KR102416570B1 - Laser crystalling apparatus and laser crystalling method - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치는, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기, 상기 레이저 빔을 광 변화 시키는 광학계, 기판, 반사 미러 및 상기 반사 미러 뒤에 위치하는 제1 감지부를 포함하는 챔버 및 상기 반사 미러에 연결되어 있는 센서부를 포함하며, 상기 반사 미러는 상기 레이저 빔이 상기 광학계를 통과하여 상기 기판에 입사되는 위치에 따라 위치가 이동한다.A laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser generator for generating a laser beam, an optical system for changing the laser beam to light, a substrate, a reflective mirror, and a chamber including a first sensing unit located behind the reflective mirror, and the and a sensor unit connected to a reflection mirror, wherein the position of the reflection mirror is moved according to a position at which the laser beam passes through the optical system and is incident on the substrate.

Description

레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법{LASER CRYSTALLING APPARATUS AND LASER CRYSTALLING METHOD}LASER CRYSTALLING APPARATUS AND LASER CRYSTALLING METHOD

본 개시는 레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 엑시머 레이저(Excimer Laser) 등을 사용하여 실리콘 박막을 결정화하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a laser crystallization apparatus and a laser crystallization method, and more particularly, to an apparatus and method for crystallizing a silicon thin film using an excimer laser or the like.

실리콘 박막의 경우 일정 이상의 전자이동도 향상을 위해 결정화 공정이 필요하며, 결정화 공정에는 레이저 결정화 장치가 사용될 수 있다.In the case of a silicon thin film, a crystallization process is required to improve electron mobility above a certain level, and a laser crystallization apparatus may be used for the crystallization process.

이러한 레이저 결정화 장치는 진동에 매우 취약하다. 레이저 빔의 경로가 수 미터(m) 내지 수십 미터로 되기 때문에, 진동에 의해 레이저 빔의 경로상에 있는 렌즈가 미세하게 흔들려도 기판에 도달했을 때 큰 떨림으로 나타난다. 또한, 펄스 빔을 수 마이크로미터(㎛) 또는 수십 마이크로미터 간격으로 일정 비율로 오버랩(overlap)시켜 스캔하기 때문에 진동에 의한 기판 상의 빔 떨림은 주기적인 줄 얼룩으로 발현된다. 표시 장치의 고해상도화에 따라 진동에 기인한 줄 얼룩의 화상 발현 정도가 심해진다.These laser crystallizers are very susceptible to vibration. Since the path of the laser beam is several meters (m) to several tens of meters, even if the lens on the path of the laser beam is slightly shaken due to vibration, it appears as a large vibration when it reaches the substrate. In addition, since the pulse beam is scanned by overlapping the pulse beam at an interval of several micrometers (μm) or several tens of micrometers at a certain rate, beam vibration on the substrate due to vibration is expressed as periodic streaks. As the resolution of the display device increases, the degree of image expression of streaks caused by vibrations increases.

또한 외부의 진동뿐만 아니라 레이저 결정화 장치의 가스의 노후화 또는 레이저 윈도우의 오염 등으로 인해 시간에 따라 레이저에서 나오는 빔의 변동이 발생할 수도 있다.In addition, fluctuations in the beam emitted from the laser may occur over time due to aging of the gas of the laser crystallizer or contamination of the laser window as well as external vibration.

레이저 빔 경로의 미세한 변화에도 실리콘 박막이 결정화되는 적정 에너지 차이가 급격히 변화되며 결정(grain)의 균일함에 큰 차이가 발생하여 실리콘 박막 품질에 큰 영향을 미친다.Even with a slight change in the laser beam path, the difference in the appropriate energy for crystallizing a silicon thin film rapidly changes, and a large difference in the uniformity of grains occurs, which greatly affects the quality of the silicon thin film.

기존의 레이저 결정화 장치는 장치 하부에 진동 센서(sensor)를 장착하고 실시간으로 진동을 측정하여 기준치 이상의 진동 값이 발생할 경우, 설비 가동을 중단시키고 진동 원인을 찾는 작업을 진행한다. 설비 내, 외 모두 진동이 감지될 경우, 진동이 의심되는 외부 진동 유발 원을 하나씩 가동 중단하면서 원인을 파악하는 작업을 진행하고, 설비 내부에만 진동이 감지될 경우, 설비 내 진동 유발 원을 가동 중단하거나 위치 별로 인위적으로 진동을 가하여 진동이 증가하는 정도에 따라 그 위치를 가늠한다.Existing laser crystallization devices install a vibration sensor on the lower part of the device and measure vibration in real time. If vibration is detected both inside and outside the facility, work to determine the cause while shutting down the external sources of vibration suspected of vibration one by one. Or, artificially vibrate for each location, and estimate the location according to the degree of increase in vibration.

외부의 진동이 설비에 전달되지 않도록, 일반적으로 설비 바닥에 수동 댐퍼(passive damper) 또는 능동 격리체(active isolator)를 장착하나, 레이저 결정화 설비는 매우 미세한 진동에도 품질에 영향을 받는데다가, 예기치 않은 진동이 빈번히 발생하므로, 설비 바닥 및 설비 자체에 제진 설계를 하더라도 진동에 기인한 문제는 지속적으로 발생한다.In order to prevent external vibration from being transmitted to the equipment, a passive damper or active isolator is usually installed at the bottom of the equipment. However, laser crystallization equipment is affected by the quality even with very minute vibrations, and unexpected Since vibrations occur frequently, problems caused by vibrations continue to occur even if the floor and equipment itself are designed for vibration suppression.

진동 원인 파악 작업에는 위치 별, 시간대 별 진동을 측정해야 하므로 수 내지 수십 일이 소요되며, 진동 원인을 제거하거나 제거하지 못하여 설비를 개조해야 할 경우 수십 일 내지 수 개월이 소요되므로, 이에 따른 설비 가동율 및 생산 손실이 극심하다. 또한, 진동 센서가 감지하지 못하는 미세 렌즈 진동에 의해 불량이 발생할 경우, 레이저 결정화 공정이 디스플레이 공정의 초입 공정이기 때문에 화상에서 불량이 파악되었을 때는 이미 엄청난 물량의 기판이 결정화 및 후속 공정이 진행된 상황이므로 피해가 극심하다.It takes several to tens of days to determine the cause of vibration because it is necessary to measure the vibration for each location and time period. and production losses are severe. In addition, if a defect occurs due to the fine lens vibration that the vibration sensor cannot detect, since the laser crystallization process is the beginning process of the display process, when the defect is identified in the image, a huge amount of substrate has already been crystallized and the subsequent process is in progress. The damage is severe.

실시예들은 레이저 결정화 장치에서 외부 또는 내부의 영향으로 빔의 진동이 발생해도 영향을 최소화하여 고품질의 실리콘 박막을 제공할 수 있는 레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법을 제공하기 위한 것이다.Embodiments are to provide a laser crystallization apparatus and a laser crystallization method capable of providing a high-quality silicon thin film by minimizing the effect even when the vibration of a beam occurs due to external or internal influences in the laser crystallization apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기, 상기 레이저 빔을 광 변화 시키는 광학계, 기판, 반사 미러 및 상기 반사 미러 뒤에 위치하는 제1 감지부를 포함하는 챔버 및 상기 반사 미러에 연결되어 있는 센서부를 포함하며, 상기 반사 미러는 상기 레이저 빔이 상기 광학계를 통과하여 상기 기판에 입사되는 위치에 따라 위치가 이동한다.A laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser generator for generating a laser beam, an optical system for converting the laser beam into light, a substrate, a reflection mirror, and a chamber including a first sensing unit located behind the reflection mirror, and the reflection and a sensor unit connected to the mirror, wherein the reflective mirror moves according to a position at which the laser beam passes through the optical system and is incident on the substrate.

상기 반사 미러는 상기 제1 감지부에서 측정한 레이저 빔의 위치와 상기 센서부에서 측정한 반사 미러의 위치를 종합하여 판단한 결과에 따라 이동할 수 있다.The reflective mirror may move according to a result determined by combining the position of the laser beam measured by the first sensing unit and the position of the reflective mirror measured by the sensor unit.

상기 반사 미러는, 상기 레이저 빔이 상기 기판에서 반사하여 상기 반사 미러의 중심부로 입사되도록 위치가 이동할 수 있다.The reflective mirror may be moved so that the laser beam is reflected from the substrate and is incident on the center of the reflective mirror.

상기 반사 미러는 상기 레이저 빔이 87도(°)이상 93도(°)이하의 입사각으로 입사되도록 이동할 수 있다.The reflective mirror may be moved so that the laser beam is incident at an incident angle of 87 degrees or more and 93 degrees or less.

상기 반사 미러는 상기 레이저 빔을 정반사 시킬 수 있다.The reflection mirror may reflect the laser beam in a specular manner.

상기 제1 감지부는 상기 레이저 빔 중 상기 반사 미러의 뒤로 투과되는 부분을 감지하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다.The first detection unit may detect a portion of the laser beam transmitted behind the reflection mirror to measure the position of the laser beam in real time.

