KR102385454B1

KR102385454B1 - 휘도가 개선된 표시장치

Info

Publication number: KR102385454B1
Application number: KR1020150135724A
Authority: KR
Inventors: 천대웅; 이상열; 이철우; 김유환
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-09-24
Filing date: 2015-09-24
Publication date: 2022-04-08
Also published as: KR20170036491A

Abstract

본 발명에서는 화소에 신호를 인가하는 게이트라인 및/또는 데이터라인이 화소에 인가되는 신호원으로부터 멀어질수록 두께가 증가함으로써 라인의 저항 및 박막트랜지스터의 킥백현상에 의한 신호지연을 방지할 수 있으며, 이때 상기 게이트라인 및 데이터라인의 두께는 불연속적 또는 연속적으로 변한다.

Description

휘도가 개선된 표시장치{DISPLAY DEVICE FOR IMPROVED BRIGHTNESS}

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 게이트라인 및/또는 데이터라인의 구조를 개선하여 신호지연에 따른 휘도저하를 방지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel), 유기전계발광 표시장치, 전기영동 표시장치 등과 같은 다양한 제품이 제안되고 있다.

이러한 평판표시장치는 휴대용 전자기기와 같은 소형 전자기기에만 적용되는 것이 아니라 TV와 같은 대면적 전자기기에도 적용되고 있다. 특히, 근래에는 초대형 고해상도의 표시장치에 상기 평판표시장치가 적용되고 있다.

도 1은 종래 평판따른 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 이때, 상기 평판표시장치로는 다양한 표시장치가 적용될 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 표시장치(1)는 복수의 화소가 매트릭스형태로 배열되는 화상표시부(7)와, 상기 화상표시부(7)의 게이트라인과 접속되는 게이트패드부(18) 및 데이터라인과 접속되는 데이터패드부(19)를 포함한다. 이때, 게이트패드부(18)와 데이터패드부(19)는 제2기판(30)과 중첩되지 않는 제1기판(20)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트패드부(18)는 게이트드라이버 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 화상표시부(17)의 게이트라인에 공급하고, 데이터패드부(19)는 데이터드라이버 집적회로로부터 공급되는 화상정보를 화상표시부(17)의 데이터라인에 공급한다.

상기 화상표시부(17)의 박막트랜지스터 어레이기판, 즉 제1기판(20)에는 화상신호가 인가되는 복수의 데이터라인과 주사신호가 인가되는 복수의 게이트라인이 서로 수직 교차하여 배치되고, 그 교차부에 화소를 스위칭하기 위한 박막트랜지스터와, 그 박막트랜지스터에 접속되어 화소를 구동하는 화소전극과, 상기 화소전극과 박막트랜지스터를 보호하기 위해 전면에 형성된 보호막이 구비된다.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 화상표시부(17)의 화소에는 각각 화상구현소자가 배치된다. 이때, 상기 화상구현소자는 다양한 구현소자가 될 수 있다. 예를 들어, 액정표시장치의 경우 상기 화상구현소자는 액정층이고 유기전계발광 표시장치의 경우 화상구현소자는 유기발광층이다. 또한, 플라즈마 표시장치의 경우 화상구현소자는 플라즈마층이고 전기영동표시장치의 경우 전기영동층이다.

상기 구조의 표시장치의 경우, 복수의 게이트라인을 따라 주사신호가 인가됨에 따라 스위칭소자인 박막트랜지스터가 턴온되어, 데이터라인을 통해 인가되는 화상신호가 화소에 배치된 화소전극에 인가된다. 상기 화소전극에 화상신호가 인가됨에 따라 화상구현소자, 즉 액정층, 유기발광층, 플라즈마층, 전기영동층이 구동하여 화상을 구현하게 된다. 다시 말해서, 화소전극에 인가되는 화상신호에 의해 발생하는 전계로 인해 액정층의 광투과율이 변화되어 화상을 구현하거나 화소전극에 인가되는 화상신호에 의해 유기발광층이 발광하여 화상을 구현한다. 또는, 화소전극에 인가되는 화상신호에 의해 플라즈마층이 발광하여 화상을 구현하거나 화소전극에 인가되는 화상신호에 의해 전기영동층의 외부광 반사가 변화하여 화상을 구현할 수 있게 된다.

그러나, 상기와 같은 구조의 표시장치는 다음과 같은 문제가 발생한다.

상술한 바와 같이, 도 1에 도시된 표시장치에서는 게이트라인을 따라 주사신호가 인가됨에 따라 스위칭소자인 박막트랜지스터가 턴온되고 상기 스위칭소자가 턴온됨에 따라 데이터라인을 통해 인가되는 화상신호가 화소에 배치된 화소전극에 인가되어 화상구현소자가 구동하게 된다.

따라서, 데이터라인 및/또는 게이트라인에 신호지연이 발생하는 경우, 표시장치의 화소 전체에 걸쳐서 동일한 계조를 구현할 수 없게 된다. 특히, 근래 대면적 표시장치가 소개됨에 따라 데이터라인 및 게이트라인의 길이가 증가하여 데이터라인 및/또는 게이트라인에서의 신호지연이 더욱 자주 발생하게 되므로, 이러한 계조불량이 더욱 빈번하게 발생하게 된다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 게이트라인 및/또는 데이터라인의 두께를 위치에 따라 조절함으로써 신호지연에 의한 불량을 방지할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에서는 화소에 신호를 인가하는 게이트라인 및/또는 데이터라인이 화소에 인가되는 신호원으로부터 멀어질수록 두께가 증가함으로써 라인의 저항 및 박막트랜지스터의 킥백현상에 의한 신호지연을 방지할 수 있게 된다. 이때, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 두께는 불연속적 또는 연속적으로 변한다.

화소에는 화상구현소자가 배치되며, 상기 화상구현소자는 유기발광층, 액정층, 전기영동층, 플라즈마층을 포함할 수 있다. 상기 신호원은 게이트드라이버 집적회로 및 데이터드라이버 집적회로를 포함하며, 게이트드라이버 집적회로는 게이트라인의 일측 또는 양측에 배치되고 데이터드라이버 집적회로는 데이터라인의 일측 또는 양측에 배치된다.

또한, 본 발명에서는 상기 게이트라인 및/또는 데이터라인의 단면적이 신호지연의 정도에 따라 달라진다. 이때, 게이트라인 및 데이터라인의 단면적은 신호원으로부터 멀어진다. 즉, 이트라인 및 데이터라인의 두께 및/또는 폭은 신호원으로부터 멀어질수록 증가한다.

이때, 게이트라인 및/또는 데이터라인의 단면적은 연속적 또는 불연속적으로 변할 수 있다.

본 발명에서는 게이트라인 및/또는 데이터라인의 두께를 신호원으로부터 멀어질수록 두껍게 설정함으로서, 금속층의 저항 및 박막트랜지스터의 킥백현상에 의한 신호지연을 방지할 수 있게 된다. 그 결과 신호지연에 따른 불량을 방지할 수 있게 된다.

또한, 본 발명에서는 게이트라인 및/또는 데이터라인의 두께 뿐만 아니라 폭도 조절함으로써 신호지연에 따라 게이트라인 및/또는 데이터라인의 단면적을 조절함으로써 화상표시영역 전체에 걸쳐서 균일한 계조를 구현할 수 있게 된다.

도 1은 종래 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 표시장치의 구조를 구체적으로 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 단면도.
도 5a 및 도 5b는 도 3의 게이트라인영역의 단면도.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명에 따른 표시장치의 게이트라인의 구조를 나타내는 평면도.
도 7a-도 7d는 각각 본 발명에 따른 표시장치의 게이트라인의 위치에 따른 단면적을 나타내는 도면.
도 8a-도 8l은 본 발명에 따른 표시장치 제조방법을 나타내는 도면.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 표시장치를 나타내는 도면이다. 본 발명에서는 다양한 평판표시장치에 적용될 수 있지만, 이하의 설명에서는 유기전계발광 표시장치에 대하여 설명한다. 그러나, 이러한 특정 구조의 표시장치에 대한 설명은 설명의 편의를 위한 것이지 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 본 발명은 유기전계발광 표시장치뿐만 아니라 액정표시장치, 플라즈마표시장치, 전기영동 표시장치와 같이 현재 알려진 모든 구조의 평판표시장치에 적용될 수 있을 것이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치(101)는 복수의 화소가 매트릭스형태로 배열되는 화상표시부(107)와, 상기 화상표시부(107)의 게이트라인과 접속되는 게이트패드부(118) 및 데이터라인과 접속되는 데이터패드부(119)를 포함한다. 이때, 게이트패드부(118)와 데이터패드부(119)는 제2기판(130)과 중첩되지 않는 제1기판(120)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트패드부(118)는 게이트드라이버 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 화상표시부(117)의 게이트라인에 공급하고, 데이터패드부(119)는 데이터드라이버 집적회로로부터 공급되는 화상정보를 화상표시부(117)의 데이터라인에 공급한다.

도면에 도시된 바와 같이, 데이터패드(119)는 제1기판(120)의 상부 가장자리에 배치되고 게이트패드(118)는 제1기판(120)의 양측면 배치된다. 상기 게이트패드(118)가 제1기판(120)의 양측면에 배치됨에 따라 상기 게이트패드(118)에 실장되는 게이트드라이버 집적회로로부터 주사신호가 화상표시부(117)의 게이트라인의 양측 단면으로부터 인가되므로, 신호지연을 방지할 수 있게 된다.

그러나, 본 발명이 상기와 같이 게이트드라이버 집적회로가 게이트라인의 양측면에 배치되는 구조뿐만 아니라 제1기판(120)의 일측면에 배치되는 구조에도 적용될 수 있을 것이다. 또한, 데이터패드 역시 화상표시부(107)의 상하측, 즉 데이터라인(103)을 중심으로 양측면에 배치될 수 있다.

도 2의 일부 확대도는 한 화소의 등가회로도로서, 이 확대도를 참고로 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치를 좀더 자세히 설명한다.

도면에 도시된 바와 같이, 각각의 화소 내에는 파워라인(P)이 데이터라인(103)과 평행하게 배열되어 있다. 각각의 화소 내부에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동박막트랜지스터(Td), 캐패시터(C) 및 유기발광소자(E)가 구비된다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극(G1)은 게이트라인(102)에 연결되어 있고 소스전극(S1)은 데이터라인(103)에 연결되어 있으며, 드레인전극(D1)은 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극(G2)에 연결되어 있다. 또한, 상기 구동트랜지스터(Td)의 소스전극(S2)은 파워라인(P)에 연결되어 있고 드레인전극(D2)은 발광소자(E)에 연결되어 있다.

이러한 구성의 유기전계발광 표시장치에서 게이트라인(102)을 통해 주사신호가 입력되면 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극(G1)에 신호가 인가되어 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 구동함에 따라 데이터라인(103)을 통해 입력되는 데이터신호가 소스전극(S1) 및 드레인전극(D1)을 통해 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극(G2)에 입력되어 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동하게 된다.

이때, 상기 파워라인(P)에는 전류가 흐르며, 상기 구동박막트랜지스터(Td)가 구동함에 따라 파워라인(P)의 전류가 소스전극(S2) 및 드레인전극(D2)을 통해 발광소자(E)에 인가된다. 이때, 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 출력되는 전류는 게이트전극(G2)과 드레인전극(D2) 사이의 전압에 따라 크기가 달라진다.

발광소자(E)는 유기발광소자로서 상기 구동박막트랜지스터(Td)를 통해 전류가 입력됨에 따라 발광하여 영상을 표시한다. 이때, 발광되는 광의 세기는 인가되는 전류의 세기에 따라 달라지므로, 상기 전류의 세기를 조절함으로써 광의 세기를 조절할 수 있게 된다.

도 3은 본 발명은 따른 유기전계발광 표시장치의 실제 구조를 나타내는 평면도로서, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 구조를 설명하면 다음과 같다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 제1기판(120)에 정의된 다수의 화소마다 스위칭소자(Ts)와 구동소자(Td)가 구비되는데, 이때 동작의 특성에 따라 상기 스위칭소자(Ts) 또는 구동소자(Td)는 각각 하나 이상의 박막트랜지스터의 조합으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 기판(120) 상에는 게이트라인(102)과 데이터라인(103)이 서로 교차하여 화소를 정의한다.

구동소자(Td)는 게이트전극(111R,111G,111B)과, 반도체층(112R,112G,112B), 소스전극(114R,114G,114B) 및 드레인전극(115R,115G,115B)으로 이루어진 박막트랜지스터를 포함한다. 이때, 상기 스위칭소자(Ts)의 드레인전극은 컨택홀을 통해 상기 구동소자(Td)의 게이트전극과 연결되며, 상기 구동소자(Td)의 드레인전극(114R,114G,114B)은 화소전극(121R,121G,121B)과 연결된다.

도면에는 도시하지 않았지만, 화소의 화소전극(121R,121G,121B) 상부에는 유기발광층 및 공통전극이 차례로 형성되어 화소전극(121R,121G,121B)을 통해 전류가 인가됨에 따라 유기발광층이 발광하여 화상을 구현할 수 있게 된다.

도 4는 도 3의 단면을 나타내는 도면으로, 이를 참조하여 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 구조를 좀더 자세히 설명한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 적색광을 출력하는 R화소, 녹색광을 출력하는 G화소 및 청색광을 출력하는 B화소로 이루어진다. 도면에는 도시하지 않았지만, 본 발명의 유기전계발광 표시장치는 백색광을 출력하는 W화소를 포함할 수도 있다. 이때, 상기 W화소에서는 백색광을 출력하여 유기전계발광 표시장치의 전체 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.

각각의 R,G,B화소에는 컬러필터층이 형성되어 유기발광부로부터 출력되는 백색광을 특정 컬러의 광으로 출력하지만, W화소가 배치된 경우 상기 W화소에는 이러한 컬러필터층이 필요없이 발광된 백색광이 그대로 출력된다.

도 4에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120)은 R,G,B 화소로 분할되며, 각각의 R,G,B화소에는 구동박막트랜지스터가 형성된다.

상기 구동박막트랜지스터는 제1기판(120) 위의 R,G,B화소에 각각 형성된 게이트전극(111R,11G,11B)과, 상기 게이트전극(111R,11G,11B)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(122)과, 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(112R,112G,112B)과, 상기 반도체층(112R,112G,112B) 위에 형성된 소스전극(114R,114G,114B) 및 드레인전극(115R,115G,115B)으로 이루어진다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반도체층(112R,112G,112B)의 상면 일부에는 에칭스토퍼가 형성되어 소스전극(114R,114G,114B) 및 드레인전극(115R,115G,115B)의 식각공정중 상기 반도체층(112R,112G,112B)이 식각되는 것을 방지할 수도 있다.

상기 게이트전극(111R,111G,111B)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속으로 형성될 수 있으며, 상기 게이트절연층(122)은 SiO₂나 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiO₂ 및 SiNx으로 이루어진 이중의 층으로 형성될 수 있다.

반도체층(112)은 비결정질실리콘이나 결정질 실리콘, 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 투명산화물반도체로 형성된다. 또한, 소스전극(114R,114G,114B) 및 드레인전극(15R,15G,15B)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 형성할 있다.

상기 구동박막트랜지스터가 형성된 제1기판(120)에는 제1절연층(124)이 형성된다. 상기 제1절연층(124)은 SiO₂와 같은 무기절연물질로 약 4500Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1절연층(124)의 R,G,B화소에는 각각 R-컬러필터층(117R), G-컬러필터층(117G), B-컬러필터층(117B)이 형성된다.

상기 R-컬러필터층(117R), G-컬러필터층(117G), B-컬러필터층(117B) 위에는 제2절연층(126)이 형성된다. 상기 제2절연층(126)은 제1기판(120)을 평탄화시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)으로서, 포토아크릴과 같은 유기절연물질이 약 3㎛의 두께로 형성될 수 있다.

상기 제1절연층(126) 위의 R,G,B화소에는 각각 화소전극(121R,121G,121B)이 형성된다. 이때, R,G,B화소에 각각 형성되는 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115R,115G,115B) 상부에 적층된 제1절연층(124)과 제2절연층(126)에는 컨택홀(129)이 형성되며, 화소전극(121R,121G,121B)이 컨택홀(129)에 형성되며, 각각 노출된 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115R,115G,115B)과 전기적으로 접속된다.

상기 화소전극(21R,21G,21B)은 ITO(Indium Tin Oixde)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 산화금속물질로 이루어진다. 이때, 상기 화소전극(21R,21G,21B)은 각각의 R,G,B화소에 약 500Å의 두께로 형성할 수 있다.

상기 제2절연층(126) 위의 각 화소 경계 영역에는 뱅크층(bank layer;128)이 형성된다. 상기 뱅크층(128)은 일종의 격벽으로서, 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다. 또한, 상기 뱅크층(128)은 컨택홀(129)의 일부를 채우기 때문에 단차를 감소시키며, 그 결과 유기발광부(123)의 형성시 단차에 전하가 집중되어 유기발광부(123)의 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.

상기 화소전극(21R,21G,21B) 위의 뱅크층(128) 사이에는 유기발광물질로 이루어진 유기발광부(123)가 형성된다.

상기 유기발광부(123)는 백색광을 발광하는 백색 유기발광층을 포함한다. 상기 백색 유기발광층은 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 발광층이 적층되어 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 유기발광부(123)에는 유기발광층 뿐만 아니라 유기발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기발광층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층이 형성될 수도 있을 것이다.

