KR102401234B1 - Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same - Google Patents

Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same Download PDF

Info

Publication number
KR102401234B1
KR102401234B1 KR1020200159509A KR20200159509A KR102401234B1 KR 102401234 B1 KR102401234 B1 KR 102401234B1 KR 1020200159509 A KR1020200159509 A KR 1020200159509A KR 20200159509 A KR20200159509 A KR 20200159509A KR 102401234 B1 KR102401234 B1 KR 102401234B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
adhesive sheet
energy ray
wafer
compound
Prior art date
Application number
KR1020200159509A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정근영
엄종흠
정재현
신종근
임종관
고영종
좌진용
Original Assignee
에이엠씨주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이엠씨주식회사 filed Critical 에이엠씨주식회사
Priority to KR1020200159509A priority Critical patent/KR102401234B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102401234B1 publication Critical patent/KR102401234B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04Homopolymers or copolymers of esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

The present invention relates to a preparation method of an adhesive sheet and a semiconductor chip which comprises an energy ray-curable compound. According to the preparation method of the present invention, an adhesive layer comprising an adhesive component and a compound containing siloxane is laminated not to be peeled on a substrate so that the surface tension on a back side of a wafer is lowered and the shape of a small semiconductor chip during dicing is maintained well. In addition, when cured by an energy ray, the adhesive force is sufficiently lost so that the semiconductor chip can be easily picked up.

Description

에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트 및 반도체 칩의 제조방법{Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same}Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same}

본 발명은 반도체 칩에 사용되는 점착시트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실록산을 갖는 화합물로 점착층 성형된 점착시트와 웨이펴 표면 간의 표면에너지가 낮아지도록 함으로써, 접착된 웨이퍼와 서브스트리트 사이에 충진된 필러에 의해 반도체 칩의 이면이 오염되는 것을 방지하도록 된 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트 및 반도체 칩의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet used for a semiconductor chip, and more particularly, by lowering the surface energy between the pressure-sensitive adhesive sheet formed of an adhesive layer with a compound having a siloxane and the wafer surface, filling between the bonded wafer and the substrate It relates to a pressure-sensitive adhesive sheet containing an energy ray-curable compound to prevent contamination of the back surface of the semiconductor chip by the used filler, and to a method for manufacturing a semiconductor chip.

최근, 패턴이 형성된 웨이퍼 표면에 범프라는 돌기를 형성하여 서브스트레이트에 연결하는 방법이 많이 사용되고 있다. 이때, 범프는 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 연결 역할도 하게 되고, 칩과 서브스트레이트의 열팽창 계수 차이에 의해 스트레스를 범프만으로 제어할 수 없으므로 반드시 범프와 범프 사이 공간을 폴리머로 채워주는 언더필 공정이 병행되어야 한다.Recently, a method of forming a protrusion called a bump on the surface of a wafer on which a pattern is formed and connecting to a substrate has been widely used. At this time, the bump serves not only as an electrical connection but also as a mechanical connection, and since stress cannot be controlled only with the bump due to the difference in thermal expansion coefficient between the chip and the substrate, an underfill process that fills the space between the bump and the bump with a polymer must be performed in parallel. .

이처럼, 범프와 서브스트레이트 사이를 채워주는 언더필 공정은 캐필러리로 언더필 재료를 칩 옆면에서 주사하여 범프 사이사이를 흘러가서 채워지도록 수행된다. 이때, 언더필 재료에 의해 반도체 칩의 이면에 오염이 발생하게 되고, 이면이 오염된 반도체 칩은 비주얼 검사 장비에서 칩의 크랙으로 인식되어 반도체 생산 수율을 감소시키는 원인이 된다.In this way, the underfill process filling the gap between the bump and the substrate is performed by injecting the underfill material from the side of the chip into the capillary so that it flows and fills the gap. In this case, contamination occurs on the back surface of the semiconductor chip by the underfill material, and the semiconductor chip with the contaminated back surface is recognized as a chip crack in the visual inspection equipment, thereby reducing the semiconductor production yield.

따라서, 언더필을 실시하는 공정에서 보다 간편한 방식으로 필러에 의한 반도체 칩의 이면의 오염을 방지할 수 있는 방법이 요구되고 있다. Accordingly, there is a need for a method capable of preventing contamination of the back surface of the semiconductor chip by the filler in a simpler manner in the process of underfilling.

또한, 종래의 다이싱용 점착 시트에 대해 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 분리시키고 픽업하는 방법에 대해서 다수의 선행 문헌이 검색되지만, 종래 기술과는 달리 분리된 칩의 이면의 표면 장력을 낮추는 방법이 개시된 진일보된 기술에 대한 문헌을 찾기 어려웠다. In addition, a number of prior documents are searched for a method of dicing, separating, and picking up a semiconductor wafer with respect to the conventional pressure-sensitive adhesive sheet for dicing. It was difficult to find literature on the technology used.

따라서, 언더필 공정에서의 반도체 이면의 필러의 오염을 방지하면서 분리된 칩의 이면의 표면 장력을 낮출 수 있는 새로운 기술 및 공정의 새로운 기술 개발이 요구되고 있다. Accordingly, there is a demand for a new technology and a new process for reducing the surface tension of the back surface of the separated chip while preventing contamination of the filler on the back surface of the semiconductor in the underfill process.

대한민국 등록특허 제10-1368171호(2014.02.27 공고)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1368171 (published on February 27, 2014) 대한민국 공개특허 제10-2018-0048811호(2018.05.10. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2018-0048811 (published on May 10, 2018)

상기된 요구를 해소하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 다이싱 시에는 소편된 반도체 칩의 형태를 잘 유지하고, 이후 에너지선을 조사하여 경화된 후에는 접착력이 충분히 소실되어 칩을 용이하게 픽업할 수 있으며, 소편된 반도체 칩이 서브스트레이트와 부착 후 폴리머를 이용한 필러로 언더필이 실시될 때 반도체 칩의 이면에 오염을 방지하도록 된 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트 및 반도체 칩의 제조방법을 제공함에 있다. An object of the present invention devised to solve the above needs is to maintain the shape of the fragmented semiconductor chip well during dicing, and after curing by irradiating an energy ray, the adhesive force is sufficiently lost to easily pick up the chip. Provided is an adhesive sheet containing an energy ray-curable compound to prevent contamination on the back side of the semiconductor chip when the fragmented semiconductor chip is attached to the substrate and then underfilled with a filler using a polymer and a method for manufacturing a semiconductor chip. is in

상술된 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트는 점착성분과 실록산을 함유하는 화합물을 포함하는 점착층이 기재 상에 박리 불가능하게 적층될 수 있다. In order to achieve the above object, in the pressure-sensitive adhesive sheet containing the energy ray-curable compound according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer including the pressure-sensitive adhesive component and the compound containing the siloxane may be non-peelably laminated on the substrate.

여기서, 점착층의 표면장력이 30mN/m 이하일 수 있다. Here, the surface tension of the adhesive layer may be 30 mN/m or less.

그리고 점착성분이 에너지선 경화성일 수 있다. And the adhesive component may be energy ray curable.