상기 제1 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로를 기준으로 하여 상기 레이저 빔의 위치를 측정할 수 있다.The first detector may measure the position of the laser beam based on a normal path of the laser generator.

상기 제1 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로가 상기 제1 감지부의 중심부를 지나도록 위치할 수 있다.The first sensing unit may be positioned such that a normal path of the laser generator passes through a center of the first sensing unit.

상기 센서부는 상기 반사 미러의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다.The sensor unit may measure the position of the reflection mirror in real time.

상기 센서부는 0.05㎛(마이크로미터) 이하의 위치 분해능을 가질 수 있다.The sensor unit may have a position resolution of 0.05 μm (micrometer) or less.

상기 반사 미러는, 상기 레이저 빔이 상기 광학계를 통과하여 상기 기판에 입사되는 위치와 상기 레이저 빔이 상기 반사 미러에서 반사되어 상기 기판에 입사되는 위치가 거의 동일하게 되도록 이동할 수 있다.The reflective mirror may move so that a position at which the laser beam passes through the optical system and is incident on the substrate is substantially the same as a position at which the laser beam is reflected from the reflective mirror and is incident on the substrate.

상기 광학계에 위치하며 상기 레이저 빔을 반사시켜 상기 기판에 입사시키는 입사 미러 및 상기 입사 미러 뒤에 위치하며 상기 기판의 이상을 보상해 주는 제3 감지부를 더 포함할 수 있다.The optical system may further include an incident mirror for reflecting the laser beam to be incident on the substrate, and a third sensing unit located behind the incident mirror and compensating for abnormality of the substrate.

상기 제3 감지부는 상기 레이저 빔 중 상기 기판을 거치지 않고 상기 입사 미러의 뒤로 투과되는 부분을 감지하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다.The third sensing unit may measure the position of the laser beam in real time by detecting a portion of the laser beam that passes through the back of the incident mirror without passing through the substrate.

상기 제3 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로를 기준으로 하여 상기 레이저 빔의 위치를 측정할 수 있다.The third sensing unit may measure the position of the laser beam based on a normal path of the laser generator.

상기 제3 감지부는 상기 입사 미러와 평행하게 위치할 수 있다.The third sensing unit may be positioned parallel to the incident mirror.

상기 제3 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로가 상기 제3 감지부의 중심부을 지나도록 위치할 수 있다.The third sensing unit may be positioned such that a normal path of the laser generator passes through a center of the third sensing unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 방법은 레이저 발생기가 챔버에 위치하는 기판으로 입사하는 레이저 빔을 발생시키는 단계, 상기 레이저 빔이 상기 기판에서 반사하여 반사 미러로 입사하는 단계, 상기 반사 미러 뒤에 위치하는 제1 감지부에서 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 단계, 상기 반사 미러에 연결되어 있는 센서부에서 상기 반사 미러의 위치를 실시간으로 측정하는 단계 및 상기 제1 감지부에서 측정한 레이저 빔의 위치와 상기 센서부에서 측정한 반사 미러의 위치를 종합하여 상기 반사 미러의 위치를 분석하는 단계 및 상기 분석 결과에 따라 상기 반사 미러의 위치를 이동시키는 단계를 포함한다.A laser crystallization method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: a laser generator generating a laser beam incident on a substrate located in a chamber; Measuring the position of the laser beam in real time by a located first detection unit, measuring the position of the reflection mirror in real time by a sensor connected to the reflection mirror, and the laser measured by the first detection unit and analyzing the position of the reflective mirror by synthesizing the position of the beam and the position of the reflective mirror measured by the sensor unit, and moving the position of the reflective mirror according to the analysis result.

상기 반사 미러의 위치를 이동시키는 단계는, 상기 레이저 빔이 상기 반사 미러의 중심부로 입사하도록 상기 반사 미러를 이동시킬 수 있다.In the moving of the position of the reflection mirror, the reflection mirror may be moved so that the laser beam is incident on the center of the reflection mirror.

상기 레이저 빔이 상기 기판에 입사되기 전에, 제3 감지부를 통하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include measuring the position of the laser beam in real time through a third sensing unit before the laser beam is incident on the substrate.

상기 반사 미러의 위치를 분석하는 단계에서, 상기 제3 감지부에서 측정한 결과를 이용하여 상기 기판에 이상이 발생한 것인지 판단하는 레이저 빔 경로 변경 여부 판단 단계를 더 포함할 수 있다.In the analyzing the position of the reflective mirror, the method may further include determining whether to change the laser beam path for determining whether an abnormality has occurred in the substrate using the result measured by the third sensing unit.

실시예들에 따르면, 레이저 결정화 장치에서 외부 또는 내부의 영향으로 빔의 진동이 발생하더라도 영향을 최소화하여 고품질의 실리콘 박막을 제공할 수 있으며, 또한, 진동 원인 제거를 위한 장치 가동 중단이 필요 없으므로, 장치 가동률을 극대화시킬 수 있다.According to embodiments, even if the beam vibration occurs due to external or internal influences in the laser crystallization apparatus, it is possible to provide a high-quality silicon thin film by minimizing the influence, and also, since there is no need to stop the operation of the device for removing the cause of vibration, It is possible to maximize the device operation rate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 동작 방법을 순서대로 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치에서 측정한 데이터를 그래프로 나타낸 것이다.
도 4는 레이저 결정화 장치의 비교예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart sequentially illustrating a method of operating a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing data measured by a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically illustrating a comparative example of a laser crystallization apparatus.
5 is a diagram schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a view schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, various embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. The present invention may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar. In order to clearly express various layers and regions in the drawings, the thicknesses are enlarged. And in the drawings, for convenience of description, the thickness of some layers and regions are exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Further, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be “on” or “on” another part, it includes not only cases where it is “directly on” another part, but also cases where another part is in between. . Conversely, when we say that a part is "just above" another part, we mean that there is no other part in the middle. In addition, to be "on" or "on" the reference part is located above or below the reference part, and does not necessarily mean to be located "on" or "on" the opposite direction of gravity. .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.In addition, throughout the specification, when referring to "planar", it means when the target part is viewed from above, and "cross-sectional" means when viewed from the side when a cross-section of the target part is vertically cut.

이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치에 관하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.Hereinafter, a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 . 1 is a view schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치는, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기(10)와, 레이저 빔을 광 변환시켜 변환된 레이저 빔을 만드는 광학계(20)와, 변환된 레이저 빔이 조사되어 레이저 결정화되는 박막이 형성된 기판(S)과 기판(S)이 탑재되는 기판 스테이지(32)를 포함하는 챔버(30)를 포함한다. 도 1의 점선 또는 선은 레이저 발생기(10)에서 발생하는 레이저 빔이 진행하는 경로를 나타낸다. 레이저 발생기(10)에서 발생하는 레이저 빔의 경로를 예시적으로 제1 경로(a), 제2 경로(a'), 제3 경로(a") 로 나타내었다. 제1 경로(a)는 레이저 발생기(10)에서 발생하는 레이저 빔의 정상 경로를 의미하고, 제2 경로(a') 또는 제3 경로(a")는 레이저 빔이 외부의 진동, 또는 레이저 발생기(10) 내부 가스의 노후화, 레이저 윈도우의 오염 등의 내부의 영향을 받아 변경된 경로를 의미한다.Referring to FIG. 1 , a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention includes a laser generator 10 for generating a laser beam, an optical system 20 for converting a laser beam into light to create a converted laser beam, and conversion and a chamber 30 including a substrate S on which a thin film to be laser crystallized by being irradiated with a laser beam and a substrate stage 32 on which the substrate S is mounted. A dotted line or line in FIG. 1 indicates a path along which a laser beam generated from the laser generator 10 travels. The path of the laser beam generated by the laser generator 10 is exemplarily shown as a first path (a), a second path (a'), and a third path (a"). The first path (a) is a laser It means a normal path of the laser beam generated from the generator 10, the second path (a') or the third path (a") is the laser beam from external vibration, or aging of the gas inside the laser generator 10, It means a path that has been changed due to internal influences such as contamination of the laser window.

레이저 발생기(10)는 광학계(20)에 입사될 수 있도록 레이저 빔을 발생시킨다. 레이저 발생기(10)에서 발생되는 레이저 빔은 P편광 및 S편광을 포함할 수 있으며, 박막의 상 변이를 유도하는 엑시머 레이저 빔 등으로서, 광학계(20)에서 광변환되어 기판(S) 상면에 형성된 박막을 결정화시킨다. 박막은 비정질 실리콘층일 수 있으며, 이는 저압화학 증착법, 상압화학 증착법, PECVD법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링법, 진공증착법(vacuum evaporation) 등의 방법으로 형성될 수 있다.The laser generator 10 generates a laser beam to be incident on the optical system 20 . The laser beam generated by the laser generator 10 may include P-polarized light and S-polarized light, and is an excimer laser beam that induces a phase change of a thin film, which is optically converted in the optical system 20 and formed on the upper surface of the substrate S. The thin film is crystallized. The thin film may be an amorphous silicon layer, which may be formed by methods such as low pressure chemical vapor deposition, atmospheric pressure chemical vapor deposition, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), sputtering, and vacuum evaporation.

레이저 발생기(10)에서 발생한 레이저 빔은 광학계(20)로 입사된다. 광학계(20)는 레이저 빔의 경로를 변화시키는 복수 개의 렌즈 및 미러를 포함할 수 있고, 레이저 빔을 광 변환시킨다. 광학계(20)는 레이저 발생기(10)에서 입사된 레이저 빔의 편광축 방향을 변환시키는 적어도 하나의 반파장판(Half Wave Plate; HWP)을 포함할 수 있으며, 레이저 빔을 전부 반사시키는 적어도 하나의 미러를 포함할 수 있다. 또는, 레이저 빔의 일부는 반사시키고 일부는 투과시키는 적어도 하나의 편광빔 스플리터(Polarization Beam Splitter; PBS)를 포함할 수 있다.The laser beam generated by the laser generator 10 is incident on the optical system 20 . The optical system 20 may include a plurality of lenses and mirrors that change the path of the laser beam, and convert the laser beam into light. The optical system 20 may include at least one half-wave plate (HWP) that converts the polarization axis direction of the laser beam incident from the laser generator 10, and at least one mirror that reflects all the laser beam may include Alternatively, at least one polarization beam splitter (PBS) that reflects a part of the laser beam and transmits a part of the laser beam may be included.

광학계(20)는 입사 미러(28)를 포함한다. 입사 미러(28)는 레이저 발생기(10)에서 발생한 레이저 빔이 광학계(20)를 통과할 때, 광학계(20)에 위치하는 복수 개의 미러들 중 가장 마지막에 거치는 미러이다. 레이저 발생기(10)에서 발생한 레이저 빔은 광학계(20)를 통과하면서 입사 미러(28)에 입사(①)되며, 입사 미러(28)에 입사된 레이저 빔은 입사 미러(28)에서 반사(②)되어 챔버(30)에 위치하는 기판(S)에 입사된다. 입사 미러(28)는 입사 미러(28)에 입사된 레이저 빔이 반사되어 기판(S)에 입사될 수 있도록 각도가 조절되어 있다. 입사 미러(28)의 각도는 레이저 빔의 정상 경로인 제1 경로(a)를 기준으로 각도가 조절될 수 있다.The optics 20 includes an incident mirror 28 . The incident mirror 28 is a mirror that passes last among a plurality of mirrors positioned in the optical system 20 when the laser beam generated from the laser generator 10 passes through the optical system 20 . The laser beam generated from the laser generator 10 passes through the optical system 20 and is incident on the incident mirror 28 (①), and the laser beam incident on the incident mirror 28 is reflected by the incident mirror 28 (②) It is incident on the substrate (S) positioned in the chamber (30). The angle of the incident mirror 28 is adjusted so that the laser beam incident on the incident mirror 28 can be reflected and incident on the substrate S. The angle of the incident mirror 28 may be adjusted based on the first path (a), which is a normal path of the laser beam.

챔버(30)에는 기판(S)과 기판(S)이 탑재되는 기판 스테이지(32)가 위치한다. 기판 스테이지(32)는 일방향으로 이동할 수 있다. 챔버(30)는 공정의 특성 또는 사용자의 용도 등에 따라, 질소(N2), 공기(air), 및 혼합 가스 등의 분위기가 다를 수 있으며, 감압, 가압을 하거나 진공 상태인 등으로 압력이 다를 수 있다. 따라서, 챔버(30)는 개방형(open type)이 아닌, 외부 공기와 격리될 수 있는 밀폐형(closed type)일 수 있다.A substrate S and a substrate stage 32 on which the substrate S is mounted are positioned in the chamber 30 . The substrate stage 32 may move in one direction. The chamber 30 may have different atmospheres, such as nitrogen (N2), air, and mixed gas, depending on the characteristics of the process or the user's use, and the pressure may be different due to decompression, pressurization, or vacuum. have. Accordingly, the chamber 30 may not be of an open type, but may be of a closed type capable of being isolated from external air.

챔버(30)는 반사 미러(35), 구동부(미도시), 제1 감지부(36) 및 센서부(37)를 포함한다.The chamber 30 includes a reflection mirror 35 , a driving unit (not shown), a first sensing unit 36 , and a sensor unit 37 .

반사 미러(35)는 기판(S)으로 입사(②)된 레이저 빔이 반사(③)되어 진행할 때 가장 마지막에 거치는 미러이다. 기판(S)으로 입사(②)된 레이저 빔이 반사(③)되어 진행하는 경로 상에 위치하며, 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔은 반사 미러(35)에서 반사 되어 다시 기판(S)으로 입사(④)된다. 반사 미러(35)는 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔이 입사되는 면이 오목할 수 있다.The reflection mirror 35 is the last mirror passed when the laser beam incident (②) on the substrate S is reflected (③) and proceeds. The laser beam incident (②) to the substrate S is reflected (③) and positioned on the path, and the laser beam reflected (③) from the substrate S is reflected by the reflection mirror 35 and returns to the substrate ( It is incident (④) at S). The reflection mirror 35 may have a concave surface on which the laser beam reflected (③) from the substrate S is incident.

반사 미러(35)는 레이저 빔이 기판(S)에서 반사(③)된 경로에 따라 위치가 이동된다. 반사 미러(35)는 4축(X축, Y축, Z축, R축) 또는 그에 준하거나, 또는 그 이상의 자유도로 이동될 수 있다. 반사 미러(35)에는 구동부(미도시)가 연결되어 있으며, 구동부는 반사 미러(35)를 이동시킨다. 구동부는 압전(piezo) 또는 모터(motor) 타입의 구동기를 포함할 수 있다.The position of the reflection mirror 35 is moved according to the path where the laser beam is reflected (③) from the substrate S. The reflection mirror 35 may be moved in four axes (X-axis, Y-axis, Z-axis, and R-axis) or equivalent thereto, or more degrees of freedom. A driving unit (not shown) is connected to the reflective mirror 35 , and the driving unit moves the reflective mirror 35 . The driving unit may include a piezo or motor type actuator.

반사 미러(35)는 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔의 경로가 반사 미러(35)의 중심부에 오도록 위치가 이동될 수 있다. 반사 미러(35)의 중심이란, 반사 미러(35)의 복수의 표면 중, 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔이 입사되는 표면의 정중앙을 의미한다. 즉, 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔이 반사 미러(35)의 중심 또는 대략 중심 부근으로 입사되도록 반사 미러(35)는 이동될 수 있다.The position of the reflection mirror 35 may be moved so that the path of the laser beam reflected (③) from the substrate S comes to the center of the reflection mirror 35 . The center of the reflection mirror 35 means the center of the surface on which the laser beam reflected (③) from the substrate S is incident among the plurality of surfaces of the reflection mirror 35 . That is, the reflection mirror 35 may be moved so that the laser beam reflected (③) from the substrate S is incident toward the center or approximately the center of the reflection mirror 35 .

또는, 반사 미러(35)는 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔이 반사 미러(35)에 87도(°)이상 93도(°)이하의 입사각으로 입사되도록 이동될 수 있다. 반사 미러(35)에 입사된 레이저 빔은 87도(°)이상 93도(°)이하의 반사각으로 반사될 수 있다. 구체적으로 반사 미러(35)는 기판(S)에서 반사(③)된 레이저 빔이 반사 미러(35)에 90도(°)의 입사각으로 입사되도록 이동될 수 있으며, 반사 미러(35)에 입사된 레이저 빔은 90도(°)의 반사각으로 반사될 수 있다. 반사 미러(35)에 입사(③)된 레이저 빔은 정반사될 수 있으며, 레이저 빔이 반사 미러(35)에 입사(③)되는 경로와 반사 미러(35)를 통해 반사(④)되는 경로는 거의 일치할 수 있다.Alternatively, the reflective mirror 35 may be moved so that the laser beam reflected (③) from the substrate S is incident on the reflective mirror 35 at an incident angle of 87 degrees or more and 93 degrees or less. The laser beam incident on the reflection mirror 35 may be reflected at a reflection angle of 87 degrees or more and 93 degrees or less. Specifically, the reflective mirror 35 may be moved so that the laser beam reflected (③) from the substrate S is incident on the reflective mirror 35 at an incident angle of 90 degrees (°), and The laser beam may be reflected with a reflection angle of 90 degrees (°). The laser beam incident (③) on the reflection mirror 35 may be specularly reflected, and the path where the laser beam is incident (③) on the reflection mirror 35 and the path where the laser beam is reflected (④) through the reflection mirror 35 are almost can match

제1 감지부(36)는 CCD 카메라(charge-coupled device camera)를 포함할 수 있으며, 기판(S)에서 반사되어 반사 미러(35)로 입사(③)되는 레이저 빔을 감지한다. 제1 감지부(36)는 반사 미러(35)의 뒤에 위치하며, 제1 감지부(36)는 기판(S)에서 반사되어 반사 미러(35)로 입사(③)되는 레이저 빔이 반사 미러(35)의 뒤로 투과되는(③') 부분을 감지한다. 레이저 빔이 반사 미러(35)의 뒤로 투과되는(③') 부분은 1% 이하일 수 있고, 대부분은 다시 반사(④)되어 기판(S)으로 되돌아간다.The first detection unit 36 may include a charge-coupled device camera (CCD), and detects a laser beam that is reflected from the substrate S and is incident (③) on the reflection mirror 35 . The first detection unit 36 is located behind the reflection mirror 35, and the first detection unit 36 is a laser beam that is reflected from the substrate S and is incident (③) on the reflection mirror 35 by the reflection mirror ( 35) detects the part passing through (③') behind it. The portion through which the laser beam is transmitted (③') behind the reflection mirror 35 may be 1% or less, and most of it is reflected back (④) and returns to the substrate S.

