부(74)는, 베이스부(65)로부터 하방으로 돌출한다. 접촉부(74)는, 흡인부(68)보다 낮은 위치까지 돌출한다. 접촉부(74)는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹치는 위치에 배치된다. 접촉부(74)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 상면(17)과 접촉한다. 보다 상세하게는, 접촉부(74)는, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 상면(17)과 접촉한다. 접촉부(74)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 하면(16)과 접촉하지 않는다. 접촉부(74) 자체는, 기판(W)이 접촉부(74)에 대해 하방으로 이동하는 것을 허용한다.The hand 61 has a contact portion 74 . The contact portion 74 is attached to the lower surface of the base portion 65 . The contact portion 74 protrudes downward from the base portion 65 . The contact portion 74 protrudes to a position lower than the suction portion 68 . The contact part 74 is arrange|positioned at the position which overlaps with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view. The contact portion 74 is in contact with the upper surface 17 of the substrate W attracted by the suction portion 68 . In more detail, the contact part 74 contacts the upper surface 17 in the peripheral part 12 of the board|substrate W. As shown in FIG. The contact portion 74 does not come into contact with the lower surface 16 of the substrate W attracted by the suction portion 68 . The contact portion 74 itself allows the substrate W to move downward relative to the contact portion 74 .

흡인부(68)가 기판(W)을 상방으로 흡인하고, 또한, 접촉부(74)가 기판(W)의 상면(17)과 접촉함으로써 기판(W)은 지지되고, 또한, 소정의 위치에 유지된다. 즉, 흡인부(68)가 기판(W)을 상방으로 흡인하고, 또한, 접촉부(74)가 기판(W)의 상면(17)과 접촉함으로써 핸드(61)는, 기판(W)을 유지한다.The suction portion 68 sucks the substrate W upward, and the contact portion 74 contacts the upper surface 17 of the substrate W, so that the substrate W is supported and held at a predetermined position. do. That is, the hand 61 holds the substrate W by the suction part 68 sucking the board|substrate W upward, and the contact part 74 contacting the upper surface 17 of the board|substrate W. .

접촉부(74)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 중심(J)으로부터 먼 위치에 배치된다. 접촉부(74)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 경방향 외방에 배치된다.The contact part 74 is arrange|positioned at the position further away from the center J of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68 rather than the suction part 68. As shown in FIG. The contact part 74 is arrange|positioned radially outward of the board|substrate W which is attracted|sucked by the suction part 68 rather than the suction part 68. As shown in FIG.

접촉부(74)는, 복수(예를 들면 2개)의 제1 접촉부(75)와 복수(예를 들면 2개)의 제2 접촉부(76)를 포함한다. 제1 접촉부(75)의 위치는, 저면에서 봤을 때, 후술하는 제1 받이부(82)의 위치와 대략 같다. 제1 접촉부(75)와 제2 접촉부(76)는, 서로 떨어져 있다. 제1 접촉부(75)는, 베이스부(65)의 선단부에 장착된다. 제1 접촉부(75)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)로부터 먼 위치에 배치된다. 제2 접촉부(76)는, 베이스부(65)의 기단부에 장착된다. 제2 접촉부(76)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)에 가까운 위치에 배치된다.The contact portions 74 include a plurality (eg, two) of the first contact portions 75 and a plurality (eg, two) of the second contact portions 76 . The position of the 1st contact part 75 is substantially the same as the position of the 1st receiving part 82 mentioned later, when it sees from a bottom surface. The first contact portion 75 and the second contact portion 76 are spaced apart from each other. The first contact portion 75 is attached to the tip portion of the base portion 65 . The first contact portion 75 is disposed at a position farther from the connection portion 64 than the suction portion 68 . The second contact portion 76 is attached to the proximal end of the base portion 65 . The second contact portion 76 is disposed at a position closer to the connection portion 64 than the suction portion 68 .

핸드(61)는, 벽부(77)를 구비한다. 벽부(77)는, 베이스부(65)의 하면에 장착된다. 벽부(77)는, 베이스부(65)로부터 하방으로 연장된다. 벽부(77)는, 접촉부(74)보다 낮은 위치까지 연장된다. 벽부(77)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)보다 낮은 위치까지 연장된다. 벽부(77)는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)과 겹치지 않는 위치에 배치된다. 벽부(77)는, 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 측방에 배치된다. 벽부(77)는, 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)과 접촉하지 않는다. 단, 기판(W)이 수평 방향으로 소정치 이상 어긋났을 때, 벽부(77)는 기판(W)과 접촉한다. 이에 의해, 벽부(77)는, 기판(W)이 수평 방향으로 소정치 이상 어긋나는 것을 규제한다. 소정치는, 예를 들면, 3[mm]이다.The hand 61 includes a wall portion 77 . The wall portion 77 is attached to the lower surface of the base portion 65 . The wall portion 77 extends downward from the base portion 65 . The wall portion 77 extends to a position lower than the contact portion 74 . The wall portion 77 extends to a position lower than the substrate W sucked by the suction portion 68 . The wall part 77 is arrange|positioned at the position which does not overlap with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view. The wall part 77 is arrange|positioned at the side of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68. As shown in FIG. The wall part 77 does not contact the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG. However, when the board|substrate W shifts|deviates more than a predetermined value in the horizontal direction, the wall part 77 contacts the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the wall part 77 regulates that the board|substrate W shift|deviates more than a predetermined value in the horizontal direction. The predetermined value is, for example, 3 [mm].

벽부(77)는, 접촉부(74)보다 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 중심(J)으로부터 먼 위치에 배치된다. 벽부(77)는, 접촉부(74)보다 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 경방향 외방에 배치된다.The wall part 77 is arrange|positioned at the position further away from the center J of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68 rather than the contact part 74. The wall part 77 is arrange|positioned radially outward of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68 rather than the contact part 74.

벽부(77)는, 복수(예를 들면 2개)의 제1 벽부(78)와 복수(예를 들면 2개)의 제2 벽부(79)를 포함한다. 제1 벽부(78)와 제2 벽부(79)는, 베이스부(65)에 고정된다. 제1 벽부(78)와 제2 벽부(79)는, 서로 떨어져 있다. 제1 벽부(78)는, 베이스부(65)의 선단부에 장착된다. 제1 벽부(78)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)로부터 먼 위치에 배치된다. 제2 벽부(79)는, 베이스부(65)의 기단부에 장착된다. 제2 벽부(79)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)에 가까운 위치에 배치된다.The wall part 77 contains the 1st wall part 78 of several (for example, two), and the 2nd wall part 79 of several (for example, two). The first wall portion 78 and the second wall portion 79 are fixed to the base portion 65 . The first wall portion 78 and the second wall portion 79 are spaced apart from each other. The first wall portion 78 is attached to the distal end of the base portion 65 . The 1st wall part 78 is arrange|positioned at the position farther from the connection part 64 than the suction part 68. As shown in FIG. The second wall portion 79 is attached to the base end portion of the base portion 65 . The 2nd wall part 79 is arrange|positioned at the position close|similar to the connection part 64 rather than the suction part 68.

제1 벽부(78)는, 제1 접촉부(75)와 접속된다. 제1 벽부(78)는, 제1 접촉부(75)로부터 하방으로 연장된다. 제2 벽부(79)는, 제2 접촉부(76)와 접속된다. 제2 벽부(79)는, 제2 접촉부(76)로부터 하방으로 연장된다.The first wall portion 78 is connected to the first contact portion 75 . The first wall portion 78 extends downward from the first contact portion 75 . The second wall portion 79 is connected to the second contact portion 76 . The second wall portion 79 extends downward from the second contact portion 76 .

핸드(61)는, 받이부(81)를 구비한다. 받이부(81)는, 베이스부에 지지된다. 받이부(81)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 하방에 배치된다. 받이부(81)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 접촉하지 않는다. 받이부(81)는, 기판(W)의 하면(16)을 받을 수 있다. 즉, 받이부(81)는, 기판(W)의 하면(16)과 접촉 가능하다. 받이부(81)는, 기판(W)을 지지할 수 있다. 받이부(81)는, 기판(W)의 상면(17)과 접촉하지 않는다. 받이부(81)는, 기판(W)이 받이부(81)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다.The hand 61 includes a receiving portion 81 . The receiving part 81 is supported by the base part. The receiving part 81 is arrange|positioned below the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The receiving part 81 does not contact the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The receiving part 81 can receive the lower surface 16 of the board|substrate W. That is, the receiving part 81 can contact the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. The receiving part 81 can support the board|substrate W. The receiving part 81 does not contact the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The receiving portion 81 allows the substrate W to move upward with respect to the receiving portion 81 .

받이부(81)는, 복수(예를 들면 2개)의 제1 받이부(82)를 구비한다. 제1 받이부(82)는, 베이스부(65)에 지지된다. 제1 받이부(82)는, 베이스부(65)에 고정된다. 제1 받이부(82)는, 베이스부(65)에 대해 이동 불가능하다. 제1 받이부(82)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 하방에 배치된다. 제1 받이부(82)는, 기판(W)의 하면(16)을 받을 수 있다. 즉, 제1 받이부(82)는, 기판(W)의 하면(16)과 접촉 가능하다.The receiving part 81 is provided with the 1st receiving part 82 of several (for example, two). The first receiving part 82 is supported by the base part 65 . The first receiving portion 82 is fixed to the base portion 65 . The first receiving portion 82 is immovable with respect to the base portion 65 . The 1st receiving part 82 is arrange|positioned below the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The first receiving portion 82 may receive the lower surface 16 of the substrate W. That is, the 1st receiving part 82 can contact the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG.

제1 받이부(82)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 중심(J)으로부터 먼 위치에 배치된다. 제1 받이부(82)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 경방향 외방에 배치된다. 제1 받이부(82)는, 베이스부(65)의 선단부에 배치된다. 제1 받이부(82)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)로부터 먼 위치에 배치된다.The 1st receiving part 82 is arrange|positioned at the position farther from the center J of the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 rather than the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The 1st receiving part 82 is arrange|positioned radially outward of the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 rather than the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The 1st receiving part 82 is arrange|positioned at the front-end|tip part of the base part 65. As shown in FIG. The 1st receiving part 82 is arrange|positioned at the position farther from the connection part 64 than the suction part 68. As shown in FIG.

제1 받이부(82)는, 제1 접촉부(75)의 하방에 배치된다. 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 제1 접촉부(75)와 겹친다.The first receiving portion 82 is disposed below the first contact portion 75 . The 1st receiving part 82 overlaps with the 1st contact part 75 in planar view.

제1 받이부(82)는, 제1 벽부(78)에 접속된다. 제1 받이부(82)는, 제1 벽부(78)로부터 수평 방향으로 연장된다. 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 제1 벽부(78)로부터 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 중심(J)을 향해 연장된다.The first receiving portion 82 is connected to the first wall portion 78 . The first receiving portion 82 extends from the first wall portion 78 in the horizontal direction. The 1st receiving part 82 extends toward the center J of the board|substrate W which is attracted|sucked by the suction part 68 from the 1st wall part 78 in planar view.

상술한 제1 접촉부(75)와 제1 벽부(78)와 제1 받이부(82)는, 일체로 성형된 부재이다. 제1 접촉부(75)와 제1 벽부(78)와 제1 받이부(82)는, 서로 분리 불가능하다. 제2 접촉부(76)와 제2 벽부(79)는, 일체로 성형된 부재이다. 제2 접촉부(76)와 제2 벽부(79)는, 서로 분리 불가능하다.The above-mentioned 1st contact part 75, the 1st wall part 78, and the 1st receiving part 82 are members molded integrally. The first contact portion 75 , the first wall portion 78 , and the first receiving portion 82 are inseparable from each other. The second contact portion 76 and the second wall portion 79 are integrally formed members. The second contact portion 76 and the second wall portion 79 are inseparable from each other.

받이부(81)는, 복수(예를 들면 2개)의 제2 받이부(83)를 구비한다. 제2 받이부(83)는, 베이스부(65)에 지지된다. 제2 받이부(83)는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 하방에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 하면(16)을 받을 수 있다. 즉, 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 하면(16)과 접촉 가능하다.The receiving part 81 is provided with the 2nd receiving part 83 of several (for example, two). The second receiving portion 83 is supported by the base portion 65 . The 2nd receiving part 83 is arrange|positioned below the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The second receiving portion 83 may receive the lower surface 16 of the substrate W. That is, the 2nd receiving part 83 can contact the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG.

제2 받이부(83)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 중심(J)으로부터 먼 위치에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 흡인부(68)보다 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 경방향 외방에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 베이스부(65)의 기단부에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 흡인부(68)보다 연결부(64)에 가까운 위치에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 2개의 가지부(66) 사이에 배치된다. 제2 받이부(83)는, 2개의 제2 접촉부(76) 사이에 배치된다.The 2nd receiving part 83 is arrange|positioned at the position farther from the center J of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68 rather than the suction part 68. As shown in FIG. The 2nd receiving part 83 is arrange|positioned radially outward of the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 rather than the attraction|suction part 68. As shown in FIG. The 2nd receiving part 83 is arrange|positioned at the base end of the base part 65. As shown in FIG. The 2nd receiving part 83 is arrange|positioned at the position close|similar to the connection part 64 rather than the suction part 68. The second receiving portion 83 is disposed between the two branch portions 66 . The second receiving portion 83 is disposed between the two second contact portions 76 .

제2 받이부(83)는, 베이스부(65)에 대해 이동 가능하다. 제2 받이부(83)는, 베이스부(65)에 대해 수평 방향으로 이동 가능하다. 구체적으로는, 제2 받이부(83)는, 탈락 방지 위치와 퇴피 위치로 이동 가능하다. 도 15는, 탈락 방지 위치에 있는 제2 받이부(83)를 파선으로 나타낸다. 도 15는, 퇴피 위치에 있는 제2 받이부(83)를 실선으로 나타낸다. 제2 받이부(83)가 퇴피 위치로부터 탈락 방지 위치로 이동할 때, 제2 받이부(83)는 제1 받이부(82)에 접근한다. 제2 받이부(83)가 탈락 방지 위치로부터 퇴피 위치로 이동할 때, 제2 받이부(83)는 제1 받이부(82)로부터 멀어진다. 제2 받이부(83)가 퇴피 위치에 있을 때, 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹치지 않는다.The second receiving portion 83 is movable with respect to the base portion 65 . The second receiving portion 83 is movable in the horizontal direction with respect to the base portion 65 . Specifically, the second receiving portion 83 is movable to a drop-off prevention position and a retracted position. 15 : shows the 2nd receiving part 83 in a drop-off prevention position with a broken line. 15 : shows the 2nd receiving part 83 in a retracted position with a solid line. When the second receiving portion 83 moves from the retracted position to the drop-off preventing position, the second receiving portion 83 approaches the first receiving portion 82 . When the second receiving portion 83 moves from the drop-off preventing position to the retracted position, the second receiving portion 83 moves away from the first receiving portion 82 . When the second receiving portion 83 is in the retracted position, the second receiving portion 83 does not overlap with the substrate W sucked by the suctioning portion 68 in plan view.

도 17은, 흡인부(68)와, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과, 받이부(81)의 평면도이다. 도 17에서는, 제2 받이부(83)는 탈락 방지 위치에 위치한다. 제1 받이부(82)의 적어도 일부는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹친다. 제2 받이부(83)가 탈락 방지 위치에 있을 때, 제2 받이부(83)의 적어도 일부는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹친다. 제2 받이부(83)는, 흡인부(68)에 흡인된 기판(W)의 중심(J)에 대해, 제1 받이부(82)와는 반대측에 배치된다.17 : is a top view of the suction part 68, the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68, and the receiving part 81. As shown in FIG. In FIG. 17, the 2nd receiving part 83 is located in a drop-off prevention position. At least a part of the 1st receiving part 82 overlaps with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view. When the second receiving portion 83 is in the drop-off prevention position, at least a part of the second receiving portion 83 overlaps with the substrate W attracted by the suction portion 68 in plan view. The second receiving portion 83 is disposed on the opposite side to the first receiving portion 82 with respect to the center J of the substrate W sucked by the suctioning portion 68 .

도 18은, 받이부(81)의 평면도이다. 도 18에서는, 제2 받이부(83)는 퇴피 위치에 위치한다. 제2 받이부(83)가 퇴피 위치에 있을 때, 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83) 사이의 스페이스는, 기판(W)보다 크다. 제2 받이부(83)가 퇴피 위치에 있을 때, 기판(W)은, 수평 자세로 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83) 사이를 상하 방향(Z)으로 통과 가능하다. 도 18에서는, 편의상, 기판(W)을 나타낸다. 또한, 도 18에 나타나는 기판(W)의 위치는, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 위치와는 상이하다.18 : is a top view of the receiving part 81. As shown in FIG. In FIG. 18, the 2nd receiving part 83 is located in the retracted position. When the 2nd receiving part 83 is in a retracted position, the space between the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 is larger than the board|substrate W. As shown in FIG. When the second receiving part 83 is in the retracted position, the board|substrate W can pass between the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 in the up-down direction Z in a horizontal attitude|position. 18, the board|substrate W is shown for convenience. In addition, the position of the board|substrate W shown in FIG. 18 differs from the position of the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68. As shown in FIG.

도 15, 도 16a, 도 16b를 참조한다. 벽부(77)는, 추가로, 제3 벽부(80)를 포함한다. 제3 벽부(80)는, 제2 받이부(83)에 접속된다. 제3 벽부(80)는, 제2 받이부(83)로부터 상방으로 연장된다. 제2 받이부(83)는, 제3 벽부(80)로부터 수평 방향으로 연장된다. 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 제3 벽부(80)로부터 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)의 중심(J)을 향해 연장된다.15, 16A, 16B. The wall portion 77 further includes a third wall portion 80 . The third wall portion 80 is connected to the second receiving portion 83 . The third wall portion 80 extends upward from the second receiving portion 83 . The second receiving portion 83 extends from the third wall portion 80 in the horizontal direction. The 2nd receiving part 83 extends toward the center J of the board|substrate W attracted|sucked by the suction part 68 from the 3rd wall part 80 in planar view.

제2 받이부(83)와 제3 벽부(80)는, 일체로 성형된 부재이다. 제2 받이부(83)와 제3 벽부(80)는, 서로 분리 불가능하다. 제2 받이부(83)와 제3 벽부(80)는, 일체로 이동한다. 제3 벽부(80)도 베이스부(65)에 대해 이동 가능하다.The 2nd receiving part 83 and the 3rd wall part 80 are members molded integrally. The 2nd receiving part 83 and the 3rd wall part 80 are mutually inseparable. The 2nd receiving part 83 and the 3rd wall part 80 move integrally. The third wall portion 80 is also movable relative to the base portion 65 .

핸드(61)는, 받이부 구동부(86)를 구비한다. 받이부 구동부(86)는, 예를 들면, 베이스부(65)에 지지된다. 받이부 구동부(86)는, 제2 받이부(83)와 연결한다. 예를 들면, 받이부 구동부(86)는, 제3 벽부(80)를 개재하여, 제2 받이부(83)와 연결한다. 받이부 구동부(86)는, 제2 받이부(83)를 베이스부(65)에 대해 이동시킨다. 받이부 구동부(86)는, 제2 받이부(83)를 수평 방향으로 이동시킨다. 받이부 구동부(86)는, 제2 받이부(83)를 제3 방향(F3)으로 왕복 이동시킨다. 받이부 구동부(86)는, 제2 받이부(83)를 제1 받이부(82)에 접근시키고, 또한, 제2 받이부(83)를 제1 받이부(82)로부터 이반시킨다. 받이부 구동부(86)는, 탈락 방지 위치와 퇴피 위치로, 제2 받이부(83)를 이동시킨다.The hand 61 includes a receiving part driving part 86 . The receiving part driving part 86 is supported by the base part 65, for example. The receiving part driving part 86 is connected with the 2nd receiving part 83. For example, the receiving part driving part 86 is connected with the 2nd receiving part 83 via the 3rd wall part 80. As shown in FIG. The receiving part driving part 86 moves the 2nd receiving part 83 with respect to the base part 65. As shown in FIG. The receiving part driving part 86 moves the 2nd receiving part 83 in a horizontal direction. The receiving part driving part 86 reciprocates the 2nd receiving part 83 in the 3rd direction F3. The receiving part driving part 86 makes the 2nd receiving part 83 approach the 1st receiving part 82, and also makes the 2nd receiving part 83 separate from the 1st receiving part 82. The receiving part drive part 86 moves the 2nd receiving part 83 to a drop-off prevention position and a retracted position.

받이부 구동부(86)는, 액추에이터(87)를 구비한다. 액추에이터(87)는, 액추에이터(87)에 입력된 동력원에 의해, 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 액추에이터(87)는, 퇴피 위치로부터 탈락 방지 위치로 제2 받이부(83)를 이동시키고, 또한, 탈락 방지 위치로부터 퇴피 위치로 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 액추에이터(87)는, 예를 들면, 에어 실린더이다. 에어 실린더의 동력원은, 공기압이다. 액추에이터(87)는, 예를 들면, 전동 모터이다. 전동 모터의 동력원은, 전력이다.The receiving part driving part 86 is provided with the actuator 87. As shown in FIG. The actuator 87 moves the second receiving portion 83 by the power source input to the actuator 87 . The actuator 87 moves the second receiving portion 83 from the retracted position to the drop-off preventing position, and further moves the second receiving portion 83 from the drop-off preventing position to the retracted position. The actuator 87 is, for example, an air cylinder. The power source of the air cylinder is air pressure. The actuator 87 is, for example, an electric motor. The power source of the electric motor is electric power.

받이부 구동부(86)는, 추가로, 탄성 부재(88)를 구비한다. 탄성 부재(88)는, 제2 받이부(83)를, 퇴피 위치로부터 탈락 방지 위치를 향해 탄성 가압한다. 탄성 부재(88)는, 예를 들면, 스프링이다. 탄성 부재(88)는, 액추에이터(87)의 외부에 배치되어도 된다. 혹은, 탄성 부재(88)는, 액추에이터(87)의 내부에 배치되어도 된다.The receiving part drive part 86 is provided with the elastic member 88 further. The elastic member 88 elastically presses the second receiving portion 83 from the retracted position toward the drop-off prevention position. The elastic member 88 is, for example, a spring. The elastic member 88 may be disposed outside the actuator 87 . Alternatively, the elastic member 88 may be disposed inside the actuator 87 .

액추에이터(87)의 동력원이 정지했을 때, 제2 받이부(83)는, 탄성 부재(88)에 의해, 퇴피 위치에 유지된다.When the power source of the actuator 87 stops, the 2nd receiving part 83 is hold|maintained in the retracted position by the elastic member 88. As shown in FIG.

핸드(61)는, 기판 검출부(89)를 구비한다. 기판 검출부(89)는, 핸드(61)에 지지되는 기판(W)을 검출한다. 기판 검출부(89)는, 베이스부(65)에 장착된다.The hand 61 includes a substrate detection unit 89 . The substrate detection unit 89 detects the substrate W supported by the hand 61 . The substrate detection unit 89 is attached to the base unit 65 .

도 2를 참조한다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)의 핸드 구동부(62), 흡인 조정부(73), 받이부 구동부(86)(액추에이터(87)) 및 기판 검출부(89)와 통신 가능하게 접속된다. 제어부(9)는, 기판 검출부(89)의 검출 결과를 받는다. 제어부(9)는, 핸드 구동부(62), 흡인 조정부(73) 및 받이부 구동부(86)(액추에이터(87))를 제어한다.See FIG. 2 . The control unit 9 is communicatively connected to the hand drive unit 62 , the suction adjustment unit 73 , the receiving unit drive unit 86 (actuator 87 ), and the substrate detection unit 89 of the conveyance mechanism 8 . The control unit 9 receives the detection result of the substrate detection unit 89 . The control part 9 controls the hand drive part 62, the suction adjustment part 73, and the receiving part drive part 86 (actuator 87).

도 1, 도 11을 참조한다. 처리 유닛(7)의 기본적인 구조를 설명한다. 각 처리 유닛(7)은, 기판 유지부(91)와 회전 구동부(92)와 가드(93)를 구비한다. 기판 유지부(91)는, 1장의 기판(W)을 유지한다. 기판 유지부(91)는, 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 회전 구동부(92)는, 기판 유지부(91)에 연결된다. 회전 구동부(92)는, 기판 유지부(91)를 회전시킨다. 가드(93)는, 기판 유지부(91)의 측방을 둘러싸도록 배치된다. 가드(93)는, 처리액을 받는다.Reference is made to FIGS. 1 and 11 . The basic structure of the processing unit 7 will be described. Each processing unit 7 includes a substrate holding unit 91 , a rotation driving unit 92 , and a guard 93 . The board|substrate holding part 91 holds the board|substrate W of 1 sheet. The substrate holding unit 91 holds the substrate W in a horizontal posture. The rotation driving unit 92 is connected to the substrate holding unit 91 . The rotation driving unit 92 rotates the substrate holding unit 91 . The guard 93 is disposed so as to surround the side of the substrate holding portion 91 . The guard 93 receives the processing liquid.

처리 유닛(7)은, 기판 유지부(91)의 구조에 따라, 제1 처리 유닛(7A)과 제2 처리 유닛(7B)으로 분류된다. 제1 처리 유닛(7A)의 기판 유지부(91)는, 베르누이 척, 또는, 베르누이 그리퍼로 불린다. 베르누이 척은, 비교적 얇은 기판(W)을 유지하는 데 적합하다. 제2 처리 유닛(7B)의 기판 유지부(91)는, 메커니컬 척, 또는, 메커니컬 그리퍼로 불린다. 메커니컬 척은, 비교적 두꺼운 기판(W)을 유지하는 데 적합하다.The processing unit 7 is classified into a first processing unit 7A and a second processing unit 7B according to the structure of the substrate holding unit 91 . The substrate holding part 91 of the first processing unit 7A is called a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper. The Bernoulli chuck is suitable for holding a relatively thin substrate W. The substrate holding part 91 of the second processing unit 7B is called a mechanical chuck or a mechanical gripper. The mechanical chuck is suitable for holding a relatively thick substrate W.

예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은 각각, 제1 처리 유닛(7A)이다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은 각각, 제2 처리 유닛(7B)이다.For example, each of the six processing units 7 disposed in the first processing section 42 is a first processing unit 7A. For example, each of the six processing units 7 disposed in the second processing section 43 is a second processing unit 7B.

이하에서는, 제1 처리 유닛(7A)의 기판 유지부(91)를, 적절히 「제1 기판 유지부(91A)」라고 표기한다. 제1 처리 유닛(7A)의 회전 구동부(92)를, 적절히 「제1 회전 구동부(92A)」라고 표기한다. 제2 처리 유닛(7B)의 기판 유지부(91)를, 적절히 「제2 기판 유지부(91B)」라고 표기한다. 제2 처리 유닛(7B)의 회전 구동부(92)를, 적절히 「제2 회전 구동부(92B)」라고 표기한다.Hereinafter, the substrate holding unit 91 of the first processing unit 7A is appropriately referred to as “the first substrate holding unit 91A”. The rotation drive unit 92 of the first processing unit 7A is appropriately referred to as a “first rotation drive unit 92A”. The substrate holding unit 91 of the second processing unit 7B is appropriately referred to as “the second substrate holding unit 91B”. The rotation drive unit 92 of the second processing unit 7B is appropriately referred to as a “second rotation drive unit 92B”.

도 19는, 제1 처리 유닛(7A)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 19는, 가드(93)의 도시를 생략한다. 제1 처리 유닛(7A)의 구조에 대해 설명한다.19 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 7A. In FIG. 19, illustration of the guard 93 is abbreviate|omitted. The structure of the 1st processing unit 7A is demonstrated.

제1 기판 유지부(91A)는, 제1 플레이트(101)를 구비한다. 제1 플레이트(101)는, 대략 원반형상을 갖는다. 제1 플레이트(101)는, 상면(102)을 갖는다. 상면(102)은, 대략 수평이다. 상면(102)은, 대략 평탄하다.The first substrate holding unit 91A includes a first plate 101 . The first plate 101 has a substantially disk shape. The first plate 101 has an upper surface 102 . The upper surface 102 is substantially horizontal. The upper surface 102 is substantially flat.

제1 회전 구동부(92A)는, 제1 플레이트(101)의 하부에 연결된다. 제1 회전 구동부(92A)는, 제1 플레이트(101)를 회전시킨다. 제1 회전 구동부(92A)에 의해, 제1 플레이트(101)는, 회전축선(A3) 둘레로 회전한다. 회전축선(A3)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 회전축선(A3)은, 제1 플레이트(101)의 중심을 통과한다.The first rotation driving unit 92A is connected to the lower portion of the first plate 101 . The first rotation driving unit 92A rotates the first plate 101 . The first plate 101 rotates around the rotation axis A3 by the first rotation drive unit 92A. The rotation axis A3 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A3 passes through the center of the first plate 101 .

도 20은, 제1 플레이트(101)의 평면도이다. 제1 플레이트(101)의 상면(102)은, 평면에서 봤을 때, 원형이다. 제1 플레이트(101)의 상면(102)은, 평면에서 봤을 때, 기판(W)보다 크다.20 is a plan view of the first plate 101 . The upper surface 102 of the first plate 101 is circular in plan view. The upper surface 102 of the first plate 101 is larger than the substrate W in a plan view.

제1 기판 유지부(91A)는, 복수(예를 들면 30개)의 고정 핀(103)을 구비한다. 고정 핀(103)은, 기판(W)을 지지한다. 각 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)에 고정된다. 각 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)에 대해 이동 불가능하다. 각 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)에 대해 회전 불가능하다. 각 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)에 대해 이동 가능한 가동부를 갖지 않는다.The first substrate holding portion 91A includes a plurality of (for example, 30) fixing pins 103 . The fixing pins 103 support the substrate W. Each fixing pin 103 is fixed to the first plate 101 . Each fixing pin 103 is immovable with respect to the first plate 101 . Each fixing pin 103 is non-rotatable with respect to the first plate 101 . Each of the fixing pins 103 does not have a movable part movable with respect to the first plate 101 .

고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 배치된다. 고정 핀(103)은, 평면에서 봤을 때, 회전축선(A3) 둘레의 원주 상에 배열된다. 각 고정 핀(103)은, 서로 떨어져 있다.The fixing pin 103 is disposed on the periphery of the upper surface 102 of the first plate 101 . The fixing pins 103 are arranged on a circumference around the axis of rotation A3 in plan view. Each fixing pin 103 is spaced apart from each other.

도 19, 도 20을 참조한다. 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)으로부터 상방으로 돌출한다. 고정 핀(103)은, 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 보다 상세하게는, 고정 핀(103)은, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)과 접촉한다. 이에 의해, 고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)보다 높은 위치에서 기판(W)을 지지한다. 도 20은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)을 파선으로 나타낸다.Reference is made to FIGS. 19 and 20 . The fixing pin 103 protrudes upward from the upper surface 102 of the first plate 101 . The fixing pin 103 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. More specifically, the fixing pin 103 is in contact with the lower surface 16 of the peripheral portion 12 of the substrate W. As shown in FIG. Thereby, the fixing pin 103 supports the substrate W at a position higher than the upper surface 102 of the first plate 101 . 20 shows the board|substrate W supported by the fixing pin 103 by the broken line.

고정 핀(103)은, 기판(W)의 상면(17)과 접촉하지 않는다. 고정 핀(103)은, 기판(W)이 고정 핀(103)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다. 고정 핀(103)은, 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉하지 않는다. 고정 핀(103) 자체는, 기판(W)이 고정 핀(103)에 대해 미끄러지는 것을 허용한다. 이와 같이, 고정 핀(103) 자체는, 기판(W)을 유지하지 않는다.The fixing pin 103 does not come into contact with the upper surface 17 of the substrate W. The fixing pin 103 allows the substrate W to move upward with respect to the fixing pin 103 . The fixing pin 103 does not come into contact with the edge 20 of the substrate W. The fixing pin 103 itself allows the substrate W to slide relative to the fixing pin 103 . In this way, the fixing pin 103 itself does not hold the board|substrate W. As shown in FIG.

제1 기판 유지부(91A)는, 기체 취출구(104)를 구비한다. 기체 취출구(104)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 형성된다. 기체 취출구(104)는, 평면에서 봤을 때, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 겹치는 위치에 배치된다. 기체 취출구(104)는, 상방으로 기체를 취출한다. 기체 취출구(104)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에, 기체를 취출한다. 기체 취출구(104)는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하방의 위치로부터 기판(W)으로 기체를 취출한다. 기체는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에 공급된다. 기체는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16)을 따라 흐른다. 이에 의해, 기체 취출구(104)는, 기판(W)을 흡인한다. 구체적으로는, 기체가 기판(W)의 하면(16)을 따라 흐름으로써 부압이 형성된다. 즉, 기판(W)의 하면(16)이 받는 기압은, 기판(W)의 상면(17)이 받는 기압보다 작다. 베르누이의 원리에 의해, 기판(W)에 하향의 힘이 작용한다. 즉, 기판(W)이 하방으로 흡인된다. 기판(W)은 기체 취출구(104) 및 제1 플레이트(101)를 향해 흡인된다. 단, 기체 취출구(104)는, 기판(W)과 접촉하지 않는다. 제1 플레이트(101)도 기판(W)과 접촉하지 않는다.The first substrate holding unit 91A includes a gas outlet 104 . The gas outlet 104 is formed in the upper surface 102 of the first plate 101 . The gas outlet 104 is arrange|positioned at the position which overlaps with the board|substrate W supported by the fixing pin 103 in planar view. The gas outlet 104 blows out gas upward. The gas outlet 104 blows out gas between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . The gas outlet 104 blows out gas from the position below the board|substrate W supported by the fixing pin 103 to the board|substrate W. As shown in FIG. The gas is supplied between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . The gas flows along the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . Thereby, the gas outlet 104 attracts the board|substrate W. Specifically, the negative pressure is formed by the gas flowing along the lower surface 16 of the substrate W. That is, the atmospheric pressure received by the lower surface 16 of the substrate W is smaller than the atmospheric pressure received by the upper surface 17 of the substrate W. As shown in FIG. According to Bernoulli's principle, a downward force acts on the substrate W. That is, the substrate W is sucked downward. The substrate W is sucked toward the gas outlet 104 and the first plate 101 . However, the gas outlet 104 does not contact the board|substrate W. As shown in FIG. The first plate 101 does not contact the substrate W either.

기체 취출구(104)가 기판(W)을 하방으로 흡인하고, 또한, 고정 핀(103)이 기판(W)의 하면(16)과 접촉함으로써 기판(W)은 지지되고, 또한, 소정의 위치에 유지된다. 기판(W)에 작용하는 흡인력에 의해, 기판(W)은 고정 핀(103)에 대해 수평 방향으로 미끄러지지 않는다. 즉, 기체 취출구(104)가 기판(W)을 하방으로 흡인하고, 또한, 고정 핀(103)이 기판(W)의 하면(16)과 접촉함으로써 제1 기판 유지부(91A)는, 기판(W)을 유지한다.The gas outlet 104 sucks the substrate W downward, and the fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W, so that the substrate W is supported, and is positioned at a predetermined position. maintain. Due to the suction force acting on the substrate W, the substrate W does not slide in the horizontal direction with respect to the fixing pin 103 . That is, when the gas outlet 104 sucks the substrate W downward, and the fixing pin 103 comes into contact with the lower surface 16 of the substrate W, the first substrate holding part 91A is W) is maintained.

기체 취출구(104)는, 1개의 제1 취출구(105)와 복수의 제2 취출구(106)를 구비한다. 제1 취출구(105)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 중앙부에 배치된다. 제1 취출구(105)는, 회전축선(A3) 상에 배치된다. 제2 취출구(106)는, 제1 취출구(105)보다 회전축선(A3)의 경방향 외방에 배치된다. 제2 취출구(106)는, 고정 핀(103)보다 회전축선(A3)의 경방향 내방에 배치된다. 제2 취출구(106)는, 평면에서 봤을 때, 회전축선(A3) 둘레의 원주 상에 배열된다.The gas outlet 104 includes one first air outlet 105 and a plurality of second air outlets 106 . The first air outlet 105 is disposed in the central portion of the upper surface 102 of the first plate 101 . The first air outlet 105 is disposed on the rotation axis A3. The second air outlet 106 is disposed radially outward of the rotation axis A3 from the first air outlet 105 . The second air outlet 106 is disposed radially inward of the rotation axis A3 from the fixing pin 103 . The second air outlet 106 is arranged on a circumference around the rotation axis A3 in a plan view.

제1 처리 유닛(7A)은, 제1 기체 공급로(107)와 제2 기체 공급로(108)를 구비한다. 제1 기체 공급로(107)는, 제1 취출구(105)에 기체를 공급한다. 제2 기체 공급로(108)는, 제2 취출구(106)에 기체를 공급한다. 제1 기체 공급로(107)의 일부 및 제2 기체 공급로(108)의 일부는, 제1 플레이트(101)의 내부에 형성되어 있다. 제1 기체 공급로(107)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 제1 기체 공급로(107)의 제1 단은, 기체 공급원(109)에 접속된다. 제1 기체 공급로(107)의 제2 단은, 제1 취출구(105)에 접속된다. 제2 기체 공급로(108)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 제2 기체 공급로(108)의 제1 단은, 기체 공급원(109)에 접속된다. 제2 기체 공급로(108)의 제2 단은, 제2 취출구(106)에 접속된다. 제1 취출구(105) 및 제2 취출구(106)에 공급되는 기체는, 예를 들면, 질소 가스나 공기이다. 제1 취출구(105) 및 제2 취출구(106)에 공급되는 기체는, 예를 들면, 고압 가스 또는 압축 가스이다.The first processing unit 7A includes a first gas supply path 107 and a second gas supply path 108 . The first gas supply path 107 supplies gas to the first air outlet 105 . The second gas supply path 108 supplies gas to the second outlet 106 . A part of the first gas supply path 107 and a part of the second gas supply path 108 are formed inside the first plate 101 . The first gas supply path 107 has a first end and a second end. A first end of the first gas supply path 107 is connected to a gas supply source 109 . The second end of the first gas supply path 107 is connected to the first air outlet 105 . The second gas supply path 108 has a first end and a second end. A first end of the second gas supply path 108 is connected to a gas supply source 109 . The second end of the second gas supply path 108 is connected to the second outlet 106 . The gas supplied to the first air outlet 105 and the second air outlet 106 is, for example, nitrogen gas or air. The gas supplied to the first air outlet 105 and the second air outlet 106 is, for example, a high-pressure gas or a compressed gas.

제1 처리 유닛(7A)은, 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출 조정부(112)를 구비한다. 제1 취출 조정부(111)는, 제1 기체 공급로(107)에 설치된다. 제2 취출 조정부(112)는, 제2 기체 공급로(108)에 설치된다. 제1 취출 조정부(111)는, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 제1 취출 조정부(111)는, 제1 취출구(105)에 공급되는 기체의 유량을 조정한다. 제2 취출 조정부(112)는, 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 제2 취출 조정부(112)는, 제2 취출구(106)에 공급되는 기체의 유량을 조정한다. 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다. 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.The first processing unit 7A includes a first take-out adjustment unit 111 and a second take-out adjustment unit 112 . The first blow-out adjustment unit 111 is provided in the first gas supply path 107 . The second blow-out adjustment unit 112 is provided in the second gas supply path 108 . The first blow-out adjustment unit 111 adjusts the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port 105 . That is, the first blow-out adjustment unit 111 adjusts the flow rate of the gas supplied to the first blow-out port 105 . The 2nd blowout adjustment part 112 adjusts the flow volume of the gas which the 2nd blowout port 106 blows out. That is, the 2nd blowout adjustment part 112 adjusts the flow volume of the gas supplied to the 2nd blowout port 106 . As the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port 105 increases, the suction force acting on the substrate W increases. As the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port 106 increases, the suction force acting on the substrate W increases.

제1 취출 조정부(111)는, 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량을 조정 불가능하다. 제2 취출 조정부(112)는, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량을 조정 불가능하다. 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출 조정부(112)는, 서로 독립적으로 작동 가능하다. 따라서, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량과, 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량을, 서로 독립적으로 조정 가능하다. 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출 조정부(112)는 각각, 예를 들면, 유량 조정 밸브를 포함한다. 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출 조정부(112)는 각각, 추가로, 개폐 밸브를 포함해도 된다.The 1st blow-out adjustment part 111 cannot adjust the flow volume of the gas which the 2nd blow-out port 106 blows out. The 2nd blow-out adjustment part 112 cannot adjust the flow volume of the gas which the 1st blow-out port 105 blows out. The first take-out adjustment unit 111 and the second take-out adjustment unit 112 are operable independently of each other. Accordingly, the flow rate of the gas blown out by the first blowout port 105 and the flow rate of the gas blown out by the second blowout port 106 can be adjusted independently of each other. The 1st blowout adjustment part 111 and the 2nd blowout adjustment part 112 each contain a flow volume control valve, for example. The 1st blow-out adjustment part 111 and the 2nd blow-out adjustment part 112 may each further contain an on-off valve respectively.

도 20을 참조한다. 처리 유닛(7)은, 복수(예를 들면 6개)의 위치 조정 핀(113)을 구비한다. 위치 조정 핀(113)은, 제1 플레이트(101)에 지지된다. 위치 조정 핀(113)은, 제1 플레이트(101)에 대해 수평 방향으로 이동 가능하다. 위치 조정 핀(113)이 제1 플레이트(101)에 대해 이동함으로써 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 접촉할 수 있고, 또한, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)으로부터 떨어질 수 있다. 보다 상세하게는, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉 가능하다. 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)의 위치를 조정한다. 위치 조정 핀(113)은, 수평 방향에 있어서의 기판(W)의 위치를 조정한다. 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 중심(J)을 회전축선(A3) 상에 위치시킨다.See FIG. 20 . The processing unit 7 includes a plurality of (eg, six) positioning pins 113 . The positioning pin 113 is supported by the first plate 101 . The positioning pin 113 is movable in the horizontal direction with respect to the first plate 101 . By moving the positioning pin 113 with respect to the first plate 101 , the positioning pin 113 can contact the substrate W supported by the fixing pin 103 , and furthermore, the fixing pin 103 . may be separated from the substrate W supported on the . More specifically, the positioning pin 113 may be in contact with the end edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103 . The positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W supported by the fixing pin 103 . The positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W in the horizontal direction. The positioning pin 113 positions the center J of the substrate W supported by the fixing pin 103 on the rotation axis A3 .

본 명세서에서는, 기판(W)과 접촉하고 있는 위치 조정 핀(113)의 위치를 「조정 위치」라고 한다. 기판(W)으로부터 떨어져 있는 위치 조정 핀(113)의 위치를 「퇴피 위치」라고 한다. 위치 조정 핀(113)은, 조정 위치와 퇴피 위치로 이동 가능하다.In this specification, the position of the positioning pin 113 which is in contact with the board|substrate W is called "adjustment position." The position of the positioning pin 113 away from the board|substrate W is called "retraction position". The positioning pin 113 is movable to an adjustment position and a retracted position.

위치 조정 핀(113)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 배치된다. 위치 조정 핀(113)은, 평면에서 봤을 때, 회전축선(A3) 둘레의 원주 상에 배열된다. 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)과 대략 같은 높이 위치에 배치된다.The positioning pin 113 is disposed on the periphery of the upper surface 102 of the first plate 101 . The positioning pins 113 are arranged on a circumference around the rotation axis A3 in plan view. The positioning pins 113 are disposed at substantially the same height as the substrate W supported by the fixing pins 103 .

도 21a, 도 21b는, 위치 조정 핀의 평면 상세도이다. 도 22a, 도 22b는, 위치 조정 핀의 측면도이다. 도 21a, 도 22a는, 퇴피 위치에 있는 위치 조정 핀(113)을 나타낸다. 도 21b, 도 22b는, 조정 위치에 있는 위치 조정 핀(113)을 나타낸다. 각 위치 조정 핀(113)은 각각, 축부(114)에 고정된다. 축부(114)는, 위치 조정 핀(113)으로부터 하방으로 연장된다. 축부(114)는, 제1 플레이트(101)에 지지된다. 위치 조정 핀(113)은, 축부(114)를 개재하여, 제1 플레이트(101)에 지지된다. 축부(114)는, 제1 플레이트(101)에 대해 회전 가능하다. 축부(114)는, 회전축선(A4) 둘레로 회전 가능하다. 회전축선(A4)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 회전축선(A4)은, 축부(114)의 중심을 통과한다. 위치 조정 핀(113)은, 회전축선(A4)으로부터 편심된 위치에 배치된다. 축부(114)가 제1 플레이트(101)에 대해 회전함으로써 위치 조정 핀(113)은 제1 플레이트(101)에 대해 수평 방향으로 이동한다. 구체적으로는, 위치 조정 핀(113)은, 회전축선(A4) 둘레로 선회 이동한다. 이에 의해, 위치 조정 핀(113)은, 회전축선(A3)에 가까워지고, 또한, 회전축선(A3)으로부터 멀어진다. 위치 조정 핀(113)이 회전축선(A3)에 가까워짐으로써 위치 조정 핀(113)은 조정 위치로 이동한다. 위치 조정 핀(113)이 조정 위치에 있을 때, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)의 끝가장자리(20)에 접촉한다. 또한, 위치 조정 핀(113)은, 위치 조정 핀(113)과 접촉하는 기판(W)의 끝가장자리(20)를 회전축선(A3)을 향해 누른다. 상이한 위치에 설치되는 복수의 위치 조정 핀(113)이 기판(W)의 끝가장자리(20)를 누름으로써 기판(W)은 소정의 위치로 조정된다. 위치 조정 핀(113)이 회전축선(A3)으로부터 멀어짐으로써 위치 조정 핀(113)은 퇴피 위치로 이동한다. 위치 조정 핀(113)이 퇴피 위치에 있을 때, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)의 끝가장자리(20)로부터 떨어져 있다. 위치 조정 핀(113)이 퇴피 위치에 있을 때, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지된 기판(W)과 접촉하지 않는다.21A and 21B are plan detail views of positioning pins. 22A and 22B are side views of the positioning pins. 21A and 22A show the positioning pin 113 in the retracted position. 21B and 22B show the positioning pin 113 in the adjustment position. Each positioning pin 113 is fixed to the shaft part 114, respectively. The shaft portion 114 extends downward from the positioning pin 113 . The shaft portion 114 is supported by the first plate 101 . The positioning pin 113 is supported by the first plate 101 via the shaft 114 . The shaft portion 114 is rotatable with respect to the first plate 101 . The shaft portion 114 is rotatable around the rotation axis A4 . The rotation axis A4 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A4 passes through the center of the shaft portion 114 . The positioning pin 113 is disposed at a position eccentric from the rotation axis A4. As the shaft portion 114 rotates with respect to the first plate 101 , the positioning pin 113 moves in the horizontal direction with respect to the first plate 101 . Specifically, the positioning pin 113 pivots around the rotation axis A4. As a result, the positioning pin 113 approaches the rotation axis A3 and moves away from the rotation axis A3. As the positioning pin 113 approaches the rotation axis A3, the positioning pin 113 moves to the adjustment position. When the positioning pin 113 is in the adjustment position, the positioning pin 113 abuts against the edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103 . Moreover, the positioning pin 113 presses the edge 20 of the board|substrate W in contact with the positioning pin 113 toward the rotation axis A3. A plurality of positioning pins 113 installed at different positions press the edge 20 of the substrate W, so that the substrate W is adjusted to a predetermined position. As the positioning pin 113 moves away from the rotation axis A3, the positioning pin 113 moves to the retracted position. When the positioning pin 113 is in the retracted position, the positioning pin 113 is separated from the end edge 20 of the substrate W supported by the fixing pin 103 . When the positioning pin 113 is in the retracted position, the positioning pin 113 does not contact the substrate W supported by the fixing pin 103 .

도 20을 참조한다. 처리 유닛(7)은, 복수(예를 들면 6개)의 리프트 핀(116)을 구비한다. 리프트 핀(116)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 배치된다. 리프트 핀(116)은, 평면에서 봤을 때, 회전축선(A3) 둘레의 원주 상에 배열된다.See FIG. 20 . The processing unit 7 includes a plurality (eg, six) lift pins 116 . The lift pins 116 are disposed on the periphery of the upper surface 102 of the first plate 101 . The lift pins 116 are arranged on a circumference around the axis of rotation A3 in plan view.

도 23a, 도 23b는, 리프트 핀(116)의 측면도이다. 리프트 핀(116)은, 제1 플레이트(101)에 지지된다. 리프트 핀(116)은, 제1 플레이트(101)에 대해 상하 방향(Z)으로 이동 가능하게 지지된다. 리프트 핀(116)은, 기판(W)을 지지한다. 리프트 핀(116)은, 리프트 핀(116)이 지지하는 기판(W)을, 상하 방향(Z)으로 이동시킨다.23A and 23B are side views of the lift pins 116 . The lift pins 116 are supported by the first plate 101 . The lift pins 116 are movably supported in the vertical direction Z with respect to the first plate 101 . The lift pins 116 support the substrate W. The lift pins 116 move the substrate W supported by the lift pins 116 in the vertical direction Z.

도 23a는, 상측 위치에 있는 리프트 핀(116)을 나타낸다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치로 이동 가능하다. 상측 위치는, 고정 핀(103)보다 높다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 기판(W)을 지지 가능하다. 리프트 핀(116)이 상측 위치에서 기판(W)을 지지할 때, 기판(W)은 고정 핀(103)보다 높은 위치에 있다.23A shows the lift pins 116 in the upper position. The lift pin 116 is movable to the upper position. The upper position is higher than the fixing pin 103 . The lift pins 116 can support the substrate W at the upper position. When the lift pins 116 support the substrate W in the upper position, the substrate W is at a higher position than the fixing pins 103 .

도 23b를 참조한다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치로부터 하방으로 이동 가능하다. 리프트 핀(116)은, 기판(W)을 하강시킨다. 구체적으로는, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치로부터 기판(W)을 하강시킨다. 이에 의해, 리프트 핀(116)은 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨다. 이와 같이, 리프트 핀(116)이 기판(W)을 지지한 상태에서 리프트 핀(116)이 상측 위치로부터 하방으로 이동함으로써, 리프트 핀(116)은 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨다. 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨 후, 리프트 핀(116)은 추가로 제1 플레이트(101)에 대해 하방으로 이동해, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)으로부터 떨어진다.See Figure 23b. The lift pin 116 is movable downward from the upper position. The lift pins 116 lower the substrate W. Specifically, the lift pins 116 lower the substrate W from a position higher than the fixing pins 103 . Thereby, the lift pin 116 delivers the board|substrate W to the fixing pin 103 . In this way, as the lift pins 116 move downward from the upper position in the state where the lift pins 116 support the substrate W, the lift pins 116 hand the substrate W to the fixing pins 103 . . After the lift pin 116 hands the substrate W to the fixing pin 103 , the lift pin 116 further moves downward with respect to the first plate 101 , and the substrate (W) supported by the fixing pin 103 . from W).

본 명세서에서는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 접촉하지 않는 리프트 핀(116)의 위치를 하측 위치라고 한다. 도 23b는, 하측 위치에 있는 리프트 핀(116)을 나타낸다. 하측 위치는, 상측 위치보다 낮다. 리프트 핀(116)은, 하측 위치로 이동 가능하다.In this specification, a position of the lift pin 116 that does not contact the substrate W supported by the fixing pin 103 is referred to as a lower position. 23B shows the lift pins 116 in the lower position. The lower position is lower than the upper position. The lift pin 116 is movable to a lower position.

리프트 핀(116)이 하측 위치로부터 상방으로 이동함으로써 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한다.The lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103 by moving it upward from the lower position.

이와 같이, 리프트 핀(116)이 상측 위치와 하측 위치 사이에서 이동한다. 이에 의해, 리프트 핀(116)은 고정 핀(103)에 기판(W)을 건네고, 또한, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한다.In this way, the lift pins 116 move between the upper and lower positions. Thereby, the lift pin 116 hands the board|substrate W to the fixing pin 103, and also takes the board|substrate W from the fixing pin 103. As shown in FIG.

도 19를 참조한다. 제1 처리 유닛(7A)은, 처리액 공급부(121)를 구비한다. 처리액 공급부(121)는, 기판(W)에 처리액을 공급한다.See FIG. 19 . The first processing unit 7A includes a processing liquid supply unit 121 . The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W.

처리액 공급부(121)는, 노즐(122)을 구비한다. 노즐(122)은, 처리액을 기판(W)에 토출한다. 노즐(122)은, 처리 위치와 퇴피 위치로 이동 가능하게 설치된다. 도 19는, 처리 위치에 있는 노즐(122)을 파선으로 나타낸다. 도 19는, 퇴피 위치에 있는 노즐(122)을 실선으로 나타낸다. 처리 위치는, 제1 기판 유지부(91A)에 유지된 기판(W)의 상방의 위치이다. 노즐(122)이 처리 위치에 있을 때, 노즐(122)은, 평면에서 봤을 때, 제1 기판 유지부(91A)에 유지된 기판(W)과 겹친다. 노즐(122)이 퇴피 위치에 있을 때, 노즐(122)은, 평면에서 봤을 때, 제1 기판 유지부(91A)에 유지된 기판(W)과 겹치지 않는다.The processing liquid supply unit 121 includes a nozzle 122 . The nozzle 122 discharges the processing liquid to the substrate W. The nozzle 122 is installed so as to be movable to the processing position and the retracted position. 19 shows the nozzle 122 in the processing position with dashed lines. 19 shows the nozzle 122 in the retracted position by a solid line. The processing position is a position above the substrate W held by the first substrate holding unit 91A. When the nozzle 122 is in the processing position, the nozzle 122 overlaps the substrate W held by the first substrate holding portion 91A in plan view. When the nozzle 122 is in the retracted position, the nozzle 122 does not overlap the substrate W held by the first substrate holding portion 91A in plan view.

처리액 공급부(121)는, 배관(123)을 구비한다. 배관(123)은, 노즐(122)에 처리액을 공급한다. 배관(123)은, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 배관(123)의 제1 단은, 처리액 공급원(124)에 접속된다. 배관(123)의 제2 단은, 노즐(122)에 접속된다.The processing liquid supply unit 121 includes a pipe 123 . The pipe 123 supplies the processing liquid to the nozzle 122 . The pipe 123 has a first end and a second end. The first end of the pipe 123 is connected to the processing liquid supply source 124 . The second end of the pipe 123 is connected to the nozzle 122 .

제1 처리 유닛(7A)은, 유량 조정부(125)를 구비한다. 유량 조정부(125)는, 배관(123)에 설치된다. 유량 조정부(125)는, 처리액 공급부(121)가 기판(W)에 공급하는 처리액의 유량을 조정한다. 즉, 유량 조정부(125)는, 노즐(122)이 토출하는 처리액의 유량을 조정한다.The first processing unit 7A includes a flow rate adjusting unit 125 . The flow rate adjusting unit 125 is provided in the pipe 123 . The flow rate adjusting unit 125 adjusts the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate W by the processing liquid supplying unit 121 . That is, the flow rate adjusting unit 125 adjusts the flow rate of the processing liquid discharged by the nozzle 122 .

제1 처리 유닛(7A)은, 기판 검출부(127)를 구비한다. 기판 검출부(127)는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)을 검출한다. 또한, 기판 검출부(127)는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 위치를 검출한다. 기판 검출부(127)는, 예를 들면, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 끝가장자리(20)를 촬상한다. 기판 검출부(127)는, 예를 들면, 화상 센서이다. 기판 검출부(127)는, 예를 들면, 제1 기판 유지부(91A)의 상방에 배치된다.The first processing unit 7A includes a substrate detection unit 127 . The substrate detection unit 127 detects the substrate W supported by the fixing pin 103 . Further, the substrate detection unit 127 detects the position of the substrate W supported by the fixing pin 103 . The board|substrate detection part 127 images the edge 20 of the board|substrate W supported by the fixing pin 103, for example. The substrate detection unit 127 is, for example, an image sensor. The board|substrate detection part 127 is arrange|positioned above the 1st board|substrate holding part 91A, for example.

도 2를 참조한다. 제어부(9)는, 제1 처리 유닛(7A)의 제1 회전 구동부(92A), 위치 조정 핀(113), 리프트 핀(116), 제1 취출 조정부(111), 제2 취출 조정부(112), 유량 조정부(125) 및 기판 검출부(127)와 통신 가능하게 접속된다. 제어부(9)는, 기판 검출부(127)의 검출 결과를 받는다. 제어부(9)는, 제1 회전 구동부(92A), 위치 조정 핀(113), 리프트 핀(116), 제1 취출 조정부(111), 제2 취출 조정부(112) 및 유량 조정부(125)를 제어한다.See FIG. 2 . The control unit 9 includes a first rotation drive unit 92A, a positioning pin 113 , a lift pin 116 , a first take-out adjustment unit 111 , and a second take-out adjustment unit 112 of the first processing unit 7A. , is communicatively connected to the flow rate adjustment unit 125 and the substrate detection unit 127 . The control unit 9 receives the detection result of the substrate detection unit 127 . The control part 9 controls the 1st rotation drive part 92A, the position adjustment pin 113, the lift pin 116, the 1st extraction adjustment part 111, the 2nd extraction adjustment part 112, and the flow rate adjustment part 125. do.

고정 핀(103)은, 본 발명에 있어서의 지지부의 예이다. 위치 조정 핀(113)은, 본 발명에 있어서의 위치 조정부의 예이다. 리프트 핀(116)은, 본 발명에 있어서의 승강부의 예이다.The fixing pin 103 is an example of the support part in this invention. The positioning pin 113 is an example of the positioning part in the present invention. The lift pin 116 is an example of the elevating part in this invention.

도 24는, 제2 처리 유닛(7B)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 24는, 가드(93)의 도시를 생략한다. 제2 처리 유닛(7B)의 구조에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 제1 처리 유닛(7A)과 같은 구성에 대해서는 동일 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.24 is a diagram schematically showing the configuration of the second processing unit 7B. In FIG. 24, illustration of the guard 93 is abbreviate|omitted. The structure of the 2nd processing unit 7B is demonstrated in detail. In addition, the detailed description is abbreviate|omitted by attaching|subjecting the same code|symbol about the same structure as the 1st processing unit 7A.

제2 기판 유지부(91B)는, 제2 플레이트(131)를 구비한다. 제2 플레이트(131)는, 대략 원반형상을 갖는다. 제2 플레이트(131)는, 상면(132)을 갖는다. 상면(132)은, 대략 수평이다. 상면(132)은, 대략 평탄하다.The second substrate holding unit 91B includes a second plate 131 . The second plate 131 has a substantially disk shape. The second plate 131 has an upper surface 132 . The upper surface 132 is substantially horizontal. The upper surface 132 is substantially flat.

제2 회전 구동부(92B)는, 제2 플레이트(131)의 하부에 연결된다. 제2 회전 구동부(92B)는, 제2 플레이트(131)를 회전시킨다. 제2 회전 구동부(92B)에 의해, 제2 플레이트(131)는, 회전축선(A5) 둘레로 회전한다. 회전축선(A5)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 회전축선(A5)은, 제2 플레이트(131)의 중심을 통과한다.The second rotation driving unit 92B is connected to the lower portion of the second plate 131 . The second rotation driving unit 92B rotates the second plate 131 . By the second rotation driving unit 92B, the second plate 131 rotates around the rotation axis A5. The rotation axis A5 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A5 passes through the center of the second plate 131 .

도 25는, 제2 플레이트(131)의 평면도이다. 제2 플레이트(131)의 상면(132)은, 평면에서 봤을 때, 원형이다. 제2 플레이트(131)의 상면(132)은, 평면에서 봤을 때, 기판(W)보다 크다.25 is a plan view of the second plate 131 . The upper surface 132 of the second plate 131 is circular in plan view. The upper surface 132 of the second plate 131 is larger than the substrate W in a plan view.

제2 기판 유지부(91B)는, 복수(예를 들면 6개)의 끝가장자리 접촉 핀(133)을 구비한다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 제2 플레이트(131)에 장착된다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 제2 플레이트(131)에 지지된다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 제2 플레이트(131)에 대해 이동 가능하다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉 가능하다. 예를 들면, 제2 회전 구동부(92B)가 제2 기판 유지부(91B)를 회전시킬 때, 끝가장자리 접촉 핀(133)은 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉한다. 제2 회전 구동부(92B)가 제2 기판 유지부(91B)를 회전시킬 때, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 끝가장자리 접촉 핀(133)에 대해 기판(W)이 미끄러지지 않도록 기판(W)의 끝가장자리(20)를 유지한다. 도 25는, 끝가장자리 접촉 핀(133)에 유지되는 기판(W)을 파선으로 나타낸다.The second substrate holding portion 91B includes a plurality (for example, six) of edge contact pins 133 . The edge contact pins 133 are mounted on the second plate 131 . The edge contact pin 133 is supported on the second plate 131 . The edge contact pin 133 is movable with respect to the second plate 131 . The edge contact pin 133 can be in contact with the edge 20 of the substrate (W). For example, when the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W. As shown in FIG. When the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 is disposed to prevent the substrate W from sliding with respect to the edge contact pin 133 . maintain the end edge (20) of 25 shows the substrate W held on the edge contact pins 133 by broken lines.

끝가장자리 접촉 핀(133)은, 제2 플레이트(131)의 주연부에 배치된다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 평면에서 봤을 때, 회전축선(A5) 둘레의 원주 상에 배열된다.The edge contact pins 133 are disposed on the periphery of the second plate 131 . The edge contact pins 133 are arranged on a circumference around the axis of rotation A5 in plan view.