한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 칩의 제조방법에서, 표면에 범프를 포함하는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정; 웨이퍼 이면에 상기된 점착시트를 점착하고, 다이싱하여 반도체 칩화하는 공정; 반도체 칩이 부착된 점착시트에 에너지선을 조사하여 점착력을 저하시키는 조사 공정;과, 반도체 칩을 점착시트로부터 떼어내는 픽업 공정;을 포함하여 이루어질 수 있다. On the other hand, in the method of manufacturing a semiconductor chip according to a preferred embodiment of the present invention, the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer including bumps on the surface; adhering the pressure-sensitive adhesive sheet to the back surface of the wafer and dicing to form a semiconductor chip; The method may include: an irradiation process of lowering adhesive strength by irradiating an energy ray to the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached; and a pick-up process of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet.

전술된 바와 같이 본 발명에 따르면, 실록산을 포함하는 화합물을 함유한 점착 시트를 제작하여 사용함으로써, 웨이퍼 이면의 표면장력을 낮추고, 다이싱 시에는 소편된 반도체 칩의 형태를 잘 유지하며, 에너지선에 의해 경화되면 접착력이 충분히 소실되어 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, by producing and using an adhesive sheet containing a compound containing siloxane, the surface tension of the back surface of the wafer is lowered, and the shape of the fragmented semiconductor chip is well maintained during dicing, and the energy ray When cured by , the adhesive force is sufficiently lost, there is an effect that the semiconductor chip can be easily picked up.

이와 더불어 웨이퍼가 서브스트레이트와 접착된 후 캐필러리를 이용하여 필러를 충진시킬 때 과도하게 충진된 필러가 반도체 칩의 이면을 오염시키는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, when the filler is filled using the capillary after the wafer is adhered to the substrate, it is possible to prevent the phenomenon that the excessively filled filler contaminates the back surface of the semiconductor chip.

그리고 점착층에 포함되는 실록산기 함유 화합물이 웨이퍼의 연삭면에 유막을 형성하고, 이로 인해 웨이퍼 연삭면과 점착제의 상호작용이 낮아져 과도한 점착이 방지되고, 적당한 박리성이 제공되어 칩의 픽업성이 현저하게 향상될 수 있는 효과가 있다. In addition, the siloxane group-containing compound contained in the adhesive layer forms an oil film on the grinding surface of the wafer, which lowers the interaction between the grinding surface of the wafer and the adhesive to prevent excessive adhesion, and provides adequate peelability to improve chip pickup. There is an effect that can be significantly improved.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 쉽게 실시할 수 있도록 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 또한, 다양한 실시예에서 언급된 구성들 중 각 실시예에서 상호 유사한 구성 및 관련 구성은 대체 또는 교체되거나 추가될 수 있다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily practice the present invention. In addition, among the components mentioned in the various embodiments, mutually similar components and related components in each embodiment may be replaced, replaced, or added. However, when it is determined that a detailed description of a related well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention in describing the operating principle of the preferred embodiment of the present invention in detail, the detailed description thereof will be omitted.

<점착시트><Adhesive sheet>

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트에 대해 자세히 설명한다. Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive sheet containing the energy ray-curable compound according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 점착시트는 기재 상에 점착층이 성형되어 있다. 이 점착시트는 피착제에 점착 또는 박리되어도 점착층이 피착제로 전사되지 않고, 기재와 함께 피착제에서 분리될 수 있다. In the adhesive sheet according to a preferred embodiment of the present invention, an adhesive layer is formed on a substrate. Even if the adhesive sheet is adhered or peeled off the adherend, the adhesive layer is not transferred to the adherend and may be separated from the adherend together with the substrate.

여기서, 기재는 특별히 한정되지 않으나, 내수성 및 내열성이 우수한 것이 적합하고, 종류로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 에틸렌·프로필렌 공중합체, 폴리 프로필렌, 폴리 부텐, 폴리 부타디엔, 에틸렌·초산비닐 공중합체(EVA), 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 에틸 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐·초산비닐 공중합체, 에틸렌·염화비닐·초산비닐 공중합체, 폴리 우레탄, 폴리이미드, 아이오노머 등을 재료로 하는 합성수지 필름이 사용될 수 있다. 또한, 이들을 재료로 하여 만들어진 합성수지 필름은 2종 이상이 적층되거나 조합해서 사용될 수도 있다. 그리고 이들 합성수지 필름에 대해 착색하거나 인쇄하는 공정은 에너지선 투과를 저해하지 않는 범위에서 가능할 수 있다.Here, the substrate is not particularly limited, but those having excellent water resistance and heat resistance are suitable, and the types include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene/propylene copolymer, polypropylene , polybutene, polybutadiene, ethylene/vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene/(meth)acrylic acid copolymer, ethylene/(meth)acrylic acid ethyl copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride/vinyl acetate copolymer, ethylene/ A synthetic resin film made of a vinyl chloride/vinyl acetate copolymer, polyurethane, polyimide, ionomer, or the like may be used. In addition, two or more types of synthetic resin films made of these materials may be laminated or used in combination. And the process of coloring or printing these synthetic resin films may be possible in a range that does not impede the transmission of energy rays.

이러한 기재의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 통상 30~300㎛이고, 바람직하게는 40~250㎛일 수 있다. 그리고 기재의 점착층과 접하는 기재의 접착력을 향상시키기 위해서 코로나 처리를 실시하거나 프라이머 코팅 처리를 실시할 수 있다.The thickness of such a substrate is not particularly limited, but is usually 30 to 300 μm, and preferably 40 to 250 μm. And in order to improve the adhesion of the substrate in contact with the adhesive layer of the substrate, corona treatment may be performed or a primer coating treatment may be performed.

일례로, 점착 시트가 반도체 칩의 제조방법에 사용될 때, 반도체 칩의 픽업 시 점착 시트를 늘려서 반도체 칩 간 거리를 멀게할 수 있다. 이 경우에 기재는 연신성이 우수한 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 에틸렌·프로필렌 공중합체, 폴리 프로필렌, 폴리 부텐, 폴리 부타디엔, 에틸렌·초산비닐 공중합체(EVA), 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 에틸 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐·초산비닐 공중합체, 에틸렌·염화비닐·초산비닐 공중합체 및, 폴리 우레탄 필름 등이 사용될 수 있다. (이후 문장 삭제)For example, when the pressure-sensitive adhesive sheet is used in a method of manufacturing a semiconductor chip, the distance between the semiconductor chips may be increased by increasing the pressure-sensitive adhesive sheet when the semiconductor chip is picked up. In this case, the substrate is low-density polyethylene (LDPE) with excellent stretchability, linear low-density polyethylene (LLDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene/propylene copolymer, polypropylene, polybutene, polybutadiene, ethylene/vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene/(meth)acrylic acid copolymer, ethylene/(meth)acrylic acid ethyl copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride/vinyl acetate copolymer, ethylene/vinyl chloride/vinyl acetate copolymer, polyurethane film, etc. this can be used (Delete later sentences)

이때, 기재는 점착 시트의 점착 성분이 자외선 등에 에너지선에 의해 경화되는 점착층을 구현할 경우 에너지선이 투과되는 재료가 사용될 수 있다. In this case, when the adhesive component of the pressure-sensitive adhesive sheet implements an adhesive layer in which the adhesive component is cured by an energy beam, such as ultraviolet rays, a material through which an energy beam is transmitted may be used.

이때, 점착시트의 점착 성분은 적당한 재박리성이 있으면 그 종류는 특정되지 않고, 일례로 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계 및, 비닐 에테르계 등 범용의 점착제로 만들어질 수 있다. 이들 중에서도 특히 아크릴계 점착제가 사용되는 것이 바람직할 수 있다.At this time, the type of the adhesive component of the adhesive sheet is not specified as long as it has suitable re-peelability, and for example, it may be made of general-purpose adhesives such as rubber, acrylic, silicone, urethane, and vinyl ether. Among these, it may be preferable to use an acrylic pressure-sensitive adhesive in particular.

여기서, 아크릴계 점착제는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르 모노머와, 관능기 함유 모노머를 주원료로 해서 얻어지는 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 주성분으로 할 수 있다. Here, the acrylic pressure-sensitive adhesive may contain, for example, a (meth)acrylic acid ester monomer and a (meth)acrylic acid ester copolymer obtained by using a functional group-containing monomer as main ingredients.

또한, (메타)아크릴산 에스테르 모노머는 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실과, (메타)아크릴산 이소옥틸 등이 사용될 수 있다.In addition, the (meth)acrylic acid ester monomer is, for example, (meth) methyl acrylate, (meth) acrylate, (meth) acrylic acid propyl, (meth) butyl acrylate, (meth) acrylic acid hexyl, (meth) acrylate octyl, ( 2-ethylhexyl meth)acrylate and isooctyl (meth)acrylate may be used.

그리고 점착층의 재료로서의 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는 분자량이 바람직하게는 100,000 이상이고, 특히 바람직하게는 150,000~1,000,000일 수 있다. 그리고 아크릴계 점착제의 유리전이온도는 통상 20℃ 이하, 바람직하게는 -70~0℃정도이고, 대략 23℃ 정도의 상온에서 점착성을 가질 수 있다.And the (meth)acrylic acid ester copolymer as a material of the adhesive layer preferably has a molecular weight of 100,000 or more, and particularly preferably 150,000 to 1,000,000. And the glass transition temperature of the acrylic pressure-sensitive adhesive is usually less than or equal to 20 ℃, preferably about -70 ~ 0 ℃, it may have adhesiveness at room temperature of about 23 ℃.

한편, 점착시트의 점착층은 자외선 등의 에너지선의 조사에 의해 경화되어 재박리되는 에너지선 경화형의 점착제를 포함하는 조성물로 만들어지는 것이 바람직할 수 있다. 이때, 에너지선 경화성의 점착제는 일반적으로, (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와, 에너지선 중합성 화합물을 주성분으로 해서 만들어질 수 있다.On the other hand, the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet may be preferably made of a composition including an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation of energy rays such as ultraviolet rays and peeled again. In this case, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can be generally made from a (meth)acrylic acid ester copolymer and an energy ray-polymerizable compound as main components.

여기서, 에너지선 중합성 화합물은 예를 들면, 광조사에 의해 3차원 망상화 가능한 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물이 이용될 수 있다. 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 또는 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트와, 우레탄아크릴레이트 등이 이용될 수 있다.Here, the energy ray polymerizable compound may be, for example, a low molecular weight compound having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of forming a three-dimensional network by irradiation with light. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1; 4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and urethane acrylate may be used.

그리고 에너지선 경화성의 점착층에서 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 에너지선 중합성 화합물의 배합비는 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 100 중량부에 대해 에너지선 중합성 화합물은 10~1000 중량부, 바람직하게는 20~500 중량부, 특히 바람직하게는 50~200 중량부일 수 있다. 이 경우에 얻어지는 점착 시트는 초기의 점착력이 크고, 에너지선 조사 후의 점착력이 크게 저하될 수 있다. 따라서, 이 점착 시트는 다이싱 시에는 웨이퍼 또는 칩을 확실하게 파지하고, 픽업 시에는 에너지선 조사에 의해 점착력이 크게 저하되므로 칩의 픽업이 확실하게 수행될 수 있다.And in the energy ray-curable adhesive layer, the mixing ratio of the (meth)acrylic acid ester copolymer and the energy ray polymerizable compound is 10 to 1000 parts by weight of the energy ray polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the (meth)acrylic acid ester copolymer, preferably may be 20 to 500 parts by weight, particularly preferably 50 to 200 parts by weight. In this case, the adhesive sheet obtained has a large initial adhesive force, and the adhesive force after energy ray irradiation may be greatly reduced. Therefore, this pressure-sensitive adhesive sheet securely grips a wafer or a chip during dicing, and the adhesive force is greatly reduced by energy ray irradiation during pickup, so that the pickup of the chip can be reliably performed.

또한, 에너지선 경화성 점착제는 측쇄에 에너지선 중합성기를 갖는 에너지선 경화형 공중합체로 형성되어 있어도 된다. 이러한 에너지선 경화형 공중합체는 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다. 또한, 에너지선 경화형 공중합체는 상기와 같은 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체에 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 측쇄가 설치된 것일 수 있다. 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 관능기와 반응할 수 있는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중결합이 포함되어 있는 화합물을 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와 반응시켜 얻을 수 있다.Moreover, the energy-beam-curable adhesive may be formed from the energy-beam curable copolymer which has an energy-beam polymeric group in a side chain. Such an energy-ray-curable copolymer has a property of having both adhesiveness and energy-beam curability. In addition, the energy ray-curable copolymer may be one in which a side chain having an energy ray polymerizable carbon-carbon double bond is installed in the (meth)acrylic acid ester copolymer as described above. For example, it can be obtained by reacting a compound containing an energy ray polymerizable carbon-carbon double bond with a substituent capable of reacting with the functional group of the (meth)acrylic acid ester copolymer with the (meth)acrylic acid ester copolymer.

여기서, 에너지선으로 자외선을 사용하는 경우, 점착층에 광중합 개시제를 배합하는 것이 바람직할 수 있다. 광중합 개시제는 구체적으로, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인안식향산, 벤조인안식향산 메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 또는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등일 수 있다. 이들 광중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상으로 조합하여 사용할 수 있다.Here, when using ultraviolet light as an energy ray, it may be preferable to mix a photoinitiator with the adhesive layer. The photopolymerization initiator is specifically, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal. , 2,4-diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexylphenylketone, benzyldiphenylsulfide, tetramethylthiurammonosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, β-chloro Anthraquinone or 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide may be used. These photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

이때, 광중합 개시제의 배합량은 에너지선 경화형 점착제(에너지선 경화형 공중합체) 100 중량부에 대해 0.5~30 중량부, 바람직하게는 0.5~10 중량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다.In this case, the blending amount of the photopolymerization initiator may be appropriately selected from the range of 0.5 to 30 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (energy ray-curable copolymer).

한편, 점착층은 실록산기 함유 화합물이 배합될 수 있다. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive layer may be formulated with a siloxane group-containing compound.

이 실록산기 함유 화합물은 1,000 내지 200,000 범위의 중량 평균 분자량을 갖고, 백본 및 백본에 부착된 폴리실록산 함유 측쇄를 포함하는 에스테르 공중합체일 수 있다. The siloxane group-containing compound may have a weight average molecular weight in the range of 1,000 to 200,000, and may be an ester copolymer comprising a backbone and polysiloxane-containing side chains attached to the backbone.

또한, 실록산 함유 화합물의 분자량은 비교적 낮은 것이 바람직하고, 분자량이 1,000~200,000이고, 바람직하게는 2,000~50,000일 수 있다. 분자량이 이 범위면, 부착 후의 반도체 칩과 점착제의 계면에 존재하는 실록산기 함유 화합물이 칩으로 전사되기 쉬워지므로 칩의 픽업성을 향상시켜 픽업시 핀의 높이를 저감시키는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the molecular weight of the siloxane-containing compound is preferably relatively low, the molecular weight may be 1,000 to 200,000, preferably 2,000 to 50,000. If the molecular weight is within this range, the siloxane group-containing compound present at the interface between the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive after attachment is easily transferred to the chip.

