KR101943514B1 - 기지국 안테나 - Google Patents

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Abstract

기지국 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는 금속 재질로 형성되는 반사판; 상기 반사판 상에 형성되며, 하나 이상의 어레이를 형성하는 다수의 방사체; 및 상기 다수의 방사체 각각의 양측에 위치하는 전도성 막대를 포함하되, 상기 전도성 막대는 상기 다수의 방사체가 형성하는 어레이와 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 개시된 안테나에 따르면, 교차편파비가 향상되는 장점이 있다.

Description

기지국 안테나{Base Station Antenna}
본 발명은 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기지국 안테나에 관한 것이다.
기지국 안테나는 미리 설정된 영역에 존재하는 단말들과 통신을 수행하는 안테나로서, 빌딩, 산과 같은 고지대에 주로 설치되어 단말들과 신호의 송수신을 수행한다.
일반적으로 기지국 안테나는 금속 재질의 반사판 상면에 다수의 방사체가 배열되며, 각 방사체로는 +45˚와 -45˚의 듀얼 편파를 방사하는 듀얼 편파 방사체가 주로 사용되는데, 듀얼 편파 방사체는 +45˚와 -45˚각 편파의 격리도인 교차편파비를 확보하는 것이 중요하다.
한편, 본 발명과 관련된 선행문헌으로 2009년 5월 6일자로 공개된 중국실용신안등록공보 201233958호가 있다.
상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 금속 패치 및 전도성 막대를 포함한 기지국 안테나를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 금속 재질로 형성되는 반사판; 상기 반사판 상에 형성되며, 하나 이상의 어레이를 형성하는 다수의 방사체; 및 상기 다수의 방사체 각각의 양측에 위치하는 전도성 막대를 포함하되, 상기 전도성 막대는 상기 다수의 방사체가 형성하는 어레이와 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나가 제공된다.
상기 다수의 방사체 각각의 상측에 위치하는 금속 패치를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 방사체 각각은 다수의 홀이 형성된 발룬부; 및 발룬부에서 연장되어 형성되는 방사체부를 포함하며, 상기 금속 패치의 중심은 상기 다수의 방사체 각각의 중심에 오버랩 되도록 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 금속 패치의 면적은 상기 발룬부의 상면의 면적보다 큰 사이즈를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 방사체부는 상기 반사판과 평행하지 않도록 연장되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 방사체는 상기 발룬부의 홀을 관통하는 급전선으로부터 커플링 방식으로 급전 신호를 공급받는 것을 특징으로 한다.
상기 반사판은 접지 전위를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 방사체는 듀얼 편파를 방사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 재질로 형성되는 반사판; 상기 반사판 상에 형성되며, 하나 이상의 어레이를 형성하는 다수의 방사체; 및 상기 다수의 방사체 각각의 상측에 위치하는 금속 패치를 포함하되, 상기 다수의 방사체는 다수의 홀이 형성된 발룬부; 및 발룬부에서 연장되어 형성되는 방사체부를 포함하며, 상기 금속 패치의 중심은 상기 다수의 방사체 각각의 중심에 오버랩 되도록 위치하고, 상기 금속 패치의 면적은 상기 발룬부의 상면의 면적보다 큰 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나가 제공된다.
상기 다수의 방사체 각각의 양측에 위치하는 전도성 막대를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 막대는 상기 다수의 방사체가 형성하는 어레이와 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 방사체부는 상기 반사판과 평행하지 않도록 연장되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 방사체는 상기 발룬부의 홀을 관통하는 급전선으로부터 커플링 방식으로 급전 신호를 공급받는 것을 특징으로 한다.
상기 반사판은 접지 전위를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 방사체는 듀얼 편파를 방사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 교차편파비가 향상되는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체에서 금속 패치를 제거한 평면도이다.
도 4는 전도성 막대의 배치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 5는 금속 패치의 배치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 6는 금속 패치의 위치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체와 회로기판의 연결부를 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체 및 제2 반사판을 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 정면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 자세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나는 제1 방사체(100), 제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)을 포함할 수 있다. 제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)은 금속 재질로 형성되며, 접지 전위를 가질 수 있다. 반사판은 방사체의 접지와 연결되며, 방사체가 방사하는 방사파를 반사하여 기지국 안테나의 전후방비를 개선하는 역할을 한다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나에서는 제1 반사판(400) 하나만을 사용할 수도 있고, 도면과 같이 두 개의 반사판을 이용하여 교차편파비를 더욱 개선하도록 구성될 수도 있다. 여기서 교차편파비란, +45˚와 -45˚의 듀얼 편파를 발생하는 방사체에 있어서, 각 편파의 격리도를 뜻한다.
제1 반사판(400)의 하부에 제2 반사판(300)이 형성될 수 있으며, 제1 방사체(100)는 제1 반사판(400) 상에 배열될 수 있다. 제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)은 양측에 측벽이 형성될 수도 있다. 또한, 제1 반사판(400)과 제2 반사판(300)은 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체를 도시한 사시도이며, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체에서 금속 패치를 제거한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 방사체(100)는 발룬부(110), 방사체부(105)를 포함하며, 제1 방사체(100)의 양측에는 전도성 막대(150)가 위치하고, 제1 방사체(100)의 상측에는 금속 패치(140)가 위치할 수 있다. 또한, 금속 패치(140) 및 전도성 막대(150)를 고정하기 위해 제1 방사체(100)에는 유전체(130)가 형성될 수도 있다.
도2 및 도 3을 참조하면, 제1 방사체(100)에는 급전을 위한 발룬부(110)가 형성될 수 있다. 발룬부(110) 내부에는 홀이 형성되며, 홀을 급전선(120)이 관통하게 된다. 발룬부(110)에는 급전부(113) 및 접지부(115)가 형성될 수 있다. 발룬부(110)를 관통하는 급전선(120)은 발룬부(110)와 커플링을 통하여 제1 방사체(100)에 급전 신호를 공급할 수 있다.
두 개의 반사판을 사용하는 경우, 제1 방사체(100)의 발룬부(110)는 제1 반사판(100)을 관통하여 제2 반사판(300)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 방사체(100)는 필요에 따라 하나 이상 형성될 수 있으며, 제1 방사체(100)는 하나 이상의 어레이를 형성하며 배열될 수도 있다.
발룬부(110)의 상단에는 방사체부(105)가 측면 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 방사체부(105)는 RF신호를 방사하기 용이한 형상을 가질 수 있으며, 일례로 다수의 고리 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 특히 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 방사체부(105)는 반사판(300, 400)과 평행하지 않도록 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 발룬부(110) 상단에서 반사판(300, 400)과 임의의 각도를 이루면서 연장되어 형성될 수 있다. 이처럼, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 방사체부(105)는 반사판과 평행하지 않은 경사구조로 교차편파비를 향상시키기에 유리한 구조를 가질 수 있다.
제1 방사체(100)의 발룬부(110) 양측에는 전도성 막대(150)가 위치할 수 있다. 전도성 막대(150)는 전도성 재료로 형성되며, 반사판(300, 400)과 평행하게 위치한다. 특히, 전도성 막대(150)는 제1 방사체(100)가 배열되며 형성되는 어레이와 평행하도록 위치할 수 있다. 전도성 막대(150)가 제1 방사체(100)로 형성된 어레이와 평행도록 위치함으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비는 향상될 수 있다.
도 4는 전도성 막대의 배치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다. 도 4의 (a)는 전도성 막대(150)를 제거하였을 때의 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이며, 도 4의 (b)는 전도성 막대(150)를 제1 방사체(100)로 형성된 어레이와 평행하도록 위치시켰을 때의 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 4의 (a)와 (b)를 비교하면, (a)에 비해 (b)에서 제1 방사체(100)의 교차편파비가 상승했음을 확인할 수 있다. 그러므로, 전도성 막대(150)가 제1 방사체(100)로 형성된 어레이와 평행도록 위치시킴으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비가 향상될 수 있음을 확인할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 방사체(100)의 발룬부(110) 상부에는 금속 패치(140)가 위치할 수 있다. 금속 패치(140)는 전도성 재료로 형성되며, 반사판(300, 400)과 평행하게 위치한다. 특히, 금속 패치(140)는 그 면적이 발룬부(110)의 상면의 면적보다 크도록 형성될 수 있다.
도 5는 금속 패치의 배치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다. 도 5의 (a)는 금속 패치(140)를 제거하였을 때의 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이고, 도 5의 (b)는 금속 패치(140)의 면적을 발룬부(110)의 상면의 면적보다 크도록 형성하여 배치한 경우 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 5의 (a)와 (b)를 비교하면, (a)에 비해 (b)에서 제1 방사체(100)의 교차편파비가 상승했음을 확인할 수 있다. 그러므로, 금속 패치(140)의 면적을 발룬부(110)의 상면의 면적보다 크도록 형성하여 배치시킴으로, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비가 향상될 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 금속 패치(140)는 그 중심이 제1 방사체(100)의 중심에 오버랩 되도록 위치할 수 있다. 즉, 금속 패치(140)는 제1 방사체(100) 기준으로 어느 측방향으로도 치우치지 않도록 위치할 수 있다. 금속 패치(140)는 이와 같은 위치와 크기를 만족하도록 형성되어 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비를 향상시킬 수 있다.
도 6는 금속 패치의 위치에 따른 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다. 도 6의 (a)는 금속 패치(140)의 중심이 제1 방사체(100)의 중심에 오버랩되지 않는 경우의 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이고, 도 6의 (b)는 금속 패치(140)의 중심이 제1 방사체(100)의 중심에 오버랩되는 경우의 제1 방사체의 교차편파비를 나타낸 그래프이다.
도 6의 (a)와 (b)를 비교해 보면, (a)에 비해 (b)에서 제1 방사체(100)의 교차편파비가 상승했음을 확인할 수 있다. 그러므로, 금속 패치(140)는 그 중심이 제1 방사체(100)의 중심에 오버랩 되도록 위치하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비를 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
한편, 제1 방사체(100)의 발룬부(110) 상부에 위치한 금속 패치(140)로 인하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 정재파비(Standing-wave Ratio : SWR) 또한 향상될 수 있다.
또한, 금속 패치(140)의 사이즈와 제1 방사체(100)와의 거리 등을 조정함으로 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 빔폭을 조절할 수도 있을 것이다.
한편, 제1 방사체(100)에는 유전체(130)가 형성될 수도 있다. 유전체(130)에 의해 금속 패치(140) 및 전도성 막대(150)가 제1 방사체와 전기적으로 이격되면서 고정될 수 있다. 또한, 유전체(130)는 제1 반사판(400)과 접촉하여 제1 방사체(100)가 제1 반사판(400)과 전기적으로 이격되도록 할 수 있다.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체와 회로기판의 연결부를 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 제2 반사판(300)하부에는 회로기판(200)이 형성될 수 있으며, 회로기판(200)에는 제1 방사체(100)와 연결되는 회로가 형성될 수 있고, 상기 회로는 제1 방사체(100)에 급전 신호를 공급할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제1 방사체(100)의 급전부(113)는 제2 반사판(300)하부의 회로기판(200)과 연결될 수 있다. 급전부(113)의 홀을 통해 급전선(120)은 회로기판(200)에 형성된 회로와 연결될 수 있다.
특히, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나에 적용되는 제1 방사체는 ±45˚의 듀얼 편파를 방사할 수 있다. 제1 방사체(100)에 형성되는 급전선(120)은 발룬부(110)에 형성된 홀에 위치하게 되므로, 두 개의 급전부(113)를 통하여 +45˚와 -45˚의 신호가 각각 두 개의 급전선(120)으로 공급될 수 있다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체 및 제2 반사판을 도시한 사시도이다.
도 8을 참조하면, 제1 방사체(100)의 접지부(115)는 접지 전위를 갖는 제2 반사판(300)과 연결될 수 있다. 특히, 두 개의 급전부(113)를 관통하는 두 개의 급전선(120)은 발룬부(110)의 급전부(113)를 제외한 나머지 두 개의 홀을 관통하여 접지부(115)와 연결될 수 있다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 제1 방사체의 발룬부(110)는 제1 반사판(400)을 관통하여 제2 반사판(300)에 연결된다. 특히, 제1 방사체(100)는 발룬부(110)에 형성된 유전체(130)로 인해 제1 반사판(400)과는 전기적으로 이격되며, 제2 반사판(300)과 전기적으로 연결되게 된다. 따라서 제1 반사판(400)은 전후방비 개선을 위한 반사판의 기능을 하며, 제2 반사판(300)은 제1 방사체(100)의 접지부(115)와 연결되게 된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나는 다중 대역 방사체를 이용하는 기지국 안테나에도 적용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 평면도이며, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 정면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나는 제1 방사체(100), 제2 방사체(500), 제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)을 포함할 수 있다.
제1 방사체(100)는 고주파 대역을 위한 방사체일 수 있으며, 제2 방사체(500)는 저주파 대역을 위한 방사체일 수 있다. 제1 방사체(100) 및 제2 방사체(500)는 각각 하나 이상의 어레이를 형성하며 제1 반사판(400)상에 배열될 수 있다. 도면에 도시된 본 발명의 다른 실시예처럼 저주파 대역을 위한 방사체인 제2 방사체(500)는 하나만 형성될 수도 있다. 일례로, 도 6에서와 같이 기지국 안테나의 중심에 제2 방사체(500)가 형성되며, 제2 방사체(500)의 양측에 제1 방사체(100)가 두 개의 어레이를 형성하며 좌우 대칭이 되는 형상으로 배열되어 형성될 수도 있을 것이다.
제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)은 금속 재질로 형성되며, 접지 전위를 가질 수 있다. 특히, 제1 반사판(400)은 도 7에서와 같이 접힌 판 형상으로 형성될 수도 있다. 제1 반사판(400)은 주파수 대역이 서로 다른 제1 방사체(100)와 제2 방사체(500)가 같은 평면에 배열되지 않도록 형상을 달리하여 형성될 수 있다.
제2 반사판(300)은 제1 반사판(400)의 하부에 위치할 수 있다. 또한, 제2 반사판(300)은 제1 방사체(100)와 제2 방사체(500) 중 어느 하나의 하부에 형성될 수 있다. 일례로, 도 10에서는 제1 방사체(100)의 하부에만 제2 반사판(300)이 형성되었다.
한편, 제1 방사체(100)의 하부, 즉 제2 반사판(300)의 하면에는 회로기판(200)이 형성되어 제1 방사체(100)에 급전 신호를 공급할 수 있으며, 제2 방사체(500)의 하부에는 제2 방사체(500)의 회로기판이 형성되어 제2 방사체(500)에 급전 신호를 공급할 수 있음은 자명할 것이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체(100)는 제1 반사판(400)상에 배열되지만, 유전체(130)로 인해 제1 반사판(400)과 전기적으로는 연결되지 않으며, 제1 방사체(100)는 제1 반사판(400)을 관통하여 제1 반사판(400) 하부에 위치하는 제2 반사판(300)과 전기적으로 연결되게 될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체(100)와 제1 반사판(400) 및 제2 반사판(300)의 연결 구조는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나와 유사한 구조일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체(100)는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 제1 방사체(100)와 같이 금속 패치(140) 및 전도성 막대(150)를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 금속 패치(140) 및 전도성 막대(150) 또한 전술한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 금속 패치(140) 및 전도성 막대(150)와 동일하게 위치하며, 동일한 기능을 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 전도성 막대(150)는 제1 방사체(100)로 형성된 어레이와 평행하도록 위치할 수 있고, 금속 패치(140)의 중심은 제1 방사체(100)의 중심에 오버랩 되도록 위치할 수 있으며, 금속 패치(140)는 그 면적이 발룬부(110)의 상면의 면적보다 크도록 형성될 수 있다. 이와 같은 전도성 막대(150) 및 금속 패치(140)의 크기 및 위치로 인해, 도 4 내지 도 6의 그래프에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 교차편파비는 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나의 저주파 대역을 위한 제2 방사체(500)의 상부에도 금속 패치(540)가 위치할 수도 있을 것이다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 제1 방사체
105: 방사체부
110: 발룬부
113: 급전부
115: 접지부
120: 급전선
130: 유전체
140: 금속 패치
150: 전도성 막대
200: 회로기판
300: 제2 반사판
400: 제1 반사판
500: 제2 방사체
540: 금속 패치

Claims (15)

  1. 금속 재질로 형성되는 반사판;
    상기 반사판 상에 형성되며, 하나 이상의 어레이를 형성하는 다수의 방사체; 및
    상기 다수의 방사체 각각의 양측에 위치하는 전도성 막대를 포함하되,
    상기 전도성 막대는 상기 다수의 방사체가 형성하는 어레이와 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 방사체 각각의 상측에 위치하는 금속 패치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 다수의 방사체 각각은 다수의 홀이 형성된 발룬부; 및
    발룬부에서 연장되어 형성되는 방사체부를 포함하며,
    상기 금속 패치의 중심은 상기 다수의 방사체 각각의 중심에 오버랩 되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 패치의 면적은 상기 발룬부의 상면의 면적보다 큰 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방사체부는 상기 반사판과 평행하지 않도록 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 다수의 방사체는 상기 발룬부의 홀을 관통하는 급전선으로부터 커플링 방식으로 급전 신호를 공급받는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반사판은 접지 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다수의 방사체는 듀얼 편파를 방사하는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  9. 금속 재질로 형성되는 반사판;
    상기 반사판 상에 형성되며, 하나 이상의 어레이를 형성하는 다수의 방사체; 및
    상기 다수의 방사체 각각의 상측에 위치하는 금속 패치를 포함하되,
    상기 다수의 방사체는 다수의 홀이 형성된 발룬부; 및
    발룬부에서 연장되어 형성되는 방사체부를 포함하며,
    상기 금속 패치의 중심은 상기 다수의 방사체 각각의 중심에 오버랩 되도록 위치하고, 상기 금속 패치의 면적은 상기 발룬부의 상면의 면적보다 큰 사이즈를 가지고,
    상기 다수의 방사체 각각의 양측에 위치하는 전도성 막대를 더 포함하며, 상기 전도성 막대는 상기 다수의 방사체가 형성하는 어레이와 평행하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.

  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 방사체부는 상기 반사판과 평행하지 않도록 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 다수의 방사체는 상기 발룬부의 홀을 관통하는 급전선으로부터 커플링 방식으로 급전 신호를 공급받는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반사판은 접지 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 다수의 방사체는 듀얼 편파를 방사하는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나.
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