KR102396369B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외기노출이 차단되는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하며, 기판처리를 수행하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)가 설치되는 공정챔버설치공간(S1)을 포함하여 적어도 2개 이상의 복수의 독립된 내부공간들을 형성하는 하우징(100)과; 상기 하우징(100) 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 상기 유해가스가 배기되도록, 상기 하우징(100)에 상기 배기펌프와 연통되어 구비되는 배기부(200)를 포함하며, 상기 하우징(100)은, 독립된 상기 내부공간들 내 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 상기 내부공간들로부터 상기 배기부(200) 측으로 상기 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하며, 서로 결합되어 설치되는 복수의 프레임(110)들과; 외부와 차단되는 복수의 상기 내부공간들이 형성되도록, 상기 프레임(110)들에 결합되는 복수의 플레이트(120)들을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus in which exposure to outside air is blocked.
The present invention comprises: a process chamber (10) forming a closed processing space and performing substrate processing; a housing 100 forming at least two or more independent inner spaces including a process chamber installation space S1 in which the process chamber 10 is installed; and an exhaust unit 200 provided in communication with the exhaust pump in the housing 100 so that the harmful gas is exhausted through an exhaust pump provided outside the housing 100, the housing 100 comprising: In order to exhaust the harmful gas in the independent internal spaces through the exhaust unit 200, an exhaust frame in which an exhaust flow path for delivering the harmful gas from the internal spaces to the exhaust unit 200 is formed therein. a plurality of frames 110 including at least one 130 and coupled to each other to be installed; Disclosed is a substrate processing apparatus including a plurality of plates 120 coupled to the frames 110 so as to form a plurality of the inner spaces blocked from the outside.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유해가스의 외부로의 누출을 방지하고, 유해가스의 배기가 원활한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that prevents leakage of harmful gases to the outside and facilitates exhaust of harmful gases.

기판에 식각 또는 증착 등의 기판처리를 수행하기 위해서는, 기판처리장치의 공정챔버 내부로 공정이나 세정을 위한 각종 가스를 공급하게되며, 이로써 공정챔버 뿐만 아니라 기판처리장치를 구성하는 각종 설치물들에 인체에 유해한 유해가스가 남아있을 수 있고, 또 일부 유해가스는 기판처리장치 외부로 누출될 수 있다. In order to perform a substrate treatment such as etching or deposition on a substrate, various gases for processing or cleaning are supplied into the process chamber of the substrate processing apparatus, thereby injuring the human body not only in the process chamber but also in various installations constituting the substrate processing apparatus. Noxious gases may remain in the substrate, and some of the noxious gases may leak out of the substrate processing apparatus.

특히, 종래의 기판처리장치의 경우, 공정챔버 내부로 공급되는 가스나 공정과정에서 발생하는 유해가스가 복수의 내부공간들이 형성되는 기판처리장치 내부의 복잡한 구조로인해, 내부의 배기시스템이 원활히 작동되지 못함으로써 유해가스가 내부공간에 그대로 남아있는 문제점이 있다.In particular, in the case of the conventional substrate processing apparatus, the gas supplied into the process chamber or the harmful gas generated during the process has a complex structure inside the substrate processing apparatus in which a plurality of internal spaces are formed, so that the internal exhaust system operates smoothly There is a problem in that the harmful gas remains in the internal space as it is not.

또한, 종래의 기판처리장치의 경우, 기판처리장치를 이루는 하우징이 완전한 실링을 이루지 못함에 따라 공정과정에서 발생하는 유해가스가 외부로 누출되는 문제점이 있다.In addition, in the case of the conventional substrate processing apparatus, there is a problem in that the toxic gas generated in the process is leaked to the outside as the housing constituting the substrate processing apparatus does not achieve complete sealing.

상기와 같은 경우, 기판처리장치 내부의 유해가스가 외부로 누출되거나, 기판처리장치의 유지, 보수를 위한 작업과정에서 퍼지가스의 불충분, 잔류 파우더와 대기와의 반응, 유해가스 내부잔류 상황에서의 도어 개방 등에 의하여 유해가스가 외부로 노출되어, 작업자에 치명적인 악영향을 끼칠 수 있는 바, 작업자의 생명과 장치의 안정성이 담보되지 못하는 문제점이 있다.In the above case, the harmful gas inside the substrate processing apparatus leaks to the outside, or in the case of insufficient purge gas in the operation process for maintenance and repair of the substrate processing apparatus, the reaction between the residual powder and the atmosphere, and the internal residual of harmful gas. Noxious gas is exposed to the outside by opening a door, which can have a fatal adverse effect on the worker, so there is a problem in that the life of the worker and the stability of the device cannot be guaranteed.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 외부로 기판처리 과정에서 발생되는 유해가스가 노출되는 것을 방지하고, 복수의 내부공간들의 유해가스를 다른 내부공간에 영향없이 안정적으로 배기할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prevent exposure of harmful gases generated in the process of substrate processing to the outside of a substrate processing apparatus performing substrate processing in order to solve the above problems, and to remove harmful gases from a plurality of internal spaces. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of stably evacuating without affecting the internal space.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하며, 기판처리를 수행하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)가 설치되는 공정챔버설치공간(S1)을 포함하여 적어도 2개 이상의 복수의 독립된 내부공간들을 형성하는 하우징(100)과; 상기 하우징(100) 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 상기 유해가스가 배기되도록, 상기 하우징(100)에 상기 배기펌프와 연통되어 구비되는 배기부(200)를 포함하며, 상기 하우징(100)은, 독립된 상기 내부공간들 내 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 상기 내부공간들로부터 상기 배기부(200) 측으로 상기 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하며, 서로 결합되어 설치되는 복수의 프레임(110)들과; 외부와 차단되는 복수의 상기 내부공간들이 형성되도록, 상기 프레임(110)들에 결합되는 복수의 플레이트(120)들을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention comprises: a process chamber 10 for forming a closed processing space and performing substrate processing; a housing 100 forming at least two or more independent inner spaces including a process chamber installation space S1 in which the process chamber 10 is installed; and an exhaust unit 200 provided in communication with the exhaust pump in the housing 100 so that the harmful gas is exhausted through an exhaust pump provided outside the housing 100, the housing 100 comprising: In order to exhaust the harmful gas in the independent internal spaces through the exhaust unit 200 , an exhaust frame in which an exhaust flow path for delivering the harmful gas from the internal spaces to the exhaust unit 200 is formed therein. a plurality of frames 110 including at least one 130 and coupled to each other to be installed; Disclosed is a substrate processing apparatus including a plurality of plates 120 coupled to the frames 110 so as to form a plurality of the inner spaces blocked from the outside.

상기 하우징(100)은, 상기 내부공간들의 상기 유해가스가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여, 상기 내부공간들이 외부보다 낮은 음압을 형성할 수 있다.The housing 100, in order to prevent the harmful gas in the inner spaces from leaking to the outside, the inner spaces may form a lower negative pressure than the outside.

상기 하우징(100)은, 상기 공정챔버(10)의 하부에서 상기 공정챔버(10)로의 기판처리를 위한 공정가스 공급을 단속하는 가스공급유닛(20)이 설치되는 가스공급유닛설치공간(S2)이 상기 공정챔버설치공간(S1)의 하단에 형성될 수 있다.The housing 100 includes a gas supply unit installation space S2 in which a gas supply unit 20 for intermittent supply of a process gas for substrate processing from a lower portion of the process chamber 10 to the process chamber 10 is installed. It may be formed at the lower end of the process chamber installation space (S1).

상기 하우징(100)은, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내의 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기할 수 있도록, 상기 배기프레임(130)을 통해 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 각각 연통되며, 상기 배기부(200)가 설치되는 배기공간(S3)이 상기 공정챔버설치공간(S1)의 상단에 형성될 수 있다.The housing 100 includes the exhaust frame 130 to exhaust the harmful gas in the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200 . It communicates with the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 through the exhaust space S3, in which the exhaust unit 200 is installed, at the upper end of the process chamber installation space S1. can be formed.

상기 배기프레임(130)은, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 배기공간(S3) 사이에서 지면과 평행하게 설치되며, 상기 공정챔버설치공간(S1) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 공정챔버설치공간(S1)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제1배기유로(132)가 형성되는 수평배기프레임(131)과, 지면에 수직으로 설치되며, 상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제2배기유로(141)가 형성되는 수직배기프레임(140)을 포함할 수 있다.The exhaust frame 130 is installed parallel to the ground between the process chamber installation space S1 and the exhaust space S3, and the exhaust part 200 of the harmful gas in the process chamber installation space S1. ), a horizontal exhaust frame 131 in which a first exhaust passage 132 is formed so that the process chamber installation space S1 and the exhaust space S3 communicate with each other for exhaust through, and vertically installed on the ground. , in order to exhaust the harmful gas in the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200, the gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3 communicate with the second inside. It may include a vertical exhaust frame 140 in which the exhaust passage 141 is formed.

상기 수평배기프레임(131)은, 상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 상기 제2배기유로(141)와 연결되는 제3배기유로(135)가 내부에 추가로 형성될 수 있다.The horizontal exhaust frame 131 includes the gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3 for exhausting the harmful gas in the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200 . ), a third exhaust passage 135 connected to the second exhaust passage 141 may be additionally formed therein.

상기 제1배기유로(132) 및 상기 제3배기유로(135)가 서로 분리되어 형성됨으로써, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)이 상기 배기공간(S3)과 각각 독립적으로 연통될 수 있다.The first exhaust passage 132 and the third exhaust passage 135 are formed to be separated from each other so that the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 are separated from the exhaust space S3 and the gas supply unit installation space S2. Each may be independently communicated.

상기 배기부(200)는, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)으로부터 상기 배기프레임(130)을 통해 전달되는 상기 유해가스가 직접 전달되도록, 상기 수평배기프레임(131)에 상기 제1배기유로(132)와 연통되어 결합되는 제1배기관(201)과, 상기 수평배기프레임(131)에 상기 제3배기유로(135)와 연통되어 결합되는 제2배기관(202)을 포함할 수 있다.The exhaust unit 200 includes the horizontal exhaust frame ( A first exhaust pipe 201 coupled to the first exhaust flow path 132 in communication with the 131, and a second exhaust pipe 202 coupled to the horizontal exhaust frame 131 in communication with the third exhaust flow path 135 ) may be included.

상기 하우징(100)은, 상기 공정챔버(10) 및 상기 가스공급유닛(20)을 제어하기 위한 제어유닛(30)이 설치되는 제어유닛설치공간(S4)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성되며, 상기 배기프레임(130)은, 상기 제어유닛설치공간(S4) 및 상기 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 상기 제어유닛설치공간(S4) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 제어유닛설치공간(S4)과 상기 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 상기 제어유닛배기프레임(150)을 포함할 수 있다.The housing 100 has a control unit installation space S4 in which a control unit 30 for controlling the process chamber 10 and the gas supply unit 20 is installed adjacent to the exhaust space S3. is formed, and the exhaust frame 130 is installed between the control unit installation space S4 and the exhaust space S3, and the exhaust part 200 of the harmful gas in the control unit installation space S4. It may include the control unit exhaust frame 150 in which an exhaust flow path is formed so that the control unit installation space S4 and the exhaust space S3 communicate with each other for exhaust through the .

상기 하우징(100)은, 상기 공정챔버(10)의 내부에 기판처리를 위하여 분사되는 상기 공정가스를 공급하는 가스소스부(40)가 설치되는 가스소스부설치공간(S5)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성되며, 상기 배기프레임(130)은, 상기 가스소스부설치공간(S5) 및 상기 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 상기 가스소스부설치공간(S5) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 가스소스부설치공간(S5)과 상기 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 상기 가스소스부배기프레임(160)을 포함할 수 있다.The housing 100 includes a gas source unit installation space S5 in which a gas source unit 40 for supplying the process gas injected for substrate processing in the process chamber 10 is installed is formed in the exhaust space ( It is formed adjacent to S3), and the exhaust frame 130 is installed between the gas source installation space S5 and the exhaust space S3, and the harmful gas in the gas source installation space S5. Includes the gas source unit exhaust frame 160 in which an exhaust passage is formed so that the gas source installation space S5 and the exhaust space S3 communicate with each other for exhaust through the exhaust 200 can do.

상기 유해가스의 검출을 위하여, 상기 하우징(100) 내부에 설치되는 하나 이상의 가스검출센서(300)를 추가로 포함할 수 있다.In order to detect the harmful gas, one or more gas detection sensors 300 installed inside the housing 100 may be further included.

상기 가스검출센서(300)의 상기 유해가스 검출 여부를 통해, 상기 하우징(100) 도어(121)의 잠금해제 가능여부가 결정될 수 있다.Whether the door 121 of the housing 100 can be unlocked may be determined based on whether the gas detection sensor 300 detects the harmful gas.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 하우징 내부에 공정챔버가 설치되고, 내부가 음압을 형성함으로써, 기판처리장치 내의 유해가스가 외부로 누출되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage in that a process chamber is installed inside a housing and a negative pressure is formed inside the housing, thereby preventing harmful gases in the substrate processing apparatus from leaking to the outside.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 독립된 복수의 내부공간들이 하우징 내부에 형성되고, 각 내부공간들에 존재하는 유해가스를 프레임을 이용한 비교적 간단한 배기구조를 통해 다른 내부공간에 영향을 끼치지 않고 배기함으로써 안전하고 효율적인 배기시스템 구현이 가능한 이점이 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, a plurality of independent internal spaces are formed inside a housing, and harmful gases present in each internal space are exhausted without affecting other internal spaces through a relatively simple exhaust structure using a frame. This has the advantage of being able to implement a safe and efficient exhaust system.

특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 내부에 설치되어 기판처리장치를 구성하는 설치물들의 외기 노출이 차단된 구조로서, 독립된 복수의 내부공간들 사이에 가스의 이동이 차단됨으로써, 특정 공간의 유지, 보수 시 유해가스에 의한 작업자의 피해를 방지할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has a structure in which exposure to outside air of installations installed inside the substrate processing apparatus is blocked, and the movement of gas is blocked between a plurality of independent internal spaces, thereby maintaining a specific space , there is an advantage in that it can prevent damage to workers due to harmful gas during maintenance.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 내부에 가스디텍터를 구비함으로써, 내부공간에 존재하는 가스에 대한 정량적 수치 및 종류를 파악하고, 이를 활용하여 기판처리장치에 대한 유지, 보수 가능 시점을 판단할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention, by having a gas detector inside, grasps quantitative values and types of gases present in the internal space, and utilizes them to determine when maintenance and repair of the substrate processing apparatus is possible. There are advantages that can be

더 나아가, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 내부에 설치되는 가스디텍터를 기판처리장치의 도어 개폐와 연동하여, 유해가스 등이 검출되는 경우 기판처리장치의 도어가 개방되지 않도록 제어되어, 도어 개방에 따른 예기치 않은 사고를 미연에 방지할 수 있는 이점이 있다.Furthermore, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the door of the substrate processing apparatus is controlled so that the door of the substrate processing apparatus is not opened when harmful gas is detected by interlocking the gas detector installed therein with opening and closing the door of the substrate processing apparatus. There is an advantage in that unexpected accidents can be prevented in advance.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치의 내부모습을 보여주는 플레이트가 제거된 상태의 정면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치 및 공정챔버의 모습을 보여주는 부분단면도이다.
도 4는, 도 1의 기판처리장치의 프레임들의 결합 설치상태를 보여주는 사시도이다.
도 5는, 도 4의 기판처리장치의 배기구조를 보여주는 Ⅴ-Ⅴ 방향 부분단면도이다.
도 6는, 도 1의 기판처리장치 중 상부공간의 모습을 보여주는 천장의 플레이트 일부를 제거한 상태의 부분사시도이다.
도 7은, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 상부공간의 모습을 보여주는 천장의 플레이트 일부를 제거한 상태의 부분사시도이다.
1 is a perspective view showing a state of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a front view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 in a state in which the plate is removed.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus and the process chamber of FIG. 1 .
FIG. 4 is a perspective view illustrating a combined installation state of frames of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
5 is a partial cross-sectional view in a V-V direction showing an exhaust structure of the substrate processing apparatus of FIG. 4 .
FIG. 6 is a partial perspective view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 in a state in which a part of a ceiling plate is removed, showing an upper space.
7 is a partial perspective view showing the appearance of the upper space according to another embodiment of the present invention in a state in which a part of the plate of the ceiling is removed.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간을 형성하며, 기판처리를 수행하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)의 하부에 설치되어, 상기 공정챔버(10)로의 기판처리를 위한 공정가스 공급을 단속하는 가스공급유닛(20)과; 상기 공정챔버(10)가 설치되는 공정챔버설치공간(S1)과, 상기 공정챔버설치공간(S1)의 하단에서 상기 가스공급유닛(20)이 설치되는 가스공급유닛설치공간(S2)을 포함하여 적어도 2개 이상의 독립된 내부공간들을 형성하는 하우징(100)과; 상기 하우징(100) 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 상기 내부공간들의 유해가스가 배기되도록, 상기 하우징(100)에 상기 배기펌프와 연통되어 구비되는 배기부(200)를 포함하며, 상기 하우징(100)은, 독립된 상기 내부공간들 내 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 상기 내부공간들로부터 상기 배기부(200) 측으로 상기 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하며, 서로 결합되어 설치되는 복수의 프레임(110)들과; 외부와 차단되는 상기 내부공간들이 형성되도록, 상기 프레임(110)들에 결합되는 복수의 플레이트(120)들을 포함한다.As shown in FIG. 2, a substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a process chamber 10 forming a closed processing space and performing substrate processing; a gas supply unit 20 installed under the process chamber 10 to control supply of process gas for substrate processing to the process chamber 10; Including a process chamber installation space (S1) in which the process chamber (10) is installed, and a gas supply unit installation space (S2) in which the gas supply unit (20) is installed at the lower end of the process chamber installation space (S1) a housing 100 forming at least two or more independent inner spaces; and an exhaust unit 200 provided in communication with the exhaust pump in the housing 100 so as to exhaust harmful gases from the internal spaces through an exhaust pump provided outside the housing 100 , and the housing 100 ), in order to exhaust the harmful gas in the independent internal spaces through the exhaust unit 200, an exhaust flow path for delivering the harmful gas from the internal spaces to the exhaust unit 200 is formed therein. a plurality of frames 110 including one or more exhaust frames 130 to be installed and coupled to each other; A plurality of plates 120 coupled to the frames 110 are included so that the internal spaces blocked from the outside are formed.

