KR102402732B1 - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound of Formula 1 and an organic light emitting device including the same.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 {COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound and organic light emitting device including same {COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 발명은 2019년 7월 19일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 제10-2019-0087711호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.The present invention claims the benefit of the filing date of Korean Patent No. 10-2019-0087711 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 19, 2019, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.

삼중항 여기자로부터 일중항 여기자로의 역항간 교차(Reverse Intersystem Crossing: 이하, 적절히 「RISC」라고 약기함)가 일어나는 현상을 이용한 현상(열 활성형 지연 형광(「열 여기형 지연 형광」이라고도 함: Thermally Activated Delayed Fluorescence: 이하, 적절히 「TADF」라고 약기함)을 이용한 형광 발광 재료와, 유기 EL 소자로의 이용 가능성이 보고되어 있다. 이 TADF 기구에 의한 지연 형광을 이용하면, 전계 여기에 의한 형광 발광에 있어서도, 이론적으로는 인광 발광과 동등한 100%의 내부 양자 효율이 가능하게 된다.A phenomenon using a phenomenon in which reverse intersystem crossing (hereinafter, appropriately abbreviated as “RISC”) from triplet excitons to singlet excitons occurs (thermal-activated delayed fluorescence (also called “thermal-excited delayed fluorescence”): The fluorescence emitting material using Thermally Activated Delayed Fluorescence (hereinafter, appropriately abbreviated as "TADF") and the possibility of use in organic EL devices are reported.Utilizing delayed fluorescence by this TADF mechanism, fluorescence by electric field excitation is used. Also in light emission, an internal quantum efficiency of 100% equivalent to phosphorescence is theoretically possible.

TADF 현상을 발현시키기 위해서는, 실온 또는 발광 소자 중의 발광층 온도에서 전계 여기에 의해 발생한 75%의 삼중항 여기자로부터 일중항 여기자로의 역항간 교차가 일어날 필요가 있다. 또한, 역항간 교차에 의해 발생한 일중항 여기자가, 직접 여기에 의해 발생한 25%의 일중항 여기자와 마찬가지로 형광 발광함으로써, 100%의 내부 양자 효율이 이론상 가능하게 된다. 이 역항간 교차가 일어나기 위해서는, 최저 여기 일중항 에너지 준위(S1)와 최저 삼중항 여기 에너지 준위(T1)와의 차의 절댓값(△EST)이 작을 것이 요구된다.In order to develop the TADF phenomenon, at room temperature or the temperature of the light emitting layer in the light emitting device, 75% of triplet excitons generated by electric field excitation and inverse interterminal crossover from singlet excitons need to occur. In addition, 100% internal quantum efficiency is theoretically possible because singlet excitons generated by inverse intersystem crossover emit fluorescence similarly to 25% singlet excitons generated by direct excitation. In order for this inverse intersystem crossing to occur, the absolute value (ΔE ST ) of the difference between the lowest singlet excitation energy level (S 1 ) and the lowest triplet excitation energy level (T 1 ) is required to be small.

예를 들어, TADF 현상을 발현시키기 위해서는, 유기 화합물의

Figure 112020074796380-pat00001
EST를 작게 하는 것이 유효하고,
Figure 112020074796380-pat00002
EST를 작게 하기 위해서는, 분자 내의 최고 피점 분자 궤도(HOMO)와 최저 공분자 궤도(LUMO)를 혼재시키지 않고 국재화시키는 것(명확하게 분리하는 것)이 유효하다.For example, in order to express the TADF phenomenon,
Figure 112020074796380-pat00001
It is effective to make E ST small,
Figure 112020074796380-pat00002
In order to make E ST small, it is effective to localize (clearly separate) the highest occluded molecular orbital (HOMO) and lowest co-molecule orbital (LUMO) in a molecule|numerator without mixing.

하지만, 분자 내의 최고 피점 분자 궤도(HOMO)와 최저 공분자 궤도(LUMO)를 혼재시키지 않고 국재화시키는 할 경우, 분자 내의 π 공액계가 축소 또는 절단되어, 안정성과 양립시키는 것이 곤란해지고, 결과적으로는 발광 소자의 수명을 단축시키게 된다. 그로 인해, TADF 소자의 효율과 수명을 높이는 새로운 방법이 요구되고 있다.However, when localizing the highest occluded molecular orbital (HOMO) and lowest co-molecular orbital (LUMO) in a molecule without coexisting, the π-conjugated system in the molecule is reduced or cut, making it difficult to achieve stability and, as a result, light emission. This will shorten the life of the device. Therefore, a new method of increasing the efficiency and lifespan of the TADF element is demanded.

미국 특허 출원 공개 제2004-0251816호US Patent Application Publication No. 2004-0251816

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound and an organic light emitting device including the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present invention provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020074796380-pat00003
Figure 112020074796380-pat00003

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 할로겐기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 1 To R 6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted alkyl group, a halogen group, a nitrile group, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted phosphine oxide group, A substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

A는 치환 또는 비치환된 3가의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 3가의 헤테로아릴기이고,A is a substituted or unsubstituted trivalent aryl group, or a substituted or unsubstituted trivalent heteroaryl group,

B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 알키닐기이며,B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted alkynyl group,

a 내지 e는 0 내지 4의 정수이고, a to e are integers from 0 to 4,

a가 복수일 때, R1은 서로 같거나 상이하고, When a is plural, R 1 are the same as or different from each other,

b가 복수일 때, R2는 서로 같거나 상이하고, When b is plural, R 2 are the same as or different from each other,

c가 복수일 때, R3은 서로 같거나 상이하고, When c is plural, R 3 are the same as or different from each other,

d가 복수일 때, R4는 서로 같거나 상이하고, When d is plural, R 4 are the same as or different from each other,

e가 복수일 때, R5는 서로 같거나 상이하다.When e is plural, R 5 is the same as or different from each other.

또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다. The compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device, and by using the compound, it is possible to improve efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics in an organic light emitting device.

도 1 및 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자를 도시한 것이다.1 and 2 show an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Formula 1 above.

본 발명의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 화합물은 전자 주개 특성을 가진 스피로[디인돌로[3,2-b:3',2',1'-de]아크리딘-10,9'-플루오렌]의 코어구조를 포함한다. 상기 코어구조에 전자받개 특성을 가진 치환기를 상기-AB1B2에 도입하는 경우 물질의 전체적인 컨쥬게이션이 끊기게 되어 HOMO 및 LUMO의 오비탈 분리가 적절하게 일어나게 된다. 즉, 물질 내의 CT특성이 증가 하게 되고, 이는 효율의 상승을 가져올 수 있다. HOMO 오비탈과 LUMO 오비탈의 분리가 클수록 일중항(singlet)과 삼중항(triplet)의 에너지 차이가 작아지게 된다. 다시 말해 HOMO 오비탈과 LUMO 오비탈 의 겹침이 많이 발생하게 되면 일중항(singlet) 에너지가 커지게 된다. 물질의 삼중항(triplet) 에너지는 컨쥬게이션이 끊어질수록 커지게 되므로 전자 받개 특성을 가진 치환기가 AB1B2에 도입되면 위의 설명과 같이 HOMO 오비탈과 LUMO 오비탈 의 겹침이 적어지게 되어 일중항(singlet)은 낮아 지게 되고 삼중항(triplet) 에너지는 커지게 되어 일중항(singlet)과 삼중항(triplet) 갭이 작아지게 되어 역전이 속도가 빨라지게 되고 삼중항 간의 퀀칭(quenching)이 적어지게 되어 전체적인 효율의 증가를 가져올 수 있는 것이다. The compound of Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present invention is a spiro[diindolo[3,2-b:3',2',1'-de]acridine-10,9'- having electron donor properties fluorene]. When a substituent having an electron accepting property is introduced into the core structure into -AB 1 B 2 , the overall conjugation of the material is interrupted, so that the orbital separation of HOMO and LUMO occurs appropriately. That is, the CT characteristics in the material are increased, which can lead to an increase in efficiency. The greater the separation between the HOMO orbital and the LUMO orbital, the smaller the energy difference between the singlet and the triplet. In other words, if there is a lot of overlap between HOMO orbitals and LUMO orbitals, the singlet energy increases. Since the triplet energy of a substance increases as the conjugation is broken, if a substituent with electron accepting properties is introduced into AB 1 B 2 , as described above, the overlap between the HOMO orbital and the LUMO orbital decreases, and the singlet (singlet) is lowered and triplet energy is increased, so that the singlet and triplet gap is reduced, so that the reverse transfer rate is increased and quenching between triplets is reduced. This can lead to an increase in overall efficiency.

예컨대 상기 AB1B2에 전자 받개 특성을 가진 치환기로 도입할 수 있으며, 전자 받개 특성을 가진 치환기로는 트리아진, 피리미딘, 피리딘, N함유 헤테로아릴기, 니트릴기로 치환된 아릴기, 또는 니트릴기로 치환된 헤테로아릴기를 사용될 수 있다. 전자주개로 인돌로스파이로카바졸을 도입한 화학식 1의 화합물을 TADF 물질로 사용하는 경우, 유기 발광 소자의 발광색, 효율, 수명을 개선할 수 있다.For example, AB 1 B 2 may be introduced as a substituent having an electron accepting property, and as a substituent having an electron accepting property, triazine, pyrimidine, pyridine, an N-containing heteroaryl group, an aryl group substituted with a nitrile group, or nitrile A heteroaryl group substituted with a group may be used. When the compound of Formula 1 in which indolospyrocarbazole is introduced as an electron donor is used as a TADF material, the emission color, efficiency, and lifespan of the organic light-emitting device can be improved.

본 명세서에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present specification, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure of the compound represented by Formula 1 above. In addition, in the present specification, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be controlled by introducing various substituents into the core structure of the structure as described above.

일중항 에너지 조절을 통하여 물질이 청색, 녹색, 적색 발광이 가능하고 삼중항 에너지 준위를 조절하여 좁은 에너지 갭을 갖도록 설계할 수 있다.Through singlet energy control, a material can emit blue, green, and red light, and it can be designed to have a narrow energy gap by controlling the triplet energy level.

또한 물질의 Orientation의 증가 효과로 인해 지연형광 특성을 갖는 고효율, 장수명의 유기발광 소자 구현이 가능하다In addition, it is possible to realize a high-efficiency, long-life organic light-emitting device with delayed fluorescence characteristics due to the effect of increasing the orientation of the material.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)와 삼중항 에너지 준위(T1)의 차(△EST)는 0eV 이상 0.3eV 이하이다.The difference (ΔEST) between the singlet energy level (S1) and the triplet energy level (T1) of the compound represented by Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)와 삼중항 에너지 준위(T1)의 차(△EST)는 T1-S1의 절댓값을 의미한다.In the present specification, the difference (ΔEST) between the singlet energy level (S1) and the triplet energy level (T1) of the compound represented by Formula 1 means the absolute value of T1-S1.

본 명세서에 있어서, 삼중항 에너지는 형광과 인광 측정이 가능한 분광 기기를 이용하여 측정 가능하고, 측정 조건의 경우 액화질소를 이용한 극저온 상태에서 톨루엔이나 티에치에프를 용매로 하여 10-6M 농도로 용액을 제조하고 용액에 물질의 흡수 파장대의 광원을 조사하여 발광하는 스펙트럼으로부터 일중항 발광을 제외하고, 삼중항에서 발광하는 스펙트럼을 분석하여 확인한다. 광원으로부터 전자가 역이되면 전자가 삼중항에 머물게되는 시간이 일중항에 머물게되는 시간보다 훨씬 길기 때문에 극저온 상태에서 두 성분의 분리가 가능하다.In the present specification, triplet energy can be measured using a spectroscopic instrument capable of measuring fluorescence and phosphorescence, and in the case of measurement conditions, toluene or TEF as a solvent in a cryogenic state using liquid nitrogen at a concentration of 10 -6 M A solution is prepared, singlet emission is excluded from the spectrum emitted by irradiating the solution with a light source in the absorption wavelength band of the material, and the spectrum emitted from triplet is analyzed and confirmed. When the electrons are reversed from the light source, the time the electrons stay in the triplet is much longer than the time the electrons stay in the singlet, so the separation of the two components is possible at cryogenic temperatures.

본 명세서에 있어서, 일중항 에너지의 경우 형광기기를 이용하여 측정하며, 전술한 삼중항 에너지 측정방법과 달리 상온에서 광원을 조사한다.In the present specification, singlet energy is measured using a fluorescent device, and unlike the triplet energy measurement method described above, a light source is irradiated at room temperature.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항 에너지 준위(S1)와 삼중항 에너지(T1) 준위의 차가 상기 범위를 만족하는 경우, 삼중항에서 생성된 엑시톤이 역계간전이(RISC)에 의해 일중항으로 이동하는 비율 및 속도가 증가하여 삼중항에 엑시톤이 머무는 시간이 줄어들게 되므로 유기 발광 소자의 효율 및 수명이 증가하는 이점이 있다.When the difference between the singlet energy level (S1) and the triplet energy (T1) level of the compound represented by Formula 1 satisfies the above range, the exciton generated from the triplet is converted to a singlet by reverse intersystem transition (RISC). As the moving rate and speed increase, the time the excitons stay in the triplet is reduced, so that the efficiency and lifespan of the organic light emitting diode are increased.

화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조를 도입함으로써, 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.The conjugation length of a compound and the energy bandgap are closely related. Specifically, the longer the conjugation length of the compound, the smaller the energy bandgap. In the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can also be controlled by introducing the core structure having the above structure.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the structure as described above, a compound having the intrinsic properties of the introduced substituent can be synthesized. For example, by introducing a substituent mainly used for a hole injection layer material, a hole transport material, a light emitting layer material, and an electron transport layer material used in manufacturing an organic light emitting device into the core structure, a material satisfying the conditions required for each organic material layer can be synthesized. can

본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in the present specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치, 즉 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent is substitutable, is substituted. , two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 아릴기로 치환된 아릴기, 헤테로아릴기로 치환된 아릴기, 아릴기로 치환된 헤테로고리기, 알킬기로 치환된 아릴기 등일 수 있다. As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; nitrile group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted silyl group; a substituted or unsubstituted alkoxy group; a substituted or unsubstituted arylamine group; a substituted or unsubstituted aryl group; And it means that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group, is substituted with a substituent to which two or more of the above exemplified substituents are connected, or does not have any substituents. For example, the "substituent to which two or more substituents are connected" may be an aryl group substituted with an aryl group, an aryl group substituted with a heteroaryl group, a heterocyclic group substituted with an aryl group, an aryl group substituted with an alkyl group, and the like.

본 명세서에 있어서, 할로겐기는 F, Cl, Br, I 등이 될 수 있다. In the present specification, the halogen group may be F, Cl, Br, I, or the like.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기; 에틸기; 프로필기; n-프로필기; 이소프로필기; 부틸기; n-부틸기; 이소부틸기; tert-부틸기; sec-부틸기; 1-메틸부틸기; 1-에틸부틸기; 펜틸기; n-펜틸기; 이소펜틸기; 네오펜틸기; tert-펜틸기; 헥실기; n-헥실기; 1-메틸펜틸기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸-2-펜틸기; 3,3-디메틸부틸기; 2-에틸부틸기; 헵틸기; n-헵틸기; 1-메틸헥실기; 시클로펜틸메틸기; 시클로헥실메틸기; 옥틸기; n-옥틸기; tert-옥틸기; 1-메틸헵틸기; 2-에틸헥실기; 2-프로필펜틸기; n-노닐기; 2,2-디메틸헵틸기; 1-에틸프로필기; 1,1-디메틸프로필기; 이소헥실기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸헥실기; 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specifically, it is preferably 1 to 20 carbon atoms. More specifically, it is preferable that it has 1-10 carbon atoms. Specific examples include a methyl group; ethyl group; Profile group; n-propyl group; isopropyl group; butyl group; n-butyl group; isobutyl group; tert-butyl group; sec-butyl group; 1-methylbutyl group; 1-ethylbutyl group; pentyl group; n-pentyl group; isopentyl group; neopentyl group; tert-pentyl group; hexyl group; n-hexyl group; 1-methylpentyl group; 2-methylpentyl group; 4-methyl-2-pentyl group; 3,3-dimethylbutyl group; 2-ethylbutyl group; heptyl group; n-heptyl group; 1-methylhexyl group; cyclopentylmethyl group; cyclohexylmethyl group; octyl group; n-octyl group; tert-octyl group; 1-methylheptyl group; 2-ethylhexyl group; 2-propylpentyl group; n-nonyl group; 2,2-dimethylheptyl group; 1-ethylpropyl group; 1,1-dimethylpropyl group; isohexyl group; 2-methylpentyl group; 4-methylhexyl group; 5-methylhexyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 3 내지 20인 것이 더 바람직하다. 구체적으로 시클로프로필기; 시클로부틸기; 시클로펜틸기; 3-메틸시클로펜틸기; 2,3-디메틸시클로펜틸기; 시클로헥실기; 3-메틸시클로헥실기; 4-메틸시클로헥실기; 2,3-디메틸시클로헥실기; 3,4,5-트리메틸시클로헥실기; 4-tert-부틸시클로헥실기; 시클로헵틸기; 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 20 carbon atoms. Specifically, a cyclopropyl group; cyclobutyl group; cyclopentyl group; 3-methylcyclopentyl group; 2,3-dimethylcyclopentyl group; cyclohexyl group; 3-methylcyclohexyl group; 4-methylcyclohexyl group; 2,3-dimethylcyclohexyl group; 3,4,5-trimethylcyclohexyl group; 4-tert-butylcyclohexyl group; cycloheptyl group; There is a cyclooctyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기; 에톡시기; n-프로폭시기; 이소프로폭시기; i-프로필옥시기; n-부톡시기; 이소부톡시기; tert-부톡시기; sec-부톡시기; n-펜틸옥시기; 네오펜틸옥시기; 이소펜틸옥시기; n-헥실옥시기; 3,3-디메틸부틸옥시기; 2-에틸부틸옥시기; n-옥틸옥시기; n-노닐옥시기; n-데실옥시기; 벤질옥시기; p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be a straight chain, branched chain or cyclic chain. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C30. Specifically, it is preferably 1 to 20 carbon atoms. More specifically, it is preferable that it has 1 to 10 carbon atoms. Specifically, a methoxy group; ethoxy group; n-propoxy group; isopropoxy group; i-propyloxy group; n-butoxy group; isobutoxy group; tert-butoxy group; sec-butoxy group; n-pentyloxy group; neopentyloxy group; isopentyloxy group; n-hexyloxy group; 3,3-dimethylbutyloxy group; 2-ethylbutyloxy group; n-octyloxy group; n-nonyloxy group; n-decyloxy group; benzyloxy group; It may be a p-methylbenzyloxy group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group is -NH 2 ; an alkylamine group; N-alkylarylamine group; arylamine group; N-aryl heteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group; dimethylamine group; ethylamine group; diethylamine group; phenylamine group; naphthylamine group; biphenylamine group; anthracenylamine group; 9-methylanthracenylamine group; diphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; ditolylamine group; N-phenyltolylamine group; triphenylamine group; N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenylnaphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenylterphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 ―SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기; 트리에틸실릴기; t-부틸디메틸실릴기; 비닐디메틸실릴기; 프로필디메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 디페닐실릴기; 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiRaRbRc, wherein Ra, Rb and Rc are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group is specifically a trimethylsilyl group; triethylsilyl group; t-butyldimethylsilyl group; vinyl dimethyl silyl group; propyldimethylsilyl group; triphenylsilyl group; diphenylsilyl group; There is a phenylsilyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기; 디나프틸포스핀옥사이드기 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the phosphine oxide group is specifically a diphenylphosphine oxide group; Dinaphthyl phosphine oxide group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 6 내지 20인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하고 더 구체적으로 탄소수 10 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기; 안트라세닐기; 페난트릴기; 트리페닐기; 파이레닐기; 페날레닐기; 페릴레닐기; 크라이세닐기; 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be monocyclic or polycyclic. When the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably 6 to 30 carbon atoms. More specifically, it is preferable that it has 6 to 20 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group includes a phenyl group; biphenyl group; It may be a terphenyl group, and the like, but is not limited thereto. When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferable that it has 10 to 30 carbon atoms, and more specifically, it is preferable that it has 10 to 20 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group includes a naphthyl group; anthracenyl group; phenanthryl group; triphenyl group; pyrenyl group; phenalenyl group; perylenyl group; chrysenyl group; It may be a fluorenyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.As used herein, the "adjacent" group means a substituent substituted on an atom directly connected to the atom in which the substituent is substituted, a substituent sterically closest to the substituent, or another substituent substituted on the atom in which the substituent is substituted. can For example, two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기를 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time. For example, the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of the aryl group described above.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 즉 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 2 내지 20인 것이 더 바람직하고, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기; 퓨라닐기; 피롤기; 이미다졸릴기; 티아졸릴기; 옥사졸릴기; 옥사디아졸릴기; 피리딜기; 바이피리딜기; 피리미딜기; 트리아지닐기; 트리아졸릴기; 아크리딜기; 피리다지닐기; 피라지닐기; 퀴놀리닐기; 퀴나졸리닐기; 퀴녹살리닐기; 프탈라지닐기; 피리도 피리미딜기; 피리도 피라지닐기; 피라지노 피라지닐기; 이소퀴놀리닐기; 인돌릴기; 카바졸릴기; 벤즈옥사졸릴기; 벤즈이미다졸릴기; 벤조티아졸릴기; 벤조카바졸릴기; 벤조티오펜기; 디벤조티오펜기; 벤조퓨라닐기; 페난쓰롤리닐기(phenanthroline); 이소옥사졸릴기; 티아디아졸릴기; 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group includes one or more atoms other than carbon, that is, heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se and S. The number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and the heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the heteroaryl group include a thiophene group; furanyl group; pyrrole group; imidazolyl group; thiazolyl group; oxazolyl group; oxadiazolyl group; pyridyl group; bipyridyl group; pyrimidyl group; triazinyl group; triazolyl group; acrydyl group; pyridazinyl group; pyrazinyl group; quinolinyl group; quinazolinyl group; quinoxalinyl group; phthalazinyl group; pyrido pyrimidyl group; pyrido pyrazinyl group; pyrazino pyrazinyl group; isoquinolinyl group; indolyl group; carbazolyl group; benzoxazolyl group; benzimidazolyl group; benzothiazolyl group; benzocarbazolyl group; benzothiophene group; dibenzothiophene group; benzofuranyl group; phenanthroline; isoxazolyl group; thiadiazolyl group; There is a phenothiazinyl group and a dibenzofuranyl group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the arylene group means that the aryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the aryl group described above may be applied.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means that the heteroaryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the heteroaryl group described above may be applied.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기로 치환 또는 비치환된 실릴기, 아릴기로 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group, a halogen group, a nitrile group, or an alkyl group Or an unsubstituted silyl group, a phosphine oxide group unsubstituted or substituted with an aryl group, a substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted 3-30 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 니트릴기, F, Br, Cl, I, 메틸기로 치환된 실릴기, 페닐기로 치환된 포스핀옥사이드기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 터부틸기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 터페닐기, 안트라센기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen, deuterium, a nitrile group, F, Br, Cl, I, a silyl group substituted with a methyl group, or a phenyl group phosphine oxide group, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, terbutyl group, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, terphenyl group, anthracene group, carbazole group, dibenzofuran group, or dibenzothi It's Oppengi.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6은 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R 1 to R 6 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 N, O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴렌기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group including N, O or S having 3 to 30 carbon atoms. to be.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 니트릴기, 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 니트릴기, 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 N, O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; an arylene group having 6 to 30 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a nitrile group or an alkyl group; or a heteroarylene group containing 3 to 30 carbon atoms, N, O, or S substituted or unsubstituted with a nitrile group or an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 페닐렌기; 2가의 비페닐기; 2가의 터페닐기; 2가의 안트라센기; 2가의 페난트렌기; 2가의 트리페닐렌기; 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 2가의 디벤조티오펜기; 2가의 트리아진기; 2가의 피리미딘기; 또는 2가의 피리딘기이고, In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; phenylene group; divalent biphenyl group; a divalent terphenyl group; a divalent anthracene group; a divalent phenanthrene group; a divalent triphenylene group; a divalent carbazole group; a divalent dibenzofuran group; a divalent dibenzothiophene group; a divalent triazine group; a divalent pyrimidine group; or a divalent pyridine group,

상기 페닐렌기; 2가의 비페닐기; 2가의 터페닐기; 2가의 안트라센기; 2가의 페난트렌기; 2가의 트리페닐렌기; 2가의 카바졸기; 2가의 디벤조퓨란기; 2가의 디벤조티오펜기; 2가의 트리아진기; 2가의 피리미딘기; 또는 2가의 피리딘기는 니트릴기 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된다.the phenylene group; divalent biphenyl group; a divalent terphenyl group; a divalent anthracene group; a divalent phenanthrene group; a divalent triphenylene group; a divalent carbazole group; a divalent dibenzofuran group; a divalent dibenzothiophene group; a divalent triazine group; a divalent pyrimidine group; Alternatively, the divalent pyridine group is unsubstituted or substituted with a nitrile group or an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 니트릴기 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기이다. In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; a phenylene group unsubstituted or substituted with a nitrile group or an alkyl group; a divalent dibenzofuran group; or a divalent dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기이다. In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; a phenylene group unsubstituted or substituted with a nitrile group; a divalent dibenzofuran group; or a divalent dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 니트릴기로 치환된 페닐렌기일 때, A는 코어구조와 오쏘(ortho)위치에 결합된다.In an exemplary embodiment of the present specification, when L is a phenylene group substituted with a nitrile group, A is bonded to the core structure and the ortho position.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 니트릴기로 치환된 페닐렌기일 때, A는 코어구조와 메타(meta)위치에 결합된다.In an exemplary embodiment of the present specification, when L is a phenylene group substituted with a nitrile group, A is bonded to the core structure and the meta position.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 니트릴기로 치환된 페닐렌기일 때, A는 코어구조와 파라(para)위치에 결합된다.In the exemplary embodiment of the present specification, when L is a phenylene group substituted with a nitrile group, A is bonded to the core structure and the para (para) position.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기일 때, 상기 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기는 1 내지 3개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group, a divalent dibenzofuran group; or when a divalent dibenzothiophene group, the phenylene group, a divalent dibenzofuran group; Alternatively, the divalent dibenzothiophene group is unsubstituted or substituted with 1 to 3 nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기일 때, 상기 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기는 1개의 니트릴기로 치환된다. In an exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group, a divalent dibenzofuran group; or when a divalent dibenzothiophene group, the phenylene group, a divalent dibenzofuran group; Alternatively, the divalent dibenzothiophene group is substituted with one nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기일 때, 상기 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기는 2개의 니트릴기로 치환된다. In an exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group, a divalent dibenzofuran group; or when a divalent dibenzothiophene group, the phenylene group, a divalent dibenzofuran group; or a divalent dibenzothiophene group is substituted with two nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L이 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기일 때, 상기 페닐렌기, 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기는 3개의 니트릴기로 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a phenylene group, a divalent dibenzofuran group; or when a divalent dibenzothiophene group, the phenylene group, a divalent dibenzofuran group; Alternatively, the divalent dibenzothiophene group is substituted with three nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 3가의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 3가의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a substituted or unsubstituted trivalent aryl group, or a substituted or unsubstituted trivalent heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 3가의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 3가의 N함유 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a substituted or unsubstituted trivalent aryl group, or a substituted or unsubstituted trivalent N-containing heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 3가의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 3가의 N함유 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a substituted or unsubstituted trivalent aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted trivalent N-containing heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 3가의 아릴기, 또는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 3가의 N함유 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with a nitrile group, or a trivalent N-containing heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with a nitrile group .

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 3가의 페닐기, 3가의 트리아진기, 3가의 피리미딘기, 또는 3가의 피리딘기이고, 상기 3가의 페닐기, 3가의 피리미딘기, 또는 3가의 피리딘기는 각각 니트릴기로 치환 또는 비치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group, a trivalent triazine group, a trivalent pyrimidine group, or a trivalent pyridine group, and the trivalent phenyl group, a trivalent pyrimidine group, or a trivalent pyridine group Each is substituted or unsubstituted with a nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 3가의 페닐기, 3가의 트리아진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리미딘기, 또는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group, a trivalent triazine group, a trivalent pyrimidine group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a trivalent pyridine group unsubstituted or substituted with a nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 3가의 트리아진기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent triazine group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리미딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent pyrimidine group unsubstituted or substituted with a nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent pyridine group unsubstituted or substituted with a nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 1개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리미딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent pyrimidine group unsubstituted or substituted with one nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 1개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent pyridine group unsubstituted or substituted with one nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 1개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group unsubstituted or substituted with one nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 2개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리딘기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent pyridine group unsubstituted or substituted with two nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 2개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group unsubstituted or substituted with two nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 3개의 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is a trivalent phenyl group unsubstituted or substituted with three nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 하기 치환기 중 선택되는 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present specification, A is any one selected from the following substituents.

Figure 112020074796380-pat00004
Figure 112020074796380-pat00004

상기 점선은 L과 연결부분을 나타낸다.The dotted line indicates L and a connection portion.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 -L-A는 0 내지 3개의 니트릴기로 치환된다. In an exemplary embodiment of the present specification, -L-A is substituted with 0 to 3 nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 -L-A는 0개의 니트릴기로 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, -L-A is substituted with 0 nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 -L-A는 1개의 니트릴기로 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, -L-A is substituted with one nitrile group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 -L-A는 2개의 니트릴기로 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, -L-A is substituted with two nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 -L-A는 3개의 니트릴기로 치환된다.In an exemplary embodiment of the present specification, -L-A is substituted with three nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알키닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 10 cycloalkyl group, A substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 an aryloxy group, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted alkynyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 1 to C 10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C3 to C10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group , or a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 hetero It is an aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with an alkyl group, or a substituted or unsubstituted carbon number 3 to 30 is a heteroaryl group of

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 안트라센기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페난트렌기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 파이렌기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 디벤조플루오렌기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a biphenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a terphenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; an anthracene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a phenanthrene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a triphenylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a pyrene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a fluorene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a carbazole group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; a dibenzofluorene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기, 플루오렌기, 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, an anthracene group, a phenant unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Rene group, triphenylene group, pyrene group, fluorene group, dibenzofuran group or dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 터부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 비페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are a phenyl group unsubstituted or substituted with a terbutyl group; or a biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 터부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 비페닐기; 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a terbutyl group; biphenyl group; It is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1은 터부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이고, B2는 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, B 1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a terbutyl group, and B 2 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1은 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, B2는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30 의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 1 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with an alkyl group, and B 2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B2는 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, B1은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30 의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 2 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with an alkyl group, and B 1 is a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B1은 페닐기이고, B2는 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, B 1 is a phenyl group, and B 2 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B2는 터부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이고, B1은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, B 2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a terbutyl group, and B 1 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 B2는 페닐기이고, B1은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, B 2 is a phenyl group, and B 1 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 구조 중에서 선택된다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound of Formula 1 is selected from the following structures.

Figure 112020074796380-pat00005
Figure 112020074796380-pat00005

Figure 112020074796380-pat00006
Figure 112020074796380-pat00006

Figure 112020074796380-pat00007
Figure 112020074796380-pat00007

Figure 112020074796380-pat00008
Figure 112020074796380-pat00008

Figure 112020074796380-pat00009
Figure 112020074796380-pat00009

Figure 112020074796380-pat00010
Figure 112020074796380-pat00010

Figure 112020074796380-pat00011
Figure 112020074796380-pat00011

Figure 112020074796380-pat00012
Figure 112020074796380-pat00012

Figure 112020074796380-pat00013
Figure 112020074796380-pat00013

Figure 112020074796380-pat00014
Figure 112020074796380-pat00014

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member exists between the two members.

본 발명의 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함할 수 있다.The organic light emitting device of the present invention includes a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein one or more of the organic material layers may include the aforementioned compound.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except for forming one or more organic material layers using the above-described compound.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers.

예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.For example, the structure of the organic light emitting device of the present invention may have a structure as shown in FIGS. 1 and 2 , but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 발광층(3), 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.1 illustrates a structure of an organic light emitting device in which an anode 2 , a light emitting layer 3 , and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1 .

도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자차단층(7), 발광층(3), 정공차단층(8), 전자주입 및 수송 층(9) 및 음극(4)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 화합물은 바람직하게 발광층(3)에 포함된다.2 shows an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, an electron blocking layer 7, a light emitting layer 3, a hole blocking layer 8, an electron injection and transport layer on the substrate 1 The structure of the organic light emitting device in which (9) and the cathode (4) are sequentially stacked is exemplified. The compound of the present invention is preferably contained in the light emitting layer (3).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 유기발광소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The organic light emitting device may have, for example, a stacked structure as follows, but is not limited thereto.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

(3) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(3) anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(4) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(5) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(5) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(7) 양극/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/음극(7) anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(8) 양극/ 정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(8) anode / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(9) 양극/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/음극(9) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

(10) 양극/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(10) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(11) 양극/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/음극(11) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode

(12) 양극/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입층/음극(12) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(13) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/음극(13) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode

(14) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입 층/음극(14) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(15) 양극/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/정공차단층/전자주입 및 수송층/음극(15) anode / hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection and transport layer / cathode

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound of Formula 1 above.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 도펀트로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes the compound of Formula 1 as a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 열 활성형 지연형광(TADF)도펀트로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes the compound of Formula 1 as a thermally activated delayed fluorescence (TADF) dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 열 활성형 지연형광 도펀트를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a thermally activated delayed fluorescence dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 형광호스트 또는 인광 호스트를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a fluorescent host or a phosphorescent host.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 50:50의 질량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 99:1 to 50:50.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 90:10 내지 60:40의 질량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 90:10 to 60:40.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 80:20 내지 60:40의 질량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant in a mass ratio of 80:20 to 60:40.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 열 활성형 지연형광 도펀트를 90:10 내지 60:40의 질량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a thermally activated delayed fluorescence dopant in a mass ratio of 90:10 to 60:40.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 열 활성형 지연형광 도펀트를 80:20 내지 60:40의 질량비로 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a thermally activated delayed fluorescence dopant in a mass ratio of 80:20 to 60:40.

호스트와 도펀트의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 삼중항 에너지를 일중항 에너지로 역계간전이시켜 고효율, 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자의 제조가 가능하다. When the content of the host and the dopant satisfies the above range, it is possible to manufacture an organic light emitting device having high efficiency and long lifespan by inversely transferring triplet energy to singlet energy.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 도펀트로 포함하며, 호스트를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 도펀트의 함량은 호스트 100 중량부를 기준으로 1 중량부 내지 60 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 30 중량부 내지 50 중량부로 포함된다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, the light emitting layer includes the compound as a dopant of the light emitting layer, and may further include a host. In this case, the content of the dopant may be included in an amount of 1 part by weight to 60 parts by weight, preferably 30 parts by weight to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the host.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 축합 방향족환 유도체 및 헤테로고리 함유 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 발광층의 호스트로서 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes at least one selected from a condensed aromatic ring derivative and a heterocyclic compound as a host of the emission layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로 고리 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the condensed aromatic ring derivative includes an anthracene derivative, a pyrene derivative, a naphthalene derivative, a pentacene derivative, a phenanthrene compound, a fluoranthene compound, and the like, and the hetero ring-containing compound includes a carbazole derivative , a dibenzofuran derivative, a ladder-type furan compound, a pyrimidine derivative, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 상기 화합물을 도펀트로서 포함하고, 하기 화학식 F로 표시되는 화합물을 호스트로서 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the light emitting layer includes the compound as a dopant, and may further include a compound represented by the following Chemical Formula F as a host, but is not limited thereto.

[화학식 F][Formula F]

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상기 화학식 F에 있어서,In the formula F,

L13은 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 헤테로아릴기이고,L13 is a substituted or unsubstituted (b+1) valent aryl group; Or a substituted or unsubstituted (b+1) valent heteroaryl group,

G11 및 G12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 또는 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기이며,G11 and G12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; cyano group; Or a heteroaryl group containing O or S,

b13은 1 내지 3의 정수이며, b13이 2 이상이면 L13은 서로 같거나 상이하며,b13 is an integer of 1 to 3, and when b13 is 2 or more, L13 is the same as or different from each other,

b는 1 또는 2이며, b가 2이면

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는 서로 같거나 상이하다.b is 1 or 2, if b is 2
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are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화합물을 포함하는 도펀트 및 상기 화학식 F 로 표시되는 호스트를 1:99 내지 50:50의 중량비로 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a dopant including the compound described above and a host represented by Formula F in a weight ratio of 1:99 to 50:50.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, L13은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 16의 (b+1)가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 16의 (b+1)가의 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, L13 is a substituted or unsubstituted (b+1) aryl group having 6 to 16 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted C2-C16 (b+1) heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, L13은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 (b+1)가의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 (b+1)가의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, L13 is a substituted or unsubstituted (b+1) aryl group having 6 to 12 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted C2-C12 (b+1) heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, L13은 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 페닐기; 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 디벤조퓨라닐기; 또는 치환 또는 비치환된 (b+1)가의 피리디닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, L13 is a substituted or unsubstituted (b+1) valent phenyl group; a substituted or unsubstituted (b+1) biphenyl group; a substituted or unsubstituted (b+1) dibenzofuranyl group; or a substituted or unsubstituted (b+1) valent pyridinyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, L13이 치환된 (b+1)가의 아릴기일 때, 상기 (b+1)가의 아릴기의 치환기는 헤테로아릴기로 치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, when L13 is a substituted (b+1) valent aryl group, the substituent of the (b+1) valent aryl group is an aryl group substituted with a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, G11 및 G12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 시아노기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, G11 and G12 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; or a cyano group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, b13은 1이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, b13 is 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F에 있어서, b13은 2이다.In an exemplary embodiment of the present specification, in Formula F, b13 is 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 F로 표시되는 화합물은 하기의 화합물들 중에서 선택된 어느 하나이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula F is any one selected from the following compounds.

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본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트, 도펀트, 형광발광체를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host, a dopant, and a fluorescent light emitting material.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트, 열 활성형 지연 형광 도펀트, 형광발광체를 포함한다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host, a thermally activated delayed fluorescent dopant, and a fluorescent light.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 형광 발광형 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트 함량은 호스트 100 중량부 대비 1 내지 50 중량부, 형광 발광형 물질의 함량은 호스트 100 중량부 대비 0 내지 10 중량부일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the light emitting layer may include the compound represented by Formula 1 as a dopant, a fluorescent host or a phosphorescent host, and further include a fluorescent light emitting material. The dopant content may be 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host, and the content of the fluorescent material may be 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 도펀트의 함량은 호스트 100 중량부 대비 10 내지 50 중량부, 형광 발광형 물질은 호스트 100 중량부 대비 2 내지 10 중량부이다. In an exemplary embodiment of the present invention, the content of the dopant is 10 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the host, and the fluorescent material is 2 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.

또한, 상기 발광층에 형광 발광형 물질을 더 포함하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 엑시톤 에너지를 형광 발광형 물질로 전달하여 형광 발광형 물질에서 발광 현상이 일어나게 되므로, 고휘도 발광이 가능하고, 구동 전압이 낮으며, 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.In addition, when a fluorescent material is further included in the light emitting layer, the compound represented by Formula 1 transfers exciton energy to the fluorescent material to cause light emission in the fluorescent material, so that high-brightness light emission is possible, An organic light emitting diode having a low driving voltage and a long lifespan can be manufactured.

상기 형광 발광형 물질로는 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the fluorescent material, a fluorescent material such as an anthracene-based compound, a pyrene-based compound, or a boron-based compound may be used, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하고, 형광 발광형 물질을 더 포함한다. 이때, 상기 형광 발광형 물질의 함량은 상기 화합물 100 중량부를 기준으로 0 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 형광 발광형 물질을 상기 화합물로부터 엑시톤을 전달받아 최종적으로 발광하는 역할을 하므로, 좁은 반치폭을 갖는 형광 발광형 물질을 이용하여 소자의 색순도를 높일 수 있고, 상기 화합물의 엑시톤-폴라론 ?칭을 방지하여 소자의 수명을 증가시키는 이점이 있다. 상기 반치폭은 발광 스펙트럼 상에서 최대 발광 피크(peak) 높이의 절반(1/2)이 되는 높이에서 peak의 두께를 의미한다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes the compound, and further includes a fluorescent light-emitting material. In this case, the content of the fluorescent material may be included in an amount of 0 parts by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the compound. Since the fluorescent material receives excitons from the compound and finally emits light, the color purity of the device can be increased by using the fluorescent material having a narrow half maximum width, and exciton-polaron quenching of the compound can be performed. There is an advantage of increasing the life of the device by preventing it. The full width at half maximum means the thickness of the peak at a height that is half (1/2) of the maximum emission peak height on the emission spectrum.

상기 형광 발광형 물질의 예시로는 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 플로란텐계 화합물, 페릴렌계 화합물, 보론계 화합물, 또는 하기 구조들로 나타낼 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the fluorescent material may include an anthracene-based compound, a pyrene-based compound, a floranthene-based compound, a perylene-based compound, a boron-based compound, or the following structures, but is not limited thereto.

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또한, 상기 화학식 1의 화합물은 열활성화 지연 형광 도펀트(TADF: Thermally Activated Delayed Fluorescence)로 사용될 수 있으며, 상기 화학식 1의 화합물은 △Est 값이 0.3eV 이하의 지연형광 및 0.7 초과의 배향인자 특성을 갖는 그린(green) 계열 열활성화 지연 형광 도펀트로 사용되는 경우, 고휘도 발광이 가능하고, 구동 전압이 낮으며, 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자의 구현이 가능하다.In addition, the compound of Formula 1 may be used as a thermally activated delayed fluorescence dopant (TADF), and the compound of Formula 1 has a ΔE st value of 0.3 eV or less of delayed fluorescence and an orientation factor characteristic of more than 0.7 When used as a green-based thermally activated delayed fluorescent dopant with

상기 열활성화 지연 형광이란 열에너지에 의하여 삼중항 여기 상태로부터 일중항 여기상태로 역계간전이가 유도되고, 일중항 여기상태의 엑시톤이 바닥상태(Ground State)로 이동하여 형광발광을 일으키는 현상을 의미한다. 또한, 상기 △Est는 일중항에너지(Singlet energy) - 삼중항에너지(Triplet energy) 값을 의미한다.The thermally activated delayed fluorescence refers to a phenomenon in which a reverse intersystem transition is induced from a triplet excited state to a singlet excited state by thermal energy, and excitons in the singlet excited state move to the ground state to cause fluorescence. . In addition, the ΔE st refers to a value of singlet energy - triplet energy.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer, and the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection and transport layer may include the compound of Formula 1 can

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층, 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer includes an electron injection layer, an electron transport layer, or an electron injection and transport layer, and the electron injection layer, the electron transport layer, or the electron injection and transport layer may contain the compound of Formula 1 can

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층, 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자차단층, 또는 정공차단층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the organic material layer may include an electron blocking layer or a hole blocking layer, and the electron blocking layer or the hole blocking layer may include the compound of Formula 1 above.