도 26a, 도 26b는, 끝가장자리 접촉 핀(133)의 평면 상세도이다. 도 27a, 도 27b는, 끝가장자리 접촉 핀(133)의 측면도이다. 끝가장자리 접촉 핀(133) 및 끝가장자리 접촉 핀(133)에 관련된 구성을 예시한다.26A and 26B are plan detail views of the edge contact pins 133 . 27A and 27B are side views of the edge contact pins 133 . The configuration related to the edge contact pin 133 and the edge contact pin 133 is illustrated.

각 끝가장자리 접촉 핀(133)은 각각, 소편부(134)에 고정된다. 소편부(134)는, 제2 플레이트(131)보다 충분히 작다. 소편부(134)는, 평면에서 봤을 때, 쐐기형상을 갖는다. 소편부(134)는, 수평 방향으로 연장된다.Each edge contact pin 133 is respectively fixed to the small piece portion 134 . The small piece portion 134 is sufficiently smaller than the second plate 131 . The small piece portion 134 has a wedge shape in plan view. The small piece portion 134 extends in the horizontal direction.

소편부(134)는, 또한, 하면 접촉 핀(135)을 지지한다. 하면 접촉 핀(135)도 소편부(134)에 고정된다. 끝가장자리 접촉 핀(133) 및 하면 접촉 핀(135)은, 각각 소편부(134)로부터 상방으로 돌출한다. 하면 접촉 핀(135)은, 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 보다 상세하게는, 하면 접촉 핀(135)은, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)과 접촉한다. 이에 의해, 하면 접촉 핀(135)은, 기판(W)을 지지한다. 하면 접촉 핀(135)은, 기판(W)의 상면(17)과 접촉하지 않는다. 하면 접촉 핀(135)은, 기판(W)이 하면 접촉 핀(135)에 대해 상방으로 이동하는 것을 허용한다.The small piece portion 134 also supports the lower surface contact pin 135 . The lower surface contact pin 135 is also fixed to the small piece portion 134 . The edge contact pins 133 and the lower surface contact pins 135 protrude upward from the small piece portion 134 , respectively. The lower surface contact pin 135 is in contact with the lower surface 16 of the substrate (W). In more detail, the lower surface contact pin 135 contacts the lower surface 16 in the peripheral part 12 of the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the lower surface contact pin 135 supports the board|substrate W. As shown in FIG. The lower surface contact pins 135 do not contact the upper surface 17 of the substrate W. As shown in FIG. The lower surface contact pins 135 allow the substrate W to move upward with respect to the lower surface contact pins 135 .

소편부(134)는, 축부(136)에 고정된다. 축부(136)는, 소편부(134)로부터 하방으로 연장된다. 축부(136)는, 제2 플레이트(131)에 지지된다. 끝가장자리 접촉 핀(133) 및 하면 접촉 핀(135)은, 축부(136)를 개재하여, 제2 플레이트(131)에 지지된다. 축부(136)는, 제2 플레이트(131)에 대해 회전 가능하다. 축부(136)는, 회전축선(A6) 둘레로 회전 가능하다. 회전축선(A6)은, 상하 방향(Z)과 평행이다. 회전축선(A6)은, 축부(136)의 중심을 통과한다.The small piece portion 134 is fixed to the shaft portion 136 . The shaft portion 136 extends downward from the small piece portion 134 . The shaft portion 136 is supported by the second plate 131 . The edge contact pin 133 and the lower surface contact pin 135 are supported by the second plate 131 via the shaft portion 136 . The shaft portion 136 is rotatable with respect to the second plate 131 . The shaft portion 136 is rotatable around the rotation axis A6 . The rotation axis A6 is parallel to the vertical direction Z. The rotation axis A6 passes through the center of the shaft portion 136 .

하면 접촉 핀(135)은, 회전축선(A6) 상에 배치된다. 회전축선(A6)은, 하면 접촉 핀(135)의 중심을 통과한다. 축부(136)가 제2 플레이트(131)에 대해 회전할 때, 하면 접촉 핀(135)도 제2 플레이트(131)에 대해 회전한다. 단, 제2 플레이트(131)에 대한 하면 접촉 핀(135)의 위치는, 실질적으로 바뀌지 않는다. 하면 접촉 핀(135)과 회전축선(A5)의 거리는, 바뀌지 않는다.The lower surface contact pin 135 is disposed on the rotation axis A6. The rotation axis A6 passes through the center of the lower surface contact pin 135 . When the shaft portion 136 rotates with respect to the second plate 131 , the lower surface contact pin 135 also rotates with respect to the second plate 131 . However, the position of the lower surface contact pin 135 with respect to the second plate 131 does not substantially change. The distance between the lower surface contact pin 135 and the rotation axis A5 does not change.

끝가장자리 접촉 핀(133)은, 회전축선(A6)으로부터 편심된 위치에 배치된다.The edge contact pin 133 is disposed at a position eccentric from the rotation axis A6.

축부(136)가 제2 플레이트(131)에 대해 회전함으로써 끝가장자리 접촉 핀(133)은 제2 플레이트(131)에 대해 수평 방향으로 이동한다. 구체적으로는, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 회전축선(A5)에 가까워지고, 또한, 회전축선(A5)으로부터 멀어진다.As the shaft portion 136 rotates with respect to the second plate 131 , the edge contact pin 133 moves in a horizontal direction with respect to the second plate 131 . Specifically, the edge contact pin 133 approaches the rotation axis A5 and moves away from the rotation axis A5.

도 26a, 도 27a를 참조한다. 끝가장자리 접촉 핀(133)이 회전축선(A5)에 가까워짐으로써 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 하면 접촉 핀(135)에 지지된 기판(W)의 끝가장자리(20)에 접촉한다. 또한, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 끝가장자리 접촉 핀(133)과 접촉하는 기판(W)의 끝가장자리(20)를 회전축선(A5)을 향해 눌러도 된다.See Figures 26A and 27A. As the edge contact pin 133 approaches the rotation axis A5 , the edge contact pin 133 comes into contact with the edge 20 of the substrate W supported by the lower surface contact pin 135 . In addition, the edge contact pin 133 may press the edge 20 of the board|substrate W in contact with the edge contact pin 133 toward the rotation axis line A5.

도 26b, 도 27b를 참조한다. 끝가장자리 접촉 핀(133)이 회전축선(A5)으로부터 멀어짐으로써 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 하면 접촉 핀(135)에 지지된 기판(W)의 끝가장자리(20)로부터 떨어진다.See Figures 26b and 27b. As the edge contact pin 133 moves away from the rotation axis A5 , the edge contact pin 133 is separated from the edge 20 of the substrate W supported on the lower surface contact pin 135 .

제2 회전 구동부(92B)가 제2 기판 유지부(91B)를 회전시킬 때, 끝가장자리 접촉 핀(133)은 기판(W)으로부터 떨어지지 않는다. 끝가장자리 접촉 핀(133)이 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉한 상태에서, 제2 회전 구동부(92B)는 제2 기판 유지부(91B)를 회전시킨다. 이에 의해, 제2 기판 유지부(91B)가 회전할 때, 기판(W)은 끝가장자리 접촉 핀(133)에 대해 미끄러지지 않는다. 즉, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 기판(W)의 끝가장자리(20)를 유지한다.When the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 does not come off the substrate W. In a state in which the edge contact pin 133 is in contact with the edge 20 of the substrate W, the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B. Thereby, when the second substrate holding portion 91B rotates, the substrate W does not slide against the edge contact pins 133 . That is, the edge contact pins 133 hold the edge 20 of the substrate (W).

제2 기판 유지부(91B)에서는, 리프트 핀(116)은, 하면 접촉 핀(135)보다 높은 위치에서 기판(W)을 지지 가능하다. 리프트 핀(116)은, 하면 접촉 핀(135)에 기판(W)을 건넬 수 있고, 또한, 하면 접촉 핀(135)으로부터 기판(W)을 취할 수 있다.In the second substrate holding part 91B, the lift pins 116 can support the substrate W at a position higher than the lower surface contact pins 135 . The lift pins 116 can pass the substrate W to the lower surface contact pins 135 , and can also take the substrate W from the lower surface contact pins 135 .

또한, 제2 기판 유지부(91B)는, 끝가장자리 접촉 핀(133)에 유지된 기판(W)을 흡인하지 않는다. 제2 기판 유지부(91B)는, 제2 플레이트(131)의 상면(132)과 끝가장자리 접촉 핀(133)에 유지된 기판(W)의 하면(16) 사이에 기체를 취출하지 않는다. 제2 플레이트(131)는, 기체 취출구를 갖지 않는다.In addition, the second substrate holding portion 91B does not attract the substrate W held by the edge contact pins 133 . The second substrate holding portion 91B does not blow gas between the upper surface 132 of the second plate 131 and the lower surface 16 of the substrate W held by the edge contact pins 133 . The second plate 131 does not have a gas outlet.

도 2를 참조한다. 제어부(9)는, 제2 처리 유닛(7B)의 제2 회전 구동부(92B), 리프트 핀(116), 유량 조정부(125) 및 끝가장자리 접촉 핀(133)과 통신 가능하게 접속된다. 제어부(9)는, 제2 회전 구동부(92B), 리프트 핀(116), 유량 조정부(125) 및 끝가장자리 접촉 핀(133)을 제어한다.See FIG. 2 . The control unit 9 is communicatively connected with the second rotation drive unit 92B, the lift pins 116 , the flow rate adjustment unit 125 , and the edge contact pins 133 of the second processing unit 7B. The control unit 9 controls the second rotation drive unit 92B, the lift pin 116 , the flow rate adjustment unit 125 , and the edge contact pin 133 .

끝가장자리 접촉 핀(133)은, 본 발명에 있어서의 끝가장자리 접촉부의 예이다.The edge contact pin 133 is an example of the edge contact part in this invention.

＜기판 처리 장치(1)의 동작예＞<Example of operation of substrate processing apparatus 1>

이하의 동작예를 순서대로 설명한다.The following operation examples will be described in order.

a) 제어부(9)가 기판(W)의 형상을 취득하는 동작예a) Operation example in which the control part 9 acquires the shape of the board|substrate W

b) 반송 기구(4)의 동작예b) Example of operation of the conveying mechanism 4

c) 반송 기구(8)의 동작예c) Example of operation of the conveying mechanism 8

d) 제1 처리 유닛(7A)의 동작예d) Example of operation of the first processing unit 7A

e) 제2 처리 유닛(7B)의 동작예e) Example of operation of the second processing unit 7B

＜제어부(9)가 기판(W)의 형상을 취득하는 동작예＞<The operation example in which the control part 9 acquires the shape of the board|substrate W>

도 28은, 제어부(9)가 기판(W)의 형상을 취득하는 동작예의 순서를 나타내는 플로차트이다.28 is a flowchart showing the procedure of an operation example in which the control unit 9 acquires the shape of the substrate W. As shown in FIG.

단계 S1Step S1

바코드 리더(31)가 캐리어(C)에 붙여지는 바코드를 판독한다. 바코드 리더(31)는, 바코드 리더(31)의 검출 결과를 제어부(9)에 출력한다.The barcode reader 31 reads the barcode affixed to the carrier C. The barcode reader 31 outputs the detection result of the barcode reader 31 to the control part 9 .

단계 S2Step S2

제어부(9)는, 바코드 리더(31)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 캐리어(C) 내의 기판(W)이 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3) 중 어느 쪽에 속하는지를 특정한다. 제어부(9)는, 캐리어(C) 내의 기판(W)이 통상 직경 기판(WN) 및 대경 기판(WL) 중 어느 쪽에 속하는지를 특정한다.The control unit 9 determines the shape of the substrate W based on the detection result of the barcode reader 31 . Specifically, the control unit 9 specifies to which side the substrate W in the carrier C belongs to among the first substrate W1 , the second substrate W2 , and the third substrate W3 . The control unit 9 specifies to which of the normal diameter substrate WN and the large diameter substrate WL the substrate W in the carrier C belongs.

또한, 제어부(9)는, 캐리어(C)로부터 기판(W)이 반출된 후에 있어서도, 기판(W)의 위치와 기판(W)의 형상을 관련지어 관리한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 반송 기구(4, 8)가 각 시각에 있어서 반송하는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(9)는, 각 시각에 있어서 재치부(6)에 재치되는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(9)는, 처리 유닛(7)이 각 시각에 있어서 처리하는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(9)가 기판(W)의 위치 및 기판(W)의 형상을 관리하기 위해서, 제어부(9)는 기판 검출부(38, 89, 127)의 검출 결과를 적절히 참조해도 된다.Moreover, even after the board|substrate W is carried out from the carrier C, the control part 9 correlates the position of the board|substrate W and the shape of the board|substrate W, and manages it. Specifically, the control part 9 manages the shape of the board|substrate W conveyed by the conveyance mechanisms 4 and 8 in each time. The control part 9 manages the shape of the board|substrate W mounted on the mounting part 6 in each time. The control unit 9 manages the shape of the substrate W that the processing unit 7 processes at each time. In order for the control part 9 to manage the position of the board|substrate W and the shape of the board|substrate W, the control part 9 may refer suitably the detection result of the board|substrate detection parts 38, 89, 127.

＜반송 기구(4)의 동작예＞<Example of operation of the conveying mechanism 4>

도 29는, 제어부(9)의 제어 및 반송 기구(4)의 동작의 순서를 나타내는 플로차트이다.29 is a flowchart showing the procedure of the control of the control unit 9 and the operation of the conveying mechanism 4 .

단계 S11Step S11

제어부(9)는, 반송 기구(4)의 핸드(33)를 캐리어(C)에 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 결정한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 반송 기구(4)의 핸드(33)를 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 결정한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 반송 기구(4)의 핸드(33)를 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 「높이 위치(HA)」라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 높이 위치(HA)를 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 높이 위치(HA)를 바꾼다.The control part 9 determines the height position of the hand 33 at the time of inserting the hand 33 of the conveyance mechanism 4 into the carrier C. As shown in FIG. Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the conveying mechanism 4 is inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. decide Hereinafter, the height position of the hand 33 at the time of inserting the hand 33 of the conveyance mechanism 4 between two shelves 22 adjacent to each other in the up-down direction Z is "height position HA". abbreviation The control part 9 changes the height position HA according to the shape of the board|substrate W. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 22 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 22 , Change the height position (HA).

구체적으로는, 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)이 제1 기판(W1)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HA)를 제1 높이 위치(HA1)로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)이 제2 기판(W2)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HA)를 제2 높이 위치(HA2)로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)이 제3 기판(W3)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HA)를 제3 높이 위치(HA3)로 결정한다. 제2 높이 위치(HA2)는, 제1 높이 위치(HA1)보다 높다. 제3 높이 위치(HA3)는, 제1 높이 위치(HA1)보다 높다. 제3 높이 위치(HA3)는, 제2 높이 위치(HA2)와 같다.Specifically, when the substrate W that the transport mechanism 4 takes from the shelf 22 or the substrate W that the transport mechanism 4 puts on the shelf 22 is the first substrate W1 , the control unit 9 ) determines the height position HA as the first height position HA1. When the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 22 or the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 22 is the second substrate W2 , the control unit 9 controls the height The position HA is determined as the second height position HA2. When the substrate W that the transfer mechanism 4 takes from the shelf 22 or the substrate W that the transfer mechanism 4 puts on the shelf 22 is the third substrate W3 , the control unit 9 controls the height The position HA is determined as the third height position HA3. The second height position HA2 is higher than the first height position HA1 . The third height position HA3 is higher than the first height position HA1 . The third height position HA3 is the same as the second height position HA2 .

마찬가지로, 제어부(9)는, 반송 기구(4)의 핸드(33)를 재치부(6)에 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 결정한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 반송 기구(4)의 핸드(33)를 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 결정한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 반송 기구(4)의 핸드(33)를 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 「높이 위치(HB)」라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 높이 위치(HB)를 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 높이 위치(HB)를 바꾼다.Similarly, the control part 9 determines the height position of the hand 33 at the time of inserting the hand 33 of the conveyance mechanism 4 into the mounting part 6 . Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 33 when the hand 33 of the conveying mechanism 4 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. decide Hereinafter, the height position of the hand 33 at the time of inserting the hand 33 of the conveyance mechanism 4 between the two shelves 45 adjacent to each other in the up-down direction Z is "height position HB". abbreviation The control part 9 changes the height position HB according to the shape of the board|substrate W. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 45 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 45 , Change the height position (HB).

구체적으로는, 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제1 기판(W1)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HB)를 제1 높이 위치(HB1)로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제2 기판(W2)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HB)를 제2 높이 위치(HB2)로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제3 기판(W3)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HB)를 제3 높이 위치(HB3)로 결정한다. 제2 높이 위치(HB2)는, 제1 높이 위치(HB1)보다 높다. 제3 높이 위치(HB3)는, 제1 높이 위치(HB1)보다 높다. 제3 높이 위치(HB3)는, 제2 높이 위치(HB2)와 같다.Specifically, when the board|substrate W which the conveyance mechanism 4 takes from the shelf 45 or the board|substrate W which the conveyance mechanism 4 puts on the shelf 45 is the 1st board|substrate W1, the control part 9 ) determines the height position HB as the first height position HB1. When the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 45 or the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 45 is the second substrate W2 , the control unit 9 controls the height The position HB is determined as the second height position HB2 . When the substrate W that the transport mechanism 4 takes from the shelf 45 or the substrate W that the transport mechanism 4 puts on the shelf 45 is the third substrate W3 , the control unit 9 controls the height The position HB is determined as the third height position HB3 . The second height position HB2 is higher than the first height position HB1 . The third height position HB3 is higher than the first height position HB1 . The third height position HB3 is the same as the second height position HB2 .

단계 S12Step S12

제어부(9)는, 반송 기구(4)의 핸드(33)를 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 삽입할 때의 핸드(33)의 삽입량을 결정한다. 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 삽입되는 핸드(33)의 삽입량은, 반송 기구(4)의 핸드(33)를 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 삽입할 때의 전후 방향(X)에 있어서의 핸드(33)의 이동량에 상당한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 삽입되는 핸드(33)의 삽입량을 「삽입량(KA)」이라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 삽입량(KA)을 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 삽입량(KA)을 바꾼다.The control unit 9 determines the insertion amount of the hand 33 when the hand 33 of the conveying mechanism 4 is inserted between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. The insertion amount of the hand 33 inserted between the two shelves 22 adjacent to each other in the up-down direction Z is the amount of insertion of the hand 33 of the conveying mechanism 4 between the two adjacent shelves 22 in the up-down direction Z. It corresponds to the amount of movement of the hand 33 in the front-rear direction X when it is inserted between the shelves 22 . Hereinafter, the insertion amount of the hand 33 inserted between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KA". The control part 9 changes the insertion amount KA according to the shape of the board|substrate W. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 22 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 22 , Change the insertion amount (KA).

반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KA)을 제1 삽입량(KA1)으로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(22)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(22)에 두는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KA)을 제2 삽입량(KA2)으로 결정한다. 제2 삽입량(KA2)은, 제1 삽입량(KA1)보다 크다.When the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 22 or the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 22 is a normal-diameter substrate WN, the control unit 9 inserts The amount KA is determined as the first insertion amount KA1. When the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 22 or the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 22 is a large-diameter substrate WL, the control unit 9 controls the insertion amount (KA) is determined as the second insertion amount KA2. The second insertion amount KA2 is larger than the first insertion amount KA1 .

마찬가지로, 제어부(9)는, 반송 기구(4)의 핸드(33)를 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입할 때의 핸드(33)의 삽입량을 결정한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입되는 핸드(33)의 삽입량을 「삽입량(KB)」이라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 삽입량(KB)을 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 삽입량(KB)을 바꾼다.Similarly, the control unit 9 determines the insertion amount of the hand 33 when the hand 33 of the conveying mechanism 4 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. . Hereinafter, the insertion amount of the hand 33 inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KB". The control part 9 changes the insertion amount KB according to the shape of the board|substrate W. As shown in FIG. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 45 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 45 , Change the insertion amount (KB).

반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KB)을 제1 삽입량(KB1)으로 결정한다. 반송 기구(4)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(4)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KB)을 제2 삽입량(KB2)으로 결정한다. 제2 삽입량(KB2)은, 제1 삽입량(KB1)보다 크다.When the substrate W that the conveying mechanism 4 takes from the shelf 45 or the substrate W that the conveying mechanism 4 puts on the shelf 45 is a normal diameter substrate WN, the control unit 9 inserts The amount KB is determined as the first insertion amount KB1. When the substrate W that the transfer mechanism 4 takes from the shelf 45 or the substrate W that the transfer mechanism 4 puts on the shelf 45 is the large-diameter substrate WL, the control unit 9 controls the insertion amount (KB) is determined as the second insertion amount KB2. The second insertion amount KB2 is larger than the first insertion amount KB1.

단계 S13Step S13

제어부(9)는, 반송 기구(4)의 핸드(33)의 이동 속도와 가속도를 결정한다. 이하에서는, 반송 기구(4)의 핸드(33)의 이동 속도를 「이동 속도(VA)」라고 약기한다. 이하에서는, 반송 기구(4)의 핸드(33)의 가속도를 「가속도(AA)」라고 약기한다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부에 따라, 이동 속도(VA)를 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부에 따라, 가속도(AA)를 바꾼다.The control unit 9 determines the moving speed and acceleration of the hand 33 of the conveying mechanism 4 . Below, the moving speed of the hand 33 of the conveyance mechanism 4 is abbreviated as "moving speed VA." Below, the acceleration of the hand 33 of the conveyance mechanism 4 is abbreviated as "acceleration AA". The control part 9 changes the moving speed VA according to whether the conveyance mechanism 4 supports the board|substrate W or not. The control part 9 changes the acceleration AA according to whether the conveyance mechanism 4 supports the board|substrate W or not.

제어부(9)가 이동 속도(VA)와 가속도(AA)를 결정할 때, 제어부(9)는 기판 검출부(38)의 검출 결과를 적절히 참조해도 된다.When the control part 9 determines the moving speed VA and the acceleration AA, the control part 9 may refer suitably the detection result of the board|substrate detection part 38. As shown in FIG.

반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있을 때, 제어부(9)는 이동 속도(VA)를 제1 속도(VA1)로 결정한다. 반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있지 않을 때, 제어부(9)는 이동 속도(VA)를 제2 속도(VA2)로 결정한다. 제2 속도(VA2)는, 제1 속도(VA1)보다 크다. 예를 들면, 제1 속도(VA1)는, 제2 속도(VA2)의 50% 이하이다.When the conveyance mechanism 4 is supporting the board|substrate W, the control part 9 determines moving speed VA as 1st speed VA1. When the conveyance mechanism 4 is not supporting the board|substrate W, the control part 9 determines moving speed VA as 2nd speed VA2. The second speed VA2 is greater than the first speed VA1 . For example, the first speed VA1 is 50% or less of the second speed VA2.

반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있을 때, 제어부(9)는 가속도(AA)를 제1 가속도(AA1)로 결정한다. 반송 기구(4)가 기판(W)을 지지하고 있지 않을 때, 제어부(9)는 가속도(AA)를 제2 가속도(AA2)로 결정한다. 제2 가속도(AA2)는, 제1 가속도(AA1)보다 크다. 예를 들면, 제1 가속도(AA1)는, 제2 가속도(AA2)의 70% 이하이다.When the conveyance mechanism 4 is supporting the board|substrate W, the control part 9 determines acceleration AA as 1st acceleration AA1. When the conveyance mechanism 4 is not supporting the board|substrate W, the control part 9 determines acceleration AA as 2nd acceleration AA2. The second acceleration AA2 is greater than the first acceleration AA1 . For example, the first acceleration AA1 is 70% or less of the second acceleration AA2.

단계 S14Step S14

제어부(9)는, 결정된 높이 위치(HA, HB), 삽입량(KA, KB), 이동 속도(VA), 및 가속도(AA)에 따라, 반송 기구(4)(구체적으로는 핸드 구동부(34))를 제어한다.The control unit 9 controls the conveying mechanism 4 (specifically, the hand drive unit 34) according to the determined height positions HA and HB, the insertion amounts KA and KB, the moving speed VA, and the acceleration AA. )) is controlled.

단계 S15Step S15

제어부(9)에 의한 제어에 따라, 반송 기구(4)의 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)를 이동시킨다. 이에 의해, 반송 기구(4)는 기판(W)을 반송한다.In accordance with the control by the control unit 9 , the hand drive unit 34 of the conveyance mechanism 4 moves the hand 33 . Thereby, the conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W.

하기의 동작예를 구체적으로 설명한다.The following operation examples will be described in detail.

b1) 반송 기구(4)가 캐리어(C)의 선반(22)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예b1) Operation example in which the conveyance mechanism 4 takes the board|substrate W from the shelf 22 of the carrier C

b2) 반송 기구(4)가 캐리어(C)로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송하는 동작예b2) Operation example in which the conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the carrier C to the mounting part 6

b3) 반송 기구(4)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 두는 동작예b3) Operation example in which the conveyance mechanism 4 places the board|substrate W on the shelf 45 of the mounting part 6

≪반송 기구(4)가 캐리어(C)의 선반(22)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예≫«Example of operation in which the transport mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C»

도 30a~도 30d는, 반송 기구(4)가 캐리어(C)의 선반(22)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.30A to 30D are diagrams schematically showing an operation example in which the conveyance mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C. As shown in FIG.

도 30a를 참조한다. 핸드(33)는, 기판(W)을 지지하고 있지 않다. 핸드(33)는, 캐리어(C)와 마주 보는 위치로 이동한다. 핸드(33)는, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HA)로 조정된다.See Figure 30a. The hand 33 does not support the board|substrate W. The hand 33 moves to a position facing the carrier C. The hand 33 is adjusted to the height position HA determined by the control unit 9 .

도 30b를 참조한다. 핸드(33)는, 캐리어(C)의 내부에 들어간다. 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HA)에서 진입한다.See Figure 30b. The hand 33 enters the inside of the carrier C. The hand 33 enters between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z at the height position HA determined by the control unit 9 .

핸드(33)가 캐리어(C)에 들어갈 때, 핸드(33)는, 수평 방향으로 이동한다. 구체적으로는, 핸드(33)는 전후 방향(X)으로 이동한다. 핸드(33)는 전방으로 이동한다. 로드(36)가 연장되는 제1 방향(F1)은 핸드(33)의 이동 방향과 일치한다. 바꾸어 말하면, 제1 방향(F1)이 핸드(33)의 이동 방향으로 유지된 상태에서, 핸드(33)는 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에 진입한다.When the hand 33 enters the carrier C, the hand 33 moves in the horizontal direction. Specifically, the hand 33 moves in the front-rear direction X. The hand 33 moves forward. The first direction F1 in which the rod 36 extends coincides with the moving direction of the hand 33 . In other words, in a state in which the first direction F1 is maintained as the moving direction of the hand 33 , the hand 33 enters between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z.

핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 삽입량(KA)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.The hand 33 advances between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z by the insertion amount KA determined by the control unit 9, and then stops.

여기까지의 순서에서는, 핸드(33)는, 제2 속도(VA2) 및 제2 가속도(AA2)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 33 moves at the second speed VA2 and the second acceleration AA2.

도 30c를 참조한다. 핸드(33)는 상방으로 이동한다. 핸드(33)는, 1개의 선반(22)에 포함되는 제1 선반(23)과 제2 선반(24) 사이를 통과한다. 이에 의해, 핸드(33)는, 1개의 선반(22)으로부터 1장의 기판(W)을 취한다.See Figure 30c. The hand 33 moves upward. The hand 33 passes between the first shelf 23 and the second shelf 24 included in one shelf 22 . Thereby, the hand 33 takes one board|substrate W from one shelf 22. As shown in FIG.

도 30d를 참조한다. 핸드(33)가 기판(W)을 지지한 상태에서, 핸드(33)는, 후방으로 이동해, 캐리어(C)의 외부로 나온다. 이 순서로부터, 핸드(33)는, 제1 속도(VA1) 및 제1 가속도(AA1)로 이동한다.See Figure 30d. With the hand 33 supporting the substrate W, the hand 33 moves backward and comes out of the carrier C. From this procedure, the hand 33 moves at the first speed VA1 and the first acceleration AA1.

상술한 동작예에 있어서, 선반(22)에 재치되는 기판(W)이 제1 기판(W1)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제1 높이 위치(HA1)에서 진입한다. 선반(22)에 재치되는 기판(W)이 제2 기판(W2)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제2 높이 위치(HA2)에서 진입한다. 선반(22)에 재치되는 기판(W)이 제3 기판(W3)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제3 높이 위치(HA3)에서 진입한다. 선반(22)에 재치되는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)일 때, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제1 삽입량(KA1)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다. 선반(22)에 재치되는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 제2 삽입량(KA2)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.In the above-described operation example, when the substrate W placed on the shelf 22 belongs to the first substrate W1 , the hand 33 moves the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. In between, it enters at the first height position HA1. When the substrate W placed on the shelf 22 belongs to the second substrate W2, the hand 33 is positioned at a second height between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HA2). When the substrate W placed on the shelf 22 belongs to the third substrate W3 , the hand 33 is positioned at a third height between two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HA3). When the substrate W placed on the shelf 22 is a normal-diameter substrate WN, the hand 33 moves the first insertion amount ( KA1), and then stops. When the substrate W placed on the shelf 22 is the large-diameter substrate WL, the hand 33 moves the second insertion amount KA2 between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. ), and then stop.

도 31a, 도 31b는, 선반(22)에 재치되는 기판(W)과 핸드(33)의 삽입 높이(HA)의 관계를 나타내는 도면이다. 도 31a에서는, 선반(22)에 제1 기판(W1)이 재치된다. 도 31b에서는, 선반(22)에 제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3)이 재치된다.31A and 31B are diagrams showing the relationship between the board W placed on the shelf 22 and the insertion height HA of the hand 33 . In FIG. 31A , the first substrate W1 is placed on the shelf 22 . In FIG. 31B , the second substrate W2 or the third substrate W3 is placed on the shelf 22 .

제1 기판(W1)은, 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3)보다 휜다. 구체적으로는, 제1 기판(W1)은, 하방으로 볼록하게 만곡한다. 상술한 바와 같이, 제1 높이 위치(HA1)는, 제2 높이 위치(HA2) 및 제3 높이 위치(HA3)보다 낮다. 이 때문에, 핸드(33)가 제1 기판(W1)과 간섭하는 일 없이, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 진입할 수 있다.The first substrate W1 is more curved than the second substrate W2 and the third substrate W3 . Specifically, the first substrate W1 is convexly curved downward. As described above, the first height position HA1 is lower than the second height position HA2 and the third height position HA3 . Therefore, the hand 33 can enter between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z without the hand 33 interfering with the first substrate W1 .

제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3)의 휨량은, 제1 기판(W1)보다 작다. 상술한 바와 같이, 제2 높이 위치(HA2) 및 제3 높이 위치(HA3)는 모두 제1 높이 위치(HA1)보다 높다. 이 때문에, 핸드(33)가 제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3)과 간섭하는 일 없이, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(22) 사이에, 진입할 수 있다.The amount of warpage of the second substrate W2 or the third substrate W3 is smaller than that of the first substrate W1 . As described above, both the second height position HA2 and the third height position HA3 are higher than the first height position HA1 . For this reason, without the hand 33 interfering with the second substrate W2 or the third substrate W3, the hand 33 is positioned between the two shelves 22 adjacent to each other in the vertical direction Z. , can be entered.

≪반송 기구(4)가 캐리어(C)로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송하는 동작예≫«Example of operation in which the conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the carrier C to the mounting part 6»

핸드(33)가 기판(W)을 지지한 상태에서, 핸드(33)는 캐리어(C)로부터 재치부(6)로 이동한다. 이에 의해, 반송 기구(4)는, 캐리어(C)로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(4)가 캐리어(C)로부터 재치부(6)에 기판(W)을 반송할 때, 핸드(33)는, 제1 속도(VA1) 및 제1 가속도(AA1)로 이동한다.In a state where the hand 33 supports the substrate W, the hand 33 moves from the carrier C to the mounting unit 6 . Thereby, the conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the carrier C to the mounting part 6 . When the conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the carrier C to the mounting part 6, the hand 33 moves at 1st speed VA1 and 1st acceleration AA1.

≪반송 기구(4)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 두는 동작예≫«Example of operation in which the transport mechanism 4 places the substrate W on the shelf 45 of the mounting unit 6»

도 32a~도 32d는, 반송 기구(4)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 두는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.32A to 32D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveyance mechanism 4 places the substrate W on the shelf 45 of the mounting unit 6 .

도 32a를 참조한다. 핸드(33)는, 기판(W)을 지지한다. 핸드(33)는, 재치부(6)와 마주 보는 위치로 이동한다. 핸드(33)는, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HB)로 조정된다.See Fig. 32A. The hand 33 supports the board|substrate W. The hand 33 moves to a position facing the mounting unit 6 . The hand 33 is adjusted to the height position HB determined by the control unit 9 .

도 32b를 참조한다. 핸드(33)는, 후방으로 이동한다. 핸드(33)는, 재치부(6)에 진입한다. 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HB)에서 진입한다. 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 삽입량(KB)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.See Figure 32b. The hand 33 moves backward. The hand 33 enters the mounting unit 6 . The hand 33 enters between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the height position HB determined by the control unit 9 . The hand 33 advances between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z by the insertion amount KB determined by the control unit 9, and then stops.

여기까지의 순서에서는, 핸드(33)는, 제1 속도(VA1) 및 제1 가속도(AA1)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 33 moves at the first speed VA1 and the first acceleration AA1.

도 32c를 참조한다. 핸드(33)는 하방으로 이동한다. 핸드(33)는, 1개의 선반(45)에 포함되는 제1 선반(46)과 제2 선반(47) 사이를 통과한다. 이에 의해, 핸드(33)는, 1개의 선반(45)에 1장의 기판(W)을 둔다. 핸드(33)는, 선반(45) 상의 기판(W)으로부터 떨어진다.See Figure 32c. The hand 33 moves downward. The hand 33 passes between the first shelf 46 and the second shelf 47 included in one shelf 45 . Thereby, the hand 33 places one board|substrate W on one shelf 45. As shown in FIG. The hand 33 is separated from the substrate W on the shelf 45 .

상술한 바와 같이, 선반(45)의 간격(ET)은, 기판(W)의 직경(D)보다 크다. 따라서, 만일 핸드(33)가 선반(45)에 건네는 기판(W)의 위치가 불균일해도, 선반(45)은, 기판(W)을 적합하게 받을 수 있다.As described above, the spacing ET between the shelves 45 is larger than the diameter D of the substrate W. As shown in FIG. Therefore, even if the position of the board|substrate W which the hand 33 passes to the shelf 45 is uneven, the shelf 45 can receive the board|substrate W suitably.

기판(W)은, 선반(45)의 제1 경사면(51) 및 제2 경사면(55)에 의해 안내된다. 이에 의해, 기판(W)이 선반(45)에 재치될 때, 기판(W)은, 소정의 위치로 위치 결정 된다. 만일 핸드(33)가 선반(45)에 두는 기판(W)의 위치가 불균일해도, 기판(W) 위치의 불균일이 작아지도록 선반(45)은 기판(W)의 위치를 조정한다.The substrate W is guided by the first inclined surface 51 and the second inclined surface 55 of the shelf 45 . Thereby, when the board|substrate W is mounted on the shelf 45, the board|substrate W is positioned at a predetermined position. Even if the position of the substrate W placed on the shelf 45 by the hand 33 is non-uniform, the shelf 45 adjusts the position of the substrate W so that the position of the substrate W becomes small.

도 32d를 참조한다. 핸드(33)가 기판(W)을 지지하고 있지 않은 상태에서, 핸드(33)는, 전방으로 이동해, 재치부(6)의 외부로 나온다. 이 순서로부터, 핸드(33)는, 제2 속도(VA2) 및 제2 가속도(AA2)로 이동한다.See Figure 32d. In the state in which the hand 33 is not supporting the board|substrate W, the hand 33 moves forward and comes out to the outside of the mounting part 6 . From this procedure, the hand 33 moves at the second speed VA2 and the second acceleration AA2.

상술한 동작예에 있어서, 핸드(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 기판(W1)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제1 높이 위치(HB1)에서 진입한다. 핸드(33)에 지지되는 기판(W)이 제2 기판(W2)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제2 높이 위치(HA2)에서 진입한다. 핸드(33)에 지지되는 기판(W)이 제3 기판(W3)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제3 높이 위치(HA3)에서 진입한다. 핸드(33)에 지지되는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)에 속하는 경우, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제1 삽입량(KB1)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다. 핸드(33)에 지지되는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 핸드(33)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제2 삽입량(KB2)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.In the above-described operation example, when the substrate W supported by the hand 33 belongs to the first substrate W1 , the hand 33 includes two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. In between, it enters at the first height position HB1. When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the second substrate W2 , the hand 33 is positioned at a second height between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HA2). When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the third substrate W3, the hand 33 is positioned at a third height between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HA3). When the substrate W supported by the hand 33 belongs to the normal diameter substrate WN, the hand 33 is inserted between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, the first insertion amount It advances by (KB1), and then stops. When the substrate W supported by the hand 33 is the large-diameter substrate WL, the hand 33 is disposed between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z, the second insertion amount KB2 ), and then stop.

반송 기구(4)가 재치부(6)의 선반(45)으로부터 기판(W)을 취하는 동작은, 반송 기구(4)가 캐리어(C)의 선반(22)으로부터 기판(W)을 취하는 동작과 대략 같다. 반송 기구(4)가 캐리어(C)의 선반(22)에 기판(W)을 두는 동작은, 반송 기구(4)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 두는 동작과 대략 같다.The operation in which the conveying mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting unit 6 is the same as the operation in which the conveying mechanism 4 takes the substrate W from the shelf 22 of the carrier C; about the same The operation of the conveying mechanism 4 to place the substrate W on the shelf 22 of the carrier C is the same as the operation of the conveying mechanism 4 for placing the substrate W on the shelf 45 of the mounting unit 6 . about the same

＜반송 기구(8)의 동작예＞<Example of operation of the conveying mechanism 8>

도 33은, 제어부(9)의 제어 및 반송 기구(8)의 동작의 순서를 나타내는 플로차트이다.33 is a flowchart showing the procedure of the control of the control unit 9 and the operation of the conveying mechanism 8 .

단계 S21Step S21

제어부(9)는, 반송 기구(8)의 핸드(61)를 재치부(6)에 삽입할 때의 핸드(33)의 높이 위치를 결정한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 반송 기구(8)의 핸드(61)를 삽입할 때의 핸드(61)의 높이 위치를 결정한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 반송 기구(8)의 핸드(61)를 삽입할 때의 핸드(61)의 높이 위치를 「높이 위치(HC)」라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 높이 위치(HC)를 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 높이 위치(HC)를 바꾼다.The control part 9 determines the height position of the hand 33 at the time of inserting the hand 61 of the conveyance mechanism 8 into the mounting part 6 . Specifically, the control unit 9 determines the height position of the hand 61 when the hand 61 of the conveying mechanism 8 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. decide Hereinafter, the height position of the hand 61 at the time of inserting the hand 61 of the conveyance mechanism 8 between two shelves 45 adjacent to each other in the up-down direction Z is "height position HC". abbreviation The control part 9 changes the height position HC according to the shape of the board|substrate W. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 8 takes from the shelf 45 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 8 puts on the shelf 45 , Change the height position (HC).

구체적으로는, 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제1 기판(W1)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HC)를 제1 높이 위치(HC1)로 결정한다. 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제2 기판(W2)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HC)를 제2 높이 위치(HC2)로 결정한다. 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 제3 기판(W3)일 때, 제어부(9)는, 높이 위치(HC)를 제3 높이 위치(HC3)로 결정한다. 제2 높이 위치(HC2)는, 제1 높이 위치(HC1)보다 높다. 제3 높이 위치(HC3)는, 제1 높이 위치(HC1)보다 높다. 제3 높이 위치(HC3)는, 제2 높이 위치(HC2)와 같다.Specifically, when the board|substrate W which the conveyance mechanism 8 takes from the shelf 45 or the board|substrate W which the conveyance mechanism 8 puts on the shelf 45 is the 1st board|substrate W1, the control part 9 ) determines the height position HC as the first height position HC1. When the substrate W that the transfer mechanism 8 takes from the shelf 45 or the substrate W that the transfer mechanism 8 puts on the shelf 45 is the second substrate W2 , the control unit 9 controls the height The position HC is determined as the second height position HC2 . When the substrate W that the transfer mechanism 8 takes from the shelf 45 or the substrate W that the transfer mechanism 8 puts on the shelf 45 is the third substrate W3 , the control unit 9 controls the height The position HC is determined as the third height position HC3. The second height position HC2 is higher than the first height position HC1 . The third height position HC3 is higher than the first height position HC1 . The third height position HC3 is the same as the second height position HC2 .

단계 S22Step S22

제어부(9)는, 반송 기구(8)의 핸드(61)를 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입할 때의 핸드(61)의 삽입량을 결정한다. 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입되는 핸드(61)의 삽입량은, 반송 기구(8)의 핸드(61)를 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입할 때의 전후 방향(X)에 있어서의 핸드(61)의 이동량에 상당한다. 이하에서는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에 삽입되는 핸드(61)의 삽입량을 「삽입량(KC)」이라고 약기한다. 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 삽입량(KC)을 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W)의 형상 및 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)의 형상 중 적어도 어느 한쪽에 따라, 삽입량(KC)을 바꾼다.The control unit 9 determines the insertion amount of the hand 61 when the hand 61 of the conveying mechanism 8 is inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. The insertion amount of the hand 61 inserted between the two shelves 45 adjacent to each other in the up-down direction Z is the amount of insertion of the hand 61 of the conveying mechanism 8 between the two shelves 45 adjacent to each other in the up-down direction Z. It corresponds to the movement amount of the hand 61 in the front-back direction X when it is inserted between the shelves 45. Hereinafter, the insertion amount of the hand 61 inserted between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z is abbreviated as "insertion amount KC". The control part 9 changes the insertion amount KC according to the shape of the board|substrate W. The control unit 9 is configured according to at least one of the shape of the substrate W that the conveying mechanism 8 takes from the shelf 45 and the shape of the substrate W that the conveying mechanism 8 puts on the shelf 45 , Change the insertion amount (KC).

반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KC)을 제1 삽입량(KC1)으로 결정한다. 반송 기구(8)가 선반(45)으로부터 취하는 기판(W) 또는 반송 기구(8)가 선반(45)에 두는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 제어부(9)는, 삽입량(KC)을 제2 삽입량(KC2)으로 결정한다. 제2 삽입량(KC2)은, 제1 삽입량(KC1)보다 크다.When the substrate W that the conveying mechanism 8 takes from the shelf 45 or the substrate W that the conveying mechanism 8 puts on the shelf 45 is a normal-diameter substrate WN, the control unit 9 inserts The amount KC is determined as the first insertion amount KC1. When the substrate W that the conveying mechanism 8 takes from the shelf 45 or the substrate W that the conveying mechanism 8 puts on the shelf 45 is the large-diameter substrate WL, the control unit 9 controls the insertion amount (KC) is determined as the second insertion amount (KC2). The second insertion amount KC2 is larger than the first insertion amount KC1.

단계 S23Step S23

제어부(9)는, 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량을 결정한다. 이하에서는, 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량을 「유량(M)」이라고 약기한다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)에 반송되는 기판(W)의 형상에 따라, 유량(M)을 바꾼다.The control unit 9 determines the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 . Hereinafter, the flow rate of the gas supplied to the suction part 68 is abbreviated as "flow rate M". The control part 9 changes the flow volume M according to the shape of the board|substrate W conveyed by the conveyance mechanism 8 .

구체적으로는, 반송 기구(8)가 제1 기판(W1)을 반송할 때, 제어부(9)는, 유량(M)을 제1 유량(M1)으로 조정한다. 반송 기구(8)가 제2 기판(W2)을 반송할 때, 제어부(9)는, 유량(M)을 제2 유량(M2)으로 조정한다. 반송 기구(8)가 제3 기판(W3)을 반송할 때, 제어부(9)는, 유량(M)을 제3 유량(M3)으로 조정한다. 제2 유량(M2)은, 제1 유량(M1)보다 크다. 제3 유량(M3)은, 제1 유량(M1)보다 크다.Specifically, when the conveyance mechanism 8 conveys the 1st board|substrate W1, the control part 9 adjusts the flow volume M to the 1st flow volume M1. When the conveyance mechanism 8 conveys the 2nd board|substrate W2, the control part 9 adjusts the flow volume M to the 2nd flow volume M2. When the conveyance mechanism 8 conveys the 3rd board|substrate W3, the control part 9 adjusts the flow volume M to the 3rd flow volume M3. The second flow rate M2 is greater than the first flow rate M1. The third flow rate M3 is greater than the first flow rate M1.

단계 S24Step S24

제어부(9)는, 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(7)을 결정한다. 보다 상세하게는, 제어부(9)는, 기판(W)의 형상에 따라, 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(7)을, 제1 처리 유닛(7A) 및 제2 처리 유닛(7B) 중 어느 1개로 결정한다.The control unit 9 determines the processing unit 7 that processes the substrate W . More specifically, the control unit 9 controls the processing unit 7 for processing the substrate W according to the shape of the substrate W, among the first processing unit 7A and the second processing unit 7B. decide which one

구체적으로는, 기판(W)이 제1 기판(W1)일 때, 제어부(9)는, 그 기판(W)을 제1 처리 유닛(7A)에 있어서 처리하는 것을 결정한다. 기판(W)이 제2 기판(W2)일 때, 제어부(9)는, 그 기판(W)을 제2 처리 유닛(7B)에 있어서 처리하는 것을 결정한다. 기판(W)이 제3 기판(W3)일 때, 제어부(9)는, 그 기판(W)을 제2 처리 유닛(7B)에 있어서 처리하는 것을 결정한다.Specifically, when the substrate W is the first substrate W1 , the control unit 9 determines that the substrate W is processed in the first processing unit 7A. When the substrate W is the second substrate W2 , the control unit 9 determines to process the substrate W in the second processing unit 7B. When the substrate W is the third substrate W3 , the control unit 9 determines to process the substrate W in the second processing unit 7B.

단계 S25Step S25

제어부(9)는, 반송 기구(8)의 핸드(61)의 이동 속도와 가속도를 결정한다. 이하에서는, 반송 기구(8)의 핸드(61)의 이동 속도를 「이동 속도(VB)」라고 약기한다. 이하에서는, 반송 기구(8)의 핸드(61)의 가속도를 「가속도(AB)」라고 약기한다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부에 따라, 이동 속도(VB)를 바꾼다. 제어부(9)는, 반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부에 따라, 가속도(AB)를 바꾼다.The control unit 9 determines the moving speed and acceleration of the hand 61 of the conveying mechanism 8 . Below, the moving speed of the hand 61 of the conveyance mechanism 8 is abbreviated as "moving speed VB." Hereinafter, the acceleration of the hand 61 of the conveyance mechanism 8 is abbreviated as "acceleration AB". The control part 9 changes the movement speed VB according to whether the conveyance mechanism 8 supports the board|substrate W or not. The control part 9 changes the acceleration AB according to whether the conveyance mechanism 8 supports the board|substrate W or not.

제어부(9)가 이동 속도(VB)와 가속도(AB)를 결정할 때, 제어부(9)는 기판 검출부(89)의 검출 결과를 적절히 참조해도 된다.When the control part 9 determines the moving speed VB and the acceleration AB, the control part 9 may refer suitably the detection result of the board|substrate detection part 89. As shown in FIG.

구체적으로는, 반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있을 때, 제어부(9)는 이동 속도(VB)를 제1 속도(VB1)로 결정한다. 반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있지 않을 때, 제어부(9)는 이동 속도(VB)를 제2 속도(VB2)로 결정한다. 제2 속도(VB2)는, 제1 속도(VB1)보다 크다. 예를 들면, 제1 속도(VB1)는, 제2 속도(VB2)의 50% 이하이다.Specifically, when the conveyance mechanism 8 is supporting the board|substrate W, the control part 9 determines the moving speed VB as 1st speed VB1. When the conveyance mechanism 8 is not supporting the board|substrate W, the control part 9 determines the moving speed VB as the 2nd speed VB2. The second speed VB2 is greater than the first speed VB1. For example, the first speed VB1 is 50% or less of the second speed VB2.

반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있을 때, 제어부(9)는 가속도(AB)를 제1 가속도(AB1)로 결정한다. 반송 기구(8)가 기판(W)을 지지하고 있지 않을 때, 제어부(9)는 가속도(AB)를 제2 가속도(AB2)로 결정한다. 제2 가속도(AB2)는, 제1 가속도(AB1)보다 크다. 예를 들면, 제1 가속도(AB1)는, 제2 가속도(AB2)의 70% 이하이다.When the conveyance mechanism 8 is supporting the board|substrate W, the control part 9 determines acceleration AB as 1st acceleration AB1. When the transfer mechanism 8 is not supporting the substrate W, the control unit 9 determines the acceleration AB as the second acceleration AB2. The second acceleration AB2 is greater than the first acceleration AB1. For example, the first acceleration AB1 is 70% or less of the second acceleration AB2.

단계 S26Step S26

제어부(9)는, 결정된 높이 위치(HC), 삽입량(KC), 유량(M), 처리 유닛(7), 이동 속도(VB), 및 가속도(AB)에 따라, 반송 기구(8)(구체적으로는 핸드 구동부(62))를 제어한다. 결정된 처리 유닛(7)은, 제1 처리 유닛(7A) 및 제2 처리 유닛(7B) 중 어느 1개이다. 결정된 처리 유닛(7)은, 구체적으로는, 제1 처리 유닛(7A) 및 제2 처리 유닛(7B) 중에서 결정된 1개이다.The control unit 9 controls the conveying mechanism 8 ( Specifically, the hand drive unit 62) is controlled. The determined processing unit 7 is any one of the first processing unit 7A and the second processing unit 7B. Specifically, the determined processing unit 7 is one determined among the first processing unit 7A and the second processing unit 7B.

단계 S27Step S27

제어부(9)에 의한 제어에 따라, 반송 기구(8)의 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)를 이동시킨다. 이에 의해, 반송 기구(8)는 기판(W)을 반송한다.In accordance with the control by the control unit 9 , the hand drive unit 62 of the conveyance mechanism 8 moves the hand 61 . Thereby, the conveyance mechanism 8 conveys the board|substrate W.

하기의 동작예를 구체적으로 설명한다.The following operation examples will be described in detail.

c1) 반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예c1) Operation example in which the conveyance mechanism 8 takes the board|substrate W from the shelf 45 of the mounting part 6

c2) 반송 기구(8)가 재치부(6)로부터 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송하는 동작예c2) Example of operation in which the transfer mechanism 8 transfers the substrate W from the mounting unit 6 to the processing unit 7 .

c3) 반송 기구(8)가 처리 유닛의 기판 유지부(91)에 기판(W)을 건네는 동작예c3) Example of operation in which the transfer mechanism 8 delivers the substrate W to the substrate holding unit 91 of the processing unit

c4) 반송 기구(8)가 처리 유닛(7)의 기판 유지부(91)로부터 기판(W)을 취하는 동작예c4) Example of operation in which the transfer mechanism 8 takes the substrate W from the substrate holding unit 91 of the processing unit 7 .

c5) 반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 건네는 동작예c5) Operation example in which the conveyance mechanism 8 hands the board|substrate W to the shelf 45 of the mounting part 6

≪반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예≫«Example of operation in which the conveyance mechanism 8 takes the board|substrate W from the shelf 45 of the mounting part 6»

도 34a~도 34d, 및 도 35a~도 35d는, 반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)으로부터 기판(W)을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.34A to 34D and 35A to 35D are diagrams schematically illustrating an operation example in which the conveying mechanism 8 takes the substrate W from the shelf 45 of the mounting unit 6 .

도 34a를 참조한다. 핸드(61)는, 기판(W)을 유지하고 있지 않다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 기체를 공급하고 있지 않다. 흡인부(68)는, 기체를 취출하고 있지 않다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 흡인하고 있지 않다. 제2 받이부(83)는, 퇴피 위치에 위치하고 있다. 핸드(61)는, 재치부(6)와 마주 보는 위치로 이동한다. 핸드(61)는, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HC)로 조정된다.See Fig. 34A. The hand 61 does not hold the board|substrate W. The suction adjustment unit 73 does not supply gas to the suction unit 68 . The suction part 68 is not taking out gas. The attraction|suction part 68 is not attracting|sucking the board|substrate W. The 2nd receiving part 83 is located in the retracted position. The hand 61 moves to a position facing the mounting unit 6 . The hand 61 is adjusted to the height position HC determined by the control unit 9 .

도 34b를 참조한다. 핸드(61)는, 전방으로 이동한다. 핸드(61)는, 재치부(6)에 진입한다. 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HC)에서 진입한다. 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 삽입량(KC)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다. 핸드(61)가 정지했을 때, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 재치되는 기판(W)과 겹치지 않는다.See Figure 34b. The hand 61 moves forward. The hand 61 enters the mounting unit 6 . The hand 61 enters between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the height position HC determined by the control unit 9 . The hand 61 advances between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z by the insertion amount KC determined by the control unit 9, and then stops. When the hand 61 stops, the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 do not overlap with the board|substrate W mounted on the shelf 45 in planar view.

도 34c를 참조한다. 핸드(61)는 하방으로 이동한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 1개의 선반(45)에 재치되는 기판(W)의 측방을 통과한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 선반(45)에 재치되는 기판(W)보다 낮은 위치까지 이동한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)에 가까워진다.See Figure 34c. The hand 61 moves downward. The 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 pass through the side of the board|substrate W mounted on the one shelf 45. As shown in FIG. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W placed on the shelf 45 . The suction part 68 approaches the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG.

도 34d를 참조한다. 핸드(61)는, 수평 방향으로 약간 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 재치되는 기판(W)과 겹치는 위치로 이동한다. 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 재치되는 기판(W)과 겹치지 않은 그대로이다.See Figure 34D. The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. Thereby, the 1st receiving part 82 moves to the position which overlaps with the board|substrate W mounted on the shelf 45 in planar view. The 2nd receiving part 83 is the same as it is not overlapping with the board|substrate W mounted on the shelf 45 in planar view.

여기까지의 순서에서는, 핸드(61)는, 제2 속도(VB2) 및 제2 가속도(AB2)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

도 35a를 참조한다. 흡인 조정부(73)는, 제어부(9)에 의해 결정된 유량(M)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 한다. 이에 의해, 흡인부(68)는 기판(W)을 상방으로 흡인한다. 기판(W)은, 상방으로 뜬다. 기판(W)은, 선반(45)으로부터 떨어진다. 기판(W)의 상면(17)은, 접촉부(74)에 접촉한다. 이와 같이 해서, 핸드(61)는, 선반(45)으로부터 1장의 기판(W)을 취한다. 핸드(61)는, 기판(W)을 유지한다.See FIG. 35A. The suction adjustment unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9 . The suction part 68 causes gas to flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the attraction|suction part 68 attracts the board|substrate W upward. The board|substrate W floats upward. The substrate W is separated from the shelf 45 . The upper surface 17 of the substrate W is in contact with the contact portion 74 . In this way, the hand 61 takes one board|substrate W from the shelf 45. As shown in FIG. The hand 61 holds the substrate W.

도 35b를 참조한다. 핸드(61)가 상방으로 이동한다. 이 순서로부터, 핸드(61)는, 제1 속도(VB1) 및 제1 가속도(AB1)로 이동한다.See Figure 35b. The hand 61 moves upward. From this procedure, the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AB1.

도 35c를 참조한다. 받이부 구동부(86)는, 퇴피 위치로부터 탈락 방지 위치로 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 이에 의해, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)의 양쪽 모두는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹친다.See Fig. 35c. The receiving part drive part 86 moves the 2nd receiving part 83 from the retracted position to the drop-off prevention position. Thereby, both the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 overlap with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view.

이 때문에, 만일, 기판(W)이 접촉부(74)로부터 떨어져 하방으로 낙하해도, 받이부(81)는 기판(W)을 받아낸다. 즉, 핸드(61)는, 기판(W)을 떨어뜨릴 우려가 없다.For this reason, even if the board|substrate W separates from the contact part 74 and falls downward, the receiving part 81 receives the board|substrate W. That is, the hand 61 does not have a possibility of dropping the board|substrate W.

도 35d를 참조한다. 핸드(61)가 기판(W)을 유지한 상태에서, 핸드(61)는, 후방으로 이동해, 재치부(6)의 외부로 나온다.See FIG. 35D. In the state in which the hand 61 hold|maintained the board|substrate W, the hand 61 moves backward and comes out to the outside of the mounting part 6 .

상술한 동작예에 있어서, 선반(45)에 재치되는 기판(W)이 제1 기판(W1)에 속하는 경우, 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제1 높이 위치(HC1)에서 진입한다. 또한, 흡인 조정부(73)는 제1 유량(M1)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 선반(45)에 재치되는 기판(W)이 제2 기판(W2)에 속하는 경우, 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제2 높이 위치(HC2)에서 진입한다. 또한, 흡인 조정부(73)는 제2 유량(M2)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 선반(45)에 재치되는 기판(W)이 제3 기판(W3)에 속하는 경우, 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제3 높이 위치(HC3)에서 진입한다. 또한, 흡인 조정부(73)는 제3 유량(M3)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 선반(45)에 재치되는 기판(W)이 통상 직경 기판(WN)일 때, 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제1 삽입량(KC1)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다. 선반(45)에 재치되는 기판(W)이 대경 기판(WL)일 때, 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제2 삽입량(KC2)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.In the above-described operation example, when the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the first substrate W1, the hand 61 moves the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. In between, it enters at the first height position HC1. In addition, the suction adjustment unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at the first flow rate M1. When the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the second substrate W2 , the hand 61 is positioned at a second height between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HC2). In addition, the suction adjustment unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at the second flow rate M2. When the substrate W placed on the shelf 45 belongs to the third substrate W3 , the hand 61 is positioned at a third height between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. Enter from (HC3). In addition, the suction adjustment unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at the third flow rate M3. When the substrate W placed on the shelf 45 is a normal-diameter substrate WN, the hand 61 moves the first insertion amount ( It proceeds as much as KC1), and then stops. When the substrate W placed on the shelf 45 is the large-diameter substrate WL, the hand 61 moves the second insertion amount KC2 between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z. ), and then stop.

≪반송 기구(8)가 재치부(6)로부터 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송하는 동작예≫«Example of operation in which the transport mechanism 8 transports the substrate W from the mounting unit 6 to the processing unit 7»

핸드(61)는 기판(W)을 유지하고 있다. 구체적으로는, 흡인 조정부(73)는, 제어부(9)에 의해 결정된 유량(M)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 핸드(61)가 유지하는 기판(W)이 제1 기판(W1)인 경우, 흡인 조정부(73)는, 제1 유량(M1)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 핸드(61)가 유지하는 기판(W)이 제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3)인 경우, 흡인 조정부(73)는, 제2 유량(M2)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 하고 있다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 흡인하고 있다.The hand 61 holds the substrate W. Specifically, the suction adjustment unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9 . When the substrate W held by the hand 61 is the first substrate W1 , the suction adjustment unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at the first flow rate M1 . When the substrate W held by the hand 61 is the second substrate W2 or the third substrate W3, the suction adjusting unit 73 applies gas to the suction unit 68 at the second flow rate M2. supply The suction part 68 is making gas flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 is attracting|sucking the board|substrate W.

제2 받이부(83)는, 탈락 방지 위치에 위치한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)의 양쪽 모두는, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹친다.The 2nd receiving part 83 is located in a drop-off prevention position. Both the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 overlap with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view.

핸드(61)는, 재치부(6)로부터, 제어부(9)에 의해 결정된 처리 유닛(7)으로 이동한다. 이에 의해, 반송 기구(8)는, 제어부(9)에 의해 결정된 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송한다. 핸드(61)가 유지하는 기판(W)이 제1 기판(W1)인 경우, 반송 기구(8)는, 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 반송한다. 핸드(61)가 유지하는 기판(W)이 제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3)인 경우, 반송 기구(8)는, 제2 처리 유닛(7B)에 기판(W)을 반송한다.The hand 61 moves from the mounting unit 6 to the processing unit 7 determined by the control unit 9 . Thereby, the conveyance mechanism 8 conveys the board|substrate W to the processing unit 7 determined by the control part 9 . When the substrate W held by the hand 61 is the first substrate W1 , the transfer mechanism 8 transfers the substrate W to the first processing unit 7A. When the substrate W held by the hand 61 is the second substrate W2 or the third substrate W3 , the transfer mechanism 8 transfers the substrate W to the second processing unit 7B. .

반송 기구(8)가 재치부(6)로부터 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반송할 때, 핸드(61)는, 제1 속도(VB1) 및 제1 가속도(AA1)로 이동한다.When the transfer mechanism 8 transfers the substrate W from the mounting unit 6 to the processing unit 7 , the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AA1 .

≪반송 기구(8)가 처리 유닛(7)의 기판 유지부(91)에 기판(W)을 건네는 동작예≫«Example of operation in which the transfer mechanism 8 delivers the substrate W to the substrate holding unit 91 of the processing unit 7»

도 36a~도 36f는, 반송 기구(8)가 처리 유닛(7)의 기판 유지부(91)에 기판(W)을 건네는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 기판 유지부(91)가 제1 기판 유지부(91A)여도 제2 기판 유지부(91B)여도, 반송 기구(8)가 기판 유지부(91)에 기판(W)을 건네는 동작은 같다.36A to 36F are diagrams schematically illustrating an operation example in which the transfer mechanism 8 delivers the substrate W to the substrate holding unit 91 of the processing unit 7 . In addition, whether the board|substrate holding part 91 is the 1st board|substrate holding part 91A or the 2nd board|substrate holding part 91B, the operation|movement of the conveyance mechanism 8 passing the board|substrate W to the board|substrate holding part 91 is the same. .