또한, 이 범위의 분자량을 갖는 실록산 함유하는 화합물은 아크릴 점착제와의 상용성이 좋아 표면 에너지의 저하의 특성을 잘 구현할 수 있고, 이 범위를 넘어서는 분자량이 큰 화합물은 아크릴 점착제와의 비상용성으로 인하여 함마톤 효과와 같은 분화구 현상을 일으킬 수 있다.In addition, the compound containing siloxane having a molecular weight in this range has good compatibility with the acrylic adhesive and can realize the property of lowering the surface energy well, and the compound with a large molecular weight beyond this range is incompatible with the acrylic adhesive due to incompatibility with the acrylic adhesive. It can cause cratering phenomena such as the Hammaton effect.

여기서 공중합체의 백본에 부착된 폴리실록산 함유 측쇄는 서로 독립적으로 부분 구조 (가)에 의해서 제시된다.Here, the polysiloxane-containing side chains attached to the backbone of the copolymer, independently of each other, are represented by partial structure (a).

Figure 112020126755181-pat00001
...(가)
Figure 112020126755181-pat00001
...(go)

여기서, 파라미터 a는 1 내지 200의 범위이고, 파라미터 b는 1 또는 100의 범위일 수 있다.Here, the parameter a may be in the range of 1 to 200, and the parameter b may be in the range of 1 or 100.

또한, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh 는 서로 독립적으로 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 선형, 포화, 할로겐화 또는 비-할로겐화 알킬기, 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 분지형, 포화, 할로겐화 또는 비-할로겐화 알킬기, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 각 경우에 7 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 알킬아릴기 또는 아릴알킬기, 또는 알콕시알킬렌옥시드 잔기 또는 알콜시폴리알킬렌오시드 잔기를 나타낸다.Also, R c , R d , Re , R f , R g and R h is independently of each other a linear, saturated, halogenated or non-halogenated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a branched, saturated, halogenated or non-halogenated alkyl group having 3 to 30 carbon atoms, 6 to 30 carbon atoms an aryl group having carbon atoms, in each case an alkylaryl group or arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or an alkoxyalkyleneoxide residue or an alcoholcypolyalkyleneoside residue.

또한, 실록산 화합물에 공중합체 되는 A 화합물은 아랄킬 화합물이거나, 아크릴 화합물, 폴리 에테르 화합물, 카르복실 화합물일 수 있다. 또한, (메타)아크릴산 에스테르 공중합체와의 반응성이 불활성인 것이 바람직하기 때문에 이소시아네이트기, 아민기, 에폭시기 등의 에스테르 공중합체의 관능기와 반응하지 않는 화합물인 것이 바람직할 수 있다. In addition, the compound A to be copolymerized with the siloxane compound may be an aralkyl compound, an acrylic compound, a polyether compound, or a carboxyl compound. In addition, since it is preferable that the reactivity with the (meth)acrylic acid ester copolymer is inactive, it may be preferable that the compound is not reactive with the functional group of the ester copolymer such as an isocyanate group, an amine group, or an epoxy group.

실록산기 함유 화합물의 배합비율은, 실록산기 함유 화합물의 종류에 따라 일률적으로 결정할 수는 없으나, 일반적으로는 아크릴 점착제 성분 100 중량부에 0.01~10 중량부, 바람직하게는 0.02~5 중량부 정도 사용될 수 있다.The mixing ratio of the siloxane group-containing compound cannot be uniformly determined depending on the type of the siloxane group-containing compound, but generally 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.02 to 5 parts by weight, to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive component. can

이처럼 점착층은 실질적으로 통상의 점착 성분 또는 에너지선 경화성의 점착성분과, 이중결합을 최소한 2개 이상 갖고 있는 에너지 중합성 화합물, 에너지선 중합시 반응하는 광개시제 및 실록산기 함유 화합물로 이루어질 수 있다다. 여기서, 통상의 점착 성분은 상기와 같이 에너지선 경화성의 점착 성분일 수도 있다.As such, the pressure-sensitive adhesive layer may be substantially composed of a conventional pressure-sensitive adhesive component or an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive component, an energy-polymerizable compound having at least two double bonds, a photoinitiator that reacts during energy-beam polymerization, and a siloxane group-containing compound. Here, the conventional adhesive component may be an energy ray-curable adhesive component as described above.

또한, 점착층은 점착 성분 및 실록산기 함유 화합물에 더하여 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위에서 다른 성분이 더 배합될 수 있다. 다른 성분으로서는 전술한 광중합 개시제 외에 가교제, 점착부여제, 무기 충전재, 가소제, 대전방지제, 산화방지제, 노화방지제, 안료 및 염료 중 적어도 1개일 수 있다.In addition, the pressure-sensitive adhesive layer may contain other components in addition to the pressure-sensitive adhesive component and the siloxane group-containing compound within a range that does not impair the spirit of the present invention. The other component may be at least one of a crosslinking agent, a tackifier, an inorganic filler, a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, an anti-aging agent, a pigment, and a dye in addition to the above-described photopolymerization initiator.

가교제는 다가 이소시아네이트 화합물, 다가 아지리딘 화합물, 킬레이트 화합물 등의 통상의 것일 수 있다. 여기서, 다가 이소시아네이트 화합물은 톨루일렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사 메틸렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 및 이들의 다가 이소시아네이트와 다가 알코올의 부가물 등일 수 있다. 이외에 가교제는 폴리이소시아네이트 이외의 가교제가 병용될 수 있다. 예를들어, 이외의 가교제는 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민 수지계 가교제, 요소 수지계 가교제, 산무수 화합물계 가교제, 폴리아민계 가교제와, 카르복실기 함유 중합체계 가교제 중 적어도 1개일 수 있다.The crosslinking agent may be a conventional one such as a polyvalent isocyanate compound, a polyvalent aziridine compound, and a chelate compound. Here, the polyhydric isocyanate compound may be toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, and an adduct of polyhydric isocyanate thereof and polyhydric alcohol. In addition to the crosslinking agent, a crosslinking agent other than polyisocyanate may be used in combination. For example, the other cross-linking agent may be at least one of an epoxy-based cross-linking agent, an aziridine-based cross-linking agent, a melamine resin-based cross-linking agent, a urea resin-based cross-linking agent, an acid anhydride-based cross-linking agent, a polyamine-based cross-linking agent, and a carboxyl group-containing polymer-based cross-linking agent.

이러한 가교제는 점착 성분 100 중량부에 대해 통상 0.01~10 중량부, 바람직하게는 0.1~5 중량부, 보다 바람직하게는 0.5~3 중량부의 비율일 수 있다. Such a crosslinking agent may be in an amount of usually 0.01 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, and more preferably 0.5 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the adhesive component.

한편, 점착층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 통상 1~100㎛이고, 바람직하게는 5~40㎛일 수 있다.On the other hand, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is usually 1 to 100 μm, preferably 5 to 40 μm.

또한, 실록산기 함유 화합물, 특히 미반응의 실록산기 함유 화합물을 포함하는 점착층에 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 점착하면 점착층 중의 실록산기 함유 화합물이 스며나오게 되고, 이 상태는 피착체와의 계면에 유막(油膜)이 형성된 것과 같은 상태가 될 수 있다. 그 결과, 밀착된 실리콘 웨이퍼 배면에 유막이 형성되어 표면에너지가 낮아지고, 캐필러리를 이용한 언더필(underfill)을 실시할 때 칩 표면이 에폭시 화합물에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다.In addition, when an adherend such as a semiconductor wafer is adhered to an adhesive layer containing a siloxane group-containing compound, particularly, an unreacted siloxane group-containing compound, the siloxane group-containing compound in the adhesive layer oozes out, and this state is at the interface with the adherend. It can be in the same state as an oil film is formed on the As a result, an oil film is formed on the back surface of the silicon wafer in close contact, and the surface energy is lowered, and it is possible to prevent the chip surface from being contaminated by the epoxy compound when underfill using the capillary is performed.

또한, 위와 같이 형성된 유막은 점착층이 피착체에 과도하게 밀착되는 것을 방지하므로, 연삭 직후의 웨이퍼 이면이 활성화된 상태더라도 적당한 박리성을 얻을 수 있다. 따라서, 다이싱 후의 칩의 픽업 불량도 저감되는 효과가 있다.In addition, since the above-formed oil film prevents the adhesive layer from excessively adhering to the adherend, proper peelability can be obtained even when the back surface of the wafer is activated immediately after grinding. Therefore, there is an effect that the pickup failure of the chip after dicing is also reduced.

<점착시트의 제조방법><Method for producing adhesive sheet>

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 점착시트의 제조방법은 특별히 한정되지 않고, 점착층을 구성하는 각 성분을 적절한 용매에 용해 또는 분산해서 얻은 조성물을 기재 상에 도포 건조하여 제조할 수 있다. 다른 예로, 점착층을 박리 필름 상에 성형하고, 이것을 기재에 전사함으로써 제조할 수도 있다. 또한, 점착시트의 사용 전에 점착층을 보호하기 위해서 점착층의 윗면에 박리 필름을 적층할 수도 있다.The method for manufacturing the pressure-sensitive adhesive sheet according to a preferred embodiment of the present invention is not particularly limited, and a composition obtained by dissolving or dispersing each component constituting the pressure-sensitive adhesive layer in an appropriate solvent may be prepared by coating and drying the composition on a substrate. As another example, it may be produced by molding the pressure-sensitive adhesive layer on a release film and transferring it to a substrate. In addition, in order to protect the adhesive layer before use of the adhesive sheet, a release film may be laminated on the upper surface of the adhesive layer.

<반도체 장치의 제조방법><Method for manufacturing semiconductor device>

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 점착시트를 사용한 반도체장치의 제조방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device using an adhesive sheet according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체장치의 제조방법에 있어서, 먼저 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라 함)의 이면을 연삭한다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to a preferred embodiment of the present invention, first, the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as 'wafer') having a circuit formed thereon is ground.

이때, 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 또한 갈륨, 비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼일 수 있다.In this case, the wafer may be a silicon wafer, or a compound semiconductor wafer such as gallium or arsenic.

이 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 통상은 650~750㎛ 정도일 수 있다.Although the thickness of this wafer before grinding is not specifically limited, Usually, it may be about 650-750 micrometers.

또한, 이면 연삭시에는 표면의 회로를 보호하기 위해 웨이퍼의 회로면에 표면보호시트가 점착될 수 있다. In addition, a surface protection sheet may be adhered to the circuit surface of the wafer in order to protect the circuit on the surface during back grinding.

이때, 표면보호시트는 이 종류의 용도에 사용되고 있는 각종의 재박리 가능한 점착 시트가 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다.In this case, the surface protection sheet may be used without any particular limitation on various re-peelable pressure-sensitive adhesive sheets used for this type of use.

또한, 이면 연삭은 그라인더 및 웨이퍼 고정을 위한 흡착 테이블 등을 사용한 공지의 수법에 의해 행해질 수 있다. 이면 연삭공정 후, 연삭에 의해 생성된 파쇄층을 제거하는 처리가 행해질 수 있다.In addition, the back surface grinding can be performed by a well-known method using a grinder, a suction table for fixing a wafer, etc. After the backside grinding step, a treatment for removing the crushed layer generated by the grinding may be performed.

이면 연삭 공정 후의 웨이퍼 마무리 두께는 특별히 한정되지 않으나, 극박의 가공에 바람직한 인라인처리에도 가능하기 때문에 20~100㎛ 정도일 수 있다. 이외에도 통상의 공정에 적용 가능하므로 100~400㎛ 정도의 통상의 마무리 두께일 수 있다. The wafer finishing thickness after the backside grinding process is not particularly limited, but may be about 20 to 100 μm because it can be used for in-line processing suitable for ultra-thin processing. In addition, since it can be applied to a normal process, it may be a normal finishing thickness of about 100 to 400 μm.

다음으로, 웨이퍼의 이면에 점착시트를 점착한다. 점착시트의 점착은 롤러를 구비한 마운터에 의해 행해지는 것이 일반적이나, 특별히 한정되지 않는다.Next, an adhesive sheet is adhered to the back surface of the wafer. The adhesion of the pressure-sensitive adhesive sheet is generally performed by a mounter having a roller, but is not particularly limited.

여기서, 점착시트는 픽업성이 향상되어 픽업시 핀의 높이를 저감시킬 수 있는 자외선 경화형 점착 시트가 특히 바람직할 수 있다. 또한, 점착시트는 점착층 중에 포함되는 실록산기 함유 화합물이 웨이퍼의 연삭면에 유막을 형성하기 때문에 점착력에 의한 웨이퍼 연삭면과 점착제의 상호작용이 적어질 수 있다. 이 때문에, 가령 연삭 직후의 연삭면이 활성화 상태에 있는 웨이퍼에서도 웨이퍼와 점착층이 과도하게 접착되는 경우가 없어지고, 적당한 박리성이 달성되므로, 다이싱 후의 픽업공정에 있어서 픽업성이 현저하게 향상될 수 있다.Here, the adhesive sheet may be particularly preferably a UV-curable adhesive sheet capable of reducing the height of the pin during pickup by improving pickup properties. In addition, in the pressure-sensitive adhesive sheet, since the siloxane group-containing compound included in the pressure-sensitive adhesive layer forms an oil film on the ground surface of the wafer, the interaction between the pressure-sensitive adhesive and the ground surface of the wafer due to the adhesive force may be reduced. For this reason, for example, even on a wafer in which the grinding surface immediately after grinding is in an activated state, the case where the wafer and the adhesive layer are not excessively adhered is eliminated, and appropriate peelability is achieved. can be

끝으로, 절편화된 직접회로(IC) 플립 칩 또는 다이는 범프와 인쇄 배선 보드(PWB)에 부착되어 리플로우 공정을 거쳐 범프를 녹여 칩을 기판에 솔더링한다. 여기서, 솔더볼(bump)은 패키징 기판 또는 마더보드 상의 도전성 트레이스와 범프형 칩간에 직접 전기적 접속을 형성할 수 있다. 이 과정에서 솔더볼과 패드와의 접착신뢰성 등이 약해지는 문제점이 발생할 수 있다. Finally, the sectioned integrated circuit (IC) flip chip or die is attached to the bump and the printed wiring board (PWB) and goes through a reflow process to melt the bump and solder the chip to the substrate. Here, the solder ball (bump) may form a direct electrical connection between the conductive trace on the packaging substrate or the motherboard and the bump-type chip. In this process, there may be a problem in that the adhesion reliability between the solder ball and the pad is weakened.

이 문제점을 개선하고 솔더볼의 접착력을 보강하기 위하여 솔더볼과 패드 사이의 공간에 에폭시 수지 등을 도포하는 언더필(underfill)을 수행할 수 있다. In order to improve this problem and reinforce the adhesive force of the solder balls, an underfill of applying an epoxy resin or the like to the space between the solder balls and the pad may be performed.

칩과 기판 사이의 부분을 충전하는 언더필 재료의 부족, 즉 공극(void)을 피하기 위해 언더필 재료는 일반적으로 다소 과잉 사용될 수 있다. 이는 언더필 재료의 가열에 의해 언더필 재료가 유출될 수 있다. In order to avoid a shortage of underfill material filling the portion between the chip and the substrate, i.e. voids, the underfill material can generally be used in somewhat excess. This may cause the underfill material to flow out due to heating of the underfill material.

하지만, 본 발명을 적용할 경우, 다이싱 공정에서 점착시트가 반도체 칩의 이면의 표면에너지를 낮추게 되므로 언더필 재료의 과잉에 따른 오염이 방지될 수 있다. However, when the present invention is applied, since the pressure-sensitive adhesive sheet lowers the surface energy of the back surface of the semiconductor chip in the dicing process, contamination due to excess of the underfill material can be prevented.

<실시예><Example>

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples.

또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, ‘픽업성공높이’, ‘언더필에 의한 오염성’의 평가는 다음과 같이 행하였다.In addition, in the following Examples and Comparative Examples, the evaluation of 'pickup success height' and 'contamination by underfill' was performed as follows.

먼저, 실리콘 더미 웨이퍼(직경 200mm, 두께 0.75mm)를 그라인더 장치로 두께 250㎛까지 연삭한다. 그라인더 장치에 의한 연삭처리 종료 후 1시간 이내에 점착시트를 웨이퍼 연삭면에 점착한다.First, a silicon dummy wafer (diameter 200mm, thickness 0.75mm) is ground to a thickness of 250 μm with a grinder. The adhesive sheet is adhered to the grinding surface of the wafer within 1 hour after the grinding process by the grinder is finished.

다음으로, 연삭 후 1시간 이내에 웨이퍼를 5mm x 5mm 의 반도체 칩 사이즈로 다이싱한다. 또한, 다이싱 후 30분 이내에 점착시트에 에너지선으로 자외선을 기재면으로부터 조사한다.Next, the wafer is diced to a semiconductor chip size of 5 mm x 5 mm within 1 hour after grinding. In addition, after dicing, the adhesive sheet is irradiated with ultraviolet rays from the surface of the substrate with energy rays within 30 minutes.

이때, 다이싱 후 웨이퍼에 비산된 반도체 칩이 있는지 확인하고 웨이퍼의 엣지부를 포함한 비산된 칩의 개수를 육안으로 확인하여 아래 [표 1]에 기재하였다.At this time, after dicing, it was confirmed whether there were scattered semiconductor chips on the wafer, and the number of scattered chips including the edge part of the wafer was visually confirmed and described in [Table 1] below.

또한, 자외선 조사 후 6시간 이내에 반도체 칩을 픽업해서 픽업 성공 높이 (들어올리는 핀의 높이를 낮추어 픽업이 가능한 최소한의 높이)를 측정하여 픽업성을 평가한다.In addition, the pick-up property is evaluated by picking up the semiconductor chip within 6 hours after UV irradiation and measuring the pick-up success height (the minimum height that can be picked up by lowering the height of the lifting pin).

다음으로, 픽업 후 다이 어태치 장비를 이용하여 서브스트레이트에 고정하고, 리플로우를 거쳐 서브스트레이트에 장착된 칩 측면에서 주사기(syringe) 분배를 통해 언더필 조성물 100mg을 25℃의 온도에서 토출시켜 기판과 소분화된 웨이퍼 칩사이에 충진한다.Next, after pickup, it is fixed to the substrate using a die attach device, and 100 mg of the underfill composition is discharged at a temperature of 25° C. through a syringe distribution from the side of the chip mounted on the substrate through reflow It is filled between the subdivided wafer chips.

이때, 언더필 조성물을 이용하여 기판과 칩 사이의 공간을 채우는 언더필을 수행하고, 언더필 조성물을 경화시킨다. 경화는 135℃ 온도에서 10분간 실시할 수 있다. In this case, the underfill composition is used to fill the space between the substrate and the chip, and the underfill composition is cured. Curing may be performed at a temperature of 135° C. for 10 minutes.

끝으로, 언더필 실시 후 칩의 배면에 오염되는 정도를 현미경을 이용하여 관찰하고 언더필에 의한 오염성 평가를 실시한다. Finally, after underfilling, the degree of contamination on the back surface of the chip is observed using a microscope, and contamination by underfilling is evaluated.

또한, 비교를 위해 실록산을 함유한 첨가제의 함량에 따른 점착시트의 점착층의 표면에너지를 표기하고, 2kg 롤러를 이용하여 웨이퍼를 점착시트에 붙였다 약 20분 정지 후 떼었을 때의 웨이퍼면의 표면에너지와, 이때의 언더필에 의한 오염성을 비교예와 실시예에서 평가하였다.In addition, for comparison, the surface energy of the adhesive layer of the adhesive sheet according to the content of the additive containing siloxane was indicated, and the wafer was attached to the adhesive sheet using a 2 kg roller. The surface of the wafer when it was removed after stopping for about 20 minutes Energy and contamination by underfill at this time were evaluated in Comparative Examples and Examples.

실시예와 비교예에 사용되는 실록산을 함유한 화합물은 아크릴 화합물 100 중량부에 대하여 A : 미포함, B : 0.001 ~ 0.01 중량부, C : 0.02 ~ 0.1 중량부, D : 0.2 ~ 3 중량부, E : 3.1 ~ 5 중량부, F : 6 ~ 10 중량부 범위 중에 한 함량을 적용해 평가를 진행하였다.Compounds containing siloxane used in Examples and Comparative Examples are, based on 100 parts by weight of the acrylic compound, A: not included, B: 0.001 to 0.01 parts by weight, C: 0.02 to 0.1 parts by weight, D: 0.2 to 3 parts by weight, E : 3.1 to 5 parts by weight, F: Evaluation was carried out by applying one content in the range of 6 to 10 parts by weight.

각 공정의 조건은 이하와 같다.The conditions of each process are as follows.