상기 유기발광부(123) 위에는 제1기판(110) 전체에 걸쳐 공통전극(125)이 형성된다. 상기 공통전극(125)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등으로 이루어진다.

한편, 본 발명에서 공통전극(125)은 유기발광부(123)의 캐소드이고 화소전극(121R,121G,121B)은 애노드로서, 공통전극(125)과 화소전극(121R,121G,121B)에 전압이 인가되면, 상기 공통전극(125)으로부터 전자가 유기발광부(123)로 주입되고 화소전극(121R,121G,121B)으로부터는 정공이 유기발광부(123)로 주입되어, 유기발광층내에는 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 외부(도면에서 제1기판(120)쪽으로)로 발산하게 된다. 이때, 유기발광층에 포함되는 R,G,B 발광층에서는 각각 적색광, 녹색광, 청색광이 발광하며, 이 광들이 혼합되어 백색광으로 발광하게 되는 것이다. 발광된 백색광은 각각 R,G,B-컬러필터층(117R,117G,117B)을 투과하면서 해당 화소에 대응하는 컬러의 광만을 출력하게 된다.

상기 공통전극(125)의 상부에는 접착제가 도포되어 접착층(142)이 형성되며, 그 위에 제2기판(130)이 배치되어, 상기 접착층(142)에 의해 제2기판(130)이 제1기판(120)에 부착된다.

상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 주로 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용한다. 이때, 상기 접착층(142)은 약 5-100㎛의 두께로 도포되며, 약 80-170도의 온도에서 경화된다. 상기 접착층(142)은 제1기판(120) 및 제2기판(130)을 합착할 뿐만 아니라 상기 유기전계발광 표시장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지제의 역할도 한다. 따라서, 본 발명의 상세한 설명에서 도면부호 42의 용어를 접착제라고 표현하고 있지만, 이는 편의를 위한 것이며, 이 접착층을 봉지제라고 표현할 수도 있을 것이다.

상기 제2기판(130)은 상기 접착층(142)을 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2기판(130)은 플라스틱이나 유리로 이루어질 수도 있으며, 상기 제1기판(120)에 형성된 구성물을 보호할 수 있다면 어떠한 물질도 가능할 것이다.

도 5a 및 도 5b는 도 3의 단면도로서, 특히 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 게이트라인을 나타내는 단면도이다. 이때, 도 5a는 게이트드라이버 집적회로가 게이트라인의 일측면에 배치되는 구조의 유기전계발광 표시장치의 단면도이고 도 5b는 게이트드라이버 집적회로가 게이트라인의 양측면에 배치되는 구조의 유기전계발광 표시장치의 단면도로서, 화상표시부의 전체 영역을 나타낸다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 위에는 게이트라인(102)이 배치되고, 그 게이트절연층(122)이 적층된다. 상기 게이트라인(102)은 박막트랜지스터의 게이트전극(111R,111G,111B)와 동일한 금속으로 동시에 형성된다. 상기 게이트라인(102)은 게이트패드부와 인접하는 일측 단부에서 멀어질수록 그 두께가 증가한다. 즉, 게이트패드부에 인접하는 게이트라인(102)의 두께가 제일 얇고 멀어질수록 그 두께가 증가하게 된다.

종래 유기전계발광 표시장치에서는 게이트라인이 일측 단부에서 타측 단부 전체에 걸쳐서 동일한 두께로 형성되는 반면에, 본 발명에서는 게이트라인이 게이트패드와 인접하는 일측 단부에서 멀어질수록 두께가 증가하는데, 그 이유는 다음과 같다.

일반적으로, 유기전계발광 표시소자에서는 게이트라인을 따라 주사신호가 인가됨에 따라 스위칭소자인 박막트랜지스터가 턴온되고 상기 스위칭소자가 턴온됨에 따라 데이터라인을 통해 인가되는 화상신호가 화소에 배치된 화소전극에 인가되어 화상구현소자가 구동하게 된다.

그러나, 종래 유기전계발광 표시장치에서는 게이트라인(102)에 신호지연이 발생하여, 게이트패드부와 인접하는 영역과 게이트패드부와 반대 영역 사이에 휘도차가 발생하여 화질이 저하된다. 이러한 신호지연은 게이트라인(102)을 형성하는 금속 자체의 저항 및 표시장치의 구동시 박막트랜지스터의 게이트와 소오스 간의 기생캐패시턴스에 의해 야기되는 킥백전압의 의해 발생하게 된다.

본 발명에서는 이러한 신호지연을 방지하기 위해 게이트라인(102)의 두께를 위치별로 다르게 하여 게이트라인(102)의 전기도통도를 다르게 하여 신호지연을 방지한다. 게이트라인(102) 자체의 저항 및 킥백현상에 의한 신호지연은 주사신호의 신호원인 게이트드라이버 집적회로로부터 멀어질수록 증가한다. 따라서, 본 발명에서는 신호원으로부터 멀어질수록 게이트라인(102)의 두께를 증가시켜 전기도통도를 증가시킴으로써 저항 및 킥백현상에 의한 신호지연을 보상한다.

다시 도 5a를 참고하면, 상기 게이트절연층(122) 위에는 제1절연층(124) 및 제2절연층(126)이 적층되며, 그 위에 뱅크층(128)이 배치된다. 상기 뱅크층(128) 위에는 공통전극(125)이 배치되며, 그 위에 접착층(142)에 의해 제2기판(130)이 합착된다.

도 5b에 도시된 구조의 유기전계발광 표시장치는 도 5a의 유기전계발광 표시장치와는 게이트라인(102)의 형상만을 제외하고는 그 구조가 동일하다.

즉, 도 5a에서는 게이트드라이버 집적회로가 실장된 게이트패드가 화상표시부의 일측에만 배치되어 게이트라인(102)의 두께가 좌측 단부에서 우측단부로 갈수록(즉, 게이트패드에서 멀어질수록) 증가하는데 반해, 도 5b의 구조에서는 게이트드라이버 집적회로가 실장된 게이트패드가 화상표시부의 양측에 배치되어 주사신호가 게이트라인(102)의 양측으로부터 인가되므로 게이트라인(102)의 두께가 좌측 단부 및 우측단부에서 중앙영역으로 갈수록 증가하게 된다.

한편, 도 5a 및 도 5b에서는 상기 게이트라인(102)이 일정 개수의 단차를 갖도록 게이트라인(102)의 두께가 변하지만, 본 발명이 이러한 구성에만 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 유기전계발광 표시장치에서는 표시장치의 면적, 게이트라인(102)의 재질, 박막트랜지스터의 전기적특성 등과 같은 다양한 요인에 따라 상기 게이트라인(102)을 다양한 두께로 형성될 수 있을 것이다. 또한, 도면에서는 게이트라인(102)이 단차를 가지도록 두께가 불연속적으로 변하지만, 본 발명의 게이트라인(102)의 두께가 연속적으로 변할 수도 있다.

이와 같이, 본 발명에서는 게이트라인(102)의 두께를 화상표시부의 위치에 따라 다르게 설정함으로써 게이트라인(102)의 저항 및 킥백현상에 의한 신호지연을 방지할 수 있게 된다.

예를 들어, 게이트라인의 두께가 4500Å의 두께로 일정하게 형성되는 종래 유기전계발광 표시장치와 게이트라인이 일측면에서 타측면으로 갈수록 4500Å, 6500Å, 8500Å의 두께로 단차를 갖도록 형성되는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 경우를 비교하면, 종래 유기전계발광 표시장치 및 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 게이트라인이 비저항(약 2.58×10^-6Ωm), 저항(약 1.3-2.5Ω), 화소당 정전용량(211fF)이 동일할 경우, 종래 유기전계발광 표시장치의 게이트라인의 RC지연(RC delay)는 974.76nτ이고 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 게이트라인의 RC지연은 721.88nτ가 된다.

따라서, 종래에 비해, 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 게이트라인의 RC지연이 약 26% 감소하게 되며, 이러한 RC지연의 감소에 따라 게이트라인의 전체 신호지연을 감소할 수 있게 된다. 이러한 신호지연의 감소는 게이트라인(102)의 저항 및 킥백현상에 의한 신호지연을 보상하여, 유기전계발광 표시장치의 화상표시부 전체에 걸쳐 휘도가 균일하게 된다.

한편, 상술한 설명에서는 게이트라인의 신호지연을 방지하기 위해 위치에 따라 게이트라인의 두께를 조절하였지만, 본 발명이 이러한 구조에만 한정되는 것이 아니라 게이트라인의 신호지연을 방지할 수 있는 모든 구조에 적용될 수 있다.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 게이트라인의 평면도이다.

도 6a는 게이트드라이버 집적회로가 실장되는 게이트패드부가 제1기판(120)의 일측에 형성된 구조의 유기전계발광 표시장치의 게이트라인(102)의 평면 구조를 나타내는 도면이다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 화상표시부의 일측의 게이트패드부에 인접하는 영역에서는 게이트라인(102)이 d1의 폭으로 형성되며, 일측단부에서 타측으로 갈수록 게이트라인(102)의 폭이 d2...dn으로 증가하게 된다.

이와 같이, 게이트라인(102)의 폭이 증가함에 따라 전기도통도가 증가하게 되어 금속의 저항 및 킥백현상에 따른 신호지연을 보상함으로서 게이트라인(102)을 통한 주사신호의 지연을 방지할 수 있게 된다. 이때, 게이트라인(102)의 폭(d1,d2...dn) 및 단차의 수는 게이트라인(102)의 재질, 화상표시부의 면적 등과 같은 다양한 요인에 의해 결정된다. 특히, 이러한 게이트라인(102)의 폭은 일정한 정도로 증가하는 것이 아니라 특정 위치의 신호지연에 따라 결정된다. 다시 말해서, 본 발명에서는 특정 위치의 신호지연 정도를 측정하여 이 신호지연을 보상할 수 있는 폭으로 게이트라인을 형성할 수 있으며, 이러한 신호지연 측정의 영역은 게이트라이(102) 전체에 걸쳐 이루어질 수 있다.

도 6b는 게이트드라이버 집적회로가 실장되는 게이트패드부가 제1기판(120)의 양측에 형성된 구조의 유기전계발광 표시장치의 게이트라인(102)의 구조를 나타내는 도면이다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 화상표시부의 양측의 게이트패드부에 인접하는 영역에서는 게이트라인(102)이 d1의 폭으로 형성되며, 양측단부에서 중앙영역으로 갈수록 게이트라인(102)의 폭이 d2...dn으로 증가하게 된다.

이와 같이, 게이트라인(102)의 폭이 증가함에 따라 전기도통도가 증가하게 되어 금속의 저항 및 킥백현상에 따른 신호지연을 보상함으로서 게이트라인(102)을 통한 주사신호의 지연을 방지할 수 있게 된다.

이때, 게이트라인(102)의 폭(d1,d2...dn) 및 단차의 수는 게이트라인(102)의 재질, 화상표시부의 면적 등과 같은 다양한 요인에 의해 결정된다. 특히, 이러한 게이트라인(102)의 폭은 일정한 정도로 증가하는 것이 아니라 특정 위치의 신호지연에 따라 결정된다. 다시 말해서, 본 발명에서는 특정 위치의 신호지연 정도를 측정하여 이 신호지연을 보상할 수 있는 폭으로 게이트라인을 형성할 수 있으며, 이러한 신호지연 측정의 영역은 게이트라이(102) 전체에 걸쳐 이루어질 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 게이트라인(102)의 두께를 조절하여 게이트라인을 통한 신호의 지연을 보상할 뿐만 아니라 게이트라인(102)의 폭을 조절함으로써 게이트라인의 신호지연을 보상할 수 있게 된다.

이러한 관점에서 본 발명에서는 위치에 따라 게이트라인(102)의 단면적을 조절함으로써 저항 및 킥백현상에 따른 신호의 지연을 방지할 수 있게 되는데, 도 7a-도 7d를 참조하여 이를 자세히 설명한다.

도 7a-도 7d는 유기전계발광 표시장치의 위치별 게이트라인의 단면을 나타내는 도면이다. 이때, 도 7a 및 도 7b는 신호원(signal source)인 게이트드라이버 집적회로가 표시영역의 일측에 배치된 구조의 유기전계발광 표시장치에 대한 것이고 도 7c 및 도 7d는 신호원인 게이트드라이버 집적회로가 표시영역의 양측에 배치된 구조의 유기전계발광 표시장치에 대한 것이다.

이때, 수평축은 게이트라인의 전체 길(ℓ)를 나타내고 수직축은 게이트라인의 단면적을 나타내는데, 상기 단면적은 유기전계발광 표시장치의 크기나 게이트라인의 재질등에 따라 다르지만, 수 ㎛²일 수 있다.

도 7a에 도시된 바와 같이, 이 구조의 유기전계발광 표시소자에서는 게이트패드에 인접한 영역의 게이트라인이 단면적이 가장 작고 게이트패드로부터 멀어질수록, 즉 게이트라인의 전체 길이(ℓ)에서 화상표시영역의 일측(0)에서 타측(ℓ)으로 갈수록 게이트라인의 단면적이 불연속적으로 증가한다. 이때, 특정 위치의 게이트라인의 단면적은 해당 위치에서의 게이트라인의 저항 및 해당 화소의 박막트랜지스터의 킥백현상의 크기에 대응한다.

또한, 도 7b에 도시된 바와 같이, 게이트라인의 단면적은 화상표시영역의 일측(0)에서 타측(ℓ)으로 갈수록 연속적으로 증가하여, 화상표시영역 전체에 걸쳐서 주사신호의 지연을 보상할 수 있게 된다.

도 7c에 도시된 바와 같이, 이 구조의 유기전계발광 표시소자에서는 화상표시영역의 양측면의 게이트패드에 인접한 영역(0,ℓ)의 게이트라인이 단면적이 가장 작고 화상표시영역의 중앙영역(ℓ/2)으로 갈수록 게이트라인의 단면적이 불연속적으로 증가한다. 이때, 특정 위치의 게이트라인의 단면적은 해당 위치에서의 게이트라인의 저항 및 해당 화소의 박막트랜지스터의 킥백현상의 크기에 대응하므로, 화상표시영역 전체에 걸쳐서 게이트라인에서의 주사신호의 지연을 방지할 수 있게 된다.

또한, 도 7d에 도시된 바와 같이, 게이트라인의 단면적은 화상표시영역의 양측에서 중앙영역으로 갈수록 연속적으로 증가하여, 화상표시영역 전체에 걸쳐서 주사신호의 지연을 보상할 수 있게 된다.

한편, 본 발명에서 게이트라인의 단면적은 화상표시부의 일측면에서 타측면 또는 양측면에서 중앙영역으로 갈수록 불연속적 또는 연속적으로 증가하지 않고, 전체 위치별로 다르게 될 수 있다. 즉, 게이트라인의 특정 위치의 신호지연을 측정하여 이 측정값에 기초하여 해당 영역의 게이트라인의 단면적(즉, 두께 및/또는 폭)을 조절함으로써, 게이트라인의 신호지연을 방지할 수 있게 된다.

이와 같이, 본 발명에서는 게이트라인의 단면적을 일측의 게이트패드로부터 멀어질수록 또는 양측의 게이트패드로부터 멀어질수록 증가시킴으로써 신호지연을 방지하거나 신호지연을 측정하여 이에 대응하도록 단면적을 설정함으로써 신호지연을 방지할 수 있게 된다. 다시 말해서, 본 발명에서는 게이트라인의 두께 또는 폭을 조절함으로써 신호지연을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 두께와 폭을 동시에 적절히 조절함으로써 신호지연을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.

한편, 본 발명이 게이트라인에만 적용되는 것이 아니라 데이터라인에도 적용된다. 데이터라인이 데이터패드로부터 멀어지는 경우, 데이터라인을 형성하는 금속의 저항과 킥백현상에 의해 데이터라인에 인가되는 화상신호의 지연에 의해 화질에 저하가 발생하며, 게이트라인과 마찬가지로 데이터라인도 위치에 따라, 예를 들면 일측의 데이터패드로부터 멀어질수록 또는 양측의 데이터패드로부터 멀어질수록 데이터라인의 두께 및/또는 폭을 증가시킴으로써 신호지연을 방지할 수 있게 된다.

이하에서는 상기와 같은 구조의 유기전계발광 표시장치의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 유기전계발광 표시장치는 다양한 구조로 제작될 수 있지만, 이하의 설명에서는 도 4 구조의 유기전계발광 표시장치의 제조방법에 대해서 설명한다. 다른 구조의 유기전계발광 표시장치의 제조방법도 이하에서 설명된 제조방법을 기초하면 통상의 기술자에게는 용이하게 이해될 것이다.

도 8a-도 8l은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이때, 설명의 편의를 위해, 화상표시영역의 한 화소(예를 들어, B-화소)와 게이트라인을 따른 영역만을 도시하였다.

우선, 도 8a에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120)을 준비한 후, 제1기판(120) 전체에 걸쳐 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법(sputtering process)에 의해 금속층(102a)을 적층한 후 그 위에 포토레지스트를 적층하여 포토레지스트층(220)을 형성한다.

