KR102398347B1 - 양호한 격리도 특성을 가지는 다중 대역 기지국 안테나 - Google Patents

Abstract

양호한 격리도 특성을 가지는 다중 대역 기지국 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는, 반사판, 상기 반사판상에 배열되는 다수의 고대역 방사체; 및 상기 반사판상에 배열되는 다수의 저대역 방사체를 포함하되, 상기 다수의 저대역 방사체 각각은, 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들을 포함하며, 상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 상기 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들 각각은 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 하이 인덕턴스 라인과 연결되는 제1 T형 스터브에 의해 인접한 방사 세그먼트와 전기적으로 연결된다. 개시된 안테나는 저대역 방사체와 고대역 방사체간 양호한 격리도를 확보하고 고대역 안테나의 이득 및 지향성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

양호한 격리도 특성을 가지는 다중 대역 기지국 안테나{Multi Band Base Station Antenna Having Proper Isolation Characteristic}

본 발명은 다중 대역 기지국 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양호한 격리도 특성을 가지는 다중 대역 기지국 안테나에 관한 것이다.

기지국 안테나는 기지국에 설치되어 미리 설정된 반경 내에 있는 단말들과 신호를 송수신하는 안테나이다. 5G 시스템이 도입되면서 비교적 높은 주파수 대역이 통신에 사용되면서 기지국 안테나에 대해 다중 밴드 방사 특성이 요구되고 있으며 이로 인해 기지국 안테나에는 서로 다른 주파수 대역으로 방사하는 다수의 방사체가 하나의 기지국 안테나에 함께 배치되고 있다.

다중 대역 기지국 안테나에는 저대역 방사체와 고대역 방사체가 함께 배열되며, 저대역 방사체는 상대적으로 낮은 대역의 RF 신호를 방사하도록 설정된 방사체이고, 고대역 방사체는 상대적으로 높은 대역의 RF 신호를 방사하도록 설정된 방사체이다.

기지국 안테나의 방사 주파수는 안테나의 방사체 사이즈에 의해 결정된다. 그런데, 급전 및 임피던스 매칭이 금속 패턴에 의해 이루어질 경우 방사체와 급전 선로의 경계가 모호한 문제가 발생한다. 고주파 방사를 위한 방사체와 저주파 방사를 위한 방사체가 하나의 안테나 장치에 포함될 경우, 이러한 모호성으로 인해 저주파 방사체에서 방사되는 신호가 고주파 방사체에 간섭을 일으키는 문제가 발생하였다.

고주파 방사체의 사이즈는 고주파에 적합하게 설정되지만, 급전 패턴과 방사체가 결합되기에 불요 공진이 발생하게 되는 되며, 이러한 불요 공진을 억제하기 위한 방사체 설계가 요구되고 있다.

본 발명은 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체와 고대역 방사체간 양호한 격리도를 확보할 수 있는 저대역 방사체의 구조를 제안한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면, 반사판, 상기 반사판상에 배열되는 다수의 고대역 방사체; 및 상기 반사판상에 배열되는 다수의 저대역 방사체를 포함하되, 상기 다수의 저대역 방사체 각각은, 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들을 포함하며, 상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 상기 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들 각각은 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 하이 인덕턴스 라인과 연결되는 제1 T형 스터브에 의해 인접한 방사 세그먼트와 전기적으로 연결되는 다중 대역 기지국 안테나가 제공된다.

상기 제1 T형 스터브는 수직부 및 수평부를 포함하며, 상기 수직부가 상기 수평부의 중앙에 결합된다.

상기 제1 하이 인덕턴스 라인은 상기 방사 세그먼트들 및 상기 제1 T형 스터브에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가진다.

상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트, 상기 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트, 상기 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 T형 스터브는 제1 기판상에 형성된다.

상기 다중 대역 기지국 안테나는 제2 기판을 더 포함하고, 상기 제2 기판에는 다수의 제2 + 다이폴 방사 세그먼트, 다수의 제2 - 다이폴 방사 세그먼트, 제2 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제2 T형 스터브가 형성된다.

상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 서로 직교하면서 상기 반사판에 결합된다.

상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 T형 구조를 가진다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1 기판; 상기 기판상에 형성되며, 제1 + 다이폴 아암으로 기능하기 위한 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들; 및 상기 기판상에 형성되며, 제1 - 다이폴 아암으로 기능하기 위한 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들을 포함하되, 상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 상기 다수의 제1 - 방사 세그먼트들 각각은 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 하이 인덕턴스 라인과 연결되는 제1 T형 스터브에 의해 인접한 방사 세그먼트와 전기적으로 연결되는 기지국 안테나의 방사체가 제공된다.

본 발명은 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체와 고대역 방사체간 양호한 격리도를 확보하고 고대역 안테나의 이득 및 지향성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나 장치의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 구조를 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 전면부를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 후면도를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 스터브의 상세 구조를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 오픈 스터브를 구비한 저대역 방사체를 사용할 경우 및 T형 스터브를 형성하지 않은 일반적인 저대역 방사체를 사용할 경우의 고대역 안테나의 지향성 및 이득을 나타낸 그래프.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니다. 그리고, 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략되며, 도면의 동일한 참조부호는 동일한 부재임을 나타낸다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 “...부”, “...기”, “모듈”, “블록” 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나 장치의 구조를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나는 다수의 저대역 방사체(100), 다수의 고대역 방사체(200) 및 반사판(300)을 포함한다. 도 1은 전면도이기에 하나의 저대역 방사체(100)만 도시되어 있으나, 다수개의 저대역 방사체(100)가 수직 방향으로 배열 구조를 형성할 수 있다.

저대역 방사체(100)는 상대적으로 낮은 대역의 RF 신호를 방사하기 위한 방사체이다.

도 1에는 도시되어 있지 않으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나 장치는 다수의 페이즈 쉬프터를 포함하며, 페이즈 쉬프터는 다수의 저대역 방사체(100) 각각으로 급전되는 신호의 위상을 제어한다.

배열된 저대역 방사체(100)로 급전되는 신호의 위상 조절을 통해 저대역 방사체(100)에 의해 방사되는 저대역 RF 신호의 빔 방향 및 빔 폭을 조절할 수 있다.

다수의 고대역 방사체들(200)은 상대적으로 높은 대역의 RF 신호를 방사하기 위한 방사체들이다. 고대역 방사체들(200) 역시 미리 설정된 간격으로 배열되어 배열 구조를 형성한다.

다수의 페이즈 쉬프터들은 고대역 방사체들(200)에 대해서도 급전되는 신호의 위상을 조절하고, 위상 조절을 통해 배열된 고대역 방사체들(200)에 의해 방사되는 고대역 RF 신호의 빔 방향 및 빔 폭이 조절된다.

저대역 방사체(100) 및 고대역 방사체(200)는 반사판(300)상에 형성된다. 반사판(300)은 금속 재질로 이루어지며 전기적으로 접지 전위를 가진다.

저대역 방사체(100)와 고대역 방사체들(200)은 볼트 결합, 솔더링 등과 같은 다양한 결합 방식을 이용하여 반사판(300)에 결합될 수 있다.

반사판(300)은 다수의 방사체들(100, 200)에서 방사되는 신호가 반사판의 전면 방향으로 방사되도록 신호의 빔 방향을 제어하기 위한 구성 요소로서, 접지 전위를 가진 반사판(300)에서 신호가 반사되면서 반사판(300)의 후면 방향으로는 신호의 방사가 억제된다.

도 1을 참조하면, 일부 영역에서 저대역 방사체(100)와 고대역 방사체(200)가 상하로 오버랩되는데, 저대역 방사체(100)가 고대역 방사체(200)에 비해 더 높은 높이를 가지면서 상하로 오버랩될 수 있다. 이러한 오버랩 구조는 배열 안테나의 전체적인 면적을 줄이기 위한 것이며, 이러한 오버랩 구조가 필수적으로 요구되는 것은 아니다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 구조를 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 전면부를 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나에서 저대역 방사체의 후면도를 나타낸 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 기지국 안테나의 저대역 방사체(100)는 제1 T형 기판(110) 및 제2 T형 기판(120)을 포함한다.

제1 T형 기판(110) 및 제2 T형 기판(120)은 서로 직교하면서 결합되며, 제1 T형 기판(110) 및 제2 T형 기판(120)에는 결합을 위한 구조가 형성되어 있다. 예를 들어, 제1 T형 기판(110)에 홈이 형성되고, 제2 T형 기판(120)이 해당 홈에 삽입되는 방식으로 결합이 이루어질 수 있다.

도 2에는 두 개의 기판이 T자 형태인 경우가 도시되어 있으나, 이는 예시적인 일 실시예에 불과하며 다른 형태인 기판이 형성될 수도 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다. 예를 들어, 직사각형 형태의 두 개의 기판이 서로 직교하는 형태로 결합될 수도 있는 것이다.

제1 T형 기판(110)에는 제1 편파를 위한 제1 다이폴 방사체 및 급전 선로가 형성되며, 제2 T형 기판(120)에는 제2 편파를 위한 제2 다이폴 방사체 및 급전 선로가 형성될 수 있다. 일례로, 제1 편파는 +45도 편파일 수 있으며, 제2 편파는 -45도 편파일 수 있다.

만일, 저대역 방사체(100)가 단일 편파 방사만을 요구하는 경우, 제1 T형 기판(100) 및 제2 T형 기판 중 하나의 기판만을 구비할 수 있을 것이다.

제1 T형 기판(110)에 형성되는 제1 다이폴 방사체는 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들(130) 및 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들(140)을 포함한다. 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들(130)로는 + 급전 신호가 제공되며, 제1 - 다이폴 방사 세그먼트(140)들로는 - 급전 신호가 제공되며, 급전 방식은 전형적인 다이폴 방사체의 급전 방식과 동일하다.

일반적인 다이폴 방사체는 + 다이폴 아암과 - 다이폴 아암은 포함하며, + 다이폴 아암과 - 다이폴 아암을 각각 일체형 구조를 가지고 있으며, 다이폴 아암들이 본 발명과 같이 다수의 방사 세그먼트들(130, 140)로 구분되지 않는다. 본 발명은 제1 + 다이폴 아암이 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들(130)로 구분되고, 제1 - 다이폴 아암이 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들(140)로 구분되는 것이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들(130) 및 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들(140)은 제1 하이 인덕턴스 라인(160) 및 제1 T형 스터브(170)를 이용하여 전기적으로 연결된다.

제1 하이 인덕턴스 라인(160)은 높은 인덕턴스 성분을 가지도록 방사 세그먼트들(130, 140)에 비해 매우 얇은 두께를 가진다. 제1 하이 인덕턴스 라인(160)은 제1 T형 스터브(170)와 결합된다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 스터브의 상세 구조를 나타낸 도면이다.

도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 인접한 방사 세그먼트들은 이들로부터 연장되는 두 개의 제1 하이 인덕턴스 라인(160)과 결합된다. 제1 T형 스터브(170)는 수직부(170-1) 및 수평부(170-2)로 구분되며, 실질적으로 역 T 형태로 정의할 수 있다.

수평부(170-2)는 방사 세그먼트들의 배열 방향과 동일한 방향으로 연장되며, 수직부(170-1)는 방사 세그먼트들의 배열 방향과 수직인 방향으로 연장된다.

수직부(170-1)는 수평부(170-2)의 중앙에 결합되어야 하며, 수평부(170-2)의 중앙에 수직부(170-1)가 결합됨으로써 T형 구조를 형성하게 된다.

T형 스터브(170)의 수직부(170-1) 및 수평부(170-2)의 두께는 하이 인덕턴스 라인과 비교할 때 상대적으로 크게 설정된다.

다이폴 방사체들의 방사 아암을 다수의 방사 세그먼트들(140, 150)로 분할하고, 각 방사 세그먼트들(130, 140)을 하이 인덕턴스 라인(160) 및 T형 스터브(170)를 통해 연결하는 구조는 고대역 방사체와 저대역 방사체간의 양호한 격리도를 확보하기 위해서이다.

방사체의 사이즈는 방사체에서 방사되는 RF 신호의 주파수의 크기에 반비례한다. 저대역 방사체는 상대적으로 낮은 주파수를 방사하기에 저대역 방사체는 고대역 방사체에 비해 상대적으로 큰 길이를 가진다. 방사체의 크기 및 길이에 의해 방사 주파수가 결정되기에 정상적이라면 저대역 방사체에서 방사되는 신호가 고대역 방사체에 영향을 주지 않는다.

그러나, 안테나는 방사체만으로 이루어지지 않으며 방사체에는 급전 선로 및 임피던스 매칭을 위한 패턴들이 결합된다.

저대역 방사체(100), 이와 결합된 급전 선로 및 임피던스 매칭패턴 으로부터 고유 모드 및 고차 모드가 발생한다. 그러한 고차 모드로 인해 저대역 방사체(100)는 고대역 방사체(200)로부터 신호를 수신할 수 있게 되며, 이로부터 대역간 간섭 및 신호 왜곡이 발생할 수 있다.

본 발명은 저대역 방사체에서 발생하는 고차 모드를 억제하고 대역간 간섭 및 신호 왜곡을 방지하기 위해 저대역 방사체의 방사 아암을 다수의 세그먼트로 분리하면서 각 세그 먼트를 하이 인덕턴스 라인(160) 및 T형 스터브(170)를 이용하여 연결하는 구조를 제안하는 것이다. 특히, T형 스터브는 수직부(170-1)가 수평부(170-2)의 중앙에 결합되는 구조이다. 하지만, 본 발명은 T형 스터브 구조에만 한정되는 것은 아니며 유사한 구조 즉, L형의 스터브와 같은 구조에도 적용 가능하다는 것은 당업자에게 당연하다.

이 각각의 구조들은 레지스턴스 성분 및 인덕턴스 성분 그리고 커패시턴스 성분들을 가지며, 구조들의 형상 변경을 통해 특정 주파수 대역을 저지할 수 있는 레지스턴스, 인덕턴스 그리고 커패시턴스 성분을 도출할 수 있다. 따라서 저대역 방사체(100)에서 발생한 고차 모드는 저대역 방사체의 하이 인덕턴스 라인(160)과 T형 스터브(170)의 형상 변경을 통해 고차 모드를 효율적으로 저지할 수 있다. 특히, T형 스터브 이용 시, 고대역의 지향도 및 이득이 더욱 향상된다.

한편, 다수의 제1 + 방사 세그먼트들(130)의 전체적인 길이는 다이폴 방사 아암으로 기능하기 위해 λ/4로 설정되며, 다수의 제1 - 방사 세그먼트들(140)의 전체적인 길이 역시 λ/4로 설정된다.

위에서는 제1 T형 기판(110)에 형성되는 제1 다이폴 방사체에 대해 설명하였다. 제2 T형 기판(120)에 형성되는 제2 다이폴 방사체는 제1 다이폴 방사체와 동일한 구조를 가지며, 제2 다이폴 방사체는 제1 다이폴 방사체와 비교하여 직교하는 방향으로 설치되는 점에서만 차이점이 있다.

제2 다이폴 방사체와 제1 다이폴 방사체의 구조는 동일하므로 제2 다이폴 방사체 역시 다수의 제2 + 다이폴 방사 세그먼트들(230) 및 제2 - 다이폴 방사 세그먼트들(240)을 포함한다.

제2 + 다이폴 방사 세그먼트들(230) 및 제2 -다이폴 방사 세그먼트들(240)은 제2 하이 인덕턴스 라인(260) 및 제2 T형 스터브(270)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.

한편, 도 4를 참조하면, 제1 T형 기판(100)의 후면에는 급전 선로(500)가 형성되며, 급전 선로는 제1 T형 기판(100)의 전면에 향상된 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들(130) 및 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들(140)에 커플링에 의한 급전 신호를 제공한다.

물론 도 4와 같은 커플링 방식이 아닌 직접 급전이 사용될 수도 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 T형 오픈 스터브를 구비한 저대역 방사체를 사용할 경우 및 T형 스터브를 형성하지 않은 일반적인 저대역 방사체를 사용할 경우의 고대역 안테나의 지향성 및 이득을 나타낸 그래프이다.

도 6에서, 실선은 이득을 나타내며 점선을 지향성을 나타낸다.

도 6을 참조하면, 본 발명가 같이 수직부가 수평부의 중앙에 결합되는 T형 스터브를 사용할 때 지향성 및 이득이 향상되며, 이를 통해 고대역 방사체 및 저대역 방사체간 격리도가 확보되고 상호 간섭이 억제된다는 점을 확인할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

1. 반사판,
   상기 반사판상에 배열되는 다수의 고대역 방사체; 및
   상기 반사판상에 배열되는 다수의 저대역 방사체를 포함하되,
   상기 다수의 저대역 방사체 각각은,
   다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들을 포함하며, 상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 상기 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들 각각은 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 하이 인덕턴스 라인과 연결되는 제1 T형 스터브에 의해 인접한 방사 세그먼트와 전기적으로 연결되고,
   상기 제1 T형 스터브는 수직부 및 수평부를 포함하며, 상기 수직부가 상기 수평부의 중앙에 결합되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 하이 인덕턴스 라인은 상기 방사 세그먼트들 및 상기 제1 T형 스터브에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트, 상기 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트, 상기 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 T형 스터브는 제1 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
5. 제4항에 있어서,
   제2 기판을 더 포함하고,
   상기 제2 기판에는 다수의 제2 + 다이폴 방사 세그먼트, 다수의 제2 - 다이폴 방사 세그먼트, 제2 하이 인덕턴스 라인 및 제2 T형 스터브가 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
6. 제5항에 있어서,
   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 서로 직교하면서 상기 반사판에 결합되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
7. 제6항에 있어서,
   상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 T형 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 다중 대역 기지국 안테나.
   
8. 제1 기판;
   상기 제1 기판상에 형성되며, 제1 + 다이폴 아암으로 기능하기 위한 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들; 및
   상기 제1 기판상에 형성되며, 제1 - 다이폴 아암으로 기능하기 위한 다수의 제1 - 다이폴 방사 세그먼트들을 포함하되,
   상기 다수의 제1 + 다이폴 방사 세그먼트들 및 상기 다수의 제1 - 방사 세그먼트들 각각은 제1 하이 인덕턴스 라인 및 상기 제1 하이 인덕턴스 라인과 연결되는 제1 T형 스터브에 의해 인접한 방사 세그먼트와 전기적으로 연결되고,
   상기 제1 T형 스터브는 수직부 및 수평부를 포함하며, 상기 수직부가 상기 수평부의 중앙에 결합되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
   
9. 삭제
10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 하이 인덕턴스 라인은 상기 방사 세그먼트들 및 상기 제1 T형 스터브에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
    
11. 제8항에 있어서,
    제2 기판을 더 포함하고,
    상기 제2 기판에는 다수의 제2 + 다이폴 방사 세그먼트, 다수의 제2 - 다이폴 방사 세그먼트, 제2 하이 인덕턴스 라인 및 제2 T형 스터브가 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
    
12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 서로 직교하는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
    

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