본 발명의 처리대상인 기판은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate to be treated of the present invention is a configuration in which substrate processing such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, LCD manufacturing substrate, OLED manufacturing substrate, solar cell manufacturing substrate, and transparent glass substrate is possible.

상기 공정챔버(10)는, 밀폐된 처리공간을 형성하며, 기판처리를 수행하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 10 forms a closed processing space and performs substrate processing, and various configurations are possible.

예로서, 상기 공정챔버(10)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(11)와, 챔버본체(11)의 개구에 탈착가능하게 결합되어, 챔버본체(11)와 함께 밀폐된 처리공간을 형성하는 상부리드(12)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the process chamber 10 is detachably coupled to the chamber body 11 having an opening on the upper side and the opening of the chamber body 11 to form a closed processing space together with the chamber body 11 . It may be configured to include an upper lead (12).

또한, 상기 공정챔버(10)는, 내부에 기판을 지지하기 위한 기판지지부(13)가 설치될 수 있으며, 기판처리를 위한 처리공간이 내부에 형성되는 구성이면 종래에 개시된 어떠한 실시형태도 적용 가능한 바 자세한 설명은 생략한다.In addition, the process chamber 10 may be provided with a substrate support unit 13 for supporting a substrate therein, and any conventionally disclosed embodiment can be applied as long as a processing space for processing the substrate is formed therein. A detailed description of the bar will be omitted.

상기 하우징(100)은, 공정챔버(10)가 설치되는 공정챔버설치공간(S1)을 포함하여 적어도 2개 이상의 복수의 독립된 내부공간들을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The housing 100 is configured to form at least two or more independent internal spaces including the process chamber installation space S1 in which the process chamber 10 is installed, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 하우징(100)은, 독립된 내부공간들 내 유해가스를 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 내부공간들로부터 배기부(200) 측으로 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하며, 서로 결합되어 설치되는 복수의 프레임(110)들과; 외부와 차단되는 내부공간들이 형성되도록, 프레임(110)들에 결합되는 복수의 플레이트(120)들을 포함할 수 있다.For example, the housing 100 has an exhaust flow path for delivering the harmful gas from the internal spaces to the exhaust unit 200 side in order to exhaust the harmful gas in the independent internal spaces through the exhaust unit 200 . A plurality of frames 110 including one or more exhaust frames 130 formed in the frame and are coupled to each other to be installed; A plurality of plates 120 coupled to the frames 110 may be included to form internal spaces that are blocked from the outside.

상기 하우징(100)은, 내부공간에 공정챔버(10)가 설치되며, 더 나아가 기판처리 공정의 수행을 위한 장치가 내부에 설치됨으로써, 유해가스를 포함한 각종 공정수행 과정에서 사용 및 발생되는 가스의 외부 누출을 방지할 수 있다.In the housing 100, the process chamber 10 is installed in the inner space, and further, the apparatus for performing the substrate processing process is installed therein, so that the gas used and generated in the process of performing various processes including harmful gases is stored. External leakage can be prevented.

특히 상기 하우징(100)은, 공정챔버(10)가 설치되는 내부공간에 음압을 형성하여, 내부공간의 유해가스가 외부로 누출되는 것을 방지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.In particular, the housing 100 is configured to form a negative pressure in the inner space in which the process chamber 10 is installed, thereby preventing the harmful gas in the inner space from leaking to the outside, and various configurations are possible.

예로서, 상기 하우징(100)은, 공정챔버(10)가 설치되는 내부공간에 일정한 음압을 형성하기 위하여, 감압부재가 내부공간에 설치될 수 있으며, 감압부재를 통한 배기를 이용하여 내부공간을 음압으로 유지할 수 있다.For example, in the housing 100 , a pressure reducing member may be installed in the inner space in order to form a constant negative pressure in the inner space in which the process chamber 10 is installed, and the inner space is evacuated by using the exhaust through the pressure reducing member. It can be maintained at negative pressure.

이 경우, 감압부재를 통한 배기의 양을 조절함으로써 내부공간의 압력을 조절할 수 있으며, 기판처리장치가 설치되는 클린룸의 압력상태를 기준으로 내부공간을 음압으로 유지함으로써, 내부공간에 존재하는 각종 유해가스의 외부 누출을 방지할 수 있다.In this case, the pressure of the internal space can be adjusted by controlling the amount of exhaust through the pressure reducing member, and by maintaining the internal space at a negative pressure based on the pressure state of the clean room in which the substrate processing apparatus is installed, various External leakage of harmful gas can be prevented.

상기 하우징(100)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)의 하부에서 공정챔버(10)로의 기판처리를 위한 공정가스 공급을 단속하는 가스공급유닛(20)이 설치되는 가스공급유닛설치공간(S2)이 공정챔버설치공간(S1)의 하단에 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2 , the housing 100 is provided with a gas supply unit 20 that controls the supply of process gas for substrate processing from the lower part of the process chamber 10 to the process chamber 10 . The unit installation space (S2) may be formed at the lower end of the process chamber installation space (S1).

상기 하우징(100)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 내의 유해가스를 배기부(200)를 통해 배기할 수 있도록, 배기프레임(130)을 통해 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2)과 각각 연통되며, 배기부(200)가 설치되는 배기공간(S3)이 공정챔버설치공간(S1)의 상단에 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the housing 100 is an exhaust frame ( 130) communicates with the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2, respectively, and the exhaust space S3 in which the exhaust unit 200 is installed is formed at the upper end of the process chamber installation space S1 can be

또한, 상기 하우징(100)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10) 및 가스공급유닛(20)을 제어하기 위한 제어유닛(30)이 설치되는 제어유닛설치공간(S4)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성될 수 있으며, 더 나아가, 상기 하우징(100)은, 공정챔버(10)의 내부에 기판처리를 위하여 분사되는 공정가스를 공급하는 가스소스부(40)가 설치되는 가스소스부설치공간(S5)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2 , the housing 100 includes a control unit installation space S4 in which a control unit 30 for controlling the process chamber 10 and the gas supply unit 20 is installed. It may be formed adjacent to the exhaust space S3, and further, the housing 100 is provided with a gas source unit 40 for supplying a process gas injected for substrate processing in the process chamber 10 is installed. A gas source unit installation space (S5) to be used may be formed adjacent to the exhaust space (S3).

일예로서, 상기 공정챔버설치공간(S1)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(100)의 3단구조의 내부공간에서 중앙에 형성되는 공간으로서, 공정챔버(10)가 설치될 수 있다.As an example, the process chamber installation space S1 is, as shown in FIG. 3 , a space formed in the center of the three-stage structure of the housing 100 , in which the process chamber 10 may be installed. .

이때, 상기 공정챔버설치공간(S1)은, 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3)과의 가스의 이동을 방지하기 위하여, 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3)과 분리되어 형성될 수 있다.At this time, the process chamber installation space ( S1 ) includes a gas supply unit installation space ( S2 ) and an exhaust space ( S3 ) in order to prevent movement of gas between the gas supply unit installation space ( S2 ) and the exhaust space ( S3 ). and may be formed separately.

상기 가스공급유닛설치공간(S2)은, 하우징(100)의 3단구조의 내부공간에서 중앙에 형성되는 공정챔버설치공간(S1)을 기준으로 하단에 형성되는 공간으로서, 공정챔버(10)의 하부에 설치되어, 공정챔버(10)로의 기판처리를 위한 공정가스 공급을 단속하는 가스공급유닛(20) 뿐만아니라, 공정챔버(10) 내의 처리공간에 분사되는 공정가스 및 반응가스 등을 배기하기 위하여 공정챔버(10)와 연통되는 배기라인 및 펌프 등이 추가로 설치될 수 있다.The gas supply unit installation space (S2) is a space formed at the lower end of the process chamber installation space (S1) formed in the center in the inner space of the three-stage structure of the housing 100, the process chamber (10) It is installed in the lower part to exhaust not only the gas supply unit 20 that regulates the supply of the process gas for substrate processing to the process chamber 10 , but also the process gas and reaction gas injected into the processing space in the process chamber 10 . For this purpose, an exhaust line communicating with the process chamber 10 and a pump may be additionally installed.

또한 상기 가스공급유닛설치공간(S2)은, 공정챔버(10) 내부에 기판(10)을 지지하기 위한 기판지지부(13)를 상하로 구동하기 위한 기판지지부용 상하구동부가 설치될 수 있으며, 공정챔버(10) 내부에서 기판(10)을 이송하기 위한 기판이송부를 상하이동 및 회전이동 시키기 위한 상하구동부 및 회전구동부가 추가로 설치될 수 있다.In addition, in the gas supply unit installation space S2, a vertical drive unit for a substrate support unit for driving the substrate support unit 13 for supporting the substrate 10 in the process chamber 10 up and down may be installed, the process A vertical drive unit and a rotation drive unit for vertically moving and rotating the substrate transfer unit for transferring the substrate 10 in the chamber 10 may be additionally installed.

상기 배기공간(S3)은, 하우징(100)의 3단구조의 내부공간에서 중앙에 형성되는 공정챔버설치공간(S1)을 기준으로 상단에 형성되는 공간으로서, 공정챔버(10)의 상부리드(12)를 상하로 이동하기 위한 상하구동부가 설치될 수 있다.The exhaust space (S3) is a space formed at the upper end of the process chamber installation space (S1) formed in the center in the inner space of the three-stage structure of the housing 100, and the upper lid ( 12) may be provided with a vertical drive unit for moving up and down.

또한 상기 배기공간(S3)은, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 내의 유해가스를 배기부(200)를 통해 배기할 수 있도록, 배기프레임(130)을 통해 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2)과 각각 연통되며, 배기부(200)가 설치될 수 있다.In addition, the exhaust space (S3), the process chamber through the exhaust frame 130 to exhaust the harmful gas in the process chamber installation space (S1) and the gas supply unit installation space (S2) through the exhaust unit 200, It communicates with the installation space S1 and the gas supply unit installation space S2, respectively, and the exhaust unit 200 may be installed.

즉, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 내 유해가스를 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)이 상기 배기공간(S3)과 연통될 수 있다.That is, in order to exhaust harmful gases in the process chamber installation space (S1) and the gas supply unit installation space (S2) through the exhaust unit 200, the process chamber installation space (S1) and the gas supply unit installation space (S2) It may communicate with the exhaust space (S3).

상기 제어유닛설치공간(S4)은, 공정챔버(10) 및 가스공급유닛(20)을 제어하기 위한 제어유닛(30)이 설치되는 공간으로서, 배기공간(S3)에 인접하여 형성될 수 있다.The control unit installation space S4 is a space in which the control unit 30 for controlling the process chamber 10 and the gas supply unit 20 is installed, and may be formed adjacent to the exhaust space S3 .

상기 가스소스부설치공간(S5)은, 공정챔버(10)의 내부에 기판처리를 위하여 분사되는 공정가스를 공급하는 가스소스부(40)가 설치되는 공간으로서, 배기공간(S3)에 인접하여 형성될 수 있다.The gas source unit installation space S5 is a space in which the gas source unit 40 for supplying the process gas injected for substrate processing is installed in the process chamber 10, and is adjacent to the exhaust space S3. can be formed.

예를 들면, 상기 제어유닛설치공간(S4)과 상기 가스소스부설치공간(S5)은, 공정챔버설치공간(S1)의 상단에 설치되며, 배기공간(S3)을 기준으로 양옆에 인접하게 각각 형성될 수 있다.For example, the control unit installation space S4 and the gas source installation space S5 are installed at the upper end of the process chamber installation space S1, and are adjacent to each other on both sides based on the exhaust space S3. can be formed.

이 경우, 배기공간(S3), 제어유닛설치공간(S4) 및 가스소스부설치공간(S5) 각각이 서로 분리되어 형성될 수 있도록, 복수의 프레임(110)들 및 복수의 플레이트(120)들이 서로 결합 설치될 수 있다.In this case, the plurality of frames 110 and the plurality of plates 120 are provided so that the exhaust space S3, the control unit installation space S4, and the gas source part installation space S5 are formed separately from each other. They can be installed in combination with each other.

상기 복수의 프레임(110)들은, 도 4에 도시된 바와 같이, 독립된 내부공간들 내 유해가스를 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 내부공간들로부터 배기부(200) 측으로 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다. As shown in FIG. 4 , the plurality of frames 110 deliver harmful gases from the internal spaces to the exhaust unit 200 to exhaust the harmful gases in the independent internal spaces through the exhaust unit 200 . As a configuration including at least one exhaust frame 130 in which an exhaust flow path is formed therein, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 복수의 프레임(110)들은, 서로 결합되어 설치됨으로써, 하우징(100)의 구조를 형성하며, 지면과 수직하게 설치되는 복수의 수직프레임과 지면에 평행하게 설치되는 복수의 수평프레임을 포함하고, 적어도 3개 이상의 수직프레임이 설치된 상태에서 복수의 내부공간을 형성하기 위하여 수평프레임들이 지면에 평행하게 수직프레임들에 결합되어 설치될 수 있다.For example, the plurality of frames 110 are coupled to each other and installed to form the structure of the housing 100 , a plurality of vertical frames installed perpendicular to the ground and a plurality of horizontal frames installed parallel to the ground. Including, in order to form a plurality of internal spaces in a state in which at least three or more vertical frames are installed, the horizontal frames may be installed by being coupled to the vertical frames parallel to the ground.

상기 복수의 플레이트(120)들은, 외부와 차단되는 내부공간들이 형성되도록, 프레임(110)들에 결합되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of plates 120 are coupled to the frames 110 to form internal spaces that are blocked from the outside, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 복수의 플레이트(120)들은, 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3)이 외부와 격리되어 독립적으로 형성되도록 프레임(110)들에 결합되어 하우징(100)을 복수의 프레임(110)들과 함께 구성할 수 있다.For example, the plurality of plates 120 are attached to the frames 110 so that the process chamber installation space S1, the gas supply unit installation space S2, and the exhaust space S3 are formed independently from the outside. By being combined, the housing 100 may be configured together with the plurality of frames 110 .

즉, 상기 복수의 플레이트(120)들은, 하우징(100)의 측벽 및 상하면을 이루며, 더 나아가 각 공간의 도어(121)로서 구성될 수 있으며, 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3) 등 내부공간들이 하우징(100) 내부에서 독립적으로 형성될 수 있도록, 하우징(100) 내부에 설치되어 각 내부공간들이 분리되어 형성될 수 있도록 할 수 있다.That is, the plurality of plates 120 form the side wall and upper and lower surfaces of the housing 100, and may further be configured as the door 121 of each space, the process chamber installation space S1, the gas supply unit installation space (S2) and the exhaust space (S3) are installed inside the housing 100 so that the internal spaces can be independently formed inside the housing 100, so that the respective internal spaces can be formed separately.

또한, 상기 복수의 플레이트(120)들은, 하우징(100)의 내부공간 내 시설물의 유지, 보수를 위하여 내부공간이 외부로 노출되지 않고, 내부공간 내 시설물에 대한 작업이 가능하도록 하우징(100)의 측벽을 이루는 플레이트(120)에 작업용 글러브(122)가 추가로 설치될 수 있다.In addition, the plurality of plates 120 are of the housing 100 so that the inner space is not exposed to the outside for maintenance and repair of the facilities in the inner space of the housing 100 , and work on the facilities in the inner space is possible. A working glove 122 may be additionally installed on the plate 120 constituting the side wall.

한편, 공정챔버설치공간(S1)에 설치되는 공정챔버(10)의 하부면을 관통하여 가스공급유닛설치공간(S2)에 설치되는 배기라인 및 상하구동부로 인해 공정챔버(10) 내부의 공정가스 및 반응가스 등이 가스공급유닛설치공간(S2)으로 누출되거나, 가스공급유닛설치공간(S2)의 유해가스가 공정챔버(10)로 누출되는 문제가 있을 수 있다.On the other hand, the process gas inside the process chamber 10 due to the exhaust line and the vertical drive unit installed in the gas supply unit installation space S2 through the lower surface of the process chamber 10 installed in the process chamber installation space (S1) And there may be a problem in that the reaction gas or the like leaks into the gas supply unit installation space ( S2 ) or the harmful gas in the gas supply unit installation space ( S2 ) leaks into the process chamber ( 10 ).

이 경우, 공정챔버(10)의 내부에 기판처리를 위하여 분사되는 공정가스의 가스공급유닛설치공간(S2)으로의 누출을 방지하기 위하여, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 사이에 차단부재가 추가로 설치될 수 있다.In this case, in order to prevent leakage of the process gas injected into the process chamber 10 for substrate processing into the gas supply unit installation space S2, the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space (S1) A blocking member may be additionally installed between S2).

상기 차단부재는, 공정챔버(10)의 저면에 밀착설치되어, 공정챔버(10)와 가스공급유닛설치공간(S2) 사이의 가스이동을 방지할 수 있다.The blocking member may be installed in close contact with the bottom surface of the process chamber 10 to prevent gas movement between the process chamber 10 and the gas supply unit installation space S2.

상기 차단부재는, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 사이에 설치되는 플레이트(120)를 대신하여 설치될 수 있으며, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2) 사이에 설치되는 플레이트(120)의 상면에 설치될 수 있음은 또한 물론이다.The blocking member may be installed instead of the plate 120 installed between the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2, and the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space Of course, it can also be installed on the upper surface of the plate 120 installed between (S2).

상기 차단부재는, 수직프레임 또는 수평프레임에 결합설치될 수 있으며, 외부온도변화에 따른 길이변화를 고려하여, 수직프레임 또는 수평프레임의 결합부위에 탄성재질의 탄성부재가 설치될 수 있다.The blocking member may be installed to be coupled to a vertical frame or a horizontal frame, and an elastic member made of an elastic material may be installed at a coupling portion of the vertical frame or the horizontal frame in consideration of a change in length according to an external temperature change.

더 나아가, 상기 차단부재는, 수직프레임 또는 수평프레임의 결합부위가 외부 온도변화에 따른 길이변화를 고려하여 상하로 이동가능하도록 설치될 수 있다.Furthermore, the blocking member may be installed so that the coupling portion of the vertical frame or the horizontal frame is movable up and down in consideration of the length change according to the external temperature change.

상기 배기프레임(130)은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 하우징(100)의 내부공간들로부터 배기부(200) 측으로 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The exhaust frame 130 is, as shown in FIGS. 5 and 6, an exhaust flow path for delivering harmful gas from the internal spaces of the housing 100 to the exhaust unit 200 side is formed therein, Various configurations are possible.

상기 배기프레임(130)은, 유해가스의 전달을 위한 구성일 뿐만 아니라, 복수의 프레임(110)들 및 복수의 플레이트(120)들과 결합하여 하우징(100)을 구성함은 또한 물론이다. The exhaust frame 130 is not only configured for delivery of harmful gases, but also constitutes the housing 100 by combining with the plurality of frames 110 and the plurality of plates 120 .

예를 들면, 상기 배기프레임(130)은, 내부에 배기유로가 형성되어 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2)이 각각 배기공간(S3)과 연통되도록 하는 구성으로서, 공정챔버설치공간(S1) 및 배기공간(S3) 사이에서 지면과 평행하게 설치되며, 공정챔버설치공간(S1) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 공정챔버설치공간(S1)과 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제1배기유로(132)가 형성되는 수평배기프레임(131)과, 지면에 수직으로 설치되며, 가스공급유닛설치공간(S2) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 가스공급유닛설치공간(S2)과 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제2배기유로(141)가 형성되는 수직배기프레임(140)을 포함할 수 있다.For example, the exhaust frame 130 has an exhaust passage formed therein so that the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 communicate with the exhaust space S3, respectively. It is installed parallel to the ground between the chamber installation space (S1) and the exhaust space (S3), and for exhaust through the exhaust unit 200 of harmful gas in the process chamber installation space (S1), the process chamber installation space (S1) and An exhaust part ( 200), a vertical exhaust frame 140 having a second exhaust passage 141 formed therein so that the gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3 communicate with each other may be included.

또한 상기 배기프레임(130)은, 제어유닛설치공간(S4) 및 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 제어유닛설치공간(S4) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 제어유닛설치공간(S4)과 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 제어유닛배기프레임(150)을 포함할 수 있다.In addition, the exhaust frame 130 is installed between the control unit installation space (S4) and the exhaust space (S3), and the control unit for exhausting harmful gases in the control unit installation space (S4) through the exhaust unit (200). The installation space S4 and the exhaust space S3 may include a control unit exhaust frame 150 in which an exhaust flow path is formed to communicate with each other.

더 나아가, 상기 배기프레임(130)은, 가스소스부설치공간(S5) 및 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 가스소스부설치공간(S5) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 가스소스부설치공간(S5)과 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 가스소스부배기프레임(160)을 포함할 수 있다.Furthermore, the exhaust frame 130 is installed between the gas source installation space S5 and the exhaust space S3, and exhausts harmful gases in the gas source installation space S5 through the exhaust 200. For this purpose, it may include a gas source unit exhaust frame 160 in which an exhaust flow path is formed so that the gas source installation space S5 and the exhaust space S3 communicate with each other.

상기 수평배기프레임(131)은, 공정챔버설치공간(S1) 및 배기공간(S3) 사이에 지면에 평행하게 설치되는 프레임으로서, 공정챔버설치공간(S1)을 향하여 하나 이상 형성되는 제1흡입구(133)와, 배기공간(S3)을 향하여 하나 이상 형성되는 제1배출구(134)와, 제1흡입구(133)와 제1배출구(134)를 연결함으로써, 공정챔버설치공간(S1)과 배기공간(S3)이 연통되도록하는 제1배기유로(132)가 형성될 수 있다.The horizontal exhaust frame 131 is a frame installed parallel to the ground between the process chamber installation space S1 and the exhaust space S3, and is formed with one or more first suction ports toward the process chamber installation space S1 ( 133), one or more first outlets 134 formed toward the exhaust space S3, and the first inlet 133 and the first outlet 134 are connected by connecting the process chamber installation space S1 and the exhaust space A first exhaust passage 132 through which ( S3 ) communicates may be formed.

이 경우, 상기 제1배기유로(132)는, 수평배기프레임(131)의 내부에 형성되는 홈으로써, 수평배기프레임(131)의 길이방향을 따라서 제1흡입구(133)와 제1배출구(134)가 연결되도록 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 공정챔버설치공간(S1)과 배기공간(S3)이 최단거리로 연통되도록 형성될 수 있다.In this case, the first exhaust passage 132 is a groove formed inside the horizontal exhaust frame 131 , and includes a first suction port 133 and a first exhaust port 134 along the longitudinal direction of the horizontal exhaust frame 131 . ) may be formed to be connected, and more preferably, the process chamber installation space S1 and the exhaust space S3 may be formed to communicate with each other by the shortest distance.

상기 수직배기프레임(140)은, 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3) 사이에 지면에 수직으로 설치되는 프레임으로서, 가스공급유닛설치공간(S2)을 향하여 하나 이상 형성되는 제2흡입구(142)와, 배기공간(S3)을 향하여 하나 이상 형성되는 제2배출구(143)와, 제2흡입구(142) 및 제2배출구(143)를 연결함으로써, 가스공급유닛설치공간(S2)과 배기공간(S3)이 연통되도록하는 제2배기유로(141)가 형성될 수 있다.The vertical exhaust frame 140 is a frame vertically installed on the ground between the gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3, and is formed toward the gas supply unit installation space S2. By connecting the inlet 142, the second outlet 143 formed at least one toward the exhaust space S3, and the second inlet 142 and the second outlet 143, the gas supply unit installation space S2 A second exhaust passage 141 may be formed so that the exhaust space S3 communicates with the second exhaust passage 141 .

이 경우, 상기 제2배기유로(141)는, 수직배기프레임(140)의 내부에 형성되는 홈으로써, 수직배기프레임(140)의 길이방향을 따라서 제2흡입구(142)와 제2배출구(143)가 연결되도록 형성될 수 있다.In this case, the second exhaust passage 141 is a groove formed inside the vertical exhaust frame 140 , and includes a second suction port 142 and a second exhaust port 143 along the longitudinal direction of the vertical exhaust frame 140 . ) may be formed to be connected.

다른 예로서, 상기 수평배기프레임(131)은, 가스공급유닛설치공간(S2) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 가스공급유닛설치공간(S2)과 배기공간(S3)이 연통되도록 제2배기유로(141)와 연결되는 제3배기유로(135)가 내부에 추가로 형성될 수 있으며, 이로써 제2배기유로(141) 및 제3배기유로(135)를 통해 가스공급유닛설치공간(S2)의 유해가스가 배기공간(S3)으로 이동할 수 있다.As another example, the horizontal exhaust frame 131 includes a gas supply unit installation space S2 and an exhaust space S3 for exhausting harmful gases in the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200 . A third exhaust flow path 135 connected to the second exhaust flow path 141 may be additionally formed therein so as to communicate with each other, thereby supplying gas through the second exhaust flow path 141 and the third exhaust flow path 135 . Noxious gas in the unit installation space (S2) may move to the exhaust space (S3).

한편, 제1배기유로(132) 및 제3배기유로(135)가 서로 분리되어 형성됨으로써, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2)이 배기공간(S3)과 각각 독립적으로 연통될 수 있다.On the other hand, since the first exhaust passage 132 and the third exhaust passage 135 are formed to be separated from each other, the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 are each independently of the exhaust space S3. can be communicated.

즉, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)은, 배기공간(S3)과 각각 독립적으로 연통될 수 있으며, 보다 구체적으로는 공정챔버설치공간(S1)과 배기공간(S3)이 연통되고, 가스공급유닛설치공간(S2)과 배기공간(S3)이 연통되며 공정챔버설치공간(S1)과 가스공급유닛설치공간(S2)은 서로 연통됨이 없이 독립적일 수 있다.That is, the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 may each independently communicate with the exhaust space S3, and more specifically, the process chamber installation space S1 and the exhaust space. (S3) is communicated, the gas supply unit installation space (S2) and the exhaust space (S3) are communicated, and the process chamber installation space (S1) and the gas supply unit installation space (S2) are independent without communicating with each other .

이때, 상기 제2배기유로(141)가 제1배기유로(132)와 연결되어 가스공급유닛설치공간(S2)의 유해가스가 배기공간(S3)으로 이동할 수 있음은 또한 물론이다. At this time, it goes without saying that the second exhaust passage 141 is connected to the first exhaust passage 132 so that the harmful gas in the gas supply unit installation space S2 can move to the exhaust space S3 .

상기 제어유닛배기프레임(150)은, 제어유닛설치공간(S4) 및 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 제어유닛설치공간(S4) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 제어유닛설치공간(S4)과 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다. The control unit exhaust frame 150 is installed between the control unit installation space S4 and the exhaust space S3, and controls for exhausting harmful gases in the control unit installation space S4 through the exhaust unit 200 As a configuration in which an exhaust flow path is formed inside the unit installation space (S4) and the exhaust space (S3) to communicate with each other, various configurations are possible.

상기 제어유닛배기프레임(150)은, 제어유닛설치공간(S4)측에 유해가스의 흡입을 위한 흡입구가 형성되고, 배기공간(S3)을 향하여 유해가스를 배출하기 위한 배출구(152)가 형성되며, 흡입구와 배출구(152)가 연통되도록 배기유로가 형성될 수 있다.The control unit exhaust frame 150 has an intake port for inhaling harmful gases on the control unit installation space S4 side, and an exhaust port 152 for discharging harmful gases toward the exhaust space S3 is formed. , an exhaust passage may be formed so that the inlet and the outlet 152 communicate with each other.

상기 제어유닛배기프레임(150)은, 내부에 길이방향으로 배기유로가 형성될 수 있으나, 보다 바람직하게는 제어유닛설치공간(S4)과 배기공간(S3) 사이에 최단거리로 형성되도록 배기유로가 형성될 수 있다.The control unit exhaust frame 150 may have an exhaust flow path formed therein in the longitudinal direction, but more preferably, the exhaust flow path is formed to be the shortest distance between the control unit installation space S4 and the exhaust space S3. can be formed.

상기 가스소스부배기프레임(160)은, 가스소스부설치공간(S5) 및 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 가스소스부설치공간(S5) 내 유해가스의 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 가스소스부설치공간(S5)과 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas source part exhaust frame 160 is installed between the gas source part installation space S5 and the exhaust space S3, and exhausts harmful gases in the gas source part installation space S5 through the exhaust part 200. As a configuration in which an exhaust flow path is formed therein so that the gas source installation space S5 and the exhaust space S3 communicate with each other for this purpose, various configurations are possible.

상기 가스소스부배기프레임(160)은, 제어유닛배기프레임(150)과 마찬가지로, 가스소스부설치공간(S5)측에 유해가스의 흡입을 위한 흡입구가 형성되고, 배기공간(S3)을 향하여 유해가스를 배출하기 위한 배출구(162)가 형성되며, 흡입구와 배출구(162)가 연통되도록 배기유로가 형성될 수 있다.The gas source unit exhaust frame 160, like the control unit exhaust frame 150, has an inlet for inhaling harmful gas on the gas source unit installation space S5 side, and is harmful toward the exhaust space S3. An exhaust port 162 for discharging gas may be formed, and an exhaust flow path may be formed so that the intake port and the discharge port 162 communicate with each other.

상기 가스소스부배기프레임(160)은, 내부에 길이방향으로 배기유로가 형성될 수 있으나, 보다 바람직하게는 가스소스부설치공간(S5)과 배기공간(S3) 사이에 최단거리로 형성되도록 배기유로가 형성될 수 있다.The gas source part exhaust frame 160 may have an exhaust flow path formed therein in the longitudinal direction, but more preferably, exhaust the gas so as to be formed in the shortest distance between the gas source part installation space S5 and the exhaust space S3. A flow path may be formed.

상기 배기부(200)는, 하우징(100) 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 내부공간들의 유해가스가 배기되도록, 하우징(100)에 배기펌프와 연통되어 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The exhaust unit 200 is provided in communication with the exhaust pump in the housing 100 so that harmful gases in internal spaces are exhausted through the exhaust pump provided outside the housing 100 , and various configurations are possible.

상기 배기부(200)는, 하우징(100)의 내부공간들로부터 상부공간(S3)으로 전달되는 유해가스를 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 배기할 수 있으며, 배기프레임(130)을 통해 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2), 제어부설치공간(S4) 및 가스소스부설치공간(S5)으로부터 배기공간(S3)으로 전달되는 유해가스를 외부로 배기할 수 있다.The exhaust unit 200 may exhaust noxious gas transferred from the inner spaces of the housing 100 to the upper space S3 through an exhaust pump provided outside, and a process chamber through the exhaust frame 130 . Noxious gas transferred from the installation space S1, the gas supply unit installation space S2, the control unit installation space S4, and the gas source installation space S5 to the exhaust space S3 may be exhausted to the outside.

예를 들면, 상기 배기부(200)는, 하우징(100)의 천장에 해당하는 플레이트(120)에 설치되어, 외부의 배기펌프와 연통되는 구성으로서, 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2), 제어부설치공간(S4) 및 가스소스부설치공간(S5)으로부터 전달되는 유해가스를 외부로 배기할 수 있는 구성이면 종래에 계시된 어떠한 형태의 배기포트도 적용 가능하다. For example, the exhaust unit 200 is installed on the plate 120 corresponding to the ceiling of the housing 100 and communicates with an external exhaust pump, and includes a process chamber installation space S1 and a gas supply unit. Any type of exhaust port disclosed in the prior art is applicable as long as it is configured to exhaust the harmful gas delivered from the installation space S2, the control unit installation space S4, and the gas source installation space S5 to the outside.

한편, 상기 배기부(200)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2), 제어유닛설치공간(S4) 및 가스소스부설치공간(S5)으로부터 상기 배기프레임(130)을 통해 전달되는 유해가스가 직접 전달되도록, 각 내부공간들과 연통되는 복수의 배기관을 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 7 , the exhaust unit 200 includes a process chamber installation space S1 , a gas supply unit installation space S2 , a control unit installation space S4 , and a gas source installation space S5 . ) may include a plurality of exhaust pipes communicating with each of the internal spaces so that the harmful gas delivered through the exhaust frame 130 is directly transmitted from the exhaust frame 130 .

예를 들면, 공정챔버설치공간(S1) 및 가스공급유닛설치공간(S2)으로부터 기 배기프레임(130)을 통해 전달되는 유해가스가 직접 전달되도록, 수평배기프레임(131)에 제1배기유로(132)와 연통되어 결합되는 제1배기관(201)과, 수평배기프레임(131)에 제3배기유로(135)와 연통되어 결합되는 제2배기관(202)을 포함할 수 있다.For example, the first exhaust flow path ( It may include a first exhaust pipe 201 coupled in communication with the 132 , and a second exhaust pipe 202 coupled to the horizontal exhaust frame 131 in communication with the third exhaust passage 135 .

상기 제1배기관(201)은, 수평배기프레임(131) 내에 형성되는 제1배기유로(132)를 통해 전달되는 공정챔버설치공간(S1) 내의 유해가스를 배기부(200)에 직접 전달하기 위하여, 제1배출구(134)에 결합되어 제1배기유로(132)에 직접 연결되는 구성일 수 있다.The first exhaust pipe 201 is, in order to directly deliver the harmful gas in the process chamber installation space S1 delivered through the first exhaust passage 132 formed in the horizontal exhaust frame 131 to the exhaust unit 200 . , coupled to the first outlet 134 may be configured to be directly connected to the first exhaust passage 132 .

상기 제2배기관(202)은, 제1배기관(201)과 마찬가지로, 수평배기프레임(131) 내에 형성되는 제3배기유로(135)를 통해 전달되는 가스공급유닛설치공간(S2) 내의 유해가스를 배기부(200)에 직접 전달하기 위하여, 제2배출구(143)에 결합되어 제3배기유로(135)에 직접 연결되는 구성일 수 있다.The second exhaust pipe 202, similarly to the first exhaust pipe 201, discharges harmful gas in the gas supply unit installation space S2 delivered through the third exhaust passage 135 formed in the horizontal exhaust frame 131. In order to directly transmit to the exhaust unit 200 , it may be coupled to the second exhaust port 143 and directly connected to the third exhaust passage 135 .

한편, 상기 배기부(200)는, 제어유닛설치공간(S4)으로부터 제어유닛배기프레임(150)을 통해 전달되는 유해가스가 직접 전달되도록, 제어유닛배기프레임(150)에 결합되는 제3배기관(203) 및 가스소스부설치공간(S5)으로부터 가스소스부배기프레임(160)을 통해 전달되는 유해가스가 직접 전달되도록, 가스소스부배기프레임(160)에 결합되는 제4배기관(204)을 더 포함할 수 있다.On the other hand, the exhaust unit 200 is a third exhaust pipe coupled to the control unit exhaust frame 150 so that the harmful gas delivered from the control unit installation space S4 through the control unit exhaust frame 150 is directly transmitted ( 203) and a fourth exhaust pipe 204 coupled to the gas source sub-exhaust frame 160 so that the harmful gas delivered from the gas source sub-installation space S5 through the gas source sub-exhaust frame 160 is directly transmitted. may include

상기 제3배기관(203) 및 상기 제4배기관(204)은, 각각 제어유닛배기프레임(150)에 형성되는 배출구(152) 및 가스소스부배기프레임(160)에 형성되는 배출구(162)에 각각 결합되어, 제어유닛설치공간(S4) 및 가스소스부설치공간(S5) 내의 유해가스를 배기부(200)로 직접 전달되도록 할 수 있다.The third exhaust pipe 203 and the fourth exhaust pipe 204 are respectively provided at the outlet 152 formed in the control unit exhaust frame 150 and the outlet 162 formed in the gas source sub-exhaust frame 160, respectively. By being combined, the harmful gas in the control unit installation space S4 and the gas source installation space S5 can be directly transferred to the exhaust unit 200 .

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 유해가스의 검출을 위하여, 하우징(100) 내부에 설치되는 하나 이상의 가스검출센서(300)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include one or more gas detection sensors 300 installed inside the housing 100 to detect harmful gases.

상기 가스검출센서(300)는, 하우징(100) 내부공간에 설치되어 내부공간의 유해가스의 정도를 측정하는 구성으로서, 다양한 구성일 수 있다.The gas detection sensor 300 is installed in the inner space of the housing 100 to measure the degree of harmful gas in the inner space, and may have various configurations.

상기 가스검출센서(300)는, 유해가스 뿐만아니라, 기판처리를 위하여 사용되는 공정가스, 공정처리에 따른 반응가스 및 퍼지가스 등 다양한 종류의 가스를 검출할 수 있으며, 하우징(100) 내부공간의 가스의 종류와 정량적 수치를 검출할 수 있다.The gas detection sensor 300 can detect various types of gases, such as a process gas used for substrate processing, a reaction gas and a purge gas according to process processing, as well as harmful gases, and Gas types and quantitative values can be detected.

예를 들면, 상기 가스검출센서(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 배기공간(S3)에 설치되어, 배기공간(S3)의 유해가스 정도를 파악할 수 있으며, 보다 바람직하게는 공정챔버설치공간(S1), 가스공급유닛설치공간(S2) 및 배기공간(S3) 각각에 설치되어, 각 공간의 가스의 종류와 정량적 수치를 검출할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2 , the gas detection sensor 300 is installed in the exhaust space S3 to determine the degree of harmful gas in the exhaust space S3, and more preferably, the process chamber Installed in each of the installation space (S1), the gas supply unit installation space (S2), and the exhaust space (S3), it is possible to detect the type and quantitative value of the gas in each space.

이 경우, 상기 검출센서(300)의 가스 검출 여부를 통해, 하우징(100) 도어(121)의 잠금해제 가능여부가 결정될 수 있으며, 검출센서(300)의 유해가스 검출로 내부공간에 유해가스가 있는 경우, 도어(121)가 개방되지 않도록 잠금해제가 불가할 수 있다.In this case, whether the door 121 of the housing 100 can be unlocked can be determined through whether the detection sensor 300 detects the gas, and the harmful gas is detected in the internal space by the detection sensor 300 . If there is, unlocking may not be possible to prevent the door 121 from being opened.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and It will be said that the technical idea and the technical idea accompanying the fundamental are all included in the scope of the present invention.

10: 공정챔버 20: 가스공급유닛
30: 제어유닛 40: 가스소스부
100: 하우징 200: 배기부
300: 가스검출센서
10: process chamber 20: gas supply unit
30: control unit 40: gas source unit
100: housing 200: exhaust
300: gas detection sensor

Claims (12)

밀폐된 처리공간을 형성하며, 기판처리를 수행하는 공정챔버(10)와;
상기 공정챔버(10)가 설치되는 공정챔버설치공간(S1)을 포함하여 적어도 2개 이상의 복수의 독립된 내부공간들을 형성하는 하우징(100)과;
상기 하우징(100) 외부에 구비되는 배기펌프를 통해 유해가스가 배기되도록, 상기 하우징(100)에 상기 배기펌프와 연통되어 구비되는 배기부(200)를 포함하며,
상기 하우징(100)은,
독립된 상기 내부공간들 내 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기하기 위하여, 상기 내부공간들로부터 상기 배기부(200) 측으로 상기 유해가스를 전달하기 위한 배기유로가 내부에 형성되는 배기프레임(130)을 하나 이상 포함하며, 서로 결합되어 설치되는 복수의 프레임(110)들과;
외부와 차단되는 복수의 상기 내부공간들이 형성되도록, 상기 프레임(110)들에 결합되는 복수의 플레이트(120)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
a process chamber 10 forming a closed processing space and performing substrate processing;
a housing 100 forming at least two or more independent inner spaces including a process chamber installation space S1 in which the process chamber 10 is installed;
and an exhaust unit 200 provided in communication with the exhaust pump in the housing 100 so that harmful gas is exhausted through an exhaust pump provided outside the housing 100,
The housing 100 is
In order to exhaust the harmful gas in the independent internal spaces through the exhaust unit 200, an exhaust frame in which an exhaust flow path for delivering the harmful gas from the internal spaces to the exhaust unit 200 is formed therein. a plurality of frames 110 including at least one 130 and coupled to each other to be installed;
and a plurality of plates (120) coupled to the frames (110) so as to form a plurality of the inner spaces that are blocked from the outside.
청구항 1에 있어서,
상기 하우징(100)은,
상기 내부공간들의 상기 유해가스가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여, 상기 내부공간들이 외부보다 낮은 음압을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
The housing 100 is
The substrate processing apparatus, characterized in that in order to prevent the harmful gas from leaking out of the inner spaces, the inner spaces form a lower negative pressure than the outside.
청구항 2에 있어서,
상기 하우징(100)은,
상기 공정챔버(10)의 하부에서 상기 공정챔버(10)로의 기판처리를 위한 공정가스 공급을 단속하는 가스공급유닛(20)이 설치되는 가스공급유닛설치공간(S2)이 상기 공정챔버설치공간(S1)의 하단에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
3. The method according to claim 2,
The housing 100 is
The gas supply unit installation space (S2) in which the gas supply unit 20 for controlling the supply of process gas for substrate processing from the lower part of the process chamber 10 to the process chamber 10 is installed is the process chamber installation space ( Substrate processing apparatus, characterized in that formed at the lower end of S1).
청구항 3에 있어서,
상기 하우징(100)은,
상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내의 상기 유해가스를 상기 배기부(200)를 통해 배기할 수 있도록, 상기 배기프레임(130)을 통해 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 각각 연통되며, 상기 배기부(200)가 설치되는 배기공간(S3)이 상기 공정챔버설치공간(S1)의 상단에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
4. The method according to claim 3,
The housing 100 is
The process chamber installation space ( S1) and the gas supply unit installation space (S2) communicated with each other, the exhaust space (S3) in which the exhaust unit 200 is installed, characterized in that the substrate is formed at the upper end of the process chamber installation space (S1) processing unit.
청구항 4에 있어서,
상기 배기프레임(130)은,
상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 배기공간(S3) 사이에서 지면과 평행하게 설치되며, 상기 공정챔버설치공간(S1) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 공정챔버설치공간(S1)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제1배기유로(132)가 형성되는 수평배기프레임(131)과,
지면에 수직으로 설치되며, 상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 내부에 제2배기유로(141)가 형성되는 수직배기프레임(140)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. The method according to claim 4,
The exhaust frame 130 is
The process is installed parallel to the ground between the process chamber installation space S1 and the exhaust space S3, and the harmful gas in the process chamber installation space S1 is exhausted through the exhaust unit 200. A horizontal exhaust frame 131 having a first exhaust passage 132 formed therein so that the chamber installation space S1 and the exhaust space S3 communicate with each other;
The gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3 are installed vertically on the ground and in order to exhaust the harmful gas in the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200. A substrate processing apparatus comprising: a vertical exhaust frame 140 having a second exhaust passage 141 formed therein so as to communicate therein.
청구항 5에 있어서,
상기 수평배기프레임(131)은,
상기 가스공급유닛설치공간(S2) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여, 상기 가스공급유닛설치공간(S2)과 상기 배기공간(S3)이 연통되도록 상기 제2배기유로(141)와 연결되는 제3배기유로(135)가 내부에 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
6. The method of claim 5,
The horizontal exhaust frame 131 is,
In order to exhaust the harmful gas in the gas supply unit installation space S2 through the exhaust unit 200, the second exhaust flow path allows the gas supply unit installation space S2 and the exhaust space S3 to communicate with each other. A substrate processing apparatus, characterized in that a third exhaust passage (135) connected to (141) is additionally formed therein.
청구항 6에 있어서,
상기 제1배기유로(132) 및 상기 제3배기유로(135)가 서로 분리되어 형성됨으로써, 상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)이 상기 배기공간(S3)과 각각 독립적으로 연통되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
7. The method of claim 6,
The first exhaust passage 132 and the third exhaust passage 135 are formed to be separated from each other so that the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 are separated from the exhaust space S3 and the gas supply unit installation space S2. Substrate processing apparatus, characterized in that each independently communicated.
청구항 7에 있어서,
상기 배기부(200)는,
상기 공정챔버설치공간(S1) 및 상기 가스공급유닛설치공간(S2)으로부터 상기 배기프레임(130)을 통해 전달되는 상기 유해가스가 직접 전달되도록, 상기 수평배기프레임(131)에 상기 제1배기유로(132)와 연통되어 결합되는 제1배기관(201)과, 상기 수평배기프레임(131)에 상기 제3배기유로(135)와 연통되어 결합되는 제2배기관(202)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
8. The method of claim 7,
The exhaust unit 200,
The first exhaust flow path to the horizontal exhaust frame 131 so that the harmful gas delivered through the exhaust frame 130 from the process chamber installation space S1 and the gas supply unit installation space S2 is directly transmitted. A first exhaust pipe (201) coupled in communication with (132), and a second exhaust pipe (202) coupled to the horizontal exhaust frame (131) in communication with the third exhaust flow path (135) Substrate processing equipment.
청구항 4에 있어서,
상기 하우징(100)은,
상기 공정챔버(10) 및 상기 가스공급유닛(20)을 제어하기 위한 제어유닛(30)이 설치되는 제어유닛설치공간(S4)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성되며,
상기 배기프레임(130)은,
상기 제어유닛설치공간(S4) 및 상기 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 상기 제어유닛설치공간(S4) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 제어유닛설치공간(S4)과 상기 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 제어유닛배기프레임(150)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. The method of claim 4,
The housing 100 is
A control unit installation space (S4) in which a control unit (30) for controlling the process chamber (10) and the gas supply unit (20) is installed is formed adjacent to the exhaust space (S3),
The exhaust frame 130 is
It is installed between the control unit installation space (S4) and the exhaust space (S3), and the control unit installation space (S4) for exhausting the harmful gas through the exhaust unit 200 ( and a control unit exhaust frame (150) having an exhaust flow path formed therein so that S4) and the exhaust space (S3) communicate with each other.
청구항 4에 있어서,
상기 하우징(100)은,
상기 공정챔버(10)의 내부에 기판처리를 위하여 분사되는 상기 공정가스를 공급하는 가스소스부(40)가 설치되는 가스소스부설치공간(S5)이 상기 배기공간(S3)에 인접하여 형성되며,
상기 배기프레임(130)은,
상기 가스소스부설치공간(S5) 및 상기 배기공간(S3) 사이에 설치되며, 상기 가스소스부설치공간(S5) 내 상기 유해가스의 상기 배기부(200)를 통한 배기를 위하여 상기 가스소스부설치공간(S5)과 상기 배기공간(S3)이 서로 연통되도록 내부에 배기유로가 형성되는 가스소스부배기프레임(160)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. The method of claim 4,
The housing 100 is
A gas source part installation space S5 in which a gas source part 40 for supplying the process gas injected for substrate processing is installed in the process chamber 10 is formed adjacent to the exhaust space S3, ,
The exhaust frame 130 is
The gas source unit is installed between the gas source unit installation space (S5) and the exhaust space (S3) to exhaust the harmful gas in the gas source unit installation space (S5) through the exhaust unit (200). and a gas source unit exhaust frame (160) having an exhaust flow path formed therein so that the installation space (S5) and the exhaust space (S3) communicate with each other.
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유해가스의 검출을 위하여, 상기 하우징(100) 내부에 설치되는 하나 이상의 가스검출센서(300)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising one or more gas detection sensors (300) installed inside the housing (100) to detect the harmful gas.
청구항 11에 있어서,
상기 가스검출센서(300)의 상기 유해가스 검출 여부를 통해, 상기 하우징(100) 도어(121)의 잠금해제 가능여부가 결정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
12. The method of claim 11,
The substrate processing apparatus, characterized in that whether the door (121) of the housing (100) can be unlocked is determined based on whether the gas detection sensor (300) detects the harmful gas.
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