KR102390114B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는, 서로 다른 컬러를 표시하는 제1,2,3화소영역으로서 예를 들어 R,G,B 화소영역을 'BGRRGB'의 배열 순서로 반복 배치한다. 그리고, R 화소영역는 해당 R 발광물질층과 이 상부에 인접한 G 화소영역의 G 발광물질층을 적층하고, G 화소영역는 해당 G 발광물질층과 이 상부에 인접한 B 발광물질층을 적층하며, B 화소영역에는 해당 B 발광물질층을 적층하게 된다.
이와 같은 특유의 화소영역 배열 구조 및 발광물질층의 적층 구조를 채택함에 따라, 발광물질층을 형성하기 위한 증착마스크는 개구부의 폭이 증가될 수 있다.
따라서, 개구부가 발광물질로 막히는 클로깅 현상과 이웃한 립들이 엉키는 마스큼 엉킴 현상과 같은 마스크 불량이 개선될 수 있게 되어, 공정효율이 향상될 수 있다.In the present invention, as the first, second, and third pixel areas displaying different colors, for example, R, G, and B pixel areas are repeatedly arranged in the arrangement order of 'BGRRGB'. In the R pixel region, a corresponding R emitting material layer and a G emitting material layer of the G pixel region adjacent thereto are stacked, and in the G pixel region, a corresponding G emitting material layer and a B emitting material layer adjacent thereon are stacked, and the B pixel A corresponding B light-emitting material layer is stacked on the region.
By adopting such a unique pixel area arrangement structure and a stacked structure of the light emitting material layer, the width of the opening of the deposition mask for forming the light emitting material layer can be increased.
Accordingly, mask defects such as clogging in which the opening is clogged with a light emitting material and tangling of neighboring lips may be improved, and process efficiency may be improved.

Description

유기발광 표시장치{Organic light emitting display device}Organic light emitting display device

본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.

최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다. Recently, a flat panel display having excellent characteristics such as reduction in thickness, weight reduction, and low power consumption has been widely developed and applied to various fields.

평판표시장치 중에서, 유기 전계발광 표시장치 또는 유기 전기발광 표시장치라고도 불리는 유기발광 표시장치(organic light emitting display device: OLED)는, 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. Among flat panel display devices, an organic light emitting display device (OLED), also called an organic electroluminescent display device or an organic electroluminescent display device, has an electric charge in a light emitting layer formed between a cathode, which is an electron injection electrode, and an anode, which is a hole injection electrode. It is a device that emits light by injecting electrons and holes to form a pair and then annihilates them.

일반적으로, RGB 방식의 유기발광 표시장치는 적색(R),녹색(G),청색(B) 화소영역이 일방향을 따라 교대로 배열되며, R,G,B 화소영역 각각에는 R,G,B를 발광하는 발광물질층이 형성된다. 이와 같은 R,G,B 발광물질층 각각은 해당 증착마스크인 미세 금속 마스크(FMM: final metal mask)를 사용하여 해당 화소영역에 증착된다.In general, in an RGB-type organic light emitting display device, red (R), green (G), and blue (B) pixel regions are alternately arranged along one direction, and R, G, and B pixel regions are respectively arranged in R, G, and B pixel regions. A light-emitting material layer that emits light is formed. Each of the R, G, and B light emitting material layers is deposited on a corresponding pixel area using a final metal mask (FMM) that is a corresponding deposition mask.

그런데, 표시장치의 해상도가 높아짐에 따라 화소영역의 폭 또한 작아지게 되어, 종래의 FMM은 각 발광물질을 증착하기 위한 개구부(또는 오픈부)의 폭이 매우 좁아지고 이로 인해 개구부 양측의 립(rib)들 간의 이격 거리가 매우 짧아지게 된다. However, as the resolution of the display device increases, the width of the pixel region also becomes smaller. In the conventional FMM, the width of the opening (or the open portion) for depositing each light emitting material becomes very narrow. ), the distance between them becomes very short.

따라서, 개구부가 발광물질로 막히는 클로깅(clogging) 현상과 이웃한 립들이 엉키는 마스큼 엉킴 현상과 같은 마스크 불량이 발생하여, 공정효율이 저하된다.Accordingly, mask defects such as a clogging phenomenon in which the opening is clogged with a light emitting material and a tangling phenomenon in which neighboring ribs are entangled occur, thereby reducing process efficiency.

본 발명은 발광물질 증착마스크의 불량을 개선하여 공정효율을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.An object of the present invention is to provide a method capable of improving process efficiency by improving the defect of the light emitting material deposition mask.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 제1,2,3컬러 각각 표시하는 제1,2,3화소영역(P1,P2,P3)이 일방향을 따라 'P3,P2,P1,P1,P2,P3'의 순서로 배열되고 이 배열이 기판과; 상기 기판 상에, 상기 제1화소영역에 형성된 상기 제1컬러의 제1발광물질층과; 상기 제1발광물질층이 형성된 기판 상에, 상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역에 형성된 상기 제2컬러의 제2발광물질층과; 상기 제2발광물질층이 형성된 기판 상에, 상기 제2화소영역 및 상기 제3화소영역에 형성된 제3컬러의 제3발광물질층을 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, the first, second, and third pixel regions P1, P2, and P3 displaying the first, second, and third colors are arranged along one direction 'P3, P2, P1, P1'. , P2, P3' arranged in the order of the substrate; a first light emitting material layer of the first color formed on the substrate in the first pixel region; a second light emitting material layer of the second color formed in the first pixel region and the second pixel region on the substrate on which the first light emitting material layer is formed; Provided is an organic light emitting diode display including a third light emitting material layer of a third color formed in the second pixel region and the third pixel region on the substrate on which the second light emitting material layer is formed.

여기서, 상기 제1발광물질층은 서로 인접하게 배열된 2개의 상기 제1화소영역(P1,P1)을 단위로 형성되고, 상기 제2발광물질층은 서로 인접하게 배열된 4개의 상기 제1,2화소영역(P2,P1,P1,P2)을 단위로 형성되고, 상기 제3발광물질층은 서로 인접하게 배열된 4개의 상기 제2,3화소영역(P2,P3,P3,P2)을 단위로 형성될 수 있다.Here, the first light emitting material layer is formed by the two first pixel regions P1 and P1 arranged adjacent to each other as a unit, and the second light emitting material layer includes four first, The two pixel regions P2, P1, P1, and P2 are formed as a unit, and the third light emitting material layer is formed by using the four second and third pixel regions P2, P3, P3, and P2 arranged adjacent to each other as a unit. can be formed with

상기 제1화소영역에 형성된 상기 제1발광물질층은 발광하고 이 상부의 상기 제2발광물질층은 비발광하며, 상기 제2화소영역에 형성된 상기 제2발광물질층은 발광하고 이 상부의 상기 제3발광물질층은 비발광할 수 있다.The first light emitting material layer formed in the first pixel region emits light, and the second light emitting material layer thereon does not emit light, and the second light emitting material layer formed in the second pixel region emits light and the upper portion of the light emitting material layer emits light. The third light emitting material layer may not emit light.

상기 제1화소영역의 제1발광물질층 및 상기 제2화소영역의 제2발광물질층 하부에 형성된 공통층을 더 포함하고, 상기 상기 제1화소영역의 제1발광물질층 및 상기 제2화소영역의 제2발광물질층 각각은 상기 공통층과 HOMO 에너지 및 LUMO 에너지 각각의 차이가 0.3eV 보다 클 수 있다.a common layer formed under the first light emitting material layer of the first pixel area and the second light emitting material layer of the second pixel area, the first light emitting material layer of the first pixel area and the second pixel Each of the second light emitting material layers in the region may have a difference between the HOMO energy and the LUMO energy of the common layer greater than 0.3 eV.

상기 제1화소영역의 제1발광물질층의 도펀트와 제2발광물질층의 호스트는 HOMO 에너지의 차이가 0.3eV 보다 크고, 상기 제2화소영역의 제2발광물질층의 도펀트와 제3발광물질층의 호스트는 HOMO 에너지의 차이가 0.3eV 보다 클 수 있다.The HOMO energy difference between the dopant of the first light emitting material layer of the first pixel region and the host of the second light emitting material layer is greater than 0.3 eV, and the dopant of the second light emitting material layer of the second pixel region and the third light emitting material The host of the layer may have a difference in HOMO energy greater than 0.3 eV.

상기 제1,2,3컬러 각각은 적색과 녹색과 청색 중 서로 다른 하나일 수 있다.Each of the first, second, and third colors may be a different one of red, green, and blue.

상기 제1화소영역의 제1발광물질층과, 상기 제2화소영역의 제2발광물질층과, 상기 제3화소영역의 제3발광물질층 하부에 각각 형성된 제1전극과, 상기 제1화소영역의 제2발광물질층과, 상기 제2화소영역의 제3발광물질층과, 상기 제3화소영역의 제3발광물질층 상에 형성된 제2전극을 더 포함할 수 있다.A first light emitting material layer in the first pixel region, a second light emitting material layer in the second pixel region, and a first electrode respectively formed under the third light emitting material layer in the third pixel region, and the first pixel It may further include a second light emitting material layer in the region, a third light emitting material layer in the second pixel region, and a second electrode formed on the third light emitting material layer in the third pixel region.

본 발명에서는, 서로 다른 컬러를 표시하는 제1,2,3화소영역으로서 예를 들어 R,G,B 화소영역을 'BGRRGB'의 배열 순서로 반복 배치한다. 그리고, R 화소영역는 해당 R 발광물질층과 이 상부에 인접한 G 화소영역의 G 발광물질층을 적층하고, G 화소영역는 해당 G 발광물질층과 이 상부에 인접한 B 발광물질층을 적층하며, B 화소영역에는 해당 B 발광물질층을 적층하게 된다.In the present invention, as the first, second, and third pixel regions displaying different colors, for example, R, G, and B pixel regions are repeatedly arranged in the arrangement order of 'BGRRGB'. In the R pixel region, a corresponding R emitting material layer and a G emitting material layer of the G pixel region adjacent thereto are stacked, and in the G pixel region, a corresponding G emitting material layer and a B emitting material layer adjacent thereon are stacked, and the B pixel A corresponding B light-emitting material layer is stacked on the region.

이와 같은 특유의 화소영역 배열 구조 및 발광물질층의 적층 구조를 채택함에 따라, 발광물질층을 형성하기 위한 증착마스크는 개구부의 폭이 증가될 수 있다.By adopting such a unique pixel area arrangement structure and a stacked structure of the light emitting material layer, the width of the opening of the deposition mask for forming the light emitting material layer can be increased.

따라서, 개구부가 발광물질로 막히는 클로깅 현상과 이웃한 립들이 엉키는 마스큼 엉킴 현상과 같은 마스크 불량이 개선될 수 있게 되어, 공정효율이 향상될 수 있다.Accordingly, mask defects such as clogging in which the opening is clogged with a light emitting material and tangling of adjacent ribs may be improved, and process efficiency may be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도.
도 2의 절단선 II-II를 따라 개략적으로 도시한 유기발광 표시장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 R,G,B 화소영역의 출광 상태를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 R,G,B 화소영역의 유기발광다이오드들의 광학 특성에 대한 실험 결과를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 뱅크가 구비된 유기발광 표시장치의 단면 구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 6 내지 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명한 단면도.1 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
A cross-sectional view of the organic light emitting diode display schematically shown along the cutting line II-II of FIG. 2 .
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a light output state of R, G, and B pixel regions according to an embodiment of the present invention;
4 is a view showing experimental results on optical characteristics of organic light emitting diodes in R, G, and B pixel regions according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross-sectional structure of an organic light emitting diode display including a bank according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시예에서는 동일 유사한 구성에 대해서는 동일 유사한 도면번호가 부여되고, 그 구체적인 설명은 생략될 수도 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Meanwhile, in the following embodiments, the same and similar reference numerals are assigned to the same and similar components, and a detailed description thereof may be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2의 절단선 II-II를 따라 개략적으로 도시한 유기발광 표시장치의 단면도이다. 도 2에서는, 설명의 편의를 위해 유기발광 표시장치의 유기발광 다이오드를 위주로 도시하였다.1 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view of the organic light emitting display device schematically taken along a cutting line II-II of FIG. 2 . In FIG. 2 , an organic light emitting diode of an organic light emitting display is mainly illustrated for convenience of explanation.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 영상을 표시하는 표시영역에 다수의 화소영역(P)이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.Referring to FIG. 1 , in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment, a plurality of pixel areas P are arranged in a matrix in a display area displaying an image.

다수의 화소영역(P)은, 예를 들면, 서로 다른 3개의 컬러인 제1 내지 3컬러 각각을 출광하는 제1 내지 3화소영역(P1 내지 P3)을 포함할 수 있다.The plurality of pixel areas P may include, for example, first to third pixel areas P1 to P3 that emit light of first to third colors that are three different colors, respectively.

이와 관련하여, 3개의 컬러는 혼합되어 백색을 구현하는 것으로서, 본 실시예에서는 3개의 컬러로서 R,G,B가 사용된 경우를 예로 든다.In this regard, three colors are mixed to implement white, and in this embodiment, a case in which R, G, and B are used as the three colors is exemplified.

이와 같은 경우에, 제1 내지 3화소영역(P1 내지 P3) 각각은 R,G,B 중 서로 다른 하나를 표시하는 화소영역들에 해당된다.In this case, each of the first to third pixel regions P1 to P3 corresponds to pixel regions displaying a different one of R, G, and B.

본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 제1 내지 3화소영역(P1 내지 P3)은 각각 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)인 경우를 예로 든다.In the present embodiment, for convenience of explanation, it is assumed that the first to third pixel regions P1 to P3 are R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3, respectively.

이때, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)은 제2방향의 각 라인인 각 열라인을 따라 스트라이프 형태로 배열될 수 있는데, 즉 동일 컬러의 화소영역은 해당 열라인을 따라 배치될 수 있다.In this case, the R, G, and B pixel regions P1 , P2 , and P3 may be arranged in a stripe shape along each column line, which is each line in the second direction, that is, pixel regions of the same color are arranged along the corresponding column line. can be

한편, 제2방향과 교차하는(또는 수직한) 제2방향의 각 라인인 각 행라인에서는, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)은 배열 순서가 반전되도록 배치된다. Meanwhile, in each row line, which is each line in the second direction intersecting (or perpendicular to) the second direction, the R, G, and B pixel regions P1 , P2 , and P3 are arranged so that the arrangement order is reversed.

이와 관련하여 예를 들면, 'BGRRGBBGRRGB...'(즉, 'P3P2P1P1P2P3P3P2P1P1P2P3...'와 같이, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)은 행라인을 따라 배열 순서가 3개 화소영역 단위로 반전되도록 배치될 수 있다.In this regard, for example, as in 'BGRRGBBGRRGB...' (ie, 'P3P2P1P1P2P3P3P2P1P1P2P3...', the R, G, B pixel areas P1, P2, P3) have three pixels in the arrangement order along the row line. It may be arranged to be inverted in units of regions.

다시 말하면, 인접한 6개의 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)을 단위 화소그룹(PG)으로 정의할 수 있고, 이때 단위 화소그룹(PG)에는 배열순서가 반전된 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)이 배치되며 이 단위 화소그룹(PG)은 행라인을 따라 반복하여 배열될 수 있다.In other words, the six adjacent R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3 may be defined as a unit pixel group PG, and in this case, the R, G, and B pixel regions P1 , P2 , and P3 are disposed, and the unit pixel group PG may be repeatedly arranged along a row line.

이처럼, 단위 화소그룹(PG)은 해당 행라인의 좌우방향이 대칭되는 형태로 배열된 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)으로 구성되고, 이 단위 화소그룹(PG)은 해당 행라인을 따라 반복되도록 배치될 수 있게 된다.As such, the unit pixel group PG is composed of the R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3 arranged in a form in which the left and right directions of the corresponding row lines are symmetrical, and the unit pixel group PG is the corresponding row. It can be arranged to repeat along a line.

이와 같은 배치 구조에 따라, 각 행라인에서는, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3) 중 좌우 양측에 위치한 R,B 화소영역(P1,P3) 각각은 이와 동일한 컬러의 화소영역(P1,P3)이 인접 배치될 수 있다. According to this arrangement structure, in each row line, among the R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3, each of the R, B pixel regions P1 and P3 located on the left and right sides is a pixel region ( P1, P3) may be disposed adjacently.

이와 같이 배치된 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)의 구조에 대해 도 2를 함께 참조하여 설명한다. The structure of the R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3 arranged in this way will be described with reference to FIG. 2 together.

제1 내지 3화소영역(P1 내지 P3)인 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3) 각각에는, 기판(101) 상에 해당 제1,2,3유기발광다이오드(OD1,OD2,OD3)가 형성된다.In each of the R, G, and B pixel regions P1 , P2 and P3 , which are the first to third pixel regions P1 to P3 , the first, second, and third organic light emitting diodes OD1 , OD2 , OD3) is formed.

한편, 유기발광 표시장치(100)는 유기발광 다이오드(OD1,OD2,OD3)의 출광 방향이 기판(101) 방향 즉 하부 방향으로서 하부 발광 방식이거나, 기판(101) 반대 방향인 상부 방향으로서 즉 상부 발광 방식일 수 있다. 본 실시예에서는 상부 방향으로 출광되어 영상이 표시되는 경우를 예로 든다.On the other hand, in the organic light emitting display device 100 , the emission direction of the organic light emitting diodes OD1 , OD2 , OD3 is a bottom light emission method as the substrate 101 direction, that is, a downward direction, or an upper direction opposite to the substrate 101 , that is, an upper direction. It may be a light emitting method. In the present embodiment, an example in which light is emitted in an upward direction and an image is displayed is exemplified.

제1,2,3유기발광다이오드(OD1,OD2,OD3) 각각은, 이 하부에 보호막(140)을 사이에 두고 배치되고 해당 화소영역(P1,P2,P3)에 형성된 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되어, 구동 박막트랜지스터(Td)의 스위칭 동작에 따라 구동전류를 인가받게 된다. Each of the first, second, and third organic light emitting diodes OD1 , OD2 , and OD3 is disposed with the protective film 140 interposed therebetween and is a driving thin film transistor Td formed in the corresponding pixel areas P1 , P2 and P3 . is connected to and receives a driving current according to a switching operation of the driving thin film transistor Td.

제1 내지 3유기발광다이오드(OD1 내지 OD3) 각각은, 기판(101) 상의 해당 화소영역(P1 내지 P3) 각각에 배치된 제1전극(165)과, 제1전극(165)에 상에 이에 대향하며 실질적으로 기판(101) 전면에 배치된(즉, 화소영역 전체에 배치된) 제2전극(169)과, 제1전극(165) 및 제2전극(169) 사이에 위치하고 해당 화소영역(P1 내지 P3)에 배치된 1층 또는 2층 구조의 발광물질층을 포함할 수 있다.Each of the first to third organic light emitting diodes OD1 to OD3 includes a first electrode 165 disposed in each of the pixel regions P1 to P3 on the substrate 101 , and on the first electrode 165 . The second electrode 169 opposite and substantially disposed on the entire surface of the substrate 101 (that is, disposed over the entire pixel area), and located between the first electrode 165 and the second electrode 169 and disposed on the corresponding pixel area ( It may include a light emitting material layer having a one-layer or two-layer structure disposed in P1 to P3).

여기서, 제1전극(165) 및 제2전극(169) 중 하나는 애노드(anode)에 해당되고 다른 하나는 캐소드(cathode)에 해당되는데, 본 실시예에서는 제1전극(165)이 애노드이고 제2전극(169)이 캐소드인 경우를 예로 든다.Here, one of the first electrode 165 and the second electrode 169 corresponds to an anode and the other corresponds to a cathode. In this embodiment, the first electrode 165 is an anode and the second electrode 169 is The case where the second electrode 169 is a cathode is taken as an example.

더욱이, 제1 내지 3유기발광다이오드(OD1 내지 OD3) 각각은, 제1전극(165)과 발광물질층 사이에 배치된 제1공통층(166)과, 제2전극(169)과 발광물질층 사이에 배치된 제2공통층(168)을 포함할 수 있다. Furthermore, each of the first to third organic light emitting diodes OD1 to OD3 includes a first common layer 166 disposed between the first electrode 165 and the light emitting material layer, and the second electrode 169 and the light emitting material layer. It may include a second common layer 168 disposed therebetween.

이때, 제1공통층(166) 및 제2공통층(168)은 기판(101) 전면에 즉 화소영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다.In this case, the first common layer 166 and the second common layer 168 may be formed on the entire surface of the substrate 101 , that is, over the entire pixel area.

이와 관련하여, 모든 R,G,B 화소영역들(P1,P2,P3)의 발광물질층들(171,172,173) 하부에는 제1공통층(166)이 기판(101) 전면을 따라 연속적으로 배치될 수 있다. 그리고, 모든 R,G,B 화소영역들(P1,P2,P3)의 발광물질층들(172,173) 상부에는 제2공통층(168)이 기판(101) 전면을 따라 연속적으로 배치될 수 있다.In this regard, the first common layer 166 may be continuously disposed along the entire surface of the substrate 101 under the light emitting material layers 171 , 172 , and 173 of all the R, G, and B pixel regions P1 , P2 and P3 . there is. In addition, the second common layer 168 may be continuously disposed on the light emitting material layers 172 and 173 of all the R, G, and B pixel regions P1 , P2 , and P3 along the entire surface of the substrate 101 .

이와 같은 제1,2공통층(166,168)은, 이들 사이에 배치된 발광물질층에 대해 캐리어(carrier) 즉 홀(hole)과 전자(electron)의 전달과 관련된 기능을 수행하게 된다.The first and second common layers 166 and 168 perform a function related to the transport of carriers, that is, holes and electrons, with respect to the light emitting material layer disposed therebetween.

여기서, 제1전극(165)이 애노드이고 제2전극(169)이 캐소드인 경우에, 제1공통층(166)은 홀주입층 및/또는 홀수송층 등을 포함할 수 있고, 제2공통층(168)은 전자주입층 및/또는 전자수송층 등을 포함할 수 있다.Here, when the first electrode 165 is an anode and the second electrode 169 is a cathode, the first common layer 166 may include a hole injection layer and/or a hole transport layer, and the like, and the second common layer Reference numeral 168 may include an electron injection layer and/or an electron transport layer.

제1 내지 3유기발광다이오드(OD1 내지 OD3) 각각의 발광물질층의 적층 구조에 대해 살펴본다.A stacked structure of each of the light emitting material layers of the first to third organic light emitting diodes OD1 to OD3 will be described.

R 화소영역(P1)의 제1유기발광다이오드(OD1)에는 2층 구조의 발광물질층이 배치된다. 이 2층 구조는, 하부층으로서 해당 R 화소영역(P1)의 컬러인 R을 발광하는 제1발광물질층(또는 R 발광물질층)(171)과, 상부층으로서 이 화소영역(P1)의 일측에 인접한 다른 컬러의 화소영역인 G 화소영역(P2)의 G를 발광하는 제2발광물질층(또는 G 발광물질층)(172)으로 구성될 수 있다.A light emitting material layer having a two-layer structure is disposed on the first organic light emitting diode OD1 in the R pixel region P1 . This two-layer structure includes a first light emitting material layer (or R light emitting material layer) 171 that emits light of R, which is the color of the R pixel region P1, as a lower layer, and an upper layer on one side of the pixel region P1. The second light emitting material layer (or G light emitting material layer) 172 that emits G of the G pixel area P2, which is an adjacent pixel area of a different color, may be formed.

그리고, G 화소영역(P2)의 제2유기발광다이오드(OD2)에는 2층 구조의 발광물질층이 배치된다. 이 2층 구조는, 하부층으로서 해당 G 화소영역(P2)의 컬러인 G를 발광하는 제2발광물질층(또는 G 발광물질층)(172)과, 상부층으로서 이 화소영역(P2)의 일측에 인접한 다른 컬러의 화소영역인 B 화소영역(P3)의 B를 발광하는 제3발광물질층(또는 B 발광물질층)(173)으로 구성될 수 있다.In addition, a light emitting material layer having a two-layer structure is disposed on the second organic light emitting diode OD2 of the G pixel region P2 . This two-layer structure has a second light emitting material layer (or G light emitting material layer) 172 that emits G, which is the color of the G pixel region P2, as a lower layer, and an upper layer on one side of the pixel region P2. The third light emitting material layer (or B light emitting material layer) 173 that emits light B of the B pixel area P3 which is an adjacent pixel area of a different color may be formed.

한편, 위와 같이 2층 구조로 적층된 발광물질층들은 서로 직접 접촉하도록 형성될 수 있는데, 즉 R 화소영역(P1)에는 제1발광물질층(171) 상에 이에 직접 접촉하도록 제2발광물질층(172)이 형성되고, G 화소영역(P2)에는 제2발광물질층(172) 상에 이에 직접 접촉하도록 제3발광물질층(173)이 형성될 수 있다.Meanwhile, the light emitting material layers stacked in the two-layer structure as described above may be formed to directly contact each other, that is, in the R pixel region P1 , the second light emitting material layer is on the first light emitting material layer 171 to directly contact it. 172 is formed, and in the G pixel region P2 , a third light emitting material layer 173 may be formed on the second light emitting material layer 172 to directly contact it.

또한, B 화소영역(P3)의 제3유기발광다이오드(OD3)에는 1층 구조의 발광물질층이 배치된다. 이 1층 구조는, 해당 B 화소영역(P3)의 컬러인 B를 발광하는 제3발광물질층(또는 B 발광물질층)(173)으로 구성될 수 있다.In addition, a light emitting material layer having a one-layer structure is disposed on the third organic light emitting diode OD3 of the B pixel region P3 . This one-layer structure may include a third light emitting material layer (or B light emitting material layer) 173 that emits light B, which is the color of the corresponding B pixel region P3 .

이하, 제1,2,3화소영역(P1,P2,P3)에 대한 제1,2,3발광물질층(171,172,173)의 적층 구조 및 배치 구조를 보다 상세하게 살펴본다.Hereinafter, the stacking structure and the arrangement structure of the first, second, and third light emitting material layers 171 , 172 , and 173 in the first, second, and third pixel regions P1 , P2 and P3 will be described in detail.

R을 발광하는 제1발광물질층(171)은 해당 컬러의 화소영역들로서 각 행라인에서 서로 좌우로 인접한 2개의 R 화소영역들(P1)에 대응하여 배치될 수 있다. The first light emitting material layer 171 emitting R light is pixel regions of a corresponding color and may be disposed to correspond to two R pixel regions P1 adjacent to each other left and right in each row line.

즉, 인접 배치된 2개의 R 화소영역들(P1) 모두에 제1발광물질층(171)이 공통적으로 형성될 수 있다.That is, the first light emitting material layer 171 may be formed in common in all of the two adjacent R pixel regions P1 .

G를 발광하는 제2발광물질층(172)은, 해당 컬러의 화소영역들로서 각 행라인에서 좌우로 이격된 2개의 G 화소영역들(P2)과 이들 사이에 위치하는 인접한 2개의 R 화소영역들(P1)에 대응하여 배치될 수 있다.The second light emitting material layer 172 emitting G is the pixel regions of the corresponding color, and includes two G pixel regions P2 spaced apart from one another in each row line and two adjacent R pixel regions positioned therebetween. It may be arranged corresponding to (P1).

다시 말하면, 서로 인접하여 배치된 즉 연속하여 배치된 G,R,R,G 화소영역들(P2,P1,P1,P2) 모두에 제2발광물질층(172)이 공통적으로 형성될 수 있다.In other words, the second light emitting material layer 172 may be formed in common in all of the G, R, R, and G pixel regions P2 , P1 , P1 , and P2 disposed adjacent to each other, that is, consecutively disposed.

이때, R 화소영역들(P1)에서는, 전술한 바와 같이, 제2발광물질층(172)은 제1발광물질층(171) 상에 적층된다.In this case, in the R pixel regions P1 , as described above, the second light emitting material layer 172 is stacked on the first light emitting material layer 171 .

B를 발광하는 제3발광물질층(172)은, 해당 컬러의 화소영역들로서 각 행라인에서 좌우로 인접한 2개의 B 화소영역들(P3)과 이들 각각에 좌우로 인접한 2개의 G 화소영역들(P2)에 대응하여 배치될 수 있다.The third light emitting material layer 172 emitting B light is the pixel regions of the corresponding color, and includes two B pixel regions P3 adjacent to the left and right in each row line and two G pixel regions ( It may be arranged corresponding to P2).

다시 말하면, 서로 인접하여 배치된 즉 연속하여 배치된 G,B,B,G 화소영역들(P2,P3,P3,P2) 모두에 제3발광물질층(173)이 공통적으로 형성될 수 있다.In other words, the third light emitting material layer 173 may be formed in common in all of the G, B, B, and G pixel regions P2 , P3 , P3 , and P2 disposed adjacent to each other, that is, consecutively disposed.

이때, G 화소영역들(P2)에서는, 전술한 바와 같이, 제3발광물질층(173)은 제2발광물질층(172) 상에 적층된다.In this case, in the G pixel regions P2 , as described above, the third light emitting material layer 173 is stacked on the second light emitting material layer 172 .

위와 같은 구조를 갖는 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)은 해당 컬러인 R,G,B를 출광할 수 있다.The R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3 having the above structure may emit light of R, G, and B corresponding colors.

특히, R,G 화소영역(P1,P2) 각각에서는 2층 구조의 하부에 적층된 해당 컬러의 제1,2발광물질층(171,172)이 발광하고, 상부에 적층된 해당 컬러와 다른 컬러의 제2,3발광물질층(172,173)은 비발광하게 된다. 이에 따라, R,G 화소영역(P1,P2) 각각 해당 R,G를 출광할 수 있게 된다.In particular, in each of the R and G pixel regions P1 and P2, the first and second light emitting material layers 171 and 172 of the corresponding color stacked on the lower part of the two-layer structure emit light, and the first and second light emitting material layers 171 and 172 of the corresponding color stacked on the upper part emit light. The second and third light-emitting material layers 172 and 173 do not emit light. Accordingly, the R and G pixel regions P1 and P2 may emit light respectively.

이와 관련하여 도 3을 함께 참조하여 살펴본다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 R,G,B 화소영역의 출광 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.In this regard, it will be described with reference to FIG. 3 together. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a light output state of R, G, and B pixel regions according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, B 화소영역(P3)의 제1유기발광다이오드(OD3)에는, 해당 B 광(Lb)을 발생하는 제3발광물질층(173)의 1층 구조가 형성되므로, 제1유기발광다이오드(OD3)는 B 광(Lb)을 출사할 수 있게 된다.Referring to FIG. 3 , in the first organic light emitting diode OD3 of the B pixel region P3 , a one-layer structure of the third light emitting material layer 173 emitting the corresponding B light Lb is formed. The organic light emitting diode OD3 may emit the B light Lb.

한편, R 화소영역(P1)의 제1유기발광다이오드(OD1)에는, 해당 R 광(Lr)을 발생하는 제1발광물질층(171)과 이와 다른 G 광(Lg)을 발생하는 제2발광물질층(172)의 2층 구조가 형성된다.On the other hand, in the first organic light emitting diode OD1 of the R pixel region P1 , the first light emitting material layer 171 emitting the corresponding R light Lr and the second light emitting diode generating the different G light Lg A two-layer structure of the material layer 172 is formed.

여기서, 하부에 적층된 제1발광물질층(171)이 발광 상태가 되고, 이의 상부에 적층된 제2발광물질층(172)은 비발광 상태가 되어, 제1유기발광다이오드(OD1)는 R 광(Lr)을 출사할 수 있게 된다.Here, the first light-emitting material layer 171 stacked on the lower side is in a light-emitting state, and the second light-emitting material layer 172 stacked on the upper part thereof is in a non-emissive state, so that the first organic light-emitting diode OD1 is R Light Lr can be emitted.

이와 유사하게, G 화소영역(P2)의 제2유기발광다이오드(OD2)에는, 해당 G 광(Lg)을 발생하는 제2발광물질층(172)과 이와 다른 B 광(Lb)을 발생하는 제3발광물질층(173)의 2층 구조가 형성된다.Similarly, in the second organic light emitting diode OD2 of the G pixel region P2, the second light emitting material layer 172 for generating the corresponding G light Lg and the second light emitting material layer 172 for generating a different B light Lb A two-layer structure of three light-emitting material layers 173 is formed.

여기서, 하부에 적층된 제2발광물질층(172)이 발광 상태가 되고, 이의 상부에 적층된 제3발광물질층(173)은 비발광 상태가 되어, 제2유기발광다이오드(OD2)는 G 광(Lg)을 출사할 수 있게 된다.Here, the second light-emitting material layer 172 stacked on the lower side is in a light-emitting state, and the third light-emitting material layer 173 stacked on the upper part thereof is in a non-emissive state, so that the second organic light-emitting diode OD2 is G Light Lg can be emitted.

위와 같은 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 2층 구조 발광물질층의 발광 상태 제어와 아래에서 관련하여 살펴본다.Control of the light emitting state of the light emitting material layer having a two-layer structure of each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 as described above will be described below.

제1예로서, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)과 이 하부의 제1공통층(166) 간의 계면에서 엑시톤(exciton)이 형성되도록 구성하게 된다. As a first example, excitons at the interface between the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 and the first common layer 166 thereunder ) to be formed.

이에 따라, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)이 발광되고, 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)은 비발광될 수 있다.Accordingly, the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light, and the second and third light emitting material layers 172 and 173 stacked on the upper portion of each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light. may be non-luminous.

이를 위해, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 HOMO 에너지와 제1공통층(166)의 HOMO 에너지의 차이가 대략 0.3eV 보다 크게 한다 (ΔE > 0.3eV). 여기서, 제1전극(165)이 애노드인 경우에, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 HOMO 에너지가 제1공통층(166)의 HOMO 에너지에 비해 0.3eV 보다 크게 한다.To this end, the difference between the HOMO energy of the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked below and the HOMO energy of the first common layer 166 is set to be greater than about 0.3 eV (ΔE > 0.3 eV). Here, when the first electrode 165 is an anode, the HOMO energy of the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked thereunder is greater than 0.3 eV compared to the HOMO energy of the first common layer 166 .

이에 따라, 정공은 제1공통층(166)에 축적되고 하부에 적층된 발광물질층(171,172)으로 이동이 매우 제한되어, 상부에 적층된 발광물질층(172,173)으로 정공이 이동하기 전에 하부에 적층된 발광물질층(171,172)에서 발광된다.Accordingly, holes are accumulated in the first common layer 166 and movement to the light emitting material layers 171 and 172 stacked on the lower side is very limited, and before the holes move to the light emitting material layers 172 and 173 stacked on the upper part Light is emitted from the stacked light emitting material layers 171 and 172 .

더욱이, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 LUMO 에너지와 제1공통층(166)의 LUMO 에너지의 차이가 대략 0.3eV 보다 크게 한다 (ΔE > 0.3eV). 여기서, 제1전극(165)이 애노드인 경우에, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 LUMO 에너지가 제1공통층(166)의 LUMO 에너지에 비해 0.3eV 보다 크게 한다.Moreover, the difference between the LUMO energy of the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked thereunder and the LUMO energy of the first common layer 166 is greater than about 0.3 eV (ΔE > 0.3 eV). Here, when the first electrode 165 is an anode, the LUMO energy of the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked thereunder is greater than 0.3 eV compared to the LUMO energy of the first common layer 166 .

이에 따라, 전자의 제1공통층(166)으로의 이동이 매우 제한된다.Accordingly, the movement of electrons to the first common layer 166 is very limited.

이처럼, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)과 제1공통층(166) 간의 HOMO 에너지 및 LUMO 에너지를 위와 같은 조건에 부합하게 구성함으로써, 이들 계면에서 엑시톤이 형성된다. As such, by configuring the HOMO energy and LUMO energy between the first and second light emitting material layers 171 and 172 and the first common layer 166 stacked below to meet the above conditions, excitons are formed at these interfaces.

따라서, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)이 발광되고, 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)은 비발광될 수 있게 된다.Accordingly, the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light, and the second and third light emitting material layers 172 and 173 stacked on the lower portions of each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light. can be illuminated.

제2예로서, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172) 내부에서 엑시톤(exciton)이 형성되도록 구성하게 된다. As a second example, excitons are formed in the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 .

이에 따라, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)이 발광되고, 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)은 비발광될 수 있다.Accordingly, the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light, and the second and third light emitting material layers 172 and 173 stacked on the upper portion of each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light. may be non-luminous.

이를 위해, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 도펀트(dopant)의 HOMO 에너지와 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)의 호스트(host)의 HOMO 에너지의 차이가 대략 0.3eV 보다 크게 한다 (ΔE > 0.3eV). 여기서, 제1전극(165)이 애노드인 경우에, 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)의 도펀트의 HOMO 에너지가 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)의 호스트(host)의 HOMO 에너지에 비해 0.3eV 보다 크게 한다.To this end, the difference between the HOMO energy of the dopant of the first and second light-emitting material layers 171 and 172 stacked on the lower side and the HOMO energy of the host of the second and third light-emitting material layers 172 and 173 stacked on the upper portion. is greater than approximately 0.3 eV (ΔE > 0.3 eV). Here, when the first electrode 165 is an anode, the HOMO energy of the dopant of the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked on the bottom is the second and third light emitting material layers 172 and 173 stacked on the host It should be greater than 0.3eV compared to the HOMO energy of (host).

이에 따라, 정공은 하부에 적층된 발광물질층(171,172)에 트랩(trap)된다.Accordingly, holes are trapped in the light emitting material layers 171 and 172 stacked thereunder.

따라서, 제1,2유기발광다이오드(OD1,OD2) 각각의 하부에 적층된 제1,2발광물질층(171,172)이 발광되고, 상부에 적층된 제2,3발광물질층(172,173)은 비발광될 수 있게 된다.Accordingly, the first and second light emitting material layers 171 and 172 stacked under each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light, and the second and third light emitting material layers 172 and 173 stacked on the lower portions of each of the first and second organic light emitting diodes OD1 and OD2 emit light. can be illuminated.

위와 같이, R,G 화소영역(P1,P2) 각각에 2층 구조로 발광물질층을 형성하더라도, 해당 컬러인 R,G를 발생하는 하부에 적층된 발광물질층을 발광 상태로 하고 다른 컬러를 발생하는 상부에 적층된 발광물질층을 비발광 상태로 할 수 있게 되므로, R,G 화소영역(P1,P2)은 해당 R,G를 발광할 수 있게 된다.As described above, even when the light-emitting material layer is formed in a two-layer structure in each of the R and G pixel regions P1 and P2, the light-emitting material layer stacked on the bottom that generates the corresponding color R and G is in the light-emitting state and another color is emitted. Since the light-emitting material layer stacked thereon can be in a non-emissive state, the R and G pixel regions P1 and P2 can emit the corresponding R and G light.

이와 관련하여 도 4를 함께 참조할 수 있다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 R,G,B 화소영역의 유기발광다이오드들의 광학 특성에 대한 실험 결과를 도시한 도면이다. In this regard, reference may also be made to FIG. 4 . 4 is a view showing experimental results on optical characteristics of organic light emitting diodes in R, G, and B pixel regions according to an embodiment of the present invention.

도 4에서는, 상측에 유기발광다이오드의 구동 조건 및 광학 특성을 도시하였고, 하측에는 제1 내지 3유기발광다이오드(OD1 내지 OD3) 각각의 색좌표(각각 ◇,△,□로 표시됨)를 CIE 좌표계 상에 도시하였다.In FIG. 4, the driving conditions and optical characteristics of the organic light emitting diode are shown on the upper side, and the color coordinates of each of the first to third organic light emitting diodes (OD1 to OD3) (indicated by ◇, △, and □ respectively) are shown on the CIE coordinate system on the lower side. shown in

R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)의 제1,2,3유기발광다이오드들(OD1,OD2,OD3)은 해당 컬러인 R,G,B를 개별적으로 발광할 수 있음을 확인할 수 있다.It is confirmed that the first, second, and third organic light emitting diodes OD1, OD2, and OD3 of the R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3 can individually emit R, G, and B corresponding colors. can

한편, 본 실시예의 유기발광 표시장치(100)는 화소영역들 간의 경계에 뱅크가 배치될 수 있는데, 이에 대해 도 5를 참조하여 살펴본다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해 일부 구성을 생략하여 도시하였다.Meanwhile, in the organic light emitting diode display 100 of the present embodiment, banks may be disposed at the boundary between pixel regions, which will be described with reference to FIG. 5 . In FIG. 5, some components are omitted for convenience of description.

도 5를 참조하면, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3) 사이에는 각 화소영역의 경계를 따라 이를 둘러싸는 뱅크(156)가 형성될 수 있다. 뱅크(156)는 해당 화소영역의 제1전극(165)을 노출하는 홀을 가지며, 제1전극(166)의 가장자리를 덮도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 5 , a bank 156 surrounding the R, G, and B pixel regions P1 , P2 , and P3 may be formed along the boundary of each pixel region. The bank 156 has a hole exposing the first electrode 165 of the corresponding pixel region, and may be configured to cover the edge of the first electrode 166 .

이처럼, 서로 다른 컬러의 화소영역들 사이에 뱅크(156)가 배치됨으로써, 래터럴(lateral) 전류로 인한 타색 발광을 방지할 수 있게 된다.As such, by disposing the bank 156 between pixel regions of different colors, it is possible to prevent light emission of other colors due to lateral current.

이하, 도 6 내지 8을 참조하여, 전술한 구조의 R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)이 배치된 유기발광 표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode display in which the R, G, and B pixel regions P1 , P2 and P3 of the above-described structure are disposed will be described with reference to FIGS. 6 to 8 .

도 6 내지 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명한 단면도이다. 도 6 내지 8에서는 설명의 편의를 위해 일부 구성을 생략하여 도시하였다.6 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 6 to 8 , some components are omitted for convenience of description.

도 6을 참조하면, 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td 참조)와 보호막(도 2의 140 참조)과 제1전극(도 1의 165 참조) 및 제1공통층(도 1의 166 참조)이 형성된 기판(101) 상에, R 발광물질층인 제1발광물질층(171)을 형성하기 위한 제1증착마스크(211)를 배치한다. 이와 같은 제1증착마스크는 FMM에 해당된다.Referring to FIG. 6 , a driving thin film transistor (see Td in FIG. 2 ), a protective film (see 140 in FIG. 2 ), a first electrode (see 165 in FIG. 1 ), and a first common layer (see 166 in FIG. 1 ) are formed A first deposition mask 211 for forming a first light-emitting material layer 171 that is an R light-emitting material layer is disposed on the substrate 101 . Such a first deposition mask corresponds to the FMM.

여기서, 제1증착마스크(211)는 다수의 제1개구부(211a)와 이웃한 제1개구부(211a) 사이의 다수의 제1립(rib)(211b)을 포함할 수 있다. Here, the first deposition mask 211 may include a plurality of first openings 211a and a plurality of first ribs 211b between the adjacent first openings 211a.

이와 같은 제1개구부(211a) 및 제1립(211b)은 행방향을 따라 교대로 배치된다.Such first openings 211a and first ribs 211b are alternately arranged along the row direction.

제1개구부(211a)는 인접 배치된 2개의 R 화소영역(P1)에 대응하여 배치된다. 그리고, 제1립(211b)은 G,B 화소영역(P2,P3)에 대응하여 배치된다.The first opening 211a is disposed to correspond to the two R pixel areas P1 disposed adjacently. In addition, the first lip 211b is disposed to correspond to the G and B pixel regions P2 and P3 .

여기서, 각 화소영역의 폭을 w라고 할 때, 제1개구부(211a)는 인접한 2개의 R 화소영역(P1)에 대응하여 대략 2w의 제1개구폭을 갖게 된다.Here, when the width of each pixel region is w, the first opening 211a has a first opening width of approximately 2w corresponding to the two adjacent R pixel regions P1 .

그리고, 제1립(211b)은 대략 4w의 제2립폭을 갖게 된다. 이와 관련하여, 행라인을 따라 'BGRRGB'의 형태로 화소영역이 배열되므로, 서로 이격된 2개의 R 화소영역들(P1) 사이에는 4개의 G,B,B,G 화소영역이 위치하게 되는바, 제1립(211b)은 대략 4w의 폭을 갖게 된다.And, the first rib 211b has a second rib width of approximately 4w. In this regard, since the pixel regions are arranged in the form of 'BGRRGB' along the row line, four G, B, B, and G pixel regions are positioned between the two R pixel regions P1 spaced apart from each other. , the first lip 211b has a width of approximately 4w.

위와 같이 구성된 제1증착마스크(211)를 사용하여, R 발광물질인 제1발광물질을 기판(101) 상에 증착하게 된다.Using the first deposition mask 211 configured as described above, a first light-emitting material, which is an R light-emitting material, is deposited on the substrate 101 .

이에 따라, 인접한 2개의 R 화소영역들(R)을 단위로 패턴된 제1발광물질층(171)이 형성된다.Accordingly, the first light emitting material layer 171 patterned in units of two adjacent R pixel regions R is formed.

다음으로, 도 7을 참조하면, 제1발광물질층(171)이 형성된 기판(101) 상에, G 발광물질층인 제2발광물질층(172)을 형성하기 위한 제2증착마스크(212)를 배치한다. 이와 같은 제2증착마스크(212)는 FMM에 해당된다.Next, referring to FIG. 7 , on the substrate 101 on which the first light emitting material layer 171 is formed, a second deposition mask 212 for forming the second light emitting material layer 172 which is the G light emitting material layer. place the This second deposition mask 212 corresponds to the FMM.

여기서, 제2증착마스크(212)는 다수의 제2개구부(212a)와 이웃한 제2개구부(212a) 사이의 다수의 제2립(212b)을 포함할 수 있다. Here, the second deposition mask 212 may include a plurality of second openings 212a and a plurality of second lips 212b between the adjacent second openings 212a.

이와 같은 제2개구부(212a) 및 제2립(212b)은 행방향을 따라 교대로 배치된다.Such second openings 212a and second ribs 212b are alternately arranged along the row direction.

제2개구부(212a)는 인접 배치된 2개의 R 화소영역(P1) 및 이들 각각의 좌우에 배치된 2개의 G 화소영역(P2)에 대응하여 배치된다. 그리고, 제2립(212b)은 B 화소영역(P3)에 대응하여 배치된다.The second opening 212a is disposed to correspond to the two R pixel areas P1 disposed adjacent to each other and the two G pixel areas P2 disposed to the left and right of each. In addition, the second rib 212b is disposed to correspond to the B pixel region P3 .

여기서, 제2개구부(212a)는 서로 인접하며 배열된 4개의 R,G 화소영역(P1,P2)에 대응하여 대략 4w의 제2개구폭을 갖게 된다.Here, the second opening 212a has a second opening width of approximately 4w corresponding to the four R and G pixel regions P1 and P2 arranged adjacent to each other.

그리고, 제2립(212b)은 대략 2w의 제2립폭을 갖게 된다. 이와 관련하여, 행라인을 따라 'BGRRGB'의 형태로 화소영역이 배열되므로, R 화소영역(P1)과 반대 방향으로 서로 이격된 2개의 G 화소영역들(P2) 사이에는 2개의 B,B 화소영역이 위치하게 되는바, 제2립(212b)은 대략 2w의 폭을 갖게 된다.And, the second rib 212b has a second rib width of approximately 2w. In this regard, since the pixel regions are arranged in the form of 'BGRRGB' along the row line, two B and B pixels are located between the two G pixel regions P2 spaced apart from each other in the opposite direction to the R pixel region P1. As the region is positioned, the second rib 212b has a width of approximately 2w.

위와 같이 구성된 제2증착마스크(212)를 사용하여, G 발광물질인 제2발광물질을 기판(101) 상에 증착하게 된다.Using the second deposition mask 212 configured as described above, a second light-emitting material, which is a G light-emitting material, is deposited on the substrate 101 .

이에 따라, 인접한 2개의 R 화소영역들(P1) 및 이들 양측의 2개의 G 화소영역들(P2)을 단위로 패턴된 제2발광물질층(172)이 형성된다.Accordingly, the second light emitting material layer 172 patterned in units of two adjacent R pixel regions P1 and two G pixel regions P2 on both sides thereof is formed.

다음으로, 도 8을 참조하면, 제2발광물질층(172)이 형성된 기판(101) 상에, B 발광물질층인 제3발광물질층(173)을 형성하기 위한 제3증착마스크(213)를 배치한다. 이와 같은 제3증착마스크(213)는 FMM에 해당된다.Next, referring to FIG. 8 , on the substrate 101 on which the second light emitting material layer 172 is formed, a third deposition mask 213 for forming the third light emitting material layer 173 which is the B light emitting material layer. place the This third deposition mask 213 corresponds to the FMM.

여기서, 제3증착마스크(213)는 다수의 제3개구부(213a)와 이웃한 제3개구부(213a) 사이의 다수의 제3립(213b)을 포함할 수 있다. Here, the third deposition mask 213 may include a plurality of third openings 213a and a plurality of third ribs 213b between the adjacent third openings 213a.

이와 같은 제3개구부(213a) 및 제3립(213b)은 행방향을 따라 교대로 배치된다.Such third openings 213a and third ribs 213b are alternately arranged along the row direction.

제3개구부(213a)는 인접 배치된 2개의 B 화소영역(P3) 및 이들 각각의 좌우에 배치된 2개의 G 화소영역(P2)에 대응하여 배치된다. 그리고, 제3립(213b)은 R 화소영역(P1)에 대응하여 배치된다.The third opening 213a is disposed to correspond to the two B pixel areas P3 disposed adjacent to each other and the two G pixel areas P2 disposed to the left and right of each. In addition, the third rib 213b is disposed to correspond to the R pixel region P1 .

여기서, 제3개구부(213a)는 서로 인접하며 배열된 4개의 G,B 화소영역(P2,P3)에 대응하여 대략 4w의 제3개구폭을 갖게 된다.Here, the third opening 213a has a third opening width of approximately 4w corresponding to the four G and B pixel regions P2 and P3 arranged adjacent to each other.

그리고, 제3립(213b)은 대략 2w의 제3립폭을 갖게 된다. 이와 관련하여, 행라인을 따라 'BGRRGB'의 형태로 화소영역이 배열되므로, B 화소영역(P3)과 반대 방향으로 서로 이격된 2개의 G 화소영역들(P2) 사이에는 2개의 R,R 화소영역이 위치하게 되는바, 제2립(212b)은 대략 2w의 폭을 갖게 된다.And, the third rib 213b has a third rib width of approximately 2w. In this regard, since the pixel regions are arranged in the form of 'BGRRGB' along the row line, there are two R and R pixels between the two G pixel regions P2 spaced apart from each other in the opposite direction to the B pixel region P3. As the region is positioned, the second rib 212b has a width of approximately 2w.

위와 같이 구성된 제3증착마스크(213)를 사용하여, B 발광물질인 제3발광물질을 기판(101) 상에 증착하게 된다.Using the third deposition mask 213 configured as described above, a third light-emitting material, which is a light-emitting material B, is deposited on the substrate 101 .

이에 따라, 인접한 2개의 B 화소영역들(P3) 및 이들 양측의 2개의 G 화소영역들(P2)을 단위로 패턴된 제3발광물질층(173)이 형성된다.Accordingly, the third light emitting material layer 173 patterned in units of two adjacent B pixel regions P3 and two G pixel regions P2 on both sides thereof is formed.

위와 같은 공정을 통해, R,G,B 화소영역(P1,P2,P3)에 해당 1층 또는 2층 구조의 유기발광층들을 형성할 수 있게 된다.Through the above process, it is possible to form organic light emitting layers having a corresponding one-layer or two-layer structure in the R, G, and B pixel regions P1, P2, and P3.

즉, R 화소영역(P1)에는 제1,2유기발광층(171,172)이 적층되고, G 화소영역(P2)에는 제2,3유기발광층(172,173)이 적층되며, B 화소영역(P3)에는 제3유기발광층(173)이 적층된다.That is, the first and second organic light emitting layers 171 and 172 are stacked in the R pixel region P1 , the second and third organic light emitting layers 172 and 173 are stacked in the G pixel region P2 , and the second and third organic light emitting layers 172 and 173 are stacked in the B pixel region P3 . Three organic light emitting layers 173 are stacked.

위에서 살펴본 바와 같이, 제1,2,3유기발광층(171,172,173)을 형성하기 위한 증착마스크들(211,212,213)은, 개구부(211a,212a,213a)의 폭이 대략적으로 2개 화소영역의 폭 이상을 갖게 된다. 그리고, 립(211b,212b,213b)의 폭이 대략적으로 대략적으로 2개 화소영역의 폭 이상을 갖게 된다.As described above, in the deposition masks 211 , 212 , and 213 for forming the first, second, and third organic light emitting layers 171 , 172 , and 173 , the openings 211a , 212a , and 213a have a width greater than or equal to that of two pixel regions. do. And, the width of the ribs 211b, 212b, and 213b is approximately equal to or greater than the width of two pixel areas.

이처럼, 증착마스크들(211,212,213)의 개구부(211a,212a,213a)의 폭은, 대략 1개 화소영역의 폭을 갖는 종래에 비해 2배 이상 증가하게 되고, 이에 따라 이웃한 립(211b,212b,213b) 간의 이격 거리 또한 2배 이상 증가하게 된다.As such, the widths of the openings 211a, 212a, and 213a of the deposition masks 211, 212, and 213 increase more than twice as compared to the conventional having a width of approximately one pixel area, and accordingly, the adjacent ribs 211b, 212b, 213b), the distance between them is also increased more than twice.

따라서, 개구부(211a,212a,213a)가 발광물질로 막히는 클로깅(clogging) 현상과 이웃한 립들이 엉키는 마스큼 엉킴 현상과 같은 마스크 불량이 개선될 수 있게 되어, 공정효율이 향상될 수 있다.Accordingly, mask defects such as a clogging phenomenon in which the openings 211a , 212a , and 213a are clogged with a light emitting material and a tangling phenomenon in which neighboring lips are entangled can be improved, and process efficiency can be improved.

한편, 위와 같은 공정이 진행된 기판(101) 상에 제2공통층(도 2의 168 참조)과 제2전극(도 2의 169 참조)을 형성하게 된다.Meanwhile, a second common layer (refer to 168 in FIG. 2 ) and a second electrode (refer to 169 in FIG. 2 ) are formed on the substrate 101 that has undergone the above process.

전술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 서로 다른 컬러를 표시하는 제1,2,3화소영역으로서 예를 들어 R,G,B 화소영역을 'BGRRGB'의 배열 순서로 반복 배치한다. 그리고, R 화소영역는 해당 R 발광물질층과 이 상부에 인접한 G 화소영역의 G 발광물질층을 적층하고, G 화소영역는 해당 G 발광물질층과 이 상부에 인접한 B 발광물질층을 적층하며, B 화소영역에는 해당 B 발광물질층을 적층하게 된다.As described above, according to the present embodiment, as the first, second, and third pixel areas displaying different colors, for example, R, G, and B pixel areas are repeatedly arranged in the arrangement order of 'BGRRGB'. In the R pixel region, a corresponding R emitting material layer and a G emitting material layer of the G pixel region adjacent thereto are stacked, and in the G pixel region, a corresponding G emitting material layer and a B emitting material layer adjacent thereon are stacked, and the B pixel A corresponding B light-emitting material layer is stacked on the region.

이와 같은 특유의 화소영역 배열 구조 및 발광물질층의 적층 구조를 채택함에 따라, 발광물질층을 형성하기 위한 증착마스크는 개구부의 폭이 증가될 수 있다.By adopting such a unique pixel area arrangement structure and a stacked structure of the light emitting material layer, the width of the opening of the deposition mask for forming the light emitting material layer can be increased.

따라서, 개구부가 발광물질로 막히는 클로깅 현상과 이웃한 립들이 엉키는 마스큼 엉킴 현상과 같은 마스크 불량이 개선될 수 있게 되어, 공정효율이 향상될 수 있다.Accordingly, mask defects such as clogging in which the opening is clogged with a light emitting material and tangling of adjacent ribs may be improved, and process efficiency may be improved.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.The above-described embodiment of the present invention is an example of the present invention, and free modifications are possible within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention is intended to cover modifications of the present invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

100: 유기발광 표시장치 101: 제1기판
140: 제1보호막 165: 제1전극
166: 제1공통층 168: 제2공통층
169: 제2전극 171: 제1발광물질층
172: 제2발광물질층 173: 제3발광물질층
211: 제1증착마스크 211a: 제1개구부
211b: 제1립 212: 제2증착마스크
212a: 제2개구부 212b: 제2립
213: 제3증착마스크 213a: 제3개구부
213b: 제3립
P: 화소영역
P1,P2,P3: 제1,2,3화소영역 (R,G,B) 화소영역
OD1,OD2,OD3: 제1,2,3유기발광다이오드100: organic light emitting display device 101: first substrate
140: first passivation layer 165: first electrode
166: first common layer 168: second common layer
169: second electrode 171: first light emitting material layer
172: second light-emitting material layer 173: third light-emitting material layer
211: first deposition mask 211a: first opening
211b: first lip 212: second deposition mask
212a: second opening 212b: second lip
213: third deposition mask 213a: third opening
213b: 3rd lip
P: pixel area
P1, P2, P3: first, second, third pixel area (R, G, B) pixel area
OD1, OD2, OD3: first, second, and third organic light emitting diodes

Claims (7)

제1,2,3컬러를 각각 표시하는 제1,2,3화소영역(P1,P2,P3)이 일방향을 따라 'P3,P2,P1,P1,P2,P3'의 순서로 배열되고 이 배열이 기판과;
상기 기판 상에, 상기 제1화소영역에 형성된 상기 제1컬러의 제1발광물질층과;
상기 제1발광물질층이 형성된 기판 상에, 상기 제1화소영역 및 상기 제2화소영역에 형성된 상기 제2컬러의 제2발광물질층과;
상기 제2발광물질층이 형성된 기판 상에, 상기 제2화소영역 및 상기 제3화소영역에 형성된 제3컬러의 제3발광물질층
을 포함하는 유기발광 표시장치.
The first, second, and third pixel areas P1, P2, P3 displaying the first, second, and third colors are arranged in the order of 'P3, P2, P1, P1, P2, P3' along one direction, and this arrangement this substrate;
a first light emitting material layer of the first color formed on the substrate in the first pixel region;
a second light emitting material layer of the second color formed in the first pixel region and the second pixel region on the substrate on which the first light emitting material layer is formed;
A third light emitting material layer of a third color is formed in the second pixel region and the third pixel region on the substrate on which the second light emitting material layer is formed
An organic light emitting display device comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1발광물질층은 서로 인접하게 배열된 2개의 상기 제1화소영역(P1,P1)을 단위로 형성되고,
상기 제2발광물질층은 서로 인접하게 배열된 4개의 상기 제1,2화소영역(P2,P1,P1,P2)을 단위로 형성되고,
상기 제3발광물질층은 서로 인접하게 배열된 4개의 상기 제2,3화소영역(P2,P3,P3,P2)을 단위로 형성되는
유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The first light emitting material layer is formed by the two first pixel regions P1 and P1 arranged adjacent to each other as a unit;
The second light emitting material layer is formed in units of the four first and second pixel regions P2, P1, P1, and P2 arranged adjacent to each other,
The third light emitting material layer is formed in units of the four second and third pixel regions P2, P3, P3, and P2 arranged adjacent to each other.
organic light emitting display device.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1화소영역에 형성된 상기 제1발광물질층은 발광하고 이 상부의 상기 제2발광물질층은 비발광하며,
상기 제2화소영역에 형성된 상기 제2발광물질층은 발광하고 이 상부의 상기 제3발광물질층은 비발광하는
유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The first light-emitting material layer formed in the first pixel region emits light, and the second light-emitting material layer on the first light-emitting material layer does not emit light,
The second light-emitting material layer formed in the second pixel region emits light and the third light-emitting material layer on the second light-emitting material layer does not emit light.
organic light emitting display device.
 제 3 항에 있어서,
상기 제1화소영역의 제1발광물질층 및 상기 제2화소영역의 제2발광물질층 하부에 형성된 공통층을 더 포함하고,
상기 제1화소영역의 제1발광물질층 및 상기 제2화소영역의 제2발광물질층 각각은 상기 공통층과 HOMO 에너지 및 LUMO 에너지 각각의 차이가 0.3eV 보다 큰
유기발광 표시장치.
4. The method of claim 3,
a common layer formed under the first light emitting material layer of the first pixel area and the second light emitting material layer of the second pixel area;
In each of the first light emitting material layer of the first pixel area and the second light emitting material layer of the second pixel area, a difference between the HOMO energy and the LUMO energy with the common layer is greater than 0.3 eV.
organic light emitting display device.
 제 3 항에 있어서,
상기 제1화소영역의 제1발광물질층의 도펀트와 제2발광물질층의 호스트는 HOMO 에너지의 차이가 0.3eV 보다 크고,
상기 제2화소영역의 제2발광물질층의 도펀트와 제3발광물질층의 호스트는 HOMO 에너지의 차이가 0.3eV 보다 큰
유기발광 표시장치.
4. The method of claim 3,
The difference in HOMO energy between the dopant of the first light emitting material layer and the host of the second light emitting material layer of the first pixel region is greater than 0.3 eV,
The HOMO energy difference between the dopant of the second light emitting material layer and the host of the third light emitting material layer of the second pixel region is greater than 0.3 eV.
organic light emitting display device.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1,2,3컬러 각각은 적색과 녹색과 청색 중 서로 다른 하나인
유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
Each of the first, second, and third colors is a different one of red, green, and blue;
organic light emitting display device.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1화소영역의 제1발광물질층과, 상기 제2화소영역의 제2발광물질층과, 상기 제3화소영역의 제3발광물질층 하부에 각각 형성된 제1전극과,
상기 제1화소영역의 제2발광물질층과, 상기 제2화소영역의 제3발광물질층과, 상기 제3화소영역의 제3발광물질층 상에 형성된 제2전극
을 더 포함하는 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
a first electrode formed under the first light emitting material layer of the first pixel region, the second light emitting material layer of the second pixel region, and the third light emitting material layer of the third pixel region;
A second electrode formed on the second light emitting material layer of the first pixel region, the third light emitting material layer of the second pixel region, and the third light emitting material layer of the third pixel region
An organic light emitting display device further comprising a.
KR1020170179180A 2017-12-26 2017-12-26 Organic light emitting display device KR102390114B1 (en)

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