도 36a를 참조한다. 핸드(61)가 기판(W)을 유지하고 있다. 구체적으로는, 흡인 조정부(73)는, 제어부(9)에 의해 결정된 유량(M)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 하고 있다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 흡인하고 있다.See Figure 36a. The hand 61 is holding the board|substrate W. Specifically, the suction adjustment unit 73 supplies the gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9 . The suction part 68 is making gas flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 is attracting|sucking the board|substrate W.

제2 받이부(83)는, 탈락 방지 위치에 위치하고 있다. 핸드(61)는 처리 유닛(7)의 내부에 진입하고 있다. 핸드(61)는, 기판 유지부(91)의 상방에 위치하고 있다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치에 위치하고 있다.The 2nd receiving part 83 is located in the drop-off prevention position. The hand 61 is entering the interior of the processing unit 7 . The hand 61 is located above the substrate holding part 91 . The lift pin 116 is located at an upper position.

도 36b를 참조한다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)로의 기체의 공급을 정지한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 흡인을 정지한다. 기판(W)은, 하방으로 떨어진다. 받이부(81)는, 기판(W)을 받는다. 보다 상세하게는, 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 하면(16)을 받는다. 이와 같이, 흡인부(68)가 기판(W)의 흡인을 정지함으로써 기판(W)을 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)에 올린다.See Figure 36b. The suction adjustment unit 73 stops the supply of gas to the suction unit 68 . The suction part 68 stops suction of the board|substrate W. As shown in FIG. The board|substrate W falls downward. The receiving part 81 receives the board|substrate W. In more detail, the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 receive the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. In this way, when the suction part 68 stops the suction of the board|substrate W, the board|substrate W is mounted on the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83.

도 36c를 참조한다. 핸드(61)는, 약간 하방으로 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는 리프트 핀(116)에 기판(W)을 건넨다. 리프트 핀(116)은, 받이부(81)로부터 기판(W)을 받는다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 기판(W)을 받는다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 기판(W)을 지지한다. 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)보다 낮은 위치까지 이동한다. 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)으로부터 떨어진다.See Figure 36c. The hand 61 moves slightly downward. Thereby, the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 hand the board|substrate W to the lift pin 116. As shown in FIG. The lift pins 116 receive the board|substrate W from the receiving part 81. The lift pins 116 receive the substrate W at the upper position. The lift pins 116 support the substrate W at the upper position. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W supported by the lift pins 116 . The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 are separated from the substrate W supported by the lift pins 116 .

여기까지의 순서에서는, 핸드(61)는, 제1 속도(VB1) 및 제1 가속도(AB1)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AB1.

도 36d를 참조한다. 받이부 구동부(86)가 탈락 방지 위치로부터 퇴피 위치로 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 이에 의해, 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는 위치로 이동한다. 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)과 겹친 그대로이다.See Figure 36d. The receiving part drive part 86 moves the 2nd receiving part 83 from a drop-off prevention position to a retracted position. Thereby, the 2nd receiving part 83 moves to the position which does not overlap with the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view. The 1st receiving part 82 is superimposed on the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view.

도 36e를 참조한다. 핸드(61)는, 수평 방향으로 약간 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)의 양쪽 모두가, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지된 기판(W)과 겹치지 않는 위치로 이동한다. 이 순서로부터, 핸드(61)는, 제2 속도(VB2) 및 제2 가속도(AB2)로 이동한다.See FIG. 36E. The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. Thereby, both of the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 move to the position which does not overlap with the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view. From this procedure, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

도 36f를 참조한다. 핸드(61)는, 상방으로 이동한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)의 측방을 통과해, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)보다 높은 위치까지 이동한다.See Figure 36f. The hand 61 moves upward. The 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 pass through the side of the board|substrate W supported by the lift pins 116, The position higher than the board|substrate W supported by the lift pins 116. move to

그 후, 도시를 생략하지만, 핸드(61)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 상태에서, 핸드(61)는, 기판 유지부(91)의 상방의 위치로부터 떨어져, 처리 유닛(7)의 외부로 나온다.After that, although not shown, in a state where the hand 61 does not hold the substrate W, the hand 61 moves away from the position above the substrate holding part 91 to move the processing unit 7 away from it. come out

≪반송 기구(8)가 처리 유닛(7)의 기판 유지부(91)로부터 기판(W)을 취하는 동작예≫«Example of operation in which the conveying mechanism 8 takes the substrate W from the substrate holding part 91 of the processing unit 7»

도 37a~도 37f는, 반송 기구(8)가 처리 유닛(7)의 기판 유지부(91)로부터 기판(W)을 취하는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 기판 유지부(91)가 제1 기판 유지부(91A)여도 제2 기판 유지부(91B)여도, 반송 기구(8)가 기판 유지부(91)로부터 기판(W)을 취하는 동작은 같다.37A to 37F are diagrams schematically illustrating an operation example in which the transfer mechanism 8 takes the substrate W from the substrate holding unit 91 of the processing unit 7 . In addition, whether the board|substrate holding part 91 is the 1st board|substrate holding part 91A or the 2nd board|substrate holding part 91B, the operation|movement which the conveyance mechanism 8 takes the board|substrate W from the board|substrate holding part 91 is the same. .

도 37a를 참조한다. 핸드(61)는 기판(W)을 유지하고 있지 않다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 기체를 공급하고 있지 않다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 하고 있지 않다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 흡인하고 있지 않다. 제2 받이부(83)는, 퇴피 위치에 위치하고 있다. 핸드(61)는 처리 유닛(7)의 내부에 진입하고 있다. 핸드(61)는, 기판 유지부(91)의 상방에 위치하고 있다. 리프트 핀(116)은, 기판(W)을 상측 위치에서 지지하고 있다. 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는다.See FIG. 37A. The hand 61 does not hold the board|substrate W. The suction adjustment unit 73 does not supply gas to the suction unit 68 . The suction part 68 is not making gas flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 is not attracting|sucking the board|substrate W. The 2nd receiving part 83 is located in the retracted position. The hand 61 is entering the interior of the processing unit 7 . The hand 61 is located above the substrate holding part 91 . The lift pins 116 support the substrate W at an upper position. The 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 do not overlap with the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view.

도 37b를 참조한다. 핸드(61)가 약간 하방으로 이동한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)의 측방을 통과한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)보다 낮은 위치까지 이동한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)에 가까워진다.See Figure 37b. The hand 61 moves slightly downward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass through the side of the substrate W supported by the lift pins 116 . The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W supported by the lift pins 116 . The suction part 68 approaches the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG.

도 37c를 참조한다. 핸드(61)가 약간 수평 방향으로 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)과 겹치는 위치로 이동한다. 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 리프트 핀(116)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않은 그대로이다.See FIG. 37C. The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. Thereby, the 1st receiving part 82 moves to the position which overlaps with the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view. The 2nd receiving part 83 is the same as it does not overlap with the board|substrate W supported by the lift pin 116 in planar view.

도 37d를 참조한다. 받이부 구동부(86)가 퇴피 위치로부터 탈락 방지 위치로 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 이에 의해, 제2 받이부(83) 및 제1 받이부(82)의 양쪽 모두가, 평면에서 봤을 때, 흡인부(68)에 흡인되는 기판(W)과 겹친다.See FIG. 37D. The receiving part driving part 86 moves the 2nd receiving part 83 from the retracted position to the drop-off prevention position. Thereby, both the 2nd receiving part 83 and the 1st receiving part 82 overlap with the board|substrate W attracted|sucked by the attraction|suction part 68 in planar view.

여기까지의 순서에서는, 핸드(61)는, 제2 속도(VB2) 및 제2 가속도(AB2)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

도 37e를 참조한다. 흡인 조정부(73)는, 제어부(9)에 의해 결정된 유량(M)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 한다. 이에 의해, 흡인부(68)는 기판(W)을 상방으로 흡인한다. 기판(W)은, 상방으로 뜬다. 기판(W)은, 리프트 핀(116)으로부터 떨어진다. 기판(W)의 상면(17)은, 접촉부(74)에 접촉한다. 이와 같이 해서, 핸드(61)는, 리프트 핀(116)으로부터 1장의 기판(W)을 취한다. 핸드(61)는, 기판(W)을 유지한다.See FIG. 37E. The suction adjustment unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9 . The suction part 68 causes gas to flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. Thereby, the attraction|suction part 68 attracts the board|substrate W upward. The board|substrate W floats upward. The substrate W is separated from the lift pins 116 . The upper surface 17 of the substrate W is in contact with the contact portion 74 . In this way, the hand 61 takes one board|substrate W from the lift pin 116. As shown in FIG. The hand 61 holds the substrate W.

도 37f를 참조한다. 핸드(61)가 기판(W)을 유지한 상태에서, 핸드(61)는 상방으로 이동한다.See FIG. 37F. In a state where the hand 61 holds the substrate W, the hand 61 moves upward.

이 순서로부터, 핸드(61)는, 제1 속도(VB1) 및 제1 가속도(AB1)로 이동한다.From this procedure, the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AB1.

그 후, 도시를 생략하지만, 핸드(61)가 기판(W)을 유지한 상태에서, 핸드(61)는, 기판 유지부(91)의 상방의 위치로부터 떨어져, 처리 유닛(7)의 외부로 나온다.After that, although not shown, in a state where the hand 61 holds the substrate W, the hand 61 moves away from the position above the substrate holding part 91 and moves to the outside of the processing unit 7 . comes out

≪반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 건네는 동작예≫«Example of operation in which the transport mechanism 8 delivers the substrate W to the shelf 45 of the mounting unit 6»

도 38a~도 38d, 및 도 39a~도 39d는, 반송 기구(8)가 재치부(6)의 선반(45)에 기판(W)을 두는 동작예를 모식적으로 나타내는 도면이다.38A to 38D and FIGS. 39A to 39D are diagrams schematically showing an operation example in which the conveying mechanism 8 places the substrate W on the shelf 45 of the mounting unit 6 .

도 38a를 참조한다. 핸드(61)가 기판(W)을 유지하고 있다. 흡인 조정부(73)는, 제어부(9)에 의해 결정된 유량(M)으로 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 하고 있다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 흡인하고 있다. 제2 받이부(83)는, 탈락 방지 위치에 위치하고 있다. 핸드(61)는, 재치부(6)와 마주 보는 위치로 이동한다. 핸드(61)는, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HC)로 조정된다.See Figure 38a. The hand 61 is holding the board|substrate W. The suction adjustment unit 73 supplies gas to the suction unit 68 at a flow rate M determined by the control unit 9 . The suction part 68 is making gas flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 is attracting|sucking the board|substrate W. The 2nd receiving part 83 is located in the drop-off prevention position. The hand 61 moves to a position facing the mounting unit 6 . The hand 61 is adjusted to the height position HC determined by the control unit 9 .

도 38b를 참조한다. 핸드(61)는, 전방으로 이동한다. 핸드(61)는, 재치부(6)에 진입한다. 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 높이 위치(HC)에서 진입한다. 핸드(61)는, 상하 방향(Z)으로 서로 이웃하는 2개의 선반(45) 사이에, 제어부(9)에 의해 결정된 삽입량(KC)만큼 진행되고, 그 후, 정지한다.See Figure 38b. The hand 61 moves forward. The hand 61 enters the mounting unit 6 . The hand 61 enters between the two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z at the height position HC determined by the control unit 9 . The hand 61 advances between two shelves 45 adjacent to each other in the vertical direction Z by the insertion amount KC determined by the control unit 9, and then stops.

도 38c를 참조한다. 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)로의 기체의 공급을 정지한다. 흡인부(68)는, 기판(W)의 흡인을 정지한다. 기판(W)은, 하방으로 떨어진다. 받이부(81)는, 기판(W)을 받는다. 보다 상세하게는, 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 하면(16)을 받는다. 이와 같이, 흡인부(68)가 기판(W)의 흡인을 정지함으로써 기판(W)을 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)에 올린다.See Figure 38c. The suction adjustment unit 73 stops the supply of gas to the suction unit 68 . The suction part 68 stops suction of the board|substrate W. As shown in FIG. The board|substrate W falls downward. The receiving part 81 receives the board|substrate W. In more detail, the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 receive the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. In this way, when the suction part 68 stops the suction of the board|substrate W, the board|substrate W is mounted on the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83.

도 38d를 참조한다. 핸드(61)는, 약간 하방으로 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는 선반(45)에 기판(W)을 건넨다. 선반(45)은, 받이부(81)로부터 기판(W)을 받는다. 선반(45)은, 기판(W)을 지지한다. 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 선반(45)에 지지되는 기판(W)보다 낮은 위치까지 이동한다. 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)는, 선반(45)에 지지되는 기판(W)으로부터 떨어진다.See Figure 38D. The hand 61 moves slightly downward. Thereby, the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 hand the board|substrate W to the shelf 45. As shown in FIG. The shelf 45 receives the board|substrate W from the receiving part 81. The shelf 45 supports the substrate W. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 move to a position lower than the substrate W supported by the shelf 45 . The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 are separated from the substrate W supported by the shelf 45 .

여기까지의 순서에서는, 핸드(61)는, 제1 속도(VB1) 및 제1 가속도(AB1)로 이동한다.In the procedure up to this point, the hand 61 moves at the first speed VB1 and the first acceleration AB1.

도 39a를 참조한다. 받이부 구동부(86)는, 탈락 방지 위치로부터 퇴피 위치로 제2 받이부(83)를 이동시킨다. 이에 의해, 제2 받이부(83)는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는 위치로 이동한다. 제1 받이부(82)는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 지지되는 기판(W)과 겹친 그대로이다.See FIG. 39A. The receiving part drive part 86 moves the 2nd receiving part 83 from a drop-off prevention position to a retracted position. Thereby, the 2nd receiving part 83 moves to the position which does not overlap with the board|substrate W supported by the shelf 45 in planar view. The 1st receiving part 82 is as it is superimposed on the board|substrate W supported by the shelf 45 in planar view.

도 39b를 참조한다. 핸드(61)는, 수평 방향으로 약간 이동한다. 이에 의해, 제1 받이부(82) 및 제2 받이부(83)의 양쪽 모두는, 평면에서 봤을 때, 선반(45)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는다. 이 순서로부터, 핸드(61)는, 제2 속도(VB2) 및 제2 가속도(AB2)로 이동한다.See Figure 39b. The hand 61 moves slightly in the horizontal direction. Thereby, both of the 1st receiving part 82 and the 2nd receiving part 83 do not overlap with the board|substrate W supported by the shelf 45 in planar view. From this procedure, the hand 61 moves at the second speed VB2 and the second acceleration AB2.

도 39c를 참조한다. 핸드(61)는, 상방으로 이동한다. 제1 받이부(82)와 제2 받이부(83)는, 선반(45)에 지지되는 기판(W)의 측방을 통과해, 선반(45)에 지지되는 기판(W)보다 높은 위치까지 이동한다.See Figure 39c. The hand 61 moves upward. The first receiving portion 82 and the second receiving portion 83 pass through the side of the substrate W supported by the shelf 45 and move to a position higher than the substrate W supported by the shelf 45 . do.

도 39d를 참조한다. 핸드(61)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 상태에서, 핸드(61)는 물러나, 재치부(6)의 외부로 나온다.See Figure 39D. In the state in which the hand 61 is not holding the board|substrate W, the hand 61 retreats and comes out of the mounting part 6 outside.

＜제1 처리 유닛(7A)의 동작예＞<Example of operation of the first processing unit 7A>

도 40은, 제1 처리 유닛(7A)의 동작예의 순서를 나타내는 플로차트이다. 도 41은, 제1 처리 유닛(7A)의 동작예를 나타내는 타이밍차트이다. 도 41에 나타내는 t31은, 도 40에 나타내는 단계 S31이 실행되는 시각에 상당한다. 마찬가지로, 도 41에 나타내는 t32~t35, t37~t39, t41~t44는 각각, 도 40에 나타내는 단계 S32~S35, S37~S39, S41~S44가 실행되는 시각에 상당한다. 이하에 설명하는 각 요소의 동작은, 제어부(9)에 의해 제어된다. 이하에 설명하는 동작예의 일부는, 상술한 반송 기구(8)의 동작예의 설명과 중복된다.40 is a flowchart showing the procedure of an operation example of the first processing unit 7A. 41 is a timing chart showing an operation example of the first processing unit 7A. t31 shown in FIG. 41 corresponds to the time at which step S31 shown in FIG. 40 is executed. Similarly, t32 to t35, t37 to t39, and t41 to t44 shown in FIG. 41 correspond to the times at which steps S32 to S35, S37 to S39, and S41 to S44 shown in FIG. 40 are executed, respectively. The operation of each element described below is controlled by the control unit 9 . A part of the operation example described below overlaps with the description of the operation example of the conveyance mechanism 8 mentioned above.

단계 S31(시각 t31) : 리프트 핀(116)이 상승한다.Step S31 (time t31): The lift pin 116 rises.

리프트 핀(116)이 상측 위치로 이동한다.The lift pin 116 moves to the upper position.

단계 S32(시각 t32) : 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받는다.Step S32 (time t32): The lift pins 116 receive the substrate W from the transfer mechanism 8 .

반송 기구(8)는, 리프트 핀(116)에 기판(W)을 건넨다. 보다 상세하게는, 반송 기구(8)가, 리프트 핀(116)에 1장의 제1 기판(W1)을 건넨다. 리프트 핀(116)은, 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받는다. 리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은, 고정 핀(103)의 상방에 위치한다. 기판(W)은, 고정 핀(103)과 접촉하지 않는다.The conveyance mechanism 8 hands the board|substrate W to the lift pin 116. As shown in FIG. In more detail, the conveyance mechanism 8 delivers the 1st board|substrate W1 of 1 sheet to the lift pin 116. As shown in FIG. The lift pins 116 receive the substrate W from the conveyance mechanism 8 . The lift pins 116 support the substrate W at the upper position. The substrate W is located above the fixing pins 103 . The substrate W does not contact the fixing pins 103 .

단계 S33(시각 t33) : 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 개시한다.Step S33 (time t33): The first blow-out port 105 starts blowing out the gas.

제1 취출 조정부(111)가 제1 취출구(105)에 대한 기체의 공급을 개시한다. 제1 취출구(105)는, 기체의 취출을 개시한다. 제1 취출구(105)는, 상방으로 기체를 취출한다. 제2 취출 조정부(112)는, 아직 제2 취출구(106)에 대한 기체의 공급을 개시하지 않는다. 제2 취출구(106)는, 기체를 취출하지 않는다.The first blow-out adjustment unit 111 starts supplying the gas to the first blow-out port 105 . The first blow-out port 105 starts blowing out the gas. The first blow-out port 105 blows out gas upward. The second blow-out adjustment unit 112 has not yet started supplying the gas to the second blow-out port 106 . The second blow-out port 106 does not blow out gas.

단계 S34(시각 t34) : 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨다.Step S34 (time t34): The lift pin 116 hands the substrate W to the fixing pin 103 .

리프트 핀(116)이, 상측 위치로부터 하측 위치로 이동한다. 이에 의해, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치로부터 기판(W)을 하강시킨다. 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨다. 고정 핀(103)은, 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 받는다. 고정 핀(103)은, 기판(W)을 지지한다. 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)으로부터 떨어진다.The lift pins 116 move from the upper position to the lower position. Thereby, the lift pin 116 lowers the board|substrate W from a position higher than the fixed pin 103 . The lift pin 116 delivers the board|substrate W to the fixing pin 103 . The fixing pins 103 receive the substrate W from the lift pins 116 . The fixing pins 103 support the substrate W. The lift pins 116 are separated from the substrate W supported by the fixing pins 103 .

단계 S35(시각 t35) : 위치 조정 핀(113)이 기판(W)의 위치를 조정한다.Step S35 (time t35): The positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W.

위치 조정 핀(113)이 퇴피 위치로부터 조정 위치로 이동한다. 이에 의해, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 접촉한다. 위치 조정 핀(113)은, 수평 방향에 있어서의 기판(W)의 위치를 조정한다.The positioning pin 113 moves from the retracted position to the adjustment position. Thereby, the positioning pin 113 contacts the board|substrate W supported by the fixing pin 103 . The positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W in the horizontal direction.

단계 S36：기판(W)의 위치를 체크한다.Step S36: The position of the substrate W is checked.

기판(W)의 위치가 소정의 위치에 있는지의 여부를 체크한다. 구체적으로는, 기판 검출부(127)가 기판(W)을 검출한다. 기판 검출부(127)는, 기판 검출부(127)의 검출 결과를 제어부(9)에 출력한다. 제어부(9)는, 기판(W)이 소정의 위치에 있는지를 판정한다. 기판(W)이 소정의 위치에 있다고 제어부(9)가 판정한 경우에는, 단계 S37로 진행된다. 만일, 기판(W)이 소정의 위치에 없다고 제어부(9)가 판정한 경우에는, 단계 S37로 진행되지 않고, 이상(異常) 처리를 실행한다. 이상 처리는, 예를 들면, 단계 S35로 돌아오는 것을 포함한다. 이상 처리는, 예를 들면, 사용자에게 이상이 발생했음을 통지하는 것을 포함한다.It is checked whether the position of the substrate W is at a predetermined position. Specifically, the substrate detection unit 127 detects the substrate W. The substrate detection unit 127 outputs the detection result of the substrate detection unit 127 to the control unit 9 . The control part 9 determines whether the board|substrate W is in a predetermined position. When the control part 9 determines that the board|substrate W is in a predetermined position, it progresses to step S37. If the control part 9 determines that the board|substrate W is not in a predetermined position, it does not progress to step S37, but an abnormal process is performed. Abnormal processing includes, for example, returning to step S35. Abnormality processing includes, for example, notifying a user that an abnormality has occurred.

단계 S37(시각 t36) : 제2 취출구(106)가 기체의 취출을 개시한다.Step S37 (time t36): The second blow-out port 106 starts blowing out the gas.

제2 취출 조정부(112)가 제2 취출구(106)에 대한 기체의 공급을 개시한다. 제2 취출구(106)는, 기체의 취출을 개시한다. 제2 취출구(106)는, 기체를 상방으로 취출한다. 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량은, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량보다 크다.The second blow-out adjustment unit 112 starts supplying the gas to the second blow-out port 106 . The second blow-out port 106 starts blowing out the gas. The second blow-out port 106 blows out the gas upward. The flow rate of the gas blown out by the second blow-out port 106 is larger than the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port 105 .

단계 S38(시각 t38) : 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어진다.Step S38 (time t38): The positioning pin 113 is separated from the substrate W.

위치 조정 핀(113)이 조정 위치로부터 퇴피 위치로 이동한다. 이에 의해, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어진다.The positioning pin 113 moves from the adjustment position to the retracted position. Thereby, the positioning pin 113 is separated from the board|substrate W. As shown in FIG.

단계 S39(시각 t39) : 기판(W)을 처리한다(기판(W)에 처리액을 공급한다).Step S39 (time t39): The substrate W is processed (a processing liquid is supplied to the substrate W).

제1 회전 구동부(92A)는, 제1 기판 유지부(91A) 및 기판(W)을 회전시킨다. 처리액 공급부(121)는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(121)가 기판(W)에 처리액을 공급할 때에 있어서도, 제1 취출구(105)는 기체를 취출하고, 제2 취출구(106)는, 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다.The first rotation driving unit 92A rotates the first substrate holding unit 91A and the substrate W. The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 . Even when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, the first air outlet 105 blows out gas, and the second air outlet 106 blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet 105 . take out

소정의 시간이 경과하면, 기판의 처리를 종료한다. 그리고, 단계 S40으로 진행된다.When the predetermined time elapses, the processing of the substrate is finished. Then, the flow advances to step S40.

단계 S40： 기판(W)의 위치를 체크한다.Step S40: The position of the substrate W is checked.

기판(W)의 위치가 소정의 위치에 있는지의 여부를 다시 체크한다. 본 단계 S40은, 단계 S36과 대략 같다.It is checked again whether the position of the substrate W is at a predetermined position. This step S40 is substantially the same as step S36.

단계 S41(시각 t41) : 제2 취출구(106)가 기체의 취출을 정지한다.Step S41 (time t41): The second blow-out port 106 stops blowing out the gas.

제2 취출 조정부(112)가 제2 취출구(106)에 대한 기체의 공급을 정지한다. 제2 취출구(106)는, 기체의 취출을 정지한다.The 2nd blow-out adjustment part 112 stops supply of the gas to the 2nd blow-out port 106 . The second blow-out port 106 stops blowing out of the gas.

단계 S42(시각 t42) : 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한다.Step S42 (time t42): the lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103 .

리프트 핀(116)이 하측 위치로부터 상측 위치로 이동한다. 이에 의해, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한다. 리프트 핀(116)은 기판(W)을 지지한다. 리프트 핀(116)은, 기판(W)을 상승시킨다. 구체적으로는, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치로 기판(W)을 상승시킨다. 기판(W)은, 고정 핀(103)으로부터 떨어진다. 리프트 핀(116)은, 기판(W)을 상측 위치에서 지지한다. 기판(W)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치에서 지지된다.The lift pin 116 moves from the lower position to the upper position. Thereby, the lift pin 116 takes the board|substrate W from the fixing pin 103 . The lift pins 116 support the substrate W. The lift pins 116 raise the board|substrate W. Specifically, the lift pin 116 raises the board|substrate W to a position higher than the fixing pin 103 . The substrate W is separated from the fixing pin 103 . The lift pins 116 support the substrate W at an upper position. The substrate W is supported at a position higher than the fixing pin 103 .

단계 S43(시각 t43) : 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 정지한다.Step S43 (time t43): The first blow-out port 105 stops blowing out the gas.

제1 취출 조정부가 제1 취출구(105)에 대한 기체의 공급을 정지한다. 제1 취출구(105)는, 기체의 취출을 정지한다.The first blow-out adjustment section stops supply of the gas to the first blow-out port 105 . The first blow-out port 105 stops blowing out of the gas.

단계 S44(시각 t44) : 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다.Step S44 (time t44): The lift pins 116 hand the substrate W to the conveyance mechanism 8 .

반송 기구(8)가 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 취한다. 그 후, 반송 기구(8)는, 제1 처리 유닛(7A)의 외부로 기판(W)을 반출한다.The transfer mechanism 8 takes the substrate W from the lift pins 116 . Then, the conveyance mechanism 8 carries out the board|substrate W to the outside of the 1st processing unit 7A.

＜제2 처리 유닛(7B)의 동작예＞<Example of operation of the second processing unit 7B>

제2 처리 유닛(7B)의 동작예는, 제1 처리 유닛(7A)의 동작예에서, 단계 S33, S35~S38, S40~S41을 생략한 것과 유사하다. 제2 처리 유닛(7B)의 동작예를 간단하게 설명한다.The operation example of the second processing unit 7B is similar to that in the operation example of the first processing unit 7A, in which steps S33, S35 to S38, and S40 to S41 are omitted. An operation example of the second processing unit 7B will be briefly described.

리프트 핀(116)은 상측 위치로 이동한다. 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)로부터 1장의 기판(W)(구체적으로는, 제2 기판(W2) 또는 제3 기판(W3))을 받는다. 리프트 핀(116)은, 하면 접촉 핀(135)에 기판(W)을 건넨다. 하면 접촉 핀(135)은 기판(W)을 지지한다. 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 하면 접촉 핀(135)에 지지되는 기판(W)의 끝가장자리(20)와 접촉한다. 이에 의해, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 기판(W)을 유지한다.The lift pin 116 moves to the upper position. The lift pin 116 receives one board|substrate W (specifically, the 2nd board|substrate W2 or the 3rd board|substrate W3) from the conveyance mechanism 8. As shown in FIG. The lift pins 116 hand the substrate W to the lower surface contact pins 135 . The lower surface contact pins 135 support the substrate W. The edge contact pin 133 is in contact with the edge 20 of the substrate W supported on the lower surface contact pin 135 . Thereby, the edge contact pin 133 holds the board|substrate W. As shown in FIG.

기판(W)이 끝가장자리 접촉 핀(133)에 유지된 상태에서, 기판(W)은 처리된다. 구체적으로는, 제2 회전 구동부(92B)는, 제2 기판 유지부(91B) 및 기판(W)을 회전시킨다. 제2 회전 구동부(92B)가 제2 기판 유지부(91B)를 회전시킬 때, 끝가장자리 접촉 핀(133)은, 끝가장자리 접촉 핀(133)에 대해 기판(W)이 미끄러지지 않도록 기판(W)의 끝가장자리(20)를 유지한다. 처리액 공급부(121)는, 끝가장자리 접촉 핀(133)에 유지되는 기판(W)에 처리액을 공급한다.With the substrate W held on the edge contact pins 133, the substrate W is processed. Specifically, the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B and the substrate W. As shown in FIG. When the second rotation driving unit 92B rotates the second substrate holding unit 91B, the edge contact pin 133 is disposed to prevent the substrate W from sliding with respect to the edge contact pin 133 . maintain the end edge (20) of The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W held by the edge contact pins 133 .

기판(W)에 대한 처리가 종료되면, 끝가장자리 접촉 핀(133)은 기판(W)으로부터 떨어진다. 리프트 핀(116)이 하면 접촉 핀(135)으로부터 기판(W)을 취한다. 반송 기구(8)가 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 취한다.When the processing for the substrate W is finished, the edge contact pins 133 are separated from the substrate W. As shown in FIG. The lift pins 116 take the substrate W from the bottom contact pins 135 . The transfer mechanism 8 takes the substrate W from the lift pins 116 .

＜실시형태의 효과＞<Effect of embodiment>

실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 고정 핀(103)에 의해 제1 플레이트(101)의 상면(102)보다 상방의 위치에서 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급하는 단계 S39를 구비한다. 　처리액을 기판(W)에 공급하는 단계 S39는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 중앙부에 형성되는 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 형성되는 제2 취출구(106)로부터 상방으로, 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다.The substrate processing method according to the embodiment includes a step S39 of supplying a processing liquid to a substrate W supported by a fixing pin 103 at a position above the upper surface 102 of the first plate 101 . In the step S39 of supplying the processing liquid to the substrate W, the gas is discharged upward from the first air outlet 105 formed in the central portion of the upper surface 102 of the first plate 101, and further, the first plate ( Gas is blown out at a flow rate greater than that of the first air outlet 105 upward from the second blow-out port 106 formed in the peripheral portion of the upper surface 102 of 101 .

제1 취출구(105) 및 제2 취출구(106)로부터 취출된 기체는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에 공급된다. 　기체는, 기판(W)의 하면(16)을 따라 흐른다. 　이에 의해, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 대해 하향의 힘(흡인력)을 작용시켜, 기판(W)을 적합하게 유지할 수 있다.The gas blown out from the first air outlet 105 and the second air outlet 106 is disposed between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . is supplied The gas flows along the lower surface 16 of the substrate W. Thereby, a downward force (attraction force) is applied to the substrate W supported by the fixing pin 103 , and the substrate W can be properly held.

제1 취출구(105)로부터 취출된 기체는, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)에 닿아, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)이 하방으로 만곡하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　따라서, 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The gas blown out from the first air outlet 105 hits the lower surface 16 in the central portion of the substrate W, and appropriately prevents the lower surface 16 in the central portion of the substrate W from curving downward. can do. Therefore, when the processing liquid is supplied to the substrate W, it is possible to properly prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

제2 취출구(106)는, 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 　기체는, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)을 따라 비교적 빠르게 흐른다. 이에 의해, 기판(W)의 주연부(12)에 대해 비교적 강한 흡인력을 작용시킨다. 　따라서, 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)을 한층 적합하게 유지할 수 있다.The second air outlet 106 blows out gas at a larger flow rate than the first air outlet 105 . The gas flows relatively quickly along the lower surface 16 of the periphery 12 of the substrate W. As a result, a relatively strong suction force is applied to the peripheral portion 12 of the substrate W. As shown in FIG. Therefore, when supplying the processing liquid to the substrate W, the substrate W can be more suitably maintained.

이상과 같이, 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)을 제1 플레이트(101)와 접촉시키지 않고 기판(W)을 유지할 수 있다. 　따라서, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 　따라서, 본 기판 처리 방법은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.As described above, when the processing liquid is supplied to the substrate W, the substrate W may be maintained without the substrate W in contact with the first plate 101 . Therefore, the board|substrate W can be processed suitably. Therefore, this substrate processing method can process the board|substrate W suitably.

기판 처리 방법은, 고정 핀(103)에 기판(W)을 건네는 단계 S34를 구비한다. 고정 핀(103)에 기판(W)을 건네는 단계 S34는, 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출한다. 　따라서, 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넬 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The substrate processing method includes a step S34 of passing the substrate W to the fixing pins 103 . In step S34 of passing the substrate W to the fixing pin 103 , the gas is blown upward from the first blowing port 105 . Therefore, when passing the substrate W to the fixing pin 103 , it is possible to properly prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

고정 핀(103)에 기판(W)을 건네는 단계 S34는, 제2 취출구(106)로부터 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 따라서, 기판(W)을 고정 핀(103)에 적절히 건넬 수 있다. 　예를 들면, 기판(W)을 고정 핀(103)에 건넬 때, 기판(W)을 고정 핀(103) 상에 천천히 착지시킬 수 있다.In step S34 of passing the substrate W to the fixing pin 103 , the gas is not taken out from the second air outlet 106 . For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively weak. Therefore, the board|substrate W can be passed to the fixing pin 103 suitably. For example, when passing the substrate W to the fixing pin 103 , the substrate W can be slowly landed on the fixing pin 103 .

기판 처리 방법은, 위치 조정 핀(113)이 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 접촉함으로써, 수평 방향에 있어서의 기판(W)의 위치를 조정하는 단계 S35를 구비한다. 　기판(W)의 위치를 조정하는 단계 S35는, 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출한다. 　따라서, 기판(W)의 위치를 조정할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The substrate processing method includes a step S35 of adjusting the position of the substrate W in the horizontal direction by bringing the positioning pin 113 into contact with the substrate W supported by the fixing pin 103 . In step S35 of adjusting the position of the substrate W, the gas is blown upward from the first blowing port 105 . Therefore, when adjusting the position of the substrate W, it is possible to properly prevent the substrate W from contacting the upper surface 102 of the first plate 101 .

기판(W)의 위치를 조정하는 단계 S35는, 제2 취출구(106)로부터 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)은 기판(W)의 위치를 용이하게 조정할 수 있다. 　구체적으로는, 위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 대해 기판(W)을 용이하게 움직일 수 있다.In step S35 of adjusting the position of the substrate W, the gas is not taken out from the second air outlet 106 . For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively weak. Accordingly, the positioning pin 113 can easily adjust the position of the substrate W. Specifically, the positioning pin 113 can easily move the substrate W with respect to the fixing pin 103 .

기판 처리 방법은, 위치 조정 핀(113)을 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)으로부터 떨어트리는 단계 S38을 구비한다. 　위치 조정 핀(113)을 기판(W)으로부터 떨어트리는 단계 S38은, 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 제2 취출구(106)로부터 상방으로 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 강하다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어지기 전에, 기판(W)을 적합하게 유지할 수 있다. 　위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어진 후에, 기판(W)이 고정 핀(103)에 대해 움직이는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The substrate processing method includes a step S38 of dropping the positioning pin 113 from the substrate W supported by the fixing pin 103 . In step S38 of removing the positioning pin 113 from the substrate W, the gas is blown upward from the first blowing port 105 , and further from the second blowing port 106 upwardly from the first blowing port 105 . Takes out gas at a large flow rate. For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively strong. Therefore, before the positioning pin 113 is separated from the substrate W, the substrate W can be properly held. After the positioning pin 113 is separated from the substrate W, it is possible to suitably prevent the substrate W from moving with respect to the fixing pin 103 .

처리액을 기판에 공급하는 단계 S39는, 기판(W)이 위치 조정 핀(113)과 접촉하고 있지 않은 상태에서 실행된다. 　이에 의하면, 기판(W)에 대한 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다. 　예를 들면, 기판(W) 상에 결함이 발생하는 것을 적합하게 억제할 수 있다.Step S39 of supplying the processing liquid to the substrate is performed in a state where the substrate W is not in contact with the positioning pin 113 . According to this, the quality of the process with respect to the board|substrate W can be improved suitably. For example, generation|occurrence|production of a defect on the board|substrate W can be suppressed suitably.

기판 처리 방법은, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취하는 단계 S42를 구비한다. 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취하는 단계 S45는, 제1 취출구(105)로부터 상방으로 기체를 취출한다. 　따라서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The substrate processing method includes a step S42 of taking the substrate W from the fixing pins 103 . In step S45 of taking the substrate W from the fixing pin 103 , the gas is blown upward from the first blowing port 105 . Therefore, when taking the substrate W from the fixing pin 103 , it is possible to suitably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취하는 단계 S45는, 제2 취출구(106)로부터 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 용이하게 취할 수 있다.In step S45 of removing the substrate W from the fixing pin 103 , the gas is not taken out from the second air outlet 106 . For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively weak. Therefore, the board|substrate W can be easily taken from the fixing pin 103 .

기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 처리하는 제1 처리 유닛(7A)을 구비한다. 제1 처리 유닛(7A)은, 제1 플레이트(101)와 고정 핀(103)과 제1 취출구(105)와 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출구(106)와 제2 취출 조정부(112)와 처리액 공급부(121)를 구비한다. 　고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)에 고정된다. 　고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)으로부터 상방으로 돌출한다. 　고정 핀(103)은, 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 　고정 핀(103)은, 제1 플레이트(101)의 상면(102)보다 높은 위치에서 기판(W)을 재치한다. 　제1 취출구(105)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 중앙부에 형성된다. 　제1 취출구(105)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에 기체를 취출한다. 　제1 취출 조정부(111)는, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 　제2 취출구(106)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)의 주연부에 형성된다. 　제2 취출구(106)는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에 기체를 취출한다. 　제2 취출 조정부(112)는, 제2 취출구(106)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 　처리액 공급부(121)는, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급한다.The substrate processing apparatus 1 is provided with the 1st processing unit 7A which processes the board|substrate W. The first processing unit 7A includes a first plate 101 , a fixing pin 103 , a first blowing port 105 , a first blowing adjustment unit 111 , a second blowing port 106 , and a second blowing adjustment unit 112 . ) and a treatment liquid supply unit 121 . The fixing pin 103 is fixed to the first plate 101 . The fixing pin 103 protrudes upward from the upper surface 102 of the first plate 101 . The fixing pin 103 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. The fixing pin 103 mounts the substrate W at a position higher than the upper surface 102 of the first plate 101 . The first air outlet 105 is formed in the central portion of the upper surface 102 of the first plate 101 . The first air outlet 105 blows out gas between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . The first blow-out adjustment unit 111 adjusts the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port 105 . The second air outlet 106 is formed on the periphery of the upper surface 102 of the first plate 101 . The second air outlet 106 blows out gas between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . The 2nd blowout adjustment part 112 adjusts the flow volume of the gas which the 2nd blowout port 106 blows out. The processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 .

기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 유닛(7A)을 제어하는 제어부(9)를 구비한다. 구체적으로는, 제어부(9)는, 제1 취출 조정부(111)와 제2 취출 조정부(112)와 처리액 공급부(121)를 제어한다. 　제어부(9)에 의한 제어에 의해, 처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급할 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출하고, 또한, 제2 취출구(106)는 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다.The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 9 that controls the first processing unit 7A. Specifically, the control unit 9 controls the first blowing adjustment unit 111 , the second blowing adjustment unit 112 , and the processing liquid supply unit 121 . When the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 under the control by the controller 9 , the first outlet 105 takes out the gas, The second air outlet 106 blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet 105 .

제1 취출구(105) 및 제2 취출구(106)로부터 취출된 기체는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이에 공급된다. 　기체는, 기판(W)의 하면(16)을 따라 흐른다. 　이에 의해, 고정 핀(103)에 지지되는 기판에 대해 하향의 힘(흡인력)을 작용시켜, 기판(W)을 한층 적합하게 유지할 수 있다.The gas blown out from the first air outlet 105 and the second air outlet 106 is disposed between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 . is supplied The gas flows along the lower surface 16 of the substrate W. Thereby, a downward force (attraction force) is applied to the substrate supported by the fixing pin 103, and the substrate W can be more suitably maintained.

제1 취출구(105)로부터 취출된 기체는, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)에 닿아, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)이 하방으로 만곡하는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 　따라서, 처리액 공급부(121)가 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The gas blown out from the first air outlet 105 hits the lower surface 16 in the central portion of the substrate W, and appropriately prevents the lower surface 16 in the central portion of the substrate W from curving downward. can do. Accordingly, when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, it is possible to properly prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

제2 취출구(106)는, 제1 취출구(105)보다 큰 유량으로 기체를 취출한다. 기체는, 기판(W)의 주연부(12)에 있어서의 하면(16)을 따라 비교적 빠르게 흐른다. 이에 의해, 기판의 주연부(12)에 대해 비교적 강한 흡인력을 작용시킨다. 　따라서, 처리액 공급부(121)가 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판을 적합하게 유지할 수 있다.The second air outlet 106 blows out gas at a larger flow rate than the first air outlet 105 . The gas flows relatively quickly along the lower surface 16 of the periphery 12 of the substrate W. Thereby, a relatively strong suction force is applied to the periphery 12 of the substrate. Accordingly, when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, the substrate may be properly maintained.

이상과 같이, 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)을 제1 플레이트(101)와 접촉시키지 않고 기판(W)을 유지할 수 있다. 　따라서, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 　따라서, 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.As described above, when the processing liquid is supplied to the substrate W, the substrate W may be maintained without the substrate W in contact with the first plate 101 . Therefore, the board|substrate W can be processed suitably. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can process the board|substrate W suitably.

처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급하기 전에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(121)는 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다.Before the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 , the first outlet 105 starts blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit 121 may supply the processing liquid to the substrate W while the first air outlet 105 is blowing out the gas.

처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급하기 전에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(121)는 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다.Before the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 , the second outlet 106 starts blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit 121 may supply the processing liquid to the substrate W in a state in which the second air outlet 106 blows out the gas.

처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급한 후에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(121)는 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다.After the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 , the first outlet 105 stops blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit 121 may supply the processing liquid to the substrate W while the first air outlet 105 is blowing out the gas.

처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급한 후에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 처리액 공급부(121)는 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다.After the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 , the second outlet 106 stops blowing out the gas. Accordingly, the processing liquid supply unit 121 may supply the processing liquid to the substrate W in a state in which the second air outlet 106 blows out the gas.

고정 핀(103)이 기판(W)을 받을 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출한다. 따라서, 고정 핀(103)이 기판(W)을 받을 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.When the fixing pin 103 receives the substrate W, the first air outlet 105 takes out the gas. Therefore, when the fixing pin 103 receives the substrate W, it is possible to properly prevent the substrate W from contacting the upper surface 102 of the first plate 101 .

고정 핀(103)이 기판(W)을 받을 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 고정 핀(103)이 기판(W)을 받을 때, 기판(W)이 손상될 우려가 없다.When the fixing pin 103 receives the substrate W, the second air outlet 106 does not take out the gas. For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively weak. Therefore, when the fixing pin 103 receives the substrate W, there is no risk of the substrate W being damaged.

고정 핀(103)이 기판(W)을 받기 전에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 고정 핀(103)은 기판(W)을 받을 수 있다.Before the fixing pin 103 receives the substrate W, the first blowing port 105 starts blowing out the gas. Accordingly, the fixing pin 103 can receive the substrate W in the state in which the first air outlet 105 is taking out the gas.

고정 핀(103)이 기판(W)을 받은 후에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 개시한다. 따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 고정 핀(103)은 기판(W)을 받을 수 있다.After the fixing pin 103 receives the substrate W, the second blowing port 106 starts blowing out the gas. Therefore, the fixing pin 103 can receive the board|substrate W in the state in which the 2nd air outlet 106 is not taking out gas.

제1 처리 유닛(7A)은, 리프트 핀(116)을 구비한다. 　리프트 핀(116)은, 제1 플레이트(101)에 대해 상하 방향(Z)으로 이동 가능하게 제1 플레이트(101)에 지지된다. 　리프트 핀(116)은, 기판(W)을 지지한다. 　리프트 핀(116)은, 기판(W)을 하강시킨다. 　구체적으로는, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치로부터, 기판(W)을 하강시킨다. 　이에 의해, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)에 기판(W)을 건넨다. 　여기서, 고정 핀(103)이 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 받을 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출한다. 　따라서, 고정 핀(103)이 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 받을 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.The first processing unit 7A includes a lift pin 116 . The lift pins 116 are supported by the first plate 101 to be movable in the vertical direction Z with respect to the first plate 101 . The lift pins 116 support the substrate W. The lift pins 116 lower the substrate W. Specifically, the lift pins 116 lower the substrate W from a position higher than the fixing pins 103 . Thereby, the lift pin 116 delivers the board|substrate W to the fixing pin 103 . Here, when the fixing pin 103 receives the substrate W from the lift pin 116 , the first air outlet 105 takes out the gas. Accordingly, when the fixing pin 103 receives the substrate W from the lift pin 116 , it is possible to reliably prevent the substrate W from contacting the upper surface 102 of the first plate 101 .

고정 핀(103)이 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 받을 때, 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 고정 핀(103)은 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 적절히 받을 수 있다.When the fixing pin 103 receives the substrate W from the lift pin 116 , the second air outlet does not take out the gas. Accordingly, the fixing pin 103 can properly receive the substrate W from the lift pin 116 .

기판 처리 장치(1)는, 리프트 핀(116)에 기판(W)을 건네는 반송 기구(8)를 구비한다. 　제어부(9)는, 또한 반송 기구(8)를 제어한다. 　리프트 핀(116)은, 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받는다. 　구체적으로는, 리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받는다. 　여기서, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받은 후에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 개시한다. 따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받을 수 있다. 　따라서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 적절히 받을 수 있다.The substrate processing apparatus 1 is equipped with the conveyance mechanism 8 which hands the board|substrate W to the lift pins 116 . The control unit 9 also controls the conveying mechanism 8 . The lift pins 116 receive the substrate W from the conveyance mechanism 8 . Specifically, the lift pin 116 receives the board|substrate W from the conveyance mechanism 8 at an upper position. Here, after the lift pin 116 receives the board|substrate W from the conveyance mechanism 8, the 1st blow-out port 105 starts taking-out of the gas. Therefore, the lift pin 116 can receive the board|substrate W from the conveyance mechanism 8 in the state in which the 1st blow-out port 105 is not taking out gas. Accordingly, the lift pins 116 can properly receive the substrate W from the transfer mechanism 8 .

리프트 핀(116)이 고정 핀(103)에 기판(W)을 건네기 전에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 고정 핀(103)은 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 받을 수 있다.Before the lift pin 116 hands the substrate W to the fixing pin 103 , the first air outlet 105 starts taking out the gas. Accordingly, the fixing pin 103 can receive the substrate W from the lift pin 116 in the state in which the first air outlet 105 is taking out the gas.

제1 처리 유닛(7A)은 위치 조정 핀(113)을 구비한다. 　위치 조정 핀(113)은, 제1 플레이트(101)에 대해 수평 방향으로 이동 가능하게, 제1 플레이트(101)에 지지된다. 　위치 조정 핀(113)은, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)과 접촉하여, 수평 방향에 있어서의 기판(W)의 위치를 조정한다. 　위치 조정 핀(113)이 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 위치를 조정할 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출한다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)의 위치를 조정할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The first processing unit 7A has a positioning pin 113 . The positioning pin 113 is supported by the first plate 101 so as to be movable in the horizontal direction with respect to the first plate 101 . The positioning pins 113 are in contact with the substrate W supported by the fixing pins 103 to adjust the position of the substrate W in the horizontal direction. When the positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W supported by the fixing pin 103 , the first air outlet 105 blows out the gas. Therefore, when the positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W, it is possible to properly prevent the substrate W from contacting the upper surface 102 of the first plate 101 .

위치 조정 핀(113)이 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 위치를 조정할 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　이 때문에, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)은 기판(W)의 위치를 용이하게 조정할 수 있다.When the positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W supported by the fixing pin 103 , the second air outlet 106 does not blow out gas. For this reason, the attraction|suction force which acts on the board|substrate W is comparatively weak. Accordingly, the positioning pin 113 can easily adjust the position of the substrate W.

위치 조정 핀(113)이 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 위치를 조정한 후에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 개시한다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 위치 조정 핀(113)은 기판(W)의 위치를 조정할 수 있다.After the positioning pin 113 adjusts the position of the substrate W supported by the fixing pin 103 , the second blowing port 106 starts blowing out the gas. Therefore, the position adjustment pin 113 can adjust the position of the board|substrate W in the state in which the 2nd blow-out port 106 is not taking out gas.

위치 조정 핀(113)은, 제2 취출구(106)가 기체를 취출한 후에, 기판(W)으로부터 떨어진다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 위치 조정 핀(113)은 기판(W)으로부터 떨어진다. 　즉, 기판(W)을 적합하게 유지한 상태에서, 위치 조정 핀(113)은 기판(W)으로부터 떨어진다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어질 때, 및, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어진 후에, 기판(W)이 고정 핀(103)에 대해 움직이는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The positioning pin 113 is detached from the substrate W after the second air outlet 106 takes out the gas. Therefore, in the state in which the 2nd blow-out port 106 is taking out the gas, the positioning pin 113 is separated from the board|substrate W. As shown in FIG. That is, in a state in which the substrate W is properly held, the positioning pins 113 are separated from the substrate W. As shown in FIG. Therefore, when the positioning pin 113 is separated from the substrate W, and after the positioning pin 113 is separated from the substrate W, it is suitable for the substrate W to move relative to the fixing pin 103 . can be prevented

위치 조정 핀(113)은, 처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급하기 전에, 기판(W)으로부터 떨어진다. 　따라서, 위치 조정 핀(113)이 기판(W)으로부터 떨어진 상태에서, 처리액 공급부(121)는 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다. 　이 때문에, 기판(W)에 대한 처리의 품질을 적합하게 향상시킬 수 있다.The positioning pin 113 is separated from the substrate W before the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 . Accordingly, in a state in which the positioning pin 113 is separated from the substrate W, the processing liquid supply unit 121 may supply the processing liquid to the substrate W. For this reason, the quality of the process with respect to the board|substrate W can be improved suitably.

고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출한다. 　따라서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.When taking the board|substrate W from the fixing pin 103, the 1st blow-out port 105 takes out gas. Therefore, when taking the substrate W from the fixing pin 103 , it is possible to suitably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 약하다. 　이 때문에, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 용이하게 취할 수 있다.When the board|substrate W is taken out from the fixing pin 103, the 2nd air outlet 106 does not take out gas. Therefore, when taking the substrate W from the fixing pin 103 , the attraction force acting on the substrate W is relatively weak. For this reason, the board|substrate W can be easily taken from the fixing pin 103 .

고정 핀(103)으로부터 기판을 취하기 전에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 수 있다.Before taking out the board|substrate from the fixing pin 103, the 2nd blow-out port 106 stops taking-out of the gas. Therefore, the board|substrate W can be taken out from the fixing pin 103 in the state in which the 2nd blow-out port 106 is not taking out gas.

고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한 후에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 수 있다.After taking out the board|substrate W from the fixing pin 103, the 1st blow-out port 105 stops blowing out of gas. Therefore, the board|substrate W can be taken out from the fixing pin 103 in the state in which the 1st blow-out port 105 is taking out gas.

리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한다. 　리프트 핀(116)은, 기판(W)을 상승시킨다. 　구체적으로는, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)보다 높은 위치로 기판(W)을 상승시킨다. 　여기서, 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제1 취출구(105)는 기체를 취출한다. 　따라서, 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 적합하게 방지할 수 있다.The lift pins 116 take the substrate W from the fixing pins 103 . The lift pins 116 raise the board|substrate W. Specifically, the lift pin 116 raises the board|substrate W to a position higher than the fixing pin 103 . Here, when the lift pin 116 takes the board|substrate W from the fixing pin 103, the 1st blow-out port 105 takes out gas. Accordingly, when the lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103 , it is possible to suitably prevent the substrate W from contacting the upper surface 102 of the first plate 101 .

리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 리프트 핀(116)은, 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 용이하게 취할 수 있다.When the lift pin 116 takes the substrate W from the fixing pin 103 , the second air outlet 106 does not take out the gas. Accordingly, the lift pins 116 can easily take the substrate W from the fixing pins 103 .

리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취하기 전에, 제2 취출구(106)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제2 취출구(106)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 리프트 핀(116)은 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 수 있다.Before the lift pins 116 take out the substrate W from the fixing pins 103 , the second air outlet 106 stops taking out the gas. Therefore, the lift pin 116 can take the board|substrate W from the fixing pin 103 in the state in which the 2nd air outlet 106 is not taking out gas.

반송 기구(8)는, 리프트 핀(116)으로부터 기판을 취한다. 　리프트 핀(116)은, 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다. 　구체적으로는, 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한 후, 리프트 핀(116)은, 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다. 　리프트 핀(116)은, 상측 위치에서 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다. 여기서, 리프트 핀(116)이 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취한 후에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 리프트 핀(116)은 고정 핀(103)으로부터 기판(W)을 취할 수 있다.The transfer mechanism 8 takes the substrate from the lift pins 116 . The lift pins 116 deliver the substrate W to the conveyance mechanism 8 . Specifically, after the lift pin 116 takes the board|substrate W from the fixing pin 103 , the lift pin 116 delivers the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 . The lift pin 116 delivers the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 at an upper position. Here, after the lift pin 116 takes the board|substrate W from the fixing pin 103, the 1st blow-out port 105 stops taking-out of the gas. Therefore, the lift pin 116 can take the board|substrate W from the fixing pin 103 in the state in which the 1st air outlet 105 is taking out gas.

리프트 핀(116)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건네기 전에, 제1 취출구(105)는 기체의 취출을 정지한다. 　따라서, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있지 않은 상태에서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넬 수 있다. 　따라서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)에 기판(W)을 적합하게 건넬 수 있다.Before the lift pin 116 hands the board|substrate W to the conveyance mechanism 8, the 1st blow-out port 105 stops taking-out of the gas. Therefore, the lift pin 116 can pass the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 in the state in which the 1st blow-out port 105 is not taking out gas. Therefore, the lift pins 116 can suitably pass the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 .

반송 기구(8)는, 흡인부(68)를 구비한다. 　흡인부(68)는, 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 한다. 　흡인부(68)는, 기판(W)과 접촉하는 일 없이, 기판(W)을 흡인한다. 　따라서, 반송 기구(8)(핸드(61))는, 기판(W)을 적합하게 지지할 수 있다.The conveyance mechanism (8) is provided with the suction part (68). The suction part 68 causes gas to flow along the upper surface 17 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 attracts the board|substrate W without contacting with the board|substrate W. Therefore, the conveyance mechanism 8 (hand 61) can support the board|substrate W suitably.

반송 기구(8)는, 흡인 조정부(73)를 구비한다. 　흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)에 공급하는 기체의 유량을 조정한다. 　따라서, 흡인 조정부(73)는, 흡인부(68)의 흡인력을 조정할 수 있다.The conveyance mechanism 8 is provided with the suction adjustment part 73. As shown in FIG. The suction adjustment unit 73 adjusts the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 . Accordingly, the suction adjustment unit 73 can adjust the suction force of the suction unit 68 .

반송 기구(8)가 기판(W)을 반송할 때, 흡인 조정부(73)는 흡인부(68)에 기체를 공급한다. 　따라서, 반송 기구(8)가 기판(W)을 반송할 때, 흡인부(68)는 기판(W)을 적합하게 흡인할 수 있다. 　따라서, 반송 기구(8)는 적합하게 반송할 수 있다.When the conveyance mechanism 8 conveys the board|substrate W, the suction adjustment part 73 supplies gas to the suction part 68. As shown in FIG. Therefore, when the conveyance mechanism 8 conveys the board|substrate W, the attraction|suction part 68 can attract the board|substrate W suitably. Therefore, the conveyance mechanism 8 can convey suitably.

반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 건넬 때, 흡인 조정부(73)는 흡인부(68)에 기체를 공급하지 않는다. 　이 때문에, 반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 건넬 때, 흡인부(68)는 기판(W)을 흡인하지 않는다. 　따라서, 반송 기구(8)는, 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 적합하게 건넬 수 있다.When the conveying mechanism 8 hands the substrate W to the first processing unit 7A, the suction adjusting unit 73 does not supply the gas to the suctioning unit 68 . For this reason, when the conveyance mechanism 8 passes the board|substrate W to the 1st processing unit 7A, the attraction|suction part 68 does not attract the board|substrate W. Accordingly, the transfer mechanism 8 can suitably pass the substrate W to the first processing unit 7A.

반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 건넬 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 반송 기구(8)는, 제1 처리 유닛(7A)에 기판(W)을 한층 적합하게 건넬 수 있다.When the transfer mechanism 8 passes the substrate W to the first processing unit 7A, the second air outlet 106 does not take out the gas. Therefore, the conveyance mechanism 8 can hand over the board|substrate W to the 1st processing unit 7A more suitably.

반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량은 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량보다 작다. 따라서, 반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)으로부터 기판(W)을 취할 때, 흡인부(68)는 제1 처리 유닛(7A)의 기판(W)을 적합하게 흡인할 수 있다. 　따라서, 반송 기구(8)는 제1 처리 유닛(7A)으로부터 기판(W)을 용이하게 취할 수 있다.When the transport mechanism 8 takes the substrate W from the first processing unit 7A, the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port 105 is smaller than the flow rate of the gas supplied to the suction unit 68 . Accordingly, when the transfer mechanism 8 takes the substrate W from the first processing unit 7A, the suction unit 68 can suitably attract the substrate W of the first processing unit 7A. Accordingly, the transfer mechanism 8 can easily take the substrate W from the first processing unit 7A.

반송 기구(8)가 제1 처리 유닛(7A)으로부터 기판(W)을 취할 때, 제2 취출구(106)는 기체를 취출하지 않는다. 　따라서, 반송 기구(8)는 제1 처리 유닛(7A)으로부터 기판(W)을 한층 용이하게 취할 수 있다.When the transfer mechanism 8 takes the substrate W from the first processing unit 7A, the second blow-out port 106 does not take out the gas. Therefore, the conveyance mechanism 8 can take the board|substrate W from the 1st processing unit 7A much more easily.

제1 처리 유닛(7A)은, 제1 플레이트(101)를 회전시키는 제1 회전 구동부(92A)를 구비한다. 　처리액 공급부(121)가 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급할 때, 제1 회전 구동부(92A)는 제1 플레이트(101)를 회전시킨다. 따라서, 제1 처리 유닛(7A)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.The first processing unit 7A includes a first rotation drive unit 92A for rotating the first plate 101 . When the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W supported by the fixing pin 103 , the first rotation driving unit 92A rotates the first plate 101 . Therefore, the 1st processing unit 7A can process the board|substrate W suitably.

본 발명은, 실시형태에 한정되는 일은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the embodiment, and can be modified as follows.

상술한 실시형태에서는, 선반(22)은 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 선반(22)은, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽과 접촉해도 된다. 예를 들면, 선반(22)은, 기판(W)의 끝가장자리(20)에 비스듬한 하방으로부터 접촉해도 된다.In the above-described embodiment, the shelf 22 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the shelf 22 may contact at least one of the lower surface 16 of the board|substrate W and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the shelf 22 may contact the edge 20 of the board|substrate W from obliquely downward.

상술한 실시형태에서는, 핸드(33)는 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 핸드(33)는, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽과 접촉해도 된다. 예를 들면, 핸드(33)는, 기판(W)의 끝가장자리(20)에 비스듬한 하방으로부터 접촉해도 된다.In the above-described embodiment, the hand 33 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the hand 33 may contact at least one of the lower surface 16 of the board|substrate W and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the hand 33 may contact the edge 20 of the board|substrate W from obliquely downward.

상술한 실시형태에서는, 선반(45)은 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 선반(45)은, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽과 접촉해도 된다. 예를 들면, 선반(45)은, 기판(W)의 끝가장자리(20)에 비스듬한 하방으로부터 접촉해도 된다.In the above-described embodiment, the shelf 45 is in contact with the lower surface 16 of the substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the shelf 45 may contact at least one of the lower surface 16 of the board|substrate W and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the shelf 45 may contact the edge 20 of the board|substrate W from obliquely downward.

상술한 실시형태에서는, 접촉부(74)는 기판(W)의 상면(17)과 접촉한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 접촉부(74)는, 기판(W)의 상면(17) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽과 접촉해도 된다. 예를 들면, 접촉부(74)는, 기판(W)의 끝가장자리(20)에 비스듬한 상방으로부터 접촉해도 된다.In the above-described embodiment, the contact portion 74 is in contact with the upper surface 17 of the substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the contact part 74 may contact at least either one of the upper surface 17 of the board|substrate W, and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the contact part 74 may contact the edge 20 of the board|substrate W from diagonally upward.

상술한 실시형태에서는, 제1 받이부(82)는 기판(W)의 하면(16)을 받을 수 있다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 받이부(82)는, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽을 받아도 된다. 예를 들면, 제1 받이부(82)는, 기판(W)의 끝가장자리(20)를 비스듬한 하방으로부터 받아도 된다.In the above-mentioned embodiment, the 1st receiving part 82 can receive the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the 1st receiving part 82 may receive at least either one of the lower surface 16 of the board|substrate W and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the 1st receiving part 82 may receive the edge 20 of the board|substrate W from the diagonally downward direction.

상술한 실시형태에서는, 제2 받이부(83)는 기판(W)의 하면(16)을 받을 수 있다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽을 받아도 된다. 예를 들면, 제2 받이부(83)는, 기판(W)의 끝가장자리(20)를 비스듬한 하방으로부터 받아도 된다.In the above-mentioned embodiment, the 2nd receiving part 83 can receive the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the 2nd receiving part 83 may receive at least either one of the lower surface 16 of the board|substrate W, and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the 2nd receiving part 83 may receive the edge 20 of the board|substrate W from the diagonally downward direction.

상술한 실시형태에서는, 고정 핀(103)은 기판(W)의 하면(16)과 접촉한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 고정 핀(103)은, 기판(W)의 하면(16) 및 기판(W)의 끝가장자리(20) 중 적어도 어느 한쪽과 접촉해도 된다. 예를 들면, 고정 핀(103)은, 기판(W)의 끝가장자리(20)에 비스듬한 하방으로부터 접촉해도 된다.In the above-described embodiment, the fixing pins 103 are in contact with the lower surface 16 of the substrate W. As shown in FIG. However, it is not limited to this. For example, the fixing pin 103 may contact at least one of the lower surface 16 of the board|substrate W, and the edge 20 of the board|substrate W. As shown in FIG. For example, the fixing pin 103 may contact the edge 20 of the board|substrate W from obliquely downward.

상술한 실시형태에서는, 제1 받이부(82)는 베이스부(65)에 고정된다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 즉, 제1 받이부(82)는 베이스부(65)에 대해 이동 가능해도 된다. 본 변형 실시형태에서는, 핸드(61)는, 추가로, 제1 받이부(82)를 베이스부(65)에 대해 이동시키는 구동부(제2 받이부 구동부)를 구비해도 된다.In the above-described embodiment, the first receiving portion 82 is fixed to the base portion 65 . However, it is not limited to this. That is, the 1st receiving part 82 may be movable with respect to the base part 65. As shown in FIG. In this modified embodiment, the hand 61 may further be equipped with the drive part (2nd receiver drive part) which moves the 1st receiving part 82 with respect to the base part 65. As shown in FIG.

상술한 실시형태에서는, 흡인부(68)는 기판(W)의 상면(17)을 따라 기체를 흐르게 한다. 흡인부(68)는, 기판(W)을 상방으로 흡인한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 흡인부(68)는 기판(W)의 하면(16)을 따라 기체를 흐르게 해도 된다. 흡인부(68)는 기판(W)을 하방으로 흡인해도 된다.In the above-described embodiment, the suction portion 68 causes the gas to flow along the upper surface 17 of the substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 attracts the board|substrate W upward. However, it is not limited to this. The suction part 68 may make gas flow along the lower surface 16 of the board|substrate W. As shown in FIG. The attraction|suction part 68 may attract|suck the board|substrate W downward.

상술한 실시형태에서는, 반송 기구(4)의 핸드(33)는 흡인부를 구비하지 않는다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 반송 기구(4)의 핸드(33)는, 기판(W)의 제1 면을 따라, 기체를 흐르게 하는 흡인부를 구비해도 된다. 여기서, 제1 면은, 기판(W)의 상면 및 하면 중 어느 1개이다. 반송 기구(4)의 핸드(33)는, 기판(W)을 흡인하는 흡인부를 구비해도 된다. 또한, 반송 기구(4)는, 기판(W)이 핸드(33)로부터 탈락하는 것을 방지하기 위한 받이부를 구비해도 된다.In the above-mentioned embodiment, the hand 33 of the conveyance mechanism 4 is not provided with a suction part. However, it is not limited to this. The hand 33 of the conveyance mechanism 4 may be provided with the suction part which makes gas flow along the 1st surface of the board|substrate W. As shown in FIG. Here, the first surface is any one of the upper surface and the lower surface of the substrate W. The hand 33 of the conveyance mechanism 4 may be equipped with the suction part which attracts the board|substrate W. In addition, the conveyance mechanism 4 may be equipped with the receiving part for preventing the board|substrate W from falling off from the hand 33. As shown in FIG.

반송 기구(4)의 핸드(33)가 흡인부를 구비하는 경우, 반송 기구(4)는, 본 발명에 있어서의 제1 반송 기구의 예이기도 하다. 캐리어(C)는, 본 발명에 있어서의 제1 위치 및 제2 위치 중 한쪽의 예이다. 재치부(6)는, 본 발명에 있어서의 제1 위치 및 제2 위치 중 다른 쪽의 예이다.When the hand 33 of the conveyance mechanism 4 is provided with a suction part, the conveyance mechanism 4 is also an example of the 1st conveyance mechanism in this invention. The carrier C is an example of one of a 1st position and a 2nd position in this invention. The mounting part 6 is an example of the other of the 1st position and 2nd position in this invention.

상술한 실시형태에서는, 기판(W)이 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3) 중 어느 쪽인지에 따라, 제어부(9)는 높이 위치(HA, HB, HC)를 바꾼다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 주부(13)의 두께에 따라, 제어부(9)는 높이 위치(HA, HB, HC)를 바꾸어도 된다. 예를 들면, 기판(W)의 주부(13)의 두께가 커짐에 따라, 제어부(9)는 높이 위치(HA, HB, HC)를 높게 해도 된다.In the above-described embodiment, the control unit 9 controls the height positions HA, HB, HC) is changed. However, it is not limited to this. For example, according to the thickness of the main part 13 of the board|substrate W, the control part 9 may change the height positions HA, HB, and HC. For example, as the thickness of the peripheral portion 13 of the substrate W increases, the control unit 9 may increase the height positions HA, HB, and HC.

상술한 실시형태에서는, 기판(W)이 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3) 중 어느 쪽인지에 따라, 제어부(9)는, 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(7)을, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛 중 어느 1개로 결정한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 주부(13)의 두께에 따라, 제어부(9)는, 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(7)을, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛 중 어느 1개로 결정해도 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 기판(W)의 주부(13)가 제1 두께를 갖는 기판(W)을 제1 처리 유닛(7A)에 반송시켜도 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 기판(W)의 주부(13)가 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 기판(W)을 제2 처리 유닛(7B)에 반송시켜도 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 기판(W)의 주부(13)가 제1 두께를 갖는 기판(W)을 제1 처리 유닛(7A)에 있어서 처리하게 해도 된다. 제어부(9)는, 기판(W)의 주부(13)가 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 기판(W)을 제2 처리 유닛(7B)에 있어서 처리하게 해도 된다.In the above-described embodiment, the control unit 9 processes the substrate W depending on which one of the first substrate W1, the second substrate W2, and the third substrate W3 is the substrate W. The processing unit 7 to be used is determined as any one of the first processing unit and the second processing unit. However, it is not limited to this. For example, depending on the thickness of the main portion 13 of the substrate W, the control unit 9 may select one of the first processing unit and the second processing unit for the processing unit 7 that processes the substrate W. You can decide with a dog. For example, the control unit 9 may convey the substrate W in which the main portion 13 of the substrate W has a first thickness to the first processing unit 7A. For example, the control part 9 may convey the board|substrate W in which the main part 13 of the board|substrate W has a 2nd thickness larger than the 1st thickness to the 2nd processing unit 7B. For example, the control unit 9 may cause the main portion 13 of the substrate W to process the substrate W having the first thickness in the first processing unit 7A. The control unit 9 may cause the substrate W to be processed in the second processing unit 7B, wherein the main portion 13 of the substrate W has a second thickness greater than the first thickness.

상술한 실시형태에서는, 기판(W)이 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3) 중 어느 쪽인지에 따라, 제어부(9)는 유량(M)을 바꾼다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 주부(13)의 두께에 따라, 제어부(9)는 유량(M)을 바꾸어도 된다. 예를 들면, 기판(W)의 주부(13)의 두께가 커짐에 따라, 제어부(9)는 유량(M)을 크게 해도 된다.In the embodiment described above, the control unit 9 changes the flow rate M according to which one of the first substrate W1 , the second substrate W2 , and the third substrate W3 is the substrate W . However, it is not limited to this. For example, according to the thickness of the main part 13 of the board|substrate W, the control part 9 may change the flow volume M. As shown in FIG. For example, as the thickness of the main part 13 of the board|substrate W becomes large, the control part 9 may make the flow volume M large.

상술한 실시형태에 있어서, 이동 속도(VA)를 더욱 세분화해도 된다. 예를 들면, 이동 속도(VA)를, 수평 이동 속도(VAH)와 연직 이동 속도(VAZ)와 회전 속도(VAR)로 나누어도 된다. 여기서, 수평 이동 속도(VAH)는, 수평 방향에 있어서의 핸드(33)의 이동 속도이다. 연직 이동 속도(VAZ)는, 상하 방향(Z)에 있어서의 핸드(33)의 이동 속도이다. 회전 속도(VAR)는, 회전축선(A1) 둘레로 회전하는 핸드(33)의 이동 속도이다. 제어부(9)는, 단계 S13에 있어서, 수평 이동 속도(VAH)와 연직 이동 속도(VAZ)와 회전 속도(VAR)를 개별적으로 결정해도 된다.In the above-described embodiment, the moving speed VA may be further subdivided. For example, you may divide movement speed VA into horizontal movement speed VAH, vertical movement speed VAZ, and rotation speed VAR. Here, the horizontal movement speed VAH is the movement speed of the hand 33 in the horizontal direction. The vertical movement speed VAZ is the movement speed of the hand 33 in the vertical direction Z. The rotational speed VAR is the moving speed of the hand 33 rotating around the rotational axis A1. In step S13, the control part 9 may determine the horizontal movement speed VAH, the vertical movement speed VAZ, and the rotation speed VAR individually.

상술한 실시형태에 있어서, 가속도(AA)를 더욱 세분화해도 된다. 예를 들면, 가속도(AA)를, 수평 가속도(AAH)와 연직 가속도(AAZ)와 회전 가속도(AAR)로 나누어도 된다. 여기서, 수평 가속도(AAH)는, 수평 방향에 있어서의 핸드(33)의 가속도이다. 연직 가속도(AAZ)는, 상하 방향(Z)에 있어서의 핸드(33)의 가속도이다. 회전 가속도(AAR)는, 회전축선(A1) 둘레로 회전하는 핸드(33)의 가속도이다. 제어부(9)는, 단계 S13에 있어서, 수평 가속도(AAH)와 연직 가속도(AAZ)와 회전 가속도(AAR)를 개별적으로 결정해도 된다.In the above-described embodiment, the acceleration AA may be further subdivided. For example, the acceleration AA may be divided into a horizontal acceleration AAH, a vertical acceleration AAZ, and a rotational acceleration AAR. Here, the horizontal acceleration AAH is the acceleration of the hand 33 in the horizontal direction. The vertical acceleration AAZ is the acceleration of the hand 33 in the vertical direction Z. The rotational acceleration AAR is the acceleration of the hand 33 rotating around the rotational axis A1. In step S13, the control unit 9 may determine the horizontal acceleration AAH, the vertical acceleration AAZ, and the rotational acceleration AAR individually.

상술한 실시형태에 있어서, 이동 속도(VB)를 더욱 세분화해도 된다. 예를 들면, 이동 속도(VB)를, 수평 이동 속도(VBH)와 연직 이동 속도(VBZ)와 회전 속도(VBR)로 나누어도 된다. 여기서, 수평 이동 속도(VBH)는, 수평 방향에 있어서의 핸드(61)의 이동 속도이다. 연직 이동 속도(VBZ)는, 상하 방향(Z)에 있어서의 핸드(61)의 이동 속도이다. 회전 속도(VBR)는, 회전축선(A2) 둘레로 회전하는 핸드(61)의 이동 속도이다. 제어부(9)는, 단계 S25에 있어서, 수평 이동 속도(VBH)와 연직 이동 속도(VBZ)와 회전 속도(VBR)를 개별적으로 결정해도 된다.In the above-described embodiment, the moving speed VB may be further subdivided. For example, you may divide the moving speed VB into horizontal moving speed VBH, vertical moving speed VBZ, and rotational speed VBR. Here, the horizontal movement speed VBH is the movement speed of the hand 61 in the horizontal direction. The vertical movement speed VBZ is the movement speed of the hand 61 in the vertical direction Z. The rotational speed VBR is a moving speed of the hand 61 rotating around the rotational axis A2. The control unit 9 may determine the horizontal movement speed VBH, the vertical movement speed VBZ, and the rotation speed VBR individually in step S25.

상술한 실시형태에 있어서, 가속도(AB)를 더욱 세분화해도 된다. 예를 들면, 가속도(AB)를, 수평 가속도(ABH)와 연직 가속도(ABZ)와 회전 가속도(ABR)로 나누어도 된다. 여기서, 수평 가속도(ABH)는, 수평 방향에 있어서의 핸드(61)의 가속도이다. 연직 가속도(ABZ)는, 상하 방향(Z)에 있어서의 핸드(61)의 가속도이다. 회전 가속도(ABR)는, 회전축선(A2) 둘레로 회전하는 핸드(61)의 가속도이다. 제어부(9)는, 단계 S25에 있어서, 수평 가속도(ABH)와 연직 가속도(ABZ)와 회전 가속도(ABR)를 개별적으로 결정해도 된다.In the above-described embodiment, the acceleration AB may be further subdivided. For example, the acceleration AB may be divided into a horizontal acceleration ABH, a vertical acceleration ABZ, and a rotational acceleration ABR. Here, the horizontal acceleration ABH is the acceleration of the hand 61 in the horizontal direction. The vertical acceleration ABZ is the acceleration of the hand 61 in the vertical direction Z. The rotational acceleration ABR is the acceleration of the hand 61 rotating around the rotational axis A2. In step S25, the control unit 9 may individually determine the horizontal acceleration ABH, the vertical acceleration ABZ, and the rotational acceleration ABR.

상술한 실시형태에서는, 제1 플레이트(101)에 형성되는 제1 취출구(105)의 수는 1개이다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 제1 플레이트(101)에 형성되는 제1 취출구(105)의 수는 복수여도 된다.In the above-described embodiment, the number of the first air outlets 105 formed in the first plate 101 is one. However, it is not limited to this. The number of the 1st blow-out ports 105 formed in the 1st plate 101 may be plural.

상술한 실시형태에서는, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받고(단계 S32), 그 후, 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 개시한다(단계 S33). 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받기 전에, 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 개시해도 된다. 본 변형 실시형태에 의하면, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받을 수 있다.In the above-described embodiment, the lift pins 116 receive the substrate W from the conveying mechanism 8 (step S32), and thereafter, the first air outlet 105 starts taking out the gas (step S33). However, it is not limited to this. For example, before the lift pin 116 receives the board|substrate W from the conveyance mechanism 8, the 1st blow-out port 105 may start taking out the gas. According to this modified embodiment, the lift pin 116 can receive the board|substrate W from the conveyance mechanism 8 in the state in which the 1st blow-out port 105 is taking out the gas.

상술한 실시형태에서는, 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 정지하고(단계 S43), 그 후, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다(단계 S44). 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨 후에, 제1 취출구(105)가 기체의 취출을 정지해도 된다. 본 변형 실시형태에 의하면, 제1 취출구(105)가 기체를 취출하고 있는 상태에서, 리프트 핀(116)은 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넬 수 있다.In the above-described embodiment, the first blow-out port 105 stops blowing out the gas (step S43), and then the lift pins 116 deliver the substrate W to the conveying mechanism 8 (step S44). However, it is not limited to this. For example, after the lift pin 116 hands the board|substrate W to the conveyance mechanism 8, the 1st blow-out port 105 may stop taking out of a gas. According to this modified embodiment, the lift pins 116 can pass the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 in the state in which the 1st blow-out port 105 is taking out the gas.

본 변형 실시형태에서는, 제1 취출구(105)가 취출하는 기체의 유량은, 반송 기구(8)의 흡인부(68)에 공급되는 기체의 유량보다 작은 것이 바람직하다. 이에 의하면, 반송 기구(8)가 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 취할 때, 흡인부(68)는 기판(W)을 용이하게 흡인할 수 있다. 바꾸어 말하면, 반송 기구(8)가 리프트 핀(116)으로부터 기판(W)을 취할 때, 핸드(61)는 기판(W)을 용이하게 유지할 수 있다.In this modified embodiment, it is preferable that the flow volume of the gas blown out by the 1st blow-out port 105 is smaller than the flow volume of the gas supplied to the suction part 68 of the conveyance mechanism 8. As shown in FIG. According to this, when the conveyance mechanism 8 takes the board|substrate W from the lift pin 116, the attraction|suction part 68 can attract the board|substrate W easily. In other words, when the conveying mechanism 8 takes the board|substrate W from the lift pin 116, the hand 61 can hold the board|substrate W easily.

상술한 실시형태에서는, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받는다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 고정 핀(103)이 반송 기구(8)로부터 기판(W)을 받아도 된다. 바꾸어 말하면, 반송 기구(8)는, 리프트 핀(116)을 개재하지 않고, 고정 핀(103)에 기판(W)을 직접적으로 건네도 된다.In the embodiment described above, the lift pins 116 receive the substrate W from the conveyance mechanism 8 . However, it is not limited to this. The fixing pin 103 may receive the board|substrate W from the conveyance mechanism 8 . In other words, the conveyance mechanism 8 may pass the board|substrate W directly to the fixing pin 103 without interposing the lift pin 116 .

상술한 실시형태에서는, 리프트 핀(116)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건넨다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 고정 핀(103)이 반송 기구(8)에 기판(W)을 건네도 된다. 바꾸어 말하면, 반송 기구(8)는, 리프트 핀(116)을 개재하지 않고, 고정 핀(103)으로부터 직접적으로 기판(W)을 취해도 된다.In the above-described embodiment, the lift pins 116 hand the substrate W to the conveyance mechanism 8 . However, it is not limited to this. The fixing pin 103 may pass the board|substrate W to the conveyance mechanism 8 . In other words, the conveyance mechanism 8 may take the board|substrate W directly from the fixing pin 103 without interposing the lift pin 116 .

상술한 실시형태에 있어서, 제1 처리 유닛(7A)의 제1 취출구(105)는, 기체에 더하여, 순수를 토출해도 된다.In the above-described embodiment, the first air outlet 105 of the first processing unit 7A may discharge pure water in addition to the gas.

도 42는, 변형 실시형태에 있어서의 제1 처리 유닛(141)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 실시형태의 제1 처리 유닛(7A)과 같은 구성에 대해서는 동일 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.42 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 141 in the modified embodiment. In addition, detailed description is abbreviate|omitted by attaching|subjecting the same code|symbol about the structure similar to the 1st processing unit 7A of embodiment.

변형 실시형태에 있어서의 제1 처리 유닛(141)은, 순수 공급부(142)를 구비한다. 순수 공급부(142)는, 제1 취출구(105)를 통해 기판(W)에 순수를 토출한다.The first processing unit 141 in the modified embodiment includes a pure water supply unit 142 . The pure water supply unit 142 discharges the pure water to the substrate W through the first outlet 105 .

순수 공급부(142)는, 배관(143)을 구비한다. 배관(143)은, 제1 취출구(105)에 순수를 공급한다. 배관(143)은, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 배관(143)의 제1 단은, 순수 공급원(144)에 접속된다. 배관(143)의 제2 단은, 제1 취출구(105)에 접속된다.The pure water supply unit 142 includes a pipe 143 . The pipe 143 supplies pure water to the first outlet 105 . The pipe 143 has a first end and a second end. The first end of the pipe 143 is connected to a pure water supply source 144 . The second end of the pipe 143 is connected to the first outlet 105 .

제1 처리 유닛(141)은, 유량 조정부(145)를 구비한다. 유량 조정부(145)는, 배관(143)에 설치된다. 유량 조정부(145)는, 순수 공급부(142)가 기판(W)에 공급하는 순수의 유량을 조정한다. 즉, 유량 조정부(145)는, 제1 취출구(105)가 토출하는 순수의 유량을 조정한다. 유량 조정부(145)는, 제어부(9)에 의해 제어된다.The first processing unit 141 includes a flow rate adjusting unit 145 . The flow rate adjusting unit 145 is provided in the pipe 143 . The flow rate adjustment unit 145 adjusts the flow rate of the pure water supplied to the substrate W by the pure water supply unit 142 . That is, the flow rate adjusting unit 145 adjusts the flow rate of the pure water discharged by the first blowing port 105 . The flow rate adjustment unit 145 is controlled by the control unit 9 .

제1 취출구(105)는, 기체와 순수를 동시에 내도 된다. 혹은, 제1 취출구(105)는, 기체를 취출하는 일 없이, 순수를 토출해도 된다. 이에 의하면, 제1 취출구(105)로부터 토출된 순수가, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)에 닿아, 기판(W)의 중앙부에 있어서의 하면(16)이 하방으로 만곡하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다. 따라서, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다.The first air outlet 105 may discharge gas and pure water at the same time. Alternatively, the first blowing port 105 may discharge pure water without blowing out gas. According to this, the pure water discharged from the first outlet 105 hits the lower surface 16 in the central portion of the substrate W, and the lower surface 16 in the central portion of the substrate W curves downward. It can be prevented more suitably. Accordingly, it is possible to more suitably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

기판(W)에 처리액을 공급할 때(단계 S39), 제1 취출구(105)는, 기체와 순수를 동시에 내도 된다. 혹은, 기판(W)에 처리액을 공급할 때(단계 S39), 제1 취출구(105)는, 기체를 취출하는 일 없이, 순수를 토출해도 된다. 이에 의하면, 처리액 공급부(121)가 처리액을 기판(W)에 공급할 때, 기판(W)이 제1 플레이트(101)의 상면(102)에 접촉하는 것을 한층 적합하게 방지할 수 있다.When supplying the processing liquid to the substrate W (step S39 ), the first blowing port 105 may simultaneously discharge gas and pure water. Alternatively, when supplying the processing liquid to the substrate W (step S39 ), the first blowing port 105 may discharge pure water without blowing out gas. Accordingly, when the processing liquid supply unit 121 supplies the processing liquid to the substrate W, it is possible to more suitably prevent the substrate W from coming into contact with the upper surface 102 of the first plate 101 .

본 변형 실시형태에서는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이의 공간을 순수로 채우지 않는(액밀(液密)하게 하지 않는) 것이 바람직하다. 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이의 공간에 기체를 흐르게 해, 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 적절한 흡인력을 작용시키기 때문이다.In this modified embodiment, the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 is not filled with pure water (liquid-tight). not) is preferable. A gas flows in the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 , and the substrate W supported by the fixing pins 103 . This is because it has an appropriate suction force.

상술한 실시형태에 있어서, 제1 취출구(105)는, 기체에 더하여, 처리액을 토출해도 된다. 처리액 공급부(121)는, 제1 취출구(105)를 통해 기판(W)에 처리액을 토출해도 된다.In the above-described embodiment, the first outlet 105 may discharge the processing liquid in addition to the gas. The processing liquid supply unit 121 may discharge the processing liquid to the substrate W through the first outlet 105 .

도 43은, 변형 실시형태에 있어서의 제1 처리 유닛(151)의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 실시형태의 제1 처리 유닛(7A)과 같은 구성에 대해서는 동일 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.43 is a diagram schematically showing the configuration of the first processing unit 151 in the modified embodiment. In addition, detailed description is abbreviate|omitted by attaching|subjecting the same code|symbol about the structure similar to the 1st processing unit 7A of embodiment.

처리액 공급부(121)는, 배관(153)을 구비한다. 배관(153)은, 제1 취출구(105)에 처리액을 공급한다. 배관(153)은, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 배관(153)의 제1 단은, 처리액 공급원(154)에 접속된다. 배관(153)의 제2 단은, 제1 취출구(105)에 접속된다.The processing liquid supply unit 121 includes a pipe 153 . The pipe 153 supplies the processing liquid to the first outlet 105 . The pipe 153 has a first end and a second end. The first end of the pipe 153 is connected to a processing liquid supply source 154 . The second end of the pipe 153 is connected to the first outlet 105 .

제1 처리 유닛(141)은, 유량 조정부(155)를 구비한다. 유량 조정부(155)는, 배관(153)에 설치된다. 유량 조정부(155)는, 처리액 공급부(121)가 기판(W)에 공급하는 처리액의 유량을 조정한다. 보다 상세하게는, 유량 조정부(155)는, 제1 취출구(105)가 토출하는 처리액의 유량을 조정한다. 유량 조정부(155)는, 제어부(9)에 의해 제어된다.The first processing unit 141 includes a flow rate adjusting unit 155 . The flow rate adjusting unit 155 is provided in the pipe 153 . The flow rate adjusting unit 155 adjusts the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate W by the processing liquid supplying unit 121 . In more detail, the flow rate adjusting unit 155 adjusts the flow rate of the processing liquid discharged by the first outlet 105 . The flow rate adjustment unit 155 is controlled by the control unit 9 .

기판(W)에 처리액을 공급할 때(단계 S39), 제1 취출구(105)는, 기체와 처리액을 동시에 내도 된다. 이에 의하면, 기판(W)의 하면(16)에 처리액을 공급할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 하면(16)을 적합하게 처리할 수 있다.When supplying the processing liquid to the substrate W (step S39 ), the first outlet 105 may simultaneously discharge the gas and the processing liquid. Accordingly, the processing liquid can be supplied to the lower surface 16 of the substrate W. Therefore, the lower surface 16 of the board|substrate W can be processed suitably.

본 변형 실시형태에서는, 제1 플레이트(101)의 상면(102)과 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)의 하면(16) 사이의 공간을 처리수로 채우지 않는(액밀하게 하지 않는) 것이 바람직하다. 고정 핀(103)에 지지되는 기판(W)에 적절한 흡인력을 작용시키기 때문이다.In this modified embodiment, the space between the upper surface 102 of the first plate 101 and the lower surface 16 of the substrate W supported by the fixing pins 103 is not filled with treated water (not liquid-tight). it is preferable This is because an appropriate suction force is applied to the substrate W supported by the fixing pin 103 .

상술한 실시형태에서는, 제어부(9)는, 바코드 리더(31)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 취득한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 제어부(9)가 기판(W)의 형상을 취득하는 변형 실시형태로서, 4개의 예를 이하에 예시한다.In the above-described embodiment, the control unit 9 acquires the shape of the substrate W based on the detection result of the barcode reader 31 . However, it is not limited to this. As a modified embodiment in which the control part 9 acquires the shape of the board|substrate W, four examples are illustrated below.

제1 예Example 1

기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 부여되는 기판 정보를 판독하는 기판 정보 검출부를 구비해도 된다. 제어부(9)는, 기판 정보 검출부의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정해도 된다. 여기서, 기판(W)에 부여되는 기판 정보는, 예를 들면, 기판(W)에 인자되는 식별 코드이다. 기판 정보 검출부는, 예를 들면, 리더이다.The substrate processing apparatus 1 may be provided with a substrate information detection unit that reads substrate information provided to the substrate W . The control part 9 may determine the shape of the board|substrate W based on the detection result of a board|substrate information detection part. Here, the board|substrate information given to the board|substrate W is an identification code printed on the board|substrate W, for example. The board|substrate information detection part is a reader, for example.

제2 예2nd example

기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 촬상하는 촬상부를 구비해도 된다. 제어부(9)는, 촬상부의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정해도 된다. 촬상부는, 예를 들면, 일차원 이미지 센서나 이차원 이미지 센서이다.The substrate processing apparatus 1 may be equipped with the imaging part which images the board|substrate W. The control part 9 may determine the shape of the board|substrate W based on the detection result of an imaging part. The imaging unit is, for example, a one-dimensional image sensor or a two-dimensional image sensor.

제3 예3rd example

제어부(9)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득해도 된다. 기판 처리 장치(1)의 외부 기기는, 예를 들면, 호스트 컴퓨터이다. 제어부(9)가 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득하기 전에, 제어부(9)는, 예를 들면, 바코드 리더(31)의 검출 결과를 외부 기기에 송신해도 된다. 제어부(9)가 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득하기 전에, 제어부(9)는, 예를 들면, 기판 검출부(38, 89, 127)의 검출 결과를 외부 기기에 송신해도 된다.The control unit 9 may acquire information regarding the shape of the substrate W from an external device of the substrate processing apparatus 1 . The external device of the substrate processing apparatus 1 is, for example, a host computer. Before the control unit 9 acquires information regarding the shape of the substrate W from the external device, the control unit 9 may transmit, for example, the detection result of the barcode reader 31 to the external device. Before the control unit 9 acquires information regarding the shape of the substrate W from the external device, the control unit 9 may transmit, for example, the detection result of the substrate detection units 38, 89, 127 to the external device. do.

제4 예4th example

기판 처리 장치(1)는, 기판의 형상에 관한 정보를 입력 가능한 입력부를 구비해도 된다. 제어부(9)는, 입력부에 입력된 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득해도 된다.The substrate processing apparatus 1 may be equipped with the input part which can input the information regarding the shape of a board|substrate. The control part 9 may acquire the information regarding the shape of the board|substrate W input to the input part.

제3 예 또는 제4 예에 있어서, 기판(W)의 형상에 관한 정보는, 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보여도 된다. 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보는, 예를 들면, 기판(W)이 제1 기판(W1), 제2 기판(W2) 및 제3 기판(W3) 중 어느 쪽에 속하는지를 직접적으로 나타내는 정보이다. 제어부(9)가 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보를 취득한 경우, 제어부(9)는, 기판(W)의 형상을 판정하는 단계 S2를 행하지 않는다.In the third example or the fourth example, the information regarding the shape of the substrate W may be information directly indicating the shape of the substrate W. As shown in FIG. The information directly indicating the shape of the substrate W is, for example, directly indicating which side the substrate W belongs to among the first substrate W1, the second substrate W2, and the third substrate W3. it is information When the control unit 9 acquires information directly indicating the shape of the substrate W, the control unit 9 does not perform step S2 of determining the shape of the substrate W.

제3 예 또는 제4 예에 있어서, 기판(W)의 형상에 관한 정보는, 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보여도 된다. 제어부(9)가 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보를 취득한 경우, 제어부(9)는, 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정하는 단계 S2를 행한다.In the third example or the fourth example, the information regarding the shape of the substrate W may be information indirectly indicating the shape of the substrate W. As shown in FIG. When the control unit 9 acquires information indirectly indicating the shape of the substrate W, the control unit 9 determines the shape of the substrate W based on the information indirectly indicating the shape of the substrate W. Step S2 is performed.

상술한 실시형태에서는, 제어부(9)는, 높이 위치(HA, HB)를 결정하는 단계 S11, 삽입량(KA, KB)을 결정하는 단계 S12, 및 이동 속도(VA) 및 가속도(AA)를 결정하는 단계 S13을 실행한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 단계 S11, S12, S13 중 적어도 어느 한쪽을 생략해도 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 단계 S11, S12, S13 중 적어도 어느 한쪽을 실행하지 않아도 된다.In the above-described embodiment, the control unit 9 controls the step S11 of determining the height positions HA, HB, the step S12 of determining the insertion amounts KA, KB, and the moving speed VA and the acceleration AA. The determining step S13 is executed. However, it is not limited to this. For example, at least one of steps S11, S12, and S13 may be omitted. For example, the control unit 9 does not need to execute at least one of steps S11, S12, and S13.

상술한 실시형태에서는, 제어부(9)는, 높이 위치(HC)를 결정하는 단계 S21, 삽입량(KC)을 결정하는 단계 S22, 유량(M)을 결정하는 단계 S23, 처리 유닛(7)을 결정하는 단계 S24, 및 이동 속도(VB) 및 가속도(AB)를 결정하는 단계 S25를 실행한다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 단계 S21, S22, S23, S24, S25 중 적어도 어느 한쪽을 생략해도 된다. 예를 들면, 제어부(9)는, 단계 S21, S22, S23, S24, S25 중 적어도 어느 한쪽을 실행하지 않아도 된다.In the above-described embodiment, the control unit 9 controls the step S21 of determining the height position HC, the step S22 of determining the insertion amount KC, the step S23 of determining the flow rate M, and the processing unit 7 . Step S24 of determining and step S25 of determining the moving speed VB and acceleration AB are executed. However, it is not limited to this. For example, at least one of steps S21, S22, S23, S24, and S25 may be omitted. For example, the control unit 9 does not need to execute at least one of steps S21, S22, S23, S24, and S25.

상술한 실시형태에서는, 반송 기구(4, 8)의 구조를 예시했다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 반송 기구(4)는, 회전부(34d) 및 진퇴 이동부(34e)를 대신해서, 다관절 아암을 구비해도 된다. 다관절 아암은, 수직 이동부(34c)에 지지되고, 또한, 핸드(33)를 지지한다. 예를 들면, 반송 기구(4)는, 레일(34a) 및 수평 이동부(34b)를 생략하고, 대 또는 지주를 구비해도 된다. 대 또는 지주는, 고정적으로 설치되어, 수직 이동부(34c)를 지지한다. 예를 들면, 반송 기구(8)는, 회전부(62c) 및 진퇴 이동부(62d)를 대신해서, 다관절 아암을 구비해도 된다. 다관절 아암은, 수직 이동부(62b)에 지지되어, 핸드(61)를 지지한다.In the above-mentioned embodiment, the structure of the conveyance mechanisms 4 and 8 was illustrated. However, it is not limited to this. For example, the conveyance mechanism 4 may replace with the rotation part 34d and the forward/backward movement part 34e, and may be provided with a multi-joint arm. The articulated arm is supported by the vertical moving part 34c and also supports the hand 33 . For example, the conveyance mechanism 4 may abbreviate|omit the rail 34a and the horizontal movement part 34b, and may be provided with a stand or a support|pillar. The stand or post is fixedly installed and supports the vertical moving part 34c. For example, the conveyance mechanism 8 may replace with the rotating part 62c and the forward/backward moving part 62d, and may be provided with a multi-joint arm. The articulated arm is supported by the vertical moving part 62b to support the hand 61 .

상술한 실시형태에서는, 처리 블록(5)에 설치되는 반송 기구의 수는 1개이다. 단, 이것으로 한정되지 않는다. 처리 블록(5)에 설치되는 반송 기구의 수는 2개 이상이어도 된다. 즉, 처리 블록(5)은, 2개 이상의 반송 기구를 구비해도 된다. 예를 들면, 복수의 반송 기구를 처리 블록(5)의 반송 스페이스(41)에 설치해도 된다. 예를 들면, 복수의 반송 기구는 전후 방향(X)으로 늘어서도록 배치되어도 된다. 처리 블록(5)에 있어서의 반송 기구의 수에 따라, 처리 유닛(7)의 개수를 늘려도 된다. 전후 방향(X)으로 늘어서는 처리 유닛(7)의 수를, 적절히 변경해도 된다.In the above-described embodiment, the number of conveying mechanisms provided in the processing block 5 is one. However, it is not limited to this. The number of conveying mechanisms provided in the processing block 5 may be two or more. That is, the processing block 5 may include two or more conveying mechanisms. For example, a plurality of transport mechanisms may be provided in the transport space 41 of the processing block 5 . For example, a some conveyance mechanism may be arrange|positioned so that it may line up in the front-back direction X. The number of processing units 7 may be increased according to the number of conveying mechanisms in the processing block 5 . You may change the number of the processing units 7 in a line in the front-back direction X suitably.

상술한 실시형태 및 각 변형 실시형태에 대해서는, 추가로 각 구성을 다른 변형 실시형태의 구성으로 치환 또는 조합하는 등 해서 적절히 변경해도 된다.About the above-mentioned embodiment and each modified embodiment, you may change suitably by substituting or combining each structure with the structure of another modified embodiment, etc. further.

본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아닌, 부가된 클레임을 참조해야 한다.The present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essence thereof, and accordingly, reference should be made to the appended claims rather than the above description as indicating the scope of the invention.

1: 기판 처리 장치 2: 인덱서부
3: 캐리어 재치부 4: 반송 기구(제2 반송 기구)
5: 처리 블록 6: 재치부(제1 위치, 제2 위치)
7: 처리 유닛(제1 위치, 제2 위치) 7A: 제1 처리 유닛
7B: 제2 처리 유닛 8: 반송 기구(제1 반송 기구)
9: 제어부 11: 기판 본체
12: 기판의 주연부 13: 기판의 주부
14: 기판의 오목부 15: 보호 플레이트
16: 기판의 하면 17: 기판의 상면
18: 기판의 제1 측부 19: 기판의 제2 측부
20: 기판의 끝가장자리 22: 선반
23: 제1 선반 24: 제2 선반
31: 바코드 리더 33: 핸드
34: 핸드 구동부 35: 연결부
36: 로드 37: 접촉부
38: 기판 검출부 45: 선반
46: 제1 선반 47: 제2 선반
51: 제1 경사면 51T: 제1 경사면의 상단
51B: 제1 경사면의 하단 51M: 제1 경사면의 중간점
52: 상측 경사면 53: 하측 경사면
55: 제2 경사면 56: 상측 경사면
57: 하측 경사면 61: 핸드
62: 핸드 구동부 64: 연결부
65: 베이스부 66: 가지부
68: 흡인부 69: 흡인 패드
71: 기체 공급로 72: 기체 공급원
73: 흡인 조정부 74: 접촉부
75: 제1 접촉부 76: 제2 접촉부
77: 벽부 78: 제1 벽부
79: 제2 벽부 80: 제3 벽부
81: 받이부 82: 제1 받이부
83: 제2 받이부 86: 받이부 구동부
87: 액추에이터 88: 탄성 부재
89: 기판 검출부 91: 기판 유지부
91A: 제1 기판 유지부 91B: 제2 기판 유지부
92: 회전 구동부 92A: 제1 회전 구동부
92B: 제2 회전 구동부 93: 가드
101: 제1 플레이트 102: 상면
103: 고정 핀(지지부) 104: 기체 취출구
105: 제1 취출구 106: 제2 취출구
107: 제1 기체 공급로 108: 제2 기체 공급로
109: 기체 공급원 111: 제1 취출 조정부
112: 제2 취출 조정부 113: 위치 조정 핀(위치 조정부)
114: 축부 116: 리프트 핀(승강부)
121: 처리액 공급부 122: 노즐
123: 배관 124: 처리액 공급원
125: 유량 조정부 127: 기판 검출부
131: 제2 플레이트 132: 상면
133: 끝가장자리 접촉 핀(끝가장자리 접촉부)
134: 소편부 135: 하면 접촉 핀
136: 축부 141: 제1 처리 유닛
142: 순수 공급부 143: 배관
144: 순수 공급원 145: 유량 조정부
151: 제1 처리 유닛 153: 배관
154: 처리액 공급원 155: 유량 조정부
A1, A2, A3, A4, A5, A6: 회전축선 C: 캐리어(제1 위치, 제2 위치)
D: 기판의 직경 D1: 통상 직경 기판의 직경
D2: 대경 기판
E1: 수평 방향으로 늘어서는 제1 선반(23)과 제2 선반(24)의 간격
E2: 수평 방향으로 늘어서는 제1 선반(46)과 제2 선반(47)의 간격(수평 방향에 있어서의 제1 경사면과 제2 경사면의 간격)
ET: 수평 방향에 있어서의 제1 경사면의 상단과 제2 경사면의 상단의 간격
EB: 수평 방향에 있어서의 제1 경사면의 하단과 제2 경사면의 하단의 간격
EM: 수평 방향에 있어서의 제1 경사면의 중간점과 제2 경사면의 중간점의 간격
F1: 제1 방향 F2: 제2 방향
F3: 제3 방향 F4: 제4 방향
HA, HB, HC: 높이 위치 HA1, HB1, HC1: 제1 높이 위치
HA2, HB2, HC2: 제2 높이 위치 HA3, HB3, HC3: 제3 높이 위치
J: 기판의 중심 KA, KB: 삽입량
KA1, KB1: 제1 삽입량 KA2, KB2: 제2 삽입량
L1: 제2 방향에 있어서의 2개의 로드의 전체의 길이
L2: 제1 방향에 있어서의 로드의 길이
L3: 제2 방향에 있어서의 1개의 로드의 길이
T1, T2, T3: 기판의 주부의 두께
T4, T5, T6: 기판의 주연부의 두께
VA, VB: 이동 속도 VA1, VB1: 제1 이동 속도
VA2, VB2: 제2 이동 속도 AA, AB: 가속도
AA1, AB1: 제1 가속도 AA2, AB2: 제2 가속도
M: 유량 M1: 제1 유량
M2: 제2 유량 M3: 제3 유량
W: 기판 W1: 제1 기판
W2: 제2 기판 W3: 제3 기판
WN: 통상 직경 기판 WD: 대경 기판
X: 전후 방향 Y: 폭 방향
Z: 상하 방향 θ1: 상측 경사면의 각도
θ2: 하측 경사면의 각도 1: substrate processing apparatus 2: indexer unit
3: carrier mounting part 4: conveyance mechanism (2nd conveyance mechanism)
5: processing block 6: placement unit (first position, second position)
7: processing unit (first position, second position) 7A: first processing unit
7B: second processing unit 8: conveying mechanism (first conveying mechanism)
9: Control part 11: Board body
12: the periphery of the substrate 13: the main part of the substrate
14: recessed part of the board|substrate 15: protection plate
16: lower surface of the substrate 17: upper surface of the substrate
18: first side of substrate 19: second side of substrate
20: end edge of the substrate 22: shelf
23: first shelf 24: second shelf
31: barcode reader 33: hand
34: hand drive part 35: connection part
36: rod 37: contact
38: substrate detection unit 45: shelf
46: first shelf 47: second shelf
51: first inclined surface 51T: upper end of the first inclined surface
51B: lower end of the first slope 51M: midpoint of the first slope
52: upper inclined surface 53: lower inclined surface
55: second inclined surface 56: upper inclined surface
57: lower slope 61: hand
62: hand drive unit 64: connection unit
65: base portion 66: branch portion
68: suction part 69: suction pad
71: gas supply path 72: gas supply source
73: suction adjustment part 74: contact part
75: first contact portion 76: second contact portion
77: wall 78: first wall
79: second wall portion 80: third wall portion
81: receiving unit 82: first receiving unit
83: second receiving part 86: receiving part driving part
87: actuator 88: elastic member
89: substrate detection unit 91: substrate holding unit
91A: first substrate holding part 91B: second substrate holding part
92: rotation driving unit 92A: first rotation driving unit
92B: second rotation driving unit 93: guard
101: first plate 102: upper surface
103: fixing pin (support) 104: gas outlet
105: first air outlet 106: second air outlet
107: first gas supply path 108: second gas supply path
109: gas supply source 111: first blow-out adjustment unit
112: second take-out adjustment unit 113: position adjustment pin (position adjustment unit)
114: shaft portion 116: lift pin (elevating portion)
121: treatment liquid supply unit 122: nozzle
123: pipe 124: treatment liquid supply source
125: flow rate adjustment unit 127: substrate detection unit
131: second plate 132: upper surface
133: edge contact pin (edge contact)
134: small piece portion 135: bottom contact pin
136: shaft 141: first processing unit
142: pure water supply 143: pipe
144: pure water source 145: flow control unit
151: first processing unit 153: piping
154: treatment liquid supply source 155: flow rate adjustment unit
A1, A2, A3, A4, A5, A6: axis of rotation C: carrier (first position, second position)
D: Diameter of the substrate D1: Normal diameter Diameter of the substrate
D2: large diameter board
E1: the distance between the first shelf 23 and the second shelf 24 arranged in the horizontal direction
E2: Distance between the first shelf 46 and the second shelf 47 arranged in the horizontal direction (interval between the first inclined surface and the second inclined surface in the horizontal direction)
ET: the distance between the upper end of the first inclined surface and the upper end of the second inclined surface in the horizontal direction
EB: the distance between the lower end of the first inclined surface and the lower end of the second inclined surface in the horizontal direction
EM: the distance between the midpoint of the first inclined plane and the midpoint of the second inclined plane in the horizontal direction
F1: first direction F2: second direction
F3: Third direction F4: Fourth direction
HA, HB, HC: height position HA1, HB1, HC1: first height position
HA2, HB2, HC2: second height position HA3, HB3, HC3: third height position
J: center of the substrate KA, KB: insertion amount
KA1, KB1: first insertion amount KA2, KB2: second insertion amount
L1: the total length of the two rods in the second direction
L2: length of the rod in the first direction
L3: the length of one rod in the second direction
T1, T2, T3: the thickness of the main part of the substrate
T4, T5, T6: thickness of the periphery of the substrate
VA, VB: movement speed VA1, VB1: first movement speed
VA2, VB2: second movement speed AA, AB: acceleration
AA1, AB1: first acceleration AA2, AB2: second acceleration
M: flow rate M1: first flow rate
M2: second flow rate M3: third flow rate
W: substrate W1: first substrate
W2: second substrate W3: third substrate
WN: Normal diameter substrate WD: Large diameter substrate
X: Front-back direction Y: Width direction
Z: Up-down direction θ1: Angle of the upper inclined plane
θ2: angle of the lower slope

Claims (29)

기판 처리 방법으로서,
지지부에 의해 제1 플레이트의 상면보다 상방의 위치에서 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 단계를 구비하고,
처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되는 제1 취출구(吹出口)로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되는 제2 취출구로부터 상방으로, 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 지지부에 기판을 건네는 단계를 구비하고,
상기 지지부에 기판을 건네는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising:
and supplying a processing liquid to the substrate supported at a position above the upper surface of the first plate by the support unit,
In the step of supplying the processing liquid to the substrate, the gas is blown upward from a first air outlet formed in the central portion of the upper surface of the first plate, and further, at the periphery of the upper surface of the first plate. From the formed second outlet, the gas is blown upward at a flow rate greater than that of the first outlet,
passing the substrate to the support,
The step of passing the substrate to the support part is a substrate processing method, wherein the gas is blown upward from the first blowing port, and the gas is not blown out from the second blowing port. 기판 처리 방법으로서,
지지부에 의해 제1 플레이트의 상면보다 상방의 위치에서 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 단계를 구비하고,
처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되는 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되는 제2 취출구로부터 상방으로, 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
위치 조정부가 상기 지지부에 지지되는 기판과 접촉함으로써, 수평 방향에 있어서의 기판의 위치를 조정하는 단계를 구비하고,
기판의 위치를 조정하는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising:
and supplying a processing liquid to the substrate supported at a position above the upper surface of the first plate by the support unit,
In the step of supplying the processing liquid to the substrate, gas is blown upwardly from a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate, and a second gas formed in a periphery of the upper surface of the first plate is also provided. The gas is blown upward from the air outlet at a flow rate greater than that of the first air outlet;
adjusting the position of the substrate in the horizontal direction by the positioning unit being in contact with the substrate supported by the supporting unit;
The step of adjusting the position of the substrate is a substrate processing method, wherein the gas is blown upward from the first blowing port, and the gas is not blown out from the second blowing port. 청구항 2에 있어서,
상기 위치 조정부를 상기 지지부에 지지되는 기판으로부터 떨어트리는 단계를 구비하고,
상기 위치 조정부를 기판으로부터 떨어트리는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 상방으로 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 2,
and dropping the position adjusting unit from the substrate supported by the supporting unit,
The step of removing the positioning unit from the substrate includes blowing out gas upward from the first blowing port, and blowing out gas upwardly from the second blowing port at a flow rate greater than that of the first blowing port. 청구항 2에 있어서,
처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 기판이 상기 위치 조정부와 접촉하고 있지 않은 상태에서 실행되는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 2,
The substrate processing method, wherein the step of supplying the processing liquid to the substrate is performed in a state where the substrate is not in contact with the positioning unit. 기판 처리 방법으로서,
지지부에 의해 제1 플레이트의 상면보다 상방의 위치에서 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 단계를 구비하고,
처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되는 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되는 제2 취출구로부터 상방으로, 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 지지부로부터 기판을 취하는 단계를 구비하고,
상기 지지부로부터 기판을 취하는 상기 단계는, 상기 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구로부터 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising:
and supplying a processing liquid to the substrate supported at a position above the upper surface of the first plate by the support unit,
In the step of supplying the processing liquid to the substrate, gas is blown upwardly from a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate, and a second gas formed in a periphery of the upper surface of the first plate is also provided. The gas is blown upward from the air outlet at a flow rate greater than that of the first air outlet;
taking the substrate from the support;
wherein the step of taking out the substrate from the support part takes out gas upwardly from the first blow-out port and does not take out the gas from the second blow-out port. 기판 처리 방법으로서,
지지부에 의해 제1 플레이트의 상면보다 상방의 위치에서 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 단계를 구비하고,
처리액을 기판에 공급하는 상기 단계는, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되는 제1 취출구로부터 상방으로 기체를 취출하고, 또한, 상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되는 복수의 제2 취출구로부터 상방으로, 상기 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 복수의 상기 제2 취출구는 각각, 상기 제1 플레이트의 상면과 상기 지지부에 지지되는 기판의 하면 사이에 기체를 취출함으로써, 기판을 하방으로 흡인하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising:
and supplying a processing liquid to the substrate supported at a position above the upper surface of the first plate by the support unit,
In the step of supplying the processing liquid to the substrate, the gas is blown upwardly from a first air outlet formed in the central portion of the upper surface of the first plate, and a plurality of the plurality of gases formed in the periphery of the upper surface of the first plate are removed. The gas is blown upward from the second air outlet at a flow rate greater than that of the first air outlet;
The plurality of second air outlets each draw gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support, thereby sucking the substrate downward. 청구항 6에 있어서,
상기 제1 취출구는, 기판의 회전축선 상에 배치되고,
상기 복수의 제2 취출구는, 상기 회전축선의 둘레의 원주 상에 배열되는, 기판 처리 방법.7. The method of claim 6,
The first air outlet is disposed on the rotation axis of the substrate,
The plurality of second air outlets are arranged on a circumference around the rotation axis. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량과, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 서로 독립적으로 조정 가능한, 기판 처리 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate processing method, wherein the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port and the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port can be adjusted independently of each other. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 지지부가 기판을 받을 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein when the support part receives a substrate, the first air outlet takes out gas, and the second air outlet does not take out gas. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 지지부가 기판을 받기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 개시하고,
상기 지지부가 기판을 받은 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 개시하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
Before the support part receives the substrate, the first outlet starts blowing out the gas,
The second outlet starts blowing out the gas after the support part receives the substrate and before the process liquid supply part supplies the process liquid to the substrate supported by the support part. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 제1 처리 유닛은,
상기 제1 플레이트에 대해 수평 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되고, 상기 지지부에 지지되는 기판과 접촉하여, 수평 방향에 있어서의 기판의 위치를 조정하는 위치 조정부를 구비하고,
상기 위치 조정부가 상기 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The first processing unit,
a position adjusting unit supported by the first plate so as to be movable in the horizontal direction with respect to the first plate and in contact with the substrate supported by the supporting unit to adjust the position of the substrate in the horizontal direction;
When the positioning unit adjusts the position of the substrate supported by the support unit, the first air outlet takes out gas, and the second air outlet does not take out gas. 청구항 11에 있어서,
상기 위치 조정부가 지지부에 지지되는 기판의 위치를 조정한 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 개시하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
after the position adjusting unit adjusts the position of the substrate supported by the support and before the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support, the second outlet starts blowing out the gas. . 청구항 11에 있어서,
상기 제2 취출구가 기체를 취출한 후이며 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하기 전에, 상기 위치 조정부는 기판으로부터 떨어지는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
and the positioning unit is separated from the substrate after the second outlet blows out the gas and before the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 지지부로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치. A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the substrate is taken out from the support portion, the first blow-out port blows out gas, and the second blow-out port takes no gas. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후이며 상기 지지부로부터 기판을 취하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 정지하고,
상기 지지부로부터 기판을 취한 후에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 정지하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
After the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the supporting unit and before taking the substrate from the supporting unit, the second outlet stops blowing out the gas;
After taking out the substrate from the support part, the said 1st blow-out port stops taking-out of the gas, the substrate processing apparatus. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 제1 처리 유닛은,
상기 제1 플레이트에 대해 상하 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되며, 기판을 하강시킴으로써 상기 지지부에 기판을 건네는 승강부를 구비하고,
상기 지지부가 상기 승강부로부터 기판을 받을 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The first processing unit,
and a lifting unit supported by the first plate so as to be movable in the vertical direction with respect to the first plate, and passing the substrate to the supporting unit by lowering the substrate;
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein when the support part receives the substrate from the elevating part, the first air outlet takes out gas, and the second air outlet does not take out gas. 청구항 16에 있어서,
기판 처리 장치는,
상기 승강부에 기판을 건네는 제1 반송 기구를 구비하고,
상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,
상기 승강부는, 상기 제1 반송 기구로부터 기판을 받고,
상기 승강부가 상기 제1 반송 기구로부터 기판을 받은 후이며 상기 승강부가 상기 지지부에 기판을 건네기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 개시하는, 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
Substrate processing apparatus,
and a first transfer mechanism for passing the substrate to the lifting unit;
The control unit further controls the first conveying mechanism,
The lifting unit receives the substrate from the first transfer mechanism,
The substrate processing apparatus, wherein the first air outlet starts taking out the gas after the elevating unit receives the substrate from the first conveying mechanism and before the elevating unit hands the substrate to the support unit. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 제1 플레이트에 대해 상하 방향으로 이동 가능하게 상기 제1 플레이트에 지지되며, 상기 지지부로부터 기판을 취하여, 기판을 상승시키는 승강부를 구비하고,
상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
It is supported by the first plate so as to be movable in the vertical direction with respect to the first plate, and includes an elevating unit for taking the substrate from the supporting unit to raise the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the elevating part takes the substrate from the support part, the first air outlet takes out gas, and the second air outlet does not take out the gas. 청구항 18에 있어서,
상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급한 후이며 상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취하기 전에, 상기 제2 취출구는 기체의 취출을 정지하는, 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
The second outlet stops blowing out the gas after the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support and before the lifting unit takes the substrate from the support. 청구항 18에 있어서,
기판 처리 장치는,
상기 승강부로부터 기판을 취하는 제1 반송 기구를 구비하고,
상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,
상기 승강부는, 상기 제1 반송 기구에 기판을 건네고,
상기 승강부가 상기 지지부로부터 기판을 취한 후이며 상기 승강부가 상기 제1 반송 기구에 기판을 건네기 전에, 상기 제1 취출구는 기체의 취출을 정지하는, 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
Substrate processing apparatus,
a first transport mechanism for taking the substrate from the lifting unit;
The control unit further controls the first conveying mechanism,
The lifting unit passes the substrate to the first transfer mechanism,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first air outlet stops taking out the gas after the elevating unit takes the substrate from the supporting unit and before the elevating unit hands the substrate to the first conveying mechanism. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
기판 처리 장치는,
상기 제1 처리 유닛에 기판을 반송하는 제1 반송 기구를 구비하고,
상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,
상기 제1 반송 기구는,
기판의 상면 및 하면 중 어느 한쪽을 따라 기체를 흐르게 하여, 기판과 접촉하는 일 없이 기판을 흡인하는 흡인부와,
상기 흡인부에 공급하는 기체의 유량을 조정하는 흡인 조정부를 구비하고,
상기 제1 반송 기구가 기판을 반송할 때, 상기 흡인 조정부는 상기 흡인부에 기체를 공급하고,
상기 제1 반송 기구가 상기 제1 처리 유닛에 기판을 건넬 때, 상기 흡인 조정부는 상기 흡인부에 기체를 공급하지 않고, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
Substrate processing apparatus,
a first transport mechanism for transporting a substrate to the first processing unit;
The control unit further controls the first conveying mechanism,
The first conveying mechanism,
a suction unit for flowing gas along either one of the upper and lower surfaces of the substrate to suck the substrate without contacting the substrate;
and a suction adjusting unit for adjusting the flow rate of the gas supplied to the suction unit,
when the first conveying mechanism conveys the substrate, the suction adjustment unit supplies gas to the suction unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the first conveying mechanism passes the substrate to the first processing unit, the suction adjusting unit does not supply gas to the suction unit, and the second air outlet does not blow out gas. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
기판 처리 장치는,
상기 제1 처리 유닛에 기판을 반송하는 제1 반송 기구를 구비하고,
상기 제어부는, 또한 상기 제1 반송 기구를 제어하고,
상기 제1 반송 기구는,
기판의 상면 및 하면 중 어느 한쪽을 따라 기체를 흐르게 하여, 기판과 접촉하는 일 없이 기판을 흡인하는 흡인부와,
상기 흡인부에 공급하는 기체의 유량을 조정하는 흡인 조정부를 구비하고,
상기 제1 반송 기구가 상기 제1 처리 유닛으로부터 기판을 취할 때, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 상기 흡인부에 공급되는 기체의 유량보다 작고, 또한, 상기 제2 취출구는 기체를 취출하지 않는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
Substrate processing apparatus,
a first transport mechanism for transporting a substrate to the first processing unit;
The control unit further controls the first conveying mechanism,
The first conveying mechanism,
a suction unit for flowing gas along either one of the upper and lower surfaces of the substrate to suck the substrate without contacting the substrate;
and a suction adjusting unit for adjusting the flow rate of the gas supplied to the suction unit,
When the first conveying mechanism takes the substrate from the first processing unit, the flow rate of the gas blown out by the first air outlet is smaller than the flow rate of the gas supplied to the suction unit, and the second air outlet blows out the gas. It does not, substrate processing equipment. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 제1 취출구는, 또한, 순수를 기판에 토출 가능한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The first air outlet is further capable of discharging pure water to the substrate. 청구항 23에 있어서,
상기 처리액 공급부는, 상기 지지부에 지지된 기판의 상방의 위치인 처리 위치로 이동 가능하고,
상기 처리액 공급부가 상기 처리 위치로부터, 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 순수를 상방으로 토출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 상기 제1 취출구가 취출하는 기체보다 큰 유량으로 기체를 취출하는, 기판 처리 장치.24. The method of claim 23,
The processing liquid supply unit is movable to a processing position, which is a position above the substrate supported by the support unit,
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid from the processing position to the substrate supported by the support unit, the first discharge port discharges pure water upward, and the second discharge port discharges gas from the first discharge port. A substrate processing apparatus that takes out gas at a larger flow rate. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 처리액 공급부는, 상기 제1 취출구를 통해, 처리액을 기판에 토출 가능한, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a second air outlet formed on a periphery of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under the control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the second air outlet blows out gas at a flow rate greater than that of the first air outlet. take out the gas,
The processing liquid supply unit is capable of discharging the processing liquid to the substrate through the first outlet. 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 제1 처리 유닛과,
상기 제1 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제1 처리 유닛은,
제1 플레이트와,
상기 제1 플레이트에 고정되며, 상기 제1 플레이트의 상면으로부터 상방으로 돌출하여, 기판의 하면 및 기판의 끝가장자리 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하고, 상기 제1 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제1 플레이트의 상기 상면의 주연부에 형성되며, 상기 제1 플레이트의 상기 상면과, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출하는 복수의 제2 취출구와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 제2 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 제어부에 의한 제어에 의해, 상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 취출구는 기체를 취출하고, 또한, 상기 복수의 제2 취출구는 제1 취출구보다 큰 유량으로 기체를 취출하고,
상기 복수의 상기 제2 취출구는 각각, 상기 제1 플레이트의 상면과 상기 지지부에 지지되는 기판의 상기 하면 사이에 기체를 취출함으로써, 기판을 하방으로 흡인하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
a first processing unit for processing the substrate;
a control unit for controlling the first processing unit;
The first processing unit,
a first plate;
It is fixed to the first plate, protrudes upward from the upper surface of the first plate, contacts at least one of the lower surface of the substrate and the end edge of the substrate, and supports the substrate at a position higher than the upper surface of the first plate support and
a first air outlet formed in a central portion of the upper surface of the first plate and blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a first blow-out adjustment part for adjusting the flow rate of the gas blown out by the first blow-out port;
a plurality of second air outlets formed on the periphery of the upper surface of the first plate and for blowing out gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support;
a second blow-out adjustment unit for adjusting the flow rate of the gas blown out by the second blow-out port;
and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the substrate supported by the support;
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support under control by the control unit, the first air outlet blows out gas, and the plurality of second air outlets have a larger size than the first air outlet. Taking out gas at a flow rate,
The plurality of second air outlets each draw gas between the upper surface of the first plate and the lower surface of the substrate supported by the support, thereby sucking the substrate downward. 청구항 9 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 취출구는, 기판의 회전축선 상에 배치되고,
상기 복수의 제2 취출구는, 상기 회전축선의 둘레의 원주 상에 배열되는, 기판 처리 장치.27. The method according to any one of claims 9 to 26,
The first air outlet is disposed on the rotation axis of the substrate,
The plurality of second air outlets are arranged on a circumference around the rotation axis. 청구항 9 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량과, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 서로 독립적으로 조정 가능한, 기판 처리 장치.27. The method according to any one of claims 9 to 26,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the flow rate of the gas blown out by the first blowing port and the flow rate of the gas blown out by the second blowing port can be adjusted independently of each other. 청구항 9 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 처리 유닛은,
상기 제1 플레이트를 회전시키는 제1 회전 구동부를 구비하고,
상기 처리액 공급부가 상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급할 때, 상기 제1 회전 구동부는 상기 제1 플레이트를 회전시키는, 기판 처리 장치.27. The method according to any one of claims 9 to 26,
The first processing unit,
and a first rotation driving unit for rotating the first plate,
When the processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate supported by the support part, the first rotation driving unit rotates the first plate.
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