상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층 및 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, to form a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate. to form an anode, an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an organic material layer including the compound of Formula 1 thereon, a material that can be used as a cathode is deposited thereon It can be manufactured by In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO:Al or SnO 2 : a combination of a metal such as Sb and an oxide; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.

상기 정공주입물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular 오비탈)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection material is a material capable of well injecting holes from the anode at a low voltage, and it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, and the like, but are not limited thereto.

상기 정공수송물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transport material, a material capable of transporting holes from an anode or a hole injection layer to the light emitting layer is suitable, and a material having high hole mobility is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; polyfluorene, rubrene, and the like, but is not limited thereto.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present specification may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers is formed using the compound.

본 명세서는 또한, 상기 화합물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present specification also provides a method of manufacturing an organic light emitting device formed using the compound.

도펀트 재료로는 방향족 화합물, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the dopant material include an aromatic compound, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex. Specifically, the aromatic compound is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, periflanthene, and the like, having an arylamino group. As the styrylamine compound, a substituted or unsubstituted A compound in which at least one arylvinyl group is substituted with an arylamine, one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like, but is not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include, but are not limited to, an iridium complex and a platinum complex.

상기 전자 수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3을 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports them to the light emitting layer. do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes comprising Alq3; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자 주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer A compound which prevents movement to a layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.

상기 정공차단층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that blocks the holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.

합성예Synthesis example 1. One.

중간체1의of intermediate 1 합성 synthesis

Figure 112020074796380-pat00027
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6-브로모-5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 13g을 THF 200ml에 녹여 -78℃에서 30분 대기 후 n-BuLi(1.6M) 3.03ml를 천천히 적가 후 9H-플로렌-9-온 5.7g을 THF에 녹인 용액을 천천히 적가하였다. 그 후 상온에서 1시간 대기 후 물을 넣은 후 에틸아세테이트를 이용하여 추출 후 용매를 전부 제거하였다. 그 후 아세트산과 HCl을 사용하여 (10:1) 2시간 더 교반한 후 필터 후 재 결정하여 중간체 1을 11g 수득하였다. (수율 70%).Dissolve 13 g of 6-bromo-5-phenyl-5,12-dihydroindolo [3,2-a] carbazole in 200 ml of THF, wait for 30 minutes at -78 ° C., and then 3.03 ml of n-BuLi (1.6 M) After the slow dropwise addition, a solution of 5.7 g of 9H-fluoren-9-one in THF was slowly added dropwise. After waiting at room temperature for 1 hour, water was added, followed by extraction using ethyl acetate, and all solvents were removed. Thereafter, the mixture was stirred with acetic acid and HCl (10:1) for 2 hours, and then filtered and recrystallized to obtain 11 g of Intermediate 1. (yield 70%).

MS[M+H]+ = 495MS[M+H]+ = 495

화합물 1의 합성Synthesis of compound 1

Figure 112020074796380-pat00028
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질소 분위기에서 중간체1 7g, 5-(4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-2-플로로벤조나이트릴 4.5g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 1을 9g 수득하였다. (수율 77%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 4.5 g of 5-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-2-fluorobenzonitrile were added to 80 ml of dimethylformamide and then cesium After 14 g of carbonate was added, stirred at 100° C. for 8 hours, and then poured into water to obtain a solid compound. Then, 9 g of compound 1 was obtained through recrystallization. (yield 77%).

MS[M+H]+ = 827MS[M+H]+ = 827

화합물 2의 합성Synthesis of compound 2

Figure 112020074796380-pat00029
Figure 112020074796380-pat00029

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-(4-플로로페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 4.6g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 2을 8.4g 수득하였다. (수율 74%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1, 4.6 g of 2-(4-fluorophenyl) -4,6-diphenyl-1,3,5-triazine was put into 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and then 100 After stirring at ℃ for 8 hours, it was poured into water to obtain a solid compound. Then, 8.4 g of compound 2 was obtained through recrystallization. (yield 74%).

MS[M+H]+ = 802MS[M+H]+ = 802

화합물 3의 합성Synthesis of compound 3

Figure 112020074796380-pat00030
Figure 112020074796380-pat00030

질소 분위기에서 중간체1 7g, 5-(4,6-다이페닐피리미딘-2-일)-2-플로로벤조나이트릴 5.0g을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 3을 8.8g 수득하였다. (수율 75%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 5.0 g of 5-(4,6-diphenylpyrimidin-2-yl)-2-fluorobenzonitrile were added to 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and then 100 ° C. After stirring for 8 hours, it was poured into water to obtain a solid compound. Then, 8.8 g of compound 3 was obtained through recrystallization. (yield 75%).

MS[M+H]+ = 826MS[M+H]+ = 826

화합물 4의 합성Synthesis of compound 4

Figure 112020074796380-pat00031
Figure 112020074796380-pat00031

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-(3-사이아노-4-플로로페닐)-4,6-다이페닐피리딘-5-카보나이트릴 5.3g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 4을 9.1g 수득하였다. (수율 76%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1, 5.3 g of 2-(3-cyano-4-fluorophenyl)-4,6-diphenylpyridine-5-carbonitrile was put into 80 ml of dimethylformamide, and 14 g of cesium carbonate was added. After stirring at 100° C. for 8 hours, it was poured into water to obtain a solid compound. Then, 9.1 g of compound 4 was obtained through recrystallization. (yield 76%).

MS[M+H]+ = 851MS[M+H]+ = 851

합물compound 5의 합성 5 synthesis

Figure 112020074796380-pat00032
Figure 112020074796380-pat00032

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-(2-플로로페닐)-4,6-다이페닐피리딘-3,5-다이카보나이트릴 5.3g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 5을 9.2g 수득하였다. (수율 76%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1, 5.3 g of 2-(2-fluorophenyl) -4,6-diphenylpyridine-3,5-dicarbonitrile were added to 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and then 100 After stirring at ℃ for 8 hours, it was poured into water to obtain a solid compound. Thereafter, 9.2 g of compound 5 was obtained through recrystallization. (yield 76%).

MS[M+H]+ = 851MS[M+H]+ = 851

화합물 6의 합성Synthesis of compound 6

Figure 112020074796380-pat00033
Figure 112020074796380-pat00033

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-플로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 3.6g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 6을 8.1g 수득하였다. (수율 79%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 3.6 g of 2-fluoro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine were put into 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and then stirred at 100° C. for 8 hours. It was poured into water to obtain a solid compound. Then, 8.1 g of compound 6 was obtained through recrystallization. (yield 79%).

MS[M+H]+ = 726MS[M+H]+ = 726

화합물 7의 합성Synthesis of compound 7

Figure 112020074796380-pat00034
Figure 112020074796380-pat00034

질소 분위기에서 중간체1 7g, 4-플로로-2,6-다이페닐피리미딘-5-카보나이트릴 3.9g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 7을 7.7g 수득하였다. (수율 73%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 3.9 g of 4-fluoro-2,6-diphenylpyrimidine-5-carbonitrile were added to 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and then stirred at 100° C. for 8 hours and then washed with water. poured to obtain a solid compound. Then, 7.7 g of compound 7 was obtained through recrystallization. (yield 73%).

MS[M+H]+ = 750MS[M+H]+ = 750

화합물 8의 합성Synthesis of compound 8

Figure 112020074796380-pat00035
Figure 112020074796380-pat00035

질소 분위기에서 중간체1 7g, 5-(4-(다이벤조[b,d]퓨란-3-일)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-2-플로로벤조나이트릴 6.3g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 8을 9.7g 수득하였다. (수율 75%).7 g of Intermediate 1 in a nitrogen atmosphere, 5-(4-(dibenzo[b,d]furan-3-yl)-6-phenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-2-fluorobenzo After putting 6.3 g of nitrile in 80 ml of dimethylformamide, 14 g of cesium carbonate was added, and after stirring at 100° C. for 8 hours, it was poured into water to obtain a solid compound. Then, 9.7 g of compound 8 was obtained through recrystallization. (yield 75%).

MS[M+H]+ = 918MS[M+H]+ = 918

화합물 9의 합성Synthesis of compound 9

Figure 112020074796380-pat00036
Figure 112020074796380-pat00036

질소 분위기에서 중간체1 7g, 4-(다이벤조[b,d]싸이오펜-2-일)-2-(4-플로로페닐)-6-페닐피리미딘-5-카보나이트릴 6.5g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 9을 9.4g 수득하였다. (수율 71%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 6.5 g of 4-(dibenzo[b,d]thiophen-2-yl)-2-(4-fluorophenyl)-6-phenylpyrimidine-5-carbonitrile were reacted with dimethyl After putting in 80ml of formamide, 14g of cesium carbonate was added, stirred at 100°C for 8 hours, and then poured into water to obtain a solid compound. Then, 9.4 g of compound 9 was obtained through recrystallization. (Yield 71%).

MS[M+H]+ = 933MS[M+H]+ = 933

화합물 10의 합성Synthesis of compound 10

Figure 112020074796380-pat00037
Figure 112020074796380-pat00037

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-(1-플로로다이벤조[b,d]퓨란-2-일)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 5.9g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 10을 9.2g 수득하였다. (수율 73%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1, 2-(1-fluorodibenzo[b,d]furan-2-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine 5.9g were mixed with dimethylformamide After putting in 80ml, 14g of cesium carbonate was added, stirred at 100°C for 8 hours, and then poured into water to obtain a solid compound. Thereafter, 9.2 g of compound 10 was obtained through recrystallization. (yield 73%).

MS[M+H]+ = 893MS[M+H]+ = 893

화합물 11의 합성Synthesis of compound 11

Figure 112020074796380-pat00038
Figure 112020074796380-pat00038

질소 분위기에서 중간체1 7g, 2-(1-플로로다이벤조[b,d]싸이오펜-2-일)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 6.2g 을 다이메틸포름아마이드 80ml에 넣은 후 세슘카보네이트 14g을 넣은 후 100℃ 8시간 교반 후 물에 부어 고체 화합물을 얻었다. 그 후 재결정을 통해 화합물 11을 9.6g 수득하였다. (수율 75%).In a nitrogen atmosphere, 7 g of Intermediate 1 and 6.2 g of 2-(1-fluorodibenzo[b,d]thiophen-2-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine were mixed with dimethylform After putting in 80ml of amide, 14g of cesium carbonate was added, stirred at 100°C for 8 hours, and then poured into water to obtain a solid compound. Then, 9.6 g of compound 11 was obtained through recrystallization. (yield 75%).

MS[M+H]+ = 909MS[M+H]+ = 909

<< 비교예comparative example 1-1> 1-1>

ITO(Indium Tin Oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤 및 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5.0×10-4 ㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사아자트리페닐렌-헥사니트릴(HAT-CN)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone and methanol, dried, and transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was laminated on the prepared ITO transparent electrode by vacuum deposition at a vacuum degree of 5.0×10 −4 Pa. First, hexaazatriphenylene-hexanitrile (HAT-CN) was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 Å on ITO to form a hole injection layer.

상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 NPB를 진공 증착하여 정공 수송층(300Å)을 형성하였다.The following compound NPB was vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer (300 Å).

상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 EB1를 진공 증착하여 전자 차단층(100Å)을 형성하였다.An electron blocking layer (100 Å) was formed by vacuum-depositing the following compound EB1 to a thickness of 100 Å on the hole transport layer.

이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 300Å으로 하기 화합물 m-CBP와 A1을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Then, on the electron blocking layer, the following compounds m-CBP and A1 to a thickness of 300 Å were vacuum-deposited at a weight ratio of 70:30 to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum-depositing the following compound HB1 to a thickness of 100 Å on the light emitting layer.

상기 정공 차단층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 2,000 Å on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4Å/sec 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 6torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å/sec, and the vacuum degree during deposition was 2x10. - Maintaining 7 torr to 5x10 - 6 torr, an organic light emitting device was manufactured.

Figure 112020074796380-pat00039
Figure 112020074796380-pat00039

<< 실험예Experimental example 1-1 내지 1-11> 1-1 to 1-11>

상기 비교예 1-1에서 화합물 A1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1-1, except that the compound of Table 1 was used instead of Compound A1 in Comparative Example 1-1.

Figure 112020074796380-pat00040
Figure 112020074796380-pat00040

실험예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1의 유기 발광 소자에 대하여 10㎃/㎠의 전류밀도에서 측정한 구동 전압(V)과 전류효율(cd/A), 3000cd/m2에서 밝기가 95%로 감소될 때까지의 시간(T95)을 측정하여, 하기 표 1에 나타내었다.For the organic light emitting devices of Experimental Examples 1-1 to 1-11 and Comparative Example 1-1, the driving voltage (V) and current efficiency (cd/A) measured at a current density of 10 mA/cm 2 , at 3000 cd/m 2 The time until the brightness is reduced to 95% (T 95 ) was measured, and is shown in Table 1 below.

구분division 화합물
(발광층)
compound
(Light emitting layer)
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
T95
(hr)
T 95
(hr)
실험예 1-1Experimental Example 1-1 1One 4.04.0 3535 118118 실험예 1-2Experimental Example 1-2 22 4.14.1 3232 115115 실험예 1-3Experimental Example 1-3 33 4.04.0 3535 114114 실험예 1-4Experimental Example 1-4 44 3.93.9 3535 113113 실험예 1-5Experimental Example 1-5 55 3.93.9 3434 114114 실험예 1-6Experimental Example 1-6 66 4.24.2 3333 112112 실험예 1-7Experimental Example 1-7 77 4.04.0 3131 112112 실험예 1-8Experimental Example 1-8 88 4.14.1 3636 110110 실험예 1-9Experimental Example 1-9 99 4.14.1 3636 110110 실험예 1-10Experimental Example 1-10 1010 4.04.0 3232 113113 실험예 1-11Experimental Example 1-11 1111 4.04.0 3232 113113 비교예 1-1Comparative Example 1-1 A1A1 4.94.9 1111 8080

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물을 사용한 실험예 1-1 내지 1-11의 소자는 비교예 1-1에서 화합물 A1의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮아지고, 효율 및 수명이 향상되었다. As shown in Table 1, the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-11 using the compound of Formula 1 had lower voltages, and improved efficiency and lifespan than the devices using the material of Compound A1 in Comparative Example 1-1. improved

특히, 전자 주개 특성을 가진 스피로[디인돌로[3,2-b:3',2',1'-de]아크리딘-10,9'-플루오렌]의 N에 전자 받개 특성을 가진 치환기가 결합되어 CT(Charge transfer)특성이 극대화된 것이다. 전자 받개 특성을 가진 치환기로는 트리아진, 피리미딘 등 N함유 단환고리 및 니트릴기로 치환된 아릴기, 니트릴기로 치환된 헤테로아릴기 등이 사용될 수 있다.In particular, with electron acceptor properties at N of spiro [diindolo[3,2-b:3',2',1'-de]acridine-10,9'-fluorene] with electron donor properties It maximizes the CT (Charge Transfer) characteristic by combining the substituents. As the substituent having an electron accepting property, an N-containing monocyclic ring such as triazine and pyrimidine, an aryl group substituted with a nitrile group, a heteroaryl group substituted with a nitrile group, etc. may be used.

비교예 1-1에서 사용된 화합물 A1의 경우, 코어에 치환기가 치환되는 위치가 본 발명과 상이하다. 화합물 A1의 경우, 코어의 벤젠고리에 치환기가 결합하는데, 이 경우 실시예 1-1 내지 1-11에서 사용된 화합물 1 내지 11보다 CT 특성이 약하다. In the case of Compound A1 used in Comparative Example 1-1, the position at which the substituent is substituted on the core is different from the present invention. In the case of Compound A1, a substituent is bonded to the benzene ring of the core, and in this case, the CT characteristics are weaker than that of Compounds 1 to 11 used in Examples 1-1 to 1-11.

따라서, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 수명이 높아 지연 형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다. Therefore, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent light emitting ability and has a long lifespan, so that it can be applied to delayed fluorescent organic light emitting devices.

<< 비교예comparative example 2-1> 2-1>

ITO(Indium Tin Oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤 및 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5.0Х10-4㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사아자트리페닐렌-헥사니트릴(HAT-CN)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone and methanol, dried, and transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was laminated on the prepared ITO transparent electrode by vacuum deposition at a vacuum degree of 5.0Х10 -4 Pa. First, hexaazatriphenylene-hexanitrile (HAT-CN) was thermally vacuum deposited to a thickness of 500 Å on ITO to form a hole injection layer.

상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 NPB를 진공 증착하여 정공 수송층(300Å을 형성하였다.The following compound NPB was vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer (300 Å).

상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 EB1를 진공 증착하여 전자 차단층(100Å)을 형성하였다.An electron blocking layer (100 Å) was formed by vacuum-depositing the following compound EB1 to a thickness of 100 Å on the hole transport layer.

이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 300Å으로 하기 화합물 m-CBP, A1 및 GD1을 68:30:2의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Then, the following compounds m-CBP, A1, and GD1 to a thickness of 300 Å were vacuum-deposited on the electron blocking layer in a weight ratio of 68:30:2 to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum-depositing the following compound HB1 to a thickness of 100 Å on the light emitting layer.

상기 정공 차단층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 2,000 Å on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4Å 내지 0.7Å를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å 알루미늄은 2Å의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10-7torr 내지 5x10-6torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 Å to 0.7 Å, the lithium fluoride of the negative electrode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å and the aluminum was maintained at a deposition rate of 2 Å, and the vacuum degree during deposition was 2x10 -7 torr to 5x10 -6 torr. Maintained, an organic light emitting device was manufactured.

Figure 112020074796380-pat00041
Figure 112020074796380-pat00041

<< 실험예Experimental example 2-1 내지 2-11> 2-1 to 2-11>

상기 비교예 2-1에서 화합물 A1 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Comparative Example 2-1, except that the compound of Table 2 was used instead of Compound A1 in Comparative Example 2-1.

Figure 112020074796380-pat00042
Figure 112020074796380-pat00042

실험예 2-1 내지 2-11 및 비교예 2-1의 유기 발광 소자에 대하여 10㎃/㎠의 전류밀도에서 측정한 구동 전압(V)과 전류효율(cd/A), 3000cd/m2에서 밝기가 95%로 감소될 때까지의 시간(T95)을 측정하여, 하기 표 2에 나타내었다.The driving voltage (V) and current efficiency (cd/A) measured at a current density of 10 mA/cm 2 for the organic light emitting devices of Experimental Examples 2-1 to 2-11 and Comparative Example 2-1, at 3000 cd/m 2 The time until the brightness is reduced to 95% (T 95 ) was measured, and is shown in Table 2 below.

구분division 화합물
(발광층)
compound
(Light emitting layer)
전압
(V)
Voltage
(V)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
T95
(hr)
T 95
(hr)
실험예 2-1Experimental Example 2-1 1One 4.14.1 3737 125125 실험예 2-2Experimental Example 2-2 22 4.24.2 3333 120120 실험예 2-3Experimental Example 2-3 33 4.14.1 3535 125125 실험예 2-4Experimental Example 2-4 44 4.04.0 3636 126126 실험예 2-5Experimental Example 2-5 55 4.04.0 3535 123123 실험예 2-6Experimental Example 2-6 66 4.34.3 3636 124124 실험예 2-7Experimental Example 2-7 77 4.04.0 3232 124124 실험예 2-8Experimental Example 2-8 88 4.14.1 3737 118118 실험예 2-9Experimental Example 2-9 99 4.14.1 3838 121121 실험예 2-10Experimental Example 2-10 1010 4.04.0 3434 127127 실험예 2-11Experimental Example 2-11 1111 4.04.0 3434 127127 비교예 2-1Comparative Example 2-1 A1A1 5.05.0 1010 8080

상기 표 2에서 보는 바와 같이, 실험예 2-1 내지 2-11의 소자에서 사용된 화합물 1 내지 11은 전자 주개 특성을 가진 스피로[디인돌로[3,2-b:3',2',1'-de]아크리딘-10,9'-플루오렌]의 질소에 전자 받개 특성을 가진 치환기에 결합되어 CT(Charge transfer)특성이 극대화 된 것이다. 화합물 1 내지 11에서는 전자받개 특성을 가진 치환기로 트리아진기, 피리미딘기, 니트릴기로 치환된 피리미딘기 등이 사용되었다. As shown in Table 2, compounds 1 to 11 used in the devices of Experimental Examples 2-1 to 2-11 are spiro [diindolo [3,2-b: 3 ', 2', 1'-de]acridine-10,9'-fluorene] is bonded to a substituent with electron accepting properties to nitrogen, maximizing CT (Charge Transfer) properties. In compounds 1 to 11, a triazine group, a pyrimidine group, a pyrimidine group substituted with a nitrile group, etc. were used as substituents having electron accepting properties .

실시예 2-1 내지 2-11은 호스트 물질, TADF 도판트 물질, 형광 도판트물질을 증착하여 발광층을 형성하는 HF(Hyper-fluorescent)인데, HF소자에서도 화합물 1 내지 11은 좋은 TADF 특성을 보여준다. 상기 화합물 1 내지 11 물질은 HF 소자 내에서도 스피로[디인돌로[3,2-b:3',2',1'-de]아크리딘-10,9'-플루오렌]의 질소가 아닌, 벤젠고리에 치환기가 결합한 화합물 A1보다 더욱 좋은 효율증가 및 수명증가를 보여준다.Examples 2-1 to 2-11 are HF (Hyper-fluorescent) in which a light emitting layer is formed by depositing a host material, a TADF dopant material, and a fluorescent dopant material. Compounds 1 to 11 show good TADF characteristics even in the HF device. . The compounds 1 to 11 materials are not nitrogen of spiro [diindolo [3,2-b: 3 ', 2', 1'-de] acridine-10,9'-fluorene] even in HF devices, It shows better efficiency increase and lifetime increase than compound A1 in which a substituent is bonded to a benzene ring.

따라서, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 수명이 높아 지연 형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.Therefore, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent light emitting ability and has a long lifespan, so that it can be applied to delayed fluorescent organic light emitting devices.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although preferred experimental examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and detailed description of the invention, and this also falls within the scope of the invention. .

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자차단층
8: 정공차단층
9: 전자주입 및 수송층
1: Substrate
2: Anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: Electron blocking layer
8: hole blocking layer
9: Electron injection and transport layer

Claims (8)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure 112022026637327-pat00043

상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 또는 중수소이고,
L은 직접결합, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴렌기이고,
A는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 단환의 N함유 헤테로아릴기이고,
B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이며,
a 내지 e는 0 내지 4의 정수이고,
a가 복수일 때, R1은 서로 같거나 상이하고,
b가 복수일 때, R2는 서로 같거나 상이하고,
c가 복수일 때, R3은 서로 같거나 상이하고,
d가 복수일 때, R4는 서로 같거나 상이하고,
e가 복수일 때, R5는 서로 같거나 상이하다.
A compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112022026637327-pat00043

In Formula 1,
R 1 To R 6 Are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen, or deuterium;
L is a direct bond, a C6-C20 arylene group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a C3-C20 heteroarylene group,
A is a trivalent monocyclic N-containing heteroaryl group unsubstituted or substituted with a nitrile group,
B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and are each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a heteroaryl group having 3 to 20 carbon atoms, unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
a to e are integers from 0 to 4,
When a is plural, R 1 are the same as or different from each other,
When b is plural, R 2 are the same as or different from each other,
When c is plural, R 3 are the same as or different from each other,
When d is plural, R 4 are the same as or different from each other,
When e is plural, R 5 is the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 A는 3가의 트리아진기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리미딘기, 또는 니트릴기로 치환 또는 비치환된 3가의 피리딘기인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein A is a trivalent triazine group, a trivalent pyrimidine group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a trivalent pyridine group unsubstituted or substituted with a nitrile group. 청구항 1에 있어서, 상기 B1 및 B2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기, 플루오렌기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기인 것인 화합물.The method according to claim 1, wherein B 1 and B 2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, anthracene group, phenanthrene group, triphenyl unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. A compound that is a ren group, a pyrene group, a fluorene group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 0.3eV 이하의 지연형광 특성을 갖는 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 has a delayed fluorescence characteristic of 0.3 eV or less. 청구항 1에 있어서, 상기 L은 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기인 것인 화합물.The method according to claim 1, wherein L is a phenylene group unsubstituted or substituted with a nitrile group; a divalent dibenzofuran group; or a divalent dibenzothiophene group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure 112020074796380-pat00044

Figure 112020074796380-pat00045

Figure 112020074796380-pat00046

Figure 112020074796380-pat00047

Figure 112020074796380-pat00048

Figure 112020074796380-pat00049

Figure 112020074796380-pat00050

Figure 112020074796380-pat00051

Figure 112020074796380-pat00052

Figure 112020074796380-pat00053
The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Figure 112020074796380-pat00044

Figure 112020074796380-pat00045

Figure 112020074796380-pat00046

Figure 112020074796380-pat00047

Figure 112020074796380-pat00048

Figure 112020074796380-pat00049

Figure 112020074796380-pat00050

Figure 112020074796380-pat00051

Figure 112020074796380-pat00052

Figure 112020074796380-pat00053
제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 또는 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein one or more of the organic material layers comprises the compound of any one of claims 1 to 6 light emitting element. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 7 , wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound.
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