이어서, 제1기판(120) 상부에 포토마스크(230)를 정렬하여 배치한 후, 자외선과 같은 광을 조사하여 포토레지스트층(220)을 노광처리한다. 이때, 상기 포토마스크(230)는 멀티톤 마스크(multi-tone mask)로서, 조사되는 광을 완전히 차단하는 차단영역(a), 광을 부분적으로 차단하는 부분차단영역(b,c,d), 광을 완전히 투과시키는 투과영역(e)으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 부분차단영역은 조사되는 광을 약 20% 차단하는 제1부분차단영역(b), 조사되는 광을 약 40% 차단하는 제2부분차단영역(c), 조사되는 광을 약 60% 차단하는 제3부분차단영역(d)로 이루어질 수 있다.

이어서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 광이 조사된 포토레지스트층(220)을 현상액에 의해 현상하여 제1포토레지스트패턴(220b)을 형성한다. 이때, 포토마스크(230)의 차단영역(a)에 대응하는 포토레지스터층은 현상되지 않고 포토마스크(230)의 투과영역에 대응하는 포토레지스트층은 모두 현상되며, 포토마스크(230)의 분분차단영역(b,c,d)에 대응하는 포토레지스트층은 일부만 현상되어, 화상표시영역에 제1포토레지스트패턴(220a)이 형성되고 게이트라인영역에 복수의 단차를 가진 제2포토레지스트패턴(220b)이 형성된다.

그 후, 상기 제1포토레지스트패턴(220a) 및 제2포토레지스트패턴(220b)에 의해 금속층(102a)를 블로킹한 상태에서 식각액을 적용하여 상기 금속층(102a)을 식각하면, 도 8c에 도시된 바와 같이 노출된 금속층(102a)이 제거되어 화상표시영역에 게이트전극(111)이 형성되고 게이트라인영역에 제1금속패턴(102b)이 형성된다.

그 후, 상기 제1포토레지스트패턴(220a) 및 제2포토레지스트패턴(220b)을 에이싱(ashing)함에 따라, 도 8d에 도시된 바와 같이 제1포토레지스트패턴(220a) 및 제2포토레지스트패턴(220b)의 일부가 제거되어 게이트라인영역의 제1금속패턴(102b) 위에 제3포토레지스트패턴(220c)을 형성하는데, 이때 상기 제1금속패턴(102b)의 일부가 외부로 노출된다.

이어서, 제3포토레지스트패턴(220c)에 의해 제1금속패턴(102b)을 블로킹한 상태에서 식각액을 작용하여 상기 제1금속패턴(102b)의 노출된 영역을 식각하면, 도 8e에 도시된 바와 같이, 게이트라인영역에 제2금속패턴(102c)가 형성된다. 그 후, 상기 제1포토레지스트패턴(220a) 및 제3포토레지스트패턴(220c)을 에이싱한다.

도 8f에 도시된 바와 같이, 에이싱에 의해 제1포토레지스트패턴(220a) 및 제3포토레지스트패턴(220c)의 일부가 제거되어 게이트라인영역의 제2금속패턴(102c) 위에 제4포토레지스트패턴(220d)을 형성하는데, 이때 제2금속패턴(102c)의 일부가 노출된다.

이어서, 제4포토레지스트패턴(220d)에 의해 제2금속패턴(102c)을 블로킹한 상태에서 식각액을 작용하여 제2금속패턴(102c)의 노출된 영역을 식각하여, 도 8g에 도시된 바와 같이 상기 게이트라인영역에 제3금속패턴(102d)을 형성한다.

그 후, 다시 한번 에이싱공정을 거쳐 제5포토레지스트패턴(220e)을 형성한 후, 상기 제5포토레지스트패턴(220e)을 이용하여 상기 제3금속패턴(102d)을 식각하여, 도 5h에 도시된 바와 같이 제1기판(120)의 게이트라인영역에 위치에 따라 다른 두께를 갖는 게이트라인(102)을 형성한다.

그 후, 도 8i에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 전체에 걸쳐 CVD(Chemicla Vapor Deposition)법에 의해 무기절연물질을 적층하여 게이트절연층(122)을 형성한다. 이때, 상기 게이트절연층(122)은 SiNx를 약 2000Å의 두께로 형성할 수 있다. 이어서, 제1기판(120) 전체에 걸쳐 비정질실리콘이나 결정질실리콘과 같은 반도체물질을 CVD법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(112B)을 형성한다. 이때, 상기 반도체물질로는 산화물반도체물질이나 질화물반도체물질과 같은 다양한 물질이 적층될 수 있다.

그 후, 제1기판(120) 상에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금과 같이 도전성이 좋은 불투명 금속을 스퍼터링법에 의해 적층한 후 식각하여 반도체층(112B) 위, 엄밀하게 말해서 오믹컨택층 위에 소스전극(114B) 및 드레인전극(115B)을 형성한다.

그 후, 상기 소스전극(114B) 및 드레인전극(115B)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 무기절연물질을 적층하여 제1절연층(124)을 형성한다. 이때, 상기 제1절연층(124)은 SiO₂를 약 4500Å의 두께로 형성할 수 있다. 이어서, 상기 제1절연층(124) 위의 B화소 위에 각각 B-컬러필터층(117B)을 형성한다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 B-컬러필터층(117b)의 형성과 동시에, R화소 및 G화소에 각각 R-컬러필터층 및 G-컬러필터층을 형성한다.

이어서, 도 8j에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터층이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 도포하여 제2절연층(126)을 적층한 후, 상기 제1절연층(124) 및 제2절연층(126)을 식각하여 박막트랜지스터의 드레인전극(115B)이 노출되는 컨택홀(129)을 형성한다. 이때, 상기 제2절연층(126)은 약 3㎛의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 도면에서는 제1절연층(124)과 제2절연층(126)을 동시에 식각하여 컨택홀(129)을 형성했지만, 제1절연층(124)을 식각하고 그 내부에 형성된 제2절연층(126)을 식각하여 컨택홀(129)을 형성할 수도 있을 것이다.

이어서, 제2절연층(126) 위에 ITO나 IZO와 같은 투명한 도전물질로 이루어진 화소전극(121B)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극(121B)은 컨택홀(29)의 내부로 연장되어 구동박막트랜지스터의 드레인전극(115B)과 전기적으로 연결된다.

그 후, 도 8k에 도시된 바와 같이, 컨택홀(129) 내부 및 제2절연층(126)의 일부 영역 위에 유기절연물질 또는 무기절연물질을 적층하고 식각하여 뱅크층(128)을 형성한 후, 상기 화소전극(121B)이 형성된 제1기판(120) 전체에 걸쳐 유기발광부(123)를 형성한다. 상기 유기발광부(123)는 전자주입층, 전자수송층, 백색 유기발광층, 정공수송송 및 정공주입층으로 이루어지며, 상기 백색 유기발광층은 R-유기발광물질, G-유기발광물질, G-유기발광물질이 혼합된 층일 수도 있으며, R-유기발광층, G-유기발광층, G-유기발광층이 적층된 구조일 수도 있다. 상기 전자주입층, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송송 및 정공주입층으로는 현재 사용되는 다양한 물질로 적층하여 형성될 수 있다.

그 후, 상기 유기발광부(123) 위에 Ca, Ba, Mg, Al, Ag와 같은 금속을 적층하여 공통전극(125)을 형성한다.

그 후, 도 8l를 참조하여 , 제2기판(130) 전체에 걸쳐 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버와 같은 열경화성 수지로 이루어진 접착층(142)을 약 5-100㎛의 두께로 형성한 후, 상기 제2기판(130)을 제1기판(120) 위에 위치시킨 상태에서 제1기판(120) 및 제2기판(130)에 압력을 인가하여 상기 제1기판(120) 및 제2기판(130)을 합착한다.

이때, 상기 접착제 또는 접착필름을 제1기판(120) 위에 도포하거나 부착한 후, 그 위에 제2기판(130)을 위치하여 합착할 수도 있을 것이다.

상기 제2기판(130)은 유리나 플라스틱을 사용할 수도 있고 PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름을 사용할 수도 있다.

상기와 같이 제1기판(120) 및 제2기판(130)을 합착한 후, 상기 접착층(142)을 약 80-170도의 온도로 가열하여 접착층(142)을 경화시킨다. 이러한 접착층(142)의 경화에 의해 유기전계발광 표시장치가 밀봉되어 외부로부터 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 제2기판(130)은 유기전계발광 표시장치를 봉지하기 위한 봉지캡으로 작용하여 유기전계발광 표시장치를 보호하게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 게이트라인 및/ 또는 데이터라인의 두께 및/또는 단면적을 위치별로 다르게 설정하여 전기전도도를 조절함으로써 배선의 저항 및 박막트랜지스터의 킥백현상에 의한 신호지연을 방지할 수 있게 된다. 따라서, 신호지연에 의해 화면 전체에 휘도가 불균일하게 되어 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.

한편, 상술한 상세한 설명에서는 유기전계발광 표시장치가 예를 들어 설명되고 있지만, 본 발명이 이러한 유기전계발광 표시장치에 한정되는 것이 아니라 액정표시장치, 플라즈마표시장치, 전기영동 표시장치 등과 같이 복수의 화소를 포함하여 각각의 신호를 신호를 인가하는 모든 종류의 표시장치에 적용될 수 있을 것이다. 이때, 액정표시장치의 경우 상기 화상구현소자는 액정층이고 유기전계발광 표시장치의 경우 화상구현소자는 유기발광층이다. 또한, 플라즈마 표시장치의 경우 화상구현소자는 플라즈마층이고 전기영동표시장치의 경우 전기영동층이다.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.

102: 게이트라인 103: 데이터라인
120,130: 기판 117R,117G,117B: 컬러필터층
121R,21G,21B: 화소전극 123: 유기발광부
124,126: 절연층 125: 공통전극
128: 더미패턴 142: 접착층

Claims

제1기판 및 제2기판;
상기 제1기판에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인; 및
상기 제1기판의 각 화소에 배치된 화상구현소자로 구성되며,
상기 게이트라인 및 데이터라인중 적어도 하나의 라인이 화소에 인가되는 신호원으로부터 멀어질수록 두께가 증가하고,
상기 신호원은 게이트드라이버 집적회로를 포함하고,
상기 게이트드라이버 집적회로는 상기 게이트라인의 양측에 배치되고,
상기 게이트라인의 두께는 좌측 단부 및 우측 단부에서 중앙 영역으로 갈수록 증가하는 표시장치.
제1항에 있어서, 상기 화상구현소자는 유기발광층, 액정층, 전기영동층, 플라즈마층을 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 두께는 불연속적으로 변하는 표시장치.
제1항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 두께는 연속적으로 변하는 표시장치.
제1항에 있어서, 상기 신호원은 데이터드라이버 집적회로를 더 포함하는 표시장치.
삭제
제5항에 있어서, 상기 데이터드라이버 집적회로는 데이터라인의 일측 또는 양측에 배치되는 표시장치.
제1기판 및 제2기판;
상기 제1기판에 배치되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;
상기 제1기판의 각 화소에 배치된 화상구현소자; 및
상기 복수의 화소에 신호를 인가하는 신호원으로 구성되며,
상기 게이트라인 및 데이터라인중 적어도 하나의 라인의 단면적이 신호지연의 정도에 따라 달라지고,
상기 신호원은 게이트드라이버 집적회로를 포함하고,
상기 게이트드라이버 집적회로는 상기 게이트라인의 양측에 배치되고,
상기 게이트라인의 두께는 좌측 단부 및 우측 단부에서 중앙 영역으로 갈수록 증가하는, 표시장치.
제8항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 단면적은 신호원으로부터 멀어질수록 증가하는 표시장치.
제9항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 두께 및/또는 폭은 신호원으로부터 멀어질수록 증가하는 표시장치.
제8항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 단면적은 불연속적으로 달라지는 표시장치.
제8항에 있어서, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 단면적은 연속적으로 달라지는 표시장치.