KR102396552B1 - 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 - Google Patents
전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102396552B1 KR102396552B1 KR1020200051137A KR20200051137A KR102396552B1 KR 102396552 B1 KR102396552 B1 KR 102396552B1 KR 1020200051137 A KR1020200051137 A KR 1020200051137A KR 20200051137 A KR20200051137 A KR 20200051137A KR 102396552 B1 KR102396552 B1 KR 102396552B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic radical
- radical monomer
- single crystal
- reaction vessel
- monomer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/54—Organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Description
도 1b는 반응시간의 경과에 따라 생성되는 gTEMPO 단결정을 나타낸 사진.
도 1c는 반응시간의 경과에 따라 생성되는 gTEMPO 단결정의 크기 및 개수 분포를 나타낸 실험결과.
도 1d와 도 1e는 각각 gTEMPO 분말, gTEMPO 단결정에 대한 X선 회절분선결과.
도 1f는 실험예 1에 의해 제조된 gTEMPO 단결정에 대한 모식도.
도 2a는 온도에 따른 gTEMPO 단결정의 감량 변화를 나타낸 TGA 결과.
도 2b는 gTEMPO 분말과 gTEMPO 단결정 간의 라디칼 농도변화를 나타낸 EPR(electron paramagnetic resonance) 분석결과.
도 2c는 gTEMPO 분말과 gTEMPO 단결정 간의 나이트로사이드 라디칼 농도변화를 나타낸 UV-VIS 분석결과.
도 2d는 gTEMPO 단결정의 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석결과.
도 3a와 도 3b는 gTEMPO 단결정의 전기전도도 및 이온전도도를 측정하기 위한 장치에 대한 모식도.
도 3c는 gTEMPO 단량체의 단결정 전 후 전기전도도 비교결과.
도 3d는 gTEMPO 단결정과 이온을 첨가한 후 전도도 비교결과.
도 3e는 gTEMPO 단결정과 이온 첨가 후 온도에 따른 저항변화결과.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
Claims (13)
- 이합체 두개가 거울상을 하고 있고, 머리-머리 이합체(head to head dimer) 혹은 꼬리-꼬리 이합체(tail to tail dimer)구조를 이루고, 이합체들이 반복 적층된 형태(Lamella structure)를 이루며,
나이트록사이드(N-O˙) 그룹간의 정전기적 상호작용(electrostatic interaction)과 에폭사이드(epoxide) 그룹간의 소수성 상호작용(hydrophobic interaction)이 존재하여 이중 패킹 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정.
- 제 1 항에 있어서, 유기라디칼단량체는 gTEMPO인 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정.
- 제 1 항에 있어서, 유기라디칼단량체 단결정의 전기전도도는 ∼2.1 x 10-8 S cm-1인 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정.
- 제 1 항에 있어서, 유기라디칼단량체 단결정의 이온전도도는 ∼5.1 x 10-3 S cm-1인 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정.
- 일정 높이를 갖는 반응용기의 하단부에 유기라디칼단량체 분말을 구비시키는 단계;
반응용기의 하단부를 가열하여 유기라디칼단량체 분말을 기화시키는 단계; 및
기화된 유기라디칼단량체가 반응용기의 상단부로 이동되고, 기화된 유기라디칼단량체가 유기라디칼단량체 단결정으로 승화되는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 반응용기의 하단부는 유기라디칼단량체가 기화되는 온도로 유지되고, 반응용기의 상단부는 유기라디칼단량체가 승화되는 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 유기라디칼단량체 분말은 에폭시링기(epoxide ring)를 구비하는 유기라디칼단량체인 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 유기라디칼단량체는 gTEMPO인 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 반응용기의 하단부를 가열하여 유기라디칼단량체 분말을 기화시키는 단계;에서,
오일 배쓰(oil bath)에 반응용기의 하단부가 잠기도록 반응용기를 구비시키고, 오일 배쓰를 유기라디칼단량체가 기화되는 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 반응용기의 하단부를 가열하여 유기라디칼단량체 분말을 기화시키는 단계;에서,
반응용기의 하단부 내부에 유기라디칼단량체 분말을 교반하는 교반장치가 더 구비되며, 교반장치의 회전에 의해 유기라디칼단량체 분말이 교반되는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 반응용기의 하단부를 가열하여 유기라디칼단량체 분말을 기화시키는 단계; 및 기화된 유기라디칼단량체가 반응용기의 상단부로 이동되고, 기화된 유기라디칼단량체가 유기라디칼단량체 단결정으로 승화되는 단계;에서,
상기 반응용기는 진공으로 유지되며, 반응용기 내에 불활성가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 반응용기 내에 불활성가스를 공급하는 것을 통해 반응용기의 상단부를 유기라디칼단량체가 승화되는 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 유기라디칼단량체 단결정의 라디칼 농도는 유기라디칼단량체 분말의 라디칼 농도에 대비하여 92%까지 유지되는 것을 특징으로 하는 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200051137A KR102396552B1 (ko) | 2020-04-28 | 2020-04-28 | 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200051137A KR102396552B1 (ko) | 2020-04-28 | 2020-04-28 | 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210132804A KR20210132804A (ko) | 2021-11-05 |
| KR102396552B1 true KR102396552B1 (ko) | 2022-05-12 |
Family
ID=78507783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200051137A Active KR102396552B1 (ko) | 2020-04-28 | 2020-04-28 | 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102396552B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089376A (ja) | 2003-03-26 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたiii族元素窒化物単結晶 |
| JP2009104819A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Univ Waseda | 蓄電材料およびそれを用いた二次電池 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101382544B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2014-04-10 | 한국과학기술연구원 | 질소산화물 제거용 바나디아-티타니아 촉매 및 그 제조방법 |
| JP5936091B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2016-06-15 | 昭栄化学工業株式会社 | 炭素被覆金属粉末、炭素被覆金属粉末を含有する導電性ペースト及びそれを用いた積層電子部品、並びに炭素被覆金属粉末の製造方法 |
-
2020
- 2020-04-28 KR KR1020200051137A patent/KR102396552B1/ko active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089376A (ja) | 2003-03-26 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたiii族元素窒化物単結晶 |
| JP2009104819A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Univ Waseda | 蓄電材料およびそれを用いた二次電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210132804A (ko) | 2021-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Deng et al. | Water‐surface drag coating: a new route toward high‐quality conjugated small‐molecule thin films with enhanced charge transport properties | |
| JP6346339B2 (ja) | 有機半導体薄膜の製造装置 | |
| Dang et al. | Recent progress in the synthesis of hybrid halide perovskite single crystals | |
| EP1969166B1 (de) | Nano-thermoelektrika | |
| KR101652788B1 (ko) | 층간 화합물 함유 그라펜 시트 및 그의 제조방법 | |
| US9269764B2 (en) | Graphene semiconductor and electrical device including the same | |
| EP2190007B1 (en) | Single crystal thin film of organic semiconductor compound and method for producing the same | |
| DE102007014048A1 (de) | Mischung aus Matrixmaterial und Dotierungsmaterial, sowie Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus dotiertem organischen Material | |
| Nithiyanantham et al. | Shape-selective formation of MnWO 4 nanomaterials on a DNA scaffold: magnetic, catalytic and supercapacitor studies | |
| KR101260433B1 (ko) | 정전기 분사법을 이용한 그래핀 박막 및 이의 제조방법 | |
| KR101733491B1 (ko) | 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료 양자점 및 이의 형성 방법 | |
| Liao et al. | Perylene crystals: tuning optoelectronic properties by dimensional-controlled synthesis | |
| KR102396552B1 (ko) | 전기전도성 및 이온전도성을 갖는 유기라디칼단량체 단결정 및 그 제조방법 | |
| Hill et al. | Oligoaniline-assisted self-assembly of polyaniline crystals | |
| KR101912294B1 (ko) | 그래핀 제조방법, 그래핀 분산 조성물, 및 그 제조방법 | |
| CN107416784A (zh) | 一种二维黑磷纳米片及其液相剥离制备方法 | |
| JP6179930B2 (ja) | 半導体膜の製造方法、半導体膜及び電界効果トランジスタ | |
| DE102015210388A1 (de) | Organische Heterozyklische Alkalimetallsalze als n-Dotierstoffe in der Organischen Elektronik | |
| BR112021005351A2 (pt) | elemento condutor | |
| JP5635407B2 (ja) | 有機半導体材料分子を用いた薄膜形成方法 | |
| US10679850B2 (en) | Manufacturing method for forming a thin film between two terminals | |
| Studenyak et al. | Synthesis and characterization of new potassium-containing argyrodite-type compounds | |
| CN103693634A (zh) | 电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法 | |
| CN107660240A (zh) | 利用离子液体的有机材料单结晶生长方法以及装置 | |
| KR20120130442A (ko) | 전기 분무법에 의해 제조된 그래핀 박막 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20200428 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220121 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220214 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220506 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220509 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |