KR102418661B1 - Method for determining impedance matching circuit of vehicle radar - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 차량용 레이더의 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법은 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실에 해당하는 지점들 중 기 설정된 거리만큼 이격되어 있는 다수의 지점들을 매칭점으로 선택하는 단계; 원점과 기 설정된 매칭점 각각에 대한 임피던스 특성값에 상응하는 임피던스 매칭 회로를 설계하는 단계; 및 설계된 상기 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들 중 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 포함한다.A method for determining an impedance matching circuit of a vehicle radar according to the present invention is disclosed. A method for determining an impedance matching circuit according to the present invention comprises: selecting a plurality of points spaced apart by a preset distance from among points corresponding to a preset return loss based on an origin on a Smith chart as a matching point; designing an impedance matching circuit corresponding to the impedance characteristic value for each of the origin and preset matching points; and determining a PCB substrate having the lowest insertion loss among PCB substrates including each of the designed impedance matching circuits as a PCB substrate of a frequency band to be used.

Description

차량용 레이더의 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법{METHOD FOR DETERMINING IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT OF VEHICLE RADAR}METHOD FOR DETERMINING IMPEDANCE MATCHING CIRCUIT OF VEHICLE RADAR

본 발명은 차량용 레이더에 관한 것으로서, 특히, 차량용 레이더의 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vehicle radar, and more particularly, to a method for determining an impedance matching circuit of a vehicle radar.

최근 차량용 레이더는 보통 77GHz 이상의 초고주파 대역을 사용한다. 초고주파 대역에서의 매칭 회로는 시뮬레이션 툴(simulation tool)을 이용하여 설계했다 하더라도 기판의 유전율, 두께, 및 패턴 공차에 따라 주파수 천이 및 특성 변화가 나타나게 된다.Recently, automotive radar usually uses a very high frequency band of 77 GHz or higher. Even if the matching circuit in the very high frequency band is designed using a simulation tool, frequency shift and characteristic change appear depending on the dielectric constant, thickness, and pattern tolerance of the substrate.

이러한 초고주파 대역의 기판을 제작하기 위해서는 특수 기판을 사용하여 가공해야 하는데, 이 방식은 시간이 오래 걸릴 뿐 아니라 비용도 상승하는 문제점이 있다.In order to manufacture a substrate of such a very high frequency band, it is necessary to process it using a special substrate, but this method takes a long time and has a problem in that the cost is also increased.

게다가 차량용 레이더에서 사용하는 77GHz 대역의 유전율은 기판 업체에서 따로 제공해주고 있지 않기 때문에 직접 기판 추가 제작을 통해 유전율을 확인해야 한다.In addition, the dielectric constant of the 77 GHz band used in the vehicle radar is not provided by the board maker, so you have to check the dielectric constant through additional production of the board.

공개특허공보 제10-2013-0093996호, 2013.08.23. 공개Laid-Open Patent Publication No. 10-2013-0093996, 2013.08.23. open

따라서 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 스미스 차트 내 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실을 갖는 지점들 중 서로 다른 방향에 위치하는 기 설정된 개수의 지점에 상응하는 임피던스 특정을 갖는 임피던스 매칭 회로 구현하고 구현된 임피던스 매칭 회로 중 삽입 손실이 가장 적은 임피던스 매칭 회로를 선택하도록 하는 차량용 레이더의 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법을 제공하는데 있다.Therefore, in order to solve the problems of the prior art, an object of the present invention is to specify impedance corresponding to a preset number of points located in different directions among points having a preset return loss based on the origin in the Smith chart. An object of the present invention is to provide a method for determining an impedance matching circuit of a vehicle radar that implements an impedance matching circuit having an impedance matching circuit and selects an impedance matching circuit having the smallest insertion loss among the implemented impedance matching circuits.

그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 사항으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 관점에 따른 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법은 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실에 해당하는 지점들 중 기 설정된 거리만큼 이격되어 있는 다수의 지점들을 매칭점으로 선택하는 단계; 원점과 기 설정된 매칭점 각각에 대한 임피던스 특성값에 상응하는 임피던스 매칭 회로를 설계하는 단계; 및 설계된 상기 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들 중 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 포함할 수 있다.In order to achieve the above objects, a method for determining an impedance matching circuit according to an aspect of the present invention includes a plurality of points spaced apart by a preset distance among points corresponding to a preset return loss based on the origin on the Smith chart. selecting them as matching points; designing an impedance matching circuit corresponding to the impedance characteristic value for each of the origin and preset matching points; and determining a PCB substrate having the lowest insertion loss among PCB substrates including each of the designed impedance matching circuits as a PCB substrate of a frequency band to be used.

바람직하게, 상기 선택하는 단계는 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실에 해당하는 지점들을 연결하는 원을 그리는 단계; 그려진 상기 원 위에서 4분면을 나누는 다수의 지점들을 매칭점으로 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the selecting includes: drawing a circle connecting points corresponding to a preset return loss based on the origin on the Smith chart; and selecting a plurality of points dividing a quadrant on the drawn circle as a matching point.

바람직하게, 상기 반사 손실은 -10dB 이하인 것을 특징으로 한다.Preferably, the return loss is characterized in that -10dB or less.

바람직하게, 상기 설계하는 단계는 상기 원점 또는 매칭점에 대한 임피던스 특성값에 따라 상기 임피던스 매칭 회로 내 매칭단의 길이와 폭을 조절하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the designing step is characterized in that the length and width of the matching end in the impedance matching circuit are adjusted according to the impedance characteristic value for the origin or the matching point.

바람직하게, 상기 결정하는 단계는 설계된 상기 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들을 생성하는 단계; 생성된 상기 PCB 기판들의 삽입 손실을 측정하는 단계; 및 측정한 상기 PCB 기판들의 삽입 손실을 비교하여 그 비교한 결과로 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the determining comprises: generating PCB substrates including each of the designed impedance matching circuits; measuring the insertion loss of the generated PCB substrates; and comparing the measured insertion loss of the PCB substrates and determining the PCB substrate having the lowest insertion loss as the PCB substrate of the frequency band to be used as a result of the comparison.

본 발명의 다른 한 관점에 따른 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법은 사용하려는 주파수 대역을 파악하여 그 파악한 주파수 대역에서의 PCB 기판 유전율을 확인하는 단계; 그 확인한 결과로 상기 PCB 기판 유전율을 알지 못하면, 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실에 해당하는 지점들 중 기 설정된 거리만큼 이격되어 있는 다수의 지점들을 매칭점으로 선택하는 단계; 원점과 기 설정된 매칭점 각각에 대한 임피던스 특성값에 상응하는 임피던스 매칭 회로를 설계하는 단계; 및 설계된 상기 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들 중 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 포함할 수 있다.A method for determining an impedance matching circuit according to another aspect of the present invention includes the steps of: identifying a frequency band to be used and checking the dielectric constant of the PCB substrate in the identified frequency band; If the PCB substrate permittivity is not known as a result of the check, selecting a plurality of points spaced apart by a preset distance from among points corresponding to a preset return loss based on the origin on the Smith chart as a matching point; designing an impedance matching circuit corresponding to the impedance characteristic value for each of the origin and preset matching points; and determining a PCB substrate having the lowest insertion loss among PCB substrates including each of the designed impedance matching circuits as a PCB substrate of a frequency band to be used.

이를 통해, 본 발명은 스미스 차트 내 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실을 갖는 지점들 중 서로 다른 방향에 위치하는 기 설정된 개수의 지점에 상응하는 임피던스 특정을 갖는 임피던스 매칭 회로 구현하고 구현된 임피던스 매칭 회로 중 삽입 손실이 가장 적은 임피던스 매칭 회로를 선택하도록 함으로써, 반사 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.Through this, the present invention implements an impedance matching circuit having impedance characteristics corresponding to a preset number of points located in different directions among points having a preset return loss based on the origin in the Smith chart, and the implemented impedance matching circuit By selecting an impedance matching circuit having the least insertion loss among them, there is an effect of reducing the return loss.

또한 본 발명은 임피던스 매칭 회로의 반사 손실을 줄일 수 있기 때문에 RF 모듈의 출력 전력 및 수신 이득이 증가하여 레이더의 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.In addition, since the present invention can reduce the return loss of the impedance matching circuit, the output power and the reception gain of the RF module are increased, so that the radar performance can be improved.

또한 본 발명은 유전율을 측정하기 위한 추가 기판을 제적하지 않아도 되기 때문에 편의성을 향상시킬 수 있고 추가 제작하는 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the present invention does not need to weed an additional substrate for measuring the dielectric constant, convenience can be improved and additional manufacturing costs can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차량용 레이더의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 회로의 패턴을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 회로를 제조하기 위한 방법을 나타내는 도면이다.
도 4는 초고주파 회로에서 사용하는 전송 선로의 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 스미스 차트에서 기 설정된 반사 손실을 갖는 지점들을 나타내는 도면이다.
도 6a 내지 도 6e는 매칭점에 대한 임피던스 매칭 회로의 형태를 나타내는 도면이다.
1 is a diagram showing the structure of a vehicle radar according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a pattern of an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a method for manufacturing an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a structure of a transmission line used in an ultra-high frequency circuit.
5 is a diagram illustrating points having a preset return loss on a Smith chart.
6A to 6E are diagrams illustrating the shape of an impedance matching circuit with respect to a matching point.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 차량용 레이더의 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는 데 필요한 부분을 중심으로 상세히 설명한다.Hereinafter, a method for determining an impedance matching circuit of a vehicle radar according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It will be described in detail focusing on the parts necessary to understand the operation and operation according to the present invention.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 동일한 명칭의 구성 요소에 대하여 도면에 따라 다른 참조부호를 부여할 수도 있으며, 서로 다른 도면임에도 불구하고 동일한 참조부호를 부여할 수도 있다. 그러나, 이와 같은 경우라 하더라도 해당 구성 요소가 실시예에 따라 서로 다른 기능을 갖는다는 것을 의미하거나, 서로 다른 실시예에서 동일한 기능을 갖는다는 것을 의미하는 것은 아니며, 각각의 구성 요소의 기능은 해당 실시예에서의 각각의 구성 요소에 대한 설명에 기초하여 판단하여야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, different reference numerals may be assigned to components of the same name according to the drawings, and the same reference numerals may be assigned even though they are different drawings. However, even in such a case, it does not mean that the corresponding components have different functions depending on the embodiment or that they have the same function in different embodiments, and the function of each component depends on the corresponding implementation. It will be judged based on the description of each component in the example.

특히, 본 발명에서는 스미스 차트 내 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실을 갖는 지점들 중 서로 다른 방향에 위치하는 기 설정된 개수의 지점에 상응하는 임피던스 특정을 갖는 임피던스 매칭 회로 구현하고 구현된 임피던스 매칭 회로 중 삽입 손실이 가장 적은 임피던스 매칭 회로를 선택하도록 하는 새로운 방안을 제안한다.In particular, in the present invention, an impedance matching circuit having impedance characteristics corresponding to a preset number of points located in different directions among points having a preset return loss based on the origin in the Smith chart is implemented, and among the implemented impedance matching circuits We propose a new method to select an impedance matching circuit with the least insertion loss.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차량용 레이더의 구조를 나타내는 도면이다.1 is a diagram showing the structure of a vehicle radar according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 차량용 레이더는 초고주파 레이더로서, 크게 안테나(100), RF 모듈(200), 및 신호처리 모듈(300)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the vehicle radar according to the present invention is a very high frequency radar, and may largely include an antenna 100 , an RF module 200 , and a signal processing module 300 .

안테나(100)는 송신 안테나 및 수신 안테나로 구성될 수 있다. 송신 안테나가 RF 모듈에서 전달되는 신호를 방사하고, 수신 안테나가 물체에 반사된 신호를 수신하여 RF 모듈에 전달한다.The antenna 100 may include a transmit antenna and a receive antenna. The transmitting antenna radiates the signal transmitted from the RF module, and the receiving antenna receives the signal reflected by the object and transmits it to the RF module.

이때, 안테나(100)는 77GHz의 신호를 전달하기 위해 WR-10 사이즈(size)의 도파관 타입으로 제작될 수 있는데, 신호 손실을 막기 위한 정밀한 가공이 필요하다.In this case, the antenna 100 may be manufactured in a WR-10 size waveguide type to transmit a signal of 77 GHz, and precise processing is required to prevent signal loss.

RF 모듈(200)은 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 및 PLL(Phase Locked Loop)로 구성될 수 있다. PLL은 첩(chirp) 파형을 생성하여 MMIC를 통해 송신 안테나로 전달한다. MMIC는 수신 안테나를 통해 수신된 신호를 베이스밴드(baseband) 신호로 다운 컨버팅(down converting)하여 신호처리 모듈로 전달한다.The RF module 200 may include a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) and a phase locked loop (PLL). The PLL generates a chirp waveform and transmits it to the transmit antenna through the MMIC. The MMIC down-converts a signal received through a reception antenna into a baseband signal and transmits the down-converted signal to the signal processing module.

이때, 송신 MMIC에서 송신 안테나로의 연결, 수신 안테나에서 수신 MMIC로의 연결에서 신호의 손실을 막기 위해 트랜지션(transition) 및 매칭 회로의 최적 설계가 필요한다. 특히, 77GHz의 고주파 신호는 약간의 틀어짐, 공정 오차 등에 굉장히 민감한 반응을 보이기 때문에 안테나와의 연결 구조가 매우 중요하다.In this case, in order to prevent signal loss in the connection from the transmit MMIC to the transmit antenna and the connection from the receive antenna to the receive MMIC, an optimal design of a transition and matching circuit is required. In particular, the 77 GHz high-frequency signal is very sensitive to slight distortion and process errors, so the connection structure with the antenna is very important.

신호처리 모듈(300)은 RF 모듈(200)의 PLL 제어 및 RF 모듈(200)에서 전달되는 베이스밴드 신호를 가공하고, RF 모듈(200)의 MMIC 및 각종 IC에 전원을 공급한다. RF 모듈에서 전달되는 베이스밴드 신호는 ADC를 통해 디지털 신호로 변환되는데, 변환된 디지털 신호를 기반으로 전방의 물체를 감지하게 된다.The signal processing module 300 processes the PLL control of the RF module 200 and the baseband signal transmitted from the RF module 200 , and supplies power to the MMIC and various ICs of the RF module 200 . The baseband signal transmitted from the RF module is converted into a digital signal through the ADC, and an object in front is detected based on the converted digital signal.

이때, RF 모듈(200)에서 신호처리 모듈(300)로 전달되는 신호는 안테나에서 RF 모듈로 전달되는 신호에 비해 상대적으로 저주파 신호이기 때문에 손실이 거의 없다.At this time, since the signal transmitted from the RF module 200 to the signal processing module 300 is a relatively low frequency signal compared to the signal transmitted from the antenna to the RF module, there is little loss.

RF 모듈에서 매칭이 중요한 이유는 송신 MMIC의 출력단 및 수신 MMIC의 입력단에서 안테나와 연결되는 트랜지션으로 신호를 손실없이 보내고 받기 위함이다.The reason that matching is important in the RF module is to transmit and receive signals without loss through transitions connected to the antenna at the output end of the transmitting MMIC and the input end of the receiving MMIC.

MMIC의 입력단과 출력단의 임피던스는 보통 회로 설계시 사용하는 500hm와는 많이 틀어져있다. 500hm는 보통 회로 설계시 사용하는 기준점으로 일반적으로 500hm를 사용하고 있다. 이렇게 틀어져 있는 임피던스를 트랜지션과 연결되는 500hm 라인과 연결해주기 위해 별도의 매칭단이 사용된다. 이 매칭단은 서로 다른 두 연결단의 임피던스 차에 의한 반사를 줄여 임피던스 차이를 보정해 준다.The impedance of the input and output terminals of MMIC is very different from the 500hm used in circuit design. 500hm is generally used as a reference point for circuit design, and 500hm is generally used. A separate matching stage is used to connect the distorted impedance with the 500hm line connected to the transition. This matching stage compensates for the impedance difference by reducing the reflection caused by the impedance difference between the two different connection terminals.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 회로의 패턴을 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a pattern of an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 임피던스 매칭 회로의 패턴은 MMIC와 연결되는 제1 연결단(10), 임피던스 매칭을 위한 매칭단(20,30), 및 트랜지션과 연결되는 제2 연결단(30)으로 구성된다.As shown in FIG. 2 , the pattern of the impedance matching circuit includes a first connection terminal 10 connected to the MMIC, matching terminals 20 and 30 for impedance matching, and a second connection terminal 30 connected to a transition. is composed of

이때, 매칭단(20, 30)의 폭과 길이를 조절하여 임피던스 차이를 보정하게 된다.At this time, the impedance difference is corrected by adjusting the width and length of the matching stages 20 and 30 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a method for determining an impedance matching circuit according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 먼저, 사용하려는 주파수 대역 예컨대, 차량용 레이더의 77GHz 대역을 파악하고 그 주파수 대역에서의 PCB 기판 유전율을 확인할 수 있다(S310).As shown in FIG. 3 , first, the frequency band to be used, for example, the 77 GHz band of the vehicle radar may be identified, and the permittivity of the PCB substrate in the frequency band may be checked ( S310 ).

다음으로, 그 확인한 결과로 기판 유전율을 알지 못하면, 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실 예컨대, -10dB(VSWR 2:1)에 해당하는 지점들을 연결하는 원을 그릴 수 있다(S320).Next, if the substrate dielectric constant is not known as a result of the check, a circle connecting points corresponding to a preset return loss, for example, -10 dB (VSWR 2:1) based on the origin on the Smith chart can be drawn (S320).

다음으로, 스미스 차트 내 원점을 기준으로 그려진 원 위에서 기 설정된 거리만큼 이격되어 있는 서로 다른 방향의 다수의 지점들 즉, 원점을 기준으로 4분면을 나누는 다수의 지점들을 매칭점으로 설정할 수 있다(S330). 즉, 각 매칭점들과 원점을 연결한 선들은 서로 인접한 선들과 90도의 각도를 갖는다.Next, a plurality of points in different directions spaced apart by a preset distance on a circle drawn based on the origin in the Smith chart, that is, a plurality of points dividing a quadrant with respect to the origin may be set as matching points (S330) ). That is, the lines connecting the matching points and the origin have an angle of 90 degrees with the adjacent lines.

이때, 본 발명에서는 스미스 차트를 이용하여 임피던스 특성을 변화시키게 되는데, 이렇게 임피던스 특성을 변화시키는 원리를 부연 설명하면 다음과 같다.At this time, in the present invention, the impedance characteristic is changed using the Smith chart. The principle of changing the impedance characteristic in this way will be described in detail as follows.

도 4는 초고주파 회로에서 사용하는 전송 선로의 구조를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a structure of a transmission line used in an ultra-high frequency circuit.

도 4를 참조하면, 초고주파 회로에서는 전송 선로를 사용하게 되는데, 전송 선로에 대한 임피던스 간의 관계는 다음의 [수학식 1]과 같이 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 4 , a transmission line is used in an ultra-high frequency circuit, and the relationship between impedances for the transmission line can be expressed as the following [Equation 1].

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112021095408216-pat00001
Figure 112021095408216-pat00001

저주파에서는 상기 [수학식 1]로 인해 신호 전달 특성이 변하지 않게 된다. 반면, 고주파에서는 짧아진 파장(λ) 때문에 선로 길이(l)에 의존하여 임피던스 특성이 변하게 된다.At a low frequency, the signal transmission characteristic does not change due to Equation 1 above. On the other hand, at high frequencies, the impedance characteristics change depending on the line length (l) due to the shortened wavelength (λ).

이러한 특성을 고려하여 전송 선로의 임피던스 매칭을 수행해야 정확한 매칭 회로 설계가 가능하다. 임피던스 매칭이 제대로 됐는지를 확인하기 위해 반사 손실을 확인하는데, 반사 손실 RL은 다음의 [수학식 2]와 같이 나타낼 수 있다.In consideration of these characteristics, impedance matching of the transmission line must be performed to accurately design a matching circuit. The return loss is checked to check whether the impedance matching is correct, and the return loss RL can be expressed as in [Equation 2] below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112021095408216-pat00002
Figure 112021095408216-pat00002

반사 손실은 반사계수 Г를 전력의 로그 스케일(log scale)로 변환한 값을 나타낸다. 여기서 dB를 취할 때 10이 아닌 20을 곱하는 이유는 반사계수 값 자체가 전압의 비이기 때문이다. 즉, 전력 기준의 dB를 계산하기 위해 전압의 제곱을 고려해야 하기 때문에 10이 아닌 20을 곱하게 된다. 이렇게 계산되는 반사 손실이 클수록 반사가 작아 임피던스 매칭이 잘 되었다는 것을 의미하게 된다.The return loss represents a value obtained by converting the reflection coefficient Г into a log scale of power. Here, the reason why we multiply by 20 instead of 10 when taking dB is that the reflection coefficient value itself is a ratio of voltage. That is, we multiply by 20, not 10, because we have to consider the square of the voltage to calculate the dB of the power reference. The larger the calculated return loss, the smaller the reflection, meaning better impedance matching.

이때, 반사계수 Г는 어떤 연결단에서 임피던스 차에 의해 발생하는 반사량을 단순히 입력전압 대 반사전압의 비로 계산한 지표를 나타낸다. 즉, 반사계수는 입력량에 대해 반사량이 어느 정도인가를 나타내는 수치로서, 그 값이 작을수록 반사량이 작다는 것을 의미한다.At this time, the reflection coefficient Г represents an index calculated by simply calculating the amount of reflection caused by the impedance difference at a certain connection end as the ratio of the input voltage to the reflected voltage. That is, the reflection coefficient is a numerical value indicating how much the reflection amount is with respect to the input amount, and the smaller the value, the smaller the reflection amount.

일반적으로 임피던스 매칭을 할 때 스미스 차트를 이용하게 되는데, 정확한 매칭을 위해 원하는 주파수 대역에서 원점에 위치해야 매칭이 되었다고 본다.In general, a Smith chart is used for impedance matching. For accurate matching, it is considered that matching is achieved only when it is located at the origin in the desired frequency band.

도 5는 스미스 차트에서 기 설정된 반사 손실을 갖는 지점들을 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating points having a preset return loss on a Smith chart.

도 5를 참조하면, 스미스 차트의 원점을 500hm이라고 가정하고, 반사 소실 약 -10dB(VSWR 2:1)에 해당하는 지점들을 연결하면 그림과 같이 원을 그리게 된다.Referring to FIG. 5 , assuming that the origin of the Smith chart is 500hm, and connecting points corresponding to reflection loss of about -10dB (VSWR 2:1), a circle is drawn as shown in the figure.

이때, 원점을 중심으로 반사 손실 -10dB의 원 위에 그 원을 4분면으로 나누는 지점을 매칭점, 4개의 매칭점을 설정한다. 이렇게 반사 손실 -10dB의 원을 그려 매칭점을 잡는 이유는 매칭의 틀어짐에 따른 손실을 최소화하기 위함이다.At this time, the point dividing the circle into quadrants on the circle of -10dB of return loss centered on the origin is set as a matching point and 4 matching points. The reason for drawing a circle with a return loss of -10 dB in this way to obtain a matching point is to minimize loss due to mismatch of matching.

여기서는 4분면을 나누는 지점을 매칭점으로 설정하는 예를 설명하고 있지만, 반드시 이에 한정되지 않고 n분면을 나누는 지점을 매칭점으로 설정할 수 있다.Here, an example in which the point dividing the quadrant is set as the matching point is described, but the present invention is not limited thereto, and the point dividing the n quadrant may be set as the matching point.

반사 계수 Г는 전압비로 0≤Г≤1의 값을 갖고, 반사 손실 RL은 0≤RL≤∞의 값을 갖기 때문에 반사가 작을수록 반사 계수는 0에 근접하고 반사 손실은 ∞에 근접한다.Since the reflection coefficient Г has a value of 0≤Г≤1 as a voltage ratio, and the return loss RL has a value of 0≤RL≤∞, the smaller the reflection, the closer the reflection coefficient approaches 0 and the return loss approaches ∞.

보통 벡터 네트워크 분석기(vector network analyzer)로 VSWR 값을 측정한 후 측정한 VSWR 값으로 반사 계수를 구하는데 다음의 [수학식 3]과 같이 나타낼 수 있다.Usually, after measuring the VSWR value with a vector network analyzer, the reflection coefficient is obtained from the measured VSWR value, which can be expressed as in [Equation 3].

[수학식 3][Equation 3]

Figure 112021095408216-pat00003
Figure 112021095408216-pat00003

반사 계수는 전압비이기 때문에 손실을 구하기 위해 전력 비로 나타내야 한다. 반사 계수는 반사되어 들어오는 양을 나타내는 것이기 때문에 반사되지 않은 신호의 전력 값은 삽입 손실로 나타나는데, 삽입 손실 IL은 다음의 [수학식 4]와 같이 나타낼 수 있다.Since the reflection coefficient is a voltage ratio, it must be expressed as a power ratio to obtain a loss. Since the reflection coefficient represents the reflected amount, the power value of the non-reflected signal appears as an insertion loss, and the insertion loss IL can be expressed as in Equation 4 below.

[수학식 4][Equation 4]

Figure 112021095408216-pat00004
Figure 112021095408216-pat00004

상기 [수학식 4]에서 반사 계수에 제곱을 해주는 이유는 반사 계수를 전압비로 나타내고 삽입 손실을 전력으로 나타내기 위함이다. 즉, 전압의 제곱은 전력으로 나타낼 수 있다.The reason for squaring the reflection coefficient in [Equation 4] is to represent the reflection coefficient as a voltage ratio and the insertion loss as power. That is, the square of the voltage can be expressed as power.

이렇게 계산한 결과로 얻은 삽입 손실을 dB로 변환해 주면 반사 계수에 따른 손실을 알 수 있는데, 다음의 [표 1]은 VSWR에 따른 삽입 손실을 나타내고 있다.If the insertion loss obtained as a result of this calculation is converted into dB, the loss according to the reflection coefficient can be known. [Table 1] below shows the insertion loss according to the VSWR.

VSWRVSWR 1.501.50 2.002.00 2.502.50 3.003.00 반사계수reflection coefficient 0.200.20 0.330.33 0.430.43 0.500.50 반사손실[dB]Return loss [dB] -13.98-13.98 -9.54-9.54 -7.36-7.36 -6.02-6.02 삽입손실[dB]Insertion loss [dB] -0.35-0.35 -1.02-1.02 -1.76-1.76 -2.50-2.50

상기 [표 1]에서 알 수 있듯이, VSWR에 따라 삽입 손실이 크게 차이가 난다.As can be seen from [Table 1], the insertion loss varies greatly depending on the VSWR.

한편, 레이더 탐지 거리 R은 다음의 [수학식 5]와 같이 나타낼 수 있다.On the other hand, the radar detection distance R can be expressed as in the following [Equation 5].

[수학식 5][Equation 5]

Figure 112021095408216-pat00005
Figure 112021095408216-pat00005

여기서, PS는 송신 출력을 나타내고, G는 안테나 이득을 나타내며, λ는 파장을 나타내며, σ는 RCS를 나타내며, PE는 수신 전력을 나타낸다.Here, P S represents transmit power, G represents antenna gain, λ represents wavelength, σ represents RCS, and P E represents receive power.

출력이 1dB 변함에 따라 레이더 탐지 거리는 20m 정도씩 차이가 난다. 보통 레이더 사양이 LRR(Long Range Radar)의 경우 200m, MMR(Middle Range Radar)의 경우 160m인 것을 감안하면 1dB 차이가 레이더 성능에 큰 영향을 미치는 것을 알 수 있다.As the output changes by 1dB, the radar detection range changes by about 20m. Considering that the normal radar specifications are 200m for LRR (Long Range Radar) and 160m for MMR (Middle Range Radar), it can be seen that a 1dB difference has a large effect on radar performance.

따라서 본 발명에서 반사 손실 -10dB(VSWR 2:1)의 원에 매칭을 하는 이유는 매칭의 틀어짐에 손실을 1dB 이내로 가져가기 위함이다. 매칭으로 인한 손실로 1dB 이하가 된다면 최종적인 레이더의 탐지 거리 성능은 ±20m 내외가 될 것이다.Therefore, in the present invention, the reason for matching a circle with a return loss of -10 dB (VSWR 2:1) is to bring a loss within 1 dB due to a mismatch of the matching. If the loss due to matching is less than 1dB, the final radar detection range performance will be around ±20m.

다음으로, 원점과 기 설정된 매칭점 각각에 대한 임피던스 특성 값에 상응하는 임피던스 매칭 회로를 설계할 수 있다(S340).Next, an impedance matching circuit corresponding to the impedance characteristic value for each of the origin and preset matching points may be designed ( S340 ).

도 6a 내지 도 6e는 매칭점에 대한 임피던스 매칭 회로의 형태를 나타내는 도면이다.6A to 6E are diagrams illustrating the shape of an impedance matching circuit with respect to a matching point.

도 6a를 참조하면, 스미스 차트 내 원점을 매칭점으로 하는 경우 임피던스 매칭 회로의 제1 연결단은 길이 260㎛, 폭 150㎛로 형성되고, 매칭단은 길이 150㎛, 폭 700㎛로 형성되며, 제2 연결단은 폭 300㎛로 형성될 수 있다.6A, when the origin in the Smith chart is the matching point, the first connection end of the impedance matching circuit is formed to have a length of 260 μm and a width of 150 μm, and the matching end is formed to have a length of 150 μm and a width of 700 μm, The second connection end may be formed to have a width of 300 μm.

도 6b를 참조하면, 스미스 차트 내 한 지점을 매칭점으로 하는 경우 임피던스 매칭 회로의 제1 연결단은 길이 260㎛, 폭 150㎛로 형성되고, 매칭단은 길이 150㎛, 폭 1mm로 형성되며, 제2 연결단은 폭 300㎛로 형성될 수 있다.6B, when a point in the Smith chart is used as a matching point, the first connection end of the impedance matching circuit is formed to have a length of 260 μm and a width of 150 μm, and the matching end is formed to have a length of 150 μm and a width of 1 mm, The second connection end may be formed to have a width of 300 μm.

도 6c를 참조하면, 스미스 차트 내 다른 한 지점을 매칭점으로 하는 경우 임피던스 매칭 회로의 제1 연결단은 길이 260㎛, 폭 150㎛로 형성되고, 매칭단은 길이 150㎛, 폭 450㎛로 형성되며, 제2 연결단은 폭 300㎛로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6C , when another point in the Smith chart is used as a matching point, the first connection end of the impedance matching circuit is formed to have a length of 260 μm and a width of 150 μm, and the matching end is formed to have a length of 150 μm and a width of 450 μm. and the second connection end may be formed to have a width of 300 μm.

도 6d를 참조하면, 스미스 차트 내 또 다른 한 지점을 매칭점으로 하는 경우 임피던스 매칭 회로의 제1 연결단은 길이 260㎛, 폭 150㎛로 형성되고, 매칭단은 길이 100㎛, 폭 550㎛로 형성되며, 제2 연결단은 폭 300㎛로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6D , when another point in the Smith chart is used as a matching point, the first connection end of the impedance matching circuit is formed to have a length of 260 μm and a width of 150 μm, and the matching end has a length of 100 μm and a width of 550 μm. is formed, and the second connection end may be formed to have a width of 300 μm.

도 6e를 참조하면, 스미스 차트 내 또 다른 한 지점을 매칭점으로 하는 경우 임피던스 매칭 회로의 제1 연결단은 길이 260㎛, 폭 150㎛로 형성되고, 매칭단은 길이 200㎛, 폭 550㎛로 형성되며, 제2 연결단은 폭 300㎛로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6E , when another point in the Smith chart is used as a matching point, the first connection end of the impedance matching circuit is formed to have a length of 260 μm and a width of 150 μm, and the matching end is formed to have a length of 200 μm and a width of 550 μm. is formed, and the second connection end may be formed to have a width of 300 μm.

이처럼 각 매칭점에 따라 임피던스 특성이 다르기 때문에 임피던스 매칭 회로를 형성하는 매칭단 패턴들의 크기 예컨대, 길이, 폭이 변경되는 것을 알 수 있다.As such, since the impedance characteristics are different according to each matching point, it can be seen that the sizes, eg, lengths and widths, of the matching terminal patterns forming the impedance matching circuit are changed.

다음으로, 원점 및 매칭점에 따라 설계된 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판을 생성하고(S350), 생성된 PCB 기판 각각의 삽입 손실을 측정할 수 있다(S360).Next, a PCB board including each of the impedance matching circuits designed according to the origin and the matching point may be generated ( S350 ), and an insertion loss of each of the generated PCB boards may be measured ( S360 ).

다음으로, 측정한 삽입 손실을 비교하여 그 비교한 결과로 삽입 손실이 가장 적은 PCB 기판을 사용하려고 하는 주파수 대역에서의 PCB 기판으로 결정할 수 있다(S370).Next, the measured insertion loss is compared, and as a result of the comparison, the PCB board having the lowest insertion loss may be determined as the PCB board in the frequency band to be used ( S370 ).

이상에서 설명한 실시예들은 그 일 예로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments described above are examples thereof, and various modifications and variations may be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 안테나
200: RF 모듈
300: 신호처리 모듈
100: antenna
200: RF module
300: signal processing module

Claims (5)

시뮬레이션 툴이, 사용하려는 주파수 대역에서의 PCB 기판 유전율을 확인하는 단계;
상기 PCB 기판 유전율을 알지 못하면, 상기 시뮬레이션 툴이 스미스 차트에서 원점을 기준으로 기 설정된 반사 손실에 해당하는 지점들을 연결하는 원을 그리고, 상기 그려진 원 위에서 n분면을 나누는 다수의 지점들을 매칭점으로 선택하는 단계; 및
상기 시뮬레이션 툴이 원점과 상기 선택된 매칭점 각각에 대한 임피던스 특성값에 상응하는 임피던스 매칭 회로를 설계하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법.
confirming, by the simulation tool, the dielectric constant of the PCB substrate in the frequency band to be used;
If the PCB substrate permittivity is not known, the simulation tool draws a circle connecting points corresponding to a preset return loss based on the origin on the Smith chart, and selects a number of points dividing n quadrants on the drawn circle as matching points to do; and
designing, by the simulation tool, an impedance matching circuit corresponding to the origin and impedance characteristic values for each of the selected matching points
A method for determining an impedance matching circuit comprising:
제1항에 있어서,
상기 임피던스 매칭 회로를 설계하는 단계 이후,
상기 시뮬레이션 툴이 상기 설계된 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들 중 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법.
According to claim 1,
After designing the impedance matching circuit,
Determining an impedance matching circuit, characterized in that the simulation tool further comprises the step of determining, by the simulation tool, the PCB substrate having the lowest insertion loss among the PCB substrates including each of the designed impedance matching circuits as the PCB substrate of the frequency band to be used. way for.
제2항에 있어서,
상기 결정하는 단계는,
상기 설계된 임피던스 매칭 회로 각각을 포함하는 PCB 기판들을 생성하는 단계;
상기 생성된 PCB 기판들의 삽입 손실을 측정하는 단계; 및
상기 측정한 PCB 기판들의 삽입 손실을 비교하여 그 비교한 결과로 삽입 손실이 가장 낮은 PCB 기판을 사용하려는 주파수 대역의 PCB 기판으로 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법.
3. The method of claim 2,
The determining step is
generating PCB boards including each of the designed impedance matching circuits;
measuring the insertion loss of the generated PCB substrates; and
Method for determining an impedance matching circuit comprising the step of comparing the insertion loss of the measured PCB boards and determining the PCB board having the lowest insertion loss as the PCB board of the frequency band to be used as a result of the comparison .
제1항에 있어서,
상기 반사 손실은
-10dB 이하인 것을 특징으로 하는 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법.
According to claim 1,
The return loss is
A method for determining an impedance matching circuit, characterized in that it is less than or equal to -10 dB.
제1항에 있어서,
상기 설계하는 단계는,
상기 원점 또는 매칭점에 대한 임피던스 특성값에 따라 상기 임피던스 매칭 회로 내 매칭단의 길이와 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 임피던스 매칭 회로를 결정하기 위한 방법.
According to claim 1,
The design step is
A method for determining an impedance matching circuit, characterized in that the length and width of a matching end in the impedance matching circuit are adjusted according to the impedance characteristic value for the origin or the matching point.
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