제1 감지부(36)와 반사 미러(35) 사이에는 다른 구성이 위치하지 않을 수 있으며, 제1 감지부(36)는 반사 미러(35)와 평행하게 위치할 수 있다. 제1 경로(a)의 레이저 빔이 기판(S)에서 반사(③)되어 반사 미러(35)의 뒤로 투과(③')하여 진행되는 경로가 제1 감지부(36)의 중심부에 오도록 제1 감지부(36)가 위치할 수 있다. 제1 감지부(36)의 중심이란, 제1 감지부(36)의 복수의 표면 중, 반사 미러(35)의 뒤로 투과(③')되는 레이저 빔이 입사되는 표면의 정중앙을 의미한다. 반사 미러(35)의 뒤로 투과(③')되는 제1 경로(a)의 레이저 빔은 제1 감지부(36)의 중심과 일치할 수 있으며, 또는 제1 감지부(36)와 대략 제1 감지부(36)의 중심 부근에서 만날 수 있다. 즉, 제1 감지부(36)는, 제1 경로(a)의 레이저 빔이 반사 미러(35)에 입사(③)되어 진행할 때의 경로를 기준으로 하여, 이러한 경로가 제1 감지부(36)의 중심부에 오도록 위치할 수 있다.Another configuration may not be positioned between the first detector 36 and the reflective mirror 35 , and the first detector 36 may be positioned parallel to the reflective mirror 35 . The laser beam of the first path (a) is reflected (③) from the substrate (S) and transmitted to the back of the reflection mirror 35 (③') so that the path proceeding comes to the center of the first sensing unit 36 . A sensing unit 36 may be located. The center of the first sensing unit 36 means the center of a surface on which the laser beam transmitted (③') transmitted behind the reflection mirror 35 is incident among the plurality of surfaces of the first sensing unit 36 . The laser beam of the first path (a) transmitted backward (③') of the reflection mirror 35 may coincide with the center of the first detection unit 36 , or may coincide with the first detection unit 36 and approximately the first It can meet in the vicinity of the center of the sensing unit (36). That is, the first detection unit 36, based on the path when the laser beam of the first path (a) is incident (③) on the reflection mirror 35 and proceeds, this path is determined by the first detection unit 36 ) can be located at the center of the

제1 감지부(36)는 반사 미러(35)의 뒤로 투과되는(③') 레이저 빔을 감지하여 레이저 빔이 반사 미러(35)에 입사된 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다. 제1 감지부(36)는 제1 경로(a)의 레이저 빔이 제1 감지부(36)에 입사(③')되는 경로를 기준으로 하여 레이저 빔의 경로가 얼마나 변경되었는지를 측정할 수 있다.The first detection unit 36 may detect a laser beam that is transmitted (③') behind the reflection mirror 35 and measure the position of the laser beam at which the laser beam is incident on the reflection mirror 35 in real time. The first detection unit 36 may measure how much the path of the laser beam is changed based on the path through which the laser beam of the first path (a) is incident (③') on the first detection unit 36 . .

반사 미러(35)에는 반사 미러(35)의 위치를 실시간으로 측정하는 센서부(37)가 연결되어 있다. 센서부(37)는 반사 미러(35)의 측면 또는 후면의 엣지부에 위치할 수 있으며, 0.05㎛(마이크로미터) 이하의 위치 분해능을 가질 수 있다. 즉, 센서부(37)는 0.05㎛(마이크로미터)까지의 반사 미러(35)의 미세한 위치 변화를 감지할 수 있다. 센서부(37)로 간섭계(interferometer)가 사용될 수 있다.A sensor unit 37 that measures the position of the reflection mirror 35 in real time is connected to the reflection mirror 35 . The sensor unit 37 may be located at an edge portion of a side surface or a rear surface of the reflection mirror 35 , and may have a position resolution of 0.05 μm (micrometer) or less. That is, the sensor unit 37 may detect a minute change in the position of the reflection mirror 35 up to 0.05 μm (micrometer). An interferometer may be used as the sensor unit 37 .

센서부(37)는 반사 미러(35)의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다. 센서부(37)는 제1 위치(b)를 기준으로 센서부(37)의 위치가 얼마나 이동되었는지 측정할 수 있다. 제1 위치(b)는, 제1 경로(a)의 레이저 빔이, 반사 미러(35)에 입사한 경로 거의 그대로 기판(S)으로 반사되도록 하는 반사 미러(35)의 위치를 의미한다.The sensor unit 37 may measure the position of the reflection mirror 35 in real time. The sensor unit 37 may measure how much the position of the sensor unit 37 is moved based on the first position (b). The first position (b) means a position of the reflection mirror 35 so that the laser beam of the first path (a) is reflected to the substrate S almost as it is on the path incident on the reflection mirror 35 .

제1 감지부(36)에서 실시간으로 측정한 레이저 빔의 위치와 센서부(37)에서 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치가 종합되어 레이저 빔의 위치에 대하여 반사 미러(35)의 위치가 적절한지 판단되며, 이에 따라 반사 미러(35)의 위치가 이동된다. 결정화 장치에는 제1 감지부(36) 및 센서부(37)에서 측정한 데이터를 결합하고 반사 미러(35)의 위치가 적절한지 판단하는 제어부가 포함될 수 있다.The position of the laser beam measured in real time by the first detection unit 36 and the position of the reflection mirror 35 measured in real time by the sensor unit 37 are combined, and the position of the reflection mirror 35 with respect to the position of the laser beam is judged to be appropriate, and the position of the reflection mirror 35 is moved accordingly. The crystallization apparatus may include a control unit that combines the data measured by the first detection unit 36 and the sensor unit 37 and determines whether the position of the reflection mirror 35 is appropriate.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 동작, 효과 및 레이저 결정화 방법에 관하여 설명한다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 구성 요소에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, the operation, effect, and laser crystallization method of the laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 . A description of components overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 동작 방법을 순서대로 나타낸 순서도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치에서 측정한 데이터를 그래프로 나타낸 것이다. 도 4는 레이저 결정화 장치의 비교예를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a flowchart sequentially illustrating a method of operating a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a graph showing data measured by a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a diagram schematically illustrating a comparative example of a laser crystallization apparatus.

레이저 결정화 장치를 가동하면, 레이저 발생기(10)에서 발생한 레이저 빔은 광학계(20)에 입사되어 광학계(20)를 통과하면서 입사 미러(28)에 입사(①)되었다가 다시 입사 미러(28)에서 반사(②)되어 챔버(30)에 입사되고, 챔버(30) 내 기판(S)에 입사되었다가 기판(S)에서 다시 반사(③)되어, 반사 미러(35)에 입사되었다가 반사 미러(35)에서 다시 반사(④)되어 기판(S)으로 되돌아가는 경로를 거친다. 레이저 빔이 이러한 경로로 진행하는 중에 제1 감지부(36)는 반사 미러(35)의 뒤로 투과되는(③') 레이저 빔의 위치를 측정하고, 센서부(37)는 반사 미러(35)의 위치를 실시간으로 측정한다. 이렇게 제1 감지부(36)에서 실시간으로 측정한 레이저 빔의 위치와 센서부(37)에서 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치는 시계열적으로 결합되어 레이저 빔의 위치에 대하여 반사 미러(35)의 위치가 적절한지 판단하는 기준이 될 수 있다.When the laser crystallization device is operated, the laser beam generated from the laser generator 10 is incident on the optical system 20, passes through the optical system 20, is incident on the incident mirror 28 (①), and then again at the incident mirror 28. It is reflected (②) and is incident on the chamber 30, is incident on the substrate S in the chamber 30, is reflected back from the substrate S (③), is incident on the reflective mirror 35, and then is incident on the reflective mirror ( 35) is reflected again (④) and passes through a path returning to the substrate (S). While the laser beam travels in this path, the first detection unit 36 measures the position of the laser beam that is transmitted (③') behind the reflection mirror 35 , and the sensor unit 37 measures the position of the reflection mirror 35 . Measure the position in real time. In this way, the position of the laser beam measured in real time by the first detection unit 36 and the position of the reflection mirror 35 measured in real time by the sensor unit 37 are time-series coupled to the position of the laser beam. 35) can be a criterion for judging whether the location is appropriate.

도 2를 참고하면, 제1 단계(I)는 센서부(37)가 반사 미러(35)의 위치를 실시간으로 측정하는 단계와, 측정된 반사 미러(35)의 위치가 제1 감지부(36)에서 실시간으로 측정한 레이저 빔의 위치에 대하여 적절한지 분석하는 반사 미러 위치 분석 단계를 포함한다. 여기서 반사 미러(35)의 위치가 적절하다는 것은 레이저 빔이 반사 미러(35)에 입사(③)되는 경로와 반사 미러(35)를 통해 반사(④)되는 경로가 거의 일치하거나, 또는 레이저 빔이 입사 미러(28)에서 반사 미러(35)를 향해 진행할 때 기판(S)에서 반사되는 위치와 반사 미러(35)에서 입사 미러(28)를 향해 진행할 때 기판(S)에서 반사되는 위치가 거의 일치하도록 반사 미러(35)가 위치한다는 의미이다. 반사 미러(35)의 위치 분석 결과 반사 미러(35)의 위치가 오차 범위 내인지 판단하는 단계를 거쳐, 오차 범위 내가 아니면 반사 미러(35)의 위치를 보정하는 단계를 반복한다. 보정된 반사 미러(35)의 위치가 오차 범위 내라면 제1 단계(I)를 종료한다.Referring to FIG. 2 , in the first step (I), the sensor unit 37 measures the position of the reflection mirror 35 in real time, and the measured position of the reflection mirror 35 is determined by the first detection unit 36 . ) includes a reflection mirror position analysis step of analyzing whether it is appropriate for the position of the laser beam measured in real time. Here, the proper position of the reflection mirror 35 means that the path where the laser beam is incident (③) on the reflection mirror 35 and the path where the laser beam is reflected (④) through the reflection mirror 35 are almost identical, or the laser beam is The position reflected by the substrate S when traveling from the incident mirror 28 toward the reflection mirror 35 and the position reflected by the substrate S when traveling from the reflection mirror 35 toward the incident mirror 28 are almost identical. This means that the reflective mirror 35 is positioned to do so. As a result of analyzing the position of the reflection mirror 35 , it is determined whether the position of the reflection mirror 35 is within the error range, and if it is not within the error range, the step of correcting the position of the reflection mirror 35 is repeated. If the corrected position of the reflection mirror 35 is within the error range, the first step (I) is terminated.

제2 단계(II)는 제1 감지부(36)가 반사 미러(35)의 뒤로 투과되는(③') 레이저 빔의 위치 변화를 실시간으로 측정하는 단계, 측정된 레이저 빔의 위치를 센서부(37)가 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치에 대하여 분석하는 빔의 위치 분석 단계를 포함한다. 측정된 레이저 빔의 위치가 센서부(37)가 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치에 대하여 오차 범위 내인지 판단하는 단계를 거쳐, 오차 범위 내가 아니면 반사 미러(35)의 위치를 보정하는 단계를 반복한다. 보정된 반사 미러(35)의 위치가 오차 범위 내라면 제2 단계(II)를 종료한다. 제1 단계(I)와 제2 단계(II)는 레이저 결정화 장치가 작동되는 동안 반복하여 진행될 수 있으며, 먼저 진행되는 순서는 무관하다.The second step (II) is a step in which the first detection unit 36 measures a change in the position of the laser beam transmitted behind the reflection mirror 35 (③') in real time, and the measured position of the laser beam is measured by the sensor unit ( 37) analyzing the position of the reflection mirror 35 measured in real time by the beam position analysis step. After determining whether the measured position of the laser beam is within an error range with respect to the position of the reflecting mirror 35 measured by the sensor unit 37 in real time, if it is not within the error range, the position of the reflecting mirror 35 is corrected. Repeat the steps. If the corrected position of the reflection mirror 35 is within the error range, the second step (II) is terminated. The first step (I) and the second step (II) may be repeatedly performed while the laser crystallization apparatus is operated, and the order of the first steps is irrelevant.

예를 들어 레이저 빔이 정상 경로인 제1 경로(a)로 입사되는 경우, 제1 단계(I) 또는 제2 단계(II) 또는 이들의 반복 진행을 거쳐 반사 미러(35)의 제1 위치(b)가 적절한 것으로 판단되며, 반사 미러(35)는 제1 위치(b)로 이동하게 된다. 외부 또는 내부의 영향으로 레이저 빔이 정상 경로를 벗어나서 제2 경로(a')로 입사되는 경우 반사 미러(35)는 제2 위치(b')로 이동하게 된다. 레이저 빔이 제3 경로(a")로 입사되는 경우 반사 미러(35)는 제3 위치(b")로 이동하게 된다.For example, when the laser beam is incident on the first path (a), which is a normal path, the first position ( It is determined that b) is appropriate, and the reflection mirror 35 is moved to the first position (b). When the laser beam deviates from the normal path and enters the second path a' due to external or internal influence, the reflection mirror 35 moves to the second position b'. When the laser beam is incident on the third path (a"), the reflection mirror 35 moves to the third position (b").

레이저 빔의 경로에 따라 반사 미러(35)의 위치가 이동됨으로써, 레이저 빔이 입사 미러(28)에서 반사 미러(35)를 향해 진행할 때 기판(S)에서 반사되는 위치로 반사 미러(35)가 다시 정확하게 레이저 빔을 반사시킬 수 있다. 따라서 레이저 빔의 경로가 외부 또는 내부의 영향으로 정상 경로를 벗어나더라도, 반사 미러(35)는 레이저 빔을 정확한 위치로 기판(S)에 반사시킬 수 있다.The position of the reflection mirror 35 is moved according to the path of the laser beam, so that the reflection mirror 35 is moved to a position where it is reflected from the substrate S when the laser beam travels from the incident mirror 28 toward the reflection mirror 35. Again, it is possible to accurately reflect the laser beam. Therefore, even if the path of the laser beam deviates from the normal path due to external or internal influences, the reflection mirror 35 can reflect the laser beam to the substrate S at an accurate position.

도 3의 그래프(A)는 제1 감지부(36)에서 실시간으로 측정한 빔의 위치를 개략적으로 그래프로 나타낸 것이다. 그래프(B)는 센서부(37)에서 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치를 개략적으로 그래프로 나타낸 것이다. 빔의 위치 변화에 따라서 이에 반대되는 위치로 반사 미러(35)가 이동되었음을 확인할 수 있다. 그래프(C)는 기판(S)에 부착되어 있는 카메라로, 레이저 빔이 기판(S)에 입사되었을 때의 위치와 반사되었을 때의 위치 차이를 비교하여 측정한 것인데, 레이저 발생기(10)에서 발생하는 레이저 빔의 경로에 불문하고 레이저 빔이 기판(S)에 입사되었을 때의 위치와 반사되었을 때의 위치 차이가 거의 없음을 확인할 수 있다. 이렇게 레이저 빔의 경로에 따라 반사 미러(35)의 위치를 이동시켜 레이저 빔이 기판(S)에 입사되었을 때의 위치와 반사되었을 때의 위치를 거의 동일하게 만들 수 있다.The graph (A) of FIG. 3 schematically shows the position of the beam measured in real time by the first detector 36 as a graph. The graph (B) schematically shows the position of the reflection mirror 35 measured in real time by the sensor unit 37 as a graph. It can be seen that the reflection mirror 35 is moved to a position opposite to this according to the change in the position of the beam. Graph (C) is a camera attached to the substrate (S), which is measured by comparing the difference between the position when the laser beam is incident on the substrate (S) and the position when it is reflected, which is generated by the laser generator (10). Regardless of the path of the laser beam, it can be seen that there is little difference between the position when the laser beam is incident on the substrate S and the position when it is reflected. In this way, by moving the position of the reflection mirror 35 according to the path of the laser beam, the position when the laser beam is incident on the substrate S and the position when the laser beam is reflected can be made almost the same.

레이저 결정화 장치는 빔 경로가 수 미터(m) 내지 수십 미터로 되기 때문에, 진동에 의해 빔 경로상의 렌즈가 미세하게 흔들려도 기판 상의 큰 떨림으로 나타나 진동에 매우 취약하다. 이러한 기판 상의 레이저 빔의 진동은 주기적인 줄 얼룩으로 발현되어 실리콘 박막의 품질을 저하시킬 수 있다. 또한, 레이저 빔은 외부의 진동뿐만 아니라 레이저 발생기(10) 내부 가스의 노후화, 레이저 윈도우의 오염 등의 내부의 영향을 받아 경로가 변경될 수도 있다. 이러한 레이저 빔 경로의 미세한 변화에도 실리콘 박막이 결정화되는 적정 에너지 차이가 급격히 변화되며 결정(grain)의 균일함에 큰 차이가 발생하여 실리콘 박막 품질에 큰 영향을 미친다. 이러한 진동의 원인을 파악하기 위해서는 위치별, 시간대별 진동을 측정해야 하므로 수 내지 수십 일이 소요되며, 진동 원인을 제거하거나 제거하지 못하여 설비를 개조해야 할 경우 수십 일 내지 수 개월이 소요되므로, 이에 따른 설비 가동율 및 생산 손실(loss)이 극심하다. 또한, 진동 센서가 감지하지 못하는 미세 렌즈 진동에 의해 불량이 발생할 경우, 레이저 결정화 공정이 디스플레이 공정의 초입 공정이기 때문에 화상에서 불량이 파악되었을 때는 이미 엄청난 물량의 기판이 결정화 및 후속 공정이 진행된 상황이므로, 그 피해가 극심하다.Since the laser crystallization apparatus has a beam path of several meters (m) to several tens of meters, even if the lens on the beam path is slightly shaken due to vibration, it appears as a large vibration on the substrate and is very vulnerable to vibration. The vibration of the laser beam on the substrate may be expressed as periodic streaks, which may deteriorate the quality of the silicon thin film. In addition, the path of the laser beam may be changed due to internal influences such as aging of gas inside the laser generator 10, contamination of the laser window, etc. as well as external vibration. Even with such a minute change in the laser beam path, the difference in the appropriate energy for the crystallization of the silicon thin film is rapidly changed, and there is a big difference in the uniformity of the grains, which greatly affects the quality of the silicon thin film. In order to determine the cause of such vibration, it takes several to tens of days to measure the vibration by location and time period. As a result, the facility utilization rate and production loss are severe. In addition, if a defect occurs due to the fine lens vibration that the vibration sensor cannot detect, since the laser crystallization process is the beginning process of the display process, when the defect is identified in the image, a huge amount of substrate has already been crystallized and the subsequent process is in progress. , the damage is severe.

그러나, 본 발명의 실시예와 같이 레이저 빔의 경로에 따라 반사 미러(35)의 위치를 이동시켜 레이저 빔이 기판(S)에 입사되었을 때의 위치와 반사되었을 때의 위치를 거의 동일하도록 하는 경우 진동의 원인을 파악하지 않고도 레이저 빔의 경로 변경이 기판에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. 레이저 빔이 기판(S)에 입사되었을 때의 위치와 반사되었을 때의 위치가 거의 동일하므로 기판 상에 도달하는 레이저 빔의 진동으로 인한 주기적인 줄얼룩이 발현되지 않는다. 따라서 실리콘 박막의 결정(grain)의 균일성이 향상되고 고품질의 실리콘 박막을 제공할 수 있으며, 또한, 진동 원인 제거를 위한 장치 가동 중단이 필요 없으므로, 장치 가동률을 극대화시킬 수 있다.However, as in the embodiment of the present invention, when the position of the reflection mirror 35 is moved according to the path of the laser beam so that the position when the laser beam is incident on the substrate S and the position when it is reflected are almost the same The effect of changing the path of the laser beam on the substrate can be minimized without determining the cause of the vibration. Since the position when the laser beam is incident on the substrate S and the position when it is reflected are almost the same, periodic streaks due to vibration of the laser beam reaching the substrate do not occur. Accordingly, the uniformity of the grains of the silicon thin film is improved, and a high quality silicon thin film can be provided. Also, there is no need to stop the operation of the device for removing the cause of vibration, so that the device operation rate can be maximized.

도 4의 레이저 결정화 장치 비교예를 참고하면, 레이저 발생기(10)에서 발생한 레이저 빔이 외부 또는 내부의 영향으로 정상 경로를 벗어나 제2 경로(a'), 제3 경로(a")로 진행할 때, 반사 미러(35)의 위치가 이동하지 않고 제1 위치(b)에 고정되어 있으며, 레이저 빔이 기판(S)에 입사되는 위치와 레이저 빔이 기판(S)에서 반사되는 위치가 서로 다름을 확인할 수 있다. 레이저 빔이 반사 미러(35)에 입사(③)되는 경로와 반사 미러(35)를 통해 반사(④)되는 경로가 상이하며, 레이저 빔이 입사 미러(28)에서 반사 미러(35)를 향해 진행할 때 기판(S)에서 반사되는 위치와 반사 미러(35)에서 입사 미러(28)를 향해 진행할 때 기판(S)에서 반사되는 위치가 서로 다르다.Referring to the comparative example of the laser crystallization apparatus of FIG. 4 , when the laser beam generated from the laser generator 10 departs from the normal path due to external or internal influences and proceeds to the second path (a') and the third path (a") , that the position of the reflection mirror 35 is fixed to the first position (b) without moving, and the position at which the laser beam is incident on the substrate (S) and the position where the laser beam is reflected from the substrate (S) are different from each other The path through which the laser beam is incident (③) on the reflection mirror 35 and the path through which the laser beam is reflected (④) through the reflection mirror 35 are different, and the laser beam moves from the incident mirror 28 to the reflection mirror 35 ), a position reflected from the substrate S and a position reflected from the substrate S from the reflection mirror 35 toward the incident mirror 28 are different from each other.

이하, 도 2 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치에 관하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 구성 요소에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 5 . 5 is a diagram schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention. A description of components overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

광학계(20)는 제2 감지부(29)를 더 포함할 수 있다. 제2 감지부(29)는 CCD 카메라(charge-coupled device camera)를 포함할 수 있으며, 챔버(30)로 입사(②)되었다가 기판(S)으로부터 반사되어 다시 광학계(20)로 되돌아오는(⑤) 레이저 빔을 감지한다. 제2 감지부(29)는 입사 미러(28)의 뒤에 위치하며, 제2 감지부(29)는 기판(S)으로부터 반사되어 다시 광학계(20)로 되돌아오는(⑤) 레이저 빔이 입사 미러(28)의 뒤로 투과되는(⑤') 부분을 감지한다. 레이저 빔이 입사 미러(28)의 뒤로 투과되는(⑤') 부분은 1% 이하일 수 있다.The optical system 20 may further include a second sensing unit 29 . The second sensing unit 29 may include a charge-coupled device camera (CCD), which is incident (②) into the chamber 30, is reflected from the substrate S, and returns to the optical system 20 ( ⑤) Detect the laser beam. The second sensing unit 29 is located behind the incident mirror 28, and the second sensing unit 29 reflects the laser beam from the substrate S and returns to the optical system 20 again (⑤). 28) detects the part passing through (⑤') behind it. The portion through which the laser beam is transmitted (5') behind the incident mirror 28 may be 1% or less.

제2 감지부(29)와 입사 미러(28) 사이에는 다른 구성이 위치하지 않을 수 있으며, 제2 감지부(29)는 입사 미러(28)와 평행하게 위치할 수 있다. 레이저 빔의 제1 경로(a)가 입사 미러(28)에서 반사(②)되어 진행하는 경로를 입사 미러(28)의 뒤 부분까지 가상 직선으로 연장하였을 때, 이 가상의 직선과 제2 감지부(29)는 제2 감지부(29)의 중심부에서 만날 수 있다. 제2 감지부(29)의 중심이란, 제2 감지부(29)의 복수의 표면 중, 입사 미러(28)의 뒤로 투과(⑤')되는 레이저 빔이 입사되는 표면의 정중앙을 의미한다. 가상의 직선은 제2 감지부(29)의 중심과 일치할 수 있으며, 또는 제2 감지부(29)와 대략 제2 감지부(29)의 중심 부근에서 만날 수 있다. 즉, 제2 감지부(29)는, 제1 경로(a)의 레이저 빔이 입사 미러(28)에서 반사(②)되어 진행할 때의 경로를 기준으로 하여, 이러한 경로가 제2 감지부(29)의 중심부에 오도록 위치할 수 있다.Another configuration may not be positioned between the second detector 29 and the incident mirror 28 , and the second detector 29 may be positioned parallel to the incident mirror 28 . When the first path (a) of the laser beam is reflected (②) by the incident mirror 28 and extends as a virtual straight line to the rear portion of the incident mirror 28, the virtual straight line and the second sensing unit (29) may meet at the center of the second sensing unit (29). The center of the second sensing unit 29 means a center of a surface on which the laser beam transmitted (5') transmitted behind the incident mirror 28 is incident among the plurality of surfaces of the second sensing unit 29 . The imaginary straight line may coincide with the center of the second sensing unit 29 , or may meet the second sensing unit 29 and approximately in the vicinity of the center of the second sensing unit 29 . That is, the second sensing unit 29 determines that the laser beam of the first path (a) is reflected (②) from the incident mirror 28 and travels with the path as a reference, and this path is determined by the second sensing unit 29 . ) can be located at the center of the

제2 감지부(29)는 입사 미러(28)의 뒤로 투과되는(⑤') 레이저 빔을 감지하여 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다. 제2 감지부(29)는 제1 경로(a)의 레이저 빔이 제2 감지부(29)에 입사(⑤')되는 경로를 기준으로 하여 레이저 빔의 경로가 얼마나 변경되었는지를 측정할 수 있다.The second sensing unit 29 may detect the laser beam transmitted through the back of the incident mirror 28 (⑤') to measure the position of the laser beam in real time. The second sensing unit 29 may measure how much the path of the laser beam is changed based on the path where the laser beam of the first path (a) is incident (⑤') on the second sensing unit 29 . .

제2 감지부(29)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과는 단독으로, 또는 제1 감지부(36)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과와 함께 반사 미러(35)의 위치를 판단하는 데이터가 될 수 있다.Data for determining the position of the reflection mirror 35 alone or together with the result of measuring the position of the laser beam by the second sensing unit 29 can be

제2 감지부(29)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과 단독, 또는 제1 감지부(36)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과와 결합하여 반사 미러(35)의 위치를 분석하고 반사 미러(35)의 위치가 오차 범위 내인지 판단할 수 있다. 반사 미러(35)의 위치가 오차 범위 내인지 판단하여 오차 범위 내가 아니면 반사 미러(35)의 위치를 보정하는 단계를 반복하는 제3 단계(III)가 도 2에 대하여 상술한 제1 단계(I) 또는 제2 단계(II) 다음에 진행될 수 있다.The result of measuring the position of the laser beam by the second sensing unit 29 alone or in combination with the result of measuring the position of the laser beam by the first sensing unit 36 is analyzed to analyze the position of the reflection mirror 35 and It can be determined whether the position of (35) is within an error range. The third step (III) of repeating the step of determining whether the position of the reflection mirror 35 is within the error range and correcting the position of the reflection mirror 35 is not within the error range is the first step (I) described above with respect to FIG. ) or after the second step (II).

이하, 도 2 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치에 관하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 앞서 설명한 실시예와 중복되는 구성 요소에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 6 . 6 is a view schematically showing a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention. A description of components overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

광학계(20)는 제3 감지부(27)를 더 포함할 수 있다. 제3 감지부(27)는 CCD 카메라(charge-coupled device camera)를 포함할 수 있으며, 기판(S)에 굴곡 또는 이물질 등에 의해 레이저 빔의 굴절 또는 왜곡 등이 발생하는 경우를 보상해 주는 기능을 할 수 있다. 제3 감지부(27)는 입사 미러(28)의 뒤에 위치하며, 광학계(20)로 입사(①)된 레이저 빔이 입사 미러(28) 뒤로 투과(①')되는 부분을 감지한다. 레이저 빔이 입사 미러(28)의 뒤로 투과되는(①') 부분은 1% 이하일 수 있다.The optical system 20 may further include a third sensing unit 27 . The third sensing unit 27 may include a charge-coupled device camera (CCD), and has a function of compensating for the occurrence of refraction or distortion of the laser beam due to bending or foreign substances in the substrate S. can do. The third sensing unit 27 is located behind the incident mirror 28 and detects a portion in which the laser beam incident (①) to the optical system 20 is transmitted (①') behind the incident mirror 28 . The portion through which the laser beam is transmitted (①') behind the incident mirror 28 may be 1% or less.

제3 감지부(27)와 입사 미러(28) 사이에는 다른 구성이 위치하지 않을 수 있으며, 제3 감지부(27)는 입사 미러(28)와 평행하게 위치할 수 있다. 레이저 빔의 제1 경로(a)가 광학계(20)로 진입하여 입사 미러(28)로 입사(①)되는 경로와 제3 감지부(27)는 제3 감지부(27)의 중심부에서 만날 수 있다. 제3 감지부(27)의 중심이란, 제3 감지부(27)의 복수의 표면 중, 입사 미러(28)의 뒤로 투과(①')되는 레이저 빔이 입사되는 표면의 정중앙을 의미한다. 입사 미러(28)로 입사(①)되는 레이저 빔의 경로는 제3 감지부(27)의 중심과 일치할 수 있으며, 또는 제3 감지부(27)와 대략 제3 감지부(27)의 중심 부근에서 만날 수 있다. 즉, 제3 감지부(27)는, 제1 경로(a)의 레이저 빔이 입사 미러(28)로 입사(①)될 때의 경로를 기준으로 하여, 이러한 경로가 제3 감지부(27)의 중심부에 오도록 위치할 수 있다.Another configuration may not be located between the third sensing unit 27 and the incident mirror 28 , and the third sensing unit 27 may be located parallel to the incident mirror 28 . A path through which the first path (a) of the laser beam enters the optical system 20 and is incident (①) on the incident mirror 28 and the third sensing unit 27 may meet at the center of the third sensing unit 27 have. The center of the third sensing unit 27 means the center of the surface on which the laser beam transmitted (①') transmitted behind the incident mirror 28 is incident among the plurality of surfaces of the third sensing unit 27 . The path of the laser beam incident (①) to the incident mirror 28 may coincide with the center of the third sensing unit 27 , or approximately the center of the third sensing unit 27 and the third sensing unit 27 . can be found nearby. That is, the third sensing unit 27, based on the path when the laser beam of the first path (a) is incident (①) to the incident mirror 28, this path is determined by the third sensing unit 27 It can be positioned so that it comes to the center of

제3 감지부(27)는 입사 미러(28)의 뒤로 투과되는(①') 레이저 빔을 감지하여 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정할 수 있다. 제3 감지부(27)는 제1 경로(a)의 레이저 빔이 제3 감지부(27)에 입사(①')되는 경로를 기준으로 하여 레이저 빔의 경로가 얼마나 변경되었는지를 측정할 수 있다.The third sensing unit 27 may detect the laser beam transmitted behind the incident mirror 28 (①') and measure the position of the laser beam in real time. The third sensing unit 27 may measure how much the path of the laser beam is changed based on the path where the laser beam of the first path (a) is incident (①') on the third sensing unit 27 . .

제3 감지부(27)는 기판(S)에 굴곡 또는 이물질 등에 의해 레이저 빔의 굴절 또는 왜곡 등이 발생하는 경우를 보상해 주는 기능을 할 수 있다. 제1 감지부(36) 또는 제2 감지부(29)에서 레이저 빔의 위치 변화가 발생하더라도 제3 감지부(27) 에서 레이저 빔의 위치 변화가 없다면 그건 레이저 발생기(10)에서 레이저 빔 경로의 변경이 생긴 것이 아니라 기판(S)의 특정 위치에 굴곡 또는 이물질 등의 이상점이 있는 것으로 해석할 수 있다.The third sensing unit 27 may function to compensate for the occurrence of refraction or distortion of the laser beam due to bending or foreign substances on the substrate S. Even if there is a change in the position of the laser beam in the first sensing unit 36 or the second sensing unit 29, if there is no change in the position of the laser beam in the third sensing unit 27, it is the laser beam path in the laser generator 10. It can be interpreted that there is an abnormality such as a bend or a foreign material at a specific position of the substrate S rather than a change.

제3 감지부(27)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과는 단독으로, 또는 제1 감지부(36) 또는 제2 감지부(29)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과와 함께 반사 미러(35)의 위치를 판단하는 데이터가 될 수 있다.The result of measuring the position of the laser beam by the third sensing unit 27 alone or together with the result of measuring the position of the laser beam by the first sensing unit 36 or the second sensing unit 29 is reflected in a reflective mirror ( 35) can be data to determine the location of

도 2를 참고하면, 제1 단계(I)에서 센서부(37)에서 측정한 반사 미러(35)의 위치가 제1 감지부(36)에서 실시간으로 측정한 레이저 빔의 위치에 대하여 적절한지 분석하는 반사 미러 위치 분석 단계에서, 제3 감지부(27)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과도 고려하여 레이저 빔 경로의 변경이 생긴 것인지 기판(S)의 특정 위치에 굴곡 또는 이물질 등의 이상점이 발생한 것인지 판단하는 레이저 빔 경로 변경 여부 판단 단계를 더 포함할 수 있다. 레이저 빔 경로의 변경이 생긴 것이라면 반사 미러의 위치가 오차 범위 내인지를 판단하는 단계로 넘어가고, 기판(S)에 이상점이 발생한 것이라면 제1 단계(I)를 종료할 수 있다.Referring to FIG. 2 , it is analyzed whether the position of the reflection mirror 35 measured by the sensor unit 37 in the first step (I) is appropriate for the position of the laser beam measured in real time by the first sensing unit 36 . In the reflection mirror position analysis step, whether the laser beam path has been changed in consideration of the result of measuring the position of the laser beam by the third sensing unit 27, abnormalities such as curvature or foreign substances are detected at a specific position of the substrate S It may further include the step of determining whether to change the laser beam path to determine whether it has occurred. If the laser beam path has been changed, the step of determining whether the position of the reflection mirror is within the error range may proceed, and if the abnormality has occurred in the substrate S, the first step (I) may be terminated.

제2 단계(II)에서 제1 감지부(36)가 측정항 레이저 빔의 위치를 센서부(37)가 실시간으로 측정한 반사 미러(35)의 위치에 대하여 분석하는 빔의 위치 분석 단계에서, 제3 감지부(27)에서 레이저 빔의 위치를 측정한 결과도 고려하여 레이저 빔 경로의 변경이 생긴 것인지 기판(S)의 특정 위치에 굴곡 또는 이물질 등의 이상점이 발생한 것인지 판단하는 레이저 빔 경로 변경 여부 판단 단계를 더 포함할 수 있다. 레이저 빔 경로의 변경이 생긴 것이라면 빔의 위치가 오차 범위 내인지를 판단하는 단계로 넘어가고, 기판(S)에 이상점이 발생한 것이라면 제2 단계(II)를 종료할 수 있다.In the beam position analysis step in which the first detection unit 36 analyzes the position of the laser beam measured by the sensor unit 37 in real time with respect to the position of the reflection mirror 35 measured in real time in the second step (II), Changing the laser beam path to determine whether a change in the path of the laser beam or an abnormality such as a bend or a foreign material occurs at a specific position of the substrate S in consideration of the result of measuring the position of the laser beam by the third detection unit 27 It may further include a determining step. If the laser beam path is changed, the step of determining whether the position of the beam is within the error range may proceed, and if the abnormal point has occurred in the substrate S, the second step (II) may be terminated.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the right.

10: 레이저 발생기
20: 광학계
27: 제3 감지부
28: 입사 미러
29: 제2 감지부
30: 챔버
35: 반사 미러
36: 제1 감지부
37: 센서부10: laser generator
20: optical system
27: third detection unit
28: incident mirror
29: second detection unit
30: chamber
35: reflection mirror
36: first detection unit
37: sensor unit

Claims (20)

레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기;
상기 레이저 빔을 광 변화 시키는 광학계;
기판, 반사 미러 및 상기 반사 미러 뒤에 위치하는 제1 감지부를 포함하는 챔버; 및
상기 반사 미러에 연결되어 있는 센서부를 포함하며,
상기 반사 미러는 상기 레이저 빔이 상기 광학계를 통과하여 상기 기판에 입사되는 위치에 따라 위치가 이동하는 레이저 결정화 장치.a laser generator for generating a laser beam;
an optical system for converting the laser beam into light;
a chamber including a substrate, a reflective mirror, and a first sensing unit positioned behind the reflective mirror; and
It includes a sensor unit connected to the reflection mirror,
The reflective mirror is a laser crystallization device in which a position is moved according to a position where the laser beam passes through the optical system and is incident on the substrate. 제1항에서,
상기 반사 미러는 상기 제1 감지부에서 측정한 레이저 빔의 위치와 상기 센서부에서 측정한 반사 미러의 위치를 종합하여 판단한 결과에 따라 이동하는 레이저 결정화 장치.In claim 1,
The reflective mirror moves according to a result determined by combining the position of the laser beam measured by the first sensing unit and the position of the reflective mirror measured by the sensor unit. 제2항에서,
상기 반사 미러는, 상기 레이저 빔이 상기 기판에서 반사하여 상기 반사 미러의 중심부로 입사되도록 위치가 이동하는 레이저 결정화 장치.In claim 2,
The reflective mirror is a laser crystallization device in which a position is moved so that the laser beam is reflected from the substrate and is incident on the center of the reflective mirror. 제3항에서,
상기 반사 미러는 상기 레이저 빔이 87도(°)이상 93도(°)이하의 입사각으로 입사되도록 이동하는 레이저 결정화 장치.In claim 3,
The reflective mirror is a laser crystallization device that moves so that the laser beam is incident at an incident angle of 87 degrees or more and 93 degrees or less. 제4항에서,
상기 반사 미러는 상기 레이저 빔을 정반사 시키는 레이저 결정화 장치.In claim 4,
The reflective mirror is a laser crystallization device for specularly reflecting the laser beam. 제2항에서,
상기 제1 감지부는 상기 레이저 빔 중 상기 반사 미러의 뒤로 투과되는 부분을 감지하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 레이저 결정화 장치.In claim 2,
The laser crystallization apparatus for measuring the position of the laser beam in real time by detecting a portion of the laser beam transmitted through the rear of the reflection mirror of the first detection unit. 제6항에서,
상기 제1 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로를 기준으로 하여 상기 레이저 빔의 위치를 측정하는 레이저 결정화 장치.In claim 6,
The first detector is a laser crystallization device for measuring the position of the laser beam based on a normal path of the laser generator. 제6항에서,
상기 제1 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로가 상기 제1 감지부의 중심부를 지나도록 위치하는 레이저 결정화 장치.In claim 6,
A laser crystallization apparatus in which the first detection unit is positioned such that a normal path of the laser generator passes through the center of the first detection unit. 제6항에서,
상기 센서부는 상기 반사 미러의 위치를 실시간으로 측정하는 레이저 결정화 장치.In claim 6,
The sensor unit is a laser crystallization device for measuring the position of the reflection mirror in real time. 제9항에서,
상기 센서부는 0.05㎛(마이크로미터) 이하의 위치 분해능을 가지는 레이저 결정화 장치.In claim 9,
The sensor unit is a laser crystallization device having a position resolution of 0.05㎛ (micrometer) or less. 제9항에서,
상기 반사 미러는, 상기 레이저 빔이 상기 광학계를 통과하여 상기 기판에 입사되는 위치와 상기 레이저 빔이 상기 반사 미러에서 반사되어 상기 기판에 입사되는 위치가 거의 동일하게 되도록 이동하는 레이저 결정화 장치.In claim 9,
The reflective mirror moves so that a position at which the laser beam passes through the optical system and is incident on the substrate is substantially the same as a position at which the laser beam is reflected from the reflective mirror and is incident on the substrate. 제9항에서,
상기 광학계에 위치하며 상기 레이저 빔을 반사시켜 상기 기판에 입사시키는 입사 미러 및
상기 입사 미러 뒤에 위치하며 상기 기판의 이상을 보상해 주는 제3 감지부를 더 포함하는 레이저 결정화 장치.In claim 9,
an incident mirror located in the optical system and reflecting the laser beam to be incident on the substrate;
The laser crystallization apparatus further comprising a third sensing unit positioned behind the incident mirror and compensating for abnormality of the substrate. 제12항에서,
상기 제3 감지부는 상기 레이저 빔 중 상기 기판을 거치지 않고 상기 입사 미러의 뒤로 투과되는 부분을 감지하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 레이저 결정화 장치.In claim 12,
The third detector detects a portion of the laser beam that passes through the back of the incident mirror without passing through the substrate to measure the position of the laser beam in real time. 제13항에서,
상기 제3 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로를 기준으로 하여 상기 레이저 빔의 위치를 측정하는 레이저 결정화 장치.In claim 13,
The third detector is a laser crystallization device for measuring the position of the laser beam based on a normal path of the laser generator. 제13항에서,
상기 제3 감지부는 상기 입사 미러와 평행하게 위치하는 레이저 결정화 장치.In claim 13,
The third sensing unit is a laser crystallization device positioned parallel to the incident mirror. 제13항에서,
상기 제3 감지부는 상기 레이저 발생기의 정상 경로가 상기 제3 감지부의 중심부을 지나도록 위치하는 레이저 결정화 장치.In claim 13,
The third detector is a laser crystallization device positioned so that a normal path of the laser generator passes through the center of the third detector. 레이저 발생기가 챔버에 위치하는 기판으로 입사하는 레이저 빔을 발생시키는 단계;
상기 레이저 빔이 상기 기판에서 반사하여 반사 미러로 입사하는 단계;
상기 반사 미러 뒤에 위치하는 제1 감지부에서 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 단계;
상기 반사 미러에 연결되어 있는 센서부에서 상기 반사 미러의 위치를 실시간으로 측정하는 단계;
상기 제1 감지부에서 측정한 레이저 빔의 위치와 상기 센서부에서 측정한 반사 미러의 위치를 종합하여 상기 반사 미러의 위치를 분석하는 단계; 및
상기 분석 결과에 따라 상기 반사 미러의 위치를 이동시키는 단계를 포함하는 레이저 결정화 방법.generating, by a laser generator, a laser beam incident on a substrate positioned in the chamber;
the laser beam being reflected from the substrate and incident on a reflective mirror;
measuring the position of the laser beam in real time by a first sensing unit located behind the reflection mirror;
measuring the position of the reflection mirror in real time by a sensor connected to the reflection mirror;
analyzing the position of the reflective mirror by synthesizing the position of the laser beam measured by the first sensing unit and the position of the reflective mirror measured by the sensor unit; and
and moving the position of the reflection mirror according to the analysis result. 제17항에서,
상기 반사 미러의 위치를 이동시키는 단계는, 상기 레이저 빔이 상기 반사 미러의 중심부로 입사하도록 상기 반사 미러를 이동시키는 레이저 결정화 방법.In claim 17,
The step of moving the position of the reflection mirror is a laser crystallization method of moving the reflection mirror so that the laser beam is incident on the center of the reflection mirror. 제18항에서,
상기 레이저 빔이 상기 기판에 입사되기 전에, 제3 감지부를 통하여 상기 레이저 빔의 위치를 실시간으로 측정하는 단계를 더 포함하는 레이저 결정화 방법.In claim 18,
The laser crystallization method further comprising the step of measuring the position of the laser beam in real time through a third sensing unit before the laser beam is incident on the substrate. 제19항에서,
상기 반사 미러의 위치를 분석하는 단계에서, 상기 제3 감지부에서 측정한 결과를 이용하여 상기 기판에 이상이 발생한 것인지 판단하는 레이저 빔 경로 변경 여부 판단 단계를 더 포함하는 레이저 결정화 방법.
In paragraph 19,
In the analyzing the position of the reflection mirror, the laser crystallization method further comprising: determining whether to change the laser beam path of determining whether an abnormality has occurred in the substrate using the result measured by the third sensing unit.
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