(연삭공정)(Grinding process)

그라인더 장치 : 디스코사제 DFP8761Grinder device: DFP8761 made by Disco

(점착시트의 마운트 공정)(Adhesive sheet mounting process)

마운터 : 디스코사제 DFM2800Mounter: Disco DFM2800

(다이싱 공정)(dicing process)

다이싱 장비 : 디스코사제 DFD640Dicing equipment: DFD640 made by Disco

블레이드 : 디스코사제 ZH05-SD3500-N1-50 CCBlade: Disco ZH05-SD3500-N1-50 CC

(자외선 조사공정)(Ultraviolet irradiation process)

자외선 조사 장비 : Phoseon 사제 FE400 Ultraviolet irradiation equipment: FE400 manufactured by Phoseon

조도 : 3,896 mW/㎠Illuminance : 3,896 mW/cm2

광량 : 5,477 mJ/㎠Light intensity: 5,477 mJ/㎠

측정장비 : EIT 사제 LED CURE L395 / 40WMeasuring equipment: LED CURE L395 / 40W manufactured by EIT

(픽업공정)(pickup process)

다이어태치 장비 : 신카와제 SPA-210Die-attach equipment: Shinkawa SPA-210

핀 개수 : 4핀Number of pins: 4 pins

핀 들어올림 높이 : 500㎛를 기준으로 20개씩 실시하여 1개라도 실패시 모두 성공할 때까지 50㎛ 단위씩 위로 올렸고, 20개를 모두 성공시 50㎛ 단위로 아래로 내려 모두 성공하는 최소한의 핀 들어올림 높이를 평가해서 기록했다.Lifting height of pins: 20 each based on 500㎛, if even one fails, it is raised by 50㎛ increments until all are successful The lift height was evaluated and recorded.

(언더필 공정)(Underfill process)

언더필 장비 : SEC사제 TCP-435AUnderfill equipment: TCP-435A manufactured by SEC

(실시예 1)(Example 1)

본 실시예에서는, 에너지선 경화형 점착성분으로 하기의 점착액을 사용하였다.In this Example, the following adhesive liquid was used as an energy ray-curable adhesive component.

아크릴산 부틸, 메틸메타아크릴레이트 및 하이드록시에틸아크릴레이트를 질량비 7:2:1의 비율로 아세트산에킬 중에서 상법에 의해 공중합하여 주쇄에 대해 수산기가 결합된 아크릴 중합체를 포함하는 용액을 얻었다.Butyl acrylate, methyl methacrylate, and hydroxyethyl acrylate were copolymerized in ethyl acetate at a mass ratio of 7:2:1 by a conventional method to obtain a solution containing an acrylic polymer having a hydroxyl group bonded to the main chain.

계속해서, 이 아크릴 공중합체 100 중량부에 대해 에너지선 경화물질로 상품명 “Miramer PU610" (미원스페셜케미칼 주식회사제) 30중량부, 광중합 개시제로서 상품명 ”Omnirad 184" (IGM Resins 주식회사제) 2.5 중량부, 실록산 함유 첨가제로 “BYK-307" (BYK 주식회사제) 상기된 C 범위의 중량부와, 가교제로서 폴리이소시아네이트계 화합물 “AK75" (애경화학 주식회사제)을 1 중량부 첨가하여 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액을 얻었다.Then, with respect to 100 parts by weight of this acrylic copolymer, 30 parts by weight of trade name “Miramer PU610” (manufactured by Miwon Special Chemical Co., Ltd.) as an energy ray curing material, and 2.5 parts by weight of trade name “Omnirad 184” (manufactured by IGM Resins Co., Ltd.) as a photopolymerization initiator , UV-curable acrylic adhesive solution by adding 1 part by weight of “BYK-307” (manufactured by BYK Corporation) as a siloxane-containing additive and 1 part by weight of polyisocyanate compound “AK75” (manufactured by Aekyung Chemical Corporation) as a crosslinking agent in the C range above got

이 점착제 조성물을 박리필름 “SG31" (SK C 주식회사제, 두께 36㎛)에 도포하고, 100℃에서 3분간 가열하여 가교시켰다. 이를 통해 방사선 경화형의 점착층은 두께 10㎛인 자외선 경화형 점착층으로 형성하였다.This pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release film “SG31” (manufactured by SK C Co., Ltd., 36㎛ thick), and crosslinked by heating at 100°C for 3 minutes. Through this, the radiation-curing adhesive layer was converted into an UV-curable adhesive layer with a thickness of 10㎛. formed.

기재필름은 한쪽 면에 코로나 방전 처리가 실시된 두께가 80㎛의 폴리염화비닐필름을 사용했고, 코로나 처리면에 자외선 경화형 점착층을 적층하여 점착시트를 얻었다.As the base film, a polyvinyl chloride film having a thickness of 80 μm, which was subjected to corona discharge treatment on one side, was used, and an ultraviolet curable adhesive layer was laminated on the corona treated side to obtain an adhesive sheet.

얻은 점착시트를 사용하여 상기된 평가 방법으로 “픽업성공높이”, “언더필에 의한 오염성”, “점착시트 점착면의 표면에너지” 및 “점착시트를 붙였다 뗀 웨이퍼의 표면에너지”를 평가하였다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.Using the obtained adhesive sheet, “pickup success height”, “contamination by underfill”, “surface energy of the adhesive surface of the adhesive sheet” and “surface energy of the wafer after the adhesive sheet was attached” were evaluated by the above evaluation method. The evaluation results are described in [Table 1] below.

(실시예 2)(Example 2)

실록산 함유 화합물의 배합량이 상기 언급된 D 범위의 중량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 얻었다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the compounding amount of the siloxane-containing compound was set to a part by weight in the range D mentioned above. The evaluation results are described in [Table 1] below.

(실시예 3)(Example 3)

실록산 함유 화합물의 배합량이 상기 언급된 E 범위의 중량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 얻었다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the compounding amount of the siloxane-containing compound was set to parts by weight within the range E mentioned above. The evaluation results are described in [Table 1] below.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실록산 함유 화합물을 사용하지 않는 상기 언급된 A 중량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 얻었다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the above-mentioned part by weight A not using the siloxane-containing compound was used. The evaluation results are described in [Table 1] below.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실록산 함유 화합물의 배합량이 상기 언급된 B 범위의 중량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 얻었다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounding amount of the siloxane-containing compound was set to a part by weight in the range B mentioned above. The evaluation results are described in [Table 1] below.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

실록산 함유 화합물의 배합량이 상기 언급된 F 범위의 중량부로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 점착시트를 얻었다. 평가 결과를 아래 [표 1]에 기재하였다.A pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounding amount of the siloxane-containing compound was set to parts by weight in the above-mentioned F range. The evaluation results are described in [Table 1] below.

비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실록산 함유 화합물Siloxane containing compounds AA BB FF CC DD EE 픽업 공정Pickup process 픽업가능
높이(㎛)
Pick-up available
Height (㎛)
700700 650650 300300 350350 350350 300300
다이싱공정Dicing process 칩 비산(개)Chip scatter (pcs) 00 00 1717 00 00 33 표면에너wlmN/cm2) Surface energy wlmN/cm 2) 점착시트
점착면
adhesive sheet
adhesive side
3535 3333 1919 2121 2222 2121
웨이퍼
부착면
wafer
attachment side
5757 5353 4747 4949 4848 4747
언더필 오염성Underfill Contamination XX XX

위 [표 1]을 보면, 실시예 1,2,3의 픽업성과 언더필 오염성은 실록산 함유 화합물을 사용하지 않은 비교예 1이나, 실록산 함유 화합물이 실시예 1,2,3보다 미달된 함량을 첨가한 비교예 2보다 우수한 결과를 보여주고 있다. 또한, 실록산 함유 화합물이 과량으로 적용된 비교예 3은 언더필에 의한 오염성은 좋아지는 것을 확인 할 수 있으나, 점착력의 과도한 저하로 인하여 웨이퍼를 유지하는 힘이 충분하지 못하여 다이싱 공정에서 절편화된 칩이 비산되는 것을 확인할 수 있다.Referring to [Table 1] above, the pick-up properties and underfill contamination of Examples 1, 2, and 3 were compared to Comparative Example 1 in which the siloxane-containing compound was not used, but the amount of the siloxane-containing compound was lower than that of Examples 1, 2, and 3 was added. It shows superior results than that of Comparative Example 2. In Comparative Example 3, in which the siloxane-containing compound was applied in excess, it was confirmed that the contamination by the underfill was improved, but the power to hold the wafer was not sufficient due to the excessive decrease in adhesive force, so fragmented chips scatter in the dicing process. it can be confirmed that

