KR102422370B1 - Method for fastening of 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, which includes the steps of: (1) forming a plurality of bushing tabs on a silicon electrode, and fastening a plurality of bushings to each of the plurality of bushing tabs; (2) positioning and arranging a silicon electrode on a backplate of semiconductor etching process equipment; and (3) fastening and fixing the backplate and the silicon electrode through bushing fastening screws. In the process of bonding silicon and graphite bushings, which are bonded parts, plastic engineering materials and torlon materials are used to improve particle problems and strong fastening pressure. As a result, it is possible to prevent accidents caused by insufficient bonding strength of the silicon electrode during the operation of the corresponding facility.

Description

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법{METHOD FOR FASTENING OF 12-INCH SILICON ELECTRODE USED IN SEMICONDUCTOR ETCHING PROCESS EQUIPMENT}Method of fastening 12-inch silicon electrodes used in semiconductor etching process equipment

본 발명은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 에칭 공정 설비의 챔버 내에 12인치 실리콘의 에칭 공정에 사용되는 실리콘 전극의 체결 구조를 개서한 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment, and more particularly, a semiconductor in which a fastening structure of a silicon electrode used in a 12-inch silicon etching process is rewritten in a chamber of a semiconductor etching process equipment. It relates to a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in etching process equipment.

일반적으로 반도체 에칭(Etching, 식각) 공정은 기판에 회로 패턴을 형성하는 과정에서, 필요한 부분을 남기고 불필요한 부분을 제거하는 공정으로 습식에칭과 건식에칭으로 구분될 수 있다. 습식에칭은 화학적 반응(용액)을 이용한 등방성 식각 방식으로, 비용이 저렴하고 공정이 쉽다는 장점이 있으나, 정확한 식각이 어렵고 화학물질로 인하여 오염문제가 발생한다는 문제점이 있다. 특히, 습식에칭은 식각오차로 인하여 미세패턴의 형성이 어렵기 때문에 고밀도 집적회로와 같은 반도체 제품에는 적용이 어려웠다.In general, a semiconductor etching (etching) process is a process of removing unnecessary parts while leaving a necessary part in the process of forming a circuit pattern on a substrate, and may be divided into wet etching and dry etching. Wet etching is an isotropic etching method using a chemical reaction (solution), and has advantages of low cost and easy process, but has a problem in that accurate etching is difficult and contamination problems occur due to chemicals. In particular, wet etching is difficult to apply to semiconductor products such as high-density integrated circuits because it is difficult to form fine patterns due to etching errors.

이러한 문제를 해결하기 위한 것이 건식에칭이다. 건식에칭은 플라즈마 상태의 반응성 기체 입자를 이용하여 회로 패턴을 형성하는 식각 방법으로, 이러한 플라즈마 에칭 방식은 정확하고 정교한 비등방성 식각이 가능하다는 장점이 있기 때문에 고밀도 집적회로와 같은 미세패턴의 기판을 제작하는데 널리 이용되고 있다.Dry etching is used to solve this problem. Dry etching is an etching method that forms a circuit pattern using reactive gas particles in a plasma state. Since this plasma etching method has the advantage that accurate and sophisticated anisotropic etching is possible, a substrate with a fine pattern such as a high-density integrated circuit is manufactured. It is widely used to

이와 같이 플라즈마를 이용한 건식에칭 장치에 사용되는 실리콘 전극은 실리콘(Gas show head)과 그라파이트(접합체)를 접착하여 구성하고 있으며, 실리콘과 그라파이트의 2개의 구성품은 비전도성 엘라스토머를 이용하여 접착되었다. 이러한 접착 방식은 그라파이트(접합체)에 비전도성 엘라스토머를 고르게 분사하여 실리콘(Gas show head)을 위에서 눌러 접착하고 고온 열처리로 경화하는 방식으로 구현되었다.As described above, the silicon electrode used in the dry etching apparatus using plasma is formed by bonding silicon (gas show head) and graphite (junction), and the two components of silicon and graphite are bonded using a non-conductive elastomer. This bonding method was implemented by evenly spraying a non-conductive elastomer on the graphite (joint body), pressing the silicon (gas show head) from above, bonding it, and curing it by high-temperature heat treatment.

이와 같은 접착 방식으로 구현되는 실리콘 전극은 두 구성품인 실리콘과 그라파이트의 접합력을 실험하기 위해 300kg 하중 실험 결과 접합체가 분리되었다. 이는 반도체 에칭 공정 장비에 적용되어 설비 가동 중에 실리콘 전극의 접합력 부족으로 탈락하는 사고가 발생될 수 있으며, 이는 실리콘 전극뿐만 아니라 다른 구성들도 파손될 수 있다는 문제점이 있었다. 즉, 반도체 에칭 공정에 사용되는 실리콘 전극의 접합 탈거로 인한 웨이퍼의 손상을 발생시켜 경제적, 공정상의 막대한 손실을 발생시킬 수 있다.In order to test the bonding strength between silicon and graphite, the two components of the silicon electrode implemented in this bonding method, the bonded body was separated as a result of the 300 kg load test. This is applied to semiconductor etching process equipment and may cause an accident in which the silicon electrode falls off due to lack of bonding strength during the operation of the equipment, which has a problem that not only the silicon electrode but also other components may be damaged. That is, the wafer may be damaged due to the bonding and detachment of the silicon electrode used in the semiconductor etching process, thereby causing enormous economic and process losses.

한편, 실리콘 전극은 1세대-GBE, 2세대-PRK 2 GBE, 3세대-ABE, 4세대 Single-PIECE type으로 구성된다. 이와 같이, 건식 에칭 장치에 사용되는 12인치 실리콘 전극은 INNER와 OUTER 2가지로 구성되고, 초기에 INNER는 실리콘과 그라파이트(접합체)를 구성하고 있으며, 엘라스토머 수지(접착제)를 이용하여 접합한 구성 품으로 Graphite Bonding Electrode 이다.On the other hand, the silicon electrode is composed of the first-generation-GBE, the second-generation-PRK 2 GBE, the third-generation-ABE, and the fourth-generation Single-PIECE type. In this way, the 12-inch silicon electrode used in the dry etching device consists of two types, INNER and OUTER. Initially, INNER consists of silicon and graphite (joint body), and is joined using elastomer resin (adhesive). As a Graphite Bonding Electrode.

구성품인 12인치 GBE 실리콘 전극을 챔버의 백 플레이트(Back plate)와 고정 체결을 하는 조건에서 그라파이트에 나선형 코일(helical coil)을 생성하여 체결하면서 플라즈마 온도 사이클 과정에서 그라파이트와 그 안에 helical coil의 간섭에 의한 파티클 및 실리콘과 그라파이트(접합체)간의 간섭에 의한 파티클 문제가 발생한다.A helical coil is created and fastened to graphite under the condition that the 12-inch GBE silicon electrode, which is a component, is fixedly fastened to the back plate of the chamber. Particle problems occur due to interference between particles and silicon and graphite (junction).

이를 해결하기 위해 기존 실리콘과 그라파이트 본딩 접합 구조는 동일하나, 실리콘에 가스홀을 helical coil과 거리를 멀리 두어 파티클 이슈를 방지하고자 했으나, 실리콘과 그라파이트(접합체)간의 간섭에 의한 파티클 문제가 역시 발생하였다. 그라파이트(접합체)의 문제점을 제거하기 위해 소재를 알루미늄으로 변경하여 본딩 결합한 ABE는 알루미늄 특성상 온도 팽창율도 커서 본딩 결합에 좋은 조건이 아닐 뿐더러, 실리콘과 알루미늄(접합체)간의 전기적 아킹 발생 및 외형 변형에 따른 플라즈마가 접합한 부분에 본딩제와 영향을 일으켜 파티클이 발생하는 문제가 있었다.In order to solve this problem, the existing silicon and graphite bonding junction structures are the same, but it was attempted to prevent particle issues by placing the gas holes in the silicon at a distance from the helical coil, but particle problems due to interference between silicon and graphite (junction) also occurred. . ABE, which is bonded by changing the material to aluminum to eliminate the problem of graphite (joint body), has a high temperature expansion rate due to the characteristics of aluminum, so it is not a good condition for bonding bonding. There was a problem in that the plasma had an effect with the bonding agent on the joined part, causing particles to be generated.

그 대안으로 실리콘만으로 되어 있는 Single Piece를 제작하였지만, 그 제품을 고정 및 체결하는 방법에서 그라파이트 부싱과 Metal Helical coil을 사용해야 하며, 이 또한 면적이 적은 그라파이트 부싱은 균열과 파티클 발생으로 체결의 문제와 공정의 문제를 계속 발생하고 있다.As an alternative, a single piece made of only silicon was produced, but a graphite bushing and a metal helical coil must be used in the method of fixing and fastening the product. problem continues to arise.

본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 반도체 에칭 공정 설비의 챔버 내에 12인치의 웨이퍼의 전체 표면에 균일한 식각률을 얻기 위해서 플라즈마를 웨이퍼 표면에 고르게 분포시키기 위해 사용되는 실리콘 전극의 체결 구조를 개선하되, 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재의 부싱을 실리콘 전극에 체결하여 고정하고, 부싱을 체결하여 고정한 실리콘 전극의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)에 실리콘 전극을 위치하여 배치한 상태에서 부싱 체결 나사를 통해 백 플레이트와 실리콘 전극을 체결 고정할 수 있도록 구성함으로써, 접합체인 실리콘과 그라파이트 부싱 체결 방식 과정에서 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재를 사용하여 파티클 문제점과 강한 체결 압력을 개선하고, 그에 따른 해당 설비 가동 중에 실리콘 전극의 접합력 부족으로 발생하는 사고를 방지할 수 있도록 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the previously proposed methods. In order to obtain a uniform etching rate over the entire surface of a 12-inch wafer in a chamber of a semiconductor etching process equipment, plasma is evenly distributed on the wafer surface. A back plate of semiconductor etching process equipment to improve the fastening structure of the silicon electrode used for By placing the silicon electrode on the back plate and configuring it so that the back plate and the silicon electrode can be fastened and fixed through the bushing fastening screw, plastic engineering materials and torlon (torlon) ) material to improve particle problems and strong fastening pressure, and thereby prevent accidents caused by insufficient bonding strength of silicon electrodes during operation of the corresponding equipment, fastening of 12-inch silicon electrodes used in semiconductor etching process equipment The purpose is to provide a method.

또한, 본 발명은, 실리콘 전극의 체결 구조를 개선한 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 부싱과 부싱 체결 나사를 통해 체결 고정할 수 있도록 구성함으로써, 접합력 유지와 파티클 발생을 개선함과 동시에 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 열과 강도에 강하고, 우수한 치수가공성을 통한 내구성 향상 및 치수 안정성이 더욱 향상될 수 있도록 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법을 제공하는 것을 또 다른 그 목적으로 한다.In addition, the present invention is configured to be fastened and fixed through a bushing and a bushing fastening screw made of a plastic engineering material and a Tolon material, which has improved the fastening structure of the silicon electrode, thereby improving bonding strength and particle generation, and at the same time, plastic engineering material and Another object of the present invention is to provide a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, which is strong against the heat and strength of the Tolon material, and improves durability and dimensional stability through excellent dimensional processability. .

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법은,The fastening method of the 12-inch silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment according to the features of the present invention for achieving the above object,

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법으로서,A method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, comprising:

(1) 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 체결을 위해 실리콘 전극에 복수의 부싱 탭을 형성하고, 상기 복수의 부싱 탭 각각에 복수의 부싱을 체결하는 단계;(1) forming a plurality of bushing tabs on a silicon electrode for fastening a silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, and fastening a plurality of bushings to each of the plurality of bushing tabs;

(2) 상기 단계 (1)을 통해 복수의 부싱을 체결하여 고정한 실리콘 전극의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)에 실리콘 전극을 위치하여 배치하는 단계; 및(2) positioning and disposing a silicon electrode on a back plate of a semiconductor etching process equipment for fastening the silicon electrode fixed by fastening the plurality of bushings through step (1); and

(3) 상기 단계 (2)를 통해 백 플레이트에 실리콘 전극을 위치하여 배치한 상태에서, 부싱 체결 나사를 통해 상기 백 플레이트와 실리콘 전극을 체결 고정하는 단계를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.(3) in a state in which the silicon electrode is positioned and disposed on the back plate through the step (2), and fastening and fixing the back plate and the silicon electrode through a bushing fastening screw.

바람직하게는, 상기 단계 (1)에서는,Preferably, in step (1),

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 체결을 위해 실리콘 전극에 형성되는 복수의 부싱 탭에 복수의 부싱을 체결하여 고정하되, 상기 복수의 부싱은 톨론(torlon) 소재 또는 플라스틱 엔지니어링 소재로 구성될 수 있다.A plurality of bushings are fastened to and fixed to a plurality of bushing tabs formed on a silicon electrode for fastening a silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, wherein the plurality of bushings may be made of a torlon material or a plastic engineering material. have.

바람직하게는, 상기 단계 (1)에서는, Preferably, in step (1),

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 체결을 위해 실리콘 전극에 형성되는 복수의 부싱 탭에 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정하되, 상기 복수의 부싱은 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성될 수 있다.A plurality of bushings 110 are fastened to and fixed to a plurality of bushing tabs formed on a silicon electrode for fastening a silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, and the plurality of bushings may be made of an engineering plastic material.

바람직하게는, 상기 실리콘 전극은,Preferably, the silicon electrode,

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치로서, 백 플레이트에 체결하기 위한 부싱을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극과 아우터 실리콘 전극의 1세트로 사용하도록 구성될 수 있다.As a 12-inch device used in semiconductor etching process equipment, it can be configured to be used as one set of an inner silicon electrode and an outer silicon electrode fixed by fastening a bushing for fastening to the back plate.

더욱 바람직하게는, 상기 실리콘 전극은,More preferably, the silicon electrode,

반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트에 체결하기 위한 부싱을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극과 아우터 실리콘 전극의 1세트로 사용하도록 구성하되, 상기 부싱을 체결하여 고정하기 위한 부싱 탭의 내경에도 상기 부싱과의 나사 체결을 위한 나사산을 가공 형성할 수 있다.It is configured to be used as one set of an inner silicon electrode and an outer silicon electrode fixed by fastening a bushing for fastening to the back plate of the semiconductor etching process equipment, but the screw with the bushing is also the inner diameter of the bushing tab for fastening and fixing the bushing Threads for fastening can be machined.

더욱 바람직하게는, 상기 복수의 부싱은,More preferably, the plurality of bushings,

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 부싱 탭에 체결하여 형성하되, 외경 면에 나사산을 형성하고, 내경 면에 부싱 탭을 형성하는 구조로, 부싱 탭에 삽입 체결되어 고정될 수 있다.It is formed by fastening to a bushing tab of a silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, and has a structure in which a thread is formed on an outer diameter surface and a bushing tab is formed on an inner diameter surface, and may be inserted and fastened to the bushing tab and fixed.

더욱 더 바람직하게는, 상기 복수의 부싱은,Even more preferably, the plurality of bushings,

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 부싱 탭에 체결하여 고정하되, 나사산을 형성하는 외경 면에 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제를 도포하여 실리콘 전극에 체결할 수 있다.It is fastened to the bushing tab of the silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment and fixed, but it can be fastened to the silicon electrode by applying a bonding agent with strong adhesion without contamination on the outer diameter surface forming the thread.

더욱 더 바람직하게는, 상기 복수의 부싱은,Even more preferably, the plurality of bushings,

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극의 부싱 탭에 체결하여 고정하되, 나사산을 형성하는 외경 면에 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제의 도포 없이 실리콘 전극에 체결할 수 있다.It is fastened to the bushing tab of the silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment and fixed, but it can be fastened to the silicon electrode without contamination of the outer diameter surface forming the thread and without applying a bonding agent with strong adhesion.

본 발명에서 제안하고 있는 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 따르면, 반도체 에칭 공정 설비의 챔버 내에 12인치의 웨이퍼의 전체 표면에 균일한 식각률을 얻기 위해서 플라즈마를 웨이퍼 표면에 고르게 분포시키기 위해 사용되는 실리콘 전극의 체결 구조를 개선하되, 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재의 부싱을 실리콘 전극에 체결하여 고정하고, 부싱을 체결하여 고정한 실리콘 전극의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)에 실리콘 전극을 위치하여 배치한 상태에서 부싱 체결 나사를 통해 백 플레이트와 실리콘 전극을 체결 고정할 수 있도록 구성함으로써, 접합체인 실리콘과 그라파이트 부싱 체결 방식 과정에서 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재를 사용하여 파티클 문제점과 강한 체결 압력을 개선하고, 그에 따른 해당 설비 가동 중에 실리콘 전극의 접합력 부족으로 발생하는 사고를 방지할 수 있도록 할 수 있다.According to the fastening method of the 12-inch silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment proposed in the present invention, plasma is evenly applied to the wafer surface in order to obtain a uniform etching rate on the entire surface of the 12-inch wafer in the chamber of the semiconductor etching process equipment. To improve the fastening structure of the silicon electrode used for distribution, but to fix the bushing of plastic engineering material and torlon material to the silicon electrode, and fasten the silicon electrode fixed by fastening the bushing to the semiconductor etching process equipment. By placing the silicon electrode on the back plate and configuring it so that the back plate and the silicon electrode can be fastened and fixed through the bushing fastening screw, plastic engineering materials and Tolon (torlon) material can be used to improve particle problems and strong clamping pressure, thereby preventing accidents caused by insufficient bonding strength of silicon electrodes during operation of the corresponding equipment.

또한, 본 발명의 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 따르면, 실리콘 전극의 체결 구조를 개선한 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 부싱과 부싱 체결 나사를 통해 체결 고정할 수 있도록 구성함으로서, 접합력 유지와 파티클 발생을 개선함과 동시에 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 열과 강도에 강하고, 우수한 치수가공성을 통한 내구성 향상 및 치수 안정성이 더욱 향상될 수 있도록 할 수 있다.In addition, according to the fastening method of the 12-inch silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment of the present invention, it is configured to be fastened and fixed through a bushing and a bushing fastening screw made of a plastic engineering material and a Tolon material that has improved the fastening structure of the silicon electrode. By doing so, it is possible to maintain bonding strength and improve particle generation, and at the same time be strong against heat and strength of plastic engineering materials and tolon materials, and improve durability and dimensional stability through excellent dimensional processability.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법의 흐름을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 실리콘 전극의 구성을 기능블록으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법을 위한 개략적인 전체 구성을 기능블록으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법의 개략적인 전체 구성을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 백 플레이트의 하부 구성을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 이너 실리콘 전극과 아우터 실리콘 전극의 구성을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 부싱의 구성을 도시한 도면.1 is a view showing a flow of a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the configuration of a silicon electrode used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention as a functional block.
3 is a view showing a schematic overall configuration as a functional block for a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a schematic overall configuration of a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a lower configuration of a back plate used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing the configuration of an inner silicon electrode and an outer silicon electrode used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing the configuration of a bushing used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail so that those of ordinary skill in the art can easily practice the present invention with reference to the accompanying drawings. However, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 ‘연결’ 되어 있다고 할 때, 이는 ‘직접적으로 연결’ 되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 ‘간접적으로 연결’ 되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 ‘포함’ 한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is 'connected' with another part, it is not only 'directly connected' but also 'indirectly connected' with another element interposed therebetween. include In addition, "including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법의 흐름을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법은, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 복수의 부싱 탭을 형성하고, 복수의 부싱 탭 각각에 복수의 부싱(110)을 체결하는 단계와, 단계 S110을 통해 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정한 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치하는 단계(S120)와, 단계 S120을 통해 백 플레이트(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치한 상태에서, 부싱 체결 나사(300)를 통해 백 플레이트(200)와 실리콘 전극(100)을 체결 고정하는 단계(S130)를 포함하여 구현될 수 있다. 이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.1 is a view showing a flow of a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1 , the method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention is a silicon electrode for fastening a silicon electrode 100 used in a semiconductor etching process equipment. Forming a plurality of bushing tabs in (100), fastening the plurality of bushings 110 to each of the plurality of bushing tabs, and fixing the plurality of bushings 110 by fastening the silicon electrode 100 through step S110. For fastening, the silicon electrode 100 is placed on the back plate 200 of the semiconductor etching process equipment and the silicon electrode 100 is placed on the back plate 200 ( S120 ) and the silicon electrode 100 is applied to the back plate 200 through the step S120 . In the position and arrangement state, it may be implemented including the step (S130) of fastening the back plate 200 and the silicon electrode 100 through the bushing fastening screw 300 . Hereinafter, a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 실리콘 전극의 구성을 기능블록으로 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법을 위한 개략적인 전체 구성을 기능블록으로 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법의 개략적인 전체 구성을 도시한 도면이다.FIG. 2 is a functional block diagram illustrating a configuration of a silicon electrode used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is a view showing a schematic overall configuration as a functional block for a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to It is a diagram showing the schematic overall configuration of the fastening method of the inch silicon electrode.

단계 S110에서는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 복수의 부싱 탭을 형성하고, 복수의 부싱 탭 각각에 복수의 부싱(110)을 체결한다. 이러한 단계 S110에서는 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 형성되는 복수의 부싱 탭에 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정하되, 복수의 부싱(110)은 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재로 구성될 수 있다. 여기서, 단계 S110에서는 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 형성되는 복수의 부싱 탭에 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정하되, 복수의 부싱(110)은 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성될 수도 있다. 이때, 엔지니어링 플라스틱은 일례로서 폴리카보네이트(PC), 변형 폴리페닐렌옥사이드(mPPO), 나일론(Nylon), 폴리아세탈(POM), 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트(PBT) 등으로 구성될 수도 있다.In step S110, a plurality of bushing tabs are formed on the silicon electrode 100 for fastening the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, and the plurality of bushings 110 are fastened to each of the plurality of bushing tabs. In this step S110, a plurality of bushings 110 are fastened and fixed to a plurality of bushing tabs formed on the silicon electrode 100 for fastening the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, but the plurality of bushings 110 ) may be composed of a plastic engineering material and a torlon material. Here, in step S110, a plurality of bushings 110 are fastened to and fixed to a plurality of bushing tabs formed on the silicon electrode 100 for fastening the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, but the plurality of bushings ( 110) may be made of an engineering plastic material. In this case, the engineering plastic may be composed of, for example, polycarbonate (PC), modified polyphenylene oxide (mPPO), nylon (Nylon), polyacetal (POM), polybutylene terephthalate (PBT), and the like.

또한, 상기 실리콘 전극(100)은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 백 플레이트(200)에 체결하기 위한 부싱(110)을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)의 1세트로 사용하도록 구성될 수 있다.In addition, the silicon electrode 100 is 12 inches used in semiconductor etching process equipment, and as shown in FIG. 2 , an inner silicon electrode 120 fixed by fastening a bushing 110 for fastening to the back plate 200 . ) and the outer silicon electrode 130 may be configured to be used as one set.

또한, 실리콘 전극(100)은 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(200)에 체결하기 위한 부싱(110)을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)의 1세트로 사용하도록 구성하되, 부싱(110)을 체결하여 고정하기 위한 부싱 탭의 내경에도 부싱(110)과의 나사 체결을 위한 나사산을 가공 형성할 수도 있다.In addition, the silicon electrode 100 is configured to be used as one set of the inner silicon electrode 120 and the outer silicon electrode 130 fixed by fastening the bushing 110 for fastening to the back plate 200 of the semiconductor etching process equipment. However, a thread for screwing with the bushing 110 may be machined even in the inner diameter of the bushing tab for fastening and fixing the bushing 110 .

또한, 복수의 부싱(110)은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 부싱 탭에 체결하여 형성하되, 외경 면에 나사산을 형성하고, 내경 면에 부싱 탭을 형성하는 구조로, 부싱 탭에 삽입 체결되어 고정될 수 있다.In addition, the plurality of bushings 110 are formed by fastening to the bushing tab of the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, forming a thread on the outer diameter surface, and forming the bushing tab on the inner diameter surface, the bushing It may be inserted and fastened to the tab.

또한, 복수의 부싱(110)은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 부싱 탭에 체결하여 형성하되, 나사산을 형성하는 외경 면에 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제를 도포하여 실리콘 전극(100)에 체결할 수 있다. 여기서, 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제의 일례로 엘라스토머 본딩액이 사용될 수도 있다.In addition, the plurality of bushings 110 are formed by fastening to the bushing tab of the silicon electrode 100 used in semiconductor etching process equipment, but do not contaminate the outer diameter surface forming the thread and apply a bonding agent with strong adhesive force to the silicon It may be fastened to the electrode 100 . Here, an elastomer bonding solution may be used as an example of a bonding agent that does not become contaminated and has strong adhesion.

또한, 복수의 부싱(110)은 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 부싱 탭에 체결하여 형성하되, 나사산을 형성하는 외경 면에 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제의 도포 없이 실리콘 전극(100)에 체결할 수도 있다.In addition, the plurality of bushings 110 are formed by fastening to the bushing tab of the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, but without contamination of the outer diameter surface forming the thread and without application of a bonding agent with strong adhesive force. It may be fastened to the electrode 100 .

단계 S120에서는, 단계 S110을 통해 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정한 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치한다.In step S120, the silicon electrode 100 is placed on the back plate 200 of the semiconductor etching process equipment for fastening the silicon electrode 100 fixed by fastening the plurality of bushings 110 through step S110. place it

단계 S130에서는 단계 S120을 통해 백 플레이트(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치한 상태에서, 부싱 체결 나사(300)를 통해 백 플레이트(200)와 실리콘 전극(100)을 체결 고정한다. 이러한 단계 S130에서는 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 부싱(110)이 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)에 형성된 상태에서, 부싱 체결 나사(300)를 통해 백 플레이트(200)와 실리콘 전극(100)을 체결할 수 있다. 즉, 백 플레이트(200)의 하부 백 플레이트의 스크류 홀에 관통하여 부싱 체결 나사(300)가 실리콘 전극(100)에 체결된다. 여기서, 부싱 체결 나사(300)는 일반 스크류 나사가 사용될 수 있다.In step S130 , in a state in which the silicon electrode 100 is positioned and disposed on the back plate 200 through step S120 , the back plate 200 and the silicon electrode 100 are fastened and fixed through the bushing fastening screw 300 . In this step S130, in a state in which the bushing 110 made of plastic engineering material and tolon material is formed on the inner silicon electrode 120 and the outer silicon electrode 130, the back plate 200 and the silicon electrode through the bushing fastening screw 300 (100) can be concluded. That is, the bushing fastening screw 300 is fastened to the silicon electrode 100 through the screw hole of the lower back plate of the back plate 200 . Here, the bushing fastening screw 300 may be a general screw screw.

또한, 12인치의 실리콘 전극(100)은 균일한 간격과 크기로 복수의 가스 홀(gas hole)이나 그 이외의 가스 홀(gas hole)이 존재하여 균일하게 가스(gas)를 플로잉(flowing)하는 역할을 한다.In addition, the 12-inch silicon electrode 100 has a plurality of gas holes or other gas holes with uniform intervals and sizes to uniformly flow gas. plays a role

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 백 플레이트의 하부 구성을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 이너 실리콘 전극과 아우터 실리콘 전극의 구성을 도시한 도면이며, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법에 사용되는 부싱의 구성을 도시한 도면이다.5 is a view showing a lower configuration of a back plate used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a view showing the configuration of an inner silicon electrode and an outer silicon electrode used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, and FIG. 7 is a semiconductor etching process equipment used in an embodiment of the present invention. It is a diagram showing the configuration of a bushing used in a method of fastening a 12-inch silicon electrode.

이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법을 통해 제조된 실리콘 전극(100)은 반도체 에칭(etching) 공정에서 건식 에칭(Dry etch)공정에 사용될 때, 반도체 에칭 공정 장비의 챔버 내에서 12인치의 웨이퍼의 전체 표면에 균일한 식각률을 얻기 위해서 플라즈마를 웨이퍼 표면에 고르게 분포시킬 수 있도록 사용된다. 여기서, 실리콘 전극(100)의 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)은 Gas shower head로서, 반도체 에칭 공정 장비의 웨이퍼의 크기에 대응하여 형성하는 크기를 가지며, 균일한 간격과 크기로 가스 홀(gas hole)이나 그 이외의 가스 홀(gas hole)이 존재하여 균일하게 가스(gas)를 플로윙(flowing)하는 역할을 한다.As described above, the silicon electrode 100 manufactured by the method of fastening the 12-inch silicon electrode used in the semiconductor etching process equipment according to the embodiment of the present invention is subjected to a dry etching process in the semiconductor etching process. When used, it is used to evenly distribute plasma over the wafer surface in order to obtain a uniform etch rate over the entire surface of a 12-inch wafer in a chamber of a semiconductor etching process equipment. Here, the inner silicon electrode 120 and the outer silicon electrode 130 of the silicon electrode 100 are gas shower heads, and have a size that corresponds to the size of the wafer of the semiconductor etching process equipment, and are uniformly spaced and sized. A gas hole or other gas holes exist to uniformly flow gas.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법은, 반도체 에칭 공정 설비의 챔버 내에 12인치의 웨이퍼의 전체 표면에 균일한 식각률을 얻기 위해서 플라즈마를 웨이퍼 표면에 고르게 분포시키기 위해 사용되는 실리콘 전극의 체결 구조를 개선하되, 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재의 부싱을 실리콘 전극에 체결하여 고정하고, 부싱을 체결하여 고정한 실리콘 전극의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)에 실리콘 전극을 위치하여 배치한 상태에서 부싱 체결 나사를 통해 백 플레이트와 실리콘 전극을 체결 고정할 수 있도록 구성함으로써, 접합체인 실리콘과 그라파이트 부싱 체결 방식 과정에서 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론(torlon) 소재를 사용하여 파티클 문제점과 강한 체결 압력을 개선하고, 그에 따른 해당 설비 가동 중에 실리콘 전극의 접합력 부족으로 발생하는 사고를 방지할 수 있도록 할 수 있으며, 특히, 실리콘 전극의 체결 구조를 개선한 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 부싱과 부싱 체결 나사를 통해 체결 고정할 수 있도록 구성함으로서, 접합력 유지와 파티클 발생을 개선함과 동시에 플라스틱 엔지니어링 소재 및 톨론 소재의 열과 강도에 강하고, 우수한 치수가공성을 통한 내구성 향상 및 치수 안정성이 더욱 향상될 수 있도록 할 수 있게 된다.As described above, in the method of fastening a 12-inch silicon electrode used in a semiconductor etching process equipment according to an embodiment of the present invention, in order to obtain a uniform etching rate over the entire surface of a 12-inch wafer in a chamber of a semiconductor etching process equipment Improve the fastening structure of the silicon electrode used to evenly distribute the plasma on the wafer surface, but fix the bushing made of plastic engineering material and torlon material to the silicon electrode to fix it, and fix the silicon electrode by fastening the bushing. In order to secure the silicon electrode on the back plate of the semiconductor etching process equipment, the silicon electrode and the silicon electrode can be fastened and fixed through the bushing fastening screw. By using plastic engineering material and torlon material, particle problems and strong clamping pressure can be improved, and consequently, accidents caused by insufficient bonding strength of silicon electrodes during operation of the corresponding equipment can be prevented. It is composed so that it can be fastened and fixed through a bushing and bushing fastening screw made of plastic engineering material and Tolon material, which has improved the connection structure of the electrode, while maintaining bonding strength and improving particle generation. , it is possible to further improve durability and dimensional stability through excellent dimensional processability.

이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.Various modifications and applications of the present invention described above are possible by those skilled in the art to which the present invention pertains, and the scope of the technical idea according to the present invention should be defined by the following claims.

100: 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 전극
110: 복수의 부싱
120: 이너 실리콘 전극
130: 아우터 실리콘 전극
200: 백 플레이트
300: 부싱 체결 나사
S110: 실리콘 전극에 복수의 부싱 탭을 형성하고, 복수의 부싱 탭 각각에 복수의 부싱을 체결하는 단계;
S120: 백 플레이트에 실리콘 전극을 위치하여 배치하는 단계
S130: 부싱 체결 나사를 통해 백 플레이트와 실리콘 전극을 체결 고정하는 단계100: silicon electrode according to an embodiment of the present invention
110: a plurality of bushings
120: inner silicon electrode
130: outer silicon electrode
200: back plate
300: bushing fastening screw
S110: forming a plurality of bushing tabs on the silicon electrode, and fastening the plurality of bushings to each of the plurality of bushing tabs;
S120: Positioning and disposing a silicon electrode on the back plate
S130: Step of fastening and fixing the back plate and the silicon electrode through the bushing fastening screw

Claims (8)

반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법으로서,
(1) 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 복수의 부싱 탭을 형성하고, 상기 복수의 부싱 탭 각각에 복수의 부싱(110)을 체결하는 단계;
(2) 상기 단계 (1)을 통해 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정한 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(back plate)(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치하는 단계; 및
(3) 상기 단계 (2)를 통해 백 플레이트(200)에 실리콘 전극(100)을 위치하여 배치한 상태에서, 부싱 체결 나사(300)를 통해 상기 백 플레이트(200)와 실리콘 전극(100)을 체결 고정하는 단계를 포함하되,
상기 단계 (1)에서는,
반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 체결을 위해 실리콘 전극(100)에 형성되는 복수의 부싱 탭에 복수의 부싱(110)을 체결하여 고정하되, 상기 복수의 부싱(110)은 톨론(torlon) 소재로 구성되거나, 또는 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성되고,
상기 복수의 부싱(110)은,
반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 부싱 탭에 체결하되, 나사산을 형성하는 외경 면에 오염이 되지 않고 접착력이 강한 본딩제를 도포하여 실리콘 전극(100)에 체결하는 것을 특징으로 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법.
A method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, comprising:
(1) forming a plurality of bushing tabs on the silicon electrode 100 for fastening the silicon electrode 100 used in semiconductor etching process equipment, and fastening the plurality of bushings 110 to each of the plurality of bushing tabs; ;
(2) the silicon electrode 100 to the back plate 200 of the semiconductor etching process equipment for fastening the silicon electrode 100 fixed by fastening the plurality of bushings 110 through step (1) positioning and arranging; and
(3) In the state in which the silicon electrode 100 is positioned and disposed on the back plate 200 through the step (2), the back plate 200 and the silicon electrode 100 are connected through the bushing fastening screw 300 Including the step of fastening fastening,
In step (1),
A plurality of bushings 110 are fastened and fixed to a plurality of bushing tabs formed on the silicon electrode 100 for fastening the silicon electrode 100 used in semiconductor etching process equipment, and the plurality of bushings 110 are tolon (torlon) material, or of engineering plastics material,
The plurality of bushings 110,
It is fastened to the bushing tab of the silicon electrode 100 used in the semiconductor etching process equipment, and is fastened to the silicon electrode 100 by applying a bonding agent with strong adhesion without contamination on the outer diameter surface forming the thread. , A method of fastening 12-inch silicon electrodes used in semiconductor etching process equipment.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 실리콘 전극(100)은,
반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치로서, 백 플레이트(200)에 체결하기 위한 부싱(110)을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)의 1세트로 사용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법.
According to claim 1, wherein the silicon electrode 100,
12 inches used in semiconductor etching process equipment, configured to be used as one set of the inner silicon electrode 120 and the outer silicon electrode 130 fixed by fastening the bushing 110 for fastening to the back plate 200 A method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment.
 제4항에 있어서, 상기 실리콘 전극(100)은,
반도체 에칭 공정 장비의 백 플레이트(200)에 체결하기 위한 부싱(110)을 체결하여 고정한 이너 실리콘 전극(120)과 아우터 실리콘 전극(130)의 1세트로 사용하도록 구성하되, 상기 부싱(110)을 체결하여 고정하기 위한 부싱 탭의 내경에도 상기 부싱(110)과의 나사 체결을 위한 나사산을 가공 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법.
According to claim 4, wherein the silicon electrode 100,
It is configured to be used as one set of the inner silicon electrode 120 and the outer silicon electrode 130 fixed by fastening the bushing 110 for fastening to the back plate 200 of the semiconductor etching process equipment, but the bushing 110 is A method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment, characterized in that the thread for screwing with the bushing 110 is processed even in the inner diameter of the bushing tab for fastening and fixing.
 제4항에 있어서, 상기 복수의 부싱(110)은,
반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 실리콘 전극(100)의 부싱 탭에 체결하여 형성하되, 외경 면에 나사산을 형성하고, 내경 면에 부싱 탭을 형성하는 구조로, 부싱 탭에 삽입 체결되어 고정되는 것을 특징으로 하는, 반도체 에칭 공정 장비에 사용되는 12인치 실리콘 전극의 체결 방법.
According to claim 4, The plurality of bushings 110,
It is formed by fastening to the bushing tab of the silicon electrode 100 used in semiconductor etching process equipment, and has a structure in which a thread is formed on an outer diameter surface and a bushing tab is formed on an inner diameter surface, and is inserted and fastened to the bushing tab and fixed A method of fastening a 12-inch silicon electrode used in semiconductor etching process equipment.
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