특히, 실시예 1에서 제시된 실록산 함유 화합물의 함유량 이상에서는 백그라인딩 후 수분 내에 웨이퍼가 마운트 되는 현재의 반도체 장비 시스템에서도 픽업성이 좋아지는 것을 확인할 수 있다. 실록산 함유 화합물을 본지에서 규정하는 함유량을 사용할 경우 픽업 성능과 언더필에 의한 오염성을 향상되는 것을 확인하였다.In particular, if the content of the siloxane-containing compound is higher than the content of the siloxane-containing compound presented in Example 1, it can be confirmed that the pickup performance is improved even in the current semiconductor equipment system in which the wafer is mounted within a few minutes after backgrinding. It was confirmed that pickup performance and contamination by underfill were improved when the content of the siloxane-containing compound was used as specified in this paper.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술한 실시 예들은 모든 면에 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허등록청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허등록청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As described above, those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims described later rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

Claims (4)

아크릴산 부틸, 메틸메타아크릴레이트 및 하이드록시에틸아크릴레이트가 공중합된 공중합체,
에너지선 경화형 화합물, 및
실록산을 함유하는 화합물을 포함하는 점착층이 기재 상에 박리 불가능하게 적층되어 있는 점착시트로서,
상기 점착층의 표면장력이 30mN/m 이하이고,
공중합체 100 중량부에 대하여 실록산을 함유하는 화합물이 0.2 내지 3 중량부로 포함되는 것인 점착시트.
A copolymer in which butyl acrylate, methyl methacrylate and hydroxyethyl acrylate are copolymerized;
an energy ray-curable compound, and
As an adhesive sheet in which an adhesive layer comprising a compound containing siloxane is non-peelably laminated on a substrate,
The surface tension of the adhesive layer is 30 mN / m or less,
The pressure-sensitive adhesive sheet comprising 0.2 to 3 parts by weight of the compound containing siloxane based on 100 parts by weight of the copolymer.
삭제delete 삭제delete 표면에 패턴회로를 갖는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정;
상기 웨이퍼 이면에 청구항 1항의 점착시트를 점착하고, 다이싱하여 반도체 칩화하는 공정;
상기 반도체 칩이 부착된 점착시트에 에너지선을 조사하여 점착력을 저하시키는 조사 공정;
상기 반도체 칩을 점착시트로부터 떼어내는 픽업공정;
소편된 반도체 칩을 서브스트레이트에 언더필을 이용하여 부착시키는 공정;을 포함하는 에너지선 경화형 화합물을 함유하는 점착시트를 이용한 반도체 칩의 제조방법.
grinding the back surface of a semiconductor wafer having a pattern circuit on its surface;
adhering the adhesive sheet of claim 1 to the back surface of the wafer and dicing to form a semiconductor chip;
an irradiation process of reducing adhesive strength by irradiating an energy beam to the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached;
a pick-up process of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet;
A method of manufacturing a semiconductor chip using an adhesive sheet containing an energy ray-curable compound, comprising the step of attaching the fragmented semiconductor chip to the substrate using an underfill.
KR1020200159509A 2020-11-25 2020-11-25 Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same KR102401234B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200159509A KR102401234B1 (en) 2020-11-25 2020-11-25 Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200159509A KR102401234B1 (en) 2020-11-25 2020-11-25 Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102401234B1 true KR102401234B1 (en) 2022-05-24

Family

ID=81806964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200159509A KR102401234B1 (en) 2020-11-25 2020-11-25 Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102401234B1 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100469758B1 (en) * 1996-04-19 2005-12-28 린텍 가부시키가이샤 Energy-curing pressure-sensitive adhesive composition and its use method
KR20110074634A (en) * 2007-01-10 2011-06-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive for connection of circuit member and semiconductor device using the same
KR20130096695A (en) * 2010-07-14 2013-08-30 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Multilayer adhesive sheet and method for manufacturing electronic component
KR101368171B1 (en) 2007-02-06 2014-02-27 린텍 가부시키가이샤 Dicing tape and semiconductor device manufacturing method
KR20180048811A (en) 2015-08-31 2018-05-10 비와이케이-케미 게엠베하 Copolymers containing polysiloxane macromonomer units, process for their preparation and their use in coating compositions and polymer molding compounds
JP2019194286A (en) * 2018-05-02 2019-11-07 アイカ工業株式会社 Photocurable adhesive resin composition and adhesive tape including the same
JP2020098918A (en) * 2015-02-24 2020-06-25 リンテック株式会社 Film glue, adhesive sheet and manufacturing method for semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100469758B1 (en) * 1996-04-19 2005-12-28 린텍 가부시키가이샤 Energy-curing pressure-sensitive adhesive composition and its use method
KR20110074634A (en) * 2007-01-10 2011-06-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive for connection of circuit member and semiconductor device using the same
KR101368171B1 (en) 2007-02-06 2014-02-27 린텍 가부시키가이샤 Dicing tape and semiconductor device manufacturing method
KR20130096695A (en) * 2010-07-14 2013-08-30 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 Multilayer adhesive sheet and method for manufacturing electronic component
JP2020098918A (en) * 2015-02-24 2020-06-25 リンテック株式会社 Film glue, adhesive sheet and manufacturing method for semiconductor device
KR20180048811A (en) 2015-08-31 2018-05-10 비와이케이-케미 게엠베하 Copolymers containing polysiloxane macromonomer units, process for their preparation and their use in coating compositions and polymer molding compounds
JP2019194286A (en) * 2018-05-02 2019-11-07 アイカ工業株式会社 Photocurable adhesive resin composition and adhesive tape including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101375397B1 (en) Adhesive Sheet
KR101634064B1 (en) Composite sheet for resin film formation
JP5473262B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
KR101749762B1 (en) Tape for chip support, method for supporting chip shape work, method for manufacturing semiconductor device using tape for chip support, and method for manufacturing tape for chip support
KR101584473B1 (en) Sheet for forming resin film for chips
KR20130105435A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
JP6250265B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
KR20080047990A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
JPWO2014155756A1 (en) Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for producing chip with protective film
KR101752992B1 (en) Adhesive agent composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP5005258B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
US8247503B2 (en) Adhesive composition and adhesive sheet
US7851335B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device
JP5237647B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP5005325B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP5743638B2 (en) Protective film forming film and chip protective film forming sheet
TW201505832A (en) Composite sheet for protective film formation, method for producing composite sheet for protective film formation, and method for producing chip with protective film
KR102401234B1 (en) Adhesion having energy ray curable compounds and method for manufacturing semiconductor chip using the same
JP5973027B2 (en) Protective film forming film and chip protective film forming sheet
JP5234594B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
CN112868095A (en) Thermosetting resin film and first protective film-forming sheet
CN113169082A (en) Thermosetting resin film, sheet for forming first protective film, kit, and method for producing workpiece with first protective film
KR101093322B1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device
CN112805824A (en) Thermosetting resin film and first protective film-forming sheet
CN112839767A (en) Method for manufacturing workpiece with first protective film

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant